KR20160018403A - 반도체 웨이퍼의 냉각 방법 및 반도체 웨이퍼의 냉각 장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 냉각 방법 및 반도체 웨이퍼의 냉각 장치 Download PDF

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유키토시 하세
신이치로 모리
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

가열 상태에 있는 반도체 웨이퍼를 가열된 유지 테이블에 적재한다. 유지 테이블의 상방으로 반도체 웨이퍼를 격리시켜서 유지하면서 냉각을 한다. 이 냉각 과정에 있어서, 유지 테이블로부터의 복사열에 의해 냉각되는 반도체 웨이퍼의 온도, 반도체 웨이퍼의 온도를 저하시키는 속도 및 냉각 시간을 조정하면서 반도체 웨이퍼를 냉각한다.

Description

반도체 웨이퍼의 냉각 방법 및 반도체 웨이퍼의 냉각 장치{METHOD AND APPARATUS FOR COOLING SEMICONDUCTOR WAFER}
본 발명은, 가열 상태에 있는 수지 조성물을 포함하는 밀봉층이 형성된 밀봉 시트 또는 점착 테이프에 의해 피복되어 있는 반도체 웨이퍼를 냉각하는 반도체 웨이퍼의 냉각 방법 및 반도체 웨이퍼의 냉각 장치에 관한 것이다.
다이싱 처리 후에 양품의 베어 칩만을 선별하여, 복수개의 그 베어 칩을 수지에 의해 피복해서 재성형한 반도체 웨이퍼(이하, 적절하게 「웨이퍼」라고 함)에 원하는 가공을 하고 있다. 예를 들어, 양면 점착 테이프에 의해 캐리어용 지지판을 접합한 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 행하여 박화한다. 그 후에 상기 반도체 웨이퍼를 가열함으로써 양면 점착 테이프의 접착력을 저감 또는 감멸시켜서 지지판을 웨이퍼로부터 분리하고 있다.
지지판을 분리한 후의 가열 상태에 있는 웨이퍼를 냉각하고 있다. 즉, 냉각 처리의 스루풋을 향상시키기 위해서, 냉각 스테이지로 반송할 때까지의 반송 과정에서, 가열 상태에 있는 웨이퍼를 비접촉으로 부상시켜서 냉각 스테이지로 반송하면서 공기를 불어대어 예비 냉각을 행하고 있다(일본 특허 공개 제2012-119439호 공보 참조).
그러나, 상기 종래 방법에서는 다음과 같은 문제가 발생하였다.
즉, 웨이퍼의 대형화에 수반하여 비접촉으로 웨이퍼를 부상시켜서 반송하기가 곤란하게 되어 있다. 즉, 지지판이 제거되어 강성이 저하됨과 함께, 가열에 의해 수지가 연화되어 있으므로, 웨이퍼의 자중에 의해 웨이퍼에 휨이나 처짐이 발생하기 쉽게 되어 있다. 상기 휨 등의 발생은, 웨이퍼의 핸들링 에러를 초래하고, 나아가서는 핸들링 에러에 의해 웨이퍼를 파손시킨다고 하는 문제가 발생하고 있다.
또한, 대형 웨이퍼를 냉각 스테이지로 반송하기 위한 예비 냉각용 반송 장치는, 설치 면적이 커진다고 하는 문제도 발생하고 있다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 간소한 구성으로 반도체 웨이퍼를 고정밀도로 냉각할 수 있는 반도체 웨이퍼의 냉각 방법 및 반도체 웨이퍼의 냉각 장치를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.
본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취한다.
즉, 수지 시트 또는 점착 테이프에 의해 피복된 반도체 웨이퍼를 냉각하는 반도체 웨이퍼의 냉각 방법으로서,
가열 상태에 있는 상기 반도체 웨이퍼를 가열된 유지 테이블에 적재하는 적재 과정과,
상기 유지 테이블로부터 반도체 웨이퍼를 격리시키는 격리 과정과,
상기 유지 테이블로부터 반도체 웨이퍼를 격리시킨 상태에서 온도 및 시간을 조정하면서 반도체 웨이퍼를 냉각하는 냉각 과정
을 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 방법에 따르면, 가열 상태에 있는 웨이퍼를 가열된 유지 테이블로부터 격리시킴으로써, 유지 테이블로부터 복사되는 열에 의해 웨이퍼가 서서히 냉각된다. 이때, 유지 테이블로부터 웨이퍼까지의 거리와 복사열에 의한 온도를 조정함으로써, 급격하게 냉각되었을 때 발생하는 웨이퍼의 휨이 억제될 수 있다.
또한, 상기 방법에 있어서, 온도의 조정은, 예를 들어 유지 테이블로부터 반도체 웨이퍼까지의 거리 또는 유지 테이블의 가열 온도 중 적어도 한쪽을 변경해서 행해진다.
또한, 상기 방법에 있어서, 온도의 조정은, 거리 및 가열 온도의 변경, 또한 반도체 웨이퍼에 냉각용 기체를 불어대어 행해도 된다. 혹은, 유지 테이블로부터 반도체 웨이퍼까지의 거리를 일정하게 해서 기체의 풍량이나 풍속을 조정해도 된다.
또한, 상술한 각 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면의 온도를 검출기로 검출하고, 그 검출 결과에 따라서 온도를 조정해도 된다.
이 방법에 따르면, 검출기의 검출 결과에 따라, 웨이퍼의 온도 저하를 고정밀도로 제어할 수 있다.
또한, 상기 방법에 있어서, 검출기에 의해 반도체 웨이퍼의 휨을 검출하는 검출 과정을 구비하고,
격리 과정에 있어서, 반도체 웨이퍼의 외주의 복수 개소를 복수개의 지지 부재로 지지함과 함께, 반도체 웨이퍼의 중앙을 흡착 부재로 흡착 유지하고,
냉각 과정은, 냉각 시에 검출기에 의해 검출된 반도체 웨이퍼의 휨량에 따라서 지지 부재와 흡착 부재를 상대적으로 격리 또는 접근 이동시키면서 반도체 웨이퍼를 평탄하게 한다.
이 방법에 따르면, 냉각 과정에서 웨이퍼에 휨이 발생한 경우, 지지 부재와 흡착 부재를 격리 또는 접근시킴으로써, 휨에 의해 발생하는 웨이퍼 중앙과 외측 테두리의 갭을 작게 교정할 수 있다. 즉, 웨이퍼를 평탄한 상태로 냉각할 수 있다.
본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취한다.
즉, 수지 시트 또는 점착 테이프에 의해 피복된 반도체 웨이퍼를 냉각하는 반도체 웨이퍼의 냉각 장치로서,
가열 상태에 있는 상기 반도체 웨이퍼를 가열하면서 유지하는 유지 테이블과,
상기 유지 테이블로부터 반도체 웨이퍼를 격리시키는 격리 기구와,
상기 유지 테이블로부터 반도체 웨이퍼를 격리시킨 상태에서 온도 및 시간을 조정하면서 반도체 웨이퍼를 냉각시키는 제어부
를 구비한 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 격리 기구에 의해 유지 테이블에 적재된 웨이퍼를 그 유지 테이블로부터 격리한 상태에서 유지할 수 있다. 따라서, 유지 테이블로부터 반도체 웨이퍼까지의 거리 및 격리되어 있는 시간을 조정함으로써, 유지 테이블로부터 복사되는 열에 의해 웨이퍼가 서서히 냉각된다. 즉, 상기 방법을 적절하게 실시할 수 있다.
또한, 그 구성에 있어서, 제어부는, 예를 들어 유지 테이블로부터 반도체 웨이퍼까지의 거리 또는 유지 테이블의 가열 온도 중 적어도 한쪽을 조정해서 온도를 제어한다.
또한, 반도체 웨이퍼를 향해서 냉각용 기체를 불어대는 기체 공급부를 구비한 구성이어도 된다.
이 구성에 따르면, 웨이퍼를 적극적으로 냉각할 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼에서의 온도 분포의 편차가 큰 경우, 온도가 높은 부위에 국소적으로 냉각용 기체를 불어댈 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면의 온도를 검출하는 검출기를 구비하고,
제어부는, 검출기의 검출 결과에 따라서 온도를 조정해도 된다.
이 구성에 따르면, 웨이퍼의 온도 변화를 순서대로 검출하고 있기 때문에, 웨이퍼의 온도를 저하시키는 속도를 고정밀도로 조정할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 휨을 검출하는 검출기를 구비하고,
격리 기구는, 반도체 웨이퍼의 외주를 복수 개소에서 지지하는 복수개의 지지 부재와,
반도체 웨이퍼의 중앙 부분을 흡착 유지하는 흡착 부재와,
지지 부재와 흡착 부재를 상대적으로 격리 및 접근 이동시키는 구동 기구를 구비하고,
제어부는, 반도체 웨이퍼의 휨량에 따라서 지지 부재와 흡착 부재를 상대적으로 접근 또는 격리 이동시키면서 반도체 웨이퍼를 평탄하게 한다.
이 구성에 따르면, 웨이퍼에 휨이 발생한 경우, 그 휨량의 변화에 따라서 지지 부재와 흡착 부재를 격리 또는 접근시킴으로써, 그 휨을 교정해서 평탄한 상태에서 웨이퍼를 냉각할 수 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼의 냉각 방법 및 반도체 웨이퍼의 냉각 장치에 의하면, 가열 상태에 있는 밀봉 시트 또는 점착 테이프로 피복된 반도체 웨이퍼에 휨을 발생시키지 않고 고정밀도로 냉각할 수 있다.
도 1은 반도체 웨이퍼에 지지판을 접합해서 이루어지는 공작물의 측면도.
도 2는 반도체 웨이퍼의 부분 단면도.
도 3은 냉각 장치의 정면도.
도 4는 냉각 장치의 동작을 설명하는 평면도.
도 5는 냉각 장치의 정면도.
도 6은 변형예의 냉각 장치의 평면도.
도 7은 변형예의 냉각 장치의 동작을 설명하는 정면도.
도 8은 변형예의 냉각 장치의 동작을 설명하는 정면도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 보호 테이프 박리 장치의 실시예를 설명한다.
본 실시예에서 사용하는 반도체 웨이퍼(이하, 적절하게 「웨이퍼」라고 함)는, 웨이퍼 표면에의 회로 형성 후에 다이싱 처리가 된 베어 칩을 검사하여, 양품의 베어 칩만을 선별한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 이들 베어 칩(1a)의 전극면을 아래로 하여, 도 1에 도시한 바와 같이, 캐리어용 지지판(2)에 부착한 양면 점착 테이프(3) 위에 2차원 어레이 형상으로 정렬 고정한다. 또한, 베어 칩(1a) 위로부터 수지(1b)를 피착하여, 웨이퍼(1)의 형상으로 재생하고 있다.
또한, 본 실시예에서는, 스테인리스강, 유리 기판 또는 실리콘 기판으로 이루어지는 지지판(2)과 동심 형상으로 양면 점착 테이프(3)를 개재해서 접합된 웨이퍼(1)의 백그라인드 처리 후에 가열 처리에 의해 지지체가 제거된 웨이퍼(1)를 다루는 장치이다.
즉, 양면 점착 테이프(3)는 테이프 기재(3a)의 양면에, 가열함으로써 발포 팽창해서 접착력을 상실하는 가열 박리성 점착층(3b)과, 자외선의 조사에 의해 경화되어 접착력이 저하되는 자외선 경화형 또는 비자외선 경화형 감압성 점착층(3c)을 구비해서 구성된 것이다. 즉, 이 양면 점착 테이프(3)의 점착층(3b)에 지지판(2)이 부착됨과 함께, 점착층(3c)에 웨이퍼(1)가 부착되어 있다.
도 3은 본 발명에 따른 냉각 장치의 정면도, 도 4는 냉각 장치의 평면도이다.
이 냉각 장치는, 유지 테이블(5) 및 웨이퍼 지지 기구 등으로 구성되어 있다.
유지 테이블(5)은, 테이블 본체와 척 플레이트(5a)로 구성되어 있다. 테이블 본체에는, 척 플레이트(5a)를 통해서 웨이퍼(1)를 가열하는 히터(6)가 매설되어 있다.
척 플레이트(5a)는 웨이퍼(1)의 외형보다도 작은 금속제 또는 다공질의 세라믹 등으로 구성되어 있다. 또한 척 플레이트(5a)는 유로를 통해서 외부의 진공 장치(7)와 연통 접속되어 있다. 즉, 척 플레이트(5a)는 적재된 웨이퍼(1)를 흡착 유지한다. 또한, 척 플레이트(5a)는 실린더(9)에 의해 승강하도록 구성되어 있다.
웨이퍼 지지 기구는 웨이퍼(1)의 외형보다도 큰 환상 부재(10)를 구비하고 있다. 이 환상 부재(10)는, 웨이퍼 외주를 지지하는 복수개의 지지 핀(11)을 구비하고 있다. 지지 핀(11)은 유지 테이블(5)의 중심에 선단을 향한 상태로 수평 배치되어 있다. 또한, 환상 부재(10)는 실린더(12)에 의해 승강하도록 구성되어 있다.
또한, 환상 부재(10)에는 온도 센서(13)가 구비되어 있다. 이 온도 센서(13)는 웨이퍼(1)의 상면의 온도를 검출하고, 그 검출 신호를 제어부(14)로 송신한다. 또한, 제어부(14)의 기능에 대해서는, 후술하는 그 장치에 동작 설명으로 상세하게 설명한다.
이어서, 상기 냉각 장치의 동작에 대해서, 도 3 내지 도 5를 참조하면서 설명한다.
도시하지 않는 반송 로봇에 의해, 지지판(2)이 제거된 웨이퍼(1)가, 도 3에 도시한 바와 같이, 유지 테이블(5)에 수납되어 편평하게 되어 있는 척 플레이트(5a)와 지지 핀(11) 위에 적재된다.
웨이퍼(1)는, 유지 테이블(5)로 반송되어 올 때까지, 웨이퍼 전체면에서의 온도 분포에 편차가 발생하였으므로, 웨이퍼(1)의 온도 분포를 균일하게 하기 위해서 웨이퍼(1)를 소정 시간 걸려서 소정 온도로 가열한다. 이 시점에서, 수지(3b)는 미경화 상태에 있다.
이 가열 과정에 있어서, 온도 센서(13)에 의해 웨이퍼(1)의 표면 또는 이면의 온도가 검출되고, 그 검출 신호가 제어부(14)로 송신된다. 제어부(14)는 미리 정한 기준 온도와 실측에 의한 온도(실측값)를 비교한다. 실측값이 소정 온도에 달하면, 제어부(14)는 도 5에 도시한 바와 같이, 척 플레이트(5a) 및 환상 부재(10)를 동일한 소정 높이까지 상승시킨다. 즉, 히터(8)가 매설된 테이블 본체로부터 웨이퍼(1)를 소정의 높이까지 격리시켜서 수평 유지한다.
여기서, 격리시키는 높이는, 웨이퍼(1)를 냉각할 때의 수지(1b) 및 베어 칩(1a)의 수축 특성에 따라서 적절하게 설정된다. 즉, 실험 또는 시뮬레이션 등에 의해, 웨이퍼(1)가 휘기 어려운 온도와 시간의 상관 관계에 의해 정해져 있다. 상기 상관 관계는, 레시피로서 제어부(14)에 유지되어 있다.
예를 들어, 거리를 일정하게 해서 소정의 온도(예를 들어 실온)까지 냉각한다. 이 냉각 과정에 있어서, 웨이퍼(1)가 급격하게 냉각되어 휨이 발생하지 않도록, 테이블 본체의 히터(8)를 작동시켜 두고, 웨이퍼(1)의 이면에 테이블 본체로부터의 열을 복사시켜서 냉각 속도를 조정한다.
이 냉각 과정에서도 온도 센서(13)에 의해 웨이퍼(1)의 온도가 검출되고 있고, 그 검출 신호가 제어부(14)로 송신된다. 제어부(14)는 웨이퍼(1)의 온도가 소정 온도에 도달하면, 테이블 본체로부터 격리된 상태로 반송 로봇에 의해 수취된다.
그 후, 척 플레이트(5a) 및 환상 부재(10)는 테이블 본체의 웨이퍼 수취 위치까지 하강한다. 이상으로 일순의 동작이 완료되고, 이후 소정 매수의 웨이퍼(1)의 냉각 처리가 반복해서 실행된다.
이 구성에 따르면, 가열에 의해 수지(1b)가 연화 상태에 있는 웨이퍼(1)를 냉각하는 과정에서, 테이블 본체로부터 웨이퍼(1)를 격리시켜, 복사열에 의해 웨이퍼(1)를 간접적으로 가열하면서 웨이퍼(1)의 온도를 조정하면서 저하시켜 가므로, 웨이퍼(1)의 휨의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(1)의 휨에 수반하는 핸들링 에러의 발생을 방지하고, 나아가서는 핸들링 에러에 의해 발생하는 웨이퍼(1)의 파손을 피할 수 있다.
또한, 본 발명은 이하와 같은 형태로 실시하는 것도 가능하다.
(1) 상기 실시예에서는, 냉각 과정에 있어서 휨이 발생하지 않는 경우에 대해서 설명했지만, 휨이 발생한 경우에는, 다음과 같이 실시하면 된다.
도 6에 도시한 바와 같이, 환상 부재(10) 위에 광 센서 또는 초음파 센서 등의 2조의 검출기(15)를, 웨이퍼(1)를 사이에 두고 각각 대향 배치하여, 웨이퍼(1)의 휨을 모니터하도록 구성한다.
상기 구성에 있어서, 예를 들어 웨이퍼(1)의 중심이 높아지도록 볼록한 곡면 형상으로 휘어진 경우, 도 8에 도시한 바와 같이, 한쪽 투광기(15a)로부터의 광이 차단된다. 이때, 수광기(15b)로부터 송신되는 차단 신호에 의해 제어부(14)가, 도 7의 일점쇄선으로 나타내는 척 플레이트(5a)와 같이 하방으로 하강 조정된다. 이 하강 조정의 과정에서, 도 6에 도시한 바와 같이, 수광기(15b)로부터 수광 신호를 제어부(14)가 다시 수신한 시점에서, 제어부(14)는, 웨이퍼(1)의 휨이 해소되어, 평탄한 상태에 있다고 판단해서 하강 동작을 정지시킨다. 이후, 웨이퍼(1)의 온도가 소정의 온도에 도달할 때까지, 휨을 모니터하여, 적시에 휨을 교정하는 처리가 반복해서 실행된다.
또한, 수지(1b) 등의 특성에 의해 웨이퍼(1)의 휨의 방향이 특정되어 있는 경우, 척 플레이트(5a)의 이동 방향은, 한 방향이어도 되고, 검출기(15)도 1조로 가능하게 된다. 따라서, 검출기(15)의 개수는, 2조로 한정되지 않는다.
이 구성에 따르면, 냉각 시의 웨이퍼(1)의 휨을 확실하게 해소시킬 수 있다.
(2) 상기 실시예에 있어서, 테이블 본체로부터 웨이퍼(1)를 격리시키는 거리를 시간의 경과와 함께, 변화시켜도 된다.
(3) 상기 각 실시예에 있어서, 웨이퍼(1)를 냉각하는 과정에서, 노즐로부터 웨이퍼(1)를 향해서 연속 또는 간헐적으로 냉각풍을 불어대어도 된다. 예를 들어, 온도 센서(13)에 의해 웨이퍼(1)의 표면을 모니터하고 있는 과정에서, 일부분이 다른 부분보다도 온도가 높을 경우에, 국소적으로 냉각풍을 불어대어도 된다.
이 구성에 따르면, 웨이퍼(1)의 전체면의 온도가 균일한 상태로 냉각되므로, 휨의 발생을 억제할 수 있다.
(4) 상기 실시예에 있어서, 수지의 특성 등에 있어서, 복사열용 히터의 온도, 냉각 시간, 거리 및 휨의 상관 관계가 미리 결정되어 있으면, 온도 센서를 이용하지 않고 그 파라미터에 따라서 웨이퍼(1)를 냉각해도 된다.

Claims (10)

  1. 수지 시트 또는 점착 테이프에 의해 피복된 반도체 웨이퍼를 냉각하는 반도체 웨이퍼의 냉각 방법으로서,
    가열 상태에 있는 상기 반도체 웨이퍼를 가열된 유지 테이블에 적재하는 적재 과정;
    상기 유지 테이블로부터 반도체 웨이퍼를 격리시키는 격리 과정;
    상기 유지 테이블로부터 반도체 웨이퍼를 격리시킨 상태로 온도 및 시간을 조정하면서 반도체 웨이퍼를 냉각하는 냉각 과정
    을 포함하는, 반도체 웨이퍼의 냉각 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 온도의 조정은, 유지 테이블로부터 반도체 웨이퍼까지의 거리 또는 유지 테이블의 가열 온도 중 적어도 한쪽을 변경해서 행하는, 반도체 웨이퍼의 냉각 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 온도의 조정은, 반도체 웨이퍼에 냉각용 기체를 불어대어 행하는, 반도체 웨이퍼의 냉각 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 표면의 온도를 검출기로 검출하고, 그 검출 결과에 따라서 온도를 조정하는, 반도체 웨이퍼의 냉각 방법.
  5. 제1항에 있어서, 검출기에 의해 반도체 웨이퍼의 휨을 검출하는 검출 과정을 구비하고,
    상기 반도체 웨이퍼의 외주의 복수 개소를 복수개의 지지 부재로 지지함과 함께, 반도체 웨이퍼의 중앙을 흡착 부재로 흡착 유지하고,
    상기 냉각 과정은, 냉각 시에 검출기에 의해 검출된 반도체 웨이퍼의 휨량에 따라서 지지 부재와 흡착 부재를 상대적으로 격리 또는 접근 이동시키면서 반도체 웨이퍼를 평탄하게 하는, 반도체 웨이퍼의 냉각 방법.
  6. 수지 시트 또는 점착 테이프에 의해 피복된 반도체 웨이퍼를 냉각하는 반도체 웨이퍼의 냉각 장치로서,
    가열 상태에 있는 상기 반도체 웨이퍼를 가열하면서 유지하는 유지 테이블;
    상기 유지 테이블로부터 반도체 웨이퍼를 격리시키는 격리 기구;
    상기 유지 테이블로부터 반도체 웨이퍼를 격리시킨 상태로 온도 및 시간을 조정하면서 반도체 웨이퍼를 냉각시키는 제어부
    를 포함하는, 반도체 웨이퍼의 냉각 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제어부는, 유지 테이블로부터 반도체 웨이퍼까지의 거리 또는 유지 테이블의 가열 온도 중 적어도 한쪽을 조정해서 온도를 제어하는, 반도체 웨이퍼의 냉각 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 향해서 냉각용 기체를 불어대는 기체 공급부를 구비하는, 반도체 웨이퍼의 냉각 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 표면의 온도를 검출하는 검출기를 구비하고,
    상기 제어부는, 검출기의 검출 결과에 따라서 온도를 조정하는, 반도체 웨이퍼의 냉각 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 휨을 검출하는 검출기를 구비하고,
    상기 격리 기구는, 반도체 웨이퍼의 외주를 복수 개소에서 지지하는 복수개의 지지 부재와,
    상기 반도체 웨이퍼의 중앙 부분을 흡착 유지하는 흡착 부재와,
    상기 지지 부재와 흡착 부재를 상대적으로 격리 및 접근 이동시키는 구동 기구를 구비하고,
    상기 제어부는, 반도체 웨이퍼의 휨량에 따라서 지지 부재와 흡착 부재를 상대적으로 접근 또는 격리 이동시키면서 반도체 웨이퍼를 평탄하게 하는, 반도체 웨이퍼의 냉각 장치.
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