KR20160016375A - Ingot growing apparatus - Google Patents

Ingot growing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20160016375A
KR20160016375A KR1020140100405A KR20140100405A KR20160016375A KR 20160016375 A KR20160016375 A KR 20160016375A KR 1020140100405 A KR1020140100405 A KR 1020140100405A KR 20140100405 A KR20140100405 A KR 20140100405A KR 20160016375 A KR20160016375 A KR 20160016375A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating member
disposed
electrode
crucible
heater
Prior art date
Application number
KR1020140100405A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101658284B1 (en
Inventor
이현용
최일수
Original Assignee
주식회사 엘지실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지실트론 filed Critical 주식회사 엘지실트론
Priority to KR1020140100405A priority Critical patent/KR101658284B1/en
Publication of KR20160016375A publication Critical patent/KR20160016375A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101658284B1 publication Critical patent/KR101658284B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides

Abstract

The present invention relates to an ingot growing apparatus. The ingot growing apparatus comprises: a chamber having a through-hole on a bottom surface; a crucible which is disposed inside the chamber to accommodate silicon melt; a heater which is disposed outside the crucible, and heats the crucible; an electrode which is disposed in the through-hole, and transmits electric power by being connected to the heater; an electricity insulation member which is disposed to enclose the electrode, and is coated by yttrium oxide; and a heat insulation member which is disposed to enclose the electricity insulation member. In addition, the electricity insulation member is disposed around the electrode, wherein the electricity insulation member has high electrical resistance, endures high temperature, and has low carbon reactivity. The heat insulation member having high heat insulation ability and high rigidity supports the insulation member, thereby having advantages of preventing a leak current and increasing high-temperature stability.

Description

잉곳성장장치 {Ingot growing apparatus}[0001] INGOKING APPARATUS [0002]

실시예는 단결정 실리콘 잉곳 생산을 위한 잉곳성장장치에 관한 것이다.The embodiment relates to an ingot growing apparatus for producing a single crystal silicon ingot.

반도체 소자 제조용 실리콘 웨이퍼의 대구경화가 진행됨에 따라, 실리콘 웨이퍼의 대부분은 초크랄스키(CZ) 법에 의해 성장된 실리콘 단결정 잉곳으로부터 제조되고 있다.BACKGROUND ART [0002] As silicon wafers for semiconductor device fabrication continue to increase in size, most silicon wafers are produced from silicon single crystal ingots grown by the Czochralski (CZ) method.

CZ 방법에서는, 석영 도가니에 폴리실리콘을 장입하고, 이를 흑연 발열체에 의해 가열하여 용융시킨 후, 용융 결과 형성된 실리콘 융액에 종자 결정을 접촉시키고, 계면에서 결정화가 일어나도록 하여 종자 결정을 회전하면서 서서히 인상시킴으로써, 원하는 직경을 가진 실리콘 단결정 잉곳을 성장시킨다.In the CZ method, polysilicon is charged into a quartz crucible, heated by a graphite heating element to melt the crystal, and seed crystals are brought into contact with the silicon melt formed as a result of the melting so that crystallization occurs at the interface, Thereby growing a silicon single crystal ingot having a desired diameter.

최근에는 반도체 기술이 발점함에 따라서 수율 향상을 위해 잉곳이 대구경화 되고 있는 추세이다. 이로 인하여, 흑연 발열체 내에는 더욱 많은 다결정 실리콘이 장입되고, 이를 용융시키기 위하여 히터 파워가 증가하게 된다. In recent years, as semiconductor technology has been developed, ingots have been cured in order to improve the yield. As a result, more polycrystalline silicon is charged into the graphite heating element, and the heater power is increased to melt the graphite heating element.

히터 파워의 증가로 잉곳성장장치 내에 온도가 상승되어, 잉곳성장장치의 내부 구성들이 열에 의해 손상되는 문제가 발생하였다. The temperature of the inside of the ingot growing apparatus is raised by the increase of the heater power, and the internal structures of the ingot growing apparatus are damaged by heat.

특히, 히터에 전력을 공급하는 전극 주변은 매우 높은 온도가 유지되어, 전극 주변에 놓인 구성들이 고열에 의해 변형되는 문제가 발생하였다.Particularly, a very high temperature is maintained around the electrode for supplying electric power to the heater, and there arises a problem that the structures placed around the electrode are deformed by the high temperature.

실시예는 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 히터에 전력을 공급하는 전극 주변에 열에 강한 절연 부재가 배치된 잉곳성장장치를 제안하고자 한다.In order to solve the above-described problems, an embodiment of the present invention proposes an ingot growing apparatus in which an insulating member resistant to heat is disposed around an electrode for supplying electric power to a heater.

실시예는, 바닥면에 관통 홀을 구비한 챔버; 상기 챔버 내부에 배치되어 실리콘 융액을 수용하기 위한 도가니; 상기 도가니의 외측에 배치되어, 상기 도가니를 가열하는 히터; 상기 관통 홀에 배치되어, 상기 히터에 연결되어 전력을 전달하는 전극; 상기 전극을 둘러싸도록 배치되고 산화 이트륨으로 코팅된 절연부재; 및 상기 절연부재를 둘러싸도록 배치되는 단열부재; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.An embodiment includes a chamber having a through hole in a bottom surface thereof; A crucible disposed within the chamber to receive the silicon melt; A heater disposed outside the crucible for heating the crucible; An electrode disposed in the through hole and connected to the heater to transmit electric power; An insulating member disposed to surround the electrode and coated with yttrium; And a heat insulating member disposed to surround the insulating member; And a control unit.

다른 측면에서 실시예는, 바닥면에 관통 홀을 구비한 챔버; 상기 챔버 내부에 배치되어 실리콘 융액을 수용하기 위한 도가니; 상기 도가니의 외측에 배치되어, 상기 도가니를 가열하는 히터; 상기 관통 홀에 배치되어, 상기 히터에 연결되어 전력을 전달하는 전극; 상기 전극을 둘러싸도록 배치된 절연부재; 및 상기 절연부재를 둘러싸도록 배치된 단열부재; 를 포함하고, 상기 절연부재는 녹는 점이 2000도가 넘는 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.In another aspect, an embodiment includes a chamber having a through hole in a bottom surface thereof; A crucible disposed within the chamber to receive the silicon melt; A heater disposed outside the crucible for heating the crucible; An electrode disposed in the through hole and connected to the heater to transmit electric power; An insulating member disposed to surround the electrode; And a heat insulating member disposed to surround the insulating member; And the insulating member is formed of a material having a melting point exceeding 2000 degrees.

실시예의 잉곳성장장치는 전극 둘레에 전기 저항성이 높고 고온에 강하며 탄소 반응성이 낮은 절연부재를 배치하고, 절연부재를 단열력이 높고 강성이 높은 단열부재로 지지하여, 누설 전류를 방지하고 고온안정성을 높일 수 있는 장점이 있다.In the ingot growing apparatus of the embodiment, an insulating member having high electrical resistance, high resistance to high temperature and low carbon reactivity is disposed around the electrode, and the insulating member is supported by a heat insulating member having high heat insulating property and high rigidity to prevent leakage current, Can be increased.

도 1은 제 1 실시예에 따른 잉곳성장장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 히터가 분리된 상태에서 전극 주위에 챔버 바닥면을 나타낸다.
도 3은 용융실리카로 형성된 절연부재의 변형된 모습을 나타낸다.
도 4는 제 1 실시예에 따른 잉곳성장장치의 전극 주변의 단면도이다.
도 5는 제 1 실시예에 따른 절연부재의 사시도이다.
도 6은 잉곳성장공정시, 챔버 바닥면에 온도를 나타내는 그래프이다.
도 7은 제 2 실시예에 따른, 절연부재의 사시도이다.
도 8은 제 3 실시예에 따른, 절연부재의 사시도이다.1 is a view schematically showing an ingot growing apparatus according to the first embodiment.
Fig. 2 shows the chamber bottom surface around the electrode with the heater separated.
3 shows a modified view of an insulating member formed of fused silica.
4 is a cross-sectional view of the periphery of the electrode of the ingot growing apparatus according to the first embodiment.
5 is a perspective view of the insulating member according to the first embodiment.
6 is a graph showing the temperature on the bottom surface of the chamber during the ingot growing step.
7 is a perspective view of an insulating member according to the second embodiment.
8 is a perspective view of an insulating member according to the third embodiment.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the scope of the inventive concept of the present embodiment can be determined from the matters disclosed in the present embodiment, and the spirit of the present invention possessed by the present embodiment is not limited to the embodiments in which addition, Variations.

도 1은 제 1 실시예에 따른 잉곳성장장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 1 is a view schematically showing an ingot growing apparatus according to the first embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 잉곳성장장치(1) 내에는 잉곳이 성장하기 위한 공간을 제공하는 챔버(10)와, 실리콘 융액을 담을 수 있는 석영 도가니(30)와, 석영 도가니(30)를 수용하는 흑연 도가니(31)와, 흑연 도가니(31)에 열을 가하는 히터(35)와, 히터(35)의 측면에 배치되는 측면 단열부(60)와, 상기 석영 도가니(30)의 상측에 배치되는 열차폐체(50)와, 상기 실리콘 융액으로부터 잉곳을 성장시키기 위한 종자 결정(S)을 수용하는 시드 척(90)과, 상기 시드 척(90)을 회전/승강시키기 위한 승강 케이블(91)과, 승강 케이블(91)에 동력을 제공하는 구동부(미도시)를 포함할 수 있다. 1, the ingot growing apparatus 1 according to the embodiment includes a chamber 10 for providing a space for growing an ingot, a quartz crucible 30 capable of containing silicon melt, a quartz crucible 30 A heater 35 for heating the graphite crucible 31; a side heat insulating portion 60 disposed on a side surface of the heater 35; and a heater 35 for heating the quartz crucible 30 A seed chuck 90 for accommodating a seed crystal S for growing an ingot from the silicon melt and a lift cable 50 for rotating and lifting the seed chuck 90 91), and a driving unit (not shown) for providing power to the lifting cable 91.

그리고, 상기 잉곳성장장치(1)는 챔버(10) 내부를 관찰하기 위하여 챔버(10)를 관통하는 홀을 구비함과 동시에 챔버(10)의 밀폐상태를 유지하는 뷰 포트(80)와, 상기 뷰 포트(80)를 통해 잉곳 성장 상태를 감지하기 위한 감지부(미도시)와, 성장되는 잉곳을 냉각하기 위한 냉각관(40)과, 상기 챔버(10) 상부에서 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부(70)를 더 포함할 수 있다. The ingot growing apparatus 1 includes a view port 80 having a hole penetrating the chamber 10 to observe the inside of the chamber 10 and maintaining the closed state of the chamber 10, (Not shown) for sensing the state of ingot growth through the view port 80, a cooling pipe 40 for cooling the ingot to be grown, an inert gas supplying inert gas at the upper part of the chamber 10, And may further include a supply unit 70.

또한, 실시예의 잉곳성장장치(1)는 상기 흑연 도가니(31)를 지지하는 받침대와, 받침대를 지지하며 회전 및 상하 이동 가능한 도가니 회전부를 더 포함할 수 있다. 상기 흑연 도가니(31) 내측에 장입되어 지지되는 상기 석영 도가니(30)는 석영으로 이루어진 보울 형태로, 내부 공간에 다결정 실리콘을 수용할 수 있다. The ingot growing apparatus 1 of the embodiment may further include a pedestal supporting the graphite crucible 31 and a crucible rotating part capable of supporting the pedestal and being rotated and moved up and down. The quartz crucible 30, which is loaded and supported inside the graphite crucible 31, is in the form of a bowl made of quartz and can accommodate the polycrystalline silicon in the inner space.

상기 석영 도가니(30)의 상측에는 실리콘 융액으로부터 잉곳을 성장시키기 위한 종자 결정(S)을 수용하는 시드 척(90)이 배치될 수 있다. 그리고, 상기 시드 척(90)에는 승강 케이블(91)이 연결되고, 상기 챔버(10) 상측에는 승강 케이블(91)을 권취하는 구동부가 배치될 수 있다. On the upper side of the quartz crucible 30, a seed chuck 90 for receiving a seed crystal S for growing an ingot from a silicon melt can be disposed. A lifting cable 91 is connected to the seed chuck 90 and a driving unit for winding the lifting cable 91 is disposed above the chamber 10.

상기 구동부는 승강 케이블(91)을 풀어 상기 시드 척(90)을 하강시켜 시드 척(90)에 수용된 종자 결정(S)을 상기 실리콘 융액에 침지시킬 수 있다. 이후, 상기 구동부는 승강 케이블(91)을 당겨 상기 시드 척(90)을 회전과 동시에 상승시켜 잉곳을 성장시킬 수 있다. 이때, 상기 도가니 회전부는 흑연 도가니(31)를 시드 척(90)과 반대 방향으로 회전시킴과 동시에 상승시킬 수 있다. The drive unit can release the seed cable 90 by lowering the lifting cable 91 to immerse the seed crystal S accommodated in the seed chuck 90 in the silicon melt. Thereafter, the driving unit pulls the lifting cable 91 to raise the seed chuck 90 at the same time as the rotation, thereby growing the ingot. At this time, the crucible rotation part can rotate the graphite crucible 31 in the opposite direction to the seed chuck 90 and elevate it.

한편, 상기 석영 도가니 내에 수용된 다결정 실리콘을 용융시키기 위해, 상기 흑연 도가니(31)의 외측을 둘러싸도록 히터(35)가 배치될 수 있다. 상기 히터(35)는 상기 흑연 도가니(31) 측으로 열을 가하여, 상기 석영 도가니(30)에 수용된 다결정 실리콘을 용융시킬 수 있다. 이러한 상기 히터(35)의 외측 둘레에는 측면 단열부(60)가 배치될 수 있다. 그리고, 상기 석영 도가니(30)의 상측에는 열차폐체(50)가 배치될 수 있다. 상기 열차폐체(50)는 실리콘 융액으로부터 성장되는 잉곳을 통과시키기 위한 홀을 구비할 수 있다. 구체적으로, 상기 열차폐체(50)는 석영 도가니(30)의 상부 외측 둘레에 배치될 수 있다. 이러한 상기 측면 단열부(60)와 열차폐체(50)는 핫 존 구조물(예컨대, 히터(35), 흑연 도가니(31) 및 석영 도가니(30))을 둘러싸서 단열할 수 있다. On the other hand, in order to melt polycrystalline silicon contained in the quartz crucible, a heater 35 may be disposed so as to surround the outside of the graphite crucible 31. The heater 35 applies heat to the graphite crucible 31 to melt the polycrystalline silicon contained in the quartz crucible 30. [ The side heat insulating portion 60 may be disposed around the outer periphery of the heater 35. The heat shield 50 may be disposed on the quartz crucible 30. [ The heat shield 50 may have a hole for passing the ingot grown from the silicon melt. Specifically, the heat shield 50 may be disposed on the upper outer periphery of the quartz crucible 30. [ The side heat insulating portion 60 and the heat shield 50 can be insulated by surrounding the hot zone structure (for example, the heater 35, the graphite crucible 31, and the quartz crucible 30).

그리고, 상기 히터(35)가 발열하기 위해, 상기 히터(35)의 적어도 일측에는 히터(35)에 전력을 공급하는 전극(36)이 연결될 수 있다. 상기 전극(36)은 챔버 바닥면(13)을 관통하는 홀에 배치되어, 외부의 전원(미도시)과 히터(35)를 연결하여, 전원으로부터 히터(35)에 전력을 공급할 수 있다. An electrode 36 for supplying electric power to the heater 35 may be connected to at least one side of the heater 35 so that the heater 35 generates heat. The electrode 36 is disposed in a hole passing through the chamber bottom surface 13 and can supply electric power to the heater 35 from a power source by connecting an external power source (not shown) and the heater 35.

그리고, 상기 전극(36) 주변에는 전극(36)과 챔버 바닥면(13)을 절연시키기 위한 절연부재(100)가 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 전극(36)을 둘러싸도록 원통형의 절연부재(100)가 상기 전극(36)의 외측과 상기 챔버 바닥면(13)의 홀 사이에 배치될 수 있다. 이를 통해, 상기 절연부재(100)는 챔버 바닥면(13)에 형성된 홀 주변으로 전류가 누설되는 것을 방지할 수 있다. An insulating member 100 for insulating the electrode 36 from the chamber bottom surface 13 may be disposed around the electrode 36. [ Specifically, a cylindrical insulating member 100 may be disposed between the outside of the electrode 36 and the hole of the chamber bottom surface 13 so as to surround the electrode 36. Accordingly, the insulating member 100 can prevent a current from leaking around the hole formed in the chamber bottom surface 13. [

이러한 상기 절연부재(100)는 저항이 높고 챔버(10) 내부를 오염시키지 않는 재질로 형성될 필요가 있다. 예를 들어, 상기 절연부재(100)는 전기저항률이 높고 챔버(10) 내부를 오염시키지 않는 용융실리카(fused slilca)으로 형성될 수 있다. 특히, 용융실리카는 탄소와의 반응성이 작아, 화학적 손상이 적은 장점이 있다.
The insulating member 100 needs to have a high resistance and be formed of a material that does not contaminate the inside of the chamber 10. [ For example, the insulating member 100 may be formed of fused silica, which has a high electrical resistivity and does not contaminate the inside of the chamber 10. Particularly, the fused silica has a small reactivity with carbon and has less chemical damage.

도 2는 히터(35)가 분리된 상태에서 전극(36) 주위에 챔버 바닥면(13)을 나타내는 사진이다. 도 3은 용융실리카로 형성된 절연부재(100)의 변형된 모습을 나타낸다. 2 is a photograph showing the chamber bottom surface 13 around the electrode 36 in a state in which the heater 35 is separated. 3 shows a modified view of the insulating member 100 formed of fused silica.

그런데, 최근 잉곳의 대구경화 추세에 따라서, 히터(35) 파워의 증가로 잉곳성장장치(1) 내에 온도가 상승되어, 잉곳성장장치(1)의 내부 구성들이 열에 의해 손상되는 문제가 발생할 수 있다. 특히, 히터(35)에 전력을 공급하는 전극(36) 주변은 매우 높은 온도가 유지될 수 있다. 도 2와 도 3을 보면, 상기 용융실리카는 녹는 점이 1600 내지 1725도 사이로, 전극(36) 주변은 공정시기에 따라 2000도를 넘는 온도까지 올라갈 수 있어, 결정화 및 용융에 따라서 절연부재(100)가 형상에 변형이 일어날 수 있다. 상기 절연부재(100)의 손상으로 전극(36)이 챔버 바닥면(13)과 쇼트되어 전류가 누설되고, 나아가 챔버 바닥면(13) 주변에 화재 위험이 높아질 수 있다. However, in recent years, the temperature of the ingot growing apparatus 1 rises due to the increase in the power of the heater 35 in accordance with the tendency of the ingot to be cured to a large size, and the internal constitution of the ingot growing apparatus 1 may be damaged by heat . Particularly, a very high temperature can be maintained around the electrode 36 that supplies electric power to the heater 35. 2 and 3, the melting point of the fused silica may range from 1600 to 1725 degrees and the periphery of the electrode 36 may rise to a temperature exceeding 2000 degrees depending on the process timing, A deformation may occur in the shape of the tooth. Damage of the insulating member 100 can cause the electrodes 36 to short-circuit with the chamber bottom surface 13 to leak current and further increase the risk of fire around the chamber bottom surface 13.

실시예는 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 열에 강하고 전기 저항률이 높은 절연부재(100)를 제안하고자 한다.
In order to solve such a problem, the embodiment attempts to propose an insulating member 100 having a high resistance to heat and a high electrical resistivity.

도 4는 제 1 실시예에 따른 잉곳성장장치의 전극(36) 주변의 단면도이다. 도 5는 제 1 실시예에 따른 절연부재(100)의 사시도이다. 4 is a sectional view around the electrode 36 of the ingot growing apparatus according to the first embodiment. 5 is a perspective view of the insulating member 100 according to the first embodiment.

도 4 내지 5를 참고하면, 챔버 바닥면(13)에는 상측에 위치한 히터(35)와 대응되는 위치에 홀이 배치되고, 상기 홀에는 상기 히터(35)의 하단에 연결되는 전극(36)이 배치되며, 상기 전극(36)의 둘레에는 절연부재(100)가 배치되고, 상기 절연부재(100)의 외측에는 챔버 바닥면(13)의 홀과 절연부재(100)를 이격시키기 위한 흑연관이 배치될 수 있다. 4 to 5, a hole is disposed at a position corresponding to the heater 35 positioned on the upper side of the chamber bottom surface 13, and an electrode 36 connected to the lower end of the heater 35 is disposed in the hole An insulating member 100 is disposed around the electrode 36 and a black linkage for separating the hole of the chamber bottom surface 13 from the insulating member 100 is formed outside the insulating member 100 .

상기 챔버 바닥면(13)은 챔버(10) 외측으로 열이 방출되는 것을 막기 위해, 단열재(insulator)를 포함할 수 있다. 상기 단열재로는 카본 펠트(carbon felt)가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 챔버 바닥면(13)에는 상기 히터(35)의 하단에 대응되는 위치에 적어도 하나이상의 관통홀을 포함할 수 있다. The chamber bottom surface 13 may include an insulator to prevent heat from being released to the outside of the chamber 10. As the heat insulating material, carbon felt may be used. The chamber bottom surface 13 may include at least one through hole at a position corresponding to the lower end of the heater 35.

그리고, 상기 관통홀에는 전극(36)이 배치될 수 있다. 상기 전극(36)은 상기 히터(35)의 하단에 연결되어, 챔버 외부의 전원과 상기 히터(35)를 전기적으로 연결할 수 있다. The electrode 36 may be disposed in the through hole. The electrode 36 is connected to the lower end of the heater 35 to electrically connect a power source outside the chamber to the heater 35.

그런데, 상기 전극(36)이 상기 히터(35)에 전력을 전달할 때, 주변에 전류가 누설될 수 있고, 과다하게 열이 방출될 수 있다. 이를 방지하기 위하여, 상기 전극(36)의 둘레에는 전류누설을 방지하고 단열할 수 있는 절연부재(100)가 더 배치될 수 있다. However, when the electrode 36 transmits electric power to the heater 35, current may leak around and excess heat may be emitted. In order to prevent this, an insulating member 100 for preventing current leakage and insulating can be further disposed around the electrode 36.

상기 절연부재(100)는 관 형상을 가져, 내부에 전극(36)을 배치시킬 수 있다. 좀더 구체적으로, 상기 절연부재(100)는 원통형상의 관으로 형성될 수 있다. 상기 절연부재(100)는 상기 전극(36)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 전극(36)과 절연부재(100)가 이격된 공간은 진공 또는 불활성 기체로 채워질 수 있다. 상기 전극(36)과 절연부재(100)에 이격된 공간을 형성하여, 단열력을 높이고 절연률을 높일 수 있다. The insulating member 100 has a tubular shape, and the electrode 36 can be disposed inside. More specifically, the insulating member 100 may be formed of a cylindrical tube. The insulating member 100 may be spaced apart from the electrode 36. The space in which the electrode 36 and the insulating member 100 are spaced apart may be filled with a vacuum or an inert gas. A space separated from the electrode 36 and the insulating member 100 may be formed to increase the heat insulating capability and increase the insulation rate.

상기 절연부재(100)는 전기 저항률이 높고, 고온에 강한 재질로 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 전극(36) 주변은 최고 2000도가 넘는 고온으로 유지될 수 있으므로, 상기 절연부재(100)는 녹는 점이 2000도가 넘는 재질로 형성될 필요가 있다. 그리고, 상기 절연부재(100)는 불순물에 민감한 잉곳에 영향을 주지 않아야 한다.  The insulating member 100 may be formed of a material having high electrical resistivity and being resistant to high temperature. Specifically, since the periphery of the electrode 36 can be maintained at a high temperature exceeding 2000 degrees Celsius, the insulation member 100 needs to be formed of a material having a melting point exceeding 2000 degrees. In addition, the insulating member 100 should not affect the ingots that are sensitive to impurities.

이를 만족하기 위해, 상기 절연부재(100)는 산화 이트륨(130)(Y2O3)을 포함할 수 있다. 상기 산화 이트륨(130)은 산화 이트륨(130)은 전기 저항률은 10-14(Ω㎝)-1으로 높고, 탄소와의 반응성이 낮으며, 녹는점이 2435도로 열에 강하다. 따라서, 상기 절연부재(100)를 산화 이트륨(130)으로 형성할 경우, 전극(36) 주변을 효과적으로 절연하면서 고온에 강하여 열에 의한 변형이 없다. In order to satisfy this, the insulating member 100 may include yttrium oxide 130 (Y 2 O 3 ). The yttrium oxide 130 has a high electrical resistivity of 10 -14 (? Cm) -1 , a low reactivity with carbon, and a melting point of 2435 degrees. Therefore, when the insulating member 100 is formed of yttria, the electrode 36 is effectively insulated around the electrode 36, and is resistant to high temperature and is not deformed by heat.

상기 절연부재(100)는 산화 이트륨(130)으로 코팅될 수 있다. 상기 산화 이트륨(130)은 고온으로 갈수록 석영과 결함률이 높은 특성이 있다. 따라서, 상기 절연부재(100)를 실리카 또는 용융실리카로 형성하고, 외측을 산화 이트륨(130)으로 코팅할 수 있다. 상기 용융실리카로 형성된 몸체에 산화 이트륨(130)을 코팅된 절연부재(100)는 전기저항률이 높고 챔버(10) 내부를 오염시키지 않으며, 탄소와의 반응성이 적고, 단열력이 우수하며 단가가 낮은 장점이 있다. The insulating member 100 may be coated with yttrium oxide (130). The yttria (130) has a high defectivity with respect to quartz as temperature goes up. Therefore, the insulating member 100 may be formed of silica or fused silica, and the outside of the insulating member 100 may be coated with yttrium oxide 130. The insulating member 100 coated with the yttria 130 on the body formed of the fused silica has a high electrical resistivity and does not contaminate the inside of the chamber 10, has low reactivity with carbon, has excellent heat insulating capability, There are advantages.

한편, 상기 챔버 바닥면(13)의 홀의 내측면에는 단열부재(120)가 배치될 수 있다. 즉, 상기 절연부재(100)와 상기 챔버 바닥면(13)의 홀의 내측 사이에 상기 단열부재(120)가 배치될 수 있다. 상기 단열부재(120)는 원통형 관 형상을 가질 수 있다. 그리고, 상기 단열부재(120)는 그래파이트(graphite)로 형성될 수 있다. 상기 단열부재(120)는 강성이 높고 단열력이 높은 물질로 형성되어, 상기 절연부재(100)과 챔버 바닥면(13)의 홀을 단단하게 지지할 수 있다. 그리고, 상기 단열부재(120)는 상기 절연부재(100)와 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 전극(36)과 절연부재(100)가 이격된 공간에는 진공 또는 불활성 기체가 채워질 수 있다. 이를 통해, 전극(36) 주변의 단열 정도를 향상시키고, 절연률을 높일 수 있다. On the other hand, the heat insulating member 120 may be disposed on the inner surface of the hole of the chamber bottom surface 13. That is, the heat insulating member 120 may be disposed between the insulating member 100 and the inside of the hole of the chamber bottom surface 13. The heat insulating member 120 may have a cylindrical tube shape. The heat insulating member 120 may be formed of graphite. The heat insulating member 120 is formed of a material having a high rigidity and a high heat insulating property to firmly support the holes of the insulating member 100 and the chamber bottom surface 13. The heat insulating member 120 may be spaced apart from the insulating member 100. A space where the electrode 36 and the insulating member 100 are spaced apart may be filled with a vacuum or an inert gas. As a result, the degree of heat insulation around the electrode 36 can be improved and the insulation rate can be increased.

전술한 바와 같이, 제 1 실시예의 잉곳성장장치는 전극(36) 둘레에 전기 저항성이 높고 고온에 강하며 탄소 반응성이 낮은 절연부재(100)를 배치하고, 절연부재(100)를 단열력이 높고 강성이 높은 단열부재(120)로 지지하여, 누설 전류를 방지하고 고온안정성을 높일 수 있는 장점이 있다.
As described above, in the ingot growing apparatus of the first embodiment, the insulating member 100 having a high electrical resistance, a high resistance to high temperature and a low carbon reactivity is disposed around the electrode 36, and the insulating member 100 has a high heat insulating property It is advantageous in that it is supported by the heat insulating member 120 having high rigidity, thereby preventing leakage current and improving high-temperature stability.

도 6은 잉곳 성장 공정시, 챔버 바닥면(13)에 온도를 나타내는 그래프이다. 도 7은 제 2 실시예에 따른, 절연부재(101)의 사시도이다. 6 is a graph showing the temperature on the chamber bottom surface 13 in the ingot growing step. 7 is a perspective view of the insulating member 101 according to the second embodiment.

제 2 실시예는 제 1 실시예의 절연부재(100)를 변형한 것으로, 이하에서는 제 1 실시예와 중복되는 내용에 대한 기재는 생략하기로 한다. The second embodiment is a modification of the insulating member 100 of the first embodiment, and description about the contents overlapping with those of the first embodiment will be omitted below.

도 6을 보면, 챔버 바닥면(13)으로부터의 깊이에 따라서 온도가 점차 낮아지는 것을 알 수 있다. 상기 산화 이트륨(131)은 가격이 비싸고, 용융실리카에 비해 챔버 내부를 오염시킬 수 있기 때문에, 제 2 실시예의 절연부재(101)는 일부만 산화 이트륨(131)으로 코팅될 수 있다. 6, it can be seen that the temperature gradually decreases according to the depth from the chamber bottom surface 13. Since the yttrium oxide 131 is expensive and can contaminate the interior of the chamber compared to fused silica, only a part of the insulating member 101 of the second embodiment can be coated with yttrium oxide 131.

구체적으로, 상기 절연부재(101)는 관 형상을 가져, 내부에 전극(36)을 배치시킬 수 있다. 좀더 구체적으로, 상기 절연부재(101)는 원통형상의 관으로 형성될 수 있다. 상기 절연부재(101)는 상기 전극(36)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 전극(36)과 절연부재(101)가 이격된 공간은 진공 또는 불활성 기체로 채워질 수 있다. Specifically, the insulating member 101 has a tubular shape, and the electrode 36 can be disposed therein. More specifically, the insulating member 101 may be formed as a cylindrical tube. The insulating member 101 may be spaced apart from the electrode 36. The space where the electrode 36 and the insulating member 101 are spaced apart may be filled with a vacuum or an inert gas.

그리고, 상기 절연부재(101)는 전기 저항률이 높고, 고온에 강한 재질로 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 챔버 바닥면(13) 주변은 최고 2000도가 넘는 고온으로 유지될 수 있으므로, 상기 절연부재(101)는 녹는 점이 2000도가 넘는 재질로 형성될 필요가 있다. 이를 만족하기 위해, 상기 절연부재(101)는 실리카 또는 용융실리카로 형성되고, 산화 이트륨(131)으로 코팅될 수 있다. 이때, 상기 절연부재(101)의 상부만 산화 이트륨(131)으로 코팅될 수 있다.  The insulating member 101 may be formed of a material having high electrical resistivity and being resistant to high temperature. Specifically, since the periphery of the chamber bottom surface 13 can be maintained at a high temperature exceeding 2000 degrees Celsius, the insulating member 101 needs to be formed of a material having a melting point exceeding 2000 degrees. In order to satisfy this requirement, the insulating member 101 may be formed of silica or fused silica, and may be coated with yttrium oxide (131). At this time, only the upper portion of the insulating member 101 may be coated with yttrium oxide 131.

실리카는 녹는점이 1600도 정도이다. 그리고, 도 6을 보면, 챔버 바닥면(13)으로부터 깊이가 150mm일 때, 1600도 정도의 온도를 갖는다. 따라서, 상기 절연부재(101)는 상단에서 150mm의 높이까지 산화 이트륨(131)으로 코팅될 수 있다. 좀더 절연부재(101)는 고온에 안정적으로 형성하기 위해, 상기 절연부재(101)는 상단에서 200mm 높이까지 산화 이트륨(131)으로 코팅될 수 있다. The silica has a melting point of about 1600 degrees. 6, when the depth from the chamber bottom surface 13 is 150 mm, it has a temperature of about 1600 degrees. Accordingly, the insulating member 101 may be coated with yttria (YS) 131 to a height of 150 mm from the top. The insulating member 101 may be coated with the yttria 131 to a height of 200 mm from the top in order to stably form the insulating member 101 at a high temperature.

제 2 실시에는 이러한 절연부재(101)를 이용하여, 누설 전류를 방지하고 고온안정성을 높일 수 있는 장점이 있다.
In the second embodiment, there is an advantage that the leakage current can be prevented and the high-temperature stability can be enhanced by using the insulating member 101. [

도 8은 제 3 실시예에 따른, 절연부재(102)의 사시도이다. 8 is a perspective view of the insulating member 102 according to the third embodiment.

제 3 실시예는 제 1 실시예의 절연부재(100)를 변형한 것으로, 이하에서는 제 1 실시예와 중복되는 내용에 대한 기재는 생략하기로 한다. The third embodiment is a modification of the insulating member 100 of the first embodiment, and description of the contents overlapping with those of the first embodiment will be omitted below.

제 3 실시예의 절연부재(102)는 관 형상을 가져, 내부에 전극(36)을 배치시킬 수 있다. 좀더 구체적으로, 상기 절연부재(102)는 원통형상의 관으로 형성될 수 있다. 상기 절연부재(102)는 상기 전극(36)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 전극(36)과 절연부재(102)가 이격된 공간은 진공 또는 불활성 기체로 채워질 수 있다. The insulating member 102 of the third embodiment has a tubular shape, and the electrode 36 can be disposed inside. More specifically, the insulating member 102 may be formed as a cylindrical tube. The insulating member 102 may be spaced apart from the electrode 36. The space in which the electrode 36 and the insulating member 102 are spaced apart may be filled with a vacuum or an inert gas.

그리고, 상기 절연부재(102)는 전기 저항률이 높고, 고온에 강한 재질로 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 챔버 바닥면(13) 주변은 최고 2000도가 넘는 고온으로 유지될 수 있으므로, 상기 절연부재(102)는 녹는 점이 2000도가 넘는 재질로 형성될 필요가 있다. 이를 만족하기 위해, 상기 절연부재(102)는 실리카 또는 용융실리카로 형성되고, 산화 이트륨(132)으로 코팅될 수 있다. 이때, 상기 절연부재(102)의 외측면 전체과 내측면의 일부만 산화 이트륨(132)으로 코팅될 수 있다. 즉, 온도가 높은 절연부재(102)의 외측면을 보호하기 위해 절연부재(102)의 외측면은 모두 산화 이트륨(132)으로 코팅하고, 온도가 낮은 절연부재(102)의 내측면 하부는 산화 이트륨(132)으로 코팅하지 않을 수 있다.  The insulating member 102 may be formed of a material having high electrical resistivity and being resistant to high temperature. Specifically, since the periphery of the chamber bottom surface 13 can be maintained at a high temperature exceeding 2000 degrees Celsius, the insulating member 102 needs to be formed of a material having a melting point of more than 2000 degrees. In order to satisfy this, the insulating member 102 may be formed of silica or fused silica and may be coated with yttrium oxide (132). At this time, only a part of the outer surface and the inner surface of the insulating member 102 may be coated with yttrium oxide (132). That is, in order to protect the outer surface of the insulating member 102 having a high temperature, the outer surface of the insulating member 102 is entirely coated with yttrium oxide 132, and the lower portion of the inner surface of the insulating member 102, It may not be coated with yttrium (132).

실리카는 녹는점이 1600도 정도이다. 그리고, 도 6을 보면, 챔버 바닥면(13)으로부터 깊이가 150mm일 때, 1600도 정도의 온도를 갖는다. 따라서, 상기 절연부재(102)의 내측면은 상단에서 150mm의 높이까지 산화 이트륨(132)으로 코팅될 수 있다. 좀더 절연부재(102)는 고온에 안정적으로 형성하기 위해, 상기 절연부재(102)의 내측면은 상단에서 200mm 높이까지 산화 이트륨(132)으로 코팅될 수 있다. The silica has a melting point of about 1600 degrees. 6, when the depth from the chamber bottom surface 13 is 150 mm, it has a temperature of about 1600 degrees. Thus, the inner surface of the insulating member 102 may be coated with yttrium oxide 132 to a height of 150 mm from the top. The inner surface of the insulating member 102 may be coated with yttrium oxide 132 to a height of 200 mm from the top in order to stably form the insulating member 102 at a high temperature.

제 3 실시에는 이러한 절연부재(102)를 이용하여, 누설 전류를 방지하고 고온안정성을 높일 수 있는 장점이 있다.
In the third embodiment, there is an advantage that the leakage current can be prevented and the high-temperature stability can be improved by using such an insulating member 102.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (10)

바닥면에 관통 홀을 구비한 챔버;
상기 챔버 내부에 배치되어 실리콘 융액을 수용하기 위한 도가니;
상기 도가니의 외측에 배치되어, 상기 도가니를 가열하는 히터;
상기 관통 홀에 배치되어, 상기 히터에 연결되어 전력을 전달하는 전극;
상기 전극을 둘러싸도록 배치되고 산화 이트륨으로 코팅된 절연부재; 및
상기 절연부재를 둘러싸도록 배치되는 단열부재; 를 포함하는 잉곳성장장치.A chamber having a through hole in a bottom surface thereof;
A crucible disposed within the chamber to receive the silicon melt;
A heater disposed outside the crucible for heating the crucible;
An electrode disposed in the through hole and connected to the heater to transmit electric power;
An insulating member disposed to surround the electrode and coated with yttrium; And
A heat insulating member disposed to surround the insulating member; . 제 1 항에 있어서,
상기 절연부재는 용융 실리카 또는 실리카를 포함하고, 상기 절연부재의 외면은 상기 산화 이트륨으로 코팅된 잉곳성장장치.The method according to claim 1,
Wherein the insulating member comprises fused silica or silica, and an outer surface of the insulating member is coated with the yttrium oxide. 제 1 항에 있어서,
상기 단열부재는 그래파이트를 포함하는 잉곳성장장치.The method according to claim 1,
Wherein the heat insulating member comprises graphite. 제 1 항에 있어서,
상기 절연 부재는 용융 실리카 또는 실리카를 포함하고, 상기 절연부재의 상부는 산화 이트륨으로 코팅된 잉곳성장장치.The method according to claim 1,
Wherein the insulating member comprises fused silica or silica, and the upper portion of the insulating member is coated with yttrium oxide. 제 1 항에 있어서,
상기 절연 부재는 용융 실리카 또는 실리카를 포함하고, 상기 절연부재의 외측면은 산화 이트륨으로 코팅되고, 상기 절연부재의 내측면 상부는 산화 이트륨으로 코팅된 잉곳성장장치.The method according to claim 1,
Wherein the insulating member comprises fused silica or silica, the outer surface of the insulating member is coated with yttrium oxide, and the upper portion of the inner surface of the insulating member is coated with yttrium oxide. 제 4 항에 있어서,
상기 산화 이트륨이 코팅되는 절연부재의 상부는 상기 절연부재의 상단으로부터 200mm 높이까지인 잉곳성장장치.5. The method of claim 4,
Wherein an upper part of the insulating member coated with yttria is 200 mm higher than the upper end of the insulating member. 제 5 항에 있어서,
상기 산화 이트륨이 코팅되는 절연부재의 내측면 상부는 상기 절연부재의 상단으로부터의 200mm 높이까지인 잉곳성장장치.6. The method of claim 5,
Wherein the upper portion of the inner side of the insulating member coated with yttria is up to a height of 200 mm from the upper end of the insulating member. 제 1 항에 있어서,
상기 절연부재는 상기 전극과 이격되도록 배치된 잉곳성장장치.The method according to claim 1,
And the insulating member is spaced apart from the electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 단열부재는 상기 절연부재와 이격되도록 배치된 잉곳성장장치.The method according to claim 1,
And the heat insulating member is spaced apart from the insulating member. 바닥면에 관통 홀을 구비한 챔버;
상기 챔버 내부에 배치되어 실리콘 융액을 수용하기 위한 도가니;
상기 도가니의 외측에 배치되어, 상기 도가니를 가열하는 히터;
상기 관통 홀에 배치되어, 상기 히터에 연결되어 전력을 전달하는 전극;
상기 전극을 둘러싸도록 배치된 절연부재; 및
상기 절연부재를 둘러싸도록 배치된 단열부재; 를 포함하고,
상기 절연부재는 녹는 점이 2000도가 넘는 물질로 형성된 잉곳성장장치.
A chamber having a through hole in a bottom surface thereof;
A crucible disposed within the chamber to receive the silicon melt;
A heater disposed outside the crucible for heating the crucible;
An electrode disposed in the through hole and connected to the heater to transmit electric power;
An insulating member disposed to surround the electrode; And
A heat insulating member disposed to surround the insulating member; Lt; / RTI >
Wherein the insulating member is formed of a material having a melting point exceeding 2000 degrees.
KR1020140100405A 2014-08-05 2014-08-05 Ingot growing apparatus KR101658284B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140100405A KR101658284B1 (en) 2014-08-05 2014-08-05 Ingot growing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140100405A KR101658284B1 (en) 2014-08-05 2014-08-05 Ingot growing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160016375A true KR20160016375A (en) 2016-02-15
KR101658284B1 KR101658284B1 (en) 2016-09-20

Family

ID=55357126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140100405A KR101658284B1 (en) 2014-08-05 2014-08-05 Ingot growing apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101658284B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230173509A (en) 2022-06-17 2023-12-27 이영준 Apparatus for ingot growing with automatic filter cleaning

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060132649A (en) * 2003-12-18 2006-12-21 램 리써치 코포레이션 Yttria-coated ceramic components of semiconductor material processing apparatuses and methods of manufacturing the components
JP2010150052A (en) * 2008-12-24 2010-07-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Apparatus for growing sapphire single crystal
JP2011140421A (en) * 2010-01-08 2011-07-21 Shin Etsu Handotai Co Ltd Apparatus for manufacturing single crystal
KR20120117240A (en) * 2011-04-14 2012-10-24 주식회사 글로실 Polycrystalline ingot growth equipment

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060132649A (en) * 2003-12-18 2006-12-21 램 리써치 코포레이션 Yttria-coated ceramic components of semiconductor material processing apparatuses and methods of manufacturing the components
JP2010150052A (en) * 2008-12-24 2010-07-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Apparatus for growing sapphire single crystal
JP2011140421A (en) * 2010-01-08 2011-07-21 Shin Etsu Handotai Co Ltd Apparatus for manufacturing single crystal
KR20120117240A (en) * 2011-04-14 2012-10-24 주식회사 글로실 Polycrystalline ingot growth equipment

Also Published As

Publication number Publication date
KR101658284B1 (en) 2016-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101574749B1 (en) Upper heater for manufacturing single crystal, single crystal manufacturing apparatus and single crystal manufacturing method
KR100482812B1 (en) Silicon Single Crystal Manufacturing Equipment
KR101658284B1 (en) Ingot growing apparatus
JP6367469B2 (en) Seed chuck and ingot growth apparatus including the same
US9187844B2 (en) Single crystal manufacturing apparatus
JPS6153187A (en) Device for growing single crystal
KR101159270B1 (en) Ingot grower
KR20110024866A (en) Single crystal grower having structure for reducing quartz degradation and seed chuck structure thereof
KR101333791B1 (en) Apparatus for growing single crystal
KR101723740B1 (en) Ingot grower
KR101186751B1 (en) Melt Gap Controlling Apparatus and Single Crystal Grower including the same
KR100967523B1 (en) Silicon single crystal having high strength and resistivity characteristics, producing method and wafer thereof
KR102037751B1 (en) Method and apparatus for manufacturing silicon wafer
KR101908366B1 (en) Device for production of single crystal
KR101483687B1 (en) Graphite crucible for single crystal grower
JPS61261288A (en) Apparatus for pulling up silicon single crystal
WO2022091635A1 (en) Single crystal production device
KR102237292B1 (en) Crucible for ingot grower
JP2009286647A (en) Apparatus and method for manufacturing silicon single crystal
KR101303519B1 (en) Heat Shield for Manufacturing Single Crystal Ingot, Single Crystal Ingot Grower including the same and Method for removing a contaminant of Heat Shield for Manufacturing Single Crystal Ingot
KR101252923B1 (en) Lower Insulating System of Chamber and Single Crystal Grower including the same
KR20160018014A (en) Seed chuck and ingot growing apparatus having the same
KR101472354B1 (en) Methof for manefacturing silicon single crystal and silicon single crystal ingot
KR100881844B1 (en) Emcz ingot grower improved in electrode disposition structure and emcz ingot growing method thereof
JP2002249396A (en) Method for growing silicon single crystal

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190624

Year of fee payment: 4