KR101303519B1 - Heat Shield for Manufacturing Single Crystal Ingot, Single Crystal Ingot Grower including the same and Method for removing a contaminant of Heat Shield for Manufacturing Single Crystal Ingot - Google Patents

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Abstract

실시예는 단결정 잉곳 성장용 열 쉴드 및 이를 포함하는 단결정 잉곳 성장장치와 단결정 잉곳 성장장치용 열 쉴드에 대한 오염 제거방법에 관한 것이다.
실시예에 따른 열 쉴드는 단결정 성장장치의 챔버 내에 구비되는 열 쉴드에 있어서, 본체; 및 상기 본체 상에 배치되는 사이드 링;를 포함하며, 상기 본체와 상기 사이드 링은 상호 분리 또는 결합이 가능할 수 있다.The embodiment relates to a heat shield for single crystal ingot growth, and a method for decontamination of a heat shield for a single crystal ingot growth apparatus and a single crystal ingot growth apparatus including the same.
The heat shield according to the embodiment comprises a heat shield provided in the chamber of the single crystal growth apparatus, the body; And a side ring disposed on the main body, wherein the main body and the side ring may be separated or combined with each other.

Description

단결정 잉곳 성장용 열 쉴드 및 이를 포함하는 단결정 잉곳 성장장치와 단결정 잉곳 성장장치용 열 쉴드에 대한 오염 제거방법{Heat Shield for Manufacturing Single Crystal Ingot, Single Crystal Ingot Grower including the same and Method for removing a contaminant of Heat Shield for Manufacturing Single Crystal Ingot}Heat shield for manufacturing single crystal ingot, single crystal ingot grower including the same and method for removing a contaminant of Heat Shield for Manufacturing Single Crystal Ingot}

실시예는 단결정 잉곳 성장용 열 쉴드 및 이를 포함하는 단결정 잉곳 성장장치와 단결정 잉곳 성장장치용 열 쉴드에 대한 오염 제거방법에 관한 것이다. The embodiment relates to a heat shield for single crystal ingot growth, and a method for decontamination of a heat shield for a single crystal ingot growth apparatus and a single crystal ingot growth apparatus including the same.

실리콘 웨이퍼의 제조를 위해서는 단결정 실리콘을 잉곳(ingot) 형태로 성장시켜야 하는데, 초크랄스키(czochralski, CZ) 법이 적용될 수 있다.In order to manufacture a silicon wafer, single crystal silicon needs to be grown in an ingot form, and the Czochralski (CZ) method may be applied.

종래의 실리콘 단결정 성장 장치는 실리콘 융액의 표면과 히터로부터 복사되는 열이 실리콘 단결정 잉곳으로 전달되지 못하도록 열 쉴드를 포함한다.Conventional silicon single crystal growth apparatus includes a heat shield to prevent heat radiated from the surface of the silicon melt and the heater from being transferred to the silicon single crystal ingot.

한편, 종래기술에 의하면 저저항의 웨이퍼 제조를 위해, 도핑원소로 안티몬(Antimony), 아세닉(Arsenic), 적린(Red-Phosphorus)을 도펀트로 사용하는데, 이러한 도핑원소를 사용하여 실리콘 단결정을 성장시킬 시에는 다른 원소들과 달리 산화물질이 많이 발생한다. 그 이유는 승화점이 낮아 도핑 시, 그리고 융액 안에 녹아있을 때에도 끝임 없이 승화가 일어나며 산소(Oxygen)와 반응하여 산화물질로 변하게 되기 때문이다.Meanwhile, according to the prior art, antimony, Arsenic, and Red-Phosphorus are used as dopants for low-resistance wafers, and silicon single crystals are grown using such doping elements. Unlike other elements, the oxides are generated a lot. The reason for this is that the sublimation point is so low that when the doping and melted in the melt endlessly sublimation and reacts with oxygen to turn into oxide.

이러한 산화물질은 비교적 온도가 낮은 부위에 고착되게 되는데, 특히 융액(Melt) 위를 상당부분 덮고 있는 열 쉴드에 많은 양의 산화물질이 증착된다.These oxides will stick to relatively low temperatures, especially large amounts of oxide deposited on the heat shield, which covers a substantial portion of the melt.

이렇게 증착된 산화물질은 열 쉴드의 수명(Life time)을 줄이는 악효과가 있으며, 단결정 성장 중에 이물질이 실리콘 융액으로 떨어져 단결정성장을 방해한다.The deposited oxide material has an adverse effect of reducing the life time of the heat shield, and foreign matter falls into the silicon melt during the single crystal growth and prevents the single crystal growth.

한편, 종래에는 이러한 산화물질을 제거하기 위해 버닝(Burning)을 시킬 수 있는 장치를 별도로 마련하여 산화물질을 제거하였다.On the other hand, in the prior art to remove the oxides by providing a separate device capable of burning (Burning) to remove such oxides.

그런데, 종래기술에 의하면 별도의 버닝 장비를 설치하는 추가 비용이 발생하며, 산화물질을 제거하기 위해서는 열 쉴드를 단결정성장 장치에서 제거하여 버닝(Burning) 장치로 이동하는 시간이 발생하는 등 불편함이 있다.However, according to the prior art, there is an additional cost of installing a separate burning equipment, and in order to remove the oxide, it is inconvenient to remove the heat shield from the single crystal growth apparatus and to move to the burning apparatus. have.

실시예는 단결정 성장 중 필연적으로 발생되어 열 쉴드에 증착되는 산화물질을 효과적으로 제거할 수 있는 단결정 잉곳 성장용 열 쉴드 및 이를 포함하는 단결정 잉곳 성장장치와 단결정 잉곳 성장장치용 열 쉴드에 대한 오염 제거방법을 제공하고자 한다.The embodiment is a method for removing contamination of a single crystal ingot growth apparatus and a single crystal ingot growth apparatus and a heat shield for a single crystal ingot growth apparatus, which can effectively remove oxides that are inevitably generated during single crystal growth and are deposited on the thermal shield. To provide.

실시예에 따른 열 쉴드는 단결정 성장장치의 챔버 내에 구비되는 열 쉴드에 있어서, 본체; 및 상기 본체 상에 배치되는 사이드 링;를 포함하며, 상기 본체와 상기 사이드 링은 상호 분리 또는 결합이 가능할 수 있다.The heat shield according to the embodiment comprises a heat shield provided in the chamber of the single crystal growth apparatus, the body; And a side ring disposed on the main body, wherein the main body and the side ring may be separated or combined with each other.

또한, 실시예에 따른 단결정 잉곳 성장장치는 챔버; 및 상기 챔버 내에 배치되는 상기 열 쉴드;를 포함할 수 있다.In addition, the single crystal ingot growth apparatus according to the embodiment comprises a chamber; And the heat shield disposed in the chamber.

또한, 실시예에 따른 열 쉴드에 대한 오염 제거방법은 단결정 성장장치의 챔버에 구비되는 열 쉴드에 대한 오염제거방법에 있어서, 상기 열 쉴드의 일부를 분리하는 단계; 상기 분리된 열 쉴드를 상기 챔버 내의 히터 사이에 배치하는 단계; 및 상기 히터를 이용하여 상기 열 쉴드의 오염물을 제거하는 단계;를 포함할 수 있다.In addition, the decontamination method for the heat shield according to the embodiment, the decontamination method for the heat shield provided in the chamber of the single crystal growth apparatus, comprising: separating a portion of the heat shield; Disposing the separated heat shield between heaters in the chamber; And removing contaminants of the heat shield using the heater.

실시예에 따른 단결정 잉곳 성장용 열 쉴드 및 이를 포함하는 단결정 잉곳 성장장치와 단결정 잉곳 성장장치용 열 쉴드에 대한 오염 제거방법에 의하면 열 쉴드를 사이드 링과 본체로 분리할 수 있는 구조를 채용함으로써 열 쉴드에 형성된 산화물질을 효과적으로 제거할 수 있다.According to the decontamination method for the single-crystal ingot growth heat shield and the single-crystal ingot growth apparatus including the same and the heat shield for the single-crystal ingot growth apparatus according to the embodiment, the heat shield may be separated into a side ring and a main body. The oxide formed on the shield can be effectively removed.

또한, 실시예에 의하면 별도의 버닝(Burning) 장비 없이 같은 장비에서 그로잉(Growing) 및 버닝(Burning)을 둘 다 할 수 있는 시간적, 경제적인 장점이 있다.In addition, according to the embodiment there is a time, economical advantage that can be both (Growing) and burning (Burning) in the same equipment without a separate burning (Burning) equipment.

도 1은 실시예에 따른 단결정 잉곳 성장장치의 예시도.
도 2는 실시예에 따른 단결정 잉곳 성장용 열 쉴드의 분리 예시도.
도 3은 실시예에 따른 단결정 잉곳 성장장치용 열 쉴드에 대한 오염 제거방법 예시도.
도 4a는 실시예 적용 전의 오염 상태 사진 예시도.
도 4b는 실시예 적용 후의 오염 제거 상태 사진 예시도.1 is an illustration of a single crystal ingot growth apparatus according to an embodiment.
Figure 2 is an exemplary separation of the heat shield for growing single crystal ingot according to the embodiment.
Figure 3 is an exemplary decontamination method for the heat shield for the single crystal ingot growth apparatus according to the embodiment.
Figure 4a is a picture of the state of contamination before application of the embodiment.
Figure 4b is an illustration of a decontamination state photograph after application of the embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 웨이퍼, 장치, 척, 부재, 부, 영역 또는 면 등이 각 웨이퍼, 장치, 척, 부재, 부, 영역 또는 면등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 "상" 또는 "아래"에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, each wafer, apparatus, chuck, member, sub-region, or surface is referred to as being "on" or "under" Quot ;, " on "and" under "include both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for "up" or "down" of each component are described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

(실시예)(Example)

도 1은 실시예에 따른 단결정 성장장치(100)의 개략도이다.1 is a schematic diagram of a single crystal growth apparatus 100 according to an embodiment.

실시예에 따른 실리콘 단결정 성장장치(100)는 챔버(110), 석영도가니(120), 히터(130), 인상수단(160) 및 열 쉴드(150) 등을 포함할 수 있다.The silicon single crystal growth apparatus 100 according to the embodiment may include a chamber 110, a quartz crucible 120, a heater 130, a pulling unit 160, a heat shield 150, and the like.

예를 들어, 실시예에 따른 단결정 성장장치(100)는 챔버(110)와, 상기 챔버(110)의 내부에 구비되며, 실리콘 용액을 수용하는 석영도가니(120)와, 상기 챔버(110)의 내부에 구비되며, 상기 석영도가니(120)를 가열하는 히터(130) 및 열 쉴드(150)를 포함할 수 있다. 도 1은 단면도를 개시한 것으로, 평면도 상으로 상기 챔버(110), 석영도가니(120), 히터(130) 및 열 쉴드(150)의 본체(155)와 사이드 링(157)은 원형으로 형성될 수 있다.For example, the single crystal growth apparatus 100 according to the embodiment is provided in the chamber 110, the inside of the chamber 110, a quartz crucible 120 for accommodating a silicon solution, and the chamber 110. It is provided inside, and may include a heater 130 and a heat shield 150 for heating the quartz crucible 120. 1 is a cross-sectional view of the main body 155 and the side ring 157 of the chamber 110, the quartz crucible 120, the heater 130, and the heat shield 150 in a plan view. Can be.

상기 챔버(110)는 반도체 등의 전자부품 소재로 사용되는 실리콘 웨이퍼(wafer)용 단결정 잉곳(Ingot)을 성장시키기 위한 소정의 공정들이 수행되는 공간을 제공한다.The chamber 110 provides a space in which predetermined processes are performed to grow a single crystal ingot for a silicon wafer used as an electronic component material such as a semiconductor.

상기 챔버(110)의 내벽에는 히터(130)의 열이 상기 챔버(110)의 측벽부로 방출되지 못하도록 복사 단열체(132)가 설치될 수 있다.Radiant heat insulator 132 may be installed on the inner wall of the chamber 110 to prevent heat of the heater 130 from being discharged to the side wall of the chamber 110.

상기 복사 단열체(132)의 상단은 상기 열 쉴드(150)의 지지대 역할을 할 수 있다.An upper end of the radiation insulator 132 may serve as a support of the heat shield 150.

실시예는 실리콘 단결정 성장 시의 산소 농도를 제어하기 위하여 석영도가니(120)의 회전 내부의 압력 조건 등 다양한 인자들을 조절할 수 있다. 예를 들어, 실시예는 산소 농도를 제어하기 위하여 실리콘 단결정 성장 장치의 챔버(110) 내부에 아르곤 가스를 주입하여 하부로 배출할 수 있다.The embodiment may adjust various factors such as the pressure condition inside the rotation of the quartz crucible 120 to control the oxygen concentration during silicon single crystal growth. For example, in an embodiment, argon gas may be injected into the chamber 110 of the silicon single crystal growth apparatus to discharge the oxygen to control the oxygen concentration.

상기 석영 도가니(120)는 실리콘 융액(SM)을 담을 수 있도록 상기 챔버(110)의 내부에 구비되며, 석영 재질로 이루어질 수 있다. 상기 석영 도가니(120)의 외부에는 석영 도가니(120)를 지지할 수 있도록 흑연으로 이루어지는 흑연 도가니(122)가 구비될 수 있다.The quartz crucible 120 is provided inside the chamber 110 to contain the silicon melt SM, and may be made of quartz material. A graphite crucible 122 made of graphite may be provided outside the quartz crucible 120 to support the quartz crucible 120.

상기 흑연 도가니(122)는 회전축(140) 상의 지지부(142)에 고정 설치되고, 이 회전축(140)은 구동수단(미도시)에 의해 회전되어 석영 도가니(120)를 회전 및 승강 운동시키면서 단결정과 융액의 계면이 동일한 높이를 유지하도록 할 수 있다.The graphite crucible 122 is fixedly installed on the support 142 on the rotating shaft 140, and the rotating shaft 140 is rotated by a driving means (not shown) to rotate and elevate the quartz crucible 120. The interface of the melt can be maintained at the same height.

상기 히터(130)는 석영 도가니(120)를 가열하도록 챔버(110)의 내부에 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 히터(130)는 흑연 도가니(122)를 에워싸는 원통형으로 이루어질 수 있다. 이러한 히터(130)는 석영 도가니(120) 내에 적재된 고순도의 다결정 실리콘 덩어리를 용융하여 실리콘 융액(SM)으로 만들게 된다.The heater 130 may be provided inside the chamber 110 to heat the quartz crucible 120. For example, the heater 130 may be formed in a cylindrical shape surrounding the graphite crucible 122. The heater 130 melts a high-purity polycrystalline silicon mass loaded in the quartz crucible 120 to form a silicon melt SM.

상기 인상수단(160)은 케이블을 감아 인상(引上)할 수 있도록 챔버(110)의 상부에 설치될 수 있다. 이 케이블의 하부에는 종자결정(S)이 설치될 수 있다. The pulling means 160 may be installed on the upper portion of the chamber 110 so that the cable can be rolled up. Seed crystals S may be installed at the bottom of the cable.

실시예는 단결정인 종자결정(seed crystal)(S)을 실리콘 융액(SM)에 담근 후 천천히 끌어올리면서 결정을 성장시키는 쵸크랄스키(Czochralsk:CZ)법을 채용할 수 있다.The embodiment may employ a Czochralsk (CZ) method in which seed crystals (S), which are single crystals, are immersed in a silicon melt (SM), and then the crystals are grown while being slowly pulled up.

이 방법에 따르면, 먼저, 종자결정(S)으로부터 가늘고 긴 결정을 성장시키는 네킹(necking)공정을 거치고 나면, 결정을 직경방향으로 성장시켜 목표직경으로 만드는 솔더링(shouldering)공정을 거치며, 이후에는 일정한 직경을 갖는 결정으로 성장시키는 바디그로잉(body growing)공정을 거치며, 일정한 길이만큼 바디그로잉이 진행된 후에는 결정의 직경을 서서히 감소시켜 결국 용융 실리콘과 분리하는 테일링(tailing)공정을 거쳐 단결정 성장이 마무리된다.According to this method, first, a necking process of growing thin and long crystals from seed crystals (S) is followed by a soldering process of growing crystals in a radial direction to a target diameter. After the body growing process to grow into a crystal having a diameter, and after the body grows to a certain length, a single crystal grows through a tailing process that gradually reduces the diameter of the crystal and eventually separates it from the molten silicon. This is the finish.

한편, 상기 단결정 성장공정 중 네킹 공정을 진행하기 전에 폴리실리콘을 도가니에 적재하고 가열하여 실리콘 융액(SM)을 만드는 멜팅공정 및 융액의 안정화 공정이 진행된다.Meanwhile, before the necking process of the single crystal growth process, polysilicon is loaded into a crucible and heated to form a silicon melt (SM), and a melting process and a stabilization process of the melt are performed.

이후, 멜트갭을 설정 또는 맬트갭 측정을 위해 열 쉴드(150) 하단과 실리콘 융액의 표면을 접촉시키는 공정을 진행한다. Thereafter, a process of contacting the bottom of the heat shield 150 and the surface of the silicon melt for setting a melt gap or measuring a melt gap is performed.

도 2는 실시예에 따른 단결정 잉곳 성장용 열 쉴드(150)의 분리 예시도이며, 도 3은 실시예에 따른 단결정 잉곳 성장장치용 열 쉴드에 대한 오염 제거방법 예시도이다.2 is an explanatory view of the separation of the single-crystal ingot growth heat shield 150 according to the embodiment, Figure 3 is an exemplary view of the decontamination method for the heat shield for the single crystal ingot growth apparatus according to the embodiment.

실시예는 단결정 성장 중 필연적으로 발생되어 열 쉴드에 증착되는 산화물질을 효과적으로 제거할 수 있는 단결정 잉곳 성장용 열 쉴드 및 이를 포함하는 단결정 잉곳 성장장치와 단결정 잉곳 성장장치용 열 쉴드에 대한 오염 제거방법을 제공하고자 한다.The embodiment is a method for removing contamination of a single crystal ingot growth apparatus and a single crystal ingot growth apparatus and a heat shield for a single crystal ingot growth apparatus, which can effectively remove oxides that are inevitably generated during single crystal growth and are deposited on the thermal shield. To provide.

이를 위해, 실시예에 따른 단결정 잉곳 성장용 열 쉴드(150)는 본체(155) 및 상기 본체(155) 상측에 배치되는 사이드 링(157)를 포함하며, 상기 본체(155)와 상기 사이드 링(157)은 상호 분리 또는 결합이 가능할 수 있다.To this end, the single-crystal ingot growth heat shield 150 according to the embodiment includes a main body 155 and a side ring 157 disposed above the main body 155, wherein the main body 155 and the side ring ( 157 may be mutually separated or combined.

실시예에서 상기 본체(155)의 외측 공간은 상기 히터(130)의 내측 공간보다 작을 수 있다. 또한, 상기 사이드 링(157)의 외측 공간은 상기 히터(130)의 내측의 공간보다 넓을 수 있다. 즉, 상기 본체(155)의 외부 직경은 상기 히터(130)의 내부 직경보다 작게 형성되고, 상기 사이드 링(157)의 외부 직경은 상기 히터(130)의 내부 직경보다 크게 형성된다. 이로써, 상기 본체(155)의 크기는 상기 히터(130)의 크기 보다 작게 형성되고, 상기 사이드 링(157)의 크기는 상기 히터(130)의 크기보다 크게 형성될 수 있다.In an embodiment, the outer space of the main body 155 may be smaller than the inner space of the heater 130. In addition, the outer space of the side ring 157 may be wider than the inner space of the heater 130. That is, the outer diameter of the body 155 is formed smaller than the inner diameter of the heater 130, the outer diameter of the side ring 157 is formed larger than the inner diameter of the heater 130. Thus, the size of the body 155 may be formed smaller than the size of the heater 130, the size of the side ring 157 may be formed larger than the size of the heater 130.

이에 따라 상기 열 쉴드의 본체(155)는 상기 챔버(110) 내에 구비되는 히터(130) 사이에 배치될 수 있다.Accordingly, the body 155 of the heat shield may be disposed between the heaters 130 provided in the chamber 110.

또한, 실시예에서 상기 사이드 링(157)의 내측 공간은 상기 석영 도가니(120)의 상부면보다 넓을 수 있다. 즉, 상기 사이드 링(157)의 내부 직경은 상기 석영 도가니(120)의 직경보다 크게 형성될 수 있다.In addition, in an embodiment, an inner space of the side ring 157 may be wider than an upper surface of the quartz crucible 120. That is, the inner diameter of the side ring 157 may be larger than the diameter of the quartz crucible 120.

실시예에서 상기 본체(155)의 외측 폭은 상기 복사 단열체(132)의 상단의 내부 폭보다는 좁을 수 있다. 또한, 상기 사이드 링(157)의 외측 폭은 상기 복사 단열체(132)의 상단 사이의 폭보다 넓을 수 있다. 즉, 상기 본체(155)의 외부 직경이 상기 복사 단열체(132)의 상단의 내부 직경보다 작게 형성되고, 상기 사이드 링(157)의 외부 직경은 상기 복사 단열체(132)의 상단의 내부 직경보다 크게 형성될 수 있다.In an embodiment, the outer width of the body 155 may be narrower than the inner width of the upper end of the radiation insulator 132. In addition, the outer width of the side ring 157 may be wider than the width between the top of the radiation insulation 132. That is, the outer diameter of the main body 155 is formed smaller than the inner diameter of the upper end of the radiation insulator 132, the outer diameter of the side ring 157 is the inner diameter of the upper end of the radiation insulator 132 It can be made larger.

이에 따라 상기 열 쉴드(150)의 사이드 링(157)은 복사 단열체(132)의 상단에 걸쳐져 지지될 수 있다.Accordingly, the side ring 157 of the heat shield 150 may be supported across the top of the radiant heat insulator 132.

실시예에서 상기 본체(155)와 상기 사이드 링(157)은 상호 분리 또는 결합이 가능할 수 있다.In an embodiment, the main body 155 and the side ring 157 may be separated or combined with each other.

이에 따라 실시예에 의하면, 도 3과 같이 상기 분리된 본체(155)는 상기 챔버(110) 내의 히터(130) 사이에 배치할 수 있다.Accordingly, according to the embodiment, as shown in FIG. 3, the separated main body 155 may be disposed between the heaters 130 in the chamber 110.

상기 구동수단(미도시) 상측의 회전축(140)인 페데스탈 상에 지지부(142)가 구비되며, 상기 지지부(142) 상에 단열재 받침대(172), 예를 들어 리지드 펠트가 구비되어 본체(155)를 지지한 상태에서 버닝(Burning)이 진행될 수 있다.The support part 142 is provided on the pedestal, which is the rotation shaft 140 above the driving means (not shown), and the heat insulating material support 172, for example, a rigid felt is provided on the support part 142, so that the main body 155 is provided. The burning may be performed while supporting the.

이후, 상기 히터(130)를 이용하여 상기 열 쉴드(150)의 본체(155)에 형성된 오염물(O)을 제거할 수 있다.Thereafter, the contaminant O formed on the main body 155 of the heat shield 150 may be removed using the heater 130.

상기 히터(130)의 최대 발열부에 오염물(O)이 많이 형성된 부분의 위치할 수 있다.The heater 130 may be located at a portion where a large amount of contaminants (O) are formed in the maximum heat generating portion.

실시예는 도 2와 같이 열 쉴드(150)를 2단 구조로 분리하고, 도 3과 같이 산화물질이 많이 증착 되어 있는 본체(155) 부위를 히터(Heater) 안쪽으로 넣을 수 있게 되며, 이때 히터(Heater)의 발열에 의해 본체(155)에 고착되어 있던 산화물질을 버닝(Burning)하여 효과적으로 제거할 수 있다. 2, the heat shield 150 is separated into a two-stage structure as shown in FIG. 2, and a portion of the main body 155 on which much oxide material is deposited, as shown in FIG. 3, can be inserted into the heater. The oxide material stuck to the main body 155 may be burned by heat generation of the heater to effectively remove the oxide material.

또한, 실시예에 의하면 별도의 버닝(Burning) 장비 없이 같은 장비에서 그로잉(Growing) 및 버닝(Burning)을 할 수 있는 시간적, 경제적인 장점이 있다.In addition, according to the embodiment there is a time, economical advantage that can be grown (Growing) and burning (Burning) in the same equipment without a separate burning (Burning) equipment.

도 4a는 실시예 적용 전의 오염 상태 사진 예시도이며, 도 4b는 실시예 적용 후의 오염 제거 상태 사진 예시도이다.Figure 4a is an illustration of a pollution state photograph before the application of the embodiment, Figure 4b is an illustration of a pollution state photograph after the application of the embodiment.

실시예에 따른 단결정 잉곳 성장용 열 쉴드 및 이를 포함하는 단결정 잉곳 성장장치와 단결정 잉곳 성장장치용 열 쉴드에 대한 오염 제거방법에 의하면 열 쉴드를 사이드 링과 본체로 분리할 수 있는 구조를 채용함으로써 열 쉴드에 형성된 산화물질을 효과적으로 제거할 수 있다.According to the decontamination method for the single-crystal ingot growth heat shield and the single-crystal ingot growth apparatus including the same and the heat shield for the single-crystal ingot growth apparatus according to the embodiment, the heat shield may be separated into a side ring and a main body. The oxide formed on the shield can be effectively removed.

또한, 실시예에 의하면 별도의 버닝(Burning) 장비 없이 같은 장비에서 그로잉(Growing) 및 버닝(Burning)을 둘 다 할 수 있는 시간적, 경제적인 장점이 있다.In addition, according to the embodiment there is a time, economical advantage that can be both (Growing) and burning (Burning) in the same equipment without a separate burning (Burning) equipment.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (7)

단결정 성장장치의 챔버 내에 구비되는 열 쉴드에 있어서,
상기 열 쉴드는, 본체; 및
상기 본체 상에 배치되는 사이드 링;를 포함하며,
상기 본체의 외부 직경은 상기 챔버 내에 구비되는 히터 내부 직경보다 작게 형성되어, 상기 본체는 상기 히터 내부에 배치될 수 있고,
상기 본체와 상기 사이드 링은 상호 분리 또는 결합이 가능한 열 쉴드.In the heat shield provided in the chamber of the single crystal growth apparatus,
The heat shield, the body; And
And a side ring disposed on the body;
The outer diameter of the main body is formed smaller than the inner diameter of the heater provided in the chamber, the main body may be disposed inside the heater,
The heat shield and the main body and the side ring can be separated from each other or combined. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 사이드 링의 외부 직경은
상기 챔버 내에 구비되는 히터의 내부 직경보다 크게 형성되는 열 쉴드.The method according to claim 1,
The outer diameter of the side ring is
The heat shield is formed larger than the inner diameter of the heater provided in the chamber. 챔버; 및
상기 챔버 내에 배치되는 열 쉴드;를 포함하며,
상기 열 쉴드는 상기 제1 항 또는 제3 항의 열 쉴드인 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 성장장치.chamber; And
A heat shield disposed in the chamber;
The heat shield is a single crystal ingot growth apparatus, characterized in that the heat shield of claim 1 or 3. 단결정 성장장치의 챔버에 구비되는 열 쉴드에 대한 오염제거방법에 있어서,
상기 열 쉴드의 일부를 분리하는 단계;
상기 분리된 열 쉴드를 상기 챔버 내의 히터 내부에 배치하는 단계; 및
상기 히터를 이용하여 상기 열 쉴드의 오염물을 제거하는 단계;를 포함하는 열 쉴드에 대한 오염 제거방법.In the decontamination method for the heat shield provided in the chamber of the single crystal growth apparatus,
Separating a portion of the heat shield;
Placing the separated heat shield inside a heater in the chamber; And
Removing the contaminants of the heat shield by using the heater; decontamination method for a heat shield comprising a. 제5 항에 있어서,
상기 열 쉴드는,
본체; 및 상기 본체 상에 배치되는 사이드 링;를 포함하며,
상기 본체와 상기 사이드 링은 상호 분리 또는 결합이 가능한 열 쉴드에 대한 오염 제거방법.6. The method of claim 5,
The heat shield,
main body; And a side ring disposed on the main body;
Decontamination method for the heat shield that the main body and the side ring can be mutually separated or combined. 제6 항에 있어서,
상기 열 쉴드의 본체는,
상기 챔버 내에 구비되는 히터 내부에 배치될 수 있는 열 쉴드에 대한 오염 제거방법.The method of claim 6,
The body of the heat shield,
Decontamination method for a heat shield that can be disposed inside the heater provided in the chamber.
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