KR20160011346A - Exhaust Accelerator For A Semiconductor Manufacturing Equipment - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 배출가속기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 제조장비, 다시 말해서, 설비 전후 모듈(Equipment Front End Module : EFEM) 내에 크린 에어를 공급하거나 공정 모듈 또는 로드 포트 내에 다수 구비되는 웨이퍼 상에 잔존하는 잔존 가스인 흄(fume)을 제거할 때, 배출 속도를 향상시킬 수 있는 반도체 제조장비용 배출가속기에 관한 것이다.The present invention relates to a discharge accelerator, and more particularly to a discharge accelerator for supplying clean air into a semiconductor manufacturing equipment, that is, an equipment front end module (EFEM) To a semiconductor manufacturing facility discharge accelerator capable of improving a discharge speed when removing fumes which are residual gases that are generated by a semiconductor manufacturing facility.
일반적으로 반도체 제조장비는 공정 모듈, 로드 포트 및 설비 전후 모듈(Equipment Front End Module : EFEM)을 포함하여 구성된다.Generally, the semiconductor manufacturing equipment includes a process module, a load port, and an equipment front end module (EFEM).
여기서 공정 모듈은 웨이퍼의 반도체 제조공정이 수행되는 모듈이며, 로드 포트는 다수의 웨이퍼가 탑재된 풉(Front Opening Universal Pod : FOUP)이 로딩 되는 부분이며, 설비 전후 모듈은 공정 모듈과 로드 포트 사이에 구비되어 청정 공간을 제공하며, 내부에 이송 모듈을 구비하여 풉과 공정 모듈 사이에 다수의 웨이퍼를 이송시키는 역할을 한다.Here, the process module is a module in which the semiconductor manufacturing process of the wafer is performed. The load port is a portion where a FOUP (FOUP) loaded with a plurality of wafers is loaded, and the module before and after the process is placed between the process module and the load port And provides a clean space, and a transfer module is provided therein to transfer a plurality of wafers between the FOUP and the process module.
한편, 공정 모듈은 웨이퍼의 처리 또는 가공을 공정 가스를 채운 상태에서 진행한다.On the other hand, the process module performs processing or processing of the wafer while the process gas is filled.
이때, 상기 공정 가스 중 대부분은 공정 중 배기 처리되지만 일부는 웨이퍼 표면에 잔존하여 웨이퍼를 손상시키거나 공정에 사용되는 다른 장치들이 오염되는 문제가 있다.At this time, most of the process gases are exhausted during the process, but some are left on the surface of the wafer to damage the wafer or contaminate other devices used in the process.
이를 해결하고자, 종래기술인 일본 공개특허공보 제2006-086308호 "반도체 제조 장치"는 불활성 가스 충전 및 이를 배기할 수 있는 로드 포트를 개시하고 있다.To solve this problem, Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 2006-086308 entitled "Semiconductor Manufacturing Apparatus" discloses a load port capable of filling inert gas and discharging the inert gas.
그러나, 상기 종래기술의 경우 풉 내부에 불활성 가스를 충전하는 기능에 그칠 뿐 웨이퍼 표면의 잔존 가스 제거에는 실효성이 없는 문제가 있다.However, in the case of the above-mentioned prior art, there is a problem in that it is only a function of filling inert gas inside the FOUP, and is not effective in removing residual gas on the surface of the wafer.
이와 같은 문제를 해결하기 위해 도 1a와 도 1b에 도시한 바와 같이, 본 출원인에 의해 출원되고, 2013년 12월 10일자 10-1342037호로 특허등록된 "밀폐형 도어장치와 흄 제거장치를 갖춘 웨이퍼 스토레이지"에 구비되는 흄 제거장치와, 2012년 11월 05일자 출원번호10-2012-0124149로 출원되고, 공개번호 10-2014-0057863호로 공개된 "반도체 공정장비의 배기장치"에 구비되는 배기장치가 개시되어 있다.In order to solve such a problem, as shown in Fig. 1A and Fig. 1B, there has been proposed a method of manufacturing a wafer door having a closed door device and a fume removing device, which is filed by the applicant of the present invention and patented with 10-1342037 dated December 10, And the exhaust device provided in the "exhaust device of semiconductor process equipment ", filed with the application number 10-2012-0124149 of November 05, 2012 and published as the disclosure number 10-2014-0057863, .
즉, 흄 제거장치는 사이드 스토레이지 또는 로드포트에 구비된 웨이퍼 상에 남아 있는 공정가스를 배출하기 위해 구비되는 것이며, 다른 용도로는 반도체 공정장비의 배기장치는 설비 전후 모듈(Equipment Front End Module : EFEM) 내에 크린에어를 공급하기 위해 구비된다.That is, the fume removing apparatus is provided for discharging the process gas left on the wafers provided in the side storage or the load port. For other purposes, the exhaust apparatus of the semiconductor process equipment includes an equipment front end module EFEM). ≪ / RTI >
다시 말해서, 상기한 종래의 장치는 제 1본체 하측에 형성된 순환부(230)와 그 순환부(230) 저부에 형성된 와류형성부(231)에 의해 에어공급부(250)로 공급되는 압축공기에 와류를 형성시켜 배기성능을 향상시키도록 하는 것이다.In other words, the above-described conventional apparatus has the
그러나, 순환부(230) 저부의 와류형성부(231)에서 와류가 형성된 압축공기는 상측에 평면으로 구비되는 제 1본체(100)의 저면에 부딪치며 발생하는 마찰저항에 의해 효율이 떨어지는 문제가 있었다.However, there is a problem that the compressed air in which the vortex is formed in the
이와 같은 문제를 해결하기 위해 와류촉진부(271)와 제 1본체(100) 저부간의 간격("T"표시부위)을 확대하였으나, 마찰저항은 줄어들었으나 압축공기의 압력이 저하되므로 배기효율이 떨어지는 문제가 있었다.In order to solve such a problem, although the gap between the
또한, 도 1b에 도시한 바와 같이, 에어 공급부(250)가 평면에서 바라볼 때, 원형으로 형성된 제 2본체(200)의 정중앙에 직각방향으로 구비됨으로써, 고압으로 공급되는 압축공기가 순환부(230) 벽에 부딪치며 발생하는 저항에 의해 효율이 떨어지는 문제가 있었다.1B, when the
본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼에 잔존하는 잔존 가스인 흄(fume) 제거를 위한 흄의 배출 속도 및 배출 효율을 향상시키는 배출가속기를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a discharge accelerator for improving discharge speed and discharge efficiency of a fume for removing fumes remaining in a wafer .
또한, 본 발명의 다른 목적은 마찰저항없이 형성된 와류에 의해 배기효율을 극대화하는데 있다. Another object of the present invention is to maximize exhaust efficiency by a vortex formed without friction resistance.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 압축공기가 공급되는 에어 공급부를 원형의 일측에 구비시킴으로써, 저항 없이 안정적으로 흐르도록 함으로써, 압축공기의 공급 효율을 향상시키는데 있다.It is still another object of the present invention to improve the supply efficiency of compressed air by providing an air supply unit to supply compressed air to one side of a circular shape so as to stably flow without resistance.
이러한 목적으로 이루어진 본 발명은, The present invention, made for this purpose,
공정 모듈, 로드 포트 및 설비 전후 모듈(Equipment Front End Module : EFEM)등 반도체 제조장비의 유로를 유동하는 배기유체의 배출을 위해 구비되는 배출가속기에 관한 것으로, A discharge port, and an equipment front end module (EFEM), which are provided for discharging an exhaust fluid flowing through the flow path of semiconductor manufacturing equipment,
상기 배출가속기는,The discharge accelerator includes:
원형관 형태로 이루어진 일단에 상기 반도체 제조장비 내부의 유체가 유입되도록 마련된 유입구와, 상기 유입구의 하측 직각방향으로 공급 유체가 공급되도록 적어도 하나 이상의 공급관이 구비된 에어공급부와, 상기 에어공급부를 통해 공급되는 공급 유체가 유동하는 제 1유체유동부로 이루어진 제 1본체와;An air supply unit having an inlet formed to receive a fluid in the semiconductor manufacturing equipment at one end thereof formed in a circular tube shape and having at least one supply pipe for supplying a supply fluid in a direction perpendicular to a lower side of the inlet, A first fluid flow portion through which the supplied fluid flows;
상기 제 1본체의 내주 일측에 결합되는 일단 외주에 상기 제 1유체유동부와 단면상 대칭형으로 결합하되, 일단은 상기 제 1유체유동부의 일단과 소정거리 이격된 틈새가 형성되는 제 2유체유동부가 구비되며, 상기 틈새로 배출되는 유체가 배출되는 유체배출부로 이루어진 제 2본체를 포함한다.
And a second fluid flow unit coupled to the first fluid flow unit in a symmetrical manner in a cross section and having one end formed at a predetermined distance from one end of the first fluid flow unit, And a second body including a fluid discharge portion through which the fluid discharged through the gap is discharged.
또한, 상기 틈새는, In addition,
0.1 내지 0.5mm 로 형성되는 것을 특징으로 한다.
0.1 to 0.5 mm.
또한, 상기 유체배출부는,In addition,
배기유체의 유입측으로부터 토출측으로 직경이 확장되는 확경부가 형성된다.
A diameter enlarged portion whose diameter is expanded from the inflow side to the discharge side of the exhaust fluid is formed.
또한, 상기 확경부는,In addition,
상기 배기유체의 유입측 직경 : 토출측 직경이 1 : 1.3 내지 2.5의 비율인 것을 특징으로 한다.
Wherein the diameter of the inlet side of the exhaust fluid: the diameter of the outlet side is 1: 1.3 to 2.5.
또한, 상기 제 1, 2유체유동부는,In addition, the first and second fluid flow portions may include:
상기 에어 공급부로 공급되는 공기 유체의 저항을 최소화하고, 상기 에어 유출부를 통해 신속한 배출이 이루어질 수 있도록 단면상 하부와 상부에 단면상 반구형으로 각각 형성된 제 1, 2와류 형성부를 더 포함한다.
And a first and a second vortex forming part formed in a hemispherical shape in cross section on the lower and upper sides, respectively, so as to minimize the resistance of the air fluid supplied to the air supply part and to allow quick discharge through the air outflow part.
또한, 상기 제 1본체의 에어공급부는,In addition, the air supply portion of the first main body may include:
상기 공급관이 상기 제 1, 2유체유동부의 평면상 일측으로 연통하도록 구비되는 것을 특징으로 한다.
And the supply pipe is provided so as to communicate with one side of a plane on the first and second fluid flows.
또한, 상기 배출가속기는,In addition,
상기 제 2본체의 유체배출부에 일단이 결합된 배출연결관과;A discharge connection pipe having one end coupled to a fluid discharge portion of the second body;
상기 배출연결관의 타단에 유입구가 결합된 배출증폭기를 더 포함한다.
And a discharge amplifier having an inlet connected to the other end of the discharge connection pipe.
또한, 상기 배출가속기의 유체배출부와 상기 배출증폭기의 유입부의 직경은 동일한 것을 특징으로 한다.
Further, a diameter of the fluid discharge portion of the discharge accelerator and an inflow portion of the discharge amplifier are the same.
또한, 상기 배출연결관의 길이는, 150mm 이상 250mm 이하로 형성된다.
The length of the discharge connection pipe is not less than 150 mm and not more than 250 mm.
또한, 상기 배출가속기는,In addition,
상기 제 1본체의 공급관 또는 유입구에 길이방향으로 구비되는 와류촉진부재를 더 포함한다.
And a vortex accelerating member provided longitudinally at a supply pipe or an inlet of the first body.
또한, 상기 와류촉진부재는,Further, the vortex-
스크류형태로 나선이 형성된 것을 특징으로 한다.
And a spiral is formed in a screw shape.
본 발명은 로드 포트에 탑재된 풉에서 웨이퍼에 잔존하는 잔존가스인 흄 제거의 효율을 높이기 위한 배출가속기를 통해 유지 보수 및 전력 소비량 측면에서 향상된 효과가 있다.The present invention has an effect in terms of maintenance and power consumption through a discharge accelerator for increasing the efficiency of removing fume as residual gas remaining on the wafer in the FOUP mounted on the load port.
또한, 제 1, 2유체유동부의 단면상 양단에 마련된 제 1, 2와류형성부에 의해 마찰저항없이 안정적으로 형성된 와류에 의해 배기효율을 극대화하는 효과가 있다. In addition, there is an effect of maximizing the exhaust efficiency by the vortex formed stably without friction resistance by the first and second vortex forming portions provided at both ends of the first and second fluid flow portions.
도 1a는 종래 배출가속기의 구성을 보인 도면이고,
도 1b는 도 1a의 “A”방향에서 바라본 평면도이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배출가속기 구성을 나타내기 위한 분해 사시도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배출가속기의 조합된 상태를 보인 사시도이고,
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배출가속기 구성을 나타내기 위한 분해시시도이고,
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배출가속기의 조합된 상태를 보인 사시도이고,
도 6은 본 발명에 따른 배출가속기의 작용효과를 설명하기 위해 도시한 사시도이고,
도 7과 도 8은 본 발명에 따른 배출가속기의 또 다른 실시예를 보인 사시도들이다.FIG. 1A is a view showing a configuration of a conventional discharge accelerator,
1B is a plan view as viewed from the direction " A " of Fig. 1A,
2 is an exploded perspective view illustrating a discharge accelerator structure according to an embodiment of the present invention,
FIG. 3 is a perspective view showing a combined state of discharge accelerators according to an embodiment of the present invention,
Figure 4 is an exploded attempt to illustrate a discharge accelerator configuration in accordance with another embodiment of the present invention,
FIG. 5 is a perspective view showing a combined state of the discharge accelerator according to another embodiment of the present invention,
FIG. 6 is a perspective view illustrating the operation and effect of the discharge accelerator according to the present invention,
7 and 8 are perspective views showing still another embodiment of the discharge accelerator according to the present invention.
도 2와 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 배출가속기(10)(이하, "배출가속기"라 칭한다)는 제 1, 2본체(100)(200)로 대별된다2 and 3, a semiconductor manufacturing facility discharge accelerator 10 (hereinafter referred to as "discharge accelerator") according to the present invention is roughly divided into first and second
원형관 형태로 이루어진 제 1본체(100)는 유입구(101)와 에어공급부(110)와 제 1유체유동부(120)로 이루어진다.The
유입구(101)는 제 1본체(100)의 일단에 구비되어 도시하지 않은 호퍼(Hopper)와 연결되어 반도체 제조장비 내부의 배기유체(흄 및 세정가스)가 유입되도록 마련된다.The
에어공급부(110)는 이 유입구(101)의 일측 직각방향으로 도시하지 않은 공기압축기(Compressor)에서 공급되는 공급유체가 공급되도록 적어도 하나 이상의 공급관(111)이 구비된다.The
이 에어공급부(110)의 공급관(111)은 원형 터널형태로 이루어진 제 1유체유동부(120)와 연통된다.The
제 1유체유동부(120)는 원통형으로 형성된 상기 제 1본체(100)의 내벽에 요홈(凹홈) 형태로 형성된다.The first
이 제 1유체유동부(120)는 도시한 방향 기준한 수직방향으로 반지름(Radius) 형태의 제 1, 2와류형성부(121)(123)가 형성되어 후술하는 제 2본체(200)에 형성된 제 2유체유동부(220)의 제 1, 2와류형성부(221)(223)와 단면상 대칭형으로 구비된다.The first
이에 따라, 상기한 에어공급부(110)의 공급관(111)을 통해 공급되는 공급유체의 와류 형성을 촉진하여 유속을 증대하도록 하였다.Thus, the vortex formation of the supply fluid supplied through the
또한, 이 제 1본체(100)의 하단 내측, 다시 말해, 상기한 제 1, 2와류형성부(121)(123)의 하측에는 암나사(103)가 형성되어 후술하는 제 2본체(200)의 숫나사(203)와 나사결합이 용이하도록 하였다.A
제 2본체(200)는 제 2유체유동부(220)와 유체유출부(230)로 이루어진다.The
제 2본체(200)는 도 3 일측에 상세 도시한 바와 같이, 상기한 제 1본체(100)의 내주에 결합되는 일단 외주에 제 1유체유동부(120)와 단면상 대칭형으로 결합되어 단면상 장공(Slot Hole)형 유로를 형성하도록 제 2유체유동부(220)가 구비되어 있다.3, the second
다만, 제 1유체유동부(120) 상단의 제 2와류형성부(123)가 제 2유체유동부(220)의 제 2와류형성부(223)의 상측으로 소정간격 이격되며 틈새(210)("C"표시부위 참조)가 형성된다.The second
즉, 공급관(111)을 통해 유입된 공급유체는 제 1, 2유체유동부(120)(220)의 각 제 1, 2와류형성부(121)(123)(221)(223)에 의해 와류가 형성되며 상기한 틈새(210)를 통해 빠른 속도로 배출된다.That is, the supply fluid introduced through the
특히, 제 1유체유동부(120) 상측의 제 2와류형성부(123)가 제 2유체유동부(220)의 제 2와류형성부(223)의 상측을 호형(弧形)으로 덮듯이 구비됨으로써 와류가 형성된 공급유체는 보다 많은 유량과 보다 빠른 유속으로 배출된다.Particularly, the second vortical
이와 같이, 배출되는 공급유체는 상술한 유입구(101)를 통해 배출되는 반도체 제조장비(미도시)의 배기유체(흄 및 세정가스)를 끌어 당겨 보다 빠른 속도로 유체배출부(230)를 통해 배출한다.As such, the discharged supply fluid draws the exhaust fluid (fume and cleaning gas) of the semiconductor manufacturing equipment (not shown) discharged through the
유체배출부(230)는 도시한 방향 기준한 상측으로부터 하측의 토출측으로 갈 수록 직경이 점진적으로 확장되는 확경부(231)가 구비되어 있다.The
이 확경부(231)는 상기한 바와 같이 형성된 공급유체의 와류를 더욱 촉진하여 배기유체에 가속을 부여하도록 형성되는 것이다.The
이 확경부(231)는 도시한 방향 기준한 상, 하측의 유입측 직경 : 토출측 직경이 1 : 1.3 내지 2.5의 비율로 형성하는 것이 바람직하다.The diameter-enlarged
한편, 상기한 틈새(210) 역시, 배출가속기(10)의 규격에 따라 달라질 수 있으나, 통상 0.1 내지 0.5mm의 규격으로 형성하는 것이 바람직하다.Meanwhile, the
도 4와 도 5에 도시한 것은 본 발명에 따른 배출가속기(10)의 다른 실시예를 보인 것으로, 상술한 배출가속기(10)의 하측에 배출연결관(20)과 배출증폭기(30)를 구비시켜 배기유체의 유량과 유속을 극대화하도록 하는 것이다(배출증폭기(30)의 구성은 상술한 배출가속기(10)와 동일함으로 별도의 상세한 설명은 생략한다)4 and 5 illustrate another embodiment of the
배출연결관(20)은 일 실시예에서 설명한 바와 같은 배출가속기(10)의 유체배출부(230)에 일단이 결합되고, 타단은 배출중폭기(30)의 유입구(31)에 결합되는 것으로, 그 길이는 150mm 이상 250mm이하로 형성하는 것이 바람직하다.The
그 이유로는 상기한 배출가속기(10)는 에어 공급부(110)로 고압의 압축공기가 공급될 때, 유입구(101)의 압력은 저하되는 대신, 유체배출부(230)를 통과하는 유체의 압력은 상승한다.This is because when the high-pressure compressed air is supplied to the
또한, 배출가속기(10)의 제 1, 2와류형성부(121)(123)(221)(223)를 통과하며 형성된 와류에 의해 이 고압의 압축공기는 난류가 형성된다.Also, the high-pressure compressed air is turbulently formed by the vortex formed by passing through the first and second
마찬가지로 배출증폭기(30) 역시 유입구(31)측은 압력이 저하된 상태로 상기한 배출가속기(10)에서 형성된 난류가 이 배출증폭기(30)의 유입구(31)에 도달하게 되면 서로 상이한 압력차에 의해 역류하게 된다.Likewise, when the turbulence formed in the
따라서, 이 난류가 안정적인 유체가 되기 위해서 소정거리 머물공간이 필요하기 때문에 배출연결관(20)의 길이를 150mm 이상 250mm이하로 형성하는 것이다.Therefore, since the turbulent flow requires a space for staying at a predetermined distance in order to be a stable fluid, the length of the
따라서, 상술한 배출가속기(10)의 유입구(101)로 유입된 배기유체(흄 및 세정가스)는 유체배출부(230)에서 1 : 1.3 내지 2.5의 비율로 배출연결관(20)을 통해 확대 배출되며, 이 확대된 배기유체는 배출증폭기(30)의 유입구(31)를 유체배출부(33)를 통해 또 다시 1.3 내지 2.5의 비율로 확대됨으로써, 그 흄 또는 세정 가스로 이루어진 배기유체의 배기 효율을 극대화하였다.Thus, the exhaust fluid (fume and cleaning gas) introduced into the
또한, 이와 같은 배기효율을 극대화하기 위한 또 다른 방법으로는 도 5 일측에 도시한 바와 같이, 배출가속기(10) 및 배출증폭기(30)에 구비되는 공급관(111)(35)의 위치를 평면상 원형의 정 중앙에 배치하지 않고, 제 1, 2유체유동부(120)(220)의 원형 평면상 일측으로 연통하도록 구비함으로써, 보다 안정적으로 공급유체의 저항없이 와류를 형성할 수 있다.As another method for maximizing the exhaust efficiency, the position of the
나아가, 하측에 도시한 바와 같이, 공급관(111)(35)의 위치를 서로 엇갈리는 방향으로 배치하여도 본 발명 소기의 목적을 달성할 수 있음은 물론이다.Further, as shown in the lower side, it is needless to say that the desired purpose of the present invention can be achieved by arranging the positions of the
계속 해서, 도 2 내지 도 6에 도시한 바를 참조로 하여 본 발명에 따른 배출가속기(10)의 작용효과를 설명한다.Next, operation effects of the
우선, 도시하지 않은 콘트롤러의 신호에 따라, 본 발명에 따른 배출가속기(10)의 공급관(111)(35)에 공기압축기(Air Compressor)(미도시)로부터 공급되는 압축공기는 제 1, 2유체유동부(120)(220)의 각 단명상 수직방향으로 구비된 제 1, 2와류형성부(121)(123)(221)(223)에 의해 와류가 형성되며 상기한 틈새(210)를 통해 빠른 속도로 배출된다.First, compressed air supplied from an air compressor (not shown) to the
이와 같이, 형성된 와류에 의해 더욱 속도가 빨라진 공기 유체는 저항없이 유체배출부(230)를 통해 확산되며 배출된다.In this manner, the air fluid that is further accelerated by the formed vortex is diffused and discharged through the
즉, 일정속도로 유입된 압축공기는 상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 배출가속기(10)의 제 1, 2와류형성부(121)(123)(221)(223)의 와류작용에 의해 더욱 빠른 속도로 확산되며 배출된다.That is, as described above, the compressed air introduced at a constant speed is further expanded by the vortex action of the first and second
나아가, 배출연결관(20)과 배출증폭기(30)를 통해서 보다 많은 유량과 보다 빠른 유속으로 배기됨으로써, 배기유체, 즉, 흄 및 공정가스의 배기효율이 극대화되었다.Further, exhaust gas is exhausted at a higher flow rate and a higher flow rate through the
아래 표1에 나타난 바와 같이, 종래 본 출원인에 의해 개시된 종래 배출가속기(도 1참조)와 본 발명에 따른 배출가속기(1)의 성능을 비교한 실시예이다.As shown in the following Table 1, the performance comparison between the conventional discharge accelerator (see FIG. 1) disclosed by the present applicant and the discharge accelerator 1 according to the present invention is compared.
에어 공급부(110)로 공급되는 동일한 압력의 압축공기 압력에 대비하여 본 발명에 따른 배출가속기(10)가 종래 배출가속기에 비해 대략 2배에 해당하는 배기용량(LPM: Liter Per Minute)을 나타낸다. The
이와 같이, 본 발명에 따른 배출가속기(10)에 의해 외부와 차폐된 반도체 제조장비 내부에서 흄 제거작업이 이루어짐으로서, 흄 제거작업의 효율이 향상되었다.As described above, the efficiency of the fume removing operation is improved by performing the fume removing operation in the semiconductor manufacturing equipment shielded from the outside by the
나아가, 본 발명에 따른 배출가속기(10)에 의해 내부에 다수 구비된 웨이퍼에 잔존하는 흄(fume) 및 공정가스등의 배기유체 제거를 위한 배출 속도 및 배출 효율을 향상시킬 수 있는 배출가속기를 널리 제공하였다.Furthermore, the
또한, 본 발명에 따른 배출가속기(10)는 도 7과 도 8에 도시한 바와 같이, 각 유로에 와류촉진부재(300)를 더 구비하여 효율을 극대화할 수 있다.Also, as shown in FIGS. 7 and 8, the
이 와류촉진부재(300)는 나선으로 형성된 스크류(Screw)의 일종으로서, 도 7에 도시한 바와 같이, 공급관(111) 내부에 길이방향으로 구비시켜서 공급유체에 와류를 형성할 수도 있고, 도 8에 도시한 바와 같이, 배기유체(흄 및 공정가스)가 통과하는 유입구(101)에 구비시켜서, 배기유체에 와류를 형성시켜 보다 빠른 배기가 이루어지도록 하는 것이다.7, the
이와 같은 와류촉진부재(300)는 배출가속기(10)에 구비시킨 실시예에 대해서만 설명하였으나, 상술한 배출증폭기(30)에 구비시켜도 본 발명 소기의 목적을 달성할 수 있음은 물론이다.The
본 발명은 상술한 특정 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자 라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변형실시는 본 발명의 청구범위 기재 범위 내에 있게 된다.It is to be understood that the present invention is not limited to the specific exemplary embodiments described above and that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. And such modified embodiments are within the scope of the claims of the present invention.
10 : 배출가속기
20 : 배출연결관
30 : 배출증폭기
100,200 : 제 1, 2본체
101 : 유입구
110 : 에어공급부
111 : 공급관
120 : 제 1유체유동부
121,123,221,223 : 제 1, 2와류 형성부
210 : 틈새
220 : 제 2유체유동부
230 : 유체배출부
231 : 확경부
300 : 와류촉진부재 10: Discharge accelerator 20: Discharge connector
30:
101: inlet 110: air supply
111: supply pipe 120: first fluid flow portion
121, 123, 221, 223: first and second vortex forming parts
210: Clearance 220: Second fluid flow portion
230: fluid discharge part 231:
300: vortex acceleration member
Claims (11)
원형관 형태로 이루어진 일단에 상기 반도체 제조장비 내부의 유체가 유입되도록 마련된 유입구와, 상기 유입구의 하측 직각방향으로 공급 유체가 공급되도록 적어도 하나 이상의 공급관이 구비된 에어공급부와, 상기 에어공급부를 통해 공급되는 공급 유체가 유동하는 제 1유체유동부로 이루어진 제 1본체와;
상기 제 1본체의 내주 일측에 결합되는 일단 외주에 상기 제 1유체유동부와 단면상 대칭형으로 결합하되, 일단은 상기 제 1유체유동부의 일단과 소정거리 이격된 틈새가 형성되는 제 2유체유동부가 구비되며, 상기 틈새로 배출되는 유체가 배출되는 유체배출부로 이루어진 제 2본체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기.A discharge accelerator for discharging an exhaust fluid flowing through a channel of a semiconductor manufacturing equipment such as a process module, a load port, and an equipment front end module (EFEM)
An air supply unit having an inlet formed to receive a fluid in the semiconductor manufacturing equipment at one end thereof formed in a circular tube shape and having at least one supply pipe for supplying a supply fluid in a direction perpendicular to a lower side of the inlet, A first fluid flow portion through which the supplied fluid flows;
And a second fluid flow unit coupled to the first fluid flow unit in a symmetrical manner in a cross section and having one end formed at a predetermined distance from one end of the first fluid flow unit, And a second body including a fluid discharge portion through which fluid discharged in the gap is discharged.
상기 틈새는,
0.1 내지 0.5mm 로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기.The method according to claim 1,
Preferably,
0.1 to 0.5 mm. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
상기 유체배출부는,
배기유체의 유입측으로부터 토출측으로 직경이 확장되는 확경부가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기.The method according to claim 1,
Wherein the fluid discharge portion includes:
Wherein a diameter-enlarged portion is formed from the inlet side to the outlet side of the exhaust fluid.
상기 확경부는,
상기 배기유체의 유입측 직경 : 토출측 직경이 1 : 1.3 내지 2.5의 비율인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기.The method of claim 3,
The diameter-
Wherein the diameter of the inlet side of the exhaust fluid: the diameter of the outlet side is 1: 1.3 to 2.5.
상기 제 1, 2본체에 각각 구비되는 제 1, 2유체유동부는,
상기 에어공급부로 공급되는 공기 유체의 저항을 최소화하고, 상기 에어 유출부를 통해 신속한 배출이 이루어질 수 있도록 단면상 하부와 상부에 단면상 반구형으로 각각 형성된 제 1, 2와류 형성부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기.The method according to claim 1,
The first and second fluid flow portions, which are respectively provided in the first and second bodies,
Further comprising a first and a second vortex forming part formed in a hemispherical shape in cross section on the lower and upper sides, respectively, so as to minimize the resistance of the air fluid supplied to the air supplying part and to allow quick discharge through the air outflow part. Plant Expenditure Accelerator.
상기 제 1본체의 에어공급부는,
상기 공급관이 상기 제 1, 2유체유동부의 원형 평면상 일측으로 연통하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기.The method according to claim 1,
The air supply portion of the first main body,
And the supply pipe is provided so as to communicate with one side of a circular plane of the first and second fluid flow portions.
상기 배출가속기는,
상기 제 2본체의 유체배출부에 일단이 결합된 배출연결관과;
상기 배출연결관의 타단에 유입구가 결합된 배출증폭기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기.The method according to claim 1,
The discharge accelerator includes:
A discharge connection pipe having one end coupled to a fluid discharge portion of the second body;
Further comprising a discharge amplifier having an inlet connected to the other end of the discharge connection pipe.
상기 배출가속기의 유체배출부와 상기 배출증폭기의 유입부의 직경은 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기.8. The method of claim 7,
Wherein a diameter of the fluid discharge portion of the discharge accelerator and an inlet portion of the discharge amplifier are the same.
상기 배출연결관의 길이는,
150mm 이상 250mm 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기.8. The method of claim 7,
The length of the discharge connection tube,
Wherein the semiconductor manufacturing facility discharge accelerator is 150 mm or more and 250 mm or less.
상기 배출가속기는,
상기 제 1본체의 공급관 또는 유입구에 길이방향으로 구비되는 와류촉진부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기.The method according to claim 1,
The discharge accelerator includes:
Further comprising a vortex accelerating member provided longitudinally in a supply pipe or an inlet of the first body.
상기 와류촉진부재는 스크류형태로 나선이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기.
11. The method of claim 10,
Wherein the vortex accelerating member is formed with a screw in a screw shape.
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