KR20160002080A - Apparatus for measuring thickness of deposition - Google Patents

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KR20160002080A KR1020140080853A KR20140080853A KR20160002080A KR 20160002080 A KR20160002080 A KR 20160002080A KR 1020140080853 A KR1020140080853 A KR 1020140080853A KR 20140080853 A KR20140080853 A KR 20140080853A KR 20160002080 A KR20160002080 A KR 20160002080A
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Abstract

The present invention relates to an apparatus to measure a thickness of a deposition, in accordance with one aspect of the present invention, an apparatus to measure the thickness of the deposition comprising: a sensor unit provided with a quartz vibrator, measuring an amount of deposition in accordance with a change in frequency according to the deposition of the evaporated particles of the quartz vibrator; a sensor tube which guides a flow of the evaporated particles toward the quartz vibrator; a chopper interposed between the quartz vibrator and the sensor tube, regulating the flow of the evaporated particles towards the quartz vibrator in accordance with a rotation of the chopper; and a wiper unit which eliminates parasitic deposits parasitically deposited on the chopper and then separated from the chopper, covering an end portion of the sensor tube.

Description

증착두께 측정장치{APPARATUS FOR MEASURING THICKNESS OF DEPOSITION}[0001] APPARATUS FOR MEASURING THICKNESS OF DEPOSITION [0002]

본 발명은 증착두께 측정장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 증착 공정중 초퍼에 기생증착된 후 초퍼에서 이탈되어 떨어져 센서튜브의 단부를 가리는 기생증착물을 제거하여, 기판에 증착되는 증발입자의 증착량을 정확하게 측정할 수 있는 증착두께 측정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition thickness measuring apparatus. More particularly, the present invention relates to a deposition thickness measuring device capable of accurately measuring the deposition amount of evaporated particles deposited on a substrate by parasitic deposition on a chopper after being removed from the chopper and removing the parasitic deposition material covering the end of the sensor tube, .

유기 전계 발광소자(Organic Light Emitting Diodes: OLED)는 형광성 유기화합물에 전류가 흐르면 빛을 내는 전계 발광현상을 이용하는 스스로 빛을 내는 자발광소자로서, 비발광소자에 빛을 가하기 위한 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량이고 박형의 평판표시장치를 제조할 수 있다.BACKGROUND ART Organic light emitting diodes (OLEDs) are self-light emitting devices that emit light by using an electroluminescent phenomenon that emits light when a current flows through a fluorescent organic compound. A backlight for applying light to a non- Therefore, a lightweight thin flat panel display device can be manufactured.

유기 전계 발광 소자는, 애노드 및 캐소드 전극을 제외한 나머지 구성층인 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등이 유기 박막으로 되어 있고, 이러한 유기 박막은 진공열증착방법으로 기판 상에 증착된다.The organic electroluminescent device comprises an organic thin film such as a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer which are the remaining constituent layers except for the anode and the cathode. / RTI >

진공열증착방법은 진공챔버 내에 기판을 배치하고, 일정 패턴이 형성된 쉐도우 마스크(shadow mask)를 기판에 정렬시킨 후, 증발물질이 담겨 있는 증발원에 열을 가하여 증발물질이 승화되어 형성된 증발입자를 기판 상에 증착하는 방식으로 이루어 진다. 한편, 기판 상에 증착되는 증발입자의 증착속도를 측정하기 위하여 증발원과 일정 거리 이격된 거리에 수정진동자를 이용한 증착두께 측정장치를 배치한다.In the vacuum thermal deposition method, a substrate is disposed in a vacuum chamber, a shadow mask having a predetermined pattern is aligned on a substrate, heat is applied to an evaporation source containing the evaporation material, On the substrate. On the other hand, in order to measure the deposition rate of the evaporated particles deposited on the substrate, a deposition thickness measuring apparatus using a quartz oscillator is disposed at a distance from the evaporation source.

수정진동자를 이용한 증착두께 측정장치의 원리는, 수정진동자에 전극을 만들고 전극의 양단에 교류전압을 인가하면 수정진동자는 고유 진동수로 진동하게 되는데, 수정진동자에 증발입자가 증착됨에 따라 진동주파수가 변하게 되고 이러한 진동수의 변화량으로 기판에 증착되는 증발입자의 증착량이나 증착속도를 측정하게 된다.The principle of the deposition thickness measuring apparatus using a quartz crystal vibrator is that the quartz oscillator vibrates at a natural frequency when an electrode is formed on the quartz crystal and an AC voltage is applied to both ends of the electrode. As the evaporation particles are deposited on the quartz crystal, And the deposition amount or deposition rate of the evaporated particles deposited on the substrate is measured by the variation of the frequency.

한편, 수정진동자의 전방에는 회전에 따라 수정진동자가 증발입자에 노출되는 것을 주기적으로 단속하기 위한 초퍼(Chopper)가 배치된다. 초퍼는 회전에 따라 수정진동자가 증발입자에 노출되는 것을 방지하여 수정진동자의 사용시간을 증가시켜 사용수명을 연장한다.On the other hand, a chopper is disposed in front of the quartz vibrator for periodically interrupting the quartz oscillator to be exposed to the evaporation particles as the quartz oscillator rotates. The chopper prevents the quartz crystal from being exposed to the evaporation particles as the quartz rotates, thereby increasing the service life of the quartz crystal by extending the service life of the quartz crystal.

증착 공정을 수행하는 과정에서 증발원에서 증발된 증발입자가 초퍼에 기생증착하고, 계속적이 기생증착에 의해 초퍼의 상면에는 증발입자로 이루어진 불순물인 기생증착물이 형성될 수 있다.In the course of performing the deposition process, the evaporated particles evaporated from the evaporation source are parasitically deposited on the chopper, and the parasitic evaporation material, which is an impurity composed of evaporation particles, may be formed on the upper surface of the chopper by the continuous parasitic deposition.

이와 같은 기생증착물이 초퍼로부터 이탈되어 센서튜브 방향으로 떨어져 수정진동자로 증발입자를 가이드하는 센서튜브의 단부를 가리는 경우가 있는데, 이러한 경우 기생증착물이 증발입자의 유동을 막아 증발입자가 수정진동자에 증착되는 것을 방해하여, 기판에 증착되는 증발입자의 증착량의 정확한 측정을 어렵게 한다.Such a parasitic deposition material is separated from the chopper and falls in the direction of the sensor tube to cover the end of the sensor tube guiding the evaporation particles to the quartz crystal. In this case, the parasitic deposition material blocks the flow of the evaporation particles, Thereby making it difficult to accurately measure the deposition amount of evaporated particles deposited on the substrate.

한국등록특허 제10-1289704호Korean Patent No. 10-1289704 한국공개특허 제10-2007-0112668호Korean Patent Publication No. 10-2007-0112668 한국공개특허 제10-2013-0003674호Korean Patent Publication No. 10-2013-0003674

본 발명은, 증착 공정 중 초퍼에 기생증착된 후 초퍼에서 이탈되어 떨어져서 센서튜브의 단부를 가리는 기생증착물을 제거하여, 기판에 증착되는 증발입자의 증착량을 정확하게 측정할 수 있는 증착두께 측정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a vapor deposition thickness measuring device capable of precisely measuring the amount of evaporation particles deposited on a substrate by removing parasitic deposition material that has been parasitic deposited on a chopper and separated from a chopper to cover an edge of a sensor tube during a deposition process .

본 발명의 일 측면에 따르면, 수정진동자가 구비되며, 상기 수정진동자에 대한 증발입자의 증착에 따른 진동수의 변화에 따라 증착량을 측정하는 센서부와; 수정진동자를 향하여 증발입자의 유동을 안내하는 센서튜브와; 수정진동자와 센서튜브 사이에 개재되어 회전에 따라 수정진동자를 향하는 증발입자의 유동을 단속하는 초퍼와; 초퍼에 기생증착된 후 초퍼에서 이탈되어 센서튜브의 단부를 가리는 기생증착물을 제거하는 와이퍼 유닛을 포함하는, 증착두께 측정장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a sensor unit having a quartz vibrator and measuring a deposition amount according to a change in the frequency of vapor deposition of the quartz crystal; A sensor tube for guiding the flow of the evaporation particles toward the quartz crystal; A chopper interposed between the quartz crystal and the sensor tube for interrupting the flow of the evaporation particles toward the quartz crystal in accordance with the rotation; And a wiper unit which is parasitic on the chopper and then removed from the chopper to remove the parasitic deposition material covering the end of the sensor tube.

이때, 와이퍼 유닛은, 센서튜브의 단부를 가로지르며 이동하여 기생증착물을 제거할 수 있다.At this time, the wiper unit can move across the end of the sensor tube to remove the parasitic deposition material.

이때, 와이퍼 유닛은, 센서튜브에 인접하여 설치되는 회전축과; 회전축에 결합되어 회전에 따라 기생증착물을 밀어내는 와이퍼를 포함할 수 있다.At this time, the wiper unit includes: a rotation shaft installed adjacent to the sensor tube; And a wiper coupled to the rotating shaft and pushing the parasitic deposition material as it rotates.

또한, 와이퍼 유닛은, 센서튜브에 인접하여 설치되는 이동 레일과; 이동 레일을 따라 직선 이동하여 기생증착물을 밀어내는 와이퍼를 포함할 수 있다.The wiper unit further includes: a moving rail installed adjacent to the sensor tube; And a wiper that moves linearly along the moving rail to push out the parasitic deposits.

한편, 센서튜브로부터 유출되는 증발입자의 유량을 감지하는 유량 센서와 유량 센서로부터 전기적 신호를 입력받아 증발입자의 유량이 기설정된 값 이하이면 와이퍼 유닛을 구동시키는 제어부를 더 포함할 수 있다.The controller may further include a flow sensor for sensing a flow rate of the evaporation particles flowing out from the sensor tube, and a controller for driving the wiper unit when the flow rate of the evaporation particles is less than a preset value by receiving an electrical signal from the flow rate sensor.

본 발명의 실시예에 따른 증착두께 측정장치는, 증착 공정 중 초퍼에 기생증착된 후 초퍼에서 이탈되어 떨어져서 센서튜브의 단부를 가리는 기생증착물을 제거하여, 기판에 증착되는 증발입자의 증착량을 정확하게 측정할 수 있다.The deposition thickness measuring apparatus according to an embodiment of the present invention is a device for measuring the thickness of a vapor deposited on a chopper after being parasitically deposited on a chopper during a vapor deposition process and then separated from the chopper to remove a parasitic deposition material covering an end portion of the sensor tube, Can be measured.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착두께 측정장치를 포함하는 증착장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착두께 측정장치의 개략도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이퍼 유닛의 작동상태도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예의 변형예에 따른 와이퍼 유닛의 작동상태도이다.1 is a schematic view of a deposition apparatus including a deposition thickness measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic view of a deposition thickness measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 and 4 are operational states of the wiper unit according to an embodiment of the present invention.
5 and 6 are operational states of a wiper unit according to a modification of the embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이하, 본 발명에 따른 증착두께 측정장치의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부한 도면을 참조하여 설명함에 있어서, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Hereinafter, an embodiment of a deposition thickness measuring apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals designate corresponding or corresponding components, A duplicate description will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착두께 측정장치를 포함하는 증착장치의 개략도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착두께 측정장치의 개략도이다. 그리고, 도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이퍼 유닛(100)의 작동상태도이다.
FIG. 1 is a schematic view of a deposition apparatus including a deposition thickness measuring apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic view of a deposition thickness measuring apparatus according to an embodiment of the present invention. 3 and 4 are operational states of the wiper unit 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 4에는, 진공챔버(2), 기판 안착부(3), 기판(4), 증발원(5), 증착두께 측정장치(10), 하우징(15), 센서부(20), 수정진동자(21), 센서 홀더(23), 센서 샤프트(25), 센서 커버(26), 개구부(27), 초퍼(30), 초퍼 샤프트(35), 기생증착물(40), 센서튜브(50), 와이퍼 유닛(100), 와이퍼(110), 회전축(120), 구동부(150)가 도시되어 있다.
1 to 4, a vacuum chamber 2, a substrate seating portion 3, a substrate 4, an evaporation source 5, a deposition thickness measuring device 10, a housing 15, a sensor portion 20, The chopper 30, the chopper shaft 35, the parasitic deposition material 40, the sensor tube 50, the sensor holder 25, the sensor cover 25, the sensor cover 26, the opening 27, A wiper unit 100, a wiper 110, a rotating shaft 120, and a driving unit 150 are illustrated.

먼저, 본 실시예에 따른 증착두께 측정장치(10)를 포함하는 증착장치에 대해 설명한다.First, a deposition apparatus including the deposition thickness measuring apparatus 10 according to the present embodiment will be described.

기판(4)은 진공챔버(2) 내부로 이송되어 진공챔버(2) 내부 상측에 구비되는 기판 안착부(3)에 의해 지지된다.The substrate 4 is supported by a substrate seating part 3 which is conveyed into the vacuum chamber 2 and provided above the inside of the vacuum chamber 2.

증발원(5)은 기판(4)에 대향하여 진공챔버(2) 내부 하측에 배치되며, 내부에 수용되는 증발물질을 증발시킨다.The evaporation source 5 is disposed inside the vacuum chamber 2 facing the substrate 4 and evaporates the evaporation material contained therein.

증발원(5)에 의해 증발되는 증발입자는 증발원(5)과 대향하는 기판(4)에 증착되고, 이 과정에서 증발원(5)을 통해 분사된 증발입자 중 일부가 증착두께 측정장치(10)에 도달하여 간접적으로 기판(4)에 증착되는 증발입자의 증착량을 측정하게 된다.The evaporation particles evaporated by the evaporation source 5 are deposited on the substrate 4 opposite to the evaporation source 5 and part of the evaporation particles injected through the evaporation source 5 during this process is deposited on the evaporation source 5 And evaporated particles deposited on the substrate 4 are indirectly measured.

이하에서는 본 실시예에 따른 증착두께 측정장치(10)를 자세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the deposition thickness measuring apparatus 10 according to the present embodiment will be described in detail.

본 실시예에 따른 증착두께 측정장치(10)는, 수정진동자(21)가 구비되며, 수정진동자(21)에 대한 증발입자의 증착에 따른 진동수의 변화에 따라 증착량을 측정하는 센서부(20)와; 수정진동자(21)를 향하여 상기 증발입자의 유동을 안내하는 센서튜브(50)와; 수정진동자(21)와 상기 센서튜브(50) 사이에 개재되어 회전에 따라 수정진동자(21)를 향하는 증발입자의 유동을 단속하는 초퍼(30)와; 초퍼(30)에 기생증착된 후 초퍼(30)에서 이탈되어 센서튜브(50)의 단부를 가리는 기생증착물(40)을 제거하는 와이퍼 유닛(100)을 포함하여, 증착 고정 중 초퍼(30)에서 이탈되어 센서튜브(50)의 단부를 가리는 기생증착물(40)을 제거하여 기판(4)에 증착되는 증발입자의 증착량을 정확하게 측정할 수 있다.The deposition thickness measuring apparatus 10 according to the present embodiment includes a quartz vibrator 21 and a sensor unit 20 for measuring the deposition amount in accordance with a change in the frequency of deposition of evaporation particles with respect to the quartz crystal vibrator 21. [ )Wow; A sensor tube (50) for guiding the flow of the evaporation particles toward the quartz crystal vibrator (21); A chopper 30 interposed between the quartz vibrator 21 and the sensor tube 50 for controlling the flow of evaporated particles toward the quartz vibrator 21 in accordance with the rotation; And a wiper unit 100 for removing the parasitic deposition material 40 which has been parasitically deposited on the chopper 30 and then removed from the chopper 30 and covers the end of the sensor tube 50. The chopper 30 It is possible to remove the parasitic deposition material 40 that separates the end portion of the sensor tube 50 and accurately measure the deposition amount of the evaporated particles deposited on the substrate 4. [

본 실시예에 따른 증착두께 측정장치(10)는 기판(4)에 증착이 수행되는 진공챔버(2) 내부에 배치될 수 있다.The deposition thickness measuring apparatus 10 according to the present embodiment can be disposed inside the vacuum chamber 2 in which the deposition is performed on the substrate 4.

센서부(20)는 대략 원기둥 형상의 중공의 하우징(15) 내부에 결합되며, 수정진동자(21)를 구비한다.The sensor unit 20 is coupled to a substantially cylindrical hollow housing 15 and includes a quartz vibrator 21.

센서부(20)는 센서 홀더(23), 수정진동자(21), 센서 샤프트(25) 및 센서 커버(26)를 포함할 수 있다.The sensor unit 20 may include a sensor holder 23, a crystal oscillator 21, a sensor shaft 25, and a sensor cover 26.

센서 홀더(23)의 일면에는 복수의 수정진동자(21)가 구비되고, 타면에는 센서 샤프트(25)가 결합되며, 후술할 센서 커버(26)의 개구부(27)에 노출된 수전진동자에 증발입자가 증착되어 수명이 다해 교체가 필요한 경우, 센서 샤프트(25)의 회전에 따라 이웃하는 다음 차례의 수정진동자(21)가 센서 커버(26)의 개구부(27)에 노출되도록 하여 수정진동자(21)를 교체한다.A plurality of crystal vibrators 21 are provided on one surface of the sensor holder 23 and a sensor shaft 25 is coupled to the other surface of the sensor holder 23. Evaporated particles The quartz oscillator 21 is caused to be exposed to the opening 27 of the sensor cover 26 in accordance with the rotation of the sensor shaft 25, .

센서 홀더(23)의 개구부(27)를 통해 증발입자에 노출된 수정진동자(21)에 증발입자가 증착되어 교체가 필요한 경우, 센서 홀더(23)가 회전하여 이웃하는 다음 차례의 수정진동자(21)가 순차적으로 개구부(27)에 위치하며, 일부 수정진동자(21)만이 증발입자에 노출되도록 하여 센서 홀더(23)의 교체 주기를 연장할 수 있다.When evaporation particles are deposited on the quartz vibrator 21 exposed to the evaporation particles through the opening 27 of the sensor holder 23 and replacement is necessary, the sensor holder 23 rotates and the next quartz crystal oscillator 21 Are sequentially positioned in the opening 27 and only a part of the quartz vibrator 21 is exposed to the evaporation particles so that the replacement period of the sensor holder 23 can be extended.

증착 공정 중 센서 홀더(23)의 개구부(27)를 통해 노출된 수정진동자(21)에는 증발원(5)에서 분사되는 증발입자가 증착막을 형성하고, 이에 따른 진동수의 변화로 기판(4)에 대한 증착률이나 증착속도를 측정할 수 있다.Evaporated particles injected from the evaporation source 5 form a vapor deposition film on the quartz crystal oscillator 21 exposed through the opening 27 of the sensor holder 23 during the deposition process, The deposition rate and the deposition rate can be measured.

센서튜브(50)는 수정진동자(21)를 향하여 상기 증발입자의 유동을 안내한다.The sensor tube (50) guides the flow of the evaporation particles toward the quartz crystal (21).

센서튜브(50)는 대략 중공의 관 형상으로, 일단이 하우징(15) 외측을 향하고 타단이 수정진동자(21)를 향하도록 하우징(15)에 결합되어, 증발원(5)으로부터 증발되는 증발입자가 수정진동자(21)를 향하여 유동하도록 가이드한다.The sensor tube 50 has a substantially hollow tube shape and is connected to the housing 15 such that one end thereof faces the outer side of the housing 15 and the other end faces the quartz crystal vibrator 21. The evaporation particles evaporated from the evaporation source 5 And is guided to flow toward the quartz crystal vibrator (21).

초퍼(30)는 수정진동자(21)와 센서튜브(50) 사이에 개재되어 회전에 따라 수정진동자(21)를 향하는 증발입자의 유동을 단속한다.The chopper 30 is interposed between the quartz vibrator 21 and the sensor tube 50 and interrupts the flow of the evaporation particles toward the quartz vibrator 21 in accordance with the rotation.

초퍼(30)는, 원형의 판 상으로, 복수의 개구가 형성되고 센서 홀더(23)에 구비되는 수정진동자(21)에 대향하여 배치되고, 초퍼 샤프트(35)에 결합되어 초퍼 샤프트(35)가 회전함에 따라 센서튜브(50)를 거쳐 수정진동자(21)로 향하는 증발입자의 유동을 단속하여 수정진동자(21)의 사용수명을 연장시킬 수 있다.The chopper 30 has a plurality of openings formed on a circular plate and is arranged to face the quartz vibrator 21 provided in the sensor holder 23. The chopper shaft 35 is coupled to the chopper shaft 35, It is possible to extend the service life of the quartz crystal vibrator 21 by interrupting the flow of the evaporation particles toward the quartz crystal vibrator 21 through the sensor tube 50.

와이퍼 유닛(100)은 초퍼(30)에 기생증착된 후 초퍼(30)에서 이탈되어 센서튜브(50)의 단부를 가리는 기생증착물(40)을 제거한다.The wiper unit 100 is parasitic on the chopper 30 and then removed from the chopper 30 to remove the parasitic deposition material 40 covering the end of the sensor tube 50.

기생증착물(40)이란, 증발입자가 초퍼(30)의 일면에 계속적으로 부착되어 생성되는 불순물을 의미한다. 이러한 기생증착물(40)이 증착 공정 중 센서튜브(50) 방향으로 떨어져서 센서튜브(50)의 단부를 가리는 경우, 증발입자의 하우징(15) 내부로의 유동을 막아 증발입자가 수정진동자(21)에 증착되는 것을 방해하여, 기판(4)에 증착되는 증발입자의 증착량의 정확한 측정을 어렵게 한다.The parasitic deposition material 40 refers to an impurity produced by continuously attaching evaporated particles to one surface of the chopper 30. [ When the parasitic deposition material 40 covers the end of the sensor tube 50 in the direction of the sensor tube 50 during the deposition process, the evaporation particles are prevented from flowing into the housing 15, Which makes it difficult to accurately measure the deposition amount of evaporated particles deposited on the substrate 4. [

본 실시예에 따른 와이퍼 유닛(100)은 하우징(15) 내부에 센서튜브(50)의 단부에 인접하여 결합되며, 초퍼(30)에서 이탈되어 떨어져서 센서튜브(50)의 단부를 가리는 기생증착물(40)을 제거한다.The wiper unit 100 according to the present embodiment is disposed adjacent to the end portion of the sensor tube 50 inside the housing 15 and is detachable from the chopper 30 to cover the end portion of the sensor tube 50 40 are removed.

따라서, 본 실시예에 따른 증착두께 측정장치(10)는 와이퍼 유닛(100)을 이용하여 센서튜브(50)의 단부를 가리는 기생증착물(40)을 제거하여 기판(4)에 증착되는 증발입자의 증착량을 정확하게 측정할 수 있다.The vapor deposition thickness measuring apparatus 10 according to the present embodiment can remove the parasitic deposition material 40 covering the end portion of the sensor tube 50 by using the wiper unit 100 to remove evaporation particles The deposition amount can be accurately measured.

본 실시예에서는 와이퍼 유닛(100)이 센서튜브(50)의 단부를 가로지르며 이동하여 기생증착물(40)을 제거하도록 구성하였다.In this embodiment, the wiper unit 100 is configured to move across the end of the sensor tube 50 to remove the parasitic deposition material 40.

와이퍼 유닛(100)은 센서튜브(50)에 인접하여 설치되는 회전축(120)과; 회전축(120)에 결합되어 회전에 따라 기생증착물(40)을 밀어내는 와이퍼(110)를 포함한다.The wiper unit 100 includes a rotation shaft 120 installed adjacent to the sensor tube 50; And a wiper 110 coupled to the rotating shaft 120 and pushing the parasitic deposition material 40 in accordance with the rotation.

회전축(120)은 후술할 와이퍼(110)에 결합되어 와이퍼(110)를 회전시키기 위한 것으로, 센서튜브(50)의 단부에 인접하도록 하우징(15) 내부 일측에 결합된다.The rotation shaft 120 is coupled to one side of the inside of the housing 15 so as to be adjacent to the end of the sensor tube 50 for rotating the wiper 110 by being coupled to the wiper 110 to be described later.

와이퍼(110)는 회전축(120)에 결합하여, 회전축(120)의 회전에 따라 회전하며 센서튜브(50)의 단부를 가리는 기생증착물(40)을 밀어내어 제거한다.The wiper 110 is coupled to the rotating shaft 120 and pushes and removes the parasitic deposition material 40 which rotates in accordance with the rotation of the rotating shaft 120 and covers the end portion of the sensor tube 50.

회전축(120)에 구동부(150)가 결합되어 회전축에 회전력을 제공한다.A driving unit 150 is coupled to the rotating shaft 120 to provide rotational force to the rotating shaft.

본 실시예에 따른 증착두께 측정장치(10)는 유량 센서 및 제어부를 더 포함할 수 있다.The deposition thickness measuring apparatus 10 according to the present embodiment may further include a flow rate sensor and a control unit.

유량 센서는 하우징(15) 내부에 결합되어 센서튜브(50)의 단부로부터 유출되어 하우징(15) 내부로 유입되는 증발입자의 유량을 감지한다.The flow sensor is coupled to the inside of the housing 15 to detect the flow rate of evaporated particles flowing out from the end of the sensor tube 50 and flowing into the housing 15.

제어부는 유량 센서로부터 전기적 신호를 입력받아 하우징(15) 내부로 유입되는 증발입자의 유량이 기설정된 값 이하이면 와이퍼 유닛(100)을 구동시켜, 센서튜브(50)의 단부를 가리는 기생증착물(40)을 제거하도록 한다.The control unit controls the wiper unit 100 to drive the wiper unit 100 and the parasitic deposition material 40 that blocks the end of the sensor tube 50 when the flow rate of the evaporation particles flowing into the housing 15 is less than a predetermined value, ).

기설정된 값은 최초 센서튜브(50)를 통해 하우징(15) 내부로 유입되는 증발입자와 와이퍼 유닛(100) 구동직전 유입되는 증발입자의 유입량을 비교하여 결정되며, 최초 유입되는 증발입자의 유입량에 비해 적은 값으로 결정될 수 있다.The predetermined value is determined by comparing the inflow amount of the evaporated particles flowing into the housing 15 through the initial sensor tube 50 and the evaporated particles flowing just before the wiper unit 100 is driven. The inflow amount of the initially introduced evaporated particles It can be determined to be a smaller value.

제어부는 기생증착물(40)이 센서튜브(50) 단부로 떨어져 센서튜브(50)를 가리는지 여부를 자동적으로 판단하여, 와이퍼 유닛(100)을 구동시켜 기생증착물(40)을 제거한다.The control unit automatically determines whether the parasitic deposition material 40 falls to the end of the sensor tube 50 or not to cover the sensor tube 50 and drives the wiper unit 100 to remove the parasitic deposition material 40.

도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예의 변형예에 따른 와이퍼 유닛(100)의 작동상태도이며, 도 5 및 도 6에는 센서튜브(50), 와이퍼 유닛(100), 와이퍼(110), 이동 레일(130), 구동부(150)가 도시되어 있다.5 and 6 are operational views of the wiper unit 100 according to a modification of the embodiment of the present invention. In FIGS. 5 and 6, the sensor tube 50, the wiper unit 100, the wiper 110, A rail 130, and a driving unit 150 are shown.

본 실시예에 따른 와이퍼 유닛(100)은 센서튜브(50)에 인접하여 설치되는 이동 레일(130)과; 이동 레일(130)을 따라 직선 이동하여 기생증착물(40)을 밀어내는 와이퍼(110)를 포함한다.The wiper unit 100 according to the present embodiment includes a moving rail 130 installed adjacent to the sensor tube 50; And a wiper 110 that linearly moves along the moving rail 130 to push out the parasitic deposition material 40.

이동 레일(130)은 센서튜브(50)의 단부에 인접하도록 하우징(15) 내부 일측에 결합된다. 이동 레일(130)은 후술할 와이퍼(110)를 가이드하여 직선 이동시키기 위한 것으로, 일정 길이 이상의 본체를 구비하며, 본체 내부에 와이퍼(110)를 가이드하기 위한 가이드 홈(미도시)이 구비될 수 있으며, 와이퍼(110)는 이동 레일(130)에 결합되어 이동 레일(130)의 가이드 홈(미도시)을 따라 직선 이동하며 센서튜브(50)의 단부를 가리는 기생증착물(40)을 밀어내어 제거한다.The moving rail 130 is coupled to one side of the inside of the housing 15 so as to be adjacent to the end of the sensor tube 50. The movable rail 130 guides the wiper 110 to be described later and linearly moves. The movable rail 130 includes a main body having a predetermined length or more, and a guide groove (not shown) for guiding the wiper 110 may be provided in the main body. The wiper 110 is coupled to the moving rail 130 and moves linearly along a guide groove (not shown) of the moving rail 130 to push out the parasitic deposition material 40 covering the end portion of the sensor tube 50 do.

와이퍼 유닛(100)에 구동부(15)가 결합되어 와이퍼(110)가 이동 레일(130)을 따라 직선 이동하도록 구동력을 제공한다.
The driving unit 15 is coupled to the wiper unit 100 to provide a driving force such that the wiper 110 linearly moves along the moving rail 130. [

이상에서는 본 발명의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 쉽게 이해할 수 있을 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the following claims And changes may be made without departing from the spirit and scope of the invention.

2: 진공챔버 3: 기판 안착부
4: 기판 5: 증발원
10: 증착두께 측정장치 15: 하우징
20: 센서부 21: 수정진동자
23: 센서 홀더 25: 센서 샤프트
26: 센서 커버 27: 개구부
30: 초퍼(Chopper) 35: 초퍼 샤프트
40: 기생증착물 50: 센서튜브
100: 와이퍼 유닛 110: 와이퍼
120: 회전축 130: 이동 레일
150: 구동부2: vacuum chamber 3: substrate mounting part
4: substrate 5: evaporation source
10: Deposition thickness measuring device 15: Housing
20: sensor part 21: crystal oscillator
23: Sensor holder 25: Sensor shaft
26: sensor cover 27: opening
30: Chopper 35: Chopper shaft
40: parasitic deposition material 50: sensor tube
100: wiper unit 110: wiper
120: rotating shaft 130: moving rail
150:

Claims (5)

수정진동자가 구비되며, 상기 수정진동자에 대한 증발입자의 증착에 따른 진동수의 변화에 따라 증착량을 측정하는 센서부와;
상기 수정진동자를 향하여 상기 증발입자의 유동을 안내하는 센서튜브와;
상기 수정진동자와 상기 센서튜브 사이에 개재되어 회전에 따라 상기 수정진동자를 향하는 상기 증발입자의 유동을 단속하는 초퍼와;
상기 초퍼에 기생증착된 후 상기 초퍼에서 이탈되어 상기 센서튜브의 단부를 가리는 기생증착물을 제거하는 와이퍼 유닛을 포함하는, 증착두께 측정장치.A sensor unit having a crystal oscillator and measuring the deposition amount according to a change in the frequency of evaporation particles deposited on the quartz crystal;
A sensor tube for guiding the flow of the evaporation particles toward the quartz crystal;
A chopper interposed between the quartz crystal and the sensor tube for controlling the flow of the evaporation particles toward the quartz crystal according to rotation;
And a wiper unit detached from the chopper after being parasitically deposited on the chopper to remove a parasitic deposition material covering an end of the sensor tube. 제 1항에 있어서,
상기 와이퍼 유닛은,
상기 센서튜브의 단부를 가로지르며 이동하여 상기 기생증착물을 제거하는 것을 특징으로 하는, 증착두께 측정장치.The method according to claim 1,
The wiper unit includes:
And moves across the end of the sensor tube to remove the parasitic deposition material. 제 2항에 있어서,
상기 와이퍼 유닛은,
상기 센서튜브에 인접하여 설치되는 회전축과;
상기 회전축에 결합되어 회전에 따라 상기 기생증착물을 밀어내는 와이퍼를 포함하는, 증착두께 측정장치.3. The method of claim 2,
The wiper unit includes:
A rotation shaft installed adjacent to the sensor tube;
And a wiper that is coupled to the rotating shaft and pushes out the parasitic deposition material in accordance with the rotation. 제 2항에 있어서,
상기 와이퍼 유닛은,
상기 센서튜브에 인접하여 설치되는 이동 레일과;
상기 이동 레일을 따라 직선 이동하여 상기 기생증착물을 밀어내는 와이퍼를 포함하는, 증착두께 측정장치.3. The method of claim 2,
The wiper unit includes:
A moving rail installed adjacent to the sensor tube;
And a wiper that linearly moves along the moving rail to push out the parasitic deposition material. 제 1항에 있어서,
상기 센서튜브로부터 유출되는 증발입자의 유량을 감지하는 유량 센서와;
상기 유량 센서로부터 전기적 신호를 입력받아 상기 증발입자의 유량이 기설정된 값 이하이면 상기 와이퍼 유닛을 구동시키는 제어부를 더 포함하는, 증착두께 측정장치.The method according to claim 1,
A flow sensor for sensing a flow rate of evaporated particles flowing out from the sensor tube;
And a controller for receiving the electric signal from the flow rate sensor and driving the wiper unit when the flow rate of the evaporation particles is less than a predetermined value.
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