KR20160001218A - Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same and display device - Google Patents
Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same and display device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160001218A KR20160001218A KR1020140079239A KR20140079239A KR20160001218A KR 20160001218 A KR20160001218 A KR 20160001218A KR 1020140079239 A KR1020140079239 A KR 1020140079239A KR 20140079239 A KR20140079239 A KR 20140079239A KR 20160001218 A KR20160001218 A KR 20160001218A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photosensitive resin
- group
- chemical formula
- unsubstituted
- substituted
- Prior art date
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 56
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 72
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 37
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 31
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 16
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 claims description 13
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 6
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 3
- UUEVFMOUBSLVJW-UHFFFAOYSA-N oxo-[[1-[2-[2-[2-[4-(oxoazaniumylmethylidene)pyridin-1-yl]ethoxy]ethoxy]ethyl]pyridin-4-ylidene]methyl]azanium;dibromide Chemical compound [Br-].[Br-].C1=CC(=C[NH+]=O)C=CN1CCOCCOCCN1C=CC(=C[NH+]=O)C=C1 UUEVFMOUBSLVJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 53
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 18
- -1 3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl Chemical group 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 6
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 6
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 5
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005724 cycloalkenylene group Chemical group 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 3
- PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N benzoyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC=C1 PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)CC(F)(F)F NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHAFBBNQUOEYHB-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-(4-amino-3-hydroxyphenyl)sulfonylphenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C(O)=C1 KHAFBBNQUOEYHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSUWBBMPVXVSOA-UHFFFAOYSA-N 4-(4-carbonochloridoylphenoxy)benzoyl chloride Chemical compound C1=CC(C(=O)Cl)=CC=C1OC1=CC=C(C(Cl)=O)C=C1 OSUWBBMPVXVSOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KOVAQMSVARJMPH-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybutan-1-ol Chemical compound COCCCCO KOVAQMSVARJMPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJGMBLNIHDZDGS-UHFFFAOYSA-N N-Ethylaniline Chemical compound CCNC1=CC=CC=C1 OJGMBLNIHDZDGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- BCDGQXUMWHRQCB-UHFFFAOYSA-N aminoacetone Chemical compound CC(=O)CN BCDGQXUMWHRQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 150000001990 dicarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- DYHSDKLCOJIUFX-UHFFFAOYSA-N tert-butoxycarbonyl anhydride Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)OC(=O)OC(C)(C)C DYHSDKLCOJIUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 2
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 2
- LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl)-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(C=C)C=C1 LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxypropoxy)propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODDDCGGSPAPBOS-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl propanoate Chemical compound CCOCC(C)OC(=O)CC ODDDCGGSPAPBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOVZUKKPYKRVIK-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-yl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC(C)COC DOVZUKKPYKRVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVNBCIQRFGXLRD-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl propanoate Chemical compound CCCOCC(C)OC(=O)CC RVNBCIQRFGXLRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJEVHMGJSYVQBQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-inden-1-amine Chemical compound C1=CC=C2C(N)CCC2=C1 XJEVHMGJSYVQBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZLDGFZCFRXUIB-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-(3-amino-4-hydroxyphenyl)phenol Chemical group C1=C(O)C(N)=CC(C=2C=C(N)C(O)=CC=2)=C1 KZLDGFZCFRXUIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERCNNGWSFHMRS-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-[2-[3-amino-4-hydroxy-5-(trifluoromethyl)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]-6-(trifluoromethyl)phenol Chemical compound FC(F)(F)C1=C(O)C(N)=CC(C(C=2C=C(C(O)=C(N)C=2)C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 CERCNNGWSFHMRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQFJXLRJLMSBKE-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl)-3-(trifluoromethyl)phenol Chemical compound NC1=C(C=C(C=C1C(F)(F)F)C(C(F)(F)F)C(F)(F)F)O GQFJXLRJLMSBKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-(4-amino-3-hydroxyphenyl)phenol Chemical group C1=C(O)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(O)=C1 ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDRNVPNSQJRIRN-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-[2-(4-amino-3-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(N)C(O)=C1 ZDRNVPNSQJRIRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYVKCQBOHJQWIO-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl propanoate Chemical compound CCOCCOC(=O)CC BYVKCQBOHJQWIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZXJJSAQSRHKCZ-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound COCCOS(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 TZXJJSAQSRHKCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAHNPAMCADTGIO-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCCOC VAHNPAMCADTGIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUOTIJTSNETKW-UHFFFAOYSA-N 4-ethoxybutan-1-ol Chemical compound CCOCCCCO QRUOTIJTSNETKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZGWCYNKIPSSOK-UHFFFAOYSA-N 6-amino-3-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl)-2-(trifluoromethyl)phenol Chemical compound NC1=C(C(=C(C=C1)C(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C(F)(F)F)O YZGWCYNKIPSSOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJROAYZOLLRSDM-UHFFFAOYSA-N NS(C(c(cccc1)c1C1=O)=CC1=N)(=O)=O Chemical compound NS(C(c(cccc1)c1C1=O)=CC1=N)(=O)=O KJROAYZOLLRSDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010599 Verbascum thapsus Nutrition 0.000 description 1
- 244000178289 Verbascum thapsus Species 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 125000004419 alkynylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- QTQUJRIHTSIVOF-UHFFFAOYSA-N amino(phenyl)methanol Chemical compound NC(O)C1=CC=CC=C1 QTQUJRIHTSIVOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- FYXKZNLBZKRYSS-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-dicarbonyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC=C1C(Cl)=O FYXKZNLBZKRYSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDQSRULYDNDXQB-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3-dicarbonyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC(C(Cl)=O)=C1 FDQSRULYDNDXQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012661 block copolymerization Methods 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N butane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCS(O)(=O)=O QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical group C(N)(=N)* 0.000 description 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000013035 low temperature curing Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCUPNHOUKMJAQN-UHFFFAOYSA-N phenoxycarbonyl phenyl carbonate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC(=O)OC(=O)OC1=CC=CC=C1 LCUPNHOUKMJAQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- LXEJRKJRKIFVNY-UHFFFAOYSA-N terephthaloyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=C(C(Cl)=O)C=C1 LXEJRKJRKIFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 150000004992 toluidines Chemical class 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0395—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
Description
본 기재는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 소자에 관한 것이다.
The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a photosensitive resin film produced using the positive photosensitive resin composition, and a display element comprising the photosensitive resin film.
유기 EL 소자, LCD 등 디스플레이 소자의 층간 절연막 또는 평탄화막으로서 폴리이미드(polyimide), 폴리벤조옥사졸(polybenzoxazole) 등의 내열성 수지가 널리 이용되고 있다. 특히 최근 유기발광소자(OLED)의 층간 절연막 등을 형성하는 데에는 OLED 소자의 신뢰성 확보를 위해 내열성의 감광성 폴리이미드, 감광성 폴리벤조옥사졸이 많이 이용되고 있다. 감광성 폴리이미드 및 폴리벤조옥사졸은 내열성, 기계적 강도 등의 물리적 특성이 우수하고, 저유전율 및 고절연성 등의 우수한 전기특성 이외에도 코팅 표면의 평탄화 특성이 좋고, 소자의 신뢰성을 저하시키는 불순물의 함유량이 낮고, 미세 형상을 용이하게 만들 수 있는 장점이 있다. 특히 포지티브(positive) 방식의 감광성 폴리이미드 및 폴리벤조옥사졸은 패턴(pattern) 가공 등이 가능하고, 유기발광소자의 절연막 및 평탄화막의 패턴(pattern) 형성에 적용 가능한 패턴(pattern) 정밀도를 가지므로, 이들 감광성 수지를 사용하면 공정성 및 경제성 등에서 매우 유리하다.BACKGROUND ART [0002] Heat resistant resins such as polyimide and polybenzoxazole are widely used as an interlayer insulating film or a planarizing film of an organic EL device, a display device such as an LCD, or the like. Recently, a photosensitive polyimide and a photosensitive polybenzoxazole have been widely used for the purpose of securing reliability of an OLED element in forming an interlayer insulating film of an organic light emitting diode (OLED). Photosensitive polyimide and polybenzoxazole are excellent in physical properties such as heat resistance and mechanical strength and have excellent electric characteristics such as low dielectric constant and high insulation and also have a good planarization property of the coating surface and a content of impurities It is advantageous in that it is easy to make a fine shape. Particularly, the positive type photosensitive polyimide and polybenzoxazole can be patterned and have a pattern precision applicable to the formation of a pattern of an insulating film and a planarizing film of an organic light emitting device , The use of these photosensitive resins is very advantageous in terms of processability and economy.
유기 EL 소자는 자발광, 광시야각 및 박막형인 장점이 있어 차세대 디스플레이로 각광받고 있으나, 일반적으로 수분 등에 의해 소자가 급격히 노화되어 수명이 짧은 단점이 있다. 이런 단점을 극복하기 위해, 제조 공정 뿐만 아니라 공정에 쓰이는 화학물질 등에서 수분 및 아웃가스가 나오지 않도록 하는 방법을 취하고 있다.Organic EL devices have the advantage of self-emission, wide viewing angle, and thin film type, and are attracting attention as a next generation display. However, the organic EL devices generally have a short life due to rapid aging of the device due to moisture. To overcome these shortcomings, we are taking measures to prevent water and outgassing from chemical substances used in the process as well as the manufacturing process.
특히, 유기 EL 소자의 절연막 및 평탄화막 등의 미세 구조물 형성에 있어서, 열 경화 시에 패턴이 무너지는 현상이 발생하는 경우가 많다. 따라서 감도, 신뢰성, 보관 안정성 등이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이를 이용하여 저온소성이 가능한 감광성 수지막을 개발하려는 노력이 계속되고 있다.
Particularly, in the formation of the microstructures such as the insulating film and the planarizing film of the organic EL device, a phenomenon that the pattern collapses at the time of thermosetting often occurs. Accordingly, efforts have been made to develop positive photosensitive resin compositions excellent in sensitivity, reliability, storage stability, and photosensitive resin films capable of being fired at low temperatures using the same.
일 구현예는 잔막률이 우수하고, 저온 공정에서 요구되는 테이퍼 앵글을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.One embodiment is to provide a positive photosensitive resin composition excellent in residual film ratio and having a taper angle required in a low temperature process.
다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a photosensitive resin film produced using the above positive photosensitive resin composition.
또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 소자를 제공하기 위한 것이다.
Another embodiment is to provide a display device comprising the photosensitive resin film.
일 구현예는 (A) 알칼리 가용성 수지; (B) 하기 화학식 1로 표시되는 광활성 화합물; 및 (C) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다.One embodiment includes (A) an alkali soluble resin; (B) a photoactive compound represented by the following formula (1); And (C) a solvent.
[화학식 1][Chemical Formula 1]
상기 화학식 1에서,In Formula 1,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 플루오로알킬기이고,R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group or a substituted or unsubstituted C1 to C20 fluoroalkyl group,
Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 수소원자, 하기 화학식 2, 또는 하기 화학식 3으로 표시되고, 단 Q1 및 Q2는 동시에 수소원자일 수는 없고,Q 1 and Q 2 are each independently a hydrogen atom, a group represented by the following formula (2) or (3), provided that Q 1 and Q 2 can not be hydrogen atoms at the same time,
[화학식 2](2)
[화학식 3](3)
n1 및 n2는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,n1 and n2 are each independently an integer of 1 to 4,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 하기 화학식 4 또는 화학식 5로 표시된다.X 1 and X 2 are each independently represented by the following formula (4) or (5).
[화학식 4][Chemical Formula 4]
[화학식 5][Chemical Formula 5]
상기 화학식 4 또는 화학식 5에서,In Formula 4 or Formula 5,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, -C(=O)- 또는 -S(=O)2- 이고,L 1 and L 2 each independently represent a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, -C (= O) - or -S (= O) 2- ,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.R 3 and R 4 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group.
상기 X1 및 X2는 각각 독립적으로 하기 화학식 5 내지 화학식 9 중 어느 하나로 표시될 수 있다.X 1 and X 2 may each independently be represented by any one of the following formulas (5) to (9).
[화학식 6][Chemical Formula 6]
[화학식 7](7)
[화학식 8][Chemical Formula 8]
[화학식 9][Chemical Formula 9]
상기 화학식 6 내지 화학식 9 에서,In the above Chemical Formulas 6 to 9,
R5는 할로겐, C1 내지 C10 알킬기, C6 내지 C12 아릴기 및 플루오레닐기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 5 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group selected from the group consisting of halogen, C1 to C10 alkyl groups, C6 to C12 aryl groups and fluorenyl groups,
R6는 할로겐으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 6 is a C1 to C20 alkyl group which is substituted or unsubstituted with halogen,
R7 및 R8은 각각 독립적으로 C1 내지 C10 알킬기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,R 7 and R 8 are each independently a C6 to C20 aryl group substituted or unsubstituted with a C1 to C10 alkyl group,
Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 C6 내지 C20 아릴기이다.R a and R b are each independently a C 6 to C 20 aryl group.
상기 X1 및 X2는 각각 독립적으로 하기 화학식 10 내지 화학식 17 중 어느 하나로 표시될 수 있다.X 1 and X 2 may each independently be represented by any one of the following formulas (10) to (17).
[화학식 10][Chemical formula 10]
[화학식 11](11)
[화학식 12][Chemical Formula 12]
[화학식 13][Chemical Formula 13]
[화학식 14][Chemical Formula 14]
[화학식 15][Chemical Formula 15]
[화학식 16][Chemical Formula 16]
[화학식 17][Chemical Formula 17]
상기 Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시될 수 있고, 상기 n1 및 n2는 각각 독립적으로 1의 정수일 수 있다.The Q 1 and Q 2 may each independently be represented by the general formula (2) or (3), and n 1 and n 2 may each independently be an integer of 1.
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 열산발생제를 더 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition may further include a thermal acid generator.
상기 열산발생제는 하기 화학식 18 또는 화학식 19로 표시될 수 있다.The thermal acid generator may be represented by the following general formula (18) or (19).
[화학식 18][Chemical Formula 18]
[화학식 19][Chemical Formula 19]
상기 화학식 18 및 화학식 19에서,In the above formulas 18 and 19,
R9 내지 R13은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.R 9 to R 13 each independently represents a halogen atom, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, C6 < / RTI > to C20 aryl group.
상기 열산발생제는 120℃ 내지 200℃의 온도에서 분해되어 산을 발생시킬 수 있다.The thermal acid generator may decompose at a temperature of 120 ° C to 200 ° C to generate an acid.
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체 또는 이들의 조합일 수 있다.The alkali-soluble resin may be a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor, or a combination thereof.
상기 알칼리 가용성 수지는 3,000 g/mol 내지 300,000 g/mol의 중량평균 분자량을 가질 수 있다.The alkali-soluble resin may have a weight average molecular weight of 3,000 g / mol to 300,000 g / mol.
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (A) 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여, (B) 광활성 화합물 5 중량부 내지 100 중량부 및 (C) 용매 100 중량부 내지 1500 중량부를 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition may contain 5 parts by weight to 100 parts by weight of the photoactive compound (B) and 100 parts by weight to 1500 parts by weight of the solvent (C) per 100 parts by weight of the alkali soluble resin (A).
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 계면활성제, 레빌링제, 실란 커플링제 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 첨가제를 더 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition may further include an additive selected from the group consisting of a surfactant, a reviling agent, a silane coupling agent, and a combination thereof.
다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.Another embodiment provides a photosensitive resin film produced using the positive photosensitive resin composition.
상기 감광성 수지막의 테이퍼 앵글은 46°이상 90°이하일 수 있다.The taper angle of the photosensitive resin film may be 46 deg. Or more and 90 deg. Or less.
또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 소자를 제공한다.
Another embodiment provides a display device comprising the photosensitive resin film.
본 발명의 일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 별도의 가교제 없이도 저온 경화가 가능하고, 저온 경화 시 패턴이 무너지지 않고 잔막률이 우수해, 상기 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막은 45°이상 90°이하의 테이퍼 앵글을 가질 수 있다.
The positive photosensitive resin composition according to one embodiment of the present invention can be cured at low temperature without any additional crosslinking agent and has excellent pattern retention and residual film ratio at low temperature curing. It can have a taper angle of 90 DEG or less.
도 1은 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막의 테이퍼 앵글을 나타낸 그림이다.1 is a view showing a taper angle of a photosensitive resin film produced using a positive photosensitive resin composition.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention is only defined by the scope of the following claims.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환" 내지 "치환된"이란, 본 발명의 작용기 중의 하나 이상의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기(NH2, NH(R200) 또는 N(R201)(R202)이고, 여기서 R200, R201 및 R202는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 C1 내지 C10 알킬기임), 아미디노기, 하이드라진기, 하이드라존기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알키닐기, 치환 또는 비치환된 지환족 유기기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환된 것을 의미한다.Means that at least one hydrogen atom of the functional group of the present invention is substituted with a halogen atom (F, Br, Cl or I), a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, an amino group NH 2, NH (R 200), or N (R 201) (R 202), wherein R 200, R 201 and R 202 are the same or different, each independently being a C1 to C10 alkyl groups), amidino group, A substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, a substituted or unsubstituted alkynyl group, a substituted or unsubstituted alicyclic alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted aryl group, And a substituted or unsubstituted heterocyclic group substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C30 알킬기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C15 알킬기를 의미하고, "사이클로알킬기"란 C3 내지 C30 사이클로알킬기를 의미하고, 구체적으로는 C3 내지 C18 사이클로알킬기를 의미하고, "알콕시기"란 C1 내지 C30 알콕시기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C18 알콕시기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C30 아릴기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C18 아릴기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C30 알케닐기를 의미하고, 구체적으로는 C2 내지 C18 알케닐기를 의미하고, "알킬렌기"란 C1 내지 C30 알킬렌기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C18 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C30 아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C16 아릴렌기를 의미한다.Unless otherwise specified in the specification, "alkyl group" means C1 to C30 alkyl group, specifically C1 to C15 alkyl group, "cycloalkyl group" means C3 to C30 cycloalkyl group, specifically C3 Refers to a C1 to C30 alkoxy group, specifically, a C1 to C18 alkoxy group, and an "aryl group" means a C6 to C30 aryl group, specifically, a C6 to C30 aryl group, C18 aryl group, "alkenyl group" means C2 to C30 alkenyl group, specifically C2 to C18 alkenyl group, "alkylene group" means C1 to C30 alkylene group, specifically C1 Means a C6 to C30 arylene group, and specifically refers to a C6 to C16 arylene group.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "지방족 유기기"란 C1 내지 C30 알킬기, C2 내지 C30 알케닐기, C2 내지 C30 알키닐기, C1 내지 C30 알킬렌기, C2 내지 C30 알케닐렌기, 또는 C2 내지 C30 알키닐렌기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C15 알킬기, C2 내지 C15 알케닐기, C2 내지 C15 알키닐기, C1 내지 C15 알킬렌기, C2 내지 C15 알케닐렌기, 또는 C2 내지 C15 알키닐렌기를 의미하고, "지환족 유기기"란 C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C30 사이클로알케닐기, C3 내지 C30 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, C3 내지 C30 사이클로알케닐렌기, 또는 C3 내지 C30 사이클로알키닐렌기를 의미하고, 구체적으로는 C3 내지 C15 사이클로알킬기, C3 내지 C15 사이클로알케닐기, C3 내지 C15 사이클로알키닐기, C3 내지 C15 사이클로알킬렌기, C3 내지 C15 사이클로알케닐렌기, 또는 C3 내지 C15 사이클로알키닐렌기를 의미하고, "방향족 유기기"란 C6 내지 C30 아릴기 또는 C6 내지 C30 아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C16 아릴기 또는 C6 내지 C16 아릴렌기를 의미하고, "헤테로 고리기"란 O, S, N, P, Si 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 하나의 고리 내에 1개 내지 3개 함유하는 C2 내지 C30 사이클로알킬기, C2 내지 C30 사이클로알킬렌기, C2 내지 C30 사이클로알케닐기, C2 내지 C30 사이클로알케닐렌기, C2 내지 C30 사이클로알키닐기, C2 내지 C30 사이클로알키닐렌기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 O, S, N, P, Si 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 하나의 고리 내에 1개 내지 3개 함유하는 C2 내지 C15 사이클로알킬기, C2 내지 C15 사이클로알킬렌기, C2 내지 C15 사이클로알케닐기, C2 내지 C15 사이클로알케닐렌기, C2 내지 C15 사이클로알키닐기, C2 내지 C15 사이클로알키닐렌기, C2 내지 C15 헤테로아릴기 또는 C2 내지 C15 헤테로아릴렌기를 의미한다.Unless otherwise specified in the present specification, the term "aliphatic organic group" means a C1 to C30 alkyl group, a C2 to C30 alkenyl group, a C2 to C30 alkynyl group, a C1 to C30 alkylene group, a C2 to C30 alkenylene group, Means a C1 to C15 alkyl group, a C2 to C15 alkenyl group, a C2 to C15 alkynyl group, a C1 to C15 alkylene group, a C2 to C15 alkenylene group, or a C2 to C15 alkynylene group, Means a C3 to C30 cycloalkyl group, a C3 to C30 cycloalkenyl group, a C3 to C30 cycloalkynyl group, a C3 to C30 cycloalkylene group, a C3 to C30 cycloalkenylene group, or a C3 to C30 cycloalkynylene group. C3 to C15 cycloalkenyl groups, C3 to C15 cycloalkynyl groups, C3 to C15 cycloalkylene groups, C3 to C15 cycloalkenylene groups, Means a C6 to C30 aryl group or a C6 to C30 arylene group, specifically, a C6 to C16 aryl group or a C6 to C16 arylene group, and the term " aromatic hydrocarbon group " "Heterocyclic group" means a C2 to C30 cycloalkyl group containing 1 to 3 hetero atoms selected from the group consisting of O, S, N, P, Si and combinations thereof in one ring, C2 to C30 cycloalkyl Means a C2 to C30 cycloalkenyl group, a C2 to C30 cycloalkenylene group, a C2 to C30 cycloalkynyl group, a C2 to C30 cycloalkynylene group, a C2 to C30 heteroaryl group, or a C2 to C30 heteroarylene group, Specifically, C2 to C15 cycloalkyl groups containing 1 to 3 hetero atoms selected from the group consisting of O, S, N, P, Si and combinations thereof in one ring, C2 to C15 Means a cycloalkylene group, a C2 to C15 cycloalkenyl group, a C2 to C15 cycloalkenylene group, a C2 to C15 cycloalkynyl group, a C2 to C15 cycloalkynylene group, a C2 to C15 heteroaryl group or a C2 to C15 heteroarylene group do.
본 명세서에서 플로오레닐기란 하기 화학식 20 또는 화학식 21로 표시되는 치환기를 의미한다.In the present specification, the fluorenyl group means a substituent represented by the following general formula (20) or (21).
[화학식 20][Chemical Formula 20]
[화학식 21][Chemical Formula 21]
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다. 또한 "공중합"이란 블록 공중합 내지 랜덤 공중합을 의미하고, "공중합체"란 블록 공중합체 내지 랜덤 공중합체를 의미한다.As used herein, unless otherwise defined, "combination" means mixing or copolymerization. "Copolymerization" means block copolymerization or random copolymerization, and "copolymer" means block copolymer or random copolymer.
본 명세서 내 화학식에서 별도의 정의가 없는 한, 화학결합이 그려져야 하는 위치에 화학결합이 그려져 있지 않은 경우는 상기 위치에 수소 원자가 결합되어 있음을 의미한다.Unless otherwise defined in the chemical formulas in this specification, when no chemical bond is drawn at the position where the chemical bond should be drawn, it means that the hydrogen atom is bonded at the above position.
또한, 본 명세서에서 "＊"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.
In the present specification, "*" means the same or different atom or part connected to a chemical formula.
일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (A) 알칼리 가용성 수지; (B) 하기 화학식 1로 표시되는 광활성 화합물; 및 (C) 용매를 포함한다.The positive photosensitive resin composition according to one embodiment comprises (A) an alkali-soluble resin; (B) a photoactive compound represented by the following formula (1); And (C) a solvent.
[화학식 1][Chemical Formula 1]
상기 화학식 1에서,In Formula 1,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 플루오로알킬기이고,R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group or a substituted or unsubstituted C1 to C20 fluoroalkyl group,
Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 수소원자, 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되고, 단 Q1 및 Q2는 동시에 수소원자일 수는 없고,Q 1 and Q 2 are each independently a hydrogen atom, a group represented by the following formula (2) or (3), provided that Q 1 and Q 2 can not be hydrogen atoms at the same time,
[화학식 2](2)
[화학식 3](3)
n1 및 n2는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,n1 and n2 are each independently an integer of 1 to 4,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 하기 화학식 4로 표시된다.X 1 and X 2 are each independently represented by the following formula (4).
[화학식 4][Chemical Formula 4]
[화학식 5][Chemical Formula 5]
상기 화학식 4 또는 화학식 5에서,In Formula 4 or Formula 5,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, -C(=O)- 또는 -S(=O)2- 이고,L 1 and L 2 each independently represent a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, -C (= O) - or -S (= O) 2 -
R3 및 R4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.R 3 and R 4 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group.
포지티브형 감광성 수지 조성물을 디스플레이나 반도체 공정에서 보호막 또는 절연층으로 사용 시, UV 노광 후 현상, 경화를 하여 적용한다. 이때 250℃ 이하의 온도에서 경화하는 저온 공정에 요구되는 테이퍼 앵글(Tapered Angle)을 만족하기 위하여, 조성물에 가교제를 도입하는 것이 일반적이다. 상기 가교제를 도입하지 않으면, 경화 후 제조된 경화막의 테이퍼 앵글이 45°이하로 낮아지고, 아웃가스(Outgas)가 증가할 수 있다. 또한, 저온 공정에서 얻어지는 감광성 수지막은 물리적, 화학적 특성이 조악하기 쉬운데, 상기 조성물에 가교제를 도입함으로써 감광성 수지막의 물리적, 화학적 특성을 향상시킬 수 있다.When a positive photosensitive resin composition is used as a protective film or an insulating layer in a display or a semiconductor process, it is applied after being exposed to UV light and cured. In this case, in order to satisfy the tapered angle required for the low-temperature process of curing at a temperature of 250 ° C or less, it is common to introduce a crosslinking agent into the composition. If the crosslinking agent is not introduced, the taper angle of the cured film produced after curing may be lowered to 45 ° or less and the outgas may be increased. Further, the photosensitive resin film obtained in the low-temperature process tends to have poor physical and chemical properties. By introducing a crosslinking agent into the composition, the physical and chemical properties of the photosensitive resin film can be improved.
그러나, 상기 가교제는 첨가제의 형태로 포지티브형 감광성 수지 조성물에 첨가되는 일종의 불순물로서, 가교제를 포함하는 조성물은 잔막률이 낮고 감도가 떨어지는 등의 문제가 있다.
However, the crosslinking agent is an impurity added to the positive photosensitive resin composition in the form of an additive, and the composition containing the crosslinking agent has a problem that the residual film ratio is low and the sensitivity is low.
한편, 일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 별도의 가교제 없이도 우수한 잔막률을 가지며, 저온 공정에서 요구되는 높은 테이퍼 앵글을 가지는 감광성 수지막을 제조할 수 있다. 이는 상기 화학식 1로 표시되는 광활성 화합물이 알칼리 가용성 수지와 가교결합을 형성하여, 현상 후 경화막(감광성 수지막)의 테이퍼 앵글을 향상시키고, 가교제 등이 첨가되지 않아 잔막률이 높아질 수 있는 것이다.
On the other hand, the positive-working photosensitive resin composition according to one embodiment can produce a photosensitive resin film having an excellent residual film ratio without a separate crosslinking agent and having a high taper angle required in a low-temperature process. This is because the photoactive compound represented by the formula (1) forms a cross-linkage with the alkali-soluble resin to improve the taper angle of the cured film (photosensitive resin film) after development, and the residual film ratio can be increased without adding a cross-linking agent or the like.
이하, 상기 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물의 각 구성 성분에 대해 자세히 설명한다.
Hereinafter, each component of the positive photosensitive resin composition according to this embodiment will be described in detail.
(B) 광활성 화합물(B) a photoactive compound
일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 광활성 화합물을 포함한다. The positive photosensitive resin composition according to one embodiment includes the photoactive compound represented by the formula (1).
상기 X1 및 X2는 각각 독립적으로 하기 화학식 6 내지 화학식 9로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 표시될 수 있다.X 1 and X 2 may each independently be represented by any one selected from the group consisting of the following formulas (6) to (9).
[화학식 6][Chemical Formula 6]
[화학식 7](7)
[화학식 8][Chemical Formula 8]
[화학식 9][Chemical Formula 9]
상기 화학식 6 내지 화학식 9에서,In the above Chemical Formulas 6 to 9,
R5는 할로겐, C1 내지 C10 알킬기, C6 내지 C12 아릴기 및 플루오레닐기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 5 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group selected from the group consisting of halogen, C1 to C10 alkyl groups, C6 to C12 aryl groups and fluorenyl groups,
R6는 할로겐으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 6 is a C1 to C20 alkyl group which is substituted or unsubstituted with halogen,
R7 및 R8은 각각 독립적으로 C1 내지 C10 알킬기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,R 7 and R 8 are each independently a C6 to C20 aryl group substituted or unsubstituted with a C1 to C10 alkyl group,
Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 C6 내지 C20 아릴기이다.R a and R b are each independently a C 6 to C 20 aryl group.
예컨대, 상기 X1 및 X2는 각각 독립적으로 하기 화학식 10 내지 화학식 17로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 표시될 수 있다.For example, X 1 and X 2 may each independently be represented by any one selected from the group consisting of the following formulas (10) to (17).
[화학식 10][Chemical formula 10]
[화학식 11](11)
[화학식 12][Chemical Formula 12]
[화학식 13][Chemical Formula 13]
[화학식 14][Chemical Formula 14]
[화학식 15][Chemical Formula 15]
[화학식 16][Chemical Formula 16]
[화학식 17][Chemical Formula 17]
상기 화학식 1에서,In Formula 1,
Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시될 수 있고, n1 및 n2는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수, 예컨대 1의 정수일 수 있다.Q 1 and Q 2 may each independently be represented by the above general formula (2) or (3), and n 1 and n 2 each independently may be an integer of 1 to 3,
상기 화학식 1로 표시되는 광활성 화합물은 상기 Q1 및 Q2에 의해 감광성이 향상되어 상기 조성물의 잔막률이 향상될 수 있다. 또한, X1 및 X2에 의해 알칼리 가용성 수지와 가교 반응이 가능해짐에 따라, 상기 감광성 수지 조성물을 현상 후 경화한 감광성 수지막의 테이퍼 앵글을 높게 유지시킬 수 있다.The photosensitivity of the photoactive compound represented by Formula 1 may be improved by Q 1 and Q 2 to improve the residual film ratio of the composition. Further, since the cross-linking reaction with the alkali-soluble resin becomes possible by X 1 and X 2 , the taper angle of the photosensitive resin film cured after development of the photosensitive resin composition can be kept high.
일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물에서 상기 광활성 화합물의 함량은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 5 중량부 내지 100 중량부일 수 있다. 광활성 화합물의 함량이 상기 범위 내로 포함될 때 노광시 잔사없이 패턴 형성이 잘되며, 현상시 막두께 손실이 없고 양호한 패턴을 얻을 수 있으며, 감광성 수지막의 테이퍼 앵글을 향상시킬 수 있다.
The amount of the photoactive compound in the positive photosensitive resin composition according to one embodiment may be 5 parts by weight to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the photoactive compound is within the above range, the pattern is well formed without residue at the time of exposure, a good pattern can be obtained without loss of film thickness upon development, and the taper angle of the photosensitive resin film can be improved.
(A) 알칼리 가용성 수지(A) an alkali-soluble resin
일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지를 포함한다. The positive photosensitive resin composition according to one embodiment includes an alkali-soluble resin.
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체 또는 이들의 조합일 수 있다. The alkali-soluble resin may be a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor, or a combination thereof.
상기 폴리이미드 전구체는 카르복실산을 포함하는데, 상기 카르복실산은 알칼리 수용액에 대한 용해도가 너무 커서 원하는 패턴을 얻기가 어렵다. 따라서, 상기 알칼리 가용성 수지는, 예컨대 폴리벤조옥사졸 전구체일 수 있다.The polyimide precursor contains a carboxylic acid, which is too soluble in an aqueous alkaline solution, making it difficult to obtain a desired pattern. Thus, the alkali-soluble resin may be, for example, a polybenzoxazole precursor.
상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 51로 표시되는 반복단위를 포함할 수 있다.The polybenzoxazole precursor may include a repeating unit represented by the following formula (51).
[화학식 51](51)
상기 화학식 51에서,In Formula 51,
Z1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기이고,Z 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group,
Y1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기이다.Y 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group, a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C1 to C30 aliphatic organic group, or a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C3 to C30 cycloaliphatic group .
상기 화학식 1에서, Z1은 방향족 유기기로서 방향족 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다.In the above formula (1), Z 1 may be a residue derived from an aromatic diamine as an aromatic organic group.
상기 방향족 디아민의 예로는 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판 및 2-(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판으로부터 선택되는 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the aromatic diamine include 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, bis 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2- Hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2- (3-amino-4-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis , 2-bis (4-amino-3-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2- rope (4-amino-3-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis Phenyl) hexafluoropropane, 2- (3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) -2- 2- (3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2- (3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) -2- 2- (3-amino-4-amino-6-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2- 2-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2- (3-amino-4-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl) Methylphenyl) -2- (3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane and 2- Hydroxy-6-trifluoromethylphenyl) -2- (3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane may be used, It is not.
상기 Z1의 예로는 하기 화학식 52 또는 화학식 53으로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the Z 1 include functional groups represented by the following formulas (52) and (53), but are not limited thereto.
[화학식 52](52)
[화학식 53](53)
상기 화학식 52 및 화학식 53에서,In the above formulas (52) and (53)
A1은 단일결합, -O-, -C(=O)-, -CR47R48-, -S(=O)2-, -S-, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 또는 이들의 조합일 수 있고, 상기 R47 및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 플루오로알킬기일 수 있고,A 1 represents a single bond, -O-, -C (= O) -, -CR 47 R 48 -, -S (═O) 2 -, -S-, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkylene group or a beach may be unsubstituted C6 to C30 arylene group or a combination thereof, as the R 47 and R 48 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group or a substituted or a C1 to C30 fluoroalkyl unsubstituted ring Alkyl group,
R50 내지 R52는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르복실기, 히드록시기 또는 티올기일 수 있고,Each of R 50 to R 52 independently represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 carboxyl group, a hydroxyl group or a thiol group,
n10은 0 내지 2의 정수일 수 있고, n11 및 n12는 각각 0 내지 3의 정수일 수 있다.n10 may be an integer of 0 to 2, and n11 and n12 may be an integer of 0 to 3, respectively.
상기 화학식 51에서, Y1은 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기로서, 디카르복시산의 잔기 또는 디카르복시산 유도체의 잔기일 수 있다. 구체적으로는 Y1은 방향족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.In Formula 51, Y 1 is an aromatic organic group, a divalent to hexavalent aliphatic organic group, or a divalent to hexavalent alicyclic group, and may be a residue of a dicarboxylic acid or a residue of a dicarboxylic acid derivative. Specifically, Y 1 may be an aromatic organic group or a divalent to hexavalent alicyclic organic group.
상기 디카르복시산 유도체의 구체적인 예로는 4,4'-옥시디벤조일클로라이드, 디페닐옥시디카르보닐디클로라이드, 비스(페닐카르보닐클로라이드)술폰, 비스(페닐카르보닐클로라이드)에테르, 비스(페닐카르보닐클로라이드)페논, 프탈로일디클로라이드, 테레프탈로일디클로라이드, 이소프탈로일디클로라이드, 디카르보닐디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트디벤조트리아졸 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the dicarboxylic acid derivative include 4,4'-oxydibenzoyl chloride, diphenyloxydicarbonyldichloride, bis (phenylcarbonyl chloride) sulfone, bis (phenylcarbonyl chloride) ether, bis (phenylcarbonyl chloride ) Phenone, phthaloyldichloride, terephthaloyldichloride, isophthaloyldichloride, dicarbonyldichloride, diphenyloxydicarboxylate dibenzotriazole, or combinations thereof, but is not limited thereto.
상기 Y1의 예로는 하기 화학식 54 내지 화학식 56 중 어느 하나로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of Y 1 include functional groups represented by any one of the following formulas (54) to (56), but are not limited thereto.
[화학식 54](54)
[화학식 55](55)
[화학식 56](56)
상기 화학식 54 내지 화학식 56에서, In Formulas 54 to 56,
R53 내지 R56은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고,Each of R 53 to R 56 may independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group,
n13 내지 n16은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있고,n13 to n16 each independently may be an integer of 0 to 4,
A2는 단일결합, -O-, -CR47R48-, -C(=O)-, -C(=O)NH-, -S- 또는 -S(=O)2-일 수 있고, 상기 R47 및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 플루오로알킬기일 수 있다.A 2 represents a single bond, -O-, -CR 47 R 48 - may be, -, -C (= O) -, -C (= O) NH-, -S- or -S (= O) 2 Each of R 47 and R 48 independently represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, or a substituted or unsubstituted C1 to C30 fluoroalkyl group.
상기 알칼리 가용성 수지는 3,000 g/mol 내지 300,000 g/mol의 중량평균 분자량을 가질 수 있다. 알칼리 가용성 수지의 중량평균 분자량이 상기 범위인 경우, 현상 시 비노광부에서 충분한 잔막율을 얻을 수 있고, 효율적으로 패터닝을 할 수 있다. The alkali-soluble resin may have a weight average molecular weight of 3,000 g / mol to 300,000 g / mol. When the weight average molecular weight of the alkali-soluble resin is within the above range, a sufficient residual film ratio can be obtained in the unexposed area at the time of development, and patterning can be efficiently performed.
상기 알칼리 가용성 수지는 말단의 어느 한쪽 또는 양쪽에, 반응성 말단봉쇄 단량체로부터 유도된 열중합성 관능기를 가질 수 있다. 상기 반응성 말단봉쇄 단량체는 탄소-탄소 이중결합을 갖는 모노아민류 또는 모노언하이드라이드류, 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다. 상기 모노아민류는 톨루이딘, 디메틸아닐린, 에틸아닐린, 아미노페놀, 아미노벤질알콜, 아미노인단(aminoindan), 아미노아세톤페논 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
The alkali-soluble resin may have a thermally polymerizable functional group derived from a reactive end blocking monomer on one or both of its terminals. The reactive end blocking monomer is preferably a monoamine having a carbon-carbon double bond or a monoanhydride, or a combination thereof. Examples of the monoamines include, but are not limited to, toluidine, dimethyl aniline, ethyl aniline, aminophenol, aminobenzyl alcohol, aminoindan, aminoacetone phenone, or combinations thereof.
(C) 용매(C) Solvent
일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물에 포함되는 용매로는 통상의 감광성 수지 조성물에 포함되는 용매를 사용할 수 있다. 상기 용매는 알칼리 가용성 수지, 광활성 화합물 등이 조성물 내에 균질하게 혼합되도록 하는 것을 돕고, 또한 이 조성물이 기재 상에 용이하게 도포될 수 있도록 점도를 조절하는 등의 목적으로 사용되는 것일 수 있다.As the solvent contained in the positive photosensitive resin composition according to one embodiment, a solvent included in a conventional photosensitive resin composition may be used. The solvent may be used for the purpose of assisting the alkali-soluble resin, photoactive compound and the like to be homogeneously mixed in the composition and controlling the viscosity so that the composition can be easily applied on the substrate.
특히, 상기 용매는 코팅시에 막 균일도를 좋게 하고, 코팅 얼룩을 발생하지 않게 하여야 하며, 핀 얼룩을 발생하지 않게 하여 균일한 패턴을 형성하게 하는 작용을 한다.Particularly, the solvent has a function of improving film uniformity at the time of coating, preventing coating unevenness, and forming a uniform pattern by preventing pin stain.
상기 용매는 예컨대, 메탄올, 에탄올, 벤질알코올, 헥실알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜 에틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 에틸렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 에틸렌글리콜에틸에테르프로피오네이트 등의 에틸렌 글리콜 알킬 에테르 프로피오네이트류;에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류; 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 등의 디에틸렌글리콜알킬에테르류; 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜프로필에테르프로피오네이트 등의 프로필렌글리콜알킬에테르프로피오네이트류; 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 프로필렌글리콜부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디포로필렌글리콜디에틸에테르 등의 디프로필렌글리콜알킬에테르류; 부틸렌글리콜모노메틸에테르, 부틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 부틸렌글리콜모노메틸에테르류; 디부틸렌글리콜디메틸에테르, 디부틸렌 글리콜디에틸에테르 등의 디부톤렌글리콜알킬에테르류; 또는 감마부티로락톤 등을 사용할 수 있다.The solvent includes, for example, alcohols such as methanol, ethanol, benzyl alcohol, and hexyl alcohol; Ethylene glycol alkyl ether acetates such as ethylene glycol methyl ether acetate and ethylene glycol ethyl ether acetate; Ethylene glycol alkyl ether propionates such as ethylene glycol methyl ether propionate and ethylene glycol ethyl ether propionate; ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol methyl ether and ethylene glycol ethyl ether; Diethylene glycol alkyl ethers such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, and diethylene glycol methyl ethyl ether; Propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate and propylene glycol propyl ether acetate; Propylene glycol alkyl ether propionates such as propylene glycol methyl ether propionate, propylene glycol ethyl ether propionate and propylene glycol propyl ether propionate; Propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol methyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol propyl ether and propylene glycol butyl ether; Dipropylene glycol alkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether and dipropylene glycol diethyl ether; Butylene glycol monomethyl ether, butylene glycol monomethyl ether and butylene glycol monoethyl ether; Dibutylene glycol alkyl ethers such as dibutylene glycol dimethyl ether and dibutylene glycol diethyl ether; Or gamma butyrolactone may be used.
상기 용매는 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 100 중량부 내지 1500 중량부, 예컨대 200 중량부 내지 900 중량부로 포함될 수 있다. 용매가 상기 범위로 포함될 경우, 코팅 평탄성이 향상되고, 코팅시 코팅 장비에 무리를 주지 않을 수 있다.
The solvent may be included in an amount of 100 parts by weight to 1500 parts by weight, for example, 200 parts by weight to 900 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the solvent is included in the above range, the flatness of the coating is improved and the coating equipment may not be burdened.
(D) (D) 열산발생제Thermal acid generator
일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 첨가제로서 열산발생제를 더 포함할 수 있다. 상기 열산발생제는 열에 의해 분해되어 산을 발생할 수 있는 것으로서, 통상의 열산발생제, 예컨대 하기 화학식 18로 표시되는 화합물, 화학식 19로 표시되는 화합물 또는 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다.The positive photosensitive resin composition according to one embodiment may further include a thermal acid generator as an additive. The thermal acid generators are those capable of decomposing by heat to generate an acid, and examples thereof include normal thermal acid generators such as a compound represented by the following formula (18), a compound represented by the following formula (19), or a mixture thereof.
[화학식 18][Chemical Formula 18]
[화학식 19][Chemical Formula 19]
상기 화학식 18 및 화학식 19에서,In the above formulas 18 and 19,
R9 내지 R13은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.R 9 to R 13 each independently represents a halogen atom, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, C6 < / RTI > to C20 aryl group.
상기 열산발생제는 낮은 온도에서도 알칼리 가용성 수지, 예컨대 폴리벤조옥사졸 전구체의 폐환 반응이 원활하게 일어날 수 있도록 돕는다. 예컨대, 상기 열산발생제는 120℃ 내지 200℃의 온도에서 분해되어 산을 발생시킬 수 있다.The thermal acid generator helps smooth the ring-closing reaction of an alkali-soluble resin such as a polybenzoxazole precursor even at a low temperature. For example, the thermal acid generator may decompose at a temperature of 120 ° C to 200 ° C to generate an acid.
예컨대, 상기 열산발생제는, 하기 화학식 36a 내지 화학식 36c 중 어느 하나로 표시될 수 있다.For example, the thermal acid generator may be represented by any of the following formulas (36a) to (36c).
[화학식 36a][Chemical Formula 36a]
[화학식 36b](36b)
[화학식 36c][Chemical Formula 36c]
상기 화학식 36a에서, m1 및 m2는 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수, 예컨대 0 내지 6의 정수이고, 상기 화학식 36b에서, m3은 1 내지 5의 정수이고, R201 및 R202는 각각 독립적으로 CF3, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치화된 C3 내지 C20 시클로알킬기이다. 상기 화학식 36c에서, m4 및 m5는 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수, 예컨대 0 내지 6의 정수이다.In the above formula (36a), m1 and m2 are each independently an integer of 0 to 10, for example, an integer of 0 to 6, m3 is an integer of 1 to 5, and R201 and R202 are each independently CF 3 , a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group. M4 and m5 are each independently an integer of 0 to 10,
예컨대, 상기 열산발생제는 하기 화학식 38 내지 화학식 44 중 어느 하나로 표시될 수 있다.For example, the thermal acid generator may be represented by any one of the following Chemical Formulas 38 to 44:
[화학식 38](38)
[화학식 39][Chemical Formula 39]
[화학식 40](40)
[화학식 41](41)
[화학식 42](42)
[화학식 43](43)
[화학식 44](44)
또한 상기 화학식 18 또는 화학식 19에는 포함되지 않지만, 상기 열산발생제는 하기 화학식 45 내지 화학식 48 중 어느 하나로 표시될 수도 있다. The thermal acid generator may be represented by any one of the following chemical formulas (45) to (48), although it is not included in the chemical formulas (18) and (19).
[화학식 45][Chemical Formula 45]
[화학식 46](46)
[화학식 47](47)
[화학식 48](48)
상기 열산발생제의 함량은, 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여, 1 중량부 내지 50 중량부, 예컨대 3 중량부 내지 30 중량부이다. 상기 열산발생제의 함량이 1 중량부 미만이면 충분한 폐환이 일어나지 못해 감광성 수지막의 열적, 기계적 물성의 저하가 일어나 표시소자의 불량을 초래할 수 있고, 50 중량부 초과이면 조성물의 보존 안정성이 저하되고, 노광 공정에서 감도가 저해될 우려가 있으며, 감광성 수지막에 열산발생제 잔유물이 남아 있어 아웃가스(outgas)가 많이 발생하여 표시소자의 불량을 초래할 수 있다. 상기 열산발생제는 경화 온도 조건에 따라 선택될 수 있으며, 1종 및 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The content of the thermal acid generator is 1 part by weight to 50 parts by weight, for example, 3 parts by weight to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. If the amount of the thermal acid generator is less than 1 part by weight, sufficient cyclization may not occur, resulting in deterioration of the thermal and mechanical properties of the photosensitive resin film, resulting in defective display elements. If the content is more than 50 parts by weight, There is a fear that the sensitivity is lowered in the exposure process and the thermal acid generator remnant remains in the photosensitive resin film, resulting in a large amount of outgas, which may lead to defective display elements. The thermal acid generators may be selected according to the curing temperature conditions, and may be used alone or in combination of two or more.
한편, p-톨루엔 술폰산, 벤젠술폰산과 같은 알릴술폰산, 트리플루오르메탄술폰산, 플루오르부탄술폰산과 같은 퍼플루오르알킬 술폰산, 메탄 술폰산, 에탄 술폰산, 부탄 술폰산과 같은 알킬 술폰산 등을 상기 열산발생제 대신 사용할 수도 있다. On the other hand, perfluoroalkylsulfonic acids such as p-toluenesulfonic acid and benzenesulfonic acid, perfluoroalkylsulfonic acids such as trifluoromethanesulfonic acid and fluorobutanesulfonic acid, and alkylsulfonic acids such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid and butanesulfonic acid may be used instead of the thermal acid generator have.
상기 열산발생제는 알칼리 가용성 수지, 예컨대 폴리벤조옥사졸 전구체의 페놀성 수산기 함유 폴리아미드 구조가 탈수 반응을 일으켜 고리화하는 반응을 촉매하기 때문에, 경화온도를 내려도 고리화되는 정도가 낮아지는 현상을 막을 수 있다.
Since the thermal acid generator catalyzes the cyclization reaction of an alkali-soluble resin such as a polybenzoxazole precursor containing a phenolic hydroxyl group in a dehydration reaction, the degree of cyclization decreases even when the curing temperature is lowered Can be prevented.
(E) 기타 첨가제(E) Other additives
일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition according to one embodiment may further include other additives.
기타 첨가제로는 막 두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상하기 위해 적당한 계면활성제 또는 레빌링제를 첨가제로 더욱 사용할 수도 있다. 또한 기판과의 접착력을 증진시키기 위한 접착력 증진제로 실란 커플링제를 첨가제로 더욱 사용할 수도 있다. 또한, 상기 기타 첨가제를 2종 이상 사용할 수도 있다.As other additives, a suitable surfactant or levifying agent may be further used as an additive in order to prevent unevenness in film thickness or to improve developability. Further, a silane coupling agent may be further used as an adhesion promoting agent for enhancing adhesion with a substrate. In addition, two or more of the above-mentioned other additives may be used.
상기 계면활성제는 실록산계 계면활성제 또는 불소 원자를 가지는 계면활성제를 포함하며, 계면활성제는 감광성 수지 조성물 총량에 대해 0.005 중량부 이상 0.3 중량부 이하로 포함될 수 있다. 계면활성제가 감광성 수지 조성물 총량에 대해 0.005 중량부 미만으로 포함될 경우 막의 균일도가 떨어지고, 얼룩이 쉽게 발생하고, 기판 끝 부분에 코팅된 감광성 수지액이 기판 안으로 말리는 현상이 발생한다. 또한 계면활성제가 감광성 수지 조성물 총량에 대해 0.3 중량부 초과로 포함될 경우 조성물의 코팅 시에 코팅면이 뿌옇게 변하는 백화현상이 발생하게 되고, 현상 시에는 백화현상이 더욱 심해지게 된다. 이것은 코팅 표면이 극단적으로 소수성으로 변하여, 수분 등이 코팅면에 부착되어 산란을 일으키기 때문이다. The surfactant may include a siloxane surfactant or a surfactant having a fluorine atom, and the surfactant may be included in an amount of 0.005 parts by weight or more and 0.3 parts by weight or less based on the total amount of the photosensitive resin composition. When the surfactant is contained in an amount of less than 0.005 part by weight based on the total amount of the photosensitive resin composition, the uniformity of the film is lowered, the unevenness easily occurs, and the photosensitive resin liquid coated on the end portion of the substrate is dried. Also, when the surfactant is contained in an amount of more than 0.3 part by weight based on the total amount of the photosensitive resin composition, whitening occurs in which the coated surface is whitened at the time of coating the composition, and the whitening phenomenon becomes worse at the time of development. This is because the coating surface becomes extremely hydrophobic, and water or the like adheres to the coating surface to cause scattering.
상기 실록산계 계면활성제는, 코팅막에 얼룩 발생을 억제하고, 코팅(coating) 특성을 향상시키는 효과가 크며, 또한 상기 불소 원자를 가지는 계면활성제는 코팅막의 핀(pin) 흔적 얼룩 및 버나드셀 발생 등을 억제하는 효과가 크다. The siloxane-based surfactant has a great effect of suppressing the occurrence of stains in the coating film and improving the coating property, and the surfactant having the fluorine atom has the effect of preventing pin marks on the coating film, The effect of inhibiting is great.
상기 실록산계 계면활성제는 예컨대, 독일 BYK社의 BYK 시리즈가 있으며, 상기 불소 원자를 가지는 계면활성제는 예컨대, 대일본 잉크(ink) 공업社의 "메가 페이스(Mega Face) 시리즈" 등을 들 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The siloxane-based surfactant is, for example, BYK series manufactured by BYK, Germany. Examples of the fluorine atom-containing surfactant include "Mega Face series" of Dainippon Ink and Chemicals , But is not limited thereto.
한편, 접착력 증진제로서 실란 커플링제를 사용할 경우 기판과의 밀착력을 향상시킬 수 있다. 상기 실란 커플링제는 예컨대, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐 트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란; 또는 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, p-스티릴 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디 에톡시실란; 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 등의 탄소-탄소 불포화 결합 함유 실란 화합물 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
On the other hand, when a silane coupling agent is used as the adhesion promoting agent, adhesion with the substrate can be improved. The silane coupling agent includes, for example, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrichlorosilane, vinyltris (? -Methoxyethoxy) silane; Or 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldi Ethoxysilane; Carbon-carbon unsaturated bond-containing silane compounds such as trimethoxy [3- (phenylamino) propyl] silane, and the like, but are not limited thereto.
다른 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다. 상기 감광성 수지막은 46°이상, 예컨대 46°이상 90°이하, 예컨대 46°이상 60°이하의 테이퍼 앵글을 가질 수 있다.
Another embodiment provides a photosensitive resin film produced using the photosensitive resin composition. The photosensitive resin film may have a taper angle of 46 degrees or more, for example, 46 degrees or more and 90 degrees or less, for example, 46 degrees or more and 60 degrees or less.
또 다른 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 소자를 제공한다. 상기 디스플레이 소자는 예컨대, 액정표시장치(LCD) 또는 유기발광소자(OLED) 일 수 있으며, 구체적으로는 유기발광소자(OLED)일 수 있다. 즉, 일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 디스플레이 소자에서 절연막, 평탄화막, 패시베이션층 또는 층간 절연층 등을 형성하는 데 유용하게 사용될 수 있다.
Another embodiment provides a display element comprising the photosensitive resin film. The display device may be, for example, a liquid crystal display (LCD) device or an organic light emitting device (OLED), and may be an organic light emitting device (OLED). That is, the positive photosensitive resin composition according to one embodiment may be useful for forming an insulating film, a planarizing film, a passivation layer, an interlayer insulating layer, or the like in a display device.
실시예Example
이하에서 본 발명을 실시예 및 비교예를 통하여 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예 및 비교예는 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples. However, the following examples and comparative examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the present invention.
(알칼리 가용성 수지 합성)(Synthesis of alkali-soluble resin)
[[ 합성예Synthetic example 1] 알칼리 가용성 수지의 합성 1] Synthesis of alkali-soluble resin
교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,6-비스[[[5-[1-(아미노-4-히드록시페닐)-2,2,2-트리플루오로-1-(트리플루오로메틸)에틸]-2-히드록시페닐]아미노]메틸]-4-메틸페놀 41.1g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 280g에 넣어 용해시킨다. 고체가 완전 용해되면 피리딘 9.9g을 상기 용액에 투입하고, 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드 13.3g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 142g에 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하한다. 적하 후 1시간 동안 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 교반하여 반응을 종료한다.Bis [[[5- [1- (amino-4-hydroxyphenyl) -2,2,2-trichloroethoxysilane] was added to a four necked flask equipped with a stirrer, a temperature controller, 41.1 g of 2-trifluoro-1- (trifluoromethyl) ethyl] -2-hydroxyphenyl] amino] methyl] -4-methylphenol was placed in 280 g of N-methyl-2-pyrrolidone Dissolve. When the solid was completely dissolved, 9.9 g of pyridine was added to the solution, and 13.3 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride was added to N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) while maintaining the temperature at 0 캜 to 5 캜, The solution dissolved in 142 g is slowly added dropwise for 30 minutes. After the dropwise addition, the reaction is carried out at 0 ° C to 5 ° C for 1 hour, the temperature is raised to room temperature, and the reaction is terminated by stirring for 1 hour.
여기에, 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.6g을 투입하고 70℃에서 24시간 교반하여 반응을 종료한다. 반응혼합물을 물/메탄올 = 10/1(부피비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 온도 80℃, 진공 하에서 24시간 이상 건조하여 중량평균 분자량이 9,500 g/mol인 하기 화학식 A로 표시되는 반복단위를 포함하는 폴리벤조옥사졸 전구체를 제조한다. To this was added 1.6 g of 5-norbornene-2,3-dicarboxyanhydride and the mixture was stirred at 70 ° C for 24 hours to complete the reaction. The reaction mixture was poured into a solution of water / methanol = 10/1 (volume ratio) to form a precipitate. The precipitate was filtered and sufficiently washed with water and then dried at 80 DEG C under vacuum for 24 hours to obtain a weight average molecular weight of 9,500 g / mol of a polybenzoxazole precursor containing a repeating unit represented by the following formula (A).
[화학식 A](A)
(광활성 화합물 합성)(Synthesis of photoactive compound)
[[ 합성예Synthetic example 2] 광활성 화합물의 합성 2] Synthesis of photoactive compound
(1) 광활성 화합물 전구체의 합성(1) Synthesis of photoactive compound precursor
교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각 콘덴서가 장착된 반응조에 질소를 통과시키면서, 2,6-비스[[[5-[1-(아미노-4-히드록시페닐)-2,2,2-트리플루오로-1-(트리플루오로메틸)에틸]-2-히드록시페닐]아미노]메틸]-4-메틸페놀 14.64g을 테트라하이드로퓨란(THF) 148g에 넣어서 용해시킨다. 반응조의 온도를 50℃로 설정한 후, 고체가 완전 용해된 것을 확인한다. 디-tert-부틸 디카보네이트 23.76g을 테트라하이드로퓨란(THF) 40g에 용해시킨 용액을 반응조에 투입한다. 이후 21시간 동안 50℃를 유지하여 반응을 종료한다.Bis [[[5- [1- (amino-4-hydroxyphenyl) -2,2,2-trichloroethoxyphenyl] -2,2,2-trichloroethanol was passed through a reaction vessel equipped with a stirrer, a temperature controller, 14.64 g of 2-trifluoro-1- (trifluoromethyl) ethyl] -2-hydroxyphenyl] amino] methyl] -4-methylphenol are dissolved in 148 g of tetrahydrofuran (THF). After setting the temperature of the reaction tank to 50 ° C, it is confirmed that the solid is completely dissolved. A solution obtained by dissolving 23.76 g of di-tert-butyl dicarbonate in 40 g of tetrahydrofuran (THF) is introduced into the reactor. The reaction is then terminated by maintaining the temperature at 50 < 0 > C for 21 hours.
반응이 종료된 용액을 Evaporator를 사용하여 용매를 증발시켜 하기 화학식 B로 표시되는 광활성 화합물 전구체를 제조한다.After the reaction is completed, the solvent is evaporated using an evaporator to prepare a photoactive compound precursor represented by the following formula (B).
[화학식 B][Chemical Formula B]
(2) 광활성 화합물의 합성(2) Synthesis of photoactive compound
교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각 콘덴서가 장착된 반응조에 질소를 통과시키면서, 상기 화학식 B로 표시되는 광활성 화합물 전구체 5.67g을 4-디아조나프토퀴논(4-NQD) 4.70g과 함께 아세톤(Acetone) 50g에 넣어서 용해시킨다. 반응조의 온도를 30℃로 설정한 후, 고체가 완전 용해된 것을 확인하고, 트리에틸아민 1.77g을 아세톤 8.7g에 용해시킨 용액을 반응조에 투입한다. 이 후, 30℃로 3시간 동안 교반한다.5.67 g of the photoactive compound precursor represented by the formula (B) was reacted with 4.70 g of 4-diazonaphthoquinone (4-NQD) while passing nitrogen through a reaction vessel equipped with a stirrer, a temperature controller, a nitrogen gas injector and a cooling condenser Dissolve in 50 g of Acetone. After setting the temperature of the reaction tank at 30 ° C, it is confirmed that the solid is completely dissolved, and a solution prepared by dissolving 1.77 g of triethylamine in 8.7 g of acetone is introduced into the reaction tank. Thereafter, the mixture is stirred at 30 DEG C for 3 hours.
염산 1% 용액 1cc를 교반 중이던 상기 반응조에 투입하고, 30분 후에 교반을 마쳐 반응을 종료한다. 상기 염산 1%용액을 투입한 반응조의 염산염을 종이필터를 사용하여 제거한다. 반응조 안에 염산 0.5% 용액 600mL를 넣고 상기 광활성 화합물 전구체가 용해된 용액을 10분간 천천히 적하하면서 교반시킨다. 이후 30분간 교반한 후, 이를 필터하여 고체 파우더를 얻는다. 상기 고체 파우더를 DIW 600mL에 10분간 교반한다. 이를 필터하여 고체 파우더를 얻어서 다시 DIW 600mL에 10분간 교반한다. 최종적으로 필터하여 하기 화학식 C로 표시되는 광활성 화합물 파우더를 제조하고, 이를 30℃ 진공오븐에서 12시간 건조한 후, 냉장 보관한다.1 cc of a hydrochloric acid 1% solution is added to the reaction tank in the stirring, and the stirring is completed after 30 minutes to terminate the reaction. The hydrochloride of the reaction tank into which the 1% hydrochloric acid solution is added is removed using a paper filter. 600 mL of 0.5% hydrochloric acid solution is added to the reaction vessel, and the solution in which the photoactive compound precursor is dissolved is slowly added dropwise for 10 minutes while stirring. After stirring for 30 minutes, it is filtered to obtain a solid powder. The solid powder is stirred for 10 minutes in 600 mL of DIW. Filter it to obtain a solid powder and stir again in 600 mL of DIW for 10 minutes. Finally, a photoactive compound powder represented by the following formula (C) is prepared by filtration, dried in a vacuum oven at 30 캜 for 12 hours, and stored in a refrigerator.
[화학식 C]≪ RTI ID = 0.0 &
(상기 화학식 C에서, Q1 및 Q2 는 
(In the above formula (C), Q 1 and Q 2 are
[[ 합성예Synthetic example 3] 광활성 화합물의 합성 3] Synthesis of photoactive compound
4-디아조나프토퀴논 대신 5-디아조나프토퀴논(5-NQD)을 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 2와 동일하게 하여, 하기 화학식 D로 표시되는 광활성 화합물 파우더를 제조한다.(5-NQD) was used instead of 4-diazonaphthoquinone to prepare a photoactive compound powder represented by the following formula (D).
[화학식 D][Chemical Formula D]
(상기 화학식 D에서, Q1 및 Q2는 
(In the above formula (D), Q 1 and Q 2 are
[[ 비교합성예Comparative Synthetic Example 1] 광활성 화합물 1] photoactive compound
화학식 B로 표시되는 광활성 화합물 전구체 5.67g 대신 하기 화학식 E로 표시되는 광활성 화합물 전구체(Cas No : 110726-28-8) 4.25g 을 적용한 것을 제외하고는 상기 합성예 2와 동일하게 하여, 하기 화학식 F로 표시되는 광활성 화합물 파우더를 제조한다.Except that 4.25 g of the photoactive compound precursor (Cas No.: 110726-28-8) represented by the following formula (E) was used in place of 5.67 g of the photoactive compound precursor represented by the formula (B) To prepare a photoactive compound powder represented by the following formula.
[화학식 E](E)
[화학식 F][Chemical Formula F]
(상기 화학식 F에서, 3개의 Q 중 2개는 
(In Formula F, two of the three Q are
(포지티브형 감광성 수지 조성물 제조)(Production of positive-type photosensitive resin composition)
[실시예 1][Example 1]
상기 합성예 1의 폴리벤조옥사졸 전구체 4.5g을 프로필렌글리콜메틸에테르(PGME) 12.0g, γ-부티로락톤(GBL) 5.4g의 혼합용액에 첨가하여 녹인 후, 합성예 2에서 제조한 광활성 화합물(화학식 C) 1.08g, 현상 속도를 빠르게 하기 위한 열산발생제(2-메톡시에틸 p-톨루엔 설포네이트) 0.225g 을 투입하여 3시간 동안 실온에서 교반하여 안정화한 후 0.45㎛의 플루오르수지제 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻는다.
4.5 g of the polybenzoxazole precursor of Synthesis Example 1 was added to a mixed solution of 12.0 g of propylene glycol methyl ether (PGME) and 5.4 g of? -Butyrolactone (GBL) to dissolve the photoactive compound (Formula C) and 0.225 g of a thermal acid generator (2-methoxyethyl p-toluenesulfonate) for accelerating the development rate were added thereto, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours to stabilize it. Then, 0.45 탆 of a fluororesin filter To obtain a positive photosensitive resin composition.
[실시예 2][Example 2]
합성예 2에서 제조한 광활성 화합물(화학식 C)을 1.08g 대신 1.35g 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻는다.
A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that 1.35 g of the photoactive compound (C) prepared in Synthesis Example 2 was used instead of 1.08 g.
[실시예 3][Example 3]
합성예 2에서 제조한 광활성 화합물(화학식 C) 대신 합성예 3에서 제조한 광활성 화합물(화학식 D)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻는다.
A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the photoactive compound (D) prepared in Synthesis Example 3 was used instead of the photoactive compound (C) prepared in Synthesis Example 2.
[실시예 4][Example 4]
합성예 3에서 제조한 광활성 화합물(화학식 D)을 1.08g 대신 1.35g 사용한 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일하게 하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻는다.
A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 3, except that 1.35 g of the photoactive compound (D) prepared in Synthesis Example 3 was used instead of 1.08 g.
[비교예 1][Comparative Example 1]
합성예 2에서 제조한 광활성 화합물(화학식 C) 대신 비교합성예 1에서 제조한 광활성 화합물(화학식 F)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻는다.
A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the photoactive compound (Formula F) prepared in Comparative Synthesis Example 1 was used in place of the photoactive compound (Formula C) prepared in Synthesis Example 2.
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물의 조성을 정리하면, 하기 표 1과 같다.The compositions of the positive photosensitive resin compositions according to Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 are summarized in Table 1 below.
(합성예 1)Alkali-soluble resin
(Synthesis Example 1)
(화학식 C)Synthesis Example 2
(Formula C)
(화학식 D)Synthesis Example 3
(Formula D)
합성예 1
(화학식 F)compare
Synthesis Example 1
(Formula F)
(평가)(evaluation)
시편 제작Psalm making
ITO를 패터닝한 10 cm2 × 10 cm2 유리 기판 상에 실시예 1 내지 4 및 비교예 1에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 미카사(Mikasa)의 스핀 코터인 1H-DX2를 이용해 코팅하고, 120℃의 핫 플레이트에서 2분간 가열(Pre-Bake)한 후, 25℃ 이하의 쿨링 플레이트에서 1분간 냉각하여, 코팅막을 얻는다. 그 후, 상기 코팅막에 다양한 크기의 패턴이 새겨진 마스크를 사용하여 일본 니콘(Nikon)社의 i-라인 스텝퍼(i-line stepper)인 NSR i10C로 노광량의 변화를 주어가며 노광한 후, 상온에서 2.38%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액에 80초(2 퍼들)간 현상하여 노광부를 용해시켜 제거한 후, DIW로 세척하여 패턴을 형성한다. 경화는 250℃, 40분을 유지하여 질소분위기에서 진행한다.
10 cm 2 of ITO patterned × 10 cm 2 The positive photosensitive resin compositions according to Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 were coated on a glass substrate using a Mikasa spin coater 1H-DX2 and heated on a hot plate at 120 ° C for 2 minutes (Pre-Bake), and then cooled on a cooling plate at 25 DEG C or less for 1 minute to obtain a coating film. Thereafter, the coating film was exposed using NSR i10C, an i-line stepper manufactured by Nikon Co., Ltd., with varying exposure dose, using a mask having a pattern of various sizes, and then exposed to 2.38 % Of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution for 80 seconds (2 puds) to dissolve and remove the exposed portion, and then, washed with DIW to form a pattern. Curing is carried out in a nitrogen atmosphere at 250 ° C for 40 minutes.
평가 1: Rating 1: 잔막률Residual film ratio
Pre-Bake를 마친 코팅막의 두께를 ST-5000(K-MAC) 장비를 이용하여 5번 측정한다. 상기 5번의 측정값의 평균값을 현상 전 두께로 기록한다. TMAH 수용액으로 현상 후에는 기판에 수분이 제거되었음을 확인한 후에 동일한 ST-5000(K-MAC) 장비를 이용하여 5번 두께를 측정한다. 상기 5번의 측정값의 평균값을 현상 후 두께로 기록한다.The thickness of the pre-baked coating is measured five times using ST-5000 (K-MAC) equipment. The average value of the five measured values is recorded as the pre-development thickness. After development with TMAH aqueous solution, after confirming that moisture has been removed from the substrate, measure thickness 5 times using the same ST-5000 (K-MAC) equipment. The average value of the five measurements is recorded as the post-development thickness.
잔막률은 하기 수학식 1에 따라 계산한다.The residual film ratio is calculated according to the following equation (1).
[수학식 1][Equation 1]
잔막률(%) = (현상 후 두께/현상 전 두께) X 100
Remaining film ratio (%) = (thickness after development / pre-development thickness) X 100
평가 2: Evaluation 2: 테이퍼Taper 앵글( angle( taperedtapered angleangle ))
테이퍼 앵글은 Hitachi社의 S-4300으로 Pattern이 형성되는 각을 측정한다.
The taper angle measures the angle at which the pattern is formed by Hitachi's S-4300.
상기 평가 1 및 평가 2에 대한 결과를 하기 표 2에 정리하였다.The results for Evaluation 1 and Evaluation 2 are summarized in Table 2 below.
상기 표 2에서 볼 수 있는 것처럼, 실시예 1 내지 4의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용한 경우 비교예 1의 포지티브형 감광성 수지 조성물보다 잔막률이 우수하며, 제조된 감광성 수지막의 테이퍼 앵글이 보다 큰 것을 알 수 있다.
As can be seen from Table 2 above, when the positive photosensitive resin compositions of Examples 1 to 4 were used, the residual film ratio was superior to that of the positive photosensitive resin composition of Comparative Example 1, and the produced photosensitive resin film had a larger taper angle Able to know.
이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And it goes without saying that the invention belongs to the scope of the invention.
Claims (14)
(B) 하기 화학식 1로 표시되는 광활성 화합물; 및
(C) 용매
를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 플루오로알킬기이고,
Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 수소원자, 하기 화학식 2 또는 하기 화학식 3으로 표시되고, 단 Q1 및 Q2는 동시에 수소원자일 수는 없고,
[화학식 2]
[화학식 3]
n1 및 n2는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 하기 화학식 4 또는 하기 화학식 5로 표시되고,
[화학식 4]
[화학식 5]
상기 화학식 4 또는 화학식 5에서,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, -C(=O)- 또는 -S(=O)2- 이고,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.
(A) an alkali-soluble resin;
(B) a photoactive compound represented by the following formula (1); And
(C) Solvent
A positive photosensitive resin composition comprising:
[Chemical Formula 1]
In Formula 1,
R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group or a substituted or unsubstituted C1 to C20 fluoroalkyl group,
Q 1 and Q 2 each independently represent a hydrogen atom, a group represented by the following formula (2) or (3), provided that Q 1 and Q 2 can not be hydrogen atoms at the same time,
(2)
(3)
n1 and n2 are each independently an integer of 1 to 4,
X 1 and X 2 are each independently represented by the following formula (4) or (5)
[Chemical Formula 4]
[Chemical Formula 5]
In Formula 4 or Formula 5,
L 1 and L 2 each independently represent a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, -C (= O) - or -S (= O) 2 -
R 3 and R 4 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group.
상기 X1 및 X2는 각각 독립적으로 하기 화학식 6 내지 화학식 9 중 어느 하나로 표시되는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 8]
[화학식 9]
상기 화학식 6 내지 화학식 9에서,
R5는 할로겐, C1 내지 C10 알킬기, C6 내지 C12 아릴기 및 플루오레닐기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,
R6는 할로겐으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,
R7 및 R8은 각각 독립적으로 C1 내지 C10 알킬기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 C6 내지 C20 아릴기이다.
The method according to claim 1,
X 1 and X 2 each independently represent a positive photosensitive resin composition represented by any one of the following Chemical Formulas 6 to 9:
[Chemical Formula 6]
(7)
[Chemical Formula 8]
[Chemical Formula 9]
In the above Chemical Formulas 6 to 9,
R 5 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group selected from the group consisting of halogen, C1 to C10 alkyl groups, C6 to C12 aryl groups and fluorenyl groups,
R 6 is a C1 to C20 alkyl group which is substituted or unsubstituted with halogen,
R 7 and R 8 are each independently a C6 to C20 aryl group substituted or unsubstituted with a C1 to C10 alkyl group,
R a and R b are each independently a C 6 to C 20 aryl group.
상기 X1 및 X2는 각각 독립적으로 하기 화학식 10 내지 화학식 17 중 어느 하나로 표시되는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 10]
[화학식 11]
[화학식 12]
[화학식 13]
[화학식 14]
[화학식 15]
[화학식 16]
[화학식 17]
The method according to claim 1,
X 1 and X 2 each independently represent a positive photosensitive resin composition represented by any one of the following Chemical Formulas 10 to 17:
[Chemical formula 10]
(11)
[Chemical Formula 12]
[Chemical Formula 13]
[Chemical Formula 14]
[Chemical Formula 15]
[Chemical Formula 16]
[Chemical Formula 17]
상기 Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되고,
n1 및 n2는 각각 독립적으로 1의 정수인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein Q 1 and Q 2 are each independently represented by the above-described formula (2) or (3)
and n1 and n2 are each independently an integer of 1.
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 열산발생제를 더 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the positive photosensitive resin composition further comprises a thermal acid generator.
상기 열산발생제는 하기 화학식 18 또는 화학식 19로 표시되는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 18]
[화학식 19]
상기 화학식 18 및 화학식 19에서,
R9 내지 R13은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.
6. The method of claim 5,
Wherein the thermal acid generator is a positive photosensitive resin composition represented by the following Chemical Formula 18 or 19:
[Chemical Formula 18]
[Chemical Formula 19]
In the above formulas 18 and 19,
R 9 to R 13 each independently represents a halogen atom, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, C6 < / RTI > to C20 aryl group.
상기 열산발생제는 120℃ 내지 200℃의 온도에서 분해되어 산을 발생시키는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
6. The method of claim 5,
Wherein the thermal acid generator is decomposed at a temperature of 120 ° C to 200 ° C to generate an acid.
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체 또는 이들의 조합인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
The alkali-soluble resin is a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor, or a combination thereof.
상기 알칼리 가용성 수지는 3,000 g/mol 내지 300,000 g/mol의 중량평균 분자량을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the alkali-soluble resin has a weight-average molecular weight of 3,000 g / mol to 300,000 g / mol.
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은
(A) 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여,
(B) 광활성 화합물 5 중량부 내지 100 중량부 및
(C) 용매 100 중량부 내지 1500 중량부
를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
The positive photosensitive resin composition
(A) 100 parts by weight of an alkali-soluble resin,
(B) 5 to 100 parts by weight of a photoactive compound and
(C) a solvent 100 parts by weight to 1500 parts by weight
Wherein the positive photosensitive resin composition is a positive photosensitive resin composition.
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 계면활성제, 레빌링제, 실란 커플링제 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 첨가제를 더 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the positive photosensitive resin composition further comprises an additive selected from the group consisting of a surfactant, a levallizing agent, a silane coupling agent, and a combination thereof.
A photosensitive resin film produced by using the positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 11.
상기 감광성 수지막의 테이퍼 앵글은 46°이상 90°이하인 감광성 수지막.
13. The method of claim 12,
Wherein the photosensitive resin film has a taper angle of 46 DEG to 90 DEG.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140079239A KR101751911B1 (en) | 2014-06-26 | 2014-06-26 | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same and display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140079239A KR101751911B1 (en) | 2014-06-26 | 2014-06-26 | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same and display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160001218A true KR20160001218A (en) | 2016-01-06 |
| KR101751911B1 KR101751911B1 (en) | 2017-06-28 |
Family
ID=55165134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140079239A KR101751911B1 (en) | 2014-06-26 | 2014-06-26 | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same and display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101751911B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230031869A (en) * | 2016-03-31 | 2023-03-07 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | Resist composition and method of forming resist pattern |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004219806A (en) | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Konica Minolta Holdings Inc | Photosensitive planographic printing plate and method for processing the same |
-
2014
- 2014-06-26 KR KR1020140079239A patent/KR101751911B1/en active IP Right Grant
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230031869A (en) * | 2016-03-31 | 2023-03-07 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | Resist composition and method of forming resist pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101751911B1 (en) | 2017-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101423176B1 (en) | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin film | |
| KR101705755B1 (en) | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and display device | |
| KR101400181B1 (en) | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer prepared by using the same, and display device including the photosensitive resin layer | |
| KR101728820B1 (en) | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and display device | |
| KR101067090B1 (en) | Positive photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film, and semiconductor device and display device therewith | |
| KR101750463B1 (en) | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and display device | |
| KR101812580B1 (en) | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film, and display device using the same | |
| KR101838923B1 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive resin film and display device using the same | |
| KR101751911B1 (en) | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same and display device | |
| KR101692758B1 (en) | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and display device | |
| KR101702511B1 (en) | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and display device | |
| TWI545402B (en) | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and display device | |
| JP2019530900A (en) | Photosensitive resin composition, cured film formed therefrom, and electronic device having the cured film | |
| KR20130073540A (en) | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin film | |
| KR101812578B1 (en) | The resin composition included novel polymer and organic film using the same | |
| KR102244474B1 (en) | Positive photosensitive resin composition including photosensitive novolak resin, photosensitive resin layer prepared by using the same and semiconductor device including the photosensitive resin layer | |
| KR102193440B1 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device | |
| KR101688014B1 (en) | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film, and display device using the same | |
| KR101711918B1 (en) | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same and display device | |
| KR101333690B1 (en) | Positive type photosensitive resin composition | |
| KR102106397B1 (en) | Photo-sensitive Composition, Cured Film Prepared Therefrom, and Electronic Device Incorporating the Cured Film | |
| KR102106396B1 (en) | Photo-sensitive Composition, Cured Film Prepared Therefrom, and Electronic Device Incorporating the Cured Film | |
| KR20180055194A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and display device | |
| KR20230036835A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same | |
| KR20190010271A (en) | Photo-sensitive Composition, Cured Film Prepared Therefrom, and Electronic Device Incorporating the Cured Film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |