KR20150145148A - 태양 전지 모듈 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 각각이 반도체 기판 및 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 복수의 태양 전지 중 서로 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 어느 하나의 태양 전지에 구비된 복수의 제1 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제1 배선; 및 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 나머지 하나의 태양 전지에 구비된 복수의 제2 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제2 배선; 및 제1, 2 태양 전지 사이에 배치되며, 복수의 제1 배선 및 복수의 제2 배선에 접속되는 제3 배선;을 포함한다.

Description

태양 전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}
본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.
이와 같이 반도체 기판을 사용하는 태양 전지는 구조에 따라 컨벤셔널 타입, 후면 컨텍 타입 등 다양한 종류로 나눌 수 있다.
여기서, 컨벤셔널 타입은 에미터부가 기판의 전면에 위치하고, 에미터부에 연결된 전극이 기판의 전면에, 기판에 연결되는 전극이 기판의 후면에 위치하며, 후면 컨텍 타입은 에미터부가 기판의 후면에 위치하며, 전극이 모두 기판의 후면에 위치한다.
여기서, 후면 컨텍 타입의 태양 전지는 전극이 모두 기판의 후면에 형성되므로, 기판의 후면에 형성된 전극을 인터커넥터나 별도의 도전성 금속을 통해 인접한 태양 전지의 전극에 직렬 연결하여 태양 전지 모듈을 형성할 수 있다.
본 발명은 효율과 구조적 안정성이 보다 향상된 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 각각이 반도체 기판 및 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 복수의 태양 전지 중 서로 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 어느 하나의 태양 전지에 구비된 복수의 제1 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제1 배선; 및 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 나머지 하나의 태양 전지에 구비된 복수의 제2 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제2 배선; 및 제1, 2 태양 전지 사이에 배치되며, 복수의 제1 배선 및 복수의 제2 배선에 접속되는 제3 배선;을 포함한다.
여기서, 복수의 태양 전지 각각에서, 복수의 제1, 2 전극 각각은 반도체 기판의 후면 내에서 제1 방향으로 길게 형성되고, 복수의 태양 전지는 제1, 2, 3 배선에 의해 직렬 연결되어, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 뻗는 하나의 스트링을 형성할 수 있다.
여기서, 복수의 제1, 2 배선 각각은 제2 방향으로 길게 배치되고, 제3 배선은 제1 방향으로 길게 형성될 수 있다.
여기서, 제3 배선은 복수의 태양 전지 각각에 구비된 반도체 기판들 사이에 배치되며, 복수의 태양 전지 각각에 구비된 반도체 기판과 이격될 수 있다.
아울러, 제3 배선과 중첩되는 부분에 위치하는 제1 배선의 끝단과 제2 배선의 끝단은 서로 이격되거나, 제3 배선과 중첩되는 부분에서 제1 배선과 제2 배선은 서로 이격되지 않고 일체로 형성될 수 있다.
여기서, 제3 배선은 하나 또는 복수 개일 수 있다.
일례로, 제3 배선은 제1 방향으로 길게 뻗은 하나의 금속 패드로 형성되고, 제3 배선의 폭은 제1, 2 배선의 폭보다 클 수 있다.
또한, 제3 배선은 도전성의 제1 금속재로 형성되는 코어, 코어의 입사면 쪽 표면에 코팅되어 위치하는 제1 코팅부, 및 코어의 후면 쪽 표면에 코팅되어 위치하는 제2 코팅부를 포함할 수 있다.
여기서, 제1 코팅부의 표면에는 복수의 요철이 구비되고, 제1 코팅부는 제1 금속재보다 표면 반사율이 높은 제2 금속재를 포함할 수 있다.
아울러, 제2 코팅부는 제1, 2 금속재보다 녹는점이 낮은 제3 금속재를 포함하고, 제2 코팅부에는 제1, 2 배선이 삽입되는 복수 개의 홈이 구비될 수 있다.
또한, 제3 배선의 적어도 일부분은 복수의 태양 전지에 구비된 반도체 기판 중 일부 반도체 기판과 중첩되어 배치되는 것도 가능하다.
아울러, 제3 배선은 서로 이격되어 제1 방향으로 길게 뻗은 복수 개로 형성되고, 제3 배선의 폭은 제1, 2 배선의 폭과 동일할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 태양 전지 사이에 복수의 제1, 2 배선과 접속하는 제3 배선을 구비하여, 태양 전지 방향으로의 광입사율을 보다 향상시키고, 복수의 제1, 2 배선을 보다 안정적으로 고정하여, 태양 전지 모듈의 효율을 보다 향상시키고, 구조적 안정성을 보다 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 6은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 11 및 도 12는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제4 실시예를 설명하기 위한 도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.
이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면일 수 있다.
아울러, 이하의 설명에서, 서로 다른 두 구성 요소의 길이나 폭이 동일하다는 의미는 10%의 오차 범위 이내에서 서로 동일한 것을 의미한다.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 대하여 설명한다.
도 1 내지 도 6은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다.
여기서, 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 스트링을 후면에서 바라본 형상이고, 도 2는 도 1에 적용되는 태양 전지의 일례를 나타내는 일부 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 태양 전지의 제1, 2 전극(C141, C142) 패턴을 도시한 것이고, 도 4는 도 1에서 CSx1-CSx1 라인에 따른 단면도를 도시한 것이고, 도 5는 제3 배선(IC3)의 상세 설명을 위하여 도 1에서 CSy1-CSy1 라인에 따른 단면도를 도시한 것이고, 도 6은 제3 배선(IC3)의 광반사 효과를 설명하기 위한 도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지(C1, C2), 복수의 태양 전지(C1, C2)의 후면에 형성된 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속되는 복수의 제1 배선(IC1)과 복수의 제2 배선(IC2), 및 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2)에 접속되어 복수의 태양 전지(C1, C2)를 직렬 연결하는 제3 배선(IC3)을 포함한다.
여기서, 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각은 적어도 반도체 기판(110) 및 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142)을 구비한다.
보다 구체적으로 설명하면, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지는 일례로 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)을 포함할 수 있다.
여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으나, 이하에서는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.
반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 결정질 실리콘 재질로 형성되는 반도체 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물, 일례로 n형 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다.
에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 복수 개가 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 제1 방향(x)으로 뻗어 있다. 이와 같은 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 일례로 p형 도전성 타입의 불순물이 포함될 수 있다.
이에 따라 반도체 기판(110)과 에미터부(121)에 의해 p-n 접합이 형성될 수 있다.
후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 서로 이격되어 위치하며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 제1 방향(x)으로 뻗어 있다. 따라서, 도 2 및 도 3에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치할 수 있다.
복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 제1 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 n++ 불순물 부일 수 있다.
복수의 제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 반도체 기판(110)의 후면에 형성될 수 있다.
또한, 복수의 제2 전극(C142)은 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 반도체 기판(110)의 후면에 형성되며, 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다.
여기서, 복수의 제1 전극(C141)의 각각은 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 뻗어 있을 수 있으며, 복수의 제1 전극(C141) 각각은 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 서로 이격되어 배열될 수 있다.
아울러, 복수의 제2 전극(C142) 각각도 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 뻗어 있을 수 있으며, 복수의 제2 전극(C142) 각각은 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 서로 이격되어 배열될 수 있다.
아울러, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)은 서로 이격되어, 전기적으로 격리될 수 있으며, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 서로 교번하여 배치될 수 있다.
이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(C141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(C142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용된 태양 전지는 반드시 도 2 및 도 3에만 한정하지 않으며, 태양 전지에 구비되는 제1, 2 전극(C141, C142)이 반도체 기판(110)의 후면에만 형성되는 점을 제외하고 다른 구성 요소는 얼마든지 변경이 가능하다.
예를 들어 본 발명의 태양 전지 모듈에는 제1 전극(C141)의 일부 및 에미터부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 제1 전극(C141)의 일부가 반도체 기판(110)에 형성된 홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)의 나머지 일부와 연결되는 MWT 타입의 태양 전지도 적용이 가능하다.
이와 같이, 도 2 및 도 3에서 설명한 태양 전지는 도 1에 도시된 바와 같이, 복수 개가 제2 방향(y)으로 배열될 수 있다. 즉, 일례로, 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)는 제2 방향(y)으로 배열될 수 있다.
이때, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에 구비되는 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향이 제1 방향(x)으로 향하도록 배치될 수 있다.
이와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)가 제2 방향(y)으로 배열된 상태에서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1, 2, 3 배선(IC1, IC2, IC3)에 의해 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 직렬 연결되는 하나의 스트링을 형성할 수 있다.
여기서, 제1, 2, 3 배선(IC1, IC2, IC3)은 도전성 금속 재질을 포함하고, 제1, 2 배선(IC1, IC2)은 각 태양 전지의 반도체 기판(110)의 후면에 접속되며, 태양 전지의 직렬 연결을 위하여 각 반도체 기판(110)에 접속된 제1, 2 배선(IC1, IC2)은 제3 배선(IC3)에 접속될 수 있다.
아울러, 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2)은 폭과 두께가 서로 동일한 도전성 와이어 형태이거나 폭이 두께보다 큰 리본 형태를 가질 수 있다.
구체적으로, 복수의 제1 배선(IC1)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 중 서로 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 어느 하나의 태양 전지에 구비된 복수의 제1 전극(C141)에 중첩되어 접속될 수 있다.
일례로, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 배선(IC1)은 서로 바로 인접한 두 개의 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 중 제1 태양 전지(C1)에 구비된 복수의 제1 전극(C141)에 중첩되어 접속될 수 있다.
이때, 복수의 제1 배선(IC1) 각각은 복수의 제1 전극(C141)의 길이 방향과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 배치될 수 있으며, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에서 보았을 때, 복수 개의 제1 배선(IC1)은 반도체 기판(110) 밖으로 인출되어 형성될 수 있다.
여기서, 도 1 및 도 4에 도시된 봐 같이, 복수의 제1 배선(IC1) 각각은 복수의 제1 전극(C141)에 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속될 수 있다.
여기서, 도전성 접착제(CA)는 금속 재료 간의 접착력이 뛰어난 솔더 페이스트, 절연성 수지 내에 금속 입자가 함유된 도전성 접착 페이스트 또는 도전성 접착 필름 중 어느 하나가 이용될 수 있다.
아울러, 복수의 제1 배선(IC1) 각각과 복수의 제2 전극(C142) 사이와의 절연을 위하여, 복수의 제1 배선(IC1)과 복수의 제2 전극(C142) 각각의 사이에는 절연층(IL)이 배치될 수 있다.
여기서, 절연층(IL)은 절연성 재질이면 어떠한 것이든 상관 없으며, 일례로, 에폭시(epoxy)와 같은 절연성 수지가 사용될 수 있다.
이때, 일례로, 절연층(IL)에 적용되는 재질은 용해 온도가 대략 400℃ 이상이고, 경화 온도가 210℃ ~ 250℃ 사이인 것이 바람직할 수 있다.
다음, 복수의 제2 배선(IC2)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 중 서로 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 나머지 하나의 태양 전지에 구비된 복수의 제2 전극(C142)에 중첩되어 접속될 수 있다.
일례로, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 제2 배선(IC2)은 서로 바로 인접한 두 개의 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 중 제2 태양 전지(C2)에 구비된 복수의 제2 전극(C142)에 중첩되어 접속될 수 있다.
이때, 복수의 제2 배선(IC2) 각각은 복수의 제2 전극(C142)의 길이 방향과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 배치될 수 있으며, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에서 보았을 때, 복수 개의 제2 배선(IC2)은 반도체 기판(110) 밖으로 인출되어 형성될 수 있다.
여기서, 도 1 및 도 4에 도시된 봐 같이, 복수의 제2 배선(IC2) 각각은 복수의 제2 전극(C142)에 전술한 바와 동일한 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속될 수 있다.
아울러, 복수의 제2 배선(IC2) 각각과 복수의 제1 전극(C141) 사이와의 절연을 위하여, 복수의 제2 배선(IC2)과 복수의 제1 전극(C141) 각각의 사이에는 전술한 바와 동일한 절연층(IL)이 배치될 수 있다.
아울러, 앞에서는 제1 배선(IC1)이 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(C141)에 접속되고, 제2 배선(IC2)이 제2 태양 전지(C2)의 제2 전극(C142)에 접속되는 것만을 설명하였지만, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 구비된 복수의 제2 전극(C142)에도 복수의 제2 배선(IC2)이 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속될 수 있으며, 제2 태양 전지(C2)에 구비된 복수의 제1 전극(C141)에도 복수의 제1 배선(IC1)이 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속될 수 있다.
즉, 하나의 태양 전지 소자로 형성되는 반도체 기판(110)의 후면에는 복수 개의 제1 배선(IC1)과 복수 개의 제2 배선(IC2)이 각 셀 전극(C141, C142)에 접속될 수 있다.
따라서, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 각 태양 전지의 제1 전극(C141)에는 제1 배선(IC1)이 접속되고, 제2 전극(C142)에는 제2 배선(IC2)이 접속될 수 있다.
이와 같이, 각 태양 전지의 후면에 접속된 복수의 제1 배선(IC1) 및 복수의 제2 배선(IC2) 중 각 반도체 기판(110)의 밖으로 인출되는 부분이 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 배치되는 제3 배선(IC3)의 후면에 접속될 수 있고, 이에 따라, 복수의 태양 전지(C1, C2)가 하나의 스트링으로 형성될 수 있다.
이때, 제3 배선(IC3)의 길이 방향은 각 태양 전지의 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향과 동일한 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다.
여기서, 제3 배선(IC3)은 하나 또는 복수 개일 수 있으나, 제1 실시예에서는 제3 배선(IC3)이 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 하나의 금속 패드로 형성된 경우를 일례로 설명한다.
이때, 제3 배선(IC3)은 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 각 태양 전지에 구비된 반도체 기판(110)들 사이에 배치될 수 있다. 즉, 제3 배선(IC3)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 반도체 기판(110)과 중첩되지 않고 이격될 수 있고, 일례로, 스트링을 후면에서 보았을 때에, 도 1에 도시된 바와 같이, 제3 배선(IC3)과 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110) 사이는 D1만큼 이격될 수 있고, 제3 배선(IC3)과 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110) 사이는 D2만큼 이격될 수 있다. 이때, D1과 D2의 이격 간격은 서로 동일하거나 다를 수 있다.
이와 같이, 제3 배선(IC3)이 반도체 기판(110)들 사이에 배치됨으로써, 각 태양 전지 사이로 입사된 빛을 반사하여 태양 전지로 재입사할 수 있도록 할 수 있고, 아울러, 각 반도체 기판(110) 사이에서 제3 배선(IC3)이 제1, 2 배선(IC1, IC2)을 고정시키는 역할을 함으로써, 태양 전지 모듈의 구조적인 안정성을 보다 증가시킬 수 있다.
아울러, 제3 배선(IC3)의 폭(WI3)은 도 1에 도시된 바와 같이, 충분한 접촉력과 접속 저항을 확보하기 위하여 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2) 각각의 폭(WI1, WI2)보다 클 수 있다. 일례로, 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2) 각각의 폭(WI1, WI2)은 0.05mm ~ 4mm 사이일 수 있으며, 제3 배선(IC3)의 폭(WI3)은 제1, 2 배선(IC1, IC2) 각각의 폭(WI1, WI2)보다 큰 조건 하에서 0.5mm ~ 8mm 사이로 형성될 수 있다.
이때, 제3 배선(IC3)의 두께는 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2) 각각의 두께와 동일하거나 더 클 수 있다. 일례로, 제1, 2 배선(IC1, IC2)의 두께는 0.05mm ~ 0.4mm 사이일 수 있으며, 제3 배선(IC3)의 두께는 제1. 2 배선의 두께와 동일하거나 0.05mm ~ 1mm사이로 형성될 수 있다.
이때, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제1 배선(IC1)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 제2 배선(IC2)은 서로 다른 라인 선상에 위치하여 각각 독립적 개별적으로 구비됨으로써, 제3 배선(IC3)과 중첩되는 부분에 위치하는 제1 배선(IC1)의 끝단과 제2 배선(IC2)의 끝단은 서로 이격될 수 있다.
따라서, 복수 개의 태양 전지 중 제1, 2 배선(IC1, IC2)과 제1, 2 전극(C141, C142) 사이에 접속 불량이 발생한 태양 전지가 있는 경우, 제3 배선(IC3)과 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2) 사이의 접속을 해제하여, 해당 태양 전지만 보다 용이하게 교체할 수 있다.
그러나, 이와 다르게, 3 배선과 중첩되는 부분에서 제1 배선(IC1)과 제2 배선(IC2)은 서로 이격되지 않고 일체로 접속되는 것도 가능하다. 이에 대해서는 본 발명의 제2 실시예에서 보다 구체적으로 설명한다.
여기서, 제3 배선(IC3)의 보다 구체적인 구조에 대해 도 5를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도5에 도시된 바와 같이, 제3 배선(IC3)은 도전성의 제1 금속재로 형성되는 코어(CO), 코어(CO)의 입사면 쪽 표면에 코팅되어 위치하는 제1 코팅부(CT1), 및 코어(CO)의 후면 쪽 표면에 코팅되어 위치하는 제2 코팅부(CT2)를 포함하여 형성될 수 있다.
여기서, 코어(CO)의 제1 금속재는 전도성이 양호한 금속 재질, 일례로, 구리(Cu)일 수 있다.
여기서, 제1 코팅부(CT1)의 입사면 쪽 표면에는 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 요철이 구비될 수 있다. 이와 같은 요철은 제3 배선(IC3)으로 입사되는 빛을 산란키기 위해 피라미드 형상의 구조로 형성되거나, 제2 방향(y)으로 복수 개의 봉우리와 골짜기가 길게 뻗어 있어, 봉우리와 골짜기 사이에 형성되는 경사면이 제1 태양 전지(C1)나 제2 태양 전지(C2) 방향을 향하는 형상일 수 있다.
아울러, 이와 같은 제1 코팅부(CT1)는 제3 배선(IC3)에 의한 반사율을 높이기 위하여 제1 금속재보다 표면 반사율이 높은 제2 금속재를 포함할 수 있다. 일례로, 제2 금속재는 제1 금속재인 구리(Cu)보다 표면 반사율이 높은 은(Ag)이 사용될 수 있다.
또한, 제2 코팅부(CT2)는 제3 배선(IC3)재의 후면에 접속된 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2)재와의 접촉력 및 접촉 저항을 보다 향상시키기 위하여, 제1, 2 금속재보다 녹는점이 낮은 제3 금속재를 포함할 수 있다.
일례로, 제3 금속재는 제1, 2 금속재인 구리(Cu)나 은(Ag)보다 녹는점이 낮아 접착력이 좋은 주석(Sn)이나 인듐(In) 중 적어도 하나의 금속 재질을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 제3 금속재는 일례로, SnPb, SnBi 또는 In 등과 같은 물질을 포함할 수 있다.
아울러, 제2 코팅부(CT2)의 후면 표면에는 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2)이 삽입되는 복수 개의 홈(HIC)이 구비될 수 있다. 즉, 제2 코팅부(CT2)의 후면 표면에 형성된 복수 개의 홈(HIC) 각각은 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2)이 맞물릴 수 있는 구조를 가질 수 있다.
이에 따라, 제2 코팅부(CT2)와 제1, 2 배선(IC1, IC2) 사이의 접속 면적을 증가시켜 접촉 저항을 최소화할 수 있으며, 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2)을 제3 배선(IC3)에 접속시킬 때에, 제1, 2 배선(IC1, IC2)을 보다 용이하게 얼라인 및 고정시킬 수 있다.
이때, 제2 코팅부(CT2)에서 홈(HIC)이 형성되지 않은 부분의 두께(TCT2)는 제2 코팅부(CT2)의 접속력이 충분히 발휘되도록 하기 위하여, 5㎛ ~ 30㎛ 사이로 형성될 수 있다.
만약 제2 코팅부(CT2)의 두께가 충분하지 않은 경우에는 전술한 도전성 접착제(CA)를 사용하여 제1, 2 배선(IC1, IC2)을 제3 배선(IC3)에 접속시킬 수 있다.
그러나, 전술한 바와 같이, 제2 코팅부(CT2)의 두께가 5㎛ ~ 30㎛ 사이인 경우, 별도의 도전성 접착제(CA)가 필요하지 않으므로, 제조 공정을 보다 단순화할 수 있으며, 제조 비용을 보다 감소시킬 수 있다.
이와 같이, 제1, 2, 3 배선(IC1, IC2, IC3)에 의해 복수 개의 태양 전지(C1, C2)가 직렬 연결된 스트링은 투명 기판(FG) 및 제1 충진재(EC1)와, 제2 충진재(EC2) 및 후면 시트(BS) 사이에 배치된 상태에서 함께 라미네이션(lamination) 되어 도 6에 도시된 바와 같이, 하나의 일체화된 모듈로 형성될 수 있다.
여기서, 투명 기판(FG)은 광투과성의 유리 또는 플라스틱 재질일 수 있으며, 제1, 2 충진재(EC1, EC2)는 탄성력과 절연성을 구비한 재질로, 일례로, EVA를 포함할 수 있다. 아울러, 후면 시트(BS)는 방습 기능이 있는 절연성 재질로 형성될 수 있다.
이와 같이, 복수 개의 태양 전지 사이에 반사체 역할을 하는 제3 배선(IC3)을 사용하는 경우, 도 6에 도시된 바와 같이, 태양 전지 사이로 입사되는 빛을 제3 배선(IC3)과 투명 기판(FG)을 통하여 다시 태양 전지로 입사시킬 수 있어 태양 전지의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
지금까지의 제1 실시예에서는 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제1 배선(IC1)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 제2 배선(IC2)은 서로 다른 라인 선상에 위치하여 각각 독립적 개별적으로 구비됨으로써, 제3 배선(IC3)과 중첩되는 부분에 위치하는 제1 배선(IC1)의 끝단과 제2 배선(IC2)의 끝단은 서로 이격되는 경우에 대해서만 설명하였으나, 이와 다르게, 이하의 제2 실시예에서는 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제1 배선(IC1)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 제2 배선(IC2)이 일체로 형성되는 경우에 대해 설명한다.
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다. 여기서, 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 스트링을 후면에서 바라본 형상이고, 도 8은 도 7에서 CSx2-CSx2 라인에 따른 단면도를 도시한 것이다.
도 7 및 도 8에서는 도 1 내지 도 6에서 설명한 내용과 중복되는 내용에 대해서는 생략하고 다른 부분을 위주로 설명한다. 따라서, 특별한 설명이 없고 서로 양립 불가능하지 않는 한, 도 1 내지 도 6에서 설명한 부분이 동일하게 적용될 수 있다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제1 배선(IC1)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 제2 배선(IC2)은 일체로 형성될 수 있으며, 이에 따라, 3 배선과 중첩되는 부분에서 제1 배선(IC1)과 제2 배선(IC2)은 서로 이격되지 않고 일체로 형성될 수 있다.
따라서, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 배선(IC1)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 배선(IC2) 각각은 동일 라인 선상에 위치할 수 있다.
이때, 도 1 내지 도 6에서 전술한 바와 동일하게, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 배선(IC1)은 복수의 제1 전극(C141)에 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속되고, 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 배선(IC2)은 복수의 제2 전극(C142)에 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속될 수 있다.
지금까지의 제1, 2 실시예에서는 제3 배선(IC3)이 각 태양 전지의 반도체 기판(110) 사이에 위치하고, 각 반도체 기판(110)과 중첩되지 않고 이격되어 배치되는 경우만을 일례로 설명하였으나, 이와 다르게 제3 배선(IC3)이 각 태양 전지의 반도체 기판(110) 사이에 위치하되, 일부 반도체 기판(110)과는 중첩되어 배치될 수도 있다. 이에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다. 여기서, 도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 스트링을 후면에서 바라본 형상이고, 도 10은 도 9에서 CSx3-CSx3 라인에 따른 단면도를 도시한 것이다.
도 9 및 도 10에서는 도 1 내지 도 6에서 설명한 내용과 중복되는 내용에 대해서는 생략하고 다른 부분을 위주로 설명한다. 따라서, 특별한 설명이 없고 서로 양립 불가능하지 않는 한, 도 1 내지 도 6에서 설명한 부분이 동일하게 적용될 수 있다.
본 발명에 따른 제3 배선(IC3)의 적어도 일부분은 복수의 태양 전지(C1, C2)에 구비된 반도체 기판(110) 중 일부 반도체 기판(110)과 중첩되어 배치될 수 있다.
일례로, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 제3 배선(IC3)의 일부분이 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)과는 중첩되고, 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)과는 이격된 상태로 배치되어 형성되는 것도 가능하다.
그러나, 이와 다르게, 제3 배선(IC3)의 전체 영역이 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)과 중첩되는 것도 가능하다.
이때, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제1 배선(IC1)은 제3 배선(IC3)의 전면에 접속될 수 있으며, 제2 태양 전지(C2)에 접속된 제2 배선(IC2)은 제3 배선(IC3)의 후면에 접속될 수 있다.
아울러, 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)과 제3 배선(IC3)이 중첩되는 영역 중에서 제1 배선(IC1)이 위치하지 않는 영역에는 제3 배선(IC3)과 반도체 기판(110)과의 불필요한 단락을 방지하기 위해서 도 10에 도시된 바와 같이, 절연층(IL)이 형성될 수 있다.
아울러, 도 9 및 도 10에서는 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제1 배선(IC1)이 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110) 밖으로 인출되어 형성된 경우를 일례로 도시하였지만, 제1 배선(IC1)이 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110) 밖으로 인출되지 않을 수도 있다.
지금까지 본 발명의 제1 내지 제3 실시예에서는 제3 배선(IC3)이 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 하나의 금속 패드로 형성된 경우만을 일례로 설명하였지만, 제3 배선(IC3)은 복수 개로 형성될 수도 있다. 이에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 11 및 도 12는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제4 실시예를 설명하기 위한 도이다. 여기서, 도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 스트링의 일부분을 후면에서 바라본 형상이고, 도 12는 도 11에서 CSx4-CSx4 라인에 따른 단면도를 도시한 것이다.
도 11 및 도 12에서는 도 1 내지 도 6에서 설명한 내용과 중복되는 내용에 대해서는 생략하고 다른 부분을 위주로 설명한다. 따라서, 특별한 설명이 없고 서로 양립 불가능하지 않는 한, 도 1 내지 도 6에서 설명한 부분이 동일하게 적용될 수 있다.
도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 제3 배선(IC3)은 서로 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 복수 개로 형성될 수 있다.
이와 같은 경우에도, 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 복수 개의 제3 배선(IC3)을 통해 태양 전지 사이로 입사되는 빛을 태양 전지로 재입사하여 태양 전지 모듈의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
이때, 복수 개의 제3 배선(IC3) 역시 도 5에서 설명한 바와 같이, 코어(CO), 제1 코팅부(CT1) 및 제2 코팅부(CT2)를 포함할 수 있다.
아울러, 제4 실시예와 같은 경우, 제3 배선(IC3)의 폭(WI3)은 제1, 2 배선(IC1, IC2)의 폭(WI1, WI2)과 동일할 수 있다. 그러나, 셀간 직렬 저항을 확보하기 위하여 제3 배선(IC3)의 폭(WI3)이나 두께가 제1, 2 배선(IC1, IC2)의 폭이나 두께보다 크게 형성될 수도 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (16)

  1. 각각이 반도체 기판 및 상기 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지;
    상기 복수의 태양 전지 중 서로 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 어느 하나의 태양 전지에 구비된 상기 복수의 제1 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제1 배선; 및
    상기 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 나머지 하나의 태양 전지에 구비된 상기 복수의 제2 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제2 배선; 및
    상기 제1, 2 태양 전지 사이에 배치되며, 상기 복수의 제1 배선 및 상기 복수의 제2 배선에 접속되는 제3 배선;을 포함하는 태양 전지 모듈.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 태양 전지 각각에서, 상기 복수의 제1, 2 전극 각각은 상기 반도체 기판의 후면 내에서 상기 제1 방향으로 길게 형성되고,
    상기 복수의 태양 전지는 상기 제1, 2, 3 배선에 의해 직렬 연결되어, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 뻗는 하나의 스트링을 형성하는 태양 전지 모듈.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 제1, 2 배선 각각은 상기 제2 방향으로 길게 배치되는 태양 전지 모듈.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제3 배선은 상기 제1 방향으로 길게 형성되는 태양 전지 모듈.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제3 배선은 상기 복수의 태양 전지 각각에 구비된 상기 반도체 기판들 사이에 배치되며, 상기 복수의 태양 전지 각각에 구비된 반도체 기판과 이격되는 태양 전지 모듈.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제3 배선과 중첩되는 부분에 위치하는 상기 제1 배선의 끝단과 상기 제2 배선의 끝단은 서로 이격되어 있는 태양 전지 모듈.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제3 배선과 중첩되는 부분에서 상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 서로 이격되지 않고 일체로 형성되는 태양 전지 모듈.
  8. 제2 항에 있어서,
    상기 제3 배선은 하나 또는 복수 개인 태양 전지 모듈.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제3 배선은 상기 제1 방향으로 길게 뻗은 하나의 금속 패드로 형성되고,
    상기 제3 배선의 폭은 상기 제1, 2 배선의 폭보다 큰 태양 전지 모듈.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제3 배선은 도전성의 제1 금속재로 형성되는 코어, 상기 코어의 입사면 쪽 표면에 코팅되어 위치하는 제1 코팅부, 및 상기 코어의 후면 쪽 표면에 코팅되어 위치하는 제2 코팅부를 포함하는 태양 전지 모듈.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 코팅부의 표면에는 복수의 요철이 구비되는 태양 전지 모듈.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 코팅부는 상기 제1 금속재보다 표면 반사율이 높은 제2 금속재를 포함하는 태양 전지 모듈.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 코팅부는 상기 제1, 2 금속재보다 녹는점이 낮은 제3 금속재를 포함하는 태양 전지 모듈.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 코팅부에는 상기 제1, 2 배선이 삽입되는 복수 개의 홈이 구비되는 태양 전지 모듈.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 제3 배선의 적어도 일부분은 상기 복수의 태양 전지에 구비된 반도체 기판 중 일부 반도체 기판과 중첩되어 배치되는 태양 전지 모듈.
  16. 제8 항에 있어서,
    상기 제3 배선은 서로 이격되어 상기 제1 방향으로 길게 뻗은 복수 개로 형성되고,
    상기 제3 배선의 폭은 상기 제1, 2 배선의 폭과 동일한 태양 전지 모듈.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180007525A (ko) * 2016-07-13 2018-01-23 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR20180081349A (ko) * 2017-01-06 2018-07-16 엘지전자 주식회사 태양전지 패널
KR20180105838A (ko) * 2017-03-16 2018-10-01 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
WO2019050158A1 (ko) * 2017-09-11 2019-03-14 엘지전자 주식회사 화합물 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
US10361322B2 (en) 2015-10-08 2019-07-23 Lg Electronics Inc. Solar cell module
US11417787B2 (en) 2015-09-08 2022-08-16 Lg Electronics Inc. Solar cell module and method for manufacturing the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008090718A1 (ja) * 2007-01-25 2008-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha 太陽電池セル、太陽電池アレイおよび太陽電池モジュールならびに太陽電池アレイの製造方法
KR20120116120A (ko) * 2011-04-12 2012-10-22 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 태양 전지 모듈에 사용되는 인터커넥터
JP2013008785A (ja) * 2011-06-23 2013-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
KR20130034869A (ko) * 2011-09-29 2013-04-08 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008090718A1 (ja) * 2007-01-25 2008-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha 太陽電池セル、太陽電池アレイおよび太陽電池モジュールならびに太陽電池アレイの製造方法
KR20120116120A (ko) * 2011-04-12 2012-10-22 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 태양 전지 모듈에 사용되는 인터커넥터
JP2013008785A (ja) * 2011-06-23 2013-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
KR20130034869A (ko) * 2011-09-29 2013-04-08 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11417787B2 (en) 2015-09-08 2022-08-16 Lg Electronics Inc. Solar cell module and method for manufacturing the same
US10361322B2 (en) 2015-10-08 2019-07-23 Lg Electronics Inc. Solar cell module
US11114576B2 (en) 2015-10-08 2021-09-07 Lg Electronics Inc. Solar cell module
KR20180007525A (ko) * 2016-07-13 2018-01-23 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR20180081349A (ko) * 2017-01-06 2018-07-16 엘지전자 주식회사 태양전지 패널
US11538950B2 (en) 2017-01-06 2022-12-27 Lg Electronics Inc. Solar cell panel
KR20180105838A (ko) * 2017-03-16 2018-10-01 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
WO2019050158A1 (ko) * 2017-09-11 2019-03-14 엘지전자 주식회사 화합물 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
US11749764B2 (en) 2017-09-11 2023-09-05 Shangrao Jinko Solar Technology Development Co Ltd Solar cell module and fabricating methods thereof

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