KR20150140589A - 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 장치 및 프로세스 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 장치 및 프로세서에 관한 것이다. 이 장치는 도가니 바닥 및 도가니 벽을 포함하는 도가니로서, 상기 도가니 바닥이 상면, 이면 및 상기 도가니 벽과 상기 도가니 바닥의 중앙 사이에 배치된 복수의 개구들을 가지며, 상기 도가니 바닥의 상기 상면과 상기 이면에 배치된 상승부들이 존재하는 것인 도가니와, 도가니 아래에 배치되며, 반도체 물질을 융용시키고 반도체 물질의 성장 결정을 덮는 반도체 물질의 용해물(melt)을 안정화시키기 위하여 제공되는 유도 가열 코일을 포함한다. 프로세스는 상기 도가니 바닥의 상기 상면에 반도체 물질 원료(feed)의 베드를 생성하고, 상기 유도 가열 코일을 이용하여 상기 베드의 반도체 물질을 용해시키는 단계를 포함한다.

Description

반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 장치 및 프로세스{APPARATUS AND PROCESS FOR PRODUCING A CRYSTAL OF SEMICONDUCTOR MATERIAL}
본 발명은 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 장치 및 프로세스에 관한 것이다.
이 장치는 도가니(crucible)와, 반도체 물질의 원료(feed)를 용해시키고 그리고 반도체 물질의 성장 결정을 덮는 반도체 물질의 용해물(melt)을 안정화시키기 위하여 제공되는 유도 가열 코일을 포함한다.
커다란 양의 반도체 물질이 요구되는데, 특히 실리콘은 전자식 구성요소들 또는 솔라 셀들의 제조를 위한 결정 형상에 있어서 요구된다. 결정들은 원형 단면, 직사각형 단면 또는 정사각형 단면의 단결정 또는 다결정 등급에 있어서 이용가능하다. 특히, US 2005/0188918 A1 및 EP 2692908 A1에는, 비원형 단면을 가지는 결정들의 제조가 설명된다.
원형 단면의 단결정들은 특히 CZ 프로세스 및 FZ 프로세스를 이용하여 산업 스케일로 제조된다. CZ 프로세스는 도가니 내에 함유되는 용해물 중에서 시드 결정으로부터 매달린 단결정을 끌어당기는 단계를 포함한다. 용해물은 반도체 물질의 청크를 가진 도가니를 충전하고, 상기 도가니 주위에 배치되는 저항 가열 수단을 이용하여 상기 청크를 용해시킴으로서 생성된다.
FZ 프로세스는 시드 결정과 원료봉 사이의 용해된 반도체 물질의 존을 생성하기 위하여 유도 가열 코일을 이용하는 단계를 포함한다. 유도 가열 코일은 중앙에 홀을 형성하는 코일 몸체를 구비하는 평평한 코일이며, 상기 홀은 임의의 직경을 가진다. 시드 결정 및 원료봉을 낮추면, 용융존을 원료봉으로 이동시키게 하며, 원료봉으로부터 용해된 반도체 물질은 시드 결정 상에서 결정화된다. 넥 섹션은 무전위(dislocation-free) 반도체 물질을 얻기 위하여 결정체를 생성하도록 초기에 허용된다. 반도체 물질의 단결정은 이후에 직경이 증가하는 원뿔 형상의 섹션을 형성하기 시작하여, 궁극적으로는 거의 일정한 직경의 원통형 섹션을 형성한다. 예를 들어 EP 2 679 706 A1에는 FZ 프로세스가 상세히 설명된다.
FZ 프로세스와 유사하지만 고체봉(solid rod) 대신에 반도체 물질 펠릿들의 원료를 사용한다는 점에서 상이한 프로세스들에 대하여 또한 설명한다. 이러한 프로세스들의 대표적인 예는, 단결정들 및 다결정들의 제조를 설명하는 US 5,367,981이다. 이들 프로세스들 중 임의의 것을 산업 스케일로 사용하는 것이 가능하다고 아직 증명되지 않았다. 이것에 대한 하나의 이유는 도가니 밖으로 용해물을 이송하는 것을 제어하기가 어렵다는 것이다.
본 발명의 목적은, 이를 개선하고, 반도체 물질로부터 결정들을 산업 스케일로 제조하기 위한 더 큰 잠재적인 유용성을 가진 장치 및 프로세스를 제안하는 것이다.
이 목적은 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 장치에 의해 달성되며, 이 장치는,
도가니 바닥 및 도가니 벽을 포함하는 도가니로서, 상기 도가니 바닥은 상면과 이면과 상기 도가니 벽과 도가니 바닥의 중앙 사이에 되는 복수의 개구들을 가지며, 상기 도가니 바닥의 상기 상면과 상기 이면에 배치되는 상승부들이 존재하는 것인 도가니와,
상기 도가니 아래에 배치되며, 반도체 물질을 용해시키고, 반도체 물질의 성장 결정을 덮는 반도체 물질의 용해물을 안정화시키기 위하여 제공되는 유도 가열 코일을 포함한다.
이 목적은 또한 반도체 물질의 결정을 제조하는 프로세스에 의해 달성되며, 이 프로세스는,
전술한 장치를 제공하는 단계와,
상기 도가니 바닥의 상면에 반도체 물질 원료의 베드를 생성하는 단계와,
상기 유도 가열 코일을 이용하여 상기 베드의 반도체 물질을 용해시키고, 용해된 반도체 물질을, 상기 도가니 바닥의 상면으로부터 상기 도가니 바닥의 개구들을 통하여 상기 도가니 바닥의 이면으로 채널링하여, 상기 도가니 바닥의 이면에서의 상승부들 아래에서, 반도체 물질의 성장 결정을 덮으며 용융존의 영역에 있는 용해물로까지 통과시키는 단계를 포함한다.
프로세스는 FZ 프로세스를 매우 많이 닮게 되도록 설계된다. 이에 따라서, FZ 프로세스와 비교된 차이로부터 발생하는 문제점은 사소하다. 도가니의 형상 및 구성은, 여기서 특정 역할을 행한다. 예를 들어, 유도 가열 코일의 중앙의 홀로 돌출되거나 유도 가열 코일 아래에 배치되며 상기 성장 결정을 덮는 용융존의 영역으로 돌출되는 도가니의 구성요소들이 존재하지 않는다. 원료로부터 용해된 반도체 물질이 상(phase) 경계로 흐르며, 여기서 결정은, 사용된 원료가 원료봉일 때 취해지는 경로와 유사한 경로를 취하면서 성장한다. 또한, 원료는 더스팅(dusting)이 제거되고, 용융존 진동 및 용해된 반도체 물질 분무가 피해지는 방식으로 제공된다. 사용된 도가니는 우선 비싸고 불편한 유지 보수를 요구하지 않고 재사용될 수 있다.
유용한 반도체 물질은, 특히 실리콘 또는 게르마늄 또는 이들의 혼합물을 포함한다. 반도체 재료가 실리콘일 때 특히 바람직하다. 반도체 채료는 펠릿 또는 청크의 형태로 또는 펠릿 및 청크의 혼합물의 형태로 사용되는 것이 바람직하다. 펠릿은 바람직하기로는 0.2 mm 이상 및 30 mm 미만의 평균 직경을 가진다. 그럼에도 불구하고 예컨대 펠릿 또는 청크와 함께 반도체 재료 더스트와 같은 반도체 물질의 더 작은 입자를 용해시키는 것이 또한 가능한다.
본 발명에 따라 제조된 결정은 바람직하게는 단결정 또는 다결정의 결정(다결정)이다. 특히 실리콘의 단결정이 선호된다. 본 발명에 따라 제조된 결정은 원형 단면, 직사각형 단면 또는 정사각형 단면을 가진다. 단면 형상은 본질적으로 성장 결정이 회전되는지 여부에 의존한다. 성장 결정이 FZ 프로세스에서 종래 방식으로 회전될 때, 단결정 또는 다결정일 수 있는 원형 단면의 결정이 형성된다. 회전이 생략될 때, 예를 들어 US 2005/0188918 A1 또는 EP 2692908 A1에 설명되는 바와 같이 용해된 반도체 물질을 결정화시킴으로써, 직사각형 단면 또는 정사각형 단면의 결정을 제조하는 것이 또한 가능하다
도가니는 도가니 벽에 의해 경계 지워지는 바람직하게는 원형 둘레를 가진 도가니 바닥을 가진다. 도가니 바닥의 직경은 바람직하게는 유도 가열 코일의 중앙의 홀의 직경보다 더 크다. 도가니 바닥에는 복수의 개구들이 제공된다. 개구들은 바람직하게는 원형 단면을 가진다. 개구들은 도가니 바닥을 수직으로 또는 경사방향으로 통과할 수 있다. 도가니를 경사방향으로 통과하는 경우에, 경사진 자세가 선호되며, 여기서 하향 방향에 있어서, 개구들의 수직축과 성장 결정의 수직축 사이의 거리는 도가니 바닥으로부터의 거리가 증가함에 따라서 증가한다. 개구들이 원형 단면을 가지는 경우, 개구들의 직경은 바람직하게는 0.5 mm 이상 15 mm 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.5 mm 이상 6 mm 이하이다.
도가니 바닥은 상면 및 이면을 가지며, 상면과 이면에 상승부들이 존재한다. 상승부들은 상면에 상향으로 그리고 이면에 하향으로 돌출하는 물질의 엠보스이다. 상승부들로 인하여, 도가니의 상면 및 이면은 평평하기 보다는 다소 구조화된다. 개구들은 바람직하게는 상승부들 사이에 배치된다. 상승부들은 바람직하게는 교차하지 않고 원형 패턴 또는 나선형 패턴을 형성하는 궤도(Trajectory)를 따라서 연장된다. 특히 도가니 바닥의 중앙을 중심으로 동심 원형의 패턴을 형성하는 궤도를 따라서 배치되는 상승부들이 선호된다. 그러나, 교차되고 예컨대 마름모형 패턴 또는 체크무늬 패턴을 형성하는 궤도가 또한 적합하다. 교차하지 않는 궤도를 따라 배치되는 인접한 상승부들의 중앙부들은, 이들 사이에 바람직하게는 2 mm 이상 15 mm 이하의 거리를 가지며, 더욱 바람직하게는 3 mm 이상 6 mm 이하의 거리를 가지는 것이 또한 선호된다. 상승부의 최고 포인트와 인접한 개구의 에지 사이의 높이 차는, 바람직하게는 0.1 mm 이상 5 mm 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.5 mm 이상 3 mm 이하이다.
도가니 바닥의 상면 및 이면의 외부 에지에서의 상승부들과 상기 도가니 바닥의 중앙에 방사상으로 더 가까운 대응하는 상승부들 사이에 경사(incline)가 존재하는 것이 바람직하다. 이러한 경사는 바람직하게는 1° 이상 45° 이하의 경사각을 가지며, 더욱 바람직하게는 1° 이상 5° 이하의 경사각을 가진다.
도가니 바닥의 중앙에서의 도가니 바닥의 이면에, 하향으로 돌출되며 유도 가열 코일의 중앙의 홀 위에 배치되는 돌출부가 존재하는 것이 바람직하다. 돌출부는 예컨댁 액적 형상을 가진다.
도가니 바닥의 상면 및 이면과 바람직하게는 도가니의 모든 다른 표면은, 액체 반도체 물질와의 접촉에 있어서 열적으로 안정하며, 액체 반도체 물질을 불순물에 의해 아주 조금 오염시키는 세라믹 물질로 구성된다. 도가니는 세라믹 물질로 덮히는 베이스 구조로 구성될 수 있다. 도가니는 또한 완전히 세라믹 물질로 구성될 수 있다. 베이스 구조에 대한 구성의 발생가능한 물질들은, 열적 안정성이 높고 예컨대 금속 및 탄소와 같은 세라믹 물질로 피복될 수 있는 내균열 물질이다. 특히 탄소의 베이스 구조들이 선호된다. 세라믹 물질은 바람직하게는 알루미늄 산화물(Al2O3), 질화 붕소(BN), 6붕화란탄(LaB6), 실리콘 탄화물(SiC), 실리콘 질화물(Si3N4), 산화 이트륨(Y2O3), 산화 지르코늄(ZrO2) 또는 석영(SiO2)과 같은 재료이다. 특히 실리콘 탄화물이 선호된다.
본 발명은 원형 단면을 가지는 실리콘의 단결정을 제조하는 예를 참조하여 더욱 상세하게 설명된다.
사용되는 원료는 펠릿의 형상 또는 청크의 형상 또는 펠릿과 청크의 혼합물의 형상의 실리콘이다. 펠릿은, 특히 유동층(fluidized bed)에서 생성된 다결정 실리콘의 입자이다. 펠릿은 바람직하게는 0.2 mm 이상 30 mm 이하의 평균 직경을 가진다. 청크는 예를 들어 다결정 실리콘의 바들을 분쇄함으로써 획득될 수 있다. 청크는 바람직하게는 0.2 mm 이상 30 mm 이하의 최대 세로 크기를 가진다. 원료는 도가니 내에 베드의 형상으로 제공된다. 베드는 바람직하게는 추가적인 원료량으로 보충된다. 보충된 량은 바람직하게는 단결정의 성장을 유지하기 위하여 용해되는 베드의 양에 대응한다. 보충될 양은 바람직하게는 추가적인 원료가 베드를 향하여 아래쪽으로 흐르도록 허용함으로써 제공된다. 원료 및 추가적인 원료는, 실리콘뿐만 아니라 하나 이상의 전기적으로 능동적인 도펀트를 포함할 수 있다.
발명자들은 상승부들이 액체 실리콘의 이송을 용이하게 하기 위하여 필요하다는 것을 발견하였다. 상승부들이 생략되면 액체 실리콘의 이송을 손상시킨다. 이것의 이유는 액체 실리콘에 의한 도가니 바닥의 물질의 적당한 습윤성 때문이다. 평평한 도가니 바닥을 이용하면 어떤 흘러가려는 성향을 거의 나타내지 않는 액체 실리콘의 서서히 이동하는 아일랜드를 형성한다. 도가니 바닥의 상면 및 이면의 구조화는 액체 실리콘의 흐름 거동을 명료하게 개선시킨다. 아일랜드의 형성은 더 이상 관찰되지 않는다. 상면에서, 융해된 실리콘은 개구들을 통하여 흐르고, 또한 상승부들 위에 흐른다. 도가니 바닥의 이면에 도달하며, 도가니 바닥의 중앙부에 대하여 비교적 큰 방사상 거리에 있는 융해된 실리콘이 안쪽으로 흐르는 비율은, 도가니 바닥의 이면의 중앙에서의 돌출부에 도달하고, 용융존 넥으로도 알려진 용융 존의 영역, 이 영역에서의 용융 존의 직경이 감소되기 때문에, 이 영역에 도달하기 위하여 상승부들 아래를 통과하여, 초기에는 표면 장력에 의해 도가니 바닥에 근접하여 유지된다.
용해된 물질이 용융 존 넥에 도달하는 방식은 기본적으로 FZ 프로세스와는 다르지 않다. 도가니 바닥의 이면과 원료봉의 바닥 끝 측부는 매우 유사하다. 양쪽 표면은 비교가능한 토포그래피를 가지며, 이에 따라서 이들 표면 위에 용융 존 넥까지 흐르는 용해된 실리콘은 유사한 거동을 나타낸다.
도가니 바닥의 상면 상의 원료의 베드는, 바람직하게는 용융존이 형성되기 이전에 생성된다. 특히 원뿔형 베드를 형성하기 위하여 상면에 원료를 적층하는 것이 선호된다. 베드는 필요에 따라서 추가적인 원료로 보충되고, 바람직하게는 추가적인 원료가 베드를 향하여 아래쪽으로 흐르게 함으로써 보충된다. 이를 위하여, 추가적인 원료로 충전된 파이프는 베드에 대향하여 유지되고, 따라서 추가적인 원료는 자유 낙하 거리를 극복하지 않고도 베드에 도달할 수 있다.
단결정은 도가니를 회전시킴으로써 제조되는 반면에 보충을 위한 추가적인 원료를 포함하는 파이프는 바람직하게는 정지된 상태로 남겨진다. 도가니 회전의 회전 감지는 성장하는 단결정이 회전중이라는 회전의 감지와 일치될 수 있다. 도가니 및 단결정은 또한 역회전될 수 있다. 단결정의 교대 회전 또는 단결정 및 도가니의 교대 회전을 제공하는 것이 또한 가능한다. 교대 회전은 시간 간격에서의 회전의 감지를 역전시키는 것을 포함한다.
도가니가 처음 사용될 때, 도가니 바닥의 상면에 베드를 생성하는 경우에, 개구들이 원료에 의해 폐쇄되는 것을 보증하기 위하여 주의해야 한다. 이는 유리하게도 도가니 바닥을 덮는 적어도 베드의 제1 층이 개구들을 통하여 떨어지기에는 너무도 큰 펠릿 또는 청크로 구성되어 있음을 보증함으로써 달성된다. 이러한 측정은, 개구들이 고체화된 잔류 용해물에 의해 이미 폐쇄되기 때문에 사용된 도가니를 재사용할 때는 필요하지 않다.
도가니 아래에 배치되는 유도 가열 코일은, 베드로부터의 원료를 서서히 용해시키는데 이용된다. 원료는 그것의 전기적 도전성을 증가시키기 위하여 전기적으로 능동적인 도펀트로 도핑될 수 있다.
실리콘은 진행중인 단결정의 결정체를 얻기 위하여 초기에 용해된다. 용해된 실리콘은 도가니 바닥의 이면의 중앙으로부터 하향으로 돌출되는 돌출부에서 수집된다. 시드 결정이 돌출부와 접촉되며, 넥 섹션이 결정화된다. 넥 섹션 상에 성장하는 단결정을 위하여 그리고 그 단결정의 결정화를 위하여 요구되는 실리콘의 양은 원료로부터 서서히 사라지고, 원료는 유도 가열 코일을 이용하여 베드로서 도가니 바닥의 상면에 배치된다. 베드의 체적은, 보상을 위하여, 추가적인 원료가 베드를 보충하기 위하여 튜브 밖으로 흐르기 때문에, 거의 일정하게 남겨진다. 성장하는 단결정의 원통형 섹션이 원하는 길이에 도달할 때, 다른 원뿔 형상의 단부 섹션이 결정화되도록 허용된다. 일단 유도 가열 코일이 스위치 오프되고 단결정이 제거되면, 도가니 바닥의 상면 및 이면을 습윤시키는 용해된 실리콘이 고체화된다. 그 후, 도가니는 우선 유지보수 요구없이 재사용될 수 있는 상태에 있다. 동일하게, 추가적인 원료를 이용한 보충이 중단될 수 있고, 도가니 바닥의 상면에서의 원료가 본질적으로 고갈되었을 때 단결정의 성장이 종료된다. 그 후, 도가니는 미사용 상태와 유사한 상태에 있다.
본 발명의 일 실시형태를 도면들을 참조하여 이하에 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 장치의 개략적인 단면도를 나타낸다.
도 2 는 도 1에 따른 도가니의 사시도를 나타낸다.
도 1은 결정이 성장되는 시점에서의 바람직하게 구성된 도가니(1)를 가지는 장치를 나타낸다. 용융 존은 성장 결정을 덮는 영역(2), 넥 영역(3) 및 도가니 바닥(5)에 근접하는 영역(4)으로 구성된다. 용융존의 넥 영역(3)은 유도 가열 코일(7)의 중앙의 홀(6)을 통하여 연장된다. 유도 가열 코일은, 도가니(1)의 도가니 바닥(5)과 성장하는 결정을 덮는 용융존의 영역(2) 사이에 배치된다. 도가니(1)는 본질적으로 도가니 바닥(5)과 도가니 벽(8)으로 구성된다. 도가니 바닥(5)은, 상면(9) 및 이면(10)을 가지며, 복수의 개구(11)는 도가니 벽(8)과 도가니 바닥의 중앙 사이에 배치되며, 도가니 바닥(5)을 관통한다. 도가니 바닥(5)의 상면(9) 및 이면(10)은 이들에 배치되는 상승부(12)를 가진다. 개구(11)들은 상승부(12)들 사이에 배치된다. 도가니 바닥(5)의 이면(10)에서의 도가니 바닥(5)의 중앙에 있어서, 하향으로 돌출되는 돌출부(13)가 배치된다. 도가니 바닥의 상면(9)은, 원뿔형의 베드(14)를 형성하기 위하여 상면 위에 적층된 고체 반도체 물질의 원료를 가진다. 원뿔형 베드(14)에 가까이에 떠받처지며 추가적인 원료로 보충하기 위한 디바이스가 존재하며, 상기 디바이스는 추가적인 원료(16)로 충전된 파이프(15)를 포함한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 도가니(1)는 도가니 바닥(5)의 중앙 주위의 동심원들의 패턴을 형성하는 궤도를 따라서 연장되는 상승부들(12)을 가진다. 인접한 상승부들의 중앙부들은 이들 사이에 일정한 거리를 가진다.

Claims (12)

  1. 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 장치에 있어서,
    도가니 바닥(bottom) 및 도가니 벽을 포함하는 도가니로서, 상기 도가니 바닥은, 상면, 이면(underside), 및 상기 도가니 벽과 상기 도가니 바닥의 중앙 사이에 배치되는 복수의 개구들을 가지며, 상기 도가니 바닥의 상기 상면과 상기 이면에 배치되는 상승부들(elevations)이 존재하는 것인 도가니와,
    상기 도가니 아래에 배치되며, 반도체 물질을 용해시키고, 반도체 물질의 성장 결정을 덮는 반도체 물질의 용해물(melt)을 안정화시키기 위하여 제공되는 유도 가열 코일
    을 포함하는 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 상승부들은, 원형 패턴, 나선형 패턴, 마름모형 패턴 또는 체크 무늬 패턴을 형성하는 궤도(trajectory)들에 따라서 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 장치.
  3. 제2항에 있어서, 교차하지 않는 궤도들을 따라서 배치되는 인접한 상승부들의 중앙부들(middles)은, 이들 사이에 2 mm 이상 15 mm 이하의 거리를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도가니 바닥의 중앙에서의 상기 도가니 바닥의 이면에는, 하향으로 돌출되며 상기 유도 가열 코일의 중앙의 홀 위에 배치되는 돌출부(projection)가 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도가니 바닥의 상기 상면 및 상기 이면은 세라믹 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 장치.
  6. 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 프로세스에 있어서,
    제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 장치를 제공하는 단계와,
    상기 도가니 바닥의 상면에 반도체 물질 원료(feed)의 베드(bed)를 생성하는 단계와,
    상기 유도 가열 코일을 이용하여 상기 베드의 반도체 물질을 용해시키고, 용해된 반도체 물질을, 상기 도가니 바닥의 상면으로부터 상기 도가니 바닥에서의 개구들을 통하여 상기 도가니 바닥의 이면으로 채널링하여, 상기 도가니 바닥의 이면에서의 상기 상승부들 아래에, 반도체 물질의 성장 결정을 덮으며 용융존의 영역에 있는 용해물로까지 통과시키는 단계를 포함하는 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 프로세스.
  7. 제6항에 있어서, 베드의 반도체 물질을 용해시키기 이전에, 상기 도가니 바닥에서의 개구들은 상기 베드의 반도체 물질 또는 고체화된 반도체 물질로 폐쇄(block)되는 것을 특징으로 하는 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 프로세스.
  8. 제6항에 있어서, 상기 생성된 반도체 물질 원료의 베드는, 반도체 물질의 펠릿(pellet) 또는 반도체 물질의 청크(chunk) 또는 반도체 물질의 펠릿 및 청크의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 프로세스.
  9. 제6항에 있어서, 상기 베드는, 추가적인 원료가 상기 베드를 향하여 아래로 흐르도록 허용함으로써, 추가적인 원료로 보충(replenish)되는 것을 특징으로 하는 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 프로세스.
  10. 제6항에 있어서, 상기 반도체 물질은 실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 프로세스.
  11. 제6항에 있어서, 상기 결정은 단결정 또는 다결정인 것을 특징으로 하는 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 프로세스.
  12. 제6항에 있어서, 상기 결정은 원형 단면, 직사각형 단면 또는 정사각형 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 프로세스.
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