KR20150135253A - Resin sheet for electronic device sealing and production method for electronic device package - Google Patents

Resin sheet for electronic device sealing and production method for electronic device package Download PDF

Info

Publication number
KR20150135253A
KR20150135253A KR1020157023966A KR20157023966A KR20150135253A KR 20150135253 A KR20150135253 A KR 20150135253A KR 1020157023966 A KR1020157023966 A KR 1020157023966A KR 20157023966 A KR20157023966 A KR 20157023966A KR 20150135253 A KR20150135253 A KR 20150135253A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin sheet
resin
group
electronic device
curing
Prior art date
Application number
KR1020157023966A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
에이지 도요다
유사쿠 시미즈
츠요시 이시자카
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20150135253A publication Critical patent/KR20150135253A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

시트 두께가 두껍고, 또한 아웃 가스량이 저감된 수지 시트를 제공한다.
두께가 100 ∼ 2000 ㎛ 이고, 150 ℃ 에서 1 시간 경화시켰을 때 발생하는 가스량이 500 ppm 이하인 전자 디바이스 봉지용 수지 시트에 관한 것이다. Provided is a resin sheet having a thick sheet and a reduced outgassing amount.
A resin sheet for encapsulating electronic devices having a thickness of 100 to 2,000 mu m and an amount of gas generated when cured at 150 DEG C for 1 hour is 500 ppm or less.

Description

전자 디바이스 봉지용 수지 시트 및 전자 디바이스 패키지의 제조 방법{RESIN SHEET FOR ELECTRONIC DEVICE SEALING AND PRODUCTION METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE PACKAGE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a resin sheet for encapsulating an electronic device,

본 발명은 전자 디바이스 봉지용 수지 시트 및 전자 디바이스 패키지의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a resin sheet for encapsulating electronic devices and a method of manufacturing an electronic device package.

전자 디바이스 패키지의 제작에는, 대표적으로, 기판 등에 고정된 1 또는 복수의 전자 디바이스를 봉지 수지로 봉지하고, 필요에 따라 봉지체를 전자 디바이스 단위의 패키지가 되도록 다이싱한다는 순서가 채용되고 있다. 이와 같은 봉지 수지로서 시트상의 봉지 수지가 사용되고 있는 경우가 있다.Typically, one or a plurality of electronic devices fixed on a substrate or the like is sealed with an encapsulating resin, and dicing is performed so that the encapsulation body becomes a package of an electronic device unit, if necessary. A sheet-like encapsulating resin may be used as such an encapsulating resin.

예를 들어, 특허문헌 1 에서는, 바니시를 필름 상에 도포하고, 이어서 도포막을 건조시킴으로써 수지 시트를 형성하는 것이 기재되어 있다. For example, in Patent Document 1, a varnish is applied on a film, and then a coated film is dried to form a resin sheet.

일본 공개특허공보 2006-19714호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-19714

특허문헌 1 과 같은 수지 시트의 제작 방법 (용제 도공) 에서는, 바니시 조제할 때에 용제를 사용한다. 용제가 수지 시트에 잔존되면, 열경화시나 땜납 리플로시의 가열에 의해 용제가 휘발되고, 아웃 가스가 발생된다. 용제 도공에 의해 제작한 수지 시트로부터 용제를 충분히 휘발시키는 것은 어렵고, 시트 두께가 두꺼운 수지 시트에서는 특히 어렵다.In the production method of a resin sheet (solvent coating) as in Patent Document 1, a solvent is used in preparing a varnish. When the solvent remains on the resin sheet, the solvent is volatilized by heating during the thermal curing or during the solder reflow, and outgas is generated. It is difficult to sufficiently volatilize the solvent from the resin sheet produced by coating the solvent, and it is particularly difficult in the resin sheet having a large sheet thickness.

본 발명은 상기 과제를 해결하여, 시트 두께가 두껍고, 또한 아웃 가스량이 저감된 수지 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to solve the above problems and provide a resin sheet having a thick sheet and a reduced outgassing amount.

본 발명은, 두께가 100 ∼ 2000 ㎛ 이고, 150 ℃ 에서 1 시간 경화시켰을 때 발생하는 가스량이 500 ppm 이하인 전자 디바이스 봉지용 수지 시트에 관한 것이다.The present invention relates to a resin sheet for encapsulating electronic devices having a thickness of 100 to 2,000 mu m and an amount of gas generated when cured at 150 DEG C for 1 hour is 500 ppm or less.

종래, 두께가 상기 범위 내인 수지 시트에서는 경화시킬 때 발생하는 가스량을 저감시키는 것은 곤란했지만, 본 발명의 수지 시트에서는 경화시의 아웃 가스량이 저감되어 있고, 당해 아웃 가스에서 기인된 전자 디바이스의 부식이나 오작동을 저감시킬 수 있다.Conventionally, it has been difficult to reduce the amount of gas generated during curing in a resin sheet having a thickness within the above range. However, in the resin sheet of the present invention, the amount of outgassing at the time of curing is reduced, Malfunction can be reduced.

150 ℃ 에서 1 시간, 상기 전자 디바이스 봉지용 수지 시트를 경화시켜 얻어진 경화물의 1 ％ 중량 감소 온도가 260 ℃ 이상인 것이 바람직하다. 260 ℃ 이상이면, 수지 시트 중의 휘발 성분량이 저감되어 있고, 땜납 리플로시에 발생하는 가스 (아웃 가스) 량이 저감된다.It is preferable that the 1% weight reduction temperature of the cured product obtained by curing the resin sheet for encapsulating an electronic device at 150 DEG C for 1 hour is 260 DEG C or more. At 260 占 폚 or more, the amount of volatile components in the resin sheet is reduced, and the amount of gas (out gas) generated at the time of solder reflow is reduced.

150 ℃ 에서 1 시간, 상기 전자 디바이스 봉지용 수지 시트를 경화시켜 얻어진 경화물을, 40 ℃ 에서 260 ℃ 까지 승온 속도 10 ℃/분으로 승온시키고, 이어서 260 ℃ 에서 1 분간 가열했을 때 발생하는 가스량이 500 ppm 이하인 것이 바람직하다. 당해 가스량의 전제인 가열 조건은, 땜납 리플로 프로파일을 상정한 것이다. 당해 가스량이 500 ppm 이하이면, 땜납 리플로시에 발생하는 가스 (아웃 가스) 량이 저감된다.The cured product obtained by curing the resin sheet for encapsulating an electronic device at 150 ° C for 1 hour was heated from 40 ° C to 260 ° C at a heating rate of 10 ° C / minute and then heated at 260 ° C for 1 minute, And is preferably 500 ppm or less. The heating condition, which is the premise of the amount of the gas, assumes a solder reflow profile. When the amount of the gas is 500 ppm or less, the amount of gas (out gas) generated at the time of solder reflow is reduced.

본 발명은 또한 1 또는 복수의 전자 디바이스를 덮도록 상기 전자 디바이스 봉지용 수지 시트를 상기 전자 디바이스 상에 적층하는 적층 공정, 및 상기 전자 디바이스 봉지용 수지 시트를 경화시켜 봉지체를 형성하는 봉지체 형성 공정을 포함하는 전자 디바이스 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention also relates to a lamination process for laminating the electronic device encapsulating resin sheet on the electronic device so as to cover one or a plurality of electronic devices, To a method of manufacturing an electronic device package.

도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 수지 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2a 는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 디바이스 패키지의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 2b 는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 디바이스 패키지의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 2c 는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 디바이스 패키지의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 나타내는 도면이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a resin sheet according to an embodiment of the present invention.
2A is a diagram schematically showing a process of a method of manufacturing an electronic device package according to an embodiment of the present invention.
2B is a diagram schematically showing a process of a method of manufacturing an electronic device package according to an embodiment of the present invention.
2C is a diagram schematically showing a process of a method of manufacturing an electronic device package according to an embodiment of the present invention.

이하에 실시형태를 게재하여 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들의 실시형태에만 한정되는 것은 아니다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail by showing embodiments, but the present invention is not limited to these embodiments.

[전자 디바이스 봉지용 수지 시트][Resin sheet for encapsulating electronic device]

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 수지 시트 (11) 를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 수지 시트 (11) 는, 대표적으로 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 등의 지지체 (11a) 상에 적층된 상태로 제공된다. 또한, 지지체 (11a) 에는 수지 시트 (11) 의 박리를 용이하게 실시하기 위해서 이형 처리가 실시되어 있어도 된다.1 is a cross-sectional view schematically showing a resin sheet 11 according to an embodiment of the present invention. The resin sheet 11 is typically provided in a state of being laminated on a support 11a such as a polyethylene terephthalate (PET) film. The support 11a may be subjected to mold releasing treatment to easily peel the resin sheet 11 therefrom.

수지 시트 (11) 의 두께는 비교적 두껍고, 구체적으로는 100 ∼ 2000 ㎛ 이다. 종래, 두께가 상기 범위 내인 수지 시트에서는 아웃 가스량을 저감시키는 것은 곤란했지만, 수지 시트 (11) 에서는 아웃 가스량이 저감되어 있다. 수지 시트 (11) 의 두께는 150 ㎛ 이상이 바람직하다. 한편, 수지 시트 (11) 의 두께는 1000 ㎛ 이하가 바람직하다.The thickness of the resin sheet 11 is relatively thick, specifically 100 to 2,000 mu m. Conventionally, it has been difficult to reduce the amount of outgas in the resin sheet having a thickness within the above range, but the amount of outgas is reduced in the resin sheet 11. The thickness of the resin sheet 11 is preferably 150 mu m or more. On the other hand, the thickness of the resin sheet 11 is preferably 1000 占 퐉 or less.

수지 시트 (11) 는, 150 ℃ 에서 1 시간 경화시켰을 때 발생하는 가스 (아웃 가스) 량이 500 ppm 이하이고, 바람직하게는 300 ppm 이하이다. 500 ppm 이하이므로, 경화시의 아웃 가스량이 저감되어 있고, 당해 아웃 가스에서 기인된 전자 디바이스의 부식이나 오작동을 저감시킬 수 있다. 한편, 150 ℃ 에서 1 시간 경화시켰을 때 발생하는 가스량의 하한은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 30 ppm 이상이다.The amount of gas (out gas) generated when the resin sheet 11 is cured at 150 DEG C for one hour is 500 ppm or less, preferably 300 ppm or less. The amount of outgassing at the time of curing is reduced, and the corrosion and malfunction of the electronic device caused by the outgas can be reduced. On the other hand, the lower limit of the amount of gas generated when curing at 150 占 폚 for one hour is not particularly limited, and is, for example, 30 ppm or more.

150 ℃ 에서 1 시간 경화시켰을 때 발생하는 가스량은, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.The amount of gas generated when curing at 150 占 폚 for 1 hour can be measured by the method described in the examples.

150 ℃ 에서 1 시간, 수지 시트 (11) 를 경화시켜 얻어진 경화물의 1 ％ 중량 감소 온도가 260 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 300 ℃ 이상인 것이 바람직하다. 260 ℃ 이상이면, 수지 시트 (11) 중의 휘발 성분량이 저감되어 있고, 땜납 리플로시에 발생하는 가스 (아웃 가스) 량이 저감된다. 150 ℃ 에서 1 시간, 수지 시트 (11) 를 경화시켜 얻어진 경화물의 1 ％ 중량 감소 온도의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 500 ℃ 이하이다.The 1% weight reduction temperature of the cured product obtained by curing the resin sheet 11 at 150 占 폚 for 1 hour is preferably 260 占 폚 or higher and is preferably 300 占 폚 or higher. At 260 占 폚 or more, the amount of volatile components in the resin sheet 11 is reduced, and the amount of gas (out gas) generated at the time of solder reflow is reduced. The upper limit of the 1% weight reduction temperature of the cured product obtained by curing the resin sheet 11 at 150 ° C for 1 hour is not particularly limited, but is, for example, 500 ° C or less.

150 ℃ 에서 1 시간, 수지 시트 (11) 를 경화시켜 얻어진 경화물의 1 ％ 중량 감소 온도는, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.The 1% weight reduction temperature of the cured product obtained by curing the resin sheet 11 at 150 占 폚 for 1 hour can be measured by the method described in the examples.

150 ℃ 에서 1 시간 수지 시트 (11) 를 경화시켜 얻어진 경화물을, 40 ℃ 에서 260 ℃ 까지 승온 속도 10 ℃/분으로 승온시키고, 이어서 260 ℃ 에서 1 분간 가열했을 때 발생하는 가스량이 500 ppm 이하인 것이 바람직하다. 당해 가스량의 전제인 가열 조건은, 땜납 리플로 프로파일을 상정한 것이다. 당해 가스량이 500 ppm 이하이면, 땜납 리플로시에 발생하는 가스 (아웃 가스) 량이 저감된다. 하한은 특별히 한정되지 않지만 30 ppm 이상이다.The cured product obtained by curing the resin sheet 11 at 150 占 폚 for 1 hour is heated from 40 占 폚 to 260 占 폚 at a heating rate of 10 占 폚 per minute and then heated at 260 占 폚 for 1 minute to an amount of gas of 500 ppm or less . The heating condition, which is the premise of the amount of the gas, assumes a solder reflow profile. When the amount of the gas is 500 ppm or less, the amount of gas (out gas) generated at the time of solder reflow is reduced. The lower limit is not particularly limited, but is 30 ppm or more.

150 ℃ 에서 1 시간 수지 시트 (11) 를 경화시켜 얻어진 경화물을, 40 ℃ 에서 260 ℃ 까지 승온 속도 10 ℃/분으로 승온시키고, 이어서 260 ℃ 에서 1 분간 가열했을 때 발생하는 가스량은, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.The amount of gas generated when the cured product obtained by curing the resin sheet 11 at 150 ° C for 1 hour was heated from 40 ° C to 260 ° C at a heating rate of 10 ° C / minute and then heated at 260 ° C for 1 minute, And the like.

수지 시트 (11) 의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 후술하는 각 성분의 혼련물을 조제하고, 얻어진 혼련물을 시트상으로 소성 가공하는 방법이 바람직하다. 이로써, 용제를 사용하지 않고 수지 시트 (11) 를 제작할 수 있으므로, 아웃 가스량을 저감시킬 수 있다. 또, 용제 도공에 의해 시트 두께가 두꺼운 수지 시트 (11) 를 제작하기 위해서는, 복수의 용제 도공제 수지 시트를 적층할 필요가 있지만, 이것에 의하면 적층하지 않고 수지 시트 (11) 를 제작할 수 있다 (일괄로 수지 시트 (11) 를 제작할 수 있다). 따라서, 층간 박리의 우려가 없다. 시트 두께의 균일성도 높일 수 있다. 또, 적층하는 경우에 비해 표면적이 작기 때문에, 저흡습화를 달성할 수 있어, 결과적으로 아웃 가스량을 저감시킬 수 있다.The production method of the resin sheet 11 is not particularly limited, but it is preferable to prepare a kneaded product of each component to be described later, and subject the resulting kneaded product to a sintering process in a sheet form. Thereby, the resin sheet 11 can be manufactured without using a solvent, so that the amount of outgas can be reduced. Further, in order to produce a resin sheet 11 having a thick sheet thickness by solvent coating, it is necessary to laminate a plurality of resin coatings for resin coating with a solvent, but according to this, the resin sheet 11 can be manufactured without stacking The resin sheet 11 can be produced collectively). Therefore, there is no fear of delamination. The uniformity of the sheet thickness can also be increased. In addition, since the surface area is smaller than that in the case of lamination, low moisture absorption can be achieved, and as a result, the amount of outgas can be reduced.

구체적으로는, 후술하는 각 성분 (예를 들어, 에폭시 수지, 페놀 수지, 열가소성 수지, 무기 충전재 및 경화 촉진제 등) 을 믹싱 롤, 가압식 니더, 압출기 등의 공지된 혼련기로 용융 혼련함으로써 혼련물을 조제하고, 얻어진 혼련물을 시트상으로 소성 가공한다. 혼련 조건으로서, 온도는 상기 서술한 각 성분의 연화점 이상인 것이 바람직하고, 예를 들어 30 ∼ 150 ℃, 에폭시 수지의 열경화성을 고려하면, 바람직하게는 40 ∼ 140 ℃, 더욱 바람직하게는 60 ∼ 120 ℃ 이다. 시간은, 예를 들어 1 ∼ 30 분간, 바람직하게는 5 ∼ 15 분간이다.Concretely, the kneaded product is melt-kneaded by a known kneading machine such as a mixing roll, a pressurized kneader, an extruder or the like by kneading each component described below (for example, epoxy resin, phenol resin, thermoplastic resin, inorganic filler and curing accelerator) And the obtained kneaded product is subjected to sintering processing into a sheet. As the kneading conditions, the temperature is preferably at least the softening point of each of the above-described components. For example, considering the thermosetting property of the epoxy resin, it is preferably 40 to 140 캜, more preferably 60 to 120 캜 to be. The time is, for example, 1 to 30 minutes, preferably 5 to 15 minutes.

혼련은, 감압 조건하 (감압 분위기하) 에서 실시하는 것이 바람직하다. 이로써, 탈기할 수 있음과 함께, 혼련물로의 기체의 침입을 방지할 수 있고, 그 결과 아웃 가스량을 저감시킬 수 있다. 감압 조건하의 압력은, 바람직하게는 0.1 kg/㎠ 이하, 보다 바람직하게는 0.05 kg/㎠ 이하이다. 0.1 kg/㎠ 이하이면, 아웃 가스량을 양호하게 저감시킬 수 있다. 감압하의 압력의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 1 × 10-4 kg/㎠ 이상이다.The kneading is preferably carried out under reduced pressure (in a reduced pressure atmosphere). As a result, it is possible to degas and to prevent the ingress of gas into the kneaded product, and as a result, the amount of outgas can be reduced. The pressure under the reduced pressure condition is preferably 0.1 kg / cm 2 or less, more preferably 0.05 kg / cm 2 or less. If it is 0.1 kg / cm 2 or less, the amount of outgas can be reduced favorably. The lower limit of the pressure under reduced pressure is not particularly limited, but is, for example, 1 x 10-4 kg / cm2 or more.

용융 혼련 후의 혼련물은, 냉각하지 않고 고온 상태인 채로 소성 가공하는 것이 바람직하다. 소성 가공 방법으로는 특별히 제한되지 않고, 평판 프레스 법, T 다이 압출법, 스크루 다이 압출법, 롤 압연법, 롤 혼련법, 인플레이션 압출법, 공압출법, 캘린더 성형법 등을 들 수 있다. 소성 가공 온도로는 상기 서술한 각 성분의 연화점 이상이 바람직하고, 에폭시 수지의 열경화성 및 성형성을 고려하면, 예를 들어 40 ∼ 150 ℃, 바람직하게는 50 ∼ 140 ℃, 더욱 바람직하게는 70 ∼ 120 ℃ 이다.It is preferable that the kneaded product after melt-kneading is subjected to plastic working while keeping the high temperature state without cooling. The plastic working method is not particularly limited, and examples thereof include a flat press method, a T die extrusion method, a screw die extrusion method, a roll rolling method, a roll kneading method, an inflation extrusion method, a co-extrusion method and a calender molding method. The plastic working temperature is preferably not less than the softening point of each of the above-described components. In consideration of the thermosetting property and the moldability of the epoxy resin, the plastic working temperature is, for example, 40 to 150 캜, preferably 50 to 140 캜, 120 ° C.

수지 시트 (11) 는, 단층 구조여도 되고, 2 이상의 수지 시트를 적층한 다층 구조여도 되지만, 층간 박리의 우려가 없고, 시트 두께의 균일성이 높으며, 저흡습화하기 쉽다는 이유에서 단층 구조가 바람직하다.The resin sheet 11 may have a single-layer structure or a multi-layer structure in which two or more resin sheets are laminated. However, the resin sheet 11 is free from the risk of delamination, has high uniformity of sheet thickness, desirable.

다음으로, 수지 시트 (11) 의 조성에 대해 설명한다.Next, the composition of the resin sheet 11 will be described.

수지 시트 (11) 는 에폭시 수지, 및 페놀 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 이로써, 양호한 열경화성이 얻어진다.The resin sheet 11 preferably contains an epoxy resin and a phenolic resin. As a result, good thermosetting property can be obtained.

에폭시 수지로는, 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 트리페닐메탄형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 변성 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 변성 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 페녹시 수지 등의 각종 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지는 단독으로 사용해도 되고 2 종 이상 병용해도 된다.The epoxy resin is not particularly limited. Examples of the epoxy resin include triphenylmethane type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, modified bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, modified bisphenol F type epoxy resin, Various epoxy resins such as dicyclopentadiene type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin and phenoxy resin can be used. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.

에폭시 수지의 경화 후의 인성 및 에폭시 수지의 반응성을 확보하는 관점에서는, 에폭시 당량 150 ∼ 250, 연화점 혹은 융점이 50 ∼ 130 ℃ 인 상온에서 고형인 것이 바람직하고, 그 중에서도, 신뢰성의 관점에서, 트리페닐메탄형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.From the viewpoint of securing toughness after curing of the epoxy resin and reactivity of the epoxy resin, it is preferable that the epoxy resin is solid at room temperature having an epoxy equivalent of 150 to 250 and a softening point or melting point of 50 to 130 캜, Methane type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin and biphenyl type epoxy resin are more preferable.

페놀 수지는, 에폭시 수지와의 사이에 경화 반응을 발생시키는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 페놀 노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 비페닐아르알킬 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 크레졸 노볼락 수지, 레졸 수지 등이 사용된다. 이들 페놀 수지는 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 병용해도 된다.The phenol resin is not particularly limited as long as it generates a curing reaction with the epoxy resin. For example, phenol novolak resin, phenol aralkyl resin, biphenyl aralkyl resin, dicyclopentadiene type phenol resin, cresol novolak resin, resol resin and the like are used. These phenolic resins may be used alone or in combination of two or more.

페놀 수지로는, 에폭시 수지와의 반응성의 관점에서, 수산기 당량이 70 ∼ 250, 연화점이 50 ∼ 110 ℃ 인 것을 사용하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 경화 반응성이 높다는 관점에서, 페놀 노볼락 수지를 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 신뢰성의 관점에서, 페놀아르알킬 수지나 비페닐아르알킬 수지와 같은 저흡습성인 것도 바람직하게 사용할 수 있다.As the phenol resin, from the viewpoint of reactivity with the epoxy resin, those having a hydroxyl group equivalent of 70 to 250 and a softening point of 50 to 110 ° C are preferably used. Among them, from the viewpoint of high curing reactivity, phenol novolak resin Can be used. From the viewpoint of reliability, those having low hygroscopicity such as phenol aralkyl resin and biphenyl aralkyl resin can also be preferably used.

에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 경화 반응성이라는 관점에서, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1 당량에 대하여, 페놀 수지 중의 수산기의 합계가 0.7 ∼ 1.5 당량이 되도록 배합하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.9 ∼ 1.2 당량이다.The mixing ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that the total amount of the hydroxyl groups in the phenol resin is from 0.7 to 1.5 equivalents relative to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin from the viewpoint of the curing reactivity, 1.2 equivalents.

수지 시트 (11) 중의 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은 2.0 중량％ 이상이 바람직하고, 3.0 중량％ 이상이 보다 바람직하다. 2.0 중량％ 이상이면, 전자 디바이스, 기판 등에 대한 접착력이 양호하게 얻어진다. 수지 시트 (11) 중의 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은 20 중량％ 이하가 바람직하고, 10 중량％ 이하가 보다 바람직하다. 20 중량％ 이하이면, 흡습성을 낮게 억제할 수 있다.The total content of the epoxy resin and the phenol resin in the resin sheet 11 is preferably 2.0 wt% or more, and more preferably 3.0 wt% or more. If it is 2.0% by weight or more, good adhesion to an electronic device, a substrate, and the like can be obtained. The total content of the epoxy resin and the phenol resin in the resin sheet 11 is preferably 20% by weight or less, more preferably 10% by weight or less. If it is 20% by weight or less, hygroscopicity can be suppressed to a low level.

수지 시트 (11) 는, 열가소성 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 이로써, 미경화 상태에서의 핸들링성, 경화물의 저응력성을 얻을 수 있다.The resin sheet 11 preferably contains a thermoplastic resin. As a result, the handling property in the uncured state and the low stress of the cured product can be obtained.

열가소성 수지로는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET 나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지, 스티렌-이소부틸렌-스티렌 블록 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 단독으로 또는 2 종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 저응력성, 저흡수성이라는 관점에서, 스티렌-이소부틸렌-스티렌 블록 공중합체가 바람직하다.Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, Polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins, fluororesins, styrene-isobutylene- And the like. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more. Among them, a styrene-isobutylene-styrene block copolymer is preferable from the viewpoint of low stress and low water absorption.

수지 시트 (11) 중의 열가소성 수지의 함유량은 1.0 중량％ 이상이 바람직하고, 1.5 중량％ 이상이 보다 바람직하다. 1.0 중량％ 이상이면, 유연성, 가요성이 얻어진다. 수지 시트 (11) 중의 열가소성 수지의 함유량은 3.5 중량％ 이하가 바람직하고, 3 중량％ 이하가 보다 바람직하다. 3.5 중량％ 이하이면, 전자 디바이스나 기판과의 접착성을 높일 수 있다.The content of the thermoplastic resin in the resin sheet (11) is preferably 1.0 wt% or more, more preferably 1.5 wt% or more. If it is 1.0% by weight or more, flexibility and flexibility are obtained. The content of the thermoplastic resin in the resin sheet (11) is preferably 3.5 wt% or less, and more preferably 3 wt% or less. If it is less than 3.5% by weight, adhesiveness to the electronic device and the substrate can be enhanced.

수지 시트 (11) 는 무기 충전재를 함유하는 것이 바람직하다.The resin sheet 11 preferably contains an inorganic filler.

무기 충전재는 특별히 한정되는 것이 아니고, 종래 공지된 각종 충전제를 사용할 수 있고, 예를 들어, 석영 유리, 탤크, 실리카 (용융 실리카나 결정성 실리카 등), 알루미나, 질화알루미늄, 질화규소, 질화붕소의 분말을 들 수 있다. 이것들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 병용해도 된다. 그 중에서도, 선팽창 계수를 양호하게 저감시킬 수 있다는 이유에서 실리카, 알루미나가 바람직하고, 실리카가 보다 바람직하다.The inorganic filler is not particularly limited and various conventionally known fillers can be used. For example, quartz glass, talc, silica (fused silica or crystalline silica), alumina, aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride powder . These may be used alone or in combination of two or more. Among them, silica and alumina are preferable, and silica is more preferable because the coefficient of linear expansion can be satisfactorily reduced.

실리카로는, 실리카 분말이 바람직하고, 용융 실리카 분말이 보다 바람직하다. 용융 실리카 분말로는, 구상 용융 실리카 분말, 파쇄 용융 실리카 분말을 들 수 있지만, 유동성이라는 관점에서, 구상 용융 실리카 분말이 바람직하다. 그 중에서도, 평균 입경이 10 ∼ 30 ㎛ 의 범위인 것이 바람직하고, 15 ∼ 25 ㎛ 의 범위인 것이 보다 바람직하다.As the silica, a silica powder is preferable, and a fused silica powder is more preferable. As the fused silica powder, there may be mentioned spherical fused silica powder and crushed fused silica powder, but from the viewpoint of flowability, spherical fused silica powder is preferable. Among them, the average particle diameter is preferably in the range of 10 to 30 mu m, more preferably 15 to 25 mu m.

또한, 평균 입경은, 예를 들어, 모집단으로부터 임의로 추출되는 시료를 사용하여, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치를 사용하여 측정함으로써 도출할 수 있다.The average particle diameter can be determined by, for example, using a sample extracted arbitrarily from the population and measuring it using a laser diffraction scattering particle size distribution measuring apparatus.

수지 시트 (11) 중의 무기 충전재의 함유량은 바람직하게는 70 체적％ 이상이고, 보다 바람직하게는 74 체적％ 이상이다. 70 체적％ 이상이면, 선팽창 계수를 낮게 설계할 수 있다. 한편, 무기 충전재의 함유량은 바람직하게는 90 체적％ 이하이고, 보다 바람직하게는 85 체적％ 이하이다. 90 체적％ 이하이면, 유연성, 유동성, 접착성이 양호하게 얻어진다.The content of the inorganic filler in the resin sheet 11 is preferably 70 vol% or more, and more preferably 74 vol% or more. When it is 70 vol% or more, the coefficient of linear expansion can be designed to be low. On the other hand, the content of the inorganic filler is preferably 90% by volume or less, and more preferably 85% by volume or less. When the content is 90% by volume or less, flexibility, fluidity and adhesiveness are satisfactorily obtained.

무기 충전재의 함유량은, 「중량％」를 단위로 해도 설명할 수 있다. 대표적으로 실리카의 함유량에 대하여, 「중량％」를 단위로 하여 설명한다.The content of the inorganic filler can also be described in terms of "% by weight". Typically, the content of silica is described in terms of "% by weight".

실리카는 통상 비중 2.2 g/㎤ 이므로, 실리카의 함유량 (중량％) 의 바람직한 범위는 예를 들어 이하와 같다.Since the silica usually has a specific gravity of 2.2 g / cm 3, a preferable range of the content (% by weight) of silica is, for example, as follows.

즉, 수지 시트 (11) 중의 실리카의 함유량은 81 중량％ 이상이 바람직하고, 84 중량％ 이상이 보다 바람직하다. 수지 시트 (11) 중의 실리카의 함유량은, 94 중량％ 이하가 바람직하고, 91 중량％ 이하가 보다 바람직하다.That is, the content of silica in the resin sheet 11 is preferably 81% by weight or more, more preferably 84% by weight or more. The content of silica in the resin sheet 11 is preferably 94% by weight or less, and more preferably 91% by weight or less.

알루미나는 통상 비중 3.9 g/㎤ 이므로, 알루미나의 함유량 (중량％) 의 바람직한 범위는 예를 들어 이하와 같다.Since the specific gravity of alumina is usually 3.9 g / cm 3, the preferable range of the content (wt%) of alumina is, for example, as follows.

즉, 수지 시트 (11) 중의 알루미나의 함유량은 88 중량％ 이상이 바람직하고, 90 중량％ 이상이 보다 바람직하다. 수지 시트 (11) 중의 알루미나의 함유량은 97 중량％ 이하가 바람직하고, 95 중량％ 이하가 보다 바람직하다.That is, the content of alumina in the resin sheet 11 is preferably 88% by weight or more, and more preferably 90% by weight or more. The content of alumina in the resin sheet 11 is preferably 97 wt% or less, and more preferably 95 wt% or less.

수지 시트 (11) 는, 경화 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다.The resin sheet 11 preferably contains a curing accelerator.

경화 촉진제로는, 에폭시 수지와 페놀 수지의 경화를 진행시키는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트 등의 유기 인계 화합물 ; 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸계 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 혼련시의 온도 상승에 의해서도 경화 반응이 급격하게 진행되지 않고, 수지 시트 (11) 를 양호하게 제작할 수 있다는 이유에서 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸이 바람직하다.The curing accelerator is not particularly limited as long as it accelerates the curing of the epoxy resin and the phenolic resin, and examples thereof include organic phosphorus compounds such as triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate; Imidazole compounds such as 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole. Among them, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole is preferable because the curing reaction does not progress rapidly even when the temperature rises at the time of kneading and the resin sheet 11 can be manufactured well .

경화 촉진제의 함유량은, 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 100 중량부에 대해 0.1 ∼ 5 중량부가 바람직하다.The content of the curing accelerator is preferably 0.1 to 5 parts by weight per 100 parts by weight of the total of the epoxy resin and the phenol resin.

수지 시트 (11) 는, 난연제 성분을 함유하는 것이 바람직하다. 이로써, 부품 쇼트나 발열 등에 의해 발화했을 때의 연소 확대를 저감시킬 수 있다. 난연제 조성분으로는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화철, 수산화칼슘, 수산화주석, 복합화 금속 수산화물 등의 각종 금속 수산화물 ; 포스파겐계 난연제 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 난연성, 경화 후의 강도가 우수하다는 이유에서 포스파겐계 난연제가 바람직하고, 식 (1) 또는 식 (2) 로 나타내는 화합물이 바람직하다.The resin sheet (11) preferably contains a flame retardant component. Thereby, it is possible to reduce the enlargement of the combustion when the component is ignited by a short-circuit or heat generation. Examples of the flame retardant composition include various metal hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, iron hydroxide, calcium hydroxide, tin hydroxide and complex metal hydroxide; And a phosphagen-based flame retardant. Among them, phosphazene-based flame retardants are preferred because of their excellent flame retardancy and strength after curing, and compounds represented by the formula (1) or (2) are preferred.

Figure pct00001
Figure pct00001

(식 중, R1 및 R2 는, 동일 혹은 상이하고, 알콕시기, 페녹시기, 아미노기, 수산기, 알릴기 또는 이들 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 갖는 1 가의 유기기를 나타낸다. x 는 3 ∼ 25 의 정수를 나타낸다.)(Wherein R 1 and R 2 are the same or different and each represents a monovalent organic group having at least one group selected from the group consisting of an alkoxy group, a phenoxy group, an amino group, a hydroxyl group, an allyl group, Represents an integer of 3 to 25.)

Figure pct00002
Figure pct00002

(식 중, R3 및 R5 는, 동일 혹은 상이하고, 알콕시기, 페녹시기, 아미노기, 수산기, 알릴기 또는 이들 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 갖는 1 가의 유기기를 나타낸다. R4 는, 알콕시기, 페녹시기, 아미노기, 수산기 및 알릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 갖는 2 가의 유기기를 나타낸다. y 는 3 ∼ 25 의 정수를 나타낸다. z 는 3 ∼ 25 의 정수를 나타낸다.)(Wherein, R 3 and R 5 are, the same or different and each represents an alkoxy group, a phenoxy group, an amino group, a hydroxyl group, an allyl group or a monovalent organic group having at least one species of group these groups selected from the group consisting of. R 4 Represents a divalent organic group having at least one group selected from the group consisting of an alkoxy group, a phenoxy group, an amino group, a hydroxyl group and an allyl group, y represents an integer of 3 to 25, and z represents an integer of 3 to 25 .)

R1 및 R2 의 알콕시기로는, 예를 들어, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, t-부톡시기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 탄소수 4 ∼ 10 의 알콕시기가 바람직하다.Examples of the alkoxy group of R 1 and R 2 include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, a n-butoxy group and a t-butoxy group. Among them, an alkoxy group having 4 to 10 carbon atoms is preferable.

R1 및 R2 의 페녹시기로는, 예를 들어, 식 (3) 으로 나타내는 기를 들 수 있다.The phenoxy group of R 1 and R 2 includes, for example, a group represented by the formula (3).

Figure pct00003
Figure pct00003

(식 중, R11 은, 수소, 수산기, 알킬기, 알콕시기, 글리시딜기 또는 이들 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 갖는 1 가의 유기기를 나타낸다)(Wherein R 11 represents hydrogen, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group, a glycidyl group or a monovalent organic group having at least one group selected from the group consisting of these groups)

R11 의 알킬기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, iso-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 옥타데실기 등을 들 수 있다. R11 의 알콕시기로는, R1 및 R2 의 알콕시기와 동일한 기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group for R 11 include a methyl group, an ethyl group, a n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec- An octyl group, a nonyl group, a decyl group, an undecyl group, a dodecyl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a pentadecyl group, and an octadecyl group. The alkoxy group of R 11, there may be mentioned alkoxy groups the same groups of R 1 and R 2.

R1 및 R2 로는, 난연성, 경화 후의 강도가 양호하게 얻어진다는 이유에서 페녹시기가 바람직하고, 식 (3) 으로 나타내는 기가 보다 바람직하다.As R 1 and R 2 , a phenoxy group is preferable, and a group represented by formula (3) is more preferable because flame retardancy and strength after curing are satisfactorily obtained.

x 는 3 ∼ 25 의 정수를 나타내지만, 난연성, 경화 후의 강도가 양호하게 얻어진다는 이유에서 3 ∼ 10 이 바람직하고, 3 ∼ 4 가 보다 바람직하다.x represents an integer of 3 to 25, but is preferably 3 to 10, more preferably 3 to 4 because flame retardancy and strength after curing are satisfactorily obtained.

식 (2) 에 있어서, R3 및 R5 의 알콕시기로는, 예를 들어, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, t-부톡시기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 탄소수 4 ∼ 10 의 알콕시기가 바람직하다.Examples of the alkoxy group of R 3 and R 5 in the formula (2) include methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, n-butoxy, . Among them, an alkoxy group having 4 to 10 carbon atoms is preferable.

R3 및 R5 의 페녹시기로는, 예를 들어, 상기 식 (3) 으로 나타내는 기를 들 수 있다.The phenoxy group for R 3 and R 5 includes, for example, a group represented by the above formula (3).

R3 및 R5 에 있어서의 알콕시기, 페녹시기, 아미노기, 수산기 및 알릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 갖는 1 가의 유기기로는 특별히 한정되지 않는다.The monovalent organic group having at least one group selected from the group consisting of an alkoxy group, a phenoxy group, an amino group, a hydroxyl group and an allyl group in R 3 and R 5 is not particularly limited.

R3 및 R5 로는, 난연성, 경화 후의 강도가 양호하게 얻어진다는 이유에서 페녹시기가 바람직하고, 식 (3) 으로 나타내는 기가 보다 바람직하다.As R 3 and R 5 , a phenoxy group is preferable, and a group represented by the formula (3) is more preferable because the flame retardancy and the strength after curing are satisfactorily obtained.

R4 의 2 가의 유기기가 갖는 알콕시기로는, 예를 들어, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, t-부톡시기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 탄소수 4 ∼ 10 의 알콕시기가 바람직하다.Examples of the alkoxy group of the divalent organic group of R 4 include a methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group and t-butoxy group. Among them, an alkoxy group having 4 to 10 carbon atoms is preferable.

R4 의 2 가의 유기기가 갖는 페녹시기로는, 예를 들어, 상기 식 (3) 으로 나타내는 기를 들 수 있다.The phenoxy group of the divalent organic group of R 4 includes, for example, the group represented by the above formula (3).

y 는 3 ∼ 25 의 정수를 나타내지만, 난연성, 경화 후의 강도가 양호하게 얻어진다는 이유에서 3 ∼ 10 이 바람직하다.y represents an integer of 3 to 25, but is preferably 3 to 10 because flame retardancy and strength after curing are satisfactorily obtained.

z 는 3 ∼ 25 의 정수를 나타내지만, 난연성, 경화 후의 강도가 양호하게 얻어진다는 이유에서 3 ∼ 10 이 바람직하다.z represents an integer of 3 to 25, but is preferably 3 to 10 since flame retardancy and strength after curing are satisfactorily obtained.

소량이어도 난연 효과를 발휘한다는 관점에서, 포스파겐계 난연제에 함유되는 인 원소의 함유율은, 12 중량％ 이상인 것이 바람직하다.From the standpoint of exhibiting the flame retarding effect even in a small amount, the phosphorus content in the phosphagen-based flame retardant is preferably 12% by weight or more.

난연제 성분의 함유량은, 유기 성분 (무기 충전재를 제외한 전체 성분) 100 중량％ 중, 10 중량％ 이상이 바람직하고, 15 중량％ 이상이 보다 바람직하다. 10 중량％ 이상이면, 난연성이 양호하게 얻어진다. 난연제 성분의 함유량은, 30 중량％ 이하가 바람직하고, 25 중량％ 이하가 보다 바람직하다. 30 중량％ 이하이면, 경화물의 물성 저하 (구체적으로는, 유리 전이 온도나 고온 수지 강도 등의 물성의 저하) 가 적은 경향이 있다.The content of the flame retardant component is preferably 10% by weight or more, more preferably 15% by weight or more, of 100% by weight of the organic component (all components excluding the inorganic filler). If it is 10% by weight or more, flame retardancy is satisfactorily obtained. The content of the flame retardant component is preferably 30% by weight or less, and more preferably 25% by weight or less. If it is 30% by weight or less, the physical properties of the cured product tend to be reduced (specifically, the physical properties such as the glass transition temperature and the high-temperature resin strength are lowered).

수지 시트 (11) 는, 실란 커플링제를 함유하는 것이 바람직하다. 실란 커플링제로는 특별히 한정되지 않고, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.The resin sheet (11) preferably contains a silane coupling agent. The silane coupling agent is not particularly limited and examples thereof include 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane and the like.

수지 시트 (11) 중의 실란 커플링제의 함유량은 0.1 ∼ 3 중량％ 가 바람직하다. 0.1 중량％ 이상이면, 경화물 강도가 충분히 얻어지고, 흡수율을 저감시킬 수 있다. 3 중량％ 이하이면, 아웃 가스량을 낮게 억제할 수 있다.The content of the silane coupling agent in the resin sheet (11) is preferably 0.1 to 3% by weight. If the amount is 0.1% by weight or more, sufficient hardness strength can be obtained and the water absorption rate can be reduced. If it is 3% by weight or less, the amount of outgas can be suppressed to be low.

수지 시트 (11) 는, 안료를 함유하는 것이 바람직하다. 안료로는 특별히 한정되지 않고, 카본 블랙 등을 들 수 있다.The resin sheet (11) preferably contains a pigment. The pigment is not particularly limited, and carbon black and the like can be mentioned.

수지 시트 (11) 중의 안료의 함유량은 0.1 ∼ 2 중량％ 가 바람직하다. 0.1 중량％ 이상이면, 양호한 마킹성이 얻어진다. 2 중량％ 이하이면, 경화물 강도가 충분히 얻어진다.The content of the pigment in the resin sheet (11) is preferably 0.1 to 2% by weight. If it is 0.1% by weight or more, good markability is obtained. If it is 2% by weight or less, a sufficient strength of the cured product is obtained.

또한, 수지 조성물에는, 상기 각 성분 이외에 필요에 따라, 다른 첨가제를 적절히 배합할 수 있다.Other additives may be appropriately added to the resin composition, if necessary, in addition to the above components.

수지 시트 (11) 는, SAW (Surface Acoustic Wave) 필터 ; 압력 센서, 진동 센서 등의 MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) ; LSI 등의 IC (집적 회로), 트랜지스터 등의 반도체 ; 콘덴서 ; 저항 등의 전자 디바이스의 봉지에 사용된다. 그 중에서도, 중공 봉지가 필요한 전자 디바이스 (구체적으로는, SAW 필터, MEMS) 의 봉지에 바람직하게 사용할 수 있고, SAW 필터의 봉지에 특히 바람직하게 사용할 수 있다.The resin sheet 11 is made of a SAW (Surface Acoustic Wave) filter; MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) such as pressure sensors and vibration sensors; Semiconductors such as ICs (integrated circuits) and transistors such as LSI; Condenser ; And is used for encapsulating electronic devices such as resistors. In particular, it can be suitably used for encapsulating an electronic device (specifically, a SAW filter or a MEMS) which requires a hollow bag, and can be particularly preferably used for encapsulating a SAW filter.

봉지 방법으로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 기판 상의 전자 디바이스를 덮도록 미경화의 수지 시트 (11) 를 기판 상에 적층하고, 이어서 수지 시트 (11) 를 경화시켜 봉지하는 방법 등을 들 수 있다. 기판으로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 프린트 배선 기판, 세라믹 기판, 실리콘 기판, 금속 기판 등을 들 수 있다.The sealing method is not particularly limited. For example, a method of laminating an uncured resin sheet 11 on a substrate so as to cover an electronic device on a substrate, and then curing the resin sheet 11 to seal the resin sheet 11 . The substrate is not particularly limited, and examples thereof include a printed wiring board, a ceramic substrate, a silicon substrate, and a metal substrate.

[전자 디바이스 패키지의 제조 방법][Manufacturing method of electronic device package]

도 2a ∼ 2c 는 각각, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 디바이스 패키지의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 나타내는 도면이다. 본 실시형태에서는, 프린트 배선 기판 (12) 상에 탑재된 SAW 필터 (13) 를 수지 시트 (11) 에 의해 중공 봉지하여 전자 디바이스 패키지를 제작한다.2A to 2C are diagrams schematically showing a process of a method of manufacturing an electronic device package according to an embodiment of the present invention. In the present embodiment, the SAW filter 13 mounted on the printed wiring board 12 is hollow-sealed with the resin sheet 11 to manufacture an electronic device package.

(SAW 필터 탑재 기판 준비 공정)(SAW filter mounted board preparation process)

SAW 필터 탑재 기판 준비 공정에서는, 복수의 SAW 필터 (13) 가 탑재된 프린트 배선 기판 (12) 을 준비한다 (도 2a 참조). SAW 필터 (13) 는, 소정의 빗 모양 전극이 형성된 압전 결정을 공지된 방법으로 다이싱하고 개편화함으로써 형성할 수 있다. SAW 필터 (13) 의 프린트 배선 기판 (12) 에 대한 탑재에는, 플립칩 본더나 다이 본더 등의 공지된 장치를 사용할 수 있다. SAW 필터 (13) 와 프린트 배선 기판 (12) 은 범프 등의 돌기 전극 (13a) 을 개재하여 전기적으로 접속되어 있다. 또, SAW 필터 (13) 와 프린트 배선 기판 (12) 사이에는, SAW 필터 표면에서의 표면 탄성파의 전파를 저해하지 않도록 중공 부분 (14) 을 유지하도록 되어 있다. SAW 필터 (13) 와 프린트 배선 기판 (12) 사이의 거리는 적절히 설정할 수 있고, 일반적으로는 15 ∼ 50 ㎛ 정도이다.In the SAW filter mounting board preparation process, a printed wiring board 12 on which a plurality of SAW filters 13 are mounted is prepared (see FIG. 2A). The SAW filter 13 can be formed by dicing and separating piezoelectric crystals having predetermined comb electrodes formed thereon by a known method. For mounting the SAW filter 13 on the printed wiring board 12, a known device such as a flip chip bond or a die bonder can be used. The SAW filter 13 and the printed wiring board 12 are electrically connected to each other via a protruding electrode 13a such as a bump. Between the SAW filter 13 and the printed wiring board 12, the hollow portion 14 is held so as not to impede the propagation of surface acoustic waves on the surface of the SAW filter. The distance between the SAW filter 13 and the printed wiring board 12 can be appropriately set, and is generally about 15 to 50 mu m.

(봉지 공정)(Sealing process)

봉지 공정에서는, SAW 필터 (13) 를 덮도록 프린트 배선 기판 (12) 에 수지 시트 (11) 를 적층하고, SAW 필터 (13) 를 수지 시트 (11) 로 수지 봉지한다 (도 2b 참조). 수지 시트 (11) 는, SAW 필터 (13) 및 그에 부수되는 요소를 외부 환경으로부터 보호하기 위한 봉지 수지로서 기능한다.In the sealing step, the resin sheet 11 is laminated on the printed wiring board 12 so as to cover the SAW filter 13, and the SAW filter 13 is resin-sealed with the resin sheet 11 (see Fig. 2B). The resin sheet 11 functions as an encapsulating resin for protecting the SAW filter 13 and its accompanying components from the external environment.

수지 시트 (11) 를 프린트 배선 기판 (12) 상에 적층하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 열 프레스나 라미네이터 등의 공지된 방법에 의해 실시할 수 있다. 열 프레스 조건으로는, 온도가, 예를 들어, 40 ∼ 100 ℃, 바람직하게는 50 ∼ 90 ℃ 이고, 압력이, 예를 들어, 0.1 ∼ 10 ㎫, 바람직하게는 0.5 ∼ 8 ㎫ 이고, 시간이, 예를 들어 0.3 ∼ 10 분간, 바람직하게는 0.5 ∼ 5 분간이다. 또, 수지 시트 (11) 의 SAW 필터 (13) 및 프린트 배선 기판 (12) 에 대한 밀착성 및 추종성의 향상을 고려하면, 감압 조건하 (예를 들어 0.1 ∼ 5 ㎪) 에 있어서 프레스하는 것이 바람직하다.The method of laminating the resin sheet 11 on the printed wiring board 12 is not particularly limited and can be carried out by a known method such as a hot press or a laminator. The heat pressing conditions include a temperature of, for example, 40 to 100 占 폚, preferably 50 to 90 占 폚, a pressure of, for example, 0.1 to 10 MPa, preferably 0.5 to 8 MPa, , For example 0.3 to 10 minutes, preferably 0.5 to 5 minutes. In consideration of the improvement in adhesion and followability of the resin sheet 11 to the SAW filter 13 and the printed wiring board 12, it is preferable to press the resin sheet 11 under a reduced pressure condition (for example, 0.1 to 5 times) .

(봉지체 형성 공정)(Bag-forming step)

봉지체 형성 공정에서는, 수지 시트 (11) 를 열경화 처리하여 봉지체 (15) 를 형성한다 (도 2b 참조).In the plugging step, the resin sheet 11 is heat-cured to form the plugs 15 (see Fig. 2B).

열경화 처리의 조건으로서, 가열 온도가 바람직하게는 100 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 120 ℃ 이상이다. 한편, 가열 온도의 상한이 바람직하게는 200 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 180 ℃ 이하이다. 가열 시간이 바람직하게는 10 분 이상, 보다 바람직하게는 30 분 이상이다. 한편, 가열 시간의 상한이 바람직하게는 180 분 이하, 보다 바람직하게는 120 분 이하이다. 또, 필요에 따라 가압해도 되고, 바람직하게는 0.1 ㎫ 이상, 보다 바람직하게는 0.5 ㎫ 이상이다. 한편, 상한은 바람직하게는 10 ㎫ 이하, 보다 바람직하게는 5 ㎫ 이하이다.As the condition of the heat curing treatment, the heating temperature is preferably 100 占 폚 or higher, and more preferably 120 占 폚 or higher. On the other hand, the upper limit of the heating temperature is preferably 200 占 폚 or lower, more preferably 180 占 폚 or lower. The heating time is preferably 10 minutes or more, and more preferably 30 minutes or more. On the other hand, the upper limit of the heating time is preferably 180 minutes or less, more preferably 120 minutes or less. It may also be pressurized if necessary, preferably 0.1 MPa or more, and more preferably 0.5 MPa or more. On the other hand, the upper limit is preferably 10 MPa or less, more preferably 5 MPa or less.

(다이싱 공정)(Dicing step)

계속해서, 봉지체 (15) 의 다이싱을 실시해도 된다 (도 2c 참조). 이로써, SAW 필터 (13) 단위에서의 전자 디바이스 패키지 (18) 를 얻을 수 있다.Subsequently, the bag 15 may be diced (see Fig. 2C). Thereby, the electronic device package 18 in units of the SAW filter 13 can be obtained.

(기판 실장 공정)(Substrate mounting step)

필요에 따라, 전자 디바이스 패키지 (18) 에 대해 재배선 및 범프를 형성하고, 이것을 별도의 기판 (도시 생략) 에 실장하는 기판 실장 공정을 실시할 수 있다. 전자 디바이스 패키지 (18) 의 기판에 대한 실장에는, 플립칩 본더나 다이 본더 등의 공지된 장치를 사용할 수 있다.If necessary, a board mounting process for forming re-wiring lines and bumps on the electronic device package 18 and mounting the board on a separate board (not shown) can be performed. For mounting the electronic device package 18 to the substrate, a known device such as a flip chip bond or die bonder can be used.

실시예Example

이하에, 이 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은, 이 발명의 범위를 그것들에만 한정하는 취지의 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in this embodiment are not intended to limit the scope of the present invention to them, unless otherwise specified.

실시예에서 사용한 성분에 대해 설명한다.The components used in the examples will be described.

에폭시 수지 1 : 신닛테츠 화학 (주) 제조의 YSLV-80XY (비스페놀 F 형 에폭시 수지, 에폭시 당량 200 g/eq. 연화점 80 ℃)Epoxy resin 1: YSLV-80XY (bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent weight 200 g / eq, softening point 80 캜) manufactured by Shinnitetsu Chemical Co.,

에폭시 수지 2 : 닛폰 화약 (주) 제조의 EPPN-501HY (트리페닐메탄형 에폭시 수지)Epoxy resin 2: EPPN-501HY (triphenylmethane type epoxy resin) manufactured by Nippon Yakusho Co.,

에폭시 수지 3 : 미츠비시 화학 (주) 제조의 YL980 (비스페놀 A 형 에폭시 수지)Epoxy resin 3: YL980 (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation

페놀 수지 1 : 메이와 화성사 제조의 MEH-7851-SS (비페닐아르알킬 골격을 갖는 페놀 수지, 수산기 당량 203 g/eq., 연화점 67 ℃)Phenol resin 1: MEH-7851-SS (a phenol resin having a biphenylaralkyl skeleton, hydroxyl equivalent of 203 g / eq., Softening point of 67 DEG C) manufactured by Meiwa Chemical Co.,

페놀 수지 2 : 쇼와 고분자 (주) 제조의 ND564Phenol resin 2: ND564 (manufactured by Showa Highpolymer Co., Ltd.)

열가소성 수지 1 : 가네카사 제조의 SIBSTER 072T (스티렌-이소부틸렌-스티렌 블록 공중합체)Thermoplastic resin 1: SIBSTER 072T (styrene-isobutylene-styrene block copolymer) manufactured by KANEKA CO., LTD.

열가소성 수지 2 : 나가세켐텍스 (주) 제조의 SG-P3Thermoplastic resin 2: SG-P3 manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.

무기 충전제 : 덴키 화학 공업사 제조의 FB-9454FC (용융 구상 실리카, 평균 입자경 20 ㎛)Inorganic filler: FB-9454FC (fused spherical silica, average particle diameter 20 占 퐉) manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co.,

실란 커플링제 : 신에츠 화학사 제조의 KBM-403 (3-글리시독시프로필트리메톡시실란)Silane coupling agent: KBM-403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co.,

카본 블랙 : 미츠비시 화학사 제조의 ＃20Carbon black: # 20 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation

난연제 : 후시미 제약소 제조의 FP-100 (포스파겐계 난연제 : 식 (4) 로 나타내는 화합물)Flame retardant: FP-100 (phosphagen-based flame retardant: a compound represented by formula (4)) manufactured by Fushimi Pharmaceutical Co.,

Figure pct00004
Figure pct00004

(식 중, m 은 3 ∼ 4 의 정수를 나타낸다)(Wherein m represents an integer of 3 to 4)

경화 촉진제 1 : 시코쿠 화성 공업사 제조의 2PHZ-PW (2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸)Curing accelerator 1: 2PHZ-PW (2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole) manufactured by Shikoku Chemical Industry Co.,

경화 촉진제 2 : 홋코 화학 공업사 제조의 TPP-MK (테트라페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트)Curing accelerator 2: TPP-MK (tetraphenylphosphonium tetra-p-tolyl borate) manufactured by Hokko Chemical Industry Co.,

실시예 1 ∼ 3Examples 1 to 3

표 1 에 기재된 배합비에 따라 각 성분을 배합하고, 2 축 혼련기에 의해 60 ∼ 120 ℃, 10 분간, 감압 조건하 (0.01 kg/㎠) 에서 용융 혼련하여, 혼련물을 조제하였다. 이어서, 얻어진 혼련물을, 평판 프레스법에 의해 시트상으로 형성하고, 표 1 에 나타내는 두께의 수지 시트를 제작하였다. 얻어진 수지 시트에 세퍼레이터를 첩부 (貼付) 하였다.Each component was blended according to the compounding ratio shown in Table 1 and melt kneaded by a biaxial kneader at 60 to 120 DEG C for 10 minutes under reduced pressure (0.01 kg / cm2) to prepare a kneaded product. Then, the obtained kneaded product was formed into a sheet-like shape by a flat plate pressing method, and a resin sheet having a thickness shown in Table 1 was produced. The separator was attached to the obtained resin sheet.

얻어진 수지 시트를 사용하여 하기 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.The resin sheet thus obtained was subjected to the following evaluation. The results are shown in Table 1.

[아웃 가스량][Out gas amount]

미경화의 수지 시트로부터 1 ㎝ × 1 ㎝ × 두께 200 ㎛ 의 샘플을 잘라내고, 샘플에 붙어 있는 세퍼레이터를 박리하였다. 샘플을 바이알병에 넣고 칭량하였다. 그 후, 헤드 스페이스 샘플러 (HSS) 로 150 ℃, 1 시간의 조건으로 샘플을 가열하였다. 가열 상태의 가스 1 ㎖ 를 Agilen Technology 사 제조 6890 GC-MS 에 주입하여 아웃 가스량을 측정하였다.A sample of 1 cm x 1 cm x 200 m in thickness was cut out from the uncured resin sheet, and the separator attached to the sample was peeled off. The sample was placed in a vial bottle and weighed. Thereafter, the sample was heated with a headspace sampler (HSS) at 150 DEG C for 1 hour. 1 ml of the heated gas was injected into 6890 GC-MS manufactured by Agilin Technology to measure the amount of outgassing.

[경화물의 1 ％ 중량 감소 온도][1% weight reduction temperature of cured product]

미경화의 수지 시트에서 세퍼레이터를 박리한 후, 수지 시트를 150 ℃ 에서 1 시간 가열하여 경화시켰다. 경화물로부터 약 8 ㎎ 의 샘플을 잘라내었다. SII·나노테크놀로지사 제조 TG/DTA220 으로 실온 ∼ 500 ℃ 까지 10 ℃/min 으로 Air 중 가스 유량 200 ㎎/min 으로 샘플을 가열하고, 중량 분석하였다.After the separator was peeled off from the uncured resin sheet, the resin sheet was cured by heating at 150 DEG C for 1 hour. A sample of about 8 mg was taken from the cured product. The sample was heated at a temperature of from room temperature to 500 ° C at a rate of 10 ° C / min. With an air flow rate of 200 mg / min. By TII / DTA220 manufactured by SII Nanotechnology Co., and subjected to weight analysis.

[경화물의 아웃 가스량][Outflow amount of cured product]

미경화의 수지 시트로부터 1 ㎝ × 1 ㎝ × 두께 200 ㎛ 의 샘플을 잘라내고, 샘플에 붙어 있는 세퍼레이터를 박리하였다. 샘플을 150 ℃ 에서 1 시간 가열하여 경화시켰다. 경화물을 바이알병에 넣고 칭량하였다. 그 후, 헤드 스페이스 샘플러 (HSS) 로 경화물을 가열하였다 (가열 조건 : 40 ℃ 에서 260 ℃ 까지 승온 속도 10 ℃/분으로 승온시킨 후, 260 ℃ 에서 1 분간 유지하였다). 가열 상태의 가스 1 ㎖ 를 Agilen Technology 사 제조 6890 GC-MS 에 주입하여 아웃 가스량을 측정하였다.A sample of 1 cm x 1 cm x 200 m in thickness was cut out from the uncured resin sheet, and the separator attached to the sample was peeled off. The sample was cured by heating at 150 DEG C for 1 hour. The cured product was placed in a vial and weighed. Thereafter, the cured product was heated with a headspace sampler (HSS) (heating condition: the temperature was raised from 40 占 폚 to 260 占 폚 at a heating rate of 10 占 폚 / min and then held at 260 占 폚 for 1 minute). 1 ml of the heated gas was injected into 6890 GC-MS manufactured by Agilin Technology to measure the amount of outgassing.

비교예 1 ∼ 2Comparative Examples 1 to 2

표 1 에 기재된 배합비에 따라, 각 성분을 배합하고, 이것에 각 성분의 총량과 동량의 메틸에틸케톤을 첨가하여, 바니시를 조제하였다. 얻어진 바니시를, 콤마 코터에 의해 두께 50 ㎛ 의 폴리에스테르 필름 A (미츠비시 화학 폴리에스테르사 제조, MRF-50) 의 박리 처리면 상에, 건조 후의 두께가 50 ㎛ 가 되도록 도공하고, 건조시켰다. 이어서, 두께 38 ㎛ 의 폴리에스테르 필름 B (미츠비시 화학 폴리에스테르사 제조, MRF-38) 의 박리 처리면을, 건조 후의 바니시 상에 부착하여, 박막 수지 시트를 조제하였다.Each component was blended according to the blending ratio shown in Table 1, and methyl ethyl ketone equivalent to the total amount of each component was added thereto to prepare a varnish. The obtained varnish was coated on a release surface of a polyester film A (MRF-50, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) having a thickness of 50 占 퐉 by a comma coater so as to have a thickness after drying of 50 占 퐉 and dried. Subsequently, a polyester film B (MRF-38, manufactured by Mitsubishi Chemical Polyester Co., Ltd.) having a thickness of 38 탆 was peeled off and adhered to the dried varnish to prepare a thin film resin sheet.

그 후, 폴리에스테르 필름 A 및 폴리에스테르 필름 B 를 적절히 박리하면서, 롤라미네이터에 의해, 박막 수지 시트를 4 장 적층함으로써, 두께 200 ㎛ 의 수지 시트를 조제하였다.Thereafter, while appropriately peeling the polyester film A and the polyester film B, four thin film resin sheets were laminated by a roll laminator to prepare a resin sheet having a thickness of 200 mu m.

얻어진 수지 시트를 사용하여 상기 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.The above evaluation was carried out using the obtained resin sheet. The results are shown in Table 1.

Figure pct00005
Figure pct00005

11 : 수지 시트
11a : 지지체
13 : SAW 필터
15 : 봉지체
18 : 전자 디바이스 패키지11: Resin sheet
11a: Support
13: SAW filter
15:
18: Electronic device package

Claims (4)

두께가 100 ∼ 2000 ㎛ 이고,
150 ℃ 에서 1 시간 경화시켰을 때 발생하는 가스량이 500 ppm 이하인, 전자 디바이스 봉지용 수지 시트.A thickness of 100 to 2000 占 퐉,
And the amount of gas generated when the resin is cured at 150 占 폚 for 1 hour is 500 ppm or less. 제 1 항에 있어서,
150 ℃ 에서 1 시간 경화시켜 얻어진 경화물의 1 ％ 중량 감소 온도가 260 ℃ 이상인, 전자 디바이스 봉지용 수지 시트.The method according to claim 1,
Wherein the 1% weight reduction temperature of the cured product obtained by curing at 150 占 폚 for 1 hour is 260 占 폚 or more. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
150 ℃ 에서 1 시간 경화시켜 얻어진 경화물을,
40 ℃ 에서 260 ℃ 까지 승온 속도 10 ℃/분으로 승온시키고, 이어서 260 ℃ 에서 1 분간 가열했을 때 발생하는 가스량이 500 ppm 이하인, 전자 디바이스 봉지용 수지 시트.3. The method according to claim 1 or 2,
The cured product obtained by curing at 150 DEG C for 1 hour,
Wherein the amount of gas generated when the temperature is raised from 40 占 폚 to 260 占 폚 at a rate of 10 占 폚 / min and then heated at 260 占 폚 for 1 minute is 500 ppm or less. 1 또는 복수의 전자 디바이스를 덮도록 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 전자 디바이스 봉지용 수지 시트를 상기 전자 디바이스 상에 적층하는 적층 공정, 및
상기 전자 디바이스 봉지용 수지 시트를 경화시켜 봉지체를 형성하는 봉지체 형성 공정을 포함하는, 전자 디바이스 패키지의 제조 방법.A lamination step of laminating the electronic device encapsulating resin sheet according to any one of claims 1 to 3 on the electronic device so as to cover one or a plurality of electronic devices,
And a bag-forming step of forming a bag by curing the resin sheet for encapsulating an electronic device.
KR1020157023966A 2013-03-28 2014-03-20 Resin sheet for electronic device sealing and production method for electronic device package KR20150135253A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013069886A JP5735030B2 (en) 2013-03-28 2013-03-28 Resin sheet for sealing electronic device and method for manufacturing electronic device package
JPJP-P-2013-069886 2013-03-28
PCT/JP2014/057689 WO2014156926A1 (en) 2013-03-28 2014-03-20 Resin sheet for electronic device sealing and production method for electronic device package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150135253A true KR20150135253A (en) 2015-12-02

Family

ID=51623905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157023966A KR20150135253A (en) 2013-03-28 2014-03-20 Resin sheet for electronic device sealing and production method for electronic device package

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP5735030B2 (en)
KR (1) KR20150135253A (en)
CN (1) CN105074905B (en)
SG (1) SG11201507890TA (en)
TW (1) TWI625832B (en)
WO (1) WO2014156926A1 (en)

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5070805B2 (en) * 2000-05-09 2012-11-14 ダイキン工業株式会社 Crosslinkable fluoroelastomer composition containing clean filler
JP3716408B2 (en) * 2000-09-20 2005-11-16 Ｎｅｃトーキン株式会社 Electronic component, solid electrolytic capacitor, selection method of electronic component components
JP2004115552A (en) * 2002-09-24 2004-04-15 Taoka Chem Co Ltd One-pack liquid epoxy resin composition
JP4730652B2 (en) * 2004-06-02 2011-07-20 ナガセケムテックス株式会社 Manufacturing method of electronic parts
JP5228426B2 (en) * 2006-10-06 2013-07-03 日立化成株式会社 Liquid resin composition for electronic component sealing and electronic component device using the same
JP5133598B2 (en) * 2007-05-17 2013-01-30 日東電工株式会社 Thermosetting adhesive sheet for sealing
JP2010006983A (en) * 2008-06-27 2010-01-14 Hitachi Chem Co Ltd Sealing filler and semiconductor device
JP5476988B2 (en) * 2009-12-30 2014-04-23 デクセリアルズ株式会社 Electrical device and epoxy resin composition used therefor
WO2011148620A1 (en) * 2010-05-26 2011-12-01 京セラケミカル株式会社 Sheet-like resin composition, circuit component using the sheet-like resin composition, method for sealing electronic component, method for connecting electronic component, method for affixing electronic component, composite sheet, electronic component using the composite sheet, electronic device, and method for producing composite sheet
JP2011058003A (en) * 2010-11-24 2011-03-24 Mitsubishi Chemicals Corp Epoxy resin composition for sealing semiconductor, resin-sealed semiconductor device and method for mounting semiconductor device
JP2012160668A (en) * 2011-02-02 2012-08-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd Method for manufacturing electric component
JP2013007028A (en) * 2011-05-20 2013-01-10 Nitto Denko Corp Sealing sheet and electronic component device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014156926A1 (en) 2014-10-02
CN105074905B (en) 2018-11-30
JP5735030B2 (en) 2015-06-17
SG11201507890TA (en) 2015-10-29
TWI625832B (en) 2018-06-01
TW201507074A (en) 2015-02-16
CN105074905A (en) 2015-11-18
JP2014194959A (en) 2014-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6643791B2 (en) Hollow sealing resin sheet and hollow package manufacturing method
JP5735036B2 (en) Electronic component device manufacturing method and laminated sheet
TWI614292B (en) Resin sheet for electronic component sealing and method of manufacturing electronic component package
KR20150136513A (en) Sealing sheet, production method for sealing sheet, and production method for electronic component package
JP6302693B2 (en) Hollow sealing resin sheet and method for producing hollow package
JP6688852B2 (en) Hollow sealing resin sheet and hollow package manufacturing method
WO2015079870A1 (en) Hollow-space-sealing resin sheet and method for manufacturing hollow package
KR20160013010A (en) Method for manufacturing electronic-component device
TWI701276B (en) Hollow electronic device sealing sheet and hollow electronic device packaging manufacturing method
US10297470B2 (en) Resin sheet for sealing electronic device and method for manufacturing electronic-device package
KR20150135253A (en) Resin sheet for electronic device sealing and production method for electronic device package
JP6434181B2 (en) Hollow type electronic device sealing sheet and method for manufacturing hollow type electronic device package
JP6302692B2 (en) Hollow sealing resin sheet and method for producing hollow package
WO2014188824A1 (en) Method for manufacturing electronic-component device
JP2016028476A (en) Resin sheet for sealing electronic device, and method for manufacturing electronic device package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application