KR20150133567A - Insulation substrate and manufacturing method of solar cell module with the same - Google Patents

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Abstract

An insulation substrate according to an embodiment of the present invention may include: an insulation base material comprised of a thermoplastic resin; and a conductor which is positioned on the side of the insulation base material, in which multiple pores are positioned inside the insulation base material. A manufacturing method of a solar cell module using the insulation substrate may include: arranging multiple solar cells on the insulation substrate for two neighboring solar cells to be electrically connected by the conductor of the insulation substrate; and removing the multiple pores inside the insulation base material by melting the insulation base material with heat during a lamination process.

Description

절연 기판 및 이를 구비한 태양전지 모듈의 제조 방법{INSULATION SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD OF SOLAR CELL MODULE WITH THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an insulating substrate and a manufacturing method of a solar cell module having the same,

본 발명은 서로 이웃한 2개의 후면 접합 태양전지를 전기적으로 연결하는 도전체가 형성된 절연 기판 및 절연 기판을 구비한 태양전지 모듈의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell module having an insulating substrate and an insulating substrate on which conductors for electrically connecting two neighboring rear-bonding solar cells are formed.

일반적인 태양전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 각각 이루어지는 기판(substrate) 및 에미터부(emitter layer), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성된다.A typical solar cell has a substrate and an emitter layer each of which is made of a semiconductor of a different conductive type such as a p-type and an n-type, and electrodes respectively connected to the substrate and the emitter. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter.

이러한 태양전지에 빛이 입사되면 반도체 내부의 전자가 광전 효과(photoelectric effect)에 의해 자유전자(free electron)(이하, '전자'라 함)가 되고, 전자와 정공은 p-n 접합의 원리에 따라 n형 반도체와 p형 반도체 쪽으로, 예를 들어 에미터부와 기판 쪽으로 각각 이동한다. 그리고 이동한 전자와 정공은 기판 및 에미터부에 전기적으로 연결된 각각의 전극에 의해 수집된다.When light is incident on such a solar cell, electrons in the semiconductor become free electrons (hereinafter referred to as 'electrons') due to a photoelectric effect, and electrons and holes are attracted to n Type semiconductor and the p-type semiconductor, for example, toward the emitter portion and the substrate, respectively. And the transferred electrons and holes are collected by the respective electrodes electrically connected to the substrate and the emitter portion.

한편, 근래에는 태양전지의 효율을 높이기 위해 반도체 기판의 수광면에 전극을 형성하지 않고 반도체 기판의 후면에 전극을 형성한 후면 접합(interdigitated back contact) 태양전지가 개발되고 있다.Meanwhile, in recent years, an interdigitated back contact solar cell has been developed in which an electrode is formed on the rear surface of a semiconductor substrate without forming an electrode on the light receiving surface of the semiconductor substrate in order to increase the efficiency of the solar cell.

그리고 후면 접합 태양전지를 복수 개 연결하여 전기적으로 접속하는 모듈화 기술도 개발되고 있는데, 모듈화 기술에는 복수 개의 태양전지를 금속 인터커넥터로 전기적으로 연결하는 방법과, 절연 기판에 미리 형성된 도전체를 이용하여 전기적으로 연결하는 방법 등이 있다.In addition, a modularization technique of connecting a plurality of rear-bonding solar cells and electrically connecting them is also being developed. In the modularization technique, a plurality of solar cells are electrically connected to each other through a metal interconnection, And a method of electrically connecting them.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 모듈화 공정에서 가해지는 열적 스트레스를 완화시킬 수 있는 절연 기판을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an insulating substrate capable of mitigating thermal stress applied in a modularization process.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 절연 기판을 이용한 태양전지 모듈의 제조 방법을 제공하는 것이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a solar cell module using an insulating substrate.

본 발명의 실시예에 따른 절연 기판은, 열 가소성 수지로 이루어진 절연성 기재; 및 절연성 기재의 한쪽 면에 위치하는 도전체를 포함하고, 절연성 기재의 내부에는 복수의 기공(porous)이 위치한다.An insulating substrate according to an embodiment of the present invention includes: an insulating substrate made of a thermoplastic resin; And a conductor positioned on one side of the insulating substrate, wherein a plurality of pores are located inside the insulating substrate.

본 발명의 한 실시예에 따르면, 절연성 기재는 태양전지 모듈을 제조하기 위한 라미네이션 공정의 공정 온도 이하, 예를 들어 140℃ 이하의 용융 온도를 갖는 것이 바람직하다.According to one embodiment of the present invention, it is preferable that the insulating substrate has a melting temperature below the process temperature of the lamination process for manufacturing the solar cell module, for example, 140 DEG C or less.

열 가소성 수지는 140℃ 이하의 용융 온도를 갖는 폴리에틸렌(PE), 폴리메타크릴산 메틸(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.The thermoplastic resin may be made of at least one material selected from polyethylene (PE), polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), and ethylene vinyl acetate (EVA) having a melting temperature of 140 ° C or less.

도전체는 절연성 기재의 한쪽 면에 도포된 도전성 페이스트로 이루어지거나, 절연성 기재의 한쪽 면에 접합된 도전성 와이어로 이루어질 수 있다.The conductor may be composed of a conductive paste coated on one side of the insulating substrate, or may be formed of a conductive wire bonded to one side of the insulating substrate.

전술한 구성의 절연 기판을 이용한 본 발명의 한 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조 방법은, 서로 이웃하는 2개의 태양전지가 절연 기판의 도전체에 의해 전기적으로 연결되도록 복수의 태양전지를 절연 기판 위에 배치하고, 라미네이션 공정을 실시하여 라미네이션 공정시 상기 절연성 기재에 전달되는 열에 의해 상기 절연성 기재를 용융시킴으로써 상기 절연성 기재 내부의 복수의 기공을 제거하는 것을 포함한다.A method of manufacturing a solar cell module according to an embodiment of the present invention using an insulating substrate having the above-described structure is characterized in that a plurality of solar cells are electrically connected to each other on an insulating substrate And performing a lamination process to melt the insulating base material by heat transferred to the insulating base material during the lamination process, thereby removing a plurality of pores in the insulating base material.

본 발명의 한 실시예에 따르면, 라미네이션 공정은 절연성 기재의 용융 온도보다 높은 온도에서 실시하는 것이 바람직하다.According to one embodiment of the present invention, the lamination process is preferably performed at a temperature higher than the melting temperature of the insulating substrate.

한 예로, 라미네이션 공정은 140℃ 이상의 온도에서 실시할 수 있다.As an example, the lamination process can be conducted at a temperature of 140 ° C or higher.

이러한 특징에 의하면, 라미네이션 공정을 진행하는 동안 가해지는 열에 의해 절연성 기재가 용융되므로, 라미네이션 공정이 완료된 후에는 절연성 기재의 내부에 위치한 복수의 기공이 제거된다.According to this feature, since the insulating substrate is melted by the heat applied during the lamination process, a plurality of pores located inside the insulating substrate are removed after the lamination process is completed.

따라서, 라미네이션 공정을 진행하는 동안 절연 기판에 가해지는 열적 응력이 절연성 기재에 의해 흡수되므로, 절연 기판에 가해지는 열적 응력이 완화되고, 이에 따라, 태양전지 모듈의 장기 신뢰성이 개선된다.Therefore, since the thermal stress applied to the insulating substrate during the lamination process is absorbed by the insulating substrate, the thermal stress applied to the insulating substrate is relaxed, thereby improving the long-term reliability of the solar cell module.

또한, 라미네이션 공정 중에 절연 기판에 가해지는 열적 응력이 완화되므로, 절연 기판의 도전체와 태양전지의 전극부 간에 발생하는 오정렬 문제를 줄일 수 있고, 도전체와 태양전지의 전극부 간의 접합 불량으로 인한 문제점을 억제할 수 있다.In addition, since the thermal stress applied to the insulating substrate during the lamination process is alleviated, the problem of misalignment occurring between the conductor of the insulating substrate and the electrode portion of the solar cell can be reduced, Problems can be suppressed.

도 1은 태양전지 모듈에 사용되는 태양전지의 한 예를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 태양전지의 제1 실시예에 따른 전극 구조를 나타내는 태양전지의 후면도이다.
도 3은 도 1에 도시한 태양전지의 제2 실시예에 따른 전극 구조를 나타내는 태양전지의 후면도이다.
도 4는 도 1에 도시한 태양전지의 제3 실시예에 따른 전극 구조를 나타내는 태양전지의 후면도이다.
도 5는 도 2 내지 도 4에 도시한 태양전지를 구비한 태양전지 모듈에 사용이 가능한 절연 기판의 평면도이다.
도 6은 도 5의 제2 방향(Y-Y') 단면도이다.
도 7은 도 2 및 도 4에 도시한 태양전지를 구비한 태양전지 모듈에 사용이 가능한 절연 기판의 평면도이다.
도 8은 도 2 및 도 3에 도시한 태양전지를 구비한 태양전지 모듈에 사용이 가능한 절연 기판의 평면도이다.
도 9는 도 8의 제2 방향(Y-Y') 단면도이다.
도 10은 라미네이션 공정 후의 태양전지 모듈을 도시한 주요부 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a solar cell used in a solar cell module.
2 is a rear view of a solar cell showing the electrode structure according to the first embodiment of the solar cell shown in FIG.
3 is a rear view of a solar cell showing an electrode structure according to a second embodiment of the solar cell shown in FIG.
FIG. 4 is a rear view of a solar cell showing an electrode structure according to a third embodiment of the solar cell shown in FIG. 1; FIG.
5 is a plan view of an insulating substrate usable in a solar cell module having the solar cell shown in Figs. 2 to 4. Fig.
6 is a sectional view in the second direction (Y-Y ') of FIG.
FIG. 7 is a plan view of an insulating substrate usable in a solar cell module having the solar cell shown in FIGS. 2 and 4. FIG.
FIG. 8 is a plan view of an insulating substrate usable in the solar cell module having the solar cell shown in FIGS. 2 and 3. FIG.
9 is a sectional view in the second direction (Y-Y ') of Fig.
10 is a cross-sectional view of the main part showing the solar cell module after the lamination process.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해될 수 있다.While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. It is to be understood that the present invention is not intended to be limited to the specific embodiments but includes all changes, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the present invention.

본 발명을 설명함에 있어서 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지 않을 수 있다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용될 수 있다. In describing the present invention, the terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components may not be limited by the terms. The terms may only be used for the purpose of distinguishing one element from another.

예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

"및/또는" 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함할 수 있다.The term "and / or" may include any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "결합되어" 있다고 언급되는 경우는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 결합되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해될 수 있다.Where an element is referred to as being "connected" or "coupled" to another element, it may be directly connected or coupled to the other element, but other elements may be present in between Can be understood.

반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 결합되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다.On the other hand, when it is mentioned that an element is "directly connected" or "directly coupled" to another element, it can be understood that no other element exists in between.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions may include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것으로서, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해될 수 있다.In the present application, the terms "comprises", "having", and the like are used interchangeably to designate one or more of the features, numbers, steps, operations, elements, components, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, parts, or combinations thereof.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. When a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case directly above another portion but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가질 수 있다. Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, may have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs.

일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석될 수 있으며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않을 수 있다.Terms such as those defined in commonly used dictionaries can be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the relevant art and are, unless expressly defined in the present application, interpreted in an ideal or overly formal sense .

아울러, 이하의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것으로서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.In addition, the following embodiments are provided to explain more fully to the average person skilled in the art. The shapes and sizes of the elements in the drawings and the like can be exaggerated for clarity.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 대하여 설명한다.The present invention will now be described with reference to the accompanying drawings.

이하의 실시예에서는 서로 다른 극성을 갖는 제1 전극부와 제2 전극부가 모두 반도체 기판의 후면에 위치한 후면 접합 태양전지에 대해 설명하지만, 본 발명은 MWT(Metal Wrap Through) 구조의 태양전지에도 적용이 가능하다.In the following embodiments, the first and second electrode portions having different polarities are described on the back side of the semiconductor substrate. However, the present invention can also be applied to a solar cell having a MWT (Metal Wrap Through) structure This is possible.

그리고 집전부 대신에 전극과 연결된 패드부를 구비한 태양전지에도 적용이 가능하다.The present invention is also applicable to a solar cell having a pad portion connected to an electrode instead of the whole of the current collector.

도 1은 후면 접합 태양전지의 후면을 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 내지 도 4는 도 1에 도시한 태양전지의 다양한 실시예에 따른 전극 구조를 나타내는 태양전지의 후면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a rear surface of a rear-coupled solar cell, and FIGS. 2 to 4 are rear views of a solar cell showing an electrode structure according to various embodiments of the solar cell shown in FIG.

먼저 도 1을 참고하여 후면 접합 태양전지에 대해 설명하면, 후면 접합 태양전지(100)는 제1 도전성 타입의 반도체 기판(110), 반도체 기판(110)의 수광면, 예컨대 전면(front surface)에 형성된 전면 유전층(120), 전면 유전층(120) 위에 형성된 반사 방지막(130), 반도체 기판(110)의 다른 면, 즉 후면(back surface)에 형성되어 있고 제1 도전성 타입의 불순물이 고농도로 도핑된 제1 도핑부(141), 제1 도핑부(141)와 이웃한 위치에서 반도체 기판(110)의 후면에 형성되고 제1 도전성 타입과 반대 타입인 제2 도전성 타입의 불순물이 고농도로 도핑된 제2 도핑부(142), 제1 도핑부(141)와 제2 도핑부(142)의 일부를 노출하는 후면 유전층(150), 후면 유전층(150)에 의해 노출된 제1 도핑부(141)와 전기적으로 연결되는 제1 전극부(160), 후면 유전층(150)에 의해 노출된 제2 도핑부(142)와 전기적으로 연결되는 제2 전극부(170)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a rear-bonding solar cell 100 includes a semiconductor substrate 110 of a first conductivity type, a light-receiving surface of a semiconductor substrate 110, for example, a front surface The antireflection film 130 formed on the front dielectric layer 120 and the antireflection film 130 formed on the other surface or back surface of the semiconductor substrate 110 and doped with impurities of the first conductivity type at a high concentration A first doping portion 141 and a second doping portion 141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 at a position adjacent to the first doping portion 141 and doped with impurities of a second conductivity type opposite to the first conductivity type, The second doping portion 142 and the first doping portion 141 exposed by the rear dielectric layer 150. The first doping portion 141 and the second doping portion 140 are formed on the substrate 110. The first doping portion 141 and the second doping portion 142 The first electrode portion 160 electrically connected to the second doping portion 142 exposed by the rear dielectric layer 150, And a second electrode part 170 is connected.

반도체 기판(110)의 수광면은 복수 개의 요철(111)을 구비한 텍스처링 표면(texturing surface)으로 형성될 수 있다. 이 경우, 전면 유전층(120) 및 반사 방지막(130)도 텍스처링 표면으로 형성될 수 있다.The light receiving surface of the semiconductor substrate 110 may be formed as a texturing surface having a plurality of protrusions 111. In this case, the front dielectric layer 120 and the antireflection film 130 may also be formed as a textured surface.

반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형의 단결정질 실리콘으로 이루어질 수 있다. 하지만 이와는 달리, 반도체 기판(110)은 p형의 도전성 타입을 가질 수 있고, 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. 또한 반도체 기판(110)은 실리콘 이외의 다른 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. The semiconductor substrate 110 may be made of a first conductivity type, for example, n-type single crystal silicon. Alternatively, the semiconductor substrate 110 may have a p-type conductivity type and may be made of polycrystalline silicon. In addition, the semiconductor substrate 110 may be formed of a semiconductor material other than silicon.

반도체 기판(110)의 수광면이 복수의 요철(111)을 구비하는 텍스처링(texturing) 표면으로 형성되면, 빛의 흡수율이 증가되어 태양전지의 효율이 향상된다.When the light receiving surface of the semiconductor substrate 110 is formed as a texturing surface having a plurality of projections and depressions 111, the light absorption rate is increased and the efficiency of the solar cell is improved.

복수의 요철(111)이 형성된 반도체 기판(110)의 수광면에 형성된 전면 유전층(120)은 입사되는 빛에 의해 분리된 전자와 정공이 반도체 기판(110)의 수광면 표면에서 재결합되어 소멸하는 것을 억제하는 보호막(passivation layer)으로 작용할 수 있다.The front dielectric layer 120 formed on the light receiving surface of the semiconductor substrate 110 on which the plurality of projections and depressions 111 are formed is formed such that electrons and holes separated by the incident light recombine on the surface of the light receiving surface of the semiconductor substrate 110 and disappear And can act as a passivation layer to inhibit it.

이에 더하여, 전면 유전층(120)이 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유하는 경우, 전면 유전층(120)은 BSF(back surface field)와 유사한 FSF(front surface field)로 작용할 수 있다.In addition, when the front dielectric layer 120 contains impurities of pentavalent elements such as phosphorus (P), arsenic (As), and antimony (Sb) at a higher concentration than the semiconductor substrate 110, (front surface field) similar to the back surface field.

전면 유전층(120)의 표면에 형성된 반사 방지막(130)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 산화질화물(SiOxNy), 또는 이산화 티탄(TiO2) 중에서 선택된 하나의 물질을 포함하는 단층(single layer) 구조 또는 상기 단층이 2층 이상 적층된 다층(multi layer) 구조로 형성될 수 있다.An anti-reflection film 130 formed on the surface of the front dielectric layer 120 is a single layer containing one material selected from silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiO 2), silicon oxynitride (SiOxNy), or titanium dioxide (TiO2) (single layer) structure or a multi-layer structure in which the single layer is stacked in two or more layers.

반사 방지막(130)은 입사되는 태양 광의 반사율을 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜, 태양전지의 효율을 높인다.The antireflection film 130 reduces the reflectance of incident sunlight and increases the selectivity of a specific wavelength region, thereby enhancing the efficiency of the solar cell.

반사 방지막(130)은 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The anti-reflection film 130 may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

반도체 기판(110)의 후면에 형성된 복수의 제1 도핑부(141)에는 n형 불순물이 반도체 기판(110)보다 높은 고농도로 도핑되어 있으며, 복수의 제2 도핑부(142)에는 p형 불순물이 고농도로 도핑되어 있다. 따라서 제2 도핑부(142)는 n형의 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 형성한다.The n-type impurities are doped at a higher concentration than the semiconductor substrate 110 in the plurality of first doping portions 141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the plurality of second doping portions 142 are doped with p- And is doped at a high concentration. Accordingly, the second doping portion 142 forms a p-n junction with the n-type semiconductor substrate 110.

제1 도핑부(141)와 제2 도핑부(142)는 캐리어(전자와 정공)들의 이동 통로로서 작용한다.The first doping portion 141 and the second doping portion 142 serve as a path for movement of carriers (electrons and holes).

제1 도핑부(141)와 제2 도핑부(142)의 일부분을 노출하는 후면 유전층(150)은 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 조합 등으로 형성될 수 있다.The rear dielectric layer 150 that exposes a portion of the first doping portion 141 and the second doping portion 142 may be formed of a silicon oxide film (SiO 2 ), a silicon nitride film (SiN x), or a combination thereof.

후면 유전층(150)은 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The rear dielectric layer 150 may be formed as a single layer structure or a multi-layer structure.

후면 유전층(150)으로 덮여지지 않은 제1 도핑부(141)와 이 제1 도핑부(141)에 인접한 후면 유전층(150) 부분 위에는 제1 전극부(160)가 위치하고, 후면 유전층(150)으로 덮여지지 않은 제2 도핑부(142)와 이 제2 도핑부(142)에 인접한 후면 유전층(150) 부분 위에는 제2 전극부(170)가 위치한다.The first electrode portion 160 is disposed on the first doped portion 141 not covered with the rear dielectric layer 150 and the rear dielectric layer 150 adjacent to the first doped portion 141, The second electrode portion 170 is located on the second undoped portion 142 and the rear dielectric layer 150 adjacent to the second doped portion 142.

도 2에 도시한 바와 같이, 제1 전극부(160)는 제1 방향(X-X')으로 연장된 복수의 제1 핑거 전극(160a)으로만 구성될 수 있고, 제2 전극부(170)는 제1 방향으로 연장되며 제1 핑거 전극(160a)의 사이에 위치하는 복수의 제2 핑거 전극(170a)으로만 구성될 수 있다.2, the first electrode unit 160 may include only a plurality of first finger electrodes 160a extending in a first direction X-X ', and the second electrode unit 170 May comprise only a plurality of second finger electrodes 170a extending in the first direction and positioned between the first finger electrodes 160a.

즉, 도 2에 도시한 전극 구조를 갖는 후면 접합 태양전지는 복수의 제1 핑거 전극(160a)을 전기적으로 연결하기 위한 버스바 전극과 복수의 제2 핑거 전극(170a)을 전기적으로 연결하기 위한 버스바 전극을 구비하지 않는 논-버스바(non-Busbar) 구조로 구성된다.That is, the rear-bonding solar cell having the electrode structure shown in FIG. 2 has a structure in which a bus bar electrode for electrically connecting a plurality of first finger electrodes 160a and a plurality of second finger electrodes 170a for electrically connecting And a non-Busbar structure without a bus bar electrode.

이와는 달리, 도 3에 도시한 바와 같이, 제1 전극부(160)는 제1 방향을 따라 일정한 간격으로 형성된 복수의 제1 도트 전극(160b)으로만 구성될 수 있고, 제2 전극부(170)는 제1 방향을 따라 일정한 간격으로 형성되며 제1 도트 전극 형성 영역 사이에 위치하는 복수의 제2 도트 전극(170b)로만 구성될 수 있다.3, the first electrode unit 160 may include only a plurality of first dot electrodes 160b formed at regular intervals along the first direction, and the second electrode unit 170 May be formed as a plurality of second dot electrodes 170b which are formed at regular intervals along the first direction and are located between the first dot electrode forming regions.

도 3에 도시한 전극 구조를 구비한 후면 접합 태양전지는 도 2에 도시한 후면 접합 태양전지와 마찬가지로 논-버스바 구조로 형성된다.The rear-surface solar cell having the electrode structure shown in FIG. 3 is formed in a non-bus-bar structure like the rear-surface solar cell shown in FIG.

이와는 달리, 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 전극부(160)는 제1 방향으로 연장된 복수의 제1 핑거 전극(160a)과, 제1 방향과 교차하는 제2 방향(Y-Y')으로 연장되어 복수의 제1 핑거 전극(160a)의 한쪽 단부를 연결하는 제1 버스바 전극(160c)으로 구성될 수 있고, 제2 전극부(170)는 제1 방향으로 연장된 복수의 제2 핑거 전극(170a)과, 제1 방향과 교차하는 제2 방향(Y-Y')으로 연장되어 복수의 제2 핑거 전극(170a)의 한쪽 단부를 연결하는 제2 버스바 전극(170c)으로 구성될 수 있다.4, the first electrode unit 160 includes a plurality of first finger electrodes 160a extending in a first direction and a plurality of second finger electrodes 160b extending in a second direction Y-Y 'crossing the first direction. And a first bus bar electrode 160c extending from one end of the first finger electrode 160a to one end of the plurality of first finger electrodes 160a. The second electrode unit 170 may include a plurality of electrodes A second bus bar electrode 170c extending in a second direction Y-Y 'intersecting the first direction and connecting one end of the plurality of second finger electrodes 170a, Lt; / RTI >

이하, 태양전지 모듈에 사용되는 절연 기판에 대해 설명한다.Hereinafter, the insulating substrate used in the solar cell module will be described.

도 5 및 도 6에 도시한 절연 기판은 도 2 내지 도 4에 도시한 태양전지를 전기적으로 접속하기 위해 사용될 수 있다.The insulating substrate shown in Figs. 5 and 6 can be used for electrically connecting the solar cells shown in Figs. 2 to 4. Fig.

본 실시예의 절연 기판(200)은 열 가소성 수지로 이루어진 절연성 기재(210)를 포함한다.The insulating substrate 200 of this embodiment includes an insulating substrate 210 made of a thermoplastic resin.

본 실시예에서, 절연성 기재는 태양전지 모듈을 제조하기 위한 라미네이션(lamination) 공정의 공정 온도 이하, 예를 들어 140℃ 이하의 용융 온도를 갖는 열 가소성 수지, 예를 들면, 폴리에틸렌(PE), 폴리메타크릴산 메틸(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.In the present embodiment, the insulating substrate is a thermoplastic resin having a melting temperature of, for example, 140 캜 or lower, for example, polyethylene (PE), poly (ethylene terephthalate) (PMMA), polycarbonate (PC), and ethylene vinyl acetate (EVA).

절연성 기재(210)는 태양전지 모듈에 구비되는 복수, 예를 들어 12개의 태양전지(100)의 크기를 합한 크기보다 더 크게 형성되며, 절연성 기재(210)에는 복수의 태양전지(100)를 직렬로 접속하는 도전체(230a, 230b, 230c, 230d, 230e)가 형성된다.The insulating substrate 210 is formed to have a size larger than the sum of the sizes of a plurality of solar cells 100 included in the solar cell module and the insulating substrate 210 has a plurality of solar cells 100 connected in series Conductor 230a, 230b, 230c, 230d, and 230e connected to each other are formed.

도전체(230a, 230b, 230c, 230d, 230e)는 도 2 내지 도 4에 도시한 태양전지의 전극부 구조에 대응하여, 복수의 제1 핑거 전극(160a) 또는 복수의 제1 도트 전극(160b)과 대응하는 위치에 형성된 제1 전극용 배선(230a)과, 복수의 제2 핑거 전극(170a) 또는 복수의 제2 도트 전극(170b)과 대응하는 위치에 형성된 제2 전극용 배선(230b)과, 서로 이웃한 2개의 태양전지(100) 중 어느 한 태양전지에 대응하는 위치에 형성된 제1 전극용 배선(230a)을 다른 한 태양전지에 대응하는 위치에 형성된 제2 전극용 배선(230b)과 연결하는 연결 배선(230c)과, 가장 좌측 열의 첫 번째 행에 배치된 태양전지에 대응하는 위치에 형성된 제1 전극용 배선(230a)을 연결하는 인출 배선(230d)과, 가장 우측 열의 첫 번째 행에 배치된 태양전지에 대응하는 위치에 형성된 제2 전극용 배선(230b)을 연결하는 인출 배선(230e)을 포함한다.The conductors 230a, 230b, 230c, 230d and 230e correspond to the electrode structure of the solar cell shown in Figs. 2 to 4, and the plurality of first finger electrodes 160a or the plurality of first dot electrodes 160b And a second electrode wiring 230b formed at a position corresponding to the plurality of second finger electrodes 170a or the plurality of second dot electrodes 170b, And a second electrode wiring 230b formed at a position corresponding to another solar cell, the first electrode wiring 230a formed at a position corresponding to one of the two solar cells 100 adjacent to each other, An outgoing wiring 230d for connecting the first electrode wiring 230a formed at a position corresponding to the solar cell disposed in the first row of the leftmost column, And a second electrode wiring 230b formed at a position corresponding to the solar cell disposed in the row, It includes (230e).

이러한 구성의 도전체(230a, 230b, 230c, 230d, 230e)는 절연성 기재(210)의 한쪽 면에 도전성 페이스트를 인쇄, 건조 및 경화하여 형성할 수 있다.The conductors 230a, 230b, 230c, 230d, and 230e having such a configuration can be formed by printing, drying, and curing a conductive paste on one side of the insulating substrate 210. [

그리고 도전체(230a, 230b, 230c, 230d, 230e)는 저융점 땜납이나 저온 경화형의 도전성 접착제에 의해 태양전지의 해당 전극부에 접합될 수 있으며, 도전성 접착제는 열 경화성 수지 및 수지 내에 분산된 복수의 도전성 입자를 포함할 수 있다.The conductive members 230a, 230b, 230c, 230d, and 230e may be bonded to the corresponding electrode portion of the solar cell by a low melting point solder or a low temperature curable conductive adhesive agent. The conductive adhesive may be a thermosetting resin, Of conductive particles.

위에서 설명한 구성의 도전체(230a, 230b, 230c, 230d, 230e)에 있어서, 라미네이션 공정에서 절연성 기재(210)에 열이 전달되면 열응력에 의해 도전체(230a, 230b, 230c, 230d, 230e)와 태양전지의 전극부의 오정렬이 발생할 우려가 있다.When heat is transmitted to the insulating substrate 210 in the lamination process in the conductors 230a, 230b, 230c, 230d, and 230e having the above-described configuration, the conductors 230a, 230b, 230c, 230d, And the electrode part of the solar cell may be misaligned.

따라서, 본 실시예의 절연 기판(200)은 열응력 완화를 위해 절연성 기재(210)의 내부에 복수의 기공(220)이 위치한다.Therefore, in the insulating substrate 200 of the present embodiment, a plurality of pores 220 are located inside the insulating substrate 210 for relieving thermal stress.

복수의 기공(220)은 도 6에 도시한 바와 같이 라미네이션 공정 전에는 절연성 기재(210)의 내부에 위치하지만, 라미네이션 공정이 진행되는 동안 가해지는 열에 의해 절연성 기재(210)가 용융되면 제거된다.6, the plurality of pores 220 are located inside the insulating substrate 210 before the lamination process, but are removed when the insulating substrate 210 is melted by the heat applied during the lamination process.

여기에서, 라미네이션 공정은 서로 이웃하는 2개의 태양전지가 절연 기판의 도전체에 의해 전기적으로 연결되도록 복수의 태양전지를 절연 기판 위에 배치하고, 태양전지의 양쪽 면에 밀봉재를 배치한 후, 광 투과성의 전면 기판과 후면 시트(back sheet)를 밀봉재의 양쪽 면에 각각 적층한 상태에서 일정한 열 및 압력을 가하여 상기 부품들을 일체화하는 공정을 말한다.Here, in the lamination process, a plurality of solar cells are disposed on an insulating substrate so that two neighboring solar cells are electrically connected to each other by a conductor of an insulating substrate, a sealing material is disposed on both sides of the solar cell, Refers to a process of integrating the components by applying a certain amount of heat and pressure while the front substrate and the back sheet of the sealing member are laminated on both sides of the sealing member.

따라서, 태양전지의 모듈화 공정이 완료된 후에는 도 10에 도시한 바와 같이 절연성 기재(210)의 내부에는 복수의 기공(220)이 위치하지 않는다.Therefore, after the modularization process of the solar cell is completed, as shown in FIG. 10, a plurality of pores 220 are not located inside the insulating substrate 210.

도 10에서, 미설명 도면부호 CA는 도전체와 태양전지의 전극부를 접합하는 접착제를 의미하며, 미설명 도면부호 300은 상기 밀봉재를 의미한다.In FIG. 10, CA denotes a bonding agent for bonding a conductor to an electrode portion of a solar cell, and reference numeral 300 denotes a sealing material.

복수의 기공(220)은 절연성 기재(210)를 성형할 때 기재(210) 자체에 다공성 구조를 형성하는 것에 의해 형성할 수 있다.The plurality of pores 220 may be formed by forming a porous structure on the substrate 210 itself when the insulating substrate 210 is molded.

다공성 구조는 절연성 기재(210)를 구성하는 열 가소성 수지 재료를 혼합할 때 폴리머(polymer) 내에 발포제를 첨가하는 방법과, 절연성 기재(210)를 사출하는 과정에서 기공이 형성되도록 강제적으로 공기를 혼입하는 방법 등을 사용하여 형성할 수 있다.The porous structure includes a method of adding a foaming agent into a polymer when mixing the thermoplastic resin material constituting the insulating substrate 210 and a method of mixing air forcibly to form pores in the process of injecting the insulating substrate 210 And the like.

또한, 절연성 기재(210)를 형성하는 열 가소성 수지와는 다른 재질의 열 가소성 수지를 입자(particle) 형태로 절연성 기재(210)의 내부에 위치시킨 후, 라미네이션 공정에서 절연성 기재(210)에 가해지는 열에 의해 상기 입자가 용융되도록 함으로써 절연성 기재(210)의 열응력을 완화시키는 것도 가능하다.Further, a thermoplastic resin, which is different from the thermoplastic resin forming the insulating base material 210, is placed in the insulating base material 210 in the form of particles, and then the insulating resin material 210 is applied to the insulating base material 210 in the lamination process It is possible to relax the thermal stress of the insulating base 210 by allowing the particles to melt by the heat of losing.

이상에서 설명한 바와 같이, 복수의 기공(220)이 형성된 절연성 기재(210)를 포함하는 본 실시예의 절연 기판(200)은 라미네이션 공정 중에 절연성 기재에 가해지는 열에 의해 용융되면서 내부의 기공(220)이 제거된다.As described above, the insulating substrate 200 of the present embodiment including the insulating substrate 210 having the plurality of pores 220 is melted by the heat applied to the insulating substrate during the lamination process, Removed.

따라서, 라미네이션 공정 중에 절연성 기재에 가해지는 열응력이 완화되므로, 절연 기판(200)의 도전체(230a, 230b, 230c, 230d, 230e)와 태양전지의 전극부 간에 오정렬이 발생하는 것을 억제할 수 있다.Therefore, since the thermal stress applied to the insulating substrate during the lamination process is relaxed, misalignment between the conductors 230a, 230b, 230c, 230d, and 230e of the insulating substrate 200 and the electrode portions of the solar cell can be suppressed have.

이하, 도 7을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 절연 기판에 대해 설명한다.Hereinafter, an insulating substrate according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

본 실시예의 절연 기판(200)은 도 2 및 도 4에 도시한 태양전지를 구비한 태양전지 모듈에 사용이 가능한 것으로, 이하에서, 전술한 도 5 및 도 6의 절연 기판과 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하여, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.The insulating substrate 200 of the present embodiment can be used for a solar cell module having the solar cell shown in Figs. 2 and 4. Hereinafter, the same components as those of the insulating substrates of Figs. 5 and 6 The same reference numerals are given and detailed description thereof will be omitted.

본 실시예의 절연 기판(200)은 도 5에 도시한 절연 기판에 형성된 도전체(230a, 230b, 230c, 230d, 230e) 중에서 제1 전극용 배선(230a)과 제2 전극용 배선(230b)이 제거된 형태의 도전체(230c, 230d, 230e)를 구비한다.The insulating substrate 200 of the present embodiment has the first electrode wiring 230a and the second electrode wiring 230b among the conductors 230a, 230b, 230c, 230d, and 230e formed on the insulating substrate shown in Fig. And has removed conductors 230c, 230d, and 230e.

즉, 도전체(230c, 230d, 230e)는 서로 이웃한 2개의 태양전지 중 어느 한 태양전지의 제1 전극부(160)를 다른 한 태양전지의 제2 전극부(170)와 연결하는 연결 배선(230c)과, 가장 좌측 열의 첫 번째 행에 배치된 태양전지에 대응하는 위치에 형성된 인출 배선(230d)과, 가장 우측 열의 첫 번째 행에 배치된 태양전지에 대응하는 위치에 형성된 인출 배선(230e)을 포함한다.That is, the conductors 230c, 230d, and 230e are connected to the first electrode unit 160 of one of two adjacent solar cells to the second electrode unit 170 of another solar cell, A lead wire 230d formed at a position corresponding to the solar cell disposed in the first row of the leftmost column and a lead wire 230e formed at a position corresponding to the solar cell disposed in the first row of the rightmost row, ).

이러한 구성의 도전체(230c, 230d, 230e)는 절연성 기재(210)의 한쪽 면에 도전성 페이스트를 인쇄, 건조 및 경화하여 형성할 수 있다.The conductors 230c, 230d, and 230e having such a configuration can be formed by printing, drying, and curing a conductive paste on one surface of the insulating substrate 210. [

그리고 절연성 기재(210)의 내부에는 복수의 기공이 위치한다.A plurality of pores are located inside the insulating substrate 210.

이하, 도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 절연 기판에 대해 설명한다.Hereinafter, an insulating substrate according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG.

도 8은 절연 기판의 평면도이고, 도 9는 도 8의 제2 방향(Y-Y') 단면도이다.FIG. 8 is a plan view of the insulating substrate, and FIG. 9 is a sectional view in the second direction (Y-Y ') of FIG.

본 실시예의 절연 기판(200)은 도 2 및 도 3에 도시한 논-버스 구조의 태양전지를 구비한 태양전지 모듈에 사용이 가능한 것으로, 이하에서, 전술한 도 5 및 도 6의 절연 기판과 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하여, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.The insulating substrate 200 of the present embodiment can be used for a solar cell module having a solar cell of the non-bus structure shown in Figs. 2 and 3. Hereinafter, the insulating substrate 200 of Figs. 5 and 6 The same reference numerals are given to the same constituent elements, and a detailed description thereof will be omitted.

본 실시예의 절연 기판(200)은 복수의 제1 핑거 전극(160a) 또는 복수의 제1 도트 전극(160b)과 대응하는 위치에 형성된 제1 전극용 배선(230a)과, 복수의 제2 핑거 전극(170a) 또는 복수의 제2 도트 전극(170b)과 대응하는 위치에 형성된 제2 전극용 배선(230b)을 구비한다.The insulating substrate 200 of the present embodiment includes a first electrode wiring 230a formed at a position corresponding to a plurality of first finger electrodes 160a or a plurality of first dot electrodes 160b, And a second electrode wiring 230b formed at a position corresponding to the plurality of first dot electrodes 170a or the plurality of second dot electrodes 170b.

제1 전극용 배선(230a)과 제2 전극용 배선(230b)은 핑거 전극들(160a, 160b)과 동일한 방향으로 연장된다.The first electrode wiring 230a and the second electrode wiring 230b extend in the same direction as the finger electrodes 160a and 160b.

따라서, 제1 전극용 배선(230a)은 서로 이웃한 태양전지에 각각 형성된 제1 핑거 전극들 또는 제1 도트 전극들을 서로 연결하며, 이와 마찬가지로, 제2 전극용 배선(230b)은 서로 이웃한 태양전지에 각각 형성된 제2 핑거 전극들 또는 제2 도트 전극들을 서로 연결한다.Accordingly, the first electrode wiring 230a connects the first finger electrodes or the first dot electrodes formed in the neighboring solar cells to each other, and likewise, the second electrode wiring 230b connects the neighboring solar cells 230a, And the second finger electrodes or the second dot electrodes respectively formed in the cell are connected to each other.

이러한 구성의 도전체(230a, 230b)는 도 9에 도시한 바와 같이 원형의 단면 형상을 갖는 와이어(wire)로 이루어질 수 있다.The conductors 230a and 230b having such a configuration may be formed of a wire having a circular sectional shape as shown in FIG.

여기에서, 와이어(wire)는 코어 금속(core metal) 및 코어 금속의 외면에 코팅된 솔더(solder)를 포함하며 스풀(spool) 등에 권취되어 보관 및 이송이 가능한 전기적 연결 부재를 말한다.Here, the wire refers to an electrical connecting member including a core metal and a solder coated on an outer surface of the core metal, and wound around a spool or the like to be stored and transported.

와이어의 단면 형상은 사각형 등으로 다양하게 변형될 수 있으며, 와이어로 구성된 도전체(230a, 230b)는 접착제에 의해 절연성 기재(210)에 접합될 수 있다.The cross-sectional shape of the wire can be variously modified by a square or the like, and the conductors 230a and 230b made of wires can be bonded to the insulating substrate 210 with an adhesive.

한편, 절연성 기재(210)의 내부에는 복수의 기공(220)이 위치하며, 와이어 형상의 도전체는 제2 방향(Y-Y')으로 길게 연장되어 태양전지의 전극부와 접합될 수도 있다.Meanwhile, a plurality of pores 220 are disposed in the insulating substrate 210, and the wire-shaped conductor may be elongated in the second direction Y-Y 'to be connected to the electrode portion of the solar cell.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 않으며, 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

100: 태양전지 200: 절연 기판
210: 절연성 기재 220: 기공
230: 도전체100: solar cell 200: insulating substrate
210: insulating base material 220: porosity
230: conductor

Claims (9)

열 가소성 수지로 이루어진 절연성 기재; 및
상기 절연성 기재의 한쪽 면에 위치하는 도전체
를 포함하고,
상기 절연성 기재의 내부에는 복수의 기공(porous)이 위치하는 절연 기판.An insulating substrate made of a thermoplastic resin; And
And a conductor disposed on one side of the insulating substrate
Lt; / RTI >
Wherein a plurality of pores are located inside the insulating substrate. 제1항에서,
상기 절연성 기재는 140℃ 이하의 용융 온도를 갖는 절연 기판.The method of claim 1,
Wherein the insulating substrate has a melting temperature of 140 캜 or less. 제2항에서,
상기 열 가소성 수지는 폴리에틸렌(PE), 폴리메타크릴산 메틸(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 절연 기판.3. The method of claim 2,
Wherein the thermoplastic resin is at least one material selected from the group consisting of polyethylene (PE), polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), and ethylene vinyl acetate (EVA). 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에서,
상기 도전체는 상기 절연성 기재의 한쪽 면에 도포된 도전성 페이스트로 이루어지는 절연 기판.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the conductor is formed of a conductive paste coated on one side of the insulating substrate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에서,
상기 도전체는 상기 절연성 기재의 한쪽 면에 접합된 도전성 와이어로 이루어지는 절연 기판.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the conductor is formed of a conductive wire bonded to one surface of the insulating substrate. 열 가소성 수지로 이루어지며 내부에 복수의 기공(porous)이 위치하는 절연성 기재 및 상기 절연성 기재의 한쪽 면에 위치하는 도전체를 포함하는 절연 기판을 이용한 태양전지 모듈의 제조 방법으로서,
서로 이웃하는 2개의 태양전지가 상기 도전체에 의해 전기적으로 연결되도록 복수의 태양전지를 상기 절연 기판 위에 배치하고,
라미네이션 공정을 실시하여 상기 절연성 기재의 상기 복수의 기공을 제거하는 태양전지 모듈의 제조 방법.1. A method of manufacturing a solar cell module using an insulating substrate comprising a thermoplastic resin and an insulating substrate having a plurality of pores therein and a conductor disposed on one side of the insulating substrate,
A plurality of solar cells are arranged on the insulating substrate so that two neighboring solar cells are electrically connected by the conductor,
And removing the plurality of pores of the insulating base material by performing a lamination process. 제6항에서,
상기 라미네이션 공정시 상기 절연성 기재에 전달되는 열을 이용하여 상기 절연성 기재를 용융시키는 것에 의해 상기 복수의 기공을 제거하는 태양전지 모듈의 제조 방법.The method of claim 6,
Wherein the plurality of pores are removed by melting the insulating base material by using heat transferred to the insulating base material during the lamination process. 제6항 또는 제7항에서,
상기 절연성 기재의 용융 온도보다 높은 온도에서 상기 라미네이션 공정을 실시하는 태양전지 모듈의 제조 방법.8. The method according to claim 6 or 7,
And the lamination process is performed at a temperature higher than the melting temperature of the insulating substrate. 제8항에서,
상기 라미네이션 공정을 140℃ 이상의 온도에서 실시하는 태양전지 모듈의 제조 방법.9. The method of claim 8,
Wherein the lamination process is performed at a temperature of 140 ° C or higher.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017216528A1 (en) * 2017-09-19 2019-03-21 Continental Automotive Gmbh Protective film for solar cell, solar module with the protective film, method for producing the solar film and the solar module

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60137092A (en) * 1983-12-19 1985-07-20 株式会社東芝 Circuit board
JP2002176268A (en) * 2000-09-27 2002-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Resin board, method of manufacturing the same, connection intermediate product, circuit board and manufacturing method therefor
JP2009152302A (en) * 2007-12-19 2009-07-09 Canon Inc Method of forming photovoltaic device
JP2010098133A (en) * 2008-10-16 2010-04-30 Shimadzu Corp Method for manufacturing optical matrix device and optical matrix device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60137092A (en) * 1983-12-19 1985-07-20 株式会社東芝 Circuit board
JP2002176268A (en) * 2000-09-27 2002-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Resin board, method of manufacturing the same, connection intermediate product, circuit board and manufacturing method therefor
JP2009152302A (en) * 2007-12-19 2009-07-09 Canon Inc Method of forming photovoltaic device
JP2010098133A (en) * 2008-10-16 2010-04-30 Shimadzu Corp Method for manufacturing optical matrix device and optical matrix device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017216528A1 (en) * 2017-09-19 2019-03-21 Continental Automotive Gmbh Protective film for solar cell, solar module with the protective film, method for producing the solar film and the solar module

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