JP2002176268A - Resin board, method of manufacturing the same, connection intermediate product, circuit board and manufacturing method therefor - Google Patents

Resin board, method of manufacturing the same, connection intermediate product, circuit board and manufacturing method therefor

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JP2002176268A
JP2002176268A JP2001290479A JP2001290479A JP2002176268A JP 2002176268 A JP2002176268 A JP 2002176268A JP 2001290479 A JP2001290479 A JP 2001290479A JP 2001290479 A JP2001290479 A JP 2001290479A JP 2002176268 A JP2002176268 A JP 2002176268A
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layer
substrate
resin
porous layer
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Japanese (ja)
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Takeshi Suzuki
武 鈴木
Satoru Tomekawa
悟 留河
Yoshihiro Kawakita
嘉洋 川北
Yasushi Nakagiri
康司 中桐
Fumio Echigo
文雄 越後
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit board having small connection resistance and superior connection stability. SOLUTION: A compression function layer 60 is disposed on at least one surface of the board. The compression function layer 60 gives a function for compression by receiving pressurization in the direction of board thickness to a resin substrate 10 including the layer. Thus, sufficient pressure is applied to a conductor 14.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、に関する。 本発
明は、回路基板に用いられる樹脂基板、接続中間体、接
続中間体の製造方法、回路基板、および回路基板の製造
方法に関する。
[0001] The present invention relates to the present invention. The present invention relates to a resin substrate used for a circuit board, a connection intermediate, a method for manufacturing a connection intermediate, a circuit board, and a method for manufacturing a circuit board.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の小型軽量化、高機能高
性能化に伴い、産業用にとどまらず広く民生用機器の分
野においても、LSI等の半導体チップを高密度に実装
できる多層回路基板を安価に供給することが強く要望さ
れている。
2. Description of the Related Art In recent years, as electronic devices have become smaller and lighter and have higher functions and higher performance, multilayer circuit boards on which semiconductor chips such as LSIs can be mounted at a high density have been widely used not only for industrial applications but also for consumer devices. There is a strong demand for inexpensive supplies.

【0003】このような市場の要望に対応できるものと
して、従来のセラミック多層基板に代わり、セラミック
多層基板よりも安価に供給することができる樹脂多層回
路基板が着目されており、樹脂多層回路基板を高密度実
装に好適な基板にする技術開発が行われている。
In order to meet such market demands, a resin multilayer circuit board which can be supplied at a lower cost than a ceramic multilayer board has been attracting attention instead of a conventional ceramic multilayer board. Technology development has been carried out to make substrates suitable for high-density mounting.

【0004】このようにして開発された樹脂多層回路基
板として、特開平06−268345号公報に開示され
た全層IVH構造(any layer inner via hole constru
ction)の回路基板がある。この回路基板は、絶縁層に
アラミド不織布補強材とエポキシ樹脂との複合材料を用
いた樹脂多層基板であるために、比較的安価に供給する
ことができる。さらには、この回路基板は、全層IVH
構造、すなわち、配線層の任意の位置を導電ペーストに
より接続できるインターステシャルビアホール接続構造
を採用しているために、高密度実装に好適なものとなっ
ている。
[0004] As a resin multilayer circuit board developed in this manner, an all-layer IVH structure (any layer inner via hole construct) disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 06-268345 is disclosed.
ction) circuit board. Since this circuit board is a resin multilayer board using a composite material of an aramid nonwoven fabric reinforcing material and an epoxy resin for the insulating layer, it can be supplied at relatively low cost. Furthermore, this circuit board is made of all layers IVH
Since the structure, that is, an interstitial via hole connection structure in which an arbitrary position of a wiring layer can be connected by a conductive paste is adopted, it is suitable for high-density mounting.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】以上の特徴を備えた全
層IVH構造の回路基板は、不織布に樹脂を含浸し内部
に空隙を持たせたプリプレグを用いなければ基板を構成
することができない。つまり、この回路基板は、特定材
料によってはじめて実現できる構造となっている。
A circuit board having an all-layer IVH structure having the above characteristics cannot be constructed without using a prepreg having a nonwoven fabric impregnated with a resin and having a void inside. That is, this circuit board has a structure that can be realized only by using a specific material.

【0006】しかしながら、昨今の市場の要望は実装の
高密度化に加えて次のようになっている。すなわち、市
場の要望は、高速回路網に適した低誘電率の回路基板、
あるいは高耐熱の回路基板など多岐に渡っている。その
ため、各々の要望に適した物性を持ち、しかも高密度実
装に適した回路基板を実現することが求められている。
[0006] However, recent market demands are as follows in addition to the increase in mounting density. In other words, the market demands are low-permittivity circuit boards suitable for high-speed networks,
Alternatively, there are a wide variety of circuit boards with high heat resistance. Therefore, it is required to realize a circuit board having physical properties suitable for each demand and suitable for high-density mounting.

【0007】したがって、本発明の主たる目的は、低い
接続抵抗ならびに優れた接続安定性を実現できる回路基
板の提供を目的とするものである。
Accordingly, it is a main object of the present invention to provide a circuit board which can realize low connection resistance and excellent connection stability.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ためには、本発明は、回路基板や接続中間体の絶縁体層
に用いられる樹脂基板として、少なくとも一つの基板表
面に圧縮機能層を設けている。圧縮機能層は、樹脂基板
や中間接続体に、その厚み方向の加圧を受けて圧縮する
機能を付与するものであるという特徴を有している。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a resin substrate used for an insulating layer of a circuit board or a connection intermediate, comprising a compression function layer on at least one substrate surface. Provided. The compression function layer is characterized in that it gives a resin substrate or an intermediate connector a function of being compressed by receiving a pressure in its thickness direction.

【0009】本発明によれば、材料の組み合わせに限定
されず、表面に特徴を持たせることにより、圧縮する機
能を付与し、低いビア接続抵抗ならびに優れた接続安定
性を実現した回路基板が得られる。
According to the present invention, it is possible to obtain a circuit board which is not limited to a combination of materials but is provided with a function of compressing by giving a characteristic to a surface to realize a low via connection resistance and excellent connection stability. Can be

【0010】圧縮機能層は、多孔質層であるのが好まし
い。そうすれば、多孔質層に対する樹脂基板の樹脂成分
の侵入程度を制御することで、樹脂基板に対して、その
厚み方向の加圧を受けて圧縮する機能を付与することが
できる。
[0010] The compression functional layer is preferably a porous layer. Then, by controlling the degree of penetration of the resin component of the resin substrate into the porous layer, it is possible to provide the resin substrate with a function of receiving pressure in the thickness direction and compressing the resin substrate.

【0011】多孔質層は空孔群を有しており、空孔群は
互いに連通する複数の空孔から構成され、空孔群両端が
多孔質層両面に開口しているのが好ましい。そうすれ
ば、空孔内に溜まっている空気を基板厚み方向の加圧に
より外部に排出することができるようになる。これによ
り、樹脂基板の樹脂成分を多孔質層に侵入させやすくな
るとともに、多孔質層に対する前記樹脂成分の侵入量を
加圧の調整によって容易に制御することができる。
The porous layer has a group of holes, and the group of holes is preferably composed of a plurality of holes communicating with each other, and both ends of the group of holes are preferably opened on both sides of the porous layer. Then, the air accumulated in the holes can be discharged to the outside by pressurization in the thickness direction of the substrate. This makes it easier for the resin component of the resin substrate to penetrate the porous layer, and the amount of the resin component penetrating the porous layer can be easily controlled by adjusting the pressure.

【0012】前記圧縮機能層は、樹脂基板や接続中間体
に、基板表面から突出する状態で設けられた絶縁性粒子
の層から構成することもできる。この場合、基板表面か
ら突出している絶縁性粒子が、基板厚み方向の加圧を受
けて樹脂基板内に押し込まれることで、樹脂基板に対し
て圧縮する機能を付与することができる。
[0012] The compression functional layer may be formed of a layer of insulating particles provided on the resin substrate or the connection intermediate so as to protrude from the substrate surface. In this case, the insulating particles protruding from the substrate surface are pressed into the resin substrate under the pressure in the thickness direction of the substrate, whereby a function of compressing the resin substrate can be provided.

【0013】樹脂基板は、少なくともその圧縮機能層配
置面が半硬化状態であるのが好ましい。そうすれば、基
板材料が半硬化状態であるため次のような利点がある。
すなわち、多孔質層からなる圧縮機能層では、樹脂成分
が多孔質層に侵入しやすくなる。また、絶縁性粒子の層
からなる圧縮機能層では、絶縁性粒子を樹脂基板内に押
し込みやすくなる。
It is preferable that at least the surface on which the compression function layer is disposed of the resin substrate is in a semi-cured state. Then, since the substrate material is in a semi-cured state, there are the following advantages.
That is, in the compression function layer formed of the porous layer, the resin component easily enters the porous layer. Further, in the compression function layer formed of the layer of insulating particles, the insulating particles can be easily pushed into the resin substrate.

【0014】樹脂基板は、前記圧縮機能層のさらに上層
に、着脱自在に保護膜層を設けるのが好ましい。そうす
れば、樹脂基板や接続中間体を用いた回路基板の製造工
程中において、圧縮機能層に対して外部からゴミが付着
することを防ぐことができる。さらには、保護膜層の着
脱を通じて、樹脂基板や接続中間体全体の厚みの調整を
行うことができる。これにより、樹脂基板や接続中間体
に厚み方向に貫通して設ける導電体を圧縮する際の圧縮
代(しろ)を追加することが可能となる。
It is preferable that the resin substrate is provided with a protective film layer removably above the compression function layer. Then, it is possible to prevent dust from adhering to the compression functional layer from the outside during the manufacturing process of the circuit board using the resin substrate and the connection intermediate. Further, the thickness of the resin substrate and the entire connection intermediate can be adjusted through attachment and detachment of the protective film layer. This makes it possible to add a compression margin when compressing a conductor provided to penetrate the resin substrate or the connection intermediate in the thickness direction.

【0015】本発明の樹脂基板は、次のようにして製造
することができる。すなわち、樹脂基板の少なくとも一
つの基板表面に多孔質層を配置したのち、前記多孔質層
の空孔内に前記樹脂基板の樹脂成分が侵入しない程度の
加圧力を前記樹脂基板に印加することで、前記多孔質層
を前記樹脂基板に圧着する。
The resin substrate of the present invention can be manufactured as follows. That is, after arranging the porous layer on at least one substrate surface of the resin substrate, by applying a pressing force to the resin substrate to such an extent that the resin component of the resin substrate does not enter the pores of the porous layer. Then, the porous layer is pressure-bonded to the resin substrate.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい具体例に
ついて図面を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】(第1の好ましい具体例)図1A、図1B
は、本具体例の樹脂基板10の断面模式図を示してい
る。
(First Preferred Specific Example) FIGS. 1A and 1B
Shows a schematic cross-sectional view of the resin substrate 10 of this specific example.

【0018】樹脂基板10A、10Bはその表面に多孔
質層11を有するものである。すなわち、本具体例の樹
脂基板10A、10Bと従来の樹脂基板との相違点は、
表面に圧縮機能層となる多孔質層11を有するか否かで
あり、本具体例の樹脂基板10A、10Bは、少なくと
も一つの表面に多孔質層11を有している。
The resin substrates 10A and 10B have a porous layer 11 on the surface. That is, the difference between the resin substrates 10A and 10B of this specific example and the conventional resin substrate is as follows.
Whether or not the surface has the porous layer 11 serving as the compression functional layer is determined. The resin substrates 10A and 10B of this specific example have the porous layer 11 on at least one surface.

【0019】図1A、図1Bの構成では、基板10A、
10Bの両面に各々多孔質層11を設けた例を示してい
るが、片面にのみ多孔質層を設けた場合も、本発明の樹
脂基板とすることができる。
1A and 1B, the substrate 10A,
Although an example in which the porous layer 11 is provided on both surfaces of 10B is shown, the resin substrate of the present invention can also be used when a porous layer is provided only on one surface.

【0020】本具体例の樹脂基板10A、10Bの基板
材料としては、補強用の繊維材に熱硬化性樹脂を含浸さ
せたプリプレグ100や接着性シート101を用いるこ
とができる。プリプレグ100を用いた例が図1Aに示
す樹脂基板10Aであり、接着性シート101を用いた
例が図1Bに示す樹脂基板10Bである。
As the substrate material of the resin substrates 10A and 10B of this embodiment, a prepreg 100 or an adhesive sheet 101 in which a thermosetting resin is impregnated into a reinforcing fiber material can be used. An example using the prepreg 100 is a resin substrate 10A shown in FIG. 1A, and an example using the adhesive sheet 101 is a resin substrate 10B shown in FIG. 1B.

【0021】プリプレグ100としては、ガラスエポキ
シプリプレグやアラミドエポキシプリプレグ等を挙げる
ことができる。ガラスエポキシプリプレグは、ガラス不
織布に半硬化(Bステージ)状態のエポキシ樹脂を含浸
させたものである。アラミドエポキシプリプレグは、ア
ラミド不織布に半硬化状態のエポキシ樹脂を含浸させた
ものである。なお、半硬化状態のエポキシ樹脂は接着性
を有している。そのため、これらプリプレグ100で
は、図1Aに示すように、多孔質層11を接着するため
の接着剤層を、プリプレグ100の表面に設ける必要が
ない。
Examples of the prepreg 100 include a glass epoxy prepreg and an aramid epoxy prepreg. The glass epoxy prepreg is obtained by impregnating a glass nonwoven fabric with a semi-cured (B stage) epoxy resin. Aramid epoxy prepreg is obtained by impregnating a semi-cured epoxy resin into an aramid nonwoven fabric. The semi-cured epoxy resin has adhesiveness. Therefore, in these prepregs 100, there is no need to provide an adhesive layer for bonding the porous layer 11 on the surface of the prepreg 100 as shown in FIG. 1A.

【0022】接着性シート101は、ポリイミド、液晶
ポリマ、アラミド、PTFE(ポリテトラフルオロエチ
レン)などの熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂からなる
フィルム基板である。接着性シート101からなる樹脂
基板10Bにおいては、図1Bに示すように、接着性シ
ート101の多孔質膜形成面に、熱硬化性樹脂または熱
可塑性樹脂からなる接着剤層102が設けられている。
The adhesive sheet 101 is a film substrate made of a thermoplastic resin such as polyimide, liquid crystal polymer, aramid, PTFE (polytetrafluoroethylene) or a thermosetting resin. In the resin substrate 10B made of the adhesive sheet 101, as shown in FIG. 1B, an adhesive layer 102 made of a thermosetting resin or a thermoplastic resin is provided on the porous film forming surface of the adhesive sheet 101. .

【0023】プリプレグ100に含浸させる熱硬化性樹
脂または熱可塑性樹脂(以下、プリプレグ含浸樹脂とい
う)や、接着性シート101に設ける接着剤層102を
構成する樹脂の種類は、樹脂基板10A、10Bと配線
層(後述する)に用いる金属との組み合わせにより選ぶ
ことができ、特に限定はない。
The types of thermosetting resin or thermoplastic resin impregnated in the prepreg 100 (hereinafter referred to as prepreg impregnated resin) and the resin constituting the adhesive layer 102 provided on the adhesive sheet 101 are the same as the resin substrates 10A and 10B. It can be selected depending on the combination with the metal used for the wiring layer (described later), and is not particularly limited.

【0024】しかしながら、後述するように、多孔質層
11の内部空間には、その周囲から接着剤やプリプレグ
含浸樹脂を侵入させる必要がある。これらの樹脂を多孔
質層11に侵入させるためには、プリプレグ含浸樹脂や
接着剤層102は工程中において流動性を保持すること
が必要となる。そこで、熱硬化性樹脂の場合は半硬化状
態にして用いる。また、熱可塑性樹脂の場合は、接着剤
を流入させる工程時の温度を軟化温度以上として流動化
させている。
However, as will be described later, it is necessary to allow an adhesive or a prepreg-impregnated resin to penetrate into the internal space of the porous layer 11 from the periphery thereof. In order for these resins to enter the porous layer 11, the prepreg-impregnated resin and the adhesive layer 102 need to maintain fluidity during the process. Therefore, a thermosetting resin is used in a semi-cured state. In the case of a thermoplastic resin, the temperature at the time of the step of flowing the adhesive is set to a temperature equal to or higher than the softening temperature and fluidized.

【0025】具体的なプリプレグ含浸樹脂や接着剤層1
02の材料としては次のものが挙げられる。すなわち、
エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、フッ
素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、PPE(ポリフェニ
レンエーテル)樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、
シアネートエステル樹脂などの熱硬化性樹脂または熱可
塑性樹脂が挙げられる。なお、熱可塑性樹脂のフィルム
基板を接着性シート101として用いる場合は、軟化点
以上でフィルム基板自体が接着性を有するため、フィル
ム基板自体に接着剤層の役割を兼用させることができ
る。
Specific Prepreg Impregnated Resin or Adhesive Layer 1
The following are examples of the material 02. That is,
Epoxy resin, polyimide resin, phenol resin, fluorine resin, unsaturated polyester resin, PPE (polyphenylene ether) resin, bismaleimide triazine resin,
A thermosetting resin such as a cyanate ester resin or a thermoplastic resin may be used. When a film substrate of a thermoplastic resin is used as the adhesive sheet 101, the film substrate itself has an adhesive property at a softening point or higher, so that the film substrate itself can also serve as an adhesive layer.

【0026】このようにして構成される樹脂基板10
A、10Bの少なくとも一つの基板表面に多孔質層11
が設けられている。多孔質層11は、樹脂基板10A、
10Bに対して、その厚み方向の加圧を受けて圧縮する
機能を付与する圧縮機能層である。多孔質層11の具体
例としては、PTFE(ポリテトラフルオロエチレ
ン)、ポリイミドやアラミド等の多孔質シートや多孔質
セラミックが挙げられる。
The resin substrate 10 thus configured
A, a porous layer 11 on at least one substrate surface
Is provided. The porous layer 11 includes a resin substrate 10A,
10B is a compression functional layer that imparts a function of compressing by receiving pressure in its thickness direction. Specific examples of the porous layer 11 include a porous sheet such as PTFE (polytetrafluoroethylene), polyimide, and aramid, and a porous ceramic.

【0027】これらの多孔質層11は、その内部に1μ
m以下のものから数μmまで非常に微細な空孔を設ける
ことができる。しかもその場合、空孔の大きさを高精度
に制御することができる。
The porous layer 11 has a thickness of 1 μm inside.
Very small holes can be provided from those having a diameter of less than m to several μm. Moreover, in this case, the size of the holes can be controlled with high accuracy.

【0028】高周波回路に用いる回路基板を製造すると
きに、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)といっ
た誘電率の小さい多孔質層11からなる圧縮機能層を設
けるのは以下の点で好ましい。
When a circuit board used for a high-frequency circuit is manufactured, it is preferable to provide a compression function layer made of a porous layer 11 having a small dielectric constant such as PTFE (polytetrafluoroethylene) in the following points.

【0029】すなわち、配線層に最も近接する樹脂基板
10A、10Bの表層部位では配線層から漏れる磁束密
度が高いために、誘電率誘電損失の影響が樹脂基板10
A、10B内部より大きい。そのため、樹脂基板10
A、10Bの表面部位に配置される多孔質層11等の圧
縮機能層を、低誘電率のものから構成すると、樹脂基板
10A、10Bからなる回路基板における高周波特性を
向上させることができる。また、多孔質層11を設ける
ことで、樹脂基板10A、10Bの機械的強度を補強す
ることもできる。
That is, since the magnetic flux density leaking from the wiring layer is high at the surface layer portions of the resin substrates 10A and 10B which are closest to the wiring layer, the effect of the dielectric constant dielectric loss is
A Larger than inside 10B. Therefore, the resin substrate 10
When the compression function layer such as the porous layer 11 disposed on the surface portion of each of the resin substrates A and 10B is made of a material having a low dielectric constant, the high-frequency characteristics of the circuit board including the resin substrates 10A and 10B can be improved. By providing the porous layer 11, the mechanical strength of the resin substrates 10A and 10B can be reinforced.

【0030】多孔質層11はその内部に複数の空孔群1
03を有している。空孔群103は複数の空孔104が
互いに連通したものである。これら空孔群103の中の
少なくとも1つは、その両端が多孔質層11の両面それ
ぞれに開口しているつまり、空孔群103の中には、多
孔質層11内において密封されていない非密封状態の空
孔群103が少なくとも1つ存在している。多孔質層1
1の両面は、上記のように構成された空孔群103によ
り互いに連通している。
The porous layer 11 has a plurality of holes 1 therein.
03. The hole group 103 is formed by a plurality of holes 104 communicating with each other. At least one of the hole groups 103 has both ends open on both sides of the porous layer 11. That is, the hole group 103 includes a non-sealed non-sealed part in the porous layer 11. There is at least one hole group 103 in a sealed state. Porous layer 1
The two surfaces of 1 are connected to each other by the hole group 103 configured as described above.

【0031】次に、樹脂基板10A、10Bの製造方法
を、図2を参照して説明する。図2Aは、樹脂基板10
Aの製造方法を示し、図2Bは樹脂基板10Bの製造方
法を示している。
Next, a method for manufacturing the resin substrates 10A and 10B will be described with reference to FIG. FIG. 2A shows the resin substrate 10
2A shows a method of manufacturing the resin substrate 10B.

【0032】樹脂基板10A、10Bのいずれの基板の
製造方法も基本的には同様である。すなわち、プリプレ
グ100もしくは接着性シート101の両面に圧縮機能
層を積層配置して一体化する。具体的には、プリプレグ
100もしくは接着性シート101の両面に多孔質層1
1を熱圧着する。熱圧着は例えば、加熱したローラを多
孔質層11上に圧着させた状態で転動させることで行う
ことができる。ただし、熱圧着する際には、多孔質層1
1の空孔104内に樹脂基板10A、10Bの樹脂成分
がほとんど侵入しない程度の加圧力を樹脂基板10A、
10Bに印加する。ここで、樹脂基板10A、10Bの
樹脂成分とは、プリプレグ100の含浸樹脂、もしく
は、接着剤層102を構成する樹脂成分をいう。
The method of manufacturing any of the resin substrates 10A and 10B is basically the same. That is, the compression functional layers are laminated and integrated on both surfaces of the prepreg 100 or the adhesive sheet 101. Specifically, the porous layer 1 is formed on both sides of the prepreg 100 or the adhesive sheet 101.
1 is thermocompression-bonded. The thermocompression bonding can be performed, for example, by rolling the heated roller pressed against the porous layer 11. However, when performing thermocompression bonding, the porous layer 1
The pressure applied to the resin substrates 10A and 10B is such that the resin components of the resin substrates 10A and 10B hardly penetrate into the first hole 104.
10B. Here, the resin components of the resin substrates 10A and 10B refer to the impregnated resin of the prepreg 100 or the resin component constituting the adhesive layer 102.

【0033】多孔質層11を樹脂基板10A、10Bに
圧着する時に同時に、樹脂基板10A、10Bの少なく
とも一つの基板表面に着脱自在に保護膜層を形成しても
よい。この場合、多孔質層11を予め保護膜層上に形成
しておき、多孔質層11が樹脂基板10A、10Bの側
に接するように配置したうえで保護膜層を圧着すること
で、保護膜層と多孔質層11とを有する樹脂基板を、製
造工程を少なくして簡単に作製することができる。この
ときの圧着条件としては例えば次のような条件を設定す
ることができる。すなわち、PETフィルム(厚み4〜
25μm)をガラスエポキシプリプレグあるいはアラミ
ドエポキシプリプレグに圧着するときには、100〜1
40℃に加熱した熱ローラーで1〜3m/秒の送り速
度、0.5〜5.0kgf/cm2のエア圧力とするこ
とができる。保護膜層と多孔質層11とは、もちろん、
樹脂基板10A、10Bの両面に形成してもよい。しか
しながら、基板10A、10Bの一方の基板面のみ多孔
質層11と保護膜層とを設け、他方の基板面には保護膜
層のみを設けるといった、非対称な配置であってもよい
のはいうまでもない。
At the same time when the porous layer 11 is pressed against the resin substrates 10A and 10B, a protective film layer may be detachably formed on at least one substrate surface of the resin substrates 10A and 10B. In this case, by forming the porous layer 11 on the protective film layer in advance, arranging the porous layer 11 so as to be in contact with the resin substrates 10A and 10B, and pressing the protective film layer, the protective film is pressed. A resin substrate having a layer and a porous layer 11 can be easily manufactured with a reduced number of manufacturing steps. For example, the following conditions can be set as the crimping conditions at this time. That is, PET film (thickness 4 ~
25 μm) to a glass epoxy prepreg or aramid epoxy prepreg,
With a hot roller heated to 40 ° C., a feed speed of 1 to 3 m / sec and an air pressure of 0.5 to 5.0 kgf / cm 2 can be achieved. The protective film layer and the porous layer 11 are, of course,
It may be formed on both surfaces of the resin substrates 10A and 10B. However, it is needless to say that an asymmetric arrangement may be adopted in which the porous layer 11 and the protective film layer are provided only on one substrate surface of the substrates 10A and 10B, and only the protective film layer is provided on the other substrate surface. Nor.

【0034】(第2の好ましい具体例)本発明の第2の
好ましい具体例である樹脂基板30を、図3を参照して
説明する。図3Aは、圧縮機能層となる絶縁性粒子層3
2を有する樹脂基板30の断面模式図を示している。
(Second Preferred Embodiment) A resin substrate 30 according to a second preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3A shows an insulating particle layer 3 serving as a compression function layer.
2 is a schematic cross-sectional view of a resin substrate 30 having a cross section 2.

【0035】本具体例は、第1の好ましい具体例におけ
る多孔質層11を絶縁性粒子層32に変更する以外は、
第1の好ましい具体例と同様に構成されている。
This embodiment is different from the first preferred embodiment in that the porous layer 11 is changed to the insulating particle layer 32.
It is configured similarly to the first preferred embodiment.

【0036】絶縁性粒子層32は次のようにして構成す
ることができる。すなわち、第1の好ましい具体例で説
明した接着性シート101からなる樹脂基板10Bにお
いて、接着剤層102'に複数の絶縁性粒子31を添加
することで、この絶縁性粒子添加接着剤層により絶縁性
粒子層32を構成することができる。
The insulating particle layer 32 can be constituted as follows. That is, in the resin substrate 10B made of the adhesive sheet 101 described in the first preferred embodiment, by adding a plurality of insulating particles 31 to the adhesive layer 102 ', the insulating particles are added to the insulating layer. The conductive particle layer 32 can be configured.

【0037】詳細には、シリカ、アルミナ、水酸化アル
ミニウムなどの絶縁性粒子31を接着剤層102’に添
加することで絶縁性粒子層32を構成する。そしてこの
ように構成された絶縁性粒子層32を樹脂基板10Bの
少なくとも一つの基板表面に形成する。このとき、絶縁
性粒子31が接着剤層102’の表面より突出した状態
にしておく。
More specifically, an insulating particle layer 32 is formed by adding insulating particles 31 such as silica, alumina, and aluminum hydroxide to the adhesive layer 102 '. Then, the thus-formed insulating particle layer 32 is formed on at least one substrate surface of the resin substrate 10B. At this time, the insulating particles 31 are made to protrude from the surface of the adhesive layer 102 '.

【0038】このような絶縁性粒子層32を有する樹脂
基板30では、図3Bに示すように、後の熱圧縮工程に
おいて絶縁性粒子31が接着剤層102’の内部に押し
込まれる。これにより、樹脂基板30は圧縮される。
In the resin substrate 30 having such an insulating particle layer 32, as shown in FIG. 3B, the insulating particles 31 are pushed into the adhesive layer 102 'in the subsequent heat compression step. Thereby, the resin substrate 30 is compressed.

【0039】第1の好ましい具体例で説明したプリプレ
グ100からなる樹脂基板10Aを用いて、樹脂基板3
0を構成する場合において、上記した絶縁性粒子層32
と同様の絶縁性粒子層を設ける場合は、次のようにすれ
ばよい。
Using the resin substrate 10A comprising the prepreg 100 described in the first preferred embodiment, the resin substrate 3
0, the insulating particle layer 32 described above.
When an insulating particle layer similar to that described above is provided, the following may be performed.

【0040】すなわち、図3Cに示すように、プリプレ
グ100で補強材となる織布または不織布に含浸する樹
脂を、絶縁性粒子31'入りの樹脂とすればよい。この
ような樹脂基板30'の具体例としては、ガラス織布に
シリカ粒子を分散させたエポキシ樹脂を含浸したフィラ
入りガラスエポキシプリプレグを用いることができる。
That is, as shown in FIG. 3C, the resin impregnating the woven or nonwoven fabric as the reinforcing material in the prepreg 100 may be a resin containing the insulating particles 31 ′. As a specific example of such a resin substrate 30 ′, a glass epoxy prepreg with a filler impregnated with an epoxy resin in which silica particles are dispersed in a glass woven fabric can be used.

【0041】(第3の好ましい具体例)本発明の第3の
好ましい具体例を、図4を参照して説明する。図4は、
樹脂基板50の断面模式図を示しており、表面に圧縮機
能層として機能する凹部51を有するものである。すな
わち、本具体例の樹脂基板50と一般の回路基板用樹脂
基板との相違点は、表面に凹部51を有するか否かであ
り、本具体例の樹脂基板50は、少なくとも一つの基板
表面に少なくとも一つの凹部51を有するものである。
図4では両面に各々複数の凹部51を設けた例を示して
いるが、片面にのみ設けた場合や一つの凹部のみを設け
た場合も、本具体例の樹脂基板50とすることができ
る。
(Third Preferred Embodiment) A third preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a resin substrate 50 having a concave portion 51 functioning as a compression functional layer on the surface. That is, the difference between the resin substrate 50 of the present example and the general resin substrate for a circuit board is whether or not the surface has the concave portion 51. The resin substrate 50 of the present example has at least one substrate surface. It has at least one recess 51.
FIG. 4 shows an example in which a plurality of concave portions 51 are provided on both surfaces, however, the resin substrate 50 of this specific example can also be provided in the case where only one concave portion is provided or only one concave portion is provided.

【0042】後に述べるように、凹部51の形状や個数
には特に限定はなく、全凹部の合計の容積が重要とな
る。
As will be described later, the shape and number of the concave portions 51 are not particularly limited, and the total volume of all the concave portions is important.

【0043】本具体例の樹脂基板50の材料は、第1、
第2の具体例における樹脂基板10A、10B、30と
同様の材料を用いることができる。
The material of the resin substrate 50 of this embodiment is as follows.
The same material as the resin substrates 10A, 10B, 30 in the second specific example can be used.

【0044】凹部51の形成方法は特に限定はしない
が、例えば、凹部51に対応した凸部を設けた支持体上
に接着剤層を形成し、フィルム基板上に接着剤層を転写
した後、支持体を除去して形成することができる。接着
剤層は、熱硬化性接着剤あるいは熱可塑性接着剤を用い
ることができる。熱硬化性接着剤の場合は半硬化状態で
転写形成し、熱可塑性接着剤の場合は転写形成の際に軟
化点以上に加温する。
The method for forming the concave portion 51 is not particularly limited. For example, an adhesive layer is formed on a support provided with a convex portion corresponding to the concave portion 51, and the adhesive layer is transferred onto a film substrate. It can be formed by removing the support. For the adhesive layer, a thermosetting adhesive or a thermoplastic adhesive can be used. In the case of a thermosetting adhesive, transfer is formed in a semi-cured state, and in the case of a thermoplastic adhesive, the temperature is raised to a softening point or higher during transfer formation.

【0045】また、別の凹部51の形成方法としては、
次の方法がある。すなわち、あらかじめフィルム基板上
に平坦な接着剤層を形成しておき、凹部51の位置に対
応した凸部を設けた金型を用いて、半硬化状態の接着剤
層に圧力を加えて押し付ける。その後、金型を取り去る
ことで接着性シートの所望の位置に、所望の大きさなら
びに形状の凹部51を設けることができる。また、熱可
塑性接着剤の場合は、軟化点以上に加温しながら金型を
押し付ける。
Another method for forming the concave portion 51 is as follows.
There are the following methods. That is, a flat adhesive layer is formed on a film substrate in advance, and pressure is applied to the adhesive layer in a semi-cured state by using a mold provided with a convex portion corresponding to the position of the concave portion 51. Thereafter, by removing the mold, a concave portion 51 having a desired size and shape can be provided at a desired position of the adhesive sheet. In the case of a thermoplastic adhesive, the mold is pressed while heating to a temperature higher than the softening point.

【0046】前記した支持体や金型の接着剤層と接する
部分には離型処理を施すことが好ましい。そうすれば、
支持体や金型から接着剤が離れ易くなり、本具体例の樹
脂基板50の製造が容易になる。また、前記した支持体
や金型で凹部51を形成する方法は、凹部51の形状や
数、また、その間隔等を任意に選択することができる。
It is preferable to perform a release treatment on a portion of the support or the mold that is in contact with the adhesive layer. that way,
The adhesive is easily separated from the support and the mold, and the production of the resin substrate 50 of this specific example is facilitated. Further, in the method of forming the concave portion 51 with the support or the mold described above, the shape and number of the concave portion 51, the interval thereof, and the like can be arbitrarily selected.

【0047】別の凹部51の形成方法としては、次の方
法がある。すなわち、熱硬化性接着剤を溶剤で希釈した
溶液を形成した後、超音波振動を与えてその溶液に気泡
を生じさせる。その気泡付き溶液をフィルム基板上に塗
布する。そして、フィルム基板上の気泡付き溶液を乾燥
させることで、溶剤を揮発させて半硬化状態にする。こ
れにより、気泡部分が空隙となって凹部51を形成す
る。
As another method of forming the concave portion 51, there is the following method. That is, after forming a solution obtained by diluting a thermosetting adhesive with a solvent, ultrasonic vibration is applied to generate bubbles in the solution. The solution with bubbles is applied on a film substrate. Then, by drying the solution with bubbles on the film substrate, the solvent is volatilized to be in a semi-cured state. As a result, the bubble portion becomes a void and forms the concave portion 51.

【0048】このような方法の一例としては、次のよう
な方法がある。すなわち、ポリイミド系接着剤のTHF
(テトラヒドロキシフラン)溶液(固形分30wt%)
に超音波振動(38kHz、150W)を加えて気泡を
生じさせる。そして、その溶液を、ギャップコータでポ
リイミドからなるフィルム基板(厚み13μm)に塗布
して、120℃で1分間乾燥させる。これにより乾燥し
た溶液に凹部51を形成する。乾燥後の溶液の厚みは約
6μmとする。
As an example of such a method, there is the following method. That is, the polyimide-based adhesive THF
(Tetrahydroxyfuran) solution (solid content 30 wt%)
To generate ultrasonic bubbles (38 kHz, 150 W). The solution is applied to a polyimide film substrate (thickness: 13 μm) by a gap coater, and dried at 120 ° C. for 1 minute. Thereby, the concave portion 51 is formed in the dried solution. The thickness of the solution after drying is about 6 μm.

【0049】さらに、別の凹部51の形成方法として
は、次のような方法がある。すなわち、あらかじめフィ
ルム基板上に感光性の接着剤層を平坦に形成しておく。
この接着剤層上に、所望の形状ならびに大きさの凹部5
1に対応したマスクを被せて露光して未硬化部分を現像
する。これにより接着剤層上に凹部51を形成する。こ
の場合、接着剤層を半硬化状態にしておく。この方法に
よると、比較的容易に凹部51を形成することができ
る。
Further, as another method of forming the concave portion 51, there is the following method. That is, a photosensitive adhesive layer is formed flat on a film substrate in advance.
On this adhesive layer, a recess 5 having a desired shape and size is formed.
The uncured portion is developed by covering with a mask corresponding to 1 and exposing. Thereby, the concave portion 51 is formed on the adhesive layer. In this case, the adhesive layer is kept in a semi-cured state. According to this method, the concave portion 51 can be formed relatively easily.

【0050】プリプレグからなる樹脂基板50の場合で
あっても、接着シートからなる樹脂基板と同様の方法に
より凹部51を形成することができる。
Even in the case of the resin substrate 50 made of a prepreg, the concave portion 51 can be formed by the same method as the resin substrate made of the adhesive sheet.

【0051】また、プリプレグからなる樹脂基板50の
場合、含有する樹脂が接着性を有しているので、接着剤
層を形成しなくても、表層の樹脂に凹部51を形成する
ことができる。凹部51は、前記した支持体や金型を用
いて同様に形成することができる。
In the case of the resin substrate 50 made of prepreg, since the contained resin has adhesiveness, the concave portion 51 can be formed in the resin of the surface layer without forming an adhesive layer. The concave portion 51 can be formed in the same manner by using the above-described support or mold.

【0052】また、プリプレグの場合、通常の製造工程
を通じて凹部51を形成することができる。すなわち、
プリプレグを用いた樹脂基板50の製造方法において
は、まず、ガラスクロスやアラミドペーパなどのシート
状補強材を、溶剤で所望の粘度に希釈した溶液に含浸さ
せて樹脂基板50を作製する。そして、作製した樹脂基
板50から余分の溶液をローラ等で掻き落として、さら
に余分の溶剤分を取り除くために乾燥している。このよ
うな工程において、乾燥前の樹脂基板50に対して、凹
部51に対応した凸部を設けたローラを通す。これによ
り、表面に凹部51を有する樹脂基板50を容易に製造
できる。
In the case of a prepreg, the concave portion 51 can be formed through a normal manufacturing process. That is,
In the method of manufacturing the resin substrate 50 using the prepreg, first, a sheet-like reinforcing material such as a glass cloth or aramid paper is impregnated with a solution diluted to a desired viscosity with a solvent to prepare the resin substrate 50. Then, the excess solution is scraped off from the produced resin substrate 50 with a roller or the like, and the resin substrate 50 is dried to further remove the excess solvent. In such a process, a roller provided with a convex portion corresponding to the concave portion 51 is passed through the resin substrate 50 before drying. Thereby, the resin substrate 50 having the concave portion 51 on the surface can be easily manufactured.

【0053】また、プリプレグを用いた樹脂基板50の
製造方法においては次のようにして凹部51を作製でき
る。すなわち、余分の溶剤を取り除くための乾燥工程に
おいて急激に加熱乾燥処理する。これにより、樹脂基板
50の表面に溶剤の抜けた空隙を生じさせ、この空隙を
凹部51とする。
In the method of manufacturing the resin substrate 50 using the prepreg, the concave portion 51 can be manufactured as follows. That is, the heating and drying process is rapidly performed in the drying step for removing the excess solvent. As a result, a void is formed on the surface of the resin substrate 50 from which the solvent has escaped.

【0054】このような製法の一例としては、次のよう
な方法がある。すなわち、プリプレグ含浸用エポキシ樹
脂組成物のMEK(メチルエチルケトン)溶液(固形分
60%)を、アラミド不織布(坪量72g/m2,厚み
120μm)に含浸させることで、樹脂基板50を作製
する。次に、150μmのギャップを有するローラ対の
間に樹脂基板50を挿通させることで、余分の溶液を樹
脂基板50から搾り取る。その後、200℃に加熱した
乾燥機に3分間、樹脂基板50を投入する。これによ
り、樹脂基板50に凹部51を作製する。
As an example of such a manufacturing method, there is the following method. That is, the resin substrate 50 is prepared by impregnating an aramid nonwoven fabric (basic weight 72 g / m 2 , thickness 120 μm) with a MEK (methyl ethyl ketone) solution (solid content 60%) of the epoxy resin composition for prepreg impregnation. Next, an excess solution is squeezed out of the resin substrate 50 by inserting the resin substrate 50 between a pair of rollers having a gap of 150 μm. Thereafter, the resin substrate 50 is put into the dryer heated to 200 ° C. for 3 minutes. Thereby, the concave portion 51 is formed in the resin substrate 50.

【0055】この方法によると、凹部51を設ける余分
な工程がかからず、安価に樹脂基板50を製造すること
ができる。
According to this method, an extra step of providing the concave portion 51 is not required, and the resin substrate 50 can be manufactured at low cost.

【0056】接着剤層がフィルム基板の片面または両面
に形成された本具体例の樹脂基板50の場合も凹部51
を形成することができる。すなわち、接着剤層を塗布し
て後に乾燥する工程において、同様に急激に加熱乾燥す
ることで空隙を生じさせて樹脂基板50に凹部51を形
成する。 (第4の好ましい具体例)次に、第1〜第3の好ましい
具体例で説明した樹脂基板10A、10B、30、50
を用いた中間接続体12の構成を、図5を参照して説明
する。なお、図5を参照して本具体例で説明する接続中
間体12や後述する具体例で説明する回路基板等におい
ては、いずれの樹脂基板10A、10B、30、50で
あっても、樹脂基板として用いることができる。そのた
め、以下の説明やその説明で参照する図においては樹脂
基板10A、10B、30、50を総称して樹脂基板1
0として説明する。また、多孔質層11や絶縁性粒子層
32や凹部51は、すべて圧縮機能層として機能するも
のであるため、以下の説明やその説明で参照する図にお
いては多孔質層11や絶縁性粒子層32や凹部51は、
すべて圧縮機能層60として説明する。
In the case of the resin substrate 50 of this embodiment in which the adhesive layer is formed on one side or both sides of the film substrate, the concave portions 51 are also provided.
Can be formed. In other words, in the step of applying the adhesive layer and drying it later, similarly, it is rapidly heated and dried to form voids and form the concave portions 51 in the resin substrate 50. (Fourth Preferred Embodiment) Next, the resin substrates 10A, 10B, 30, 50 described in the first to third preferred embodiments will be described.
The structure of the intermediate connector 12 using the above will be described with reference to FIG. In the connection intermediate 12 described in this specific example with reference to FIG. 5 and the circuit board described in a specific example described later, any of the resin substrates 10A, 10B, 30, and 50 may be a resin substrate. Can be used as Therefore, in the following description and the drawings referred to in the description, the resin substrates 10A, 10B, 30, and 50 are collectively referred to as the resin substrate 1
Description will be made assuming 0. Further, since the porous layer 11, the insulating particle layer 32, and the concave portion 51 all function as a compression function layer, the porous layer 11, the insulating particle layer, and the like in the following description and the drawings referred to in the description. 32 and the concave portion 51
All of them will be described as the compression function layer 60.

【0057】中間接続体12は、図5に示すように、樹
脂基板10の所望の位置に貫通孔13を形成したうえ
で、この貫通孔13に導電体14を充填することで構成
される。導電体14はインターステシャルビアホールと
なる。
As shown in FIG. 5, the intermediate connector 12 is formed by forming a through hole 13 at a desired position on the resin substrate 10 and filling the through hole 13 with a conductor 14. The conductor 14 becomes an interstitial via hole.

【0058】導電体14としては、樹脂バインダに導電
性粉体を含有した導電ペーストを用いることができる。
導電性ペーストは圧縮を加えることでその導電性が向上
する。
As the conductor 14, a conductive paste containing a conductive powder in a resin binder can be used.
The conductivity of the conductive paste is improved by applying compression.

【0059】導電性粉体は、金、銀、銅、ニッケル、パ
ラジウム、鉛、錫、インジウム、ビスマスから選ばれた
少なくとも一種類の金属、これらの合金、または混合物
からなる粉体を用いる。また、上記した金属・合金、あ
るいはアルミナ、シリカなどの酸化物、あるいは有機合
成樹脂などからなる球体に上記した金属・合金をコート
してなるコートフィラを導電性粉体として用いる。
As the conductive powder, a powder made of at least one metal selected from gold, silver, copper, nickel, palladium, lead, tin, indium and bismuth, an alloy thereof, or a mixture thereof is used. Further, a coated filler formed by coating the above-mentioned metal or alloy on a sphere made of the above-mentioned metal or alloy, an oxide such as alumina or silica, or an organic synthetic resin is used as the conductive powder.

【0060】導電性粉体の形状は特に限定されるもので
はないが、粉状、繊維状、粉体の造粒物、球状ボール、
あるいはこれらの混合物などを用いる。
The shape of the conductive powder is not particularly limited, but may be powdery, fibrous, granulated powder, spherical ball,
Alternatively, a mixture thereof is used.

【0061】樹脂バインダに用いる樹脂としては、液状
のエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネートエステル
樹脂、フェノールレゾール樹脂などを用いる。
As the resin used for the resin binder, a liquid epoxy resin, a polyimide resin, a cyanate ester resin, a phenol resole resin, or the like is used.

【0062】エポキシ樹脂としてはビスフェノールA型
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビス
フェノールAD型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル
型のエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルア
ミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹
脂等のエポキシ基を2つ以上含有したエポキシ樹脂など
を用いる。
Examples of the epoxy resin include glycidyl ether type epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, and glycidyl ester type epoxy resin. For example, an epoxy resin containing two or more epoxy groups is used.

【0063】上述した樹脂には、必要に応じて、ブチル
セルソルブ、エチルセルソルブ、ブチルカルビトール、
エチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、
エチルカルビトールアセテート、α−ターピネオール等
の溶剤や分散剤などの添加剤を含有させることもでき
る。
The above-mentioned resins may be, if necessary, butyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl carbitol,
Ethyl carbitol, butyl carbitol acetate,
Additives such as solvents and dispersants such as ethyl carbitol acetate and α-terpineol can also be contained.

【0064】また、導電体14としては、上記した導電
ペーストに限定されるものではなく、金、銀、銅、ニッ
ケル、パラジウム、鉛、錫、インジウム、ビスマス等の
金属よりなるビアポストなど、圧接により導通を得るタ
イプのインターステシャルビアホール用の接続材なら特
に限定無しに用いることができる。
Further, the conductor 14 is not limited to the above-mentioned conductive paste, but may be formed by pressing a via post made of a metal such as gold, silver, copper, nickel, palladium, lead, tin, indium or bismuth. Any type of connection material for an interstitial via hole that obtains conduction can be used without particular limitation.

【0065】接続中間体12におけるインターステシャ
ルビアホールの形成は、まず、樹脂基板10の所望の位
置に貫通孔13を形成する。貫通孔13の形成方法は、
通常の回路基板の孔加工法、炭酸ガスレーザやYAGレ
ーザなどのレーザ加工法、あるいは、ドリルやパンチャ
などの機械加工法を用いることができる。
To form an interstitial via hole in the connection intermediate 12, first, a through hole 13 is formed at a desired position on the resin substrate 10. The method of forming the through hole 13 is as follows.
An ordinary circuit board hole processing method, a laser processing method such as a carbon dioxide laser or a YAG laser, or a mechanical processing method such as a drill or a puncher can be used.

【0066】特に、熱加工レーザ加工法により貫通孔1
3を形成する場合には、貫通孔13の周壁を溶融させる
ことができる。このとき、圧縮機能層60を多孔質層1
1から構成する場合には、次のようになる。すなわち、
周壁に位置する多孔質層11の空孔104は、貫通孔周
壁の溶融により潰れてしまう。貫通孔周壁に位置する空
孔104は、貫通孔13内に充填される導電ペーストが
周囲に滲む際の滲み発生箇所となる。そのため、この位
置の空孔104を潰すことができれば、ペースト滲みを
防止することができる。
In particular, the through-hole 1 is formed by a thermal processing laser processing method.
When forming 3, the peripheral wall of the through hole 13 can be melted. At this time, the compression function layer 60 is
In the case of the configuration from one, it is as follows. That is,
The holes 104 of the porous layer 11 located on the peripheral wall are crushed by melting of the peripheral wall of the through hole. The holes 104 located on the peripheral wall of the through-hole serve as bleeding spots when the conductive paste filled in the through-hole 13 bleeds around. Therefore, if the hole 104 at this position can be crushed, the bleeding of the paste can be prevented.

【0067】しかしながら、空孔104は、必ずしも完
全に潰す必要はない。空孔104は、導電性粉体が入り
込まない程度の大きさまで潰せばよく、そうすれば、上
述したペースト滲みの防止効果を得ることができるうえ
に次のような効果を得ることができる。すなわち、その
場合には、小さくした状態で残存させた空孔104に導
電ペースト中の樹脂成分が入り込み、その結果、貫通孔
13内に充填した導電ペーストの圧縮が増進して、導電
ペースト(導電体14)の抵抗を下げることができる。
However, the holes 104 need not necessarily be completely crushed. The holes 104 may be crushed to a size that does not allow the conductive powder to enter, so that the above-described effect of preventing paste bleeding and the following effects can be obtained. That is, in this case, the resin component in the conductive paste enters the holes 104 left in a reduced state, and as a result, the compression of the conductive paste filled in the through holes 13 is increased, and the conductive paste (conductive The resistance of the body 14) can be reduced.

【0068】次に、貫通孔13に導電体14を充填し
て、図5に示す接続中間体12が完成する。
Next, the conductor 14 is filled in the through hole 13 to complete the connection intermediate 12 shown in FIG.

【0069】導電体14の充填は印刷法を用いる。この
とき、真空吸着台の上に敷き紙を介して貫通孔13を形
成した樹脂基板10を置き導電体14を印刷充填すると
よい。そうすれば、後述する回路基板の製造工程中で接
続中間体12が圧縮されたときに導電粒子同士の充填密
度をより一層高めることができる。これは、真空吸着に
よる吸引と、敷き紙に生じる毛細管現象とにより、導電
ペースト14中の樹脂成分が敷き紙に強固に吸引され、
これによって、導電性粉体の充填密度が高まると共に導
電性粉体間に空隙が生じるためである。 (第5の好ましい具体例)次に、第4の好ましい具体例
で説明した接続中間体12を用いた回路基板の構成およ
びその製造方法を説明する。最初に、両面回路基板17
の製造方法を、図6を参照して説明する。
The filling of the conductor 14 uses a printing method. At this time, it is preferable that the resin substrate 10 having the through-holes 13 formed thereon is placed on a vacuum suction table via a spread sheet, and the conductors 14 are printed and filled. Then, the packing density of the conductive particles can be further increased when the connection intermediate 12 is compressed in the circuit board manufacturing process described later. This is because the resin component in the conductive paste 14 is firmly sucked into the spreading paper due to the suction by the vacuum suction and the capillary phenomenon generated in the spreading paper,
Thereby, the packing density of the conductive powder is increased and voids are generated between the conductive powders. (Fifth Preferred Embodiment) Next, the structure of a circuit board using the connection intermediate 12 described in the fourth preferred embodiment and a method of manufacturing the same will be described. First, the double-sided circuit board 17
Will be described with reference to FIG.

【0070】図6Aに示すように、接続中間体12の両
面に、配線層を形成するための金属箔15を重ね合わせ
て熱圧着する。熱圧着の条件は、使用する材料構成によ
り異なる。例えば、ポリイミドのフィルム基板(厚み1
3μm)からなる樹脂基板10にポリイミド系樹脂から
なる接着剤層102(厚みおよそ6μm)を形成した樹
脂基板10を用いる場合には、圧力150kgf/cm
2、温度200℃で1時間加熱加圧する。また、アラミ
ドエポキシプリプレグからなる樹脂基板10を用いる場
合には、圧力50kgf/cm2、温度200℃で1時
間加熱加圧する。
As shown in FIG. 6A, a metal foil 15 for forming a wiring layer is overlaid on both surfaces of the connection intermediate 12 and thermocompression-bonded. The conditions for thermocompression bonding differ depending on the material composition used. For example, a polyimide film substrate (thickness 1)
When using a resin substrate 10 in which an adhesive layer 102 (thickness of about 6 μm) made of a polyimide resin is formed on a resin substrate 10 made of 3 μm), the pressure is 150 kgf / cm.
2. Heat and press at 200 ° C for 1 hour. When the resin substrate 10 made of aramid epoxy prepreg is used, heating and pressing are performed at a pressure of 50 kgf / cm 2 and a temperature of 200 ° C. for one hour.

【0071】金属箔15は、通常の回路基板用として用
いられる電解銅箔や圧延銅箔などの銅箔を用いる。金属
箔15の厚みは、特に限定は無いが、3μmから70μm
の電解銅箔が入手し易く好ましい。
As the metal foil 15, a copper foil such as an electrolytic copper foil or a rolled copper foil used for a normal circuit board is used. The thickness of the metal foil 15 is not particularly limited, but is 3 μm to 70 μm.
Is preferred because it is easily available.

【0072】上述した工程により、金属箔15と接続中
間体12とを熱圧着により接着する。 次に、図6Bに
示すように、金属箔15を所望の配線パターンを有する
配線層16に加工する。これにより両面回路基板17が
完成する。配線層16の加工は、通常回路基板の製造で
用いられるフォトリソグラフィ工法を用いることができ
る。
According to the above-described steps, the metal foil 15 and the connection intermediate 12 are bonded by thermocompression bonding. Next, as shown in FIG. 6B, the metal foil 15 is processed into a wiring layer 16 having a desired wiring pattern. Thereby, the double-sided circuit board 17 is completed. The wiring layer 16 can be processed by a photolithography method that is usually used in manufacturing a circuit board.

【0073】このような両面回路基板17の製造方法に
おいては、金属箔15を熱圧着処理する際に、圧縮機能
層60の機能により、接続中間体12は圧縮されてその
厚みが薄くなる。これにより、導電体14は、接続中間
体12の圧縮に伴って、同時に圧縮されてその導電性が
高まる。
In the method of manufacturing the double-sided circuit board 17, when the metal foil 15 is subjected to thermocompression bonding, the connection intermediate body 12 is compressed by the function of the compression function layer 60, and the thickness thereof is reduced. As a result, the conductor 14 is compressed at the same time as the connection intermediate 12 is compressed, and the conductivity of the conductor 14 is increased.

【0074】まず、多孔質層11から圧縮機能層60を
構成した場合の圧縮付与について説明する。この場合、
樹脂基板10の表面部位の樹脂成分が流動性を持ってい
る。そのため、接続中間体12に対してその厚み方向に
加圧すると、前記した樹脂成分が多孔質層11内の空孔
群103に含浸することで、多孔質層11が樹脂基板1
0B内に沈み込み、その分だけ接続中間体12は圧縮さ
れてその厚みが薄くなる。これにより、導電体14は、
接続中間体12の圧縮に伴って、同時に圧縮されてその
導電性が高まる。
First, the application of compression when the compression function layer 60 is formed from the porous layer 11 will be described. in this case,
The resin component on the surface of the resin substrate 10 has fluidity. Therefore, when the connection intermediate 12 is pressed in the thickness direction, the resin component impregnates the pore group 103 in the porous layer 11, and the porous layer 11
As a result, the connecting intermediate 12 is compressed by that amount, and its thickness is reduced. Thereby, the conductor 14
As the connection intermediate 12 is compressed, it is simultaneously compressed and its conductivity increases.

【0075】次に絶縁性粒子層32から圧縮機能層60
を構成した場合の圧縮付与について説明する。この場
合、熱圧縮工程において絶縁性粒子31が接着剤層10
2’の内部に押し込まれる。これにより、樹脂基板30
は圧縮されて、その分だけ接続中間体12は厚みが薄く
なる。これにより、導電体14は、接続中間体12の圧
縮に伴って、同時に圧縮されてその導電性が高まる。
Next, from the insulating particle layer 32 to the compression functional layer 60
A description will be given of the compression application in the case of the configuration. In this case, in the heat compression step, the insulating particles 31
It is pushed inside 2 '. Thereby, the resin substrate 30
Is compressed, and the thickness of the connection intermediate body 12 is reduced accordingly. As a result, the conductor 14 is compressed at the same time as the connection intermediate 12 is compressed, and the conductivity of the conductor 14 is increased.

【0076】次に凹部51から圧縮機能層60を構成し
た場合の圧縮付与について説明する。この場合、熱圧縮
工程によって凹部51が潰れる。これにより、樹脂基板
50は圧縮されて、その分だけ接続中間体12は厚みが
薄くなる。これにより、導電体14は、接続中間体12
の圧縮に伴って、同時に圧縮されてその導電性が高ま
る。すなわち、図7A、図7Bに示すように、凹部51
は、その周囲から樹脂成分52が流入して、接続中間体
12(樹脂基板50)を圧縮する機能を果たす。この場
合、凹部51の全容積を制御することが重要である。詳
細には、凹部51の全容積が接続中間体12の全容積に
占める割合(凹部51の全容積/接続中間体12の全容
積)を、接続中間体12の圧縮率とする必要がある。
Next, a description will be given of the application of compression when the compression function layer 60 is constituted by the concave portions 51. In this case, the concave portion 51 is crushed by the heat compression process. As a result, the resin substrate 50 is compressed, and the thickness of the connection intermediate 12 is reduced accordingly. Thereby, the conductor 14 is connected to the connection intermediate 12
Is simultaneously compressed and its conductivity increases. That is, as shown in FIG. 7A and FIG.
Has a function of compressing the connection intermediate 12 (resin substrate 50) by flowing the resin component 52 from the periphery thereof. In this case, it is important to control the entire volume of the concave portion 51. Specifically, the ratio of the total volume of the concave portion 51 to the total volume of the connection intermediate 12 (the total volume of the concave portion 51 / the total volume of the connection intermediate 12) needs to be the compression ratio of the connection intermediate 12.

【0077】導電体14に対する圧縮率は、次のように
するのが好ましい。すなわち、インターステシャルビア
ホールとして導電体14を用いる場合は、5%以上の圧
縮率にすることが好ましい。5%未満の被圧縮率でもイ
ンターステシャルビアホールの導通を確保することはで
きる。しかしながら、5%以上にすると、導電性粉体同
士の接触部分と、導電性粉体と金属箔15との接触部分
に充分な圧縮力が加わって互いに強固に接着する。これ
により、インターステシャルビアホールの接続抵抗が低
くなる。また接続の安定性が向上する。
The compression ratio for the conductor 14 is preferably as follows. That is, when the conductor 14 is used as the interstitial via hole, the compression ratio is preferably set to 5% or more. Even if the compression ratio is less than 5%, the conduction of the interstitial via hole can be ensured. However, when the content is 5% or more, a sufficient compressive force is applied to a contact portion between the conductive powders and a contact portion between the conductive powder and the metal foil 15, so that the portions are strongly adhered to each other. Thereby, the connection resistance of the interstitial via hole is reduced. In addition, connection stability is improved.

【0078】このようにして作製される両面回路基板1
7は、次のような構成を有している。すなわち、樹脂基
板10の少なくとも一つの基板表面には圧縮機能層60
を有している。樹脂基板10には、その厚み方向に貫通
孔13を有している。貫通孔13には導電体14が充填
されている。樹脂基板10の両面には、所望の配線パタ
ーンを有する配線層16が設けられている。樹脂基板1
0の両面にある配線層16どうしは、導電体14により
互いに電気的に接続されている。
The double-sided circuit board 1 thus manufactured
7 has the following configuration. That is, the compression function layer 60 is provided on at least one substrate surface of the resin substrate 10.
have. The resin substrate 10 has a through hole 13 in its thickness direction. The through hole 13 is filled with a conductor 14. A wiring layer 16 having a desired wiring pattern is provided on both surfaces of the resin substrate 10. Resin substrate 1
The wiring layers 16 on both sides of the “0” are electrically connected to each other by the conductor.

【0079】両面回路基板17を形成する場合において
は、次のようにするのが好ましい。すなわち、図8に示
すように、空孔群103の構成要素である空孔104の
最大径Lを導電体14の最小離間間隔Sより小さくする
ことが好ましい。このようにすることで、次のようにな
る。
When the double-sided circuit board 17 is formed, the following is preferable. That is, as shown in FIG. 8, it is preferable that the maximum diameter L of the holes 104, which are components of the hole group 103, be smaller than the minimum separation S of the conductor 14. By doing so, the following is achieved.

【0080】導電体14を構成する導電性ペーストは圧
縮力を受けて空孔104内に侵入することになるが、上
述した最大経Lの設定を行うことで、空孔104に侵入
した導電性ペーストによる導電体14の間での短絡を防
ぐことができる。
The conductive paste forming the conductor 14 enters the holes 104 by receiving a compressive force. By setting the maximum diameter L, the conductive paste that has entered the holes 104 is formed. A short circuit between the conductors 14 due to the paste can be prevented.

【0081】本具体例では、圧縮機能層60による圧縮
付与効果と別の技術とを組み合わせることによってさら
に圧縮力を高めることができる。
In this specific example, the compression force can be further increased by combining the effect of applying compression by the compression function layer 60 with another technique.

【0082】例えば、樹脂基板10に金属箔15を重ね
て熱圧着する工程で、金属箔15の代わりにあらかじめ
形成した配線層16を接続中間体12に押し込む、いわ
ゆる転写法である。
For example, a so-called transfer method is used in which a wiring layer 16 formed in advance, instead of the metal foil 15, is pressed into the connection intermediate 12 in a step of laminating the metal foil 15 on the resin substrate 10 and performing thermocompression bonding.

【0083】詳細には、図9に示すように、支持基板2
0に配線層を形成したいわゆるキャリア付き配線層を用
いることができる。キャリア付き配線層の例としては、
アルミキャリアに離けい層を介して配線層が積層された
ものなどがある。
More specifically, as shown in FIG.
A wiring layer with a carrier, in which a wiring layer is formed on a 0 layer, can be used. Examples of wiring layers with carriers include:
For example, there is an aluminum carrier in which a wiring layer is laminated via a separation layer.

【0084】すなわち、図9Aに示すように、支持基板
20上に積層配置された銅箔を塩化鉄水溶液、過硫酸ア
ンモニウム水溶液などを用いたエッチングによってパタ
ーニングすることで配線層21を形成する。そして、図
9A、図9Bに示すように、配線層21を接続中間体1
2に埋設するように積層した後、支持基板20を塩酸な
どでエッチングして除去する。
That is, as shown in FIG. 9A, the wiring layer 21 is formed by patterning the copper foil laminated on the support substrate 20 by etching using an aqueous solution of iron chloride, an aqueous solution of ammonium persulfate, or the like. Then, as shown in FIGS. 9A and 9B, the wiring layer 21 is connected to the connection intermediate 1.
2, the supporting substrate 20 is removed by etching with hydrochloric acid or the like.

【0085】転写法を用いることで、接続中間体12の
導電体14に加わる圧縮力は、多孔質層11に起因する
圧縮力と、配線層21の押し込みに起因する圧縮力とを
合計した圧縮力となる。
By using the transfer method, the compressive force applied to the conductor 14 of the connection intermediate 12 is obtained by adding the compressive force caused by the porous layer 11 and the compressive force caused by the indentation of the wiring layer 21. Help.

【0086】また、内部に空孔のある圧縮性基材を樹脂
基板10’に用いても、本発明の多孔質層11による圧
縮付与効果との相乗効果でより大きな圧縮力を導電体1
4に加えることができる。このような樹脂基板10’と
しては、ポリイミドやフッ素樹脂の多孔質フィルムを挙
げることができる。
Further, even if a compressible base material having pores therein is used for the resin substrate 10 ′, a larger compressive force is applied to the conductor 1 by a synergistic effect with the compressive effect of the porous layer 11 of the present invention.
4 can be added. Examples of such a resin substrate 10 'include a porous film of polyimide or fluororesin.

【0087】また、図10に示すように、貫通孔13に
充填する導電体14を接続中間体12の表面より突出さ
せておいて、熱圧着することにより導電体14に加える
圧縮力をさらに高めることができる。以下、説明する。
Further, as shown in FIG. 10, the conductor 14 filling the through hole 13 is projected from the surface of the connection intermediate 12 and the compressive force applied to the conductor 14 is further increased by thermocompression bonding. be able to. This will be described below.

【0088】まず、図10Aに示すように、圧縮機能層
60を有する樹脂基板10の少なくとも一つの面にPE
T(ポリエチレンテレフタレート)やPEN(ポリエチ
レンナフタレート)等のフィルム材からなり、その基板
当接面に離型処理(例えば、シリコン系離型処理剤を用
いた処理)が施された保護膜層22を張り付ける。これ
らの材料から保護膜層22を構成すれば、樹脂基板10
に対して保護膜層22を脱着自在に張り付けることがで
きる。
First, as shown in FIG. 10A, at least one surface of the resin substrate 10 having the compression function layer 60 is
Protective film layer 22 made of a film material such as T (polyethylene terephthalate) or PEN (polyethylene naphthalate) and having its substrate contacting surface subjected to mold release treatment (for example, treatment using a silicon-based release treatment agent). Attach. If the protective film layer 22 is composed of these materials, the resin substrate 10
The protective film layer 22 can be attached detachably.

【0089】次に図10Bに示すように、保護膜層22
を含めて、樹脂基板10に貫通孔13を形成する。そし
て、印刷法により、貫通孔13に導電体14を充填す
る。このとき、保護膜層22は、導電体14が余分な部
分に付着することを防ぐマスクの役割をする。さらに、
貫通孔13には、保護膜層22の厚み分だけ余分に導電
体14が充填される。
Next, as shown in FIG. 10B, the protective film layer 22 is formed.
The through hole 13 is formed in the resin substrate 10 including the above. Then, the conductors 14 are filled in the through holes 13 by a printing method. At this time, the protective film layer 22 functions as a mask for preventing the conductor 14 from adhering to an unnecessary portion. further,
The conductors 14 are filled in the through holes 13 by the thickness of the protective film layer 22.

【0090】次に、図10Cに示すように、保護膜層2
2を剥離すると、貫通孔13から導電体14が突出した
接続中間体12になる。この状態で樹脂基板10の両面
に金属箔15を張り付ける。そして、金属箔15と樹脂
基板10とを熱圧着により一体化する。このとき、導電
体14が貫通孔13から突出しているので、熱圧着工程
では、導電体14の突出分も、導電体14に対する圧縮
力を高める働きをする。
Next, as shown in FIG. 10C, the protective film layer 2
When 2 is peeled off, a connection intermediate 12 is obtained in which the conductor 14 protrudes from the through hole 13. In this state, the metal foil 15 is attached to both surfaces of the resin substrate 10. Then, the metal foil 15 and the resin substrate 10 are integrated by thermocompression bonding. At this time, since the conductor 14 protrudes from the through hole 13, in the thermocompression bonding step, the protrusion of the conductor 14 also functions to increase the compressive force on the conductor 14.

【0091】最後に、金属箔15に対してフォトリソグ
ラフィ工程でパターニングすることで、金属箔15を所
望の配線パターンを有する配線層16にする。これによ
り、図10Dに示す両面回路基板17ができあがる。こ
の両面回路基板17では、導電体14に対する圧縮力が
高まる分、インターステシャルビアホールの接続信頼性
が高まる。
Lastly, the metal foil 15 is patterned into a wiring layer 16 having a desired wiring pattern by patterning the metal foil 15 by a photolithography process. Thereby, the double-sided circuit board 17 shown in FIG. 10D is completed. In the double-sided circuit board 17, the connection reliability of the interstitial via hole is increased by the increase in the compressive force on the conductor.

【0092】以上のようにして接続中間体12や両面回
路基板17を形成するのであるが、これらの接続中間体
12や両面回路基板17を用いて多層回路基板を作製す
る場合には次のようにする。
The connection intermediate 12 and the double-sided circuit board 17 are formed as described above. When a multilayer circuit board is manufactured using the connection intermediate 12 and the double-sided circuit board 17, To

【0093】図11Aに示すように、上述した両面回路
基板17、あるいはガラスエポキシ基板といった従前の
両面回路基板からなるコア基板18を用意する。そし
て、用意したコア基板18の配線層16の上に接続中間
体12と、さらにその上に金属箔15とを重ねて熱圧着
する。これにより、コア基板18と接続中間体12と金
属箔15とを一体化する。なお、接続中間体12として
は、導電体14が中間体表面から若干突出しているもの
を用いるのが好ましい。そうすれば、導電体14に対す
る圧縮力をさらに高めることができる。
As shown in FIG. 11A, a core substrate 18 made of a conventional double-sided circuit board such as the above-described double-sided circuit board 17 or a glass epoxy board is prepared. Then, the connection intermediate 12 and the metal foil 15 are stacked on the wiring layer 16 of the prepared core substrate 18 and thermocompression bonded. As a result, the core substrate 18, the connection intermediate 12, and the metal foil 15 are integrated. As the connection intermediate 12, it is preferable to use one in which the conductor 14 slightly protrudes from the surface of the intermediate. Then, the compressive force on the conductor 14 can be further increased.

【0094】さらに、金属箔15をフォトリソグラフィ
工法によって配線層16に加工する。これにより図11
Bに示す多層回路基板が完成する。なお、この方法を繰
り返すことで多数層の回路基板を容易に製造することが
できる。
Further, the metal foil 15 is processed into a wiring layer 16 by a photolithography method. As a result, FIG.
The multilayer circuit board shown in B is completed. By repeating this method, a multi-layer circuit board can be easily manufactured.

【0095】次に、両面回路基板や多層基板の他の製造
方法を、図12、図13を参照して説明する。
Next, another method of manufacturing a double-sided circuit board or a multilayer board will be described with reference to FIGS.

【0096】まず、少なくとも一つの基板表面に圧縮機
能層60を張り付けた樹脂基板10と、支持基板20に
より支持された配線層21とを用意する。そして、樹脂
基板10の一方の基板表面に保護膜層22を張り付け
る。なお、保護膜層22は、圧縮機能層配置面に設けて
もよいし、圧縮機能層非配置面に設けてもよい。図12
では、その一例として圧縮機能層配置面に保護膜層22
を設けている。
First, a resin substrate 10 having a compression function layer 60 attached to at least one substrate surface and a wiring layer 21 supported by a support substrate 20 are prepared. Then, the protective film layer 22 is attached to one substrate surface of the resin substrate 10. The protective film layer 22 may be provided on the surface on which the compression function layer is provided, or may be provided on the surface on which the compression function layer is not provided. FIG.
For example, as an example, the protective film layer 22
Is provided.

【0097】次に、図12A−1、図12A−2に示す
ように、樹脂基板10の保護膜層非配置面に配線層21
を配置する。このとき、配線層21を樹脂基板10に対
して位置合わせしたうえで配置する。なお、配線層21
は、図12A−2に示すように、圧縮処理により、樹脂
基板10内に一部埋め込んだ状態で配置してもよい。反
対に、図12A−1に示すように、圧縮処理を行うこと
なく、樹脂基板10の表面に載った状態で配線層21を
配置してもよい。基板表面に載った状態で配線層21を
樹脂基板10に配置する場合には、後述する熱圧着工程
により配線層21が樹脂基板10に埋め込まれることに
なり、その際に導電体14に対する圧縮力を高めること
ができる。
Next, as shown in FIGS. 12A-1 and 12A-2, the wiring layer 21 is formed on the surface of the resin substrate 10 where the protective film layer is not disposed.
Place. At this time, the wiring layer 21 is arranged after being positioned with respect to the resin substrate 10. The wiring layer 21
As shown in FIG. 12A-2, may be arranged so as to be partially embedded in the resin substrate 10 by a compression process. Conversely, as shown in FIG. 12A-1, the wiring layer 21 may be arranged on the surface of the resin substrate 10 without performing the compression process. When the wiring layer 21 is placed on the resin substrate 10 while being placed on the surface of the substrate, the wiring layer 21 is embedded in the resin substrate 10 by a thermocompression bonding process described later, and the compressive force against the conductor 14 is Can be increased.

【0098】次に、樹脂基板10に貫通孔13を形成す
る。貫通孔13は、保護膜層配置面から配線層21に達
するまでその厚み方向に穿つ。このとき、貫通孔13
を、配線層21に対して位置合わせをした状態で穿つ。
貫通孔13は炭酸ガスレーザ、YAGレーザ、エキシマ
レーザ等を用いたレーザー加工法により形成できる。特
に、熱加工レーザ加工法により貫通孔13を形成する場
合には、貫通孔13の周壁を溶融させることができる。
このとき、圧縮機能層60を多孔質層11から構成する
場合には、次のようになる。すなわち、周壁に位置する
多孔質層11の空孔104は、貫通孔周壁の溶融により
潰れてしまう。貫通孔周壁に位置する空孔104は、貫
通孔内に充填される導電ペーストが周囲に滲む際の滲み
発生箇所となる。そのため、この位置の空孔104を潰
すことができれば、ペーストにじみを防止することがで
きる。
Next, a through hole 13 is formed in the resin substrate 10. The through hole 13 is formed in the thickness direction until the through hole 13 reaches the wiring layer 21 from the surface on which the protective film layer is provided. At this time, the through holes 13
Are formed in a state where they are aligned with respect to the wiring layer 21.
The through holes 13 can be formed by a laser processing method using a carbon dioxide laser, a YAG laser, an excimer laser, or the like. In particular, when the through hole 13 is formed by a thermal processing laser processing method, the peripheral wall of the through hole 13 can be melted.
At this time, when the compression function layer 60 is composed of the porous layer 11, the following is performed. That is, the holes 104 of the porous layer 11 located on the peripheral wall are crushed by melting of the peripheral wall of the through hole. The hole 104 located on the peripheral wall of the through hole is a bleeding generation point when the conductive paste filled in the through hole bleeds around. Therefore, if the hole 104 at this position can be crushed, the bleeding of the paste can be prevented.

【0099】しかしながら、空孔104は、必ずしも完
全に潰す必要はない。空孔104は、導電性粉体が入り
込まない程度の大きさまで潰せばよく、そうすれば、上
述したペースト滲みの防止効果を得ることができるうえ
に次のような効果を得ることができる。すなわち、その
場合には、小さくした状態で残存させた空孔104に導
電ペースト中の樹脂成分が入り込み、その結果、貫通孔
13内に充填した導電ペーストの圧縮が増進して、導電
ペースト(導電体14)の抵抗を下げることができる。
However, the holes 104 need not necessarily be completely crushed. The holes 104 may be crushed to a size that does not allow the conductive powder to enter, so that the above-described effect of preventing paste bleeding and the following effects can be obtained. That is, in this case, the resin component in the conductive paste enters the holes 104 left in a reduced state, and as a result, the compression of the conductive paste filled in the through holes 13 is increased, and the conductive paste (conductive The resistance of the body 14) can be reduced.

【0100】貫通孔13を形成したのち、図12Bに示
すように、導電ペーストからなる導電体14を貫通孔1
3に充填する。導電体14の充填に際しては、充填時あ
るいは充填後に、貫通孔13に対して減圧処理を加えれ
ば、貫通孔13内に気泡が残存することを防止すること
ができる。このような減圧処理は、導電体14の高密度
充填に繋がる。
After the through holes 13 are formed, as shown in FIG. 12B, a conductor 14 made of a conductive paste is
Fill 3 At the time of filling the conductor 14 or after the filling, if the depressurizing process is applied to the through-hole 13, it is possible to prevent bubbles from remaining in the through-hole 13. Such decompression treatment leads to high-density filling of the conductor 14.

【0101】導電体14を充填したのち、保護膜層22
を除去する。そして、図12Cに示すように、樹脂基板
10の保護膜層除去面に金属箔15配置して熱圧着処理
する。熱圧着処理の条件は、一般的な回路基板の熱圧着
処理の条件を用いることができる。例えば、180〜2
50℃、30〜200kgf/cm2、0.5〜2.0
時間の条件を用いることができる。
After the conductor 14 is filled, the protective film layer 22
Is removed. Then, as shown in FIG. 12C, the metal foil 15 is disposed on the surface of the resin substrate 10 from which the protective film layer has been removed, and is subjected to thermocompression treatment. As the conditions for the thermocompression bonding, the conditions for thermocompression bonding of general circuit boards can be used. For example, 180-2
50 ° C., 30 to 200 kgf / cm 2 , 0.5 to 2.0
Time conditions can be used.

【0102】最後に、金属箔15を、フォトリソグラフ
ィ工法により、所望の配線パターンを有する配線層16
に加工する。そして、支持基板20を除去する。これに
より図12Dに示す両面配線基板17ができあがる。
Finally, the metal foil 15 is formed on the wiring layer 16 having a desired wiring pattern by photolithography.
Process into Then, the support substrate 20 is removed. Thereby, the double-sided wiring board 17 shown in FIG. 12D is completed.

【0103】この方法は、配線層16の位置に合わせて
導電体14を形成することができるので、配線層16と
導電体14の位置合わせ精度が向上する。
According to this method, since the conductor 14 can be formed in accordance with the position of the wiring layer 16, the positioning accuracy between the wiring layer 16 and the conductor 14 is improved.

【0104】多層基板を形成する場合には、次のように
する。
In the case of forming a multilayer substrate, the following is performed.

【0105】まず、図13Aに示す積層体を作製する。
これは、図12A−1、図12A−2に示す配線層付き
樹脂基板10の構成において、支持基板付きの配線層2
1に換えて、図12Dに示す両面回路基板17としたも
のである。
First, a laminate shown in FIG. 13A is manufactured.
This is because in the configuration of the resin substrate 10 with a wiring layer shown in FIGS. 12A-1 and 12A-2,
This is a double-sided circuit board 17 shown in FIG.

【0106】そして作製した積層体に金属箔15を積層
する。金属箔15は、積層体の配線層非配置面に配置す
る。
Then, the metal foil 15 is laminated on the produced laminate. The metal foil 15 is arranged on the wiring layer non-arranged surface of the laminate.

【0107】金属箔15を前記積層体上に配置したのち
積層体を熱圧着処理する。そして、金属箔15を、フォ
トリソグラフィ工法により所望の配線パターンを有する
配線層16に加工する。これにより図13Bに示す多層
基板ができあがる。さらには、上述した工程を繰り返す
ことにより、さらに多層の回路基板を作製することがで
きる。
After placing the metal foil 15 on the laminate, the laminate is subjected to a thermocompression treatment. Then, the metal foil 15 is processed into a wiring layer 16 having a desired wiring pattern by a photolithography method. Thereby, a multilayer substrate shown in FIG. 13B is completed. Further, by repeating the above-described steps, a further multilayered circuit board can be manufactured.

【0108】回路基板のさらに他の製造方法を、図1
4、図15を参照して説明する。
FIG. 1 shows still another method of manufacturing a circuit board.
4, description will be given with reference to FIG.

【0109】まず、少なくとも一つの基板表面に圧縮機
能層60と保護膜層22とを張り付けた樹脂基板10
と、図11Aに示すコア基板18とを用意する。そして
コア基板18の両面に、樹脂基板10を積層配置して積
層体を形成する。なお、樹脂基板10を積層する際には
次のようにする。すなわち、樹脂基板10のコア基板当
接面の保護膜層22を剥がしたうえで、樹脂基板10を
コア基板18に積層する。もしくは樹脂基板10の保護
膜層非形成面を両面回路基板17に当接する向きに配置
した状態で、樹脂基板10をコア基板18に積層する。
First, a resin substrate 10 having a compression function layer 60 and a protective film layer 22 adhered to at least one substrate surface
And a core substrate 18 shown in FIG. 11A. Then, the resin substrate 10 is stacked on both surfaces of the core substrate 18 to form a laminate. When the resin substrates 10 are laminated, the following is performed. That is, after the protective film layer 22 on the core substrate contact surface of the resin substrate 10 is peeled off, the resin substrate 10 is laminated on the core substrate 18. Alternatively, the resin substrate 10 is laminated on the core substrate 18 in a state where the surface on which the protective film layer is not formed of the resin substrate 10 is arranged in a direction in which the resin substrate 10 contacts the double-sided circuit board 17.

【0110】そして、図14A、図14Bに示すよう
に、積層配置した樹脂基板10それぞれに、貫通孔13
を形成する。貫通孔13はその底部にある配線層16に
対して位置合わせした状態で形成する。つまり、貫通孔
13を、配線層16に達するまで樹脂基板10の厚み方
向に形成する。
Then, as shown in FIGS. 14A and 14B, the through holes 13 are formed in each of the laminated resin substrates 10.
To form The through-hole 13 is formed in a state where it is aligned with the wiring layer 16 at the bottom. That is, the through hole 13 is formed in the thickness direction of the resin substrate 10 until the through hole 13 reaches the wiring layer 16.

【0111】貫通孔13を形成したのち、図14C、図
15Aに示すように、各貫通孔13それぞれに導電体1
4を充填する。そののち、保護膜層22を除去する。
After the through holes 13 are formed, as shown in FIGS. 14C and 15A, each of the through holes 13 has a conductor 1.
Fill 4 After that, the protective film layer 22 is removed.

【0112】保護膜層22を除去したのち、この積層体
の両面に金属箔15(図示省略)を配置する。そして、
積層体を熱圧着処理することで、積層体および金属箔1
5を一体化する。最後に、金属箔15を、フォトリソグ
ラフィ工法により、所望の配線パターンを要する配線層
16に加工する。これにより図15Bに示す多層基板が
できあがる。
After removing the protective film layer 22, metal foils 15 (not shown) are arranged on both sides of the laminate. And
The laminate and the metal foil 1 are subjected to thermocompression bonding.
5 is integrated. Finally, the metal foil 15 is processed into a wiring layer 16 requiring a desired wiring pattern by a photolithography method. Thus, a multilayer substrate shown in FIG. 15B is completed.

【0113】次に、多孔質層11に代表される本発明の
圧縮機能層を設けることが、回路基板の構成にとって有
利である理由を説明する。
Next, the reason why the provision of the compression functional layer of the present invention represented by the porous layer 11 is advantageous for the structure of the circuit board will be described.

【0114】まず、第1の理由を説明する。導電性ペー
ストからなる導電体で層間接続を行う基板構造にとっ
て、導電体を何らかの形で圧縮することは必須である。
従来は、樹脂基板として、内部に空孔を有するプリプレ
グを用いたうえで、このプリプレグを圧縮することで導
電体を圧縮していた。すなわち、プリプレグを加圧する
ことで空孔を潰してプリプレグの厚み寸法を縮め、これ
によって導電体を圧縮していた。
First, the first reason will be described. For a substrate structure in which an interlayer connection is made with a conductor made of a conductive paste, it is essential to compress the conductor in some form.
Conventionally, a prepreg having a hole inside is used as a resin substrate, and then the conductor is compressed by compressing the prepreg. That is, by pressing the prepreg, the pores are crushed to reduce the thickness of the prepreg, thereby compressing the conductor.

【0115】しかし、樹脂基板は、その内部に多数の空
孔が存在すると、温度、湿度あるいは外力等により寸法
変化し易くなる。回路基板の製造工程中の寸法変化は、
パターンずれ等の工程不良を起こす原因でありできるだ
け小さいことが望ましい。このように、樹脂基板そのも
のに空孔を形成することは、回路基板が変形しやすくな
る要因となり、より高密度、高精細配線となった回路基
板の製造工程においては不利となる。
However, when a large number of holes are present in the resin substrate, the dimensions of the resin substrate tend to change due to temperature, humidity, external force, and the like. The dimensional change during the circuit board manufacturing process is
It is a cause of a process failure such as a pattern shift or the like, and is desirably as small as possible. The formation of holes in the resin substrate itself causes the circuit board to be easily deformed, which is disadvantageous in the process of manufacturing a circuit board having higher density and higher definition wiring.

【0116】これに対して、表面に多孔質層11等の圧
縮機能層60を設けた本発明の樹脂基板10では、基板
そものものは充実状態(空孔のない状態)の樹脂から構
成することができるので、寸法変化を少なくでき、回路
基板の高密度化に十分対応することができる。
On the other hand, in the resin substrate 10 of the present invention in which the compression function layer 60 such as the porous layer 11 is provided on the surface, the substrate itself is made of a resin in a solid state (a state without holes). Therefore, a dimensional change can be reduced, and it is possible to sufficiently cope with a high density circuit board.

【0117】次に第2の理由を説明する。回路基板にお
いて高密度化が進むと、導電体の離間間隔がますます狭
くなる。図8を参照して前述したように、導電体の間に
空孔が存在すると、その空孔の最大径が導電体の最小離
間間隔より大きい場合、空孔に侵入した導電性ペースト
により、隣接する導電体どうしが短絡してしまうことが
ある。
Next, the second reason will be described. As the density of a circuit board increases, the spacing between conductors becomes increasingly smaller. As described above with reference to FIG. 8, when a hole is present between the conductors, if the maximum diameter of the hole is larger than the minimum separation distance between the conductors, the conductive paste penetrating into the holes causes the adjacent hole to become adjacent. Conductors may be short-circuited.

【0118】しかしながら、プリプレグにおいて空孔の
大きさを高精度に制御することは容易ではなく、特に、
微小な空孔を精度高く形成することは困難である。その
ため、プリプレグに空孔を形成して圧縮性を付与する回
路基板の構成では、導電体の離間間隔より空孔の径を小
さくすることは、実装の高密度化が進むにつれて困難と
なる。その結果、高密度化が進んだ回路基板では、空孔
に侵入した導電性ペーストにより導電体が短絡する危険
性が増大する。このように、樹脂基板そのものに形成す
る空孔は、実装の高密度が進むに連れて短絡の要因とな
りやすくなるため受け入れ難い。
However, it is not easy to control the size of the holes in the prepreg with high accuracy.
It is difficult to form minute holes with high accuracy. Therefore, in the configuration of the circuit board in which holes are formed in the prepreg to impart compressibility, it becomes difficult to make the diameter of the holes smaller than the spacing between the conductors as the mounting density increases. As a result, in a circuit board with a higher density, the risk of a short circuit of the conductor due to the conductive paste penetrating the holes increases. As described above, the holes formed in the resin substrate itself are likely to cause a short circuit as the mounting density increases, and thus are not acceptable.

【0119】これに対して、表面に圧縮機能層60(特
に、多孔質層11)を設けた本発明の樹脂基板10で
は、空孔104の大きさを高精度に制御することがで
き、微細な空孔104を精度高く作製することができ
る。そのため、このような空孔104を有する多孔質層
11を設ければ、回路基板における実装の高密度化が進
んでも、空孔104に侵入する導電性ペーストに起因す
る短絡を防止することができる。
On the other hand, in the resin substrate 10 of the present invention in which the compression function layer 60 (particularly, the porous layer 11) is provided on the surface, the size of the holes 104 can be controlled with high precision, Hole 104 can be formed with high accuracy. Therefore, if the porous layer 11 having such holes 104 is provided, a short circuit caused by the conductive paste entering the holes 104 can be prevented even if the mounting density on the circuit board is increased. .

【0120】また、多孔質層11を設けた場合には、樹
脂基板10の機械的強度を補強することもできる。
When the porous layer 11 is provided, the mechanical strength of the resin substrate 10 can be reinforced.

【0121】[0121]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低いインナービアの接続抵抗と、優れた接続安定性を具
備した樹脂基板、接続中間体およびそれを用いた回路基
板を実現できるという有利な効果が得られる。
As described above, according to the present invention,
An advantageous effect is obtained in that a resin substrate, a connection intermediate, and a circuit board using the same can be realized with a low inner via connection resistance and excellent connection stability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 図1Aは、本発明の第1の好ましい具体例に
従う樹脂基板10Aの構成を示す断面図であり、図1B
は、本発明の第1の好ましい具体例に従う樹脂基板10
Bの構成を示す断面図である。
FIG. 1A is a sectional view showing a configuration of a resin substrate 10A according to a first preferred embodiment of the present invention, and FIG.
Is a resin substrate 10 according to the first preferred embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows the structure of B.

【図2】 図2Aは、樹脂基板10Aの製造方法を示す
断面図であり、図2Bは、樹脂基板10Bの製造方法を
示す断面図である。
FIG. 2A is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a resin substrate 10A, and FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a resin substrate 10B.

【図3】 図3Aは、本発明の第2の好ましい具体例に
従う樹脂基板30の構成を示す断面図であり、図3B
は、圧縮状態の樹脂基板30の構成を示す断面図であ
り、図3Cは、樹脂基板30の他の構成を示す断面図で
ある。
FIG. 3A is a sectional view showing a configuration of a resin substrate 30 according to a second preferred embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3C is a cross-sectional view illustrating a configuration of the resin substrate 30 in a compressed state, and FIG. 3C is a cross-sectional view illustrating another configuration of the resin substrate 30.

【図4】 本発明の第3の好ましい具体例に従う樹脂基
板50の構成を示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing a configuration of a resin substrate 50 according to a third preferred embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第4の好ましい具体例に従う接続中
間体12の構成を示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing a configuration of a connection intermediate 12 according to a fourth preferred embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の第5の好ましい具体例に従う両面基
板17の製造方法における各工程をそれぞれ示す断面図
である。
FIG. 6 is a sectional view showing each step in a method for manufacturing a double-sided substrate 17 according to a fifth preferred embodiment of the present invention.

【図7】 凹部51に樹脂成分58が流入する状態をそ
れぞれ示す要部拡大断面図である。
FIG. 7 is an enlarged sectional view of a main part showing a state in which a resin component 58 flows into a concave portion 51.

【図8】 空孔104の最大径Lと、導電体14の最小
離間間隔Sとの関係を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing a relationship between a maximum diameter L of a hole 104 and a minimum separation distance S of a conductor 14.

【図9】 キャリア付き配線層を用いた両面回路基板の
製造方法における各工程をそれぞれ示す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing each step in a method for manufacturing a double-sided circuit board using a wiring layer with a carrier.

【図10】 保護膜層を用いた両面回路基板17の製造
方法における各工程をそれぞれ示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing each step in a method for manufacturing a double-sided circuit board 17 using a protective film layer.

【図11】多層基板の製造方法における各工程をそれぞ
れ示す断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing each step in the method for manufacturing a multilayer substrate.

【図12】両面回路基板の他の製造方法における各工程
をそれぞれ示す断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing each step in another manufacturing method of the double-sided circuit board.

【図13】多層基板の他の製造方法における各工程をそ
れぞれ示す断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing each step in another method for manufacturing a multilayer substrate.

【図14】 多層基板のさらに他の製造方法における前
半の工程をそれぞれ示す断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a first half of a process in still another method of manufacturing a multilayer substrate.

【図15】多層基板のさらに他の製造方法における後半
の工程をそれぞれ示す断面図である。
FIG. 15 is a cross-sectional view showing a latter half of a process in still another method of manufacturing a multilayer substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10A 樹脂基板(プリプレグ) 10B 樹脂基板
(接着性シート) 11 多孔質樹脂層 12 接続中間体 13 貫通孔 14 導電体 15 金属箔 16 配線層 17 両面回路基板 18 コア基板 20 支持基板 21 配線層 22 保護膜層 30 樹脂基板 25 フィルム基板 30 接着性樹脂層 31 絶縁性粒子 32 絶縁性粒子層 50 樹脂基板 51 凹部 60 圧縮機能層 100 プリプレグ 101 接着性シート 102 接着剤層 103 空孔群 104 空孔 50 樹脂基板 51 凹部 52 樹脂成分
Reference Signs List 10A resin substrate (prepreg) 10B resin substrate (adhesive sheet) 11 porous resin layer 12 connection intermediate 13 through hole 14 conductor 15 metal foil 16 wiring layer 17 double-sided circuit board 18 core substrate 20 support substrate 21 wiring layer 22 protection Film layer 30 Resin substrate 25 Film substrate 30 Adhesive resin layer 31 Insulating particles 32 Insulating particle layer 50 Resin substrate 51 Depression 60 Compression functional layer 100 Pre-preg 101 Adhesive sheet 102 Adhesive layer 103 Hole group 104 Hole 50 Resin Substrate 51 Depression 52 Resin component

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/40 H05K 3/40 K (72)発明者 川北 嘉洋 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中桐 康司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 越後 文雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 4F100 AK01A AK01B AR00A AT00B BA02 BA07 DC11 DJ00A DJ03A GB43 JB15B JG01 JG04 JK07A 5E317 AA24 BB01 BB11 CC25 CD32 GG11 5E346 AA02 AA12 AA15 AA32 AA38 AA43 BB01 CC02 CC08 CC31 DD02 DD32 EE02 EE06 EE09 EE13 FF18 FF35 GG19 GG28 HH07 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H05K 3/40 H05K 3/40 K (72) Inventor Yoshihiro Kawakita 1006 Kazuma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Koji Nakagiri 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. AR00A AT00B BA02 BA07 DC11 DJ00A DJ03A GB43 JB15B JG01 JG04 JK07A 5E317 AA24 BB01 BB11 CC25 CD32 GG11 5E346 AA02 AA12 AA15 AA32 AA38 AA43 BB01 CC02 CC08 CC31 DD02 DD32 EE02 EE06 FF19 GG07

Claims (30)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回路基板の絶縁体層に用いる樹脂基板で
あって、 少なくとも一つの基板表面に圧縮機能層を設けており、
この圧縮機能層は、この層を含む樹脂基板に、基板厚み
方向の加圧を受けて圧縮する機能を付与するものであ
る、 樹脂基板。
1. A resin substrate used for an insulator layer of a circuit board, wherein a compression function layer is provided on at least one substrate surface,
The compression functional layer provides a resin substrate including this layer with a function of compressing by receiving a pressure in a thickness direction of the substrate.
【請求項2】 前記圧縮機能層は多孔質層である、 請求項1に記載の樹脂基板。2. The resin substrate according to claim 1, wherein the compression function layer is a porous layer. 【請求項3】 前記多孔質層は空孔群を有しており、前
記空孔群は互いに連通する複数の空孔から構成され、空
孔群両端が多孔質層両面に開口している、 請求項2に記載の樹脂基板。
3. The porous layer has a group of holes, the group of holes is composed of a plurality of holes communicating with each other, and both ends of the group of holes are open on both sides of the porous layer. The resin substrate according to claim 2.
【請求項4】 前記圧縮機能層は、基板表面から突出す
る状態でこの樹脂基板に設けられた絶縁性粒子の層であ
る、 請求項1に記載の樹脂基板。
4. The resin substrate according to claim 1, wherein the compression functional layer is a layer of insulating particles provided on the resin substrate so as to protrude from the substrate surface.
【請求項5】 樹脂基板は、少なくともその圧縮機能層
配置面が半硬化状態である、 請求項1に記載の樹脂基板。
5. The resin substrate according to claim 1, wherein the resin substrate has a semi-cured state at least on a surface on which the compression function layer is disposed.
【請求項6】 前記圧縮機能層のさらに上層に、着脱自
在に保護膜層を設ける、 請求項1に記載の樹脂基板。
6. The resin substrate according to claim 1, wherein a protective film layer is detachably provided on a further upper layer of the compression function layer.
【請求項7】 回路基板の絶縁体層に用いる樹脂基板で
あって、 少なくとも一つの基板表面に多孔質層を設けた樹脂基
板。
7. A resin substrate used for an insulator layer of a circuit board, wherein at least one substrate surface is provided with a porous layer.
【請求項8】 対向配置された両配線層の間に配置され
てこれら配線層を電気的に接続する接続中間体であっ
て、 樹脂基板と、 前記樹脂基板の少なくとも一つの基板表面に設けられた
圧縮機能層と、 前記樹脂基板の厚み方向に形成された貫通孔と、 前記貫通孔に設けられた導電体と、 を有し、 前記圧縮機能層は、この層を含む接続中間体に、厚み方
向の加圧を受けて圧縮する機能を付与するものである、 接続中間体。
8. A connection intermediate disposed between both of the wiring layers facing each other and electrically connecting these wiring layers, the connection intermediate being provided on a surface of at least one substrate of the resin substrate. Compression functional layer, a through hole formed in the thickness direction of the resin substrate, and a conductor provided in the through hole, the compression functional layer, the connection intermediate including this layer, A connection intermediate that imparts the function of compressing under pressure in the thickness direction.
【請求項9】 前記圧縮機能層は、多孔質層である、 請求項8に記載の中間接続体。9. The intermediate connector according to claim 8, wherein the compression function layer is a porous layer. 【請求項10】 前記多孔質層は空孔群を有しており、
前記空孔群は互いに連通する複数の空孔から構成されて
おり、空孔群両端は多孔質層両面に開口している、 請求項9に記載の中間接続体。
10. The porous layer has a group of holes,
The intermediate connector according to claim 9, wherein the hole group includes a plurality of holes communicating with each other, and both ends of the hole group are open on both surfaces of the porous layer.
【請求項11】 前記圧縮機能層は、基板表面から突出
する状態で前記樹脂基板に設けられた絶縁性粒子の層で
ある、 請求項8に記載の中間接続体。
11. The intermediate connector according to claim 8, wherein the compression function layer is a layer of insulating particles provided on the resin substrate so as to protrude from the substrate surface.
【請求項12】 樹脂基板は、少なくともその圧縮機能
層配置面が半硬化状態である、 請求項8に記載の中間接続体。
12. The intermediate connector according to claim 8, wherein the resin substrate has a semi-cured state at least on a surface on which the compression function layer is disposed.
【請求項13】 対向配置された両配線層の間に配置さ
れてこれら配線層を電気的に接続する接続中間体であっ
て、 樹脂基板と、 前記樹脂基板の少なくとも一つの基板表面に設けられた
多孔質層と、 前記樹脂基板の厚み方向に形成された貫通孔と、 前記貫通孔に設けられた導電体と、 を有する接続中間体。
13. A connection intermediate disposed between two wiring layers facing each other and electrically connecting the wiring layers, the connection intermediate being provided on a resin substrate and at least one substrate surface of the resin substrate. A connection intermediate, comprising: a porous layer, a through hole formed in a thickness direction of the resin substrate, and a conductor provided in the through hole.
【請求項14】 樹脂基板と、 前記樹脂基板の少なくとも一つの基板表面に設けられた
圧縮機能層と、 前記樹脂基板の厚み方向に形成された貫通孔と、 前記貫通孔に設けられた導電体と、 前記樹脂基板の両面に設けられて、前記導電体を介して
互いに電気的に接続された配線層と、 を有し、 前記圧縮機能層は、この層を含む樹脂基板に、基板厚み
方向の加圧を受けて圧縮する機能を付与するものであ
る、 回路基板。
14. A resin substrate, a compression functional layer provided on at least one substrate surface of the resin substrate, a through hole formed in a thickness direction of the resin substrate, and a conductor provided in the through hole And a wiring layer provided on both surfaces of the resin substrate and electrically connected to each other via the conductor. The compression function layer is formed on the resin substrate including this layer in a substrate thickness direction. A circuit board that provides a function of compressing under pressure.
【請求項15】 前記圧縮機能層は、多孔質層である、 請求項14に記載の回路基板。15. The circuit board according to claim 14, wherein the compression function layer is a porous layer. 【請求項16】 前記多孔質層は空孔群を有しており、
前記空孔群は互いに連通する複数の空孔から構成され、
空孔群両端が多孔質層両面に開口している、 請求項15に記載の回路基板。
16. The porous layer has a group of holes,
The hole group is composed of a plurality of holes communicating with each other,
The circuit board according to claim 15, wherein both ends of the hole group are open on both sides of the porous layer.
【請求項17】 前記多孔質層の空孔の大きさは、隣接
する前記貫通孔の最小離間間隔より小さい、 請求項15に記載の回路基板。
17. The circuit board according to claim 15, wherein the size of the pores in the porous layer is smaller than the minimum spacing between the adjacent through holes.
【請求項18】 前記圧縮機能層は、基板表面から突出
する状態でこの樹脂基板に設けられた絶縁性粒子の層で
ある、 請求項14に記載の回路基板。
18. The circuit board according to claim 14, wherein the compression functional layer is a layer of insulating particles provided on the resin substrate so as to protrude from the substrate surface.
【請求項19】 樹脂基板と、 前記樹脂基板の少なくとも一つの基板表面に設けられた
多孔質層と、 前記樹脂基板の厚み方向に形成された貫通孔と、 前記貫通孔に設けられた導電体と、 前記樹脂基板の両面に設けられて、前記導電体を介して
互いに電気的に接続された配線層と、 を有する回路基板。
19. A resin substrate, a porous layer provided on at least one substrate surface of the resin substrate, a through hole formed in a thickness direction of the resin substrate, and a conductor provided in the through hole And a wiring layer provided on both surfaces of the resin substrate and electrically connected to each other via the conductor.
【請求項20】 樹脂基板の少なくとも一つの基板表面
に圧縮機能層を設ける工程を含む樹脂基板の製造方法。
20. A method of manufacturing a resin substrate, comprising a step of providing a compression functional layer on at least one substrate surface of the resin substrate.
【請求項21】 前記圧縮機能層の上層に着脱自在に保
護膜層を設ける工程をさらに含む、 請求項20に記載の樹脂基板の製造方法。
21. The method for manufacturing a resin substrate according to claim 20, further comprising a step of removably providing a protective film layer on the compression function layer.
【請求項22】 樹脂基板の少なくとも一つの基板表面
に多孔質層を配置する工程と、 前記多孔質層の空孔内に前記樹脂基板の樹脂成分が侵入
しない程度の加圧力を前記樹脂基板に印加することで、
前記多孔質層を前記樹脂基板に圧着する工程と、 を含む樹脂基板の製造方法。
22. A step of disposing a porous layer on at least one substrate surface of a resin substrate; and applying a pressure to the resin substrate such that a resin component of the resin substrate does not enter pores of the porous layer. By applying
Pressing the porous layer to the resin substrate.
【請求項23】 樹脂基板の少なくとも一つの基板表面
に多孔質層を配置する工程と、 前記樹脂基板の厚み方向に貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔に導電体を充填する工程と、 前記樹脂基板の少なくとも一つの基板表面に、配線層ま
たは金属箔を配置する工程と、 前記樹脂基板を、その厚み方向に加圧することで多孔質
層の空孔内に前記樹脂基板の樹脂成分を侵入させて前記
樹脂基板を圧縮する工程と、 を含む回路基板の製造方法。
23. A step of disposing a porous layer on at least one substrate surface of a resin substrate; a step of forming a through hole in a thickness direction of the resin substrate; and a step of filling a conductor in the through hole. A step of arranging a wiring layer or a metal foil on at least one substrate surface of the resin substrate, and pressing the resin substrate in a thickness direction of the resin substrate so that the resin component of the resin substrate is in the pores of the porous layer. And c. Compressing the resin substrate by invading the resin substrate.
【請求項24】 前記樹脂基板として、少なくともその
多孔質層配置面が半硬化状態である樹脂基板を用いる、 請求項23に記載の回路基板の製造方法。
24. The method for manufacturing a circuit board according to claim 23, wherein a resin substrate having at least a porous layer arrangement surface in a semi-cured state is used as the resin substrate.
【請求項25】 前記貫通孔を形成する工程の前処理と
して、前記樹脂基板の表面に保護膜層を設ける工程をさ
らに含み、 前記配線層または金属箔を配置する工程の前処理とし
て、前記保護膜層を除去する工程をさらに含む、 請求項23に記載の回路基板の製造方法。
25. The method according to claim 25, further comprising: providing a protective film layer on a surface of the resin substrate as a pre-treatment of the step of forming the through-hole. The method for manufacturing a circuit board according to claim 23, further comprising a step of removing the film layer.
【請求項26】 前記樹脂基板として、少なくとも一つ
の基板表面に前記多孔質層を有するものを用いること
で、前記樹脂基板に前記多孔質層を配置する工程を削除
する、 請求項23に記載の回路基板の製造方法。
26. The method according to claim 23, wherein the step of disposing the porous layer on the resin substrate is omitted by using the resin substrate having the porous layer on at least one substrate surface. A method for manufacturing a circuit board.
【請求項27】 樹脂基板の少なくとも一つの基板表面
に多孔質層を配置する工程と、 前記樹脂基板の一方の基板表面に、配線層または金属箔
を配置する工程と、 前記樹脂基板の他方の基板表面に前記配線層または金属
箔に達する貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔に導電体を充填する工程と、 前記樹脂基板の他方の面に、もう一つの配線層または金
属箔を配置する工程と、 前記樹脂基板を、その厚み方向に加圧することで前記多
孔質層の空孔内に前記樹脂基板の樹脂成分を侵入させて
前記樹脂基板を圧縮する工程と、 を含む回路基板の製造方法。
27. A step of disposing a porous layer on at least one substrate surface of a resin substrate; a step of disposing a wiring layer or a metal foil on one substrate surface of the resin substrate; A step of forming a through hole reaching the wiring layer or the metal foil on the surface of the substrate; a step of filling the through hole with a conductor; and disposing another wiring layer or the metal foil on the other surface of the resin substrate. And compressing the resin substrate by pressing the resin substrate in the thickness direction to cause the resin component of the resin substrate to enter the pores of the porous layer and compress the resin substrate. Production method.
【請求項28】 前記樹脂基板として少なくともその多
孔質層配置面が半硬化状態である樹脂基板を用いる、 請求項27に記載の回路基板の製造方法。
28. The method for manufacturing a circuit board according to claim 27, wherein a resin substrate having at least a surface on which a porous layer is arranged is in a semi-cured state is used as the resin substrate.
【請求項29】 前記貫通孔を形成する工程の前処理と
して、前記樹脂基板の他方の基板表面に保護膜層を設け
る工程をさらに含み、 前記もう一つの配線層または金属箔を配置する工程の前
処理として、前記保護膜層を除去する工程をさらに含
む、 請求項27に記載の回路基板の製造方法。
29. The method according to claim 29, further comprising: providing a protective film layer on the surface of the other substrate of the resin substrate as a pre-treatment before the step of forming the through-hole. The method for manufacturing a circuit board according to claim 27, further comprising a step of removing the protective film layer as a pretreatment.
【請求項30】 前記樹脂基板として、少なくとも一つ
の基板表面に前記多孔質層を有するものを用いること
で、前記樹脂基板に前記多孔質層を配置する工程を削除
する、 請求項27に記載の回路基板の製造方法。
30. The method according to claim 27, wherein the step of arranging the porous layer on the resin substrate is omitted by using the resin substrate having the porous layer on at least one substrate surface. A method for manufacturing a circuit board.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20150133567A (en) * 2014-05-20 2015-11-30 엘지전자 주식회사 Insulation substrate and manufacturing method of solar cell module with the same

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