KR20150133171A - Film for forming protection film - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름은 (A1) 아크릴계 중합체와 (B1) 에폭시계 경화성 성분을 함유하는 수지층 α와, (A1) 아크릴계 중합체와는 다른 중합체인 (A2) 중합체와, (B2) 에폭시계 경화성 성분과, (D2) 착색제와, (E2) 충전재를 함유하는 수지층 β가 적층되어 이루어지고, (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체가 에폭시기 함유 단량체를 포함하지 않거나, 또는 전체 단량체의 8질량％ 이하의 비율로 에폭시기 함유 단량체를 포함함과 함께, (A1) 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도가 -3℃ 이상이고, 상기 수지층 β의 표면의 경화 후의 JIS Z 8741에 의해 측정되는 그로스값이 20 이상이다.(A1) a polymer (A2) which is a polymer different from the acrylic polymer, (B2) an epoxy-based curing component, and (B2) an epoxy- (A1) the monomer constituting the acrylic polymer does not contain an epoxy group-containing monomer, or the total monomer is composed of 8 or more of the total monomers, (A1) the glass transition temperature of the acrylic polymer is -3 ° C or higher and the gloss value measured by JIS Z 8741 after curing of the surface of the resin layer beta is 20 or more.

Description

보호막 형성용 필름 {FILM FOR FORMING PROTECTION FILM}FIELD FOR FORMING PROTECTION FILM [0002]

본 발명은, 예를 들어 반도체 칩의 이면을 보호하기 위해 사용되는 보호막 형성용 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a protective film forming film used for protecting the back surface of a semiconductor chip, for example.

종래, 페이스 다운 방식이라고 불리는 실장법을 사용한 반도체 장치의 제조가 행해지고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서, 반도체 칩은 범프 등의 전극이 형성된 칩 표면이 기판 등에 대향되어 접합되는 한편, 칩 이면이 노출되기 때문에 보호막에 의해 보호되고 있다. 이 보호막으로 보호된 반도체 칩(이하, 「보호막을 구비한 칩」이라고 함)은 일반적으로 보호막 위에 레이저 인자 등에 의해 마크나 문자 등이 인자된다.BACKGROUND ART [0002] Conventionally, a semiconductor device using a mounting method called a face down method has been manufactured. In the face-down method, the semiconductor chip is protected by a protective film because the chip surface on which electrodes such as bumps are formed is bonded to the substrate while facing the chip, while the back surface of the chip is exposed. A semiconductor chip protected by this protective film (hereinafter referred to as a " chip having a protective film ") is generally printed with a mark or letter on a protective film by a laser factor or the like.

상기 보호막은, 예를 들어 수지 코팅 등에 의해 형성되고 있었지만, 근년, 예를 들어 특허문헌 1에 개시된 바와 같이, 막 두께의 균일성의 확보 등을 하기 위해, 보호막 형성용 필름이 부착되어 형성되는 것이 실용화되고 있다.The protective film is formed by, for example, a resin coating or the like. In recent years, for example, as disclosed in Patent Document 1, in order to secure the uniformity of the film thickness, .

특허문헌 1에 개시되는 보호막 형성용 시트는 보호막이 단층 구조가 되는 것이지만, 근년, 반도체를 밀봉하기 위한 밀봉 시트나, 보호막 형성용 필름의 보호막 등을 2층 구조로 하는 시도가 여러가지로 행해지고 있다.In the protective film forming sheet disclosed in Patent Document 1, the protective film has a single-layer structure. In recent years, attempts have been made in recent years to form a two-layer structure of a sealing sheet for sealing a semiconductor and a protective film for a protective film forming film.

예를 들어, 특허문헌 2에는 제1 고분자량 성분을 함유하는 제1 수지층과, 열경화성 성분, 무기 충전재 및 제2 고분자량 성분을 함유하는 제2 수지층을 포함하고, 제2 수지층의 각 성분의 함유량이 소정의 범위로 된 밀봉용 시트가 개시되어 있다.For example, Patent Document 2 includes a first resin layer containing a first high molecular weight component, and a second resin layer containing a thermosetting component, an inorganic filler and a second high molecular weight component, And the content of the component is within a predetermined range.

또한, 특허문헌 3에는 칩에 접착되는 저경도층과, 이 저경도층 위에 설치되고, 레이저 마킹이 행해지는 고경도층을 갖고, 고경도층이 결합제 중합체 성분과, 에너지 경화성 성분과, 광중합 개시제를 함유하는 에너지선 경화형 수지층인 칩 보호용 필름이 개시되어 있다.Further, Patent Document 3 discloses a low hardness layer which is adhered to a chip, and a high hardness layer which is provided on the low hardness layer and undergo laser marking, wherein the hardness layer contains a binder polymer component, an energy- Which is an energy ray-curable resin layer containing a curing agent.

또한, 특허문헌 4에는 웨이퍼 접착층과, 레이저 마크층이 적층되어 이루어지는 반도체 이면용 필름이 개시되어 있다. 이 반도체 이면용 필름에서는, 레이저 마크층의 미경화 상태에 있어서의 탄성률을 높은 것으로 함으로써, 미경화 상태에 있어서 레이저 마크를 행할 때의 인자성을 향상시키고 있다.Patent Document 4 discloses a semiconductor backing film in which a wafer adhesive layer and a laser mark layer are laminated. In this semiconductor backside film, by making the elastic modulus in the uncured state of the laser mark layer high, the printability at the time of laser marking in the uncured state is improved.

일본 특허 공개 제2002-280329호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-280329 일본 특허 공개 제2006-321216호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-321216 일본 특허 공개 제2009-130233호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-130233 일본 특허 공개 제2011-151361호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-151361

그런데, 보호막 형성용 필름으로부터 칩의 보호막을 형성한 경우, 보호막을 구비한 칩의 신뢰성이 떨어지고, 예를 들어 장기 사용에 의해 보호막이 칩으로부터 박리되는 등의 문제가 발생하는 경우가 있다. 그로 인해, 보호막 형성용 필름을 사용하여 얻은 보호막을 구비한 칩의 신뢰성을 더욱 높이는 것이 요구되고 있다.However, when a protective film of a chip is formed from a film for forming a protective film, the reliability of the chip provided with the protective film is deteriorated, and for example, there arises a problem that the protective film is peeled from the chip by long-term use. Therefore, there is a demand for further increasing the reliability of a chip provided with a protective film obtained by using a film for forming a protective film.

그러나, 신뢰성을 높이기 위해, 특허문헌 1에 개시된 바와 같은 단층 구조의 보호막에 있어서 그의 조성을 개량하면, 열경화 후의 보호막의 표면 특성이 악화되어, 레이저 인자를 했을 때에 높은 문자 식별성을 얻을 수 없다는 별도의 문제가 발생한다. 즉, 단층 구조의 보호막에 있어서는, 그의 조성을 개량한 것만으로는 높은 문자 식별성과 높은 신뢰성을 양립시키는 것이 곤란하다. 또한, 가령 양립할 수 있었다고 해도, 중합체 성분의 선택의 여지가 적어, 보호막 형성 필름의 배합 설계의 자유도가 현저하게 제한되게 된다.However, in order to improve the reliability, the protective film of the single-layer structure as disclosed in Patent Document 1 is improved in its composition to deteriorate the surface characteristics of the protective film after thermosetting, A problem arises. That is, in a protective film having a single-layer structure, it is difficult to achieve high character recognition and high reliability only by improving its composition. Further, even if they can be compatible, there is little room for the selection of the polymer component, and the degree of freedom in the formulation of the protective film forming film is markedly restricted.

한편, 특허문헌 2 내지 4에 개시된 바와 같이 보호막 형성용 필름을 2층 구조로 이루어지는 것으로 하면, 설계의 자유도가 단층 구조로 이루어지는 것에 비해 높아진다. 그러나, 특허문헌 2 내지 4에서는, 각 층에 함유되는 중합체 성분은 서로 동일한 조성을 갖는 아크릴계 공중합체밖에 실제로는 실시되어 있지 않다. 이와 같이 2층의 공중합체 성분의 조성이 동일하면, 높은 문자 식별성과 높은 신뢰성의 양립을 도모하는 것은 어렵다. 예를 들어, 특허문헌 2에서는 각 층의 중합체 성분인 아크릴 고무의 유리 전이 온도가 -7℃로 낮기 때문에, 보호막을 구비한 칩의 신뢰성이 불충분해질 우려가 있다.On the other hand, as disclosed in Patent Documents 2 to 4, if the film for forming a protective film has a two-layer structure, the degree of freedom of design is higher than that of a single-layer structure. However, in Patent Documents 2 to 4, only the acrylic copolymer having the same composition as the polymer components contained in each layer is actually practiced. Thus, when the composition of the two-component copolymer components is the same, it is difficult to achieve both high character recognition and high reliability. For example, in Patent Document 2, since the glass transition temperature of the acrylic rubber as the polymer component of each layer is as low as -7 占 폚, there is a possibility that the reliability of the chip with the protective film becomes insufficient.

본 발명은 이상의 문제점을 감안하여 이루어진 것이고, 레이저 인자의 인식성을 양호하게 하면서도, 신뢰성을 높일 수 있는 보호막을 구비한 칩을 제공하는 것을 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a chip having a protective film capable of improving the reliability of the laser factor while improving the recognition of the laser factor.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 보호막 형성용 필름을 2층 구조로 한 후에, 한쪽의 수지층에 있어서의 아크릴계 중합체의 조성을 소정의 것으로 하고 유리 전이 온도도 소정의 범위로 함과 함께, 다른 쪽의 수지층에 있어서의 중합체 성분을 한쪽의 수지층에 있어서의 중합체 성분과 다른 것으로 함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고, 이하의 본 발명을 완성시켰다.As a result of intensive investigations to solve the above problems, the inventors of the present invention have found that, after the protective film forming film has a two-layer structure, the composition of the acrylic polymer in one of the resin layers is set to be a predetermined value, And that the above problem can be solved by making the polymer component in the other resin layer different from the polymer component in one of the resin layers. The present invention has been completed as follows.

즉, 본 발명은 이하의 (1) 내지 (6)을 제공하는 것이다.That is, the present invention provides the following (1) to (6).

(1) 반도체 칩을 보호하는 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름이며,(1) A film for forming a protective film for forming a protective film for protecting a semiconductor chip,

상기 보호막 형성용 필름이 (A1) 아크릴계 중합체와 (B1) 에폭시계 경화성 성분을 함유하는 수지층 α와, (A1) 아크릴계 중합체와는 다른 중합체인 (A2) 중합체와, (B2) 에폭시계 경화성 성분과, (D2) 착색제와, (E2) 충전재를 함유하는 수지층 β가 적층되어 이루어지고,Wherein the protective film forming film comprises a resin layer (α) containing (A1) an acrylic polymer and (B1) an epoxy curing component, (A1) a polymer which is a polymer different from the acrylic polymer, (B2) , A coloring agent (D2), and a resin layer (B2) containing a filler (E2)

(A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체가 에폭시기 함유 단량체를 포함하지 않거나, 또는 전체 단량체의 8질량％ 이하의 비율로 에폭시기 함유 단량체를 포함함과 함께, (A1) 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도가 -3℃ 이상이고,(A1), wherein the monomer constituting the acrylic polymer does not contain an epoxy group-containing monomer or contains an epoxy group-containing monomer in a proportion of not more than 8% by mass of the total monomer, and the glass transition temperature of the acrylic polymer is from -3 Lt; RTI ID = 0.0 &

상기 수지층 β의 표면의 경화 후의 JIS Z 8741에 의해 측정되는 그로스값이 20 이상인 보호막 형성용 필름.Wherein the gloss value measured by JIS Z 8741 after curing the surface of the resin layer beta is 20 or more.

(2) (A2) 중합체가 (A2-1) 아크릴계 중합체이며,(2) the polymer (A2) is an acrylic polymer (A2-1)

(A2-1) 아크릴계 중합체는 그 중합체를 구성하는 전체 단량체의 8질량％보다 높은 비율로 에폭시기 함유 단량체를 포함하거나, 또는 유리 전이 온도가 -3℃ 미만인 상기 (1)에 기재된 보호막 형성용 필름.(A2-1) The protective film forming film according to the above (1), wherein the acrylic polymer comprises an epoxy group-containing monomer at a ratio higher than 8 mass% of the total monomers constituting the polymer, or the glass transition temperature is lower than -3 占 폚.

(3) (E2) 충전재의 평균 입경이 1 내지 5㎛인 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 보호막 형성용 필름.(3) The protective film forming film according to the above (1) or (2), wherein the average particle diameter of the (E2) filler is 1 to 5 탆.

(4) (E2) 충전재의 함유량이 수지층 β의 20질량％ 이상인 청구항 1 내지 3중 어느 하나에 기재된 보호막 형성용 필름.(4) The protective film forming film according to any one of (1) to (3), wherein the content of the (E2) filler is 20 mass% or more of the resin layer?.

(5) 반도체 칩과, 상기 반도체 칩 위에 형성되는 보호막을 구비하는 보호막을 구비한 칩이며,(5) A chip provided with a semiconductor chip and a protective film having a protective film formed on the semiconductor chip,

상기 보호막이 보호막 형성용 필름을 경화시켜 형성된 것임과 함께,Wherein the protective film is formed by curing a film for forming a protective film,

상기 보호막 형성용 필름이 (A1) 아크릴계 중합체와 (B1) 에폭시계 경화성 성분을 함유하는 수지층 α와, (A1) 아크릴계 중합체와는 다른 중합체인 (A2) 중합체와, (B2) 에폭시계 경화성 성분과, (D2) 착색제와, (E2) 충전재를 함유하는 수지층 β가 적층되어 이루어지고,Wherein the protective film forming film comprises a resin layer (α) containing (A1) an acrylic polymer and (B1) an epoxy curing component, (A1) a polymer which is a polymer different from the acrylic polymer, (B2) , A coloring agent (D2), and a resin layer (B2) containing a filler (E2)

(A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체가 에폭시기 함유 단량체를 포함하지 않거나, 또는 전체 단량체의 8질량％ 이하의 비율로 에폭시기 함유 단량체를 포함함과 함께, (A1) 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도가 -3℃ 이상이고,(A1), wherein the monomer constituting the acrylic polymer does not contain an epoxy group-containing monomer or contains an epoxy group-containing monomer in a proportion of not more than 8% by mass of the total monomer, and the glass transition temperature of the acrylic polymer is from -3 Lt; RTI ID = 0.0 &

상기 수지층 β의 표면의 경화 후의 JIS Z 8741에 의해 측정되는 그로스값이 20 이상인 보호막을 구비한 칩.Wherein a gloss value measured by JIS Z 8741 after curing of the surface of the resin layer beta is 20 or more.

(6) 반도체 웨이퍼를 복수의 칩으로 분할하는 공정, 상기 (1) 내지 (4)에 기재된 보호막 형성용 필름이 지지 시트 위에 박리 가능하게 형성된 보호막 형성용 복합 시트의 보호막 형성용 필름을, 상기 반도체 웨이퍼 또는 복수의 칩을 포함하는 칩군에 부착하는 공정, 상기 보호막 형성용 복합 시트에 있어서의 지지 시트를 상기 보호막 형성용 필름으로부터 박리하는 공정 및 상기 보호막 형성용 필름을 열경화하는 공정을 포함하고,(6) a step of dividing the semiconductor wafer into a plurality of chips, a film for forming a protective film of a protective film-forming composite sheet in which the film for forming a protective film described in (1) to (4) A step of attaching the support sheet to a wafer or a chip group including a plurality of chips, a step of peeling the support sheet from the protective film forming film in the protective film forming composite sheet, and a step of thermally curing the protective film forming film,

보호막 형성용 복합 시트에 있어서의 지지 시트를 보호막 형성용 필름으로부터 박리하는 공정 후에, 보호막 형성용 필름을 열경화하는 공정을 행하는 보호막을 구비한 칩의 제조 방법.And a protective film for performing a step of thermally curing the protective film forming film after the step of peeling the support sheet from the protective film forming film in the protective sheet film forming composite sheet.

본 발명에서는 레이저 인자의 인식성을 양호하게 하면서도, 신뢰성을 높일 수 있는 보호막을 구비한 칩을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a chip provided with a protective film capable of improving the reliability of the laser factor while improving the recognition of the laser factor.

이하, 본 발명에 대해 그의 실시 형태를 사용하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to its embodiments.

또한 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴」은 「아크릴」 또는 「메타크릴」 중 한쪽 혹은 양쪽을 의미하는 용어로서 사용한다. 또한, 「(메트)아크릴레이트」는 「아크릴레이트」 또는 「메타크릴레이트」 중 한쪽 혹은 양쪽을 의미하는 용어로서 사용한다. 또한, 「(메트)아크릴옥시」는 「아크릴옥시」 또는 「메타크릴록시」 중 한쪽 혹은 양쪽을 의미하는 용어로서 사용하고, 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다.In the present specification, the term " (meth) acryl " is used as a term to mean either or both of " acrylic " Further, the term "(meth) acrylate" is used as a term to mean either or both of "acrylate" and "methacrylate". The term " (meth) acryloxy " is used to mean either or both of " acryloxy " and " methacryloxy "

[보호막 형성용 필름][Film for forming a protective film]

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름은 반도체 칩을 보호하는 보호막을 형성하기 위한 필름이며, 수지층 α와 수지층 β가 적층되어 이루어지는 것이다. 보호막 형성용 필름은 수지층 α측이 반도체 칩에 접착되고, 수지층 β가 레이저에 의해 인자가 행해지는 층이 된다.The protective film forming film according to the present invention is a film for forming a protective film for protecting a semiconductor chip, and is formed by laminating a resin layer? And a resin layer?. In the film for forming a protective film, the side of the resin layer? Is bonded to the semiconductor chip, and the resin layer? Is a layer on which printing is performed by the laser.

[수지층 α, β][Resin layer?,?]

본 발명의 수지층 α는 (A1) 아크릴계 중합체와 (B1) 에폭시계 경화성 성분을 적어도 함유하는 것이고, 임의 성분으로서 (C1) 경화 촉진제, (D1) 착색제, (E1) 충전재, (F1) 커플링제, 및 그 밖의 첨가제로부터 선택되는 것을 적절히 함유할 수도 있다.The resin layer? Of the present invention contains at least the (A1) acrylic polymer and (B1) the epoxy curing component, and optionally contains (C1) a curing accelerator, (D1) a colorant, (E1) filler, , And other additives may be appropriately contained.

수지층 β는 (A1) 아크릴계 중합체와 다른 중합체인 (A2) 중합체와, (B2) 에폭시계 경화성 성분과, (D2) 착색제와, (E2) 충전재를 적어도 함유하는 것이고, 또한 임의 성분으로서 (C2) 경화 촉진제, (F2) 커플링제, 및 그 밖의 첨가제로부터 선택되는 것을 적절히 함유하고 있을 수도 있다.The resin layer beta contains at least (A1) an acrylic polymer and (A2) a polymer which is a polymer, (B2) an epoxy curing component, (D2) a coloring agent and (E2) filler, ) Curing accelerator, (F2) coupling agent, and other additives may be appropriately contained.

이하, 수지층 α, 수지층 β에 배합되는 각 성분에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, each component to be combined with the resin layer? And the resin layer? Will be described in detail.

<(A1) 아크릴계 중합체><(A1) Acrylic Polymer>

수지층 α에 함유되는 (A1) 아크릴계 중합체는 수지층 α에 가요성, 시트 형상 유지성을 부여하는 것을 주목적으로 한 성분이며, (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체가 에폭시기 함유 단량체를 포함하지 않거나, 또는 (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 8질량％ 이하의 비율로 에폭시기 함유 단량체를 포함하는 것이다.The (A1) acrylic polymer contained in the resin layer alpha is a component mainly for imparting flexibility and sheet-like properties to the resin layer alpha, (A1) the monomer constituting the acrylic polymer does not contain an epoxy group- Or (A1) an epoxy group-containing monomer in a proportion of not more than 8% by mass of the entire monomers constituting the acrylic polymer.

에폭시기 함유 단량체의 비율이 8질량％보다 많아지면, (A1) 성분과 (B1) 성분의 경화물의 상용성이 향상되어, 후술하는 상분리 구조가 형성되기 어려워지고, 보호막을 구비한 칩의 신뢰성이 저하된다. 이와 같은 관점에서, 에폭시기 함유 단량체의 함유량은 (A1) 아크릴계 공중합체를 구성하는 전체 단량체의 6질량％ 이하인 것이 바람직하다.When the proportion of the epoxy group-containing monomer is more than 8% by mass, the compatibility of the cured product of the component (A1) and the component (B1) improves and it becomes difficult to form a phase-separated structure to be described later, do. From such a viewpoint, the content of the epoxy group-containing monomer is preferably 6% by mass or less of the entire monomers constituting the (A1) acrylic copolymer.

에폭시기 함유 단량체를 함유하는 경우, 에폭시기 함유 단량체의 함유량은 (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체 중, 통상 0.1질량％ 이상이고, 전체 단량체의 1질량％ 이상인 것이 바람직하고, 수지층 α를 형성하기 위한 수지층 α 형성용 조성물에 있어서, (A1) 아크릴계 중합체와 (B1) 에폭시계 경화성 성분이 분리되어 도공성(塗工性)이 악화되는 것을 방지하는 등의 관점에서 3질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다.When the epoxy group-containing monomer is contained, the content of the epoxy group-containing monomer is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, of the entire monomers constituting the (A1) acrylic polymer, From the viewpoint of (A1) separating the acrylic polymer and (B1) the epoxy-based curing component from deterioration of coatability (coating property), and more preferably 3% by mass or more Do.

(A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체가 에폭시기 함유 단량체를 포함하는 경우, (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체는 구체적으로는, 에폭시기 함유 (메트)아크릴산에스테르 및 비아크릴계 에폭시기 함유 단량체로부터 선택되는 1종 이상의 에폭시기 함유 단량체와, 에폭시기를 갖지 않는 각종 (메트)아크릴산에스테르 및/또는 비아크릴계 에폭시기 비함유 단량체를 포함한다. 이 경우, 에폭시기 함유 단량체가 비아크릴계 에폭시기 함유 단량체만을 포함하는 경우는, 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체는 에폭시기를 갖지 않는 각종 (메트)아크릴산에스테르를 포함한다.(A1) When the monomer constituting the acrylic polymer comprises an epoxy group-containing monomer, the monomer constituting (A1) the acrylic polymer specifically includes a monomer selected from an epoxy group-containing (meth) acrylic acid ester and a nonacrylic epoxy group- (Meth) acrylic ester and / or non-acrylic epoxy group-free monomer having no epoxy group. In this case, when the epoxy group-containing monomer contains only the non-acrylic epoxy group-containing monomer, the monomer constituting the acrylic polymer includes various (meth) acrylic acid esters having no epoxy group.

에폭시기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 글리시딜(메트)아크릴레이트, β-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, (3,4-에폭시시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트, 3-에폭시시클로-2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 비아크릴계 에폭시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 글리시딜크로토네이트, 알릴글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 에폭시기 함유 단량체로서는, 에폭시기 함유 (메트)아크릴산에스테르가 바람직하다.Examples of the epoxy group-containing (meth) acrylic acid esters include glycidyl (meth) acrylate,? -Methyl glycidyl (meth) acrylate, (3,4-epoxycyclohexyl) -Epoxycyclo-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and the like. Examples of the non-acrylic epoxy group-containing monomer include glycidyl crotonate, allyl glycidyl ether, and the like. As the epoxy group-containing monomer, an epoxy group-containing (meth) acrylic acid ester is preferable.

아크릴계 중합체를 구성하는 단량체가 에폭시기 함유 단량체를 포함하지 않는 경우, (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체는 구체적으로는 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르, (메트)아크릴산알킬에스테르 등의 각종 에폭시기를 갖지 않는 (메트)아크릴산에스테르와, 필요에 따라 병용되는 스티렌, 에틸렌, 비닐에테르, 아세트산비닐 등의 비아크릴계 에폭시기 비함유 단량체를 포함한다.When the monomer constituting the acrylic polymer does not contain an epoxy group-containing monomer, (A1) the monomer constituting the acrylic polymer specifically includes a monomer having no epoxy group such as a hydroxyl group-containing (meth) acrylate ester and (meth) (Meth) acrylic acid esters, and non-acrylic epoxy group-free monomers such as styrene, ethylene, vinyl ether, and vinyl acetate, which are optionally used in combination.

(A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체로서는, (메트)아크릴산알킬에스테르를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, (메트)아크릴산알킬에스테르의 탄소수의 증감이나, 다른 탄소수의 (메트)아크릴산알킬에스테르의 조합에 의해, (A1) 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도를 조정하는 것이 용이해진다. (메트)아크릴산알킬에스테르는 (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 50질량％ 이상인 것이 바람직하고, 70질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, (메트)아크릴산알킬에스테르가 (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 질량에서 차지하는 비율의 상한에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 95질량％ 이하이면, (메트)아크릴산알킬에스테르 이외의 단량체를 공중합하여 적절히 (A1) 아크릴계 중합체의 특성을 제어하는 것이 가능해지므로 바람직하다.As the monomer constituting the (A1) acrylic polymer, it is preferable to include a (meth) acrylic acid alkyl ester. This makes it easy to adjust (A1) the glass transition temperature of the acrylic polymer by increasing or decreasing the number of carbon atoms of the (meth) acrylic acid alkyl ester or by combining a (meth) acrylic acid alkyl ester having other carbon number. The (meth) acrylic acid alkyl ester is preferably at least 50 mass%, more preferably at least 70 mass%, of the entire monomers constituting the (A1) acrylic polymer. The upper limit of the proportion of the (meth) acrylic acid alkyl ester in the mass of the total monomers constituting the acrylic polymer (A1) is not particularly limited, but if it is 95 mass% or less, the monomer other than the alkyl (meth) (A1), it is possible to appropriately control the properties of the acrylic polymer.

(메트)아크릴산알킬에스테르로서는, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산n-옥틸, (메트)아크릴산n-노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산라우릴 등, 알킬기의 탄소수가 1 내지 18인 (메트)아크릴산알킬에스테르를 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid alkyl esters include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, n-nonyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (Meth) acrylic acid alkyl esters.

또한, (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체는 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 중, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르를 함유하지 않거나, 또는 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르를, (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 12질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 후술하는 유리 전이 온도가 용이하게 -3℃ 이상이 되어, 신뢰성을 향상시키기 쉬워진다.The monomer constituting the acrylic polymer (A1) may be an alkyl (meth) acrylate having no alkyl (meth) acrylate having 4 or more carbon atoms in the alkyl group, or a The ester is preferably contained in an amount of 12 mass% or less of (A1) the total monomer constituting the acrylic polymer. As a result, the glass transition temperature described later easily becomes -3 DEG C or higher, and reliability can be easily improved.

(A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체가 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르를 포함하는 경우, 그 함유량은, 예를 들어 (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 1질량％ 이상, 바람직하게는 5질량％ 이상이다.(A1) When the monomer constituting the acrylic polymer comprises a (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 or more carbon atoms in the alkyl group, the content thereof is, for example, (A1) 1% by mass or more of the total monomers constituting the acrylic polymer, It is preferably at least 5% by mass.

당해 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 탄소수 4 내지 8인 것이 바람직하고, 탄소수 4의 (메트)아크릴산부틸이 보다 바람직하다.As the (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 or more carbon atoms in the alkyl group, the number of carbon atoms is preferably from 4 to 8, and (meth) butyl acrylate having 4 carbon atoms is more preferable.

또한, (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체는 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 중, 알킬기의 탄소수가 3 이하인 (메트)아크릴산알킬에스테르를 함유하는 것이 바람직하다. 알킬기의 탄소수가 3 이하인 (메트)아크릴산알킬에스테르를 함유함으로써, 열 안정성 등을 양호하게 하면서도, (A1) 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도를 후술하는 바와 같이 -3℃ 이상으로 하기 쉬워진다. 이들의 관점에서, 알킬기의 탄소수가 3 이하인 (메트)아크릴산알킬에스테르는 (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 50질량％ 이상인 것이 바람직하고, 60질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 알킬기의 탄소수가 3 이하인 (메트)아크릴산알킬에스테르는 (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 90질량％ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 당해 알킬기의 탄소수가 3 이하인 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, (메트)아크릴산메틸 또는 (메트)아크릴산에틸이 바람직하고, (메트)아크릴산메틸이 보다 바람직하다.The monomer constituting the (A1) acrylic polymer preferably contains (meth) acrylic acid alkyl ester having 3 or less carbon atoms in the alkyl group of the alkyl (meth) acrylate. (A1) the glass transition temperature of the acrylic polymer is easily set to -3 DEG C or higher as described later, by containing the (meth) acrylic acid alkyl ester having 3 or less carbon atoms in the alkyl group, while improving the thermal stability and the like. From these viewpoints, the (meth) acrylic acid alkyl ester in which the alkyl group has 3 or less carbon atoms is preferably 50 mass% or more, more preferably 60 mass% or more, of the entire monomers constituting the (A1) acrylic polymer. The (meth) acrylic acid alkyl ester in which the alkyl group has 3 or less carbon atoms is preferably 90 mass% or less of (A1) the total monomers constituting the acrylic polymer. Further, as the (meth) acrylic acid alkyl ester having 3 or less carbon atoms in the alkyl group, methyl (meth) acrylate or ethyl (meth) acrylate is preferable, and methyl (meth) acrylate is more preferable.

(A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체가 (메트)아크릴산알킬에스테르를 함유하는 경우, (메트)아크릴산알킬에스테르 전체에 있어서의, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르와 알킬기의 탄소수가 3 이하인 (메트)아크릴산알킬에스테르의 질량 비율은 0/100 내지 15/85인 것이 바람직하다. 이에 의해, 후술하는 유리 전이 온도가 용이하게 -3℃ 이상이 되어, 신뢰성을 향상시키기 쉬워진다.(Meth) acrylic acid alkyl ester, the total amount of the (meth) acrylic acid alkyl ester having the alkyl group of the alkyl group of not less than 4 and the alkyl group of the alkyl group of not more than 3 (Meth) acrylic acid alkyl ester is preferably 0/100 to 15/85. As a result, the glass transition temperature described later easily becomes -3 DEG C or higher, and reliability can be easily improved.

또한, (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체는 에폭시기를 함유하지 않는 (메트)아크릴산에스테르로서, 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르를 포함할 수도 있다. 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 의해, 아크릴계 공중합체에 수산기가 도입되면, 반도체 칩에 대한 밀착성이나 점착 특성의 컨트롤이 용이해진다. 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서는, (메트)아크릴산히드록시메틸, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필 등을 들 수 있다.Further, the monomer constituting the (A1) acrylic polymer may be a (meth) acrylic acid ester containing no epoxy group and containing a hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester. When the hydroxyl group is introduced into the acrylic copolymer by the hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester, the adhesion to the semiconductor chip and the control of the adhesive property are facilitated. Examples of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate ester include (meth) acrylate hydroxymethyl, (meth) acrylate 2-hydroxyethyl and (meth) acrylate 2-hydroxypropyl.

수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르는 (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 1 내지 30질량％인 것이 바람직하고, 5 내지 25질량％인 것이 보다 바람직하고, 10 내지 20질량％인 것이 더욱 바람직하다.The content of the hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester is preferably from 1 to 30% by mass, more preferably from 5 to 25% by mass, and further preferably from 10 to 20% by mass, based on the total monomers constituting the acrylic polymer (A1) .

또한, (A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체는 상기한 바와 같이 스티렌, 에틸렌, 비닐에테르, 아세트산비닐 등의 비아크릴계 에폭시기 비함유 단량체를 포함하고 있을 수도 있다.In addition, the monomer (A1) constituting the acrylic polymer may contain a non-acrylic monomer having no epoxy group such as styrene, ethylene, vinyl ether, or vinyl acetate as described above.

(A1) 아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 수지층 α에 가요성, 조막성을 부여할 수 있도록 하기 위해, 10,000 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 중량 평균 분자량은 보다 바람직하게는 15,000 내지 1,000,000, 더욱 바람직하게는 20,000 내지 500,000이다. 또한, 본 발명에 있어서 중량 평균 분자량(Mw)은 후술하는 바와 같이, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 표준 폴리스티렌 환산으로 측정한 것을 말한다.The weight average molecular weight (Mw) of the (A1) acrylic polymer is preferably 10,000 or more in order to impart flexibility and film formability to the resin layer ?. The weight average molecular weight is more preferably from 15,000 to 1,000,000, and still more preferably from 20,000 to 500,000. In the present invention, the weight average molecular weight (Mw) is measured by gel permeation chromatography (GPC) as measured in terms of standard polystyrene as described later.

본 발명에 있어서 (A1) 아크릴계 중합체는 그의 유리 전이 온도가 -3℃ 이상이 되는 것이다. 유리 전이 온도가 -3℃ 미만이 되면, (A1) 아크릴계 중합체의 운동성이 충분히 억제되지 않고, 보호막이 열 이력에 기인하여 변형되기 쉬워져, 보호막을 구비한 칩의 신뢰성을 충분히 향상시킬 수 없다. 또한, 본 발명에 있어서, 유리 전이 온도는 폭스(Fox)의 식으로부터 구해지는 이론값이다.In the present invention, the glass transition temperature of the (A1) acrylic polymer is -3 占 폚 or higher. When the glass transition temperature is lower than -3 DEG C, (A1) the mobility of the acrylic polymer is not sufficiently inhibited, and the protective film tends to be deformed due to the thermal history, so that the reliability of the chip having the protective film can not be sufficiently improved. Further, in the present invention, the glass transition temperature is a theoretical value obtained from the Fox equation.

또한, (A1) 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도는 30℃ 이하인 것이 바람직하고, 15℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 유리 전이 온도가 30℃ 이하임으로써, 경화 전의 보호막 형성층의 웨이퍼의 표면 형상에 대한 추종성이 유지된다. 그 결과, 칩에 대한 높은 접착성을 확보할 수 있고, 신뢰성을 양호한 것으로 할 수 있다.Further, the glass transition temperature of the (A1) acrylic polymer is preferably 30 ° C or lower, more preferably 15 ° C or lower. When the glass transition temperature is 30 占 폚 or less, the ability to follow the surface shape of the wafer in the protective film forming layer before curing is maintained. As a result, high adhesiveness to the chip can be ensured and reliability can be improved.

수지층 α는 에폭시기 함유 단량체 유래 성분을 전혀 포함하지 않고, 또한 그 함유량이 적은 양으로 억제됨으로써, 보호막에 있어서 (A1) 성분이 풍부한 상과, 후술하는 (B1) 성분의 경화물이 풍부한 상이 상분리되기 쉬워지고, 보호막을 구비한 칩의 신뢰성이 향상된다. 이는, 칩 실장 후에 온도 변화를 거친 경우라도, 온도 변화에 기인한 변형에 의한 응력을, 유연한 (A1)이 풍부한 상이 완화시키므로, 응력에 의한 보호막의 박리가 발생하기 어려워지기 때문이라고 추정된다. 또한, 열경화 후의 수지층 α에 있어서의 상분리는 (A1)이 풍부한 상이 연속상을 형성하고 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 상술한 신뢰성 향상의 효과를 더욱 높일 수 있다. 또한, 여기서 말하는 (A1) 성분은 (A1) 성분이 가교되어 있는 경우, (A1) 성분의 가교물도 포함하는 것으로 한다.The resin layer? Does not contain any component derived from the epoxy group-containing monomer and is suppressed to a small amount so that the phase in which the component (A1) is rich in the protective film and the phase in which the cured product in the component (B1) And reliability of a chip having a protective film is improved. This is presumably because the stress caused by the temperature change is relaxed by the phase rich in the flexible (A1) even when the temperature is changed after the chip mounting, so that the peeling of the protective film due to the stress is hardly caused. The phase separation in the resin layer? After thermosetting is preferably that the phase rich in (A1) forms a continuous phase. Thereby, the effect of the reliability improvement described above can be further enhanced. When the component (A1) is crosslinked, the component (A1) referred to herein also includes a crosslinked product of the component (A1).

(A1)이 풍부한 상과 (B1)의 경화물이 풍부한 상은, 예를 들어 라만 산란 분광 측정에 의해 어떤 상의 측정 차트로부터, 어떤 물질이 그 상의 주성분으로 되어 있는지를 관찰함으로써 판별할 수 있다. 또한, 상분리 구조의 크기가 라만 분광법의 분해능 이하인 경우, SPM(주사형 프로브 현미경)의 탭핑 모드 측정의 경도를 지표로, 보다 단단한 쪽이 (B1) 성분의 경화물이 풍부한 상이고, 보다 연한 쪽이 (A1) 성분이 풍부한 상임을 추정할 수 있다. 그로 인해, 본 발명에서는, 보호막 형성용 필름을 경화하여 얻은 보호막을 라만 산란 분광 측정이나 SPM 관찰함으로써, 상분리 구조가 형성되어 있는지의 여부를 확인할 수 있다.The image rich in A1 and the cured product in B1 can be distinguished from a measurement chart of any phase by, for example, Raman scattering spectroscopy, by observing which material is the main component of the image. When the size of the phase separation structure is less than the resolution capability of Raman spectroscopy, the hardness of the tapping mode measurement of the SPM (scanning probe microscope) is used as an index, the harder side is a cured product rich in the component (B1) (A1) can be estimated to be abundant. Therefore, in the present invention, it is possible to confirm whether or not a phase separation structure is formed by Raman scattering spectroscopy or SPM observation of the protective film obtained by curing the protective film forming film.

또한, (A1) 아크릴계 중합체는 수지층 α의 전체 질량(고형분 환산)에서 차지하는 비율로서, 통상 5 내지 80질량％, 바람직하게는 10 내지 50질량％이다.The proportion of the (A1) acrylic polymer in the total mass (in terms of solid content) of the resin layer? Is usually from 5 to 80 mass%, and preferably from 10 to 50 mass%.

<(A2) 중합체><(A2) Polymer>

수지층 β에 함유되는 (A2) 중합체는 수지층 β에 가요성, 시트 형상 유지성을 부여하는 것을 주목적으로 한 성분이다. (A2) 중합체는 수지층 α에 함유되는 (A1) 아크릴계 중합체와 다른 중합체이다. 여기서, (A1) 아크릴계 중합체와 다른 중합체란, 아크릴계 중합체이지만, 그 조성이 (A1) 아크릴계 중합체와 다른 (A2-1) 아크릴계 중합체이거나, 혹은 중합체의 종류 자체가 다르고, 아크릴계 중합체 이외의 중합체인 것 중 어느 하나이다. (A2) 중합체로서 사용되는 아크릴계 중합체 이외의 중합체로서는, 바람직하게는 페녹시 수지를 들 수 있다.The (A2) polymer contained in the resin layer beta is a component mainly for imparting flexibility and sheet-like retention to the resin layer beta. The polymer (A2) is a polymer different from the (A1) acrylic polymer contained in the resin layer alpha. Here, (A1) the polymer different from the acrylic polymer is an acrylic polymer, but it is a polymer other than the acrylic polymer, the composition being (A1) an acrylic polymer different from the (A2-1) acrylic polymer, &Lt; / RTI &gt; As the polymer other than the acrylic polymer used as the polymer (A2), a phenoxy resin is preferably used.

본 발명에 있어서, 수지층 β는 (A1) 아크릴계 중합체와 다른 중합체인 (A2) 중합체를 함유함으로써, 수지층 α와 다른 특성을 가질 수 있다. 그로 인해, 수지층 β의 그로스값을 높은 것으로 하여, 수지층 β의 레이저 인자성을 양호하게 할 수 있다.In the present invention, the resin layer? May have properties different from the resin layer? By containing the (A2) polymer which is different from the (A1) acrylic polymer. As a result, the gloss value of the resin layer beta is set to be high, and the laser printability of the resin layer beta can be improved.

((A2-1) 아크릴계 중합체)((A2-1) acrylic polymer)

(A2) 중합체로서 사용되는 (A2-1) 아크릴계 중합체는 에폭시기 함유 단량체와, 다른 단량체를 공중합하여 얻어지는 아크릴계 중합체이며, 그 에폭시기 함유 단량체가 (A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 8질량％보다 높은 비율로 함유되는 것, 또는 유리 전이 온도가 -3℃ 미만인 아크릴계 중합체인 것이 바람직하다.(A2-1) The acrylic polymer (A2-1) used as the polymer is an acrylic polymer obtained by copolymerizing an epoxy group-containing monomer and another monomer, and the epoxy group-containing monomer is an acrylic polymer having a total mass of 8 mass %, Or an acrylic polymer having a glass transition temperature lower than -3 占 폚.

(A2-1) 아크릴계 중합체는 에폭시기 함유 단량체의 비율이 8질량％보다 많아짐으로써, 후술하는 바와 같이 (A2) 성분과 (B2) 성분의 경화물의 상용성이 향상된다. 그 결과, 수지층 β의 경화 후의 그로스값이 높아짐으로써, 레이저 인자성이 향상되기 쉬워진다. 또한, 에폭시기 함유 단량체를 8질량％보다 높은 비율로 포함하지 않아도, 유리 전이 온도가 -3℃ 미만임으로써, 후술하는 그로스값을 높게 하기 쉽고, 인자의 인식성을 높게 할 수 있다. 특히, 수지층 β가 함유하는 (E2) 충전재의 입경이 상대적으로 큰 경우, 예를 들어 1㎛ 이상인 경우에 있어서, (A2-1) 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도가 -3℃ 미만임으로써, 후술하는 그로스값을 높게 유지할 수 있는 경향이 있다. 또한, 이 경우에 있어서의 상기의 경향은 수지층 β에 있어서의 (E2) 충전재의 함유량이 많을수록 현저하다. 이 이유는 다음과 같이 생각된다. (E2) 충전재의 입경이 상대적으로 큰 경우에는, 열경화 중의 수지층 β의 부피 수축에 의해 (E2) 충전재에 기인한 요철이 수지층 β의 표면에 나타나, 그로스값의 저하의 원인이 될 수 있다. 그러나, (A2-1) 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도가 -3℃ 미만이면, 수지층 β의 부피 수축이 완화되기 쉽다. 따라서, 수지층 β의 그로스값의 저하를 억제할 수 있다.The proportion of the epoxy group-containing monomer in the (A2-1) acrylic polymer is more than 8% by mass, so that compatibility of the cured product of the component (A2) and the component (B2) is improved as described later. As a result, since the gloss value after curing of the resin layer beta is increased, the laser printability is likely to be improved. Further, even if the epoxy group-containing monomer is not contained at a ratio higher than 8 mass%, the glass transition temperature is less than -3 占 폚, the gloss value to be described later can be easily increased and the recognition of the factor can be made high. Particularly, when the particle size of the filler (E2) contained in the resin layer beta is relatively large, for example, in the case of 1 mu m or more, the glass transition temperature of the acrylic polymer (A2-1) There is a tendency to keep the gross value at a high level. The above tendency in this case is more remarkable as the content of the (E2) filler in the resin layer beta is larger. This reason is considered as follows. When the particle diameter of the filler (E2) is relatively large, unevenness due to the filler (E2) appears on the surface of the resin layer beta due to the volume contraction of the resin layer beta during thermosetting, which may cause a decrease in the gloss value have. However, if the glass transition temperature of the (A2-1) acrylic polymer is less than -3 占 폚, the volume shrinkage of the resin layer? Tends to be relaxed easily. Therefore, it is possible to suppress the decrease of the gloss value of the resin layer beta.

또한, (A2-1) 아크릴계 중합체는 에폭시기 함유 단량체를 8질량％보다 많이 포함하고, 또한 유리 전이 온도가 -3℃ 미만이면, 레이저 인자성이 더욱 향상되므로 보다 바람직하다.Further, the (A2-1) acrylic polymer contains more than 8% by mass of the epoxy group-containing monomer, and the glass transition temperature is lower than -3 占 폚, which is more preferable because the laser printability is further improved.

상기의 관점에서 에폭시기 함유 단량체는, (A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 10질량％ 이상의 비율로 함유되는 것이 특히 바람직하다. 또한, 에폭시기 함유 단량체는, (A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 30질량％ 이하의 비율로 함유되는 것이 바람직하고, 25질량％ 이하의 비율로 함유되는 것이 보다 바람직하다. 또한, 에폭시기 함유 단량체의, (A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체에서 차지하는 질량 비율이 이러한 상한 이하의 범위에 있으면, (A2-1) 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도를 -3℃ 미만으로 하는 것이 보다 용이해진다.From the above viewpoint, it is particularly preferable that the epoxy group-containing monomer is contained in a proportion of 10 mass% or more of the entire monomers constituting the (A2-1) acrylic polymer. The epoxy group-containing monomer is preferably contained in a proportion of 30 mass% or less, more preferably 25 mass% or less, of the total monomers constituting the (A2-1) acrylic polymer. When the mass ratio of the epoxy group-containing monomer to the entire monomers constituting the (A2-1) acrylic polymer is within the range of the upper limit or lower, the glass transition temperature of the acrylic polymer (A2-1) It becomes easier.

또한, (A2-1) 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도는 상기의 관점에서 -10℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, -15℃ 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, (A2-1) 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도는 -50℃ 이상이 바람직하고, -30℃ 이상이 보다 바람직하다.The glass transition temperature of the (A2-1) acrylic polymer is more preferably -10 占 폚 or lower, and particularly preferably -15 占 폚 or lower from the viewpoint of the above. The glass transition temperature of the acrylic polymer (A2-1) is preferably -50 ° C or higher, more preferably -30 ° C or higher.

(A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체는, 보다 구체적으로는 에폭시기 함유 (메트)아크릴산에스테르 및 비아크릴계 에폭시기 함유 단량체로부터 선택되는 1종 이상의 에폭시기 함유 단량체와, 에폭시기를 갖지 않는 각종 (메트)아크릴산에스테르 및/또는 비아크릴계 에폭시기 비함유 단량체를 포함한다. 이 경우, 에폭시기 함유 단량체가 비아크릴계 에폭시기 함유 단량체만을 포함하는 경우에는, 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체는 에폭시기를 갖지 않는 각종 (메트)아크릴산에스테르를 포함한다.More specifically, the monomers constituting the acrylic polymer (A2-1) include at least one epoxy group-containing monomer selected from epoxy group-containing (meth) acrylate esters and non-acrylic epoxy group-containing monomers, and various (meth) acrylic acid Ester and / or non-acrylic epoxy group-free monomer. In this case, when the epoxy group-containing monomer contains only the non-acrylic epoxy group-containing monomer, the monomer constituting the acrylic polymer includes various (meth) acrylic acid esters having no epoxy group.

에폭시기 함유 단량체로서는, 상기 (A1) 아크릴계 중합체에 사용 가능한 것으로서 열거한 것이 사용 가능하고, 에폭시기 함유 (메트)아크릴산에스테르가 사용되는 것이 바람직하다.As the epoxy group-containing monomer, those listed as those usable in the above-mentioned (A1) acrylic polymer can be used, and it is preferable that an epoxy group-containing (meth) acrylate ester is used.

(A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체는 에폭시기를 갖지 않는 (메트)아크릴산에스테르로서, (메트)아크릴산알킬에스테르를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, (메트)아크릴산알킬에스테르의 탄소수의 증감이나, 다른 탄소수의 (메트)아크릴산알킬에스테르의 조합에 의해, (A2-1) 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도를 조정하는 것이 용이해진다. (메트)아크릴산알킬에스테르는 (A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 45질량％ 이상인 것이 바람직하고, 60질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, (메트)아크릴산알킬에스테르는 (A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 90질량％ 이하인 것이 바람직하다.(A2-1) The monomer constituting the acrylic polymer is preferably a (meth) acrylic acid ester having no epoxy group and a (meth) acrylic acid alkyl ester. This makes it easy to adjust the glass transition temperature of the (A2-1) acrylic polymer by increasing or decreasing the number of carbon atoms of the (meth) acrylic acid alkyl ester or by combining a (meth) acrylic acid alkyl ester having other carbon number. The (meth) acrylic acid alkyl ester is preferably at least 45 mass%, more preferably at least 60 mass%, of the entire monomers constituting the (A2-1) acrylic polymer. The (meth) acrylic acid alkyl ester is preferably 90 mass% or less of the entire monomers constituting the (A2-1) acrylic polymer.

(메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 상기에서 (A1) 아크릴계 중합체에 사용 가능한 (메트)아크릴산알킬에스테르로서 열거한 것이 적절히 사용된다.As the (meth) acrylic acid alkyl ester, those listed above as the (meth) acrylic acid alkyl ester usable in the (A1) acrylic polymer are suitably used.

(A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체는 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 중, 알킬기의 탄소수가 2 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르를, (A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 12질량％보다 많은 양으로 함유하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 유리 전이 온도가 낮아져 그로스값이 향상되고, 레이저 인자의 식별성을 향상시킬 수 있다. 이와 같은 관점에서, 알킬기의 탄소수가 2 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르의 상기 함유량은 보다 바람직하게는 15질량％ 이상, 특히 바람직하게는 30질량％ 이상이다.(A2-1) The monomer constituting the acrylic polymer is a (meth) acrylic acid alkyl ester having 2 or more alkyl groups in the alkyl (meth) acrylate, (A2-1) 12 masses of the total monomers constituting the acrylic polymer % Or more. As a result, the glass transition temperature is lowered, the gloss value is improved, and the discrimination of the laser factor can be improved. From such a viewpoint, the content of the (meth) acrylic acid alkyl ester having an alkyl group of 2 or more is more preferably 15 mass% or more, and particularly preferably 30 mass% or more.

또한, 알킬기의 탄소수가 2 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르의 상기 함유량은 바람직하게는 75질량％ 이하, 보다 바람직하게는 65질량％ 이하, 특히 바람직하게는 60질량％ 이하이다. 이와 같이, 함유량을 소정의 상한값 이하로 하면, (B2) 성분과의 상용성이 향상되어, 그로스값을 보다 높은 값으로 하는 것이 가능해진다.The content of the (meth) acrylic acid alkyl ester having 2 or more carbon atoms in the alkyl group is preferably 75 mass% or less, more preferably 65 mass% or less, particularly preferably 60 mass% or less. Thus, when the content is set to a predetermined upper limit value or less, the compatibility with the component (B2) improves, and the gloss value can be made higher.

당해 (메트)아크릴산알킬에스테르는 알킬기의 탄소수가 2 내지 6인 (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산부틸 등이 바람직하고, 탄소수가 4인 (메트)아크릴산부틸이 보다 바람직하다.The (meth) acrylic acid alkyl ester is preferably a (meth) acrylate having 2 to 6 carbon atoms in the alkyl group, a butyl (meth) acrylate and the like, and more preferably a (meth) acrylate having 4 carbon atoms.

또한, (A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체는 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 중, 알킬기의 탄소수가 1인 (메트)아크릴산메틸을 함유하는 것이 바람직하다. (메트)아크릴산메틸을 함유함으로써, (A2-1) 아크릴계 중합체의 극성을 저하시켜, (B2) 성분과의 상용성을 양호하게 할 수 있다. 그 결과, 수지층 β의 그로스값을 향상시킬 수 있다.The monomer constituting the (A2-1) acrylic polymer preferably contains (meth) acrylate in which the alkyl group of the alkyl group is 1 in the (meth) acrylic acid alkyl ester. (A2-1) the polarity of the acrylic polymer is lowered, and compatibility with the component (B2) can be improved by containing methyl (meth) acrylate. As a result, the gloss value of the resin layer beta can be improved.

이들의 관점에서, (메트)아크릴산메틸은 (A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 1질량％ 이상인 것이 바람직하고, 8질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, (메트)아크릴산메틸은 (A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 75질량％ 이하인 것이 바람직하고, 50질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다.From these viewpoints, the methyl (meth) acrylate is preferably 1% by mass or more, more preferably 8% by mass or more, of the total monomers constituting the (A2-1) acrylic polymer. The methyl (meth) acrylate is preferably 75% by mass or less, more preferably 50% by mass or less of the entire monomers constituting the (A2-1) acrylic polymer.

(A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체가 (메트)아크릴산알킬에스테르를 함유하는 경우, (메트)아크릴산알킬에스테르 전체에 있어서의, 알킬기의 탄소수가 2 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르와 알킬기의 탄소수가 1인 (메트)아크릴산메틸의 질량 비율은 15/85 내지 100/0인 것이 바람직하다. 이에 의해, (A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체의 유리 전이 온도를 -3℃ 미만으로 하는 것이 용이해진다. 또한, 이 질량 비율은 35/70 내지 90/10인 것이 보다 바람직하다.(A2-1) When the monomer constituting the acrylic polymer contains a (meth) acrylic acid alkyl ester, the ratio of the number of carbon atoms of the alkyl (meth) acrylate to the total number of carbon atoms of the alkyl group (Meth) acrylate is preferably 15/85 to 100/0. Thereby, it becomes easy to make the glass transition temperature of the monomer constituting the acrylic polymer (A2-1) lower than -3 ° C. It is more preferable that the mass ratio is 35/70 to 90/10.

또한, (A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체는 에폭시기를 갖지 않는 (메트)아크릴산에스테르로서, 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르를 포함하는 것이 바람직하다. 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 의해, 아크릴계 공중합체에 수산기가 도입되면, 점착 특성 등의 컨트롤이 용이해진다. 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서는, 상기에서 (A1) 아크릴계 중합체에 사용 가능한 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서 열거한 화합물을 적절히 사용할 수 있다.Further, the monomer constituting the (A2-1) acrylic polymer is preferably a (meth) acrylic acid ester having no epoxy group and containing a hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester. When the hydroxyl group is introduced into the acrylic copolymer by the hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester, the control of the adhesive property and the like is facilitated. As the hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester, compounds listed as hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid esters usable in the above (A1) acrylic polymer can be suitably used.

수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르는 (A2) 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체의 1 내지 30질량％인 것이 바람직하고, 5 내지 25질량％인 것이 보다 바람직하고, 10 내지 20질량％인 것이 더욱 바람직하다.The content of the hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester is preferably from 1 to 30 mass%, more preferably from 5 to 25 mass%, and even more preferably from 10 to 20 mass% of the total monomers constituting the (A2) acrylic polymer .

또한, (A2-1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체는 상기한 바와 같이 스티렌, 에틸렌, 비닐에테르, 아세트산비닐 등의 비아크릴계 에폭시기 비함유 단량체를 포함하고 있을 수도 있다.In addition, the monomer constituting the (A2-1) acrylic polymer may contain a non-acrylic epoxy-free monomer such as styrene, ethylene, vinyl ether, or vinyl acetate as described above.

(A2-1) 아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 수지층 β에 가요성, 조막성을 부여할 수 있음과 함께, 후술하는 그로스값을 20 이상으로 하기 쉽게 하기 위해, 10,000 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 중량 평균 분자량은 보다 바람직하게는 15,000 내지 1,000,000, 더욱 바람직하게는 20,000 내지 500,000이다.The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer (A2-1) is preferably not less than 10,000 in order to impart flexible and film-like properties to the resin layer beta as well as to facilitate the later-described gross value to be not less than 20 . The weight average molecular weight is more preferably from 15,000 to 1,000,000, and still more preferably from 20,000 to 500,000.

수지층 β는 열경화 후, (A2) 성분이 풍부한 상과, 후술하는 (B2) 성분의 경화물이 풍부한 상이 상용하고 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 상용 상태가 되면, 그로스값이 올라가, 수지층 β에 대한 레이저 인자성이 향상된다. 이는 상용함으로써, 경화 후의 수지층 표면의 평활성이 향상되었기 때문이라고 추정된다. 또한, 여기서 말하는 (A2) 성분은, (A2) 성분이 가교되어 있는 경우 (A2) 성분의 가교물도 포함한 것으로 한다.It is preferable that the resin layer beta is compatible with a phase enriched in the component (A2) and a cured product rich in the component (B2) described later after thermosetting. When such a commercial state is attained, the gloss value is increased, and the laser printability of the resin layer beta is improved. This is presumably because the smoothness of the surface of the resin layer after curing is improved by the commercial use. The component (A2) referred to herein also includes a crosslinked product of the component (A2) when the component (A2) is crosslinked.

(A2) 성분이 풍부한 상과, (B2) 성분의 경화물이 풍부한 상의 판별 방법은 상기한 (A1)이 풍부한 상과 (B1)의 경화물이 풍부한 상의 판별 방법과 마찬가지이다.The method of discriminating the phase rich in the component (A2) and the cured product rich in the component (B2) is the same as the method of discriminating the phase rich in the above-mentioned (A1) and the cured product in the (B1).

(A2) 중합체는 수지층 β의 전체 질량(고형분 환산)에서 차지하는 비율로서, 통상 5 내지 80질량％, 바람직하게는 10 내지 50질량％이다.The polymer (A2) accounts for 5 to 80% by mass, preferably 10 to 50% by mass, of the total mass (in terms of solid content) of the resin layer beta.

<(B1) (B2) 에폭시계 경화성 성분>&Lt; (B1) (B2) Epoxy curing component >

수지층 α, β 각각에 사용되는 (B1) (B2) 에폭시계 경화성 성분은 경화에 의해 경질의 보호막을 반도체 칩 위에 형성시키기 위한 성분이고, 통상 에폭시계 화합물 및 열경화제를 포함한다.The (B1) (B2) epoxy-based curable component used for each of the resin layers? And? Is a component for forming a hard protective film on the semiconductor chip by curing, and usually includes an epoxy compound and a thermosetting agent.

수지층 α에 있어서, (B1) 에폭시계 경화성 성분 중의 에폭시계 화합물에 대한 (A1) 아크릴계 중합체의 질량비(이하 간단히 "질량비 X1"이라고도 함)는 0.25 이상이 바람직하고, 0.5 이상이 보다 바람직하다. 또한, 2.0 이하가 바람직하고, 1.5 이하가 보다 바람직하다. 질량비 X1을 상기 범위로 함으로써, 후술하는 박리 시트와의 박리력이 적절해져, 박리 시트를 보호막 형성용 필름으로부터 박리할 때의 박리 불량 등을 방지할 수 있다. 또한, 질량비 X1을 상기 하한값 이상으로 제한함으로써, 수지층 α에 있어서 (A1) 성분이 풍부한 상이 연속상이 되기 쉬워, 반도체 칩의 신뢰성을 높일 수 있다.In the resin layer?, The mass ratio of the (A1) acrylic polymer to the epoxy compound in the epoxy-based curing component (B1) (hereinafter also simply referred to as "mass ratio X1") is preferably 0.25 or more and more preferably 0.5 or more. Further, it is preferably 2.0 or less, more preferably 1.5 or less. By setting the mass ratio X1 in the above-described range, the peeling force with the release sheet described later becomes appropriate, and it is possible to prevent the peeling failure or the like when the release sheet is peeled from the protective film forming film. Further, by limiting the mass ratio X1 to the lower limit value or more, the phase rich in the component (A1) in the resin layer? Tends to be a continuous phase, and the reliability of the semiconductor chip can be enhanced.

또한, 수지층 β에 있어서, (B2) 에폭시계 경화성 성분 중의 에폭시계 화합물에 대한 (A2) 중합체의 질량비(이하 간단히 "질량비 X2"라고도 함)는 0.25 이상이 바람직하고, 0.5 이상이 보다 바람직하다. 또한, 2.0 이하가 바람직하고, 1.5 이하가 보다 바람직하다. 질량비 X2를 상기 범위로 함으로써, 후술하는 지지 시트와의 박리력이 적절해져, 지지 시트를 보호막 형성용 필름으로부터 박리할 때의 박리 불량 등을 방지할 수 있다. 또한, 질량비 X2를 상기 하한값 이상의 범위로 제한함으로써, 수지층 β에 있어서 (A2) 성분과 (B2) 성분의 경화물이 상용 상태가 되어, 그로스값이 높은 값이 되기 쉽다.In the resin layer?, The mass ratio of the (A2) polymer to the epoxy compound in the epoxy-based curing component (B2) (hereinafter also simply referred to as "mass ratio X2") is preferably 0.25 or more, more preferably 0.5 or more . Further, it is preferably 2.0 or less, more preferably 1.5 or less. By setting the mass ratio X2 within the above-mentioned range, the peeling force with the support sheet described later becomes appropriate, and it is possible to prevent peeling failure or the like when the support sheet is peeled from the protective film forming film. Further, by limiting the mass ratio X2 to the lower limit value or more, the cured product of the component (A2) and the component (B2) in the resin layer beta is in a commercial state, and the gloss value tends to become a high value.

상기 질량비 X1과 질량비 X2는 서로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.The mass ratio X1 and the mass ratio X2 may be the same or different.

이들 질량비가 서로 상이한 경우에는, 질량비 X1과 질량비 X2 중 어느 작은 것의, 어느 큰 것에 대한 비율이 0.35 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.6 이상이고, 더욱 바람직하게는 0.85 이상이다. 이와 같이, 질량비 X1과 질량비 X2를 서로 근사시키거나, 혹은 동일하게 하면, 수지층 α, β를 가열 등을 한 경우의 치수 변화율이 서로 근사한 것이 되어, 수지층 α와 수지층 β 사이에서 층간 박리가 발생하는 것이 방지됨으로써, 보호막을 구비한 칩의 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.When these mass ratios are different from each other, the ratio of the mass ratio X1 and the mass ratio X2 to any of the smaller ones is preferably 0.35 or more, more preferably 0.6 or more, and still more preferably 0.85 or more. When the mass ratio X1 and the mass ratio X2 are approximated to each other or equal to each other, the dimensional change rates when the resin layers α and β are heated or the like are approximate to each other, and the interlayer delamination between the resin layer α and the resin layer β It is possible to further improve the reliability of the chip having the protective film.

(B1) (B2) 에폭시계 경화성 성분에 사용되는 에폭시계 화합물로서는, 종래 공지의 에폭시 화합물을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 비페닐 화합물, 비스페놀A 디글리시딜에테르나 그의 수소 첨가물, 오르토크레졸노볼락에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등, 분자 중에 2관능 이상 갖는 에폭시 화합물을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.(B1) (B2) As the epoxy compound used in the epoxy-based curing component, conventionally known epoxy compounds can be used. Specific examples thereof include biphenyl compounds, bisphenol A diglycidyl ether or hydrogenated products thereof, orthocresol novolac epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type Epoxy resins, phenylene skeleton-type epoxy resins, and epoxy compounds having two or more functional groups in the molecule. These may be used alone or in combination of two or more.

(B1) (B2) 에폭시계 경화성 성분에 사용되는 열경화제는 에폭시 화합물에 대한 경화제로서 기능한다. 바람직한 열경화제로서는, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 그 관능기로서는 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복실기 및 산무수물 등을 들 수 있다. 이들 중 바람직하게는 페놀성 수산기, 아미노기, 산무수물 등을 들 수 있고, 더욱 바람직하게는 페놀성 수산기, 아미노기를 들 수 있다.(B1) (B2) The thermosetting agent used in the epoxy-based curing component functions as a curing agent for the epoxy compound. As a preferable thermosetting agent, a compound having two or more functional groups capable of reacting with an epoxy group in one molecule may be mentioned. Examples of the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group and an acid anhydride. Of these, phenolic hydroxyl groups, amino groups, acid anhydrides and the like are preferable, and phenolic hydroxyl groups and amino groups are more preferable.

페놀성 수산기를 갖는 페놀계 경화제의 구체적인 예로서는, 다관능계 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 자이로크(xyloc)형 페놀 수지, 아르알킬페놀 수지를 들 수 있다. 아미노기를 갖는 아민계 경화제의 구체적인 예로서는, 디시안디아미드를 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the phenolic hardener having a phenolic hydroxyl group include polyfunctional phenol resin, biphenol, novolac phenolic resin, dicyclopentadiene phenol resin, xyloc phenol resin and aralkyl phenol resin. . Specific examples of the amine-based curing agent having an amino group include dicyandiamide. These may be used singly or in combination of two or more.

또한, 각 수지층 α, β에 있어서의 열경화제의 함유량은 에폭시 화합물 100질량부에 대해, 0.1 내지 100질량부인 것이 바람직하고, 0.5 내지 50질량부인 것이 보다 바람직하고, 1 내지 20질량부인 것이 더욱 바람직하다. 열경화제의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, (B1) (B2) 성분이 경화되고, 수지층 α, β의 접착성을 얻기 쉬워진다. 또한, 상기 상한값 이하로 함으로써, 보호막 형성용 필름의 흡습률이 억제되고, 반도체 장치의 신뢰성을 양호하게 하기 쉬워진다.The content of the thermosetting agent in each of the resin layers? And? Is preferably 0.1 to 100 parts by mass, more preferably 0.5 to 50 parts by mass, and more preferably 1 to 20 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the epoxy compound desirable. By setting the content of the heat curing agent to the lower limit value or more, the components (B1) and (B2) are cured, and the adhesiveness of the resin layers? And? In addition, by setting the value at or below the upper limit, the moisture absorption rate of the film for forming a protective film can be suppressed, and the reliability of the semiconductor device can be improved easily.

(B1) (B2) 에폭시계 경화성 성분 각각은, 수지층 α, β 각각의 전체 질량(고형분 환산)에서 차지하는 비율로서, 통상 5 내지 60질량％, 바람직하게는 10 내지 40질량％ 정도이다. 또한, (B1) (B2) 에폭시계 경화성 성분에 사용되는 성분은 서로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.(B1) Each of the epoxy-based curing components (B2) accounts for from 5 to 60% by mass, preferably from 10 to 40% by mass, of the entire mass (converted into solid content) of each of the resin layers? The components used in the (B1) and (B2) epoxy-based curable components may be the same or different.

<(C1) (C2) 경화 촉진제>&Lt; (C1) (C2) Curing accelerator >

수지층 α 및 수지층 β 각각에는 에폭시 화합물의 경화 속도를 조정하기 위해, (C1) 경화 촉진제 및 (C2) 경화 촉진제가 각각 배합될 수도 있다.To each of the resin layer? And the resin layer?, A curing accelerator (C1) and a curing accelerator (C2) may be blended to adjust the curing rate of the epoxy compound.

바람직한 (C1) (C2) 경화 촉진제로서는, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민류; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류; 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐붕소염 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Preferred (C1) (C2) curing accelerators include tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol and tris (dimethylaminomethyl) phenol; 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl- Imidazoles such as hydroxymethylimidazole; Organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine and triphenylphosphine; And tetraphenylboron salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and triphenylphosphine tetraphenylborate. These may be used singly or in combination of two or more.

(C1) (C2) 경화 촉진제는 각각 (B1) (B2) 에폭시계 경화성 성분 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.01 내지 10질량부, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 5질량부의 양으로 포함된다. (C1) (C2) 경화 촉진제를 상기 범위의 양으로 배합함으로써, 보호막 형성용 필름은 고온도 고습도 하에 노출되어도 우수한 접착 특성을 갖고, 엄격한 조건에 노출된 경우라도 높은 신뢰성을 달성할 수 있다.(C1) The (C2) curing accelerator is contained in an amount of preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the (B1) and (B2) epoxy-based curing components. (C1) The (C2) curing accelerator is compounded in the amount within the above range, the film for forming a protective film has excellent adhesion properties even when exposed under high temperature and high humidity, and high reliability can be achieved even when exposed to stringent conditions.

또한, (C1) (C2) 경화 촉진제는 각각 (B1) (B2) 에폭시계 경화성 성분 100질량부에 대해, 서로 동일한 질량부로 배합될 수도 있고, 다른 질량부로 배합되어 있을 수도 있다. 또한, (C1) (C2) 경화 촉진제는 각각 동일한 종류의 경화 촉진제가 사용될 수도 있고, 다른 종류의 경화 촉진제가 사용될 수도 있다.The (C1) (C2) curing accelerator may be blended in the same mass parts with respect to 100 parts by mass of the (B1) and (B2) epoxy curable components, respectively, or may be blended with other mass parts. Further, the (C1) and (C2) curing accelerators may be the same kind of curing accelerators, or different kinds of curing accelerators may be used.

<(D1) (D2) 착색제><(D1) (D2) Colorant>

본 발명에 있어서, 수지층 β는 (D2) 착색제를 함유한다. 또한, 수지층 α는 (D1) 착색제를 함유하고 있을 수도 있다. 수지층 β는 (D2) 착색제를 함유함으로써, 보호막 형성용 필름을 경화하여 얻은 보호막에 제품 번호나 마크 등을 인자했을 때의 문자 식별성을 향상시킬 수 있다. 즉, 반도체 칩의 보호막을 형성한 배면에는 제품 번호 등이 통상 레이저 마킹법에 의해 인자되는데, 수지층 β가 (D2) 착색제를 함유함으로써, 인자 부분과 비인자 부분의 콘트라스트 차가 커져 식별성이 향상된다.In the present invention, the resin layer beta contains (D2) a colorant. Further, the resin layer? May contain the (D1) coloring agent. The resin layer (B) contains (D2) a coloring agent, so that character recognition can be improved when a product number or a mark is printed on a protective film obtained by curing the protective film forming film. That is, on the back surface of the semiconductor chip on which the protective film is formed, the product number and the like are normally printed by the laser marking method, and the contrast difference between the print portion and the non-print portion is increased by the presence of the coloring agent (D2) .

또한, 수지층 α 및 수지층 β는 (D1) (D2) 착색제를 함유함으로써, 보호막을 구비한 칩을 기기에 조립했을 때, 주위의 장치로부터 발생하는 적외선 등을 차폐하여, 반도체 칩의 오작동을 방지할 수 있다.Further, the resin layer alpha and the resin layer beta contain (D1) (D2) coloring agent, thereby shielding the infrared rays generated from the peripheral devices when the chip with the protective film is assembled into the apparatus, .

(D1) (D2) 착색제로서는, 유기 또는 무기의 안료 또는 염료가 사용된다. 염료로서는, 산성 염료, 반응 염료, 직접 염료, 분산 염료, 양이온 염료 등의 어떤 염료든 사용하는 것이 가능하다. 또한, 안료도 특별히 제한되지 않고, 공지의 안료로부터 적절히 선택하여 사용할 수 있다.(D1) As the (D2) coloring agent, an organic or inorganic pigment or dye is used. As the dyes, it is possible to use any of dyes such as acid dyes, reactive dyes, direct dyes, disperse dyes, and cation dyes. The pigment is not particularly limited, and can be appropriately selected from known pigments.

이들 중에서는, 전자파나 적외선의 차폐성이 양호하고, 또한 레이저 마킹법에 의한 식별성을 보다 향상시키는 것이 가능한 흑색 안료가 보다 바람직하다. 흑색 안료로서는, 카본 블랙, 산화철, 이산화망간, 아닐린 블랙, 활성탄 등이 사용되지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 반도체 칩의 신뢰성을 높이는 관점에서는, 카본 블랙이 특히 바람직하다. 착색제는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.Of these, black pigments are preferred, which are excellent in shielding electromagnetic waves and infrared rays, and capable of further improving discrimination by the laser marking method. Examples of the black pigment include carbon black, iron oxide, manganese dioxide, aniline black, and activated carbon, but are not limited thereto. From the viewpoint of enhancing the reliability of the semiconductor chip, carbon black is particularly preferable. The colorant may be used alone or in combination of two or more.

(D1) (D2) 착색제의 함유율은 각각 수지층 α, β의 전체 질량(고형분 환산)에서 차지하는 비율로서, 바람직하게는 0.01 내지 25질량％, 보다 바람직하게는 0.03 내지 15질량％이다.(D2) The content of the (D2) coloring agent is preferably 0.01 to 25% by mass, more preferably 0.03 to 15% by mass, in the total mass (converted to solid fraction) of the resin layers?

또한, (D1) (D2) 착색제의 함유율은 서로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 또한, (D1) (D2) 착색제는 동일한 종류의 착색제가 사용될 수도 있고, 다른 종류의 착색제가 사용될 수도 있다.The content ratios of the (D1) and (D2) coloring agents may be the same or different. Further, the (D1) (D2) coloring agent may be the same kind of coloring agent or different kinds of coloring agent may be used.

<(E1) (E2) 충전재><(E1) (E2) Filler>

본 발명에 있어서, 수지층 β는 (E2) 충전재를 함유하는 것이다. 또한, 수지층 α는 (E1) 충전재를 함유하는 것이 바람직하다.In the present invention, the resin layer beta contains (E2) filler. Further, the resin layer? Preferably contains a filler (E1).

(E1) (E2) 충전재는 보호막에 내습성, 치수 안정성 등을 부여하는 성분이며, 구체적으로는 무기 충전재 등을 들 수 있다. 또한, 수지층 β에 있어서, 레이저 마킹(레이저광에 의해 보호막 표면을 깎아 인자를 행하는 방법)이 실시되어 레이저광에 의해 깎인 부분(인자 부분)은 (E2) 충전재가 노출되어 반사광을 확산시키므로, 비인자 부분과의 콘트라스트가 향상되어 인식 가능해진다.(E1) (E2) The filler is a component that imparts moisture resistance and dimensional stability to the protective film. Specific examples thereof include inorganic fillers. Further, in the resin layer beta, laser marking (a method of reducing the surface of the protective film by laser light) is performed, and the portion (printing portion) cut by the laser light is exposed to the filler (E2) The contrast with the non-printing portion improves and becomes recognizable.

바람직한 무기 충전재로서는, 실리카, 알루미나, 탈크, 탄산칼슘, 산화티타늄, 산화철, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말, 이들을 구형화한 비즈, 구형 비즈 등을 파쇄한 것, 단결정 섬유 및 유리 섬유 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 실리카 충전재 및 알루미나 충전재가 특히 바람직하다. 또한, 수지층 β에 사용되는 무기 충전재는 그 형상이 구형이면, 그로스값을 보다 향상시킬 수 있으므로 바람직하다.Preferable examples of the inorganic filler include powders such as silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium oxide, iron oxide, silicon carbide, boron nitride and the like; spherical beads and spherical beads are crushed; single crystal fibers and glass fibers . Of these, silica fillers and alumina fillers are particularly preferred. In addition, the inorganic filler used for the resin layer? Is preferably spherical in shape because it can further improve the gloss value.

무기 충전재 등의 충전재는 평균 입경이, 예를 들어 0.3 내지 50㎛, 바람직하게는 0.5 내지 10㎛이지만, 수지층 β에 사용되는 무기 충전재 등의 충전재는, 특히 바람직하게는 1 내지 5㎛이다. 이와 같은 범위이면, 수지층 β에 있어서의 그로스값을 향상시키기 쉬워진다. 또한, 수지층 β의 표면을 레이저 등으로 깎았을 때에, 그 부분에 무기 충전재에 기인한 요철이 형성되기 쉽다. 이로 인해, 레이저 등으로 깎여 있지 않은 부분과의 콘트라스트가 향상되어, 인자의 인식성이 향상되는 효과가 있다. 평균 입경은, 예를 들어 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치를 사용하여 측정한 값이다. 구체적인 입도 분포 측정 장치로서는, 닛키소사제의 Nanotrac150 등을 들 수 있다.The filler such as an inorganic filler has an average particle size of, for example, 0.3 to 50 탆, preferably 0.5 to 10 탆, but the filler such as inorganic filler used for the resin layer β is particularly preferably 1 to 5 탆. With such a range, it becomes easy to improve the gloss value in the resin layer beta. Further, when the surface of the resin layer beta is scraped with a laser or the like, irregularities due to the inorganic filler are likely to be formed in the portion. Thereby, the contrast with a portion not cut by a laser or the like is improved, and the recognition of the factor is improved. The average particle size is a value measured using, for example, a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus. Specific examples of the particle size distribution measuring apparatus include Nanotrac150 manufactured by Nikkiso Co., Ltd. and the like.

상기 무기 충전재는 단독으로, 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 수지층 α와 수지층 β에 있어서 사용되는 (E1) (E2) 충전재 각각은 동종의 것이어도 되지만, 서로 다른 것이 사용될 수도 있다.The inorganic fillers may be used singly or in combination of two or more kinds. Further, each of the (E1) (E2) fillers used in the resin layer? And the resin layer? May be the same type, but different ones may be used.

수지층 α에 있어서의 (E1) 충전재는 수지층 α의 전체 질량(고형분 환산)에서 차지하는 비율(함유율)로서, 10질량％ 이상인 것이 바람직하고, 30질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 45질량％ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, (E1) 충전재의 상기 함유율은 80질량％ 이하인 것이 바람직하고, 70질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 60질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.(E1) filler in the resin layer? Accounts for 10% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, and more preferably 45% by mass or more of the resin (? Is more preferable. The content of the filler (E1) is preferably 80 mass% or less, more preferably 70 mass% or less, and even more preferably 60 mass% or less.

한편, 수지층 β에 있어서의 (E2) 충전재는 수지층 β의 전체 질량(고형분 환산)에서 차지하는 비율(함유율)로서, 10질량％ 이상인 것이 바람직하고, 20질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, (E2) 충전재의 상기 함유율은 80질량％ 이하인 것이 바람직하고, 65질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다.On the other hand, the (E2) filler in the resin layer beta preferably accounts for 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, of the total mass (in terms of solid content) of the resin layer beta. The content of the filler (E2) is preferably 80 mass% or less, and more preferably 65 mass% or less.

(E1) (E2) 충전재의 함유율을 이들 범위로 함으로써, 상기한 충전재의 효과를 발휘하기 쉬워진다.(E1) By setting the content of the filler (E2) within these ranges, the effect of the filler described above can be easily exhibited.

또한, 수지층 β에서는 (E2) 충전재의 함유율을 20질량％ 이상으로 함으로써, 레이저 마킹된 인자부와 비인자부의 콘트라스트가 보다 향상되어, 인자의 인식성을 고도의 것으로 할 수 있다. 또한, 수지층 β에 있어서의 (E2) 충전재의 함유율을 비교적 낮게 억제함으로써, 그로스값은 높게 하기 쉬워져, 인자의 인식성을 보다 고도의 것으로 할 수 있다. 그와 같은 관점에서는, (E2) 충전재의 함유율은 40질량％ 이하로 하는 것이 바람직하다.Further, by setting the content of the filler (E2) to 20 mass% or more in the resin layer beta, the contrast of the laser-marked printed portion and the non-printed portion can be further improved, and the recognition of the factor can be made high. Further, by suppressing the content ratio of the filler (E2) in the resin layer beta relatively low, the gloss value becomes easy to be high, and the recognition of the factor can be made more advanced. From such a viewpoint, the content of the filler (E2) is preferably 40% by mass or less.

<(F1) (F2) 커플링제><(F1) (F2) Coupling agent>

수지층 α, β에는 각각 (F1) 커플링제 및 (F2) 커플링제 각각이 배합되어 있을 수도 있다. 커플링제는 수지층 α, β 중의 중합체 성분과, 피착체인 반도체 칩 표면이나 충전재 표면을 결합하여, 접착성이나 응집성을 높이기 위한 성분이다.The (F1) coupling agent and the (F2) coupling agent may be mixed in the resin layers? And?, Respectively. The coupling agent is a component for bonding the polymer component in the resin layers alpha and beta to the surface of the semiconductor chip or the surface of the filler, which is the adhesion, to improve adhesion and cohesiveness.

(F1) (F2) 커플링제로서는, 실란 커플링제가 바람직하다. 또한, (F1) (F2) 커플링제로서는, 메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기를 갖고, 또한 (A1) 아크릴계 중합체 또는 (A2) 중합체나, (B1) (B2) 에폭시계 경화성 성분 등이 갖는 관능기와 반응하는, 알콕시기 이외의 반응성 관능기를 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 반응성 관능기로서는, 글리시독시기, 글리시독시기 이외의 에폭시기, 아미노기, (메트)아크릴옥시기, (메트)아크릴옥시기 이외의 비닐기, 머캅토기 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 글리시독시기, 에폭시기가 바람직하다.(F1) (F2) As the coupling agent, a silane coupling agent is preferable. The (F1) (F2) coupling agent is preferably a compound having an alkoxy group such as a methoxy group or an ethoxy group and having a functional group such as (A1) an acrylic polymer or (A2) polymer, (B1) A compound having a reactive functional group other than an alkoxy group is preferably used. Examples of the reactive functional group include a glycidoxy group, an epoxy group other than the glycidoxy group, an amino group, a (meth) acryloxy group, a vinyl group other than the (meth) acryloxy group, and a mercapto group. Among them, the glycidoxy group and the epoxy group are preferable.

실란 커플링제로서는, 분자량이 300 미만인 저분자량 실란 커플링제가 사용될 수도 있고, 분자량이 300 이상인 올리고머 타입의 실란 커플링제가 사용될 수도 있으며, 그들을 병용할 수도 있다.As the silane coupling agent, a low molecular weight silane coupling agent having a molecular weight of less than 300 may be used, or an oligomer type silane coupling agent having a molecular weight of 300 or more may be used, or they may be used in combination.

저분자량 실란 커플링제로서는, 구체적으로는 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-(메타크릴로프로필)트리메톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-우레이드프로필트리에톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, γ-머캅토프로필트리에톡시실란, γ-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란 등을 들 수 있다.Specific examples of the low molecular weight silane coupling agent include? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldiethoxysilane,? - (3,4- Epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane,? - (methacrylopropyl) trimethoxysilane, N-phenyl-? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Ureidopropyltriethoxysilane, N- (Aminoethyl) -? - aminopropylmethyldiethoxysilane,? -Mercaptopropyltriethoxysilane,? -Mercaptopropylmethyldimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, and the like.

올리고머 타입의 실란 커플링제는 실록산 골격을 갖는 오르가노폴리실록산임과 동시에, 규소 원자에 직접 결합하는 알콕시기를 갖는 것이 바람직하다.The oligomer type silane coupling agent is preferably an organopolysiloxane having a siloxane skeleton and also has an alkoxy group directly bonded to a silicon atom.

(F1) (F2) 커플링제 각각의 배합율은 수지층 α, 수지층 β 각각의 전체 질량(고형분 환산)에서 차지하는 배합 비율로서, 바람직하게는 0.01 내지 10.0질량％, 보다 바람직하게는 0.1 내지 3.0질량％이다.The mixing ratio of each of the (F1) and (F2) coupling agents is preferably from 0.01 to 10.0% by mass, more preferably from 0.1 to 3.0% by mass, in the total mass (converted to solid content) of each of the resin layer? %to be.

또한, (F1) (F2) 커플링제의 배합율은 서로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 또한, (F1) (F2) 커플링제는 각각 동일한 종류의 커플링제가 사용될 수도 있고, 다른 종류의 커플링제가 사용될 수도 있다.The mixing ratios of the (F1) and (F2) coupling agents may be the same or different. Further, the (F1) (F2) coupling agent may be the same kind of coupling agent or different kind of coupling agent may be used.

<그 밖의 첨가제><Other additives>

수지층 α, 수지층 β 각각에는 상기 이외의 첨가제가 적절히 배합되어 있을 수도 있다. 그 첨가제로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 가교제, 상용화제, 레벨링제, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 열전도제, 이온 포착제, 게터링제, 연쇄 이동제, 에너지선 중합성 화합물, 광중합 개시제 등을 들 수 있다. 수지층 α 및/또는 수지층 β는, 예를 들어 상용화제가 배합됨으로써, (A1) 성분이 풍부한 상과, (B1) 성분의 경화물이 풍부한 상의 상용성이나, (A2) 성분이 풍부한 상과, (B2) 성분의 경화물이 풍부한 상의 상용성을 적절히 조정하여, 적절한 상분리 구조가 설계 가능해진다.The resin layer? And the resin layer? May each contain other additives as appropriate. The additives include, but are not limited to, crosslinking agents, compatibilizing agents, leveling agents, plasticizers, antistatic agents, antioxidants, heat conductive agents, ion scavengers, gettering agents, chain transfer agents, energy ray polymerizable compounds, . The resin layer? And / or the resin layer? Can be obtained, for example, by mixing a compatibilizing agent with a phase rich in component (A1) and a phase rich in cured product of component (B1) , The compatibility of the component (B2) with the cured product is appropriately adjusted, and an appropriate phase separation structure can be designed.

<그로스값><Gross value>

수지층 β는 상기 배합을 가짐으로써, 경화되어 얻어지는 수지층 β의 표면(수지층 α측의 면과는 반대측의 면)의 JIS Z 8741에 의해 측정되는 그로스값이 20 이상이 되는 것이다. 이에 의해, 본 발명의 보호막은 수지층 α측이 웨이퍼에 접하도록 부착되고, 그 후 경화됨으로써, 보호막의 표면인 레이저 마킹에 의한 피인자면이 그로스값 20 이상이 된다. 그로 인해, 본 발명에서는, 인자부와 비인자부의 콘트라스트가 향상되어 인자 부분의 식별성이 양호해진다.By having the above-described combination, the resin layer beta has a gross value measured by JIS Z 8741 on the surface of the resin layer beta obtained by curing (the surface opposite to the surface on the resin layer alpha side) of 20 or more. As a result, the protective film of the present invention is attached so that the side of the resin layer? Is in contact with the wafer, and then hardened, so that the surface of the object to be peeled by laser marking, which is the surface of the protective film, becomes a gross value of 20 or more. Therefore, in the present invention, the contrast of the printing portion and the non-printing portion is improved, and the discrimination of the printing portion is improved.

상기 그로스값은 콘트라스트를 보다 향상시키고, 문자의 식별성을 올리기 위해, 27 이상인 것이 바람직하고, 40 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 그로스값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 80 이하가 된다.The gloss value is preferably 27 or more, and more preferably 40 or more, in order to further improve the contrast and increase the discrimination of characters. The gloss value is not particularly limited, but is, for example, 80 or less.

또한, 그로스값은 특별히 그 조정 방법이 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 에폭시기 함유 단량체의 양, 각종 (메트)아크릴산알킬에스테르의 양, 상술한 질량비 X2의 값, (E2) 충전재의 종류나 함유량을 조정하거나, 또는 그 밖의 첨가제를 첨가함으로써 적절히 조정 가능하다.For example, the amount of the epoxy group-containing monomer, the amount of the various (meth) acrylic acid alkyl esters, the value of the mass ratio X2 described above, the type and content of the filler (E2) Or by adding other additives.

수지층 α 및 수지층 β의 두께는 각각 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 2 내지 250㎛, 보다 바람직하게는 4 내지 200㎛, 더욱 바람직하게는 6 내지 150㎛이다.The thicknesses of the resin layer? And the resin layer? Are not particularly limited, but are preferably 2 to 250 占 퐉, more preferably 4 to 200 占 퐉, and still more preferably 6 to 150 占 퐉.

수지층 α 및 수지층 β의 두께는 서로 다를 수도 있고 동일할 수도 있다.The thicknesses of the resin layer? And the resin layer? May be different from each other or may be the same.

[보호막 형성용 복합 시트][Composite sheet for forming a protective film]

본 발명의 보호막 형성용 필름은, 통상 지지 시트 위에 박리 가능하게 형성되고, 보호막 형성용 복합 시트로서 사용된다. 본 발명의 보호막 형성용 필름은, 예를 들어 지지 시트 위에 수지층 β, 수지층 α의 순서대로 적층된다. 또한, 수지층 α 위에는, 지지 시트보다 박리력이 작은 경박리성의 박리 시트가 설치되는 것이 바람직하다.The protective film-forming film of the present invention is usually formed on a support sheet so as to be peelable, and is used as a protective sheet-forming composite sheet. The protective film forming film of the present invention is laminated on the support sheet in the order of the resin layer beta and the resin layer alpha. Further, on the resin layer?, It is preferable to provide a light-peeling release sheet having a smaller peeling force than the support sheet.

보호막 형성용 필름은 지지 시트와 동일 형상으로 할 수 있다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트는 보호막 형성용 필름이 웨이퍼와 대략 동일 형상 또는 웨이퍼의 형상을 그대로 포함할 수 있는 형상으로 제조되고, 또한 보호막 형성용 필름보다 큰 사이즈의 지지 시트 위에 적층되어 이루어지는, 사전 성형 구성을 취하고 있어도 된다.The protective film forming film may have the same shape as the supporting sheet. The composite sheet for forming a protective film may be a composite sheet obtained by forming a protective film on a support sheet which is formed in a shape substantially the same as that of the wafer or in a shape that can directly contain the shape of the wafer, A molding configuration may be adopted.

지지 시트는 보호막 형성용 필름을 지지하는 것이며, 예를 들어 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌ㆍ(메트)아크릴산공중합체 필름, 에틸렌ㆍ(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카르보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등의 필름이 사용된다. 또한, 이들의 가교 필름도 사용된다. 또한, 이들로부터 선택된 2 이상의 적층 필름이어도 된다. 또한, 이들을 착색한 필름도 사용할 수 있다.The support sheet supports a film for forming a protective film, and examples thereof include a polyethylene film, a polypropylene film, a polybutene film, a polybutadiene film, a polymethylpentene film, a polyvinyl chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyethylene terephthalate film (Meth) acrylic acid copolymer film, an ethylene (meth) acrylate copolymer film, a poly (ethylene terephthalate) film, a polyethylene naphthalate film, a polybutylene terephthalate film, a polyurethane film, an ethylene vinyl acetate copolymer film, A polystyrene film, a polycarbonate film, a polyimide film, and a fluororesin film. These crosslinked films are also used. Further, two or more laminated films selected therefrom may be used. Further, films colored thereon may also be used.

지지 시트의 보호막 형성용 필름이 형성되는 측의 면은 적절히 박리 처리가 실시되어 있어도 된다. 박리 처리에 사용되는 박리제로서는, 예를 들어 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 왁스계 등을 들 수 있지만, 알키드계, 실리콘계, 불소계의 박리제가 내열성을 가지므로 바람직하다.The surface of the support sheet on which the protective film forming film is formed may be appropriately subjected to the peeling treatment. Examples of the releasing agent used in the peeling treatment include an alkyd type, a silicone type, a fluorine type, an unsaturated polyester type, a polyolefin type, a wax type and the like, but alkyd type, silicone type and fluorine type releasing agents are preferable because they have heat resistance.

박리 시트도 지지 시트와 마찬가지로, 예를 들어 상기에서 열거된 필름으로부터 선택되는 것이고, 또한 적절히 박리 처리가 실시되어도 된다.Like the support sheet, the release sheet is selected from, for example, the above-mentioned films, and the release treatment may be appropriately performed.

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트는, 예를 들어 이하와 같이 하여 제조된다.The composite sheet for forming a protective film of the present invention is produced, for example, as follows.

먼저, 수지층 β를 형성하기 위한 상기 각 성분을 적당한 비율로 적당한 용매 중에서 또는 무용매로 혼합하여 이루어지는 수지층 β 형성용 조성물을 지지 시트 위에 도포 건조하여, 수지층 β가 적층된 지지 시트를 얻는다. 또한, 수지층 α를 형성하기 위한 상기 각 성분을 적당한 비율로 적당한 용매 중에서 또는 무용매로 혼합하여 이루어지는 수지층 α 형성용 조성물을 박리 시트 위에 도포 건조하여, 수지층 α가 적층된 박리 시트를 얻는다. 이때, 지지 시트 및 박리 시트에 적층된 수지층 α, β는, 또한 보호용 박리 필름이 접합되어, 보호용 박리 필름에 의해 보호될 수도 있다.First, a composition for forming a resin layer?, Which is prepared by mixing the respective components for forming the resin layer? In an appropriate solvent or in a suitable solvent, is applied on a support sheet and dried to obtain a support sheet having the resin layer? . Further, a composition for forming a resin layer?, Which is obtained by mixing the respective components for forming the resin layer? In a suitable solvent in a suitable solvent or without a solvent, is applied and dried on a release sheet to obtain a release sheet in which a resin layer? . At this time, the resin layers? And? Stacked on the support sheet and the release sheet may also be protected by a protective release film by bonding together the protective release film.

다음에, 보호용 박리 필름으로 보호되는 경우에는 보호용 박리 필름이 박리된 후, 수지층 β가 적층된 지지 시트와, 수지층 α가 적층된 박리 시트를, 수지층 β와 수지층 α가 접합되도록 중첩하여, 지지 시트 위에 수지층 β, 수지층 α 및 박리 시트가 순서대로 적층된 보호막 형성용 복합 시트를 얻는다. 박리 시트는 필요에 따라 박리될 수도 있다.Next, in the case of protection with a protective separation film, after the protective separation film is peeled off, a support sheet in which the resin layer? Is laminated and a release sheet in which the resin layer? Are laminated are laminated so that the resin layer? Thereby obtaining a protective sheet-forming composite sheet in which a resin layer?, A resin layer? And a release sheet are laminated in this order on a support sheet. The release sheet may be peeled off if necessary.

또한, 예를 들어 지지 시트 위에, 수지층 β 형성용 조성물, 수지층 α 형성용 조성물을 순서대로 도포 건조하고, 이에 의해, 지지 시트 위에 수지층 β, 수지층 α가 적층된 보호막 형성용 복합 시트를 얻을 수도 있다.Further, for example, a composition for forming a resin layer? And a composition for forming a resin layer? Are successively applied and dried on a support sheet to form a composite sheet for forming a protective film .

단, 보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법은 상기 방법으로 한정되지 않고 어떤 방법으로 제조되어도 된다.However, the method for producing a composite sheet for forming a protective film is not limited to the above method, and may be produced by any method.

또한, 웨트 라미네이션이나 드라이 라미네이션, 열용융 라미네이션, 용융 압출 라미네이션, 공압출 가공 등에 의해 필름의 적층을 행함으로써 지지 시트의 표면 장력을 조정할 수도 있다. 즉, 적어도 한쪽 면의 표면 장력이, 상술한 지지 시트의 보호막 형성용 필름과 접하는 면의 것으로서 바람직한 범위 내에 있는 필름을, 당해 면이 보호막 형성용 필름과 접하는 면이 되도록, 다른 필름과 적층한 적층체를 제조하여, 지지 시트로 할 수도 있다.Further, the surface tension of the support sheet can be adjusted by laminating the films by wet lamination, dry lamination, hot melt lamination, melt extrusion lamination, coextrusion processing or the like. That is, a film whose surface tension on at least one surface is within a preferable range of the surface of the support sheet contacting with the protective film-forming film described above is laminated so that the surface thereof is in contact with the protective film- A sieve may be produced to be a support sheet.

또한, 상기 필름 위에 점착제층을 형성한 점착 시트를 지지 시트로서 사용할 수도 있다. 이 경우, 보호막 형성용 필름은 지지 시트에 설치된 점착제층 위에 적층된다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 특히 보호막 형성용 복합 시트 위에서 보호막 형성용 필름 또는 보호막마다 웨이퍼를 칩으로 개편화(個片化)하는 경우에, 웨이퍼나 칩의 고정 성능이 우수한 것이 되므로 바람직하다. 점착제층을 재박리성 점착제층으로 함으로써, 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 지지 시트로부터 분리하는 것이 용이해지므로 바람직하다. 재박리성 점착제층은 보호막 형성용 필름을 박리할 수 있을 정도의 점착력을 갖는 약점착성의 것을 사용할 수도 있고, 에너지선 조사에 의해 점착력이 저하되는 에너지선 경화성의 것을 사용할 수도 있다. 구체적으로는, 재박리성 점착제층은 종래 공지의 다양한 점착제(예를 들어, 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 우레탄계, 비닐에테르계 등의 범용 점착제, 표면 요철이 있는 점착제, 에너지선 경화형 점착제, 열팽창 성분 함유 점착제 등)에 의해 형성할 수 있다.Further, a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer formed on the film may be used as a supporting sheet. In this case, the protective film forming film is laminated on the pressure sensitive adhesive layer provided on the support sheet. With such a configuration, it is preferable that the wafer and the chip have excellent fixing performance, particularly when the wafer is divided into chips on a protective film forming film or a protective film on a protective film forming composite sheet. By using the pressure-sensitive adhesive layer as a releasable pressure-sensitive adhesive layer, it is preferable to separate the protective film-forming film or protective film from the supporting sheet. The re-peelable pressure-sensitive adhesive layer may be a weakly sticky one having an adhesive strength sufficient to peel off the protective film forming film or an energy ray curable one whose adhesive strength is lowered by energy ray irradiation. Specifically, the releasable pressure-sensitive adhesive layer can be formed by a known pressure-sensitive adhesive (for example, general-purpose pressure-sensitive adhesives such as rubber, acrylic, silicone, urethane, and vinyl ether, pressure- An adhesive or the like).

에너지선 경화성의 재박리성 점착제층을 사용하는 경우에 있어서, 보호막 형성용 복합 시트가 사전 성형 구성을 취할 때에는, 보호막 형성용 필름이 적층되는 영역에 미리 에너지선 조사를 행하여, 점착성을 저감시켜 두는 한편, 다른 영역은 에너지선 조사를 행하지 않고, 예를 들어 지그에 대한 접착을 목적으로 하여, 점착력을 높은 상태로 유지해 두어도 된다. 다른 영역에만 에너지선 조사를 행하지 않도록 하기 위해서는, 예를 들어 지지 시트의 다른 영역에 대응하는 영역에 인쇄 등에 의해 에너지선 차폐층을 설치하고, 지지 시트측으로부터 에너지선 조사를 행할 수 있다. 또한, 동일한 효과를 얻기 위해, 점착 시트에 있어서의 점착제층 위의 보호막 형성용 필름이 적층되는 영역에, 보호막 형성용 필름과 대략 동일 형상의 재박리성 점착제층을 더 적층한 구성으로 할 수도 있다. 재박리성 점착제용 필름으로서는, 상기와 동일한 것을 사용할 수 있다.When the energy ray curable releasable pressure-sensitive adhesive layer is used, when the protective sheet film-forming composite sheet takes a preforming configuration, the energy ray irradiation is performed in advance in the area where the protective film forming film is laminated to reduce the stickiness On the other hand, the adhesive strength may be maintained in a high state for the purpose of adhesion to, for example, a jig without irradiating the other region with energy rays. In order to prevent the energy ray irradiation from being performed only in another region, for example, an energy ray shielding layer may be provided by printing or the like in a region corresponding to another region of the support sheet, and energy ray irradiation may be performed from the support sheet side. Further, in order to obtain the same effect, a re-peelable pressure-sensitive adhesive layer having substantially the same shape as the protective film forming film may be further laminated in a region where the protective film forming film on the pressure-sensitive adhesive layer in the pressure-sensitive adhesive sheet is laminated . As the releasable pressure-sensitive adhesive film, the same materials as described above can be used.

보호막 형성용 필름이 사전 성형 구성을 취하지 않는 경우는, 보호막 형성용 필름의 표면(피착체와 접하는 면)의 외주부에는 링 프레임 등의 다른 지그를 고정하기 위해, 별도로 접착제층이나 양면 점착 테이프가 설치되어 있어도 된다. 보호막 형성용 필름이 사전 성형 구성을 취하는 경우는, 지지 시트의 외주부에 있어서의 보호막 형성용 필름이 적층되어 있지 않은 영역에, 링 프레임 등의 다른 지그를 고정하기 위해, 별도로 접착제층이나 양면 점착 테이프가 설치되어 있어도 된다.In the case where the film for forming a protective film does not have a preformed configuration, an adhesive layer or a double-faced adhesive tape is separately provided for fixing another jig such as a ring frame to the outer peripheral portion of the surface of the protective film forming film . In the case where the film for forming a protective film has a preforming configuration, in order to fix another jig such as a ring frame to an area where the protective film forming film on the outer peripheral part of the supporting sheet is not laminated, May be provided.

[보호막 형성용 필름의 사용 방법][Method of using protective film forming film]

보호막 형성용 필름은 반도체 웨이퍼, 반도체 칩 등의 피착체에 부착되고, 그 후 열경화되어 보호막이 된다. 예를 들어, 보호막 형성용 복합 시트가 사용되는 경우에는, 보호막 형성용 복합 시트는, 먼저 박리 시트로 보호되어 있는 경우에는 박리 시트가 박리되고, 계속해서, 보호막 형성용 필름과 지지 필름의 적층체가 피착체에 부착된 후, 지지 시트가 보호막 형성용 필름으로부터 박리된다. 이에 의해, 피착체 위에는 피착체측으로부터 수지층 α 및 수지층 β가 설치되어 이루어지는 보호막 형성용 필름이 적층되게 된다.The protective film-forming film is attached to an adherend such as a semiconductor wafer or a semiconductor chip, and then thermally cured to form a protective film. For example, when a composite sheet for forming a protective film is used, the composite sheet for forming a protective film is first peeled off if it is protected by a peel sheet, and then the laminate of the protective film- After adhering to the adherend, the support sheet is peeled from the protective film forming film. Thereby, a protective film forming film comprising a resin layer? And a resin layer? Provided on the adherend from the side of the adherend is laminated on the adherend.

이하, 보호막 형성용 필름의 사용 방법에 대해, 보호막 형성용 필름이 반도체 칩의 이면 보호용으로 사용되고, 보호막을 구비한 칩이 제조되는 예를 사용하여 보다 상세하게 설명하지만, 이하에 나타내는 예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, with respect to the method of using the protective film forming film, the protective film forming film is used for protecting the back surface of the semiconductor chip and will be described in more detail using an example in which a chip having a protective film is produced. However, no.

본 방법에서는, 먼저 상기 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼의 이면에 적층한다. 예를 들어, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하는 경우에는, 보호막 형성용 필름과 기재 시트의 적층체를 반도체 웨이퍼의 이면에 부착한다. 그 후, 지지 시트를 보호막 형성용 필름으로부터 박리한 후, 반도체 웨이퍼 위에 적층된 보호막 형성용 필름을 열경화하여, 웨이퍼의 전체면에 보호막을 형성한다.In this method, the protective film forming film is first laminated on the back surface of a semiconductor wafer. For example, when a composite sheet for forming a protective film is used, a laminate of a film for forming a protective film and a substrate sheet is attached to the back surface of the semiconductor wafer. Thereafter, the support sheet is peeled off from the protective film forming film, and then the protective film forming film laminated on the semiconductor wafer is thermally cured to form a protective film on the entire surface of the wafer.

또한, 반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼여도 되고, 또한 갈륨ㆍ비소 등의 화합물 반도체 웨이퍼여도 된다. 또한, 반도체 웨이퍼는 그 표면에 회로가 형성되어 있음과 동시에, 이면이 적절히 연삭 등이 되어, 두께가 50 내지 500㎛ 정도가 되는 것이다.The semiconductor wafer may be a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium arsenide. In addition, a circuit is formed on the surface of the semiconductor wafer, and the back surface is adequately ground, such that the thickness becomes about 50 to 500 μm.

계속해서, 반도체 웨이퍼와 보호막의 적층체를, 웨이퍼 표면에 형성된 회로마다 다이싱한다. 다이싱은 웨이퍼와 보호막을 모두 절단하도록 행해지고, 다이싱에 의해 반도체 웨이퍼와 보호막의 적층체는 복수의 칩으로 분할된다. 또한, 웨이퍼의 다이싱은 다이싱 시트를 사용한 통상의 방법에 의해 행해진다. 계속해서, 다이싱된 칩을 콜릿 등의 범용 수단에 의해 픽업함으로써, 이면에 보호막을 갖는 반도체 칩(보호막을 구비한 칩)을 얻는다.Subsequently, the laminated body of the semiconductor wafer and the protective film is diced for each circuit formed on the wafer surface. The dicing is performed so as to cut both the wafer and the protective film, and the layered product of the semiconductor wafer and the protective film is divided into a plurality of chips by dicing. The dicing of the wafer is performed by a conventional method using a dicing sheet. Subsequently, the diced chip is picked up by a general means such as a collet to obtain a semiconductor chip (chip having a protective film) having a protective film on the back surface.

또한, 반도체 칩의 제조 방법은 이상의 예로 한정되지 않고, 예를 들어 지지 시트의 박리가 보호막의 열경화 후에 행해져도 되고, 다이싱 후에 행해져도 된다. 또한, 지지 시트의 박리가 다이싱 후에 행해지는 경우, 지지 시트는 다이싱 시트로서의 역할을 할 수 있다. 또한, 보호막 형성용 필름의 열경화는 다이싱 후에 행해져도 된다. 단, 보호막 형성용 필름의 수지층 β측이 지지 시트와 접합되어 있는 경우에 있어서, 보호막 형성용 필름의 열경화를 지지 시트의 박리 전에 행하면, 수지층 β의 경화 후의 표면의 평활성이 향상되는 경향이 있다. 수지층 β의 경화 후의 그로스값이 높은 본 발명의 보호막 형성용 필름은 상기와 같은 수지막 β의 경화 후의 표면의 평활성이 향상되는 효과를 얻을 수 없는 제조 방법, 즉, 보호막 형성용 필름의 열경화를 지지 시트의 박리보다 나중에 행하는 제조 방법에 특히 적합하다.The method of manufacturing the semiconductor chip is not limited to the above example, and for example, the peeling of the support sheet may be performed after thermal curing of the protective film, or may be performed after dicing. Further, when the separation of the support sheet is performed after dicing, the support sheet can serve as a dicing sheet. The thermal curing of the protective film forming film may be performed after dicing. However, in the case where the resin layer? Side of the protective film forming film is bonded to the supporting sheet, when the protective film forming film is thermally cured before peeling off the supporting sheet, there is a tendency that the smoothness of the surface of the resin layer? . The film for forming a protective film of the present invention having a high gloss value after curing of the resin layer beta can not obtain the effect of improving the smoothness of the surface after the curing of the resin film beta as described above, Is carried out later than the peeling of the support sheet.

또한, 보호막 형성용 필름이 부착되는 것은, 반도체 웨이퍼를 분할하여 얻어진 복수의 칩을 포함하는 칩군이어도 된다. 이와 같은 칩군을 얻는 방법으로서는, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면측에서, 최종적으로 얻어지는 칩의 두께보다 깊은 홈을 형성하고, 반도체 웨이퍼의 이면측으로부터 홈에 도달할 때까지 박화 처리를 행함으로써 복수의 칩으로 분할하는 방법(소위, 선(先) 다이싱법)을 들 수 있다. 칩군에 보호막 형성용 필름을 부착한 경우에는, 칩 사이에 존재하는 간극에 상당하는 부분의 보호막 형성용 필름을 레이저 등에 의해 절단하고, 보호막 형성용 필름을 칩과 대략 동일한 형상으로 성형하는 것이 바람직하다.The protective film forming film may be adhered to a chip group including a plurality of chips obtained by dividing a semiconductor wafer. As a method of obtaining such a chip group, a groove that is deeper than the thickness of the finally obtained chip is formed on the circuit formation surface side of the semiconductor wafer, and the thinning process is performed until reaching the groove from the back side of the semiconductor wafer, (A so-called prior dicing method). In the case where a film for forming a protective film is attached to a chip group, it is preferable to cut a protective film forming film corresponding to a gap existing between the chips with a laser or the like to form the protective film forming film into substantially the same shape as the chip .

[보호막을 구비한 칩][Chip with protective film]

본 발명의 보호막을 구비한 칩은, 예를 들어 상기 제조 방법에 의해 얻어지고, 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 이면에 적층되는 보호막을 구비하고, 상기 보호막은 상술한 보호막 형성용 필름을 경화시켜 형성되고, 칩 이면을 보호하는 것이다. 보호막은 반도체 칩측으로부터 수지층 α와 수지층 β가 순서대로 적층된 것이다. 또한, 보호막은 반도체 칩측의 면과는 반대의 면(즉, 수지층 β의 표면)이 JIS Z 8741에 의해 측정되는 그로스값이 20 이상이 되는 것이다.A chip having a protective film according to the present invention is obtained, for example, by the above-described manufacturing method, and has a semiconductor chip and a protective film laminated on the back surface of the semiconductor chip. The protective film is formed by curing the above- And protects the back surface of the chip. The protective film is a resin layer? And a resin layer? Stacked in this order from the semiconductor chip side. The protective film has a gross value measured by JIS Z 8741 of 20 or more on the surface opposite to the surface of the semiconductor chip side (i.e., the surface of the resin layer?).

보호막을 구비한 칩을, 페이스 다운 방식으로 기판 등의 위에 실장함으로써 반도체 장치를 제조할 수 있다. 또한, 보호막을 구비한 칩은 다이 패드부 또는 별도의 반도체 칩 등의 다른 부재 위(칩 탑재부 위)에 접착함으로써, 반도체 장치를 제조할 수도 있다.A semiconductor device can be manufactured by mounting a chip having a protective film on a substrate or the like in a face down manner. The semiconductor device may also be manufactured by adhering a chip having a protective film on another member such as a die pad portion or another semiconductor chip (on a chip mounting portion).

실시예Example

이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들의 예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited by these examples.

본 발명에 있어서의 측정 방법, 평가 방법은 이하와 같다.The measurement method and evaluation method in the present invention are as follows.

(1) 중량 평균 분자량(Mw)(1) Weight average molecular weight (Mw)

겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 Mw를 측정하였다.The weight average molecular weight Mw in terms of standard polystyrene was measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

측정 장치: 도소사제의 고속 GPC 장치 「HLC-8120GPC」에, 고속 칼럼 「TSK guard column HXL-H」, 「TSK Gel GMHXL」, 「TSK Gel G2000 HXL」(이상, 모두 도소사제)을 이 순서로 연결하여 측정하였다.TSK guard column H XL -H "," TSK Gel GMH XL "and" TSK Gel G2000 H XL "(all manufactured by TOSOH CORPORATION) were placed in a high-speed GPC apparatus" HLC-8120GPC " In this order.

칼럼 온도: 40℃, 송액 속도: 1.0mL/분, 검출기: 시차 굴절률계Column temperature: 40 占 폚, Feeding rate: 1.0 mL / min, Detector: Differential refractive index meter

(2) 그로스값(2) Gross value

#2000 연마한 실리콘 웨이퍼(200㎜ 직경, 두께 280㎛)의 연마면에, 박리 시트를 박리한 보호막 형성용 복합 시트의 보호막 형성용 필름을, 테이프 마운터(린텍 가부시키가이샤제, Adwill RAD-3600 F/12)를 사용하여 70℃로 가열하면서 부착하였다. 계속해서, 지지 시트를 박리한 후, 130℃에서 2시간 가열을 행함으로써 보호막 형성용 필름을 경화하여, 실리콘 웨이퍼 위에 보호막을 형성하였다. 하기 측정 장치 및 측정 조건에서 보호막 표면의 60도의 경면 광택도를 측정하여, 그로스값으로 하였다.A film for forming a protective film of a composite sheet for forming a protective film, from which a release sheet was peeled off, was applied to a polished surface of a # 2000 polished silicon wafer (200 mm diameter, 280 탆 thick) using a tape mounter (Adwill RAD-3600 F / 12) at 70 [deg.] C. Subsequently, the support sheet was peeled off and then heated at 130 占 폚 for 2 hours to cure the protective film-forming film to form a protective film on the silicon wafer. The specular surface glossiness of the protective film surface at 60 degrees was measured under the following measuring apparatus and measurement conditions to obtain a gloss value.

측정 장치: VG 2000 닛폰 덴쇼쿠 고교 가부시키가이샤제Measuring device: VG 2000 manufactured by Nippon Denshoku Kogyo Co., Ltd.

측정 조건: JIS Z 8741에 준하였다Measurement conditions: According to JIS Z 8741

(3) 문자 식별성(인자성)(3) Character identification (printability)

#2000 연마한 실리콘 웨이퍼(200㎜ 직경, 두께 280㎛)의 연마면에, 박리 시트를 박리한 보호막 형성용 복합 시트의 보호막 형성용 필름을 테이프 마운터(린텍 가부시키가이샤제, Adwill RAD-3600 F/12)를 사용하여 70℃로 가열하면서 부착하였다. 계속해서, 지지 시트를 박리한 후, 130℃에서 2시간 가열을 행함으로써 보호막 형성용 필름을 경화하여, 실리콘 웨이퍼에 보호막을 형성하였다. 보호막 표면에, 레이저 인자 장치(파나소닉 디바이스 SUNX 가부시키가이샤제 LP-V10U, 레이저 파장: 1056㎚)를 사용하여, 한 글자의 폭이 300㎛ 이하인 문자를 4문자 인자하였다. 얻어진 인자 완료된 보호막면을 디지털 현미경으로 확인하여, 인자가 판독 가능한지를 화상으로 확인하였다. 판단 기준은 디지털 현미경의 관찰 시에, 직사광으로 인자부를 비추고 있을 때, 충분히 판독 가능한 것을 "A", 판독 가능하지만 선명하지 않은 것을 "B", 판독 불가능한 것을 "F"로 표현하였다.A film for forming a protective film of a composite sheet for protective film, from which a release sheet was peeled off, was polished on a polished surface of a # 2000 polished silicon wafer (200 mm diameter, 280 탆 thick) using a tape mounter (Adwill RAD-3600 F / 12) at 70 &lt; 0 &gt; C while heating. Subsequently, the support sheet was peeled and then heated at 130 DEG C for 2 hours to cure the protective film forming film to form a protective film on the silicon wafer. On the surface of the protective film, four characters each having a width of 300 mu m or less were printed using a laser printer (LP-V10U, manufactured by Panasonic Device Co., Ltd., laser wavelength: 1056 nm). The resultant completed protective film surface was confirmed by a digital microscope, and the image was confirmed as to whether the factor was readable. The judgment criterion was expressed as " A ", " F ", &quot; B &quot;, and &quot; F &quot;, respectively.

(4) 신뢰성 평가(4) Reliability evaluation

#2000 연마한 실리콘 웨이퍼(200㎜ 직경, 두께 280㎛)의 연마면에, 박리 시트를 박리한 보호막 형성용 복합 시트의 보호막 형성용 필름을 테이프 마운터(린텍 가부시키가이샤제, Adwill RAD-3600 F/12)를 사용하여, 70℃로 가열하면서 부착하였다. 계속해서, 지지 시트를 박리한 후, 130℃에서 2시간 가열을 행함으로써 보호막 형성용 필름을 경화하여, 실리콘 웨이퍼 위에 보호막을 형성하였다. 그리고, 보호막측을 다이싱 테이프(린텍 가부시키가이샤제 Adwill D-676H)에 부착하고, 다이싱 장치(가부시키가이샤 디스코제, DFD651)를 사용하여 3㎜×3㎜ 크기로 다이싱함으로써 신뢰성 평가용의 보호막을 구비한 칩을 얻었다.A film for forming a protective film of a composite sheet for protective film, from which a release sheet was peeled off, was polished on a polished surface of a # 2000 polished silicon wafer (200 mm diameter, 280 탆 thick) using a tape mounter (Adwill RAD-3600 F / 12) was attached while heating to 70 占 폚. Subsequently, the support sheet was peeled off and then heated at 130 占 폚 for 2 hours to cure the protective film-forming film to form a protective film on the silicon wafer. Then, the protective film side was attached to a dicing tape (Adwill D-676H made by LINTEC Corporation) and diced into a size of 3 mm x 3 mm using a dicing machine (DFD651, manufactured by Kabushiki Kaisha Disco Co., Ltd.) A chip having a protective film for a semiconductor device was obtained.

상기 신뢰성 평가용의 보호막을 구비한 칩은, 먼저 반도체 칩이 실제로 실장되는 프로세스를 모방한 조건(예비 조건)으로 처리하였다. 구체적으로는, 보호막을 구비한 칩을 125℃에서 20시간 베이킹하고, 계속해서 85℃, 85％ RH의 조건 하에 168시간 방치하여 흡습시키고, 그 후 즉시 예열 160℃, 피크 온도 260℃, 가열 시간 30초간의 조건의 IR 리플로우로(爐)에 3회 통과시켰다. 이들 예비 조건으로 처리한 보호막을 구비한 칩 25개를, 냉열 충격 장치(ESPEC 가부시키가이샤제, TSE-11-A) 내에 설치하여 -65℃에서 10분간 유지하고, 그 후 150℃에서 10분간 유지하는 사이클을 1000회 반복하였다.The chip having the protective film for reliability evaluation was first treated under the condition (preliminary condition) imitating the process in which the semiconductor chip was actually mounted. Specifically, a chip having a protective film was baked at 125 ° C for 20 hours, and then allowed to stand for 168 hours under the conditions of 85 ° C and 85% RH to absorb moisture. Immediately thereafter, preheat 160 ° C, peak temperature 260 ° C, And then passed three times through an IR reflow furnace under the conditions of 30 seconds. Twenty-five chips equipped with a protective film treated with these preliminary conditions were placed in a cold / heat shock apparatus (TSE-11-A, manufactured by ESPEC Corporation), kept at -65 캜 for 10 minutes, The holding cycle was repeated 1000 times.

그 후, 25개의 보호막을 구비한 칩을 냉열 충격 장치로부터 취출하여 신뢰성을 평가하였다. 구체적으로는, 칩과 보호막의 접합부에서의 들뜸ㆍ박리나 보호막에 있어서의 크랙의 유무를, 주사형 초음파 탐상 장치(히타치 켄키 파인테크 가부시키가이샤제 Hye-Focus) 및 단면 관찰에 의해 평가하고, 들뜸, 박리 및 크랙 중 어느 하나가 있으면 NG로 하였다. 25개의 칩 중 NG의 개수를 표 3에 나타낸다.Thereafter, a chip having 25 protective films was taken out from the cold / heat shock apparatus to evaluate reliability. Specifically, the presence or absence of cracking in the peeling / peeling or protective film at the bonding portion of the chip and the protective film was evaluated by a scanning type ultrasonic flaw detector (Hye-Focus, manufactured by Hitachi Kenki Fine Tech Co., Ltd.) If any of lifting, peeling, and cracking was found, it was determined as NG. Table 3 shows the number of NGs among the 25 chips.

실시예 1Example 1

[수지층 α][Resin layer?]

실시예 1에 있어서, 수지층 α를 형성하는 성분은 이하와 같았다.In Example 1, the components forming the resin layer? Were as follows.

(A1) 아크릴계 공중합체: 메타크릴산메틸 85질량부와 아크릴산2-히드록시에틸 15질량부를 공중합하여 이루어지는 아크릴 공중합체(A1) Acrylic copolymer: An acrylic copolymer comprising 85 parts by mass of methyl methacrylate and 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate

(B1) 에폭시계 경화성 성분(B1) an epoxy-based curing component

에폭시계 화합물: 비스페놀 A형 에폭시 수지(닛폰 쇼쿠바이 가부시키가이샤제, BPA-328)와 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(다이닛폰 잉크 카가쿠 고교 가부시키가이샤제, 에피클론 HP-7200HH)Bisphenol A type epoxy resin (BPA-328, manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.) and dicyclopentadiene type epoxy resin (Epiclon HP-7200HH, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.)

열경화제: 디시안디아미드(가부시키가이샤 ADEKA제, 아데카 하드너 3636AS)Thermal curing agent: dicyandiamide (ADEKA HARDNER 3636AS manufactured by ADEKA CORPORATION)

(C1) 경화 촉진제: 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(시코쿠 카세이 고교 가부시키가이샤제, 큐어졸 2PHZ)(C1) Curing accelerator: 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (Kyorzol 2PHZ, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo K.K.)

(D1) 착색제: 카본 블랙(미츠비시 가가쿠 가부시키가이샤제, MA600, 평균 입경: 28㎚)(D1) Colorant: Carbon black (MA600, manufactured by Mitsubishi Kagaku KK, average particle size: 28 nm)

(E1) 충전재: 평균 입경 10㎛의 구형 실리카 충전재(가부시키가이샤 타츠모리제, SV-10)를 분쇄한 것(분쇄 후의 평균 입경 2.0㎛)(E1) Filler: A spherical silica filler (SV-10 manufactured by Tatsumori Seisakusho Co., Ltd.) having an average particle diameter of 10 탆 was pulverized (average particle diameter after grinding was 2.0 탆)

(F1) 실란 커플링제: 올리고머 타입 실란 커플링제(신에츠 가가쿠 고교 가부시키가이샤제 X-41-1056 메톡시당량 17.1mmol/g, 분자량 500 내지 1500)와, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란(신에츠 가가쿠 고교 가부시키가이샤제 KBE-403 메톡시당량 8.1mmol/g, 분자량 278.4)과, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란(신에츠 가가쿠 고교 가부시키가이샤제 KBM-403 메톡시당량 12.7mmol/g, 분자량 236.3)(F1) Silane coupling agent: An oligomer type silane coupling agent (X-41-1056 methoxy equivalent 17.1 mmol / g, molecular weight 500 to 1500, manufactured by Shinetsu Kagaku Kogyo K.K.) and γ-glycidoxypropyltriethoxy (KBE-403 methoxy equivalent: 8.1 mmol / g, molecular weight: 278.4, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM-403 methoxy Equivalent 12.7 mmol / g, molecular weight 236.3)

[수지층 β][Resin layer?]

실시예 1에 있어서, 수지층 β를 형성하는 성분은 (A2) 중합체로서 이하의 (A2-1) 아크릴계 공중합체를 사용하였다. 그 밖의 (B2) 내지 (F2) 성분에 대해서는, 수지층 α에 사용한 (B1) 내지 (F1) 성분 각각과 동일한 것을 사용하였다.In Example 1, the following (A2-1) acrylic copolymer was used as the component (A2) for forming the resin layer beta. The other components (B2) to (F2) were the same as the components (B1) to (F1) used for the resin layer α.

(A2-1) 아크릴계 공중합체: 아크릴산n-부틸 55질량부와, 아크릴산메틸 10질량부와, 아크릴산2-히드록시에틸 15질량부와, 메타크릴산글리시딜 20질량부를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 공중합체(A2-1) Acrylic copolymer: 55 parts by mass of n-butyl acrylate, 10 parts by mass of methyl acrylate, 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and 20 parts by mass of glycidyl methacrylate. coalescence

[보호막 형성용 복합 시트의 제작][Production of a composite sheet for forming a protective film]

상기 수지층 α를 구성하는 각 재료를 표 1에 나타내는 비율로 배합된 수지층 α 형성용 조성물을 메틸에틸케톤으로 희석한 것을, 편면에 박리 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린텍 가부시키가이샤제, SP-PET382150, 두께 38㎛)인 박리 시트의 박리 처리면에 건조 후의 두께가 20㎛가 되도록, 나이프식 도공기로 도포하여, 수지층 α가 되는 도포층을 형성하였다. 계속해서, 도포층을 110℃, 2분간의 건조 처리를 실시한 후, 도포층의 노출면에 대해 두께 38㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트제의 보호용 박리 필름(린텍(주)제, SP-PET381031)을 접합하고, 박리 시트 위에 수지층 α, 보호용 박리 필름이 이 순서대로 적층된 적층 시트를 얻었다.The composition for forming the resin layer? In which the respective materials constituting the resin layer? Were mixed in the ratios shown in Table 1 was diluted with methyl ethyl ketone. The resultant was a polyethylene terephthalate film (manufactured by LINTEC CORPORATION , SP-PET382150, thickness: 38 mu m) was applied to the exfoliated surface of the release sheet so as to have a thickness after drying of 20 mu m with a knife coater to form a coating layer to be the resin layer alpha. Subsequently, after the coating layer was dried at 110 DEG C for 2 minutes, a protective film (polyethylene terephthalate SP-PET381031 made by LINTEC CO., LTD.) Of 38 mu m in thickness was bonded to the exposed surface of the coating layer , And a laminated sheet in which a resin layer? And a protective peeling film were laminated in this order on a release sheet was obtained.

수지층 β에 대해서도 마찬가지로, 지지 시트가 되는, 편면에 박리 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린텍 가부시키가이샤제, SP-PET382150, 두께 38㎛)의 박리 처리면 위에, 표 2에 나타내는 비율로 배합된 수지층 β 형성용 조성물을 사용하여 수지층 β를 제작하고, 이 수지층 β에 보호용 박리 필름을 더 접합하고, 지지 시트 위에 수지층 β, 보호용 박리 필름이 이 순서대로 적층된 적층 시트를 얻었다.Similarly, the resin layer? Was coated on the release-treated surface of a polyethylene terephthalate film (SP-PET382150, manufactured by LINTEC CORPORATION, thickness: 38 mu m) The resin layer beta is prepared by using the composition for forming the resin layer beta, a protective release film is further bonded to the resin layer beta, and a laminate sheet in which the resin layer beta and the protective release film are laminated in this order on the support sheet .

계속해서, 이들 수지층 α, β를 갖는 적층 시트 각각으로부터 보호용 박리 필름을 박리하고, 수지층 α 및 수지층 β가 접하도록 라미네이터로 적층하고, 40㎛의 칩용 보호막 형성용 필름의 양면에 지지 시트, 박리 시트가 설치되어 이루어지는 보호막 형성용 복합 시트를 얻었다.Subsequently, a protective separation film was peeled from each of the laminated sheets having the resin layers? And?, And laminated with a laminator so that the resin layer? And the resin layer? Were in contact with each other. On both sides of the protective film for chip formation, , And a peeling sheet were provided on the substrate.

또한, 수지층 α, β에 사용한 (A1), (A2-1) 아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량(Mw) 및 유리 전이 온도(Tg)는 표 3에 나타낸 바와 같았다.The weight average molecular weights (Mw) and glass transition temperatures (Tg) of the acrylic polymers (A1) and (A2-1) used for the resin layers α and β were as shown in Table 3.

실시예 2 내지 10Examples 2 to 10

수지층 α, 수지층 β에 사용된 (A1) 아크릴계 공중합체, (A2-1) 아크릴계 공중합체의 조성을 표 3에 나타낸 바와 같이 변경한 점을 제외하고는, 실시예 1과 마찬가지로 실시하였다.The procedure of Example 1 was repeated except that the composition of the (A1) acrylic copolymer and (A2-1) acrylic copolymer used in the resin layer? And the resin layer? Were changed as shown in Table 3.

실시예 11Example 11

수지층 β에 사용되는 (E2) 충전재를, 평균 입경 3㎛의 구형 실리카 충전재(UF-310, 가부시키가이샤 토쿠야마제)로 변경한 점을 제외하고 실시예 1과 마찬가지로 실시하였다.The procedure of Example 1 was repeated except that the filler (E2) used for the resin layer? Was changed to a spherical silica filler having an average particle diameter of 3 占 퐉 (UF-310, manufactured by Tokuyama Kogyo Co., Ltd.).

실시예 12 내지 14Examples 12-14

수지층 β에 사용되는 (E2) 충전재를, 평균 입경 3㎛의 구형 실리카 충전재(UF-310, 가부시키가이샤 토쿠야마제)로 변경하고, 또한 수지층 β의 각 성분의 배합량을 표 2에 나타낸 바와 같이 변경한 점을 제외하고 실시예 1과 마찬가지로 실시하였다.(E2) used in the resin layer beta was changed to a spherical silica filler (UF-310, manufactured by TOKUYAMA CORPORATION) having an average particle diameter of 3 mu m, and the blending amount of each component of the resin layer beta was changed as shown in Table 2 The procedure was carried out in the same manner as in Example 1, except for the modification as described above.

비교예 1Comparative Example 1

수지층 β를 설치하지 않고, 보호막 형성용 필름을 표 1, 표 3에 나타내는 수지층 α만으로 형성하고, 수지층 α를 구성하는 각 성분은 표 1, 표 3에 나타내는 바와 같이 하였다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트는 이하와 같이 하여 형성하였다.The film for forming a protective film was formed only from the resin layer? Shown in Tables 1 and 3, and the components constituting the resin layer? Were prepared as shown in Table 1 and Table 3, respectively. The composite sheet for forming a protective film was formed as follows.

수지층 α를 형성하는 재료를, 표 1에 나타내는 비율로 배합된 보호막 형성용 조성물을 메틸에틸케톤으로 희석하고, 편면에 박리 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린텍 가부시키가이샤제, SP-PET5011, 두께 50㎛)을 포함하는 지지 시트의 박리 처리면에 건조 제거 후의 두께가 25㎛가 되도록 도포하고, 100℃에서 3분간 건조하여, 지지 시트 위에 보호막 형성용 필름을 형성하였다. 계속해서, 그 보호막 형성용 필름에 별도로 박리 시트(린텍 가부시키가이샤제, SP-PET3811, 두께 38㎛)를 중첩하여, 비교예 1의 보호막 형성용 복합 시트를 얻었다.A polyethylene terephthalate film (SP-PET5011, manufactured by LINTEC CORPORATION), in which the composition for forming a protective film, in which the material for forming the resin layer alpha was mixed in the ratio shown in Table 1, was diluted with methyl ethyl ketone, Thickness: 50 mu m), and dried at 100 DEG C for 3 minutes to form a protective film-forming film on the support sheet. Subsequently, a release sheet (SP-PET3811, thickness 38 占 퐉, manufactured by LINTEC CORPORATION) was superimposed on the protective film forming film to obtain a protective sheet for forming a protective film of Comparative Example 1.

비교예 2 내지 6Comparative Examples 2 to 6

(A1) 아크릴계 중합체의 조성을 표 3에 나타낸 바와 같이 변경한 점을 제외하고는, 비교예 1과 마찬가지로 실시하였다.(A1) The composition of the acrylic polymer was changed as shown in Table 3, and the same procedure as in Comparative Example 1 was carried out.

비교예 7Comparative Example 7

수지층 β를 구성하기 위한 재료를 표 2, 표 3에 나타낸 바와 같이 변경하고, 수지층 β에 (E2) 충전재를 배합하지 않았던 점을 제외하고 실시예 1과 마찬가지로 실시하였다.The procedure of Example 1 was repeated except that the material for constituting the resin layer beta was changed as shown in Tables 2 and 3 and the filler (E2) was not added to the resin layer beta.

Figure pct00001
Figure pct00001

Figure pct00002
Figure pct00002

각 실시예 1 내지 14, 비교예 1 내지 7에 대해, 그로스값을 측정함과 함께, 문자 식별성 및 신뢰성을 평가하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.For each of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 7, the gloss value was measured, and character recognition and reliability were evaluated. The results are shown in Table 3.

Figure pct00003
Figure pct00003

표 3으로부터 명백해진 바와 같이, 실시예 1 내지 14에서는 수지층 α를 구성하는 (A1) 아크릴계 중합체가, 구성 단량체로서 에폭시기 함유 단량체를 함유하지 않거나, 또는 8질량％ 이하로 에폭시기 함유 단량체를 함유하고, 유리 전이 온도가 -3℃ 이상이 되었다. 보호막은 이와 같은 구성에 의해, 칩으로부터 박리되기 어려워져, 신뢰성이 양호한 것이 되었다.As is clear from Table 3, in Examples 1 to 14, the acrylic polymer (A1) constituting the resin layer? Contains no epoxy group-containing monomer as a constituent monomer, or contains an epoxy group-containing monomer in an amount of 8 mass% , And the glass transition temperature was -3 DEG C or higher. With this structure, the protective film is hardly peeled off from the chip, and the reliability becomes good.

또한, 수지층 β를 구성하는 (A2) 중합체에는, (A1) 아크릴계 중합체와 다른 조성의 (A2-1) 아크릴계 공중합체가 사용되었다. 그로 인해, 수지층 β는 설계의 자유도가 향상되어, 레이저 인자 특성이 우수한 수지층으로 할 수 있고, 문자 식별성이 우수한 것이 되었다.The (A2) polymer constituting the resin layer beta was (A1) an acrylic copolymer of (A2-1) different from the acrylic polymer. As a result, the degree of freedom in design of the resin layer? Is improved, and a resin layer having excellent laser-printing characteristics can be obtained, and the character recognition is excellent.

한편, 비교예 1 내지 6은 보호막 형성용 필름이 단층 구조이므로, 보호막 설계의 자유도가 낮고, 신뢰성과 문자 식별성의 양쪽을 우수한 것으로 할 수 없었다. 또한, 비교예 7에서는, 보호막 형성용 필름이 수지층 α, β의 2층을 포함하는 것이었지만, 수지층 β가 충전재를 함유하고 있지 않았으므로, 그로스값이 높은 값이 되어도, 문자 식별성을 양호하게 할 수 없었다.On the other hand, in Comparative Examples 1 to 6, since the film for forming a protective film had a single-layer structure, the degree of freedom in designing the protective film was low, and both of reliability and character discrimination were not excellent. In Comparative Example 7, the film for forming a protective film contained two layers of the resin layers? And?. However, since the resin layer? Contained no filler, even if the gloss value became high, I could not make it.

Claims (6)

반도체 칩을 보호하는 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름이며,
상기 보호막 형성용 필름이 (A1) 아크릴계 중합체와 (B1) 에폭시계 경화성 성분을 함유하는 수지층 α와, (A1) 아크릴계 중합체와는 다른 중합체인 (A2) 중합체와, (B2) 에폭시계 경화성 성분과, (D2) 착색제와, (E2) 충전재를 함유하는 수지층 β가 적층되어 이루어지고,
(A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체가 에폭시기 함유 단량체를 포함하지 않거나, 또는 전체 단량체의 8질량％ 이하의 비율로 에폭시기 함유 단량체를 포함함과 함께, (A1) 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도가 -3℃ 이상이고,
상기 수지층 β의 표면의 경화 후의 JIS Z 8741에 의해 측정되는 그로스값이 20 이상인, 보호막 형성용 필름.A protective film forming film for forming a protective film for protecting a semiconductor chip,
Wherein the protective film forming film comprises a resin layer (α) containing (A1) an acrylic polymer and (B1) an epoxy curing component, (A1) a polymer which is a polymer different from the acrylic polymer, (B2) , A coloring agent (D2), and a resin layer (B2) containing a filler (E2)
(A1), wherein the monomer constituting the acrylic polymer does not contain an epoxy group-containing monomer, or contains an epoxy group-containing monomer in a proportion of 8 mass% or less of the total monomer, and (A1) Lt; RTI ID = 0.0 &
Wherein the gloss value measured by JIS Z 8741 after curing of the surface of the resin layer beta is 20 or more. 제1항에 있어서, (A2) 중합체가 (A2-1) 아크릴계 중합체이며,
(A2-1) 아크릴계 중합체는 그 중합체를 구성하는 전체 단량체의 8질량％보다 높은 비율로 에폭시기 함유 단량체를 포함하거나, 또는 유리 전이 온도가 -3℃ 미만인, 보호막 형성용 필름.The positive resist composition according to claim 1, wherein the (A2) polymer is the (A2-1) acrylic polymer,
(A2-1) The film for forming a protective film, wherein the acrylic polymer comprises an epoxy group-containing monomer at a ratio higher than 8 mass% of the total monomers constituting the polymer, or the glass transition temperature is lower than -3 占 폚. 제1항 또는 제2항에 있어서, (E2) 충전재의 평균 입경이 1 내지 5㎛인, 보호막 형성용 필름.The protective film forming film according to claim 1 or 2, wherein (E2) the filler has an average particle diameter of 1 to 5 mu m. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (E2) 충전재의 수지층 β에 있어서의 함유율이 20질량％ 이상인, 보호막 형성용 필름.The protective film forming film according to any one of claims 1 to 3, wherein the content of the filler (E2) in the resin layer beta is 20 mass% or more. 반도체 칩과, 상기 반도체 칩 위에 형성되는 보호막을 구비하는, 보호막을 구비한 칩이며,
상기 보호막이 보호막 형성용 필름을 경화시켜 형성된 것임과 함께,
상기 보호막 형성용 필름이 (A1) 아크릴계 중합체와 (B1) 에폭시계 경화성 성분을 함유하는 수지층 α와, (A1) 아크릴계 중합체와는 다른 중합체인 (A2) 중합체와, (B2) 에폭시계 경화성 성분과, (D2) 착색제와, (E2) 충전재를 함유하는 수지층 β가 적층되어 이루어지고,
(A1) 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체가 에폭시기 함유 단량체를 포함하지 않거나, 또는 전체 단량체의 8질량％ 이하의 비율로 에폭시기 함유 단량체를 포함함과 함께, (A1) 아크릴계 중합체의 유리 전이 온도가 -3℃ 이상이고,
상기 수지층 β의 표면의 경화 후의 JIS Z 8741에 의해 측정되는 그로스값이 20 이상인, 보호막을 구비한 칩.A chip having a protective film comprising a semiconductor chip and a protective film formed on the semiconductor chip,
Wherein the protective film is formed by curing a film for forming a protective film,
Wherein the protective film forming film comprises a resin layer (α) containing (A1) an acrylic polymer and (B1) an epoxy curing component, (A1) a polymer which is a polymer different from the acrylic polymer, (B2) , A coloring agent (D2), and a resin layer (B2) containing a filler (E2)
(A1), wherein the monomer constituting the acrylic polymer does not contain an epoxy group-containing monomer, or contains an epoxy group-containing monomer in a proportion of 8 mass% or less of the total monomer, and (A1) Lt; RTI ID = 0.0 &
And a gloss value measured by JIS Z 8741 after curing of the surface of the resin layer? Is 20 or more. 반도체 웨이퍼를 복수의 칩으로 분할하는 공정, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성용 필름이 지지 시트 위에 박리 가능하게 형성된 보호막 형성용 복합 시트의 보호막 형성용 필름을, 상기 반도체 웨이퍼 또는 복수의 칩을 포함하는 칩군에 부착하는 공정, 상기 보호막 형성용 복합 시트에 있어서의 지지 시트를 상기 보호막 형성용 필름으로부터 박리하는 공정 및 상기 보호막 형성용 필름을 열경화하는 공정을 포함하고,
보호막 형성용 복합 시트에 있어서의 지지 시트를 보호막 형성용 필름으로부터 박리하는 공정 후에, 보호막 형성용 필름을 열경화하는 공정을 행하는, 보호막을 구비한 칩의 제조 방법.A process for separating a semiconductor wafer into a plurality of chips, a process for forming a protective film-forming film for a protective film-forming composite sheet in which the protective film-forming film according to any one of claims 1 to 4 is peelably formed on a supporting sheet, A step of attaching the support sheet to a wafer or a chip group including a plurality of chips, a step of peeling the support sheet from the protective film forming film in the protective film forming composite sheet, and a step of thermally curing the protective film forming film,
Wherein a step of thermally curing the protective film forming film is carried out after the step of peeling the support sheet from the protective film forming film in the protective sheet film forming composite sheet.
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