KR20150125313A

KR20150125313A - 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치 및 방법

Info

Publication number: KR20150125313A
Application number: KR1020140052442A
Authority: KR
Inventors: 김영렬; 채철옥; 김진용; 김상태
Original assignee: 주식회사 나노프로텍
Priority date: 2014-04-30
Filing date: 2014-04-30
Publication date: 2015-11-09
Anticipated expiration: 2034-04-30
Also published as: KR101636055B1; WO2015167104A1; US20150316492A1; US9316598B2

Abstract

본 발명은 LCD(Liquid Crystal Display), OLED(Organic Light Emitting Diodes), PDP(Plasma Display Panel) 등과 같은 FPD(Flat Panel Display)에 사용되는 유리 기판(Glass substrate) 또는 일부의 반도체에 사용되는 사파이어 웨이퍼 등의 빛을 통과시키는 투명한 기판의 제조 공정 및 투명 기판을 사용한 FPD와 반도체 제조 공정 중 패턴 형성 공정에서 기판 하면의 이물을 제외하면서 표면 이물만을 검출하기 위한 이물 검출 장치 및 방법에 관한 것이다.

Description

편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치 및 방법{Upper Surface Foreign Matter Detection Device of the Transparent Substrate using Polarized Light and Detection Method of the Same}

얇은 두께의 투명 기판의 제조 공정, 포장 공정 및 이를 사용한 패턴 형성 공정 등에서 여러 가지 이유로 이물이 발생할 수 있다. 이들 공정 환경에서 발생된 이물들이 기판의 상면에 부착될 경우, 이 이물들은 이후의 공정에서 상면에 형성될 화소용 미세 패턴의 형성을 방해하여 해당 위치에 화소 생성용 회로 패턴이 형성되지 못하게 하므로 불량 화소로 되어 공정 수율을 떨어뜨리게 된다. 따라서 제작 공정 중간이나 공정 이후에 상면의 이물을 검사하는 단계를 가져야 한다.

FPD 와 반도체 제조 공정에서 기판을 반송하기 위해서 하면은 반송 수단에 접촉하게 되므로 하면에는 상면보다 훨씬 많은 이물들이 부착될 수 있는데, 하면의 이물들은 화소크기보다 크기가 작은 미세 이물의 경우, 화소의 특성에 아무 영향을 주지 않으므로 하면의 작은 이물은 허용되어 진다. 따라서 투명기판의 제조 공정 및 이 기판을 사용한 FPD 및 반도체의 제조 공정에서 상면 이물만을 엄격히 검사하고 있다.

FPD 및 반도체 제조 공정에서는 이물을 검사하기 위해서 기판면에 손상이 가지 않는 비접촉검사방법 중에서 주로 빛을 조사하고 반사광을 카메라로 촬상해서 얻은 이미지를 이용한 비전 검사방법을 사용하고 있는데, 투명 기판을 사용할 경우 하면까지 빛이 도달하여 하면 이물에서의 반사광도 전달되므로 하면의 이물도 촬상되게 되어 과도한 불량 판정을 하게 되고 제조 수율에 영향을 줄 수 있으므로, 하면의 이물에는 영향을 받지 않고 상면의 이물만을 검사하는 방법이 필요하다.

도 1에는 종래의 이물 검출장치(10)의 개략도가 도시되어 있다. 도면을 참조하여 투명기판(14)의 상면 이물(T1)을 검출하기 위한 기존의 방법들을 살펴보면, 상하면에 모두 조사될 정도의 넓은 폭의 광(L)을 경사 조사하여 투명기판(14)의 상하면의 이물(T1, T2)에서 반사광(R)이 촬상되게 구성하되, 검출용 단일 촬상기(11)의 초점을 투명기판(14)의 상면에 설정하고 촬상렌즈의 심도를 기판두께보다 작게 하여, 상면의 이물(T1)은 선명하게 보이고 하면의 이물(T2)은 흐리게 보이도록 하여, 상면과 하면의 이물(T1, T2)의 대조도 차이를 이용하여 하면 이물(T2)을 분리하는 방법이 있다. 이 방법을 적용하기 위해서는 상하면 이물(T1, T2)의 이미지가 구분될 정도의 대조도 차이가 나야 하므로 촬상 배율을 높이거나 투명 기판(14)의 두께가 두꺼워야 한다. 높은 촬상 배율을 사용할 경우 검사 시야가 작아지게 되므로 검사 시간이 과도하게 길어지는 문제가 있고, 또 얇은 기판을 검사해야 할 경우에는 대조도 차이가 나지 않게 되므로 사용할 수가 없다.

도 2에는 종래의 다른 실시 예의 이물 검출장치(20)의 개략도가 도시되어 있다. 도시된 바와 같이 이물 검출장치(20)는 경사광(L)을 조사하되 아주 좁은 폭의 광원을 조사하여 투명기판(24)의 상면과 하면에 떨어지는 광 조사 위치를 다르게 한 후, 상면 촬상용 카메라(21)와, 하면 촬상용 카메라(22)의 시야를 각각 다른 위치에 두어 상하면의 이물(T1, T2)을 구분하는 방법을 사용하기도 한다. 이 방법의 경우 각 카메라(21, 22)의 시야가 다르므로 보다 낮은 배율의 카메라를 사용할 수 있어 검사 시간을 줄일 수 있는 장점은 있으나, 이 방법 역시 얇은 기판의 경우 광 조사위치 간의 거리가 좁아지게 되므로 투명 기판(24) 반송 기구 등에 의해 기판이 상하로 진동하는 경우 조사 위치가 좌우로 달라져 하면 이물(T2)의 이미지가 상면용의 카메라(21)에 잡히는 등의 문제가 생기므로 적용할 수가 없다.

따라서 검사용 광이 아예 하면에 다다르지 못하게 하여 하면 이물에서의 반사광을 없애거나 아주 작게 하는 방법을 사용한 경우도 있다. 일본 공개특허공보 특개평5-196579호는 액정 패널 제조공정에 사용되는 유리 기판의 이물 검사 장치로, 유리 기판을 투과하지 않는 파장의 빛 혹은 투과율이 낮은 파장의 빛을 사용하여 표면 이물만을 검사하는 장치를 공개하고 있다. 상기 기술은 유리 기판의 표면 이물만을 검지한다는 장점이 있지만, 유리를 통과하지 않는 엑시머 레이저(Eximer Laser), CO2 레이저 등의 고가의 레이저 발생장치가 필요하다는 단점이 있다.

1. 일본 공개특허공보 특개평5-196579호

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서 본 발명의 목적은, P편광과 S편광의 투과율이 서로 다르다는 점에 착안하여 기판 표면의 이물에서 산란되는 P편광 및 S편광과, 기판을 투과하여 기판 하면의 이물에서 산란되는 P편광 및 S편광의 차이를 검출하여 기판 표면의 이물과 기판 하면의 이물을 구분하여 검출하는 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치 및 방법을 제공함에 있다.

특히 P편광과 S편광의 투과율은 광원의 입사각에 따라 그 차이가 가변되는데, P편광과 S편광의 투과율 차이가 큰 입사각으로 광원을 조사하여 검출 정확도를 높인 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치 및 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 상면 이물 검출 장치는, 기판에 광을 조사하는 광원부; 상기 조사된 광에 의한 상기 기판에 부착된 이물의 산란광 중 P편광을 검출하는 제1 검출부; 상기 조사된 광에 의한 상기 기판에 부착된 이물의 산란광 중 S편광을 검출하는 제2 검출부; 및 상기 제1 검출부를 통해 검출된 P편광의 밝기와 상기 제2 검출부를 통해 검출된 S편광의 밝기를 비교하여 상기 기판의 상면에 부착된 이물과 상기 기판의 하면에 부착된 이물을 구분하는 제어부; 를 포함한다.

이때, 상기 기판에 조사되는 광의 입사각은 65~80도 이다.

또한, 상기 제1 검출부는, P편광만 검출하도록 P편광판을 구비하며, 상기 제2 검출부는, S편광만 검출하도록 S편광판을 구비한다.

다른 실시 예로, 상기 검출 장치는, 상기 산란광을 P편광과 S편광으로 분리하여 상기 P편광 검출기와 상기 S편광 검출기에 각각 조사하는 편광 빔 스플리터(PBS)를 포함한다.

또한, 상기 광원부는, 무편광 광을 상기 기판에 조사하는 무편광 광원; 을 포함한다.

다른 실시 예로, 상기 광원부는, 선형 편광 광을 상기 기판에 조사하는 선형 편광 광원; 및 상기 선형 편광 광의 편광각도 조절을 위한 파장판; 을 포함한다.

본 발명의 상면 이물 검출 방법은, 기판에 일정 각도의 입사각을 갖는 광을 조사하는 단계; 상기 조사된 광에 의한 상기 기판에 부착된 이물의 산란광 중 P편광을 검출하는 단계; 상기 조사된 광에 의한 상기 기판에 부착된 이물의 산란광 중 P편광을 검출하는 단계; 상기 P편광의 밝기와 S편광의 밝기를 비교하여 상기 기판의 상면에 부착된 이물과 상기 기판의 하면에 부착된 이물을 구분하는 단계; 및 상기 기판의 하면에 부착된 이물을 제거하는 단계; 를 포함한다.

또한, 상기 검출 방법은, 상기 P편광의 밝기와 S편광의 밝기가 같을 경우 상기 기판의 상면에 부착된 이물로 판단하며, 상기 S편광의 밝기가 P편광의 밝기보다 어두울 경우 상기 기판의 상면에 부착된 이물로 판단한다.

또한, 상기 검출 방법은, 상기 P편광을 검출하는 P편광 검출기와, 상기 S편광을 검출하는 S편광 검출기를 포함하며, 상기 기판의 상면에서 산란된 P편광과, S편광의 밝기가 같아지도록 P편광 검출기와 S편광 검출기를 보정하는 단계; 를 포함한다.

아울러, 상기 기판에 조사되는 광의 입사각은 65~80도 이다.

상기와 같은 구성에 의한 본 발명의 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치 및 방법은, 협소한 영역에 시야를 한정하여 이물을 구분하는 장비와는 달리 넓은 시야 영역을 관찰하여 이물을 검출하므로 기판 이송 시 진동이 발생하여도 조사광이나 이물이 검출 장비의 시야에서 벗어나지 않아 정확한 이물 검출이 가능한 효과가 있다.

또한, 광원과 카메라의 정확한 정렬이 요구되지 않으므로, 설치 시 정렬에 필요한 장비 및 비용과 시간이 절약되며, 장비 사용 중의 경사 변화로 인한 정렬 틀어짐을 교정할 필요가 없다.

또한, 상면과 하면 이물 검출용으로 별도의 카메라를 사용하여 상하면에 각각 초점을 잡으므로 기판의 두께에 상관없이 적용할 수 있으며, 카메라의 시야를 넓게 가져 갈 수 있으므로 검사시간을 단축시킬 수 있다.

또한, 고가의 특수한 레이저를 필요로 하지 않고, 일반적인 가시광원이나 저가의 가시광 대역 레이저를 사용할 수 있으므로 보다 싼 비용으로 장비를 구성할 수가 있다.

도 1은 종래의 이물 검출 장치 개략도
도 2는 종래의 다른 실시 예의 이물 검출 장치 개략도
도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 검출 장치 개략도
도 4는 광의 입사각에 따른 P편광과 S편광의 투과율을 나타낸 그래프
도 5는 기판의 상면 이물에서 산란되는 P편광과 S편광을 나타낸 개략도
도 6은 기판의 하면 이물에서 산란되는 P편광과 S편광을 나타낸 개략도
도 7은 본 발명의 일실시 예에 따른 검출 장치를 이용한 상면 이물 검출 시 개략도
도 8은 상면 이물 검출 시 P편광 검출기 및 S편광 검출기를 통해 검출된 이물의 촬영이미지
도 9는 본 발명의 일실시 예에 따른 검출 장치를 이용한 하면 이물 검출 시 개략도
도 10은 하면 이물 검출 시 P편광 검출기 및 S편광 검출기를 통해 검출된 이물의 촬영이미지

이하, 상기와 같은 본 발명의 일실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 3에는 본 발명의 일실시 예에 따른 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치(1000, 이하 '검출 장치')의 개략도가 도시되어 있다. 도시된 바와 같이 검출 장치(1000)는 광원부(100), 제1 검출부(200), 제2 검출부(300) 및 스테이지(500)를 포함하여 구성된다.

광원부(100)는 기판(S)에 광을 조사하기 위한 구성으로 무편광 광을 상기 기판에 조사하는 무편광 광원을 포함하여 이루어진다. 다른 실시 예로 광원부(100)는 도면상에 도시된 바와 같이 강한 입사 광량을 조사하기 위해 레이저와 같은 선형 편광 광을 조사하는 선형 편광 광원(110)을 포함한다. 광원부(100)가 선형 편광 광원(110)을 포함할 경우 상기 선형 편광 광의 편광각도 조절을 위한 파장판(120)을 더 포함한다. 광원부(100)에서 조사된 광은 기판(S)에 일정한 입사각으로 조사되도록 반사판(130)이 추가 구비된다.

스테이지(500)는 이물 검출을 위한 기판(S)을 거치하거나 이송하기 위해 구성된다.

제1 검출부(200)는 기판(S)에 조사된 광의 산란광을 검출하기 위해 구성된다. 이때 제1 검출부(200)는 상기 산란광 중 P편광을 검출하도록 구성된다. 따라서 제1 검출부(200)는 P편광 검출기(210)와 P편광판(220)으로 구성될 수 있다.

제2 검출부(300)는 기판(S)에 조사된 광의 산란광을 검출하기 위해 구성된다. 이때 제2 검출부(300)는 상기 산란광 중 S편광을 검출하도록 구성된다. 따라서 제2 검출부(300)는 S편광 검출기(310)와 S편광판(320)으로 구성될 수 있다.

도면상에는 도시되지 않았지만 다른 실시 예로 검출 장치(1000)는 상기 산란광을 P편광과 S편광으로 분리하여 P편광 검출기(210)와 상기 S편광 검출기(310)에 각각 조사하는 편광 빔 스플리터(PBS)를 구성하고, P편광판(220)과 S편광판(320)을 삭제할 수 있다.

상기와 같은 구성의 제1 검출부(200) 및 제2 검출부(300)를 통해 기판(S)에 이물이 없는 상태에서 광을 조사하게 되면, 광은 기판(S)을 그대로 통과하기 때문에 산란광이 발생되지 않으며, 제1 검출부(200)와 제2 검출부(300)에서 산란광이 검출되지 않고, 상기 제1 검출부(200) 및 제2 검출부의 검출 신호를 판단하는 제어부를 통해 기판(S) 상에 이물이 없는 것으로 판단하게 된다.

반면, 기판(S)의 상면 또는 하면에 이물이 부착된 상태에서 광을 조사하게 되면, 조사된 광에 의해 이물에서 산란광이 발생되고 이를 제1 검출부(200) 또는 제2 검출부(300)에서 산란광이 검출되며, 상기 제1 검출부(200) 및 제2 검출부(300)의 검출 신호를 판단하는 제어부를 통해 기판(S) 상에 이물이 검출된 것으로 판단하게 된다.

이때 본 발명의 검출 장치(1000)는 상기 산란광의 P편광과 S편광을 이용하여 기판(S)의 상면에 부착된 이물과, 하면에 부착된 이물을 정확하게 구별하여 상면에 부착된 이물만을 명확하게 판별하는데 그 특징이 있는바 이하 상기 구성을 실현하기 위한 세부 구성에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

우선, P편광(P-polarized light)이란, 시료면에 입사하는 빛의 전기 벡터의 진동 방향이 입사면 내에 포함되는 직선 편광을 말하며, S편광(S-polarized light)이란, 시료면에 입사하는 빛의 전기 벡터의 진동 방향이 입사면에 수직인 직선 편광을 말한다. P편광과 S편광은 광이 시료면에 입사되는 입사각에 따른 투과율이 서로 상이하며, 광의 입사각에 따른 P편광과 S편광의 투과율은 도 4에 도시된 바와 같다.

(Optics (4th Edition) Eq4.42~4.45, Eq 4.61~4.64, Eugene Hecht, Addison Wesley 참조)

도 4에는 광의 입사각에 따른 P편광과 S편광의 투과율을 나타낸 그래프가 도시되어 있다. 도시된 바와 같이 P편광과 S편광의 투과율은 그 차이가 입사각 65~80도에서 크게 나타나며 73도에서 가장 큰 차이를 나타냄을 알 수 있다.

본 발명은 상기와 같은 P편광과 S편광의 특성에 착안하여 이물에서 산란되는 P편광과 S편광의 밝기를 비교하여 기판(S)의 상면에 부착된 이물과, 하면에 부착된 이물을 구분하기 위해 구성되었다.

도 5에는 기판(S)을 투과하지 않은 상태에서 산란되는 P편광(P1, 도면상의 좌측)과, 기판(S)을 투과한 상태에서 산란되는 S편광(S1, 도면상의 우측)의 개략도가 도시되어 있다.

도시된 바와 같이 일정 입사각(θ)으로 입사되는 광의 밝기를 100이라고 할 때, 입사각(θ)이 73도 일 경우 산란된 P편광(P1)의 밝기도 100 이 된다. 또한, 일정 입사각(θ)으로 입사되는 광의 밝기를 100이라고 할 때, 입사각(θ)이 73도 일 경우 산란된 S편광(S1)의 밝기도 100 이 된다.

도 6에는 기판(S)을 투과한 상태에서 산란되는 P편광(P2, 도면상의 좌측)과, 기판(S)을 투과한 상태에서 산란되는 S편광(S2, 도면상의 우측)의 개략도가 도시되어 있다.

도시된 바와 같이 일정 입사각(θ)으로 입사되는 광의 밝기를 100이라고 할 때, 입사각(θ)이 73도 일 경우 기판(S)을 투과하여 산란된 P편광(P2)의 밝기는 83이 된다. 또한, 일정 입사각(θ)으로 입사되는 광의 밝기를 100이라고 할 때, 입사각(θ)이 73도 일 경우 기판(S)을 투과하여 산란된 S편광(S2)의 밝기는 39가 된다.

즉 기판(S)의 상면에서 산란된 P편광(P1)과 S편광(S1)은 밝기가 같고 기판(S)을 투과하여 기판(S)의 하면에서 산란된 P편광(P2)과 S편광(S2)은 밝기가 서로 다르게 된다. (S편광(S2)의 밝기가 P편광(P2)의 밝기보다 배 이상 어둡다)

따라서 기판(S)의 상면에 부착된 이물에서 산란된 P편광과 S편광은 밝기가 같고, 기판(S)의 하면에 부착된 이물에서 산란된 P편광과 S편광은 밝기가 서로 다르기 때문에 위 차이점을 구분하여 기판(S)의 상면에 부착된 이물과 하면에 부착된 이물을 정확하게 구분할 수 있게 된다.

도 7에는 본 발명의 일실시 예에 따른 검출 장치(1000)를 이용하여 상면 이물(T1) 검출 시 개략도가 도시되어 있고, 도 8에는 상면 이물(T1) 검출 시 제1 검출부(200) 및 제2 검출부(300)를 통해 검출된 이물의 촬영이미지가 도시되어 있다.

도시된 바와 같이 기판(S)의 상면 이물(T1)을 통해 산란되는 P편광과 S편광은 투과에 따른 광손실이 없기 때문에 제1 검출부(200)를 통해 검출된 P편광과 제2 검출부(300)를 통해 검출된 S편광의 밝기가 서로 같고, 제1 검출부(200)의 P편광 촬영이미지(도 8a)와 제2 검출부(300)의 S편광 촬영이미지(도 8b)도 각각 밝은 색으로 표시된다.

도 9에는 본 발명의 일실시 예에 따른 검출 장치(1000)를 이용하여 하면 이물(T2) 검출 시 개략도가 도시되어 있고, 도 10에는 하면 이물(T2) 검출 시 제1 검출부(200) 및 제2 검출부(300)를 통해 검출된 이물의 촬영이미지가 도시되어 있다.

반면 기판(S)의 하면 이물(T2)을 통해 산란되는 P편광과 S편광은 기판(S)을 투과한 상태에서 산란되어 광손실이 발생하고 광손실의 차이에 의해 제1 검출부(200)를 통해 검출된 P편광과 제2 검출부(300)를 통해 검출된 S편광의 밝기가 서로 다르며, 제1 검출부(200)의 P편광 촬영이미지(도 10a) 보다 제2 검출부(300)의 S편광 촬영이미지(도 10b)가 어두운 색으로 표시된다.

추가적으로 본 발명의 검출 장치(1000)는 기판(S)의 하면 이물(T2)을 통해 산란되는 P편광과 S편광의 밝기 차이를 극대화하기 위해 광이 기판(S)에 입사되는 입사각을 65~80도로 제한 할 수 있다, 더욱 바람직하게는 73도 일 수 있다.

이하에서는 상기와 같이 구성된 본 발명의 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치(1000)를 이용한 상면 이물 검출 방법에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.

우선 기판(S)에 일정 각도의 입사각을 갖는 광을 조사하는 단계를 수행한다. 상기 입사각은 상술한 바와 같이 65~80도이며, 더욱 바람직하게는 73도일 수 있다. 상기 광은 무편광 광일 수도 있고, 광량의 세기를 강하게 하기 위해 선형 편광 광일 수도 있다. 선형 편광 광일 경우에는 선형 편광 광의 편광 각도를 조절하는 단계가 더 수행될 수 있다.

다음으로, P편광을 검출하는 P편광 검출기와, S편광을 검출하는 S편광 검출기를 보정하는 단계를 수행하며, 상세하게는 기판의 상면에서 산란된 P편광과, S편광의 밝기가 같아지도록 제1 및 S편광 검출기를 보정하는 단계를 수행한다. 이는 광의 입사각, 제1 및 S편광 검출기와 이물과의 거리 차에 따라 P편광과 S편광의 밝기에 미세한 차이가 발생될 수 있으므로 이를 보상하기 위함이다.

다음으로 기판(S)에 조사된 광이 기판(S)에 부착된 이물에 의해 산란되어 산란광이 발생할 경우 산란광 중 P편광 및 S편광을 각각 검출하는 단계를 수행한다. P편광 및 S편광을 각각 검출하기 위해 한 쌍의 광 검출기 중 어느 하나에는 P편광판을 설치하고, 다른 하나에는 S편광판을 설치할 수 있다. 다른 실시 예로 편광 빔 스플리터를 통해 산란광을 P편광과 S편광으로 분리하여 한 쌍의 광 검출기 각각에 조사할 수도 있다.

다음으로 P편광의 밝기와 S편광의 밝기를 비교하여 기판(S) 상면에 부착된 이물과 기판(S) 하면에 부착된 이물을 구분하는 단계를 수행한다.

상세하게는, P편광의 밝기와 S편광의 밝기가 같을 경우 기판(S)의 상면에 부착된 이물로 판단하며, S편광의 밝기가 P편광의 밝기보다 어두울 경우 기판의 하면에 부착된 이물로 판단하게 된다.

본 발명의 상기한 실시 예에 한정하여 기술적 사상을 해석해서는 안 된다. 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당업자의 수준에서 다양한 변형 실시가 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 당업자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 된다.

1000 : 검출 장치
100 : 광원부 110 : 광원
120 : 파장판 130 : 반사판
200 : 제1 검출부 210 : P편광 검출기
220 : P편광판
300 : 제2 검출부 310 : S편광 검출기
320 : S편광판
500 : 스테이지
S : 기판
P1, P2 : 산란된 P편광 S1, S2 : 산란된 S편광
T1 : 상면 이물 T2 : 하면 이물

Claims

기판에 광을 조사하는 광원부;
상기 조사된 광에 의한 상기 기판에 부착된 이물의 산란광 중 P편광을 검출하는 제1 검출부;
상기 조사된 광에 의한 상기 기판에 부착된 이물의 산란광 중 S편광을 검출하는 제2 검출부; 및
상기 제1 검출부를 통해 검출된 P편광의 밝기와 상기 제2 검출부를 통해 검출된 S편광의 밝기를 비교하여 상기 기판의 상면에 부착된 이물과 상기 기판의 하면에 부착된 이물을 구분하는 제어부;
를 포함하는, 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치.
제 1항에 있어서,
상기 기판에 조사되는 광의 입사각은 65~80도 인, 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치.
제 1항에 있어서,
상기 제1 검출부는, P편광만 검출하도록 P편광판을 구비하며,
상기 제2 검출부는, S편광만 검출하도록 S편광판을 구비한, 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치.
제 1항에 있어서,
상기 검출 장치는,
상기 산란광을 P편광과 S편광으로 분리하여 상기 P편광 검출기와 상기 S편광 검출기에 각각 조사하는 편광 빔 스플리터(PBS)를 포함하는, 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치.
제 1항에 있어서,
상기 광원부는,
무편광 광을 상기 기판에 조사하는 무편광 광원;
을 포함하는, 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치.
제 1항에 있어서,
상기 광원부는,
선형 편광 광을 상기 기판에 조사하는 선형 편광 광원; 및
상기 선형 편광 광의 편광각도 조절을 위한 파장판;
을 포함하는, 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치.
기판에 일정 각도의 입사각을 갖는 광을 조사하는 단계;
상기 조사된 광에 의한 상기 기판에 부착된 이물의 산란광 중 P편광을 검출하는 단계;
상기 조사된 광에 의한 상기 기판에 부착된 이물의 산란광 중 P편광을 검출하는 단계;
상기 P편광의 밝기와 S편광의 밝기를 비교하여 상기 기판의 상면에 부착된 이물과 상기 기판의 하면에 부착된 이물을 구분하는 단계;
상기 기판의 하면에 부착된 이물을 제거하는 단계;
를 포함하는, 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 방법.
제 7항에 있어서,
상기 검출 방법은,
상기 P편광의 밝기와 S편광의 밝기가 같을 경우 상기 기판의 상면에 부착된 이물로 판단하며, 상기 S편광의 밝기가 P편광의 밝기보다 어두울 경우 상기 기판의 상면에 부착된 이물로 판단하는, 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 방법.
제 8항에 있어서,
상기 검출 방법은,
상기 P편광을 검출하는 P편광 검출기와, 상기 S편광을 검출하는 S편광 검출기를 포함하며,
상기 기판의 상면에서 산란된 P편광과, S편광의 밝기가 같아지도록 P편광 검출기와 S편광 검출기를 보정하는 단계; 를 포함하는, 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 방법.
제 7항에 있어서,
상기 기판에 조사되는 광의 입사각은 65~80도 인, 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 방법.