KR20150120749A

KR20150120749A - Light emitting device

Info

Publication number: KR20150120749A
Application number: KR1020140046794A
Authority: KR
Inventors: 염웅선; 김소정; 김현주; 박경욱; 추성호
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2014-04-18
Filing date: 2014-04-18
Publication date: 2015-10-28
Also published as: KR102140278B1

Abstract

The embodiment of the present invention provides a light emitting device which includes: a substrate; an ohmic electrode layer which is arranged on the substrate; a light emitting structure which is arranged on the ohmic electrode layer, and includes a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; a first electrode which is arranged on the first conductive semiconductor layer; a first insulation layer which is arranged to vertically overlap the first electrode, and is arranged on one side of the ohmic electrode layer; and a second insulation layer which is arranged to vertically overlap the first insulation layer, and is arranged on the other side of the ohmic electrode layer. Luminous efficiency can be improved by ameliorating a current diffusion flow in the light emitting device due to the arrangement of the first insulation layer and the second insulation layer.

Description

[0001] LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

실시예는 발광 소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting element.

반도체의 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광다이오드 (Light Emitting Diode)나 레이저다이오드와 같은 발광 소자는 박막 성장기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색광선도 구현이 가능하며 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다Light emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using semiconductor III-V or II-VI compound semiconductors can be used for various colors such as red, green, blue, and ultraviolet And it is possible to realize a white light line with high efficiency by using fluorescent material or color combination. It has advantages such as low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety and environment friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps Have

따라서, 광통신수단의 송신모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광다이오드 백라이트, 형광등이나 백열전구를 대체할 수 있는 백색 발광다이오드 조명장치, 자동차 헤드라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting diode capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Lighting devices, automotive headlights, and traffic lights.

이러한 다양한 어플리케이션의 확대와 함께 발광 다이오드는 높은 광추출효율을 필요로 한다. 높은 발광효율을 얻기 위해서는 발광 다이오드의 활성층 영역 전반에 걸쳐서 발광이 일어나는 것이 바람직하며 이는 발광다이오드의 전극에서 도입되는 전류가 활성층 영역의 전면에 균일하게 공급되는 경우에 얻을 수 있다. 일반적으로 이러한 전류확산 효과는 전극층의 전극 구조나 전극의 구성 재료를 변화시켜 조절하고 있다.With the expansion of these diverse applications, light emitting diodes require high light extraction efficiency. In order to obtain high luminous efficiency, it is preferable that light emission occurs throughout the active layer region of the light emitting diode, and this can be obtained when the current introduced from the electrode of the light emitting diode is uniformly supplied to the entire surface of the active layer region. In general, the current diffusion effect is controlled by changing the electrode structure of the electrode layer and the constituent material of the electrode.

수직형 발광 다이오드의 경우, n-전극은 빛이 방출되는 면 상에 배치되게 되므로 가능한 작은 면적을 가지도록 배치시키는 것이 유리하나, n-전극의 크기가 작아질 경우 구동전압이 올라가고 전류확산(current spreading)효과가 감소되어 발광 효율이 저하되는 문제가 있다. 따라서, 이러한 전류확산을 개선하고자 n-전극의 구조 변경 이외에 n-전극과 수직방향으로 대응되는 위치에 전류차단층(Current Blocking Layer)을 배치하여 n-전극으로부터 도입되는 전자가 활성층 내의 넓은 범위로 확산될 수 있도록 하고 있다.In the case of the vertical type light emitting diode, since the n-electrode is disposed on the light-emitting surface, it is advantageous to arrange the n-electrode so as to have a small area as much as possible. However, spreading effect is decreased and the luminous efficiency is lowered. Therefore, in order to improve such current diffusion, a current blocking layer is disposed at a position corresponding to the n-electrode in the vertical direction in addition to the structure change of the n-electrode, so that electrons introduced from the n- So that it can be diffused.

도 1은 종래의 발광 소자 구조 및 종래 구조에서의 전류확산현상을 나타낸 도면이다. 도 1에서 상대적으로 전류량이 적은 저전류(low current) 조건(수 mA 내지 수십 mA)에서는 제1 반도체층 상에 배치되는 제1 전극(20)으로부터 공급되는 전자가 제2 반도체층(13) 하부에 배치되는 전류차단층(30)에 의하여 점선으로 도시된 바와 같이 확산이 발생하게 되어 활성층(12)영역 전반에서 발광이 일어나게 된다. 하지만, 일반적으로 사용되는 고전류(high current)조건(수백 mA이상)에서는 전류차단층(30)이 존재함에도 불구하고 실선으로 도시된 바와 같이 제1 전극(20) 부근에서 전류군집현상(current crowding)이 발생하여 발광이 제1 전극(20) 주변에 집중되는 문제가 발생한다.1 is a view showing a current diffusion phenomenon in a conventional light emitting device structure and a conventional structure. In FIG. 1, electrons supplied from the first electrode 20 disposed on the first semiconductor layer under the low current condition (several mA to several tens mA) with a relatively small amount of current are supplied to the lower portion of the second semiconductor layer 13 Diffusion occurs as indicated by a dotted line by the current blocking layer 30 disposed in the active layer 12, thereby causing light emission in the entire region of the active layer 12. However, the current crowding phenomenon occurs in the vicinity of the first electrode 20, as indicated by the solid line, even though the current blocking layer 30 is present in a generally used high current condition (several hundred mA or more) There arises a problem that the light emission is concentrated around the first electrode 20.

실시예는 발광 소자의 광효율을 향상시키고자 한다.The embodiment attempts to improve the light efficiency of the light emitting device.

실시예는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 오믹전극층; 상기 오믹전극층 상에 배치되며 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 전극과 수직적으로 중첩되게 배치되며 상기 오믹전극층의 일측에 배치되는 제1 절연층; 및 상기 제1 절연층과 수직적으로 중첩되게 배치되며 상기 오믹전극층의 타측에 배치되는 제2 절연층;을 포함하는 발광 소자를 제공한다.An embodiment includes a substrate; An ohmic electrode layer disposed on the substrate; A light emitting structure disposed on the ohmic electrode layer and including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; A first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer; A first insulating layer disposed vertically on the first electrode and disposed on one side of the ohmic electrode layer; And a second insulating layer disposed vertically to the first insulating layer and disposed on the other side of the ohmic electrode layer.

오믹전극층은 상기 제1 절연층의 측면과 하부면을 둘러싸고 배치될 수 있다.The ohmic electrode layer may be disposed to surround the side surfaces and the lower surface of the first insulating layer.

제2 절연층은 상기 오믹전극층 내에 상기 제1 절연층과 마주보고 제1 절연층과 이격되어 배치되거나, 오믹전극층 외부에 상기 제1 절연층과 마주보고 배치될 수 있다.The second insulating layer may be disposed in the ohmic electrode layer so as to be spaced apart from the first insulating layer and facing the first insulating layer, or may be disposed outside the ohmic electrode layer and facing the first insulating layer.

제2 절연층이 오믹전극층 외부에 배치될 경우 제2 절연층 및 상기 오믹전극층과 상기 기판 사이에 캡핑층이 더 배치될 수 있으며, 상기 캡핑층은 제2 절연층의 측면 및 하부를 둘러싸고 배치될 수 있다.When the second insulating layer is disposed outside the ohmic electrode layer, a capping layer may be further disposed between the second insulating layer and the ohmic electrode layer and the substrate, and the capping layer is disposed to surround the side and the bottom of the second insulating layer .

제1 전극의 측면으로부터 제2 절연층의 측면까지의 수평거리는 50 내지 200 ㎛일 수 있다.The horizontal distance from the side of the first electrode to the side of the second insulating layer may be 50 to 200 mu m.

제2 절연층의 폭은 상기 제1 절연층의 폭보다 크고 제1 절연층의 폭의 15 배 이하가 될 수 있다. 제2 절연층의 폭은 상기 제1 전극의 폭보다 크고, 제2 절연층의 폭은 제1 전극의 폭의 4 내지 43배가 될 수 있다.The width of the second insulating layer may be greater than the width of the first insulating layer and not more than 15 times the width of the first insulating layer. The width of the second insulating layer may be larger than the width of the first electrode and the width of the second insulating layer may be 4 to 43 times the width of the first electrode.

제2 절연층은 적어도 2개 이상이 이격되어 배치될 수 있으며, 상기 제2 절연층 중 발광 소자의 중앙영역에 배치되는 제2 절연층과 발광 소자의 가장자리 영역에 배치되는 제2 절연층 사이의 수평거리는 270 내지 590㎛일 수 있으며, 발광 소자의 가장자리 영역에 배치되는 제2 절연층의 폭은 발광 소자의 중앙 영역에 배치되는 제2 절연층의 폭의 1/2 보다 클 수 있다.At least two second insulating layers may be disposed apart from each other, and a second insulating layer of the second insulating layer, which is disposed in a central region of the light emitting device, and a second insulating layer, The horizontal distance may be 270 to 590 mu m and the width of the second insulating layer disposed in the edge region of the light emitting device may be larger than half the width of the second insulating layer disposed in the central region of the light emitting device.

실시예에 따른 발광 소자는 제1 전극과 마주보도록 발광 구조물 상에 제1 절연층 및 제2 절연층을 배치하여 전류확산을 용이하게 하여 제1 전극주변에서의 발광집중 현상을 개선함으로써 발광 소자 전면에서 높은 발광효율을 나타낼 수 있다.The light emitting device according to the embodiment has the first insulating layer and the second insulating layer disposed on the light emitting structure so as to face the first electrode to facilitate the current diffusion to improve the luminous concentration phenomenon around the first electrode, Can exhibit high luminous efficiency.

도 1은 종래 발광 소자의 구조 및 종래 구조에서의 전류확산 흐름을 나타낸 도면이고,
도 2a 및 2b는 수직형 발광 소자의 일 실시예를 나타낸 도면이고,
도 3은 발광 소자의 다른 실시예를 나타낸 도면이고,
도 4a 및 4b는 발광 소자의 일 실시예의 평면도 및 단면도를 나타낸 도면이고,
도 5는 발광 소자의 다른 실시예를 나타낸 도면이고,
도 6a 내지 6f는 발광 소자 제조방법의 일 실시예를 나타낸 도면이고,
도 7은 발광 소자가 배치된 발광 소자 패키지의 일 실시예를 나타낸 도면이고,
도 8은 발광 소자가 배치된 백라이트 유닛의 일 실시예를 나타낸 도면이고,
도 9는 발광 소자가 배치된 조명장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a current diffusion flow in a conventional light emitting device and a conventional structure,
FIGS. 2A and 2B are views showing an embodiment of a vertical type light emitting device,
3 is a view showing another embodiment of the light emitting device,
4A and 4B are a plan view and a cross-sectional view of an embodiment of a light emitting device,
5 is a view showing another embodiment of the light emitting device,
6A to 6F are views showing an embodiment of a method of manufacturing a light emitting device,
7 is a view showing an embodiment of a light emitting device package in which a light emitting device is disposed,
8 is a view illustrating an embodiment of a backlight unit in which a light emitting device is disposed,
9 is a view showing an embodiment of a lighting apparatus in which a light emitting element is disposed.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will be more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2", "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.It is also to be understood that the terms "first" and "second", "upper" and "lower" and the like, as used below, do not necessarily imply or imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements And may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도 2a는 일 실시예에 따른 수직형 발광 소자의 단면도이며, 도 2b는 도 2a의 발광 소자 중 일부를 나타낸 단면도이다.FIG. 2A is a cross-sectional view of a vertical light emitting device according to an embodiment, and FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a portion of the light emitting device of FIG. 2A.

도 2a에서 도시된 바와 같이 수직형 발광 소자는 기판(190), 기판 상에 배치되는 오믹전극층(150), 오믹전극층(150) 상에 배치되는 발광구조물(110), 발광구조물(110) 상에 배치되는 제1 전극(120), 제1 전극(120)과 수직적으로 중첩되게 배치되며 오믹전극층(150)의 일측에 배치되는 제1 절연층(130) 및 제1 절연층(130)과 수직적으로 중첩되게 배치되며 오믹전극층(150)의 타측에 배치되는 제2 절연층(170)을 포함할 수 있으며, 오믹전극층(150) 및 제2 절연층(170)하부에 캡핑층(180)을 더 포함할 수 있다.2A, the vertical light emitting device includes a substrate 190, an ohmic electrode layer 150 disposed on the substrate, a light emitting structure 110 disposed on the ohmic electrode layer 150, a light emitting structure 110 disposed on the light emitting structure 110, A first insulating layer 130 and a first insulating layer 130 which are vertically overlapped with the first electrode 120 and are disposed on one side of the ohmic electrode layer 150, And a capping layer 180 may be formed under the ohmic electrode layer 150 and the second insulating layer 170. The capping layer 180 may be formed on the ohmic electrode layer 150 and may include a capping layer 180 can do.

지지기판(190)은 발광 소자에서 발생하는 열을 외부로 잘 전달하여 방출할 수 있도록 Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The supporting substrate 190 is made of a metal such as Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W or doped with impurities so that heat generated in the light- (E.g., Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, and the like).

도 2b에서 도시된 바와 같이 실시예에 따른 발광 소자에서 발광 구조물(110)은 제1 도전형 반도체층(111), 활성층(112) 및 제2 도전형 반도체층(113)을 포함할 수 있다.2B, the light emitting structure 110 may include a first conductive semiconductor layer 111, an active layer 112, and a second conductive semiconductor layer 113.

상기 실시예의 발광 구조물(110)에서 제1 도전형 반도체층(111)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑 될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(111)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제1 도전형 반도체층(111)은 In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있거나, 제1 도전형 반도체층(111)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.In the light emitting structure 110 of the embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 111 may be formed of a semiconductor compound. III-V, II-VI, or the like, and may be doped with a first conductivity type dopant. When the first conductivity type semiconductor layer 111 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as n-type dopants, but is not limited thereto. The first conductive semiconductor layer 111 includes a semiconductor material having a composition formula of In _x Al _y Ga _(1-xy) N (0 x 1, 0 y 1, 0 x + y 1) Or the first conductivity type semiconductor layer 111 may be formed of any one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP .

활성층(112)은 제1 도전형 반도체층(111)을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층(113)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 활성층(112)은 이중 접합 구조(Double Hetero Junction Structure), 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH₃), 질소 가스(N₂), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In the active layer 112, electrons injected through the first conductive type semiconductor layer 111 and holes injected through the second conductive type semiconductor layer 113 mutually meet to form an energy layer Lt; / RTI > The active layer 112 may be a double heterojunction structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW), a quantum-wire structure, or a quantum dot structure Or at least one of them may be formed. For example, the active layer may be formed by implanting trimethylgallium gas (TMGa), ammonia gas (NH ₃ ), nitrogen gas (N ₂ ), and trimethyl indium gas (TMIn) to form a multiple quantum well structure. It is not.

활성층(112)의 우물층/장벽층은 예를 들어, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, InAlGaN/InAlGaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, InAlGaN / InGaN, InAlGaN / InAlGaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, and GaP (InGaP) / AlGaP are used as the well layer / barrier layer of the active layer 112. [ But it is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a band gap lower than the band gap of the barrier layer.

활성층(112)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층의 장벽층이나 밴드갭보다 더 넓은 밴드갭을 가지는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.A conductive clad layer (not shown) may be formed on and / or below the active layer 112. The conductive clad layer may be formed of a semiconductor having a band gap wider than the barrier layer or the band gap of the active layer. For example, the conductive clad layer may include GaN, AlGaN, InAlGaN, superlattice structure, or the like. Further, the conductive clad layer may be doped with n-type or p-type.

활성층(112) 하부에는 제2 도전형 반도체층(113)이 배치된다. 제2 도전형 반도체층(113)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, In_xAl_yGa₁ _-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(113)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.A second conductive type semiconductor layer 113 is disposed under the active layer 112. The second conductive semiconductor layer 113 may be formed of a semiconductor compound. III-V, II-VI, and the like, and the second conductivity type dopant may be doped. For example, it may include a semiconductor material having a composition formula of In _x Al _y Ga ₁ _-xy N (0? X? 1, 0? _Y? 1, 0? _X + y? When the second conductivity type semiconductor layer 113 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant.

도면에는 도시되지 않았으나 발광 구조물(110)의 상부에는 요철 형상이 형성될 수 있다. 이러한 요철 형상의 경우 발광 소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있으며, 발광 소자의 구조는 이에 한정하지 않는다.Although not shown in the drawing, a concavo-convex shape may be formed on the upper portion of the light emitting structure 110. Such a concavo-convex shape can improve the light extraction efficiency of the light emitting device, and the structure of the light emitting device is not limited thereto.

상기 실시예에서 제1 전극(120)은 발광 구조물(110)의 제1 도전형 반도체층(111) 상부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(120)은 n형 오믹전극층일 수 있다. 제1 전극(120)은 제1 도전형 반도체층(111) 상부에 패터닝되어 배치될 수 있으며, 배치된 제1 전극(120) 중 일부는 전극 패드로서 이를 통하여 발광 구조물에 전원이 인가될 수 있다. 제1 전극(120)은 발광 구조물의 제1 도전형 반도체층(111) 상부에 적어도 하나 이상으로 선택적으로 배치될 수 있으며, 도 2a에 도시된 제1 전극(120)의 배치에 한정하지 않는다.In this embodiment, the first electrode 120 may be disposed on the first conductive semiconductor layer 111 of the light emitting structure 110. For example, the first electrode 120 may be an n-type ohmic electrode layer. The first electrode 120 may be patterned on the first conductive semiconductor layer 111. A portion of the first electrode 120 may be an electrode pad, and power may be applied to the light emitting structure . The first electrode 120 may be selectively disposed on the first conductive semiconductor layer 111 of the light emitting structure, and the present invention is not limited to the arrangement of the first electrode 120 shown in FIG. 2A.

제1 절연층(130)은 제1 전극(120)과 마주보며 발광구조물(110)의 제2 도전형 반도체층(113) 하부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(130)은 제1 전극(120)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다.The first insulating layer 130 may be disposed below the second conductive semiconductor layer 113 of the light emitting structure 110, facing the first electrode 120. For example, the first insulating layer 130 may be disposed at a position overlapping the first electrode 120 in the vertical direction.

제1 절연층(130)은 제1 전극(120)으로부터 제1 절연층(130) 하부에 배치되는 오믹전극층(150) 등의 전도성 부재들 사이에 최단거리로 전류가 집중되어 흐르는 것을 방지하여 제1 전극(120)으로부터 유입되는 전자의 흐름을 확산시키는 역할을 하는 전류차단층일 수 있다. 이러한 제1 절연층(130)의 도입으로 발광구조물(110)의 제1 전극(120) 주변부에서의 전류 집중 현상을 줄일 수 있고, 이로 인하여 제1 전극(120) 주변부에서 발광이 집중되지 않고 보다 넓은 범위에서 발광이 일어나게 하여 발광 소자의 발광효율을 향상시킬 수 있다.The first insulating layer 130 prevents the current from concentrating at the shortest distance between the conductive members such as the ohmic electrode layer 150 disposed under the first insulating layer 130 from the first electrode 120, And may be a current blocking layer serving to diffuse the flow of electrons flowing from the one electrode 120. The introduction of the first insulating layer 130 can reduce current concentration at the periphery of the first electrode 120 of the light emitting structure 110, It is possible to increase the luminous efficiency of the light emitting device by causing light emission in a wide range.

제1 절연층(130)은 산화물 또는 질화물의 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 SiO₂(Silicone Dioxide), SixOy(Silicone Oxide), SixNy(Silicone Nitride), SiOxNy(Silicone Oxy-Nitride), TiO₂(Titanium Dioxide), AlN(Aluminum Nitride), Al₂O₃(Aluminum Oxide, Sapphire) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 절연층(130)은 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착법, 스퍼터링(Sputtering), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 증착 방법에 의해 형성되거나, 금속 재질로 형성되는 경우 도금 방법으로 형성될 수도 있으며, 이에 한정되지는 않는다.The first insulating layer 130 may be formed of a material such as an oxide or a nitride. For example, the first insulating layer 130 may be formed of one selected from the group consisting of SiO ₂ (Silicon Dioxide), SixOy (Silicon Oxide), SixNy (Silicon Nitride), SiOxNy ₂ may include at least one of (Titanium Dioxide), AlN (Aluminum Nitride), Al 2 O 3 (Aluminum Oxide, Sapphire). The first insulating layer 130 may be formed by a deposition method such as an E-beam deposition method, a sputtering method, or a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, or may be formed by a plating method But the present invention is not limited thereto.

제1 절연층(130)의 폭은 제1 전극(120)의 폭에 따라 변경될 수 있으며, 제1 절연층(130)이 전류차단층의 기능을 하기 위해서 제1 절연층(130)의 폭은 적어도 제1 전극(120)의 폭보다 크게 형성될 수 있다.The width of the first insulating layer 130 may be varied according to the width of the first electrode 120 and the width of the first insulating layer 130 may be varied in order that the first insulating layer 130 functions as a current blocking layer. May be formed at least larger than the width of the first electrode 120.

예를 들어, 제1 절연층(130)의 폭은 30 내지 100㎛(Micrometer)일 수 있다. 제1 절연층(130)의 폭이 30㎛ 보다 작을 경우 제1 전극(120)으로부터 그 수직 방향 하부로의 전자이동의 차단이 어려워 전류 확산 기능의 효과가 떨어지며, 제1 절연층(130)의 폭이 100㎛ 보다 크게 될 경우 구동전압(V_f: Forward Voltage)이 과도하게 높아지게 될 수 있다.For example, the first insulating layer 130 may have a width of 30 to 100 탆 (Micrometer). If the width of the first insulating layer 130 is less than 30 μm, it is difficult to block the movement of electrons from the first electrode 120 to the lower portion of the first electrode 120 in the vertical direction, If the width is larger than the drive voltage 100㎛: it may be higher as the transient (V _f Forward voltage).

오믹전극층(150)은 제1 절연층(130) 하부에 배치될 수 있다.The ohmic electrode layer 150 may be disposed under the first insulating layer 130.

오믹전극층(150)은 투광성 전도물질과 금속물질이 선택적으로 사용될 수 있으며, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO(Zinc Oxide), IrOx(Iridium Oxide), RuOx(Ruthenium Oxide), NiO(Nickel Oxide), RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au(Gold), 또는 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag(Silver), Ni(Nickel), Cr(Chromium), Ti(Titanium), Al(Aluminum), Rh(Rhodium), Pd(Palladium), Ir(Iridium), Sn(Stannum), In(Indium), Ru(Ruthenium), Mg(Magnesium), Zn(Zinc), Pt(Platinum), Au(Gold), Hf(Hafnium) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.The ohmic electrode layer 150 may be formed of a conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc IZO (Aluminum Zinc Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IZON (IZO Nitride), AGZO (Al- ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), ZnO (Zinc Oxide), IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rhodium, Palladium, Ir, And may include at least one of Stannum, Indium, Ru, Magnesium, Zn, Pt, Au, and Hafnium.

도 2b에서 도시된 바와 같이 오믹전극층(150)은 제1 절연층(130)의 일측면과 하부면을 둘러싸고 배치될 수 있다.오믹전극층(150)은 반사층(미도시)을 더 포함하여 배치될 수 있다.2B, the ohmic electrode layer 150 may be disposed to surround one side surface and the lower surface of the first insulating layer 130. The ohmic electrode layer 150 may further include a reflective layer (not shown) .

반사층(미도시)은 고 반사율을 가지는 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성되고 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으나 이러한 재료에 한정되지 않는다. 또한, 반사층(미도시)은 상기 금속 또는 합금 물질과 함께 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 반사층(미도시)은 발광 구조물(110)에서 발생 된 빛을 효과적으로 반사하여 발광 소자의 광추출 효율을 개선할 수 있다.The reflective layer (not shown) may be formed of a material having a high reflectance and may include any one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, And may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited to such a material. Indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO) Oxide (IGTO), and Indium Gallium Tin Oxide (IGTO). The reflection layer (not shown) can effectively reflect the light generated in the light emitting structure 110 and improve the light extraction efficiency of the light emitting device.

제2 절연층(170)은 제1 절연층(130)과 마주보고 제1 절연층(130)과 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 오믹전극층(150)의 일측인 상부면에 선택적으로 제1 절연층(130)이 배치되고 오믹전극층(150)의 타측인 하부면 일부에 제2 절연층(170)이 배치될 수 있으며, 제1 전극(120) 및 제1 절연층(130)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 제2 절연층(170)이 배치될 수 있다.The second insulating layer 170 may be spaced apart from the first insulating layer 130, facing the first insulating layer 130. For example, the first insulating layer 130 may be selectively disposed on the upper surface of the ohmic electrode layer 150, and the second insulating layer 170 may be disposed on a portion of the lower surface of the other side of the ohmic electrode layer 150. And a second insulating layer 170 may be disposed at a position overlapping the first electrode 120 and the first insulating layer 130 in the vertical direction.

제1 절연층(130)으로부터 제2 절연층(170) 사이의 이격된 거리는 250 내지 1500nm(Nanometer)일 수 있다. 절연층(130, 170) 사이의 이격된 거리가 250nm 이하일 때는 오믹전극층(150)에 반사층(미도시)이 포함될 경우 반사층의 성능이 저하되어 광추출 개선 효과가 작으며, 절연층(130, 170) 사이의 거리가 1500nm 이상으로 이격될 경우 오믹전극층(150)을 증착하는 공정에서의 효율성이 저하되는 문제가 있을 수 있다.The distance between the first insulating layer 130 and the second insulating layer 170 may be 250 to 1500 nm (Nanometer). When the distance between the insulating layers 130 and 170 is 250 nm or less, the reflection layer (not shown) is included in the ohmic electrode layer 150, May be spaced apart by a distance of 1500 nm or more, the efficiency in the process of depositing the ohmic electrode layer 150 may be reduced.

또한, 제1 절연층(130) 및 제2 절연층(170)은 오믹전극층(150) 내에 배치될 수 있으며 이에 한정하지 않는다.The first insulating layer 130 and the second insulating layer 170 may be disposed in the ohmic electrode layer 150, but the present invention is not limited thereto.

제2 절연층(170)은 투명 물질로 형성될 수 있으며, 산화물 또는 질화물의 재질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(170)은 SiO₂, SixOy, Si₃N₄, SixNy, SiOxNy, Al₂O₃, TiO₂, AlN 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 제2 절연층(170)은 제1 절연층(130)과 동일한 물질로 형성되거나 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 또한 제1 절연층(130) 및 제2 절연층(170)은 다층구조로 형성될 수도 있으며 이에 한정하지 않는다. 제1 절연층(130) 및 제2 절연층(170)의 단면의 형태는 사각형에 한정하지 않으며 원형, 타원형 또는 다각형의 형태를 가질 수 있다.The second insulating layer 170 may be formed of a transparent material, or may be made of an oxide or a nitride. For example, the second insulating layer 170 may be formed to include at least one of _{_{SiO 2, SixOy, Si 3 N}} 4, SixNy, SiOxNy, Al 2 O 3, TiO 2, AlN. The second insulating layer 170 may be formed of the same material as the first insulating layer 130 or may be formed of a different material. In addition, the first insulating layer 130 and the second insulating layer 170 may be formed in a multi-layered structure, but are not limited thereto. The shape of the cross section of the first insulating layer 130 and the second insulating layer 170 is not limited to a quadrangle, but may be circular, oval or polygonal.

도 3은 다른 실시예에 따른 발광 소자의 단면을 나타낸 것으로서, 실시예에 따른 발광 소자에서 제2 절연층(170) 및 오믹전극층(150) 하부에 캡핑층(180)이 더 포함되어 배치될 수 있다. 이 때, 제2 절연층(170)은 오믹전극층(150) 외부에 제1 절연층(130)과 마주보고 배치될 수 있다. 예를 들어 제2 절연층(170)은 캡핑층(180)의 상부면 일부에 제1 절연층(130)과 수직방향으로 중첩되도록 배치될 수 있다.3 illustrates a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention. In the light emitting device according to the embodiment, a capping layer 180 may be further disposed under the second insulating layer 170 and the ohmic electrode layer 150 have. At this time, the second insulating layer 170 may be disposed outside the ohmic electrode layer 150, facing the first insulating layer 130. For example, the second insulating layer 170 may be disposed on a portion of the upper surface of the capping layer 180 in a direction perpendicular to the first insulating layer 130.

캡핑층(180)은 예를 들어, ZnO, In₂O₃, Sn₂O₃, Cd₂SnO₄, CdIn₂O₄, Mg_xZn₁ _- _xO(단, 0≤x≤1), Cd_xZn₁ _-xO(단, 0≤x≤1), Mg_xO₁ _-x(단, 0≤x≤1)의 군에서 선택되는 단독 또는 복수 개의 혼합성분으로 형성될 수 있다.The capping layer 180 may be formed of, for example, ZnO, In ₂ O ₃ , Sn ₂ O ₃ , Cd ₂ SnO ₄ , CdIn ₂ O ₄ , Mg _x Zn ₁ _- _x O (where 0? _x Zn ₁ _-x O (where 0? _x? 1), and Mg _x O ₁ _-x (where 0? x? 1).

캡핑층(180)은 전도성 향상을 위한 도펀트 불순물을 더 포함할 수 있다. 이 경우 도펀트 불순물은 주기율표상의 Ⅰ-Ⅳ 족에 속하는 그룹에서 선택되는 적어도 1종 이상의 성분, 예를 들면 Ga, Al, N₂, P, Ag, Sb, Sn, F, As등이 여기에 포함될 수 있다.The capping layer 180 may further include a dopant impurity for improving the conductivity. In this case, the dopant impurities may include at least one or more components selected from the group belonging to the group I-IV in the periodic table, for example, Ga, Al, N ₂ , P, Ag, Sb, Sn, have.

캡핑층(180)은 발광 소자의 제조 공정에서 지지기판(190) 등에 발광 구조물을 실장할 때 고온(300℃∼600℃) 공정 등에서 발생하는 표면 퇴화(surface degradation) 현상을 방지할 수 있으며, 캡핑층(180)을 경계로 캡핑층(180)의 양 면에 배치되는 서로 다른 층 사이의 불순물 등의 이동을 차단하여 서로 다른 층 사이의 상호작용이 일어나지 않도록 하는 기능을 할 수 있다. 캡핑층(180)은 고온 및 산화 공정에 안정성이 있으며 투명성을 가지는 물질일 수 있다.The capping layer 180 can prevent the surface degradation phenomenon occurring at a high temperature (300 ° C. to 600 ° C.) when the light emitting structure is mounted on the support substrate 190 or the like in the manufacturing process of the light emitting device, It is possible to block the movement of impurities or the like between the different layers disposed on both surfaces of the capping layer 180 with the boundary of the pinning layer 180 so as to prevent mutual action between the different layers. The capping layer 180 may be a material that is stable at high temperatures and oxidation processes and has transparency.

또한, 캡핑층(180)은 지지기판(190)과의 접착성을 높이기 위하여 본딩층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 본딩층은 캡핑층(180)의 하부에 배치될 수 있으며, 본딩층은 배리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어 Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd, Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, the capping layer 180 may further include a bonding layer (not shown) for enhancing adhesion with the supporting substrate 190. The bonding layer may be disposed under the capping layer 180 and the bonding layer may include a barrier metal or a bonding metal and may be formed of a metal such as Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Ag, Nb, Pd and Ta.

상기 캡핑층(180) 하부에 배치되는 지지기판(190)을 통하여 발광 소자에서 발생된 열이 외부로 전달되어 방출될 수 있다.Heat generated from the light emitting device may be transmitted to the outside through the support substrate 190 disposed under the capping layer 180.

도 4a는 도 3의 실시예에 따른 발광 소자의 평면도를 나타낸 것이고, 도 4b는 도 4a에서 AB방향으로 절단된 단면을 나타낸 도면이다.FIG. 4A is a plan view of the light emitting device according to the embodiment of FIG. 3, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line AB in FIG.

도 4b에 도시된 바와 같이, 제2 절연층(170)은 제1 절연층(130)과 마주보고, 제1 전극(120) 및 제1 절연층(130)의 수직방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다.4B, the second insulating layer 170 is disposed at a position overlapping the first electrode 120 and the first insulating layer 130 in the vertical direction, facing the first insulating layer 130. As shown in FIG. .

이하에서는 제2 절연층(170)은 상부면과 하부면의 폭이 동일한 사각형 형태인 것으로 설명한다. 그러나 제2 절연층(170)의 형태는 이에 한정하지 않는다.Hereinafter, the second insulating layer 170 will be described as having a square shape having the same width as the upper surface and the lower surface. However, the shape of the second insulating layer 170 is not limited thereto.

제2 절연층(170)의 폭(w1)은 제1 절연층(130)의 폭(w2) 및 제1 전극(120)의 폭(w3)을 고려하여 조절될 수 있으며, 발광 구조물(110) 내에서의 전류확산효과를 위하여 제1 절연층(130)의 폭(w2)은 제1 전극(120)의 폭(w3)보다 크며, 제2 절연층(170)의 폭(w1)은 제1 절연층(130)의 폭(w2)과 같거나 크게 형성될 수 있다.The width w1 of the second insulating layer 170 may be adjusted in consideration of the width w2 of the first insulating layer 130 and the width w3 of the first electrode 120, The width w2 of the first insulation layer 130 is greater than the width w3 of the first electrode 120 and the width w1 of the second insulation layer 170 is greater than the width w1 of the first insulation layer 130, May be equal to or greater than the width (w2) of the insulating layer (130).

예를 들어, 제2 절연층(170)의 폭(w1)은 적어도 제1 절연층(130)의 폭(w2)보다 크고 제1 절연층(130)의 폭(w2)의 15배 이하가 될 수 있다. 제2 절연층(170)의 폭(w1)이 제1 절연층(130)의 폭(w2)보다 작을 경우 정공이 주입될 때 발광 소자 내에서 정공의 확산효과가 개선되지 않으며, 제2 절연층의 폭(w1)이 커질 경우 정공 확산 효과가 개선되나, 15배보다 커질 경우 과도한 구동전압(V_f)을 필요로 하는 문제가 발생할 수 있다.The width w1 of the second insulating layer 170 is at least larger than the width w2 of the first insulating layer 130 and less than 15 times the width w2 of the first insulating layer 130 . When the width w1 of the second insulating layer 170 is smaller than the width w2 of the first insulating layer 130, the diffusion effect of holes in the light emitting device is not improved when holes are injected, The hole diffusion effect is improved. However, when the width w1 is larger than 15 times, the excessive driving voltage V _f may be required.

또한, 제2 절연층(170)의 폭(w1)은 제1 전극(120)의 폭(w3)보다 클 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(170)의 폭(w1)은 제1 전극(120)의 폭(w3)의 4 내지 43배가 될 수 있다. 제2 절연층(170)의 폭(w1)이 제1 전극의 폭(w3)의 4배 보다 작을 경우는 정공이 주입 될 때 정공의 확산효과가 개선되지 않으며, 제2 절연층(170)의 폭(w1)이 제1 전극의 폭(w3)보다 커질 경우 정공 확산 효과가 개선되나, 제2 절연층(170)의 폭(w1)이 제1 전극의 폭(w3)의 43배 보다 커질 경우에는 과도한 구동전압(V_f)을 필요로 하는 문제가 발생할 수 있다.The width w1 of the second insulating layer 170 may be greater than the width w3 of the first electrode 120. For example, the width w 1 of the second insulating layer 170 may be 4 to 43 times the width w 3 of the first electrode 120. When the width w1 of the second insulating layer 170 is smaller than four times the width w3 of the first electrode, the diffusion effect of the holes is not improved when the holes are injected, When the width w1 is larger than the width w3 of the first electrode, the hole diffusion effect is improved. If the width w1 of the second insulating layer 170 is larger than 43 times the width w3 of the first electrode A problem may arise in which an excessive driving voltage V _f is required.

도 4b에서 제2 절연층(170)은 제1 전극(120)과 수직방향으로 중첩되는 위치에 적어도 두 개 이상으로 배치될 수 있으며, 발광 소자의 중앙 영역에 배치되는 제2 절연층(170a)의 폭(w1-a)은 발광 소자의 가장자리 영역에 배치되는 제1 전극(120)과 수직방향으로 중첩되는 위치에 배치되는 제2 절연층(170b, 170c)의 폭(w1-b, w1-c)보다 클 수 있다.4B, the second insulating layer 170 may be disposed at a position overlapping the first electrode 120 in a direction perpendicular to the first electrode 120, and may include a second insulating layer 170a disposed in a central region of the light emitting device, The width w1-a of the second insulating layer 170b and the second insulating layer 170c disposed at positions overlapping in the vertical direction with the first electrode 120 disposed in the edge region of the light emitting device, c).

발광 소자의 가장자리 영역에 배치되는 제2 절연층(170b, 170c)의 폭(w1-b, w1-c)은 발광 소자의 중앙 영역에 배치되는 제2 절연층(170a)의 폭(w1-a)의 1/2 보다 클 수 있다. 가장자리 영역에 배치되는 제2 절연층170b, 170c)의 폭(w1-b, w1-c)이 중앙 영역에 배치되는 제2 절연층(170a)의 폭(w1-a)의 1/2보다 작을 경우 제1 절연층(w2)의 폭과의 차이가 작아 정공 확산 효과가 개선되지 않을 수 있다.The widths w1-b and w1-c of the second insulating layers 170b and 170c disposed at the edge regions of the light emitting device are determined by the width w1-a of the second insulating layer 170a disposed in the central region of the light emitting device &Lt; / RTI > The widths w1-b and w1-c of the second insulating layers 170b and 170c disposed in the edge regions are smaller than half the width w1-a of the second insulating layer 170a disposed in the central region The difference from the width of the first insulating layer w2 is small and the effect of the hole diffusion may not be improved.

제1 전극(120)의 일측면으로부터 상기 제1 전극(120)과 수직방향으로 중첩되는 위치에 배치되는 제2 절연층(170)의 일측면까지의 수평 거리(d1)는 50 내지 200㎛일 수 있다. 여기에서 제2 절연층(170)의 일측면은 제1 전극(120)의 일측면과 근접하여 위치하는 제2 절연층(170)의 일측면을 의미한다. 수평거리(d1)가 50㎛ 보다 작아질 경우 제1 절연층(130)과 구별되는 제2 절연층(170)의 정공 확산 효과를 기대할 수 없으며, 수평거리(d1)가 200㎛ 보다 커질 경우 발광 소자의 전체 크기에 비하여 제2 절연층(170)의 비중이 커져 과도한 구동전압(V_f)을 필요로 하는 문제가 발생할 수 있다.The horizontal distance d1 from the one side of the first electrode 120 to one side of the second insulating layer 170 disposed at a position overlapping the first electrode 120 in the vertical direction is 50 to 200 占 퐉 . Here, one side of the second insulating layer 170 refers to one side of the second insulating layer 170 positioned in proximity to one side of the first electrode 120. When the horizontal distance d1 is smaller than 50 m, the hole diffusion effect of the second insulating layer 170 distinguishable from the first insulating layer 130 can not be expected. When the horizontal distance d1 is greater than 200 m, The specific gravity of the second insulating layer 170 becomes larger than the overall size of the device, which may cause an excessive driving voltage V _f .

제2 절연층들(170a, 170b, 170c) 사이의 수평거리(d2)는 발광 소자 내의 제1 전극(120), 제1 절연층(130) 및 제2 절연층(170)의 폭에 따라 조절될 수 있다. 예를 들어, 발광 소자의 중앙 영역에 배치되는 제2 절연층(170a)과 발광 소자의 가장자리 영역에 배치되는 제2 절연층(170b, 170c)과의 수평거리(d2)는 270 내지 590㎛일 수 있다. 제2 절연층들(170a, 170b, 170c) 사이의 수평거리(d2)가 270㎛ 보다 작아질 경우 전체 발광 소자 중 제2 절연층(170)의 비중이 과도하게 커져 구동전압(V_f) 특성이 저하되는 문제가 발생할 수 있으며, 제2 절연층들(170a, 170b, 170c) 사이의 수평거리(d2)가 590㎛ 보다 커질 경우 주입되는 정공을 확산시키는 기능이 저하될 수 있다.The horizontal distance d2 between the second insulating layers 170a, 170b and 170c is adjusted according to the widths of the first electrode 120, the first insulating layer 130 and the second insulating layer 170 in the light emitting device. . For example, the horizontal distance d2 between the second insulating layer 170a disposed in the central region of the light emitting device and the second insulating layers 170b and 170c disposed in the edge region of the light emitting device is 270 to 590 m . Second insulating layers (170a, 170b, 170c) horizontal distance (d2) becomes smaller than the case 270㎛ large as the total light-emitting device the transition portion of the second insulating layer 170, a driving voltage (V _f) characteristic between the If the horizontal distance d2 between the second insulating layers 170a, 170b, and 170c is greater than 590 占 퐉, the function of diffusing injected holes may be degraded.

제2 절연층(170)의 두께(t1)와 제1 절연층(130)의 두께(t2)는 100 내지 1500nm(Nanometer)로 형성될 수 있다. 제1 절연층(130) 및 제2 절연층(170)의 두께가 100nm 보다 얇게 형성될 경우 전류차단층의 효과를 기대할 수 없으며, 제1 절연층(130) 및 제2 절연층(170)이 산화물 또는 질화물로 형성될 경우 금속층에 비하여 열전도성이 작으므로 두께가 1500nm 보다 두꺼워질 경우 발광소자 내부에서 발생한 열의 방출이 용이하지 않게 되어 발광 소자의 열안정성이 저하될 수 있다.The thickness t1 of the second insulating layer 170 and the thickness t2 of the first insulating layer 130 may be 100 to 1,500 nanometers. If the first insulating layer 130 and the second insulating layer 170 are formed to have a thickness less than 100 nm, the effect of the current blocking layer can not be expected, and the first insulating layer 130 and the second insulating layer 170 Oxide or nitride, the thermal conductivity is smaller than that of the metal layer. Therefore, when the thickness is thicker than 1500 nm, the heat generated inside the light emitting device is not easily released, and the thermal stability of the light emitting device may be deteriorated.

도 5는 다른 실시예에 따른 발광 소자의 단면을 나타낸 것으로, 도시된 바와 같이 제2 절연층(170)의 상부면과 하부면의 폭은 서로 다를 수 있으며, 하부면의 폭(w1-2)이 상부면의 폭(w1-1)보다 크고 상부면에서 하부면으로 갈수록 폭이 점차적으로 커지는 사다리꼴 형상일 수 있으나 이에 한정하지 않는다.5 illustrates a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment. As shown in the figure, the widths of the upper surface and the lower surface of the second insulating layer 170 may be different from each other, May have a trapezoidal shape that is larger than the width w1-1 of the upper surface and gradually increases in width from the upper surface to the lower surface, but the present invention is not limited thereto.

제2 절연층(170)의 상부면의 폭(w1-1)은 적어도 제1 절연층(130)의 폭(w2)보다 커야 하며, 제2 절연층(170)의 하부면의 폭(w1-2)은 제1 절연층(130)의 폭(w2)의 15배 보다 작을 수 있다.The width w1-1 of the upper surface of the second insulating layer 170 must be greater than the width w2 of the first insulating layer 130 and the width w1- 2 may be smaller than 15 times the width w2 of the first insulating layer 130. [

상기의 실시예들에서 상술한 바와 같이 제2 절연층(170)이 배치됨으로써 도 4b 및 도 5에 실선으로 도시한 바와 같이 발광구조물 내에서 전류확산 범위가 제2 절연층(170)의 수평 방향 길이 이상으로 넓어질 수 있다. 이로 인하여, 제1 전극(120) 주변에서의 발광의 집중 현상이 개선될 수 있으며, 발광 소자 전체에서 균일하게 광이 방출되게 하여 발광 효율을 개선시킬 수 있다.4B and FIG. 5, the current diffusion range in the light emitting structure is increased in the horizontal direction of the second insulating layer 170 (see FIG. 4B) by the arrangement of the second insulating layer 170 as described above, Can be widened more than the length. Accordingly, concentration of light emission around the first electrode 120 can be improved, and light can be uniformly emitted from the entire light emitting device, thereby improving the light emitting efficiency.

도 6a 내지 6f는 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 나타낸 도면들이다.6A to 6F illustrate a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 6a는 기판(100)상에 제1 도전형 반도체층(111), 활성층(112), 제2 도전형 반도체층(113)을 순차적으로 성장시켜 발광 구조물(110)을 형성한다.6A illustrates a light emitting structure 110 by sequentially growing a first conductive semiconductor layer 111, an active layer 112, and a second conductive semiconductor layer 113 on a substrate 100.

실시예에서 기판(100)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있고, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다. 예컨대, 기판은 사파이어(Al₂O₃), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga₂0₃ 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.In an embodiment, the substrate 100 may be formed of a material suitable for semiconductor material growth, a carrier wafer, a material having superior thermal conductivity, and may include a conductive substrate or an insulating substrate. For example, at least one of sapphire (Al ₂ O ₃ ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge and Ga ₂ O ₃ can be used as the substrate.

도 6b는 배치된 발광 구조물(110) 상부에 제1 절연층(130)이 패터닝 되어 형성된다.FIG. 6B shows a structure in which a first insulating layer 130 is patterned on the disposed light emitting structure 110.

도 6c는 형성된 제1 절연층(130)의 측면과 상부면을 둘러싸고 오믹전극층(150)이 형성된다. 오믹전극층(150) 상에 반사층(미도시)이 더 형성될 수 있으며, 반사층은 복수 개의 층으로 형성될 수 있다.6C illustrates an ohmic electrode layer 150 surrounding the side surface and the top surface of the first insulating layer 130. Referring to FIG. A reflective layer (not shown) may be further formed on the ohmic electrode layer 150, and the reflective layer may be formed of a plurality of layers.

도 6d는 오믹전극층(150) 상에 제2 절연층(170)이 패터닝 되어 형성된다. 6D illustrates a second insulating layer 170 patterned on the ohmic electrode layer 150. Referring to FIG.

제2 절연층(170)은 형성된 제1 절연층(130)과 마주보도록 형성될 수 있으며, 제2 절연층(170)은 폭이 적어도 제1 절연층(130)의 폭보다 크고 제1 절연층의 폭의 15배보다 작을 수 있으며, 제1 전극(120)의 폭의 4 내지 43배가 되도록 배치될 수 있다.The second insulating layer 170 may be formed to face the first insulating layer 130. The second insulating layer 170 may have a width greater than the width of the first insulating layer 130, And may be arranged to be 4 to 43 times the width of the first electrode 120. In addition,

도 6e는 제2 절연층(170)의 측면 및 상부면을 둘러싸고 제2 절연층(170) 및 오믹전극층(150) 상에 캡핑층(180)이 형성된다.6E illustrates a capping layer 180 formed on the second insulating layer 170 and the ohmic electrode layer 150 so as to surround the side surface and the upper surface of the second insulating layer 170. Referring to FIG.

도 6f에서 기판(100) 제거 후 제1 도전형 반도체층(111) 상부에 제1 전극(120)이 패터닝 되어 형성된다. 제1 전극(120)은 제1 절연층(130)과 마주보도록 배치될 수 있으며, 제1 전극(120)의 측면으로부터 제2 절연층(170)의 측면까지의 수평 거리가 50 내지 200㎛일 수 있으며, 패터닝되어 배치된 제2 절연층(170)들 사이의 수평 거리는 270 내지 590㎛일 수 있다.6F, the first electrode 120 is patterned on the first conductive semiconductor layer 111 after the substrate 100 is removed. The first electrode 120 may be disposed to face the first insulating layer 130 and may have a horizontal distance from the side surface of the first electrode 120 to the side surface of the second insulating layer 170 is 50 to 200 占 퐉 And the horizontal distance between the patterned and arranged second insulating layers 170 may be 270 to 590 탆.

기판(100)은 레이저 리프트 오프(LLO : Laser Lift Off) 공정 및 에칭 공정 중 적어도 하나를 사용하여 제거될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 100 may be removed using at least one of a laser lift off (LLO) process and an etching process, but is not limited thereto.

또한, 캡핑층(180) 하부에 금속 지지 부재(190)가 배치될 수 있으며, 이 경우 금속 지지 부재(190)와 캡핑층(180) 사이에 본딩층(미도시)이 더 포함될 수 있다.A metal support member 190 may be disposed under the capping layer 180 and may further include a bonding layer (not shown) between the metal support member 190 and the capping layer 180.

실시예에 따른 발광 소자 내의 각 층은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.Each layer in the light emitting device according to the exemplary embodiment may be formed by a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, But not limited to, molecular beam epitaxy (MBE), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), and the like.

도 7은 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지의 일 실시예를 나타낸 도면이다.7 is a view showing an embodiment of a light emitting device package including a light emitting device.

실시예에 따른 발광소자 패키지(400)는 캐비티를 포함하는 몸체와, 상기 몸체에 설치된 제1 리드 프레임(Lead Frame, 421) 및 제2 리드 프레임(422)과, 상기 몸체에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)과 전기적으로 연결되는 상술한 실시예들에 따른 발광소자(200a)와, 상기 캐비티에 형성된 몰딩부(470)를 포함한다.The light emitting device package 400 according to the embodiment includes a body including a cavity, a first lead frame 421 and a second lead frame 422 mounted on the body, Emitting device 200a according to the above-described embodiments electrically connected to the lead frame 421 and the second lead frame 422, and a molding part 470 formed in the cavity.

몸체는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 몸체의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(421, 422) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.The body may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. If the body is made of a conductive material such as a metal material, an insulating layer may be coated on the surface of the body to prevent an electrical short between the first and second lead frames 421 and 422.

제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(200a)에 전류를 공급한다. 또한, 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)은 발광소자(200a)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광소자(200a)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.The first lead frame 421 and the second lead frame 422 are electrically separated from each other and supply current to the light emitting device 200a. The first lead frame 421 and the second lead frame 422 can reflect the light generated from the light emitting device 200a to increase the light efficiency and reduce the heat generated from the light emitting device 200a to the outside It may be discharged.

발광소자(200a)는 상술한 실시예들에 따를 수 있어서, 발광 소자에 제1 절연층(130) 및 제2 절연층(170)을 포함하도록 하여, 제1 전극(120) 주변에서의 발광 집중 현상이 개선됨으로써 발광 소자 전체에서의 균일한 발광을 얻을 수 있다.The light emitting device 200a can be in accordance with the embodiments described above so that the light emitting device includes the first insulating layer 130 and the second insulating layer 170, The phenomenon can be improved and uniform light emission can be obtained in the entire light emitting element.

발광소자(200a)는 제1 리드 프레임(421)에 도전성 페이스트(미도시) 등으로 고정될 수 있고, 전극(430)은 와이어(450)로 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 200a may be fixed to the first lead frame 421 by a conductive paste (not shown), and the electrode 430 may be electrically connected to the second lead frame by the wire 450.

상기 몰딩부(470)는 상기 발광소자(200a)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(470) 상에는 형광체(480)가 포함될 수 있다. 이러한 구조는 형광체(480)가 분포되어, 발광소자(200a)로부터 방출되는 빛의 파장을 발광소자 패키지(400)의 빛이 출사되는 전 영역에서 변환시킬 수 있다.The molding part 470 can surround and protect the light emitting device 200a. In addition, the phosphor 480 may be included on the molding part 470. In this structure, the phosphor 480 is distributed so that the wavelength of the light emitted from the light emitting device 200a can be changed in the entire region where the light of the light emitting device package 400 is emitted.

발광소자 패키지(400)는 상술한 실시예들에 따른 발광소자 중 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device package 400 may be mounted on one or a plurality of light emitting devices according to the above-described embodiments, but the present invention is not limited thereto.

이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일 실시예로서, 영상표시장치와 조명장치를 설명한다.Hereinafter, an image display apparatus and a lighting apparatus will be described as an embodiment of an illumination system in which the above-described light emitting device package is disposed.

도 8은 발광소자 패키지를 포함하는 영상 표시장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.8 is a view showing an embodiment of a video display device including a light emitting device package.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 영상표시장치(500)는 광원 모듈과, 바텀 커버(510) 상의 반사판(520)과, 상기 반사판(520)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 영상표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(540)과, 상기 도광판(540)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(550)와 제2 프리즘시트(560)와, 상기 제2 프리즘시트(560)의 전방에 배치되는 패널(570)과 상기 패널(570)의 전반에 배치되는 컬러필터(580)를 포함하여 이루어진다.As shown in the drawing, the image display apparatus 500 according to the present embodiment includes a light source module, a reflection plate 520 on the bottom cover 510, and a reflection plate 520 disposed in front of the reflection plate 520, A first prism sheet 550 and a second prism sheet 560 disposed in front of the light guide plate 540 and a second prism sheet 560 disposed between the first prism sheet 560 and the second prism sheet 560, A panel 570 disposed in front of the panel 570 and a color filter 580 disposed in the front of the panel 570.

광원 모듈은 회로 기판(530) 상의 발광소자 패키지(535)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(530)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(535) 내에 배치되는 발광소자는 상술한 실시예들에 따를 수 있으며, 실시예에 따르는 경우 발광 소자에서 전극 주변부에서의 발광 집중 현상을 개선할 수 있어, 발광 소자 전면에서 균일한 발광을 얻을 수 있으며, 이로 인하여 영상 표시 장치의 광원 모듈에서 개선된 광효율을 기대할 수 있다.The light source module comprises a light emitting device package 535 on a circuit board 530. Here, the circuit board 530 may be a PCB or the like, and the light emitting device disposed in the light emitting device package 535 may be in accordance with the embodiments described above. In the embodiment, The concentration phenomenon can be improved, uniform light emission can be obtained from the entire surface of the light emitting element, and an improved light efficiency in the light source module of the image display device can be expected.

바텀 커버(510)는 영상표시장치(500) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(520)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(540)의 후면이나, 상기 바텀 커버(510)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 510 can house the components in the image display apparatus 500. The reflective plate 520 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be provided on the rear surface of the light guide plate 540 or on the front surface of the bottom cover 510 with a highly reflective material.

반사판(520)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.The reflector 520 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and a polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(540)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전 영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다.The light guide plate 540 scatters the light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the LCD.

따라서, 도광판(530)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타아크릴레이트 (PolyMethylMethAcrylate ; PMMA), 폴리카보네이트 (PolyCarbonate ; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 도광판(540)이 생략되면 에어 가이드 방식의 표시장치가 구현될 수 있다.Accordingly, the light guide plate 530 is made of a material having a good refractive index and transmittance. The light guide plate 530 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE). Also, if the light guide plate 540 is omitted, an air guide display device can be realized.

상기 제1 프리즘 시트(550)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 550 is formed on one side of the support film with a translucent and elastic polymer material. The polymer may have a prism layer in which a plurality of steric structures are repeatedly formed. As shown in the drawings, the plurality of patterns may be repeatedly provided with a stripe pattern.

상기 제2 프리즘 시트(560)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(550) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(570)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 560, a direction of a floor and a valley of one side of the supporting film may be perpendicular to a direction of a floor and a valley of one side of the supporting film in the first prism sheet 550. This is for evenly distributing the light transmitted from the light source module and the reflective sheet in all directions of the panel 570.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(550)과 제2 프리즘시트(560)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 constitute an optical sheet, which may be made of other combinations, for example, a microlens array or a combination of a diffusion sheet and a microlens array Or a combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

상기 패널(570)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(560) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.A liquid crystal display (LCD) panel may be disposed on the panel 570. In addition to the liquid crystal display panel 560, other types of display devices requiring a light source may be provided.

상기 패널(570)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리 바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.In the panel 570, a liquid crystal is positioned between glass bodies, and a polarizing plate is placed on both glass bodies to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(570)의 전면에는 컬러 필터(580)가 구비되어 상기 패널(570)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 580 is provided on the front surface of the panel 570 so that only the red, green, and blue light is transmitted through the panel 570 for each pixel.

도 9는 발광소자가 배치된 조명장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.9 is a view showing an embodiment of a lighting apparatus in which a light emitting element is disposed.

본 실시예에 따른 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 소켓(1800)을 포함할 수 있다.The lighting apparatus according to the present embodiment may include a cover 1100, a light source module 1200, a heat discharger 1400, a power supply unit 1600, an inner case 1700, and a socket 1800.

또한, 실시예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 광원 모듈(1200)은 상술한 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함하여, 발광소자 내에 배치된 제1 절연층(130) 및 제2 절연층(170)으로 인하여 발광 소자 내에서 전류흐름이 확산되어 발광이 전극주변에 집중되지 않아 전면에서 균일한 발광 효과를 얻을 수 있다.In addition, the illumination device according to the embodiment may further include at least one of the member 1300 and the holder 1500, and the light source module 1200 includes the light emitting device package according to the above- The current flows in the light emitting device due to the first insulating layer 130 and the second insulating layer 170 disposed in the device, and the light emission is not concentrated around the electrode, so that a uniform light emitting effect can be obtained from the front surface.

커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 상기 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.The cover 1100 may have a shape of a bulb or a hemisphere and may be provided in a shape in which the hollow is hollow and a part is opened. The cover 1100 may be optically coupled to the light source module 1200. For example, the cover 1100 can diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 1200. The cover 1100 may be a kind of optical member. The cover 1100 may be coupled to the heat discharging body 1400. The cover 1100 may have an engaging portion that engages with the heat discharging body 1400.

커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.The inner surface of the cover 1100 may be coated with a milky white paint. Milky white paints may contain a diffusing agent to diffuse light. The surface roughness of the inner surface of the cover 1100 may be formed larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 1100. This is for sufficiently diffusing and diffusing light from the light source module 1200 and emitting it to the outside.

커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(1100)는 외부에서 상기 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 1100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 1100 may be transparent so that the light source module 1200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 1100 may be formed by blow molding.

광원 모듈(1200)은 상기 방열체(1400)의 일면에 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(1200)로부터의 열은 상기 방열체(1400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(1200)은 발광소자 패키지(1210), 연결 플레이트(1230), 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.The light source module 1200 may be disposed on one side of the heat discharger 1400. Accordingly, the heat from the light source module 1200 is conducted to the heat discharging body 1400. The light source module 1200 may include a light emitting device package 1210, a connection plate 1230, and a connector 1250.

부재(1300)는 상기 방열체(1400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자 패키지(1210)들과 커넥터(1250)가 삽입되는 가이드홈(1310)들을 갖는다. 가이드홈(1310)은 상기 발광소자 패키지(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응된다.The member 1300 is disposed on the upper surface of the heat discharging body 1400 and has guide grooves 1310 into which the plurality of light emitting device packages 1210 and the connector 1250 are inserted. The guide groove 1310 corresponds to the substrate of the light emitting device package 1210 and the connector 1250.

부재(1300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(1300)는 상기 커버(1100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(1200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(1100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 1300 may be coated or coated with a light reflecting material. For example, the surface of the member 1300 may be coated or coated with a white paint. The member 1300 reflects the light reflected by the inner surface of the cover 1100 and returns toward the light source module 1200 toward the cover 1100. Therefore, the light efficiency of the illumination device according to the embodiment can be improved.

부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(1400)와 상기 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(1230)와 상기 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(1400)는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 1300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 1230 of the light source module 1200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact can be made between the heat discharging body 1400 and the connecting plate 1230. The member 1300 may be made of an insulating material to prevent an electrical short between the connection plate 1230 and the heat discharger 1400. The heat discharger 1400 receives heat from the light source module 1200 and heat from the power supply unit 1600 to dissipate heat.

홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(1700)의 상기 절연부(1710)에 수납되는 상기 전원 제공부(1600)는 밀폐된다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 갖는다. 가이드 돌출부(1510)는 상기 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 1500 closes the receiving groove 1719 of the insulating portion 1710 of the inner case 1700. Therefore, the power supply unit 1600 housed in the insulating portion 1710 of the inner case 1700 is sealed. The holder 1500 has a guide protrusion 1510. The guide protrusion 1510 has a hole through which the projection 1610 of the power supply unit 1600 passes.

전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 상기 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납되고, 상기 홀더(1500)에 의해 상기 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 1600 processes or converts an electric signal provided from the outside and provides the electric signal to the light source module 1200. The power supply unit 1600 is housed in the receiving groove 1719 of the inner case 1700 and is sealed inside the inner case 1700 by the holder 1500. The power supply unit 1600 may include a protrusion 1610, a guide unit 1630, a base 1650, and an extension unit 1670.

상기 가이드부(1630)는 상기 베이스(1650)의 일측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(1630)는 상기 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(1650)의 일면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(Electro Static discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 1630 has a shape protruding outward from one side of the base 1650. The guide portion 1630 may be inserted into the holder 1500. A plurality of components may be disposed on one side of the base 1650. The plurality of components may include, for example, a DC converter for converting an AC power supplied from an external power source to a DC power source, a driving chip for controlling driving of the light source module 1200, an ESD (Electro Static discharge) protection device, but the present invention is not limited thereto.

상기 연장부(1670)는 상기 베이스(1650)의 다른 일측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extending portion 1670 has a shape protruding outward from the other side of the base 1650. The extension portion 1670 is inserted into the connection portion 1750 of the inner case 1700 and receives an external electrical signal. For example, the extension portion 1670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 1750 of the inner case 1700. The other end of each of the "+ wire" and the "wire" may be electrically connected to the socket 1800.

내부 케이스(1700)는 내부에 상기 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(1600)가 상기 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 1700 may include a molding part together with the power supply unit 1600 in the inner case 1700. The molding part is a hardened portion of the molding liquid so that the power supply providing part 1600 can be fixed inside the inner case 1700.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100: 기판 10, 110 : 발광 구조물
11, 111 : 제1 도전형 반도체층 12, 112 : 활성층
13, 113: 제2 도전형 반도체층 20, 120 : 제1 전극
30, 130 : 제1 절연층 50, 150 : 오믹전극층
170, 170a, 170b, 170c : 제2 절연층
180 : 캡핑층 190 : 지지기판
400 : 발광소자 패키지 500 : 영상표시장치100: substrate 10, 110: light emitting structure
11, 111: first conductivity type semiconductor layer 12, 112: active layer
13, 113: second conductivity type semiconductor layer 20, 120: first electrode
30, 130: first insulating layer 50, 150: ohmic electrode layer
170, 170a, 170b, and 170c:
180: capping layer 190: supporting substrate
400: light emitting device package 500: video display device

Claims

Board;
An ohmic electrode layer disposed on the substrate;
A light emitting structure disposed on the ohmic electrode layer and including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer;
A first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer;
A first insulating layer disposed vertically on the first electrode and disposed on one side of the ohmic electrode layer; And
And a second insulating layer disposed on the other side of the ohmic electrode layer so as to be vertically overlapped with the first insulating layer.

The light emitting device of claim 1, wherein the ohmic electrode layer is disposed to surround a side surface and a bottom surface of the first insulating layer.

The light emitting device according to claim 1, wherein the second insulating layer is spaced apart from the first insulating layer.

The light emitting device of claim 1, wherein the second insulating layer is disposed outside the ohmic electrode layer.

The light emitting device of claim 4, further comprising a capping layer disposed between the second insulating layer and the ohmic electrode layer and the substrate.

The light emitting device of claim 5, wherein the capping layer is disposed to surround the side surface and the bottom of the second insulating layer.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 6, wherein a horizontal distance from a side surface of the first electrode to a side surface of the second insulating layer is 50 to 200 占 퐉.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 6, wherein the width of the second insulating layer is larger than the width of the first insulating layer and is 15 times or less the width of the first insulating layer.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 6, wherein a width of the second insulating layer is larger than a width of the first electrode.

The light emitting device of claim 9, wherein a width of the second insulating layer is 4 to 43 times the width of the first electrode.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 6, wherein at least two or more of the second insulating layers are disposed apart from each other.

12. The light emitting device according to claim 11, wherein a horizontal distance between the second insulating layer disposed in the central region of the light emitting device and the second insulating layer disposed in the edge region of the light emitting device is 270 to 590 m.

12. The light emitting device of claim 11, wherein a width of the second insulating layer disposed in the edge region of the light emitting device among the second insulating layers is greater than 1/2 of a width of the second insulating layer disposed in the central region of the light emitting device device.