KR20150117034A - 고효율 perl 태양전지의 제조방법 및 그 태양전지 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고효율 PERL 태양전지의 제조방법 및 그 태양전지에 관한 것으로서, 실리콘 기판의 LDSE 구조 및 도금전극이 적용된 수광부면을 갖는 태양전지의 제조방법에 있어서, 상기 기판의 전면 수광부 면에 텍스처링에 의한 요철부 및 불순물 이온 도핑에 의한 에미터층을 기판의 후면 비수광면의 후면 마스크와 함께 형성하는 단계; 상기 불순물 이온 도핑에 의해 생성된 산화막과 후면 마스크를 제거하는 단계; 상기 산화막과 후면 마스크가 제거된 수광면에 tube furnace에서 열산화막 공정에 의해 생성된 SiO2의 열산화막과 PECVD 공정에 의해 생성된 질화산화막(SiNx)을 포함하여 2종 이상의 반사방지막을 적층하는 단계; 상기 비수광면에 다층의 패시베이션층을 적층하는 단계; 상기 비수광면의 패시베이션층 일부를 레이저에 의해 제거하는 단계; LDSE 공정을 이용하여 레이저에 의해 상기 수광면의 반사방지막 일부를 제거하고 선택적인 도핑을 하는 단계; 상기 패시베이션층의 일부가 제거된 비수광면의 부위에 Al 페이스트를 인쇄하고 소성하여 Al 전극 및 P+ 도핑층을 형성하는 단계; 및 상기 반사방지막의 일부가 제거된 수광면의 부위에 금속을 도금하고 열처리하여 도금전극을 형성하는 단계를 포함하여, 패시베이션 기능을 강화하고 개방전압이 개선되는 효과가 있다.
Description
본 발명은 수광면에 도금 전극을 적용한 고효율 PERL 태양전지의 제조방법 및 그 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 태양전지의 실리콘 기판의 수광면에 형성되는 반사방지막으로 SiO2의 열산화막과 질화산화막(SiNx)을 적용함으로써 패시베이션 기능을 강화하고 개방전압의 개선을 가져오며, 비수광면에 패시베이션층을 다층으로 적용하여 패시베이션 기능을 강화하고 반사율을 개선하도록 한 고효율 PERL 태양전지의 제조방법 및 그 태양전지에 관한 것이다.
일반적인 태양전지의 구조를 살펴보면 전면과 후면에 각각 전극이 형성되거나 또는 후면에 양단의 전극이 교차되며 형성되는 구조를 갖는데, 종래 P-type 기판을 사용하는 PERL(Passivated Emitter, Rear Locally diffused) 태양전지에서는 전면의 수광면에 반사방지막으로 SiNx 등의 이중막을 사용하거나, 상기 수광면에 LDSE(Laser Doped Selective Emitter) 공정에 의해 도핑된 n+ 에미터층과 도금전극을 형성하고 있다. 또한 후면의 비수광면에는 기판 표면의 재결합을 감소시키기 위해 패시베이션층을 형성하게 된다.
그러나 전면의 수광면에서 반사방지막으로 SiNx 등의 이중막을 사용하는 종래 PERL 태양전지는 에미터층을 보호하는 패시베이션(passivation)의 표면 재결합 억제 기능에 다소 부족한 점이 있고, 후면의 비수광면에 있어서도 패시베이션층을 형성하기는 하나 이도 역시 패시베이션의 기능이 다소 부족하고 반사율도 그다지 높지 않다고 하는 문제가 있다.
이와 같이 종래의 수광면에 도금 전극을 적용한 PERL 태양전지는 전지의 효율을 높이기 위한 개방전압이 다소 낮고 패시베이션 기능이 다소 부족하며 반사율도 낮기 때문에, 전면의 수광면에 형성하는 반사방지막과 후면의 비수광면에 형성하는 패시베이션층을 형성하기 위한 공정을 개선하여, 개방전압을 상승시키고 패시베이션 기능을 강화하며 반사율을 높여 전지의 효율성을 높일 필요가 있다.
본 발명의 고효율 PERL 태양전지의 제조방법은 상기한 바와 같은 종래 PERL 태양전지의 효율성을 개선하기 위해 안출된 것으로서, 태양전지의 수광면에서의 개방전압의 개선과 비수광면에서의 패시베이션 기능을 강화하고 반사율을 높이기 위해, 상기 수광면의 반사방지막을 열산화막 공정에 의해 생성된 SiO2의 열산화막과 PECVD 공정에 의해 생성된 질화산화막(SiNx)으로 적층하여 형성하며, 상기 비수광면의 패시베이션층으로 AlO3, SiNx, SiOxNy를 다층으로 적층하여 형성하도록 한 고효율 PERL 태양전지의 제조방법을 제공함에 있다.
다른 목적은 상기한 바와 같은 제조방법으로 만들어진 태양전지를 제공함에 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명의 고효율 PERL 태양전지의 제조방법은, 실리콘 기판의 LDSE 구조 및 도금전극이 적용된 수광부면을 갖는 태양전지의 제조방법에 있어서, 상기 기판의 전면 수광부 면에 텍스처링에 의한 요철부 및 불순물 이온 도핑에 의한 에미터층을 기판의 후면 비수광면의 후면 마스크와 함께 형성하는 단계; 상기 불순물 이온 도핑에 의해 생성된 산화막과 후면 마스크를 제거하는 단계; 상기 산화막과 후면 마스크가 제거된 수광면에 tube furnace에서 열산화막 공정에 의해 생성된 SiO2의 열산화막과 PECVD 공정에 의해 생성된 질화산화막(SiNx)을 포함하여 2종 이상의 반사방지막을 적층하는 단계; 상기 비수광면에 다층의 패시베이션층을 적층하는 단계; 상기 비수광면의 패시베이션층 일부를 레이저에 의해 제거하는 단계; LDSE 공정을 이용하여 레이저에 의해 상기 수광면의 반사방지막 일부를 제거하고 선택적인 도핑을 하는 단계; 상기 패시베이션층의 일부가 제거된 비수광면의 부위에 Al 페이스트를 인쇄하고 소성하여 Al 전극을 형성하는 단계; 및 상기 반사방지막의 일부가 제거된 수광면의 부위에 금속을 도금하고 열처리하여 도금전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또 상기 실리콘 기판으로 P-type, N-type 기판 및 80ohm/sq 이상의 고면저항 에미터를 사용하는 것이 바람직하다.
또 상기 tube furnace에서의 열산화막 공정은 700~1000℃에서 이루어지는 것이 바람직하다.
또 상기 비수광면에 적층하는 다층의 패시베이션층으로 Al2O3, SiNx, SiOxNy 등을 조합하여 적층하는 것이 바람직하다.
또 상기 SiO2은 비수광면에 적층하여 패시베이션층으로 사용하는 것도 바람직하다.
또 상기 수광면에는 LDSE 구조 및 도금 전극을 적용하는 것이 바람직하다.
또 상기 태양전지의 제조방법에 의해 만들어진 태양전지를 사용하는 것을 다른 특징으로 하고 있다.
본 발명의 고효율 PERL 태양전지의 제조방법 및 그 태양전지에 의하면, 실리콘 기판의 전면 수광면의 에미터를 보호하는 패시베이션 품질 측면에서 우수한 열산화막을 반사방지막으로 사용하여 전지의 개방전압(Voc)의 개선을 가져오며, 이는 80ohm/sq 이상의 고면저항을 갖는 P-type 기판의 태양전지에서 수광면의 에미터층에 대하여 반사방지막으로 열산화막을 적용하는 경우 저면저항 대비 개방전압(Voc)의 개선이 더욱 증대되는 효과가 있다.
또 레이저를 이용한 selective emitter 구조를 적용하여 고면저항 에미터를 사용하므로 태양전지의 효율성을 평가하는 충진율(FF:Fill Factor)을 개선할 수 있고, 기판의 전면 수광면에 도금전극을 적용함으로써 수광면 표면에 발생 가능한 결함을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
또한 기판의 후면 비수광면에 형성하는 패시베이션층을 다층으로 형성함으로써 기판 표면의 결함을 감소시키고, 반사율을 개선하며, 후면 비수광면의 전극을 Al 페이스트로 인쇄하고 소성하며 후면 비수광면의 일부 영역에 p+을 형성하여 개방전압(Voc)의 개선을 가져오는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법에 의해 만들어지는 태양전지의 공정 순서도
도 2는 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법에 의해 만들어지는 태양전지의 단면 모식도
도 2는 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법에 의해 만들어지는 태양전지의 단면 모식도
이하, 본 발명에 따른 고효율 PERL 태양전지의 제조방법 및 그 태양전지의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조로 하여 상세히 설명한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법에 의해 만들어지는 태양전지의 공정 순서도이고, 도 2는 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법에 의해 만들어지는 태양전지의 단면 모식도를 도시한 것이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 고효율 PERL 태양전지의 제조방법은 먼저 p-type 실리콘(Si) 기판을 사용하는 경우, 상기 실리콘 기판(1)의 전면 수광면에 텍스처링(texturing)에 의해 요철부를 형성하고 인(P) 불순물 이온의 도핑에 의해 n+ 에미터층(2)을 형성하며, 후면 비수광면에는 도핑에 의해 상기 에미터층을 형성할 때 후면이 도핑되는 것을 방지하기 위해 일종의 방지막으로 후면 마스크를 형성한다. 상기 실리콘 기판의 수광면에 도핑에 의해 형성하는 n+ 에미터층(2)은 실리콘 기판에 일정 깊이로 형성한 것이다.
다음에 실리콘 기판(1)의 전면 수광면에 예컨대 인(P)의 도핑에 의해 확산 부산물층으로 형성된 산화막인 PSG(phosphor-silicate glass)막과 후면에 형성한 후면 마스크를 제거한다.
다음에 상기 실리콘 기판(1)의 전면 수광면의 n+ 에미터층(2) 위에 반사방지막으로 SiO2의 열산화막(3)과 질화산화막(SiNx)(4)을 차례로 적층하되, 상기 SiO2의 열산화막(3)은 700~1000℃의 tube furnace에서 저온 산화공정인 열산화막 공정에 의해 생성하여 n+ 에미터층(2)에 형성하며, 굴절률 변경을 위한 상기 질화산화막(SiNx)(4)은 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition) 공정에 의해 생성하여 SiO2의 열산화막(3) 위에 형성한다. 여기에서는 2종의 반사방지막을 n+ 에미터층(2) 위에 형성하는 것으로 되어 있으나, 그 외 다른 물질들과 함께 3종 이상의 반사방지막을 적층하는 것도 가능하다. 또한 각 층의 굴절률과 두께를 변경하는 것도 가능하다. 상기 SiO2의 열산화막(3)은 n+ 에미터층(2)의 패시베이션(passivation) 측면에서 우수한 열산화막이다.
상기 SiO2는 상기한 바와 같이 수광면의 n+ 에미터층(2)에 인접하는 반사방지막으로 사용하지만, 실리콘 기판 후면의 비수광면의 p+ 도핑층(6)에 인접하는 박막으로 사용할 수도 있다.
다음에 실리콘 기판(1)의 후면의 비수광면에 다층으로 패시베이션층(5)을 형성하되, 다층의 상기 패시베이션층(5)은 Al2O3, SiNx 및 SiOxNy 등을 조합하여 적층하는 것에 의해 형성한다. 이러한 다층의 패시베이션층(5)에 의해 기판의 후면을 패시베이션(passivation)하면서 반사율을 개선할 수 있다.
다음에 실리콘 기판(1)의 후면 비수광면의 Al 전극(8)이 기판의 비수광면과 접촉할 수 있도록 레이저에 의해 후면의 다층 패시베이션층(5) 일부를 제거한다.
다음에 실리콘 기판(1)의 전면 수광면의 도금전극(7)이 n+ 에미터층(2)과 접촉할 수 있도록 레이저를 이용한 반사방지막 제거 공정 또는 국부적인 도핑까지 포함할 수 있는 공정인 LDSE 공정(Laser Doped Selective Emitter)에 의해 전면 반사방지막의 일부를 제거하여 N+ 에미터층(2)이 노출되도록 한다. 이와 같은 형태의 도금전극(7)을 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법에 적용하면 에미터층에 추가되는 결함을 최소화 할 수 있다.
다음에 실리콘 기판(1)의 후면 비수광면의 노출된 p+ 도핑층(6)과 접촉하도록 Al 페이스트를 인쇄하고 소성하여 후면 Al 전극(8)을 형성한다. 이렇게 형성된 Al 전극(8)에 의해 Local back surface field(p+)을 형성하여 개방전압(Voc)을 개선할 수 있다.
다음에 실리콘 기판(1)의 전면 수광면의 노출된 n+ 에미터층(2)과 접촉하도록 Ni, Cu, Sn, Ag 등의 금속을 도금하여 도금전극(7)을 형성하고 열처리를 실시한다.
본 발명에 따른 제조방법이 적용되는 상기 실리콘 기판(1)은 P-type 기판을 사용하는 것이 바람직하며, 그 외 N-type 기판에도 적용하여 사용할 수 있다. 80ohm/sq 이상의 고면저항을 갖는 상기 P-type 기판에 형성된 N+ 에미터층에 반사방지막으로 열산화막을 적용하는 경우 저면저항 에미터에 적용한 것 대비 개방전압을 더욱 개선할 수 있다.
또한 레이저를 이용한 Selective Emitter 구조를 적용하여 고면저항 에미터층을 사용하면 태양전지의 효율성과 관련 있는 충진율(FF:Fill Factor)을 개선할 수 있다.
상기한 바와 같은 제조방법에 의해 도 2에 도시한 바와 같이, P-type 실리콘 기판(1)의 전면 수광면의 80ohm/sq 이상의 고면저항 N+ 에미터층(2)에는 반사방지막으로 SiO2의 열산화막(3)과 질화산화막(SiNx)(4) 등이 적층되고, LDSE 공정에 의해 노출된 n+ 에미터층(2)과 접촉하는 도금전극(7)이 형성된다. 또한 상기 실리콘 기판(1)의 후면 비수광면에는 다층의 패시베이션층(5)이 적층되고, 레이저에 의해 노출된 기판 표면에 Al 전극(8)이 접촉되며, P+ 도핑층이 국부적으로 형성된다.
이상과 같이 본 발명에 따른 고효율 PERL 태양전지의 제조방법에 대해서 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 당업자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 물론이다.
1 : 실리콘 기판
2 : n+ 에미터층
3 : SiO2의 열산화막 4 : 질화산화막(SiNx)
5 : 패시베이션층 6 : p+ 도핑층
7 : 도금전극 8 : Al 전극
3 : SiO2의 열산화막 4 : 질화산화막(SiNx)
5 : 패시베이션층 6 : p+ 도핑층
7 : 도금전극 8 : Al 전극
Claims (7)
- 실리콘 기판의 LDSE 구조 및 도금전극이 적용된 수광부면을 갖는 태양전지의 제조방법에 있어서,
상기 기판의 전면 수광부 면에 텍스처링에 의한 요철부 및 불순물 이온 도핑에 의한 에미터층을 기판의 후면 비수광면의 후면 마스크와 함께 형성하는 단계;
상기 불순물 이온 도핑에 의해 생성된 산화막과 후면 마스크를 제거하는 단계;
상기 산화막과 후면 마스크가 제거된 수광면에 tube furnace에서 열산화 공정에 의해 생성된 SiO2의 열산화막과 PECVD 공정에 의해 생성된 질화산화막(SiNx)을 포함하는 2종 이상의 반사방지막을 적층하는 단계;
상기 비수광면에 다층의 패시베이션층을 적층하는 단계;
상기 비수광면의 패시베이션층 일부를 레이저에 의해 제거하는 단계;
LDSE 공정을 이용하여 레이저에 의해 상기 수광면의 반사방지막 일부를 제거하고 선택적인 도핑을 하는 단계;
상기 패시베이션층의 일부가 제거된 비수광면의 부위에 Al 페이스트를 인쇄하고 소성하여 Al 전극을 형성하는 단계; 및
상기 반사방지막의 일부가 제거된 수광면의 부위에 금속을 도금하고 열처리하여 도금전극을 형성하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 PERL 태양전지의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 실리콘 기판으로 P-type 또는 N-type 기판과 80ohm/sq 이상의 고면저항, N+ 또는 P+ 도핑층을 사용하는 것을 특징으로 하는 고효율 PERL 태양전지의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 tube furnace에서의 열산화막 공정은 700~1000℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고효율 PERL 태양전지의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 비수광면에 적층하는 다층의 패시베이션층으로 Al2O3, SiNx, SiOxNy 등을 조합하여 적층하는 것을 특징으로 하는 고효율 PERL 태양전지의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 SiO2은 비수광면에 적층하여 패시베이션층으로 사용하는 것을 특징으로 하는 고효율 PERL 태양전지의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 SiO2를 형성하는 표면에 Reactive Ion Etching 공정이 적용되어 미세 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고효율 PERL 태양전지의 제조방법. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 태양전지의 제조방법에 의해 만들어진 태양전지.
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN110148636A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-08-20 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
| CN111584685A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-25 | 江西展宇新能科技有限公司 | 一种新型太阳能电池及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110018070A (ko) * | 2009-08-17 | 2011-02-23 | 미리넷솔라 주식회사 | 고효율 태양전지 셀 구조 및 그 제조방법 |
| KR20130013916A (ko) * | 2011-07-29 | 2013-02-06 | 미리넷솔라 주식회사 | 레이저 어닐링을 이용하여 선택적 고농도 에미터층을 형성한 태양전지 및 그 태양전지 제조 방법 |
| KR20130071698A (ko) * | 2011-12-21 | 2013-07-01 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
| KR20130136772A (ko) * | 2012-06-05 | 2013-12-13 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그 제조 방법 |
-
2014
- 2014-04-09 KR KR1020140042255A patent/KR20150117034A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110018070A (ko) * | 2009-08-17 | 2011-02-23 | 미리넷솔라 주식회사 | 고효율 태양전지 셀 구조 및 그 제조방법 |
| KR20130013916A (ko) * | 2011-07-29 | 2013-02-06 | 미리넷솔라 주식회사 | 레이저 어닐링을 이용하여 선택적 고농도 에미터층을 형성한 태양전지 및 그 태양전지 제조 방법 |
| KR20130071698A (ko) * | 2011-12-21 | 2013-07-01 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
| KR20130136772A (ko) * | 2012-06-05 | 2013-12-13 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그 제조 방법 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110148636A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-08-20 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
| CN111584685A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-25 | 江西展宇新能科技有限公司 | 一种新型太阳能电池及其制备方法 |
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