KR20150103193A - 유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판 제조 장치 - Google Patents

유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판 제조 장치

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KR20150103193A
KR20150103193A KR1020157020615A KR20157020615A KR20150103193A KR 20150103193 A KR20150103193 A KR 20150103193A KR 1020157020615 A KR1020157020615 A KR 1020157020615A KR 20157020615 A KR20157020615 A KR 20157020615A KR 20150103193 A KR20150103193 A KR 20150103193A
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Abstract

유리 제품의 백금 이물을 저감하는 것이 가능한 유리 기판의 제조 방법은, 용해 공정과, 청징 공정과, 성형 공정을 포함한다. 청징 공정에 있어서 이용되는 청징조는, 백금 또는 백금 합금으로 구성되어, 청징조를 통전 가열하기 위한 플랜지 형상의 전극을 갖고, 청징 공정에 있어서, 통전 가열된 청징조에, 기상 공간을 갖도록 액위를 조정해서 용융 유리를 통과시킴으로써 탈포를 행하고, 전극의 발열을 억제하기 위해 전극을 냉각하고, 전극의 냉각은, 상기 청징조의 벽의 온도가, 상기 청징조의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록 제어되고 있다.

Description

유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판 제조 장치{METHOD FOR MANUFACTURING GLASS SUBSTRATE AND GLASS SUBSTRATE MANUFACTURING APPARATUS}
본 발명은 유리 원료를 용융해서 유리 기판을 제조하는, 유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판 제조 장치에 관한 것이다. 특히, 유리 기판의 제조 방법에 있어서의 청징 공정에 관한 것이다.
유리 기판은, 일반적으로, 유리 원료로부터 용융 유리를 생성시킨 후, 용융 유리를 유리 기판으로 성형하는 공정을 거쳐 제조된다. 상기한 공정 중에는, 용융 유리가 내포하는 미소한 기포를 제거하는 공정(이하, 청징라고도 함)이 포함된다. 청징은, 관 형상의 청징조의 본체를 가열하면서, 이 청징조 본체(이하, 간단히 본체라고도 함)에 청징제를 배합시킨 용융 유리를 통과시켜, 청징제의 산화 환원 반응에 의해 용융 유리 중의 기포가 제거됨으로써 행하여진다. 보다 구체적으로는, 조용해(粗熔解)한 용융 유리의 온도를 더 올려 청징제를 기능시켜 기포를 부상 탈포시킨 후, 온도를 낮춤으로써, 탈포할 수 없어 남은 비교적 작은 기포는 용융 유리에 흡수시키도록 하고 있다. 즉, 청징은, 기포를 부상 탈포시키는 처리(이하, 탈포 처리 또는 탈포 공정이라고도 함) 및 소기포를 용융 유리에 흡수시키는 처리(이하, 흡수 처리 또는 흡수 공정이라고도 함)를 포함한다. 청징제는 종래 As2O3이 일반적이었지만, 최근의 환경 부하의 관점으로부터, SnO2 등이 이용되어 오고 있다.
고온의 용융 유리로부터 품위가 높은 유리 기판을 양산하기 위해서는, 유리 기판의 결함의 요인이 되는 이물 등이, 유리 기판을 제조하는 어떤 장치로부터도 용융 유리에 혼입되지 않도록 고려하는 것이 바람직하다. 이로 인해, 유리 기판의 제조 과정에 있어서 용융 유리에 접하는 부재의 내벽은, 그 부재에 접하는 용융 유리의 온도, 요구되는 유리 기판의 품질 등에 따라 적절한 재료에 의해 구성할 필요가 있다. 예를 들어, 상술한 청징조 본체를 구성하는 재료는, 통상 백금 또는 백금 합금 등의 백금족 금속이 이용되고 있는 것이 알려져 있다(특허문헌 1). 백금 또는 백금 합금은 고가이기는 하지만 융점이 높고, 용융 유리에 대한 내식성에도 우수하다.
탈포 공정 시에 청징조 본체를 가열하는 온도는, 성형해야 할 유리 기판의 조성에 의해 상이하지만, 1600℃ 내지 1700℃ 정도이다.
청징조 본체를 가열하는 기술로서 예를 들어, 청징조 본체에 1쌍의 플랜지 형상의 전극을 설치하고, 이 전극쌍에 전압을 인가함으로써, 청징조 본체를 통전 가열하는 기술이 알려져 있다(특허문헌 2). 또한, 플랜지 형상의 전극에는, 구리나 니켈로 구성되는 수냉관이 설치되어 있다.
일본 특허 공표 제2006-522001호 공보 일본 특허 공표 제2011-513173호 공보
최근, 유리 기판에 포함되는 백금 이물이 문제가 되고 있다.
예를 들어, 액정 디스플레이(LCD), 유기 EL 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이에 사용되는 유리 기판(FPD용 유리 기판)에 포함되는 백금 이물은 최근 특히 엄격하게 제한되고 있다. 또한, 플랫 패널 디스플레이용에 한정되지 않고, 다른 용도에서도 문제가 되고 있다.
그러나, 상기 특허문헌 2에 기재되어 있는 바와 같이, 플랜지 형상의 전극을 수냉관에서 냉각하면, 청징조의 전극 근방의 위치에서는, 국소적으로 온도가 저하된다.
한편, 청징조 본체의 내부 표면이, 백금 또는 백금 합금(백금족 금속)으로 구성되어 있는 경우, 기상 공간(산소를 포함하는 분위기)에 접하는 부분이 휘발된다. 휘발된 백금 또는 백금 합금은, 청징조의 전극 근방의 국소적으로 온도가 저하된 위치에서 응축하여, 응축물로 되어 부착된다. 이 응축물의 일부는 탈포 공정 중의 용융 유리 중으로 낙하되어 혼입되어, 유리 기판에 백금 이물로서 혼입될 우려가 있었다.
본 발명은 이상의 점을 감안하여, 유리 제품의 백금 이물을 저감시키는 것이 가능한 유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판 제조 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명은 이하의 형태를 갖는다.
[형태 1]
용해 공정과, 청징 공정과, 성형 공정을 포함하는 유리 기판의 제조 방법이며,
상기 청징 공정에 있어서 이용되는 청징조는, 백금 또는 백금 합금으로 구성되어, 상기 청징조를 통전 가열하기 위한 플랜지 형상의 전극을 갖고,
상기 청징 공정에 있어서,
상기 통전 가열된 청징조에, 기상 공간을 갖도록 액위를 조정해서 상기 용융 유리를 통과시킴으로써 탈포를 행하고,
상기 전극의 발열을 억제하기 위해 상기 전극을 냉각하고,
상기 전극의 냉각은, 상기 청징조의 벽의 온도가, 상기 청징조의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록 제어되고 있는 것을 특징으로 하는 유리기판의 제조 방법.
[형태 2]
상기 청징 공정에 있어서,
상기 전극 또는 상기 전극 근방의 청징조의 온도를 측정하고,
상기 측정한 온도에 기초하여, 상기 전극의 냉각량을 조정하는, 형태 1에 기재된 유리 기판의 제조 방법.
[형태 3]
상기 청징 공정에 있어서,
상기 측정한 전극 또는 전극 근방의 청징조의 온도가, 미리 결정된 온도 범위 내인지 아닌지를 판정하고, 상기 판정한 결과, 측정한 온도가 상기 미리 결정된 온도 범위 이외에 있을 때, 상기 냉각량을 조정하는, 형태 2에 기재된 유리 기판의 제조 방법.
[형태 4]
상기 청징 공정에 있어서,
청징제로서 산화 주석이 이용되는, 형태 1 내지 3 중 어느 한 항에 기재된 유리 기판의 제조 방법.
[형태 5]
상기 전극은, 냉매를 통과시키기 위한 냉각관을 갖고,
상기 청징 공정은,
상기 냉각관에 통과시키는 냉매의 양을 증감시킴으로써, 냉각량을 조정하는, 형태 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 유리 기판의 제조 방법.
[형태 6]
상기 냉매는 기체인 형태 5에 기재된 유리 기판의 제조 방법.
[형태 7]
용해조와, 청징조와, 성형 장치를 포함하는 유리 기판 제조 장치이며,
상기 청징조는 백금 또는 백금 합금으로 구성되고, 상기 청징조를 통전 가열하기 위한 플랜지 형상의 전극을 갖고,
상기 전극은 상기 전극의 발열을 억제하기 위해 냉각되고,
상기 전극의 냉각은, 상기 청징조의 벽의 온도가, 상기 청징조의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록 제어되고 있는 것을 특징으로 하는 유리 기판 제조 장치.
본 발명의 유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판 제조 장치에 따르면, 유리 제품의 백금 이물을 저감시킬 수 있다.
도 1은 본 실시 형태의 유리 기판의 제조 방법의 간단한 공정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2는 본 실시 형태의 유리 기판 제조 장치의 개략적인 배치도이다.
도 3은 본 실시 형태의 청징조의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 4는 본 실시 형태에 따른 청징 공정에 있어서, 제어 장치가 전극의 냉각을 조정하는 방법의 일례를 도시하는 흐름도이다.
도 5는 청징조의 길이 방향의 온도 분포의 일례를 도시하는 도면이다.
도 6은 전극의 온도와 시간의 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 유리 기판의 제조 방법의 실시 형태에 대해 설명한다.
도 1은 본 실시 형태의 유리 기판의 제조 방법의 공정을 도시하는 흐름도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 유리 기판은, 주로 용해 공정(ST1), 청징 공정(ST2), 균질화 공정(ST3), 공급 공정(ST4), 성형 공정(ST5), 서냉 공정(ST6), 절단 공정(ST7)을 거쳐 제작된다.
또한, 도 2는 상술한 용해 공정(ST1) 내지 절단 공정(ST7)을 거쳐 제작되는 본 실시 형태의 유리 기판 제조 장치의 개략도이고, 각 공정에 있어서 사용되는 장치의 배치를 개략적으로 나타내고 있다.
　도 2에 도시한 바와 같이, 유리 기판 제조 장치(200)는 유리 원료를 가열해서 용융 유리를 생성하는 용해 장치(40)와, 용융 유리를 청징하는 청징조(41)와, 용융 유리를 교반해서 균질화하기 위한 교반 장치(100)와, 유리 기판에 성형하는 성형 장치(42)를 구비하고 있다. 또한, 용융 유리를 상술한 장치 사이로 이송하는 유리 공급관(43a, 43b, 43c)을 갖는다. 용해 장치(40) 이후, 성형 장치(42)까지의 각 장치 사이를 접속하는 유리 공급관(43a, 43b, 43c) 및 청징조(41)와 교반 장치(100)는 백금족 금속으로 구성되어 있다.
용해 장치(40)는 내화벽돌 등의 내화물에 의해 구성되어 있다. 또한, 용해 장치(40)에는, 도시되지 않는 연료와 산소 등을 혼합한 연소 가스가 연소해서 화염을 발하는 버너 등의 가열 수단이 설치되어 있다.
용해 공정(ST1)에서는, 예를 들어 SnO2 등의 청징제가 첨가되어 용해 장치(40) 내에 공급된 유리 원료를, 상술한 가열 수단으로 가열해서 용해함으로써 용융 유리 MG를 얻는다. 구체적으로는, 도시되지 않는 원료 투입 장치를 이용해서 유리 원료가 용융 유리의 액면에 공급된다. 유리 원료는, 버너의 화염으로부터의 복사열에 의해 가열된다. 유리 원료는, 상술한 가열 수단에 의해 가열되어 서서히 용해되고, 용융 유리 MG 중에 녹는다.
또한, 상기 가열 수단은, 예를 들어 몰리브덴, 백금 또는 산화 주석 등으로 구성된 적어도 1쌍의 전극이여도 된다. 이 경우, 용융 유리 MG는 상기 전극 사이에 전류를 흘림으로써 통전 가열되어, 승온되어도 된다.
용해 장치(40)에 투입되는 유리 원료는, 제조해야 할 유리 기판의 조성에 따라 적절히 조제된다. 일례로서 TFT형 LCD용 기판으로서 이용하는 유리 기판을 제조하는 경우를 들면, 유리 기판을 구성하는 유리 조성물을 질량％로 표시하여,
SiO2:50 내지 70％,
Al2O3:0 내지 25％,
B2O3:1 내지 15％,
MgO:0 내지 10％,
CaO:0 내지 20％,
SrO:0 내지 20％,
BaO:0 내지 10％,
RO:5 내지 30％(단, R은 Mg, Ca, Sr 및 Ba의 합량)
를 함유하는 무알칼리 유리인 것이 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에서는 무알칼리 유리로 했지만, 유리 기판은 알칼리 금속을 미량 포함한 알칼리 미량 함유 유리이여도 된다. 알칼리 금속을 함유시키는 경우, R'2O의 합계가 0.10％ 이상 0.5％ 이하, 바람직하게는 0.20％ 이상 0.5％ 이하(단, R'은 Li, Na 및 K로부터 선택되는 적어도 1종이고, 유리 기판을 함유하는 것이다) 포함하는 것이 바람직하다. 물론, R'2O의 합계가 0.10％보다 낮아도 된다.
또한, 본 발명의 유리 기판의 제조 방법을 적용하는 경우는, 유리 조성물이, 상기 각 성분에 이외에, 질량％로 표시하여, SnO2:0.01 내지 1％(바람직하게는 0.01 내지 0.5％), Fe2O3:0 내지 0.2％(바람직하게는 0.01 내지 0.08％)를 함유하고, 환경 부하를 고려하여, As2O3, Sb2O3 및 PbO를 실질적으로 함유하지 않도록 유리 원료를 제조해도 된다.
다음의 청징 공정(ST2)은, 청징조(41)에서 행하여진다. 청징 공정에서는, 청징조(41) 내의 기상 공간을 갖도록 용융 유리 MG의 액위를 조정해서 용융 유리 MG를 통과시킨다. 이 때, 청징조(41) 내의 용융 유리 MG가 소정 온도(상기 조성의 유리의 경우는 예를 들어 1600℃ 이상)로 승온됨으로써, 용융 유리 MG 중에 포함되는 O2, CO2 또는 SO2를 포함한 기포가, 예를 들어 SnO2 등의 청징제의 환원 반응에 의해 생긴 O2를 흡수해서 성장하고, 용융 유리 MG의 액면으로 부상해서 방출된다. 그 후, 유리 공급관(43b) 등에 있어서 용융 유리 MG의 온도를 저하시킴으로써, SnO2 등의 청징제가 환원 반응해서 얻어진 SnO가 산화 반응을 함으로써, 용융 유리 MG에 잔존하는 기포 중의 O2 등의 가스 성분이 용융 유리 MG 중에 흡수되어, 기포가 소멸한다. 청징제에 의한 산화 반응 및 환원 반응은 용융 유리 MG의 온도를 제어함으로써 행하여진다.
균질화 공정(ST3)에서는, 유리 공급관(43b)을 통해 공급된 교반 장치(100) 내의 용융 유리 MG를, 후술하는 교반기를 이용해 교반함으로써, 유리 성분의 균질화를 행한다. 교반 장치(100)는, 1개의 교반기를 이용해서 용융 유리 MG를 교반하지만, 2개 이상의 교반기를 이용해서 용융 유리 MG를 교반할 수도 있다.
공급 공정(ST4)에서는, 유리 공급관(43c)을 통해 용융 유리 MG가 성형 장치(42)에 공급된다. 용융 유리는, 청징조(41)로부터 성형 장치에 보내질 때의 유리 공급관(43c)에 있어서, 성형에 적합한 온도(상기 조성의 유리의 경우는 예를 들어 1200℃ 정도)로 되도록 냉각된다.
성형 장치(42)에서는, 성형 공정(ST5) 및 서냉 공정(ST6)이 행하여진다.
성형 공정(ST5)에서는, 용융 유리 MG를 시트 형상 유리(44)로 성형하고, 시트 형상 유리(44)의 흐름을 만든다. 서냉 공정(ST6)에서는, 성형되어 흐르는 시트 형상 유리(44)가 원하는 두께로 되고, 내부 변형이 생기지 않도록 냉각된다.
절단 공정(ST7)에서는, 도시하지 않는 절단 장치에 있어서, 성형 장치(42)로부터 공급된 시트 형상 유리(44)를 소정의 길이로 절단함으로써, 판 형상의 유리 기판을 얻는다. 절단된 유리 기판은 또한 소정의 사이즈로 절단되어 목표 사이즈의 유리 기판이 제작된다. 이후, 유리 기판의 단면의 연삭, 연마 및 유리 기판의 세정이 행하여지고, 또한, 기포나 흠집, 오염 등의 결점의 유무가 검사된 후, 검사 합격품의 유리 기판이 최종 제품으로서 포장된다.
[청징조(41)의 구성]
다음에, 도 3을 이용하여, 청징조(41)의 구성을 설명한다. 도 3은 실시 형태의 청징조(41)의 구성을 도시하는 개략도이다. 청징조(41)에서는, 청징조(41)의 벽의 온도가, 청징조(41)의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록 제어되고 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 청징조(41)는 통 형상의 형상을 갖고 있고, 백금 또는 백금 합금으로 구성되어 있다. 청징조(41)의 양단부의 외주면에는, 전극(50a, 50b)이 용접되어 있다. 전극(50a, 50b)은, 청징조(41)를 통전 가열하기 위해 이용되고, 전원 장치(52)에 접속되어 있다. 전극(50a, 50b)의 사이에 전압이 인가됨으로써, 전극(50a, 50b)의 사이의 청징조(41)에 전류가 흘러, 청징조(41)가 통전 가열된다. 이 통전 가열에 의해, 청징조(41)는 예를 들어, 1650℃ 내지 1700℃ 정도로 가열되고, 유리 공급관(43a)으로부터 공급된 용융 유리 MG는 탈포에 적합한 온도, 예를 들어 1600℃ 내지 1700℃ 정도로 가열된다.
또한, 전극(50a, 50b)에는 각각, 냉매 공급 장치(54a, 54b), 온도 계측 장치(56a, 56b), 제어 장치(58a, 58b)가 접속되어 있다. 전극(50a, 50b)의 외주에는 냉각관(502a, 502b)이 설치되어 있다.
또한, 전극(50a)은 전극(50b)과, 냉각관(502a)은 냉각관(502b)과, 냉매 공급 장치(54a)는 냉매 공급 장치(54b)와, 온도 계측 장치(56a)는 온도 계측 장치(56b)와, 제어 장치(58a)는 제어 장치(58b)와 각각 동일한 구성을 가지므로, 이하, 전극(50a, 50b)을 전극(50)으로 총칭하고, 냉매 공급 장치(54a, 54b)를 냉매 공급 장치(54)로 총칭하고, 온도 계측 장치(56a, 56b)를 온도 계측 장치(56)로 총칭하고, 냉각관(502a, 502b)을 냉각관(502)으로 총칭하고, 제어 장치(58a, 58b)는 제어 장치(58)로 총칭하여 설명한다.
전극(50)은 백금 또는 백금 합금으로 구성되어 있다. 또한, 본 실시예에서는, 전극(50)이 백금 또는 백금 합금으로 구성되어 있는 경우를 구체예로서 설명하지만, 전극(50)의 일부가 팔라듐, 은, 구리 등의 다른 금속으로 구성되어 있어도 된다. 예를 들어, 백금 또는 백금 합금은 고가이므로, 전극(50)의 비교적 온도가 낮은 장소에서는, 팔라듐, 은, 구리 등을 사용해도 된다. 전극(50)은, 판 형상으로 형성되어, 청징조(41)의 양단부의 외주면에 서로의 전극[50(50a, 50b)]이 거의 평행해지도록 용접되어 설치된다. 또한, 전극(50)에는, 전원 장치(52)와 접속하기 위해, 일부가 돌출된 돌출부가 설치되어 플랜지 형상을 이루고 있다. 이 돌출부는, 청징조(41)로부터 돌출되어 있으므로, 청징조(41)의 외기에 의해 냉각된다. 이로 인해, 전극(50) 근방의 청징조(41)가 냉각된다.
또한, 전극(50)의 형상, 설치 위치, 설치 방법은 전원 장치(52)로부터 흐른 전류가 전극(50), 청징조(41)를 흘러, 용융 유리 MG를 가열할 수 있으면 되고, 임의이다.
전극(50)에는, 온도 계측 장치(56)가 접속되어 있다. 예를 들어, 온도 계측 장치(56)는 열전대로 구성된다. 온도 계측 장치(56)는 각각, 전극(50)의 온도를 계측하고, 계측한 결과를 제어 장치(58)에 출력한다. 온도 계측 장치(56)가 계측하는 온도는, 전극(50)의 온도 대신에, 전극(50) 근방의 청징조의(벽의) 온도를 계측하고, 후술하는 전극(50)의 냉각의 제어에 이용해도 된다. 전극(50) 근방이라 함은, 전극(50)의 위치로부터 50㎝의 범위 내를 의미한다.
또한, 전극(50)의 발열을 억제하기 위해, 전극(50)의 주위에 접촉되도록 냉각관(502)이 설치되어 있다. 즉, 전극(50)은 냉각관(502)에 의해 냉각되어 발열이 억제된다. 즉, 전극(50)이 냉각되어 전극(50)의 발열이 억제된다는 것은, 전류에 의해 발한 전극(50)의 열이 냉각되어 온도가 억제되는 것을 의미한다.
냉각관(502)은 냉매 공급 장치(54)에 접속되어 있다. 냉각관(502)은 관 형상으로 구성되어 있고, 냉매 공급 장치(54)로부터 공급된 냉매를 받아들이는 유입구와, 공급된 냉매를 냉매 공급 장치(54)에 대해 배출하는 배출구를 갖는다. 즉, 냉각관(502)은, 냉매 공급 장치(54)로부터 공급된 냉매를 통과시킴으로써, 냉각관(502)에 접촉하도록 설치되어 있는 전극(50)을 냉각하도록 구성되어 있다.
상기 냉매는 물 등의 액체이여도 되고, 공기 등의 기체이여도 된다.
본 발명에서는, 상기 냉매는 기체인 것이 보다 바람직하다. 냉매가 물 등의 액체인 경우는, 냉각능이 높으므로, 청징조(41)의 전극(50)의 근방에서는 국소적으로 온도가 저하된다.
청징조에 있어서 국소적인 온도 저하가 일어나면, 청징이 충분히 행하여지지 않아, 기포 품질이 저하될 우려가 있었다. 또한, 백금 또는 백금 합금으로 구성된 청징조에서는 기상 공간을 가지므로 백금 또는 백금 합금이 휘발된다. 휘발된 백금 또는 백금 합금(백금 휘발물이라고 함)은, 전극 근방의 국소적으로 온도가 저하된 위치에서 응축하고, 응축물이 되어 부착된다. 응축물의 일부는 탈포 공정 중의 용융 유리 중에 낙하되어 혼입되고, 유리 기판의 품질의 저하를 초래할 우려가 있었다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 상기 냉매는 기체인 것이 바람직하다.
냉각관(502)은 금속으로 구성된다. 냉매 공급 장치(54)로부터 공급되는 냉매가 물 등의 액체인 경우는, 냉각능이 높으므로, 상기 금속에, 구리나 니켈 등을 이용해도 되고, 사용에 견딜 수 있다. 그러나, 냉매 공급 장치(54)로부터 공급되는 냉매가 기체인 경우는, 액체와 비교해 냉각능이 낮으므로, 상기 금속에, 고온의 공기 중에서 산화되지 않는 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 백금, 로듐, 은, 팔라듐, 금, 또는 이들의 합금이 바람직하다. 은은, 이들 재질 중, 가장 가격이 싸고, 또한 전기 저항이 작으므로 발열을 억제할 수 있다. 따라서, 상기 금속은 은을 포함하는 것이 바람직하고, 90질량％ 이상 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 예를 들어, 청징조에 통전하는 전류가 3000암페어를 초과할 때는, 냉각관 재료는 전기 저항 비율이 작고, 전류의 바이패스로서 기능하는 재질이 바람직하고, 예를 들어, 구리, 은, 백금을 이용할 수 있다. 또한, 통전하는 전류가 3000암페어보다 작을 때는, 냉각관 재료의 저항 발열에 대한 문제는 작으므로, 스테인리스나 니켈, 코발트 등을 이용할 수도 있다. 즉, 냉각관(502)은 은, 백금, 구리, 로듐, 팔라듐, 금, 철, 코발트, 니켈 중 어느 하나를 포함하도록 구성되어 있어도 된다. 또한, 냉각관(502)에 백금보다 융점이 낮은 은 등의 재료를 이용하는 경우, 냉각관(502)의 주위를 내화벽돌 등의 내화물로 덮어, 냉각관(502)을 보호할 수도 있다.
냉매 공급 장치(54)는, 제어 장치(58)에 접속되어 있고, 제어 장치(58)의 제어에 따라, 냉각관(502)에 냉매를 공급한다. 냉매는, 예를 들어 압축 공기 등을 이용할 수 있다.
제어 장치(58)는 CPU, 메모리 등을 포함하는 컴퓨터로 구성되어 있다.
제어 장치(58)는, 상술한 바와 같이, 온도 계측 장치(56)가 계측한 온도의 결과를 받아들여, 이 계측 결과에 기초하여 냉매 공급 장치(54)를 제어한다. 이에 의해, 전극(50)의 냉각량은 조정된다. 예를 들어, 제어 장치(58)는, 온도 계측 장치(56)가 계측한 온도의 결과가, 미리 결정된 온도 범위 이외에 있을 때는, 냉매 공급 장치(54)를 제어하고, 냉각량을 조정한다. 예를 들어 냉매 공급량을 미리 결정된 양만큼 증감시킨다. 또한, 미리 결정된 온도 범위 내에 있을 때는, 냉매 공급 장치(54)가 공급하는 냉매 공급량이 변경되지 않도록, 냉매 공급 장치(54)를 제어한다.
구체적으로는, 제어 장치(58)는, 상한값 또는 하한값 중 적어도 한쪽을 포함하는, 온도 범위를, 미리 메모리에 기억한다. 또한, 제어 장치(58)는 미리 결정된 냉매 증가량 및 감소량을 미리 메모리에 기억한다.
제어 장치(58)는, 온도 계측 장치(56)가 계측한 온도가, 상한값을 초과하고 있을 때는, 메모리를 참조하여, 냉매 증가량을 결정한다. 또한, 제어 장치(58)는 냉매 공급 장치(54)를 제어하고, 결정한 냉매 증가량만큼 냉매 공급량을 증가시킨다.
한편, 하한값을 초과하고 있을 때는, 메모리를 참조하여, 냉매 감소량을 결정한다. 또한, 제어 장치(58)는 냉매 공급 장치(54)를 제어하고, 결정한 양만큼 냉매 공급량을 감소시킨다.
예를 들어, 상한값은 전극(50)이 발열에 의해 파단 등을 하지 않는 온도이다. 여기서, 전극(50)이 백금으로 구성되어 있은 경우, 백금의 융점 1768℃가 상한값이다. 전극(50)은, 상술한 바와 같이 팔라듐 등으로 구성할 수도 있으므로, 상한값은 전극(50)을 구성하는 재료의 융점이 된다. 또한, 하한값은 청징조(41)의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하지 않는 온도이다. 청징조(41)의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하지 않는 온도는, 용융 유리 MG의 온도가 청징제(예를 들어, 산화 주석)의 청징을 발현하는 온도 이상이므로, 상기 하한값은 용융 유리 MG의 온도가 산화 주석의 청징을 발현하는 온도가 아니면 안된다. 상술한, 상한값은 구체적으로는 1720℃이다. 또한, 상술한 하한값은 구체적으로는 1300℃이고, 바람직하게는 1400℃이다.
본 발명자는, 미리 실험한 결과, 플랜지 형상의 전극(50)의 온도가 1300℃ 이상이 되도록 제어하면, 청징조에 있어서 백금이 응축(석출)되지 않는 것을 발견했다. 또한, 본 발명자는, 또한 확실하게 백금이 응축(석출)되지 않도록 하기 위해서는, 플랜지 형상의 전극(50)의 온도가 1400℃ 이상이 되도록 제어하면 되는 것을 발견했다.
따라서, 본 실시 형태에서는, 상술한 하한값은 1300℃이고, 1400℃인 것이 보다 바람직하다.
[전극(50)의 냉각 조정 방법]
다음에, 전극(50)의 냉각 조정 방법을 도 4를 이용해서 상술한다. 도 4는 본 실시 형태에 따른 청징 공정 ST2에 있어서, 제어 장치(58)가 전극(50)의 냉각을 조정하는 방법의 일례를 도시하는 흐름도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 스텝 11(ST11)에 있어서, 제어 장치(58)는, 냉매 공급 장치(54)가 냉매의 공급을 개시한 상태에서, 온도 계측 장치(56)가 계측한 온도(계측 온도)를 받아들인다. 전극(50)의 온도는, 냉각관(502)에 접촉한 위치에서 온도가 가장 낮고, 청징조(41)와 접촉하는 위치를 향해 서서히 온도가 높아진다. 전극(50)에 있어서는 청징조(41)와 접촉하는 위치에서 온도가 가장 높아지지만, 청징조(41)에 있어서는 전극(50)과 접촉하는 위치, 즉, 전극(50)의 근방에서 온도가 가장 낮아진다. 도 5는 청징조(41)의 길이 방향(흐름 방향)의 온도 분포의 일례를 도시한 도면이다. 전극(50a, 50b)의 사이의 백금으로 구성된 청징조(41)에 전류를 흘려 청징조(41)를 통전 가열하면, 일반적으로 청징조(41)의 길이 방향 중앙부의 온도 T2가 최고 온도로 되고, 길이 방향 양단부의 전극(50a, 50b) 근방의 온도 T1이 최저 온도로 된다. 전극(50a, 50b) 근방에 있어서의 기상 공간 GP 및 용융 유리 MG의 온도가 가장 낮아지므로, 이 전극(50a, 50b) 근방의 기상 공간 GP에 있어서, 백금 증기가 응축할 가능성이 있다. 이로 인해, 온도 계측 장치(56)는 전극(50a, 50b) 근방에서 최저로 되는 이 온도 T1을 계측한다. 그리고, 제어 장치(58)는, 후술하는 스텝에 있어서, 온도 T1이 상한값으로부터 하한값의 범위 내에 있는지 아닌지를 판정한다. 이와 같이, 청징조(41)의 벽의 온도가, 기상 공간 GP에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록, 전극(50a, 50b)의 냉각이 제어되고 있다.
또한, 제어 장치(58)는, 냉매 공급 장치(54)에 냉매 공급을 개시시킬 때, 냉매 공급량은 임의의 양이면 된다. 예를 들어, 제어 장치(58)는, 메모리에, 초기 냉매 공급량을 기억해 두고, 이 초기 냉매 공급량이 되도록 냉매 공급 장치(54)를 제어해도 된다.
스텝 12(ST12)에 있어서, 제어 장치(58)는, 온도 계측 장치(56)로부터 입력된 계측 온도가 상한값을 초과하고 있는지 아닌지를 판정한다. 온도 계측 장치(56)로부터 입력된 계측 온도가 상한값을 초과하고 있을 때는(ST12;Y), 제어 장치(58)는 ST13의 처리로 진행하고, 그 이외의 경우에는(ST12;N), ST21의 처리로 진행한다. 계측 온도가 상한값을 초과하고 있는 경우(ST12;Y), 전극(50) 및 전극(50)의 근방이 비정상적으로 가열된 상태이므로, 전극(50)이 파단될 우려가 있다. 이로 인해, 제어 장치(58)는, 스텝 13(ST13)에 있어서, 전극(50)의 냉각을 행한다. 한편, 계측 온도가 상한값을 초과하지 않은 경우(ST12;N), 온도가 적정하게 제어되어 전극(50)이 파단될 우려가 없으므로, 스텝 21(ST21)에 있어서, 계측 온도가 하한값을 하회하고 있는지 아닌지를 판정한다.
스텝 13(ST13))에 있어서, 제어 장치(58)는, 메모리를 참조하여, 증가시키는 냉매의 양을 결정한다. 또한, 제어 장치(58)는, 냉매 공급 장치(54)를 제어하여, 결정한 양만큼 냉매 공급량을 증가시킨다. 도 6은 전극(50)의 온도와 시간의 관계의 일례를 도시하는 도면이다. 제어 장치(58)는, 온도 계측 장치(56)에 의해 계측하고 있는 계측 온도가 시간 t1에서 상한값을 초과했다고 판정하면(ST12;Y), 도 6에 도시한 바와 같이, 시간 t1 이후, 냉매 공급 장치(54)를 제어해서 냉매 공급량을 증가시키고, 전극(50)의 온도가 상한값을 하회하도록 제어한다. 여기서, 제어 장치(58)가, 냉매 공급 장치(54)를 제어해서 냉매 공급량을 증가시키지 않으면 도 6에 도시하는 점선과 같이 전극(50)의 온도가 상승해 가서, 전극(50)의 파단의 원인이 된다. 전극(50)의 온도를 저하시키는 방법은, 냉매 공급 장치(54)가 공급하는 단위 시간당의 냉매 공급량을 증가시키는 방법 이외에, 냉매의 공급 시간(제어 실행 시간)을 길게 하여, 냉매의 온도를 저하시키거나, 전원 장치(52)가 공급하는 전류량을 저하시키는 방법이여도 된다.
스텝 21(ST21)에 있어서, 제어 장치(58)는, 온도 계측 장치(56)로부터 입력된 계측 온도가 하한값 미만인가 아닌가를 판정한다. 온도 계측 장치(56)로부터 입력된 계측 온도가 하한값 미만일 때는(ST21;Y), 제어 장치(58)는 ST22의 처리로 진행되고, 그 이외의 경우에는(ST21;N) 처리를 종료한다.
스텝 22(ST22)에 있어서, 제어 장치(58)는, 메모리를 참조하여, 감소시키는 냉매의 양을 결정한다. 또한, 제어 장치(58)는, 냉매 공급 장치(54)를 제어하고, 결정한 양만큼 냉매 공급량을 감소시킨다. 제어 장치(58)는, 온도 계측 장치(56)에 의해 계측하고 있는 계측 온도가 시간 t2에서 하한값을 하회했다고 판정되면(ST21;Y), 도 6에 도시한 바와 같이, 시간 t2 이후, 냉매 공급 장치(54)를 제어 해서 냉각량을 감소시켜, 전극(50)의 온도가 하한값을 상회하도록 제어한다. 여기서, 제어 장치(58)가, 냉매 공급 장치(54)를 제어해서 냉각량을 감소시키지 않으면 도 6에 도시한 점선과 같이 전극(50)의 온도가 저하되어 가서, 청징조(41)의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하거나 청징제(산화 주석)의 청징이 발현되지 않게 된다. 전극(50)의 온도를 상승시키는 방법은, 냉매 공급 장치(54)가 공급하는 단위 시간당의 냉매 공급량을 감소시키는 방법 이외에, 냉매의 공급 시간(제어 실행 시간)을 짧게 하여, 냉매의 온도를 상승시키거나 전원 장치(52)가 공급하는 전류량을 증가시키는 방법이여도 된다.
이상의 처리를 반복함으로써, 전극(50)의 온도를 상한값으로부터 하한값의 범위 내로 되도록 제어할 수 있고, 유리 제품의 백금 이물을 저감할 수 있다.
다음에, 본 실시 형태의 작용에 대해 설명한다.
청징 공정에서는, 전극(50a, 50b) 사이에 전압이 인가됨으로써, 전극(50a, 50b) 사이의 청징조(41)에 전류가 흘러, 청징조(41)가 통전 가열된다. 가열된 청징조(41) 내를 용융 유리 MG가 통과함으로써, 용융 유리 MG가 소정 온도(상기 조성의 유리의 경우는 예를 들어 1600℃ 이상)로 승온됨으로써, 용융 유리 MG 중에 포함되는 O2, CO2 또는 SO2를 포함한 기포가, 예를 들어 SnO2 등의 청징제의 환원 반응에 의해 발생한 O2를 흡수해서 성장하고, 용융 유리 MG의 액면으로 부상해서 방출된다. 그 후, 유리 공급관(43b) 등에 있어서 용융 유리 MG의 온도를 저하시킴으로써, SnO2 등의 청징제가 환원 반응된 SnO가 산화 반응을 함으로써, 용융 유리 MG에 잔존하는 기포 중의 O2 등의 가스 성분이 용융 유리 MG 중에 흡수되어, 기포가 소멸한다. 청징제에 의한 산화 반응 및 환원 반응은 용융 유리 MG의 온도를 제어함으로써 행하여진다.
또한, 전극(50)의 발열을 억제하기 위해, 전극(50)의 주위에 접촉하도록 냉각관(502)이 설치되어 있다. 냉각관(502)은 냉매 공급 장치(54)에 접속되어 있다. 즉, 냉각관(502)은 냉매 공급 장치(54)로부터 공급된 냉매를 통과시킴으로써, 냉각관(502)에 접촉해서 설치되어 있는 전극(50)을 냉각한다.
또한, 냉각관(502)은 청징조(41) 내의 전류 밀도를 균일화하는 역할도 담당한다. 냉각관(502)을 이용하지 않는 경우, 판 형상의 전극(50)만으로는, 전류는 청징조(41)에 최단 거리로 향하는 경향이 있어, 청징조(41) 내부에서의 전류 밀도가 상측으로 치우친다. 한편, 냉각관(502)은 전기 저항이 작아지도록 할 수 있어, 전류를 냉각관(502)을 통해 청징조(41)의 하측으로 유도함으로써, 전류를 우회시켜, 전류의 치우침을 저감할 수 있다.
이 때, 청징조(41)의 기상 공간은 청징조(41)의 내면에 있어서 휘발된 백금 증기를 갖는다.
본 실시 형태에서는, 전극(50)에 온도 계측 장치(56)가 설치되고, 제어 장치(58)에 의해, 전극(50)은 소정의 온도 이상이 되도록 제어되고 있다. 소정의 온도라 함은, 청징조(41)의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 온도이다. 즉, 전극(50)은, 청징조(41)의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록 제어되고 있다. 따라서, 청징조(41)의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 것을 방지하고, 유리 중에 백금 이물이 혼입하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 전극(50a, 50b)에 각각, 냉매 공급 장치(54a, 54b), 온도 계측 장치(56a, 56b), 제어 장치(58a, 58b)가 접속되어 있은 예를 구체예로서 설명했지만, 전극(50a, 50b)의 어느 한쪽에만, 냉매 공급 장치[54(54a, 54b)], 온도 계측 장치[56(56a, 56b)], 제어 장치[58(58a, 58b)]가 접속되어 있어도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 온도 계측 장치(56)는 전극(50)에 설치되어 있었지만, 청징조(41)에 설치되어 있어도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 청징조(41)는 플랜지 형상의 1쌍의 전극(50a, 50b)을 갖는 경우를 구체예로서 설명했지만, 예를 들어, 전극(50b)만을 갖고 있어도 된다. 이 경우, 예를 들어, 유리 공급관(43a)에 전극(도시하지 않음)을 설치하고, 청징조(41)에 설치된 전극(50b)과, 유리 공급관(43a)에 설치된 전극 사이에 전류를 흘림으로써, 청징조(41)를 통전 가열해도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 제어 장치(58)는, 미리 결정된 냉매 증가량 및 감소량을 미리 메모리에 기억한다. 그러나, 제어 장치(58)는, 예를 들어, 온도에 따른 냉매 증가량 및 감소량을 미리 메모리에 기억해도 된다. 즉, 제어 장치(58)는, 온도 계측 장치(56)로부터 입력된 계측 온도에 따라, 냉매 증가량 및 감소량을 결정해도 된다. 이에 의해, 냉각의 정밀도를 높일 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 제어 장치(58)가, 냉매 증가량 및 감소량을 결정하고, 냉매 공급 장치(54)를 제어하고, 결정한 양만큼 냉매 공급량을 증감시켰다. 그러나, 제어 장치(58) 대신에, 오퍼레이터(작업자)가, 냉매 증가량 및 감소량을 결정하여, 냉매 공급 장치(54)를 제어하고, 결정한 양만큼 냉매 공급량을 증감시켜도 된다.
또한, 각 전극(50a, 50b)에 있어서, 냉각량을 바꾸어도 된다. 예를 들어, 청징을 촉진시키기 위해, 유리 공급관(43a)에 근접된 전극(50a)의 온도를, 유리 공급관(43b)에 근접된 전극(50b)의 온도보다 높게 할 수도 있다. 또한, 청징조(41)의 흐름 방향에 있어서, 용융 유리 MG의 청징을 촉진시키는 온도는 상이하므로, 전극(50a, 50b)에 있어서의 온도의 상한값을 동일하게 하고, 온도의 하한값에 있어서는, 전극(50a)의 하한값을 전극(50b)의 하한값보다 높게 설정[예를 들어, 전극(50a)에서의 온도의 하한값:1400℃, 전극(50b)에서의 온도의 하한값:1350℃]할 수도 있다.
또한, 전원 장치(52)와 접속되는 전극(50)이 갖는 돌출부의 형상을 임의로 변경할 수도 있다. 전극(50)의 돌출부는 청징조(41)로부터 돌출되어 있으므로, 외기의 영향을 받은 전극(50)이 냉각되고, 전극(50) 근방의 청징조(41)의 기상 공간도 냉각된다. 이로 인해, 청징조(41)로부터 돌출하는 돌출부를 선 형상으로 하여, 외기에 의한 냉각을 저감하고, 전극(50) 근방의 냉각을 억제할 수도 있다. 또한, 돌출부를 보온 재료 등으로 보온함으로써, 전극(50) 근방의 냉각을 억제할 수도 있다.
[실시예]
상술한 실시 형태에 있어서 설명한 유리 기판 제조 장치를 이용하여, 유리 기판을 제조했다.
전극(50)의 온도는 1300℃ 이상, 1720℃ 이하로 되도록 제어했다.
제조한 유리 기판에 포함되는 백금 이물을 확인한 바, 전극(50)의 온도를 제어하지 않는 종래의 방법과 비교하여, 유리 기판에 포함되는 백금 이물의 양이 저하되어, 제품 수율 및 품질이 향상되었다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「백금 또는 백금 합금(백금족 금속)」은, 백금족 원소를 포함하는 금속을 의미하고, 단일의 백금족 원소를 포함하는 금속 뿐만 아니라 백금족 원소의 합금을 포함하는 용어로서 사용한다. 여기서, 백금족 원소라 함은, 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir)의 6원소를 가리킨다.
또한, 본 발명은, 산화 주석(SnO2)을 청징제로서 사용하는 유리 기판의 제조에 특히 적합하다. 청징제는 종래 비소(AS2O3)가 일반적이었지만, 최근의 환경 부하의 관점에서, 산화 주석(SnO2)이 사용되고 있다. 산화 주석은 아비산과 비교해서 탈포 공정 시에 기포를 방출하는 힘이 약하므로, 유리의 점성을 낮게 해서 탈포 효과를 높일 필요가 있고, 결과적으로 높은 온도로 청징을 행할 필요가 있다. 따라서, 청징제로서 산화 주석(SnO2)을 사용하는 경우, 비소(아비산;AS2O3)를 사용하는 경우와 비교하여, 청징조를 높은 온도로 가열할 필요가 있지만, 청징조에 있어서 국소적으로 온도가 저하된 경우, 온도차가 보다 커지므로, 상술한 백금 이물의 문제가 보다 현저해진다. 따라서, 본 발명은, 산화 주석(SnO2)을 청징제로서 사용하는 유리 기판의 제조에 특히 적합하다.
또한, 본 발명은, 유리가, 무알칼리 유리나 알칼리를 미량밖에 포함하지 않는 알칼리 미량 함유 유리인, 유리 기판의 제조에 특히 적합하다. 무알칼리 유리나 알칼리 미량 함유 유리는, 알칼리 미량 함유 유리에 비해 알칼리를 많이 함유하는 유리에 비해, 점성이 높으므로, 보다 높은 온도로 청징을 실시할 필요가 있고, 청징조를 높은 온도로 가열할 필요가 있다.
청징조를 높은 온도로 가열하면, 청징조에 있어서 국소적으로 온도가 저하된 경우, 상술한 백금 이물의 문제가 보다 현저해진다. 따라서, 본 발명은, 무알칼리 유리나 알칼리를 미량밖에 포함하지 않는 알칼리 미량 함유 유리인, 유리 기판의 제조에 특히 적합하다. 또한, 무알칼리 유리나 알칼리를 미량밖에 포함하지 않는 알칼리 미량 함유 유리가 이용되는, 액정 표시 장치용 유리 기판이나 유기 EL용 유리 기판 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)용 유리 기판의 제조에 특히 적합하다.
FPD용 유리 기판으로서 예를 들어, 액정 디스플레이용 유리 기판이나 유기 EL 디스플레이용 유리 기판을 들 수 있다. FPD용 유리 기판은, 예를 들어, 두께가 0.1 내지 0.7㎜로, 사이즈가 300×400㎜ 내지 2850×3050㎜이고, 본 발명은, 기포나 백금 이물의 결함이 개선되는 점에서, 보다 사이즈가 큰 유리의 제조에 적합하다.
본 발명은, 저온 폴리실리콘(LTPSS)용 유리 기판을 제조하는 경우에 특히 적합하다. 저온 폴리실리콘(LTPS)용 유리 기판은, 일반적으로 유리 기판을 에칭 등에 의해 슬리밍해서 사용한다. 유리 기판을 에칭 등에 의해 슬리밍하면, 유리 기판의 내부에 포함되는 백금 이물이 표면에 나타나, 유리 표면에 요철을 형성하므로 문제가 된다. 따라서, 본 발명은, 저온 폴리실리콘(LTPS)용 유리 기판을 제조하는 경우에 특히 적합하다. 저온 폴리실리콘(LTPS)용 유리 기판은, 변형점이 높은 유리 기판이고, 예를 들어, 변형점이 675℃ 이상, 바람직하게는 680℃ 이상, 더욱 바람직하게는 690℃ 이상의 유리 기판을 들 수 있다.
본 발명은, FPD용 유리 기판을 제조하는 경우에 특히 적합하다. 최근, 플랫 패널 디스플레이에서는, 보다 고콘트라스트가 요구되고 있어, 종래 문제가 되지 않았던 백금 이물이, 고콘트라스트화에 수반해 문제가 되고 있다. 따라서, 본 발명은, FPD용 유리 기판을 제조하는 경우에 특히 적합하다.
그 외에, 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하고 적합한 다른 형태로의 변경이 가능하다.
40 : 용해 장치
41 : 청징조
42 : 성형 장치
43a, 43b, 43c : 유리 공급관
52 : 전원 장치
54a, 54b : 냉매 공급 장치
56a, 56b : 온도 계측 장치
58a, 58b : 제어 장치
100 : 교반 장치
200 : 유리 기판 제조 장치
502a, 502b : 냉각관

Claims (7)

  1. 용해 공정과, 청징 공정과, 성형 공정을 포함하는 유리 기판의 제조 방법으로서,
    상기 청징 공정에 있어서 이용되는 청징조는, 백금 또는 백금 합금으로 구성되고, 상기 청징조를 통전 가열하기 위한 플랜지 형상의 전극을 갖고,
    상기 청징 공정에 있어서,
    상기 통전 가열된 청징조에, 기상 공간을 갖도록 액위를 조정해서 상기 용융 유리를 통과시킴으로써 탈포를 행하고,
    상기 전극의 발열을 억제하기 위해 상기 전극을 냉각하고,
    상기 전극의 냉각은, 상기 청징조의 벽의 온도가, 상기 청징조의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록 제어되고 있는 것을 특징으로 하는 유리기판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 청징 공정에 있어서,
    상기 전극 또는 상기 전극 근방의 청징조의 온도를 측정하고,
    상기 측정한 온도에 기초하여, 상기 전극의 냉각량을 조정하는 유리 기판의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 청징 공정에 있어서,
    상기 측정한 전극 또는 전극 근방의 청징조의 온도가, 미리 결정된 온도 범위 내인지 아닌지를 판정하고, 상기 판정한 결과, 측정한 온도가 상기 미리 결정된 온도 범위 이외에 있을 때, 상기 냉각량을 조정하는 유리 기판의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 청징 공정에 있어서,
    청징제로서 산화 주석이 이용되는 유리 기판의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극은, 냉매를 통과시키기 위한 냉각관을 갖고,
    상기 청징 공정은,
    상기 냉각관에 통과시키는 냉매의 양을 증감함으로써, 냉각량을 조정하는 유리 기판의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 냉매는 기체인 유리 기판의 제조 방법.
  7. 용해조와, 청징조와, 성형 장치를 포함하는 유리 기판 제조 장치로서,
    상기 청징조는 백금 또는 백금 합금으로 구성되고, 상기 청징조를 통전 가열하기 위한 플랜지 형상의 전극을 갖고,
    상기 전극은 상기 전극의 발열을 억제하기 위해 냉각되고,
    상기 전극의 냉각은, 상기 청징조의 벽의 온도가, 상기 청징조의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록 제어되고 있는 것을 특징으로 하는 유리 기판 제조 장치.
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