KR20150096542A - 다결정 다이아몬드 컴팩트 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다결정 다이아몬드 컴팩트에 관한 것으로서, 구체적으로 본 발명에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트는 초경층; 상기 초경층의 인선부(edge) 중 적어도 일 부분을 포함하는 영역에만 형성되는 다결정 다이아몬드 소결부; 및 상기 초경층의 상부면 및 상기 다결정 다이아몬드 소결부를 기준으로 내측에 홈 형상으로 형성되어 작업 시 발생하는 칩을 짧게 절단하거나 스프링형태로 감기도록 기능하는 칩 브레이커;를 포함한다.
본 발명에 따르면 절삭 가공 시에 발생하는 절삭분, 즉 칩(chip)의 유동성을 향상시킴으로써 절삭 가공의 효율을 향상시킬 수 있고, 절삭 가공에 직접 관련되는 인선부에만 다결정 다이아몬드 소결체를 구비하고, 칩 브레이커가 형성되는 부분은 초경금속이나 기타 다른 재질을 이용하여 형성함으로써 가공 및 제조성이 향상된다.
본 발명에 따르면 절삭 가공 시에 발생하는 절삭분, 즉 칩(chip)의 유동성을 향상시킴으로써 절삭 가공의 효율을 향상시킬 수 있고, 절삭 가공에 직접 관련되는 인선부에만 다결정 다이아몬드 소결체를 구비하고, 칩 브레이커가 형성되는 부분은 초경금속이나 기타 다른 재질을 이용하여 형성함으로써 가공 및 제조성이 향상된다.
Description
본 발명은 다결정 다이아몬드 컴팩트에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 작업 효율성을 향상시킬 수 있는 다이아몬드 컴팩트 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.
금속/목공 절삭 가공 등에는 다양한 절삭 공구가 이용된다. 특히 석유, 가스 시추 분야에서는 지반을 절삭 및 굴착하여야 하므로 내마모성이 최대한 보장될 수 있는 시굴, 굴착 장비가 이용된다.
이러한 장비의 말단에는 도 1에 도시된 바와 같은 절삭 공구(1)가 구비된다. 절삭 공구(1)의 단부에는 다이아몬드 소결체(2)를 이용하여 지반과의 마찰에도 불구하고 내마모성이 충분히 보장될 수 있도록 하는 것이 일반적이다.
도 2에 일반적인 다결정 다이아몬드 컴팩트(2)의 모습을 도시하였다. 도 2에 도시된 바와 같이 다결정 다이아몬드 컴팩트는 초경층(4)과 초경기판(4) 상에 다이아몬드 분말을 이용하여 소결된 다결정 다이아몬드 소결체(3)를 포함한다. 초경기판(4)은 다결정 다이아몬드 소결체(3)가 부착된 상태에서 다결정 다이아몬드 컴팩트(2)가 다양한 공구 등에 부착 가능하도록 지지하는 기능을 한다.
한편, 이러한 다결정 다이아몬드 컴팩트를 이용하여 절삭 작업을 하는 경우 절삭 과정에서 절삭분, 즉 칩(chip)들이 발생한다. 이러한 칩들이 작업면에 누적되는 경우에는 작업 효율이 저하된다.
그러나 다결정 다이아몬드 컴팩트의 경우 다결정 다이아몬드 소결체가 가공성이 떨어지기 때문에 칩브레이커를 직접 형성하기는 어렵고, 레이저 가공 등의 특수한 방법을 이용하여야 한다.
본 발명은 절삭 가공 시에 발생하는 절삭분, 즉 칩(chip)의 유동성을 향상시킴으로써 절삭 가공의 효율을 향상시킬 수 있는 다결정 다이아몬드 컴팩트 및 그를 제조하는 방법을 제공한다.
또한 본 발명은 절삭 가공에 직접 관련되는 인선부에만 다결정 다이아몬드 소결체를 구비하고, 칩 브레이커가 형성되는 부분은 초경금속이나 기타 다른 재질을 이용하여 형성함으로써 가공 및 제조성이 향상되는 다결정 다이아몬드 컴팩트 및 그를 제조하는 방법을 제공한다.
또한 본 발명은 원주 방향으로 일 부분에만 다결정 다이아몬드 소결체가 형성되도록 함으로써 절삭 가공 시에도 다결정 다이아몬드 소결체와 초경기판이 분리되지 않도록 접합력을 강화시킨 다결정 다이아몬드 컴팩트 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트는 초경층; 상기 초경층의 인선부(edge) 중 적어도 일 부분을 포함하는 영역에만 형성되는 다결정 다이아몬드 소결부; 및 상기 초경층의 상부면 및 상기 다결정 다이아몬드 소결부를 기준으로 내측에 홈 형상으로 형성되어 작업 시 발생하는 칩을 짧게 절단하거나 스프링형태로 감기도록 기능하는 칩 브레이커;를 포함한다.
또한 상기 칩 브레이커는 상기 초경층과 일체로 형성될 수 있다.
또한 상기 칩 브레이커는 경질의 금속 재질로 형성될 수 있다.
또한 상기 칩 브레이커는 상기 초경기판 상에 브레이징 방식으로 고정될 수 있다.
또한 상기 칩 브레이커는 상기 초경층의 중심축을 기준으로 일정 반경의 지점 중 적어도 일부에 홈 형상의 브레이킹 홈이 형성될 수 있다.
또한 상기 브레이킹 홈은 상기 소결부와 방사상으로 대응하는 위치에 형성될 수 있다.
또한 상기 브레이킹 홈은 상기 초경층의 중심축을 기준으로 일정 반경의 지점을 일주하는 홈 형상으로 형성될 수 있다.
또한 상기 칩 브레이커는 횡단면 형상이 다각형 또는 원형중 어느 하나인 플레이트 형상으로 형성되고, 상기 칩 브레이커의 상면에는 일정 길이를 갖는 홈 형상으로 형성되는 브레이킹 홈이 형성될 수 있다.
또한 상기 브레이킹 홈의 양 측면 중 적어도 어느 하나에는 경사면이 형성될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트 제조방법은 상기 초경기판 상에 다결정 다이아몬드 입자와 금속 바인더 입자를 혼합 및 조립하여 소결을 준비하는 단계; 상기 조립된 혼합 입자를 소결하는 소결단계; 및 초경기판 상에 상기 초경기판의 상부면 면적에 비하여 적은 횡면적을 갖는 칩 브레이커를 형성하는 단계; 를 포함한다.
또한 상기 칩 브레이커를 형성하는 단계는, 상기 초경기판 상부에 상기 칩 브레이커가 일체형으로 형성되도록 상기 초경기판을 제조하는 단계일 수 있다.
또한 상기 칩 블레이커를 형성하는 단계는, 상기 초경기판 및 상기 칩 브레이커를 별도의 부재로 형성하여 브레이징하는 단계일 수 있다.
또한 상기 다결정 다이아몬드 입자 및 상기 금속 바인더 입자의 혼합입자를 조립하는 단계에서는 상기 혼합 입자를 예비 소결하여 일정 형태로 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면 절삭 가공 시에 발생하는 절삭분, 즉 칩(chip)의 유동성을 향상시킴으로써 절삭 가공의 효율을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명에 따르면 절삭 가공에 직접 관련되는 인선부에만 다결정 다이아몬드 소결체를 구비하고, 칩 브레이커가 형성되는 부분은 초경금속이나 기타 다른 재질을 이용하여 형성함으로써 가공 및 제조성이 향상된다.
또한 본 발명에 따르면 원주 방향으로 일 부분에만 다결정 다이아몬드 소결체가 형성되도록 함으로써 절삭 가공 시에도 다결정 다이아몬드 소결체와 초경기판이 분리되지 않도록 접합력을 강화시킬 수 있다.
도 1은 다결정 다이아몬드 컴팩트를 이용한 절삭공구의 모습을 나타내는 개략도이다.
도 2는 종래의 다결정 다이아몬드 컴팩트의 모습을 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트의 모습을 나타내는 사시도이다.
도 4 및 도 5는 각각 도 3에 다른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 나타내는평면도 및 단면도이다.
도 6 및 도 7은 다른 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 나타내는 사시도 및 평면도이다.
도 8 및 도 9는 또 다른 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 나타내는 사시도 및 분해 사시도이다.
도 10 및 도 11은 각각 또 다른 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 나타내는 사시도이다.
도 12는 일 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트의 제조방법을 순차적으로 나타내는 순서도이다.
도 2는 종래의 다결정 다이아몬드 컴팩트의 모습을 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트의 모습을 나타내는 사시도이다.
도 4 및 도 5는 각각 도 3에 다른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 나타내는평면도 및 단면도이다.
도 6 및 도 7은 다른 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 나타내는 사시도 및 평면도이다.
도 8 및 도 9는 또 다른 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 나타내는 사시도 및 분해 사시도이다.
도 10 및 도 11은 각각 또 다른 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 나타내는 사시도이다.
도 12는 일 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트의 제조방법을 순차적으로 나타내는 순서도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다. 특별한 정의나 언급이 없는 경우에 본 설명에 사용하는 방향을 표시하는 용어는 도면에 표시된 상태를 기준으로 한다. 또한 각 실시예를 통하여 동일한 도면부호는 동일한 부재를 가리킨다. 한편, 도면상에서 표시되는 각 구성은 설명의 편의를 위하여 그 두께나 치수가 과장될 수 있으며, 실제로 해당 치수나 구성간의 비율로 구성되어야 함을 의미하지는 않는다.
도 3 내지 도 5를 참조하여 일 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 설명한다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트의 모습을 나타내는 사시도이고, 도 4 및 도 5는 각각 도 3에 다른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 나타내는평면도 및 단면도이다.
본 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트(20)는 초경기판(24), 다결정 다이아몬드 소결부(23) 및 칩브레이커(25)를 포함한다.
초경기판(24)은 초경합금으로 만들어진 기판으로서 다결정 다이아몬드 소결부(23)가 부착된 상태에서 다이아몬드 컴팩트(2)가 다양한 공구 등에 부착가능하도록 지지하는 기능을 한다. 초경합금은 공구 등에 사용되는 초경질 합금으로 금속의 탄화물 분말을 소성해서 만든 경도가 대단히 높은 합금이다. 이런 조직의 합금은 대단히 굳고 내마모성이 우수하므로 금속제품을 자르거나 깎는 커터(절단기) 또는 다이스 등에 사용될 수 있다.
다결정 다이아몬드 소결부(23)는 다결정 다이아몬드 분말과 금속 촉매(바인더) 분말을 혼합한 후 소결하여 형성된다. 다결정 다이아몬드 소결부(23)는 절삭 작업 시에 인선부로서 작용하여 가공 대상물과 직접적으로 맞닿은 상태로 가공 대상물을 절삭한다.
한편, 본 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 소결부(23)는 원통형으로 형성된 다결정 다이아몬드 컴팩트(20)의 상부 모서리부분 측에만 구비된다. 즉, 본 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 소결부(23)는 에지가 형성된 링 형상으로 형성된다.
다결정 다이아몬드 소결부(23)의 내측 및 다결정 다이아몬드 컴팩트(20)의 상부면에는 칩 브레이커(25)가 구비된다. 칩 브레이커(25)는 상부면에 브레이킹 홈(251)이 형성된다. 브레이킹 홈(251)은 중심축으로부터 일정 거리에 원주 방향을 따라 홈 형상으로 형성된다. 브레이킹 홈(251)은 작업 시 발생하는 칩을 짧게 절단하거나 스프링형태로 감기도록 기능한다.
일반적으로 시추에 사용하는 드릴 비트(Drill Bit)용 원통형의 다결정 다이아몬드 컴팩트에서 초경 지지 기판 상의 상부층은 전체적으로 다결정 다이아몬드 소결층으로 구성되어 있다. 그러나 실제 드릴 비트에 장착 사용하는 부위는 테두리(Edge) 지역을 제외하고 테두리 내측의 상면부위는 실제 가공에 인선부위로서 작용하지 않는다. 이는 메탈 가공용 소재인 솔리드 형태의 다결정 다이아몬드(PCD) 또한 마찬가지이다. 전체 다결정 다이아몬드 컴팩트의 테두리(Edge)를 제외하는 상면이 다결정 다이아몬드가 아닌 초경합금이나 기타 재질로 구성되어 있을 경우, 가공물 또는 드릴 시추시, 피가공물의 상면 접촉에 의한 인선부의 충격에 의한 크랙 전파 영향을 방지할 수 있으며, 다결정 다이아몬드 컴팩트를 제조하는 과정 중 다결정 다이아몬드 컴팩트 상면 부에 가공 부하가 적게 걸리기 때문에 제조시간 및 가공재의 비용이 줄어들어 제조 효율성을 높일 수 있다.
또한 인선부의 다결정 다이아몬드 소결부(23)를 제외한 상면을 기판 소재인 초경소재등의 경질소재로 구성할 경우, 다이아몬드 대비 인성(Toughness)이 높게 향상된다.
이러한 칩 브레이커(25)는 피가공물의 칩 발생에 따른 칩 유동성(flow)을 향상시킬 수 있다. 또한 칩 브레이커(25)는 초경 합금 또는 기타 유사한 재질로 형성됨으로써 다결정 다이아몬드 소결부(23)에 직접 칩 브레이커(25)를 향상하는 것에 비하여 가공성이 향상된다.
도 6 및 도 7을 참조하여 다른 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 설명한다. 도 6 및 도 7은 다른 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 나타내는 사시도 및 평면도이다.
본 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트(20a)는 앞서 설명한 다결정 다이아몬드 컴팩트에 비하여 다결정 다이아몬드 소결부(23a) 및 브레이킹 홈(251a)의 형성 위치면에서 차이가 있다.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 소결부(23a)는 원통형상의 상부 모서리 부분 중 절반 정도에 걸쳐 구비되어 있다. 원통형상인 다결정 다이아몬드 컴팩트의 상부 모서리 전체에 다결정 다이아몬드 소결부가 형성되어 있는 경우 절삭 작업 중 마모 정도를 판단하여 다결정 다이아몬드 컴팩트의 방향을 돌려 끼움으로써 작업을 더 수행할 수 있도록 하고 있다.
본 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트(23a)의 경우에는 이러한 작업을 통하여 다결정 다이아몬드 컴팩트의 사용 기한을 연장하는 대신 타 다결정 다이아몬드 컴팩트(23a)로 대체하게 된다.
이 때 본 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트(23a)의 경우 다결정 다이아몬드 소결부(23a)는 수직 방향의 하중 뿐 아니라 횡방향 또는 회전 방향으로의 하중에도 견딜 수 있도록 초경기판(24) 및 칩 브레이커(25a)에 의하여 지지되고 있다. 즉, 앞서 설명한 실시예의 경우 다결정 다이아몬드 소결층은 초경기판에 의하여 지지됨으로써 수직방향의 하중에 대하여만 저항력을 갖게 되는데 비하여, 본 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 소결부(23a)는 수직방향으로는 초경기판(24)에 의하여 지지되고 있으며, 횡방향 또는 회전방향으로는 초경기판(24)과 일체형으로 형성되거나 초경기판(24) 상에 고정된 칩 브레이커(25a)에 의하여 지지되고 있다.
또한 이러한 형상의 다결정 다이아몬드 컴팩트(20a)의 경우 앞선 실시예에 비하여 초경합금 등 금속 재질로 형성된 표면적이 증가하게 됨으로써 드릴 비트 상에 고정이 보다 용이하게 된다.
한편, 다결정 다이아몬드 소결부(23a)와 브레이킹 홈(251a)은 상호 방사상으로 대응하는 위치에 형성될 수 있으며, 그 길이와 개수는 다양하게 형성될 수 있다. 예를 들어 다결정 다이아몬드 소결부(23a)는 길이와 상관없이 상부 모서리 상의 일 부분 어느 곳에도 형성될 수 있으며, 3분의 1의 길이 등 짧은 길이로 형성되면서 다결정 다이아몬드 컴팩트(20a)의 모서리 부분에 다수 형성되는 것도 가능하다.
한편, 본 실시예 및 앞서 설명한 다결정 다이아몬드 컴팩트의 경우 칩 브레이커와 초경 기판이 일체로 형성되어 있으나, 칩 브레이커와 초경 기판을 별도의 부재로 형성한 후 브레이징을 통하여 연결하는 것도 가능하다.
도 8 및 도 9를 참조하여 또 다른 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 설명한다. 도 8 및 도 9는 또 다른 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 나타내는 사시도 및 분해 사시도이다.
칩 브레이커(25b)에 형성되는 브레이킹 홈(251b)은 원형의 홈 뿐 아니라 다각형의 형상과 같이 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 본 실시예에 따른 브레이킹 홈(251b)은 도 8에 도시된 바와 같이 6각형의 형상으로 형성될 수 있다.
브레이킹 홈(251b)의 형상은 작업의 종류 및 특성에 따라 다양한 형상 또는 방향으로 형성될 수 있다.
한편, 칩 브레이커(25b)는 도 9에 도시된 바와 같이 초경 기판(24)과 분리된 부재로서 제조되는 것도 가능하다. 칩 브레이커(25b)의 외측에 형성되는 다결정 다이아몬드 소결부(23b)의 내주면 형상은 칩 브레이커(25b)의 외주면의 형상에 대응하도록 형성된다. 본 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트(20b)는 먼저 칩 브레이커(25b)를 초경기판(24) 상에 브레이징 한 후 다결정 다이아몬드 분말과 금속 바인더(촉매)의 분말을 혼합한 혼합 분말을 이용하여 소결함으로써 형성할 수 있다.
이외에도 초경기판(24)의 상부에 칩 브레이커(25b)가 형성된 상태로 제조한 후 다이아몬드 혼합 분말을 소결하여 형성하는 것도 가능하다.
도 10 및 도 11을 참조하여 다른 실시예들에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 설명한다. 도 10 및 도 11은 각각 또 다른 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트를 나타내는 사시도이다.
앞서 설명한 바와 같이 칩 브레이커는 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 또한 브레이킹 홈(251c)의 내측면에 곡면을 형성함으로써 칩 브레이킹의 효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들어 도 10에 도시된 바와 같이 브레이킹 홈(251c)의 홈 내측면을 중심축 방향으로 오목하게 형성함으로써 전체적으로는 별 모양의 홈 내측면이 형성되도록 할 수 있다.
이와 같이 브레이킹 홈(251c) 내측면의 형상을 다양하게 형성함으로써 절삭 작업 시에 칩이 이동하는 방향이나 정도를 조절할 수 있다.
또한 도 11에 도시된 바와 같이 브레이킹 홈(251d)의 내측면(2511d)에는 완만한 경사도를 갖는 경사면이 형성되도록 할 수 있다. 즉, 브레이킹 홈(251d)의 내측면의 경사도를 조절함으로써 절삭 시 발생하는 칩들의 이동 방향이나 정도를 조절할 수 있다.
도 12를 참조하여 일 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트의 제조방법을 설명한다. 도 12는 일 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트의 제조방법을 순차적으로 나타내는 순서도이다.
본 실시예에 따른 다결정 다이아몬드 컴팩트 제조방법은 초경기판 상에 다결정 다이아몬드 입자와 금속 바인더 입자를 혼합 및 조립하여 소결을 준비하는 단계(S10)와, 조립된 혼합 입자를 소결하는 소결단계(S20)와, 초경기판 상에 초경기판의 상부면 면적에 비하여 적은 횡면적을 갖는 칩 브레이커를 형성하는 단계(S30)를 포함한다.
구체적으로, 다결정 다이아몬드 입자와 금속 바인더 입자를 혼합하고, 초경기판 상에 조립하여 소결을 위한 준비를 한다. 이 때 조립의 용이성을 위하여 다결정 다이아몬드 입자와 금속 바인더 입자를 미리 예비 소결을 함으로써 일정한 형태를 유지하도록 하는 것도 가능하다.
다음으로 소결을 하여 다결정 다이아몬드 컴팩트를 제조하며, 마지막으로 초경기판 상에 칩 브레이커를 형성한다. 이 경우 앞서 설명한 바와 같이 초경기판 상부에 칩 브레이커가 일체형으로 형성되도록 초경기판을 제조하거나, 초경기판 및 칩 브레이커를 별도의 부재로 형성한 후 브레이징하여 결합시킬 수 있다.
이후 필요에 따라 그라인딩 등의 가공 공정을 추가할 수 있다.
이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 상술한 바람직한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 구체화된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범주에서 다양하게 구현될 수 있다.
20, 20a, 20b, 20c, 20d: 다결정 다이아몬드 컴팩트
23, 23a, 23b, 23c, 23d: 다결정 다이아몬드 소결부
24: 초경기판
25, 25a, 25b, 25c, 25d: 칩 브레이커
251, 251a, 251b, 251c, 251d: 브레이킹 홈
23, 23a, 23b, 23c, 23d: 다결정 다이아몬드 소결부
24: 초경기판
25, 25a, 25b, 25c, 25d: 칩 브레이커
251, 251a, 251b, 251c, 251d: 브레이킹 홈
Claims (13)
- 초경층;
상기 초경층의 인선부(edge) 중 적어도 일 부분을 포함하는 영역에만 형성되는 다결정 다이아몬드 소결부; 및
상기 초경층의 상부면 및 상기 다결정 다이아몬드 소결부를 기준으로 내측에 홈 형상으로 형성되어 작업 시 발생하는 칩을 짧게 절단하거나 스프링형태로 감기도록 기능하는 칩 브레이커;를 포함하는 다결정 다이아몬드 컴팩트. - 제1항에 있어서,
상기 칩 브레이커는 상기 초경층과 일체로 형성되는 다결정 다이아몬드 컴팩트. - 제1항에 있어서,
상기 칩 브레이커는 경질의 금속 재질로 형성되는 다결정 다이아몬드 컴팩트. - 제3항에 있어서,
상기 칩 브레이커는 상기 초경기판 상에 브레이징 방식으로 고정되는 다결정 다이아몬드 컴팩트. - 제1항에 있어서,
상기 칩 브레이커는 상기 초경층의 중심축을 기준으로 일정 반경의 지점 중 적어도 일부에 홈 형상의 브레이킹 홈이 형성되는 다결정 다이아몬드 컴팩트. - 제5항에 있어서,
상기 브레이킹 홈은 상기 소결부와 방사상으로 대응하는 위치에 형성되는 다결정 다이아몬드 컴팩트. - 제5항에 있어서,
상기 브레이킹 홈은 상기 초경층의 중심축을 기준으로 일정 반경의 지점을 일주하는 홈 형상으로 형성되는 다결정 다이아몬드 컴팩트. - 제1항에 있어서,
상기 칩 브레이커는 횡단면 형상이 다각형 또는 원형중 어느 하나인 플레이트 형상으로 형성되고, 상기 칩 브레이커의 상면에는 일정 길이를 갖는 홈 형상으로 형성되는 브레이킹 홈이 형성되는 다결정 다이아몬드 컴팩트. - 제8항에 있어서,
상기 브레이킹 홈의 양 측면 중 적어도 어느 하나에는 경사면이 형성되는 다결정 다이아몬드 컴팩트. - 상기 초경기판 상에 다결정 다이아몬드 입자와 금속 바인더 입자를 혼합 및 조립하여 소결을 준비하는 단계;
상기 조립된 혼합 입자를 소결하는 소결단계; 및
초경기판 상에 상기 초경기판의 상부면 면적에 비하여 적은 횡면적을 갖는 칩 브레이커를 형성하는 단계;를 포함하는 다결정 다이아몬드 컴팩트 제조방법. - 제10항에 있어서,
상기 칩 브레이커를 형성하는 단계는,
상기 초경기판 상부에 상기 칩 브레이커가 일체형으로 형성되도록 상기 초경기판을 제조하는 단계인 다결정 다이아몬드 컴팩트 제조방법. - 제10항에 있어서,
상기 칩 블레이커를 형성하는 단계는,
상기 초경기판 및 상기 칩 브레이커를 별도의 부재로 형성하여 브레이징하는 단계인 다결정 다이아몬드 컴팩트 제조방법. - 제10항에 있어서,
상기 다결정 다이아몬드 입자 및 상기 금속 바인더 입자의 혼합입자를 조립하는 단계에서는 상기 혼합 입자를 예비 소결하여 일정 형태로 형성하는 단계를 더 포함하는 다결정 다이아몬드 컴팩트 제조방법.
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