KR20150091380A - Photosensitive resin composition for inkjet application, heat-treated substance, manufacturing method therefor, resin-pattern manufacturing method, liquid-crystal display, organic electroluminescent display, touch panel, manufacturing method therefor, and touch-panel display - Google Patents

Photosensitive resin composition for inkjet application, heat-treated substance, manufacturing method therefor, resin-pattern manufacturing method, liquid-crystal display, organic electroluminescent display, touch panel, manufacturing method therefor, and touch-panel display Download PDF

Info

Publication number
KR20150091380A
KR20150091380A KR1020157017533A KR20157017533A KR20150091380A KR 20150091380 A KR20150091380 A KR 20150091380A KR 1020157017533 A KR1020157017533 A KR 1020157017533A KR 20157017533 A KR20157017533 A KR 20157017533A KR 20150091380 A KR20150091380 A KR 20150091380A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
resin composition
acid
photosensitive resin
component
Prior art date
Application number
KR1020157017533A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
시에 야먀시타
신지 후지모토
Original Assignee
후지필름 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지필름 가부시키가이샤 filed Critical 후지필름 가부시키가이샤
Publication of KR20150091380A publication Critical patent/KR20150091380A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0047Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0048Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • H01L27/3241
    • H01L51/5275
    • H01L2251/5369
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/331Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

잉크젯 토출성, 건조성, 보존 안정성, 및 열 처리 후의 투명성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물은 (성분 A) 무기 입자, (성분 B) 용제, (성분 C) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위를 포함하는 중합체, 및 (성분 D) 광산 발생제를 함유하고, 성분 B가 비점이 177℃ 이상 227℃ 이하이며, 또한 I/O값이 0.50 이상 1.00 이하인 비알코올계 용제를 포함하는 것을 특징으로 한다.And to provide a photosensitive resin composition excellent in inkjet dischargeability, dryness, storage stability, and transparency after heat treatment. The photosensitive resin composition for ink jet application of the present invention comprises (A) an inorganic particle, (Component B) a solvent, (Component C) a polymer containing a structural unit having an acid group-protected group with an acid-decomposable group, and (Component D) Wherein the component B has a boiling point of 177 캜 or higher and 227 캜 or lower and an I / O value of 0.50 or higher and 1.00 or lower.

Description

잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물, 열 처리물 및 그 제조 방법, 수지 패턴 제조 방법, 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치, 터치패널 및 그 제조 방법, 및 터치패널 표시 장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR INKJET APPLICATION, HEAT-TREATED SUBSTANCE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, RESIN-PATTERN MANUFACTURING METHOD, LIQUID-CRYSTAL DISPLAY, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY, TOUCH PANEL, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND TOUCH-PANEL DISPLAY}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a photosensitive resin composition for inkjet application, a heat treatment product, a method of manufacturing the same, a method of manufacturing a resin pattern, a liquid crystal display, an organic EL display, -TREATED SUBSTANCE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, RESIN-PATTERN MANUFACTURING METHOD, LIQUID-CRYSTAL DISPLAY, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY, TOUCH PANEL, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND TOUCH-PANEL DISPLAY}

본 발명은 감광성 수지 조성물(이하, 단지 「본 발명의 조성물」이라고 하는 경우가 있다)에 관한 것이다. 또한, 상기 감광성 수지 조성물을 열 처리하여 이루어지는 열 처리물 및 그 제조 방법, 상기 감광성 수지 조성물을 사용한 수지 패턴 제조 방법, 상기 감광성 수지 조성물을 열 처리하여 이루어지는 열 처리물, 및 상기 열 처리물을 사용한 각종 화상 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition (hereinafter sometimes simply referred to as " composition of the present invention "). The heat-treated product obtained by heat-treating the photosensitive resin composition and the production method thereof, the resin pattern production method using the photosensitive resin composition, the heat-treated product obtained by heat-treating the photosensitive resin composition, and the heat- And various image display devices.

더욱 상세하게는 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치, 터치패널, 터치패널 표시 장치, 집적회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자부품의 평탄화막, 보호막이나 층간 절연막의 형성에 바람직한 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막의 제조 방법에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a photosensitive resin composition suitable for forming a planarizing film, a protective film, and an interlayer insulating film of electronic components such as a liquid crystal display, an organic EL display, a touch panel, a touch panel display, an integrated circuit element, And a method for producing a cured film.

고체 촬상 소자나 액정 표시 장치의 발달에 따라 유기 소재(수지)에 의해 마이크로 렌즈, 광 도파로, 반사방지막 등의 광학 부재를 제작하는 것이 널리 행해지게 되고 있다. BACKGROUND ART It has been widely practiced to manufacture optical members such as a microlens, an optical waveguide, and an antireflection film by an organic material (resin) in accordance with the development of solid-state image pickup devices and liquid crystal display devices.

이들 광학 부재는 고굴절률로 하기 위해서 산화티탄 등의 입자를 첨가하는 것이 검토되고 있다(하기 특허문헌 1 참조).It has been studied to add particles of titanium oxide or the like to these optical members in order to obtain a high refractive index (see Patent Document 1 below).

또한, 종래의 감광성 수지 조성물로서는 특허문헌 2~4에 기재된 감광성 수지 조성물이 알려져 있다.As the conventional photosensitive resin composition, the photosensitive resin compositions described in Patent Documents 2 to 4 are known.

일본 특허 공개 2006-98985호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-98985 일본 특허 공개 2008-158281호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-158281 일본 특허 공개 2011-248331호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-248331 한국 공개 특허 제 10-2012-0121850호 공보Korean Patent Laid-Open No. 10-2012-0121850

본 발명의 목적은 잉크젯 토출성, 건조성, 보존 안정성, 및 열 처리 후의 투명성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a photosensitive resin composition excellent in inkjet dischargeability, dryness, storage stability, and transparency after heat treatment.

본 발명의 상기 과제는 이하의 <1>, <7>~<10> 또는 <12>~<16>에 기재된 수단에 의해 해결되었다. 바람직한 실시형태인 <2>~<6> 및 <11>과 함께 이하에 기재한다.The above object of the present invention is solved by the means described in the following <1>, <7> - <10> or <12> - <16>. Are described below together with <2> to <6> and <11> which are the preferred embodiments.

<1> (성분 A) 무기 입자, (성분 B) 용제, (성분 C) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위를 포함하는 중합체, 및 (성분 D) 광산 발생제를 함유하고, 성분 B가 비점이 177℃ 이상 227℃ 이하이며, 또한 I/O값이 0.50 이상 1.00 이하인 비알코올계 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물.(Component C) a polymer comprising a constituent unit having an acid group protected by an acid-decomposable group, and (D) a photoacid generator, wherein the component B Wherein the non-alcohol solvent has a boiling point of 177 DEG C or higher and 227 DEG C or lower and an I / O value of 0.50 or more and 1.00 or less.

<2> 상기 <1>에 있어서,&Lt; 2 &gt; The method according to &lt; 1 &

상기 비알코올계 용제는 알킬렌글리콜모노알킬에테르아실레이트, 디알킬렌글리콜모노알킬에테르아실레이트, 디알킬렌글리콜디알킬에테르, 및 트리알킬렌글리콜디알킬에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제인 것을 특징으로 하는 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물.Wherein the non-alcoholic solvent is at least one selected from the group consisting of an alkylene glycol monoalkyl ether acylate, a dialkylene glycol monoalkyl ether acylate, a dialkylene glycol dialkyl ether, and a trialkylene glycol dialkyl ether By weight based on the total weight of the photosensitive resin composition.

<3> 상기 <1> 또는 <2>에 있어서, &Lt; 3 &gt; The method according to &lt; 1 &gt; or &lt; 2 &

성분 A는 금속 산화물 입자인 것을 특징으로 하는 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물.Wherein the component A is a metal oxide particle.

<4> 상기 <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 있어서,&Lt; 4 &gt; A method according to any one of &lt; 1 &gt; to &lt; 3 &

성분 A는 산화티탄 입자 또는 산화지르코늄 입자인 것을 특징으로 하는 잉크젯 도포용 수지 조성물.Wherein the component A is titanium oxide particles or zirconium oxide particles.

<5> 상기 <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 있어서, &Lt; 5 &gt; A method according to any one of &lt; 1 &gt; to &lt; 4 &

(성분 E) 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물.(Component E) a dispersing agent.

<6> 상기 <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 있어서,&Lt; 6 &gt; A method according to any one of &lt; 1 &gt; to &lt; 5 &

(성분 F) 열 가교제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물.(Component F) a thermal cross-linking agent.

<7> 적어도 공정(a)~(c)을 포함하는 것을 특징으로 하는 열 처리물의 제조 방법.&Lt; 7 &gt; A method for producing a heat-treated product, comprising at least the steps (a) to (c).

(a) 상기 <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물을 기판 상에 잉크젯 도포 방식에 의해 도포하는 도포 공정(a) a coating process for coating the photosensitive resin composition for inkjet application described in any one of &lt; 1 &gt; to &lt; 6 &gt;

(b) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정(b) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition

(c) 용제가 제거된 수지 조성물을 열 처리하는 열 처리 공정(c) a heat treatment step of heat-treating the resin composition from which the solvent has been removed

<8> 적어도 공정(1)~(5)을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 패턴 제조 방법.&Lt; 8 &gt; A method for producing a resin pattern, comprising at least steps (1) to (5).

(1) 상기 <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물을 기판 상에 잉크젯 도포 방식에 의해 도포하는 도포 공정(1) A coating process for coating the photosensitive resin composition for inkjet application described in any one of &lt; 1 &gt; to &lt; 6 &gt;

(2) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition

(3) 용제가 제거된 수지 조성물을 활성광선에 의해 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정(3) an exposure step of exposing the resin composition from which the solvent has been removed to a pattern shape by an actinic ray

(4) 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정(4) a developing step of developing the exposed resin composition with an aqueous developing solution

(5) 현상된 수지 조성물을 열 처리하는 열 처리 공정(5) Heat treatment process for heat-treating the developed resin composition

<9> 상기 <7>에 기재된 열 처리물의 제조 방법, 또는 상기 <8>에 기재된 수지 패턴 제조 방법에 의해 얻어진 것을 특징으로 하는 열 처리물.<9> A heat-treated product obtained by the method for producing a heat-treated product according to <7> or the method for producing a resin pattern according to <8>.

<10> 상기 <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물을 열 처리하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열 처리물.<10> A heat-treated product obtained by heat-treating the photosensitive resin composition for ink-jet application according to any one of <1> to <6>.

<11> 상기 <10>에 있어서,<11> In the above-mentioned <10>

층간 절연막인 것을 특징으로 하는 열 처리물.Wherein the insulating film is an interlayer insulating film.

<12> 상기 <10> 또는 <11>에 기재된 열 처리물을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.<12> A liquid crystal display device having the heat treatment described in <10> or <11>.

<13> 상기 <10> 또는 <11>에 기재된 열 처리물을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치.<13> An organic EL display device having the heat treatment described in <10> or <11>.

<14> 투명 기판, ITO 전극 및 절연층을 갖는 터치패널의 제조 방법으로서, ITO 전극에 접하도록 상기 <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물을 잉크젯 도포 방식에 의해 도포하는 공정, 상기 수지 조성물 상에 소정 형상의 개구 패턴을 갖는 마스크를 적재하고, 활성 에너지선 조사를 행하여 노광하는 공정, 노광 후의 수지 조성물을 현상하는 공정, 및 현상 후의 수지 조성물을 가열하여 절연층을 제조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 제조 방법.<14> A method of manufacturing a touch panel having a transparent substrate, an ITO electrode, and an insulating layer, wherein the photosensitive resin composition for inkjet coating according to any one of <1> to <6> A step of applying a mask having an opening pattern of a predetermined shape on the resin composition, a step of exposing the resin composition by exposure to active energy rays, a step of developing the resin composition after exposure, and a step of heating the resin composition after development, Wherein the method comprises the steps of:

<15> 절연층의 전부 또는 일부는 상기 <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물의 열 처리물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 터치패널.<15> The touch panel according to any one of <1> to <6>, wherein all or a part of the insulating layer is formed by heat treatment of the photosensitive resin composition for inkjet application.

<16> 상기 <10> 또는 <11>에 기재된 열 처리물, 또는 상기 <15>에 기재된 터치패널을 갖는 터치패널 표시 장치.<16> A touch panel display device having the heat treatment product according to <10> or <11>, or the touch panel according to <15>.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의하면 잉크젯 토출성, 건조성, 보존 안정성, 및 열 처리 후의 투명성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a photosensitive resin composition excellent in inkjet dischargeability, dryness, storage stability, and transparency after heat treatment.

도 1은 액정 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 액정 표시 장치에 있어서의 액티브 매트릭스 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 층간 절연막인 경화막(17)을 갖고 있다.
도 2는 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 보텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.
도 3은 정전 용량형 입력 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 전면판의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 5는 제 1 투명 전극 패턴 및 제 2 투명 전극 패턴의 일례를 나타내는 설명도이다.
Fig. 1 shows a configuration diagram of an example of a liquid crystal display device. Sectional view of an active matrix substrate in a liquid crystal display device and has a cured film 17 as an interlayer insulating film.
2 shows a configuration diagram of an example of the organic EL display device. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device and has a planarization film 4.
3 is a cross-sectional view showing the configuration of the capacitance type input device.
4 is an explanatory view showing an example of a front plate.
5 is an explanatory view showing an example of the first transparent electrode pattern and the second transparent electrode pattern.

이하에 있어서 본 발명의 내용에 대해서 상세히 설명한다. 이하에 기재하는 구성 요건의 설명은 본 발명의 대표적인 실시형태에 의거하여 이루어지는 경우가 있지만 본 발명은 그러한 실시형태에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail. The description of constituent elements described below may be made based on the exemplary embodiment of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiment.

또한, 본원 명세서에 있어서 수치 범위를 나타내는 「~」이란 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용된다.In the present specification, &quot; &quot; representing the numerical range is used to mean that numerical values written before and after the numerical value are included as a lower limit value and an upper limit value.

또한, 본 발명에 있어서 「(성분 A) 무기 입자」등을 단지 「성분 A」등이라고도 하고, 후술하는 「(a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위」 등을 단지 「구성단위(a1)」 등이라고도 한다.In the present invention, the term "(component A) inorganic particle" is also referred to simply as "component A" or the like, and the term "(a1) a structural unit having a group protected with an acid- a1) &quot;

또한, 본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것을 포함하는 것이다. 예를 들면, 「알킬기」란 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.The notation in which the substituent and the non-substituent are not described in the notation of the group (atomic group) in the present specification includes those having a substituent and having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

(잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물)(Photosensitive resin composition for inkjet application)

본 발명의 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물(이하, 단지 「감광성 수지 조성물」이라고도 한다)은 (성분 A) 무기 입자, (성분 B) 용제, (성분 C) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위를 포함하는 중합체, 및 (성분 D) 광산 발생제를 함유하고, 성분 B가 비점이 177℃ 이상 227℃ 이하이며, 또한 I/O값이 0.50 이상 1.00 이하인 비알코올계 용제를 포함하는 것을 특징으로 한다.The photosensitive resin composition for ink jet application (hereinafter, simply referred to as &quot; photosensitive resin composition &quot;) of the present invention is composed of (Component A) inorganic particles, (Component B) a solvent, (Component C) (B) a non-alcoholic solvent having a boiling point of 177 DEG C or higher and 227 DEG C or lower and an I / O value of 0.50 or higher and 1.00 or lower, wherein the component (B) do.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 포지티브형 레지스트 조성물로서 바람직하게 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention can be preferably used as a positive resist composition.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 열로 경화되는 성질을 갖는 경화성 수지 조성물인 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention is preferably a curable resin composition having heat curing properties.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 포지티브형 감광성 수지 조성물인 것이 바람직하고, 화학증폭형의 포지티브형 감광성 수지 조성물(화학증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물)인 것이 보다 바람직하다.Further, the photosensitive resin composition of the present invention is preferably a positive photosensitive resin composition, more preferably a positive-working photosensitive resin composition (chemically amplified positive photosensitive resin composition).

본 발명의 감광성 수지 조성물은 활성광선에 감응하는 광산 발생제로서 1,2-퀴논디아지드 화합물을 포함하지 않는 쪽이 바람직하다. 1,2-퀴논디아지드 화합물은 축차형 광 화학반응에 의해 카르복시기를 생성하지만, 그 양자 수율은 반드시 1 이하이다.It is preferable that the photosensitive resin composition of the present invention does not contain a 1,2-quinonediazide compound as a photoacid generator sensitive to an actinic ray. The 1,2-quinonediazide compound generates a carboxy group by a sequential photochemical reaction, but its quantum yield is necessarily 1 or less.

이것에 대하여 본 발명에서 사용하는 (성분 D) 광산 발생제는 활성광선에 감응하여 생성되는 산이 성분 C 중의 보호된 산기의 탈보호에 대하여 촉매로서 작용하므로 1개의 광량자의 작용으로 생성된 산이 다수의 탈보호 반응에 기여하고, 양자 수율은 1을 초과하고, 예를 들면 10의 거듭제곱과 같은 큰 값이 되어 소위 화학증폭의 결과로서 고감도가 얻어진다. On the other hand, the photoacid generator (component D) used in the present invention is a compound in which the acid generated by the action of the actinic ray acts as a catalyst against the deprotection of the protected acid group in the component C, Contributes to the deprotection reaction, and the quantum yield exceeds 1 and becomes, for example, a large value such as a power of 10, resulting in a high sensitivity as a result of so-called chemical amplification.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 마이크로 렌즈, 광 도파로, 반사방지막, LED용 밀봉재 및 LED용 칩 코트재 등의 광학 부재용 수지 조성물, 또는 터치패널에 사용되는 배선 전극의 시인성 저감용 수지 조성물인 것이 바람직하다. 또한, 터치패널에 사용되는 배선 전극의 시인성 저감용 조성물이란 터치패널에 사용되는 배선 전극의 시인성을 저감하는, 즉, 배선 전극을 보기 어렵게 하는 부재용 조성물이며, 예를 들면 ITO(산화 인듐 주석) 전극 사이의 층간 절연막 등을 들 수 있고, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 용도에 바람직하게 사용할 수 있다.Further, the photosensitive resin composition of the present invention is a resin composition for an optical member such as a microlens, an optical waveguide, an antireflection film, a sealing material for an LED and a chip coating material for an LED, or a resin composition for reducing visibility of a wiring electrode used in a touch panel . The composition for reducing the visibility of the wiring electrode used in the touch panel is a composition for a member which reduces the visibility of the wiring electrode used in the touch panel, that is, makes the wiring electrode difficult to see. For example, ITO (indium tin oxide) An interlayer insulating film between electrodes, and the like. The photosensitive resin composition of the present invention can be preferably used for the above applications.

일반적으로 포지티브형 감광성 수지 조성물은 노광하면 광산 발생제와의 작용에 의해 함유되는 폴리머가 갖는 산 분해성기가 탈리되어 현상액에 용해되고, 미노광부가 패턴으로서 형성된다.Generally, in the positive photosensitive resin composition, when exposed to light, the acid-decomposable group contained in the polymer contained in the polymer is dissolved by the action of the photoacid generator to dissolve in the developer, and the unexposed portion is formed as a pattern.

얻어지는 경화막을 고굴절률화하기 위해서는 감광성 수지 조성물 중의 무기 입자 함량을 고농도화할 필요가 있다. 감광성 수지 조성물 중의 무기 입자 함유량이 많아지면 무기 입자는 감광성 수지 조성물 중에서 응집되는 경우가 있고, 감광성 수지 조성물이 증점되고, 그 결과 잉크젯 노즐로부터의 토출 불량에 의해 도포에 지장을 초래하는 경우가 있다. 또한, 건조성의 제어가 곤란해진다.To increase the refractive index of the resulting cured film, it is necessary to increase the content of inorganic particles in the photosensitive resin composition. When the content of the inorganic particles in the photosensitive resin composition is increased, the inorganic particles sometimes aggregate in the photosensitive resin composition, and the photosensitive resin composition is thickened, and as a result, there is a case where coating failure is caused by poor discharge from the inkjet nozzle. Further, it becomes difficult to control the drying property.

스핀코트 방식이면 도포 불균일이 없이 균일하게 도포가능한 레지스트이어도 잉크젯 도포에 사용하면 토출 불량이나 토출할 수 없는 경우가 있다. 그리고, 토출 유량의 불균일에 기인하여 도포막이 불균일해져 스트라이프 형상의 막 형상 불균일이 생긴다는 문제가 있었다.Even in the case of a spin coat method, even a resist which can be uniformly applied without spreading unevenness may be defective in ejection or can not be ejected if it is used for inkjet application. In addition, there is a problem in that unevenness of the coating film due to unevenness of discharge flow rate causes unevenness of the film shape of the stripe shape.

또한, 도포 매수(도포 횟수)를 거듭함으로써 토출 노즐의 선단은 습윤, 건조를 반복한다. 무기 입자를 분산시킨 잉크가 노즐의 선단에서 건조되면 고형분 농도가 급격하게 증가하여 응집 덩어리가 발생하는 경우가 있다. 이들의 응집 덩어리에 의해 토출 유량의 불균일이 생기고, 토출 불량에 의한 도포 불균일이 이루어진다. 또한, 이 응집 덩어리가 노즐의 선단에 부착되어 재차 잉크를 토출했을 때에 노즐의 선단으로부터 박리되어 기판 상으로 이동한다. 이들 응집 덩어리는 그 후의 공정에서는 용이하게 제거되지 않고 최후까지 기판 상에 잔류한다. 이러한 응집 덩어리는 결함이 되어 품질 불량의 원인이 된다. 이 불량 현상이 빈발하면 제품의 수율이 저하하므로 피하지 않으면 안되는 현상 중 하나로 여겨지고 있다. Further, by repeating the number of coating (the number of application), the tip of the discharge nozzle repeats wetting and drying. When the ink in which the inorganic particles are dispersed is dried at the tip of the nozzle, the concentration of the solid content increases sharply, resulting in agglomerates. The coagulation agglomerations of these particles cause irregularities in the discharge flow rate, resulting in nonuniform application due to discharge failure. Further, when the coagulated mass adheres to the tip of the nozzle and the ink is ejected again, it is peeled from the tip of the nozzle and moved onto the substrate. These agglomerated agglomerates are not easily removed in the subsequent steps but remain on the substrate until the last. Such agglomerates become defective and cause quality defects. If this bad phenomenon occurs frequently, it is considered to be one of the phenomena that must be avoided because the product yield is lowered.

또한, 특허문헌 3에는 스핀코트 도포 및 슬릿 다이 코트 도포에서의 기재는 있지만 잉크젯 도포에 대해서는 구체적으로 개시되어 있지 않고, 실시예에 있어서도 잉크젯 도포에 의한 도포는 이루어지고 있지 않다.In Patent Document 3, there is a substrate in the spin coat application and the slit die coat application, but the application to the ink jet application is not specifically disclosed, and the application by the ink jet application is not carried out in the Examples.

본 발명자 등은 상세한 검토의 결과, 성분 A~성분 D를 함유하는 감광성 수지 조성물로 함으로써 잉크젯 토출성, 건조성, 보존 안정성, 및 열 처리 후의 투명성이 우수한 감광성 수지 조성물이 얻어지는 것을 찾아냈다.As a result of a detailed examination, the inventors of the present invention have found that a photosensitive resin composition containing the components A to D can be obtained which has excellent inkjet dischargeability, dryness, storage stability, and transparency after heat treatment.

이하, 본 발명의 조성물에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the composition of the present invention will be described in detail.

(성분 A) 무기 입자(Component A)

본 발명의 감광성 수지 조성물은 굴절률이나 광 투과성을 조절하는 것을 목적으로 하여 (성분 A) 무기 입자를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention contains inorganic particles (component A) for the purpose of controlling the refractive index and light transmittance.

성분 A는 상기 입자를 제외한 재료로 이루어지는 수지 조성물의 굴절률보다 굴절률이 높은 것이 바람직하고, 구체적으로는 400~750㎚의 파장을 갖는 광에 있어서의 굴절률이 1.50 이상인 입자가 보다 바람직하고, 굴절률이 1.70 이상인 입자가 더욱 바람직하고, 1.90 이상인 입자가 특히 바람직하다. 또한, 굴절률이 5.00 이하인 입자가 바람직하다.The component A preferably has a refractive index higher than the refractive index of the resin composition made of the material excluding the above-mentioned particles. Specifically, particles having a refractive index of 1.50 or higher in light having a wavelength of 400 to 750 nm are more preferable, and a refractive index is 1.70 Or more, more preferably 1.90 or more. Further, particles having a refractive index of 5.00 or less are preferable.

여기서, 400~750㎚의 파장을 갖는 광에 있어서의 굴절률이 1.50 이상이면 상기 범위의 파장을 갖는 광에 있어서의 평균 굴절률이 1.50 이상인 것을 의미하고, 상기 범위의 파장을 갖는 모든 광에 있어서의 굴절률이 1.50 이상인 것을 요하지 않는다. 또한, 평균 굴절률은 상기 범위의 파장을 갖는 각 광에 대한 굴절률의 측정값의 총합을 측정점의 수로 나눈 값이다.Here, when the refractive index in the light having the wavelength of 400 to 750 nm is 1.50 or more, it means that the average refractive index in the light having the wavelength in the above range is 1.50 or more, and the refractive index Does not need to be more than 1.50. The average refractive index is a value obtained by dividing the sum of measured values of refractive index for each light having a wavelength in the above range by the number of measurement points.

이러한 높은 굴절률을 갖는 무기 입자로서는 금속 산화물 입자가 바람직하다. 금속 산화물 입자는 투명성이 높고, 광 투과성을 갖기 때문에 고굴절률이며, 투명성이 우수한 감광성 수지 조성물이 용이하게 얻어진다.As the inorganic particles having such a high refractive index, metal oxide particles are preferable. Since metal oxide particles have high transparency and light transmittance, a photosensitive resin composition having high refractive index and excellent transparency can be easily obtained.

또한, 본 발명에 있어서의 금속 산화물 입자의 금속에는 B, Si, Ge, As, Sb, Te 등의 반금속도 포함되는 것으로 한다.In addition, the metal of the metal oxide particle in the present invention includes a semi-metal such as B, Si, Ge, As, Sb and Te.

광 투과성이며 굴절률이 높은 금속 산화물 입자로서는 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, Ce, Gd, Tb, Dy, Yb, Lu, Ti, Zr, Hf, Nb, Mo, W, Zn, B, Al, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi, Te 등의 원자를 포함하는 산화물 입자가 바람직하고, 산화티탄, 티탄 복합 산화물, 산화아연, 산화지르코늄, 인듐/주석 산화물, 안티몬/주석 산화물이 보다 바람직하고, 산화티탄, 티탄 복합 산화물, 산화지르코늄이 더욱 바람직하고, 산화티탄, 산화지르코늄이 특히 바람직하고, 산화티탄이 가장 바람직하다. 산화티탄으로서는 특히 굴절률이 높은 루틸형이 바람직하다. 이들 금속 산화물 입자는 분산 안정성 부여를 위해 표면을 유기 재료로 처리할 수도 있다.Ba, Sc, Y, La, Ce, Gd, Tb, Dy, Yb, Lu, Ti, Zr, Hf, Nb, Mo, W, and Ba are used as the metal oxide particles having high light transmittance and high refractive index. Oxide particles containing atoms such as Zn, B, Al, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi and Te are preferable, and titanium oxide, titanium composite oxide, zinc oxide, zirconium oxide, indium / / Tin oxide is more preferable, and titanium oxide, titanium composite oxide and zirconium oxide are more preferable, and titanium oxide and zirconium oxide are particularly preferable, and titanium oxide is most preferable. As the titanium oxide, a rutile type having a particularly high refractive index is preferable. These metal oxide particles may be treated with an organic material to impart dispersion stability.

수지 조성물의 투명성의 관점으로부터 성분 A의 평균 1차 입자경은 1~200㎚가 바람직하고, 3~80㎚가 특히 바람직하다. 여기서 입자의 평균 1차 입자경은 전자현미경에 의해 임의의 입자 200개의 입자경을 측정하고, 그 산술평균을 말한다. 또한, 입자의 형상이 구형이 아닌 경우에는 가장 긴 변을 지름으로 한다. From the viewpoint of transparency of the resin composition, the average primary particle size of the component A is preferably 1 to 200 nm, and particularly preferably 3 to 80 nm. Here, the average primary particle size of the particles refers to an arithmetic average of 200 particles of an arbitrary particle measured by an electron microscope. When the shape of the particle is not spherical, the longest side is a diameter.

또한, 성분 A는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.Component A may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 성분 A의 함유량은 감광성 수지 조성물에 의해 얻어지는 광학 부재에 요구되는 굴절률이나, 광 투과성 등을 고려하여 적당히 결정하면 좋지만 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 5~80질량%로 하는 것이 바람직하고, 10~70질량%로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 감광성 수지 조성물의 고형분량이란 용제 등의 휘발성 성분을 제외한 양을 나타낸다.The content of the component A in the photosensitive resin composition of the present invention may be appropriately determined in consideration of the refractive index, light transmittance and the like required for the optical member obtained by the photosensitive resin composition, but it is preferably 5 to 80 mass parts relative to the total solid content of the photosensitive resin composition %, More preferably from 10 to 70% by mass. The solid content of the photosensitive resin composition refers to an amount excluding volatile components such as a solvent.

본 발명에 있어서 무기 입자는 후술하는 (성분 E) 분산제 및 용매 중에서 볼밀, 로드밀 등의 혼합 장치를 사용하여 혼합·분산시킴으로써 조제된 분산액으로서 사용에 제공할 수도 있다.In the present invention, the inorganic particles may be provided for use as a dispersion prepared by mixing and dispersing in a dispersing agent and a solvent described later (component E) using a mixing device such as a ball mill or a rod mill.

상기 분산액의 조제에 사용되는 용매로서는 예를 들면, 후술하는 (성분 B) 용제 외 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, 2-메틸-2-프로판올, 1-펜탄올, 2-펜탄올, 3-펜탄올, 3-메틸-1-부탄올, 2-메틸-2-부탄올, 네오펜탄올, 시클로 펜탄올, 1-헥산올, 시클로헥산올 등의 알코올류 등을 들 수 있다.Examples of the solvent used for preparing the dispersion include solvents such as 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, 2- Alcohols such as 2-pentanol, 3-pentanol, 3-methyl-1-butanol, 2-methyl-2-butanol, neopentanol, cyclopentanol, 1-hexanol and cyclohexanol have.

이들의 용매는 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다.These solvents may be used alone or in combination of two or more.

(성분 B) 용제(Component B) Solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 B) 용제를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (Component B) a solvent.

또한, 성분 B는 비점이 177℃ 이상 227℃ 이하이며, 또한 I/O값이 0.50 이상 1.00 이하인 비알코올계 용제(이하, 「특정 용제」라고도 한다)를 포함한다. 본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 특정 용제를 함유함으로써 특히 건조성 및 잉크젯 토출성이 우수하다.The component B includes a non-alcohol solvent (hereinafter, also referred to as a "specific solvent") having a boiling point of 177 ° C. or more and 227 ° C. or less and an I / O value of 0.50 or more and 1.00 or less. The photosensitive resin composition of the present invention is particularly excellent in dryability and inkjet discharge property by containing the above specific solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 본 발명의 필수성분과, 또한 후술의 임의의 성분을 (성분 B) 용제에 용해 또는 분산시킨 용액으로서 조제되는 것이 바람직하다. The photosensitive resin composition of the present invention is preferably prepared as a solution in which the essential component of the present invention and any of the components described below are dissolved or dispersed in the (Component B) solvent.

본 발명에 있어서의 상기 비점은 표준 비점, 즉 1기압(101, 325Pa)에 있어서의 비점이다.The boiling point in the present invention is a boiling point at a standard boiling point, that is, at one atmosphere pressure (101, 325 Pa).

상기 특정 용제의 비점은 177℃ 이상 227℃ 이하이며, 178℃ 이상 225℃ 이하인 것이 바람직하고, 178℃ 이상 220℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위이면 잉크젯 토출성, 건조성, 현상성, 및 열 처리 후의 투명성이 우수하다.The specific solvent has a boiling point of 177 DEG C or higher and 227 DEG C or lower, preferably 178 DEG C or higher and 225 DEG C or lower, and more preferably 178 DEG C or higher and 220 DEG C or lower. Within this range, inkjet dischargeability, dryness, developability, and transparency after heat treatment are excellent.

또한, 상기 특정 용제의 비점이 177℃ 미만이면 잉크젯 토출성이 악화된다. 한편, 비점이 227℃를 초과하면 건조성 및 현상성이 열화된다.If the boiling point of the specific solvent is less than 177 캜, the ink-jet dischargeability deteriorates. On the other hand, when the boiling point exceeds 227 ° C, dryness and developability are deteriorated.

I/O값이란 무기성 값/유기성 값이라고도 칭해지는 각종 유기 화합물의 극성을 유기 개념적으로 취급한 값이며, 각 관능기에 파라미터를 설정하는 관능기 기여법 중 하나이다. The I / O value is a value that treats the polarity of various organic compounds, also referred to as an inorganic value / organic value, as an organic concept, and is one of the functional group contributing methods for setting parameters in each functional group.

본 발명에 있어서의 I/O값은 「신판 유기 개념도 기초와 응용」(코우다 요시오, 사토 시로, 혼마 요시오 저, SANKYO PUBLISHING Co., Ltd.(2008))의 기재에 의거하여 산출한 값이다.The I / O value in the present invention is a value calculated based on the description of "New Edition Organic Conceptual Basics and Application" (Koda Yoshio, Satoshiro, Honma Yoshio, SANKYO PUBLISHING Co., Ltd. (2008)).

예를 들면, 유기 개념도 계산 시트 (http://www.ecosci.jp/chem9/interaction.html)에 의해 바람직하게 구할 수 있다.For example, the organic concept diagram can be preferably obtained by a calculation sheet (http://www.ecosci.jp/chem9/interaction.html).

또한 I/O값에 대해서는 유기 개념도(코우다 요시오 저, SANKYO PUBLISHING Co., Ltd.(1984)); KUMAMOTO PHARMACEUTICAL BULLETIN, 제 1 호, 제 1~16페이지(1954년); 화학의 영역, 제 11 권, 제 10 호, 719~725페이지(1957년); FRAGRANCE JOURNAL LTD., 제 34 호, 제 97~111페이지(1979년); FRAGRANCE JOURNAL LTD., 제 50 호, 제 79~82페이지(1981년); 등의 문헌에도 상세한 설명이 있다.For the I / O value, an organic concept diagram (SANKYO PUBLISHING Co., Ltd. (1984)), Yoshio Koda; KUMAMOTO PHARMACEUTICAL BULLETIN, No. 1, pp. 1-16 (1954); Area of Chemistry, Vol. 11, No. 10, pp. 719-725 (1957); FRAGRANCE JOURNAL LTD., No. 34, pp. 97-111 (1979); FRAGRANCE JOURNAL LTD., No. 50, pp. 79-82 (1981); And the like are also described in detail.

I/O값의 개념은 화합물의 성질을 공유결합성을 나타내는 유기성 기와, 이온결합성을 의미하는 무기성 기로 나누고, 모든 유기 화합물을 유기축, 무기축으로 명명한 직행 좌표 상의 1점씩 위치하게 하여 나타내는 것이다.The concept of the I / O value is made by dividing the properties of the compound into an organic group that exhibits covalent bonding and an inorganic group that represents ionic bonding, and positions each organic compound on the direct axis coordinate axis .

상기 무기성 값이란 유기 화합물이 갖고 있는 다양한 치환기나 결합 등의 비점에의 영향력의 대소를 수산기를 기준으로 수치화한 것이다. 구체적으로는 직쇄 알코올의 비점 곡선과 직쇄 파라핀의 비점 곡선의 거리를 탄소수 5개의 부근에서 취하면 약 100℃가 되므로 수산기 1개의 영향력을 수치로 100으로 정하고, 이 수치 에 의거하여 각종 치환기 또는 각종 결합 등의 비점에의 영향력을 수치화한 값이 유기 화합물이 갖고 있는 치환기의 무기성 값이 된다. 예를 들면, -COOH기의 무기성 값은 150이며, 탄소-탄소 이중결합의 무기성 값은 2이다. 따라서, 어느 종의 유기 화합물의 무기성 값이란 화합물이 갖고 있는 각종 치환기나 결합 등의 무기성 값의 총합을 의미한다.The inorganic value is the numerical value of the influence of the various substituents or bonds of the organic compound on the boiling point based on the hydroxyl group. Specifically, when the distance between the boiling point curve of the straight chain alcohol and the boiling point curve of the straight chain paraffin is taken to be about 100 ° C., the influence of one hydroxyl group is defined as 100, and various substituents or various combinations The value obtained by quantifying the influence on the boiling point of the organic compound becomes the inorganic value of the substituent of the organic compound. For example, the inorganic value of the -COOH group is 150, and the inorganic value of the carbon-carbon double bond is 2. Therefore, the inorganic value of any kind of organic compound means the total sum of inorganic values such as various substituents and bonds possessed by the compound.

또한, 상기 유기성 값이란 분자 내의 메틸렌기를 단위로 하고, 그 메틸렌기를 대표하는 탄소 원자의 비점에의 영향력을 기준으로 해서 정한 것이다. 즉, 직쇄 포화 탄화수소 화합물의 탄소수 5~10개 부근에서 탄소 1개가 가해짐에 따른 비점 상승의 평균값은 20℃이기 때문에 이것을 기준으로 탄소 원자 1개의 유기성 값을 20으로 정하고, 이것을 기초로 하여 각종 치환기나 결합 등의 비점에의 영향력을 수치화한 값이 유기성 값이 된다. 예를 들면, 니트로기(-NO2)의 유기성 값은 70이다.The organic value is determined based on the influence of the carbon atom representing the methylene group on the boiling point, with the methylene group in the molecule as a unit. That is, since the average value of the boiling point increase due to addition of one carbon in the vicinity of 5 to 10 carbon atoms of the straight chain saturated hydrocarbon compound is 20 ° C, the organic value of one carbon atom is set to 20 based on this, The value obtained by quantifying the influence on the boiling point of the compound or the bond is an organic value. For example, the organic value of the nitro group (-NO 2 ) is 70.

I/O값은 0에 가까울수록 비극성(소수성, 유기성이 크다)의 유기 화합물인 것을 나타내고, 값이 클수록 극성(친수성, 무기성이 크다)의 유기 화합물인 것을 나타낸다.As the I / O value becomes closer to 0, it indicates that the organic compound is nonpolar (hydrophobic and organic). The larger the value, the more the organic compound is of polarity (hydrophilic and inorganic).

상기 특정 용제의 I/O값은 0.50 이상 1.00 이하이며, 0.53 이상 0.90 이하인 것이 바람직하고, 0.53 이상 0.85 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.55 이상 0.82 이하인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위이면 현상성, 보존 안정성, 및 열 처리 후의 투명성이 우수하다.The I / O value of the specific solvent is preferably 0.50 or more and 1.00 or less, more preferably 0.53 or more and 0.90 or less, still more preferably 0.53 or more and 0.85 or less, still more preferably 0.55 or more and 0.82 or less. Within the above range, developability, storage stability, and transparency after heat treatment are excellent.

상기 특정 용제의 I/O값이 0.50 미만이면 현상성 및 보존 안정성이 열화된다. 한편, I/O값이 1.00을 초과하면 열 처리 후의 투명성이 악화된다.If the I / O value of the specific solvent is less than 0.50, developability and storage stability deteriorate. On the other hand, if the I / O value exceeds 1.00, transparency after heat treatment deteriorates.

또한, 상기 특정 용제는 25℃에 있어서의 표면장력(단지 「표면장력」이라고도 한다)이 20~35dyn/㎠인 것이 바람직하고, 22~35dyn/㎠인 것이 보다 바람직하고, 22~33dyn/㎠인 것이 더욱 바람직하고, 23~31dyn/㎠인 것이 특히 바람직하다. 상기 범위이면 상기 범위이면 잉크젯 토출성, 및 열 처리 후의 투명성이 보다 우수하다. The specific solvent preferably has a surface tension (also referred to simply as &quot; surface tension &quot;) of 25 to 25 dyn / More preferably 23 to 31 dyn / cm &lt; 2 &gt;. Within the above range, the inkjet dischargeability and transparency after heat treatment are superior in the above range.

상기 특정 용제의 25℃에 있어서의 표면장력의 측정 방법으로서는 공지의 방법을 사용할 수 있지만 적륜(吊輪)법, 또는 빌헬미법으로 측정하는 것이 바람직하다. 예를 들면, Kyowa Interface Science Co., LTD. 제작 자동 표면장력계 CBVP-Z 를 사용하여 측정하는 방법, 또는 KSV INSTRUMENTS LTD 제작 SIGMA 702를 사용하여 측정하는 방법을 바람직하게 들 수 있다.As a method of measuring the surface tension of the specific solvent at 25 캜, a known method can be used, but it is preferably measured by a wheel suspension method or a Wilhelmy method. For example, Kyowa Interface Science Co., LTD. A method of measuring using a manufactured automatic surface tension meter CBVP-Z, or a method of measuring using a SIGMA 702 manufactured by KSV Instruments Inc. can be preferably used.

상기 특정 용제는 비알코올계 용제, 즉 히드록시기를 갖지 않는 용제이다. 상기 특정 용제가 알코올계 용제이면 건조성, 현상성 및 보존 안정성이 열화된다. The specific solvent is a non-alcohol solvent, that is, a solvent having no hydroxy group. If the specific solvent is an alcohol-based solvent, dryness, developability and storage stability are deteriorated.

상기 특정 용제로서는 알킬렌글리콜모노알킬에테르아실레이트, 디알킬렌글리콜모노알킬에테르아실레이트, 디알킬렌글리콜디알킬에테르, 및 트리알킬렌글리콜디알킬에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제인 것이 바람직하고, 디알킬렌글리콜디알킬에테르, 및 트리알킬렌글리콜디알킬에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제인 것이 보다 바람직하고, 디알킬렌글리콜디알킬에테르인 것이 더욱 바람직하다. 상기 실시형태이면 잉크젯 토출성, 건조성, 및 열 처리 후의 투명성이 보다 우수하다. As the specific solvent, at least one solvent selected from the group consisting of alkylene glycol monoalkyl ether acylate, dialkylene glycol monoalkyl ether acylate, dialkylene glycol dialkyl ether, and trialkylene glycol dialkyl ether More preferably at least one solvent selected from the group consisting of a dialkylene glycol dialkyl ether and a trialkylene glycol dialkyl ether, and more preferably a dialkylene glycol dialkyl ether . The above embodiment is superior in inkjet dischargeability, dryness, and transparency after heat treatment.

상기 특정 용제는 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 좋다.The above-mentioned specific solvents may be used alone or in combination of two or more.

상기 특정 용제의 구체예로서는 이하의 것을 바람직하게 들 수 있다.Specific examples of the specific solvent include the following.

에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트(BMGAC, 비점 188℃, 표면장력 27.4dyn/㎠, I/O값 0.632)Ethylene glycol monobutyl ether acetate (BMGAC, boiling point 188 캜, surface tension 27.4 dyn / cm 2, I / O value 0.632)

디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(EDGAC, 비점 217℃, 표면장력 30.9dyn/㎠, I/O값 0.818)Diethylene glycol monoethyl ether acetate (EDGAC, boiling point 217 캜, surface tension 30.9 dyn / cm 2, I / O value 0.818)

디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(DPMA, 비점 213℃, 표면장력 27.3dyn/㎠, I/O값 0.556)Dipropylene glycol monomethyl ether acetate (DPMA, boiling point 213 占 폚, surface tension 27.3 dyn / cm2, I / O value 0.556)

프로필렌글리콜모노메틸에테르프로피오네이트(PGMEP, 비점 178℃, 표면장력 27.2dyn/㎠, I/O값 0.571)Propylene glycol monomethyl ether propionate (PGMEP, boiling point 178 캜, surface tension 27.2 dyn / cm 2, I / O value 0.571)

디에틸렌글리콜디에틸에테르(EDE(DEDG), 비점 189℃, 표면장력 25.1dyn/㎠, I/O값 0.636)Diethylene glycol diethyl ether (EDE (DEDG), boiling point 189 캜, surface tension 25.1 dyn / cm 2, I / O value 0.636)

트리에틸렌글리콜디메틸에테르(MTM, 비점 216℃, 표면장력 30.0dyn/㎠, I/O값 0.800)Triethyleneglycol dimethyl ether (MTM, boiling point 216 캜, surface tension 30.0 dyn / cm 2, I / O value 0.800)

디에틸렌글리콜에틸메틸에테르(MEDG(EDM), 비점 176℃, 표면장력 26.8dyn/㎠, I/O값 0.700)Diethyleneglycol ethyl methyl ether (MEDG (EDM), boiling point 176 캜, surface tension 26.8 dyn / cm 2, I / O value 0.700)

디에틸렌글리콜이소프로필메틸에테르(IPDM, 비점 179℃, 표면장력 23.9dyn/㎠, I/O값 0.636)Diethylene glycol isopropyl methyl ether (IPDM, boiling point 179 캜, surface tension 23.9 dyn / cm 2, I / O value 0.636)

1-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]부탄(BDM, 비점 212℃, 표면장력 24.1dyn/㎠, I/O값 0.583)(BDM, boiling point: 212 占 폚, surface tension: 24.1 dyn / cm2, I / O value: 0.583)

그 중에서도 상기 특정 용제로서는 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜이소프로필메틸에테르, 및 트리에틸렌글리콜디메틸에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 것이 바람직하고, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 및 디에틸렌글리콜이소프로필메틸에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 것이 보다 바람직하고, 디에틸렌글리콜디에틸에테르인 것이 특히 바람직하다. 상기 형태이면 잉크젯 토출성, 건조성, 및 열 처리 후의 투명성이 보다 우수하다.Among them, the specific solvent is preferably at least one selected from the group consisting of diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol isopropyl methyl ether, and triethylene glycol dimethyl ether It is preferable to include a solvent and at least one solvent selected from the group consisting of diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, and diethylene glycol isopropyl methyl ether More preferably, diethylene glycol diethyl ether is particularly preferable. The above form is superior in inkjet dischargeability, dryness, and transparency after heat treatment.

또한, 상기 특정 용제로서는 프로필렌글리콜모노메틸에테르프로피오네이트, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 및 트리에틸렌글리콜디메틸에테르인 것이 특히 바람직하다.The specific solvent is particularly preferably propylene glycol monomethyl ether propionate, diethylene glycol diethyl ether, and triethylene glycol dimethyl ether.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 상기 특정 용제 이외의 용제로서는 공지의 용제를 사용할 수 있고, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 용제의 구체예로서는 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0174~0178에 기재된 용제, 일본 특허 공개 2012-194290호 공보의 단락 0167~0168에 기재된 용제도 들 수 있고, 이들의 내용은 본원 명세서에 포함된다.As the solvent other than the above-mentioned specific solvent used in the photosensitive resin composition of the present invention, known solvents can be used, and examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl There may be mentioned ethers, propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers , Dipropylene glycol monoalkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, and the like. Specific examples of the solvent to be used in the photosensitive resin composition of the present invention include the solvent described in paragraphs 0174 to 0178 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-221494 and the solvent described in paragraphs 0167 to 0168 of Japanese Patent Application Laid- , The contents of which are incorporated herein by reference.

또한, 이들의 용제에 필요에 따라 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노날, 벤질알코올, 아니솔, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌 등의 용제를 더 첨가할 수도 있다.These solvents may optionally contain one or more solvents selected from the group consisting of benzyl ethyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, isophorone, caproic acid, It is also possible to add a solvent such as octanol, 1-nonal, benzyl alcohol, anisole, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate and propylene carbonate.

이들 용제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다. 본 발명에 사용할 수 있는 용제는 1종 단독, 또는 2종을 병용하는 것이 바람직하다.These solvents may be used alone or in combination of two or more. The solvent which can be used in the present invention is preferably a single solvent or a combination of two solvents.

이들 중에서도 상기 특정 용제 이외의 용제로서는 비알코올계 용제인 것이 바람직하고, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류가 보다 바람직하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트가 특히 바람직하다. 상기 실시형태이면 잉크젯 토출성이 보다 우수하다.Of these solvents, non-alcohol solvents are preferable as solvents other than the above-mentioned specific solvents, propylene glycol monoalkyl ether acetates are more preferable, and propylene glycol monomethyl ether acetate is particularly preferable. In the above-described embodiment, the ink jet discharging property is superior.

또한, 다른 용제로서 사용해도 좋은 상기 특정 용제 이외의 용제의 구체예에 대하여 비점, 표면장력, 및/또는 I/O값을 나타낸다.Also, it shows a boiling point, a surface tension, and / or an I / O value with respect to specific examples of the solvent other than the above-mentioned specific solvent which may be used as another solvent.

프로필렌글리콜디아세테이트(PGDA, 비점 190℃, 표면장력 31.2dyn/㎠, I/O값 1.200)Propylene glycol diacetate (PGDA, boiling point 190 占 폚, surface tension 31.2 dyn / cm2, I / O value 1.200)

1,3-부틸렌글리콜디아세테이트(1,3-BGDA, 비점 232℃, 표면장력 31.4dyn/㎠, I/O값 0.750)1,3-butylene glycol diacetate (1,3-BGDA, boiling point 232 ° C, surface tension 31.4 dyn / cm 2, I / O value 0.750)

1,4-부탄디올디아세테이트(1,4-BDDA, 비점 232℃, 표면장력 34.2dyn/㎠, I/O값 0.750)1,4-butanediol diacetate (1,4-BDDA, boiling point 232 占 폚, surface tension 34.2 dyn / cm2, I / O value 0.750)

1,6-헥산디올디아세테이트(1,6-HDDA, 비점 260℃, 표면장력 34.1dyn/㎠, I/O값 0.600)1,6-hexanediol diacetate (1,6-HDDA, boiling point 260 占 폚, surface tension 34.1 dyn / cm2, I / O value 0.600)

시클로헥산올아세테이트(CHXA, 비점 173℃, 표면장력 30.5dyn/㎠, I/O값 0.438)Cyclohexanol acetate (CHXA, boiling point 173 DEG C, surface tension 30.5 dyn / cm &lt; 2 &gt;, I / O value 0.438)

프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA, 비점 146℃, 표면장력 26.7dyn/㎠, I/O값 0.667)Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA, boiling point 146 캜, surface tension 26.7 dyn / cm 2, I / O value 0.667)

1-에톡시-2-프로필아세테이트(비점 160℃, I/O값 0.571)Ethoxy-2-propyl acetate (boiling point 160 캜, I / O value 0.571)

디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트(BDGAC, 비점 247℃, 표면장력 29.7dyn/㎠, I/O값 0.692)Diethylene glycol monobutyl ether acetate (BDGAC, boiling point 247 캜, surface tension 29.7 dyn / cm 2, I / O value 0.692)

디프로필렌글리콜모노 n-프로필에테르아세테이트(DPNPA, 비점 232℃, I/O값 0.455)Dipropylene glycol mono n-propyl ether acetate (DPNPA, boiling point 232 ° C, I / O value 0.455)

디프로필렌글리콜모노 n-부틸에테르아세테이트(DPNBA, 비점 251℃, I/O값 0.417)Dipropylene glycol mono n-butyl ether acetate (DPNBA, boiling point 251 캜, I / O value 0.417)

부틸렌글리콜메틸모노메틸에테르아세테이트(MBA, 비점 171℃, 표면장력 27.9dyn/㎠, I/O값 0.571)Butylene glycol methyl monomethyl ether acetate (MBA, boiling point 171 캜, surface tension 27.9 dyn / cm 2, I / O value 0.571)

에틸 3-에톡시프로피오네이트(EEP, 비점 170℃, I/O값 0.571)Ethyl 3-ethoxypropionate (EEP, boiling point 170 캜, I / O value 0.571)

디에틸렌글리콜디메틸에테르(MDM, 비점 162℃, 표면장력 28.1dyn/㎠, I/O값 0.778)Diethylene glycol dimethyl ether (MDM, boiling point: 162 占 폚, surface tension: 28.1 dyn / cm2, I / O value: 0.778)

디에틸렌글리콜디부틸에테르(BDB, 비점 256℃, 표면장력 24.9dyn/㎠, I/O값 0.467)Diethylene glycol dibutyl ether (BDB, boiling point: 256 占 폚, surface tension: 24.9 dyn / cm2, I / O value: 0.467)

테트라에틸렌글리콜디메틸에테르(MTEM, 비점 275℃, 표면장력 31.8dyn/㎠, I/O값 0.813)Tetraethyleneglycol dimethyl ether (MTEM, boiling point: 275 占 폚, surface tension: 31.8 dyn / cm2, I / O value: 0.813)

트리프로필렌글리콜디메틸에테르(MDPOM, 비점 171℃, 표면장력 24.7dyn/㎠, I/O값 0.375)Tripropylene glycol dimethyl ether (MDPOM, boiling point 171 캜, surface tension 24.7 dyn / cm 2, I / O value 0.375)

디프로필렌글리콜메틸-n-프로필에테르(DPMNP, 비점 203℃, 표면장력 25.2dyn/㎠, I/O값 0.300)Dipropylene glycol methyl-n-propyl ether (DPMNP, boiling point 203 캜, surface tension 25.2 dyn / cm 2, I / O value 0.300)

1,2-비스(2-메톡시메틸에톡시)프로판(MTPOM, 비점 215℃, 표면장력 26.4dyn/㎠, I/O값 0.364)Propane (MTPOM, boiling point 215 占 폚, surface tension 26.4 dyn / cm2, I / O value 0.364) and 1,2-bis (2-methoxymethylethoxy)

트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르(BTM, 비점 261℃, 표면장력 27.5dyn/㎠, I/O값 0.645)Triethyleneglycol butyl methyl ether (BTM, boiling point 261 캜, surface tension 27.5 dyn / cm 2, I / O value 0.645)

폴리에틸렌글리콜디메틸에테르(MPM, 비점 264℃~294℃, 표면장력 33.4dyn/㎠)Polyethylene glycol dimethyl ether (MPM, boiling point: 264 ° C to 294 ° C, surface tension: 33.4 dyn / cm 2)

에틸렌글리콜디메틸에테르(MMM, 비점 85℃, 표면장력 22.6dyn/㎠)Ethylene glycol dimethyl ether (MMM, boiling point 85 캜, surface tension 22.6 dyn / cm 2)

트리아세틴(DRA-150, 비점 260℃, 표면장력 35.2dyn/㎠, I/O값 1.000)Triacetin (DRA-150, boiling point 260 占 폚, surface tension 35.2 dyn / cm2, I / O value 1.000)

시클로헥산온(비점 156℃, I/O값 0.625)Cyclohexanone (boiling point 156 캜, I / O value 0.625)

메틸아밀케톤(2-헵탄온, MAK, 비점 151℃, I/O값 0.464)Methyl amyl ketone (2-heptanone, MAK, boiling point 151 ° C, I / O value 0.464)

테트라히드로푸르푸릴알코올(THFA, 비점 176℃, I/O값 1.300)Tetrahydrofurfuryl alcohol (THFA, boiling point 176 ° C, I / O value 1.300)

디프로필렌글리콜모노메틸에테르(DPM, 비점 188℃, 표면장력 27.9dyn/㎠, I/O값 1.000)Dipropylene glycol monomethyl ether (DPM, boiling point 188 캜, surface tension 27.9 dyn / cm 2, I / O value 1.000)

디에틸렌글리콜모노메틸에테르(DM, 비점 194℃, 표면장력 34.3dyn/㎠, I/O값 1.375)Diethylene glycol monomethyl ether (DM, boiling point 194 占 폚, surface tension 34.3 dyn / cm2, I / O value 1.375)

디에틸렌글리콜모노부틸에테르(DB, 비점 230℃, 표면장력 29.1dyn/㎠, I/O값 1.000)Diethylene glycol monobutyl ether (DB, boiling point 230 캜, surface tension 29.1 dyn / cm 2, I / O value 1.000)

에틸렌글리콜모노페닐에테르(2-페녹시에탄올, EPH, 비점 245℃, 표면장력 41.9dyn/㎠, I/O값 0.844)Ethylene glycol monophenyl ether (2-phenoxyethanol, EPH, boiling point of 245 캜, surface tension of 41.9 dyn / cm 2, I / O value of 0.844)

트리에틸렌글리콜모노메틸에테르(TM, 비점 249℃, 표면장력 36.4dyn/㎠, I/O값 1.217)Triethyleneglycol monomethyl ether (TM, boiling point 249 캜, surface tension 36.4 dyn / cm 2, I / O value 1.217)

폴리에틸렌글리콜모노메틸에테르(PM, 비점 290℃~310℃, 표면장력 37.3dyn/㎠)Polyethylene glycol monomethyl ether (PM, boiling point 290 캜 to 310 캜, surface tension 37.3 dyn / cm 2)

3-메톡시부탄올(MB, 비점 161℃, 표면장력 28.9dyn/㎠, I/O값 1.200)3-methoxybutanol (MB, boiling point 161 캜, surface tension 28.9 dyn / cm 2, I / O value 1.200)

1,3-부틸렌글리콜(1,3-BG, 비점 208℃, 표면장력 36.1dyn/㎠, I/O값 2.500)1,3-butylene glycol (1,3-BG, boiling point 208 占 폚, surface tension 36.1 dyn / cm2, I / O value 2.500)

프로필렌글리콜모노 n-프로필에테르(PNP, 비점 150℃, 표면장력 25.9dyn/㎠, I/O값 1.000)Propylene glycol mono n-propyl ether (PNP, boiling point: 150 캜, surface tension: 25.9 dyn / cm 2, I / O value: 1.000)

프로필렌글리콜모노 n-부틸에테르(PNB, 비점 170℃, 표면장력 26.3dyn/㎠, I/O값 0.875)Propylene glycol mono n-butyl ether (PNB, boiling point: 170 캜, surface tension: 26.3 dyn / cm 2, I / O value: 0.875)

디에틸렌글리콜모노에틸에테르(EDG, 비점 202℃, 표면장력 31.3dyn/㎠, I/O값 1.200)Diethylene glycol monoethyl ether (EDG, boiling point 202 占 폚, surface tension 31.3 dyn / cm2, I / O value 1.200)

디프로필렌글리콜모노 n-프로필에테르(DPNP, 비점 212℃, 표면장력 27.6dyn/㎠, I/O값 0.778)Dipropylene glycol mono n-propyl ether (DPNP, boiling point 212 占 폚, surface tension 27.6 dyn / cm2, I / O value 0.778)

디프로필렌글리콜모노 n-부틸에테르(DPNB, 비점 229℃, 표면장력 28.8dyn/㎠, I/O값 0.700)Dipropylene glycol mono n-butyl ether (DPNB, boiling point 229 캜, surface tension 28.8 dyn / cm 2, I / O value 0.700)

트리프로필렌글리콜모노메틸에테르(TPM, 비점 242℃, 표면장력 30.0dyn/㎠, I/O값 0.800)Tripropylene glycol monomethyl ether (TPM, boiling point: 242 캜, surface tension: 30.0 dyn / cm 2, I / O value: 0.800)

트리프로필렌글리콜모노 n-부틸에테르(TPNB, 비점 274℃, 표면장력 29.7dyn/㎠, I/O값 0.615)Tripropylene glycol mono n-butyl ether (TPNB, boiling point: 274 캜, surface tension: 29.7 dyn / cm 2, I / O value: 0.615)

프로필렌글리콜모노메틸에테르(MMPG(PGME), 비점 121℃, 표면장력 27.7dyn/㎠)Propylene glycol monomethyl ether (MMPG (PGME), boiling point 121 캜, surface tension 27.7 dyn / cm 2)

상기 특정 용제의 함유량은 특별히 제한은 없지만 감광성 수지 조성물 중의 용제의 전체 질량에 대하여 1~100질량%인 것이 바람직하고, 5~95질량%인 것이 보다 바람직하고, 5~90질량%인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위이면 잉크젯 토출성 및 건조성이 보다 우수하다.The content of the specific solvent is not particularly limited, but is preferably 1 to 100% by mass, more preferably 5 to 95% by mass, further preferably 5 to 90% by mass, based on the total mass of the solvent in the photosensitive resin composition Do. Within this range, the inkjet discharge property and drying property are better.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 B) 용제의 함유량은 감광성 수지 조성물의 전체 질량에 대하여 10~95질량%인 것이 바람직하고, 50~95질량%인 것이 보다 바람직하고, 60~90질량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the (component B) solvent in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 10 to 95% by mass, more preferably 50 to 95% by mass, more preferably 60 to 90% by mass with respect to the total mass of the photosensitive resin composition It is more desirable to be negative.

(성분 C) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위를 포함하는 중합체(Component C) A polymer comprising a constituent unit having an acid group protected with an acid-decomposable group

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 C) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위를 포함하는 중합체를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention (component C) contains a polymer containing a constituent unit having a group whose acid group is protected with an acid-decomposable group.

또한, 본 발명에 있어서 「산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위」를 「(a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위」라고도 한다.In the present invention, the term "(a1) a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group" is also referred to as "(a1) a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group"

본 발명의 감광성 수지 조성물은 또한 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위를 포함하는 중합체 이외의 중합체를 포함하고 있어도 좋다. The photosensitive resin composition of the present invention may further comprise a polymer other than the polymer containing a constituent unit having an acid group-protected group by an acid-decomposable group.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 만족하는 중합체를 포함하는 중합체 성분을 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a polymer component comprising a polymer satisfying at least one of the following (1) and (2).

(1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성단위를 갖는 중합체(1) a polymer having (a1) a structural unit having a group protected by an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group

(2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위를 갖는 중합체, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성단위를 갖는 중합체(2) a polymer having (a1) a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group, and (a2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group

본 발명의 감광성 수지 조성물은 이들 이외의 중합체를 더 포함하고 있어도 좋다. 본 발명에 있어서의 성분 C는 특별히 서술하지 않는 한, 상기 (1) 및/또는 (2)에 추가해서 필요에 따라 첨가되는 다른 중합체를 포함시킨 것을 의미하는 것으로 한다. 또한, 후술하는 성분 E 및 성분 F는 제외하는 것으로 한다.The photosensitive resin composition of the present invention may further contain other polymers. Component C in the present invention is meant to include other polymers added as necessary in addition to the above-mentioned (1) and / or (2), unless otherwise specified. Further, component E and component F to be described later are excluded.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 경화 후에 있어서의 투명성(헤이즈) 및 미노광부의 잔막률의 관점으로부터는 성분 C로서 상기 (1)을 만족하는 성분을 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoints of transparency (haze) after curing and a residual film ratio of unexposed portions, the photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a component satisfying the above-mentioned (1) as Component C.

한편, 분자 설계의 자유도의 관점으로부터는 본 발명의 감광성 수지 조성물은 성분 C로서 상기 (2)를 만족하는 성분을 포함하는 것이 바람직하다.On the other hand, from the viewpoint of freedom of molecular design, the photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a component satisfying the above-mentioned (2) as Component C.

또한, 상기 (1)을 만족하는 성분을 함유하는 경우이어도, 또한 (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위를 갖는 중합체 및/또는 (a2) 가교성기를 갖는 구성단위를 갖는 중합체를 함유하고 있어도 좋다. (A1) a polymer having a structural unit having an acid group protected with an acid-decomposable group and / or (a2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group, .

또한, 상기 (2)를 만족하는 성분을 함유하는 경우이어도 (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성단위를 갖는 중합체에 해당하는 것을 적어도 함유하는 경우는 상기 (1)을 만족하는 성분을 함유하는 경우에 해당하는 것으로 한다.In addition, even in the case of containing a component satisfying the above-mentioned (2) (a1) the case where the acid group contains at least a constituent unit having a group protected with an acid-decomposable group and (a2) a polymer having a constituent unit having a crosslinkable group (1) in the present invention.

성분 C는 부가 중합형 수지인 것이 바람직하고, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성단위를 포함하는 중합체인 것이 보다 바람직하다. 또한, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성단위 이외의 구성단위, 예를 들면 스티렌으로부터 유래되는 구성단위나, 비닐 화합물로부터 유래되는 구성단위 등을 갖고 있어도 좋다.Component C is preferably an addition polymerizable resin, more preferably a polymer comprising a constituent unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof. Further, it may contain a structural unit other than the structural unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof, for example, a structural unit derived from styrene or a structural unit derived from a vinyl compound.

또한, 「(메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성단위」를 「아크릴계 구성단위」라고도 한다. 또한 「(메타)아크릴산」은 「메타크릴산 및/또는 아크릴산」을 의미하는 것으로 한다.Further, the "structural unit derived from (meth) acrylic acid and / or its ester" is also referred to as "acrylic structural unit". Further, "(meth) acrylic acid" means "methacrylic acid and / or acrylic acid".

<구성단위(a1)>&Lt; Structural unit (a1) &gt;

성분 C는 (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위를 적어도 갖는 중합체를 포함한다. 성분 C가 구성단위(a1)를 갖는 중합체를 포함함으로써 매우 고감도의 감광성 수지 조성물로 할 수 있다.Component C comprises (a1) a polymer having at least a constituent unit having an acid group protected by an acid-decomposable group. The component C contains a polymer having the constituent unit (a1), whereby a highly sensitive photosensitive resin composition can be obtained.

본 발명에 있어서의 「산기가 산 분해성기로 보호된 기」는 산기 및 산 분해성기로서 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 구체적인 산기로서는 카르복실기, 및 페놀성 수산기를 바람직하게 들 수 있다. 또한, 산 분해성기로서는 산에 의해 비교적 분해되기 쉬운 기(예를 들면, 후술하는 에스테르 구조, 테트라히드로피라닐에스테르기, 또는 테트라히드로푸라닐에스테르기 등의 아세탈계 관능기)나 산에 의해 비교적 분해되기 어려운 기(예를 들면 tert-부틸에스테르기 등의 제 3 급 알킬에스테르기, tert-부틸카보네이트기 등의 제 3 급 알킬카보네이트기)를 사용할 수 있다.In the present invention, the "group protected with an acid-decomposable group" can be any group known as an acid group and an acid decomposable group, and is not particularly limited. Specific examples of the acid group include a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group. The acid decomposable group is preferably a group which is relatively decomposable by an acid (for example, an acetal functional group such as an ester structure, a tetrahydropyranyl ester group, or a tetrahydrofuranyl ester group described later) (For example, a tertiary alkyl ester group such as a tert-butyl ester group or a tertiary alkyl carbonate group such as a tert-butyl carbonate group) can be used.

(a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위는 카르복실기가 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위(「산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위」라고도 한다), 또는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성단위(「산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성단위」라고도 한다)인 것이 바람직하다.(a1) The constituent unit in which the acid group has a group protected by an acid-decomposable group is a constituent unit in which the carboxyl group is protected by an acid-decomposable group (also referred to as a &quot; constituent unit having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group &quot;) or a phenolic hydroxyl group Is preferably a structural unit having a protective phenolic hydroxyl group protected by an acid-decomposable group (also referred to as a &quot; structural unit having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group &quot;).

이하, 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위(a1-1)와, 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성단위(a1-2)에 대하여 순서대로 각각 설명한다.Hereinafter, the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group and the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group will be described in order.

<<(a1-1) 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위>><< (a1-1) Structural unit having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group >>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위(a1-1)는 카르복실기를 갖는 구성단위의 카르복실기가 이하에서 상세히 설명하는 산 분해성기에 의해 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위이다.The structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is a structural unit having a carboxyl group of a structural unit having a carboxyl group and having a protected carboxyl group protected by an acid-decomposable group described in detail below.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위(a1-1)에 사용할 수 있는 상기 카르복실기를 갖는 구성단위로서는 특별히 제한은 없어 공지의 구성단위를 사용할 수 있다. 예를 들면, 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 트리카르복실산 등의 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성단위(a1-1-1)나, 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 함께 갖는 구성단위(a1-1-2)를 들 수 있다.The structural unit having a carboxyl group which can be used for the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is not particularly limited and a known structural unit can be used. (A1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in a molecule such as an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid and an unsaturated tricarboxylic acid, (A1-1-2) having both an ethylenic unsaturated group and a structure derived from an acid anhydride.

이하, 상기 카르복실기를 갖는 구성단위로서 사용되는 (a1-1-1) 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성단위와, (a1-1-2) 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 함께 갖는 구성단위에 대하여 각각 순서대로 설명한다.(A1-1-1) a constituent unit derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule and (a1-1-2) a constituent unit derived from an ethylenic unsaturated group and an acid And structural units having a structure derived from an anhydride will be described in order.

<<<(a1-1-1) 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성단위>>><<< (a1-1-1) Constituent derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in the molecule >>>

상기 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성단위(a1-1-1)로서 본 발명에서 사용되는 불포화 카르복실산으로서는 이하에 예시한 것과 같은 것이 사용된다. 즉, 불포화 모노카르복실산으로서는 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 신남산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸프탈산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 디카르복실산으로서는 예를 들면 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 등을 들 수 있다. 또한, 카르복실기를 갖는 구성단위를 얻기 위해 사용되는 불포화 다가 카르복실산은 그 산 무수물이어도 좋다. 구체적으로는 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복실산은 다가 카르복실산의 모노(2-(메타)아크릴로일옥시알킬)에스테르이어도 좋고, 예를 들면 숙신산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 숙신산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복실산은 그 양 말단 디카르복시 폴리머의 모노(메타)아크릴레이트이어도 좋고, 예를 들면 ω-카르복시폴리카프로락톤모노아크릴레이트, ω-카르복시폴리카프로락톤모노메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 카르복실산으로서는 아크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 메타크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 말레산 모노알킬에스테르, 푸마르산 모노알킬에스테르, 4-카르복시스티렌 등도 사용할 수 있다.As the constituent unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule, the same as exemplified below is used as the unsaturated carboxylic acid used in the present invention. Examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid,? -Chloroacrylic acid, cinnamic acid, 2- (meth) acryloyloxyethylsuccinic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl Hexahydrophthalic acid, 2- (meth) acryloyloxyethylphthalic acid, and the like. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, and mesaconic acid. The unsaturated polycarboxylic acid used for obtaining the structural unit having a carboxyl group may be an acid anhydride thereof. Specific examples thereof include maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride. The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (2- (meth) acryloyloxyalkyl) ester of a polycarboxylic acid, for example, mono (2-acryloyloxyethyl) succinate, mono Acryloyloxyethyl), phthalic acid mono (2-acryloyloxyethyl), phthalic acid mono (2-methacryloyloxyethyl), and the like. The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (meth) acrylate of the both terminal dicarboxylic polymer, and examples thereof include ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate and ω-carboxypolycaprolactone monomethacrylate. have. Examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid-2-carboxyethyl ester, methacrylic acid-2-carboxyethyl ester, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester and 4-carboxystyrene.

그 중에서도 현상성의 관점으로부터 상기 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성단위(a1-1-1)를 형성하기 위해서는 아크릴산, 메타크릴산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸프탈산, 또는 불포화 다가 카르복실산의 무수물 등을 사용하는 것이 바람직하고, 아크릴산, 메타크릴산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Among them, in order to form the structural unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule from the viewpoint of developability, acrylic acid, methacrylic acid, 2- (meth) acryloyl (Meth) acryloyloxyethylhexahydrophthalic acid, 2- (meth) acryloyloxyethylphthalic acid, or an anhydride of an unsaturated polycarboxylic acid, and the like, and acrylic acid, methacrylic acid It is more preferable to use an acid such as 2- (meth) acryloyloxyethylhexahydrophthalic acid.

상기 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성단위(a1-1-1)는 1종 단독으로 구성되어 있어도 좋고, 2종 이상으로 구성되어 있어도 좋다.The structural unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule may be composed of one kind alone, or two or more kinds.

<<<(a1-1-2) 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 함께 갖는 구성단위>>><<< (a1-1-2) Constituent units having a structure derived from an ethylenic unsaturated group and an acid anhydride together >>>

에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조와를 함께 갖는 구성단위(a1-1-2)는 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성단위 중에 존재하는 수산기와 산 무수물을 반응시켜 얻어진 모노머로부터 유래하는 단위인 것이 바람직하다.The structural unit (a1-1-2) having both the ethylenic unsaturated group and the structure derived from the acid anhydride is preferably a unit derived from a monomer obtained by reacting a hydroxyl group and an acid anhydride in the structural unit having an ethylenic unsaturated group .

상기 산 무수물로서는 공지의 것을 사용할 수 있고, 구체적으로는 무수 말레산, 무수 숙신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수 클로렌드산 등의 이염기산 무수물; 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산 무수물, 비페닐테트라카르복실산 무수물 등의 산 무수물을 들 수 있다. 이들 중에서는 현상성의 관점으로부터 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 또는 무수 숙신산이 바람직하다.As the acid anhydrides, known ones can be used, and specific examples include dibasic acid anhydrides such as maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and anhydrous chlorendic acid; And acid anhydrides such as trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic acid anhydride, and biphenyltetracarboxylic acid anhydride. Of these, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, or succinic anhydride are preferable from the viewpoint of developability.

상기 산 무수물의 수산기에 대한 반응률은 현상성의 관점으로부터 바람직하게는 10~100몰%, 보다 바람직하게는 30~100몰%이다.The reaction rate of the acid anhydride with respect to the hydroxyl group is preferably 10 to 100 mol%, more preferably 30 to 100 mol% from the viewpoint of developability.

- 구성단위(a1-1)에 사용할 수 있는 산 분해성기 -- acid decomposable group which can be used for the structural unit (a1-1)

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위(a1-1)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기로서는 상기 산 분해성기를 사용할 수 있다.As the acid decomposable group that can be used in the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid decomposable group, the acid decomposable group may be used.

이들의 산 분해성기 중에서도 카르복실기가 아세탈형으로 보호된 보호 카르복실기인 것이 감광성 수지 조성물의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 컨택트 홀의 형성성, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 산 분해성기 중에서도 카르복실기가 하기 일반식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈형으로 보호된 보호 카르복실기인 것이 감도의 관점으로부터 보다 바람직하다. 또한, 카르복실기가 하기 식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈형으로 보호된 보호 카르복실기인 경우, 보호 카르복실기의 전체로서는 -(C=O)-O-CR101R102(OR103)의 구조로 되어 있다. Among these acid decomposable groups, the carboxyl group is preferably a protected carboxyl group protected with an acetal type from the viewpoints of the basic physical properties of the photosensitive resin composition, particularly from the viewpoints of sensitivity and pattern shape, contact hole formation, and storage stability of the photosensitive resin composition. Among the acid decomposable groups, from the viewpoint of sensitivity, it is more preferable that the carboxyl group is a protected carboxyl group protected by an acetal form represented by the following general formula (a1-10). When the carboxyl group is an acetal-protected protected carboxyl group represented by the following formula (a1-10), the protected carboxyl group as a whole has a structure of - (C═O) -O-CR 101 R 102 (OR 103 ) have.

Figure pct00001
Figure pct00001

(식(a1-10) 중, R101 및 R102는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 단 R101과 R102가 함께 수소 원자인 경우를 제외한다. R103은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. R101 또는 R102와, R103을 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋다)(In the formula (a1-10), R 101 and R 102 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, provided that R 101 and R 102 together form a hydrogen atom, R 103 represents an alkyl group or an aryl group R 101 or R 102 and R 103 may be connected to form a cyclic ether)

상기 식(a1-10) 중, R101~R103에 있어서의 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 것이어도 좋다. 여기서, R101 및 R102 쌍방이 수소 원자를 나타내는 일은 없고, R101 및 R102 중 적어도 한쪽은 알킬기를 나타낸다.In the formula (a1-10), the alkyl group in R 101 ~ R 103 may be any one of straight chain, branched chain, cyclic it. Here, R 101 and R 102 both are not what indicates a hydrogen atom, at least one of R 101 and R 102 represents an alkyl group.

상기 식(a1-10)에 있어서, R101, R102 및 R103이 알킬기를 나타내는 경우, 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상 중 어느 것이어도 좋다. When R 101 , R 102 and R 103 in the formula (a1-10) represent an alkyl group, the alkyl group may be any of linear, branched or cyclic.

상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서는 탄소수 1~12개인 것이 바람직하고, 탄소수 1~6개인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1~4개인 것이 더욱 바람직하다. 구체적으로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 데실기(2,3-디메틸-2-부틸기), n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.The straight-chain or branched-chain alkyl group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, a sec- (2,3-dimethyl-2-butyl group), n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group and n-decyl group.

상기 환상 알킬기로서는 탄소수 3~12개인 것이 바람직하고, 탄소수 4~8개인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 4~6개인 것이 더욱 바람직하다. 상기 환상 알킬기로서는 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노르보르닐기, 이소보르닐기 등을 들 수 있다.The cyclic alkyl group preferably has 3 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and even more preferably 4 to 6 carbon atoms. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group, and an isobornyl group.

상기 알킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 할로겐 원자, 아릴기, 알콕시기를 예시할 수 있다. 치환기로서 할로겐 원자를 갖는 경우 R101, R102, R103은 할로알킬기가 되고, 치환기로서 아릴기를 갖는 경우 R101, R102, R103은 아랄킬 기가 된다.The alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, an aryl group, and an alkoxy group. When R 101 , R 102 and R 103 have a halogen atom as a substituent, they are a haloalkyl group, and when they have an aryl group as a substituent, R 101 , R 102 and R 103 are aralkyl groups.

상기 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자가 예시되고, 이들 중에서도 불소 원자 또는 염소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and among these, a fluorine atom or a chlorine atom is preferable.

또한, 상기 아릴기로서는 탄소수 6~20개의 아릴기가 바람직하고, 탄소수 6~12개의 아릴기가 보다 바람직하다. 구체적으로는 페닐기, α-메틸페닐기, 나프틸기 등을 예시할 수 있고, 아릴기로서 치환된 알킬기 전체, 즉 아랄킬기로서는 벤질기, α-메틸벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기 등을 예시할 수 있다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and more preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. Specific examples thereof include a phenyl group, an? -Methylphenyl group, and a naphthyl group. Examples of the alkyl group substituted as an aryl group, that is, an aralkyl group include benzyl group,? -Methylbenzyl group, phenethyl group and naphthylmethyl group .

상기 알콕시기로서는 탄소수 1~6개의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1~4개의 알콕시기가 보다 바람직하고, 메톡시기 또는 에톡시기가 더욱 바람직하다.The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, and still more preferably a methoxy group or an ethoxy group.

또한 상기 알킬기가 시클로알킬기인 경우, 상기 시클로알킬기는 치환기로서 탄소수 1~10개의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기를 갖고 있어도 좋고, 알킬기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기인 경우에는 치환기로서 탄소수 3~12개의 시클로알킬기를 갖고 있어도 좋다.When the alkyl group is a cycloalkyl group, the cycloalkyl group may have a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms as a substituent. When the alkyl group is a straight chain or branched chain alkyl group, the cycloalkyl group may have 3 to 12 Or may have two or three cycloalkyl groups.

이들의 치환기는 상기 치환기로 더 치환되어 있어도 좋다. These substituents may be further substituted by the above substituents.

상기 식(a1-10)에 있어서, R101, R102 및 R103이 아릴기를 나타내는 경우, 상기 아릴기는 탄소수 6~12개인 것이 바람직하고, 탄소수 6~10개인 것이 보다 바람직하다. 상기 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 상기 치환기로서는 탄소수 1~6개의 알킬기를 바람직하게 예시할 수 있다. 아릴기로서는 예를 들면 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 쿠메닐기, 1-나프틸기 등을 예시할 수 있다.When R 101 , R 102 and R 103 in the formula (a1-10) represent an aryl group, the aryl group preferably has 6 to 12 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms. The aryl group may have a substituent, and as the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms may be preferably exemplified. Examples of the aryl group include phenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, 1-naphthyl and the like.

또한, R101, R102 및 R103은 서로 결합하고, 그들이 결합하고 있는 탄소 원자와 함께 하나가 되어 환을 형성할 수 있다. R101과 R102, R101과 R103 또는 R102와 R103이 결합한 경우의 환 구조로서는 예를 들면 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 테트라히드로푸라닐기, 아다만틸기 및 테트라히드로피라닐기 등을 들 수 있다.Further, R 101 , R 102 and R 103 may be bonded to each other and taken together with the carbon atom to which they are bonded to form a ring. Examples of the ring structure in the case where R 101 and R 102 , R 101 and R 103, or R 102 and R 103 are bonded include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a tetrahydrofuranyl group, A t-butyl group, and a tetrahydropyranyl group.

또한, 상기 식(a1-10)에 있어서, R101 및 R102 중 어느 한쪽이 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.In the formula (a1-10), it is preferable that either R 101 or R 102 is a hydrogen atom or a methyl group.

상기 식(a1-10)으로 나타내어지는 보호 카르복실기를 갖는 구성단위를 형성하기 위해 사용되는 라디컬 중합성 단량체는 시판의 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0037~0040에 기재된 합성 방법 등으로 합성할 수 있다.As the radical polymerizable monomer used for forming the constituent unit having a protective carboxyl group represented by the above formula (a1-10), a commercially available one may be used, or a compound synthesized by a known method may be used. For example, it can be synthesized by the synthesis method described in paragraphs 0037 to 0040 of JP-A-2011-221494.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위(a1-1)의 제 1 바람직한 실시형태는 하기 식으로 나타내어지는 구성단위이다. The first preferred embodiment of the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is a structural unit represented by the following formula.

Figure pct00002
Figure pct00002

(식 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽이 알킬기 또는 아릴기이며, R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와, R3을 연결해서 환상 에테르를 형성해도 좋고, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다)(Wherein R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 is an alkyl group or an aryl group, and R 1 Or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents a single bond or an arylene group)

R1 및 R2가 알킬기인 경우, 탄소수는 1~10개의 알킬기가 바람직하다. R1 및 R2가 아릴기인 경우, 페닐기가 바람직하다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1~4개의 알킬기가 바람직하다.When R 1 and R 2 are an alkyl group, the alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms. When R 1 and R 2 are aryl groups, a phenyl group is preferred. R 1 and R 2 are each independently preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 탄소수 1~10개의 알킬기가 바람직하고, 1~6개의 알킬기가 보다 바람직하다.R 3 represents an alkyl group or an aryl group, preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 alkyl groups.

X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타내고, 단결합이 바람직하다.X represents a single bond or an arylene group, with a single bond being preferred.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위(a1-1)의 제 2 바람직한 실시형태는 하기 식의 구성단위이다.A second preferred embodiment of the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is a structural unit represented by the following formula:

Figure pct00003
Figure pct00003

(식 중, R121은 수소 원자 또는 탄소수 1~4개의 알킬기를 나타내고, L1은 카르보닐기 또는 페닐렌카르보닐기를 나타내고, R122~R128은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1~4개의 알킬기를 나타낸다)(Wherein R 121 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, L 1 represents a carbonyl group or a phenylene carbonyl group, and R 122 to R 128 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms )

R121은 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.R 121 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.

L1은 카르보닐기가 바람직하다.L 1 is preferably a carbonyl group.

R122~R128은 수소 원자가 바람직하다.R 122 to R 128 are preferably hydrogen atoms.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위(a1-1)의 바람직한 구체예로서는 하기 구성단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Preferable specific examples of the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid-decomposable group include the following structural units. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure pct00004
Figure pct00004

<<(a1-2)산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성단위>><< (a1-2) Structural unit having a protective phenolic hydroxyl group protected by an acid-decomposable group >>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성단위(a1-2)는 페놀성 수산기를 갖는 구성단위가 이하에서 상세히 설명하는 산 분해성기에 의해 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성단위이다.The structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group is a structural unit having a protected phenolic hydroxyl group, in which the structural unit having a phenolic hydroxyl group is protected by an acid-decomposable group described in detail below.

<<<(a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 구성단위>>><<< (a1-2-1) Structural unit having a phenolic hydroxyl group >>>

상기 페놀성 수산기를 갖는 구성단위로서는 히드록시스티렌계 구성단위나 노볼락계 수지에 있어서의 구성단위를 들 수 있지만 이들 중에서는 히드록시스티렌 또는 α-메틸히드록시스티렌으로부터 유래되는 구성단위가 감도의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기를 갖는 구성단위로서 하기 식(a1-20)으로 나타내어지는 구성단위도 감도의 관점으로부터 바람직하다. Examples of the structural unit having a phenolic hydroxyl group include a hydroxystyrene-based structural unit and a structural unit in a novolak-based resin. Of these structural units, hydroxystyrene or? -Methylhydroxystyrene has a structural unit derived from hydroxystyrene or? . The structural unit represented by the following formula (a1-20) as a structural unit having a phenolic hydroxyl group is also preferable from the viewpoint of sensitivity.

Figure pct00005
Figure pct00005

(식(a1-20) 중, R220은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R221은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, R222는 할로겐 원자 또는 탄소수 1~5개의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기를 나타내고, a는 1~5의 정수를 나타내고, b는 0~4의 정수를 나타내고, a+b는 5 이하이다. 또한, R222가 2 이상 존재하는 경우, 이들 R222는 서로 달라도 좋고 동일해도 좋다)(In the formula (a1-20), R 220 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 221 represents a single bond or a divalent linking group, R 222 represents a halogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms , a represents an integer of 1 to 5, b represents an integer of 0 to 4, and a + b is not more than 5. When two or more R 222 are present, these R 222 may be the same or different )

상기 식(a1-20) 중, R220은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기인 것이 바람직하다. In the formula (a1-20), R 220 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a methyl group.

또한, R221은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 단결합인 경우에는 감도를 향상시킬 수 있고, 경화막의 투명성을 더 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. R221의 2가의 연결기로서는 알킬렌기를 예시할 수 있고, 탄소수 1~12개의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 1~8개의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1~3개의 알킬렌기가 더욱 바람직하다. R221이 알킬렌기인 경우의 구체예로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, 이소부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 이소펜틸렌기, 네오펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 R221이 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기, 1,2-프로필렌기, 1,3-프로필렌기, 또는 2-히드록시-1,3-프로필렌기인 것이 바람직하다. 또한, 상기 2가의 연결기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기 등을 들 수 있다. 또한, a는 1~5의 정수를 나타내지만 본 발명의 효과의 관점이나 제조가 용이하다는 점으로부터 a는 1 또는 2인 것이 바람직하고, a가 1인 것이 보다 바람직하다.R 221 represents a single bond or a divalent linking group. In the case of a single bond, the sensitivity can be improved and the transparency of the cured film can be further improved. The divalent linking group of R 221 is exemplified by an alkylene group, preferably an alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, and still more preferably an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. Specific examples of the case where R 221 is an alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, an n-butylene group, an isobutylene group, a tert-butylene group, a pentylene group, an isopentylene group, And the like. Among them, it is preferable that R 221 is a single bond, a methylene group, an ethylene group, a 1,2-propylene group, a 1,3-propylene group, or a 2-hydroxy-1,3-propylene group. The divalent linking group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, and an alkoxy group. Although a represents an integer of 1 to 5, a is preferably 1 or 2, and more preferably a is 1, from the viewpoint of the effects of the present invention and ease of production.

또한, 벤젠환에 있어서의 수산기의 결합 위치는, R221과 결합하고 있는 탄소 원자를 기준(1위치)으로 했을 때, 4위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다. The bonding position of the hydroxyl group in the benzene ring is preferably bonded at the 4-position when the carbon atom bonded to R 221 is the reference (1-position).

R222는 각각 독립적으로 할로겐 원자 또는 탄소수 1~5개의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기를 나타낸다. 구체적으로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 제조가 용이하다는 점으로부터 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다. R 222 each independently represents a halogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specific examples include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert- butyl group, a pentyl group, an isopentyl group and a neopentyl group . Among them, chlorine atom, bromine atom, methyl group or ethyl group is preferable from the viewpoint of easy production.

또한 b는 0 또는 1~4의 정수를 나타낸다.And b represents 0 or an integer of 1 to 4.

- 구성단위(a1-2)에 사용할 수 있는 산 분해성기 -- acid decomposable group which can be used for the structural unit (a1-2)

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성단위(a1-2)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기로서는 상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위(a1-1)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기와 마찬가지로 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 산 분해성기 중에서도 아세탈로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성단위인 것이 감광성 수지 조성물의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 컨택트 홀의 형성성의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 산 분해성기 중에서도 페놀성 수산기가 상기 식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈형으로 보호된 보호 페놀성 수산기인 것이 감도의 관점으로부터 보다 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기가 상기 식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈형으로 보호된 보호 페놀성 수산기인 경우, 보호 페놀성 수산기의 전체로서는 -Ar-O-CR101R102(OR103)의 구조로 되어 있다. 또한, Ar은 아릴렌기를 나타낸다.The acid decomposable group which can be used for the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected by the acid-decomposable group is preferably an acid decomposable group which can be used for the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid- As with the acid-decomposable group, known ones can be used, and they are not particularly limited. Among the acid decomposable groups, structural units having a protective phenolic hydroxyl group protected by an acetal are preferred from the viewpoints of basic physical properties of the photosensitive resin composition, particularly from the viewpoints of sensitivity and pattern shape, storage stability of the photosensitive resin composition, and formability of contact holes. Among the acid decomposable groups, from the viewpoint of sensitivity, the phenolic hydroxyl group is more preferably a protective phenolic hydroxyl group protected by an acetal type represented by the above formula (a1-10). When the phenolic hydroxyl group is an acetal-protected protected phenolic hydroxyl group represented by the formula (a1-10), the structure of -Ar-O-CR 101 R 102 (OR 103 ) as a whole of the protected phenolic hydroxyl group . Ar represents an arylene group.

페놀성 수산기의 아세탈에스테르 구조의 바람직한 예는 R101=수소 원자, R102=R103=메틸기의 조합이나 R101=수소 원자, R102=메틸기이며 R103=벤질기의 조합, R101=수소 원자, R102=메틸기이며 R103=에틸기의 조합을 예시할 수 있다.Preferred examples of acetal ester structure of the phenolic hydroxyl group is R 101 = a hydrogen atom, R 102 = R 103 = a methyl group or a combination of R 101 = a hydrogen atom, R 102 = a methyl group, and R 103 = a combination of a benzyl group, R 101 = hydrogen Atom, R 102 = methyl group, and R 103 = a combination of ethyl groups.

또한, 페놀성 수산기가 아세탈형으로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성단위를 형성하기 위해 사용되는 라디컬 중합성 단량체로서는 예를 들면, 일본 특허 공개 2011-215590호 공보의 단락 0042에 기재된 것 등을 들 수 있다.Examples of the radical polymerizable monomer used for forming a structural unit having a protected phenolic hydroxyl group in which the phenolic hydroxyl group is protected with an acetal type include those described in paragraph 0042 of JP-A No. 2011-215590 .

이들 중에서 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 테트라히드로피라닐 보호체가 투명성의 관점으로부터 바람직하다.Of these, a 1-alkoxyalkyl protected derivative of 4-hydroxyphenyl methacrylate and a tetrahydropyranyl protected derivative of 4-hydroxyphenyl methacrylate are preferred from the viewpoint of transparency.

페놀성 수산기의 아세탈 보호기의 구체예로서는 1-알콕시알킬기를 들 수 있고, 예를 들면 1-에톡시에틸기, 1-메톡시에틸기, 1-n-부톡시에틸기, 1-이소부톡시에틸기, 1-(2-클로로에톡시)에틸기, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸기, 1-n-프로폭시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸기, 1-벤질옥시에틸기 등을 들 수 있고, 이들은 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다.Specific examples of the acetal protecting group of the phenolic hydroxyl group include 1-alkoxyalkyl groups, and examples thereof include a 1-ethoxyethyl group, a 1-methoxyethyl group, a 1-n-butoxyethyl group, 1-cyclohexyloxy) ethyl group, 1- (2-cyclohexyloxy) ethyl group, 1-naphthyloxy group, Oxyethyl group, etc. These may be used singly or in combination of two or more.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성단위(a1-2)를 형성하기 위해 사용되는 라디컬 중합성 단량체는 시판의 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 상기 합성은 페놀성 수산기를 갖는 모노머를 그 외의 모노머와 미리 공중합시켜 두고 그 후에 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시켜도 좋다.The radical polymerizable monomer used for forming the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with the acid-decomposable group may be commercially available or synthesized by a known method. For example, a compound having a phenolic hydroxyl group can be synthesized by reacting with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst. The above-mentioned synthesis may be carried out by previously copolymerizing a monomer having a phenolic hydroxyl group with other monomers and then reacting with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성단위(a1-2)의 바람직한 구체예로서는 하기 구성단위를 예시할 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다. 하기 구체예 중, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Preferable specific examples of the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected by the acid-decomposable group include the following structural units, but the present invention is not limited thereto. In the following specific examples, R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure pct00006
Figure pct00006

- 구성단위(a1)의 바람직한 형태 -- Preferred form of the structural unit (a1)

상기 구성단위(a1)를 갖는 중합체가 실질적으로 구성단위(a2)를 갖지 않는 경우, 구성단위(a1)는 그 구성단위(a1)를 갖는 중합체 중 20~100몰%가 바람직하고, 30~90몰%가 보다 바람직하다.When the polymer having the structural unit (a1) does not substantially contain the structural unit (a2), the structural unit (a1) is preferably 20 to 100 mol%, more preferably 30 to 90 mol% Mol% is more preferable.

상기 구성단위(a1)를 갖는 중합체가 하기 구성단위(a2)를 갖는 경우, 단구성단위(a1)는 그 구성단위(a1)와 구성단위(a2)를 갖는 중합체 중 감도의 관점으로부터 3~70몰%가 바람직하고, 10~60몰%가 보다 바람직하다. 또한, 특히 상기 구성단위(a1)가 카르복실기가 아세탈형으로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위인 경우, 20~50몰%가 바람직하다. When the polymer having the structural unit (a1) has the following structural unit (a2), the structural unit (a1) has a structural unit (a1) and a structural unit (a2) Mol%, and more preferably 10 to 60 mol%. In particular, when the structural unit (a1) is a structural unit having a carboxyl group protected with an acetal form, the structural unit is preferably 20 to 50 mol%.

또한, 본 발명에 있어서 「구성단위」의 함유량을 몰비로 규정하는 경우, 상기 「구성단위」는 「모노머 단위」와 동일한 것으로 한다. 또한, 본 발명에 있어서 상기 「모노머 단위」는 고분자 반응 등에 의해 중합 후에 수식되어 있어도 좋다. 이하에 있어어도 마찬가지이다. In the present invention, when the content of the &quot; constituent unit &quot; is defined as a molar ratio, the above-mentioned &quot; constituent unit &quot; In the present invention, the &quot; monomer unit &quot; may be modified after polymerization by a polymer reaction or the like. The same applies to the following.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위(a1-1)는 상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성단위(a1-2)에 비하면 현상이 빠르다는 특징이 있다. 따라서, 빠르게 현상하고 싶은 경우에는 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성단위(a1-1)가 바람직하다. 반대로 현상을 느리게 하고 싶은 경우에는 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성단위(a1-2)를 사용하는 것이 바람직하다.The structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid-decomposable group is characterized in that the phenomenon is faster than that of the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with the acid decomposable group. Therefore, when a rapid development is desired, the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is preferable. On the contrary, when it is desired to slow the development, it is preferable to use the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group.

<(a2)가교성기를 갖는 구성단위>&Lt; (a2) Structural unit having a crosslinkable group &gt;

성분 C는 가교성기를 갖는 구성단위(a2)를 갖는 중합체를 함유한다. 상기 가교성기는 가열 처리에서 경화 반응을 일으키는 기이면 특별히 한정은 되지 않는다. 바람직한 가교성기를 갖는 구성단위의 실시형태로서는 에폭시기, 옥세타닐기, -NH-CH2-O-R(R은 수소 원자 또는 탄소수 1~20개의 알킬기를 나타낸다)으로 나타내어지는 기 및 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1개를 포함하는 구성단위를 들 수 있고, 에폭시기, 옥세타닐기, 및 -NH-CH2-O-R(R은 수소 원자 또는 탄소수 1~20개의 알킬기를 나타낸다)으로 나타내어지는 기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종인 것이 바람직하다. 그 중에서도 본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 성분 C가 에폭시기 및 옥세타닐기 중 적어도 1개를 포함하는 구성단위를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 보다 상세하게는 이하의 것을 들 수 있다.Component C contains a polymer having a structural unit (a2) having a crosslinkable group. The crosslinking group is not particularly limited as long as it is a group causing a curing reaction in the heat treatment. Examples of the preferred constituent unit having a crosslinkable group include a group consisting of an epoxy group, an oxetanyl group, a group represented by -NH-CH 2 -OR (R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) and an ethylenic unsaturated group , And a group consisting of an epoxy group, an oxetanyl group, and a group represented by -NH-CH 2 -OR (wherein R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) At least one kind selected from the group consisting of Among them, the photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a constituent unit in which the component C contains at least one of an epoxy group and an oxetanyl group. More specifically, the following can be mentioned.

<<(a2-1) 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성단위>><< (a2-1) Structural unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group >>

성분 C는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성단위(구성단위(a2-1))를 갖는 중합체를 함유하는 것이 바람직하다. 3원환의 환상 에테르기는 에폭시기라고도 불리고, 4원환의 환상 에테르기는 옥세타닐기라고도 불린다.The component C preferably contains a polymer having a structural unit (structural unit (a2-1)) having an epoxy group and / or an oxetanyl group. The cyclic ether group of a 3-membered ring is also called an epoxy group, and the cyclic ether group of a 4-membered ring is also called an oxetanyl group.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성단위(a2-1)는 1개의 구성단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 1개 갖고 있으면 좋고, 1개 이상의 에폭시기 및 1개 이상 옥세타닐기, 2개 이상의 에폭시기, 또는 2개 이상의 옥세타닐기를 갖고 있어도 좋고, 특별히 한정되지 않지만 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1~3개 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1 또는 2개 갖는 것이 보다 바람직하고, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 1개 갖는 것이 더욱 바람직하다.The structural unit (a2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group may have at least one epoxy group or oxetanyl group in one structural unit, and may contain at least one epoxy group and at least one oxetanyl group, Or more oxetanyl group, and it is not particularly limited, but it is preferable to have 1 to 3 epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, and one or two epoxy groups and / or oxetanyl groups in total , More preferably one having an epoxy group or oxetanyl group.

에폭시기를 갖는 구성단위를 형성하기 위해 사용되는 라디컬 중합성 단량체의 구체예로서는 예를 들면 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, α-에틸아크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 일본 특허 제 4168443호 공보의 단락 0031~0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있고, 이들의 내용은 본원 명세서에 포함된다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used to form the structural unit having an epoxy group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl? -Ethyl acrylate, glycidyl? -N-propyl acrylate Dicyclohexylmethyl acrylate, glycidyl alpha-n-butyl acrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, -Epoxy cyclohexylmethyl,? -Ethylacrylic acid-3,4-epoxycyclohexylmethyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, Compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs 0031 to 0035 of the publication No. 4168443, and the like, and the contents thereof are included in the specification of the present invention.

옥세타닐기를 갖는 구성단위를 형성하기 위해 사용되는 라디컬 중합성 단량체의 구체예로서는 예를 들면 일본 특허 공개 2001-330953호 공보의 단락 0011~0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르 등을 들 수 있고, 이들의 내용은 본원 명세서에 포함된다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used for forming the oxetanyl group-containing structural unit include (meth) acrylate esters having an oxetanyl group described in paragraphs 0011 to 0016 of JP-A No. 2001-330953 , The contents of which are incorporated herein by reference.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성단위(a2-1)를 형성하기 위해 사용되는 라디컬 중합성 단량체의 구체예로서는 메타크릴산 에스테르 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산 에스테르 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.Specific examples of the radically polymerizable monomer used to form the structural unit (a2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group include monomers containing a methacrylic acid ester structure and monomers containing an acrylic ester structure desirable.

이들 중에서도 바람직한 것은 메타크릴산 글리시딜, 아크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이다. 이들의 구성단위는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다. Among these, glycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, methyl (3-ethyloxetan-3-yl) (3-ethyloxetan-3-yl) methyl. These constituent units may be used singly or in combination of two or more.

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성단위(a2-1)의 바람직한 구체예로서는 하기 구성단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Preferable specific examples of the structural unit (a2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group include the following structural units. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure pct00007
Figure pct00007

<<(a2-2)에틸렌성 불포화기를 갖는 구성단위>><< (a2-2) Structural unit having an ethylenic unsaturated group >>

상기 가교성기를 갖는 구성단위(a2)의 1개로서 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성단위(a2-2)를 들 수 있다(이하, 「구성단위(a2-2)」라고도 한다). 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성단위(a2-2)로서는 측쇄에 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성단위가 바람직하고, 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖고, 탄소수 3~16개의 측쇄를 갖는 구성단위가 보다 바람직하다.(A2-2) having an ethylenic unsaturated group as one of the structural unit (a2) having a crosslinkable group (hereinafter also referred to as &quot; structural unit (a2-2) &quot;). As the structural unit (a2-2) having an ethylenically unsaturated group, a structural unit having an ethylenic unsaturated group in its side chain is preferable, and a structural unit having an ethylenic unsaturated group at its terminal and a side chain of 3 to 16 carbon atoms is more preferable.

그 외 (a2-2) 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성단위에 대해서는 일본 특허 공개 2011-215580호 공보의 단락 0072~0090의 기재, 및 일본 특허 공개 2008-256974호 공보의 단락 0013~0031의 기재를 참작할 수 있고, 이들의 내용은 본원 명세서에 포함된다.Others (a2-2) With respect to the constituent unit having an ethylenic unsaturated group, reference is made to paragraphs 0072 to 0090 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-215580 and paragraphs 0013 to 0031 of Japanese Patent Application Publication No. 2008-256974 , The contents of which are incorporated herein by reference.

<<(a2-3) -NH-CH2-O-R(R은 수소 원자 또는 탄소수 1~20개의 알킬기를 나타낸다)으로 나타내어지는 기를 갖는 구성단위>><< Constituent unit having a group represented by the formula (a2-3) -NH-CH 2 -OR (R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) >>

본 발명에서 사용하는 공중합체는 -NH-CH2-O-R(R은 수소 원자 또는 탄소수 1~20개의 알킬기를 나타낸다)으로 나타내어지는 기를 갖는 구성단위(a2-3)도 바람직하다. 구성단위(a2-3)를 가짐으로써 완만한 가열 처리로 경화 반응을 일으킬 수 있어 모든 특성이 우수한 경화막을 얻을 수 있다. 여기서, R은 탄소수 1~20개의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~9개의 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1~4개의 알킬기가 더욱 바람직하다. 또한, 알킬기는 직쇄, 분기 또는 환상 알킬기 중 어느 것이어도 좋지만 직쇄 또는 분기 알킬기인 것이 바람직하다. 구성단위(a2)는 하기 식(a2-30)으로 나타내어지는 기를 갖는 구성단위인 것이 보다 바람직하다. The copolymer used in the present invention is also preferably a structural unit (a2-3) having a group represented by -NH-CH 2 -OR (R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms). By having the constituent unit (a2-3), the curing reaction can be caused by a gentle heat treatment, and a cured film excellent in all properties can be obtained. Here, R is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, and still more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group may be any of linear, branched or cyclic alkyl groups, but is preferably a linear or branched alkyl group. The structural unit (a2) is more preferably a structural unit having a group represented by the following formula (a2-30).

Figure pct00008
Figure pct00008

(식(a2-30) 중, R31은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R32는 탄소수 1~20개의 알킬기를 나타낸다)(In the formula (a2-30), R 31 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 32 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms)

R32는 탄소수 1~9개의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~4개의 알킬기가 더욱 바람직하다. 또한, 알킬기는 직쇄, 분기 또는 환상 알킬기 중 어느 것이어도 좋지만 바람직하게는 직쇄 또는 분기의 알킬기이다.R 32 is preferably an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group may be any of linear, branched or cyclic alkyl groups, but is preferably a linear or branched alkyl group.

R32의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-부틸기, i-부틸기, 시클로헥실기, 및 n-헥실기를 들 수 있다. 그 중에서도, i-부틸기, n-부틸기, 메틸기가 바람직하다.Specific examples of R 32 include a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, a cyclohexyl group, and an n-hexyl group. Among them, an i-butyl group, an n-butyl group and a methyl group are preferable.

- 구성단위(a2)의 바람직한 실시형태 -- Preferred embodiments of the constituent unit (a2)

상기 구성단위(a2)를 갖는 중합체가 실질적으로 구성단위(a1)를 갖지 않는 경우, 구성단위(a2)는 그 구성단위(a2)를 갖는 중합체 중 5~90몰%가 바람직하고, 20~80몰%가 보다 바람직하다.When the polymer having the structural unit (a2) does not substantially contain the structural unit (a1), the structural unit (a2) is preferably from 5 to 90 mol%, more preferably from 20 to 80 mol% Mol% is more preferable.

상기 구성단위(a2)를 갖는 중합체가 상기 구성단위(a1)를 갖는 경우, 구성단위(a2)의 함유량은 그 구성단위(a1)와 구성단위(a2)를 갖는 중합체 중 약품 내성의 관점으로부터 3~70몰%가 바람직하고, 10~60몰%가 보다 바람직하다.When the polymer having the constituent unit (a2) has the above-mentioned constituent unit (a1), the content of the constituent unit (a2) in the polymer having the constituent unit (a1) and the constituent unit (a2) To 70 mol%, and more preferably 10 to 60 mol%.

본 발명에서는 또한, 어느 실시형태에 상관없이 성분 C의 전체 구성단위 중 구성단위(a2)를 3~70몰% 함유하는 것이 바람직하고, 10~60몰% 함유하는 것이 보다 바람직하다.In the present invention, regardless of the embodiment, the content of the structural unit (a2) in the total structural units of the component C is preferably 3 to 70 mol%, more preferably 10 to 60 mol%.

상기 수치 범위 내이면 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 투명성 및 약품 내성이 양호해진다.Within this numerical range, the transparency and chemical resistance of the cured film obtained from the photosensitive resin composition are improved.

<(a3) 그 외의 구성단위><(A3) Other constituent units>

본 발명에 있어서 성분 C는 상기 구성단위(a1) 및/또는 (a2)에 추가해서 이들 이외의 다른 구성단위(a3)를 갖고 있어도 좋다. 이들의 구성단위는 상기 중합체 성분(1) 및/또는 (2)가 포함되어 있어도 좋다. 또한, 상기 중합체 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 실질적으로 구성단위(a1) 및 구성단위(a2)를 포함하지 않고 다른 구성단위(a3)를 갖는 중합체 성분을 갖고 있어도 좋다. 상기 중합체 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 실질적으로 구성단위(a1) 및 구성단위(a2)를 갖지 않고 다른 구성단위(a3)를 갖는 중합체 성분을 포함하는 경우, 그 중합체 성분의 배합량은 전체 중합체 성분 중 60질량% 이하인 것이 바람직하고, 40질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 20질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 배합량의 하한값은 0질량%이다.In the present invention, the component C may have other structural units (a3) in addition to the structural units (a1) and / or (a2). These constituent units may contain the polymer components (1) and / or (2). In addition, apart from the polymer component (1) or (2), a polymer component having substantially no structural unit (a1) and / or structural unit (a2) and having another structural unit (a3) may be contained. (A1) and the constituent unit (a2) other than the polymer component (1) or (2), the amount of the polymer component contained in the polymer component It is preferably 60 mass% or less, more preferably 40 mass% or less, and even more preferably 20 mass% or less in the polymer component. The lower limit value of the blending amount is 0 mass%.

그 외의 구성단위(a3)로 이루어지는 모노머로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 스티렌류, (메타)아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 환상 알킬에스테르, (메타)아크릴산 아릴에스테르, 불포화 디카르복실산 디에스테르, 비시클로 불포화화합물류, 말레이미드 화합물류, 불포화 방향족 화합물, 공역 디엔계 화합물, 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 디카르복실산 무수물, 그 외의 불포화 화합물을 들 수 있다. 또한, 후술한 대로 산기를 갖는 구성단위를 갖고 있어도 좋다. 그 외의 구성단위(a3)가 되는 모노머는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다.The monomer constituting the other structural unit (a3) is not particularly limited and includes, for example, styrenes, alkyl (meth) acrylates, cyclic alkyl (meth) acrylates, (meth) acrylic acid aryl esters, unsaturated dicarboxylic acid di An unsaturated aromatic compound, a conjugated diene compound, an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid anhydride, and other unsaturated compounds. It may have a structural unit having an acid group as described later. Monomers to be the other constituent unit (a3) may be used alone or in combination of two or more.

그 외의 구성단위(a3)는 구체적으로는 스티렌, 메틸스티렌, 히드록시스티렌, α-메틸스티렌, 아세톡시스티렌, 메톡시스티렌, 에톡시스티렌, 클로로스티렌, 비닐벤조산 메틸, 비닐벤조산 에틸, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 n-프로필, (메타)아크릴산 이소프로필, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 벤질, (메타)아크릴산 이소보르닐, 아크릴로니트릴, 에틸렌글리콜모노아세토아세테이트모노(메타)아크릴레이트 등에 의한 구성단위를 들 수 있다. 이 외, 일본 특허 공개 2004-264623호 공보의 단락 0021~0024에 기재된 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the other structural unit (a3) include styrene, methylstyrene, hydroxystyrene,? -Methylstyrene, acetoxystyrene, methoxystyrene, ethoxystyrene, chlorostyrene, methyl vinylbenzoate, ethyl vinylbenzoate, 4- (Meth) acrylic acid, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, acrylonitrile and ethylene glycol monoacetoacetate mono . In addition, the compounds described in paragraphs 0021 to 0024 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623 can be mentioned.

또한, 그 외의 구성단위(a3)로서는 스티렌류, 또는 지방족 환식 골격을 갖는 모노머 유래의 구성단위가 전기 특성의 관점에서 바람직하다. 구체적으로는 스티렌, 메틸스티렌, 히드록시스티렌, α-메틸스티렌, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As the other structural unit (a3), a structural unit derived from a styrene or a monomer having an aliphatic cyclic skeleton is preferable from the viewpoint of electrical characteristics. Specific examples include styrene, methylstyrene, hydroxystyrene,? -Methylstyrene, dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, benzyl .

또한, 그 외의 구성단위(a3)로서는 (메타)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성단위가 밀착성의 관점에서 바람직하다. 구체적으로는 (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 n-부틸 등을 들 수 있고, (메타)아크릴산 메틸이 보다 바람직하다. 중합체를 구성하는 구성단위 중 상기의 구성단위(a3)의 함유율은 60몰% 이하가 바람직하고, 50몰% 이하가 보다 바람직하고, 40몰% 이하가 더욱 바람직하다. 하한값으로서는 0몰%이어도 좋지만 예를 들면 1몰% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 5몰% 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 상기 수치 범위 내이면 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 모든 특성이 양호해진다. As the other structural unit (a3), a structural unit derived from a (meth) acrylic acid alkyl ester is preferable from the viewpoint of adhesion. Specific examples thereof include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate and n-butyl (meth) acrylate. More preferred is methyl (meth) acrylate. The content of the structural unit (a3) among the constituent units constituting the polymer is preferably 60 mol% or less, more preferably 50 mol% or less, still more preferably 40 mol% or less. The lower limit value may be 0 mol%, but is preferably 1 mol% or more, for example, and is more preferably 5 mol% or more. Within this numerical range, all the characteristics of the cured film obtained from the photosensitive resin composition are improved.

성분 C에 포함되는 중합체는 그 외의 구성단위(a3)로서 산기를 갖는 구성단위를 갖는 것이 바람직하다. 중합체가 산기를 가짐으로써 알칼리성 현상액에 녹기 쉬워져 본 발명의 효과가 보다 효과적으로 발휘된다. 본 발명에 있어서의 산기란 pKa가 10.5보다 작은 프로톤 해리성기를 의미한다. 산기는 통상 산기를 형성할 수 있는 모노머를 사용하고, 산기를 포함하는 구성단위로서 중합체에 포함된다. 이러한 산기를 포함하는 구성단위를 중합체 중에 포함시킴으로써 알칼리성 현상액에 대하여 녹기 쉬워지는 경향이 있다. The polymer contained in the component C preferably has a structural unit having an acid group as the other structural unit (a3). When the polymer has an acid group, the polymer easily dissolves in an alkaline developer, and the effect of the present invention is more effectively exhibited. The acid group in the present invention means a proton dissociable group having a pKa of less than 10.5. The acid group is usually contained in the polymer as a constituent unit containing an acid group, using a monomer capable of forming an acid group. By incorporating such a structural unit containing an acid group in the polymer, it tends to be easily soluble in an alkaline developer.

산기로서는 카르복실산기, 술폰아미드기, 포스폰산기, 술폰산기, 페놀성 수산기, 술폰아미드기, 술포닐이미드기, 및 이들 산기의 산 무수물기, 및 이들 산기를 중화하여 염 구조로 한 기 등이 예시되고, 카르복실산기 및/또는 페놀성 수산기가 바람직하다. 상기 염으로서는 특별히 제한은 없지만 알칼리 금속염, 알칼리 토류 금속염, 및 유기 암모늄염을 바람직하게 예시할 수 있다.Examples of the acid group include a carboxylic acid group, a sulfonamide group, a phosphonic acid group, a sulfonic acid group, a phenolic hydroxyl group, a sulfonamide group, a sulfonylimide group, and an acid anhydride group of these acid groups, And the like, and a carboxylic acid group and / or a phenolic hydroxyl group are preferable. The salt is not particularly limited, but an alkali metal salt, an alkaline earth metal salt, and an organic ammonium salt can be preferably exemplified.

본 발명에서 사용되는 산기를 갖는 구성단위는 산기를 갖는 스티렌 화합물로부터 유래되는 구성단위나, 산기를 갖는 비닐 화합물로부터 유래되는 구성단위, (메타)아크릴산으로부터 유래되는 구성단위 및/또는 산기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르로부터 유래되는 구성단위인 것이 보다 바람직하다. 예를 들면, 일본 특허 공개 2012-88459호 공보의 단락 0021~0023 및 단락 0029~0044 기재의 화합물을 사용할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 포함된다. 그 중에서도 p-히드록시스티렌, (메타)아크릴산, 말레산, 무수 말레산으로부터 유래되는 구성단위가 바람직하다.The structural unit having an acid group used in the present invention is a structural unit derived from a styrene compound having an acid group, a structural unit derived from a vinyl compound having an acid group, a structural unit derived from a (meth) acrylic acid and / More preferably a structural unit derived from a (meth) acrylic acid ester. For example, compounds described in paragraphs 0021 to 0023 and paragraphs 0029 to 0044 of JP-A-2012-88459 can be used, the contents of which are incorporated herein by reference. Among them, a constituent unit derived from p-hydroxystyrene, (meth) acrylic acid, maleic acid and maleic anhydride is preferable.

본 발명에서는 상기 중합체 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 실질적으로 구성단위(a1) 및 구성단위(a2)를 포함하지 않고 다른 구성단위(a3)를 갖는 중합체를 포함하고 있어도 좋다. In the present invention, in addition to the polymer component (1) or (2), a polymer having substantially no other constituent unit (a1) and / or another constituent unit (a2) and having another constituent unit (a3) may be contained.

이러한 중합체로서는 측쇄에 카르복실기를 갖는 수지가 바람직하다. 예를 들면 일본 특허 공개 소 59-44615호, 일본 특허 공고 소 54-34327호, 일본 특허 공고 소 58-12577호, 일본 특허 공고 소 54-25957호, 일본 특허 공개 소 59-53836호, 일본 특허 공개 소 59-71048호의 각 공보에 기재되어 있는 바와 같은 메타크릴산 공중합체, 아크릴산 공중합체, 이타콘산 공중합체, 크로톤산 공중합체, 말레산 공중합체, 부분 에스테르화 말레산 공중합체등, 및 측쇄에 카르복실기를 갖는 산성 셀룰로오스 유도체, 수산기를 갖는 폴리머에 산 무수물을 부가시킨 것 등을 들 수 있고, 측쇄에 (메타)아크릴로일기를 더 갖는 고분자 중합체도 바람직한 것으로서 들 수 있다.As such a polymer, a resin having a carboxyl group in the side chain is preferable. For example, Japanese Patent Publication No. 59-44615, Japanese Patent Publication No. 54-34327, Japanese Patent Publication No. 58-12577, Japanese Patent Publication No. 54-25957, Japanese Patent Laid-open No. 59-53836, Japanese Patent Methacrylic acid copolymers, acrylic acid copolymers, itaconic acid copolymers, crotonic acid copolymers, maleic acid copolymers, partially esterified maleic acid copolymers and the like as described in each publication of JP-A-59-71048, , Acidic cellulose derivatives having a carboxyl group, acid anhydrides added to a polymer having a hydroxyl group, and the like, and polymer polymers having a (meth) acryloyl group in the side chain are also preferable.

예를 들면 벤질(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트/벤질(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산 공중합체, 일본 특허 공개 평 7-140654호 공보에 기재된, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트/폴리스티렌 매크로 모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트/폴리메틸메타크릴레이트 매크로 모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌 매크로 모노머/메틸메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌 매크로 모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체 등을 들 수 있다.(Meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate / benzyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, and JP-A No. 7-140654 (Meth) acrylate / polystyrene macromonomer / benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate / polymethyl methacrylate macromonomer / Benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl methacrylate / polystyrene macromonomer / methyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl methacrylate / polystyrene macromonomer / benzyl Methacrylate / methacrylic acid copolymer, and the like.

그 외에도 일본 특허 공개 평 7-207211호 공보, 일본 특허 공개 평 8-259876호 공보, 일본 특허 공개 평 10-300922호 공보, 일본 특허 공개 평 11-140144호 공보, 일본 특허 공개 평 11-174224호 공보, 일본 특허 공개 2000-56118호 공보, 일본 특허 공개 2003-233179호 공보, 일본 특허 공개 2009-52020호 공보 등에 기재된공지의 고분자 화합물을 사용할 수 있고, 이들의 내용은 본원 명세서에 포함된다.In addition, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 7-207211, 8-259876, 10-300922, 11-140144, 11-174224 Publicly known polymer compounds described in JP-A-2000-56118, JP-A-2003-233179, and JP-A-2009-52020 can be used, and the contents thereof are included in the specification of the present invention.

이들의 중합체는 1종류만 포함하고 있어도 좋고, 2종류 이상 포함하고 있어도 좋다. These polymers may be contained in one kind alone or in two or more kinds.

이들의 중합체로서 시판되고 있는 SMA 1000P, SMA 2000P, SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, SMA 3840F(이상, Sartomer사 제작), ARUFON UC-3000, ARUFON UC-3510, ARUFON UC-3900, ARUFON UC-3910, ARUFON UC-3920, ARUFON UC-3080(이상, TOAGOSEI CO., LTD. 제작), JONCRYL 690, JONCRYL 678, JONCRYL 67, JONCRYL 586(이상, BASF사 제작) 등을 사용할 수도 있다.SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, SMA 3840F (manufactured by Sartomer), ARUFON UC-3000, ARUFON UC-3510, ARUFON UC-3900, (Manufactured by TOAGOSEI CO., LTD.), JONCRYL 690, JONCRYL 678, JONCRYL 67 and JONCRYL 586 (manufactured by BASF Co., Ltd.) or the like may be used.

본 발명에서는 특히, 카르복실기를 갖는 구성단위, 또는 페놀성 수산기를 갖는 구성단위를 함유하는 것이 감도의 관점에서 바람직하다. 예를 들면 일본 특허 공개 2012-88459호 공보의 단락 0021~0023, 및 단락 0029~0044 기재의 화합물을 사용할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 포함된다.In the present invention, it is particularly preferable to contain a constituent unit having a carboxyl group or a constituent unit having a phenolic hydroxyl group from the viewpoint of sensitivity. For example, compounds described in paragraphs 0021 to 0023 and paragraphs 0029 to 0044 of JP-A-2012-88459 can be used, and the contents thereof are included in the specification.

산기를 갖는 구성단위는 전체 중합체 성분의 구성단위의 1~80몰%가 바람직하고, 1~50몰%가 보다 바람직하고, 5~40몰%가 더욱 바람직하고, 5~30몰%가 특히 바람직하고, 5~20몰%가 가장 바람직하다.The constituent unit having an acid group is preferably from 1 to 80 mol%, more preferably from 1 to 50 mol%, still more preferably from 5 to 40 mol%, and particularly preferably from 5 to 30 mol%, of the constituent units of the whole polymer component , And most preferably 5 to 20 mol%.

이하에 본 발명에 있어서의 중합체 성분의 바람직한 실시형태를 들지만 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the polymer component in the present invention are described, but the present invention is not limited thereto.

- 제 1 실시형태 -- First Embodiment -

중합체 성분(1)이 1종 또는 2종 이상의 그 외의 구성단위(a3)를 더 갖는 실시형태.An embodiment wherein the polymer component (1) further comprises one or more other structural units (a3).

- 제 2 실시형태 -- Second Embodiment -

중합체 성분(2)의 (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위를 갖는 중합체가 1종 또는 2종 이상의 그 외의 구성단위(a3)를 더 갖는 실시형태.An embodiment wherein (a1) the polymer having a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group further comprises one or more other structural units (a3) of the polymer component (2).

- 제 3 실시형태 -- Third Embodiment -

중합체 성분(2)의 (a2) 가교성기를 갖는 구성단위를 갖는 중합체가 1종 또는 2종 이상의 그 외의 구성단위(a3)를 더 갖는 실시형태.An embodiment wherein the polymer (a2) having a structural unit having a crosslinkable group in the polymer component (2) further comprises one or more other structural units (a3).

- 제 4 실시형태 -- Fourth Embodiment -

상기 제 1~제 3 실시형태 중 어느 하나에 있어서 그 외의 구성단위(a3)로서 적어도 산기를 포함하는 구성단위를 어느 하나의 중합체에 갖는 실시형태.An embodiment wherein any one of the structural units (a3) in any one of the first to third embodiments has at least an acid group-containing structural unit in any one of the polymers.

- 제 5 실시형태 -- Fifth Embodiment -

상기 중합체 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 실질적으로 구성단위(a1) 및 구성단위(a2)를 더 갖지 않고 다른 구성단위(a3)를 갖는 중합체를 갖는 실시형태.An embodiment having a polymer having substantially no structural unit (a1) and structural unit (a2) and having another structural unit (a3) apart from the polymer component (1) or (2).

- 제 6 실시형태 -- Sixth Embodiment -

상기 제 1~제 5 실시형태의 2 이상의 조합으로 이루어지는 형태.And a combination of two or more of the first to fifth embodiments.

- 성분 C에 있어서의 중합체의 분자량 -The molecular weight of the polymer in component C -

성분 C에 있어서의 중합체의 분자량은 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량으로 바람직하게는 1,000~200,000, 보다 바람직하게는 2,000~50,000의 범위이다. 상기 수치 범위 내이면 모든 특성이 양호하다. 수 평균 분자량 Mn과 중량 평균 분자량 Mw의 비(분산도, Mw/Mn)는 1.0~5.0이 바람직하고, 1.5~3.5가 보다 바람직하다.The molecular weight of the polymer in Component C is preferably from 1,000 to 200,000, more preferably from 2,000 to 50,000, in terms of polystyrene reduced weight average molecular weight. All the properties are satisfactory in the above-mentioned numerical range. The ratio (dispersion degree, Mw / Mn) of the number average molecular weight Mn to the weight average molecular weight Mw is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.5 to 3.5.

또한, 본 발명에 있어서의 중량 평균 분자량이나 수 평균 분자량의 측정은 겔 여과 크로마토그래피법에 의해 측정하는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서의 겔 여과 크로마토그래피법에 의한 측정은 HLC-8020GPC(TOSOH CORPORATION 제작)를 사용하고, 컬럼으로서 TSKgel Super HZ M-H, TSK gel Super HZ4000, TSKgel Super HZ200(TOSOH CORPORATION 제작, 4.6㎜ID×15㎝)을, 용리액으로서 THF(테트라히드로푸란)을 사용하는 것이 바람직하다.The measurement of the weight-average molecular weight and the number-average molecular weight in the present invention is preferably carried out by gel filtration chromatography. In the present invention, HLC-8020 GPC (manufactured by TOSOH CORPORATION) was used for the measurement by gel filtration chromatography, and TSKgel Super HZ MH, TSK gel Super HZ4000, TSKgel Super HZ200 (produced by TOSOH CORPORATION, 4.6 mm ID × 15 cm), and THF (tetrahydrofuran) is preferably used as an eluent.

- 성분 C에 있어서의 중합체의 제조 방법 -- Method for preparing polymer in component C -

성분 C에 있어서의 중합체의 합성법에 대해서도 다양한 방법이 알려져 있지만 일례를 들면 적어도 상기 구성단위(a1)를 형성하기 위해 사용되는 라디컬 중합성 단량체를 포함하는 라디컬 중합성 단량체 혼합물을 유기용제 중 라디컬 중합개시제를 사용하여 중합함으로써 합성할 수 있다. 또한, 소위 고분자 반응에서 합성할 수도 있다.Various methods are also known for the synthesis of the polymer in Component C, but for example, at least a radical polymerizable monomer mixture containing a radical polymerizable monomer used for forming the structural unit (a1) is dissolved in an organic solvent Can be synthesized by polymerization using a curl polymerization initiator. It may also be synthesized by a so-called polymer reaction.

본 발명의 감광성 수지 조성물중에 있어서의 성분 C의 함유량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 20~99.9질량%인 것이 바람직하고, 50~98질량%인 것이 보다 바람직하고, 70~95질량%인 것이 더욱 바람직하다. 함유량이 이 범위이면 현상했을 때의 패턴 형성성이 양호해지고, 또한 보다 고굴절률의 경화물이 얻어진다. 또한, 감광성 수지 조성물의 고형분량이란 용제 등의 휘발성 성분을 제외한 양을 나타낸다. The content of the component C in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 20 to 99.9% by mass, more preferably 50 to 98% by mass, and more preferably 70 to 95% by mass based on the total solid content of the photosensitive resin composition More preferable. When the content is within this range, the patterning property upon development is improved, and a cured product having a higher refractive index is obtained. The solid content of the photosensitive resin composition refers to an amount excluding volatile components such as a solvent.

(성분 D) 광산 발생제(Component D) Photoacid generator

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 D) 광산 발생제를 함유한다. 본 발명에서 사용되는 광산 발생제로서는 바람직하게는 파장 300㎚ 이상, 보다 바람직하게는 파장 300~450㎚의 활성광선에 감응하여 산을 발생하는 화합물이지만 그 화학구조에 제한되는 것은 아니다. 또한, 파장 300㎚ 이상의 활성광선에 직접 감응하지 않는 광산 발생제에 대해서도 증감제와 병용함으로써 파장 300㎚ 이상의 활성광선에 감응하여 산을 발생하는 화합물이면 증감제와 조합해서 바람직하게 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 광산 발생제로서는 pKa가 4 이하인 산을 발생하는 광산 발생제가 바람직하고, pKa가 3 이하인 산을 발생하는 광산 발생제가 보다 바람직하고, pKa가 2 이하인 산을 발생하는 광산 발생제가 가장 바람직하다. 또한, pKa가 -15 이상인 산을 발생하는 광산 발생제가 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention (component D) contains a photoacid generator. The photoacid generator used in the present invention is preferably a compound capable of generating an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, more preferably a wavelength of 300 to 450 nm, but is not limited to the chemical structure thereof. Also, for a photoacid generator which does not directly react with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, a compound capable of generating an acid in response to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more by being used in combination with a sensitizer can be preferably used in combination with a sensitizer. As the photoacid generator used in the present invention, a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 4 or less is preferable, a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 3 or less is more preferable, and a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 2 or less desirable. Further, a photoacid generator that generates an acid having a pKa of -15 or more is preferable.

광산 발생제의 예로서 트리클로로메틸-s-트리아진류, 술포늄염이나 요오드늄염, 제 4 급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미드술포네이트 화합물, 및 옥심술포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 절연성, 감도의 관점으로부터 옥심술포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산 발생제는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 트리클로로메틸-s-트리아진류, 디아릴요오드늄염류, 트리아릴술포늄 염류, 제 4 급 암모늄염류, 및 디아조메탄 유도체의 구체예로서는 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0083~0088에 기재된 화합물을 예시할 수 있다.Examples of photoacid generators include trichloromethyl-s-triazine, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imidosulfonate compounds and oxime sulfonate compounds. Among them, it is preferable to use an oxime sulfonate compound from the viewpoints of insulation and sensitivity. These photoacid generators may be used alone or in combination of two or more. Specific examples of trichloromethyl-s-triazine, diaryl iodonium salts, triarylsulfonium salts, quaternary ammonium salts and diazomethane derivatives include those described in paragraphs 0083 to 0088 of JP-A-2011-221494 Compounds can be exemplified.

옥심술포네이트 화합물, 즉 옥심술포네이트 구조를 갖는 화합물로서는 하기 식(D1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물을 바람직하게 예시할 수 있고, 이들의 내용은 본원 명세서에 포함된다.As the oxime sulfonate compound, that is, the compound having an oxime sulfonate structure, a compound containing an oxime sulfonate structure represented by the following formula (D1) can be preferably exemplified, and the contents thereof are included in the specification .

Figure pct00009
Figure pct00009

(식(D1) 중, R21은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 파선 부분은 다른 기와의 결합 개소를 나타낸다)(In the formula (D1), R 21 represents an alkyl group or an aryl group, and the broken line portion represents a bonding site with another group)

어느 기나 치환되어도 좋고, R21에 있어서의 알킬기는 직쇄상이어도 분기상이어도 환상이어도 좋다. 허용되는 치환기는 이하에 설명한다.The alkyl group in R &lt; 21 &gt; may be linear, branched or cyclic. The permissible substituents are described below.

R21의 알킬기로서는 탄소수 1~10개의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다. R21의 알킬기는 탄소수 6~11개의 아릴기, 탄소수 1~10개의 알콕시기, 또는 시클로알킬기(7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐기 등의 유교식 지환기를 포함하는, 바람직하게는 비시클로알킬기 등)으로 치환되어도 좋다.As the alkyl group for R 21 , a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. The alkyl group of R &lt; 21 &gt; is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or a cycloalkyl group (including a bridged alicyclic group such as a 7,7- A cycloalkyl group, or the like).

R21의 아릴기로서는 탄소수 6~11개의 아릴기가 바람직하고, 페닐기 또는 나프틸기가 보다 바람직하다. R21의 아릴기는 탄소수 1~10개의 알킬기, 탄소수 1~10개의 알콕시기 또는 할로겐 원자로 치환되어도 좋다.As the aryl group for R 21, an aryl group having 6 to 11 carbon atoms is preferable, and a phenyl group or a naphthyl group is more preferable. The aryl group of R 21 may be substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or a halogen atom.

상기 식(D1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 상기 화합물은 하기 식(D2)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것도 바람직하다.It is also preferable that the compound containing an oxime sulfonate structure represented by the formula (D1) is an oxime sulfonate compound represented by the following formula (D2).

Figure pct00010
Figure pct00010

(식(D2) 중, R42는 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X는 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고, m4는 0~3의 정수를 나타내고, m4가 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 달라도 좋다)(Formula (D2) of, R 42 represents an alkyl group or an aryl group, X is an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, m4 is an integer of 0 to 3, and when m4 is 2 or 3, a plurality of X is The same or different)

X로서의 알킬기는 탄소수 1~4개의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.The alkyl group as X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

X로서의 알콕시기는 탄소수 1~4개의 직쇄상 또는 분기상 알콕시기가 바람직하다.The alkoxy group as X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

X로서의 할로겐 원자는 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.The halogen atom as X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

m4는 0 또는 1이 바람직하다. 상기 식(D2) 중, m4가 1이며, X가 메틸기이며, X의 치환 위치가 오르토 위치이며, R42가 탄소수 1~10개의 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐메틸기, 또는 p-톨루일기인 화합물이 특히 바람직하다.m4 is preferably 0 or 1. In the formula (D2), and m4 are 1, and X is a methyl group, the substitution position of X is the ortho-position, R 42 is, C 1 -C 10 straight chain alkyl 7,7-dimethyl-2-oxo-norbornyl Methyl group, or p-toluyl group is particularly preferable.

상기 식(D1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물은 하기 식(D3)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것도 바람직하다.It is also preferable that the compound containing an oxime sulfonate structure represented by the above formula (D1) is an oxime sulfonate compound represented by the following formula (D3).

Figure pct00011
Figure pct00011

(식(D3) 중, R43은 식(D2)에 있어서의 R42와 동의이며, X1은 할로겐 원자, 수산기, 탄소수 1~4개의 알킬기, 탄소수 1~4개의 알콕시기, 시아노기 또는 니트로기를 나타내고, n4는 0~5의 정수를 나타낸다)(Formula (D3) of, R 43 is the formula (and R 42 and consent of the D2), X 1 is a halogen atom, a hydroxyl group, a C 1 -C 4 alkyl group, a 1-4C alkoxy group, a cyano group or a nitro group Group, and n4 represents an integer of 0 to 5)

상기 식(D3)에 있어서의 R43으로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하고, n-옥틸기가 특히 바람직하다.As R 43 in the formula (D3), a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-octyl group, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro- N-butyl group, p-tolyl group, 4-chlorophenyl group or pentafluorophenyl group is preferable, and n-octyl group is particularly preferable.

X1로서는 탄소수 1~5개의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기가 보다 바람직하다.X 1 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group.

n4로서는 0~2의 정수가 바람직하고, 0 또는 1이 특히 바람직하다.As n4, an integer of 0 to 2 is preferable, and 0 or 1 is particularly preferable.

상기 식(D3)으로 나타내어지는 화합물의 구체예 및 바람직한 옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는 일본 특허 공개 2012-163937호 공보의 단락 0080~0082의 기재를 참작할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 포함된다. As specific examples of the compound represented by the formula (D3) and specific examples of the preferable oxime sulfonate compound, reference may be made to paragraphs 0080 to 0082 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 163937/1987, the contents of which are incorporated herein by reference do.

상기 식(D1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물로서는 하기 식(OS-1)으로 나타내어지는 화합물인 것도 바람직하다.The compound containing an oxime sulfonate structure represented by the formula (D1) is also preferably a compound represented by the following formula (OS-1).

Figure pct00012
Figure pct00012

상기 식(OS-1) 중, R101은 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 카르바모일기, 술파모일기, 술포기, 시아노기, 아릴기, 또는 헤테로아릴기를 나타낸다. R102는 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다.In the formula (OS-1), R 101 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, a cyano group, an aryl group or a heteroaryl group . R 102 represents an alkyl group or an aryl group.

X101은 -O-, -S-, -NH-, -NR105-, -CH2-, -CR106H-, 또는 -CR105R107-을 나타내고, R105~R107은 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다. 101 X is -O-, -S-, -NH-, -NR 105 -, -CH 2 -, -CR 106 H-, or -CR 105 R 107 - represents a, R 105 ~ R 107 is an alkyl group, or Lt; / RTI &gt;

R121~R124는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아미노기, 알콕시카르보닐기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 아미드기, 술포기, 시아노기, 또는 아릴기를 나타낸다. R121~R124 중 2개는 각각 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다.R 121 to R 124 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an amide group, a sulfo group, a cyano group or an aryl group. Two of R 121 to R 124 may be bonded to each other to form a ring.

R121~R124로서는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 또는 알킬기가 바람직하고, 또한 R121~R124 중 적어도 2개가 서로 결합해서 아릴기를 형성하는 실시형태도 또한 바람직하게 들 수 있다. 그 중에서도 R121~R124가 모두 수소 원자인 실시형태가 감도의 관점으로부터 바람직하다. As R 121 to R 124, each independently preferably a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group, and an embodiment in which at least two of R 121 to R 124 are bonded to each other to form an aryl group is also preferable. Among them, embodiments in which all of R 121 to R 124 are hydrogen atoms are preferable from the viewpoint of sensitivity.

기술한 관능기는 모두 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.All of the functional groups described may have further substituents.

상기 식(OS-1)으로 나타내어지는 화합물은 예를 들면, 일본 특허 공개 2012-163937호 공보의 단락 0087~0089에 기재되어 있는 일반식(OS-2)으로 나타내어지는 화합물인 것이 바람직하고, 이 내용은 본원 명세서에 포함된다.The compound represented by the above formula (OS-1) is preferably, for example, a compound represented by the general formula (OS-2) described in paragraphs 0087 to 0089 of Japanese Patent Application Laid- The contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명에 바람직하게 사용할 수 있는 상기 식(OS-1)으로 나타내어지는 화합물의 구체예로서는 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0128~0132에 기재된 화합물(예시 화합물 b-1~b-34)을 들 수 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.Specific examples of the compound represented by the above formula (OS-1) that can be preferably used in the present invention include compounds (exemplified compounds b-1 to b-34) described in paragraphs 0128 to 0132 of JP-A No. 2011-221494 But the present invention is not limited to this.

본 발명에서는 상기 식(D1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물로서는 하기 식(OS-3), 하기 식(OS-4) 또는 하기 식(OS-5)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것이 바람직하다. In the present invention, the compound containing an oxime sulfonate structure represented by the formula (D1) is preferably a compound containing oxime sulfonate represented by the following formula (OS-3), the following formula (OS-4) It is preferably a compound of the formula (I).

Figure pct00013
Figure pct00013

(식(OS-3)~식(OS-5) 중, R22, R25 및 R28은 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R23, R26 및 R29는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R24, R27 및 R30은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타내고, X1~X3은 각각 독립적으로 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, n1~n3은 각각 독립적으로 1 또는 2를 나타내고, m1~m3은 각각 독립적으로 0~6의 정수를 나타낸다)(In the formulas (OS-3) to (OS-5), R 22 , R 25 and R 28 each independently represent an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, and R 23 , R 26 and R 29 each independently R 24 , R 27 and R 30 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, and X 1 to R 30 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, X 3 each independently represents an oxygen atom or a sulfur atom, n 1 to n 3 each independently represents 1 or 2, and m 1 to m 3 each independently represent an integer of 0 to 6)

또한, 상기 식(D1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물은 예를 들면, 일본 특허 공개 2012-163937호 공보의 단락 0117에 기재되어 있는 일반식(OS-6)~(OS-11) 중 어느 하나로 나타내어지는 화합물인 것이 특히 바람직하고, 이 내용은 본원 명세서에 포함된다.The compounds containing an oxime sulfonate structure represented by the above formula (D1) can be prepared, for example, by reacting a compound represented by the general formula (OS-6) to (OS-6) described in paragraph 0117 of Japanese Patent Application Laid- 11), and the contents thereof are included in the specification of the present invention.

상기 일반식(OS-6)~(OS-11)에 있어서의 바람직한 범위는 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0110~0112에 기재되는 일반식(OS-6)~(OS-11)에 있어서의 바람직한 범위와 같다. A preferable range in the above general formulas (OS-6) to (OS-11) is as shown in general formulas (OS-6) to (OS-11) described in paragraphs 0110 to 0112 of Japanese Patent Laid- Which is the same as the preferable range.

상기 식(OS-3)~상기 식(OS-5)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0114~0120에 기재된 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the oxime sulfonate compounds represented by the above formulas (OS-3) to (OS-5) include the compounds described in paragraphs 0114 to 0120 of JP-A No. 2011-221494, But are not limited thereto.

상기 식(D1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물은 하기 식 (D1-4)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것도 바람직하다.It is also preferable that the compound containing an oxime sulfonate structure represented by the formula (D1) is an oxime sulfonate compound represented by the following formula (D1-4).

Figure pct00014
Figure pct00014

(식(D1-4) 중, Rd1은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, Rd2는 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, Rd3~Rd6은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, Rd3과 Rd4, Rd4와 Rd5, 또는 Rd5와 Rd6이 결합해서 지환 또는 방향환을 형성해도 좋고, Xd는 -O- 또는 -S-를 나타낸다)Wherein R d1 represents an alkyl group or an aryl group, R d2 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R d3 to R d6 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom , R d3 and R d4 , R d4 and R d5 , or R d5 and R d6 may combine to form an alicyclic or aromatic ring, and X d represents -O- or -S-)

Rd1은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. 알킬기는 분기 구조를 갖는 알킬기 또는 환상 구조의 알킬기가 바람직하다.R d1 represents an alkyl group or an aryl group. The alkyl group is preferably an alkyl group having a branched structure or an alkyl group having a cyclic structure.

알킬기의 탄소수는 바람직하게는 3~10개이다. 특히 알킬기가 분기 구조를 갖는 경우, 탄소수 3~6개개의 알킬기가 바람직하고, 환상 구조를 갖는 경우, 탄소수 5~7개의 알킬기가 바람직하다.The alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms. In particular, when the alkyl group has a branched structure, an alkyl group having 3 to 6 carbon atoms is preferable, and when the alkyl group has a cyclic structure, an alkyl group having 5 to 7 carbon atoms is preferable.

알킬기로서는 예를 들면 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-디메틸프로필기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기 등을 들 수 있고, 바람직하게는 이소프로필기, tert-부틸기, 네오펜틸기, 시클로헥실기이다.Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, Hexyl group, 2-ethylhexyl group, cyclohexyl group, and octyl group, and is preferably isopropyl group, tert-butyl group, neopentyl group or cyclohexyl group.

아릴기의 탄소수는 바람직하게는 6~12개이며, 보다 바람직하게는 6~8개이며, 더욱 바람직하게는 6개 또는 7개이다. 상기 아릴기로서는 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있고, 바람직하게는 페닐기이다.The carbon number of the aryl group is preferably 6 to 12, more preferably 6 to 8, and still more preferably 6 or 7. Examples of the aryl group include a phenyl group and a naphthyl group, preferably a phenyl group.

Rd1이 나타내는 알킬기 및 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋다. 치환기로서는 예를 들면 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자), 직쇄, 분기 또는 환상 알킬기(예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기 등), 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 카르바모일기, 시아노기, 카르복실기, 수산기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환옥시기, 아실옥시기, 아미노기, 니트로기, 히드라지노기, 헤테로환기 등을 들 수 있다. 또한, 이들의 기에 의해 더 치환되어 있어도 좋다. 바람직하게는 할로겐 원자, 메틸기이다.The alkyl group and aryl group represented by R d1 may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom), a straight chain, branched or cyclic alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group or a propyl group), an alkenyl group, an alkynyl group, An alkyl group, an aryl group, an aryl group, a heterocyclic oxy group, an acyloxy group, an amino group, a nitro group, a hydrazino group, an acyl group, an acyl group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, a carbamoyl group, a cyano group, a carboxyl group, Group, a heterocyclic group, and the like. Further, they may be further substituted by these groups. Preferably a halogen atom or a methyl group.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 투명성의 관점으로부터 Rd1은 알킬기가 바람직하고, 보존 안정성과 감도를 양립시키는 관점으로부터 Rd1은 탄소수 3~6개의 분기 구조를 갖는 알킬기, 탄소수 5~7개의 환상 구조의 알킬기, 또는 페닐기가 바람직하고, 탄소수 3~6개의 분기 구조를 갖는 알킬기, 또는 탄소수 5~7개의 환상 구조의 알킬기가 보다 바람직하다. 이러한 부피가 큰 기(특히, 부피가 큰 알킬기)를 Rd1로서 채용함으로써 투명성을 보다 향상시키는 것이 가능해진다.From the viewpoint of transparency, R d1 is preferably an alkyl group, and from the viewpoint of achieving both storage stability and sensitivity, R d1 is an alkyl group having a branched structure of 3 to 6 carbon atoms, a cyclic structure having 5 to 7 carbon atoms An alkyl group or a phenyl group is preferable and an alkyl group having a branched structure having 3 to 6 carbon atoms or an alkyl group having a cyclic structure having 5 to 7 carbon atoms is more preferable. By employing such a bulky group (particularly, a bulky alkyl group) as R d1 , it becomes possible to further improve the transparency.

부피가 큰 치환기 중에서도 이소프로필기, tert-부틸기, 네오펜틸기, 시클로헥실기가 바람직하고, tert-부틸기, 시클로헥실기가 보다 바람직하다.Of the bulky substituents, an isopropyl group, a tert-butyl group, a neopentyl group and a cyclohexyl group are preferable, and a tert-butyl group and a cyclohexyl group are more preferable.

Rd2는 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타낸다. Rd2가 나타내는 알킬기로서는 탄소수 1~10개의 직쇄, 분기 또는 환상 알킬기가 바람직하다. 상기 알킬기로서는 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기 등을 들 수 있고, 바람직하게는 메틸기이다.R d2 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group. The alkyl group represented by R d2 is preferably a straight chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, tert-butyl, pentyl, neopentyl, to be.

아릴기로서는 탄소수 6~10개의 아릴기가 바람직하다. 상기 아릴기로서는 페닐기, 나프틸기, p-톨루일기(p-메틸페닐기) 등을 들 수 있고, 바람직하게는 페닐기, p-톨루일기이다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms. As the aryl group, there can be mentioned a phenyl group, a naphthyl group, a p-toluyl group (p-methylphenyl group) and the like, preferably a phenyl group and a p-toluyl group.

헤테로아릴기로서는 예를 들면 피롤릴기, 인돌릴기, 카르바졸릴기, 푸라닐기, 티에닐기 등을 들 수 있다. Examples of the heteroaryl group include a pyrrolyl group, an indolyl group, a carbazolyl group, a furanyl group, and a thienyl group.

Rd2가 나타내는 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋다. 치환기로서는 Rd1이 나타내는 알킬기 및 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기와 동의이다.The alkyl group, aryl group and heteroaryl group represented by R d2 may have a substituent. As the substituent, the alkyl group represented by R d1 and the substituent which the aryl group may have are the same.

Rd2는 알킬기 또는 아릴기가 바람직하고, 아릴기가 보다 바람직하고, 페닐기가 보다 바람직하다. 페닐기의 치환기로서는 메틸기가 바람직하다.R d2 is preferably an alkyl group or an aryl group, more preferably an aryl group, and more preferably a phenyl group. The substituent of the phenyl group is preferably a methyl group.

Rd3~Rd6은 각각 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자)를 나타낸다. Rd3~Rd6이 나타내는 알킬기로서는 Rd2가 나타내는 알킬기와 동의이며, 바람직한 범위도 같다. 또한, Rd3~Rd6이 나타내는 아릴기로서는 Rd1이 나타내는 아릴기와 동의이며, 바람직한 범위도 같다.R d3 to R d6 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, or an iodine atom). The alkyl group represented by R d3 to R d6 is the same as the alkyl group represented by R d2 , and the preferable range is also the same. The aryl group represented by R d3 to R d6 is synonymous with the aryl group represented by R d1 , and the preferable range is also the same.

Rd3~Rd6 중 Rd3과 Rd4, Rd4와 Rd5, 또는 Rd5와 Rd6이 결합해서 환을 형성해도 좋고, 환으로서는 지환 또는 방향환을 형성하고 있는 것이 바람직하고, 벤젠환이 보다 바람직하다.Among R d3 to R d6 , R d3 and R d4 , R d4 and R d5 , or R d5 and R d6 may be bonded to each other to form a ring. Preferably, the ring is an alicyclic or aromatic ring, desirable.

Rd3~Rd6은 수소 원자, 알킬기, 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자), 또는 Rd3과 Rd4, Rd4와 Rd5, 또는 Rd5와 Rd6이 결합해서 벤젠환을 구성하고 있는 것이 바람직하고, 수소 원자, 메틸기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 또는 Rd3과 Rd4, Rd4와 Rd5, 또는 Rd5와 Rd6이 결합해서 벤젠환을 구성하고 있는 것이 보다 바람직하다.R d3 to R d6 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom), or R d3 and R d4 , R d4 and R d5 , or R d5 and R d6 , It is preferable that a hydrogen atom, a methyl group, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, or R d3 and R d4 , R d4 and R d5 , or R d5 and R d6 are combined to form a benzene ring desirable.

Rd3~Rd6의 바람직한 형태는 이하와 같다. Preferred forms of R d3 to R d6 are as follows.

(실시형태 1) 적어도 2개는 수소 원자이다.(Embodiment 1) At least two of them are hydrogen atoms.

(실시형태 2) 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자의 수는 1개 이하이다.(Embodiment 2) The number of alkyl groups, aryl groups or halogen atoms is one or less.

(실시형태 3) Rd3과 Rd4, Rd4와 Rd5, 또는 Rd5와 Rd6이 결합해서 벤젠환을 구성하고 있다.(Embodiment 3) R d3 and R d4 , R d4 and R d5 , or R d5 and R d6 combine to form a benzene ring.

(실시형태 4) 상기 실시형태 1과 2를 만족하는 형태, 및/또는 상기 실시형태 1과 3을 만족하는 실시형태.(Embodiment 4) An embodiment that satisfies Embodiments 1 and 2 and / or Embodiments 1 and 3 above.

Xd는 -O- 또는 -S-를 나타낸다.X d represents -O- or -S-.

상기 식(D1-4)의 구체예로서는 이하와 같은 화합물을 들 수 있지만 본 발명에서는 특별히 이것에 한정되지 않는다. 또한, 예시 화합물 중 Ts는 토실기(p-톨루엔술포닐기)를 나타내고, Me는 메틸기를 나타내고, Bu는 n-부틸기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타낸다.Specific examples of the formula (D1-4) include the following compounds, but the present invention is not particularly limited thereto. In the exemplified compounds, Ts represents a tosyl group (p-toluenesulfonyl group), Me represents a methyl group, Bu represents an n-butyl group, and Ph represents a phenyl group.

Figure pct00015
Figure pct00015

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서 (성분 D) 광산 발생제의 함유량은 감광성 수지 조성물 중의 성분 C 100질량부에 대하여 0.1~10질량부인 것이 바람직하고, 0.5~10질량부인 것이 보다 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, the content of the photoacid generator (component D) is preferably from 0.1 to 10 parts by mass, more preferably from 0.5 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the component C in the photosensitive resin composition.

또한, 성분 D는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.Component D may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

(성분 E) 분산제(Component E) Dispersant

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 E) 분산제를 함유하는 것이 바람직하다. 분산제를 함유함으로써 성분 A의 수지 조성물 중에서의 분산성을 보다 향상시킬 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains (component E) a dispersing agent. The dispersibility of the component A in the resin composition can be further improved by containing a dispersant.

분산제로서는 공지의 분산제를 사용할 수 있고, 예를 들면 공지의 안료 분산제를 적당히 선택해서 사용할 수 있다.As the dispersing agent, a known dispersing agent can be used, and for example, a well-known pigment dispersing agent can be appropriately selected and used.

또한, 분산제로서는 고분자 분산제를 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 고분자 분산제란 분자량(중량 평균 분자량)이 1,000 이상인 분산제이다.As the dispersing agent, a polymer dispersing agent can be preferably used. The polymer dispersant is a dispersant having a molecular weight (weight average molecular weight) of 1,000 or more.

분산제로서는 많은 종류의 화합물을 사용가능하며, 구체적으로는 예를 들면 오르가노실록산 폴리머 KP341(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제작), (메타)아크릴산계 (공)중합체 POLYFLOW No.75, No.90, No.95(KYOEISHA CHEMICAL Co.,LTD 제작), W001(Yusho Co Ltd 제작) 등의 양이온계 계면활성제; 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸 페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 폴리에틸렌글리콜디라우레이트, 폴리에틸렌글리콜디스테아레이트, 소르비탄 지방산 에스테르 등의 비이온계 계면활성제; W004, W005, W017(Yusho Co Ltd 제작) 등의 음이온계 계면활성제; EFKA-46, EFKA-47, EFKA-47EA, EFKA 폴리머 100, EFKA 폴리머 400, EFKA 폴리머 401, EFKA 폴리머 450(모두 Ciba Specialty Chemicals사 제작), DISPERSE AID 6, DISPERSE AID 8, DISPERSE AID 15, DISPERSE AID 9100(모두 SAN NOPCO LIMITED 제작) 등의 고분자 분산제; SOLSPERSE 3000, 5000, 9000, 12000, 13240, 13940, 17000, 24000, 26000, 28000 등의 각종 SOLSPERSE 분산제(AstraZeneca K.K 제작); ADEKA Pluronic L31, F38, L42, L44, L61, L64, F68, L72, P95, F77, P84, F87, P94, L101, P103, F108, L121, P-123(ADEKA CORPORATION 제작) 및 이소네트 S-20(Sanyo Chemical Industries, Ltd. 제작), DISPER BYK 101, 103, 106, 108, 109, 111, 112, 116, 130, 140, 142, 162, 163, 164, 166, 167, 170, 171, 174, 176, 180, 182, 2000, 2001, 2050, 2150(BYK Chemie사 제작)을 들 수 있다. 그 외, 아크릴계 공중합체 등 분자 말단 또는 측쇄에 극성기를 갖는 올리고머 또는 폴리머를 들 수 있다.As the dispersant, many kinds of compounds can be used. Specific examples thereof include organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), (meth) acrylic acid based (co) polymer POLYFLOW No. 75, .90, No. 95 (produced by KYOEISHA CHEMICAL Co., LTD.) And W001 (manufactured by Yusho Co Ltd); Polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether, polyethylene glycol distearate, polyethylene glycol distearate, sorbitan fatty acid Nonionic surfactants such as esters; Anionic surfactants such as W004, W005, W017 (manufactured by Yusho Co Ltd); DISPERSE AID 6, DISPERSE AID 15, DISPERSE AID 15, DISPERSE AID 15, DISPERSE AID 15, EFKA Polymer 400, 9100 (all manufactured by SAN NOPCO LIMITED); Various SOLSPERSE dispersants (produced by AstraZeneca K.K.) such as SOLSPERSE 3000, 5000, 9000, 12000, 13240, 13940, 17000, 24000, 26000, 28000; ADEKA Pluronic L31, F38, L42, L44, L61, L64, F68, L72, P95, F77, P84, F87, P94, L101, P103, F108, L121, P-123 (manufactured by ADEKA CORPORATION) (Manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd.), DISPER BYK 101,103,106,108,109,111,112,161,141,142,162,163,164,166,167,701,171,174, 176, 180, 182, 2000, 2001, 2050, 2150 (manufactured by BYK Chemie). In addition, an oligomer or polymer having a polar group at the molecular end or side chain such as an acrylic copolymer may be mentioned.

분산제는 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상 병용해도 좋다.The dispersant may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 분산제의 함유량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 5~70질량%의 범위가 바람직하고, 10~50질량%의 범위가 보다 바람직하다.The content of the dispersant in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably in the range of 5 to 70 mass%, more preferably in the range of 10 to 50 mass% with respect to the total solid content of the photosensitive resin composition.

(성분 F) 열 가교제(Component F) Heat crosslinking agent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 열 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. 열 가교제를 첨가함으로써 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 얻어지는 경화막을 보다 강고한 막으로 할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a heat crosslinking agent if necessary. By adding a heat crosslinking agent, the cured film obtained by the photosensitive resin composition of the present invention can be made into a stronger film.

열 가교제로서는 열에 의해 가교반응이 일어나는 것이면 제한은 없다(단, 성분 C를 제외한다). 예를 들면, 이하에 서술하는 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중결합을 갖는 화합물, 또는 블록 이소시아네이트 화합물 등을 첨가할 수 있다.The thermal crosslinking agent is not limited as long as it is crosslinked by heat (except for Component C). For example, a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in a molecule described below, a compound having an alkoxymethyl group, a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond, or a block isocyanate compound may be added.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중에 있어서의 열 가교제의 첨가량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분 100질량부에 대하여 0.01~50질량부인 것이 바람직하고, 0.1~30질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.5~20질량부인 것이 더욱 바람직하다. 이 범위로 첨가함으로써 기계적 강도 및 내용제성이 우수한 경화막이 얻어진다. 열 가교제는 복수를 병용할 수도 있고, 그 경우는 열 가교제를 모두 합산해서 함유량을 계산한다.The addition amount of the heat crosslinking agent in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.01 to 50 parts by mass, more preferably 0.1 to 30 parts by mass, and more preferably 0.5 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total solid content of the photosensitive resin composition More preferable. When added in this range, a cured film excellent in mechanical strength and solvent resistance can be obtained. A plurality of heat crosslinking agents may be used together. In that case, the total amount of the heat crosslinking agents is to be calculated.

<분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물>&Lt; Compounds having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule &

분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로서는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다. Specific examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, aliphatic epoxy resin and the like.

이들은 시판품으로서 입수할 수 있다. 예를 들면, JER152, JER157S70, JER157S65, JER806, JER828, JER1007(Mitsubishi Chemical Holdings Corporation 제작) 등 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0189에 기재된 시판품 등을 들 수 있고, 그 외에도 ADEKA RESIN EP-4000S, 동 EP-4003S, 동 EP-4010S, 동 EP-4011S(이상, ADEKA CORPORATION 제작), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502(이상, ADEKA CORPORATION 제작), Denacol EX-611, EX-612, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-411, EX-421, EX-313, EX-314, EX-321, EX-211, EX-212, EX-810, EX-811, EX-850, EX-851, EX-821, EX-830, EX-832, EX-841, EX-911, EX-941, EX-920, EX-931, EX-212L, EX-214L, EX-216L, EX-321L, EX-850L, DLC-201, DLC-203, DLC-204, DLC-205, DLC-206, DLC-301, DLC-402(이상, Nagase ChemteX Corporation. 제작), YH-300, YH-301, YH-302, YH-315, YH-324, YH-325(이상, NIPPON STEEL & SUMIKIN CHEMICAL CO., LTD. 제작) 등을 들 수 있다.These are available as commercial products. For example, commercially available products such as JER152, JER157S70, JER157S65, JER806, JER828, and JER1007 (manufactured by Mitsubishi Chemical Holdings Corporation), such as those disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2011-221494, paragraph 0189, and ADEKA RESIN EP- (Manufactured by ADEKA CORPORATION), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501 and EPPN- EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-411, EX-421, EX-313, EX- -321, EX-211, EX-212, EX-810, EX-811, EX-850, EX-821, EX-821, DLC-204, DLC-205, DLC-206, DLC-201, EX-920, EX-931, EX-212L, EX-214L, EX-216L, EX- (Manufactured by Nagase ChemteX Corporation), YH-300, YH-301, YH-302, YH-315, YH-324, YH- LTD.).

이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. These may be used alone or in combination of two or more.

이들 중에서도 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지를 보다 바람직하게 들 수 있고, 비스페놀 A형 에폭시 수지를 특히 바람직하게 들 수 있다. Among them, a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin and an aliphatic epoxy resin are more preferable, and a bisphenol A type epoxy resin is particularly preferable.

분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물의 구체예로서는 ARON OXETANE OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX(이상, TOAGOSEI CO., LTD. 제작)을 사용할 수 있다.As specific examples of the compound having two or more oxetanyl groups in the molecule, ARON OXETANE OXT-121, OXT-221, OX-SQ and PNOX (manufactured by TOAGOSEI CO., LTD.) Can be used.

또한, 옥세타닐기를 포함하는 화합물은 단독으로 또는 에폭시기를 포함하는 화합물과 혼합해서 사용하는 것이 바람직하다.The oxetanyl group-containing compound is preferably used alone or in combination with a compound containing an epoxy group.

또한, 그 외의 열 가교제로서는 일본 특허 공개 2012-8223호 공보의 단락 0107~0108에 기재된 알콕시메틸기 함유 가교제, 및 적어도 1개의 에틸렌성 불포화이중결합을 갖는 화합물 등도 바람직하게 사용할 수 있다. 알콕시메틸기 함유 가교제로서는 알콕시메틸화 글리콜우릴이 바람직하다.As other thermal crosslinking agents, the crosslinking agent containing an alkoxymethyl group and the compound having at least one ethylenically unsaturated double bond described in paragraphs 0107 to 0108 of JP-A-2012-8223 and the like can be preferably used. As the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, alkoxymethylated glycoluril is preferable.

<블록 이소시아네이트 화합물>&Lt; Block isocyanate compound &gt;

본 발명의 감광성 수지 조성물에서는 열 가교제로서 블록 이소시아네이트 화합물도 바람직하게 사용할 수 있다. 블록 이소시아네이트 화합물은 블록 이소시아네이트기를 갖는 화합물이면 특별히 제한은 없지만 감광성의 관점으로부터 한 분자 내에 2개 이상의 블록 이소시아네이트기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, a block isocyanate compound may also be preferably used as a heat crosslinking agent. The block isocyanate compound is not particularly limited as long as it is a compound having a block isocyanate group, but is preferably a compound having two or more block isocyanate groups in one molecule from the viewpoint of photosensitivity.

또한, 본 발명에 있어서의 블록 이소시아네이트기란 열에 의해 이소시아네이트기를 생성하는 것이 가능한 기이며, 예를 들면 블록제와 이소시아네이트기를 반응시켜 이소시아네이트기를 보호한 기를 바람직하게 예시할 수 있다. 또한, 상기 블록 이소시아네이트기는 90℃~250℃의 열에 의해 이소시아네이트기를 생성하는 것이 가능한 기인 것이 바람직하다.In addition, the block isocyanate group in the present invention is a group capable of forming an isocyanate group by heat, and for example, a group in which an isocyanate group is protected by reacting a blocking agent with an isocyanate group can be preferably exemplified. The block isocyanate group is preferably a group capable of generating an isocyanate group by heat at 90 ° C to 250 ° C.

또한, 블록 이소시아네이트 화합물로서는 그 골격은 특별히 한정되는 것은 아니고 한 분자 중에 이소시아네이트기를 2개 갖는 것이면 어떤 것이어도 좋고, 지방족, 지환족 또는 방향족 폴리이소시아네이트이어도 좋지만 예를 들면 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 1,3-트리메틸렌디이소시아네이트, 1,4-테트라메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 1,9-노나메틸렌디이소시아네이트, 1,10-데카메틸렌디이소시아네이트, 1,4-시클로헥산디이소시아네이트, 2,2'-디에틸에테르디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, o-크실렌디이소시아네이트, m-크실렌디이소시아네이트, p-크실렌디이소시아네이트, 메틸렌비스(시클로헥실이소시아네이트), 시클로헥산-1,3-디메틸렌디이소시아네이트, 시클로헥산-1,4-디메틸렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 3,3'-메틸렌디톨릴렌-4,4'-디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 테트라클로로페닐렌디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트, 수소화 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 수소화 1,4-크실릴렌디이소시아네이트 등의 이소시아네이트 화합물 및 이들의 화합물로부터 파생되는 프레폴리머형 골격의 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 이들 중에서도 톨릴렌디이소시아네이트(TDI)나 디페닐메탄디이소시아네이트(MDI), 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 이소포론디이소시아네이트(IPDI)가 특히 바람직하다.The skeleton of the block isocyanate compound is not particularly limited and may be any of those having two isocyanate groups in one molecule. The skeleton may be an aliphatic, alicyclic or aromatic polyisocyanate, for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2 , 6-tolylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 1,6-hexamethylene diisocyanate, 1,3-trimethylene diisocyanate, 1,4-tetramethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate , 2,4,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, 1,9-nonamethylene diisocyanate, 1,10-decamethylene diisocyanate, 1,4-cyclohexane diisocyanate, 2,2'-diethyl ether diisocyanate , Diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, o-xylene diisocyanate, m-xylene diisocyanate, p- Cyclohexane-1,3-dimethylene diisocyanate, cyclohexane-1,4-dimethylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, p-phenylenediisocyanate, 3-methylene diisocyanate, , 3'-methyleneditholylene-4,4'-diisocyanate, 4,4'-diphenylether diisocyanate, tetrachlorophenylenediisocyanate, norbornadiisocyanate, hydrogenated 1,3-xylylene diisocyanate, hydrogenated 1 , And 4-xylylene diisocyanate, and compounds having a prepolymer type skeleton derived from these compounds can be preferably used. Among them, tolylene diisocyanate (TDI), diphenylmethane diisocyanate (MDI), hexamethylene diisocyanate (HDI) and isophorone diisocyanate (IPDI) are particularly preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 블록 이소시아네이트 화합물의 모구조로서는 뷰렛형, 이소시아누레이트형, 어덕트형, 2관능 프레폴리머형 등을 들 수 있다.Examples of the parent structure of the block isocyanate compound in the photosensitive resin composition of the present invention include a burette type, an isocyanurate type, an adduct type, and a bifunctional prepolymer type.

상기 블록 이소시아네이트 화합물의 블록 구조를 형성하는 블록제로서는 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알코올 화합물, 아민 화합물, 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물, 메르캅탄 화합물, 이미다졸계 화합물, 이미드계 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알코올 화합물, 아민 화합물, 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물로부터 선택되는 블록제가 특히 바람직하다.As the block agent for forming the block structure of the block isocyanate compound, an oxime compound, a lactam compound, a phenol compound, an alcohol compound, an amine compound, an active methylene compound, a pyrazole compound, a mercaptan compound, an imidazole compound, . Of these, a block agent selected from an oxime compound, a lactam compound, a phenol compound, an alcohol compound, an amine compound, an active methylene compound, and a pyrazole compound is particularly preferable.

상기 옥심 화합물로서는 알독심, 및 케톡심을 들 수 있고, 구체적으로는 아세톡시, 포름알독심, 시클로헥산옥심, 메틸에틸케톤옥심, 시클로헥산온옥심, 벤조페논옥심 등을 예시할 수 있다.Examples of the oxime compounds include aldoxime and ketoxime. Specific examples of the oxime compounds include acetoxy, formaldehyde, cyclohexane oxime, methyl ethyl ketone oxime, cyclohexanone oxime, and benzophenone oxime.

상기 락탐 화합물로서는 ε-카프로락탐, γ-부티로락탐 등을 예시할 수 있다.Examples of the lactam compound include ε-caprolactam, γ-butyrolactam, and the like.

상기 페놀 화합물로서는 페놀, 나프톨, 크레졸, 크실레놀, 할로겐 치환 페놀 등을 예시할 수 있다.Examples of the phenol compound include phenol, naphthol, cresol, xylenol, halogen-substituted phenol, and the like.

상기 알코올 화합물로서는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 시클로헥산올, 에틸렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 락트산 알킬 등을 예시할 수 있다.Examples of the alcohol compound include methanol, ethanol, propanol, butanol, cyclohexanol, ethylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, and alkyl lactate.

상기 아민 화합물로서는 제 1 급 아민 및 제 2 급 아민을 들 수 있고, 방향족 아민, 지방족 아민, 지환족 아민 중 어느 것이어도 좋고, 아닐린, 디페닐아민, 에틸렌이민, 폴리에틸렌이민 등을 예시할 수 있다.Examples of the amine compound include primary amines and secondary amines, and examples thereof include aromatic amines, aliphatic amines, and alicyclic amines, and examples thereof include aniline, diphenylamine, ethyleneimine, and polyethyleneimine .

상기 활성 메틸렌 화합물로서는 말론산 디에틸, 말론산 디메틸, 아세토아세트산 에틸, 아세토아세트산 메틸 등을 예시할 수 있다.Examples of the active methylene compound include diethyl malonate, dimethyl malonate, ethyl acetoacetate, and methyl acetoacetate.

상기 피라졸 화합물로서는 피라졸, 메틸피라졸, 디메틸피라졸 등을 예시할 수 있다.Examples of the pyrazole compound include pyrazole, methylpyrazole, dimethylpyrazole, and the like.

상기 메르캅탄 화합물로서는 알킬메르캅탄, 아릴메르캅탄 등을 예시할 수 있다.Examples of the mercaptan compound include alkyl mercaptans, aryl mercaptans, and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 블록 이소시아네이트 화합물은 시판품으로서 입수가능하며, 예를 들면 CORONATE AP Stable M, CORONATE 2503, 2515, 2507, 2513, 2555, MILLIONATE MS-50(이상, Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd 제작), TAKENATE B-830, B-815N, B-820NSU, B-842N, B-846N, B-870N, B-874N, B-882N(이상, Mitsui Chemicals, Inc. 제작), DURANATE 17B-60PX, 17B-60P, TPA-B80X, TPA-B80E, MF-B60X, MF-B60B, MF-K60X, MF-K60B, E402-B80B, SBN-70D, SBB-70P, K6000(이상, Asahi Kasei Chemicals Corporation 제작), Desmodur BL1100, BL1265 MPA/X, BL3575/1, BL3272MPA, BL3370MPA, BL3475BA/SN, BL5375MPA, VPLS2078/2, BL4265SN, PL340, PL350, Sumidur BL3175(이상, 스미카 바이엘 우레탄 가부시키가이샤 제작) 등을 바람직하게 사용할 수 있다.Examples of the block isocyanate compound that can be used in the photosensitive resin composition of the present invention include commercially available products such as CORONATE AP Stable M, CORONATE 2503, 2515, 2507, 2513, 2555, MILLIONATE MS- B-882N (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.), DURANATE (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) MF-B60B, MF-K60B, E402-B80B, SBN-70D, SBB-70P, K6000 (Above, Asahi Kasei (Manufactured by Sumika Bayer Urethane Co., Ltd.), Desmodur BL1100, BL1265 MPA / X, BL3575 / 1, BL3272MPA, BL3370MPA, BL3475BA / SN, BL5375MPA, VPLS2078 / 2, BL4265SN, PL340, PL350, Sumidur BL3175 May be preferably used.

<그 외의 성분><Other components>

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 상기 성분에 추가해서 필요에 따라 (성분G) 증감제, (성분 H) 알콕시실란 화합물, (성분 I) 염기성 화합물, (성분 J) 계면활성제, (성분 K) 산화방지제를 바람직하게 첨가할 수 있다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는 자외선 흡수제, 금속 불활성화제나, 산 증식제, 현상 촉진제, 가소제, 열 라디컬 발생제, 열산 발생제, 증점제, 및 유기 또는 무기 침전 방지제 등의 공지의 첨가제를 첨가할 수 있다. 또한, 이들의 화합물로서는 예를 들면 일본 특허 공개 2012-88459호 공보의 단락 0201~0224의 기재도 참작할 수 있고, 이들의 내용은 본원 명세서에 포함된다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain, in addition to the above components, a sensitizer, (component H) alkoxysilane compound, (component I) basic compound, (component J) surfactant, (component K) antioxidant Can be preferably added. The photosensitive resin composition of the present invention may further contain known additives such as an ultraviolet absorber, a metal deactivator, an acid proliferator, a development promoter, a plasticizer, a heat radical generator, a thermal acid generator, a thickener and an organic or inorganic precipitation inhibitor Can be added. As the compound, for example, the description of paragraphs 0201 to 0224 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 88459/1987 can be taken into consideration, and the contents of these compounds are included in the specification of the present invention.

(성분 G) 증감제(Component G) sensitizer

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 D) 광산 발생제와의 조합에 있어서 그 분해를 촉진시키기 위해 증감제를 함유하는 것이 바람직하다. 증감제는 활성광선 또는 방사선을 흡수해서 전자 여기 상태가 된다. 전자 여기 상태가 된 증감제는 광산 발생제와 접촉하고, 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 생긴다. 이것에 의해 광산 발생제는 화학 변화를 일으켜 분해되어 산을 생성한다. 바람직한 증감제의 예로서는 이하의 화합물류에 속해 있고, 또한 350㎚로부터 450㎚의 파장 영역 중 어느 하나에 흡수 파장을 갖는 화합물을 들 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a sensitizer for accelerating the decomposition in combination with (Component D) a photoacid generator. The sensitizer absorbs an actinic ray or radiation to become an electron-excited state. The sensitizer brought into the electron-excited state comes into contact with the photoacid generator and generates an action such as electron movement, energy transfer, heat generation, and the like. As a result, the photoacid generator causes a chemical change to decompose to generate an acid. Examples of preferred sensitizers include compounds having an absorption wavelength in any one of the wavelength ranges from 350 nm to 450 nm belonging to the following compounds.

다핵 방향족류(예를 들면 피렌, 페릴렌, 트리페닐렌, 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센 ,3,7-디메톡시안트라센, 9,10-디프로필옥시안트라센), 크산텐류(예를 들면 플루오레세인, 에오신, 에리트로신, 로다민 B, 로즈벵갈), 크산톤류(예를 들면 크산톤, 티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티옥산톤), 시아닌류(예를 들면 티아카르보시아닌, 옥사카르보시아닌), 메로시아닌류(예를 들면 메로시아닌, 카르보메로시아닌), 로다시아닌류, 옥소놀류, 티아진류(예를 들면 티오닌, 메틸렌 블루, 톨루이딘 블루), 아크리딘류(예를 들면 아크리딘 오렌지, 클로로플라빈, 아크리플라빈), 아크리돈류(예를 들면 아크리돈, 10-부틸-2-클로로아크리돈), 안트라퀴논류(예를 들면 안트라퀴논), 스쿠아릴륨류(예를 들면 스쿠아릴륨), 스티릴류, 베이스 스티릴류(예를 들면 2-{2-[4-(디메틸아미노)페닐]에테닐}벤조옥사졸), 쿠마린류(예를 들면 7-디에틸아미노-4-메틸쿠마린, 7-히드록시-4-메틸쿠마린, 2,3,6,7-테트라히드로-9-메틸-1H,5H,11H[1]벤조피라노[6,7,8-ij]퀴놀리진-11-논).Polynuclear aromatic compounds such as pyrene, perylene, triphenylene, anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 3,7-dimethoxyanthracene, 9,10- , Xanthones (e.g., xanthone, thioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone), xanthone derivatives such as xanthan gum (e.g., fluorene, eosin, erythrosine, rhodamine B and rose bengal) (E.g., thiocarbocyanine, oxacarbocyanine), merocyanine (e.g., merocyanine, carbomerocyanine), rhodacyanines, oxonols, thiazines (Such as acridine orange, chloroflavin, acriflavine), acridones (such as acridone, 10-butyl-2-chloro-thiophene, (E.g., anthraquinone), anthraquinones (e.g., anthraquinone), squaryliums (e.g., squarylium), styryls, (For example, 2- {2- [4- (dimethylamino) phenyl] ethenyl} benzoxazole), coumarins (for example, 7-diethylamino-4-methylcoumarin, Methylcoumarin, 2,3,6,7-tetrahydro-9-methyl-1H, 5H, 11H [1] benzopyrano [6,7,8-ij] quinolizine-11-pne).

이들 증감제 중에서도 다핵 방향족류, 아크리돈류, 스티릴류, 베이스 스티릴류, 쿠마린류가 바람직하고, 다핵 방향족류가 보다 바람직하다. 다핵 방향족류 중에서도 안트라센 유도체가 가장 바람직하다.Of these sensitizers, polynuclear aromatic compounds, acridones, styryls, base styryls and coumarins are preferable, and polynuclear aromatic compounds are more preferable. Of the polynuclear aromatics, anthracene derivatives are most preferred.

본 발명의 감광성 수지 조성물중에 있어서의 증감제의 첨가량은 감광성 수지 조성물의 광산 발생제 100질량부에 대하여 0~1,000질량부인 것이 바람직하고, 10~500질량부인 것이 보다 바람직하고,50~200질량부인 것이 더욱 바람직하다.The amount of the sensitizer added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0 to 1,000 parts by mass, more preferably 10 to 500 parts by mass, and still more preferably 50 to 200 parts by mass relative to 100 parts by mass of the photoacid generator of the photosensitive resin composition Is more preferable.

또한, 증감제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.The sensitizers may be used singly or in combination of two or more.

(성분 H) 알콕시실란 화합물(Component H) The alkoxysilane compound

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 H) 알콕시실란 화합물을 함유해도 좋다. 알콕시실란 화합물을 사용하면 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 형성된 막과 기판의 밀착성을 향상시킬 수 있거나 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 형성된 막의 성질을 조정할 수 있다. 본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 (성분 H) 알콕시실란 화합물은 기재가 되는 무기물, 예를 들면 실리콘, 산화실리콘, 질화실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 몰리브덴, 티탄, 알루미늄 등의 금속과 절연막의 밀착성을 향상시키는 화합물인 것이 바람직하다. 구체적으로는 공지의 실란 커플링제 등도 유효하다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (Component H) an alkoxysilane compound. When the alkoxysilane compound is used, the adhesion between the film formed by the photosensitive resin composition of the present invention and the substrate can be improved, or the properties of the film formed by the photosensitive resin composition of the present invention can be adjusted. The alkoxysilane compound (Component H) that can be used in the photosensitive resin composition of the present invention is an alkoxysilane compound that can be used as an inorganic substance such as a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride; a metal such as gold, copper, molybdenum, And a compound which improves the adhesion of the insulating film. Specifically, known silane coupling agents and the like are also effective.

실란 커플링제로서는 예를 들면 γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란을 들 수 있다. 이들 중, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이나 γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 더욱 바람직하고, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란이 특히 바람직하다. 이들은 1종 단독또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.Examples of the silane coupling agent include? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Aminopropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? -Methacrylate (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane,? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? -Mercaptopropyltrialkoxysilane, And vinyltrialkoxysilane. Among these,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane and? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, and? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane is even more preferable, and 3-glycidoxypropyltrimethoxy Silane is particularly preferred. These may be used alone or in combination of two or more.

또한, 하기 식으로 나타내어지는 화합물도 바람직하게 채용할 수 있다.Further, a compound represented by the following formula can also be preferably employed.

(R1)4-n-Si-(OR2)n (H)(R 1 ) 4-n- Si- (OR 2 ) n (H)

상기 식(H) 중, R1은 반응성기를 갖지 않는 탄소수 1~20개의 탄화수소기를 나타내고, R2는 탄소수 1~3개의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, n은 1~3의 정수를 나타낸다.R 2 represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or a phenyl group; and n represents an integer of 1 to 3.) In the formula (H), R 1 represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and no reactive group;

구체예로서 이하의 화합물을 들 수 있다. 또한, Ph는 페닐기를 나타낸다.Specific examples thereof include the following compounds. Ph represents a phenyl group.

Figure pct00016
Figure pct00016

Figure pct00017
Figure pct00017

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 H) 알콕시실란 화합물은 특별히 이들에 한정되는 일 없이 공지의 것을 사용할 수 있다.The (ingredient H) alkoxysilane compound in the photosensitive resin composition of the present invention is not particularly limited to these and known ones can be used.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 알콕시실란 화합물의 함유량은 감광성 수지 조성물 중의 전체 고형분 100질량부에 대하여 0.1~30질량부가 바람직하고, 0.5~20질량부가 보다 바람직하다.The content of the alkoxysilane compound in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 0.5 to 20 parts by mass, per 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive resin composition.

(성분 I) 염기성 화합물(Component I) The basic compound

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 I) 염기성 화합물을 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (Component I) a basic compound.

(성분 I) 염기성 화합물로서는 화학증폭 레지스트로 사용되는 것 중에서 임의로 선택해서 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제 4 급 암모늄히드록시드, 카르복실산의 제 4 급 암모늄염 등을 들 수 있다. 이들의 구체예로서는 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0204~0207에 기재된 화합물을 들 수 있다.(Component I) As the basic compound, any of those used as a chemically amplified resist may be selected and used. Examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, quaternary ammonium salts of carboxylic acids, and the like. Specific examples thereof include the compounds described in paragraphs 0204 to 0207 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-221494.

구체적으로는 지방족 아민으로서는 예를 들면 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등 을 들 수 있다.Specific examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di- Amine, triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민으로서는 예를 들면 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.

복소환식 아민으로서는 예를 들면 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산 아미드, 퀴놀린, 8-옥시 퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, N-시클로헥실-N'-[2-(4-모르폴리닐)에틸]티오우레아, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Examples of the heterocyclic amines include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N- But are not limited to, dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, , 4-methylmorpholine, N-cyclohexyl-N '- [2- (4-morpholinyl) ethyl) piperidine, piperidine, piperidine, piperazine, morpholine, ] Thiourea, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, and 1,8-diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene.

제 4 급 암모늄히드록시드로서는 예를 들면 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드, 테트라-n-헥실암모늄히드록시드 등을 들 수 있다.Examples of quaternary ammonium hydroxides include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and tetra-n-hexylammonium hydroxide.

카르복실산의 제 4 급 암모늄염으로서는 예를 들면 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다. Examples of the quaternary ammonium salt of carboxylic acid include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.

그 중에서도 복소환식 아민이 바람직하고, N-시클로헥실-N'-[2-(4-모르폴리닐)에틸]티오우레아가 특히 바람직하다.Among them, heterocyclic amines are preferable, and N-cyclohexyl-N '- [2- (4-morpholinyl) ethyl] thiourea is particularly preferable.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 좋다.The basic compounds usable in the present invention may be used singly or in combination of two or more kinds.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 염기성 화합물의 함유량은 감광성 수지 조성물 중의 전체 고형분 100질량부에 대하여 0.001~3질량부인 것이 바람직하고, 0.005~1질량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the basic compound in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.001 to 3 parts by mass, more preferably 0.005 to 1 part by mass based on 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive resin composition.

(성분 J) 계면활성제(Component J) Surfactant

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 J) 계면활성제를 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (component J) a surfactant.

(성분 J) 계면활성제로서는 음이온계, 양이온계, 비이온계 또는 양성 중 어느 것이어도 사용할 수 있지만 바람직한 계면활성제는 비이온 계면활성제이다. 본 발명의 조성물에 사용되는 계면활성제로서는 예를 들면 일본 특허 공개 2012-88459호 공보의 단락 0201~0205에 기재된 것이나 일본 특허 공개 2011-215580호 공보의 단락 0185~0188에 기재된 것을 사용할 수 있고, 이들의 기재는 본원 명세서에 포함된다.(Component J) As the surfactant, any of anionic, cationic, nonionic or amphoteric surfactants can be used, but preferred surfactants are nonionic surfactants. As the surfactant used in the composition of the present invention, for example, those described in paragraphs 0201 to 0205 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 88459/1986 and paragraphs 0185 to 0188 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-215580 can be used. Quot; is incorporated herein by reference.

비이온계 계면활성제의 예로서는 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에테르류, 폴리옥시에틸렌글리콜의 고급 지방산 디에스테르류, 실리콘계, 불소계 계면활성제를 들 수 있다. 또한, 이하 상품명으로 KP-341, X-22-822(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제작), POLYFLOW No.99C(KYOEISHA CHEMICAL Co.,LTD 제작), Eftop(Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd. 제작), Megafac(DIC Corporation 제작), FLUORAD Novec FC-4430(Sumitomo 3M Limited 제작), SURFLONS-242(AGC SEIMI CHEMICAL CO., LTD. 제작), PolyFox PF-6320(OMNOVA SOLUTIONS 제작), SH-8400(도레이 다우코닝 실리콘 가부시키가이샤 제작), FTERGENT FTX-218G (NEOS COMPANY LIMITED 제작) 등의 각 시리즈를 들 수 있다.Examples of nonionic surfactants include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkyl phenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, silicones, and fluorine surfactants. (Manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), POLYFLOW No. 99C (manufactured by KYOEISHA CHEMICAL Co., LTD.), Eftop (manufactured by Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., (Produced by DIC Corporation), FLUORAD Novec FC-4430 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), SURFLONS-242 (manufactured by AGC SEIMI CHEMICAL CO., LTD.), PolyFox PF-6320 (manufactured by OMNOVA SOLUTIONS) -8400 (manufactured by Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.) and FTERGENT FTX-218G (manufactured by NEOS COMPANY LIMITED).

또한, 계면활성제로서 하기 식(J-1)으로 나타내어지는 구성단위 A 및 구성단위 B를 포함하고, 테트라히드로푸란(THF)을 용매로 했을 경우의 겔 퍼미에이션 크로마토그래피에서 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)이 1,000 이상 10,000 이하인 공중합체를 바람직한 예로서 들 수 있다.The weight ratio in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography when the surfactant contains the constituent unit A and the constituent unit B represented by the following formula (J-1) and tetrahydrofuran (THF) A preferred example is a copolymer having an average molecular weight (Mw) of 1,000 or more and 10,000 or less.

Figure pct00018
Figure pct00018

(식(J-1) 중, R401 및 R403은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R402는 탄소수 1개 이상 4개 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내고, R404는 수소 원자 또는 탄소수 1개 이상 4개 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3개 이상 6개 이하의 알킬렌기를 나타내고, p 및 q는 중합비를 나타내는 질량 백분율이며, p는 10질량% 이상 80질량% 이하의 수치를 나타내고, q는 20질량% 이상 90질량% 이하의 수치를 나타내고, R은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, s는 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다)(In formula (J-1), R 401 and R 403 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group, R 402 represents a straight chain alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and R 404 represents a hydrogen atom or a And L represents a number of carbon atoms of not less than 3 but not more than 6 alkylene groups, p and q are mass percentages indicating polymerization ratios, and p is a value of not less than 10 mass% and not more than 80 mass% , Q represents a numerical value of 20 mass% or more and 90 mass% or less, R represents an integer of 1 or more and 18 or less, and s represents an integer of 1 or more and 10 or less)

상기 L은 하기 식(J-2)으로 나타내어지는 분기 알킬렌기인 것이 바람직하다. 식(J-2)에 있어서의 R405는 탄소수 1개 이상 4개 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 습윤성의 점에서 탄소수 1개 이상 3개 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2개 또는 3개의 알킬기가 보다 바람직하다. p와 q의 합(p+q)은 p+q=100, 즉 100질량%인 것이 바람직하다.It is preferable that L is a branched alkylene group represented by the following formula (J-2). R 405 in the formula (J-2) represents an alkyl group of 1 to 4 carbon atoms and is preferably an alkyl group of 1 to 3 carbon atoms from the viewpoint of compatibility and wettability to a surface to be coated, Or three alkyl groups are more preferred. The sum (p + q) of p and q is preferably p + q = 100, that is, 100% by mass.

Figure pct00019
Figure pct00019

상기 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 1,500 이상 5,000 이하가 보다 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is more preferably from 1,500 to 5,000.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 계면활성제로서 페닐에테르 계면활성제를 함유하는 것이 바람직하고, 폴리옥시알킬렌 치환 페닐에테르 계면활성제를 함유하는 것이 보다 바람직하다. 상기 실시형태이면 현상 후의 잔사의 발생이 억제된다.특히, ITO 기판 상에서 현저한 현상 후의 잔사의 발생이 억제된다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a phenyl ether surfactant as a surfactant, more preferably a polyoxyalkylene substituted phenyl ether surfactant. In the above embodiment, the occurrence of residue after development is suppressed. Particularly, the occurrence of a residue on the ITO substrate after remarkable development is suppressed.

페닐에테르 계면활성제로서는 이하의 식(J-3)으로 나타내어지는 화합물인 것이 바람직하다.The phenyl ether surfactant is preferably a compound represented by the following formula (J-3).

Figure pct00020
Figure pct00020

(식(J-3) 중, Rj는 알킬렌기를 나타내고, nj는 1~50의 정수를 나타내고, Rj '는 1가의 치환기를 나타내고, mj는 1~5의 정수를 나타내고, mj가 2 이상인 경우, 복수 존재하는 Rj '는 각각 동일해도 달라도 좋고, nj가 2 이상인 경우, 복수 존재하는 Rj는 각각 동일해도 달라도 좋다)(Formula (J-3) of, R j is an alkylene group, nj is an integer of from 1 to 50, R j 'denotes a monovalent substituent, mj represents an integer of 1-5, the mj 2 , Plural R j 's may be the same or different, and when n j is 2 or more, plural R j present may be the same or different)

식(J-3) 중, Rj는 알킬렌기를 나타낸다. 즉, (RjO)는 알킬렌옥시기를 나타낸다. Rj로서는 탄소수 2~8개의 알킬렌기인 것이 바람직하고, 탄소수 2~6개의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 2~4개의 알킬렌기인 것이 더욱 바람직하고, 에틸렌기 또는 프로필렌기인 것이 특히 바람직하다.In the formula (J-3), R j represents an alkylene group. That is, (R j O) represents an alkyleneoxy group. R j is preferably an alkylene group having 2 to 8 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms, particularly preferably an ethylene group or a propylene group .

식(J-3) 중, Rj '는 1가의 치환기를 나타낸다. Rj '로서는 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 알케닐기, 히드록시기, 알콕시기, 아릴옥시기가 예시되고, 상기 치환기는 더 치환되어 있어도 좋다. Rj '의 총 탄소수는 1~50개인 것이 바람직하고, 1~20개인 것이 보다 바람직하다.In the formula (J-3), R j ' represents a monovalent substituent. As R j ' , a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, a hydroxy group, an alkoxy group and an aryloxy group are exemplified, and the substituent may be further substituted. The total carbon number of R j ' is preferably 1 to 50, more preferably 1 to 20.

식(J-3)으로 나타내어지는 화합물은 폴리옥시알킬렌알킬페닐에테르와 같이 Rj'로서 지방족 탄화수소기가 치환되어 있어도 좋지만 Rj '가 방향족 탄화수소기를 포함하는 1가의 기인 것이 바람직하다.The compound represented by the formula (J-3) may be substituted with an aliphatic hydrocarbon group as R j ' , such as polyoxyalkylene alkyl phenyl ether, but it is preferable that R j ' is a monovalent group containing an aromatic hydrocarbon group.

폴리옥시알킬렌 치환 페닐에테르 계면활성제로서는 이하의 식(J-4)으로 나타내어지는 화합물인 것이 바람직하다.The polyoxyalkylene substituted phenyl ether surfactant is preferably a compound represented by the following formula (J-4).

Figure pct00021
Figure pct00021

(식(J-4) 중, Rj는 알킬렌기를 나타내고, Xj는 단결합, 또는 2가의 연결기를 나타내고, Qj는 알킬기를 나타내고, xj는 0~5의 정수를 나타내고, mj는 0~5의 정수를 나타내고, nj는 1~50의 정수를 나타내고, xj가 2 이상인 경우, 복수 존재하는 Q는 각각 동일해도 달라도 좋고, mj가 2 이상인 경우, 복수 존재하는 Xj, 벤젠환 및Qj를 포함하는 기는 각각 동일해도 달라도 좋고, nj가 2 이상인 경우, 복수 존재하는 Rj는 각각 동일해도 달라도 좋다)(Wherein (J-4), R j is an alkylene group, X j denotes a single bond, or a divalent connecting group, Q j denotes an alkyl group, xj denotes an integer of 0 ~ 5, mj is zero Nj represents an integer of 1 to 50, and when xj is 2 or more, plural Qs may be the same or different, and when mj is 2 or more, plural X j , benzene ring and Q The groups including j may be the same or different, and when nj is 2 or more, plural R j present may be the same or different)

식(J-4) 중, Rj는 알킬렌기를 나타낸다. 즉, (RjO)는 알킬렌옥시기를 나타낸다. Rj로서는 탄소수 2~8개의 알킬렌기인 것이 바람직하고, 탄소수 2~6개의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 2~4개의 알킬렌기인 것이 더욱 바람직하고, 에틸렌기 또는 프로필렌기인 것이 특히 바람직하다. 즉, 에틸렌옥시기 또는 프로필렌옥시기를 반복단위로서 갖는 폴리알킬렌옥시기를 갖는 것이 특히 바람직하다. 또한, 2종 이상의 알킬렌옥시기를 갖는 경우, 예를 들면 복수의 에틸렌옥시기와, 복수의 프로필렌옥시기를 갖는 경우, 폴리에틸렌옥시기와 폴리프로필렌옥시기는 블록 공중합체로 되어 있어도 좋고, 랜덤 공중합체이어도 좋고, 또한 블록 공중합체의 부분과 랜덤 공중합체의 부분의 쌍방이 존재하고 있어도 좋고, 특별히 한정되지 않는다.In the formula (J-4), R j represents an alkylene group. That is, (R j O) represents an alkyleneoxy group. R j is preferably an alkylene group having 2 to 8 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms, particularly preferably an ethylene group or a propylene group . That is, it is particularly preferable to have a polyalkyleneoxy group having an ethyleneoxy group or a propyleneoxy group as a repeating unit. In the case of having two or more kinds of alkyleneoxy groups, for example, in the case of having a plurality of ethyleneoxy groups and a plurality of propyleneoxy groups, the polyethyleneoxy group and the polypropyleneoxy group may be block copolymers, random copolymers, Further, both of the block copolymer portion and the random copolymer portion may be present, and there is no particular limitation.

식(J-4) 중, Xj는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내는 2가의 연결기로서는 2가의 탄화수소기가 바람직하고, 탄소수 1~8개의 알킬렌기(알칸디일기), 탄소수 2~8개의 알켄디일기가 바람직하고, 탄소수 1~4개의 알킬렌기, 탄소수 2~4개의 알켄디일기가 보다 바람직하다. Xj는 탄소수 1~4개의 알킬렌기 또는 탄소수 2~4개의 알켄디일기인 것이 특히 바람직하다. 상기 알킬렌기 및 알켄디일기는 직쇄상이어도 분기상이어도 좋다. In formula (J-4), X j is preferably a bivalent hydrocarbon group represented by a monovalent or divalent linking group, and is preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms (alkanediyl group), an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms A diazo group is preferable, and an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and an alkenediyl group having 2 to 4 carbon atoms are more preferable. X j is particularly preferably an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms or an alkenediyl group having 2 to 4 carbon atoms. The alkylene group and alkenyldiyl group may be linear or branched.

식(J-4) 중, Qj는 벤젠환에 대한 치환기이며, 탄소수 1~6개의 알킬기인 것이 바람직하고, 탄소수 1~4개인 것이 보다 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기 또는 부틸기인 것이 더욱 바람직하다.In formula (J-4), Q j is a substituent for a benzene ring, preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a butyl group desirable.

식(J-4) 중, 알킬렌옥시기가 결합하는 벤젠환에 치환되는 기(-X-Ph-(Qj)xj)로서는 페닐기(-Ph), 벤질기(-CH2-Ph), 2-페닐프로판-2-일기(-C(CH3)2-Ph), 스티릴기(-CH=CH-Ph), 1-페닐에틸기(-CH(CH3)-Ph)가 예시된다. 또한, Ph란 벤젠환을 나타내고, 1가의 경우에는 페닐기를 나타내고, 2가의 경우에는 페닐렌기를 나타낸다.Examples of the group (-X-Ph- (Q j ) xj ) substituted in the benzene ring to which the alkyleneoxy group is bonded include a phenyl group (-Ph), a benzyl group (-CH 2 -Ph), 2 - phenylpropan-2-yl group (-C (CH 3) 2 -Ph ), it is exemplified a styryl group (-CH = CH-Ph), 1- phenylethyl (-CH (CH 3) -Ph) . Ph represents a benzene ring, a monovalent phenyl group, and a divalent phenylene group.

식(J-4) 중, xj는 0~5의 정수를 나타내고, 0~3의 정수인 것이 바람직하고, 0~2의 정수인 것이 보다 바람직하고, 0 또는 1인 것이 더욱 바람직하고, 0인 것이 특히 바람직하다.In the formula (J-4), xj represents an integer of 0 to 5, preferably an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, desirable.

식(J-4) 중, mj는 0~5의 정수를 나타내고, 1~5의 정수인 것이 바람직하고, 1~4인 것이 보다 바람직하고, 1~3인 것이 더욱 바람직하다.In the formula (J-4), mj represents an integer of 0 to 5, preferably an integer of 1 to 5, more preferably 1 to 4, and even more preferably 1 to 3.

식(J-4)중, nj는 1~50의 정수를 나타내고, 3~40의 정수인 것이 보다 바람직하고, 5~35의 정수인 것이 더욱 바람직하고, 8~30의 정수인 것이 특히 바람직하다.In the formula (J-4), nj represents an integer of 1 to 50, more preferably an integer of 3 to 40, still more preferably an integer of 5 to 35, and an integer of 8 to 30.

식(J-4)으로 나타내어지는 화합물은 하기 식(J-5)으로 나타내어지는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound represented by the formula (J-4) is more preferably a compound represented by the following formula (J-5).

Figure pct00022
Figure pct00022

(식(J-5) 중, Rj1~Rj4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1~4개의 알킬기를 나타내고, n1' 및 n2'는 각각 독립적으로 0~50의 정수를 나타내고, n1'+n2'는 1~50의 정수를 나타내고, mj'는 1~5의 정수를 나타낸다. 단, Rj1과 Rj2가 같은 경우를 제외한다)(In the formula (J-5), R j1 to R j4 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, n1 'and n2' each independently represent an integer of 0 to 50, and n1 '+ n2 'Represents an integer of 1 to 50, and mj' represents an integer of 1 to 5 except that R j1 and R j2 are the same)

식(J-5) 중, Rj1 및 Rj2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1~4개의 알킬기를 나타내지만 Rj1과 Rj2가 같은 경우는 제외한다. Rj1과 Rj2가 같은 경우는 단일 알킬렌옥시기가 반복되기 때문에 n2'=0으로 하고, 반복단위의 총수를 n1'로 나타낸다. Rj1 및 Rj2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1~4개의 알킬기이며, 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 보다 바람직하다. 즉, 식(J-5)으로 나타내어지는 화합물은 에틸렌옥시기, 프로필렌옥시기, 또는 에틸렌옥시기와 프로필렌옥시기를 갖는 것이 특히 바람직하다. In formula (J-5), R j1 and R j2 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, except that R j1 and R j2 are the same. When R j1 and R j2 are the same, since a single alkyleneoxy group is repeated, n2 '= 0 and the total number of repeating units is represented by n1'. Each of R j1 and R j2 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and is preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, more preferably a hydrogen atom or a methyl group. That is, it is particularly preferable that the compound represented by the formula (J-5) has an ethyleneoxy group, a propyleneoxy group, or an ethyleneoxy group and a propyleneoxy group.

또한, 복수의 에틸렌옥시기와 프로필렌옥시기를 갖는 경우, 폴리에틸렌옥시기와 폴리프로필렌옥시기는 블록 공중합체로 되어 있어도 좋고, 랜덤 공중합체이어도 좋고, 또한 블록 공중합체의 부분과 랜덤 공중합체의 부분의 쌍방이 존재하고 있어도 좋고, 특별히 한정되지 않는다. In the case of having a plurality of ethyleneoxy groups and propyleneoxy groups, the polyethyleneoxy group and the polypropyleneoxy group may be a block copolymer or a random copolymer, and both of a block copolymer portion and a random copolymer portion are present And is not particularly limited.

식(J-5) 중, Rj3 및 Rj4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1~4개의 알킬기를 나타내고, 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 보다 바람직하다. Rj3 및 Rj4가 함께 메틸기이거나, 한쪽이 수소 원자이고 다른 쪽이 메틸기인 것이 더욱 바람직하고, 한쪽이 수소 원자이며, 다른 쪽이 메틸기인 것이 특히 바람직하다.In formula (J-5), R j3 and R j4 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, more preferably a hydrogen atom or a methyl group. R j3 and R j4 together are a methyl group, more preferably one hydrogen atom and the other is a methyl group, and it is particularly preferable that one is a hydrogen atom and the other is a methyl group.

식(J-5) 중, n1' 및 n2'는 각각 독립적으로 0~50의 정수를 나타내고, n1'+n2'는 1~50의 정수를 나타낸다. n1'+n2'는 3~40의 정수인 것이 바람직하고, 5~35의 정수인 것이 보다 바람직하고, 8~30의 정수인 것이 더욱 바람직하다.In formula (J-5), n1 'and n2' each independently represents an integer of 0 to 50, and n1 '+ n2' represents an integer of 1 to 50. n1 '+ n2' is preferably an integer of 3 to 40, more preferably an integer of 5 to 35, and still more preferably an integer of 8 to 30.

식(J-5) 중, mj'는 1~5의 정수를 나타내고, 1~4의 정수인 것이 보다 바람직하고, 1~3의 정수인 것이 더욱 바람직하다.In the formula (J-5), mj 'represents an integer of 1 to 5, more preferably an integer of 1 to 4, and still more preferably an integer of 1 to 3.

본 발명에 있어서, 폴리옥시알킬렌 치환 페닐에테르 계면활성제의 한 분자 중의 벤젠환의 수의 합계수는 1~4개의 범위인 것이 바람직하고, 2~4개의 범위인 것이 보다 바람직하다. 벤젠환의 수의 합계수가 상기 범위이면 현상 후의 잔사의 발생이 억제된다.In the present invention, the total number of the benzene rings in one molecule of the polyoxyalkylene-substituted phenyl ether surfactant is preferably in the range of 1 to 4, more preferably 2 to 4. When the total number of benzene rings is within the above range, the occurrence of residue after development is suppressed.

본 발명에 있어서 폴리옥시알킬렌 치환 페닐에테르 계면활성제의 HLB값은 5~50인 것이 바람직하고, 8~30인 것이 보다 바람직하고, 10~20인 것이 더욱 바람직하고, 12~16인 것이 특히 바람직하다. 상기 범위이면 잔사의 발생이 보다 억제된다.In the present invention, the polyoxyalkylene-substituted phenyl ether surfactant preferably has an HLB value of 5 to 50, more preferably 8 to 30, further preferably 10 to 20, particularly preferably 12 to 16 Do. Within this range, the occurrence of residues is further suppressed.

여기서, HLB값이란, 친수 친유 밸런스(hydrophile-lipophile balance)의 약칭이며, 계면활성제가 수행하는 효과를 나타내는 지표 중 1개이며, HLB값이 클수록 친수성이 높아진다. HLB값은 그 분자 구조는 많은 실험으로부터 산출할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.Here, the HLB value is an abbreviation of hydrophile-lipophile balance, which is one of the indicators showing the effect of the surfactant, and the larger the HLB value, the higher the hydrophilicity. The molecular structure of the HLB value can be calculated from many experiments and is not particularly limited.

본 발명에 있어서 HLB값은 그리핀법으로 측정하는 것이 바람직하다.In the present invention, the HLB value is preferably measured by the Griffin method.

그리핀법에서는 HLB값은 다음 식으로 정의된다.In the Griffin method, the HLB value is defined by the following equation.

HLB값 = 20×친수부의 식량의 총합/분자량HLB value = 20 × sum of food in hydrophilic part / molecular weight

따라서, 성분 F에 있어서 HLB값은 다음 식과 같아진다.Therefore, in the component F, the HLB value becomes as follows.

HLB값 = 20×(폴리옥시알킬렌 부분의 식량의 총합)/분자량HLB value = 20 x (total amount of food of polyoxyalkylene moiety) / molecular weight

폴리옥시알킬렌 치환 페닐에테르 계면활성제로서는 합성품을 사용해도 좋고, 또한 시판품을 사용해도 좋고, 특별히 한정되지 않는다. As the polyoxyalkylene-substituted phenyl ether surfactant, a synthetic product may be used, or a commercially available product may be used, and there is no particular limitation.

출시되어 있는 제품으로서는 파이오닌 D-6112, 파이오닌 D-6115, 파이오닌 D-6112-W, 파이오닌 D-6108-W, 파이오닌 D-6115X, 파이오닌 D-6120X, D-6414, 파이오닌 D-6512, 파이오닌 D-6310, 파이오닌 D-6315, 파이오닌 D-6320(이상, TAKEMOTO OIL & FAT Co., Ltd. 제작), Newcol CMP6, Newcol CMP-11, Newcol610, Newcol 710, Newcol 710-F, Newcol 2609, Newcol 2600-FB(이상, Nippon Nyukazai Co, Ltd. 제작)을 들 수 있다. 이들 중에서도 파이오닌 D-6112-W, 파이오닌 D-6512가 바람직하다.Products that have been marketed include Pioneer D-6112, Pionein D-6115, Pionein D-6112-W, Pionein D-6108-W, Pionein D- 6115X, Pionein D- Newcol CMP6, Newcol CMP-11, Newcol610, Newcol 710, and Phenonin D-6312 (manufactured by TAKEMOTO OIL & FAT Co., Ltd.) Newcol 710-F, Newcol 2609, Newcol 2600-FB (manufactured by Nippon Nyukazai Co., Ltd.). Of these, pionin D-6112-W and pionin D-6512 are preferred.

이들의 계면활성제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다.These surfactants may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 계면활성제의 첨가량은 감광성 수지 조성물 중의 전체 고형분 100질량부에 대하여 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.001~10질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.01~3질량부인 것이 더욱 바람직하다.The amount of the surfactant added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 10 parts by mass or less, more preferably 0.001 parts by mass to 10 parts by mass, and most preferably 0.01 parts by mass to 3 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive resin composition desirable.

(성분 K) 산화방지제(Component K) Antioxidant

본 발명의 감광성 수지 조성물은 산화방지제를 함유하는 것이 바람직하다. 산화방지제로서는 공지의 산화방지제를 함유할 수 있다. 산화방지제를 첨가함으로써 경화막의 착색을 방지할 수 있고, 또는 분해에 의한 막 두께 감소를 저감할 수 있고, 또한 내열 투명성이 우수하다는 이점이 있다. The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains an antioxidant. As the antioxidant, a known antioxidant may be contained. Addition of an antioxidant can prevent coloration of the cured film or reduce the film thickness reduction due to decomposition and has an advantage of excellent heat-resistant transparency.

이러한 산화방지제로서는 예를 들면 인계 산화방지제, 아미드류, 히드라지드류, 힌더드 아민계 산화방지제, 유황계 산화방지제, 페놀계 산화방지제, 아스코르브산류, 황산 아연, 당류, 아질산염, 아황산염, 티오황산염, 히드록실아민 유도체등을 들 수 있다. 이들 중에서는 경화막의 착색, 막 두께 감소의 관점으로부터 특히 페놀계 산화방지제, 아미드계 산화방지제, 히드라지드계 산화방지제, 유황계 산화방지제가 바람직하고, 페놀계 산화방지제가 가장 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합해도 좋다.Examples of such antioxidants include phosphorus antioxidants, amides, hydrazides, hindered amine antioxidants, sulfur antioxidants, phenol antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, sugars, nitrite, sulfite, thiosulfate, And hydroxylamine derivatives. Of these, a phenol-based antioxidant, an amide-based antioxidant, a hydrazide-based antioxidant, and a sulfur-based antioxidant are particularly preferable from the viewpoint of coloring of the cured film and reduction of the film thickness. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

구체예로서는, 일본 특허 공개 2005-29515호 공보의 단락 0026~0031에 기재된 화합물을 들 수 있고, 이들의 내용은 본원 명세서에 포함된다.Specific examples include compounds described in paragraphs 0026 to 0031 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-29515, the contents of which are incorporated herein by reference.

페놀계 산화방지제의 시판품으로서는 예를 들면 ADK STAB AO-15, ADK STAB AO-18, ADK STAB AO-20, ADK STAB AO-23, ADK STAB AO-30, ADK STAB AO-37, ADK STAB AO-40, ADK STAB AO-50, ADK STAB AO-51, ADK STAB AO-60, ADK STAB AO-70, ADK STAB AO-80, ADK STAB AO-330, ADK STAB AO-412S, ADK STAB AO-503, ADK STAB A-611, ADK STAB A-612, ADK STAB A-613, ADK STAB PEP-4C, ADK STAB PEP-8, ADK STAB PEP-8W, ADK STAB PEP-24G, ADK STAB PEP-36, ADK STAB PEP-36Z, ADK STAB HP-10, ADK STAB 2112, ADK STAB 260, ADK STAB 522A, ADK STAB 1178, ADK STAB 1500, ADK STAB C, ADK STAB 135A, ADK STAB 3010, ADK STAB TPP, ADK STAB CDA-1, ADK STAB CDA-6, ADK STAB ZS-27, ADK STAB ZS-90, ADK STAB ZS-91(이상, ADEKA CORPORATION 제작), IRGANOX 245FF, IRGANOX 1010FF, IRGANOX 1010, IRGANOX MD1024, IRGANOX 1035FF, IRGANOX 1035, IRGANOX 1098, IRGANOX 1330, IRGANOX 1520L, IRGANOX 3114, IRGANOX 1726, IRGAFOS 168, IRGAMOD 295(BASF사 제작), TINUVIN 405(BASF사 제작) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 ADK STAB AO-60, ADK STAB AO-80, IRGANOX 1726, IRGANOX 1035, IRGANOX 1098, TINUVIN 405를 바람직하게 사용할 수 있다.Examples of commercially available phenolic antioxidants include ADK STAB AO-15, ADK STAB AO-18, ADK STAB AO-20, ADK STAB AO-23, ADK STAB AO-30, ADK STAB AO- 40, ADK STAB AO-50, ADK STAB AO-51, ADK STAB AO-60, ADK STAB AO-70, ADK STAB AO-80, ADK STAB AO- ADK STAB PEP-24, ADK STAB PEP-36, ADK STABA-611, ADK STABA-612, ADK STABA-613, ADK STAB PEP-4C, ADK STAB PEP-8, ADK STAB PEP- ADK STAB HP-10, ADK STAB 2112, ADK STAB 260, ADK STAB 522A, ADK STAB 1178, ADK STAB 1500, ADK STAB C, ADK STAB 135A, ADK STAB 3010, ADK STAB TPP, ADK STAB CDA- 1, ADK STAB CDA-6, ADK STAB ZS-27, ADK STAB ZS-90, ADK STAB ZS-91 (manufactured by ADEKA CORPORATION), IRGANOX 245FF, IRGANOX 1010FF, IRGANOX 1010, IRGANOX MD1024, IRGANOX 1035FF, IRGANOX 1035 IRGANOX 1098, IRGANOX 1330, IRGANOX 1520L, IRGANOX 3114, IRGANOX 1726, IRGAFOS 168, IRGAMOD 295 (manufactured by BASF), and TINUVIN 405 (manufactured by BASF). Among them, ADK STAB AO-60, ADK STAB AO-80, IRGANOX 1726, IRGANOX 1035, IRGANOX 1098 and TINUVIN 405 can be preferably used.

산화방지제의 함유량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.1~10질량%인 것이 바람직하고, 0.2~5질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.5~4질량%인 것이 특히 바람직하다. 이 범위로 함으로써 형성된 막의 충분한 투명성이 얻어지고, 또한 패턴 형성 시의 감도도 양호해진다.The content of the antioxidant is preferably from 0.1 to 10% by mass, more preferably from 0.2 to 5% by mass, and particularly preferably from 0.5 to 4% by mass based on the total solid content of the photosensitive resin composition. With this range, sufficient transparency of the film formed can be obtained, and sensitivity at the time of pattern formation becomes good.

또한, 산화방지제 이외의 첨가제로서 "고분자 첨가제의 신전개(NIKKAN KOGYO SHIMBUN,LTD.)"에 기재된 각종 자외선 흡수제나, 금속 불활성화제 등을 본 발명의 감광성 수지 조성물에 첨가해도 좋다.Various ultraviolet absorbers, metal deactivators, and the like described in " NIKKAN KOGYO SHIMBUN, LTD. &Quot;, as an additive other than the antioxidant may be added to the photosensitive resin composition of the present invention.

(성분 L) 2개 이상의 질소 원자를 갖는 복소환 화합물(Component L) A heterocyclic compound having two or more nitrogen atoms

본 발명의 광감광성 조성물은 (성분 L) 2개 이상의 질소 원자를 갖는 복소환 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 성분 L이 무기 입자의 표면에 흡착함으로써 무기 입자끼리의 정전 반발이나 입체적인 반발을 일으키고, 특히 조성물을 도포·건조했을 때의 무기 입자의 응집을 방지하기 때문에 헤이즈가 작아진다고 추정된다. The photosensitive composition of the present invention preferably contains (component L) a heterocyclic compound having two or more nitrogen atoms. The component L is adsorbed on the surface of the inorganic particles to cause electrostatic repulsion and three-dimensional repulsion between the inorganic particles, and it is presumed that the haze is reduced because the aggregation of the inorganic particles is prevented particularly when the composition is applied and dried.

성분 L로서는 2개 이상의 질소 원자를 갖는 이외는 특별히 제한은 없지만 복소환의 환원으로서 2개 이상의 질소 원자를 갖는 복소환 화합물인 것이 바람직하고, 1, 3위치에 질소 원자를 적어도 갖는 복소환 구조를 갖는 화합물인 것이 보다 바람직하고, 1, 3위치에 질소 원자를 적어도 갖는 5원 또는 6원 복소환 구조를 갖는 화합물인 것이 더욱 바람직하다. 상기 실시형태이면 무기 입자의 분산성이 보다 우수하고, 헤이즈가 보다 작은 경화물이 얻어진다. The component L is preferably a heterocyclic compound having at least two nitrogen atoms as the reduction of the heterocyclic ring, and is preferably a heterocyclic compound having at least nitrogen atoms at the 1 and 3 positions, , More preferably a compound having a 5-membered or 6-membered heterocyclic structure having at least nitrogen atoms at 1 and 3 positions. In the above embodiment, a cured product having better dispersibility of inorganic particles and a smaller haze is obtained.

또한, 「1, 3위치에 질소 원자를 적어도 갖는 복소환 구조」란 복소환 중에 탄소 원자의 양측에 질소 원자가 결합한 구조이면 좋고, 정식 명명법에 있어서의 복소환 상의 1위치 및 3위치가 아니라도 좋다.The "heterocyclic structure having at least nitrogen atom (s) at positions 1 and 3" is not particularly limited as long as it has a structure in which nitrogen atoms are bonded to both sides of a carbon atom in a heterocyclic ring, and may not be a 1-position or 3-position on a heterocyclic ring in a formal nomenclature .

성분 L에 있어서의 복소환의 환원은 탄소 원자 및 질소 원자로 적어도 구성되어 있는 것이 바람직하고, 산소 원자나 황 원자를 환원으로서 더 포함하고 있어도 좋지만 탄소 원자 및 질소 원자로 이루어지는 것이 특히 바람직하다. The reduction of the heterocycle in the component L is preferably at least composed of a carbon atom and a nitrogen atom, and it may further contain an oxygen atom or a sulfur atom as a reduction atom, but it is particularly preferable that the atom is composed of a carbon atom and a nitrogen atom.

성분 L이 갖는 질소 원자의 수는 2개 이상이며, 2~6개인 것이 바람직하고, 2~4개인 것이 보다 바람직하다. 또한, 성분 L은 복소환의 환원으로서 질소 원자를 2~4개 갖고 있는 것이 바람직하고, 2개 또는 3개 갖고 있는 것이 보다 바람직하고, 2개 갖고 있는 것이 더욱 바람직하다.The number of nitrogen atoms of the component L is 2 or more, preferably 2 to 6, and more preferably 2 to 4. Further, as the reduction of the heterocycle, the component L preferably has 2 to 4 nitrogen atoms, more preferably 2 or 3, and further preferably 2.

성분 L에 있어서의 복소환은 포화 복소환이어도, 불포화 복소환이어도 좋고, 방향족 복소환이어도 좋다. The heterocyclic ring in the component L may be a saturated heterocyclic ring, an unsaturated heterocyclic ring, or an aromatic heterocyclic ring.

또한, 성분 L에 있어서의 복소환은 다른 환과 더 축합되어 있어도 좋다. 또한, 상기 다른 환으로서는 복소환뿐만 아니라 지방족 환이어도, 방향환이어도 좋다. The heterocyclic ring in component L may be further condensed with another ring. The other ring may be an aliphatic ring or an aromatic ring as well as a heterocyclic ring.

성분 L이 갖는 복소환 구조의 구체예로서는 이미다졸 구조, 벤즈이미다졸 구조, 1,2,4-트리아졸 구조, 4,5-디히드로-1,2,4-트리아졸 구조, 테트라졸 구조, 2-이미다졸린 구조, 4-이미다졸린 구조(2,3-디히드로이미다졸 구조), 이미다졸리딘 구조, 피리미딘 구조, 퀴녹살린 구조, 푸린 구조, 프테리딘 구조, 및 페리디닌 구조로 이루어지는 군으로부터 선택된 환 구조를 바람직하게 들 수 있고, 이미다졸 구조, 벤즈이미다졸 구조, 1,2,4-트리아졸 구조, 4,5-디히드로-1,2,4-트리아졸 구조, 테트라졸 구조, 2-이미다졸린 구조, 4-이미다졸린 구조, 이미다졸리딘 구조, 및 피리미딘 구조로 이루어지는 군으로부터 선택된 환 구조를 보다 바람직하게 들 수 있고, 벤즈이미다졸 구조또는 이미다졸리딘 구조를 특히 바람직하게 들 수 있다. 상기 실시형태이면 금속 산화물 입자의 분산성이 보다 우수하고, 헤이즈가 보다 작은 경화물이 얻어진다.Specific examples of the heterocyclic structure of the component L include an imidazole structure, a benzimidazole structure, a 1,2,4-triazole structure, a 4,5-dihydro-1,2,4-triazole structure, An imidazoline structure, a pyrimidine structure, a quinoxaline structure, a purine structure, a pteridine structure, and a pyrimidine structure, such as imidazoline structure, imidazoline structure, And a cyclic structure selected from the group consisting of an imidazole structure, a benzimidazole structure, a 1,2,4-triazole structure, a 4,5-dihydro-1,2,4-triazole structure , A tetrazole structure, a 2-imidazoline structure, a 4-imidazoline structure, an imidazolidine structure, and a pyrimidine structure, more preferably a benzimidazole structure or a Particularly preferred are the azolidine structures. In the above-described embodiment, a cured product having better dispersibility of metal oxide particles and a smaller haze is obtained.

성분 L은 메르캅토기(-SH) 또는 티옥소기(=S)를 갖는 것이 바람직하다. 상기 실시형태이면 금속 산화물 입자의 분산성이 보다 우수하고, 헤이즈가 보다 작은 경화물이 얻어진다. The component L preferably has a mercapto group (-SH) or a thioxo group (= S). In the above-described embodiment, a cured product having better dispersibility of metal oxide particles and a smaller haze is obtained.

또한, 성분 L로서는 하기 식(L-a)으로 나타내어지는 화합물인 것이 바람직하다.The component L is preferably a compound represented by the following formula (L-a).

Figure pct00023
Figure pct00023

(식(L-a) 중, Ra1 및 Ra2는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, Ra1과 Ra2가 결합해서 2가의 유기기이어도 좋고, Ra3 및 Ra4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, La1은 5원환 또는 6원환을 형성하는 2가의 연결기를 나타내고, Ra3 또는 Ra4와 La1이 결합해서 환을 형성하고 있어도 좋고, 또한 점선의 결합은 점선으로 기재한 질소 함유 이중결합이 존재하는 경우는 Ra2 및 Ra4가 존재하지 않는 것을 나타내고, 점선으로 기재한 질소 함유 이중결합이 존재하지 않는 경우는 Ra2 및 Ra4가 존재하는 것을 나타낸다)(In the formula (La), R a1 and R a2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic group, and R a1 and R a2 may be bonded to form a divalent organic group, and R a3 and R a4 may be Independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, L a1 represents a divalent linking group forming a 5-membered ring or a 6-membered ring, R a3 or R a4 and L a1 may combine to form a ring, is when the double bond-containing one nitrogen-based with a dotted line exists, indicates that there is no R a2 and R a4, when the double bond-containing nitrogen-based with a dotted line is not present indicates that the R a2 and R a4 presence )

Ra1~Ra4에 있어서의 1가의 유기기로서는 알킬기(시클로알킬기, 비시클로알킬기, 트리시클로알킬기를 포함한다), 알케닐기(시클로알케닐기, 비시클로알케닐기를 포함한다), 알키닐기, 아릴기, 복소환기(헤테로환기라고 해도 좋다), 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 카르복실기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기(알킬아미노기, 아릴아미노기, 헤테로환 아미노기를 포함한다), 암모니오기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬 및 아릴술포닐아미노기, 메르캅토기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 알킬디티오기, 아릴디티오기, 헤테로환 디티오기, 술파모일기, 술포기, 알킬 및 아릴술피닐기, 알킬 및 아릴술포닐 기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 아릴 및 헤테로환 아조기, 이미드기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 포스포노기, 실릴기, 히드라지노기, 우레이도기, 티오우레이도기, 보론기(-B(OH)2), 포스파토기(-OPO(OH)2), 술파토기(-OSO3H), 그 외의 공지의 치환기를 예로서 들 수 있다. 또한, 상기 기는 치환기에 의해 더 치환되어 있어도 좋다. Examples of the monovalent organic group represented by R a1 to R a4 include an alkyl group (including a cycloalkyl group, a bicycloalkyl group and a tricycloalkyl group), an alkenyl group (including a cycloalkenyl group and a bicycloalkenyl group), an alkynyl group, (Which may be a heterocyclic group), a cyano group, a hydroxyl group, a nitro group, a carboxyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a silyloxy group, a heterocyclic oxy group, an acyloxy group, a carbamoyloxy group, An alkoxycarbonylamino group, an aryloxycarbonylamino group, an aryloxycarbonylamino group, an aryloxycarbonylamino group, an aryloxycarbonylamino group, an aryloxycarbonylamino group, an aryloxycarbonylamino group, an aryloxycarbonylamino group, An arylthio group, an alkylthio group, an arylthio group, a heterocyclic dithio group, an alkylthio group, an arylthio group, an arylthio group, an arylthio group, an arylthio group, An alkyl group and an arylsulfonyl group, an acyl group, an aryloxycarbonyl group, an alkoxycarbonyl group, a carbamoyl group, an aryl and a heterocyclic azo group, an imido group, a phosphino group, a phosphinyl group , Phosphinicosuccinic group, a phosphinylmethyl group, a phosphono group, a silyl group, a hydrazino group, a ureido group, thioureido ceramic, boron group (-B (OH) 2), phosphazene-earthenware (-OPO (OH) 2 ), A sulfato group (-OSO 3 H), and other known substituents. Further, the group may be further substituted by a substituent.

Ra1 및 Ra2에 있어서의 1가의 유기기로서는 이들 중에서도, 메르캅토기가 특히 바람직하다.As the monovalent organic group in R a1 and R a2 , a mercapto group is particularly preferable.

또한, Ra1 및 Ra2에 있어서의 1가의 유기기의 탄소수는 0~20개인 것이 바람직하고, 0~8개인 것이 보다 바람직하고, 0개인 것이 특히 바람직하다. The monovalent organic group in R a1 and R a2 preferably has 0 to 20 carbon atoms, more preferably 0 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 0 carbon atoms.

또한, Ra1과 Ra2가 결합해서 형성하는 2가의 유기기로서는 옥소기, 티옥소기, 알킬리덴기 등을 예로서 들 수 있다. 이들 중에서도 티옥소기가 특히 바람직하다.Examples of the divalent organic group formed by combining R a1 and R a2 include an oxo group, a thioxo group, and an alkylidene group. Among them, a thioxo group is particularly preferable.

Ra1 및 Ra2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메르캅토기인 것이 특히 바람직하고, 또한 Ra1과 Ra2가 결합해서 2가의 유기기를 형성하는 경우는 티옥소기인 것이 특히 바람직하다.It is particularly preferable that R a1 and R a2 each independently represent a hydrogen atom or a mercapto group, and in the case where R a1 and R a2 are bonded to form a divalent organic group, it is particularly preferably a thioxo group.

Ra3 및 Ra4에 있어서의 1가의 유기기로서는 알킬기 또는 아릴기가 바람직하고, 모르폴리노메틸기 또는 페닐기가 보다 바람직하다. 또한, 상기 알킬기 또는 아릴기는 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋다.As the monovalent organic group in R a3 and R a4 , an alkyl group or an aryl group is preferable, and a morpholinomethyl group or phenyl group is more preferable. The alkyl group or aryl group may be substituted by a substituent.

Ra3 및 Ra4에 있어서의 1가의 유기기의 탄소수는 0~20개인 것이 바람직하고, 1~10개인 것이 보다 바람직하고, 4~8개인 것이 더욱 바람직하다.The monovalent organic group in R a3 and R a4 preferably has 0 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, and even more preferably 4 to 8 carbon atoms.

Ra3 및 Ra4는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 모르폴리노메틸기 또는 페닐기인 것이 보다 바람직하고, 수소 원자 또는 페닐기인 것이 더욱 바람직하다.R a3 and R a4 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, more preferably a hydrogen atom, a morpholinomethyl group or a phenyl group, more preferably a hydrogen atom or a phenyl group.

La1은 5원환 또는 6원환을 형성하는 2가의 연결기를 나타내고, 식(L-a) 중의 탄소 원자와 2개의 질소 원자와 함께 복소환을 형성한다.L a1 represents a divalent linking group which forms a 5-membered ring or a 6-membered ring and forms a heterocyclic ring together with a carbon atom and 2 nitrogen atoms in formula (La).

2가의 연결기로서는 식(L-a) 중의 탄소 원자와 2개의 질소 원자와 함께 5원 복소환 또는 6원 복소환을 형성하는 기이면 특별히 제한은 없지만 그 환원이 탄소 원자 및/또는 질소 원자로부터 형성되는 기인 것이 바람직하고, 상술한 복소환 구조의 구체예를 형성하는 기인 것이 보다 바람직하다. 그 중에서도 벤즈이미다졸 구조를 형성하는 기, 즉 1,2-페닐렌기, 이미다졸리딘 구조를 형성하는 기, 즉 1,2-에틸렌기, 1,1-디메틸-1,2-에틸렌기, 또는 에텐-1,2-디일기인 것이 더욱 바람직하고, 1,2-에틸렌기, 1,1-디메틸-1,2-에틸렌기, 또는 에텐-1,2-디일기인 것이 특히 바람직하다.The divalent linking group is not particularly limited as far as it is a group forming a 5-membered heterocyclic ring or a 6-membered heterocyclic ring together with the carbon atom and two nitrogen atoms in formula (La), but the group in which the reduction is formed from a carbon atom and / More preferably a group forming a specific example of the above-described heterocyclic structure. Among them, a group forming a benzimidazole structure, that is, a group forming a 1,2-phenylene group or an imidazolidine structure, that is, a 1,2-ethylene group, a 1,1- Or an ethene-1,2-diyl group, and particularly preferably a 1,2-ethylene group, a 1,1-dimethyl-1,2-ethylene group or an ethene-1,2-diyl group.

또한, 성분 L로서는 하기 식(L-a-1) 또는 식(L-a-2)으로 나타내어지는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The component L is more preferably a compound represented by the following formula (L-a-1) or (L-a-2).

Figure pct00024
Figure pct00024

(식(L-a-1) 및 식(L-a-2) 중, Ra6~Ra8은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, La2 및 La3은 각각 독립적으로 5원환 또는 6원환을 형성하는 2가의 연결기를 나타내고, Ra6과 La2가 결합해서 환을 형성하고 있어도 좋고, Ra7 또는 Ra8과 La3이 결합해서 환을 형성하고 있어도 좋다)(In the formulas (La-1) and (La-2), R a6 to R a8 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, and L a2 and L a3 each independently form a 5-membered ring or a 6-membered ring R a6 and L a2 may be combined to form a ring, or R a7 or R a8 and L a3 may be combined to form a ring)

식(L-a-1) 또는 식(L-a-2)에 있어서의 Ra6~Ra8은 상기 식(L-a)에 있어서의 Ra3 및 Ra4와 동의이며, 바람직한 실시형태도 같다.R a6 to R a8 in the formula (La-1) or the formula (La-2) are in agreement with R a3 and R a4 in the formula (La), and preferred embodiments are also the same.

또한, 식(L-a-1) 또는 식(L-a-2)에 있어서의 La2 및 La3은 상기 식(L-a)에 있어서의 La1과 동의이며, 바람직한 실시형태도 같다.In addition, L a2 and L a3 in the formula (La-1) or (La-2) are in agreement with the L a1 in the formula (La) and the preferred embodiments are also the same.

성분 L의 바람직한 구체예(AF-1~AF-14)를 이하에 나타낸다. 단, 본 발명에 있어서는 이들에 제한되는 것은 아니다.Preferred examples (AF-1 to AF-14) of component L are shown below. However, the present invention is not limited thereto.

Figure pct00025
Figure pct00025

이들 중에서도 AF-3~AF-14가 바람직하고, AF-3, AF-5, AF-6, AF-9, AF-12, AF-13 또는 AF-14가 보다 바람직하고, AF-5, AF-9, AF-12, AF-13 또는 AF-14가 더욱 바람직하고, AF-9, AF-12, AF-13 또는 AF-14가 특히 바람직하다.Among them, AF-3 to AF-14 are preferable, and AF-3, AF-5, AF-6, AF-9, AF-12, AF- -9, AF-12, AF-13 or AF-14 are more preferable, and AF-9, AF-12, AF-13 or AF-14 are particularly preferable.

또한, 성분 L은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.The component L may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 성분 L의 함유량은 본 발명의 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.1~20질량%인 것이 바람직하고, 0.5~15질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.5~10질량%인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위이면 무기 입자의 분산성이 보다 우수하고, 헤이즈가 작은 경화물이 얻어진다. The content of the component L in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 20% by mass, more preferably 0.5 to 15% by mass, more preferably 0.5 to 10% by mass based on the total solid content of the photosensitive resin composition of the present invention %. Within this range, a cured product having an excellent dispersibility of inorganic particles and a small haze can be obtained.

<산 증식제><Acid-proliferating agent>

본 발명의 감광성 수지 조성물은 감도 향상을 목적으로 산 증식제를 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention can use an acid growth agent for the purpose of improving the sensitivity.

본 발명에 사용할 수 있는 산 증식제는 산 촉매 반응에 의해 산을 더 발생해서 반응계 내의 산 농도를 상승시킬 수 있는 화합물이며, 산이 존재하지 않는 상태에서는 안정되게 존재하는 화합물이다.The acid-proliferator which can be used in the present invention is a compound capable of increasing the acid concentration in the reaction system by further generating an acid by an acid catalytic reaction, and is a compound stably present in the absence of acid.

이러한 산 증식제의 구체예로서는 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0226~0228에 기재된 산 증식제를 들 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 포함된다.Specific examples of such an acid-proliferating agent include the acid-proliferating agents described in paragraphs 0226 to 0228 of JP-A No. 2011-221494, the contents of which are incorporated herein by reference.

이러한 화합물은 1회 반응으로 1개 이상의 산이 늘어나기 때문에 반응의 진행에 따라 가속적으로 반응이 진행되지만 발생된 산 자체가 자기분해를 야기하기 때문에 여기서 발생되는 산의 강도는 산 해리정수, pKa로서 3 이하인 것이 바람직하고, 2 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, pKa는 -15 이상인 것이 바람직하다.Such a compound accelerates the reaction in accordance with the progress of the reaction because at least one acid increases in a single reaction, but since the generated acid causes self-decomposition, the intensity of the acid generated here is the acid dissociation constant, pKa 3 or less, and particularly preferably 2 or less. The pKa is preferably -15 or more.

산 증식제의 구체예로서는 일본 특허 공개 평 10-1508호 공보의 단락 0203~0223, 일본 특허 공개 평 10-282642호 공보의 단락 0016~0055, 및 일본 특허 공표 평 9-512498호 공보 제 39 페이지 12째줄~제 47 페이지 2째줄에 기재된 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the acid proliferating agent include those described in paragraphs 0203 to 0223 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-1508, paragraphs 0016 to 0055 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-282642, and Japanese Patent Publication No. 9-512498, Line to page 47, the second line.

본 발명에서 사용할 수 있는 산 증식제로서는 산 발생제로부터 발생된 산에 의해 분해되어 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 메탄술폰산, 벤젠술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 페닐포스폰산 등의 pKa가 3 이하인 산을 발생시키는 화합물을 들 수 있다.Examples of the acid growth agent usable in the present invention include acids having a pKa of 3 or less such as dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid and phenylphosphonic acid, which are decomposed by an acid generated from an acid generator . &Lt; / RTI &gt;

구체적으로는 이하의 화합물 등을 들 수 있다.Specifically, the following compounds and the like can be mentioned.

Figure pct00026
Figure pct00026

산 증식제의 감광성 수지 조성물에 있어서의 함유량은 광산 발생제 100질량부에 대하여 10~1,000질량부로 하는 것이 노광부와 미노광부의 용해 콘트라스트의 관점으로부터 바람직하고, 20~500질량부로 하는 것이 더욱 바람직하다.The content of the acid repellent in the photosensitive resin composition is preferably from 10 to 1,000 parts by mass based on 100 parts by mass of the photo acid generator from the viewpoint of dissolution contrast between the exposed portion and the unexposed portion, more preferably from 20 to 500 parts by mass Do.

<현상 촉진제>&Lt; Development accelerator &

본 발명의 감광성 수지 조성물은 현상 촉진제를 함유할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a development accelerator.

현상 촉진제로서는 현상 촉진 효과가 있는 임의의 화합물을 사용할 수 있지만 카르복실기, 페놀성 수산기, 및 알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 구조를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 보다 바람직하고, 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 가장 바람직하다.As the development accelerator, any compound having a phenomenon of promoting development may be used, but it is preferably a compound having at least one structure selected from the group consisting of a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, and an alkyleneoxy group, and a compound having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group Compound is more preferable, and a compound having a phenolic hydroxyl group is most preferable.

현상 촉진제로서는 일본 특허 공개 2012-042837호 공보의 단락 0171~0172의 기재를 참작할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 포함된다.As the phenomenon promoter, the description of paragraphs 0171 to 0172 of Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2012-042837 may be taken into consideration, and the content of the present specification is included in the specification.

현상 촉진제는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.The development accelerator may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 현상 촉진제의 첨가량은 감도와 잔막률의 관점으로부터 감광성 수지 조성물의 전체 고형분 100질량부에 대하여 0~30질량부가 바람직하고, 0.1~20질량부가 보다 바람직하고, 0.5~10질량부인 것이 가장 바람직하다.The addition amount of the development accelerator in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably from 0 to 30 parts by mass, more preferably from 0.1 to 20 parts by mass, more preferably from 0.5 to 0.5 parts by mass based on 100 parts by mass of the total solid content of the photosensitive resin composition from the viewpoints of sensitivity and residual film ratio. Most preferably 10 to 10 parts by mass.

또한 현상 촉진제의 분자량은 100~2,000이 바람직하고, 150~1,500이 보다 바람직하고, 150~1,000이 더욱 바람직하다.The molecular weight of the development promoter is preferably 100 to 2,000, more preferably 150 to 1,500, and even more preferably 150 to 1,000.

<가소제><Plasticizer>

본 발명의 수지 조성물은 가소제를 함유해도 좋다.The resin composition of the present invention may contain a plasticizer.

가소제로서는 예를 들면 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디도데실프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린, 디메틸글리세린프탈레이트, 타르타르산 디부틸, 아디프산 디옥틸, 트리아세틸글리세린 등을 들 수 있다.Examples of the plasticizer include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, didodecyl phthalate, polyethylene glycol, glycerin, dimethyl glycerine phthalate, dibutyl tartrate, dioctyl adipate, triacetyl glycerin and the like.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 가소제의 함유량은 성분 C의 함유량 100질량부에 대하여 0.1~30질량부인 것이 바람직하고, 1~10질량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the plasticizer in the resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of Component C. [

또한, 그 외의 첨가제로서는 일본 특허 공개 2012-8223호 공보의 단락 0120~0121에 기재된 열 라디컬 발생제, 국제 공개 제 2011/136074호에 기재된 질소 함유 화합물 및 열산 발생제도 사용할 수 있고, 이들의 내용은 본원 명세서에 포함된다.As the other additives, the heat radical generating agents described in paragraphs 0120 to 0121 of Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2012-8223, the nitrogen containing compounds described in International Publication No. 2011/136074, and the thermal acid generation system can be used. Are incorporated herein by reference.

<감광성 수지 조성물의 바람직한 물성>&Lt; Preferred physical properties of photosensitive resin composition &

본 발명의 감광성 수지 조성물은 잉크젯 도포 적성 향상의 관점으로부터 감광성 수지 조성물의 고형분은 40질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 35질량% 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 또한, 양호하게 잉크젯 토출을 행할 수 있다는 관점으로부터 고형분은 30질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위이면 토출 안정성, 및 핸들링성이 우수하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably has a solid content of 40% by mass or less, more preferably 35% by mass or less, from the viewpoint of improving the applicability of the inkjet. Further, from the viewpoint of inkjet ejection preferably, the solid content is more preferably 30 mass% or less. Within the above range, the discharge stability and handling property are excellent.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 고형분의 범위는 10~30질량%인 것이 바람직하고, 12~30질량%인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위이면 보다 높은 토출 안정성을 실현할 수 있다.The solid content of the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 10 to 30% by mass, more preferably 12 to 30% by mass. Within this range, higher discharge stability can be realized.

도포 적성 향상의 관점으로부터는 본 발명의 감광성 수지 조성물은 25℃에 있어서의 점도가 50mPa·s 이하의 범위인 것이 바람직하고, 30mPa·s 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 여기서, 25℃의 점도는 E형 점도계를 사용해서 측정한 값을 사용하고 있다. From the viewpoint of improving the application property, the photosensitive resin composition of the present invention preferably has a viscosity at 25 ° C of 50 mPa · s or less, more preferably 30 mPa · s or less. Here, the viscosity measured at 25 占 폚 is measured using an E-type viscometer.

또한, 양호하게 토출을 행할 수 있다는 관점으로부터 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경우에 있어서의 잉크젯 도포 시의 점도는 20mPa·s 이하인 것이 바람직하다. 상기 범위이면 토출 안정성, 및 핸들링성이 우수하다.When the photosensitive resin composition of the present invention is used from the viewpoint of satisfactory ejection, the viscosity at the time of inkjet application is preferably 20 mPa 占 퐏 or less. Within the above range, the discharge stability and handling property are excellent.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경우에 있어서의 잉크젯 도포시의 점도 범위는 1~20mPa·s인 것이 보다 바람직하고, 1~15mPa·s인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위이면 높은 토출 안정성을 실현할 수 있다.When the photosensitive resin composition of the present invention is used, the viscosity range upon inkjet application is more preferably from 1 to 20 mPa · s, further preferably from 1 to 15 mPa · s. Within the above range, high discharge stability can be realized.

본 발명의 감광성 수지 조성물의 25℃에 있어서의 표면장력은 18mN/m 이상 35mN/m 이하인 것이 바람직하고, 22mN/m 이상 35mN/m 이하인 것이 보다 바람직하고, 26mN/m 이상 32mN/m 이하인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위이면 토출 안정성, 및 핸들링성이 우수하다.The surface tension of the photosensitive resin composition of the present invention at 25 캜 is preferably 18 mN / m or more and 35 mN / m or less, more preferably 22 mN / m or more and 35 mN / m or less, more preferably 26 mN / desirable. Within the above range, the discharge stability and handling property are excellent.

또한, 감광성 수지 조성물의 25℃에 있어서의 표면장력의 측정 방법으로서는 공지의 방법을 사용할 수 있지만 적륜법, 또는 빌헬미법으로 측정하는 것이 바람직하다. 예를 들면, Kyowa Interface Science Co., LTD. 제작 자동 표면장력계 CBVP-Z를 사용하여 측정하는 방법, 또는 KSV INSTRUMENTS LTD 제작 SIGMA702를 사용해서 측정하는 방법을 바람직하게 들 수 있다.As the method of measuring the surface tension of the photosensitive resin composition at 25 캜, a known method can be used, but it is preferable to measure by the infrared method or the Wilhelmy method. For example, Kyowa Interface Science Co., LTD. A method of measuring using an automatic surface tension tester CBVP-Z or a method of measuring by using SIGMA702 manufactured by KSV Instruments Ltd. can be preferably used.

<감광성 수지 조성물의 조제 방법>&Lt; Preparation method of photosensitive resin composition &gt;

본 발명의 감광성 수지 조성물의 조제 방법으로서는 특별히 제한은 없고 공지의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 각 성분을 소정의 비율로 또한 임의의 방법으로 혼합 교반하고, 용해 또는 분산시켜 감광성 수지 조성물을 조제할 수 있다. 또한, 예를 들면 각 성분을 각각 미리 용제에 용해 또는 분산시킨 용액으로 한 후, 이들을 소정의 비율로 혼합해서 수지 조성물을 조제할 수도 있다. 이상과 같이 조제한 감광성 수지 조성물은 예를 들면 공경 0.2㎛의 필터 등을 사용하여 여과한 후에 사용에 제공할 수도 있다.The method for preparing the photosensitive resin composition of the present invention is not particularly limited and a known method can be used. For example, the photosensitive resin composition can be prepared by mixing and stirring the components in a predetermined ratio or by any method, and dissolving or dispersing them. Further, it is also possible to prepare a resin composition by, for example, preparing a solution in which each component is previously dissolved or dispersed in a solvent, and then mixing them at a predetermined ratio. The photosensitive resin composition prepared as described above may be used after being filtered using, for example, a filter having a pore size of 0.2 탆.

(수지 패턴의 제조 방법)(Method for producing resin pattern)

이어서 본 발명의 수지 패턴의 제조 방법을 설명한다.Next, a method for producing the resin pattern of the present invention will be described.

본 발명의 수지 패턴의 제조 방법은 이하의 (1)~(5)의 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The method for producing a resin pattern of the present invention preferably includes the following steps (1) to (5).

(1) 본 발명의 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물을 기판 상에 잉크젯 도포 방식에 의해 도포하는 도포 공정;(1) a coating step of applying the photosensitive resin composition for inkjet coating of the present invention onto a substrate by an inkjet coating method;

(2) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정;(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition;

(3) 용제가 제거된 수지 조성물을 활성광선에 의해 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정;(3) an exposure step of exposing the resin composition from which the solvent has been removed to a pattern shape by an actinic ray;

(4) 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정;(4) a developing step of developing the exposed resin composition by an aqueous developing solution;

(5) 현상된 수지 조성물을 열 처리하는 열 처리 공정.(5) A heat treatment step for subjecting the developed resin composition to heat treatment.

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each step will be described below in order.

(1)의 도포 공정에서는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 잉크젯 도포 방식에 의해 도포해서 용제를 포함하는 습윤막으로 하는 것이 바람직하다. 감광성 수지 조성물을 기판에 도포하기 전에 알칼리 세정이나 플라즈마 세정이라는 기판 세정을 행하는 것이 바람직하고, 또한 기판 세정 후에 헥사메틸디실라잔으로 기판 표면을 처리하는 것이 보다 바람직하다. 이 처리를 행함으로써 감광성 수지 조성물의 기판에의 밀착성이 향상된다. 헥사메틸디실라잔으로 기판 표면을 처리하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만 예를 들면 헥사메틸디실라잔 증기에 가운데에 기판을 노출시켜 두는 방법 등을 들 수 있다.(1), it is preferable that the photosensitive resin composition of the present invention is applied to a substrate by an ink-jet coating method to form a wet film containing a solvent. It is preferable to perform substrate cleaning such as alkali cleaning or plasma cleaning before applying the photosensitive resin composition to a substrate, and it is more preferable to treat the substrate surface with hexamethyldisilazane after the substrate cleaning. By this treatment, the adhesion of the photosensitive resin composition to the substrate is improved. The method of treating the surface of the substrate with hexamethyldisilazane is not particularly limited, and for example, a method of exposing the substrate to the hexamethyldisilazane vapor in the middle can be mentioned.

상기 기판으로서는 무기 기판, 수지, 수지 복합 재료, ITO, IZO, Cu 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 셀룰로오스트리아세테이트(TAC) 등의 플라스틱 기판을 들 수 있다.Examples of the substrate include plastic substrates such as inorganic substrates, resins, resin composite materials, ITO, IZO, Cu substrates, polyethylene terephthalate, and cellulose triacetate (TAC).

무기 기판으로서는 예를 들면 유리, 석영, 실리콘, 실리콘나이트라이드, 및 그들과 같은 기판 상에 몰리브덴, 티탄, 알루미늄, 구리 등을 증착한 복합 기판을 들 수 있다.Examples of the inorganic substrate include glass, quartz, silicon, silicon nitride, and composite substrates obtained by depositing molybdenum, titanium, aluminum, copper, or the like on a substrate such as glass, quartz, silicon or silicon nitride.

수지로서는 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌나프탈레이트, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리알릴레이트, 알릴디글리콜카보네이트, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리벤즈아졸, 폴리페닐렌술파이드, 폴리시클로올레핀, 노르보르넨 수지, 폴리클로로트리플루오로에틸렌 등의 불소 수지, 액정 폴리머, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 아이오노머 수지, 시아네이트 수지, 가교 푸마르산 디에스테르 수지, 환상 폴리올레핀, 방향족 에테르 수지, 말레이미드-올레핀 수지, 셀룰로오스, 에피술피드수지 등의 합성 수지로 이루어지는 기판을 들 수 있다.Examples of the resin include polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polysulfone, polyether sulfone, polyallylate, allyldiglycol carbonate, polyamide, polyimide, polyamide A fluororesin such as polyetherimide, polyetherimide, polybenzazole, polyphenylene sulfide, polycycloolefin, norbornene resin and polychlorotrifluoroethylene, a liquid crystal polymer, an acrylic resin, an epoxy resin, a silicone resin, an ionomer resin , A substrate made of a synthetic resin such as a cyanate resin, a crosslinked fumaric acid diester resin, a cyclic polyolefin, an aromatic ether resin, a maleimide-olefin resin, a cellulose or an episulfide resin.

이들의 기판은 상기 형태 그대로 사용되는 경우는 적고, 최종 제품의 형태에 의해 예를 들면, TFT 소자와 같은 다층 적층 구조가 형성되어 있는 경우가 통상이다.These substrates are rarely used as they are in the above-mentioned form, and a multilayer laminate structure such as a TFT device is usually formed depending on the shape of the final product.

잉크젯 방식의 도포는 스핀 코트법, 슬릿 코트법 등의 종래의 도포 방법과 비교하여 도포액 사용량이 대폭 삭감되고, 또한 스핀 코트법 시에 부착되는 미스트 등의 영향이 저감되어 이물 발생이 억제되는 등 종합적인 관점으로부터 바람직하다.The application of the inkjet method significantly reduces the application amount of the coating liquid as compared with the conventional coating methods such as the spin coating method and the slit coat method and also reduces the influence of mist or the like adhering to the spin coating method, It is preferable from a comprehensive viewpoint.

예를 들면, 잉크젯 방식에 의한 도포 조건은 감광성 수지 조성물의 조성이나, 제조하는 도막의 종류 등에 따라 적당히 선택하면 좋다. 도포막의 두께를 조절하기 위해서는 액상의 감광성 수지 조성물의 토출량이나 동일부분에의 토출 횟수를 조정하면 좋다. 또한, 감광성 수지 조성물을 도포하는 형상이나 위치에 대해서도 소망에 따라 적당히 선택하면 좋다. 잉크젯 방식의 도포에 사용되는 장치로서는 특별히 제한은 없고 공지의 잉크젯 도포 장치를 적용하면 좋다.For example, the coating conditions by the inkjet method may be appropriately selected depending on the composition of the photosensitive resin composition, the kind of coating film to be produced, and the like. In order to adjust the thickness of the coating film, the discharge amount of the liquid photosensitive resin composition or the number of times of discharge to the same part may be adjusted. The shape and position of the application of the photosensitive resin composition may be suitably selected in accordance with the requirements. A device used for applying the inkjet method is not particularly limited and a known inkjet application device may be used.

구체적으로는 온 디맨드 잉크젯 도포 장치 IJ-DESK-S, IJ-DESK-H(PMT Corporation 제작), Dimatix Material Printer DMP2831, DMP-3000(FUJIFILM Dimatix, Inc. 제작) 등을 들 수 있다.Specifically, on-demand ink jet application devices IJ-DESK-S, IJ-DESK-H (manufactured by PMT Corporation), Dimatix Material Printer DMP2831 and DMP-3000 (manufactured by FUJIFILM Dimatix, Inc.) are listed.

상기 잉크젯 도포 방식에 사용할 수 있는 잉크젯 기록 장치로서는 특별히 제한은 없고 목적으로 하는 해상도를 달성할 수 있는 공지의 잉크젯 기록 장치를 임의로 선택해서 사용할 수 있다. 즉, 시판품을 포함하는 공지의 잉크젯 기록 장치이면 상기 도포 공정에 있어서의 기판 상에의 본 발명의 감광성 수지 조성물의 잉크젯 도포 방식에 의한 도포를 실시할 수 있다.The inkjet recording apparatus that can be used in the inkjet coating method is not particularly limited, and a known inkjet recording apparatus capable of achieving a desired resolution can be arbitrarily selected and used. That is, in the case of a known inkjet recording apparatus containing a commercially available product, the application of the photosensitive resin composition of the present invention onto the substrate in the above-described coating step can be carried out by the inkjet coating method.

본 발명에서 사용할 수 있는 잉크젯 기록 장치로서는 예를 들면, 조성물 공급계, 온도 센서를 포함하는 장치를 들 수 있다.Examples of the inkjet recording apparatus that can be used in the present invention include an apparatus including a composition supply system and a temperature sensor.

잉크 공급계는 예를 들면, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 포함하는 원 탱크, 공급 배관, 잉크젯 헤드 직전의 조성물 공급 탱크, 필터, 피에조형 잉크젯 헤드로 이루어진다. 피에조형 잉크젯 헤드는 바람직하게는 1~100pl, 보다 바람직하게는 8~30pl의 멀티 사이즈 도트를 바람직하게는 320×320~4,000×4,000dpi(dot per inch), 보다 바람직하게는 400×400~1,600×1,600dpi, 더욱 바람직하게는 720×720dpi의 해상도로 토출할 수 있도록 구동시킬 수 있다. 또한, 본 발명에서 말하는 dpi란 2.54㎝당 도트수를 나타낸다.The ink supply system includes, for example, a raw tank including the photosensitive resin composition of the present invention, a supply pipe, a composition supply tank just before the inkjet head, a filter, and a piezo-type inkjet head. The piezo type inkjet head preferably has a size of 1 to 100 pl, more preferably 8 to 30 pl, of a multi-size dot, preferably 320 × 320 to 4,000 × 4,000 dpi (dot per inch), more preferably 400 × 400 to 1,600 X 1,600 dpi, and more preferably, 720 x 720 dpi. The term &quot; dpi &quot; in the present invention indicates the number of dots per 2.54 cm.

도포막 두께는 특별히 한정되는 것은 아니고 용도에 따른 막 두께로 도포할 수 있지만 0.5~10㎛의 범위에서 사용되는 것이 바람직하다.The thickness of the coating film is not particularly limited, and it can be applied in a film thickness according to the application, but it is preferably used in the range of 0.5 to 10 탆.

(2)의 용제 제거 공정에서는 도포된 상기 막으로부터 감압(배큐엄) 및/또는 가열에 의해 용제를 제거하여 기판 상에 건조 도막을 형성시키는 것이 바람직하다. 예를 들면, 핫플레이트에 의한 가열 건조 등을 바람직하게 들 수 있다. 용제 제거 공정의 가열 조건은 바람직하게는 70~130℃에서 30~300초간 정도이다. 온도와 시간이 상기 범위인 경우, 패턴의 밀착성이 양호하고, 또한 잔사도 저감할 수 있다.In the solvent removal step of (2), it is preferable to remove the solvent from the coated film by vacuum (vacuum pressure) and / or heating to form a dried coating film on the substrate. For example, heating and drying with a hot plate are preferable. The heating condition of the solvent removing step is preferably about 70 to 130 DEG C for about 30 to 300 seconds. When the temperature and the time are within the above range, the pattern adhesion is good and the residue can be also reduced.

또한, (1)의 도포 공정과 (2)의 용제 제거 공정은 이 순서로 행해도, 동시에 행해도, 교대로 반복해도 좋다. 예를 들면, (1)의 도포 공정에 있어서의 잉크젯 도포가 모두 종료된 후, (2)의 용제 제거 공정을 행해도 좋고, 기판을 가열해 두고 (1)의 도포 공정에 있어서의 잉크젯 도포 방식에 의한 감광성 수지 조성물의 토출을 행하면서 용제 제거를 행해도 좋다.The coating step (1) and the solvent removing step (2) may be performed in this order, simultaneously or alternately. For example, the solvent removal step (2) may be performed after the completion of the ink jet application in the application step (1), or the substrate may be heated and the ink jet application method (1) The solvent may be removed while discharging the photosensitive resin composition.

그 중에서도 (1)의 도포 공정에 있어서의 잉크젯 도포가 모두 종료된 후, (2)의 용제 제거 공정을 행하는 것이 바람직하다.Among them, it is preferable to perform the solvent removal step (2) after all the inkjet application in the coating step of (1) is completed.

(3)의 노광 공정에서는 도막을 형성한 기판에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통해 활성광선을 조사하는 것이 바람직하다. 이 공정에서는 광산 발생제가 분해되어 산이 발생한다. 발생된 산의 촉매 작용에 의해 도막 성분 중에 포함되는 산 분해성기가 가수분해되어 산기, 예를 들면 카르복실기 또는 페놀성 수산기가 생성된다.It is preferable that the substrate on which the coating film is formed is irradiated with an actinic ray through a mask having a predetermined pattern. In this process, the photoacid generator is decomposed to generate acid. The acid-decomposable group contained in the coating film component is hydrolyzed by the catalytic action of the generated acid to generate an acid group, for example, a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group.

활성광선에 의한 노광 광원으로서는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, LED 광원, 엑시머 레이저 발생 장치 등을 사용할 수 있고, g선(436㎚), i선(365㎚), h선(405㎚) 등의 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 파장을 갖는 활성광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라서 장파장 컷 필터, 단파장 컷 필터, 밴드 패스 필터와 같은 분광 필터를 통해 조사광을 조정할 수도 있다. (436 nm), i-line (365 nm), h-line (405 nm), and the like can be used as the exposure light source by the actinic light ray. Examples of the exposure light source include a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, Nm) or the like having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less can be preferably used. If necessary, irradiation light can be adjusted through a spectral filter such as a long-wavelength cut filter, a short-wavelength cut filter, or a band-pass filter.

노광 장치로서는 미러 프로젝션 얼라이너, 스텝퍼, 스캐너, 프록시미티, 컨택트, 마이크로 렌즈 어레이, 레이저 노광 등 각종 방식의 노광기를 사용할 수 있다.As the exposure apparatus, various types of exposure apparatus such as a mirror projection aligner, a stepper, a scanner, a proximity, a contact, a microlens array, and a laser exposure can be used.

산 촉매가 생성된 영역에 있어서 상기 가수분해 반응을 가속시키기 위해 노광 후 가열 처리: Post Exposure Bake(이하, 「PEB」라고도 한다)를 행할 수 있다. PEB에 의해 산 분해성기로부터의 카르복실기 또는 페놀성 수산기의 생성을 촉진시킬 수 있다. PEB를 행하는 경우의 온도는 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하가 보다 바람직하고, 50℃ 이상 100℃ 이하가 특히 바람직하다.Post-exposure heat treatment: Post Exposure Bake (hereinafter also referred to as &quot; PEB &quot;) may be performed to accelerate the hydrolysis reaction in the region where the acid catalyst is generated. PEB can promote the generation of a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group from the acid decomposable group. The temperature for PEB is preferably 30 占 폚 to 130 占 폚, more preferably 40 占 폚 to 110 占 폚, and particularly preferably 50 占 폚 to 100 占 폚.

단, 본 발명에 있어서의 산 분해성기는 산 분해의 활성화 에너지가 낮고, 노광에 의한 산 발생제 유래의 산에 의해 용이하게 분해되어 산기, 예를 들면 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 생성하기 위해 반드시 PEB를 행하는 일 없이 현상에 의해 포지티브 화상을 형성할 수도 있다.However, the acid-decomposable group in the present invention has low activation energy for acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from an acid generator by exposure to form an acid group, for example, a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, A positive image may be formed by development without being performed.

(4)의 현상 공정에서는 유리된 산기를 갖는 공중합체를 알칼리성 현상액을 사용하여 현상하는 것이 바람직하다. 알칼리성 현상액에 용해되기 쉬운 산기, 예를 들면 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 수지 조성물을 포함하는 노광부 영역을 제거함으로써 포지티브 화상이 형성된다.It is preferable that the copolymer having an acid group liberated in the developing step of (4) is developed using an alkaline developer. A positive image is formed by removing the exposed region including a resin composition having an acid group easily soluble in an alkaline developer, for example, a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group.

현상 공정에서 사용하는 현상액에는 염기성 화합물이 포함되는 것이 바람직하다. 염기성 화합물로서는 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산 나트륨, 탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산 나트륨, 중탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산 나트륨, 메타규산 나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기용제나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.The developing solution used in the developing step preferably contains a basic compound. Examples of the basic compound include alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and choline hydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous alkaline solution may be used as a developer.

바람직한 현상액으로서 테트라에틸암모늄히드록시드의 0.4질량% 수용액, 0.5질량% 수용액, 0.7질량% 수용액, 또는 2.38질량% 수용액을 들 수 있다. As a preferable developing solution, a 0.4 mass% aqueous solution, 0.5 mass% aqueous solution, 0.7 mass% aqueous solution, or 2.38 mass% aqueous solution of tetraethylammonium hydroxide can be mentioned.

현상액의 pH는 바람직하게는 10.0~14.0이다.The pH of the developing solution is preferably 10.0 to 14.0.

현상 시간은 바람직하게는 30~500초간이며, 또한 현상의 방법은 퍼들법, 딥법 등 어느 것이어도 좋다. 현상 후는 유수 세정을 30~300초간 행하여 소망의 해턴을 형성할 수 있다. The development time is preferably 30 to 500 seconds, and the developing method may be any of a puddle method and a dipping method. After the development, water washing can be performed for 30 to 300 seconds to form a desired solution.

현상 후에 린스 공정을 행할 수도 있다. 린스 공정에서는 현상 후의 기판을 순수 등으로 세정함으로써 부착되어 있는 현상액 제거, 현상 잔사 제거를 행한다. 린스 방법은 공지의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 샤워 린스나 딥 린스 등을 들 수 있다. After the development, a rinsing process may be performed. In the rinsing step, the developed substrate is cleaned with pure water or the like to remove the attached developing solution and remove the developing residue. As the rinsing method, known methods can be used. Examples thereof include shower rinses and deep rinses.

(5)의 열 처리 공정(포스트베이크)에서는 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써 산 분해성기를 열 분해하여 산기, 예를 들면 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 생성시키고, 가교성기, 가교제 등과 가교시킴으로써 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은 핫플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 사용하여 소정의 온도, 예를 들면 180℃~250℃에서 소정의 시간, 예를 들면 핫플레이트 상이면 5~90분간, 오븐이면 30~120분간, 가열 처리를 하는 것이 바람직한 가교 반응을 진행시킴으로써 내열성, 경도 등이 우수한 보호막이나 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 가열 처리를 행할 때는 질소 분위기 하에서 행함으로써 투명성을 향상시킬 수도 있다. 플라스틱 기판을 사용했을 때는 80℃~140℃에서 5분~120분간, 가열 처리를 하는 것이 바람직하다. A cured film can be formed by thermally decomposing an acid-decomposable group by heating the obtained positive image to form an acid group, for example, a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, and crosslinking with a crosslinkable group, a crosslinking agent or the like in the heat treatment step (post-baking) have. The heating is carried out at a predetermined temperature, for example, 180 to 250 DEG C for a predetermined time, for example, 5 to 90 minutes in the case of a hot plate or 30 to 120 minutes in the case of an oven, using a heating apparatus such as a hot plate or an oven It is possible to form a protective film or an interlayer insulating film excellent in heat resistance, hardness and the like by proceeding a crosslinking reaction which is preferable to be treated. In addition, transparency can be improved by performing the heat treatment in a nitrogen atmosphere. When a plastic substrate is used, the heat treatment is preferably performed at 80 to 140 ° C for 5 to 120 minutes.

열 처리 공정(포스트베이크) 전에 비교적 저온에서 베이크를 행한 후에 열 처리 공정을 행할 수도 있다(미들베이크 공정의 추가). 미들베이크를 행하는 경우는 90~150℃에서 1~60분 가열한 후에 200℃ 이상의 고온에서 포스트베이크하는 것이 바람직하다. 또한, 미들베이크, 포스트베이크를 3단계 이상의 다단계로 나누어 가열할 수도 있다. 이러한 미들베이크, 포스트베이크의 연구에 의해 패턴의 테이퍼 각을 조정할 수 있다. 이들의 가열은 핫플레이트, 오븐, 적외선 히터 등 공지의 가열 방법을 사용할 수 있다.The heat treatment process may be performed after baking at a relatively low temperature before the heat treatment process (post-baking) (addition of the middle baking process). In the case of conducting the middle baking, post-baking is preferably performed at a high temperature of 200 DEG C or more after heating at 90 to 150 DEG C for 1 to 60 minutes. In addition, middle baking and post baking may be divided into three or more stages and heated. The taper angle of the pattern can be adjusted by the study of the middle bake and the post bake. These can be heated by a known heating method such as a hot plate, an oven, or an infrared heater.

또한, 포스트베이크에 앞서 패턴을 형성한 기판에 활성광선에 의해 전체면 재노광(포스트노광)한 후, 포스트베이크함으로써 미노광 부분에 존재하는 광산 발생제로부터 산을 발생시켜 가교 공정을 촉진하는 촉매로서 기능시킬 수 있고, 막의 경화 반응을 촉진할 수 있다. 포스트노광 공정을 포함하는 경우의 바람직한 노광량으로서는 100~3,000mJ/㎠가 바람직하고, 100~500mJ/㎠가 특히 바람직하다.In addition, a post-baking method in which a substrate on which a pattern is formed before post-baking is subjected to an entire surface re-exposure (post exposure) by an actinic ray, and then post-baked to generate an acid from a photoacid generator present in the unexposed portion to accelerate the cross- And the curing reaction of the film can be promoted. In the case of including the post exposure step, the preferable exposure amount is preferably 100 to 3,000 mJ / cm2, and particularly preferably 100 to 500 mJ / cm2.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어진 경화막은 드라이 에칭 레지스트로서 사용할 수도 있다. 열 처리 공정에 의해 열 경화되어 얻어진 경화막을 드라이 에칭 레지스트로서 사용하는 경우, 에칭 처리로서는 애싱, 플라스마 에칭, 오존 에칭 등의 드라이 에칭 처리를 행할 수 있다.The cured film obtained from the photosensitive resin composition of the present invention may also be used as a dry etching resist. When a cured film obtained by heat curing by a heat treatment process is used as a dry etching resist, dry etching treatment such as ashing, plasma etching, and ozone etching can be performed as the etching treatment.

(막)(membrane)

본 발명의 막은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 열 처리하여 얻어진 막이다. The film of the present invention is a film obtained by heat-treating the photosensitive resin composition of the present invention.

본 발명의 막은 층간 절연막으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 막은 본 발명의 열 처리물의 제조 방법 또는 본 발명의 수지 패턴의 제조 방법에 의해 얻어진 막인 것이 바람직하다.The film of the present invention can be preferably used as an interlayer insulating film. The film of the present invention is preferably a film obtained by the method for producing a heat-treated product of the present invention or the method for producing a resin pattern of the present invention.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 절연성이 우수하고, 고온에서 베이크된 경우에 있어서도 높은 투명성을 갖는 층간 절연막이 얻어진다. 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 층간 절연막은 높은 투명성을 갖고, 경화막 물성이 우수하기 때문에 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치, 터치 패널 표시 장치의 용도에 유용하다.With the photosensitive resin composition of the present invention, an interlayer insulating film having excellent transparency can be obtained even when the insulating resin is excellent in bake at a high temperature. The interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention is useful for an organic EL display device, a liquid crystal display device, and a touch panel display device because it has high transparency and excellent physical properties of a cured film.

(열 처리물 및 그 제조 방법)(Heat Treated Water and Manufacturing Method Thereof)

본 발명의 열 처리물(경화물)은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 열 처리하여 얻어진 열 처리물이며, 상기한 바와 같이 그 형상은 막이 아니더라도 좋고, 임의의 형상이면 된다.The heat-treated product (cured product) of the present invention is a heat-treated product obtained by heat-treating the photosensitive resin composition of the present invention, and the shape thereof may be any shape as long as it is not a film as described above.

또한, 본 발명의 열 처리물은 적어도 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 적어도 일부의 용제를 제거하여 경도가 상승한 경화물이면 좋지만, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하고, 열 경화되어 얻어진 경화물인 것이 바람직하다.The heat-treated product of the present invention may be at least a cured product obtained by removing at least a part of the solvent from the photosensitive resin composition of the present invention to increase the hardness. However, the cured product obtained by removing the solvent from the photosensitive resin composition of the present invention, .

본 발명의 열 처리물의 제조 방법은 특별히 제한은 없지만 적어도 이하의 공정(a)~(c)을 이 순서로 포함하는 것이 바람직하다.The method for producing the heat-treated product of the present invention is not particularly limited, but preferably includes at least the following steps (a) to (c) in this order.

(a) 본 발명의 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물을 기판 상에 잉크젯 도포 방식에 의해 도포하는 도포 공정;(a) a coating step of applying the photosensitive resin composition for inkjet coating of the present invention onto a substrate by an ink-jet coating method;

(b) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정;(b) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition;

(c) 용제가 제거된 수지 조성물을 열 처리하는 열 처리 공정.(c) a heat treatment step of heat-treating the resin composition from which the solvent has been removed.

공정(a) 및 공정(b)은 각각 상기 도포 공정 및 상기 용제 제거 공정과 동의이며, 바람직한 실시형태도 같다.The steps (a) and (b) are in agreement with the coating step and the solvent removing step, respectively, and preferred embodiments are also the same.

공정(c)은 열 처리하는 대상이 공정(b)에서 얻어진 용제가 제거된 수지 조성물인 것 이외는 상기 열 처리 공정과 같은 공정이며, 상기 열 처리 공정에 있어서의 가열 온도, 가열 시간, 가열 수단 등의 바람직한 실시형태도 마찬가지로 바람직하다. The step (c) is a step similar to the heat treatment step except that the object to be heat treated is the resin composition from which the solvent obtained in the step (b) is removed. The heating temperature, the heating time, And the like are also preferable.

본 발명의 열 처리물(경화물) 또는 막은 마이크로 렌즈, 광 도파로, 반사방지막, LED용 밀봉재 및 LED용 칩 코트재 등의 광학 부재, 또는 터치패널에 사용되는 배선 전극의 시인성 저감용 경화물로서 바람직하게 사용할 수 있다.The heat-treated product (cured product) or film of the present invention is an optical member such as a microlens, an optical waveguide, an antireflection film, a sealant for LED, a chip coat material for LED, or a cured product for reducing visibility of a wiring electrode used in a touch panel Can be preferably used.

또한, 본 발명의 열 처리물(경화물) 또는 막은 예를 들면 후술하는 바와 같은 액정 표시 장치 또는 유기 EL 장치 등에 있어서의 평탄화막이나 층간 절연막, 컬러 필터의 보호막, 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 디바이스의 구조 부재 등에 바람직하게 사용할 수 있다.In addition, the heat-treated product (cured product) or film of the present invention can be used as a flattening film or an interlayer insulating film in a liquid crystal display device or an organic EL device, a protective film of a color filter, a liquid crystal layer A spacer for maintaining a constant thickness of the substrate, and a structural member of a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) device.

(액정 표시 장치)(Liquid crystal display device)

본 발명의 액정 표시 장치는 본 발명의 막을 구비하는 것을 특징으로 한다.The liquid crystal display device of the present invention is characterized by comprising the film of the present invention.

본 발명의 액정 표시 장치로서는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 평탄화막이나 층간 절연막을 갖는 것 이외는 특별히 제한되지 않고 다양한 구조를 취하는 공지의 액정 표시 장치를 들 수 있다.As the liquid crystal display device of the present invention, there is no particular limitation but a known liquid crystal display device having various structures other than those having a planarizing film or an interlayer insulating film formed by using the photosensitive resin composition of the present invention.

예를 들면, 본 발명의 액정 표시 장치가 구비하는 TFT(Thin-Film Transistor)의 구체예로서는 어모르퍼스 실리콘-TFT, 저온 폴리실리콘-TFT, 산화물반도체 TFT 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화막은 전기 특성이 우수하기 때문에 이들 TFT에 조합해서 바람직하게 사용할 수 있다.For example, specific examples of a TFT (Thin-Film Transistor) included in the liquid crystal display of the present invention include an amorphous silicon TFT, a low-temperature polysilicon TFT, and an oxide semiconductor TFT. Since the cured film of the present invention is excellent in electric characteristics, it can be preferably used in combination with these TFTs.

또한, 본 발명의 액정 표시 장치가 취할 수 있는 액정 구동 방식으로서는 TN(Twisted Nematic) 방식, VA(Virtical Alig㎚ent) 방식, IPS(In-Place-Switching) 방식, FFS(Fringe Field Switching) 방식, OCB(Optically Compensated Bend) 방식 등을 들 수 있다.As a liquid crystal driving method that can be adopted by the liquid crystal display of the present invention, a TN (Twisted Nematic) method, VA (Virtical Alignment) method, IPS (In-Place-Switching) method, FFS (Fringe Field Switching) An OCB (Optically Compensated Bend) method, and the like.

패널 구성에 있어서는 COA(Color Filter on Array) 방식의 액정 표시 장치에서도 본 발명의 경화막을 사용할 수 있고, 예를 들면 일본 특허 공개 2005-284291호 공보에 기재된 유기 절연막(115)이나, 일본 특허 공개 2005-346054호 공보에 기재된 유기 절연막(212)으로서 사용할 수 있다.In the panel construction, the cured film of the present invention can also be used in a liquid crystal display device of a color filter on array (COA) type. For example, the organic insulating film 115 described in JP 2005-284291 A, And can be used as the organic insulating film 212 described in JP-A-346054.

또한, 본 발명의 액정 표시 장치가 취할 수 있는 액정 배향막의 구체적인 배향 방식으로서는 러빙 배향법, 광 배향 방법 등을 들 수 있다. 또한, 일본 특허 공개 2003-149647호 공보나 일본 특허 공개 2011-257734호 공보에 기재된 PSA(Polymer Sustained Alig㎚ent) 기술에 의해 폴리머 배향 지지되어 있어도 좋다.Specific examples of the alignment method of the liquid crystal alignment film which the liquid crystal display device of the present invention can take include a rubbing alignment method and a photo alignment method. It may also be polymer-oriented supported by PSA (Polymer Sustained Aligment) technology described in Japanese Patent Laid-Open Nos. 2003-149647 and 2011-257734.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 및 본 발명의 막은 상기 용도에 한정되지 않고 다양한 용도에 사용할 수 있다. 예를 들면, 평탄화막이나 층간 절연막 이외에도 컬러 필터의 보호막이나 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서나 고체 촬상 소자에 있어서 컬러 필터 상에 형성되는 마이크로 렌즈 등에 바람직하게 사용할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition of the present invention and the film of the present invention are not limited to the above-mentioned uses and can be used for various purposes. For example, in addition to a planarizing film or an interlayer insulating film, a protective film for a color filter or a spacer for keeping the thickness of the liquid crystal layer in a liquid crystal display device constant, a microlens formed on a color filter in a solid- .

도 1은 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치(10)의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다. 이 컬러 액정 표시 장치(10)는 배면에 백 라이트 유닛(12)을 갖는 액정 패널이며, 액정 패널은 편광 필름이 부착된 2매의 유리 기판(14, 15) 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT(16)의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 상에 형성된 각 소자에는 경화막(17) 중에 형성된 컨택트 홀(18)을 통해 화소 전극을 형성하는 ITO 투명 전극(19)이 배선되어 있다. ITO 투명 전극(19) 상에는 액정(20)의 층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 컬러 필터(22)가 형성되어 있다. Fig. 1 is a conceptual cross-sectional view showing an example of an active matrix type liquid crystal display device 10. Fig. The color liquid crystal display device 10 is a liquid crystal panel having a backlight unit 12 on its back surface and the liquid crystal panel is a liquid crystal display panel that corresponds to all the pixels disposed between two glass substrates 14, And elements of the TFT 16 are arranged. An ITO transparent electrode 19 for forming a pixel electrode is wired through a contact hole 18 formed in the cured film 17 in each element formed on the glass substrate. On the ITO transparent electrode 19, an RGB color filter 22 in which a layer of a liquid crystal 20 and a black matrix are arranged is formed.

백 라이트의 광원으로서는 특별히 한정되지 않고 공지의 광원을 사용할 수 있다. 예를 들면 백색 LED, 청색·적색·녹색 등의 다색 LED, 형광등(냉음극관), 유기 EL 등을 들 수 있다.The light source of the backlight is not particularly limited and a known light source can be used. For example, white LEDs, multicolor LEDs such as blue, red, and green, fluorescent lamps (cold cathode tubes), organic ELs, and the like.

또한, 액정 표시 장치는 3D(입체시)형의 것으로 하거나, 터치패널형의 것으로 하거나 하는 것도 가능하다. 또한, 플렉시블형으로 하는 것도 가능하며, 일본 특허 공개 2011-145686호 공보에 기재된 제 2 상간 절연막(48)이나, 일본 특허 공개 2009-258758호 공보에 기재된 상간 절연막(520)으로서 사용할 수 있다.The liquid crystal display device may be of a 3D (stereoscopic) type or a touch panel type. The second inter-phase insulating film 48 described in JP-A-2011-145686 or the inter-phase insulating film 520 described in JP-A-2009-258758 can be used.

(유기 EL 표시 장치)(Organic EL display device)

본 발명의 유기 EL 표시 장치는 본 발명의 막을 구비하는 것을 특징으로 한다.The organic EL display device of the present invention is characterized by comprising the film of the present invention.

본 발명의 유기 EL 표시 장치로서는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 평탄화막이나 층간 절연막을 갖는 것 이외는 특별히 제한되지 않고 다양한 구조를 취하는 공지의 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.As the organic EL display device of the present invention, there are no particular limitations other than those having a planarizing film or an interlayer insulating film formed by using the photosensitive resin composition of the present invention, and various known organic EL display devices and liquid crystal display devices having various structures .

예를 들면, 본 발명의 유기 EL 표시 장치가 구비하는 TFT(Thin-Film Transistor)의 구체예로서는 어모르퍼스 실리콘-TFT, 저온 폴리실리콘-TFT, 산화물반도체 TFT 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화막은 전기 특성이 우수하기 때문에 이들 TFT에 조합해서 바람직하게 사용할 수 있다.For example, specific examples of a TFT (Thin-Film Transistor) included in the organic EL display device of the present invention include an amorphous silicon TFT, a low-temperature polysilicon TFT, and an oxide semiconductor TFT. Since the cured film of the present invention is excellent in electric characteristics, it can be preferably used in combination with these TFTs.

도 2는 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도이다. 보텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.2 is a conceptual diagram showing an example of an organic EL display device. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device, and has a planarization film 4.

유리 기판(6) 상에 보텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮은 상태에서 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)이 형성되어 있다. 절연막(3)에 여기서는 도시를 생략한 컨택트 홀을 형성한 후, 이 컨택트 홀을 통해 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)이 절연막(3) 상에 형성되어 있다. 배선(2)은 TFT(1) 사이, 또는 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 is formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 is formed in a state in which the TFT 1 is covered. A wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3 after forming a contact hole (not shown) in the insulating film 3 here. The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or a later step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서 배선(2)에 의한 요철을 메워넣은 상태에서 절연막(3) 상에 평탄화층(4)이 형성되어 있다.The planarization layer 4 is formed on the insulating film 3 in a state in which the irregularities due to the wiring 2 are buried in order to planarize the irregularities due to the formation of the wiring 2. [

평탄화막(4) 상에는 보텀 에미션형의 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막(4) 상에 ITO로 이루어지는 제 1 전극(5)이 컨택트 홀(7)을 통해 배선(2)에 접속되어 형성되어 있다. 또한, 제 1 전극(5)은 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.On the planarizing film 4, a bottom-emission organic EL element is formed. That is, a first electrode 5 made of ITO is formed on the planarization film 4 by being connected to the wiring 2 through the contact hole 7. The first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element.

제 1 전극(5)의 둘레 가장자리를 덮은 형상의 절연막(8)이 형성되어 있고, 이 절연막(8)을 형성함으로써 제 1 전극(5)과 이 후의 공정에서 형성하는 제 2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.An insulating film 8 is formed so as to cover the periphery of the first electrode 5. By forming the insulating film 8, a short circuit is formed between the first electrode 5 and the second electrode formed in the subsequent step .

또한, 도 2에는 도시하고 있지 않지만 소망의 패턴 마스크를 통해 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차적으로 증착하여 설치하고, 이어서, 기판 상방의 전체면에 Al로 이루어지는 제 2 전극을 형성하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 서로 접합함으로써 밀봉하고, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어진다. Although not shown in FIG. 2, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer are sequentially deposited and formed through a desired pattern mask. Then, a second electrode made of Al is formed on the entire upper surface of the substrate, An organic EL display device of an active matrix type in which a glass plate for use and an ultraviolet curable epoxy resin are used to seal each other and to which a TFT 1 for driving each organic EL element is connected is obtained.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 감광성 및 막 특성이 우수하기 때문에 MEMS디바이스의 구조 부재로서 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 레지스트 패턴을 격벽으로 하거나, 기계 구동 부품의 일부로 해서 장착하여 사용된다. 이러한 MEMS용 디바이스로서는 예를 들면, SAW(surface acoustic wave) 필터, BAW(bulk acoustic wave) 필터, 자이로 센서, 디스플레이용 마이크로셔터, 이미지 센서, 전자 페이퍼, 잉크젯 헤드, 바이오 칩, 밀봉제 등의 부품을 들 수 있다. 보다 구체적인 예는 일본 특허 공표 2007-522531호 공보, 일본 특허 공개 2008-250200호 공보, 일본 특허 공개 2009-263544호 공보 등에 예시되어 있다.Since the photosensitive resin composition of the present invention is excellent in photosensitivity and film properties, the resist pattern formed by using the photosensitive resin composition of the present invention as a structural member of the MEMS device is used as a partition wall or as a part of a mechanical driving part. Examples of such MEMS devices include a surface acoustic wave (SAW) filter, a BAW (bulk acoustic wave) filter, a gyro sensor, a display micro shutter, an image sensor, an electronic paper, an ink jet head, . More specific examples are exemplified in Japanese Patent Publication Nos. 2007-522531, 2008-250200, and 2009-263544.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 평탄성이나 투명성이 우수하기 때문에 예를 들면, 일본 특허 공개 2011-107476호 공보의 도 2에 기재된 뱅크층(16) 및 평탄화막(57), 일본 특허 공개 2010-9793호 공보의 도 4(a)에 기재된 격벽(12) 및 평탄화막(102), 일본 특허 공개 2010-27591호 공보의 도 10에 기재된 뱅크층(221) 및 제 3 층간 절연막(216b), 일본 특허 공개 2009-128577호 공보의 도 4(a)에 기재된 제 2 층간 절연막(125) 및 제 3 층간 절연막(126), 일본 특허 공개 2010-182638호 공보의 도 3에 기재된 평탄화막(12) 및 화소 분리 절연막(14) 등의 형성에 사용할 수도 있다.Since the photosensitive resin composition of the present invention is excellent in flatness and transparency, for example, the bank layer 16 and the planarization film 57 shown in Fig. 2 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-107476, Japanese Patent Application Laid- The bank layer 221 and the third interlayer insulating film 216b shown in Fig. 10 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-27591, the barrier layer 12 and the planarization film 102 described in Fig. 4 (a) The second interlayer insulating film 125 and the third interlayer insulating film 126 described in FIG. 4A of JP 2009-128577 A, the planarization film 12 described in FIG. 3 of JP 2010-182638 A, The insulating film 14 and the like.

(터치패널 표시 장치)(Touch panel display device)

본 발명의 터치패널 표시 장치는 본 발명의 막을 갖는 정전 용량형 입력 장치를 구비한다. 또한, 본 발명의 정전 용량형 입력 장치는 본 발명의 막을 갖는 것을 특징으로 한다. A touch panel display device of the present invention comprises a capacitive input device having a film of the present invention. Further, the capacitance type input device of the present invention is characterized by having the film of the present invention.

본 발명의 정전 용량형 입력 장치는 전면판과, 상기 전면판의 비접촉측에 적어도 하기 (1)~(5)의 요소를 갖고, 하기 (4)가 본 발명의 열 처리물인 것이 바람직하다.It is preferable that the capacitive input device of the present invention has at least the following elements (1) to (5) on the face plate and a noncontact side of the face plate, and the following (4) is the heat treatment of the present invention.

(1) 마스크층(1) Mask layer

(2) 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통해 제 1 방향으로 연장되어 형성된 복수의 제 1 투명 전극 패턴(2) a plurality of first transparent electrode patterns formed by extending a plurality of pad portions in a first direction through connection portions

(3) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 전기적으로 절연되고, 상기 제 1 방향에 교차하는 방향으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제 2 투명 전극 패턴(3) a plurality of second transparent electrode patterns, which are electrically insulated from the first transparent electrode pattern and are formed of a plurality of pad portions extending in a direction crossing the first direction,

(4) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 상기 제 2 투명 전극 패턴을 전기적으로 절연하는 절연층(4) An insulating layer for electrically insulating the first transparent electrode pattern and the second transparent electrode pattern

(5) 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 투명 전극 패턴 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되고, 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소(5) A method of manufacturing a semiconductor device, which is electrically connected to at least one of the first transparent electrode pattern and the second transparent electrode pattern, and which is different from the first transparent electrode pattern and the second transparent electrode pattern

본 발명의 정전 용량형 입력 장치는 상기 (1)~(5)의 요소 모두 또는 일부를 덮도록 투명 보호층을 더 형성하는 것이 바람직하고, 상기 투명 보호층이 본 발명의 경화막인 것이 보다 바람직하다.The capacitive input device of the present invention preferably further includes a transparent protective layer so as to cover all or a part of the elements (1) to (5), more preferably the transparent protective layer is the cured film of the present invention Do.

우선, 정전 용량형 입력 장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 3은 정전 용량형 입력 장치의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 3에 있어서 정전 용량형 입력 장치(30)는 전면판(31)과, 마스크층(32)과, 제 1 투명 전극 패턴(33)과, 제 2 투명 전극 패턴(34)과, 절연층(35)과, 도전성 요소(36)와, 투명 보호층(37)으로 구성되어 있다. First, the configuration of the capacitive input device will be described. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of the capacitance type input device. 3, the capacitive input device 30 includes a front plate 31, a mask layer 32, a first transparent electrode pattern 33, a second transparent electrode pattern 34, an insulating layer 35, a conductive element 36, and a transparent protective layer 37.

전면판(31)은 유리 기판 등의 투광성 기판으로 구성되어 있고, 코닝사의 고릴라 유리료 대표되는 강화 유리 등을 사용할 수 있다. 또한, 도 3에 있어서 전면판(31)의 각 요소가 형성되어 있는 측을 비접촉면이라고 칭한다. 본 발명의 정전 용량형 입력 장치(30)에 있어서는 전면판(31)의 접촉면(비접촉면의 반대면)에 손가락 등을 접촉 등 시켜 입력이 행해진다. 이하, 전면판을 「기재」라고 칭하는 경우가 있다. The front plate 31 is made of a light-transmissive substrate such as a glass substrate, and tempered glass represented by Gorilla glass of Corning Inc. can be used. In Fig. 3, the side where each element of the front plate 31 is formed is called a non-contact surface. In the capacitive input device 30 of the present invention, a finger or the like is brought into contact with the contact surface (the surface opposite to the non-contact surface) of the front plate 31 to make an input. Hereinafter, the front plate may be referred to as a &quot; substrate &quot;.

또한, 전면판(31)의 비접촉면 상에는 마스크층(32)이 형성되어 있다. 마스크층(32)은 터치패널 전면판의 비접촉측에 형성된 표시 영역 주위의 액자 형상의 패턴이며, 인회 배선 등이 보이지 않도록 하기 위해 형성된다.A mask layer 32 is formed on the non-contact surface of the front plate 31. The mask layer 32 is a frame-like pattern around the display area formed on the noncontact side of the front panel of the touch panel, and is formed so as not to see a watermark wiring or the like.

본 발명의 정전 용량형 입력 장치에는 도 4에 나타내는 바와 같이 전면판(31)의 일부 영역(도 4에 있어서는 입력면 이외의 영역)을 덮도록 마스크층(32)이 형성되어 있다. 또한, 전면판(31)에는 도 4 에 나타내는 바와 같이 일부에 개구부(38)를 형성할 수 있다. 개구부(38)에는 압박에 의한 메카니컬한 스위치를 설치할 수 있다.In the capacitive input device of the present invention, as shown in Fig. 4, a mask layer 32 is formed so as to cover a part of the area of the front plate 31 (an area other than the input surface in Fig. 4). As shown in Fig. 4, the front plate 31 may have an opening 38 formed in a part thereof. The opening portion 38 can be provided with a mechanical switch by pressing.

도 5에 나타내는 바와 같이 전면판(31)의 접촉면에는 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통해 제 1 방향으로 연장되어 형성된 복수의 제 1 투명 전극 패턴(33)과, 제 1 투명 전극 패턴(33)과 전기적으로 절연되고, 제 1 방향에 교차하는 방향으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제 2 투명 전극 패턴(34)과, 제 1 투명 전극 패턴(33)과 제 2 투명 전극 패턴(34)을 전기적으로 절연하는 절연층(35)이 형성되어 있다. 상기 제 1 투명 전극 패턴(33)과, 제 2 투명 전극 패턴(34)과, 후술하는 도전성 요소(36)는 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투광성의 도전성 금속 산화막으로 제작할 수 있다. 이러한 금속막으로서는 ITO막; Al, Zn, Cu, Fe, Ni, Cr, Mo 등의 금속막; SiO2 등의 금속 산화막 등을 들 수 있다. 이 때, 각 요소의 막 두께는 10~200㎚로 할 수 있다. 또한, 소성에 의해 어모르퍼스의 ITO막을 다결정의 ITO막으로 하기 때문에 전기적 저항을 저감할 수도 있다. 또한, 상기 제 1 투명 전극 패턴(33)과, 제 2 투명 전극 패턴(34)과, 후술하는 도전성 요소(36)는 상기 도전성 섬유를 사용한 감광성 수지 조성물을 갖는 감광성 전사 재료를 사용하여 제조할 수도 있다. 그 외, ITO 등에 의해 제 1 도전성 패턴 등을 형성하는 경우에는 일본 특허 제 4506785호 공보의 단락 0014~0016 등을 참고로 할 수 있다.5, a plurality of first transparent electrode patterns 33 formed by extending a plurality of pad portions in a first direction through connection portions, a plurality of first transparent electrode patterns 33 formed on the contact surface of the front plate 31, A plurality of second transparent electrode patterns 34 formed of a plurality of pad portions electrically insulated from the first transparent electrode patterns 33 and extending in a direction crossing the first direction, 34 are formed on the insulating layer 35 to electrically isolate the insulating layer 35. [ The first transparent electrode pattern 33, the second transparent electrode pattern 34 and the conductive element 36 to be described later are formed of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) A conductive metal oxide film can be formed. As such a metal film, an ITO film; Metal films of Al, Zn, Cu, Fe, Ni, Cr, and Mo; SiO 2 And the like. At this time, the film thickness of each element can be set to 10 to 200 nm. In addition, since the ITO film of amorphous is formed into a polycrystalline ITO film by firing, the electrical resistance can be reduced. The first transparent electrode pattern 33, the second transparent electrode pattern 34 and the conductive element 36 to be described later may be manufactured using a photosensitive transfer material having a photosensitive resin composition using the conductive fibers have. In addition, when the first conductive pattern or the like is formed by ITO or the like, paragraphs 0014 to 0016 of Japanese Patent No. 4506785 can be referred to.

또한, 제 1 투명 전극 패턴(33) 및 제 2 투명 전극 패턴(34) 중 적어도 한쪽은 전면판(31)의 비접촉면 및 마스크층(32)의 전면판(31)과는 역측의 면의 양쪽 영역에 걸쳐 설치할 수 있다. 도 3에 있어서는 제 2 투명 전극 패턴이 전면판(31)의 비접촉면 및 마스크층(32)의 전면판(31)과는 역측인 면의 양쪽 영역에 걸쳐 설치되어 있는 도면이 나타내어져 있다. At least one of the first transparent electrode pattern 33 and the second transparent electrode pattern 34 is formed on both of the noncontact surface of the front plate 31 and the surface opposite to the front plate 31 of the mask layer 32 Area. 3, the second transparent electrode pattern is provided over both the noncontact surface of the front plate 31 and the surface opposite to the front plate 31 of the mask layer 32. As shown in Fig.

도 5를 이용하여 제 1 투명 전극 패턴(33) 및 제 2 투명 전극 패턴(34)에 대하여 설명한다. 도 5는 본 발명에 있어서의 제 1 투명 전극 패턴 및 제 2 투명 전극 패턴의 일례를 나타내는 설명도이다. 도 5에 나타내는 바와 같이 제 1 투명 전극 패턴(33)은 패드 부분(33a)이 접속 부분(33b)을 통해 제 1 방향으로 연장되어 형성되어 있다. 또한, 제 2 투명 전극 패턴(34)은 제 1 투명 전극 패턴(33)과 절연층(35)에 의해 전기적으로 절연되어 있고, 제 1 방향에 교차하는 방향(도 5에 있어서의 제 2 방향)으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 구성되어 있다. 여기서, 제 1 투명 전극 패턴(33)을 형성하는 경우, 상기 패드 부분(33a)과 접속 부분(33b)을 일체로 하여 제작해도 좋고, 접속 부분(33b)만을 제작하고, 패드 부분(33a)과 제 2 투명 전극 패턴(34)을 일체로 하여 제작(패터닝)해도 좋다. 패드 부분(33a)과 제 2 투명 전극 패턴(34)을 일체로 하여 제작(패터닝)하는 경우, 도 5 에 나타내는 바와 같이 접속 부분(33b)의 일부와 패드 부분(33a)의 일부가 연결되고, 또한, 절연층(35)에 의해 제 1 투명 전극 패턴(33)과 제 2 투명 전극 패턴(34)이 전기적으로 절연되도록 각 층이 형성된다.The first transparent electrode pattern 33 and the second transparent electrode pattern 34 will be described with reference to FIG. 5 is an explanatory view showing an example of a first transparent electrode pattern and a second transparent electrode pattern according to the present invention. As shown in Fig. 5, the first transparent electrode pattern 33 is formed by extending the pad portion 33a in the first direction through the connection portion 33b. The second transparent electrode pattern 34 is electrically insulated by the first transparent electrode pattern 33 and the insulating layer 35 and is arranged in a direction crossing the first direction As shown in FIG. In this case, when the first transparent electrode pattern 33 is formed, the pad portion 33a and the connection portion 33b may be integrally formed. Alternatively, only the connection portion 33b may be formed, And the second transparent electrode patterns 34 may be integrally formed (patterned). A part of the connection portion 33b and a part of the pad portion 33a are connected as shown in Fig. 5 when the pad portion 33a and the second transparent electrode pattern 34 are integrally formed (patterned) Each layer is formed so that the first transparent electrode pattern 33 and the second transparent electrode pattern 34 are electrically insulated by the insulating layer 35.

도 3에 있어서 마스크층(32)의 전면판(31)과는 역측인 면측에는 도전성 요소(36)가 설치되어 있다. 도전성 요소(36)는 제 1 투명 전극 패턴(33) 및 제 2 투명 전극 패턴(34) 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되고, 또한, 제 1 투명 전극 패턴(33) 및 제 2 투명 전극 패턴(34)과는 다른 요소이다. 도 3에 있어서는 도전성 요소(36)가 제 2 투명 전극 패턴(34)에 접속되어 있는 도면이 나타내어져 있다.In Fig. 3, a conductive element 36 is provided on the side of the mask layer 32 opposite to the front plate 31. The conductive element 36 is electrically connected to at least one of the first transparent electrode pattern 33 and the second transparent electrode pattern 34 and the first transparent electrode pattern 33 and the second transparent electrode pattern 34 ). In Fig. 3, a diagram is shown in which the conductive element 36 is connected to the second transparent electrode pattern 34. Fig.

또한, 도 3에 있어서는 각 구성요소 모두를 덮도록 투명 보호층(37)이 설치되어 있다. 투명 보호층(37)은 각 구성요소의 일부만을 덮도록 구성되어 있어도 좋다. 절연층(35)과 투명 보호층(37)은 동일 재료이어도 좋고, 다른 재료이어도 좋다. In Fig. 3, a transparent protective layer 37 is provided so as to cover all the constituent elements. The transparent protective layer 37 may be configured to cover only a part of each constituent element. The insulating layer 35 and the transparent protective layer 37 may be the same material or different materials.

<정전 용량형 입력 장치, 및 정전 용량형 입력 장치를 구비한 터치패널 표시 장치>&Lt; Capacitive input device, and touch panel display device provided with capacitive input device &gt;

본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 정전 용량형 입력 장치, 및 상기 정전 용량형 입력 장치를 구성요소로서 구비한 터치패널 표시 장치는 「최신 터치패널 기술」(2009년 7월 6일 발행 가부시키가이샤 테크노 타임즈), 미타니 유우지 감수, "터치패널의 기술과 개발", CMC 출판(2004, 12), FPD International 2009 Forum T-11 강연 텍스트 북, Cypress Semiconductor Corporation 어플리케이션 노트 AN2292 등에 개시되어 있는 구성을 적용할 수 있다.The capacitive input device obtained by the manufacturing method of the present invention and the touch panel display device including the capacitive input device as a component are described in " Latest Touch Panel Technology " (issued on July 6, 2009, (2004, 12), FPD International 2009 Forum T-11 Lecture Text Book, Cypress Semiconductor Corporation Application Note AN2292 can be applied. have.

<터치패널 및 그 제조 방법>&Lt; Touch panel and manufacturing method thereof &

본 발명의 터치패널은 절연층의 전부 또는 일부가 본 발명의 수지 조성물의 열 처리물로 이루어지는는 터치패널이다. 또한, 본 발명의 터치패널은 투명 기판, ITO 전극 및 절연층을 적어도 갖는 것이 바람직하다.The touch panel of the present invention is a touch panel in which all or a part of the insulating layer is formed of the heat treatment of the resin composition of the present invention. The touch panel of the present invention preferably has at least a transparent substrate, an ITO electrode, and an insulating layer.

본 발명의 터치패널 표시 장치는 본 발명의 터치패널을 갖는 터치패널 표시 장치인 것이 바람직하다.The touch panel display device of the present invention is preferably a touch panel display device having the touch panel of the present invention.

또한, 본 발명의 터치패널의 제조 방법은 투명 기판, ITO 전극 및 절연층을 갖는 터치패널의 제조 방법으로서, ITO 전극에 접하도록 본 발명의 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물을 잉크젯 도포 방식에 의해 도포하는 공정, 상기 수지 조성물 상에 소정 형상의 개구 패턴을 갖는 마스크를 적재하고, 활성 에너지선 조사를 행하여 노광하는 공정, 노광 후의 수지 조성물을 현상하는 공정, 및 현상 후의 수지 조성물을 가열하여 절연층을 제조하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다The method of manufacturing a touch panel of the present invention is a method of manufacturing a touch panel having a transparent substrate, an ITO electrode, and an insulating layer, wherein the photosensitive resin composition for inkjet application of the present invention is applied by an inkjet coating method A step of exposing the resin composition to a mask having an opening pattern of a predetermined shape and irradiating it with active energy ray irradiation, a step of developing the resin composition after exposure, and a step of heating the resin composition after development to produce an insulating layer And a step of

본 발명의 터치패널에 있어서의 투명 기판으로서는 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등을 바람직하게 들 수 있다.As the transparent substrate in the touch panel of the present invention, a glass substrate, a quartz substrate, a transparent resin substrate and the like are preferably used.

상기 ITO 전극에 접하도록 본 발명의 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물을 잉크젯 도포 방식에 의해 도포하는 공정에 있어서의 잉크젯 도포는 상술한 도포 공정과 마찬가지로 행할 수 있고, 바람직한 실시형태도 같다. 또한, 상기 공정에 있어서는 도포된 본 발명의 감광성 수지 조성물의 적어도 일부가 ITO 전극에 접해 있으면 좋다. The inkjet coating in the step of applying the photosensitive resin composition for inkjet coating of the present invention to the ITO electrodes by the inkjet coating method can be carried out in the same manner as in the above-described coating step, and the preferred embodiments are also the same. In the above step, at least a part of the applied photosensitive resin composition of the present invention may be in contact with the ITO electrode.

상기 수지 조성물 상에 소정 형상의 개구 패턴을 갖는 마스크를 적재하고, 활성 에너지선 조사를 행하여 노광하는 공정, 노광 후의 수지 조성물을 현상하는 공정은 상술한 노광 공정과 마찬가지로 행할 수 있고, 바람직한 실시형태도 같다. The step of exposing the resin composition with a mask having an opening pattern of a predetermined shape and performing the activation energy ray irradiation and the step of developing the resin composition after exposure can be performed in the same manner as in the above exposure step, same.

상기 현상 후의 수지 조성물을 가열하여 절연층을 제조하는 공정은 상술한 열 처리 공정과 마찬가지로 행할 수 있고, 바람직한 실시형태도 같다.The step of heating the resin composition after the development to produce the insulating layer can be carried out in the same manner as the above-mentioned heat treatment step, and the preferred embodiments are also the same.

또한, 본 발명의 터치패널에 있어서의 ITO 전극 패턴의 일례로서는 상술한 도 5에 나타내는 패턴을 바람직하게 들 수 있다.As an example of the ITO electrode pattern in the touch panel of the present invention, the above-described pattern shown in Fig. 5 is preferably used.

(실시예)(Example)

이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한, 적당히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 언급되지 않는 한, 「부」, 「%」는 질량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The materials, amounts, ratios, processing contents, processing procedures, and the like shown in the following examples can be appropriately changed unless they depart from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the following specific examples. Unless otherwise stated, &quot; part &quot; and &quot;% &quot; are based on mass.

이하의 합성예, 실시예 및 비교예에 있어서 이하의 부호는 각각 이하의 화합물을 나타낸다.In the following Synthesis Examples, Examples and Comparative Examples, the following symbols respectively represent the following compounds.

MATHF: 메타크릴산 테트라히드로푸란-2-일(합성품)MATHF: tetrahydrofuran-2-yl methacrylate (synthetic)

MAEVE: 메타크릴산 1-에톡시에틸(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작)MAEVE: 1-ethoxyethyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

MACHOE: 1-(시클로헥실옥시)에틸메타크릴레이트(합성품)MACHOE: 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate (Synthesis)

MATHP: 메타크릴산 테트라히드로-2H-피란-2-일(Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. 제작)MATHP: tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)

GMA: 글리시딜메타크릴레이트(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작)GMA: glycidyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

OXE-30: 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸(OSAKA ORGANIC CHEMICAL INDUSTRY LTD. 제작)OXE-30: Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl (manufactured by OSAKA ORGANIC CHEMICAL INDUSTRY LTD.)

NBMA: n-부톡시메틸아크릴아미드(Mitsubishi Rayon Co., Ltd. 제작)NBMA: n-butoxymethylacrylamide (manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.)

MAA: 메타크릴산(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작)MAA: methacrylic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

HEMA: 메타크릴산 2-히드록시에틸(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작)HEMA: 2-hydroxyethyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

MMA: 메타크릴산 메틸(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작)MMA: methyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

St: 스티렌(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작)St: styrene (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

DCPM: 디시클로펜타닐메타크릴레이트(Hitachi Chemical Co., Ltd. 제작)DCPM: dicyclopentanyl methacrylate (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)

V-601: 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작)V-601: Dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

V-65: 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작)V-65: 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

MEDG: 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작, 하이솔브 EDM)MEDG: Diethylene glycol ethyl methyl ether (Hyosolve EDM, manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(SHOWA DENKO K.K. 제작)PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate (produced by SHOWA DENKO K.K.)

MDM: 디에틸렌글리콜디메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)MDM: Diethylene glycol dimethyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

MDPOM: 디프로필렌글리콜디메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)MDPOM: dipropylene glycol dimethyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

EDM(MEDG): 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)EDM (MEDG): diethylene glycol ethyl methyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

DPM: 디프로필렌글리콜모노메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)DPM: dipropylene glycol monomethyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

EDE: 디에틸렌글리콜디에틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)EDE: diethylene glycol diethyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

DM: 디에틸렌글리콜모노메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)DM: diethylene glycol monomethyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

BDM: 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)BDM: Diethylene glycol butyl methyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

MTPOM:트리프로필렌글리콜디메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)MTPOM: Tripropylene glycol dimethyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

MTM: 트리에틸렌글리콜디메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)MTM: triethylene glycol dimethyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

DB: 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)DB: Diethylene glycol monobutyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

EPH: 에틸렌글리콜모노페닐에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)EPH: Ethylene glycol monophenyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

TM: 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)TM: triethylene glycol monomethyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

BDB: 디에틸렌글리콜디부틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)BDB: Diethylene glycol dibutyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

BTM: 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)BTM: triethylene glycol butyl methyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

MPM: 폴리에틸렌글리콜디메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)MPM: polyethylene glycol dimethyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

MTEM: 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)MTEM: tetraethylene glycol dimethyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

PM: 폴리에틸렌글리콜모노메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)PM: polyethylene glycol monomethyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

MMM:에틸렌글리콜디메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)MMM: ethylene glycol dimethyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

IPDM: 디에틸렌글리콜이소프로필메틸에테르(TOHO Chemical Industry Co., Ltd. 제작)IPDM: diethylene glycol isopropyl methyl ether (manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.)

THFA: 테트라히드로푸르푸릴알코올(Zi 히로시하나오쿠카 유겐코우시 제작)THFA: tetrahydrofurfuryl alcohol (produced by Zhi Hiroshi Hanoka Kuyu Genkou Co., Ltd.)

PGDA: 프로필렌글리콜디아세테이트(Daicel Corporation 제작)PGDA: Propylene glycol diacetate (manufactured by Daicel Corporation)

1,3-BGDA: 1,3-부틸렌글리콜디아세테이트(Daicel Corporation 제작)1,3-BGDA: 1,3-butylene glycol diacetate (manufactured by Daicel Corporation)

1,4-BDDA: 1,4-부탄디올디아세테이트(Daicel Corporation 제작)1,4-BDDA: 1,4-butanediol diacetate (manufactured by Daicel Corporation)

1,6-HDDA: 1,6-헥산디올디아세테이트(Daicel Corporation 제작)1,6-HDDA: 1,6-hexanediol diacetate (manufactured by Daicel Corporation)

CHXA: 시클로헥산올아세테이트(Daicel Corporation 제작)CHXA: cyclohexanol acetate (manufactured by Daicel Corporation)

PGMEP: 프로필렌글리콜모노메틸에테르프로피오네이트(Daishin-Chemical. Co. Ltd. 제작)PGMEP: Propylene glycol monomethyl ether propionate (manufactured by Daishin-Chemical Co., Ltd.)

BMGAC: 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트(Daicel Corporation 제작)BMGAC: ethylene glycol monobutyl ether acetate (manufactured by Daicel Corporation)

EDGAC: 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(Daicel Corporation 제작)EDGAC: diethylene glycol monoethyl ether acetate (manufactured by Daicel Corporation)

BDGAC: 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트(Daicel Corporation 제작)BDGAC: Diethylene glycol monobutyl ether acetate (manufactured by Daicel Corporation)

DPMA: 디프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(Daicel Corporation 제작)DPMA: dipropylene glycol methyl ether acetate (Daicel Corporation)

DPMNP: 디프로필렌글리콜메틸-n-프로필에테르(Daicel Corporation 제작)DPMNP: dipropylene glycol methyl-n-propyl ether (manufactured by Daicel Corporation)

DRA-150: 트리아세틴(Daicel Corporation 제작)DRA-150: triacetin (manufactured by Daicel Corporation)

MB: 3-메톡시부탄올(Daicel Corporation 제작)MB: 3-methoxybutanol (manufactured by Daicel Corporation)

1,3-BG: 1,3-부틸렌글리콜(Daicel Corporation 제작)1,3-BG: 1,3-butylene glycol (manufactured by Daicel Corporation)

PNP: 프로필렌글리콜 n-프로필에테르(Daicel Corporation 제작)PNP: Propylene glycol n-propyl ether (manufactured by Daicel Corporation)

PNB: 프로필렌글리콜 n-부틸에테르(Daicel Corporation 제작)PNB: Propylene glycol n-butyl ether (manufactured by Daicel Corporation)

EDG: 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(Daicel Corporation 제작)EDG: Diethylene glycol monoethyl ether (manufactured by Daicel Corporation)

DPNP: 디프로필렌글리콜 n-프로필에테르(Daicel Corporation 제작)DPNP: dipropylene glycol n-propyl ether (Daicel Corporation)

DPNB: 디프로필렌글리콜 n-부틸에테르(Daicel Corporation 제작)DPNB: dipropylene glycol n-butyl ether (manufactured by Daicel Corporation)

TPM: 트리프로필렌글리콜메틸에테르(Daicel Corporation 제작)TPM: tripropylene glycol methyl ether (manufactured by Daicel Corporation)

TPNB: 트리프로필렌글리콜 n-부틸에테르(Daicel Corporation 제작)TPNB: tripropylene glycol n-butyl ether (manufactured by Daicel Corporation)

MAK: 메틸아밀케톤(NAGASE & CO., LTD. 제작)MAK: Methyl amyl ketone (manufactured by NAGASE & CO., LTD.)

<MATHF의 합성><Synthesis of MATHF>

메타크릴산(86g, 1mol)을 15℃로 냉각해 두고 캄퍼술폰산(4.6g, 0.02mol) 첨가했다. 그 용액에 2-디히드로푸란(71g, 1mol, 1.0당량)을 적하했다. 1시간 교반한 후에 포화 탄산수소나트륨(500mL)을 첨가하고, 아세트산 에틸(500mL)로 추출하고, 황산 마그네슘으로 건조 후, 불용물을 여과 후 40℃ 이하에서 감압 농축하고, 잔사의 황색 유상물을 감압 증류하여 비점(bp.) 54~56℃/3.5mmHg 유분(留分)의 메타크릴산 테트라히드로푸란-2-일(MATHF) 125g을 무색 유상물로서 얻었다(수율 80%).Methacrylic acid (86 g, 1 mol) was cooled to 15 DEG C and camphorsulfonic acid (4.6 g, 0.02 mol) was added. 2-dihydrofuran (71 g, 1 mol, 1.0 equivalent) was added dropwise to the solution. After stirring for 1 hour, saturated sodium hydrogencarbonate (500 mL) was added. The mixture was extracted with ethyl acetate (500 mL) and dried over magnesium sulfate. The insoluble material was filtered off and concentrated under reduced pressure at 40 ° C or lower. 125 g of tetrahydrofuran-2-yl methacrylate (MATHF) having a boiling point (bp.) Of 54 to 56 ° C / 3.5 mmHg as a distillate was obtained as a colorless oil (yield: 80%).

또한, MACHOE는 2-디히드로푸란을 대응하는 화합물로 변경한 이외, 상기 MATHF과 같은 방법으로 합성했다. Further, MACHOE was synthesized in the same manner as MATHF except that 2-dihydrofuran was changed to the corresponding compound.

〔중합체 C1의 합성〕[Synthesis of polymer C1]

3구 플라스크에 MEDG(89g)를 넣고, 질소 분위기 하에 두고 90℃로 승온했다. 그 용액에 MAA(전체 단량체 성분 중의 9.5mol%가 되는 양), MATHF(전체 단량체 성분 중의 43mol%가 되는 양), GMA(전체 단량체 성분 중의 47.5mol%에 상당), V-65(전체 단량체 성분의 합계 100mol%에 대하여 4mol%에 상당)를 용해시켜 2시간에 걸쳐 적하했다. 적하 종료 후, 2시간 교반하고, 반응을 종료시켰다. 그것에 의해 중합체 C1을 얻었다. 또한, MEDG와 그 외의 성분의 합계량의 비를 70:30로 했다. 즉, 고형분 농도 30%의 중합체 용액을 조제했다.MEDG (89 g) was put in a three-necked flask, and the temperature was raised to 90 캜 under a nitrogen atmosphere. The amount of MAA (amount to be 9.5 mol% of total monomer components), MATHF (amount to become 43 mol% of total monomer components), GMA (corresponding to 47.5 mol% of total monomer components), V-65 (Corresponding to 4 mol% based on 100 mol% of the total) was dissolved and dissolved dropwise over 2 hours. After completion of dropwise addition, stirring was continued for 2 hours to terminate the reaction. Thereby, a polymer C1 was obtained. In addition, the ratio of the total amount of MEDG to the other components was 70:30. That is, a polymer solution having a solid content concentration of 30% was prepared.

사용하는 모노머의 종류, 중합개시제 등을 하기 표에 나타내는 바와 같이 변경하여 다른 중합체를 합성했다.The kind of the monomer to be used, the polymerization initiator and the like were changed as shown in the following table to synthesize another polymer.

상기 표 1 중의 특별히 단위를 붙이지 않은 수치는 mol%를 단위로 한다. 또한, 중합개시제의 수치는 단량체 성분을 100mol%로 했을 경우의 mol%이다. In Table 1, numerical values in which units are not particularly specified are in mol%. The numerical value of the polymerization initiator is mol% based on 100 mol% of the monomer component.

고형분 농도는 이하의 식에 의해 산출할 수 있다.The solid content concentration can be calculated by the following equation.

고형분 농도: 모노머 질량/(모노머 질량 + 용제질량)×100(단위: 질량%)Solid content concentration: monomer mass / (monomer mass + solvent mass) 占 100 (unit: mass%)

또한, 개시제로서 V-601을 사용한 경우는 반응 온도를 90℃로 하고, V-65를 사용한 경우는 반응 온도를 70℃로 했다.When V-601 was used as an initiator, the reaction temperature was set to 90 ° C. When V-65 was used, the reaction temperature was set to 70 ° C.

또한, 실시예 및 비교예에서 사용한 각 용제의 물성값을 표 2에 나타낸다.The physical properties of the respective solvents used in Examples and Comparative Examples are shown in Table 2.

또한, 용제의 비점에 대해서는 공지의 문헌을 참조하여 기재했다. 또한, I/O값은 「신판 유기 개념도 기초와 응용」(코우다 요시오, 사토 시로, 혼마 요시오 저, SANKYO PUBLISHING Co., Ltd.(2008))의 기재에 의거하고, 유기 개념도 계산 시트(http://www.ecosci.jp/chem9/interaction.html 참조)를 이용하여 산출했다. 또한, 표면장력은 Kyowa Interface Science Co., LTD. 제작 자동 표면장력계 CBVP-Z를 사용하여 측정했다. The boiling point of the solvent is described with reference to known literatures. The I / O value is calculated on the basis of the description of "New Edition Organic Conceptual Basics and Application" (Yoshio Koda, Satoshiro Sato, Yoshio Honma, SANKYO PUBLISHING Co., Ltd. (2008) //www.ecosci.jp/chem9/interaction.html). The surface tension was measured by Kyowa Interface Science Co., LTD. Manufactured by Automatic Surface Tensiometer CBVP-Z.

Figure pct00028
Figure pct00028

<분산액 P의 조제>&Lt; Preparation of Dispersion P &

하기 조성의 분산액을 조합(調合)하고, 이것을 지르코니아 비즈(0.3㎜φ) 17,000부와 혼합하여 페인트 셰이커를 사용하여 12시간 분산을 행했다. 지르코니아 비즈(0.3mmφ)를 여과하여 분산액 P를 얻었다.Dispersions having the following composition were combined, mixed with 17,000 parts of zirconia beads (0.3 mmφ), and dispersed for 12 hours using a paint shaker. The zirconia beads (0.3 mm?) Were filtered to obtain dispersion P.

·이산화티탄(ISHIHARA SANGYO KAISHA, LTD. 제작, 상품명: TTO-51(A), 평균 1차 입경: 10~30㎚): 1,875부· Titanium dioxide (manufactured by ISHIHARA SANGYO KAISHA, LTD., Trade name: TTO-51 (A), average primary particle diameter: 10 to 30 nm): 1,875 parts

·DISPERBYK-111(BYK Chemie·Japan 제작) 30% PGMEA용액: 2,200부DISPERBYK-111 (manufactured by BYK Chemie Japan) 30% PGMEA solution: 2,200 parts

·용제 PGMEA: 3,425부Solvent PGMEA: 3,425 parts

<감광성 수지 조성물의 조제>&Lt; Preparation of Photosensitive Resin Composition &gt;

하기 조성으로 배합하고 혼합하여 균일한 용액으로 한 후, 0.2㎛의 포어 사이즈를 갖는 폴리에틸렌제 필터를 사용하여 여과해서 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 조제했다. 얻어진 감광성 수지 조성물의 고형분은 17.0%이며, 이 감광성 조성물을 사용하여 후술하는 각종 평가를 행했다. 평가 결과를 후술의 표 3에 나타낸다.The solution was mixed with the following composition and mixed to obtain a homogeneous solution. The solution was filtered using a polyethylene filter having a pore size of 0.2 mu m to prepare a photosensitive resin composition of Example 1. The solid content of the obtained photosensitive resin composition was 17.0%, and various evaluations described later were performed using this photosensitive composition. The evaluation results are shown in Table 3 below.

·용제 EDE(B1): 307.5부Solvent EDE (B1): 307.5 parts

·염기성 화합물 I1(하기 화합물, TOYO KASEI CO., LTD. 제작, CMTU): 0.02부Basic compound I1 (the compound shown below, produced by TOYO KASEI CO., LTD., CMTU): 0.02 part

·중합체 C1: 100.0부Polymer C1: 100.0 parts

·광산 발생제 D1(하기 화합물): 1.9부Photoacid generator D1 (compound shown below): 1.9 parts

·열 가교제 F1(하기 화합물): 6.9부Thermal crosslinking agent F1 (the following compound): 6.9 parts

·알콕시실란 화합물 H1(3-글리시독시프로필트리메톡시실란, KBM-403, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제작): 1.7부Alkoxysilane compound H1 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 1.7 parts

·계면활성제 W1(퍼플루오로알킬기 함유 비이온 계면활성제, F-554, DIC Corporation 제작): 0.08부Surfactant W1 (nonionic surfactant containing perfluoroalkyl group, F-554, manufactured by DIC Corporation): 0.08 part

·분산액 P: 181.7부Dispersion P: 181.7 parts

·하기 화합물 L1: 0.2부The following compound L1: 0.2 part

<실시예 2~27, 및 비교예 1~16>&Lt; Examples 2 to 27 and Comparative Examples 1 to 16 &gt;

하기 표 3에 나타내는 용제, 고형분으로 변경한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 감광성 수지 조성물을 각각 조제했다. 평가 결과를 후술의 표 3에 나타낸다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the solvent and the solid content shown in Table 3 were changed. The evaluation results are shown in Table 3 below.

<실시예 28>&Lt; Example 28 &gt;

하기 조성으로 배합하고 혼합하여 균일한 용액으로 한 후, 0.2㎛의 포어 사이즈를 갖는 폴리에틸렌제 필터를 사용하여 여과해서 실시예 28의 감광성 수지 조성물을 조제했다. 얻어진 감광성 수지 조성물의 고형분은 17.0%이며, 이 감광성 조성물을 사용하여 후술하는 각종 평가를 행했다. 평가 결과를 후술의 표 7에 나타낸다.The solution was mixed with the following composition and mixed to obtain a homogeneous solution. The solution was filtered using a polyethylene filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a photosensitive resin composition of Example 28. The solid content of the obtained photosensitive resin composition was 17.0%, and various evaluations described later were performed using this photosensitive composition. The evaluation results are shown in Table 7 below.

·용제 EDE(B1): 307.5부Solvent EDE (B1): 307.5 parts

·염기성 화합물 I1(하기 화합물, TOYO KASEI CO., LTD. 제작, CMTU): 0.02부Basic compound I1 (the compound shown below, produced by TOYO KASEI CO., LTD., CMTU): 0.02 part

·중합체 C2: 100.0부Polymer C2: 100.0 parts

·광산 발생제 D1(하기 화합물): 1.9부Photoacid generator D1 (compound shown below): 1.9 parts

·열 가교제 F2(하기 화합물): 6.9부Thermal crosslinking agent F2 (the compound shown below): 6.9 parts

·알콕시실란 화합물 H1(3-글리시독시프로필트리메톡시실란, KBM-403, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제작): 1.7부Alkoxysilane compound H1 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 1.7 parts

·계면활성제 W1(퍼플루오로알킬기 함유 비이온 계면활성제, F-554, DIC Corporation 제작): 0.08부Surfactant W1 (nonionic surfactant containing perfluoroalkyl group, F-554, manufactured by DIC Corporation): 0.08 part

·분산액 P: 181.7부Dispersion P: 181.7 parts

·하기 화합물 L1: 0.2부The following compound L1: 0.2 part

<실시예 29~110>&Lt; Examples 29 to 110 &gt;

하기 표 4~6에 나타내는 중합체, 광산 발생제, 증감제, 용제, 열 가교제, 계면활성제, 및/또는 다른 첨가제로 변경한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 감광성 수지 조성물을 각각 조제했다. 또한, 표 4~6에 있어서의 각 성분량의 첨가량은 질량부를 나타낸다. 평가 결과를 후술의 표 7~9에 나타낸다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the polymer was changed to the polymer shown in Tables 4 to 6, a photoacid generator, a sensitizer, a solvent, a heat crosslinking agent, a surfactant, and / or other additives. The addition amounts of the respective component amounts in Tables 4 to 6 indicate parts by mass. The evaluation results are shown in Tables 7 to 9 below.

상술한 이외의 실시예 및 비교예에 사용한 각 화합물을 나타내는 약호의 상세는 이하와 같다. Details of the abbreviations used for the respective compounds used in Examples and Comparative Examples other than those described above are as follows.

<중합체><Polymer>

C1~C10: 상기 합성예를 따라 합성한 중합체C1 to C10: Polymers synthesized according to Synthesis Example

C11: Joncryl 67(알칼리 가용성 아크릴계 수지, 중량 평균 분자량 12,500, 산가 213mgKOH/g, BASF사 제작)C11: Joncryl 67 (alkali soluble acrylic resin, weight average molecular weight: 12,500, acid value: 213 mgKOH / g, manufactured by BASF)

<광산 발생제>&Lt;

D1: 하기에 나타내는 구조(합성예를 후술한다)D1: The structure shown below (a synthesis example will be described later)

Figure pct00029
Figure pct00029

D2: 하기에 나타내는 구조(합성예를 후술한다)D2: A structure shown below (a synthesis example will be described later)

Figure pct00030
Figure pct00030

D3: 하기에 나타내는 구조(일본 특허 공표 2002-528451호 공보의 단락 0108에 기재된 방법을 따라 합성했다)D3: The structure shown below (synthesized according to the method described in paragraph 0108 of Japanese Patent Publication No. 2002-528451)

Figure pct00031
Figure pct00031

D4: PAG-103(상품명, 하기에 나타내는 구조, BASF사 제작)D4: PAG-103 (trade name, the structure shown below, manufactured by BASF)

Figure pct00032
Figure pct00032

D5: GSID-26-1, 트리아릴술포늄염(BASF사 제작)D5: GSID-26-1, triarylsulfonium salt (manufactured by BASF)

Figure pct00033
Figure pct00033

<D1의 합성><Synthesis of D1>

2-나프톨(10g), 클로로벤젠(30mL)의 현탁 용액에 염화알루미늄(10.6g), 2-클로로프로피오닐클로리드(10.1g)를 첨가하고, 혼합액을 40℃로 가열하여 2시간 반응시켰다. 빙랭 하, 반응액에 4NHCl 수용액(60mL)을 적하하고, 아세트산 에틸(50mL)을 첨가하여 분액했다. 유기층에 탄산 칼륨(19.2g)을 첨가하고, 40℃에서 1시간 반응시킨 후, 2NHCl 수용액(60mL)을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축 후, 결정을 디이소프로필에테르(10mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조시켜 케톤 화합물(6.5g)을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 mL), and the mixture was heated to 40 캜 for reaction for 2 hours. A 4N HCl aqueous solution (60 mL) was added dropwise to the reaction solution under ice-cooling, and ethyl acetate (50 mL) was added to separate the layers. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer, and the mixture was reacted at 40 占 폚 for 1 hour. 2N HCl aqueous solution (60 mL) was added thereto to separate the layers. The organic layer was concentrated, and the crystals were reslurried with diisopropyl ether , Filtered and dried to obtain a ketone compound (6.5 g).

얻어진 케톤 화합물(3.0g), 메탄올(30mL)의 현탁 용액에 아세트산(7.3g), 50질량% 히드록실아민 수용액(8.0g)을 첨가하여 가열 환류했다. 방랭 후, 물(50mL)을 첨가하고, 석출된 결정을 여과, 냉 메탄올 세정 후, 건조시켜 옥심 화합물(2.4g)을 얻었다. 얻어진 옥심 화합물(1.8g)을 아세톤(20mL)에 용해시키고, 빙랭 하, 트리에틸아민(1.5g), p-톨루엔술포닐클로라이드(2.4g)를 첨가하고, 실온(25℃)으로 승온시켜 1시간 반응시켰다. 반응액에 물(50mL)을 첨가하고, 석출된 결정을 여과 후, 메탄올(20mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조시켜 D1의 화합물(상술의 구조) (2.3g)을 얻었다.Acetic acid (7.3 g) and a 50 mass% hydroxylamine aqueous solution (8.0 g) were added to the resulting suspension of the ketone compound (3.0 g) and methanol (30 ml), and the mixture was heated to reflux. After cooling, water (50 mL) was added and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol, and dried to obtain an oxime compound (2.4 g). The obtained oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 mL), triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice-cooling and the temperature was raised to room temperature Lt; / RTI &gt; Water (50 mL) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered out and then slurry was rinsed with methanol (20 mL), followed by filtration and drying to obtain a compound of D1 (2.3 g).

또한, D1의 1H-NMR 스펙트럼(300MHz, CDCl3)은 δ=8.3(d, 1H), 8.0(d, 2H), 7.9(d, 1H), 7.8(d, 1H), 7.6(dd, 1H), 7.4(dd, 1H) 7.3(d, 2H), 7.1(d, 1H), 5.6(q, 1H), 2.4(s, 3H), 1.7(d, 3H)이었다.In addition, 1 H-NMR spectrum of D1 (300MHz, CDCl 3) is δ = 8.3 (d, 1H) , 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (dd, 1H), 7.4 (dd, 1H) 7.3 (d, 2H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (q,

<D2의 합성><Synthesis of D2>

1-아미노-2-나프톨염산염(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. 제작) 4.0g을 N-메틸피롤리돈(와코순야쿠 정제) 16g에 현탁시켜 탄산수소나트륨(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작) 3.4g을 첨가 후, 4,4-디메틸-3-옥소발레르산 메틸(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작) 4.9g을 적하하여 질소 분위기 하, 120℃에서 2시간 가열했다. 방랭 후, 반응 혼합액에 물, 아세트산 에틸을 첨가하여 분액하고, 유기상을 황산 마그네슘으로 건조시키고, 여과, 농축하여 잔사 D2A를 얻었다. 잔사 D2A를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 정제하여 중간체 D2A를 1.7g 얻었다.4.0 g of 1-amino-2-naphthol hydrochloride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was suspended in 16 g of N-methylpyrrolidone (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) ), 4.9 g of methyl 4,4-dimethyl-3-oxovalerate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added dropwise, and the mixture was heated at 120 캜 for 2 hours under a nitrogen atmosphere. After cooling, water and ethyl acetate were added to the reaction mixture, and the mixture was separated. The organic phase was dried over magnesium sulfate, filtered, and concentrated to obtain residue D2A. The residue D2A was purified by silica gel column chromatography to obtain 1.7 g of Intermediate D2A.

D2A(1.7g)와 p-크실렌(6mL)을 혼합하고, p-톨루엔술폰산 1수화물(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작) 0.23g을 첨가하여 140℃에서 2시간 가열했다. 방랭 후, 반응 혼합액에 물, 아세트산 에틸을 첨가하여 분액하고, 유기상을 황산 마그네슘으로 건조 후, 여과, 농축하여 잔사 D2B를 얻었다.D2A (1.7 g) and p-xylene (6 mL) were mixed, and 0.23 g of p-toluenesulfonic acid monohydrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added and heated at 140 占 폚 for 2 hours. After cooling, water and ethyl acetate were added to the reaction mixture, and the mixture was separated. The organic phase was dried over magnesium sulfate, filtered, and concentrated to obtain residue D2B.

테트라히드로푸란(THF)(2mL)과 잔사 D2B 전체량을 혼합하고, 빙랭 하 2M 염산/THF 용액 6.0mL, 이어서 아질산 이소펜틸(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작)(0.84g)을 적하하고, 실온까지 승온 후 2시간 교반했다. 얻어진 반응 혼합물에 물, 아세트산 에틸을 첨가하여 분액하고, 유기층을 물로 세정 후, 황산 마그네슘으로 건조시켜, 여과, 농축하여 중간체 잔사 D2C를 얻었다.(THF) (2 mL) and the total amount of residue D2B were mixed, 6.0 mL of a 2 M hydrochloric acid / THF solution was added dropwise under ice-cooling, and then isopentyl nitrite (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (0.84 g) After the temperature was raised to room temperature, the mixture was stirred for 2 hours. Water and ethyl acetate were added to the reaction mixture to separate the layers. The organic layer was washed with water, dried over magnesium sulfate, filtered, and concentrated to obtain an intermediate residue D2C.

중간체 잔사 D2C 전체량을 아세톤(10mL)과 혼합하고, 빙랭 하에서 트리에틸아민(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작)(1.2g), p-톨루엔술포닐클로리드(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. 제작)(1.4g)를 첨가 후, 실온까지 승온하여 1시간 교반했다. 얻어진 반응 혼합액에 물, 아세트산 에틸을 첨가하여 분액하고, 유기상을 황산 마그네슘으로 건조 후, 여과, 농축하여 잔사 D2를 얻었다. 잔사 D2를 냉 메탄올로 리슬러리 후, 여과, 건조시켜 D2(1.2g)를 얻었다.The entire amount of the intermediate residue D2C was mixed with acetone (10 mL), and then triethylamine (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (1.2 g), p-toluenesulfonyl chloride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) under ice-cooling. (1.4 g) was added, the mixture was heated to room temperature and stirred for 1 hour. Water and ethyl acetate were added to the obtained reaction mixture, and the mixture was separated. The organic phase was dried over magnesium sulfate, filtered, and concentrated to obtain residue D2. Residue D2 was slurried with cold methanol, filtered and dried to obtain D2 (1.2 g).

또한, D2의 1H-NMR 스펙트럼(300MHz, CDCl3)은 δ=8.5-8.4(m, 1H), 8.0-7.9 (m, 4H), 7.7-7.6(m, 2H), 7.6-7.5(m, 1H), 7.4(d, 2H), 2.4(s, 3H), 1.4(s, 9H)이었다.The 1 H-NMR spectrum (300 MHz, CDCl 3 ) of D2 showed δ = 8.5-8.4 (m, 1H), 8.0-7.9 (m, 4H), 7.7-7.6 , 7.4 (d, 2H), 2.4 (s, 3H), 1.4 (s, 9H).

<열 가교제>&Lt; Heat crosslinking agent &

F1: jER828(비스페놀 A형 에폭시 수지, Mitsubishi Chemical Holdings Corporation 제작)F1: jER828 (bisphenol A type epoxy resin, manufactured by Mitsubishi Chemical Holdings Corporation)

F2: jER157S65(노볼락형 에폭시 수지, Mitsubishi Chemical Holdings Corporation 제작)F2: jER157S65 (novolak type epoxy resin, manufactured by Mitsubishi Chemical Holdings Corporation)

F3: jER1007(비스페놀 A형 에폭시 수지, Mitsubishi Chemical Holdings Corporation 제작)F3: jER1007 (bisphenol A type epoxy resin, manufactured by Mitsubishi Chemical Holdings Corporation)

<증감제><Increase / decrease>

G1: DBA(9,10-디부톡시안트라센, Kawasaki Kasei Chemicals. 제작)G1: DBA (9,10-dibutoxyanthracene, manufactured by Kawasaki Kasei Chemicals)

<알콕시실란 화합물><Alkoxysilane compound>

H1: 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(KBM-403, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제작)H1: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

<염기성 화합물>&Lt; Basic compound &gt;

I1: 하기 구조의 화합물(TOYO KASEI CO., LTD. 제작, CMTU)I1: Compound of the following structure (manufactured by TOYO KASEI CO., LTD., CMTU)

Figure pct00034
Figure pct00034

<계면활성제><Surfactant>

W1: 퍼플루오로알킬기 함유 비이온 계면활성제(F-554, DIC Corporation 제작)W1: Perfluoroalkyl group-containing nonionic surfactant (F-554, manufactured by DIC Corporation)

J1: 파이오닌 D-6112-W(폴리옥시알킬렌폴리스티릴페닐에테르, TAKEMOTO OIL & FAT Co., Ltd. 제작)J1: PIONIN D-6112-W (polyoxyalkylene polystyryl phenyl ether, manufactured by TAKEMOTO OIL & FAT Co., Ltd.)

J2: 파이오닌 D-6512(폴리옥시에틸렌모노스티릴페닐에테르, TAKEMOTO OIL & FAT Co., Ltd. 제작)J2: PIONIN D-6512 (polyoxyethylene monostyryl phenyl ether, manufactured by TAKEMOTO OIL & FAT Co., Ltd.)

<다른 첨가제><Other additives>

L1: 하기 구조의 화합물(2개 이상의 질소 원자를 갖는 복소환 화합물)L1: Compound of the following structure (heterocyclic compound having two or more nitrogen atoms)

L2: 하기 구조의 화합물(2개 이상의 질소 원자를 갖는 복소환 화합물)L2: Compound of the following structure (heterocyclic compound having two or more nitrogen atoms)

L3: 하기 구조의 화합물(2개 이상의 질소 원자를 갖는 복소환 화합물)L3: Compound of the following structure (heterocyclic compound having two or more nitrogen atoms)

L4: 하기 구조의 화합물(2개 이상의 질소 원자를 갖는 복소환 화합물)L4: Compound of the following structure (heterocyclic compound having two or more nitrogen atoms)

L5: 하기 구조의 화합물(2개 이상의 질소 원자를 갖는 복소환 화합물)L5: Compound of the following structure (heterocyclic compound having two or more nitrogen atoms)

Figure pct00035
Figure pct00035

<잉크젯 토출성의 평가>&Lt; Evaluation of inkjet dischargeability &

잉크젯 도포 장치: Dimatix Material Printer DMP-2831(FUJIFILM Dimatix, Inc. 제작, 구동 전압 16V, 주파수 5kHz)Ink jet application device: Dimatix Material Printer DMP-2831 (manufactured by FUJIFILM Dimatix, Inc., driving voltage 16V, frequency 5 kHz)

얻어진 감광성 수지 조성물을 상기 장치에서 100mm×100mm의 유리 기판(상품명: XG, 코닝사 제작)에의 잉크젯 도포를 50매 실시했다. 50매에의 도포 종료 후, 이들의 토출 노즐 선단 16개를 모두 관찰하여 노즐 선단의 클로깅을 확인했다. 또한, 도포 묘사한 선을 확인했다. 이하의 기준으로 목시 평가를 행했다. 3 이상이 실용 범위이다.The obtained photosensitive resin composition was subjected to 50 inkjet application onto a 100 mm x 100 mm glass substrate (trade name: XG, produced by Corning) in the apparatus. After completion of application to 50 sheets, all 16 discharge nozzle tips were observed to confirm clogging of the tip of the nozzle. In addition, the lines depicting the application were confirmed. The evaluation was carried out based on the following criteria. 3 or more is a practical range.

5: 노즐 클로깅이 0개, 또한 묘사선의 구부러짐이 없다.5: There is no nozzle clogging and there is no bending of the description line.

4: 노즐 클로깅이 1~2개, 또한 묘사선의 구부러짐이 없다.4: Nozzle clogging is 1 or 2, and there is no bending of the description line.

3: 노즐 클로깅이 3~5개, 또한 묘사선의 구부러짐이 없다.3: There are 3 to 5 nozzle clogging, and there is no bending of the description line.

2: 노즐 클로깅이 6~10개, 또는 묘사선의 구부러짐이 있다.2: There are 6 to 10 nozzle clogging, or bending of the description line.

1: 노즐 클로깅이 10개 이상, 또는 묘사선의 구부러짐이 있다.1: There are more than 10 nozzle clogging, or bending of the description line.

<건조성의 평가>&Lt; Evaluation of dryness &

100㎜×100㎜의 유리 기판(상품명: XG, 코닝사 제작) 상에 얻어진 감광성 수지 조성물을 건조막 두께가 2.0㎛가 되도록 상기 잉크젯 도포 장치에서 도포하고, 핫플레이트 상에서 각 온도에서 120초 건조(프리베이크)시켜 도포막을 얻었다. 그 후, 이 도포막을 손가락으로 만져 건조를 확인했다. 평가 기준은 하기와 같다. 3 이상이 실용 범위이다.The photosensitive resin composition thus obtained was coated on a 100 mm x 100 mm glass substrate (trade name: XG, produced by Corning) in the inkjet coating apparatus so as to have a dry film thickness of 2.0 m and dried on a hot plate at each temperature for 120 seconds Baked) to obtain a coating film. Thereafter, the coated film was touched with a finger to confirm drying. The evaluation criteria are as follows. 3 or more is a practical range.

5: 프리베이크 온도 80℃ 이하에서 건조되었다.5: The prebake was dried at a temperature of 80 캜 or lower.

4: 프리베이크 온도 80℃를 초과하여 85℃에서 건조되었다.4: The prebake temperature exceeded 80 캜 and was dried at 85 캜.

3: 프리베이크 온도 85℃를 초과하여 90℃에서 건조되었다.3: The prebake temperature exceeded 85 캜 and dried at 90 캜.

2: 프리베이크 온도 90℃를 초과하여 100℃에서 건조되었다.2: The prebake temperature exceeded 90 캜 and was dried at 100 캜.

1: 프리베이크 온도 100℃에서 건조되지 않았다.1: No drying at 100 占 폚 pre-bake temperature.

<현상성(해상성) 평가>&Lt; Evaluation of Developability (Resolution) &gt;

헥사메틸디실라잔(HMDS)을 사용하여 3분 처리한 100㎜×100㎜의 유리 기판(상품명: XG, 코닝사 제작) 상에 얻어진 감광성 수지 조성물을 막 두께 2.0㎛가 되도록 상기 잉크젯 도포 장치에서 도포하고, 90℃의 핫플레이트 상에서 120초 건조(프리베이크)했다.The obtained photosensitive resin composition was coated on the 100 mm x 100 mm glass substrate (trade name: XG, produced by Corning) treated with hexamethyldisilazane (HMDS) for 3 minutes in the ink jet application device so as to have a film thickness of 2.0 m , And dried (prebaked) on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds.

이어서, ghi선 고압 수은등 노광기를 사용하여 조도 20mW/㎠, 200mJ/㎠로 라인 앤드 스페이스 1:1의 1%~60% 그라이데이션 부착 마스크를 통해 노광했다.Subsequently, exposure was carried out using a ghi line high pressure mercury lamp exposer at a luminance of 20 mW / cm 2 and a luminance of 200 mJ / cm 2 through a 1% to 60% line-and-space mask with a line and space of 1: 1.

이어서, 0.5%의 KOH 수용액에 의해 23℃에서 15초간 디핑 퍼들법으로 현상하고, 초순수로 10초간 더 린스했다. 계속해서 220℃ 45분 가열하여 패턴을 얻었다. 이 패턴을 광학현미경으로 관찰했다.Subsequently, the resist film was developed with a 0.5% KOH aqueous solution at 23 DEG C for 15 seconds by a dipping puddle method, and further rinsed with ultrapure water for 10 seconds. And then heated at 220 DEG C for 45 minutes to obtain a pattern. This pattern was observed with an optical microscope.

이 조작을 마스크의 라인 앤드 스페이스의 폭 50㎛로부터 개시하고, 10㎛까지는 5㎛씩, 10㎛ 이하는 폭을 1㎛씩 좁혀가 최적 노광량 부분을 남김없이 패턴 제작할 수 있었던 최소폭을 해상도로 했다. 3 이상이 실용 범위이다.This operation was started from the width of the line and space of the mask of 50 mu m, and the minimum width at which the pattern was produced with 5 mu m by 10 mu m and 10 mu m or less by narrowing the width by 1 mu m . 3 or more is a practical range.

5: 해상도가 5㎛ 이하이었다.5: The resolution was 5 탆 or less.

4: 해상도가 5㎛를 초과하여 10㎛ 이하이었다.4: The resolution was more than 5 탆 and not more than 10 탆.

3: 해상도가 10㎛를 초과하여 15㎛ 이하이었다.3: The resolution was more than 10 탆 and not more than 15 탆.

2: 해상도가 15㎛를 초과하여 50㎛ 이하이었다.2: The resolution was more than 15 탆 and not more than 50 탆.

1: 마스크의 라인 앤드 스페이스의 폭 50㎛로 패턴을 형성할 수 없었다.1: The pattern could not be formed with a line-and-space width of 50 mu m in the mask.

<헤이즈(투명성)의 평가>&Lt; Evaluation of haze (transparency) &gt;

100㎜×100㎜의 유리 기판(상품명: XG, 코닝사 제작) 상에 얻어진 감광성 수지 조성물을 건조막 두께가 1.5㎛가 되도록 상기 잉크젯 도포 장치에서 도포하고, 80℃의 핫플레이트상에서 120초 건조(프리베이크)했다. 또한, 도포막을 220℃의 오븐에서 15분 가열 처리(포스트베이크)를 실시하고, 포스트베이크 후의 헤이즈를 NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES Co.,LTD. 제작 NDH-5000으로 막면을 위로 해서 플라스틱 제품 시험 방법(JIS K7136·JIS K7361·ASTM D1003)에 준거하여 불투명도(헤이즈값)를 측정했다. The photosensitive resin composition thus obtained was coated on a 100 mm x 100 mm glass substrate (trade name: XG, produced by Corning) with the above-described ink-jet coating apparatus so as to have a dry film thickness of 1.5 탆 and dried on a hot plate at 80 캜 for 120 seconds Baked). Further, the coating film was subjected to heat treatment (post-baking) in an oven at 220 캜 for 15 minutes, and haze after post-baking was measured by NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES Co., LTD. The opacity (haze value) was measured in accordance with the plastic product test method (JIS K7136, JIS K7361, ASTM D1003) with the film surface up with NDH-5000 manufactured.

또한, 헤이즈값이란 전체 광선 투과광에 대한 확산 투과광의 비율(%)로 나타내어지는 값을 가리킨다. 헤이즈값이 작을수록 투명성이 높은 것을 나타낸다. The haze value refers to a value expressed by a ratio (%) of diffuse transmission light to the total light transmission light. The smaller the haze value, the higher the transparency.

평가 기준은 이하와 같다. 3 이상이 실용 범위이다.The evaluation criteria are as follows. 3 or more is a practical range.

5: 헤이즈값이 0.5% 미만이었다.5: Haze value was less than 0.5%.

4: 헤이즈값이 0.5% 이상 0.7% 미만이었다.4: The haze value was 0.5% or more and less than 0.7%.

3: 헤이즈값이 0.7% 이상 1.0% 미만이었다.3: The haze value was 0.7% or more and less than 1.0%.

2: 헤이즈값이 1.0% 이상 2.0% 미만이었다.2: The haze value was 1.0% or more and less than 2.0%.

1: 헤이즈값이 2.0% 이상이었다.1: Haze value was 2.0% or more.

<보존 안정성 평가><Evaluation of storage stability>

얻어진 감광성 수지 조성물을 30℃에서 7일간 보관한 후, 현상성의 평가와 헤이즈의 평가를 행했다. 기준은 상기 현상성 및 헤이즈의 평가에 의거한다. 3 이상이 실용 범위이다.After the obtained photosensitive resin composition was stored at 30 DEG C for 7 days, evaluation of developability and evaluation of haze were carried out. The criterion is based on the evaluation of developability and haze. 3 or more is a practical range.

5: 30℃ 7일간 보관 후의 현상성, 헤이즈값이 함께 5.5: Developability after storage for 7 days at 30 ℃, and haze value together 5.

4: 30℃ 7일간 보관 후의 현상성과 헤이즈값의 평균이 4 이상 5 미만.4: Average of haze value after storage for 7 days at 30 ° C is 4 or more and less than 5.

3: 30℃ 7일간 보관 후의 현상성과 헤이즈값의 평균이 3 이상 4 미만.3: Average of haze value after 3 days at 30 ℃ after 7 days storage is 3 or more and less than 4.

2: 30℃ 7일간 보관 후의 현상성과 헤이즈값의 평균이 2 이상 3 미만.2: The average of the developability and haze value after storage for 7 days at 30 ° C is 2 or more and less than 3.

1: 30℃ 7일간 보관 후에는 현상성과 헤이즈값의 평균이 2 미만.After storage at 1: 30 ℃ for 7 days, the average of the developing performance and haze value is less than 2.

<종합 평가><Overall evaluation>

5: 각 평가가 모두 5.5: Each evaluation is 5.

4: 각 평가가 모두 2를 초과하고, 또한 각 평가의 평균이 4 이상.4: Each evaluation exceeds 2, and the average of each evaluation is 4 or more.

3: 각 평가가 모두 2를 초과하고, 또한 각 평가의 평균이 3 이상 4 미만.3: Each evaluation exceeds 2, and the average of each evaluation is 3 or more and less than 4.

2: 각 평가가 모두 2를 초과하고, 또한 각 평가의 평균이 2 이상 3 미만.2: Each evaluation exceeds 2, and the average of each evaluation is 2 or more and less than 3.

1: 각 평가의 평균이 2 미만.1: The average of each evaluation is less than 2.

단, 각 평가에서 1항목에서도 2 이하가 있는 경우는 종합 평가점으로부터 마이너스 1점으로 한 값을 취한다. 3 이상이 실용 범위이다.However, if there is 2 or less in each item in each evaluation, take a value from negative evaluation point to negative evaluation point. 3 or more is a practical range.

Figure pct00036
Figure pct00036

Figure pct00037
Figure pct00037

Figure pct00038
Figure pct00038

Figure pct00039
Figure pct00039

Figure pct00040
Figure pct00040

Figure pct00041
Figure pct00041

Figure pct00042
Figure pct00042

상기 표 3 및 7~9에 나타내는 결과로부터 밝혀진 바와 같이 본 발명의 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물은 토출성, 건조성, 투명성, 현상성, 보존 안정성이 우수하고, 종합 성능이 우수했다. 이것에 대하여 비교예의 감광성 수지 조성물에서는 성능 발런스가 열화되는 것을 알 수 있었다. As is clear from the results shown in Tables 3 and 7 to 9, the photosensitive resin composition for ink jet application of the present invention was excellent in dischargeability, dryness, transparency, developability and storage stability, and excellent in overall performance. On the other hand, it was found that the performance balance in the photosensitive resin composition of the comparative example deteriorates.

(실시예 111)(Example 111)

일본 특허 제 3321003호 공보의 도 1에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서 층간 절연막으로서 경화막(17)을 이하와 같이 하여 형성하고, 실시예 111의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 스핀 도포하고, 핫플레이트 상에서 프리베이크(90℃/120초)한 후, 마스크 위로부터 고압 수은등을 사용하여 i선(365㎚)을 45mJ/㎠(조도 20mW/㎠) 조사한 후, 알칼리 수용액으로 현상하여 패턴을 형성하고, 230℃/30분간의 가열 처리를 행하여 층간 절연막으로서 경화막(17)을 형성했다.In the active matrix type liquid crystal display device shown in Fig. 1 of Japanese Patent No. 3321003, a cured film 17 was formed as an interlayer insulating film as described below, and a liquid crystal display device of Example 111 was obtained. That is, after the photosensitive resin composition of Example 1 was spin-coated on the substrate and prebaked (90 DEG C / 120 seconds) on a hot plate, i-line (365 nm) was irradiated from above the mask to 45 mJ / (Illuminance of 20 mW / cm 2), developed with an aqueous alkaline solution to form a pattern, and subjected to heat treatment at 230 ° C for 30 minutes to form a cured film 17 as an interlayer insulating film.

얻어진 액정 표시 장치에 대하여 구동 전압을 인가한 결과, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.As a result of applying a driving voltage to the obtained liquid crystal display device, it was found that the liquid crystal display device exhibited good display characteristics and was highly reliable.

(실시예 112)(Example 112)

박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 2 참조).An organic EL display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see Fig. 2).

유리 기판(6) 상에 보텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮은 상태에서 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 이어서, 이 절연막(3)에 여기서는 도시를 생략한 컨택트 홀을 형성한 후, 이 컨택트 홀을 통해 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)을 절연막(3) 상에 형성했다. 이 배선(2)은 TFT(1) 사이, 또는 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것인다.A bottom gate type TFT 1 was formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 was formed with the TFT 1 covered. Subsequently, a contact hole (not shown) was formed in the insulating film 3, and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole was formed on the insulating film 3 . The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or a later step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서 배선(2)에 의한 요철을 메워넣은 상태에서 절연막(3) 상에 평탄화막(4)을 형성했다. 절연막(3) 상에의 평탄화막(4)의 형성은 실시예 2의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하고, 핫플레이트 상에서 프리베이크(90℃/120초)한 후, 마스크 위로부터 고압 수은등을 사용하여 i선(365㎚)을 45mJ/㎠(조도 20mW/㎠)조사한 후, 알칼리 수용액으로 현상해서 패턴을 형성하고, 230℃/30분간의 가열 처리를 행했다.In order to planarize the irregularities formed by the formation of the wirings 2, the planarization film 4 was formed on the insulating film 3 in a state in which irregularities due to the wirings 2 were embedded. The planarizing film 4 was formed on the insulating film 3 by applying the photosensitive resin composition of Example 2 on a substrate, pre-baking (90 DEG C / 120 seconds) on a hot plate, (365 nm) was irradiated with 45 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2), and then developed with an aqueous alkali solution to form a pattern and subjected to heat treatment at 230 ° C. for 30 minutes.

감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하며, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는 주름이나 크랙의 발생은 인정되지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500㎚, 제작한 평탄화막(4)의 막 두께는 2,000㎚이었다.The coating properties upon application of the photosensitive resin composition were favorable, and no wrinkles or cracks were observed in the cured film obtained after exposure, development and firing. The average step of the wiring 2 was 500 nm, and the thickness of the planarization film 4 was 2,000 nm.

이어서 얻어진 평탄화막(4) 상에 보텀 에미션형의 유기 EL 소자를 형성했다. 우선, 평탄화막(4) 상에 ITO로 이루어지는 제 1 전극(5)을 컨택트 홀(7)을 통해 배선(2)에 접속시켜 형성했다. 그 후, 레지스트를 도포, 프리베이크하여 소망의 패턴의 마스크를 통해 노광하고, 현상했다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 하고, ITO 에천트 사용한 웨트 에칭에 의해 패턴 가공을 행했다. 그 후, 레지스트 박리액(Remover 100, AZ Electronic Materials사 제작)을 사용하여 상기 레지스트 패턴을 50℃에서 박리했다. 이렇게 해서 얻어진 제 1 전극(5)은 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.Subsequently, a bottom-emission organic EL device was formed on the obtained planarization film 4. First, a first electrode 5 made of ITO was formed on the flattening film 4 by connecting it to the wiring 2 through the contact hole 7. Thereafter, the resist was applied, pre-baked, exposed through a mask of a desired pattern, and developed. Using this resist pattern as a mask, patterning was carried out by wet etching using the ITO etchant. Thereafter, the resist pattern was peeled off at 50 占 폚 using a resist stripping solution (Remover 100, manufactured by AZ Electronic Materials). The thus obtained first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element.

이어서, 제 1 전극(5)의 주변 가장자리를 덮은 형상의 절연막(8)을 형성했다. 절연막(8)에는 실시예 2의 감광성 수지 조성물을 사용하여 상기와 같은 방법으로 절연막(8)을 형성했다. 이 절연막(8)을 형성함으로써 제 1 전극(5)과 이 후의 공정에서 형성하는 제 2 전극 간의 쇼트를 방지할 수 있다.Then, an insulating film 8 having a shape covering the peripheral edge of the first electrode 5 was formed. The insulating film 8 was formed using the photosensitive resin composition of Example 2 in the same manner as described above. By forming the insulating film 8, a short circuit can be prevented between the first electrode 5 and the second electrode formed in the subsequent step.

또한, 진공 증착 장치 내에서 소망의 패턴 마스크를 통해 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차적으로 증착하여 형성했다. 이어서, 기판 상방의 전체면에 Al로 이루어지는 제 2 전극을 형성했다. 얻어진 상기 기판을 증착기로부터 인출하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 서로 접합시킴으로써 밀봉했다. Further, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer were sequentially deposited in a vacuum deposition apparatus through a desired pattern mask. Then, a second electrode made of Al was formed on the entire surface above the substrate. The obtained substrate was taken out from the evaporator, and sealed by bonding the glass plate for sealing and the ultraviolet curable epoxy resin to each other.

이상과 같이 하여 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어졌다. 구동회로를 통해 전압을 인가한 결과, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.An organic EL display device of the active matrix type in which the TFTs 1 for driving the organic EL elements were connected to the organic EL elements as described above was obtained. As a result of applying a voltage through the driving circuit, it was found that the organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

(실시예 113)(Example 113)

이하에 서술하는 방법에 의해 본 발명의 고굴절률의 감광성 수지 조성물을 사용하여 터치패널 표시 장치를 제작했다.A touch panel display device was produced using the photosensitive resin composition of the present invention having a high refractive index by the method described below.

<제 1 투명 전극 패턴의 형성>&Lt; Formation of first transparent electrode pattern &gt;

〔투명 전극층의 형성〕[Formation of transparent electrode layer]

미리 마스크층이 형성된 강화 처리 유리(300mm×400mm×0.7mm)의 전면판을 진공 챔버 내에 도입하고, SnO2 함유율이 10질량%인 ITO 타겟(인듐:주석=95:5(몰비))를 사용하여 DC 마그네트론 스퍼터링(조건: 기재의 온도 250℃, 아르곤압 0.13Pa, 산소압 0.01Pa)에 의해 두께 40㎚의 ITO 박막을 형성하고, 투명 전극층을 형성한 전면판을 얻었다. ITO 박막의 표면 저항은 80Ω/□이었다.A front plate of a tempered glass (300 mm x 400 mm x 0.7 mm) having a mask layer formed therein was introduced into a vacuum chamber and an ITO target (indium: tin = 95: 5 (molar ratio)) having a SnO 2 content of 10 mass% An ITO thin film having a thickness of 40 nm was formed by DC magnetron sputtering (conditions: substrate temperature: 250 占 폚, argon pressure: 0.13 Pa, oxygen pressure: 0.01 Pa) to obtain a front plate having a transparent electrode layer. The surface resistance of the ITO thin film was 80? / ?.

이어서, 시판의 에칭 레지스트를 ITO 상에 도포·건조시켜 에칭 레지스트층을 형성했다. 노광 마스크(투명 전극 패턴을 갖는 석영 노광 마스크)면과 그 에칭 레지스트층 사이의 거리를 100㎛로 설정하고, 노광량 50mJ/㎠(i선)으로 패턴 노광한 후, 전용 현상액으로 현상을 행하고, 130℃ 30분간의 포스트베이크 처리를 더 행하여 투명 전극층과 에칭용 광감광성 수지층 패턴을 형성한 전면판을 얻었다.Then, a commercially available etching resist was coated on ITO and dried to form an etching resist layer. After a pattern exposure was performed at an exposure amount of 50 mJ / cm 2 (i line) with a distance between the surface of the exposure mask (a quartz exposure mask having a transparent electrode pattern) and the etching resist layer set at 100 m, Lt; 0 &gt; C for 30 minutes to obtain a front plate having a transparent electrode layer and a photo-sensitive resin layer pattern for etching formed thereon.

투명 전극층과 에칭용 광 감광성 수지층 패턴을 형성한 전면판을 ITO 에천트(염산, 염화칼륨 수용액, 액 온도 30℃)를 넣은 에칭조에 침지하고, 100초 처리하고, 에칭 레지스트층으로 덮어져 있지 않은 노출된 영역의 투명 전극층을 용해 제거하여 에칭 레지스트층 패턴이 부착된 투명 전극층 패턴 부착 전면판을 얻었다.The front plate on which the transparent electrode layer and the photo-sensitive resin layer pattern for etching were formed was dipped in an etching bath containing ITO etchant (hydrochloric acid, potassium chloride aqueous solution, liquid temperature 30 占 폚) for 100 seconds, The transparent electrode layer in the exposed region was dissolved and removed to obtain a front plate having a transparent electrode layer pattern with an etching resist layer pattern.

이어서, 에칭 레지스트층 패턴이 부착된 투명 전극층 패턴 부착 전면판을 전용 레지스트 박리액에 침지하고, 에칭용 광 감광성 수지층을 제거하여 마스크층과 제 1 투명 전극 패턴을 형성한 전면판을 얻었다.Subsequently, a front plate with a transparent electrode layer pattern with an etching resist layer pattern was immersed in a special resist stripper, and a photo-sensitive resin layer for etching was removed to obtain a front plate having a mask layer and a first transparent electrode pattern formed thereon.

〔절연층의 형성〕[Formation of insulating layer]

마스크층과 제 1 투명 전극 패턴을 형성한 전면판 상에 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 도포·건조(막 두께 1㎛, 90℃ 120초)하여 감광성 수지 조성물층을 얻었다. 노광 마스크(절연층용 패턴을 갖는 석영 노광 마스크)면과 그 감광성 수지 조성물층 사이의 거리를 30㎛로 설정하고, 노광량 50mJ/㎠(i선)으로 패턴 노광했다. The photosensitive resin composition of Example 1 was applied and dried (film thickness 1 占 퐉, 90 占 폚 for 120 seconds) on the front plate on which the mask layer and the first transparent electrode pattern were formed to obtain a photosensitive resin composition layer. A pattern exposure was performed at an exposure amount of 50 mJ / cm 2 (i line) by setting a distance between the exposure mask (quartz exposure mask having an insulating layer pattern) surface and the photosensitive resin composition layer to 30 μm.

이어서, 2.38질량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 15초간 디핑 퍼들법으로 현상하고, 초순수로 10초간 더 린스했다. 계속해서 220℃ 45분의 포스트베이크 처리를 행하여 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴을 형성한 전면판을 얻었다.Subsequently, the resist film was developed with a 2.38 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 23 占 폚 for 15 seconds by a dipping puddle method, and further rinsed with ultrapure water for 10 seconds. Subsequently, post-baking treatment was performed at 220 캜 for 45 minutes to obtain a front plate having a mask layer, a first transparent electrode pattern, and an insulating layer pattern formed thereon.

<제 2 투명 전극 패턴의 형성>&Lt; Formation of second transparent electrode pattern &gt;

〔투명 전극층의 형성〕[Formation of transparent electrode layer]

상기 제 1 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 해서 절연층 패턴까지 형성한 전면판을 DC 마그네트론 스퍼터링 처리하고(조건: 기재의 온도 50℃, 아르곤압 0.13Pa, 산소압 0.01Pa), 두께 80㎚의 ITO 박막을 형성하여 투명 전극층을 형성한 전면판을 얻었다. ITO 박막의 표면저항은 110Ω/□이었다.The front plate formed up to the insulating layer pattern in the same manner as the formation of the first transparent electrode pattern was subjected to DC magnetron sputtering (conditions: base temperature: 50 캜, argon pressure: 0.13 Pa, oxygen pressure: 0.01 Pa) A thin film was formed to obtain a front plate having a transparent electrode layer formed thereon. The surface resistance of the ITO thin film was 110? / ?.

제 1 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 해서 시판의 에칭 레지스트를 사용하고, 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 82의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성한 절연층 패턴, 투명 전극층, 에칭 레지스트 패턴을 형성한 전면판을 얻었다(포스트베이크 처리; 130℃ 30분간).A commercially available etching resist was used in the same manner as the formation of the first transparent electrode pattern, and a first transparent electrode pattern, an insulating layer pattern formed using the photosensitive resin composition of Example 82, a transparent electrode layer, (Post bake treatment; at 130 占 폚 for 30 minutes).

또한, 제 1 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 해서 에칭하고, 에칭 레지스트층을 제거함으로써 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 82의 감광성 수지 조성물 사용하여 형성한 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴을 형성한 전면판을 얻었다.The mask layer, the first transparent electrode pattern, the insulating layer pattern formed by using the photosensitive resin composition of Example 82, and the second transparent electrode pattern were formed by etching in the same manner as the formation of the first transparent electrode pattern, Was obtained.

<제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소의 형성>&Lt; Formation of a conductive element different from the first and second transparent electrode patterns &

상기 제 1, 및 제 2 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 해서 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 82의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성한 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴을 형성한 전면판을 DC 마그네트론 스퍼터링 처리하여 두께 200㎚의 알루미늄(Al) 박막을 형성한 전면판을 얻었다.The front plate on which the first transparent electrode pattern, the insulating layer pattern formed using the photosensitive resin composition of Example 82, and the second transparent electrode pattern were formed in the same manner as in the formation of the first and second transparent electrode patterns was formed as a DC magnetron And a front plate having an aluminum (Al) thin film having a thickness of 200 nm was obtained by sputtering.

상기 제 1, 및 제 2 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 해서 시판의 에칭 레지스트를 사용하고, 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 82의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성한 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 에칭 레지스트 패턴을 형성한 전면판을 얻었다(포스트베이크 처리; 130℃ 30분간).A commercially available etching resist was used in the same manner as the formation of the first and second transparent electrode patterns and the first transparent electrode pattern, the insulating layer pattern formed using the photosensitive resin composition of Example 82, , And a front plate on which an etching resist pattern was formed (post baking treatment: 130 DEG C for 30 minutes).

또한, 제 1 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 해서 에칭(30℃ 50초간)하고, 에칭 레지스트층을 제거(45℃ 200초간)함으로써 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 82의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성한 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 전면판을 얻었다.The mask layer, the first transparent electrode pattern, and the photosensitive resin composition of Example 82 were removed by etching (30 占 폚 for 50 seconds) and removing the etching resist layer (45 占 폚 for 200 seconds) A second transparent electrode pattern, and a front plate on which conductive elements different from those of the first and second transparent electrode patterns were formed were obtained.

<투명 보호층의 형성>&Lt; Formation of transparent protective layer &

절연층의 형성과 마찬가지로 해서 상기 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소까지 형성한 전면판에 실시예 60의 감광성 수지 조성물을 도포·건조(막 두께 1㎛, 90℃ 120초)시켜 감광성 수지 조성물 막을 얻었다. 또한, 노광 마스크를 통하지 않고 노광량 50mJ/㎠(i선)으로 전면 노광하고, 현상, 포스트노광(1,000mJ/㎠), 포스트베이크 처리를 행하고, 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 82의 감광성 수지 조성물를 사용하여 형성한 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소 모두를 덮도록 실시예 60의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성한 절연층(투명 보호층)을 적층한 전면판을 얻었다.The photosensitive resin composition of Example 60 was coated and dried (film thickness 1 占 퐉, 90 占 폚 for 120 seconds) on the front plate having the conductive elements other than the first and second transparent electrode patterns formed in the same manner as the formation of the insulating layer Thereby obtaining a photosensitive resin composition film. The mask layer, the first transparent electrode pattern, and the second transparent electrode pattern were subjected to a front exposure with an exposure dose of 50 mJ / cm 2 (i line) without passing through an exposure mask and development, post exposure (1,000 mJ / cm 2) The insulating layer pattern formed using the photosensitive resin composition, the second transparent electrode pattern, and the insulating layer formed using the photosensitive resin composition of Example 60 (a transparent Protective layer) was laminated thereon.

<화상 표시 장치(터치패널)의 제작>&Lt; Fabrication of Image Display Device (Touch Panel)

일본 특허 공개 2009-47936호 공보에 기재된 방법으로 제조한 액정 표시 소자에 앞서 제조한 전면판을 접합시켜 공지의 방법으로 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 화상 표시 장치를 제작했다.An image display device having a capacitive input device as a constituent element was manufactured by bonding a front plate prepared in advance to a liquid crystal display element manufactured by the method described in JP-A-2009-47936.

<전면판, 및 화상 표시 장치의 평가><Evaluation of Front Panel and Image Display Device>

제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 및 이들과는 다른 도전성 요소 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편, 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있어 터치패널로서 양호한 표시 특성이 얻어졌다. 또한, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴은 시인되기 어려워 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치가 얻어졌다.There is no problem in the conductivity of each of the first transparent electrode pattern, the second transparent electrode pattern, and the conductive elements different therefrom. On the other hand, since the first transparent electrode pattern and the second transparent electrode pattern have insulating property, Display characteristics were obtained. Further, the first and second transparent electrode patterns were hardly visually observed, and thus an image display apparatus having excellent display characteristics was obtained.

1 TFT(박막 트랜지스터) 2 배선
3 절연막 4 평탄화막
5 제 1 전극, 6 유리 기판
7 컨택트 홀 8 절연막
10 액정 표시 장치 12 백 라이트 유닛
14, 15 유리 기판 16 TFT
17 경화막 18 컨택트 홀
19: ITO 투명 전극 20 액정
22 컬러 필터 30 정전 용량형 입력 장치
31 전면판 32 마스크층
33 제 1 투명 전극 패턴 33a 패드 부분
33b 접속 부분 34 제 2 투명 전극 패턴
35 절연층 36 도전성 요소
37 투명 보호층 38 개구부
1 TFT (Thin Film Transistor) 2 Wiring
3 insulating film 4 planarization film
5 first electrode, 6 glass substrate
7 contact hole 8 insulating film
10 Liquid crystal display device 12 Backlight unit
14, 15 Glass substrate 16 TFT
17 Curing film 18 Contact hole
19: ITO transparent electrode 20 liquid crystal
22 Color filter 30 Capacitive input device
31 front plate 32 mask layer
33 First transparent electrode pattern 33a Pad portion
33b connecting portion 34 second transparent electrode pattern
35 insulating layer 36 conductive element
37 transparent protective layer 38 opening

Claims (16)

(성분 A) 무기 입자,
(성분 B) 용제,
(성분 C) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성단위를 포함하는 중합체, 및
(성분 D) 광산 발생제를 함유하고,
성분 B가 비점이 177℃ 이상 227℃ 이하이며, 또한 I/O값이 0.50 이상 1.00 이하인 비알코올계 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물.
(Component A) An inorganic particle,
(Component B) Solvent,
(Component C) a polymer comprising a constituent unit having an acid group protected by an acid-decomposable group, and
(Component D) containing a photoacid generator,
Wherein the component B comprises a non-alcoholic solvent having a boiling point of 177 DEG C or higher and 227 DEG C or lower and an I / O value of 0.50 or more and 1.00 or less.
제 1 항에 있어서,
상기 비알코올계 용제는 알킬렌글리콜모노알킬에테르아실레이트, 디알킬렌글리콜모노알킬에테르아실레이트, 디알킬렌글리콜디알킬에테르, 및 트리알킬렌글리콜디알킬에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제인 것을 특징으로 하는 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the non-alcoholic solvent is at least one selected from the group consisting of an alkylene glycol monoalkyl ether acylate, a dialkylene glycol monoalkyl ether acylate, a dialkylene glycol dialkyl ether, and a trialkylene glycol dialkyl ether By weight based on the total weight of the photosensitive resin composition.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
성분 A는 금속 산화물 입자인 것을 특징으로 하는 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the component A is a metal oxide particle.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
성분 A는 산화티탄 입자 또는 산화지르코늄 입자인 것을 특징으로 하는 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the component A is a titanium oxide particle or a zirconium oxide particle.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
(성분 E) 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
(Component E) a dispersing agent.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
(성분 F) 열 가교제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
(Component F) a thermal cross-linking agent.
적어도 공정(a)~(c)을 포함하는 것을 특징으로 하는 열 처리물의 제조 방법.
(a) 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물을 기판 상에 잉크젯 도포 방식에 의해 도포하는 도포 공정
(b) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정
(c) 용제가 제거된 수지 조성물을 열 처리하는 열 처리 공정
A method for producing a heat-treated product, comprising at least steps (a) to (c).
(a) a coating step of coating the photosensitive resin composition for inkjet coating according to any one of claims 1 to 6 onto a substrate by an ink-jet coating method
(b) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition
(c) a heat treatment step of heat-treating the resin composition from which the solvent has been removed
적어도 공정(1)~(5)을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 패턴 제조 방법.
(1) 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물을 기판 상에 잉크젯 도포 방식에 의해 도포하는 도포 공정
(2) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정
(3) 용제가 제거된 수지 조성물을 활성광선에 의해 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정
(4) 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정
(5) 현상된 수지 조성물을 열 처리하는 열 처리 공정
A method for producing a resin pattern, comprising at least steps (1) to (5).
(1) A coating process for coating the photosensitive resin composition for inkjet coating according to any one of claims 1 to 6 on a substrate by an ink-jet coating method
(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition
(3) an exposure step of exposing the resin composition from which the solvent has been removed to a pattern shape by an actinic ray
(4) a developing step of developing the exposed resin composition with an aqueous developing solution
(5) Heat treatment process for heat-treating the developed resin composition
제 7 항에 기재된 열 처리물의 제조 방법, 또는 제 8 항에 기재된 수지 패턴 제조 방법에 의해 얻어진 것을 특징으로 하는 열 처리물.A heat-treated product characterized by being obtained by the method for producing a heat-treated product according to claim 7 or the method for producing a resin pattern according to claim 8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물을 열 처리하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열 처리물.A heat-treated product obtained by heat-treating the photosensitive resin composition for ink-jet application according to any one of claims 1 to 6. 제 10 항에 있어서,
층간 절연막인 것을 특징으로 하는 열 처리물.
11. The method of claim 10,
Wherein the insulating film is an interlayer insulating film.
제 10 항 또는 제 11 항에 기재된 열 처리물을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.A liquid crystal display device having the heat-treated product according to claim 10 or 11. 제 10 항 또는 제 11 항에 기재된 열 처리물을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치.An organic EL display device having the heat-treated product according to claim 10 or claim 11. 투명 기판, ITO 전극 및 절연층을 갖는 터치패널의 제조 방법으로서,
ITO 전극에 접하도록 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물을 잉크젯 도포 방식에 의해 도포하는 공정,
상기 수지 조성물 상에 소정 형상의 개구 패턴을 갖는 마스크를 적재하고, 활성 에너지선 조사를 행하여 노광하는 공정,
노광 후의 수지 조성물을 현상하는 공정, 및
현상 후의 수지 조성물을 가열하여 절연층을 제조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 제조 방법.
A manufacturing method of a touch panel having a transparent substrate, an ITO electrode, and an insulating layer,
A process for coating the photosensitive resin composition for inkjet application according to any one of claims 1 to 6 by an inkjet coating method so as to contact with an ITO electrode,
A step of laminating a mask having an opening pattern of a predetermined shape on the resin composition,
A step of developing the resin composition after exposure, and
And heating the resin composition after development to produce an insulating layer.
절연층의 전부 또는 일부는 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물의 열 처리물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 터치패널.Wherein all or a part of the insulating layer is made of the heat-treated product of the photosensitive resin composition for ink-jet application according to any one of claims 1 to 6. 제 10 항 또는 제 11 항에 기재된 열 처리물, 또는 제 15 항에 기재된 터치패널을 갖는 것을 특징으로 하는 터치패널 표시 장치.

A touch panel display device comprising the heat-treated product according to claim 10 or 11, or the touch panel according to claim 15.

KR1020157017533A 2013-02-14 2014-02-10 Photosensitive resin composition for inkjet application, heat-treated substance, manufacturing method therefor, resin-pattern manufacturing method, liquid-crystal display, organic electroluminescent display, touch panel, manufacturing method therefor, and touch-panel display KR20150091380A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013027048 2013-02-14
JPJP-P-2013-027048 2013-02-14
PCT/JP2014/053024 WO2014126034A1 (en) 2013-02-14 2014-02-10 Photosensitive resin composition for inkjet application, heat-treated substance, manufacturing method therefor, resin-pattern manufacturing method, liquid-crystal display, organic electroluminescent display, touch panel, manufacturing method therefor, and touch-panel display

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150091380A true KR20150091380A (en) 2015-08-10

Family

ID=51354037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157017533A KR20150091380A (en) 2013-02-14 2014-02-10 Photosensitive resin composition for inkjet application, heat-treated substance, manufacturing method therefor, resin-pattern manufacturing method, liquid-crystal display, organic electroluminescent display, touch panel, manufacturing method therefor, and touch-panel display

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2014126034A1 (en)
KR (1) KR20150091380A (en)
CN (1) CN104981736A (en)
TW (1) TW201439229A (en)
WO (1) WO2014126034A1 (en)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI693470B (en) * 2015-06-30 2020-05-11 日商富士軟片股份有限公司 Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, and liquid crystal display device
JP6913435B2 (en) * 2015-09-30 2021-08-04 日東電工株式会社 In-cell liquid crystal panel and liquid crystal display device
KR102371148B1 (en) * 2016-09-09 2022-03-08 도레이 카부시키가이샤 resin composition
KR102416056B1 (en) * 2016-10-19 2022-07-01 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 Encapsulant for organic EL display elements
KR102416054B1 (en) * 2016-10-19 2022-07-01 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 Encapsulant for organic EL display element and manufacturing method of encapsulant for organic EL display element
JP6685461B2 (en) * 2017-02-22 2020-04-22 富士フイルム株式会社 Photosensitive transfer material, method for manufacturing circuit wiring, and method for manufacturing touch panel
KR102658948B1 (en) * 2017-06-15 2024-04-18 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 Encapsulant for organic EL display elements
WO2019026811A1 (en) 2017-07-31 2019-02-07 クラレノリタケデンタル株式会社 Method for producing zirconia particle-containing powder
EP3663272A4 (en) 2017-07-31 2021-04-14 Kuraray Noritake Dental Inc. Zirconia sintered body containing fluorescent agent
KR102658087B1 (en) 2017-07-31 2024-04-17 쿠라레 노리타케 덴탈 가부시키가이샤 Method for producing powder containing zirconia particles and fluorescent agent
JP6986476B2 (en) * 2018-03-29 2021-12-22 株式会社タムラ製作所 Photosensitive resin composition
CN112771130B (en) * 2018-09-25 2024-03-29 日产化学株式会社 Ink composition
JP7336507B2 (en) 2019-03-06 2023-08-31 クラレノリタケデンタル株式会社 Zirconia molded body and calcined body that can be fired in a short time
EP3936490A4 (en) 2019-03-06 2022-11-30 Kuraray Noritake Dental Inc. Zirconia sintered compact having high linear light transmittance
EP4324807A1 (en) 2021-04-16 2024-02-21 Kuraray Noritake Dental Inc. Zirconia green body, zirconia calcined body, zirconia sintered body, and methods respectively for producing these products

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003057413A (en) * 2001-08-10 2003-02-26 Nippon Sheet Glass Co Ltd Photosensitive resin composition for light scattering substrate, light scattering substrate manufactured by using the composition, and method for manufacturing the substrate
JP2004110019A (en) * 2002-08-30 2004-04-08 Toray Ind Inc Positive photosensitive paste, method for forming pattern using same, method for manufacturing plasma display
JP4641169B2 (en) * 2004-09-30 2011-03-02 大日本印刷株式会社 Method for forming solid-state imaging element lens
KR100637174B1 (en) * 2004-10-06 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 Positive type photosensitive paste composition for a PDP electrode, a PDP electrode prepared therefrom, and a PDP comprising the same
JP4403174B2 (en) * 2006-12-25 2010-01-20 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 Pattern forming method and photosensitive resin composition used therefor
JP2008208253A (en) * 2007-02-27 2008-09-11 Fujifilm Corp Resin composition, photosensitive transfer material, partition wall and its forming method, color filter and method for producing the same, and display device
JP2010015857A (en) * 2008-07-04 2010-01-21 Panasonic Corp Plasma display panel and method for producing the same
WO2011111424A1 (en) * 2010-03-11 2011-09-15 富士フイルム株式会社 Positive photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, liquid crystal display device, and organic el display device
CN102193316B (en) * 2010-03-15 2015-11-18 富士胶片株式会社 The formation method of positive type photosensitive organic compound, cured film, cured film, organic EL display and liquid crystal indicator
JP4844695B2 (en) * 2010-04-28 2011-12-28 Jsr株式会社 Positive-type radiation-sensitive composition for discharge nozzle type coating method, interlayer insulating film for display element and method for forming the same
CN102934028B (en) * 2010-05-13 2016-06-29 日产化学工业株式会社 Photosensitive polymer combination and display equipment
JP2012042837A (en) * 2010-08-20 2012-03-01 Fujifilm Corp Positive photosensitive composition, method for forming cured film, cured film, liquid crystal display device and organic el display device
KR101890633B1 (en) * 2011-04-27 2018-08-22 후지필름 가부시키가이샤 Resin composition, method for producing cured product, method for producing resin pattern, cured product and optical member
JP5663506B2 (en) * 2012-02-06 2015-02-04 太陽ホールディングス株式会社 Solder resist composition

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014126034A1 (en) 2014-08-21
CN104981736A (en) 2015-10-14
TW201439229A (en) 2014-10-16
JPWO2014126034A1 (en) 2017-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150091380A (en) Photosensitive resin composition for inkjet application, heat-treated substance, manufacturing method therefor, resin-pattern manufacturing method, liquid-crystal display, organic electroluminescent display, touch panel, manufacturing method therefor, and touch-panel display
JP6224725B2 (en) Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, liquid crystal display device, and organic EL display device
KR101856554B1 (en) Photosensitive resin composition, cured object and production method therefor, resin pattern production method, cured film, liquid crystal display device, organic el display device, infrared cutoff filter, and solid imaging device
KR101848331B1 (en) Photosensitive resin composition, cured object and production method therefor, resin pattern production method, cured film, liquid crystal display device, organic el display device, infrared cutoff filter, and solid imaging device
WO2014199967A1 (en) Photosensitive resin composition, cured product, method for producing cured product, method for producing resin pattern, cured film, liquid crystal display device, organic el display device, and touch panel display device
KR102073664B1 (en) Photosensitive resin composition, cured product of same, method for producing same, method for producing resin pattern, cured film, liquid crystal display device, organic el display device, and touch panel display device
KR20150027201A (en) Photosensitive resin composition, cured product, method for producing cured product, method for producing resin pattern, cured film, liquid crystal display device, organic el display device, and touch panel display device
WO2014136922A1 (en) Photosensitive resin composition, cured article, method for producing same, method for producing resin pattern, cured film, liquid crystal display device, organic el display device, and touch panel display device
KR20160044059A (en) Chemically-amplified positive type photo-sensitive resin composition, method for manufacturing cured film, cured film, organic el display device, and liquid crystal display device
KR20160038810A (en) Photo-sensitive resin composition, cured product and method for manufacturing the same, method for manufacturing resin pattern, cured film, liquid crystal display device, organic electro-luminescence display device, and touch panel display device
KR101791024B1 (en) Photo-sensitive resin composition, method for manufacturing cured film, cured film, organic el display device and liquid crystal display device
JP2015207284A (en) Pattern forming method, cured product, method for manufacturing touch panel or display panel, and display device
KR20150067226A (en) Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, organic el display device, and liquid crystal display device
KR20150103210A (en) Photosensitive resin composition, production method for cured film using same, cured film, liquid crystal display device, and organic el display device
KR20160038849A (en) Photosensitive resin composition, cured product and method for producing same, method for producing resin pattern, cured film, liquid crystal display device, organic el display device, and touch panel display device
KR101737370B1 (en) Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, organic el display device, and liquid crystal display device
WO2014065351A1 (en) Photosensitive resin composition, cured product and method for producing same, method for producing resin pattern, cured film, organic el display device, liquid crystal display device, and touch panel display device
JP2015102756A (en) Method for manufacturing touch panel or display panel, touch panel, display panel, and display device
KR20150107847A (en) Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, liquid crystal display device and organic el display device
KR101763685B1 (en) Photosensitive resin composition, method for manufacturing cured film, cured film, organic el display device, and liquid crystal display device
JP2014085612A (en) Photosensitive resin composition, cured product and method for producing the same, method for producing resin pattern, cured film, organic el display apparatus, liquid crystal display apparatus and touch panel display apparatus
WO2014126036A1 (en) Photosensitive resin composition, cured product, method for producing cured product, method for producing resin pattern, cured film, liquid crystal display device, organic el display device, and touch panel display device
JP2014238438A (en) Photosensitive resin composition, production method of resin pattern, cured product, cured film, liquid crystal display device, organic electroluminescence (el) display device, and touch panel display device
KR20160102532A (en) Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, liquid crystal display device, organic el display device and touch panel display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application