KR20150027201A - Photosensitive resin composition, cured product, method for producing cured product, method for producing resin pattern, cured film, liquid crystal display device, organic el display device, and touch panel display device - Google Patents

Photosensitive resin composition, cured product, method for producing cured product, method for producing resin pattern, cured film, liquid crystal display device, organic el display device, and touch panel display device Download PDF

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히데유키 나카무라
시게카즈 스즈키
준이치 후지모리
시에 야마시타
쿄헤이 아라야마
마코토 쿠보타
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후지필름 가부시키가이샤
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Abstract

고굴절률이며 투명성이 뛰어난 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은,
(성분A) (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 만족시키는 중합체를 포함하는 중합체 성분,
(성분S) 식(S)으로 나타내어지고, 적어도 1종의 산기를 갖는 분산제,
(성분B) 광산 발생제,
(성분C) 금속 산화물 입자, 및,
(성분D) 용제를 함유하는 것을 특징으로 한다.

Figure pct00096

(1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체
(2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체It is an object of the present invention to provide a photosensitive resin composition having high refractive index and excellent transparency.
In the photosensitive resin composition of the present invention,
(Component A) A polymer component comprising a polymer satisfying at least one of (1) and (2)
(Component S) A dispersant represented by the formula (S) and having at least one acid group,
(Component B) Photoacid generators,
(Component C) metal oxide particles, and
(Component D) solvent.
Figure pct00096

(1) A resin composition comprising (a1) a structural unit having an acid group protected with an acid-decomposable group, and (a2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group
(2) a polymer having (a1) a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group, and (a2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group

Description

감광성 수지 조성물, 경화물과 그 제조 방법, 수지 패턴 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치, 및 터치패널 표시 장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED PRODUCT, METHOD FOR PRODUCING CURED PRODUCT, METHOD FOR PRODUCING RESIN PATTERN, CURED FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND TOUCH PANEL DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a photosensitive resin composition, a cured product and a method for producing the same, a method for producing a resin pattern, a cured film, a liquid crystal display, an organic EL display, and a touch panel display. RESIN PATTERN, CURED FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND TOUCH PANEL DISPLAY DEVICE}

본 발명은 감광성 수지 조성물(이하, 단순히 「본 발명의 조성물」이라고 하는 경우가 있음)에 관한 것이다. 또한, 상기 감광성 수지 조성물을 경화해서 이루어지는 경화물과 그 제조 방법, 상기 감광성 수지 조성물을 사용한 수지 패턴 제조 방법, 상기 감광성 조성물을 경화해서 이루어지는 경화막, 및 상기 경화막을 사용한 각종 화상 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition (hereinafter sometimes simply referred to as " composition of the present invention "). The present invention also relates to a cured product obtained by curing the photosensitive resin composition, a method for producing the same, a resin pattern production method using the photosensitive resin composition, a cured film obtained by curing the photosensitive composition, and various image display devices using the cured film .

더욱 상세하게는 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치, 터치패널 표시 장치, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품의 평탄화막, 보호막이나 층간 절연막의 형성에 바람직한 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막의 제조 방법에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a planarizing film for electronic components such as a liquid crystal display device, an organic EL display device, a touch panel display device, an integrated circuit device, and a solid-state imaging device, a photosensitive resin composition suitable for forming a protective film or an interlayer insulating film, ≪ / RTI >

고체 촬상 소자나 액정 표시 장치의 발달에 의해, 유기 소재(수지)에 의해 마이크로렌즈, 광도파로, 반사 방지막 등의 광학 부재를 제작하는 것이 널리 행해지게 되고 있다.BACKGROUND ART Due to the development of solid-state image pickup devices and liquid crystal display devices, it has been widely practiced to manufacture optical members such as microlenses, optical waveguides, and antireflection films by organic materials (resins).

이들 광학 부재는 고굴절률로 하기 위해서, 산화티탄 등의 입자를 첨가하는 것이 검토되어 있다(하기 특허문헌 1 참조).In order to obtain a high refractive index of these optical members, it has been studied to add particles such as titanium oxide (see Patent Document 1 below).

또한, 종래의 네거티브형 감광성 수지 조성물로서는 특허문헌 2∼4에 기재된 감광성 수지 조성물이 알려져 있다.As a conventional negative photosensitive resin composition, photosensitive resin compositions described in Patent Documents 2 to 4 are known.

일본 특허 공개 2006-98985호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-98985 일본 특허 공개 2011-127096호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-127096 일본 특허 공개 2009-179678호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-179678 일본 특허 공개 2008-185683호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-185683

본 발명은 고굴절률이며 투명성이 뛰어난 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a photosensitive resin composition having high refractive index and excellent transparency.

본 발명의 상기 과제는 이하의 <1>, <8>∼<11> 또는 <13>∼<15>에 기재된 수단에 의해 해결되었다. 바람직한 실시형태인 <2>∼<7> 및 <12>와 함께 이하에 기재한다.The above problem of the present invention is solved by the means described in the following <1>, <8> - <11> or <13> - <15>. Are described below together with <2> to <7> and <12> which are preferred embodiments.

<1> (성분A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 만족시키는 중합체를 포함하는 중합체 성분, (1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, (2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, (성분S) 하기 식(S)으로 나타내어지고, 적어도 1종의 산기를 갖는 분산제, (성분B) 광산 발생제, (성분C) 금속 산화물 입자, 및 (성분D) 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물,(1) a polymer component comprising (a1) a structural unit having an acid group protected with an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having an acid group protected with an acid-decomposable group, and (a2) (2) a polymer having (a1) a constituent unit having a group protected with an acid-decomposable group and (a2) a constituent unit having a crosslinkable group, (Component S) a polymer having a constituent unit , A dispersant represented by the following formula (S) and having at least one acid group, (Component B) a photo acid generator, (Component C) metal oxide particles, and (Component D)

Figure pct00001
Figure pct00001

[식(S) 중, R3은 (m+n)가의 연결기를 나타내고, R4 및 R5는 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, A2는 유기 색소 구조, 복소환 구조, 산기, 염기성 질소 원자를 갖는 기, 우레아기, 우레탄기, 배위성 산소 원자를 갖는 기, 알콕시실릴기, 페놀기, 알킬기, 아릴기, 알킬렌옥시쇄를 갖는 기, 이미드기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬아미노카르보닐기, 카르복실산염기, 술폰아미드기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 수산기로 이루어지는 군으로부터 선택된 부분 구조를 적어도 1종 포함하는 1가의 유기기를 나타내고, n개의 A2, R4는 동일하거나 달라도 좋고, m은 0∼8을 나타내고, n은 2∼9를 나타내고, m+n은 3∼10이며, P2는 고분자 골격을 나타내고, m개의 P2, R5는 동일하거나 달라도 좋다](In the formula (S), R 3 represents a linking group of (m + n), R 4 and R 5 each independently represent a single bond or a divalent linking group, A 2 represents an organic pigment structure, , A group having a basic nitrogen atom, a urea group, a urethane group, a group having a radial oxygen atom, an alkoxysilyl group, a phenol group, an alkyl group, an aryl group, a group having an alkyleneoxy group, an imide group, an alkyloxycarbonyl group, A monovalent organic group containing at least one partial structure selected from the group consisting of an aminocarbonyl group, a carboxylate group, a sulfonamide group, an epoxy group, an isocyanate group and a hydroxyl group, n A 2 and R 4 may be the same or different, m represents 0 to 8, n represents 2 to 9, m + n represents 3 to 10, P 2 represents a polymer skeleton, and m P 2 and R 5 may be the same or different)

<2> 성분C가 산화티탄 입자 또는 산화지르코늄 입자인 상기 <1>에 기재된 감광성 수지 조성물,<2> The photosensitive resin composition according to <1>, wherein the component C is titanium oxide particles or zirconium oxide particles,

<3> 상기 A2가 산기를 적어도 1종 포함하는 1가의 유기기인 상기 <1> 또는 <2>에 기재된 감광성 수지 조성물,<3> The photosensitive resin composition according to <1> or <2>, wherein the A 2 is a monovalent organic group containing at least one acid group,

<4> 상기 P2가 아크릴 수지 골격인 상기 <1>∼<3> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<4> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <3>, wherein the P 2 is an acrylic resin skeleton,

<5> 성분A가 상기 (1)을 만족시키는 중합체를 포함하는 상기 <1>∼<4> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<5> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <4>, wherein the component A comprises a polymer satisfying the above-mentioned (1)

<6> (성분E) 가교제를 더 포함하는 상기 <1>∼<5> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<6> (Component E) The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <5>, further comprising a crosslinking agent.

<7> (성분F) 산화방지제를 더 포함하는 상기 <1>∼<6> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<7> (Component F) The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <6>, further comprising an antioxidant,

<8> 적어도 공정 (a)∼(c)를 이 순서대로 포함하는 경화물의 제조 방법,<8> A process for producing a cured product comprising at least the steps (a) to (c)

(a) 상기 <1>∼<7> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정(a) a coating step of applying the photosensitive resin composition described in any one of < 1 > to < 7 >

(b) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정(b) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition

(c) 용제가 제거된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(c) a heat treatment step of heat-treating the resin composition from which the solvent has been removed

<9> 적어도 공정 (1)∼(5)를 이 순서대로 포함하는 수지 패턴 제조 방법,<9> A resin pattern manufacturing method comprising at least steps (1) to (5) in this order,

(1) 상기 <1>∼<7> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정(1) a coating step of applying the photosensitive resin composition described in any one of < 1 > to < 7 &

(2) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition

(3) 용제가 제거된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정(3) an exposure step of exposing the resin composition from which the solvent has been removed to a pattern shape by an actinic ray

(4) 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정(4) a developing step of developing the exposed resin composition with an aqueous developing solution

(5) 현상된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정(5) Heat treatment process for heat-treating the developed resin composition

<10> 상기 <8>에 기재된 경화물의 제조 방법, 또는 상기 <9>에 기재된 수지 패턴 제조 방법에 의해 얻어진 경화물,&Lt; 10 > A cured product according to the above <8>, or a cured product obtained by the resin pattern production method described in <9>

<11> 상기 <1>∼<7> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 경화해서 이루어지는 경화막,<11> A cured film obtained by curing the photosensitive resin composition according to any one of <1> to <7>

<12> 층간 절연막인 상기 <11>에 기재된 경화막,<12> The cured film according to <11> which is an interlayer insulating film,

<13> 상기 <11> 또는 <12>에 기재된 경화막을 갖는 액정 표시 장치,<13> A liquid crystal display device having the cured film according to <11> or <12>

<14> 상기 <11> 또는 <12>에 기재된 경화막을 갖는 유기 EL 표시 장치,<14> An organic EL display device having the cured film according to <11> or <12>

<15> 상기 <11> 또는 <12>에 기재된 경화막을 갖는 터치패널 표시 장치.<15> A touch panel display device having a cured film according to <11> or <12>.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의하면, 고굴절률이며 투명성이 뛰어난 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.According to the present invention, a photosensitive resin composition having high refractive index and excellent transparency can be provided.

도 1은 액정 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 액정 표시 장치에 있어서의 액티브 매트릭스 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 층간 절연막인 경화막(17)을 갖고 있다.
도 2는 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 바텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.
도 3은 정전 용량형 입력 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 앞면판의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 5는 제 1 투명 전극 패턴 및 제 2 투명 전극 패턴의 일례를 나타내는 설명도이다.
Fig. 1 shows a configuration diagram of an example of a liquid crystal display device. Sectional view of an active matrix substrate in a liquid crystal display device and has a cured film 17 as an interlayer insulating film.
2 shows a configuration diagram of an example of the organic EL display device. Sectional schematic view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device and has a planarization film 4. [
3 is a cross-sectional view showing the configuration of the capacitance type input device.
4 is an explanatory diagram showing an example of a front surface plate.
5 is an explanatory view showing an example of the first transparent electrode pattern and the second transparent electrode pattern.

이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대해서 상세하게 설명한다. 이하에 기재하는 구성 요건의 설명은 본 발명의 대표적인 실시형태에 의거해서 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그러한 실시형태에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail. The following description of the constituent elements described below may be made on the basis of exemplary embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments.

또한, 본 발명에 있어서 수치 범위를 나타내는 「하한∼상한」의 기재는 「하한 이상, 상한 이하」를 나타내고, 「상한∼하한」의 기재는 「상한 이하, 하한 이상」을 나타낸다. 즉, 상한 및 하한을 포함하는 수치 범위를 나타낸다.The term "lower limit to upper limit" in the present invention indicates "lower limit to upper limit" and "upper limit to lower limit" indicates "upper limit to lower limit". That is, a numerical range including an upper limit and a lower limit.

또한, 본 발명에 있어서 「(성분A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 만족시키는 중합체를 포함하는 중합체 성분」 등을 단순히 「성분A」 등이라고도 하고, 「(a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위」 등을 단순히 「구성 단위(a1)」 등이라고도 한다.In the present invention, the "polymer component comprising a polymer satisfying at least one of (Component A) and (2) below" may be simply referred to as "Component A" or the like, and "(a1) And a structural unit having a group protected by a decomposable group &quot; may be simply referred to as &quot; structural unit (a1) &quot;.

또한, 본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, 「알킬기」란 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In the present specification, the notation in which the substituent and the non-substituent are not described in the notation of the group (atomic group) includes not only a substituent but also a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

또한, 본 발명에 있어서 바람직한 형태의 조합은 보다 바람직하다.Further, the combination of the preferable forms in the present invention is more preferable.

(감광성 수지 조성물)(Photosensitive resin composition)

본 발명의 감광성 수지 조성물(이하, 단순히 「수지 조성물」이라고도 함)은 (성분A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 만족시키는 중합체를 포함하는 중합체 성분, (성분S) 하기 식(S)으로 나타내어지고, 적어도 1종의 산기를 갖는 분산제, (성분B) 광산 발생제, (성분C) 금속 산화물 입자, 및 (성분D) 용제를 함유하는 것을 특징으로 한다.(A) a polymer component comprising a polymer satisfying at least one of the following (1) and (2); (Component S) a polymer component comprising a polymer satisfying at least one of the following formulas (Component B) a photoacid generator, (Component C) metal oxide particles, and (Component D) a solvent, which is represented by the following formula (1)

(1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체(1) a polymer having (a1) a structural unit having a group protected by an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group

(2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체(2) a polymer having (a1) a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group, and (a2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group

Figure pct00002
Figure pct00002

[식(S) 중, R3은 (m+n)가의 연결기를 나타내고, R4 및 R5는 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, A2는 유기 색소 구조, 복소환 구조, 산기, 염기성 질소 원자를 갖는 기, 우레아기, 우레탄기, 배위성 산소 원자를 갖는 기, 알콕시실릴기, 페놀기, 알킬기, 아릴기, 알킬렌옥시쇄를 갖는 기, 이미드기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬아미노카르보닐기, 카르복실산염기, 술폰아미드기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 수산기로 이루어지는 군으로부터 선택된 부분 구조를 적어도 1종 포함하는 1가의 유기기를 나타내고, n개의 A2, R4는 동일하거나 달라도 좋고, m은 0∼8을 나타내고, n은 2∼9를 나타내고, m+n은 3∼10이며, P2는 고분자 골격(「폴리머쇄」라고도 함)을 나타내고, m개의 P2, R5는 동일하거나 달라도 좋다](In the formula (S), R 3 represents a linking group of (m + n), R 4 and R 5 each independently represent a single bond or a divalent linking group, A 2 represents an organic pigment structure, , A group having a basic nitrogen atom, a urea group, a urethane group, a group having a radial oxygen atom, an alkoxysilyl group, a phenol group, an alkyl group, an aryl group, a group having an alkyleneoxy group, an imide group, an alkyloxycarbonyl group, A monovalent organic group containing at least one partial structure selected from the group consisting of an aminocarbonyl group, a carboxylate group, a sulfonamide group, an epoxy group, an isocyanate group and a hydroxyl group, n A 2 and R 4 may be the same or different, m represents 0 to 8, n represents 2 to 9, m + n represents 3 to 10, P 2 represents a polymer skeleton (also referred to as "polymer chain"), and m P 2 and R 5 are the same Or may be different]

본 발명의 감광성 수지 조성물은 포지티브형 레지스트 조성물로서 바람직하게 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention can be preferably used as a positive resist composition.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 열에 의해 경화하는 성질을 갖는 수지 조성물인 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention is preferably a resin composition having properties of being cured by heat.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 포지티브형 감광성 수지 조성물인 것이 바람직하고, 화학 증폭형의 포지티브형 감광성 수지 조성물(화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물)인 것이 보다 바람직하다.Further, the photosensitive resin composition of the present invention is preferably a positive photosensitive resin composition, more preferably a positive-working photosensitive resin composition (chemically amplified positive photosensitive resin composition).

본 발명의 감광성 수지 조성물은 활성 광선에 감응하는 광산 발생제로서 1,2-퀴논디아지드 화합물을 포함하지 않는 편이 바람직하다. 1,2-퀴논디아지드 화합물은 축차형 광화학 반응에 의해 카르복실기를 생성하지만, 그 양자수율은 반드시 1 이하이다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably does not contain a 1,2-quinonediazide compound as a photoacid generator which is sensitive to an actinic ray. The 1,2-quinonediazide compound produces a carboxyl group by a sequential photochemical reaction, but its quantum yield is not more than 1.

이에 대하여, 본 발명에서 사용하는 (성분B) 광산 발생제는 활성 광선에 감응해서 생성되는 산이 성분A 중의 보호된 산기의 탈보호에 대하여 촉매로서 작용하므로, 1개의 광양자의 작용에 의해 생성된 산이 다수의 탈보호 반응에 기여하여 양자수율은 1을 초과하고, 예를 들면 10의 수승과 같은 큰 값이 되어, 소위 화학 증폭의 결과로서 고감도가 얻어진다.On the other hand, the photoacid generator (component B) used in the present invention acts as a catalyst for the deprotection of the protected acid group in the component A due to the action of the actinic ray, so that the acid generated by the action of one photon The quantum yield is greater than 1, contributing to a number of deprotection reactions, for example, a large value such as 10, and a high sensitivity is obtained as a result of so-called chemical amplification.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 마이크로렌즈, 광도파로, 반사 방지막, LED용 밀봉재 및 LED용 칩 코트재 등의 광학 부재용 수지 조성물, 또는 터치패널에 사용되는 배선 전극의 시인성 저감용 수지 조성물인 것이 바람직하다. 또한, 터치패널에 사용되는 배선 전극의 시인성 저감용 조성물이란 터치패널에 사용되는 배선 전극의 시인성을 저감시키는, 즉 배선 전극을 보이기 어렵게 하는 부재용 조성물이며, 예를 들면 ITO(산화인듐주석) 전극간의 층간 절연막 등을 들 수 있고, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 용도에 바람직하게 사용할 수 있다.Further, the photosensitive resin composition of the present invention is a resin composition for an optical member such as a microlens, an optical waveguide, an antireflection film, a sealing material for an LED and a chip coating material for an LED, or a resin composition for reducing visibility of a wiring electrode used in a touch panel . A composition for reducing visibility of a wiring electrode used in a touch panel is a composition for a member which reduces the visibility of wiring electrodes used in a touch panel, that is, makes it difficult to see wiring electrodes. For example, ITO (indium tin oxide) And the like. The photosensitive resin composition of the present invention can be preferably used for the above applications.

일반적으로, 화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물은 노광하면 광산 발생제와의 작용에 의해 함유되는 폴리머가 갖는 탈리기가 분리되어서 현상액에 용해되고, 미노광부가 패턴으로서 형성된다.Generally, when a chemically amplified positive photosensitive resin composition is exposed to light, the releasing group of the polymer contained in the polymer is dissolved by the action of the photoacid generator to dissolve in the developer, and an unexposed portion is formed as a pattern.

무기 입자, 분산제 및 탈리기 및 가교기를 포함하는 폴리머를 함유하는 수지 조성물을 포지티브형 감광성 수지 조성물로서 사용할 경우, 무기 입자의 분산성이 매우 중요하고, 분산이 제대로 행해지지 않으면 평균 입자 지름이 작아지지 않고, 지나치게 크거나 응집 입자가 발생하거나 조대 입자가 분쇄되지 않고 남아, 최종적으로 감광성 수지 조성물을 도포했을 때에 투명성이 떨어져 버리는 문제가 있다, 한편, 분산액과 감광성 수지 조성물 중의 바인더와의 상용성도 중요하고, 조합이 나쁘면 액에 탁함을 발생시켜 버린다.When a resin composition containing a polymer containing inorganic particles, a dispersant and a releasing agent and a crosslinking group is used as the positive photosensitive resin composition, the dispersibility of the inorganic particles is very important, and if the dispersion is not properly performed, There is a problem that transparency deteriorates when the photosensitive resin composition is finally coated with coarse particles or coarse particles remain without being pulverized. On the other hand, compatibility between the dispersion and the binder in the photosensitive resin composition is also important If the combination is poor, turbidity is generated in the liquid.

본 발명자들은 상세한 검토의 결과, 성분A∼성분D, 및 성분S를 함유하는 감광성 수지 조성물로 함으로써 금속 산화물 입자의 분산성을 개량하여 평균 입자 지름이 작고 조대 입자가 없는, 바인더와의 상용성이 좋고 투명성이 뛰어난(헤이즈가 작은) 고굴절인 경화물을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물이 얻어지는 것을 발견했다.As a result of a detailed examination, the inventors of the present invention have found that the use of a photosensitive resin composition containing the components A to D and S improves the dispersibility of the metal oxide particles to improve the compatibility with a binder having a small average particle diameter and no coarse particles A photosensitive resin composition capable of forming a cured product having good high transparency (small haze) and high refractive index can be obtained.

이하, 본 발명의 조성물에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the composition of the present invention will be described in detail.

(성분A) (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 만족시키는 중합체를 포함하는 중합체 성분(Component A) A polymer composition comprising a polymer satisfying at least one of (1) and (2)

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 만족시키는 중합체를 포함하는 중합체 성분을 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention (component A) contains a polymer component comprising a polymer satisfying at least one of the following (1) and (2).

(1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체(1) a polymer having (a1) a structural unit having a group protected by an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group

(2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체(2) a polymer having (a1) a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group, and (a2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group

본 발명의 조성물은 이것들 이외의 중합체를 더 포함하고 있어도 좋다. 본 발명에 있어서의 성분A는 특별히 언급하지 않는 한 상기 (1) 및/또는 (2)에 추가하여, 필요에 따라서 첨가되는 다른 중합체를 포함시킨 것을 의미한다.The composition of the present invention may further comprise a polymer other than these. Component A in the present invention means, in addition to the above-mentioned (1) and / or (2), other polymers added as required, unless otherwise specified.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 경화 후에 있어서의 투명성(헤이즈) 및 미노광부의 잔막률의 관점으로부터는 성분A로서 상기 (1)을 만족시키는 성분을 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoints of transparency (haze) after curing and residual film ratio of unexposed portions, the photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a component that satisfies the above-mentioned (1) as Component A.

한편, 분자 설계의 자유도의 관점으로부터는 본 발명의 감광성 수지 조성물은 성분A로서 상기 (2)를 만족시키는 성분을 포함하는 것이 바람직하다.On the other hand, from the viewpoint of freedom of molecular design, the photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a component satisfying the above-mentioned (2) as the component A.

또한, 상기 (1)을 만족시키는 성분을 함유할 경우라도 (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 아크릴 수지 및/또는 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 아크릴 수지를 더 함유하고 있어도 좋다.(A1) an acrylic resin having a constituent unit having an acid group protected with an acid-decomposable group and / or (a2) an acrylic resin having a constituent unit having a crosslinkable group, It may contain more.

또한, 상기 (2)를 만족시키는 성분을 함유할 경우라도 (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 폴리머에 해당하는 것을 적어도 함유할 경우에는 상기 (1)을 만족시키는 성분을 함유할 경우에 해당하는 것으로 한다.In addition, even when containing a component satisfying the above-mentioned (2), when at least (a1) the acid group has at least a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group and (a2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group (1) is contained in the above-mentioned composition.

성분A는 부가 중합형의 수지인 것이 바람직하고, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위를 포함하는 중합체인 것이 보다 바람직하다. 또한, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위 이외의 구성 단위, 예를 들면 스티렌으로부터 유래되는 구성 단위나, 비닐 화합물로부터 유래되는 구성 단위 등을 갖고 있어도 좋다.The component A is preferably an addition polymerization type resin, more preferably a polymer comprising a constituent unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof. Further, it may contain a structural unit other than the structural unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof, for example, a structural unit derived from styrene or a structural unit derived from a vinyl compound.

또한, 「(메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위」를 「아크릴계 구성 단위」라고도 한다. 또한, 「(메타)아크릴산」은 「메타크릴산 및/또는 아크릴산」을 의미하는 것으로 한다.Further, the "structural unit derived from (meth) acrylic acid and / or its ester" is also referred to as "acrylic structural unit". Further, "(meth) acrylic acid" means "methacrylic acid and / or acrylic acid".

<구성 단위(a1)>&Lt; Structural unit (a1) >

성분A는 (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 적어도 갖는 중합체를 포함한다. 성분A가 구성 단위(a1)를 갖는 중합체를 포함함으로써, 매우 고감도인 감광성 수지 조성물로 할 수 있다.Component A comprises (a1) a polymer having at least a constituent unit having an acid group protected by an acid-decomposable group. When the component A contains a polymer having the constituent unit (a1), a photosensitive resin composition having extremely high sensitivity can be obtained.

본 발명에 있어서의 「산기가 산 분해성기로 보호된 기」는 산기 및 산 분해성기로서 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별하게 한정되지 않는다. 구체적인 산기로서는 카르복실기, 및 페놀성 수산기를 바람직하게 들 수 있다. 또한, 산 분해성기로서는 산에 의해 비교적 분해되기 쉬운 기[예를 들면, 후술하는 식(a1-10) 등으로 나타내어지는 기의 에스테르 구조, 테트라히드로피라닐에스테르기, 또는 테트라히드로푸라닐에스테르기 등의 아세탈계 관능기]나 산에 의해 비교적 분해되기 어려운 기(예를 들면, tert-부틸에스테르기 등의 제 3급 알킬기, tert-부틸카보네이트기 등의 제 3급 알킬카보네이트기)를 사용할 수 있다.The "group in which the acid group is protected with an acid-decomposable group" in the present invention can be any known acid group and acid decomposable group, and is not particularly limited. Specific examples of the acid group include a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group. The acid decomposable group is preferably a group which is relatively easily decomposed by an acid (for example, an ester structure of a group represented by the following formula (a1-10), a tetrahydropyranyl ester group, or a tetrahydrofuranyl ester group (For example, a tertiary alkyl group such as a tert-butyl ester group or a tertiary alkylcarbonate group such as a tert-butylcarbonate group) can be used .

(a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위는 카르복실기가 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(「산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위」라고도 함), 또는 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(「산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위」라고도 함)인 것이 바람직하다.(a1) The constituent unit in which the acid group has a group protected by an acid-decomposable group is a constituent unit in which the carboxyl group is protected by an acid-decomposable group (also referred to as a &quot; constituent unit having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group &quot;) or a phenolic hydroxyl group Is preferably a structural unit having a protective phenolic hydroxyl group protected by an acid-decomposable group (also referred to as a &quot; structural unit having a protective phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group &quot;).

이하, 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)와, 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)에 대해서 순서대로 각각 설명한다.Hereinafter, the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group and the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group will be described in order.

<<(a1-1) 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위>><< (a1-1) Structural unit having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group >>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)는 카르복실기를 갖는 구성 단위의 카르복실기가, 이하에 상세하게 설명하는 산 분해성기에 의해 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위이다.The structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is a structural unit in which the carboxyl group of the structural unit having a carboxyl group has a protected carboxyl group protected by an acid-decomposable group described in detail below.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 상기 카르복실기를 갖는 구성 단위로서는 특별하게 제한은 없고 공지의 구성 단위를 사용할 수 있다. 예를 들면, 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 트리카르복실산 등의, 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)나, 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 모두 갖는 구성 단위(a1-1-2)를 들 수 있다.The structural unit having a carboxyl group which can be used for the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is not particularly limited and a known structural unit can be used. (A1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in the molecule such as an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid and an unsaturated tricarboxylic acid; , And a structural unit (a1-1-2) having both an ethylenic unsaturated group and an acid anhydride derived structure.

이하, 상기 카르복실기를 갖는 구성 단위로서 사용되는 (a1-1-1) 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위와, (a1-1-2) 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 모두 갖는 구성 단위에 대해서 각각 순서대로 설명한다.(A1-1-1) a constituent unit derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule and (a1-1-2) a constituent unit derived from an ethylenic unsaturated group and an acid And structural units having both structures derived from anhydride will be described in order.

<<<(a1-1-1) 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위>>><<< (a1-1-1) Constituent derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in the molecule >>>

상기 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)로서 본 발명에서 사용되는 불포화 카르복실산으로서는 이하에 예시하는 것과 같은 것이 사용된다. 즉, 불포화 모노카르복실산으로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 신남산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸프탈산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 디카르복실산으로서는, 예를 들면 말레산, 푸말산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 등을 들 수 있다. 또한, 카르복실기를 갖는 구성 단위를 얻기 위해서 사용되는 불포화 다가 카르복실산은 그 산 무수물이라도 좋다. 구체적으로는, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복실산은 다가 카르복실산의 모노(2-메타크릴로일옥시알킬)에스테르라도 좋고, 예를 들면 숙신산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 숙신산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복실산은 그 양쪽 말단 디카르복시폴리머의 모노(메타)아크릴레이트라도 좋고, 예를 들면 ω-카르복시폴리카프로락톤모노아크릴레이트, ω-카르복시폴리카프로락톤모노메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 카르복실산으로서는 아크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 메타크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 말레산 모노알킬에스테르, 푸말산 모노알킬에스테르, 4-카르복시스티렌 등도 사용할 수 있다.As the constituent unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule, the same as exemplified below is used as the unsaturated carboxylic acid used in the present invention. Examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid,? -Chloroacrylic acid, cinnamic acid, 2- (meth) acryloyloxyethylsuccinic acid, 2- Ethylhexahydrophthalic acid, 2- (meth) acryloyloxyethylphthalic acid, and the like. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, and mesaconic acid. The unsaturated polycarboxylic acid used for obtaining the constituent unit having a carboxyl group may be an acid anhydride thereof. Specific examples thereof include maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride. The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (2-methacryloyloxyalkyl) ester of a polycarboxylic acid, for example, mono (2-acryloyloxyethyl) succinate, mono Mono (2-acryloyloxyethyl) phthalate mono (2-methacryloyloxyethyl), and the like. The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (meth) acrylate of the both terminal dicarboxylic polymers thereof, and examples thereof include ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate and ω-carboxypolycaprolactone monomethacrylate. have. Examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid-2-carboxyethyl ester, methacrylic acid-2-carboxyethyl ester, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester and 4-carboxystyrene.

그 중에서도 현상성의 관점으로부터, 상기 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)를 형성하기 위해서는 아크릴산, 메타크릴산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸프탈산, 또는 불포화 다가 카르복실산의 무수물 등을 사용하는 것이 바람직하고, 아크릴산, 메타크릴산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Among them, acrylic acid, methacrylic acid, 2- (meth) acryloyl (meth) acrylate and the like are preferable for the purpose of forming the structural unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the above- (Meth) acryloyloxyethylhexahydrophthalic acid, 2- (meth) acryloyloxyethylphthalic acid, or an anhydride of an unsaturated polycarboxylic acid, and the like, and acrylic acid, metha It is more preferable to use acrylic acid, 2- (meth) acryloyloxyethylhexahydrophthalic acid.

상기 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)는 1종 단독으로 구성되어 있어도 좋고, 2종 이상으로 구성되어 있어도 좋다.The structural unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule may be composed of one kind alone, or two or more kinds.

<<<(a1-1-2) 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 모두 갖는 구성 단위>>><<< (a1-1-2) Constituent units having both structures derived from an ethylenic unsaturated group and an acid anhydride >>>

에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 모두 갖는 구성 단위(a1-1-2)는 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위 중에 존재하는 수산기와 산 무수물을 반응시켜서 얻어진 모노머로부터 유래되는 단위인 것이 바람직하다.The structural unit (a1-1-2) having both the ethylenic unsaturated group and the structure derived from an acid anhydride is preferably a unit derived from a monomer obtained by reacting a hydroxyl group and an acid anhydride present in a structural unit having an ethylenic unsaturated group.

상기 산 무수물로서는 공지의 것을 사용할 수 있고, 구체적으로는 무수 말레산, 무수 숙신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수 클로렌드산 등의 2염기산 무수물; 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산 무수물, 비페닐테트라카르복실산 무수물 등의 산 무수물을 들 수 있다. 이들 중에서는 현상성의 관점으로부터 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 또는 무수 숙신산이 바람직하다.Specific examples of the acid anhydride include dibasic acid anhydrides such as maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and anhydrous chloridic acid; And acid anhydrides such as trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic acid anhydride, and biphenyltetracarboxylic acid anhydride. Of these, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, or succinic anhydride are preferable from the viewpoint of developability.

상기 산 무수물의 수산기에 대한 반응률은 현상성의 관점으로부터 바람직하게는 10∼100몰%, 보다 바람직하게는 30∼100몰%이다.The reaction rate of the acid anhydride with respect to the hydroxyl group is preferably 10 to 100 mol%, more preferably 30 to 100 mol% from the viewpoint of developability.

-구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 산 분해성기-- acid decomposable group which can be used for the structural unit (a1-1)

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기로서는 상술의 산 분해성기를 사용할 수 있다.As the acid decomposable group that can be used for the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid decomposable group, the acid decomposable group may be used.

이들 산 분해성기 중에서도 카르복실기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기인 것이 감광성 수지 조성물의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 컨택트홀의 형성성, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 산 분해성기 중에서도 카르복실기가 하기 식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기인 것이 감도의 관점으로부터 보다 바람직하다. 또한, 카르복실기가 하기 식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기일 경우, 보호 카르복실기의 전체로서는 -(C=O)-O-CR101R102(OR103)의 구조로 되어 있다.Among these acid decomposable groups, the carboxyl group is preferably a protected carboxyl group protected in the form of an acetal from the viewpoints of the basic physical properties of the photosensitive resin composition, particularly from the viewpoints of sensitivity and pattern shape, contact hole formation, and storage stability of the photosensitive resin composition. Among the acid decomposable groups, from the viewpoint of sensitivity, it is more preferable that the carboxyl group is a protected carboxyl group protected in the form of an acetal represented by the following formula (a1-10). When the carboxyl group is a protected protected carboxyl group in the form of an acetal represented by the following formula (a1-10), the protected carboxyl group as a whole has a structure of - (C = O) -O-CR 101 R 102 (OR 103 ) .

Figure pct00003
Figure pct00003

[식(a1-10) 중, R101 및 R102는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 단 R101과 R102가 모두 수소 원자인 경우를 제외한다. R103은 알킬기를 나타낸다. R101 또는 R102와, R103이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋다][In the formula (a1-10), R 101 and R 102 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, provided that R 101 and R 102 are not both hydrogen atoms. R 103 represents an alkyl group. R 101 or R 102 and R 103 may be connected to form a cyclic ether)

상기 식(a1-10) 중, R101∼R103은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 것이라도 좋다. 여기에서, R101 및 R102의 쌍방이 수소 원자를 나타낼 일은 없고, R101 및 R102 중 적어도 한쪽은 알킬기를 나타낸다.In the formula (a1-10), R 101 to R 103 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, and the alkyl group may be any of linear, branched and cyclic. Here, both of R 101 and R 102 do not represent a hydrogen atom, and at least one of R 101 and R 102 represents an alkyl group.

상기 식(a1-10)에 있어서 R101, R102 및 R103이 알킬기를 나타낼 경우, 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상 중 어느 것이라도 좋다.When R 101 , R 102 and R 103 in the formula (a1-10) represent an alkyl group, the alkyl group may be any of linear, branched or cyclic.

상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서는 탄소수 1∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼6인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼4인 것이 더욱 바람직하다. 구체적으로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기(2,3-디메틸-2-부틸기), n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.The straight-chain or branched-chain alkyl group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and even more preferably 1 to 4 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, a sec- Butyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group and n-decyl group.

상기 환상 알킬기로서는 탄소수 3∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 4∼8인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 4∼6인 것이 더욱 바람직하다. 상기 환상 알킬기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노보닐기, 이소보닐기 등을 들 수 있다.The cyclic alkyl group preferably has 3 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and still more preferably 4 to 6 carbon atoms. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group and an isobonyl group.

상기 알킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 할로겐 원자, 아릴기, 알콕시기를 예시할 수 있다. 치환기로서 할로겐 원자를 가질 경우 R101, R102, R103은 할로알킬기가 되고, 치환기로서 아릴기를 가질 경우 R101, R102, R103은 아랄킬기가 된다.The alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, an aryl group, and an alkoxy group. When a halogen atom is used as a substituent, R 101 , R 102 and R 103 are haloalkyl groups. When an aryl group is used as a substituent, R 101 , R 102 and R 103 are an aralkyl group.

상기 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자가 예시되고, 이것들 중에서도 불소 원자 또는 염소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and among these, a fluorine atom or a chlorine atom is preferable.

또한, 상기 아릴기로서는 탄소수 6∼20의 아릴기가 바람직하고, 탄소수 6∼12의 아릴기가 보다 바람직하다. 구체적으로는 페닐기, α-메틸페닐기, 나프틸기 등을 예시할 수 있고, 아릴기로 치환된 알킬기 전체, 즉 아랄킬기로서는 벤질기, α-메틸벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기 등을 예시할 수 있다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and more preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. Specific examples thereof include a phenyl group, an? -Methylphenyl group and a naphthyl group. Examples of the alkyl group substituted with an aryl group, that is, an aralkyl group include benzyl group,? -Methylbenzyl group, phenethyl group and naphthylmethyl group have.

상기 알콕시기로서는 탄소수 1∼6의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1∼4의 알콕시기가 보다 바람직하고, 메톡시기 또는 에톡시기가 더욱 바람직하다.The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, and still more preferably a methoxy group or an ethoxy group.

또한, 상기 알킬기가 시클로알킬기일 경우, 상기 시클로알킬기는 치환기로서 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기를 갖고 있어도 좋고, 알킬기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기일 경우에는 치환기로서 탄소수 3∼12의 시클로알킬기를 갖고 있어도 좋다.When the alkyl group is a cycloalkyl group, the cycloalkyl group may have a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms as a substituent. When the alkyl group is a straight chain or branched chain alkyl group, Or a cycloalkyl group having 1 to 12 carbon atoms.

이들 치환기는 상기 치환기로 더 치환되어 있어도 좋다.These substituents may be further substituted by the above substituents.

상기 식(a1-10)에 있어서 R101, R102 및 R103이 아릴기를 나타낼 경우, 상기 아릴기는 탄소수 6∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 6∼10인 것이 보다 바람직하다. 상기 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 상기 치환기로서는 탄소수 1∼6의 알킬기를 바람직하게 예시할 수 있다. 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 쿠메닐기, 1-나프틸기 등을 예시할 수 있다.When R 101 , R 102 and R 103 in the formula (a1-10) represent an aryl group, the aryl group preferably has 6 to 12 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms. The aryl group may have a substituent, and as the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferably exemplified. As the aryl group, for example, a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a cumenyl group, a 1-naphthyl group and the like can be mentioned.

또한, R101, R102 및 R103은 서로 결합되고, 그것들이 결합되어 있는 탄소 원자와 함께 환을 형성할 수 있다. R101과 R102, R101과 R103 또는 R102와 R103이 결합된 경우의 환 구조로서는, 예를 들면 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 테트라히드로푸라닐기, 아다만틸기 및 테트라히드로피라닐기 등을 들 수 있다.Further, R 101 , R 102 and R 103 may be bonded to each other to form a ring together with the carbon atoms to which they are bonded. Examples of the ring structure in the case where R 101 and R 102 , R 101 and R 103 or R 102 and R 103 are bonded include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a tetrahydrofuranyl group, An adamantyl group, and a tetrahydropyranyl group.

또한, 상기 식(a1-10)에 있어서 R101 및 R102 중 어느 한쪽이 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.In the formula (a1-10), it is preferable that either R 101 or R 102 is a hydrogen atom or a methyl group.

상기 식(a1-10)으로 나타내어지는 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체는 시판하는 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0037∼0040에 기재된 합성 방법 등으로 합성할 수 있다.The radically polymerizable monomer used for forming the constituent unit having a protective carboxyl group represented by the above formula (a1-10) may be commercially available or may be synthesized by a known method. For example, it can be synthesized by the synthesis method described in paragraphs 0037 to 0040 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-221494.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)의 제 1 바람직한 형태는 하기 식으로 나타내어지는 구성 단위이다.The first preferred form of the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is a structural unit represented by the following formula.

Figure pct00004
Figure pct00004

(식 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽이 알킬기 또는 아릴기이며, R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와, R3이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋고, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다)(Wherein, R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and either one of the at least R 1 and R 2 alkyl group or aryl group, R 3 represents an alkyl group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents a single bond or an arylene group)

R1 및 R2가 알킬기인 경우, 탄소수는 1∼10인 알킬기가 바람직하다. R1 및 R2가 아릴기인 경우, 페닐기가 바람직하다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기가 바람직하다.When R 1 and R 2 are an alkyl group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferred. When R 1 and R 2 are aryl groups, a phenyl group is preferred. R 1 and R 2 are each independently preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 탄소수 1∼10의 알킬기가 바람직하고, 1∼6의 알킬기가 보다 바람직하다.R 3 represents an alkyl group or an aryl group, preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타내고, 단결합이 바람직하다.X represents a single bond or an arylene group, with a single bond being preferred.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)의 제 2 바람직한 형태는 하기 식의 구조 단위이다.A second preferred form of the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid-decomposable group is a structural unit represented by the following formula.

Figure pct00005
Figure pct00005

(식 중, R121은 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, L1은 카르보닐기 또는 페닐렌기를 나타내고, R122∼R128은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다)(Wherein R 121 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, L 1 represents a carbonyl group or a phenylene group, and R 122 to R 128 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)

R121은 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.R 121 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.

L1은 카르보닐기가 바람직하다.L 1 is preferably a carbonyl group.

R122∼R128은 수소 원자가 바람직하다.R 122 to R 128 are preferably a hydrogen atom.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)의 바람직한 구체예로서는 하기 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Preferable specific examples of the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid-decomposable group include the following structural units. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure pct00006
Figure pct00006

<<(a1-2) 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위>><< (a1-2) Structural unit having a protective phenolic hydroxyl group protected by an acid-decomposable group >>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위가 이하에 상세하게 설명하는 산 분해성기에 의해 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위이다.The structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected by the acid-decomposable group is a structural unit having a protected phenolic hydroxyl group, the structural unit having a phenolic hydroxyl group being protected by an acid-decomposable group described in detail below.

<<<(a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위>>><<< (a1-2-1) Structural unit having a phenolic hydroxyl group >>>

상기 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위로서는 히드록시스티렌계 구성 단위나 노볼락계의 수지에 있어서의 구성 단위를 들 수 있지만, 이들 중에서는 히드록시스티렌 또는α-메틸히드록시스티렌으로부터 유래되는 구성 단위가 감도의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위로서 하기 식(a1-20)으로 나타내어지는 구성 단위도 감도의 관점으로부터 바람직하다.Examples of the structural unit having a phenolic hydroxyl group include a hydroxystyrene-based structural unit and a structural unit in a novolak-based resin. Of these structural units, a structural unit derived from hydroxystyrene or -methylhydroxystyrene is It is preferable from the viewpoint of sensitivity. The structural unit represented by the following formula (a1-20) as a structural unit having a phenolic hydroxyl group is also preferable from the viewpoint of sensitivity.

Figure pct00007
Figure pct00007

[식(a1-20) 중, R220은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R221은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, R222는 할로겐 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기를 나타내고, a는 1∼5의 정수를 나타내고, b는 0∼4의 정수를 나타내고, a+b는 5 이하이다. 또한, R222가 2 이상 존재할 경우, 이들 R222는 서로 달라도 좋고 동일해도 좋다)Wherein R 220 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 221 represents a single bond or a divalent linking group, R 222 represents a halogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms , a represents an integer of 1 to 5, b represents an integer of 0 to 4, and a + b is 5 or less. When two or more R 222 are present, these R 222 may be the same or different and may be the same)

상기 식(a1-20) 중, R220은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기인 것이 바람직하다.In the formula (a1-20), R 220 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a methyl group.

또한, R221은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 단결합일 경우에는 감도를 향상시킬 수 있고, 또한 경화막의 투명성을 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. R221의 2가의 연결기로서는 알킬렌기를 예시할 수 있고, R221이 알킬렌기인 구체예로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, 이소부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 이소펜틸렌기, 네오펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 R221이 단결합, 메틸렌기, 또는 에틸렌기인 것이 바람직하다. 또한, 상기 2가의 연결기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기 등을 들 수 있다. 또한, a는 1∼5의 정수를 나타내지만, 본 발명의 효과의 관점이나 제조가 용이하다고 하는 점으로부터 a는 1 또는 2인 것이 바람직하고, a가 1인 것이 보다 바람직하다.R 221 represents a single bond or a divalent linking group. In the case of single-crystal combination, it is preferable since the sensitivity can be improved and the transparency of the cured film can be improved. Examples of the divalent linking group of R 221 include alkylene groups and specific examples of R 221 is an alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, an n-butylene group, an isobutylene group, Pentylene group, isopentylene group, neopentylene group, hexylene group and the like. Among them, R &lt; 221 &gt; is preferably a single bond, a methylene group or an ethylene group. The divalent linking group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, and an alkoxy group. Although a represents an integer of 1 to 5, a is preferably 1 or 2, and more preferably a is 1, from the viewpoint of the effects of the present invention and easiness of production.

또한, 벤젠환에 있어서의 수산기의 결합 위치는 R221과 결합되어 있는 탄소 원자를 기준(1위치)으로 했을 때, 4위치에 결합되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the bonding position of the hydroxyl group in the benzene ring is bonded to the 4-position when the carbon atom bonded to R 221 is the reference (1 position).

R222는 각각 독립적으로 할로겐 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기를 나타낸다. 구체적으로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 제조가 용이하다고 하는 점으로부터 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.R 222 each independently represents a halogen atom or a straight or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specific examples include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert- butyl group, a pentyl group, an isopentyl group and a neopentyl group . Among them, a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group or an ethyl group is preferable in view of easiness of production.

또한, b는 0 또는 1∼4의 정수를 나타낸다.B represents 0 or an integer of 1 to 4;

-구성 단위(a1-2)에 사용할 수 있는 산 분해성기-- acid decomposable group which can be used for the structural unit (a1-2)

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기로서는, 상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기와 마찬가지로 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별하게 한정되지 않는다. 산 분해성기 중에서도 아세탈로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위인 것이 감광성 수지 조성물의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 컨택트홀의 형성성의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 산 분해성기 중에서도 페놀성 수산기가 상기 식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 페놀성 수산기인 것이 감도의 관점으로부터 보다 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기가 상기 식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 페놀성 수산기일 경우, 보호 페놀성 수산기의 전체로서는 -Ar-O-CR101R102(OR103)의 구조로 되어 있다. 또한, Ar은 아릴렌기를 나타낸다.The acid decomposable group which can be used for the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected by the acid-decomposable group is preferably an acid decomposable group which can be used for the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid- As well as the acid-decomposable group, known ones can be used, and they are not particularly limited. Among the acid decomposable groups, structural units having a protective phenolic hydroxyl group protected by an acetal are preferred from the viewpoints of basic physical properties of the photosensitive resin composition, particularly from the viewpoints of sensitivity and pattern shape, storage stability of the photosensitive resin composition, and formability of contact holes. Among the acid decomposable groups, from the viewpoint of sensitivity, it is more preferable that the phenolic hydroxyl group is a protected phenolic hydroxyl group protected in the form of an acetal represented by the above formula (a1-10). When the phenolic hydroxyl group is a protected protected phenolic hydroxyl group in the form of an acetal represented by the above formula (a1-10), as a whole of the protected phenolic hydroxyl group, -Ar-O-CR 101 R 102 (OR 103 ) Structure. Ar represents an arylene group.

페놀성 수산기의 아세탈에스테르 구조의 바람직한 예는 R101=R102=R103=메틸기의 조합이나 R101=R102=메틸기에 R103=벤질기의 조합을 예시할 수 있다.Preferable examples of the acetal ester structure of the phenolic hydroxyl group may include a combination of R 101 = R 102 = R 103 = methyl group, or a combination of R 101 = R 102 = methyl group and R 103 = benzyl group.

또한, 페놀성 수산기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면 일본 특허 공개 2011-215590호 공보의 단락 0042에 기재된 것 등을 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomer used to form a structural unit having a protected phenolic hydroxyl group in which the phenolic hydroxyl group is protected in the form of an acetal include those described in paragraph 0042 of JP-A No. 2011-215590 .

이들 중에서 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 테트라히드로피라닐 보호체가 투명성의 관점으로부터 바람직하다.Of these, a 1-alkoxyalkyl protected derivative of 4-hydroxyphenyl methacrylate and a tetrahydropyranyl protected derivative of 4-hydroxyphenyl methacrylate are preferred from the viewpoint of transparency.

페놀성 수산기의 아세탈 보호기의 구체예로서는 1-알콕시알킬기를 들 수 있고, 예를 들면 1-에톡시에틸기, 1-메톡시에틸기, 1-n-부톡시에틸기, 1-이소부톡시에틸기, 1-(2-클로로에톡시)에틸기, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸기, 1-n-프로폭시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸기, 1-벤질옥시에틸기 등을 들 수 있고, 이것들은 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.Specific examples of the acetal protecting group of the phenolic hydroxyl group include 1-alkoxyalkyl groups, and examples thereof include a 1-ethoxyethyl group, a 1-methoxyethyl group, a 1-n-butoxyethyl group, 1-cyclohexyloxy) ethyl group, 1- (2-cyclohexyloxy) ethyl group, 1-naphthyloxy group, Oxyethyl group, etc. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체는 시판하는 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 상기 합성은 페놀성 수산기를 갖는 모노머를 그 밖의 모노머와 미리 공중합시켜 두고, 그 후에 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시켜도 좋다.The radically polymerizable monomer used for forming the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with the acid-decomposable group may be commercially available or may be synthesized by a known method. For example, a compound having a phenolic hydroxyl group can be synthesized by reacting with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst. The above-mentioned synthesis may be carried out by previously copolymerizing a monomer having a phenolic hydroxyl group with another monomer, and then reacting with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)의 바람직한 구체예로서는 하기 구성 단위를 예시할 수 있지만, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다. 하기 구체예 중, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Specific examples of the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected by the acid-decomposable group include the following structural units, but the present invention is not limited thereto. In the following specific examples, R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure pct00008
Figure pct00008

-구성 단위(a1)의 바람직한 형태-- Preferred form of the structural unit (a1)

상기 구성 단위(a1)를 갖는 중합체가 실질적으로 구성 단위(a2)를 갖지 않을 경우, 구성 단위(a1)는 상기 구성 단위(a1)를 갖는 중합체 중 20∼100몰%가 바람직하고, 30∼90몰%가 보다 바람직하다.When the polymer having the structural unit (a1) does not substantially contain the structural unit (a2), the structural unit (a1) is preferably 20 to 100 mol%, more preferably 30 to 90 mol% Mol% is more preferable.

상기 구성 단위(a1)를 갖는 중합체가 하기 구성 단위(a2)를 가질 경우, 단구성 단위(a1)는 그 구성 단위(a1)와 구성 단위(a2)를 갖는 중합체 중 감도의 관점으로부터 3∼70몰%가 바람직하고, 10∼60몰%가 보다 바람직하다. 또한, 특히 상기 구성 단위(a1)가 카르복실기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위일 경우, 20∼50몰%가 바람직하다.When the polymer having the structural unit (a1) has the following structural unit (a2), the structural unit (a1) has a structural unit (a1) and a structural unit (a2) Mol%, more preferably 10 to 60 mol%. In particular, when the structural unit (a1) is a structural unit having a carboxyl group protected in the form of an acetal, the content is preferably 20 to 50 mol%.

또한, 본 발명에 있어서 「구성 단위」의 함유량을 몰비로 규정할 경우, 상기 「구성 단위」는 「모노머 단위」와 동의인 것으로 한다. 또한, 본 발명에 있어서 상기 「모노머 단위」는 고분자 반응 등에 의해 중합 후에 수식되어 있어도 좋다. 이하에 있어서도 마찬가지이다.In the present invention, when the content of the &quot; constituent unit &quot; is defined as the molar ratio, the above-mentioned &quot; constituent unit &quot; In the present invention, the &quot; monomer unit &quot; may be modified after polymerization by a polymer reaction or the like. The same applies to the following.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)는 상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)에 비하면 현상이 빠르다고 하는 특징이 있다. 따라서, 빠르게 현상하고 싶을 경우에는 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)가 바람직하다. 반대로 현상을 느리게 하고 싶을 경우에는 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)를 사용하는 것이 바람직하다.The structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid-decomposable group is characterized in that the phenomenon is faster than that of the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected by the acid decomposable group. Therefore, when a rapid development is desired, the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is preferable. On the contrary, when it is desired to slow the development, it is preferable to use the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)는 상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)에 비하면 현상이 빠르다고 하는 특징이 있다. 따라서, 빠르게 현상하고 싶을 경우에는 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)가 바람직하다. 반대로 현상을 느리게 하고 싶을 경우에는 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)를 사용하는 것이 바람직하다.The structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid-decomposable group is characterized in that the phenomenon is faster than that of the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected by the acid decomposable group. Therefore, when a rapid development is desired, the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is preferable. On the contrary, when it is desired to slow the development, it is preferable to use the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group.

<(a2) 가교성기를 갖는 구성 단위>< (a2) Structural unit having a crosslinkable group >

성분A는 가교성기를 갖는 구성 단위(a2)를 갖는 중합체를 함유한다. 상기 가교성기는 가열 처리에 의해 경화 반응을 일으키는 기이면 특별하게 한정은 되지 않는다. 바람직한 가교성기를 갖는 구성 단위의 형태로서는 에폭시기, 옥세타닐기, -NH-CH2-O-R(R은 수소 원자 또는 탄소수 1∼20의 알킬기를 나타낸다)로 나타내어지는 기 및 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1개를 포함하는 구성 단위를 들 수 있고, 에폭시기, 옥세타닐기, 및 -NH-CH2-O-R(R은 수소 원자 또는 탄소수 1∼20의 알킬기를 나타낸다)로 나타내어지는 기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종인 것이 바람직하다. 그중에서도 본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 성분A가 에폭시기 및 옥세타닐기 중 적어도 1개를 포함하는 구성 단위를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 보다 상세하게는 이하의 것을 들 수 있다.Component A contains a polymer having a structural unit (a2) having a crosslinkable group. The crosslinking group is not particularly limited as long as it is a group that causes a curing reaction by a heat treatment. Preferable examples of the form of the structural unit having a crosslinkable group include a group represented by an epoxy group, oxetanyl group, -NH-CH 2 -OR (R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) and an ethylenic unsaturated group A structural unit containing at least one selected from the group consisting of an epoxy group, an oxetanyl group, and a group represented by -NH-CH 2 -OR (R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) And at least one selected is preferable. Among them, the photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a constituent unit in which the component A contains at least one of an epoxy group and an oxetanyl group. More specifically, the following can be mentioned.

<<(a2-1) 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위>><< (a2-1) Structural unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group >>

성분A는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위[구성 단위(a2-1)]를 갖는 중합체를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 3원환의 환상 에테르기는 에폭시기라고도 불리고, 4원환의 환상 에테르기는 옥세타닐기라고도 불린다.The component A preferably contains a polymer having a structural unit (structural unit (a2-1)) having an epoxy group and / or an oxetanyl group. The cyclic ether group of the 3-membered ring is also called an epoxy group, and the cyclic ether group of the 4-membered ring is also called an oxetanyl group.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a2-1)는 1개의 구성 단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 1개 갖고 있으면 좋고, 1개 이상의 에폭시기 및 1개 이상 옥세타닐기, 2개 이상의 에폭시기, 또는 2개 이상의 옥세타닐기를 갖고 있어도 좋고, 특별하게 한정되지 않지만 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1∼3개 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1 또는 2개 갖는 것이 보다 바람직하고, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 1개 갖는 것이 더욱 바람직하다.The structural unit (a2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group may have at least one epoxy group or oxetanyl group in one structural unit, and may contain at least one epoxy group and at least one oxetanyl group, Or an oxetanyl group. The epoxy group and / or the oxetanyl group is preferably, but not limited to, a total of 1 to 3 epoxy groups and / or an oxetanyl group, and the epoxy group and / More preferably an epoxy group or an oxetanyl group, and still more preferably one epoxy group or oxetanyl group.

에폭시기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, α-에틸아크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 일본 특허 제 4168443호 공보의 단락 0031∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit having an epoxy group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl? -Ethyl acrylate, glycidyl? -N-propyl acrylate Dicyclohexylmethyl acrylate, glycidyl alpha-n-butyl acrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, -Epoxy cyclohexylmethyl,? -Ethylacrylic acid-3,4-epoxycyclohexylmethyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, Compounds having an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs [0031] to [00300] of Japanese Patent No. 4168443, and the like.

옥세타닐기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면 일본 특허 공개 2001-330953호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르 등을 들 수 있다.Specific examples of the radically polymerizable monomer used for forming the oxetanyl group-containing structural unit include (meth) acrylic esters having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 0016 of JP-A No. 2001-330953 .

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a2-1)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 메타크릴산 에스테르 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산 에스테르 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.Specific examples of the radically polymerizable monomer used to form the structural unit (a2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group include monomers containing a methacrylate ester structure and monomers containing an acrylate ester structure desirable.

이들 중에서도 바람직한 것은 메타크릴산 글리시딜, 아크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이다. 이것들의 구성 단위는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.Among these, glycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, methyl (3-ethyloxetan-3-yl) (3-ethyloxetan-3-yl) methyl. These structural units may be used singly or in combination of two or more.

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a2-1)의 바람직한 구체예로서는 하기 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Preferable specific examples of the structural unit (a2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group include the following structural units. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure pct00009
Figure pct00009

<<(a2-2) 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위>><< (a2-2) Structural unit having an ethylenic unsaturated group >>

상기 가교성기를 갖는 구성 단위(a2) 중 1개로서 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a2-2)를 들 수 있다(이하, 「구성 단위(a2-2)」라고도 한다). 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a2-2)로서는 측쇄에 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위가 바람직하고, 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖고 탄소수 3∼16의 측쇄를 갖는 구성 단위가 보다 바람직하고, 하기 식(a2-2-1)으로 나타내어지는 측쇄를 갖는 구성 단위가 더욱 바람직하다.(A2-2) having an ethylenic unsaturated group as one of the structural units (a2) having a crosslinkable group (hereinafter also referred to as &quot; structural unit (a2-2) &quot;). As the structural unit (a2-2) having an ethylenically unsaturated group, a structural unit having an ethylenic unsaturated group at the side chain is preferable, a structural unit having an ethylenic unsaturated group at the end and a side chain having 3 to 16 carbon atoms is more preferable, And more preferably a structural unit having a side chain represented by the formula (a2-2-1).

Figure pct00010
Figure pct00010

[식(a2-2-1) 중, R301은 탄소수 1∼13의 2가의 연결기를 나타내고, R302는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 파선 부분은 가교성기를 갖는 구성 단위(a2)의 주쇄에 연결되는 부위를 나타낸다]Wherein R 301 represents a divalent linking group of 1 to 13 carbon atoms, R 302 represents a hydrogen atom or a methyl group, and the broken line portion represents a divalent linking group of a structural unit (a2) having a crosslinkable group Indicating the site to be connected]

R301은 탄소수 1∼13의 2가의 연결기로서, 알케닐기, 시클로알케닐기, 아릴렌기 또는 이것들을 조합시킨 기를 포함하고, 에스테르 결합, 에테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합 등의 결합을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 2가의 연결기는 임의의 위치에 히드록시기, 카르복실기 등의 치환기를 갖고 있어도 좋다. R301의 구체예로서는 하기 2가의 연결기를 들 수 있다.R 301 is a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, which may include an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an arylene group, or a combination thereof, and may include a bond such as an ester bond, an ether bond, an amide bond or a urethane bond . The divalent linking group may have a substituent such as a hydroxyl group or a carboxyl group at an arbitrary position. Specific examples of R 301 include the following divalent linking groups.

Figure pct00011
Figure pct00011

상기 식(a2-2-1)으로 나타내어지는 측쇄 중에서도 상기 R301로 나타내어지는 2가의 연결기를 포함해서 지방족의 측쇄가 바람직하다.Among the side chains represented by the above formula (a2-2-1), aliphatic side chains including the divalent linking group represented by R 301 are preferable.

그 밖에, (a2-2) 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위에 대해서는 일본 특허 공개 2011-215580호 공보의 단락 0072∼0090의 기재를 참작할 수 있다.In addition, for the structural unit having an ethylenic unsaturated group (a2-2), reference may be made to the description in paragraphs 0072 to 0090 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-215580.

<<(a2-3) -NH-CH2-O-R(R은 수소 원자 또는 탄소수 1∼20의 알킬기를 나타낸다)로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위>><< Constituent unit having a group represented by the formula (a2-3) -NH-CH 2 -OR (R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) >>

본 발명에서 사용하는 공중합체는 -NH-CH2-O-R(R은 수소 원자 또는 탄소수 1∼20의 알킬기를 나타낸다)로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위(a2-3)도 바람직하다. 구성 단위(a2-3)를 가짐으로써 완만한 가열 처리에 의해 경화 반응을 일으킬 수 있고, 여러 가지 특성이 뛰어난 경화막을 얻을 수 있다. 여기에서, R은 탄소수 1∼20의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼9의 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼4의 알킬기가 더욱 바람직하다. 또한, 알킬기는 직쇄, 분기 또는 환상의 알킬기 중 어느 것이라도 좋지만, 직쇄 또는 분기의 알킬기인 것이 바람직하다. 구성 단위(a2)는 하기 식(a2-30)으로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위인 것이 보다 바람직하다.The copolymer used in the present invention is also preferably a structural unit (a2-3) having a group represented by -NH-CH 2 -OR (R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms). By having the constituent unit (a2-3), a curing reaction can be caused by a gentle heat treatment, and a cured film excellent in various properties can be obtained. Here, R is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, and still more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group may be any of linear, branched or cyclic alkyl groups, but is preferably a linear or branched alkyl group. The structural unit (a2) is more preferably a structural unit having a group represented by the following formula (a2-30).

Figure pct00012
Figure pct00012

[식(a2-30) 중, R31은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R32는 탄소수 1∼20의 알킬기를 나타낸다][Wherein, in formula (a2-30), R 31 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 32 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms]

R32는 탄소수 1∼9의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼4의 알킬기가 더욱 바람직하다. 또한, 알킬기는 직쇄, 분기 또는 환상의 알킬기 중 어느 것이라도 좋지만, 바람직하게는 직쇄 또는 분기의 알킬기이다.R 32 is preferably an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group may be any of linear, branched or cyclic alkyl groups, but is preferably a linear or branched alkyl group.

R32의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-부틸기, i-부틸기, 시클로헥실기, 및 n-헥실기를 들 수 있다. 그 중에서도 i-부틸기, n-부틸기, 메틸기가 바람직하다.Specific examples of R 32 include a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, a cyclohexyl group, and an n-hexyl group. Of these, an i-butyl group, an n-butyl group and a methyl group are preferable.

-구성 단위(a2)의 바람직한 형태-- Preferred form of the structural unit (a2)

상기 구성 단위(a2)를 갖는 중합체가 실질적으로 구성 단위(a1)를 갖지 않을 경우, 구성 단위(a2)는 그 구성 단위(a2)를 갖는 중합체 중 5∼90몰%가 바람직하고, 20∼80몰%가 보다 바람직하다.When the polymer having the structural unit (a2) does not substantially contain the structural unit (a1), the structural unit (a2) is preferably from 5 to 90 mol%, more preferably from 20 to 80 mol% Mol% is more preferable.

상기 구성 단위(a2)를 갖는 중합체가 상기 구성 단위(a1)를 가질 경우, 단구성 단위(a2)는 상기 구성 단위(a1)와 구성 단위(a2)를 갖는 중합체 중 약품 내성의 관점으로부터 3∼70몰%가 바람직하고, 10∼60몰%가 보다 바람직하다.When the polymer having the structural unit (a2) has the structural unit (a1), the structural unit (a2) is a polymer having the structural unit (a1) and the structural unit (a2) Is preferably 70 mol%, more preferably 10 mol% to 60 mol%.

본 발명에서는, 또한 어느 형태이든 상관없이 (A)성분의 전체 구성 단위 중 구성 단위(a2)를 3∼70몰% 함유하는 것이 바람직하고, 10∼60몰% 함유하는 것이 보다 바람직하다.In the present invention, regardless of the form, the content of the structural unit (a2) in the total structural units of the component (A) is preferably 3 to 70 mol%, more preferably 10 to 60 mol%.

상기 수치의 범위 내이면 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 투명성 및 약품 내성이 양호해진다.Within the above range, the transparency and chemical resistance of the cured film obtained from the photosensitive resin composition are improved.

<(a3) 기타 구성 단위><(a3) Other structural units>

본 발명에 있어서 성분A는 상기 구성 단위 (a1) 및/또는 (a2)에 추가해서 이것들 이외의 다른 구성 단위(a3)를 갖고 있어도 좋다. 이들 구성 단위는 상기 중합체 성분 (1) 및/또는 (2)가 포함하고 있어도 좋다. 또한, 상기 중합체 성분 (1) 또는 (2)와는 별도로, 실질적으로 구성 단위(a1) 및 구성 단위(a2)를 포함하지 않고 다른 구성 단위(a3)를 갖는 중합체 성분을 갖고 있어도 좋다. 상기 중합체 성분 (1) 또는 (2)와는 별도로, 실질적으로 구성 단위(a1) 및 구성 단위(a2)를 갖지 않고 다른 구성 단위(a3)를 갖는 중합체 성분을 포함할 경우, 그 중합체 성분의 배합량은 전체 중합체 성분 중 60질량% 이하인 것이 바람직하고, 40질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 20질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.In the present invention, the component A may have other constituent units (a3) other than the above-mentioned constituent units (a1) and / or (a2). These constituent units may include the polymer components (1) and / or (2). Apart from the polymer component (1) or (2), a polymer component containing substantially no structural unit (a1) and structural unit (a2) and having another structural unit (a3) may be contained. (A1) and (a2) other than the polymer component (1) or (2), the amount of the polymer component to be blended is not particularly limited so long as it contains a polymer component having another constituent unit Is preferably 60 mass% or less, more preferably 40 mass% or less, and most preferably 20 mass% or less, of the total polymer components.

기타 구성 단위(a3)가 되는 모노머로서는 특별하게 제한은 없고, 예를 들면 스티렌류, (메타)아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 환상 알킬에스테르, (메타)아크릴산 아릴에스테르, 불포화 디카르복실산 디에스테르, 비시클로 불포화 화합물류, 말레이미드 화합물류, 불포화 방향족 화합물, 공역 디엔계 화합물, 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 디카르복실산 무수물, 기타 불포화 화합물을 들 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 산기를 갖는 구성 단위를 갖고 있어도 좋다. 기타 구성 단위(a3)가 되는 모노머는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.The monomer to be the other constituent unit (a3) is not particularly limited and includes, for example, styrenes, alkyl (meth) acrylates, cyclic alkyl (meth) acrylate esters, (meth) acrylic acid aryl esters, unsaturated dicarboxylic acid di An unsaturated aromatic compound, a conjugated diene compound, an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid anhydride, and other unsaturated compounds. Further, as described later, it may have a structural unit having an acid group. The monomers to be the other constituent unit (a3) may be used alone or in combination of two or more.

이하에, 본 발명에 있어서의 중합체 성분의 바람직한 실시형태를 들지만, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the polymer component in the present invention are described, but the present invention is not limited thereto.

-제 1 실시형태-- First Embodiment -

중합체 성분(1)이 1종 또는 2종 이상의 기타 구성 단위(a3)를 더 갖는 형태.Wherein the polymer component (1) further comprises one or more other structural units (a3).

-제 2 실시형태-- Second Embodiment -

중합체 성분(2)의 (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체가 1종 또는 2종 이상의 기타 구성 단위(a3)를 더 갖는 형태.(A1) a form in which the polymer having a constituent unit having a group protected with an acid-decomposable group further comprises one or more other constituent units (a3) in the polymer component (2).

-제 3 실시형태-- Third Embodiment -

중합체 성분(2)의 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체가 1종 또는 2종 이상의 기타 구성 단위(a3)를 더 갖는 형태.The form (a2) of the polymer component (2) further comprises one or more other structural units (a3) having a structural unit having a crosslinkable group.

-제 4 실시형태-- Fourth Embodiment -

상기 제 1∼제 3실시형태 중 어느 하나에 있어서, 기타 구성 단위(a3)로서 적어도 산기를 포함하는 구성 단위를 어느 하나의 중합체에 갖는 형태.In any one of the first to third embodiments, the structural unit having at least an acid group as the other structural unit (a3) in any one of the polymers.

-제 5 실시형태-- Fifth Embodiment -

상기 중합체 성분 (1) 또는 (2)와는 별도로, 실질적으로 구성 단위(a1) 및 구성 단위(a2)를 갖지 않고 다른 구성 단위(a3)를 더 갖는 중합체를 갖는 형태.A form having a polymer having substantially no structural unit (a1) and structural unit (a2) and further having another structural unit (a3), apart from the polymer component (1) or (2).

-제 6 실시형태-- Sixth Embodiment -

상기 제 1∼제 5 실시형태 중 2 이상의 조합으로 이루어지는 형태.A mode formed by combining two or more of the first to fifth embodiments.

구성 단위(a3)는 구체적으로는 스티렌, tert-부톡시스티렌, 메틸스티렌, 히드록시스티렌, α-메틸스티렌, 아세톡시스티렌, 메톡시스티렌, 에톡시스티렌, 클로로스티렌, 비닐벤조산 메틸, 비닐벤조산 에틸, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 n-프로필, (메타)아크릴산 이소프로필, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 벤질, (메타)아크릴산 이소보닐, 아크릴로니트릴, 에틸렌글리콜모노아세토아세테이트모노(메타)아크릴레이트 등에 의한 구성 단위를 들 수 있다. 이 밖에, 일본 특허 공개 2004-264623호 공보의 단락 0021∼0024에 기재된 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the structural unit (a3) include styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, hydroxystyrene,? -Methylstyrene, acetoxystyrene, methoxystyrene, ethoxystyrene, chlorostyrene, methyl vinylbenzoate, (Meth) acrylic acid, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, Acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, acrylonitrile, ethylene glycol monoacetoacetate mono And the like. In addition, the compounds described in paragraphs 0021 to 0024 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623 can be mentioned.

또한, 기타 구성 단위(a3)로서는 스티렌류, 또는 지방족 환식 골격을 갖는 모노머 유래의 구성 단위가 전기 특성의 관점에서 바람직하다. 구체적으로는, 스티렌, tert-부톡시스티렌, 메틸스티렌, 히드록시스티렌, α-메틸스티렌, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As the other structural unit (a3), structural units derived from a styrene or a monomer having an alicyclic cyclic skeleton are preferable from the viewpoint of electrical characteristics. Specific examples thereof include styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, hydroxystyrene,? -Methylstyrene, dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobonyl (Meth) acrylate, and the like.

또한, 기타 구성 단위(a3)로서는 (메타)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성 단위가 밀착성의 관점에서 바람직하다. 구체적으로는, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 n-부틸 등을 들 수 있고, (메타)아크릴산 메틸이 보다 바람직하다. 중합체를 구성하는 구성 단위 중, 상기 구성 단위(a3)의 함유율은 60몰% 이하가 바람직하고, 50몰% 이하가 보다 바람직하고, 40몰% 이하가 더욱 바람직하다. 하한값으로서는 0몰%라도 좋지만, 예를 들면 1몰% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 5몰% 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 상기 수치의 범위 내이면 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 여러 가지 특성이 양호해진다.As the other structural unit (a3), a structural unit derived from a (meth) acrylic acid alkyl ester is preferable from the viewpoint of adhesion. Specific examples thereof include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate and n-butyl (meth) acrylate. More preferred is methyl (meth) acrylate. The content of the structural unit (a3) among the structural units constituting the polymer is preferably 60 mol% or less, more preferably 50 mol% or less, still more preferably 40 mol% or less. The lower limit value may be 0 mol%, but is preferably 1 mol% or more, for example, and is more preferably 5 mol% or more. Within the range of the above-mentioned numerical values, various properties of the cured film obtained from the photosensitive resin composition are improved.

성분A에 포함되는 중합체는 기타 구성 단위(a3)로서 산기를 갖는 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다. 중합체가 산기를 가짐으로써 알칼리성의 현상액에 녹기 쉬워져 본 발명의 효과가 보다 효과적으로 발휘된다. 본 발명에 있어서의 산기란 pKa가 10.5보다 작은 프로톤 해리성기를 의미한다. 산기는 통상 산기를 형성할 수 있는 모노머를 이용하여 산기를 포함하는 구성 단위로서 중합체에 도입된다. 이러한 산기를 포함하는 구성 단위를 중합체 중에 포함시킴으로써, 알칼리성의 현상액에 대하여 녹기 쉬워지는 경향이 있다.The polymer contained in the component A preferably has a structural unit having an acid group as the other structural unit (a3). When the polymer has an acid group, the polymer easily dissolves in an alkaline developing solution, and the effect of the present invention is more effectively exhibited. The acid group in the present invention means a proton dissociable group having a pKa of less than 10.5. The acid group is introduced into the polymer as a constituent unit containing an acid group by using a monomer capable of forming an acid group. By incorporating such a structural unit containing an acid group in the polymer, it tends to be easily soluble in an alkaline developer.

본 발명에서 사용되는 산기로서는 카르복실산기 유래의 것, 술폰아미드기로부터 유래된 것, 포스폰산기로부터 유래된 것, 술폰산기로부터 유래된 것, 페놀성 수산기로부터 유래되는 것, 술폰아미드기, 술포닐이미드기 등이 예시되고, 카르복실산기 유래의 것 및/또는 페놀성 수산기로부터 유래된 것이 바람직하다.Examples of the acid group used in the present invention include those derived from a carboxylic acid group, those derived from a sulfonamide group, those derived from a phosphonic acid group, those derived from a sulfonic acid group, those derived from a phenolic hydroxyl group, sulfonamide groups, An imide group and the like, and those derived from a carboxylic acid group and / or a phenolic hydroxyl group are preferred.

본 발명에서 사용되는 산기를 포함하는 구성 단위는 스티렌으로부터 유래되는 구성 단위나, 비닐 화합물로부터 유래되는 구성 단위, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위인 것이 보다 바람직하다.The structural unit containing an acid group used in the present invention is more preferably a structural unit derived from styrene, a structural unit derived from a vinyl compound, and (meth) acrylic acid and / or an ester thereof.

본 발명에서는 특히 카르복실기를 갖는 구성 단위, 또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 함유하는 것이 감도의 관점에서 바람직하다.In the present invention, it is particularly preferable to contain a constituent unit having a carboxyl group or a constituent unit having a phenolic hydroxyl group from the viewpoint of sensitivity.

산기를 갖는 구성 단위는 전체 중합체 성분의 구성 단위의 1∼80몰%가 바람직하고, 1∼50몰%가 보다 바람직하고, 5∼40몰%가 더욱 바람직하고, 5∼30몰%가 특히 바람직하고, 5∼20몰%가 특히 바람직하다.The constituent unit having an acid group is preferably from 1 to 80 mol%, more preferably from 1 to 50 mol%, still more preferably from 5 to 40 mol%, and particularly preferably from 5 to 30 mol% of the constituent units of the entire polymer component , And particularly preferably from 5 to 20 mol%.

또한, 성분A에 해당하는 수지가 산기를 갖는 구성 단위를 포함할 경우, 상기 수지의 산가는 20∼100㎎KOH/g이 바람직하고, 30∼80㎎KOH/g이 보다 바람직하고, 40∼70㎎KOH/g이 더욱 바람직하다.When the resin corresponding to the component A contains a structural unit having an acid group, the acid value of the resin is preferably from 20 to 100 mgKOH / g, more preferably from 30 to 80 mgKOH / g, MgKOH / g is more preferable.

본 발명에서는 상기 중합체 성분 (1) 또는 (2)와는 별도로, 실질적으로 구성 단위(a1) 및 구성 단위(a2)를 포함하지 않고 다른 구성 단위(a3)를 갖는 중합체를 포함하고 있어도 좋다.In the present invention, in addition to the polymer component (1) or (2), a polymer having substantially no structural unit (a1) and / or structural unit (a2) and having another structural unit (a3) may be contained.

이러한 중합체로서는 측쇄에 카르복실기를 갖는 수지가 바람직하다. 예를 들면, 일본 특허 공개 소 59-44615호, 일본 특허 공고 소 54-34327호, 일본 특허 공고 소 58-12577호, 일본 특허 공고 소 54-25957호, 일본 특허 공개 소 59-53836호, 일본 특허 공개 소 59-71048호의 각 공보에 기재되어 있는 바와 같은 메타크릴산 공중합체, 아크릴산 공중합체, 이타콘산 공중합체, 크로톤산 공중합체, 말레산 공중합체, 부분 에스테르화 말레산 공중합체 등, 및 측쇄에 카르복실기를 갖는 산성 셀룰로오스 유도체, 수산기를 갖는 폴리머에 산 무수물을 부가시킨 것 등을 들 수 있고, 또한 측쇄에 (메타)아크릴로일기를 갖는 고분자 중합체도 바람직한 것으로서 들 수 있다.As such a polymer, a resin having a carboxyl group in the side chain is preferable. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-44615, Japanese Patent Publication No. 54-34327, Japanese Patent Publication No. 58-12577, Japanese Patent Publication No. 54-25957, Japanese Patent Application Laid-open No. 59-53836, Methacrylic acid copolymers, acrylic acid copolymers, itaconic acid copolymers, crotonic acid copolymers, maleic acid copolymers, partially esterified maleic acid copolymers and the like as disclosed in the respective publications of Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-71048 Acidic cellulose derivatives having a carboxyl group in a side chain, acid anhydride added to a polymer having a hydroxyl group, and the like, and a polymer having a (meth) acryloyl group in the side chain is also preferable.

예를 들면, 벤질(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트/벤질(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산 공중합체, 일본 특허 공개 평 7-140654호 공보에 기재된 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트/폴리스티렌 매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트/폴리메틸메타크릴레이트 매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌 매크로모노머/메틸메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌 매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체 등을 들 수 있다.(Meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate / benzyl (meth) acrylate / (Meth) acrylate / polystyrene macromonomer / benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate / polymethyl methacrylate macromonomer / Benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl methacrylate / polystyrene macromonomer / methyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl methacrylate / polystyrene macromonomer / benzyl Methacrylate / methacrylic acid copolymer, and the like.

그 밖에도 일본 특허 공개 평 7-207211호 공보, 일본 특허 공개 평 8-259876호 공보, 일본 특허 공개 평 10-300922호 공보, 일본 특허 공개 평 11-140144호 공보, 일본 특허 공개 평 11-174224호 공보, 일본 특허 공개 2000-56118호 공보, 일본 특허 공개 2003-233179호 공보, 일본 특허 공개 2009-52020호 공보 등에 기재된 공지의 고분자 화합물을 사용할 수 있다.In addition, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 7-207211, 8-259876, 10-300922, 11-140144, 11-174224 A publicly known polymer compound described in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2000-56118, 2003-233179, and 2009-52020 can be used.

이들 중합체는 1종류만 포함하고 있어도 좋고, 2종류 이상 포함하고 있어도 좋다.These polymers may contain only one kind or two or more kinds.

이들 중합체로서 시판되고 있는 SMA 1000P, SMA 2000P, SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, SMA 3840F(이상, 사토머사 제), ARUFON UC-3000, ARUFON UC-3510, ARUFON UC-3900, ARUFON UC-3910, ARUFON UC-3920, ARUFON UC-3080[이상, 도아 고세이(주) 제], JONCRYL 690, JONCRYL 678, JONCRYL 67, JONCRYL 586(이상, BASF사 제) 등을 사용할 수도 있다.As these polymers, commercially available SMA 1000P, SMA 2000P, SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, SMA 3840F (manufactured by Satoruma Corporation), ARUFON UC-3000, ARUFON UC-3510, ARUFON UC- JUNCRYL 678, JONCRYL 67, JONCRYL 586 (manufactured by BASF), etc. may be used as the ultraviolet ray absorber.

-성분A에 있어서의 중합체의 분자량-The molecular weight of the polymer in component A -

성분A에 있어서의 중합체의 분자량은 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량이며, 바람직하게는 1,000∼200,000, 보다 바람직하게는 2,000∼50,000의 범위이다. 상기 수치의 범위 내이면 여러 가지 특성이 양호하다. 수평균 분자량 Mn과 중량 평균 분자량 Mw의 비(분산도, Mw/Mn)는 1.0∼5.0이 바람직하고, 1.5∼3.5가 보다 바람직하다.The molecular weight of the polymer in the component A is a polystyrene reduced weight average molecular weight, preferably 1,000 to 200,000, more preferably 2,000 to 50,000. Within the range of the above numerical values, various characteristics are good. The ratio (dispersion degree, Mw / Mn) of the number average molecular weight Mn to the weight average molecular weight Mw is preferably from 1.0 to 5.0, more preferably from 1.5 to 3.5.

-성분A에 있어서의 중합체의 제조 방법-- Method of preparing polymer in component A -

또한, 성분A에 있어서의 중합체의 합성법에 대해서도 여러 가지 방법이 알려져 있지만, 일례를 들면 적어도 상기 구성 단위(a1) 및 상기 구성 단위(a3)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체를 포함하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을 유기 용제 중, 라디칼 중합 개시제를 이용하여 중합함으로써 합성할 수 있다. 또한, 소위 고분자 반응에 의해 합성할 수도 있다.Various methods are also known for the method of synthesizing the polymer in the component A. For example, a radical containing a radical polymerizable monomer used for forming at least the structural unit (a1) and the structural unit (a3) Can be synthesized by polymerization of a polymerizable monomer mixture in an organic solvent using a radical polymerization initiator. It may also be synthesized by a so-called polymer reaction.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중에 있어서의 성분A의 함유량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 20∼99.9질량%인 것이 바람직하고, 50∼98질량%인 것이 보다 바람직하고, 70∼95질량%인 것이 더욱 바람직하다. 함유량이 이 범위이면 현상했을 때의 패턴 형성성이 양호해진다. 또한, 감광성 수지 조성물의 고형분량이란 용제 등의 휘발성 성분을 제외한 양을 나타낸다.The content of the component A in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 20 to 99.9% by mass, more preferably 50 to 98% by mass, and more preferably 70 to 95% by mass based on the total solid content of the photosensitive resin composition More preferable. When the content is within this range, the pattern forming property upon development becomes good. The solid content of the photosensitive resin composition refers to an amount excluding volatile components such as a solvent.

(성분S) 식(S)으로 나타내어지고, 적어도 1종의 산기를 갖는 분산제(Component S) A dispersant having at least one acid group represented by the formula (S)

본 발명의 수지 조성물은 (성분S) 하기 식(S)으로 나타내어지고, 적어도 1종의 산기를 갖는 분산제를 함유한다. 본 발명의 수지 조성물은 성분S를 함유함으로써 금속 산화물 입자의 분산시에 있어서 조대 입자가 적고, 분산액과 중합체 성분을 혼합했을 때의 응집도 없으므로, 고굴절률이며 투명성이 뛰어난 경화물을 형성할 수 있다.The resin composition of the present invention (component S) is represented by the following formula (S) and contains a dispersant having at least one acid group. By containing the component S, the resin composition of the present invention can form a cured product having a high refractive index and excellent transparency since there are few coarse particles at the time of dispersion of the metal oxide particles and no aggregation when the dispersion and the polymer component are mixed.

Figure pct00013
Figure pct00013

[식(S) 중, R3은 (m+n)가의 연결기를 나타내고, R4 및 R5는 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, A2는 유기 색소 구조, 복소환 구조, 산기, 염기성 질소 원자를 갖는 기, 우레아기, 우레탄기, 배위성 산소 원자를 갖는 기, 알콕시실릴기, 페놀기, 알킬기, 아릴기, 알킬렌옥시쇄를 갖는 기, 이미드기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬아미노카르보닐기, 카르복실산염기, 술폰아미드기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 수산기로 이루어지는 군으로부터 선택된 부분 구조를 적어도 1종 포함하는 1가의 유기기를 나타내고, n개의 A2, R4는 동일하거나 달라도 좋고, m은 0∼8을 나타내고, n은 2∼9를 나타내고, m+n은 3∼10이며, P2는 고분자 골격을 나타내고, m개의 P2, R5는 동일하거나 달라도 좋다](In the formula (S), R 3 represents a linking group of (m + n), R 4 and R 5 each independently represent a single bond or a divalent linking group, A 2 represents an organic pigment structure, , A group having a basic nitrogen atom, a urea group, a urethane group, a group having a radial oxygen atom, an alkoxysilyl group, a phenol group, an alkyl group, an aryl group, a group having an alkyleneoxy group, an imide group, an alkyloxycarbonyl group, A monovalent organic group containing at least one partial structure selected from the group consisting of an aminocarbonyl group, a carboxylate group, a sulfonamide group, an epoxy group, an isocyanate group and a hydroxyl group, n A 2 and R 4 may be the same or different, m represents 0 to 8, n represents 2 to 9, m + n represents 3 to 10, P 2 represents a polymer skeleton, and m P 2 and R 5 may be the same or different)

성분S는 적어도 1종의 산기를 갖는 분산제이다. 산기를 가짐으로써, 금속 산화물 입자에 대하여 흡착기로서 작용하는 것으로 추정되고, 금속 산화물 입자의 분산성이 뛰어나다.Component S is a dispersant having at least one acid group. By having an acid group, it is presumed to act as an adsorbent for the metal oxide particles, and the dispersibility of the metal oxide particles is excellent.

산기로서는 카르복실산기(카르복실기), 술폰산기, 인산기, 페놀성 수산기 등을 들 수 있고, 금속 산화물 입자로의 흡착력과 분산성의 관점으로부터 카르복실산기, 술폰산기 및 인산기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종인 것이 바람직하고, 카르복실산기가 특히 바람직하다. 상기 분산제에 있어서의 산기는 이것들을 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합시켜서 갖고 있어도 좋다.Examples of the acid group include a carboxylic acid group (carboxyl group), a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, a phenolic hydroxyl group and the like, and from the viewpoint of the adsorptivity and dispersibility into metal oxide particles, at least one kind selected from the group consisting of carboxylic acid group, And a carboxylic acid group is particularly preferable. The acid groups in the above-mentioned dispersant may be contained singly or in combination of two or more kinds.

성분S에 있어서의 산기는 식(S) 중 어느 구조가 갖고 있어도 좋다. 구체적으로는, 예를 들면 산기는 상기 식(S)에 있어서의 A2에 포함되어도 좋고, 또한 P2로 나타내어지는 고분자 골격 중에 포함되어도 좋고, A2 및 P2의 양쪽에 포함되어도 좋지만, 효과의 관점으로부터는 A2에 포함되는 것이 바람직하다.The acid group in the component S may have any structure of the formula (S). Specifically, for example, acid groups may be included in A 2 in the formula (S), also it may be contained in the polymer skeleton represented by P 2, but may be included in both of the A 2 and P 2, effect from the point of view it is preferably included in a 2.

상기 식(S)에 있어서 A2는 유기 색소 구조, 복소환 구조, 산기, 염기성 질소 원자를 갖는 기, 우레아기, 우레탄기, 배위성 산소 원자를 갖는 기, 알콕시실릴기, 페놀기, 알킬기, 아릴기, 알킬렌옥시쇄를 갖는 기, 이미드기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬아미노카르보닐기, 카르복실산염기, 술폰아미드기, 에폭시기, 이소시아네이트기, 및 수산기로 이루어지는 군으로부터 선택된 부분 구조를 적어도 1종 포함하는 1가의 유기기를 나타낸다. 또한, 식(S) 중에 n개 존재하는 A2는 각각 동일하거나 달라도 좋다.In formula (S), A 2 represents an organic dye structure, a heterocyclic structure, an acid group, a group having a basic nitrogen atom, a urea group, a urethane group, a group having a saturated oxygen atom, an alkoxysilyl group, At least one partial structure selected from the group consisting of an aryl group, an alkyleneoxy group, an imide group, an alkyloxycarbonyl group, an alkylaminocarbonyl group, a carboxylate group, a sulfonamide group, an epoxy group, an isocyanate group, and a hydroxyl group &Lt; / RTI &gt; In the formula (S), A 2 in which n are present may be the same or different.

즉, 상기 A2는 유기 색소 구조, 복소환 구조와 같은 금속 산화물 입자에 대한 흡착능을 갖는 구조나, 산기, 염기성 질소 원자를 갖는 기, 우레아기, 우레탄기, 배위성 산소 원자를 갖는 기, 알콕시실릴기, 페놀기, 알킬기, 아릴기, 알킬렌옥시쇄를 갖는 기, 이미드기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬아미노카르보닐기, 카르복실산염기, 술폰아미드기, 에폭시기, 이소시아네이트기, 및 수산기와 같이 금속 산화물 입자에 대한 흡착능을 갖는 관능기를 적어도 1종 포함하는 1가의 유기기를 나타낸다.That is, A 2 is a structure having adsorptivity to metal oxide particles such as an organic dye structure and a heterocyclic structure, a structure having an acid group, a group having a basic nitrogen atom, a urea group, a urethane group, A metal oxide such as a silyl group, a phenol group, an alkyl group, an aryl group, an alkyleneoxy group, an imide group, an alkyloxycarbonyl group, an alkylaminocarbonyl group, a carboxylate group, a sulfonamide group, an epoxy group, an isocyanate group, Represents a monovalent organic group containing at least one functional group having adsorptivity to particles.

또한, 이하 이 금속 산화물 입자에 대한 흡착능을 갖는 부분 구조(상기 구조 및 관능기)를 적당하게 「흡착 부위」라고 총칭하여 설명한다.Hereinafter, the partial structure (structure and functional group) having adsorptivity to the metal oxide particles will be collectively referred to as &quot; adsorption site &quot;.

상기 흡착 부위는 1개의 A2 중에 적어도 1종 포함되어 있으면 좋고, 2종 이상을 포함하고 있어도 좋다.The adsorption site may contain at least one of A 2 , and may include two or more species.

또한, 본 발명에 있어서 「흡착 부위를 적어도 1종 포함하는 1가의 유기기」는 상술의 흡착 부위와, 1∼200개의 탄소 원자, 0∼20개의 질소 원자, 0개∼100개의 산소 원자, 1개∼400개의 수소 원자, 및 0개∼40개의 황 원자로부터 성립되는 연결기가 결합되어 이루어지는 1가의 유기기이다. 또한, 흡착 부위 자체가 1가의 유기기를 구성할 수 있을 경우에는 흡착 부위 그 자체가 A2로 나타내어지는 1가의 유기기라도 좋다.In the present invention, the "monovalent organic group containing at least one adsorption site" is a monovalent organic group having 1 to 200 carbon atoms, 0 to 20 nitrogen atoms, 0 to 100 oxygen atoms, 1 To 400 hydrogen atoms, and a linking group formed from 0 to 40 sulfur atoms. In addition, when the adsorption site itself can constitute a monovalent organic group, it may be a monovalent organic group in which the adsorption site itself is represented by A 2 .

우선, 상기 A2를 구성하는 흡착 부위에 대해서 이하에 설명한다.First, the adsorption sites constituting A 2 will be described below.

상기 「유기 색소 구조」란, 예를 들면 프탈로시아닌계, 불용성 아조계, 아조레이크계, 안트라퀴논계, 퀴나크리돈계, 디옥사딘계, 디케토피롤로피롤계, 안트라피리딘계, 안탄트론계, 인단트론계, 플라반트론계, 페리논계, 페릴렌계, 티오인디고계의 색소 구조를 바람직한 예로서 들 수 있고, 프탈로시아닌계, 아조레이크계, 안트라퀴논계, 디옥사딘계, 디케토피롤로피롤계의 색소 구조가 보다 바람직하고, 프탈로시아닌계, 안트라퀴논계, 디케토피롤로피롤계의 색소 구조가 특히 바람직하다.The term "organic pigment structure" as used herein refers to, for example, phthalocyanine, insoluble azo, azo lake, anthraquinone, quinacridone, dioxadine, diketopyrrolopyrrole, anthrapyridine, Preferable examples of the dye structure of the phthalocyanine-based, flavanthrone-based, perinone-based, perylene-based and thioindigo-based pigments are phthalocyanine, azo lake, anthraquinone, dioxadine and diketopyrrolopyrrole pigment structures Is more preferable, and a dye structure of phthalocyanine type, anthraquinone type, and diketopyrrolopyrrole type is particularly preferable.

또한, 상기 「복소환 구조」란 복소환을 적어도 1 이상 갖는 기이면 좋다. 상기 「복소환 구조」에 있어서의 헤테로 원자로서는 O(산소 원자), N(질소 원자), 또는 S(황 원자) 중 적어도 1개를 포함하는 것이 바람직하고, 질소 원자를 적어도 1개 포함하는 것이 보다 바람직하다. 상기 「복소환 구조」에 있어서의 복소환으로서는, 예를 들면 티오펜, 푸란, 크산텐, 피롤, 피롤린, 피롤리딘, 디옥솔란, 피라졸, 피라졸린, 피라졸리딘, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 트리아졸, 티아디아졸, 피란, 피리딘, 피페리딘, 디옥산, 모르폴린, 피리다진, 피리미딘, 피페라진, 트리아진, 트리티안, 이소인돌린, 이소인돌리논, 벤즈이마다졸론, 벤조티아졸, 숙신이미드, 프탈이미드, 나프탈이미드, 히단토인, 인돌, 퀴놀린, 카바졸, 아크리딘, 및 아크리돈으로 이루어지는 군으로부터 선택된 복소환을 바람직한 예로서 들 수 있고, 피롤린, 피롤리딘, 피라졸, 피라졸린, 피라졸리딘, 이미다졸, 트리아졸, 피리딘, 피페리딘, 모르폴린, 피리다진, 피리미딘, 피페라진, 트리아진, 이소인돌린, 이소인돌리논, 벤즈이마다졸론, 벤조티아졸, 숙신이미드, 프탈이미드, 나프탈이미드, 히단토인, 카바졸, 아크리딘, 및 아크리돈으로 이루어지는 군으로부터 선택된 복소환이 보다 바람직하다.The "heterocyclic structure" may be a group having at least one heterocyclic ring. The hetero atom in the above "heterocyclic structure" preferably contains at least one of O (oxygen atom), N (nitrogen atom), or S (sulfur atom) More preferable. The heterocyclic ring in the above "heterocyclic structure" includes, for example, thiophene, furan, xanthene, pyrrole, pyrroline, pyrrolidine, dioxolane, pyrazole, pyrazoline, pyrazolidine, imidazole, Wherein the substituent is selected from the group consisting of a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydroxyl group, a hydroxyl group, a hydroxyl group, a hydroxyl group, a hydroxyl group, a hydroxyl group, Heterocyclic ring selected from the group consisting of indolinone, benzimidazolone, benzothiazole, succinimide, phthalimide, naphthalimide, hydantoin, indole, quinoline, carbazole, acridine, And examples thereof include pyrrole, pyrrolidine, pyrazole, pyrazoline, pyrazolidine, imidazole, triazole, pyridine, piperidine, morpholine, pyridazine, pyrimidine, Azine, isoindolin, isoindolinone, benzimadolone, benzothiazole, succinimide , Phthalimide, naphthalimide, hydantoin, carbazole, acridine, and O is more preferably a heterocyclic ring selected from the group consisting of chestnut money.

또한, 상기 「유기 색소 구조」 또는 「복소환 구조」는 치환기를 더 갖고 있어도 좋고, 그 치환기로서는 예를 들면 메틸기, 에틸기 등의 탄소수 1∼20의 알킬기, 페닐기, 나프틸기 등의 탄소수 6∼16의 아릴기, 수산기, 아미노기, 카르복실기, 술폰아미드기, N-술포닐아미드기, 아세톡시기 등의 탄소수 1∼6의 아실옥시기, 메톡시기, 에톡시기 등의 탄소수 1∼20의 알콕시기, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 시클로헥실옥시카르보닐기 등의 탄소수 2∼7의 알콕시카르보닐기, 시아노기, t-부틸카보네이트기 등의 탄산 에스테르기 등을 들 수 있다. 여기에서, 이들 치환기는 하기 구조 단위 또는 그 구조 단위가 조합되어 구성되는 연결기를 통해서 유기 색소 구조 또는 복소환 구조와 결합되어 있어도 좋다.The above "organic dye structure" or "heterocyclic structure" may further have a substituent. Examples of the substituent include substituents such as an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a methyl group and an ethyl group, a phenyl group, a naphthyl group, An alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms such as an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as an aryl group, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, a sulfonamide group, an N-sulfonylamide group or an acetoxy group, A halogen atom such as a chlorine atom or a bromine atom, a carbonic ester group such as an alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group or a cyclohexyloxycarbonyl group, a cyano group or a t-butylcarbonate group . Here, these substituents may be bonded to the organic dye structure or the heterocyclic structure through a linking group composed of the following structural unit or a combination of the structural units.

Figure pct00014
Figure pct00014

상기 「산기」란, 예를 들면 카르복실산기, 술폰산기, 모노황산 에스테르기, 인산기, 모노인산 에스테르기, 붕산기를 바람직한 예로서 들 수 있고, 카르복실산기, 술폰산기, 모노황산 에스테르기, 인산기, 모노인산 에스테르기가 보다 바람직하고, 카르복실산기, 술폰산기, 인산기가 더욱 바람직하고, 카르복실산기가 특히 바람직하다.The "acid group" includes, for example, a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a monosulfuric acid ester group, a phosphoric acid group, a monophosphoric acid ester group and a boric acid group as preferable examples, and a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, , A mono phosphate ester group is more preferable, and a carboxylic acid group, a sulfonic acid group and a phosphoric acid group are more preferable, and a carboxylic acid group is particularly preferable.

또한, 상기 「염기성 질소 원자를 갖는 기」란, 예를 들면 아미노기(-NH2), 치환 이미노기(-NHR8, -NR9R10, 여기에서, R8, R9 및 R10은 각각 독립적으로 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 6 이상의 아릴기, 탄소수 7 이상의 아랄킬기를 나타내고, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 6∼20의 아릴기, 탄소수 7∼20의 아랄킬기가 바람직하다), 하기 식(a1)으로 나타내어지는 구아니딜기, 하기 식(a2)으로 나타내어지는 아미디닐기 등을 바람직한 예로서 들 수 있다.The above-mentioned "group having a basic nitrogen atom" includes, for example, an amino group (-NH 2 ), a substituted imino group (-NHR 8 , -NR 9 R 10 wherein R 8 , R 9 and R 10 are Independently represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 or more carbon atoms, an aralkyl group having 7 or more carbon atoms, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms) A guanidyl group represented by the following formula (a1), and an amidinyl group represented by the following formula (a2).

Figure pct00015
Figure pct00015

식(a1) 중, R11 및 R12는 각각 독립적으로 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 6 이상 20 이하의 아릴기, 탄소수 7 이상 20 이하의 아랄킬기를 나타낸다.In formula (a1), R 11 and R 12 each independently represent an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms.

식(a2) 중, R13 및 R14는 각각 독립적으로 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 6 이상의 아릴기, 탄소수 7 이상의 아랄킬기를 나타낸다.In formula (a2), R 13 and R 14 each independently represent an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 or more carbon atoms, or an aralkyl group having 7 or more carbon atoms.

이들 중에서도 아미노기(-NH2), 치환 이미노기(-NHR8, -NR9R10, 여기에서, R8, R9 및 R10은 각각 독립적으로 탄소수 1∼10의 알킬기, 페닐기, 벤질기를 나타낸다), 상기 식(a1)으로 나타내어지는 구아니딜기[식(a1) 중, R11 및 R12는 각각 독립적으로 탄소수 1∼10의 알킬기, 페닐기, 벤질기를 나타낸다], 상기 식(a2)으로 나타내어지는 아미디닐기[식(a2) 중, R13 및 R14는 각각 독립적으로 탄소수 1∼10의 알킬기, 페닐기, 벤질기를 나타낸다] 등이 보다 바람직하다.Among them, an amino group (-NH 2 ), a substituted imino group (-NHR 8 , -NR 9 R 10 , wherein R 8 , R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a phenyl group or a benzyl group And a guanidyl group represented by the formula (a1): wherein R 11 and R 12 each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a phenyl group or a benzyl group; (Wherein R 13 and R 14 each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a phenyl group or a benzyl group), and the like are more preferable.

특히, 아미노기(-NH2), 치환 이미노기(-NHR8, -NR9R10, 여기에서 R8, R9 및 R10은 각각 독립적으로 탄소수 1∼5의 알킬기, 페닐기, 벤질기를 나타낸다], 상기 식(a1)으로 나타내어지는 구아니딜기[식(a1) 중, R11 및 R12는 각각 독립적으로 탄소수 1∼5의 알킬기, 페닐기, 벤질기를 나타낸다], 상기 식(a2)으로 나타내어지는 아미디닐기[식(a2) 중, R13 및 R14는 각각 독립적으로 탄소수 1∼5의 알킬기, 페닐기, 벤질기를 나타낸다] 등이 바람직하게 사용된다.In particular, an amino group (-NH 2 ), a substituted imino group (-NHR 8 , -NR 9 R 10 , wherein R 8 , R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group or a benzyl group) , Guanidyl group represented by the formula (a1) [in the formula (a1), R 11 and R 12 each independently represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group or a benzyl group] An amidinyl group [in the formula (a2), R 13 and R 14 each independently represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group or a benzyl group].

상기 「우레아기」로서는, 예를 들면 -NR15CONR16R17(여기에서, R15, R16 및 R17은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 6 이상의 아릴기, 또는 탄소수 7 이상의 아랄킬기를 나타내고, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 6∼20의 아릴기, 또는 탄소수 7∼20의 아랄킬기가 바람직하다)을 바람직한 예로서 들 수 있고, -NR15CONHR17(여기에서, R15 및 R17은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 6 이상 20 이하의 아릴기, 또는 탄소수 7 이상 20 이하의 아랄킬기를 나타낸다)이 보다 바람직하고, -NHCONHR17(여기에서, R17은 수소 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 6 이상의 아릴기, 또는 탄소수 7 이상의 아랄킬기를 나타내고, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 6∼20의 아릴기, 또는 탄소수 7∼20의 아랄킬기가 바람직하다)이 특히 바람직하다.Examples of the "urea" include -NR 15 CONR 16 R 17 wherein R 15 , R 16 and R 17 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 or more carbon atoms, Preferred is an aralkyl group having 7 or more carbon atoms and is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms), -NR 15 CONHR 17 , R 15 and R 17 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, and more preferably -NHCONHR 17 (Wherein R 17 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 or more carbon atoms, or an aralkyl group having 7 or more carbon atoms, and includes an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, &Lt; / RTI &gt; preferably an aralkyl group of &lt; RTI ID = 0.0 &gt; Is recommended.

상기 「우레탄기」로서는, 예를 들면 -NHCOOR18, -NR19COOR20, -OCONHR21, -OCONR22R23(여기에서, R18, R19, R20, R21, R22 및 R23은 각각 독립적으로 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 6 이상의 아릴기, 또는 탄소수 7 이상의 아랄킬기를 나타내고, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 6∼20의 아릴기, 또는 탄소수 7∼20의 아랄킬기가 바람직하다) 등을 바람직한 예로서 들 수 있고, -NHCOOR18, -OCONHR21(여기에서, R18 및 R21은 각각 독립적으로 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 6 이상의 아릴기, 또는 탄소수 7 이상의 아랄킬기를 나타내고, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 6∼20의 아릴기, 또는 탄소수 7∼20의 아랄킬기가 바람직하다) 등이 보다 바람직하고, -NHCOOR18, -OCONHR21(여기에서, R18 및 R21은 각각 독립적으로 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 6 이상 12 이하의 아릴기, 또는 탄소수 7 이상 10 이하의 아랄킬기를 나타낸다) 등이 특히 바람직하다.Examples of the "urethane group" include -NHCOOR 18 , -NR 19 COOR 20 , -OCONHR 21 , -OCONR 22 R 23 (wherein R 18 , R 19 , R 20 , R 21 , R 22 and R 23 Each independently represent an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 or more carbon atoms, or an aralkyl group having 7 or more carbon atoms, and is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms it is preferable) and the like as a preferable example, -NHCOOR 18, -OCONHR 21 (here, R 18 and R 21 are each independently an alkyl group of 1 to 20 carbon atoms, having a carbon number of 6 or more aryl groups, or aralkyl having a carbon number of 7 or more More preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms), -NHCOOR 18 , -OCONHR 21 (wherein R 18 And R &lt; 21 &gt; each independently represent an alkyl group having from 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having from 6 to 12 carbon atoms, An aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms) and the like are particularly preferable.

상기 「배위성 산소 원자를 갖는 기」로서는, 예를 들면 아세틸아세토네이트기, 크라운 에테르 구조를 갖는 기 등을 들 수 있다.Examples of the "group having a radial oxygen atom" include an acetylacetonate group, a group having a crown ether structure, and the like.

상기 「알콕시실릴기」로서는, 예를 들면 트리메톡시실릴기, 트리에톡시실릴기 등을 들 수 있다.Examples of the "alkoxysilyl group" include a trimethoxysilyl group, a triethoxysilyl group, and the like.

상기 치환기 A2로 나타내어지는 알킬기로서는 직쇄상이라도 좋고 분기상이라도 좋고, 탄소수 1∼40의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 4∼30의 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 10∼18의 알킬기가 더욱 바람직하다.The alkyl group represented by the substituent A 2 may be linear or branched, preferably an alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 4 to 30 carbon atoms, and still more preferably an alkyl group having 10 to 18 carbon atoms.

상기 치환기 A2로 나타내어지는 아릴기로서는 탄소수 6∼10의 아릴기가 바람직하다.The aryl group represented by the substituent A 2 is preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms.

상기 「알킬렌옥시쇄를 갖는 기」로서는 말단에 폴리알킬옥시기를 갖는 기가 바람직하고, 상기 알킬옥시기의 탄소수가 2∼20인 것이 보다 바람직하다. 또한, 알킬렌옥시쇄로서는 적어도 1개의 알킬렌옥시기를 갖는 한 특별하게 제한은 없지만, 탄소수 2∼6의 알킬렌옥시기로 이루어지는 것이 바람직하다. 알킬렌옥시기로서는, 예를 들면 -CH2CH2O-, -CH2CH2CH2O- 등을 들 수 있다.As the above-mentioned "group having an alkyleneoxy group", a group having a polyalkyloxy group at the terminal is preferable, and the alkyloxy group preferably has 2 to 20 carbon atoms. The alkyleneoxy chain is not particularly limited as far as it has at least one alkyleneoxy group, but is preferably composed of an alkyleneoxy group having 2 to 6 carbon atoms. Examples of the alkyleneoxy group include -CH 2 CH 2 O-, -CH 2 CH 2 CH 2 O- and the like.

상기 「알킬옥시카르보닐기」에 있어서의 알킬기 부분으로서는 탄소수 1∼20의 알킬기인 것이 바람직하다.The alkyl moiety in the "alkyloxycarbonyl group" is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

상기 「알킬아미노카르보닐기」에 있어서의 알킬기 부분으로서는 탄소수 1∼20의 알킬기인 것이 바람직하다.The alkyl moiety in the "alkylaminocarbonyl group" is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

상기 「카르복실산염기」로서는 카르복실기의 암모늄염 등의 기를 들 수 있다.Examples of the "carboxylic acid base" include groups such as an ammonium salt of a carboxyl group.

상기 「술폰아미드기」로서는 술폰아미드 구조의 질소 원자에 결합되는 수소 원자가 알킬기(메틸기 등), 아실기(아세틸기, 트리플루오로아세틸기 등) 등으로 치환되어 있어도 좋다.As the "sulfonamide group", the hydrogen atom bonded to the nitrogen atom of the sulfonamide structure may be substituted with an alkyl group (methyl group, etc.), an acyl group (acetyl group, trifluoroacetyl group, etc.)

특히, 금속 산화물 입자와의 상호 작용을 양호하게 하고, 굴절률을 향상시키고, 또한 조성물의 점도를 저감시키는 관점으로부터 A2는 pKa 5 이상의 관능기를 적어도 1종 갖는 1가의 치환기인 것이 바람직하고, pKa 5∼14의 관능기를 적어도 1종 갖는 1가의 치환기인 것이 보다 바람직하다.In particular, A 2 is preferably a monovalent substituent group having at least one functional group having a pKa of 5 or more from the viewpoint of improving the interaction with the metal oxide particles, improving the refractive index, and decreasing the viscosity of the composition. More preferably a monovalent substituent having at least one functional group of -14.

여기에서 말하는 「pKa」란 화학 편람(II)(개정 4판, 1993년, 일본 화학회편, 마루젠 가부시키가이샤)에 기재되어 있는 정의인 것이다.The term &quot; pKa &quot; used herein is a definition described in the Chemical Manual (II) (revised edition 4, 1993, edited by The Japan Chemical Society, Maruzen Co., Ltd.).

상기 pKa 5 이상의 관능기로서는 배위성 산소 원자를 갖는 기, 염기성 질소 원자를 갖는 기, 페놀기, 우레아기, 우레탄기, 알킬기, 아릴기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬아미노카르보닐기, 알킬렌옥시쇄를 갖는 기, 이미드기, 카르복실산염기, 술폰아미드기, 수산기, 복소환기 등을 들 수 있다.Examples of the functional group having a pKa of 5 or more include a group having a saturated oxygen atom, a group having a basic nitrogen atom, a phenol group, a urea group, a urethane group, an alkyl group, an aryl group, an alkyloxycarbonyl group, an alkylaminocarbonyl group, , An imide group, a carboxylic acid group, a sulfonamide group, a hydroxyl group, and a heterocyclic group.

pKa 5 이상의 관능기로서 구체적으로는, 예를 들면 페놀기(pKa 8∼10 정도), 알킬기(pKa 46∼53 정도), 아릴기(pKa 40∼43 정도), 우레아기(pKa 12∼14 정도), 우레탄기(pKa 11∼13 정도), 배위성 산소 원자로서의 -COCH2CO-(pKa 8∼10 정도), 술폰아미드기(pKa 9∼11 정도), 수산기(pKa 15∼17 정도), 복소환기(pKa 12∼30 정도) 등을 들 수 있다.Specific examples of the functional group having a pKa of 5 or more include phenol groups (pKa about 8 to 10), alkyl groups (pKa about 46 to about 53), aryl groups (about pKa about 40 to 43) -COCH 2 CO- (pKa 8 to 10), sulfonamide group (pKa 9 to 11), hydroxyl group (pKa 15 to 17), complex Ventilation (about 12 to 30 pKa), and the like.

상기 중에서는 상기 A2로서 산기, 우레아기, 우레탄기, 페놀기, 술폰아미드기, 이미드기 및 배위성 산소 원자를 갖는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 적어도 1종 갖는 1가의 치환기인 것이 바람직하다.Among them, A 2 is preferably a monovalent substituent having at least one group selected from the group consisting of an acid group, a urea group, a urethane group, a phenol group, a sulfonamide group, an imide group and a group having a saturated oxygen atom.

상기 흡착 부위와 결합되는 연결기로서는 단결합, 또는 1개∼100개의 탄소 원자, 0개∼10개의 질소 원자, 0개∼50개의 산소 원자, 1개∼200개의 수소 원자, 및 0개∼20개의 황 원자로부터 성립되는 연결기가 바람직하고, 이 연결기는 무치환이라도 좋고 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 이 연결기의 구체적인 예로서, 하기 구조 단위 또는 그 구조 단위가 조합되어 구성되는 기를 들 수 있다.The linking group to be bonded to the adsorption site may be a single bond, or a single bond, or a single bond, or a single bond, or an alkylene group having 1 to 100 carbon atoms, 0 to 10 nitrogen atoms, 0 to 50 oxygen atoms, 1 to 200 hydrogen atoms, A linking group formed from a sulfur atom is preferable, and this linking group may be unsubstituted or may further have a substituent. Specific examples of the linking group include the following structural units or groups in which the structural units are combined.

Figure pct00016
Figure pct00016

상기 연결기가 치환기를 가질 경우, 그 치환기로서는 예를 들면 메틸기, 에틸기 등의 탄소수 1∼20의 알킬기, 페닐기, 나프틸기 등의 탄소수 6∼16의 아릴기, 수산기, 아미노기, 카르복실기, 술폰아미드기, N-술포닐아미드기, 아세톡시기 등의 탄소수 1∼6의 아실옥시기, 메톡시기, 에톡시기 등의 탄소수 1∼6의 알콕시기, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 시클로헥실옥시카르보닐기 등의 탄소수 2∼7의 알콕시카르보닐기, 시아노기, t-부틸카보네이트기 등의 탄산 에스테르기 등을 들 수 있다.When the linking group has a substituent, examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as methyl and ethyl, an aryl group having 6 to 16 carbon atoms such as a phenyl group and a naphthyl group, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group, a halogen atom such as a chlorine atom and a bromine atom, a methoxycarbonyl group, a methoxycarbonyl group, An alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms such as an ethoxycarbonyl group and a cyclohexyloxycarbonyl group, a carbonic ester group such as a cyano group and a t-butylcarbonyl group, and the like.

상기 중에서는 상기 A2로서 유기 색소 구조, 복소환 구조, 산기, 염기성 질소 원자를 갖는 기, 우레아기, 페놀기, 알킬기, 아릴기, 및 알킬옥시카르보닐기로 이루어지는 군으로부터 선택된 부분 구조를 적어도 1종 포함하는 1가의 유기기인 것이 바람직하고, 산기를 적어도 1종 포함하는 1가의 유기기인 것이 특히 바람직하다.Among them, A 2 represents at least one partial structure selected from the group consisting of an organic dye structure, a heterocyclic structure, an acid group, a group having a basic nitrogen atom, a urea group, a phenol group, an alkyl group, an aryl group, and an alkyloxycarbonyl group Is preferably a monovalent organic group containing at least one acid group and particularly preferably a monovalent organic group containing at least one acid group.

또한, 성분S로서는 A2가 산기를 적어도 1종 포함하는 1가의 유기기뿐인 화합물, 또는 A2로서 산기를 적어도 1종 포함하는 1가의 유기기와, 유기 색소 구조, 복소환 구조, 산기, 염기성 질소 원자를 갖는 기, 우레아기, 페놀기, 알킬기, 아릴기, 및 알킬옥시카르보닐기로 이루어지는 군으로부터 선택된 부분 구조를 적어도 1종 포함하는 1가의 유기기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, A2가 산기를 적어도 1종 포함하는 1가의 유기기뿐인 화합물이 특히 바람직하다.As the component S, a compound in which A 2 is only a monovalent organic group containing at least one acid group, or a monovalent organic group containing at least one acid group as A 2 and an organic dye structure, a heterocyclic structure, an acid group, a basic nitrogen group having atom, a urea group, a phenol group, an alkyl group, an aryl group, and alkyloxycarbonyl group preferably a compound having a monovalent organic group containing at least one type of a partial structure selected from the group consisting of and, a 2 is an acid group at least A compound having only a monovalent organic group including one kind is particularly preferable.

상기 A2로서는 하기 식(4)으로 나타내어지는 1가의 유기기인 것이 보다 바람직하다.The A 2 is more preferably a monovalent organic group represented by the following formula (4).

Figure pct00017
Figure pct00017

상기 식(4) 중, B1은 상기 흡착 부위(즉, 유기 색소 구조, 복소환 구조, 산기, 염기성 질소 원자를 갖는 기, 우레아기, 우레탄기, 배위성 산소 원자를 갖는 기, 탄소수 4 이상의 탄화수소기, 알콕시실릴기, 에폭시기, 이소시아네이트기, 및 수산기로 이루어지는 군으로부터 선택된 부분 구조)를 나타내고, R24는 단결합 또는 (a+1)가의 연결기를 나타낸다. a는 1∼10의 정수를 나타내고, 식(4) 중에 a개 존재하는 B1은 각각 동일하거나 달라도 좋다.In the formula (4), B 1 represents a group having an adsorption site (i.e., an organic pigment structure, a heterocyclic structure, an acid group, a group having a basic nitrogen atom, a urea group, a urethane group, A partial structure selected from the group consisting of a hydrocarbon group, an alkoxysilyl group, an epoxy group, an isocyanate group and a hydroxyl group), and R 24 represents a single bond or a (a + 1) a represents an integer of 1 to 10, and B 1 in a formula (4) may be the same or different.

상기 B1로 나타내어지는 흡착 부위로서는 상기 식(S)의 A2를 구성하는 흡착 부위와 마찬가지인 것을 들 수 있고, 바람직한 예도 마찬가지이다.The adsorption site represented by B 1 is the same as the adsorption site constituting A 2 in the formula (S), and preferable examples are also the same.

그 중에서도 유기 색소 구조, 복소환 구조, 산기, 염기성 질소 원자를 갖는 기, 우레아기, 페놀기, 알킬기, 아릴기, 및 알킬옥시카르보닐기로 이루어지는 군으로부터 선택된 부분 구조가 바람직하고, 산기가 특히 바람직하다.Among them, a partial structure selected from the group consisting of an organic dye structure, a heterocyclic structure, an acid group, a group having a basic nitrogen atom, a urea group, a phenol group, an alkyl group, an aryl group, and an alkyloxycarbonyl group is preferable, .

R24는 단결합 또는 (a+1)가의 연결기를 나타내고, a는 1∼10의 정수를 나타내고, 1∼7의 정수인 것이 바람직하고, 1∼5의 정수인 것이 보다 바람직하고, 1∼3의 정수인 것이 특히 바람직하다.R 24 represents a divalent connecting group or a single bond (a + 1), a represents an integer of 1 to 10, is an integer of 1-7, and preferably, and more preferably an integer of 1 to 5, an integer of 1 to 3 Is particularly preferable.

(a+1)가의 연결기로서는 1개∼100개의 탄소 원자, 0개∼10개의 질소 원자, 0개∼50개의 산소 원자, 1개∼200개의 수소 원자, 및 0개∼20개의 황 원자로부터 성립되는 기가 포함되고, 무치환이라도 좋고 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.(a + 1) bond is formed from 1 to 100 carbon atoms, 0 to 10 nitrogen atoms, 0 to 50 oxygen atoms, 1 to 200 hydrogen atoms, and 0 to 20 sulfur atoms, And may be unsubstituted or may further have a substituent.

상기 (a+1)가의 연결기는 구체적인 예로서, 하기 구조 단위 또는 그 구조 단위가 조합되어 구성되는 기(환 구조를 형성하고 있어도 좋다)를 들 수 있다.Specific examples of the linking group (a + 1) include the following structural units or groups in which the structural units are combined (may form a cyclic structure).

Figure pct00018
Figure pct00018

R24로서는 단결합, 또는 1개∼50개의 탄소 원자, 0개∼8개의 질소 원자, 0개∼25개의 산소 원자, 1개∼100개의 수소 원자, 및 0개∼10개의 황 원자로부터 성립되는 (a+1)가의 연결기가 바람직하고, 단결합, 또는 1개∼30개의 탄소 원자, 0개∼6개의 질소 원자, 0개∼15개의 산소 원자, 1개∼50개의 수소 원자, 및 0개∼7개의 황 원자로부터 성립되는 (a+1)가의 연결기가 보다 바람직하고, 단결합, 또는 1개∼10개의 탄소 원자, 0개∼5개의 질소 원자, 0개∼10개의 산소 원자, 1개∼30개의 수소 원자, 및 0개∼5개의 황 원자로부터 성립되는 (a+1)가의 연결기가 특히 바람직하다.R 24 is a single bond or a single bond consisting of 1 to 50 carbon atoms, 0 to 8 nitrogen atoms, 0 to 25 oxygen atoms, 1 to 100 hydrogen atoms, and 0 to 10 sulfur atoms (a + 1), and is preferably a single bond, or a single bond, or a single bond, or a single bond, or a single bond, or a single bond, (A + 1) -valent linking group formed from 7 sulfur atoms, more preferably a single bond, or a single bond, or one to ten carbon atoms, 0 to 5 nitrogen atoms, 0 to 10 oxygen atoms, (A + 1) &lt; / RTI &gt; bridged group formed from 0 to 5 hydrogen atoms, and from 0 to 5 sulfur atoms.

상기 중 (a+1)가의 연결기가 치환기를 가질 경우, 그 치환기로서는 예를 들면 메틸기, 에틸기 등의 탄소수 1∼20의 알킬기, 페닐기, 나프틸기 등의 탄소수 6∼16의 아릴기, 수산기, 아미노기, 카르복실기, 술폰아미드기, N-술포닐아미드기, 아세톡시기 등의 탄소수 1∼6의 아실옥시기, 메톡시기, 에톡시기 등의 탄소수 1∼6의 알콕시기, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 시클로헥실옥시카르보닐기 등의 탄소수 2∼7의 알콕시카르보닐기, 시아노기, t-부틸카보네이트기 등의 탄산 에스테르기 등을 들 수 있다.When the (a + 1) th connecting group has a substituent, examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a methyl group and an ethyl group, an aryl group having 6 to 16 carbon atoms such as a phenyl group and a naphthyl group, , An acyloxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a carboxyl group, a sulfonamide group, an N-sulfonylamide group and an acetoxy group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group, An alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms such as a halogen atom, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group and a cyclohexyloxycarbonyl group, and a carbonic ester group such as a cyano group and a t-butylcarbonate group.

상기 식(S)에 있어서 R4 및 R5는 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. n개 존재하는 R4는 각각 동일하거나 달라도 좋다. 또한, m개 존재하는 R5는 각각 동일하거나 달라도 좋다.In the formula (S), R 4 and R 5 each independently represent a single bond or a divalent linking group. The n R 4 present may be the same or different. R 5 present in m groups may be the same or different.

R4 및 R5에 있어서의 2가의 연결기로서는 1개∼100개의 탄소 원자, 0개∼10개의 질소 원자, 0개∼50개의 산소 원자, 1개∼200개의 수소 원자, 및 0개∼20개의 황 원자로부터 성립되는 기가 포함되고, 무치환이라도 좋고 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.The divalent linking group in R 4 and R 5 is preferably a divalent linking group having 1 to 100 carbon atoms, 0 to 10 nitrogen atoms, 0 to 50 oxygen atoms, 1 to 200 hydrogen atoms, and 0 to 20 A group formed from a sulfur atom, which may be unsubstituted or may further have a substituent.

상기 2가의 연결기는 구체적인 예로서, 하기 구조 단위 또는 그 구조 단위가 조합되어 구성되는 기를 들 수 있다.As a specific example, the bivalent linking group includes a group formed by combining the following structural units or structural units thereof.

Figure pct00019
Figure pct00019

R4 및 R5로서는 각각 독립적으로 단결합, 또는 1개∼50개의 탄소 원자, 0개∼8개의 질소 원자, 0개∼25개의 산소 원자, 1개∼100개의 수소 원자, 및 0개∼10개의 황 원자로부터 성립되는 2가의 연결기가 바람직하고, 단결합, 또는 1개∼30개의 탄소 원자, 0개∼6개의 질소 원자, 0개∼15개의 산소 원자, 1개∼50개의 수소 원자, 및 0개∼7개의 황 원자로부터 성립되는 2가의 연결기가 보다 바람직하고, 단결합, 또는 1개∼10개의 탄소 원자, 0개∼5개의 질소 원자, 0개∼10개의 산소 원자, 1개∼30개의 수소 원자, 및 0개∼5개의 황 원자로부터 성립되는 2가의 연결기가 특히 바람직하다.R 4 and R 5 are each independently a single bond or a straight or branched alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, 0 to 8 nitrogen atoms, 0 to 25 oxygen atoms, 1 to 100 hydrogen atoms, and 0 to 10 A divalent linking group formed from sulfur atoms of 1 to 30 carbon atoms, 0 to 6 nitrogen atoms, 0 to 15 oxygen atoms, 1 to 50 hydrogen atoms, and More preferably a divalent linking group formed from 0 to 7 sulfur atoms, more preferably a single bond or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, 0 to 5 nitrogen atoms, 0 to 10 oxygen atoms, 1 to 30 Hydrogen atoms, and divalent linking groups formed from 0 to 5 sulfur atoms are particularly preferred.

상기 중 2가의 연결기가 치환기를 가질 경우 그 치환기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기 등의 탄소수 1∼20의 알킬기, 페닐기, 나프틸기 등의 탄소수 6∼16의 아릴기, 수산기, 아미노기, 카르복실기, 술폰아미드기, N-술포닐아미드기, 아세톡시기 등의 탄소수 1∼6의 아실옥시기, 메톡시기, 에톡시기 등의 탄소수 1∼6의 알콕시기, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 시클로헥실옥시카르보닐기 등의 탄소수 2∼7의 알콕시카르보닐기, 시아노기, t-부틸카보네이트기 등의 탄산 에스테르기 등을 들 수 있다.When the above bivalent connecting group has a substituent, examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a methyl group and an ethyl group, an aryl group having 6 to 16 carbon atoms such as a phenyl group and a naphthyl group, a hydroxyl group, An acyloxy group having 1 to 6 carbon atoms such as an amide group, an N-sulfonylamide group and an acetoxy group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group, a halogen atom such as a chlorine atom and a bromine atom, An alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group and a cyclohexyloxycarbonyl group, a carbonic ester group such as a cyano group and a t-butylcarbonyl group, and the like.

상기 식(S)에 있어서 R3은 (m+n)가의 연결기를 나타낸다. m+n은 3∼10을 만족시킨다.In the formula (S), R 3 represents a linking group of (m + n). and m + n satisfies 3 to 10.

상기 R3으로 나타내어지는 (m+n)가의 연결기로서는 1개∼60개의 탄소 원자, 0개∼10개의 질소 원자, 0개∼50개의 산소 원자, 1개∼100개의 수소 원자, 및 0개∼20개의 황 원자로부터 성립되는 기가 포함되고, 무치환이라도 좋고 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.The (m + n) linking group represented by R 3 includes 1 to 60 carbon atoms, 0 to 10 nitrogen atoms, 0 to 50 oxygen atoms, 1 to 100 hydrogen atoms, A group formed from 20 sulfur atoms, which may be unsubstituted or may further have a substituent.

상기 (m+n)가의 연결기는 구체적인 예로서, 하기 구조 단위 또는 그 구조 단위가 조합되어 구성되는 기(환 구조를 형성하고 있어도 좋다)를 들 수 있다.Specific examples of the (m + n) linking group include the following structural units or groups in which the structural units are combined (may form a cyclic structure).

Figure pct00020
Figure pct00020

(m+n)가의 연결기로서는 1개∼60개의 탄소 원자, 0개∼10개의 질소 원자, 0개∼40개의 산소 원자, 1개∼120개의 수소 원자, 및 0개∼10개의 황 원자로부터 성립되는 기가 바람직하고, 1개∼50개의 탄소 원자, 0개∼10개의 질소 원자, 0개∼30개의 산소 원자, 1개∼100개의 수소 원자, 및 0개∼7개의 황 원자로부터 성립되는 기가 보다 바람직하고, 1개∼40개의 탄소 원자, 0개∼8개의 질소 원자, 0개∼20개의 산소 원자, 1개∼80개의 수소 원자, 및 0개∼5개의 황 원자로부터 성립되는 기가 특히 바람직하다.(m + n) bond is formed from 1 to 60 carbon atoms, 0 to 10 nitrogen atoms, 0 to 40 oxygen atoms, 1 to 120 hydrogen atoms, and 0 to 10 sulfur atoms, Group is preferably a group formed from 1 to 50 carbon atoms, 0 to 10 nitrogen atoms, 0 to 30 oxygen atoms, 1 to 100 hydrogen atoms, and 0 to 7 sulfur atoms A group formed from 1 to 40 carbon atoms, 0 to 8 nitrogen atoms, 0 to 20 oxygen atoms, 1 to 80 hydrogen atoms, and 0 to 5 sulfur atoms is particularly preferable .

상기 중 (m+n)가의 연결기가 치환기를 가질 경우 그 치환기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기 등의 탄소수 1∼20의 알킬기, 페닐기, 나프틸기 등의 탄소수 6∼16의 아릴기, 수산기, 아미노기, 카르복실기, 술폰아미드기, N-술포닐아미드기, 아세톡시기 등의 탄소수 1∼6의 아실옥시기, 메톡시기, 에톡시기 등의 탄소수 1∼6의 알콕시기, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 시클로헥실옥시카르보닐기 등의 탄소수 2∼7의 알콕시카르보닐기, 시아노기, t-부틸카보네이트기 등의 탄산 에스테르기 등을 들 수 있다.When the (m + n) th connecting group has a substituent, examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a methyl group and an ethyl group, an aryl group having 6 to 16 carbon atoms such as a phenyl group and a naphthyl group, , An acyloxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a carboxyl group, a sulfonamide group, an N-sulfonylamide group and an acetoxy group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group, An alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms such as a halogen atom, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group and a cyclohexyloxycarbonyl group, and a carbonic ester group such as a cyano group and a t-butylcarbonate group.

또한, R3으로 나타내어지는 (m+n)가의 연결기는 하기 식 중 어느 하나로 나타내어지는 기인 것이 바람직하다.It is preferable that the (m + n) linking group represented by R 3 is a group represented by any one of the following formulas.

Figure pct00021
Figure pct00021

상기 식 중,Wherein,

L3은 3가의 기를 나타낸다. T3은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, 3개 존재하는 T3은 서로 동일하거나 달라도 좋다.L 3 represents a trivalent group. T 3 represents a single bond or a divalent linking group, and the three T 3 present may be the same or different.

L4는 4가의 기를 나타낸다. T4는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, 4개 존재하는 T4는 서로 동일하거나 달라도 좋다.L 4 represents a tetravalent group. T 4 represents a single bond or a divalent linking group, and the four T 4 present may be the same or different.

L5는 5가의 기를 나타낸다. T5는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, 5개 존재하는 T5는 서로 동일하거나 달라도 좋다.L 5 represents a five-valent group. T 5 represents a single bond or a divalent linking group, and five T 5 present may be the same or different.

L6은 6가의 기를 나타낸다. T6은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, 6개 존재하는 T6은 서로 동일하거나 달라도 좋다.L 6 represents a 6-valent group. T 6 represents a single bond or a divalent linking group, and the six T 6 present may be the same or different.

상기 L3∼L6은 각각 상기 1개∼60개의 탄소 원자, 0개∼10개의 질소 원자, 0개∼40개의 산소 원자, 1개∼120개의 수소 원자, 및 0개∼10개의 황 원자로부터 성립되는 3가∼6가의 기가 바람직하고, 1개∼50개의 탄소 원자, 0개∼10개의 질소 원자, 0개∼30개의 산소 원자, 1개∼100개의 수소 원자, 및 0개∼7개의 황 원자로부터 성립되는 3가∼6가의 기가 보다 바람직하고, 1개∼40개의 탄소 원자, 0개∼8개의 질소 원자, 0개∼20개의 산소 원자, 1개∼80개의 수소 원자, 및 0개∼5개의 황 원자로부터 성립되는 3가∼6가의 기가 특히 바람직하다. 또한, L3∼L6은 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 상기 (m+n)가의 연결기가 갖고 있어도 좋은 치환기를 바람직하게 들 수 있다.Each of L 3 to L 6 is independently selected from the group consisting of the above-mentioned 1 to 60 carbon atoms, 0 to 10 nitrogen atoms, 0 to 40 oxygen atoms, 1 to 120 hydrogen atoms, and 0 to 10 sulfur atoms A group of trivalent to hexavalent being formed, and is preferably a group of 1 to 50 carbon atoms, 0 to 10 nitrogen atoms, 0 to 30 oxygen atoms, 1 to 100 hydrogen atoms, and 0 to 7 sulfur More preferably a trivalent to hexavalent group formed from an atom and having from 1 to 40 carbon atoms, from 0 to 8 nitrogen atoms, from 0 to 20 oxygen atoms, from 1 to 80 hydrogen atoms, Particularly preferred is a trivalent to hexavalent group formed from five sulfur atoms. Further, L 3 to L 6 may have a substituent, and the substituent is preferably a substituent which may have the above-mentioned (m + n) linking group.

상기 T3∼T6으로서는 각각 독립적으로 단결합, 또는 1개∼50개의 탄소 원자, 0개∼8개의 질소 원자, 0개∼25개의 산소 원자, 1개∼100개의 수소 원자, 및 0개∼10개의 황 원자로부터 성립되는 2가의 연결기가 바람직하고, 단결합, 또는 1개∼30개의 탄소 원자, 0개∼6개의 질소 원자, 0개∼15개의 산소 원자, 1개∼50개의 수소 원자, 및 0개∼7개의 황 원자로부터 성립되는 2가의 연결기가 보다 바람직하고, 단결합, 또는 1개∼10개의 탄소 원자, 0개∼5개의 질소 원자, 0개∼10개의 산소 원자, 1개∼30개의 수소 원자, 및 0개∼5개의 황 원자로부터 성립되는 2가의 연결기가 특히 바람직하다. 또한, T3∼T6은 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 상기 2가의 연결기가 갖고 있어도 좋은 치환기를 바람직하게 들 수 있다.Each of T 3 to T 6 independently represents a single bond or a single bond or a single bond or an alkylene group having 1 to 50 carbon atoms, 0 to 8 nitrogen atoms, 0 to 25 oxygen atoms, 1 to 100 hydrogen atoms, A divalent linking group formed from 10 sulfur atoms is preferable and a single bond or a divalent linking group consisting of 1 to 30 carbon atoms, 0 to 6 nitrogen atoms, 0 to 15 oxygen atoms, 1 to 50 hydrogen atoms, And a divalent linking group formed from 0 to 7 sulfur atoms are more preferable, and a single bond or a divalent linking group consisting of 1 to 10 carbon atoms, 0 to 5 nitrogen atoms, 0 to 10 oxygen atoms, Particularly preferred are divalent linking groups formed from 30 hydrogen atoms, and from 0 to 5 sulfur atoms. Further, T 3 to T 6 may have a substituent, and the substituent is preferably a substituent which the bivalent connecting group may have.

상기 R3으로 나타내어지는 (m+n)가의 연결기의 구체적인 예[구체예 (1)∼(17)]를 이하에 나타낸다. 단, 본 발명에 있어서는 이것들에 제한되는 것은 아니다.Specific examples (specific examples (1) to (17)) of the (m + n) linking group represented by R 3 are shown below. However, the present invention is not limited to these.

Figure pct00022
Figure pct00022

Figure pct00023
Figure pct00023

상기 구체예 중에서도 원료의 입수성, 합성의 용이함, 각종 용매로의 용해성의 관점으로부터 가장 바람직한 (m+n)가의 연결기는 하기의 기이다.Of the above specific examples, the most preferable (m + n) linking groups from the viewpoints of availability of raw materials, ease of synthesis, and solubility in various solvents are the following groups.

Figure pct00024
Figure pct00024

상기 식(S) 중, m은 0∼8을 나타낸다. m으로서는 0.5∼5가 바람직하고, 0.5∼4가 보다 바람직하고, 0.5∼3이 특히 바람직하다.In the formula (S), m represents 0 to 8. m is preferably from 0.5 to 5, more preferably from 0.5 to 4, and particularly preferably from 0.5 to 3.

또한, 상기 식(S) 중 n은 2∼9를 나타낸다. n으로서는 2∼8이 바람직하고, 2∼7이 보다 바람직하고, 3∼6이 특히 바람직하다.In the above formula (S), n represents 2 to 9. n is preferably 2 to 8, more preferably 2 to 7, and particularly preferably 3 to 6.

또한, 식(S) 중의 P2는 고분자 골격을 나타내고, 공지의 폴리머 등으로부터 목적 등에 따라 선택할 수 있다. 식(S) 중에 m개 존재하는 P2는 각각 동일하거나 달라도 좋다. 또한, P2는 1가의 기인 것이 바람직하다.Further, P 2 in the formula (S) represents a polymer skeleton and can be selected from a known polymer or the like depending on the purpose and the like. The number of P 2 present in m in formula (S) may be the same or different. P 2 is preferably a monovalent group.

고분자 골격을 구성하는 폴리머쇄로서는 비닐 모노머의 단독 중합체 또는 공중합체, 에스테르계 폴리머, 에테르계 폴리머, 우레탄계 폴리머, 아미드계 폴리머, 에폭시계 폴리머, 실리콘계 폴리머, 및 이것들의 변성물 또는 공중합체[예를 들면, 폴리에테르/폴리우레탄 공중합체, 폴리에테르/비닐 모노머의 중합체의 공중합체 등(랜덤 공중합체, 블록 공중합체, 그래프트 공중합체 중 어느 것이라도 좋고, 랜덤 공중합체인 것이 보다 바람직하다)을 포함함]로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종이 바람직하고, 비닐 모노머의 중합체 또는 공중합체, 에스테르계 폴리머, 에테르계 폴리머, 우레탄계 폴리머, 및 이것들의 변성물 또는 공중합체로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종이 보다 바람직하고, 비닐 모노머의 중합체 또는 공중합체가 더욱 바람직하고, 아크릴 수지[(메타)아크릴 모노머의 중합체 또는 공중합체]가 특히 바람직하다.Examples of the polymer chain constituting the polymer skeleton include homopolymers or copolymers of vinyl monomers, ester polymers, ether polymers, urethane polymers, amide polymers, epoxy polymers, silicone polymers, and modified products or copolymers thereof , It includes a polyether / polyurethane copolymer, a copolymer of a polymer of a polyether / vinyl monomer (any of random copolymers, block copolymers and graft copolymers, more preferably a random copolymer) ], More preferably at least one member selected from the group consisting of polymers or copolymers of vinyl monomers, ester polymers, ether polymers, urethane polymers, and modified products or copolymers thereof , Polymers or copolymers of vinyl monomers It preferred, and an acrylic resin [a (meth) polymer or copolymer of acrylic monomer] are especially preferred.

또한, 상기 폴리머는 유기 용매에 가용인 것이 바람직하다. 또한, 성분S는 유기 용매에 가용인 것이 바람직하다. 유기 용매와의 친화성이 낮으면, 예를 들면 분산매와의 친화성이 약해지고, 분산 안정화에 충분한 금속 산화물 입자 표면에 있어서 성분S에 의해 형성되는 흡착층을 확보할 수 없게 되는 경우가 있다.The polymer is preferably soluble in an organic solvent. The component S is preferably soluble in an organic solvent. If the affinity with the organic solvent is low, for example, the affinity with the dispersion medium becomes weak, and the adsorption layer formed by the component S on the surface of the metal oxide particle sufficient for dispersion stabilization can not be ensured.

본 발명에 있어서는 상기 P2에 있어서의 고분자 골격은 적어도 1종의 산기를 갖고 있어도 좋지만, 산기를 갖고 있지 않은 것이 바람직하다.In the present invention, the polymer skeleton in P 2 may have at least one acid group, but preferably has no acid group.

상기 고분자 골격을 구성하는 산기를 갖는 폴리머로서는, 예를 들면 산기를 갖는 폴리아미드아민과 그 염, 폴리카르복실산과 그 염, 고분자량 불포화산 에스테르, 변성 폴리우레탄, 변성 폴리에스테르, 변성 폴리(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴계 공중합체, 나프탈렌술폰산 포르말린 축합물), 및 폴리옥시에틸렌알킬인산 에스테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 알칸올아민, 안료 유도체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 (메타)아크릴산 공중합체가 바람직하다.Examples of the polymer having an acid group constituting the polymer skeleton include polyamide amines and salts thereof having an acid group, polycarboxylic acids and their salts, high molecular weight unsaturated acid esters, modified polyurethanes, modified polyesters, ) Acrylate, (meth) acrylic copolymer, naphthalenesulfonic acid formalin condensate), and polyoxyethylene alkylphosphoric acid ester, polyoxyethylene alkylamine, alkanolamine, pigment derivative and the like. Among these, a (meth) acrylic acid copolymer is preferable.

고분자 골격 중에 산기를 도입하는 수단에는 특별하게 제한은 없고, 산기를 갖는 비닐 모노머에 의해 도입하는 수단, 가교성 측쇄를 이용해서 산기를 부가시킴으로써 도입하는 수단 등을 채용할 수 있지만, 후술하는 바와 같이 고분자 골격이 산기를 갖는 비닐 모노머 유래의 구성 단위를 포함해서 구성됨으로써 산기가 도입되는 형태가 산기의 도입량의 제어가 용이한 점, 합성 비용의 점으로부터 바람직하다.The means for introducing the acid group into the polymer skeleton is not particularly limited, and means for introducing the acid group by a vinyl monomer having an acid group, means for introducing an acid group by adding the acid group using the crosslinkable side chain, or the like can be adopted. The configuration in which the polymer skeleton is composed of the constituent unit derived from a vinyl monomer having an acid group, whereby the form in which the acid group is introduced is preferable from the viewpoint of easy control of the introduction amount of the acid group and from the viewpoint of the synthesis cost.

여기에서, 「산기」란 상기 A2의 설명에 있어서 「산기」로서 예시한 것을 마찬가지로 들 수 있고, 바람직하게는 카르복실기이다.Here, the "acid group" is exemplified as the "acid group" in the description of A 2 above, and is preferably a carboxyl group.

상기 비닐 모노머로서는 특별하게 제한되지 않지만, 예를 들면 (메타)아크릴산 에스테르류, 크로톤산 에스테르류, 비닐에스테르류, 말레산 디에스테르류, 푸말산 디에스테르류, 이타콘산 디에스테르류, (메타)아크릴아미드류, 스티렌류, 비닐에테르류, 비닐케톤류, 올레핀류, 말레이미드류, (메타)아크릴로니트릴, 산기를 갖는 비닐 모노머 등이 바람직하다.Examples of the vinyl monomer include, but are not limited to, (meth) acrylic acid esters, crotonic acid esters, vinyl esters, maleic acid diesters, fumaric acid diesters, itaconic acid diesters, Acrylamides, styrenes, vinyl ethers, vinyl ketones, olefins, maleimides, (meth) acrylonitrile and vinyl monomers having an acid group.

이하, 이들 비닐 모노머의 바람직한 예에 대하여 설명한다.Hereinafter, preferred examples of these vinyl monomers will be described.

(메타)아크릴산 에스테르류의 예로서는 (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 n-프로필, (메타)아크릴산 이소프로필, (메타)아크릴산 n-부틸, (메타)아크릴산 이소부틸, (메타)아크릴산 t-부틸, (메타)아크릴산 아밀, (메타)아크릴산 n-헥실, (메타)아크릴산 시클로헥실, (메타)아크릴산 t-부틸시클로헥실, (메타)아크릴산 2-에틸헥실, (메타)아크릴산 t-옥틸, (메타)아크릴산 도데실, (메타)아크릴산 옥타데실, (메타)아크릴산 아세톡시에틸, (메타)아크릴산 페닐, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 3-히드록시프로필, (메타)아크릴산 4-히드록시부틸, (메타)아크릴산 2-메톡시에틸, (메타)아크릴산 2-에톡시에틸, (메타)아크릴산 2-(2-메톡시에톡시)에틸, (메타)아크릴산 3-페녹시-2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 2-클로로에틸, (메타)아크릴산 글리시딜, (메타)아크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸, (메타)아크릴산 비닐, (메타)아크릴산 2-페닐비닐, (메타)아크릴산 1-프로페닐, (메타)아크릴산 알릴, (메타)아크릴산 2-알릴옥시에틸, (메타)아크릴산 프로파르길, (메타)아크릴산 벤질, (메타)아크릴산 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, (메타)아크릴산 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, (메타)아크릴산 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, (메타)아크릴산 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, (메타)아크릴산 폴리에틸렌글리콜모노메틸에테르, (메타)아크릴산 폴리에틸렌글리콜모노에틸에테르, (메타)아크릴산 β-페녹시에톡시에틸, (메타)아크릴산 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜, (메타)아크릴산 디시클로펜테닐, (메타)아크릴산 디시클로펜테닐옥시에틸, (메타)아크릴산 트리플루오로에틸, (메타)아크릴산 옥타플루오로펜틸, (메타)아크릴산 퍼플루오로옥틸에틸, (메타)아크릴산 디시클로펜타닐, (메타)아크릴산 트리브로모페닐, (메타)아크릴산 트리브로모페닐옥시에틸, (메타)아크릴산 γ-부티로락톤-2-일 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic esters include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, n-hexyl (meth) acrylate, cyclohexyl (Meth) acrylate, octyldodecyl (meth) acrylate, octadecyl (meth) acrylate, acetoxyethyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl Hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2- (2-methoxyethoxy) ethyl, 3-phenoxy-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, 2-chloroethyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl Propyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, diethylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate (Meth) acrylate, triethylene glycol monomethyl ether, (meth) acrylic acid triethylene glycol monoethyl ether, (meth) acrylic acid polyethylene glycol monomethyl ether, (meth) acrylic acid polyethylene glycol monoethyl ether, (Meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate, nonylphenoxy (meth) acrylate, (Meth) acrylate, trifluorobutyl (meth) acrylate, perfluorooctylethyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, tribromophenyl Hydroxyethyl (meth) acrylate, gamma -butyrolactone-2-yl (meth) acrylate and the like.

크로톤산 에스테르류의 예로서는 크로톤산 부틸, 및 크로톤산 헥실 등을 들 수 있다.Examples of the crotonic acid esters include butyl crotonate, hexyl crotonate, and the like.

비닐에스테르류의 예로서는 비닐아세테이트, 비닐클로로아세테이트, 비닐프로피오네이트, 비닐부틸레이트, 비닐메톡시아세테이트, 및 벤조산 비닐 등을 들 수 있다.Examples of the vinyl esters include vinyl acetate, vinyl chloroacetate, vinyl propionate, vinyl butyrate, vinyl methoxy acetate, and vinyl benzoate.

말레산 디에스테르류의 예로서는 말레산 디메틸, 말레산 디에틸, 및 말레산 디부틸 등을 들 수 있다.Examples of the maleic acid diesters include dimethyl maleate, diethyl maleate, and dibutyl maleate.

푸말산 디에스테르류의 예로서는 푸말산 디메틸, 푸말산 디에틸, 및 푸말산 디부틸 등을 들 수 있다.Examples of the fumaric acid diesters include dimethyl fumarate, diethyl fumarate, and dibutyl fumarate.

이타콘산 디에스테르류의 예로서는 이타콘산 디메틸, 이타콘산 디에틸, 및 이타콘산 디부틸 등을 들 수 있다.Examples of itaconic acid diesters include dimethyl itaconate, diethyl itaconate, dibutyl itaconate, and the like.

(메타)아크릴아미드류로서는 (메타)아크릴아미드, N-메틸(메타)아크릴아미드, N-에틸(메타)아크릴아미드, N-프로필(메타)아크릴아미드, N-이소프로필(메타)아크릴아미드, N-n-부틸아크릴(메타)아미드, N-t-부틸(메타)아크릴아미드, N-시클로헥실(메타)아크릴아미드, N-(2-메톡시에틸)(메타)아크릴아미드, N,N-디메틸(메타)아크릴아미드, N,N-디에틸(메타)아크릴아미드, N-페닐(메타)아크릴아미드, N-니트로페닐아크릴아미드, N-에틸-N-페닐아크릴아미드, N-벤질(메타)아크릴아미드, (메타)아크릴로일모르폴린, 디아세톤아크릴아미드, N-메티롤아크릴아미드, N-히드록시에틸아크릴아미드, 비닐(메타)아크릴아미드, N,N-디알릴(메타)아크릴아미드, N-알릴(메타)아크릴아미드 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylamides include (meth) acrylamide, N-methyl (meth) acrylamide, N-ethyl (meth) acrylamide, N-propyl (meth) acrylamide, N- (Meth) acrylamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-butyl acrylamide, Nt- butyl (meth) acrylamide, N-cyclohexyl Acrylamide, N, N-diethyl (meth) acrylamide, N-phenyl (meth) acrylamide, N-nitrophenyl acrylamide, N- (Meth) acryloylmorpholine, diacetone acrylamide, N-methylol acrylamide, N-hydroxyethyl acrylamide, vinyl (meth) acrylamide, N, (Meth) acrylamide, and the like.

스티렌류의 예로서는 스티렌, 메틸스티렌, 디메틸스티렌, 트리메틸스티렌, 에틸스티렌, 이소프로필스티렌, 부틸스티렌, 히드록시스티렌, 메톡시스티렌, 부톡시스티렌, 아세톡시스티렌, 클로로스티렌, 디클로로스티렌, 브로모스티렌, 클로로메틸스티렌, 산성 물질에 의해 탈보호 가능한 기[예를 들면, t-부톡시카르보닐기(t-Boc) 등]로 보호된 히드록시스티렌, 비닐벤조산 메틸, 및 α-메틸스티렌 등을 들 수 있다.Examples of the styrene include styrene, methylstyrene, dimethylstyrene, trimethylstyrene, ethylstyrene, isopropylstyrene, butylstyrene, hydroxystyrene, methoxystyrene, butoxystyrene, acetoxystyrene, chlorostyrene, dichlorostyrene, bromostyrene , Hydroxystyrene protected with chloromethylstyrene or a group capable of being deprotected by an acidic substance (e.g., t-butoxycarbonyl group (t-Boc)), methyl vinylbenzoate, and? have.

비닐에테르류의 예로서는 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 2-클로로에틸비닐에테르, 히드록시에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르, 부틸비닐에테르, 헥실비닐에테르, 옥틸비닐에테르, 메톡시에틸비닐에테르 및 페닐비닐에테르 등을 들 수 있다.Examples of vinyl ethers include methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, 2-chloroethyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, propyl vinyl ether, butyl vinyl ether, hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether and phenyl vinyl Ether, and the like.

비닐케톤류의 예로서는 메틸비닐케톤, 에틸비닐케톤, 프로필비닐케톤, 페닐비닐케톤 등을 들 수 있다.Examples of the vinyl ketones include methyl vinyl ketone, ethyl vinyl ketone, propyl vinyl ketone, and phenyl vinyl ketone.

올레핀류의 예로서는 에틸렌, 프로필렌, 이소부틸렌, 부타디엔, 이소프렌 등을 들 수 있다.Examples of the olefins include ethylene, propylene, isobutylene, butadiene, and isoprene.

말레이미드류의 예로서는 말레이미드, 부틸말레이미드, 시클로헥실말레이미드, 페닐말레이미드 등을 들 수 있다.Examples of the maleimide include maleimide, butyl maleimide, cyclohexyl maleimide, phenyl maleimide and the like.

(메타)아크릴로니트릴, 비닐기가 치환된 복소환식 기(예를 들면, 비닐피리딘, N-비닐피롤리돈, 비닐카바졸 등), N-비닐포름아미드, N-비닐아세트아미드, N-비닐이미다졸, 비닐카프로락톤 등도 사용할 수 있다.(Meth) acrylonitrile, a vinyl-substituted heterocyclic group (e.g., vinylpyridine, N-vinylpyrrolidone, vinylcarbazole and the like), N-vinylformamide, N-vinylacetamide, Imidazole, vinylcaprolactone, and the like can also be used.

이들 비닐 모노머의 바람직한 예로서는, 일본 특허 공개 2007-277514호 공보 단락 0089∼0094, 0096 및 0097(대응하는 미국 특허출원 공개 제 2010/233595호 명세서에 있어서는 단락 0105∼0117, 및 0119∼0120)에 기재된 비닐 모노머를 들 수 있고, 이것들의 내용은 본원 명세서에 도입된다.Preferable examples of these vinyl monomers include those described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-277514, paragraphs 0089 to 0094, 0096 and 0097 (corresponding to U.S. Patent Application Publication No. 2010/233595, paragraphs 0105 to 0117, and 0119 to 0120) Vinyl monomers, the contents of which are incorporated herein by reference.

상기 화합물 이외에도, 예를 들면 우레탄기, 우레아기, 술폰아미드기, 페놀기, 이미드기 등의 관능기를 갖는 비닐 모노머도 사용할 수 있다. 이러한 우레탄기 또는 우레아기를 갖는 단량체로서는, 예를 들면 이소시아네이트기와 수산기 또는 아미노기의 부가 반응을 이용하여 적당하게 합성하는 것이 가능하다. 구체적으로는, 이소시아네이트기 함유 모노머와 수산기를 1개 함유하는 화합물, 또는 1급 또는 2급 아미노기를 1개 함유하는 화합물과의 부가 반응, 또는 수산기 함유 모노머, 또는 1급 또는 2급 아미노기 함유 모노머와 모노이소시아네이트의 부가 반응 등에 의해 적당하게 합성할 수 있다.In addition to the above compounds, vinyl monomers having functional groups such as urethane groups, urea groups, sulfonamide groups, phenol groups and imide groups can also be used. As the monomer having a urethane group or a urea group, for example, it is possible to suitably synthesize by using an addition reaction between an isocyanate group and a hydroxyl group or an amino group. Concretely, an addition reaction of an isocyanate group-containing monomer with a compound containing one hydroxyl group or a compound containing one primary or secondary amino group, or an addition reaction of a hydroxyl group-containing monomer or a monomer containing a primary or secondary amino group Addition reaction of monoisocyanate, and the like.

이어서, 고분자 골격 P2에 산기를 도입하기 위해서 사용되는 산기를 갖는 비닐 모노머에 대하여 설명한다.Next, a vinyl monomer having an acid group used for introducing an acid group into the polymer skeleton P 2 will be described.

상기 산기를 갖는 비닐 모노머의 예로서는 카르복실기를 갖는 비닐 모노머나 술폰산기를 갖는 비닐 모노머를 들 수 있다.Examples of the vinyl monomer having an acid group include a vinyl monomer having a carboxyl group and a vinyl monomer having a sulfonic acid group.

카르복실기를 갖는 비닐 모노머로서, (메타)아크릴산, 비닐벤조산, 말레산, 말레산 모노알킬에스테르, 푸말산, 이타콘산, 크로톤산, 계피산, 아크릴산 다이머 등을 들 수 있다. 또한, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트 등의 수산기를 갖는 단량체와 무수 말레산이나 무수 프탈산, 시클로헥산디카르복실산 무수물과 같은 환상 무수물과 부가 반응물, ω-카르복시폴리카프로락톤모노(메타)아크릴레이트 등도 이용할 수 있다. 또한, 카르복실기의 전구체로서 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산 등의 무수물 함유 모노머를 사용해도 좋다. 또한, 이들 중에서는 공중합성이나 비용, 용해성 등의 관점으로부터 (메타)아크릴산이 특히 바람직하다.Examples of the vinyl monomer having a carboxyl group include (meth) acrylic acid, vinylbenzoic acid, maleic acid, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid, itaconic acid, crotonic acid, cinnamic acid and acrylic acid dimer. Further, an addition reaction product with a monomer having a hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and a cyclic anhydride such as maleic anhydride, phthalic anhydride or cyclohexanedicarboxylic anhydride, ω-carboxypolycaprolactone mono ) Acrylate can also be used. In addition, an anhydride-containing monomer such as maleic anhydride, itaconic anhydride, or citraconic anhydride may be used as a precursor of a carboxyl group. Among these, (meth) acrylic acid is particularly preferable from the viewpoint of copolymerization, cost, solubility and the like.

또한, 술폰산기를 갖는 비닐 모노머로서 2-아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산 등을 들 수 있고, 인산기를 갖는 비닐 모노머로서 인산 모노(2-아크릴로일옥시에틸에스테르), 인산 모노(1-메틸-2-아크릴로일옥시에틸에스테르) 등을 들 수 있다.As vinyl monomers having sulfonic acid group, 2-acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid and the like can be given. As vinyl monomers having a phosphoric acid group, mono (2-acryloyloxyethyl ester) phosphate, mono (1- 2-acryloyloxyethyl ester) and the like.

또한, 산기를 갖는 비닐 모노머로서 페놀성 히드록시기를 함유하는 비닐 모노머나 술폰아미드기를 함유하는 비닐 모노머 등도 이용할 수 있다.As the vinyl monomer having an acid group, a vinyl monomer containing a phenolic hydroxyl group or a vinyl monomer containing a sulfonamide group may also be used.

고분자 골격 P2가 산기를 포함하는 비닐 모노머 유래의 모노머 단위를 포함할 경우, 산기를 갖는 비닐 모노머 유래의 모노머 단위의 고분자 골격 중의 함유량은 질량 환산으로 고분자 골격의 전체에 대하여 3질량%∼40질량%인 것이 바람직하고, 5질량%∼20질량%의 범위인 것이 보다 바람직하다.When the polymer skeleton P 2 contains a monomer unit derived from a vinyl monomer containing an acid group, the content of the vinyl monomer-derived monomer unit having an acid group in the polymer skeleton is 3% by mass to 40% by mass based on the mass of the polymer skeleton %, More preferably 5% by mass to 20% by mass.

또한, 상기 P2에 있어서의 고분자 골격은 하기 식(L), 식(M) 또는 식(N)으로 나타내어지는 구조를 적어도 갖는 것이 바람직하고, 하기 식(L)으로 나타내어지는 구조를 적어도 갖는 것이 보다 바람직하다.The polymer skeleton at P 2 preferably has at least a structure represented by the following formula (L), (M) or (N), and has at least a structure represented by the following formula (L) More preferable.

Figure pct00025
Figure pct00025

상기 식 중,Wherein,

X1은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. 합성상의 제약의 관점으로부터 X1은 수소 원자 또는 탄소수 1∼12의 알킬기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 보다 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.X 1 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. From the viewpoint of synthesis, X 1 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom or a methyl group, and particularly preferably a methyl group.

R10은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, 특별하게 구조 상 한정은 되지 않지만 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다. 상기 R10이 알킬기일 경우, 상기 알킬기로서는 탄소수 1∼20의 직쇄상 알킬기, 탄소수 3∼20의 분기상 알킬기 또는 탄소수 5∼20의 환상 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼20의 직쇄상 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼6의 직쇄상 알킬기가 특히 바람직하다. 또한, 식(L) 중에 구조가 다른 R10을 2종 이상 갖고 있어도 좋다.R 10 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and is not particularly limited in structure, but is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group. When R 10 is an alkyl group, the alkyl group is preferably a straight chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a branched alkyl group having 3 to 20 carbon atoms, or a cyclic alkyl group having 5 to 20 carbon atoms, and a straight chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms And a straight chain alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is particularly preferable. In the formula (L), two or more kinds of R 10 having different structures may be contained.

R11 및 R12는 분기 또는 직쇄의 알킬렌기(탄소수는 1∼10이 바람직하고, 2∼8인 것이 보다 바람직하고, 3∼6인 것이 더욱 바람직하다)를 나타낸다. 각 식 중에 구조가 다른 R11 또는 R12를 2종 이상 갖고 있어도 좋다.R 11 and R 12 are branched or straight chain alkylene groups (preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 8 carbon atoms, and more preferably 3 to 6 carbon atoms). Or two or more kinds of R 11 or R 12 having different structures may be contained in each formula.

k1, k2 및 k3은 각각 독립적으로 5∼140의 수를 나타낸다.k1, k2 and k3 each independently represent a number of 5 to 140.

상기 P2는 적어도 1종의 구성 반복 단위를 함유하는 것이 바람직하다.The above-mentioned P 2 preferably contains at least one constituent repeating unit.

상기 P2에 있어서의, 상기 적어도 1종의 구성 반복 단위의 반복수k가 입체 반발력을 발휘해 분산성을 향상시키고, 고굴절률과 저점도를 달성하는 관점으로부터 3 이상인 것이 바람직하고, 5 이상인 것이 보다 바람직하다.The repeating number k of the at least one constituent repeating unit in the above-mentioned P 2 is preferably 3 or more from the viewpoint of exhibiting a steric repulsion to improve dispersibility and achieving a high refractive index and a low viscosity, desirable.

또한, 성분S의 부피가 커지는 것을 억제하여 저점도를 달성하고, 또한 경화막(투명막) 중에 금속 산화물 입자를 밀집되게 존재시켜 고굴절률을 달성하는 관점으로부터, 상기 적어도 1종의 구성 반복 단위의 반복 단위수k는 50 이하인 것이 바람직하고, 40 이하인 것이 보다 바람직하고, 30 이하인 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of achieving a low viscosity by suppressing the volume of the component S from being increased and also achieving a high refractive index by densely presenting the metal oxide particles in the cured film (transparent film), the The number of repeating units k is preferably 50 or less, more preferably 40 or less, and still more preferably 30 or less.

또한, 성분S는 유기 용매에 가용인 것이 바람직하다. 유기 용매와의 친화성이 높으면 분산매와의 친화성이 충분하고, 또한 금속 산화물 입자의 분산 안정화에 충분한 흡착력을 확보할 수 있다.The component S is preferably soluble in an organic solvent. If the affinity with the organic solvent is high, the affinity with the dispersion medium is sufficient, and sufficient attraction force for dispersion stabilization of the metal oxide particles can be secured.

상기 식(S)으로 나타내어지고, 적어도 1종의 산기를 갖는 분산제 중, 이하에 나타내는 R3, R4, R5, P2, m 및 n을 모두 만족시키는 것이 가장 바람직하다.It is most preferable that R 3 , R 4 , R 5 , P 2 , m and n shown below are all satisfied among the dispersants having at least one acid group represented by the above formula (S).

R3: 상기 구체예(1), (2), (10), (11), (16) 또는 (17)R 3 : The compound of the above Examples (1), (2), (10), (11), (16)

R4: 단결합, 또는 하기 구조 단위 또는 그 구조 단위가 조합되어 구성되는 「1개∼10개의 탄소 원자, 0개∼5개의 질소 원자, 0개∼10개의 산소 원자, 1개∼30개의 수소 원자, 및 0개∼5개의 황 원자」로부터 성립되는 2가의 연결기(치환기를 갖고 있어도 좋고, 그 치환기로서는 예를 들면 메틸기, 에틸기 등의 탄소수 1∼20의 알킬기, 페닐기, 나프틸기 등의 탄소수 6∼16의 아릴기, 수산기, 아미노기, 카르복실기, 술폰아미드기, N-술포닐아미드기, 아세톡시기 등의 탄소수 1∼6의 아실옥시기, 메톡시기, 에톡시기 등의 탄소수 1∼6의 알콕시기, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 시클로헥실옥시카르보닐기 등의 탄소수 2∼7의 알콕시카르보닐기, 시아노기, t-부틸카보네이트기 등의 탄산 에스테르기 등을 들 수 있다)R 4 represents a single bond, or a "single bond consisting of 1 to 10 carbon atoms, 0 to 5 nitrogen atoms, 0 to 10 oxygen atoms, 1 to 30 hydrogen atoms (Having 1 to 20 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, a naphthyl group and the like) having 6 or more carbon atoms An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as methoxy, ethoxy and the like, such as an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, a sulfonamide group, an N-sulfonylamide group, A halogen atom such as a chlorine atom or a bromine atom, a carbonic ester group such as an alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group or a cyclohexyloxycarbonyl group, a cyano group or a t-butylcarbonate group, Can be)

Figure pct00026
Figure pct00026

R5: 단결합, 에틸렌기, 프로필렌기, 하기 기(a) 또는 하기 기(b)R 5 is a single bond, an ethylene group, a propylene group, a group (a) or a group (b)

또한, 하기 기 중 R12는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, L은 1 또는 2를 나타낸다.In the following groups, R 12 represents a hydrogen atom or a methyl group, and L represents 1 or 2.

Figure pct00027
Figure pct00027

P2: 카르복실기를 갖는 비닐 모노머와 다른 비닐 모노머의 공중합체; 산기를 갖지 않는 비닐 모노머의 중합체 또는 공중합체; 에스테르계 폴리머, 에테르계 폴리머, 우레탄계 폴리머, 및 이것들의 변성물로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 적어도 1종의 산기를 포함하고 있어도 좋은 폴리머P 2 : a copolymer of a vinyl monomer having a carboxyl group and another vinyl monomer; Polymers or copolymers of vinyl monomers without an acid group; A polymer which is selected from the group consisting of an ester-based polymer, an ether-based polymer, a urethane-based polymer, and modified products thereof and may contain at least one acid group

m: 0.5∼3m: 0.5 to 3

n: 3∼6n: 3 to 6

성분S에 있어서의 산기의 함유량은 성분S가 갖는 산가에 의해 적당하게 결정된다. 성분S의 산가로서는 20∼300(㎎KOH/g)인 것이 바람직하고, 50∼250(㎎KOH/g)이 보다 바람직하고, 50∼210(㎎KOH/g)이 특히 바람직하다. 산가가 20(㎎KOH/g) 이상이면 감광성 수지 조성물의 알칼리 현상성이 충분히 얻어지고, 산가가 300(㎎KOH/g) 이하이면 금속 산화물 입자의 분산성, 및 분산 안정성이 뛰어나다.The content of the acid group in the component S is appropriately determined by the acid value of the component S. The acid value of the component S is preferably 20 to 300 (mgKOH / g), more preferably 50 to 250 (mgKOH / g) and particularly preferably 50 to 210 (mgKOH / g). When the acid value is not less than 20 (mgKOH / g), the alkali developability of the photosensitive resin composition is sufficiently obtained. When the acid value is not more than 300 (mgKOH / g), the dispersibility and dispersion stability of the metal oxide particles are excellent.

여기에서, 성분S의 산가는 성분S의 고형분 산가이다.Here, the acid value of the component S is the solid component acid value of the component S.

본 발명에 있어서 성분S의 산가는, 예를 들면 성분S 중에 있어서의 산기의 평균 함유량으로부터 산출할 수 있다. 성분S의 산가는 성분S 중의 산기의 양과, 상술의 pKa 5 이상의 관능기의 양을 적당하게 조정함으로써 조정할 수 있다. 예를 들면, 성분S의 합성시에 있어서 원료가 되는 산기 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물의 투입량, pKa 5 이상의 관능기 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물의 투입량, 산기를 갖는 비닐 모노머의 투입량을 적당하게 조정함으로써 원하는 산가를 갖는 성분S를 합성할 수 있다.In the present invention, the acid value of component S can be calculated from the average content of acid groups in component S, for example. The acid value of the component S can be adjusted by appropriately adjusting the amount of the acid group in the component S and the amount of the above-mentioned functional group having a pKa of 5 or more. For example, when the amount of the compound having an acid group and an ethylenic unsaturated bond as raw materials and the amount of a compound having a functional group having a pKa of 5 or more and an ethylenically unsaturated bond and the amount of the vinyl monomer having an acid group The component S having a desired acid value can be synthesized.

<성분S의 합성 방법>&Lt; Synthesis method of component S >

성분S의 합성 방법은 특별하게 제한되지 않지만, 일본 특허 공개 2007-277514호 공보 단락 0114∼0140 및 0266∼0348(대응하는 미국 특허출원 공개 제 2010/233595호 명세서에 있어서는 단락 0145∼0173, 및 0289∼0429)에 기재된 합성 방법에 준해서 합성할 수 있다.The method of synthesizing the component S is not particularly limited. However, the method of synthesizing the component S is not particularly limited. However, in the paragraphs 0114 to 0140 and 0266 to 0348 (corresponding to U.S. Patent Application Publication No. 2010/233595, paragraphs 0145 to 0173 and 0289 To &lt; RTI ID = 0.0 &gt; 429). &Lt; / RTI &gt;

특히, 복수의 상기 흡착 부위를 갖는 메르캅탄 화합물 존재 하에서 비닐 모노머를 라디칼 중합하는 방법에 의해 성분S를 합성하는 것이 바람직하다.In particular, it is preferable to synthesize component S by a method of radically polymerizing a vinyl monomer in the presence of a mercaptan compound having a plurality of the adsorption sites.

상기 비닐 모노머는 1종만으로 중합시켜도 좋고, 2종 이상을 병용해서 공중합시켜도 좋다.The vinyl monomers may be polymerized singly or in combination of two or more.

여기에서, 비닐 모노머의 바람직한 구체예 (M-1)∼(M-12)를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred specific examples (M-1) to (M-12) of the vinyl monomers are shown below, but the present invention is not limited thereto.

Figure pct00028
Figure pct00028

성분S의 합성 방법으로서, 보다 구체적으로는 하기 식(S')으로 나타내어지는 화합물의 존재 하에서 비닐 모노머를 라디칼 중합시키는 방법을 바람직하게 들 수 있다.As a method of synthesizing the component S, more specifically, a method of radically polymerizing a vinyl monomer in the presence of a compound represented by the following formula (S ') can be preferably used.

Figure pct00029
Figure pct00029

상기 식(S')에 있어서 R6, R7, A3, m, 및 n은 각각 상기 식(S)에 있어서의 R3, R4, A2, m, 및 n과 동의이며, 그 바람직한 형태도 마찬가지이다.R 6 , R 7 , A 3 , m and n in formula (S ') are the same as R 3 , R 4 , A 2 , m and n in formula (S) The same goes for forms.

또한, 성분S의 합성 방법으로서 상기 식(S')으로 나타내어지는 화합물과, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 매크로 모노머를 부가시키는 방법(엔-티올 반응법)도 바람직하다. 반응의 촉매로서 라디칼 발생제 또는 염기를 사용하는 것이 바람직하다.Further, as a method for synthesizing the component S, a method of adding a compound represented by the formula (S ') and a macromonomer having an ethylenic unsaturated bond (an ene-thiol reaction method) is also preferable. It is preferable to use a radical generator or a base as a catalyst for the reaction.

에틸렌성 불포화 결합을 갖는 매크로 모노머의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다. 하기 구체예 중, 반복 단위수k는 3∼50의 정수를 나타낸다.Specific examples of the macromonomer having an ethylenically unsaturated bond are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the following specific examples, the number of repeating units k represents an integer of 3 to 50.

Figure pct00030
Figure pct00030

또한, 성분S의 합성 방법으로서 상기 식(S')으로 나타내어지는 화합물과, 카르복실산기를 갖는 고분자 화합물의 탈수 축합 반응에 의해 티오에스테르기를 형성하는 방법도 바람직하다.Also, as a method for synthesizing the component S, a method of forming a thioester group by a dehydration condensation reaction between the compound represented by the formula (S ') and a polymer compound having a carboxylic acid group is also preferable.

카르복실산기를 갖는 고분자 화합물의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다. 하기 구체예 중, 반복 단위수k는 3∼50의 정수를 나타낸다.Specific examples of the polymer compound having a carboxylic acid group are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the following specific examples, the number of repeating units k represents an integer of 3 to 50.

Figure pct00031
Figure pct00031

또한, 성분S의 합성 방법으로서 상기 식(S')으로 나타내어지는 화합물과, 탈리기를 갖는 고분자 화합물의 구핵 치환 반응에 의해 티오에테르기를 형성하는 방법도 바람직하다. 탈리기로서는 요오드 원자, 브롬 원자, 염소 원자 등의 할로겐 원자, 토실레이트기, 메실레이트기, 트리플루오로메탄술포네이트기 등의 술폰산 에스테르기가 바람직하다.Also, as a method of synthesizing the component S, a method of forming a thioether group by a nucleophilic substitution reaction of a compound represented by the formula (S ') and a polymer compound having a leaving group is also preferable. As the eliminator, a sulfonate ester group such as a halogen atom such as iodine atom, bromine atom or chlorine atom, a tosylate group, a mesylate group or a trifluoromethanesulfonate group is preferable.

탈리기를 갖는 고분자 화합물의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다. 하기 구체예 중, 반복 단위수k는 3∼50의 정수를 나타낸다.Specific examples of the polymer compound having a leaving group are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the following specific examples, the number of repeating units k represents an integer of 3 to 50.

Figure pct00032
Figure pct00032

상기 성분S는 하기 방법으로 합성하는 것이 바람직하다.The component S is preferably synthesized by the following method.

1분자 중에 3∼10개의 메르캅토기를 갖는 화합물과, 상기 흡착 부위를 갖고 또한 메르캅토기와 반응 가능한 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물을 부가 반응시키는 방법A method of adding a compound having 3 to 10 mercapto groups in one molecule and a compound having an adsorption site and having an ethylenic unsaturated bond capable of reacting with a mercapto group

상기 부가 반응이 라디칼 부가 반응인 것이 특히 바람직하다. 또한, 에틸렌성 불포화 결합으로서는 메르캅토기와의 반응성의 점에서 1치환 또는 2치환의 비닐기가 보다 바람직하다.It is particularly preferable that the addition reaction is a radical addition reaction. The ethylenically unsaturated bond is more preferably a monosubstituted or disubstituted vinyl group in view of reactivity with a mercapto group.

1분자 중에 3∼10개의 메르캅토기를 갖는 화합물의 구체적인 예[구체예 (18)∼(34)]로서는 이하의 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the compound having three to ten mercapto groups in one molecule [specific examples (18) to (34)] include the following compounds.

Figure pct00033
Figure pct00033

Figure pct00034
Figure pct00034

상기 중에서도 원료의 입수성, 합성의 용이함, 각종 용매로의 용해성의 관점으로부터, 특히 바람직한 화합물은 이하의 화합물이다.Particularly preferred compounds among the above are the following compounds from the viewpoints of availability of raw materials, ease of synthesis, and solubility in various solvents.

Figure pct00035
Figure pct00035

상기는 시판품으로서[예를 들면, (33)은 디펜타에리스리톨헥사키스(3-메르캅토프로피오네이트): 사카이 카가쿠 코교(주) 제] 등이 입수 가능하다.(33) is available as a commercial product (for example, (33) is dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate) manufactured by Sakai Kagaku Kogyo Co., Ltd.).

상기 흡착 부위를 갖고, 또한 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물(구체적으로는 유기 색소 구조, 복소환 구조, 산기, 염기성 질소 원자를 갖는 기, 우레아기, 우레탄기, 배위성 산소 원자를 갖는 기, 알콕시실릴기, 페놀기, 알킬기, 아릴기, 알킬렌옥시쇄를 갖는 기, 이미드기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬아미노카르보닐기, 카르복실산염기, 술폰아미드기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 수산기로 이루어지는 군으로부터 선택된 부분 구조를 적어도 1종 갖고, 또한 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물)로서는 특별하게 제한되지 않지만, 이하와 같은 것을 들 수 있다.(Specifically, a compound having an organic dye structure, a heterocyclic structure, an acid group, a group having a basic nitrogen atom, a urea group, a urethane group, a group having a saturated oxygen atom, an alkoxy A group selected from the group consisting of a silyl group, a phenol group, an alkyl group, an aryl group, an alkyleneoxy group, an imide group, an alkyloxycarbonyl group, an alkylaminocarbonyl group, a carboxylate group, a sulfonamide group, an epoxy group, an isocyanate group and a hydroxyl group A compound having at least one partial structure and having an ethylenic unsaturated bond) is not particularly limited, but the following may be mentioned.

Figure pct00036
Figure pct00036

Figure pct00037
Figure pct00037

Figure pct00038
Figure pct00038

Figure pct00039
Figure pct00039

Figure pct00040
Figure pct00040

Figure pct00041
Figure pct00041

상기 「1분자 중에 3∼10개의 메르캅토기를 갖는 화합물」과, 「상기 흡착 부위를 갖고, 또한 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물」의 라디칼 부가 반응 생성물은, 예를 들면 상기 「1분자 중에 3∼10개의 메르캅토기를 갖는 화합물」 및 「상기 흡착 부위를 갖고, 또한 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물」을 적당한 용매 중에 용해하고, 여기에 라디칼 발생제를 첨가하여 약 50℃도∼100℃에서 부가시키는 방법(엔-티올 반응법)을 이용해서 얻어진다.The radical addition reaction product of the above-mentioned "compound having 3 to 10 mercapto groups in one molecule" and "compound having an adsorption site and having an ethylenic unsaturated bond" is, for example, Compound having 10 sites of mercapto group &quot; and &quot; compound having an adsorption site and having an ethylenic unsaturated bond &quot; in an appropriate solvent, and adding a radical generator to the mixture at about 50 ° C to 100 ° C (Ene-thiol reaction method).

상기 엔-티올 반응법에서 사용되는 적당한 용매의 예로서는, 사용하는 「1분자 중에 3∼10개의 메르캅토기를 갖는 화합물」, 「상기 흡착 부위를 갖고, 또한 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물」, 및 「생성되는 라디칼 부가 반응 생성물」의 용해성에 따라 임의로 선택할 수 있다.Examples of a suitable solvent to be used in the above-mentioned enthiol reaction method include a compound having 3 to 10 mercapto groups in one molecule, a compound having an adsorption site and having an ethylenically unsaturated bond, Can be arbitrarily selected depending on the solubility of the &quot; radical addition reaction product produced &quot;.

예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 1-메톡시-2-프로판올, 2-에틸헥산올, 1-메톡시-2-프로필아세테이트, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 메톡시프로필아세테이트, 락트산 에틸, 아세트산 에틸, 아세토니트릴, 테트라히드로푸란, 디메틸포름아미드, 클로로포름, 톨루엔을 들 수 있다. 이들 용매는 2종 이상을 혼합해서 사용해도 좋다.Methoxy-2-propyl acetate, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methoxy (methoxy) propyl acetate, isopropanol, isopropanol, Propyl acetate, ethyl lactate, ethyl acetate, acetonitrile, tetrahydrofuran, dimethylformamide, chloroform, and toluene. These solvents may be used in a mixture of two or more kinds.

또한, 라디칼 발생제로서는 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴)(AIBN), 2,2'-아조비스(2,4'-디메틸발레로니트릴) 및 2,2'-아조비스이소부티르산 디메틸[V-601, 와코쥰야쿠 코교(주) 제]과 같은 아조 화합물, 벤조일퍼옥시드와 같은 과산화물, 및 과황산 칼륨 및 과황산 암모늄과 같은 과황산염 등을 이용할 수 있다.Examples of the radical generator include 2,2'-azobis (isobutyronitrile) (AIBN), 2,2'-azobis (2,4'-dimethylvaleronitrile) and 2,2'-azobisis Azo compounds such as dimethyl butyrate [V-601, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.], peroxides such as benzoyl peroxide, and persulfates such as potassium persulfate and ammonium persulfate.

성분S로서는 이들 비닐 모노머와 상기 식(S')으로 나타내어지는 화합물을 이용하여, 공지의 방법으로 상법에 따라서 중합시킴으로써 얻어지는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서의 상기 식(S')으로 나타내어지는 화합물은 연쇄 이동제로서 기능하는 것이며, 이하 단순히 「연쇄 이동제」라고 칭하는 경우가 있다.The component S is preferably obtained by polymerizing these vinyl monomers and a compound represented by the formula (S ') according to a conventional method by a known method. In addition, the compound represented by the formula (S ') in the present invention functions as a chain transfer agent, and hereinafter may be simply referred to as a &quot; chain transfer agent &quot;.

예를 들면, 이들 비닐 모노머 및 상기 연쇄 이동제를 적당한 용매 중에 용해시키고, 여기에 라디칼 중합 개시제를 첨가하여 약 50℃∼220℃로 용액 중에서 중합시키는 방법(용액 중합법)을 이용해서 얻어진다.For example, by dissolving the vinyl monomer and the chain transfer agent in a suitable solvent, adding a radical polymerization initiator thereto, and polymerizing the solution in a solution at about 50 ° C to 220 ° C (solution polymerization method).

용액 중합법에서 사용되는 적당한 용매의 예로서는, 사용하는 단량체, 및 생성되는 공중합체의 용해성에 따라 임의로 선택할 수 있다. 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 1-메톡시-2-프로판올, 2-에틸헥산올, 1-메톡시-2-프로필아세테이트, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 메톡시프로필아세테이트, 락트산 에틸, 아세트산 에틸, 아세토니트릴, 테트라히드로푸란, 디메틸포름아미드, 클로로포름, 톨루엔을 들 수 있다. 이들 용매는 2종 이상을 혼합해서 사용해도 좋다.Examples of a suitable solvent to be used in the solution polymerization method may be arbitrarily selected depending on the monomers to be used and the solubility of the resulting copolymer. Methoxy-2-propyl acetate, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methoxy (methoxy) propyl acetate, isopropanol, isopropanol, Propyl acetate, ethyl lactate, ethyl acetate, acetonitrile, tetrahydrofuran, dimethylformamide, chloroform, and toluene. These solvents may be used in a mixture of two or more kinds.

또한, 라디칼 중합 개시제로서는 공지의 라디칼 중합 개시제를 사용할 수 있고, 예를 들면 라디칼 발생제로서 상술한 아조 화합물, 과산화물, 및 과황산염 등을 바람직하게 사용할 수 있다.As the radical polymerization initiator, a known radical polymerization initiator can be used. For example, the azo compound, peroxide, persulfate, and the like can be preferably used as the radical generator.

성분S의 분자량으로서는 중량 평균 분자량으로 2,000∼200,000이 바람직하고, 2,000∼15,000이 보다 바람직하고, 2,500∼10,000이 특히 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 범위 내이면 폴리머의 말단에 도입된 복수의 상기 흡착 부위의 효과가 충분하게 발휘되어 고체 표면으로의 흡착성을 발휘한다.The molecular weight of the component S is preferably 2,000 to 200,000, more preferably 2,000 to 15,000, and particularly preferably 2,500 to 10,000 in terms of weight average molecular weight. When the weight average molecular weight is within the above range, the effects of the plurality of adsorption sites introduced at the ends of the polymer are sufficiently exerted to exhibit adsorption to the solid surface.

본 발명의 수지 조성물이 함유하는 성분S는 1종류만으로도 좋고, 2종류 이상이라도 좋다. 2종류 이상인 경우에는 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The component S contained in the resin composition of the present invention may be one kind alone or two or more kinds. In the case of two or more types, the total is preferably in the above range.

이하에, 성분S의 예시 화합물을 들지만 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 식(S)에 포함되는 한에 있어서 임의의 구조를 채용할 수 있다. 또한, 하기 예시 화합물에 있어서 P1 및 P2는 각각 질량 환산으로 임의의 값을 취할 수 있다. 또한, 하기 예시 화합물에 있어서 폴리머쇄와 결합되는 황 원자는 어느 모노머 단위와 결합되어 있어도 좋고, Poly로 나타내는 폴리머쇄의 황 원자와 결합되지 않는 다른 말단은 하기 화학식에 표기하지 않지만, 고분자 골격의 말단에 통상 허용되는 원자 또는 기이면 좋다.Hereinafter, the exemplified compounds of the component S are mentioned, but the present invention is not limited thereto, and any structure may be adopted as long as it is included in the formula (S). Further, in the following example compounds, P1 and P2 may take arbitrary values in mass conversion, respectively. In the following exemplified compounds, the sulfur atom bonded to the polymer chain may be bonded to any monomer unit. The other end of the polymer chain, which is not bonded to the sulfur atom, is not shown in the following chemical formula, Lt; / RTI &gt;

Figure pct00042
Figure pct00042

Figure pct00043
Figure pct00043

Figure pct00044
Figure pct00044

Figure pct00045
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Figure pct00046
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Figure pct00047
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Figure pct00048
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Figure pct00049
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Figure pct00050
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Figure pct00051
Figure pct00051

Figure pct00052
Figure pct00052

또한, (S-1-14)∼(S-1-19)에 있어서의 R3은 하기의 기이다.Further, R 3 in (S-1-14) to (S-1-19) is the following group.

Figure pct00053
Figure pct00053

상기 성분S의 예시 화합물 중, 고분자 골격에 있어서의 카르복실산 에스테르를 갖는 모노머 단위와 카르복실기를 갖는 모노머 단위의 함유비(P1:P2)는 질량 환산으로 100:0∼80:20의 범위인 것이 바람직하다.Among the exemplified compounds of the component S, the content ratio (P1: P2) of the monomer unit having a carboxylic acid ester and the monomer unit having a carboxyl group in a polymer skeleton is in the range of 100: 0 to 80:20 in terms of mass desirable.

성분S는, 예를 들면 일본 특허 공개 2008-96678호 공보에 기재된 방법을 참조해서 합성할 수 있다.The component S can be synthesized by referring to the method described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-96678.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 성분S의 함유량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 5∼70질량%의 범위가 바람직하고, 10∼50질량%의 범위가 보다 바람직하다.The content of the component S in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably in the range of 5 to 70 mass%, more preferably in the range of 10 to 50 mass% with respect to the total solid content of the photosensitive resin composition.

-기타 분산제-- Other dispersants -

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 금속 산화물 입자의 분산성을 조정하는 등의 목적으로 상기 성분S 이외의 분산제(이하, 「기타 분산제」라고 칭하는 경우가 있음)가 함유되어 있어도 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a dispersant other than the component S (hereinafter sometimes referred to as &quot; other dispersant &quot;) for the purpose of adjusting the dispersibility of the metal oxide particles.

본 발명에 사용할 수 있는 기타 분산제로서는 공지의 분산제를 들 수 있지만, 성분S 이외의 고분자 분산제[예를 들면, 폴리아미드아민과 그 염, 폴리카르복실산과 그 염, 고분자량 불포화산 에스테르, 변성 폴리우레탄, 변성 폴리에스테르, 변성 폴리(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴계 공중합체, 나프탈렌술폰산 포르말린 축합물], 및 폴리옥시에틸렌알킬인산 에스테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 알칸올아민, 안료 유도체 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of other dispersants that can be used in the present invention include known dispersants, but may include polymer dispersants other than the component S (for example, polyamide amines and salts thereof, polycarboxylic acids and their salts, high molecular weight unsaturated acid esters, (Meth) acrylic copolymer, naphthalenesulfonic acid formalin condensate], and polyoxyethylene alkylphosphoric acid ester, polyoxyethylene alkylamine, alkanolamine, pigment derivative, and the like, .

기타 고분자 분산제는 그 구조로부터 직쇄상 고분자, 말단 변성형 고분자, 그래프트형 고분자, 블록형 고분자로 더 분류할 수 있다.Other polymer dispersants can be further classified into linear polymers, terminal modified polymers, graft polymers, and block polymers from their structures.

기타 분산제는 금속 산화물 입자의 표면에 흡착되어 재응집을 방지하도록 작용한다. 그 때문에, 금속 산화물 입자 표면으로의 앵커 부위를 갖는 말단 변성형 고분자, 그래프트형 고분자, 블록형 고분자를 바람직한 구조로서 들 수 있다.Other dispersants act on the surface of the metal oxide particles to prevent re-agglomeration. Therefore, an end-modified polymer having an anchor portion to the surface of the metal oxide particle, a graft-type polymer, and a block-type polymer can be mentioned as preferable structures.

한편으로, 기타 분산제는 금속 산화물 입자 표면을 개질함으로써 분산 수지의 흡착을 촉진시키는 효과를 갖고 있어도 좋다.On the other hand, the other dispersant may have an effect of promoting the adsorption of the dispersed resin by modifying the surface of the metal oxide particle.

기타 고분자 분산제의 구체예로서는 BYK Chemie사 제 「DISPERBYK101(폴리아미드아민인산염), 107(카르복실산 에스테르), 110, 180(산기를 포함하는 공중합물), 130(폴리아미드), 161, 162, 163, 164, 165, 166, 170(고분자 공중합물)」, 「BYK-P104, P105(고분자량 불포화 폴리카르복실산), EFKA사 제 「EFKA4047, 4050, 4010, 4165(폴리우레탄계), EFKA4330, 4340(블록 공중합체), 4400, 4402(변성 폴리아크릴레이트), 5010(폴리에스테르아미드), 5765(고분자량 폴리카르복실산염), 6220(지방산 폴리에스테르), 6745(프탈로시아닌 유도체), 6750(아조 안료 유도체)」, 아지노모토 파인테크노(주) 제 「아지스퍼 PB821, PB822」, 교에이샤 카가쿠(주) 제 「플로렌 TG-710(우레탄 올리고머)」, 「폴리플로우 No.50E, No.300(아크릴계 공중합체)」, 구스모토 카세이(주) 제 「디스퍼론 KS-860, 873SN, 874, #2150(지방족 다가 카르복실산), #7004(폴리에테르에스테르), DA-703-50, DA-705, DA-725」, 카오(주)사 제 「데몰 RN, N(나프탈렌술폰산 포르말린 중축합물), MS, C, SN-B(방향족 술폰산 포르말린 중축합물)」, 「호모게놀 L-18(고분자 폴리카르복실산)」, 「에멀전 920, 930, 935, 985(폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르)」, 「아세타민 86(스테아릴아민아세테이트)」, 루브리졸사 제 「솔스퍼스 5000(프탈로시아닌 유도체), 22000(아조 안료 유도체), 13240(폴리에스테르아민), 3000, 17000, 27000(말단부에 기능부를 갖는 고분자), 24000, 28000, 32000, 38500(그래프트형 고분자)」, 닛코케미컬즈(주) 제 「닛콜 T106(폴리옥시에틸렌소르비탄모노올레이트), MYS-IEX(폴리옥시에틸렌모노스테아레이트)」 등을 들 수 있다.Specific examples of other polymeric dispersants include DISPERBYK 101 (polyamide amine phosphate), 107 (carboxylic acid ester), 110, 180 (copolymer containing an acid group), 130 (polyamide), 161, 162, 163 (High molecular weight unsaturated polycarboxylic acid), EFKA 4047, 4050, 4010, 4165 (polyurethane), EFKA 4330, 4340 (Block copolymer), 4400, 4402 (modified polyacrylate), 5010 (polyester amide), 5765 (high molecular weight polycarboxylate), 6220 (fatty acid polyester), 6745 (phthalocyanine derivative) AJISPER PB821, PB822 "manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.," Floren TG-710 (urethane oligomer) "manufactured by Kyowa Ishikagaku Co., Ltd., Polyflow No. 50E, No.300 (Acrylic copolymer), Disperon KS-860, 873SN, 874 and # 2150 (manufactured by Goosumoto Kasei Co., Ltd. (aliphatic polyvalent carboxyl DA-705, DA-705, DA-725 "manufactured by Kao Corp.," Demol RN, N (naphthalenesulfonic acid formalin polycondensate) ", MS, C, SN -B (aromatic sulfonic acid formalin polycondensate) "," Homogenol L-18 (high molecular polycarboxylic acid) "," Emulsion 920, 930, 935, 985 (polyoxyethylene nonylphenyl ether) 22000 (azo pigment derivative), 13240 (polyester amine), 3000, 17000, 27000 (polymer having functional part at the terminal part), 24000, NIKOL T106 (polyoxyethylene sorbitan monooleate) and MYS-IEX (polyoxyethylene monostearate) "available from Nikko Chemicals Co., Ltd. .

또한, 기타 분산제로서 일본 특허 공개 2012-208494호 공보 단락 0562(대응하는 미국 특허출원 공개 제 2012/235099호 명세서의 단락 0692) 이후의 식(ED)으로 나타내어지는 화합물(에테르 다이머라고 칭하는 경우도 있음)을 필수적인 단량체 성분으로 해서 중합하여 이루어지는 폴리머도 들 수 있고, 이것들의 내용은 본원 명세서에 도입된다.Further, as another dispersant, a compound represented by the formula (ED) after the Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-208494 (paragraph 0692 of the corresponding U.S. Patent Application Publication No. 2012/235099) ) As an essential monomer component, and the contents thereof are incorporated herein by reference.

에테르 다이머의 구체예로서는, 일본 특허 공개 2012-208494호 공보 단락 0565(대응하는 미국 특허출원 공개 제 2012/235099호 명세서의 [0694])의 에테르 다이머의 기재를 참작할 수 있고, 이것들의 내용은 본원 명세서에 도입된다.As concrete examples of the ether dimer, it is possible to consider the description of the ether dimer of Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2012-208494, paragraph 0565 (corresponding to US Patent Application Publication No. 2012/235099 [0694]), Are incorporated herein by reference.

식(ED)으로 나타내어지는 화합물을 필수적인 단량체 성분으로 해서 중합하여 이루어지는 폴리머의 구체예로서는, 바인더 폴리머의 항에서 후술하는 식(ED)으로 나타내어지는 화합물을 필수적인 단량체 성분으로 해서 중합하여 이루어지는 폴리머의 구체예와 마찬가지인 것을 들 수 있다.Specific examples of the polymer obtained by polymerizing a compound represented by the formula (ED) as an essential monomer component include a polymer obtained by polymerizing a compound represented by the following formula (ED) as an essential monomer component in the term of the binder polymer And the like.

이들 기타 분산제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 좋다.These other dispersants may be used singly or in combination of two or more kinds.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 기타 분산 수지를 함유해도 좋고 함유하지 않아도 좋지만, 함유할 경우 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대한 기타 분산제의 함유량은 1∼20질량%의 범위가 바람직하고, 1∼10질량%의 범위가 보다 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention may or may not contain other dispersion resins, but if contained, the content of other dispersants relative to the total solid content of the photosensitive resin composition is preferably in the range of 1 to 20 mass%, more preferably 1 to 10 mass% % Is more preferable.

(성분B) 광산 발생제(Component B)

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분B) 광산 발생제를 함유한다. 본 발명에서 사용되는 광산 발생제(「성분B」라고도 함)로서는 파장 300㎚ 이상, 바람직하게는 파장 300∼450㎚의 활성 광선에 감응하여 산을 발생시키는 화합물이 바람직하지만, 그 화학 구조에 제한되는 것은 아니다. 또한, 파장 300㎚ 이상의 활성 광선에 직접 감응하지 않는 광산 발생제에 대해서도, 증감제와 병용함으로써 파장 300㎚ 이상의 활성 광선에 감응하여 산을 발생시키는 화합물이면 증감제와 조합시켜서 바람직하게 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 광산 발생제로서는 pKa가 4 이하인 산을 발생시키는 광산 발생제가 바람직하고, pKa가 3 이하인 산을 발생시키는 광산 발생제가 보다 바람직하고, pKa가 2 이하인 산을 발생시키는 광산 발생제가 가장 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention (component B) contains a photoacid generator. As the photoacid generator (also referred to as &quot; component B &quot;) used in the present invention, a compound which generates an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or longer, preferably 300-450 nm is preferable, It is not. Also, with respect to a photoacid generator which does not directly react with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, it can be preferably used in combination with a sensitizer if the compound is used in combination with a sensitizer to generate an acid in response to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more. As the photoacid generator used in the present invention, a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 4 or less is preferable, a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 3 or less is more preferable, and a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 2 or less desirable.

광산 발생제의 예로서, 트리클로로메틸-s-트리아진류, 술포늄염이나 요오드늄염, 제 4급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미드술포네이트 화합물, 및 옥심술포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 절연성의 관점으로부터 옥심술포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산 발생제는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다. 트리클로로메틸-s-트리아진류, 디아릴요오드늄염류, 트리아릴술포늄염류, 제 4급 암모늄염류, 및 디아조메탄 유도체의 구체예로서는, 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0083∼0088에 기재된 화합물을 예시할 수 있다.Examples of the photoacid generator include trichloromethyl-s-triazine, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imidosulfonate compounds and oxime sulfonate compounds . Among them, it is preferable to use an oxime sulfonate compound from the viewpoint of insulation. These photoacid generators may be used alone or in combination of two or more. Specific examples of trichloromethyl-s-triazine, diaryl iodonium salts, triarylsulfonium salts, quaternary ammonium salts and diazomethane derivatives are described in paragraphs 0083 to 0088 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-221494 The compounds described can be exemplified.

옥심술포네이트 화합물, 즉 옥심술포네이트 구조를 갖는 화합물로서는 하기 식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물을 바람직하게 예시할 수 있다.As the oxime sulfonate compound, that is, the compound having an oxime sulfonate structure, a compound containing an oxime sulfonate structure represented by the following formula (B1) can be preferably exemplified.

Figure pct00054
Figure pct00054

[식(B1) 중, R21은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 파선 부분은 다른 기와의 결합 개소를 나타낸다](In the formula (B1), R 21 represents an alkyl group or an aryl group, and a broken line portion represents a bonding site with another group.

어느 기나 치환되어도 좋고, R21에 있어서의 알킬기는 직쇄상이라도 좋고 분기상이라도 좋고 환상이라도 좋다. 허용되는 치환기는 이하에 설명한다.The alkyl group in R &lt; 21 &gt; may be linear, branched or cyclic. The permissible substituents are described below.

R21의 알킬기로서는 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다. R21의 알킬기는 탄소수 6∼11의 아릴기, 탄소수 1∼10의 알콕시기, 또는 시클로알킬기(7,7-디메틸-2-옥소노보닐기 등의 유교식 지환기를 포함하는, 바람직하게는 비시클로알킬기 등)로 치환되어도 좋다.As the alkyl group for R 21 , a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. The alkyl group of R 21 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or a cycloalkyl group (including a polycyclic alicyclic group such as a 7,7-dimethyl-2-oxononyl group, An alkyl group or the like).

R21의 아릴기로서는 탄소수 6∼11의 아릴기가 바람직하고, 페닐기 또는 나프틸기가 보다 바람직하다. R21의 아릴기는 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기 또는 할로겐 원자로 치환되어도 좋다.As the aryl group for R 21, an aryl group having 6 to 11 carbon atoms is preferable, and a phenyl group or a naphthyl group is more preferable. The aryl group of R 21 may be substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or a halogen atom.

상기 식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 상기 화합물은 하기 식(B2)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것도 바람직하다.It is also preferable that the compound containing the oximesulfonate structure represented by the formula (B1) is an oxime sulfonate compound represented by the following formula (B2).

Figure pct00055
Figure pct00055

[식(B2) 중, R42는 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X는 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고, m4는 0∼3의 정수를 나타내고, m4가 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일하거나 달라도 좋다]Wherein (B2) of, R 42 represents an alkyl group or an aryl group, X is an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, m4 is an integer of 0 to 3, when m4 is 2 or 3, a plurality of X is Same or different]

X로서의 알킬기는 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.The alkyl group as X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

X로서의 알콕시기는 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알콕시기가 바람직하다.The alkoxy group as X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

X로서의 할로겐 원자는 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.The halogen atom as X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

m4는 0 또는 1이 바람직하다. 상기 식(B2) 중, m4가 1이고, X가 메틸기이고, X의 치환 위치가 오르토 위치이며, R42가 탄소수 1∼10의 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소노보닐메틸기, 또는 p-톨루일기인 화합물이 특히 바람직하다.m4 is preferably 0 or 1. In the formula (B2), and m4 are 1, X is a methyl group, and the substitution position of X in o-position, R 42 is oxo norbornyl group straight chain alkyl, 7,7-dimethyl-2 of 1 to 10 carbon atoms , Or a p-toluyl group is particularly preferable.

상기 식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물은 하기 식(B3)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것도 바람직하다.It is also preferable that the compound containing an oxime sulfonate structure represented by the above formula (B1) is an oxime sulfonate compound represented by the following formula (B3).

Figure pct00056
Figure pct00056

[식(B3) 중, R43은 식(B2)에 있어서의 R42와 동의이며, X1은 할로겐 원자, 수산기, 탄소수 1∼4의 알킬기, 탄소수 1∼4의 알콕시기, 시아노기 또는 니트로기를 나타내고, n4는 0∼5의 정수를 나타낸다]Equation (B3) of, R 43 is R 42 and agreed in the formula (B2), X 1 is an alkoxy group of the alkyl group, having 1 to 4 carbon atoms a halogen atom, a hydroxyl group, having 1 to 4 carbon atoms, a cyano group or a nitro group And n4 represents an integer of 0 to 5,

상기 식(B3)에 있어서의 R43으로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하고, n-옥틸기가 특히 바람직하다.R 43 in the formula (B3) is preferably a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-octyl group, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro- N-butyl group, p-tolyl group, 4-chlorophenyl group or pentafluorophenyl group is preferable, and n-octyl group is particularly preferable.

X1로서는 탄소수 1∼5의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기가 보다 바람직하다.X 1 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group.

n4로서는 0∼2의 정수가 바람직하고, 0 또는 1이 특히 바람직하다.As n4, an integer of 0 to 2 is preferable, and 0 or 1 is particularly preferable.

상기 식(B3)으로 나타내어지는 화합물의 구체예로서는, α-(메틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(에틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(n-프로필술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(n-부틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(4-톨루엔술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-[(메틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(에틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(n-프로필술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(n-부틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(4-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by the above formula (B3) include α- (methylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide, α- (ethylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide, α- (n-propylsulfonyloxyimino) Benzyl cyanide,? - (methylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl, benzyl cyanide,? - (n-butylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide, - [(ethylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, alpha - [(n-propylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, n-butylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, and? - [(4-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile.

바람직한 옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는, 하기 화합물 (i)∼(viii) 등을 들 수 있고, 1종 단독으로 사용, 또는 2종류 이상을 병용할 수 있다. 화합물 (i)∼(viii)은 시판품으로서 입수할 수 있다. 또한, 다른 종류의 (B) 광산 발생제와 조합시켜서 사용할 수도 있다.Specific examples of the preferable oxime sulfonate compound include the following compounds (i) to (viii), and they can be used singly or in combination of two or more kinds. The compounds (i) to (viii) are commercially available. It may also be used in combination with other types of (B) photoacid generators.

Figure pct00057
Figure pct00057

상기 식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물로서는 하기 식(OS-1)으로 나타내어지는 화합물인 것도 바람직하다.The compound containing an oxime sulfonate structure represented by the above formula (B1) is also preferably a compound represented by the following formula (OS-1).

Figure pct00058
Figure pct00058

상기 식(OS-1) 중, R101은 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 카르바모일기, 술파모일기, 술포기, 시아노기, 아릴기, 또는 헤테로아릴기를 나타낸다. R102는 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다.In the formula (OS-1), R 101 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, a cyano group, an aryl group or a heteroaryl group . R 102 represents an alkyl group or an aryl group.

X101은 -O-, -S-, -NH-, -NR105-, -CH2-, -CR106H-, 또는 -CR105R107-를 나타내고, R105∼R107은 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다. 101 X is -O-, -S-, -NH-, -NR 105 -, -CH 2 -, -CR 106 H-, or -CR 105 R 107 - represents a, R 105 ~R 107 is an alkyl group, or Lt; / RTI &gt;

R121∼R124는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아미노기, 알콕시카르보닐기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 아미드기, 술포기, 시아노기, 또는 아릴기를 나타낸다. R121∼R124 중 2개는 각각 서로 결합되어 환을 형성해도 좋다.R 121 to R 124 independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an amide group, a sulfo group, a cyano group or an aryl group. Two of R 121 to R 124 may be bonded to each other to form a ring.

R121∼R124로서는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 또는 알킬기가 바람직하고, 또한 R121∼R124 중 적어도 2개가 서로 결합되어 아릴기를 형성하는 형태도 또한 바람직하게 들 수 있다. 그 중에서도 R121∼R124가 모두 수소 원자인 형태가 감도의 관점으로부터 바람직하다.As R 121 to R 124 , a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group is preferable, and at least two of R 121 to R 124 are bonded to each other to form an aryl group. Among them, a form in which all of R 121 to R 124 are hydrogen atoms is preferable from the viewpoint of sensitivity.

상술의 관능기는 모두 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.All of the functional groups described above may further have a substituent.

상기 식(OS-1)으로 나타내어지는 화합물은 하기 식(OS-2)으로 나타내어지는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound represented by the above formula (OS-1) is more preferably a compound represented by the following formula (OS-2).

Figure pct00059
Figure pct00059

상기 식(OS-2) 중, R101, R102, R121∼R124는 각각 식(OS-1)에 있어서의 것과 동의이며, 바람직한 예도 또한 마찬가지이다.Of the above formula (OS-2), R 101 , R 102 and R 121 to R 124 are the same as those in formula (OS-1), and preferable examples are also the same.

이들 중에서도 상기 식(OS-1) 및 상기 식(OS-2)에 있어서의 R101이 시아노기, 또는 아릴기인 형태가 보다 바람직하고, 상기 식(OS-2)으로 나타내어지며, R101이 시아노기, 페닐기 또는 나프틸기인 형태가 가장 바람직하다.Among these is represented by the formula (OS-1) and the expression (OS-2) R 101 is a cyano group, or an aryl group are more preferable due to type, and the expression (OS-2) in, R 101 is cyano An naphthyl group, a phenyl group or a naphthyl group is most preferable.

또한, 본 발명에 있어서의 옥심술포네이트 화합물에 있어서 옥심이나 벤조티아졸환의 입체 구조(E, Z 등)에 대해서는, 각각 어느 한쪽이라도 좋고 혼합물이라도 좋다.In the oxime sulfonate compound of the present invention, the stereostructure (E, Z, etc.) of oxime or benzothiazole ring may be either one or a mixture thereof.

본 발명에 바람직하게 사용할 수 있는 상기 식(OS-1)으로 나타내어지는 화합물의 구체예로서는, 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0128∼0132에 기재된 화합물(예시 화합물 b-1∼b-34)을 들 수 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.Specific examples of the compounds represented by the above formula (OS-1) which can be preferably used in the present invention include compounds (exemplified compounds b-1 to b-34) described in paragraphs 0128 to 0132 of Japanese Patent Application Laid- However, the present invention is not limited to this.

본 발명에서는 상기 식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물로서는 하기 식(OS-3), 하기 식(OS-4) 또는 하기 식(OS-5)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것이 바람직하다.In the present invention, the compound containing an oxime sulfonate structure represented by the formula (B1) is preferably a compound containing oxime sulfonate represented by the following formula (OS-3), the following formula (OS-4) It is preferably a compound of the formula (I).

Figure pct00060
Figure pct00060

[식(OS-3)∼식(OS-5) 중, R22, R25 및 R28은 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R23, R26 및 R29는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R24, R27 및 R30은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타내고, X1∼X3은 각각 독립적으로 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, n1∼n3은 각각 독립적으로 1 또는 2를 나타내고, m1∼m3은 각각 독립적으로 0∼6의 정수를 나타낸다]In the formulas (OS-3) to (OS-5), R 22 , R 25 and R 28 each independently represent an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, and R 23 , R 26 and R 29 each independently R 24 , R 27 and R 30 each independently represents a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, and X 1 to R 30 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, X 3 each independently represents an oxygen atom or a sulfur atom, n 1 to n 3 each independently represent 1 or 2, and m 1 to m 3 each independently represent an integer of 0 to 6,

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R22, R25 및 R28에 있어서의 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group, aryl group or heteroaryl group in R 22 , R 25 and R 28 may have a substituent.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R22, R25 및 R28에 있어서의 알킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼30의 알킬기인 것이 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 22 , R 25 and R 28 is preferably an alkyl group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

또한, 상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R22, R25 및 R28에 있어서의 아릴기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 6∼30의 아릴기가 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the aryl group in R 22 , R 25 and R 28 is preferably an aryl group having 6 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

또한, 상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R22, R25 및 R28에 있어서의 헤테로아릴기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 4∼30의 헤테로아릴기가 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group for R 22 , R 25 and R 28 is preferably a heteroaryl group having 4 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R22, R25 및 R28에 있어서의 헤테로아릴기는 적어도 1개의 환이 복소 방향환이면 좋고, 예를 들면 복소 방향환과 벤젠환이 축환되어 있어도 좋다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group in R 22 , R 25 and R 28 may be at least one of the heteroaromatic rings, and for example, good.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R23, R26 및 R29는 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.Of the above formulas (OS-3) to (OS-5), R 23 , R 26 and R 29 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, 화합물 중에 2 이상 존재하는 R23, R26 및 R29 중, 1개 또는 2개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 1개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하고, 1개가 알킬기이며 또한 나머지가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), one or two of R 23 , R 26 and R 29 present in two or more of the compounds are preferably an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, More preferably an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, and it is particularly preferable that one is an alkyl group and the remainder is a hydrogen atom.

R23, R26 및 R29에 있어서의 알킬기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼12의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼6의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.The alkyl group in R 23 , R 26 and R 29 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms in total which may have a substituent and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in total.

R23, R26 및 R29에 있어서의 아릴기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 6∼30의 아릴기인 것이 바람직하다.The aryl group for R 23 , R 26 and R 29 is preferably an aryl group having 6 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, X1∼X3은 각각 독립적으로 O 또는 S를 나타내고, O인 것이 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), X 1 to X 3 each independently represents O or S, and is preferably O.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5)에 있어서, X1∼X3을 환원으로서 포함하는 환은 5원환 또는 6원환이다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the ring containing X 1 to X 3 as a reduction is a 5-membered ring or a 6-membered ring.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, n1∼n3은 각각 독립적으로 1 또는 2를 나타내고, X1∼X3이 O일 경우, n1∼n3은 각각 독립적으로 1인 것이 바람직하고, 또한 X1∼X3이 S일 경우, n1∼n3은 각각 독립적으로 2인 것이 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), n 1 to n 3 each independently represent 1 or 2, and when X 1 to X 3 are O, n 1 to n 3 each independently represent 1 , And when X 1 to X 3 are S, n 1 to n 3 are each independently 2.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R24, R27 및 R30은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타낸다. 그중에서도 R24, R27 및 R30은 각각 독립적으로 알킬기 또는 알킬옥시기인 것이 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), R 24 , R 27 and R 30 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group. Among them, R 24 , R 27 and R 30 are each independently preferably an alkyl group or an alkyloxy group.

R24, R27 및 R30에 있어서의 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 및 알콕시술포닐기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.The alkyl group, alkyloxy group, sulfonic acid group, aminosulfonyl group and alkoxysulfonyl group in R 24 , R 27 and R 30 may have a substituent.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R24, R27 및 R30에 있어서의 알킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼30의 알킬기인 것이 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 24 , R 27 and R 30 is preferably an alkyl group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R24, R27 및 R30에 있어서의 알킬옥시기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼30의 알킬옥시기인 것이 바람직하다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyloxy group in R 24 , R 27 and R 30 is preferably an alkyloxy group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

또한, 상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, m1∼m3은 각각 독립적으로 0∼6의 정수를 나타내고, 0∼2의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1인 것이 보다 바람직하며, 0인 것이 특히 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), m 1 to m 3 each independently represent an integer of 0 to 6, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1 , And particularly preferably 0.

또한, 상기 식 (OS-3)∼(OS-5)의 각각의 치환기에 대하여, 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0092∼0109에 기재된 (OS-3)∼(OS-5)의 치환기의 바람직한 범위도 마찬가지로 바람직하다.(OS-3) to (OS-5) described in paragraphs 0092 to 0109 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-221494 are added to the respective substituents of the above formulas (OS- Is also preferable.

또한, 상기 식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물은 하기 식 (OS-6)∼(OS-11) 중 어느 하나로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것이 특히 바람직하다.It is particularly preferable that the compound containing an oxime sulfonate structure represented by the formula (B1) is an oxime sulfonate compound represented by any one of the following formulas (OS-6) to (OS-11).

Figure pct00061
Figure pct00061

[식 (OS-6)∼(OS-11) 중, R301∼R306은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R307은 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, R308∼R310, R313, R316 및 R318은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, R311 및 R314는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, R312, R315, R317 및 R319는 각각 독립적으로는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다]Equation (OS-6) ~ (OS -11) of, R 301 ~R 306 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 307 represents a hydrogen atom or a bromine atom, R 308 ~R 310, R 313 , R 316 and R 318 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or a chlorophenyl group, R 311 and R 314 A halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and R 312 , R 315 , R 317 and R 319 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group,

상기 식 (OS-6)∼(OS-11)에 있어서의 바람직한 범위는 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0110∼0112에 기재된 (OS-6)∼(OS-11)의 바람직한 범위와 마찬가지이다.The preferable range of the formulas (OS-6) to (OS-11) is the same as the preferable range of (OS-6) to (OS-11) described in paragraphs 0110 to 0112 of Japanese Patent Application Laid- to be.

상기 식(OS-3)∼상기 식(OS-5)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는, 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0114∼0120에 기재된 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the oxime sulfonate compound represented by the above formulas (OS-3) to (OS-5) include the compounds described in paragraphs 0114 to 0120 of JP-A No. 2011-221494, Are not limited to these.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, (성분B) 광산 발생제는 감광성 수지 조성물 중의 성분A 100질량부에 대하여 0.1∼10질량부 사용하는 것이 바람직하고, 0.5∼10질량부 사용하는 것이 보다 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, the (Component B) photoacid generator is preferably used in an amount of 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the component A in the photosensitive resin composition .

또한, 성분B는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.Component B may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

(성분C) 금속 산화물 입자(Component C) Metal oxide particles

본 발명의 수지 조성물은 굴절률이나 광투과성을 조절하는 것을 목적으로 해서 금속 산화물 입자를 함유한다. 금속 산화물 입자는 투명성이 높고 광투과성을 갖기 때문에, 고굴절률이며 투명성이 뛰어난 포지티브형 감광성 수지 조성물이 얻어진다.The resin composition of the present invention contains metal oxide particles for the purpose of controlling the refractive index and light transmittance. Since the metal oxide particles have high transparency and light transmittance, a positive photosensitive resin composition having high refractive index and excellent transparency can be obtained.

성분C는 상기 입자를 제외한 재료로 이루어지는 수지 조성물의 굴절률보다 굴절률이 높은 것이 바람직하고, 구체적으로는 400∼750㎚의 파장을 갖는 광에 있어서의 굴절률이 1.50 이상인 입자가 보다 바람직하고, 굴절률이 1.70 이상인 입자가 더욱 바람직하고, 1.90 이상인 입자가 특히 바람직하다. 또한, 굴절률이 2.80 이하인 입자가 바람직하다.The component C preferably has a refractive index higher than that of the resin composition made of a material other than the above-mentioned particles, more specifically, particles having a refractive index of 1.50 or more in a light having a wavelength of 400 to 750 nm, more preferably a refractive index of 1.70 Or more, more preferably 1.90 or more. Further, particles having a refractive index of 2.80 or less are preferable.

여기에서, 400∼750㎚의 파장을 갖는 광에 있어서의 굴절률이 1.50 이상이라는 것은 상기 범위의 파장을 갖는 광에 있어서의 평균 굴절률이 1.50 이상인 것을 의미하고, 상기 범위의 파장을 갖는 모든 광에 있어서의 굴절률이 1.50 이상인 것을 필요로 하지 않는다. 또한, 평균 굴절률은 상기 범위의 파장을 갖는 각 광에 대한 굴절률의 측정값의 총 합계를 측정점의 수로 나눈 값이다.Here, when the refractive index in the light having the wavelength of 400 to 750 nm is 1.50 or more, it means that the average refractive index in the light having the wavelength in the above range is 1.50 or more. In all the light having the wavelength in the above range Refractive index of 1.50 or more is not required. The average refractive index is a value obtained by dividing the total sum of measured values of the refractive index for each light having a wavelength in the above range by the number of measurement points.

또한, 본 발명에 있어서의 금속 산화물 입자의 금속에는 B, Si, Ge, As, Sb, Te 등의 반금속도 포함되는 것으로 한다.In addition, the metal of the metal oxide particle in the present invention includes a semi-metal such as B, Si, Ge, As, Sb and Te.

광투과성에서 굴절률이 높은 금속 산화물 입자로서는 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, Ce, Gd, Tb, Dy, Yb, Lu, Ti, Zr, Hf, Nb, Mo, W, Zn, B, Al, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi, Te 등의 원자를 포함하는 산화물 입자가 바람직하고, 산화티탄, 티탄 복합 산화물, 산화아연, 산화지르코늄, 인듐/주석 산화물, 안티몬/주석 산화물이 보다 바람직하고, 산화티탄, 티탄 복합 산화물, 산화지르코늄이 더욱 바람직하고, 산화티탄, 산화지르코늄이 특히 바람직하고, 이산화티탄이 가장 바람직하다. 이산화티탄으로서는 특히 굴절률이 높은 루틸형이 바람직하다. 이들 금속 산화물 입자는 분산 안정성 부여를 위해서 표면을 유기 재료로 처리할 수도 있다.As the metal oxide particles having high refractive index from the light transmittance, there can be mentioned Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, Ce, Gd, Tb, Dy, Yb, Lu, Ti, Zr, Hf, Oxide particles containing atoms such as Zn, B, Al, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi and Te are preferable, and titanium oxide, titanium composite oxide, zinc oxide, zirconium oxide, indium / / Tin oxide is more preferable, and titanium oxide, titanium composite oxide and zirconium oxide are more preferable, and titanium oxide and zirconium oxide are particularly preferable, and titanium dioxide is most preferable. As the titanium dioxide, a rutile type having a particularly high refractive index is preferable. These metal oxide particles may be treated with an organic material to impart dispersion stability.

수지 조성물의 투명성의 관점으로부터 성분C의 평균 1차 입자 지름은 1∼200㎚가 바람직하고, 3∼80㎚가 특히 바람직하다. 여기에서, 입자의 평균 1차 입자 지름은 전자 현미경에 의해 임의의 입자 200개의 입자 지름을 측정하고, 그 산술평균을 말한다. 또한, 입자의 형상이 구형이 아닐 경우에는 최대 직경을 입자 지름으로 했다.From the viewpoint of transparency of the resin composition, the average primary particle diameter of the component C is preferably from 1 to 200 nm, particularly preferably from 3 to 80 nm. Here, the average primary particle diameter of the particles refers to the arithmetic mean of 200 particle diameters of arbitrary particles measured by an electron microscope. When the shape of the particles is not spherical, the maximum diameter is defined as the particle diameter.

또한, 성분C는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.Component C may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 수지 조성물에 있어서의 금속 산화물 입자의 함유량은 수지 조성물에 의해 얻어지는 광학 부재에 요구되는 굴절률이나 광투과성 등을 고려하여 적당하게 결정하면 좋지만, 본 발명의 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 5∼80질량%로 하는 것이 바람직하고, 10∼70질량%로 하는 것이 보다 바람직하다.The content of the metal oxide particles in the resin composition of the present invention may be suitably determined in consideration of the refractive index and light transmittance required for the optical member obtained by the resin composition, By mass to 80% by mass, and more preferably from 10 to 70% by mass.

(성분D) 용제(Component D) Solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분D) 용제를 함유한다. 본 발명의 감광성 수지 조성물은 본 발명의 필수 성분과, 또한 후술의 임의의 성분을 (성분D) 용제에 용해한 용액으로서 조제되는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (Component D) a solvent. It is preferable that the photosensitive resin composition of the present invention is prepared as a solution in which the essential component of the present invention and any of the following components are dissolved in the (D) solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 용제로서는 공지의 용제를 사용할 수 있고, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 용제의 구체예로서는, 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0174∼0178에 기재된 용제도 들 수 있다.As the solvent used in the photosensitive resin composition of the present invention, a known solvent can be used, and examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol Propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, dipropylene glycol mono Alkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, and the like. Specific examples of the solvent to be used in the photosensitive resin composition of the present invention include the solvents described in paragraphs 0174 to 0178 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-221494.

또한, 이들 용제에 필요에 따라서 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노날, 벤질알콜, 아니졸, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌 등의 용제를 더 첨가할 수도 있다.In these solvents, if necessary, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, isophorone, caproic acid, caprylic acid, Benzyl alcohol, anisole, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate, propylene carbonate and the like may be further added.

이들 용제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다. 본 발명에 사용할 수 있는 용제는 1종 단독, 또는 2종을 병용하는 것이 바람직하다.These solvents may be used alone or in combination of two or more. The solvent which can be used in the present invention is preferably a single solvent or a combination of two solvents.

또한, 성분D로서는 비점 130℃ 이상 160℃ 미만의 용제, 비점 160℃ 이상의 용제, 또는 이것들의 혼합물인 것이 바람직하다.The component D is preferably a solvent having a boiling point of 130 ° C or more and less than 160 ° C, a solvent having a boiling point of 160 ° C or more, or a mixture thereof.

비점 130℃ 이상 160℃ 미만의 용제로서는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(비점 146℃), 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(비점 158℃), 프로필렌글리콜메틸-n-부틸에테르(비점 155℃), 프로필렌글리콜메틸-n-프로필에테르(비점 131℃)를 예시할 수 있다.Propylene glycol monomethyl ether acetate (boiling point: 146 占 폚), propylene glycol monoethyl ether acetate (boiling point: 158 占 폚), propylene glycol methyl n-butyl ether (boiling point: 155 占 폚), propylene glycol Methyl-n-propyl ether (boiling point 131 占 폚).

비점 160℃ 이상의 용제로서는 3-에톡시프로피온산 에틸(비점 170℃), 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르(비점 176℃), 프로필렌글리콜모노메틸에테르프로피오네이트(비점 160℃), 디프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(비점 213℃), 3-메톡시부틸에테르아세테이트(비점 171℃), 디에틸렌글리콜디에틸에테르(비점 189℃), 디에틸렌글리콜디메틸에테르(비점 162℃), 프로필렌글리콜디아세테이트(비점 190℃), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(비점 220℃), 디프로필렌글리콜디메틸에테르(비점 175℃), 1,3-부틸렌글리콜디아세테이트(비점 232℃)를 예시할 수 있다.As the solvent having a boiling point of 160 캜 or more, ethyl 3-ethoxypropionate (boiling point: 170 캜), diethylene glycol methyl ethyl ether (boiling point: 176 캜), propylene glycol monomethyl ether propionate (boiling point: 160 캜), dipropylene glycol methyl ether acetate (Boiling point: 213 占 폚), 3-methoxybutyl ether acetate having a boiling point of 171 占 폚, diethylene glycol diethyl ether having a boiling point of 189 占 폚, diethylene glycol dimethyl ether having a boiling point of 162 占 폚, propylene glycol diacetate having a boiling point of 190 占), Diethylene glycol monoethyl ether acetate (boiling point 220 占 폚), dipropylene glycol dimethyl ether (boiling point 175 占 폚), and 1,3-butylene glycol diacetate (boiling point 232 占 폚).

이들 중에서도 용제로서는 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류가 바람직하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트가 특히 바람직하다.Of these solvents, propylene glycol monoalkyl ether acetates are preferable, and propylene glycol monomethyl ether acetate is particularly preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분D) 용제의 함유량은 감광성 수지 조성물 중의 성분A 100질량부당 50∼95질량부인 것이 바람직하고, 60∼90질량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the (component D) solvent in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 50 to 95 parts by mass, more preferably 60 to 90 parts by mass, per 100 parts by mass of the component A in the photosensitive resin composition.

(성분E) 가교제(Component E) Crosslinking agent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. 가교제를 첨가함으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 얻어지는 경화막을 보다 강고한 막으로 할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a crosslinking agent if necessary. By adding a crosslinking agent, the cured film obtained by the photosensitive resin composition of the present invention can be made into a stronger film.

가교제로서는 열에 의해 가교 반응이 일어나는 것이면 제한은 없다(단, 성분A를 제외한다). 예를 들면, 이하에 설명하는 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 2중 결합을 갖는 화합물, 또는 블록 이소시아네이트 화합물 등을 첨가할 수 있다.The crosslinking agent is not limited as long as it causes crosslinking reaction by heat (except for component A). For example, a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule, an alkoxymethyl group-containing cross-linking agent, a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond, or a block isocyanate compound may be added, .

본 발명의 감광성 수지 조성물 중에 있어서의 가교제의 첨가량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분 100질량부에 대하여 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼30질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼20질량부인 것이 더욱 바람직하다. 이 범위로 첨가함으로써, 기계적 강도 및 내용제성이 뛰어난 경화막이 얻어진다. 가교제는 복수를 병용할 수도 있고, 그 경우에는 가교제를 모두 합산해서 함유량을 계산한다.The addition amount of the crosslinking agent in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.01 to 50 parts by mass, more preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 0.5 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total solid content of the photosensitive resin composition desirable. When added in this range, a cured film excellent in mechanical strength and solvent resistance can be obtained. A plurality of crosslinking agents may be used together, and in that case, the total amount of the crosslinking agents is to be calculated.

<분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물>&Lt; Compounds having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule &

분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin and aliphatic epoxy resin.

이것들은 시판품으로서 입수할 수 있다. 예를 들면, JER157S70, JER157S65[미쓰비시 카가쿠(주) 제] 등, 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0189에 기재된 시판품 등을 들 수 있다.These are available as commercial products. For example, commercially available products such as JER157S70 and JER157S65 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and those described in paragraph 0189 of Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2011-221494.

그 밖에도 ADEKA RESIN EP-4000S, 동 EP-4003S, 동 EP-4010S, 동 EP-4011S[이상, (주)ADEKA 제], NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502[이상, (주)ADEKA 제], 데나콜 EX-611, EX-612, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-411, EX-421, EX-313, EX-314, EX-321, EX-211, EX-212, EX-810, EX-811, EX-850, EX-851, EX-821, EX-830, EX-832, EX-841, EX-911, EX-941, EX-920, EX-931, EX-212L, EX-214L, EX-216L, EX-321L, EX-850L, DLC-201, DLC-203, DLC-204, DLC-205, DLC-206, DLC-301, DLC-402[이상, 나가세 켐텍스(주) 제], YH-300, YH-301, YH-302, YH-315, YH-324, YH-325[이상, 신닛테츠 카가쿠(주) 제] 등을 들 수 있다.In addition, ADEKA RESIN EP-4000S, EP-4003S, EP-4010S and EP-4011S (manufactured by ADEKA Corporation), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD- EX-611, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-411, EX EX-821, EX-821, EX-821, EX-821, EX-821, DLC-203, DLC-203, EX-841, EX-911, EX-941, EX-920, EX- YH-300, YH-301, YH-302, YH-315, YH-324 and DLC-402 (manufactured by Nagase ChemteX Corporation) YH-325 [manufactured by Shinnitetsu Kagaku Co., Ltd.], and the like.

이것들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.These may be used singly or in combination of two or more.

이들 중에서도 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지를 보다 바람직하게 들 수 있고, 비스페놀 A형 에폭시 수지를 특히 바람직하게 들 수 있다.Among them, a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin and an aliphatic epoxy resin are more preferable, and a bisphenol A type epoxy resin is particularly preferable.

분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 아론 옥세탄 OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX[이상, 도아 고세이(주) 제]를 사용할 수 있다.As specific examples of the compound having two or more oxetanyl groups in the molecule, Aromoxetane OXT-121, OXT-221, OX-SQ and PNOX (manufactured by Doago Kosai Co., Ltd.) can be used.

또한, 옥세타닐기를 포함하는 화합물은 단독으로 또는 에폭시기를 포함하는 화합물과 혼합해서 사용하는 것이 바람직하다.The oxetanyl group-containing compound is preferably used alone or in combination with a compound containing an epoxy group.

또한, 기타 가교제로서는 일본 특허 공개 2012-8223호 공보의 단락 0107∼0108에 기재된 알콕시메틸기 함유 가교제, 및 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 2중 결합을 갖는 화합물 등도 바람직하게 사용할 수 있다. 알콕시메틸기 함유 가교제로서는 알콕시메틸화 글리콜우릴이 바람직하다.As the other crosslinking agent, the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent and the compound having at least one ethylenically unsaturated double bond described in paragraphs 0107 to 0108 of Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2012-8223 may be preferably used. As the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, alkoxymethylated glycoluril is preferable.

<블록 이소시아네이트 화합물>&Lt; Block isocyanate compound >

본 발명의 감광성 수지 조성물에서는 가교제로서 블록 이소시아네이트 화합물도 바람직하게 채용할 수 있다. 블록 이소시아네이트 화합물은 블록 이소시아네이트기를 갖는 화합물이면 특별하게 제한은 없지만, 경화성의 관점으로부터 1분자 내에 2 이상의 블록 이소시아네이트기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, a block isocyanate compound can also be preferably employed as a crosslinking agent. The block isocyanate compound is not particularly limited as long as it is a compound having a block isocyanate group, but is preferably a compound having two or more block isocyanate groups in one molecule from the viewpoint of curability.

또한, 본 발명에 있어서의 블록 이소시아네이트기란 열에 의해 이소시아네이트기를 생성하는 것이 가능한 기이며, 예를 들면 블록제와 이소시아네이트기를 반응시켜 이소시아네이트기를 보호한 기를 바람직하게 예시할 수 있다. 또한, 상기 블록 이소시아네이트기는 90℃∼250℃의 열에 의해 이소시아네이트기를 생성하는 것이 가능한 기인 것이 바람직하다.In addition, the block isocyanate group in the present invention is a group capable of forming an isocyanate group by heat, and for example, a group in which an isocyanate group is protected by reacting a blocking agent with an isocyanate group can be preferably exemplified. The block isocyanate group is preferably a group capable of generating an isocyanate group by heat at 90 to 250 캜.

또한, 블록 이소시아네이트 화합물로서는 그 골격은 특별하게 한정되는 것은 아니고, 1분자 중에 이소시아네이트기를 2개 갖는 것이면 어떤 것이라도 좋고, 지방족, 지환족 또는 방향족의 폴리이소시아네이트이면 좋지만, 예를 들면 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 1,3-트리메틸렌디이소시아네이트, 1,4-테트라메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 1,9-노나메틸렌디이소시아네이트, 1,10-데카메틸렌디이소시아네이트, 1,4-시클로헥산디이소시아네이트, 2,2'-디에틸에테르디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, o-크실렌디이소시아네이트, m-크실렌디이소시아네이트, p-크실렌디이소시아네이트, 메틸렌비스(시클로헥실이소시아네이트), 시클로헥산-1,3-디메틸렌디이소시아네이트, 시클로헥산-1,4-디메틸렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 3,3'-메틸렌디톨릴렌-4,4'-디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 테트라클로로페닐렌디이소시아네이트, 노보난디이소시아네이트, 수소화 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 수소화 1,4-크실릴렌디이소시아네이트 등의 이소시아네이트 화합물 및 이들 화합물로부터 파생되는 프리폴리머형의 골격의 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 이들 중에서도 톨릴렌디이소시아네이트(TDI)나 디페닐메탄디이소시아네이트(MDI), 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 이소포론디이소시아네이트(IPDI)가 특히 바람직하다.The skeleton of the block isocyanate compound is not particularly limited, and any skeleton may be used as long as it has two isocyanate groups in one molecule. The skeleton may be an aliphatic, alicyclic or aromatic polyisocyanate. For example, 2,4- 1,6-hexamethylene diisocyanate, 1,3-trimethylene diisocyanate, 1,4-tetramethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethylhexyl isocyanate, Hexamethylene diisocyanate, 2,4,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, 1,9-nonamethylene diisocyanate, 1,10-decamethylene diisocyanate, 1,4-cyclohexane diisocyanate, 2,2'-di Ethyl ether diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, o-xylene diisocyanate, m-xylene diisocyanate, p- Cyclohexane-1,3-dimethylene diisocyanate, cyclohexane-1,4-dimethylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, p-phenylenediisocyanate, 3-methylene diisocyanate, , 3'-methyleneditholylene-4,4'-diisocyanate, 4,4'-diphenylether diisocyanate, tetrachlorophenylenediisocyanate, norbornadiisocyanate, hydrogenated 1,3- xylylene diisocyanate, Xylylene diisocyanate and the like, and compounds having a skeleton of a prepolymer type derived from these compounds can be preferably used. Among them, tolylene diisocyanate (TDI), diphenylmethane diisocyanate (MDI), hexamethylene diisocyanate (HDI) and isophorone diisocyanate (IPDI) are particularly preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 블록 이소시아네이트 화합물의 모구조로서는 뷰렛형, 이소시아누레이트형, 어덕트형, 2관능 프리폴리머형 등을 들 수 있다.Examples of the parent structure of the block isocyanate compound in the photosensitive resin composition of the present invention include a burette type, an isocyanurate type, an adduct type, and a bifunctional prepolymer type.

상기 블록 이소시아네이트 화합물의 블록 구조를 형성하는 블록제로서는 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알콜 화합물, 아민 화합물, 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물, 메르캅탄 화합물, 이미다졸계 화합물, 이미드계 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알콜 화합물, 아민 화합물, 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물로부터 선택되는 블록제가 특히 바람직하다.Examples of the block agent forming the block structure of the block isocyanate compound include an oxime compound, a lactam compound, a phenol compound, an alcohol compound, an amine compound, an active methylene compound, a pyrazole compound, a mercaptan compound, an imidazole compound, . Among them, a block agent selected from an oxime compound, a lactam compound, a phenol compound, an alcohol compound, an amine compound, an active methylene compound, and a pyrazole compound is particularly preferable.

상기 옥심 화합물로서는 알독심, 및 케톡심을 들 수 있고, 구체적으로는 아세톡심, 포름알독심, 시클로헥산옥심, 메틸에틸케톤옥심, 시클로헥산온옥심, 벤조페논옥심, 아세톡심 등을 예시할 수 있다.Examples of the oxime compounds include aldoxime and ketoxime. Specific examples thereof include acetoxime, formaldehyde, cyclohexane oxime, methyl ethyl ketone oxime, cyclohexanone oxime, benzophenone oxime, acetoxime and the like .

상기 락탐 화합물로서는 ε-카프로락탐, γ-부티로락탐 등을 예시할 수 있다.Examples of the lactam compound include ε-caprolactam, γ-butyrolactam, and the like.

상기 페놀 화합물로서는 페놀, 나프톨, 크레졸, 크실레놀, 할로겐 치환 페놀 등을 예시할 수 있다.Examples of the phenol compound include phenol, naphthol, cresol, xylenol, halogen-substituted phenol, and the like.

상기 알콜 화합물로서는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 시클로헥산올, 에틸렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 락트산 알킬 등을 예시할 수 있다.Examples of the alcohol compound include methanol, ethanol, propanol, butanol, cyclohexanol, ethylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, and alkyl lactate.

상기 아민 화합물로서는 1급 아민 및 2급 아민을 들 수 있고, 방향족 아민, 지방족 아민, 지환족 아민 어떤 것이라도 좋고, 아닐린, 디페닐아민, 에틸렌이민, 폴리에틸렌이민 등을 예시할 수 있다.Examples of the amine compound include a primary amine and a secondary amine, and may be an aromatic amine, an aliphatic amine, or an alicyclic amine, and examples thereof include aniline, diphenylamine, ethyleneimine, and polyethyleneimine.

상기 활성 메틸렌 화합물로서는 말론산 디에틸, 말론산 디메틸, 아세토아세트산 에틸, 아세토아세트산 메틸 등을 예시할 수 있다.Examples of the active methylene compound include diethyl malonate, dimethyl malonate, ethyl acetoacetate, and methyl acetoacetate.

상기 피라졸 화합물로서는 피라졸, 메틸피라졸, 디메틸피라졸 등을 예시할 수 있다,Examples of the pyrazole compound include pyrazole, methylpyrazole, dimethylpyrazole and the like.

상기 메르캅탄 화합물로서는 알킬메르캅탄, 아릴메르캅탄 등을 예시할 수 있다.Examples of the mercaptan compound include alkyl mercaptans, aryl mercaptans, and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 블록 이소시아네이트 화합물은 시판품으로서 입수 가능하고, 예를 들면 코로네이트 AP 스테이블 M, 코로네이트 2503, 2515, 2507, 2513, 2555, 밀리오네이트 MS-50[이상, 니혼 폴리우레탄 코교(주) 제], 타케네이트 B-830, B-815N, B-820NSU, B-842N, B-846N, B-870N, B-874N, B-882N[이상, 미츠이 카가쿠(주) 제], 듀라네이트 17B-60PX, 17B-60P, TPA-B80X, TPA-B80E, MF-B60X, MF-B60B, MF-K60X, MF-K60B, E402-B80B, SBN-70D, SBB-70P, K6000[이상, 아사히카세이 케미컬(주) 제], 데스모듈 BL1100, BL1265 MPA/X, BL3575/1, BL3272MPA, BL3370MPA, BL3475BA/SN, BL5375MPA, VPLS2078/2, BL4265SN, PL340, PL350, 스미듈 BL3175[이상, 스미카 바이엘 우레탄(주) 제] 등을 바람직하게 사용할 수 있다.The block isocyanate compound which can be used in the photosensitive resin composition of the present invention is available as a commercially available product, and examples thereof include Coronate AP Stable M, Coronate 2503, 2515, 2507, 2513, 2555, Millionate MS- B-812N, B-820NSU, B-842N, B-846N, B-870N, B-874N and B-882N [manufactured by Nippon Polyurethane Kogyo Co., Ltd.], Takenate B- B60, MF-B60B, MF-K60X, MF-K60B, E402-B80B, SBN-70D, SBB-60DX, TPA-B80X, 70P, K6000 (manufactured by Asahi Kasei Chemical Co., Ltd.), Desmodule BL1100, BL1265 MPA / X, BL3575 / 1, BL3272MPA, BL3370MPA, BL3475BA / SN, BL5375MPA, VPLS2078 / 2, BL4265SN, PL340, PL350, , And BL3175 (manufactured by Sumika Bayer Urethane Co., Ltd.).

(성분F) 산화방지제(Component F) Antioxidant

본 발명의 감광성 수지 조성물은 산화방지제를 함유하는 것이 바람직하다. 산화방지제로서는 공지의 산화방지제를 함유할 수 있다. 산화방지제를 첨가함으로써, 경화막의 착색을 방지할 수 있거나 또는 분해에 의한 막 두께 감소를 저감시킬 수 있고, 또한 내열 투명성이 뛰어나다고 하는 이점이 있다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains an antioxidant. As the antioxidant, a known antioxidant may be contained. By adding an antioxidant, coloring of the cured film can be prevented, or film thickness reduction due to decomposition can be reduced, and furthermore, there is an advantage of excellent heat-resistant transparency.

이러한 산화방지제로서는, 예를 들면 인계 산화방지제, 아미드류, 히드라지드류, 힌더드아민계 산화방지제, 유황계 산화방지제, 페놀계 산화방지제, 아스코르브산류, 황산 아연, 당류, 아질산염, 아황산염, 티오황산염, 히드록실아민 유도체 등을 들 수 있다. 이들 중에서는 경화막의 착색, 막 두께 감소의 관점으로부터 특히 페놀계 산화방지제, 아미드계 산화방지제, 히드라지드계 산화방지제, 유황계 산화방지제가 바람직하다. 이것들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합해도 좋다.Examples of such antioxidants include phosphorus antioxidants, amides, hydrazides, hindered amine antioxidants, sulfur antioxidants, phenol antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, sugars, nitrite, sulfite, thiosulfate , Hydroxylamine derivatives, and the like. Among these, phenol-based antioxidants, amide-based antioxidants, hydrazide-based antioxidants and sulfur-based antioxidants are particularly preferable from the viewpoint of coloring of a cured film and reduction of film thickness. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

페놀계 산화방지제의 시판품으로서는, 예를 들면 아데카스터브 AO-15, 아데카스터브 AO-18, 아데카스터브 AO-20, 아데카스터브 AO-23, 아데카스터브 AO-30, 아데카스터브 AO-37, 아데카스터브 AO-40, 아데카스터브 AO-50, 아데카스터브 AO-51, 아데카스터브 AO-60, 아데카스터브 AO-70, 아데카스터브 AO-80, 아데카스터브 AO-330, 아데카스터브 AO-412S, 아데카스터브 AO-503, 아데카스터브 A-611, 아데카스터브 A-612, 아데카스터브 A-613, 아데카스터브 PEP-4C, 아데카스터브 PEP-8, 아데카스터브 PEP-8W, 아데카스터브 PEP-24G, 아데카스터브 PEP-36, 아데카스터브 PEP-36Z, 아데카스터브 HP-10, 아데카스터브 2112, 아데카스터브 260, 아데카스터브 522A, 아데카스터브 1178, 아데카스터브 1500, 아데카스터브 C, 아데카스터브 135A, 아데카스터브 3010, 아데카스터브 TPP, 아데카스터브 CDA-1, 아데카스터브 CDA-6, 아데카스터브 ZS-27, 아데카스터브 ZS-90, 아데카스터브 ZS-91[이상, (주)ADEKA 제], 일가녹스 245FF, 일가녹스 1010FF, 일가녹스 1010, 일가녹스 MD1024, 일가녹스 1035FF, 일가녹스 1035, 일가녹스 1098, 일가녹스 1330, 일가녹스 1520L, 일가녹스 3114, 일가녹스 1726, 일가포스 168, 일가모드 295(BASF사 제), 티누빈 405(BASF사 제) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 아데카스터브 AO-60, 아데카스터브 AO-80, 일가녹스 1726, 일가녹스 1035, 일가녹스 1098, 티누빈 405를 바람직하게 사용할 수 있다.Examples of commercially available products of phenolic antioxidants include Adekastab AO-15, Adekastube AO-18, Adekastube AO-20, Adekastube AO-23, Adekastube AO-30, Adekastube AO- 60, Adeka Stove AO-70, Adeka Stove AO-80, Adeka Stove AO-50, Adeka Stove AO-60, Adeka Stove AO- 330, ADEKA STUB AO-412S, ADEKA STUB AO-503, ADEKA STUB A-611, ADEKA STUB A-612, ADEKA STUB A-613, ADEKA STUB PEP-4C, ADEKA STUB PEP-8 , Adeka Stove PEP-8W, Adeka Stove PEP-24G, Adeka Stove PEP-36, Adeka Stove PEP-36Z, Adeka Stub HP-10, Adeka Stub 2112, Adeka Stab 260, Adeka Stab 522A Adeka Stove CDA-1, Adeka Stave CDA-6, Adeka Stove CDA-1, Adeka Stave CDA-1, Adeka Stave CDA-1, Adeka Stave CDA- (Manufactured by ADEKA Co., Ltd.), Igaronx 245FF, Igaronx 1010FF, Igarazx 1010, Igaraxx MD1024, Igaracox ZS-90, Adekastab ZS-90 (Manufactured by BASF), Tinuvin 405 (manufactured by BASF), and the like can be given as examples of the composition of the present invention. Of these, Adekastab AO-60, Adekastab AO-80, Igarox 1726, Igarox 1035, Igarox 1098, and Tinuvin 405 can be preferably used.

산화방지제의 함유량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.1∼10질량%인 것이 바람직하고, 0.2∼5질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼4질량%인 것이 특히 바람직하다. 이 범위로 함으로써 형성된 막의 충분한 투명성이 얻어지고, 또한 패턴 형성시의 감도도 양호해진다.The content of the antioxidant is preferably from 0.1 to 10 mass%, more preferably from 0.2 to 5 mass%, and particularly preferably from 0.5 to 4 mass%, based on the total solid content of the photosensitive resin composition. With this range, sufficient transparency of the film formed can be obtained, and sensitivity at the time of pattern formation becomes good.

또한, 산화방지제 이외의 첨가제로서 "고분자 첨가제의 신전개[(주)닛칸 코교 신분사]"에 기재된 각종 자외선 흡수제나, 금속 불활성화제 등을 본 발명의 감광성 수지 조성물에 첨가해도 좋다.Various ultraviolet absorbers, metal deactivators, and the like described in "New developments of high molecular additive (Nikkan Kogyo Shinbun Co., Ltd.)" may be added to the photosensitive resin composition of the present invention as additives other than the antioxidant.

<기타 성분><Other ingredients>

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 상기 성분에 추가하여, 필요에 따라서 (성분G) 증감제, (성분H) 알콕시실란 화합물, (성분I) 염기성 화합물, (성분J) 계면활성제를 바람직하게 첨가할 수 있다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는 상기 자외선 흡수제, 금속 불활성화제나, 산 증식제, 현상 촉진제, 가소제, 열 라디칼 발생제, 열산 발생제, 증점제, 및 유기 또는 무기의 침전 방지제 등의 공지의 첨가제를 첨가할 수 있다.In the photosensitive resin composition of the present invention, a sensitizer, (component H) alkoxysilane compound, (component I) basic compound and (component J) surfactant may be added as needed in addition to the above components have. The photosensitive resin composition of the present invention may further contain known additives such as ultraviolet absorber, metal deactivator, acid proliferator, development promoter, plasticizer, thermal radical generator, thermal acid generator, thickener, Can be added.

(성분G) 증감제(Component G) sensitizer

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분B) 광산 발생제와의 조합에 있어서 그 분해를 촉진시키기 위해서 증감제를 함유하는 것이 바람직하다. 증감제는 활성 광선 또는 방사선을 흡수해서 전자 여기 상태가 된다. 전자 여기 상태가 된 증감제는 광산 발생제와 접촉하여 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 발생한다. 이에 따라, 광산 발생제는 화학 변화를 일으켜서 분해되어 산을 생성한다. 바람직한 증감제의 예로서는, 이하의 화합물류에 속하고 있고, 또한 350㎚∼450㎚의 파장 영역 중 어느 하나에 흡수 파장을 갖는 화합물을 들 수 있다.It is preferable that the photosensitive resin composition of the present invention contains a sensitizer for accelerating the decomposition of the component (B) in combination with the photoacid generator. The sensitizer absorbs an actinic ray or radiation to become an electron-excited state. The sensitizer in the electron excited state comes into contact with the photoacid generator to generate electron transfer, energy transfer, heat generation, and the like. Accordingly, the photoacid generator decomposes by chemical change to generate an acid. Examples of preferred sensitizers include compounds having an absorption wavelength in any one of the wavelength ranges of 350 nm to 450 nm belonging to the following compounds.

다핵 방향족류(예를 들면, 피렌, 페릴렌, 트리페닐렌, 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센, 3,7-디메톡시안트라센, 9,10-디프로필옥시안트라센), 크산텐류(예를 들면, 플루오레세인, 에오신, 에리스로신, 로다민B, 로즈벵갈), 크산톤류(예를 들면, 크산톤, 티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤), 시아닌류(예를 들면, 티아카르보시아닌, 옥사카르보시아닌), 메로시아닌류(예를 들면, 메로시아닌, 카르보메로시아닌), 로다시아닌류, 옥소놀류, 티아진류(예를 들면, 티오닌, 메틸렌블루, 톨루이딘블루), 아크리딘류(예를 들면, 아크리딘오렌지, 클로로플라빈, 아크리플라빈), 아크리돈류(예를 들면, 아크리돈, 10-부틸-2-클로로아크리돈), 안트라퀴논류(예를 들면, 안트라퀴논), 스쿠알륨류(예를 들면, 스쿠알륨), 스티릴류, 베이스 스티릴류(예를 들면, 2-{2-[4-(디메틸아미노)페닐]에테닐}벤조옥사졸), 쿠마린류(예를 들면, 7-디에틸아미노-4-메틸쿠마린, 7-히드록시-4-메틸쿠마린, 2,3,6,7-테트라히드로-9-메틸-1H,5H,11H[1]벤조피란[6,7,8-ij]퀴놀리진-11-논).Polynuclear aromatic compounds such as pyrene, perylene, triphenylene, anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 3,7-dimethoxyanthracene, 9,10- Xanthone, xanthone, thioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, and the like), xanthone (for example, Oxanols, thiazides, thiocarbamates, thiocarbamates, thiocarbamates, thiocarbamates, thiocarbamates, thiocarbamates, thiocarbamates, (Such as acridine orange, chloroflavin, acriflavine), acridones (such as acridone, acridine, acridine), acridine (for example, thionine, methylene blue, toluidine blue) Butyl-2-chloroacridone), anthraquinones (for example, anthraquinone), squaryliums (for example, squalium), styryls, (Such as 2- {2- [4- (dimethylamino) phenyl] ethenyl} benzoxazole), coumarins (for example, 7-diethylamino-4-methylcoumarin, Methylcoumarin, 2,3,6,7-tetrahydro-9-methyl-1H, 5H, 11H [1] benzopyran [6,7,8-ij] quinolizine-11-pne).

이들 증감제 중에서도 다핵 방향족류, 아크리돈류, 스티릴류, 베이스 스티릴류, 쿠마린류가 바람직하고, 다핵 방향족류가 보다 바람직하다. 다핵 방향족류 중에서도 안트라센 유도체가 가장 바람직하다.Of these sensitizers, polynuclear aromatic compounds, acridones, styryls, base styryls and coumarins are preferable, and polynuclear aromatic compounds are more preferable. Of the polynuclear aromatics, anthracene derivatives are most preferred.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중에 있어서의 증감제의 첨가량은 감광성 수지 조성물의 광산 발생제 100질량부에 대하여 0∼1,000질량부인 것이 바람직하고, 10∼500질량부인 것이 보다 바람직하고, 50∼200질량부인 것이 더욱 바람직하다.The amount of the sensitizer added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0 to 1,000 parts by mass, more preferably 10 to 500 parts by mass, more preferably 50 to 200 parts by mass relative to 100 parts by mass of the photoacid generator of the photosensitive resin composition Is more preferable.

또한, 증감제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.The sensitizers may be used singly or in combination of two or more.

(성분H) 알콕시실란 화합물(Component H) The alkoxysilane compound

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분H) 알콕시실란 화합물을 함유해도 좋다. 알콕시실란 화합물을 사용하면 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 형성된 막과 기판의 밀착성을 향상시킬 수 있거나, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 형성된 막의 성질을 조정할 수 있다. 본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 (성분H) 알콕시실란 화합물은 기재가 되는 무기물, 예를 들면 규소, 산화규소, 질화규소 등의 규소 화합물, 금, 구리, 몰리브덴, 티탄, 알루미늄 등의 금속과 절연막의 밀착성을 향상시키는 화합물인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 공지의 실란커플링제 등도 유효하다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (Component H) an alkoxysilane compound. When the alkoxysilane compound is used, the adhesion between the film formed by the photosensitive resin composition of the present invention and the substrate can be improved, or the properties of the film formed by the photosensitive resin composition of the present invention can be adjusted. The alkoxysilane compound (Component H) that can be used in the photosensitive resin composition of the present invention is an alkoxysilane compound that can be used as an inorganic substance such as silicon, silicon oxide, silicon nitride such as silicon nitride, gold, copper, molybdenum, titanium, And is preferably a compound that improves the adhesion of the insulating film. Specifically, known silane coupling agents and the like are also effective.

실란커플링제로서는, 예를 들면 γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란을 들 수 있다. 이들 중, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이나 γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 더욱 바람직하고, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란이 특히 바람직하다. 이것들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.Examples of the silane coupling agent include? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Aminopropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? -Methacrylate, (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane,? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? -Mercaptopropyltrialkoxysilane, , And vinyltrialkoxysilane. Among these,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane and? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, and? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane is even more preferable, and 3-glycidoxypropyltrimethoxy Silane is particularly preferred. These may be used singly or in combination of two or more.

또한, 하기 화합물도 바람직하게 채용할 수 있다. 또한, Ph는 페닐기를 나타낸다.The following compounds can also be preferably employed. Ph represents a phenyl group.

Figure pct00062
Figure pct00062

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 알콕시실란 화합물은 특별하게 이것들에 한정되지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다.The alkoxysilane compound in the photosensitive resin composition of the present invention is not particularly limited to these, and known alkoxysilane compounds may be used.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 알콕시실란 화합물의 함유량은 감광성 조성물 중의 전체 고형분 100질량부에 대하여 0.1∼30질량부가 바람직하고, 0.5∼20질량부가 보다 바람직하다.The content of the alkoxysilane compound in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 0.5 to 20 parts by mass, per 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive composition.

(성분I) 염기성 화합물(Component I) The basic compound

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분I) 염기성 화합물을 함유해도 좋다. (성분I) 염기성 화합물로서는 화학 증폭레지스터에서 사용되는 것 중에서 임의로 선택해서 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제 4급 암모늄히드록시드, 카르복실산의 제 4급 암모늄염 등을 들 수 있다. 이것들의 구체예로서는, 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 0204∼0207에 기재된 화합물을 들 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (Component I) a basic compound. (Component I) As the basic compound, any one selected from those used in the chemical amplification resistor can be used. Examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, quaternary ammonium salts of carboxylic acids, and the like. Specific examples of these compounds include the compounds described in paragraphs 0204 to 0207 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-221494.

구체적으로는 지방족아민으로서는, 예를 들면 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Specific examples of the aliphatic amine include aliphatic amines such as trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di- Ethanolamine, triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민으로서는, 예를 들면 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, and diphenylamine.

복소환식 아민으로서는, 예를 들면 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산 아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, N-시클로헥실-N'-[2-(4-모르폴리닐)에틸]티오 요소, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl- Benzimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, 8-oxy N-cyclohexyl-N '- [2- (4-morpholinyl) pyrimidine, Ethyl] thiourea, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, and 1,8-diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene.

제 4급 암모늄히드록시드로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드, 테트라-n-헥실암모늄히드록시드 등을 들 수 있다.Examples of quaternary ammonium hydroxides include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and tetra-n-hexylammonium hydroxide .

카르복실산의 제 4급 암모늄염으로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.Examples of the quaternary ammonium salt of carboxylic acid include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.The basic compounds usable in the present invention may be used singly or in combination of two or more kinds.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 염기성 화합물의 함유량은 감광성 수지 조성물 중의 전체 고형분 100질량부에 대하여 0.001∼3질량부인 것이 바람직하고, 0.005∼1질량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the basic compound in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.001 to 3 parts by mass, more preferably 0.005 to 1 part by mass based on 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive resin composition.

(성분J) 계면활성제(Component J) Surfactant

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분J) 계면활성제를 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (component J) a surfactant.

(성분J) 계면활성제로서는 음이온계, 양이온계, 비이온계 또는 양성 중 어느 것이나 사용할 수 있지만, 바람직한 계면활성제는 비이온 계면활성제이다.(Component J) As the surfactant, any of anionic, cationic, nonionic or amphoteric surfactants can be used, but preferred surfactants are nonionic surfactants.

비이온계 계면활성제의 예로서는, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에테르류, 폴리옥시에틸렌글리콜의 고급 지방산 디에스테르류, 실리콘계, 불소계 계면활성제를 들 수 있다. 또한, 이하 상품명에서 KP[신에쓰 가가꾸 고교(주) 제], 폴리 플로우[교에이샤 카가쿠(주) 제], 에프톱(JEMCO사 제), 메가팩[DIC(주) 제], 플루오라드[스미토모스리엠(주) 제], 아사히 가드, 서플론[아사히가라스(주) 제], PolyFox(OMNOVA사 제), SH-8400[도레이 다우코닝(주) 제] 등의 각 시리즈를 들 수 있다.Examples of nonionic surfactants include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkyl phenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, silicones, and fluorine surfactants. (Manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Polyflow (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), F-top (manufactured by JEMCO), Megapack (manufactured by DIC Corporation) (Manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), PolyFox (manufactured by OMNOVA), and SH-8400 (manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.) .

또한, 계면활성제로서 하기 식(J-1)으로 나타내어지는 구성 단위A 및 구성 단위B를 포함하고, 테트라히드로푸란(THF)을 용매로 했을 경우의 겔 퍼미에이션 크로마토그래피로 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)이 1,000 이상 10,000 이하인 공중합체를 바람직한 예로서 들 수 있다.The weight ratio in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography when the surfactant contains the constituent unit A and the constituent unit B represented by the following formula (J-1) and tetrahydrofuran (THF) A preferred example is a copolymer having an average molecular weight (Mw) of 1,000 or more and 10,000 or less.

Figure pct00063
Figure pct00063

[식(J-1) 중, R401 및 R403은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R402는 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내고, R404는 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, p 및 q는 중합비를 나타내는 질량 백분율이며, p는 10질량% 이상 80질량% 이하의 수치를 나타내고, q는 20질량% 이상 90질량% 이하의 수치를 나타내고, r은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, s는 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다]: Wherein R 401 and R 403 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group; R 402 represents a straight chain alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and R 404 represents a hydrogen atom or a C1-4 alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; P represents an alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, p and q represent a percentage of mass indicating a polymerization ratio, p represents a value of 10 mass% or more and 80 mass% or less, q represents a mass of 20 mass % Or more and 90 mass% or less, r is an integer of 1 or more and 18 or less, and s is an integer of 1 or more and 10 or less,

상기 L은 하기 식(J-2)으로 나타내어지는 분기 알킬렌기인 것이 바람직하다. 식(J-2)에 있어서의 R405는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 습윤성의 점에서 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2 또는 3의 알킬기가 보다 바람직하다. p과 q의 합(p+q)은 p+q=100, 즉 100질량%인 것이 바람직하다.It is preferable that L is a branched alkylene group represented by the following formula (J-2). R 405 in the formula (J-2) represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and is preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms in terms of compatibility and wettability to a surface to be coated, and an alkyl group having 2 or 3 carbon atoms More preferable. The sum (p + q) of p and q is preferably p + q = 100, that is, 100 mass%.

Figure pct00064
Figure pct00064

상기 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 1,500 이상 5,000 이하가 보다 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is more preferably from 1,500 to 5,000.

이들 계면활성제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다.These surfactants may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 계면활성제의 첨가량은 감광성 수지 조성물 중의 전체 고형분 100질량부에 대하여 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.001∼10질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.01∼3질량부인 것이 더욱 바람직하다.The amount of the surfactant added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 10 parts by mass or less, more preferably 0.001 parts by mass to 10 parts by mass, and even more preferably 0.01 parts by mass to 3 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total solid content in the photosensitive resin composition desirable.

(성분K) 산 증식제(Component K)

본 발명의 감광성 수지 조성물은 감도 향상을 목적으로 산 증식제를 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention can use an acid growth agent for the purpose of improving the sensitivity.

본 발명에 사용할 수 있는 산 증식제는 산 촉매 반응에 의해 산을 더 발생시켜서 반응계 내의 산 농도를 상승시킬 수 있는 화합물이며, 산이 존재하지 않는 상태에서는 안정되게 존재하는 화합물이다. 이러한 화합물은 1회의 반응에 의해 1개 이상의 산이 늘어나기 때문에 반응의 진행에 따라 가속적으로 반응이 진행되지만, 발생된 산 자체가 자기 분해를 유기하기 때문에 여기에서 발생하는 산의 강도는 산해리정수, pKa로서 3 이하인 것이 바람직하고, 2 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, pKa는 -15 이상인 것이 바람직하다.The acid-proliferating agent which can be used in the present invention is a compound capable of increasing the acid concentration in the reaction system by further generating an acid by an acid catalytic reaction, and is a compound stably present in the absence of acid. Such a compound accelerates the reaction with the progress of the reaction because one or more acids are elongated by a single reaction. However, since the produced acid itself undergoes self-decomposition, the strength of the acid generated here is the acid- The pKa is preferably 3 or less, and particularly preferably 2 or less. The pKa is preferably -15 or more.

산 증식제의 구체예로서는, 일본 특허 공개 평 10-1508호 공보의 단락 0203∼0223, 일본 특허 공개 평 10-282642호 공보의 단락 0016∼0055, 및 일본 특허 공표 평 9-512498호 공보 제 39쪽 12줄째∼제 47쪽 2줄째에 기재된 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the acid proliferating agent include the compounds described in paragraphs 0203 to 023 of JP-A No. 10-1508, paragraphs 0016 to 0055 of JP-A No. 10-282642, and JP-A No. 9-512498, page 39 12th line to 47th page 2nd line.

본 발명에서 사용할 수 있는 산 증식제로서는 산 발생제로부터 발생된 산에 의해 분해되어 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 메탄술폰산, 벤젠술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 페닐포스폰산 등의 pKa가 3 이하인 산을 발생시키는 화합물을 들 수 있다.Examples of the acid growth agent usable in the present invention include acids having a pKa of 3 or less such as dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid and phenylphosphonic acid, which are decomposed by an acid generated from an acid generator . &Lt; / RTI &gt;

구체적으로는 이하의 화합물 등을 들 수 있다.Specifically, the following compounds and the like can be mentioned.

Figure pct00065
Figure pct00065

산 증식제의 감광성 조성물로의 함유량은 광산 발생제 100질량부에 대하여 10∼1,000질량부로 하는 것이 노광부와 미노광부의 용해 콘트라스트의 관점으로부터 바람직하고, 20∼500질량부로 하는 것이 더욱 바람직하다.The content of the acid proliferating agent in the photosensitive composition is preferably from 10 to 1,000 parts by mass based on 100 parts by mass of the photoacid generator from the viewpoint of dissolution contrast between the exposed portion and the unexposed portion, more preferably from 20 to 500 parts by mass.

(성분L) 현상 촉진제(Component L) Development accelerator

본 발명의 감광성 수지 조성물은 현상 촉진제를 함유할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a development accelerator.

현상 촉진제로서는 현상 촉진 효과가 있는 임의의 화합물을 사용할 수 있지만, 카르복실기, 페놀성 수산기, 및 알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 구조를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 보다 바람직하고, 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 가장 바람직하다.As the development accelerator, any compound having a phenomenon of promoting development may be used, but it is preferably a compound having at least one structure selected from the group consisting of a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, and an alkyleneoxy group, and a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group Is more preferable, and a compound having a phenolic hydroxyl group is most preferable.

현상 촉진제로서는 일본 특허 공개 2012-042837호 공보의 단락 0171∼0172의 기재를 참작할 수 있고, 이러한 내용은 본원 명세서에 도입된다.As the phenomenon promoting agent, the description of paragraphs 0171 to 0172 of Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2012-042837 may be taken into consideration, and the contents thereof are incorporated herein by reference.

현상 촉진제는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.The development accelerator may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 현상 촉진제의 첨가량은 감도와 미노광부의 잔막률의 관점으로부터, 감광성 조성물의 전체 고형분 100질량부에 대하여 0∼30질량부가 바람직하고, 0.1∼20질량부가 보다 바람직하고, 0.5∼10질량부인 것이 가장 바람직하다.The addition amount of the development accelerator in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably from 0 to 30 parts by mass, more preferably from 0.1 to 20 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the total solid content of the photosensitive composition, from the viewpoints of sensitivity and remaining ratio of the unexposed portion And most preferably 0.5 to 10 parts by mass.

또한, 기타 첨가제로서는 일본 특허 공개 2012-8223호 공보의 단락 0120∼0121에 기재된 열 라디칼 발생제, 국제 공개 제 2011/136074호에 기재된 질소 함유 화합물 및 열산 발생제도 사용할 수 있다.As the other additives, the heat radical generator described in paragraphs 0120 to 0121 of Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2012-8223, the nitrogen containing compound described in International Publication No. 2011/136074 and thermal acid generation system can be used.

(경화막의 제조 방법)(Production method of cured film)

이어서, 본 발명의 경화막(수지 패턴)의 제조 방법을 설명한다.Next, a method for producing the cured film (resin pattern) of the present invention will be described.

본 발명의 경화막의 제조 방법은 이하의 (1)∼(5)의 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The method for producing the cured film of the present invention preferably includes the following steps (1) to (5).

(1) 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정;(1) a coating step of applying the photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate;

(2) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정;(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition;

(3) 용제가 제거된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정;(3) an exposure step of exposing the resin composition from which the solvent has been removed to a pattern shape by an actinic ray;

(4) 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정;(4) a developing step of developing the exposed resin composition by an aqueous developing solution;

(5) 현상된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정.(5) A heat treatment step for heat-treating the developed resin composition.

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each step will be described below in order.

(1)의 도포 공정에서는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포해서 용제를 포함하는 습윤막으로 하는 것이 바람직하다. 감광성 수지 조성물을 기판에 도포하기 전에 알칼리 세정이나 플라즈마 세정과 같은 기판의 세정을 행하는 것이 바람직하고, 기판 세정 후에 헥사메틸디실라잔으로 기판 표면을 더 처리하는 것이 보다 바람직하다. 이 처리를 행함으로써 감광성 수지 조성물의 기판으로의 밀착성이 향상된다. 헥사메틸디실라잔으로 기판 표면을 처리하는 방법으로서는 특별하게 한정되지 않지만, 예를 들면 헥사메틸디실라잔 증기 중에 기판을 노출시켜 두는 방법 등을 들 수 있다.(1), it is preferable that the photosensitive resin composition of the present invention is applied onto a substrate to form a wet film containing a solvent. It is preferable to clean the substrate such as alkali washing or plasma cleaning before applying the photosensitive resin composition to the substrate, and it is more preferable to further treat the substrate surface with hexamethyldisilazane after the substrate cleaning. By this treatment, the adhesion of the photosensitive resin composition to the substrate is improved. The method of treating the surface of the substrate with hexamethyldisilazane is not particularly limited, and for example, a method of exposing the substrate to hexamethyldisilazane vapor may be mentioned.

상기 기판으로서는 무기 기판, 수지, 수지 복합 재료, ITO, Cu 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 셀룰로오스트리아세테이트(TAC) 등의 플라스틱 기판을 들 수 있다.Examples of the substrate include plastic substrates such as inorganic substrates, resins, resin composite materials, ITO, Cu substrates, polyethylene terephthalate, and cellulose triacetate (TAC).

무기 기판으로서는, 예를 들면 유리, 석영, 실리콘, 규소 나이트라이드, 및 그것들과 같은 기판 상에 몰리브덴, 티탄, 알루미늄, 구리 등을 증착한 복합 기판을 들 수 있다.Examples of the inorganic substrate include glass, quartz, silicon, silicon nitride, and composite substrates obtained by depositing molybdenum, titanium, aluminum, copper, or the like on a substrate such as glass, quartz, silicon or silicon nitride.

수지로서는 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌나프탈레이트, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 알릴디글리콜카보네이트, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리벤즈아졸, 폴리페닐렌설파이드, 폴리시클로올레핀, 노보넨 수지, 폴리클로로트리플루오로에틸렌 등의 불소 수지, 액정 폴리머, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 아이오노머 수지, 시아네이트 수지, 가교 푸말산 디에스테르 수지, 환상 폴리올레핀, 방향족 에테르 수지, 말레이미드-올레핀 수지, 셀룰로오스, 에피술피드 수지 등의 합성 수지로 이루어지는 기판을 들 수 있다.Examples of the resin include polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polysulfone, polyether sulfone, polyarylate, allyldiglycol carbonate, polyamide, polyimide, polyamide Acrylic resin, epoxy resin, silicone resin, ionomer resin, polyimide resin, polyimide resin, polyimide resin, polyimide resin, A substrate made of a synthetic resin such as a cyanate resin, a crosslinked fumaric acid diester resin, a cyclic polyolefin, an aromatic ether resin, a maleimide-olefin resin, a cellulose, and an episulfide resin.

이들 기판은 상기 형태인 상태로 사용되는 경우는 적고, 최종 제품의 형태에 따라, 예를 들면 TFT 소자와 같은 다층 적층 구조가 형성되어 있을 경우가 통상이다.These substrates are rarely used in the above-described form, and a multilayer laminate structure such as a TFT device is usually formed depending on the shape of the final product.

기판으로의 도포 방법은 특별하게 한정되지 않고, 예를 들면 슬릿 코팅법, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법, 유연 도포법, 슬릿 앤드 스핀법 등의 방법을 사용할 수 있다. 또한, 일본 특허 공개 2009-145395호 공보에 기재되어 있는 바와 같은, 소위 프리 웨트법을 적용하는 것도 가능하다.The method of applying the coating liquid to the substrate is not particularly limited and slit coating, spraying, roll coating, spin coating, spin coating, slit-and-spin coating, and the like can be used. It is also possible to apply the so-called pre-wet method as described in JP-A-2009-145395.

도포막 두께는 특별하게 한정되는 것은 아니고, 용도에 따른 막 두께로 도포할 수 있지만, 0.5∼10㎛의 범위로 사용되는 것이 바람직하다.The thickness of the coating film is not particularly limited, and it can be applied with a film thickness according to the application, but it is preferably used in the range of 0.5 to 10 mu m.

(2)의 용제 제거 공정에서는 적용된 상기 막으로부터, 감압(배큐엄) 및/또는 가열에 의해 용제를 제거해서 기판 상에 건조 도막을 형성시킨다. 용제 제거 공정의 가열 조건은 바람직하게는 70∼130℃에서 30∼300초간 정도이다. 온도와 시간이 상기 범위일 경우 패턴의 밀착성이 양호하고, 또한 잔사도 저감시킬 수 있다.In the solvent removal step (2), the solvent is removed from the applied film by depressurization (vacuum pressure) and / or heating to form a dry film on the substrate. The heating condition of the solvent removing step is preferably about 70 to 130 占 폚 for 30 to 300 seconds. When the temperature and the time are in the above range, the adhesion of the pattern is good and the residue can also be reduced.

(3)의 노광 공정에서는 도막을 설치한 기판에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통해서 활성 광선을 조사한다. 이 공정에서는 광산 발생제가 분해되어 산이 발생한다. 발생된 산의 촉매 작용에 의해, 도막 성분 중에 포함되는 산 분해성기가 가수분해되어 산기, 예를 들면 카르복실기 또는 페놀성 수산기가 생성된다.In the exposure step of the step (3), the substrate provided with a coating film is irradiated with an actinic ray through a mask having a predetermined pattern. In this process, the photoacid generator is decomposed to generate acid. By the catalytic action of the generated acid, the acid decomposable group contained in the coating film component is hydrolyzed to generate an acid group, for example, a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group.

활성 광선에 의한 노광 광원으로서는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, LED 광원, 엑시머 레이저 발생 장치 등을 사용할 수 있고, g선(436㎚), i선(365㎚), h선(405㎚) 등의 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 파장을 갖는 활성 광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라서 장파장 컷오프 필터, 단파장 컷오프 필터, 밴드패스 필터와 같은 분광 필터를 통과시켜서 조사광을 조정할 수도 있다.(436 nm), i-line (365 nm), h-line (405 nm), and the like can be used as the exposure light source by the actinic light ray. Examples of the exposure light source include a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, Nm) or the like having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less can be preferably used. If necessary, the irradiation light may be adjusted by passing through a spectral filter such as a long wavelength cutoff filter, a short wavelength cutoff filter, or a bandpass filter.

노광 장치로서는 미러 프로젝션 얼라이너, 스테퍼, 스캐너, 프록시미티, 콘택트, 마이크로렌즈 어레이, 레이저 노광 등 각종 방식의 노광기를 사용할 수 있다.As the exposure apparatus, various types of exposure apparatus such as a mirror projection aligner, a stepper, a scanner, a proximity, a contact, a microlens array, and a laser exposure can be used.

산 촉매가 생성된 영역에 있어서, 상기 가수분해 반응을 가속시키기 위해서 노광 후 가열 처리: Post Exposure Bake(이하, 「PEB」라고도 함)를 행할 수 있다. PEB에 의해, 산 분해성기로부터의 카르복실기 또는 페놀성 수산기의 생성을 촉진시킬 수 있다. PEB를 행할 경우의 온도는 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하가 보다 바람직하고, 50℃ 이상 100℃ 이하가 특히 바람직하다.Post-exposure heat treatment: Post Exposure Bake (hereinafter, also referred to as &quot; PEB &quot;) may be performed to accelerate the hydrolysis reaction in the region where the acid catalyst is generated. PEB can promote the generation of a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group from an acid-decomposable group. The temperature at which PEB is carried out is preferably 30 占 폚 to 130 占 폚, more preferably 40 占 폚 to 110 占 폚, and particularly preferably 50 占 폚 to 100 占 폚.

단, 본 발명에 있어서의 산 분해성기는 산 분해의 활성화 에너지가 낮고, 노광에 의한 산 발생제 유래의 산에 의해 용이하게 분해되어 산기, 예를 들면 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 발생시키기 때문에, 반드시 PEB를 행하지 않고 현상에 의해 포지티브 화상을 형성할 수도 있다.However, since the acid decomposable group in the present invention is low in the activation energy of the acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from an acid generator by exposure to generate an acid group, for example, a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, It is possible to form a positive image by development without performing the above process.

(4)의 현상 공정에서는 유리된 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 공중합체를 알칼리성 현상액을 이용하여 현상한다. 알칼리성 현상액에 용해되기 쉬운 산기, 예를 들면 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 수지 조성물을 포함하는 노광부 영역을 제거함으로써 포지티브 화상이 형성된다.In the developing step of (4), the liberated copolymer having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group is developed using an alkaline developer. A positive image is formed by removing the exposed region including a resin composition having an acid group easily soluble in an alkaline developer, for example, a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group.

현상 공정에서 사용하는 현상액에는 염기성 화합물이 포함되는 것이 바람직하다. 염기성 화합물로서는, 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산 나트륨, 탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산 나트륨, 중탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산 나트륨, 메타규산 나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로 해서 사용할 수도 있다.The developing solution used in the developing step preferably contains a basic compound. Examples of the basic compound include alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and choline hydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous alkaline solution may be used as a developer.

바람직한 현상액으로서 테트라에틸암모늄히드록시드의 0.4질량% 수용액, 0.5질량% 수용액, 0.7질량% 수용액, 또는 2.38질량% 수용액을 들 수 있다.As a preferable developing solution, a 0.4 mass% aqueous solution, 0.5 mass% aqueous solution, 0.7 mass% aqueous solution, or 2.38 mass% aqueous solution of tetraethylammonium hydroxide can be mentioned.

현상액의 pH는 바람직하게는 10.0∼14.0이다.The pH of the developing solution is preferably 10.0 to 14.0.

현상 시간은 바람직하게는 30∼500초간이며, 또한 현상의 방법은 액 채움법, 딥법 등 중 어느 것이라도 좋다. 현상 후에는 유수 세정을 30∼300초간 행하여 원하는 패턴을 형성시킬 수 있다.The developing time is preferably 30 to 500 seconds, and the developing method may be any of a liquid filling method and a dipping method. After the development, washing with water for 30 to 300 seconds is carried out to form a desired pattern.

현상 후에, 린스 공정을 행할 수도 있다. 린스 공정에서는 현상 후의 기판을 순수 등으로 세정함으로써 부착되어 있는 현상액 제거, 현상 잔사 제거를 행한다. 린스 방법은 공지의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 샤워 린스나 딥 린스 등을 들 수 있다.After the development, a rinsing process may be performed. In the rinsing step, the developed substrate is cleaned with pure water or the like to remove the attached developing solution and remove the developing residue. As the rinsing method, known methods can be used. Examples thereof include shower rinses and deep rinses.

(5)의 열처리 공정(포스트 베이킹)에서는 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써 산 분해성기를 열분해하여 산기, 예를 들면 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 생성시켜 가교성기, 가교제 등과 가교시킴으로써 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은 핫플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 이용하여 소정의 온도, 예를 들면 180℃∼250℃에서 소정의 시간, 예를 들면 핫플레이트 상이라면 5∼90분간, 오븐이면 30∼120분간 가열 처리를 행하는 것이 바람직한 가교 반응을 진행시킴으로써 내열성, 경도 등이 뛰어난 보호막이나 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 가열 처리를 행할 때에는 질소 분위기 하에서 행함으로써 투명성을 향상시킬 수도 있다. 플라스틱 기판을 사용했을 때에는 80℃∼140℃에서 5분∼120분간 가열 처리를 행하는 것이 바람직하다.In the heat treatment step (post-baking) of the substrate 5, the obtained positive image is thermally decomposed by thermal decomposition of the acid-decomposable group to form an acid group, for example, a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, and crosslinked with a crosslinkable group or a crosslinking agent. The heating is carried out at a predetermined temperature, for example, 180 to 250 DEG C for a predetermined time, for example, 5 to 90 minutes for a hot plate or 30 to 120 minutes for an oven using a heating apparatus such as a hot plate or an oven A protective film or an interlayer insulating film excellent in heat resistance, hardness and the like can be formed by carrying out a crosslinking reaction in which the treatment is preferably carried out. Further, when the heat treatment is performed, transparency can be improved by performing the heat treatment in a nitrogen atmosphere. When a plastic substrate is used, it is preferable to carry out the heat treatment at 80 to 140 占 폚 for 5 to 120 minutes.

열처리 공정(포스트 베이킹) 전에, 비교적 저온으로 베이킹을 행한 후에 열처리 공정을 행할 수도 있다(미들 베이킹 공정의 추가). 미들 베이킹을 행할 경우에는 90∼150℃에서 1∼60분 가열한 후에, 200℃ 이상의 고온으로 포스트 베이킹하는 것이 바람직하다. 또한, 미들 베이킹, 포스트 베이킹을 3단계 이상의 다단계로 나누어서 가열할 수도 있다. 이러한 미들 베이킹, 포스트 베이킹의 고안에 의해, 패턴의 테이퍼각을 조정할 수 있다. 이들 가열은 핫플레이트, 오븐, 적외선 히터 등, 공지의 가열 방법을 사용할 수 있다.Before the heat treatment process (post-baking), the heat treatment process may be performed after baking at a relatively low temperature (addition of the middle baking process). In the case of performing the middle baking, post-baking is preferably performed at a high temperature of 200 DEG C or higher after heating at 90 to 150 DEG C for 1 to 60 minutes. In addition, middle baking and post baking may be divided into three or more stages and heated. The taper angle of the pattern can be adjusted by devising such middle baking and post baking. For these heating, a known heating method such as a hot plate, an oven, and an infrared heater can be used.

또한, 포스트 베이킹에 앞서, 패턴을 형성한 기판에 활성 광선에 의해 전면 재노광(포스트 노광)한 후 포스트 베이킹함으로써 미노광 부분에 존재하는 광산 발생제로부터 산을 발생시켜 가교 공정을 촉진하는 촉매로서 기능시킬 수 있고, 막의 경화 반응을 촉진할 수 있다. 포스트 노광 공정을 포함할 경우의 바람직한 노광량으로서는 100∼3,000mJ/㎠가 바람직하고, 100∼500mJ/㎠가 특히 바람직하다.As a catalyst for promoting the crosslinking step by generating an acid from the photoacid generator present in the unexposed portion by post-exposure (post exposure) to the substrate on which the pattern is formed before the post-baking, And can accelerate the curing reaction of the film. When the post exposure step is included, the preferable exposure amount is preferably 100 to 3,000 mJ / cm2, and particularly preferably 100 to 500 mJ / cm2.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어진 경화막은 드라이 에칭 레지스트로서 사용할 수도 있다. 열처리 공정에 의해 열경화해서 얻어진 경화막을 드라이 에칭 레지스트로서 사용할 경우, 에칭 처리로서는 애싱, 플라즈마 에칭, 오존 에칭 등의 드라이 에칭 처리를 행할 수 있다.The cured film obtained from the photosensitive resin composition of the present invention may also be used as a dry etching resist. When a cured film obtained by thermal curing by a heat treatment process is used as a dry etching resist, dry etching treatment such as ashing, plasma etching, and ozone etching can be performed as the etching treatment.

(경화막)(Cured film)

본 발명의 경화막은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어진 경화막이다.The cured film of the present invention is a cured film obtained by curing the photosensitive resin composition of the present invention.

본 발명의 경화막은 층간 절연막으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화막은 본 발명의 경화막의 형성 방법에 의해 얻어진 경화막인 것이 바람직하다.The cured film of the present invention can be preferably used as an interlayer insulating film. It is preferable that the cured film of the present invention is a cured film obtained by the method of forming a cured film of the present invention.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해, 절연성이 뛰어나고 고온으로 베이킹된 경우에 있어서도 높은 투명성을 갖는 층간 절연막이 얻어진다. 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 층간 절연막은 높은 투명성을 갖고 경화막 물성이 뛰어나기 때문에, 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치, 터치패널 표시 장치의 용도에 유용하다.With the photosensitive resin composition of the present invention, an interlayer insulating film having excellent transparency can be obtained even when the insulating resin is baked at a high temperature. The interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention is useful for an organic EL display device, a liquid crystal display device, and a touch panel display device because it has high transparency and excellent physical properties of a cured film.

(경화물 및 그 제조 방법)(Cured product and method for producing the same)

본 발명의 경화물은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어진 경화물이며, 상기한 바와 같이 그 형상은 막이 아니더라도 좋고, 임의의 형상이라도 좋다.The cured product of the present invention is a cured product obtained by curing the photosensitive resin composition of the present invention. As described above, the shape of the cured product may not be a film, and any shape may be used.

본 발명의 경화물의 제조 방법은 특별하게 제한은 없지만, 적어도 이하의 공정 (a)∼(c)를 이 순서대로 포함하는 것이 바람직하다.The method for producing the cured product of the present invention is not particularly limited, but preferably includes at least the following steps (a) to (c) in this order.

(a) 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정;(a) an application step of applying the photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate;

(b) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정;(b) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition;

(c) 용제가 제거된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정.(c) a heat treatment step of heat-treating the resin composition from which the solvent has been removed.

공정(a) 및 공정(b)은 각각 상기 도포 공정 및 상기 용제 제거 공정과 동의이며, 바람직한 형태도 마찬가지이다.The steps (a) and (b) are in agreement with the coating step and the solvent removing step, respectively, and the preferred embodiments are also the same.

공정(c)은 열처리하는 대상이 공정(b)에서 얻어진 용제가 제거된 수지 조성물인 것 이외에는 상기 열처리 공정과 마찬가지의 공정이며, 상기 열처리 공정에 있어서의 가열 온도, 가열 시간, 가열 수단 등의 바람직한 형태도 마찬가지로 바람직하다.The step (c) is a step similar to the above-mentioned heat treatment step, except that the subject to be heat treated is the resin composition from which the solvent obtained in the step (b) has been removed. In the heat treatment step, the preferable heating temperature, heating time, The form is likewise preferred.

본 발명의 경화물 또는 경화막은 마이크로렌즈, 광도파로, 반사 방지막, LED용 밀봉재 및 LED용 칩 코트재 등의 광학 부재, 또는 터치패널에 사용되는 배선 전극의 시인성 저감용 경화물로서 바람직하게 사용할 수 있다.The cured product or the cured film of the present invention can be preferably used as an optical member such as a microlens, an optical waveguide, an antireflection film, a sealing material for LED, a chip coating material for LED, or a cured product for reducing visibility of wiring electrodes used for a touch panel have.

또한, 본 발명의 경화물 또는 경화막은, 예를 들면 후술하는 바와 같은 액정 표시 장치 또는 유기 EL 장치 등에 있어서의 평탄화막이나 층간 절연막, 컬러 필터의 보호막, 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 디바이스의 구조 부재 등에 바람직하게 사용할 수 있다.Further, the cured product or the cured film of the present invention can be used as a flattening film or an interlayer insulating film in a liquid crystal display device or an organic EL device or the like, a protective film of a color filter, a liquid crystal display device, A spacer for maintaining a constant shape, a structural member of a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) device, and the like.

(액정 표시 장치)(Liquid crystal display device)

본 발명의 액정 표시 장치는 본 발명의 경화막을 구비하는 것을 특징으로 하는.The liquid crystal display device of the present invention is characterized by comprising the cured film of the present invention.

본 발명의 액정 표시 장치로서는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 평탄화막이나 층간 절연막을 갖는 것 이외에는 특별하게 제한되지 않고, 여러 가지 구조를 채용하는 공지의 액정 표시 장치를 들 수 있다.The liquid crystal display of the present invention is not particularly limited, except that it has a planarizing film or an interlayer insulating film formed by using the photosensitive resin composition of the present invention, and may be a known liquid crystal display device employing various structures.

예를 들면, 본 발명의 액정 표시 장치가 구비하는 TFT(Thin-Film Transistor)의 구체예로서는 아모퍼스 규소-TFT, 저온 폴리규소-TFT, 산화물 반도체 TFT 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화막은 전기 특성에 뛰어나기 때문에, 이들 TFT에 조합시켜서 바람직하게 사용할 수 있다.For example, specific examples of a TFT (Thin-Film Transistor) included in the liquid crystal display of the present invention include an amorphous silicon-TFT, a low-temperature polysilicon-TFT, and an oxide semiconductor TFT. Since the cured film of the present invention is excellent in electric characteristics, it can be preferably used in combination with these TFTs.

또한, 본 발명의 액정 표시 장치가 채용할 수 있는 액정 구동 방식으로서는 TN(Twisted Nematic) 방식, VA(Virtical Alig㎚ent) 방식, IPS(In-Place-Switching) 방식, FFS(Frings Field Switching) 방식, OCB(Optical Compensated Bend) 방식 등을 들 수 있다.As a liquid crystal driving method that can be employed in the liquid crystal display of the present invention, a TN (Twisted Nematic) method, VA (Virtical Alignment) method, IPS (In-Place-Switching) method, FFS , An OCB (Optical Compensated Bend) method, and the like.

패널 구성에 있어서는 COA(Color Filter on Allay) 방식의 액정 표시 장치에서도 본 발명의 경화막을 사용할 수 있고, 예를 들면 일본 특허 공개 2005-284291호 공보에 기재된 유기 절연막(115)이나, 일본 특허 공개 2005-346054호 공보에 기재된 유기 절연막(212)으로서 사용할 수 있다.In the panel construction, the cured film of the present invention can also be used in a COA (Color Filter on All) system liquid crystal display device. For example, the organic insulating film 115 described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-284291, And can be used as the organic insulating film 212 described in JP-A-346054.

또한, 본 발명의 액정 표시 장치가 채용할 수 있는 액정 배향막의 구체적인 배향 방식으로서는 러빙 배향법, 광 배향법 등을 들 수 있다. 또한, 일본 특허 공개 2003-149647호 공보나 일본 특허 공개 2011-257734호 공보에 기재된 PSA(Polymer Sustained Alig㎚ent) 기술에 의해 폴리머 배향 지지되어 있어도 좋다.Specific examples of the alignment method of the liquid crystal alignment film that can be employed in the liquid crystal display of the present invention include a rubbing alignment method and a photo alignment method. It may also be polymer-oriented supported by PSA (Polymer Sustained Aligment) technology described in Japanese Patent Laid-Open Nos. 2003-149647 and 2011-257734.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 및 본 발명의 경화막은 상기 용도에 한정되지 않고 여러 가지 용도에 사용할 수 있다. 예를 들면, 평탄화막이나 층간 절연막 이외에도 컬러 필터의 보호막이나, 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서나 고체 촬상 소자에 있어서 컬러 필터 상에 설치되는 마이크로렌즈 등에 바람직하게 사용할 수 있다.Further, the photosensitive resin composition of the present invention and the cured film of the present invention are not limited to the above-mentioned use, and can be used for various purposes. For example, in addition to a planarizing film and an interlayer insulating film, a protective film for a color filter, a spacer for keeping the thickness of the liquid crystal layer in the liquid crystal display device constant, and a microlens provided on the color filter in the solid- Can be used.

도 1은 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치(10)의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다. 이 컬러 액정 표시 장치(10)는 배면에 백라이트 유닛(12)을 갖는 액정 패널로서, 액정 패널은 편광 필름이 부착된 2매의 유리 기판(14, 15) 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT(16)의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 상에 형성된 각 소자에는 경화막(17) 중에 형성된 컨택트홀(18)을 통과해서 화소 전극을 형성하는 ITO 투명 전극(19)이 배선되어 있다. ITO 투명 전극(19) 상에는 액정(20)의 층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 컬러 필터(22)가 설치되어 있다.Fig. 1 is a conceptual cross-sectional view showing an example of an active matrix type liquid crystal display device 10. Fig. This color liquid crystal display device 10 is a liquid crystal panel having a backlight unit 12 on its back surface and the liquid crystal panel is composed of a TFT corresponding to all the pixels arranged between two glass substrates 14, (16) are disposed on the substrate. An ITO transparent electrode 19 for passing through the contact hole 18 formed in the cured film 17 and forming the pixel electrode is wired to each element formed on the glass substrate. On the ITO transparent electrode 19, an RGB color filter 22 in which a layer of a liquid crystal 20 and a black matrix are arranged is provided.

백라이트의 광원으로서는 특별하게 한정되지 않고, 공지의 광원을 사용할 수 있다. 예를 들면, 백색 LED, 청색·적색·녹색 등의 다색 LED, 형광등(냉음극관), 유기 EL 등을 들 수 있다.The light source of the backlight is not particularly limited, and a known light source can be used. For example, white LEDs, multicolor LEDs such as blue, red, and green, fluorescent lamps (cold cathode tubes), and organic ELs.

또한, 액정 표시 장치는 3D(입체시)형인 것으로 하거나, 터치패널형인 것으로 하거나 하는 것도 가능하다. 또한, 플렉시블형으로 하는 것도 가능하고, 일본 특허 공개 2011-145686호 공보에 기재된 제 2 상간 절연막(48)이나, 일본 특허 공개 2009-258758호 공보에 기재된 상간 절연막(520)으로 해서 사용할 수 있다.Further, the liquid crystal display device may be 3D (stereoscopic) type or may be a touch panel type. The second inter-phase insulating film 48 described in JP-A-2011-145686 or the inter-phase insulating film 520 described in JP-A-2009-258758 can be used.

(유기 EL 표시 장치)(Organic EL display device)

본 발명의 유기 EL 표시 장치는 본 발명의 경화막을 구비하는 것을 특징으로 하는.The organic EL display device of the present invention is characterized by comprising the cured film of the present invention.

본 발명의 유기 EL 표시 장치로서는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 평탄화막이나 층간 절연막을 갖는 것 이외에는 특별하게 제한되지 않고, 여러 가지 구조를 채용하는 공지의 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.The organic EL display device of the present invention is not particularly limited, except that it has a planarizing film or an interlayer insulating film formed by using the photosensitive resin composition of the present invention, and various known organic EL display devices employing various structures, liquid crystal display Devices.

예를 들면, 본 발명의 유기 EL 표시 장치가 구비하는 TFT(Thin-Film Transistor)의 구체예로서는 아모퍼스 규소-TFT, 저온 폴리규소-TFT, 산화물 반도체 TFT 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화막은 전기 특성에 뛰어나기 때문에, 이들 TFT에 조합시켜서 바람직하게 사용할 수 있다.For example, specific examples of a TFT (Thin-Film Transistor) included in the organic EL display device of the present invention include an amorphous silicon-TFT, a low-temperature polysilicon TFT, and an oxide semiconductor TFT. Since the cured film of the present invention is excellent in electric characteristics, it can be preferably used in combination with these TFTs.

도 2는 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도이다. 바텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.2 is a conceptual diagram showing an example of an organic EL display device. Sectional schematic view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device and has a planarization film 4. [

유리 기판(6) 상에 바텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)이 형성되어 있다. 절연막(3)에, 여기에서는 도시를 생략한 컨택트홀을 형성한 후, 이 컨택트홀을 통해서 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)이 절연막(3) 상에 형성되어 있다. 배선(2)은 TFT(1)간, 또는 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 is formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 is formed so as to cover the TFT 1. A contact hole (not shown) is formed in the insulating film 3 and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3 . The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or a later step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서, 배선(2)에 의한 요철을 매입하는 상태로 절연막(3) 상에 평탄화층(4)이 형성되어 있다.The planarization layer 4 is formed on the insulating film 3 so as to fill the irregularities formed by the wirings 2 in order to planarize the irregularities formed by the formation of the wirings 2.

평탄화막(4) 상에는 바텀 에미션형의 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막(4) 상에 ITO로 이루어지는 제 1 전극(5)이 컨택트홀(7)을 통해서 배선(2)에 접속시켜서 형성되어 있다. 또한, 제 1 전극(5)은 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.On the planarizing film 4, a bottom-emission organic EL element is formed. That is, a first electrode 5 made of ITO is formed on the flattening film 4 by being connected to the wiring 2 through the contact hole 7. The first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element.

제 1 전극(5)의 둘레 가장자리를 덮는 형상의 절연막(8)이 형성되어 있고, 이 절연막(8)을 설치함으로써 제 1 전극(5)과 이후의 공정에서 형성하는 제 2 전극간의 쇼트를 방지할 수 있다.An insulating film 8 is formed so as to cover the periphery of the first electrode 5. By providing this insulating film 8, a short circuit is prevented between the first electrode 5 and the second electrode formed in the subsequent steps can do.

또한, 도 2에는 도시하고 있지 않지만 원하는 패턴 마스크를 통해서 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차적으로 증착해서 설치하고, 이어서 기판 상방의 전면에 Al로 이루어지는 제 2 전극을 형성하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 이용하여 접합시킴으로써 밀봉하고, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어서 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어진다.Although not shown in FIG. 2, a hole transport layer, an organic light emitting layer, and an electron transport layer are sequentially deposited by a desired pattern mask, then a second electrode made of Al is formed on the entire upper surface of the substrate, It is possible to obtain an active matrix type organic EL display device in which an organic EL element is sealed by bonding using an ultraviolet curable epoxy resin and a TFT 1 for driving each organic EL element is connected.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 경화성 및 경화막 특성에 뛰어나기 때문에, MEMS 디바이스의 구조 부재로서 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 레지스트 패턴을 격벽으로 하거나, 기계 구동 부품의 일부로서 장착해서 사용된다. 이러한 MEMS용 디바이스로서는, 예를 들면 SAW(surface acoustic wave) 필터, BAW(bulk acoustic wave) 필터, 자이로 센서, 디스플레이용 마이크로 셔터, 이미지 센서, 전자 페이퍼, 잉크젯 헤드, 바이오칩, 밀봉제 등의 부품을 들 수 있다. 보다 구체적인 예는 일본 특허 공표 2007-522531호 공보, 일본 특허 공개 2008-250200호 공보, 일본 특허 공개 2009-263544호 공보 등에 예시되어 있다.Since the photosensitive resin composition of the present invention is excellent in curability and cured film properties, a resist pattern formed by using the photosensitive resin composition of the present invention as a structural member of a MEMS device is used as a partition wall or as a part of a mechanical driving component . Examples of such MEMS devices include components such as a SAW (surface acoustic wave) filter, a BAW (bulk acoustic wave) filter, a gyro sensor, a display micro shutter, an image sensor, an electronic paper, an inkjet head, a biochip, . More specific examples are exemplified in Japanese Patent Publication Nos. 2007-522531, 2008-250200, and 2009-263544.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 평탄성이나 투명성에 뛰어나기 때문에, 예를 들면 일본 특허 공개 2011-107476호 공보의 도 2에 기재된 뱅크층(16) 및 평탄화막(57), 일본 특허 공개 2010-9793호 공보의 도 4(a)에 기재된 격벽(12) 및 평탄화막(102), 일본 특허 공개 2010-27591호 공보의 도 10에 기재된 뱅크층(221) 및 제 3 층간 절연막(216b), 일본 특허 공개 2009-128577호 공보의 도 4(a)에 기재된 제 2 층간 절연막(125) 및 제 3 층간 절연막(126), 일본 특허 공개 2010-182638호 공보의 도 3에 기재된 평탄화막(12) 및 화소 분리 절연막(14) 등의 형성에 사용할 수도 있다.Since the photosensitive resin composition of the present invention is excellent in flatness and transparency, for example, the bank layer 16 and the planarization film 57 shown in Fig. 2 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-107476, Japanese Patent Application Laid- The bank layer 221 and the third interlayer insulating film 216b shown in Fig. 10 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-27591, the barrier layer 12 and the planarization film 102 described in Fig. 4 (a) The second interlayer insulating film 125 and the third interlayer insulating film 126 described in FIG. 4A of JP 2009-128577 A, the planarization film 12 described in FIG. 3 of JP 2010-182638 A, The insulating film 14 and the like.

(터치패널 표시 장치)(Touch panel display device)

본 발명의 터치패널 표시 장치는 본 발명의 경화물을 갖는 정전 용량형 입력 장치를 구비한다. 또한, 본 발명의 정전 용량형 입력 장치는 본 발명의 막을 갖는 것을 특징으로 한다.A touch panel display device of the present invention comprises a capacitive input device having a cured product of the present invention. Further, the capacitance type input device of the present invention is characterized by having the film of the present invention.

본 발명의 정전 용량형 입력 장치는 앞면판과, 상기 앞면판의 비접촉측에 적어도 하기 (1)∼(5)의 요소를 갖고, 상기 (4)가 본 발명의 열처리물인 것이 바람직하다.It is preferable that the capacitive input device of the present invention has at least the following elements (1) to (5) on the noncontact side of the front plate and the above-mentioned (4) is the heat treatment of the present invention.

(1) 마스크층(1) Mask layer

(2) 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통해서 제 1 방향으로 연장되어 형성된 복수의 제 1 투명 전극 패턴(2) a plurality of first transparent electrode patterns formed by extending a plurality of pad portions in a first direction through connection portions

(3) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 전기적으로 절연되고, 상기 제 1 방향에 교차하는 방향으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제 2 투명 전극 패턴(3) a plurality of second transparent electrode patterns, which are electrically insulated from the first transparent electrode pattern and are formed of a plurality of pad portions extending in a direction crossing the first direction,

(4) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 상기 제 2 투명 전극 패턴을 전기적으로 절연하는 절연층(4) An insulating layer for electrically insulating the first transparent electrode pattern and the second transparent electrode pattern

(5) 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 투명 전극 패턴 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되고, 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소(5) A method of manufacturing a semiconductor device, which is electrically connected to at least one of the first transparent electrode pattern and the second transparent electrode pattern, and which is different from the first transparent electrode pattern and the second transparent electrode pattern

본 발명의 정전 용량형 입력 장치는 상기 (1)∼(5)의 요소의 전부 또는 일부를 덮도록 투명 보호층을 더 설치하는 것이 바람직하고, 상기 투명 보호층이 본 발명의 경화막인 것이 보다 바람직하다.The capacitive input device of the present invention preferably further includes a transparent protective layer so as to cover all or a part of the elements (1) to (5), and it is preferable that the transparent protective layer is a cured film of the present invention desirable.

우선, 정전 용량형 입력 장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 3은 정전 용량형 입력 장치의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 3에 있어서 정전 용량형 입력 장치(30)는 앞면판(31)과, 마스크층(32)과, 제 1 투명 전극 패턴(33)과, 제 2 투명 전극 패턴(34)과, 절연층(35)과, 도전성 요소(36)와, 투명 보호층(37)으로 구성되어 있다.First, the configuration of the capacitive input device will be described. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of the capacitance type input device. 3, the capacitive input device 30 includes a front plate 31, a mask layer 32, a first transparent electrode pattern 33, a second transparent electrode pattern 34, an insulating layer 35, a conductive element 36, and a transparent protective layer 37. [

앞면판(31)은 유리 기판 등의 투광성 기판으로 구성되어 있고, 코닝사의 고릴라 유리로 대표되는 강화 유리 등을 사용할 수 있다. 또한, 도 3에 있어서 앞면판(31)의 각 요소가 설치되어 있는 측을 비접촉면이라고 칭한다. 본 발명의 정전 용량형 입력 장치(30)에 있어서는 앞면판(31)의 접촉면(비접촉면의 반대인 면)에 손가락 등을 접촉시키는 등 하여 입력이 행해진다. 이하, 앞면판을 「기재」라고 칭하는 경우가 있다.The front plate 31 is formed of a light-transmitting substrate such as a glass substrate, and tempered glass typified by Gorilla glass of Corning Inc. can be used. 3, the side on which the respective elements of the front surface plate 31 are provided is called a non-contact surface. In the capacitive input device 30 of the present invention, a finger or the like is brought into contact with the contact surface (the surface opposite to the non-contact surface) of the front plate 31, and the like. Hereinafter, the front plate may be referred to as a &quot; substrate &quot;.

또한, 앞면판(31)의 비접촉면 상에는 마스크층(32)이 설치되어 있다. 마스크층(32)은 터치패널 앞면판의 비접촉측에 형성된 표시 영역 주위의 액자상의 패턴이며, 둘러쳐진 배선 등이 보이지 않도록 하기 위해서 형성된다.On the non-contact surface of the front plate 31, a mask layer 32 is provided. The mask layer 32 is a frame-like pattern around the display area formed on the noncontact side of the front panel of the touch panel, and is formed so that the surrounding wiring and the like are not seen.

본 발명의 정전 용량형 입력 장치에는 도 4에 나타내는 바와 같이, 앞면판(31)의 일부의 영역(도 4에 있어서는 입력면 이외의 영역)을 덮도록 마스크층(32)이 설치되어 있다. 또한, 앞면판(31)에는 도 4에 나타내는 바와 같이 일부에 개구부(38)를 형성할 수 있다. 개구부(38)에는 압박에 의한 메카니컬한 스위치를 설치할 수 있다.As shown in Fig. 4, the capacitive input device of the present invention is provided with a mask layer 32 so as to cover a part of the area of the front plate 31 (an area other than the input surface in Fig. 4). As shown in Fig. 4, the front plate 31 may have an opening 38 formed in a part thereof. The opening portion 38 can be provided with a mechanical switch by pressing.

도 5에 나타내는 바와 같이, 앞면판(31)의 접촉면에는 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통해서 제 1 방향으로 연장되어 형성된 복수의 제 1 투명 전극 패턴(33)과, 제 1 투명 전극 패턴(33)과 전기적으로 절연되고, 제 1 방향에 교차하는 방향으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제 2 투명 전극 패턴(34)과, 제 1 투명 전극 패턴(33)과 제 2 투명 전극 패턴(34)을 전기적으로 절연하는 절연층(35)이 형성되어 있다. 상기 제 1 투명 전극 패턴(33)과, 제 2 투명 전극 패턴(34)과, 후술하는 도전성 요소(36)는, 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투광성의 도전성 금속 산화막으로 제작할 수 있다. 이러한 금속막으로서는 ITO막; Al, Zn, Cu, Fe, Ni, Cr, Mo 등의 금속막; SiO2 등의 금속 산화막 등을 들 수 있다. 이때, 각 요소의 막 두께는 10∼200㎚로 할 수 있다. 또한, 소성에 의해 아모퍼스의 ITO막을 다결정의 ITO막으로 하기 위해서 전기적 저항을 저감시킬 수도 있다. 또한, 상기 제 1 투명 전극 패턴(33)과, 제 2 투명 전극 패턴(34)과, 후술하는 도전성 요소(36)는 상기 도전성 섬유를 사용한 감광성 수지 조성물을 갖는 감광성 전사 재료를 이용하여 제조할 수도 있다. 그 밖에, ITO 등에 의해 제 1 도전성 패턴 등을 형성할 경우에는 일본 특허 제 4506785호 공보의 단락 0014∼0016 등을 참고로 할 수 있다.5, a plurality of first transparent electrode patterns 33 formed by extending a plurality of pad portions in a first direction on a contact surface of the front plate 31, and a plurality of first transparent electrode patterns 33 A plurality of second transparent electrode patterns 34 electrically insulated from the first transparent electrode patterns 33 and formed of a plurality of pad portions extending in a direction crossing the first direction, An insulating layer 35 for electrically insulating the insulating layer 34 is formed. The first transparent electrode pattern 33, the second transparent electrode pattern 34 and the conductive element 36 to be described later are formed of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) A conductive metal oxide film can be formed. As such a metal film, an ITO film; Metal films of Al, Zn, Cu, Fe, Ni, Cr, and Mo; And a metal oxide film such as SiO 2 . At this time, the film thickness of each element can be set to 10 to 200 nm. Further, the electrical resistance may be reduced in order to make the amorphous ITO film into a polycrystalline ITO film by firing. The first transparent electrode pattern 33, the second transparent electrode pattern 34 and the conductive element 36 to be described later can be manufactured using a photosensitive transfer material having a photosensitive resin composition using the conductive fibers have. In addition, when a first conductive pattern or the like is formed by ITO or the like, paragraphs 0014 to 0016 of Japanese Patent No. 4506785 can be referred to.

또한, 제 1 투명 전극 패턴(33) 및 제 2 투명 전극 패턴(34) 중 적어도 한쪽은 앞면판(31)의 비접촉면 및 마스크층(32)의 앞면판(31)과는 역측인 면의 양쪽 영역에 걸쳐서 설치할 수 있다. 도 3에 있어서는 제 2 투명 전극 패턴이 앞면판(31)의 비접촉면 및 마스크층(32)의 앞면판(31)과는 역측인 면의 양쪽 영역에 걸쳐서 설치되어 있는 도면이 나타내어져 있다.At least one of the first transparent electrode pattern 33 and the second transparent electrode pattern 34 is formed on both the noncontact surface of the front plate 31 and the surface opposite to the front plate 31 of the mask layer 32 Area. &Lt; / RTI &gt; 3, the second transparent electrode pattern is provided over both the noncontact surface of the front surface plate 31 and the surface opposite to the front surface plate 31 of the mask layer 32. As shown in Fig.

도 5를 이용하여 제 1 투명 전극 패턴(33) 및 제 2 투명 전극 패턴(34)에 대하여 설명한다. 도 5는 본 발명에 있어서의 제 1 투명 전극 패턴 및 제 2 투명 전극 패턴의 일례를 나타내는 설명도이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 전극 패턴(33)은 패드 부분(33a)이 접속 부분(33b)을 통해서 제 1 방향으로 연장되어 형성되어 있다. 또한, 제 2 투명 전극 패턴(34)은 제 1 투명 전극 패턴(33)과 절연층(35)에 의해 전기적으로 절연되어 있고, 제 1 방향에 교차하는 방향(도 5에 있어서의 제 2 방향)으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분에 의해 구성되어 있다. 여기에서, 제 1 투명 전극 패턴(33)을 형성할 경우, 상기 패드 부분(33a)과 접속 부분(33b)을 일체로 해서 제작해도 좋고, 접속 부분(33b)만을 제작하고 패드 부분(33a)과 제 2 투명 전극 패턴(34)을 일체로 해서 제작(패터닝)해도 좋다. 패드 부분(33a)과 제 2 투명 전극 패턴(34)을 일체로 해서 제작(패터닝)할 경우, 도 5에 나타내는 바와 같이 접속 부분(33b)의 일부와 패드 부분(33a)의 일부가 연결되고, 또한 절연층(35)에 의해 제 1 투명 전극 패턴(33)과 제 2 투명 전극 패턴(34)이 전기적으로 절연되도록 각 층이 형성된다.The first transparent electrode pattern 33 and the second transparent electrode pattern 34 will be described with reference to FIG. 5 is an explanatory view showing an example of a first transparent electrode pattern and a second transparent electrode pattern according to the present invention. As shown in Fig. 5, the first transparent electrode pattern 33 is formed by extending the pad portion 33a in the first direction through the connection portion 33b. The second transparent electrode pattern 34 is electrically insulated by the first transparent electrode pattern 33 and the insulating layer 35 and is arranged in a direction crossing the first direction As shown in Fig. Here, when the first transparent electrode pattern 33 is formed, the pad portion 33a and the connection portion 33b may be integrally formed. Alternatively, only the connection portion 33b may be formed, The second transparent electrode pattern 34 may be formed (patterned) as a single body. When the pad portion 33a and the second transparent electrode pattern 34 are integrally formed (patterned), a part of the connection portion 33b and a part of the pad portion 33a are connected as shown in Fig. 5, Each layer is formed by the insulating layer 35 so that the first transparent electrode pattern 33 and the second transparent electrode pattern 34 are electrically insulated from each other.

도 3에 있어서 마스크층(32)의 앞면판(31)과는 역측인 면측에는 도전성 요소(36)가 설치되어 있다. 도전성 요소(36)는 제 1 투명 전극 패턴(33) 및 제 2 투명 전극 패턴(34) 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되고, 또한 제 1 투명 전극 패턴(33) 및 제 2 투명 전극 패턴(34)과는 다른 요소이다. 도 3에 있어서는 도전성 요소(36)가 제 2 투명 전극 패턴(34)에 접속되어 있는 도면이 나타내어져 있다.In Fig. 3, a conductive element 36 is provided on the side of the mask layer 32 opposite to the front face plate 31. The conductive element 36 is electrically connected to at least one of the first transparent electrode pattern 33 and the second transparent electrode pattern 34 and the first transparent electrode pattern 33 and the second transparent electrode pattern 34, Is a different element. In Fig. 3, a diagram is shown in which the conductive element 36 is connected to the second transparent electrode pattern 34. Fig.

또한, 도 3에 있어서는 각 구성 요소의 전부를 덮도록 투명 보호층(37)이 설치되어 있다. 투명 보호층(37)은 각 구성 요소의 일부만을 덮도록 구성되어 있어도 좋다. 절연층(35)과 투명 보호층(37)은 동일 재료라도 좋고, 다른 재료라도 좋다.In Fig. 3, a transparent protective layer 37 is provided so as to cover all the components. The transparent protective layer 37 may be configured to cover only a part of each constituent element. The insulating layer 35 and the transparent protective layer 37 may be made of the same material or different materials.

<정전 용량형 입력 장치, 및 정전 용량형 입력 장치를 구비한 터치패널 표시 장치>&Lt; Capacitive input device, and touch panel display device provided with capacitive input device >

본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 정전 용량형 입력 장치, 및 상기 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 터치패널 표시 장치는 「최신 터치패널 기술」[2009년 7월 6일 발행 (주)테크노 타임즈], 미타니 유우지 감수, "터치패널의 기술과 개발", CMC 출판(2004, 12), FPD International 2009 Forum T-11 강연 텍스트북, Cypress Semiconductor Corporation 어플리케이션 노트 AN2292 등에 개시되어 있는 구성을 적용할 수 있다.The capacitive input device obtained by the manufacturing method of the present invention and the touch panel display device provided with the capacitive input device as a component are described in " Latest Touch Panel Technology " (issued on July 6, 2009, (2004, 12), FPD International 2009 Forum T-11 Lecture Textbook, Cypress Semiconductor Corporation Application Note AN2292 can be applied to the design of "Touch Panel Technology and Development", CMC Publishing have.

<터치패널 및 그 제조 방법>&Lt; Touch panel and manufacturing method thereof &

본 발명의 터치패널은 절연층의 전부 또는 일부가 본 발명의 수지 조성물의 열처리물로 이루어지는 터치패널이다. 또한, 본 발명의 터치패널은 투명 기판, ITO 전극 및 절연층을 적어도 갖는 것이 바람직하다.The touch panel of the present invention is a touch panel in which all or a part of the insulating layer is formed by heat treatment of the resin composition of the present invention. The touch panel of the present invention preferably has at least a transparent substrate, an ITO electrode, and an insulating layer.

본 발명의 터치패널 표시 장치는 본 발명의 터치패널을 갖는 터치패널 표시 장치인 것이 바람직하다.The touch panel display device of the present invention is preferably a touch panel display device having the touch panel of the present invention.

또한, 본 발명의 터치패널의 제조 방법은 투명 기판, ITO 전극 및 절연층을 갖는 터치패널의 제조 방법으로서, ITO 전극에 접하도록 본 발명의 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물을 잉크젯 도포 방식에 의해 도포하는 공정, 상기 수지 조성물 상에 소정 형상의 개구 패턴을 갖는 마스크를 적재하고 활성 에너지선 조사를 행해 노광하는 공정, 노광 후의 수지 조성물을 현상하는 공정, 및 현상 후의 수지 조성물을 가열하여 절연층을 제조하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The method of manufacturing a touch panel of the present invention is a method of manufacturing a touch panel having a transparent substrate, an ITO electrode, and an insulating layer, wherein the photosensitive resin composition for inkjet application of the present invention is applied by an inkjet coating method A step of applying a mask having an opening pattern of a predetermined shape on the resin composition and irradiating with an active energy ray to expose the resin composition, a step of developing the resin composition after exposure, and a step of heating the resin composition after development to produce an insulating layer Process.

본 발명의 터치패널에 있어서의 투명 기판으로서는 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등을 바람직하게 들 수 있다.As the transparent substrate in the touch panel of the present invention, a glass substrate, a quartz substrate, a transparent resin substrate and the like are preferably used.

상기 ITO 전극에 접하도록 본 발명의 잉크젯 도포용 감광성 수지 조성물을 잉크젯 도포 방식에 의해 도포하는 공정에 있어서의 잉크젯 도포는 상술한 도포 공정과 마찬가지로 행할 수 있고, 바람직한 형태도 마찬가지이다. 또한, 상기 공정에 있어서는 도포된 본 발명의 감광성 수지 조성물 중 적어도 일부가 ITO 전극에 접하고 있으면 좋다.The inkjet coating in the step of applying the photosensitive resin composition for inkjet coating of the present invention to the ITO electrode by the inkjet coating method can be performed in the same manner as in the above-described coating step, and the preferable embodiment is also the same. In the above step, at least a part of the applied photosensitive resin composition of the present invention may be in contact with the ITO electrode.

상기 수지 조성물 상에 소정 형상의 개구 패턴을 갖는 마스크를 적재하고, 활성 에너지선 조사를 행하여 노광하는 공정, 노광 후의 수지 조성물을 현상하는 공정은 상술한 노광 공정과 마찬가지로 행할 수 있고, 바람직한 형태도 마찬가지이다.The step of carrying out exposure by carrying a mask having an opening pattern of a predetermined shape on the resin composition and performing the activation energy ray irradiation and the step of developing the resin composition after exposure can be carried out in the same manner as in the above exposure step, to be.

상기 현상 후의 수지 조성물을 가열해서 절연층을 제조하는 공정은 상술한 열처리 공정과 마찬가지로 행할 수 있고, 바람직한 형태도 마찬가지이다.The step of heating the resin composition after the development to produce the insulating layer can be carried out in the same manner as the above-mentioned heat treatment step, and the preferable embodiment is also the same.

또한, 본 발명의 터치패널에 있어서의 ITO 전극 패턴의 일례로서는 상술한 도 5에 나타내는 패턴을 바람직하게 들 수 있다.As an example of the ITO electrode pattern in the touch panel of the present invention, the above-described pattern shown in Fig. 5 is preferably used.

실시예Example

이하에 실시예를 들어서 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 적당하게 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 기재하지 않는 한 「부」, 「%」는 질량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. The materials, the amounts used, the ratios, the contents of processing, the processing procedures, and the like shown in the following examples can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the following specific examples. Unless specifically stated, &quot; part &quot; and &quot;% &quot; are based on mass.

이하의 실시예에 있어서, 이하의 부호는 각각 이하의 화합물을 나타낸다.In the following examples, the following symbols respectively represent the following compounds.

MATHF: 2-테트라히드로푸라닐메타크릴레이트(합성품)MATHF: 2-Tetrahydrofuranyl methacrylate (Synthesis)

OXE-30: 3-에틸-3-옥세타닐메틸메타크릴레이트[오사카 유키 카가쿠 코교(주) 제]OXE-30: 3-ethyl-3-oxetanylmethyl methacrylate (manufactured by Osaka Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd.)

GMA: 글리시딜메타크릴레이트[와코쥰야쿠 코교(주) 제]GMA: glycidyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

NBMA:n-부톡시메틸아크릴아미드[미쓰비시레이온(주) 제]NBMA: n-butoxymethyl acrylamide [manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.]

HEMA: 히드록시에틸메타크릴레이트[와코쥰야쿠 코교(주) 제]HEMA: hydroxyethyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

MAA: 메타크릴산[와코쥰야쿠 코교(주) 제]MAA: methacrylic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

MMA: 메틸메타크릴레이트[와코쥰야쿠 코교(주) 제]MMA: methyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

St: 스티렌[와코쥰야쿠 코교(주) 제]St: styrene (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

DCPM: 디시클로펜타닐메타크릴레이트[히타치 카세이 코교(주) 제]DCPM: dicyclopentanyl methacrylate (manufactured by Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd.)

BzMA: 메타크릴산 벤질[와코쥰야쿠 코교(주) 제]BzMA: Benzyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

V-601: 디메틸 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)[와코쥰야쿠 코교(주) 제]V-601: Dimethyl 2,2'-azobis (2-methylpropionate) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

V-65: 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)[와코쥰야쿠 코교(주) 제]V-65: 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate

MEDG: 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르[도호 카가쿠 코교(주) 제, 하이솔브EDM]MEDG: diethylene glycol ethyl methyl ether (manufactured by Tohoku Kagaku Kogyo Co., Ltd., high solvation EDM)

<MATHF의 합성><Synthesis of MATHF>

메타크릴산(86g, 1㏖)을 15℃로 냉각시켜 두고, 캠퍼술폰산(4.6g, 0.02㏖)을 첨가했다. 그 용액에 2-디히드로푸란(71g, 1㏖, 1.0당량)을 적하했다. 1시간 교반한 후에 포화 탄산 수소나트륨(500mL)을 첨가하여 아세트산 에틸(500mL)로 추출하고 황산 마그네슘으로 건조 후, 불용물을 여과 후 40℃ 이하에서 감압 농축하고, 잔사의 황색 유상물을 감압 증류해서 비점(bp.) 54∼56℃/3.5㎜Hg 유분(留分)의 메타크릴산 테트라히드로푸란-2-일(MATHF) 125g을 무색 유상물로서 얻었다(수율 80%).Methacrylic acid (86 g, 1 mol) was cooled to 15 占 폚 and camphorsulfonic acid (4.6 g, 0.02 mol) was added. 2-dihydrofuran (71 g, 1 mol, 1.0 equivalent) was added dropwise to the solution. After stirring for 1 hour, saturated sodium hydrogencarbonate (500 mL) was added. The mixture was extracted with ethyl acetate (500 mL) and dried over magnesium sulfate. The insoluble was filtered off and concentrated under reduced pressure at 40 ° C or lower. 125 g of tetrahydrofuran-2-yl methacrylate (MATHF) having a boiling point (bp.) Of 54 to 56 ° C / 3.5 mmHg as a distillate was obtained as a colorless oil (yield: 80%).

<산가의 측정 방법>&Lt; Measurement method of acid value >

중합체의 산가는 수산화칼륨을 사용한 적정에 의해 측정했다.The acid value of the polymer was measured by titration using potassium hydroxide.

<분산액 D1의 조제><Preparation of Dispersion D1>

하기 조성의 분산액을 조합해서 이것을 지르코니아 비드(0.3㎜φ) 17,000부와 혼합하고, 페인트 쉐이커를 이용하여 12시간 분산을 행했다. 지르코니아 비드(0.3㎜φ)를 여과하여 분산액 D1을 얻었다.A dispersion of the following composition was combined and mixed with 17,000 parts of zirconia beads (0.3 mm?) And dispersed for 12 hours using a paint shaker. The zirconia beads (0.3 mm?) Were filtered to obtain a dispersion D1.

·이산화티탄[이시하라 산교(주) 제, 상품명: TTO-51(C), 평균 1차 입경: 10∼30㎚]: 1,875부· Titanium dioxide [trade name: TTO-51 (C), average primary particle diameter: 10 to 30 nm, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.): 1,875 parts

·화합물 1(하기 화합물, Mw=13,800, 30% PGMEA 용액): 2,200부Compound 1 (Compound shown below, Mw = 13,800, 30% PGMEA solution): 2,200 parts

·용제 PGMEA(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트): 3,425부Solvent PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate): 3,425 parts

Figure pct00066
Figure pct00066

또한, 화합물 1에 있어서 폴리머쇄와 결합되는 황 원자는 P1의 모노머 단위와 결합되어 있어도 좋고, P2의 모노머 단위와 결합되어 있어도 좋다.In the compound 1, the sulfur atom bonded to the polymer chain may be bonded to the monomer unit of P1 or may be bonded to the monomer unit of P2.

또한, 폴리머쇄는 P1 및 P2를 첨자로 하는 괄호로 나타내어진 2종의 모노머 단위로 이루어지는 랜덤 공중합 골격이다.The polymer chain is a random copolymerization skeleton composed of two kinds of monomer units represented by parentheses having P1 and P2 as subscripts.

<분산액 D2∼D17의 조제><Preparation of Dispersions D2 to D17>

TTO-51(C) 및 화합물 1을 표 1에 기재된 것으로 각각 변경한 것 이외에는 분산액 D1의 조제와 마찬가지로 해서 분산액 D2∼D17을 각각 얻었다.Dispersions D2 to D17 were obtained in the same manner as the preparation of Dispersion D1, except that TTO-51 (C) and Compound 1 were changed to those shown in Table 1, respectively.

Figure pct00067
Figure pct00067

또한, 표 1에 기재된 분산액에 사용한 상술한 것 이외의 약호는 이하에 나타내는 바와 같다. 또한, 화합물 1∼5에 기재되어 있는 「m」, 「n」의 값은 평균 치환수를, 「P1:P2」의 값은 공중합비(질량비)를, 「P1」의 값은 모노머 단위의 반복수를 각각 나타내고 있다. 또한, 화합물 6에 기재되어 있는 「m1」, 「m2」, 「l1」, 「l2」는 평균 치환수를 나타내고 있다.In addition, abbreviations other than the above-mentioned abbreviations used in the dispersions shown in Table 1 are as follows. The values of "m" and "n" described in the compounds 1 to 5 are the average number of substitution, the values of "P1: P2" are the copolymerization ratios (mass ratio) Respectively. Further, "m 1 ", "m 2 ", "l 1 ", and "l 2 " described in the compound 6 represent the average substitution number.

또한, 화합물 1∼6 및 후술하는 화합물 7∼13은 모두 일본 특허 공개 2007-277514호 공보에 기재된 방법을 참조하여 합성했다.Further, the compounds 1 to 6 and the compounds 7 to 13 described later were all synthesized with reference to the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-277514.

TTO-55(C): 이산화티탄, 이시하라 산교(주) 제, 평균 1차 입경: 30∼50㎚TTO-55 (C): titanium dioxide, manufactured by Ishihara Sangyo KK, average primary particle diameter: 30 to 50 nm

RC-100: 이산화지르코늄, 다이이치 키겐소 카가쿠 코교(주) 제, D50: 1.5∼4㎛RC-100: zirconium dioxide, manufactured by Dai-ichi Kigenso Kagaku Corp., D 50 : 1.5 to 4 탆

DISPERBYK-111: 성분S 이외의 분산제, 빅케미 재팬(주) 제DISPERBYK-111: Dispersant other than Component S, manufactured by Big Chem Japan Co., Ltd.

DISPERBYK-2001: 성분S 이외의 분산제, 빅케미 재팬(주) 제DISPERBYK-2001: Dispersant other than Component S, manufactured by Big Chem Japan Co., Ltd.

솔스퍼스 41000: 성분S 이외의 분산제, Lubrizol사 제Sol Spurs 41000: Dispersant other than component S, manufactured by Lubrizol

화합물 2: 하기 화합물, Mw=8,200, 30% PGMEA 용액Compound 2: The following compound, Mw = 8,200, 30% PGMEA solution

Figure pct00068
Figure pct00068

화합물 3: 하기 화합물, Mw=4,800, 30% PGMEA 용액Compound 3: The following compound, Mw = 4,800, 30% PGMEA solution

Figure pct00069
Figure pct00069

화합물 4: 하기 화합물, Mw=8,000, 30% PGMEA 용액Compound 4: The following compound, Mw = 8,000, 30% PGMEA solution

Figure pct00070
Figure pct00070

화합물 5: 하기 화합물, Mw=3,200, 30% PGMEA 용액Compound 5: The following compound, Mw = 3,200, 30% PGMEA solution

Figure pct00071
Figure pct00071

화합물 6: 하기 화합물, Mw=3,300, 30% PGMEA 용액, P1:P2=9.5:0.5Compound 6: Mw = 3,300, 30% PGMEA solution, P1: P2 = 9.5: 0.5

Figure pct00072
Figure pct00072

또한, 화합물 6에 있어서 폴리머쇄(Poly)와 결합되는 황 원자는 P1의 모노머 단위와 결합되어 있어도 좋고, P2의 모노머 단위와 결합되어 있어도 좋다.In the compound 6, the sulfur atom bonded to the polymer chain (poly) may be bonded to the monomer unit of P1 or may be bonded to the monomer unit of P2.

또한, 폴리머쇄는 P1 및 P2를 첨자로 하는 괄호로 나타내어진 2종의 모노머 단위로 이루어지는 랜덤 공중합체이다.The polymer chain is a random copolymer composed of two kinds of monomer units represented by parentheses having P1 and P2 as subscripts.

<중합체 P1의 합성>&Lt; Synthesis of Polymer P1 &

메타크릴산 테트라히드로푸란-2-일(0.40몰당량),2-yl methacrylate tetrahydrofuran-2-yl (0.40 molar equivalent),

메타크릴산(0.10몰당량),Methacrylic acid (0.10 molar equivalent),

메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸(0.50몰당량)을 합계로 100부, 및,100 parts of a total of methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl (0.50 molar equivalent)

프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)(120부)의 혼합 용액을 질소 기류 하, 70℃로 가열했다. 이 혼합 용액을 교반하면서 라디칼 중합 개시제 V-601(디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)), 와코쥰야쿠 코교(주) 제, 12.0부) 및 PGMEA(80부)의 혼합 용액을 3.5시간 걸쳐서 적하했다. 적하가 종료되고 나서, 70℃에서 2시간 반응시킴으로써 중합체 P1의 PGMEA 용액을 얻었다. PGMEA를 더 첨가해서 고형분 농도 40질량%로 조정했다.And a mixed solution of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) (120 parts) was heated to 70 占 폚 under a nitrogen stream. While this mixed solution was stirred, a radical polymerization initiator V-601 (dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate)), Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 12.0 parts) and PGMEA (80 parts) Was added dropwise over 3.5 hours. After completion of the dropwise addition, the PGMEA solution of the polymer P1 was obtained by reacting at 70 DEG C for 2 hours. PGMEA was further added to adjust the solid content concentration to 40 mass%.

얻어진 중합체 P1의 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 중량 평균 분자량(Mw)은 15,000이었다. 산가는 45㎎KOH/g이었다.The polymer P1 thus obtained had a weight average molecular weight (Mw) of 15,000 as measured by gel permeation chromatography (GPC). The acid value was 45 mg KOH / g.

<중합체 P2∼P10의 합성>&Lt; Synthesis of Polymers P2 to P10 >

중합체 P1의 합성에서 사용한 각 모노머를 표 2에 기재된 각 구성 단위를 형성하는 모노머로 변경하고, 각 구성 단위를 형성하는 모노머의 사용량을 표 2에 기재된 것으로 변경한 것 이외에는 중합체 P1의 합성과 마찬가지로 해서 중합체 P2∼P10을 각각 합성했다. 라디칼 중합 개시제 V-601의 첨가량은 각 중합체가 각각 표 2에 기재된 분자량이 되도록 각각 조정했다.Except that the respective monomers used in the synthesis of the polymer P1 were changed to the monomers forming the constituent units described in Table 2 and the amounts of the monomers forming the respective constituent units were changed to those described in Table 2, Polymers P2 to P10 were synthesized, respectively. The amount of the radical polymerization initiator V-601 was adjusted so that the respective polymers had the molecular weights shown in Table 2, respectively.

Figure pct00073
Figure pct00073

또한, 표 2에 기재된 양은 몰비이며, 종류란에 기재된 각 모노머 유래의 구성 단위의 공중합비를 나타낸다. 또한, 표 2 중 「-」는 그 구성 단위를 갖고 있지 않은 것을 나타낸다.The amounts shown in Table 2 are molar ratios and show the copolymerization ratios of the respective monomer-derived constituent units described in the category column. In Table 2, &quot; - &quot; indicates that the structural unit is not contained.

(실시예 1)(Example 1)

<감광성 수지 조성물의 조제>&Lt; Preparation of Photosensitive Resin Composition >

하기 조성으로 배합하고 혼합해서 균일한 용액으로 한 후, 0.2㎛의 포어 사이즈를 갖는 폴리에틸렌제 필터를 이용하여 여과해서 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 조제했다. 얻어진 감광성 수지 조성물을 사용하여 후술하는 각종 평가를 행했다. 평가 결과를 후술의 표 3에 나타낸다.And the mixture was mixed to obtain a homogeneous solution. The solution was filtered through a polyethylene filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a photosensitive resin composition of Example 1. Various evaluations to be described later were conducted using the obtained photosensitive resin composition. The evaluation results are shown in Table 3 below.

·프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트: 191.1부Propylene glycol monomethyl ether acetate: 191.1 parts

·하기 화합물 I-1[도요 카세이 코교(주) 제, CMTU]의 0.2% PGMEA 용액: 25.7부A 0.2% PGMEA solution of the following compound I-1 (CMTU, manufactured by Toyo Kasei Kogyo Co., Ltd.): 25.7 parts

·중합체 P1의 30% PGMEA 용액: 263.3부30% PGMEA solution of polymer P1: 263.3 parts

·광산 발생제 B-1(하기 화합물): 5.1부Photoacid generator B-1 (compound shown below): 5.1 parts

·JER157S65[에폭시 수지, 미쓰비시 카가쿠(주) 제, 에폭시 당량: 200∼220g/eq]: 17.9부· Epoxy resin, manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., epoxy equivalent: 200 to 220 g / eq]: 17.9 parts

·3-글리시독시프로필트리메톡시실란[KBM-403, 신에쓰 가가꾸 고교(주) 제]: 4.5부· 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 4.5 parts

·일가녹스 1726(산화방지제, BASF사 제): 3.0부· Igarox 1726 (antioxidant, made by BASF): 3.0 parts

·퍼플루오로알킬기 함유 비이온 계면활성제[F-554, DIC(주) 제]의 2.0% PGMEA 용액: 11.0부2.0% of a nonionic surfactant containing perfluoroalkyl group [F-554, manufactured by DIC Corporation] PGMEA solution: 11.0 parts

·분산액 D1: 478.4부Dispersion D1: 478.4 parts

Figure pct00074
Figure pct00074

Figure pct00075
Figure pct00075

<B-1의 합성><Synthesis of B-1>

이하의 방법에 따라서, 상기 B-1을 합성했다.According to the following method, the above-mentioned B-1 was synthesized.

2-나프톨(10g), 클로로벤젠(30mL)의 협탁 용액에 염화알루미늄(10.6g), 2-클로로프로피오닐클로리드(10.1g)를 첨가하고, 혼합액을 40℃로 가열해서 2시간 반응시켰다. 빙냉 하, 반응액에 4NHCl 수용액(60mL)을 적하하고, 아세트산 에틸(50mL)을 첨가해서 분액했다. 유기층에 탄산 칼륨(19.2g)을 첨가하여 40℃에서 1시간 반응시킨 후, 2NHCl 수용액(60mL)을 첨가해서 분액하고 유기층을 농축 후, 결정을 디이소프로필에테르(10mL)로 리슬러리하고 여과, 건조시켜서 케톤 화합물(6.5g)을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a stirring solution of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 ml), and the mixture was heated to 40 ° C and reacted for 2 hours. Under ice cooling, 4N HCl aqueous solution (60 mL) was added dropwise to the reaction solution, and ethyl acetate (50 mL) was added to separate the layers. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer, and the mixture was reacted at 40 DEG C for 1 hour. 2N HCl aqueous solution (60 mL) was added thereto to separate the liquid. The organic layer was concentrated, and the crystals were reslurried with diisopropyl ether (10 mL) And dried to obtain a ketone compound (6.5 g).

얻어진 케톤 화합물(3.0g), 메탄올(30mL)의 협탁 용액에 아세트산(7.3g), 50질량% 히드록실아민 수용액(8.0g)을 첨가하고, 가열 환류했다. 방치 냉각 후, 물(50mL)을 첨가하여 석출된 결정을 여과, 냉메탄올 세정 후 건조시켜서 옥심 화합물(2.4g)을 얻었다.Acetic acid (7.3 g) and a 50 mass% hydroxylamine aqueous solution (8.0 g) were added to the resulting solution of the ketone compound (3.0 g) and methanol (30 ml), and the mixture was heated to reflux. After allowing to stand and cool, water (50 mL) was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol, and dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물(1.8g)을 아세톤(20mL)에 용해시키고, 빙냉 하 트리에틸아민(1.5g), p-톨루엔술포닐클로리드(2.4g)를 첨가하고, 실온(25℃)으로 승온해서 1시간 반응시켰다. 반응액에 물(50mL)을 첨가하여 석출된 결정을 여과 후, 메탄올(20mL)로 리슬러리하고 여과, 건조시켜서 B-1을 2.3g 얻었다.The obtained oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 mL), triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice-cooling. The temperature was raised to room temperature Lt; / RTI &gt; Water (50 mL) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered out, and then slurry was rinsed with methanol (20 mL), followed by filtration and drying to obtain 2.3 g of B-1.

또한, B-1의 1H-NMR 스펙트럼(300㎒, CDCl3)은 δ=8.3(d,1H), 8.0(d,2H), 7.9(d,1H), 7.8(d,1H), 7.6(dd,1H), 7.4(dd,1H), 7.3(d,2H), 7.1(d.1H), 5.6(q,1H), 2.4(s,3H), 1.7(d,3H)이었다.In addition, 1 H-NMR spectrum of B-1 (300㎒, CDCl 3 ) is δ = 8.3 (d, 1H) , 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (d, 1H), 7.4 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (q,

<미노광부의 잔막률 평가>&Lt; Evaluation of residual film ratio of unexposed portion &

100㎜×100㎜의 유리 기판(상품명: XG, 코닝사 제) 상에 얻어진 감광성 수지 조성물을 막 두께 1.0㎛가 되도록 스핀 코터로 도포하고, 90℃의 핫플레이트 상에서 120초 건조(프리베이킹)시켰다.The photosensitive resin composition thus obtained was coated on a glass substrate (trade name: XG, manufactured by Corning) having a size of 100 mm x 100 mm by a spin coater so as to have a thickness of 1.0 탆 and dried (prebaked) on a hot plate at 90 캜 for 120 seconds.

이어서, 0.5질량%의 KOH 수용액에 의해 23℃에서 15초간 침액 채움법으로 현상하고, 초순수로 10초간 더 린스했다. 그 후에, 막 두께를 더 측정함으로써 원래의 막 두께(1.0㎛)를 100%로 했을 경우에 대한 현상 후의 잔막률을 구했다. 또한, 평가 기준은 이하에 나타내는 바와 같다. 1 또는 2가 실용 범위이다.Subsequently, development was carried out by a submerged filling method at 23 DEG C for 15 seconds with a 0.5 mass% aqueous KOH solution, and further rinsed with ultrapure water for 10 seconds. Thereafter, by measuring the film thickness further, the residual film ratio after development for the case where the original film thickness (1.0 탆) was 100% was obtained. The evaluation criteria are as follows. 1 or 2 is a practical range.

1: 현상 후의 잔막률이 90% 이상이다.1: The residual film ratio after development is 90% or more.

2: 현상 후의 잔막률이 80% 이상 90% 미만이다.2: The residual film ratio after development is 80% or more and less than 90%.

3: 현상 후의 잔막률이 80% 미만이다.3: The residual film ratio after development is less than 80%.

<해상성 평가>&Lt; Evaluation of resolution >

헥사메틸디실라잔(HMDS)을 이용하여 3분 처리한 100㎜×100㎜의 유리 기판(상품명: XG, 코닝사 제) 상에 얻어진 감광성 수지 조성물을 막 두께 2.0㎛가 되도록 스핀 코터로 도포하고, 90℃의 핫플레이트 상에서 120초 건조(프리베이킹)시켰다.The obtained photosensitive resin composition was applied on a 100 mm x 100 mm glass substrate (trade name: XG, manufactured by Corning) treated with hexamethyldisilazane (HMDS) for 3 minutes by a spin coater so as to have a film thickness of 2.0 m, (Prebaked) on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds.

이어서, ghi선 고압 수은등 노광기를 이용하여 에너지 강도 20mW/㎠, 200mJ/㎠로, 라인 앤드 스페이스 1:1의 1%∼60% 그라이데이션이 된 마스크를 통해서 노광했다.Subsequently, the resist film was exposed through a mask having a 1% to 60% line-and-space 1: 1 gradation at an energy intensity of 20 mW / cm 2 and 200 mJ / cm 2 using a ghi line high pressure mercury lamp exposing machine.

이어서, 0.5%의 KOH 수용액에 의해 23℃에서 15초간 침액 채움법으로 현상하고, 초순수로 10초간 더 린스했다. 계속해서, 220℃ 45분 가열해서 패턴을 얻었다. 이 패턴을 광학 현미경으로 관찰했다.Subsequently, development was carried out with a 0.5% KOH aqueous solution at 23 DEG C for 15 seconds by dip filling, and further rinsed with ultra pure water for 10 seconds. Subsequently, a pattern was obtained by heating at 220 DEG C for 45 minutes. This pattern was observed with an optical microscope.

이 조작을 마스크의 라인 앤드 스페이스의 폭 50㎛로부터 개시하여 10㎛까지는 5㎛씩, 10㎛ 이하는 폭을 1㎛씩 좁혀 가 최적 노광량 부분의 깨끗하게 패턴 제작할 수 있었던 최소폭을 해상도라고 했다. 1 또는 2가 실용 범위이다.This operation was started from the width of the line and space of the mask of 50 .mu.m to 5 .mu.m from the width of 10 .mu.m and narrower by 1 .mu.m from the width of 10 .mu.m to the minimum width of the pattern of optimum exposure. 1 or 2 is a practical range.

1: 해상도가 5㎛ 이하였다.1: Resolution was 5 탆 or less.

2: 해상도가 5㎛를 초과하고 10㎛ 이하였다.2: The resolution was more than 5 탆 and not more than 10 탆.

3: 해상도가 10㎛를 초과하고 50㎛ 이하였다.3: The resolution was more than 10 탆 and not more than 50 탆.

4: 마스크의 라인 앤드 스페이스의 폭 50㎛로 패턴을 형성할 수 없었다.4: The pattern could not be formed with a line-and-space width of 50 mu m in the mask.

<투과율의 평가>&Lt; Evaluation of transmittance &

100㎜×100㎜의 유리 기판(상품명: XG, 코닝사 제) 상에 얻어진 감광성 수지 조성물을 막 두께 1.0㎛가 되도록 스핀 코터로 도포하고, 90℃의 핫플레이트 상에서 120초 건조(프리베이킹)시켰다. 또한, 도포막을 220℃의 오븐에서 245분 가열 처리(포스트 베이킹)를 실시하고, 포스트 베이킹 후의 분광을 오츠카 덴시(주) 제 MCPD-3000으로 계측하고, 400㎚의 투과율을 이하의 평가 기준에 의해 평가했다. 1 또는 2가 실용 범위이다.The photosensitive resin composition thus obtained was coated on a glass substrate (trade name: XG, manufactured by Corning) having a size of 100 mm x 100 mm by a spin coater so as to have a thickness of 1.0 탆 and dried (prebaked) on a hot plate at 90 캜 for 120 seconds. The coating film was subjected to heat treatment (post baking) in an oven at 220 占 폚 for 245 minutes, and post-baking spectroscopy was measured with MCPD-3000 manufactured by Otsuka Denshi Co., Ltd. The transmittance of 400 nm was measured according to the following evaluation criteria I appreciated. 1 or 2 is a practical range.

1: 400㎚의 투과율이 90% 이상이었다.The transmittance at 1: 400 nm was 90% or more.

2: 400㎚의 투과율이 85% 이상 90% 미만이었다.2: The transmittance of 400 nm was 85% or more and less than 90%.

3: 400㎚의 투과율이 85% 미만이었다.3: The transmittance of 400 nm was less than 85%.

<ITO 시인성의 평가>&Lt; Evaluation of visibility of ITO &

100㎜×100㎜의 유리 기판(상품명: XG, 코닝사 제) 상에 미리 ITO의 패턴을 형성해 두고, 얻어진 감광성 수지 조성물을 막 두께 1.0㎛가 되도록 스핀 코터로 도포하고, 90℃의 핫플레이트 상에서 120초 건조(프리베이킹)시켰다.A pattern of ITO was previously formed on a glass substrate (trade name: XG, manufactured by Corning) having a size of 100 mm x 100 mm, and the obtained photosensitive resin composition was coated with a spin coater so as to have a film thickness of 1.0 탆. Dried (prebaked).

이어서, 기판 전면에 ghi선 고압 수은등 노광기를 이용하여 에너지 강도 20mW/㎠, 200mJ/㎠로 노광했다.Subsequently, the entire surface of the substrate was exposed to light with an energy intensity of 20 mW / cm 2 and 200 mJ / cm 2 using a ghi line high-pressure mercury lamp exposer.

계속해서, 220℃ 45분 가열해서 ITO 패턴 상에 감광성 조수지 조성물의 건조막을 설치했다. 얻어진 기판을 명실 내에 있어서 육안으로 경사를 형성하면서 관찰하고, ITO 패턴 상에 감광성 수지 조성물을 설치하지 않았을 때와 비교하여 시인성의 평가를 행했다. 또한, 평가 기준은 ITO의 패턴이 보이기 어려울수록 좋다. 1 또는 2가 실용 범위이다.Subsequently, the dried film of the photosensitive resin composition was placed on the ITO pattern by heating at 220 DEG C for 45 minutes. The obtained substrate was visually observed while forming a tilt in the bright room, and visibility was evaluated in comparison with the case where the photosensitive resin composition was not provided on the ITO pattern. Also, the better the evaluation criteria are, the less ITO pattern is visible. 1 or 2 is a practical range.

1: ITO의 패턴이 거의 보이지 않는다.1: ITO patterns are hardly visible.

2: ITO의 패턴이 약간 보인다.2: The patterns of ITO are slightly visible.

3: ITO의 패턴이 분명히 보인다.3: The pattern of ITO clearly appears.

<헤이즈(투명성)의 평가>&Lt; Evaluation of haze (transparency) >

100㎜×100㎜의 유리 기판(상품명: XG, 코닝사 제) 상에 얻어진 감광성 수지 조성물을 건조막 두께가 2.0㎛가 되도록 스핀 코터로 도포하고, 80℃의 핫플레이트 상에서 120초 건조(프리베이킹)시켰다. 또한, 도포막을 120℃의 오븐에서 15분 가열 처리(포스트 베이킹)를 실시하고, 포스트 베이킹 후의 헤이즈를 니혼 덴쇼쿠 코교(주) 제 NDH-5000으로 막면을 위로 하여 플라스틱 제품 시험 방법(JIS K7136·JIS K7361·ASTM D1003)에 준거하여 불투명도(헤이즈값)를 측정했다.The obtained photosensitive resin composition was coated on a glass substrate (trade name: XG, Corning) having a size of 100 mm x 100 mm with a spin coater so as to have a dry film thickness of 2.0 탆 and dried (prebaked) on a hot plate at 80 캜 for 120 seconds. . The coated film was subjected to heat treatment (post baking) in an oven at 120 캜 for 15 minutes, and the post-baking haze was measured with a plastic product test method (JIS K7136 &amp;num; (Haze value) was measured according to JIS K7361, ASTM D1003).

또한, 헤이즈값이란 전광선 투과광에 대한 확산 투과광의 비율(%)로 나타내어지는 값을 가리킨다. 헤이즈값이 작을수록 투명성이 높은 것을 나타낸다.The haze value refers to a value expressed by a ratio (%) of diffuse transmission light to all-light transmission light. The smaller the haze value, the higher the transparency.

<굴절률의 평가><Evaluation of Refractive Index>

얻어진 감광성 수지 조성물을 스피너를 이용하여 규소 웨이퍼 기판 상에 도포하고, 80℃에서 120초 건조시킴으로써 두께 0.5㎛의 막을 형성했다. 이 기판을 초고압 수은등을 이용하여 200mJ/㎠(i선으로 측정)로 노광하고, 그 후 오븐에서 220℃로 45분 가열했다.The obtained photosensitive resin composition was coated on a silicon wafer substrate using a spinner and dried at 80 DEG C for 120 seconds to form a film having a thickness of 0.5 mu m. This substrate was exposed using an ultra-high pressure mercury lamp at 200 mJ / cm 2 (measured by i-line), and then heated in an oven at 220 ° C for 45 minutes.

엘립소미터 VUV-VASE[J.A.울람 재팬(주) 제]를 이용하여 589㎚에서의 경화막의 굴절률을 측정했다. 굴절률이 높은 편이 바람직하고, 1.70 이상이 보다 바람직하다.The refractive index of the cured film at 589 nm was measured using an ellipsometer VUV-VASE (manufactured by J. A. Ullam Japan Co., Ltd.). It is preferable that the refractive index is high, and it is more preferable to be 1.70 or more.

(실시예 2∼35 및 비교예 1∼5)(Examples 2 to 35 and Comparative Examples 1 to 5)

실시예 2∼35 및 비교예 1∼5에 있어서는 분산액 및 성분A(중합체)를 각각 표 3에 기재된 것으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 감광성 수지 조성물을 조제하고, 각 평가를 행했다.In Examples 2 to 35 and Comparative Examples 1 to 5, a photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the dispersion and the component A (polymer) were changed to those shown in Table 3, respectively, and each evaluation was carried out.

또한, 실시예 20∼24에서는 이하에 나타내는 바와 같이 분산액 및 성분A 이외의 성분을 더욱 변경하고, 감광성 수지 조성물을 각각 조제했다.In Examples 20 to 24, components other than the dispersion and component A were further changed as shown below, and a photosensitive resin composition was prepared.

실시예 20: 광산 발생제 B-1을 하기 CGI-1397(BASF사 제)로 변경했다.Example 20: The photoacid generator B-1 was changed to the following CGI-1397 (manufactured by BASF).

실시예 21: 광산 발생제 B-15.1부를 하기 B-22.55부, 및 9,10-디부톡시안트라센[DBA, 가와사키 카세이 코교(주) 제] 2.55부로 변경했다.Example 21: The photo acid generator B-15.1 was changed to the following B-22.55 parts and 9,10-dibutoxyanthracene DBA (Kawasaki Kasei Kogyo KK) to 2.55 parts.

실시예 22: JER157S65를 하기 EHPE-3150[다이셀 카가쿠 코교(주) 제]으로 변경했다.Example 22: JER157S65 was changed to the following EHPE-3150 (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.).

실시예 23: JER157S65를 EPICLON HP-7200HH[에폭시 수지, DIC(주) 제]로 변경했다.Example 23: JER157S65 was changed to EPICLON HP-7200HH (epoxy resin, manufactured by DIC Corporation).

실시예 24: 일가녹스 1726을 하기 티누빈(TINUVIN) 405(BASF사 제)로 변경했다.Example 24: Igarox 1726 was changed to TINUVIN 405 (manufactured by BASF).

Figure pct00076
Figure pct00076

Figure pct00077
Figure pct00077

<B-2의 합성><Synthesis of B-2>

일본 특허 공표 2002-528451호 공보의 단락 0108에 기재된 방법에 따라서 α-(p-톨루엔술포닐옥시이미노)페닐아세토니트릴(상기 B-2)을 합성했다.Α- (p-toluenesulfonyloxyimino) phenylacetonitrile (B-2) was synthesized according to the method described in paragraph 0108 of Japanese Patent Publication No. 2002-528451.

Figure pct00078
Figure pct00078

상기 표 3에 나타내는 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 헤이즈가 낮아 가열 후에도 높은 투과율을 유지하고 있었다. 이에 대하여, 비교예의 감광성 수지 조성물에서는 가열 후의 투과율도 낮고, 헤이즈가 떨어지는 것을 알 수 있었다.As is clear from the results shown in Table 3, the photosensitive resin composition of the present invention had a low haze and maintained a high transmittance even after heating. On the other hand, in the photosensitive resin composition of the comparative example, it was found that the transmittance after heating was low and the haze was lowered.

<분산액 D18∼D45의 조제><Preparation of Dispersions D18 to D45>

TTO-51(C) 및 화합물 1을 표 4에 기재된 것으로 각각 변경한 것 이외에는 분산액 D1의 조제와 마찬가지로 해서 분산액 D18∼D45를 각각 얻었다.Dispersions D18 to D45 were obtained in the same manner as in the preparation of Dispersion D1, except that TTO-51 (C) and Compound 1 were changed to those shown in Table 4, respectively.

Figure pct00079
Figure pct00079

이하에, 표 4에 기재된 화합물 7∼화합물 13을 나타낸다.Compounds 7 to 13 described in Table 4 are shown below.

화합물 7: 하기 화합물, Mw=4,000, 30% PGMEA 용액, P1:P2=86.5질량%:13.5질량%Compound 7: Mw = 4,000, 30% PGMEA solution, P1: P2 = 86.5 mass%: 13.5 mass%

Figure pct00080
Figure pct00080

화합물 8: 하기 화합물, Mw=4,700, 30% PGMEA 용액Compound 8: The following compound, Mw = 4,700, 30% PGMEA solution

Figure pct00081
Figure pct00081

화합물 9: 하기 화합물, Mw=4,800, 30% PGMEA 용액Compound 9: The following compound, Mw = 4,800, 30% PGMEA solution

Figure pct00082
Figure pct00082

화합물 10: 하기 화합물, Mw=4,400, 30% PGMEA 용액Compound 10: The following compound, Mw = 4,400, 30% PGMEA solution

Figure pct00083
Figure pct00083

화합물 11: 하기 화합물, Mw=6,300, 30% PGMEA 용액Compound 11: The following compound, Mw = 6,300, 30% PGMEA solution

Figure pct00084
Figure pct00084

화합물 12: 하기 화합물, Mw=4,300, 30% PGMEA 용액Compound 12: The following compound, Mw = 4,300, 30% PGMEA solution

Figure pct00085
Figure pct00085

화합물 13: 하기 화합물, Mw=6,200, 30% PGMEA 용액Compound 13: The following compound, Mw = 6,200, 30% PGMEA solution

Figure pct00086
Figure pct00086

<중합체 P11∼P15의 합성>&Lt; Synthesis of polymers P11 to P15 >

3구 플라스크에 MEDG(89g)를 넣고, 질소 분위기 하에서 90℃로 승온했다. 그 용액에 MAA(전체 단량체 성분 중의 10㏖%가 되는 양), MATHF(전체 단량체 성분 중의 40㏖%가 되는 양), GMA(전체 단량체 성분 중의 35㏖%에 상당), HEMA(전체 단량체 성분 중의 15㏖%가 되는 양), V-65(전체 단량체 성분의 합계 100㏖%에 대하여 3㏖%에 상당)를 용해시키고, 2시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후 2시간 교반하고, 반응을 종료시켰다. 그것에 의해 중합체 P11을 얻었다. 또한, MEDG와 기타 성분의 합계량의 비를 70:30으로 했다. 즉, 고형분 농도 30%의 중합체 용액을 조제했다.MEDG (89 g) was placed in a three-necked flask, and the temperature was raised to 90 占 폚 in a nitrogen atmosphere. (Equivalent to 10 mol% of the total monomer components), MATHF (40 mol% of the total monomer components), GMA (corresponding to 35 mol% of the total monomer components), HEMA 15 mol%) and V-65 (corresponding to 3 mol% based on the total amount of 100 mol% of the monomer components) were dissolved and added dropwise over 2 hours. After completion of dropwise addition, the mixture was stirred for 2 hours to complete the reaction. Polymer P11 was thereby obtained. Also, the ratio of the total amount of MEDG to the other ingredients was 70:30. That is, a polymer solution having a solid content concentration of 30% was prepared.

사용하는 모노머의 종류, 중합 개시제 등을 하기 표에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 중합체 P11의 합성과 마찬가지로 하여 중합체 P12∼P15를 각각 합성했다.Polymers P12 to P15 were synthesized in the same manner as in the synthesis of the polymer P11 except that the type of the monomer to be used and the polymerization initiator were changed as shown in the following table.

Figure pct00087
Figure pct00087

상기 표 5 중의 특별하게 단위를 붙이고 있지 않은 수치는 ㏖%를 단위로 한다. 또한, 중합 개시제의 수치는 단량체 성분을 100㏖%로 했을 경우의 ㏖%이다.In Table 5, numerical values not specifically showing units are in mol%. The numerical value of the polymerization initiator is mol% when the monomer component is taken as 100 mol%.

고형분 농도는 이하의 식에 의해 산출할 수 있다.The solid content concentration can be calculated by the following equation.

고형분 농도: 모노머 중량/(모노머 중량+용제 중량)×100(단위: 질량%)Solid concentration: monomer weight / (monomer weight + solvent weight) x 100 (unit: mass%)

또한, 개시제로서 V-601을 사용한 경우에는 반응 온도를 90℃로 하고, V-65를 사용한 경우에는 반응 온도를 70℃로 했다.Further, when V-601 was used as the initiator, the reaction temperature was set to 90 ° C, and when V-65 was used, the reaction temperature was set to 70 ° C.

(실시예 36)(Example 36)

<감광성 수지 조성물의 조제>&Lt; Preparation of Photosensitive Resin Composition >

하기 조성에 의해 배합하고 혼합해서 균일한 용액으로 한 후, 0.2㎛의 포어 사이즈를 갖는 폴리에틸렌제 필터를 이용해서 여과하여 실시예 36의 감광성 수지 조성물을 조제했다. 얻어진 감광성 수지 조성물을 사용하여 후술하는 각종 평가를 행했다. 평가 결과를 후술의 표 9∼표 11에 나타낸다.The solution was mixed with the following composition to prepare a homogeneous solution, which was then filtered using a polyethylene filter having a pore size of 0.2 mu m to prepare a photosensitive resin composition of Example 36. [ Various evaluations to be described later were conducted using the obtained photosensitive resin composition. The evaluation results are shown in Tables 9 to 11 below.

·용제(PGMEA): 307.5부Solvent (PGMEA): 307.5 parts

·화합물 I-1: 0.02부Compound I-1: 0.02 part

·중합체 P11: 100.0부Polymer P11: 100.0 parts

·광산 발생제 B-1: 1.9부Photoacid generator B-1: 1.9 parts

·JER157S65: 6.9부· JER157S65: 6.9 parts

·KBM-403: 1.7부KBM-403: 1.7 parts

·F-554: 0.08부F-554: 0.08 part

·분산액 D18: 181.7부Dispersion D18: 181.7 parts

<실시예 37∼135>&Lt; Examples 37 to 135 >

하기 표 6∼표 8에 나타내는 중합체, 광산 발생제, 증감제, 기타 성분으로 변경한 것 이외에는 실시예 36과 마찬가지로 감광성 수지 조성물을 각각 조제했다. 또한, 표 6∼표 8에 있어서의 각 성분량의 첨가량은 질량% 또는 질량부를 나타낸다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 36 except that the polymer, photoacid generator, sensitizer and other components shown in Tables 6 to 8 were changed. The addition amounts of the respective component amounts in Tables 6 to 8 indicate mass% or mass parts.

Figure pct00088
Figure pct00088

Figure pct00089
Figure pct00089

Figure pct00090
Figure pct00090

Figure pct00091
Figure pct00091

Figure pct00092
Figure pct00092

Figure pct00093
Figure pct00093

표 6∼표 8에 기재된 상술한 것 이외의 약기의 상세한 것은 이하와 같다.Details of the abbreviations other than those described in Tables 6 to 8 are as follows.

<광산 발생제>&Lt;

B-3: GSID-26-1, 트리아릴술포늄염(BASF사 제)B-3: GSID-26-1, triarylsulfonium salt (manufactured by BASF)

Figure pct00094
Figure pct00094

<증감제><Increase / decrease>

G-1: DBA[9,10-디부톡시안트라센, 가와사키 카세이 코교(주) 제]G-1: DBA [9,10-dibutoxyanthracene, manufactured by Kawasaki Kasei Kogyo Co., Ltd.]

<염기성 화합물>&Lt; Basic compound >

I-2: 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨[도쿄 카세이 코교(주) 제]I-2: 1,5-Diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.)

(실시예 136)(Example 136)

일본 특허 제 3321003호 공보의 도 1에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 층간 절연막으로서 경화막(17)을 이하와 같이 해서 형성하여 실시예 136의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 실시예 5의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 스핀 도포하고 핫플레이트 상에서 프리베이킹(90℃/120초)한 후, 마스크 상에서 고압 수은등을 이용하여 i선(365㎚)을 45mJ/㎠(에너지 강도 20mW/㎠) 조사한 후, 알칼리 수용액으로 현상해서 패턴을 형성하고, 230℃/30분간의 가열 처리를 행하여 층간 절연막으로서 경화막(17)을 형성했다.In the active matrix type liquid crystal display device shown in Fig. 1 of Japanese Patent No. 3321003, a cured film 17 as an interlayer insulating film was formed as follows to obtain a liquid crystal display device of Example 136. [ That is, after the photosensitive resin composition of Example 5 was spin-coated on the substrate and prebaked (90 DEG C / 120 seconds) on a hot plate, i-line (365 nm) was irradiated with 45 mJ / Intensity of 20 mW / cm 2), and then developed with an aqueous alkali solution to form a pattern, followed by heat treatment at 230 ° C for 30 minutes to form a cured film 17 as an interlayer insulating film.

얻어진 액정 표시 장치에 대하여 구동 전압을 인가한 결과, 양호한 표시 특성을 나타내고 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.As a result of applying a driving voltage to the obtained liquid crystal display device, it was found that the liquid crystal display device exhibited good display characteristics and was highly reliable.

(실시예 137)(Example 137)

박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 2 참조).An organic EL display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see Fig. 2).

유리 기판(6) 상에 바텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 이어서, 이 절연막(3)에 여기에서는 도시를 생략한 컨택트홀을 형성한 후, 이 컨택트홀을 통해서 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)을 절연막(3) 상에 형성했다. 이 배선(2)은 TFT(1)간, 또는 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 was formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 was formed so as to cover the TFT 1. Subsequently, a contact hole (not shown) is formed in the insulating film 3, and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3 did. The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed in the TFT 1 or in a subsequent step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서, 배선(2)에 의한 요철을 매입하는 상태로 절연막(3) 상에 평탄화막(4)을 형성했다. 절연막(3) 상으로의 평탄화막(4)의 형성은 실시예 5의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 스핀 도포하고 핫플레이트 상에서 프리베이킹(90℃/120초)한 후, 마스크 상으로부터 고압 수은등을 이용하여 i선(365㎚)을 45mJ/㎠(에너지 강도 20mW/㎠) 조사한 후, 알칼리 수용액으로 현상해서 패턴을 형성하고, 230℃/30분간의 가열 처리를 행했다.In order to planarize the irregularities formed by the formation of the wirings 2, the flattening film 4 was formed on the insulating film 3 in a state of embedding the irregularities by the wirings 2. The planarizing film 4 was formed on the insulating film 3 by spin-coating the photosensitive resin composition of Example 5 on the substrate and prebaking (90 DEG C / 120 seconds) on a hot plate, , An i-line (365 nm) was irradiated with 45 mJ / cm 2 (energy intensity 20 mW / cm 2) and then developed with an alkali aqueous solution to form a pattern and subjected to heat treatment at 230 ° C for 30 minutes.

감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하고, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는 주름이나 크랙의 발생은 확인되지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500㎚, 제작한 평탄화막(4)의 막 두께는 2,000㎚였다.The coating properties upon application of the photosensitive resin composition were satisfactory, and wrinkles and cracks were not observed in the cured films obtained after exposure, development and firing. In addition, the average step of the wiring 2 was 500 nm, and the film thickness of the prepared planarization film 4 was 2,000 nm.

이어서, 얻어진 평탄화막(4) 상에 바텀 에미션형의 유기 EL 소자를 형성했다. 우선, 평탄화막(4) 상에 ITO로 이루어지는 제 1 전극(5)을 컨택트홀(7)을 통해서 배선(2)에 접속시켜서 형성했다. 그 후에, 레지스트를 도포, 프리베이킹하고, 원하는 패턴의 마스크를 통해서 노광하고 현상했다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 하고, ITO 에첸트를 사용한 웨트 에칭에 의해 패턴 가공을 행했다. 그 후에, 레지스트 박리액(리무버 100, AZ 일렉트로닉 메터리얼즈사 제)을 이용하여 상기 레지스트 패턴을 50℃에서 박리했다. 이렇게 해서 얻어진 제 1 전극(5)은 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.Subsequently, a bottom-emission organic EL device was formed on the obtained planarization film 4. Then, First, a first electrode 5 made of ITO was formed on the flattening film 4 by connecting it to the wiring 2 through the contact hole 7. Thereafter, the resist was applied, pre-baked, exposed through a mask of a desired pattern, and developed. Using this resist pattern as a mask, patterning was carried out by wet etching using an ITO etchant. Thereafter, the resist pattern was peeled off at 50 占 폚 using a resist stripping solution (Remover 100, manufactured by AZ Electronic Materials Co., Ltd.). The thus obtained first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element.

이어서, 제 1 전극(5)의 둘레 가장자리를 덮는 형상의 절연막(8)을 형성했다. 절연막(8)에는 실시예 5의 감광성 수지 조성물을 사용하고, 상기와 마찬가지의 방법으로 절연막(8)을 형성했다. 이 절연막(8)을 설치함으로써, 제 1 전극(5)과 이후의 공정에서 형성하는 제 2 전극간의 쇼트를 방지할 수 있다.Then, an insulating film 8 having a shape covering the periphery of the first electrode 5 was formed. The insulating film 8 was formed in the same manner as above using the photosensitive resin composition of Example 5. By providing the insulating film 8, a short circuit can be prevented between the first electrode 5 and the second electrode formed in a subsequent step.

또한, 진공 증착 장치 내에서 원하는 패턴 마스크를 통해서 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차적으로 증착해서 설치했다. 이어서, 기판 상방의 전면에 Al로 이루어지는 제 2 전극을 형성했다. 얻어진 상기 기판을 증착기로부터 인출하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 이용하여 접합시킴으로써 밀봉했다.Further, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer were sequentially deposited through a desired pattern mask in a vacuum evaporation apparatus. Then, a second electrode made of Al was formed on the entire upper surface of the substrate. The obtained substrate was taken out from the evaporator, and sealed by bonding using a sealing glass plate and an ultraviolet curable epoxy resin.

이상과 같이 하여, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속해서 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어졌다. 구동 회로를 통해서 전압을 인가한 결과, 양호한 표시 특성을 나타내고 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.As described above, an active matrix type organic EL display device in which TFTs 1 for driving the organic EL elements were connected to each organic EL element was obtained. As a result of applying a voltage through the driving circuit, it was found that the organic EL display device exhibited good display characteristics and was highly reliable.

(실시예 138)(Example 138)

이하에 설명하는 방법에 의해 본 발명의 고굴절률의 경화성 수지 재료를 이용하여 터치패널 표시 장치를 작성했다.A touch panel display device was produced by using the curable resin material of the present invention having high refractive index by the method described below.

<제 1 투명 전극 패턴의 형성>&Lt; Formation of first transparent electrode pattern >

[투명 전극층의 형성][Formation of transparent electrode layer]

미리 마스크층이 형성된 강화 처리 유리(300㎜×400㎜×0.7㎜)의 앞면판을 진공 챔버 내에 도입하고, SnO2 함유율이 10질량%인 ITO 타깃[인듐:주석=95:5(몰비)]을 이용하여 DC 마그네트론 스패터링(조건: 기재의 온도 250℃, 아르곤압 0.13㎩, 산소압 0.01㎩)에 의해 두께 40㎚의 ITO 박막을 형성하고, 투명 전극층을 형성한 앞면판을 얻었다. ITO 박막의 표면 저항은 80Ω/□였다.A front plate of a tempered glass (300 mm x 400 mm x 0.7 mm) having a mask layer formed therein was introduced into a vacuum chamber and an ITO target (indium: tin = 95: 5 (molar ratio)) having a SnO 2 content of 10% , A 40 nm thick ITO thin film was formed by DC magnetron sputtering (conditions: substrate temperature: 250 캜, argon pressure: 0.13 Pa, oxygen pressure: 0.01 Pa) to obtain a front plate having a transparent electrode layer. The surface resistance of the ITO thin film was 80? / ?.

이어서, 시판의 에칭 레지스트를 ITO 상에 도포·건조시켜 에칭 레지스트층을 형성했다. 노광 마스크(투명 전극 패턴을 갖는 석영 노광 마스크)면과 상기 에칭 레지스트층 사이의 거리를 100㎛로 설정하고, 노광량 50mJ/㎠(i선)로 패턴 노광한 뒤 전용의 현상액으로 현상을 행하고, 130℃ 30분간의 포스트 베이킹 처리를 더 행하여 투명 전극층과 에칭용 광경화성 수지층 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다.Then, a commercially available etching resist was coated on ITO and dried to form an etching resist layer. The pattern exposure was performed at an exposure amount of 50 mJ / cm 2 (i line) with a distance between the surface of the exposure mask (a quartz exposure mask having a transparent electrode pattern) and the etching resist layer set at 100 m, Lt; 0 &gt; C for 30 minutes to obtain a front plate having a transparent electrode layer and a photocurable resin layer pattern for etching formed thereon.

투명 전극층과 에칭용 광경화성 수지층 패턴을 형성한 앞면판을 ITO 에첸트(염산, 염화칼륨 수용액. 액온 30℃)를 넣은 에칭조에 침지하여 100초 처리하고, 에칭 레지스트층으로 덮여 있지 않은 노출된 영역의 투명 전극층을 용해 제거해서 에칭 레지스트층 패턴이 부착된 투명 전극층 패턴이 부착된 앞면판을 얻었다.The front plate on which the transparent electrode layer and the photocurable resin layer pattern for etching were formed was immersed in an etching bath containing ITO etchant (hydrochloric acid, potassium chloride aqueous solution, liquid temperature of 30 DEG C) for 100 seconds to remove the exposed region Of the transparent electrode layer was dissolved and removed to obtain a front panel having a transparent electrode layer pattern with an etching resist layer pattern.

이어서, 에칭 레지스트층 패턴이 부착된 투명 전극층 패턴이 부착된 앞면판을 전용의 레지스트 박리액에 침지하고, 에칭용 광경화성 수지층을 제거해서 마스크층과 제 1 투명 전극 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다.Next, a front plate having a mask layer and a first transparent electrode pattern formed by removing the photo-curable resin layer for etching was immersed in a resist stripper for exclusive use having a transparent electrode layer pattern with an etching resist layer pattern attached thereto, .

[절연층의 형성][Formation of insulating layer]

마스크층과 제 1 투명 전극 패턴을 형성한 앞면판 상에 실시예 36의 감광성 수지 조성물을 도포·건조(막 두께 1㎛, 90℃ 120초)시켜서 감광성 수지 조성물층을 얻었다. 노광 마스크(절연층용 패턴을 갖는 석영 노광 마스크)면과 상기 감광성 수지 조성물층 사이의 거리를 30㎛로 설정하고, 노광량 50mJ/㎠(i선)로 패턴 노광했다.The photosensitive resin composition of Example 36 was applied and dried (film thickness: 1 占 퐉, 90 占 폚 for 120 seconds) on the front plate on which the mask layer and the first transparent electrode pattern were formed to obtain a photosensitive resin composition layer. The pattern exposure was performed at an exposure amount of 50 mJ / cm 2 (i line) by setting the distance between the exposure mask (quartz exposure mask having an insulating layer pattern) surface and the photosensitive resin composition layer at 30 μm.

이어서, 2.38질량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 15초간 침액 채움법으로 현상하고, 초순수로 10초간 더 린스했다. 계속해서, 220℃ 45분의 포스트 베이킹 처리를 행하여 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다.Subsequently, development was carried out with a 2.38 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 23 占 폚 for 15 seconds by dip filling, and further rinsed with ultrapure water for 10 seconds. Subsequently, post baking treatment was performed at 220 캜 for 45 minutes to obtain a front plate having a mask layer, a first transparent electrode pattern, and an insulating layer pattern formed thereon.

<제 2 투명 전극 패턴의 형성>&Lt; Formation of second transparent electrode pattern >

[투명 전극층의 형성][Formation of transparent electrode layer]

상기 제 1 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 해서 절연층 패턴까지 형성한 앞면판을 DC 마그네트론 스패터링 처리하고(조건: 기재의 온도 50℃, 아르곤압 0.13㎩, 산소압 0.01㎩), 두께 80㎚의 ITO 박막을 형성하고, 투명 전극층을 형성한 앞면판을 얻었다. ITO 박막의 표면 저항은 110Ω/□였다.The front plate formed up to the insulating layer pattern in the same manner as the formation of the first transparent electrode pattern was subjected to DC magnetron sputtering (conditions: substrate temperature: 50 캜, argon pressure: 0.13 Pa, oxygen pressure: 0.01 Pa) ITO thin film was formed and a front panel having a transparent electrode layer was obtained. The surface resistance of the ITO thin film was 110? / ?.

제 1 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 해서 시판의 에칭 레지스트를 이용하여 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 36의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성한 절연층 패턴, 투명 전극층, 에칭 레지스트 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다(포스트 베이킹 처리; 130℃ 30분간).A first transparent electrode pattern, an insulating layer pattern formed by using the photosensitive resin composition of Example 36, a transparent electrode layer, a front surface plate on which an etching resist pattern was formed, and the like were formed using a commercially available etching resist in the same manner as the formation of the first transparent electrode pattern. (Post baking treatment; at 130 占 폚 for 30 minutes).

또한, 제 1 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 해서 에칭하고, 에칭 레지스트층을 제거함으로써 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 36의 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성한 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다.The mask layer, the first transparent electrode pattern, the insulating layer pattern formed by using the curable resin composition of Example 36, and the second transparent electrode pattern were removed by etching in the same manner as the formation of the first transparent electrode pattern, A front plate on which a pattern was formed was obtained.

<제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소의 형성>&Lt; Formation of a conductive element different from the first and second transparent electrode patterns &

상기 제 1, 및 제 2 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 해서 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 36의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성한 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴을 형성한 앞면판을 DC 마그네트론 스패터링 처리해서 두께 200㎚의 알루미늄(Al) 박막을 형성한 앞면판을 얻었다.The front plate on which the first transparent electrode pattern, the insulating layer pattern formed by using the photosensitive resin composition of Example 36, and the second transparent electrode pattern were formed in the same manner as in the formation of the first and second transparent electrode patterns was formed as a DC magnetron And a front plate having an aluminum (Al) thin film having a thickness of 200 nm was obtained by sputtering.

상기 제 1, 및 제 2 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 해서 시판의 에칭 레지스트를 이용하여 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 36의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성한 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 에칭 레지스트 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다(포스트 베이킹 처리; 130℃ 30분간).A first transparent electrode pattern was formed by using a commercially available etching resist, an insulating layer pattern formed by using the photosensitive resin composition of Example 36, a second transparent electrode pattern, and a second transparent electrode pattern were formed in the same manner as the formation of the first and second transparent electrode patterns, A front face plate on which an etching resist pattern was formed was obtained (post baking treatment: 130 DEG C for 30 minutes).

또한, 제 1 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 해서 에칭(30℃ 50초간)하고, 에칭 레지스트층을 제거(45℃ 200초간)함으로써 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 36의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성한 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 앞면판을 얻었다.The mask layer, the first transparent electrode pattern, and the photosensitive resin composition of Example 36 were removed by etching (30 占 폚 for 50 seconds) and removing the etching resist layer (45 占 폚 for 200 seconds) A second transparent electrode pattern, and a front plate on which conductive elements different from those of the first and second transparent electrode patterns were formed were obtained.

<투명 보호층의 형성>&Lt; Formation of transparent protective layer &

절연층의 형성과 마찬가지로 해서 상기 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소까지 형성한 앞면판에 실시예 36의 감광성 수지 조성물을 도포·건조(막 두께 1㎛, 90℃ 120초)시켜서 감광성 수지 조성물막을 얻었다. 또한, 노광 마스크를 통하지 않고 노광량 50mJ/㎠(i선)로 앞면 노광하고, 현상, 포스트 노광(1,000mJ/㎠), 포스트 베이킹 처리를 행하여 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴, 실시예 36의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성한 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소의 전부를 덮도록 실시예 36의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성한 절연층(투명 보호층)을 적층한 앞면판을 얻었다.The photosensitive resin composition of Example 36 was coated and dried (film thickness 1 占 퐉, 90 占 폚 for 120 seconds) on the front plate having the conductive elements other than the first and second transparent electrode patterns formed in the same manner as the formation of the insulating layer Thereby obtaining a photosensitive resin composition film. The mask layer, the first transparent electrode pattern, and the photosensitive layer of Example 36 were subjected to front surface exposure at an exposure dose of 50 mJ / cm 2 (i line) without passing through an exposure mask, and development, post exposure (1,000 mJ / cm 2) The insulating layer pattern formed using the resin composition, the second transparent electrode pattern, and the insulating layer formed by using the photosensitive resin composition of Example 36 (the entirety of the conductive elements different from the first and second transparent electrode patterns Transparent protective layer) was laminated on the front plate.

<화상 표시 장치(터치패널)의 제작>&Lt; Fabrication of Image Display Device (Touch Panel)

일본 특허 공개 2009-47936호 공보에 기재된 방법으로 제조한 액정 표시 소자에, 앞에 제조한 앞면판을 접합시켜 공지의 방법으로 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 화상 표시 장치를 제작했다.An image display device having a capacitive input device as a constituent element was manufactured by bonding a previously prepared front panel to a liquid crystal display element manufactured by the method described in JP-A-2009-47936.

<앞면판, 및 화상 표시 장치의 평가><Evaluation of Front Panel and Image Display Device>

제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 및 이것들과는 다른 도전성 요소의 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편으로 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있고, 터치패널로서 양호한 표시 특성이 얻어졌다. 또한, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴은 시인되기 어렵고, 표시 특성이 뛰어난 화상 표시 장치가 얻어졌다.There is no problem in the conductivity of each of the first transparent electrode pattern, the second transparent electrode pattern, and the conductive elements different therefrom. On the other hand, the first transparent electrode pattern has insulation between the first transparent electrode pattern and the second transparent electrode pattern, Good display characteristics were obtained. In addition, the first and second transparent electrode patterns were hardly visually observed, and an image display apparatus having excellent display characteristics was obtained.

1 : TFT(박막 트랜지스터) 2 : 배선
3 : 절연막 4 : 평탄화막
5 : 제 1 전극 6 : 유리 기판
7 : 컨택트홀 8 : 절연막
10 : 액정 표시 장치 12 : 백라이트 유닛
14, 15 : 유리 기판 16 : TFT
17 : 경화막 18 : 컨택트홀
19 : ITO 투명 전극 20 : 액정
22 : 컬러 필터 30 : 정전 용량형 입력 장치
31 : 앞면판 32 : 마스크층
33 : 제 1 투명 전극 패턴 33a : 패드 부분
33b : 접속 부분 34 : 제 2 투명 전극 패턴
35 : 절연층 36 : 도전성 요소
37 : 투명 보호층 38 : 개구부
1: TFT (thin film transistor) 2: wiring
3: insulating film 4: planarization film
5: first electrode 6: glass substrate
7: Contact hole 8: Insulating film
10: liquid crystal display device 12: backlight unit
14, 15: glass substrate 16: TFT
17: curing film 18: contact hole
19: ITO transparent electrode 20: liquid crystal
22: Color filter 30: Capacitive input device
31: front plate 32: mask layer
33: first transparent electrode pattern 33a: pad portion
33b: connecting portion 34: second transparent electrode pattern
35: insulating layer 36: conductive element
37: transparent protective layer 38: opening

Claims (15)

(성분A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 만족시키는 중합체를 포함하는 중합체 성분,
(1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,
(2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,
(성분S) 하기 식(S)으로 나타내어지고, 적어도 1종의 산기를 갖는 분산제,
(성분B) 광산 발생제,
(성분C) 금속 산화물 입자, 및
(성분D) 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
Figure pct00095

[식(S) 중, R3은 (m+n)가의 연결기를 나타내고, R4 및 R5는 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, A2는 유기 색소 구조, 복소환 구조, 산기, 염기성 질소 원자를 갖는 기, 우레아기, 우레탄기, 배위성 산소 원자를 갖는 기, 알콕시실릴기, 페놀기, 알킬기, 아릴기, 알킬렌옥시쇄를 갖는 기, 이미드기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬아미노카르보닐기, 카르복실산염기, 술폰아미드기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 수산기로 이루어지는 군으로부터 선택된 부분 구조를 적어도 1종 포함하는 1가의 유기기를 나타내고, n개의 A2, R4는 동일하거나 달라도 좋고, m은 0∼8을 나타내고, n은 2∼9를 나타내고, m+n은 3∼10이며, P2는 고분자 골격을 나타내고, m개의 P2, R5는 동일하거나 달라도 좋다]
(Component A) A polymer component comprising a polymer satisfying at least one of the following (1) and (2)
(1) a polymer having (a1) a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group,
(2) a polymer having (a1) a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group, and (a2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group,
(Component S) A dispersing agent represented by the following formula (S) and having at least one acid group,
(Component B) Photoacid generators,
(Component C) metal oxide particles, and
(Component D) a solvent.
Figure pct00095

(In the formula (S), R 3 represents a linking group of (m + n), R 4 and R 5 each independently represent a single bond or a divalent linking group, A 2 represents an organic pigment structure, , A group having a basic nitrogen atom, a urea group, a urethane group, a group having a radial oxygen atom, an alkoxysilyl group, a phenol group, an alkyl group, an aryl group, a group having an alkyleneoxy group, an imide group, an alkyloxycarbonyl group, A monovalent organic group containing at least one partial structure selected from the group consisting of an aminocarbonyl group, a carboxylate group, a sulfonamide group, an epoxy group, an isocyanate group and a hydroxyl group, n A 2 and R 4 may be the same or different, m represents 0 to 8, n represents 2 to 9, m + n represents 3 to 10, P 2 represents a polymer skeleton, and m P 2 and R 5 may be the same or different)
제 1 항에 있어서,
성분C는 산화티탄 입자 또는 산화지르코늄 입자인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
And the component C is a titanium oxide particle or a zirconium oxide particle.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 A2는 산기를 적어도 1종 포함하는 1가의 유기기인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein A &lt; 2 &gt; is a monovalent organic group containing at least one acid group.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 P2는 아크릴 수지 골격인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein P 2 is an acrylic resin skeleton.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
성분A는 상기 (1)을 만족시키는 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
And the component A comprises a polymer satisfying the above-mentioned (1).
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
(성분E) 가교제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
(Component E) a crosslinking agent.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
(성분F) 산화방지제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
(Component F) an antioxidant.
적어도 공정 (a)∼(c)를 이 순서대로 포함하는 것을 특징으로 하는 경화물의 제조 방법.
(a) 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정
(b) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정
(c) 용제가 제거된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정
Wherein at least the steps (a) to (c) are carried out in this order.
(a) a coating step of applying the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 7 onto a substrate
(b) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition
(c) a heat treatment step of heat-treating the resin composition from which the solvent has been removed
적어도 공정 (1)∼(5)를 이 순서대로 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 패턴 제조 방법.
(1) 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정
(2) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정
(3) 용제가 제거된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정
(4) 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정
(5) 현상된 수지 조성물을 열처리하는 열처리 공정
Comprising at least the steps (1) to (5) in this order.
(1) a coating step of applying the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 7 onto a substrate
(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied resin composition
(3) an exposure step of exposing the resin composition from which the solvent has been removed to a pattern shape by an actinic ray
(4) a developing step of developing the exposed resin composition with an aqueous developing solution
(5) Heat treatment process for heat-treating the developed resin composition
제 8 항에 기재된 경화물의 제조 방법, 또는 제 9 항에 기재된 수지 패턴 제조 방법에 의해 얻어진 것을 특징으로 하는 경화물.A cured product obtained by the process for producing a cured product according to claim 8 or the process for producing a resin pattern according to claim 9. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 경화해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 경화막.A cured film formed by curing the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 7. 제 11 항에 있어서,
층간 절연막인 것을 특징으로 하는 경화막.
12. The method of claim 11,
Wherein the cured film is an interlayer insulating film.
제 11 항 또는 제 12 항에 기재된 경화막을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.A liquid crystal display device having the cured film according to claim 11 or 12. 제 11 항 또는 제 12 항에 기재된 경화막을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치.An organic EL display device having the cured film according to claim 11 or 12. 제 11 항 또는 제 12 항에 기재된 경화막을 갖는 것을 특징으로 하는 터치패널 표시 장치.A touch panel display device having the cured film according to claim 11 or 12.
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