KR20150089745A - Light emitting device and light emitting device package having the same - Google Patents

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KR20150089745A KR1020140010724A KR20140010724A KR20150089745A KR 20150089745 A KR20150089745 A KR 20150089745A KR 1020140010724 A KR1020140010724 A KR 1020140010724A KR 20140010724 A KR20140010724 A KR 20140010724A KR 20150089745 A KR20150089745 A KR 20150089745A
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Abstract

A light emitting device according to an embodiment includes: a first conductive semiconductor layer; an activating layer arranged below the first conductive semiconductor layer; a second conductive semiconductor layer arranged below the activating layer; a reflecting layer arranged below the light emitting structure; and a support member arranged below the reflecting layer. The second conductive semiconductor layer includes a first layer arranged below the activating layer and a second layer arranged below the first layer. In the light emitting structure, column structures including the first conductive semiconductor layer, the activating layer, and the first layer of the second conductive semiconductor layer are arranged apart from each other. And the present invention has an effect of preventing light emitted from the activating layer from being released to the outside, caused by a threshold angle, by forming the light emitting structure into the column structure in the shape of a hemisphere.

Description

발광소자 및 이를 구비하는 발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE HAVING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting device and a light emitting device package including the light emitting device.

실시예는 발광소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting element.

일반적으로, 발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 화합물 반도체로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.In general, a light emitting device is a compound semiconductor having a characteristic in which electric energy is converted into light energy, and can be produced as a compound semiconductor such as Group III and Group V on a periodic table. By controlling a composition ratio of a compound semiconductor, Implementation is possible.

발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 밴드갭 에너지에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 발광소자가 되는 것이다. 예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.When a forward voltage is applied to the light emitting device, electrons in the n-layer and holes in the p-layer are coupled to emit energy corresponding to the band gap energy of the conduction band and the valance band. Is mainly emitted in the form of heat or light, and when emitted in the form of light, becomes a light emitting element. For example, nitride semiconductors have received great interest in the development of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. Particularly, blue light emitting devices, green light emitting devices, ultraviolet (UV) light emitting devices, and the like using nitride semiconductors have been commercialized and widely used.

종래 수직형 발광소자는 활성층에서 발광된 광이 전반사에 의해 외부로 방출되지 못하는 현상이 발생된다. 이로 인해, 발광소자의 광 효율이 떨어지는 문제점이 발생된다.In the conventional vertical light emitting device, light emitted from the active layer can not be emitted to the outside due to total reflection. As a result, the light efficiency of the light emitting device is deteriorated.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 실시예는 광 효율을 향상시키기 위한 발광소자 및 이를 구비하는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In order to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a light emitting device for improving light efficiency and a light emitting device package having the same.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치된 활성층, 상기 활성층 아래에 배치된 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물과, 상기 발광 구조물 아래에 배치된 반사층과, 상기 반사층 아래에 배치된 지지부재;를 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층은 상기 활성층 아래에 배치된 제1 층 및 상기 제1 층 아래에 배치된 제2 층을 포함하며, 상기 발광 구조물은 상기 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층의 제1 층을 포함하는 기둥 구조물들이 이격하여 배치된 구조로 이루어질 수 있다.In order to achieve the above object, a light emitting device according to an embodiment includes a first conductive semiconductor layer, an active layer disposed under the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer disposed under the active layer, A light emitting device comprising: a light emitting structure; a reflective layer disposed below the light emitting structure; and a support member disposed under the reflective layer, wherein the second conductive semiconductor layer includes a first layer disposed below the active layer, The light emitting structure may include a structure in which the first conductive semiconductor layer, the active layer, and the first layer of the second conductive semiconductor layer are spaced apart from each other.

실시예는 발광 구조물을 반구 형상의 기둥 구조물로 형성함으로써, 활성층에서 발광된 빛이 임계각에 의해 외부로 방출되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.The embodiment has the effect of preventing light emitted from the active layer from being emitted to the outside due to the critical angle by forming the light emitting structure into a hemispherical columnar structure.

또한, 실시예는 활성층에서 발생된 빛이 임계각에 의해 내부로 재반사되는 것을 방지함으로써, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the embodiment has the effect of improving the luminous efficiency by preventing the light generated in the active layer from being reflected back to the inside by the critical angle.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A 단면도이다.
도 3은 제1 실시예에 따른 발광소자의 빛 경로를 나타낸 단면도이다.
도 4는 제2 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 5는 실시예들에 따른 발광소자가 구비된 발광소자의 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 6 내지 도 8은 실시예들에 따른 발광소자가 구비된 조명시스템의 실시예들을 나타낸 분해 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device according to a first embodiment.
2 is a sectional view taken along the line AA in Fig.
3 is a cross-sectional view illustrating a light path of the light emitting device according to the first embodiment.
4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to the second embodiment.
5 is a cross-sectional view illustrating a package of a light emitting device having a light emitting device according to embodiments.
6 to 8 are exploded perspective views illustrating embodiments of an illumination system having a light emitting device according to embodiments.

이하, 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 A-A 단면도이고, 도 3은 제1 실시예에 따른 발광소자의 빛 경로를 나타낸 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view illustrating a light emitting device according to a first embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a light path of the light emitting device according to the first embodiment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광소자는 다수의 기둥 구조물로 이루어진 발광 구조물(110)과, 상기 발광 구조물(110) 아래에 배치된 반사층(130)과, 상기 반사층(130) 아래에 배치된 지지부재(140)를 포함한다.1 and 2, the light emitting device according to the first embodiment includes a light emitting structure 110 including a plurality of column structures, a reflective layer 130 disposed below the light emitting structure 110, 130). ≪ / RTI >

발광 구조물(110)은 제1 도전형 반도체층(112)과, 활성층(114)과, 제2 도전형 반도체층(116)을 포함할 수 있다. 발광 구조물(110)은 다수의 기둥 구조물(110a)이 이격 배치되어 이루어질 수 있다. 기둥 구조물(110a)은 횡 방향 또는 종 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 발광 구조물(110)에 대해서는 추후 도면을 참조하여 상세히 설명한다.The light emitting structure 110 may include a first conductivity type semiconductor layer 112, an active layer 114, and a second conductivity type semiconductor layer 116. The light emitting structure 110 may include a plurality of column structures 110a spaced apart from each other. The columnar structures 110a may be disposed apart from each other in the transverse direction or the longitudinal direction. The light emitting structure 110 will be described later in detail with reference to the drawings.

상기 반사층(130)은 금속 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사층(130)은 상기 발광 구조물의 폭보다 크게 형성될 수 있으며, 이는 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기의 반사층(130)과 상기 지지부재(140) 사이에 접합을 위한 금속층과, 열 확산을 위한 금속층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective layer 130 may be formed of a material selected from the group consisting of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf and combinations thereof. The reflective layer 130 may be formed to have a width larger than the width of the light emitting structure, which may improve the light reflection efficiency. A metal layer for bonding and a metal layer for thermal diffusion may be further disposed between the reflective layer 130 and the support member 140, but the present invention is not limited thereto.

반사층(130)의 상부에는 접촉층(150)과 보호층(160)을 더 포함할 수 있다. 접촉층(150)과 보호층(160)은 반사층(130)과 제2 도전형 반도체층(116) 사이에는 배치될 수 있다. 보호층(160)은 반사층(130)과 상기 발광 구조물(110)의 둘레에는 배치될 수 있다.The reflective layer 130 may further include a contact layer 150 and a protective layer 160 on the top of the reflective layer 130. The contact layer 150 and the passivation layer 160 may be disposed between the reflective layer 130 and the second conductive semiconductor layer 116. The passivation layer 160 may be disposed around the reflective layer 130 and the light emitting structure 110.

접촉층(150)은 발광 구조물의 하층 예컨대 제2 도전형 반도체층(116)에 오믹 접촉될 수 있다. 그 재료는 금속 산화물, 금속 질화물, 절연물질, 전도성 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. The contact layer 150 may be in ohmic contact with a lower layer of the light emitting structure, for example, the second conductivity type semiconductor layer 116. The material may be a metal oxide, a metal nitride, an insulating material, or a conductive material. Examples of the material include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO) IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and combinations thereof.

상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예컨대, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 상기 접촉층 내부는 전극과 대응되도록 전류를 블록킹하는 층이 더 형성될 수 있다.Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ni, and the like can be formed by using the above-mentioned metal material and a light transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, Ag / Ni or the like. The inside of the contact layer may be further formed with a current blocking layer to correspond to the electrode.

상기 보호층(160)은 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 에서 선택적으로 형성될 수 있다. The passivation layer 160 may be selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO) (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , and TiO 2 .

상기 보호층(160)은 스퍼터링 방법 또는 증착 방법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반사층(130)과 같은 금속이 발광 구조물의 층들을 쇼트시키는 것을 방지할 수 있다.The protective layer 160 may be formed using a sputtering method, a deposition method, or the like, and metal such as the reflective layer 130 may prevent the layers of the light emitting structure from being shorted.

상기 지지부재(140)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. The support member 140 may be a base substrate such as a metal such as copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu- Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC).

상기의 발광 칩은 상기의 발광 소자의 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting chip may be selectively applied to the light emitting device, but the present invention is not limited thereto.

한편, 도 2를 참조하면, 발광 구조물(110)은 반구 형상의 기둥 구조물(110a)로 이루어질 수 있다. 이와 다르게. 기둥 구조물(110a)은 타원, 다각 형상으로 형성될 수 있다. 기둥 구조물(110a)은 광 효율을 극대화시키기 위해 반구, 타원 형상으로 형성되는 것이 효과적이다.Referring to FIG. 2, the light emitting structure 110 may include a hemispherical column structure 110a. Differently. The columnar structure 110a may be formed in an elliptical or polygonal shape. It is effective that the columnar structure 110a is formed in a hemispherical shape or an elliptical shape in order to maximize light efficiency.

기둥 구조물(110a)은 제1 도전형 반도체층(112)과 상기 제1 도전형 반도체층(112) 아래에 배치된 활성층(114)과, 상기 활성층(114) 아래에 배치된 제2 도전형 반도체층(116)을 포함할 수 있다.The pillar structure 110a includes a first conductive semiconductor layer 112, an active layer 114 disposed under the first conductive semiconductor layer 112, and a second conductive semiconductor layer 112 disposed under the active layer 114. [ Layer 116 as shown in FIG.

상기 제1 도전형 반도체층(112)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 상기 제1 도전형 반도체층(110)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(110)은 n형 반도체층이며, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. 제1 도전형 반도체층 상에는 전극이 더 배치될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 112 may be formed of a Group III-V compound semiconductor doped with a first conductive dopant, and the first conductive semiconductor layer 110 may include an In x Al y Ga 1 -x- y N (0? x? 1, 0? y? 1, 0? x + y? 1). The first conductive semiconductor layer 112 may be a stacked structure of layers including at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, . ≪ / RTI > The first conductive semiconductor layer 110 is an n-type semiconductor layer, and the first conductive dopant is an n-type dopant including Si, Ge, Sn, Se, and Te. An electrode may be further disposed on the first conductivity type semiconductor layer.

활성층(114)은 상기 제1 도전형 반도체층(112)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(116)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(114)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(114)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 114 is formed such that electrons (or holes) injected through the first conductive type semiconductor layer 112 and holes (or electrons) injected through the second conductive type semiconductor layer 116 meet with each other, Emitting layer 114 is a layer that emits light due to a band gap difference of an energy band according to a forming material of the light emitting layer 114. The active layer 114 may be formed of any one of a single well structure, a multi-well structure, a quantum dot structure, and a quantum wire structure, but is not limited thereto.

상기 제2 도전형 반도체층(116)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)이 p형 반도체층이고, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. The second conductive semiconductor layer 116 may be formed of a semiconductor doped with a second conductive dopant such as In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y ? 1, y? 1). The second conductive semiconductor layer 116 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP. The second conductivity type semiconductor layer 116 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as p-type dopants.

상기 제2 도전형 반도체층(116)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(114)을 보호할 수 있다.The second conductive semiconductor layer 116 may include a superlattice structure, and the superlattice structure may include an InGaN / GaN superlattice structure or an AlGaN / GaN superlattice structure. The superlattice structure of the second conductivity type semiconductor layer 116 may protect the active layer 114 by diffusing a current contained in the voltage abnormally.

제2 도전형 반도체층(116)은 제1 층(116a)과, 제2 층(116b)을 포함할 수 있다. 제1 층(116a)은 활성층(114)의 아래에 배치되어 기둥 구조물을 이루게 된다. 제2 층(116b)은 제1 층(116a)의 아래에 배치될 수 있다. 제2 층(116b)은 다수의 기둥 구조물(110a)의 하부를 연결하도록 배치될 수 있다. 제2 층(116b)은 제2 도전형 반도체층(116)의 아래에 배치되는 반사층(130)과 전체면이 접하도록 배치될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 116 may include a first layer 116a and a second layer 116b. The first layer 116a is disposed under the active layer 114 to form a columnar structure. The second layer 116b may be disposed under the first layer 116a. The second layer 116b may be arranged to connect the lower portions of the plurality of column structures 110a. The second layer 116b may be disposed so that the entire surface of the second layer 116b is in contact with the reflective layer 130 disposed below the second conductive type semiconductor layer 116. [

상기와 같은 기둥 구조물(110a)은 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114), 제2 도전형 반도체층(116)이 적층된 후, 제1 도전형 반도체층(112) 및 활성층(114)과 제2 도전형 반도체층(116)의 일부를 식각함으로써 형성될 수 있다.After the first conductive semiconductor layer 112, the active layer 114, and the second conductive semiconductor layer 116 are stacked, the pillar structure 110a may be formed by stacking the first conductive semiconductor layer 112 and the active layer 114 and a part of the second conductive type semiconductor layer 116 by etching.

발광 구조물(110)은 기둥 구조물(110a)을 전기적으로 연결시키기 위해 도전체층(120)이 더 배치될 수 있다. 도전체층(120)은 기둥 구조물(110a)들 사이에 배치될 수 있다. 도전체층(120)은 횡 방향 및 종 방향으로 배치된 기둥 구조물(110a)들 사이에 배치될 수 있다. 도전체층(120)은 기둥 구조물(110a)의 제1 도전형 반도체층(112) 사이의 배치될 수 있다. 도전체층(120)은 제1 도전형 반도체층(112)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.The light emitting structure 110 may further include a conductor layer 120 for electrically connecting the pillar structure 110a. The conductor layer 120 may be disposed between the columnar structures 110a. The conductor layer 120 may be disposed between the columnar structures 110a arranged in the transverse and longitudinal directions. The conductor layer 120 may be disposed between the first conductivity type semiconductor layers 112 of the pillar structure 110a. The conductive layer 120 may be formed of the same material as the first conductive semiconductor layer 112.

상기에서는 기둥 구조물(110a)이 제1 도전형 반도체층(112)과 활성층(114)과 제2 도전형 반도체층(116)을 포함하였지만, 기둥 구조물(110a)이 제1 도전형 반도체층(112)과 활성층(114) 만으로 이루어진 구조일 수 있다.Although the pillar structure 110a includes the first conductive semiconductor layer 112, the active layer 114 and the second conductive semiconductor layer 116 in the above description, the pillar structure 110a may include the first conductive semiconductor layer 112 ) And the active layer 114 only.

상기 발광 구조물(110)의 도전형을 반대로 배치할 수 있으며, 예컨대 제1 도전형 반도체층(112)은 P형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 n형 반도체층으로 배치할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116) 위에는 상기 제2 도전형 반도체층(116)과 반대의 극성을 갖는 제1 도전형의 반도체층이 더 배치될 수도 있다. The first conductivity type semiconductor layer 112 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 116 may be an n-type semiconductor layer. . A first conductive semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductive semiconductor layer 116 may be further disposed on the second conductive semiconductor layer 116.

상기 발광 구조물(110)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 여기서, 상기 p는 p형 반도체층이며, 상기 n은 n형 반도체층이며, 상기 -은 p형 반도체층과 n형 반도체층이 직접 접촉되거나 간접 접촉된 구조를 포함한다.The light emitting structure 110 may have any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure. Here, p is a p-type semiconductor layer, and n is an n-type semiconductor layer, and the - includes a structure in which the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are in direct contact or indirect contact.

도 3에 도시된 바와 같이, 활성층(114)에서 빛이 발생되면 활성층(114) 상부로 진행된 빛은 반구 형상의 기둥 구조물(110a)을 통해 외부로 방출하게 된다. 활성층(114) 하부로 진행된 빛은 반사층(113)을 통해 반사되어 반구 형상의 기둥 구조물(110a)의 상부를 통해 효과적으로 통과할 수 있게 된다. 종래에는 활성층(114)에서 발광된 빛이 임계각에 의해 외부로 방출되지 못했으나, 실시예의 발광 구조는 활성층에서 발광된 빛이 임계각에 의해 외부로 방출되는 것을 방지할 수 있다.As shown in FIG. 3, when light is generated in the active layer 114, light that has propagated to the upper portion of the active layer 114 is emitted to the outside through the hemispherical columnar structure 110a. Light traveling to the lower part of the active layer 114 is reflected through the reflection layer 113 and can effectively pass through the upper part of the hemispherical columnar structure 110a. Conventionally, light emitted from the active layer 114 is not emitted to the outside due to the critical angle. However, the light emitting structure of the embodiment can prevent light emitted from the active layer from being emitted to the outside due to the critical angle.

표 1에 도시된 바와 같이, 외부로 방출되는 광 추출 효율이 15%인 반면, 발광 구조물을 마이크로 렌즈 형상으로 적용하게 되면 광 추출 효율이 56%인 것을 알 수 있다. 따라서, 제1 실시예에 따른 발광소자 구조는 종래에 비해 광 추출 효율이 41% 증가하는 것을 알 수 있다.As shown in Table 1, the light extraction efficiency to the outside is 15%, whereas when the light emitting structure is applied to the microlens shape, the light extraction efficiency is 56%. Therefore, the light emitting device structure according to the first embodiment has a 41% increase in light extraction efficiency as compared with the conventional art.

ReceivingReceiving SourceSource 종래 구조Conventional structure 1.31171.3117 99 15%15% 제1 실시예 구조
(Micro-Lens)Example 1 Structure
(Micro-Lens) 55 99 56%56%

도 4는 제2 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to the second embodiment.

도 4를 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광소자는 발광 구조물(210)과, 상기 발광 구조물(210) 아래에 배치된 접촉층(250) 및 보호층(260)과, 상기 접촉층(250) 아래에 배치된 반사층(230)과, 상기 반사층(230) 아래에 배치된 지지부재(240)를 포함한다. 여기서, 발광 구조물(210)을 제외한 구성 요소는 제1 실시예에 따른 발광소자의 구성과 동일하므로 생략한다.Referring to FIG. 4, the light emitting device according to the second embodiment includes a light emitting structure 210, a contact layer 250 and a protective layer 260 disposed under the light emitting structure 210, and a contact layer 250 And a support member 240 disposed below the reflective layer 230. The reflective layer 230 is disposed on the reflective layer 230, Here, the components other than the light emitting structure 210 are the same as those of the light emitting device according to the first embodiment, and thus will not be described.

발광 구조물(210)은 다수의 기둥 구조물(210a)들로 이루어질 수 있다. 기둥 구조물(210a)은 반구 형상으로 형성될 수 있다. 이와 다르게. 기둥 구조물(210a)은 타원, 다각 형상으로 형성될 수 있다. 기둥 구조물(210a)은 광 효율을 극대화시키기 위해 반구, 타원 형상으로 형성되는 것이 효과적이다.The light emitting structure 210 may include a plurality of column structures 210a. The columnar structure 210a may be formed in a hemispherical shape. Differently. The columnar structure 210a may be formed in an elliptical or polygonal shape. It is effective that the columnar structure 210a is formed in a hemispherical shape or an elliptical shape in order to maximize the light efficiency.

기둥 구조물(210a)은 제1 도전형 반도체층(212)과 상기 제1 도전형 반도체층(212) 아래에 배치된 활성층(214)과, 상기 활성층(214) 아래에 배치된 제2 도전형 반도체층(216)을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(212) 상에는 전극(미도시)이 더 배치될 수 있다.The pillar structure 210a includes a first conductive semiconductor layer 212, an active layer 214 disposed under the first conductive semiconductor layer 212, and a second conductive semiconductor layer 212 disposed under the active layer 214. [ Layer 216 as shown in FIG. An electrode (not shown) may be further disposed on the first conductive semiconductor layer 212.

제1 도전형 반도체층(212)에는 패턴(218)이 형성될 수 있다. 패턴(218)은 제1 도전형 반도체층(212)의 상에 배치될 수 있다. 패턴(218)은 제1 도전형 반도체층(212)의 외측면에 배치될 수 있다. 패턴(218)은 삼각 형상의 요철 구조일 수 있다. 패턴(218)은 삼각 형성 외에 렌즈, 사각 등 다양한 형상의 요철 구조일 수 있다. 패턴(218)은 빛이 반사되는 임계각을 변경시켜 발광 소자 내부로 빛이 재반사되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.A pattern 218 may be formed on the first conductive semiconductor layer 212. The pattern 218 may be disposed on the first conductive semiconductor layer 212. The pattern 218 may be disposed on the outer surface of the first conductive semiconductor layer 212. The pattern 218 may be a triangular concave-convex structure. The pattern 218 may have a concavo-convex structure of various shapes such as a lens, a square, and the like in addition to the triangular shape. The pattern 218 has an effect of changing the critical angle at which light is reflected and preventing the light from being reflected back into the light emitting device.

제2 도전형 반도체층(216)은 제1 층(216a)과, 제2 층(216b)을 포함할 수 있다. 제1 층(216a)은 활성층의 아래에 배치되어 기둥 구조물(210a)을 이루게 된다. 제2 층(216b)은 제1 층(216a)의 아래에 배치될 수 있다. 제2 층(216b)은 다수의 기둥 구조물(210a)의 하부를 연결하도록 배치될 수 있다. 제2 층(216b)은 제2 도전형 반도체층(216)의 아래에 배치되는 반사층(230)과 전체면이 접하도록 배치될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 216 may include a first layer 216a and a second layer 216b. The first layer 216a is disposed under the active layer to form a columnar structure 210a. The second layer 216b may be disposed below the first layer 216a. The second layer 216b may be arranged to connect the lower portions of the plurality of column structures 210a. The second layer 216b may be disposed such that the entire surface of the second layer 216b is in contact with the reflective layer 230 disposed below the second conductive type semiconductor layer 216. [

발광 구조물(210)은 기둥 구조물(210a)을 전기적으로 연결시키기 위해 도전체층이 더 배치될 수 있다. 도전체층은 기둥 구조물(210a)들 사이에 배치될 수 있다. 도전체층은 횡 방향 및 종 방향으로 배치된 기둥 구조물(210a)들 사이에 배치될 수 있다. 도전체층은 기둥 구조물(210a)의 제1 도전형 반도체층(212) 사이의 배치될 수 있다. 도전체층은 제1 도전형 반도체층(212)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.The light emitting structure 210 may further include a conductive layer for electrically connecting the columnar structure 210a. The conductor layer may be disposed between the columnar structures 210a. The conductor layer may be disposed between the columnar structures 210a arranged in the transverse and longitudinal directions. The conductor layer may be disposed between the first conductivity type semiconductor layers 212 of the columnar structure 210a. The conductive layer may be formed of the same material as the first conductive semiconductor layer 212.

상기에서는 기둥 구조물(210a)이 제1 도전형 반도체층(212)과 활성층(214)과 제2 도전형 반도체층(216)을 포함하였지만, 기둥 구조물(210a)이 제1 도전형 반도체층(212)과 활성층(214) 만으로 이루어진 구조일 수 있다.
Although the pillar structure 210a includes the first conductive semiconductor layer 212, the active layer 214 and the second conductive semiconductor layer 216, the pillar structure 210a may include the first conductive semiconductor layer 212 ) And the active layer 214 only.

도 5는 실시예들에 따른 발광소자가 구비된 발광소자의 패키지를 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a package of a light emitting device having a light emitting device according to embodiments.

발광 소자 패키지(300)는 패키지 몸체부(305)와, 상기 패키지 몸체부(305) 상에 배치된 제1 전극층(313) 및 제2 전극층(314)과, 상기 패키지 몸체부(305) 상에 배치되어 상기 제1 전극층(313) 및 제2 전극층(314)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(330)가 포함된다.The light emitting device package 300 includes a package body 305, a first electrode layer 313 and a second electrode layer 314 disposed on the package body 305, A light emitting device 100 disposed to be electrically connected to the first electrode layer 313 and the second electrode layer 314 and a molding member 330 surrounding the light emitting device 100.

상기 패키지 몸체부(305)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주상에 경사면이 형성될 수 있다.The package body 305 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and the inclined surface may be formed on the main surface of the light emitting device 100.

상기 제1 전극층(313) 및 제2 전극층(314)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 상기 제1 전극층(313) 및 제2 전극층(314)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first electrode layer 313 and the second electrode layer 314 are electrically isolated from each other and provide power to the light emitting device 100. The first electrode layer 313 and the second electrode layer 314 may reflect the light generated from the light emitting device 100 to increase the light efficiency. And may serve to discharge heat to the outside.

상기 발광 소자(100)는 상기 패키지 몸체부(305) 상에 배치되거나 상기 제1 전극층(313) 또는 제2 전극층(314) 상에 배치될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed on the package body 305 or may be disposed on the first electrode layer 313 or the second electrode layer 314.

상기 발광 소자(100)는 상기 제1 전극층(313) 및/또는 제2 전극층(314)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 상기 발광 소자(100)가 상기 제1 전극층(313) 및 제2 전극층(314)과 각각 와이어를 통해 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting device 100 may be electrically connected to the first electrode layer 313 and / or the second electrode layer 314 by a wire, flip chip, or die bonding method. The light emitting device 100 is electrically connected to the first electrode layer 313 and the second electrode layer 314 through wires, but the present invention is not limited thereto.

상기 몰딩부재(330)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(330)에는 형광체(332)가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
The molding member 330 surrounds the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. The molding member 330 may include a fluorescent material 332 to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

도 6 내지 도 8은 실시예들에 따른 발광소자가 구비된 조명시스템의 실시예들을 나타낸 분해 사시도이다.6 to 8 are exploded perspective views illustrating embodiments of an illumination system having a light emitting device according to embodiments.

도 6에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 본 발명에 따른 발광소자(100) 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.6, the illumination device according to the embodiment includes a cover 2100, a light source module 2200, a heat discharger 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, a socket 2800, . Further, the illumination device according to the embodiment may further include at least one of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include the light emitting device 100 or the light emitting device package 200 according to the present invention.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape in which the hollow is hollow and a part is opened. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the heat discharging body 2400. The cover 2100 may have an engaging portion that engages with the heat discharging body 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. The inner surface of the cover 2100 may be coated with a milky white paint. Milky white paints may contain a diffusing agent to diffuse light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is for sufficiently diffusing and diffusing the light from the light source module 2200 and emitting it to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 2100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 2100 may be transparent so that the light source module 2200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 2100 may be formed by blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one side of the heat discharging body 2400. Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat discharger 2400. The light source module 2200 may include a light source unit 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 상에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on the upper surface of the heat discharging body 2400 and has guide grooves 2310 into which the plurality of light source portions 2210 and the connector 2250 are inserted. The guide groove 2310 corresponds to the substrate of the light source unit 2210 and the connector 2250.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflecting material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects the light reflected by the inner surface of the cover 2100 toward the cover 2100 in the direction toward the light source module 2200. Therefore, the light efficiency of the illumination device according to the embodiment can be improved.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact can be made between the heat discharging body 2400 and the connecting plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to prevent an electrical short circuit between the connection plate 2230 and the heat discharging body 2400. The heat discharger 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to dissipate heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)를 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 housed in the insulating portion 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 has a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides the electrical signal to the light source module 2200. The power supply unit 2600 is housed in the receiving groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide 2630, a base 2650, and an extension 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 상에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650. The guide portion 2630 may be inserted into the holder 2500. A plurality of parts may be disposed on one side of the base 2650. The plurality of components include, for example, a DC converter for converting AC power supplied from an external power source into DC power, a driving chip for controlling driving of the light source module 2200, an ESD (ElectroStatic discharge) protective device, and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension portion 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650. The extension portion 2670 is inserted into the connection portion 2750 of the inner case 2700 and receives an external electrical signal. For example, the extension portion 2670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 2750 of the inner case 2700. One end of each of the positive wire and the negative wire is electrically connected to the extension portion 2670 and the other end of the positive wire and the negative wire are electrically connected to the socket 2800 .

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
The inner case 2700 may include a molding part together with the power supply part 2600. The molding part is a hardened portion of the molding liquid so that the power supply unit 2600 can be fixed inside the inner case 2700.

도 7에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 조명 장치는 커버(3100), 광원부(3200), 방열체(3300), 회로부(3400), 내부 케이스(3500), 소켓(3600)을 포함할 수 있다. 상기 광원부(3200)는 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다. 7, the lighting device according to the embodiment may include a cover 3100, a light source portion 3200, a heat sink 3300, a circuit portion 3400, an inner case 3500, a socket 3600 have. The light source unit 3200 may include a light emitting device or a light emitting device package according to the embodiment.

상기 커버(3100)는 벌브(bulb) 형상을 가지며, 속이 비어 있다. 상기 커버(3100)는 개구(3110)를 갖는다. 상기 개구(3110)를 통해 상기 광원부(3200)와 부재(3350)가 삽입될 수 있다. The cover 3100 has a bulb shape and is hollow. The cover 3100 has an opening 3110. The light source unit 3200 and the member 3350 can be inserted through the opening 3110. [

상기 커버(3100)는 상기 방열체(3300)와 결합하고, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)를 둘러쌀 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합에 의해, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)는 외부와 차단될 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합은 접착제를 통해 결합할 수도 있고, 회전 결합 방식 및 후크 결합 방식 등 다양한 방식으로 결합할 수 있다. 회전 결합 방식은 상기 방열체(3300)의 나사홈에 상기 커버(3100)의 나사선이 결합하는 방식으로서 상기 커버(3100)의 회전에 의해 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이고, 후크 결합 방식은 상기 커버(3100)의 턱이 상기 방열체(3300)의 홈에 끼워져 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이다.The cover 3100 may be coupled to the heat discharging body 3300 and surround the light source unit 3200 and the member 3350. The light source part 3200 and the member 3350 may be shielded from the outside by the combination of the cover 3100 and the heat discharging body 3300. The coupling between the cover 3100 and the heat discharging body 3300 may be combined through an adhesive, or may be combined by various methods such as a rotational coupling method and a hook coupling method. The rotation coupling method is a method in which a screw thread of the cover 3100 is engaged with a thread groove of the heat dissipating body 3300 so that the cover 3100 is coupled to the heat dissipating body 3300 by rotation of the cover 3100 In the hook coupling method, the protrusion of the cover 3100 is inserted into the groove of the heat discharging body 3300, and the cover 3100 and the heat discharging body 3300 are coupled.

상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)와 광학적으로 결합한다. 구체적으로 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)의 발광 소자(3230)로부터의 광을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 상기 커버(3100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 여기서, 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 여기시키기 위해, 내/외면 또는 내부에 형광체를 가질 수 있다. The cover 3100 is optically coupled to the light source unit 3200. Specifically, the cover 3100 may diffuse, scatter, or excite light from the light emitting device 3230 of the light source unit 3200. The cover 3100 may be a kind of optical member. Here, the cover 3100 may have a phosphor inside / outside or in the inside thereof to excite light from the light source part 3200.

상기 커버(3100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 여기서, 유백색 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(3100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(3100)의 외면의 표면 거칠기보다 클 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 충분히 산란 및 확산시키기 위함이다.The inner surface of the cover 3100 may be coated with a milky white paint. Here, the milky white paint may include a diffusing agent for diffusing light. The surface roughness of the inner surface of the cover 3100 may be larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 3100. This is for sufficiently scattering and diffusing light from the light source part 3200.

상기 커버(3100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(3100)는 외부에서 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)가 보일 수 있는 투명한 재질일 수 있고, 보이지 않는 불투명한 재질일 수 있다. 상기 커버(3100)는 예컨대 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 3100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 3100 may be a transparent material that can be seen from the outside of the light source unit 3200 and the member 3350, and may be an invisible and opaque material. The cover 3100 may be formed, for example, by blow molding.

상기 광원부(3200)는 상기 방열체(3300)의 부재(3350)에 배치되고, 복수로 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 복수의 측면들 중 하나 이상의 측면에 배치될 수 있다. 그리고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 측면에서도 상단부에 배치될 수 있다.The light source unit 3200 is disposed on the member 3350 of the heat sink 3300 and may be disposed in a plurality of units. Specifically, the light source portion 3200 may be disposed on at least one of the plurality of side surfaces of the member 3350. The light source unit 3200 may be disposed at the upper end of the member 3350.

상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 모든 측면들에 배치될 수 있다. 상기 광원부(3200)는 기판(3210)과 발광 소자(3230)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(3230)는 기판(3210)의 일 면 상에 배치될 수 있다. The light source portion 3200 may be disposed on three of the six sides of the member 3350. However, the present invention is not limited thereto, and the light source portion 3200 may be disposed on all the sides of the member 3350. The light source unit 3200 may include a substrate 3210 and a light emitting device 3230. The light emitting device 3230 may be disposed on one side of the substrate 3210.

상기 기판(3210)은 사각형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(3210)은 원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 상기 기판(3210)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. 또한, 인쇄회로기판 상에 패키지 하지 않은 LED 칩을 직접 본딩할 수 있는 COB(Chips On Board) 타입을 사용할 수 있다. 또한, 상기 기판(3210)은 광을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 광을 효율적으로 반사하는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다. 상기 기판(3210)은 상기 방열체(3300)에 수납되는 상기 회로부(3400)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)는 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)를 관통하여 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)를 연결시킬 수 있다.The substrate 3210 has a rectangular plate shape, but is not limited thereto and may have various shapes. For example, the substrate 3210 may have a circular or polygonal plate shape. The substrate 3210 may be a printed circuit pattern on an insulator. For example, the substrate 3210 may be a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB . ≪ / RTI > In addition, a COB (Chips On Board) type that can directly bond an unpackaged LED chip on a printed circuit board can be used. In addition, the substrate 3210 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be formed of a color whose surface efficiently reflects light, for example, white, silver, or the like. The substrate 3210 may be electrically connected to the circuit unit 3400 housed in the heat discharging body 3300. The substrate 3210 and the circuit portion 3400 may be connected, for example, via a wire. The wire may pass through the heat discharging body 3300 to connect the substrate 3210 and the circuit unit 3400.

상기 발광 소자(3230)는 적색, 녹색, 청색의 광을 방출하는 발광 다이오드 칩이거나 UV를 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있다. 여기서, 발광 다이오드 칩은 수평형(Lateral Type) 또는 수직형(Vertical Type)일 수 있고, 발광 다이오드 칩은 청색(Blue), 적색(Red), 황색(Yellow), 또는 녹색(Green)을 발산할 수 있다.The light emitting device 3230 may be a light emitting diode chip that emits red, green, or blue light, or a light emitting diode chip that emits UV light. Here, the light emitting diode chip may be a lateral type or a vertical type, and the light emitting diode chip may emit blue, red, yellow, or green light. .

상기 발광 소자(3230)는 형광체를 가질 수 있다. 형광체는 가넷(Garnet)계(YAG, TAG), 실리케이드(Silicate)계, 나이트라이드(Nitride)계 및 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 중 어느 하나 이상일 수 있다. 또는 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체 중 어느 하나 이상일 수 있다.The light emitting device 3230 may have a phosphor. The phosphor may be at least one of a garnet system (YAG, TAG), a silicate system, a nitride system, and an oxynitride system. Alternatively, the fluorescent material may be at least one of a yellow fluorescent material, a green fluorescent material, and a red fluorescent material.

상기 방열체(3300)는 상기 커버(3100)와 결합하고, 상기 광원부(3200)로부터의 열을 방열할 수 있다. 상기 방열체(3300)는 소정의 체적을 가지며, 상면(3310), 측면(3330)을 포함한다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에는 부재(3350)가 배치될 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)와 결합할 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)의 개구(3110)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.The heat discharging body 3300 may be coupled to the cover 3100 to dissipate heat from the light source unit 3200. The heat discharging body 3300 has a predetermined volume and includes an upper surface 3310 and a side surface 3330. A member 3350 may be disposed on the upper surface 3310 of the heat discharging body 3300. An upper surface 3310 of the heat discharging body 3300 can be engaged with the cover 3100. The upper surface 3310 of the heat discharging body 3300 may have a shape corresponding to the opening 3110 of the cover 3100.

상기 방열체(3300)의 측면(3330)에는 복수의 방열핀(3370)이 배치될 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 측면(3330)에서 외측으로 연장된 것이거나 측면(3330)에 연결된 것일 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 방열 면적을 넓혀 방열 효율을 향상시킬 수 있다. 여기서, 측면(3330)은 상기 방열핀(3370)을 포함하지 않을 수도 있다.A plurality of radiating fins 3370 may be disposed on the side surface 3330 of the heat discharging body 3300. The radiating fin 3370 may extend outward from the side surface 3330 of the heat discharging body 3300 or may be connected to the side surface 3330. The heat dissipation fin 3370 may increase the heat dissipation area of the heat dissipator 3300 to improve heat dissipation efficiency. Here, the side surface 3330 may not include the radiating fin 3370.

상기 부재(3350)는 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에 배치될 수 있다. 상기 부재(3350)는 상면(3310)과 일체일 수도 있고, 상면(3310)에 결합된 것일 수 있다. 상기 부재(3350)는 다각 기둥일 수 있다. 구체적으로, 상기 부재(3350)는 육각 기둥일 수 있다. 육각 기둥의 부재(3350)는 윗면과 밑면 그리고 6 개의 측면들을 갖는다. 여기서, 상기 부재(3350)는 다각 기둥뿐만 아니라 원 기둥 또는 타원 기둥일 수 있다. 상기 부재(3350)가 원 기둥 또는 타원 기둥일 경우, 상기 광원부(3200)의 상기 기판(3210)은 연성 기판일 수 있다.The member 3350 may be disposed on the upper surface 3310 of the heat discharging body 3300. The member 3350 may be integral with the top surface 3310 or may be coupled to the top surface 3310. The member 3350 may be a polygonal column. Specifically, the member 3350 may be a hexagonal column. The hexagonal column member 3350 has an upper surface, a lower surface, and six sides. Here, the member 3350 may be a circular column or an elliptic column as well as a polygonal column. When the member 3350 is a circular column or an elliptic column, the substrate 3210 of the light source portion 3200 may be a flexible substrate.

상기 부재(3350)의 6 개의 측면에는 상기 광원부(3200)가 배치될 수 있다. 6 개의 측면 모두에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있고, 6 개의 측면들 중 몇 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있다. 도 16에서는 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치되어 있다. The light source unit 3200 may be disposed on six sides of the member 3350. The light source unit 3200 may be disposed on all six sides and the light source unit 3200 may be disposed on some of the six sides. In FIG. 16, the light source unit 3200 is disposed on three sides of six sides.

상기 부재(3350)의 측면에는 상기 기판(3210)이 배치된다. 상기 부재(3350)의 측면은 상기 방열체(3300)의 상면(3310)과 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. 따라서, 상기 기판(3210)과 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. The substrate 3210 is disposed on a side surface of the member 3350. The side surface of the member 3350 may be substantially perpendicular to the upper surface 3310 of the heat discharging body 3300. Accordingly, the upper surface 3310 of the substrate 3210 and the heat discharging body 3300 may be substantially perpendicular to each other.

상기 부재(3350)의 재질은 열 전도성을 갖는 재질일 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터 발생되는 열을 빠르게 전달받기 위함이다. 상기 부재(3350)의 재질로서는 예를 들면, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 주석(Sn) 등과 상기 금속들의 합금일 수 있다. 또는 상기 부재(3350)는 열 전도성을 갖는 열 전도성 플라스틱으로 형성될 수 있다. 열 전도성 플라스틱은 금속보다 무게가 가볍고, 단방향성의 열 전도성을 갖는 이점이 있다.The material of the member 3350 may be a material having thermal conductivity. This is to receive the heat generated from the light source 3200 quickly. The material of the member 3350 may be, for example, aluminum (Al), nickel (Ni), copper (Cu), magnesium (Mg), silver (Ag), tin (Sn) Or the member 3350 may be formed of a thermally conductive plastic having thermal conductivity. Thermally conductive plastics are advantageous in that they are lighter in weight than metals and have unidirectional thermal conductivity.

상기 회로부(3400)는 외부로부터 전원을 제공받고, 제공받은 전원을 상기 광원부(3200)에 맞게 변환한다. 상기 회로부(3400)는 변환된 전원을 상기 광원부(3200)로 공급한다. 상기 회로부(3400)는 상기 방열체(3300)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 회로부(3400)는 상기 내부 케이스(3500)에 수납되고, 상기 내부 케이스(3500)와 함께 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 회로부(3400)는 회로 기판(3410)과 상기 회로 기판(3410) 상에 탑재되는 다수의 부품(3430)을 포함할 수 있다. The circuit unit 3400 receives power from the outside and converts the supplied power to the light source unit 3200. The circuit unit 3400 supplies the converted power to the light source unit 3200. The circuit unit 3400 may be disposed on the heat discharging body 3300. Specifically, the circuit unit 3400 may be housed in the inner case 3500 and stored in the heat discharging body 3300 together with the inner case 3500. The circuit portion 3400 may include a circuit board 3410 and a plurality of components 3430 mounted on the circuit board 3410.

상기 회로 기판(3410)은 원형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 회로 기판(3410)은 타원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 이러한 회로 기판(3410)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있다. The circuit board 3410 has a circular plate shape, but is not limited thereto and may have various shapes. For example, the circuit board 3410 may be in the shape of an oval or polygonal plate. Such a circuit board 3410 may be one in which a circuit pattern is printed on an insulator.

상기 회로 기판(3410)은 상기 광원부(3200)의 기판(3210)과 전기적으로 연결된다. 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)의 전기적 연결은 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)의 내부에 배치되어 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)을 연결할 수 있다. The circuit board 3410 is electrically connected to the substrate 3210 of the light source unit 3200. The electrical connection between the circuit board 3410 and the substrate 3210 may be connected by wire, for example. The wires may be disposed inside the heat discharging body 3300 to connect the circuit board 3410 and the substrate 3210.

다수의 부품(3430)은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원부(3200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원부(3200)를 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있다.The plurality of components 3430 include, for example, a DC converter for converting AC power supplied from an external power source to DC power, a driving chip for controlling the driving of the light source 3200, An electrostatic discharge (ESD) protection device, and the like.

상기 내부 케이스(3500)는 내부에 상기 회로부(3400)를 수납한다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 회로부(3400)를 수납하기 위해 수납부(3510)를 가질 수 있다. The inner case 3500 houses the circuit portion 3400 therein. The inner case 3500 may have a receiving portion 3510 for receiving the circuit portion 3400.

상기 수납부(3510)는 예로서 원통 형상을 가질 수 있다. 상기 수납부(3510)의 형상은 상기 방열체(3300)의 형상에 따라 달라질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)의 수납부(3510)는 상기 방열체(3300)의 하면에 형성된 수납부에 수납될 수 있다. The receiving portion 3510 may have a cylindrical shape as an example. The shape of the accommodating portion 3510 may vary depending on the shape of the heat discharging body 3300. The inner case 3500 can be housed in the heat discharging body 3300. The receiving portion 3510 of the inner case 3500 may be received in a receiving portion formed on the lower surface of the heat discharging body 3300.

상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합하는 연결부(3530)를 가질 수 있다. 상기 연결부(3530)는 상기 소켓(3600)의 나사홈 구조와 대응되는 나사산 구조를 가질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 부도체이다. 따라서, 상기 회로부(3400)와 상기 방열체(3300) 사이의 전기적 단락을 막는다. 예로서 상기 내부 케이스(3500)는 플라스틱 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The inner case 3500 may be coupled to the socket 3600. The inner case 3500 may have a connection portion 3530 that engages with the socket 3600. The connection portion 3530 may have a threaded structure corresponding to the thread groove structure of the socket 3600. The inner case 3500 is nonconductive. Therefore, electrical short circuit between the circuit portion 3400 and the heat discharging body 3300 is prevented. For example, the inner case 3500 may be formed of plastic or resin.

상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)와 결합될 수 있다. 구체적으로, 상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)의 연결부(3530)와 결합될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 종래 재래식 백열 전구와 같은 구조를 가질 수 있다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)은 전기적으로 연결된다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)의 전기적 연결은 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 따라서, 상기 소켓(3600)에 외부 전원이 인가되면, 외부 전원은 상기 회로부(3400)로 전달될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 상기 연결부(3550)의 나사선 구조과 대응되는 나사홈 구조를 가질 수 있다.
The socket 3600 may be coupled to the inner case 3500. Specifically, the socket 3600 may be engaged with the connection portion 3530 of the inner case 3500. The socket 3600 may have the same structure as a conventional incandescent bulb. The circuit portion 3400 and the socket 3600 are electrically connected. The electrical connection between the circuit part 3400 and the socket 3600 may be connected via a wire. Accordingly, when external power is applied to the socket 3600, the external power may be transmitted to the circuit unit 3400. The socket 3600 may have a screw groove structure corresponding to the threaded structure of the connection portion 3550.

도 8에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 조명장치 예컨대, 백라이트 유닛은 도광판(1210)과, 상기 도광판(1210)에 빛을 제공하는 발광모듈부(1240)와, 상기 도광판(1210) 아래에 반사 부재(1220)와, 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220)를 수납하는 바텀 커버(1230)를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.8, the backlight unit according to the embodiment includes a light guide plate 1210, a light emitting module unit 1240 for providing light to the light guide plate 1210, And may include a reflective member 1220 and a bottom cover 1230 for accommodating the light guide plate 1210, the light emitting module unit 1240 and the reflective member 1220. However, the present invention is not limited thereto.

상기 도광판(1210)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1210)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1210 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1210 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as PMMA (polymethyl methacrylate), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate Resin. ≪ / RTI >

상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 상기 백라이트 유닛이 배치되는 디스플레이 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1240 provides light to at least one side of the light guide plate 1210 and ultimately acts as a light source of a display device in which the backlight unit is disposed.

상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는). 구체적으로는, 상기 발광모듈부(1240)은 기판(1242)과, 상기 기판(1242)에 탑재된 다수의 발광소자 패키지(200)를 포함하는데, 상기 기판(1242)이 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The light emitting module 1240 may be in contact with the light guide plate 1210, but is not limited thereto. Specifically, the light emitting module 1240 includes a substrate 1242 and a plurality of light emitting device packages 200 mounted on the substrate 1242. The substrate 1242 is mounted on the light guide plate 1210, But is not limited to.

상기 기판(1242)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1242)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 1242 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1242 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like.

그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1242) 상에 빛이 방출되는 발광면이 상기 도광판(1210)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있다.The plurality of light emitting device packages 200 may be mounted on the substrate 1242 such that a light emitting surface on which the light is emitted is spaced apart from the light guiding plate 1210 by a predetermined distance.

상기 도광판(1210) 아래에는 상기 반사 부재(1220)가 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 상기 도광판(1210)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 백라이트 유닛의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1220 may be formed under the light guide plate 1210. The reflection member 1220 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1210 so as to face upward, thereby improving the brightness of the backlight unit. The reflective member 1220 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1230)는 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1230)는 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1230 may receive the light guide plate 1210, the light emitting module 1240, and the reflective member 1220. For this purpose, the bottom cover 1230 may be formed in a box shape having an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1230)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다.
The bottom cover 1230 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding.

상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 실시예의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 실시예는 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the following claims. It will be possible.

110: 발광 구조물 110a: 기둥 구조물
112: 제1 도전형 반도체층 114: 활성층
116: 제2 도전형 반도체층 120: 도전체층
130: 반사층 140: 지지부재110: light emitting structure 110a: column structure
112: first conductivity type semiconductor layer 114: active layer
116: second conductive type semiconductor layer 120: conductive layer
130: reflective layer 140: support member

Claims (8)

제1 도전형 반도체층,
상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치된 활성층,
상기 활성층 아래에 배치된 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 발광 구조물 아래에 배치된 반사층; 및
상기 반사층 아래에 배치된 지지부재;를 포함하고,
상기 제2 도전형 반도체층은 상기 활성층 아래에 배치된 제1 층 및 상기 제1 층 아래에 배치된 제2 층을 포함하며,
상기 발광 구조물은 상기 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층의 제1 층을 포함하는 기둥 구조물들이 이격하여 배치된 구조로 이루어진 발광소자.The first conductivity type semiconductor layer,
An active layer disposed under the first conductive semiconductor layer,
A light emitting structure including a second conductive semiconductor layer disposed under the active layer;
A reflective layer disposed below the light emitting structure; And
And a support member disposed below the reflective layer,
The second conductive semiconductor layer includes a first layer disposed under the active layer and a second layer disposed under the first layer,
Wherein the light emitting structure has a structure in which column structures including the first conductivity type semiconductor layer, the active layer, and the first layer of the second conductivity type semiconductor layer are arranged apart from each other. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층의 제2 층은 반사층 상부 전체와 접하도록 배치된 발광소자.The method according to claim 1,
And the second layer of the second conductivity type semiconductor layer is disposed in contact with the entire upper surface of the reflection layer. 제 2 항에 있어서,
상기 다수의 기둥 구조물 사이에는 각 기둥들을 전기적으로 연결시키는 도전체층이 더 배치되는 발광소자.3. The method of claim 2,
And a conductive layer electrically connecting each of the columns is further disposed between the plurality of columnar structures. 제 3 항에 있어서,
상기 도전체층은 기둥 구조물의 제1 도전형 반도체층 사이에 배치되는 발광소자.The method of claim 3,
Wherein the conductor layer is disposed between the first conductivity type semiconductor layers of the pillar structure. 제 4 항에 있어서,
상기 도전체층은 제1 도전형 반도체층과 동일한 재질로 형성되는 발광소자.5. The method of claim 4,
Wherein the conductive layer is formed of the same material as the first conductive type semiconductor layer. 제 1 항에 있어서,
상기 기둥 구조물은 반구, 타원 형상을 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the column structure includes a hemispherical shape and an elliptical shape. 제 6 항에 있어서,
상기 기둥 구조물의 표면에는 요철 패턴이 형성된 발광소자.The method according to claim 6,
And a concave-convex pattern is formed on the surface of the columnar structure. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지.A light emitting device package comprising the light emitting device according to any one of claims 1 to 7.
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