KR20150082303A - Wafer rotation apparatus and method for rotating wafer - Google Patents

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구라시키 보세키 가부시키가이샤
에코 기켄 가부시키가이샤
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Abstract

웨이퍼의 처리 편차를 없애기 위해, 미소 쓰레기를 발생시키는 일 없이, 처리조 내에서 웨이퍼를 회전시킬 수 있는 웨이퍼 회전 장치를 제공한다.
처리액을 수용하고, 처리액 내에 웨이퍼를 침지시킬 수 있는 처리액조(2)와, 처리액조(2) 내에서 상기 웨이퍼(W)의 하부 중간 부분을 유지시키며, 웨이퍼의 면(面)을 따른 방향으로 요동 가능하게 구성되어 있는 웨이퍼 받이대(6)와, 처리액조(2) 내의 웨이퍼 받이대(6)를 사이에 끼우도록 배치되어, 웨이퍼 받이대(6)에 대해 상대적으로 상하방향으로 이동함으로써 웨이퍼의 하부 양단 부분을 유지 가능하게 구성되어 있는 1세트(組)의 웨이퍼 가이드(7)와, 웨이퍼(W)를, 웨이퍼 가이드(7)에 유지시킨 상태로 웨이퍼 받이대(6)를 요동시킨 후 웨이퍼 받이대(6)와 웨이퍼 가이드(7)를 상대적으로 상하방향으로 이동시켜서 웨이퍼 받이대(6)로 되돌림으로써, 웨이퍼 받이대(6)에 있어서의 웨이퍼(W)의 지지 부분을 달라지게 하여 웨이퍼를 회전시킨다.There is provided a wafer rotating device capable of rotating a wafer in a treatment tank without generating micro waste to eliminate processing deviations of the wafer.
A treatment liquid tank 2 for holding a treatment liquid and capable of immersing the wafer in the treatment liquid and a treatment liquid tank 2 for holding the lower middle portion of the wafer W in the treatment liquid tank 2, And the wafer receiving table 6 in the treatment liquid tank 2 so as to be movable relative to the wafer receiving table 6 in the vertical direction relative to the wafer receiving table 6, A pair of wafer guides 7 configured to hold both ends of the lower portion of the wafer so that the wafers W can be held by the wafer guides 7 while being held by the wafer guides 7, The wafer support table 6 and the wafer guide 7 are relatively moved in the vertical direction to return to the wafer receiving table 6 so that the supporting portion of the wafer W in the wafer table 6 is changed Thereby rotating the wafer.

Description

웨이퍼 회전 장치 및 웨이퍼 회전 방법{WAFER ROTATION APPARATUS AND METHOD FOR ROTATING WAFER}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a wafer rotating apparatus,

본 발명은, 웨이퍼 세정 장치나 에칭 처리 장치 등의 웨이퍼 처리조(處理槽) 중에 침지(浸漬)된 웨이퍼를 처리조 내에서 회전시키는 웨이퍼 회전 장치 및 웨이퍼 회전 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer rotating apparatus and a wafer rotating method for rotating a wafer immersed in a wafer treating tank such as a wafer cleaning apparatus or an etching treatment apparatus in a treatment tank.

종래부터, 반도체 제조 프로세스에 있어서의 세정 프로세스 기술은, 웨이퍼의 청정성(淸淨性)을 유지하는데 있어서 빠뜨릴 수 없는 프로세스 기술이다. 최근, 반도체 제조 프로세스는 보다 높은 정밀도가 요구되고 있으며, 요구되는 파티클 제거 성능도 더욱더 엄격해지고 있다.BACKGROUND ART Conventionally, a cleaning process technique in a semiconductor manufacturing process is an indispensable process technique for maintaining the cleanliness of a wafer. In recent years, semiconductor manufacturing processes are required to have higher precision, and required particle removal performance is becoming more severe.

초음파 세정법은, 이러한 세정 프로세스 기술의 하나로서 널리 사용되고 있다. 초음파 세정법은, 웨이퍼 표면의 오염물질에 초음파를 조사(照射)함으로써 오염물질을 제거하고, 산이나 알칼리 등의 화학 세정법과 병용함으로써 세정 효율을 향상시키는 중요한 기술이다.The ultrasonic cleaning method is widely used as one of such cleaning process techniques. The ultrasonic cleaning method is an important technique for improving the cleaning efficiency by removing contaminants by irradiating ultrasonic waves to the contaminants on the surface of the wafer and using them in combination with a chemical cleaning method such as acid or alkali.

초음파 세정 장치에서는, 발진(發振)한 초음파의 진행방향에 대해 웨이퍼를 지지하는 부재의 그림자(影)가 되는 부분에는, 상기 지지 부재가 장해가 되어 초음파가 미치지 않는 부분이 생기거나, 혹은 초음파 발생 장치로부터의 거리 차이로 인한 세정 정도에 차이가 생김으로써, 세정 편차가 발생하여 웨이퍼면 내에 있어서의 균일한 오염물질 제거 성능을 얻을 수 없다는 문제가 있었다.In the ultrasonic cleaning apparatus, the supporting member may be obstructed in the portion of the member which supports the wafer with respect to the direction of propagation of the ultrasonic wave, There is a difference in the degree of cleaning due to the difference in distance from the generating device, so that there is a problem in that a cleaning deviation is generated and a uniform contaminant removing performance in the wafer surface can not be obtained.

이러한 문제를 해소하기 위해, 예컨대, 특허 문헌 1(일본 특허공개공보 제2006-324495호) 및 특허 문헌 2(일본 특허공개공보 제2011-165694호) 등에 있어서, 세정 편차를 억제할 수 있는, 웨이퍼 세정 장치가 제안되어 있다.In order to solve such a problem, for example, in Patent Documents 1 (Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2006-324495) and Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-165694) A cleaning device has been proposed.

특허 문헌 1의 세정 장치는, 세정조 중에, 웨이퍼 가이드와 웨이퍼 척을 모두 구비하여, 웨이퍼의 세정 중에 이들에 의한 웨이퍼의 유지(保持)를 전환함으로써, 웨이퍼 지지 부재의 그림자가 되는 부분을 달라지게 함으로써 세정 편차를 해소하고자 하는 것이다.In the cleaning apparatus of Patent Document 1, both of the wafer guide and the wafer chuck are provided in the cleaning tank, and the holding (holding) of the wafer by the wafer guide and the wafer chuck is changed during cleaning of the wafer, So as to solve the cleaning deviation.

또한, 특허 문헌 2의 세정 장치는, 복수의 세정조에 있어서, 각각의 세정조에서 웨이퍼를 지지하는 받이홈의 위치를 달라지게 함으로써, 복수의 세정조 전체로서의 초음파의 미조사(未照射) 영역을 없애고자 한 것이다.In the cleaning apparatus of Patent Document 2, the positions of the receiving grooves for supporting the wafers in the respective cleaning tanks are changed in a plurality of cleaning tanks, whereby the unirradiated regions of the ultrasonic waves as a plurality of cleaning tanks I tried to get rid of it.

일본 특허공개공보 제2006-324495호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-324495 일본 특허공개공보 제2011-165694호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-165694

그러나, 특허 문헌 1의 장치에서는, 웨이퍼를 지지하는 부재를 달라지게 함으로써 미조사 영역 자체는 없앨 수 있지만, 웨이퍼의 부위마다의 세정 품질의 편차를 해소하는 것은 곤란하였다. 특히 최근 들어, 웨이퍼의 대직경화(大徑化)가 진행되고 있는바, 초음파 발생 장치로부터의 거리 및 조(槽) 내의 세정액의 온도나 농도가 불균일하기 때문에, 세정 품질에 차이가 생기는 문제가 표면화되고 있다.However, in the apparatus of Patent Document 1, the unirradiated area itself can be eliminated by changing the member for supporting the wafer, but it is difficult to eliminate the deviation in the cleaning quality for each part of the wafer. Particularly in recent years, as the diameter of the wafer becomes larger, the distance from the ultrasonic wave generator and the temperature and concentration of the cleaning liquid in the tank are uneven, .

또한, 반도체의 세정 공정은, 미소한 불순물을 없애는 것이 목적이며, 세정조에 벨트나 기어 등의 미소(微小) 쓰레기를 발생시킬만한 복잡한 기구를 사용하는 것은 파티클 제거 조건이 엄격해지고 있는 현재에는 실질적으로 불가능한 상황이다.In addition, the semiconductor cleaning process is intended to remove minute impurities. The use of a complicated mechanism for generating micro waste such as a belt or a gear in a cleaning tank is effective at present, It is impossible.

또한, 특허 문헌 2의 장치는, 복수의 세정조의 존재를 전제로 하는 것이어서, 단일의 세정조에서는 세정 편차를 해소할 수 없다는 문제가 있었다.Further, the apparatus of Patent Document 2 is premised on the existence of a plurality of washing tanks, and there is a problem in that a cleaning deviation can not be solved in a single washing tank.

따라서, 본 발명의 목적은, 상기의 문제를 해결하는 데 있으며, 웨이퍼 지지 부재의 장해, 초음파 조사 거리의 차이, 처리액의 불균일한 분포 등으로 인한 처리 편차를 없애기 위해, 미소 쓰레기를 발생시키는 일 없이, 처리조 내에서 웨이퍼를 회전시킬 수 있는 웨이퍼 회전 장치 및 웨이퍼 회전 방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a method and apparatus for generating smile waste in order to eliminate processing deviations caused by obstacles of a wafer supporting member, a difference in irradiation distance of ultrasonic waves, A wafer rotating device and a wafer rotating method capable of rotating a wafer in a treating tank without the need to rotate the wafer.

본 발명은, 상기의 목적을 달성하기 위해, 이하와 같이 구성되어 있다.In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows.

본 발명의 제 1 양태에 의하면, 처리액을 수용하고, 상기 처리액 내에 웨이퍼를 침지시킬 수 있는 처리액조(處理液槽)와,According to the first aspect of the present invention, there is provided a treatment liquid tank (treatment liquid tank) containing a treatment liquid and capable of immersing the wafer in the treatment liquid,

상기 처리액조 내에서 상기 웨이퍼의 주연(周緣; 둘레의 가장자리) 하부 중간 부분을 유지(保持)시키며, 웨이퍼의 면(面)을 따른 방향으로 요동 가능하도록 구성되어 있는 웨이퍼 받이대(臺)와,A wafer table stage configured to hold an intermediate portion of a lower portion of a periphery of the wafer in the treatment liquid tank and to swing in a direction along a face of the wafer,

상기 처리액조 내의 상기 웨이퍼 받이대를 사이에 끼우도록 배치되고, 상기 웨이퍼 받이대에 대해 상대적으로 상하방향으로 이동함으로써 상기 웨이퍼의 주연 하부의 상기 웨이퍼 받이대에 의한 유지 부분보다 끝단측(端側)의 부분을 유지 가능하도록 구성되어 있는 1세트(組)의 웨이퍼 가이드를 구비하며,And the wafer support table in the treatment liquid tank is sandwiched between the wafer support table and the wafer support table, and moves in the vertical direction relative to the wafer support table, (Pair) of wafer guides configured to be able to hold a portion of the wafer guide,

상기 웨이퍼 가이드는, 상기 웨이퍼 받이대가 제 1 방향으로 요동할 때 상기 웨이퍼의 주연에 근접하도록 위치하는 동시에, 상기 웨이퍼가 유지되어 있는 상태에서 상기 웨이퍼 받이대를 제 2 방향으로 요동시킨 후, 상기 웨이퍼 받이대에 대해 상대적으로 상하방향으로 이동하여 상기 웨이퍼 받이대에 상기 웨이퍼를 되돌림으로써, 상기 웨이퍼 받이대에 있어서의 웨이퍼의 지지 부분을 달라지게 하여 상기 웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 회전 장치를 제공한다.The wafer guide is positioned so as to be close to the periphery of the wafer when the wafer receiving table swings in the first direction, and after swinging the wafer receiving table in the second direction while the wafer is held, The wafer rotating apparatus moves the wafer relatively vertically with respect to the support table to return the wafer to the wafer table, thereby rotating the wafer by changing the supporting portion of the wafer on the wafer table.

본 발명의 제 2 양태에 의하면, 상기 웨이퍼 가이드는, 상하 이동 가능하게 구성되어 있으며, 상기 웨이퍼 가이드가 하강함으로써, 상기 웨이퍼 받이대로 웨이퍼가 되돌아가는, 제 1 양태의 웨이퍼 회전 장치를 제공한다.According to the second aspect of the present invention, there is provided the wafer rotating apparatus of the first aspect, wherein the wafer guide is configured to be movable up and down, and the wafer guide is moved downward by the wafer guide.

본 발명의 제 3 양태에 의하면, 상기 웨이퍼 받이대는, 지지하는 상기 웨이퍼의 중심축을 회전 중심으로 하여 요동하도록 구성되어 있는, 제 1 양태의 웨이퍼 회전 장치를 제공한다.According to the third aspect of the present invention, there is provided the wafer rotating apparatus of the first aspect, wherein the wafer receiving table is configured to swing about the central axis of the wafer to be supported as a rotational center.

본 발명의 제 4 양태에 의하면, 상기 웨이퍼 가이드는, 각각, 상기 웨이퍼의 두께방향으로 배치된 2개의 가이드 본체와, 상기 2개의 가이드 본체 사이에 현가(懸架)되도록 배치된 지지 부재를 구비하는, 제 1 양태의 웨이퍼 회전 장치를 제공한다.According to a fourth aspect of the present invention, the wafer guide includes two guide bodies arranged in the thickness direction of the wafer, and a support member suspended between the two guide bodies, A wafer rotating apparatus of the first aspect is provided.

본 발명의 제 5 양태에 의하면, 처리액을 수용하고, 상기 처리액 내에 웨이퍼를 침지시킬 수 있는 처리액조 내에서 상기 웨이퍼의 하부 중간 부분을 유지시키고, 웨이퍼의 면을 따른 방향으로 요동 가능하도록 구성되어 있는 웨이퍼 받이대와, 상기 웨이퍼 받이대에 대해 상대적으로 상하방향으로 이동함으로써 상기 웨이퍼의 하부 양단 부분을 유지 가능하도록 구성되어 있는 1세트의 웨이퍼 가이드를 구비하는 웨이퍼 회전 장치를 이용하여,According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a wafer processing apparatus including a processing liquid tank for holding a processing liquid and holding a lower middle portion of the wafer in a processing liquid tank capable of immersing the wafer in the processing liquid, And a set of wafer guides configured to be able to hold both lower ends of the wafer by moving in a vertical direction relative to the wafer receiving table,

상기 웨이퍼를, 상기 웨이퍼 가이드에 유지시킨 상태에서 상기 웨이퍼 받이대를 요동시킨 후 상기 웨이퍼 받이대와 웨이퍼 가이드를 상대적으로 상하방향으로 이동시켜서 상기 웨이퍼 받이대로 되돌림으로써, 상기 웨이퍼 받이대에 있어서의 웨이퍼의 지지 부분을 달라지게 하여 상기 웨이퍼를 회전시키는, 웨이퍼 회전 방법을 제공한다.The wafer support table and the wafer guide are moved in the vertical direction relative to each other and returned to the wafer support while holding the wafer on the wafer guide, And the supporting portion of the wafer is rotated to rotate the wafer.

본 발명의 제 6 양태에 의하면, 상기 웨이퍼 받이대와 웨이퍼 가이드 간의 웨이퍼의 전달은, 상기 웨이퍼 가이드가 상승함으로써, 상기 웨이퍼 받이대로부터 웨이퍼 가이드에 상기 웨이퍼가 유지되고, 상기 웨이퍼 가이드가 하강함으로써 상기 웨이퍼 받이대로 웨이퍼가 되돌아가는, 제 5 양태의 웨이퍼 회전 방법을 제공한다.According to the sixth aspect of the present invention, the transfer of the wafer between the wafer receiving table and the wafer guide is carried out such that the wafer guide is held by the wafer guide from the wafer table, And the wafer is returned to the wafer holder.

본 발명에 의하면, 웨이퍼 받이대를 요동 가능하고, 웨이퍼 가이드에 대해 상대적인 상하 위치를 변경 가능하도록 구성함으로써, 웨이퍼 받이대와 웨이퍼 가이드에 대한 웨이퍼의 전달을 실현할 수 있다. 또한, 웨이퍼 가이드가 웨이퍼를 지지하고 있는 상태에서 웨이퍼 받이대의 경사 각도를 변경함으로써, 웨이퍼를 둘레방향(周方向)으로 회전시킨 상태로 유지시킬 수 있으므로, 웨이퍼의 상하방향 위치에 의한 부위의 편차를 없앨 수 있다.According to the present invention, the transfer of wafers to the wafer receiving table and the wafer guide can be realized by swinging the wafer receiving table and configuring the vertical position relative to the wafer guide to be changeable. Further, since the wafer can be held in a rotated state in the circumferential direction (circumferential direction) by changing the inclination angle of the wafer receiving table in a state in which the wafer guide supports the wafer, the deviation of the wafer due to the up- It can be eliminated.

또한, 웨이퍼 받이대는, 지지하는 웨이퍼의 중심축의 위치를 회전 중심으로 하여 요동하도록 구성함으로써, 위치 어긋남 등을 일으키는 일 없이 웨이퍼를 전달할 수 있다.Further, the wafer receiving table is configured to swing around the center axis of the supporting wafer as a rotation center, so that the wafer can be transferred without causing positional deviation or the like.

도 1은, 본 발명의 실시형태에 따른 웨이퍼 회전 장치를 이용한 웨이퍼 세정 장치의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 2는, 도 1의 웨이퍼 회전 장치의 내부 구성을 모식적으로 나타낸 일부 단면 사시도이다.
도 3은, 도 1의 웨이퍼 회전 장치의 동작 순서의 각 공정을 나타낸 도면이다.
도 4는, 도 1의 웨이퍼 회전 장치의 동작 순서의 각 공정을, 도 3에 계속하여 나타낸 도면이다.1 is a schematic diagram showing a configuration of a wafer cleaning apparatus using a wafer rotating apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a partial cross-sectional perspective view schematically showing the internal configuration of the wafer rotating apparatus of Fig. 1. Fig.
Fig. 3 is a view showing each step of the operation sequence of the wafer rotating apparatus of Fig. 1;
Fig. 4 is a diagram continuously showing each step of the operation sequence of the wafer rotating apparatus of Fig. 1, which is shown in Fig. 3. Fig.

본 발명에 대한 기술(記述)을 계속하기 전에, 첨부 도면에 있어서 동일 부품에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고 있다. 이하에서는, 도면을 참조하면서 본 발명에 있어서의 제 1 실시형태를 상세하게 설명한다.Before continuing with the description of the present invention, the same reference numerals are used for the same parts in the accompanying drawings. Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은, 본 발명의 실시형태에 따른 웨이퍼 회전 장치를 이용한 웨이퍼 세정 장치의 구성을 나타낸 모식도이다. 도 2는, 도 1의 웨이퍼 회전 장치의 내부 구성을 모식적으로 나타낸 일부 단면 사시도이며, 전파(傳播)용 수조(4)가 생략되어 있다.1 is a schematic diagram showing a configuration of a wafer cleaning apparatus using a wafer rotating apparatus according to an embodiment of the present invention. Fig. 2 is a partial cross-sectional perspective view schematically showing the internal configuration of the wafer rotating apparatus shown in Fig. 1, and the propagation water bath 4 is omitted.

본 실시형태에 따른 웨이퍼 회전 장치(1)를 이용한 웨이퍼 세정 장치(100)는, 세정액을 수용하는 세정조(내조(內槽))(2)를 구비하고 있으며, 상기 세정조(2)의 외측에 외조(外槽)(3)를 구비하고 있다. 세정조(2) 내의 세정액은, 오버플로우(overflow)되어 외조(3)로 흐르도록 구성되어 있으며, 또한 외조(3)의 외측에는, 전파수(傳播水)로 채워진 전파용 수조(4)가 설치되어 있다. 수조(4)의 바닥벽(底壁) 외면에는, 초음파 발신부(5)가 설치되어 있다.The wafer cleaning apparatus 100 using the wafer rotating apparatus 1 according to the present embodiment is provided with a cleaning tank 2 for storing a cleaning liquid and is disposed outside the cleaning tank 2 And an outer tank 3 is provided. The washing liquid in the washing tub 2 is overflowed to flow into the outer tub 3 and a radio wave bath 4 filled with the propagating water is arranged outside the outer tub 3 Is installed. On the outer surface of the bottom wall (bottom wall) of the water tray 4, an ultrasonic wave transmitting portion 5 is provided.

세정 대상이 되는 웨이퍼(W)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 복수 매(枚)의 웨이퍼(W)가 소정의 간격을 두고 서로 평행이 되도록 세정조(2) 내에 배치된다. 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 받이대(6)에 의해 유지된다.As shown in Fig. 2, the wafer W to be cleaned is placed in the cleaning tank 2 such that a plurality of wafers W are parallel to each other at a predetermined interval. The wafer W is held by the wafer receiving table 6.

웨이퍼 받이대(6)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼에 대략 평행하게 배치되는 1세트의 받이대 본체부(11)와 받이대 본체부(11)의 하단측에 설치되는 받이 부재(12)를 구비한다. 받이 부재(12)는, 웨이퍼의 중심 부분에 1개 및 중심 부분으로부터 중심각(中心角)이 10∼45° 정도인 범위 내에 2개, 즉 총 3개가 설치되어 있어, 3점(点)에서 웨이퍼의 하면(下面) 중앙 부분을 지지함으로써 웨이퍼(W)를 유지한다.2, the wafer receiving table 6 includes a set of a receiving table main body portion 11 arranged substantially parallel to the wafer and a receiving member 12 (see FIG. 2) provided on the lower end side of the receiving table main body portion 11 . The receiving member 12 is provided with two pieces, that is, a total of three, in the range of one central portion of the wafer and a central angle (central angle) of about 10 to 45 degrees from the central portion, And supports the wafer W by supporting the central portion of the lower surface of the wafer W.

본체(11)는, 웨이퍼(W)의 하측 중간 부분을 피복(被覆)하는 동시에, 웨이퍼의 양단측은 외부로 노출되는 것과 같은 형상이며, 또한, 상측으로 연장된 연결 레그(13)에 의해, 세정조(2) 밖에 설치되어, 하방으로 연장되는 요동 레그(14)에 탈부착 가능하게 연결된다. 세정조(2) 내에 웨이퍼를 투입하는 경우는, 웨이퍼 받이대(6)에 웨이퍼를 유지시킨 후, 세정조(2)의 상측으로부터 조(槽) 내에 침지시켜, 연결 레그(13)와 요동 레그(14)를 연결한다.The main body 11 has a shape such that both lower end portions of the wafer are exposed to the outside while coating the lower middle portion of the wafer W and the connection legs 13 extending upwardly Is detachably connected to a swinging leg (14) extending downward and provided outside the tub (2). When the wafer is put into the cleaning tank 2, the wafer is held on the wafer table 6, and then immersed in the tank from above the cleaning tank 2 so that the connection leg 13 and the swinging legs 2, (14).

요동 레그(14)는, 전파용 수조(4)의 외면에 축지지(軸支)되어 있으며 고정축에 대해 회전을 부여하는 요동 장치(15)에 의해, 도 1의 화살표(90)로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 주면(主面)을 따르는 방향으로 요동한다. 참고로, 요동 레그(14)의 요동 중심(C)은, 웨이퍼 받이대(6)와의 연결시에 웨이퍼(W)의 중심축 상에 위치하도록 구성되는 것이 바람직하다.The swinging leg 14 is pivotally supported on the outer surface of the wave water bath 4 and is swung by a swinging device 15 which imparts rotation to the fixed shaft as shown by arrow 90 And swings in the direction along the main surface of the wafer W as well. It is preferable that the pivotal center C of the swinging leg 14 be positioned on the central axis of the wafer W when the wafer table 6 is connected to the wafer table 6.

웨이퍼 받이대(6)의 양(兩) 사이드에는, 한 쌍의 웨이퍼 가이드(7)가 설치되어 있다. 웨이퍼 가이드(7)는, 세정조(2)의 외측에 설치되는 승강 장치(16)에 의해, 화살표(91)로 나타낸 바와 같이 상하 이동 가능하게 설치된다. 본 실시형태에서는 승강 장치는 실린더에 의해 구성되어 있으며, 실린더 로드(16a)의 선단(先端)에 설치된 연결부(16b)에 웨이퍼 받이대(6)가 탈부착 가능하게 고정되어 있다.On both sides of the wafer receiving table 6, a pair of wafer guides 7 are provided. The wafer guide 7 is vertically movable by an elevating device 16 provided on the outside of the cleaning tank 2 as indicated by an arrow 91. In the present embodiment, the elevating device is constituted by a cylinder, and the wafer receiving table 6 is detachably fixed to the connecting portion 16b provided at the tip of the cylinder rod 16a.

웨이퍼 가이드(7)의 승강 위치(16)는, 임의의 위치에 정지 가능하도록 구성되어 있어도 되고, 상단(上段), 중단(中段), 하단(下段) 등, 미리 결정된 복수의 위치 사이를 이동할 수 있도록 구성되어 있어도 된다.The elevation position 16 of the wafer guide 7 may be configured to be stationary at an arbitrary position or may be movable between a predetermined plurality of positions such as an upper stage, a middle stage, and a lower stage .

웨이퍼 가이드(7)는, 각각 웨이퍼(W)의 두께방향으로 나란히 배치된 1세트의 가이드 본체부(17)와, 2개의 가이드 본체부(17) 사이에 현가되도록 배치된 지지 부재(18)를 구비한다. 지지 부재(18)는, 웨이퍼의 하부 좌우 양단 부분을 유지 가능한 위치에 설치되어 있어, 승강 장치(16)에 의해 웨이퍼 가이드(7)가 상승하면, 웨이퍼(W)의 하부 양단 부분이 지지 부재(18)에 걸림고정되어 웨이퍼 가이드(7)에 의해 웨이퍼(W)가 유지되고, 웨이퍼 받이대(6)는 웨이퍼(W)를 유지하지 않는 상태가 된다.The wafer guide 7 is provided with a set of guide body portions 17 arranged side by side in the thickness direction of the wafer W and a support member 18 arranged to be suspended between the two guide body portions 17 Respectively. When the wafer guide 7 is lifted by the lifting device 16, both ends of the lower portion of the wafer W are supported by the supporting member 18 18 so that the wafer W is held by the wafer guide 7 and the wafer receiving table 6 does not hold the wafer W. [

상기 상태에 있어서, 웨이퍼 받이대(6)를 요동시켜 경사진 상태로 하고, 나아가 웨이퍼 가이드(7)를 하강시켜 웨이퍼 받이대(6)에 웨이퍼(W)를 이동시킴으로써, 웨이퍼 받이대(6)에 의한 웨이퍼(W)의 유지 부분을 달라지게 할 수 있다. 참고로, 웨이퍼 받이대(6) 및 웨이퍼 가이드(7)의 구동 제어는, 도시되지 않은 구동 제어 수단에 의해, 요동 장치(15) 및 승강 장치(16)의 동작을 제어함으로써 자동적으로 행할 수 있다.The wafer table 6 is pivoted so as to be inclined and the wafer guide 7 is lowered to move the wafer W to the wafer receiving table 6, The holding portion of the wafer W can be changed. The drive control of the wafer receiving table 6 and the wafer guide 7 can be automatically performed by controlling the operation of the oscillating device 15 and the elevating device 16 by drive control means not shown .

따라서, 초음파가 조사되지 않는 영역이 없어지고, 또한, 웨이퍼(W)가 회전함으로써, 그 상하 위치의 교체가 행해진다. 따라서, 초음파 발생 장치(5)로부터의 거리 및 조(槽) 내의 세정액의 온도나 농도 분포의 차이에 의해 세정의 품질 차이가 생기는 문제를 해소할 수 있다.Therefore, the region where the ultrasonic waves are not irradiated disappears, and as the wafer W rotates, its upper and lower positions are replaced. Therefore, it is possible to solve the problem of the difference in cleaning quality due to the distance from the ultrasonic wave generator 5 and the difference in temperature or concentration distribution of the cleaning liquid in the bath.

또한, 본 실시형태에 있어서, 웨이퍼 받이대(6) 및 웨이퍼 가이드(7)의 구동 부분은, 모두 세정조(2)의 외부에 설치되게 되어, 구동 부분으로부터 미소 쓰레기 등이 발생할 우려가 없다.In the present embodiment, all of the driving portions of the wafer receiving table 6 and the wafer guide 7 are provided outside the washing tub 2, so that there is no possibility of generating micro waste from the driving portion.

다음으로, 본 실시형태에 따른 웨이퍼 회전 장치의 동작에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서는, 웨이퍼를 회전시키는 기구를 중심으로 하여 설명한다.Next, the operation of the wafer rotating apparatus according to the present embodiment will be described. In the following description, a mechanism for rotating the wafer will be mainly described.

도 3 및 도 4는, 본 실시형태에 따른 웨이퍼 회전 장치의 동작 순서의 각 공정을 나타낸 도면이다. 참고로, 도 3 및 도 4에 있어서는, 웨이퍼(W)의 동일 부위에 화살표를 붙여, 웨이퍼가 회전하는 모습을 알기 쉽게 표시하고 있다.Figs. 3 and 4 are diagrams showing respective steps of the operation sequence of the wafer rotating apparatus according to the present embodiment. Fig. 3 and 4, arrows are attached to the same portion of the wafer W to clearly show how the wafer rotates.

도 3(a)는, 웨이퍼 받이대(6)에 유지된 웨이퍼를 세정조(2) 내로 투입하는 공정을 나타내고 있다. 도 3(a)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼의 투입시에는, 웨이퍼 가이드(7)는 하단(下段)에 위치하고 있으며, 화살표(92)로 나타낸 바와 같이, 도시되지 않은 반송 로봇에 의해 홀더 받이대(6)를 세정조(2) 내로 하강시켜 투입한다. 웨이퍼 가이드(7)가 하단에 위치하고 있는 상태에서는, 웨이퍼 가이드(7)의 지지 부재(18)는, 웨이퍼(W)에 접촉하는 일 없이, 홀더 받이대(6)만으로 웨이퍼(W)를 유지한다. 이 상태에 있어서, 세정조(2) 내에서 웨이퍼(W)의 세정을 행하면, 홀더 받이대(6)의 받이 부재(12)가 위치하는 부분은, 초음파가 닿지 않아, 세정 편차가 생기게 되므로, 다음 순서에 의해 웨이퍼(W)의 유지 부분의 변경을 행한다.3 (a) shows a step of putting the wafer held on the wafer receiving table 6 into the cleaning tank 2. As shown in Fig. 3 (a), the wafer guide 7 is positioned at the lower end (lower stage) at the time of wafer insertion, and as shown by the arrow 92, 6) into the washing tub (2). The support member 18 of the wafer guide 7 holds the wafer W only by the holder receiving table 6 without contacting the wafer W in a state where the wafer guide 7 is positioned at the lower end . In this state, when the wafer W is cleaned in the cleaning tank 2, ultrasonic waves are not applied to the portion of the holder receiving table 6 where the receiving member 12 is located, The holding portion of the wafer W is changed in the following procedure.

도 3(b)에 나타낸 상태는, 웨이퍼 받이대(6)를 중립에 유지시킨 채로, 화살표(93)로 나타낸 바와 같이 웨이퍼 가이드(7)를 중단(中段)으로 상승시킨다. 이 상태에서는, 웨이퍼 가이드(7)의 지지 부재(18)는, 웨이퍼(W)의 좌우 양측에 매우 근접한 상태로 되어 있지만, 웨이퍼(W)의 여전히 웨이퍼 받이대(6)에 유지되어 있다.The state shown in Fig. 3 (b) causes the wafer guide 7 to rise to the middle position (middle position) as indicated by the arrow 93 while holding the wafer table 6 in the neutral position. In this state, the support members 18 of the wafer guides 7 are in a state very close to both the left and right sides of the wafer W, but the wafer W is still held on the wafer receiving table 6.

다음으로, 도 3(c)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 받이대(6)를 화살표(94)로 나타낸 바와 같이 경사지게 한다. 본 실시형태에서, 경사 각도는, 대략 15° 정도로 하고 있다. 이 상태에서는, 상기한 바대로 웨이퍼(W)는 웨이퍼 받이대(6)에 유지되어 있기 때문에, 웨이퍼 받이대(6)의 경사에 따라 웨이퍼(W)가 경사지게 된다. 또한, 웨이퍼 가이드(7)의 지지 부재(18)가, 웨이퍼(W)의 좌우 양단측에 근접해 있기 때문에, 웨이퍼 받이대(6)의 경사 동작에 수반하는, 웨이퍼(W)의 낙하를 방지한다.Next, as shown in Fig. 3 (c), the wafer receiving table 6 is inclined as indicated by the arrow 94. [ In the present embodiment, the inclination angle is set to about 15 degrees. In this state, since the wafer W is held on the wafer receiving table 6 as described above, the wafer W is inclined according to the inclination of the wafer receiving table 6. Since the support members 18 of the wafer guides 7 are close to the left and right ends of the wafer W, the wafer W is prevented from falling due to the inclination of the wafer table 6 .

다음으로, 도 3(d)에 있어서 웨이퍼 가이드(7)를 화살표(95)로 나타낸 바와 같이 상단(上段)까지 상승시켜, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 받이대(6)보다 띄운 상태로 한다. 이 상태에서는, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 가이드(7)에 의해서만 유지되어 있어, 가이드 받이대(6)가 자유롭게 회전하는 것도 가능하다.3 (d), the wafer guide 7 is raised to the upper (upper) position as indicated by the arrow 95, and the wafer W is floated more than the wafer receiving table 6. In this state, the wafer W is held only by the wafer guide 7, and the guide base 6 can freely rotate.

도 4(e)에 화살표(96)로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 받이대(6)를 역방향으로 대략 15° 정도 경사지게 한다. 이 상태에서는, 상기한 바대로 웨이퍼(W)는 웨이퍼 가이드(7)에 유지되어 있기 때문에, 웨이퍼 받이대(6)의 경사가 웨이퍼(W)의 경사에 영향을 주는 일이 없다. 결과적으로, 웨이퍼(W)와 웨이퍼 받이대(6)의 접점을 30° 어긋나게 할 수 있다.As shown by the arrow 96 in FIG. 4 (e), the wafer receiving table 6 is inclined in the opposite direction by approximately 15 degrees. In this state, since the wafer W is held by the wafer guide 7 as described above, the inclination of the wafer receiving table 6 does not affect the inclination of the wafer W. [ As a result, the contact point between the wafer W and the wafer receiving table 6 can be shifted by 30 degrees.

다음으로, 도 4(f)의 화살표(97)로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 가이드(7)를 중단(中段)으로 하강시켜, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 받이대(6)에 올려놓는다. 도 4(g)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 받이대(6)를 화살표(98)로 나타낸 바와 같이 대략 15° 정도 경사지게 한다. 이 상태에서는, 상기한 바대로 웨이퍼(W)는 웨이퍼 받이대(6)에 유지되어 있기 때문에, 웨이퍼 받이대(6)의 경사에 따라 웨이퍼(W)가 경사져, 30° 회전한 것이 된다. 또한, 웨이퍼 가이드(7)의 지지 부재(18)가, 웨이퍼(W)의 좌우 양단측에 근접해 있기 때문에, 웨이퍼 받이대(6)의 경사 동작에 의해, 웨이퍼(W)의 낙하가 방지된다.4 (f), the wafer guide 7 is lowered to the middle stage, and the wafer W is placed on the wafer receiving table 6. Then, as shown in Fig. As shown in Fig. 4 (g), the wafer receiving table 6 is inclined by about 15 DEG as indicated by an arrow 98. Fig. In this state, as described above, the wafer W is held on the wafer receiving table 6, so that the wafer W is inclined according to the inclination of the wafer receiving table 6 and is rotated by 30 degrees. Since the support members 18 of the wafer guides 7 are close to both the left and right ends of the wafer W, the wafer W is prevented from falling by the inclination of the wafer receiving table 6. [

다음으로, 도 4(h)에 있어서 웨이퍼 가이드(7)를 화살표(99)에 나타낸 바와 같이 상단(上段)까지 상승시켜, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 받이대(6)보다 띄운 상태로 한다. 이 상태에서는, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 가이드(7)에 의해서만 유지되어 있어, 가이드 받이대(6)가 자유롭게 회전하는 것도 가능하다.4 (h), the wafer guide 7 is raised to the upper stage as shown by the arrow 99, and the wafer W is floated more than the wafer table 6. In this state, the wafer W is held only by the wafer guide 7, and the guide base 6 can freely rotate.

이하에서는, 도 4(e) 내지 도 4(h)의 동작을 반복함으로써, 웨이퍼(W)를 30°씩 회전시킬 수 있다.Hereinafter, by repeating the operations of Figs. 4 (e) to 4 (h), the wafer W can be rotated by 30 degrees.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 따른 웨이퍼 세정 장치에 의하면, 초음파가 조사되지 않는 영역이 없어지고, 또한, 웨이퍼(W)가 회전함으로써, 그 상하 위치의 교체가 행해진다. 따라서, 초음파 발생 장치(5)로부터의 거리 및 조(槽) 내의 세정액의 온도나 농도 분포의 차이에 의해 세정 품질에 차이가 생기는 문제를 해소할 수 있다.As described above, according to the wafer cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention, the region where the ultrasonic wave is not irradiated is eliminated, and the wafer W is rotated, and the upper and lower positions thereof are replaced. Therefore, it is possible to solve the problem that the difference in cleaning quality is caused by the distance from the ultrasonic wave generator 5 and the difference in the temperature and concentration distribution of the cleaning liquid in the bath.

또한, 웨이퍼 받이대(6) 및 웨이퍼 가이드(7)의 구동 기구는, 모두 세정조(2) 내에 존재하지 않기 때문에, 이러한 구동 부재의 동작에 의해 미소 쓰레기가 생기는 일이 없어, 세정액을 오염시킬 일이 없다.Since all of the drive mechanisms of the wafer receiving table 6 and the wafer guide 7 are not present in the cleaning tank 2, micro-waste is not generated by the operation of such a driving member, There is no work.

참고로, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 기타 다양한 양태로 실시할 수 있다. 예컨대, 본 실시형태는, 웨이퍼 세정 장치에 대해 설명하였으나, 에칭 처리 장치에도 이용할 수 있다.Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but may be implemented in various other modes. For example, although the present embodiment has been described with respect to a wafer cleaning apparatus, it can also be applied to an etching processing apparatus.

또한, 웨이퍼(W)의 회전 양태에 대해서는, 도 3 및 도 4의 공정에 한정되는 것이 아니라, 웨이퍼 가이드(7)와 웨이퍼 받이대(6) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하면서, 웨이퍼 가이드(7)에 유지시키고 있는 타이밍에 웨이퍼 받이대(6)의 경사 각도를 달라지게 함으로써, 웨이퍼(W)와 웨이퍼 받이대(6)의 접촉 위치를 달라지게 하며, 결과적으로 웨이퍼(W)가 회전하는 등의 동작 순서를 넓게 포함한다.The rotation of the wafer W is not limited to the processes shown in Figs. 3 and 4, but may be performed in the same manner as the rotation of the wafers W while transferring the wafers W between the wafer guides 7 and the wafer- 7 so that the contact position between the wafer W and the wafer receiving table 6 is changed by changing the inclination angle of the wafer receiving table 6 with respect to the timing at which the wafer W is rotated And the like.

참고로, 상기의 다양한 실시형태 중의 임의의 실시형태를 적절히 조합함으로써, 각각이 가지는 효과를 나타내도록 할 수 있다.For reference, by combining any of the above-described various embodiments appropriately, it is possible to show the respective effects.

본 발명은, 첨부 도면을 참조하면서 바람직한 실시형태에 관련하여 충분히 기재되어 있으나, 본 기술의 숙련자들에게 있어서는 다양한 변형이나 수정이 가능함은 명백하다. 그러한 변형이나 수정은, 첨부되는 특허청구범위에 의한 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않는 한, 그 속에 포함된다고 이해되어야 할 것이다.While the present invention has been fully described in connection with the preferred embodiments thereof with reference to the accompanying drawings, it will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made therein. It is to be understood that such variations and modifications are included therein without departing from the scope of the invention as set forth in the appended claims.

1 : 웨이퍼 회전 장치
2 : 세정조
3 : 외조
4 : 전파용 수조
5 : 초음파 발신부
6 : 웨이퍼 받이대
7 : 웨이퍼 가이드
11 : 받이대 본체부
12 : 받이 부재
13 : 연결 레그
14 : 요동 레그
15 : 요동 장치
16 : 승강 장치
17 : 가이드 본체부
18 : 지지 부재
100 : 웨이퍼 세정 장치
C : 회전 중심
W : 웨이퍼1: Wafer rotation device
2: washing machine
3: Outer
4: Water tank
5: Ultrasonic transmitter
6: Wafer stand
7: Wafer guide
11:
12: receiving member
13: Connection Leg
14: swinging leg
15: Swinging device
16: lifting device
17: Guide body part
18: Support member
100: Wafer cleaner
C: center of rotation
W: Wafer

Claims (6)

처리액을 수용하고, 상기 처리액 내에 웨이퍼를 침지시킬 수 있는 처리액조(處理液槽)와,
상기 처리액조 내에서 상기 웨이퍼의 주연(周緣) 하부 중간 부분을 유지(保持)시키며, 웨이퍼의 면(面)을 따른 방향으로 요동 가능하도록 구성되어 있는 웨이퍼 받이대(臺)와,
상기 처리액조 내의 상기 웨이퍼 받이대를 사이에 끼우도록 배치되고, 상기 웨이퍼 받이대에 대해 상대적으로 상하방향으로 이동함으로써 상기 웨이퍼의 주연 하부의 상기 웨이퍼 받이대에 의한 유지 부분보다 끝단측(端側)의 부분을 유지 가능하도록 구성되어 있는 1세트(組)의 웨이퍼 가이드를 구비하며,
상기 웨이퍼 가이드는, 상기 웨이퍼 받이대가 제 1 방향으로 요동할 때 상기 웨이퍼의 주연에 근접하도록 위치하는 동시에, 상기 웨이퍼가 유지되어 있는 상태에서 상기 웨이퍼 받이대를 제 2 방향으로 요동시킨 후, 상기 웨이퍼 받이대에 대해 상대적으로 상하방향으로 이동하여 상기 웨이퍼 받이대에 상기 웨이퍼를 되돌림으로써, 상기 웨이퍼 받이대에 있어서의 웨이퍼의 지지 부분을 달라지게 하여 상기 웨이퍼를 회전시키는, 웨이퍼 회전 장치.A treatment liquid tank for containing the treatment liquid and capable of immersing the wafer in the treatment liquid,
A wafer table stage configured to hold (hold) an intermediate lower portion of a periphery of the wafer in the treatment liquid tank and to swing in a direction along a surface of the wafer;
And the wafer support table in the treatment liquid tank is sandwiched between the wafer support table and the wafer support table, and moves in the vertical direction relative to the wafer support table, (Pair) of wafer guides configured to be able to hold a portion of the wafer guide,
The wafer guide is positioned so as to be close to the periphery of the wafer when the wafer receiving table swings in the first direction, and after swinging the wafer receiving table in the second direction while the wafer is held, And moves the wafer relatively vertically with respect to the receiving table to return the wafer to the wafer receiving table, thereby rotating the wafer by changing the supporting portion of the wafer on the wafer receiving table. 제 1항에 있어서,
상기 웨이퍼 가이드는, 상하 이동 가능하게 구성되어 있으며, 상기 웨이퍼 가이드가 하강함으로써, 상기 웨이퍼 받이대로 웨이퍼가 되돌아가는, 웨이퍼 회전 장치.The method according to claim 1,
Wherein the wafer guide is configured to be movable up and down, and the wafer guide is moved downward by the wafer guide so that the wafer is returned to the wafer support. 제 1항에 있어서,
상기 웨이퍼 받이대는, 지지하는 상기 웨이퍼의 중심축을 회전 중심으로 하여 요동하도록 구성되어 있는, 웨이퍼 회전 장치.The method according to claim 1,
Wherein the wafer receiving table is configured to swing about a center axis of the wafer to be supported as a rotational center. 제 1항에 있어서,
상기 웨이퍼 가이드는, 각각, 상기 웨이퍼의 두께방향으로 배치된 2개의 가이드 본체와, 상기 2개의 가이드 본체 사이에 현가(懸架)되도록 배치된 지지 부재를 구비하는, 웨이퍼 회전 장치.The method according to claim 1,
Wherein the wafer guide includes two guide bodies arranged in the thickness direction of the wafer and a support member suspended between the two guide bodies. 처리액을 수용하고, 상기 처리액 내에 웨이퍼를 침지시킬 수 있는 처리액조 내에서 상기 웨이퍼의 주연(周緣) 하부 중간 부분을 유지시키며, 웨이퍼의 면(面)을 따른 방향으로 요동 가능하도록 구성되어 있는 웨이퍼 받이대(臺)와, 상기 웨이퍼 받이대에 대해 상대적으로 상하방향으로 이동함으로써 상기 웨이퍼의 주연 하부의 상기 웨이퍼 받이대에 의한 유지 부분보다 끝단측(端側)의 부분을 유지 가능하도록 구성되어 있는 1세트(組)의 웨이퍼 가이드를 구비하는 웨이퍼 회전 장치를 이용하여,
상기 웨이퍼를, 상기 웨이퍼 가이드에 유지시킨 상태로 상기 웨이퍼 받이대를 요동시킨 후 상기 웨이퍼 받이대와 웨이퍼 가이드를 상대적으로 상하방향으로 이동시켜서 상기 웨이퍼 받이대로 되돌림으로써, 상기 웨이퍼 받이대에 있어서의 웨이퍼의 지지 부분을 달라지게 하여 상기 웨이퍼를 회전시키는, 웨이퍼 회전 방법.And is configured to be capable of swinging in a direction along the surface of the wafer while holding the middle portion of the lower periphery of the wafer in the treatment liquid tank capable of immersing the wafer in the treatment liquid A wafer receiving table configured to hold a portion of the peripheral lower portion of the wafer at an end side (end side) with respect to the holding portion by the wafer receiving table by moving in a vertical direction relative to the wafer receiving table By using a wafer rotating device having one set of wafer guides,
The wafer support table and the wafer guide are relatively moved in the vertical direction to return to the wafer support while the wafer is held on the wafer guide, And the wafer is rotated by changing the supporting portion of the wafer. 제 5항에 있어서,
상기 웨이퍼 받이대와 웨이퍼 가이드 간의 웨이퍼의 전달은, 상기 웨이퍼 가이드가 상승함으로써, 상기 웨이퍼 받이대로부터 웨이퍼 가이드에 상기 웨이퍼가 유지되고, 상기 웨이퍼 가이드가 하강함으로써 상기 웨이퍼 받이대로 웨이퍼가 되돌아가는, 웨이퍼 회전 방법.6. The method of claim 5,
Wherein the transfer of the wafer between the wafer receiving table and the wafer guide is carried out such that the wafer guide is held by the wafer guide from the wafer holder by raising the wafer guide and the wafer is returned by the wafer holder as the wafer guide is lowered, Rotation method.
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