KR20150079210A - Liquid crystal display device and method of fabrication the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a liquid crystal display and a manufacturing method thereof wherein a column spacer is formed on an array substrate rather than a color filter substrate, and red, green and blue sub-color filters are formed to be overlapped on four surfaces in a cushion structure such that the column spacer is positioned and restrained within an overlapped step so as to prevent a red eye defect caused by the column spacer being pushed. The liquid crystal display comprises: a first substrate and a second substrate having a plurality of pixels, each comprising red, green and blue sub-pixels, and arranged in a matrix form and adhered facing each other; a black matrix formed on the first substrate; a color filter formed on the first substrate having the black matrix and comprising red, green and blue sub-color filters; a gate line and a data line vertically and horizontally arranged on the second substrate to define a pixel region; and a column spacer formed on an upper part of the second substrate where the gate line and the data line are formed wherein the color filter is patterned such that each of the red, green and blue sub-color filters are bent once in the direction of a previous sub-pixel. In addition, the liquid crystal display device and the manufacturing method thereof form a column spacer on an array substrate and form a latch structure on a color filter substrate by using a black matrix or an overcoat layer and thereby, become capable of preventing a red eye defect.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATION THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박막형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다. 특히, 이러한 평판표시장치 중 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 액정의 광학적 이방성을 이용하여 이미지를 표현하는 장치로서, 해상도와 컬러표시 및 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터 등에 활발하게 적용되고 있다.Recently, interest in information display has increased, and a demand for using portable information media has increased, and a light-weight flat panel display (FPD) that replaces a cathode ray tube (CRT) And research and commercialization are being carried out. Particularly, among such flat panel display devices, a liquid crystal display (LCD) is an apparatus for displaying an image using the optical anisotropy of a liquid crystal, and is excellent in resolution, color display and picture quality and is actively applied to a notebook or a desktop monitor have.

상기 액정표시장치는 크게 컬러필터(color filter) 기판과 어레이(array) 기판 및 상기 컬러필터 기판과 어레이 기판 사이에 형성된 액정층(liquid crystal layer)으로 구성된다.The liquid crystal display comprises a color filter substrate, an array substrate, and a liquid crystal layer formed between the color filter substrate and the array substrate.

이하, 도면을 참조하여 일반적인 액정표시장치에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, a general liquid crystal display device will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 일반적인 액정표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 분해사시도이다.1 is an exploded perspective view schematically showing a structure of a general liquid crystal display device.

도면에 도시된 바와 같이, 일반적인 액정표시장치는 크게 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10) 및 컬럼 스페이서(미도시)에 의해 셀갭을 유지한 상태에서 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10) 사이에 형성된 액정층(liquid crystal layer)(40)으로 구성된다.As shown in the drawing, a general liquid crystal display device mainly includes a color filter substrate 5, an array substrate 10, and a column spacer (not shown) And a liquid crystal layer (40) formed between the liquid crystal layer (10).

상기 컬러필터 기판(5)은 적(Red; R), 녹(Green; G) 및 청(Blue; B)의 색상을 구현하는 다수의 서브-컬러필터(7)로 구성된 컬러필터(C)와 상기 서브-컬러필터(7) 사이를 구분하고 액정층(40)을 투과하는 광을 차단하는 블랙매트릭스(Black Matrix; BM)(6), 그리고 상기 액정층(40)에 전압을 인가하는 투명한 공통전극(8)으로 이루어져 있다.The color filter substrate 5 includes a color filter C composed of a plurality of sub-color filters 7 implementing colors of red (R), green (G) and blue (B) A black matrix 6 for separating the sub-color filters 7 from each other and blocking light transmitted through the liquid crystal layer 40 and a transparent common layer And an electrode (8).

또한, 상기 어레이 기판(10)은 종횡으로 배열되어 다수의 화소영역(P)을 정의하는 다수의 게이트라인(16)과 데이터라인(17), 상기 게이트라인(16)과 데이터라인(17)의 교차영역에 형성된 스위칭소자인 박막 트랜지스터(T) 및 상기 화소영역(P) 위에 형성된 화소전극(18)으로 이루어져 있다.The array substrate 10 includes a plurality of gate lines 16 and data lines 17 arranged vertically and horizontally to define a plurality of pixel regions P and a plurality of gate lines 16 and data lines 17, A thin film transistor T which is a switching element formed in the intersection region and a pixel electrode 18 formed on the pixel region P. [

이와 같이 구성된 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10)은 화상표시 영역의 외곽에 형성된 실런트(sealant)(미도시)에 의해 대향하도록 합착되어 액정패널을 구성하며, 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10)의 합착은 상기 컬러필터 기판(5) 또는 어레이 기판(10)에 형성된 합착키(미도시)를 통해 이루어진다.The color filter substrate 5 and the array substrate 10 constituted as described above are adhered to each other by a sealant (not shown) formed on the periphery of the image display area to constitute a liquid crystal panel, and the color filter substrate 5 (Not shown) formed on the color filter substrate 5 or the array substrate 10 are bonded to each other.

한편, 고해상도 모델이나 액정패널의 가로와 세로의 사이즈 비가 16:9 이상인 와이드 모델의 경우 세로에 비해 가로 사이즈 비가 증가함에 따라 외부에서 가해지는 힘에 의해 컬럼 스페이서가 쉽게 밀리는 특징이 있다. 즉, 와이드 모델은 세로에 비해 가로 사이즈 비가 증가하여 좌우 텐션(tension)이 약화되게 되며, 따라서 상하 외력이 증가하게 되어 컬럼 스페이서의 상하 밀림이 증가하게 된다.On the other hand, in the case of a wide model in which the horizontal-vertical size ratio of the high-resolution model or the liquid crystal panel is 16: 9 or more, the column spacer is easily pushed by the force applied from outside as the horizontal size ratio increases. That is, in the wide model, the horizontal size ratio is increased as compared with the vertical dimension, so that the left and right tension is weakened. Therefore, the vertical and horizontal external force is increased, and the vertical movement of the column spacer is increased.

이렇게 컬럼 스페이서가 상하 방향으로 밀리게 되면 어레이 기판 표면에 형성된 배향막도 함께 밀리게 되어 빛샘이 발생하게 되는데, 이를 다음의 도면을 참조하여 상세히 설명한다.When the column spacer is pushed up and down in this way, the alignment film formed on the surface of the array substrate is also pushed together to generate light leakage, which will be described in detail with reference to the following drawings.

도 2a 내지 도 2c는 외력인가에 의해 빛샘이 발생하는 이유를 설명하기 위한 단면도이며, 도 3은 레드 아이가 발생된 액정패널의 일부를 예를 들어 보여주는 사진이다.FIGS. 2A to 2C are cross-sectional views for explaining the reason why light leakage occurs due to external force application, and FIG. 3 is a photograph showing, for example, a part of a liquid crystal panel in which a red eye is generated.

그리고, 도 4는 기존의 액정표시장치의 화소 구조를 개략적으로 나타내는 평면도이다.4 is a plan view schematically showing a pixel structure of a conventional liquid crystal display device.

상기 도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 일반적으로 컬럼 스페이서(30)는 액정패널의 셀갭을 일정하게 유지하는 역할을 하며, 원형 등의 형태로 게이트라인 영역의 블랙매트릭스(6) 위에 형성되어 있다.2A to 2C, the column spacer 30 generally maintains a cell gap of the liquid crystal panel, and is formed on the black matrix 6 of the gate line region in a circular shape or the like.

이러한 컬럼 스페이서(30)는 액정 마진, 눌림 마진 및 공정 오차를 고려하여 최소한의 사이즈로 형성하게 되며, 블랙매트릭스(6)의 사이즈는 액정 구동 시 발생되는 디스클리네이션(disclination)이나 러빙 공정 시 발생하는 컬럼 스페이서(30)의 디스클리네이션에 의한 빛샘을 막을 수 있는 수준으로 형성하게 된다.The size of the column spacer 30 is minimized in consideration of the liquid crystal margin, the pressing margin, and the process error. The size of the black matrix 6 is caused by disclination occurring during liquid crystal driving or during the rubbing process The column spacers 30 are formed to have a thickness sufficient to prevent light leakage due to the discontinuity of the column spacer 30.

일반적으로 컬러필터 기판(5)에 형성된 컬럼 스페이서(30)는 어레이 기판(10)과 접촉해 있으며, 외력을 받았을 때 다방면으로 어레이 기판(10) 면을 미끄러져 이동하다가 원래의 자리로 되돌아오게 된다.In general, the column spacer 30 formed on the color filter substrate 5 is in contact with the array substrate 10. When receiving an external force, the column spacer 30 slides on the surface of the array substrate 10 in various directions and returns to its original position .

이때, 이동하는 컬럼 스페이서(30)는 어레이 기판(10) 표면의 폴리이미드(polyimide; PI)로 이루어진 배향막(15)에 손상(damage)을 주게 되는데, 이러한 배향막(15)의 손상에 의해 액정(40) 배열이 틀어져 빛이 새어 나오게 된다(상기 도 2c 및 도 3 참조).At this time, the moving column spacer 30 damages the alignment film 15 made of polyimide (PI) on the surface of the array substrate 10. This alignment film 15 damages the liquid crystal 40) are twisted and light leaks out (see FIG. 2C and FIG. 3).

즉, 외력이 인가되면 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10) 사이에 위치 편차(d)가 발생하게 되며, 이러한 외력에 의한 액정패널의 변형으로 컬러필터 기판(5)에 형성된 컬럼 스페이서(30)가 이동하면서 배향막(15)에 긁힘과 같은 손상이 발생하게 된다. 이러한 배향막(15)의 긁힘은 컬러필터 기판(5)이 원래 위치로 복귀하더라도 회복되지 않아 액정(40)의 배향이 원래의 배열로부터 틀어지게 되며, 그 결과 원하지 않는 빛이 새는 빛샘이 발생하게 된다.That is, when an external force is applied, a positional deviation d is generated between the color filter substrate 5 and the array substrate 10. By the deformation of the liquid crystal panel due to the external force, a column spacer 30 are moved, the alignment film 15 is damaged such as scratches. The scratching of the alignment film 15 is not recovered even if the color filter substrate 5 returns to the original position, and the orientation of the liquid crystal 40 is changed from the original arrangement, and as a result, .

이렇게 새어 나오는 빛은 액정패널의 블랙 화상에서 컬럼 스페이서(30)의 형성 위치에 따라 붉은 색을 띠거나(reddish), 녹색을 띠거나(greenish), 또는 푸른색을 띠게(bluish) 되는데, 통상 이를 레드 아이(red eye) 불량이라 부른다.The leaked light is reddish, greenish, or bluish depending on the position of the column spacer 30 in the black image of the liquid crystal panel. It is called red eye bad.

상기 도 4를 참조하면, 이러한 컬럼 스페이서(30)의 이동에 의한 빛샘을 방지하고자 컬럼 스페이서(30)의 이동거리를 감안하여 상기 컬럼 스페이서(30)의 형성 위치를 기준으로 게이트라인 상부의 블랙매트릭스(6)의 폭을 확대 설계하게 되는데, 이는 고해상도 및 고개구율을 요구하는 고객의 요구(needs)에 가장 큰 걸림돌로 작용하며, 특히 개구율 확보에 한계를 가져오고 있다.Referring to FIG. 4, in order to prevent the light leakage due to the movement of the column spacer 30, the position of the column spacer 30 is taken into consideration in consideration of the movement distance of the column spacer 30, (6) is designed to be enlarged in width, which is the biggest obstacle to the needs of the customers who require high resolution and high aperture ratio, and has a limit in securing the aperture ratio in particular.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 외력에 의한 컬럼 스페이서가 상하로 밀리는 현상을 최소화하여 레드 아이 불량을 방지하도록 한 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the liquid crystal display device which can prevent a red eye defect by minimizing a phenomenon in which a column spacer due to an external force is pushed up and down.

본 발명의 다른 목적은 게이트라인 상부의 블랙매트릭스의 폭을 감소시켜 액정패널의 개구율과 투과율을 향상시키도록 한 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same that reduce the width of a black matrix on a gate line to improve the aperture ratio and transmittance of the liquid crystal panel.

기타, 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in the following description of the invention and the claims.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치는 적색, 녹색 및 청색의 서브-화소로 구성된 다수개의 화소가 매트릭스 형태로 배치되며, 액정층을 사이에 두고 서로 대향하여 합착되는 제 1 기판과 제 2 기판; 상기 제 1 기판에 형성된 블랙매트릭스; 상기 블랙매트릭스가 형성된 제 1 기판 위에 형성되며, 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터로 이루어진 컬러필터; 상기 제 2 기판 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인과 데이터라인; 및 상기 게이트라인과 데이터라인이 형성된 제 2 기판 상부에 형성된 컬럼 스페이서를 포함하며, 상기 컬러필터는 상기 게이트라인이 지나가는 가로방향의 블랙매트릭스 영역에서 상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터 각각을 이전 서브-화소 방향으로 한번 꺾이도록 패터닝되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of pixels arranged in a matrix form including red, green, and blue sub-pixels, facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween A first substrate and a second substrate which are bonded together; A black matrix formed on the first substrate; A color filter formed on the first substrate on which the black matrix is formed, the color filter comprising red, green and blue sub-color filters; A gate line and a data line arranged vertically and horizontally on the second substrate to define a pixel region; And a column spacer formed on a second substrate on which the gate line and the data line are formed, wherein the color filter includes a plurality of red, green, and blue sub-color filters, respectively, in a black matrix area in the horizontal direction through which the gate line passes, And is patterned so as to be bent once in the direction of the previous sub-pixel.

이때, 상기 컬러필터는 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역에서 4면이 겹쳐지도록 상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터를 적층, 형성하여 겹쳐진 단차 내에 상기의 컬럼 스페이서가 위치할 수 있다.At this time, the color filter may be formed by stacking the red, green, and blue sub-color filters so that four sides of the color filter overlaps the black matrix area in the horizontal direction, and the column spacer may be located in the overlapped step.

상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터 각각은 세로방향의 서브-화소, 즉 각각 상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터의 화소영역에 대해서 동일하게 배치되도록 형성하되, 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역에서는 이전 서브-화소, 즉 각각 상기 청색, 적색 및 녹색의 서브-화소 방향으로 한번 꺾이도록 패터닝 될 수 있다.Wherein each of the red, green and blue sub-color filters is formed so as to be equally arranged in the sub-pixels in the vertical direction, that is, the pixel areas of the red, green and blue sub-color filters, In the matrix region, they can be patterned to be folded once in the direction of the previous sub-pixel, i.e., the blue, red and green sub-pixels respectively.

본 발명의 일 실시예에 따른 다른 액정표시장치는 적색, 녹색 및 청색의 서브-화소로 구성된 다수개의 화소가 매트릭스 형태로 배치되며, 액정층을 사이에 두고 서로 대향하여 합착되는 제 1 기판과 제 2 기판; 상기 제 1 기판에 형성된 블랙매트릭스와 오버코트층; 및 상기 제 2 기판 상부에 형성된 컬럼 스페이서를 포함하며, 상기 블랙매트릭스나 오버코트층은 상기 컬럼 스페이서가 위치하는 영역에 걸쇠 구조를 가지도록 패터닝 되어 상기 컬럼 스페이서의 이동을 구속하는 것을 특징으로 한다.Another liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a first substrate on which a plurality of pixels composed of red, green, and blue sub-pixels are arranged in a matrix, 2 substrate; A black matrix and an overcoat layer formed on the first substrate; And a column spacer formed on the second substrate. The black matrix or the overcoat layer is patterned so as to have a latch structure in a region where the column spacer is located, thereby restricting the movement of the column spacer.

이때, 상기 블랙매트릭스는 상기 컬럼 스페이서가 위치하는 영역에 걸쇠 구조를 가지도록 형성된 제 1 블랙매트릭스와 그 이외의 영역에 균일한 두께로 형성된 제 2 블랙매트릭스를 포함할 수 있다.Here, the black matrix may include a first black matrix formed to have a latch structure in a region where the column spacer is located, and a second black matrix formed to have a uniform thickness in other regions.

이때, 상기 제 1 블랙매트릭스는 상기 컬럼 스페이서가 위치하는 영역 주위로 돌출된 이동방지 턱을 가지도록 형성됨에 따라 걸쇠 구조를 가질 수 있다.At this time, the first black matrix may have a latch structure so as to have a movement preventing jaw protruding around the region where the column spacer is located.

상기 오버코트층은 상기 컬럼 스페이서가 위치하는 영역 주위로 이동방지 홀을 가지도록 형성됨에 따라 걸쇠 구조를 가질 수 있다.The overcoat layer may have a latch structure as it is formed to have a movement preventing hole around an area where the column spacer is located.

그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법은 적색, 녹색 및 청색의 서브-화소로 구성된 다수개의 화소가 매트릭스 형태로 배치되는 제 1 기판과 제 2 기판을 제공하는 단계; 상기 제 1 기판에 블랙매트릭스를 형성하는 단계; 상기 블랙매트릭스가 형성된 제 1 기판 위에 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터로 이루어진 컬러필터를 형성하는 단계; 상기 제 2 기판 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인과 데이터라인을 형성하는 단계; 상기 게이트라인과 데이터라인이 형성된 제 2 기판 상부에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계; 및 상기 컬럼 스페이서를 통해 셀갭을 유지한 상태에서 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며, 상기 컬러필터는 상기 게이트라인이 지나가는 가로방향의 블랙매트릭스 영역에서 상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터 각각을 이전 서브-화소 방향으로 한번 꺾이도록 패터닝하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, including: providing a first substrate and a second substrate on which a plurality of pixels each including red, green, and blue sub-pixels are arranged in a matrix; Forming a black matrix on the first substrate; Forming a color filter composed of sub-color filters of red, green, and blue on the first substrate on which the black matrix is formed; Forming a gate line and a data line arranged vertically and horizontally on the second substrate to define a pixel region; Forming a column spacer on a second substrate on which the gate line and the data line are formed; And attaching the first substrate and the second substrate with the cell gap maintained through the column spacers, wherein the color filter is arranged in a black matrix area in the transverse direction through which the gate line passes, the red, green, and blue The sub-color filters are patterned so as to be folded once in the direction of the previous sub-pixel.

이때, 상기 컬러필터를 형성하는 단계는 상기 블랙매트릭스가 형성된 제 1 기판 위에 적색의 서브-컬러필터를 형성하는 단계; 상기 적색의 서브-컬러필터가 형성된 제 1 기판 위에 녹색의 서브-컬러필터를 형성하는 단계; 및 상기 적색의 서브-컬러필터와 녹색의 서브-컬러필터가 형성된 제 1 기판 위에 청색의 서브-컬러필터를 형성하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.The forming of the color filter may include forming a red sub-color filter on the first substrate on which the black matrix is formed, Forming a green sub-color filter on the first substrate on which the red sub-color filter is formed; And forming a blue sub-color filter on the first substrate on which the red sub-color filter and the green sub-color filter are formed.

이때, 상기 적색의 서브-컬러필터는 세로방향의 서브-화소, 즉 적색의 서브-화소의 화소영역에 대해서 동일하게 배치되도록 형성하되, 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역에서는 이전 서브-화소, 즉 청색의 서브-화소 방향으로 한번 꺾어서 패터닝할 수 있다.In this case, the red sub-color filter is formed so as to be equally arranged with respect to a pixel region of a sub-pixel in a vertical direction, that is, a red sub-pixel. In the black matrix region in the horizontal direction, In the sub-pixel direction of FIG.

이때, 상기 적색의 서브-컬러필터는 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역 내에서 3면이 이웃하는 서브-컬러필터, 즉 녹색의 서브-컬러필터와 겹쳐져 소정의 단차를 형성하도록 마진을 가질 수 있다.At this time, the red sub-color filter may have a margin to overlap a sub-color filter, that is, a green sub-color filter in three sides in the black matrix area in the lateral direction to form a predetermined step.

이때, 상기 녹색의 서브-컬러필터는 세로방향의 서브-화소, 즉 녹색의 서브-화소의 화소영역에 대해서 동일하게 배치되도록 형성하되, 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역에서는 이전 서브-화소, 즉 적색의 서브-화소 방향으로 한번 꺾어서 패터닝할 수 있다.In this case, the green sub-color filter is formed so as to be equally arranged in a vertical sub-pixel, that is, a pixel area of a green sub-pixel. In the black matrix area in the horizontal direction, In the sub-pixel direction of FIG.

이때, 상기 녹색의 서브-컬러필터는 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역 내에서 3면이 이웃하는 서브-컬러필터, 즉 청색의 서브-컬러필터와 겹쳐져 단차를 형성하도록 마진을 가질 수 있다.At this time, the green sub-color filter may have a margin to overlap with the sub-color filter, i.e., the blue sub-color filter, which is three sides in the black matrix area in the horizontal direction to form a step.

이때, 상기 적색의 서브-컬러필터는 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역 내에서 그 3면이 상기 꺾이도록 패터닝된 녹색의 서브-컬러필터와 겹쳐져 단차를 형성할 수 있다.At this time, the red sub-color filter overlaps with the green sub-color filter patterned so that the three sides thereof in the black matrix area in the horizontal direction are folded to form a step.

이때, 상기 청색의 서브-컬러필터는 세로방향의 서브-화소, 즉 청색의 서브-화소의 화소영역에 대해서 동일하게 배치되도록 형성하되, 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역에서는 이전 서브-화소, 즉 녹색의 서브-화소 방향으로 한번 꺾어서 패터닝할 수 있다.In this case, the blue sub-color filter is formed so as to be equally arranged with respect to the sub-pixels of the vertical direction, that is, the sub-pixels of the blue sub-pixel. In the black matrix area of the horizontal direction, In the sub-pixel direction of FIG.

이때, 상기 청색의 서브-컬러필터는 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역 내에서 3면이 이웃하는 서브-컬러필터, 즉 적색의 서브-컬러필터와 겹쳐져 단차를 형성하도록 마진을 가질 수 있다.At this time, the blue sub-color filter may have a margin to overlap with the sub-color filter, i.e., the red sub-color filter, in three sides in the black matrix area in the horizontal direction to form a step.

이때, 상기 녹색의 서브-컬러필터는 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역 내에서 그 3면이 상기 꺾이도록 패터닝된 청색의 서브-컬러필터와 겹쳐져 단차를 형성할 수 있다.At this time, the green sub-color filter overlaps with the blue sub-color filter patterned so that the three sides thereof in the black matrix area in the horizontal direction are folded to form a step.

이때, 상기 적색의 서브-컬러필터는 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역 내에서 나머지 1면이 상기 꺾이도록 패터닝된 청색의 서브-컬러필터와 겹쳐져 단차를 형성할 수 있다.At this time, the red sub-color filter overlaps the blue sub-color filter patterned so that the remaining one surface in the black matrix area in the horizontal direction is folded to form a step.

본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 다른 제조방법은 적색, 녹색 및 청색의 서브-화소로 구성된 다수개의 화소가 매트릭스 형태로 배치되는 제 1 기판과 제 2 기판을 제공하는 단계; 상기 제 1 기판 위에 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터로 이루어진 컬러필터를 형성하는 단계; 상기 컬러필터가 형성된 제 1 기판 위에 오버코트층을 형성하는 단계; 상기 오버코트층이 형성된 제 1 기판 위에 블랙매트릭스를 형성하는 단계; 상기 제 2 기판 상부에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계; 및 상기 컬럼 스페이서를 통해 셀갭을 유지한 상태에서 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며, 상기 블랙매트릭스는 상기 컬럼 스페이서가 위치하는 영역 주위로 돌출된 이동방지 턱을 가지도록 형성됨에 따라 상기 컬럼 스페이서의 이동을 구속하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, including: providing a first substrate and a second substrate on which a plurality of pixels each including red, green, and blue sub-pixels are arranged in a matrix; Forming a color filter of red, green, and blue sub-color filters on the first substrate; Forming an overcoat layer on the first substrate on which the color filter is formed; Forming a black matrix on the first substrate on which the overcoat layer is formed; Forming a column spacer over the second substrate; And bonding the first substrate and the second substrate with the cell gap maintained through the column spacer, wherein the black matrix is formed to have a movement preventing jaw protruding around the region where the column spacer is located And the movement of the column spacer is restricted according to the movement of the column spacer.

본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 또 다른 제조방법은 적색, 녹색 및 청색의 서브-화소로 구성된 다수개의 화소가 매트릭스 형태로 배치되는 제 1 기판과 제 2 기판을 제공하는 단계; 상기 제 1 기판 위에 블랙매트릭스를 형성하는 단계; 상기 블랙매트릭스가 형성된 제 1 기판 위에 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터로 이루어진 컬러필터를 형성하는 단계; 상기 컬러필터가 형성된 제 1 기판 위에 오버코트층을 형성하는 단계; 상기 제 2 기판 상부에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계; 및 상기 컬럼 스페이서를 통해 셀갭을 유지한 상태에서 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며, 상기 오버코트층은 상기 컬럼 스페이서가 위치하는 영역 주위로 이동방지 홀을 가지도록 형성됨에 따라 상기 컬럼 스페이서의 이동을 구속하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, including: providing a first substrate and a second substrate on which a plurality of pixels arranged in a matrix form, each of which is composed of red, green and blue sub-pixels, are arranged in a matrix; Forming a black matrix on the first substrate; Forming a color filter composed of sub-color filters of red, green, and blue on the first substrate on which the black matrix is formed; Forming an overcoat layer on the first substrate on which the color filter is formed; Forming a column spacer over the second substrate; And attaching the first substrate and the second substrate with the cell gap maintained through the column spacer, wherein the overcoat layer is formed to have a movement preventing hole around the region where the column spacer is located And restrains movement of the column spacer.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법은 컬러필터 기판 대신에 어레이 기판에 컬럼 스페이서를 형성하는 한편, 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터를 방석 구조로 4면이 겹쳐지도록 형성하여 겹쳐진 단차 내에 컬럼 스페이서를 위치시켜 구속하는 것을 특징으로 한다.As described above, in the liquid crystal display device and the manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention, column spacers are formed on the array substrate instead of the color filter substrate, and the red, green, and blue sub- And the column spacer is placed and restrained in the overlapping steps.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 다른 액정표시장치 및 그 제조방법은 어레이 기판에 컬럼 스페이서를 형성하는 한편, 컬러필터 기판에 블랙매트릭스나 오버코트층을 이용하여 걸쇠(latch) 구조를 형성하는 것을 특징으로 한다.Another liquid crystal display device and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention include forming a column spacer on an array substrate and forming a latch structure using a black matrix or an overcoat layer on a color filter substrate .

이에 따라 레드 아이 불량이 방지되는 동시에 개구율과 투과율이 증가하게 되어 표시 품위가 향상되는 효과를 제공한다.As a result, the red eye defect is prevented, and the aperture ratio and transmittance are increased, thereby improving the display quality.

도 1은 일반적인 액정표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 분해사시도.
도 2a 내지 도 2c는 외력인가에 의해 빛샘이 발생하는 이유를 설명하기 위한 단면도.
도 3은 레드 아이가 발생된 액정패널의 일부를 예를 들어 보여주는 사진.
도 4는 기존의 액정표시장치의 화소 구조를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 컬러필터 기판 일부를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 7은 상기 도 5에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치에 있어, A-A'선에 따라 절단한 단면을 예를 들어 나타내는 도면.
도 8a 내지 도 8e는 상기 도 6에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컬러필터 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 평면도.
도 9a 내지 도 9k는 상기 도 7에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 단면 구조를 개략적으로 나타내는 도면.
도 11a 내지 도 11l은 상기 도 10에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정표시장치의 단면 구조를 개략적으로 나타내는 도면.
도 13a 내지 도 13k는 상기 도 12에 도시된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정표시장치의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.
1 is an exploded perspective view schematically showing a structure of a general liquid crystal display device.
2A to 2C are sectional views for explaining the reason why light leakage occurs due to external force application.
3 is a photograph showing, for example, a part of a liquid crystal panel in which a red eye is generated.
4 is a plan view schematically showing a pixel structure of a conventional liquid crystal display device.
5 is a plan view schematically showing a part of an array substrate of a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
6 is a plan view schematically showing a part of a color filter substrate of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 5, for example.
8A to 8E are plan views sequentially showing a manufacturing process of the color filter substrate according to the first embodiment of the present invention shown in FIG.
9A to 9K are cross-sectional views sequentially showing the manufacturing process of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention shown in FIG.
10 is a view schematically showing a cross-sectional structure of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
11A to 11L are sectional views sequentially showing a manufacturing process of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention shown in FIG.
12 is a view schematically showing a cross-sectional structure of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.
13A to 13K are cross-sectional views sequentially showing the manufacturing process of the liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. 12;

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to the like elements throughout.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장될 수 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. The dimensions and relative sizes of the layers and regions in the figures may be exaggerated for clarity of illustration.

소자(element) 또는 층이 다른 소자 또는 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않는 것을 나타낸다.It will be understood that when an element or layer is referred to as being another element or "on" or "on ", it includes both intervening layers or other elements in the middle, do. On the other hand, when a device is referred to as "directly on" or "directly above ", it does not intervene another device or layer in the middle.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below, beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.The terms spatially relative, "below," "lower," "above," "upper," and the like, And may be used to easily describe the correlation with other elements or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며, 따라서 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. &Quot; comprise "and / or" comprising ", as used in the specification, means that the presence of stated elements, Or additions.

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 평면도로써, 화소전극과 공통전극 사이에 형성되는 프린지 필드가 슬릿을 관통하여 화소영역 및 공통전극 상에 위치하는 액정분자를 구동시킴으로써 화상을 구현하는 프린지-필드 스위칭(Fringe Field Switching; FFS) 방식 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내고 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 FFS 방식뿐만 아니라 횡전계를 이용한 IPS 방식의 액정표시장치에도 적용된다.FIG. 5 is a plan view schematically showing a part of an array substrate of a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention, in which a fringe field formed between a pixel electrode and a common electrode passes through a slit, (FFS) type liquid crystal display device that implements an image by driving liquid crystal molecules of a liquid crystal display device. However, the present invention is not limited thereto, and is applicable to an IPS type liquid crystal display device using a transverse electric field as well as the FFS method.

이때, 실제의 액정표시장치에서는 N개의 게이트라인과 M개의 데이터라인이 교차하여 MxN개의 서브-화소가 존재하지만 설명을 간단하게 하기 위해 도면에는 적색, 녹색 및 청색의 서브-화소(R, G, B)로 이루어진 하나의 화소를 예를 들어 나타내고 있다.At this time, in an actual liquid crystal display device, N gate lines and M data lines intersect to form MxN sub-pixels. However, in order to simplify the description, the red, green, and blue sub- B) are shown as an example.

이때, 상기 도 5에 도시된 바와 같이, 슬릿을 포함하는 화소전극이 꺾임 구조를 가지는 경우에는 액정분자가 2방향으로 배열되어 2-도메인(domain)을 형성함으로써 모노-도메인에 비해 시야각이 더욱 향상된다. 다만, 본 발명이 상기 2-도메인 구조의 액정표시장치에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 모노-도메인 구조뿐만 아니라 2-도메인 이상의 멀티-도메인(multi-domain) 구조의 액정표시장치에 적용 가능하다.5, when the pixel electrode including the slit has a bending structure, the liquid crystal molecules are arranged in two directions to form a two-domain structure, thereby further improving the viewing angle compared to the mono-domain. do. However, the present invention is not limited to the liquid crystal display device having the two-domain structure, and the present invention can be applied to a liquid crystal display device having a multi-domain structure of two or more domains as well as a mono-domain structure .

도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 컬러필터 기판 일부를 개략적으로 나타내는 평면도로써, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 방석 구조의 서브-컬러필터를 보여주기 위한 도면이다.FIG. 6 is a plan view schematically showing a part of a color filter substrate of a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention, showing a sub-color filter of a cushion structure according to the first embodiment of the present invention.

그리고, 도 7은 상기 도 5에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치에 있어, A-A'선에 따라 절단한 단면을 예를 들어 나타내는 도면으로써, 컬러필터 기판과 어레이 기판이 합착된 액정패널의 단면 일부를 개략적으로 나타내고 있다.7 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 5, wherein the color filter substrate and the array substrate A part of a cross section of the liquid crystal panel to which the liquid crystal panel is adhered is schematically shown.

상기 도면들을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 어레이 기판(110)에는 상기 투명한 어레이 기판(110) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(116)과 데이터라인(117)이 형성되어 있다. 또한, 상기 게이트라인(116)과 데이터라인(117)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있으며, 상기 화소영역 내에는 액정분자를 구동시키기 위해 공통전극(108)과 다수의 슬릿(118s)을 가진 화소전극(118)이 형성되어 있다.Referring to the drawings, a gate line 116 and a data line 117, which are vertically and horizontally arranged on the transparent array substrate 110 to define a pixel region, are formed on the array substrate 110 according to the first embodiment of the present invention. Respectively. A thin film transistor, which is a switching device, is formed in the intersection region of the gate line 116 and the data line 117. In the pixel region, a common electrode 108 and a plurality of slits 118s Is formed on the surface of the pixel electrode 118.

상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트라인(116)에 연결된 게이트전극(121), 상기 데이터라인(117)에 연결된 소오스전극(122) 및 제 1 콘택홀(120)을 통해 상기 화소전극(118)에 전기적으로 접속된 드레인전극(123)으로 구성되어 있다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트전극(121)과 소오스/드레인전극(122, 123) 사이의 절연을 위한 게이트절연막(115a) 및 상기 게이트전극(121)에 공급되는 게이트 전압에 의해 상기 소오스전극(122)과 드레인전극(123) 간에 전도채널(conductive channel)을 형성하는 액티브층(124)을 포함한다.The thin film transistor is electrically connected to the pixel electrode 118 through a gate electrode 121 connected to the gate line 116, a source electrode 122 connected to the data line 117, and a first contact hole 120. [ And a drain electrode 123 connected thereto. The thin film transistor includes a gate insulating layer 115a for insulation between the gate electrode 121 and the source and drain electrodes 122 and 123 and a source electrode And an active layer 124 between the drain electrode 122 and the drain electrode 123 to form a conductive channel.

이때, 상기 액티브층(124)으로 비정질 실리콘 박막을 이용하는 경우 상기 액티브층(124)의 소오스/드레인영역은 오믹-콘택층(125n)을 통해 상기 소오스/드레인전극(122, 123)과 오믹-콘택을 형성하게 된다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 액티브층(124)으로 다결정 실리콘 박막이나 산화물 반도체를 이용할 수도 있다.At this time, when an amorphous silicon thin film is used as the active layer 124, the source / drain regions of the active layer 124 are electrically connected to the source / drain electrodes 122 and 123 through the ohmic- . However, the present invention is not limited thereto, and a polycrystalline silicon thin film or an oxide semiconductor may be used for the active layer 124.

전술한 바와 같이 상기 화소영역 내에는 프린지 필드를 발생시키기 위해 공통전극(108)과 화소전극(118)이 형성되어 있는데, 이때 상기 공통전극(108)은 층간절연막(115b)과 평탄화막(115c) 위에 형성되는 한편 상기 제 1 콘택홀(120)을 제외한 화소부 전체에 단일 패턴으로 형성되어 있으며, 상기 화소전극(118)은 각각의 화소영역 내에 박스 형태로 형성되는 한편 보호막(115d) 위에 다수의 슬릿(118s)을 가지도록 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 화소전극(118) 대신에 상기 공통전극(108)이 다수의 슬릿을 가지도록 형성될 수도 있다.The common electrode 108 and the pixel electrode 118 are formed in the pixel region so as to generate a fringe field. At this time, the common electrode 108 is electrically connected to the interlayer insulating layer 115b and the planarization layer 115c, And the pixel electrode 118 is formed in a box shape in each pixel region, while a plurality of pixel electrodes (not shown) are formed on the passivation layer 115d. And may have slits 118s. However, the present invention is not limited thereto. Instead of the pixel electrode 118, the common electrode 108 may have a plurality of slits.

이때, 상기 공통전극(108)은 제 2 콘택홀(미도시)을 통해 상기 게이트라인(116)에 대해 평행하게 배열된 공통라인(108L)에 전기적으로 접속할 수 있다.At this time, the common electrode 108 may be electrically connected to a common line 108L arranged in parallel to the gate line 116 through a second contact hole (not shown).

이와 같이 구성된 상기 어레이 기판(110)은 컬럼 스페이서(130a, 130b)를 통해 셀갭을 유지한 상태에서 컬러필터 기판(105)과 합착되어 액정패널을 구성하게 되는데, 이때 상기 컬러필터 기판(105)은 적, 녹 및 청의 색상을 구현하는 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터(107R, 107G, 107B)로 구성된 컬러필터(107), 그리고 상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터(107R, 107G, 107B) 사이를 구분하고 액정층(미도시)을 투과하는 광을 차단하는 블랙매트릭스(106)로 이루어져 있다.The array substrate 110 having the above structure is bonded to the color filter substrate 105 with the cell gap maintained through the column spacers 130a and 130b to form a liquid crystal panel. A color filter 107 composed of red, green and blue sub-color filters 107R, 107G and 107B embodying the colors of red, green and blue and a color filter 107 composed of the red, green and blue sub-color filters 107R, 107G And 107B, and blocks the light transmitted through the liquid crystal layer (not shown).

이때, 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컬럼 스페이서(130a, 130b)는 이중 구조로 상기 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110) 사이의 갭을 유지하는 제 1 컬럼 스페이서(130a)(이하, 갭 스페이서라 함), 그리고 눌림을 방지하는 제 2 컬럼 스페이서(130b)(이하, 눌림 스페이서라 함)로 이루어진 것을 특징으로 한다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The column spacers 130a and 130b according to the first embodiment of the present invention may include a first column spacer 130a having a double structure that maintains a gap between the color filter substrate 105 and the array substrate 110 Hereinafter referred to as a gap spacer), and a second column spacer 130b (hereinafter referred to as a pressed spacer) for preventing the pressing. However, the present invention is not limited thereto.

액정패널은 외부로부터 눌림과 같은 외력이 가해질 경우 빛샘불량이 발생하게 되며, 이러한 빛샘불량은 외력에 의해 상기 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110)간에 미끄러짐이 발생하여 액정패널에 휨이 발생하게 되는데서 그 원인이 있다.When an external force such as pressing is applied to the liquid crystal panel, a light leakage occurs. Such a light leakage is caused by a slip between the color filter substrate 105 and the array substrate 110 due to an external force, There is a reason for this.

즉, 액정패널의 휨 방향으로 상기 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110)의 러빙 방향이 평행이 되지 않게 되고, 이로 인해 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110) 표면에 인접한 액정이 휜 방향으로 평행하게 배열되어 전체적으로 초기 상태와 다른 배열을 하게 된다.That is, the rubbing directions of the color filter substrate 105 and the array substrate 110 do not become parallel to each other in the bending direction of the liquid crystal panel, so that the liquid crystal adjacent to the color filter substrate 105 and the surface of the array substrate 110 They are arranged in parallel in the fin direction, and are arranged differently from the initial state as a whole.

이와 같은 경우에는 액정의 배열이 초기 블랙상태(black state)를 유지하지 못하게 되어 액정층을 통과한 빛이 정상 부위와 다른 위상차(retardation)를 겪으며 회전하게 되어 빛샘이 나타나게 된다.In such a case, the arrangement of the liquid crystals does not maintain the initial black state, so that the light passing through the liquid crystal layer rotates while experiencing a retardation different from that of the normal region, and light leakage appears.

이와 같은 이유로 상기 갭 스페이서(130a)와 눌림 스페이서(130b)가 필요하다.For this reason, the gap spacer 130a and the pressing spacer 130b are required.

상기 갭 스페이서(130a)는 상기 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110) 사이의 이격된 갭을 유지하기 위한 기능을 하기 때문에 상기 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110)에 맞닿도록 구성되어야 하며, 상기 눌림 스페이서(130b)는 상기 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110) 중 어느 하나와는 이격된 거리를 두어야 한다.The gap spacer 130a functions to maintain a gap between the color filter substrate 105 and the array substrate 110. Therefore, the gap spacer 130a is configured to contact the color filter substrate 105 and the array substrate 110 And the pressed spacers 130b should be spaced apart from any one of the color filter substrate 105 and the array substrate 110. [

상기 갭 스페이서(130a)와 눌림 스페이서(130b)는 화소영역에 위치하는 것보다 이를 피한 영역에 위치하도록 하는 것이 화질 면에서 유리하며, 따라서 박막 트랜지스터가 위치한 영역이나 상기 게이트 배선 또는 공통라인(108L)이 위치한 영역에 위치하는 것이 바람직하다.It is preferable that the gap spacer 130a and the pressed spacer 130b are located in a region where they are in the pixel region than in the pixel region. Therefore, the region where the thin film transistor is located, the gate line or the common line 108L, It is preferable to be located in the region where the "

해상도에 따라 상기 갭 스페이서(130a)와 눌림 스페이서(130b)는 단일한 서브-화소(R, G, B) 내에 위치할 수도 있고, 도시된 바와 같이 이웃한 서브-화소(R, G, B)간 나누어 위치할 수도 있다.The gap spacer 130a and the pressed spacer 130b may be located in a single sub-pixel R, G, B depending on the resolution, and the neighboring sub-pixels R, G, It can also be divided into two.

이때, 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 갭 스페이서(130a)는 적색의 서브-화소(R)에 형성되는 반면, 눌림 스페이서(130b)는 상기 갭 스페이서(130a)가 형성되지 않은 적색의 서브-화소(R)와 청색의 서브-화소(B)에 형성되는 것을 특징으로 한다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.At this time, the gap spacer 130a according to the first embodiment of the present invention is formed on the red sub-pixel R while the pressed spacer 130b is formed on the red sub-pixel R without the gap spacer 130a. - pixel (R) and blue sub-pixel (B). However, the present invention is not limited thereto.

특히, 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컬럼 스페이서(130a, 130b)는 상부 컬러필터 기판(105)이 아닌 하부 어레이 기판(110)에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.Particularly, the column spacers 130a and 130b according to the first embodiment of the present invention are formed on the lower array substrate 110, not on the upper color filter substrate 105. FIG.

또한, 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컬러필터(107)는 게이트라인(106)과 공통라인(108L)이 지나가는 가로방향의 블랙매트릭스(106) 영역에서 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터(107R, 107G, 107B) 각각을 이전 서브-화소(R, G, B) 방향으로 한번 꺾어서 패터닝하여 전체적으로 방석 구조를 가지되, 상기 가로방향의 블랙매트릭스(106) 영역에서 4면이 겹쳐지도록 상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터(107R, 107G, 107B)를 적층, 형성하여 겹쳐진 단차(S) 내에 상기의 컬럼 스페이서(130a, 130b)를 위치시키는 것을 특징으로 한다.In addition, the color filter 107 according to the first embodiment of the present invention has a red, green, and blue sub-color in the region of the black matrix 106 in the horizontal direction through which the gate line 106 and the common line 108L pass, Each of the filters 107R, 107G, and 107B is patterned by folding once in the directions of the previous sub-pixels R, G, and B to have a cushion structure as a whole, and four sides are overlapped in the area of the black matrix 106 in the horizontal direction. Color filter 107R, 107G, and 107B of red, green, and blue are stacked and formed to position the column spacers 130a and 130b in the overlapped step S.

이와 같이 겹쳐진 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터(107R, 107G, 107B)의 단차(S) 내에 위치한 컬럼 스페이서(130a, 130b)는 이동이 구속됨에 따라 외력에 의해 컬럼 스페이서(130a, 130b)가 상하로 밀리는 현상이 최소화될 수 있게 된다.The column spacers 130a and 130b located in the step S of the red, green and blue sub-color filters 107R, 107G and 107B thus overlapped with the column spacers 130a and 130b by the external force, So that the phenomenon of being pushed up and down can be minimized.

상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터(107R, 107G, 107B)의 겹쳐진 단차(S)는 별도의 노광 및 식각공정의 추가 없이 형성할 수 있으며, 외력에 의해 컬럼 스페이서(130a, 130b)가 상하로 밀리는 현상이 최소화됨에 따라 기존의 레드 아이 불량이 방지되는 동시에 추가 개구영역의 확보로 개구율과 투과율이 증가하게 된다.The overlapping step S of the red, green and blue sub-color filters 107R, 107G and 107B can be formed without additional exposure and etching steps and the column spacers 130a and 130b As the phenomenon of being pushed up and down is minimized, defects of the conventional red eye are prevented, and the aperture ratio and transmittance are increased by securing the additional aperture area.

일 예로, 어레이 기판(110)에 형성된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 갭 스페이서(130a)는 컬러필터 기판(105)과 접촉해 있으며, 기존에 의하면 외력을 받았을 때 다방면으로 컬러필터 기판(105) 면을 미끄러져 이동하다가 원래의 자리로 되돌아오게 된다.For example, the gap spacer 130a according to the first embodiment of the present invention formed on the array substrate 110 is in contact with the color filter substrate 105, and when the external force is applied, the color filter substrate 105 ) Plane, and then return to the original position.

이때, 이동하려는 갭 스페이서(130a)는 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터(107R, 107G, 107B)의 적층에 의해 형성된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 단차(S)에 의해 이동이 구속됨에 따라 상기 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110) 사이에 위치 편차가 최소화될 수 있게 된다.At this time, the gap spacer 130a to be moved is moved by the step S according to the first embodiment of the present invention formed by the lamination of the red, green and blue sub-color filters 107R, 107G and 107B, The positional deviation between the color filter substrate 105 and the array substrate 110 can be minimized.

이에 따라 컬러필터 기판(105)이 원래의 위치로 복귀하더라도 배향막(미도시)의 손상이 최소화되어 레드 아이 불량이 방지되는 한편, 레드 아이 마진의 최소화로 블랙매트릭스 영역을 20㎛ ~ 30㎛의 폭으로 균일하게 형성시킬 수 있게 된다.Accordingly, even if the color filter substrate 105 returns to its original position, the damage of the alignment film (not shown) is minimized to prevent red eye defects. On the other hand, So that it can be uniformly formed.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a manufacturing method of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 8a 내지 도 8e는 상기 도 6에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 컬러필터 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 평면도이다.8A to 8E are plan views sequentially showing the manufacturing process of the color filter substrate according to the first embodiment of the present invention shown in FIG.

그리고, 도 9a 내지 도 9k는 상기 도 7에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도이다.9A to 9K are cross-sectional views sequentially illustrating the manufacturing process of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention shown in FIG.

어레이 기판의 제조공정을 먼저 설명하면, 도 9a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연물질로 이루어진 어레이 기판(110)에 게이트전극(121)과 게이트라인(미도시) 및 공통라인(미도시)을 형성한다.9A, a gate electrode 121, a gate line (not shown), and a common line (not shown) are formed on an array substrate 110 made of a transparent insulating material such as glass, ).

상기 게이트전극(121)과 게이트라인, 즉 게이트 배선 및 공통라인은 제 1 도전막을 상기 어레이 기판(110) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정(제 1 마스크공정)을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성하게 된다.The gate electrode 121 and the gate line, that is, the gate line and the common line are formed by selectively depositing a first conductive film on the entire surface of the array substrate 110 and then performing a photolithography process (first mask process) .

이때, 상기 제 1 도전막은 게이트 배선 및 공통라인을 형성하기 위해 알루미늄(aluminium; Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(tungsten; W), 구리(copper; Cu), 크롬(chromium; Cr), 몰리브덴(molybdenum; Mo) 및 몰리브덴 합금 등과 같은 저저항 불투명 도전물질로 형성할 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전막은 상기 저저항 도전물질이 2가지 이상 적층된 다층구조로 형성할 수 있다.At this time, the first conductive layer may be formed of aluminum (Al), aluminum alloy, tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr) , Molybdenum (Mo), and molybdenum alloy, and the like. The first conductive layer may have a multi-layer structure in which two or more low-resistance conductive materials are stacked.

다음으로, 도 9b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(121)과 게이트라인 및 공통라인이 형성된 어레이 기판(110) 전면에 게이트절연막(115a)과 비정질 실리콘 박막 및 n+ 비정질 실리콘 박막을 형성한다.Next, as shown in FIG. 9B, a gate insulating layer 115a, an amorphous silicon thin film, and an n + amorphous silicon thin film are formed on the entire surface of the array substrate 110 on which the gate electrode 121, the gate line, and the common line are formed.

이후, 포토리소그래피 공정(제 2 마스크공정)을 통해 상기 비정질 실리콘 박막과 n+ 비정질 실리콘 박막을 선택적으로 제거함으로써 상기 게이트전극(121) 위에 상기 게이트절연막(115a)이 개재된 상태에서 상기 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 액티브층(124)을 형성한다.Thereafter, the amorphous silicon thin film and the n + amorphous silicon thin film are selectively removed through a photolithography process (second mask process), thereby forming the amorphous silicon thin film with the gate insulating film 115a interposed therebetween The active layer 124 is formed.

이때, 상기 액티브층(124) 위에는 상기 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(125)이 형성되게 된다.At this time, the n + amorphous silicon thin film pattern 125 made of the n + amorphous silicon thin film is formed on the active layer 124.

다음으로, 도 9c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층(124)이 형성된 어레이 기판(110) 전면에 제 2 도전막을 형성한다.Next, as shown in FIG. 9C, a second conductive layer is formed on the entire surface of the array substrate 110 on which the active layer 124 is formed.

이때, 상기 제 2 도전막은 소오스전극과 드레인전극 및 데이터라인, 즉 데이터 배선을 구성하기 위해 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 구리, 크롬, 몰리브덴 및 몰리브덴 합금 등과 같은 저저항 불투명 도전물질로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전막은 상기 저저항 도전물질이 2가지 이상 적층된 다층구조로 형성할 수 있다.The second conductive layer may be formed of a low-resistance opaque conductive material such as aluminum, aluminum alloy, tungsten, copper, chromium, molybdenum, and molybdenum alloy to form a source electrode, a drain electrode, and a data line. The second conductive layer may be formed in a multi-layered structure in which two or more low-resistance conductive materials are stacked.

이후, 포토리소그래피 공정(제 3 마스크공정)을 통해 상기 n+ 비정질 실리콘 박막과 제 2 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 액티브층(124) 상부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 소오스전극(122)과 드레인전극(123)을 형성하는 한편, 상기 어레이 기판(110)의 데이터라인 영역에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터라인(117)을 형성하게 된다.Thereafter, the n + amorphous silicon thin film and the second conductive film are selectively removed through a photolithography process (a third mask process), thereby forming a source electrode 122 and a drain electrode, which are the second conductive film, on the active layer 124, And a data line 117 made of the second conductive film is formed in the data line region of the array substrate 110. [

이때, 상기 액티브층(124) 상부에는 상기 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어지며, 상기 액티브층(124)의 소오스/드레인영역과 상기 소오스/드레인전극(122, 123) 사이를 오믹-콘택시키는 오믹-콘택층(125n)이 형성되게 된다.At this time, an n + amorphous silicon thin film is formed on the active layer 124, and an ohmic contact is formed between the source / drain region of the active layer 124 and the source / drain electrodes 122 and 123, The layer 125n is formed.

이때, 상기 본 발명의 제 1 실시예는 상기 액티브층(124)과 데이터 배선의 형성에 2번의 마스크공정을 이용하는 경우를 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명에 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 액티브층(124)과 데이터 배선은 하프-톤 마스크나 회절 마스크를 이용하여 한번의 마스크공정으로 형성할 수도 있다.Although the first embodiment of the present invention has been described by way of example in which two mask processes are used to form the active layer 124 and the data line, the present invention is not limited to this, The data line 124 and the data line may be formed by a single mask process using a half-tone mask or a diffraction mask.

다음으로, 도 9d에 도시된 바와 같이, 상기 소오스전극(122)과 드레인전극(123) 및 데이터라인(117)이 형성된 어레이 기판(110) 전면에 층간절연막(115b) 및 평탄화막(115c)을 형성한다.9D, an interlayer insulating layer 115b and a planarization layer 115c are formed on the entire surface of the array substrate 110 on which the source electrode 122, the drain electrode 123, and the data line 117 are formed. .

이때, 상기 층간절연막(115b)은 실리콘질화막 또는 실리콘산화막과 같은 무기절연막으로 이루어질 수 있으며, 상기 평탄화막(115c)은 포토 아크릴과 같은 낮은 유전율을 가진 유기 절연물질을 이용하여 형성할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 층간절연막(115b) 위에 평탄화막(115c)을 형성하지 않을 수도 있다.The interlayer insulating layer 115b may be formed of an inorganic insulating layer such as a silicon nitride layer or a silicon oxide layer, and the planarization layer 115c may be formed using an organic insulating material having a low dielectric constant such as photo-acryl. However, the present invention is not limited thereto, and the planarization layer 115c may not be formed on the interlayer insulation layer 115b.

이후, 상기 어레이 기판(110) 전면에 제 3 도전막을 증착한 후, 포토리소그래피공정(제 4 마스크공정)을 이용하여 선택적으로 패터닝함으로써 제 1 콘택홀을 제외한 상기 화소부 전체에 상기 제 3 도전막으로 이루어지며, 제 2 콘택홀을 통해 상기 공통라인과 전기적으로 접속하는 공통전극(108)을 형성하게 된다.Then, a third conductive layer is deposited on the entire surface of the array substrate 110, and then selectively patterned using a photolithography process (fourth mask process) to form the third conductive layer on the entire pixel except for the first contact hole. And a common electrode 108 electrically connected to the common line is formed through the second contact hole.

이때, 상기 제 3 도전막은 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO)와 같은 투과율이 뛰어난 투명 도전물질로 이루어질 수 있다.At this time, the third conductive layer may be formed of a transparent conductive material having a high transmittance such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

다음으로, 도 9e에 도시된 바와 같이, 상기 공통전극(108)이 형성된 어레이 기판(110) 전면에 보호막(115d)을 증착한 후 포토리소그래피공정(제 5 마스크공정)을 이용하여 상기 층간절연막(115b)과 평탄화막(115d) 및 보호막(115d)을 선택적으로 패터닝함으로써 상기 드레인전극(123)의 일부를 노출시키는 제 1 콘택홀(120)을 형성한다.9E, a protective film 115d is deposited on the entire surface of the array substrate 110 on which the common electrode 108 is formed. Subsequently, a protective film 115d is deposited on the entire surface of the interlayer insulating film The first contact hole 120 exposing a part of the drain electrode 123 is formed by selectively patterning the gate electrode 115b, the planarization film 115d and the protective film 115d.

이후, 도 9f에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(115d)이 형성된 어레이 기판(110) 전면에 제 4 도전막을 증착한다.Then, as shown in FIG. 9F, a fourth conductive layer is deposited on the entire surface of the array substrate 110 on which the protective layer 115d is formed.

이때, 상기 제 4 도전막은 ITO 또는 IZO와 같은 투과율이 뛰어난 투명 도전물질로 이루어질 수 있다.At this time, the fourth conductive layer may be made of a transparent conductive material having a high transmittance such as ITO or IZO.

이후, 포토리소그래피공정(제 6 마스크공정)을 이용하여 선택적으로 패터닝함으로써 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 드레인전극(123)과 전기적으로 접속하는 화소전극(118)을 형성하게 된다. 이때, 상기 화소전극(118)은 화소영역 내에서 다수의 슬릿(118s)을 가지도록 형성될 수 있다.Thereafter, a pixel electrode 118 electrically connected to the drain electrode 123 is formed through the first contact hole by selectively patterning using a photolithography process (a sixth mask process). At this time, the pixel electrode 118 may have a plurality of slits 118s in the pixel region.

다음으로, 도 9g에 도시된 바와 같이, 이와 같이 제조된 본 발명의 제 1 실시예의 어레이 기판(110) 표면에 갭 스페이서(130a)와 눌림 스페이서(미도시)로 이루어진 컬럼 스페이서(130a, 미도시)를 형성한다.9G, a gap spacer 130a and a column spacer 130a (not shown) made of a pressed spacer (not shown) are formed on the surface of the array substrate 110 of the first embodiment of the present invention manufactured as described above, ).

이때, 상기 갭 스페이서(130a)와 눌림 스페이서는 화소영역에 위치하는 것보다 이를 피한 영역에 위치하도록 하는 것이 화질 면에서 유리하며, 따라서 박막 트랜지스터가 위치한 영역이나 상기 게이트 배선 또는 공통라인이 위치한 영역, 즉 가로방향의 블랙매트릭스 영역에 위치하는 것이 바람직하다.At this time, it is advantageous in view of image quality that the gap spacer 130a and the pressed spacer are located in the avoided region rather than in the pixel region. Therefore, the region where the thin film transistor is located, the region where the gate line or the common line is located, That is, in the black matrix area in the horizontal direction.

해상도에 따라 상기 갭 스페이서(130a)와 눌림 스페이서는 단일한 서브-화소 내에 위치할 수도 있고, 이웃한 서브-화소간 나누어 위치할 수도 있다.Depending on the resolution, the gap spacers 130a and the pressed spacers may be located within a single sub-pixel or may be located between neighboring sub-pixels.

이때, 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 갭 스페이서(130a)는 적색의 서브-화소에 형성되는 반면, 눌림 스페이서는 상기 갭 스페이서(130a)가 형성되지 않은 적색의 서브-화소와 청색의 서브-화소에 형성되는 것을 특징으로 한다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.At this time, the gap spacer 130a according to the first embodiment of the present invention is formed on the red sub-pixel, while the pressed spacer is formed on the red sub-pixel where the gap spacer 130a is not formed and the blue sub- - pixels. However, the present invention is not limited thereto.

다음으로, 컬러필터 기판의 제조공정을 설명하면, 도 8a 및 도 9h에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연물질로 이루어진 컬러필터 기판(105) 위에 불필요한 빛을 차단하기 위해 블랙매트릭스(106)를 형성한다.8A and 9H, a black matrix 106 is formed on a color filter substrate 105 made of a transparent insulating material such as glass to block unnecessary light. .

상기 블랙매트릭스(106)는 수지 재질의 유기막이 적용될 수 있는데, 예를 들면 카본 블랙(carbon black)이나 흑색 안료 중 어느 하나를 포함한 아크릴(Acryl), 에폭시(Epoxy) 또는 폴리이미드(Polyimide) 수지 등의 착색된 유기계 수지 등을 적용할 수 있다.The black matrix 106 may be an organic film of a resin material. For example, an acrylic film, an epoxy film, or a polyimide film containing any one of carbon black and black pigment may be used. Colored organic resin and the like can be applied.

이후, 도 8b 및 도 9i에 도시된 바와 같이, 상기 블랙매트릭스(106)가 형성된 컬러필터 기판(105) 위에 적색의 서브-컬러필터(107R)를 형성한다. 이때, 상기 적색의 서브-컬러필터(107R) 대신에 녹색의 서브-컬러필터나 청색의 서브-컬러필터를 먼저 형성할 수도 있다.Thereafter, a red sub-color filter 107R is formed on the color filter substrate 105 on which the black matrix 106 is formed, as shown in Figs. 8B and 9I. At this time, instead of the red sub-color filter 107R, a green sub-color filter or a blue sub-color filter may be formed first.

이때, 일반적으로 컬러필터를 형성하는 방법은 상기 컬러필터 제조 시 사용되는 유기 필터의 재료에 따라 염료 방식과 안료 방식이 있으며 제작 방법에 따라 염색법, 전착법, 인쇄법 등이 있으나, 현재 액정표시장치의 컬러필터 제조 시 사용되는 가장 보편적인 방법은 안료 분산법이다.At this time, generally, a method of forming a color filter includes a dyeing method and a pigmenting method depending on the material of the organic filter used in manufacturing the color filter, and a dyeing method, an electrodeposition method, a printing method, The most common method used in the manufacture of color filters is the pigment dispersion method.

상기 안료 분산법은 미리 준비된 안료에 의해 조색(調色)되어 감광화된 레지스트를 기판에 도포, 노광 및 현상하는 공정을 반복함으로써 컬러필터를 형성하는 방법이다.The pigment dispersion method is a method of forming a color filter by repeating a process of applying a photoresisted resist onto a substrate, coloring it with a pigment prepared in advance, and exposing and developing it.

먼저, 상기 컬러필터 기판(105) 위에 감광성의 제 1 유기막을 형성한다. 상기 제 1 유기막은 자외선에 의해 감광되는 컬러 안료로 구성되며, 적색, 녹색 및 청색의 컬러 레지스트 중 적색(여기서는 적색, 녹색 및 청색의 순서로 서브-컬러필터를 형성하는 것을 기준으로 설명)을 띄는 컬러 레지스트를 컬러필터 기판(105)의 전면에 도포한 후 선택적으로 노광하여 원하는 영역에 적색의 서브-컬러필터(107R)를 형성한다.First, a photosensitive first organic film is formed on the color filter substrate 105. The first organic layer is composed of color pigments sensitized by ultraviolet rays. The first organic layer is formed of a red color, a green color, and a blue color among the red color (here, based on formation of sub-color filters in the order of red, green and blue) A color resist is applied to the entire surface of the color filter substrate 105 and then selectively exposed to form a red sub-color filter 107R in a desired area.

이때, 상기 적색의 서브-컬러필터(107R)는 포토리소그래피공정을 이용하여 형성하며, 다른 점은 포토레지스트로 컬러 레지스트를 사용한다는 점이다.At this time, the red sub-color filter 107R is formed using a photolithography process, and the other point is that a color resist is used as a photoresist.

상기 안료 분산법에 사용되는 컬러 레지스트는 주요 성분으로 광중합 개시제, 모노머(monomer), 바인더(binder) 등의 광중합형 감광 조성물과 색상을 구현하는 유기 안료로 구성되어 있다.The color resist used in the pigment dispersion method is mainly composed of a photopolymerizable photosensitive composition such as a photopolymerization initiator, a monomer and a binder, and an organic pigment for realizing hue.

상기 광중합형 감광 조성물에서 광중합 개시제는 빛을 받아 라디칼(radical)을 발생시키는 고감도이고 안정성이 우수한 triazine(질소 3원자를 포함하고 C3H3N3의 분자식으로 표시되는 육원환 화합물 3종의 총칭)계 화합물이 쓰이며, 모노머는 상기 라디칼에 의하여 중합 반응 개시 후 폴리머 형태로 변하여 용재에 녹지 않게 된다. 바인더는 상온에서 액체 상태의 모노머를 막의 형태로 유지시켜 현상액에 견디게 하고 안료 분산의 안정화 및 컬러필터 패턴의 내열성, 내광성, 내약품성 등의 신뢰성을 유지하는 역할을 한다.The photopolymerization initiator in the photopolymerization type photosensitive composition is a highly sensitive and stable triazine which generates light by receiving light and contains three atoms of nitrogen and is a generic term of three kinds of six-membered cyclic compounds represented by the molecular formula of C 3 H 3 N 3 ) Based compound is used, and the monomer is converted into a polymer form after initiation of the polymerization reaction by the radical, and is not dissolved in the melt. The binder maintains liquid monomer at room temperature in the form of a film to withstand a developer, stabilizes pigment dispersion, and maintains reliability of the color filter pattern in terms of heat resistance, light resistance, chemical resistance, and the like.

안료는 내광성과 내열성이 우수한 유기 재료를 사용하며 안료 입자는 일반적으로 빛을 산란시켜 불투명하지만 입자 크기가 빛의 파장보다 작으면 빛을 투과시켜 투명하게 되므로 입자 크기가 작을수록 투명도가 높고 우수한 분산 특성을 나타낸다.Pigments use organic materials having excellent light resistance and heat resistance. Pigment particles are generally opaque due to scattering of light. However, when the particle size is smaller than the wavelength of light, it becomes transparent by transmitting light. Therefore, the smaller the particle size, .

이러한 적색의 서브-컬러필터(107R)는 세로방향의 서브-화소, 즉 적색의 서브-화소의 화소영역에 대해서 동일하게 배치되도록 형성하되, 게이트라인과 공통라인이 지나가는 가로방향의 블랙매트릭스(106) 영역에서는 이전 서브-화소, 즉 청색의 서브-화소 방향으로 한번 꺾어서 패터닝하는 것을 특징으로 한다.The red sub-color filter 107R is formed so as to be equally arranged in the pixel region of the sub-pixel in the vertical direction, that is, the sub-pixel of the red color, while the horizontal black matrix 106 ) Region is patterned by once folding in the direction of the previous sub-pixel, that is, the sub-pixel of blue color.

이때, 상기 적색의 서브-컬러필터(107R)는 상기 가로방향의 블랙매트릭스(106) 영역 내에서 3면이 이웃하는 서브-컬러필터, 즉 녹색의 서브-컬러필터와 겹쳐져 소정의 단차(S)를 형성하도록 마진을 가지는 것을 특징으로 한다.At this time, the red sub-color filter 107R overlaps with the sub-color filters neighboring to the three sub-color filters, that is, the green sub-color filter in the black matrix area 106 of the horizontal direction, So as to form a margin.

이후, 도 8c 및 도 9j에 도시된 바와 같이, 상기 적색의 서브-컬러필터(107R)가 형성된 컬러필터 기판(105) 전면에 녹색의 컬러 레지스트를 도포한 후 선택적으로 노광하여 제 2 유기막인 녹색의 서브-컬러필터(107G)를 형성한다.8C and 9J, a green color resist is coated on the entire surface of the color filter substrate 105 on which the red sub-color filter 107R is formed, and then selectively exposed to form a second organic film Green sub-color filter 107G.

이때, 상기 녹색의 서브-컬러필터(107G) 역시 세로방향의 서브-화소, 즉 녹색의 서브-화소의 화소영역에 대해서 동일하게 배치되도록 형성하되, 게이트라인과 공통라인이 지나가는 상기 가로방향의 블랙매트릭스(106) 영역에서는 이전 서브-화소, 즉 적색의 서브-화소 방향으로 한번 꺾어서 패터닝하는 것을 특징으로 한다.In this case, the green sub-color filter 107G is also formed so as to be equally arranged in a vertical sub-pixel, that is, a pixel area of a green sub-pixel, In the matrix 106 region, patterning is performed once in the direction of the former sub-pixel, that is, in the direction of the red sub-pixel.

또한, 상기 녹색의 서브-컬러필터(107G)는 상기 가로방향의 블랙매트릭스(106) 영역 내에서 3면이 이웃하는 서브-컬러필터, 즉 청색의 서브-컬러필터와 겹쳐져 단차(S)를 형성하도록 마진을 가지는 것을 특징으로 한다.In addition, the green sub-color filter 107G overlaps with a sub-color filter, i.e., a blue sub-color filter, having three sides in the area of the black matrix 106 in the lateral direction to form a step S And a margin is provided.

그리고, 상기 적색의 서브-컬러필터(107R)는 상기 가로방향의 블랙매트릭스(106) 영역 내에서 그 3면이 상기 꺾이도록 패터닝된 녹색의 서브-컬러필터(107G)와 겹쳐져 단차(S)를 형성하게 된다.The red sub-color filter 107R overlaps the green sub-color filter 107G patterned in such a manner that the three sides thereof in the area of the black matrix 106 in the horizontal direction are folded to form the step S Respectively.

이후, 도 8d에 도시된 바와 같이, 상기 적색의 서브-컬러필터(107R)와 녹색의 서브-컬러필터(107G)가 형성된 컬러필터 기판(105) 전면에 청색의 컬러 레지스트를 도포한 후 선택적으로 노광하여 제 3 유기막인 청색의 서브-컬러필터(107B)를 형성하면 컬러필터(107)가 완성되게 된다.8D, a blue color resist is coated on the entire surface of the color filter substrate 105 on which the red sub-color filter 107R and the green sub-color filter 107G are formed, When the blue sub-color filter 107B which is the third organic film is formed by exposure, the color filter 107 is completed.

이때, 상기 청색의 서브-컬러필터(107B) 역시 세로방향의 서브-화소, 즉 청색의 서브-화소의 화소영역에 대해서 동일하게 배치되도록 형성하되, 게이트라인과 공통라인이 지나가는 상기 가로방향의 블랙매트릭스(106) 영역에서는 이전 서브-화소, 즉 녹색의 서브-화소 방향으로 한번 꺾어서 패터닝하는 것을 특징으로 한다.At this time, the blue sub-color filter 107B is also formed so as to be equally arranged in a vertical sub-pixel, that is, a pixel region of a blue sub-pixel, In the matrix 106 region, the pattern is formed by being bent once in the direction of the previous sub-pixel, that is, the green sub-pixel.

또한, 상기 청색의 서브-컬러필터(107B)는 상기 가로방향의 블랙매트릭스(106) 영역 내에서 3면이 이웃하는 서브-컬러필터, 즉 적색의 서브-컬러필터와 겹쳐져 단차(S)를 형성하도록 마진을 가지는 것을 특징으로 한다.In addition, the blue sub-color filter 107B overlaps three sub-color filters, that is, a red sub-color filter, in the area of the black matrix 106 in the lateral direction to form a step S And a margin is provided.

그리고, 상기 녹색의 서브-컬러필터(107G)는 상기 가로방향의 블랙매트릭스(106) 영역 내에서 그 3면이 상기 꺾이도록 패터닝된 청색의 서브-컬러필터(107B)와 겹쳐져 단차(S)를 형성하게 된다.In addition, the green sub-color filter 107G overlaps the blue sub-color filter 107B patterned in such a manner that the three surfaces of the green sub-color filter 107G are bent in the area of the black matrix 106 in the horizontal direction, Respectively.

그리고, 상기 적색의 서브-컬러필터(107R)는 상기 가로방향의 블랙매트릭스(106) 영역 내에서 나머지 1면이 상기 꺾이도록 패터닝된 청색의 서브-컬러필터(107B)와 겹쳐져 단차(S)를 형성하게 된다.In addition, the red sub-color filter 107R overlaps the blue sub-color filter 107B patterned so that the remaining one surface in the area of the black matrix 106 in the lateral direction is folded to form the step S Respectively.

다음으로, 도 8e 및 도 9k에 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판(110)은 컬럼 스페이서(130a, 미도시)를 통해 셀갭을 유지한 상태에서 상기 컬러필터 기판(105)과 대향하여 합착되어 액정패널을 구성하게 된다.Next, as shown in FIGS. 8E and 9K, the array substrate 110 is adhered to the color filter substrate 105 while being held in a cell gap through a column spacer 130a (not shown) Panel.

한편, 본 발명의 액정표시장치 및 그 제조방법은 전술한 본 발명의 제 1 실시예와 동일하게 어레이 기판에 컬럼 스페이서를 형성하는 한편, 컬러필터 기판에 블랙매트릭스나 오버코트층을 이용하여 걸쇠(latch) 구조를 형성함으로써 레드 아이 불량을 방지할 수 있게 되는데, 이를 다음의 본 발명의 제 2, 제 3 실시예를 통해 상세히 설명한다.In the meantime, the liquid crystal display device and the manufacturing method thereof of the present invention are similar to the first embodiment of the present invention, except that a column spacer is formed on an array substrate, and a black matrix or an overcoat layer is used as a latch ) Structure, it is possible to prevent red eye failures, which will be described in detail in the following second and third embodiments of the present invention.

도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 단면 구조를 개략적으로 나타내는 도면으로써, FFS 방식의 액정표시장치 일부를 개략적으로 나타내고 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 FFS 방식뿐만 아니라 횡전계를 이용한 IPS 방식의 액정표시장치에도 적용된다.FIG. 10 is a schematic view showing a cross-sectional structure of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, and schematically shows a part of an FFS-mode liquid crystal display device. However, the present invention is not limited thereto, and is applicable to an IPS type liquid crystal display device using a transverse electric field as well as the FFS method.

상기 도 10을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 어레이 기판(210)에는 상기 투명한 어레이 기판(210) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(미도시)과 데이터라인(217)이 형성되어 있다. 또한, 상기 게이트라인과 데이터라인(217)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있으며, 상기 화소영역 내에는 액정분자를 구동시키기 위해 공통전극(208)과 다수의 슬릿(218s)을 가진 화소전극(218)이 형성되어 있다.10, the array substrate 210 according to the second embodiment of the present invention includes gate lines (not shown) arranged vertically and horizontally on the transparent array substrate 210 to define pixel regions, data lines 217 Is formed. A thin film transistor, which is a switching device, is formed in the intersection region of the gate line and the data line 217. In the pixel region, a common electrode 208 and a plurality of slits 218s are provided for driving the liquid crystal molecules A pixel electrode 218 is formed.

상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트라인에 연결된 게이트전극(221), 상기 데이터라인(217)에 연결된 소오스전극(222) 및 제 1 콘택홀을 통해 상기 화소전극(218)에 전기적으로 접속된 드레인전극(223)으로 구성되어 있다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트전극(221)과 소오스/드레인전극(222, 223) 사이의 절연을 위한 게이트절연막(215a) 및 상기 게이트전극(221)에 공급되는 게이트 전압에 의해 상기 소오스전극(222)과 드레인전극(223) 간에 전도채널을 형성하는 액티브층(224)을 포함한다.The thin film transistor includes a gate electrode 221 connected to the gate line, a source electrode 222 connected to the data line 217, and a drain electrode 223 electrically connected to the pixel electrode 218 through a first contact hole. ). The thin film transistor includes a gate insulating film 215a for insulation between the gate electrode 221 and the source and drain electrodes 222 and 223 and a source electrode 222 and a drain electrode 223 formed on the substrate.

이때, 상기 액티브층(224)으로 비정질 실리콘 박막을 이용하는 경우 상기 액티브층(224)의 소오스/드레인영역은 오믹-콘택층(225n)을 통해 상기 소오스/드레인전극(222, 223)과 오믹-콘택을 형성하게 된다. 다만, 전술한 바와 같이 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 액티브층(224)으로 다결정 실리콘 박막이나 산화물 반도체를 이용할 수도 있다.In this case, when the amorphous silicon thin film is used as the active layer 224, the source / drain regions of the active layer 224 are electrically connected to the source / drain electrodes 222 and 223 through the ohmic- . However, the present invention is not limited thereto, and the active layer 224 may include a polycrystalline silicon thin film or an oxide semiconductor.

전술한 본 발명의 제 1 실시예와 동일하게 상기 화소영역 내에는 프린지 필드를 발생시키기 위해 공통전극(208)과 화소전극(218)이 형성되어 있는데, 이때 상기 공통전극(208)은 층간절연막(215b)과 평탄화막(215c) 위에 형성되는 한편 상기 제 1 콘택홀을 제외한 화소부 전체에 단일 패턴으로 형성되어 있으며, 상기 화소전극(218)은 각각의 화소영역 내에 박스 형태로 형성되는 한편 보호막(215d) 위에 다수의 슬릿(218s)을 가지도록 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 화소전극(218) 대신에 상기 공통전극(208)이 다수의 슬릿을 가지도록 형성될 수도 있다.A common electrode 208 and a pixel electrode 218 are formed in the pixel region to generate a fringe field. In this case, the common electrode 208 is formed in the interlayer insulating film ( And the planarization layer 215c and the planarization layer 215c. The pixel electrode 218 is formed in a single pattern on the entire pixel region except for the first contact hole. The pixel electrode 218 is formed in a box shape in each pixel region, 215d may have a plurality of slits 218s. However, the present invention is not limited thereto. Instead of the pixel electrode 218, the common electrode 208 may have a plurality of slits.

이때, 상기 공통전극(208)은 제 2 콘택홀(미도시)을 통해 상기 게이트라인에 대해 평행하게 배열된 공통라인(미도시)에 전기적으로 접속할 수도 있다.At this time, the common electrode 208 may be electrically connected to a common line (not shown) arranged in parallel to the gate line through a second contact hole (not shown).

이와 같이 구성된 상기 어레이 기판(210)은 컬럼 스페이서(230a, 미도시)를 통해 셀갭을 유지한 상태에서 컬러필터 기판(205)과 합착되어 액정패널을 구성하게 되는데, 이때 상기 컬러필터 기판(205)은 적, 녹 및 청의 색상을 구현하는 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터(207R, 207G, 207B)로 구성된 컬러필터(207)와 상기 컬러필터(207) 위에 형성된 오버코트층(209), 그리고 상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터(207R, 207G, 207B) 사이를 구분하고 액정층(미도시)을 투과하는 광을 차단하는 블랙매트릭스(206a, 206b)로 이루어져 있다.The array substrate 210 thus formed is bonded to the color filter substrate 205 while maintaining the cell gap through the column spacer 230a (not shown) to form a liquid crystal panel. At this time, A color filter 207 consisting of red, green and blue sub-color filters 207R, 207G and 207B embodying the colors of red, green and blue, an overcoat layer 209 formed on the color filter 207, And black matrices 206a and 206b for separating the red, green and blue sub-color filters 207R, 207G and 207B from each other and blocking light transmitted through a liquid crystal layer (not shown).

이때, 전술한 본 발명의 제 1 실시예와 동일하게 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 컬럼 스페이서(230a, 미도시)는 이중 구조로 상기 컬러필터 기판(205)과 어레이 기판(210) 사이의 갭을 유지하는 갭 스페이서(230a), 그리고 눌림을 방지하는 눌림 스페이서(미도시)로 이루어진 것을 특징으로 한다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.In this case, the column spacer 230a (not shown) according to the second embodiment of the present invention has a double structure, as in the first embodiment of the present invention, between the color filter substrate 205 and the array substrate 210 A gap spacer 230a for retaining a gap between the gate electrode and the gate electrode, and a pressing spacer (not shown) for preventing the gate electrode from being pressed. However, the present invention is not limited thereto.

상기 갭 스페이서(230a)는 상기 컬러필터 기판(205)과 어레이 기판(210) 사이의 이격된 갭을 유지하기 위한 기능을 하기 때문에 상기 컬러필터 기판(205)과 어레이 기판(210)에 맞닿도록 구성되어야 하며, 상기 눌림 스페이서는 상기 컬러필터 기판(205)과 어레이 기판(210) 중 어느 하나와는 이격된 거리를 두어야 한다.Since the gap spacer 230a functions to maintain a gap between the color filter substrate 205 and the array substrate 210, the gap spacer 230a is configured to contact the color filter substrate 205 and the array substrate 210 And the pressing spacers must be spaced apart from any one of the color filter substrate 205 and the array substrate 210.

상기 갭 스페이서(230a)와 눌림 스페이서는 화소영역에 위치하는 것보다 이를 피한 영역에 위치하도록 하는 것이 화질 면에서 유리하며, 따라서 박막 트랜지스터가 위치한 영역이나 상기 게이트 배선 또는 공통라인이 위치한 영역에 위치하는 것이 바람직하다.The gap spacer 230a and the pressed spacer are advantageous in view of image quality so as to be located in the pixel region, rather than in the pixel region. Therefore, the gap spacer 230a and the pressed spacer are located in the region where the thin film transistor is located, .

해상도에 따라 상기 갭 스페이서(230a)와 눌림 스페이서는 단일한 서브-화소 내에 위치할 수도 있고, 이웃한 서브-화소간 나누어 위치할 수도 있다.Depending on the resolution, the gap spacers 230a and the pressed spacers may be located within a single sub-pixel or may be located between neighboring sub-pixels.

이때, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 갭 스페이서(230a)는 적색의 서브-화소에 형성되는 반면, 눌림 스페이서는 상기 갭 스페이서(230a)가 형성되지 않은 적색의 서브-화소와 청색의 서브-화소에 형성되는 것을 특징으로 한다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.At this time, the gap spacer 230a according to the second embodiment of the present invention is formed on the red sub-pixel, while the pressed spacer includes the red sub-pixel in which the gap spacer 230a is not formed and the blue sub- - pixels. However, the present invention is not limited thereto.

특히, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 컬럼 스페이서(230a, 미도시)는 상부 컬러필터 기판(205)이 아닌 하부 어레이 기판(210)에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.Particularly, the column spacer 230a (not shown) according to the second embodiment of the present invention is formed on the lower array substrate 210, not on the upper color filter substrate 205.

또한, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 블랙매트릭스(206a, 206b)는 컬러필터(207)를 형성하고 난 후에 형성하되, 하부 컬럼 스페이서(230a, 미도시)가 위치하는 영역에 걸쇠 구조를 가지도록 형성하는 것을 특징으로 한다.The black matrices 206a and 206b according to the second embodiment of the present invention are formed after the color filter 207 is formed and have a latch structure in an area where the lower column spacer 230a So as to have the same shape.

이때, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 블랙매트릭스(206a, 206b)는 상기 컬럼 스페이서(230a, 미도시)가 위치하는 영역에 걸쇠 구조를 가지도록 형성된 제 1 블랙매트릭스(206a)와 그 이외의 영역에 균일한 두께로 형성된 제 2 블랙매트릭스(206b)를 포함한다.The black matrices 206a and 206b according to the second embodiment of the present invention may include a first black matrix 206a formed to have a latch structure in a region where the column spacer 230a (not shown) And a second black matrix 206b formed in a uniform thickness in the region of the second black matrix 206b.

상기 제 1 블랙매트릭스(206a)는 하프-톤 마스크나 회절 마스크를 이용하여 상기 컬럼 스페이서(230a, 미도시)가 위치하는 영역 주위로 돌출된 이동방지 턱(B)을 가지도록 형성함에 따라 걸쇠 구조를 가지는 것을 특징으로 한다.The first black matrix 206a is formed to have a movement preventing jaw B protruding around a region where the column spacer 230a (not shown) is positioned using a half-tone mask or a diffraction mask, .

이와 같이 상기 제 1 블랙매트릭스(206a)의 이동방지 턱(B) 내에 위치한 컬럼 스페이서(230a, 미도시)는 이동이 구속됨에 따라 외력에 의해 컬럼 스페이서(230a, 미도시)가 상하로 밀리는 현상이 최소화될 수 있게 된다.The column spacer 230a (not shown) positioned within the movement preventing jaw B of the first black matrix 206a is moved upward or downward due to external force due to the constraint of the movement of the column spacer 230a So that it can be minimized.

이에 따라 기존의 레드 아이 불량이 방지되는 동시에 추가 개구영역의 확보로 개구율과 투과율이 증가하게 된다.As a result, the conventional red eye defect is prevented, and at the same time, the aperture ratio and the transmittance are increased due to the provision of additional aperture regions.

일 예로, 어레이 기판(210)에 형성된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 갭 스페이서(230a)는 컬러필터 기판(205)과 접촉해 있으며, 기존에 의하면 외력을 받았을 때 다방면으로 컬러필터 기판(205) 면을 미끄러져 이동하다가 원래의 자리로 되돌아오게 된다.For example, the gap spacer 230a according to the second embodiment of the present invention formed on the array substrate 210 is in contact with the color filter substrate 205, and when the external force is applied, the color filter substrate 205 ) Plane, and then return to the original position.

이때, 이동하려는 갭 스페이서(230a)는 상기 제 1 블랙매트릭스(206a)의 이동방지 턱(B) 내에 위치하여 이동이 구속됨에 따라 상기 컬러필터 기판(205)과 어레이 기판(210) 사이에 위치 편차가 최소화될 수 있게 된다.At this time, the gap spacer 230a to be moved is positioned within the movement preventing jaw B of the first black matrix 206a, so that the movement of the gap spacer 230a is restricted by the movement of the color filter substrate 205 and the array substrate 210, Can be minimized.

이에 따라 컬러필터 기판(205)이 원래의 위치로 복귀하더라도 배향막(미도시)의 손상이 최소화되어 레드 아이 불량이 방지되는 한편, 레드 아이 마진의 최소화로 블랙매트릭스 영역을 20㎛ ~ 30㎛의 폭으로 균일하게 형성시킬 수 있게 된다.Accordingly, even if the color filter substrate 205 returns to its original position, the damage of the alignment film (not shown) is minimized to prevent the red eye defect. On the other hand, the black matrix region is formed to have a width So that it can be uniformly formed.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a manufacturing method of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 11a 내지 도 11l은 상기 도 10에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 컬러필터 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도이다.11A to 11L are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of a color filter substrate according to a second embodiment of the present invention shown in FIG.

어레이 기판의 제조공정을 먼저 설명하면, 도 11a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연물질로 이루어진 어레이 기판(210)에 게이트전극(221)과 게이트라인(미도시) 및 공통라인(미도시)을 형성한다.11A, a gate electrode 221, a gate line (not shown), and a common line (not shown) are formed on an array substrate 210 made of a transparent insulating material such as glass, ).

상기 게이트전극(221)과 게이트라인, 즉 게이트 배선 및 공통라인은 제 1 도전막을 상기 어레이 기판(210) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정(제 1 마스크공정)을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성하게 된다.The gate electrode 221 and the gate line, that is, the gate line and the common line are formed by selectively depositing a first conductive film on the entire surface of the array substrate 210 and then patterning through a photolithography process (first mask process) .

다음으로, 도 11b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(221)과 게이트라인 및 공통라인이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 게이트절연막(215a)과 비정질 실리콘 박막 및 n+ 비정질 실리콘 박막을 형성한다.Next, as shown in FIG. 11B, a gate insulating layer 215a, an amorphous silicon thin film, and an n + amorphous silicon thin film are formed on the entire surface of the array substrate 210 on which the gate electrode 221, the gate line, and the common line are formed.

이후, 포토리소그래피 공정(제 2 마스크공정)을 통해 상기 비정질 실리콘 박막과 n+ 비정질 실리콘 박막을 선택적으로 제거함으로써 상기 게이트전극(221) 위에 상기 게이트절연막(215a)이 개재된 상태에서 상기 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 액티브층(224)을 형성한다.Thereafter, the amorphous silicon thin film and the n + amorphous silicon thin film are selectively removed through a photolithography process (second mask process) to form the amorphous silicon thin film in a state where the gate insulating film 215a is interposed on the gate electrode 221 The active layer 224 is formed.

이때, 상기 액티브층(224) 위에는 상기 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(225)이 형성되게 된다.At this time, the n + amorphous silicon thin film pattern 225 made of the n + amorphous silicon thin film is formed on the active layer 224.

다음으로, 도 11c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층(224)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 제 2 도전막을 형성한다.Next, as shown in FIG. 11C, a second conductive layer is formed on the entire surface of the array substrate 210 on which the active layer 224 is formed.

이후, 포토리소그래피 공정(제 3 마스크공정)을 통해 상기 n+ 비정질 실리콘 박막과 제 2 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 액티브층(224) 상부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 소오스전극(222)과 드레인전극(223)을 형성하는 한편, 상기 어레이 기판(210)의 데이터라인 영역에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터라인(217)을 형성하게 된다.Thereafter, the n + amorphous silicon thin film and the second conductive film are selectively removed through a photolithography process (a third mask process), thereby forming a source electrode 222 and a drain electrode 222 of the second conductive film on the active layer 224, And a data line 217 made of the second conductive film is formed in the data line region of the array substrate 210.

이때, 상기 액티브층(224) 상부에는 상기 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어지며, 상기 액티브층(224)의 소오스/드레인영역과 상기 소오스/드레인전극(222, 223) 사이를 오믹-콘택시키는 오믹-콘택층(225n)이 형성되게 된다.At this time, an n + amorphous silicon thin film is formed on the active layer 224 and an ohmic contact is formed between the source / drain region of the active layer 224 and the source / drain electrodes 222 and 223, A layer 225n is formed.

이때, 상기 본 발명의 제 2 실시예는 상기 액티브층(224)과 데이터 배선의 형성에 2번의 마스크공정을 이용하는 경우를 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명에 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 액티브층(224)과 데이터 배선은 하프-톤 마스크나 회절 마스크를 이용하여 한번의 마스크공정으로 형성할 수도 있다.Although the second embodiment of the present invention has been described by way of example in which the active layer 224 and the data line are formed using two mask processes, the present invention is not limited to this, The data line 224 and the data line may be formed by a single mask process using a half-tone mask or a diffraction mask.

다음으로, 도 11d에 도시된 바와 같이, 상기 소오스전극(222)과 드레인전극(223) 및 데이터라인(217)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 층간절연막(215b) 및 평탄화막(215c)을 형성한다.11D, an interlayer insulating layer 215b and a planarization layer 215c are formed on the entire surface of the array substrate 210 on which the source electrode 222, the drain electrode 223, and the data line 217 are formed. .

이때, 상기 층간절연막(215b)은 실리콘질화막 또는 실리콘산화막과 같은 무기절연막으로 이루어질 수 있으며, 상기 평탄화막(215c)은 포토 아크릴과 같은 낮은 유전율을 가진 유기 절연물질을 이용하여 형성할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 층간절연막(215b) 위에 평탄화막(215c)을 형성하지 않을 수도 있다.The interlayer insulating layer 215b may be formed of an inorganic insulating layer such as a silicon nitride layer or a silicon oxide layer. The planarization layer 215c may be formed using an organic insulating material having a low dielectric constant such as photo-acryl. However, the present invention is not limited thereto, and the planarization layer 215c may not be formed on the interlayer insulation layer 215b.

이후, 상기 어레이 기판(210) 전면에 제 3 도전막을 증착한 후, 포토리소그래피공정(제 4 마스크공정)을 이용하여 선택적으로 패터닝함으로써 제 1 콘택홀을 제외한 상기 화소부 전체에 상기 제 3 도전막으로 이루어지며, 제 2 콘택홀을 통해 상기 공통라인과 전기적으로 접속하는 공통전극(208)을 형성하게 된다.Then, a third conductive layer is deposited on the entire surface of the array substrate 210, and then selectively patterned using a photolithography process (fourth mask process) to form the third conductive layer on the entire pixel except for the first contact hole. And a common electrode 208 electrically connected to the common line is formed through the second contact hole.

다음으로, 도 11e에 도시된 바와 같이, 상기 공통전극(208)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 보호막(215d)을 증착한 후 포토리소그래피공정(제 5 마스크공정)을 이용하여 상기 층간절연막(215b)과 평탄화막(215d) 및 보호막(215d)을 선택적으로 패터닝함으로써 상기 드레인전극(223)의 일부를 노출시키는 제 1 콘택홀(220)을 형성한다.11E, a protective film 215d is deposited on the entire surface of the array substrate 210 on which the common electrode 208 is formed, and then a protective film 215d is formed on the interlayer insulating film ( The first contact hole 220 exposing a part of the drain electrode 223 is formed by selectively patterning the gate electrode 215b, the planarization film 215d and the protective film 215d.

이후, 도 11f에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(215d)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 제 4 도전막을 증착한다.Then, as shown in FIG. 11F, a fourth conductive film is deposited on the entire surface of the array substrate 210 on which the protective film 215d is formed.

이후, 포토리소그래피공정(제 6 마스크공정)을 이용하여 선택적으로 패터닝함으로써 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 드레인전극(223)과 전기적으로 접속하는 화소전극(218)을 형성하게 된다. 이때, 상기 화소전극(218)은 화소영역 내에서 다수의 슬릿(218s)을 가지도록 형성될 수 있다.Thereafter, a pixel electrode 218 electrically connected to the drain electrode 223 is formed through the first contact hole by selectively patterning using a photolithography process (sixth mask process). At this time, the pixel electrode 218 may have a plurality of slits 218s in the pixel region.

다음으로, 도 11g에 도시된 바와 같이, 이와 같이 제조된 본 발명의 제 2 실시예의 어레이 기판(210) 표면에 갭 스페이서(230a)와 눌림 스페이서(미도시)로 이루어진 컬럼 스페이서(230a, 미도시)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 11G, a gap spacer 230a and a column spacer 230a (not shown) made of a pressed spacer (not shown) are formed on the surface of the array substrate 210 of the second embodiment of the present invention, ).

이때, 전술한 바와 같이 상기 갭 스페이서(230a)와 눌림 스페이서는 화소영역에 위치하는 것보다 이를 피한 영역에 위치하도록 하는 것이 화질 면에서 유리하며, 따라서 박막 트랜지스터가 위치한 영역이나 상기 게이트 배선 또는 공통라인이 위치한 영역, 즉 가로방향의 블랙매트릭스 영역에 위치하는 것이 바람직하다.In this case, as described above, it is advantageous in view of image quality that the gap spacer 230a and the pressed spacer are located in the avoided region rather than in the pixel region. Therefore, the region where the thin film transistor is located, That is, the black matrix area in the horizontal direction.

해상도에 따라 상기 갭 스페이서(230a)와 눌림 스페이서는 단일한 서브-화소 내에 위치할 수도 있고, 이웃한 서브-화소간 나누어 위치할 수도 있다.Depending on the resolution, the gap spacers 230a and the pressed spacers may be located within a single sub-pixel or may be located between neighboring sub-pixels.

이때, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 갭 스페이서(230a)는 적색의 서브-화소에 형성되는 반면, 눌림 스페이서는 상기 갭 스페이서(230a)가 형성되지 않은 적색의 서브-화소와 청색의 서브-화소에 형성되는 것을 특징으로 한다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.At this time, the gap spacer 230a according to the second embodiment of the present invention is formed on the red sub-pixel, while the pressed spacer includes the red sub-pixel in which the gap spacer 230a is not formed and the blue sub- - pixels. However, the present invention is not limited thereto.

다음으로, 컬러필터 기판의 제조공정을 설명하면, 도 11h에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연물질로 이루어진 컬러필터 기판(205) 위에 적색의 서브-컬러필터(207R)를 형성한다. 이때, 상기 적색의 서브-컬러필터(207R) 대신에 녹색의 서브-컬러필터나 청색의 서브-컬러필터를 먼저 형성할 수도 있다.Next, the manufacturing process of the color filter substrate will be described. As shown in Fig. 11H, a red sub-color filter 207R is formed on a color filter substrate 205 made of a transparent insulating material such as glass. At this time, instead of the red sub-color filter 207R, a green sub-color filter or a blue sub-color filter may be formed first.

먼저, 전술한 바와 같이 상기 컬러필터 기판(205) 위에 감광성의 제 1 유기막을 형성한다. 상기 제 1 유기막은 자외선에 의해 감광되는 컬러 안료로 구성되며, 적색, 녹색 및 청색의 컬러 레지스트 중 적색(여기서는 적색, 녹색 및 청색의 순서로 서브-컬러필터를 형성하는 것을 기준으로 설명)을 띄는 컬러 레지스트를 컬러필터 기판(205)의 전면에 도포한 후 선택적으로 노광하여 원하는 영역에 적색의 서브-컬러필터(207R)를 형성한다.First, a photosensitive first organic film is formed on the color filter substrate 205 as described above. The first organic layer is composed of color pigments sensitized by ultraviolet rays. The first organic layer is formed of a red color, a green color, and a blue color among the red color (here, based on formation of sub-color filters in the order of red, green and blue) A color resist is applied to the entire surface of the color filter substrate 205 and then selectively exposed to form a red sub-color filter 207R in a desired area.

이때, 상기 적색의 서브-컬러필터(207R)는 포토리소그래피공정을 이용하여 형성하며, 다른 점은 포토레지스트로 컬러 레지스트를 사용한다는 점이다.At this time, the red sub-color filter 207R is formed using a photolithography process, and the other point is that a color resist is used as a photoresist.

이후, 도 11i에 도시된 바와 같이, 상기 적색의 서브-컬러필터(207R)가 형성된 컬러필터 기판(205) 전면에 녹색의 컬러 레지스트를 도포한 후 선택적으로 노광하여 제 2 유기막인 녹색의 서브-컬러필터(207G)를 형성한다.Then, as shown in FIG. 11I, a green color resist is coated on the entire surface of the color filter substrate 205 on which the red sub-color filter 207R is formed, and then selectively exposed to form a green sub- - color filter 207G.

이후, 도 11j에 도시된 바와 같이, 상기 적색의 서브-컬러필터(207R)와 녹색의 서브-컬러필터(207G)가 형성된 컬러필터 기판(205) 전면에 청색의 컬러 레지스트를 도포한 후 선택적으로 노광하여 제 3 유기막인 청색의 서브-컬러필터(207B)를 형성하면 컬러필터(207)가 완성되게 된다.11J, a blue color resist is coated on the entire surface of the color filter substrate 205 on which the red sub-color filter 207R and the green sub-color filter 207G are formed, When the blue sub-color filter 207B which is the third organic film is formed by exposure, the color filter 207 is completed.

다음으로, 도 11k에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터(207)가 형성된 컬러필터 기판(205) 위에 오버코트층(209)을 형성하여 평탄화 한 후에 불필요한 빛을 차단하기 위해 블랙매트릭스(206a, 206b)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 11K, after the overcoat layer 209 is formed on the color filter substrate 205 on which the color filter 207 is formed and is planarized, black matrices 206a and 206b are formed to shield unnecessary light, .

상기 블랙매트릭스(206a, 206b)는 수지 재질의 유기막이 적용될 수 있는데, 예를 들면 카본 블랙이나 흑색 안료 중 어느 하나를 포함한 아크릴, 에폭시 또는 폴리이미드 수지 등의 착색된 유기계 수지 등을 적용할 수 있다.For the black matrices 206a and 206b, an organic film of a resin material may be used. For example, a colored organic resin such as acrylic, epoxy or polyimide resin including any one of carbon black and black pigment may be applied .

이때, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 블랙매트릭스(206a, 206b)는 상기 컬럼 스페이서(230a, 미도시)가 위치하는 영역에 걸쇠 구조를 가지도록 형성된 제 1 블랙매트릭스(206a)와 그 이외의 영역에 균일한 두께로 형성된 제 2 블랙매트릭스(206b)를 포함한다.The black matrices 206a and 206b according to the second embodiment of the present invention may include a first black matrix 206a formed to have a latch structure in a region where the column spacer 230a (not shown) And a second black matrix 206b formed in a uniform thickness in the region of the second black matrix 206b.

상기 제 1 블랙매트릭스(206a)는 하프-톤 마스크나 회절 마스크를 이용하여 상기 컬럼 스페이서(230a, 미도시)가 위치하는 영역 주위로 돌출된 이동방지 턱(B)을 가지도록 형성함에 따라 걸쇠 구조를 가지는 것을 특징으로 한다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 마스크를 추가하여 상기의 제 1 블랙매트릭스(206a)의 걸쇠 구조를 형성할 수도 있다.The first black matrix 206a is formed to have a movement preventing jaw B protruding around a region where the column spacer 230a (not shown) is positioned using a half-tone mask or a diffraction mask, . However, the present invention is not limited thereto, and a mask may be added to form the latch structure of the first black matrix 206a.

다음으로, 도 11l에 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판(210)은 컬럼 스페이서(230a, 미도시)를 통해 셀갭을 유지한 상태에서 상기 컬러필터 기판(205)과 대향하여 합착되어 액정패널을 구성하게 된다.Next, as shown in FIG. 11L, the array substrate 210 is adhered to the color filter substrate 205 in a state of being held in a cell gap through a column spacer 230a (not shown) to form a liquid crystal panel .

도 12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정표시장치의 단면 구조를 개략적으로 나타내는 도면으로써, FFS 방식의 액정표시장치 일부를 개략적으로 나타내고 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 FFS 방식뿐만 아니라 횡전계를 이용한 IPS 방식의 액정표시장치에도 적용된다.12 schematically shows a cross-sectional structure of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, and schematically shows a part of an FFS type liquid crystal display device. However, the present invention is not limited thereto, and is applicable to an IPS type liquid crystal display device using a transverse electric field as well as the FFS method.

이때, 상기 도 12에 도시된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정표시장치는 걸쇠 구조를 오버코트층 표면에 형성한 것을 제외하고는 전술한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치와 실질적으로 동일한 구성으로 이루어져 있다.The liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. 12 is different from the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention except that the latch structure is formed on the surface of the overcoat layer. As shown in Fig.

상기 도 12를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 어레이 기판(210)에는 상기 투명한 어레이 기판(310) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(미도시)과 데이터라인(317)이 형성되어 있다. 또한, 상기 게이트라인과 데이터라인(317)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있으며, 상기 화소영역 내에는 액정분자를 구동시키기 위해 공통전극(308)과 다수의 슬릿(318s)을 가진 화소전극(318)이 형성되어 있다.12, the array substrate 210 according to the third exemplary embodiment of the present invention includes gate lines (not shown) arranged vertically and horizontally on the transparent array substrate 310 to define pixel regions and data lines 317 Is formed. In addition, a thin film transistor, which is a switching device, is formed in an intersection region of the gate line and the data line 317, and a common electrode 308 and a plurality of slits 318s are formed in the pixel region to drive liquid crystal molecules A pixel electrode 318 is formed.

상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트라인에 연결된 게이트전극(321), 상기 데이터라인(317)에 연결된 소오스전극(322) 및 제 1 콘택홀을 통해 상기 화소전극(318)에 전기적으로 접속된 드레인전극(323)으로 구성되어 있다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트전극(321)과 소오스/드레인전극(322, 323) 사이의 절연을 위한 게이트절연막(315a) 및 상기 게이트전극(321)에 공급되는 게이트 전압에 의해 상기 소오스전극(322)과 드레인전극(323) 간에 전도채널을 형성하는 액티브층(324)을 포함한다.The thin film transistor includes a gate electrode 321 connected to the gate line, a source electrode 322 connected to the data line 317 and a drain electrode 323 electrically connected to the pixel electrode 318 through a first contact hole. ). The thin film transistor includes a gate insulating film 315a for insulation between the gate electrode 321 and the source and drain electrodes 322 and 323 and a source electrode And an active layer 324 that forms a conduction channel between the drain electrode 322 and the drain electrode 323.

이때, 상기 액티브층(324)으로 비정질 실리콘 박막을 이용하는 경우 상기 액티브층(324)의 소오스/드레인영역은 오믹-콘택층(325n)을 통해 상기 소오스/드레인전극(322, 323)과 오믹-콘택을 형성하게 된다. 다만, 전술한 바와 같이 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 액티브층(324)으로 다결정 실리콘 박막이나 산화물 반도체를 이용할 수도 있다.When the amorphous silicon thin film is used as the active layer 324, the source / drain regions of the active layer 324 are electrically connected to the source / drain electrodes 322 and 323 through the ohmic-contact layer 325n, . However, the present invention is not limited thereto, and the active layer 324 may be formed of a polycrystalline silicon thin film or an oxide semiconductor.

전술한 본 발명의 제 1, 제 2 실시예와 동일하게 상기 화소영역 내에는 프린지 필드를 발생시키기 위해 공통전극(308)과 화소전극(318)이 형성되어 있는데, 이때 상기 공통전극(308)은 층간절연막(315b)과 평탄화막(315c) 위에 형성되는 한편 상기 제 1 콘택홀을 제외한 화소부 전체에 단일 패턴으로 형성되어 있으며, 상기 화소전극(318)은 각각의 화소영역 내에 박스 형태로 형성되는 한편 보호막(315d) 위에 다수의 슬릿(318s)을 가지도록 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 화소전극(318) 대신에 상기 공통전극(308)이 다수의 슬릿을 가지도록 형성될 수도 있다.The common electrode 308 and the pixel electrode 318 are formed in the pixel region to generate a fringe field in the same manner as in the first and second embodiments of the present invention, Is formed on the interlayer insulating film 315b and the planarization film 315c and is formed in a single pattern on the entire pixel portion excluding the first contact hole and the pixel electrode 318 is formed in a box shape in each pixel region On the other hand, it can be formed to have a plurality of slits 318s on the protective film 315d. However, the present invention is not limited thereto. Instead of the pixel electrode 318, the common electrode 308 may have a plurality of slits.

이때, 상기 공통전극(308)은 제 2 콘택홀(미도시)을 통해 상기 게이트라인에 대해 평행하게 배열된 공통라인(미도시)에 전기적으로 접속할 수도 있다.At this time, the common electrode 308 may be electrically connected to a common line (not shown) arranged in parallel to the gate line through a second contact hole (not shown).

이와 같이 구성된 상기 어레이 기판(310)은 컬럼 스페이서(330a, 미도시)를 통해 셀갭을 유지한 상태에서 컬러필터 기판(305)과 합착되어 액정패널을 구성하게 되는데, 이때 상기 컬러필터 기판(305)은 적, 녹 및 청의 색상을 구현하는 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터(307R, 307G, 307B)로 구성된 컬러필터(307)와 상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터(307R, 307G, 307B)들 사이를 구분하고 액정층(미도시)을 투과하는 광을 차단하는 블랙매트릭스(306), 그리고 상기 컬러필터(307)와 블랙매트릭스(306) 위에 형성된 오버코트층(309)으로 이루어져 있다.The array substrate 310 thus formed is bonded to the color filter substrate 305 in a state where the cell gap is maintained through the column spacer 330a (not shown) to form a liquid crystal panel. At this time, Color filters 307R, 307G, and 307B that are composed of red, green, and blue sub-color filters 307R, 307G, and 307B that emit red, green, And 307B and blocks light transmitted through a liquid crystal layer (not shown), and an overcoat layer 309 formed on the color filter 307 and the black matrix 306 .

이때, 전술한 본 발명의 제 1, 제 2 실시예와 동일하게 상기 본 발명의 제 3 실시예에 따른 컬럼 스페이서(330a, 미도시)는 이중 구조로 상기 컬러필터 기판(305)과 어레이 기판(310) 사이의 갭을 유지하는 갭 스페이서(330a), 그리고 눌림을 방지하는 눌림 스페이서(미도시)로 이루어진 것을 특징으로 한다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.In this case, the column spacer 330a (not shown) according to the third embodiment of the present invention has a double structure in which the color filter substrate 305 and the array substrate A gap spacer 330a for holding a gap between the first and second electrodes 310 and 310, and a pressing spacer (not shown) for preventing the pressing. However, the present invention is not limited thereto.

상기 갭 스페이서(330a)는 상기 컬러필터 기판(305)과 어레이 기판(310) 사이의 이격된 갭을 유지하기 위한 기능을 하기 때문에 상기 컬러필터 기판(305)과 어레이 기판(310)에 맞닿도록 구성되어야 하며, 상기 눌림 스페이서는 상기 컬러필터 기판(305)과 어레이 기판(310) 중 어느 하나와는 이격된 거리를 두어야 한다.The gap spacer 330a functions to maintain a spaced gap between the color filter substrate 305 and the array substrate 310 so that the color filter substrate 305 and the array substrate 310 And the pressing spacers must be spaced apart from any one of the color filter substrate 305 and the array substrate 310.

상기 갭 스페이서(330a)와 눌림 스페이서는 화소영역에 위치하는 것보다 이를 피한 영역에 위치하도록 하는 것이 화질 면에서 유리하며, 따라서 박막 트랜지스터가 위치한 영역이나 상기 게이트 배선 또는 공통라인이 위치한 영역에 위치하는 것이 바람직하다.The gap spacer 330a and the pressed spacer are advantageous in terms of image quality in that they are located in the avoided region rather than in the pixel region and thus are located in the region where the thin film transistor is located or in the region where the gate line or the common line is located .

해상도에 따라 상기 갭 스페이서(330a)와 눌림 스페이서는 단일한 서브-화소 내에 위치할 수도 있고, 이웃한 서브-화소간 나누어 위치할 수도 있다.Depending on the resolution, the gap spacers 330a and the pressed spacers may be located within a single sub-pixel or may be located between neighboring sub-pixels.

이때, 상기 본 발명의 제 3 실시예에 따른 갭 스페이서(330a)는 적색의 서브-화소에 형성되는 반면, 눌림 스페이서는 상기 갭 스페이서(330a)가 형성되지 않은 적색의 서브-화소와 청색의 서브-화소에 형성되는 것을 특징으로 한다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.At this time, the gap spacer 330a according to the third embodiment of the present invention is formed on the red sub-pixel, while the pressed spacer is formed on the red sub-pixel in which the gap spacer 330a is not formed and the blue sub- - pixels. However, the present invention is not limited thereto.

특히, 상기 본 발명의 제 3 실시예에 따른 컬럼 스페이서(330a, 미도시)는 상부 컬러필터 기판(305)이 아닌 하부 어레이 기판(310)에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.Particularly, the column spacer 330a (not shown) according to the third embodiment of the present invention is formed on the lower array substrate 310, not on the upper color filter substrate 305.

또한, 상기 본 발명의 제 3 실시예에 따른 오버코트층(309)은 하부 컬럼 스페이서(330a, 미도시)가 위치하는 영역에 이동방지 홀(H)이 형성된 걸쇠 구조를 가지도록 형성하는 것을 특징으로 한다.The overcoat layer 309 according to the third embodiment of the present invention is formed to have a latch structure in which a movement preventing hole H is formed in a region where a lower column spacer 330a (not shown) do.

이와 같이 상기 본 발명의 제 3 실시예에 따른 오버코트층(309)은 하프-톤 마스크나 회절 마스크를 이용하여 상기 컬럼 스페이서(330a, 미도시)가 위치하는 영역 주위로 이동방지 홀(H)을 가지도록 형성함에 따라 걸쇠 구조를 가지는 것을 특징으로 한다.As described above, the overcoat layer 309 according to the third embodiment of the present invention is provided with a movement preventing hole H around a region where the column spacer 330a (not shown) is positioned using a half-tone mask or a diffraction mask So that it has a latching structure.

이때, 상기 오버코트층(309)의 이동방지 홀(H) 내에 위치한 컬럼 스페이서(230a, 미도시)는 이동이 구속됨에 따라 외력에 의해 컬럼 스페이서(230a, 미도시)가 상하로 밀리는 현상이 최소화될 수 있게 된다.At this time, the movement of the column spacer 230a (not shown) located in the movement preventing hole H of the overcoat layer 309 is restricted so that the phenomenon that the column spacer 230a (not shown) is pushed up and down by an external force is minimized .

이에 따라 기존의 레드 아이 불량이 방지되는 동시에 추가 개구영역의 확보로 개구율과 투과율이 증가하게 된다.As a result, the conventional red eye defect is prevented, and at the same time, the aperture ratio and the transmittance are increased due to the provision of additional aperture regions.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a manufacturing method of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 13a 내지 도 13k는 상기 도 12에 도시된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 컬러필터 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도이다.13A to 13K are cross-sectional views sequentially showing a manufacturing process of a color filter substrate according to a third embodiment of the present invention shown in FIG.

어레이 기판의 제조공정을 먼저 설명하면, 도 13a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연물질로 이루어진 어레이 기판(310)에 게이트전극(321)과 게이트라인(미도시) 및 공통라인(미도시)을 형성한다.13A, a gate electrode 321, a gate line (not shown), and a common line (not shown) are formed on an array substrate 310 made of a transparent insulating material such as glass, ).

상기 게이트전극(321)과 게이트라인, 즉 게이트 배선 및 공통라인은 제 1 도전막을 상기 어레이 기판(310) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정(제 1 마스크공정)을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성하게 된다.The gate electrode 321 and the gate line, that is, the gate line and the common line are formed by selectively depositing a first conductive film on the entire surface of the array substrate 310 and then performing a photolithography process (first mask process) .

다음으로, 도 13b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(321)과 게이트라인 및 공통라인이 형성된 어레이 기판(310) 전면에 게이트절연막(315a)과 비정질 실리콘 박막 및 n+ 비정질 실리콘 박막을 형성한다.Next, as shown in FIG. 13B, a gate insulating film 315a, an amorphous silicon thin film, and an n + amorphous silicon thin film are formed on the entire surface of the array substrate 310 on which the gate electrode 321 and the gate line and the common line are formed.

이후, 포토리소그래피 공정(제 2 마스크공정)을 통해 상기 비정질 실리콘 박막과 n+ 비정질 실리콘 박막을 선택적으로 제거함으로써 상기 게이트전극(321) 위에 상기 게이트절연막(315a)이 개재된 상태에서 상기 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 액티브층(324)을 형성한다.Thereafter, the amorphous silicon thin film and the n + amorphous silicon thin film are selectively removed through a photolithography process (second mask process) to form the amorphous silicon thin film with the gate insulating film 315a interposed therebetween The active layer 324 is formed.

이때, 상기 액티브층(324) 위에는 상기 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(325)이 형성되게 된다.At this time, the n + amorphous silicon thin film pattern 325 made of the n + amorphous silicon thin film is formed on the active layer 324.

다음으로, 도 13c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층(324)이 형성된 어레이 기판(310) 전면에 제 2 도전막을 형성한다.Next, as shown in FIG. 13C, a second conductive layer is formed on the entire surface of the array substrate 310 on which the active layer 324 is formed.

이후, 포토리소그래피 공정(제 3 마스크공정)을 통해 상기 n+ 비정질 실리콘 박막과 제 2 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 액티브층(324) 상부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 소오스전극(322)과 드레인전극(323)을 형성하는 한편, 상기 어레이 기판(310)의 데이터라인 영역에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터라인(317)을 형성하게 된다.Thereafter, the n + amorphous silicon thin film and the second conductive film are selectively removed through a photolithography process (a third mask process), thereby forming a source electrode 322 and a drain electrode 322 of the second conductive film on the active layer 324, And a data line 317 made of the second conductive film is formed in the data line region of the array substrate 310. [

이때, 상기 액티브층(324) 상부에는 상기 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어지며, 상기 액티브층(324)의 소오스/드레인영역과 상기 소오스/드레인전극(322, 323) 사이를 오믹-콘택시키는 오믹-콘택층(325n)이 형성되게 된다.At this time, an n + amorphous silicon thin film is formed on the active layer 324 and an ohmic contact is formed between the source / drain region of the active layer 324 and the source / drain electrodes 322 and 323, A layer 325n is formed.

이때, 상기 본 발명의 제 3 실시예는 상기 액티브층(324)과 데이터 배선의 형성에 2번의 마스크공정을 이용하는 경우를 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명에 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 액티브층(324)과 데이터 배선은 하프-톤 마스크나 회절 마스크를 이용하여 한번의 마스크공정으로 형성할 수도 있다.In the third embodiment of the present invention, two mask processes are used to form the active layer 324 and the data line. However, the present invention is not limited to this, The data line 324 and the data line may be formed by a single mask process using a half-tone mask or a diffraction mask.

다음으로, 도 13d에 도시된 바와 같이, 상기 소오스전극(322)과 드레인전극(323) 및 데이터라인(317)이 형성된 어레이 기판(310) 전면에 층간절연막(315b) 및 평탄화막(315c)을 형성한다.13D, an interlayer insulating layer 315b and a planarization layer 315c are formed on the entire surface of the array substrate 310 on which the source electrode 322, the drain electrode 323, and the data line 317 are formed. .

이때, 상기 층간절연막(315b)은 실리콘질화막 또는 실리콘산화막과 같은 무기절연막으로 이루어질 수 있으며, 상기 평탄화막(315c)은 포토 아크릴과 같은 낮은 유전율을 가진 유기 절연물질을 이용하여 형성할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 층간절연막(315b) 위에 평탄화막(315c)을 형성하지 않을 수도 있다.The interlayer insulating layer 315b may be an inorganic insulating layer such as a silicon nitride layer or a silicon oxide layer. The planarization layer 315c may be formed using an organic insulating material having a low dielectric constant such as photo-acryl. However, the present invention is not limited thereto, and the planarizing film 315c may not be formed on the interlayer insulating film 315b.

이후, 상기 어레이 기판(310) 전면에 제 3 도전막을 증착한 후, 포토리소그래피공정(제 4 마스크공정)을 이용하여 선택적으로 패터닝함으로써 제 1 콘택홀을 제외한 상기 화소부 전체에 상기 제 3 도전막으로 이루어지며, 제 2 콘택홀을 통해 상기 공통라인과 전기적으로 접속하는 공통전극(308)을 형성하게 된다.Then, a third conductive layer is deposited on the entire surface of the array substrate 310, and then selectively patterned using a photolithography process (fourth mask process) to form the third conductive layer on the entire pixel except for the first contact hole. And a common electrode 308 electrically connected to the common line is formed through the second contact hole.

다음으로, 도 13e에 도시된 바와 같이, 상기 공통전극(308)이 형성된 어레이 기판(310) 전면에 보호막(315d)을 증착한 후 포토리소그래피공정(제 5 마스크공정)을 이용하여 상기 층간절연막(315b)과 평탄화막(315d) 및 보호막(315d)을 선택적으로 패터닝함으로써 상기 드레인전극(323)의 일부를 노출시키는 제 1 콘택홀(320)을 형성한다.13E, a protective film 315d is deposited on the entire surface of the array substrate 310 on which the common electrode 308 is formed. Then, a protective film 315d is formed on the entire surface of the interlayer insulating film 315d by using a photolithography process (fifth mask process) The first contact hole 320 exposing a part of the drain electrode 323 is selectively formed by selectively patterning the gate insulating layer 315b, the planarization layer 315d and the protective layer 315d.

이후, 도 13f에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(315d)이 형성된 어레이 기판(310) 전면에 제 4 도전막을 증착한다.Then, as shown in FIG. 13F, a fourth conductive layer is deposited on the entire surface of the array substrate 310 on which the protective layer 315d is formed.

이후, 포토리소그래피공정(제 6 마스크공정)을 이용하여 선택적으로 패터닝함으로써 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 드레인전극(323)과 전기적으로 접속하는 화소전극(318)을 형성하게 된다. 이때, 상기 화소전극(318)은 화소영역 내에서 다수의 슬릿(318s)을 가지도록 형성될 수 있다.Thereafter, a pixel electrode 318 electrically connected to the drain electrode 323 is formed through the first contact hole by selectively patterning using a photolithography process (a sixth mask process). At this time, the pixel electrode 318 may have a plurality of slits 318s in the pixel region.

다음으로, 도 13g에 도시된 바와 같이, 이와 같이 제조된 본 발명의 제 3 실시예의 어레이 기판(310) 표면에 갭 스페이서(330a)와 눌림 스페이서(미도시)로 이루어진 컬럼 스페이서(330a, 미도시)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 13G, a gap spacer 330a and a column spacer 330a (not shown) made of a pressed spacer (not shown) are formed on the surface of the array substrate 310 of the third embodiment of the present invention, ).

다음으로, 컬러필터 기판의 제조공정을 설명하면, 도 13h에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연물질로 이루어진 컬러필터 기판(305) 위에 불필요한 빛을 차단하기 위해 블랙매트릭스(306)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 13H, a black matrix 306 is formed on the color filter substrate 305 made of a transparent insulating material such as glass to shield unnecessary light .

상기 블랙매트릭스(306)는 수지 재질의 유기막이 적용될 수 있는데, 예를 들면 카본 블랙이나 흑색 안료 중 어느 하나를 포함한 아크릴, 에폭시 또는 폴리이미드 수지 등의 착색된 유기계 수지 등을 적용할 수 있다.For the black matrix 306, an organic film made of a resin material can be applied. For example, a colored organic resin such as acrylic, epoxy or polyimide resin including any one of carbon black and black pigment can be applied.

다음으로, 도 13i에 도시된 바와 같이, 상기 블랙매트릭스(306)가 형성된 컬러필터 기판(305) 위에 적색의 서브-컬러필터(307R)를 형성한다. 이때, 상기 적색의 서브-컬러필터(307R) 대신에 녹색의 서브-컬러필터나 청색의 서브-컬러필터를 먼저 형성할 수도 있다.Next, as shown in FIG. 13I, a red sub-color filter 307R is formed on the color filter substrate 305 on which the black matrix 306 is formed. At this time, instead of the red sub-color filter 307R, a green sub-color filter or a blue sub-color filter may be formed first.

먼저, 전술한 바와 같이 상기 컬러필터 기판(305) 위에 감광성의 제 1 유기막을 형성한다. 상기 제 1 유기막은 자외선에 의해 감광되는 컬러 안료로 구성되며, 적색, 녹색 및 청색의 컬러 레지스트 중 적색(여기서는 적색, 녹색 및 청색의 순서로 서브-컬러필터를 형성하는 것을 기준으로 설명)을 띄는 컬러 레지스트를 컬러필터 기판(305)의 전면에 도포한 후 선택적으로 노광하여 원하는 영역에 적색의 서브-컬러필터(307R)를 형성한다.First, a photosensitive first organic film is formed on the color filter substrate 305 as described above. The first organic layer is composed of color pigments sensitized by ultraviolet rays. The first organic layer is formed of a red color, a green color, and a blue color among the red color (here, based on formation of sub-color filters in the order of red, green and blue) A color resist is applied to the entire surface of the color filter substrate 305 and then selectively exposed to form a red sub-color filter 307R in a desired area.

이때, 상기 적색의 서브-컬러필터(307R)는 포토리소그래피공정을 이용하여 형성하며, 다른 점은 포토레지스트로 컬러 레지스트를 사용한다는 점이다.At this time, the red sub-color filter 307R is formed by using a photolithography process, and the other point is that a color resist is used as a photoresist.

이후, 상기 적색의 서브-컬러필터(307R)가 형성된 컬러필터 기판(305) 전면에 녹색의 컬러 레지스트를 도포한 후 선택적으로 노광하여 제 2 유기막인 녹색의 서브-컬러필터(307G)를 형성한다.Then, a green color resist is coated on the entire surface of the color filter substrate 305 on which the red sub-color filter 307R is formed, and then selectively exposed to form a green sub-color filter 307G do.

이후, 상기 적색의 서브-컬러필터(307R)와 녹색의 서브-컬러필터(307G)가 형성된 컬러필터 기판(305) 전면에 청색의 컬러 레지스트를 도포한 후 선택적으로 노광하여 제 3 유기막인 청색의 서브-컬러필터(307B)를 형성하면 컬러필터(307)가 완성되게 된다.Then, a blue color resist is coated on the entire surface of the color filter substrate 305 on which the red sub-color filter 307R and the green sub-color filter 307G are formed, and selectively exposed to form a blue Color filter 307B is completed, the color filter 307 is completed.

다음으로, 도 13j에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터(307)가 형성된 컬러필터 기판(305) 위에 오버코트층(309)을 형성하여 평탄화 한다.Next, as shown in FIG. 13J, an overcoat layer 309 is formed on the color filter substrate 305 on which the color filter 307 is formed to planarize.

이때, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 오버코트층(309)은 하부 컬럼 스페이서(330a, 미도시)가 위치하는 영역에 이동방지 홀(H)이 형성된 걸쇠 구조를 가지도록 형성하는 것을 특징으로 한다.In this case, the overcoat layer 309 according to the second embodiment of the present invention is formed so as to have a latch structure in which a movement preventing hole H is formed in a region where the lower column spacer 330a (not shown) do.

이와 같이 상기 본 발명의 제 3 실시예에 따른 오버코트층(309)은 하프-톤 마스크나 회절 마스크를 이용하여 상기 컬럼 스페이서(330a, 미도시)가 위치하는 영역 주위로 이동방지 홀(H)을 가지도록 형성함에 따라 걸쇠 구조를 가지는 것을 특징으로 한다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 마스크를 추가하여 상기 오버코트층(309)의 걸쇠 구조를 형성할 수도 있다.As described above, the overcoat layer 309 according to the third embodiment of the present invention is provided with a movement preventing hole H around a region where the column spacer 330a (not shown) is positioned using a half-tone mask or a diffraction mask So that it has a latching structure. However, the present invention is not limited thereto, and a mask may be added to form a latch structure of the overcoat layer 309.

다음으로, 도 13k에 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판(310)은 컬럼 스페이서(330a, 미도시)를 통해 셀갭을 유지한 상태에서 상기 컬러필터 기판(305)과 대향하여 합착되어 액정패널을 구성하게 된다.Next, as shown in FIG. 13K, the array substrate 310 is adhered to the color filter substrate 305 while being held in a cell gap through a column spacer 330a (not shown) to form a liquid crystal panel .

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.While a great many are described in the foregoing description, it should be construed as an example of preferred embodiments rather than limiting the scope of the invention. Therefore, the invention should not be construed as limited to the embodiments described, but should be determined by equivalents to the appended claims and the claims.

105,205,305 : 컬러필터 기판 106,206,306 : 블랙매트릭스
107,207,307 : 컬러필터 110,210,310 : 어레이 기판
130a,230a,330a : 갭 스페이서 130b : 눌림 스페이서
209,309 : 오버코트층
105, 205, 305: color filter substrate 106, 206, 306: black matrix
107, 207, 307: Color filters 110, 210, 310:
130a, 230a, 330a: gap spacer 130b: pressing spacer
209, 309: Overcoat layer

Claims (20)

적색, 녹색 및 청색의 서브-화소로 구성된 다수개의 화소가 매트릭스 형태로 배치되며, 액정층을 사이에 두고 서로 대향하여 합착되는 제 1 기판과 제 2 기판;
상기 제 1 기판에 형성된 블랙매트릭스;
상기 블랙매트릭스가 형성된 제 1 기판 위에 형성되며, 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터로 이루어진 컬러필터;
상기 제 2 기판 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인과 데이터라인; 및
상기 게이트라인과 데이터라인이 형성된 제 2 기판 상부에 형성된 컬럼 스페이서를 포함하며,
상기 컬러필터는 상기 게이트라인이 지나가는 가로방향의 블랙매트릭스 영역에서 상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터 각각을 이전 서브-화소 방향으로 한번 꺾이도록 패터닝되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
A first substrate and a second substrate which are arranged in a matrix and in which a plurality of pixels composed of sub-pixels of red, green and blue are arranged in a matrix and are bonded to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween;
A black matrix formed on the first substrate;
A color filter formed on the first substrate on which the black matrix is formed, the color filter comprising red, green and blue sub-color filters;
A gate line and a data line arranged vertically and horizontally on the second substrate to define a pixel region; And
And a column spacer formed on the second substrate on which the gate line and the data line are formed,
Wherein the color filter is patterned to fold each of the red, green, and blue sub-color filters in the direction of the previous sub-pixel in the black matrix area in the horizontal direction through which the gate line passes.
제 1 항에 있어서, 상기 컬러필터는 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역에서 4면이 겹쳐지도록 상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터를 적층, 형성하여 겹쳐진 단차 내에 상기의 컬럼 스페이서가 위치하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The color filter according to claim 1, wherein the color filter is formed by laminating and forming the red, green and blue sub-color filters so that four sides are overlapped in the black matrix area in the transverse direction so that the column spacer is located in the overlapped step Wherein the liquid crystal display device is a liquid crystal display device. 제 1 항에 있어서, 상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터 각각은 세로방향의 서브-화소, 즉 각각 상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터의 화소영역에 대해서 동일하게 배치되도록 형성하되, 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역에서는 이전 서브-화소, 즉 각각 상기 청색, 적색 및 녹색의 서브-화소 방향으로 한번 꺾이도록 패터닝되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.2. The color filter of claim 1, wherein each of the red, green, and blue sub-color filters is formed so as to be equally spaced with respect to the sub-pixels in the vertical direction, i.e., the pixel regions of the red, green, and blue sub- Pixel in the horizontal direction, and in the direction of the sub-pixels in the horizontal direction, that is, in the direction of the sub-pixels of blue, red, and green, respectively. 적색, 녹색 및 청색의 서브-화소로 구성된 다수개의 화소가 매트릭스 형태로 배치되는 제 1 기판과 제 2 기판을 제공하는 단계;
상기 제 1 기판에 블랙매트릭스를 형성하는 단계;
상기 블랙매트릭스가 형성된 제 1 기판 위에 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터로 이루어진 컬러필터를 형성하는 단계;
상기 제 2 기판 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인과 데이터라인을 형성하는 단계;
상기 게이트라인과 데이터라인이 형성된 제 2 기판 상부에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계; 및
상기 컬럼 스페이서를 통해 셀갭을 유지한 상태에서 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며,
상기 컬러필터는 상기 게이트라인이 지나가는 가로방향의 블랙매트릭스 영역에서 상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터 각각을 이전 서브-화소 방향으로 한번 꺾이도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
Providing a first substrate and a second substrate on which a plurality of pixels composed of red, green and blue sub-pixels are arranged in a matrix form;
Forming a black matrix on the first substrate;
Forming a color filter composed of sub-color filters of red, green, and blue on the first substrate on which the black matrix is formed;
Forming a gate line and a data line arranged vertically and horizontally on the second substrate to define a pixel region;
Forming a column spacer on a second substrate on which the gate line and the data line are formed; And
And bonding the first substrate and the second substrate while maintaining the cell gap through the column spacer,
Wherein the color filter is patterned so that each of the red, green, and blue sub-color filters is bent in the direction of the previous sub-pixel in the black matrix area in the horizontal direction through which the gate line passes. .
제 4 항에 있어서, 상기 컬러필터를 형성하는 단계는
상기 블랙매트릭스가 형성된 제 1 기판 위에 적색의 서브-컬러필터를 형성하는 단계;
상기 적색의 서브-컬러필터가 형성된 제 1 기판 위에 녹색의 서브-컬러필터를 형성하는 단계; 및
상기 적색의 서브-컬러필터와 녹색의 서브-컬러필터가 형성된 제 1 기판 위에 청색의 서브-컬러필터를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
5. The method of claim 4, wherein forming the color filter
Forming a red sub-color filter on the first substrate on which the black matrix is formed;
Forming a green sub-color filter on the first substrate on which the red sub-color filter is formed; And
And forming a blue sub-color filter on the first substrate on which the red sub-color filter and the green sub-color filter are formed.
제 5 항에 있어서, 상기 적색의 서브-컬러필터는 세로방향의 서브-화소, 즉 적색의 서브-화소의 화소영역에 대해서 동일하게 배치되도록 형성하되, 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역에서는 이전 서브-화소, 즉 청색의 서브-화소 방향으로 한번 꺾어서 패터닝하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.6. The display device according to claim 5, wherein the red sub-color filter is formed so as to be equally arranged in a pixel area of a sub-pixel in a vertical direction, that is, a red sub-pixel, Pixel, that is, in the direction of a sub-pixel of blue. 제 6 항에 있어서, 상기 적색의 서브-컬러필터는 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역 내에서 3면이 이웃하는 서브-컬러필터, 즉 녹색의 서브-컬러필터와 겹쳐져 소정의 단차를 형성하도록 마진을 가지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.7. The color filter according to claim 6, wherein the red sub-color filter overlaps three sub-color filters, that is, a green sub-color filter, in the lateral black matrix area to form a margin Wherein the liquid crystal display device is a liquid crystal display device. 제 7 항에 있어서, 상기 녹색의 서브-컬러필터는 세로방향의 서브-화소, 즉 녹색의 서브-화소의 화소영역에 대해서 동일하게 배치되도록 형성하되, 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역에서는 이전 서브-화소, 즉 적색의 서브-화소 방향으로 한번 꺾어서 패터닝하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.[8] The method of claim 7, wherein the green sub-color filter is formed so as to be equally arranged in a vertical sub-pixel, i.e., a pixel area of a green sub-pixel, Pixel, that is, in the red sub-pixel direction. 제 8 항에 있어서, 상기 녹색의 서브-컬러필터는 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역 내에서 3면이 이웃하는 서브-컬러필터, 즉 청색의 서브-컬러필터와 겹쳐져 단차를 형성하도록 마진을 가지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.9. A color filter according to claim 8, wherein the green sub-color filter has a margin to overlap a sub-color filter, i.e., a blue sub-color filter, three sides in the lateral black matrix area, Wherein the liquid crystal display device is a liquid crystal display device. 제 9 항에 있어서, 상기 적색의 서브-컬러필터는 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역 내에서 그 3면이 상기 꺾이도록 패터닝된 녹색의 서브-컬러필터와 겹쳐져 단차를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.10. The liquid crystal display according to claim 9, wherein the red sub-color filter overlaps with a green sub-color filter patterned so that three sides thereof in the black matrix area in the lateral direction are patterned to be bent, ≪ / RTI > 제 10 항에 있어서, 상기 청색의 서브-컬러필터는 세로방향의 서브-화소, 즉 청색의 서브-화소의 화소영역에 대해서 동일하게 배치되도록 형성하되, 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역에서는 이전 서브-화소, 즉 녹색의 서브-화소 방향으로 한번 꺾어서 패터닝하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.The display device according to claim 10, wherein the blue sub-color filter is formed so as to be equally arranged in a vertical sub-pixel, that is, a pixel area of a blue sub-pixel, Pixel, that is, in the direction of a green sub-pixel. 제 11 항에 있어서, 상기 청색의 서브-컬러필터는 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역 내에서 3면이 이웃하는 서브-컬러필터, 즉 적색의 서브-컬러필터와 겹쳐져 단차를 형성하도록 마진을 가지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.12. The color filter of claim 11, wherein the blue sub-color filter has a margin to overlap a sub-color filter, i.e., a red sub-color filter, in three lateral sides within the black matrix area of the lateral direction to form a step Wherein the liquid crystal display device is a liquid crystal display device. 제 12 항에 있어서, 상기 녹색의 서브-컬러필터는 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역 내에서 그 3면이 상기 꺾이도록 패터닝된 청색의 서브-컬러필터와 겹쳐져 단차를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.13. The liquid crystal display according to claim 12, wherein the green sub-color filter overlaps with a blue sub-color filter patterned so that the three sides thereof in the black matrix area in the lateral direction are patterned to be bent, ≪ / RTI > 제 13 항에 있어서, 상기 적색의 서브-컬러필터는 상기 가로방향의 블랙매트릭스 영역 내에서 나머지 1면이 상기 꺾이도록 패터닝된 청색의 서브-컬러필터와 겹쳐져 단차를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.14. The liquid crystal display according to claim 13, wherein the red sub-color filter overlaps with the blue sub-color filter patterned so that the remaining one surface in the black matrix area in the lateral direction is patterned to be bent, ≪ / RTI > 적색, 녹색 및 청색의 서브-화소로 구성된 다수개의 화소가 매트릭스 형태로 배치되며, 액정층을 사이에 두고 서로 대향하여 합착되는 제 1 기판과 제 2 기판;
상기 제 1 기판에 형성된 블랙매트릭스와 오버코트층; 및
상기 제 2 기판 상부에 형성된 컬럼 스페이서를 포함하며,
상기 블랙매트릭스나 오버코트층은 상기 컬럼 스페이서가 위치하는 영역에 걸쇠 구조를 가지도록 패터닝 되어 상기 컬럼 스페이서의 이동을 구속하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
A first substrate and a second substrate which are arranged in a matrix and in which a plurality of pixels composed of sub-pixels of red, green and blue are arranged in a matrix and are bonded to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween;
A black matrix and an overcoat layer formed on the first substrate; And
And a column spacer formed on the second substrate,
Wherein the black matrix or the overcoat layer is patterned so as to have a latch structure in a region where the column spacer is located, thereby restricting movement of the column spacer.
제 15 항에 있어서, 상기 블랙매트릭스는 상기 컬럼 스페이서가 위치하는 영역에 걸쇠 구조를 가지도록 형성된 제 1 블랙매트릭스와 그 이외의 영역에 균일한 두께로 형성된 제 2 블랙매트릭스를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display according to claim 15, wherein the black matrix comprises a first black matrix formed to have a latch structure in a region where the column spacer is located, and a second black matrix formed in a region other than the first black matrix with a uniform thickness Liquid crystal display device. 제 16 항에 있어서, 상기 제 1 블랙매트릭스는 상기 컬럼 스페이서가 위치하는 영역 주위로 돌출된 이동방지 턱을 가지도록 형성됨에 따라 걸쇠 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.17. The liquid crystal display of claim 16, wherein the first black matrix is formed to have a movement preventing jaw protruding around a region where the column spacer is located, so that the first black matrix has a latch structure. 제 15 항에 있어서, 상기 오버코트층은 상기 컬럼 스페이서가 위치하는 영역 주위로 이동방지 홀을 가지도록 형성됨에 따라 걸쇠 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display of claim 15, wherein the overcoat layer is formed to have a movement preventing hole around a region where the column spacer is located, so that the overcoat layer has a latch structure. 적색, 녹색 및 청색의 서브-화소로 구성된 다수개의 화소가 매트릭스 형태로 배치되는 제 1 기판과 제 2 기판을 제공하는 단계;
상기 제 1 기판 위에 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터로 이루어진 컬러필터를 형성하는 단계;
상기 컬러필터가 형성된 제 1 기판 위에 오버코트층을 형성하는 단계;
상기 오버코트층이 형성된 제 1 기판 위에 블랙매트릭스를 형성하는 단계;
상기 제 2 기판 상부에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계; 및
상기 컬럼 스페이서를 통해 셀갭을 유지한 상태에서 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며,
상기 블랙매트릭스는 상기 컬럼 스페이서가 위치하는 영역 주위로 돌출된 이동방지 턱을 가지도록 형성됨에 따라 상기 컬럼 스페이서의 이동을 구속하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
Providing a first substrate and a second substrate on which a plurality of pixels composed of red, green and blue sub-pixels are arranged in a matrix form;
Forming a color filter of red, green, and blue sub-color filters on the first substrate;
Forming an overcoat layer on the first substrate on which the color filter is formed;
Forming a black matrix on the first substrate on which the overcoat layer is formed;
Forming a column spacer over the second substrate; And
And bonding the first substrate and the second substrate while maintaining the cell gap through the column spacer,
Wherein the black matrix is formed to have a movement preventing protrusion protruding around an area where the column spacer is located, thereby restricting movement of the column spacer.
적색, 녹색 및 청색의 서브-화소로 구성된 다수개의 화소가 매트릭스 형태로 배치되는 제 1 기판과 제 2 기판을 제공하는 단계;
상기 제 1 기판 위에 블랙매트릭스를 형성하는 단계;
상기 블랙매트릭스가 형성된 제 1 기판 위에 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터로 이루어진 컬러필터를 형성하는 단계;
상기 컬러필터가 형성된 제 1 기판 위에 오버코트층을 형성하는 단계;
상기 제 2 기판 상부에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계; 및
상기 컬럼 스페이서를 통해 셀갭을 유지한 상태에서 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며,
상기 오버코트층은 상기 컬럼 스페이서가 위치하는 영역 주위로 이동방지 홀을 가지도록 형성됨에 따라 상기 컬럼 스페이서의 이동을 구속하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
Providing a first substrate and a second substrate on which a plurality of pixels composed of red, green and blue sub-pixels are arranged in a matrix form;
Forming a black matrix on the first substrate;
Forming a color filter composed of sub-color filters of red, green, and blue on the first substrate on which the black matrix is formed;
Forming an overcoat layer on the first substrate on which the color filter is formed;
Forming a column spacer over the second substrate; And
And bonding the first substrate and the second substrate while maintaining the cell gap through the column spacer,
Wherein the overcoat layer is formed to have a movement preventing hole around an area where the column spacer is located, thereby restricting movement of the column spacer.
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