KR20150078607A - Tank and substrate treating apparatus and method - Google Patents

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Abstract

Provided is a substrate treating apparatus. The substrate treating apparatus includes: a drying chamber for drying a substrate by dissolving an organic solvent on the substrate with supercritical fluid; a supply unit which supplies the fluid to the drying chamber; and a reproduction unit which has a buffer tank for storing the fluid discharged from the drying chamber, separates the fluid from the organic solvent and reproduces the organic solvent, and supplies the reproduced fluid to the supply unit. The supply unit includes a condenser, a water supply tank which receives the fluid liquefied in the condenser and stores the fluid, and a pump which is installed between the condenser and the water supply tank and supplies the fluid to the water supply tank. The water supply tank may include an accumulator. Gas is supplied into the accumulator. The volume of the accumulator changes according to a relative pressure due to the fluid in the water supply tank.

Description

탱크, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {TANK AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD}TANK, SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD,

본 발명은 탱크를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 초임계유체를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus including a tank, and more particularly to a substrate processing apparatus for processing a substrate using a supercritical fluid.

반도체소자는 실리콘웨이퍼 등의 기판 상에 회로패턴을 형성하는 포토리소그래피(photolithography) 공정을 비롯한 다양한 공정을 거쳐 제조된다. 이러한 제조과정 중에는 파티클(particle), 유기오염물, 금속불순물 등의 다양한 이물질이 발생한다. 이러한 이물질들은 기판에 결함(defect)을 유발하게 되므로, 반도체소자의 수율에 직접적인 영향을 미치는 요인으로 작용한다. 따라서, 반도체 제조공정에서는 이러한 이물질을 제거하기 위한 세정공정이 필수적으로 수반된다. Semiconductor devices are manufactured through various processes including a photolithography process for forming a circuit pattern on a substrate such as a silicon wafer. During this manufacturing process, various foreign substances such as particles, organic contaminants and metal impurities are generated. These foreign substances cause defects on the substrate, and thus act as a factor directly affecting the yield of semiconductor devices. Therefore, in the semiconductor manufacturing process, a cleaning process for removing such foreign substances is essentially involved.

일반적인 세정공정에서는 세정제로 기판 상의 이물질을 제거하고, 순수(DI-water: deionized water)로 기판을 세척한 후, 이소프로필알코올(IPA: isopropyl alcohol)을 이용하여 기판을 건조한다. 그러나, 이러한 건조처리는 반도체소자의 회로패턴이 미세한 경우에는 건조효율이 낮을 뿐 아니라 건조과정 중에 회로패턴이 손상되는 도괴현상(pattern collapse)이 빈번하게 발생하기 때문에, 선폭 30nm 이하의 반도체소자에 대해서는 적합하지 않다.In the general cleaning process, foreign substances on the substrate are removed with a cleaning agent, the substrate is washed with pure water (DI-water: deionized water), and then the substrate is dried using isopropyl alcohol (IPA). However, in such a drying process, when the circuit pattern of the semiconductor device is minute, the drying efficiency is low and the pattern collapse frequently occurs in which the circuit pattern is damaged during the drying process. Therefore, Inappropriate.

따라서, 최근에는 이러한 단점을 보완할 수 있는 초임계유체(supercritical fluid)를 이용하여 기판을 건조하는 기술에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 초임계유체를 공급하는 과정에서, 응축기를 지나 액화된 유체는 펌프에 의해 급수탱크에 공급된다. 급수탱크에서 유체는 가열되어 초임계 유체가 된다. 그 후, 급수탱크는 공정 챔버로 초임계유체를 공급한다. 급수탱크는 그 내부의 초임계유체 유량에 따라 압력값의 변동이 생긴다. 또한, 공정 챔버 내로 초임계유체를 공급할 경우, 급수탱크 내부에 압력 강하가 발생하여 공정 시간 증가의 원인이 된다.Therefore, in recent years, studies have been actively conducted on a technique of drying a substrate using a supercritical fluid that can overcome such disadvantages. In the process of supplying the supercritical fluid, the liquefied fluid passing through the condenser is supplied to the water supply tank by the pump. In the feed tank, the fluid is heated to become a supercritical fluid. The feed tank then supplies the supercritical fluid to the process chamber. The pressure of the water supply tank varies depending on the supercritical fluid flow rate therein. Further, when a supercritical fluid is supplied into the process chamber, a pressure drop occurs in the water supply tank, which causes an increase in the process time.

본 발명은 초임계유체를 균일하게 공급할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of uniformly supplying a supercritical fluid.

또한, 본 발명은 초임계유체 공정 장비의 압력 헌팅을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다. It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of minimizing pressure hunting in supercritical fluid processing equipment.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 그리고 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 초임계유체로 제공되는 유체로 기판 상의 유기용제를 용해하여 상기 기판을 건조시키는 건조 챔버, 상기 건조 챔버로 상기 유체를 공급하는 공급 유닛, 상기 건조 챔버로부터 배출된 유체를 저장하는 버퍼탱크를 포함하고 상기 유체로부터 상기 유기용제를 분리하여 재생시키고, 재생된 상기 유체를 상기 공급 유닛으로 공급하는 재생 유닛을 포함하되, 상기 공급 유닛은, 응축기, 상기 응축기에서 액화된 상기 유체를 공급받아 저장하는 급수탱크; 그리고 상기 응축기와 상기 급수탱크 사이에 설치되고, 상기 유체를 상기 급수탱크로 공급시키는 펌프를 포함하되, 상기 급수탱크는, 그 내부에 가스가 제공되어 상기 급수탱크 내부의 상기 유체에 의한 상대 압력에 따라 그 부피가 변하도록 제공되는 축압기를 포함할 수 있다.The present invention provides a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a drying chamber for dissolving an organic solvent on a substrate with a fluid provided as a supercritical fluid to dry the substrate, a supply unit for supplying the fluid to the drying chamber, And a regeneration unit including a buffer tank for storing the fluid discharged from the chamber, separating and regenerating the organic solvent from the fluid, and supplying the regenerated fluid to the supply unit, wherein the supply unit includes a condenser, A water supply tank for receiving and storing the fluid liquefied in the condenser; And a pump installed between the condenser and the water supply tank for supplying the fluid to the water supply tank, wherein the water supply tank is provided with a gas therein, so that the relative pressure of the fluid inside the water supply tank And may be provided with an accumulator provided so as to change its volume.

상기 급수탱크는 메인 탱크 및 그 내부가 상기 메인 탱크와 통하도록 연결되는 보조 탱크를 포함하되, 상기 축압기는 상기 보조 탱크 내에 제공될 수 있다.The water supply tank may include a main tank and an auxiliary tank, the inside of which is connected to the main tank, and the accumulator may be provided in the auxiliary tank.

상기 축압기는 상기 급수 탱크의 내벽에 고정 설치될 수 있다.The accumulator may be fixedly installed on an inner wall of the water supply tank.

상기 가스는 공기일 수 있다.The gas may be air.

상기 축압기는 탄성이 있는 재질로 제공될 수 있다.The accumulator may be provided with an elastic material.

상기 축압기는 고무로 제공될 수 있다.The accumulator may be provided with rubber.

상기 급수 탱크 내로 유입되는 상기 유체는 초임계 상태일 수 있다.The fluid entering the feedwater tank may be in a supercritical state.

상기 유체는 이산화탄소(CO2)일 수 있다. The fluid may be carbon dioxide (CO 2 ).

또한, 본 발명은 탱크를 제공한다. The present invention also provides a tank.

본 발명의 일 실시예에 따른 유체를 공급받고 그 내부에 상기 유체를 저장하는 탱크에 있어서, 상기 탱크는, 그 내부에 가스가 제공되어 상기 탱크 내부의 상기 유체에 의한 상대 압력에 따라 그 부피가 변하도록 제공되는 축압기를 포함할 수 있다.In a tank for receiving a fluid according to an embodiment of the present invention and storing the fluid therein, the tank is provided with a gas therein, and the volume of the tank is adjusted according to the relative pressure of the fluid inside the tank And an accumulator provided so as to be varied.

상기 탱크는 메인 탱크 및 그 내부가 상기 메인 탱크와 통하도록 연결되는 보조 탱크를 포함하되, 상기 축압기는 상기 보조 탱크 내에 제공될 수 있다.The tank includes a main tank and an auxiliary tank, the inside of which is communicated with the main tank, and the accumulator may be provided in the auxiliary tank.

상기 가스는 공기일 수 있다.The gas may be air.

상기 축압기는 탄성이 있는 재질로 제공될 수 있다.The accumulator may be provided with an elastic material.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. The present invention also provides a substrate processing method.

상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 급수탱크에 상기 유체가 공급되면 상기 축압기의 상기 부피는 줄어들고, 상기 급수탱크의 상기 유체가 상기 건조 챔버로 공급되면 상기 축압기의 상기 부피가 증가하여, 상기 급수탱크의 압력 변동을 최소화할 수 있다.In the method of processing a substrate using the above substrate processing apparatus, when the fluid is supplied to the water supply tank, the volume of the accumulator is reduced. When the fluid in the water supply tank is supplied to the drying chamber, The pressure fluctuation of the water supply tank can be minimized.

상기 급수 탱크 내로 유입되는 상기 유체는 초임계 상태일 수 있다.The fluid entering the feedwater tank may be in a supercritical state.

상기 유체는 이산화탄소(CO2)일 수 있다.The fluid may be carbon dioxide (CO 2 ).

본 발명의 일 실시예에 의하면, 초임계유체를 균일하게 공급할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus capable of uniformly supplying supercritical fluid can be provided.

또한, 본 발명은 일정 초임계유체 공정 장비의 압력 헌팅을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다. In addition, the present invention can provide a substrate processing apparatus capable of minimizing pressure hunting in a certain supercritical fluid processing equipment.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 그리고 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 기판처리장치의 일 실시예의 평면도이다.
도 2는 도 1의 세정챔버의 단면도이다.
도 3은 도 1의 건조챔버의 일 실시예의 단면도이다.
도 4는 초임계유체의 순환계에 관한 도면이다.
도 5는 일 실시예에 따른 급수탱크를 보여주는 도면이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 급수탱크를 보여주는 도면이다.
도 7 내지 도 10은 도 5의 급수탱크의 일 실시예에 따른 작동 과정을 보여준다.1 is a plan view of one embodiment of a substrate processing apparatus.
Figure 2 is a cross-sectional view of the cleaning chamber of Figure 1;
Figure 3 is a cross-sectional view of one embodiment of the drying chamber of Figure 1;
4 is a diagram of a circulatory system of a supercritical fluid.
5 is a view showing a water supply tank according to an embodiment.
6 is a view showing a water supply tank according to another embodiment.
FIGS. 7 to 10 illustrate operation of the water supply tank of FIG. 5 according to an embodiment of the present invention.

본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 명확히 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에 기재된 실시예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 본 발명의 사상을 벗어나지 아니하는 수정예 또는 변형예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지의 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to be illustrative of the present invention and not to limit the scope of the invention. Should be interpreted to include modifications or variations that do not depart from the spirit of the invention. In addition, the terms used in the present specification and the accompanying drawings are for explaining the present invention easily, and thus the present invention is not limited by the terms used in the present specification and the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described more fully with reference to the accompanying drawings, in which exemplary embodiments of the invention are shown.

본 발명에 따른 기판처리장치(100)는 기판(S)에 대하여 세정공정을 수행하는 장치이다.A substrate processing apparatus (100) according to the present invention is an apparatus for performing a cleaning process on a substrate (S).

여기서, 기판(S)은 실리콘웨이퍼를 비롯한 다양한 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등을 포함하는 것은 물론 상술한 예 이외에도 반도체소자, 디스플레이 그리고 그 외의 박막에 회로가 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념으로 해석되어야 한다.Here, the substrate S includes various wafers including a silicon wafer, a glass substrate, an organic substrate, and the like. In addition to the above examples, all of the substrates used for the fabrication of the semiconductor device, the display, Should be interpreted as a comprehensive concept including.

이하에서는 기판처리장치(100)의 일 실시예에 관하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the substrate processing apparatus 100 will be described.

도 1은 기판처리장치(100)의 일 실시예의 평면도이다.1 is a plan view of one embodiment of a substrate processing apparatus 100. FIG.

기판처리장치(100)는 인덱스모듈(1000), 공정모듈(2000)을 포함한다. 인덱스모듈(1000)은 외부로부터 기판(S)을 반송받아 공정모듈(2000)로 기판(S)을 제공한다. 공정모듈(2000)은 기판(S)에 대한 세정공정을 수행한다. The substrate processing apparatus 100 includes an index module 1000 and a processing module 2000. The index module 1000 carries the substrate S from the outside and provides the substrate S to the processing module 2000. The process module 2000 performs a cleaning process on the substrate S.

인덱스모듈(1000)은 설비전방단부모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드포트(1100)와 이송프레임(1200)을 포함한다. 로드포트(1100), 이송프레임(1200) 그리고 공정모듈(2000)은 순차적으로 일렬로 배치될 수 있다. 여기서, 로드포트(1100), 이송프레임(1200) 그리고 공정모듈(2000)이 배열된 방향을 제1방향(X)으로 지칭한다. 또한, 상부에서 바라볼 때 제1방향(X)에 수직인 방향을 제2방향(Y)으로 지칭하고, 제1방향(X)과 제2방향(Y)에 수직인 방향을 제3방향(Z)으로 지칭하기로 한다. The index module 1000 includes a load port 1100 and a transfer frame 1200 as an equipment front end module (EFEM). The load port 1100, the transfer frame 1200, and the process module 2000 may be sequentially arranged in a line. Here, the direction in which the load port 1100, the transfer frame 1200, and the process module 2000 are arranged is referred to as a first direction X. [ A direction perpendicular to the first direction X is referred to as a second direction Y and a direction perpendicular to the first direction X and the second direction Y is referred to as a second direction Y Z).

인덱스모듈(1000)에는 하나 또는 복수의 로드포트(1100)가 제공될 수 있다. 로드포트(1100)는 이송프레임(1200)의 일측에 배치된다. 로드포트(1100)가 복수인 경우에는, 로드포트(1100)는 제2방향(Y)에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 로드포트(1100)의 수와 배치는 상술한 예로 한정되지 아니하며, 기판처리장치(100)의 풋 프린트, 공정효율, 다른 기판처리장치(100)와의 배치 등의 다양한 요소를 고려하여 적절히 선택될 수 있다. The index module 1000 may be provided with one or a plurality of load ports 1100. [ The load port 1100 is disposed on one side of the transfer frame 1200. When there are a plurality of the load ports 1100, the load ports 1100 may be arranged in a line in the second direction Y. [ The number and arrangement of the load ports 1100 are not limited to those described above and may be suitably selected in consideration of various factors such as the footprint of the substrate processing apparatus 100, process efficiency, arrangement with other substrate processing apparatus 100, have.

로드포트(1100)에는 기판(S)이 수용되는 캐리어(C)가 놓인다. 캐리어(C)는 외부로부터 반송되어 로드포트(1100)에 로딩되거나 또는 로드포트(1100)로부터 언로딩되어 외부로 반송된다. 예를 들어, 캐리어(C)는 오버헤드트랜스퍼(OHT: overhead hoist transfer) 등의 반송장치에 의해 기판처리장치들 간에 반송될 수 있다. 선택적으로, 기판(S)의 반송은 오버헤드트랜스퍼 대신 자동안내차량(automatic guided vehicle), 레일안내차량(rail guided vehicle) 등의 다른 반송장치 또는 작업자에 의해 수행될 수 있다. 캐리어(C)로는 전면개방일체형포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. The load port 1100 is provided with a carrier C in which the substrate S is received. The carrier C is carried from the outside and loaded into the load port 1100 or unloaded from the load port 1100 and is transported out. For example, the carrier C may be transported between the substrate processing apparatuses by a transport device such as an overhead transfer (OHT). Alternatively, the transport of the substrate S may be performed by an operator or other transport device such as an automatic guided vehicle, a rail guided vehicle or the like instead of overhead transfer. As the carrier C, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

캐리어(C)의 내부에는 기판(S)의 가장자리를 지지하는 슬롯이 하나 이상 형성된다. 슬롯이 복수인 경우에는, 슬롯은 제3방향(Z)에 따라 서로 이격되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 캐리어(C)는 25장의 기판(S)을 수납할 수 있다. 캐리어(C)는 내부는 개폐가능한 도어에 의해 외부와 격리되어 밀폐될 수 있다. 이를 통해 캐리어(C)의 내부에 수용된 기판(S)이 오염되는 것을 방지할 수 있다.At least one slot for supporting the edge of the substrate S is formed inside the carrier C. When there are a plurality of slots, the slots may be formed spaced apart from each other along the third direction Z. [ For example, the carrier (C) can accommodate 25 substrates (S). The carrier C can be sealed from the outside by an openable and closable door. The substrate S received in the carrier C can be prevented from being contaminated.

이송프레임(1200)은 로드포트(1100)에 안착된 캐리어(C)와 공정모듈(2000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송프레임(1200)은 인덱스로봇(1210)과 인덱스레일(1220)을 포함한다. The transfer frame 1200 transfers the substrate S between the process module 2000 and the carrier C that is seated on the load port 1100. The transfer frame 1200 includes an index robot 1210 and an index rail 1220.

인덱스레일(1220)은 인덱스로봇(1210)의 직선 이동을 안내한다. 인덱스레일(1220)은 그 길이방향이 제2방향(Y)에 나란하게 제공될 수 있다. The index rail 1220 guides the linear movement of the index robot 1210. The index rail 1220 may be provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction Y. [

인덱스로봇(1210)은 기판(S)을 반송한다. 인덱스로봇(1210)은 베이스(1211), 바디(1212) 그리고 암(1213)을 가질 수 있다. The index robot 1210 carries the substrate S. The index robot 1210 may have a base 1211, a body 1212, and an arm 1213.

베이스(1211)는 인덱스레일(1220) 상에 설치된다. 베이스(1211)는 인덱스레일(1220)을 따라 이동할 수 있다. 바디(1212)는 베이스(1211)에 결합되고, 베이스(1211) 상에서 제3방향(Z)을 따라 이동하거나 또는 제3방향(Z)을 축으로 회전할 수 있다. 암(1213)은 바디(1212)에 설치되고, 전진 그리고 후진을 하여 이동할 수 있다. 암(1213)의 일단에는 핸드가 구비되어 기판(S)을 집거나 놓을 수 있다. 인덱스로봇(1210)에는 하나 또는 복수의 암(1213)이 제공된다. 복수의 암(1213)이 제공되는 경우에는, 서로 제3방향(Z)에 따라 바디(1212)에 적층되어 배치될 수 있다. 이 때, 각각의 암(1213)은 개별적으로 구동될 수 있다.The base 1211 is installed on the index rail 1220. The base 1211 can move along the index rail 1220. The body 1212 is coupled to the base 1211 and can move along the base 1211 in the third direction Z or rotate about the third direction Z. [ The arm 1213 is installed in the body 1212, and can move forward and backward. A hand may be provided at one end of the arm 1213 to hold or place the substrate S. The index robot 1210 is provided with one or a plurality of arms 1213. When a plurality of arms 1213 are provided, they may be stacked on the body 1212 along the third direction Z with respect to each other. At this time, each arm 1213 can be individually driven.

이에 따라 인덱스로봇(1210)은 인덱스레일(1220) 상에서 베이스(1211)가 제2방향(Y)에 따라 이동하며, 바디(1212)와 암(1213)의 동작에 따라 캐리어(C)로부터 기판(S)을 인출하여 이를 공정모듈(2000)로 반입하거나 또는 공정모듈(2000)로부터 기판(S)을 인출하여 캐리어(C)에 수납할 수 있다. The index robot 1210 moves the base 1211 in the second direction Y on the index rail 1220 and moves the carrier 1212 from the carrier C to the substrate 1212 in accordance with the operation of the body 1212 and the arm 1213. [ S can be taken out of the process module 2000 or taken out of the process module 2000 or taken out of the process module 2000 to be housed in the carrier C. [

이와 달리, 이송프레임(1200)에는 인덱스레일(1220)이 생략되고, 인덱스로봇(1210)이 이송프레임(1200)에 고정되어 설치될 수도 있다. 이 때에는 인덱스로봇(1210)이 이송프레임(1200)의 중앙부에 배치될 수 있다.Alternatively, the index rail 1220 may be omitted from the transfer frame 1200, and the index robot 1210 may be fixed to the transfer frame 1200. At this time, the index robot 1210 may be disposed at the center of the transfer frame 1200.

공정모듈(2000)은 기판(S)에 대하여 세정공정을 수행한다. 공정모듈(2000)은 버퍼챔버(2100), 이송챔버(2200), 세정챔버(2300) 그리고 건조챔버(2500)를 포함한다. 버퍼챔버(2100)와 이송챔버(2200)는 제1방향(X)을 따라 배치되고, 이송챔버(2200)는 그 길이방향이 제1방향(X)에 나란하도록 배치된다. 공정챔버들(2300, 2500)은 이송챔버(2200)의 측면에 배치된다. 세정챔버(2300), 이송챔버(2200), 그리고 건조챔버(2500)는 제2방향(Y)를 따라 순차적으로 배치될 수 있다. The process module 2000 performs a cleaning process on the substrate S. Process module 2000 includes a buffer chamber 2100, a transfer chamber 2200, a cleaning chamber 2300, and a drying chamber 2500. The buffer chamber 2100 and the transfer chamber 2200 are disposed along the first direction X and the transfer chamber 2200 is disposed such that the longitudinal direction thereof is parallel to the first direction X. [ Process chambers 2300 and 2500 are disposed on the sides of transfer chamber 2200. The cleaning chamber 2300, the transfer chamber 2200, and the drying chamber 2500 may be sequentially disposed along the second direction Y. [

세정챔버(2300)는 이송챔버(2200)의 제2방향(Y)의 일측에 배치되고, 건조챔버(2500)는 세정챔버(2300)가 배치된 반대방향의 타측에 배치될 수 있다. 세정챔버(2300)는 하나 또는 복수일 수 있다. 세정챔버(2300)가 복수일 경우, 세정챔버(2300)는 이송챔버(2200)의 일측에 제1방향(X)에 따라 배치되거나, 제3방향(Z)에 따라 적층되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. 마찬가지로 건조챔버(2500)도 하나 또는 복수일 수 있다. 건조챔버(2500)가 복수일 경우, 건조챔버(2500)는 이송챔버(2200)의 타측에 제1방향(X)에 따라 배치되거나, 제3방향(Z)에 따라 적층되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. The cleaning chamber 2300 is disposed on one side of the transfer chamber 2200 in the second direction Y and the drying chamber 2500 can be disposed on the other side in the opposite direction in which the cleaning chamber 2300 is disposed. The cleaning chamber 2300 may be one or more. When there are a plurality of cleaning chambers 2300, the cleaning chambers 2300 may be arranged in a first direction X on one side of the transfer chamber 2200, stacked in the third direction Z, . ≪ / RTI > Likewise, the drying chamber 2500 may be one or more. When there are a plurality of drying chambers 2500, the drying chambers 2500 may be arranged in the first direction X on the other side of the transfer chamber 2200, stacked in the third direction Z, . ≪ / RTI >

다만, 공정모듈(2000)에서 각 챔버들의 배치가 상술한 예로 한정되는 것은 아니며, 공정효율을 고려하여 적절하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 필요에 따라 세정챔버(2300)와 건조챔버(2500)가 이송모듈의 같은 측면에 제1방향(X)에 따라 배치되거나 또는 서로 적층되어 배치되는 것도 가능하다.However, the arrangement of the chambers in the process module 2000 is not limited to the above example, and may be suitably modified in consideration of process efficiency. For example, if necessary, the cleaning chamber 2300 and the drying chamber 2500 may be disposed on the same side of the transfer module in the first direction X, or may be stacked on top of each other.

버퍼챔버(2100)는 이송프레임(1200)과 이송챔버(2200)의 사이에 배치된다. 버퍼챔버(2100)는 인덱스모듈(1000)과 공정모듈(2000) 간에 반송되는 기판(S)이 임시로 머무르는 버퍼공간을 제공한다. 버퍼챔버(2100)의 내부에는 기판(S)이 놓이는 버퍼슬롯이 하나 또는 복수 개 제공된다. 버퍼슬롯이 복수인 경우에는 제3방향(Z)을 따라 서로 이격될 수 있다. The buffer chamber 2100 is disposed between the transfer frame 1200 and the transfer chamber 2200. The buffer chamber 2100 provides a buffer space in which the substrate S transferred between the index module 1000 and the processing module 2000 temporarily remains. In the buffer chamber 2100, one or a plurality of buffer slots in which the substrate S is placed are provided. And may be spaced from each other along the third direction Z when a plurality of buffer slots are provided.

버퍼슬롯에는 인덱스로봇(1210)에 의해 캐리어(C)로부터 인출된 기판(S)이 안착될 수 있다. 또한, 버퍼슬롯에는 이송로봇(2210)에 의해 공정챔버들(2300, 2500)로부터 반출된 기판(S)이 안착될 수 있다. 또한, 인덱스로봇(1210)이나 이송로봇(2210)은 버퍼슬롯으로부터 기판(S)을 반출하여, 캐리어(C)에 수용하거나 공정챔버들(2300, 2500)로 반송할 수 있다. The buffer slot can seat the substrate S drawn out from the carrier C by the index robot 1210. Also, the substrate S loaded from the process chambers 2300 and 2500 by the transfer robot 2210 can be loaded into the buffer slot. The index robot 1210 or the transfer robot 2210 may take out the substrate S from the buffer slot and store the wafer S in the carrier C or transfer it to the process chambers 2300 and 2500.

이송챔버(2200)는 버퍼챔버(2100), 세정챔버(2300), 건조챔버(2500) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송챔버(2200)는 이송레일(2220) 그리고 이송로봇(2210)을 포함한다. 이송레일(2220)은 이송로봇(2210)이 이동하는 경로를 제공한다. 이송레일(2220)은 제1방향(X)에 나란하게 제공될 수 있다. 이송로봇(2210)은 기판(S)을 반송한다. 이송로봇(2210)은 베이스(2211), 바디(2212) 그리고 암(2213)을 포함할 수 있다. 이송로봇(2210)의 각 구성요소는 인덱스로봇(1210)의 구성요소와 유사하므로 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. 이송로봇(2210)은 베이스(2211)가 이송레일(2220)을 따라 이동하면서 바디(2212) 그리고 암(2213)의 작동에 의해 버퍼챔버(2100), 세정챔버(2300) 그리고 건조챔버(2500) 간에 기판(S)을 반송한다.The transfer chamber 2200 transports the substrate S between the buffer chamber 2100, the cleaning chamber 2300 and the drying chamber 2500. The transfer chamber 2200 includes a transfer rail 2220 and a transfer robot 2210. The transfer rail 2220 provides a path through which the transfer robot 2210 moves. The conveying rails 2220 may be provided in parallel in the first direction X. [ The transfer robot 2210 carries the substrate S. The transfer robot 2210 may include a base 2211, a body 2212, and an arm 2213. Since the components of the transfer robot 2210 are similar to those of the index robot 1210, detailed description thereof will be omitted. The transfer robot 2210 transfers the buffer chamber 2100, the cleaning chamber 2300 and the drying chamber 2500 by the operation of the body 2212 and the arm 2213 while the base 2211 moves along the transfer rail 2220. [ And transports the substrate S therebetween.

세정챔버(2300)와 건조챔버(2500)는 각각 기판(S)에 대하여 상이한 공정을 수행한다. 여기서, 세정챔버(2300)에서 수행되는 제1공정과 건조챔버(2500)에서 수행되는 제2공정은 서로 순차적으로 수행되는 공정일 수 있다. 예를 들어, 세정챔버(2300)에서는, 케미컬공정, 세척공정 그리고 제1건조공정이 수행되고, 건조챔버(2500)에서는 제1공정의 후속공정으로 제2건조공정이 수행될 수 있다. 여기서, 제1건조공정은 유기용제를 이용하여 수행되는 건조공정이고, 제2건조공정은 초임계유체를 이용하여 수행되는 초임계건조공정일 수 있다.The cleaning chamber 2300 and the drying chamber 2500 perform different processes for the substrate S, respectively. Here, the first process performed in the cleaning chamber 2300 and the second process performed in the drying chamber 2500 may be sequentially performed. For example, in the cleaning chamber 2300, a chemical process, a cleaning process, and a first drying process may be performed. In the drying chamber 2500, a second drying process may be performed as a subsequent process of the first process. Here, the first drying process may be a drying process performed using an organic solvent, and the second drying process may be a supercritical drying process performed using a supercritical fluid.

이하에서는 세정챔버(2300)에 관하여 설명한다. 도 2는 도 1의 세정챔버(2300)의 단면도이다.Hereinafter, the cleaning chamber 2300 will be described. 2 is a cross-sectional view of the cleaning chamber 2300 of FIG.

세정챔버(2300)에서는 제1공정이 수행된다. 세정챔버(2300)는 하우징(2310)과 공정유닛(2400)을 포함한다. 하우징(2310)은 세정챔버(2300)의 외벽을 형성한다. 공정유닛(2400)은 하우징(2310)의 내부에 위치하고, 제1공정을 수행한다.In the cleaning chamber 2300, the first process is performed. The cleaning chamber 2300 includes a housing 2310 and a processing unit 2400. The housing 2310 forms the outer wall of the cleaning chamber 2300. The process unit 2400 is located inside the housing 2310 and performs the first process.

공정유닛(2400)은 스핀헤드(2410), 유체공급부재(2420), 회수통(2430) 그리고 승강부재(2440)를 포함할 수 있다.The processing unit 2400 may include a spin head 2410, a fluid supply member 2420, a recovery cylinder 2430, and an elevating member 2440.

스핀헤드(2410)에는 기판(S)이 안착된다. 스핀헤드(2410)는 공정이 진행되는 중에 기판(S)을 회전시킨다. 스핀헤드(2410)는 지지플레이트(2411), 지지핀(2412), 척킹핀(2413), 회전축(2414) 그리고 모터(2415)를 포함할 수 있다.The substrate S is seated on the spin head 2410. The spin head 2410 rotates the substrate S while the process is in progress. The spin head 2410 may include a support plate 2411, a support pin 2412, a chucking pin 2413, a rotation shaft 2414, and a motor 2415.

지지플레이트(2411)는 그 상부가 대체로 기판(S)과 유사한 형상을 가진다. 예를 들어, 기판이 원형의 웨이퍼인 경우, 지지플레이트(2411)는 원형을 가지도록 제공될 수 있다. 지지플레이트(2411)의 상부에는 복수의 지지핀(2412)과 복수의 척킹핀(2413)이 제공된다. 복수의 지지핀(2412)에는 기판(S)이 놓인다. 복수의 척킹핀(2413)은 기판(S)을 고정한다. 지지플레이트(2411)의 하면에는 회전축(2414)이 고정되어 결합된다. 회전축(2414)은 모터(2415)에 의해 회전된다. 모터(2415)는 회전력을 발생시켜 회전축(2414)을 통해 지지플레이트(2411)를 회전시킨다. 이에 따라 스핀헤드(2410)에 기판(S)이 안착되고, 제1공정 진행 중에 기판(S)을 회전시킬 수 있다.The upper portion of the support plate 2411 has a shape substantially similar to that of the substrate S. For example, when the substrate is a circular wafer, the support plate 2411 may be provided with a circular shape. On the upper portion of the support plate 2411, a plurality of support pins 2412 and a plurality of chucking pins 2413 are provided. The substrate S is placed on the plurality of support pins 2412. A plurality of chucking pins 2413 fix the substrate S. A rotation shaft 2414 is fixedly coupled to the lower surface of the support plate 2411. The rotary shaft 2414 is rotated by the motor 2415. The motor 2415 generates a rotational force to rotate the support plate 2411 through the rotation shaft 2414. Accordingly, the substrate S is placed on the spin head 2410, and the substrate S can be rotated during the first process.

복수의 지지핀(2412)은 지지플레이트(2411)의 상면에 제3방향(Z)으로 돌출된다. 상부에서 바라볼 때 전체적인 지지핀들(2412)의 배치는 환형의 링 형상을 이룰 수 있다. 지지핀(2412)에는 기판(S)의 후면이 올려지게 된다. 이에 따라 기판(S)은 지지핀(2412)에 의해, 지지플레이트(2411)의 상면으로부터 지지핀(2412)이 돌출된 거리로 이격되어 안착된다.The plurality of support pins 2412 protrude in the third direction Z on the upper surface of the support plate 2411. The arrangement of the entire support pins 2412 when viewed from above can be in the form of an annular ring. The rear surface of the substrate S is lifted up on the support pin 2412. The substrate S is seated by the support pins 2412 at a distance in which the support pins 2412 protrude from the upper surface of the support plate 2411. [

척킹핀(2413)은 지지플레이트(2411)의 상면에 제3방향(Z)으로 지지핀(2412)보다 더 길게 돌출된다. 척킹핀(2413)은 지지플레이트(2411)의 중심으로부터 지지핀(2412)보다 멀리 떨어진 위치에 배치된다. 척킹핀들(2413)은 지지플레이트(2411)의 반경방향을 따라 지지위치와 대기위치 간에 이동할 수 있다. 지지위치는 지지플레이트(2411)의 중심으로부터 기판(S)의 반경에 대응되는 거리만큼 떨어진 위치이다. 대기위치는 지지위치보다 지지플레이트(2411)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 척킹핀(2413)은 기판(S)이 스핀헤드(2410)에 로딩될 때와 스핀헤드(2410)로부터 언로딩될 때에는 대기위치에 위치한다. 또한, 척킹핀(2413)은 공정 진행시에는 지지위치로 이동한다. 이에 따라 척킹핀(2413)은 스핀헤드(2410)가 회전할 때, 회전력에 의해 기판(S)이 정위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다.The chucking pins 2413 protrude from the upper surface of the support plate 2411 in a third direction Z longer than the support pins 2412. The chucking pins 2413 are disposed at positions farther from the center of the support plate 2411 than the support pins 2412. The chucking pins 2413 can move between the support position and the standby position along the radial direction of the support plate 2411. The support position is a position distant from the center of the support plate 2411 by a distance corresponding to the radius of the substrate S. [ The standby position is a position far from the center of the support plate 2411 than the support position. The chucking pins 2413 are placed in the standby position when the substrate S is loaded into the spin head 2410 and when unloaded from the spin head 2410. [ Further, the chucking pins 2413 move to the supporting position when the process proceeds. Accordingly, the chucking pin 2413 can prevent the substrate S from being displaced from the correct position by the rotational force when the spin head 2410 rotates.

유체공급부재(2420)는 기판(S)에 유체를 공급한다. 유체공급부재(2420)는 노즐(2421), 지지대(2422), 지지축(2423) 그리고 구동기(2424)를 포함한다. 지지축(2423)은 그 길이 방향이 제3방향(Z)에 따라 제공된다. 지지축(2423)의 하단에는 구동기(2424)가 결합된다. 구동기(2424)는 지지축(2423)을 회전시키거나 제3방향(Z)에 따라 상하로 이동시킨다. 지지축(2423)의 상부에는 지지대(2422)가 수직하게 결합된다. 노즐(2421)은 지지대(2422)의 일단의 저면에 설치된다. 노즐(2421)은 지지축(2423)의 회전 그리고 승강에 의해 지지위치와 대기위치 간에서 이동할 수 있다. 지지위치는 노즐(2421)이 지지플레이트(2411)의 수직 상부에 배치된 위치이다. 대기위치는 노즐(2421)이 지지플레이트(2411)의 수직 상부에서 벗어난 위치이다.The fluid supply member 2420 supplies fluid to the substrate S. The fluid supply member 2420 includes a nozzle 2421, a support 2422, a support shaft 2423, and a driver 2424. The support shaft 2423 is provided along the third direction Z in its longitudinal direction. A driver 2424 is coupled to the lower end of the support shaft 2423. The driver 2424 rotates the support shaft 2423 or moves the support shaft 2423 up and down along the third direction Z. A support base 2422 is vertically coupled to the upper portion of the support shaft 2423. The nozzle 2421 is installed on the bottom surface of one end of the support table 2422. The nozzle 2421 can be moved between the support position and the standby position by the rotation and elevation of the support shaft 2423. The support position is a position at which the nozzle 2421 is disposed at the vertical upper portion of the support plate 2411. The standby position is a position at which the nozzle 2421 deviates from the vertical upper portion of the support plate 2411.

공정유닛(2400)에는 하나 또는 복수의 유체공급부재(2420)가 제공될 수 있다. 유체공급부재(2420)가 복수인 경우에는, 각 유체공급부재(2420)는 서로 상이한 유체를 공급한다. 예를 들어, 복수의 유체공급부재(2420)는 각각 세정제, 린스제 또는 유기용제를 공급할 수 있다. 세정제는 과산화수소(H2O2), 암모니아(NH4OH), 염산(HCl), 황산(H2SO4), 불산(HF) 또는 이들의 혼합 용액 등이 사용된다. 린스제로는 순수가 사용되며, 유기용제로는 이소프로필알코올이 사용된다. 선택적으로 유기용제로는 에틸글리콜(ethyl glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로프랑(tetra hydraulic franc), 4-하이드록시(hydroxyl), 4-메틸(methyl), 2-펜타논(pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), n-프로필알코올(n-propyl alcohol), 디메틸에틸(dimethylether) 등이 사용될 수 있다. 예를 들어, 제1유체공급부재(2420a)는 암모니아과산화수소용액을 분사하고, 제2유체공급부재(2420b)는 순수를 분사하고, 제3유체공급부재(2420c)는 이소프로필알코올용액을 분사할 수 있다. 다만, 유기용제는 액체가 아닌 기체상태로 제공될 수도 있으며, 기체상태의 증기로 제공될 때에는 불활성기체와 혼합되어 제공될 수 있다.The processing unit 2400 may be provided with one or a plurality of fluid supply members 2420. When there are a plurality of fluid supply members 2420, each fluid supply member 2420 supplies a different fluid to each other. For example, the plurality of fluid supply members 2420 may respectively supply a cleaning agent, a rinsing agent, or an organic solvent. As the cleaning agent, hydrogen peroxide (H 2 O 2), ammonia (NH 4 OH), hydrochloric acid (HCl), sulfuric acid (H 2 SO 4), hydrofluoric acid (HF) Pure water is used for rinse-off, and isopropyl alcohol is used for organic solvent. Alternatively, the organic solvent may include ethyl glycol, propanol, tetra hydraulic franc, 4-hydroxy, 4-methyl, 2-pentanone pentanone, 1-butanol, 2-butanol, methanol, ethanol, n-propyl alcohol and dimethylether. For example, the first fluid supply member 2420a injects ammonia hydrogen peroxide solution, the second fluid supply member 2420b injects pure water, and the third fluid supply member 2420c injects the isopropyl alcohol solution . However, the organic solvent may be provided in a gaseous state rather than in a liquid state, and may be mixed with an inert gas when it is supplied in a gaseous state.

상술한 유체공급부재(2420)는 스핀헤드(2410)에 기판(S)이 안착되면 대기위치로부터 지지위치로 이동하여, 기판(S)의 상부로 상술한 유체를 공급할 수 있다. 예를 들어, 유체공급부가 세정제, 린스제, 유기용제를 공급함에 따라 각각 케미컬공정, 세척공정, 제1건조공정이 수행될 수 있다. 이와 같이 공정이 수행되는 동안 스핀헤드(2410)는 회전하여 기판(S)의 상면에 유체가 골고루 제공되도록 할 수 있다. Described fluid supply member 2420 can move from the standby position to the support position and supply the above-described fluid to the upper portion of the substrate S when the substrate S is placed on the spin head 2410. [ For example, a chemical process, a cleaning process, and a first drying process may be performed, respectively, as the fluid supply portion supplies a cleaning agent, a rinsing agent, and an organic solvent. During the process, the spin head 2410 may be rotated to uniformly distribute the fluid on the upper surface of the substrate S.

회수통(2430)은 제1공정이 수행되는 공간을 제공하고, 이 과정에서 사용되는 유체를 회수한다. 회수통(2430)은 상부에서 바라볼 때 스핀헤드(2410)를 둘러싸도록 그 둘레에 배치되며, 상부가 개방된다. 공정유닛(2400)에는 하나 또는 복수의 회수통(2430)이 제공될 수 있다. 이하에서는 제1회수통(2430a), 제2회수통(2430b), 제3회수통(2430c)의 세 개의 회수통(2430)이 제공된 경우를 예를 들어 설명한다. 다만, 회수통(2430)의 수는 사용되는 유체의 수 그리고 제1공정의 조건에 따라 이와 상이하게 선택될 수도 있다.The recovery cylinder 2430 provides a space where the first process is performed, and recovers the fluid used in the process. The recovery cylinder 2430 is disposed around the spin head 2410 as viewed from above, and the upper portion thereof is opened. The processing unit 2400 may be provided with one or a plurality of recovery cylinders 2430. Hereinafter, three recovery cylinders 2430 including a first recovery cylinder 2430a, a second recovery cylinder 2430b, and a third recovery cylinder 2430c are provided. However, the number of the collection tubes 2430 may be selected differently depending on the number of fluids to be used and the conditions of the first process.

제1회수통(2430a), 제2회수통(2430b) 그리고 제3회수통(2430c)은 각각 스핀헤드(2410)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제1회수통(2430a), 제2회수통(2430b), 제3회수통(2430c)은 순차적으로 스핀헤드(2410)의 중심으로부터 멀어지면서 배치된다. 제1회수통(2430a)은 스핀헤드(2410)를 감싸고, 제2회수통(2430b)은 제1회수통(2430a)을 감싸고, 제3회수통(2430c)은 제2회수통(2430b)을 감싸도록 제공된다. The first recovery tank 2430a, the second recovery tank 2430b, and the third collection tank 2430c are provided in an annular ring shape surrounding the spin head 2410, respectively. The first recovery cylinder 2430a, the second recovery cylinder 2430b, and the third collection cylinder 2430c are sequentially disposed away from the center of the spin head 2410. The first recovery tank 2430a surrounds the spin head 2410. The second recovery tank 2430b surrounds the first collection tank 2430a and the third collection tank 2430c surrounds the second collection tank 2430b. To be wrapped.

제1회수통(2430a)에는 제1회수통(2430a)의 내측공간에 의해 제1유입관(2431a)가 제공된다. 제2회수통(2430b)에는 제1회수통(2430a)과 제2회수통(2430b) 사이의 공간에 의해 제2유입관(2431b)가 제공된다. 제3회수통(2430c)에는, 제2회수통(2430b)과 제3회수통(2430c) 사이의 공간에 의해 제3유입관(2431c)가 제공된다. 제1유입관(2431a), 제2유입관(2431b), 제3유입관(2431c)는 순차적으로 아래에서 위를 향하는 순서로 제 3방향(Z)을 따라 배열된다. 각각의 회수통(2430a, 2430b, 2430c) 의 저면에는 제3방향(Z)에 따라 아래로 연장되는 회수라인(2432)이 연결된다. 각 회수라인들(2432a, 2432b, 2433c)은 각각의 회수통(2430a, 2430b, 2430c)에 회수된 유체를 배출하여 외부의 유체재생시스템(미도시)에 공급한다. 유체재생시스템(미도시)은 회수된 유체를 재사용할 수 있도록 재생할 수 있다.The first return tube 2430a is provided with a first inlet pipe 2431a by an inner space of the first collection tube 2430a. In the second recovery tank 2430b, a second inlet pipe 2431b is provided by a space between the first recovery tank 2430a and the second recovery tank 2430b. A third inflow pipe 2431c is provided in the third water collection tube 2430c by a space between the second water collection tube 2430b and the third water collection tube 2430c. The first inlet pipe 2431a, the second inlet pipe 2431b, and the third inlet pipe 2431c are sequentially arranged in the third direction Z from the bottom to the top. A recovery line 2432 extending downward in the third direction Z is connected to the bottom surfaces of the recovery containers 2430a, 2430b, and 2430c. Each of the recovery lines 2432a, 2432b, and 2433c discharges the recovered fluid to each of the recovery cylinders 2430a, 2430b, and 2430c, and supplies the recovered fluid to an external fluid regeneration system (not shown). A fluid regeneration system (not shown) can regenerate the recovered fluid for reuse.

승강부재(2440)는, 브라켓(2441), 승강축(2442) 그리고 승강기(2443)를 포함한다. 브라켓(2441)은 회수통(2430)에 고정되어 설치되며, 브라켓(2441)의 일단에는 승강기(2443)에 의해 제3방향(Z)으로 이동되는 승강축(2442)이 고정되어 결합된다. 회수통(2430)이 복수인 경우에는, 브라켓(2441)은 최외곽의 회수통(2430)에 결합될 수 있다.The elevating member 2440 includes a bracket 2441, an elevating shaft 2442, and an elevator 2443. The bracket 2441 is fixed to the recovery tube 2430 and an elevation shaft 2442 which is moved in the third direction Z by the elevator 2443 is fixedly coupled to one end of the bracket 2441. When there are a plurality of the collection bins 2430, the brackets 2441 can be coupled to the outermost collection bins 2430.

승강부재(2440)는 회수통(2430)을 제3방향(Z)으로 이동시킨다. 이에 따라 회수통(2430)의 스핀헤드(2410)에 대한 상대 높이가 변경되어, 회수통(2430)인 복수인 경우에는, 어느 하나의 회수통(2430)의 유입관(2431)가 스핀헤드(2410)에 안착된 기판(S)의 수평면 상에 위치하도록 선택적으로 조절할 수 있다. The elevating member 2440 moves the recovery cylinder 2430 in the third direction Z. The relative height of the recovery cylinder 2430 with respect to the spin head 2410 is changed so that the inlet pipe 2431 of one of the recovery cylinders 2430 is connected to the spin head 2410 on the horizontal plane of the substrate S.

또한, 승강부재(2440)는 제1공정이 진행되는 동안, 회수통(2430)을 제3방향(Z)으로 이동시켜 회수통(2430)의 유입관(2431)가 기판(S)과 대응되는 높이에 위치하도록 조절한다. 이에 따라, 기판(S)의 회전에 의해 기판(S)으로부터 튕겨나는 유체가 회수될 수 있다. 예를 들어, 제1공정으로 케미컬공정, 린스제에 의한 세척공정, 그 후 유기용제에 의한 제1건조공정이 순차적으로 진행되는 경우, 승강부재(2440)는 제1유입관(2431a), 제2유입관(2431b), 제3유입관(2431c)를 각각 순차적으로 이동시킨다. 이에 따라, 제1회수통(2430a), 제2회수통(2430b), 제3회수통(2430c)이 각각의 유체를 회수할 수 있다. During the first process, the lifting member 2440 moves the recovery bottle 2430 in the third direction Z so that the inflow pipe 2431 of the recovery bottle 2430 is in contact with the substrate S Height. Accordingly, the fluid that is repelled from the substrate S by the rotation of the substrate S can be recovered. For example, when the first process is a chemical process, a rinsing process, and then a first drying process by an organic solvent, the elevating member 2440 is connected to the first inlet pipe 2431a, 2 inlet pipe 2431b, and the third inlet pipe 2431c, respectively. Accordingly, the first recovery tank 2430a, the second recovery tank 2430b, and the third collection tank 2430c can collect the respective fluids.

한편, 승강부재(2440)는 회수통(2430)을 이동시키는 대신 스핀헤드(2410)를 제3방향(Z)으로 이동시킬 수 있다.On the other hand, the elevating member 2440 can move the spin head 2410 in the third direction Z instead of moving the recovery cylinder 2430.

건조챔버(2500)에서는 제2공정이 수행된다. 여기서, 제2공정은 초임계유체를 이용하여 기판(S)을 건조시키는 제2건조공정일 수 있다.In the drying chamber 2500, the second process is performed. Here, the second step may be a second drying step of drying the substrate S using a supercritical fluid.

이하에서는 이산화탄소(CO2)의 초임계유체를 기준으로 설명한다. 다만, 초임계유체의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, supercritical fluid of carbon dioxide (CO 2 ) will be used as a reference. However, the kind of the supercritical fluid is not limited thereto.

도 3은 도 1의 건조챔버(2500)의 일 실시예의 단면도이다. 도 3을 참조하면, 건조챔버(2500)는 하우징(2510), 승강부재(2516), 지지부재(2530), 가열부재(2520), 공급포트(2540), 차단부재(2546) 및 배기포트(2550)를 포함할 수 있다. 3 is a cross-sectional view of one embodiment of the drying chamber 2500 of FIG. 3, the drying chamber 2500 includes a housing 2510, an elevating member 2516, a supporting member 2530, a heating member 2520, a supply port 2540, a blocking member 2546, 2550).

하우징(2510)은 초임계건조공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(2510)은 임계압력 이상의 고압을 견딜 수 있는 재질로 제공된다. The housing 2510 provides a space in which the supercritical drying process is performed. The housing 2510 is provided with a material capable of withstanding a high pressure exceeding a critical pressure.

하우징(2510)은 상부하우징(2512)과 하부하우징(2514)을 가진다.The housing 2510 has an upper housing 2512 and a lower housing 2514.

상부하우징(2512)은 고정 설치되며, 하부하우징(2514)은 상부하우징(2512)에 대해 승강할 수 있다. 하부하우징(2514)이 하강하여 상부하우징(2512)으로부터 이격되면 건조챔버(2500)의 내부공간이 개방되고, 기판(S)이 건조챔버(2500)의 내부공간으로 반입되거나 내부공간으로부터 반출될 수 있다. 여기서, 건조챔버(2500)로 반입되는 기판(S)은 세정챔버(3000)에서 유기용제공정을 거쳐 유기용제가 잔류하는 상태일 수 있다. 또 하부하우징(2514)이 상승하여 상부하우징(2512)에 밀착되면 건조챔버(2500)의 내부공간이 밀폐되고, 그 내부에서 초임계건조공정이 수행될 수 있다. 상술한 예와 달리 하우징(2510)에서 하부하우징(2514)이 고정되어 설치되고, 상부하우징(2512)이 하부하우징(2514)에 대해 승강되는 구조로 제공될 수도 있을 것이다. The upper housing 2512 is fixedly installed, and the lower housing 2514 can move up and down with respect to the upper housing 2512. When the lower housing 2514 is lowered and separated from the upper housing 2512, the inner space of the drying chamber 2500 is opened and the substrate S can be carried into or removed from the inner space of the drying chamber 2500 have. Here, the substrate S transferred into the drying chamber 2500 may be in a state where the organic solvent remains in the cleaning chamber 3000 through the organic solvent process. When the lower housing 2514 rises and comes into close contact with the upper housing 2512, the inner space of the drying chamber 2500 is sealed, and the supercritical drying process can be performed therein. The lower housing 2514 may be fixedly installed in the housing 2510 and the upper housing 2512 may be raised and lowered relative to the lower housing 2514. [

승강부재(2516)는 하부하우징(2514)을 승강시킨다. 승강부재(2516)는 승강실린더(2517) 및 승강로드(2518)를 포함할 수 있다. 승강실린더(2517)는 하부하우징(2514)에 결합되어 상하방향의 구동력을 발생시킨다.The elevating member 2516 lifts the lower housing 2514. The elevating member 2516 may include a lifting cylinder 2517 and a lifting rod 2518. The lifting cylinder 2517 is coupled to the lower housing 2514 to generate a driving force in a vertical direction.

지지부재(2530)는 상부하우징(2512)과 하부하우징(2514)의 사이에 기판(S)을 지지한다. 지지부재(2530)는 상부하우징(2512)의 하면에 설치되어 수직하방으로 연장되고, 그 하단에서 수평방향으로 수직하게 절곡되는 구조로 제공될 수 있다. 이에 따라 지지부재(2530)는 기판(S)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 이처럼 지지부재(2530)가 기판(S)의 가장자리 영역에 접촉하여 기판(S)을 지지하므로 기판(S) 상면 전체영역과 하면의 대부분의 영역에 대해서 초임계건조공정이 수행될 수 있다. 여기서, 기판(S)은 그 상면이 패턴면이고, 하면이 비패턴면일 수 있다. 또, 지지부재(2530)는 고정되어 설치되는 상부하우징(2512)이 설치되므로 하부하우징(2514)이 승강하는 동안 비교적 안정적으로 기판(S)을 지지할 수 있다. The support member 2530 supports the substrate S between the upper housing 2512 and the lower housing 2514. The support member 2530 may be provided on the lower surface of the upper housing 2512 and extend vertically downward, and may be provided with a structure that is bent perpendicularly in the horizontal direction at the lower end thereof. Accordingly, the support member 2530 can support the edge region of the substrate S. [ Since the support member 2530 contacts the edge region of the substrate S and supports the substrate S as described above, the supercritical drying process can be performed on the entire upper surface and most of the lower surface of the substrate S. Here, the upper surface of the substrate S may be a pattern surface, and the lower surface thereof may be a non-pattern surface. In addition, since the upper housing 2512 is fixedly installed, the support member 2530 can relatively stably support the substrate S while the lower housing 2514 is lifted and lowered.

상부하우징(2512)에는 수평조정부재(2532)가 설치될 수 있다. 수평조정부재(2532)는 상부하우징(2512)의 수평도(水平度)를 조정한다. 상부하우징(2512)의 수평도가 조정되면, 그에 따라 상부하우징(2512)에 설치된 지지부재(2530)에 안착된 기판(S)의 수평이 조절될 수 있다. 초임계건조공정에서 기판(S)이 기울면, 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 경사면을 타고 흘러 기판(S)의 특정부분이 건조되지 않거나 과건조(過乾燥)되어 기판(S)이 손상될 수 있다. 수평조정부재(2532)는 기판(S)의 수평을 맞추어 이러한 문제점을 방지할 수 있다.A horizontal adjusting member 2532 may be installed in the upper housing 2512. The horizontal adjusting member 2532 adjusts the horizontal degree of the upper housing 2512. When the leveling of the upper housing 2512 is adjusted, the level of the substrate S mounted on the support member 2530 installed in the upper housing 2512 can be adjusted accordingly. In the supercritical drying process, when the substrate S is inclined, the organic solvent remaining on the substrate S flows along the inclined surface to dry or overdry a specific portion of the substrate S, . The horizontal adjustment member 2532 can align the substrate S to prevent this problem.

가열부재(2520)는 건조챔버(2500)의 내부를 가열한다. 가열부재(2520)는 건조챔버(2500) 내부에 공급된 초임계유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계유체 상으로 유지하거나 또는 액화된 경우에 다시 초임계유체가 되도록 할 수 있다. 가열부재(2520)는 상부하우징(2512) 및 하부하우징(2514) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 예를 들어, 가열부재(2520)는 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터로 제공될 수 있다.  The heating member 2520 heats the inside of the drying chamber 2500. The heating member 2520 may heat the supercritical fluid supplied inside the drying chamber 2500 to a supercritical fluid level by heating the supercritical fluid to a supercritical fluid level above the critical temperature. The heating member 2520 may be embedded in the wall of at least one of the upper housing 2512 and the lower housing 2514. [ For example, the heating member 2520 may be provided as a heater that receives power from the outside and generates heat.

공급포트(2540)는 건조챔버(2500)로 초임계유체를 공급한다. 공급포트(2540)는 공급유닛(2560)에 연결될 수 있다. 공급포트(2540)에는 공급유닛(2560)으로부터 공급되는 초임계유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다. The supply port 2540 supplies the supercritical fluid to the drying chamber 2500. The supply port 2540 may be connected to the supply unit 2560. The supply port 2540 may be provided with a valve for regulating the flow rate of the supercritical fluid supplied from the supply unit 2560.

공급포트(2540)는 상부공급포트(2542) 및 하부공급포트(2544)를 포함할 수 있다. 상부공급포트(2542)는 상부하우징(2512)에 제공되어, 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 공급한다. 하부공급포트(2544)는 하부하우징(2514)에 제공되어 지지부재(2530)에 의해 지지되는 기판(S)의 하면으로 초임계유체를 공급한다. The supply port 2540 may include an upper supply port 2542 and a lower supply port 2544. An upper supply port 2542 is provided in the upper housing 2512 to supply the supercritical fluid to the upper surface of the substrate S. [ The lower supply port 2544 is provided in the lower housing 2514 to supply the supercritical fluid to the lower surface of the substrate S supported by the support member 2530.

공급포트들(2540)은 기판(S)의 중앙영역으로 초임계유체를 분사할 수 있다. 상부공급포트(2542)는 지지부재(2530)에 의해 지지되는 기판(S)의 상면 중앙과 마주보는 위치에 제공될 수 있다. 또, 하부공급포트(2544)는 지지부재(2530)에 의해 지지되는 기판(S)의 하면 중앙과 마주보는 위치에 제공될 수 있다. The supply ports 2540 may inject supercritical fluid into the central region of the substrate S. [ The upper supply port 2542 may be provided at a position facing the center of the upper surface of the substrate S supported by the support member 2530. Further, the lower supply port 2544 may be provided at a position facing the lower center of the substrate S supported by the support member 2530.

초임계유체는 하부공급포트(2544)를 통해 먼저 하우징(4510) 내로 공급되고, 이후에 상부공급포트(2542)를 통해 하우징(2510) 내로 공급될 수 있다. 초임계건조공정은 초기에 건조챔버(2500)의 내부가 임계압력에 미달한 상태에서 진행될 수 있기 때문에, 건조챔버(2500)의 내부로 공급되는 초임계유체는 액화된 상태일 수 있다. 따라서, 초임계건조공정의 초기에 상부공급포트(2542)로 초임계유체가 공급되는 경우에는 초임계유체가 액화되어 중력에 의해 기판(S)으로 낙하하여 기판(S)을 손상시킬 수 있다. 상부공급포트(2542)는, 하부공급포트(2544)를 통해 건조챔버(2500)로 초임계유체가 공급되어 건조챔버(2500)의 내부압력이 임계압력에 도달하면 초임계유체의 공급을 시작하여, 공급되는 초임계유체가 액화되어 기판(S)으로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. Supercritical fluid may be first fed into the housing 4510 through the lower feed port 2544 and then into the housing 2510 through the upper feed port 2542. [ Since the supercritical drying process may initially proceed in the state that the interior of the drying chamber 2500 is below the critical pressure, the supercritical fluid supplied into the drying chamber 2500 may be in a liquefied state. Therefore, when a supercritical fluid is supplied to the upper supply port 2542 at an early stage of the supercritical drying process, the supercritical fluid may be liquefied and fall down to the substrate S by gravity to damage the substrate S. The upper supply port 2542 starts supplying the supercritical fluid when the supercritical fluid is supplied to the drying chamber 2500 through the lower supply port 2544 and the internal pressure of the drying chamber 2500 reaches the critical pressure , It is possible to prevent the supplied supercritical fluid from being liquefied and falling into the substrate S.

차단부재(2546)는 차단플레이트(2547)와 지지대(2548)를 포함할 수 있다. 차단플레이트(2547)는 공급포트(2540)와 지지부재(2530)에 의해 지지되는 기판(S)의 사이에 배치된다. 차단플레이트(2547)는 하부공급포트(2544)를 통해 공급되는 초임계유체가 기판(S)의 하면에 직접적으로 분사되는 것을 방지한다. 따라서, 차단플레이트(2547)는 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하여 초임계유체의 물리적 힘에 의해 기판(S)에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 차단플레이트(2547)는 그 반경이 기판(S)과 유사하거나 더 크게 제공될 수 있다. 선택적으로, 차단플레이트(2547)는 그 반경이 기판(S)보다 작게 제공될 수도 있다. 지지대(2548)는 차단플레이트(2547)를 지지한다. 차단플레이트(2547)는 지지대(2548)의 일단에 놓여질 수 있다. 지지대(2548)는 하우징(2510)의 하면으로부터 연직상방으로 연장될 수 있다. The blocking member 2546 may include a blocking plate 2547 and a support 2548. The blocking plate 2547 is disposed between the supply port 2540 and the substrate S supported by the support member 2530. The blocking plate 2547 prevents the supercritical fluid supplied through the lower supply port 2544 from being injected directly onto the lower surface of the substrate S. [ Thus, the blocking plate 2547 can prevent the supercritical fluid from being injected directly onto the substrate S, thereby preventing the substrate S from being damaged by the physical force of the supercritical fluid. The shield plate 2547 may be provided with a radius similar to or larger than that of the substrate S. [ Alternatively, the blocking plate 2547 may be provided with a smaller radius than the substrate S. [ The support 2548 supports the blocking plate 2547. The blocking plate 2547 can be placed at one end of the support 2548. The support 2548 may extend vertically upward from the lower surface of the housing 2510.

이러한 건조챔버(2500)는, 초임계유체를 이용하여 제2건조공정을 수행한다. 예를 들어, 건조챔버(2500)는 세정챔버(2300)에서 케미컬공정, 세척공정, 유기용제에 의한 제1건조공정이 순서대로 처리된 기판(S)에 대하여 초임계유체를 이용하여 제2건조공정을 수행할 수 있다. 이송로봇(2210)에 의해 기판(S)이 지지부재(2530)에 안착되면, 가열부재(2520)가 하우징(2510) 내부를 가열하고, 초임계유체공급관(2540)을 통해 초임계유체가 공급된다. 이로써, 하우징(2510) 내부에 초임계분위기가 형성된다. 초임계분위기가 형성되면, 기판(S)의 패턴 상면에 잔류하는 유기용제는 초임계유체에 의해 용해된다. 유기용제가 충분히 용해되면, 배출구를 통해 초임계유체가 배출된다. 이후 다시 초임계유체는 공급유닛(2560)으로 공급된다.This drying chamber 2500 performs a second drying process using a supercritical fluid. For example, the drying chamber 2500 may be configured to perform a second drying (drying) process using a supercritical fluid on the substrate S in which the chemical process, the cleaning process, and the first drying process with the organic solvent are sequentially performed in the cleaning chamber 2300, Process can be performed. When the substrate S is mounted on the support member 2530 by the transfer robot 2210, the heating member 2520 heats the inside of the housing 2510 and supplies supercritical fluid through the supercritical fluid supply pipe 2540 do. As a result, a supercritical atmosphere is formed inside the housing 2510. When the supercritical atmosphere is formed, the organic solvent remaining on the upper surface of the pattern of the substrate S is dissolved by the supercritical fluid. When the organic solvent is sufficiently dissolved, the supercritical fluid is discharged through the discharge port. Subsequently, the supercritical fluid is supplied to the supply unit 2560 again.

도 4는 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 기판 처리 장치(100)는 건조챔버(2500), 공급유닛(2560), 재생 유닛(2570), 그리고 순환라인(2600)을 가진다. 건조 챔버(2500)에서는 상술한 건조 공정을 진행 후, 초임계유체를 배기포트(2550)를 통해 재생 유닛(2570)으로 배기한다. 재생 유닛(2570)은 건조챔버(2500)에서 사용된 초임계유체를 재생하여 이를 공급유닛(2560)으로 공급한다. 공급 유닛(2560)은 상술한 건조챔버(2500)로 초임계유체를 다시 공급한다. 4 is a schematic view of a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus 100 has a drying chamber 2500, a supply unit 2560, a regeneration unit 2570, and a circulation line 2600. In the drying chamber 2500, the supercritical fluid is exhausted to the regeneration unit 2570 through the exhaust port 2550 after the above-described drying process. The regeneration unit 2570 regenerates the supercritical fluid used in the drying chamber 2500 and supplies it to the supply unit 2560. The supply unit 2560 supplies the supercritical fluid again to the drying chamber 2500 described above.

공급유닛(2560)은 응축기(2562), 펌프(2564), 그리고 급수탱크(2600)를 포함할 수 있다. The supply unit 2560 may include a condenser 2562, a pump 2564, and a water supply tank 2600.

응축기(2562)는 이산화탄소를 액화시킨다. 외부 또는 재생 유닛(2570)으로부터 공급되는 이산화탄소는 기체 상태이며, 응축기(2562)는 이산화탄소를 액체 상태로 만들어 급수탱크(2600)에 공급한다. 응축기(2562)와 급수탱크(2600) 사이에는 펌프(2564)가 설치될 수 있다. 이 때, 펌프(2564)는 응축기(2562)와 급수탱크(2600) 사이의 순환라인(2600) 상에 설치될 수 있다. 펌프(2564)는 액상의 이산화탄소를 급수탱크(2600)로 공급한다. The condenser 2562 liquefies the carbon dioxide. The carbon dioxide supplied from the outside or the regeneration unit 2570 is in a gaseous state and the condenser 2562 turns carbon dioxide into a liquid state and supplies it to the water supply tank 2600. A pump 2564 may be installed between the condenser 2562 and the water supply tank 2600. At this time, the pump 2564 may be installed on the circulation line 2600 between the condenser 2562 and the water supply tank 2600. The pump 2564 supplies liquid carbon dioxide to the water supply tank 2600.

도 5는 일 실시예에 따른 급수탱크(2600)를 보여주는 도면이다. 도 6은 다른 실시예에 따른 급수탱크(3600)를 보여주는 도면이다. 급수탱크(2600)는 응축기(2562)에서 액화된 이산화탄소를 제공받아 이를 초임계유체로 만든다. 급수탱크(2600)는 공급받은 이산화탄소를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계유체로 만들고, 건조챔버(2500)로 공급한다. 급수탱크(2600)는 축압기(2620)를 포함한다. 축압기(2620)는 내부에 가스가 제공되어, 급수탱크(2600) 내부의 유체의 상대 압력에 따라 그 부피가 변하도록 제공된다. 축압기(2620)는 고정부(2622)와 팽창부(2624)를 가진다. 도 5와 같이, 축압기(2620)는 급수탱크(2600)의 일측벽에 고정설치될 수 있다. 고정부(2622)는 고정된 형상을 가진다. 팽창부(2624)는 탄성이 있는 재질로 제공된다. 일 예로, 팽창부(2624)는 고무로 제공될 수 있다. 팽창부(2624)는 그 내부에 가스가 제공된다. 일 예로, 가스는 공기일 수 있다. 이와 달리, 축압기(2620)는 급수탱크(2600)의 외부에 제공될 수 있다. 도 6을 참조하면, 급수탱크(3600)는 메인 탱크(3610)와 보조 탱크(3620)를 가질 수 있다. 메인 탱크(3610)와 보조 탱크(3620)는 그 내부가 연통된다. 이 때, 축압기(3630)는 보조 탱크(3620)에 제공될 수 있다. 5 is a view showing a water supply tank 2600 according to an embodiment. 6 is a view showing a water supply tank 3600 according to another embodiment. The water supply tank 2600 receives liquefied carbon dioxide from the condenser 2562 and converts it into supercritical fluid. The water supply tank 2600 heats the supplied carbon dioxide to a supercritical fluid at a temperature higher than the critical temperature, and supplies the carbon dioxide to the drying chamber 2500. The water supply tank 2600 includes an accumulator 2620. The accumulator 2620 is provided with a gas therein so that its volume changes in accordance with the relative pressure of the fluid inside the water supply tank 2600. The accumulator 2620 has a fixed portion 2622 and an expanding portion 2624. As shown in FIG. 5, the accumulator 2620 may be fixedly installed on one side wall of the water supply tank 2600. The fixing portion 2622 has a fixed shape. The expansion portion 2624 is provided with an elastic material. In one example, the inflation portion 2624 may be provided with rubber. The expansion portion 2624 is provided with gas therein. As an example, the gas may be air. Alternatively, the accumulator 2620 may be provided outside the water supply tank 2600. Referring to FIG. 6, the water supply tank 3600 may have a main tank 3610 and an auxiliary tank 3620. The main tank 3610 and the auxiliary tank 3620 communicate with each other. At this time, the accumulator 3630 may be provided in the auxiliary tank 3620.

이하, 도 7 내지 도 10을 참조하여 도 5의 급수탱크(2600)가 작동하는 과정을 설명한다. 도 7 내지 도 10은 도 5의 급수탱크(2600)의 일 실시예에 따른 작동 과정을 보여준다. 최초에, 축압기(2620) 내 팽창부(2624)에 가스가 충전된다. 이 때, 팽창부(2624)는 초기 부피(V0)를 갖고, 초기 압력(P0)을 갖는다. 이후, 급수탱크(2600) 내 초임계유체가 공급되면, 급수탱크(2600) 내부의 압력이 증가하게 된다. 따라서, 팽창부(2624) 내부의 가스가 압축되고 팽창부(2624)의 부피가 줄어들어, 팽창부(2624)는 제 1 부피(V1)를 갖는다. 이 때, 팽창부(2624) 내부 압력은 제 1 압력(P1)이 된다. 급수탱크(2600) 내 초임계유체 공급이 완료되면, 초임계유체의 상대 압력에 따라 팽창부(2624)의 부피가 최대한 수축된다. 팽창부(2624)는 제 2 압력(P2) 및 이에 따른 제 2 부피(V2)를 갖는다. 이후, 급수탱크(2600)의 초임계유체가 건조챔버(2500)로 공급되면, 급수탱크(2600) 내부의 초임계유체 양이 줄어들게 된다. 이에 따라, 팽창부(2624)는 그 부피가 팽창하게 된다. 따라서, 팽창부(2624)는 제 3 부피(V3)를 갖고, 이에 따라 제 3 압력(P3)을 갖게 된다. 이렇게, 급수탱크(2600) 내의 부피가 가변인 축압기(2620)가 제공됨에 따라, 급수탱크(2600) 내 초임계유체 유량의 변동이 있어도 급수탱크(2600) 내 압력 변동을 최소화할 수 있다. Hereinafter, the operation of the water supply tank 2600 shown in Fig. 5 will be described with reference to Figs. 7 to 10. Fig. Figures 7 to 10 illustrate the operation of the water supply tank 2600 of Figure 5 according to one embodiment. Initially, the expansion portion 2624 in the accumulator 2620 is filled with gas. At this time, the expansion portion 2624 has an initial volume V 0 and has an initial pressure P 0 . Thereafter, when the supercritical fluid in the water supply tank 2600 is supplied, the pressure inside the water supply tank 2600 increases. Thus, the gas inside the expansion portion 2624 is compressed and the volume of the expansion portion 2624 is reduced, so that the expansion portion 2624 has the first volume V 1 . At this time, the pressure inside the expansion portion 2624 becomes the first pressure P 1 . When the supply of the supercritical fluid in the water supply tank 2600 is completed, the volume of the expanded portion 2624 is shrunk to the maximum according to the relative pressure of the supercritical fluid. The expansion portion 2624 has a second pressure P 2 and accordingly a second volume V 2 . Subsequently, when supercritical fluid of the water supply tank 2600 is supplied to the drying chamber 2500, the amount of supercritical fluid in the water supply tank 2600 is reduced. As a result, the expanding portion 2624 is expanded in its volume. Thus, the expanding portion 2624 has a third volume V 3 , thereby having a third pressure P 3 . In this way, since the accumulator 2620 having variable volume in the water supply tank 2600 is provided, the pressure fluctuation in the water supply tank 2600 can be minimized even if the supercritical fluid flow rate in the water supply tank 2600 fluctuates.

재생 유닛(2570)은 버퍼 탱크(2572), 분리기(2574), 그리고 재생기(2576)를 가진다. 버퍼 탱크(2572), 분리기(2574), 그리고 재생기(2576)는 이산화탄소의 흐름에 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 버퍼 탱크(2572)는 건조 챔버(2500) 또는 급수 탱크(2562)로부터 공급받은 이산화탄소를 저장한다. 버퍼 탱크(2572)는 분리기(2574)에 일정량의 이산화탄소를 공급할 수 있다. 재생 유닛(2570)은 건조챔버(2500)에서 제2건조공정에 사용되어 유기용제를 함유하는 초임계유체를 재생하여 이를 공급유닛(2560)으로 공급한다. 분리기(2574)는 이산화탄소를 1차로 재생한다. 분리기(2574)는 이산화탄소를 냉각시켜 이산화탄소에 함유된 유기용제를 액화시킴으로써 이산화탄소로부터 유기용제를 분리시킨다. 재생기(2590)는 1차 재생된 이산화탄소를 2차로 재생한다. 재생기(2576)는 이산화탄소를 유기용제를 흡수하는 흡착제(A)가 제공되는 공간을 통과시켜 이산화탄소로부터 유기용제를 2차로 분리한다. 일 예로, 재생기(2576)는 흡착제(A)를 제공할 수 있다. 흡착제(A)는 다공을 가지며, 다공 내에 유기용제를 흡착한다. 일례로, 흡착제(A)는 지오라이트(zeolite)일 수 있다. 선택적으로, 재생 유닛(2570)은 분리기(2574)와 재생기(2576) 중 어느 하나만을 포함할 수 있다. 또한, 분리기(2574)와 재생기(2576)는 각각 복수 개로 제공될 수 있다. The regeneration unit 2570 has a buffer tank 2572, a separator 2574, and a regenerator 2576. The buffer tank 2572, the separator 2574, and the regenerator 2576 can be sequentially disposed according to the flow of carbon dioxide. The buffer tank 2572 stores the carbon dioxide supplied from the drying chamber 2500 or the water supply tank 2562. The buffer tank 2572 can supply a predetermined amount of carbon dioxide to the separator 2574. The regeneration unit 2570 is used in the second drying process in the drying chamber 2500 to regenerate the supercritical fluid containing the organic solvent and supply it to the supply unit 2560. The separator 2574 primarily regenerates carbon dioxide. The separator 2574 separates the organic solvent from the carbon dioxide by liquefying the organic solvent contained in the carbon dioxide by cooling the carbon dioxide. The regenerator 2590 secondarily regenerates the first regenerated carbon dioxide. The regenerator 2576 passes the space through which carbon dioxide is supplied to the adsorbent (A) that absorbs the organic solvent to secondarily separate the organic solvent from the carbon dioxide. As an example, regenerator 2576 may provide adsorbent A. The adsorbent (A) has pores and adsorbs the organic solvent in the pores. As an example, the adsorbent (A) may be a zeolite. Alternatively, the reproduction unit 2570 may include only one of the separator 2574 and the reproducer 2576. Further, the separator 2574 and the regenerator 2576 may be provided in plural, respectively.

순환라인(2600)은 건조 챔버(2500), 재생 유닛(2570), 그리고 공급 유닛(2560)을 순차적으로 연결한다. 순환라인(2600)은 이산화탄소를 순환시킨다. 순환라인(2600)은 건조 챔버(2500)와 재생 유닛(2570)을 연결하는 순환라인(2601), 재생 유닛(2570) 내부를 연결하는 순환라인들(2602a, 2602b), 재생 유닛(2570)과 공급 유닛(2560)을 연결하는 순환라인(2603), 공급 유닛(2560) 내부를 연결하는 순환라인들(2604a, 2604b), 공급 유닛(2560)과 건조 챔버(2500)를 연결하는 순환라인(2605)을 가진다. 각 순환라인(2600) 상에는 펌프가 설치될 수 있다. The circulation line 2600 sequentially connects the drying chamber 2500, the regeneration unit 2570, and the supply unit 2560. The circulation line 2600 circulates carbon dioxide. The circulation line 2600 includes a circulation line 2601 connecting the drying chamber 2500 and the regeneration unit 2570, circulation lines 2602a and 2602b connecting the inside of the regeneration unit 2570, a regeneration unit 2570, A circulation line 2603 connecting the supply unit 2560, circulation lines 2604a and 2604b connecting the inside of the supply unit 2560, a circulation line 2605 connecting the supply unit 2560 and the drying chamber 2500 ). A pump may be installed on each circulation line 2600.

이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 그리고 변형이 가능하므로 상술한 실시예 그리고 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, The present invention is not limited to the drawings. In addition, the embodiments described herein are not limited to be applied, and all or some of the embodiments may be selectively combined so that various modifications can be made.

2500: 건조챔버 2560: 공급유닛
2562: 응축기 2564: 펌프
2600: 급수탱크 2620: 축압기
2622: 고정부 2624: 팽창부
2570: 재생 유닛 2600: 순환라인2500: drying chamber 2560: supply unit
2562: condenser 2564: pump
2600: Water tank 2620: Accumulator
2622: Fixing portion 2624: Expansion portion
2570: reproduction unit 2600: circulation line

Claims (2)

기판 처리 장치에 있어서,
초임계유체로 제공되는 유체로 기판 상의 유기용제를 용해하여 상기 기판을 건조시키는 건조 챔버;
상기 건조 챔버로 상기 유체를 공급하는 공급 유닛;
상기 건조 챔버로부터 배출된 유체를 저장하는 버퍼탱크를 포함하고 상기 유체로부터 상기 유기용제를 분리하여 재생시키고, 재생된 상기 유체를 상기 공급 유닛으로 공급하는 재생 유닛을 포함하되,
상기 공급 유닛은,
응축기;
상기 응축기에서 액화된 상기 유체를 공급받아 저장하는 급수탱크; 그리고
상기 응축기와 상기 급수탱크 사이에 설치되고, 상기 유체를 상기 급수탱크로 공급시키는 펌프를 포함하되,
상기 급수탱크는, 그 내부에 가스가 제공되어 상기 급수탱크 내부의 상기 유체에 의한 상대 압력에 따라 그 부피가 변하도록 제공되는 축압기를 포함하는 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus,
A drying chamber for drying the substrate by dissolving an organic solvent on the substrate with a fluid provided as a supercritical fluid;
A supply unit for supplying the fluid to the drying chamber;
And a regeneration unit that includes a buffer tank that stores the fluid discharged from the drying chamber, separates and regenerates the organic solvent from the fluid, and supplies the regenerated fluid to the supply unit,
The supply unit includes:
Condenser;
A water supply tank for receiving and storing the fluid liquefied in the condenser; And
And a pump installed between the condenser and the water supply tank for supplying the fluid to the water supply tank,
Wherein the water supply tank includes an accumulator provided with a gas therein so as to change its volume according to a relative pressure by the fluid inside the water supply tank. 제 1 항에 있어서,
상기 급수탱크는
메인 탱크; 및
그 내부가 상기 메인 탱크와 통하도록 연결되는 보조 탱크를 포함하되,
상기 축압기는 상기 보조 탱크 내에 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The water supply tank
Main tank; And
And an auxiliary tank connected to the main tank so as to communicate with the main tank,
Wherein the accumulator is provided in the auxiliary tank.
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