KR101590906B1 - Substrate treating apparatus and method - Google Patents

Substrate treating apparatus and method Download PDF

Info

Publication number
KR101590906B1
KR101590906B1 KR1020140011139A KR20140011139A KR101590906B1 KR 101590906 B1 KR101590906 B1 KR 101590906B1 KR 1020140011139 A KR1020140011139 A KR 1020140011139A KR 20140011139 A KR20140011139 A KR 20140011139A KR 101590906 B1 KR101590906 B1 KR 101590906B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
orifice
supply line
filter
unit
supercritical fluid
Prior art date
Application number
KR1020140011139A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150062908A (en
Inventor
김기봉
김성수
김우영
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to CN201410712553.XA priority Critical patent/CN104681425B/en
Priority to US14/556,334 priority patent/US9506695B2/en
Publication of KR20150062908A publication Critical patent/KR20150062908A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101590906B1 publication Critical patent/KR101590906B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 제1유닛과, 제2유닛과, 상기 제1유닛과 상기 제2유닛을 연결하며, 상기 제1유닛으로부터 상기 제2유닛으로 초임계 유체를 공급하는 공급라인, 상기 공급라인 상에 설치된 유량 조절 부재, 그리고 상기 공급라인 상에 설치되어 이물을 제거하는 필터를 포함하되, 상기 유량 조절 부재와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인은 일직선에서 벗어난 상태로 제공될 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a first unit, a second unit, and a second unit, which connects the first unit and the second unit, and transfers supercritical fluid from the first unit to the second unit A supply line provided on the supply line, a flow control member provided on the supply line, and a filter provided on the supply line to remove foreign matter, wherein the supply line provided between the flow rate control member and the filter is a straight line ≪ / RTI >

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD}[0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD [0002]

본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same.

반도체소자는 포토리소그래피공정(photolithography)을 비롯한 다양한 공정을 통해 기판 상에 회로패턴을 형성하여 제조된다. 최근에는, 선폭 30nm 이하의 반도체소자에 대해서 초임계유체를 이용하여 기판을 건조시키는 초임계건조공정(supercritical drying process)이 이용되고 있다. 초임계유체란 임계온도와 임계압력 이상에서 기체와 액체의 성질을 동시에 가지는 유체로서, 확산력과 침투력이 뛰어나고, 용해력이 높으며, 표면장력이 거의 없어 기판의 건조에 매우 유용하게 사용될 수 있다. Semiconductor devices are fabricated by forming circuit patterns on a substrate through various processes including photolithography. Recently, a supercritical drying process for drying a substrate using a supercritical fluid has been used for a semiconductor device having a line width of 30 nm or less. Supercritical fluid is a fluid having both gas and liquid properties at both critical temperature and critical pressure. It is excellent in diffusion and penetration, has high solubility, and has very little surface tension, so it can be very useful for drying substrates.

이와 같은 초임계 공정을 위해, 공정 챔버 내에는 필터링을 거친 초임계 유체가 공급된다. 이 때, 초임계 유체의 상태에 따라 필터링 기능이 현저하게 차이가 난다. 초임계 유체의 초기 공급시에는 단열 팽창으로 인해 온도가 영하로 급격히 떨어지게 된다. 이러할 경우, 초임계 유체가 액체로 상태 변화하게 되어, 필터링 기능이 매우 저하된다. 따라서, 공정에 제공되는 초임계 유체의 순도가 낮아지게 된다.For such a supercritical process, a filtered supercritical fluid is supplied into the process chamber. At this time, the filtering function is significantly different depending on the state of the supercritical fluid. When the supercritical fluid is initially supplied, the temperature is rapidly dropped to zero due to adiabatic expansion. In this case, the supercritical fluid changes to a liquid state, and the filtering function is greatly degraded. Thus, the purity of the supercritical fluid provided to the process is lowered.

본 발명은 고순도의 초임계 유체를 공급하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus for supplying supercritical fluid of high purity.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 제1유닛과, 제2유닛과, 상기 제1유닛과 상기 제2유닛을 연결하며, 상기 제1유닛으로부터 상기 제2유닛으로 초임계 유체를 공급하는 공급라인, 상기 공급라인 상에 설치된 유량 조절 부재, 그리고 상기 공급라인 상에 설치되어 이물을 제거하는 필터를 포함하되, 상기 유량 조절 부재와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인은 일직선에서 벗어난 상태로 제공될 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a first unit, a second unit, and a second unit, which connects the first unit and the second unit, and transfers supercritical fluid from the first unit to the second unit A supply line provided on the supply line, a flow control member provided on the supply line, and a filter provided on the supply line to remove foreign matter, wherein the supply line provided between the flow rate control member and the filter is a straight line ≪ / RTI >

상기 유량 조절 부재는 오리피스를 포함하고, 상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인은 지그재그 형상으로 배치될 수 있다.The flow rate regulating member includes an orifice, and the supply line provided between the orifice and the filter can be arranged in a zigzag shape.

상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인의 길이는 상기 필터와 상기 제 2 유닛 사이에 제공되는 상기 공급라인의 길이보다 길게 제공될 수 있다.The length of the supply line provided between the orifice and the filter may be longer than the length of the supply line provided between the filter and the second unit.

상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인의 길이는 약 1 미터 이상 약 5 미터 이하의 길이일 수 있다.The length of the supply line provided between the orifice and the filter may be from about 1 meter to about 5 meters.

상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인의 직경은 상기 제 1 유닛과 상기 오리피스 사이에 제공되는 상기 공급라인의 직경보다 크게 제공될 수 있다.The diameter of the supply line provided between the orifice and the filter may be greater than the diameter of the supply line provided between the first unit and the orifice.

상기 오리피스는, 상기 공급라인 상에 병렬로 설치된 제 1 오리피스 및 제 2 오리피스를 포함하고, 상기 제 1 오리피스의 직경은 상기 제 2 오리피스의 직경과 서로 상이하게 제공될 수 있다.The orifice includes a first orifice and a second orifice disposed in parallel on the supply line, and the diameter of the first orifice may be different from the diameter of the second orifice.

상기 제 1 오리피스의 직경은 상기 제 2 오리피스의 직경보다 작게 제공될 수 있다.The diameter of the first orifice may be less than the diameter of the second orifice.

상기 기판 처리 장치는 상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인을 가열하는 가열 부재를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a heating member for heating the supply line provided between the orifice and the filter.

상기 가열 부재는 상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인을 둘러싸도록 제공되는 히터일 수 있다.The heating member may be a heater provided to surround the supply line provided between the orifice and the filter.

상기 가열 부재는 상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인 내부에 제공되는 인라인 히터일 수 있다.The heating member may be an inline heater provided inside the supply line provided between the orifice and the filter.

상기 가열 부재는 상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인 상에 배치되고 상기 초임계 유체를 감압시키는 레귤레이터를 더 포함할 수 있다.The heating member may further include a regulator disposed on the supply line provided between the orifice and the filter and for reducing the pressure of the supercritical fluid.

상기 제 1 유닛은 초임계 유체를 저장하는 공급탱크이고, 상기 제 2 유닛은 초임계 유체로 공정을 수행하는 공정 챔버일 수 있다.The first unit is a supply tank for storing a supercritical fluid, and the second unit may be a process chamber for performing a process with a supercritical fluid.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.The present invention also provides a substrate processing method.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은, 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 초임계 유체를 공급할 때 상기 초임계 유체의 유량을 조절하는 유량 조절 부재와 상기 초임계 유체에 포함된 이물질을 제거하는 필터 사이에 제공되는 공급라인을 일직선에서 벗어난 상태로 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a substrate processing method for processing a substrate using a supercritical fluid, the method comprising: controlling a flow rate adjusting member for adjusting a flow rate of the supercritical fluid when supplying the supercritical fluid; The supply line provided between the filters for removing the foreign matter contained in the critical fluid can be provided out of line.

상기 유량 조절 부재는 오리피스를 포함하고, 상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인은 지그재그 형상으로 제공될 수 있다.The flow control member includes an orifice, and the supply line provided between the orifice and the filter may be provided in a zigzag shape.

상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인의 길이는 약 1 미터 이상 약 5 미터 이하의 길이로 제공될 수 있다. The length of the supply line provided between the orifice and the filter may be provided in a length of from about 1 meter to about 5 meters.

상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인의 직경은 상기 제 1 유닛과 상기 오리피스 사이에 제공되는 상기 공급라인의 직경보다 크게 제공될 수 있다.The diameter of the supply line provided between the orifice and the filter may be greater than the diameter of the supply line provided between the first unit and the orifice.

상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인을 가열할 수 있다.The supply line provided between the orifice and the filter can be heated.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 고순도의 초임계 유체를 공급하는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for supplying a supercritical fluid of high purity can be provided.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 기판처리장치의 일 실시예의 평면도이다.
도 2는 도 1의 제1공정챔버의 단면도이다.
도 3은 도 1의 제2공정챔버의 일 실시예의 단면도이다.
도 4는 초임계유체의 순환계에 관한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 6은 유량 조절 부재를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6의 오리피스의 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 가열 부재를 보여주는 도면이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 가열 부재를 보여주는 도면이다.
도 10은 종래의 기판 처리 장치와 도 5의 기판 처리 장치를 이용할 때의 온도와 압력에 따른 초임계 유체의 상변화를 비교한 그래프이다.1 is a plan view of one embodiment of a substrate processing apparatus.
2 is a cross-sectional view of the first process chamber of FIG.
Figure 3 is a cross-sectional view of one embodiment of the second process chamber of Figure 1;
4 is a diagram of a circulatory system of a supercritical fluid.
5 is a view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing a flow rate control member;
Figure 7 is a cross-sectional view of the orifice of Figure 6;
8 is a view showing a heating member according to an embodiment.
9 is a view showing a heating member according to another embodiment.
10 is a graph comparing the phase changes of the supercritical fluid with the temperature and pressure when using the conventional substrate processing apparatus and the substrate processing apparatus of FIG.

본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 명확히 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에 기재된 실시예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 본 발명의 사상을 벗어나지 아니하는 수정예 또는 변형예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지의 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to be illustrative of the present invention and not to limit the scope of the invention. Should be interpreted to include modifications or variations that do not depart from the spirit of the invention. In addition, the terms used in the present specification and the accompanying drawings are for explaining the present invention easily, and thus the present invention is not limited by the terms used in the present specification and the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described more fully with reference to the accompanying drawings, in which exemplary embodiments of the invention are shown.

본 발명에 따른 기판처리장치(100)는 기판(S)에 대하여 세정공정을 수행하는 장치이다.A substrate processing apparatus (100) according to the present invention is an apparatus for performing a cleaning process on a substrate (S).

여기서, 기판(S)은 실리콘웨이퍼를 비롯한 다양한 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등을 포함하는 것은 물론 상술한 예 이외에도 반도체소자, 디스플레이 그리고 그 외의 박막에 회로가 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념으로 해석되어야 한다.Here, the substrate S includes various wafers including a silicon wafer, a glass substrate, an organic substrate, and the like. In addition to the above examples, all of the substrates used for the fabrication of the semiconductor device, the display, Should be interpreted as a comprehensive concept including.

이하에서는 기판처리장치(100)의 일 실시예에 관하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the substrate processing apparatus 100 will be described.

도 1은 기판처리장치(100)의 일 실시예의 평면도이다.1 is a plan view of one embodiment of a substrate processing apparatus 100. FIG.

기판처리장치(100)는 인덱스모듈(1000), 공정모듈(2000)을 포함한다. 인덱스모듈(1000)은 외부로부터 기판(S)을 반송받아 공정모듈(2000)로 기판(S)을 제공한다. 공정모듈(2000)은 기판(S)에 대한 세정공정을 수행한다. The substrate processing apparatus 100 includes an index module 1000 and a processing module 2000. The index module 1000 carries the substrate S from the outside and provides the substrate S to the processing module 2000. The process module 2000 performs a cleaning process on the substrate S.

인덱스모듈(1000)은 설비전방단부모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드포트(1100)와 이송프레임(1200)을 포함한다. 로드포트(1100), 이송프레임(1200) 그리고 공정모듈(2000)은 순차적으로 일렬로 배치될 수 있다. 여기서, 로드포트(1100), 이송프레임(1200) 그리고 공정모듈(2000)이 배열된 방향을 제1방향(X)으로 지칭한다. 또한, 상부에서 바라볼 때 제1방향(X)에 수직인 방향을 제2방향(Y)으로 지칭하고, 제1방향(X)과 제2방향(Y)에 수직인 방향을 제3방향(Z)으로 지칭하기로 한다. The index module 1000 includes a load port 1100 and a transfer frame 1200 as an equipment front end module (EFEM). The load port 1100, the transfer frame 1200, and the process module 2000 may be sequentially arranged in a line. Here, the direction in which the load port 1100, the transfer frame 1200, and the process module 2000 are arranged is referred to as a first direction X. [ A direction perpendicular to the first direction X is referred to as a second direction Y and a direction perpendicular to the first direction X and the second direction Y is referred to as a second direction Y Z).

인덱스모듈(1000)에는 하나 또는 복수의 로드포트(1100)가 제공될 수 있다. 로드포트(1100)는 이송프레임(1200)의 일측에 배치된다. 로드포트(1100)가 복수인 경우에는, 로드포트(1100)는 제2방향(Y)에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 로드포트(1100)의 수와 배치는 상술한 예로 한정되지 아니하며, 기판처리장치(100)의 풋 프린트, 공정효율, 다른 기판처리장치(100)와의 배치 등의 다양한 요소를 고려하여 적절히 선택될 수 있다. The index module 1000 may be provided with one or a plurality of load ports 1100. [ The load port 1100 is disposed on one side of the transfer frame 1200. When there are a plurality of the load ports 1100, the load ports 1100 may be arranged in a line in the second direction Y. [ The number and arrangement of the load ports 1100 are not limited to those described above and may be suitably selected in consideration of various factors such as the footprint of the substrate processing apparatus 100, process efficiency, arrangement with other substrate processing apparatus 100, have.

로드포트(1100)에는 기판(S)이 수용되는 캐리어(C)가 놓인다. 캐리어(C)는 외부로부터 반송되어 로드포트(1100)에 로딩되거나 또는 로드포트(1100)로부터 언로딩되어 외부로 반송된다. 예를 들어, 캐리어(C)는 오버헤드트랜스퍼(OHT: overhead hoist transfer) 등의 반송장치에 의해 기판처리장치들 간에 반송될 수 있다. 선택적으로, 기판(S)의 반송은 오버헤드트랜스퍼 대신 자동안내차량(automatic guided vehicle), 레일안내차량(rail guided vehicle) 등의 다른 반송장치 또는 작업자에 의해 수행될 수 있다. 캐리어(C)로는 전면개방일체형포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. The load port 1100 is provided with a carrier C in which the substrate S is received. The carrier C is carried from the outside and loaded into the load port 1100 or unloaded from the load port 1100 and is transported out. For example, the carrier C may be transported between the substrate processing apparatuses by a transport device such as an overhead transfer (OHT). Alternatively, the transport of the substrate S may be performed by an operator or other transport device such as an automatic guided vehicle, a rail guided vehicle or the like instead of overhead transfer. As the carrier C, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

캐리어(C)의 내부에는 기판(S)의 가장자리를 지지하는 슬롯이 하나 이상 형성된다. 슬롯이 복수인 경우에는, 슬롯은 제3방향(Z)에 따라 서로 이격되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 캐리어(C)는 25장의 기판(S)을 수납할 수 있다. 캐리어(C)는 내부는 개폐가능한 도어에 의해 외부와 격리되어 밀폐될 수 있다. 이를 통해 캐리어(C)의 내부에 수용된 기판(S)이 오염되는 것을 방지할 수 있다.At least one slot for supporting the edge of the substrate S is formed inside the carrier C. When there are a plurality of slots, the slots may be formed spaced apart from each other along the third direction Z. [ For example, the carrier (C) can accommodate 25 substrates (S). The carrier C can be sealed from the outside by an openable and closable door. The substrate S received in the carrier C can be prevented from being contaminated.

이송프레임(1200)은 로드포트(1100)에 안착된 캐리어(C)와 공정모듈(2000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송프레임(1200)은 인덱스로봇(1210)과 인덱스레일(1220)을 포함한다. The transfer frame 1200 transfers the substrate S between the process module 2000 and the carrier C that is seated on the load port 1100. The transfer frame 1200 includes an index robot 1210 and an index rail 1220.

인덱스레일(1220)은 인덱스로봇(1210)의 직선 이동을 안내한다. 인덱스레일(1220)은 그 길이방향이 제2방향(Y)에 나란하게 제공될 수 있다. The index rail 1220 guides the linear movement of the index robot 1210. The index rail 1220 may be provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction Y. [

인덱스로봇(1210)은 기판(S)을 반송한다. 인덱스로봇(1210)은 베이스(1211), 바디(1212) 그리고 암(1213)을 가질 수 있다. The index robot 1210 carries the substrate S. The index robot 1210 may have a base 1211, a body 1212, and an arm 1213.

베이스(1211)는 인덱스레일(1220) 상에 설치된다. 베이스(1211)는 인덱스레일(1220)을 따라 이동할 수 있다. 바디(1212)는 베이스(1211)에 결합되고, 베이스(1211) 상에서 제3방향(Z)을 따라 이동하거나 또는 제3방향(Z)을 축으로 회전할 수 있다. 암(1213)은 바디(1212)에 설치되고, 전진 그리고 후진을 하여 이동할 수 있다. 암(1213)의 일단에는 핸드가 구비되어 기판(S)을 집거나 놓을 수 있다. 인덱스로봇(1210)에는 하나 또는 복수의 암(1213)이 제공된다. 복수의 암(1213)이 제공되는 경우에는, 서로 제3방향(Z)에 따라 바디(1212)에 적층되어 배치될 수 있다. 이 때, 각각의 암(1213)은 개별적으로 구동될 수 있다.The base 1211 is installed on the index rail 1220. The base 1211 can move along the index rail 1220. The body 1212 is coupled to the base 1211 and can move along the base 1211 in the third direction Z or rotate about the third direction Z. [ The arm 1213 is installed in the body 1212, and can move forward and backward. A hand may be provided at one end of the arm 1213 to hold or place the substrate S. The index robot 1210 is provided with one or a plurality of arms 1213. When a plurality of arms 1213 are provided, they may be stacked on the body 1212 along the third direction Z with respect to each other. At this time, each arm 1213 can be individually driven.

이에 따라 인덱스로봇(1210)은 인덱스레일(1220) 상에서 베이스(1211)가 제2방향(Y)에 따라 이동하며, 바디(1212)와 암(1213)의 동작에 따라 캐리어(C)로부터 기판(S)을 인출하여 이를 공정모듈(2000)로 반입하거나 또는 공정모듈(2000)로부터 기판(S)을 인출하여 캐리어(C)에 수납할 수 있다. The index robot 1210 moves the base 1211 in the second direction Y on the index rail 1220 and moves the carrier 1212 from the carrier C to the substrate 1212 in accordance with the operation of the body 1212 and the arm 1213. [ S can be taken out of the process module 2000 or taken out of the process module 2000 or taken out of the process module 2000 to be housed in the carrier C. [

이와 달리, 이송프레임(1200)에는 인덱스레일(1220)이 생략되고, 인덱스로봇(1210)이 이송프레임(1200)에 고정되어 설치될 수도 있다. 이 때에는 인덱스로봇(1210)이 이송프레임(1200)의 중앙부에 배치될 수 있다.Alternatively, the index rail 1220 may be omitted from the transfer frame 1200, and the index robot 1210 may be fixed to the transfer frame 1200. At this time, the index robot 1210 may be disposed at the center of the transfer frame 1200.

공정모듈(2000)은 기판(S)에 대하여 세정공정을 수행한다. 공정모듈(2000)은 버퍼챔버(2100), 이송챔버(2200), 제1공정챔버(2300) 그리고 제2공정챔버(2500)를 포함한다. 버퍼챔버(2100)와 이송챔버(2200)는 제1방향(X)을 따라 배치되고, 이송챔버(2200)는 그 길이방향이 제1방향(X)에 나란하도록 배치된다. 공정챔버들(2300, 2500)은 이송챔버(2200)의 측면에 배치된다. 제 1 공정챔버(2300), 이송챔버(2200), 그리고 제 2 공정챔버(2500)는 제2방향(Y)를 따라 순차적으로 배치될 수 있다. The process module 2000 performs a cleaning process on the substrate S. Process module 2000 includes a buffer chamber 2100, a transfer chamber 2200, a first process chamber 2300, and a second process chamber 2500. The buffer chamber 2100 and the transfer chamber 2200 are disposed along the first direction X and the transfer chamber 2200 is disposed such that the longitudinal direction thereof is parallel to the first direction X. [ Process chambers 2300 and 2500 are disposed on the sides of transfer chamber 2200. The first process chamber 2300, the transfer chamber 2200, and the second process chamber 2500 may be sequentially disposed along the second direction Y. [

제1공정챔버(2300)는 이송챔버(2200)의 제2방향(Y)의 일측에 배치되고, 제2공정챔버(2500)는 제1공정챔버(2300)가 배치된 반대방향의 타측에 배치될 수 있다. 제1공정챔버(2300)는 하나 또는 복수일 수 있다. 제1공정챔버(2300)가 복수일 경우, 제1공정챔버(2300)는 이송챔버(2200)의 일측에 제1방향(X)에 따라 배치되거나, 제3방향(Z)에 따라 적층되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. 마찬가지로 제2공정챔버(2500)도 하나 또는 복수일 수 있다. 제2공정챔버(2500)가 복수일 경우, 제2공정챔버(2500)는 이송챔버(2200)의 타측에 제1방향(X)에 따라 배치되거나, 제3방향(Z)에 따라 적층되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. The first process chamber 2300 is disposed on one side of the transfer chamber 2200 in the second direction Y and the second process chamber 2500 is disposed on the other side in the opposite direction in which the first process chamber 2300 is disposed . The first process chamber 2300 may be one or more. The first process chamber 2300 may be disposed on one side of the transfer chamber 2200 along the first direction X or may be stacked along the third direction Z, Or a combination thereof. Likewise, the second process chamber 2500 can be one or more. The second process chamber 2500 may be disposed on the other side of the transfer chamber 2200 along the first direction X or may be stacked along the third direction Z, Or a combination thereof.

다만, 공정모듈(2000)에서 각 챔버들의 배치가 상술한 예로 한정되는 것은 아니며, 공정효율을 고려하여 적절하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 필요에 따라 제1공정챔버(2300)와 제2공정챔버(2500)가 이송모듈의 같은 측면에 제1방향(X)에 따라 배치되거나 또는 서로 적층되어 배치되는 것도 가능하다.However, the arrangement of the chambers in the process module 2000 is not limited to the above example, and may be suitably modified in consideration of process efficiency. For example, it is also possible that the first process chamber 2300 and the second process chamber 2500 are disposed on the same side of the transfer module in the first direction X or stacked on each other, if necessary.

버퍼챔버(2100)는 이송프레임(1200)과 이송챔버(2200)의 사이에 배치된다. 버퍼챔버(2100)는 인덱스모듈(1000)과 공정모듈(2000) 간에 반송되는 기판(S)이 임시로 머무르는 버퍼공간을 제공한다. 버퍼챔버(2100)의 내부에는 기판(S)이 놓이는 버퍼슬롯이 하나 또는 복수 개 제공된다. 버퍼슬롯이 복수인 경우에는 제3방향(Z)을 따라 서로 이격될 수 있다. The buffer chamber 2100 is disposed between the transfer frame 1200 and the transfer chamber 2200. The buffer chamber 2100 provides a buffer space in which the substrate S transferred between the index module 1000 and the processing module 2000 temporarily remains. In the buffer chamber 2100, one or a plurality of buffer slots in which the substrate S is placed are provided. And may be spaced from each other along the third direction Z when a plurality of buffer slots are provided.

버퍼슬롯에는 인덱스로봇(1210)에 의해 캐리어(C)로부터 인출된 기판(S)이 안착될 수 있다. 또한, 버퍼슬롯에는 이송로봇(2210)에 의해 공정챔버들(2300, 2500)로부터 반출된 기판(S)이 안착될 수 있다. 또한, 인덱스로봇(1210)이나 이송로봇(2210)은 버퍼슬롯으로부터 기판(S)을 반출하여, 캐리어(C)에 수용하거나 공정챔버들(2300, 2500)로 반송할 수 있다. The buffer slot can seat the substrate S drawn out from the carrier C by the index robot 1210. Also, the substrate S loaded from the process chambers 2300 and 2500 by the transfer robot 2210 can be loaded into the buffer slot. The index robot 1210 or the transfer robot 2210 may take out the substrate S from the buffer slot and store the wafer S in the carrier C or transfer it to the process chambers 2300 and 2500.

이송챔버(2200)는 버퍼챔버(2100), 제 1 공정챔버(2300), 제 2 공정챔버(2500) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송챔버(2200)는 이송레일(2220) 그리고 이송로봇(2210)을 포함한다. 이송레일(2220)은 이송로봇(2210)이 이동하는 경로를 제공한다. 이송레일(2220)은 제1방향(X)에 나란하게 제공될 수 있다. 이송로봇(2210)은 기판(S)을 반송한다. 이송로봇(2210)은 베이스(2211), 바디(2212) 그리고 암(2213)을 포함할 수 있다. 이송로봇(2210)의 각 구성요소는 인덱스로봇(1210)의 구성요소와 유사하므로 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. 이송로봇(2210)은 베이스(2211)가 이송레일(2220)을 따라 이동하면서 바디(2212) 그리고 암(2213)의 작동에 의해 버퍼챔버(2100), 제1공정챔버(2300) 그리고 제2공정챔버(2500) 간에 기판(S)을 반송한다.The transfer chamber 2200 carries the substrate S between the buffer chamber 2100, the first process chamber 2300 and the second process chamber 2500. The transfer chamber 2200 includes a transfer rail 2220 and a transfer robot 2210. The transfer rail 2220 provides a path through which the transfer robot 2210 moves. The conveying rails 2220 may be provided in parallel in the first direction X. [ The transfer robot 2210 carries the substrate S. The transfer robot 2210 may include a base 2211, a body 2212, and an arm 2213. Since the components of the transfer robot 2210 are similar to those of the index robot 1210, detailed description thereof will be omitted. The transfer robot 2210 is operated by the operation of the body 2212 and the arm 2213 while the base 2211 is moved along the transfer rail 2220 to move the buffer chamber 2100, the first process chamber 2300, And the substrate S is transported between the chambers 2500.

제1공정챔버(2300)와 제2공정챔버(2500)는 각각 기판(S)에 대하여 상이한 공정을 수행한다. 여기서, 제1공정챔버(2300)에서 수행되는 제1공정과 제2공정챔버(2500)에서 수행되는 제2공정은 서로 순차적으로 수행되는 공정일 수 있다. 예를 들어, 제1공정챔버(2300)에서는, 케미컬공정, 세척공정 그리고 제1건조공정이 수행되고, 제2공정챔버(2500)에서는 제1공정의 후속공정으로 제2건조공정이 수행될 수 있다. 여기서, 제1건조공정은 유기용제를 이용하여 수행되는 건조공정이고, 제2건조공정은 초임계유체를 이용하여 수행되는 초임계건조공정일 수 있다.The first process chamber 2300 and the second process chamber 2500 perform different processes for the substrate S, respectively. Here, the first process performed in the first process chamber 2300 and the second process performed in the second process chamber 2500 may be sequentially performed. For example, in the first process chamber 2300, a chemical process, a cleaning process, and a first drying process may be performed, and in the second process chamber 2500, a second drying process may be performed as a subsequent process of the first process have. Here, the first drying process may be a drying process performed using an organic solvent, and the second drying process may be a supercritical drying process performed using a supercritical fluid.

이하에서는 제1공정챔버(2300)에 관하여 설명한다. 도 2는 도 1의 제1공정챔버(2300)의 단면도이다.Hereinafter, the first process chamber 2300 will be described. 2 is a cross-sectional view of the first process chamber 2300 of FIG.

제1공정챔버(2300)에서는 제1공정이 수행된다. 제1공정챔버(2300)는 하우징(2310) 그리고 공정유닛(2400)을 포함한다. 하우징(2310)은 제1공정챔버(2300)의 외벽을 형성한다. 공정유닛(2400)은 하우징(2310)의 내부에 위치하고, 제1공정을 수행한다.In the first process chamber 2300, the first process is performed. The first process chamber 2300 includes a housing 2310 and a process unit 2400. The housing 2310 forms the outer wall of the first process chamber 2300. The process unit 2400 is located inside the housing 2310 and performs the first process.

공정유닛(2400)은 스핀헤드(2410), 유체공급부재(2420), 회수통(2430) 그리고 승강부재(2440)를 포함할 수 있다.The processing unit 2400 may include a spin head 2410, a fluid supply member 2420, a recovery cylinder 2430, and an elevating member 2440.

스핀헤드(2410)에는 기판(S)이 안착된다. 스핀헤드(2410)는 공정이 진행되는 중에 기판(S)을 회전시킨다. 스핀헤드(2410)는 지지플레이트(2411), 지지핀(2412), 척킹핀(2413), 회전축(2414) 그리고 모터(2415)를 포함할 수 있다.The substrate S is seated on the spin head 2410. The spin head 2410 rotates the substrate S while the process is in progress. The spin head 2410 may include a support plate 2411, a support pin 2412, a chucking pin 2413, a rotation shaft 2414, and a motor 2415.

지지플레이트(2411)는 그 상부가 대체로 기판(S)과 유사한 형상을 가진다. 예를 들어, 기판이 원형의 웨이퍼인 경우, 지지플레이트(2411)는 원형을 가지도록 제공될 수 있다. 지지플레이트(2411)의 상부에는 복수의 지지핀(2412)과 복수의 척킹핀(2413)이 제공된다. 복수의 지지핀(2412)에는 기판(S)이 놓인다. 복수의 척킹핀(2413)은 기판(S)을 고정한다. 지지플레이트(2411)의 하면에는 회전축(2414)이 고정되어 결합된다. 회전축(2414)은 모터(2415)에 의해 회전된다. 모터(2415)는 회전력을 발생시켜 회전축(2414)을 통해 지지플레이트(2411)를 회전시킨다. 이에 따라 스핀헤드(2410)에 기판(S)이 안착되고, 제1공정 진행 중에 기판(S)을 회전시킬 수 있다.The upper portion of the support plate 2411 has a shape substantially similar to that of the substrate S. For example, when the substrate is a circular wafer, the support plate 2411 may be provided with a circular shape. On the upper portion of the support plate 2411, a plurality of support pins 2412 and a plurality of chucking pins 2413 are provided. The substrate S is placed on the plurality of support pins 2412. A plurality of chucking pins 2413 fix the substrate S. A rotation shaft 2414 is fixedly coupled to the lower surface of the support plate 2411. The rotary shaft 2414 is rotated by the motor 2415. The motor 2415 generates a rotational force to rotate the support plate 2411 through the rotation shaft 2414. Accordingly, the substrate S is placed on the spin head 2410, and the substrate S can be rotated during the first process.

복수의 지지핀(2412)은 지지플레이트(2411)의 상면에 제3방향(Z)으로 돌출된다. 상부에서 바라볼 때 전체적인 지지핀들(2412)의 배치는 환형의 링 형상을 이룰 수 있다. 지지핀(2412)에는 기판(S)의 후면이 올려지게 된다. 이에 따라 기판(S)은 지지핀(2412)에 의해, 지지플레이트(2411)의 상면으로부터 지지핀(2412)이 돌출된 거리로 이격되어 안착된다.The plurality of support pins 2412 protrude in the third direction Z on the upper surface of the support plate 2411. The arrangement of the entire support pins 2412 when viewed from above can be in the form of an annular ring. The rear surface of the substrate S is lifted up on the support pin 2412. The substrate S is seated by the support pins 2412 at a distance in which the support pins 2412 protrude from the upper surface of the support plate 2411. [

척킹핀(2413)은 지지플레이트(2411)의 상면에 제3방향(Z)으로 지지핀(2412)보다 더 길게 돌출된다. 척킹핀(2413)은 지지플레이트(2411)의 중심으로부터 지지핀(2412)보다 멀리 떨어진 위치에 배치된다. 척킹핀들(2413)은 지지플레이트(2411)의 반경방향을 따라 지지위치와 대기위치 간에 이동할 수 있다. 지지위치는 지지플레이트(2411)의 중심으로부터 기판(S)의 반경에 대응되는 거리만큼 떨어진 위치이다. 대기위치는 지지위치보다 지지플레이트(2411)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 척킹핀(2413)은 기판(S)이 스핀헤드(2410)에 로딩될 때와 스핀헤드(2410)로부터 언로딩될 때에는 대기위치에 위치한다. 또한, 척킹핀(2413)은 공정 진행시에는 지지위치로 이동한다. 이에 따라 척킹핀(2413)은 스핀헤드(2410)가 회전할 때, 회전력에 의해 기판(S)이 정위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다.The chucking pins 2413 protrude from the upper surface of the support plate 2411 in a third direction Z longer than the support pins 2412. The chucking pins 2413 are disposed at positions farther from the center of the support plate 2411 than the support pins 2412. The chucking pins 2413 can move between the support position and the standby position along the radial direction of the support plate 2411. The support position is a position distant from the center of the support plate 2411 by a distance corresponding to the radius of the substrate S. [ The standby position is a position far from the center of the support plate 2411 than the support position. The chucking pins 2413 are placed in the standby position when the substrate S is loaded into the spin head 2410 and when unloaded from the spin head 2410. [ Further, the chucking pins 2413 move to the supporting position when the process proceeds. Accordingly, the chucking pin 2413 can prevent the substrate S from being displaced from the correct position by the rotational force when the spin head 2410 rotates.

유체공급부재(2420)는 기판(S)에 유체를 공급한다. 유체공급부재(2420)는 노즐(2421), 지지대(2422), 지지축(2423) 그리고 구동기(2424)를 포함한다. 지지축(2423)은 그 길이 방향이 제3방향(Z)에 따라 제공된다. 지지축(2423)의 하단에는 구동기(2424)가 결합된다. 구동기(2424)는 지지축(2423)을 회전시키거나 제3방향(Z)에 따라 상하로 이동시킨다. 지지축(2423)의 상부에는 지지대(2422)가 수직하게 결합된다. 노즐(2421)은 지지대(2422)의 일단의 저면에 설치된다. 노즐(2421)은 지지축(2423)의 회전 그리고 승강에 의해 지지위치와 대기위치 간에서 이동할 수 있다. 지지위치는 노즐(2421)이 지지플레이트(2411)의 수직 상부에 배치된 위치이다. 대기위치는 노즐(2421)이 지지플레이트(2411)의 수직 상부에서 벗어난 위치이다.The fluid supply member 2420 supplies fluid to the substrate S. The fluid supply member 2420 includes a nozzle 2421, a support 2422, a support shaft 2423, and a driver 2424. The support shaft 2423 is provided along the third direction Z in its longitudinal direction. A driver 2424 is coupled to the lower end of the support shaft 2423. The driver 2424 rotates the support shaft 2423 or moves the support shaft 2423 up and down along the third direction Z. A support base 2422 is vertically coupled to the upper portion of the support shaft 2423. The nozzle 2421 is installed on the bottom surface of one end of the support table 2422. The nozzle 2421 can be moved between the support position and the standby position by the rotation and elevation of the support shaft 2423. The support position is a position at which the nozzle 2421 is disposed at the vertical upper portion of the support plate 2411. The standby position is a position at which the nozzle 2421 deviates from the vertical upper portion of the support plate 2411.

공정유닛(2400)에는 하나 또는 복수의 유체공급부재(2420)가 제공될 수 있다. 유체공급부재(2420)가 복수인 경우에는, 각 유체공급부재(2420)는 서로 상이한 유체를 공급한다. 예를 들어, 복수의 유체공급부재(2420)는 각각 세정제, 린스제 또는 유기용제를 공급할 수 있다. 세정제는 과산화수소(H2O2), 암모니아(NH4OH), 염산(HCl), 황산(H2SO4), 불산(HF) 또는 이들의 혼합 용액 등이 사용된다. 린스제로는 순수가 사용되며, 유기용제로는 이소프로필알코올이 사용된다. 선택적으로 유기용제로는 에틸글리콜(ethyl glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로프랑(tetra hydraulic franc), 4-하이드록시(hydroxyl), 4-메틸(methyl), 2-펜타논(pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), n-프로필알코올(n-propyl alcohol), 디메틸에틸(dimethylether) 등이 사용될 수 있다. 예를 들어, 제1유체공급부재(2420a)는 암모니아과산화수소용액을 분사하고, 제2유체공급부재(2420b)는 순수를 분사하고, 제3유체공급부재(2420c)는 이소프로필알코올용액을 분사할 수 있다. 다만, 유기용제는 액체가 아닌 기체상태로 제공될 수도 있으며, 기체상태의 증기로 제공될 때에는 불활성기체와 혼합되어 제공될 수 있다.The processing unit 2400 may be provided with one or a plurality of fluid supply members 2420. When there are a plurality of fluid supply members 2420, each fluid supply member 2420 supplies a different fluid to each other. For example, the plurality of fluid supply members 2420 may respectively supply a cleaning agent, a rinsing agent, or an organic solvent. As the cleaning agent, hydrogen peroxide (H 2 O 2), ammonia (NH 4 OH), hydrochloric acid (HCl), sulfuric acid (H 2 SO 4), hydrofluoric acid (HF) Pure water is used for rinse-off, and isopropyl alcohol is used for organic solvent. Alternatively, the organic solvent may include ethyl glycol, propanol, tetra hydraulic franc, 4-hydroxy, 4-methyl, 2-pentanone pentanone, 1-butanol, 2-butanol, methanol, ethanol, n-propyl alcohol and dimethylether. For example, the first fluid supply member 2420a injects ammonia hydrogen peroxide solution, the second fluid supply member 2420b injects pure water, and the third fluid supply member 2420c injects the isopropyl alcohol solution . However, the organic solvent may be provided in a gaseous state rather than in a liquid state, and may be mixed with an inert gas when it is supplied in a gaseous state.

상술한 유체공급부재(2420)는 스핀헤드(2410)에 기판(S)이 안착되면 대기위치로부터 지지위치로 이동하여, 기판(S)의 상부로 상술한 유체를 공급할 수 있다. 예를 들어, 유체공급부가 세정제, 린스제, 유기용제를 공급함에 따라 각각 케미컬공정, 세척공정, 제1건조공정이 수행될 수 있다. 이와 같이 공정이 수행되는 동안 스핀헤드(2410)는 회전하여 기판(S)의 상면에 유체가 골고루 제공되도록 할 수 있다. Described fluid supply member 2420 can move from the standby position to the support position and supply the above-described fluid to the upper portion of the substrate S when the substrate S is placed on the spin head 2410. [ For example, a chemical process, a cleaning process, and a first drying process may be performed, respectively, as the fluid supply portion supplies a cleaning agent, a rinsing agent, and an organic solvent. During the process, the spin head 2410 may be rotated to uniformly distribute the fluid on the upper surface of the substrate S.

회수통(2430)은 제1공정이 수행되는 공간을 제공하고, 이 과정에서 사용되는 유체를 회수한다. 회수통(2430)은 상부에서 바라볼 때 스핀헤드(2410)를 둘러싸도록 그 둘레에 배치되며, 상부가 개방된다. 공정유닛(2400)에는 하나 또는 복수의 회수통(2430)이 제공될 수 있다. 이하에서는 제1회수통(2430a), 제2회수통(2430b), 제3회수통(2430c)의 세 개의 회수통(2430)이 제공된 경우를 예를 들어 설명한다. 다만, 회수통(2430)의 수는 사용되는 유체의 수 그리고 제1공정의 조건에 따라 이와 상이하게 선택될 수도 있다.The recovery cylinder 2430 provides a space where the first process is performed, and recovers the fluid used in the process. The recovery cylinder 2430 is disposed around the spin head 2410 as viewed from above, and the upper portion thereof is opened. The processing unit 2400 may be provided with one or a plurality of recovery cylinders 2430. Hereinafter, three recovery cylinders 2430 including a first recovery cylinder 2430a, a second recovery cylinder 2430b, and a third recovery cylinder 2430c are provided. However, the number of the collection tubes 2430 may be selected differently depending on the number of fluids to be used and the conditions of the first process.

제1회수통(2430a), 제2회수통(2430b) 그리고 제3회수통(2430c)은 각각 스핀헤드(2410)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제1회수통(2430a), 제2회수통(2430b), 제3회수통(2430c)은 순차적으로 스핀헤드(2410)의 중심으로부터 멀어지면서 배치된다. 제1회수통(2430a)은 스핀헤드(2410)를 감싸고, 제2회수통(2430b)은 제1회수통(2430a)을 감싸고, 제3회수통(2430c)은 제2회수통(2430b)을 감싸도록 제공된다. The first recovery tank 2430a, the second recovery tank 2430b, and the third collection tank 2430c are provided in an annular ring shape surrounding the spin head 2410, respectively. The first recovery cylinder 2430a, the second recovery cylinder 2430b, and the third collection cylinder 2430c are sequentially disposed away from the center of the spin head 2410. The first recovery tank 2430a surrounds the spin head 2410. The second recovery tank 2430b surrounds the first collection tank 2430a and the third collection tank 2430c surrounds the second collection tank 2430b. To be wrapped.

제1회수통(2430a)에는 제1회수통(2430a)의 내측공간에 의해 제1유입구(2431a)가 제공된다. 제2회수통(2430b)에는 제1회수통(2430a)과 제2회수통(2430b) 사이의 공간에 의해 제2유입구(2431b)가 제공된다. 제3회수통(2430c)에는, 제2회수통(2430b)과 제3회수통(2430c) 사이의 공간에 의해 제3유입구(2431c)가 제공된다. 제1유입구(2431a), 제2유입구(2431b), 제3유입구(2431c)는 순차적으로 아래에서 위를 향하는 순서로 제 3방향(Z)을 따라 배열된다. 각각의 회수통(2430a, 2430b, 2430c) 의 저면에는 제3방향(Z)에 따라 아래로 연장되는 회수라인(2432)이 연결된다. 각 회수라인들(2432a, 2432b, 2433c)은 각각의 회수통(2430a, 2430b, 2430c)에 회수된 유체를 배출하여 외부의 유체재생시스템(미도시)에 공급한다. 유체재생시스템(미도시)은 회수된 유체를 재사용할 수 있도록 재생할 수 있다.The first return tube 2430a is provided with a first inlet 2431a by an inner space of the first recovery tube 2430a. A second inlet 2431b is provided in the second recovery tank 2430b by a space between the first recovery tank 2430a and the second recovery tank 2430b. The third inlet 2430c is provided with a third inlet 2431c by a space between the second collection container 2430b and the third collection container 2430c. The first inlet 2431a, the second inlet 2431b, and the third inlet 2431c are sequentially arranged in the third direction Z from bottom to top. A recovery line 2432 extending downward in the third direction Z is connected to the bottom surfaces of the recovery containers 2430a, 2430b, and 2430c. Each of the recovery lines 2432a, 2432b, and 2433c discharges the recovered fluid to each of the recovery cylinders 2430a, 2430b, and 2430c, and supplies the recovered fluid to an external fluid regeneration system (not shown). A fluid regeneration system (not shown) can regenerate the recovered fluid for reuse.

승강부재(2440)는, 브라켓(2441), 승강축(2442) 그리고 승강기(2443)를 포함한다. 브라켓(2441)은 회수통(2430)에 고정되어 설치되며, 브라켓(2441)의 일단에는 승강기(2443)에 의해 제3방향(Z)으로 이동되는 승강축(2442)이 고정되어 결합된다. 회수통(2430)이 복수인 경우에는, 브라켓(2441)은 최외곽의 회수통(2430)에 결합될 수 있다.The elevating member 2440 includes a bracket 2441, an elevating shaft 2442, and an elevator 2443. The bracket 2441 is fixed to the recovery tube 2430 and an elevation shaft 2442 which is moved in the third direction Z by the elevator 2443 is fixedly coupled to one end of the bracket 2441. When there are a plurality of the collection bins 2430, the brackets 2441 can be coupled to the outermost collection bins 2430.

승강부재(2440)는 회수통(2430)을 제3방향(Z)으로 이동시킨다. 이에 따라 회수통(2430)의 스핀헤드(2410)에 대한 상대 높이가 변경되어, 회수통(2430)인 복수인 경우에는, 어느 하나의 회수통(2430)의 유입구(2431)가 스핀헤드(2410)에 안착된 기판(S)의 수평면 상에 위치하도록 선택적으로 조절할 수 있다. The elevating member 2440 moves the recovery cylinder 2430 in the third direction Z. The inlet 2431 of one of the collecting cylinders 2430 is connected to the spin head 2410 of the spinning head 2410 in the case of a plurality of the collecting cylinders 2430, On the horizontal plane of the substrate S that is seated on the substrate S.

또한, 승강부재(2440)는 제1공정이 진행되는 동안, 회수통(2430)을 제3방향(Z)으로 이동시켜 회수통(2430)의 유입구(2431)가 기판(S)과 대응되는 높이에 위치하도록 조절한다. 이에 따라, 기판(S)의 회전에 의해 기판(S)으로부터 튕겨나는 유체가 회수될 수 있다. 예를 들어, 제1공정으로 케미컬공정, 린스제에 의한 세척공정, 그 후 유기용제에 의한 제1건조공정이 순차적으로 진행되는 경우, 승강부재(2440)는 제1유입구(2431a), 제2유입구(2431b), 제3유입구(2431c)를 각각 순차적으로 이동시킨다. 이에 따라, 제1회수통(2430a), 제2회수통(2430b), 제3회수통(2430c)이 각각의 유체를 회수할 수 있다. The elevating member 2440 moves the waste collection container 2430 in the third direction Z so that the inlet 2431 of the waste collection container 2430 is positioned at a height corresponding to the height of the substrate S . Accordingly, the fluid that is repelled from the substrate S by the rotation of the substrate S can be recovered. For example, when the chemical process, the cleaning process by the rinsing agent, and the first drying process by the organic solvent are sequentially performed in the first process, the elevating member 2440 is provided with the first inlet 2431a, The inlet 2431b, and the third inlet 2431c, respectively. Accordingly, the first recovery tank 2430a, the second recovery tank 2430b, and the third collection tank 2430c can collect the respective fluids.

한편, 승강부재(2440)는 회수통(2430)을 이동시키는 대신 스핀헤드(2410)를 제3방향(Z)으로 이동시킬 수 있다.On the other hand, the elevating member 2440 can move the spin head 2410 in the third direction Z instead of moving the recovery cylinder 2430.

이하에서는 제2공정챔버(2500)에 관하여 설명한다. Hereinafter, the second process chamber 2500 will be described.

제2공정챔버(2500)에서는 제2공정이 수행된다. 여기서, 제2공정은 초임계유체를 이용하여 기판(S)을 건조시키는 제2건조공정일 수 있다.In the second process chamber 2500, a second process is performed. Here, the second step may be a second drying step of drying the substrate S using a supercritical fluid.

이하에서는 이산화탄소(CO2)의 초임계유체를 기준으로 설명한다. 다만, 초임계유체의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, supercritical fluid of carbon dioxide (CO 2 ) will be used as a reference. However, the kind of the supercritical fluid is not limited thereto.

도 3은 도 1의 제2공정챔버(2500)의 일 실시예의 단면도이다. 도 3을 참조하면, 제2공정챔버(2500)는 하우징(2510), 승강부재(2516), 지지부재(2530), 가열부재(2520), 공급포트(2540), 차단부재(2546) 및 배기포트(2550)를 포함할 수 있다. 3 is a cross-sectional view of one embodiment of the second process chamber 2500 of FIG. 3, the second process chamber 2500 includes a housing 2510, an elevation member 2516, a support member 2530, a heating member 2520, a supply port 2540, a shutoff member 2546, Port 2550. The < / RTI >

하우징(2510)은 초임계건조공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(2510)은 임계압력 이상의 고압을 견딜 수 있는 재질로 제공된다. The housing 2510 provides a space in which the supercritical drying process is performed. The housing 2510 is provided with a material capable of withstanding a high pressure exceeding a critical pressure.

하우징(2510)은 상부하우징(2512)과 상부하우징(2512)의 하부에 배치되는 하부하우징(2514)을 구비하여 상하부로 구분되는 구조로 제공될 수 있다. The housing 2510 may be provided with an upper housing 2512 and a lower housing 2514 disposed below the upper housing 2512 to be divided into upper and lower portions.

상부하우징(2512)은 고정되어 설치되며, 하부하우징(2514)은 승강할 수 있다. 하부하우징(2514)이 하강하여 상부하우징(2512)으로부터 이격되면 제2공정챔버(2500)의 내부공간이 개방되고, 기판(S)이 제2공정챔버(2500)의 내부공간으로 반입되거나 내부공간으로부터 반출될 수 있다. 여기서, 제2공정챔버(2500)로 반입되는 기판(S)은 제1공정챔버(3000)에서 유기용제공정을 거쳐 유기용제가 잔류하는 상태일 수 있다. 또 하부하우징(2514)이 상승하여 상부하우징(2512)에 밀착되면 제2공정챔버(2500)의 내부공간이 밀폐되고, 그 내부에서 초임계건조공정이 수행될 수 있다. 물론, 상술한 예와 달리 하우징(2510)에서 하부하우징(2514)이 고정되어 설치되고, 상부하우징(2512)이 승강되는 구조로 제공될 수도 있을 것이다. The upper housing 2512 is fixedly installed, and the lower housing 2514 can be moved up and down. When the lower housing 2514 descends and is separated from the upper housing 2512, the inner space of the second process chamber 2500 is opened, the substrate S is carried into the inner space of the second process chamber 2500, . Here, the substrate S transferred to the second process chamber 2500 may be in a state where the organic solvent remains in the first process chamber 3000 through the organic solvent process. When the lower housing 2514 rises and comes into close contact with the upper housing 2512, the inner space of the second process chamber 2500 is sealed, and the supercritical drying process can be performed therein. Of course, unlike the above-described example, the lower housing 2514 may be fixedly installed in the housing 2510, and the upper housing 2512 may be vertically moved.

승강부재(2516)는 하부하우징(2514)을 승강시킨다. 승강부재(2516)는 승강실린더(2517) 및 승강로드(2518)를 포함할 수 있다. 승강실린더(2517)는 하부하우징(2514)에 결합되어 상하방향의 구동력, 즉 승강력(乘降力)을 발생시킨다. 승강실린더(2517)는 초임계건조공정이 수행되는 동안 제2공정챔버(2500) 내부의 임계압력 이상의 고압을 이기고, 상부하우징(2512)과 하부하우징(2514)을 밀착시켜 제2공정챔버(2500)를 밀폐시킬 수 있는 정도의 구동력을 발생시킨다. 승강로드(2518)는 그 일단이 승강실린더(2517)에 삽입되어 수직상방으로 연장되어 타단이 상부하우징(2512)에 결합된다. 이러한 구조에 따라 승강실린더(2517)에서 구동력이 발생하면, 승강실린더(2517)와 승강로드(2518)가 상대적으로 승강되어 승강실린더(2517)에 결합된 하부하우징(2514)이 승강될 수 있다. 또한 승강실린더(2517)에 의해 하부하우징(2514)이 승강하는 동안 승강로드(2518)는 상부하우징(2512)과 하부하우징(2514)이 수평방향으로 움직이는 것을 방지하고, 승강방향을 안내하여, 상부하우징(2512)과 하부하우징(2514)이 서로 정위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. The elevating member 2516 lifts the lower housing 2514. The elevating member 2516 may include a lifting cylinder 2517 and a lifting rod 2518. The lifting cylinder 2517 is coupled to the lower housing 2514 to generate a driving force in the vertical direction, that is, a lifting force. The elevating cylinder 2517 wins a high pressure equal to or higher than the critical pressure inside the second process chamber 2500 while the supercritical drying process is performed and the second process chamber 2500 ) To a degree sufficient to seal the opening. One end of the lifting rod 2518 is inserted into the lifting cylinder 2517 and extends vertically upward, and the other end is coupled to the upper housing 2512. According to this structure, when the driving force is generated in the lifting cylinder 2517, the lifting cylinder 2517 and the lifting rod 2518 are relatively lifted and the lower housing 2514 coupled to the lifting cylinder 2517 can be lifted and lowered. The lifting rod 2518 prevents the upper housing 2512 and the lower housing 2514 from moving in the horizontal direction while the lower housing 2514 is moved up and down by the lifting cylinder 2517, It is possible to prevent the housing 2512 and the lower housing 2514 from deviating from each other at a predetermined position.

지지부재(2530)는 상부하우징(2512)과 하부하우징(2514)의 사이에 기판(S)을 지지한다. 지지부재(2530)는 상부하우징(2512)의 하면에 설치되어 수직하방으로 연장되고, 그 하단에서 수평방향으로 수직하게 절곡되는 구조로 제공될 수 있다. 이에 따라 지지부재(2530)는 기판(S)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 이처럼 지지부재(2530)가 기판(S)의 가장자리 영역에 접촉하여 기판(S)을 지지하므로 기판(S) 상면 전체영역과 하면의 대부분의 영역에 대해서 초임계건조공정이 수행될 수 있다. 여기서, 기판(S)은 그 상면이 패턴면이고, 하면이 비패턴면일 수 있다. 또, 지지부재(2530)는 고정되어 설치되는 상부하우징(2512)이 설치되므로 하부하우징(2514)이 승강하는 동안 비교적 안정적으로 기판(S)을 지지할 수 있다. The support member 2530 supports the substrate S between the upper housing 2512 and the lower housing 2514. The support member 2530 may be provided on the lower surface of the upper housing 2512 and extend vertically downward, and may be provided with a structure that is bent perpendicularly in the horizontal direction at the lower end thereof. Accordingly, the support member 2530 can support the edge region of the substrate S. [ Since the support member 2530 contacts the edge region of the substrate S and supports the substrate S as described above, the supercritical drying process can be performed on the entire upper surface and most of the lower surface of the substrate S. Here, the upper surface of the substrate S may be a pattern surface, and the lower surface thereof may be a non-pattern surface. In addition, since the upper housing 2512 is fixedly installed, the support member 2530 can relatively stably support the substrate S while the lower housing 2514 is lifted and lowered.

이처럼 지지부재(2530)가 설치되는 상부하우징(2512)에는 수평조정부재(2532)이 설치될 수 있다. 수평조정부재(2532)는 상부하우징(2512)의 수평도(水平度)을 조정한다. 상부하우징(2512)의 수평도가 조정되면 그에 따라 상부하우징(2512)에 설치된 지지부재(2530)에 안착된 기판(S)의 수평이 조절될 수 있다. 초임계건조공정에서 기판(S)이 기울면, 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 경사면을 타고 흘러 기판(S)의 특정부분이 건조되지 않거나 과건조(過乾燥)되어 기판(S)이 손상될 수 있다. 수평조정부재(2532)는 기판(S)의 수평을 맞추어 이러한 문제점을 방지할 수 있다. 물론, 상부하우징(2512)이 승강되고 하부하우징(2514)이 고정되어 설치되거나 지지부재(2530)가 하부하우징(2514)에 설치되는 경우에는 수평조정부재(2532)는 하부하우징(2514)에 설치될 수도 있을 것이다.The horizontal adjustment member 2532 may be installed on the upper housing 2512 where the support member 2530 is installed. The horizontal adjustment member 2532 adjusts the horizontality of the upper housing 2512. When the level of the upper housing 2512 is adjusted, the horizontal position of the substrate S mounted on the support member 2530 installed in the upper housing 2512 can be adjusted. When the substrate S is inclined in the supercritical drying process, the organic solvent remaining on the substrate S flows along the inclined surface to dry or overdry a specific portion of the substrate S, . The horizontal adjustment member 2532 can align the substrate S to prevent this problem. Of course, when the upper housing 2512 is raised and lowered and the lower housing 2514 is fixed or the support member 2530 is installed in the lower housing 2514, the horizontal adjustment member 2532 is installed in the lower housing 2514 .

가열부재(2520)는 제2공정챔버(2500)의 내부를 가열한다. 가열부재(2520)는 제2공정챔버(2500) 내부에 공급된 초임계유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계유체 상으로 유지하거나 또는 액화된 경우에 다시 초임계유체가 되도록 할 수 있다. 가열부재(2520)는 상부하우징(2512) 및 하부하우징(2514) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 이러한 가열부재(2520)는 예를 들어, 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터로 제공될 수 있다. The heating member 2520 heats the interior of the second process chamber 2500. The heating member 2520 may heat the supercritical fluid supplied into the second process chamber 2500 to a supercritical fluid level by heating the supercritical fluid to a supercritical fluid level above the critical temperature. The heating member 2520 may be embedded in the wall of at least one of the upper housing 2512 and the lower housing 2514. [ Such a heating member 2520 may be provided as a heater that receives power from the outside and generates heat, for example.

공급포트(2540)는 제2공정챔버(2500)로 초임계유체를 공급한다. 공급포트(2540)는 공급유닛(2560)에 연결될 수 있다. 이때, 공급포트(2540)에는 공급유닛(2560)으로부터 공급되는 초임계유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다. The supply port 2540 supplies supercritical fluid to the second process chamber 2500. The supply port 2540 may be connected to the supply unit 2560. At this time, the supply port 2540 may be provided with a valve for regulating the flow rate of the supercritical fluid supplied from the supply unit 2560.

공급포트(2540)는 상부공급포트(2542) 및 하부공급포트(2544)를 포함할 수 있다. 상부공급포트(2542)는 상부하우징(2512)에 형성되어 지지부재(2530)에 의해 지지되는 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 공급한다. 하부공급포트(2544)는 하부하우징(2514)에 형성되어 지지부재(2530)에 의해 지지되는 기판(S)의 하면으로 초임계유체를 공급한다. The supply port 2540 may include an upper supply port 2542 and a lower supply port 2544. The upper supply port 2542 supplies supercritical fluid to the upper surface of the substrate S formed in the upper housing 2512 and supported by the support member 2530. The lower supply port 2544 supplies the supercritical fluid to the lower surface of the substrate S formed in the lower housing 2514 and supported by the support member 2530.

공급포트들(2550)은 기판(S)의 중앙영역으로 초임계유체를 분사할 수 있다. 예를 들어, 상부공급포트(2542)는 지지부재(2530)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연직상방에 위치할 수 있다. 또, 하부공급포트(2544)는 지지부재(2530)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연지하방에 위치할 수 있다. 이에 따라 공급포트(2540)로 분사되는 초임계유체가 기판(S)의 중앙영역으로 도달하여 가장자리 영역으로 퍼지면서 기판(S)의 전 영역에 균일하게 제공될 수 있을 것이다.The supply ports 2550 can inject a supercritical fluid into the central region of the substrate S. [ For example, the upper supply port 2542 may be positioned vertically above the center of the substrate S supported by the support member 2530. In addition, the lower supply port 2544 may be located in the center of the substrate S supported by the support member 2530 in the open circuit direction. The supercritical fluid injected into the supply port 2540 may reach the central region of the substrate S and spread uniformly in the entire region of the substrate S while spreading to the edge region.

이러한 상부공급포트(2542)와 하부공급포트(2544)에서는 먼저 하부공급포트(2544)가 초임계유체를 공급하고, 나중에 상부공급포트(2542)가 초임계유체를 공급할 수 있다. 초임계건조공정은 초기에 제2공정챔버(2500)의 내부가 임계압력에 미달한 상태에서 진행될 수 있기 때문에 제2공정챔버(2500)의 내부로 공급되는 초임계유체는 액화될 수 있다. 따라서, 초임계건조공정의 초기에 상부공급포트(2542)로 초임계유체가 공급되는 경우에는 초임계유체가 액화되어 중력에 의해 기판(S)으로 낙하하여 기판(S)을 손상시킬 수 있다. 상부공급포트(2542)는 하부공급포트(2544)를 통해 제2공정챔버(2500)로 초임계유체가 공급되어 제2공정챔버(2500)의 내부압력이 임계압력에 도달하면 초임계유체의 공급을 시작하여, 공급되는 초임계유체가 액화되어 기판(S)으로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. In the upper supply port 2542 and the lower supply port 2544, the lower supply port 2544 first supplies the supercritical fluid, and later the upper supply port 2542 supplies the supercritical fluid. Since the supercritical drying process can be started in the state where the interior of the second process chamber 2500 is initially below the critical pressure, the supercritical fluid supplied into the second process chamber 2500 can be liquefied. Therefore, when a supercritical fluid is supplied to the upper supply port 2542 at an early stage of the supercritical drying process, the supercritical fluid may be liquefied and fall down to the substrate S by gravity to damage the substrate S. The supercritical fluid is supplied to the second process chamber 2500 through the lower supply port 2544 and the supercritical fluid is supplied to the upper supply port 2542 when the inner pressure of the second process chamber 2500 reaches the critical pressure. It is possible to prevent the supplied supercritical fluid from being liquefied and falling into the substrate S.

차단부재(2546)는 공급포트(2540)를 통해 공급되는 초임계유체가 기판(S)에 바로 분사되는 것을 차단한다. 차단부재(2546)는 차단플레이트(2547)와 지지대(2548)를 포함할 수 있다.The blocking member 2546 blocks the supercritical fluid supplied through the supply port 2540 from being injected directly onto the substrate S. [ The blocking member 2546 may include a blocking plate 2547 and a support 2548.

차단플레이트(2547)는 공급포트(2540)와 지지부재(2530)에 의해 지지되는 기판(S)의 사이에 배치된다. 예를 들어, 차단플레이트(2547)는 하부공급포트(2544)와 지지부재(2530)의 사이에 배치되어, 기판(S)의 하방에 위치할 수 있다. 이러한 차단플레이트(2547)는 하부공급포트(2544)를 통해 공급되는 초임계유체가 기판(S)의 하면에 직접적으로 분사되는 것을 방지할 수 있다. The blocking plate 2547 is disposed between the supply port 2540 and the substrate S supported by the support member 2530. For example, the blocking plate 2547 may be disposed between the lower supply port 2544 and the support member 2530, and may be located below the substrate S. This blocking plate 2547 can prevent the supercritical fluid supplied through the lower supply port 2544 from being injected directly onto the lower surface of the substrate S. [

이러한 차단플레이트(2547)는 그 반경이 기판(S)과 유사하거나 더 크게제공될 수 있다. 이러한 경우에는 차단플레이트(2547)가 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 완벽히 차단할 수 있을 것이다. 한편, 차단플레이트(2547)는 그 반경이 기판(S)보다 작게 제공될 수도 있다. 이 경우에는 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하면서도 초임계유체의 유속을 최소한으로 저하시켜 기판(S)에 초임계유체가 비교적 쉽게 도달하여 기판(S)에 대한 초임계건조공정이 효과적으로 진행될 수 있을 것이다.The shield plate 2547 may have a radius similar to or larger than that of the substrate S. [ In this case, the blocking plate 2547 may completely block the supercritical fluid from being sprayed directly onto the substrate S. On the other hand, the shielding plate 2547 may be provided so that its radius is smaller than the substrate S. [ In this case, the supercritical fluid is prevented from being directly sprayed onto the substrate S, but the flow rate of the supercritical fluid is minimized, so that the supercritical fluid reaches the substrate S comparatively easily, The process can be effectively carried out.

지지대(2548)는 차단플레이트(2547)를 지지한다. 즉, 차단플레이트(2547)는 지지대(2548)의 일단에 놓여질 수 있다. 이러한 지지대(2548)는 하우징(2510)의 하면으로부터 연직상방으로 연장될 수 있다. 지지대(2548)와 차단플레이트(2547)는 별도의 결합없이 단순히 차단플레이트(2547)가 중력에 의해 지지대(2548)에 놓여지도록 설치될 수 있다. 지지대(2548)와 차단플레이트(2547)가 너트나 볼트 등의 결합수단에 의해 결합되는 경우에는, 침투력이 뛰어난 초임계유체가 그 사이에 침투한 뒤 오염물질을 발생시킬 수 있다. 물론, 지지대(2548)와 차단플레이트(2547)는 일체로 제공될 수도 있을 것이다.The support 2548 supports the blocking plate 2547. That is, the blocking plate 2547 can be placed at one end of the support 2548. The support 2548 may extend vertically upward from the lower surface of the housing 2510. The support plate 2548 and the shield plate 2547 can be installed such that the shield plate 2547 is simply placed on the support 2548 by gravity without a separate engagement. When the supporter 2548 and the interrupting plate 2547 are coupled by a coupling means such as a nut or a bolt, a supercritical fluid having excellent penetration ability may penetrate between them and generate contaminants. Of course, the support 2548 and the shielding plate 2547 may be integrally provided.

초임계건조공정의 초기에 하부공급포트(2544)를 통해 초임계유체가 공급되는 경우에는, 하우징(2510)의 내부기압이 낮은 상태이므로 공급되는 초임계유체가 빠른 속도로 분사될 수 있다. 이처럼 빠른 속도로 분사되는 초임계유체가 기판(S)에 직접적으로 도달하게 되면, 초임계유체의 물리적인 압력에 의해 초임계유체가 기판(S) 중 직접 분사되는 부분이 휘어 리닝현상이 발생할 수 있다. 또한, 초임계유체의 분사력에 의해 기판(S)이 요동하여 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 흘러 기판(S)의 회로패턴에 손상이 발생할 수도 있다. When the supercritical fluid is supplied through the lower supply port 2544 at the beginning of the supercritical drying process, the supercritical fluid supplied may be injected at a high rate because the internal pressure of the housing 2510 is low. When the supercritical fluid injected at such a high speed directly reaches the substrate S, the supercritical fluid is directly injected into the substrate S due to the physical pressure of the supercritical fluid, have. In addition, the substrate S may be pivoted by the jetting force of the supercritical fluid, and the organic solvent remaining on the substrate S may flow, thereby damaging the circuit pattern of the substrate S.

따라서, 하부공급포트(2544)와 지지부재(2530)의 사이에 배치된 차단플레이트(2547)는 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하여 초임계유체의 물리적 힘에 의해 기판(S)에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 공정 진행 후, 초임계유체는 배기포트(2550)를 통해 재생 유닛(2570)으로 배기된다.A blocking plate 2547 disposed between the lower supply port 2544 and the support member 2530 blocks the supercritical fluid from being injected directly onto the substrate S, S can be prevented from being damaged. After the process proceeds, the supercritical fluid is exhausted to the regeneration unit 2570 through the exhaust port 2550.

제2공정챔버(2500)는, 초임계유체를 이용하여 제2건조공정을 수행한다. 예를 들어, 제2공정챔버(2500)는 제1공정챔버(2300)에서 케미컬공정, 세척공정, 유기용제에 의한 제1건조공정이 순서대로 처리된 기판(S)에 대하여 초임계유체를 이용하여 제2건조공정을 수행할 수 있다. 이하, 제2공정챔버(2500)를 건조챔버(2500)라 칭한다. 이송로봇(2210)에 의해 기판(S)이 지지부재(2530)에 안착되면, 가열부재(2520)가 하우징(2510) 내부를 가열하고, 초임계유체공급관(2540)을 통해 초임계유체가 공급된다. 이로써, 하우징(2510) 내부에 초임계분위기가 형성된다. 초임계분위기가 형성되면 기판(S)의 패턴 상면에 잔류하는 유기용제가 초임계유체에 의해 용해된다. 유기용제가 충분히 용해되면, 배출구를 통해 초임계유체가 배출된다. 이후 다시 공급유닛(2560)으로 공급된다. 즉, 공급유닛(2560)은 상술한 건조챔버(2500)로 초임계유체를 공급하고, 재생 유닛(2570)은 건조챔버(2500)에서 사용된 초임계유체를 재생하여 이를 공급유닛(2560)으로 공급한다. The second process chamber 2500 performs a second drying process using supercritical fluid. For example, the second process chamber 2500 may include a supercritical fluid (not shown) for the substrate S in which the chemical process, the cleaning process, and the first drying process by the organic solvent are sequentially performed in the first process chamber 2300 The second drying step can be performed. Hereinafter, the second process chamber 2500 is referred to as a drying chamber 2500. When the substrate S is mounted on the support member 2530 by the transfer robot 2210, the heating member 2520 heats the inside of the housing 2510 and supplies supercritical fluid through the supercritical fluid supply pipe 2540 do. As a result, a supercritical atmosphere is formed inside the housing 2510. When the supercritical atmosphere is formed, the organic solvent remaining on the upper surface of the pattern of the substrate S is dissolved by the supercritical fluid. When the organic solvent is sufficiently dissolved, the supercritical fluid is discharged through the discharge port. And then supplied to the supply unit 2560 again. That is, the supply unit 2560 supplies supercritical fluid to the above-described drying chamber 2500, and the regeneration unit 2570 regenerates the supercritical fluid used in the drying chamber 2500 and supplies it to the supply unit 2560 Supply.

도 4는 초임계유체의 계(supply system)에 관한 도면이다. 기판 처리 장치(100)는 건조챔버(2500), 공급유닛(2560), 재생 유닛(2570), 그리고 순환라인(2600) 을 가진다. 건조 챔버(2500)에서는 상술한 건조 공정을 진행 후, 초임계유체를 배기포트(2550)를 통해 재생 유닛(2570)으로 배기한다. 재생 유닛(2570)은 건조챔버(2500)에서 사용된 초임계유체를 재생하여 이를 공급유닛(2560)으로 공급한다. 공급 유닛(2560)은 상술한 건조챔버(2500)로 초임계유체를 다시 공급한다. 4 is a diagram of a supply system of a supercritical fluid. The substrate processing apparatus 100 has a drying chamber 2500, a supply unit 2560, a regeneration unit 2570, and a circulation line 2600. In the drying chamber 2500, the supercritical fluid is exhausted to the regeneration unit 2570 through the exhaust port 2550 after the above-described drying process. The regeneration unit 2570 regenerates the supercritical fluid used in the drying chamber 2500 and supplies it to the supply unit 2560. The supply unit 2560 supplies the supercritical fluid again to the drying chamber 2500 described above.

공급유닛(2560)은 응축기(2562), 펌프(2564), 그리고 급수탱크(2566)를 포함할 수 있다. 응축기(2562)는 이산화탄소를 액화시킨다. 외부 또는 재생 유닛(2570)으로부터 공급되는 이산화탄소는 기체 상태이며, 응축기(2562)는 이산화탄소를 액체 상태로 만들어 급수탱크(2566)에 공급한다. 응축기(2562)와 급수탱크(2566) 사이에는 펌프(2564)가 설치될 수 있다. 이 때, 펌프(2564)는 응축기(2562)와 급수탱크(2566) 사이의 순환라인 상에 설치될 수 있다. 펌프(2564)는 액상의 이산화탄소를 급수탱크(2566)로 공급한다. 급수탱크(2566)는 응축기(2562)에서 액화된 이산화탄소를 제공받아 이를 초임계유체로 만든다. 급수탱크(2566)는 공급받은 이산화탄소를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계유체로 만들고, 건조챔버(2500)로 공급한다. The supply unit 2560 may include a condenser 2562, a pump 2564, and a water supply tank 2566. The condenser 2562 liquefies the carbon dioxide. The carbon dioxide supplied from the outside or the regeneration unit 2570 is in a gaseous state and the condenser 2562 turns the carbon dioxide into a liquid state and supplies it to the water supply tank 2566. A pump 2564 may be provided between the condenser 2562 and the water supply tank 2566. At this time, the pump 2564 may be installed on the circulation line between the condenser 2562 and the water supply tank 2566. The pump 2564 supplies liquid carbon dioxide to the water supply tank 2566. The water supply tank 2566 receives liquefied carbon dioxide from the condenser 2562 and converts it into supercritical fluid. The water supply tank 2566 heats the supplied carbon dioxide to a supercritical fluid at a temperature higher than the critical temperature, and supplies the carbon dioxide to the drying chamber 2500.

재생 유닛(2570)은 분리기(2572)와 재생기(2574)를 가질 수 있다. 재생 유닛(2570)은 건조챔버(2500)에서 제2건조공정에 사용되어 유기용제를 함유하는 초임계유체를 재생하여 이를 공급유닛(2560)으로 공급한다. 분리기(2572)는 이산화탄소를 냉각시켜 이산화탄소에 함유된 유기용제를 액화시킴으로써 이산화탄소로부터 유기용제를 1차로 분리한다. 재생기(2574)는 이산화탄소를 유기용제를 흡수하는 흡착제(A)가 제공되는 공간을 통과시켜 이산화탄소로부터 유기용제를 2차로 분리한다.The regeneration unit 2570 may have a separator 2572 and a regenerator 2574. The regeneration unit 2570 is used in the second drying process in the drying chamber 2500 to regenerate the supercritical fluid containing the organic solvent and supply it to the supply unit 2560. The separator 2572 separates the organic solvent from the carbon dioxide by liquefying the organic solvent contained in the carbon dioxide by cooling the carbon dioxide. The regenerator 2574 passes carbon dioxide through the space where the adsorbent (A) that absorbs the organic solvent is provided to secondarily separate the organic solvent from the carbon dioxide.

재생 유닛(2570)은 분리기(2572), 재생기(2574), 그리고 액화탱크(2576)를 가진다. 재생 유닛(2570)은 건조챔버(2500)에서 사용되어 유기용제를 함유하는 초임계유체를 재생하여 이를 공급유닛(2560)으로 공급한다. 분리기(2572)는 이산화탄소를 냉각시켜 이산화탄소에 함유된 유기용제를 액화시킴으로써 이산화탄소로부터 유기용제를 1차로 분리한다. 재생기(2574)는 이산화탄소를 유기용제를 흡수하는 흡착제(A)가 제공되는 공간을 통과시켜 이산화탄소로부터 유기용제를 2차로 분리한다. 흡착제(A)는 다공을 가지며, 다공 내에 유기용제를 흡착한다. 예를 들어, 흡착제(A)는 지오라이트(zeolite)일 수 있다. 액화탱크(2576)는 재생기(2574)를 통과한 이산화탄소를 액화시킨다. The regeneration unit 2570 has a separator 2572, a regenerator 2574, and a liquefaction tank 2576. The regeneration unit 2570 is used in the drying chamber 2500 to regenerate supercritical fluid containing organic solvent and supply it to the supply unit 2560. [ The separator 2572 separates the organic solvent from the carbon dioxide by liquefying the organic solvent contained in the carbon dioxide by cooling the carbon dioxide. The regenerator 2574 passes carbon dioxide through the space where the adsorbent (A) that absorbs the organic solvent is provided to secondarily separate the organic solvent from the carbon dioxide. The adsorbent (A) has pores and adsorbs the organic solvent in the pores. For example, the adsorbent (A) may be a zeolite. The liquefaction tank 2576 liquefies the carbon dioxide that has passed through the regenerator 2574.

재생 유닛(2570)은 복수의 분리기(2572)을 가질 수 있다. 이때, 각각의 분리기(2572)는 서로 직렬로 연결된다. 예를 들어, 제1분리기는 일차로 이산화탄소와 유기용제를 분리한다. 이어 제2분리기는 제1분리기에 연결되어, 이차로 이산화탄소와 유기용제를 분리한다. 이에 따라 유기용제의 분리가 복수 회에 거쳐 수행되어 더욱 순수한 이산화탄소를 획득할 수 있다.The regeneration unit 2570 may have a plurality of separators 2572. At this time, each separator 2572 is connected in series with each other. For example, the first separator primarily separates carbon dioxide and organic solvent. The second separator is connected to the first separator to separate the carbon dioxide and the organic solvent secondarily. Accordingly, the separation of the organic solvent can be carried out a plurality of times to obtain more pure carbon dioxide.

또한, 재생 유닛(2570)은 복수의 재생기(2574)을 가질 수 있다. 재생기(2574)는 각각 병렬로 연결될 수도 있다. 제1재생기(2574a), 제2재생기(2574b)가 각각 분리기(2572)에 연결되어, 이산화탄소로부터 유기용제를 걸러낸 후, 이를 공급유닛(2560)에 제공할 수 있다. 복수의 재생기(2574)를 병렬로 배치하면, 다량의 이산화탄소를 빠른 시간 내에 재생할 수 있다. 또한, 각각의 재생기(2574)는 서로 직렬로 연결될 수 있다. 제1재생기(2574a)는 분리기(2572)에 연결되어, 1차로 이산화탄소로부터 유기용제를 걸러낸다. 다시 제2재생기(2574b)은 제1재생기(2574a)에 연결되어, 2차로 이산화탄소로부터 유기용제를 걸러낸다. 재생기(2574)에 의한 이산화탄소와 유기용제의 분리가 복수 회로 수행될 수 있다.Further, the reproduction unit 2570 may have a plurality of reproducers 2574. Each of the players 2574 may be connected in parallel. The first regenerator 2574a and the second regenerator 2574b are respectively connected to the separator 2572 to filter the organic solvent from the carbon dioxide and then supply it to the supply unit 2560. [ If a plurality of regenerators 2574 are arranged in parallel, a large amount of carbon dioxide can be regenerated in a short period of time. Further, each of the players 2574 may be connected in series with each other. The first regenerator 2574a is connected to a separator 2572 to primarily filter organic solvent from carbon dioxide. The second regenerator 2574b is again connected to the first regenerator 2574a to filter the organic solvent from the carbon dioxide secondarily. The separation of the carbon dioxide and the organic solvent by the regenerator 2574 can be performed in a plurality of circuits.

순환라인(2600)은 건조 챔버(2500), 재생 유닛(2570), 그리고 공급 유닛(2560)을 순차적으로 연결한다. 순환라인(2600)은 이산화탄소를 순환시킨다. 순환라인(2600)은 건조 챔버(2500)와 재생 유닛(2570)을 연결하는 순환라인(2601), 재생 유닛(2570) 내부를 연결하는 순환라인들(2602a, 2602b), 재생 유닛(2570)과 공급 유닛(2560)을 연결하는 순환라인(2603), 공급 유닛(2560) 내부를 연결하는 순환라인들(2604a, 2604b), 공급 유닛(2560)과 건조 챔버(2500)를 연결하는 순환라인(2605)을 가진다. 각 순환라인(2600) 상에는 펌프가 설치될 수 있다.The circulation line 2600 sequentially connects the drying chamber 2500, the regeneration unit 2570, and the supply unit 2560. The circulation line 2600 circulates carbon dioxide. The circulation line 2600 includes a circulation line 2601 connecting the drying chamber 2500 and the regeneration unit 2570, circulation lines 2602a and 2602b connecting the inside of the regeneration unit 2570, a regeneration unit 2570, A circulation line 2603 connecting the supply unit 2560, circulation lines 2604a and 2604b connecting the inside of the supply unit 2560, a circulation line 2605 connecting the supply unit 2560 and the drying chamber 2500 ). A pump may be installed on each circulation line 2600.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치는 제 1 유닛, 제 2 유닛, 그리고 공급라인을 포함할 수 있다. 제 1 유닛은 급수탱크(2566)일 수 있다. 제 2 유닛은 건조 챔버(2500)일 수 있다. 또한, 공급라인은 급수탱크(2566)와 건조챔버(2500) 사이의 순환라인(2605)일 수 있다. 이하, 순환라인(2605)는 공급라인(2605)라 칭한다. 공급라인(2605)은 급수탱크(2566)와 건조챔버(2500)를 연결한다. 공급라인(2605)은 급수탱크(2566)로부터 건조챔버(2500)로 초임계 유체를 공급한다. 5 is a view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to Fig. 5, the substrate processing apparatus may include a first unit, a second unit, and a supply line. The first unit may be a water supply tank 2566. The second unit may be a drying chamber 2500. Further, the supply line may be a circulation line 2605 between the water supply tank 2566 and the drying chamber 2500. Hereinafter, the circulation line 2605 is referred to as a supply line 2605. The supply line 2605 connects the water supply tank 2566 and the drying chamber 2500. The supply line 2605 supplies the supercritical fluid from the water supply tank 2566 to the drying chamber 2500.

공급라인(2605) 상에는 유량 조절 부재(2610), 필터(2620), 가열부재(2630)가 설치된다. On the supply line 2605, a flow rate regulating member 2610, a filter 2620, and a heating member 2630 are provided.

도 6은 유량 조절 부재(2610)를 보여주는 도면이다. 도 7은 도 6의 오리피스(2612)의 단면도이다. 유량 조절 부재(2610)는 오리피스(2612)를 포함할 수 있다. 오리피스(2612)는 초임계유체의 유량을 조절할 수 있다. 오리피스(2612)는 복수 개로 제공될 수 있다. 일 예로, 도 6과 같이, 두 개의 오리피스가 병렬로 제공될 수 있다. 이 때, 제 1 오리피스(2614)와 제 2 오리피스(2616)는 그 직경이 서로 상이하게 제공된다. 일 예로, 도 7을 참조하면, 제 1 오리피스(2614)의 직경(L1)은 제 2 오리피스(2616)의 직경(L2)보다 작게 제공될 수 있다. 6 is a view showing the flow rate regulating member 2610. FIG. 7 is a cross-sectional view of the orifice 2612 of FIG. The flow regulating member 2610 may include an orifice 2612. The orifice 2612 can regulate the flow rate of the supercritical fluid. The orifices 2612 may be provided in plural. For example, as shown in FIG. 6, two orifices may be provided in parallel. At this time, the first orifice 2614 and the second orifice 2616 are provided so that their diameters are different from each other. 7, the diameter L 1 of the first orifice 2614 may be less than the diameter L 2 of the second orifice 2616.

필터(2620)는 초임계유체에 함유된 이물질을 제거한다. 이 때, 유량 조절 부재(2610)와 필터(2620) 사이에 제공되는 공급라인(2605)은 일직선에서 벗어난 상태로 제공된다. 일 예로, 오리피스(2612)와 필터(2620) 사이에 제공되는 공급라인(2605)이 지그재그 형상으로 제공될 수 있다. 이 때, 오리피스(2612)와 필터(2620) 사이에 제공되는 공급라인(2605)의 길이는 필터(2620)와 건조챔버(2500) 사이에 제공되는 공급라인(2605)의 길이보다 길게 제공된다. 일 예로, 오리피스(2612)와 필터(2620) 사이에 제공되는 공급라인(2605)의 길이는 약 1미터 이상 약 5미터 이하의 길이일 수 있다. 또한, 도 7과 같이, 오리피스(2612)와 필터(2620) 사이에 제공되는 공급라인(2605)의 직경은, 공급탱크(2566)와 오리피스(2612) 사이에 제공되는 공급라인(2605)의 직경보다 크게 제공될 수 있다. 오리피스(2612)와 필터(2620) 사이에 제공되는 공급라인(2605)의 길이 또는 직경을 증가시킴으로써, 초임계 유체에 열을 전달하는 전열 면적을 늘릴 수 있다. 이와 달리, 유량 조절 부재(2610)는 미터링 밸브(Metering valve)를 제공하고, 미터링 밸브와 필터(2620) 사이의 공급라인(2605)가 길게 제공될 수 있다. The filter 2620 removes foreign matter contained in the supercritical fluid. At this time, the supply line 2605 provided between the flow rate regulating member 2610 and the filter 2620 is provided in an off-line state. As an example, the supply line 2605 provided between the orifice 2612 and the filter 2620 may be provided in a zigzag shape. The length of the supply line 2605 provided between the orifice 2612 and the filter 2620 is longer than the length of the supply line 2605 provided between the filter 2620 and the drying chamber 2500. As an example, the length of the supply line 2605 provided between the orifice 2612 and the filter 2620 may be about 1 meter or more and about 5 meters or less in length. 7, the diameter of the supply line 2605 provided between the orifice 2612 and the filter 2620 is larger than the diameter of the supply line 2605 provided between the supply tank 2566 and the orifice 2612 Can be provided. By increasing the length or diameter of the supply line 2605 provided between the orifice 2612 and the filter 2620, the heat transfer area for transferring heat to the supercritical fluid can be increased. Alternatively, the flow regulating member 2610 may provide a metering valve, and a supply line 2605 between the metering valve and the filter 2620 may be provided long.

도 8은 일 실시예에 따른 가열 부재(2630)를 보여주는 도면이다. 도 9는 다른 실시예에 따른 가열 부재(2630)를 보여주는 도면이다. 8 is a view showing a heating member 2630 according to an embodiment. 9 is a view showing a heating member 2630 according to another embodiment.

가열 부재(2630)는 오리피스(2612)와 필터(2620) 사이에 제공되는 공급라인(2605)을 가열한다. 도 8과 같이, 가열 부재(2630)는 오리피스(2612)와 필터(2620) 사이에 제공되는 공급라인(2605)을 감싸도록 제공되는 히터일 수 있다. 또한, 도 9과 같이, 가열 부재(2630)는 오리피스(2612)와 필터(2620) 사이에 제공되는 공급라인(2605)을 감싸는 하우징(2634)의 형태로 제공될 수 있다. 선택적으로, 가열 부재(2630)는 오리피스(2612)와 필터(2620) 사이에 제공되는 공급라인(2605) 상에 제공되는 인라인 히터 또는 레귤레이터를 포함할 수 있다. 레귤레이터는 초임계 유체를 감압시킬 수 있다. 이와 달리, 히터, 인라인 히터, 그리고 레귤레이터는 서로 조합되어 복수 개로 제공될 수 있다. Heating element 2630 heats supply line 2605 provided between orifice 2612 and filter 2620. As shown in FIG. 8, the heating member 2630 may be a heater provided to enclose the supply line 2605 provided between the orifice 2612 and the filter 2620. 9, a heating element 2630 may be provided in the form of a housing 2634 that encloses a supply line 2605 provided between the orifice 2612 and the filter 2620. Optionally, heating element 2630 may include an inline heater or regulator provided on supply line 2605 provided between orifice 2612 and filter 2620. The regulator may depressurize the supercritical fluid. Alternatively, the heater, the inline heater, and the regulator may be provided in combination with each other.

도 10은 종래의 기판 처리 장치와 도 5의 기판 처리 장치를 이용할 때의 온도와 압력에 따른 초임계 유체의 상변화를 비교한 그래프이다. 얇은 실선은 종래의 기판 처리 장치에 따른 초임계 유체의 상변화를 나타낸다. 굵은 실선은 본 기판 처리 장치에 따른 초임계 유체의 상변화를 나타낸다. 종래에는 유량 조절 부재(2610)와 필터(2620) 사이의 공급라인(2605)이 100미리미터(mm) 내지 500미리미터(mm)의 길이로 제공되었다. 일 예로, 도 10의 얇은 실선은 300미리미터(mm)의 길이로 제공된 공급라인으로 측정한 값을 나타낸 것이다. 도 10의 굵은 실선은 3000미리미터(mm)의 길이로 제공된 공급라인으로 측정한 값을 나타낸 것이다. 점선에 따르면, 종래의 기판 처리 장치에 따른 초임계 유체는, 오리피스(2612)를 지나면서 단열 팽창에 의해 초임계 상태에서 액체 상태로 상변화(A)를 일으킨다. 이에 따라, 액체 상태로 필터(2620)를 지남으로써, 필터(2620)가 이물질을 걸러내는 효율이 떨어진다. 이와 달리, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 오리피스(2612)와 필터(2620) 사이의 공급라인(2605)을 길게 제공하고, 가열 부재(2630)를 추가적으로 제공함으로써, 초임계 유체 공급시 단열 팽창으로 인한 온도 하강을 최소화할 수 있다. 따라서, 도 10의 굵은 실선과 같이, 초임계 유체가 액체로의 상변화가 일어나지 않게 된다. 따라서, 필터(2620)가 이물질을 제거하는 능률에 영향을 미치지 않게 된다. 10 is a graph comparing the phase changes of the supercritical fluid with the temperature and pressure when using the conventional substrate processing apparatus and the substrate processing apparatus of FIG. The thin solid line represents the phase change of the supercritical fluid according to the conventional substrate processing apparatus. A thick solid line indicates a phase change of the supercritical fluid according to the present substrate processing apparatus. Conventionally, a supply line 2605 between the flow rate regulating member 2610 and the filter 2620 is provided in a length of 100 to 500 millimeters (mm). As an example, the thin solid line in Figure 10 shows the measured value with a feed line provided in a length of 300 millimeters (mm). The bold solid line in Figure 10 shows the measured values on a feed line provided with a length of 3000 millimeters (mm). According to the dotted line, the supercritical fluid according to the conventional substrate processing apparatus causes the phase change A from the supercritical state to the liquid state due to the adiabatic expansion passing through the orifice 2612. Thus, by passing the filter 2620 in a liquid state, the efficiency with which the filter 2620 filters the foreign matter is reduced. The substrate processing apparatus according to the present invention prolongs the supply line 2605 between the orifice 2612 and the filter 2620 and further provides a heating member 2630 to provide an increased thermal expansion Thereby minimizing the temperature drop. Therefore, as shown by the thick solid line in Fig. 10, the phase change of the supercritical fluid into the liquid does not occur. Thus, the filter 2620 does not affect the efficiency with which foreign matter is removed.

이상에서는 본 발명에 따른 기판 처리 장치가 수행되는 공정은 초임계건조공정 이외에 다른 초임계공정일 수도 있으며, 나아가, 기판 처리 장치는 초임계유체 대신 다른 공정유체를 이용하여 공정을 수행할 수도 있을 것이다. 또한, 기판처리장치가 기판(S)에 초임계유체를 공급하여 기판을 처리하는 것으로 설명하였으나, 본 발명에 따른 기판처리장치가 반드시 이러한 초임계공정을 수행하는 것으로 한정되는 것은 아니다. 또한, 추가적으로 파티클 발생을 최소화하기 위한 필터를 제공할 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus according to the present invention may be a supercritical process other than the supercritical drying process. Further, the substrate processing apparatus may perform the process using another process fluid instead of the supercritical fluid . In addition, the substrate processing apparatus supplies the substrate S with a supercritical fluid to process the substrate. However, the substrate processing apparatus according to the present invention is not limited to performing the supercritical process. In addition, a filter for minimizing particle generation can be provided.

이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. The present invention is not limited to the drawings. In addition, the embodiments described herein are not limited to be applied, and all or some of the embodiments may be selectively combined so that various modifications can be made.

2500: 건조챔버 2570: 재생유닛
2560: 공급유닛 2566: 공급탱크
2605: 공급라인 2610: 유량 조절 부재
2612: 오리피스 2612: 제 1 오리피스
2314: 제 2 오리피스 2620: 필터
2630: 가열 부재 2632: 히터2500: Drying chamber 2570: Recycling unit
2560: Supply unit 2566: Supply tank
2605: supply line 2610: flow control member
2612: Orifice 2612: First Orifice
2314: second orifice 2620: filter
2630: heating member 2632: heater

Claims (15)

제1유닛;
제2유닛;
상기 제1유닛과 상기 제2유닛을 연결하며, 상기 제1유닛으로부터 상기 제2유닛으로 초임계 유체를 공급하는 공급라인;
상기 공급라인 상에 설치되고, 오리피스를 포함하는 유량 조절 부재;
상기 공급라인 상에 설치되어 이물질을 제거하는 필터; 그리고
상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인을 가열하는 가열부재를 포함하되,
상기 초임계 유체는 상기 공급라인을 따라 상기 제1 유닛, 상기 오리피스, 상기 가열부재, 상기 필터, 그리고 상기 제2 유닛으로 흐르는 기판 처리 장치.A first unit;
A second unit;
A supply line connecting the first unit and the second unit, the supply line supplying supercritical fluid from the first unit to the second unit;
A flow control member mounted on the supply line and including an orifice;
A filter installed on the supply line to remove foreign matter; And
And a heating member for heating the supply line provided between the orifice and the filter,
Wherein the supercritical fluid flows along the supply line to the first unit, the orifice, the heating member, the filter, and the second unit. 제1항에 있어서,
상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인은 지그재그 형상으로 배치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the supply line provided between the orifice and the filter is arranged in a staggered configuration. 제 2 항에 있어서,
상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인의 길이는 상기 필터와 상기 제 2 유닛 사이에 제공되는 상기 공급라인의 길이보다 길게 제공되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the length of the supply line provided between the orifice and the filter is longer than the length of the supply line provided between the filter and the second unit. 제 3 항에 있어서,
상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인의 길이는 1 미터 이상 5 미터 이하의 길이인 기판 처리 장치.
The method of claim 3,
Wherein the length of the supply line provided between the orifice and the filter is from 1 to 5 meters.
제 4 항에 있어서,
상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인의 직경은 상기 제 1 유닛과 상기 오리피스 사이에 제공되는 상기 공급라인의 직경보다 크게 제공되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein a diameter of the supply line provided between the orifice and the filter is greater than a diameter of the supply line provided between the first unit and the orifice. 제 5 항에 있어서,
상기 오리피스는,
상기 공급라인 상에 병렬로 설치된 제 1 오리피스 및 제 2 오리피스를 포함하고,
상기 제 1 오리피스의 직경은 상기 제 2 오리피스의 직경과 서로 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The orifice
A first orifice and a second orifice disposed in parallel on the supply line,
Wherein a diameter of the first orifice is different from a diameter of the second orifice. 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 오리피스의 직경은 상기 제 2 오리피스의 직경보다 작게 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the diameter of the first orifice is smaller than the diameter of the second orifice. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유량 조절 부재와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인은 일직선에서 벗어난 상태로 제공되는 기판 처리 장치.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the supply line provided between the flow rate regulating member and the filter is provided in an off-line state.
제 1 항에 있어서,
상기 가열 부재는 상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인을 감싸도록 제공되는 히터인 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the heating member is a heater provided to surround the supply line provided between the orifice and the filter. 제 9 항에 있어서,
상기 제 1 유닛은 초임계 유체를 저장하는 공급탱크이고,
상기 제 2 유닛은 초임계 유체로 공정을 수행하는 공정 챔버인 기판 처리 장치. 10. The method of claim 9,
Wherein the first unit is a supply tank for storing a supercritical fluid,
Wherein the second unit is a process chamber that performs a process with supercritical fluid. 초임계유체를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 초임계 유체를 공급할 때 상기 초임계 유체의 유량을 조절하는 오리피스를 포함하는 유량 조절 부재와 상기 초임계유체에 포함된 이물질을 제거하는 필터 사이에 제공되는 공급라인을 제공하고, 상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인을 가열하되, 상기 초임계유체는 상기 오리피스, 상기 공급라인, 그리고 상기 필터로 순차적으로 흐르는 기판 처리 방법.A substrate processing method for processing a substrate using a supercritical fluid, comprising the steps of: controlling a flow rate adjusting member including an orifice for adjusting a flow rate of the supercritical fluid when supplying the supercritical fluid and removing a foreign matter contained in the supercritical fluid Providing a supply line provided between the filter and heating the supply line provided between the orifice and the filter, wherein the supercritical fluid flows sequentially into the orifice, the feed line, and the filter. 제 11 항에 있어서,
상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인은 지그재그 형상으로 제공되는 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
Wherein the supply line provided between the orifice and the filter is provided in a zigzag shape. 제 12 항에 있어서,
상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인의 길이는 1 미터 이상 5 미터 이하의 길이로 제공되는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
Wherein a length of the supply line provided between the orifice and the filter is provided in a length of 1 to 5 meters. 제 13 항에 있어서,
상기 오리피스와 상기 필터 사이에 제공되는 상기 공급라인의 직경은 상기 제 1 유닛과 상기 오리피스 사이에 제공되는 상기 공급라인의 직경보다 크게 제공되는 기판 처리 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein a diameter of the supply line provided between the orifice and the filter is greater than a diameter of the supply line provided between the first unit and the orifice.
제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유량 조절 부재와 상기 필터 사이에 제공되는 공급라인을 일직선에서 벗어난 상태로 제공하는 기판 처리 방법.15. The method according to any one of claims 11 to 14,
Wherein the supply line provided between the flow rate regulating member and the filter is out of alignment.
KR1020140011139A 2013-11-29 2014-01-29 Substrate treating apparatus and method KR101590906B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410712553.XA CN104681425B (en) 2013-11-29 2014-11-28 Substrate board treatment and substrate processing method using same
US14/556,334 US9506695B2 (en) 2013-11-29 2014-12-01 Substrate treating apparatus and method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130147464 2013-11-29
KR20130147464 2013-11-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150062908A KR20150062908A (en) 2015-06-08
KR101590906B1 true KR101590906B1 (en) 2016-02-02

Family

ID=53500823

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140011139A KR101590906B1 (en) 2013-11-29 2014-01-29 Substrate treating apparatus and method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101590906B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9978584B2 (en) 2016-07-11 2018-05-22 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018081966A (en) * 2016-11-14 2018-05-24 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
KR102219569B1 (en) * 2018-07-23 2021-02-26 세메스 주식회사 Apparatus for treating a substrate and an Method for treating a substrate
KR102567503B1 (en) * 2020-12-14 2023-08-16 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
US11940734B2 (en) 2022-04-21 2024-03-26 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323464A (en) * 1999-04-22 2000-11-24 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for supplying gas for semiconductor manufacturing apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323464A (en) * 1999-04-22 2000-11-24 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for supplying gas for semiconductor manufacturing apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9978584B2 (en) 2016-07-11 2018-05-22 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150062908A (en) 2015-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10046371B2 (en) Recycling unit, substrate treating apparatus and recycling method using the recycling unit
US9506695B2 (en) Substrate treating apparatus and method
KR101236808B1 (en) Apparatus and mothod for treating substrate
JP5544666B2 (en) Substrate processing equipment
US9275847B2 (en) Recycling unit and substrate treating apparatus
KR101536724B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101536712B1 (en) Apparatus and method fdr drying substrates
US9691638B2 (en) Apparatus for treating substrate and method for discharging supercritical fluid
KR101590906B1 (en) Substrate treating apparatus and method
KR102188348B1 (en) Substrate treating apparatus and method
JP5639686B2 (en) Substrate processing method
KR101363265B1 (en) Apparatus for treating substrate and method for supercritical fluid ventilation
KR20140144806A (en) Substrate treating apparatus
KR101910041B1 (en) Apparatus and method for treating a substrate
KR20180136863A (en) Apparatus for drying substrate, manufacturing equipment of semiconductor device, substrate drying method using the same
KR101621485B1 (en) Substrate treating apparatus and recycling method
KR101530677B1 (en) Recyclimg unit, substrate treating apparatus
KR20150138975A (en) Substrate treating apparatus and method
KR101885100B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101512097B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR102155217B1 (en) Recyclimg unit, substrate treating apparatus
KR102155216B1 (en) Tank and substrate treating apparatus and method
KR20140118661A (en) Recyclimg unit, substrate treating apparatus and substrate treating method
JP2023087634A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2023095783A (en) Substrate processing device and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200114

Year of fee payment: 5