KR20150075027A - Dicing·die bond film, manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 다이싱·다이 본드 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a dicing die-bonding film, a method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device.
종래, 반도체 장치의 제조 시에 있어서의 기판이나 전극 부재에 대한 반도체 칩의 고정에는, 은 페이스트가 사용되고 있다. 이와 같은 고정 처리는, 반도체 칩 또는 리드 프레임에 페이스트상 접착제를 도포 시공하고, 페이스트상 접착제를 개재하여 반도체 칩을 기판에 탑재하고, 마지막으로 페이스트상 접착제층을 경화시켜 행하고 있다.BACKGROUND ART Conventionally, silver paste has been used for fixing a semiconductor chip to a substrate or an electrode member in manufacturing a semiconductor device. In such a fixing process, a paste-type adhesive is applied to a semiconductor chip or a lead frame, the semiconductor chip is mounted on a substrate via a paste-type adhesive, and finally, the paste-type adhesive layer is cured.
그러나, 페이스트상 접착제로는 도포 시공량이나 도포 시공 형상 등에 큰 편차를 발생시켜 균일화가 곤란해지거나, 도포에 특수 장치나 장시간을 필요로 한다. 이로 인해, 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼를 접착 유지함과 함께, 마운트 공정에 필요한 칩 고정용의 접착 필름도 부여하는 다이싱·다이 본드 필름이 제안되어 있다(특허문헌 1 참조).However, as a paste-like adhesive, there is a large variation in the application amount of coating and application form, which makes it difficult to make uniformity, or requires a special apparatus or a long time for application. Therefore, a dicing die-bonding film has been proposed in which a semiconductor wafer is adhered and held in a dicing step, and an adhesive film for chip fixing necessary for a mounting process is also provided (see Patent Document 1).
이러한 종류의 다이싱·다이 본드 필름은, 다이싱 필름 위에 다이 본드 필름(접착 필름)이 적층된 구조를 갖고 있다. 또한, 다이싱 필름은 지지 기재 위에 점착제층이 적층된 구조이다. 이 다이싱·다이 본드 필름은 다음과 같이 하여 사용된다. 즉, 접착 필름에 의한 유지 하에 반도체 웨이퍼 및 접착 필름을 다이싱한 후, 지지 기재를 연신하여 반도체 칩을 접착 필름과 함께 박리해서 이것을 개별적으로 회수한다. 또한, 반도체 칩을, 접착 필름을 개재하여, BT 기판이나 리드 프레임 등의 피착체에 접착 고정시킨다. 반도체 칩을 다단계로 적층하는 경우에는, 접착 필름을 개재하여 고정한 반도체 칩 위에 또한 접착 필름 구비 반도체 칩을 접착 고정한다.This type of dicing die-bonding film has a structure in which a die-bonding film (adhesive film) is laminated on the dicing film. The dicing film is a structure in which a pressure-sensitive adhesive layer is laminated on a supporting substrate. This dicing die-bonding film is used as follows. That is, after the semiconductor wafer and the adhesive film are diced under the holding of the adhesive film, the supporting substrate is stretched to peel the semiconductor chip together with the adhesive film, and these are separately recovered. Further, the semiconductor chip is bonded and fixed to an adherend such as a BT substrate or a lead frame via an adhesive film. When the semiconductor chips are stacked in multiple stages, a semiconductor chip with an adhesive film is also adhered and fixed on the fixed semiconductor chip via an adhesive film.
그런데, 반도체 장치 및 그 패키지의 고기능화, 박형화, 소형화가 보다 한층 요구되고 있다. 그 하나의 계책으로서, 반도체 소자를 그 두께 방향으로 복수 단으로 적층시켜서 반도체 소자의 고밀도 집적화를 도모하는 3차원 실장 기술이 개발되어 있다.However, the semiconductor device and its package have become increasingly sophisticated, thin, and miniaturized. As one of such measures, a three-dimensional mounting technique has been developed in which semiconductor elements are stacked in a plurality of stages in the thickness direction thereof to achieve high-density integration of semiconductor elements.
일반적인 3차원 실장 방법으로서는, 기판 등의 피착체 위에 반도체 소자를 고정하고, 이 최하단의 반도체 소자 위에 반도체 소자를 순차 적층해 나가는 수순이 채용되고 있다. 반도체 소자간 및 반도체 소자와 피착체의 사이에서는, 주로 본딩 와이어(이하, 「와이어」라고도 함)로 전기적 접속이 도모되고 있다. 또한, 반도체 소자의 고정에는 필름 형상의 접착제가 널리 사용되고 있다.As a general three-dimensional mounting method, a procedure is used in which a semiconductor element is fixed on an adherend such as a substrate, and semiconductor elements are sequentially layered on the semiconductor element at the lowermost stage. Electrical connection is mainly made by bonding wires (hereinafter also referred to as " wires ") between semiconductor elements and between semiconductor elements and an adherend. Film-like adhesives are widely used for fixing semiconductor devices.
이러한 반도체 장치에서는, 복수의 반도체 소자의 개개의 작동의 제어나, 반도체 소자간의 통신의 제어 등을 목적으로, 최상단의 반도체 소자 위에 제어용의 반도체 소자(이하, 「컨트롤러」라고도 함)가 배치된다(특허문헌 2 참조).In such a semiconductor device, a control semiconductor element (hereinafter also referred to as a " controller ") is disposed on the uppermost semiconductor element for the purpose of controlling individual operations of the plurality of semiconductor elements or controlling communication between semiconductor elements Patent Document 2).
컨트롤러도 하단의 반도체 소자와 마찬가지로, 와이어에 의해 피착체와의 전기적 접속이 도모된다. 그러나, 반도체 소자의 적층 단수가 많아짐에 따라, 컨트롤러와 피착체의 거리가 길어져, 전기적 접속에 필요한 와이어도 길어진다. 그 결과, 반도체 패키지의 통신 속도의 저하나 외부 요인(열이나 충격 등)에 의한 와이어의 문제가 발생하여 반도체 패키지의 품질이 떨어지거나, 와이어 본딩 공정이 복잡해져서 반도체 장치 제조의 수율이 저하되는 경우가 있다.As in the case of the semiconductor element at the lower end of the controller, electrical connection with the adherend is achieved by the wire. However, as the number of stacked semiconductor elements increases, the distance between the controller and the adherend becomes longer, and the wires necessary for electrical connection become longer. As a result, if the quality of the semiconductor package deteriorates due to a wire shortage caused by a communication speed of the semiconductor package or an external factor (heat or impact), or the wire bonding process is complicated, .
따라서, 본원 발명자들은, 컨트롤러를 피착체에 고정함과 함께, 이 컨트롤러를 포매하면서 다른 반도체 소자를 고정 가능한 포매용 접착 필름을 개발하여, 이들에 대해 출원을 행하였다(본 출원의 출원 시에 있어서 미공개). 이러한 접착 필름을 다이싱·다이 본드 필름의 접착 필름으로서 사용함으로써, 반도체 장치의 제조 효율의 향상과 반도체 장치의 고품질화가 가능하게 된다.Accordingly, the inventors of the present invention have developed a puckering adhesive film capable of fixing a controller to an adherend and fixing other semiconductor elements while embedding the controller, and filed applications therefor (in the application of the present application Unpublished). By using such an adhesive film as an adhesive film of the dicing die-bonding film, it becomes possible to improve the manufacturing efficiency of the semiconductor device and to improve the quality of the semiconductor device.
그러나, 포매용 접착 필름의 응용의 검토를 진행시킴에 있어서, 이하와 같은 문제가 발생하는 경우가 있다.However, in proceeding with the examination of the application of the adhesive film for pouches, the following problems may occur.
첫째, 도 5에 도시한 바와 같이, 포매용 접착 필름(122)을 구비하는 다이싱·다이 본드 필름(110)을 사용하는 반도체 웨이퍼(112)의 다이싱 공정도 종래와 마찬가지로, 다이싱·다이 본드 필름(110)의 접착 필름(122)에 부착된 반도체 웨이퍼(112)에 대하여 다이싱 블레이드(D)로 절입을 형성하고, 반도체 웨이퍼(112) 및 접착 필름(122)을 다이싱한다. 절입 깊이는, 접착 필름(122)을 절단할 필요가 있는 점에서, 점착제층(103) 또는 기재(104)까지가 된다.First, as shown in Fig. 5, the dicing process of the
그러나, 포매용 접착 필름(122)은, 컨트롤러 등의 하단의 반도체 소자를 포매하기 위해 종래품과 비교하여 상대적으로 두껍게 되어 있으므로, 반도체 웨이퍼(112)를 부착했을 때의 다이싱·다이 본드 필름(110)과 반도체 웨이퍼(112)의 두께의 합계도 상당 정도 두꺼워진다. 이러한 상태에서 다이싱 블레이드(D)에 의한 반도체 웨이퍼(112)에 대한 절입이 진행되면, 다이싱 블레이드(D)로부터 반도체 웨이퍼(112)에 전해지는 힘이 다이싱 블레이드(D)의 진행 방향에 대하여 좌우로 빠져나가버려, 다이싱 블레이드(D)의 날끝이 도 5 중의 양쪽 화살표로 나타낸 바와 같이 진행 방향에 대해 좌우로 흔들려서 사행하게 된다. 다이싱 블레이드(D)의 사행에 의해, 그 라인을 따른 점착제층(103)이나 접착 필름(122)도 좌우로 밀리는 형태가 되고, 그 결과, 점착제층(103)과 접착 필름(122)의 사이에서 박리가 발생하는 경우가 있다. 다이싱 시에는, 절입에 의해 발생하는 열의 방산이나 절삭 칩의 제거를 목적으로 일반적으로 물을 흘리는 경우가 있어, 박리가 발생한 부분에 물이 침입하거나, 절삭 칩(실리콘 칩 등)이 들어가거나 해서, 유지 성능이 저하되고, 원하는 다이싱을 행할 수 없게 될 우려가 있다.However, since the embedding
본 발명은 상기 포매용 접착 필름 특유의 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 포매용 접착 필름을 구비하고 있어도 원하는 다이싱이 가능한 다이싱·다이 본드 필름 및 이것을 사용하는 반도체 장치의 제조 방법, 및 상기 제조 방법에 의해 얻어지는 반도체 장치를 제공하는 데 있다.DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems peculiar to the above-mentioned forming adhesive film, and an object of the present invention is to provide a dicing die-bonding film which can be diced in a desired manner even if the adhesive film is used, And a semiconductor device obtained by the above manufacturing method.
둘째, 피착체 위에는 컨트롤러 등의 반도체 소자가 고정되어 있는 만큼, 피착체의 표면 구조가 복잡해져서, 피착체(및 그 표면 위의 요소)와 포매용 접착 필름과의 사이의 밀착성 내지 반도체 소자의 포매성이 저하될 우려가 있다. 그 경우, 양자간에 보이드가 발생해버려, 최종적으로 얻어지는 반도체 장치의 신뢰성의 저하로 이어질 우려가 있다.Secondly, since the semiconductor element such as a controller is fixed on the adherend, the surface structure of the adherend becomes complicated, and the adhesiveness between the adherend (and the element on the surface thereof) and the adhesive film for forming the pellicle, There is a fear that the mating property is lowered. In this case, voids are generated between the two, which may lead to a reduction in the reliability of the finally obtained semiconductor device.
따라서, 본 발명의 새로운 목적은, 고신뢰성의 반도체 장치를 수율 높게 제조 가능한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.Therefore, a new object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of manufacturing a highly reliable semiconductor device with a high yield.
본원 발명자들은, 상기 종래의 문제점을 해결하고자, 다이싱·다이 본드 필름의 특성이나 반도체 장치의 제조 공정에 대하여 예의 검토하였다. 그 결과, 하기 구성으로 함으로써 상기 목적을 달성할 수 있음을 알아내고, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.DISCLOSURE OF THE INVENTION The present inventors have intensively studied the characteristics of a dicing die-bonding film and a manufacturing process of a semiconductor device in order to solve the above-mentioned problems of the prior art. As a result, it has been found that the above object can be achieved by the following constitution, and the present invention has been accomplished.
즉, 본 발명의 제1 실시 형태는, 기재 및 상기 기재 위에 형성된 점착제층을 갖는 다이싱 필름과,According to a first aspect of the present invention, there is provided a dicing film comprising a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the substrate,
상기 점착제층 위에 적층된 접착 필름을 구비하는 다이싱·다이 본드 필름이며,A dicing die-bonding film having an adhesive film laminated on the pressure-sensitive adhesive layer,
상기 접착 필름은, 피착체 위에 고정된 제1 반도체 소자를 포매하고, 또한 상기 제1 반도체 소자와는 상이한 제2 반도체 소자를 피착체에 고정하기 위한 접착 필름(이하, 「포매용 접착 필름」이라고도 함)이고,The adhesive film includes an adhesive film for embedding a first semiconductor element fixed on an adherend and for fixing a second semiconductor element different from the first semiconductor element to an adherend (hereinafter also referred to as "Lt; / RTI >
상기 접착 필름과 상기 점착제층 사이의 박리력이 0.03N/20mm 이상 0.2N/20mm 이하인 다이싱·다이 본드 필름이다.Wherein the peeling force between the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive layer is 0.03 N / 20 mm or more and 0.2 N / 20 mm or less.
당해 다이싱·다이 본드 필름에서는, 접착 필름과 점착제층의 사이의 박리력을 0.03N/20mm 이상 0.2N/20mm 이하로 하고 있으므로, 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에 다이싱 블레이드가 사행했다고 해도, 접착 필름과 점착제층의 박리를 방지하여 물이나 실리콘 칩 등의 진입을 방지할 수 있고, 이에 의해 원하는 다이싱을 행할 수 있다. 아울러 양호한 픽업성도 얻어진다. 또한, 다이싱으로부터 픽업을 양호하게 행할 수 있어, 생산 효율 좋게 반도체 장치를 제조할 수 있다. 또한, 상기 접착 필름에 의해 컨트롤러 등의 제1 반도체 소자를 포매하면서 제2 반도체 소자를 피착체 위에 고정하는 것이 가능하게 되므로, 전기적 접속에 필요한 와이어의 단축이 가능하게 되고, 이에 의해 반도체 패키지의 통신 속도의 저하가 방지됨과 함께, 외부 요인에 의한 와이어의 문제의 발생이 저감된 고품질의 반도체 장치를 제조할 수 있다. 뿐만 아니라, 당해 제조 방법에서는, 상기 접착 필름의 사용에 의해, 제1 반도체 소자의 피착체 위에서의 포매가 가능하게 되므로, 제1 반도체 소자와 피착체의 와이어 본딩이 용이하게 되고, 이에 의해 반도체 장치의 제조 수율을 향상시킬 수 있다. 여기서, 상기 박리력이 너무 작으면, 다이싱 블레이드의 사행에 의해 접착 필름과 점착제층의 박리가 발생해버린다. 한편, 상기 박리력이 너무 크면, 반도체 칩의 픽업이 곤란해진다. 또한, 박리력의 측정은, 실시예의 기재에 따른다.In the dicing die-bonding film, the peeling force between the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive layer is 0.03 N / 20 mm or more and 0.2 N / 20 mm or less. Therefore, even if the dicing blade meanders during dicing of the semiconductor wafer, It is possible to prevent peeling of the film and the pressure-sensitive adhesive layer to prevent entry of water or a silicon chip or the like, thereby enabling desired dicing. In addition, good pickup performance is obtained. In addition, the pickup can be satisfactorily performed from the dicing, and the semiconductor device can be manufactured with high production efficiency. Further, since the second semiconductor element can be fixed on the adherend while the first semiconductor element such as a controller is embedded by the adhesive film, the wire necessary for electrical connection can be shortened, It is possible to manufacture a high-quality semiconductor device in which a reduction in speed is prevented and the occurrence of a wire problem due to an external factor is reduced. In addition, in this manufacturing method, since the use of the adhesive film enables the first semiconductor element to be placed on the adherend, the wire bonding of the first semiconductor element and the adherend is facilitated, Can be improved. Here, if the peeling force is too small, peeling of the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive layer occurs due to the meandering of the dicing blade. On the other hand, if the peeling force is too large, it becomes difficult to pick up the semiconductor chip. The peeling force is measured according to the description of the embodiment.
상기 점착제층의 두께는 5㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 바람직하다. 일반적으로, 다이싱·다이 본드 필름의 기재는, 접착 필름이나 점착제층과 비교하여 높은 경도를 갖고 있다. 다이싱 시에 다이싱 블레이드가 다이싱 필름의 기재에 도달하면, 상기 기재의 경도에 기인하여 다이싱 블레이드는 기재로부터 반발력을 받아, 사행의 정도가 커지는 경우가 있다. 점착제층의 두께를 상기 범위로 함으로써, 점착제층이, 다이싱 블레이드의 기재로의 도달을 방지하기 위한 소위 완충층 내지 마진층으로서 충분히 기능할 수 있어, 다이싱 블레이드의 사행을 억제할 수 있다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 5 占 퐉 or more and 50 占 퐉 or less. Generally, the substrate of the dicing die-bonding film has a higher hardness than the adhesive film or the pressure-sensitive adhesive layer. When the dicing blade reaches the base material of the dicing film at the time of dicing, the dicing blade may receive a repulsive force from the base material due to the hardness of the base material, and the degree of skewing may increase. By setting the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer within the above-mentioned range, the pressure-sensitive adhesive layer can function sufficiently as a so-called buffer layer or a margin layer for preventing the dicing blade from reaching the base material, and the meandering of the dicing blade can be suppressed.
상기 접착 필름의 두께가 80㎛ 이상 150㎛ 이하이어도 된다. 이러한 범위의 두께를 구체적으로 갖는 접착 필름은, 제1 반도체 소자의 포매에 적합하지만, 다이싱 블레이드의 사행이 발생하기 쉬워진다. 그러나, 당해 다이싱·다이 본드 필름에서는, 접착 필름과 점착제층의 사이의 박리력을 소정 범위로 하고 있으므로, 다이싱 블레이드의 사행이 발생했다고 해도 접착 필름과 점착제층의 박리에 의한 문제를 방지할 수 있다.The thickness of the adhesive film may be 80 占 퐉 or more and 150 占 퐉 or less. An adhesive film having a specific thickness in this range is suitable for embedding of the first semiconductor element, but the dicing blade is liable to be skewed. However, in the dicing die-bonding film, the peeling force between the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive layer is set in the predetermined range, so that even if the dicing blade meanders, the problems caused by peeling of the adhesive film and the pressure- .
열경화 전의 당해 접착 필름의 25℃에서의 저장 탄성률은 10MPa 이상 10000MPa 이하인 것이 바람직하다. 접착 필름과 다이싱 필름을 일체화시킨 다이싱·다이 본드 필름의 형태에서는, 접착 필름에 접합된 반도체 웨이퍼가 다이싱에 의해 반도체 칩으로 개편화됨과 함께 접착 필름도 개편화되게 된다. 접착 필름의 저장 탄성률을 상기 하한 이상으로 함으로써 인접하는 접착 필름끼리의 재접착을 방지할 수 있다. 또한, 상기 상한 이하로 함으로써, 반도체 웨이퍼와의 양호한 접착성을 발휘할 수 있다.The storage elastic modulus of the adhesive film before heat curing at 25 DEG C is preferably 10 MPa or more and 10,000 MPa or less. In the form of a dicing die-bonding film in which the adhesive film and the dicing film are integrated, the semiconductor wafer bonded to the adhesive film is diced into semiconductor chips and the adhesive film is also separated. By setting the storage elastic modulus of the adhesive film to the lower limit or higher, it is possible to prevent re-adhesion of the adjacent adhesive films. In addition, by setting the upper limit to the above range, good adhesion with the semiconductor wafer can be exhibited.
당해 접착 필름은 무기 충전제를 포함하고, 상기 무기 충전제의 함유량이 25 내지 80중량％인 것이 바람직하다. 당해 접착 필름이 소정량의 무기 충전제를 포함함으로써, 박리력의 조정 및 이에 수반되는 사행 방지성, 포매 용이성, 작업 용이성을 보다 높은 레벨로 발휘할 수 있다.It is preferable that the adhesive film contains an inorganic filler and the content of the inorganic filler is 25 to 80% by weight. Since the adhesive film contains a predetermined amount of the inorganic filler, adjustment of the peeling force and accompanied by the anti-skid property, ease of embedding and ease of operation can be exerted at a higher level.
또한, 본 발명의 제1 실시 형태에는,In addition, in the first embodiment of the present invention,
제1 반도체 소자가 고정된 피착체를 준비하는 피착체 준비 공정,An adherend preparing step of preparing an adherend to which the first semiconductor element is fixed,
당해 다이싱·다이 본드 필름의 접착 필름과 반도체 웨이퍼를 접합하는 접합 공정,A bonding step of bonding the adhesive film of the dicing die-bonding film and the semiconductor wafer,
상기 반도체 웨이퍼 및 접착 필름을 다이싱하여 제2 반도체 소자를 형성하는 다이싱 공정,A dicing step of dicing the semiconductor wafer and the adhesive film to form a second semiconductor element,
상기 제2 반도체 소자를 상기 접착 필름과 함께 픽업하는 픽업 공정, 및A pickup step of picking up the second semiconductor element together with the adhesive film, and
상기 제2 반도체 소자와 함께 픽업한 접착 필름에 의해, 상기 피착체에 고정된 상기 제1 반도체 소자를 포매하면서 상기 제2 반도체 소자를 상기 피착체에 고정하는 고정 공정A fixing step of fixing the second semiconductor element to the adherend while embedding the first semiconductor element fixed to the adherend by an adhesive film picked up together with the second semiconductor element
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법도 포함된다.And a method of manufacturing the semiconductor device.
본 발명의 제1 실시 형태 제조 방법에서는, 당해 다이싱·다이 본드 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하므로, 다이싱 시에 있어서의 다이싱 블레이드의 사행 발생을 방지할 수 있어, 수율 높게 반도체 장치를 제조할 수 있다.In the manufacturing method of the first embodiment of the present invention, since the semiconductor device is manufactured by using the dicing die-bonding film, the occurrence of meandering of the dicing blade at the time of dicing can be prevented, Can be manufactured.
본 발명의 제1 실시 형태에는, 당해 반도체 장치의 제조 방법에 의해 얻어지는 반도체 장치도 포함된다.The first embodiment of the present invention also includes a semiconductor device obtained by the method for manufacturing the semiconductor device.
본 발명의 제2 실시 형태는, 피착체 위에 고정된 제1 반도체 소자를 포매하고, 또한 상기 제1 반도체 소자와는 상이한 제2 반도체 소자를 피착체에 고정하기 위한 접착 필름을 준비하는 공정,A second embodiment of the present invention is a process for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of preparing an adhesive film for embedding a first semiconductor element fixed on an adherend and for fixing a second semiconductor element different from the first semiconductor element to an adherend,
적어도 1개의 제1 반도체 소자를 피착체 위에 고정하는 제1 고정 공정, 및A first fixing step of fixing at least one first semiconductor element on an adherend, and
상기 접착 필름에 의해, 상기 제1 반도체 소자를 포매하면서 상기 제1 반도체 소자와는 상이한 제2 반도체 소자를 상기 피착체에 고정하는 제2 고정 공정A second fixing step of fixing the second semiconductor element, which is different from the first semiconductor element, to the adherend while embedding the first semiconductor element by the adhesive film;
을 포함하고,/ RTI >
상기 제1 반도체 소자의 평면에서 보았을 때의 면적이, 상기 제2 반도체 소자의 평면에서 보았을 때의 면적의 40％ 이하인 반도체 장치의 제조 방법이다.Wherein an area of the first semiconductor element in a plane is not more than 40% of an area of the second semiconductor element in a plane of the second semiconductor element.
당해 제조 방법에서는, 제1 반도체 소자의 평면에서 보았을 때의 면적을 제2 반도체 소자의 평면에서 보았을 때의 면적의 40％ 이하로 하고 있으므로, 제1 반도체 소자의 외 형상이, 접착 필름과 피착체의 밀착성 및 제1 반도체 소자의 포매성에 미치는 영향을 최소한으로 할 수 있고, 보이드의 발생을 억제하여 고신뢰성의 반도체 장치를 제조할 수 있다. 또한, 제1 반도체 소자의 포매 시에는 제1 반도체 소자의 용적 분만큼 접착 필름이 압출되어, 제2 반도체 소자로부터 비어져나오는 경우가 있지만, 제1 반도체 소자의 사이즈를 소정 범위로 하고 있으므로, 그러한 비어져나옴을 최소한으로 억제할 수 있다.In this manufacturing method, since the area of the first semiconductor element in the plane is 40% or less of the area of the second semiconductor element in the plane of the second semiconductor element, the outer shape of the first semiconductor element, It is possible to minimize the influence on the adhesion of the first semiconductor element and the porosity of the first semiconductor element and to suppress the occurrence of voids and to manufacture a highly reliable semiconductor device. When the first semiconductor element is embedded, the adhesive film is pushed out from the second semiconductor element by an amount corresponding to the volume of the first semiconductor element. However, since the size of the first semiconductor element is set to a predetermined range, It is possible to minimize the occurrence of the leakage.
당해 제조 방법에서는, 상기 제1 고정 공정에서, 제1 반도체 소자 고정용의 제1 접착 필름에 의해 상기 제1 반도체 소자를 상기 피착체에 고정해도 된다. 이 경우, 상기 제1 반도체 소자와 상기 피착체를 본딩 와이어에 의해 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.In this manufacturing method, in the first fixing step, the first semiconductor element may be fixed to the adherend with the first adhesive film for fixing the first semiconductor element. In this case, it is preferable to further include a wire bonding step of electrically connecting the first semiconductor element and the adherend by a bonding wire.
당해 제조 방법에서는, 상기 제1 고정 공정에서, 상기 제1 반도체 소자를 상기 피착체에 플립 칩 접속에 의해 고정할 수도 있다.In this manufacturing method, in the first fixing step, the first semiconductor element may be fixed to the adherend by flip chip bonding.
당해 제조 방법에 있어서, 상기 제2 반도체 소자 위에 상기 제2 반도체 소자와 동종 또는 이종의 제3 반도체 소자를 고정하는 제3 고정 공정을 또한 포함함으로써, 반도체 소자의 다단 적층이 가능하게 되어, 고집적화된 반도체 장치를 제조할 수 있다.In this manufacturing method, by further including a third fixing step of fixing a third semiconductor element of the same or different type to the second semiconductor element on the second semiconductor element, multi-level stacking of the semiconductor element becomes possible, A semiconductor device can be manufactured.
당해 제조 방법에서는, 상기 접착 필름의 120℃에서의 용융 점도는, 100Pa·S 이상 3000Pa·S 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 당해 접착 필름에 의한 제2 반도체 소자의 피착체에 대한 고정 시에, 제1 반도체 소자의 당해 접착 필름에 대한 포매를 보다 용이하게 행할 수 있다. 또한, 용융 점도의 측정 방법은 실시예의 기재에 따른다.In this production method, the adhesive film preferably has a melt viscosity at 120 캜 of 100 Pa · S or more and 3000 Pas · S or less. Thus, when the second semiconductor element is fixed to the adherend by the adhesive film, the first semiconductor element can be more easily embedded in the adhesive film. The method of measuring the melt viscosity is as described in Examples.
본 발명의 제2 실시 형태에는, 당해 반도체 장치의 제조 방법에 의해 얻어지는 반도체 장치도 포함된다.The second embodiment of the present invention also includes a semiconductor device obtained by the method for manufacturing the semiconductor device.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱·다이 본드 필름을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이싱·다이 본드 필름을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3c는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3d는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3e는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3f는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3g는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3h는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 다른 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 다른 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 4c는 본 발명의 다른 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 4d는 본 발명의 다른 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에 있어서의 다이싱 블레이드의 사행 발생을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은 도 3f에 나타내는 제1 반도체 소자 및 제2 반도체 소자의 일부 투시 평면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a dicing die-bonding film according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing a dicing die-bonding film according to another embodiment of the present invention.
3A is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3B is a cross-sectional view schematically showing a step of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3C is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3D is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3E is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3F is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3G is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3H is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
4A is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
4B is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
4C is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
4D is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically showing the occurrence of a meander of a dicing blade during dicing of a semiconductor wafer.
FIG. 6 is a partial perspective plan view of the first semiconductor element and the second semiconductor element shown in FIG. 3F. FIG.
본 발명의 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 단, 도면의 일부 또는 모두에 있어서, 설명에 불필요한 부분은 생략하고, 또한 설명을 용이하게 하기 위하여 확대 또는 축소 등을 하여 도시한 부분이 있다.Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that in some or all of the drawings, portions unnecessary for the description are omitted, and portions for enlarging or reducing are shown for ease of explanation.
《제1 실시 형태》&Quot; First embodiment "
본 발명의 제1 실시 형태는, 기재 및 상기 기재 위에 형성된 점착제층을 갖는 다이싱 필름과,A first embodiment of the present invention is a dicing film comprising a base material and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the base material,
상기 점착제층 위에 적층된 접착 필름을 구비하는 다이싱·다이 본드 필름이며,A dicing die-bonding film having an adhesive film laminated on the pressure-sensitive adhesive layer,
상기 접착 필름은, 피착체 위에 고정된 제1 반도체 소자를 포매하고, 또한 상기 제1 반도체 소자와는 상이한 제2 반도체 소자를 피착체에 고정하기 위한 접착 필름(이하, 「포매용 접착 필름」이라고도 함)이고,The adhesive film includes an adhesive film for embedding a first semiconductor element fixed on an adherend and for fixing a second semiconductor element different from the first semiconductor element to an adherend (hereinafter also referred to as "Lt; / RTI >
상기 접착 필름과 상기 점착제층 사이의 박리력이 0.03N/20mm 이상 0.2N/20mm 이하인 다이싱·다이 본드 필름이다.Wherein the peeling force between the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive layer is 0.03 N / 20 mm or more and 0.2 N / 20 mm or less.
<실시 형태 1-1>≪ Embodiment 1-1 >
<다이싱·다이 본드 필름>≪ Dicing die-bonding film &
실시 형태 1-1에서는, 도 1에 도시한 바와 같이 기재(4) 위에 점착제층(3)이 적층되어 이루어지는 다이싱 필름(5) 위에 포매용 접착 필름(22)이 적층된 다이싱·다이 본드 필름(10)의 형태를 예로서 이하에 설명한다. 본 실시 형태에서는, 피착체와 제1 반도체 소자의 전기적 접속을 와이어 본딩 접속에 의해 도모하는 형태를 설명한다.In Embodiment 1-1, as shown in Fig. 1, a dicing die-
다이싱·다이 본드 필름(10)에서는, 접착 필름(22)과 점착제층(3)의 사이의 박리력을 0.03N/20mm 이상 0.2N/20mm 이하로 하고 있다. 상기 박리력의 하한은 0.15N/20mm 이상이 바람직하고, 0.13N/20mm 이상이 보다 바람직하다. 한편, 상기 박리력의 상한은 0.04N/20mm 이상이 바람직하고, 0.05N/20mm 이상이 보다 바람직하다. 상기 하한의 채용에 의해, 반도체 웨이퍼(2)(도 1 참조)의 다이싱 시에 있어서 다이싱 블레이드가 사행했다고 해도, 접착 필름과 점착제층의 사이의 박리를 방지할 수 있고, 나아가서는 양자간으로의 물이나 절삭 칩 등의 진입을 방지하여, 소정의 다이싱을 효율적으로 행할 수 있다. 상기 상한의 하한 채용에 의해, 반도체 칩의 픽업을 용이하게 행할 수 있다. 또한, 점착제층(3)이 방사선 경화형 점착제층이며, 미경화의 상태에서 접착 필름(22)과 접합되어 있는 경우에는, 미경화의 점착제층(3)과 접착 필름(22)의 사이에서의 박리력이 상기 범위를 만족하면 된다. 또한, 점착제층(3)이 방사선 경화형 점착제층이며, 경화된 상태에서 접착 필름(22)과 접합되어 있는 경우에는, 경화된 점착제층(3)과 접착 필름(22)의 사이에서의 박리력이 상기 범위를 만족하면 된다.In the dicing die-
<접착 필름>≪ Adhesive film &
접착 필름의 구성은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 접착 필름의 단층만 를 포함하는 접착 필름이나 단층의 접착 필름을 적층시킨 다층 구조의 접착 필름, 코어 재료의 편면 또는 양면에 접착 필름을 형성한 다층 구조의 접착 필름 등을 들 수 있다. 여기서, 상기 코어 재료로서는, 필름(예를 들어 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리카르보네이트 필름 등), 유리 섬유나 플라스틱제 부직 섬유로 강화된 수지 기판, 실리콘 기판 또는 유리 기판 등을 들 수 있다. 또한, 접착 필름과 다이싱 시트를 일체로 한 일체형 필름으로서 사용할 수도 있다.The constitution of the adhesive film is not particularly limited, and for example, a multi-layered adhesive film in which an adhesive film containing only a single layer of an adhesive film or a single-layered adhesive film is laminated, a multi-layered adhesive film formed by forming an adhesive film on one side or both sides of the core material And an adhesive film of a structure. The core material may be a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polycarbonate film or the like), a resin substrate reinforced with glass fiber or non- , A silicon substrate, or a glass substrate. Further, it may be used as an integral film in which an adhesive film and a dicing sheet are integrally formed.
접착 필름은 접착 기능을 갖는 층이며, 그 구성 재료로서는 열가소성 수지와 열경화성 수지를 병용한 것을 들 수 있다. 또한, 열가소성 수지 단독으로도 사용 가능하다.The adhesive film is a layer having an adhesive function, and as a constituent material thereof, a thermoplastic resin and a thermosetting resin are used in combination. Further, the thermoplastic resin can be used alone.
(열가소성 수지)(Thermoplastic resin)
상기 열가소성 수지로서는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6 나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 이 열가소성 수지는 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높아, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다.Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide Resin, a polyamide resin such as 6-nylon or 6,6-nylon, a phenoxy resin, an acrylic resin, a saturated polyester resin such as PET or PBT, a polyamideimide resin or a fluorine resin. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more. Among these thermoplastic resins, an acrylic resin which is low in ionic impurities and high in heat resistance and can secure the reliability of a semiconductor element is particularly preferable.
상기 아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 에이코실기 등을 들 수 있다.The acrylic resin is not particularly limited, and a polymer containing one or more kinds of esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, . Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, a hexyl group, a heptyl group, An ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethylhexyl group, an octyl group, an isooxyl group, a nonyl group, an isononyl group, a decyl group, an isodecyl group, an undecyl group, a lauryl group, a tridecyl group, And practical training.
또한, 상기 중합체를 형성하는 다른 단량체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴 또는 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 단량체, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 단량체를 들 수 있다.The other monomer forming the polymer is not particularly limited and includes, for example, a monomer containing a carboxyl group such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, (Meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth) acrylic acid 4-hydroxybutyl, (meth) acrylic acid 6 -Hydroxyhexyl, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) (Meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylamide, ) Acrylate or (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid, or a phosphate group-containing monomer such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate or the like.
(열경화성 수지)(Thermosetting resin)
상기 열경화성 수지로서는, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이 수지는, 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다. 특히, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.Examples of the thermosetting resin include a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, an epoxy resin, a polyurethane resin, a silicone resin, and a thermosetting polyimide resin. These resins can be used alone or in combination of two or more. Particularly, an epoxy resin containing less ionic impurities or the like which corrodes semiconductor elements is preferable. As the curing agent of the epoxy resin, a phenol resin is preferable.
상기 에폭시 수지는, 접착제 조성물로서 일반적으로 사용되는 것이라면 특별히 한정은 없고, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루올렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 또는 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition. Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl Bifunctional epoxy resins or polyfunctional epoxy resins such as phenol novolac type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type, orthocresol novolak type, trishydroxyphenyl methane type and tetraphenylol ethane type, An epoxy resin such as glycidyl isocyanurate type or glycidyl amine type is used. These may be used alone or in combination of two or more. Of these epoxy resins, novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins or tetraphenylol ethane type epoxy resins are particularly preferable. These epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and have excellent heat resistance.
또한 상기 페놀 수지는, 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.The phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin. For example, the phenol resin may be a phenol novolac resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolac resin, a tert-butylphenol novolak resin, A phenol resin, a phenol resin, a phenol resin, a phenol resin, a phenol resin, a phenol resin, and a polyoxystyrene. These may be used alone or in combination of two or more. Of these phenolic resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferable. This is because connection reliability of the semiconductor device can be improved.
상기 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.The mixing ratio of the epoxy resin to the phenol resin is preferably such that the hydroxyl group in the phenol resin is equivalent to 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. More suitable is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the mixing ratio of the two is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the epoxy resin cured product tend to deteriorate.
또한, 본 실시 형태에서는, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지를 포함하는 접착 필름이 특히 바람직하다. 이 수지는, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높으므로, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다. 이 경우의 적합한 배합비는, 아크릴 수지 성분 100중량부에 대하여 에폭시 수지와 페놀 수지의 혼합량이 100 내지 1300중량부이다.In the present embodiment, an adhesive film comprising an epoxy resin, a phenol resin and an acrylic resin is particularly preferable. This resin has low ionic impurities and high heat resistance, so that the reliability of the semiconductor element can be secured. In this case, the mixing ratio of the epoxy resin to the phenol resin is 100 to 1300 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic resin component.
(가교제)(Crosslinking agent)
본 실시 형태의 접착 필름은, 미리 어느 정도 가교를 시켜 두기 위해서, 제작 시에, 중합체의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하는 다관능성 화합물을 가교제로서 첨가시켜 두는 것이 좋다. 이에 의해, 고온 하에서의 접착 특성을 향상시켜, 내열성의 개선을 도모할 수 있다.In the adhesive film of this embodiment, it is preferable to add, as a crosslinking agent, a polyfunctional compound which reacts with the functional group at the molecular chain terminal of the polymer or the like at the time of production in order to allow the crosslinking to some extent in advance. As a result, it is possible to improve the adhesive property under high temperature and to improve the heat resistance.
상기 가교제로서는, 종래 공지된 것을 채용할 수 있다. 특히, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물 등의 폴리이소시아네이트 화합물이 보다 바람직하다. 가교제의 첨가량으로서는, 상기한 중합체 100중량부에 대하여 통상 0.05 내지 7중량부가 바람직하다. 가교제의 양이 7중량부보다 많으면, 접착력이 저하되므로 바람직하지 않다. 그 한편, 0.05중량부 보다 적으면 응집력이 부족하므로 바람직하지 않다. 또한, 이러한 폴리이소시아네이트 화합물과 함께, 필요에 따라, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 함께 포함시키도록 해도 된다.As the crosslinking agent, conventionally known ones can be employed. Particularly, polyisocyanate compounds such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylenediisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, and adducts of polyhydric alcohol and diisocyanate are more preferable. The amount of the crosslinking agent to be added is usually 0.05 to 7 parts by weight based on 100 parts by weight of the polymer. If the amount of the cross-linking agent is more than 7 parts by weight, the adhesive strength is lowered, which is not preferable. On the other hand, if it is less than 0.05 part by weight, the cohesive force is insufficient. If necessary, other polyfunctional compounds such as an epoxy resin may be included together with such a polyisocyanate compound.
(무기 충전제)(Inorganic filler)
또한, 본 실시 형태의 접착 필름에는, 그 용도에 따라서 무기 충전제를 적절히 배합할 수 있다. 무기 충전제의 배합은, 도전성의 부여나 열전도성의 향상, 탄성률의 조절 등을 가능하게 한다. 상기 무기 충전제로서는, 예를 들어 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 산화알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소 등의 세라믹류, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납 등의 금속, 또는 합금류, 기타 카본 등을 포함하는 다양한 무기 분말을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 실리카, 특히 용융 실리카가 적절하게 사용된다. 또한, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 주석, 아연 등을 포함하는 도전성 미립자를 첨가하여 도전성 접착 필름으로 함으로써, 정전기의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 무기 충전제의 평균 입경은 0.1 내지 80㎛의 범위 내인 것이 바람직하다.In the adhesive film of the present embodiment, an inorganic filler can be appropriately compounded according to the use thereof. The combination of the inorganic filler makes it possible to impart conductivity, improve thermal conductivity, and control the modulus of elasticity. Examples of the inorganic filler include ceramics such as silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina oxide, beryllium oxide, silicon carbide and silicon nitride, aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, , Metals such as palladium and solder, and alloys and other carbon. These may be used alone or in combination of two or more. Of these, silica, particularly fused silica, is suitably used. In addition, by forming the conductive adhesive film by adding conductive fine particles containing aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, tin, zinc or the like, the occurrence of static electricity can be suppressed. The average particle diameter of the inorganic filler is preferably in the range of 0.1 to 80 탆.
상기 무기 충전제의 함유량은, 접착 필름을 조성하는 성분(용매를 제외함)의 합계 중량에 대하여 10 내지 80중량％로 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20 내지 60중량％이다.The content of the inorganic filler is preferably from 10 to 80% by weight, more preferably from 20 to 60% by weight, based on the total weight of the components (excluding the solvent) constituting the adhesive film.
(열경화 촉매)(Thermosetting catalyst)
접착 필름의 구성 재료로서 열경화 촉매를 사용해도 된다. 그 함유량으로서는, 접착 필름이 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 포함하는 경우, 아크릴 수지 성분 100중량부에 대하여 0.01 내지 3중량부가 바람직하고, 0.05 내지 1중량부가 보다 바람직하다. 함유량을 상기 하한 이상으로 함으로써, 다이 본딩 시에 있어서는 미반응이었던 에폭시기끼리를, 후속 공정에서 중합시켜, 당해 미반응된 에폭시기를 저감 내지는 소실시킬 수 있다. 그 결과, 피착체 위에 반도체 소자를 접착 고정시켜 박리가 없는 반도체 장치의 제조가 가능해진다. 그 한편, 배합 비율을 상기 상한 이하로 함으로써, 경화 저해의 발생을 방지할 수 있다.A thermosetting catalyst may be used as a constituent material of the adhesive film. When the adhesive film contains an acrylic resin, an epoxy resin and a phenol resin, the content thereof is preferably 0.01 to 3 parts by weight, more preferably 0.05 to 1 part by weight per 100 parts by weight of the acrylic resin component. By setting the content to the above-mentioned lower limit or more, epoxy groups which have not been reacted at the time of die bonding can be polymerized in a subsequent step to reduce or eliminate the unreacted epoxy groups. As a result, it is possible to manufacture a semiconductor device free from peeling by adhering and fixing a semiconductor element on an adherend. On the other hand, by setting the blending ratio to be not more than the upper limit, the occurrence of curing inhibition can be prevented.
상기 열경화 촉매로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물, 트리페닐보란계 화합물, 트리할로겐보란계 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.The thermosetting catalyst is not particularly limited, and examples thereof include imidazole-based compounds, triphenylphosphine-based compounds, amine-based compounds, triphenylborane-based compounds, and trihalogenborane-based compounds. These may be used alone or in combination of two or more.
상기 이미다졸계 화합물로서는, 2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ), 2-운데실이미다졸(상품명; C11Z), 2-헵타데실이미다졸(상품명; C17Z), 1,2-디메틸이미다졸(상품명; 1.2DMZ), 2-에틸-4-메틸이미다졸(상품명; 2E4MZ), 2-페닐이미다졸(상품명; 2PZ), 2-페닐-4-메틸이미다졸(상품명; 2P4MZ), 1-벤질-2-메틸이미다졸(상품명; 1B2MZ), 1-벤질-2-페닐이미다졸(상품명; 1B2PZ), 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ-CN), 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸(상품명; C11Z-CN), 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트(상품명; 2PZCNS-PW), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; C11Z-A), 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2E4MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물(상품명; 2MA-OK), 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(상품명; 2PHZ-PW), 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(상품명; 2P4MHZ-PW) 등을 들 수 있다(모두 시꼬꾸 가세(주) 제조).Examples of the imidazole compound include 2-methylimidazole (trade name: 2MZ), 2-undecylimidazole (trade name: C11Z), 2-heptadecylimidazole (trade name: C17Z) 2-phenylimidazole (trade name: 2PZ), 2-phenyl-4-methylimidazole (trade name: 1.2MZ), 2-ethyl-4-methylimidazole , 1-benzyl-2-methylimidazole (trade name: 1B2MZ), 1-benzyl-2-phenylimidazole 2MZ-CN), 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole (trade name: C11Z-CN), 1-cyanoethyl- (2'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine (trade name: 2MZ-A), 2,4-diamino- (1 ')] - ethyl-s-triazine (trade name C11Z-A), 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine (trade name 2E4MZ-A), 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- Phenyl-4-methyl-imidazole (product name: 2PHZ-PW), 2-phenyl-4-methyl- 5-hydroxymethylimidazole (trade name: 2P4MHZ-PW) and the like (all available from Shikoku Chemicals Co., Ltd.).
상기 트리페닐포스핀계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 디페닐톨릴포스핀 등의 트리오르가노포스핀, 테트라페닐포스포늄브로마이드(상품명; TPP-PB), 메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MB), 메틸트리페닐포스포늄클로라이드(상품명; TPP-MC), 메톡시메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MOC), 벤질트리페닐포스포늄클로라이드(상품명; TPP-ZC) 등을 들 수 있다(모두 혹코 가가꾸사 제조). 또한, 상기 트리페닐포스핀계 화합물로서는, 에폭시 수지에 대하여 실질적으로 비용해성을 나타내는 것이 바람직하다. 에폭시 수지에 대하여 비용해성이면, 열경화가 과도하게 진행되는 것을 억제할 수 있다. 트리페닐포스핀 구조를 갖고, 또한 에폭시 수지에 대하여 실질적으로 비용해성을 나타내는 열경화 촉매로서는, 예를 들어 메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MB) 등을 예시할 수 있다. 또한, 상기 「비용해성」이란, 트리페닐포스핀계 화합물을 포함하는 열경화 촉매가 에폭시 수지를 포함하는 용매에 대하여 불용성인 것을 의미하고, 보다 상세하게는, 온도 10 내지 40℃의 범위에서 10중량％ 이상 용해하지 않는 것을 의미한다.Examples of the triphenylphosphine compound include, but are not limited to, triphenylphosphine, tributylphosphine, tri (p-methylphenyl) phosphine, tri (nonylphenyl) phosphine, diphenyltolylphosphine TPP-MB), methyltriphenylphosphonium chloride (trade name: TPP-MC), methoxymethyltriphenylphosphine (trade name: TPP-MB), trioctylphosphonium bromide (Trade name: TPP-MOC), benzyltriphenylphosphonium chloride (trade name: TPP-ZC), and the like (all manufactured by HAKKO Chemical Co., Ltd.). As the triphenylphosphine-based compound, it is preferable that the triphenylphosphine-based compound exhibits substantially inferiority to the epoxy resin. If the epoxy resin is insoluble, it is possible to suppress the excessive progress of the thermosetting. Examples of the thermal curing catalyst having a triphenylphosphine structure and exhibiting substantially no solubility in the epoxy resin include methyltriphenylphosphonium (trade name: TPP-MB) and the like. Means that the thermosetting catalyst comprising a triphenylphosphine-based compound is insoluble in a solvent containing an epoxy resin. In more detail, the term " insoluble in water " Or more by weight of the composition.
상기 트리페닐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 트리(p-메틸페닐)포스핀 등을 들 수 있다. 또한, 트리페닐보란계 화합물로서는, 또한 트리페닐포스핀 구조를 갖는 것도 포함된다. 당해 트리페닐포스핀 구조 및 트리페닐보란 구조를 갖는 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-K), 테트라페닐포스포늄테트라-p-트리보레이트(상품명; TPP-MK), 벤질트리페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-ZK), 트리페닐포스핀트리페닐보란(상품명; TPP-S) 등을 들 수 있다(모두 혹코 가가꾸사 제조).The triphenylborane compound is not particularly limited, and examples thereof include tri (p-methylphenyl) phosphine and the like. The triphenylborane compound also includes those having a triphenylphosphine structure. The compound having the triphenylphosphine structure and the triphenylborane structure is not particularly limited and includes, for example, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name: TPP-K), tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate (Trade name: TPP-MK), benzyltriphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name: TPP-ZK) and triphenylphosphine triphenylborane (trade name: TPP-S) .
상기 아미노계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 모노에탄올아민트리플루오로보레이트(스텔라 케미파(주) 제조), 디시안디아미드(나카라이테스크(주) 제조) 등을 들 수 있다.The amino compound is not particularly limited, and examples thereof include monoethanolamine trifluoro borate (manufactured by Stella Chemipa) and dicyandiamide (manufactured by Nacalai Tesque).
상기 트리할로겐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 트리클로로보란 등을 들 수 있다.The trihalogenborane compound is not particularly limited, and examples thereof include trichloroboran.
(다른 첨가제)(Other additives)
또한, 본 실시 형태의 접착 필름에는, 상기 무기 충전제 이외에, 필요에 따라서 다른 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 또는 이온 트랩제 등을 들 수 있다.In addition to the inorganic filler, other additives may be appropriately added to the adhesive film of the present embodiment, if necessary. Other additives include, for example, flame retardants, silane coupling agents, and ion trap agents.
상기 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
상기 실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.Examples of the silane coupling agent include, for example,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, . These compounds may be used alone or in combination of two or more.
상기 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화비스무트 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로, 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.Examples of the ion trap agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. These may be used alone or in combination of two or more.
열경화 전의 접착 필름의 25℃에서의 저장 탄성률은, 10MPa 이상 10000MPa 이하가 바람직하고, 50MPa 이상 7000MPa 이하가 보다 바람직하고, 100MPa 이상 5000MPa 이하가 더욱 바람직하다. 상기 상한의 채용에 의해, 반도체 웨이퍼에 대한 양호한 접착성을 발휘할 수 있다. 동시에, 상기 하한의 채용에 의해, 다이싱 후의 인접하는 접착 필름끼리에서의 재접착을 방지할 수 있다. 이렇게 25℃에서의 저장 탄성률을 상기 범위로 함으로써, 접착 필름으로서의 접착성과 픽업성을 양호하게 할 수 있다.The storage elastic modulus of the adhesive film before heat curing at 25 캜 is preferably 10 MPa or more and 10,000 MPa or less, more preferably 50 MPa or more and 7000 MPa or less, still more preferably 100 MPa or more and 5,000 MPa or less. By employing the upper limit, good adhesion to a semiconductor wafer can be exhibited. At the same time, by employing the above lower limit, it is possible to prevent re-adhesion between adjacent adhesive films after dicing. By setting the storage elastic modulus at 25 占 폚 within the above-mentioned range, the adhesive property and the pick-up property as an adhesive film can be improved.
또한, 저장 탄성률의 측정 방법은 이하의 수순으로 행한다. 열경화 전의 접착 필름에 대해서, 점탄성 측정 장치(레오메트릭스사 제조: 형식: RSA-II)를 사용해서 25℃에서의 저장 탄성률을 측정한다. 보다 상세하게는, 접착 필름을 절단하여 샘플 사이즈를 길이 30mm×폭 10mm로 하고, 측정 시료를 필름 인장 측정용 지그에 세팅하여 -30 내지 100℃의 온도 영역에서 주파수 1.0Hz, 변형 0.025％, 승온 속도 10℃/min의 조건 하에서 측정하여, 25℃에서의 측정값을 판독함으로써 구한다.The method of measuring the storage elastic modulus is performed in the following procedure. The storage elastic modulus at 25 占 폚 is measured using a viscoelasticity measuring apparatus (manufactured by Rheometrics, Inc., model: RSA-II) with respect to the adhesive film before heat curing. More specifically, the adhesive film was cut so that the sample size was 30 mm long × 10 mm wide and the measurement specimen was set on a jig for film tensile measurement, and the frequency was 1.0 Hz, 0.025% at a temperature of -30 to 100 ° C., Measured at a rate of 10 占 폚 / min, and read at 25 占 폚.
접착 필름(22)에서는, 120℃에서의 전단 속도 50s-1에서의 용융 점도가 50Pa·s 이상 500Pa·s 이하가 바람직하다. 상기 용융 점도의 하한은 60Pa·s 이상이 보다 바람직하고, 70Pa·s 이상이 더욱 바람직하다. 상기 용융 점도의 상한은 400Pa·s 이하가 보다 바람직하고, 300Pa·s 이하가 더욱 바람직하다. 상기 상한을 채용함으로써, 당해 접착 필름에 의한 제2 반도체 소자의 피착체에 대한 고정 시에, 피착체의 표면 구조에 대한 당해 접착 필름의 추종성을 높여서 포매용 접착 필름과 피착체의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 반도체 장치에서의 보이드의 발생이 방지 가능하게 되어, 고신뢰성의 반도체 장치를 제조할 수 있다. 동시에, 상기 하한을 채용함으로써, 당해 접착 필름에 의한 제2 반도체 소자의 피착체에 대한 고정 시, 평면에서 보았을 때의 제2 반도체 소자의 영역으로부터의 접착 필름의 비어져나옴을 저감할 수 있다.In the
또한, 열경화 전의 접착 필름의 120℃에서의 전단 속도 50s-1에서의 용융 점도의 측정 방법은 이하와 같다. 즉, 레오 미터(HAAKE사 제조, RS-1)를 사용하여 패러렐 플레이트법에 의해 측정한다. 접착 필름으로부터 0.1g의 시료를 채취하고, 이것을 미리 120℃로 가열해 둔 플레이트에 투입하다. 전단 속도를 50s-1로 하여, 측정 개시부터 300초 후의 값을 용융 점도로 한다. 플레이트간의 갭은 0.1mm로 한다.The method of measuring the melt viscosity of the adhesive film before heat curing at a shear rate of 50 s < -1 > at 120 DEG C is as follows. That is, it is measured by a parallel plate method using a rheometer (RS-1 manufactured by HAAKE). A sample of 0.1 g was taken from the adhesive film and put into a plate heated to 120 캜 in advance. The shear rate is 50 s -1, and the value after 300 seconds from the start of measurement is defined as the melt viscosity. The gap between the plates is 0.1 mm.
<다이싱 필름><Dicing Film>
상기 다이싱 필름으로서는, 예를 들어 기재(4) 위에 점착제층(3)을 적층한 것을 들 수 있다. 접착 필름(22)은 점착제층(3) 위에 적층된다. 또한 도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 부착 부분(22a)(도 1 참조)에만 접착 필름(22')을 형성한 구성이어도 된다.Examples of the dicing film include those obtained by laminating a pressure-
(기재)(materials)
상기 기재(4)는, 다이싱·다이 본드 필름(10, 10')의 강도 모체가 되는 것이다. 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 섬유, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다. 점착제층(3)이 자외선 경화형일 경우, 기재(4)는, 자외선에 대하여 투과성을 갖는 것이 바람직하다.The
또한 기재(4)의 재료로서는, 상기 수지의 가교체 등의 중합체를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은, 비연신으로 사용해도 되고, 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 사용해도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 의하면, 다이싱 후에 그 기재(4)를 열수축시킴으로써 점착제층(3)과 접착 필름(22)의 접착 면적을 저하시켜서, 반도체 칩의 회수의 용이화를 도모할 수 있다.As the material of the
기재(4)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예를 들어, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.The surface of the
기재(4)는, 동종 또는 이종의 것을 적절하게 선택하여 사용할 수 있고, 필요에 따라 복수 종을 블렌드한 것을 사용할 수 있다. 또한, 기재(4)에는, 대전 방지능을 부여하기 위해서, 상기 기재(1) 위에 금속, 합금, 이들의 산화물 등을 포함하는 두께가 30 내지 500Å 정도의 도전성 물질의 증착층을 형성할 수 있다. 기재(4)는, 단층 또는 2종 이상의 복층이어도 된다.As the base material (4), homogeneous or heterogeneous materials can be appropriately selected and used, and if necessary, plural kinds of materials blended together can be used. In order to impart antistatic performance to the
기재(4)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다.The thickness of the
또한, 기재(4)에는, 본 발명의 효과 등을 손상시키지 않는 범위에서, 각종 첨가제(예를 들어, 착색제, 충전제, 가소제, 노화 예방제, 산화 방지제, 계면 활성제, 난연제 등)가 포함되어 있어도 된다.The
(점착제층)(Pressure-sensitive adhesive layer)
점착제층(3)의 형성에 사용하는 점착제는, 접착 필름(3)을 박리 가능하게 제어할 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 접착제를 사용할 수 있다. 상기 감압성 접착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 꺼리는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.The pressure-sensitive adhesive to be used for forming the pressure-sensitive adhesive layer (3) is not particularly limited as long as it can control the adhesive film (3) in a peelable manner. For example, a common pressure-sensitive adhesive such as an acrylic pressure-sensitive adhesive or a rubber pressure-sensitive adhesive may be used. As the above pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive using an acrylic polymer as a base polymer is preferable from the viewpoint of ultrapure water of an electronic part which is not susceptible to contamination such as semiconductor wafers or glass, clean cleaning property by an organic solvent such as alcohol and the like.
상기 아크릴계 중합체로서는, 아크릴산에스테르를 주 단량체 성분으로서 사용한 것을 들 수 있다. 상기 아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 알킬에스테르(예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30), 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르(예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르란, 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하며, 본 발명의 (메트)란 모두 마찬가지의 의미이다.As the acrylic polymer, acrylic acid ester is used as a main monomer component. Examples of the acrylic acid esters include (meth) acrylic acid alkyl esters (e.g., methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t- And examples thereof include esters, isopentyl esters, hexyl esters, heptyl esters, octyl esters, 2-ethylhexyl esters, isooctyl esters, nonyl esters, decyl esters, isodecyl esters, undecyl esters, dodecyl esters, tridecyl esters, , Linear or branched alkyl esters having from 4 to 18 carbon atoms, such as hexadecyl ester, octadecyl ester and eicosyl ester) and (meth) acrylic acid cycloalkyl esters (for example, , Cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, and the like) There may be mentioned acrylic polymer, etc. is used as the time. The (meth) acrylate ester refers to an acrylate ester and / or a methacrylate ester, and the (meth) acrylate of the present invention has the same meaning.
상기 아크릴계 중합체는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이러한 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체; (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체 성분은, 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체의 사용량은, 전체 단량체 성분의 40중량％ 이하가 바람직하다.The acrylic polymer may contain units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or the cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying the cohesive force, heat resistance and the like. Examples of such monomer components include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and crotonic acid; Acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; Acrylate such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, Hydroxy group-containing monomers such as (meth) acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth) acrylic acid 12-hydroxylauryl and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Sulfonic acid groups such as styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, and (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Containing monomer; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; Acrylamide, acrylonitrile, and the like. These copolymerizable monomer components may be used alone or in combination of two or more. The amount of these copolymerizable monomers to be used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.
또한, 상기 아크릴계 중합체는, 가교시키기 위해서, 다관능성 단량체 등도, 필요에 따라 공중합용 단량체 성분으로서 포함할 수 있다. 이러한 다관능성 단량체로서, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이러한 다관능성 단량체도 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 다관능성 단량체의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 단량체 성분의 30중량％ 이하가 바람직하다.Further, in order to crosslink the acrylic polymer, a polyfunctional monomer or the like may be included as a monomer component for copolymerization, if necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (Meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, Polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate. These polyfunctional monomers may be used alone or in combination of two or more. The amount of the multifunctional monomer to be used is preferably 30% by weight or less based on the total amount of the monomer components from the viewpoint of adhesion properties and the like.
상기 아크릴계 중합체는, 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체 혼합물을 중합시킴으로써 얻어진다. 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어떤 방식으로도 행할 수 있다. 청정한 피착체에 대한 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이러한 점에서, 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만 내지 300만 정도이다.The acrylic polymer is obtained by polymerizing a single monomer or a mixture of two or more monomers. The polymerization can be carried out by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. It is preferable that the content of the low molecular weight substance is small in view of prevention of contamination to a clean adherend. In view of this, the number-average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, and more preferably about 400,000 to 3,000,000.
또한, 상기 점착제에는, 베이스 중합체인 아크릴계 중합체 등의 수 평균 분자량을 높이기 위해서, 외부 가교제를 적절하게 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가해서 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교해야 할 베이스 중합체와의 밸런스에 따라, 나아가, 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 중합체 100중량부에 대하여 10중량부 정도 이하, 나아가 0.1 내지 10중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는, 필요에 따라, 상기 성분 외에, 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화 예방제 등의 첨가제를 사용해도 된다.In order to increase the number average molecular weight of the acrylic polymer or the like as the base polymer, an external crosslinking agent may be suitably employed in the pressure-sensitive adhesive. Specific examples of the external crosslinking method include a method in which a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine crosslinking agent is added and reacted. When an external crosslinking agent is used, the amount thereof to be used is appropriately determined according to the balance with the base polymer to be crosslinked, and further, depending on the intended use as a pressure-sensitive adhesive. Generally, it is preferable that the amount is about 10 parts by weight or less, more preferably 0.1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer. In addition to the above components, additives known in the art such as various tackifiers and anti-aging agents may be used for the pressure-sensitive adhesive, if necessary.
점착제층(3)은, 방사선 경화형 점착제에 의해 형성할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는, 자외선 등의 방사선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜서 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시하는 점착제층(3)의 부분(3a)에만 방사선 조사함으로써, 부분(3b)과의 점착력의 차를 둘 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer (3) can be formed by a radiation-curable pressure-sensitive adhesive. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive can increase the degree of crosslinking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays, and can easily lower the adhesive force. For example, by irradiating only the
또한, 접착 필름(22')에 맞추어, 방사선 경화형 점착제층(3)을 경화시킴으로써, 점착력이 현저하게 저하된 부분(3a)을 용이하게 형성할 수 있다. 경화하여, 점착력이 저하된 부분(3a)에 접착 필름(22')이 부착되어 있기 때문에, 부분(3a)과 접착 필름(22')의 계면은, 픽업 시에 용이하게 박리되는 성질을 갖는다. 한편, 방사선을 조사하지 않은 부분은 충분한 점착력을 갖고 있으며, 부분(3b)을 형성한다.Further, by hardening the radiation-curable pressure-
상술한 바와 같이, 도 1에 도시하는 다이싱·다이 본드 필름(10)의 점착제층(3)에 있어서, 미경화의 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(3b)은 접착 필름(22)과 점착하여, 다이싱할 때의 유지력을 확보할 수 있다. 이렇게 방사선 경화형 점착제는, 반도체 칩을 기판 등의 피착체에 고정하기 위한 접착 필름(22)을 접착·박리의 밸런스 좋게 지지할 수 있다. 도 2에 도시하는 다이싱·다이 본드 필름(10')의 점착제층(3)에서는, 상기 부분(3b)이 웨이퍼 링을 고정할 수 있다.As described above, in the pressure-
방사선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 관능기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화성 점착제를 예시할 수 있다.The radiation-curable pressure-sensitive adhesive can be used without any particular limitation as long as it has a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibits adhesiveness. As the radiation-curing pressure-sensitive adhesive, there can be mentioned, for example, a radiation curable pressure-sensitive adhesive of addition type in which a radiation-curable monomer component or an oligomer component is blended with a common pressure-sensitive adhesive such as the acrylic pressure-
배합하는 방사선 경화성의 단량체 성분으로서는, 예를 들어 우레탄 올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 방사선 경화성의 올리고머 성분은, 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있고, 그 중량 평균 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위의 것이 적당하다. 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여 예를 들어 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부 정도이다.(Meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, Acrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di . Examples of the radiation-curable oligomer component include various oligomers such as urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based and polybutadiene-based oligomers, and a weight average molecular weight of about 100 to 30000 is suitable . The amount of radiation-curable monomer component or oligomer component can appropriately determine the amount by which the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer can be lowered depending on the kind of the pressure-sensitive adhesive layer. Generally, it is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer such as acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.
또한, 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화성 점착제 외에, 베이스 중합체로서, 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형의 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다. 내재형의 방사선 경화성 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나 또는 많이는 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제 중을 이동하지 않아, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.As the radiation curing type pressure-sensitive adhesive, the radiation curable pressure-sensitive adhesive of the internal type which uses, as the base polymer, a compound having a carbon-carbon double bond at the polymer side chain, main chain or main chain terminal in addition to the addition type radiation curable pressure- Since the built-in radiation-curing pressure-sensitive adhesive does not need to contain the oligomer component or the like which is a low-molecular component or the like, the oligomer component does not move in the pressure-sensitive adhesive over time and forms a pressure- It is preferable.
상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 중합체의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 중합체를 들 수 있다.The above-mentioned base polymer having a carbon-carbon double bond may have a carbon-carbon double bond and have a sticking property without particular limitation. As such a base polymer, an acrylic polymer is preferably used as a basic skeleton. As the basic skeleton of the acrylic polymer, there may be mentioned the acrylic polymer exemplified above.
상기 아크릴계 중합체에 대한 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 다양한 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 중합체 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예를 들어, 미리, 아크릴계 중합체에 관능기를 갖는 단량체를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.The method for introducing the carbon-carbon double bond to the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be employed, but molecular design is easy to introduce the carbon-carbon double bond into the side chain of the polymer. For example, after a monomer having a functional group is copolymerized with an acrylic polymer in advance, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is condensed Or an addition reaction is carried out.
이들 관능기의 조합의 예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함 때문에, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 적합하다. 또한, 이들 관능기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 중합체를 생성하는 조합이라면, 관능기는 아크릴계 중합체와 상기 화합물의 어느 측에 있어도 되지만, 상기 바람직한 조합으로는, 아크릴계 중합체가 히드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 중합체로서는, 상기 예시의 히드록시기 함유 단량체나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.Examples of combinations of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is suitable because of the ease of reaction tracking. The functional group may be present either on the acrylic polymer or on either side of the compound, provided that the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond is formed by the combination of these functional groups. The compound having an actual group and having an isocyanate group is suitable. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl- ?,? -Dimethylbenzyl isocyanate and the like have. As the acrylic polymer, a copolymer obtained by copolymerizing the hydroxyl group-containing monomer, the ether compound of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, or diethylene glycol monovinyl ether is used.
상기 내재형의 방사선 경화성 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체(특히 아크릴계 중합체)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 중합체 100중량부에 대하여 30중량부의 범위 내이며, 바람직하게는 0 내지 10중량부의 범위이다.The radiation-curable pressure-sensitive adhesive of the present invention can be used alone as the base polymer (particularly acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond, but it is also possible to mix the radiation curable monomer component or oligomer component have. The radiation-curable oligomer component and the like are usually in the range of 30 parts by weight, preferably 0 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer.
상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광중합 개시제를 함유시키는 것이 바람직하다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여 예를 들어 0.05 내지 20중량부 정도이다.When the radiation-curable pressure-sensitive adhesive is cured by ultraviolet rays or the like, it is preferable to include a photopolymerization initiator. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone,? -Hydroxy- ?,? '- dimethylacetophenone, ? -Ketol compounds such as hydroxypropiophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone and the like; Methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -1; Benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether; Ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; Aromatic sulfonyl chloride-based compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; Optically active oxime compounds such as 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime; Benzophenone compounds such as benzophenone, benzoylbenzoic acid and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; Thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4- Thioxanthone-based compounds such as thionone, 2,4-diisopropylthioxanthone and the like; Camphorquinone; Halogenated ketones; Acylphosphine oxide; Acylphosphonates, and the like. The blending amount of the photopolymerization initiator is, for example, about 0.05 to 20 parts by weight relative to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.
점착제층(3)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 부분(3a)의 점착력<부분(3b)의 점착력이 되도록 점착제층(3)의 일부를 방사선 조사하는 것이 바람직하다. 도 2의 다이싱·다이 본드 필름에서는, 예를 들어 피착체로서 SUS304판(#2000 연마)에 대한 관계에서, 부분(3a)의 점착력<부분(3b)의 점착력이 되도록 한다.When the pressure-
상기 점착제층(3)에 상기 부분(3a)을 형성하는 방법으로서는, 기재(4)에 방사선 경화형의 점착제층(3)을 형성한 후, 상기 부분(3a)에 부분적으로 방사선을 조사해서 경화시키는 방법을 들 수 있다. 부분적인 방사선 조사는, 반도체 웨이퍼 부착 부분(22a)에 대응하는 점착제층(3)의 부분(3a) 이외의 부분(3b) 등에 대응하는 패턴을 형성한 포토마스크를 개재하여 행할 수 있다. 또한, 스폿적으로 자외선을 조사해서 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 방사선 경화형의 점착제층(3)의 형성은, 세퍼레이터 위에 설치한 것을 기재(4) 위에 전사함으로써 행할 수 있다. 부분적인 방사선 경화는, 세퍼레이터 위에 설치한 방사선 경화형의 점착제층(3)에 행할 수도 있다.As a method of forming the
또한, 점착제층(3)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 기재(4)의 적어도 편면의, 반도체 웨이퍼 부착 부분(22a)에 대응하는 부분(3a) 이외의 부분의 모두 또는 일부가 차광된 것을 사용하고, 이것에 방사선 경화형의 점착제층(3)을 형성한 후에 방사선 조사하여, 반도체 웨이퍼 부착 부분(22a)에 대응하는 부분(3a)을 경화시켜, 점착력을 저하시킨 상기 부분(3a)을 형성할 수 있다. 차광 재료로서는, 지지 필름 위에서 포토마스크로 될 수 있는 것을 인쇄나 증착 등으로 제작할 수 있다. 이와 같은 제조 방법에 의하면, 효율적으로 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름(10)을 제조 가능하다.When the pressure sensitive
또한, 방사선 조사 시에, 산소에 의한 경화 저해가 일어나는 경우에는, 방사선 경화형의 점착제층(3)의 표면으로부터 어떠한 방법으로든 산소(공기)를 차단하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 점착제층(3)의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법이나, 질소 가스 분위기 중에서 자외선 등의 방사선의 조사를 행하는 방법 등을 들 수 있다.In addition, when curing inhibition by oxygen occurs at the time of irradiation with radiation, it is preferable to block oxygen (air) from the surface of the radiation-curable pressure-
점착제층(3)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 절결 방지나 접착층의 고정 유지의 양립성 등의 관점에서 1 내지 50㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 내지 30㎛, 나아가 바람직하게는 5 내지 25㎛이다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (3) is not particularly limited, but is preferably about 1 to 50 mu m from the viewpoints of the prevention of cut-off on the chip cut surface and the compatibility of fixing and maintenance of the adhesive layer. Preferably 2 to 30 占 퐉, further preferably 5 to 25 占 퐉.
또한, 점착제층(3)에는, 본 발명의 효과 등을 손상시키지 않는 범위에서, 각종 첨가제(예를 들어, 착색제, 증점제, 증량제, 충전제, 점착 부여제, 가소제, 노화 예방제, 산화 방지제, 계면 활성제, 가교제 등)가 포함되어 있어도 된다.The pressure-
(접착 필름의 제조 방법)(Method for producing adhesive film)
본 실시 형태에 따른 접착 필름은, 예를 들어 다음과 같이 하여 제작된다. 먼저, 접착 필름 형성용의 접착제 조성물을 제조한다. 제조 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 접착 필름의 항에서 설명한 열경화성 수지, 열가소성 수지, 다른 첨가제 등을 용기에 투입하고, 유기 용매에 용해시켜, 균일해지도록 교반함으로써 접착제 조성물 용액으로서 얻을 수 있다.The adhesive film according to the present embodiment is manufactured, for example, as follows. First, an adhesive composition for forming an adhesive film is prepared. The production method is not particularly limited, and for example, a thermosetting resin, a thermoplastic resin and other additives described in the section of the adhesive film are put into a container, dissolved in an organic solvent, and stirred to be homogeneous to obtain an adhesive composition solution have.
상기 유기 용매로서는, 접착 필름을 구성하는 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산할 수 있는 것이라면 제한은 없으며, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 이러한 용매로서는, 예를 들어 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매, 톨루엔, 크실렌 등을 들 수 있다. 건조 속도가 빠르고, 저렴하게 입수할 수 있는 점에서 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등을 사용하는 것이 바람직하다.The organic solvent is not limited as long as it can uniformly dissolve, knead or disperse the components constituting the adhesive film, and conventionally known solvents can be used. Examples of such a solvent include ketone solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, toluene and xylene. It is preferable to use methyl ethyl ketone, cyclohexanone or the like in view of high drying speed and low cost availability.
상기와 같이 하여 제조한 접착제 조성물 용액을 세퍼레이터 위에 소정 두께가 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 도포막을 소정 조건 하에서 건조시킨다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등이 사용 가능하다. 또한, 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 70 내지 160℃, 건조 시간 1 내지 5분간의 범위 내에서 행하여진다. 이에 의해, 본 실시 형태에 따른 접착 필름이 얻어진다.The adhesive composition solution thus prepared is coated on the separator to a predetermined thickness to form a coating film, and then the coating film is dried under predetermined conditions. As the separator, a plastic film or paper surface-coated with a releasing agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based releasing agent, or a long-chain alkyl acrylate-based releasing agent can be used. The coating method is not particularly limited, and examples thereof include roll coating, screen coating, gravure coating, and the like. The drying conditions include, for example, a drying temperature of 70 to 160 DEG C and a drying time of 1 to 5 minutes. Thus, the adhesive film according to the present embodiment is obtained.
(다이싱·다이 본드 필름의 제조 방법)(Production method of dicing die-bonding film)
다이싱·다이 본드 필름(10, 10')은, 예를 들어 다이싱 필름 및 접착 필름을 따로따로 제작해 두고, 마지막으로 이들을 접합함으로써 제작할 수 있다. 구체적으로는, 이하와 같은 수순에 따라서 제작할 수 있다.The dicing die-
먼저, 기재(4)는, 종래 공지된 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T 다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.First, the
이어서, 점착제층 형성용의 점착제 조성물을 제조한다. 점착제 조성물에는, 점착제층의 항에서 설명한 바와 같은 수지나 첨가물 등이 배합되어 있다. 제조한 점착제 조성물을 기재(4) 위에 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜), 점착제층(3)을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 80 내지 150℃, 건조 시간 0.5 내지 5분간의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜서 점착제층(3)을 형성해도 된다. 그 후, 기재(4) 위에 점착제층(3)을 세퍼레이터와 함께 접합한다. 이에 의해, 기재(4) 및 점착제층(3)을 구비하는 다이싱 필름이 제작된다.Then, a pressure-sensitive adhesive composition for forming a pressure-sensitive adhesive layer is prepared. As the pressure-sensitive adhesive composition, resins and additives as described in the section of the pressure-sensitive adhesive layer are mixed. The pressure sensitive adhesive composition thus prepared is applied onto the
계속해서, 다이싱 필름으로부터 세퍼레이터를 박리하고, 접착 필름과 점착제층이 접합면으로 되도록 하여 양자를 접합한다. 접합은, 예를 들어 압착에 의해 행할 수 있다. 이때, 라미네이트 온도는 특별히 한정되지 않고 예를 들어 30 내지 50℃가 바람직하고, 35 내지 45℃가 보다 바람직하다. 또한, 선압은 특별히 한정되지 않고 예를 들어 0.1 내지 20kgf/cm가 바람직하고, 1 내지 10kgf/cm가 보다 바람직하다. 이어서, 접착 필름 위의 세퍼레이터를 박리하여, 본 실시 형태에 따른 다이싱·다이 본드 필름이 얻어진다.Subsequently, the separator is peeled off from the dicing film, and the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive layer are bonded to each other so as to bond them together. The bonding can be performed by, for example, compression bonding. At this time, the temperature of the laminate is not particularly limited, and is preferably 30 to 50 占 폚, for example, and more preferably 35 to 45 占 폚. The line pressure is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 20 kgf / cm, more preferably 1 to 10 kgf / cm, for example. Then, the separator on the adhesive film is peeled off to obtain the dicing die-bonding film according to the present embodiment.
<반도체 장치의 제조 방법><Method of Manufacturing Semiconductor Device>
본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서는, 제1 고정 공정 및 제1 와이어 본딩 공정을 거쳐, 적어도 1개의 제1 반도체 소자가 실장(고정)된 피착체를 미리 준비해 두고(피착체 준비 공정), 이 제1 반도체 소자를, 다이싱 및 픽업을 거친 접착 필름에 의해, 상기 제1 반도체 소자를 포매하면서 상기 제1 반도체 소자와는 상이한 제2 반도체 소자를 상기 피착체에 고정한다. 도 3a 내지 도 3h는, 각각 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, an adherend on which at least one first semiconductor element is mounted (fixed) through a first fixing step and a first wire bonding step is prepared in advance (adherend preparation step) , The first semiconductor element is fixed to the adherend by an adhesive film having passed through dicing and pick-up, while the first semiconductor element is embedded and a second semiconductor element different from the first semiconductor element is fixed. 3A to 3H are cross-sectional views schematically showing one process of a manufacturing method of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
(제1 고정 공정)(First fixing step)
도 3a에 도시한 바와 같이, 제1 고정 공정에서는, 적어도 1개의 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1) 위에 고정한다. 제1 반도체 소자(11)는, 제1 접착 필름(21)을 개재하여 피착체(1)에 고정되어 있다. 도 3a 중에서는 제1 반도체 소자(11)는 1개만 나타나 있지만, 목적으로 하는 반도체 장치의 사양에 따라서 2개, 3개, 4개 또는 5개 이상의 복수의 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1)에 고정해도 된다.As shown in Fig. 3A, at least one
(제1 반도체 소자)(First semiconductor element)
제1 반도체 소자(11)로서는, 제2단째에 적층되는 반도체 소자(제2 반도체 소자(12); 도 3f 참조)보다 평면에서 보았을 때 치수가 작은 소자라면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 반도체 소자의 일종인 컨트롤러나 메모리 칩이나 로직 칩을 적절하게 사용할 수 있다. 컨트롤러는 적층되어 있는 각 반도체 소자의 작동을 제어하는 점에서, 일반적으로 다수의 와이어가 접속된다. 반도체 패키지의 통신 속도는 와이어 길이의 영향을 받는 바, 본 실시 형태에서는 제1 반도체 소자(11)가 피착체(1)에 고정되어 최하단에 위치하므로, 와이어 길이를 단축할 수 있고, 이에 의해 반도체 소자의 적층 수를 증가시켜도 반도체 패키지(반도체 장치)의 통신 속도의 저하를 억제할 수 있다.The
제1 반도체 소자(11)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상 100㎛ 이하인 경우가 많다. 또한, 최근의 반도체 패키지의 박형화에 수반하여 75㎛ 이하, 나아가 50㎛ 이하의 제1 반도체 소자(11)도 사용되고 있다.Although the thickness of the
(피착체)(Adherend)
피착체(1)로서는, 기판이나 리드 프레임, 다른 반도체 소자 등을 들 수 있다. 기판으로서는, 프린트 배선 기판 등의 종래 공지된 기판을 사용할 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임으로서는, Cu 리드 프레임, 42 Alloy 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임이나 유리 에폭시, BT(비스말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등을 포함하는 유기 기판을 사용할 수 있다. 그러나, 본 실시 형태는 이것에 한정되는 것은 아니며, 반도체 소자를 마운트하여, 반도체 소자와 전기적으로 접속하여 사용 가능한 회로 기판도 포함된다.Examples of the
(제1 접착 필름)(First adhesive film)
제1 접착 필름(21)으로서는, 상기 포매용 접착 필름을 사용해도 되고, 종래 공지된 반도체 소자 고정용의 접착 필름을 사용해도 된다. 단, 포매용 접착 필름을 사용하는 경우, 제1 접착 필름(21)은, 반도체 소자를 포매할 필요가 없으므로, 두께를 5㎛ 내지 60㎛ 정도로 얇게 하여 사용하면 된다.As the first
(고정 방법)(Fixing method)
도 3a에 도시한 바와 같이, 제1 반도체 소자(11)를 제1 접착 필름(21)을 개재하여 피착체(1)에 다이 본드한다. 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1) 위에 고정하는 방법으로서는, 예를 들어 피착체(1) 위에 제1 접착 필름(21)을 적층한 후, 이 제1 접착 필름(21) 위에 와이어 본드면이 상측이 되도록 하여 제1 반도체 소자(11)를 적층하는 방법을 들 수 있다. 또한, 미리 제1 접착 필름(21)이 부착된 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1) 위에 배치하여 적층해도 된다.The
제1 접착 필름(21)은 반경화 상태이므로, 제1 접착 필름(21)의 피착체(1) 위로의 적재 후, 소정 조건 하에서의 열처리를 행함으로써, 제1 접착 필름(21)을 열경화시켜서 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1) 위에 고정시킨다. 열처리를 행할 때의 온도는, 100 내지 200℃에서 행하는 것이 바람직하고, 120℃ 내지 180℃의 범위 내에서 행하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 열처리 시간은 0.25 내지 10시간에 행하는 것이 바람직하고, 0.5 내지 8시간에 행하는 것이 보다 바람직하다.Since the first
(제1 와이어 본딩 공정)(First wire bonding process)
제1 와이어 본딩 공정은, 피착체(1)의 단자부(예를 들어 이너 리드)의 선단과 제1 반도체 소자(11) 위의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(31)로 전기적으로 접속하는 공정이다(도 3b 참조). 본딩 와이어(31)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선 또는 동선 등이 사용된다. 와이어 본딩을 행할 때의 온도는, 80 내지 250℃, 바람직하게는 80 내지 220℃의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 그 가열 시간은 수초 내지 수분간 행하여진다. 결선은, 상기 온도 범위 내가 되도록 가열된 상태에서, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 행하여진다.The first wire bonding step is a step of electrically connecting the tip of a terminal portion (for example, an inner lead) of the adhered
(웨이퍼 접합 공정)(Wafer bonding step)
별도, 도 3c에 도시한 바와 같이, 다이싱·다이 본드 필름(10)에서의 포매용 접착 필름(22) 위에 반도체 웨이퍼(2)를 압착하고, 이것을 접착 유지시켜서 고정한다(접합 공정). 본 공정은, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다.Separately, as shown in Fig. 3C, the
(다이싱 공정)(Dicing step)
이어서, 도 3d에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(2)의 다이싱을 행한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(2)를 소정의 크기로 절단하여 개편화하고, 반도체 칩(12)을 제조한다(다이싱 공정). 본 실시 형태의 다이싱·다이 본드 필름(10)에서는, 접착 필름(22)과 점착제층(3)의 사이의 박리력을 소정 범위로 하고 있으므로, 다이싱 블레이드의 사행이 발생했다고 해도, 접착 필름(22)과 점착제층(3)의 사이에서의 박리를 방지할 수 있어, 순조롭게 다이싱을 행할 수 있다.Then, as shown in Fig. 3D, the
다이싱은, 예를 들어 반도체 웨이퍼(2)의 회로면측에서 통상법에 따라 행하여진다. 또한, 본 공정에서는, 예를 들어 다이싱 필름(5)까지 절단을 행하는 풀컷이라고 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 사용하는 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼는, 다이싱·다이 본드 필름(10)에 의해 접착 고정되어 있으므로, 칩 절결이나 칩 비산을 억제할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼(2)의 파손도 억제할 수 있다. 또한, 포매용 접착 필름(22)을 사용하고 있으므로, 다이싱 후의 재접착을 방지할 수 있어, 다음의 픽업 공정을 양호하게 행할 수 있다.The dicing is performed, for example, in accordance with a conventional method on the circuit surface side of the
(픽업 공정)(Pickup process)
도 3e에 도시한 바와 같이, 다이싱·다이 본드 필름(10)에 접착 고정된 반도체 칩(12)을 박리하기 위해서, 포매용 접착 필름(22)과 함께 반도체 칩(12)의 픽업을 행한다(픽업 공정). 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 종래 공지된 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 개개의 반도체 칩(12)을 기재(4)측으로부터 니들에 의해 밀어 올려, 밀어 올려진 반도체 칩(12)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.The
여기서 픽업은, 점착제층(3)이 방사선(자외선) 경화형이며, 또한 미리 어느 정도 경화되어 있는 점착제층(3)에 접착 필름(22)이 접합되어 있는 경우에는, 그대로 픽업 공정을 행할 수 있다. 점착제층(3)이 방사선(자외선) 경화형이며, 픽업 공정까지 미경화인 경우, 상기 점착제층(3)에 자외선을 조사한 후에 행한다. 이에 의해, 점착제층(3)의 접착 필름(22)에 대한 점착력이 저하되어, 반도체 칩(12)의 박리가 용이해진다. 그 결과, 반도체 칩을 손상시키지 않고 픽업이 가능하게 된다. 자외선 조사 시의 조사 강도, 조사 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않고 적절히 필요에 따라 설정하면 된다. 또한, 자외선 조사에 사용하는 광원으로서는, 고압 수은등, 마이크로파 여기형 램프, 케미컬 램프 등을 사용할 수 있다.Here, the pick-up can be carried out as it is when the pressure sensitive
(제2 고정 공정)(Second fixing step)
제2 고정 공정에서는, 제2 반도체 소자(12)와 함께 픽업한 포매용 접착 필름(22)을 개재하여, 별도 피착체(1) 위에 고정해 둔 제1 반도체 소자(11)를 포매하면서 상기 제1 반도체 소자(11)와는 상이한 제2 반도체 소자(12)를 상기 피착체(1)에 고정한다(도 3f 참조). 포매용 접착 필름(22)은, 상기 제1 반도체 소자(11)의 두께(T1)보다 두꺼운 두께(T)를 갖고 있다. 본 실시 형태에서는, 상기 피착체(1)와 상기 제1 반도체 소자(11)의 전기적 접속이 와이어 본딩 접속에 의해 달성되는 점에서, 상기 두께(T)와 상기 두께(T1)의 차는 40㎛ 이상 260㎛ 이하가 바람직하다. 상기 두께(T)와 상기 두께(T1)의 차의 하한은 40㎛ 이상이 바람직하지만, 50㎛ 이상이 보다 바람직하고, 60㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 두께(T)와 상기 두께(T1)의 차의 상한은 260㎛ 이하가 바람직하지만, 200㎛ 이하가 보다 바람직하고, 150㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 이에 의해, 반도체 장치 전체의 박형화를 도모하면서도, 제1 반도체 소자(11)와 제2 반도체 소자(12)의 접촉을 방지하면서 제1 반도체 소자(11) 전체를 포매용 접착 필름(22)의 내부에 포매할 수 있어, 컨트롤러로서의 제1 반도체 소자(11)의 피착체(1) 위에 대한 고정(즉, 와이어 길이가 최단이 되는 최하단에서의 고정)을 가능하게 한다.In the second fixing step, while the
포매용 접착 필름(22)의 두께(T)는, 제1 반도체 소자(11)를 포매 가능하도록 제1 반도체 소자(11)의 두께(T1) 및 와이어 돌출량을 고려하여 적절히 설정하면 되는데, 그 하한은 80㎛ 이상이 바람직하고, 100㎛ 이상이 보다 바람직하고, 120㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 두께(T)의 상한은(300㎛ 이하가 바람직하고, 200㎛ 이하가 보다 바람직하고, 150㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 이렇게 접착 필름을 비교적 두껍게 함으로써, 일반적인 컨트롤러의 두께를 거의 커버할 수 있어, 제1 반도체 소자(11)의 포매용 접착 필름(22)에 대한 포매를 용이하게 행할 수 있다.The thickness T of the embedding
(제2 반도체 소자)(Second semiconductor element)
제2 반도체 소자(12)로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 컨트롤러로서의 제1 반도체 소자(11)의 작동 제어를 받는 메모리 칩을 사용할 수 있다.The
(고정 방법)(Fixing method)
제2 반도체 소자(12)를 피착체(1) 위에 고정하는 방법으로서는, 제1 고정 공정과 마찬가지로, 예를 들어 피착체(1) 위에 포매용 접착 필름(22)을 적층한 후, 이 포매용 접착 필름(22) 위에 와이어 본드면이 상측이 되도록 하여 제2 반도체 소자(12)를 적층하는 방법을 들 수 있다. 또한, 미리 포매용 접착 필름(22)이 부착된 제2 반도체 소자(12)를 피착체(1)에 배치하여 적층해도 된다.As a method for fixing the
제1 반도체 소자(11)의 포매용 접착 필름(22)으로의 진입 및 포매를 용이하게 하기 위해서, 다이 본드 시에는 포매용 접착 필름(22)에 대한 가열 처리를 행하는 것이 바람직하다. 가열 온도로서는 포매용 접착 필름(22)이 연화되고, 또한 완전히 열경화하지 않는 온도이면 되며, 80℃ 이상 150℃ 이하가 바람직하고, 100℃ 이상 130℃ 이하가 보다 바람직하다. 이때 0.1MPa 이상 1.0MPa 이하에서 가압해도 된다.In order to facilitate entry and embedding of the
포매용 접착 필름(22)은 반경화 상태이므로, 포매용 접착 필름(22)의 피착체(1) 위로의 적재 후, 소정 조건 하에서의 열처리를 행함으로써, 포매용 접착 필름(22)을 열경화시켜서 제2 반도체 소자(12)를 피착체(1) 위에 고정시킨다. 열처리를 행할 때의 온도는, 100 내지 200℃에서 행하는 것이 바람직하고, 120℃ 내지 180℃의 범위 내에서 행하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 열처리 시간은 0.25 내지 10시간에 행하는 것이 바람직하고, 0.5 내지 8시간에 행하는 것이 보다 바람직하다.Since the forming
이때, 열경화 후의 포매용 접착 필름(22)의 피착체(1)에 대한 전단 접착력은, 25 내지 250℃에서 0.1MPa 이상인 것이 바람직하고, 0.2 내지 10MPa인 것이 보다 바람직하다. 포매용 접착 필름(22)의 전단 접착력을 0.1MPa 이상으로 하면, 제2 반도체 소자(12)에 대한 와이어 본딩 공정에서의 초음파 진동이나 가열에 의해, 포매용 접착 필름(22)과 제2 반도체 소자(12) 또는 피착체(1)와의 접착면에서의 전단 변형의 발생을 억제할 수 있다. 즉, 와이어 본딩 시의 초음파 진동에 의해 제2 반도체 소자(12)가 움직이는 것을 억제하고, 이에 의해 와이어 본딩의 성공률이 저하되는 것을 방지할 수 있다.At this time, the shear adhesive force of the enveloping
그 후, 제1 와이어 본딩 공정과 마찬가지로, 제2 반도체 소자와 피착체를 본딩 와이어로부터 전기적으로 접속하는 공정을 적절하게 설치할 수 있다.Thereafter, as in the first wire bonding step, a step of electrically connecting the second semiconductor element and the adherend from the bonding wire can be suitably provided.
(제3 고정 공정)(Third fixing step)
제3 고정 공정에서는, 상기 제2 반도체 소자(12) 위에 상기 제2 반도체 소자와 동종 또는 이종의 제3 반도체 소자(13)를 고정한다(도 3g 참조). 제3 반도체 소자(13)는, 제3 접착 필름(23)을 개재하여 제2 반도체 소자(12)에 고정되어 있다.In the third fixing step, the same or different
(제3 반도체 소자)(Third semiconductor element)
제3 반도체 소자(13)는, 제2 반도체 소자(12)와 동종의 메모리 칩이나 제2 반도체 소자(12)와 이종의 메모리 칩이어도 된다. 제3 반도체 소자(13)의 두께도 목적으로 하는 반도체 장치의 사양에 따라서 적절히 설정할 수 있다.The
(제3 접착 필름) (Third adhesive film)
제3 접착 필름(23)으로서는, 제1 고정 공정에서의 제1 접착 필름(21)과 마찬가지의 것을 적절하게 사용할 수 있다. 제3 접착 필름(23)으로서 포매용 접착 필름(22)을 사용하는 경우에는, 다른 반도체 소자의 포매가 불필요하므로, 두께를 5㎛ 내지 60㎛ 정도로 얇게 하여 사용하면 된다.As the third
(고정 방법)(Fixing method)
도 3g에 도시한 바와 같이, 제3 반도체 소자(13)를 제3 접착 필름(23)을 개재하여 제2 반도체 소자(12)에 다이 본드한다. 제3 반도체 소자(13)를 제2 반도체 소자(12) 위에 고정하는 방법으로서는, 예를 들어 제2 반도체 소자(12) 위에 제3 접착 필름(23)을 적층한 후, 이 제3 접착 필름(23) 위에 와이어 본드면이 상측이 되도록 하여 제3 반도체 소자(13)를 적층하는 방법을 들 수 있다. 또한, 미리 제3 접착 필름(23)이 부착된 제3 반도체 소자(13)를 제2 반도체 소자(12) 위에 배치하여 적층해도 된다. 단, 후술하는 제2 반도체 소자(12)와 제3 반도체 소자(13) 사이에서의 와이어 본딩을 위해서, 제2 반도체 소자(12)의 와이어 본드면(상면)의 전극 패드를 피하도록 제3 반도체 소자(13)를 제2 반도체 소자(12)에 대하여 어긋나게 고정하는 경우가 있다. 이 경우, 제3 접착 필름(23)을 먼저 제2 반도체 소자(12)의 상면에 부착해 두면, 제3 접착 필름(23)의 제2 반도체 소자(12)의 상면으로부터 비어져나온 부분(소위 오버행부)이 절곡되어서 제2 반도체 소자(12)의 측면이나 포매용 접착 필름(22)의 측면에 부착되어, 예기하지 못한 문제가 발생할 우려가 있다. 따라서, 제3 고정 공정에서는, 미리 제3 접착 필름(23)을 제3 반도체 소자(13)에 부착해 두고, 이것을 제2 반도체 소자(12) 위에 배치하여 적층하는 것이 바람직하다.The
제3 접착 필름(23)도 반경화 상태이므로, 제3 접착 필름(23)의 제2 반도체 소자(12) 위로의 적재 후, 소정 조건 하에서의 열처리를 행함으로써, 제3 접착 필름(23)을 열경화시켜서 제3 반도체 소자(13)를 제2 반도체 소자(12) 위에 고정시킨다. 또한, 제3 접착 필름(23)의 탄성률이나 프로세스 효율을 고려하여, 열처리를 행하지 않고 제3 반도체 소자(13)를 고정시킬 수도 있다. 열처리를 행할 때의 온도는, 100 내지 200℃에서 행하는 것이 바람직하고, 120℃ 내지 180℃의 범위 내에서 행하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 열처리 시간은 0.25 내지 10시간에 행하는 것이 바람직하고, 0.5 내지 8시간에 행하는 것이 보다 바람직하다.Since the third
(제2 와이어 본딩 공정)(Second wire bonding process)
제2 와이어 본딩 공정은, 제2 반도체 소자(12) 위의 전극 패드(도시하지 않음)와 제3 반도체 소자(13) 위의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(32)로 전기적으로 접속하는 공정이다(도 3h 참조). 와이어의 재료나 와이어 본딩 조건은 제1 와이어 본딩 공정과 마찬가지의 것을 적절하게 채용할 수 있다.The second wire bonding step is a step of electrically connecting an electrode pad (not shown) on the
(반도체 장치)(Semiconductor device)
이상의 공정에 의해, 3개의 반도체 소자가 소정의 접착 필름을 개재하여 다단 적층된 반도체 장치(100)를 제조할 수 있다. 또한, 제3 고정 공정 및 제2 와이어 본딩 공정과 마찬가지의 수순을 반복함으로써, 4개 이상의 반도체 소자가 적층된 반도체 장치를 제조할 수 있다.By the above process, the
(밀봉 공정)(Sealing step)
원하는 수의 반도체 소자를 적층한 후, 반도체 장치(100) 전체를 수지 밀봉하는 밀봉 공정을 행해도 된다. 밀봉 공정은, 밀봉 수지에 의해 반도체 장치(100)를 밀봉하는 공정이다(도시하지 않음). 본 공정은, 피착체(1)에 탑재된 반도체 소자나 본딩 와이어를 보호하기 위해 행해진다. 본 공정은, 예를 들어 밀봉용의 수지를 금형으로 성형함으로써 행한다. 밀봉 수지로서는, 예를 들어 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 밀봉 시의 가열 온도는, 통상 175℃에서 60 내지 90초간 행하여지지만, 본 실시 형태는 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 165 내지 185℃에서 수분간 큐어할 수 있다. 또한 본 공정에서는, 수지 밀봉 시에 가압해도 된다. 이 경우, 가압하는 압력은 1 내지 15MPa인 것이 바람직하고, 3 내지 10MPa인 것이 보다 바람직하다.A sealing step of resin-sealing the
(후 경화 공정)(Post-curing process)
본 실시 형태에서는, 밀봉 공정 후에, 밀봉 수지를 후 경화하는 후 경화 공정을 행해도 된다. 본 공정에서는, 상기 밀봉 공정에서 경화 부족의 밀봉 수지를 완전히 경화시킨다. 본 공정에서의 가열 온도는, 밀봉 수지의 종류에 따라 상이한데, 예를 들어 165 내지 185℃의 범위 내이며, 가열 시간은 0.5 내지 8시간 정도이다. 밀봉 공정 또는 후 경화 공정을 거침으로써 반도체 패키지를 제작할 수 있다.In the present embodiment, a post-curing step of post-curing the sealing resin may be performed after the sealing step. In this step, the sealing resin lacking curing is completely cured in the sealing step. The heating temperature in this step differs depending on the type of the sealing resin, for example, in the range of 165 to 185 占 폚, and the heating time is about 0.5 to 8 hours. The semiconductor package can be manufactured by passing through a sealing process or a post-curing process.
<실시 형태 1-2>≪ Embodiment 1-2 >
실시 형태 1-1에서는, 제1 반도체 소자의 피착체에 대한 고정을 접착 필름에 의해 행하고, 양자간의 전기적 접속을 와이어 본딩에 의해 도모하고 있었지만, 실시 형태 1-2에서는, 제1 반도체 소자에 설치된 돌기 전극을 사용한 플립 칩 접속에 의해 양자간의 고정 및 전기적 접속을 도모하고 있다. 따라서, 실시 형태 1-2는, 제1 고정 공정에서의 고정 양식만 실시 형태 1-1과 상이하므로, 이하에서는 주로 이 상위점에 대하여 설명한다.In Embodiment 1-1, the first semiconductor element is fixed to an adherend by an adhesive film, and electrical connection between the first and second semiconductor elements is achieved by wire bonding. In Embodiments 1-2, The flip chip connection using the protruding electrodes is used to fix and electrically connect the two. Therefore, Embodiment 1-2 differs from Embodiment 1-1 only in the fixing form in the first fixing step, and therefore the difference will mainly be described below.
(제1 고정 공정)(First fixing step)
본 실시 형태에서는, 상기 제1 고정 공정에서, 제1 반도체 소자(41)를 피착체(1)에 플립 칩 접속에 의해 고정한다(도 4a 참조). 플립 칩 접속에서는, 제1 반도체 소자(41)의 회로면이 피착체(1)와 대향하는 소위 페이스 다운 실장이 된다. 제1 반도체 소자(41)에는 범프 등의 돌기 전극(43)이 복수 설치되어 있고, 돌기 전극(43)과 피착체(1) 위의 전극(도시하지 않음)이 접속되어 있다. 또한, 피착체(1)와 제1 반도체 소자(41)의 사이에는, 양자간의 열팽창률의 차의 완화나 양자간의 공간의 보호를 목적으로, 언더필재(44)가 충전되고 있다.In this embodiment, in the first fixing step, the
접속 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 플립 칩 본더에 의해 접속할 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체 소자(41)에 형성되어 있는 범프 등의 돌기 전극(43)을 피착체(1)의 접속 패드에 피착된 접합용의 도전재(땜납 등)에 접촉시켜서 가압하면서 도전재를 용융시킴으로써, 제1 반도체 소자(41)와 피착체(1)의 전기적 도통을 확보하여, 제1 반도체 소자(41)를 피착체(1)에 고정시킬 수 있다(플립 칩 본딩). 일반적으로, 플립 칩 접속 시의 가열 조건으로서는 240 내지 300℃이고, 가압 조건으로서는 0.5 내지 490N이다.The connection method is not particularly limited, and can be connected by a conventionally known flip chip bonder. For example, the protruding
돌기 전극(43)으로서 범프를 형성할 때의 재질로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 주석-납계 금속재, 주석-은계 금속재, 주석-은-구리계 금속재, 주석-아연계 금속재, 주석-아연-비스무트계 금속재 등의 땜납류(합금)나, 금계 금속재, 구리계 금속재 등을 들 수 있다.The material for forming the bump as the protruding
언더필재(44)로서는, 종래 공지된 액상 또는 필름 형상의 언더필재를 사용할 수 있다.As the
(제2 고정 공정)(Second fixing step)
제2 고정 공정에서는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 포매용 접착 필름(22)에 의해, 상기 제1 반도체 소자(41)를 포매하면서 상기 제1 반도체 소자(41)와는 상이한 제2 반도체 소자(12)를 상기 피착체(1)에 고정한다(도 4b 참조). 본 공정에서의 조건은 제1 실시 형태에서의 제2 고정 공정과 마찬가지이다. 본 실시예에서도 특정한 용융 점도를 갖는 포매용 접착 필름(22)을 사용하고 있으므로, 제2 반도체 소자(12)로부터의 필름의 비어져나옴을 방지하면서, 포매용 접착 필름(22)의 피착체(1)에 대한 밀착성을 높여서 보이드의 발생을 방지할 수 있다.In the second fixing step, as in the first embodiment, the second semiconductor element (12), which is different from the first semiconductor element (41) while embedding the first semiconductor element (41) Is fixed to the adherend 1 (see Fig. 4B). The conditions in this step are the same as those in the second fixing step in the first embodiment. In this embodiment also, since the film forming
포매용 접착 필름(22)은, 상기 제1 반도체 소자(41)의 두께(T1)보다 두꺼운 두께(T)를 갖고 있다. 본 실시 형태에서는, 상기 피착체(1)와 상기 제1 반도체 소자(41)가 플립 칩 접속되는 점에서, 상기 두께(T)와 상기 두께(T1)의 차는 10㎛ 이상 200㎛ 이하가 바람직하다. 상기 두께(T)와 상기 두께(T1)의 차의 하한은 10㎛ 이상이 바람직하지만, 20㎛ 이상이 보다 바람직하고, 30㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 두께(T)와 상기 두께(T1)의 차의 상한은 200㎛ 이하가 바람직하지만, 150㎛ 이하가 보다 바람직하고, 100㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 이와 같은 구성에 의해, 반도체 장치 전체의 박형화를 도모하는 동시에, 제1 반도체 소자(41)와 제2 반도체 소자(12)의 접촉을 방지하면서 제1 반도체 소자(41) 전체를 포매용 접착 필름(22)의 내부에 포매할 수 있어, 컨트롤러로서의 제1 반도체 소자(41)의 피착체(1) 위로의 고정(즉, 통신 경로 길이가 최단이 되는 최하단에서의 고정)을 가능하게 한다.The
포매용 접착 필름(22)의 두께(T)는, 제1 반도체 소자(41)를 포매 가능하도록 제1 반도체 소자(41)의 두께(T1) 및 돌기 전극의 높이를 고려하여 적절히 설정하면 되지만, 그 하한은 50㎛ 이상이 바람직하고, 60㎛ 이상이 보다 바람직하고, 70㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 두께(T)의 상한은 250㎛ 이하가 바람직하고, 200㎛ 이하가 보다 바람직하고, 150㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 이렇게 포매용 접착 필름(22)을 비교적 두껍게 함으로써, 일반적인 컨트롤러의 두께를 거의 커버할 수 있어, 제1 반도체 소자(41)의 포매용 접착 필름(22)에 대한 포매를 용이하게 행할 수 있다.The thickness T of the embedding
계속해서 제1 실시 형태와 마찬가지로, 제2 반도체 소자(12) 위에 상기 제2 반도체 소자(12)와 동종 또는 이종의 제3 반도체 소자(13)를 고정하는 제3 고정 공정(도 4c 참조) 및 상기 제2 반도체 소자(12)와 상기 제3 반도체 소자(13)를 본딩 와이어(32)에 의해 전기적으로 접속하는 제2 와이어 본딩 공정(도 4d 참조)을 거침으로써, 컨트롤러가 최하단에 적층되고, 그 상방에 반도체 소자가 복수단 적층된 반도체 장치(200)를 제작할 수 있다.Subsequently, as in the first embodiment, the third fixing step (see FIG. 4C) of fixing the
<다른 실시 형태><Other Embodiments>
실시 형태 1-1에서는, 다이싱·다이 본드 필름을 사용하는 다이싱 공정 및 픽업 공정을 거쳐서 제2 반도체 소자(12)를 제작하고 있다. 또한, 제1 반도체 소자(11)도 마찬가지로 다이싱·다이 본드 필름을 사용하여 제작해도 된다. 이 경우, 제1 반도체 소자(11)를 잘라내기 위한 반도체 웨이퍼를 별도 준비하고, 그 후에는 상기 웨이퍼 접합 공정, 다이싱 공정, 픽업 공정을 거쳐, 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1)에 고정하면 된다. 제3 반도체 소자(13) 및 이것보다 상단에 적층되는 반도체 소자도 마찬가지로 제작할 수 있다.In Embodiment 1-1, the
피착체 위에 반도체 소자를 3차원 실장하는 경우, 반도체 소자의 회로가 형성되는 면측에는, 버퍼 코팅막이 형성되어 있어도 된다. 당해 버퍼 코팅막으로서는, 예를 들어 질화규소막이나 폴리이미드 수지 등의 내열 수지를 포함하는 것을 들 수 있다.When a semiconductor device is mounted on an adherend in a three-dimensional manner, a buffer coating film may be formed on the surface of the semiconductor device on which circuits are formed. Examples of the buffer coating film include a heat-resistant resin such as a silicon nitride film or a polyimide resin.
각 실시 형태에서는, 제2 반도체 소자 이후의 반도체 소자를 적층할 때마다 와이어 본딩 공정을 행하는 형태에 대하여 설명했지만, 복수의 반도체 소자를 적층시킨 후에, 일괄하여 와이어 본딩 공정을 행하는 것도 가능하다. 또한, 제1 반도체 소자에 대해서는 포매용 접착 필름에 의해 포매되므로, 일괄된 와이어 본딩의 대상으로 할 수는 없다.In each of the embodiments, the wire bonding process is performed every time the semiconductor elements after the second semiconductor element are laminated. However, it is also possible to carry out the wire bonding process collectively after stacking a plurality of semiconductor elements. Further, since the first semiconductor element is embedded by the adhesive film for forming a pucker, it can not be an object of collective wire bonding.
플립 칩 접속의 형태로서는, 실시 형태 1-2에서 설명한 돌기 전극으로서의 범프에 의한 접속에 한정되지 않고, 도전성 접착제 조성물에 의한 접속이나, 범프와 도전성 접착제 조성물을 조합한 돌기 구조에 의한 접속 등도 채용할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 제1 반도체 소자의 회로면이 피착체와 대향하여 접속되는 페이스 다운 실장이 되는 한, 돌기 전극이나 돌기 구조 등의 접속 양식의 상이에 관계없이 플립 칩 접속이라고 칭하기로 한다. 도전성 접착제 조성물로서는, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지에 금, 은, 구리 등의 도전성 필러를 혼합시킨 종래 공지된 도전성 페이스트 등을 사용할 수 있다. 도전성 접착제 조성물을 사용하는 경우, 피착체에 대한 제1 반도체 소자의 탑재 후, 80 내지 150℃에서 0.5 내지 10시간 정도 열경화 처리함으로써 제1 반도체 소자를 고정할 수 있다.The form of the flip chip connection is not limited to the connection by the bump as the protruding electrode described in Embodiment 1-2, but also the connection by the conductive adhesive composition, the connection by the projection structure in which the bump and the conductive adhesive composition are combined . In the present invention, as long as the circuit surface of the first semiconductor element is face-down mounted so as to be opposed to the adherend, the flip chip connection will be referred to as flip chip connection irrespective of the connection mode of the protruding electrode or the protruding structure. As the conductive adhesive composition, conventionally known conductive pastes prepared by mixing a conductive filler such as gold, silver, and copper with a thermosetting resin such as an epoxy resin can be used. When the conductive adhesive composition is used, the first semiconductor element can be fixed by placing the first semiconductor element on an adherend and thermally curing it at 80 to 150 DEG C for about 0.5 to 10 hours.
《제2 실시 형태》&Quot; Second Embodiment &
본 발명의 제2 실시 형태는, 피착체 위에 고정된 제1 반도체 소자를 포매하고, 또한 상기 제1 반도체 소자와는 상이한 제2 반도체 소자를 피착체에 고정하기 위한 접착 필름을 준비하는 공정,A second embodiment of the present invention is a process for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of preparing an adhesive film for embedding a first semiconductor element fixed on an adherend and for fixing a second semiconductor element different from the first semiconductor element to an adherend,
적어도 1개의 제1 반도체 소자를 피착체 위에 고정하는 제1 고정 공정, 및A first fixing step of fixing at least one first semiconductor element on an adherend, and
상기 접착 필름에 의해, 상기 제1 반도체 소자를 포매하면서 상기 제1 반도체 소자와는 상이한 제2 반도체 소자를 상기 피착체에 고정하는 제2 고정 공정A second fixing step of fixing the second semiconductor element, which is different from the first semiconductor element, to the adherend while embedding the first semiconductor element by the adhesive film;
을 포함하고,/ RTI >
상기 제1 반도체 소자의 평면에서 보았을 때의 면적이, 상기 제2 반도체 소자의 평면에서 보았을 때의 면적의 40％ 이하인 반도체 장치의 제조 방법이다.Wherein an area of the first semiconductor element in a plane is not more than 40% of an area of the second semiconductor element in a plane of the second semiconductor element.
<실시 형태 2-1>≪ Embodiment 2-1 >
<접착 필름, 다이싱 필름, 다이싱·다이 본드 필름>≪ Adhesive film, dicing film, dicing die-bonding film &
이하, 본 실시 형태에 관하여, 제1 실시 형태와 상이한 점을 중심으로 설명한다. 본 실시 형태의 포매용 접착 시트 등은, 특히 본 실시 형태의 항에서 설명한 것 이외의 특성으로서, 제1 실시 형태의 접착 시트 등과 마찬가지의 일반적 특성을 발휘할 수 있다. 또한, 본 실시 형태의 다이싱 필름, 포매용 접착 필름 및 다이싱·다이 본드 필름의 구성, 성분, 조성 및 배합량 및 그것들의 제조 방법 등은, 제1 실시 형태에 기재된 것을 적절하게 채용할 수 있다. 이하는, 본 실시 형태의 특유한 사항에 대하여 설명한다.Hereinafter, the present embodiment will be described focusing on the differences from the first embodiment. The porous adhesive sheet or the like of this embodiment can exhibit the same general characteristics as those of the adhesive sheet or the like of the first embodiment as characteristics other than those described in the section of this embodiment. The constitution, components, composition and blending amount of the dicing film, the puckering adhesive film, and the dicing die-bonding film of the present embodiment and the method for producing them can be suitably employed in the first embodiment . Hereinafter, specific matters of the present embodiment will be described.
상기 접착 필름의 120℃에서의 용융 점도는, 제1 반도체 소자의 포매성을 갖는 한 특별히 한정되지 않지만, 그 상한은 3000Pa·S 이하가 바람직하고, 2000Pa·S 이하가 보다 바람직하고, 1500Pa·S 이하가 더욱 바람직하다. 한편, 상기 용융 점도의 하한은 100Pa·S 이상이 바람직하고, 200Pa·S 이상이 보다 바람직하고, 500Pa·S 이상이 더욱 바람직하다. 용융 점도의 상한을 상기 범위로 함으로써, 접착 필름(22)에 의한 제2 반도체 소자(12)의 피착체(1)에 대한 고정 시에, 제1 반도체 소자(11)의 접착 필름(22)에 대한 포매를 보다 용이하게 행할 수 있다. 또한, 용융 점도의 하한을 상기 범위로 함으로써, 접착 필름(22)에 의한 제2 반도체 소자(12)의 피착체(1)에 대한 고정 시에, 접착 필름(22)의 제2 반도체 소자(12)로부터의 비어져나옴을 억제할 수 있다.The melt viscosity of the adhesive film at 120 캜 is not particularly limited as long as it has the ability to form the first semiconductor element, but the upper limit thereof is preferably not more than 3000 Pa · S, more preferably not more than 2000 Pa · S, Or less. On the other hand, the lower limit of the melt viscosity is preferably 100 Pa · S or higher, more preferably 200 Pa · S or higher, and even more preferably 500 Pa · S or higher. When the upper limit of the melt viscosity is set within the above range, the
<반도체 장치의 제조 방법><Method of Manufacturing Semiconductor Device>
본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서는, 상술한 포매용 접착 필름을 구비하는 다이싱·다이 본드 필름을 준비함과 함께, 제1 고정 공정 및 제1 와이어 본딩 공정을 거쳐, 적어도 1개의 제1 반도체 소자가 실장(고정)된 피착체를 미리 준비해 두고(피착체 준비 공정), 이 제1 반도체 소자를, 다이싱 및 픽업을 거친 접착 필름에 의해, 상기 제1 반도체 소자를 포매하면서 상기 제1 반도체 소자와는 상이한 제2 반도체 소자를 상기 피착체에 고정한다. 제1 실시 형태의 도 3a 내지 도 3h는, 각각 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에도 적용할 수 있다. 도 6은, 도 3f에 나타내는 제1 반도체 소자 및 제2 반도체 소자의 일부 투시 평면도이다.In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, a dicing die-bonding film having the above-described bonding film for forming a pellet is prepared, and a first fixing step and a first wire bonding step are performed to form at least one first A step of preparing an adherend on which a semiconductor element is mounted (fixed) in advance (adherend preparation step), and bonding the first semiconductor element to the first semiconductor element by embedding the first semiconductor element by a dicing and pick- A second semiconductor element different from the semiconductor element is fixed to the adherend. 3A to 3H of the first embodiment can also be applied to the manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment. Fig. 6 is a partial perspective plan view of the first semiconductor element and the second semiconductor element shown in Fig. 3F.
본 실시 형태의 반도체 장치의 제조 방법 등은, 제1 실시 형태에 기재된 것을 적절하게 채용할 수 있다. 이하는, 본 실시 형태의 특유한 사항에 대하여 설명한다.The manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment and the like can appropriately adopt the one described in the first embodiment. Hereinafter, specific matters of the present embodiment will be described.
(제2 고정 공정)(Second fixing step)
제2 고정 공정에서는, 제2 반도체 소자(12)와 함께 픽업한 포매용 접착 필름(22)을 개재하여, 별도 피착체(1) 위에 고정해 둔 제1 반도체 소자(11)를 포매하면서 상기 제1 반도체 소자(11)와는 상이한 제2 반도체 소자(12)를 상기 피착체(1)에 고정한다(도 3f 참조).In the second fixing step, while the
제1 반도체 소자(11)의 평면에서 보았을 때의 면적은, 제2 반도체 소자(12)의 평면에서 보았을 때의 면적의 40％ 이하이면 되지만(도 6 참조), 30％ 이하가 바람직하고, 20％ 이하가 보다 바람직하다. 이와 같이, 제1 반도체 소자(11)의 평면에서 보았을 때의 면적의 제2 반도체 소자(12)의 평면에서 보았을 때의 면적에 대한 비율을 상기 범위로 함으로써, 제1 반도체 소자(11)의 외 형상이, 접착 필름(22)과 피착체(1)의 밀착성 및 제1 반도체 소자(11)의 포매성에 미치는 영향을 최소한으로 할 수 있고, 접착 필름(22)과 피착체(1)의 사이, 또는 접착 필름(22)과 제1 반도체 소자(11)의 사이에서의 보이드의 발생을 억제하여 고신뢰성의 반도체 장치를 제조할 수 있다. 또한, 제1 반도체 소자(11)의 포매 시에는 제1 반도체 소자(11)의 용적 분만큼 접착 필름(22)이 압출되어, 제2 반도체 소자(12)로부터 비어져나오는 경우가 있지만, 제1 반도체 소자(11)의 사이즈를 소정 범위로 하고 있으므로, 그러한 비어져나옴을 최소한으로 억제할 수 있다. 또한, 제1 반도체 소자의 사이즈 비의 하한은 작을수록 바람직하기는 하지만, 제1 반도체 소자의 기능성 점에서 1％ 이상으로 하는 범위이어도 된다. 단, 기술의 진전에 따라 하한의 가일층의 저하도 기대된다.The area of the
<실시 형태 2-2>≪ Embodiment 2-2 &
실시 형태 2-1에서는, 제1 반도체 소자의 피착체에 대한 고정을 접착 필름에 의해 행하고, 양자간의 전기적 접속을 와이어 본딩에 의해 도모하고 있었지만, 실시 형태 2-2에서는, 제1 반도체 소자에 설치된 돌기 전극을 사용한 플립 칩 접속에 의해 양자간의 고정 및 전기적 접속을 도모하고 있다. 따라서, 실시 형태 2-2는, 제1 고정 공정에서의 고정 양식만 실시 형태 2-1과 상이하다. 실시 형태 2-2의 상세는 실시 형태 1-2의 것을 적절하게 채용할 수 있다. In Embodiment 2-1, the fixing of the first semiconductor element to the adherend is performed by an adhesive film, and the electrical connection between the first semiconductor element and the adherend is achieved by wire bonding. In Embodiment 2-2, The flip chip connection using the protruding electrodes is used to fix and electrically connect the two. Therefore, Embodiment 2-2 differs from Embodiment 2-1 only in the fixing form in the first fixing step. The details of the embodiment 2-2 can be appropriately employed in the embodiment 1-2.
(다른 실시 형태)(Other Embodiments)
제2 실시 형태에서의 다른 실시 형태는, 제1 실시 형태의 것을 적절하게 채용할 수 있다.The other embodiment in the second embodiment can suitably adopt the one in the first embodiment.
[실시예][Example]
이하에, 본 발명의 적합한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은, 본 발명의 범위를 그것들에만 한정하는 취지의 것이 아니라, 단순한 설명 예에 지나지 않는다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials and the compounding amounts described in this embodiment are not intended to limit the scope of the present invention to them, but are merely illustrative examples, unless otherwise specified.
≪제1 실시 형태≫≪ First Embodiment >
이하의 각 실시예 등은, 제1 실시 형태에 따른 상기 다이싱·다이 본드 필름에 대응한다.Each of the following examples corresponds to the dicing die-bonding film according to the first embodiment.
[실시예 1][Example 1]
(접착 필름의 제작)(Production of adhesive film)
표 1에 나타낸 비율로 아크릴 수지, 에폭시 수지 A 및 B, 페놀 수지, 실리카 및 열경화 촉매를 메틸에틸케톤에 용해하여 농도 40 내지 50중량％의 접착제 조성물 용액을 제조하였다.The acrylic resin, the epoxy resin A and B, the phenol resin, the silica, and the thermosetting catalyst were dissolved in methyl ethyl ketone at a ratio shown in Table 1 to prepare an adhesive composition solution having a concentration of 40 to 50 wt%.
또한, 하기 표 1 중의 약호 및 성분의 상세는 이하와 같다.Details of the abbreviations and components in the following Table 1 are as follows.
아크릴 수지: 나가세 켐텍스사 제조 SG-70LAcrylic resin: SG-70L manufactured by Nagase Chemtex Co.
에폭시 수지 A: 토토 가세이 가부시끼가이샤 제조 KI-3000Epoxy resin A: KI-3000 manufactured by Toto Kasei Kabushiki Kaisha
에폭시 수지 B: 미쯔비시 가가꾸 가부시끼가이샤 제조 JER YL980Epoxy resin B: JER YL980 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation
페놀 수지: 메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조 MEH-7800HPhenol resin: MEH-7800H manufactured by Meiwa Kasei Kabushiki Kaisha
실리카: 애드마텍스 가부시끼가이샤 제조 SE-2050MCSilica: SE-2050MC manufactured by Admatechs Kabushiki Kaisha
열경화 촉매: 혹코 가가꾸 가부시끼가이샤 제조 TPP-KThermal curing catalyst: TPP-K manufactured by HAKKO Chemical Co., Ltd.
제조한 접착제 조성물 용액을, 박리 라이나로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 위에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께 40㎛의 접착제 도막을 제작하였다. 또한, 제작한 접착제 도막을 하기 라미네이트 조건에서 3장 접합함으로써, 두께 120㎛의 접착 필름을 제작하였다.The adhesive composition solution thus prepared was coated on a mold releasing film including a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 占 퐉 which was subjected to a silicon release treatment as a release liner and then dried at 130 占 폚 for 2 minutes to prepare an adhesive film having a thickness of 40 占 퐉 Respectively. Further, the adhesive film thus formed was bonded to three sheets under the following lamination conditions, thereby producing an adhesive film having a thickness of 120 탆.
<라미네이트 조건>≪ Lamination condition >
라미네이터 장치: 롤 라미네이터Laminator equipment: Roll laminator
라미네이트 속도: 10mm/minLamination speed: 10mm / min
라미네이트 압력: 0.15MPaLaminate pressure: 0.15 MPa
라미네이터 온도: 60℃Laminator temperature: 60 ℃
(다이싱 필름의 제작)(Preparation of dicing film)
두께 80㎛의 폴리에틸렌 필름을 포함하는 지지 기재 위에, 자외선 경화 가능한 아크릴계 점착제의 용액을 도포, 건조하여, 두께가 30㎛인 점착제층을 형성하였다.A solution of an acrylic pressure-sensitive adhesive capable of curing with ultraviolet rays was applied onto a supporting substrate including a polyethylene film having a thickness of 80 占 퐉 and dried to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 30 占 퐉.
그 후, 마스크를 개재하여, 웨이퍼가 부착되는 부분에만 자외선을 400mJ/cm2 조사하여, 이 지지 기재와 웨이퍼에 부착되는 부분이 자외선 경화된 점착제층을 포함하는 다이싱 필름 A를 제작하였다.Subsequently, ultraviolet rays were irradiated at 400 mJ /
또한, 자외선 경화 가능한 아크릴계 점착제의 용액 제조는, 다음과 같이 하였다. 즉, 아크릴산 부틸 70중량부, 아크릴산에틸 30중량부, 아크릴산 5중량부를 아세트산에틸 중에서 통상의 방법에 의해 공중합시켜, 중량 평균 분자량 80만의 아크릴계 중합체를 얻었다.The preparation of a solution of an acrylic pressure-sensitive adhesive capable of ultraviolet curing was carried out as follows. That is, 70 parts by weight of butyl acrylate, 30 parts by weight of ethyl acrylate and 5 parts by weight of acrylic acid were copolymerized in ethyl acetate by an ordinary method to obtain an acrylic polymer having a weight average molecular weight of 800,000.
계속해서, 이 아크릴계 중합체 100중량부에, 가교제(닛본 폴리우레탄 가부시끼가이샤 제조, 「코로네이트 L」) 8중량부와, 광중합 개시제로서 α-히드록시시클로헥실페닐케톤 7중량부, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트 50중량부를 배합하고, 이들을 유기 용제로서의 톨루엔에 균일하게 용해시켜서, 농도 30중량％의 아크릴계 점착제의 용액을 얻었다.Subsequently, 8 parts by weight of a crosslinking agent ("Coronate L", manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.), 7 parts by weight of? -Hydroxycyclohexyl phenyl ketone as a photopolymerization initiator, 10 parts by weight of dipentaerythritol And 50 parts by weight of lithol monohydroxypentaacrylate were mixed and dissolved uniformly in toluene as an organic solvent to obtain a solution of an acrylic pressure-sensitive adhesive with a concentration of 30% by weight.
(다이싱·다이 본드 필름의 제작)(Production of dicing die-bonding film)
접착 필름을 다이싱 필름 A의 점착제층 위에 전사하여, 다이싱·다이 본드 필름을 얻었다. 또한, 라미네이트의 조건은 하기와 같다.The adhesive film was transferred onto the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing film A to obtain a dicing die-bonding film. The conditions of the laminate are as follows.
<라미네이트 조건>≪ Lamination condition >
라미네이터 장치: 롤 라미네이터Laminator equipment: Roll laminator
라미네이트 속도: 10mm/minLamination speed: 10mm / min
라미네이트 압력: 0.15MPaLaminate pressure: 0.15 MPa
라미네이터 온도: 30℃Laminator temperature: 30 ℃
(박리력의 측정)(Measurement of peeling force)
제작한 다이싱·다이 본드 필름을 100×20mm로 절단하였다. 그 후, 접착 필름에 테이프(닛토덴코(주) 제조, 상품명; BT-315)를 상온에서 접합하여, 접착 필름을 보강하였다. 그 후, 점착제층과 접착 필름을 척킹하고, 인장 시험기((주)시마즈 세이사꾸쇼 제조, 상품명; AGS-J)를 사용하여, 23℃, 박리 속도 300mm/min, 박리 각도 180°로 점착제층과 접착 필름을 박리했을 때의 힘(최대 하중, 단위: N/20mm)을 판독하였다. 결과를 표에 나타내었다.The produced dicing die-bonding film was cut into 100 x 20 mm. Thereafter, a tape (trade name: BT-315, manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) was bonded to the adhesive film at room temperature to reinforce the adhesive film. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive film were chucked and peeled off at a peel rate of 300 mm / min and a peel angle of 180 deg. At 23 DEG C using a tensile tester (trade name: AGS-J, manufactured by Shimadzu Corporation) And the force (maximum load, unit: N / 20 mm) when the adhesive film was peeled off were read. The results are shown in the table.
(컨트롤러 실장 기판의 제작)(Fabrication of controller mounting substrate)
실시예 1의 조성의 접착 필름을 두께 10㎛로 제작하여, 컨트롤러 칩용의 접착 필름으로 하였다. 이것을 온도 40℃의 조건 하에서, 2mm 사각, 두께 50㎛의 컨트롤러 칩에 부착하였다. 또한, 접착 필름을 개재하여 반도체 칩을 BGA 기판에 접착하였다. 그때의 조건은, 온도 120℃, 압력 0.1MPa, 1초로 하였다. 또한, 컨트롤러 칩이 접착된 BGA 기판을, 건조기에서 130℃, 4시간 열처리하여, 접착 필름을 열경화시켰다.The adhesive film of the composition of Example 1 was formed into a thickness of 10 mu m to obtain an adhesive film for a controller chip. This was attached to a controller chip having a 2 mm square and a thickness of 50 탆 under the condition of a temperature of 40 캜. Further, the semiconductor chip was bonded to the BGA substrate via the adhesive film. The conditions at that time were a temperature of 120 ° C and a pressure of 0.1 MPa for 1 second. The BGA substrate to which the controller chip was adhered was heat-treated at 130 DEG C for 4 hours in a dryer to thermally cure the adhesive film.
계속해서, 와이어 본더((주)신카와, 상품명 「UTC-1000」)를 사용하여 이하의 조건에서 컨트롤러 칩에 대해 와이어 본딩을 행하였다. 이에 의해, BGA 기판에 컨트롤러 칩이 실장된 컨트롤러 실장 기판을 얻었다.Subsequently, wire bonding was performed on the controller chip under the following conditions using a wire bonder (Shinkawa Co., Ltd., trade name " UTC-1000 "). As a result, a controller mounting board on which a controller chip is mounted on the BGA substrate was obtained.
<와이어 본딩 조건><Wire Bonding Condition>
Temp.: 175℃Temp .: 175 ° C
Au-wire: 23㎛Au-wire: 23㎛
S-LEVEL: 50㎛S-LEVEL: 50㎛
S-SPEED: 10mm/sS-SPEED: 10mm / s
TIME: 15msTIME: 15ms
US-POWER: 100US-POWER: 100
FORCE: 20gfFORCE: 20gf
S-FORCE: 15gfS-FORCE: 15gf
와이어 피치: 100㎛Wire pitch: 100 탆
와이어 루프 하이트: 30㎛Wire loop height: 30㎛
(반도체 장치의 제작)(Fabrication of semiconductor device)
별도로, 상기 다이싱·다이 본드 필름을 사용하여, 이하의 요령으로, 실제로 반도체 웨이퍼의 다이싱을 행한 후, 반도체 칩의 픽업을 거쳐서 반도체 장치를 제작함과 함께, 그때의 다이싱 시의 박리의 유무 및 픽업성을 평가하였다.Separately, the dicing die-bonding film is used to dice the semiconductor wafer in the following manner. Then, the semiconductor device is manufactured through the pick-up of the semiconductor chip, and at the same time, And the pickupability were evaluated.
편면 범프 구비 실리콘 웨이퍼의 회로면과 반대측의 면에, 실시예 및 비교예의 다이싱·다이 본드 필름을, 접착 필름을 접합면으로 해서 접합하였다. 편면 범프 구비 실리콘 웨이퍼로서는, 이하의 것을 사용하였다. 또한, 접합 조건은 이하와 같다.The dicing die-bonding films of Examples and Comparative Examples were bonded to the surface of the silicon wafer with one-side bumps on the opposite side to the circuit surface with the adhesive film as the bonding surface. The following silicon wafers were used as the one-sided bumps. The bonding conditions are as follows.
<편면 범프 구비 실리콘 웨이퍼>≪ Silicon wafer with one side bump >
실리콘 웨이퍼의 두께: 100㎛Thickness of silicon wafer: 100 탆
저유전 재료층의 재질: SiN막Material of low dielectric material layer: SiN film
저유전 재료층의 두께: 0.3㎛Thickness of low dielectric material layer: 0.3 탆
범프의 높이: 60㎛Height of bump: 60 탆
범프의 피치: 150㎛Bump pitch: 150 탆
범프의 재질: 땜납Bump material: Solder
<접합 조건>≪ Bonding condition &
접합 장치: DR-3000III(닛토세이키(주)사 제조)Bonding device: DR-3000III (manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.)
라미네이트 속도: 10mm/sLamination speed: 10mm / s
라미네이트 압력: 0.15MPaLaminate pressure: 0.15 MPa
라미네이터 온도: 60℃Laminator temperature: 60 ℃
접합 후, 하기 조건에서 다이싱을 행하였다. 또한, 다이싱은 10mm 사각의 칩 크기가 되도록 풀컷하였다.After the bonding, dicing was performed under the following conditions. In addition, the dicing was performed in a full cut so as to have a chip size of 10 mm square.
<다이싱 조건><Dicing Condition>
다이싱 장치: 상품명 「DFD-6361」디스코사 제조Dicing apparatus: "DFD-6361" manufactured by DISCO Corporation
다이싱 링: 「2-12-1」(디스코사 제조)Dicing ring: " 2-12-1 " (Disco)
다이싱 속도: 30mm/secDicing speed: 30mm / sec
다이싱 블레이드:Dicing blade:
Z1; 디스코사 제조 「203O-SE 27HCDD」Z1; &Quot; 203O-SE 27HCDD "
Z2; 디스코사 제조 「203O-SE 27HCBB」Z2; &Quot; 203O-SE 27HCBB "
다이싱 블레이드 회전 수:Number of revolutions of dicing blade:
Z1; 40,000rpmZ1; 40,000rpm
Z2; 45,000rpmZ2; 45,000rpm
다이싱 블레이드 높이Dicing blade height
Z1; 280㎛Z1; 280 탆
Z2; 90㎛Z2; 90 탆
커트 방식: 스텝 커트Cutting method: Step cut
웨이퍼 칩 사이즈: 10.0mm 사각Wafer chip size: 10.0mm square
(박리의 유무 평가)(Evaluation of the presence or absence of peeling)
다이싱 후에 있어서의 절단 라인에 대하여 이면(기재측)으로부터 육안으로 랜덤하게 10군데 관찰하여, 접착 필름과 점착제층의 사이로의 물 내지 실리콘 칩의 진입 유무를 평가하였다. 1군데도 진입이 발생하지 않은 경우를 「○」, 1군데라도 진입이 발생한 경우를 「×」라고 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.10 lines were observed at random from the back side (substrate side) of the cut line after dicing with the naked eye to evaluate the presence of water or silicon chips between the adhesive film and the pressure sensitive adhesive layer. A case where no entry occurred in one place was evaluated as "? &Quot;, and a case where an entry occurred even in one place was evaluated as " The results are shown in Table 1.
그 후, 각 다이싱 필름의 기재측으로부터 니들에 의한 밀어올림 방식으로, 접착 필름과 반도체 칩의 적층체를 픽업하였다. 픽업 조건은 하기와 같다.Thereafter, the stacked body of the adhesive film and the semiconductor chip was picked up from the substrate side of each dicing film in a push-up manner by a needle. The pickup conditions are as follows.
<픽업 조건><Pick-up conditions>
다이 본드 장치: (주)신카와 제조, 장치명: SPA-300Die bond device: manufactured by Shin-Kawa Corporation, device name: SPA-300
니들 개수: 9개Number of Needles: 9
니들 밀어올림량: 350㎛(0.35mm)Needle push-up amount: 350 탆 (0.35 mm)
니들 밀어올림 속도: 5mm/초Needle push-up speed: 5mm / sec
흡착 유지 시간: 80msAdsorption holding time: 80ms
(픽업성 평가)(Pickup property evaluation)
다이싱 후의 반도체 칩 20개에 대해서, 문제없이 모두 픽업 가능했던 경우를 「○」, 픽업이 불가능했거나, 접착 필름이나 점착제층의 파단이 발생한 경우를 「×」라고 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.A case where all of the 20 semiconductor dies after dicing could be picked up without any problem was evaluated as " ", and a case where pickup was impossible or breakage of the adhesive film or the pressure-sensitive adhesive layer occurred was evaluated as " The results are shown in Table 1.
계속해서, 픽업한 적층체의 접착 필름에 의해 컨트롤러 실장 기판의 컨트롤러 칩을 포매하면서, 반도체 칩을 BGA 기판에 접착하였다. 그때의 접착 조건은, 120℃, 압력 0.1MPa, 2초로 하였다. 또한, 반도체 칩을 접착한 BGA 기판을, 건조기에서 130℃, 4시간 열처리하여, 접착 필름을 열경화시켜서, 반도체 장치를 제작하였다.Subsequently, the controller chip of the controller mounting substrate was embedded by the adhesive film of the picked-up laminate, and the semiconductor chip was bonded to the BGA substrate. The bonding conditions at that time were 120 deg. C and a pressure of 0.1 MPa for 2 seconds. Further, the BGA substrate to which the semiconductor chips were bonded was heat-treated at 130 DEG C for 4 hours in a dryer to thermally cure the adhesive film, thereby manufacturing a semiconductor device.
[실시예 2][Example 2]
다이싱 필름 A의 점착제 조성으로부터 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트를 생략하고 제작한 다이싱 필름 B를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 다이싱·다이 본드 필름을 제작하여, 각 평가를 행하였다.A dicing die-bonding film was produced in the same manner as in Example 1 except that the dicing film B produced by omitting the dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate from the pressure-sensitive adhesive composition of the dicing film A was used, .
[실시예 3][Example 3]
다이싱 필름 B의 점착제 조성으로부터 가교제의 양을 2중량부로 바꿈으로써 제작한 다이싱 필름 C를 사용한 것 이외는, 실시예 2와 마찬가지로 다이싱·다이 본드 필름을 제작하여, 각 평가를 행하였다.A dicing die-bonding film was produced and evaluated in the same manner as in Example 2 except that the dicing film C produced by changing the amount of the cross-linking agent to 2 parts by weight from the pressure-sensitive adhesive composition of the dicing film B was used.
[비교예 1][Comparative Example 1]
다이싱 필름 A의 점착제 조성으로부터 가교제의 양을 10중량부로 바꿈으로써 제작한 다이싱 필름 D를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 다이싱·다이 본드 필름을 제작하여, 각 평가를 행하였다.A dicing die-bonding film was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the dicing film D produced by changing the amount of the cross-linking agent to 10 parts by weight from the pressure-sensitive adhesive composition of the dicing film A was used.
[비교예 2][Comparative Example 2]
다이싱 필름 B의 점착제 조성으로부터 가교제를 생략함으로써 제작한 다이싱 필름 E를 사용한 것 이외는, 실시예 2와 마찬가지로 다이싱·다이 본드 필름을 제작하여, 각 평가를 행하였다.A dicing die-bonding film was produced and evaluated in the same manner as in Example 2 except that the dicing film E produced by omitting the crosslinking agent from the pressure-sensitive adhesive composition of the dicing film B was used.
실시예에 관한 다이싱·다이 본드 필름을 사용한 경우에는, 다이싱 시의 접착 필름과 점착제층의 박리가 억제됨과 함께, 픽업성도 양호해서, 수율 높게 반도체 장치의 제조가 가능한 것을 알았다. 한편, 비교예 1에서는 픽업성이 양호했지만, 다이싱 시의 접착 필름과 점착제층의 박리가 발생하였다. 이것은, 접착 필름과 점착제층의 사이의 박리력이 너무 작아, 다이싱 블레이드의 사행에 의해 양자가 박리한 것에 기인한다고 생각된다. 비교예 2에서는, 박리는 발생하지 않았지만, 픽업성이 떨어졌다. 이것은, 접착 필름과 점착제층의 사이의 박리력이 너무 컸던 것에 기인한다고 생각된다.It has been found that the use of the dicing die-bonding film according to the embodiment can suppress the peeling of the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive layer at the time of dicing, and also the pickupability is good and the semiconductor device can be manufactured with high yield. On the other hand, in Comparative Example 1, peeling of the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive layer occurred at the time of dicing, although the pick-up property was good. This is considered to be due to the fact that the peeling force between the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive layer is too small and the two are peeled off by the meandering of the dicing blade. In Comparative Example 2, peeling did not occur but the pickup property was poor. This is considered to be due to the fact that the peeling force between the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive layer was too large.
《제2 실시 형태》&Quot; Second Embodiment &
이하의 각 실시예 등은, 제1 실시 형태에 따른 상기 다이싱·다이 본드 필름에 대응한다.Each of the following examples corresponds to the dicing die-bonding film according to the first embodiment.
[실시예 1][Example 1]
(접착 필름의 제작)(Production of adhesive film)
표 2에 나타낸 비율로 아크릴 수지, 에폭시 수지 A 및 B, 페놀 수지, 실리카 및 열경화 촉매를 메틸에틸케톤에 용해하여 농도 50중량％의 접착제 조성물 용액을 제조하였다.Acrylic resin, epoxy resin A and B, phenol resin, silica and a thermosetting catalyst were dissolved in methyl ethyl ketone at a ratio shown in Table 2 to prepare an adhesive composition solution having a concentration of 50% by weight.
또한, 하기 표 2 중의 약호 및 성분의 상세는 이하와 같다.Details of the abbreviations and components in the following Table 2 are as follows.
아크릴 수지: 나가세 켐텍스사 제조 SG-70LAcrylic resin: SG-70L manufactured by Nagase Chemtex Co.
에폭시 수지 A: 토토 가세이 가부시끼가이샤 제조 KI-3000Epoxy resin A: KI-3000 manufactured by Toto Kasei Kabushiki Kaisha
에폭시 수지 B: 미쯔비시 가가꾸 가부시끼가이샤 제조 JER YL980Epoxy resin B: JER YL980 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation
페놀 수지: 메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조 MEH-7800HPhenol resin: MEH-7800H manufactured by Meiwa Kasei Kabushiki Kaisha
실리카: 애드마텍스 가부시끼가이샤 제조 SE-2050MCSilica: SE-2050MC manufactured by Admatechs Kabushiki Kaisha
열경화 촉매: 혹코 가가꾸 가부시끼가이샤 제조 TPP-KThermal curing catalyst: TPP-K manufactured by HAKKO Chemical Co., Ltd.
제조한 접착제 조성물 용액을, 박리 라이나로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 위에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께 40㎛의 접착제 도막을 제작하였다. 또한, 제작한 접착제 도막을 하기 라미네이트 조건에서 3장 접합함으로써, 두께 120㎛의 포매용 접착 필름을 제작하였다.The adhesive composition solution thus prepared was coated on a mold releasing film including a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 占 퐉 which was subjected to a silicon release treatment as a release liner and then dried at 130 占 폚 for 2 minutes to prepare an adhesive film having a thickness of 40 占 퐉 Respectively. The resulting adhesive coating film was laminated in three pieces under the following lamination conditions to produce a 120 m-thick puckering adhesive film.
<라미네이트 조건>≪ Lamination condition >
라미네이터 장치: 롤 라미네이터Laminator equipment: Roll laminator
라미네이트 속도: 10mm/minLamination speed: 10mm / min
라미네이트 압력: 0.15MPaLaminate pressure: 0.15 MPa
라미네이터 온도: 60℃Laminator temperature: 60 ℃
(용융 점도의 측정)(Measurement of melt viscosity)
제작한 열경화 전의 각 접착 필름에 대해서, 120℃에서의 용융 점도를 측정하였다. 즉, 레오 미터(HAAKE사 제조, RS-1)를 사용하여 패러렐 플레이트법에 의해 측정하였다. 각 실시예 또는 비교예에서 제작한 접착 필름으로부터 0.1g의 시료를 채취하고, 이것을 미리 120℃로 가열해 둔 플레이트에 투입하였다. 전단 속도를 5s-1로 하여, 측정 개시부터 300초 후의 값을 용융 점도로 하였다. 플레이트간의 갭은 0.1mm로 하였다. 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The melt viscosity of each adhesive film before heat curing was measured at 120 ° C. That is, it was measured by a parallel plate method using a rheometer (RS-1, manufactured by HAAKE). A sample of 0.1 g was taken from the adhesive film prepared in each of the Examples and Comparative Examples, and the sample was put into a plate heated to 120 캜 in advance. The shear rate was 5s < -1 & gt ;, and the value after 300 seconds from the start of measurement was defined as the melt viscosity. The gap between the plates was 0.1 mm. The results are shown in Table 2 below.
(다이싱 필름의 제작)(Preparation of dicing film)
기재로서, 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)을 준비하였다.As a substrate, a polyethylene terephthalate film (PET film) having a thickness of 50 占 퐉 was prepared.
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산-2-에틸헥실(이하, 「2EHA」라고도 함) 86.4부, 아크릴산-2-히드록시에틸(이하, 「HEA」라고도 함) 13.6부, 과산화벤조일 0.2부 및 톨루엔 65부를 넣고, 질소 기류 중에서 61℃에서 6시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 중합체 A를 얻었다.86.4 parts of 2-ethylhexyl acrylate (hereinafter also referred to as " 2EHA ") and 2-hydroxyethyl acrylate (hereinafter also referred to as " HEA ") were placed in a reaction vessel equipped with a thermometer, , 0.2 part of benzoyl peroxide and 65 parts of toluene, and polymerization was carried out at 61 ° C for 6 hours in a nitrogen stream to obtain an acrylic polymer A.
아크릴계 중합체 A에 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(이하, 「MOI」라고도 함) 14.6부를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간, 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 중합체 A'를 얻었다.14.6 parts of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (hereinafter also referred to as " MOI ") was added to the acrylic polymer A, and an addition reaction treatment was carried out at 50 DEG C for 48 hours in an air stream to obtain an acrylic polymer A '.
이어서, 아크릴계 중합체 A' 100부에 대하여 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄(주) 제조) 8부 및 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 651」, 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조) 5부를 첨가하여, 점착제 조성물 용액을 얻었다.Subsequently, 8 parts of a polyisocyanate compound (trade name: Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 5 parts of a photopolymerization initiator (trade name: Irgacure 651, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) were added to 100 parts of the acrylic polymer A ' Was added to obtain a pressure-sensitive adhesive composition solution.
준비한 상기 기재 위에, 얻어진 점착제 조성물 용액을 도포, 건조하여 두께 30㎛의 점착제층을 형성함으로써 다이싱 필름을 얻었다.The resulting pressure-sensitive adhesive composition solution was coated on the prepared substrate and dried to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 30 m to obtain a dicing film.
(다이싱·다이 본드 필름의 제작)(Production of dicing die-bonding film)
각 실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름을 상술한 다이싱 필름의 점착제층 위에 전사하여, 다이싱·다이 본드 필름을 얻었다. 또한, 라미네이트의 조건은 하기와 같다.The adhesive films prepared in each of the Examples and Comparative Examples were transferred onto the pressure-sensitive adhesive layer of the above-mentioned dicing film to obtain a dicing die-bonding film. The conditions of the laminate are as follows.
<라미네이트 조건> ≪ Lamination condition >
라미네이터 장치: 롤 라미네이터Laminator equipment: Roll laminator
라미네이트 속도: 10mm/minLamination speed: 10mm / min
라미네이트 압력: 0.15MPaLaminate pressure: 0.15 MPa
라미네이터 온도: 30℃Laminator temperature: 30 ℃
(컨트롤러 실장 기판의 제작)(Fabrication of controller mounting substrate)
실시예 1의 조성의 접착 필름을 두께 10㎛로 제작하여, 컨트롤러 칩용의 접착 필름으로 하였다. 이것을 온도 40℃의 조건 하에서, 5mm 사각(평면에서 보았을 때의 면적 A: 25mm2), 두께 50㎛의 컨트롤러 칩에 부착하였다. 또한, 접착 필름을 개재하여 반도체 칩을 BGA 기판에 접착하였다. 그때의 조건은, 온도 120℃, 압력 0.1MPa, 1초로 하였다. 또한, 컨트롤러 칩이 접착된 BGA 기판을, 건조기에서 130℃, 4시간 열처리하여, 접착 필름을 열경화시켰다.The adhesive film of the composition of Example 1 was formed into a thickness of 10 mu m to obtain an adhesive film for a controller chip. This was attached to a controller chip having a thickness of 50 mm in a 5 mm square (area A in plan view: 25 mm 2 ) under the condition of a temperature of 40 캜. Further, the semiconductor chip was bonded to the BGA substrate via the adhesive film. The conditions at that time were a temperature of 120 ° C and a pressure of 0.1 MPa for 1 second. The BGA substrate to which the controller chip was adhered was heat-treated at 130 DEG C for 4 hours in a dryer to thermally cure the adhesive film.
계속해서, 와이어 본더((주)신카와, 상품명 「UTC-1000」)를 사용하여 이하의 조건에서 컨트롤러 칩에 대해 와이어 본딩을 행하였다. 이에 의해, BGA 기판에 컨트롤러 칩이 실장된 컨트롤러 실장 기판을 얻었다.Subsequently, wire bonding was performed on the controller chip under the following conditions using a wire bonder (Shinkawa Co., Ltd., trade name " UTC-1000 "). As a result, a controller mounting board on which a controller chip is mounted on the BGA substrate was obtained.
<와이어 본딩 조건><Wire Bonding Condition>
Temp.: 175℃Temp .: 175 ° C
Au-wire: 23㎛Au-wire: 23㎛
S-LEVEL: 50㎛S-LEVEL: 50㎛
S-SPEED: 10mm/sS-SPEED: 10mm / s
TIME: 15msTIME: 15ms
US-POWER: 100US-POWER: 100
FORCE: 20gfFORCE: 20gf
S-FORCE: 15gfS-FORCE: 15gf
와이어 피치: 100㎛Wire pitch: 100 탆
와이어 루프 하이트: 30㎛Wire loop height: 30㎛
(반도체 장치의 제작)(Fabrication of semiconductor device)
별도로, 상기 다이싱·다이 본드 필름을 사용하여, 이하의 요령으로, 실제로 반도체 웨이퍼의 다이싱을 행한 후, 반도체 칩의 픽업을 거쳐서 반도체 장치를 제작함과 함께, 그때의 포매성 및 비어져나옴 방지성을 평가하였다.Separately, the dicing die-bonding film is used to dice the semiconductor wafer in the following manner. Then, the semiconductor device is manufactured through the pick-up of the semiconductor chip, and at the same time, .
편면 범프 구비 실리콘 웨이퍼의 회로면과 반대측의 면에, 실시예 및 비교예의 다이싱·다이 본드 필름을, 접착 필름을 접합면으로 해서 접합하였다. 편면 범프 구비 실리콘 웨이퍼로서는, 이하의 것을 사용하였다. 또한, 접합 조건은 이하와 같다.The dicing die-bonding films of Examples and Comparative Examples were bonded to the surface of the silicon wafer with one-side bumps on the opposite side to the circuit surface with the adhesive film as the bonding surface. The following silicon wafers were used as the one-sided bumps. The bonding conditions are as follows.
<편면 범프 구비 실리콘 웨이퍼>≪ Silicon wafer with one side bump >
실리콘 웨이퍼의 두께: 100㎛Thickness of silicon wafer: 100 탆
저유전 재료층의 재질: SiN막Material of low dielectric material layer: SiN film
저유전 재료층의 두께: 0.3㎛Thickness of low dielectric material layer: 0.3 탆
범프의 높이: 60㎛Height of bump: 60 탆
범프의 피치: 150㎛Bump pitch: 150 탆
범프의 재질: 땜납Bump material: Solder
<접합 조건>≪ Bonding condition &
접합 장치: DR-3000III(닛토세이키(주)사 제조)Bonding device: DR-3000III (manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.)
라미네이트 속도: 10mm/sLamination speed: 10mm / s
라미네이트 압력: 0.15MPaLaminate pressure: 0.15 MPa
라미네이터 온도: 60℃Laminator temperature: 60 ℃
접합 후, 하기 조건에서 다이싱을 행하였다. 또한, 다이싱은 10mm 사각(평면에서 보았을 때의 면적 B: 100mm2)의 칩 크기가 되도록 풀컷하였다.After the bonding, dicing was performed under the following conditions. Further, the dicing was performed in a full cut so as to have a chip size of 10 mm square (area B when viewed in a plane: 100 mm 2 ).
<다이싱 조건><Dicing Condition>
다이싱 장치: 상품명 「DFD-6361」디스코사 제조Dicing apparatus: "DFD-6361" manufactured by DISCO Corporation
다이싱 링: 「2-8-1」(디스코사 제조)Dicing ring: " 2-8-1 " (Disco)
다이싱 속도: 30mm/secDicing speed: 30mm / sec
다이싱 블레이드:Dicing blade:
Z1; 디스코사 제조 「203O-SE 27HCDD」Z1; &Quot; 203O-SE 27HCDD "
Z2; 디스코사 제조 「203O-SE 27HCBB」Z2; &Quot; 203O-SE 27HCBB "
다이싱 블레이드 회전 수:Number of revolutions of dicing blade:
Z1; 40,000rpmZ1; 40,000rpm
Z2; 45,000rpmZ2; 45,000rpm
커트 방식: 스텝 커트Cutting method: Step cut
웨이퍼 칩 사이즈: 10mm 사각Wafer chip size: 10mm square
이어서, 기재측에서 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 자외선 조사에는, 자외선 조사 장치(제품명: UM810, 제조원: 닛토세이키(주) 제조)를 사용하고, 자외선 방사량은, 400mJ/cm2로 하였다.Subsequently, ultraviolet rays were irradiated from the substrate side to cure the pressure-sensitive adhesive layer. An ultraviolet ray irradiation apparatus (product name: UM810, manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.) was used for the ultraviolet ray irradiation and the ultraviolet radiation amount was set to 400 mJ / cm 2 .
그 후, 각 다이싱 필름의 기재측으로부터 니들에 의한 밀어올림 방식으로, 접착 필름과 반도체 칩의 적층체를 픽업하였다. 픽업 조건은 하기와 같다.Thereafter, the stacked body of the adhesive film and the semiconductor chip was picked up from the substrate side of each dicing film in a push-up manner by a needle. The pickup conditions are as follows.
<픽업 조건><Pick-up conditions>
다이 본드 장치: (주)신카와 제조, 장치명: SPA-300Die bond device: manufactured by Shin-Kawa Corporation, device name: SPA-300
니들 개수: 9개Number of Needles: 9
니들 밀어올림량: 350㎛(0.35mm)Needle push-up amount: 350 탆 (0.35 mm)
니들 밀어올림 속도: 5mm/초Needle push-up speed: 5mm / sec
흡착 유지 시간: 1000msAdsorption holding time: 1000 ms
계속해서, 픽업한 적층체의 접착 필름에 의해 컨트롤러 실장 기판의 컨트롤러 칩을 포매하면서, 반도체 칩을 BGA 기판에 접착하였다. 그때의 접착 조건은, 120℃, 압력 0.1MPa, 2초로 하였다. 또한, 반도체 칩을 접착한 BGA 기판을, 건조기에서 130℃, 4시간 열처리하여, 접착 필름을 열경화시켜서, 반도체 장치를 제작하였다.Subsequently, the controller chip of the controller mounting substrate was embedded by the adhesive film of the picked-up laminate, and the semiconductor chip was bonded to the BGA substrate. The bonding conditions at that time were 120 deg. C and a pressure of 0.1 MPa for 2 seconds. Further, the BGA substrate to which the semiconductor chips were bonded was heat-treated at 130 DEG C for 4 hours in a dryer to thermally cure the adhesive film, thereby manufacturing a semiconductor device.
[비교예 1][Comparative Example 1]
컨트롤러 칩의 평면에서 보았을 때의 사이즈를 6.5mm 사각(평면에서 보았을 때의 면적 A: 42.25mm2)으로 한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 반도체 장치를 제작하였다.A semiconductor device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the size of the controller chip when viewed in a plane was set to 6.5 mm square (area A when viewed from the plane: 42.25 mm 2 ).
(칩 면적비)(Chip area ratio)
컨트롤러 칩의 평면에서 보았을 때의 면적 A의 반도체 칩의 평면에서 보았을 때의 면적 B에 대한 비(％)를 하기식에 의해 구하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.The ratio (%) of the area A of the controller chip to the area B of the semiconductor chip when viewed from the plane was obtained from the following equation. The results are shown in Table 2.
칩 면적비=(평면에서 보았을 때의 면적 A/평면에서 보았을 때의 면적 B)×100(％)Chip area ratio = (area A viewed from the plane A / area B viewed from the plane) x 100 (%)
(포매성 평가)(Porosity evaluation)
제작한 반도체 장치에서의 보이드의 유무를 초음파 영상 장치(히타치 파인 테크사 제조, FS200II)를 사용하여 관찰하였다. 관찰 화상에 있어서 보이드가 차지하는 면적을 2치화 소프트웨어(WinRoof ver.5.6)를 사용하여 산출하였다. 보이드가 차지하는 면적이 접착 필름의 표면적에 대하여 10％ 이하인 경우를 「○」, 10％를 초과한 경우를 「×」라고 평가하였다. 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The presence or absence of voids in the fabricated semiconductor device was observed using an ultrasonic imaging apparatus (FS200II, manufactured by Hitachi Fine Tec). The area occupied by the voids in the observed image was calculated using binarization software (WinRoof ver. 5.6). A case where the area occupied by the voids was 10% or less with respect to the surface area of the adhesive film was evaluated as " ", and a case where the area exceeded 10% was evaluated as " The results are shown in Table 2 below.
(비어져나옴 평가)(Empty evaluation)
제작한 반도체 장치의 평면 화상을 관찰하여, 고정한 반도체 칩으로부터의 접착 필름의 비어져나옴 유무를 평가하였다. 비어져나옴 양은, 화상 처리 장치(가부시끼가이샤 히타치엔지니어링·앤드·서비스사 제조, 상품명 「FineSAT FS300III」)를 사용하여 측정하고, 반도체 칩의 단부로부터의 최대 비어져나옴 양이 0.5mm 이하(반도체 칩의 한 변의 길이의 5％ 이하)인 경우를 「○」, 0.5mm를 초과한 경우를 「×」라고 평가하였다. 결과를 하기 표 2에 나타내었다.A planar image of the manufactured semiconductor device was observed to evaluate whether or not the adhesive film from the fixed semiconductor chip had come out. The amount of vacancies was measured using an image processing apparatus (trade name: FineSAT FS300III, manufactured by Hitachi Engineering & Co., Ltd.) and the maximum amount of vacancies from the ends of the semiconductor chips was 0.5 mm or less (5% or less of the length of one side of the chip) was evaluated as "? &Quot;, and the case exceeding 0.5 mm was evaluated as " The results are shown in Table 2 below.
실시예 1에서 제작한 반도체 장치에서는, 컨트롤러 칩의 평면에서 보았을 때의 면적이 반도체 칩의 평면에서 보았을 때의 면적의 40％ 이하인 점에서, 보이드 및 비어져나옴이 모두 억제되어 있어, 신뢰성이 높은 반도체 장치의 제조가 가능한 것을 알았다. 한편, 비교예 1에서는 보이드 및 비어져나옴이 모두 떨어진 결과가 되었다. 이것은, 컨트롤러 칩의 사이즈가 반도체 칩의 사이즈에 대해 너무 커서, 반도체 칩의 외 형상 및 용적의 영향을 무시할 수 없게 된 것에 기인한 것이라 생각된다.In the semiconductor device manufactured in Example 1, since the area of the controller chip in the plane view is less than 40% of the area in the plane view of the semiconductor chip, voids and vacancies are all suppressed, A semiconductor device can be manufactured. On the other hand, in Comparative Example 1, voids and voids were all dropped. This is considered to be due to the fact that the size of the controller chip is too large with respect to the size of the semiconductor chip and the influence of the outer shape and the volume of the semiconductor chip can not be ignored.
1: 피착체
2: 반도체 웨이퍼
3: 점착제층
4: 기재
5: 다이싱 필름
10: 다이싱·다이 본드 필름
11: 제1 반도체 소자
12: 제2 반도체 소자
13: 제3 반도체 소자
21: 제1 접착 필름
22: 접착 필름
23: 제3 접착 필름
31, 32: 본딩 와이어
100, 200: 반도체 장치
D: 다이싱 블레이드
T: 접착 필름의 두께
T1: 제1 반도체 소자의 두께1: adherend
2: Semiconductor wafer
3: Pressure-sensitive adhesive layer
4: substrate
5: Dicing film
10: Dicing die-bonding film
11: First semiconductor element
12: second semiconductor element
13: Third semiconductor element
21: First adhesive film
22: Adhesive film
23: Third adhesive film
31, 32: Bonding wire
100, 200: Semiconductor device
D: Dicing blade
T: Thickness of the adhesive film
T 1 : Thickness of the first semiconductor element
Claims (7)
상기 점착제층 위에 적층된 접착 필름을 구비하는 다이싱·다이 본드 필름이며,
상기 접착 필름은, 피착체 위에 고정된 제1 반도체 소자를 포매하고, 또한 상기 제1 반도체 소자와는 상이한 제2 반도체 소자를 피착체에 고정하기 위한 접착 필름이며,
상기 접착 필름과 상기 점착제층 사이의 박리력이 0.03N/20mm 이상 0.2N/20mm 이하인 다이싱·다이 본드 필름.A dicing film having a base material and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the base material;
A dicing die-bonding film having an adhesive film laminated on the pressure-sensitive adhesive layer,
The adhesive film is an adhesive film for holding a first semiconductor element fixed on an adherend and fixing a second semiconductor element different from the first semiconductor element to an adherend,
Wherein the peeling force between the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive layer is 0.03 N / 20 mm or more and 0.2 N / 20 mm or less.
상기 무기 충전제의 함유량이 25 내지 80중량％인 다이싱·다이 본드 필름. 3. The composition of claim 1 comprising an inorganic filler,
The content of the inorganic filler is 25 to 80% by weight.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱·다이 본드 필름의 접착 필름과 반도체 웨이퍼를 접합하는 접합 공정,
상기 반도체 웨이퍼 및 접착 필름을 다이싱하여 제2 반도체 소자를 형성하는 다이싱 공정,
상기 제2 반도체 소자를 상기 접착 필름과 함께 픽업하는 픽업 공정, 및
상기 제2 반도체 소자와 함께 픽업한 접착 필름에 의해, 상기 피착체에 고정된 상기 제1 반도체 소자를 포매하면서 상기 제2 반도체 소자를 상기 피착체에 고정하는 고정 공정
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.An adherend preparing step of preparing an adherend to which the first semiconductor element is fixed,
A bonding process for bonding an adhesive film of the dicing die-bonding film according to any one of claims 1 to 5 to a semiconductor wafer,
A dicing step of dicing the semiconductor wafer and the adhesive film to form a second semiconductor element,
A pickup step of picking up the second semiconductor element together with the adhesive film, and
A fixing step of fixing the second semiconductor element to the adherend while embedding the first semiconductor element fixed to the adherend by an adhesive film picked up together with the second semiconductor element
Wherein the semiconductor device is a semiconductor device.
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