JP2013127014A - Adhesive sheet - Google Patents

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孝寛 徳安
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive sheet having a peelability from a semiconductor wafer while maintaining the reliability of a semiconductor package.SOLUTION: This adhesive sheet consists of a second adhesive layer laminated on a first adhesive layer, wherein a storage modulus at 120°C of the first adhesive layer is 0.05-300 MPa, melt viscosity at 80°C of the same is 10,000-60,000 MPa s, and the melt viscosity at 80°C of the second adhesive layer is 500-2,000 Pa s.

Description

本発明は、接着シートに関する。   The present invention relates to an adhesive sheet.

近年、携帯電話、携帯オ−ディオ機器用のメモリパッケージチップを多段に積層したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）が普及している。そして、画像処理技術及び携帯電話等の多機能化に伴い、このようなパッケージの高集積化、高密度化及び薄型化が進められている。   In recent years, a stacked MCP (Multi Chip Package) in which memory package chips for mobile phones and portable audio devices are stacked in multiple stages has become widespread. With the increasing functionality of image processing technologies and mobile phones, such packages are becoming more highly integrated, denser and thinner.

このようなパッケージは、一般的に、以下のような方法で製造することができる。まず、半導体ウェハに接着シートを貼り付けた後、ダイシングして半導体ウェハを個片化する。次いで、得られた半導体チップを、基板等に接着剤を介して接着し、半導体チップを基板にワイヤボンディングにより接続する。その後、更に半導体チップを接着剤を介して接着しながら積層して半導体チップを基板にワイヤボンディングにより接続する工程を必要に応じて繰り返して行う。これにより半導体チップが多段に積層される。そして、ワイヤボンディングにより接続する工程をすべて終了後、半導体チップを樹脂封止する（例えば特許文献１参照）。   Such a package can generally be manufactured by the following method. First, after bonding an adhesive sheet to a semiconductor wafer, dicing is performed to separate the semiconductor wafer. Next, the obtained semiconductor chip is bonded to a substrate or the like via an adhesive, and the semiconductor chip is connected to the substrate by wire bonding. Thereafter, a process of further stacking the semiconductor chips while bonding them with an adhesive and connecting the semiconductor chips to the substrate by wire bonding is repeated as necessary. As a result, the semiconductor chips are stacked in multiple stages. Then, after all the steps of connecting by wire bonding are completed, the semiconductor chip is sealed with resin (for example, see Patent Document 1).

このようなパッケージにおいては、半導体チップの接着面に空隙を発生させることなく半導体チップを実装することや高接着性を有することが、接続信頼性向上のための課題の一つとなっている。特に、配線などを有する基板上に半導体チップを積層する場合、この基板表面の凹凸を十分に埋め込む埋込性がパッケージの接続信頼性の確保に重要とされている。しかしながら、低温・低荷重の圧着実装のみで基板や半導体チップなどの空隙を十分埋め込むことは難しいため、接着シート付き半導体チップを基板上に熱圧着して固定し、パッケージ封止工程での熱と圧力で凹凸を埋め込む方法が主流となっている。この際に用いられる接着シートとしては、例えば、特許文献２に記載されているようなエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル共重合体を含む接着フィルムが知られている。   In such a package, mounting a semiconductor chip without generating a gap on the bonding surface of the semiconductor chip and having high adhesiveness are one of the problems for improving connection reliability. In particular, when a semiconductor chip is stacked on a substrate having wiring or the like, embedding property that sufficiently fills unevenness on the surface of the substrate is important for ensuring connection reliability of the package. However, since it is difficult to sufficiently embed gaps such as substrates and semiconductor chips only by low-temperature, low-load crimp mounting, the semiconductor chip with an adhesive sheet is fixed on the substrate by thermocompression bonding, and the heat in the package sealing process The method of embedding irregularities with pressure has become the mainstream. As an adhesive sheet used in this case, for example, an adhesive film containing an epoxy resin, a phenol resin, and an acrylic copolymer as described in Patent Document 2 is known.

特許第３９１３４８１号公報Japanese Patent No. 3913481 特開２００２−２２０５７６号公報JP 2002-220576 A

ところで、半導体ウェハに接着シートを貼り付けるラミネート工程において、半導体ウェハに接着シートを貼り付ける際に貼付不良が生じる場合がある。貼付不良としては、接着シートにシワが生じることや、半導体ウェハへの貼付位置にズレが生じることが挙げられる。これらの貼付不良は、半導体パッケージの不良の原因につながるため、貼付不良が生じた場合、接着シートを半導体ウェハから剥離して半導体ウェハを再利用できると、製造コストの面から好ましい。特に、近年、半導体ウェハの薄膜化及び配線の微細化等が進み、半導体ウェハが高価になるに従い、半導体ウェハの再利用への要求が高まっている。   By the way, in the laminating process of attaching an adhesive sheet to a semiconductor wafer, there may be a case where a sticking failure occurs when the adhesive sheet is attached to the semiconductor wafer. Examples of poor attachment include wrinkles on the adhesive sheet and deviations in the attachment position on the semiconductor wafer. Since these sticking defects lead to the cause of the defect of the semiconductor package, when the sticking defect occurs, it is preferable from the viewpoint of manufacturing cost that the semiconductor wafer can be reused by peeling the adhesive sheet from the semiconductor wafer. In particular, in recent years, as semiconductor wafers become thinner and wirings become finer and the semiconductor wafers become more expensive, there is an increasing demand for reuse of semiconductor wafers.

しかしながら、半導体チップが高接着性を有するために、ラミネート工程において、半導体ウェハに接着シートを貼り付ける際、半導体ウェハと接着シートとの間に気泡（ボイド）を含むと半導体ウェハと接着シートとの密着力が必要以上に強くなる。このため、一度半導体ウェハに貼付した接着シートを剥離することは困難であり、接着シートを半導体ウェハから剥離して半導体ウェハを再利用することが難しい。また、ボイドは、その空隙からパッケージクラックなどを生じる可能性が高く、半導体パッケージの信頼性を低下させる原因の一つとなっている。   However, since the semiconductor chip has high adhesiveness, when the adhesive sheet is attached to the semiconductor wafer in the laminating process, if there are bubbles (voids) between the semiconductor wafer and the adhesive sheet, the semiconductor wafer and the adhesive sheet Adhesion is stronger than necessary. For this reason, it is difficult to peel the adhesive sheet once attached to the semiconductor wafer, and it is difficult to peel the adhesive sheet from the semiconductor wafer and reuse the semiconductor wafer. In addition, the void is highly likely to cause a package crack or the like from the gap, and is one of the causes of reducing the reliability of the semiconductor package.

本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、半導体パッケージの信頼性を維持したまま、半導体ウェハからの剥離性を有する接着シートを提供する。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides an adhesive sheet having releasability from a semiconductor wafer while maintaining the reliability of the semiconductor package.

上記課題の解決のため、本発明に係る接着シートは、第１接着剤層上に第２接着剤層が積層された接着シートであって、第１接着剤層の１２０℃における貯蔵弾性率が０．０５〜３００ＭＰａ、且つ８０℃における溶融粘度が１００００〜６００００Ｐａ・ｓであり、第２接着剤層の８０℃における溶融粘度が５００〜２０００Ｐａ・ｓであることを特徴とする。   In order to solve the above problems, an adhesive sheet according to the present invention is an adhesive sheet in which a second adhesive layer is laminated on a first adhesive layer, and the storage elastic modulus at 120 ° C. of the first adhesive layer is The melt viscosity at 0.05 to 300 MPa and 80 ° C. is 10,000 to 60000 Pa · s, and the melt viscosity at 80 ° C. of the second adhesive layer is 500 to 2000 Pa · s.

本発明に係る接着シートにおいて、第１接着剤層の１２０℃における貯蔵弾性率は０．０５〜３００ＭＰａである。貯蔵弾性率が上記範囲であると、ダイボンディング時において、第１接着剤層に適度な硬さを持たせることができる。このため、ワイヤや凹凸などを充填させる埋め込み性を第２接着剤層に持たせながら、接着剤層の取扱性を第１接着剤層に持たせることができる。よって、良好なワイヤボンディング性を得ることができ、半導体パッケージの信頼性を高めることができる。   In the adhesive sheet according to the present invention, the storage elastic modulus of the first adhesive layer at 120 ° C. is 0.05 to 300 MPa. When the storage elastic modulus is in the above range, the first adhesive layer can have an appropriate hardness during die bonding. For this reason, it is possible to give the first adhesive layer the handleability of the adhesive layer while giving the second adhesive layer the embedding property of filling the wire or the unevenness. Therefore, good wire bonding properties can be obtained, and the reliability of the semiconductor package can be improved.

第１接着剤層の８０℃における溶融粘度が１００００〜６００００Ｐａ・ｓである場合、ラミネート工程において半導体ウェハに接着シートを貼り付ける際、第１接着剤層と半導体ウェハとの間のボイドが十分に抑制される。よって、第１接着剤層と半導体ウェハとの間の接着力が必要以上に強くなりにくく、接着シートを半導体ウェハから剥離して半導体ウェハを再利用することが可能である。   When the melt viscosity at 80 ° C. of the first adhesive layer is 10,000 to 60000 Pa · s, the void between the first adhesive layer and the semiconductor wafer is sufficient when the adhesive sheet is attached to the semiconductor wafer in the laminating process. It is suppressed. Therefore, it is difficult for the adhesive force between the first adhesive layer and the semiconductor wafer to become stronger than necessary, and it is possible to peel the adhesive sheet from the semiconductor wafer and reuse the semiconductor wafer.

また、第１接着剤層の８０℃における溶融粘度が１００００〜６００００Ｐａ・ｓであり、第２接着剤層の８０℃における溶融粘度が５００〜２０００Ｐａ・ｓである場合、ダイボンディング工程において、基板等の表面に形成された凹凸の凹部に対し第２接着剤層を十分良好に充填可能である。加えて、第１接着剤層を凹凸により突き破られないように接着することが可能である。よって、基板と第２接着剤層との間の接着性を高めることができ、半導体パッケージの信頼性を高めることが可能となる。   Further, when the melt viscosity at 80 ° C. of the first adhesive layer is 10,000 to 60000 Pa · s and the melt viscosity at 80 ° C. of the second adhesive layer is 500 to 2000 Pa · s, in the die bonding step, the substrate, etc. The second adhesive layer can be sufficiently satisfactorily filled in the concave and convex portions formed on the surface of the surface. In addition, it is possible to bond the first adhesive layer so that the first adhesive layer is not broken by the unevenness. Therefore, the adhesiveness between the substrate and the second adhesive layer can be improved, and the reliability of the semiconductor package can be improved.

また、第１接着剤層の厚さは、１〜４０μｍであることが好ましい。第１接着剤層の厚さが１μｍ以上であると成膜性を確保できる。他方、第１接着剤層の厚さが４０μｍ以下であると、製造コストを抑えることができる。   Moreover, it is preferable that the thickness of a 1st adhesive bond layer is 1-40 micrometers. When the thickness of the first adhesive layer is 1 μm or more, film formability can be secured. On the other hand, the manufacturing cost can be suppressed when the thickness of the first adhesive layer is 40 μm or less.

また、第２接着剤層の厚さが５〜１５０μｍであることが好ましい。第２接着剤層の厚さが５μｍ以上であると凹凸表面への充填性の効果を得られる他、接着性を高めることができる。他方、第２接着剤層の厚さが１５０μｍ以下であると、製造コストを抑えることができる上、半導体装置の薄型化を図ることができる。   Moreover, it is preferable that the thickness of a 2nd adhesive bond layer is 5-150 micrometers. When the thickness of the second adhesive layer is 5 μm or more, the effect of filling the uneven surface can be obtained and the adhesiveness can be enhanced. On the other hand, when the thickness of the second adhesive layer is 150 μm or less, the manufacturing cost can be reduced and the semiconductor device can be made thinner.

また、半導体ウェハに接着シートを貼付した場合、当該半導体ウェハと当該接着シートとの密着力が３００Ｎ／ｍ以下であり、２５０℃におけるダイシェア接強度が１．５ＭＰａ以上であることが好ましい。半導体ウェハと当該接着シートとの密着力が３００Ｎ／ｍ以下であると、剥離性に特に優れ、２５０℃におけるダイシェア接強度が１．５ＭＰａ以上であると、得られる半導体パッケージの信頼性に特に優れる。   Moreover, when an adhesive sheet is affixed to a semiconductor wafer, the adhesion between the semiconductor wafer and the adhesive sheet is preferably 300 N / m or less, and the die shear contact strength at 250 ° C. is preferably 1.5 MPa or more. When the adhesion between the semiconductor wafer and the adhesive sheet is 300 N / m or less, the peelability is particularly excellent, and when the die shear contact strength at 250 ° C. is 1.5 MPa or more, the reliability of the obtained semiconductor package is particularly excellent. .

また、第１接着剤層は、（Ａ）高分子量成分と、（Ｂ）熱硬化性成分と、（Ｃ）フィラーと、を含む第１樹脂組成物からなり、当該第１樹脂組成物１００質量％を基準として、（Ａ）高分子量成分を５０〜８０質量％、（Ｂ）熱硬化性成分を１５〜４０質量％、（Ｃ）フィラーを５〜３５質量％含有し、第２接着剤層は、（Ａ）高分子量成分と、（Ｂ）熱硬化性成分と、（Ｃ）フィラーと、を含む第２樹脂組成物からなり、当該第２樹脂組成物１００質量％を基準として、（Ａ）高分子量成分を１０〜３０質量％、（Ｂ）熱硬化性成分を４０〜６０質量％、（Ｃ）フィラーを２０〜５０質量％含有する。   The first adhesive layer is composed of a first resin composition containing (A) a high molecular weight component, (B) a thermosetting component, and (C) a filler, and the first resin composition has a mass of 100 mass. % Based on (A) 50 to 80% by mass of high molecular weight component, (B) 15 to 40% by mass of thermosetting component, (C) 5 to 35% by mass of filler, and second adhesive layer Consists of a second resin composition containing (A) a high molecular weight component, (B) a thermosetting component, and (C) a filler, and based on 100% by mass of the second resin composition (A 10) to 30% by mass of high molecular weight component, 40 to 60% by mass of thermosetting component (B), and 20 to 50% by mass of filler (C).

上記第１樹脂組成物及び第２樹脂組成物において、（Ａ）高分子量成分が１０質量％未満であると、接着剤層が脆くなる傾向があり、８０質量％を超えると接着剤層の流動性が低下する傾向がある。また、（Ｂ）熱硬化性成分が１５質量％未満では、接着剤層の硬化性が低下する傾向があり、６０質量％を超えると接着剤層が脆くなる傾向がある。   In the first resin composition and the second resin composition, if the (A) high molecular weight component is less than 10% by mass, the adhesive layer tends to become brittle, and if it exceeds 80% by mass, the flow of the adhesive layer Tend to decrease. Further, when the thermosetting component (B) is less than 15% by mass, the curability of the adhesive layer tends to be lowered, and when it exceeds 60% by mass, the adhesive layer tends to become brittle.

すなわち、第１樹脂組成物及び第２樹脂組成物において、（Ａ）高分子量成分と、（Ｂ）熱硬化性成分と、が上記範囲にあることにより、ダイボンディング工程において、基板等の表面に形成された凹凸の凹部に対し第２接着剤層を十分良好に充填可能である。加えて、第１接着剤層を凹凸により突き破られないように接着することが可能である。   That is, in the first resin composition and the second resin composition, (A) the high molecular weight component and (B) the thermosetting component are in the above ranges, so that the surface of the substrate or the like is formed in the die bonding step. The second adhesive layer can be sufficiently satisfactorily filled into the formed concave and convex portions. In addition, it is possible to bond the first adhesive layer so that the first adhesive layer is not broken by the unevenness.

また、第１樹脂組成物及び第２樹脂組成物の（Ｃ）フィラーが上記範囲にあることにより、ボイドの発生を確実に抑えながら、接着剤層のダイシェア強度を高めることができる。よって、得られる半導体パッケージの信頼性を高めることができる。   Moreover, the die shear strength of an adhesive bond layer can be raised, suppressing generation | occurrence | production of a void reliably, when the (C) filler of a 1st resin composition and a 2nd resin composition exists in the said range. Therefore, the reliability of the obtained semiconductor package can be improved.

本発明によれば、半導体パッケージの信頼性を維持したまま、半導体ウェハからの剥離性を有する接着シートを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesive sheet which has the peelability from a semiconductor wafer can be provided, maintaining the reliability of a semiconductor package.

第１実施形態に係る接着シートの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the adhesive sheet which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法における一工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 1 process in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1st Embodiment. 図２に後続する工程を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a step that follows FIG. 2. 図３に後続する工程を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a step that follows FIG. 3. 本実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the semiconductor device which concerns on this embodiment. 別の実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the semiconductor device which concerns on another embodiment.

以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.

＜接着シート＞
図１は、本発明に係る接着シート１の好適な一実施形態を示す模式断面図である。図１に示すように、接着シート１は、基材２上に、第１接着剤層４ａ及び第２接着剤層４ｂがこの順で積層された構成を有している。後述するように、接着シート１は、半導体装置を製造する際に、ラミネート工程において、半導体ウェハの回路面の裏面に貼り付けられることを想定している。なお、本明細書において、単に「接着剤層４」との記載は、第１接着剤層４ａと第２接着剤層４ｂとを含めた層を指すものとする。 <Adhesive sheet>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of an adhesive sheet 1 according to the present invention. As shown in FIG. 1, the adhesive sheet 1 has a configuration in which a first adhesive layer 4 a and a second adhesive layer 4 b are laminated on a base material 2 in this order. As will be described later, it is assumed that the adhesive sheet 1 is attached to the back surface of the circuit surface of the semiconductor wafer in the laminating process when the semiconductor device is manufactured. In the present specification, the description “adhesive layer 4” simply refers to a layer including the first adhesive layer 4a and the second adhesive layer 4b.

第１接着剤層４ａの１２０℃における貯蔵弾性率は０．０５〜３００ＭＰａである。また、当該貯蔵弾性率は、好ましくは、０．１〜２００ＭＰａであり、より好ましくは０．５〜１００ＭＰａである。本実施形態でいう貯蔵弾性率は、硬化前（Ｂステージ状態）の貯蔵弾性率であり、動的粘弾性測定装置を用いて測定することができる。   The storage elastic modulus at 120 ° C. of the first adhesive layer 4a is 0.05 to 300 MPa. Moreover, the storage elastic modulus is preferably 0.1 to 200 MPa, and more preferably 0.5 to 100 MPa. The storage elastic modulus as used in this embodiment is a storage elastic modulus before hardening (B stage state), and can be measured using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus.

第１接着剤層４ａの８０℃における溶融粘度は、１００００〜６００００Ｐａ・ｓであり、第２接着剤層４ｂの８０℃における溶融粘度は、５００〜２０００Ｐａ・ｓである。溶融粘度は、回転式粘弾性測定装置を用いて測定することができる。   The melt viscosity at 80 ° C. of the first adhesive layer 4a is 10,000 to 60000 Pa · s, and the melt viscosity at 80 ° C. of the second adhesive layer 4b is 500 to 2000 Pa · s. The melt viscosity can be measured using a rotary viscoelasticity measuring device.

第１接着剤層４ａの厚さは、１〜４０μｍであることが好ましく、３〜２０μｍであることがより好ましい。第２接着剤層４ｂの厚さは、５〜１５０μｍであることが好ましく、１０〜４０μｍであることがより好ましい。   The thickness of the first adhesive layer 4a is preferably 1 to 40 μm, and more preferably 3 to 20 μm. The thickness of the second adhesive layer 4b is preferably 5 to 150 μm, and more preferably 10 to 40 μm.

第１接着剤層４ａ及び第２接着剤層４ｂは、（Ａ）高分子量成分と、（Ｂ）熱硬化性成分と、（Ｃ）フィラーと、を含む第１樹脂組成物及び第２樹脂組成物からなる。以下、第１樹脂組成物及び第２樹脂組成物の各成分の具体例及び各成分の含有量について述べる。   The 1st adhesive layer 4a and the 2nd adhesive layer 4b are the 1st resin composition and 2nd resin composition containing (A) high molecular weight component, (B) thermosetting component, and (C) filler. It consists of things. Hereinafter, specific examples of the components of the first resin composition and the second resin composition and the contents of the components will be described.

（Ａ）高分子量成分
（Ａ）高分子量成分は、架橋性官能基を有するものであり、例えば架橋性官能基を有するポリイミド樹脂、（メタ）アクリル共重合体、ウレタン樹脂ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられ、これらのなかでも、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体が好ましい。これら（Ａ）高分子量成分は、１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。前記架橋性官能基はポリマー鎖中に有していても、ポリマー鎖末端に有していてもよい。架橋性官能基の具体例としては、エポキシ基、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基等が挙げられ、これらのなかでも、エポキシ基が好ましく、グリシジシル（メタ）アクリレートなどのエポキシ基含有モノマーを用いることによってポリマー鎖に導入することができる。 (A) High molecular weight component (A) The high molecular weight component has a crosslinkable functional group. For example, a polyimide resin having a crosslinkable functional group, a (meth) acrylic copolymer, a urethane resin, a polyphenylene ether resin, or a polyether. Examples thereof include imide resins, phenoxy resins, and modified polyphenylene ether resins, and among these, (meth) acrylic copolymers having a crosslinkable functional group are preferable. These (A) high molecular weight components may be used singly or in combination of two or more. The crosslinkable functional group may be present in the polymer chain or at the end of the polymer chain. Specific examples of the crosslinkable functional group include an epoxy group, an alcoholic hydroxyl group, a phenolic hydroxyl group, and a carboxyl group. Among these, an epoxy group is preferable, and an epoxy group-containing monomer such as glycidyl (meth) acrylate is used. By being used, it can be introduced into the polymer chain.

好ましい（Ａ）高分子量成分は、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体であり、例えば、エポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エポキシ基含有アクリルゴムなどを挙げることができ、エポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体がより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とするものであり、例えば、ブチルアクリレートやエチルアクリレートとアクリロニトリルの共重合体などからなるゴムである。重合方法は特に制限はなく、パール重合、溶液重合等を使用することができる。   Preferred (A) high molecular weight component is an epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer, and examples thereof include an epoxy group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer and an epoxy group-containing acrylic rubber. A group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer is more preferable. The acrylic rubber is mainly composed of an acrylic ester, and is a rubber made of, for example, a copolymer of butyl acrylate or ethyl acrylate and acrylonitrile. The polymerization method is not particularly limited, and pearl polymerization, solution polymerization and the like can be used.

（Ａ）高分子量成分のガラス転移温度（以下、「Ｔｇ」と表記する）は、−５０〜５０℃であることが好ましく、−３０〜２０℃であることがより好ましい。前記Ｔｇが−５０℃未満では、シートに成形した後のタック力が上がり取り扱い性が悪化する可能性があり、逆に５０℃を超えると流動性を損なう可能性がある。   (A) The glass transition temperature of the high molecular weight component (hereinafter referred to as “Tg”) is preferably −50 to 50 ° C., and more preferably −30 to 20 ° C. If the Tg is less than −50 ° C., the tack force after being formed into a sheet may be increased and the handleability may be deteriorated. Conversely, if it exceeds 50 ° C., the fluidity may be impaired.

（Ａ）高分子量成分の重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」と表記する）は、特に限定されないが、５万〜１２０万であることが好ましく、１０万〜１２０万であることがより好ましく、３０万〜９０万であることが特に好ましい。前記Ｍｗが５万未満では、成膜性が悪くなる傾向があり、逆に１２０万を超えると流動性が落ちてしまう傾向がある。なお、Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値であり、ポンプとして株式会社日立製作所製、製品名：Ｌ−６０００を使用し、カラムとして日立化成工業株式会社製、製品名：ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ−Ｒ４４０、ゲルパックＧＬ−Ｒ４５０及びゲルパックＧＬ−Ｒ４００Ｍ（各１０．７ｍｍ（直径）×３００ｍｍ）をこの順に連結したカラムを使用し、溶離液としてテトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」と言う。）を使用し、試料１２０ｍｇを、ＴＨＦ：５ｍｌに溶解させたサンプルについて、流速１．７５ｍＬ／分で測定することができる。   (A) The weight average molecular weight (hereinafter referred to as “Mw”) of the high molecular weight component is not particularly limited, but is preferably 50,000 to 1,200,000, more preferably 100,000 to 1,200,000. It is particularly preferably 300,000 to 900,000. If the Mw is less than 50,000, the film formability tends to be poor, and conversely if it exceeds 1.2 million, the fluidity tends to decrease. Mw is a value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using a standard polystyrene calibration curve. The product name: L-6000 manufactured by Hitachi, Ltd. is used as the pump, and the column As a product manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., product name: Gelpack GL-R440, Gelpack GL-R450 and Gelpack GL-R400M (each 10.7 mm (diameter) × 300 mm) were used in this order to elute. Tetrahydrofuran (hereinafter referred to as “THF”) is used as a liquid, and a sample in which 120 mg of sample is dissolved in 5 ml of THF can be measured at a flow rate of 1.75 mL / min.

（Ｂ）熱硬化性成分
熱硬化性成分は、半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性および耐湿性を有し、１５０℃以上にて反応し高分子量化するエポキシ樹脂が好ましい。なお、本発明において、エポキシ樹脂硬化剤としてのフェノール樹脂も硬化剤に含まれるものとする。エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ、ビスフェノールＳ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。 (B) Thermosetting component The thermosetting component is preferably an epoxy resin having heat resistance and moisture resistance required for mounting a semiconductor element and reacting at 150 ° C or higher to increase the molecular weight. In the present invention, a phenol resin as an epoxy resin curing agent is also included in the curing agent. The epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action. Bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy, bisphenol F type epoxy and bisphenol S type epoxy, novolac type epoxy resins such as phenol novolak type epoxy resin and cresol novolak type epoxy resin, and the like can be used. Moreover, what is generally known, such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidyl amine type epoxy resin, a heterocyclic ring-containing epoxy resin, or an alicyclic epoxy resin, can be applied.

エポキシ樹脂は２種類を混合することが好ましく、１種類は５０℃以下、もう１種類は５０℃以上１００℃以下のエポキシ樹脂を含有することが好ましい。   Two types of epoxy resins are preferably mixed, and one type preferably contains an epoxy resin having a temperature of 50 ° C. or lower and the other of 50 ° C. or higher and 100 ° C. or lower.

本実施形態において使用することができるフェノール樹脂には特に制限は無く、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に４８時間投入後の吸水率が２質量％以下で、熱重量分析計（ＴＧＡ）で測定した３５０℃での加熱質量減少率（昇温速度：５℃／ｍｉｎ，雰囲気：窒素）が５質量％未満のものを使用することが好ましい。   The phenol resin that can be used in the present embodiment is not particularly limited, and has a water absorption rate of 2% by mass or less after being placed in a constant temperature and humidity chamber at 85 ° C. and 85% RH for 48%. ) Measured at 350 ° C. (temperature increase rate: 5 ° C./min, atmosphere: nitrogen) is preferably less than 5% by mass.

（Ｃ）フィラー
（Ｃ）フィラーとしては特に制限はないが、無機フィラーが好ましく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ及び非晶性シリカを使用できる。これらは１種を単独又は２種類以上を混合して用いてもよいし、特に問題がなければ添加しなくても良い。 (C) Filler Although there is no restriction | limiting in particular as (C) filler, An inorganic filler is preferable, for example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide Alumina, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, crystalline silica and amorphous silica can be used. These may be used singly or in combination of two or more, and may be omitted if there is no particular problem.

熱伝導性向上の観点からは、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ又は非晶性シリカを用いることが好ましい。また、溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ又は非晶性シリカを用いることが好ましい。また、ダイシング性の向上の観点からは、アルミナ又はシリカを用いることが好ましい。   From the viewpoint of improving thermal conductivity, it is preferable to use alumina, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, or amorphous silica. In terms of adjusting melt viscosity and imparting thixotropic properties, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, crystalline silica Alternatively, it is preferable to use amorphous silica. From the viewpoint of improving dicing properties, it is preferable to use alumina or silica.

（Ｃ）フィラーの平均粒径は、０．００５〜２．０μｍであることが好ましい。平均粒径が０．００５μｍ未満であるか又は２．０μｍを超えると接着シートの接着性が低下する可能性がある。良好な成膜性と高い接着力を得るためには、フィラー（Ｅ）の平均粒径は０．００５〜１．５μｍであることがより好ましく、０．００５〜１．０μｍであることがさらに好ましい。   (C) It is preferable that the average particle diameter of a filler is 0.005-2.0 micrometers. If the average particle size is less than 0.005 μm or exceeds 2.0 μm, the adhesiveness of the adhesive sheet may be lowered. In order to obtain good film formability and high adhesive strength, the average particle size of the filler (E) is more preferably 0.005 to 1.5 μm, and further preferably 0.005 to 1.0 μm. preferable.

また、本実施形態に係る接着シートは、（Ｄ）硬化促進剤又は（Ｅ）カップリング剤を更に含むことにより、接着性及び接続信頼性により優れたものとなる。   Moreover, the adhesive sheet which concerns on this embodiment becomes the thing excellent by adhesiveness and connection reliability by further including (D) hardening accelerator or (E) coupling agent.

（Ｄ）硬化促進剤
（Ｄ）硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５、５，６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７等のシクロアミジン化合物及びこれらの化合物に無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−トルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の三級アミン類及びこれらの誘導体、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれらの誘導体、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン類及びこれらのホスフィン類に無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムエチルトリフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムテトラブチルボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール・テトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリン・テトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体が挙げられる。これらの硬化促進剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのなかでも、硬化促進剤としては、イミダゾール類を含むことが好ましい。 (D) Curing accelerator (D) There is no restriction | limiting in particular as a curing accelerator, For example, 1,8- diazabicyclo [5.4.0] undecene-7, 1, 5- diazabicyclo [4.3.0] Cycloamidine compounds such as nonene-5,5,6-dibutylamino-1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7 and these compounds include maleic anhydride, 1,4-benzoquinone, 2,5- Toluquinone, 1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethylbenzoquinone, 2,6-dimethylbenzoquinone, 2,3-dimethoxy-5-methyl-1,4-benzoquinone, 2,3-dimethoxy-1,4-benzoquinone, A compound having intramolecular polarization formed by adding a quinone compound such as phenyl-1,4-benzoquinone, diazophenylmethane, a compound having a π bond such as a phenol resin, Tertiary amines such as benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, tris (dimethylaminomethyl) phenol and their derivatives, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, Imidazoles such as 2-phenyl-4-methylimidazole and 2-heptadecylimidazole and their derivatives, tributylphosphine, methyldiphenylphosphine, triphenylphosphine, tris (4-methylphenyl) phosphine, diphenylphosphine, phenylphosphine, etc. Organic phosphines and these phosphines have intramolecular polarization formed by adding compounds with π bonds such as maleic anhydride, quinone compounds, diazophenylmethane, phenol resins, etc. Phosphorus compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium ethyltriphenylborate, tetrabutylphosphonium tetrabutylborate and other tetrasubstituted phosphonium / tetrasubstituted borates, 2-ethyl-4-methylimidazole / tetraphenylborate, N- Examples thereof include tetraphenylboron salts such as methylmorpholine and tetraphenylborate and derivatives thereof. These curing accelerators may be used alone or in combination of two or more. Among these, as a hardening accelerator, it is preferable that imidazoles are included.

（Ｅ）カップリング剤
本実施形態に係る接着シートは、異種材料間の界面結合を高めるためにカップリング剤を含有することもできる。カップリング剤としては、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤が挙げられ、これらのなかでもシラン系カップリング剤が好ましい。 (E) Coupling agent The adhesive sheet which concerns on this embodiment can also contain a coupling agent in order to improve the interface coupling | bonding between different materials. Examples of the coupling agent include silane coupling agents, titanate coupling agents, and aluminum coupling agents, and among these, silane coupling agents are preferable.

シラン系カップリング剤の具体例としては、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。   Specific examples of the silane coupling agent include vinyltrichlorosilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltri. Methoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropylmethyldimethoxy Silane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropylmethyldiethoxysilane, γ-anilinopropyltrimethoxysilane, γ-anilinopropyltriethoxysilane, γ- (N, N-dimethyl) amino Propyltrimethoxysilane, γ- (N, N-diethyl) aminopropyltrimethoxysilane, γ- (N, N-dibutyl) aminopropyltrimethoxysilane, γ- (N-methyl) anilinopropyltrimethoxysilane, γ -(N-ethyl) anilinopropyltrimethoxysilane, γ- (N, N-dimethyl) aminopropyltriethoxysilane, γ- (N, N-diethyl) aminopropyltriethoxysilane, γ- (N, N- Dibutyl) aminopropyltriethoxysilane, γ- (N-methyl) anilinopropyltriethoxysilane, γ- (N-ethyl) anilinopropyltriethoxysilane, γ- (N, N-dimethyl) aminopropylmethyldimethoxysilane , Γ- (N, N-diethyl) aminopropylmethyldimethoxysilane, γ- (N, N-di Butyl) aminopropylmethyldimethoxysilane, γ- (N-methyl) anilinopropylmethyldimethoxysilane, γ- (N-ethyl) anilinopropylmethyldimethoxysilane, N- (trimethoxysilylpropyl) ethylenediamine, N- (dimethoxy) Methylsilylisopropyl) ethylenediamine, methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, methyltriethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, hexamethyldisilane, vinyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane and the like.

また、第１樹脂組成物は、（Ａ）高分子量成分を５０〜８０質量％、（Ｂ）熱硬化性成分を１５〜４０質量％、（Ｃ）を５〜３５質量％含有することが好ましい。また、第２樹脂組成物は、（Ａ）高分子量成分を１０〜３０質量％、（Ｂ）熱硬化性成分を４０〜６０質量％、（Ｃ）フィラーを２０〜５０質量％含有することが好ましい。   Moreover, it is preferable that 1st resin composition contains 50-80 mass% of (A) high molecular weight component, 15-40 mass% of (B) thermosetting components, and 5-35 mass% of (C). . The second resin composition may contain (A) a high molecular weight component in an amount of 10 to 30% by mass, (B) a thermosetting component in an amount of 40 to 60% by mass, and (C) a filler in an amount of 20 to 50% by mass. preferable.

続いて、本実施形態に係る接着シート１の製造方法について説明する。まず、第１樹脂組成物、第２樹脂組成物からなるワニスを調整する。ワニスは、上述の第１樹脂組成物、第２樹脂組成物を構成する各成分をそれぞれ有機溶媒中で混合、混練することで調整する。上記混合、混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。   Then, the manufacturing method of the adhesive sheet 1 which concerns on this embodiment is demonstrated. First, the varnish which consists of a 1st resin composition and a 2nd resin composition is adjusted. The varnish is adjusted by mixing and kneading each component constituting the first resin composition and the second resin composition in an organic solvent. The above mixing and kneading can be carried out by appropriately combining dispersers such as a normal stirrer, a raking machine, a three-roller, and a ball mill.

ワニスの調製に用いる有機溶媒は、第１樹脂組成物、第２樹脂組成物を構成する成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノンを使用することが好ましい。   The organic solvent used for the preparation of the varnish is not limited as long as the components constituting the first resin composition and the second resin composition can be uniformly dissolved, kneaded or dispersed, and a conventionally known one can be used. it can. Examples of such solvents include amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, and N-methylpyrrolidone; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone; and hydrocarbon solvents such as toluene and xylene. It is preferable to use methyl ethyl ketone and cyclohexanone because the drying speed is fast and the price is low.

有機溶媒は、形成される第１樹脂組成物、第２樹脂組成物中の残存揮発分が全質量基準で０〜１．０質量％となるような範囲で使用することが好ましく、接着剤層４の発泡などによる信頼性低下への懸念から全質量基準で０〜０．８質量％となる範囲で使用することが好ましい。   The organic solvent is preferably used in such a range that the residual volatile components in the first resin composition and the second resin composition to be formed are 0 to 1.0% by mass based on the total mass. 4 is preferably used in the range of 0 to 0.8% by mass on the basis of the total mass because of concern about reliability reduction due to foaming 4 and the like.

次いで、上記で得られた各ワニスをそれぞれ基材フィルム上に均一に塗工し、ワニスの層を形成する。基材フィルムとして、特に制限はなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が用いられる。これらの基材フィルムに対して、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行ってもよい。基材フィルムの厚みは、特に制限はなく、第１接着剤層４ａ、第２接着剤層４ｂの厚みや接着シート１の用途によって適宜選択される。   Next, each of the varnishes obtained above is applied uniformly on the base film to form a varnish layer. There is no restriction | limiting in particular as a base film, For example, a polyester film, a polypropylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyimide film, a polyetherimide film, a polyether naphthalate film, a methylpentene film etc. are used. These substrate films may be subjected to surface treatment such as primer coating, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, and etching treatment as necessary. The thickness of the base film is not particularly limited, and is appropriately selected depending on the thickness of the first adhesive layer 4a and the second adhesive layer 4b and the use of the adhesive sheet 1.

各ワニスを塗工し、加熱乾燥することにより第１接着剤層４ａ、第２接着剤層４ｂからなる各シートを得る。また、接着剤層の乾燥後に基材フィルムを除去して、各接着剤層のみから構成される接着シートとしてもよい。加熱乾燥の条件は、使用した有機溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常６０〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。   Each sheet comprising the first adhesive layer 4a and the second adhesive layer 4b is obtained by applying each varnish and drying by heating. Moreover, it is good also as an adhesive sheet comprised only by each adhesive bond layer by removing a base film after drying an adhesive bond layer. The conditions for the heat drying are not particularly limited as long as the organic solvent used is sufficiently volatilized, but it is usually carried out by heating at 60 to 200 ° C. for 0.1 to 90 minutes.

接着シート１は、このようにして得られた第１接着剤層４ａ、第２接着剤層４ｂからなる各シートを、加熱しながら張り合わせることで製造できる。この場合、加熱条件としては、６０℃〜８０℃で行うことが好ましい。また、接着シート１は、基材２上に第１接着剤層４ａ及び第２接着剤層４ｂを順次塗布しても製造することができる。   The adhesive sheet 1 can be manufactured by sticking each sheet composed of the first adhesive layer 4a and the second adhesive layer 4b thus obtained while heating. In this case, the heating condition is preferably 60 ° C to 80 ° C. The adhesive sheet 1 can also be manufactured by sequentially applying the first adhesive layer 4 a and the second adhesive layer 4 b on the base material 2.

＜半導体装置の製造方法＞
次に、上述の接着シート１を用いて半導体装置を製造する方法について説明する。図２（ａ）〜図２（ｃ）、図３（ａ）〜図３（ｃ）及び図４（ａ）〜図４（ｃ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法における一工程を示す工程断面図である。 <Method for Manufacturing Semiconductor Device>
Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the above-described adhesive sheet 1 will be described. 2A to FIG. 2C, FIG. 3A to FIG. 3C, and FIG. 4A to FIG. 4C show one step in the method of manufacturing a semiconductor device according to this embodiment. It is process sectional drawing which shows these.

まず、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示されるように、半導体ウェハＷの主面Ｗｓに、接着剤層４を介して接着シート１を加圧加熱しながら貼り付ける（ラミネート工程）。この際、接着剤層４ａと半導体ウェハＷとが接着するように貼り付ける。また、半導体ウェハＷの回路面は、主面Ｗｓとは反対側の面であることが好ましい。接着シート１を貼り付けた後、図２（ｃ）に示されるように、基材２を剥離除去する。基材２を剥離除去した後、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示されるように、半導体ウェハＷの主面Ｗｓ上に設けられた第１接着剤層４ａ及び第２接着剤層４ｂに、基材８と紫外線硬化型もしくは感圧型の粘着層１０とが順次積層された構成を有するダイシングシート１２を、粘着層１０を介して貼り付ける。ダイシングシート１２を貼り付けた後、図３（ｃ）に示されるように、半導体ウェハＷ及び第１接着剤層４ａ及び第２接着剤層４ｂをダイシングする。このとき、粘着層１０を共にダイシングしてもよいし、基材８を共に途中までダイシングしてもよい。   First, as shown in FIGS. 2A and 2B, the adhesive sheet 1 is attached to the main surface Ws of the semiconductor wafer W while being heated under pressure via the adhesive layer 4 (laminating step). . At this time, the adhesive layer 4a and the semiconductor wafer W are attached so as to adhere to each other. Moreover, it is preferable that the circuit surface of the semiconductor wafer W is a surface opposite to the main surface Ws. After affixing the adhesive sheet 1, the base material 2 is peeled and removed as shown in FIG. After the substrate 2 is peeled and removed, the first adhesive layer 4a and the second adhesive layer provided on the main surface Ws of the semiconductor wafer W as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b). A dicing sheet 12 having a configuration in which a base material 8 and an ultraviolet curable or pressure-sensitive adhesive layer 10 are sequentially laminated is attached to 4 b via the adhesive layer 10. After the dicing sheet 12 is pasted, the semiconductor wafer W, the first adhesive layer 4a, and the second adhesive layer 4b are diced as shown in FIG. At this time, the adhesive layer 10 may be diced together, or the base material 8 may be diced halfway together.

ダイシングした後、図４（ａ）に示されるように、粘着層１０に紫外線を照射すること（感圧型の場合は不要）により粘着層１０を硬化させ、第２接着剤層４ｂと粘着層１０との間の接着力を低下させる。図４（ｂ）に示されるように、粘着層１０及び基材８を第１接着剤層４ａ及び第２接着剤層４ｂから剥離除去し、接着剤層付き半導体素子１８を得る。接着剤層付き半導体素子１８は、半導体素子Ｗａと第１接着剤層４０ａ及び第２接着剤層４０ｂとを有する。なお、半導体素子Ｗａは半導体ウェハＷを分割して得られるものであり、第１接着剤層４０ａ及び第２接着剤層４０ｂは第１接着剤層４ａ及び第２接着剤層４ｂをそれぞれ分割して得られるものである。接着剤層付き半導体素子１８を得た後、図４（ｃ）に示されるように、接着剤層付き半導体素子１８を、熱圧着により、第１接着剤層４０ａ及び第２接着剤層４０ｂを介して半導体素子搭載用の支持部材１４に接着する。   After the dicing, as shown in FIG. 4A, the adhesive layer 10 is cured by irradiating the adhesive layer 10 with ultraviolet rays (not required in the case of a pressure-sensitive type), and the second adhesive layer 4b and the adhesive layer 10 Decrease the adhesive strength between. As shown in FIG. 4B, the pressure-sensitive adhesive layer 10 and the base material 8 are peeled off from the first adhesive layer 4a and the second adhesive layer 4b to obtain the semiconductor element 18 with an adhesive layer. The semiconductor element 18 with an adhesive layer includes a semiconductor element Wa, a first adhesive layer 40a, and a second adhesive layer 40b. The semiconductor element Wa is obtained by dividing the semiconductor wafer W, and the first adhesive layer 40a and the second adhesive layer 40b divide the first adhesive layer 4a and the second adhesive layer 4b, respectively. Is obtained. After obtaining the semiconductor element 18 with the adhesive layer, as shown in FIG. 4C, the semiconductor element 18 with the adhesive layer is bonded to the first adhesive layer 40a and the second adhesive layer 40b by thermocompression bonding. To the support member 14 for mounting the semiconductor element.

半導体素子Ｗａを支持部材１４上に搭載した後、再び、接着剤層付き半導体素子１８を、熱圧着により、第１接着剤層４０ａ及び第２接着剤層４０ｂを介して半導体素子Ｗａに接着する。これにより、複数の半導体素子Ｗａを支持部材１４上に搭載することができる。この場合、接着剤層４ａの熱履歴は大きくなるが、第１接着剤層４０ａ及び第２接着剤層４０ｂが支持部材１４から十分剥離し難く、支持部材１４の表面１４ａに形成された凹凸の凹部に対して第２接着剤層４０ｂを十分良好に充填可能である。   After mounting the semiconductor element Wa on the support member 14, the semiconductor element 18 with the adhesive layer is again bonded to the semiconductor element Wa via the first adhesive layer 40a and the second adhesive layer 40b by thermocompression bonding. . Thereby, a plurality of semiconductor elements Wa can be mounted on the support member 14. In this case, although the heat history of the adhesive layer 4a is increased, the first adhesive layer 40a and the second adhesive layer 40b are not easily separated from the support member 14, and the unevenness formed on the surface 14a of the support member 14 is increased. The second adhesive layer 40b can be sufficiently satisfactorily filled into the recess.

続いて、半導体素子Ｗａと支持部材１４とをワイヤボンディングにより電気的に接続する。このとき、半導体素子Ｗａ、第１接着剤層４０ａ及び第２接着剤層４０ｂ及び支持部材１４は、例えば、１７０℃で１時間加熱される。さらに、ワイヤボンディングにより接続した後、半導体素子Ｗａを樹脂封止する。このとき、樹脂封止材を支持部材１４の表面１４ａに形成するが、支持部材１４の表面１４ａとは反対側の面にも樹脂封止材を形成するとしてもよい。   Subsequently, the semiconductor element Wa and the support member 14 are electrically connected by wire bonding. At this time, the semiconductor element Wa, the first adhesive layer 40a, the second adhesive layer 40b, and the support member 14 are heated at 170 ° C. for 1 hour, for example. Furthermore, after connecting by wire bonding, the semiconductor element Wa is sealed with resin. At this time, the resin sealing material is formed on the surface 14 a of the support member 14, but the resin sealing material may also be formed on the surface opposite to the surface 14 a of the support member 14.

以上の工程を経ることにより、接着シート１を用いて半導体装置を製造することができる。   Through the above steps, a semiconductor device can be manufactured using the adhesive sheet 1.

本実施形態に係る接着シート１は、第１接着剤層４ａの１２０℃における貯蔵弾性率が０．０５〜３００ＭＰａである。このため、本実施形態に係る半導体装置の製造方法のダイボンディング時において、第１接着剤層に適度な硬さを持たせることができる。したがって、ワイヤや凹凸を充填させる埋め込み性を第２接着剤層４０ｂに持たせながら、接着剤層の取扱性を第１接着剤層４０ａに持たせることができる。よって、良好なワイヤボンディング性をえることができ、得られる半導体装置の信頼性を高めることができる。   The adhesive sheet 1 according to this embodiment has a storage elastic modulus at 120 ° C. of the first adhesive layer 4a of 0.05 to 300 MPa. For this reason, at the time of die bonding in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, the first adhesive layer can be given an appropriate hardness. Therefore, the first adhesive layer 40a can be provided with the handleability of the adhesive layer while the second adhesive layer 40b has the embedding property of filling the wire and the unevenness. Therefore, good wire bonding properties can be obtained, and the reliability of the obtained semiconductor device can be improved.

本実施形態に係る接着シート１は、第１接着剤層４ａの８０℃における溶融粘度が１００００〜６００００Ｐａ・ｓである。このため、本実施形態に係る半導体装置の製造方法のラミネート工程において半導体ウェハWに接着シート１を貼り付ける際、第１接着剤層４ａと半導体ウェハＷとの間のボイドは十分に抑制される。よって、第１接着剤層４ａと半導体ウェハＷとの間の接着力が必要以上に強くなりにくく、接着シート１を半導体ウェハＷから剥離して半導体ウェハＷを再利用することが可能である。   In the adhesive sheet 1 according to this embodiment, the melt viscosity at 80 ° C. of the first adhesive layer 4 a is 10,000 to 60000 Pa · s. For this reason, when adhering the adhesive sheet 1 to the semiconductor wafer W in the laminating process of the manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment, the void between the first adhesive layer 4a and the semiconductor wafer W is sufficiently suppressed. . Therefore, the adhesive force between the first adhesive layer 4a and the semiconductor wafer W is not easily increased more than necessary, and the adhesive sheet 1 can be peeled from the semiconductor wafer W and the semiconductor wafer W can be reused.

また、本実施形態に係る接着シート１は、第１接着剤層４ａの８０℃における溶融粘度が１００００〜６００００Ｐａ・ｓであり、第２接着剤層４ｂの８０℃における溶融粘度が５００〜２０００Ｐａ・ｓである。このため、本実施形態に係る半導体装置の製造方法のダイボンディング工程において、支持部材１４の表面１４ａに形成された凹凸の凹部に対して第２接着剤層４０ｂを十分良好に充填可能である。加えて、第１接着剤層４０ａを凹凸により突き破られないように接着することが可能である。よって、基板と第２接着剤層４０ｂとの間の接着性を高めることができ、半導体装置の信頼性を高めることが可能となる。   Moreover, as for the adhesive sheet 1 which concerns on this embodiment, the melt viscosity in 80 degreeC of the 1st adhesive bond layer 4a is 10000-60000 Pa.s, and the melt viscosity in 80 degreeC of the 2nd adhesive bond layer 4b is 500-2000 Pa. s. For this reason, in the die bonding process of the manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment, the second adhesive layer 40b can be sufficiently satisfactorily filled into the concave and convex recesses formed on the surface 14a of the support member 14. In addition, it is possible to bond the first adhesive layer 40a so that the first adhesive layer 40a is not broken by the unevenness. Therefore, the adhesiveness between the substrate and the second adhesive layer 40b can be increased, and the reliability of the semiconductor device can be increased.

＜半導体装置＞
次に、上述した半導体装置の製造方法により製造される半導体装置１００について説明する。図５は、本実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。図５に示される半導体装置１００は、半導体素子搭載用の支持部材１４と、支持部材１４上に設けられた複数（例えば２つ）の半導体素子Ｗａとを備える。支持部材１４と半導体素子Ｗａとは第１接着剤層４０ａ及び第２接着剤層４０ｂを介して接着されている。また、半導体素子Ｗａ，Ｗａ同士も第１接着剤層４０ａ及び第２接着剤層４０ｂを介して接着されている。支持部材１４は、回路パターン７４及び端子７６が形成された基板７０からなる。この回路パターン７４と半導体素子Ｗａとが、金ワイヤ等のワイヤ７８によってそれぞれ電気的に接続されている。そして、例えば樹脂製の封止材８０が支持部材１４の表面１４ａ上に設けられることにより、半導体素子Ｗａ、接着剤層４ａ、回路パターン７４及びワイヤ７８が封止される。なお、封止材８０が、支持部材１４の表面１４ａとは反対側の面にも設けられているとしてもよい。 <Semiconductor device>
Next, the semiconductor device 100 manufactured by the semiconductor device manufacturing method described above will be described. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the semiconductor device according to the present embodiment. A semiconductor device 100 shown in FIG. 5 includes a support member 14 for mounting a semiconductor element, and a plurality of (for example, two) semiconductor elements Wa provided on the support member 14. The support member 14 and the semiconductor element Wa are bonded via the first adhesive layer 40a and the second adhesive layer 40b. The semiconductor elements Wa and Wa are also bonded to each other via the first adhesive layer 40a and the second adhesive layer 40b. The support member 14 includes a substrate 70 on which a circuit pattern 74 and terminals 76 are formed. The circuit pattern 74 and the semiconductor element Wa are electrically connected by a wire 78 such as a gold wire. Then, for example, the resin sealing material 80 is provided on the surface 14a of the support member 14, whereby the semiconductor element Wa, the adhesive layer 4a, the circuit pattern 74, and the wire 78 are sealed. The sealing material 80 may be provided on the surface of the support member 14 opposite to the surface 14a.

半導体装置１００は、上述した本実施形態に係る半導体装置の製造方法により、接着シート１を用いて製造されるものである。また、支持部材１４の表面１４ａに形成された回路パターン７４に起因する凹凸の凹部に対して接着剤層４０ｂが十分良好に充填されている。このため、半導体装置の信頼性を高めることができる。   The semiconductor device 100 is manufactured using the adhesive sheet 1 by the method for manufacturing a semiconductor device according to this embodiment described above. In addition, the adhesive layer 40b is sufficiently satisfactorily filled in the concave and convex portions due to the circuit pattern 74 formed on the surface 14a of the support member 14. For this reason, the reliability of a semiconductor device can be improved.

本実施形態に係る接着シート１を用いて製造される半導体装置は、半導体装置１００に限られない。図６は、別の実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。図６に示される半導体装置２００は、回路配線半導体素子搭載用の支持部材１４と、支持部材１４上に設けられた半導体素子Ｗａａと、半導体素子Ｗａａと第１接着剤層４０ａ及び第２接着剤層４０ｂを介して接着される半導体素子Ｗａと、を備える。支持部材１４と半導体素子Ｗａａとは接着剤層４００のみを介して接着されている。接着剤層４００としては、半導体素子Ｗａａを支持部材１４と接着できるもので構成されていればよく、２層で構成されていなくても構わない。支持部材１４は、回路パターン８４，９４が形成された基板９０からなる。回路パターン８４と半導体素子Ｗａａとは、金ワイヤ等のワイヤ８８により電気的に接続されており、半導体素子Ｗａａ及びワイヤ８８は、接着剤層４０ｂによって封止されている。   The semiconductor device manufactured using the adhesive sheet 1 according to the present embodiment is not limited to the semiconductor device 100. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor device according to another embodiment. A semiconductor device 200 shown in FIG. 6 includes a support member 14 for mounting a circuit wiring semiconductor element, a semiconductor element Waa provided on the support member 14, a semiconductor element Waa, a first adhesive layer 40a, and a second adhesive. And a semiconductor element Wa bonded through the layer 40b. The support member 14 and the semiconductor element Waa are bonded only via the adhesive layer 400. The adhesive layer 400 only needs to be made of a material capable of bonding the semiconductor element Waa to the support member 14 and may not be made of two layers. The support member 14 includes a substrate 90 on which circuit patterns 84 and 94 are formed. The circuit pattern 84 and the semiconductor element Waa are electrically connected by a wire 88 such as a gold wire, and the semiconductor element Waa and the wire 88 are sealed with an adhesive layer 40b.

半導体装置２００では、ワイヤ８８及び回路パターン７４に起因する凹凸の凹部に対して接着剤層４０ｂが十分良好に充填されている。また、接着剤層４０ａによって半導体素子Ｗａとワイヤ８８とが接触することを防ぐことができる。これにより、半導体装置の信頼性を高めることができる。また、半導体装置２００では、接着剤層４０ｂによって半導体素子Ｗａａ及びワイヤ８８を一括封止することができる。   In the semiconductor device 200, the adhesive layer 40 b is sufficiently satisfactorily filled in the concave and convex portions caused by the wires 88 and the circuit pattern 74. Further, the adhesive layer 40a can prevent the semiconductor element Wa and the wire 88 from contacting each other. Thereby, the reliability of the semiconductor device can be improved. In the semiconductor device 200, the semiconductor element Waa and the wire 88 can be collectively sealed by the adhesive layer 40b.

なお、上述した実施形態は、本発明に係る接着シート及び接着シートを用いて製造される半導体装置の実施形態を説明したものであり、本発明に係る接着シート及び半導体装置は本実施形態に記載したものに限定されるものではない。本発明に係る接着シート及び半導体装置は、各請求項に記載した要旨を変更しないように実施形態に係る接着シート及び半導体装置を変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。   In addition, embodiment mentioned above demonstrated embodiment of the semiconductor device manufactured using the adhesive sheet and adhesive sheet which concern on this invention, and the adhesive sheet and semiconductor device which concern on this invention are described in this embodiment. It is not limited to what was done. The adhesive sheet and the semiconductor device according to the present invention may be obtained by modifying the adhesive sheet and the semiconductor device according to the embodiment or applying them to others so as not to change the gist described in each claim.

例えば、本実施形態では、接着シート１が基材２，８を備えていたが、接着シート１が基材２，８を備えないとしてもよい。つまり、接着シート１は、第１接着剤層４ａ及び第１接着剤層４ｂからなるとしてもよいし、第１接着剤層４ａ及び第１接着剤層４ｂと粘着層１０とからなるとしてもよいし、単層の粘接着剤層からなるとしてもよい。   For example, in the present embodiment, the adhesive sheet 1 includes the base materials 2 and 8, but the adhesive sheet 1 may not include the base materials 2 and 8. That is, the adhesive sheet 1 may include the first adhesive layer 4a and the first adhesive layer 4b, or may include the first adhesive layer 4a, the first adhesive layer 4b, and the pressure-sensitive adhesive layer 10. The adhesive layer may be a single adhesive layer.

以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not restrict | limited to these.

＜接着シートの作製＞
実施例１〜２及び比較例１〜３において、以下の（Ａ）〜（Ｅ）成分を表１に示す質量部用いて以下の手順により第１接着剤組成物及び第２接着剤組成物からなるワニスを調整した。まず、（Ｂ）熱硬化性成分、（Ｃ）フィラーを配合した後に、シクロヘキサノンを加えて撹拌した。続いて（Ａ）高分子量成分、（Ｄ）硬化促進剤及び（Ｅ）カップリング剤を加えて各成分が均一になるまで撹拌することによってワニスを調整した。 <Preparation of adhesive sheet>
In Examples 1-2 and Comparative Examples 1-3, from the first adhesive composition and the second adhesive composition by the following procedure using the following (A) to (E) components in parts by mass shown in Table 1. The varnish was adjusted. First, (B) a thermosetting component and (C) a filler were blended, and then cyclohexanone was added and stirred. Subsequently, (A) a high molecular weight component, (D) a curing accelerator and (E) a coupling agent were added, and the varnish was adjusted by stirring until each component became uniform.

（Ａ）高分子量成分
アクリルゴム：ナガセケムテックス株式会社製商品名、商品名「ＨＴＲ−８６０Ｐ−３」、重量平均分子量８０万、Ｔｇ：−１３℃ (A) High molecular weight component Acrylic rubber: trade name, trade name “HTR-860P-3” manufactured by Nagase ChemteX Corporation, weight average molecular weight 800,000, Tg: −13 ° C.

（Ｂ）熱硬化性成分
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂：東都化成株式会社製、商品名「ＹＤＣＮ−７００−１０」、エポキシ当量：２１０
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂：ＤＩＣ株式会社、エポキシ当量：１５９、商品名「ＥＸＡ−８３０ＣＲＰ」
フェノール樹脂：三井化学株式会社製、商品名「ミレックスＸＬＣ−ＬＬ」、水酸基当量１７５、フェノール・p−キシリレングリコールジメチルエーテル共重合樹脂 (B) Thermosetting component Cresol novolak type epoxy resin: manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., trade name “YDCN-700-10”, epoxy equivalent: 210
Bisphenol F type epoxy resin: DIC Corporation, epoxy equivalent: 159, trade name “EXA-830CRP”
Phenol resin: manufactured by Mitsui Chemicals, trade name “Mirex XLC-LL”, hydroxyl group equivalent 175, phenol / p-xylylene glycol dimethyl ether copolymer resin

（Ｃ）フィラー
シリカフィラー：日本アエロジル株式会社製商品名、商品名「アエロジルＲ９７２」、平均粒径０．０１６μｍ
シリカフィラー：アドマテックス株式会社製、商品名「ＳＣ２０５０−ＨＬＧ」、平均粒径０．５００μｍ (C) Filler silica filler: Nippon Aerosil Co., Ltd. trade name, trade name “Aerosil R972”, average particle size 0.016 μm
Silica filler: manufactured by Admatechs Co., Ltd., trade name “SC2050-HLG”, average particle size 0.500 μm

（Ｄ）硬化促進剤
１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールキュアゾール：四国化成工業株式会社製、商品名「２ＰＺ−ＣＮ」 (D) Curing accelerator 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole cure: Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name “2PZ-CN”

（Ｅ）カップリング剤
γ―メルカプトプロピルトリメトキシシラン：日本ユニカー株式会社製、商品名「ＮＵＣ Ａ−１８９」
γ―ウレイドプロピルトリエトキシシラン：日本ユニカー株式会社製、商品名「ＮＵＣ Ａ−１１６０」 (E) Coupling agent γ-mercaptopropyltrimethoxysilane: Nippon Unicar Co., Ltd., trade name “NUC A-189”
γ-Ureidopropyltriethoxysilane: Nippon Unicar Co., Ltd., trade name “NUC A-1160”

Figure 2013127014
Figure 2013127014

次いで上記ワニスを、基材フィルムである厚み３８μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、接着剤層1を１１５℃で５分間加熱乾燥して、接着剤層（厚み２５μｍ）が基材フィルム上に形成された接着シートを作製した。   Next, the varnish was applied on a polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 μm, which was a base film, and the adhesive layer 1 was heated and dried at 115 ° C. for 5 minutes. An adhesive sheet formed on the film was produced.

接着剤層２も同様に基材フィルム上で１４０℃、５分間加熱乾燥させ、接着シート（厚み４０μｍ）を作製した。   Similarly, the adhesive layer 2 was heated and dried on a base film at 140 ° C. for 5 minutes to prepare an adhesive sheet (thickness: 40 μm).

＜接着シートの評価＞
実施例１〜２及び比較例１〜３で作製した接着シートの特性を、以下のようにして評価した。 <Evaluation of adhesive sheet>
The characteristics of the adhesive sheets prepared in Examples 1-2 and Comparative Examples 1-3 were evaluated as follows.

（１）８０℃における溶融粘度の測定
接着シートの接着剤層の溶融粘度は回転式粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン株式会社製、ＡＲＥＳ−ＲＤＡ）を用いて測定した。具体的な手順を以下に示す。まず、接着シート（実施例1に関しては、第１接着剤層４ａ、第２接着剤層４ｂをそれぞれ測定した）から基材フィルムを剥離した後、接着剤層を７０℃でラミネートし、膜厚を１００μｍ以上とし、直径８ｍｍの円形に打ち抜いた。作製した円形のフィルムを同じく８ｍｍの治具２枚ではさみ、サンプルを作製し、周波数：１Ｈｚ、測定開始温度：３５℃、測定終了温度：１５０℃、昇温速度５℃／分の測定条件で測定を行い、８０℃の値を読み取った。 (1) Measurement of melt viscosity at 80 ° C. The melt viscosity of the adhesive layer of the adhesive sheet was measured using a rotary viscoelasticity measuring device (ARES-RDA, manufactured by TA Instruments Japan Co., Ltd.). The specific procedure is shown below. First, after peeling the base film from the adhesive sheet (for Example 1, the first adhesive layer 4a and the second adhesive layer 4b were measured), the adhesive layer was laminated at 70 ° C. Was punched into a circle with a diameter of 8 mm. The produced circular film is similarly sandwiched between two 8 mm jigs to produce a sample, with a frequency of 1 Hz, a measurement start temperature of 35 ° C., a measurement end temperature of 150 ° C., and a temperature increase rate of 5 ° C./min. Measurements were taken and the value at 80 ° C. was read.

（２）ダイシェア強度の測定
接着剤層のダイシェア強度（接着強度）を下記の方法により測定した。まず、接着シートと厚み４００μｍの半導体ウェハを７０℃で貼り付けた。実施例１〜３では、第１接着剤層４ａ側が半導体ウェハと接するように貼り付けた。それらを５ｍｍ角にダイシングして接着剤層付き半導体チップを得た。次いで、リードフレーム（大日本印刷（株）製、商品名「４２アロイ ＬＦ８１０ＴＲ」）上に、個片化した接着剤層付き半導体チップを接着剤層がリードフレームと接するように、１２０℃／０．１ＭＰａ／５秒の条件で熱圧着した。実施例１〜３では、リードフレームが第２接着剤層４ｂと接するように熱圧着した。次に、オーブンで１１０℃／１時間＋１７０℃／３時間のステップキュアを行い、接着フィルムを完全硬化させた。万能ボンドテスター（Ｄａｇｅ社製、シリーズ４０００）を用いて、２５０℃でダイシェア強度を測定し、これを接着強度とした。 (2) Measurement of die shear strength The die shear strength (adhesion strength) of the adhesive layer was measured by the following method. First, an adhesive sheet and a semiconductor wafer having a thickness of 400 μm were attached at 70 ° C. In Examples 1 to 3, the first adhesive layer 4a side was attached so as to be in contact with the semiconductor wafer. These were diced to 5 mm square to obtain a semiconductor chip with an adhesive layer. Next, on the lead frame (Dai Nippon Printing Co., Ltd., trade name “42 Alloy LF810TR”), the separated semiconductor chip with an adhesive layer is 120 ° C./0 so that the adhesive layer is in contact with the lead frame. Thermocompression bonding was performed under the condition of 1 MPa / 5 seconds. In Examples 1 to 3, thermocompression bonding was performed so that the lead frame was in contact with the second adhesive layer 4b. Next, step cure of 110 ° C./1 hour + 170 ° C./3 hours was performed in an oven to completely cure the adhesive film. The die shear strength was measured at 250 ° C. using an all-purpose bond tester (manufactured by Dage, series 4000), and this was used as the adhesive strength.

（３）１２０℃での貯蔵弾性率の測定
動的粘弾性測定装置ＤＶＥ レオスペクトラ（レオロジ株式会社製）を用いて以下の手順にて測定した。実施例１〜２及び比較例１〜３で作製した接着シートを測定精度のために、５０ｕｍ以上にそれぞれラミネートし、基材フィルムを剥離した後、接着剤層を長さ２０．０ｍｍ、幅４．０ｍｍに切断して試験片を作製した。昇温速度３℃／分で、−３０℃から２７０℃までの粘弾性測定を行い、１２０℃の弾性率を読み取った。 (3) Measurement of storage elastic modulus at 120 ° C. Measurement was performed in the following procedure using a dynamic viscoelasticity measuring device DVE Leospectra (manufactured by Rheology Co., Ltd.). For the measurement accuracy, the adhesive sheets prepared in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 were respectively laminated to 50 μm or more, and after peeling the base film, the adhesive layer was 20.0 mm in length and 4 in width. A test piece was prepared by cutting to 0.0 mm. The viscoelasticity measurement from −30 ° C. to 270 ° C. was performed at a temperature rising rate of 3 ° C./min, and the elastic modulus at 120 ° C. was read.

（４）ウェハ密着力の測定
オートグラフ （株）島津製作所製を用いて以下の手順にて測定した。
実施例１及び比較例１、２で作製した接着シートをウェハ（４００umt, ＤＰ処理）に７０℃でラミネート（但し実施例１は第１接着剤層４ａの面を半導体ウェハ側とする）し、更にその上に支持テープとして３１Bテープ(日東電工製）を貼り付けた。ラミネートしたフィルムを１０ｍｍ幅にカッターにて切断し、支持テープ＋接着フィルムと半導体ウェハの界面を引き上げ速度は５０ｍｍ／分で剥がして半導体ウェハの密着力を測定した。また評価結果として、引き剥がせなかったものは「Ｎ」とした。以上のように測定した結果を表２に示す。 (4) Measurement of wafer adhesion force Measured by the following procedure using an autograph manufactured by Shimadzu Corporation.
The adhesive sheets prepared in Example 1 and Comparative Examples 1 and 2 were laminated to a wafer (400umt, DP treatment) at 70 ° C. (however, in Example 1, the surface of the first adhesive layer 4a is the semiconductor wafer side), Further thereon, 31B tape (manufactured by Nitto Denko) was attached as a support tape. The laminated film was cut to a width of 10 mm with a cutter, the interface between the support tape + adhesive film and the semiconductor wafer was pulled up and peeled off at a speed of 50 mm / min, and the adhesion of the semiconductor wafer was measured. Moreover, as an evaluation result, what was not able to be peeled off was set to "N". The results measured as described above are shown in Table 2.

Figure 2013127014
Figure 2013127014

１…接着シート、２，８…基材、４ａ，４０ａ…第１接着剤層、４ｂ，４０ｂ…第２接着剤層、Ｗ…半導体ウェハ、Ｗｓ…半導体ウェハの主面、Ｗａ，Ｗａａ…半導体素子、１０…粘着層、１２…ダイシングシート、１４…支持部材、１４ａ…支持部材の表面、１８…接着剤層付き半導体素子、７０，９０…基板、７４，８４，９４…回路パターン、７６…端子、７８，８８…ワイヤ、８０…封止材、１００，２００…半導体装置。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Adhesive sheet, 2,8 ... Base material, 4a, 40a ... 1st adhesive bond layer, 4b, 40b ... 2nd adhesive bond layer, W ... Semiconductor wafer, Ws ... Main surface of semiconductor wafer, Wa, Waa ... Semiconductor Element 10 ... Adhesive layer 12 ... Dicing sheet 14 ... Support member 14a ... Surface of support member 18 ... Semiconductor element with adhesive layer 70, 90 ... Substrate 74, 84, 94 ... Circuit pattern 76 ... Terminals 78, 88... Wire, 80... Sealing material, 100, 200... Semiconductor device.

Claims (5)

第１接着剤層上に第２接着剤層が積層された接着シートであって、
前記第１接着剤層の１２０℃における貯蔵弾性率が０．０５〜３００ＭＰａ、且つ８０℃における溶融粘度が１００００〜６００００Ｐａ・ｓであり、
前記第２接着剤層の８０℃における溶融粘度が５００〜２０００Ｐａ・ｓであることを特徴とする接着シート。 An adhesive sheet in which a second adhesive layer is laminated on the first adhesive layer,
The storage elastic modulus at 120 ° C. of the first adhesive layer is 0.05 to 300 MPa, and the melt viscosity at 80 ° C. is 10,000 to 60000 Pa · s,
The adhesive sheet, wherein the second adhesive layer has a melt viscosity of 500 to 2000 Pa · s at 80 ° C. 前記第１接着剤層の厚さが１〜４０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 1, wherein the first adhesive layer has a thickness of 1 to 40 μm. 前記第２接着剤層の厚さが５〜１５０μｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 1 or 2, wherein the second adhesive layer has a thickness of 5 to 150 µm. 前記半導体ウェハに前記接着シートを貼付した場合、当該半導体ウェハと当該接着シートとの密着力が３００Ｎ／ｍ以下であり、２５０℃におけるダイシェア強度が１．５ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の接着シート。   The adhesive strength between the semiconductor wafer and the adhesive sheet is 300 N / m or less when the adhesive sheet is attached to the semiconductor wafer, and the die shear strength at 250 ° C. is 1.5 MPa or more. The adhesive sheet as described in any one of 1-3. 前記第１接着剤層は、（Ａ）高分子量成分と、（Ｂ）熱硬化性成分と、（Ｃ）フィラーと、を含む第１樹脂組成物からなり、当該第１樹脂組成物１００質量％を基準として、（Ａ）高分子量成分を５０〜８０質量％、（Ｂ）熱硬化性成分を１５〜４０質量％、（Ｃ）フィラーを５〜３５質量％含有し、
前記第２接着剤層は、（Ａ）高分子量成分と、（Ｂ）熱硬化性成分と、（Ｃ）フィラーと、を含む第２樹脂組成物からなり、当該第２樹脂組成物１００質量％を基準として、（Ａ）高分子量成分を１０〜３０質量％、（Ｂ）熱硬化性成分を４０〜６０質量％、（Ｃ）フィラーを２０〜５０質量％含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の接着シート。 The first adhesive layer is composed of a first resin composition containing (A) a high molecular weight component, (B) a thermosetting component, and (C) a filler, and the first resin composition is 100% by mass. (A) 50-80% by mass of high molecular weight component, (B) 15-40% by mass of thermosetting component, and (C) 5-35% by mass of filler,
The second adhesive layer is composed of a second resin composition containing (A) a high molecular weight component, (B) a thermosetting component, and (C) a filler, and the second resin composition is 100% by mass. (A) 10-30 mass% of high molecular weight components, (B) 40-60 mass% of thermosetting components, and (C) 20-50 mass% of fillers, characterized by the above-mentioned. The adhesive sheet as described in any one of 1-4.
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