KR20150071287A - 금속 필름을 이용한 면 봉지 방식의 유기발광 다이오드 표시장치 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 75
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 94
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 68
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 58
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 claims description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 abstract 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 13
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 4
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/842—Containers
- H10K50/8423—Metallic sealing arrangements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
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Abstract
본 발명은 박막 금속을 구비한 면 봉지 방식의 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비 표시 영역을 포함하는 박막 트랜지스터 기판; 상기 박막 트랜지스터 기판과 대향하는 금속 배리어 필름; 상기 금속 배리어 필름의 적어도 어느 한 테두리 표면에 형성된 부도체 층; 그리고 상기 박막 트랜지스터 기판의 내측면과 면 합착되도록, 상기 배리어 기판의 내측 표면 상에 도포된 봉지재를 포함한다.
Description
본 발명은 박막 금속을 구비한 면 봉지 방식의 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 금속 호일 혹은 금속 필름을 면 봉지 부재로 채택하되, 금속 필름의 끝 단에서 발생할 수 있는 정전기를 방지한, 곡면형 TV와 같은 대형 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치(Electro-Luminescence device, EL) 등이 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 능동소자인 박막 트랜지스터를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display Device: OLED)의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1에서 절취선 I-I'로 자른 단면으로 종래 기술에 의한 유기발광 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 1 및 2를 참조하면, 유기발광 다이오드 표시장치는 박막 트랜지스터(ST, DT) 및 박막 트랜지스터(ST, DT)와 연결되어 구동되는 유기발광 다이오드(OLED)가 형성된 박막 트랜지스터 기판, 박막 트랜지스터 기판 위에 실재(FS) 를 사이에 두고 합착하는 배리어 기판(BF)을 포함한다. 박막 트랜지스터 기판은 투명한 기판(SUB) 위에 형성된 스위칭 TFT(ST), 스위칭 TFT(ST)와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.
유리 기판(SUB) 위에 스위칭 TFT(ST)는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 게이트 라인(GL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고, 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 애노드 전극(ANO)을 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체층(DA), 구동 전류 전송 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.
도 2에서는 일례로, 탑 게이트(Top Gate) 구조의 박막 트랜지스터를 도시하였다. 이 경우, 스위칭 TFT(ST)의 반도체 층(SA) 및 구동 TFT(DT)의 반도체 층(DA)들이 기판(SUB) 위에 먼저 형성되고, 그 위를 덮는 게이트 절연막(GI) 위에 게이트 전극들(SG, DG)이 반도체 층들(SA, DA)의 중심부에 중첩되어 형성된다. 그리고 반도체 층들(SA, DA)의 양 측면에는 콘택홀을 통해 소스 전극들(SS, DS) 및 드레인 전극들(SD, DD)이 연결된다. 소스 전극(SS, DS) 및 드레인 전극(SD, DD)들은 게이트 전극들(SG, DG)을 덮는 절연막(IN) 위에 형성된다.
또한, 기판(SUB)에서 화소 영역이 배치되는 표시 영역의 외주부에는, 각 게이트 라인(GL)의 일측 단부에 형성된 게이트 패드(GP), 각 데이터 라인(DL)의 일측 단부에 형성된 데이터 패드(DP), 그리고 각 구동 전류 전송 배선(VDD)의 일측 단부에 형성된 구동 전류 패드(VDP)가 배치된다. 게이트 패드(GP)와 데이터 패드(DP)는 서로 다른 층에 형성되기 때문에 단차로 인해 불량이 발생할 수 있다. 이러한 단차 불량을 해소하기 위해 게이트 패드(GP)를 덮는 절연막(IN)을 패턴하여 게이트 패드(GP)를 노출하고, 절연막(IN) 위에 데이터 패드(DP)와 동일한 물질로 게이트 패드(GP)에 연결되는 게이트 중간 패드(GPI)를 더 형성하는 것이 바람직하다.
스위칭 TFT(ST)와 구동 TFT(DT)가 형성된 기판(SUB) 위에 보호막(PAS)이 전면 도포된다. 그리고 게이트 중간 패드(GPI), 데이터 패드(DP), 구동 전류 패드(VDP), 그리고, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)을 노출하는 콘택홀들이 형성된다. 그리고 기판(SUB) 중에서 표시 영역 위에는 평탄화 막(PL)이 도포된다. 평탄화 막(PL)을 패턴하여 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)을 노출하는 콘택홀이 형성된다. 한편, 게이트 중간 패드(GPI) 및 데이터 패드(GP) 부분은 완전히 노출되도록 평탄화 막(PL)을 패턴한다. 평탄화 막(PL)은 유기발광 다이오드를 구성하는 유기물질을 매끈한 평면 상태에서 도포하기 위해 기판 표면의 거칠기를 균일하게 하는 기능을 한다.
평탄화 막(PL) 위에는 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 접촉하는 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 또한, 평탄화 막(PL)이 형성되지 않은 표시 영역의 외주부에서도, 보호막(PAS)에 형성된 콘택홀들을 통해 노출된 게이트 중간 패드(GPI), 데이터 패드(DP) 그리고 구동 전류 패드(VDP) 위에는 게이트 패드 단자(GPT), 데이터 패드 단자(DPT) 그리고 구동 전류 패드 단자(VDPT)가 각각 형성된다. 표시 영역 내에서 특히 화소 영역을 제외한 기판(SUB) 위에 뱅크(BANK)가 형성된다.
박막 트랜지스터 기판을 완성한 후, 수분 및 산소의 침투를 막아 유기발광 다이오드 소자를 보호하기 위해 질화 실리콘(SiNx)와 같은 무기물질을 1~3㎛ 정도의 두께로, 기판 전체 표면 위에 도포한다. 그리고 배리어 기판(BF)의 내측 표면 위에는, 실재(FS)를 도포한다. 특히, 배리어 기판(BF)의 테두리보다 내측으로 일정 거리 이격된 위치까지만 실재(FS)를 도포하는 것이 바람직하다.
박막 트랜지스터 기판과 배리어 기판(BF)을 정렬 배치한 후, 배리어 기판(BF)을 눌러 박막 트랜지스터 기판과 합착한다. 합착한 기판(배리어 기판과 박막 트랜지스터 기판)들 사이에 개재된 실재(FS)가 경화된 후, 가압력을 제거하면, 박막 트랜지스터 기판과 배리어 기판(BF)은 실재(FS)를 매개로 하여 면 봉지된 구조를 갖는다. 배리어 기판(BF)은 플라스틱 혹은 유기물질을 포함하는 필름형태의 것이 바람직하다.
실재(FS) 및 배리어 기판(BF)은 박막 트랜지스터 기판의 거의 모든 영역을 덮도록 형성하되, 패드 단자들은 외부 장치와 연결되어야 하므로, 패드부들을 덮지 않도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 게이트 패드(GP) 및 게이트 패드 단자(GPT) 그리고 데이터 패드(DP) 및 데이터 패드 단자(DPT)는 배리어 기판(BF) 외측으로 노출되어 각종 연결 수단을 통해 외부에 설치되는 장치와 연결된다.
배리어 기판(BF)을 두꺼운 기판 형상의 것을 사용할 경우, 외부 충격이나 긁힘에 대해 강한 보호력을 확보할 수 있다. 하지만, 배리어 기판(BF)의 휨 강도가 강할 경우 플렉서블 표시장치로 사용하기에 바람직하지 않다. 플렉서블 표시장치로 사용할 경우, 배리어 기판(BF)은 유연성이 높이 플라스틱 혹은 유기물질을 포함하는 필름 부재를 사용할 수 있다. 하지만, 얇은 유기물질의 필름은 외부 충격이나 긁힘에 충분한 강도를 가지고 있지 못하다는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기 문제점들을 극복하기 위해 고안된 것으로, 유기발광 표시장치의 박막 트랜지스터 기판을 면 봉지하는 데 있어서, 금속 호일 및 필름을 이용함으로써 유연성 및 초박막성을 유지하면서도, 외부 충격 및 긁힘에 강한 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은 금속 필름을 이용한 면 봉지 구조에 있어서, 금속 필름의 끝단에서 발생하는 정전기에 의한 손상을 방지할 수 있는 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 곡면형 대형 TV와 같은 평판 표시장치를 유기발광 다이오드 표시장치로 구현함에 있어서, 금속 필름을 봉지 부재로 사용할 때 발생할 수 있는 정전기 발생을 방지한 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비 표시 영역을 포함하는 박막 트랜지스터 기판; 상기 박막 트랜지스터 기판과 대향하는 금속 배리어 필름; 상기 금속 배리어 필름의 적어도 어느 한 테두리 표면에 형성된 부도체 층; 그리고 상기 박막 트랜지스터 기판의 내측면과 면 합착되도록, 상기 배리어 기판의 내측 표면 상에 도포된 봉지재를 포함한다.
상기 부도체 층은, 상기 금속 배리어 필름의 끝단에서 내측으로 8 내지 10mm의 폭으로 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 부도체 층은, 상기 금속 배리어 필름의 적어도 어느 한 일측변에서 상층 표면, 측면 그리고 하층 표면에 걸쳐 감싸도록 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 부도체 층은, 상기 박막 트랜지스터 기판에 형성되고, 외부에 노출된 패드부와 인접하는 상기 금속 배리어 필름의 측변에 선택적으로 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 금속 배리어 필름은, 알루미늄, 니켈, 크롬, 철과 니켈 합금, 및 철과 크롬 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 부도체 층은, 양극 산화 피막 및 레이던트 피막 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 면 봉지 방식의 유기발광 다이오드 표시장치는, 면 봉지 구조를 갖는다. 따라서, 초 박막형 유기발광 다이오드 표시장치를 구현할 수 있다. 특히, 본 발명에서는 금속 호일 혹은 필름을 면 봉지 부재로 채택함으로써, 외부 충격 및 긁힘에 대해 유기발광 다이오드 표시 소자를 보호하는 기능이 우수하다. 또한, 본 발명에 의한 금속 필름 면 봉지 부재는 테두리 부에 일정 너비를 부도체 처리한 부도체 층을 더 구비한다. 따라서, 금속 필름을 대면적 표시장치의 봉지 부재로 채택할 때, 금속 필름의 끝단에서 발생할 수 있는 정전기를 방지하여, 이로 인한 배선부의 손상을 방지할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 능동소자인 박막 트랜지스터를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 2는 도 1에서 절취선 I-I'로 자른 단면으로 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 의한 금속 필름을 면 봉지 부재로 이용한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 2에서 절취선 II-II'로 자른 단면으로, 본 발명의 제1 실시 예에 의한 금속 필름을 면 봉지 부재로 이용한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 의한 부도체 박막 테두리부를 구비한 금속 필름 면 봉지 방식의 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 6은 도 5에서 절취선 III-III'으로 자른 단면으로, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 부도체 박막 테두리부를 구비한 금속 필름 면 봉지 방식의 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 2는 도 1에서 절취선 I-I'로 자른 단면으로 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 의한 금속 필름을 면 봉지 부재로 이용한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 2에서 절취선 II-II'로 자른 단면으로, 본 발명의 제1 실시 예에 의한 금속 필름을 면 봉지 부재로 이용한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 의한 부도체 박막 테두리부를 구비한 금속 필름 면 봉지 방식의 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 6은 도 5에서 절취선 III-III'으로 자른 단면으로, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 부도체 박막 테두리부를 구비한 금속 필름 면 봉지 방식의 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.
이하, 도 3 및 4를 참조하여 본 발명의 제1 실시 예를 설명한다. 도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 의한 금속 필름을 면 봉지 부재로 이용한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 2에서 절취선 II-II'로 자른 단면으로, 본 발명의 제1 실시 예에 의한 금속 필름을 면 봉지 부재로 이용한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 3 및 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 박막 트랜지스터(ST, DT) 및 박막 트랜지스터(ST, DT)와 연결되어 구동되는 유기발광 다이오드(OLED)가 형성된 박막 트랜지스터 기판, 박막 트랜지스터 기판 위에 실재(FS) 를 사이에 두고 합착하는 금속 배리어 필름(MF)을 포함한다. 박막 트랜지스터 기판은 투명한 기판(SUB) 위에 형성된 스위칭 TFT(ST), 스위칭 TFT(ST)와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.
유리 기판(SUB) 위에 스위칭 TFT(ST)는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 게이트 라인(GL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고, 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 애노드 전극(ANO)을 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체층(DA), 구동 전류 전송 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.
도 4에서는 일례로, 탑 게이트(Top Gate) 구조의 박막 트랜지스터를 도시하였다. 이 경우, 스위칭 TFT(ST)의 반도체 층(SA) 및 구동 TFT(DT)의 반도체 층(DA)들이 기판(SUB) 위에 먼저 형성되고, 그 위를 덮는 게이트 절연막(GI) 위에 게이트 전극들(SG, DG)이 반도체 층들(SA, DA)의 중심부에 중첩되어 형성된다. 그리고 반도체 층들(SA, DA)의 양 측면에는 콘택홀을 통해 소스 전극들(SS, DS) 및 드레인 전극들(SD, DD)이 연결된다. 소스 전극(SS, DS) 및 드레인 전극(SD, DD)들은 게이트 전극들(SG, DG)을 덮는 절연막(IN) 위에 형성된다.
또한, 기판(SUB)에서 화소 영역이 배치되는 표시 영역의 외주부에는, 각 게이트 라인(GL)의 일측 단부에 형성된 게이트 패드(GP), 각 데이터 라인(DL)의 일측 단부에 형성된 데이터 패드(DP), 그리고 각 구동 전류 전송 배선(VDD)의 일측 단부에 형성된 구동 전류 패드(VDP)가 배치된다. 게이트 패드(GP)와 데이터 패드(DP)는 서로 다른 층에 형성되기 때문에 단차로 인해 불량이 발생할 수 있다. 이러한 단차 불량을 해소하기 위해 게이트 패드(GP)를 덮는 절연막(IN)을 패턴하여 게이트 패드(GP)를 노출하고, 절연막(IN) 위에 데이터 패드(DP)와 동일한 물질로 게이트 패드(GP)에 연결되는 게이트 중간 패드(GPI)를 더 형성하는 것이 바람직하다.
스위칭 TFT(ST)와 구동 TFT(DT)가 형성된 기판(SUB) 위에 보호막(PAS)이 전면 도포된다. 그리고 게이트 중간 패드(GPI), 데이터 패드(DP), 구동 전류 패드(VDP), 그리고, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)을 노출하는 콘택홀들이 형성된다. 그리고 기판(SUB) 중에서 표시 영역 위에는 평탄화 막(PL)이 도포된다. 평탄화 막(PL)을 패턴하여 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)을 노출하는 콘택홀이 형성된다. 한편, 게이트 중간 패드(GPI) 및 데이터 패드(GP) 부분은 완전히 노출되도록 평탄화 막(PL)을 패턴한다. 평탄화 막(PL)은 유기발광 다이오드(OLED)를 구성하는 유기물질을 매끈한 평면 상태에서 도포하기 위해 기판 표면의 거칠기를 균일하게 하는 기능을 한다.
평탄화 막(PL) 위에는 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 접촉하는 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 또한, 평탄화 막(PL)이 형성되지 않은 표시 영역의 외주부에서도, 보호막(PAS)에 형성된 콘택홀들을 통해 노출된 게이트 중간 패드(GPI), 데이터 패드(DP) 그리고 구동 전류 패드(VDP) 위에는 게이트 패드 단자(GPT), 데이터 패드 단자(DPT) 그리고 구동 전류 패드 단자(VDPT)가 각각 형성된다. 표시 영역 내에서 특히 화소 영역을 제외한 기판(SUB) 위에 뱅크(BANK)가 형성된다.
박막 트랜지스터 기판을 완성한 후, 필요하다면, 수분 및 산소의 침투를 막아 유기발광 다이오드 소자를 보호하기 위해 질화 실리콘(SiNx)와 같은 무기물질을 1~3㎛ 정도의 두께로, 기판 전체 표면 위에 도포할 수 있다. 그리고 금속 배리어 필름(MF)의 내측 표면 위에는, 실재(FS)를 도포한다. 특히, 금속 배리어 필름(MF)의 테두리보다 내측으로 일정 거리 이격된 위치까지만 실재(FS)를 도포하는 것이 바람직하다.
박막 트랜지스터 기판과 금속 배리어 필름(MF)을 정렬 배치한 후, 금속 배리어 필름(MF)을 눌러 박막 트랜지스터 기판과 합착한다. 합착한 기판(금속 배리어 필름(MF)과 박막 트랜지스터 기판)들 사이에 개재된 실재(FS)가 경화된 후, 가압력을 제거하면, 박막 트랜지스터 기판과 금속 배리어 필름(MF)은 실재(FS)를 매개로 하여 면 봉지된 구조를 갖는다. 금속 배리어 필름(MF)은 알루미늄, 니켈, 크롬, 혹은 철과 니켈, 철과 크롬 등과 같은 합금을 포함하는 내 부식성이 강하고, 호일 혹은 필름형태로 제작하기 용이한 금속 물질을 포함하는 것이 바람직하다.
실재(FS) 및 금속 배리어 필름(MF)은 박막 트랜지스터 기판의 거의 모든 영역을 덮도록 형성하되, 패드 단자들은 외부 장치와 연결되어야 하므로, 패드부들을 덮지 않도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 게이트 패드(GP) 및 게이트 패드 단자(GPT) 그리고 데이터 패드(DP) 및 데이터 패드 단자(DPT)는 금속 배리어 필름(MF) 외측으로 노출되어 각종 연결 수단을 통해 외부에 설치되는 장치와 연결된다.
이와 같이 금속 배리어 필름(MF)으로 면 봉지하는 경우, 유기발광 다이오드 표시장치를 초박막형으로 구현이 가능하며, 외부 충격 및 긁힘에 강한 내보호성을 확보할 수 있다. 하지만, 금속 배리어 필름(MF)의 테두리들 중에 일부 혹은 전부는 노출된 게이트 패드(GP) 및 게이트 패드 단자(GPT) 혹은 데이터 패드(DP) 및 데이터 패드 단자(DPT)와 근접하여 배치될 수 있다.
특히, 대면적 유기발광 다이오드 표시장치의 경우, 정전기가 금속 배리어 필름(MF)에 축적되어 테두리 부분에서 패드부에 손상(DAM)을 가할 수 있다. 이로 인해, 원치않게 게이트 패드(GP) 및 게이트 패드 단자(GPT) 혹은 데이터 패드(DP) 및 데이터 패드 단자(DPT)가 파손 및/또는 단선될 수 있다. 또는 게이트 라인(GL) 혹은 데이터 라인(DL)에서 패드와 연결되는 끝 부분이 정전기로 인해 단선되거나 파손될 수 있다. 도 3 및 4에서 번개 표시는 정전기가 발생하는 것을 도시한 예이다.
이하, 도 5 및 6을 참조하여, 본 발명의 제2 실시 예에서는 금속 필름을 면 봉지 부재로 사용하면서도 정전기 문제를 해결한 유기발광 다이오드 표시장치에 대하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 의한 부도체 박막 테두리부를 구비한 금속 필름 면 봉지 방식의 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 6은 도 5에서 절취선 III-III'으로 자른 단면으로, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 부도체 박막 테두리부를 구비한 금속 필름 면 봉지 방식의 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 전체적인 구조는 제1 실시 예에 의한 것과 거의 동일하다. 차이가 있다면, 금속 배리어 필름(MF)의 테두리 영역에서 발생할 수 있는 정전기를 방지하기 위한 것으로서, 금속 배리어 필름(MF)의 구조에 차이가 있다. 따라서, 제2 실시 예에 대한 설명에서는 금속 배리어 필름(MF)의 특징에 대해서 집중적으로 설명한다.
도 5 및 6을 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 박막 트랜지스터(ST, DT) 및 박막 트랜지스터(ST, DT)와 연결되어 구동되는 유기발광 다이오드(OLED)가 형성된 박막 트랜지스터 기판, 박막 트랜지스터 기판 위에 실재(FS) 를 사이에 두고 합착하는 금속 배리어 필름(MF)을 포함한다. 박막 트랜지스터 기판은 투명한 기판(SUB) 위에 형성된 스위칭 TFT(ST), 스위칭 TFT(ST)와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.
박막 트랜지스터 기판을 완성한 후, 필요하다면, 수분 및 산소의 침투를 막아 유기발광 다이오드 소자를 보호하기 위해 질화 실리콘(SiNx)와 같은 무기물질을 1~3㎛ 정도의 두께로, 기판 전체 표면 위에 도포할 수 있다.
금속 배리어 필름(MF)을 준비한다. 금속 배리어 필름(MF)은 알루미늄, 니켈, 크롬과 같이 내 부식성이 강하고, 호일 혹은 필름형태로 제작하기 용이한 금속 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 금속 배리어 필름(MF)의 테두리 영역에 부도체 층(AD)을 형성한다. 특히, 금속 배리어 필름(MF)의 일측변의 끝단에서 내측면 으로 8-10mm 정도의 폭을 차지하도록 부도체 층(AD)을 형성한다. 더욱 바람직하게는, 금속 배리어 필름(MF)의 일측변에서 상층 표면, 측면 표면 그리고 하층 표면에 걸쳐 측부 전체를 감싸는 형태로 부도체 층(AD)을 형성하는 것이 바람직하다.
부도체 층(AD)은 양극산화법, 즉 애노다이징(Anodizing) 공법을 이용하여 산화 피막을 생기게 함으로써 형성할 수 있다. 전기를 사용하는 양극산화법이 공정상 불리한 경우에는, 절연 물질을 포함하는 코팅액을 뿌려서 도포하여 처리하는 레이덴트(Raydent) 공법을 이용하여 피막을 형성할 수도 있다.
금속 배리어 필름(MF)의 표면 전체를 감싸도록 부도체 층(AD)을 형성하는 것을 생각할 수 있지만, 이는 제조 비용이 많이 소모되는 문제가 있다. 부도체 층(AD)은 정전기를 방지하기 위한 것이므로, 정전기가 주로 발생할 수 있는 영역인, 금속 배리어 필름(MF)의 테두리 영역에만 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 유기발광 다이오드 표시장치의 박막 트랜지스터 기판에서 게이트 패드(GP) 혹은 데이터 패드(DP)가 배치되는 변에만 부도체 층(AD)을 형성할 수도 있다.
예를 들어, 게이트 패드(GP) 혹은 데이터 패드(DP)가 박막 트랜지스터의 4변에 걸쳐 모두 형성된다면, 부도체 층(AD) 역시 금속 배리어 필름(MF)의 네 변에 걸쳐 모두 형성하는 것이 바람직하다. 다른 예로, 게이트 패드(GP) 혹은 데이터 패드(DP)가 박막 트랜지스터의 좌측 변과 하변에만 배치되는 경우라면, 부도체 층(AD) 역시 금속 배리어 필름(MF)의 좌측 변과 하변에만 선택적으로 형성할 수도 있다.
그리고, 금속 배리어 필름(MF)의 내측 표면 위에는, 실재(FS)를 도포한다. 특히, 금속 배리어 필름(MF)의 테두리보다 내측으로 일정 거리 이격된 위치까지만 실재(FS)를 도포하는 것이 바람직하다.
박막 트랜지스터 기판과 금속 배리어 필름(MF)을 정렬 배치한 후, 금속 배리어 필름(MF)을 눌러 박막 트랜지스터 기판과 합착한다. 합착한 기판(금속 배리어 필름(MF)과 박막 트랜지스터 기판)들 사이에 개재된 실재(FS)가 경화된 후, 가압력을 제거하면, 박막 트랜지스터 기판과 금속 배리어 필름(MF)은 실재(FS)를 매개로 하여 면 봉지된 구조를 갖는다.
실재(FS) 및 금속 배리어 필름(MF)은 박막 트랜지스터 기판의 거의 모든 영역을 덮도록 형성하되, 패드 단자들은 외부 장치와 연결되어야 하므로, 패드부들을 덮지 않도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 게이트 패드(GP) 및 게이트 패드 단자(GPT) 그리고 데이터 패드(DP) 및 데이터 패드 단자(DPT)는 금속 배리어 필름(MF) 외측으로 노출되어 각종 연결 수단을 통해 외부에 설치되는 장치와 연결된다.
이와 같이 금속 배리어 필름(MF)으로 면 봉지하는 경우, 유기발광 다이오드 표시장치를 초박막형으로 구현이 가능하며, 외부 충격 및 긁힘에 강한 내보호성을 확보할 수 있다. 또한, 금속 배리어 필름(MF)에서, 게이트 패드(GP) 및 게이트 패드 단자(GPT) 혹은 데이터 패드(DP) 및 데이터 패드 단자(DPT)와 근접하는 테두리 부에는 부도체 층(AD)이 형성되어 있어, 금속 배리어 필름(MF)에 정전기가 일부 축적되었더라도, 패드에 손상을 주는 문제가 발생하지 않는다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.
ST: 스위칭 TFT
DT: 구동 TFT
SG: 스위칭 TFT 게이트 전극 DG: 구동 TFT 게이트 전극
SS: 스위칭 TFT 소스 전극 DS: 구동 TFT 소스 전극
SD: 스위칭 TFT 드레인 전극 DD: 구동 TFT 드레인 전극
SA: 스위칭 TFT 반도체 층 DA: 구동 TFT 반도체 층
GL: 게이트 배선 DL: 데이터 배선
VDD: 구동 전류 배선 GP: 게이트 패드
DP: 데이터 패드 GPT: 게이트 패드 단자
DPT: 데이터 패드 단자 VDP: 구동 전류 패드
VDPT: 구동 전류 패드 단자 GPH: 게이트 패드 콘택홀
DPH: 데이터 패드 콘택홀 VPH: 구동 전류 패드 콘택홀
GI: 게이트 절연막 IN: 절연막
PAS: 보호막 PL: 평탄화 막
OL: 유기막 OLED: 유기발광 다이오드
FS: 실 BF: 배리어 필름
BA: 뱅크 MF: 금속 배리어 필름
AD: 부도체 층(피막) DAM: 정전기
SG: 스위칭 TFT 게이트 전극 DG: 구동 TFT 게이트 전극
SS: 스위칭 TFT 소스 전극 DS: 구동 TFT 소스 전극
SD: 스위칭 TFT 드레인 전극 DD: 구동 TFT 드레인 전극
SA: 스위칭 TFT 반도체 층 DA: 구동 TFT 반도체 층
GL: 게이트 배선 DL: 데이터 배선
VDD: 구동 전류 배선 GP: 게이트 패드
DP: 데이터 패드 GPT: 게이트 패드 단자
DPT: 데이터 패드 단자 VDP: 구동 전류 패드
VDPT: 구동 전류 패드 단자 GPH: 게이트 패드 콘택홀
DPH: 데이터 패드 콘택홀 VPH: 구동 전류 패드 콘택홀
GI: 게이트 절연막 IN: 절연막
PAS: 보호막 PL: 평탄화 막
OL: 유기막 OLED: 유기발광 다이오드
FS: 실 BF: 배리어 필름
BA: 뱅크 MF: 금속 배리어 필름
AD: 부도체 층(피막) DAM: 정전기
Claims (6)
- 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비 표시 영역을 포함하는 박막 트랜지스터 기판;
상기 박막 트랜지스터 기판과 대향하는 금속 배리어 필름;
상기 금속 배리어 필름의 적어도 어느 한 테두리 표면에 형성된 부도체 층; 그리고
상기 박막 트랜지스터 기판의 내측면과 면 합착되도록, 상기 배리어 기판의 내측 표면 상에 도포된 봉지재를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 부도체 층은, 상기 금속 배리어 필름의 끝단에서 내측으로 8 내지 10mm의 폭으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 부도체 층은, 상기 금속 배리어 필름의 적어도 어느 한 일측변에서 상층 표면, 측면 그리고 하층 표면에 걸쳐 감싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 부도체 층은, 상기 박막 트랜지스터 기판에 형성되고, 외부에 노출된 패드부와 인접하는 상기 금속 배리어 필름의 측변에 선택적으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 금속 배리어 필름은, 알루미늄, 니켈, 크롬, 철과 니켈 합금, 및 철과 크롬 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 부도체 층은, 양극 산화 피막 및 레이던트 피막 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130158141A KR102167133B1 (ko) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | 금속 필름을 이용한 면 봉지 방식의 유기발광 다이오드 표시장치 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150071287A true KR20150071287A (ko) | 2015-06-26 |
| KR102167133B1 KR102167133B1 (ko) | 2020-10-16 |
Family
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR102167133B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12022704B2 (en) | 2019-12-31 | 2024-06-25 | Lg Display Co., Ltd. | Display apparatus having an oxide semiconductor pattern |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121825A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-25 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示素子用電極基板の製造方法 |
| JP2003317937A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR100672316B1 (ko) * | 2005-02-22 | 2007-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 |
| JP2007017967A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板ディスプレイ装置及びその製造方法 |
| KR101056197B1 (ko) * | 2008-10-29 | 2011-08-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| JP2011171288A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フレキシブル発光装置、電子機器、照明装置、及びフレキシブル発光装置の作製方法 |
| JP2012033510A (ja) * | 2004-05-20 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
| JP2012216848A (ja) * | 2000-09-14 | 2012-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び電子器具 |
| KR20130066647A (ko) * | 2009-12-22 | 2013-06-20 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 수정 설비 및 수정 방법 |
| JP2013190816A (ja) * | 2013-05-27 | 2013-09-26 | Nlt Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
| KR101347164B1 (ko) * | 2007-05-25 | 2014-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시장치와 이의 제조방법 |
-
2013
- 2013-12-18 KR KR1020130158141A patent/KR102167133B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121825A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-25 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示素子用電極基板の製造方法 |
| JP2012216848A (ja) * | 2000-09-14 | 2012-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び電子器具 |
| JP2003317937A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2012033510A (ja) * | 2004-05-20 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
| KR100672316B1 (ko) * | 2005-02-22 | 2007-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 |
| JP2007017967A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板ディスプレイ装置及びその製造方法 |
| KR101347164B1 (ko) * | 2007-05-25 | 2014-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시장치와 이의 제조방법 |
| KR101056197B1 (ko) * | 2008-10-29 | 2011-08-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR20130066647A (ko) * | 2009-12-22 | 2013-06-20 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 수정 설비 및 수정 방법 |
| JP2011171288A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フレキシブル発光装置、電子機器、照明装置、及びフレキシブル発光装置の作製方法 |
| JP2013190816A (ja) * | 2013-05-27 | 2013-09-26 | Nlt Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12022704B2 (en) | 2019-12-31 | 2024-06-25 | Lg Display Co., Ltd. | Display apparatus having an oxide semiconductor pattern |
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|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |