KR20150060963A - 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 - Google Patents
광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150060963A KR20150060963A KR1020157011144A KR20157011144A KR20150060963A KR 20150060963 A KR20150060963 A KR 20150060963A KR 1020157011144 A KR1020157011144 A KR 1020157011144A KR 20157011144 A KR20157011144 A KR 20157011144A KR 20150060963 A KR20150060963 A KR 20150060963A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- glass
- layer
- optoelectronic component
- frit
- glass layer
- Prior art date
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 91
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 582
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 138
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 162
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 137
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 95
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 60
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 46
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 claims description 37
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 31
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 claims description 24
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 24
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 claims description 24
- 239000004571 lime Substances 0.000 claims description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 8
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 8
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 445
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 167
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 90
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 87
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 65
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 57
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 38
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 37
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 36
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 24
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 24
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 22
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 22
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 14
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 13
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 11
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- -1 oxazones Chemical class 0.000 description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 10
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 9
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 9
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 5
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 5
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 4
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Chemical class [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 4
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 3
- 229910020617 PbO—B2O3—SiO2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 3
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 3
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FWXNJWAXBVMBGL-UHFFFAOYSA-N 9-n,9-n,10-n,10-n-tetrakis(4-methylphenyl)anthracene-9,10-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C(N(C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C)C=C1 FWXNJWAXBVMBGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YISOXLVRWFDIKD-UHFFFAOYSA-N bismuth;borate Chemical compound [Bi+3].[O-]B([O-])[O-] YISOXLVRWFDIKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 150000002211 flavins Chemical class 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007970 homogeneous dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000004224 protection Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- 150000003557 thiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Chemical class 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- JLCDKDGHTWGGQM-CQSZACIVSA-N (2r)-n-benzyl-1-phenylpropan-2-amine Chemical compound C([C@@H](C)NCC=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JLCDKDGHTWGGQM-CQSZACIVSA-N 0.000 description 1
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004105 2-pyridyl group Chemical group N1=C([*])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- GDALETGZDYOOGB-UHFFFAOYSA-N Acridone Natural products C1=C(O)C=C2N(C)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1O GDALETGZDYOOGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical class OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000003978 Tissue Plasminogen Activator Human genes 0.000 description 1
- 108090000373 Tissue Plasminogen Activator Proteins 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDGNFKSZZTUTIF-UHFFFAOYSA-N [Ru+3].CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1.CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1.CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1 Chemical compound [Ru+3].CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1.CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1.CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1 HDGNFKSZZTUTIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONVGHWLOUOITNL-UHFFFAOYSA-N [Zn].[Bi] Chemical compound [Zn].[Bi] ONVGHWLOUOITNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- FZEYVTFCMJSGMP-UHFFFAOYSA-N acridone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3NC2=C1 FZEYVTFCMJSGMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 125000000751 azo group Chemical group [*]N=N[*] 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- KAMGYJQEWVDJBD-UHFFFAOYSA-N bismuth zinc borate Chemical compound B([O-])([O-])[O-].[Zn+2].[Bi+3] KAMGYJQEWVDJBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXJJQWWVWRCVQT-UHFFFAOYSA-K calcium;sodium;phosphate Chemical compound [Na+].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O QXJJQWWVWRCVQT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N chloro(trihydroxy)silane Chemical class O[Si](O)(O)Cl GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITVPBBDAZKBMRP-UHFFFAOYSA-N chloro-dioxido-oxo-$l^{5}-phosphane;hydron Chemical class OP(O)(Cl)=O ITVPBBDAZKBMRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N chromium(3+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Cr+3].[Cr+3] UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000001295 dansyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(N(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])=C2C([H])=C([H])C([H])=C(C2=C1[H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- DXNVUKXMTZHOTP-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dimagnesium;barium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[Ba+2].[Ba+2] DXNVUKXMTZHOTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSAZYXZUJROYKR-UHFFFAOYSA-N indophenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1N=C1C=CC(=O)C=C1 RSAZYXZUJROYKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013980 iron oxide Nutrition 0.000 description 1
- VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N iron(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Fe+2] VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052605 nesosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 125000000018 nitroso group Chemical group N(=O)* 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004762 orthosilicates Chemical class 0.000 description 1
- 150000004893 oxazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 150000004897 thiazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
- 150000003732 xanthenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H01L51/5246—
-
- H01L51/5237—
-
- H01L51/5268—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 다양한 예시적 예들에서 광전자 컴포넌트에 관한 것이고, 상기 광전자 컴포넌트는 유리 기판(102); 유리 기판(102) 상 유리 층(504); 및 유리 프릿(frit)(504)을 포함하는 인캡슐레이션(126, 504)을 포함하고, 여기서 유리 프릿(504)은 유리 층(504) 상에 배열되고, 유리 프릿(504)은 유리 층(502)의 유리 기판(102)에 고정된다.
Description
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법이 제공된다.
유기 기준 광전자 컴포넌트(예를 들어 유기 발광 다이오드(OLED), 예를 들어 백색 유기 발광 다이오드(WOLED), 태양 전지 등)는 통상적으로 기계적 가요성 및 적당한 생성 조건들에 의해 구별된다. 유기 기준, 예를 들어 유기 발광 다이오드들에 대한 광전자 컴포넌트들은 추가로 점점 광범위한 용도를 발견중이고 표면들의 조명을 위해 사용될 수 있다. 표면은 예를 들어 테이블, 벽 또는 바닥으로서 이해될 수 있다.
유기 광전자 컴포넌트, 예를 들어 유기 발광 다이오드로부터 출력될 수 있거나, 예를 들어 유기 태양 전지의 경우에 입력될 수 있는 전자기 복사선의 비율을 증가시키기 위하여, 유기 광전자 컴포넌트에는 통상적으로 산란 층이 제공된다.
지금까지, 광 출력을 증가시키기 위하여 두 개의 접근법들(외부 출력 및 내부 출력)이 있다.
외부 출력은 광이 방사된 광으로 기판으로부터 출력되는 디바이스들로서 이해될 수 있다. 그런 디바이스는 예를 들어, 산란 입자들 또는 표면 구조화, 예를 들어 마이크로렌즈들을 가진 필름일 수 있다. 산란 입자들을 가진 필름은 예를 들어 기판의 외부 측 상에 적용된다. 표면 구조화는 예를 들어 기판 외부 측의 직접적인 구조화 또는 기판, 예를 들어 유리 기판 내로 산란 입자들의 도입일 수 있다. 이들 접근법들 중 몇몇, 예를 들어 산란 필름은 OLED 조명 모듈들에 이미 사용되거나, 스케일 업(scaled up)될 그들의 능력은 설명되었다. 그러나, 외부 출력은 두 개의 필수적인 단점들을 가질 수 있다. 외부 출력의 경우 출력 효율성은 기판에 인도되는 광의 대략 60% 내지 대략 70%로 제한될 수 있다. 게다가, 외부 출력 측정들의 경우, 광전자 컴포넌트의 외관은 실질적으로 영향을 받을 수 있다. 적용된 층들 또는 필름들에 의해, 예를 들어 유백색을 나타내고 및/또는 확산 반사식인 표면은 광전자 컴포넌트 상에 형성될 수 있다.
내부 출력은 광전자 컴포넌트의 전기 액티브 구역, 예를 들어 유기 기능 층 구조 및/또는 전극들, 예를 들어 투명 전기 전도 산화물 층들(투명 전도 산화물-TCO)로 인도되는 광이 출력되는 디바이스들로서 이해될 수 있다. 즉 유기 광전자 컴포넌트들에 대한 것이 아닌 다른 광전자 컴포넌트들에서, 몇몇 기술적 접근법들이 공지되었다. 광의 내부 출력을 위한 통상적인 디바이스에서, 낮은 굴절률을 가진 격자(grating)는 광전자 컴포넌트의 전극들 중 하나, 예를 들어 인듐 주석 산화물(ITO)로 이루어진 전극 상 또는 위에 적용될 수 있다. 격자는 낮은 굴절률을 가진 재료를 포함하는 구조화된 구역들을 가진다. 광의 내부 출력을 위한 다른 통상적인 디바이스에서, 산란 층은 전극, 예를 들어 인듐 주석 산화물 애노드 위에 적용될 수 있다. 산란 층은 통상적으로 산란점(scattering center)들이 분산된 폴리머로 이루어진 매트릭스를 포함한다. 매트릭스는 일반적으로 대략 1.5의 굴절률을 가지며 산란점들은 매트릭스보다 높은 굴절률을 가진다. 매트릭스 및 산란점들의 물질 혼합물은 통상적으로 습식-화학적으로 적용된다.
유기 광전자 컴포넌트로부터의 광의 출력 외에, 유기 광전자 컴포넌트의 인캡슐레이션(encapsulation)은 추가 문제이다. 유기 컴포넌트들, 예를 들어 유기 발광 다이오드의 유기 기능 층 구조의 유기 성분(constituent)들은 종종 해로운 환경 영향들에 영향을 받는다. 해로운 환경 영향은 유기 물질 또는 물질 혼합물의 구조의 품질 저하 또는 노화 및/또는 변질(alteration)을 잠재적으로 유도할 수 있고, 그러므로 유기 컴포넌트들의 동작 수명을 제한할 수 있는 모든 영향들로서 이해될 수 있다. 이런 이유 때문에, 광전자 컴포넌트는 해로운 환경 영향들에 대해 종종 인캡슐레이팅된다.
소다 석회 유리 기판상의 또는 위의 광전자 컴포넌트의 전기 액티브 구역, 예를 들어 유기 기능 층 구조의 인캡슐레이션을 위한 하나의 종래의 방법은 공동(cavity)을 가진 커버 유리(공동 유리)에 기초한 인캡슐레이션이고, 상기 커버 유리 내에 소위 게터가 도입된다. 전기 액티브 구역은 유리 기판상에 또는 위에 형성된다. 공동 유리는, 전기 액티브 구역이 공동 유리의 공동 내에 배열되도록 유리 기판상에 접착하여 본딩된다. 그러나, 공동 유리의 특정 생성 프로세스로 인해, 공동 유리는 보통의 평판 유리(석회-소다 실리케이트 유리)보다 매우 비싸다.
석회-소다 기판 유리 상의 또는 위의 광전자 컴포넌트의 전기 액티브 구역, 예를 들어 유기 기능 층 구조들의 인캡슐레이션을 위한 다른 종래의 방법은 라미네이션(lamination) 유리로 박막 인캡슐레이션 또는 박막 인캡슐레이션이다. 적당한 박막들의 적용에 의해, 유기 컴포넌트들은 수분 및 산소에 대해 충분히 밀봉될 수 있다. 기계적 손상으로부터 박막 인캡슐레이션을 보호하기 위한 라미네이션 유리는 박막 인캡슐레이션 상에 접착 본딩될 수 있다. 극한 품질 요건들은 박막 인캡슐레이션 상에 두어질 수 있고, 많은 상이한 층들의 박막 인캡슐레이션의 증착 프로세스는 매우 시간 소비적일 수 있다.
광전자 컴포넌트들, 예를 들어 OLED 디스플레이들에서, 컴포넌트들의 인캡슐레이션은 예를 들어, 유리 프릿(frit) 인캡슐레이션(유리 프릿 본딩/유리 납땜/밀봉 유리 본딩)에 의해 수행될 수 있다. 유리 프릿 인캡슐레이션의 경우, 유리 프릿으로부터 또한 지칭되는 낮은 녹는 점을 가진 유리는 유리 기판과 커버 유리 사이의 연결로서 사용될 수 있다. 광전자 컴포넌트, 예를 들어, 전기 액티브 구역, 예를 들어 유기 기능 층 구조의 부분은 유리 기판과 커버 유리 사이에 형성된다. 커버 유리 및 유리 기판에 유리 프릿의 연결은 유리 프릿의 구역에서 해로운 환경 영향들로부터 측 방향으로 유기 기능 층 구조를 보호할 수 있다. 유기 광전자 컴포넌트들, 예를 들어 조명을 위한 OLED들에 대해, 이런 타입의 인캡슐레이션은 흥미로운 대안을 표현한다. 그러나, 일반 조명의 매우 높은 원가 동인 섹터(cost-driven sector)에서, 다른 보다 경제적인 기판들은, 예를 들어 OLED 디스플레이들에서보다 사용된다. 조명을 위한 유기 광전자 컴포넌트들에서, 경제적 유리 기판들에는 종종 예를 들어 석회 소다 실리케이트 유리(석회 소다 유리)가 사용된다. 그러나, 석회 소다 실리케이트 유리에 대해, 유리 프릿 인캡슐레이션은 지금까지 가능하지 않았다. 발생하는 하나의 문제는, 유리 프릿이 땜납 포지션에서 가열될 때 석회 소다 실리케이트 유리의 열팽창의 비호환성이다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법이 제공되고, 이에 의해 하나 또는 그 초과의 광전자 컴포넌트들의 안/팎으로 전자기 복사선, 예를 들어 광의 입력 및/또는 출력을 증가시키고, 부가적으로 바람직한 유리 기판으로 유기 광전자 컴포넌트들의 유리 프릿 인캡슐레이션을 허용하는 것은 가능하다.
광전자 컴포넌트는 전자기 복사선을 제공하거나 수신할 수 있는 반도체 컴포넌트로서 이해될 수 있다.
본 설명의 범위에서, 전자기 복사선의 제공은 전자기 복사선의 방사로서 이해될 수 있다.
이 설명의 범위에서, 전자기 복사선의 수신은 전자기 복사선의 흡수로서 이해될 수 있다.
전자기 복사선-방사/흡수 컴포넌트는 다양한 예시적 실시예들에서 전자기 복사선-방사/흡수 반도체 컴포넌트일 수 있고 및/또는 전자기 복사-방사/흡수 다이오드로서, 유기 전자기 복사선-방사/흡수 다이오드로서, 전자기 복사-방사 트랜지스터로서 또는 유기 전자기 복사-방사 트랜지스터로서 구성될 수 있다. 복사선은 예를 들어 가시 범위의 광, UV 광 및/또는 적외선 광일 수 있다. 이런 맥락에서, 전자기 복사선-방사/흡수 컴포넌트는 예를 들어 발광 다이오드(LED)로서, 유기 발광 다이오드(OLED)로서, 발광 트랜지스터로서 또는 유기 발광 트랜지스터로서 구성될 수 있다. 발광/광 흡수 컴포넌트는 다양한 예시적 실시예들에서 집적 회로의 부분일 수 있다. 게다가, 다수의 발광 컴포넌트들이 제공될 수 있고, 예를 들어 공통 패키지 내에 피팅(fit)될 수 있다.
본 설명의 범위에서, 유기 물질은 개별 어그리게이트(aggregate) 상태에 무관하게, 화학적으로 균일한 형태로 존재하고 특유의 물리 및 화학 속성들에 의해 구별되는 탄소 화합물로서 이해될 수 있다. 게다가, 본 설명의 범위에서, 무기 물질은 탄소 없는 화합물, 또는 개별 어그리게이트 상태에 무관하게, 화학적으로 균일한 형태로 존재하고 특유의 물리 및 화학 속성들에 의해 구별되는 단순한 탄소 화합물로서 이해될 수 있다. 본 설명의 범위에서, 유기-무기 물질(하이브리드 물질)은 개별 어그리게이트 상태에 무관하게, 화학적으로 균일한 형태로 존재하고 특유의 물리 및 화학 속성들에 의해 구별되는 탄소를 포함하는 화합물 부분들 및 탄소 없는 화합물 부분들을 포함하는 화합물로서 이해될 수 있다. 본 설명의 범위에서, 용어 "물질"은 상기 언급된 모든 물질들, 예를 들어 유기 물질, 무기 물질 및/또는 하이브리드 물질을 포함한다. 게다가, 본 설명의 범위에서, 물질 혼합물은 둘 또는 그 초과의 상이한 물질들의 성분들 ― 그 성분들은 예를 들어 매우 미세하게 분산됨 ―로 이루어진 무언가로서 이해될 수 있다. 물질 클래스(class)는 하나 또는 그 초과의 유기 물질들, 하나 또는 그 초과의 무기 물질들 또는 하나 또는 그 초과의 하이브리드 물질들로 이루어진 물질 또는 물질 혼합물로서 이해될 것이다. 용어 "재료"는 용어 "물질"과 동의어로 사용될 수 있다.
본 설명의 범위에서, 발광성(luminescent) 물질은, 예를 들어 인광 또는 형광에 의해 손실들을 갖는, 하나의 파장의 전자기 복사선을 다른 파장, 예를 들어 보다 긴 파장(스토크스 시프트(Stokes shift) 또는 보다 짧은 파장(안티-스토크스 시프트)의 전자기 복사선으로 전환하는 물질로서 이해될 수 있다. 흡수된 전자기 복사선과 방사된 전자기 복사선 사이의 에너지 차는 포논(phonon)들, 즉 열로 전환될 수 있고, 및/또는 에너지 차의 함수로서 파장을 가진 전자기 복사선의 방사를 통해서일 수 있다.
형상-안정 물질은 가소적으로 변형 가능하게 될 수 있고, 즉 가소제들, 예를 들어 용제들의 부가, 또는 온도 증가에 의해 액화될 수 있다.
가소적으로 변형 가능한 물질은 형상-안정화될 수 있고, 즉 가교 반응 및/또는 가소제들의 추출에 의해 응고될 수 있다.
물질 또는 물질 혼합물의 응고(solidification), 즉 변형 가능으로부터 형상-안정으로 물질의 전환은 점성의 변화, 예를 들어 제 1 점성 값으로부터 제 2 점성 값으로 점성의 증가를 포함할 수 있다. 제 2 점성 값은, 예를 들어 대략 10 내지 대략 106의 범위에서, 제 1 점성 값보다 몇 배 클 수 있다. 물질은 제 1 점성에서 변형 가능할 수 있고 제 2 점성에서 형상 안정할 수 있다.
물질 또는 물질 혼합물의 응고, 즉 변형 가능으로부터 형상 안정으로 물질의 전환은, 저 분자 중량 성분들이, 예를 들어 물질 또는 물질 혼합물을 건조 또는 화학 가교하여, 물질 또는 물질 혼합물로부터, 예를 들어 물질 또는 물질 혼합물의 용제 분자들 또는 비가교 저 분자 중량 성분들로부터 제거되는 방법 또는 프로세스를 포함할 수 있다. 물질 또는 물질 혼합물은 형상-안정 상태에서보다 변형 가능 상태에서 전체 물질 또는 물질 혼합물에서 저 분자 중량 물질들의 보다 높은 농도를 가질 수 있다.
제 2 바디에 제 1 바디의 연결은 폼 피트(form fit), 포스 피트(force fit) 및/또는 재료 피트에 의할 수 있다. 연결들은 릴리스 가능하게(releasable), 즉 가역적으로 구성될 수 있다. 다양한 구성들에서, 피트를 사용한 가역적 연결은 예를 들어 나사 연결, 후크 및 루프 연결, 클램핑/클램프들의 사용으로서 생성될 수 있다.
그러나, 연결들은 또한 비-릴리스 가능, 즉 비가역적으로 구성될 수 있다. 비-가역적 연결은 이 경우 연결 수단을 파괴함으로써만 분리될 수 있다. 다양한 구성들에서, 피트를 사용한 비가역적 연결은 예를 들어 리벳 연결, 접착 본드 또는 납땜 연결로서 생성될 수 있다.
재료-피트 연결의 경우, 제 1 바디는 원자 및/또는 분자력들에 의해 제 2 바디에 연결될 수 있다. 재료-피트 연결들은 종종 비-릴리스 가능 연결들일 수 있다. 다양한 구성들에서, 재료-피트 연결은 예를 들어 접착 본드, 예를 들어 유리 땜납, 또는 금속 땜납의 납땜 연결, 또는 용접 연결로서 생성될 수 있다.
본 설명의 범위에서, 해로운 환경 영향은 잠재적으로 유기 물질들 또는 물질 혼합물들의 품질 저하 또는 유기 혼합물들을 유발할 수 있고, 그러므로 유기 컴포넌트들의 동작 수명을 제한할 수 있는 모든 영향들로서 이해될 수 있다.
해로운 환경 영향은 예를 들어 유기 물질들 또는 유기 물질 혼합물들에 해로운 물질, 예를 들어 산소, 수분 및/또는 예를 들어 용제일 수 있다.
그러나, 해로운 환경 영향은 또한, 예를 들어 유기 물질 또는 유기 물질 혼합물들에 해로운 환경, 예를 들어 임계 값 위 또는 아래로 환경 파라미터들의 변화일 수 있다. 환경 파라미터는 예를 들어 온도 및/또는 주변 압력일 수 있다. 이런 방식으로, 예를 들어 유기 물질 또는 물질 혼합물의 가교, 품질 저하 및/또는 결정화 등은 발생할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트가 제공되고, 광전자 컴포넌트는 유리 기판; 유리 기판 상 유리 층; 및 유리 프릿을 포함하는 인캡슐레이션을 포함하고, 여기서 유리 프릿은 유리 층 상에 배열되고; 여기서 유리 프릿은 유리 층에 의해 유리 기판 상에 고정된다.
일 구성에서, 인캡슐레이션은 유리 프릿에 의해 유리 층에, 피트로, 예를 들어 재료 피트로 연결되는 커버 유리를 포함할 수 있다.
유리 프릿에 의한 피트를 사용한 연결은 해로운 환경 영향들에 대해, 광전자 컴포넌트의 인캡슐레이팅된 부분, 예를 들어 전기 액티브 구역의 측 방향 밀봉으로서 이해될 수 있다.
일 구성에서, 커버 유리는 유리 기판과 유사한 물질 또는 동일한 물질을 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다.
일 구성에서, 제 2 유리 층은 커버 유리 상에 또는 위에 적용될 수 있고, 상기 경우 제 2 유리 층은 유리 기판상의 또는 위의 유리 층과 유사하거나 동일하게 구성될 수 있다. 예를 들어, 제 2 유리 층은 산란점들 없이 유리 층으로서 구성될 수 있다.
제 2 유리 층은 커버 유리 상 유리 프릿에 대한 접착 촉진제(adhesion promoter)로서 구성될 수 있다.
다른 구성에서, 광 출력 층은 유리 층 상에 또는 위에 배열될 수 있고, 및/또는 유리 층은 광 출력 층으로서 구성될 수 있다.
광 출력 층은 예를 들어, 유리 층과 유사하거나 동일하게 구성될 수 있다. 예를 들어, 유리 층은 산란 첨가제들을 포함하지 않을 수 있고 광 출력 층은 산란 첨가제들을 포함할 수 있다. 그러나, 유리 층은 예를 들어, 광 출력 층과 다른 첨가제들을 포함할 수 있고 및/또는 광 출력 층에 대한 접착 촉진제 층으로서 구성될 수 있다.
일 구성에서, 유리 기판은 연질 유리, 예를 들어 실리케이트 유리, 예를 들어 소다 석회 실리케이트 유리를 포함할 수 있거나 이로부터 형성될 수 있다.
일 구성에서, 유리 층은 유리 기판 상 유리 프릿에 대한 접착 촉진제로서 구성될 수 있다.
다른 말로: 유리 층은 유리 기판에 대한 유리 프릿보다 유리 기판 및 유리 프릿에 보다 강한 접착력을 가질 수 있고, 상기 접착력은 예를 들어 대략 10% 크고, 예를 들어 대략 20% 크고, 예를 들어 대략 30% 크고, 예를 들어 대략 50% 크고, 예를 들어 대략 100% 크고, 예를 들어 대략 300% 크다.
일 구성에서, 유리 층의 열 팽창 계수는, 유리 프릿의 열 팽창 계수 또는 유리 층의 열 팽창 계수의 측면에서, 예를 들어 대략 50%의 범위 내, 예를 들어 대략 40%의 범위 내, 예를 들어 대략 30%의 범위 내, 예를 들어 대략 20%의 범위 내, 예를 들어 대략 10%의 범위 내, 예를 들어 대략 동일하게, 유리 프릿의 열 팽창 계수에 적응될 수 있거나, 또는 유리 프릿의 열 팽창 계수는 유리 층의 열 팽창 계수에 적응될 수 있다.
다른 말로: 유리 층 및 유리 프릿은 대략 동일한 열 팽창 계수를 가질 수 있다.
일 구성에서, 유리 프릿의 연화점 또는 유리 층의 연화점 측면에서, 예를 들어 대략 100℃ 미만의 온도 범위 내에서, 예를 들어 대략 70℃ 미만의 온도 범위 내에서, 예를 들어 대략 50℃ 미만의 온도 범위 내에서, 예를 들어 대략 20℃ 미만의 온도 범위 내에서, 예를 들어 대략 50%의 범위 내, 예를 들어 대략 40%의 범위 내, 예를 들어 대략 30%의 범위 내, 예를 들어 대략 20%의 범위 내, 예를 들어 대략 10%의 범위 내에서, 유리 층의 연화점(softening point)은 유리 프릿의 연화점에 적응될 수 있거나, 유리 프릿의 연화점은 유리 층의 연화점에 적응될 수 있다.
다른 말로: 유리 층 및 유리 프릿은 대략 동일한 연화점을 가질 수 있다.
일 구성에서, 유리 층은 유리 기판의 전체 표면상에 또는 위에 배열될 수 있다.
다른 구성에서, 유리 층은 층 단면 방향으로 추가 층들의 굴절률보다 크거나 대략 동일한 평균 굴절률을 가질 수 있다.
일 구성에서, 유리 층은 적어도 대략 1.5의 굴절률, 예를 들어 적어도 대략 1.6의 굴절률, 예를 들어 적어도 대략 1.65의 굴절률, 예를 들어 대략 1.7 내지 대략 2.5 범위의 굴절률을 가질 수 있다.
다른 구성에서, 유리 층은 대략 1 ㎛ 내지 대략 100 ㎛의 범위, 예를 들어 대략 10 ㎛ 내지 대략 100 ㎛의 범위, 예를 들어 대략 25 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
다른 구성에서, 유리 층은 유기 발광 다이오드 및/또는 유기 태양 전지의 층 평면에서 층으로서 구성될 수 있다.
일 구성에서, 유리 층은 매트릭스 및 매트릭스 내에 분산된 첨가제들을 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 유리 층의 매트릭스는 대략 1.7보다 큰 굴절률을 가질 수 있다.
다른 구성에서, 유리 층의 매트릭스는 비결정질 이도록 구성될 수 있다.
다른 구성에서, 유리 층의 매트릭스는 하기 유리 시스템들의 그룹으로부터의 물질 또는 물질 혼합물을 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다: Pbo를 포함하는 시스템들은 PbO-B2O3, PbO-SiO2, PbO-B2O3-SiO2, PbO-B2O3-ZnO2, PbO-B2O3-Al2O3이고, 상기 경우 PbO를 포함하는 유리 땜납은 또한 Bi2O3를 포함할 수 있고; Bi2O3를 포함하는 시스템들은: Bi2O3-B2O3, Bi2O3-B2O3-SiO2, Bi2O3-B2O3-ZnO, Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2이다.
다른 구성에서, Bi를 포함하는 유리 층은 하기 물질들의 그룹으로부터의 물질 또는 물질 혼합물을 추가로 포함할 수 있다: Al2O3, 알칼리 토금속 산화물들, 알칼리 금속 산화물들, ZrO2, TiO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, TeO2, WO3, MO3, Sb2O3, Ag2O, SnO2, 희토류 산화물들.
일 구성에서, UV-흡수 첨가제들은 매트릭스의 유리에 유리 컴포넌트들로서 부가될 수 있다. 예를 들어, Ce 화합물들, Fe 화합물들, Sn 화합물들, Ti 화합물들, Pr 화합물들, Eu 화합물들 및/또는 V 화합물들을 포함하는 물질들 또는 물질 혼합물들은, UV 흡수를 증가시키기 위하여, 유리 용융 프로세스에서 저 용융점 유리들에, 예를 들어 납을 포함하는 유리들에 유리 다량 성분들로서 부가될 수 있다.
유리 용융 프로세스는 유리의 열적 액화, 즉 용융으로서 이해될 수 있다. UV-흡수 첨가제들은 유리 성분으로서 녹을 수 있다. 유리 용융 프로세스 다음, 유리는 분말화되어, 코팅들의 형태로 캐리어 상에 적용되고, 추후 열 처리에 의해 유리화될 수 있다.
다른 구성에서, 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물은 유리 기판보다 본질적으로 더 낮은 UV 투과를 가질 수 있다.
매트릭스의 보다 낮은 UV 투과에 의해, UV 보호부는 유리 층 상의 또는 위의 층들에 대해 형성될 수 있다. 유리 기판에 비해 유리 층의 매트릭스의 보다 낮은 UV 투과는 예를 들어 UV 조사선의 보다 높은 흡수 및/또는 반사에 의해 형성될 수 있다.
다른 구성에서, 유리 층의 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물은 최대 대략 600℃까지의 온도에서 액화될 수 있다.
다른 구성에서, 매트릭스는 적어도 하나의 타입의 첨가제를 포함할 수 있다.
일 구성에서, 첨가제들은 무기 물질 또는 무기 물질 혼합물을 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다.
다른 구성에서, 첨가제의 적어도 하나의 타입은 하기 물질들의 그룹으로부터의 물질 또는 물질 혼합물 또는 화학양론적 화합물을 포함할 수 있거나 이로부터 형성될 수 있다: TiO2, CeO2, Bi2O3, ZnO, SnO2, Al2O3, SiO2, Y2O3, ZrO2, 발광 물질들, 착색제(colorant)들, 및 UV-흡수 유리 입자들, 적당한 UV-흡수 금속 나노 입자들, 상기 경우 발광 물질들은 예를 들어 UV 범위 내의 전자기 조사선의 흡수를 나타낼 수 있다.
다른 구성에서, 첨가제들은 입자들, 즉 미립자 첨가제들로서 형성될 수 있다.
다른 구성에서, 첨가제들은 예를 들어 광학 렌즈와 유사하거나 동일한 곡선 표면을 가질 수 있다.
다른 구성에서, 미립자 첨가제들은 하기 형상들의 그룹으로부터의 기하학적 형상 및/또는 기하학적 형상의 부분을 가질 수 있다: 구, 비구면, 예를 들어, 각기둥, 타원체, 중공, 컴팩트, 작은 판 또는 막대-형상.
일 구성에서, 미립자 첨가제들은 유리를 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다.
일 구성에서, 미립자 첨가제들은 대략 0.1 ㎛ 내지 대략 10 ㎛의 범위, 예를 들어 대략 0.1 ㎛ 내지 대략 1 ㎛의 범위의 평균 입자 크기를 가질 수 있다.
다른 구성에서, 첨가제들은 유리 층 내 유리 기판 상에 또는 위에 대략 0.1 ㎛ 내지 대략 100 ㎛의 두께를 가진 층을 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 유리 층의 첨가제들은 유리 기판 상에 또는 위에 하나의 층이 다른 층 위에 놓인 복수의 층들을 포함할 수 있고, 상기 경우 개별 층들은 상이하게 구성될 수 있다.
다른 구성에서, 적어도 하나의 미립자 첨가제의 미립자 첨가제들의 평균 크기는 첨가제들의 층들에서 유리 기판의 표면으로부터 감소할 수 있다.
다른 구성에서, 첨가제들의 개별 층들은 적어도 하나의 파장 범위, 예를 들어 대략 400 nm 미만의 파장을 가진 전자기 복사선에 대해 상이한 투과 및/또는 미립자 첨가제들의 상이한 평균 크기를 가질 수 있다.
다른 구성에서, 첨가제들의 개별 층들은 미립자 첨가제들의 상이한 평균 크기 및/또는 전자기 복사선에 대해 상이한 굴절률을 가질 수 있다.
일 구성에서, 유리 층은 산란 층, 즉 광 출력 층 또는 광 입력 층으로서 구성될 수 있다.
일 구성에서, 유리 층은 전자기 복사선, 예를 들어 광에 대한 산란 입자들로서 구성되는 미립자 첨가제들을 포함할 수 있고, 상기 경우 산란 입자들은 매트릭스 내에서 분산될 수 있다.
다른 말로: 매트릭스는 산란 첨가제들 중 적어도 하나의 타입을 포함할 수 있어서, 유리 층은, 예를 들어 산란될 복사선의 파장의 크기에 대략 대응하는 직경 및/또는 매트릭스와 상이한 산란 입자들 또는 산란 첨가제들의 굴절률에 의해, 적어도 하나의 파장 범위에서 입사 전자기 복사선에 관하여 산란 효과를 추가로 형성할 수 있다.
산란 효과는 예를 들어 광 출력 또는 광 입력을 증가시키기 위하여, 유리 층 상의 또는 위의 유기 기능 층 시스템에 의해 방사되거나 흡수되는 전자기 복사선에 관련될 수 있다.
다른 구성에서, 산란 첨가제들을 가진 유리 층은 대략 0.05보다 큰, 매트릭스의 굴절률로부터 산란 첨가제들의 굴절률의 차를 가질 수 있다.
일 구성에서, 첨가제는 착색제로서 구성될 수 있다.
본 설명의 범위에서, 착색제는 다른 물질들 또는 물질 혼합물들을 컬러화할 수 있는, 즉 물질 또는 물질 혼합물의 외부 외관을 수정할 수 있는 화학 화합물 또는 색소로서 이해될 수 있다. 용어 "컬러"는 또한 착색제에 의한 "컬러 변화"로서 이해될 수 있고, 상기 경우 물질의 외부 컬러는 물질의 컬러화 없이, 컬러가 변경될 수 있고, 즉 물질의 "컬러 변화"는 항상 물질의 "착색"을 포함하지 않을 수 있다.
착색제들의 다음 물질 클래스들 및 유도체들은 유기 착색제들로서 적당할 수 있다: 아크리딘(acridine), 아크리돈(acridone), 안트라퀴논(anthraquinone), 안트라센(anthracene), 사이아닌(cyanine), 단실(dansyl), 스쿼리릴륨(squaryllium), 스피로피란들(spiropyranes), 붕소 디피로메탄들(boron dipyrromethanes)(BODIPY), 페릴렌(perylene), 피렌(pyrene), 나프탈렌들(naphthalenes), 플라빈들(flavins), 피롤들(pyrroles), 포르피린들(porphrins) 및 이들의 금속 착물들, 디아릴메탄(diarylmethane), 트리아릴메탄(triarylmethane), 니트로(nitro), 니트로소(nitroso), 프탈로시아닌(phthalocyanine) 및 이들의 금속 착물들, 퀴논들(quinones), 아조(azo), 인도페놀(indophenol), 옥사진들(oxazines), 옥사존들(oxazones), 티아진들(thiazines), 티아졸들(thiazoles), 크사텐들(xanthenes), 플루오렌들(fluorenes), 플루론들(flurones), 피로닌들(pyronines), 로다민들(rhodamines), 쿠마린들(coumarins), 메탈로센들(metallocenes).
일 구성에서, 착색제는 하기 무기 착색제 클래스들, 무기 착색제 유도체들 또는 무기 착색제 색소들의 그룹으로부터 무기 물질을 포함하거나 이들로부터 형성될 수 있다: 전이 금속들, 희토류 산화물들, 황화물들, 시안화물들, 철 산화물, 지르코늄 실리케이트들, 비스무트 바나듐산염, 크롬 산화물들.
일 구성에서, 착색제는 카본 블랙(carbon black), 금, 은, 백금 같은 나노입자들, 예를 들어 탄소를 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다.
일 구성에서, 유리 층의 광학 외관은 착색제에 의해 수정될 수 있다.
일 구성에서, 착색제는 애플리케이션-특정 비관련 파장 범위, 예를 들어 대략 700 nm보다 큰 전자기 복사선을 흡수할 수 있다.
이런 방식으로, 유리 층의 광학 외관은 수정될 수 있고, 예를 들어 유리 층은 효율성을 손상시킴 없이, 광전자 컴포넌트의 사용에 대해 기술적으로 관련되지 않은 범위에서 컬러화될 수 있다.
일 구성에서, 유리 층의 첨가제는 적어도 하나의 파장 범위에서, 대략 400 nm보다 작은 파장을 가진 전자기 복사선에 대한 UV-흡수 첨가제, 매트릭스에 관해 투과를 감소시키는 UV-흡수 첨가제 및/또는 유리 기판의 타입으로서 구성될 수 있다.
유리 기판 및/또는 매트릭스에 비하여 UV-흡수 첨가제를 가진 유리 층의 보다 낮은 UV 투과는 예를 들어 UV-흡수 첨가제에 의한 UV 복사선의 보다 높은 흡수 및/또는 반사 및/또는 산란에 의해 형성될 수 있다.
일 구성에서, UV-흡수 첨가제의 타입은 하기 물질들의 그룹으로부터의 물질, 물질 혼합물 또는 화학양론적 화합물을 포함할 수 있거나 이들로부터 형성될 수 있다: TiO2, CeO2, Bi2O3, ZnO, SnO2, 발광 물질, UV-흡수 유리 입자들 및/또는 적당한 UV-흡수 금속 나노입자들, 상기 경우 발광 물질, 유리 입자들 및/또는 나노입자들은 UV 범위 내 전자기 복사선의 흡수를 나타낸다.
UV-흡수 나노입자들은 용융된 유리 땜납에서 용해도가 없거나 낮은 용해도를 가질 수 있고 및/또는 서로 반응하지 않거나, 단지 서로 빈약하게 반응할 수 있다. 게다가, 나노입자들, 예를 들어 대략 50 nm보다 작은 입자 크기를 가진 나노입자들, 예를 들어 TiO2, CeO2, ZnO 또는 Bi2O3는 전자기 복사선의 산란 없음, 또는 단지 작은 산란만을 유도할 수 있다.
일 구성에서, 유리 층의 첨가제는 예를 들어 발광 물질로서 파장-전환 첨가제로서 구성될 수 있다. 발광 물질은 스토크스 시프트를 가질 수 있고 보다 긴 파장을 가진 입사 전자기 복사선을 방사할 수 있거나, 안티-스토크스 시프트를 가지며 보다 짧은 파장을 가진 입사 전자기 복사선을 방사할 수 있다.
이 설명의 범위에서, 발광 물질은 예를 들어 Ce3 +-도핑된 가넷들 이를 테면 YAG:Ce 및 LuAG, 예를 들어 (Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3 +; Eu2 +-도핑된 니트라이드들, 예를 들어 CaAlSiN3:Eu2 +, (Ba,Sr)2Si5N8:Eu2 +; Eu2 +-도핑된 황화물들, SIONs, SiAlON, 오소실리케이트들(orthosilicates), 예를 들어 (Ba,Sr)2SiO4:Eu2 +; ㅋ크클로로실리케이트들(chloroslicates), 클로로인산염들(chlorophosphates), BAM (바륨 마그네슘 알루미네이트:Eu) 및/또는 SCAP, 할로포스페이트(halophosphate)를 포함할 수 있거나 이들로부터 형성될 수 있다.
다른 구성에서, 첨가제들은 전자기 복사선을 산란할 수 있고, UV 복사선을 흡수할 수 있고, 전자기 복사선의 파장을 전환할 수 있고 및/또는 유리 층을 컬러화할 수 있다.
예를 들어 전자기 복사선을 산란할 수 있고 UV 복사선을 흡수할 수 없는 첨가제들은 예를 들어 Al2O3, SiO2, Y2O3 또는 ZrO2를 포함할 수 있거나 이로부터 형성될 수 있다.
예를 들어 전자기 복사선을 산란하고 전자기 복사선의 파장을 전환하는 첨가제들은 예를 들어 발광 물질을 가진 유리 입자들로서 구성될 수 있다.
일 구성에서, 유리 층은 예를 들어 적어도 하나의 첨가제의 상이한 로컬 농도로, 예를 들어 측 방향으로 및/또는 수직방향으로 예를 들어 유리 층의 상이한 물질 컴포지션(composition)에 의해, 예를 들어 지형학적으로, 예를 들어 측 방향으로 및/또는 수직 방향으로 구조화될 수 있다.
일 구성에서, 유리 층 내 첨가제들의 농도는 유리 층 상의 또는 위의 광학적 액티브 구역에서보다 유리 프릿의 구역에서 더 작거나 클 수 있다. 광학적으로 액티브 구역은 예를 들어 광전자 컴포넌트의 전기 액티브 구역에 대략 대응할 수 있다.
일 구성에서, 유리 층은 유리 프릿에 유리 층의 연결 구역에서 구조화될 수 있다.
일 구성에서, 유리 프릿과 물리 콘택의 구역에서 유리 층의 구조화는, 예를 들어 오목 자국(indentation)으로서, 유리 층 상의 또는 위의 유리 프릿의 포지셔닝 정확도를 증가시키기 위해 구성될 수 있다.
일 구성에서, 유리 층은 구조화된 인터페이스를 가질 수 있다.
구조화된 인터페이스는 예를 들어 인터페이스들 중 하나를 거칠게 하거나 유리 층의 인터페이스 중 하나 상에 패턴을 형성함으로써 형성될 수 있다.
일 구성에서, 유리 층의 구조화된 인터페이스는 마이크로렌즈들에 의해 형성될 수 있다.
마이크로렌즈들 및/또는 인터페이스 거칠기는 예를 들어 광 입력/광 출력을 증가시키기 위한 예를 들어 산란점들로서 이해될 수 있다.
일 구성에서, 유리 프릿은 유리 기판 상의 또는 위의 유리 층과 유사하거나 동일한 물질을 포함할 수 있거나 이로부터 형성될 수 있다.
그러나, 유리 프릿의 물질 또는 물질 혼합물은 예를 들어 유리 기판보다 높은 연화점 및/또는 보다 높은 열 팽창을 가질 수 있다.
일 구성에서, 유리 프릿은 대략 0.1 ㎛ 내지 대략 100 ㎛의 범위, 예를 들어 대략 1 ㎛ 내지 대략 20 ㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법이 제공되고, 방법은 유리 기판 상에 또는 위에 유리 층의 형성; 인캡슐레이션의 형성을 포함하고, 여기서 인캡슐레이션의 형성은 유리 층 상에 또는 위에 적어도 하나의 유리 프릿의 적용을 포함하고, 유리 프릿은 유리 층에 의해 유리 기판상의 피트(fit)와 연결된다.
방법의 일 구성에서, 적어도 하나의 유리 프릿은 유리 기판의 적어도 하나의 구역 상에 적용될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 피트를 사용한 연결의 형성은, 피트를 사용한 연결이 측 방향 밀폐 기밀 인캡슐레이션으로서 형성되도록, 유리 프릿의 용융 및 응고를 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 방법은 추가로 유리 층 상에 또는 위에 광전자 컴포넌트의 층들의 형성을 포함한다.
방법의 일 구성에서, 방법은 추가로 적어도 하나의 유리 프릿 상에 또는 위에 커버 유리의 적용을 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 용융된 유리 프릿은 유리 층 및 커버 유리를 피트를 사용하여 서로 연결할 수 있다.
피트를 사용한 연결은, 유리 프릿이 해로운 환경 영향들에 대해 광전자 컴포넌트의 측 방향 밀폐를 형성하도록 구성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 피트를 사용한 연결은, 광전자 컴포넌트 층들의 밀폐 기밀 인캡슐레이션이 형성되도록 구성될 수 있다.
다른 말로: 커버 유리, 유리 프릿 및 유리 기판은 예를 들어 해로운 환경 영향들에 대해 밀폐 밀봉, 예를 들어 격리할 수 있고, 상기 층들은 커버 유리, 유리 프릿 및 유리 기판에 의해 둘러싸인다.
방법의 일 구성에서, 커버 유리는 유리 기판과 유사하거나 동일한 물질을 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 제 2 유리 층은 커버 유리 상에 또는 위에 적용될 수 있고, 상기 경우 제 2 유리 층은 유리 기판 상의 또는 위의 유리 층과 유사하거나 동일하게 구성될 수 있다.
제 2 유리 층은 예를 들어 커버 유리 상 유리 프릿에 대한 접착 촉진제로서 구성될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 광 출력 층은 유리 층 상에 또는 위에 형성될 수 있고, 및/또는 유리 층은 광 출력 층으로서 구성될 수 있다.
광 출력 층은 예를 들어 유리 층과 유사하거나 동일하게 구성될 수 있다. 예를 들어, 유리 층은 산란 첨가제들을 포함하지 않을 수 있고 광 출력 층은 산란 첨가제들을 포함할 수 있다. 그러나, 유리 층은 예를 들어 광 출력 층에 상이한 첨가제들을 포함할 수 있고 및/또는 광 출력 층에 대한 접착 촉진제 층으로서 구성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 기판은 연질 유리, 예를 들어 실리케이트 유리, 예를 들어 석회 소다 유리 실리케이트 유리를 포함할 수 있거나 이로부터 형성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 층은 유리 기판 상의 또는 위의 용융된 유리 땜납 분말의 층을 포함할 수 있거나 이로부터 형성될 수 있고, 용융된 유리 층은 용융된 유리 프릿보다 유리 기판에 더 강한 접착을 가진다.
방법의 일 구성에서, 유리 층의 유리 땜납 분말의 물질 또는 물질 혼합물은 하기 유리 시스템들의 그룹으로부터의 물질 또는 물질 혼합물을 포함할 수 있거나 이로부터 형성될 수 있다: Pbo를 포함하는 시스템들은 PbO-B2O3, PbO-SiO2, PbO-B2O3-SiO2, PbO-B2O3-ZnO2, PbO-B2O3-Al2O3이고, 상기 경우 PbO를 포함하는 유리 땜납은 또한 Bi2O3를 포함할 수 있고; Bi2O3를 포함하는 시스템들은 Bi2O3-B2O3, Bi2O3-B2O3-SiO2, Bi2O3-B2O3-ZnO, Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2이다.
방법의 일 구성에서, 유리 층의 열 팽창 계수는, 예를 들어 유리 층과 유리 프릿의 물리 콘택 구역에서, 예를 들어 유리 층 및/또는 유리 프릿의 물질 컴포지션을 적응시킴으로써, 유리 프릿의 열 팽창 계수에 적응될 수 있다.
예를 들어, 유리 층은 측 방향으로 직렬로 형성될 수 있다. 다른 말로: 유리 층은 광학적으로 액티브 구역보다 유리 기판의 에지 구역들에서 상이한 물질 컴포지션으로 형성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 층의 연화점은, 예를 들어 유리 층과 유리 프릿의 물리적 콘택의 구역에서, 예를 들어 유리 층 및/또는 유리 프릿의 물질 컴포지션을 적응시킴으로써 유리 프릿의 연화점에 적응될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 층은 유리 기판의 전체 표면상에 또는 위에 배열될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 유리 층은 광전자 컴포넌트의 층 단면 방향으로 추가 층들의 굴절률보다 높거나 대략 동일한 평균 굴절률을 가질 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 층은 대략 1.5의 굴절률, 예를 들어 적어도 대략 1.6의 굴절률, 예를 들어 적어도 대략 1.65의 굴절률, 예를 들어 대략 1.7 내지 대략 2.5의 범위 내의 굴절률을 가질 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 유리 층은 대략 1 ㎛ 내지 대략 100 ㎛의 범위, 예를 들어 대략 10 ㎛ 내지 대략 100 ㎛의 범위, 예를 들어 대략 25 ㎛의 두께로 구성될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 유리 층은 유기 발광 다이오드 또는 유기 태양 전지의 층 평면에서 층으로서 구성될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 유리 층의 매트릭스는 대략 1.7보다 큰 굴절률을 가질 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 유리 층의 매트릭스는 비결정질 이도록 구성될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 유리 층의 매트릭스는 하기 유리 시스템들의 그룹으로부터의 물질 또는 물질 혼합물을 포함할 수 있거나 이로부터 형성될 수 있다: Pbo를 포함하는 시스템들은 PbO-B2O3, PbO-SiO2, PbO-B2O3-SiO2, PbO-B2O3-ZnO2, PbO-B2O3-Al2O3이고, 상기 경우 PbO를 포함하는 유리 땜납은 또한 Bi2O3를 포함할 수 있고; Bi2O3를 포함하는 시스템들은 Bi2O3-B2O3, Bi2O3-B2O3-SiO2, Bi2O3-B2O3-ZnO, Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2이다.
방법의 다른 구성에서, Bi를 포함하는 유리 층은 하기 물질들의 그룹으로부터의 물질 또는 물질 혼합물을 부가적으로 포함할 수 있다: Al2O3, 알칼리 토금속 산화물들, 알칼리 금속 산화물들, ZrO2, TiO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, TeO2, WO3, MO3, Sb2O3, Ag2O, SnO2, 희토류 산화물들.
방법의 일 구성에서, UV-흡수 첨가제들은 매트릭스의 유리에 유리 컴포넌트들로서 부가될 수 있다. 예를 들어, Ce 화합물들, Fe 화합물들, Sn 화합물들, Ti 화합물들, Pr 화합물들, Eu 화합물들 및/또는 V 화합물들을 포함하는 물질들 또는 물질 혼합물들은, UV 흡수를 증가시키기 위하여, 유리 용융 프로세스에서 저 용융점 유리들에, 예를 들어 납을 포함하는 유리들에 유리 다량 성분들로서 부가될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 유리 층의 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물은 유리 기판보다 본질적으로 더 낮은 UV 투과를 가질 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 유리 층의 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물은 최대 대략 600℃까지의 온도에서 액화될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 매트릭스는 적어도 하나의 타입의 첨가제를 포함할 수 있다.
일 구성에서, 첨가제들은 무기 물질 또는 무기 물질 혼합물을 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 첨가제의 하나의 타입은 하기 물질들의 그룹으로부터의 물질 또는 물질 혼합물 또는 화학양론적 화합물을 포함할 수 있거나 이로부터 형성될 수 있다: TiO2, CeO2, Bi2O3, ZnO, SnO2, Al2O3, SiO2, Y2O3, ZrO2, 발광 물질들, 착색제(colorant)들, 및 UV-흡수 유리 입자들, 적당한 UV-흡수 금속 나노 입자들, 상기 경우 발광 물질들은 예를 들어 UV 범위 내의 전자기 조사선의 흡수를 나타낼 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 첨가제들은 입자들, 즉 미립자 첨가제들로서 형성될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 첨가제들은 곡선 표면을 가질 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 산란 첨가제들의 기하학적 형상은 하기 형상들의 그룹으로부터의 기하학적 형상 및/또는 기하학적 형상의 부분을 가질 수 있다: 구, 비구면, 예를 들어, 각기둥, 타원체, 중공, 컴팩트, 작은 판 또는 막대-형상.
방법의 일 구성에서, 미립자 첨가제들은 유리를 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 미립자 첨가제들은 대략 0.1 ㎛ 내지 대략 10 ㎛의 범위, 예를 들어 대략 0.1 ㎛ 내지 대략 1 ㎛의 범위의 평균 입자 크기를 가질 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 첨가제들은 유리 층 내 유리 기판 상에 또는 위에 대략 5 nm 내지 대략 100 ㎛의 두께를 가진 층을 포함할 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 유리 층의 첨가제들은 유리 기판 상에 또는 위에 하나의 층이 다른 층 위에 놓인 복수의 층들로서 적용될 수 있고, 상기 경우 개별 층들은 상이하게 구성된다.
방법의 다른 구성에서, 첨가제의 층들은, 적어도 하나의 첨가제의 미립자 첨가제들의 평균 크기가 첨가제들의 층들에서 유리 기판의 표면으로부터 감소하도록 구성될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 첨가제들의 개별 층들은 적어도 하나의 파장 범위, 예를 들어 대략 400 nm 미만의 파장을 가진 전자기 복사선에 대해 상이한 투과 및/또는 미립자 첨가제들의 상이한 평균 크기를 가질 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 첨가제들의 개별 층들은 미립자 첨가제들의 상이한 평균 크기 및/또는 전자기 복사선에 대해 상이한 굴절률로 구성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 층은 산란 층으로서 추가로 구성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 첨가제들은 산란 입자들로서 구성될 수 있고, 상기 경우 산란 입자들은 매트릭스 내에 분산될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 산란 첨가제들을 가진 유리 층은 대략 0.05보다 큰 매트릭스의 굴절률로부터 산란 첨가제들의 굴절률의 차를 형성할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 첨가제는 착색제를 포함할 수 있거나 착색제로서 구성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 층의 광학 외관은 착색제에 의해 수정될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 착색제는 애플리케이션-특정 비관련 파장 범위, 예를 들어 대략 700 nm보다 큰 전자기 복사선을 흡수할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 층의 첨가제는 적어도 하나의 파장 범위에서, 대략 400 nm보다 작은 파장을 가진 전자기 복사선에 대한 UV-흡수 첨가제, 매트릭스에 관해 투과를 감소시키는 UV-흡수 첨가제 및/또는 유리 기판의 적어도 하나의 타입으로 구성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, UV-흡수 첨가제의 타입은 하기 물질들의 그룹으로부터의 물질, 물질 혼합물 또는 화학양론적 화합물을 포함할 수 있거나 이들로부터 형성될 수 있다: TiO2, CeO2, Bi2O3, ZnO, SnO2, 발광 물질, UV-흡수 유리 입자들 및/또는 적당한 UV-흡수 금속 나노입자들, 상기 경우 발광 물질, 유리 입자들 및/또는 나노입자들은 UV 범위 내 전자기 복사선의 흡수를 위해 구성된다.
방법의 일 구성에서, 유리 층은 파장-전환 첨가제, 예를 들어 발광 물질로 형성될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 첨가제들은 전자기 복사선을 산란할 수 있고, UV 복사선을 흡수할 수 있고 및/또는 전자기 복사선의 파장을 전환할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 미립자 첨가제들은 유리 기판 상의 또는 위의 층에 형성될 수 있거나 적용될 수 있다.
매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 분말은 첨가제들의 층 상에 또는 위에 적용될 수 있다.
그 다음 유리 땜납 분말은 액화된 유리 땜납의 부분이 유리 기판의 표면으로 미립자 첨가제들 사이에서 흐르도록 액화될 수 있고, 액화된 유리의 일부는 부가된 미립자 첨가제들 위에 여전히 남아있는다.
미립자 첨가제들 위의 유리 층의 부분은 유리 없이 미립자 첨가제들의 상단 층의 거칠기와 동일하거나 큰 두께를 가질 수 있어서, 적어도 부드러운 표면이 형성되고, 즉 표면은 예를 들어 10 nm 미만의 낮은 RMS(평균 제곱근) 거칠기를 가질 수 있다.
방법의 이 구성에 대해 필수적인 것은 첨가제들의 적용 후 유리 땜납의 액화이다. 이런 방식으로, 유리 층 내 미립자 첨가제들의 분산은 조절될 수 있고, 유리 층의 부드러운 표면은 유리 층의 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납을 액화하는 단일 프로세스에서, 예를 들어 단일 열 처리 프로세스에서 형성될 수 있다.
매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 입자들의, 또는 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 분말을 갖는 서스펜션(suspension) 또는 페이스트(paste)의 생성은 이런 의미에서 액화로서 이해될 수 없을 것인데, 그 이유는 유리 입자들의 외관이 서스펜션에 의해 변경되지 않기 때문이다.
방법의 다른 구성에서, 유리 층을 형성하기 위하여, 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 분말은 첨가제들과 혼합될 수 있고 스크린 또는 템플릿 프린팅에 의해 페이스트 또는 서스펜션으로서 유리 기판 상에 적용될 수 있다. 이것은 유리화 후 유리 매트릭스 내 첨가제들의 균질한 분산을 유도할 수 있다.
서스펜션들 또는 페이스트들의 층들을 생성하기 위한 다른 방법들은 예를 들어 닥터 블레이딩(doctor blading) 또는 스프레이 방법들일 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 및/또는 미립자 첨가제들을 포함하는 서스펜션 및/또는 페이스트는 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 및/또는 미립자 첨가제들 외에 액체, 휘발성 및/또는 유기 성분들을 포함할 수 있다.
이들 성분들은 예를 들어 상이한 첨가제들, 예를 들어 용제들, 바인더(binder)들, 예를 들어 셀룰로스, 셀룰로스 유도체들, 니트로셀룰로스, 셀룰로스 아세테이트, 아크릴레이트들일 수 있고, 개별 방법 및 개별 원하는 층 두께를 위해 점성을 조절하기 위하여 미립자 첨가제들 또는 유리 땜납 입자들에 부가될 수 있다.
보통 액체 및/또는 휘발성일 수 있는 유기 첨가제들은 유리 땜납 층으로부터 열적으로 제거될 수 있고, 즉 층은 열적으로 건조될 수 있다. 비휘발성 유기 첨가제들은 열분해에 의해 제거될 수 있다. 온도를 증가시키는 것은 건조 또는 열분해를 가속화하거나 가능하게 할 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 입자 서스펜션 또는 유리 땜납 입자 페이스트 및 미립자 첨가제들이 포함된 서스펜션 또는 페이스트(첨가제들이 상이한 페이스트들 또는 서스펜션들인 경우에 대해)는 혼합성 액체, 휘발성 및/또는 유기 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 이런 방식으로, 미립자 첨가제들이 포함된 건조된 서스펜션 또는 페이스트 내, 또는 미립자 첨가제들이 포함된 건조된 유리 층 서스펜션 또는 페이스트 내의 첨가제들의 상 분리 또는 석출은 방지될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의, 및/또는 미립자 첨가제들이 포함된 페이스트의, 유리 땜납 입자 서스펜션 또는 유리 땜납 입자 페이스트는 휘발성 성분들에 의해 건조될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 유기 성분들(바인더들)은 미립자 첨가제들의 건조된 층 및/또는 온도를 상승시킴으로써 건조된 유리 땜납 분말 층으로부터 필수적으로 완전히 제거될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 유리 땜납 또는 유리 땜납 분말은 그것이 흐를 수 있도록, 예를 들어 제 2 값까지 온도를 상승시킴으로써 액화되도록 연화되고, 제 2 온도는 제 1 건조 온도보다 훨씬 매우 높다.
매트릭스의 유리 분말 층을 액화 또는 유리화하기 위한 제 2 온도의 최대 값은 특정 유리 기판에 좌우될 수 있다. 온도 체제(온도 및 시간)는 유리 기판이 변형하지 않도록 선택될 수 있지만, 매트릭스의 유리 분말 층의 유리 땜납은, 그것이 흐를 수 있도록 하는 점성을 이미 가지며, 즉 흐르고, 매끄럽고 그리고 매우 부드러운 유리 표면이 형성될 수 있다.
매트릭스의 유리 분말 층의 유리는 제 2 온도, 즉 예를 들어 유리 기판의 변환점 아래의 유리 전이 온도(유리 기판의 점성은 대략 
= 1014.5 dPa.s임) 및 예를 들어 연화 온도 아래의 유리 기판의 최대 연화 온도(유리 기판의 점성은 대략 
= 107.6 dPa.s임) 및 대략 상부 냉각점(유리 기판의 점성은 대략 
= 1013.0 dPa.s임)을 가질 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 분말은 유리 분말로서 구성될 수 있고 최대 대략 600℃까지의 온도에서 유리화될 수 있고, 즉 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 분말은 부드러운 표면이 형성될 수 있도록 연화한다.
다른 말로: 유리 층의 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 분말은, 유리 기판으로서 석회 소다 실리케이트 유리를 사용할 때, 최대 대략 600℃까지, 예를 들어 대략 500 ℃의 온도들에서 유리화될 수 있다.
유리 기판, 예를 들어 석회 소다 실리케이트 유리의 물질 또는 물질 혼합물은 열적으로 안정되어야 하는데, 즉 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 분말의 유리 전이 온도에서 변경되지 않는 층 단면을 가져야 한다.
방법의 다른 구성에서, 미립자 첨가제들 위 매트릭스의 액화된 유리에 대한 유리 기판의 갭들 없이 적어도 하나의 연속적인 유리 연결은 미립자 첨가제들 사이의 액화된 유리에 의해 형성될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 입자 첨가제들 위 매트릭스의 액화된 유리의 표면은 로컬 가열에 의한 응고 후 다시 한번 부가적으로 부드러워질 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 로컬 가열은 플라즈마 또는 레이저 조사선에 의해 형성될 수 있다.
다른 구성에서, 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 필름은 유리 기판 상에 적용, 예를 들어 배치되거나 롤링(roll)될 수 있다.
일 구성에서, 적용된 유리 땜납 필름은 피트를 사용하여 유리 기판에 연결될 수 있다.
피트를 사용하여 유리 기판에 유리 땜납 필름의 연결의 일 구성에서, 피트를 사용한 연결은 최대 대략 600℃까지의 온도에서, 라미네이팅 예를 들어 유리화에 의해 형성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 층은 예를 들어 지형적으로, 예를 들어 측 방향으로 및/또는 수직 방향으로; 예를 들어 적어도 하나의 첨가제의 상이한 로컬 농도에 의해, 예를 들어 측 방향으로 및/또는 수직 방향으로, 예를 들어 유리 층의 상이한 컴포지션에 의해 구조화될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 층의 첨가제들의 농도는 유리 층 상의 또는 위의, 광학적으로 액티브 구역의 구역 내, 예를 들어 대략적으로 전기 액티브 구역의 구역 내보다 유리 프릿의 구역 내에서 더 작거나 클 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 층은 피트를 사용한 연결 구역에서 구조화될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 프릿과의 물리적 콘택 구역에서 유리 층의 구조화는 예를 들어 오목 자국으로서, 유리 층 상에 또는 위에 유리 프릿을 포지셔닝하기 위하여 구성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 층은 구조화된 인터페이스를 가질 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 층의 구조화된 인터페이스는 마이크로렌즈들로서 형성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 프릿은, 예를 들어 유리 층의 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물과 유사하거나 동일한, 유리 기판 상의 또는 위의 유리 층과 유사하거나 동일한 물질을 포함할 수 있거나 이로부터 형성될 수 있다.
일 구성에서, 유리 프릿의 물질 또는 물질 혼합물은 유리 땜납 페이스트 내 유리 층 상에 또는 위에 적용될 수 있다.
유리 프릿의 유리 땜납 페이스트는, 예를 들어 매트릭스의 유리 땜납 페이스트의 구성들 중 하나와 유사하거나 동일하게 구성될 수 있다.
다른 말로: 유리 프릿의 물질 또는 물질 혼합물은, 커버 유리가 유리 프릿 상에 적용될 때 변형 가능할 수 있어서, 유리 프릿은 커버 유리와 폼-피트(form-fit) 연결을 형성할 수 있다.
일 구성에서, 유리 프릿은 유리화된 유리 프릿 입자들로서 유리 층 상에 또는 위에 적용될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 프릿에 의해 피트를 사용한 유리 층에 커버 유리의 연결의 형성은 유리 프릿을 용융함으로써 형성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 프릿의 물질 또는 물질 혼합물은, 예를 들어 대략 유리 프릿의 연화 온도 초과로 온도의 증가 때까지, 포톤들과 범버딩(bombardment)에 의해 용융될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 유리 프릿의 물질 또는 물질 혼합물은 최대 대략 600℃까지의 온도에서 액화될 수 있다.
포톤들과의 범버딩은 예를 들어, 대략 200 nm 내지 대략 1700 nm의 범위, 예를 들어 대략 700 nm 내지 대략 1700 nm의 범위의 파장을 가지며, 예를 들어 대략 10 ㎛ 내지 대략 2000 ㎛의 범위의 초점 직경으로 포커싱되고, 예를 들어 대략 100 fs 내지 대략 0.5 ms의 범위의 펄스 지속기간을 가지고 예를 들어 펄싱되고, 예를 들어 대략 50 mW 내지 대략 1000 mW의 전력을 가지며, 예를 들어 100 kW/cm2 내지 대략 10 GW/cm2의 전력 밀도를 가지며, 그리고 예를 들어 대략 100 Hz 내지 대략 1000 Hz 범위의 반복 레이트를 가진 레이저로서 형성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 프릿은 대략 0.1 ㎛ 내지 대략 100 ㎛의 범위, 예를 들어 대략 1 ㎛ 내지 대략 20 ㎛ 범위의 두께로 형성될 수 있다.
본 발명의 예시적 실시예들은 도면들에서 표현되고 아래에 더 상세히 설명될 것이다.
도 1은 다양한 예시적 실시예들에 따른, 광전자 컴포넌트의 개략 단면도를 도시한다.
도 2는 유기 광전자 컴포넌트의 두 개의 인캡슐레이션들의 개략 단면도를 도시한다.
도 3은 유기 광전자 컴포넌트의 추가 인캡슐레이션의 개략 단면도를 도시한다.
도 4는 다양한 예시적 실시예들에 따른, 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법의 다이어그램을 도시한다.
도 5는 다양한 예시적 실시예들에 따른, 광전자 컴포넌트의 개략 단면도를 도시한다.
도 2는 유기 광전자 컴포넌트의 두 개의 인캡슐레이션들의 개략 단면도를 도시한다.
도 3은 유기 광전자 컴포넌트의 추가 인캡슐레이션의 개략 단면도를 도시한다.
도 4는 다양한 예시적 실시예들에 따른, 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법의 다이어그램을 도시한다.
도 5는 다양한 예시적 실시예들에 따른, 광전자 컴포넌트의 개략 단면도를 도시한다.
다음 상세한 설명에서, 본 설명의 일부이고, 본 발명이 구현될 수 있는 특정 실시예들이 예시를 위하여 도시된 첨부된 도면들이 참조될 것이다. 이에 관하여, "상향", "하향", "전방", "후방", "전면", "후면" 등 같은 방향 용어는 설명된 도면 또는 도면들의 배향을 참조하여 사용된다. 실시예들의 성분 부분들이 다수의 상이한 배향들로 포지셔닝될 수 있기 때문에, 방향 용어는 예시를 위해 사용되고 결코 제한적이지 않다. 다른 실시예들이 사용될 수 있고 구조적 또는 논리적 수정들이, 본 발명의 보호 범위에서 벗어남이 없이 수행될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 특정하게 다르게 지시되지 않으면, 본원에 설명된 다양한 예시적 실시예들의 피처(feature)들이 서로 결합될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 그러므로 다음 상세한 설명은 제한적인 의미에서 해석되는 것이 아니고 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.
본 설명의 범위에서, "연결된" 또는 "커플링된" 같은 용어들은 직접 및 간접 연결, 및 직접 또는 간접 커플링 둘 다를 설명하기 위하여 사용된다. 도면들에서, 동일하거나 유사한 엘리먼트들에는 이것이 편리하다면 동일한 참조들이 제공된다.
도 1은 다양한 예시적인 실시예들에 따른, 광전자 컴포넌트의 개략 단면도를 도시한다.
보편성의 제한 없이, 다양한 구성들에 따른 광전자 컴포넌트는 전자기 조사선을 제공하는 광전자 컴포넌트의 예를 참조하여 예시될 것이다.
그러나, 광전자 컴포넌트의 표현된 구성들은 또한 전자기 조사선을 수신하는 광전자 컴포넌트에 대해 사용될 수 있다.
광전자 컴포넌트(100), 예를 들어 전자기 조사선을 제공하는 유기 전자 컴포넌트(100), 예를 들어 유기 발광 다이오드(100) 형태의 예를 들어 발광 유기 컴포넌트(100)는 유리 기판(102)을 포함할 수 있다.
유리 기판(102)은 예를 들어, 전자 엘리먼트들 또는 층들, 예를 들어 발광 엘리먼트들에 대한 캐리어 엘리먼트로서 사용될 수 있다.
유리 기판(102)은 예를 들어 연질 유리, 예를 들어 실리케이트 유리, 예를 들어 석회 소다 유리, 또는 임의의 다른 적당한 물질을 예를 들어 포함할 수 있거나 이로부터 형성될 수 있다.
유리 기판(102)은 반투명 또는 심지어 투명이도록 구성될 수 있다.
다양한 예시적 실시예들에서, 용어 "반투명" 또는 "반투명 층"은 층이 광, 예를 들어 발광 컴포넌트에 의해 생성되고, 예를 들어 하나 또는 그 초과의 파장 범위들의 광, 예를 들어 가시 광(예를 들어 적어도 380 nm 내지 780 nm의 파장 범위의 부범위 내)의 파장 범위의 광에 대해 투과적인 것을 의미하는 것으로서 이해될 수 있다. 예를 들어, 다양한 예시적 실시예들에서, 용어 "반투명 층"은 구조(예를 들어 층)에 입력되는 필수적으로 광의 총량이 또한 구조(예를 들어 층)로부터 출력되는 것을 의미하는 것으로 이해될 것이고, 상기 경우 광의 일부는 산란될 수 있다.
다양한 예시적 실시예들에서, 용어 "투명" 또는 "투명 층"은 층이 광(예를 들어 적어도 380 nm 내지 780 nm의 파장 범위의 부범위 내)에 대해 투과적인 것을 의미하는 것으로서 이해될 수 있고, 구조(예를 들어 층)에 입력되는 광은 또한 필수적으로 산란 또는 광 전환 없이 구조(예를 들어 층)로부터 출력된다. 다양한 예시적 실시예들에서, 그러므로 "투명"은 "반투명"의 특정 경우로서 고려될 것이다.
예를 들어, 단색성이거나 자신의 방사 스펙트럼이 제한되는 발광 전자 컴포넌트가 제공되도록 의도된 경우에 대해, 광학적으로 반투명 층 구조가 적어도 원하는 단색 광의 파장 범위의 부범위에서, 또는 제한된 방사 스펙트럼에 대해 반투명인 것은 충분하다.
다양한 예시적 실시예들에서, 유기 발광 다이오드(100)(또는 상기 또는 하기 설명된 예시적 실시예들에 따른 발광 컴포넌트들)는 소위 상단 및 하단 에미터로서 구성될 수 있다. 상단 및/또는 하단 에미터는 또한 광학적 투명 컴포넌트, 예를 들어 투명 유기 발광 다이오드라 지칭될 수 있다.
다양한 예시적 실시예들에서, 장벽 층(104)은 선택적으로 유리 기판(102) 상에 또는 위에 배열될 수 있다. 장벽 층(104)은 다음 물질들 중 하나 또는 그 초과를 포함할 수 있거나 이들로부터 이루어질 수 있다: 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 란타늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑된 아연 산화물, 및 이들의 혼합물들 및 합금들. 게다가, 다양한 예시적 실시예들에서, 장벽 층(104)은 대략 0.1 nm(1 원자 층) 내지 대략 5000 nm의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 10 nm 내지 대략 200 nm의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 40 nm의 층 두께를 가질 수 있다.
다양한 구성들에 따라, 유리층(504)은 장벽 층(104) 상에 또는 위에 배열될 수 있거나, 만약 장벽 층(104)이 선택적이면 유리 기판(102) 상에 또는 위에 배열될 수 있다.
유리 층(504)의 추가 사양들은 설명 및/또는 도 4 및 도 5의 설명으로부터 발견될 수 있다.
발광 컴포넌트(100)의 전기 액티브 구역(106)은 유리 층(504) 상에 또는 위에 배열될 수 있다. 전기 액티브 구역(106)은 전기 전류가 발광 컴포넌트(100)를 동작시키기 위하여 흐르는 발광 컴포넌트(100)의 구역으로서 이해될 수 있다.
다양한 예시적 실시예들에서, 전기 액티브 구역(106)은, 아래에 보다 상세히 설명될 바와 같이, 제 1 전극(110), 제 2 전극(114) 및 유기 기능 층 구조(112)를 포함할 수 있다.
따라서, 다양한 예시적 실시예들에서, 제 1 전극(110)(예를 들어 제 1 전극 층(110)의 형태)은 유리 층(504) 상에 또는 위에 적용될 수 있다. 제 1 전극(110)(또한 하부 전극(110)으로서 아래에서 지칭됨)은 전기 전도 물질, 예를 들어 금속 또는 투명 전도 산화물(TCO), 또는 동일한 금속 또는 상이한 금속들 및/또는 동일한 TCO 또는 상이한 TCO들의 복수의 층들의 층 스택으로 형성될 수 있다. 투명 전도 산화물들은 투명 전도 물질들, 예를 들어 금속 산화물들, 예를 들어 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물 또는 인듐 주석 산화물(ITO)이다. 이원 금속-산소 화합물들, 예를 들어 ZnO, SnO2, 또는 In2O3 외에, 삼원 금속-산소 화합물들, 예를 들어 AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12 또는 다양한 투명 전도 산화물들의 혼합물들은 또한 TCO 그룹에 속하고 다양한 예시적 실시예들에서 사용될 수 있다. 게다가, TCO들은 반드시 화학양론적 컴포지션에 대응하지않고, 추가로 p-도핑되거나 n-도핑될 수 있다.
다양한 예시적 실시예들에서, 제 1 전극(110)은 하기 금속을 포함할 수 있다; 예를 들어 Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm 또는 Li뿐 아니라, 이들 물질들의 화합물들, 결합들 또는 합금들.
다양한 예시적 실시예들에서, 제 1 전극(110)은 TCO의 층 상에 금속 층의 결합의 층 스택, 또는 그 반대의 층 스택으로 형성될 수 있다. 일 예는 인듐 주석 산화물 층(ITO) 상에 적용된 은 층(ITO 상 은) 또는 ITO/Ag/ITO 다중 층들이다.
다양한 예시적 실시예들에서, 제 1 전극(110)은 상기 언급된 물질들에 대한 대안으로서 또는 더하여 다음 물질들 중 하나 또는 그 초과를 포함할 수 있다: 금속 나노와이어들 및 나노입자들, 예를 들어 Ag의 네트워크들; 탄소 나노튜브들의 네트워크들; 그래핀 입자들 및 그래핀 층들; 반도체 나노와이어들의 네트워크들.
게다가, 제 1 전극(110)은 전기 전도 폴리머들 또는 전이 금속 산화물들 또는 투명 전기 전도 산화물들을 포함할 수 있다.
다양한 예시적 실시예들에서, 제 1 전극(110) 및 유리 기판(102)은 반투명이거나 투명이도록 구성될 수 있다. 제 1 전극(110)이 금속을 포함하거나 이로부터 형성되는 경우, 제 1 전극(110)은 예를 들어 대략 25 nm보다 작거나 같은 층 두께, 예를 들어 대략 20 nm보다 작거나 같은 층 두께, 예를 들어 대략 18 nm보다 작거나 같은 층 두께를 가질 수 있다. 게다가, 제 1 전극(110)은 예를 들어 대략 10 nm보다 크거나 같은 층 두께, 예를 들어 대략 15 nm보다 크거나 같은 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 예시적 실시예들에서, 제 1 전극(110)은 대략 10 nm 내지 대략 25 nm 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 10 nm 내지 대략 18 nm 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 15 nm 내지 대략 18 nm 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
게다가, 제 1 전극(110)이 전도 투명 산화물(TCO)을 포함하거나 이로부터 형성되는 경우에 대해, 제 1 전극(110)은 예를 들어 대략 50 nm 내지 대략 500 nm 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 75 nm 내지 대략 250 nm 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 100 nm 내지 대략 150 nm 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
게다가, 제 1 전극(110)이 예를 들어 전도 폴리머들과 결합될 수 있는 금속 나노와이어들, 예를 들어 Ag의 네트워크, 전도 폴리머들과 결합될 수 있는 탄소 나노튜브들, 또는 그래핀 층들 및 컴포짓들의 네트워크로 형성되는 경우에 대해, 제 1 전극(110)은 예를 들어 대략 1 nm 내지 대략 500 nm 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 10 nm 내지 대략 400 nm 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 40 nm 내지 대략 250 nm 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
제 1 전극(110)은 애노드, 즉 홀-주입 전극, 또는 캐소드, 즉 전자-주입 전극으로서 구성될 수 있다.
제 1 전극(110)은 제 1 전기 콘택 패드를 포함할 수 있고, 제 1 전기 콘택 패드에 전기 전위(에너지 소스(표현되지 않음), 예를 들어 전류원 또는 전압원에 의해 제공됨)가 인가될 수 있다. 대안으로서, 제 1 전기 전위는 유리 기판(102)에 인가될 수 있고 그 다음 유리 기판(102)을 통해 간접적으로 제 1 전극(110)에 전달될 수 있다. 제 1 전기 전위는 예를 들어 접지 전위 또는 다른 미리 결정된 기준 전위일 수 있다.
게다가, 발광 컴포넌트(100)의 전기 액티브 구역(106)은 제 1 전극(110) 상에 또는 위에 적용되거나 형성되는 유기 기능 층 구조(112)를 포함할 수 있다.
유기 기능 층 구조(112)는, 예를 들어 형광 및/또는 인광 에미터들을 포함하는 하나 또는 그 초과의 에미터 층들(118)뿐 아니라, 하나 또는 그 초과의 홀 전도 층들(120)(또한 홀 수송 층 또는 층들(120)로서 지칭됨)을 포함할 수 있다.
다양한 예시적 실시예들에서, 대안으로서 또는 추가로, 하나 또는 그 초과의 전자 전도 층들(116)(또한 전자 수송 층 또는 층들(116)로 지칭됨)이 제공될 수 있다.
에미터 층 또는 층들(118)에 대한 다양한 예시적인 실시예들에 따른 발광 컴포넌트(100)에 사용될 수 있는 에미터 재료들의 예들은 비 폴리머 에미터들로서, 유기 또는 유기금속 화합물들, 이를 테면 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리티오펜(polythiophene) 및 폴리페닐렌(polyphenylene)(예를 들어 2- 또는 2,5-치환된 폴리-p-페닐렌 비닐렌(phenylene vinylene)) 및 금속 착물들, 예를 들어 이리듐 착물들, 예를 들어 청색 인광성 FIrPic (bis(3,5-디플루오로(difluoro)-2-(2-피리딜(pyridyl))페닐(phenyl)-(2-카르복시피리딜(carboxypyridyl))-이리듐(iridium) III), 녹색 인광성 Ir(ppy)3 (tris(2-페닐피리딘(phenylpyridine))이리듐 III), 적색 인광성 Ru(dtb-bpy)3*2(PF6) (tris[4,4'-di-tert-부틸(butyl)-(2,2')-비피리딘(bipyridine)]루테늄(ruthenium)(III) 착물) 및 청색 형광성 DPAVBi (4,4-bis[4-(di-p-톨리아미노(tolylamino))스티릴(styryl)]비페닐(biphenyl)), 녹색 형광성 TTPA (9, 10-bis[N,N-di-(p-톨릴(tolyl))-아미노(amino)]안트라센(anthracene)) 및 적색 형광성 DCM2 (4-디시아노메틸렌(dicyanomethylene))-2-메틸(methyl)-6-줄로리딜(julolidyl)-9-엔일(enyl)-4H-피란(pyrane)) 의 유도체들을 포함한다. 그런 비 폴리머 에미터들은 예를 들어 열 증착에 의해 증착될 수 있다. 게다가, 중합체 에미터들이 사용될 수 있고, 이는 특히 습식 화학 방법, 예를 들어 스핀 코팅 방법에 의해 증착될 수 있다.
에미터 재료들은 매트릭스 재료에 적당한 방식으로 임베딩(embed)될 수 있다.
다른 적당한 에미터 재료들이 마찬가지로 다른 예시적 실시예들에 제공되는 것이 언급되어야 한다.
발광 컴포넌트(100)의 에미터 층 또는 층들(118)의 에미터 재료들은, 예를 들어 발광 컴포넌트(100)가 백색 광을 방사하도록 선택될 수 있다. 에미터 층 또는 층들(118)은 상이한 컬러들(예를 들어 청색 및 노랑색 또는 청색, 녹색 및 적색)을 방사하는 복수의 에미터 재료들을 포함할 수 있고; 대안으로서, 에미터 층 또는 층들(118)은 또한 복수의 서브층들, 예를 들어 청색 형광 에미터 층(118) 또는 청색 인광성 에미터 층(118), 녹색 인광성 에미터 층(118) 및 적색 인광성 에미터 층(118)으로부터 구조화될 수 있다. 상이한 컬러들의 혼합은 백색 인상을 가진 광의 방사를 유도할 수 있다. 대안으로서, 컨버터 재료는 또한 이들 층들에 의해 생성된 일차 방사의 빔 경로에 배열될 수 있고, 상기 재료는 적어도 부분적으로 일차 조사선을 흡수하여 상이한 파장을 가진 이차 조사선을 방사하고, 따라서 백색 인상은 일차 조사선 및 이차 조사선의 결합에 의해 (아직 백색이 아닌) 일차 조사선으로부터 얻어진다.
유기 기능 층 구조(112)는 일반적으로 하나 또는 그 초과의 전자 발광 층들을 포함할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 전자 발광 층들은 유기 폴리머들, 유기 올리고머들, 유기 모노머들, 비 폴리머 유기 작은(small) 분자들, 또는 이들 물질들의 결합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유기 기능 층 구조(112)는 홀 수송 층(120)으로서 구성된 하나 또는 그 초과의 전자 발광 층들을 포함할 수 있고, 따라서 예를 들어 OLED의 경우, 전자 발광 층 또는 전자 발광 구역에 효과적인 홀 주입이 가능해 진다. 대안으로서, 다양한 예시적 실시예들에서, 유기 기능 층 구조(112)는 전자 수송 층(116)으로서 구성된 하나 또는 그 초과의 기능 층들을 포함할 수 있고, 따라서 예를 들어 OLED의 경우에, 전자 발광 층 또는 전자 발광 구역으로 효과적인 전자 주입이 가능해 진다. 예를 들어, 삼원 아민들, 카브바졸 유도체들, 전도 폴리아닐린 또는 폴리에틸렌 디옥시티오펜은 홀 수송 층(120)에 대한 물질로서 사용될 수 있다. 다양한 예시적인 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 전자 발광 층들은 전자 발광 층으로서 구성될 수 있다.
다양한 예시적인 실시예들에서, 홀 수송 층(120)은 제 1 전극(110) 상에 또는 위에 적용, 예를 들어 증착될 수 있고, 에미터 층(118)은 홀 수송 층(120) 상에 또는 위에 적용, 예를 들어 증착될 수 있다. 다양한 예시적 실시예들에서, 전자 수송 층(116)은 에미터 층(118) 상에 또는 위에 적용, 예를 들어 증착될 수 있다.
다양한 예시적 실시예들에서, 유기 기능 층 구조(112)(즉, 예를 들어 홀 수송 층 또는 층들(120) 및 에미터 층 또는 층들(118) 및 전자 수송 층 또는 층들(116)의 합)은 최대 대략 1.5 ㎛의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 1.2 ㎛의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 1 ㎛의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 800 nm의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 500 nm의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 400 nm의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 300 nm의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 예시적 실시예들에서, 유기 기능 층 구조(112)는 예를 들어, 하나가 다른 하나 위에 직접 배열된 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)들의 스택을 포함할 수 있고, 상기 경우 각각의 OLED는 예를 들어 최대 대략 1.5 ㎛의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 1.2 ㎛의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 1 ㎛의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 800 nm의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 500 nm의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 400 nm의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 300 nm 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 예시적 실시예들에서, 유기 기능 층 구조(112)는 예를 들어 하나가 다른 하나 위에 직접 배열된 2, 3 또는 4개의 OLED들의 스택을 포함할 수 있고, 상기 경우, 예를 들어, 유기 기능 층 구조(112)는 최대 대략 3 ㎛의 층 두께를 가질 수 있다.
발광 컴포넌트(100)는 일반적으로 기능성 및 그러므로 발광 컴포넌트(100)의 효율성을 추가로 개선하기 위하여 사용된, 예를 들어 하나 또는 그 초과의 에미터 층들(118) 상에 또는 위에 또는 전자 수송 층 또는 층들(116) 상에 또는 위에 배열된 추가 유기 기능 층들을 선택적으로 포함할 수 있다.
제 2 전극(114)(예를 들어 제 2 전극 층(114) 형태)은 유기 기능 층 구조(112) 상에 또는 위에, 또는 선택적으로 하나 또는 그 초과의 추가 유기 기능 층 구조들 상에 또는 위에 적용될 수 있다.
다양한 예시적 실시예들에서, 제 2 전극(114)은 제 1 전극(110)과 동일한 물질들을 포함하거나 이로부터 형성될 수 있고, 금속들은 다양한 예시적 실시예들에서 특히 적당하다.
다양한 예시적 실시예들에서, 제 2 전극(114)(예를 들어 금속 제 2 전극(114)의 경우에 대해)은 예를 들어 대략 50 nm보다 작거나 같은 층 두께, 예를 들어 대략 45 nm보다 작거나 같은 층 두께, 예를 들어 대략 40 nm보다 작거나 같은 층 두께, 예를 들어 대랴 35 nm보다 작거나 같은 층 두께, 예를 들어 대략 30 nm보다 작거나 같은 층 두께, 예를 들어 대략 25 nm보다 작거나 같은 층 두께, 예를 들어 대략 20 nm보다 작거나 같은 층 두께, 예를 들어 대략 15 nm보다 작거나 같은 층 두께, 예를 들어 대략 10 nm보다 작거나 같은 층 두께를 가질 수 있다.
제 2 전극(114)은 일반적으로 제 1 전극(110)과 유사한 방식으로, 또는 상이하게 구성될 수 있다. 제 2 전극(114)은 다양한 예시적 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 물질들 및 제 1 전극(110)과 관련하여 상기 설명된 개별 층 두께로 형성될 수 있다. 다양한 예시적 실시예들에서, 제 1 전극(110) 및 제 2 전극(114)은 반투명 또는 투명 둘 다 이도록 구성된다. 그러므로 도 1에 표현된 발광 컴포넌트(100)는 상단 및 하단 에미터(다른 방식으로, 투명 발광 컴포넌트(100)로서 표현됨)로서 구성될 수 있다.
제 2 전극(114)은 애노드, 즉 홀-주입 전극, 또는 캐소드, 즉 전자-주입 전극으로서 구성될 수 있다.
제 2 전극(114)은 제 2 전기 단자를 포함할 수 있고, 제 2 전기 단자에 에너지 소스에 의해 제공된 제 2 전기 전위(제 1 전기 전위와 상이함)가 인가될 수 있다. 제 2 전기 전위는 예를 들어, 제 1 전기 전위로부터의 차가 대략 1.5 V 내지 대략 20 V의 범위의 값, 예를 들어 대략 2.5 V 내지 대략 15 V의 범위의 값, 예를 들어 대략 3 V 내지 대략 12 V 범위의 값을 가지도록 값을 가질 수 있다.
예를 들어 장벽 박막/박막 인캡슐레이션(108) 형태의 인캡슐레이션(108)은 선택적으로 또한 제 2 전극(114) 상에 또는 위에 형성될 수 있고, 그러므로 전기 액티브 구역(106) 상에 또는 위에 형성될 수 있다.
이 출원의 범위에서, "장벽 박막"(108)은 예를 들어, 화학 오염들 또는 대기 물질들에 대해, 특히 수분(습기) 및 산소에 대해 장벽을 형성하기에 적당한 층 또는 층 구조로서 이해될 수 있다. 다른 말로: 장벽 박막(108)은, OLED들을 손상시키는 물질들, 이를 테면 수분, 산소 또는 용제들에 의해 침투될 수 없거나, 기껏 매우 작은 양들이 침투될 수 있도록 구성된다.
일 구성에 따라, 장벽 박막(108)은 개별 층(다른 방식으로, 단일 층으로서 표현됨)으로서 구성될 수 있다. 대안적인 구성에 따라, 장벽 박막(108)은 하나가 다른 상부에 배열되는 다수의 서브층들을 포함할 수 있다. 다른 말로: 일 구성에 따라, 장벽 박막(108)은 층 스택으로서 구성될 수 있다. 장벽 박막(108), 또는 장벽 박막(108)의 하나 또는 그 초과의 서브층들은 예를 들어 적당한 증착 방법에 의해, 예를 들어 일 구성에 따른 원자 층 증착(ALD) 방법, 예를 들어 플라즈마-강화 원자 층 증착(PEALD) 방법 또는 무 플라즈마 원자 층 증착(PLALD) 방법에 의해, 또는 다른 구성에 따른 화학 기상 증착(CVD) 방법, 예를 들어 플라즈마-강화 화학 기상 증착(PECVD) 방법 또는 무 플라즈마 화학 기상 증착(PLCVD) 방법에 의해, 또는 대안적으로 다른 적당한 증착 방법들에 의해 형성될 수 있다.
원자 층 증착(ALD) 방법을 사용함으로써, 매우 얇은 층들이 증착될 수 있다. 특히, 층 두께가 원자 층 범위 내에 놓이는 층들이 증착될 수 있다.
일 구성에 따라, 복수의 서브층들을 포함하는 장벽 박막(108)의 경우에, 모든 서브층들은 원자 층 증착 방법에 의해 형성될 수 있다. ALD 층들만을 포함하는 층 시퀀스는 또한 "나노라미네이트(nanolaminate)"로서 지칭될 수 있다.
대안적인 구성에 따라, 복수의 서브층들을 포함하는 장벽 박막(108)의 경우에, 장벽 박막(108)의 하나 또는 그 초과의 서브층들은 원자 층 증착 방법과 다른 증착 방법, 예를 들어 화학 기상 증착 방법에 의해 증착될 수 있다.
장벽 박막(108)은 일 구성에 따라, 대략 0.1 nm(일 원자층) 내지 대략 1000 nm의 층 두께, 예를 들어 일 구성에 따라 대략 10 nm 내지 대략 100 nm의 층 두께, 예를 들어 일 구성에 따라 대략 40 nm의 층 두께를 가질 수 있다.
장벽 박막(108)이 복수의 서브층들을 포함하는 일 구성에 따라, 모든 서브층들은 동일한 층 두께를 가질 수 있다. 다른 구성에 따라, 장벽 박막(108)의 개별 서브층들은 상이한 층 두께들을 가질 수 있다. 다른 말로: 서브층들 중 적어도 하나는 다른 서브층들 중 하나 또는 그 초과와 상이한 층 두께를 가질 수 있다.
장벽 박막(108), 또는 장벽 박막(108)의 개별 서브층들은 일 구성에 따라 반투명 또는 투명 층으로서 구성될 수 있다. 다른 말로: 장벽 박막(108)(또는 장벽 박막(108)의 개별 층들)은 반투명 또는 투명 물질(또는 반투명 또는 투명인 물질 혼합물)로 이루어질 수 있다.
일 구성에 따라, 장벽 박막(108), 또는 (다수의 서브층들을 포함하는 층 스택의 경우에) 장벽 박막(108)의 서브층들 중 하나 또는 그 초과는 다음 물질들 중 하나를 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다: 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 란타늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑 아연 산화물, 및 이들의 혼합물들 및 합금들. 다양한 예시적 실시예들에서, 장벽 박막(108), 또는 (다수의 서브층들을 포함하는 층 스택의 경우에) 장벽 박막(108)의 서브층들 중 하나 또는 그 초과는 하나 또는 그 초과의 높은-굴절률 물질들, 또는 다른 방식으로 표현하여, 높은 굴절률을 가진, 예를 들어 적어도 2의 굴절률을 가진 하나 또는 그 초과의 물질들을 포함할 수 있다.
일 구성에서, 예를 들어 유리로 만들어진 커버(126)는 예를 들어 장벽 박막(108)을 가진 유기 광전자 컴포넌트(100)의 기하학적 에지 구역들에서 유리 땜납에 의해 프릿 본딩(유리 프릿 본딩/유리 납땜/밀봉 유리 본딩)에 의해 적용될 수 있다.
다양한 예시적 실시예들에서, 접착 및/또는 보호 코팅(124)은 장벽 박막(108) 상에 또는 위에 제공될 수 있고, 이에 의해, 예를 들어 커버(126)(예를 들어 유리 커버(126))는 장벽 박막(108) 상에 고정, 예를 들어 접착 본딩된다. 다양한 예시적 실시예들에서, 접착 및/또는 보호 코팅(124)의 광학적으로 반투명 층은 1 ㎛보다 큰 층 두께, 예를 들어 몇 ㎛의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 예시적 실시예들에서, 접착제는 라미네이션 접착제를 포함하거나 라미네이션 접착제일 수 있다.
다양한 예시적 실시예들에서, 색조 왜곡 및 출력 효율성의 추가 개선을 유도할 수 있는 광-산란 입자 첨가제들은 또한 접착제의 층(또한 접착 층으로서 지칭됨)에 임베딩될 수 있다. 다양한 예시적 실시예들에서, 예를 들어, 유전체 산란 미립자 첨가제들은 광 산란 입자들로서 제공될 수 있고, 예를 들어 금속 산화물들, 예를 들어 실리콘 산화물(SiO2), 아연 산화물(ZnO), 지르코늄 산화물(ZrO2), 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO), 갈륨 산화물(Ga2Oa) 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물이 있다. 다른 미립자 첨가제들은 또한, 그들이 반투명 층 구조, 예를 들어 기공들, 아크릴산염, 또는 중공 유리 구들의 매트릭스의 유효 굴절률과 상이한 굴절률을 가지는 한, 적당할 수 있다. 게다가, 예를 들어, 금속 나노입자들, 금속들 이를 테면 금 또는 은, 철 나노입자들, 등은 광 산란 미립자 첨가제들로서 제공될 수 있다.
다양한 예시적 실시예들에서, 전기 절연 층(표현되지 않음)은 또한, 습식 화학 프로세스 동안 전기 불안정 물질들을 보호하기 위하여, 예를 들어 SiN이, 예를 들어 대략 300 nm 내지 대략 1.5 ㎛의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 500 nm 내지 대략 1 ㎛ 범위의 층 두께로, 제 2 전극(114)과 접착 및/또는 보호 코팅(124)의 층 사이에 적용될 수 있다.
다양한 예시적인 실시예들에서, 접착제는, 그 자체가 커버(126)의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지도록 구성될 수 있다. 그런 접착제는 대략 1.3의 굴절률을 가진 예를 들어 낮은-굴절률 접착제, 예를 들어 아크릴산염일 수 있다. 게다가, 접착 층 시퀀스를 형성하는 복수의 상이한 접착제들이 제공될 수 있다.
게다가, 다양한 예시적 실시예들에서, 접착제(124)가 예를 들어 유리로 이루어진 커버(126)가 예를 들어 장벽 박막(108) 상에 예를 들어 플라즈마 스프레잉에 의해 적용되는 예를 들어 구성들에서, 심지어 완전히 생략될 수 있다는 것이 언급되어야 한다.
다양한 예시적 실시예들에서, 커버(126) 및/또는 접착제(124)는 1.55의 굴절률(예를 들어 633 nm의 파장에서)을 가질 수 있다.
게다가, 다양한 예시적 실시예들에서 하나 또는 그 초과의 반사방지 층들(예를 들어, 인캡슐레이션(108), 예를 들어 장벽 박막(108)과 결합됨)은 부가적으로 광 방사 컴포넌트(100)에 제공될 수 있다.
도 2는 유기 광전자 컴포넌트의 두 개의 인캡슐레이션들의 개략 단면도를 도시한다.
유리 기판(102), 예를 들어 석회 소다 실리케이트 유리(102) 상의 또는 위의 광전자 컴포넌트의 전기 액티브 구역(106)을 인캡슐레이팅하기 위한 방법 ― 도 200에서 표현됨 ―에서, 인캡슐레이션은 소위 게터(208)가 도입된 공동(206)을 가진 커버 유리(204)를 기초로 한다.
게터(208)는 예를 들어 해로운 물질들, 예를 들어 수분 및/또는 산소를 흡수할 수 있는 흡수제(208)로서 이해될 수 있다.
공동(206)은 예를 들어 불활성 물질 또는 물질 혼합물, 예를 들어 불활성 가스 또는 불활성 액체로 채워질 수 있다.
공동 유리(204)는 예를 들어 석회 소다 실리케이트 유리로 형성될 수 있다.
공동 유리(204)는 접착제(202)에 의해 유리 기판(102) 상에 접착 본딩된다.
그러나, 공동 유리(204), 예를 들어 공동 유리(204)의 공동(206)의 특정 생성 프로세스로 인해, 공동 유리(204)는 보통의 편평한 유리(석회 소다 실리케이트 유리)보다 상당히 더 비싸다.
석회 소다 실리케이트 유리(102) 상의 또는 위의 광전자 컴포넌트(100)의 전기 액티브 구역(106)을 인캡슐레이팅하기 위한 추가 방법이 도 210에서 표현된다.
기계적 손상으로부터 박막 인캡슐레이션(212)을 보호하기 위한 라미네이션 유리(216)는 라미네이션 접착제(214)에 의해 박막 인캡슐레이션(212) 상에 접착 본딩될 수 있다.
라미네이션 유리(216)는 예를 들어 석회 소다 실리케이트 유리로 형성될 수 있다.
적당한 박막들(212)의 적용에 의해, 유기 컴포넌트들(100)은 수분 및 산소에 대해 충분히 밀봉될 수 있다.
극한 품질 요건들은 박막 인캡슐레이션 상에 주어질 수 있고, 박막 인캡슐레이션의 많은 상이한 층들의 증착 프로세스는 매우 시간 소비적일 수 있다.
도 3은 유기 광전자 컴포넌트의 추가 인캡슐레이션의 개략 단면도를 도시한다.
광전자 컴포넌트(300), 예를 들어 OLED 디스플레이들(300)에서, 광전자 컴포넌트들의 인캡슐레이션은 예를 들어 유리 프릿(302), 즉 유리 프릿 인캡슐레이션(유리 프릿 본딩/유리 납땜/밀봉 유리 본딩)에 의해 수행될 수 있다.
유리 프릿 인캡슐레이션의 경우에, 또한 유리 프릿(302)으로 지칭되는 낮은 용융점을 가진 유리(302)는 유리 기판(304)과 커버 유리 사이의 연결로서 사용될 수 있다.
광전자 컴포넌트의 일부, 예를 들어 전기 액티브 구역(106)은 유리 기판(304)과 커버 유리 사이에 형성될 수 있다.
커버 유리 및 유리 기판(304)과 유리 프릿(302)의 연결은, 유리 프릿(302)의 구역에서, 해로운 환경 영향들, 예를 들어 수분 및/또는 산소 진입으로부터 측 방향으로 전기 액티브 구역(106)을 보호할 수 있다.
조명을 위한 유기 광전자 컴포넌트들(100), 예를 들어 OLED들에 대해, 이런 타입의 인캡슐레이션은 관심 있는 대안을 나타낸다. 그러나, OLED들을 사용한 일반 조명의 매우 높은 원가-동인 섹터에서, 다른 유리 기판들(102)은, 예를 들어 OLED 디스플레이들(300)에서보다, 예를 들어 디스플레이 유리(304), 예를 들어 알루미늄 실리케이트 유리(304)에서 사용된다.
조명을 위한 유기 광전자 컴포넌트들(100)에서, 경제적 유리 기판들(102)은 종종 사용되고, 예를 들어 석회 소다 실리케이트 유리(102)(석회 소다 유리)이다.
석회 소다 실리케이트 유리(102) 상에서, 유리 프릿 인캡슐레이션은 지금까지 가능하지 않았다.
발생하는 하나의 문제는, 유리 프릿(302)이 예를 들어 유리화 동안 땜납 포지션에서 가열될 때, 유리 기판(102)의 석회 소다 실리케이트 유리의 열 팽창의 비호환성이다.
도 4는 다양한 예시적 실시예들에 따라, 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법의 흐름도(400)를 도시한다.
도 5에서 예를 들어 표현된 바와 같이, 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법의 시퀀스는 개략적으로 표현된다.
방법(400)은 유리 기판(102)의 준비(402), 유리 층(504)의 형성(404), 광전자 컴포넌트의 층들의 형성(406), 유리 프릿(502)의 적용(408), 커버 유리(126)의 적용(410), 유리 층(504), 유리 프릿(502) 및 커버 유리(126) 사이에서 피트를 사용한 연결의 형성(412)을 포함한다.
유리 기판(102), 예를 들어 대략 1.5의 굴절률을 가진 석회 소다 실리케이트 유리의 준비(402)(표현되지 않음)는 예를 들어 장벽 층(104), 예를 들어 SiO2 층의 적용, 유리 기판(102) 또는 장벽 층(104)의 표면의 세척; 예를 들어 습식 화학 세척으로서 유리 기판(102)의 표면(302), 또는 장벽 층(104)의 표면 거칠기 또는 화학 그룹들의 조절을 포함할 수 있거나, 또는 선택적일 수 있다.
유리 기판(102)의 준비(502) 후, 방법은 유리 층(504)의 형성(404)을 포함할 수 있다.
유리 층(504)의 형성(404)은 예를 들어 다양한 방법들에 의해 형성될 수 있다.
유리 층(504)의 형성(404)을 위한 방법의 다양한 구성은 보편성의 제한 없이 아래에 제시될 것이다.
유리 층(504)의 형성(404)을 위한 일 구성에서, 유리 층 전구체는, 예를 들어 대략 1.5보다 큰, 예를 들어 대략 1.6보다 큰, 예를 들어 대략 1.65보다 큰, 예를 들어 대략 1.7 내지 대략 2.5 사이의 범위의 굴절률을 가진, 비스무트 보레이트 유리 입자들 또는 비스무트 보로실리케이트 유리 입자들의 분말을 포함할 수 있는 유리 땜납 분말 서스펜션 또는 유리 땜납 분말 페이스트로, 스크린 프린팅 또는 템플릿 프린팅에 의해 유리 기판(102) 상에 적용될 수 있다.
유리 땜납 분말 서스펜션 또는 유리 땜납 분말 페이스트는 상업적으로 이용 가능한 스크린 프린팅 매체(예를 들어 글리콜 에테르들에서 셀룰로스 유도체들 또는 에틸 아세테이트에서 니트로셀룰로스)를 포함할 수 있다.
비스무트 보레이트 유리 입자들 또는 비스무트 보로실리케이트 유리 입자들은 예를 들어 대략 1 ㎛의 입자 크기 분산 D50 및 대략 50℃ 내지 대략 350℃의 온도 범위에 대해 대략 8.5·10-6 1/K의 열 팽창 계수를 가질 수 있다.
대안으로서, 예를 들어, 대략 7 ㎛의 입자 크기 분포 D50 및 대략 50℃ 내지 대략 300℃의 온도 범위에 대해 대략 10·10-6 1/K의 열 팽창 계수를 가진 비스무트 아연 보레이트 유리 입자들 또는 비스무트 아연 보로실리케이트 유리 입자들은 또한 선택될 수 있다.
유리 층 전구체의 적용 후, 유리 층 전구체는 예를 들어 3시간 동안 70℃에서 휘발성 성분들을 제거하기 위하여 건조될 수 있다.
유리 층 전구체의 건조 후, 건조된 유리 층 전구체 내의 비휘발성 유기 성분들은 비휘발성 유기 성분들의 제거에 의해, 예를 들어 열분해에 의해 열적으로 제거될 수 있다.
스크린-프린팅 매체는, 유리 땜납 분말이 연화하기 전에 디바인딩(debinding)이 완료되도록 선택되어야 한다.
사용된 비스무트 보로실리케이트 유리가 대략 500℃로부터 연화하기 시작할 수 있기 때문에, 상기 언급된 두 개의 바인더(binder)/용제 시스템들은 이런 유리에 매우 적당한데, 그 이유는 상기 시스템들이 시스템에 따라, 대략 200℃ 내지 대략 400℃에서 이미 번 아웃(burn out)될 수 있기 때문이다.
비휘발성 유기 성분들의 제거 후, 유리 층 전구체는 액화될 수 있다.
유리 분말 층으로서 상기 언급된 비스무트 보로실리케이트 유리의 경우에, 유리화는 대략 500℃ 초과의 온도들에서 발생할 수 있다.
대략 550℃의 상부 냉각 온도를 가진 유리 기판(102)으로서 석회 소다 실리케이트 유리의 예에서, 상부 온도 제한은, 유리 기판(102)의 변형을 작게 유지하거나, 이를 피하기 위하여, 가열 방법에 따라 대략 600℃의 값을 가질 수 있다.
유리화 동안, 유리 층 전구체, 또는 유리 땜납 입자들의 점성은 감소된다. 이런 방식으로, 유리 층 전구체, 또는 유리 땜납 입자들은 유리 기판(102)의 표면 상에 유리 층(504)을 형성할 수 있다. 이런 프로세스는 또한 유리화로 지칭된다.
만약 유리가 유리 기판(102)의 변환 온도 아래에서 발생하면, 어떠한 열적 스트레스들도 유리 기판 내부에 형성되지 않을 것이다. 두 개의 본딩 파트너들, 즉 유리 층의 매트릭스의 유리 기판(102) 및 유리 땜납의 열 팽창 계수는 유리 기판(102)과 보호 층(106) 사이의 과도한 본딩 스트레스들을 회피하기 위하여 너무 크게 다르지 않아야 하고, 이에 의해 내구성 있는 연결을 보장한다.
유리 층(504)이 장벽 층과 유사한 방식으로 동작할 수 있기 때문에, 장벽 박막(104)은, 예를 들어 유리 층(504)의 매트릭스(506)의 물질 또는 물질 혼합물이 알칼리 금속들을 포함하지 않을 때 제거될 수 있다.
유리화에 의해, 유리 층(504)의 두께는, 예를 들어 대략 1 ㎛ 내지 대략 100 ㎛의 범위, 예를 들어 대략 10 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위, 예를 들어 대략 25 ㎛의 두께까지, 유리 땜납 입자들 사이의 중간 공간들을 채움으로써 유리 층 전구체의 두께에 비해 감소될 수 있다.
유리 층 전구체의 액화 및 유리 층(504)의 윤곽부의 형성 후, 매트릭스(506)의 유리 땜납은 예를 들어 냉각, 예를 들어 수동 냉각에 의해 응고될 수 있다.
유리 층(504)의 매트릭스(506)의 유리의 응고에 의해, 유리 층(504)이 형성될 수 있다.
유리 층(504)의 응고 후, 유리 층(504)의 표면 속성의 조절에는, 예를 들어 폴리싱, 즉 예를 들어 온도의 짧은 로컬 상승에 의해, 예를 들어 지향된 플라즈마에 의해, 예를 들어 파이어(fire) 폴리싱 또는 또한 레이저 폴리싱에 의해 유리 층(504)의 표면의 다듬질(smoothing)이 수행될 수 있다.
유리 층(504)의 일 구성에서, 유리 층(504)은 유리 매트릭스(506) 및 유리 매트릭스(506) 내에 분산된 첨가제들(508)을 포함할 수 있다.
매트릭스(506) 및 첨가제들(508)을 가진 유리층(504)의 형성(404)은 상이한 방식들로 수행될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 미립자 첨가제들은 유리 기판(102) 상의 또는 위의 층에 형성되거나 적용될 수 있다. 매트릭스(506)의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 분말은 대략적으로 미립자 첨가제들(508)의 층 상에 또는 위에 적용될 수 있다. 그 다음 유리 땜납 분말은, 액화된 유리의 부분이 여전히 미립자 첨가제들(508) 위에 남아 있도록, 액화된 유리 땜납의 부분이 미립자 첨가제들(508) 사이에서 유리 기판의 표면으로 흐르도록 액화될 수 있다.
미립자 첨가제들(508) 위의 유리 층(504)의 부분은 유리 없이 미립자 첨가제들(508)의 상단 층의 거칠기와 동일하거나 큰 두께를 가져야 하고, 따라서 적어도 유리 층의 부드러운 표면은 형성되고, 즉 표면은 예를 들어 10 nm 미만의 낮은 RMS(평균 제곱근) 거칠기를 가진다.
일 구성에서, 유리 층(504)의 표면의 거칠기는 산란점들로서 구성되거나 이해될 수 있다. 유리 층(504)의 거칠기에 의해, 예를 들어 전기 액티브 구역(106) 내 전자기 조사선 출력 또는 입력 비율은 증가될 수 있다.
방법의 이 구성에 필수적인 것은 미립자 첨가제들(508)의 적용 후 유리 땜납의 액화이다. 이런 방식으로, 유리 층(504) 내에서 미립자 첨가제들(508)의 분산은 조절될 수 있고, 예를 들어 유리 층(504)의 부드러운 표면은 유리 층(504)의 매트릭스(506)의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납을 액화하는 단일 프로세스에서, 예를 들어 단일 열처리 프로세스에서 형성될 수 있다.
매트릭스(506)의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 입자들, 또는 매트릭스(506)의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 분말의 서스펜션 또는 페이스트의 생성은 이런 의미에서, 액화로서 이해되지 않는데, 그 이유는 유리 땜납 입자들의 외관이 서스펜션의 형성에 의해 변경되지 않기 때문이다.
방법의 다른 구성에서, 유리 층(504)을 형성하기 위하여, 매트릭스(506)의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 분말은 첨가제들(508)과 혼합될 수 있고 스크린 또는 템플릿 프린팅에 의해 페이스트 또는 서스펜션으로서 유리 기판 상에 적용될 수 있다. 이것은 유리화 후 유리 매트릭스 내 첨가제들의 균질한 분산을 유도할 수 있다. 서스펜션들 또는 페이스트들의 층들을 생성하기 위한 다른 방법들은 예를 들어 닥터 블레이딩 또는 스프레이 방법들일 수 있다.
첨가제들은, 예를 들어 입자들 또는 분자들로서 상이하게 형성될 수 있고, 및/또는 하기 설명될 바와 같이 상이한 효과들 또는 기능을 가질 수 있다.
일 구성에서, 첨가제들은 무기 물질 또는 무기 물질 혼합물을 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다.
다른 구성에서, 첨가제의 하나의 타입은 하기 물질들의 그룹으로부터의 물질 또는 물질 혼합물 또는 화학양론적 화합물을 포함할 수 있거나 이로부터 형성될 수 있다: TiO2, CeO2, Bi2O3, ZnO, SnO2, Al2O3, SiO2, Y2O3, ZrO2, 발광 물질들, 착색제들, 및 UV-흡수 유리 입자들, 적당한 UV-흡수 금속 나노 입자들, 상기 경우 발광 물질들은 예를 들어 UV 범위 내의 전자기 조사선의 흡수를 나타낼 수 있다.
다른 구성에서, 미립자 첨가제들은 예를 들어 광학 렌즈와 유사한 곡선 표면을 가질 수 있다.
다른 구성에서, 미립자 첨가제들은 하기 형상들의 그룹으로부터의 기하학적 형상 및/또는 기하학적 형상의 부분을 가질 수 있다: 구, 비구면, 예를 들어, 각기둥, 타원체, 중공, 컴팩트, 작은 판 또는 막대-형상.
일 구성에서, 미립자 첨가제들은 유리를 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다.
일 구성에서, 미립자 첨가제들은 대략 0.1 ㎛ 내지 대략 10 ㎛의 범위, 예를 들어 대략 0.1 ㎛ 내지 대략 1 ㎛의 범위의 평균 입자 크기를 가질 수 있다.
다른 구성에서, 첨가제들은 유리 층 내 유리 기판 상에 또는 위에 대략 0.1 ㎛ 내지 대략 100 ㎛의 두께를 가진 층을 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 유리 층의 첨가제들은 유리 기판 상에 또는 위에 하나의 층이 다른 층 위에 놓인 복수의 층들을 포함할 수 있고, 상기 경우 개별 층들은 상이하게 구성된다.
다른 구성에서, 적어도 하나의 미립자 첨가제의 미립자 첨가제들의 평균 크기는 첨가제들의 층들에서 유리 기판의 표면으로부터 감소할 수 있다.
다른 구성에서, 첨가제들의 개별 층들은 파장 범위, 예를 들어 대략 400 nm 미만의 파장을 가진 전자기 복사선에 대해 상이한 투과 및/또는 미립자 첨가제들의 상이한 평균 크기를 가질 수 있다.
다른 구성에서, 첨가제들의 개별 층들은 미립자 첨가제들의 상이한 평균 크기 및/또는 전자기 복사선에 대해 상이한 굴절률을 가질 수 있다.
일 구성에서, 유리 층은 전자기 조사선에 대한 산란 입자들로서 구성된 미립자 첨가제들을 포함할 수 있고, 상기 경우 산란 입자들은 매트릭스 내에서 분산될 수 있다.
다른 말로: 매트릭스는 산란 첨가제들 중 적어도 하나의 타입을 포함할 수 있어서, 유리 층은, 예를 들어 산란될 복사선의 파장의 크기에 대략 대응하는 직경 및/또는 매트릭스와 상이한 굴절률에 의해, 적어도 하나의 파장 범위에서 입사 전자기 복사선에 관하여 산란 효과를 추가로 형성할 수 있다.
산란 효과는 예를 들어 광 출력 또는 광 입력을 증가시키기 위하여, 보호 층 상의 또는 위의 유기 기능 층 시스템에 의해 방사되는 전자기 복사선에 관련될 수 있다.
다른 구성에서, 산란 첨가제들을 가진 유리 층은 대략 0.05보다 큰, 매트릭스의 굴절률로부터 산란 첨가제들의 굴절률의 차를 가질 수 있다.
일 구성에서, 첨가제는 착색제로서 구성될 수 있다.
일 구성에서, 유리 층의 광학 외관은 착색제에 의해 수정될 수 있다.
일 구성에서, 착색제는 애플리케이션-특정 비관련 파장 범위, 예를 들어 대략 700 nm보다 큰 전자기 복사선을 흡수할 수 있다.
이런 방식으로, 유리 층의 광학 외관은 수정될 수 있고, 예를 들어 유리 층은 광전자 컴포넌트의 효율성을 손상시킴 없이, 컬러화될 수 있다.
일 구성에서, 유리 층의 첨가제는 적어도 하나의 파장 범위에서, 대략 400 nm보다 작은 파장을 가진 전자기 복사선에 대한, UV-흡수 첨가제, 매트릭스에 관해 투과를 감소시키는 UV-흡수 첨가제 및/또는 유리 기판 중 적어도 하나의 타입을 포함할 수 있다.
유리 기판 및/또는 매트릭스에 비하여 UV-흡수 첨가제를 가진 유리 층의 보다 낮은 UV 투과는 예를 들어 UV-흡수 첨가제에 의한 UV 복사선의 보다 높은 흡수 및/또는 반사 및/또는 산란에 의해 형성될 수 있다.
일 구성에서, UV-흡수 첨가제의 타입은 하기 물질들의 그룹으로부터의 물질, 물질 혼합물 또는 화학양론적 화합물을 포함할 수 있거나 이들로부터 형성될 수 있다: TiO2, CeO2, Bi2O3, ZnO, SnO2, 발광 물질, UV-흡수 유리 입자들 및/또는 적당한 UV-흡수 금속 나노입자들, 상기 경우 발광 물질, 유리 입자들 및/또는 나노입자들은 UV 범위 내 전자기 복사선의 흡수를 나타낸다.
UV-흡수 나노입자들은 용융된 유리 땜납에서 용해도가 없거나 낮은 용해도를 가질 수 있고 및/또는 서로 반응하지 않거나, 단지 서로 빈약하게 반응할 수 있다. 게다가, 나노입자들, 예를 들어 대략 50 nm보다 작은 입자 크기를 가진 나노입자들, 예를 들어 TiO2, CeO2, ZnO 또는 Bi2O3는 전자기 복사선의 산란 없음, 또는 단지 작은 산란만을 유도할 수 있다.
일 구성에서, 유리 층의 첨가제는 파장-전환 첨가제, 예를 들어 발광 물질로서 구성될 수 있다.
발광 물질은 스토크스 시프트를 가질 수 있고 보다 긴 파장을 가진 입사 전자기 복사선을 방사할 수 있거나, 안티-스토크스 시프트를 가지며 보다 짧은 파장을 가진 입사 전자기 복사선을 방사할 수 있다.
다른 구성에서, 첨가제들은 전자기 복사선을 산란할 수 있고, UV 복사선을 흡수할 수 있고, 및/또는 전자기 복사선의 파장을 전환할 수 있다.
예를 들어 전자기 복사선을 산란할 수 있고 UV 복사선을 흡수할 수 없는 첨가제들은 예를 들어 Al2O3, SiO2, Y2O3 또는 ZrO2를 포함할 수 있거나 이로부터 형성될 수 있다.
예를 들어 전자기 복사선을 산란하고 전자기 복사선의 파장을 전환하는 첨가제들은 예를 들어 발광 물질을 가진 유리 입자들로서 구성될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 및/또는 미립자 첨가제들을 포함하는 서스펜션 및/또는 페이스트는 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 및/또는 미립자 첨가제들 외에 액체, 휘발성 및/또는 유기 성분들을 포함할 수 있다.
이들 성분들은 예를 들어 상이한 첨가제들, 예를 들어 용제들, 바인더들, 예를 들어 셀룰로스, 셀룰로스 유도체들, 니트로셀룰로스, 셀룰로스 아세테이트, 아크릴레이트들일 수 있고, 개별 방법 및 각각 원하는 층 두께를 위해 점성을 조절하기 위하여 미립자 첨가제들 또는 유리 땜납 입자들에 부가될 수 있다.
보통 액체 및/또는 휘발성일 수 있는 유기 첨가제들은 유리 땜납 층으로부터 열적으로 제거될 수 있고, 즉 층은 열적으로 건조될 수 있다. 비휘발성 유기 첨가제들은 열분해에 의해 제거될 수 있다. 온도를 증가시키는 것은 건조 또는 열분해를 가속화하거나 가능하게 할 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 입자 서스펜션 또는 유리 땜납 입자 페이스트 및 미립자 첨가제들이 포함된 서스펜션 또는 페이스트(첨가제들이 상이한 페이스트들 또는 서스펜션들인 경우에 대해)는 혼합성 액체, 휘발성 및/또는 유기 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 이런 방식으로, 미립자 첨가제들이 포함된 건조된 서스펜션 또는 페이스트 내, 또는 미립자 첨가제들이 포함된 건조된 유리 층 서스펜션 또는 페이스트 내의 첨가제들의 상 분리 또는 석출은 방지될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의, 및/또는 미립자 첨가제들이 포함된 페이스트의, 유리 땜납 입자 서스펜션 또는 유리 땜납 입자 페이스트는 휘발성 성분들에 의해 건조될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 유기 성분들(바인더들)은 미립자 첨가제들의 건조된 층 및/또는 온도를 상승시킴으로써 건조된 유리 땜납 분말 층으로부터 필수적으로 완전히 제거될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 유리 땜납 또는 유리 땜납 분말은 그것이 흐를 수 있도록, 예를 들어 제 2 값까지 온도를 상승시킴으로써 액화되도록 연화되고, 제 2 온도는 제 1 건조 온도보다 훨씬 매우 높다.
매트릭스의 유리 분말 층을 액화 또는 유리화하기 위한 제 2 온도의 최대 값은 유리 기판에 좌우될 수 있다. 온도 체제(온도 및 시간)는 유리 기판이 변형하지 않도록 선택될 수 있지만, 매트릭스의 유리 분말 층의 유리 땜납은, 그것이 흐를 수 있도록 하는 점성을 이미 가지며, 즉 흐르고, 매끄럽고 그리고 매우 부드러운 유리 표면이 형성될 수 있다.
매트릭스의 유리 분말 층의 유리는 제 2 온도, 즉 예를 들어 유리 기판의 변환점 아래의 유리 전이 온도(유리 기판의 점성은 대략 
= 1014.5 dPa.s임) 및 예를 들어 연화 온도 아래의 유리 기판들의 최대 연화 온도(유리 기판의 점성은 대략 
= 107.6 dPa.s임) 및 대략 상부 냉각점(유리 기판의 점성은 대략 
= 1013.0 dPa.s임)을 가질 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 분말은 유리 분말로서 구성될 수 있고 최대 대략 600℃까지의 온도에서 유리화될 수 있고, 즉 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 분말은 부드러운 표면이 형성될 수 있도록 연화한다.
다른 말로: 유리 층의 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 분말은, 유리 기판으로서 석회 소다 실리케이트 유리를 사용할 때, 최대 대략 600℃까지, 예를 들어 대략 500 ℃의 온도들에서 유리화될 수 있다.
유리 기판, 예를 들어 석회 소다 실리케이트 유리의 물질 또는 물질 혼합물은 열적으로 안정되어야 하는데, 즉 매트릭스의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 분말의 유리 전이 온도에서 변경되지 않는 층 단면을 가져야 한다.
방법의 다른 구성에서, 미립자 첨가제들 위 매트릭스의 액화된 유리에 대한 유리 기판의 갭들 없이 적어도 하나의 연속적인 유리 연결은 미립자 첨가제들 사이의 액화된 유리에 의해 형성될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 입자 첨가제들 위 매트릭스의 액화된 유리의 표면은 로컬 가열에 의한 응고 후 다시 한번 부가적으로 부드러워질 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 로컬 가열은 플라즈마 또는 레이저 조사선에 의해 형성될 수 있다.
유리 층(504)의 형성(404)을 위한 일 구성에서, 유리 층(504)의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 막은 유리 기판(102) 상에 적용, 예를 들어 예를 들어 배치되거나 롤링(roll)될 수 있다.
일 구성에서, 유리 땜납 막은 물질 면에서 유리 층(504)의 형성을 위한 방법의 상기-설명된 구성의 유리 땜납 페이스트에 유사하거나 동일하게 구성될 수 있다.
일 구성에서, 적용된 유리 땜납 필름은 피트를 사용하여 유리 기판에 연결될 수 있다.
피트를 사용하여 유리 기판에 유리 땜납 필름의 연결의 일 구성에서, 피트를 사용한 연결은 최대 대략 600℃까지의 온도들에서, 유리 기판에 유리 땜납 막의 라미네이션, 예를 들어 유리화에 의해 형성될 수 있다.
전기 액티브 구역(106)은, 예를 들어 도 1의 설명의 구성에 따른 유리 층(504) 상에 또는 위에 형성될 수 있다.
전기 액티브 구역(106)의 형성(406)은 예를 들어 증착 방법들, 예를 들어 리소그래픽 프로세스들에 의해 구성될 수 있다.
전기 액티브 구역(106)의 형성(406) 후, 하나 또는 그 초과의 유리 프릿들(502)은 유리 기판(102)의 지하 에지 구역(510) 내의 유리 층(504) 상에 또는 위에 적용되거나 이로부터 형성될 수 있다.
유리 층(504) 상에 적어도 하나의 유리 프릿(502)의 적용(408) 전에, 유리 층(504)은 유리 기판(502)의 에지 구역(510)에서 노출될 수 있다.
다른 말로: 적어도 하나의 유리 프릿(502)의 적용(408) 전에, 전기 액티브 구역(106)은 에지 구역(510)에서 유리 층(504)으로부터 제거될 수 있거나, 에지 구역(510)에 형성되지 않을 수 있다.
일 구성에서, 기하학적 에지 구역(510)은, 유리 층(504) 상에 또는 위에 유리 프릿(502)의 포지셔닝 정확성을 증가시키기 위하여, 예를 들어 유리 프릿이 적어도 부분적으로 적용될 수 있는 오목 자국으로 구조화될 수 있거나, 예를 들어 이를 포함할 수 있다.
유리 프릿(502)은 유리 층(504)의 매트릭스(506)의 물질 또는 물질 혼합물과 유사하거나 동일하게 구성될 수 있다.
일 구성에서, 유리 프릿(502)은 유리 층(504)의 매트릭스(506)의 물질 또는 물질 혼합물의 유리 땜납 페이스트와 유사하거나 동일한 유리 땜납 페이스트로서 구성될 수 있다.
일 구성에서, 유리 프릿(502)은 유리 층(504)의 매트릭스(506)의 물질 또는 물질 혼합물의 유리화된 유리 땜납과 유사하거나 동일한 유리화된 유리 땜납으로서 구성될 수 있다.
유리 프릿(502)은 예를 들어, 전기 액티브 구역(106)이 유리 층(504) 상 유리 프릿(502)에 의해 둘러싸이고, 예를 들어 프레임화 되거나 인클로징되도록 유리 층(502) 상에 적용될 수 있다.
유리 프릿(502)은 예를 들어 대략 1 ㎛ 내지 대략 50 ㎛의 범위에서, 전기 액티브 구역보다 대략 보다 큰 높이를 가질 수 있다.
유리 프릿(502)의 폭은, 전기 액티브 구역(106)의 밀폐 기밀 측 방향 인캡슐레이션이 이미 유리 프릿(502)에 의한 피트를 사용하여 커버 유리(126) 및 유리 층(502)의 연속적인 연결에 의해 생성될 수 있기 때문에, 임의의 원하는 폭일 수 있다.
그러나, 유리 프릿(502)의 물질 또는 물질 혼합물은 예를 들어 유리 기판(102)보다 높은 연화점 및/또는 보다 높은 열 팽창을 가질 수 있다.
유리 프릿(502)의 적용(408) 후, 커버 유리(126)는 전기 액티브 구역(106) 및 유리 프릿(502) 상에 또는 위에 적용될 수 있다.
커버 유리(126)는 예를 들어 연질 유리, 예를 들어 실리케이트 유리, 예를 들어 석회 소다 실리케이트 유리를 포함할 수 있거나 이로부터 형성될 수 있다.
제 2 유리 층(표현되지 않음)은 예를 들어 유리 프릿(502)에 대한 연결을 위한 접착 촉진제로서 석회 소다 실리케이트 유리(126) 상에 또는 위에 적용될 수 있다. 제 2 유리 층은 예를 들어 유리 기판(102) 상의 또는 위의 유리 층(504)과 유사하거나 동일하게 구성되고 및/또는 이로부터 형성될 수 있다.
커버 유리(126), 유리 프릿(502), 유리 층(504) 및 전기 액티브 구역(106) 사이의 공간은 예를 들어 불활성 물질 또는 물질 혼합물, 예를 들어 게터 재료, 실리콘, 에폭시드, 실라잔, 접착제 등으로 채워질 수 있다.
커버 유리(126)의 적용(410)은 예를 들어 커버 유리(126)의 배치 또는 커버 유리 필름(126)의 롤링에 의해 수행될 수 있다.
피트를 사용하여 커버 유리(126), 유리 프릿(502) 및 유리 층(504) 사이의 연결의 형성(412)은 유리 프릿(502)의 물질 또는 물질 혼합물의 연화 온도 초과로 유리 프릿(502)을 가열함으로써 수행될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유리 프릿(502)의 물질 또는 물질 혼합물은, 대략 유리 프릿(502)의 연화 온도 초과로 온도의 증가가 달성되도록, 포톤들과의 범버딩에 의해 용융, 즉 액화될 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 유리 프릿의 물질 또는 물질 혼합물은 최대 대략 600℃까지의 온도에서 액화될 수 있다.
포톤들과의 범버딩은 예를 들어, 대략 200 nm 내지 대략 1700 nm의 범위, 예를 들어 대략 700 nm 내지 대략 1700 nm의 범위의 파장을 가지며, 예를 들어 대략 10 ㎛ 내지 대략 2000 ㎛의 범위의 초점 직경으로 포커싱되고, 예를 들어 대략 100 fs 내지 대략 0.5 ms의 범위의 펄스 지속기간을 가지고 예를 들어 펄싱되고, 예를 들어 대략 50 mW 내지 대략 1000 mW의 전력을 가지며, 예를 들어 100 kW/cm2 내지 대략 10 GW/cm2의 전력 밀도를 가지며, 그리고 예를 들어 대략 100 Hz 내지 대략 1000 Hz 범위의 반복 레이트를 가진 레이저로서 형성될 수 있다.
도 5는 다양한 예시적 실시예들에 따른, 광전자 컴포넌트의 개략 단면도를 도시한다.
다양한 예시적 실시예들에 따른 광전자 컴포넌트(100)의 인캡슐레이션은 개략 단면도(500)에서 표현된다.
유리 기판(102)은 표현되고, 유리 기판(102) 상에 또는 위에 유리 층(504)이 적용, 예를 들어 형성된다.
유리 층(504)의 형성은 예를 들어 도 4의 설명들의 방법들 중 하나와 유사하거나 동일하게 구성될 수 있다.
예를 들어 도 1의 설명들에 따른, 광전자 컴포넌트(100)의 전기 액티브 구역(106)은 유리 층(504) 상에 또는 위에 형성되거나 구성될 수 있다.
유리 층(504)은 기하학적 에지 구역들(510)에서 노출될 수 있다. 다른 말로: 전기 액티브 구역(106)은 광전자 컴포넌트의 기하학적 에지 구역들(510)에서 유리 층(504)을 습하게 하지 않을 수 있다.
유리 프릿(502)은 유리 층(504)의 이들 노출된 구역들(510) 상에 또는 위에 적용 및/또는 형성될 수 있다.
유리 프릿(502)은 예를 들어 도 4의 설명들의 구성들 중 하나와 유사하거나 동일하게 구성될 수 있다.
커버 유리(126)는 유리 프릿(502) 및 전기 액티브 구역(106) 상에 또는 위에 적용될 수 있다.
도 4의 설명들의 구성들 중 하나에 따라, 유리 프릿(502)은 피트를 사용하여 커버 유리(126)를 유리 층(504)에 연결할 수 있다.
유리 기판(102) 상의 또는 위의 커버 유리(126), 유리 프릿(502) 및 유리 층(504)은 전기 액티브 구역(106)에 대한 해로운 환경 영향들에 관하여 밀폐 기밀 공동을 형성할 수 있다.
유리 프릿(504)은, 다양한 구성들에 따라 첨가제들(508)이 분산되는 매트릭스(506)를 포함할 수 있다. 첨가제들(508)은 예를 들어 전기 액티브 구역(106)으로부터 전자기 조사선의 출력을 증가시킬 수 있다.
유리 기판(102) 및 커버 유리(126)는 예를 들어 경제적 유리, 예를 들어 연질 유리, 예를 들어 실리케이트 유리, 예를 들어 석회 소다 실리케이트 유리를 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법이 제공되고, 이에 의해 하나 또는 그 초과의 유기 광전자 컴포넌트들의 안/팎으로 전자기 조사선, 예를 들어 광의 입력 및/또는 출력을 증가시키고, 부가적으로 선호하는 유리 기판을 가진 유기 광전자 컴포넌트들의 유리 프릿 인캡슐레이션을 가능하게 하는 것은 가능하다.
Claims (14)
- 광전자 컴포넌트(100)로서,
유리 기판(102);
상기 유리 기판(102) 상의 유리 층(504); 및
유리 프릿(glass frit)(502)을 포함하는 인캡슐레이션(encapsulation) ― 상기 유리 프릿(502)은 상기 유리 층(504) 상에 배열됨 ―
을 포함하고,
상기 유리 프릿(502)은 상기 유리 층(504)에 의해 상기 유리 기판(102) 상에 고정되고, 그리고
상기 유리 층(504)은 상기 유리 기판(102) 상의 상기 유리 프릿(502)에 대한 접착 촉진제(adhesion promoter)로서 구성되고, 그리고
상기 유리 프릿(502)은, 상기 광전자 컴포넌트(100)의 측 방향 밀폐 기밀 밀봉이 상기 유리 프릿(502)에 의해 형성되도록 구성되는,
광전자 컴포넌트(100). - 제 1 항에 있어서,
상기 유리 층(504)의 열 팽창 계수는 상기 유리 프릿(502)의 열 팽창 계수에 적응되는,
광전자 컴포넌트(100). - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유리 층(504)의 연화점(softening point)은 상기 유리 프릿(502)의 연화점에 적응되는,
광전자 컴포넌트(100). - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리 층(504)은 추가로 산란 층(504)으로서 구성되는,
광전자 컴포넌트(100). - 제 4 항에 있어서,
상기 유리 층(504)은 산란 입자들(508)을 포함하는,
광전자 컴포넌트(100). - 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 유리 층(504)은 구조화되는,
광전자 컴포넌트(100). - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리 층(504)은 상기 유리 기판(102)의 전체 표면에 걸쳐 배열되는,
광전자 컴포넌트(100). - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리 층(504)은 대략 10 ㎛ 내지 대략 100 ㎛ 범위의 층 두께를 가지는,
광전자 컴포넌트(100). - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리 층(504)은 적어도 대략 1.5의 굴절률, 특히 적어도 대략 1.6의 굴절률, 특히 적어도 대략 1.65의 굴절률을 가지는,
광전자 컴포넌트(100). - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리 기판(102)은 연질 유리, 특히 실리케이트 유리, 특히 석회 소다 실리케이트 유리를 포함하거나 이로부터 형성되는,
광전자 컴포넌트(100). - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 인캡슐레이션은, 상기 유리 프릿(502)에 의해 상기 유리 층(504)에 피트(fit)를 사용하여 연결되는 커버 유리(126)를 포함하는,
광전자 컴포넌트(100). - 광전자 컴포넌트(100)를 생성하기 위한 방법(400)으로서,
유리 기판(102) 상에 또는 위에 유리 층(504)의 형성(404);
인캡슐레이션의 형성
을 포함하고,
상기 인캡슐레이션의 형성은 상기 유리 층(504) 상에 또는 위에 적어도 하나의 유리 프릿(502)의 적용을 포함하고, 상기 유리 프릿(502)은 상기 유리 층(504)에 의해 상기 유리 기판(102) 상에 피트를 사용하여 연결되고,
상기 유리 층(504)은 상기 유리 기판(102) 상 상기 유리 프릿(502)에 대한 접착 촉진제로서 구성되고,
상기 유리 프릿(502)은, 상기 광전자 컴포넌트(100)의 측 방향 밀폐 기밀 밀봉이 상기 유리 프릿(502)에 의해 형성되도록 구성되는,
광전자 컴포넌트(100)를 생성하기 위한 방법(400). - 제 12 항에 있어서,
상기 피트를 사용한 연결이 밀폐 기밀 측 방향 인캡슐레이션으로서 형성되도록, 피트를 사용한 연결의 형성(412)은 상기 유리 프릿(502)의 용융 및 응고를 포함하는,
광전자 컴포넌트(100)를 생성하기 위한 방법(400). - 제 13 항에 있어서,
상기 유리 프릿(502)의 물질 또는 물질 혼합물은 포톤(photon)들과의 범버딩(bombardment)에 의해, 특히 레이저에 의해 용융되는,
광전자 컴포넌트(100)를 생성하기 위한 방법(400).
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102012109258.3 | 2012-09-28 | ||
| DE102012109258.3A DE102012109258B4 (de) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
| PCT/EP2013/070065 WO2014049052A2 (de) | 2012-09-28 | 2013-09-26 | Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150060963A true KR20150060963A (ko) | 2015-06-03 |
| KR101757861B1 KR101757861B1 (ko) | 2017-07-14 |
Family
ID=49301461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020157011144A KR101757861B1 (ko) | 2012-09-28 | 2013-09-26 | 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20150243923A1 (ko) |
| KR (1) | KR101757861B1 (ko) |
| CN (1) | CN104685656B (ko) |
| DE (1) | DE102012109258B4 (ko) |
| WO (1) | WO2014049052A2 (ko) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014102256A1 (de) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Osram Oled Gmbh | Glasware, Glasware mit Leuchtstoff-Partikeln, Vorrichtung zum Herstellen einer Glasware, Verfahren zum Herstellen einer Glasware und Verfahren zum Herstellen einer Glasware mit Leuchtstoff-Partikeln |
| CN104600222B (zh) * | 2015-02-04 | 2016-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装方法、显示面板及显示装置 |
| KR20180053293A (ko) | 2015-06-23 | 2018-05-21 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 수동 절전형 인공 무릎 |
| CN104966788B (zh) * | 2015-07-27 | 2017-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装材料、有机发光二极管器件及其封装方法 |
| CN105161515B (zh) * | 2015-08-11 | 2018-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其封装方法、显示装置 |
| CN105405982A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-03-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光二极管封装结构、封装方法及有机发光二极管 |
| JP2017191805A (ja) * | 2016-04-11 | 2017-10-19 | 日本電気硝子株式会社 | 気密パッケージの製造方法及び気密パッケージ |
| DE102016113962A1 (de) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Osram Oled Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements |
| CN109962149B (zh) * | 2017-12-14 | 2020-10-27 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种封装薄膜及其制备方法、光电器件 |
| CN112420892B (zh) * | 2020-10-28 | 2021-11-16 | 吉安市木林森半导体材料有限公司 | 一种使用硅氮烷进行粘结的紫外led灯珠及其制备方法 |
| CN113097275B (zh) * | 2021-03-31 | 2022-09-16 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示模组以及显示装置 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6833668B1 (en) * | 1999-09-29 | 2004-12-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display device having a desiccant |
| FR2815374B1 (fr) * | 2000-10-18 | 2003-06-06 | Saint Gobain | Vitrage feuillete et ses moyens d'etancheification peripherique |
| TW517356B (en) * | 2001-10-09 | 2003-01-11 | Delta Optoelectronics Inc | Package structure of display device and its packaging method |
| US7012363B2 (en) * | 2002-01-10 | 2006-03-14 | Universal Display Corporation | OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies |
| KR100581850B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2006-05-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치와 그 제조 방법 |
| US7648925B2 (en) * | 2003-04-11 | 2010-01-19 | Vitex Systems, Inc. | Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks |
| US20050116245A1 (en) * | 2003-04-16 | 2005-06-02 | Aitken Bruce G. | Hermetically sealed glass package and method of fabrication |
| KR100848347B1 (ko) * | 2004-03-26 | 2008-07-25 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 유기 발광 소자 |
| WO2005115740A1 (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 面発光体 |
| FR2871651A1 (fr) * | 2004-06-09 | 2005-12-16 | Thomson Licensing Sa | Capot en verre et boitier d'encapsulation de composants electroniques dote d'un tel capot |
| CN100525559C (zh) * | 2004-06-11 | 2009-08-05 | 三洋电机株式会社 | 显示面板的制造方法及显示面板 |
| CN100555701C (zh) * | 2004-06-14 | 2009-10-28 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有改进型发光轮廓（Profile）的发光二极管 |
| KR100603350B1 (ko) * | 2004-06-17 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 |
| US8038495B2 (en) * | 2006-01-20 | 2011-10-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same |
| KR100635514B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| JP4633674B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2011-02-16 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| KR100671642B1 (ko) | 2006-01-26 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR100645705B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2006-11-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100732817B1 (ko) * | 2006-03-29 | 2007-06-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100703458B1 (ko) | 2006-04-20 | 2007-04-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제작 방법 |
| US20070267972A1 (en) * | 2006-05-22 | 2007-11-22 | Menegus Harry E | Method for forming a temporary hermetic seal for an OLED display device |
| JP5536977B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2014-07-02 | パナソニック株式会社 | 面発光体 |
| EP1992478A1 (de) * | 2007-05-18 | 2008-11-19 | LYTTRON Technology GmbH | Verbundglaselement, bevorzugt Verbundsicherheitsglaselement, mit integrierter Elektrolumineszenz (EL)-Leuchtstruktur |
| WO2009017035A1 (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-05 | Asahi Glass Co., Ltd. | 透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| CN101978781A (zh) * | 2008-03-18 | 2011-02-16 | 旭硝子株式会社 | 电子器件用基板、有机led元件用层叠体及其制造方法、有机led元件及其制造方法 |
| US20090289349A1 (en) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Spatial Photonics, Inc. | Hermetic sealing of micro devices |
| JP2010033780A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の発光色調整方法 |
| JP5742838B2 (ja) * | 2010-04-08 | 2015-07-01 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子、透光性基板、および有機ｌｅｄ素子の製造方法 |
| US20110317397A1 (en) * | 2010-06-23 | 2011-12-29 | Soraa, Inc. | Quantum dot wavelength conversion for hermetically sealed optical devices |
-
2012
- 2012-09-28 DE DE102012109258.3A patent/DE102012109258B4/de active Active
-
2013
- 2013-09-26 US US14/431,781 patent/US20150243923A1/en not_active Abandoned
- 2013-09-26 WO PCT/EP2013/070065 patent/WO2014049052A2/de active Application Filing
- 2013-09-26 KR KR1020157011144A patent/KR101757861B1/ko active IP Right Grant
- 2013-09-26 CN CN201380051052.5A patent/CN104685656B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101757861B1 (ko) | 2017-07-14 |
| CN104685656B (zh) | 2017-10-27 |
| CN104685656A (zh) | 2015-06-03 |
| DE102012109258A1 (de) | 2014-04-03 |
| DE102012109258B4 (de) | 2020-02-06 |
| WO2014049052A3 (de) | 2014-10-02 |
| WO2014049052A2 (de) | 2014-04-03 |
| US20150243923A1 (en) | 2015-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101757861B1 (ko) | 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 | |
| US9478761B2 (en) | Optoelectronic component having a UV-protecting substrate and method for producing the same | |
| EP2219416B1 (en) | Light transmitting substrate, method for manufacturing light transmitting substrate, organic led element and method for manufacturing organic led element | |
| US9941487B2 (en) | Glass item, glass item having luminescent-substance particles, device for producing a glass item, method for producing a glass item, and method for producing a glass item having luminescent-substance particles | |
| US9960381B2 (en) | Lighting device, method for producing a lighting device | |
| JP6120947B2 (ja) | 電磁ビーム用散乱層を作製する方法および電磁ビームを散乱するための散乱層 | |
| US20150255751A1 (en) | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
| CA2777649A1 (en) | Organic led element, glass frit for diffusion layer for use in organic led element, and method for production of diffusion layer for use in organic led element | |
| JP2008044839A (ja) | 発光素子ディスプレイの気密封止のためのホウケイ酸ガラスフリット | |
| KR20140026647A (ko) | 광전자 부품을 위한 캡슐화 구조물 및 광전자 부품을 캡슐화하는 방법 | |
| US9882160B2 (en) | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
| US20120139001A1 (en) | Method For Producing An Organic Optoelectronic Component And Organic Optoelectronic Component | |
| KR20120069509A (ko) | 면발광 소자용 기판, 이를 포함하는 면발광 소자, 조명 기구, 디스플레이 장치 및 면발광 소자용 기판의 제조 방법 | |
| TWI506836B (zh) | 透明導電膜及包含其之有機發光裝置 | |
| US9941486B2 (en) | Component and method for producing a component | |
| US9825247B2 (en) | Optoelectronic component, method for operating an optoelectronic component, and method for producing an optoelectronic component | |
| CN105409030A (zh) | 用于加工电子器件的方法和电子器件装置 | |
| DE102013105154A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes | |
| WO2015009073A1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |