KR20150059850A - 잉곳 성장 장치 - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 잉곳 성장 장치는, 잉곳을 성장시키기 위한 챔버; 상기 잉곳으로 성장시키기 위한 실리콘 융액이 수용되는 도가니; 상기 도가니로 열을 가하기 위한 히터부; 상기 챔버 내벽과 상기 도가니 사이에 배치되는 단열재; 및 상기 챔버 하측부에 마련되고, 상기 잉곳의 성장시에 유입되는 가스의 배출 경로를 제공하는 배기 수단;을 포함하고, 상기 배기 수단은 상기의 배출시키고자 하는 가스가 이동하는 배기 통로와, 상기 배기 통로 내에 마련되는 배기구 단열재와, 상기 배기구 단열재 내에 마련되는 환기팬을 포함한다.
본 실시예에 따른 환기팬의 구조 및 기체 주입부들에 의해서, 챔버 내에서 사용된 가스를 배출하는 때에, 배기구 단열재 내벽과 반응하여 증착되는 경우를 줄일 수 있으며, 잉곳 성장시에 챔버 내부의 압력 변동을 줄일 수 있다.

Description

잉곳 성장 장치{Ingot growing apparatus}
본 발명은 잉곳 성장 장치에 대한 것으로서, 챔버 내부의 기체를 배출시키는 배기 통로 내에 분진이 증착되지 않도록 함으로써, 챔버 내부 압력의 변동을 억제시킬 수 있는 잉곳 성장 장치에 대한 것이다.
일반적으로 단결정 잉곳은 다결정 실리콘을 고온에서 용융시킨 다음, 쵸크랄스키 방법(Czochralski method : CZ 방법) 등으로 결정을 성장시켜 봉형상으로 제조하고, 이러한 단결정 잉곳을 얇게 슬라이싱하여 웨이퍼로 생산한다.
보통, 실리콘 단결정을 CZ 방법에 의해 결정 성장시키는 단결정 잉곳 성장제조장치는 고체 원료가 담겨진 도가니가 히터에 의해 가열되고, 도가니 내의 융액에 시드가 담겨진 다음, 시드로부터 결정이 성장되는 시간을 고려하여 시드를 회전시키는 동시에 끌어올리게 된다.
잉곳을 성장시키는 동안에는, 챔버 내부로 아르곤 가스 등의 불활성 기체가 유입되고, 이러한 불활성 기체는 챔버 하측의 배기 통로를 통하여 배출된다. 그러나, 대구경의 실리콘 단결정 성장 조건과 같이, 대용량의 실리콘 융액과 단결정 성장 시간이 장시간 소요되는 경우에는, 단결정 성장 중에 배기 통로내에 분진의 증착이 진행되어 버린다. 이와 같이, 원활한 배기가 이루어지지 않는 경우에는, 챔버 내부의 압력 변동이 커지게 되고, 이것은 결국 단결정 성장에 악영향을 미치게 된다.
그리고, 기존의 잉곳 성장 장치의 챔버에는 배기 통로내에 단열재 내벽을 사용하고 있으나, 단열재 내벽이 SiOx 가스와 반응하여 SiC로 증착되어 버릴 수 있으며, 증착된 물질들을 단열재 내벽으로부터 제거하는 것 역시 용이하지 않다는 문제점이 있다.
본 실시예는 잉곳 성장시에 잉곳 성장 장치 내부의 압력 변동을 억제하면서, 챔버 내부의 기체를 효율적으로 배출시킬 수 있는 배기 구조가 마련된 잉곳 성장 장치를 제안하고자 한다.
실시예에 따른 잉곳 성장 장치는, 잉곳을 성장시키기 위한 챔버; 상기 잉곳으로 성장시키기 위한 실리콘 융액이 수용되는 도가니; 상기 도가니로 열을 가하기 위한 히터부; 상기 챔버 내벽과 상기 도가니 사이에 배치되는 단열재; 및 상기 챔버 하측부에 마련되고, 상기 잉곳의 성장시에 유입되는 가스의 배출 경로를 제공하는 배기 수단;을 포함하고, 상기 배기 수단은 상기의 배출시키고자 하는 가스가 이동하는 배기 통로와, 상기 배기 통로 내에 마련되는 배기구 단열재와, 상기 배기구 단열재 내에 마련되는 환기팬을 포함한다.
또한, 실시예의 잉곳 성장 장치는, 잉곳을 성장시키는 때에, 챔버의 하측으로 가스를 배출시키는 구조를 갖는 잉곳 성장 장치에 있어서, 상기 챔버의 하측에 형성되고, 상기 가스의 배출 경로를 제공하는 배기 통로; 상기 배기 통로 내에 제공되고, 상부와 하부가 개방된 형상으로 이루어진 배기구 단열재; 및 상기 챔버의 하측을 관통하고, 상기 배기 통로 내로 가스를 주입시키기 위한 제 1 기체 주입부;를 포함한다.
본 실시예에 따른 환기팬의 구조 및 기체 주입부들에 의해서, 챔버 내에서 사용된 가스를 배출하는 때에, 배기구 단열재 내벽과 반응하여 증착되는 경우를 줄일 수 있으며, 잉곳 성장시에 챔버 내부의 압력 변동을 줄일 수 있다.
도 1은 본 실시예의 잉곳 성장 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 실시예의 배기 수단을 확대 도시한 도면이다.
도 3은 본 실시예의 잉곳 성장 장치에서 배기 통로에 제공되는 환기팬을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 실시예의 잉곳 성장 장치에서 배기 통로로 기체를 공급하는 기체 주입부와 환기팬이 연결된 상태를 보여주는 도면이다.
도 5는 본 실시예에 따른 제 1 기체 주입부로부터 분사되는 가스의 흐름을 제어하기 위한 주입 각도조절부를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 실시예에 따른 제 2 기체 주입부의 일측 단부와 배기구 단열재 사이에 배치되는 제 2 주입 각도조절부를 설명하기 위한 도면이다.
이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
도 1은 본 실시예의 잉곳 성장 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 실시예의 잉곳 성장 장치는, 외형을 형성하는 챔버(110)와, 융액이 수용되는 도가니(120)와, 상기 도가니(120)로 열을 가하기 위한 히터부(130)와, 상기 히터부(130)와 챔버(110) 외벽 사이에 배치되는 단열재(140)와, 상기 도가니(120) 상측에 위치하면서 상기 도가니(120) 주위의 열을 차폐시키기 위한 열 차폐부(150)와, 상기 도가니(120) 하부를 지지하면서 상기 도가니(120)의 승강 및 회전이 이루어지도록 하는 회전 실린더(160)를 포함한다.
그리고, 상기 챔버(110)의 하측에 마련되고, 챔버 내에 존재하는 기체(예를 들면, SiOx)를 챔버 외부로 배출시키기 위한 배기 수단(170)을 포함한다.
상기 챔버(110)는 고온 환경을 제공하는 일종의 밀폐된 공간으로써, 잉곳을 상방으로 인상될 수 있는 경로를 제공한다.
상기 도가니(120)는 상기 챔버(110) 내부에 회전 가능한 형태로 지지되고, 고체 원료를 공급하여 고온 하에서 용융된 융액이 담겨지게 되는데, 보통 석영도가니와 흑연도가니가 겹쳐진 이중 형태로 구성된다. 물론, 상기 도가니(120) 내부의 실리콘 융액으로부터 잉곳을 성장시키게 된다.
상기 히터부(130)는 상기 도가니(120)를 가열할 수 있도록 상기 도가니(120)의 둘레에 원통 형상으로 구비되며, 온도 조절을 통하여 고온 환경을 제공한다.
상기 단열재(140)는 상기 히터부(130)로부터 발생되는 열이 상기 챔버(110) 외부로 빠져나가는 것을 방지하기 위하여 상기 히터(120) 둘레에 원통 형상으로 구비된다.
상기 열 차폐부(150)는 상기 도가니(120) 내부에 매달린 형태로 배치되고, 성장되는 잉곳이 통과할 수 있는 크기의 홀이 형성된 원통 형상으로 이루어진다.
한편, 상기 배기 수단(170)은 챔버(110) 내에 존재하는 기체를 효과적으로 외부로 배출시키는 역할을 수행하며, 상기 배기 수단(170)은 상기 챔버의 하부벽을 관통하도록 형성되어 배기 통로를 제공하는 배기구 단열재(173)와, 상기 배기구 단열재(173)로 기체를 주입시키기 위한 제 1 및 제 2 기체 주입부(171,172)와, 상기 배기구 단열재(173) 내에 수용되는 환기팬을 포함한다.
본 실시예에 따른 배기 수단의 구성을 도 2를 참조하여 보다 상세히 설명하여 본다.
도 2는 본 실시예의 배기 수단을 확대 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 잉곳 성장 장치의 외형을 형성하는 챔버(110) 하측에는 챔버 내부의 가스를 배출시키기 위한 배기 통로(176)가 형성되고, 상기 배기 통로(176)에는 본 실시예에 따른 배기 수단이 마련된다.
상기 배기 통로(176)에는 상하측이 개방된 원통형의 형상으로 이루어진 배기구 단열재(173)가 장착되고, 상기 배기구 단열재(173)를 통과하여 상기 배기 통로(176)측으로 기체를 주입시키기 위한 제 1 및 제 2 기체 주입부(172)가 상기 챔버(110) 하측부에 마련된다.
그리고, 상기 제 1 기체 주입부(171)와 연결되는 배기 통로(176) 영역에는, 챔버(110) 내부의 가스의 배기를 돕기 위한 환기팬(180)이 마련되고, 상기 환기팬(180)은 상기 제 1 기체 주입부(171)를 통하여 제공되는 기체에 의하여 환기팬의 팬 날개가 회전하게 되고, 팬 날개의 회전에 의하여 챔버 내부의 가스의 배기 경로가 유도된다.
상세히, 상기 제 1 및 제 2 기체 주입부(171,172)를 통하여 상기 배기 통로(176)로 제공되는 기체는 Ar 가스가 될 수 있으며, 상기 Ar 가스가 배기 통로(176)으로 주입되는 것에 의하여, 상기 배기구 단열재(173)에 SiC 반응물이 증착되는 경우를 줄일 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 배기 통로(176)에 마련되는 배기구 단열재(173)의 경우, 챔버 내부의 SiOx 가스와 반응하여 SiC 반응물이 증착될 가능성이 있으며, 이러한 반응물은 일반적인 SiOx 증착물보다 제거가 매우 어렵기 때문에, 상기 제 1 및 제 2 기체 주입부(171,172)를 통하여 Ar 가스를 주입시킴으로써, 배기구 단열재(173) 내벽에 SiC 증착물이 형성되는 것을 억제할 수 있다.
실시예의 도면에서는, 제 1 기체 주입부(171) 하측에 제 2 기체 주입부(172)를 형성하는 경우가 도시되어 있으나, 실시예의 변경에 따라서는, 상기 제 1 기체 주입부(171)만을 형성하는 것도 가능하다.
그리고, 상기 제 1 기체 주입부(171) 또는 제 2 기체 주입부(172)를 통하여 상기 배기 통로(176)로 Ar 가스를 분사시키는 공급 속도는, 50~100LPM 범위가 바람직하며, 잉곳을 성장시키는 동안에 상기 제 1 및/또는 제 2 기체 주입부가 연속하여 Ar 가스를 배기 통로로 주입시키거나, 주기적인 Ar 가스 분사가 이루어질 수 있다. 예를 들면, 성장되는 잉곳의 크기와, 챔버 내부로 공급되는 가스들을 고려하여, 상기 제 1 기체 주입부 및/또는 제 2 기체 주입부를 통하여 배기로 통로로 공급되는 Ar 가스는 1분을 주기로 공급과 중단이 반복될 수 있다.
배기 통로로의 간헐적인 Ar 가스 공급이 이루어지는 경우에, 공급과 중단의 주기에 해당하는 시간을 다양하게 조절할 수 있으며, 공급과 중단의 주기 시간이 늘어날수록 상기 Ar 가스를 주입하는 공급 속도를 다르게 설정할 수도 있다.
한편, 제 1 기체 주입부(171)와 인접한 영역의 배기 통로(176)에는 환기팬(180)이 제공되며, 상기 환기팬(180)은 상기 제 1 기체 주입부(171)를 통하여 배출되는 기체에 의하여 회전되는 구조를 갖고, 팬 날개의 회전을 통하여 상기 환기팬(180)에 인접한 챔버 내부의 공기를 배기 통로(176) 방향으로 유도할 수 있다.
그리고, 상기 제 1 기체 주입부(171)를 통하여 분사되는 기체는 소정 각도 경사지게 분사되도록 함으로써, 상기 환기팬(180)의 팬 날개를 보다 효과적으로 회전시킬 수 있도록 할 수 있다. 도 3과 도 4를 참조하여, 본 실시예의 환기팬의 구조에 대해서 좀 더 자세히 설명하여 본다.
도 3은 본 실시예의 잉곳 성장 장치에서 배기 통로에 제공되는 환기팬을 보여주는 도면이고, 도 4는 본 실시예의 잉곳 성장 장치에서 배기 통로로 기체를 공급하는 기체 주입부와 환기팬이 연결된 상태를 보여주는 도면이다.
먼저, 도 3을 참조하면, 실시예의 환기팬(180)은 외형을 형성하는 팬 바디(181)와, 상기 팬 바디(181) 내벽을 가로지도록 배치되는 지지 로드(185)와, 상기 지지 로드(185) 상에 수직으로 형성되는 날개 회전축(183)과, 상기 날개 회전축(183)을 중심으로 회전 가능하게 장착되는 팬 날개(182)를 포함한다.
상기 팬 바디(181)는 배기 통로(176) 내에서 상기 제 1 기체 주입부(171)의 기체 토출 영역에 인접하게 배치되고, 상측에서 유입되는 가스를 하측으로 이동시키기 위하여 상하측이 개방된 원통형의 형상으로 이루어진다.
그리고, 상기 팬 바디(181) 뿐만 아니라 팬 날개(182) 및 날개 회전축(183)이 흑연(graphite)으로 형성되는 경우에는 SiOx 가스와 반응하여 SiC 반응물이 증착될 수 있기 때문에, 상기 환기팬(180)을 구성하는 팬 바디(181), 팬 날개(182) 및 날개 회전축(183)은 테프론(tefron) 재질로 이루어진다.
상기 날개 회전축(183)을 지지하기 위한 지지 로드(185)가 상기 팬 바디(181) 내벽에 연결되고, 상기 지지 로드(185) 상에는 수직 상방으로 연장 형상되는 날개 회전축(183)이 마련된다.
상기 날개 회전축(183) 상부와 연결되는 팬 날개(182)는 회전 가능하도록 장착되고, 상기 팬 날개(182)는 적어도 두 개 이상이 구비될 수 있다. 그리고, 챔버(110) 하측부에 마련된 제 1 기체 주입부(171)를 통하여 분사되는 Ar 가스에 의하여 상기 팬 날개(182)가 회전될 수 있도록, 상기 팬 날개(182)는 소정 각도 경사지도록 상기 날개 회전축(183)에 결합된다.
한편, 상기 환기팬(180)과 유사한 높이에 위치하는 제 1 기체 주입부(171)는 상기 환기팬(180)으로 소정 각도 경사지게 가스가 분사되도록 한다. 즉, 상기 환기팬(180)의 팬 바디(181) 일측과 연결되는 제 1 기체 주입부(171)는 분사되는 가스에 의하여 상기 팬 날개(182)가 회전될 수 있도록, 가스의 분사 각도를 결정해주는 주입 각도조절부를 개재하여 상기 팬바디(181)에 연결된다.
배기구 단열재(173)를 관통하면서, 상기 팬 바디(181)와 제 1 기체 주입부(171)를 연결하는 주입 각도조절부에 대해서 좀 더 자세히 설명하여 본다.
도 5는 본 실시예에 따른 제 1 기체 주입부로부터 분사되는 가스의 흐름을 제어하기 위한 주입 각도조절부를 설명하기 위한 도면이다.
제 1 기체 주입부(171)의 일측 단부는 제 1 주입 각도조절부(190)와 연결되고, 상기 제 1 주입 각도조절부(190)는 소정 각도(A)로 절곡된 형상으로 이루어지며, 상기 배기구 단열재(173)를 관통하여 상기 팬 바디(181)의 일측에 연결된다.
상기 제 1 주입 각도조절부(190)와 연결되는 부위의 팬 바디(181)에는 가스과 통과하는 홀이 형성되어 있으며, 상기 제 1 주입 각도조절부(190)가 절곡되는 각도 A는 대략 30°내지 60°의 각도가 될 수 있다. 상기 제 1 주입 각도조절부(190)가 절곡된 형상으로 팬 바디(181)에 연결되기 때문에, 팬 바디(181) 내측으로 주입되는 가스는 다소 경사지게(A각도로 편향되게) 팬 날개(182)를 향하게 되고, 이러한 분사 각도가 조절된 가스를 주입하는 것에 의해서, 배기구 단열재(173)에 SiC 반응물이 증착되는 것을 억제하는 것은 물론이고, 상기 팬 날개(182)의 회전을 도와 가스의 배기가 보다 원활히 이루어지게 한다.
상기 제 1 주입 각도조절부(190)는 동일한 수평면 상에서 절곡되는 형상을 갖기 때문에, 상기 팬 날개(182) 역시 상기 제 1 주입 각도조절부(190)의 위치와 비슷한 높이로 장착된다.
또한, 본 실시예에서는, 배기 통로(176)를 따라 하측으로 이동하는 가스의 배출을 더욱더 돕기 위하여, 상기 제 2 기체 주입부(172)를 통해서 상기 배기 통로(176)로 배출되는 가스 역시 단속된 분사 각도를 갖도록 할 수 있다.
예를 들면, 상기 제 2 기체 주입부(172)를 통하여 배출되는 가스는, 그 분사 각도가 하향하도록 설계함으로써, 상기 배기 통로(176)를 따라 하강하는 가스의 배출 속도를 증가시킬 수 있다. 도 6에는 상기 제 2 기체 주입부(172)의 일측 단부와 배기구 단열재(173) 사이에 배치되는 제 2 주입 각도조절부(191)가 상세히 도시되어 있다.
상기 제 2 주입 각도조절부(191)는 상기 제 2 기체 주입부(172)의 단부와 연결되고, 상기 배기구 단열재(173)를 관통하도록 마련되며, 소정 각도(B)가 하향 절곡하는 형상으로 이루어진다. 즉, 상기 제 2 주입 각도조절부(191)는 그 일부가 하측을 향하도록 절곡됨으로써, 제 2 기체 주입부(172)로부터 배기 통로(176)로 분사되는 가스의 분사 방향이 소정 각도만큼 하향할 수 있다.
상기 제 2 주입 각도조절부(191)가 절곡되는 각도(B)는 대략 30° 내지 60°범위의 각도가 될 수 있으며, 그 절곡되는 각도가 30°미만일 경우에는 배기 통로(176)를 따라 하향 이동하는 가스의 이동을 방해할 수 있으며, 그 절곡되는 각도가 60°를 넘게 제작하는 것은 챔버 내에서 용이하지 않는다.
배기 통로(176)를 따라 아래로 배출되는 가스들은, 상기 환기팬(180)의 팬 날개(182)가 회전하는 것에 의하여 이동 속도가 가속될 수 있으며, 또한, 제 2 기체 주입부(172)를 통하여 배출되는 가스 역시 하향하는 각도로 분사되기 때문에, 가스 배출을 더욱 가속화시킬 수 있게 된다.
본 실시예에 따른 환기팬의 구조 및 기체 주입부들에 의해서, 챔버 내에서 사용된 가스를 배출하는 때에, 배기구 단열재 내벽과 반응하여 증착되는 경우를 줄일 수 있으며, 이것은 결국 잉곳 성장시에 챔버 내부의 압력 변화를 줄일 수 있게 하여 준다.

Claims (14)

  1. 잉곳을 성장시키기 위한 챔버;
    상기 잉곳으로 성장시키기 위한 실리콘 융액이 수용되는 도가니;
    상기 도가니로 열을 가하기 위한 히터부;
    상기 챔버 내벽과 상기 도가니 사이에 배치되는 단열재; 및
    상기 챔버 하측부에 마련되고, 상기 잉곳의 성장시에 유입되는 가스의 배출 경로를 제공하는 배기 수단;을 포함하고,
    상기 배기 수단은 상기의 배출시키고자 하는 가스가 이동하는 배기 통로와, 상기 배기 통로 내에 마련되는 배기구 단열재와, 상기 배기구 단열재 내에 마련되는 환기팬을 포함하는 잉곳 성장 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 환기팬은 외형을 형성하는 팬 바디와, 상기 팬 바디 내측에 마련되는 지지 로드와, 상기 지지 로드 상에 형성되는 날개 회전축과, 상기 날개 회전축에 회전가능하도록 연결되는 팬 날개를 포함하는 잉곳 성장 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 챔버의 하측부를 관통하면서, 상기 환기팬측으로 가스를 분사시키기 위한 제 1 기체 주입부를 더 포함하는 잉곳 성장 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 기체 주입부의 일측 단부는 상기 배기구 단열재를 관통하면서 상기 팬 바디에 연결되고 ,
    상기 제 1 기체 주입부를 통하여 주입되는 가스에 의하여 상기 팬 날개가 회전되는 잉곳 성장 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 환기팬은 테프론 재질로 이루어지는 잉곳 성장 장치.
  6. 잉곳을 성장시키는 때에, 챔버의 하측으로 가스를 배출시키는 구조를 갖는 잉곳 성장 장치에 있어서,
    상기 챔버의 하측에 형성되고, 상기 가스의 배출 경로를 제공하는 배기 통로;
    상기 배기 통로 내에 제공되고, 상부와 하부가 개방된 형상으로 이루어진 배기구 단열재; 및
    상기 챔버의 하측을 관통하고, 상기 배기 통로 내로 가스를 주입시키기 위한 제 1 기체 주입부;를 포함하는 잉곳 성장 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 기체 주입부의 일측 단부에 연결되고, 상기 배기구 단열재를 관통하는 제 1 주입 각도조절부를 더 포함하고,
    상기 제 1 주입 각도조절부는 기설정된 각도만큼 절곡된 형상으로 상기 배기구 단열재를 관통하도록 제공되는 잉곳 성장 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 주입 각도조절부는 동일한 수평면 상에서 30°내지 60°의 각도로 절곡형성되는 잉곳 성장 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 배기구 단열재 내에는 상기 제 1 주입 각도조절부로부터 배출되는 가스에 의하여 회전되는 팬 날개를 갖는 환기팬이 마련되는 잉곳 성장 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 환기팬은 테프론 재질로 이루어지는 잉곳 성장 장치.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 기체 주입부 하측에 위치하고, 상기 챔버의 하측을 관통하면서 상기 배기 통로 내로 가스를 주입시키기 위한 제 2 기체 주입부를 더 포함하는 잉곳 성장 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 기체 주입부의 일측 단부에 연결되고, 상기 배기구 단열재를 관통하는 제 2 주입 각도조절부를 더 포함하고,
    상기 제 2 주입 각도조절부는 기설정된 각도만큼 하향 절곡된 형상으로 상기 배기구 단열재를 관통하도록 제공되는 잉곳 성장 장치.
  13. 제 6 항 또는 제 11항에 있어서,
    상기 제 1 기체 주입부 또는 제 2 기체 주입부를 통하여 상기 배기 통로로 분사되는 기체는 Ar 가스인 잉곳 성장 장치.
  14. 제 6 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 기체 주입부 또는 제 2 기체 주입부를 통하여 상기 배기 통로로 Ar 가스를 간헐적으로 분사시키는 잉곳 성장 장치.
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