KR20150057028A - 포토 마스크 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 지지기판; 지지기판 상에 형성된 불투명 금속층들; 및 지지기판 상에 형성되고 외부로부터 유입된 정전기가 불투명 금속층들을 통해 방전되도록 불투명 금속층들의 적어도 일부를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함하는 포토 마스크를 제공한다.
Description
본 발명은 포토 마스크 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
표시장치의 표시패널이나 반도체 등의 제조공정에서 사용되는 사진식각공정(photo lithograph process)은 포토레지스트막을 기판 상에 증착하고 포토 마스크에 형성된 패턴을 포토레지스트막에 전사하여 포토레지스트 패턴을 형성한다.
포토 마스크는 지지기판 상에 불투명 금속층을 형성하고 불투명 금속층으로 빛을 차단한다. 이 때문에, 노광공정에서 포토 마스크에 빛이 조사되면 불투명 금속층이 형성된 영역은 빛이 차단되고 불투명 금속층이 미형성된 영역은 빛이 투과된다.
불투명 금속층을 이용하여 포토 마스크 상에 원하는 패턴 형상을 형성하기 위해서는 노광(Exposure), 에칭(Wet Etching) 및 스트립(Strip) 등의 공정을 진행해야 한다. 그런데, 이러한 공정을 진행하는 과정에서 정전기가 유입되면 포토 마스크 상에 형성된 불투명 금속층 패턴에 전하가 차지되면서 패턴을 손상시키게 된다.
정전기 유입에 따른 패턴의 손상 문제는 다양한 형태로 나타나지만, 상호 인접(예컨대, 수 ㎛ 정도)하여 이격된 패턴 간에 정전기가 유입되면 패턴 간의 쇼트나 형상의 왜곡을 발생하게 된다.
이와 같이, 패턴 간의 쇼트나 형상의 왜곡이 발생된 포토 마스크를 이용하여 사진식각공정을 진행하면, 원하는 패턴 형상을 형성하기 어렵게 됨은 물론 소자의 불량 발생 확률 증가로 생산 수율을 저하하게 되므로 이의 개선이 요구된다.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 포토 마스크 제작시 외부로부터 유입된 정전기에 의해 쇼트나 형상이 왜곡되는 문제를 방지하여 원하는 패턴 형상을 형성하기 수월하게 됨은 물론 소자의 불량 발생 확률을 낮추어 생산 수율을 향상시킬 수 있는 포토 마스크 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은 지지기판; 지지기판 상에 형성된 불투명 금속층들; 및 지지기판 상에 형성되고 외부로부터 유입된 정전기가 불투명 금속층들을 통해 방전되도록 불투명 금속층들의 적어도 일부를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함하는 포토 마스크를 제공한다.
연결부는 서로 다른 패턴, 전극 및 배선을 형성하는 불투명 금속층들의 적어도 일부를 전기적으로 연결할 수 있다.
연결부는 노광기의 해상력으로 미해상되는 선폭을 가질 수 있다.
연결부는 이격 거리가 좁은 영역에 위치하는 불투명 금속층들을 전기적으로 연결하도록 형성될 수 있다.
다른 측면에서 본 발명은 기판 상에 구조물을 형성하는 단계; 구조물 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계; 기판과 마주보는 상부에 포토 마스크를 얼라인하는 단계; 포토 마스크를 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 포토레지스트 패턴을 이용하여 패턴, 전극 및 배선을 형성하는 단계를 포함하되, 포토 마스크는 지지기판과, 지지기판 상에 형성된 불투명 금속층들과, 지지기판 상에 형성되고 외부로부터 유입된 정전기가 불투명 금속층들을 통해 방전되도록 불투명 금속층들의 적어도 일부를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함하는 포토 마스크를 이용한 표시장치의 제조방법을 제공한다.
연결부는 서로 다른 패턴, 전극 및 배선을 형성하는 불투명 금속층들의 적어도 일부를 전기적으로 연결할 수 있다.
연결부는 노광기의 해상력으로 미해상되는 선폭을 가질 수 있다.
연결부는 이격 거리가 좁은 영역에 위치하는 불투명 금속층들을 전기적으로 연결하도록 형성될 수 있다.
연결부는 기판 상에 형성할 패턴, 전극 및 배선의 밀집된 영역에 대응하여 위치하는 불투명 금속층들의 적어도 일부를 전기적으로 연결할 수 있다.
기판 상에 형성할 패턴, 전극 및 배선의 밀집된 영역은 기판 상에 정의된 표시영역의 내측에 존재하는 트랜지스터 부분, 표시영역의 외측에 존재하는 시프트 레지스터 부분, 표시영역의 외측에 존재하는 데이터링크 배선 및 스캔링크 배선 부분을 포함할 수 있다.
본 발명은 포토 마스크 제작시 미세한 패턴이나 패턴이 밀집된 영역에 연결부를 형성하여 인접하는 이종의 패턴들이 외부로부터 유입된 정전기에 의해 쇼트나 형상이 왜곡되는 문제를 방지할 수 있게 되므로 원하는 패턴 형상을 형성하기 수월하게 됨은 물론 소자의 불량 발생 확률을 낮추어 생산 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 정상적인 포토 마스크를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성한 예시도.
도 2는 비정상적인 포토 마스크를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성한 예시도.
도 3 내지 도 5는 정전기 유입에 따른 패턴의 손상부를 나타낸 다양한 예시도들.
도 6은 정전기 유입에 따른 패턴의 손상에 대해 설명하기 위한 도면.
도 7은 포토 마스크의 패턴 크기별 사진식각공정을 통해 현상된 기판의 패턴 형상을 보여주는 실험 도면.
도 8은 본 발명의 실시예가 적용된 포토 마스크의 패턴과 이를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성한 예를 보여주는 실험 도면.
도 9는 표시장치의 개략적인 블록도.
도 10은 도 9에 도시된 서브 픽셀의 구성 예시도.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 포토 마스크를 적용할 수 있는 부위를 설명하기 위해 도시한 표시장치의 표시패널의 평면 예시도.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 포토 마스크를 적용할 수 있는 부위를 구체적으로 도시한 트랜지스터의 평면 예시도.
도 2는 비정상적인 포토 마스크를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성한 예시도.
도 3 내지 도 5는 정전기 유입에 따른 패턴의 손상부를 나타낸 다양한 예시도들.
도 6은 정전기 유입에 따른 패턴의 손상에 대해 설명하기 위한 도면.
도 7은 포토 마스크의 패턴 크기별 사진식각공정을 통해 현상된 기판의 패턴 형상을 보여주는 실험 도면.
도 8은 본 발명의 실시예가 적용된 포토 마스크의 패턴과 이를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성한 예를 보여주는 실험 도면.
도 9는 표시장치의 개략적인 블록도.
도 10은 도 9에 도시된 서브 픽셀의 구성 예시도.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 포토 마스크를 적용할 수 있는 부위를 설명하기 위해 도시한 표시장치의 표시패널의 평면 예시도.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 포토 마스크를 적용할 수 있는 부위를 구체적으로 도시한 트랜지스터의 평면 예시도.
이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
표시장치의 표시패널이나 반도체 등의 제조공정에서 사용되는 사진식각공정(photo lithograph process)은 포토레지스트막을 기판 상에 증착하고 포토 마스크에 형성된 패턴을 포토레지스트막에 전사하여 포토레지스트 패턴을 형성한다.
포토 마스크는 지지기판 상에 불투명 금속층을 형성하고 불투명 금속층으로 빛을 차단한다. 이 때문에, 노광공정에서 포토 마스크에 빛이 조사되면 불투명 금속층이 형성된 영역은 빛이 차단되고 불투명 금속층이 미형성된 영역은 빛이 투과된다.
불투명 금속층을 이용하여 포토 마스크 상에 원하는 패턴 형상을 형성하기 위해서는 노광(Exposure), 에칭(Wet Etching) 및 스트립(Strip) 등의 공정을 진행해야 한다. 그런데, 이러한 공정을 진행하는 과정에서 정전기가 유입되면 포토 마스크 상에 형성된 불투명 금속층 패턴에 전하가 차지되면서 패턴을 손상시키게 된다.
이와 관련하여 더욱 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 1은 정상적인 포토 마스크를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성한 예시도이고, 도 2는 비정상적인 포토 마스크를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성한 예시도이며, 도 3 내지 도 5는 정전기 유입에 따른 패턴의 손상부를 나타낸 다양한 예시도들이고, 도 6은 정전기 유입에 따른 패턴의 손상에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 포토 마스크는 지지기판(110)과 지지기판(110) 상에 형성된 불투명 금속층(120)으로 이루어진다.
도 1은 제1불투명 금속층(120a)과 제2불투명 금속층(120b)이 정상적으로 이격된 경우를 나타내고, 도 2는 정전기(ESD)에 의해 제1불투명 금속층(120a)과 제2불투명 금속층(120b)이 정상적으로 이격되지 않고 쇼트나 형상이 왜곡된 경우를 나타낸다.
도 1의 포토 마스크를 이용하여 사진식각공정을 수행하면 기판(150) 상에는 포토 마스크에 형성된 형상과 동일하게 제1패턴(120a)과 제2패턴(120b)이 형성된다. 그러나, 도 2의 포토 마스크를 이용하여 사진식각공정을 수행하면 기판(150) 상에는 포토 마스크에 형성된 형상과 비동일하게 제1패턴(120a)과 제2패턴(120b)이 형성된다.
도 3 및 도 4에 도시된 "P1" 내지 "P4"의 형상과 도 5에 도시된 마스크 손상(Damage) 및 기판의 쇼트(Short)를 통해 알 수 있듯이, 정전기 유입에 따른 패턴의 손상 문제는 다양한 형태로 나타난다. 이와 같이 상호 인접(예컨대, 수 ㎛ 정도)하여 이격된 패턴 간에 정전기가 유입되면 패턴 간의 쇼트나 형상의 왜곡을 발생하게 된다.
도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 포토 마스크의 지지기판(110)에 제1불투명 금속층(120a)과 제2불투명 금속층(120b)이 존재하고 이들의 이격 거리가 좁은 형태로 형성된다. 그런데, 포토 마스크를 제작하는 과정에서 정전기(ESD)가 유입되면 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 제2불투명 금속층(120b)에서 제1불투명 금속층(120a)으로 정전기 패스가 형성된다.
이 경우, 제2불투명 금속층(120b)과 제1불투명 금속층(120a) 간에 형성된 정전기 패스에 의해 이들 중 하나의 금속이 손상되며 이들을 전기적으로 연결하는 쇼트부(190)가 형성되거나 특정 영역이 돌출되는 등의 형상 왜곡이 유발된다.
한편, 정전기 패스는 크기가 큰 불투명 금속층에서 크기가 작은 불투명 금속층으로 형성되거나 크기가 작은 불투명 금속층에서 크기가 큰 불투명 금속층으로 형성될 수 있다. 또한, 정전기 패스는 크기가 동일한 불투명 금속층 간에도 형성될 수 있다. 즉, 정전기 패스는 불투명 금속층의 크기에 상관없이 이격 거리가 좁은 경우 발생하게 된다.
이와 같이, 패턴 간의 쇼트나 형상의 왜곡이 발생된 포토 마스크를 이용하여 사진식각공정을 진행하면, 원하는 패턴 형상을 형성하기 어렵게 됨은 물론 소자의 불량과 더불어 생산 수율을 저하하게 된다.
본 발명은 이를 개선하기 위해 포토 마스크 제작시 상호 인접하여 전기적으로 분리된 패턴들의 사이를 전기적으로 연결하는 연결부를 형성한다. 이때, 전기적으로 분리된 패턴들의 사이를 전기적으로 연결하는 연결부는 노광기의 해상력으로 미해상는 선폭을 갖는다.
도 7은 포토 마스크의 패턴 크기별 사진식각공정을 통해 현상된 기판의 패턴 형상을 보여주는 실험 도면이고, 도 8은 본 발명의 실시예가 적용된 포토 마스크의 패턴과 이를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성한 예를 보여주는 실험 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 실험에서는 포토 마스크 상에 다양한 선폭을 갖는 배선을 그룹으로 나누고 마스크 패턴 그룹(M_PTN1, M_PTN2)을 형성하였다.
제1마스크 패턴 그룹(M_PTN1)에 포함된 배선들의 경우, 기판 상에 그대로 현상되어 제1기판 패턴 그룹(G_PTN1)으로 형성되었다. 반면, 제2마스크 패턴 그룹(M_PTN2)에 포함된 배선들의 경우, 기판 상에 그대로 현상되지 않고 미세하게 돌출된 흔적이 존재하거나 흔적조차 존재하지 않는 제2기판 패턴 그룹(G_PTN1)으로 형성되었다.
위의 실험을 통해 알 수 있듯이, 포토 마스크 상에 노광기의 해상력으로 해상되지 않는 선폭을 갖는 연결부를 형성하면 실질적으로 포토 마스크 상에 연결부가 존재하더라도 현상되지 않는다는 것이 입증되었다.
도 8에 도시된 바와 같이, 실험예를 기반으로 포토 마스크 제작시 전기적으로 분리된 패턴들(120a, 120b)의 사이를 전기적으로 연결하는 연결부(120c)를 형성하되, 노광기의 해상력으로 해상되지 않는 선폭을 갖도록 하였다. 그 결과, 기판 상에는 전기적으로 분리된 패턴들(160a, 160b)만 현상되고 포토 마스크 상에 형성된 연결부(120c)는 형성되지 않았다.
앞서 설명하였듯이, 전기적으로 분리된 패턴들(120a, 120b)의 사이를 전기적으로 연결하는 연결부(120c)는 노광기의 해상력으로 해상되지 않는 선폭을 가지므로 이는 연결부(120c)의 선폭(d) < 노광기의 해상력(α)으로 정리된다.
한편, 시뮬레이션 결과에서는 포토 마스크의 CD(Critical Dimension)를 고려하여 연결부(120c)의 선폭(d)이 0.7㎛ 수준일 때 최적(패턴 현상되지 않음)인 것으로 나타났고, 포토 마스크 평가 결과에서는 1.0㎛ 수준일 때 최적인 것으로 나타났다. 그러나, 이는 노광기의 해상력이나 공정 환경 등(식각 바이어스)과 같은 변수에 의해 공차가 유발될 수 있는바 참고치로 이해되어야 할 것이다.
앞서 설명된 연결부(120c)는 포토 마스크에 유입된 정전기가 특정 패턴에서 다른 패턴으로 급작스럽게 전달됨에 따라 패턴이 손상되거나 왜곡되는 현상을 방지하는 정전기 패스로 사용된다.
즉, 연결부(120c)는 실질적으로 기판 상에 현상(또는 형성)되지 않지만, 상호 인접하는 패턴들을 전기적으로 연결하여 정전기가 유입되었을 때, 원활한 방전 패스를 형성하는 역할을 하게 된다. 이때, 포토 마스크에 유입된 정전기는 연결부(120c)나 다른 패턴들을 통해 여러 경로를 거쳐 포토 마스크 상에 형성된 정전기 방전 전극이나 정전기 방전 척 등을 방전된다. 정전기 정전 전극이나 정전기 방전 척 등과 같은 구조물은 종래에 기 공지된 기술들이 다수 존재하므로 이에 대한 설명은 생략한다.
그러므로, 표시장치의 표시패널이나 반도체 등의 제조공정에서 사용되는 포토 마스크 제작시 앞서 설명된 바와 같은 연결부(120c)를 이용하면 정전기 유입에 따른 문제를 개선할 수 있을 것이 자명하다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 포토 마스크를 이용하여 표시장치를 제조하는 방법에 대해 설명한다.
도 9는 표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 10은 도 9에 도시된 서브 픽셀의 구성 예시도이며, 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 포토 마스크를 적용할 수 있는 부위를 설명하기 위해 도시한 표시장치의 표시패널의 평면 예시도이고, 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 포토 마스크를 적용할 수 있는 부위를 구체적으로 도시한 트랜지스터의 평면 예시도이다.
도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 표시장치에는 표시패널(150), 타이밍 콘트롤러(110), 데이터 구동부(120) 및 스캔 구동부(130, 140)가 포함된다.
표시패널(150)에는 상호 교차하는 데이터 라인들(DL) 및 스캔 라인들(GL)에 구분되어 연결된 서브 픽셀들이 포함된다. 표시패널(10)은 서브 픽셀들이 형성되는 표시영역(150A)과 표시영역(150A)의 외측으로 각종 신호라인들(170)이나 패드(160) 등이 형성되는 비표시영역(150B)을 포함한다. 표시패널(150)은 액정표시장치(LCD), 유기발광표시장치(OLED), 전기영동표시장치(EPD) 등으로 구현될 수 있다.
하나의 서브 픽셀(SP)에는 스캔 라인(GL1)과 데이터 라인(DL1)에 연결된 트랜지스터(TFT)와 트랜지스터(TFT)를 통해 공급된 스캔 신호에 대응하여 공급된 데이터신호(DATA)에 대응하여 동작하는 픽셀회로(PC)가 포함된다. 서브 픽셀(SP)은 픽셀회로(PC)의 구성에 따라 액정소자를 포함하는 액정표시패널이나 유기발광소자를 포함하는 유기발광표시패널 등으로 구현된다.
표시패널(150)이 액정표시패널로 구성된 경우, 이는 TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 모드 또는 ECB(Electrically Controlled Birefringence) 모드로 구현된다. 표시패널(150)이 유기발광표시패널로 구성된 경우, 이는 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식으로 구현된다.
타이밍 콘트롤러(110)는 영상보드에 연결된 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 수신회로를 통해 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블 신호, 도트 클럭 등의 타이밍신호를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(110)는 입력된 타이밍신호를 기준으로 데이터 구동부(120)와 스캔 구동부(130, 140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다.
데이터 구동부(120)는 다수의 소스 드라이브 IC(Integrated Circuit)들을 포함한다. 소스 드라이브 IC들은 타이밍 콘트롤러(110)로부터 디지털 비디오 데이터들(RGB)과 소스 타이밍 제어신호(DDC)를 공급받는다. 소스 드라이브 IC들은 소스 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 감마전압으로 변환하여 데이터전압을 생성하고, 데이터전압을 표시패널(150)의 데이터 라인들(DL)을 통해 공급한다. 소스 드라이브 IC들은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정에 의해 표시패널(150)의 데이터 라인들(DL)에 접속된다.
스캔 구동부(130, 140)는 레벨 시프터(130) 및 시프트 레지스터(140)를 포함한다. 스캔 구동부(130, 140)는 레벨 시프터(130)와 시프트 레지스터(140)가 구분되어 형성된 게이트인패널(Gate In Panel; 이하 GIP) 방식으로 형성된다. 레벨 시프터(130)는 레벨 시프터(130)는 IC 형태로 표시패널(150)에 접속되는 외부 기판에 형성된다.
레벨 시프터(130)는 타이밍 콘트롤러(11)의 제어하에 클럭신호들(clk), 리셋신호들(reset) 및 스타트신호들(vst)의 레벨을 시프팅한 후 시프트 레지스터(140)에 공급한다. 시프트 레지스터(140)는 박막 트랜지스터 형태로 형성된다. 시프트 레지스터(140)는 클럭신호들(clk), 리셋신호들(reset) 및 스타트신호들(vst)에 대응하여 스캔 신호를 시프트하고 출력하는 스테이지들로 구성된다. 시프트 레지스터(140)에 포함된 스테이지들은 출력단들을 통해 스캔 신호들을 순차적으로 출력한다. 시프트 레지스터(140)는 GIP 방식에 의해 표시패널(150)의 표시영역(150A)의 좌우측에 위치하는 비표시영역(150B)에 제1 및 제2시프트 레지스터(140a, 140b)와 같은 형태로 형성될 수도 있다.
도 11에 도시된 바와 같은 형태로 표시패널(150)을 형성하기 위해서는 포토 마스크를 이용한 사진식각공정이 요구된다. 사진식각공정을 이용하여 표시패널(150)을 구성하는 기판 상에 패턴, 전극 및 배선을 형성하기 위해서는 금속, 유기물 또는 무기물 등의 구조물을 형성한다. 그리고 그 구조물 상에 포토레지스트막을 형성하고 기판과 마주보는 상부에 포토 마스크를 얼라인한다. 그리고 포토 마스크에 형성된 패턴을 포토레지스트막에 전사하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 그리고 포토레지스트 패턴을 이용하여 원하는 패턴, 전극 및 배선을 형성하고 잔존하는 포토레지스트 패턴을 제거하는 등의 공정이 진행된다.
한편, 사진식각공정을 진행하는 과정 또한 포토 마스크를 제작하는 과정과 유사하게 다양한 요인에 의해 정전기가 유입된다. 그러므로, 도 11에 도시된 바와 같은 형태로 표시패널(150)을 형성하고자 할 때에는 포토 마스크 제작시 도 8을 참조하여 설명한 연결부(120c)를 이용하여 패턴을 형성한다.
도 8을 참조하여 설명한 연결부(120c)는 도 11의 표시영역(150A)의 내측에 존재하는 트랜지스터(TFT) 부분, 표시영역(150B)의 외측에 존재하는 시프트 레지스터(140)(또는 GIP) 부분, 표시영역(150B)의 외측에 존재하는 금속이나 링크(데이터링크 배선 및 스캔링크 배선) 부분 등 배선이나 전극 등의 구조물이 밀집된 영역에 적용될 수 있다.
이의 예로 트랜지스터(TFT) 부분에 연결부(120c)가 적용된 것에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 표시패널(150)의 서브 픽셀(SP)에 포함된 트랜지스터(TFT)는 게이트전극을 구성하는 게이트패턴(G_PTN), 소오스전극을 구성하는 소오스패턴(S_PTN) 및 드레인전극을 구성하는 드레인패턴(D_PTN)을 포함한다.
표시패널(150)의 서브 픽셀(SP)에 포함된 트랜지스터(TFT)는 포토 마스크에 형성된 게이트패턴(G_PTN), 소오스패턴(S_PTN) 및 드레인패턴(D_PTN)과 동일한 형상으로 사진식각 공정을 통해 형성된다.
다만, 포토 마스크에 형성된 패턴을 보면 알 수 있듯이, 소오스패턴(S_PTN)과 게이트패턴(G_PTN)에는 이들을 전기적으로 연결하는 연결부(C_PTN)가 존재한다. 그러나, 이 연결부(C_PTN)는 포토 마스크에만 형성되어 있을 뿐, 표시패널(150)의 서브 픽셀(SP)에 포함된 트랜지스터(TFT)에는 존재하지 않는다. 즉, 포토 마스크에 형성된 연결부(C_PTN)는 외부로부터 유입된 정전기가 원활히 이웃하는 패턴을 거쳐 다른 경로로 이동할 수 있도록 돕는 방전 패스를 형성하는 배선으로 사용된 것이다.
이상 본 발명은 포토 마스크 제작시 미세한 패턴이나 패턴이 밀집된 영역에 연결부를 형성하여 인접하는 이종의 패턴들이 외부로부터 유입된 정전기에 의해 쇼트나 형상이 왜곡되는 문제를 방지할 수 있게 되므로 원하는 패턴 형상을 형성하기 수월하게 됨은 물론 소자의 불량 발생 확률을 낮추어 생산 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110: 지지기판
120: 불투명 금속층
120a: 제1불투명 금속층 120b: 제2불투명 금속층
ESD: 정전기 G_PTN: 게이트패턴
S_PTN: 소오스패턴 D_PTN: 드레인패턴
120c, C_PTN: 연결부
120a: 제1불투명 금속층 120b: 제2불투명 금속층
ESD: 정전기 G_PTN: 게이트패턴
S_PTN: 소오스패턴 D_PTN: 드레인패턴
120c, C_PTN: 연결부
Claims (10)
- 지지기판;
상기 지지기판 상에 형성된 불투명 금속층들; 및
상기 지지기판 상에 형성되고 외부로부터 유입된 정전기가 상기 불투명 금속층들을 통해 방전되도록 상기 불투명 금속층들의 적어도 일부를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함하는 포토 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 연결부는
서로 다른 패턴, 전극 및 배선을 형성하는 불투명 금속층들의 적어도 일부를 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 연결부는
노광기의 해상력으로 미해상되는 선폭을 갖는 것을 특징으로 하는 포토 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 연결부는
이격 거리가 좁은 영역에 위치하는 불투명 금속층들을 전기적으로 연결하도록 형성된 것을 특징으로 하는 포토 마스크. - 기판 상에 구조물을 형성하는 단계;
상기 구조물 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;
상기 기판과 마주보는 상부에 포토 마스크를 얼라인하는 단계;
상기 포토 마스크를 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 패턴, 전극 및 배선을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 포토 마스크는
지지기판과, 상기 지지기판 상에 형성된 불투명 금속층들과, 상기 지지기판 상에 형성되고 외부로부터 유입된 정전기가 상기 불투명 금속층들을 통해 방전되도록 상기 불투명 금속층들의 적어도 일부를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함하는 포토 마스크를 이용한 표시장치의 제조방법. - 제5항에 있어서,
상기 연결부는
서로 다른 패턴, 전극 및 배선을 형성하는 불투명 금속층들의 적어도 일부를 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크를 이용한 표시장치의 제조방법. - 제5항에 있어서,
상기 연결부는
노광기의 해상력으로 미해상되는 선폭을 갖는 것을 특징으로 하는 포토 마스크를 이용한 표시장치의 제조방법. - 제5항에 있어서,
상기 연결부는
이격 거리가 좁은 영역에 위치하는 불투명 금속층들을 전기적으로 연결하도록 형성된 것을 특징으로 하는 포토 마스크를 이용한 표시장치의 제조방법. - 제5항에 있어서,
상기 연결부는
상기 기판 상에 형성할 패턴, 전극 및 배선의 밀집된 영역에 대응하여 위치하는 불투명 금속층들의 적어도 일부를 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크를 이용한 표시장치의 제조방법. - 제9항에 있어서,
상기 기판 상에 형성할 패턴, 전극 및 배선의 밀집된 영역은 상기 기판 상에 정의된 표시영역의 내측에 존재하는 트랜지스터 부분, 상기 표시영역의 외측에 존재하는 시프트 레지스터 부분, 상기 표시영역의 외측에 존재하는 데이터링크 배선 및 스캔링크 배선 부분을 포함하는 포토 마스크를 이용한 표시장치의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130139814A KR20150057028A (ko) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | 포토 마스크 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020130139814A KR20150057028A (ko) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | 포토 마스크 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법 |
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|---|---|
| KR20150057028A true KR20150057028A (ko) | 2015-05-28 |
Family
ID=53391979
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| KR1020130139814A KR20150057028A (ko) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | 포토 마스크 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법 |
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| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20150057028A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109143775A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-01-04 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 降低光罩静电放电风险的方法及其得到的光罩图形 |
-
2013
- 2013-11-18 KR KR1020130139814A patent/KR20150057028A/ko not_active Application Discontinuation
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