KR20150054692A - Manufacturing method of glass laminated body and manufacturing method of electronic device - Google Patents

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KR20150054692A
KR20150054692A KR1020140155995A KR20140155995A KR20150054692A KR 20150054692 A KR20150054692 A KR 20150054692A KR 1020140155995 A KR1020140155995 A KR 1020140155995A KR 20140155995 A KR20140155995 A KR 20140155995A KR 20150054692 A KR20150054692 A KR 20150054692A
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아사히 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

The present invention relates to a manufacturing method of glass laminated body comprising a support substrate, a support substrate having an inorganic layer arranged on the support substrate, and a glass substrate laminated on the inorganic layer to be possibly exfoliated. Also, the manufacturing method of glass laminated body according to the present invention comprises a lamination process for laminating the glass substrate on the inorganic layer, a heat treatment process for applying the heat treatment after the lamination process, and the inorganic layer having at least one kind selected from the group consisting of carborundum, carbonized silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride. The heat treatment process satisfies the following conditions of (a) to (d) which includes (a) temperature raising rate : at most 300°C/min; (b) heating temperature : 150 to 600°C; (c) maintenance time : at least 0.5min; (d) atmosphere : atmosphere pressure state or atmospheric environment of decompression state or inert gas atmosphere or vacuum atmosphere.

Description

유리 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 {MANUFACTURING METHOD OF GLASS LAMINATED BODY AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method for manufacturing a glass laminate,

본 발명은 유리 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a glass laminate and a method of manufacturing an electronic device.

최근 들어 태양 전지(PV), 액정 패널(LCD), 유기 EL 패널(OLED) 등의 전자 디바이스(전자 기기)의 박형화, 경량화가 진행되고 있으며, 이 전자 디바이스에 사용하는 유리 기판의 박판화가 진행되고 있다. 한편, 박판화에 의하여 유리 기판의 강도가 부족하면, 전자 디바이스의 제조 공정에 있어서 유리 기판의 취급성이 저하된다.2. Description of the Related Art In recent years, thinner and lighter electronic devices (electronic devices) such as a solar cell (PV), a liquid crystal panel (LCD), and an organic EL panel (OLED) have. On the other hand, if the strength of the glass substrate is insufficient due to the thinning, the handling of the glass substrate in the manufacturing process of the electronic device is deteriorated.

따라서 최근에는 유리 기판의 취급성을 향상시키는 관점에서, 무기 박막이 구비된 지지 유리의 무기 박막 상에 유리 기판을 적층한 적층체를 준비하고, 적층체의 유리 기판 상에 소자의 제조 처리를 실시한 후, 적층체로부터 유리 기판을 분리하는 방법이 제안되어 있다(특허문헌 1).Therefore, recently, from the viewpoint of improving the handling property of the glass substrate, a laminate in which a glass substrate is laminated on an inorganic thin film of a supporting glass provided with an inorganic thin film is prepared, and a device is produced on the glass substrate of the laminate A method of separating a glass substrate from a laminated body has been proposed (Patent Document 1).

일본 특허 공개 제2011-184284호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-184284

본 발명자들은 특허문헌 1을 근거로 하여, 지지 기판(지지 유리) 상에 배치되는 무기층(무기 박막)에 대하여 검토를 행하였다. 그 결과, 무기층의 조성으로서 특허문헌 1에 구체적으로 기재되어 있지 않은 특정한 조성을 채용했을 경우에, 무기층 상의 유리 기판을 박리할 때의 박리성이 우수한 것을 알아내었다.On the basis of Patent Document 1, the present inventors have studied an inorganic layer (inorganic thin film) disposed on a support substrate (support glass). As a result, it was found that when a specific composition which is not specifically described in Patent Document 1 is employed as the composition of the inorganic layer, the release property when the glass substrate on the inorganic layer is peeled off is excellent.

그런데 특허문헌 1에 기재된 방법에서는 적층 후에 가열 처리를 행하고 있다. 따라서 본 발명자들은 상기 특정한 조성을 사용한 무기층 상에 유리 기판을 적층한 후에, 특허문헌 1에 구체적으로 기재되어 있는 조건으로 가열 처리를 행하였다. 그 결과, 상기 가열 처리를 행한 적층체에 대해서는, 꺾음 절단이나 연마를 행할 때 적층 상태가 유지되지 않는 경우가 있는 것을 알았다. 이 경우, 상기 가열 처리를 행한 적층체의 유리 기판 상에 전자 디바이스용 부재를 형성할 때 유리 기판에 박리가 발생하여, 얻어지는 전자 디바이스에 문제가 발생할 우려가 있다.However, in the method described in Patent Document 1, heat treatment is performed after lamination. Therefore, the present inventors laminated a glass substrate on the inorganic layer using the above-mentioned specific composition, and then subjected to heat treatment under the conditions specifically described in Patent Document 1. [ As a result, it was found that the laminated body subjected to the heat treatment may not be maintained in the laminated state when breaking or polishing. In this case, when the electronic device member is formed on the glass substrate of the layered product subjected to the heat treatment, peeling occurs on the glass substrate, which may cause problems in the resulting electronic device.

본 발명은 이상의 점을 감안하여 이루어진 것이며, 지지 기판 상에 배치된 무기층과 유리 기판의 적층 유지성이 우수한 유리 적층체의 제조 방법, 및 상기 유리 적층체를 사용한 전자 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide a method for producing a glass laminate having excellent laminating and maintaining properties of an inorganic layer and a glass substrate disposed on a supporting substrate, and a method for manufacturing an electronic device using the glass laminate The purpose.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토를 행한 결과, 무기층의 조성으로서 특정한 조성을 채용했을 경우에, 무기층 상에 유리 기판을 적층한 후에 특정한 조건으로 가열 처리를 행함으로써, 무기층과 유리 기판의 적층 상태가 유지되는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.Means for Solving the Problems The present inventors have intensively studied in order to achieve the above object. As a result, they have found that when a specific composition is adopted as the composition of the inorganic layer, the glass substrate is laminated on the inorganic layer, The present inventors have found that the laminated state of the substrate can be maintained, thereby completing the present invention.

즉, 본 발명은 이하의 (1) 내지 (4)를 제공한다.That is, the present invention provides the following (1) to (4).

(1) 지지 기판, 및 상기 지지 기판 상에 배치된 무기층을 갖는, 무기층이 구비된 지지 기판과, 상기 무기층 상에 박리 가능하게 적층된 유리 기판을 구비하는 유리 적층체를 얻는 유리 적층체의 제조 방법이며, 상기 무기층 상에 상기 유리 기판을 적층시키는 적층 공정과, 상기 적층 공정 후에 가열 처리를 행하는 가열 처리 공정을 구비하고, 상기 무기층이 탄화규소, 탄화산화규소, 질화규소 및 질화산화규소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하며, 상기 가열 처리가 하기 (a) 내지 (d)의 조건을 만족시키는 유리 적층체의 제조 방법:(1) A glass laminate for obtaining a glass laminate comprising a support substrate having an inorganic layer and a glass substrate laminated on the inorganic layer, the support laminate having a support substrate and an inorganic layer disposed on the support substrate And a heat treatment step of performing heat treatment after the laminating step, wherein the inorganic layer is formed of a material selected from the group consisting of silicon carbide, silicon carbide, silicon nitride, and nitride And silicon oxide, and the heat treatment satisfies the following conditions (a) to (d):

(a) 승온 속도: 300℃/분 이하;(a) Heating rate: 300 占 폚 / min or less;

(b) 가열 온도: 150 내지 600℃;(b) Heating temperature: 150 to 600 占 폚;

(c) 유지 시간: 0.5분 이상; 및(c) Holding time: 0.5 minutes or more; And

(d) 분위기: 대기압 상태 또는 감압 상태의 대기 분위기 또는 불활성 가스 분위기, 또는 진공 분위기.(d) Atmosphere: atmosphere in an atmospheric pressure or reduced pressure state, inert gas atmosphere, or vacuum atmosphere.

(2) 상기 (a) 승온 속도가 200℃/분 이하인, 상기 (1)에 기재된 유리 적층체의 제조 방법.(2) The method for producing a glass laminate as described in (1) above, wherein (a) the temperature raising rate is 200 ° C / min or less.

(3) 상기 지지 기판이 유리 기판인, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 유리 적층체의 제조 방법.(3) The method for producing a glass laminate according to (1) or (2), wherein the supporting substrate is a glass substrate.

(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 유리 적층체의 제조 방법에 의하여 얻어진 유리 적층체 중의 상기 유리 기판의 표면 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하여, 전자 디바이스용 부재가 구비된 적층체를 얻는 부재 형성 공정과, 상기 전자 디바이스용 부재가 구비된 적층체로부터 상기 무기층이 구비된 지지 기판을 박리하여, 상기 유리 기판 및 상기 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 디바이스를 얻는 분리 공정을 구비하는 전자 디바이스의 제조 방법.(4) An electronic device member is formed on the surface of the glass substrate in the glass laminate obtained by the method for producing a glass laminate according to any one of (1) to (3) A separation step of separating the support substrate provided with the inorganic layer from the laminate provided with the electronic device member to obtain an electronic device having the glass substrate and the electronic device member; Wherein the step of forming the electronic device comprises the steps of:

본 발명에 의하면, 지지 기판 상에 배치된 무기층과 유리 기판의 적층 유지성이 우수한 유리 적층체의 제조 방법, 및 상기 유리 적층체를 사용한 전자 디바이스의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a method for producing a glass laminate excellent in laminating and retaining properties of an inorganic layer and a glass substrate disposed on a support substrate, and a method for manufacturing an electronic device using the glass laminate.

도 1은 본 발명에 따른 유리 적층체의 일 실시 형태의 모식적 단면도이다.
도 2의 (A) 및 도 2의 (B)는 본 발명에 따른 전자 디바이스의 제조 방법의 공정도이다.
도 3은 박리성의 평가 방법을 도시하는 모식적 단면도이다.
1 is a schematic cross-sectional view of one embodiment of a glass laminate according to the present invention.
2 (A) and 2 (B) are process drawings of a method of manufacturing an electronic device according to the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view showing a peeling property evaluation method.

이하, 본 발명의 유리 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법의 적합한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되지 않으며, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고 이하의 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.Best Mode for Carrying Out the Invention Hereinafter, suitable forms of the method for producing a glass laminate of the present invention and a method for producing an electronic device will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, Various modifications and substitutions may be made to the embodiments of the invention.

본 발명의 유리 적층체의 제조 방법에 의하여 얻어지는 유리 적층체는, 개략적으로는 지지 기판과 유리 기판 사이에 특정한 조성을 채용한 무기층을 개재시킨 것이며, 이것에 의하여 고온 조건 하에서의 처리 후에도 무기층과 유리 기판의 박리성이 우수하다.The glass laminate obtained by the method for producing a glass laminate of the present invention is roughly composed of an inorganic layer employing a specific composition between a support substrate and a glass substrate interposed therebetween. Thus, even after treatment under high temperature conditions, The peeling property of the substrate is excellent.

이하에 있어서는, 우선 유리 적층체의 적합한 형태에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후 이 유리 적층체의 제조 방법, 및 이 유리 적층체를 사용한 전자 디바이스의 제조 방법의 적합한 형태에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a preferable mode of the glass laminate will be described in detail, and thereafter, a suitable method of manufacturing the glass laminate and a method of manufacturing an electronic device using the glass laminate will be described in detail.

<유리 적층체>&Lt; Glass laminate &

도 1은 본 발명에 따른 유리 적층체의 일 실시 형태의 모식적 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of one embodiment of a glass laminate according to the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이 유리 적층체(10)는, 지지 기판(12) 및 무기층(14)을 포함하는, 무기층이 구비된 지지 기판(16)과, 유리 기판(18)을 갖는다. 유리 적층체(10) 중에 있어서, 무기층이 구비된 지지 기판(16)의 무기층(14)의 무기층 표면(14a)(지지 기판(12)측과는 반대측의 표면)과, 유리 기판(18)의 제1 주면(18a)을 적층면으로 하여, 무기층이 구비된 지지 기판(16)과 유리 기판(18)이 박리 가능하게 적층되어 있다. 즉, 무기층(14)은, 그의 한쪽 면이 지지 기판(12)에 고정됨과 아울러, 그의 다른 쪽 면이 유리 기판(18)의 제1 주면(18a)에 접하고, 무기층(14)과 유리 기판(18)의 계면은 박리 가능하게 밀착되어 있다. 바꾸어 말하면, 무기층(14)은 유리 기판(18)의 제1 주면(18a)에 대하여 박리 용이성을 구비하고 있다.1, the glass laminate 10 has a support substrate 16 provided with an inorganic layer, which includes a support substrate 12 and an inorganic layer 14, and a glass substrate 18. As shown in Fig. The inorganic layer surface 14a of the inorganic layer 14 of the supporting substrate 16 provided with the inorganic layer (the surface opposite to the supporting substrate 12 side) and the glass substrate The support substrate 16 provided with the inorganic layer and the glass substrate 18 are laminated in such a manner that the first main surface 18a of the glass substrate 18 is laminated. That is, one side of the inorganic layer 14 is fixed to the supporting substrate 12 and the other side thereof is in contact with the first main surface 18a of the glass substrate 18 and the inorganic layer 14 and the glass The interface of the substrate 18 is in close contact with the substrate 18 so as to be detachable. In other words, the inorganic layer 14 has easiness of peeling off from the first main surface 18a of the glass substrate 18.

또한 이 유리 적층체(10)는, 후술하는 부재 형성 공정까지 사용된다. 즉, 이 유리 적층체(10)는, 그 유리 기판(18)의 제2 주면(18b) 표면 상에 액정 표시 장치 등의 전자 디바이스용 부재가 형성되기까지 사용된다. 그 후, 무기층이 구비된 지지 기판(16)은 유리 기판(18)과의 계면에서 박리되고, 무기층이 구비된 지지 기판(16)은 전자 디바이스를 구성하는 부재로는 되지 않는다. 분리된, 무기층이 구비된 지지 기판(16)은 새로운 유리 기판(18)과 적층되어, 새로운 유리 적층체(10)로서 재이용할 수 있다.This glass laminate 10 is also used until a member forming process described later. That is, this glass laminate 10 is used until a member for an electronic device such as a liquid crystal display device is formed on the surface of the second main surface 18b of the glass substrate 18. Thereafter, the supporting substrate 16 provided with the inorganic layer is peeled from the interface with the glass substrate 18, and the supporting substrate 16 provided with the inorganic layer is not a member constituting the electronic device. The separated supporting substrate 16 with the inorganic layer can be laminated with a new glass substrate 18 and reused as a new glass laminate 10. [

본 발명에 있어서, 상기 고정과 (박리 가능한) 밀착은 박리 강도(즉, 박리에 필요한 응력)에 차이가 있으며, 고정은 밀착에 대하여 박리 강도가 큰 것을 의미한다. 구체적으로는, 무기층(14)과 지지 기판(12)의 계면의 박리 강도가, 유리 적층체(10) 중의 무기층(14)과 유리 기판(18)의 계면의 박리 강도보다 크게 된다.In the present invention, the fixation (peelable) adhesion has a difference in the peel strength (i.e., the stress necessary for peeling), and the fixation means that the peel strength is high with respect to adhesion. Specifically, the peel strength at the interface between the inorganic layer 14 and the support substrate 12 is greater than the peel strength between the interface between the inorganic layer 14 and the glass substrate 18 in the glass laminate 10.

또한 박리 가능한 밀착이란, 박리 가능한 동시에, 고정되어 있는 면의 박리를 발생시키지 않고 박리 가능한 것도 의미한다. 즉, 본 발명의 유리 적층체(10)에 있어서, 유리 기판(18)과 지지 기판(12)을 분리하는 조작을 행했을 경우, 밀착된 면(무기층(14)과 유리 기판(18)의 계면)에서 박리되고, 고정된 면에서는 박리되지 않는 것을 의미한다. 따라서 유리 적층체(10)를 유리 기판(18)과 지지 기판(12)으로 분리하는 조작을 행하면, 유리 적층체(10)는 유리 기판(18)과, 무기층이 구비된 지지 기판(16)으로 둘로 분리된다.The term "peelably adhered" means peelable and peelable without causing peeling of the fixed surface. That is, in the glass laminate 10 of the present invention, when the operation of separating the glass substrate 18 and the support substrate 12 is performed, the surface (the inorganic layer 14 and the glass substrate 18) Interface), and does not peel off from the fixed surface. Thus, when the operation of separating the glass laminate 10 into the glass substrate 18 and the support substrate 12 is performed, the glass laminate 10 comprises the glass substrate 18, the support substrate 16 provided with the inorganic layer, .

이하에서는, 우선 유리 적층체(10)를 구성하는, 무기층이 구비된 지지 기판(16) 및 유리 기판(18)에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후 유리 적층체(10)의 제조 수순(본 발명의 유리 적층체의 제조 방법)에 대하여 상세하게 설명한다.The supporting substrate 16 and the glass substrate 18 constituting the glass laminate 10 and the glass substrate 18 provided with the inorganic layer are described below in detail and then the manufacturing procedure of the glass laminate 10 A method of manufacturing a glass laminate according to the present invention) will be described in detail.

[무기층이 구비된 지지 기판][Supporting substrate provided with an inorganic layer]

무기층이 구비된 지지 기판(16)은 지지 기판(12)과, 그 표면 상에 배치(고정)되는 무기층(14)을 구비한다. 무기층(14)은, 후술하는 유리 기판(18)과 박리 가능하게 밀착하도록, 무기층이 구비된 지지 기판(16) 중의 최외측에 배치된다.The support substrate 16 provided with the inorganic layer includes a support substrate 12 and an inorganic layer 14 disposed (fixed) on the surface thereof. The inorganic layer 14 is disposed on the outermost side of the support substrate 16 provided with the inorganic layer so as to be in peelable contact with the glass substrate 18 to be described later.

이하에, 지지 기판(12) 및 무기층(14)의 형태에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the shapes of the support substrate 12 and the inorganic layer 14 will be described in detail.

(지지 기판)(Supporting substrate)

지지 기판(12)은 제1 주면과 제2 주면을 가지며, 제1 주면 상에 배치된 무기층(14)과 협동하여 유리 기판(18)을 지지하여 보강하고, 후술하는 부재 형성 공정(전자 디바이스용 부재를 제조하는 공정)에 있어서, 전자 디바이스용 부재의 제조 시에 유리 기판(18)의 변형, 흠집 발생, 파손 등을 방지하는 기판이다.The supporting substrate 12 has a first main surface and a second main surface and is supported in cooperation with the inorganic layer 14 disposed on the first main surface to support and support the glass substrate 18, (A step of manufacturing a member for use in electronic devices), which prevents deformation, scratches, breakage, and the like of the glass substrate 18 at the time of manufacturing the electronic device member.

지지 기판(12)으로서는, 예를 들어 유리판, 플라스틱판, SUS판 등의 금속판 등이 사용된다. 지지 기판(12)은, 부재 형성 공정이 열처리를 수반하는 경우, 유리 기판(18)과의 선팽창 계수의 차가 작은 재료로 형성되는 것이 바람직하고, 유리 기판(18)과 동일한 재료로 형성되는 것이 보다 바람직하다. 즉, 지지 기판(12)은 유리판인 것이 바람직하다. 특히 지지 기판(12)은, 유리 기판(18)과 동일한 유리 재료로 이루어지는 유리판인 것이 바람직하다.As the supporting substrate 12, for example, a metal plate such as a glass plate, a plastic plate, an SUS plate, or the like is used. The supporting substrate 12 is preferably formed of a material having a smaller coefficient of linear expansion than that of the glass substrate 18 when the member forming step involves heat treatment and is preferably formed of the same material as the glass substrate 18 desirable. That is, the supporting substrate 12 is preferably a glass plate. In particular, the supporting substrate 12 is preferably a glass plate made of the same glass material as the glass substrate 18. [

지지 기판(12)의 두께는, 후술하는 유리 기판(18)보다 두꺼워도 되고 얇아도 된다. 바람직하게는 유리 기판(18)의 두께, 무기층(14)의 두께 및 후술하는 유리 적층체(10)의 두께에 기초하여, 지지 기판(12)의 두께가 선택된다. 예를 들어 현행의 부재 형성 공정이 두께 0.5㎜의 기판을 처리하도록 설계된 것이고, 유리 기판(18)의 두께 및 무기층(14)의 두께의 합이 0.1㎜인 경우, 지지 기판(12)의 두께를 0.4㎜로 한다. 지지 기판(12)의 두께는 통상의 경우, 0.2 내지 5.0㎜가 바람직하다.The thickness of the support substrate 12 may be thicker or thinner than that of the glass substrate 18 described later. The thickness of the supporting substrate 12 is preferably selected based on the thickness of the glass substrate 18, the thickness of the inorganic layer 14, and the thickness of the glass laminate 10 described below. For example, if the current member forming process is designed to process a substrate having a thickness of 0.5 mm and the sum of the thickness of the glass substrate 18 and the thickness of the inorganic layer 14 is 0.1 mm, the thickness of the supporting substrate 12 Is set to 0.4 mm. The thickness of the support substrate 12 is usually 0.2 to 5.0 mm.

지지 기판(12)이 유리판인 경우, 유리판의 두께는, 취급하기 쉽고 깨지기 어려운 등의 이유에서 0.08㎜ 이상이 바람직하다. 또한 유리판의 두께는, 전자 디바이스용 부재 형성 후에 박리할 때, 깨지지 않고 적절히 휘는 바와 같은 강성이 요망되는 이유에서 1.0㎜ 이하가 바람직하다.When the supporting substrate 12 is a glass plate, the thickness of the glass plate is preferably 0.08 mm or more for easy handling and difficulty in breaking. Further, the thickness of the glass plate is preferably not more than 1.0 mm for the reason that rigidity is required such that the glass plate is not broken when peeled off after the formation of the electronic device member.

(무기층)(Inorganic layer)

무기층(14)은 지지 기판(12)의 제1 주면 상에 배치(고정)되어, 유리 기판(18)의 제1 주면(18a)과 접촉하는 층이다. 본 발명에 있어서는, 무기층(14)의 조성으로서 탄화규소(이하, 「SiC」라고도 표기함), 탄화산화규소(이하, 「SiCO」라고도 표기함), 질화규소(이하, 「SiN」라고도 표기함) 및 질화산화규소(이하, 「SiNO」라고도 표기함)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함한다. 또한 무기층(14)의 조성은 X선 광전자 분광법(XPS)에 의하여 측정할 수 있다.The inorganic layer 14 is a layer that is placed (fixed) on the first main surface of the support substrate 12 and contacts the first main surface 18a of the glass substrate 18. [ In the present invention, as the composition of the inorganic layer 14, silicon carbide (hereinafter also referred to as "SiC"), silicon carbide oxide (hereinafter also referred to as "SiCO"), silicon nitride ) And silicon nitride oxide (hereinafter also referred to as &quot; SiNO &quot;). The composition of the inorganic layer 14 can be measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).

이러한 무기층(14)을 지지 기판(12) 상에 형성함으로써, 고온 조건 하의 장시간 처리 후에도 무기층(14)과 유리 기판(18)의 접착을 억제할 수 있어, 박리성이 우수하다. 이 이유는 명백하지 않지만, Si와 C 또는 N의 전기 음성도의 차가 비교적 작은 것에 의하여, 고온 조건 하의 장시간 처리 후에도 무기층과 유리 기판 사이의 화학 결합에 대하여, 약한 결합에서 강한 결합으로의 전환이 발생하기 어려워지거나 하기 때문으로 생각된다.By forming the inorganic layer 14 on the support substrate 12, adhesion between the inorganic layer 14 and the glass substrate 18 can be suppressed even after prolonged processing under high temperature conditions, and the peelability is excellent. Although the reason for this is not clear, the fact that the difference in the electronegativity of Si and C or N is relatively small allows the transition from weak bonding to strong bonding to chemical bonding between the inorganic layer and the glass substrate even after prolonged treatment under high temperature conditions And it is thought that it is difficult to occur.

또한 본 발명에 있어서, 무기층 표면(14a)의 표면 조도 Ra는 2.00㎚ 이하가 바람직하고, 1.00㎚ 이하가 보다 바람직하며, 적층성 및 박리성의 관점에서 0.20 내지 1.00㎚가 더욱 바람직하다. 또한 Ra(산술 평균 조도)는 JIS B 0601(2001년 개정)에 따라 측정된다. JIS B 0601(2001년 개정)의 내용은 참조로서 여기에 포함된다.In the present invention, the surface roughness Ra of the inorganic layer surface 14a is preferably 2.00 nm or less, more preferably 1.00 nm or less, and still more preferably 0.20 to 1.00 nm from the viewpoint of lamination property and releasability. Ra (arithmetic average roughness) is measured according to JIS B 0601 (revised in 2001). The contents of JIS B 0601 (revised 2001) are incorporated herein by reference.

무기층(14)의 25 내지 300℃에 있어서의 평균 선팽창 계수(이하, 간단히 「평균 선팽창 계수」라고 함)는 특별히 한정되지 않지만, 지지 기판(12)으로서 유리판을 사용하는 경우에는 10×10-7 내지 200×10-7/℃가 바람직하다. 상기 범위이면 유리판(SiO2)과의 평균 선팽창 계수의 차가 작아져, 고온 환경 하에 있어서의 유리 기판(18)과, 무기층이 구비된 지지 기판(16)의 위치 어긋남을 억제할 수 있다.When the inorganic layer (hereinafter simply called "average linear thermal expansion coefficient") 14, 25 to 300 The average coefficient of linear expansion of the ℃ of is not particularly limited, however, to use a glass plate as a support substrate 12 is provided with 10 × 10 - 7 to 200 x 10 &lt; -7 &gt; / DEG C is preferable. In the above range, the difference in the coefficient of linear thermal expansion between the glass substrate (SiO 2 ) and the glass plate (SiO 2 ) is small, and the positional deviation between the glass substrate 18 and the support substrate 16 provided with the inorganic layer can be suppressed.

무기층(14)에는, 상술한 SiC, SiCO, SiN 및 SiNO로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 주성분으로서 포함되어 있는 것이 바람직하다. 여기서 주성분이란, 이들의 총 함유량이 무기층(14) 전량에 대하여 90질량% 이상인 것을 의미하고, 98질량% 이상이 바람직하며, 99질량% 이상이 보다 바람직하고, 99.999질량% 이상이 특히 바람직하다.The inorganic layer 14 preferably contains at least one kind selected from the group consisting of SiC, SiCO, SiN and SiNO as a main component. Here, the main component means that the total content thereof is 90% by mass or more, preferably 98% by mass or more, more preferably 99% by mass or more, and particularly preferably 99.999% by mass or more with respect to the total amount of the inorganic layer 14 .

무기층(14)의 두께로서는, 내찰상성의 관점에서는 5 내지 5000㎚가 바람직하고, 10 내지 500㎚가 보다 바람직하다.The thickness of the inorganic layer 14 is preferably 5 to 5000 nm, more preferably 10 to 500 nm, from the viewpoint of scratch resistance.

무기층(14)은 도 1에 있어서 단층으로서 기재되어 있지만, 2층 이상의 적층이어도 된다. 2층 이상의 적층의 경우, 각 층마다 상이한 조성이어도 된다. 또한 이 경우, 「무기층의 두께」는 모든 층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.The inorganic layer 14 is described as a single layer in Fig. 1, but may be a laminate of two or more layers. In the case of two or more layers, the composition may be different for each layer. In this case, the &quot; thickness of the inorganic layer &quot; means the total thickness of all the layers.

무기층(14)은 통상, 도 1에 도시한 바와 같이 지지 기판(12)의 전체면에 형성되지만, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 지지 기판(12) 표면 상의 일부에 형성되어 있어도 된다. 예를 들어 무기층(14)이 지지 기판(12) 표면 상에 섬형이나 스트라이프형으로 형성되어 있어도 된다.The inorganic layer 14 is usually formed on the entire surface of the support substrate 12 as shown in Fig. 1, but it may be formed on a part of the surface of the support substrate 12 within a range that does not impair the effect of the present invention . For example, the inorganic layer 14 may be formed on the surface of the support substrate 12 in a island shape or a stripe shape.

무기층(14)은 우수한 내열성을 나타낸다. 그로 인하여, 유리 적층체(10)를 고온 조건에 노출시키더라도 무기층 자체의 화학 변화가 일어나기 어렵고, 후술하는 유리 기판(18)과의 사이에서도 화학 결합을 발생시키기 어려워, 중박리화에 의한 유리 기판(18)에의 무기층(14)의 부착이 발생하기 어렵다.The inorganic layer 14 exhibits excellent heat resistance. Therefore, even if the glass laminate 10 is exposed to a high temperature condition, the chemical change of the inorganic layer itself is hard to occur and it is difficult to cause chemical bonding even with the glass substrate 18 described later, The adhesion of the inorganic layer 14 to the substrate 18 is less likely to occur.

여기서 중박리화란, 무기층(14)과 유리 기판(18)의 계면의 박리 강도가, 지지 기판(12)과 무기층(14)의 계면의 박리 강도 및 무기층(14)의 재료 자체의 강도(벌크 강도) 중 어느 하나보다 커지는 것을 말한다. 무기층(14)과 유리 기판(18)의 계면에서 중박리화가 일어나면, 유리 기판(18) 표면에 무기층(14)의 성분이 부착되기 쉬워, 그 표면의 청정화가 곤란해지기 쉽다. 유리 기판(18) 표면에의 무기층(14)의 부착이란, 무기층(14) 전체가 유리 기판(18) 표면에 부착되는 것, 및 무기층(14) 표면이 손상되어 무기층(14) 표면의 성분의 일부가 유리 기판(18) 표면에 부착되는 것 등을 의미한다.The peeling strength at the interface between the inorganic layer 14 and the glass substrate 18 is determined by the peeling strength at the interface between the supporting substrate 12 and the inorganic layer 14 and the strength of the material itself of the inorganic layer 14 (Bulk strength). If the interface between the inorganic layer 14 and the glass substrate 18 is heavy, the component of the inorganic layer 14 easily adheres to the surface of the glass substrate 18, and the surface of the glass substrate 18 tends to be difficult to be cleaned. The attachment of the inorganic layer 14 to the surface of the glass substrate 18 means that the entire inorganic layer 14 adheres to the surface of the glass substrate 18 and that the surface of the inorganic layer 14 is damaged, A part of the surface component is attached to the surface of the glass substrate 18, and the like.

(무기층이 구비된 지지 기판의 제조 방법)(Manufacturing method of supporting substrate provided with inorganic layer)

무기층이 구비된 지지 기판(16)의 제조 방법으로서는, 예를 들어 증착법, 스퍼터링법 또는 CVD법 등의 방법을 채용할 수 있지만, 스퍼터링법의 경우, 구체적으로는, 예를 들어 SiC 타깃 또는 SiN 타깃을 사용하여, Ar 등의 불활성 가스, 또는 불활성 가스와 O2 또는 CO2 등의 산소 원자 함유 가스의 혼합 가스를 도입하면서, 지지 기판(12) 상에 무기층(14)을 형성하는 방법을 들 수 있다. 또한 제조 조건은 사용되는 재료 등에 따라 적절히 최적의 조건이 선택된다.As the method for producing the support substrate 16 provided with the inorganic layer, for example, a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method or the like can be employed. In the case of the sputtering method, for example, SiC target or SiN A method of forming the inorganic layer 14 on the support substrate 12 while introducing a mixed gas of an inert gas such as Ar or an inert gas and an oxygen atom containing gas such as O 2 or CO 2 . The optimum conditions for the production conditions are appropriately selected according to the materials to be used and the like.

또한 지지 기판(12) 상에 무기층(14)을 형성한 후, 무기층 표면(14a)의 표면 조도 Ra를 제어하기 위하여, 무기층(14)의 표면을 깎는 처리를 실시할 수 있다. 상기 처리로서는, 예를 들어 이온 스퍼터링법 등을 들 수 있다.After the formation of the inorganic layer 14 on the support substrate 12, the surface of the inorganic layer 14 may be subjected to a cutting process in order to control the surface roughness Ra of the inorganic layer surface 14a. As the above-mentioned treatment, for example, ion sputtering and the like can be mentioned.

[유리 기판][Glass Substrate]

유리 기판(18)은, 제1 주면(18a)이 무기층(14)과 밀착하고, 무기층(14)측과는 반대측의 제2 주면(18b)에, 후술하는 전자 디바이스용 부재가 설치된다.The glass substrate 18 is provided with a later-described electronic device member on the second main surface 18b of the first main surface 18a in close contact with the inorganic layer 14 and on the opposite side of the inorganic layer 14 side .

유리 기판(18)의 종류는 일반적인 것이어도 되며, 예를 들어 LCD, OLED와 같은 표시 장치용 유리 기판 등을 들 수 있다. 유리 기판(18)은 내약품성, 내투습성이 우수하고, 또한 열수축률이 낮다. 열수축률의 지표로서는 JIS R 3102(1995년 개정)에 규정되어 있는 선팽창 계수가 사용된다. JIS R 3102(1995년 개정)의 내용은 참조로서 여기에 포함된다.The type of the glass substrate 18 may be a general one, and examples thereof include glass substrates for display devices such as LCDs and OLEDs. The glass substrate 18 is excellent in chemical resistance and moisture permeability, and has a low heat shrinkage ratio. The coefficient of linear expansion specified in JIS R 3102 (revised in 1995) is used as an index of the heat shrinkage ratio. The contents of JIS R 3102 (revised 1995) are incorporated herein by reference.

유리 기판(18)은 유리 원료를 용융시키고, 용융 유리를 판상으로 성형하여 얻어진다. 이러한 성형 방법은 일반적인 것이어도 되며, 예를 들어 플로트법, 퓨전법, 슬롯 다운드로법, 푸르콜법, 러버스법 등이 사용된다. 또한 특히 두께가 얇은 유리 기판은, 일단 판상으로 성형한 유리를 성형 가능 온도로 가열하고, 연신 등의 수단으로 잡아늘여 얇게 하는 방법(리드로법)으로 성형하여 얻어진다.The glass substrate 18 is obtained by melting a glass raw material and molding the molten glass into a plate. Such a molding method may be a general one, and for example, a float method, a fusion method, a slot down-draw method, a furcall method, a lubrication method, or the like is used. Particularly, a glass substrate having a small thickness can be obtained by a method in which a glass molded into a plate shape is once heated to a molding temperature and thinly stretched by stretching or the like (lead furnace method).

유리 기판(18)의 유리는 특별히 한정되지 않지만, 무알칼리 붕규산 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 그 외의 산화규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리가 바람직하다. 산화물계 유리로서는, 산화물 환산에 의한 산화규소의 함유량이 40 내지 90질량%인 유리가 바람직하다.The glass of the glass substrate 18 is not particularly limited, but is preferably an alkali-free borosilicate glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, or other oxide-based glass mainly containing silicon oxide. As the oxide-based glass, a glass having a silicon oxide content of 40 to 90 mass% in terms of an oxide is preferable.

유리 기판(18)의 유리로서는, 디바이스의 종류나 그의 제조 공정에 적합한 유리가 채용된다. 예를 들어 액정 패널용 유리 기판은, 알칼리 금속 성분의 용출이 액정에 영향을 주기 쉬우므로, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리(무알칼리 유리)를 포함한다(단, 통상, 알칼리 토금속 성분은 포함됨). 이와 같이 유리 기판(18)의 유리는, 적용되는 디바이스의 종류 및 그의 제조 공정에 기초하여 적절히 선택된다.As the glass for the glass substrate 18, glass suitable for the kind of device and its manufacturing process is employed. For example, a glass substrate for a liquid crystal panel includes a glass (alkali-free glass) substantially free of an alkali metal component since the elution of the alkali metal component is likely to affect the liquid crystal (note that generally, Is included). Thus, the glass of the glass substrate 18 is appropriately selected based on the kind of device to be applied and the manufacturing process thereof.

유리 기판(18)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 유리 기판(18)의 박형화 및/또는 경량화의 관점에서 통상 0.8㎜ 이하이고, 바람직하게는 0.3㎜ 이하이며, 더욱 바람직하게는 0.15㎜ 이하이다. 0.8㎜ 초과의 경우, 유리 기판(18)의 박형화 및/또는 경량화의 요구를 만족시킬 수 없다. 0.3㎜ 이하의 경우, 유리 기판(18)에 양호한 가요성을 부여하는 것이 가능하다. 0.15㎜ 이하의 경우, 유리 기판(18)을 롤형으로 권취하는 것이 가능하다. 또한 유리 기판(18)의 두께는, 유리 기판(18)의 제조가 용이할 것, 유리 기판(18)의 취급이 용이할 것 등의 이유에서 0.03㎜ 이상이 바람직하다.Although the thickness of the glass substrate 18 is not particularly limited, it is usually 0.8 mm or less, preferably 0.3 mm or less, more preferably 0.15 mm or less from the viewpoints of reducing the thickness and / or weight of the glass substrate 18. If it is more than 0.8 mm, the glass substrate 18 can not satisfy the requirement for reduction in thickness and / or weight. When the thickness is 0.3 mm or less, it is possible to impart good flexibility to the glass substrate 18. When the thickness is 0.15 mm or less, the glass substrate 18 can be rolled up in a roll form. The thickness of the glass substrate 18 is preferably 0.03 mm or more for ease of manufacturing the glass substrate 18 and easy handling of the glass substrate 18. [

또한 유리 기판(18)은 2층 이상으로 이루어져 있어도 되며, 이 경우, 각각의 층을 형성하는 재료는 동종 재료이어도 되고 이종 재료이어도 된다. 또한 이 경우, 「유리 기판의 두께」는 모든 층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.Further, the glass substrate 18 may be composed of two or more layers, and in this case, the materials for forming the respective layers may be the same material or different materials. In this case, the &quot; thickness of the glass substrate &quot; means the total thickness of all the layers.

유리 기판(18)의 제1 주면(18a) 상에는 무기 박막층이 더 적층되어 있어도 된다. 무기 박막층이 유리 기판(18) 상에 배치(고정)되는 경우, 유리 적층체 중에 있어서는, 무기층이 구비된 지지 기판(16)의 무기층(14)과 무기 박막층이 접촉한다. 무기 박막층을 유리 기판(18) 상에 설치함으로써, 고온 조건 하의 장시간 처리 후에도 유리 기판(18)과, 무기층이 구비된 지지 기판(16)의 접착을 보다 억제할 수 있다.An inorganic thin film layer may be further stacked on the first main surface 18a of the glass substrate 18. [ When the inorganic thin film layer is arranged (fixed) on the glass substrate 18, the inorganic thin film layer and the inorganic layer 14 of the supporting substrate 16 provided with the inorganic layer are in contact with each other in the glass laminate. By providing the inorganic thin film layer on the glass substrate 18, adhesion of the glass substrate 18 and the support substrate 16 provided with the inorganic layer can be further suppressed even after long time processing under high temperature conditions.

무기 박막층의 형태는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산질화물, 금속 탄화물, 금속 탄질화물, 금속 규화물 및 금속 불화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함한다. 그 중에서도 유리 기판(18)의 박리성이 보다 우수한 점에서, 금속 산화물을 포함하는 것이 바람직하고, 산화인듐주석이 보다 바람직하다.The form of the inorganic thin film layer is not particularly limited, but preferably includes at least one selected from the group consisting of a metal oxide, a metal nitride, a metal oxynitride, a metal carbide, a metal carbonitride, a metal silicide and a metal fluoride. Among them, a metal oxide is preferable, and indium tin oxide is more preferable because the glass substrate 18 is more excellent in peelability.

금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산질화물로서는, 예를 들어 Si, Hf, Zr, Ta, Ti, Y, Nb, Na, Co, Al, Zn, Pb, Mg, Bi, La, Ce, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy, Er, Sr, Sn, In 및 Ba로부터 선택되는 1종류 이상의 원소의 산화물, 질화물, 산질화물을 들 수 있다. 보다 구체적으로는 산화티타늄(TiO2), 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 산화갈륨(Ga2O3), 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화아연주석(ZTO), 갈륨 첨가 산화아연(GZO) 등을 들 수 있다.As the metal oxides, metal nitrides and metal oxynitrides, for example, Si, Hf, Zr, Ta, Ti, Y, Nb, Na, Co, Al, Zn, Pb, Mg, Bi, La, Ce, Oxides, nitrides and oxynitrides of one or more elements selected from Eu, Gd, Dy, Er, Sr, Sn, In and Ba. More specifically, a metal oxide such as titanium oxide (TiO 2 ), indium oxide (In 2 O 3 ), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), gallium oxide (Ga 2 O 3 ), indium tin oxide Indium zinc (IZO), zinc oxide tin (ZTO), and gallium-doped zinc oxide (GZO).

금속 탄화물, 금속 탄질화물로서는, 예를 들어 Ti, W, Si, Zr, Nb로부터 선택되는 1종 이상의 원소의 탄화물, 탄질화물을 들 수 있다. 금속 규화물로서는, 예를 들어 Mo, W, Cr로부터 선택되는 1종 이상의 원소의 규화물을 들 수 있다. 금속 불화물로서는, 예를 들어 Mg, Y, La, Ba로부터 선택되는 1종 이상의 원소의 불화물을 들 수 있다.Examples of the metal carbides and metal carbonitrides include carbides and carbonitrides of at least one element selected from Ti, W, Si, Zr and Nb. Examples of the metal silicide include a silicide of at least one element selected from Mo, W and Cr. Examples of the metal fluoride include fluorides of at least one element selected from Mg, Y, La, and Ba.

<유리 적층체>&Lt; Glass laminate &

본 발명의 유리 적층체(10)는, 상술한, 무기층이 구비된 지지 기판(16)의 무기층 표면(14a)과 유리 기판(18)의 제1 주면(18a)를 적층면으로 하여, 무기층이 구비된 지지 기판(16)과 유리 기판(18)을 박리 가능하게 적층하여 이루어지는 적층체이다. 바꾸어 말하면, 지지 기판(12)과 유리 기판(18) 사이에 무기층(14)이 개재하는 적층체이다.The glass laminate 10 of the present invention has the inorganic layer surface 14a of the support substrate 16 provided with the inorganic layer and the first main surface 18a of the glass substrate 18 as the lamination surface, A support substrate 16 provided with an inorganic layer and a glass substrate 18 are laminated so as to be peelable. In other words, it is a laminate in which the inorganic layer 14 is interposed between the support substrate 12 and the glass substrate 18. [

<유리 적층체의 제조 방법>&Lt; Production method of glass laminate >

(적층 공정)(Lamination step)

본 발명의 유리 적층체의 제조 방법은, 무기층(14) 상에 유리 기판(18)을 적층시키는 적층 공정을 구비한다. 여기서 유리 기판(18)을 적층시키는 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는 상압 환경 하에서 무기층이 구비된 지지 기판(16)과 유리 기판(18)을 중첩시킨 후에, 예를 들어 유리 기판(18)의 자중 또는 유리 기판(18)의 제2 주면(18b)을 가볍게 1군데 누르는 것에 의하여 중첩면 내에 밀착 기점을 발생시키고, 그 밀착 기점으로부터 밀착을 자연스럽게 확장하는 방법; 롤이나 프레스를 사용하여 압착함으로써 밀착 기점으로부터의 밀착을 확장하는 방법; 등을 들 수 있다. 롤이나 프레스에 의한 압착은, 무기층(14)과 유리 기판(18)이 보다 밀착하고, 양자 간에 혼입되어 있는 기포가 비교적 용이하게 제거되므로 바람직하다.The method for producing a glass laminate of the present invention includes a lamination step of laminating a glass substrate 18 on an inorganic layer 14. [ The method for laminating the glass substrate 18 is not particularly limited. Specifically, after the support substrate 16 provided with the inorganic layer is superimposed on the glass substrate 18 under an atmospheric pressure environment, for example, the glass substrate 18 ) Or by slightly pressing the second main surface 18b of the glass substrate 18 at one place to generate a contact starting point in the overlapping surface and to naturally expand the contact from the contact starting point; A method of expanding the adhesion from the contact starting point by pressing using a roll or press; And the like. Compression by roll or press is preferable because the inorganic layer 14 and the glass substrate 18 are in close contact with each other and the bubbles mixed in between them are relatively easily removed.

또한 진공 라미네이트법이나 진공 프레스법에 의하여 압착하면, 기포의 혼입의 억제나 양호한 밀착의 확보가 바람직하게 행해지므로 보다 바람직하다. 진공 하에서 압착함으로써, 미소한 기포가 잔존했을 경우에도 가열에 의하여 기포가 성장하지 않아, 왜곡 결함으로 이어지기 어렵다는 이점도 있다.Further, it is more preferable to press it by a vacuum laminating method or a vacuum press method, because mixing of bubbles is suppressed and good adhesion is ensured. By pressing under vacuum, bubbles do not grow due to heating even when minute bubbles remain, which is an advantage that it is difficult to cause distortion defects.

무기층이 구비된 지지 기판(16)과 유리 기판(18)을 박리 가능하게 밀착시킬 때는, 무기층(14) 및 유리 기판(18)이 서로 접촉하는 측의 면을 충분히 세정하여, 청결도가 높은 환경에서 적층하는 것이 바람직하다. 청결도가 높을수록 그 평탄성은 양호해지므로 바람직하다.When the support substrate 16 provided with the inorganic layer and the glass substrate 18 are brought into peelable contact with each other, the surface on the side where the inorganic layer 14 and the glass substrate 18 are in contact with each other is thoroughly cleaned, It is preferable to laminate it in an environment. The higher the cleanliness, the better the flatness is.

세정의 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 무기층(14) 또는 유리 기판(18)의 표면을 알칼리 수용액으로 세정한 후, 추가로 물을 사용하여 세정하는 방법을 들 수 있다.The cleaning method is not particularly limited. For example, a method of cleaning the surface of the inorganic layer 14 or the glass substrate 18 with an aqueous alkali solution, followed by further cleaning with water.

(가열 처리 공정)(Heat treatment step)

본 발명의 유리 적층체의 제조 방법은, 적층 공정 후에, 하기 (a) 내지 (d)의 조건을 만족시키는 가열 처리를 행하는 가열 처리 공정을 구비한다.The method for producing a glass laminate according to the present invention comprises a heat treatment step for performing a heat treatment which satisfies the following conditions (a) to (d) after the laminating step.

(a) 승온 속도: 300℃/분 이하(a) Heating rate: 300 占 폚 / min or less

(b) 가열 온도: 150 내지 600℃(b) Heating temperature: 150 to 600 DEG C

(c) 유지 시간: 0.5분 이상(c) Holding time: 0.5 minutes or more

(d) 분위기: 대기압 상태 또는 감압 상태의 대기 분위기 또는 불활성 가스 분위기, 또는 진공 분위기(d) Atmosphere: atmosphere of atmospheric pressure or reduced pressure, inert gas atmosphere, or vacuum atmosphere

무기층이 구비된 지지 기판(16)이, 상술한 조성을 채용한 무기층(14)을 갖는 경우에 있어서는 (a) 내지 (d)의 조건을 만족시키는 가열 처리를 실시함으로써, 적층 유지성이 우수하다. 이는, 적층 공정에 있어서 무기층(14)과 유리 기판(18)의 계면에 작용하는 것은 약한 분자간력(예를 들어, 반데발스 힘이나 수소 결합 등)인 한편, 상기 (a) 내지 (d)의 조건의 범위 내에서 적절한 열을 가하면, 그 분자간력 외에 계면에서의 적당한 산소 확산 반응이 일어나고, 이것에 의하여 접착력이 향상되기 때문인 것으로 생각된다.In the case where the support substrate 16 provided with the inorganic layer has the inorganic layer 14 employing the composition described above, the heat treatment is performed satisfying the conditions (a) to (d) . This is because the weak intermolecular force (for example, a van der Waals force or a hydrogen bond) acting on the interface between the inorganic layer 14 and the glass substrate 18 in the laminating process, The appropriate oxygen diffusion reaction occurs at the interface other than the intermolecular force, thereby improving the adhesive force.

(a) 승온 속도는 300℃/분을 초과하면 적층 유지성이 떨어지지만, 300℃/분 이하이면 적층 유지성이 우수하다. (a) 승온 속도는 가열 도중에서의 부분 박리가 적고, 적층 유지 상태가 면내 균일하여, 적층 유지성이 보다 우수하다는 이유에서는 250℃/분 이하가 바람직하고, 200℃/분 이하가 보다 바람직하며, 100℃/분 이하가 더욱 바람직하다. 또한 (a) 승온 속도는 0.1℃/분 이상이 바람직하다.(a) When the heating rate is more than 300 ° C / minute, the laminate retention property is poor, but when it is 300 ° C / minute or less, the laminate retention property is excellent. (a) The rate of temperature rise is preferably 250 占 폚 / min or less, more preferably 200 占 폚 / min or less, because partial peeling is small during heating, the laminate holding state is in-plane uniform, And more preferably 100 ° C / minute or less. Also, (a) the heating rate is preferably 0.1 ° C / min or more.

(b) 가열 온도는 상기 (a)의 승온 속도로 승온한 후에 유지되는 온도이며, 150℃ 미만이면 적층 유지성이 떨어지지만, 150 내지 600℃의 범위이면 적층 유지성이 우수하고, 또한 박리성도 우수하다. (b) 가열 온도는, 적층 유지성이 보다 우수하다는 이유에서는 200℃ 이상이 바람직하고, 250 내지 350℃가 보다 바람직하다.(b) The heating temperature is maintained at a temperature elevating rate of (a). When the heating temperature is lower than 150 ° C, the laminate retention property is deteriorated. When the temperature is in the range of 150 to 600 ° C, the laminate retention property is excellent and the peeling property is also excellent . The heating temperature (b) is preferably 200 占 폚 or higher, more preferably 250 占 폚 to 350 占 폚, in view of superior laminating and maintaining properties.

(c) 유지 시간은 상기 (b)의 가열 온도를 유지하는 시간이며, 0.5분(30초) 미만이면 적층 유지성이 떨어지지만, 0.5분(30초) 이상이면 적층 유지성이 우수하다. (c) 유지 시간은, 적층 유지성이 보다 우수하다는 이유에서는 1 내지 60분이 바람직하고, 3 내지 10분이 보다 바람직하다.(c) The holding time is a time for maintaining the heating temperature of (b) above. If it is less than 0.5 minute (30 seconds), the laminate retention becomes poor. (c) The holding time is preferably from 1 to 60 minutes, more preferably from 3 to 10 minutes, because the holding time is better.

(d) 분위기는 상기 (a)의 조건으로 승온되고, 또한 상기 (b) 및 (c)의 조건으로 가열될 때의 분위기이며, 대기압 상태 또는 감압 상태의 대기 분위기 또는 불활성 가스 분위기, 또는 진공 분위기이면 특별히 한정되지 않는다. 여기서 불활성 가스로서는, 예를 들어 Ar 가스, N2 가스 등을 들 수 있다.(d) The atmosphere is an atmosphere in which the temperature is raised under the conditions of (a) and heated under the conditions of (b) and (c), and the atmosphere is an atmospheric pressure or reduced pressure, Is not particularly limited. Examples of the inert gas include Ar gas, N 2 gas, and the like.

본 발명의 유리 적층체의 제조 방법에 의하여 얻어지는 유리 적층체(10)는 다양한 용도로 사용할 수 있으며, 예를 들어 후술하는 표시 장치용 패널, PV, 박막 2차 전지, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품을 제조하는 용도 등을 들 수 있다. 또한 상기 용도에서는 유리 적층체(10)가 고온 조건(예를 들어 350℃ 이상)으로 노출되는(예를 들어 1시간 이상) 경우가 많다.The glass laminate 10 obtained by the method for producing a glass laminate of the present invention can be used for various purposes. For example, the glass laminate 10 can be used for display panel, PV, thin film secondary battery, And the like, and the like. Further, in the above applications, the glass laminate 10 is often exposed to high temperature conditions (for example, 350 DEG C or more) (for example, 1 hour or more).

여기서 표시 장치용 패널이란, LCD, OLED, 전자 종이, 필드 에미션 패널, 양자 도트 LED 패널, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 셔터 패널 등이 포함된다.Here, the panel for a display device includes an LCD, an OLED, an electronic paper, a field emission panel, a quantum dot LED panel, a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) shutter panel, and the like.

<전자 디바이스 및 그의 제조 방법>&Lt; Electronic device and method for manufacturing the same &

다음으로 전자 디바이스 및 그의 제조 방법의 적합한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.Next, a suitable embodiment of the electronic device and its manufacturing method will be described in detail.

도 2는 본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법의 적합한 실시 형태에 있어서의 각 제조 공정을 순서대로 도시하는 모식적 단면도이다. 본 발명의 전자 디바이스의 적합한 실시 형태는 부재 형성 공정 및 분리 공정을 구비한다.Fig. 2 is a schematic cross-sectional view showing, in order, respective manufacturing steps in a preferred embodiment of the method of manufacturing an electronic device of the present invention. A preferred embodiment of the electronic device of the present invention comprises a member forming process and a separation process.

이하에 도 2를 참조하면서, 각 공정에서 사용되는 재료 및 그의 수순에 대하여 상세하게 설명한다. 우선 부재 형성 공정에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the material used in each step and the procedure thereof will be described in detail with reference to FIG. The preferred member forming process will be described in detail.

[부재 형성 공정][Member forming process]

부재 형성 공정은 유리 적층체 중의 유리 기판 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하는 공정이다.The member forming step is a step of forming an electronic device member on the glass substrate in the glass laminate.

보다 구체적으로는, 도 2의 (A)에 도시한 바와 같이 본 공정에 있어서 유리 기판(18)의 제2 주면(18b) 상에 전자 디바이스용 부재(20)가 형성되고, 전자 디바이스용 부재가 구비된 적층체(22)가 제조된다.More specifically, as shown in Fig. 2A, the electronic device member 20 is formed on the second main surface 18b of the glass substrate 18 in this step, and the electronic device member The laminated body 22 is prepared.

우선 본 공정에서 사용되는 전자 디바이스용 부재(20)에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후속 공정의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.First, the electronic device member 20 used in this process will be described in detail and the procedure of the subsequent process will be described in detail.

(전자 디바이스용 부재(기능성 소자))(Member for electronic device (functional element))

전자 디바이스용 부재(20)는 유리 적층체(10) 중의 유리 기판(18)의 제2 주면(18b) 상에 형성되어, 전자 디바이스의 적어도 일부를 구성하는 부재이다. 보다 구체적으로는, 전자 디바이스용 부재(20)로서는 표시 장치용 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품 등에 사용되는 부재를 들 수 있다. 표시 장치용 패널로서는 유기 EL 패널, 필드 에미션 패널 등이 포함된다.The member 20 for the electronic device is a member formed on the second main surface 18b of the glass substrate 18 in the glass laminate 10 and constituting at least a part of the electronic device. More specifically, examples of the member 20 for an electronic device include a member used for a display device panel, a solar cell, a thin-film secondary battery, and an electronic part such as a semiconductor wafer on which a circuit is formed on a surface. The panel for a display device includes an organic EL panel, a field emission panel, and the like.

예를 들어 태양 전지용 부재로서는, 실리콘형으로는 정극의 산화주석 등 투명 전극, p층/i층/n층으로 나타나는 실리콘층 및 부극의 금속 등을 들 수 있으며, 그 외에 화합물형, 색소 증감형, 양자 도트형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.Examples of members for solar cells include a transparent electrode such as a tin oxide of a positive electrode in a silicon type, a silicon layer and a metal of a negative electrode in the form of p layer / i layer / n layer, and the like, , A quantum dot type, and the like.

또한 박막 2차 전지용 부재로서는, 리튬 이온형에서는 정극 및 부극의 금속 또는 금속 산화물 등의 투명 전극, 전해질층의 리튬 화합물, 집전층의 금속, 밀봉층으로서의 수지 등을 들 수 있으며, 그 외에 니켈 수소형, 중합체형, 세라믹스 전해질형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.Examples of members for a thin film secondary battery include a transparent electrode such as a metal or a metal oxide of a positive electrode and a negative electrode in a lithium ion type, a lithium compound in an electrolyte layer, a metal in a current collecting layer, a resin as a sealing layer, Various members corresponding to small size, polymer type, ceramics electrolyte type, and the like.

또한 전자 부품용 부재로서는, CCD나 CMOS에서는 도전부의 금속, 절연부의 산화규소나 질화규소 등을 들 수 있으며, 그 외에 압력 센서·가속도 센서 등 각종 센서나 리지드 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 리지드 플렉시블 프린트 기판 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.Examples of the electronic component member include metal of a conductive part in a CCD or CMOS, silicon oxide in an insulating part and silicon nitride, and various sensors such as a pressure sensor and an acceleration sensor, a rigid printed board, a flexible printed board, a rigid flexible printed board And the like.

(공정의 수순)(Process procedure)

상술한 전자 디바이스용 부재가 구비된 적층체(22)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않으며, 전자 디바이스용 부재의 구성 부재의 종류에 따라, 종래 공지된 방법으로 유리 적층체(10)의 유리 기판(18)의 제2 주면(18b) 상에 전자 디바이스용 부재(20)를 형성한다.The method of manufacturing the laminated body 22 provided with the above-described electronic device member is not particularly limited, and the method of manufacturing the laminated body 22 of the glass laminate 10 (20) is formed on the second main surface (18b) of the second substrate (18).

또한 전자 디바이스용 부재(20)는 유리 기판(18)의 제2 주면(18b)에 최종적으로 형성되는 부재의 전체(이하, 「전체 부재」라고 함)가 아니라, 전체 부재의 일부(이하, 「부분 부재」라고 함)이어도 된다. 부분 부재가 구비된 유리 기판을, 그 후의 공정에서 전체 부재가 구비된 유리 기판(후술하는 전자 디바이스에 상당)으로 할 수도 있다. 또한 전체 부재가 구비된 유리 기판에는, 그 박리면(제1 주면)에 다른 전자 디바이스용 부재가 형성되어도 된다. 또한 전체 부재를 구비한 적층체를 조립하고, 그 후 전체 부재를 구비한 적층체로부터 무기층이 구비된 지지 기판(16)을 박리하여, 전자 디바이스를 제조할 수도 있다. 또한 전체 부재를 구비한 적층체를 2매 사용하여 전자 디바이스를 조립하고, 그 후 전체 부재를 구비한 적층체로부터 2매의 무기층이 구비된 지지 기판(16)을 박리하여, 2매의 유리 기판을 갖는 전자 디바이스를 제조할 수도 있다.The electronic device member 20 is not a whole member (hereinafter, referred to as an "entire member") finally formed on the second main surface 18b of the glass substrate 18 but a part Quot; partial member &quot;). The glass substrate provided with the partial member may be a glass substrate (corresponding to an electronic device described later) provided with the entire member in the subsequent steps. Further, the glass substrate provided with the entire member may be provided with another electronic device member on its peeling surface (first main surface). Further, the electronic device can be manufactured by assembling a laminate having all the members, and thereafter peeling the support substrate 16 provided with the inorganic layer from the laminate having the entire members. Further, the electronic device is assembled by using two laminated bodies having the entire members, and then the supporting substrate 16 provided with two inorganic layers is peeled from the laminated body having the entire members, An electronic device having a substrate may be manufactured.

예를 들어 OLED를 제조하는 경우를 예로 들면, 유리 적층체(10)의 유리 기판(18)의 제2 주면(18b)의 표면 상에 유기 EL 구조체를 형성하기 위하여 투명 전극을 형성하거나, 투명 전극을 형성한 면 상에 홀 주입층·홀 수송층·발광층·전자 수송층 등을 더 증착하거나, 이면 전극을 형성하거나, 밀봉판을 사용하여 밀봉하는 등의 각종 층 형성이나 처리가 행해진다. 이들 층 형성이나 처리로서, 구체적으로는 성막 처리, 증착 처리, 밀봉판의 접착 처리 등을 들 수 있다.For example, in the case of manufacturing an OLED, a transparent electrode may be formed to form an organic EL structure on the surface of the second main surface 18b of the glass substrate 18 of the glass laminate 10, A hole injection layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, or the like is further deposited on the surface on which the electron transport layer is formed, a back electrode is formed, or sealing is performed using a sealing plate. Specific examples of these layer formation and treatment include film forming treatment, vapor deposition treatment, bonding treatment of a sealing plate, and the like.

또한 예를 들어 TFT-LCD의 제조 방법은, 유리 적층체(10)의 유리 기판(18)의 제2 주면(18b) 상에 레지스트액을 사용하여, CVD법 및 스패터법 등 일반적인 성막법에 의하여 형성되는 금속막 및 금속 산화막 등에 패턴 형성하여 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하는 TFT 형성 공정과, 다른 유리 적층체(10)의 유리 기판(18)의 제2 주면(18b) 상에, 레지스트액을 패턴 형성에 사용하여 컬러 필터(CF)를 형성하는 CF 형성 공정과, TFT가 구비된 디바이스 기판과, CF가 구비된 디바이스 기판을 적층하는 접합 공정 등의 각종 공정을 갖는다.For example, a manufacturing method of a TFT-LCD is a method of manufacturing a TFT-LCD by using a resist solution on a second main surface 18b of a glass substrate 18 of a glass laminate 10 by a general film forming method such as a CVD method and a sputtering method A TFT forming step of forming a thin film transistor (TFT) by forming a pattern on a metal film and a metal oxide film to be formed on the first main surface 18b of the glass laminate 10; A CF forming step of forming a color filter CF by use of a pattern, a device substrate provided with a TFT, and a bonding step of laminating a CF substrate.

TFT 형성 공정이나 CF 형성 공정에서는, 주지의 포토리소그래피 기술이나 에칭 기술 등을 사용하여, 유리 기판(18)의 제2 주면(18b)에 TFT나 CF를 형성한다. 이때, 패턴 형성용 코팅액으로서 레지스트액이 사용된다.In the TFT forming step and the CF forming step, a TFT or CF is formed on the second main surface 18b of the glass substrate 18 by using a well-known photolithography technique or an etching technique. At this time, a resist solution is used as a coating liquid for pattern formation.

또한 TFT나 CF를 형성하기 전에, 필요에 따라 유리 기판(18)의 제2 주면(18b)을 세정해도 된다. 세정 방법으로서는 주지의 건식 세정이나 습식 세정을 사용할 수 있다.Further, the second main surface 18b of the glass substrate 18 may be cleaned before forming the TFT or the CF, if necessary. As the cleaning method, well-known dry cleaning or wet cleaning can be used.

접합 공정에서는, TFT가 구비된 적층체와 CF가 구비된 적층체 사이에 액정 재를 주입하여 적층한다. 액정재를 주입하는 방법으로서는, 예를 들어 감압 주입법, 적하 주입법이 있다.In the bonding step, a liquid crystal material is injected between the laminated body provided with the TFT and the laminated body provided with the CF, and laminated. As a method of injecting the liquid crystal material, for example, there are a reduced pressure injection method and a dropping injection method.

[분리 공정][Separation Process]

분리 공정은 상기 부재 형성 공정에서 얻어진, 전자 디바이스용 부재가 구비된 적층체(22)로부터 무기층이 구비된 지지 기판(16)을 박리하여, 전자 디바이스용 부재(20) 및 유리 기판(18)을 포함하는 전자 디바이스(24)(전자 디바이스용 부재가 구비된 유리 기판)를 얻는 공정이다. 즉, 전자 디바이스용 부재가 구비된 적층체(22)를 무기층이 구비된 지지 기판(16)과, 전자 디바이스용 부재가 구비된 유리 기판(24)으로 분리하는 공정이다.In the separation step, the support substrate 16 provided with the inorganic layer is peeled off from the laminate 22 provided with the electronic device member obtained in the above-mentioned member formation step to form the electronic device member 20 and the glass substrate 18, (A glass substrate provided with a member for an electronic device). That is, the laminate 22 provided with the electronic device member is separated into a support substrate 16 provided with an inorganic layer and a glass substrate 24 provided with an electronic device member.

박리 시의 유리 기판(18) 상의 전자 디바이스용 부재(20)가 필요한 전체 구성 부재의 일부인 경우에는, 분리 후 나머지 구성 부재를 유리 기판(18) 상에 형성할 수도 있다.If the electronic device member 20 on the glass substrate 18 at the time of peeling is a part of all the necessary constituent members, the remaining constituent members may be formed on the glass substrate 18 after the detachment.

무기층(14)의 무기층 표면(14a)과 유리 기판(18)의 제1 주면(18a)을 박리(분리)하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 무기층(14)과 유리 기판(18)의 계면에 예리한 칼날형의 것을 삽입하여 박리의 계기를 부여한 후에, 물과 압축 공기의 혼합 유체를 분사하거나 하여 박리할 수 있다.A method of separating (separating) the inorganic layer surface 14a of the inorganic layer 14 from the first main surface 18a of the glass substrate 18 is not particularly limited. For example, a blade having a sharp blade shape may be inserted into the interface between the inorganic layer 14 and the glass substrate 18 to give a moment of peeling, and then a mixed fluid of water and compressed air may be injected and separated.

바람직하게는 전자 디바이스용 부재가 구비된 적층체(22)의 지지 기판(12)이 상측, 전자 디바이스용 부재(20)측이 하측으로 되도록 정반 상에 설치하고, 전자 디바이스용 부재(20)측을 정반 상에 진공 흡착하고(양면에 지지 기판이 적층되어 있는 경우에는 순차 행함), 이 상태에서 우선 무기층(14)과 유리 기판(18)의 계면에 칼날을 침입시킨다. 그리고 그 후에 지지 기판(12)측을 복수의 진공 흡착 패드로 흡착하고, 칼날을 삽입한 곳 부근부터 순서대로 진공 흡착 패드를 상승시킨다. 그렇게 하면 무기층(14)과 유리 기판(18)의 계면에 공기층이 형성되고, 그 공기층이 계면의 전체면으로 퍼져, 무기층이 구비된 지지 기판(16)을 용이하게 박리할 수 있다.Preferably, the support substrate 12 of the layered product 22 provided with the electronic device member is provided on the upper surface side, and the electronic device member 20 side is provided on the lower surface side, and the electronic device member 20 side (In the case where the supporting substrates are laminated on both surfaces thereof), and the blade is first intruded into the interface between the inorganic layer 14 and the glass substrate 18 in this state. Then, the support substrate 12 side is adsorbed by a plurality of vacuum adsorption pads, and the vacuum adsorption pads are raised in order from the vicinity of the place where the blades are inserted. An air layer is formed at the interface between the inorganic layer 14 and the glass substrate 18 and the air layer spreads over the entire surface of the interface so that the support substrate 16 provided with the inorganic layer can be easily peeled off.

또한 예를 들어 무기층이 구비된 지지 기판(16)의 일부를 유리 기판(18)으로부터 돌출시켜 적층했을 경우, 유리 기판(18)을 고정대(후술하는 도 3 중의 도면 부호 (31)을 참조)에 고정하고 상기와 같이 박리의 계기를 부여한 후에, 또는 부여하지 않고 무기층 표면(14a)에 L자형 지그(후술하는 도 3 중의 도면 부호 (32)를 참조)를 걸고 고정대로부터 이격되는 방향으로 인상함으로써, 무기층(14)과 유리 기판(18)을 박리하는 방법을 들 수 있다.When a part of the supporting substrate 16 provided with the inorganic layer is laminated by protruding from the glass substrate 18, the glass substrate 18 is fixed to the fixing table (refer to reference numeral 31 in FIG. 3 to be described later) Shaped jig (refer to reference numeral 32 in Fig. 3) is attached to the inorganic layer surface 14a after or without imparting the peeling mechanism as described above, , Thereby peeling the inorganic layer 14 and the glass substrate 18 from each other.

상기 공정에 의하여 얻어진 전자 디바이스(24)는 휴대 전화, 스마트폰, PDA, 태블릿형 PC 등의 모바일 단말기에 사용되는 소형 표시 장치의 제조에 적합하다. 표시 장치는 주로 LCD 또는 OLED이며, LCD로서는 TN형, STN형, FE형, TFT형, MIM형, IPS형, VA형 등을 포함한다. 기본적으로 패시브 구동형, 액티브 구동형 중 어느 쪽 표시 장치의 경우에도 적용할 수 있다.The electronic device 24 obtained by the above process is suitable for manufacturing a small-sized display device used in a mobile terminal such as a cellular phone, a smart phone, a PDA, and a tablet PC. The display device is mainly an LCD or an OLED, and the LCD includes TN type, STN type, FE type, TFT type, MIM type, IPS type, VA type and the like. It can basically be applied to either the passive drive type or the active drive type.

[실시예][Example]

이하에 실시예 등에 의하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의하여 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples and the like, but the present invention is not limited to these examples.

이하의 예(실시예 및 비교예)에서는, 유리 기판으로서 무알칼리 붕규산 유리로 이루어지는 유리판(폭 100㎜, 깊이 30㎜, 두께 0.2㎜, 선팽창 계수 38×10-7/℃, 아사히 가라스사 제조 상품명 「AN100」)을 사용하였다.The following examples (Examples and Comparative Examples), the alkali-free borosilicate glass plate composed of a glass (100㎜ width, depth 30㎜, 0.2㎜ thickness, coefficient of linear expansion of 38 × 10 -7 / ℃, manufactured Asahi Glass as a glass substrate trade name &Quot; AN100 &quot;) was used.

또한 지지 기판으로서는, 마찬가지로 무알칼리 붕규산 유리로 이루어지는 유리판(폭 90㎜, 깊이 30㎜, 두께 0.5㎜, 선팽창 계수 38×10-7/℃, 아사히 가라스사 제조 상품명 「AN100」)을 사용하였다.As a supporting substrate, a glass plate (width 90 mm, depth 30 mm, thickness 0.5 mm, coefficient of linear expansion 38 × 10 -7 / ° C, trade name "AN100", manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) made of alkali-free borosilicate glass was used.

<예 Ⅰ-11, 14><Examples I-11 and 14>

(SiC를 포함하는 무기층의 형성)(Formation of an inorganic layer containing SiC)

지지 기판의 한쪽 주면을 알칼리성 수용액으로 세정하여 청정화하였다. 또한 청정화한 면에, SiC 타깃을 사용하여 Ar 가스를 도입하면서, 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 SiC를 포함하는 무기층(두께 10㎚, 표면 조도 Ra 0.4㎚, 이하 동일)을 형성하여, 무기층이 구비된 지지 기판을 얻었다.One major surface of the supporting substrate was cleaned by cleaning with an alkaline aqueous solution. Further, an inorganic layer (thickness 10 nm, surface roughness Ra 0.4 nm, the same shall apply hereinafter) of SiC was formed by magnetron sputtering while introducing Ar gas by using a SiC target on the cleaned surface, To obtain a support substrate.

<예 Ⅰ-1 내지 10>&Lt; Examples I-1 to 10 &

(SiCO를 포함하는 무기층의 형성)(Formation of an inorganic layer containing SiCO)

Ar 가스 대신에 Ar 및 O2의 혼합 가스(체적비(Ar/O2)=39/1)를 도입한 것 이외에는, SiC를 포함하는 무기층의 형성과 마찬가지로 하여 SiCO를 포함하는 무기층을 형성하여, 무기층이 구비된 지지 기판을 얻었다.An inorganic layer containing SiCO was formed in the same manner as the formation of the inorganic layer containing SiC except that a mixed gas of Ar and O 2 (volume ratio (Ar / O 2 ) = 39/1) was introduced instead of Ar gas , A support substrate provided with an inorganic layer was obtained.

<예 Ⅰ-12, 15><Examples I-12, 15>

(SiN을 포함하는 무기층의 형성)(Formation of an inorganic layer containing SiN)

SiC 타깃 대신에 SiN 타깃을 사용한 것 이외에는, SiC를 포함하는 무기층의 형성과 마찬가지로 하여 SiN을 포함하는 무기층을 형성하여, 무기층이 구비된 지지 기판을 얻었다.Except that an SiN target was used in place of the SiC target, an inorganic layer containing SiN was formed in the same manner as the formation of the inorganic layer containing SiC to obtain a supporting substrate provided with an inorganic layer.

<예 Ⅰ-13, 16><Examples I-13 and 16>

(SiNO를 포함하는 무기층의 형성)(Formation of an inorganic layer containing SiNO)

SiC 타깃 대신 SiN 타깃을 사용한 것 이외에는, SiCO를 포함하는 무기층의 형성과 마찬가지로 하여, SiNO를 포함하는 무기층을 형성하여, 무기층이 구비된 지지 기판을 얻었다.Except that an SiN target was used in place of the SiC target, an inorganic layer containing SiNO was formed in the same manner as the formation of the inorganic layer containing SiCO to obtain a support substrate provided with an inorganic layer.

<평가><Evaluation>

(적층 유지성의 평가)(Evaluation of laminated retentivity)

다음으로 유리 기판의 제1 주면을 알칼리성 수용액으로 세정하여 청정화하였다. 각 예의 무기층이 구비된 지지 기판의 무기층의 무기층 표면과 유리 기판의 청정화한 제1 주면에, 알칼리 수용액에 의한 세정 및 물에 의한 세정을 실시하여 양면을 청정화하였다. 그 후 무기층 표면에 유리 기판을 중첩시키고 진공 프레스를 사용하여 압착하여, 무기층과 유리 기판을 적층시켜 유리 적층체를 얻었다.Next, the first major surface of the glass substrate was cleaned with an alkaline aqueous solution. On both surfaces of the inorganic layer of the inorganic layer of the support substrate provided with the inorganic layer of each example and the first main surface of the glass substrate cleaned, cleaning with an aqueous alkaline solution and cleaning with water were performed to clean both surfaces. Thereafter, the glass substrate was superimposed on the surface of the inorganic layer and pressed by using a vacuum press to laminate the inorganic layer and the glass substrate to obtain a glass laminate.

그리고 얻어진 각 예의 유리 적층체에 대하여, 하기 표 1에 나타낸 (a) 내지 (d)의 조건에서 가열 처리를 행하였다. 또한 가열 처리를 행하지 않은 경우에는 하기 표 1에 「-」를 기재하였다. 또한 (d) 분위기로서 하기 표 1에 기재한 「대기」란, 「대기압 상태의 대기 분위기」를 나타낸다.The obtained glass laminate was subjected to heat treatment under the conditions (a) to (d) shown in Table 1 below. In the case where the heat treatment is not performed, "-" is described in Table 1 below. Further, (d) "atmospheric atmosphere" shown in the following Table 1 as an atmosphere means "atmospheric atmosphere at atmospheric pressure".

그리고 가열 처리 후(가열 처리를 행하지 않은 경우도 포함함), 각 예의 유리 적층체에 대하여 꺾음 절단 및 연마를 행하고, 무기층과 유리 기판의 적층 유지성을 하기 기준으로 평가하였다.After the heat treatment (including the case where the heat treatment was not performed), the glass laminate of each example was subjected to breaking cutting and polishing, and the laminate retention property of the inorganic layer and the glass substrate was evaluated based on the following criteria.

또한 「꺾음 절단」은, 시판되고 있는 꺾음 절단 기계를 사용하여 행하였다. 구체적으로는 각 예의 유리 적층체에 대하여, 그 양면에 각각의 위치가 중첩되도록 절입선을 형성한 후, 지지 기판이 상측으로 되도록 하고, 절입선을 다이의 에지를 따르게 하여 유리 적층체의 편측을 다이 상에 고정하고, 다른 편측을 밀어내려 꺾었다.Also, &quot; breaking cutting &quot; was carried out using a commercially available breaking cutting machine. Specifically, for each glass laminate of each example, after cutting lines are formed so as to overlap the respective positions on both sides thereof, the supporting substrate is placed on the upper side, and the cut line is made to follow the edge of the die, Fixed on the die, and pushed down on the other side.

또한 「연마」에서는, 지지 기판이 상측, 유리 기판이 하측으로 되도록 하여 유리 적층체를 폴리우레탄제의 테이블 패드 상에 고정하고, 산화세륨과 물의 혼합액을 사용하여, 연마 패드로 5분간 연마를 행하였다.Further, in "polishing", the glass laminate was fixed on a table pad made of polyurethane so that the support substrate was on the upper side and the glass substrate was on the lower side, and polishing with a polishing pad for 5 minutes was performed using a mixed solution of cerium oxide and water Respectively.

결과를 하기 표 1에 나타낸다. 「○」 또는 「△」이면 적층 유지성이 우수한 것으로서 평가할 수 있다.The results are shown in Table 1 below. Quot; or &quot;? &Quot;, it can be evaluated that the laminate retention property is excellent.

○: 무기층과 유리 기판의 적층 상태가 유지되어 있었다.?: The laminated state of the inorganic layer and the glass substrate was maintained.

△: 대략 적층 상태가 유지되었지만, 국소적으로 박리가 발생하였다.DELTA: Approximately laminated state was maintained, but peeling occurred locally.

×: 적층 상태가 흐트러져, 전체적으로 박리가 발생하였다.X: The laminated state was disturbed and peeling occurred as a whole.

(박리성의 평가)(Evaluation of peelability)

도 3은 박리성의 평가 방법을 도시하는 모식적 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view showing a peeling property evaluation method.

우선, 적층 유지성의 평가와 마찬가지로 하여, 무기층의 무기층 표면 및 유리 기판의 제1 주면을 청정화하였다. 그 후, 각 예의, 무기층이 구비된 지지 기판과 유리 기판을, 깊이 방향의 위치를 정렬하면서 도 3에 도시한 바와 같이 일단부에서 정렬하여 중첩시켰다. 또한 무기층이 구비된 지지 기판과 유리 기판은, 폭 방향의 길이가 상이하기 때문에, 일단부를 정렬하여 중첩시키면, 타단부에서는 도 3에 도시한 바와 같이 무기층이 구비된 지지 기판의 일부가 유리 기판으로부터 돌출되어 있었다.First, the inorganic layer surface of the inorganic layer and the first main surface of the glass substrate were cleaned in the same manner as in the evaluation of the laminate retentivity. Thereafter, the supporting substrate provided with the inorganic layer and the glass substrate were aligned and superimposed at one end as shown in Fig. 3 while aligning their positions in the depth direction. In addition, since the supporting substrate and the glass substrate provided with the inorganic layer have different lengths in the width direction, when one end is aligned and overlapped, a part of the supporting substrate provided with the inorganic layer as shown in Fig. And protruded from the substrate.

중첩시킨 후 밀착 기점을 발생시키고, 진공 프레스를 사용하여 압착하여, 밀착을 중첩시키고 면내 전체에 걸치게 하여, 각 예의 유리 적층체를 얻었다. 그 후, 적층 유지성의 평가와 마찬가지로 하여, 얻어진 각 예의 유리 적층체에 대하여 하기 표 1에 나타낸 (a) 내지 (d)의 조건에서 가열 처리를 행하였다.After the superimposing, a contact point was generated and pressed by using a vacuum press to superpose the adhesion and spread over the entire surface, thereby obtaining glass laminated samples of the respective examples. Thereafter, similarly to the evaluation of the laminate retentivity, the obtained glass laminate was heat-treated under the conditions (a) to (d) shown in Table 1 below.

그리고 다음으로 대기 분위기에서, 600℃에서 1시간 가열 처리를 실시하였다.Then, heat treatment was performed at 600 占 폚 for one hour in an air atmosphere.

다음으로 박리 시험을 행하였다. 구체적으로는, 우선 유리 적층체에 있어서의 유리 기판의 제2 주면을 고정대(도 3 중 도면 부호 31로 나타냄) 상에 양면 테이프를 사용하여 고정하였다.Then, a peeling test was carried out. Specifically, first, the second main surface of the glass substrate in the glass laminate was fixed on a fixing table (indicated by reference numeral 31 in Fig. 3) using a double-sided tape.

다음으로 도 3에 도시한 바와 같이 유리 기판으로부터 돌출되어 있는, 무기층이 구비된 지지 기판의 무기층 표면에 L자형 지그(도 3 중 도면 부호 32로 나타냄)를 걸고, 고정대로부터 이격되는 방향으로 기계를 사용하여 10㎜/min으로 인상함으로써, 무기층과 유리 기판의 박리성을 하기 기준으로 평가하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다. 또한 「○」이면 고온 조건 하의 장시간 처리 후에도 박리성이 우수한 것으로서 평가할 수 있다.Next, as shown in Fig. 3, an L-shaped jig (indicated by numeral 32 in Fig. 3) is put on the surface of the inorganic layer of the support substrate provided with the inorganic layer protruded from the glass substrate, The peelability of the inorganic layer and the glass substrate was evaluated on the basis of the following criteria by pulling up to 10 mm / min using a machine. The results are shown in Table 1 below. And &quot;? &Quot;, it can be evaluated that the peelability is excellent even after long-term treatment under high temperature conditions.

○: 박리할 수 있었다.○: Peeling was possible.

×: 박리할 수 없었다.X: Peeling was not possible.

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 표 1에 나타낸 바와 같이 (a) 승온 속도가 300℃/분 이하이고, (b) 가열 온도가 150 내지 600℃이며, (c) 유지 시간이 0.5분 이상이고, (d) 분위기가 대기압 상태의 대기 분위기인 예(실시예)는 모두 적층 유지성이 우수하였다.(B) the heating temperature is 150 to 600 ° C; (c) the holding time is 0.5 minutes or more; (d) the atmosphere is atmospheric pressure (Examples) in the atmospheric atmosphere were all excellent in laminate retention.

이에 비하여 가열 처리를 행하지 않거나, (a) 내지 (d)의 조건이 상기에서 벗어나거나 하는 예(비교예)는 적층 유지성이 떨어져 있었다.On the other hand, in the case where the heat treatment was not performed or the conditions (a) to (d) were deviated from the above (comparative example), the laminate holding property was deteriorated.

또한 상기 결과로부터 실시예에 있어서는, 무기층과 지지 기판의 계면의 박리 강도가, 무기층과 유리 기판의 계면의 박리 강도보다 큰 것이 확인되었다.From the above results, it was confirmed that the peel strength of the interface between the inorganic layer and the support substrate is larger than that of the interface between the inorganic layer and the glass substrate.

<예 Ⅱ><Example Ⅱ>

본 예에서는, 예 Ⅰ-7의 조건(가열 처리 조건은 상기 표 1을 참조)으로 제조된 유리 적층체를 사용하여 OLED를 제작하였다.In this example, an OLED was fabricated using the glass laminate produced in Example I-7 (see Table 1 for the heat treatment conditions).

보다 구체적으로는, 유리 적층체에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 상에 스퍼터링법에 의하여 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의하여 게이트 전극을 형성하였다. 다음으로 플라즈마 CVD법에 의하여, 게이트 전극을 설치한 유리 기판의 제2 주면측에 질화규소, 진성 아몰퍼스 실리콘, n형 아몰퍼스 실리콘의 순서대로 더 성막하고, 계속해서 스퍼터링법에 의하여 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의하여 게이트 절연막, 반도체 소자부 및 소스/드레인 전극을 형성하였다. 다음으로 플라즈마 CVD법에 의하여, 유리 기판의 제2 주면측에 질화규소를 더 성막하여 패시베이션층을 형성한 후에, 스퍼터링법에 의하여 산화인듐주석을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의하여 화소 전극을 형성하였다.More specifically, molybdenum was deposited on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate by the sputtering method, and the gate electrode was formed by etching using photolithography. Subsequently, silicon nitride, intrinsic amorphous silicon, and n-type amorphous silicon are further deposited in this order on the second main surface side of the glass substrate on which the gate electrode is provided by plasma CVD. Subsequently, molybdenum is deposited by sputtering, A gate insulating film, a semiconductor element portion and a source / drain electrode were formed by etching using a lithography method. Subsequently, silicon nitride is further formed on the second main surface side of the glass substrate by the plasma CVD method to form a passivation layer, and thereafter, indium tin oxide is formed by the sputtering method, and the pixel electrode is etched by photolithography .

계속해서 유리 기판의 제2 주면측에 증착법에 의하여 정공 주입층으로서 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민, 정공 수송층으로서 비스[(N-나프틸)-N-페닐]벤지딘, 발광층으로서 8-퀴놀리놀알루미늄 착체(Alq3)에 2,6-비스[4-[N-(4-메톡시페닐)-N-페닐]아미노스티릴]나프탈렌-1,5-디카르보니트릴(BSN-BCN)을 40체적% 혼합한 것, 전자 수송층으로서 Alq3를 이 순서대로 더 성막하였다. 다음으로 유리 기판의 제2 주면측에 스퍼터링법에 의하여 알루미늄을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의하여 대향 전극을 형성하였다. 다음으로 대향 전극을 형성한 유리 기판의 제2 주면 상에, 자외선 경화형 접착층을 개재하여 유리 기판을 1매 더 접합하여 밀봉하였다. 상기 수순에 의하여 얻어진, 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 갖는 유리 적층체는, 전자 디바이스용 부재가 구비된 적층체에 해당한다.Subsequently, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine was used as a hole injecting layer and bis [(N-naphthyl) -N -phenyl] 8-quinolinol aluminum complex as benzidine, the light emitting layer (Alq 3) 2,6- bis [4- [N- (4- methoxyphenyl) -N- phenyl] amino styryl] -1-naphthalene, Alk 3 was further deposited in this order on the electron transport layer. Next, aluminum was deposited on the second main surface side of the glass substrate by the sputtering method, Next, one glass substrate was further bonded and sealed on the second main surface of the glass substrate on which the counter electrodes were formed via an ultraviolet curable adhesive layer. A glass laminate having an organic EL structure on a glass substrate, And corresponds to a laminate provided with a member for an electronic device.

계속해서 얻어진 유리 적층체의 밀봉체측을 정반에 진공 흡착시킨 후, 유리 적층체의 코너부의 무기층과 유리 기판의 계면에 두께 0.1㎜의 스테인리스제 칼날을 삽입하고, 유리 적층체로부터 무기층이 구비된 지지 기판을 분리하여 OLED 패널(전자 디바이스에 해당. 이하 패널 A라고 함)을 얻었다. 제작한 패널 A에 IC 드라이버를 접속하고 상온 상압 하에서 구동시킨바, 구동 영역 내에 있어서 표시 불균일은 인정되지 않았다.Subsequently, a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the inorganic layer at the corner of the glass laminate and the glass substrate, and the inorganic layer was provided from the glass laminate And the support substrate was separated to obtain an OLED panel (corresponding to the electronic device, hereinafter referred to as panel A). An IC driver was connected to the prepared panel A and driven at room temperature and atmospheric pressure, and display irregularity was not recognized in the driving area.

<예 Ⅲ><Example III>

본 예에서는, 예 Ⅰ-7의 조건(가열 처리 조건은 상기 표 1을 참조)으로 제조된 유리 적층체를 사용하여 LCD를 제작하였다.In this example, an LCD was fabricated using the glass laminate produced in Example I-7 (see Table 1 for heat treatment conditions).

유리 적층체를 2매 준비하고, 우선 한쪽 유리 적층체에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 상에 스퍼터링법에 의하여 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의하여 게이트 전극을 형성하였다. 다음으로 플라즈마 CVD법에 의하여, 게이트 전극을 설치한 유리 기판의 제2 주면측에 질화규소, 진성 아몰퍼스 실리콘, n형 아몰퍼스 실리콘의 순서대로 더 성막하고, 계속해서 스퍼터링법에 의하여 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의하여 게이트 절연막, 반도체 소자부 및 소스/드레인 전극을 형성하였다. 다음으로 플라즈마 CVD법에 의하여, 유리 기판의 제2 주면측에 질화규소를 더 성막하여 패시베이션층을 형성한 후에, 스퍼터링법에 의하여 산화인듐주석을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의하여 화소 전극을 형성하였다. 다음으로 화소 전극을 형성한 유리 기판의 제2 주면 상에 롤 코트법에 의하여 폴리이미드 수지액을 도포하고, 열경화에 의하여 배향층을 형성하고, 러빙을 행하였다. 얻어진 유리 적층체를 유리 적층체 X1이라고 칭한다.Two glass laminated bodies were prepared. First, molybdenum was deposited on the second main surface of the glass substrate in one glass laminate by the sputtering method, and a gate electrode was formed by etching using a photolithography method. Subsequently, silicon nitride, intrinsic amorphous silicon, and n-type amorphous silicon are further deposited in this order on the second main surface side of the glass substrate on which the gate electrode is provided by plasma CVD. Subsequently, molybdenum is deposited by sputtering, A gate insulating film, a semiconductor element portion and a source / drain electrode were formed by etching using a lithography method. Subsequently, silicon nitride is further formed on the second main surface side of the glass substrate by the plasma CVD method to form a passivation layer, and thereafter, indium tin oxide is formed by the sputtering method, and the pixel electrode is etched by photolithography . Next, a polyimide resin solution was applied on the second main surface of the glass substrate on which the pixel electrode was formed by the roll coating method, and an alignment layer was formed by thermosetting and rubbing was performed. The resulting glass laminate is referred to as glass laminate X1.

다음으로 다른 한쪽 유리 적층체에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 상에 스퍼터링법에 의하여 크롬을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의하여 차광층을 형성하였다. 다음으로 차광층을 형성한 유리 기판의 제2 주면측에 다이 코트법에 의하여 컬러 레지스트를 더 도포하고, 포토리소그래피법 및 열경화에 의하여 컬러 필터층을 형성하였다. 다음으로 유리 기판의 제2 주면측에 스퍼터링법에 의하여 산화인듐주석을 더 성막하고, 대향 전극을 형성하였다. 다음으로 대향 전극을 설치한 유리 기판의 제2 주면 상에 다이 코트법에 의하여 자외선 경화 수지액을 도포하고, 포토리소그래피법 및 열경화에 의하여 기둥형 스페이서를 형성하였다. 다음으로 기둥형 스페이서를 형성한 유리 기판의 제2 주면 상에 롤 코트법에 의하여 폴리이미드 수지액을 도포하고, 열경화에 의하여 배향층을 형성하고, 러빙을 행하였다. 다음으로 유리 기판의 제2 주면측에 디스펜서법에 의하여 시일용 수지액을 프레임형으로 묘화하고, 프레임 내에 디스펜서법에 의하여 액정을 적하한 후에, 상술한 유리 적층체 X1을 사용하여 2매의 유리 적층체의 유리 기판 제2 주면측끼리를 접합하고, 자외선 경화 및 열경화에 의하여 LCD 패널을 갖는 적층체를 얻었다. 여기서의 LCD 패널을 갖는 적층체를 이하, 패널이 구비된 적층체 X2라고 한다.Next, chromium was deposited on the second main surface of the glass substrate in the other glass laminate by sputtering, and a light shielding layer was formed by etching using a photolithography method. Next, a color resist was further coated on the second main surface side of the glass substrate on which the light-shielding layer was formed by a die coating method, and a color filter layer was formed by photolithography and thermal curing. Next, indium tin oxide was further formed on the second main surface side of the glass substrate by a sputtering method to form an opposite electrode. Next, an ultraviolet curable resin liquid was applied on the second main surface of the glass substrate provided with the counter electrode by a die coating method, and a columnar spacer was formed by photolithography and thermal curing. Next, on the second main surface of the glass substrate on which the columnar spacers were formed, a polyimide resin solution was applied by a roll coating method, and an orientation layer was formed by thermal curing, and rubbing was performed. Next, a sealing resin liquid was drawn in a frame shape on the second main surface side of the glass substrate by a dispenser method, and liquid crystal was dropped in the frame by a dispenser method. Then, the above glass laminate X1 was used to form two glass The second main surface side of the glass substrate of the laminate was bonded to each other, and a laminate having an LCD panel was obtained by ultraviolet curing and thermosetting. Hereinafter, the laminate having the LCD panel is referred to as a laminate X2 having a panel.

다음으로 패널이 구비된 적층체 X2로부터 양면의, 무기층이 구비된 지지 기판을 박리하여, TFT 어레이를 형성한 기판 및 컬러 필터를 형성한 기판을 포함하는 LCD 패널 B(전자 디바이스에 해당)를 얻었다.Next, the support substrate provided with the inorganic layer on both sides is peeled off from the laminate X2 provided with the panel, and the LCD panel B (corresponding to the electronic device) including the substrate on which the TFT array is formed and the substrate on which the color filter is formed .

제작한 LCD 패널 B에 IC 드라이버를 접속하고 상온 상압 하에서 구동시킨 바, 구동 영역 내에 있어서 표시 불균일은 인정되지 않았다.When an IC driver was connected to the manufactured LCD panel B and driven at normal temperature and atmospheric pressure, display irregularity was not recognized in the driving area.

본 발명을 상세하게, 또한 특정한 실시 형태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고 여러 변형이나 수정을 가할 수 있음은 당업자에게 있어 명확하다.While the invention has been described in detail and with reference to specific embodiments thereof, it is evident to those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention.

본 출원은 2013년 11월 11일에 출원된 일본 특허 출원 제2013-233024호에 기초하는 것이며, 그의 내용은 여기에 참조로서 포함된다.The present application is based on Japanese Patent Application No. 2013-233024 filed on November 11, 2013, the contents of which are incorporated herein by reference.

10: 유리 적층체
12: 지지 기판
14: 무기층
14a: 무기층 표면(무기층에 있어서의 지지 기판측과는 반대측의 표면)
16: 무기층이 구비된 지지 기판
18: 유리 기판
18a: 유리 기판의 제1 주면
18b: 유리 기판의 제2 주면
20: 전자 디바이스용 부재
22: 전자 디바이스용 부재가 구비된 적층체
24: 전자 디바이스
31: 고정대
32: L자형 지그
10: Glass laminate
12: Support substrate
14: inorganic layer
14a: a surface of the inorganic layer (surface on the inorganic layer opposite to the support substrate side)
16: Support substrate with inorganic layer
18: glass substrate
18a: a first main surface of the glass substrate
18b: a second main surface of the glass substrate
20: Member for electronic device
22: laminate provided with member for electronic device
24: Electronic device
31:
32: L-shaped jig

Claims (4)

지지 기판, 및 상기 지지 기판 상에 배치된 무기층을 갖는, 무기층이 구비된 지지 기판과, 상기 무기층 상에 박리 가능하게 적층된 유리 기판을 구비하는 유리 적층체를 얻는 유리 적층체의 제조 방법이며,
상기 무기층 상에 상기 유리 기판을 적층시키는 적층 공정과,
상기 적층 공정 후에 가열 처리를 행하는 가열 처리 공정을 구비하고,
상기 무기층이 탄화규소, 탄화산화규소, 질화규소 및 질화산화규소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하며,
상기 가열 처리가 하기 (a) 내지 (d)의 조건을 만족시키는 유리 적층체의 제조 방법:
(a) 승온 속도: 300℃/분 이하;
(b) 가열 온도: 150 내지 600℃;
(c) 유지 시간: 0.5분 이상; 및
(d) 분위기: 대기압 상태 또는 감압 상태의 대기 분위기 또는 불활성 가스 분위기, 또는 진공 분위기.
A glass laminate having a support substrate provided with an inorganic layer and a glass substrate laminated on the inorganic layer, the glass laminate having a support substrate and an inorganic layer disposed on the support substrate, / RTI &gt;
A lamination step of laminating the glass substrate on the inorganic layer,
And a heat treatment step of performing heat treatment after the laminating step,
Wherein the inorganic layer contains at least one selected from the group consisting of silicon carbide, silicon carbide oxide, silicon nitride, and silicon nitride oxide,
Wherein the heat treatment satisfies the following conditions (a) to (d):
(a) Heating rate: 300 占 폚 / min or less;
(b) Heating temperature: 150 to 600 占 폚;
(c) Holding time: 0.5 minutes or more; And
(d) Atmosphere: atmosphere in an atmospheric pressure or reduced pressure state, inert gas atmosphere, or vacuum atmosphere.
제1항에 있어서, 상기 (a) 승온 속도가 200℃/분 이하인 유리 적층체의 제조 방법.The method for producing a glass laminate according to claim 1, wherein (a) the temperature raising rate is 200 ° C / min or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지 기판이 유리 기판인 유리 적층체의 제조 방법.The method of manufacturing a glass laminate according to claim 1 or 2, wherein the supporting substrate is a glass substrate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 유리 적층체의 제조 방법에 의하여 얻어진 유리 적층체 중의 상기 유리 기판의 표면 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하여, 전자 디바이스용 부재가 구비된 적층체를 얻는 부재 형성 공정과,
상기 전자 디바이스용 부재가 구비된 적층체로부터 상기 무기층이 구비된 지지 기판을 박리하여, 상기 유리 기판 및 상기 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 디바이스를 얻는 분리 공정을 구비하는 전자 디바이스의 제조 방법.
An electronic device member is formed on the surface of the glass substrate in the glass laminate obtained by the method for manufacturing a glass laminate according to any one of claims 1 to 3 to form a laminate A step of forming a member for obtaining a substrate,
And separating the supporting substrate provided with the inorganic layer from the laminate provided with the electronic device member to obtain an electronic device having the glass substrate and the electronic device member.
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