KR20150052396A - Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display.
반도체 장치에서 기판 위에 금속 배선을 형성하는 과정은 통상적으로 스퍼터링 등에 의한 금속막 형성공정, 포토레지스트 도포, 노광 및 현상에 의한 선택적인 영역에서의 포토레지스트 형성공정 및 식각공정에 의한 단계로 구성되고, 개별적인 단위 공정 전후의 세정 공정 등을 포함한다. 이러한 식각공정은 포토레지스트를 마스크로 하여 선택적인 영역에 금속막을 남기는 공정을 의미하며, 통상적으로 플라즈마 등을 이용한 건식식각 또는 식각액 조성물을 이용하는 습식식각이 사용된다.The process of forming a metal wiring on a substrate in a semiconductor device is usually composed of a metal film forming process by sputtering or the like, a photoresist coating process, a photoresist forming process in an optional region by exposure and development, and an etching process, And a cleaning process before and after the individual unit process. This etching process refers to a process of leaving a metal film in a selective region using a photoresist as a mask. Typically, dry etching using plasma or wet etching using an etching composition is used.
통상, 게이트 및 데이터 배선 재료로는 전기 전도도가 좋고 저항이 낮은 구리를 함유하는 구리 단독막 또는 구리 합금막과 이들 막과 계면 접착력이 우수한 금속 산화물막이 사용된다.As a gate and a data wiring material, a copper single film or a copper alloy film containing copper having good electrical conductivity and low resistance, and a metal oxide film having excellent interfacial adhesion between these films are used.
대한민국 공개특허 제10-2007-0055259호에는 구리 몰리브덴합금막의 식각용액 조성물로 과산화수소, 유기산, 인산염 화합물 등을 포함하는 구리계 금속막 식각액 조성물이 기재되어 있다.Korean Patent Laid-Open No. 10-2007-0055259 discloses a copper-based metal film etchant composition containing hydrogen peroxide, an organic acid, and a phosphate compound as an etching solution composition of a copper molybdenum alloy film.
그러나, 상기 식각액 조성물은 구리계 금속막의 후막에 적용시킬 경우 제 1인산염으로 인해 테이퍼 앵글(taper angle)이 높아져 후속 공정 진행시 불량이 발생하는 문제점이 발생한다.However, when the etchant composition is applied to a thick film of a copper-based metal film, the taper angle is increased due to the primary phosphate, thereby causing defects in the subsequent process.
한편, 대한민국 공개특허 제10-2010-0090538호에는 구리계 금속막의 식각용 조성물로, 과산화수소(H2O2), 유기산, 및 인산염 화합물 등을 포함하는 조성물이 기재되어 있다. 상기 식각용 조성물로 구리 몰리브덴막을 식각하게 되면 직선성이 우수한 테이프프로파일이 형성되나, 몰리브덴-나이오븀(Mo-Nb)의 몰리브덴계 금속막 및 구리계 금속막을 일괄 식각하는 경우에는 에칭속도가 느려지고, 몰리브덴-나이오븀(Mo-Nb)의 몰리브덴계 금속막은 에칭되지 않거나, 잔사가 발생하는 등 식각 성능이 극히 떨어지는 문제점이 있다.Korean Patent Laid-Open No. 10-2010-0090538 discloses a composition containing hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), an organic acid, a phosphate compound, and the like as a composition for etching a copper-based metal film. When the copper molybdenum film is etched with the etching composition, a tape profile having excellent linearity is formed. However, when the molybdenum-based metal film and the copper-based metal film of molybdenum-niobium (Mo-Nb) are etched in a batch, the etching rate is slow, The molybdenum-based metal film of molybdenum-niobium (Mo-Nb) is not etched or has a problem that the etching performance such as residue is extremely low.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 구리계 금속막으로 이루어진 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display, which comprises a copper-based metal film.
또한, 본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물을 사용하여 구리계 금속막을 일괄 식각하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to batch-etch a copper-based metal film using the copper-based metal film etchant composition of the present invention.
또한, 본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물은 잔사가 발생하지 않도록 다층막을 식각하는 것을 목적으로 한다.In addition, the copper-based metal film etchant composition of the present invention is intended to etch the multilayer film so that residues do not occur.
상기 목적을 달성하기 위하여,In order to achieve the above object,
본 발명은 a)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계; The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a) forming a gate wiring on a substrate;
b)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring;
c)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계; c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer;
d)상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 d) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer; And
e)상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode, the method comprising the steps of:
상기 a) 또는 d)단계는 기판 또는 반도체 층 상에 구리계 금속막을 형성하고, 상기 구리계 금속막을 식각액 조성물로 식각하여 게이트 배선, 또는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하며;Wherein the step a) or the step d) comprises forming a copper-based metal film on the substrate or the semiconductor layer and etching the copper-based metal film with the etchant composition to form a gate wiring or a source and a drain electrode;
상기 식각액 조성물은 조성물 총 중량에 대하여 과산화수소 5 내지 25 중량%, 아인산 0.1 내지 5 중량%, 불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%, 아졸 화합물 0.1 내지 5 중량%, 한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물 0.1 내지 5.0 중량%, 황산염 화합물 0.1 내지 5.0 중량% 및 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 구리계 금속막 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.Wherein the etchant composition comprises 5 to 25 wt% of hydrogen peroxide, 0.1 to 5 wt% of phosphorous acid, 0.01 to 1.0 wt% of a fluorine compound, 0.1 to 5 wt% of an azole compound, a water- Wherein the composition is a copper-based metal film etchant composition comprising 0.1 to 5.0% by weight of a sulfate compound, 0.1 to 5.0% by weight of a sulfate compound, and a residual amount of water such that the total weight of the composition is 100% by weight. to provide.
또한, 본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, 과산화수소 5 내지 25 중량%, 아인산 0.1 내지 5 중량%, 불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%, 아졸 화합물 0.1 내지 5 중량%, 한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물 0.1 내지 5.0 중량%, 황산염 화합물 0.1 내지 5.0 중량% 및 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 구리계 금속막 식각액 조성물을 제공한다.The present invention also relates to a composition containing 5 to 25 wt% of hydrogen peroxide, 0.1 to 5 wt% of phosphorous acid, 0.01 to 1.0 wt% of a fluorine compound, 0.1 to 5 wt% of an azole compound, 0.1 to 5.0% by weight of a water-soluble compound, 0.1 to 5.0% by weight of a sulfate compound and 100% by weight of a total composition weight of the copper-based metal film etchant composition.
또한, 본 발명은 상기 구리계 금속막 식각액 조성물을 사용하여 식각된 게이트 배선, 소스 전극 및 드레인 전극으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판을 제공한다.The present invention also provides an array substrate for a liquid crystal display comprising at least one selected from the group consisting of gate wirings, source electrodes and drain electrodes etched using the copper-based metal film etchant composition.
본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물은 식각 속도를 향상시킬 수 있으며, 타 금속막과의 적층막을 잔사가 발생하지 않게 식각할 수 있으며, 구리 농도에 따른 사이드 에치(side etch) 변화량이 일정하게 유지되는 장점이 있다.The copper-based metal film etchant composition of the present invention can improve the etching rate and can etch the laminated film with the other metal film without causing residue, and maintains a constant side etch variation according to the copper concentration .
도 1은 실시예 3의 구리계 금속막 식각액 조성물을 사용하여 구리 300ppm 조건에서의 식각 프로파일을 나타낸 SEM 사진이다.
도 2는 실시예 3의 구리계 금속막 식각액 조성물을 사용하여 구리 3000ppm 조건에서의 식각 프로파일을 나타낸 SEM 사진이다.
도 3은 실시예 3의 구리계 금속막 식각액 조성물을 사용하여 구리 5000ppm 조건에서의 식각 프로파일을 나타낸 SEM 사진이다.1 is an SEM photograph showing an etching profile at 300 ppm of copper using the copper-based metal film etchant composition of Example 3. Fig.
2 is an SEM photograph showing an etching profile at 3000 ppm of copper using the copper-based metal film etchant composition of Example 3. Fig.
3 is an SEM photograph showing the etching profile at 5000 ppm of copper using the copper-based metal film etchant composition of Example 3. Fig.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 발명은 구리계 금속막 식각액 조성물을 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것으로 제조 방법은 하기와 같다.The present invention relates to a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display using a copper-based metal film etchant composition, and a manufacturing method thereof is as follows.
a)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계; a) forming a gate wiring on the substrate;
b)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring;
c)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계; c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer;
d)상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 d) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer; And
e)상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법으로, and e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode. The method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device according to
상기 a) 또는 d)단계는 기판 또는 반도체 층 상에 구리계 금속막을 형성하고 상기 구리계 금속막을 식각액 조성물로 식각하여 게이트 배선, 또는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다.The steps a) and d) include forming a copper-based metal film on the substrate or the semiconductor layer and etching the copper-based metal film with the etchant composition to form the gate wiring or the source and drain electrodes.
상기 식각액 조성물은 조성물 총 중량에 대하여 과산화수소 5 내지 25 중량%, 아인산 0.1 내지 5 중량%, 불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%, 아졸 화합물 0.1 내지 5 중량%, 한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물 0.1 내지 5.0 중량%, 황산염 화합물 0.1 내지 5.0 중량% 및 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 구리계 금속막 식각액 조성물인 것을 특징으로 한다.Wherein the etchant composition comprises 5 to 25 wt% of hydrogen peroxide, 0.1 to 5 wt% of phosphorous acid, 0.01 to 1.0 wt% of a fluorine compound, 0.1 to 5 wt% of an azole compound, a water- 0.1 to 5.0% by weight of a sulfate compound, 0.1 to 5.0% by weight of a sulfate compound, and water in a remaining amount such that the total weight of the composition is 100% by weight.
상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스(TFT) 어레이 기판이다.
The array substrate for a liquid crystal display is a thin film transistor (TFT) array substrate.
또한, 본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, 과산화수소 5 내지 25 중량%, 아인산 0.1 내지 5 중량%, 불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%, 아졸 화합물 0.1 내지 5 중량%, 한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물 0.1 내지 5.0 중량%, 황산염 화합물 0.1 내지 5.0 중량% 및 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 구리계 금속막 식각액 조성물에 관한 것이다.The present invention also relates to a composition containing 5 to 25 wt% of hydrogen peroxide, 0.1 to 5 wt% of phosphorous acid, 0.01 to 1.0 wt% of a fluorine compound, 0.1 to 5 wt% of an azole compound, A water-soluble compound in an amount of 0.1 to 5.0% by weight, a sulfate compound in an amount of 0.1 to 5.0% by weight, and a total weight of the composition of 100% by weight.
상기 조성물을 포함함으로써 본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물은 식각 속도를 높일 수 있으며, 구리 및 타 금속막(예컨대, 몰리브덴-나이오븀(Mo-Nb) 합금)으로 이루어진 다층막을 잔사가 발생하지 않도록 식각할 수 있다.By including the above composition, the copper-based metal film etchant composition of the present invention can increase the etching rate and can prevent the residue of the multilayer film made of copper and a metal film (for example, molybdenum-niobium (Mo-Nb) It can be etched.
상기 구리계 금속막은 막의 구성성분 중에 구리가 포함되는 것으로서, 구리 또는 구리 합금의 단일막; 및 구리막 또는 구리 합금막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 막과 몰리브덴막, 몰리브덴 합금막, 티타늄막 및 티타늄 합금막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 막을 포함하는 다층막을 포함한다. 상기 합금막은 질화막 또는 산화막을 포함하는 개념이다.The copper-based metal film includes copper as a constituent component of the film, and may be a single film of copper or a copper alloy; And a multilayer film comprising at least one film selected from the group consisting of a copper film or a copper alloy film and at least one film selected from the group consisting of a molybdenum film, a molybdenum alloy film, a titanium film and a titanium alloy film. The alloy film is a concept including a nitride film or an oxide film.
상기 다층막의 예로는, 구리/몰리브덴막, 구리/몰리브덴 합금막, 구리 합금/몰리브덴 합금막, 구리/티타늄막 등의 2중막 또는 3중막을 들 수 있다. 상기 구리/몰리브덴막은 몰리브덴층과 상기 몰리브덴층 상에 형성된 구리층을 포함하는 것을 의미하며, 상기 구리/몰리브덴 합금막은 몰리브덴 합금층과 상기 몰리브덴 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 것을 의미하며, 구리 합금/몰리브덴 합금막은 몰리브덴 합금층과 상기 몰리브덴 합금층 상에 형성된 구리 합금층을 포함하는 것을 의미하며, 상기 구리/티타늄막은 티타늄층과 상기 티타늄층 상에 형성된 구리층을 포함하는 것을 의미한다.Examples of the multilayered film include a double-layered or triple-layered film such as a copper / molybdenum film, a copper / molybdenum alloy film, a copper alloy / molybdenum alloy film, and a copper / titanium film. The copper / molybdenum film means that the copper / molybdenum film includes a molybdenum layer and a copper layer formed on the molybdenum layer, and the copper / molybdenum alloy film includes a molybdenum alloy layer and a copper layer formed on the molybdenum alloy layer, Means that the alloy / molybdenum alloy film includes a molybdenum alloy layer and a copper alloy layer formed on the molybdenum alloy layer, and the copper / titanium film includes a titanium layer and a copper layer formed on the titanium layer.
본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물에서 구리계 금속막은 구리막 및 구리 합금막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상 및 몰리브덴막 및 몰리브덴 합금막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 막을 포함하는 다층막에 바람직하게 적용될 수 있다.In the copper-based metal film etchant composition of the present invention, the copper-based metal film may be at least one selected from the group consisting of a copper film and a copper alloy film, and a multilayer film including at least one film selected from the group consisting of a molybdenum film and a molybdenum alloy film Can be preferably applied.
또한, 상기 몰리브덴 합금막은 티타늄(Ti), 나이오븀(Nb) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 및 몰리브덴으로 이루어진 몰리브덴의 합금인 것이 바람직하다.
The molybdenum alloy film is preferably an alloy of molybdenum consisting of at least one metal selected from the group consisting of titanium (Ti), niobium (Nb) and tungsten (W) and molybdenum.
또한, 본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물은 다가 알코올형 계면활성제를 추가로 더 포함하여 사용할 수 있다.In addition, the copper-based metal film etchant composition of the present invention may further comprise a polyhydric alcohol-type surfactant.
이하, 본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물의 구성을 상세히 설명한다.
Hereinafter, the composition of the copper-based metal film etchant composition of the present invention will be described in detail.
(A)과산화수소((A) hydrogen peroxide HH 22 OO 22 ))
본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물에 포함되는 과산화수소(H2O2)는 몰리브덴층과 상기 몰리브덴층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금층과 상기 몰리브덴 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리 몰리브덴 합금막인 것을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각에 영향을 주는 주산화제이며, 상기 과산화수소(H2O2)는 구리계 금속막 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 5 내지 25 중량%, 바람직하게는 15 내지 23 중량%로 포함된다. 상기 과산화수소가 5 중량% 미만으로 포함되면, 구리계 금속막의 식각력이 부족하여 충분한 식각이 이루어지지 않을 수 있으며, 25 중량%를 초과하여 포함될 경우, 구리 이온 증가에 따른 발열 안정성이 크게 감소한다.
The hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) contained in the copper-based metal film etchant composition according to the present invention comprises a copper molybdenum film or a molybdenum alloy layer including a molybdenum layer and a copper layer formed on the molybdenum layer and a copper layer formed on the molybdenum alloy layer Wherein the hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) is present in an amount of from 5 to 25 wt% based on the total weight of the copper-based metal film etchant composition %, Preferably 15 to 23 wt%. If the hydrogen peroxide is contained in an amount less than 5% by weight, the etching performance of the copper-based metal film may be insufficient and sufficient etching may not be performed. If the hydrogen peroxide is contained in an amount exceeding 25% by weight,
(B)아인산((B) phosphorous acid ( HH 33 POPO 33 ))
본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물에 포함되는 아인산은 pH를 조절하여 식각속도를 증가시켜주는 성분이다. 상기 아인산이 본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물에 포함되지 않으면 식각속도가 매우 낮아 식각 프로파일이 불량하게 될 수 있다. 상기 아인산의 함량은 구리계 금속막 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5.0 중량%로 포함되고, 바람직하게는 0.3 내지 3.0 중량%로 포함된다. 상기 아인산이 0.1 중량% 미만일 경우 식각 프로파일에서 불량이 발생할 수 있으며, 5 중량%를 초과하는 경우에는 구리 또는 구리 합금막의 식각속도가 너무 빨라지거나 몰리브덴 또는 몰리브덴합금막의 식각속도가 너무 느려지는 문제가 발생될 수 있다.
The phosphorous acid contained in the copper-based metal film etchant composition of the present invention is a component that increases the etching rate by controlling the pH. If the phosphorous acid is not included in the copper-based metal film etchant composition of the present invention, the etch rate may be very low and the etch profile may become poor. The content of the phosphorous acid is 0.1 to 5.0% by weight, preferably 0.3 to 3.0% by weight, based on the total weight of the copper-based metal film etchant composition. If the amount of the phosphorous acid is less than 0.1% by weight, defects may occur in the etching profile. If the amount of the phosphorous acid exceeds 5% by weight, the etching speed of the copper or copper alloy film becomes too high or the etching speed of the molybdenum or molybdenum alloy film becomes too slow .
(C)불소화합물(C) Fluorine compound
상기 불소화합물은 물에 해리되어 불소 이온을 낼 수 있는 화합물을 말한다. 상기 불소화합물은 몰리브덴 합금막의 식각 속도에 영향을 주는 보조산화제이며, 몰리브덴 합금막의 식각 속도를 조절한다.The fluorine compound refers to a compound capable of releasing fluorine ions by being dissolved in water. The fluorine compound is a co-oxidant that affects the etching rate of the molybdenum alloy film and controls the etching rate of the molybdenum alloy film.
상기 불소화합물은 당업계에서 사용되는 것이라면 특별히 한정하지 않지만 HF, NaF, NH4F, NH4BF4, NH4FHF, NH4F2 , KF, KHF2, AlF3 및 HBF4로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하고, NH4F2가 보다 바람직하다.The fluorine compound is not particularly limited as long as it is used in the art. However, the fluorine compound may be selected from the group consisting of HF, NaF, NH 4 F, NH 4 BF 4 , NH 4 FHF, NH 4 F 2 , KF, KHF 2 , AlF 3 and HBF 4 It is preferably at least one kind selected from the group consisting of NH 4 F 2 and NH 4 F 2 .
또한, 상기 불소화합물은 구리계 금속막 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 0.01 내지 1.0 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 1.0 중량%로 포함된다. 상기 불소화합물의 함량이 0.01 중량% 미만이면 몰리브덴 합금막의 식각 속도가 느려지고, 1.0 중량%를 초과하면 몰리브덴 합금막의 식각 성능은 향상되지만, 식각 속도가 전체적으로 빨라지기 때문에 언더컷 현상이나 하부층(n+ a-Si:H, a-Si:G)의 식각으로 인한 손실이 크게 나타난다.
The fluorine compound is contained in an amount of 0.01 to 1.0% by weight, preferably 0.1 to 1.0% by weight based on the total weight of the copper-based metal film etchant composition. If the content of the fluorine compound is less than 0.01% by weight, the etching rate of the molybdenum alloy film becomes slow. If the content of the fluorine compound exceeds 1.0% by weight, the etching performance of the molybdenum alloy film is improved. However, : H, a-Si: G).
(D)(D) 아졸화합물Azole compound
본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물에 포함되는 아졸화합물은 구리계 금속막의 식각 속도를 조절하며 패턴의 시디로스(CD Loss)를 줄여주고, Etch Profile 변동을 감소시켜주어 공정상의 마진을 높이는 역할을 한다.The azole compound contained in the copper-based metal film etchant composition of the present invention controls the etch rate of the copper-based metal film, reduces the CD loss of the pattern, reduces the variation of the Etch profile, do.
상기 아졸화합물로는 예컨대, 피롤(pyrrole)계, 피라졸(pyrazol)계, 이미다졸(imidazole)계, 트리아졸(triazole)계, 테트라졸(tetrazole)계, 펜타졸(pentazole)계, 옥사졸(oxazole)계, 이소옥사졸(isoxazole)계, 디아졸(thiazole)계 및 이소디아졸(isothiazole)계 등이 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다. 상기 아졸화합물 중에서 트리아졸(triazole)계 또는 테트라졸(tetrazole)계 화합물이 바람직하며, 그 중에서도 3-아미노트리아졸, 4-아미노트리아졸, 5-메틸테트라졸 및 5-아미노테트라졸로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 가장 바람직하다. 본 발명에서는 3-아미노트리아졸, 4-아미노트리아졸, 5-메틸테트라졸 및 5-아미노테트라졸을 혼용하여 사용할 경우, 식각속도 조절 및 처리매수에 따른 Etch Profile 변동 감소 능력이 화합물마다 다른 특성이 나타나므로 공정 조건에 맞는 배합비를 산출하여 적용하는 것이 바람직하다.Examples of the azole compound include pyrrole compounds, pyrazole compounds, imidazole compounds, triazole compounds, tetrazole compounds, pentazole compounds, oxazole compounds, oxazole type, isoxazole type, thiazole type and isothiazole type. These may be used alone or in combination of two or more kinds. Of these azole compounds, triazole-based or tetrazole-based compounds are preferable, and among them, 3-aminotriazole, 4-aminotriazole, 5-methyltetrazole and 5-aminotetrazole And most preferably at least one selected. In the present invention, when 3-aminotriazole, 4-aminotriazole, 5-methyltetrazole and 5-aminotetrazole are used in combination, the ability to control the etch rate and decrease the variation of the Etch profile depending on the number of treatments, It is preferable to calculate and apply a blending ratio suited to the process conditions.
상기 아졸화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 5.0 중량%로 포함되고, 바람직하게는 0.5 내지 1.5 중량%로 포함된다. 상기 0.1 중량% 미만으로 포함되면 식각 속도가 빠르게 되어 시디로스가 너무 크게 발생될 수 있으며, 상기 5.0 중량%를 초과하여 포함되면 구리계 금속막의 식각 속도가 너무 느려지게 되어 공정 시간이 증가하며, 또한 상대적으로 금속 산화물막의 식각 속도가 빨라지게 되므로 언더컷이 발생될 수 있다.
The azole compound is contained in an amount of 0.1 to 5.0% by weight, preferably 0.5 to 1.5% by weight, based on the total weight of the composition. If the amount is less than 0.1% by weight, the etching rate may be too high to cause the seed loss to be excessively large. If the amount exceeds 5.0% by weight, the etching rate of the copper-based metal film becomes too slow, The etch rate of the metal oxide film is relatively increased, so undercut may occur.
(E)한 분자 내에 (E) within one molecule 질소원자Nitrogen atom 및 카르복실기를 가지는 수용성 화합물 And a water-soluble compound having a carboxyl group
본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물에 포함되는 한 분자 내에 질소원자 및 카르복실기를 가지는 수용성 화합물은 식각액 조성물의 보관 시 발생할 수 있는 과산화수소수의 자체 분해 반응을 막아주고, 많은 수의 기판을 식각할 시에 식각 특성이 변하는 것을 방지한다. The water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in one molecule contained in the copper-based metal film etchant composition of the present invention prevents the self-decomposition reaction of the hydrogen peroxide water that may occur during storage of the etching solution composition, Thereby preventing the etching characteristics from varying.
일반적으로 과산화수소수를 사용하는 식각액 조성물의 경우 보관시 과산화수소수가 자체 분해하여 그 보관기간이 길지 못하고, 용기가 폭발할 수 있는 위험요소까지 갖추고 있다. 그러나 상기 한 분자 내에 질소원자 및 카르복실기를 가지는 수용성 화합물이 포함될 경우 과산화수소수의 분해 속도가 10배 가까이 감소하여 보관기간 및 안정성을 확보할 수 있다. 특히 구리층의 경우 식각액 조성물 내에 구리 이온이 다량 잔존할 경우에 보호막(passivation)을 형성하여 까맣게 산화된 후 더 이상 식각되지 않는 경우가 많이 발생할 수 있으나, 상기 화합물을 첨가하였을 경우 이런 현상을 막을 수 있다. In general, the etching solution composition using hydrogen peroxide water has a risk that the storage period of the hydrogen peroxide solution is self-decomposed during storage, and the container may explode. However, when a water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group is contained in the molecule, the decomposition rate of the hydrogen peroxide solution is reduced to about 10 times, so that the storage period and stability can be secured. Particularly, in case of a copper layer, a large amount of copper ions in the etchant composition may form a passivation layer, which may result in black oxidation and subsequent etching. However, when the compound is added, have.
상기 한 분자 내에 질소원자 및 카르복실기를 가지는 수용성 화합물은 알라닌(alanine), 아미노부티르산 (aminobutyric acid), 글루탐산(glutamic acid), 글리신(glycine), 이미노디아세트산(iminodiacetic acid), 에틸렌디아민테트라아세트산(ethylenediaminetetraacetic acid), 니트릴로트리아세트산(nitrilotriacetic acid) 및 사르코신(sarcosine)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있으며, 그 중에서도 이미노디아세트산(iminodiacetic acid)이 가장 바람직하다.The water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in the above-mentioned molecule may be selected from the group consisting of alanine, aminobutyric acid, glutamic acid, glycine, iminodiacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid acid, nitrilotriacetic acid and sarcosine. Of these, iminodiacetic acid is the most preferable. The term " iminodiacetic acid "
또한, 상기 한 분자 내에 질소원자 및 카르복실기를 가지는 수용성 화합물의 함량은 구리계 금속막 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5.0 중량%로 포함되고, 바람직하게는 1.0 내지 3.0 중량% 범위로 포함된다. 상기 한 분자 내에 질소원자 및 카르복실기를 가지는 수용성 화합물의 함량이 0.1 중량% 미만일 경우 다량의 기판(약 500매)의 식각 후 보호막이 형성되어 충분한 공정 마진을 얻기가 어려워지며, 5 중량%를 초과할 경우 몰리브덴 막 또는 몰리브덴 합금막의 식각속도가 느려져 구리 몰리브덴막 또는 구리 몰리브덴합금막의 경우 몰리브덴 또는 몰리브덴합금막의 잔사 문제가 발생할 수 있다.
The content of the water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in the molecule is 0.1 to 5.0% by weight, preferably 1.0 to 3.0% by weight based on the total weight of the copper-based metal film etchant composition. When the content of the water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in the molecule is less than 0.1% by weight, it is difficult to obtain a sufficient process margin due to the formation of a protective film after etching a large number of substrates (about 500 sheets) The etching rate of the molybdenum film or the molybdenum alloy film is slowed to cause a problem of residue of the molybdenum or molybdenum alloy film in the case of the copper molybdenum film or the copper molybdenum alloy film.
(F)황산염 화합물(F) Sulfate compound
본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물에 포함되는 황산염 화합물은 상부 구리막의 테이퍼각을 조절해주고, 구리를 포함하는 막의 식각속도를 조절하여 원하는 사이드 에칭(side etching)을 조절할 수 있게 하는 성분이다. 상기 황산염 화합물이 본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물에 포함되지 않으면 낮은 식각속도로 공정에서 양산 성능을 저하시키는 문제를 발생할 수 있다. The sulfate compound included in the copper-based metal film etchant composition of the present invention controls the taper angle of the upper copper film and the desired side etching by controlling the etching rate of the film containing copper. If the sulfate compound is not included in the copper-based metal film etchant composition of the present invention, it may cause a problem of lowering the mass production performance at a low etching rate.
상기 황산염 화합물은 황산에서 수소가 암모늄, 알칼리 금속 혹은 알칼리 토금속으로 하나 또는 두 개 치환된 염에서 선택되는 것이면 특별히 한정하지 않으나, 제 1황산암모늄(ammonium sulfate monobasic), 제 1황산나트륨(sodium sulfate monobasic), 제 1황산칼륨(potassium sulfate monobasic), 황산암모늄(ammonium sulfate), 황산나트륨(sodium sulfate) 및 황산칼륨(potassium sulfate)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 바람직하며, 황산나트륨 또는 황산칼륨이 가장 바람직하다.The sulfate compound is not particularly limited as long as it is selected from the group consisting of salts in which hydrogen is substituted with one or two substituents selected from the group consisting of ammonium, alkali metal or alkaline earth metal. However, ammonium sulfate monobasic, sodium sulfate monobasic, Potassium sulfate monobasic, ammonium sulfate, sodium sulfate and potassium sulfate are preferable, and sodium sulfate or potassium sulfate is most preferable Do.
상기 황산염 화합물은 구리계 금속막 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5.0 중량%로 포함되고, 바람직하게는 0.5 내지 3.0 중량%로 포함된다. 상기 황산염 화합물의 함량이 0.1 중량% 미만일 경우 낮은 식각속도로 공정에서 양산 성능을 저하시키며, 5.0 중량%를 초과하는 경우에는 부분적 과침식 현상으로 인해 식각 프로파일이 불량하게 될수 있는 문제가 발생할 수 있다.
The sulfate compound is contained in an amount of 0.1 to 5.0% by weight, preferably 0.5 to 3.0% by weight, based on the total weight of the copper-based metal film etchant composition. If the content of the sulfate compound is less than 0.1 wt%, the mass production performance is lowered at a low etching rate. If the content is more than 5.0 wt%, the etch profile may be poor due to partial erosion.
(G)물(G) Water
본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물에 포함되는 물은 구리계 금속막 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량 포함한다. 상기 물은 특별히 한정하지 않으나, 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 물 속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항값이 18㏁·cm 이상인 탈이온수를 이용하는 것이 보다 바람직하다.
The water contained in the copper-based metal film etchant composition of the present invention contains the remaining amount such that the total weight of the copper-based metal film etchant composition is 100% by weight. The water is not particularly limited, but it is preferable to use deionized water. Further, it is more preferable to use deionized water having a specific resistance of water of 18 M OMEGA. Or more, which shows the degree of removal of ions in the water.
(H)다가 알코올형 계면활성제(H) polyhydric alcohol type surfactant
본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물에 추가로 포함시킬 수 있는 다가 알코올형 계면활성제는 표면장력을 저하시켜 식각의 균일성을 증가시키는 역할을 한다. 또한, 상기 다가 알코올형 계면활성제는 구리막을 식각한 후 식각액에 녹아져 나오는 구리 이온을 둘러 쌈으로서 구리 이온의 활동도를 억제하여 과산화수소의 분해 반응을 억제하게 한다. 상기와 같이 구리 이온의 활동도를 낮추게 되면 식각액을 사용하는 동안 안정적으로 공정을 진행 할 수 있게 된다. The polyhydric alcohol type surfactant that can be further included in the copper-based metal film etchant composition of the present invention lowers the surface tension, thereby increasing the uniformity of the etching. In addition, the polyhydric alcohol type surfactant suppresses the decomposition reaction of hydrogen peroxide by suppressing the activity of copper ions by surrounding the copper ions dissolved in the etching solution after etching the copper film. If the activity of the copper ion is lowered as described above, the process can be stably performed while using the etching solution.
상기 다가 알코올형 계면활성제는 글리세롤(glycerol), 트리에틸렌글리콜(triethylene glycol) 및 폴리에틸렌 글리콜(polyethylene glycol)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있으며, 그 중에서도 트리에틸렌글리콜(triethylene glycol)이 바람직하다.The polyhydric alcohol type surfactant may be at least one selected from the group consisting of glycerol, triethylene glycol and polyethylene glycol, and among them, triethylene glycol desirable.
상기 다가 알코올형 계면활성제는 구리계 금속막 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.001 내지 5.0 중량%로 포함되고, 바람직하게는 0.1 내지 3.0 중량% 범위로 포함된다. 상기 함량이 0.001 중량% 미만일 경우 식각 균일성이 저하되고 과산화수소의 분해가 가속화 되는 문제점이 생길 수 있으며, 5.0 중량%를 초과할 경우 거품이 많이 발생되는 단점이 있다.
The polyhydric alcohol type surfactant is contained in an amount of 0.001 to 5.0% by weight, preferably 0.1 to 3.0% by weight, based on the total weight of the copper-based metal film etchant composition. If the content is less than 0.001% by weight, etching uniformity may be lowered and decomposition of hydrogen peroxide may be accelerated. If the content is more than 5.0% by weight, bubbles may be generated.
본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물은 상기 성분 이외에 첨가제를 추가로 포함할 수 있으며, 상기 첨가제로는 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제 등이 있다.The copper-based metal film etchant composition of the present invention may further contain additives in addition to the above components, and examples of the additives include a metal ion blocking agent and a corrosion inhibitor.
본 발명에서 사용되는 구리계 금속막 식각액 조성물의 구성 성분은 통상적으로 공지된 방법에 의해서 제조가 가능하며, 본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물은 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.The composition of the copper-based metal film etchant composition used in the present invention can be prepared by a conventionally known method, and the copper-based metal film etchant composition of the present invention preferably has a purity for semiconductor processing.
또한, 본 발명은 상기 구리계 금속막 식각액 조성물을 사용하여 식각된 게이트 배선, 소스 전극 및 드레인 전극으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판을 제공한다.
The present invention also provides an array substrate for a liquid crystal display comprising at least one selected from the group consisting of gate wirings, source electrodes and drain electrodes etched using the copper-based metal film etchant composition.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the following examples and comparative examples are provided for illustrating the present invention, and the present invention is not limited by the following examples, and various modifications and changes may be made.
<구리계 <Copper series 금속막Metal film 식각액Etchant 조성물 제조> Composition Preparation>
실시예Example 1 내지 4 및 1 to 4 and 비교예Comparative Example 1 내지 4. 1-4.
하기 표 1에 나타낸 조성에 따라 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4의 구리계 금속막 식각액 조성물을 180kg 제조하였다.180 kg of the copper-based metal film etchant compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 were prepared according to the compositions shown in Table 1 below.
ABF: Ammonium BifluorideABF: Ammonium Bifluoride
5-ATZ: 5-aminotetrazole5-ATZ: 5-aminotetrazole
IDA : Iminodiacetic acid
IDA: Iminodiacetic acid
실험예Experimental Example 1. One. 실시예Example 1 내지 4 및 1 to 4 and 비교예Comparative Example 1 내지 4의 구리계 1 to 4 copper system 금속막Metal film 식각액Etchant 조성물의 Of the composition 식각Etching 공정 fair
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4의 구리계 금속막 식각액 조성물을 각각 사용하여 식각 공정을 실시하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), SEMES사)를 이용하였고, 식각 공정시 구리계 금속막 식각액 조성물의 온도는 약 33℃ 내외로 하였다. 식각 시간은 식각 온도에 따라서 다를 수 있으나, LCD Etching 공정에서 통상 30 내지 80초 정도로 진행하였다. 상기 식각 공정에서 식각된 구리계 금속막의 프로파일을 SEM(Hitachi사 제품, 모델명 S-4700)을 사용하여 단면을 관찰하였고, 결과를 하기 표 2에 기재하였다. 식각 공정에 사용된 구리계 금속막은 Cu/Mo-Nb 3000/300Å 박막 기판을 사용하였다.The etching process was performed using the copper-based metal film etchant compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4, respectively. (ETCHER (TFT), manufactured by SEMES Co., Ltd.) was used as the etchant, and the temperature of the copper-based metal film etchant composition was set to about 33 캜 during the etching process. The etching time may be different depending on the etching temperature, but it is usually 30 to 80 seconds in the LCD etching process. The profile of the copper-based metal film etched in the above etching process was observed using a SEM (product of Hitachi, model name: S-4700). The results are shown in Table 2 below. The copper-based metal film used in the etching process was a Cu / Mo-Nb 3000/300 Å thin film substrate.
(Cu 300~5000ppm)Amount of change in treated number (탆)
(Cu 300 to 5000 ppm)
(○: 좋음, △: 보통, Х: 나쁨, Unetch : 식각불가)(?: Good,?: Normal, X: Bad, Unetch: No etching)
실시예 1 내지 4의 구리계 금속막 식각액 조성물은 모두 식각 프로파일 및 직진성이 우수하였으며, 몰리브덴(Mo), 나이오븀(Nb) 잔사 또한 발생하지 않았다. 또한 처리매수 변화량(Side Etch 변화량)도 ±0.1 ㎛인 조건에 모두 충족하여 양호한 식각 특성을 나타내는 것을 확인하였다. 상기 실시예 1 내지 4 중에서도 실시예 3의 구리계 금속막 식각액 조성물이 가장 우수한 식각 특성을 나타내었다.All of the copper-based metal film etchant compositions of Examples 1 to 4 were excellent in etching profile and straightness, and no molybdenum (Mo) or niobium (Nb) residue was formed. Also, it was confirmed that all of the conditions of the variation in the number of treatments (side etch change) were also within the range of ± 0.1 μm, indicating good etching characteristics. Among the above Examples 1 to 4, the copper-based metal film etchant composition of Example 3 exhibited the best etching properties.
반면, 아인산이 포함되지 않은 비교예 1의 경우 식각속도가 매우 느려 Unetch 현상이 나타났다. 아인산이 0.1 중량% 미만으로 포함된 비교예 3의 경우 처리매수 변화량은 0.1㎛ 조건을 충족시켰으나, 식각속도가 매우 느려 식각 프로파일 및 직진성이 보통 수준이었으며, 아인산이 5 중량%를 초과한 비교예 4의 경우 과도한 식각속도로 인해 Pattern out 현상이 발생하였다. 또한, 황산칼륨이 포함되지 않은 비교예 2는 처리매수 변화량이 0.1 ㎛로 조건을 충족시켰으나, 식각 profile 및 식각 직진성이 모두 보통으로 나타나 우수한 식각 특성을 보이지 못하였다.
On the other hand, in the case of Comparative Example 1 in which phosphorous acid is not contained, the etch rate was very slow and the Unetch phenomenon appeared. In the case of Comparative Example 3 in which the amount of phosphorous acid was less than 0.1% by weight, the amount of change in the number of treatments satisfied the condition of 0.1 탆, but the etching rate was very slow and the etching profile and straightness were normal. Pattern out phenomenon occurred due to excessive etching rate. In Comparative Example 2, which did not contain potassium sulfate, the etching rate and the etching rate were both 0.1 탆, but the etching profile and the etching straightness were both normal.
실험예Experimental Example 2. 2. 실시예Example 3 및 3 and 비교예Comparative Example 1 내지 2의 구리계 1 to 2 copper series 금속막Metal film 식각액Etchant 조성물의 구리 농도에 따른 Depending on the copper concentration of the composition 식각특성Etch characteristics 평가 evaluation
실시예 3 및 비교예 1 내지 2의 구리계 금속막 식각액 조성물을 사용하여 구리 농도에 따른 식각특성을 평가하였다. 식각공정에 사용된 구리계 금속막은 Cu/Mo-Nb 3000/300Å 박막 기판을 사용하였다.Etching characteristics according to copper concentration were evaluated using the copper-based metal film etchant compositions of Example 3 and Comparative Examples 1 and 2. The copper-based metal film used in the etching process was a Cu / Mo-Nb 3000/300 Å thin film substrate.
구리 농도에 따른 Side Etch(㎛) 변화량을 측정하였다. Side Etch는 식각 후에 측정된 포토레지스트 끝단과 하부 금속 끝단 사이의 거리를 말한다. Side etch 량이 변화 하면, TFT 구동시 신호 전달 속도가 변화하게 되어 얼룩이 발생 될 수 있기 때문에, Side Etch 변화량은 최소화 되는 것이 바람직하다. 본 평가에서는 Side Etch 변화량이 ±0.1 ㎛ 인 조건이 충족되는 경우에 식각액 조성물을 식각 공정에 계속 사용할 수 있는 것으로 정하고 실험을 실시하였다.The variation of the side etch (㎛) according to the copper concentration was measured. Side Etch is the distance between the photoresist tip and the bottom metal tip measured after etching. If the side etch amount is changed, the signal transmission speed may change during TFT driving, and unevenness may occur. Therefore, it is desirable that the side etching amount change is minimized. In this evaluation, when the condition of the side etch change amount of ± 0.1 μm is satisfied, the etchant composition was determined to be continuously usable in the etching process and the experiment was conducted.
상기 실험의 결과를 하기 표 3에 기재하였다.The results of the above experiment are shown in Table 3 below.
본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물인 실시예 3은 구리의 농도가 높아져도 Side Etch 충족 조건인 ±0.1 ㎛을 만족시키는 우수한 식각 특성을 나타내었다.Example 3 of the copper-based metal film etchant composition of the present invention exhibited excellent etching characteristics satisfying the side etch condition of ± 0.1 μm even when the copper concentration was increased.
반면에, 아인산이 포함되지 않은 비교예 1은 식각이 불가능하였고, 황산칼륨이 포함되지 않은 비교예 2는 식각은 되었지만, 구리의 농도가 높아질수록 Side Etch 충족 조건인 ±0.1 ㎛ 범위를 벗어난 것을 확인할 수 있었다.On the other hand, Comparative Example 1 containing no phosphorous acid was not etchable, and Comparative Example 2 containing no potassium sulfate was etched, but it was found that the higher the copper concentration, the more the deviation from the range of ± 0.1 μm I could.
따라서, 본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물은 식각 Profile 및 식각 직진성이 우수하며, 구리 농도에 따라 Side Etch 변화량이 일정 수준으로 유지되는 우수한 특성을 지니고 있다고 할 수 있다.
Accordingly, the copper-based metal film etchant composition of the present invention is excellent in etch profile and etching straightness, and has an excellent property that the side etch change amount is maintained at a constant level according to the copper concentration.
Claims (13)
b)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
d)상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
e)상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 a) 또는 d)단계는 기판 또는 반도체 층 상에 구리계 금속막을 형성하고, 상기 구리계 금속막을 식각액 조성물로 식각하여 게이트 배선, 또는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하며;
상기 식각액 조성물은 조성물 총 중량에 대하여 과산화수소 5 내지 25 중량%, 아인산 0.1 내지 5 중량%, 불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%, 아졸 화합물 0.1 내지 5 중량%, 한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물 0.1 내지 5.0 중량%, 황산염 화합물 0.1 내지 5.0 중량% 및 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 구리계 금속막 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.a) forming a gate wiring on the substrate;
b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring;
c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer;
d) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer; And
e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode, the method comprising the steps of:
Wherein the step a) or the step d) comprises forming a copper-based metal film on the substrate or the semiconductor layer and etching the copper-based metal film with the etchant composition to form a gate wiring or a source and a drain electrode;
Wherein the etchant composition comprises 5 to 25 wt% of hydrogen peroxide, 0.1 to 5 wt% of phosphorous acid, 0.01 to 1.0 wt% of a fluorine compound, 0.1 to 5 wt% of an azole compound, a water- Wherein the composition is a copper-based metal film etchant composition comprising 0.1 to 5.0% by weight of a sulfate compound, 0.1 to 5.0% by weight of a sulfate compound and a residual amount of water such that the total weight of the composition is 100% by weight.
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