KR101495683B1 - Cu or Cu/Mo or Cu/Mo alloy electrode etching liquid in Liquid Crystal Display system - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 조성물 총 중량을 기준으로 12 ~ 35중량%의 과산화수소, 0.5 ~ 5중량%의 황산염, 0.5 ~ 5중량%의 인산염, 0.0001 ~ 0.5중량%의 플루오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 0.1 ~ 5중량%의 제 1 수용성 고리형 아민, 0.1 ~5중량%의 킬레이트제, 0.1 ~ 5중량%의 제 2 수용성 고리형 아민, 0.1 ~ 5중량%의 글리콜 및 전체 조성물 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 탈이온수를 포함하는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a process for the preparation of a fluorine-containing organosilicon compound which comprises 12 to 35% by weight of hydrogen peroxide, 0.5 to 5% by weight of a sulfate, 0.5 to 5% by weight of a phosphate, 0. 011 to 0.5% To about 5 wt% of a first water soluble cyclic amine, from about 0.1 wt% to about 5 wt% of a chelating agent, from about 0.1 wt% to about 5 wt% of a second water soluble cyclic amine, from about 0.1 wt% to about 5 wt% Copper / molybdenum film or a copper / molybdenum alloy film including deionized water so as to be a copper / molybdenum film or a copper / molybdenum alloy film.
또한 본 발명은 액정표시장치의 TFT(Thin Film Transistor)를 구성하는 게이트(Gate), 소스(Source) 또는 드레인(Drain)전극용 금속배선제의 식각공정에 쓰이는 것을 특징으로 하는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물에 관한 것이다.The present invention is also directed to a copper film, a copper / copper alloy film, a copper film, and a copper film, which are used in a process of etching a metal wiring for a gate, a source or a drain electrode constituting a TFT (Thin Film Transistor) A molybdenum film or a copper / molybdenum alloy film.
식각조성물, 구리, 구리/몰리브데늄, 액정표시장치 Etching composition, copper, copper / molybdenum, liquid crystal display
Description
본 발명은 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a copper film, a copper / molybdenum film or a copper / molybdenum alloy film etch composition.
반도체 장치에서 기판상에 금속배선을 형성하기 위해서는 일반적으로 스퍼터링 등에 의한 금속막 형성공정, 상기 금속막상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트 형성공정 및 상기 포토레지스트를 접촉 마스크로 하여 식각을 수행하는 에칭공정으로 이루어지는 바, 이 중 상기 에칭 공정은 플라즈마 등을 이용한 건식식각이나, 식각용액을 이용하는 습식식각에 의해 수행된다. 건식식각의 경우, 고진공을 요하는 등 식각 조건이 까다롭고 비용이 많이 소요되므로, 적절한 식각액이 존재하는 경우 습식 식각이 보다 유리하다. In order to form a metal wiring on a substrate in a semiconductor device, a metal film forming process by sputtering or the like, a photoresist forming process having a predetermined pattern on the metal film, and an etching process of performing etching using the photoresist as a contact mask The etching process is performed by dry etching using plasma or wet etching using an etching solution. In case of dry etching, wet etching is more advantageous in the presence of an appropriate etching solution because etching conditions such as high vacuum are required and it is expensive.
한편, TFT-LCD 장치에서 금속 배선막의 저항은 RC 신호지연을 유발하는 주요한 인자로서, 저저항의 금속 배선막 수득은 패널 크기 증가와 고해상도 구현에 관건이 되고 있다. 따라서, 종래 기술상 금속 배선막의 재료로 사용되는 크롬(Cr, 비 저항:25×10-6Ωm), 몰리브데늄(Mo, 비저항: 12×10-6Ωm), 알루미늄니오디움(AlNd, 비저항:5×10-6Ωm) 및 이들의 합금은 저항이 높아 대형 TFT-LCD에 사용되는 게이트 및 데이터 배선 등으로 이용하기에 바람직하지 않은 것으로 생각되어 지고 있다.On the other hand, in the TFT-LCD device, the resistance of the metal wiring film is a major factor causing the RC signal delay, and the low resistance metal wiring film is a key factor in increasing the panel size and realizing high resolution. Therefore, it is preferable to use chromium (Cr, specific resistance: 25 x 10 -6 Ωm), molybdenum (Mo, specific resistance: 12 × 10 -6 Ωm), aluminum nioium (AlNd, 5 × 10 -6 Ωm) and their alloys are considered to be undesirable for use in gates and data lines used in large-scale TFT-LCDs due to their high resistance.
이와 관련하여, 알루미늄 또는 크롬 보다 저항이 현저하게 낮고 환경적으로도 큰 문제가 없는 구리 금속이 저 저항 배선막 재료로서 주목을 받고 있으나, 구리의 경우 그 금속막 위에 포토레지스트를 도포하여 패터닝 하는 공정에 많은 어려운 점, 예를 들어, 유리 기판 및 실리콘 절연막과의 접착력이 나빠지는 등의 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 구리를 단독으로 사용하기 보다는, 구리막과 하부 유리 기판 또는 실리콘 절연막과의 접착력을 증대시키고 실리콘 막으로의 구리의 확산을 억제하기 위하여 중간 금속막을 함께 사용하는 기술이 제안되었는바, 이러한 중간 금속막으로는 티타늄, 몰리브데늄 또는 몰리브데늄합금 등을 들 수 있다.In this connection, copper metal, which is significantly lower in resistance than aluminum or chromium and has no great environmental problems, has attracted attention as a low resistance wiring film material. However, in the case of copper, a step of coating and patterning photoresist on the metal film There is a problem that adhesion to a glass substrate and a silicon insulating film is deteriorated. In order to solve such a problem, there has been proposed a technique of using an intermediate metal film together to increase the adhesion between the copper film and the lower glass substrate or the silicon insulating film and to suppress the diffusion of copper into the silicon film, rather than using copper alone Examples of the intermediate metal film include titanium, molybdenum or molybdenum alloy.
상기 구리/중간 금속막을 습식식각공정으로 에칭하기 위해서는 적절한 식각액의 개발이 선행되어야 하나, 현재 이를 위한 적절한 에칭액은 개발되어 있지 않은 상태이다. 예를 들어, 대한민국공개특허 1999-017836호는 인산, 질산 및 초산을 사용하여 구리/몰리브데늄 막을 식각하는 방법을 개시하고 있으나, 상기 기술은 식각속도가 너무 빠를 뿐만 아니라, 도 1에 나타낸 바와 같이, 패턴의 직선성이 좋지 않고, 식각 프로파일(etch profile)의 테이퍼 각이 90도 또는 그 이상이 되어 후속공정이 곤란하다.In order to etch the copper / intermediate metal film by a wet etching process, development of an appropriate etchant should be preceded, but an appropriate etchant for this purpose has not been developed yet. For example, Korean Patent Laid-Open Publication No. 1999-017836 discloses a method of etching a copper / molybdenum film using phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid. However, the above- Likewise, the linearity of the pattern is not good, and the taper angle of the etch profile is 90 degrees or more, which makes subsequent processing difficult.
또한, 구리/티타늄막을 식각하기 위해서 식각조성물 내에 불소이온이 함유된 조성물을 사용하려는 시도가 있었으나, 일반적으로 식각조성물 내에 불소이온이 포함되어 있으면 유리 기판 및 질화실리콘층 등에 까지 영향을 주어 각종 불량을 일으키는 것이 알려져 있다.In addition, there has been an attempt to use a composition containing fluorine ions in the etching composition to etch the copper / titanium film. However, if fluorine ions are contained in the etching composition in general, the glass substrate and the silicon nitride layer are affected, It is known to cause.
나아가, 기존의 과산화수소를 사용한 구리 식각액의 발명들은 대부분 유기산, 과산화수소, 황산염, 고리형 아민화합물 및 탈이온수를 포함한 구리/몰리브데늄막 식각조성물을 개시하고 있는바, 상기 기술의 경우, 패턴의 직선성 및 비교적 만족할 만한 테이퍼 각을 얻는 것은 가능하나, 유기산을 필수 구성성분으로 함유해야 하므로 경시변화 측면에서 바람직하지 않다, Further, the present invention of a copper etchant using hydrogen peroxide has disclosed a copper / molybdenum film etching composition containing mostly organic acid, hydrogen peroxide, a sulfate, a cyclic amine compound and deionized water. In this technique, It is possible to obtain a satisfactory taper angle and a satisfactory taper angle, but it is not preferable from the viewpoint of aging change since it must contain an organic acid as an essential constituent,
또한 대한민국공개특허 제 2006-0099089호는 과산화수소, 황산염, 인산염, 불화물, 수용성 고리형 아민 화합물, 킬레이트제 및 탈이온수를 포함한 구리/몰리브데늄막 식각액을 개시하고 있는 바, 이 경우 식각속도 제어가 쉽고 원하는 테이퍼를 균일하게 수득할 수 있으며 우수한 패턴의 직진성, 적은 CD 손실 및 잔사를 유발시키지 않아 구리/몰리브데늄막을 이용한 액정표시장치의 제조에 사용하는 것이 가능하나 식각액 중의 금속 이온 농도의 변화에 따른 경시변화가 심하다는 단점이 있으며 특히 과량의 구리 이온에 의해 과산화수소의 급격한 분해 반응이 촉진되어 식각액의 안정성이 저하된다.Korean Patent Publication No. 2006-0099089 discloses a copper / molybdenum film etchant containing hydrogen peroxide, a sulfate, a phosphate, a fluoride, a water-soluble cyclic amine compound, a chelating agent and deionized water. In this case, It is possible to obtain easily and desired taper uniformly, and it can be used in the production of a liquid crystal display device using a copper / molybdenum film without inducing the linearity of superior pattern, little CD loss and residue, And especially the excessive decomposition of hydrogen peroxide by the excessive copper ions promotes the stability of the etching solution.
특히, 본 발명자의 연구에 따르면, 과산화수소를 구리 및 몰리브데늄 등의 금속에 대한 산화제로 사용하는 식각액의 경우 식각 공정이 진행될수록 식각액 중의 금속 이온 농도가 증가하게 되고 구리 등의 금속 이온은 산화제인 과산화수소를 분해시키는 촉매 역할을 하게 되어 식각공정 전체의 경시변화를 초래하게 된다. 또한 무엇보다도 몇몇의 사례에서 알 수 있듯이 급격한 과산화수소의 분해 반응은 단순한 식각공정의 경시변화 뿐만 아니라 액온의 급상승, 발연, 폭발 및 배관, 설비 등의 파손을 일으킬 수 있어 환경/안전 관점에서 그 금속 농도가 철저히 관리되어야 할 것이다.In particular, according to the study of the present inventors, in the case of an etching solution using hydrogen peroxide as an oxidizing agent for metals such as copper and molybdenum, the metal ion concentration in the etching solution increases as the etching process proceeds, And serves as a catalyst for decomposing hydrogen peroxide, resulting in a change over time of the entire etching process. In addition, as can be seen from some examples, the rapid decomposition of hydrogen peroxide can cause not only a change in the etching process over time but also a sudden increase in temperature, flare, explosion, damage to pipes and equipment, Should be thoroughly managed.
본 발명은 상기의 기존 구리, 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 식각조성물들이 가지고 있는 문제점을 해결하고자 구리, 구리/몰리브데늄, 구리/몰리브데늄합금으로 구성된 금속배선을 일괄습식 식각하였을 때 제반 식각조성물의 특성을 확보하고, 식각공정 중에 증가하게 되는 금속 이온 농도에 대한 과산화수소의 분해 반응이 억제되어 식각특성이 오래 유지되며, 분해 반응에 안정한 식각조성물을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention solves the problems inherent in conventional copper, copper / molybdenum or copper / molybdenum alloy etching compositions as described above, in which metal wiring composed of copper, copper / molybdenum, and copper / It is an object of the present invention to provide an etch composition that is stable to a decomposition reaction while securing the characteristics of various etching compositions when the etch process is performed, suppressing the decomposition reaction of hydrogen peroxide with respect to the metal ion concentration that is increased during the etch process, .
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 금속배선 식각조성물은 상술한 기존 식각조성물이 가지고 있는 문제점을 해결하고자 과산화수소, 황산염, 인산염, 플루오르 이온을 제공할 수 있는 화합물, 제 1 수용성 고리형 아민 화합물, 킬레이트, 제 2 수용성 고리형 아민 화합물, 글리콜 화합물 및 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to accomplish the above object, the present invention provides a metal wiring etching composition comprising a compound capable of providing hydrogen peroxide, a sulfate, a phosphate, a fluorine ion, a first water-soluble cyclic amine compound , A chelate, a second water-soluble cyclic amine compound, a glycol compound and deionized water.
이하 본 발명에 따른 식각조성물과, 상기 식각조성물을 사용한 금속배선 식각방법에 대하여 좀 더 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, the etching composition according to the present invention and a method for etching a metal wiring using the etching composition will be described in more detail.
본 발명에서 상기 금속배선은 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막인 것을 특징으로 한다. 여기서 상기 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막은 1 이상의 구리(Cu)막과 1이상의 몰리브데늄(Mo)막 및/또는 몰리브데늄합금막(Mo-alloy)이 상호 적층된 다중막일 수 있으며, 상기 다중막은 Cu/Mo(Mo-alloy)이중막, Cu/Mo(Mo-alloy)/Cu 또는 Mo(Mo-alloy)/Cu/Mo(alloy)의 삼중막을 포함할 수 있다. 상기 막의 순서는 기판의 물질, 접합성에 따라 적절히 조절할 수 있다.In the present invention, the metal wiring may be a copper film, a copper / molybdenum film, or a copper / molybdenum alloy film. The copper / molybdenum alloy film or the copper / molybdenum alloy film may be formed by stacking at least one copper (Cu) film and at least one molybdenum (Mo) film and / or a molybdenum alloy film (Mo-alloy) The multi-layer may comprise a triple layer of a Cu / Mo (Mo-alloy) double layer, a Cu / Mo / Cu or a Mo-alloy / Cu / Mo alloy . The order of the film can be appropriately adjusted according to the material and bonding property of the substrate.
상기 몰리브데늄합금막은 몰리브데늄-텡스텐(Mo-W), 몰리브데늄-티타늄(Mo-Ti), 몰리브데늄-니오비늄(Mo-Nb), 몰리브데늄-크롬(Mo-Cr) 또는 몰리브데늄-탄탈륨(Mo-Ta)으로 구성될 수 있다.The molybdenum alloy film may be at least one selected from the group consisting of molybdenum-tungsten (Mo-W), molybdenum-titanium (Mo-Ti), molybdenum-niobium (Mo-Nb), molybdenum- Cr) or molybdenum-tantalum (Mo-Ta).
본 발명은 과산화수소, 황산염, 인산염, 플루오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 킬레이트제, 제 1 수용성 고리형 아민, 제 2 수용성 고리형 아민, 글리콜 및 탈이온수를 포함하는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a process for producing a copper / molybdate compound, which comprises a hydrogen peroxide, a sulfate, a phosphate, a fluoride capable of providing a fluorine ion, a chelating agent, a first water soluble cyclic amine, a second water soluble cyclic amine, Or a copper / molybdenum alloy film.
상기 황산염은 황산암모늄, 과황산암모늄, 황산나트륨, 과황산나트륨, 황산칼륨, 과황산 칼륨, 황산으로부터 하나이상 선택될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 상기 황산염은 구리의 식각속도를 높여 에칭공정의 생산성 향상에 효과적이다.The sulfate may be selected from ammonium sulfate, ammonium persulfate, sodium sulfate, sodium persulfate, potassium sulfate, potassium persulfate, and sulfuric acid, but is not limited thereto. The sulfate is effective in improving the productivity of the etching process by increasing the etching rate of copper.
상기 인산염은 크게 제한되지 않지만 일인산암모늄,이인산암모늄,인산이수소칼륨, 인산이수소나트륨으로부터 하나이상 선택될 수 있으며, 또한 상기 불화물은 조성물 내에 플르오르이온을 제공해 줄 수 있는 불산계 화합물을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 불산, 불화암모늄, 불화칼륨, 과불화칼륨으로부터 하나이상 선택될 수 있다.The phosphate is not particularly limited but may be selected from ammonium monophosphate, ammonium diphosphate, potassium dihydrogenphosphate and sodium dihydrogenphosphate, and the fluoride may be selected from the group consisting of a fluoric acid compound capable of providing fluorine ions in the composition, And preferably one or more selected from hydrofluoric acid, ammonium fluoride, potassium fluoride, and potassium perborate.
상기 인산염은 상기 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각시 하부의 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막이 구리막의 하부로 과 식각되는 것 을 억제하여 주는 역할을 한다. 여기서 상기 인산염이 지나치게 과량인 경우 하부의 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막이 구리의 끝단으로부터 과하게 돌출하게 되어 2중 프로파일을 가지며 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막의 부동태를 촉진하여 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막의 잔사를 유발하게 되는 부작용이 있다.The phosphate serves to inhibit the underlying molybdenum or molybdenum alloy film from being etched under the copper film when the copper / molybdenum film or the copper / molybdenum alloy film is etched. If the phosphate is excessively excessive, the molybdenum film or the molybdenum alloy film at the bottom excessively protrudes from the end of the copper so that the passivation of the molybdenum film or the molybdenum alloy film is promoted, There is a side effect of causing residues of the aluminum film or the molybdenum alloy film.
또한 상기 인산염이 배제된 경우에는 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막으로의 식각이 지나치게 되어 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막의 언더켓 또는 구리의 이중 프로파일을 갖게 된다.In the case where the phosphate is excluded, the molybdenum film or the molybdenum alloy film is excessively etched to have a molybdenum film or a molybdenum alloy film underfill or copper double profile.
상기 불화물은 불산, 불화암모늄, 불화칼륨, 과불화칼륨으로부터 하나이상 선택될 수 있다.The fluoride may be at least one selected from hydrofluoric acid, ammonium fluoride, potassium fluoride, and perfluorinated potassium.
상기 불화물은 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막의 금속 특성상 국부적인 부동태 반응으로 인해 형성되는 잔사를 제거하는 역할을 한다. 이는 과산화수소를 사용하여 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막을 식각하는 경우 상기 막의 국부적 부동태 반응에 의하여 잔사의 문제가 생기게 되는데 이는 과산화수소에 의해 Mo로부터 형성된 MoO6가 낮은 pH(예를 들어 pH6.0미만)하에서, 완전히 식각되어Mo+3또Mo+6의 형태로 전이되지 못하고 표면부동태로 인한 잔사를 형성하게 되기 때문이다.The fluoride serves to remove residues formed due to the local passivation reaction due to the metal nature of the molybdenum or molybdenum alloy film. This is because when a molybdenum film or a molybdenum alloy film is etched using hydrogen peroxide, a problem of residues occurs due to the local passivation reaction of the film, because MoO 6 formed from Mo by hydrogen peroxide has a low pH (for example, pH 6.0 , It is completely etched to form a residue due to the surface passivation without being transferred to the form of Mo +3 or Mo + 6 .
그러나 조성물 내에 플루오르 이온을 가진 불화물을 첨가하는 경우 활성이 높은 플루오르이온이 MoO3의 식각반응을 촉진시켜 Mo의 잔사 형성 없는 식각을 가능하게 한다. 특히, 과산화수소, 황산염 및 인산염으로 이루어진 식각 시스템과 함께 사용할 경우 유리막 식각 또는 질화실리콘등 보호막의 식각문제가 거의 발생하지 않으므로 금속 배선패턴 형성에 매우 유리하게 사용할 수 있다.However, when a fluoride ion having a fluorine ion in the composition is added, highly active fluorine ion accelerates the etching reaction of MoO 3 to enable etching without Mo residue formation. In particular, when used in combination with an etching system composed of hydrogen peroxide, a sulfate, and a phosphate, it is very advantageous to form a metal wiring pattern because there is hardly any etching problem of a protective film such as a glass film etching or a silicon nitride.
상기 킬레이트제는 특별히 한정되지 않으며, 바람직하게는 EDTA, 이미노디아세트산(Iminodiacetic Acid), 니트릴로트리아세트산(Nitrilotriacetic acid), 디에틸렌트리니트릴로펜타아세트산(Diethylene Trinitrilo Pentaacetic Acid: DTPA)으로부터 하나이상 선택될 수 있다. 상기 킬레이트제는 식각조성물 중에 구리막, 몰리브데늄 또는 몰리브데늄합금의 이온농도가 증가하고 이로 인해 과산화수소가 분해되어 식각조성물의 식각능력이 저하되는 현상을 방지하며, 또한 식각조성물의 보관 시 발생할 수 있는 과산화수소의 자체 분해반응을 억제한다. The chelating agent is not particularly limited and preferably at least one selected from EDTA, Iminodiacetic Acid, Nitrilotriacetic acid, Diethylene Trinitrilo Pentaacetic Acid (DTPA) . The chelating agent prevents the phenomenon that the ion concentration of the copper film, molybdenum or molybdenum alloy increases in the etching composition, thereby degrading the etching ability of the etching composition, and in addition, It inhibits the self-decomposition reaction of hydrogen peroxide.
보다 구체적으로 상기 바람직한 예시로 든 킬레이트제의 경우 구리막의 식각시 발생하는 금속이온들을 킬레이션 반응을 통해 봉쇄시킴으로써 과산화수소의 분해 반응을 억제하고, 이로써 다량의 금속배선을 식각 처리하여도 식각특성이 변화되지 않는 장점을 가지게 된다.More specifically, in the case of the chelating agent exemplified above, the metal ions generated during the etching of the copper film are blocked by the chelation reaction, thereby suppressing the decomposition reaction of the hydrogen peroxide. As a result, even if a large amount of metal wiring is etched, .
본 발명에서 상기 제 1수용성 고리형 아민은 크게 제한되지 않지만 아미노테트라졸(Aminotetrazole), 벤조트리아졸(Benzotriazole), 메틸벤조트리아졸(Methylbenzotriazol), 1,2,3 트리아졸(1,2,3-Triazole), 이미다졸(Imidazole), 인돌, 푸린, 피라졸, 피리딘, 피리미딘, 피롤 , 피롤린으로부터 하나이상 선택된다. 상기 제 1수용성 고리형 아민은 구리에 대한 식각속도를 조절할 수 있도록 해주며, 배선의 직진성을 향상시킨다.In the present invention, the first water-soluble cyclic amine is not particularly limited but includes aminotetrazole, benzotriazole, methylbenzotriazole, 1,2,3 triazole (1,2,3 -Triazole, imidazole, indole, purine, pyrazole, pyridine, pyrimidine, pyrrole and pyrroline. The first water-soluble cyclic amine can control the etching speed for copper and improves the straightness of the wiring.
상기 제 2 수용성 고리형 아민은 시클로헥실아민,시클로프로필아민,시클로펜 틸아민,시클로헵틸아민,시클로옥틸아민으로부터 하나이상 선택될 수 있다. 또한 제 2수용성고리형아민은 식각공정 중에 증가하게 되는 금속이온 농도에 대한 과산화수소의 분해반응을 억제하여 식각특성이 오래 유지되도록 하며, 따라서 본 발명에 의한 식각조성물이 분해 반응에 안정할 수 있게 해준다. The second water-soluble cyclic amine may be at least one selected from cyclohexylamine, cyclopropylamine, cyclopentylamine, cycloheptylamine and cyclooctylamine. Also, the second water-soluble cyclic amine suppresses the decomposition reaction of hydrogen peroxide with respect to the metal ion concentration, which is increased during the etching process, so that the etching property is maintained for a long time, and thus the etching composition according to the present invention is stable in the decomposition reaction .
상기 제 2 수용성 고리형 아민은 글리콜이 첨가되었을 때 안정성이 더욱 향상될 수 있다. 상기 글리콜은 에틸렌글리콜, 프로필렌 글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 헥실렌글리콜, 부틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜로부터 하나이상 선택되며 상기 제 2수용성 고리형 아민보다 과량으로 포함되는 것을 특징으로 한다. 제 2 수용성 고리형 아민이 글리콜보다 과량으로 투입되었을 경우 Mo의 잔사를 발생시킬 수 있다.The second water-soluble cyclic amine can be further improved in stability when glycol is added. Wherein the glycol is at least one selected from ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, hexylene glycol, butylene glycol, polyethylene glycol, and polypropylene glycol and is contained in an excess amount relative to the second water-soluble cyclic amine . Mo residue can be generated when the second water-soluble cyclic amine is charged in excess of the glycol.
본 발명에 의한 식각조성물은 다음과 같다.The etching composition according to the present invention is as follows.
본 발명은 조성물 총 중량을 기준으로 12 ~ 35중량%의 과산화수소, 0.5 ~ 5중량%의 황산염, 0.5 ~ 5중량%의 인산염, 0.0001 ~ 0.5중량%의 플루오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 0.1 ~ 5중량%의 제 1 수용성 고리형 아민, 0.1 ~5중량%의 킬레이트제, 0.1 ~ 5중량%의 제 2 수용성 고리형 아민, 0.1 ~ 5중량%의 글리콜 및 전체 조성물 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 탈이온수를 포함하는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a process for the preparation of a composition which comprises 12 to 35% by weight of hydrogen peroxide, 0.5 to 5% by weight of a sulfate, 0.5 to 5% by weight of a phosphate, 0.301 to 0.5% of a fluoride capable of providing a fluorine ion, The first water-soluble cyclic amine, the first water-soluble cyclic amine, the second water-soluble cyclic amine, the second water-soluble cyclic amine, the second water-soluble cyclic amine, To a copper film, a copper / molybdenum film or a copper / molybdenum alloy film including deionized water to enable the etching of the copper film.
그리고 상기 범위에서 식각조성물의 특성이 오래 유지되며 적절한 식각속도를 가질 수 있으며, 잔사 없이 식각에 의한 분해 반응에 의해 안정한 용액이 될 수 있다. 또한 배선의 직진성이 양호한 장점이 있다.In this range, the characteristics of the etching composition are maintained for a long time, and the etching solution can be etched at a proper rate and can be stabilized by decomposition reaction without etching. Further, there is an advantage that the linearity of the wiring is good.
본 발명에 따른 금속배선 식각조성물에 사용되는 과산화수소, 황산염, 인산염, 불화물, 제 1 수용성 고리형 아민, 킬레이트제는 통상적으로 공지된 방법에 의해 제조가 가능하고, 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.The hydrogen peroxide, the sulfate, the phosphate, the fluoride, the first water-soluble cyclic amine and the chelating agent used in the metal wiring etching composition according to the present invention can be produced by a conventionally known method and preferably have a purity for semiconductor processing Do.
그리고 상기 식각조성물에 사용되는 탈이온수는 반도체 공정용을 사용하고 바람직하게는 18MΩ/cm 이상의 물을 사용한다.The deionized water to be used in the etching composition is used for semiconductor processing, and preferably water of 18 M? / Cm or more is used.
본 발명에 따른 상기 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물은 액정표시장치의 TFT(Thin Film Transistor)를 구성하는 게이트(Gate), 소스(Source) 또는 드레인(Drain)전극용 금속배선제의 식각공정에 쓰이는 것을 특징으로 한다.The etching composition of the copper film, the copper / molybdenum film or the copper / molybdenum alloy film according to the present invention can be used as a gate, a source, or a drain (not shown) constituting a TFT (Thin Film Transistor) Drain electrode for a metal wiring material.
또한 본 발명은 기판 상에 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막을 증착하는 단계;The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: depositing a copper film, a copper / molybdenum film or a copper / molybdenum alloy film on a substrate;
상기 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트막을 형성하는 단계;Forming a photoresist film having a predetermined pattern on the substrate;
상기 포토레지스트가 형성된 막에 상기 식각조성물을 사용하여 금속배선을 형성하는 단계;Forming a metal wiring on the film having the photoresist using the etching composition;
상기 포토레지스트 막을 제거하는 단계; 및Removing the photoresist film; And
탈이온수로 상기 금속배선을 세정 및 질소로 건조시키는 단계;Washing the metal wiring with deionized water and drying with nitrogen;
를 포함하는 금속배선 식각방법에 관한 것이다.To a method for etching a metal wiring.
상기 금속배선은 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막은 1 이상의 구리(Cu)막과 1이상의 몰리브데늄(Mo)막 및/또는 몰리브데늄합금막(Mo-alloy)이 상호 적층된 다중막이며, 상기 몰리브데늄 막 또는 몰리브데늄합금막은 100 ~ 500Å, 상기 구리막은 1000 ~ 10,000Å의 두께를 갖도록 증착할 수 있으며 상기범위에서 식각이 잔사 없이 효율적으로 일어날 수 있다.The metal interconnection may include a copper / molybdenum film or a copper / molybdenum alloy film, wherein at least one copper (Cu) film and at least one molybdenum (Mo) film and / or a molybdenum alloy film (Mo- The molybdenum or molybdenum alloy film may be deposited to a thickness of 100 to 500 angstroms and the copper film may be deposited to have a thickness of 1000 to 10,000 angstroms.
상기 금속 배선의 식각은 크게 제한되지 않지만 30 ~ 40℃에서 진행할 수 있다. 상기 식각조성물을 사용할 때 침적 및 스프레이 방법 모두 가능하나 바람직하게는 스프레이 방법을 통하여 상기 식각조성물을 기판 상에 분무시켜 식각공정을 진행할 수 있으며, 30 ~ 160초 동안 스프레이 방법을 통하여 상기 기판 상에 분부시킴으로써 금속배선을 형성할 수 있다. 또한 상기 포토레지스트를 제거할 때, 통상적으로 쓰이는 박리액(stripper)을 사용할 수 있으며 이에 제한되지 않는다.The etching of the metal wiring is not particularly limited, but it can proceed at 30 to 40 ° C. When the etching composition is used, deposition and spraying are both possible. Preferably, the etching composition is sprayed on the substrate through a spraying method, and the etching process can be performed. The substrate is sprayed on the substrate through a spraying method for 30 to 160 seconds. The metal wiring can be formed. In addition, when removing the photoresist, a commonly used stripper may be used, but the present invention is not limited thereto.
본 발명에 따른 식각조성물을 사용하여 금속배선을 식각하였을 때 다음과 같은 효과가 있다.When the metal wiring is etched using the etching composition according to the present invention, the following effects are obtained.
첫째, 본 발명에 따른 식각조성물은 조성변화를 통해 식각 속도의 조절이 자유로우며, 또한 식각 프로파일(etch profile)이 우수하고, 배선의 직진성이 양호한 장점이 있다. 그리고 잔사의 완전제거가 가능하다는 장점이 있어 저항이 낮은 구리 막을 TFT-LCD 게이트 및 소스/드레인 전극용으로 사용하는 경우 그 식각조성물로 사용할 수 있는 효과가 있다.First, the etching composition according to the present invention has an advantage that the etching rate can be controlled freely through compositional change, the etch profile is excellent, and the linearity of the wiring is good. And can completely remove the residue. Therefore, when a low-resistance copper film is used for a TFT-LCD gate and a source / drain electrode, it can be used as the etching composition.
둘째, 본 발명에 따른 식각조성물로 다량의 금속배선을 식각하였을 때도 상기 식각조성물의 특성이 유지되며, 식각조성물의 보관 기간이 긴 장점이 있다. 또한 식각공정에 의해 발생되는 구리 및 몰리브덴 금속 농도가 4,000 ppm에서도 급격한 과산화수소의 분해가 일어나지 않아 안정적인 공정 운영이 가능하다는 장점이 있다.Second, even when a large amount of metal wiring is etched with the etching composition according to the present invention, the characteristics of the etching composition are maintained, and the storage period of the etching composition is long. In addition, even when the concentration of copper and molybdenum metal generated by the etching process is 4,000 ppm, rapid decomposition of hydrogen peroxide does not occur, and stable operation of the process is possible.
이하, 구체적인 실시예 및 비교예를 통해 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다. 이하 설명될 내용은 발명을 좀 더 잘 이해시키기 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples and comparative examples. The following description is intended to better understand the invention and is not intended to limit the scope of the invention.
[실시예 및 비교예][Examples and Comparative Examples]
식각조성물의 제조Preparation of etching compositions
하기 표 1에 나타낸 구성성분과 함량으로 혼합하여 실시예 1 ~ 6 및 비교예 1 ~ 4의 식각조성물을 제조하였다.The etching compositions of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 were prepared by mixing with the components shown in Table 1 below.
식각방법Etching method
유리기판(100mm×100mm) 상에 몰리브데늄(200Å)막을 증착시키고 상기 몰리브데늄(200Å)막 상에 구리(1600Å)막을 증착시킨 뒤 포토리소그래피(photo lithography) 공정을 통하여 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트가 형성되도록 한 후, 상기 실시예 1 ~ 6 및 비교예 1 ~ 4의 조성물을 각각 사용하여 구리/몰리브데늄 이중 막에 대하여 식각공정을 실시하였다. 식각공정시 조건은 조성물의 온도가 30℃이고 스프레이 방법을 통하여 100초 동안 상기 식각조성물을 기판 상에 분무시켜 식각공정을 진행하였으며, 식각공정 후 박리액(stripper)으로 포토레지스트를 제거하고 , 탈이온수로 세정한 뒤 질소로 건조 시켰다. A molybdenum (200Å) film was deposited on a glass substrate (100mm × 100mm), and a copper (1600Å) film was deposited on the molybdenum film (200Å). Then, a photolithography process was performed to form a predetermined Pattern was formed on the surface of the copper / molybdenum double-layered film, and then the copper / molybdenum bilayer film was etched using the compositions of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4, respectively. The etching process was carried out by spraying the etching composition onto the substrate for 30 seconds at a temperature of 30 ° C. and spraying for 100 seconds. After the etching process, the photoresist was removed by a stripper, Washed with ionized water and dried with nitrogen.
물성평가Property evaluation
상기 식각방법으로 식각한 시료에 대하여 물성을 평가하여 하기 표 2에 나타 내었다.The properties of the samples etched by the above etching method were evaluated and shown in Table 2 below.
식각특성 평가는 상기 식각방법으로 식각하였을 때의 구리/몰리브데늄 이중막의 식각프로파일의 단면을 전자현미경으로 관찰하여 양호 또는 불량으로 평가하여 하기 표 2에 기재하였다.The etching characteristics were evaluated by observing the etching profile of the copper / molybdenum double film etched by the above etching method with an electron microscope, and evaluating the etching profile as good or bad.
몰리브데늄잔사 평가는 상기 식각방법으로 식각하였을 때의 구리/몰리브데늄 이중막의 식각프로파일의 단면을 전자현미경 또는 광학현미경으로 관찰하였을 때 몰리브데늄잔사의 유무를 평가하여 하기 표 2에 기재하였다.The evaluation of the molybdenum residue was carried out by observing the cross section of the etching profile of the copper / molybdenum double film by the above etching method using an electron microscope or an optical microscope, and the presence or absence of the molybdenum residue was evaluated in the following Table 2 .
식각조성물의 안정성 평가는 상온에서 상기 실시예 및 비교예의 식각조성물에 각각 구리와 몰리브데늄의 중량비가 10 :1이 되도록 투입한 후, 72시간 동안 온도변화를 관찰하여 40℃가 넘지 않을 경우를 안정한 것으로 판단하였다. 이는 과산화수소의 급격한 분해반응이 온도의 상승을 수반하기 때문이다. 상기 식각조성물의 안정성평가는 구리에 대한 최대안정성으로 표현할 수 있으며,구리에 대한 최대안정성은 상기의 방법으로 안정성을 평가하였을 때 40℃를 넘지 않는 구리의 최대 농도(ppm)으로 결정하였다.The evaluation of the stability of the etching composition was carried out at room temperature under the conditions that the weight ratio of copper and molybdenum to the etching compositions of the examples and the comparative examples was 10: 1, and then the temperature was changed for 72 hours. It was judged to be stable. This is because the rapid decomposition reaction of hydrogen peroxide involves an increase in temperature. The stability evaluation of the etching composition can be expressed as the maximum stability to copper and the maximum stability to copper was determined as the maximum concentration (ppm) of copper not exceeding 40 캜 when the stability was evaluated by the above method.
표1Table 1
표2Table 2
상기 물성평가 결과 실시예의 경우 비교예1~3에 비해 더 많은 구리 및 몰리브데늄을 투입하여 구리이온농도를 높여도 과산화수소의 급격한 분해반응이 일어나지 않아 더 안정적으로 사용이 가능하였다.As a result of the above physical properties evaluation, it was possible to use more copper and molybdenum than in Comparative Examples 1 to 3, so that even when the copper ion concentration was increased, the hydrogen peroxide did not decompose rapidly, and thus it could be used more stably.
또한 시클로헥실아민이 폴리에틸렌글리콜보다 과량으로 포함하는 식각조성물일 경우 몰리브덴의 잔사가 발생하였다.Also, residues of molybdenum occurred when the etching composition contained cyclohexylamine in excess of polyethylene glycol.
도 1은 종래기술인 대한민국공개특허 1999-017836호에 따른 인산, 질산 및 초산을 혼합한 식각조성물을 사용하였을 때의 구리/몰리브데늄 이중막의 식각프로파일의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진도이다.FIG. 1 is a photograph of a cross section of an etching profile of a copper / molybdenum bilayer when an etching composition comprising a mixture of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid according to Korean Unexamined Patent Publication No. 1999-017836 is used.
도 2 ~3은 실시예1에 의한 식각조성물로 식각공정을 수행하였을 때의 구리/몰리브데늄 이중막의 식각프로파일의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진도이다.FIGS. 2 to 3 are photographs of a section of an etching profile of a copper / molybdenum double film obtained by an etching process using the etching composition according to Example 1 by an electron microscope.
도 1은 종래기술인 대한민국공개특허 1999-017836호에 따른 인산, 질산 및 초산을 혼합한 식각조성물을 사용하였을 때의 구리/몰리브데늄 이중막의 식각프로파일의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진도이다.FIG. 1 is a photograph of a cross section of an etching profile of a copper / molybdenum bilayer when an etching composition comprising a mixture of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid according to Korean Unexamined Patent Publication No. 1999-017836 is used.
도 2 ~ 3은 실시예 1에 의한 식각조성물 조성물을 사용하였을 때의 구리/몰리브데늄이중막의 식각 프로파일의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진도이다.FIGS. 2 to 3 are photographs showing electron microscopic observation of a cross section of an etching profile of a copper / molybdenum ion intermediate film when the etching composition composition according to Example 1 is used.
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| CN102703902B (en) * | 2012-06-26 | 2014-01-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Etching liquid for TFT (thin film transistor)array substrate copper conductor |
| KR101922625B1 (en) * | 2012-07-03 | 2018-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | Etchant for metal wire and method for manufacturing metal wire using the same |
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| KR101394133B1 (en) * | 2012-08-22 | 2014-05-15 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etchant composition for molybdenum alloy layer and indium oxide layer |
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| CN103668207B (en) * | 2012-09-24 | 2018-04-06 | 东友精细化工有限公司 | Etchant and the method using etchant manufacture display device |
| CN107227463B (en) * | 2013-01-14 | 2020-05-19 | 易安爱富科技有限公司 | Etching solution composition for copper/molybdenum film or copper/molybdenum alloy film |
| US9466508B2 (en) * | 2013-04-23 | 2016-10-11 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Liquid composition used in etching multilayer film containing copper and molybdenum, manufacturing method of substrate using said liquid composition, and substrate manufactured by said manufacturing method |
| JP6207248B2 (en) * | 2013-06-17 | 2017-10-04 | 株式会社Adeka | Etching solution composition and etching method |
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| KR102091847B1 (en) | 2013-08-27 | 2020-03-20 | 동우 화인켐 주식회사 | Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display |
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| KR102160286B1 (en) * | 2013-11-04 | 2020-09-28 | 동우 화인켐 주식회사 | Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display |
| WO2015075765A1 (en) * | 2013-11-25 | 2015-05-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Multilayer-film etchant, concentrated etchant, and etching method |
| JP6164614B2 (en) * | 2013-12-06 | 2017-07-19 | メック株式会社 | Etching solution, replenisher, and method for forming copper wiring |
| CN103980905B (en) * | 2014-05-07 | 2017-04-05 | 佛山市中山大学研究院 | A kind of etching solution and its engraving method and application for oxide material system |
| KR102209680B1 (en) * | 2014-06-27 | 2021-01-29 | 동우 화인켐 주식회사 | Etching solution composition for metal layer and manufacturing method of an array substrate for Liquid crystal display using the same |
| KR20160001985A (en) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 동우 화인켐 주식회사 | Etching solution composition for metal layer and manufacturing method of an array substrate for Liquid crystal display using the same |
| KR102204228B1 (en) * | 2014-06-30 | 2021-01-18 | 동우 화인켐 주식회사 | Etching solution composition for metal layer and manufacturing method of an array substrate for Liquid crystal display using the same |
| KR102331036B1 (en) | 2014-10-10 | 2021-11-26 | 삼영순화(주) | Etching solution composition and etching method using the same |
| KR102265898B1 (en) * | 2015-01-05 | 2021-06-16 | 동우 화인켐 주식회사 | Etching solution composition for cupper-based metal layer and method for etching cupper-based metal layer using the same |
| KR102254563B1 (en) | 2015-03-31 | 2021-05-21 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition for copper-containing metal layer and preparing method of an array substrate for liquid crystal display using same |
| KR102433337B1 (en) | 2015-07-23 | 2022-08-17 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition for copper-containing metal layer and preparing method of an array substrate for liquid crystal display using same |
| KR102455790B1 (en) * | 2015-12-22 | 2022-10-19 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Copper Etchant Composition |
| TWI618817B (en) * | 2015-12-29 | 2018-03-21 | Daxin Materials Corporation | Etchant composition and etching method using thereof |
| TWI726995B (en) * | 2016-02-17 | 2021-05-11 | 易安愛富科技有限公司 | Etching composition |
| TWI640656B (en) * | 2016-03-24 | 2018-11-11 | Daxin Materials Corporation | Alkaline etchant composition and etching method using thereof |
| JP6777420B2 (en) * | 2016-04-21 | 2020-10-28 | 関東化学株式会社 | Etching composition of single-layer film or laminated film or etching method using the composition |
| KR102090243B1 (en) * | 2016-06-08 | 2020-03-17 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Hydrogen peroxide stabilizer and etching composition containing them |
| JP6190920B2 (en) * | 2016-06-08 | 2017-08-30 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | Thin film transistor |
| KR20180012372A (en) * | 2016-07-26 | 2018-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | Etching solution composition and method of manufacturing metal pattern |
| KR102070323B1 (en) * | 2016-10-14 | 2020-01-29 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Etching Composition |
| KR20180088282A (en) * | 2017-01-26 | 2018-08-03 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | ETCHANT composition |
| CN109087852B (en) * | 2018-08-10 | 2020-09-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Method for manufacturing transistor metal electrode structure |
| CN109234736B (en) * | 2018-08-31 | 2020-08-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Long-life copper-molybdenum etching solution and etching method |
| CN109524303B (en) * | 2018-11-23 | 2021-03-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | Conductive pattern, manufacturing method thereof, display substrate and display device |
| CN111123561B (en) * | 2019-12-12 | 2021-10-08 | Tcl华星光电技术有限公司 | Metal wire manufacturing apparatus and metal wire manufacturing method |
| CN112080747B (en) * | 2020-09-02 | 2021-10-08 | Tcl华星光电技术有限公司 | Etching solution composition for etching molybdenum/copper/molybdenum or molybdenum alloy/copper/molybdenum alloy three-layer metal wiring structure and application thereof |
| CN112410789A (en) * | 2020-11-04 | 2021-02-26 | Tcl华星光电技术有限公司 | Metal wiring etching solution composition and application thereof |
| CN112415799A (en) * | 2020-11-10 | 2021-02-26 | Tcl华星光电技术有限公司 | Array substrate and preparation method thereof |
| CN113106454A (en) * | 2021-03-24 | 2021-07-13 | Tcl华星光电技术有限公司 | Etching solution and etching method of copper/molybdenum metal wire |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100505328B1 (en) | 2002-12-12 | 2005-07-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | ETCHING SOLUTIONS AND METHOD TO REMOVE MOLYBDENUM RESIDUE FOR Cu MOLYBDENUM MULTILAYERS |
| KR20060099089A (en) * | 2005-03-10 | 2006-09-19 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Etchant for metal layers and method for etching metal layers using the same and method for fabricating liquid crystal display device using the etchant |
| KR20060113906A (en) * | 2003-10-29 | 2006-11-03 | 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 | Alkaline, post plasma etch/ash residue removers and photoresist stripping compositions containing metal-halide corrosion inhibitors |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100379824B1 (en) * | 2000-12-20 | 2003-04-11 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Etchant and array substrate for electric device with Cu lines patterend on the array substrate using the etchant |
| JP2002266088A (en) * | 2001-03-07 | 2002-09-18 | Yamatoya & Co Ltd | Soft etching agent for copper clad laminate |
| JP2004218021A (en) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Yamatoya & Co Ltd | Surface treatment agent for microetching copper and copper alloy, and roughening treatment method for surface of copper and copper alloy |
| KR101199533B1 (en) * | 2005-06-22 | 2012-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Echant and method for fabricating interconnection line and method for fabricating thin film transistor substrate using the same |
| KR100839428B1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | Etchant and method for fabrication thin film transister substrate using same |
-
2008
- 2008-09-26 KR KR20080094504A patent/KR101495683B1/en active IP Right Grant
-
2009
- 2009-08-05 JP JP2009182004A patent/JP5023114B2/en active Active
- 2009-09-01 TW TW098129381A patent/TWI404825B/en active
- 2009-09-25 CN CN2009101769547A patent/CN101684557B/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100505328B1 (en) | 2002-12-12 | 2005-07-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | ETCHING SOLUTIONS AND METHOD TO REMOVE MOLYBDENUM RESIDUE FOR Cu MOLYBDENUM MULTILAYERS |
| KR20060113906A (en) * | 2003-10-29 | 2006-11-03 | 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 | Alkaline, post plasma etch/ash residue removers and photoresist stripping compositions containing metal-halide corrosion inhibitors |
| KR20060099089A (en) * | 2005-03-10 | 2006-09-19 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Etchant for metal layers and method for etching metal layers using the same and method for fabricating liquid crystal display device using the etchant |
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