KR102142419B1 - Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display - Google Patents
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Abstract
본 발명은 a)기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; b)상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; c)상기 게이트 절연층 상에 금속 산화물막(액티브층)을 형성하는 단계; 및 d)상기 금속 산화물막 상에 몰리브덴 금속막(소스/드레인 전극)을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 d)단계는 상기 금속 산화물막 상에 몰리브덴 금속막을 형성하고, 상기 몰리브덴 금속막을 식각액 조성물을 사용하여 선택적으로 식각하는 단계를 포함하며, 상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, A) 과산화수소(H2O2), B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상, C) 고리형 아민 화합물, D) 포스폰산 유도체 및 그의 염, 및 E) 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention comprises the steps of: a) forming a gate electrode on a substrate; b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate electrode; c) forming a metal oxide film (active layer) on the gate insulating layer; And d) forming a molybdenum metal film (source/drain electrode) on the metal oxide film, wherein d) forming a molybdenum metal film on the metal oxide film, and etching the molybdenum metal film on the etchant composition. And selectively etching using the etchant composition, based on the total weight of the composition, A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), B) one or more selected from organic acids and salts thereof, C) cyclic It relates to a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device comprising an amine compound, D) phosphonic acid derivatives and salts thereof, and E) residual water.
Description
본 발명은 TFT array 배선형성을 위한 몰리브덴 금속막/금속 산화물막의 이중막에서 하부 금속산화물 층에 어택(Attack)을 최소화하고, 상부 몰리브덴 금속막에 대해 직진성이 우수한 테이퍼 프로파일(Taper Profile)을 형성하며, 상부 몰리브덴 금속막만 선택적으로 식각하는 식각액 조성물, 이를 이용한 배선 형성 방법 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention minimizes attack on the lower metal oxide layer in the double layer of molybdenum metal film/metal oxide film for TFT array wiring formation, and forms a taper profile with excellent straightness to the upper molybdenum metal film. , An etchant composition for selectively etching only the upper molybdenum metal film, a method of forming a wiring using the same, and a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device.
TFT-LCD와 같은 반도체장치의 금속 배선 물질로 기판의 종류, 요구되는 특성에 따라 여러가지 금속 또는 이의 합금이 사용되는데, 예를 들면, Al, Al-Cu, Ti-W, Ti-N 등이 제안되어 있으며, TFT-LCD의 소스/드레인 배선용으로는 전기저항이 작은 Al 또는 이들의 합금이 많이 사용되었었다. As a metal wiring material for a semiconductor device such as a TFT-LCD, various metals or alloys thereof are used depending on the type of substrate and required characteristics. For example, Al, Al-Cu, Ti-W, Ti-N, etc. are proposed. For the source/drain wiring of TFT-LCD, Al with low electrical resistance or alloys of these were used a lot.
그러나, 최근에는 공정 단순화, 원가 절감 및 기판의 대형화에 따른 전기적 특성의 개선 등의 이유로, 기존의 Cr 단일막, Al 또는 Al 합금의 단일막 또는 다중막(예, Mp/Al-Nd 이중막 또는 Mp/Al-Nd/Mo 삼중막) 대신에, Mo로 이루어진 단일막의 적용이 시도되고 있다.However, recently, due to reasons such as simplification of the process, cost reduction, and improvement of electrical characteristics due to the increase in size of the substrate, conventional Cr single films, Al or Al alloy single films or multiple films (for example, Mp/Al-Nd double films or Instead of Mp/Al-Nd/Mo triple film), application of a single film made of Mo has been attempted.
한편, 평판표시장치를 구동하기 위한 박막 트랜지스터의 반도체층은 주로 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘으로 형성되는데, 비정질 실리콘은 성막 공정이 간단하고 생산 비용이 적게 드는 장점이 있지만 전기적 신뢰성이 확보되지 못하는 문제가 있고, 다결정 실리콘은 높은 공정 온도로 인하여 대면적 응용이 매우 곤란하며, 결정화 방식에 따른 균일도가 확보되지 못하는 문제점이 있다.On the other hand, the semiconductor layer of the thin film transistor for driving the flat panel display device is mainly formed of amorphous silicon or polycrystalline silicon. Amorphous silicon has an advantage in that the film forming process is simple and the production cost is low, but the electrical reliability is not secured. , Polycrystalline silicon is very difficult to apply large area due to high process temperature, and there is a problem in that uniformity according to the crystallization method cannot be secured.
그런데, 산화물로 반도체층을 형성할 경우 낮은 온도에서 성막하여도 높은 이동도를 얻을 수 있으며 산소의 함량에 따라 저항의 변화가 커서 원하는 물성을 얻기가 매우 용이하기 때문에 최근 박막 트랜지스터로의 응용에 있어 큰 관심을 끌고 있다.However, when a semiconductor layer is formed of an oxide, high mobility can be obtained even when it is formed at a low temperature, and the resistance is changed according to the content of oxygen, so it is very easy to obtain the desired physical properties. It attracts great attention.
예를 들어 TFT array 배선형성에 Mo 금속막/금속산화물로 이루어진 이중막을 적용한 박막 트랜지스터 제조 방법이 시도되고 있는데, 따라서 하부 금속산화물층에 대한 어택이 없이 몰리브덴 금속막만 선택적으로 식각할 수 있는 기술이 필요한 실정이다.For example, a method of manufacturing a thin film transistor using a double layer made of a Mo metal film/metal oxide for TFT array wiring formation has been attempted. Therefore, a technology capable of selectively etching only a molybdenum metal film without attacking a lower metal oxide layer It is necessary.
이와 관련하여 대한민국 공개특허 2010-0082094호는 과황산나트륨, 과황산칼륨 또는 이들의 혼합물로부터 선택되는 과산화물, 산화제, 함불소 화합물, 첨가제 및 탈이온수를 포함하는 구리막, 구리합금막, 티타늄막, 티타늄합금막, 몰리브덴 금속막, 몰리브덴합금막 또는 이들이 적층된 다중막의 식각조성물을 개시하고 있고, 대한민국 공개특허 2007-0005275호는 인산, 질산, 무기 인산염계 화합물 또는 무기 질산염계 화합물, 및 잔량의 물(H2O)로 구성된 Mo, Al, Mo합금 또는 Al합금으로 이루어진 다층막 및 단일막을 습식 식각액 조성물을 개시하고 있다.In this regard, Korean Patent Application Publication No. 2010-0082094 discloses a copper film, a copper alloy film, a titanium film, a titanium film comprising a peroxide, an oxidizing agent, a fluorine-containing compound, an additive and deionized water selected from sodium persulfate, potassium persulfate or mixtures thereof. Disclosed is an etching composition of an alloy film, a molybdenum metal film, a molybdenum alloy film, or a multi-layer film in which these are laminated, and Korean Patent Publication No. 2007-0005275 discloses phosphoric acid, nitric acid, inorganic phosphate-based compounds or inorganic nitrate-based compounds, and residual water ( H 2 O) is composed of a Mo, Al, Mo alloy, or a multi-layer film and a single film made of an Al alloy.
그러나 상기 식각액 조성물은 Mo 금속막/금속산화물로 이루어진 이중막을 적용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 있어서, 몰리브덴 금속막 식각 시 하부 금속산화물층을 어택(attack)할 우려가 있다.However, in the method of manufacturing a thin film transistor using a double layer made of a Mo metal film/metal oxide, the etchant composition may attack the lower metal oxide layer when etching the molybdenum metal film.
본 발명은 종래기술의 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, TFT array의 배선형성 과정에서 몰리브덴 금속막/금속 산화물막의 이중막으로부터 상부 몰리브덴 금속막만 선택적으로 식각함으로써 하부 금속 산화물 막에 대한 어택(Attack)을 최소화하며, 상부 몰리브덴 금속막에 대해 직진성이 우수한 테이퍼 프로파일(Taper Profile)을 제공하는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been devised to solve the above-described problems in the prior art, by selectively etching only the upper molybdenum metal film from the double film of the molybdenum metal film/metal oxide film in the wiring formation process of the TFT array, for the lower metal oxide film. An object of the present invention is to provide an etchant composition that minimizes attack and provides a taper profile superior in straightness to the upper molybdenum metal film.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 이용한 배선 형성 방법 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a method of forming a wiring using the etchant composition and a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device.
본 발명은 The present invention
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여,The present invention, based on the total weight of the composition,
A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%;A) 5.0 to 25.0% by weight of hydrogen peroxide (H 2 O 2 );
B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof;
C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound;
D) 포스폰산 유도체 및 그의 염 3 내지 15 중량 %; 및D) 3 to 15% by weight of phosphonic acid derivatives and salts thereof; And
E) 잔량의 물을 포함하며,E) contains the remaining amount of water,
몰리브덴 금속막/금속 산화물막의 이중막에서 상부 몰리브덴 금속막을 선택적으로 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물을 제공한다.
It provides an etchant composition characterized in that the upper molybdenum metal film is selectively etched from the double film of the molybdenum metal film/metal oxide film.
또한, 본 발명은 In addition, the present invention
Ⅰ)기판 상에 금속 산화물막을 형성하는 단계;Ⅰ) forming a metal oxide film on the substrate;
Ⅱ)상기 금속 산화물막 상에 몰리브덴 금속막을 형성하는 단계;Ⅱ) forming a molybdenum metal film on the metal oxide film;
III)상기 몰리브덴 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및III) selectively leaving a photoreactive material on the molybdenum metal film; And
Ⅳ)식각액 조성물을 사용하여 상기 몰리브덴 금속막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하며,Ⅳ) selectively etching the molybdenum metal film using an etchant composition,
상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%; B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; D) 포스폰산 유도체 및 그의 염 3 내지 15 중량 %; 및 E) 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 배선 형성 방법을 제공한다.
The etchant composition, based on the total weight of the composition, A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) 5.0 to 25.0 wt%; B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof; C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound; D) 3 to 15% by weight of phosphonic acid derivatives and salts thereof; And E) a residual amount of water.
또한, 본 발명은,In addition, the present invention,
a)기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; a) forming a gate electrode on the substrate;
b)상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate electrode;
c)상기 게이트 절연층 상에 금속 산화물막(액티브층)을 형성하는 단계; 및c) forming a metal oxide film (active layer) on the gate insulating layer; And
d)상기 금속 산화물 반도체층 상에 몰리브덴 금속막(소스/드레인 전극)을 형성하는 단계를 포함하며,d) forming a molybdenum metal film (source/drain electrode) on the metal oxide semiconductor layer,
상기 d)단계는 상기 금속 산화물 반도체층 상에 몰리브덴 금속막을 형성하고, 상기 몰리브덴 금속막을 식각액 조성물을 사용하여 선택적으로 식각하는 단계를 포함하며,The step d) includes forming a molybdenum metal film on the metal oxide semiconductor layer, and selectively etching the molybdenum metal film using an etchant composition,
상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%; B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; D) 포스폰산 유도체 및 그의 염 3 내지 15 중량 %; 및 E) 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.The etchant composition, based on the total weight of the composition, A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) 5.0 to 25.0 wt%; B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof; C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound; D) 3 to 15% by weight of phosphonic acid derivatives and salts thereof; And E) provides a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device comprising a residual amount of water.
본 발명의 식각액 조성물을 사용하는 경우, TFT array의 배선형성을 위하여 형성되는 몰리브덴 금속막/금속 산화물막의 이중막으로부터 상부 몰리브덴 금속막만을 선택적으로 식각하는 것이 가능하여, 하부 금속 산화물 막에 대한 어택(Attack)을 최소화할 수 있다.In the case of using the etching solution composition of the present invention, it is possible to selectively etch only the upper molybdenum metal film from the double film of the molybdenum metal film/metal oxide film formed for forming the wiring of the TFT array, thereby attacking the lower metal oxide film ( Attack) can be minimized.
또한, 과산화수소의 분해 반응이 억제되므로 식각 안정성이 향상되어 안전하게 효율적으로 TFT array의 배선형성공정을 수행할 수 있다.In addition, since the decomposition reaction of hydrogen peroxide is suppressed, etching stability is improved, so that the wiring process of the TFT array can be safely and efficiently performed.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여,The present invention, based on the total weight of the composition,
A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%;A) 5.0 to 25.0% by weight of hydrogen peroxide (H 2 O 2 );
B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof;
C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound;
D) 포스폰산 유도체 및 그의 염 3 내지 15 중량 %; 및 D) 3 to 15% by weight of phosphonic acid derivatives and salts thereof; And
E) 잔량의 물을 포함하며,E) contains the remaining amount of water,
몰리브덴 금속막/금속 산화물막의 이중막에서 상부 몰리브덴 금속막을 선택적으로 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물에 관한 것이다.
It relates to an etchant composition characterized in that the upper molybdenum metal film is selectively etched in a double layer of a molybdenum metal film/metal oxide film.
본 발명에서 ‘금속 산화물막’은 통상 AxByCzO(A, B, C는 각각 Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr, Ta, 또는 Ti로부터 선택되며; x, y 및 z≥0이며, 여기서 x, y, z 중 2개 이상은 0이 아니다)의 조합으로 이루어진 삼성분계 또는 사성분계 산화물을 함유하여 구성된 막으로서, 산화물 반도체층이라고 불리거나 또는 산화물 반도체층을 구성하는 막일 수 있다.
In the present invention, the'metal oxide film' is usually AxByCzO (A, B, and C are each selected from Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr, Ta, or Ti; x, y, and z≥0, Here, two or more of x, y, and z are non-zero combinations of ternary or quaternary oxides, which may be called oxide semiconductor layers or may constitute oxide semiconductor layers.
본 발명의 식각액 조성물의 몰리브덴 금속막 : 금속 산화물막의 식각비는 9.9 : 0.1 ~ 10.0 : 0.0이며, 바람직하게는 10.0 : 0.0이다. 하부 금속산화물막이 식각되면 Transistor특성이 변하게 되므로, 상기와 같은 식각비를 충족하여야 한다.
The etching ratio of the molybdenum metal film:metal oxide film of the etching solution composition of the present invention is 9.9: 0.1 to 10.0: 0.0, preferably 10.0: 0.0. When the lower metal oxide film is etched, the transistor characteristics are changed, so the above etch ratio must be satisfied.
상기 A) 과산화수소(H2O2)는 상부 몰리브덴 금속막의 식각의 주산화제 역할을 한다. 상기 A) 과산화수소(H2O2)는 조성물 총 중량에 대하여, 5.0 내지 25.0 중량%로 포함되고, 바람직하게는 8.0 내지 20.0중량%로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 식각력이 부족하여 충분한 식각이 이루어지지 않을 수 있으며, 25.0 중량%를 초과하여 포함될 경우, 식각 속도가 전체적으로 빨라지기 때문에 공정 컨트롤이 어렵다.
The A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) serves as a main oxidizing agent for etching the upper molybdenum metal film. The A) hydrogen peroxide (H2O2) is contained in 5.0 to 25.0% by weight based on the total weight of the composition, preferably 8.0 to 20.0% by weight. When included below the above-mentioned range, sufficient etching may not be achieved due to insufficient etching power, and when it exceeds 25.0% by weight, process control is difficult because the etching speed is generally increased.
상기 B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상은 pH를 적당히 맞추어 주어 식각액의 환경을 Mo 금속막이 식각되기 용이하게 만든다. The B) at least one selected from organic acids and salts thereof is appropriately adjusted to pH to make the environment of the etchant easy to etch the Mo metal film.
상기 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상은 상부 몰리브덴 금속막의 식각 속도를 높이고, 식각하는 용액에서 필연적으로 발생하는 잔사를 제거하며, 하부 금속산화물층에 어택(Attack)을 최소화 하는 역할을 한다.The at least one selected from the organic acid and salts thereof increases the etching rate of the upper molybdenum metal film, removes residues inevitably generated from the etching solution, and serves to minimize attack on the lower metal oxide layer. .
상기 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상은 조성물 총 중량에 대하여 1.0 내지 5.0중량%로 포함되며, 바람직하게는 2.0 ~ 4.0중량%로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 상부 몰리브덴 금속막의 식각속도가 저하되어 부분적 언에치(Unetch) 현상이나 잔사가 발생할 수 있고, 하부 금속산화물의 어택(Attack)이 심해질 수 있다. 5.0중량%를 초과하여 포함될 경우, 상부 몰리브덴 금속막이 과다하게 식각되어 금속막이 기판으로부터 리프트-오프(Lift-Off) 될 수 있다.One or more selected from the organic acids and salts thereof are included in an amount of 1.0 to 5.0% by weight, and preferably 2.0 to 4.0% by weight, based on the total weight of the composition. If included below the above-described range, the etching rate of the upper molybdenum metal film is lowered, partial unetching or residue may occur, and the attack of the lower metal oxide may be severe. When included in excess of 5.0% by weight, the upper molybdenum metal film is excessively etched and the metal film may be lifted off from the substrate.
상기 유기산 및 이들의 염의 구체적인 예로는 아세트산, 이미노디아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 부탄산, 시트르산, 이소시트르산, 포름산, 글루콘산, 글리콜산, 말론산, 옥살산, 펜탄산, 술포벤조산, 석신산, 술포석신산, 살리실산, 술포살리실산, 벤조산, 락트산, 글리세르산, 말산, 타르타르산, 프로펜산 등을 들 수 있다. 또한, 유기산의 염으로는 상기 유기산의 칼륨염, 나트륨염, 암모늄염 등을 들 수 있다.
Specific examples of the organic acid and salts thereof include acetic acid, iminodiacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, butanoic acid, citric acid, isocitric acid, formic acid, gluconic acid, glycolic acid, malonic acid, oxalic acid, pentanoic acid, sulfobenzoic acid, succinic acid, Sulfosuccinic acid, salicylic acid, sulfosalicylic acid, benzoic acid, lactic acid, glyceric acid, malic acid, tartaric acid, propenic acid and the like. Further, examples of the salt of the organic acid include potassium salt, sodium salt, and ammonium salt of the organic acid.
상기 C) 고리형 아민 화합물은 몰리브덴막의 식각시 식각 속도를 조절하고 프로파일을 형성하는 성분이다. 구체적인 예로는 5-아미노테트라졸, 톨리트리아졸, 벤조트리아졸, 메틸벤조트리아졸, 이미다졸계 화합물, 인돌계 화합물, 푸린계화합물, 피라졸계 화합물, 피리딘계 화합물, 피리미딘계 화합물, 피롤계 화합물, 피롤리딘계 화합물, 피롤린계 화합물 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The C) cyclic amine compound is a component that controls the etching rate during etching of the molybdenum film and forms a profile. Specific examples include 5-aminotetrazole, tolytriazole, benzotriazole, methylbenzotriazole, imidazole compounds, indole compounds, purine compounds, pyrazole compounds, pyridine compounds, pyrimidine compounds, blood And roll-based compounds, pyrrolidine-based compounds, and pyrroline-based compounds. These may be used alone or in combination of two or more.
상기 고리형 아민 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 0.5 내지 3중량%로 포함될 수 있다. 상기 함량 범위에서는 적정한 몰리브덴식각율과 테이퍼 각도를 형성할 수 있고 측면 식각량을 조절할 수 있다. 상기 함량이 0.1중량% 미만인 경우 몰리브덴의 식각 속도를 충분히 조절하기 어려워 과식각이 발생할 수 있고, 5중량% 초과인 경우 몰리브덴의 식각 속도가 저하되어 공정 상 식각 시간이 길어져 생산성을 저하시킬 수 있다.
The cyclic amine compound may be included in 0.1 to 5% by weight based on the total weight of the composition, preferably 0.5 to 3% by weight. In the above content range, an appropriate molybdenum etching rate and a taper angle can be formed, and the side etching amount can be adjusted. When the content is less than 0.1% by weight, it is difficult to sufficiently control the etching rate of molybdenum, and over-etching may occur. If the content is more than 5% by weight, the etching rate of molybdenum is lowered, and thus the etching time in the process is long, which may decrease productivity.
상기 D) 포스폰산(phosphonic acid) 유도체 및 그의 염은 Mo 막을 식각할 때 식각액에 용해되는 Mo 이온을 킬레이팅하여 Mo 이온의 활동도를 억제함으로써 과산화수소의 분해 반응을 억제한다. 이와 같이 Mo 이온의 활동도를 낮추게 되면 식각액을 사용하는 동안 안정적으로 공정을 진행 할 수 있다. The D) phosphonic acid derivatives and salts thereof inhibit the decomposition reaction of hydrogen peroxide by chelating Mo ions dissolved in the etchant when etching the Mo membrane to suppress the activity of Mo ions. In this way, if the activity of the Mo ion is lowered, the process can be stably performed while using the etching solution.
상기 포스폰산 유도체 및 그의 염으로는 예컨대, 2-아미노에틸포스폰산(2-Aminoethylphosphonic acid,2-AEP), 디메틸 메틸포스포네이트(Dimethyl methylphosphonate,DMMP), 1-히드록시 에틸리덴-1,1-디포스폰산(1-Hydroxy Ethylidene-1,1-Diphosphonic Acid, HEDP), 아미노 트리스(메틸렌포스폰산) (Amino tris(methylene phosphonic acid), ATMP), 에틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산) (Ethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid), EDTMP), 테트라케틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산) (Tetramethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid), TDTMP), 헥사메틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산) (Hexamethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid), HDTMP), 디에틸렌트리아민 펜타(메틸렌 포스폰산)(Diethylenetriamine penta(methylene phosphonic acid), DTPMP), 포스포노부탄-트리카르복실산 (Phosphonobutane-tricarboxylic acid, PBTC), N-(포스포노메틸)이미노디아세트산 (N-(phosphonomethyl)iminodiacetic acid, PMIDA), 2-카르복시에틸 포스폰산(2-carboxyethyl phosphonic acid, CEPA), 2-히드록시포스포노카르복실산 (2-Hydroxyphosphonocarboxylic acid, HPAA) , 아미노-트리스-(메틸렌-포스폰산) (Amino-tris-(methylene-phosphonic acid), AMP) 및 이들의 염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.Examples of the phosphonic acid derivatives and salts thereof include 2-aminoethylphosphonic acid (2-AEP), dimethyl methylphosphonate (DMMP), and 1-hydroxy ethylidene-1,1. -Diphosphonic acid (1-Hydroxy Ethylidene-1,1-Diphosphonic Acid, HEDP), Amino tris (methylene phosphonic acid, ATMP), Ethylenediamine tetra (methylene phosphonic acid), EDTMP), tetraketylenediamine tetra(methylene phosphonic acid), TDTMP), hexamethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid) (Hexamethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid), HDTMP ), Diethylenetriamine penta(methylene phosphonic acid (DTPMP)), Phosphonobutane-tricarboxylic acid (PBTC), N-(phosphonomethyl)iminodi Acetic acid (N-(phosphonomethyl)iminodiacetic acid, PMIDA), 2-carboxyethyl phosphonic acid (CEPA), 2-hydroxyphosphonocarboxylic acid (HPAA), amino-tris -(Methylene-phosphonic acid) (Amino-tris-(methylene-phosphonic acid), AMP) and one or two or more selected from the group consisting of salts.
상기 포스폰산 유도체의 염으로는 나트륨염 또는 칼륨염 등을 들 수있다. 특히, 1-히드록시 에틸리덴-1,1-디포스폰산의 나트륨염 또는 칼륨염이 바람직하게 사용될 수 있다. Examples of salts of the phosphonic acid derivatives include sodium salts and potassium salts. In particular, the sodium salt or potassium salt of 1-hydroxy ethylidene-1,1-diphosphonic acid can be preferably used.
상기 D) 포스폰산 유도체 및 그의 염은 조성물 총 중량에 대하여 3 내지 15 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 5 내지 10 중량% 로 포함될 수 있다. 상기 포스폰산 유도체 및 그의 염이 3 중량% 미만으로 포함될 경우, 식각 균일성이 저하되고 과산화수소의 분해가 가속화되는 문제가 발생하며 처리 캐파(Capa)가 증가하지 않으며, 15 중량%를 초과하는 경우, Mo막의 식각속도가 너무 빨라지는 문제가 발생하여 공정 컨트롤이 어려워지며, 점도가 증가함에 따른 식각장비 펌프 용량을 높여야 하는 단점이 있다.
The D) phosphonic acid derivatives and salts thereof are preferably included in 3 to 15% by weight relative to the total weight of the composition, more preferably 5 to 10% by weight. When the phosphonic acid derivative and a salt thereof are included in an amount of less than 3% by weight, etching uniformity is lowered, a problem of accelerated decomposition of hydrogen peroxide occurs, treatment capa does not increase, and when it exceeds 15% by weight, There is a problem in that the etching rate of the Mo film becomes too fast, so it becomes difficult to control the process, and there is a disadvantage that the capacity of the etching equipment pump should be increased as the viscosity increases.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 E)물은 특별히 한정되는 것은 아니나, 탈이온수가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 물의 비저항 값(즉, 물속에 이온이 제거된 정도)이 18㏁·㎝ 이상인 탈이온수를 사용하는 것이 좋다. 상기 C) 물은 본 발명의 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 잔량 포함된다.E) water contained in the etching solution composition of the present invention is not particularly limited, but deionized water is preferred. More preferably, it is preferable to use deionized water having a specific resistance value of water (ie, the degree to which ions are removed in water) of 18 Pa·cm or more. The C) water is included in the balance so that the total weight of the composition of the present invention is 100% by weight.
또한, 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 첨가할 수 있으며, 첨가제로는 금속 이온 봉쇄제, 및 부식 방지제 등을 들 수 있다.
In addition, in addition to the above-described components, conventional additives may be further added, and examples of the additives include metal ion blockers and corrosion inhibitors.
본 발명에서 사용되는 A) 과산화수소(H2O2), B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 C) 고리형 아민 화합물, D) 포스폰산 유도체 및 그의 염, 및 E) 물은 통상적으로 공지된 방법에 의해서 제조가 가능하며, 본 발명의 식각액 조성물은 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
As used in the present invention, A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), B) one or more selected from organic acids and salts thereof C) cyclic amine compounds, D) phosphonic acid derivatives and salts thereof, and E) water are conventional It can be produced by a method known as, the etchant composition of the present invention is preferably having a purity for the semiconductor process.
또한, 본 발명은 In addition, the present invention
Ⅰ)기판 상에 금속 산화물막을 형성하는 단계;Ⅰ) forming a metal oxide film on the substrate;
Ⅱ)상기 금속 산화물막 상 위에 몰리브덴 금속막을 형성하는 단계;Ⅱ) forming a molybdenum metal film on the metal oxide film;
III)상기 몰리브덴 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및III) selectively leaving a photoreactive material on the molybdenum metal film; And
Ⅳ)식각액 조성물을 사용하여 상기 몰리브덴 금속막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하며,Ⅳ) selectively etching the molybdenum metal film using an etchant composition,
상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%; B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; D) 포스폰산 유도체 및 그의 염 3 내지 15 중량 %; 및 E) 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 배선 형성 방법에 관한 것이다.The etchant composition, based on the total weight of the composition, A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) 5.0 to 25.0 wt%; B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof; C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound; D) 3 to 15% by weight of phosphonic acid derivatives and salts thereof; And E) a residual amount of water.
본 발명의 배선 형성방법에서, 상기 광반응 물질은 통상적인 포토레지스트 물질인 것이 바람직하며, 통상적인 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨질 수 있다.
In the wiring forming method of the present invention, the photoreactive material is preferably a conventional photoresist material, and can be selectively left by a conventional exposure and development process.
또한, 본 발명은,In addition, the present invention,
a)기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; a) forming a gate electrode on the substrate;
b)상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate electrode;
c)상기 게이트 절연층 상에 금속 산화물막(액티브층)을 형성하는 단계; 및c) forming a metal oxide film (active layer) on the gate insulating layer; And
d)상기 금속 산화물 반도체층 상에 몰리브덴 금속막(소스/드레인 전극)을 형성하는 단계를 포함하며,d) forming a molybdenum metal film (source/drain electrode) on the metal oxide semiconductor layer,
상기 d)단계는 상기 금속 산화물 반도체층 상에 몰리브덴 금속막을 형성하고, 상기 몰리브덴 금속막을 식각액 조성물을 사용하여 선택적으로 식각하는 단계를 포함하며,The step d) includes forming a molybdenum metal film on the metal oxide semiconductor layer, and selectively etching the molybdenum metal film using an etchant composition,
상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%; B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; D) 포스폰산 유도체 및 그의 염 3 내지 15 중량 %; 및 E) 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
The etchant composition, based on the total weight of the composition, A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) 5.0 to 25.0 wt%; B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof; C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound; D) 3 to 15% by weight of phosphonic acid derivatives and salts thereof; And E) relates to a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device comprising a residual amount of water.
본 발명의 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법은 몰리브덴 금속막/금속 산화물막의 이중막을 형성하는 것을 특징으로 한다. The method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device of the present invention is characterized by forming a double layer of a molybdenum metal film/metal oxide film.
상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다. 그리고, 상기 액정표시장치용 어레이 기판은 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 식각된 몰리브덴 금속막을 포함한다.
The array substrate for the liquid crystal display device may be a thin film transistor (TFT) array substrate. In addition, the array substrate for a liquid crystal display device includes a molybdenum metal film etched using the etchant composition of the present invention.
상기 몰리브덴 금속막을 상기 식각액 조성물로 식각하는 단계는 당업계 주지의 방법에 따라 행해질 수 있으며, 침지, 흘리기 등을 예시할 수 있다. 식각 공정시의 온도는 일반적으로 20~50℃, 바람직하게는 30~45℃ 이며, 적정 공정 온도는 다른 공정 조건 및 요인에 의해 필요에 따라 정해진다.The step of etching the molybdenum metal film with the etchant composition may be performed according to methods well known in the art, and may include immersion, shedding, and the like. The temperature during the etching process is generally 20 to 50°C, preferably 30 to 45°C, and the appropriate process temperature is determined as required by other process conditions and factors.
상기 몰리브덴 금속막을 상기 식각액 조성물로 식각하는 시간은, 온도 및 박막의 두께 등에 따라 변할 수 있으나 일반적으로 수초 내지 수십분이다.
The time for etching the molybdenum metal film with the etchant composition may vary depending on the temperature and the thickness of the thin film, but is generally several seconds to several tens of minutes.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하여 식각된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판을 제공한다.
In addition, the present invention provides an array substrate for a liquid crystal display device including source and drain electrodes etched using the etchant composition.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해질 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples. However, the following examples are intended to describe the present invention more specifically, and the scope of the present invention will be determined by the technical spirit of the claims to be described later.
실시예Example 1~4: 1-4: 식각액Etchant 조성물의 제조 Preparation of the composition
하기 표 1에 나타낸 조성에 따라 각 성분을 혼합하여, 실시예 1 내지 4, 및 비교예 1 내지 2의 식각액 조성물을 제조하였다.Each component was mixed according to the composition shown in Table 1 below, to prepare etchant compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 2.
시험예Test example : : 식각액Etchant 조성물의 특성평가 Evaluation of composition properties
(1) (One) 식각특성평가Etch characteristic evaluation
실시예 1 내지 4, 및 비교예 1 내지 2의 식각액 조성물을 이용하여 하부에 금속산화물막으로서 ITO막이 적층되고, 상기 금속산화물막의 상부에 몰리브덴 금속막으로서 몰리브덴이 적층된 유리기판에 대한 식각 공정을 수행하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), SEMES사)를 이용하였고, 식각 공정시 식각액 조성물의 온도는 약 40℃ 내외로 하였으나, 적정온도는 다른 공정조건과 기타 요인에 의해 필요에 따라 변경될 수 있다. 식각 시간은 식각 온도에 따라서 다를 수 있으나, 통상 100초 정도로 진행한다. 상기 식각 공정에서 식각된 몰리브덴 금속막 및 금속산화물막의 이미지는 SEM(Hitachi사 제품, 모델명 S-4700)을 사용하여 검사하였다.Using the etching solution compositions of Examples 1 to 4, and Comparative Examples 1 to 2, an ITO film was deposited as a metal oxide film on the bottom, and an etching process for a glass substrate on which the molybdenum metal film was laminated on the top of the metal oxide film was stacked. Was performed. Experimental equipment (model name: ETCHER(TFT), SEMES) of spray-type etching method was used. During the etching process, the temperature of the etchant composition was around 40°C, but the appropriate temperature was required by other process conditions and other factors. can be changed. The etching time may vary depending on the etching temperature, but usually proceeds to about 100 seconds. The images of the molybdenum metal film and the metal oxide film etched in the etching process were inspected using SEM (Hitachi, model S-4700).
(2) 기판 처리매수 평가(2) Evaluation of the number of substrate treatments
기판의 처리매수평가는 몰리브덴 Powder를 투입하면서 각각의 식각액 조성물의 식각능력이 -10% 감소되는 시점의 Mo의 농도를 측정하여 수행하고 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.In the evaluation of the processing number of the substrate, the etching ability of each etchant composition was -10% while adding molybdenum powder. It was carried out by measuring the concentration of Mo at the time of reduction and the results are shown in Table 1 below.
식각특성molybdenum
Etch characteristics
Attack 여부Metal oxide film
Attack
◎: 매우 우수(CD Skew ≤ 1㎛, Taper Angle: 40°~ 60°)◎: Very good (CD Skew ≤ 1㎛, Taper Angle: 40°~ 60°)
○: 우수(1㎛ < CD Skew ≤ 1.5㎛, Taper Angle: 30°~ 60°)○: Excellent (1㎛ <CD Skew ≤ 1.5㎛, Taper Angle: 30°~ 60°)
△: 양호(1.5㎛ < CD Skew ≤ 2㎛, Taper Angle: 20°~ 60°)△: Good (1.5㎛ <CD Skew ≤ 2㎛, Taper Angle: 20°~ 60°)
×: 불량 (금속막 소실 및 잔사 발생)
×: Poor (metal film loss and residue)
상기 표 1 에서 보는 것과 같이 실시예 1 내지 실시예 4의 식각액은 모두 양호한 식각 특성을 나타내었으며 잔사 또한 발생하지 않았다. 특히 실시예 4의 식각액은 과산화수소 함량이 높아 몰리브덴 금속막의 식각 속도가 빨라짐을 확인하였다.As shown in Table 1, the etching liquids of Examples 1 to 4 all exhibited good etching characteristics and no residue was generated. Particularly, it was confirmed that the etching solution of Example 4 has a high hydrogen peroxide content, thereby increasing the etching rate of the molybdenum metal film.
비교예 1의 식각액은 유기산 또는 이들의 염을 포함하지 않아서 몰리브덴 금속막을 식각이 균일하지 않고, 잔사도 발생시킴을 보여주었다. 비교예 2의 식각액은 과산화수소 함량이 너무 낮아 몰리브덴 금속막을 부분적으로 식각하지 않고, 잔사형태도 존재함을 볼 수 있었으며, 비교예 3의 식각액의 경우는 포스폰산 유도체 및 그의 염을 포함하지 않아서 기판의 처리매수가 부족한 것으로 확인되었다.
The etching solution of Comparative Example 1 did not contain an organic acid or a salt thereof, and thus it was shown that the molybdenum metal film is not etched uniformly and residues are generated. In the etching solution of Comparative Example 2, the hydrogen peroxide content was too low to partially etch the molybdenum metal film, and it could be seen that a residue was also present. In the case of the etching solution of Comparative Example 3, the phosphonic acid derivative and a salt thereof were not included. It was confirmed that the number of treatments was insufficient.
Claims (11)
b)상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c)상기 게이트 절연층 상에 금속 산화물막(액티브층)을 형성하는 단계; 및
d)상기 금속 산화물막 상에 몰리브덴 금속막(소스/드레인 전극)을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 d)단계는 상기 금속 산화물막 상에 몰리브덴 금속막을 형성하고, 상기 몰리브덴 금속막을 식각액 조성물을 사용하여 선택적으로 식각하는 단계를 포함하며,
상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%; B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; D) 포스폰산 유도체 및 그의 염 3 내지 15 중량 %; 및 E) 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.a) forming a gate electrode on the substrate;
b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate electrode;
c) forming a metal oxide film (active layer) on the gate insulating layer; And
d) forming a molybdenum metal film (source/drain electrode) on the metal oxide film,
The step d) includes forming a molybdenum metal film on the metal oxide film, and selectively etching the molybdenum metal film using an etchant composition,
The etchant composition, based on the total weight of the composition, A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) 5.0 to 25.0 wt%; B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof; C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound; D) 3 to 15% by weight of phosphonic acid derivatives and salts thereof; And E) a residual amount of water.
상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법. The method according to claim 1,
The method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device, characterized in that the array substrate for a liquid crystal display device is a thin film transistor (TFT) array substrate.
상기 금속 산화물막은 AxByCzO(A, B, C는 각각 Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr, Ta, 또는 Ti로부터 선택되며; x, y 및 z≥0이며, 여기서 x, y, z 중 2개 이상은 0이 아니다)의 조합으로 이루어진 삼성분계 또는 사성분계 산화물을 함유하여 구성된 막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.The method according to claim 1,
The metal oxide film is AxByCzO (A, B, and C are each selected from Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr, Ta, or Ti; x, y, and z≥0, where x, y, z A method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device, characterized in that it is a film composed of a ternary oxide or a ternary oxide made of a combination of two or more of which are not 0).
A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%;
B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%;
C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%;
D) 포스폰산 유도체 및 그의 염 3 내지 15 중량 %; 및
E) 잔량의 물을 포함하며,
몰리브덴 금속막/금속 산화물막의 이중막에서 상부 몰리브덴 금속막을 선택적으로 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.With respect to the total weight of the composition,
A) 5.0 to 25.0% by weight of hydrogen peroxide (H 2 O 2 );
B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof;
C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound;
D) 3 to 15% by weight of phosphonic acid derivatives and salts thereof; And
E) contains the remaining amount of water,
An etching solution composition characterized in that the upper molybdenum metal film is selectively etched from the double layer of the molybdenum metal film/metal oxide film.
상기 식각액 조성물의 몰리브덴 금속막 : 금속 산화물막의 식각비는 9.9 : 0.1 ~ 10.0 : 0.0인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The method according to claim 4,
The etching ratio of the etchant composition of the molybdenum metal film: metal oxide film of the etchant composition is 9.9: 0.1 ~ 10.0: 0.0.
상기 C) 고리형 아민 화합물은 5-아미노테트라졸, 톨리트리아졸, 벤조트리아졸, 메틸벤조트리아졸, 이미다졸계 화합물, 인돌계 화합물, 푸린계화합물, 피라졸계 화합물, 피리딘계 화합물, 피리미딘계 화합물, 피롤계 화합물, 피롤리딘계 화합물, 및 피롤린계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The method according to claim 4,
The C) cyclic amine compound is 5-aminotetrazole, tolitriazole, benzotriazole, methylbenzotriazole, imidazole-based compound, indole-based compound, purine-based compound, pyrazole-based compound, pyridine-based compound, pyri Etching liquid composition, characterized in that at least one or two or more selected from the group consisting of a midine-based compound, a pyrrole-based compound, a pyrrolidine-based compound, and a pyrroline-based compound.
상기 D) 포스폰산 유도체 및 그의 염은 2-아미노에틸포스폰산(2-Aminoethylphosphonic acid,2-AEP), 디메틸 메틸포스포네이트(Dimethyl methylphosphonate,DMMP), 1-히드록시 에틸리덴-1,1-디포스폰산(1-Hydroxy Ethylidene-1,1-Diphosphonic Acid, HEDP), 아미노 트리스(메틸렌포스폰산) (Amino tris(methylene phosphonic acid), ATMP), 에틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산) (Ethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid), EDTMP), 테트라케틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산) (Tetramethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid), TDTMP), 헥사메틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산) (Hexamethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid), HDTMP), 디에틸렌트리아민 펜타(메틸렌 포스폰산)(Diethylenetriamine penta(methylene phosphonic acid), DTPMP), 포스포노부탄-트리카르복실산 (Phosphonobutane-tricarboxylic acid, PBTC), N-(포스포노메틸)이미노디아세트산 (N-(phosphonomethyl)iminodiacetic acid, PMIDA), 2-카르복시에틸 포스폰산(2-carboxyethyl phosphonic acid, CEPA), 2-히드록시포스포노카르복실산 (2-Hydroxyphosphonocarboxylic acid, HPAA) , 아미노-트리스-(메틸렌-포스폰산) (Amino-tris-(methylene-phosphonic acid), AMP) 및 이들의 염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.The method according to claim 4,
The D) phosphonic acid derivatives and salts thereof are 2-aminoethylphosphonic acid (2-AEP), dimethyl methylphosphonate (DMMP), 1-hydroxy ethylidene-1,1- Diphosphonic acid (1-Hydroxy Ethylidene-1,1-Diphosphonic Acid, HEDP), Amino tris (methylene phosphonic acid), ATMP), Ethylenediamine tetra( methylene phosphonic acid (EDTMP), tetraketylenediamine tetra (methylene phosphonic acid), TDTMP), hexamethylenediamine tetra (methylene phosphonic acid), HDTMP) , Diethylenetriamine penta(methylene phosphonic acid) (DTPMP), Phosphonobutane-tricarboxylic acid (PBTC), N-(phosphonomethyl)iminodiacetic acid (N-(phosphonomethyl)iminodiacetic acid, PMIDA), 2-carboxyethyl phosphonic acid (CEPA), 2-hydroxyphosphonocarboxylic acid (HPAA), amino-tris- (Methylene-phosphonic acid) (Amino-tris-(methylene-phosphonic acid), AMP) and etching solution composition characterized in that at least one or two or more selected from the group consisting of salts thereof.
Ⅱ)상기 금속 산화물막 상 위에 몰리브덴 금속막을 형성하는 단계;
III)상기 몰리브덴 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
Ⅳ)식각액 조성물을 사용하여 상기 몰리브덴 금속막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하며,
상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, A) 과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%; B) 유기산 및 이들의 염으로부터 선택되는 1종 이상 1.0 내지 5.0 중량%; C) 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; D) 포스폰산 유도체 및 그의 염 3 내지 15 중량 %; 및 E) 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 배선 형성 방법. Ⅰ) forming a metal oxide film on the substrate;
Ⅱ) forming a molybdenum metal film on the metal oxide film;
III) selectively leaving a photoreactive material on the molybdenum metal film; And
Ⅳ) selectively etching the molybdenum metal film using an etchant composition,
The etchant composition, based on the total weight of the composition, A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) 5.0 to 25.0 wt%; B) 1.0 to 5.0% by weight of at least one selected from organic acids and salts thereof; C) 0.1 to 5.0% by weight of a cyclic amine compound; D) 3 to 15% by weight of phosphonic acid derivatives and salts thereof; And E) a residual amount of water.
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