KR20150050186A - 태양 전지 및 그 제조 방법 - Google Patents
태양 전지 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150050186A KR20150050186A KR1020130131683A KR20130131683A KR20150050186A KR 20150050186 A KR20150050186 A KR 20150050186A KR 1020130131683 A KR1020130131683 A KR 1020130131683A KR 20130131683 A KR20130131683 A KR 20130131683A KR 20150050186 A KR20150050186 A KR 20150050186A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- electrode
- iii
- average
- resistivity
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 20
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 13
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 10
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
본 발명에 따른 태양 전지는 기판, 기판 위에 형성되는 제1 전극, 제1 전극 위에 형성되어 있으며 I족 및 III족 원소를 포함하는 광활성층, 광활성층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 제1 전극은 비저항이 서로 다른 제1 부분과 제2 부분을 포함하고, 제1 부분 및 제2 부분과 대응하는 상기 광활성층의 I족/III족 값은 서로 다르다.
Description
본 발명은 태양 전지에 관한 것으로, 특히 CIS계 반도체를 포함하는 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
태양 전지는 태양 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환 소자로서, 무한정 무공해의 차세대 에너지 자원으로 각광받고 있다.
태양 전지는 p형 반도체 및 n형 반도체를 포함하며, 광 활성층에서 태양 광 에너지를 흡수하면 반도체 내부에서 전자-정공 쌍(electron-hole pair, EHP)이 생성되고, 여기서 생성된 전자 및 정공이 n형 반도체 및 p형 반도체로 각각 이동하고 이들이 전극에 수집됨으로써 외부에서 전기 에너지로 이용할 수 있다.
광 활성층으로 I-III-VI족 원소를 포함하는 화합물 반도체를 사용할 수 있다. 화합물 반도체는 광 흡수계수가 높고 전기 광학적 안정성이 높아 고효율의 태양 전지를 구현할 수 있다.
그러나 화합물 반도체는 형성단계에서 원소들 간의 반응성 차이로 인해 광 활성층의 내부와 표면에서 각 원소들의 비율 차이가 크게 발생할 수 있다. 이 경우 광 활성층은 위치에 따라 원소들의 조성이 크게 상이한 박막으로 형성될 수 있고 이에 따라 효율이 저하될 수 있다.
한편, 소다 석회 유리로 기판을 사용할 경우 기판에 포함된 나트륨(Na)이 광 활성층으로 확산되어 태양 전지의 효율에 영향을 미친다.
광활성층으로 확산되는 나트륨의 양은 기판과 광활성층 사이에 위치하는 전극의 비저항에 따라서 달라질 수 있으며, 전극의 비저항이 증가하면 나트륨의 확산량이 증가한다.
기판이 대형화 될수록 기판의 위치에 따라서 전극의 비저항이 달라질 수 있으며, 비저항에 따라서 광활성층으로 확산되는 나트륨의 양이 달라지고 태양 전지의 효율이 저하될 수 있다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판 대면적화에 따라서 기판의 위치에 따른 비저항 차이가 발생하더라도 균일한 효율을 얻을 수 있는 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지는 기판, 기판 위에 형성되는 제1 전극, 제1 전극 위에 형성되어 있으며 I족 및 III족 원소를 포함하는 광활성층, 광활성층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 제1 전극은 비저항이 서로 다른 제1 부분과 제2 부분을 포함하고, 제1 부분 및 제2 부분과 대응하는 상기 광활성층의 I족/III족 값은 서로 다르다.
상기 제1 부분의 비저항은 상기 제1 전극의 비저항 평균보다 높거나 낮을 수 있다.
상기 제1 전극의 비저항 평균보다 높은 상기 제1 부분과 대응하는 광활성층의 I족/III족 값은 상기 광활성층의 I족/III족 값의 평균보다 낮고, 제1 전극의 비저항 평균보다 낮은 제1 부분과 대응하는 광활성층의 I/III족 값은 광활성층의 I족/III족 값의 평균보다 높을 수 있다.
상기 제1 부분의 비저항은 상기 비저항 평균보다 5%이상 높고, 제1 부분과 대응하는 상기 I족/III족 값은 상기 광활성층의 상기 I족/III족 값의 평균보다 0.01이상 낮을 수 있다.
상기 제2 부분의 비저항과 상기 비저항 평균과의 차이는 5%미만일 수 있다.
상기 제1 부분의 비저항은 상기 비저항 평균보다 5%이상 낮고, 제1 부분과 대응하는 상기 I족/III족 값은 상기 광활성층의 상기 I족/III족 값의 평균보다 0.01이상 높을 수 있다.
상기 제2 부분의 비저항과 상기 비저항 평균과의 차이는 5%미만일 수 있다.
상기 I족/III족 값(Y)은 하기 수학식 1을 만족할 수 있다.
[수학식 1]
Y=-0.0104X+1.1226
(X는 상기 제1 전극의 비저항)
상기 I족 원소는 구리(Cu), 은(Ag) 또는 금(Au)이고, III족 원소는 인듐(In) 또는 갈륨(Ga)일 수 있다.
상기 제1 전극은 몰리브덴으로 이루어질 수 있다.
상기한 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 태양 전지의 제조 방법은 기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계, 제1 전극 위에 I족 및 III족을 포함하는 광활성층을 형성하는 단계, 광활성층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 제1 전극의 비저항에 따라서 I족/III족의 값을 다르게 형성한다.
상기 제1 전극은 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 높은 제1 부분을 포함하고, 제1 부분과 대응하는 상기 I족/III족 값은 상기 광활성층의 I족/III족 값의 평균보다 0.01이상 낮게 형성할 수 있다.
상기 제1 전극은 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 낮은 제1 부분을 포함하고, 제1 부분과 대응하는 I족/III족 값은 광활성층의 상기 I족/III족 값의 평균보다 0.01이상 높게 형성할 수 있다.
상기 I족/III족 값(Y)은 하기 수학식 1로 구할 수 있다.
[수학식 1]
Y=-0.0104X+1.1226
(X는 상기 제1 전극의 비저항)
상기 광활성층은 스퍼터링법 또는 증발법으로 형성할 수 있다. 상기 광활성층은 I족과 III족을 포함하는 제1 박막과 III족을 포함하는 제2 박막을 포함하고, 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 높은 제1 부분과 대응하는 부분의 제1 박막의 두께는 제1 전극의 비저항 평균과 5%미만으로 차이나는 비저항을 가지는 부분의 제1 박막의 두께보다 얇게 형성하거나, 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 높은 제1 부분과 대응하는 부분의 제2 박막의 두께는 제1 전극의 비저항 평균과 5%미만으로 차이나는 비저항을 가지는 부분의 제2 박막의 두께보다 두껍게 형성할 수 있다.
상기 광활성층은 I족과 III족을 포함하는 제1 박막과 III족을 포함하는 제2 박막을 포함하고, 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 낮은 제1 부분과 대응하는 부분의 제1 박막의 두께는 제1 전극의 비저항 평균과 5%미만으로 차이나는 비저항을 가지는 부분의 제1 박막의 두께보다 두껍게 형성하거나, 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 낮은 제1 부분과 대응하는 부분의 제2 박막의 두께는 제1 전극의 비저항 평균과 5%미만으로 차이나는 비저항을 가지는 부분의 제2 박막의 두께보다 얇게 형성할 수 있다.
상기 I족 원소는 구리(Cu), 은(Ag) 또는 금(Au)이고, III족 원소는 인듐(In) 또는 갈륨(Ga)일 수 있다.
본 발명의 실시예에서와 같이 태양 전지를 형성하면 효율이 저하되는 영역 없이 균일한 효율을 얻을 수 있는 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지의 개략적인 단면도이다.
도 2는 몰리브덴의 비저항이 각각 20.5, 23.4, 25.3일 때, I족/III족 값의 변화에 따른 변화 효율을 측정한 그래프이다.
도 3은 몰리브덴 비저항과 최적 I족/III족 값을 나타낸 그래프이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 한 실시예에 다른 태양 전지를 제조하는 중간 단계에서의 단면도이다.
도 2는 몰리브덴의 비저항이 각각 20.5, 23.4, 25.3일 때, I족/III족 값의 변화에 따른 변화 효율을 측정한 그래프이다.
도 3은 몰리브덴 비저항과 최적 I족/III족 값을 나타낸 그래프이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 한 실시예에 다른 태양 전지를 제조하는 중간 단계에서의 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하에서는 도면을 참조하여 태양 전지에 대해서 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지의 개략적인 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지는 기판(100), 기판(100) 위에 형성되어 있는 제1 전극(120), 제1 전극(120) 위에 형성되어 있는 광 활성층(140), 광 활성층(140) 위에 형성되어 있는 버퍼층(150), 버퍼층(150) 위에 형성되어 있는 제2 전극(160), 제2 전극(160) 위에 형성되어 있는 반사 방지막(180), 제2 전극(160)과 연결되어 있는 그리드 전극(200)을 포함한다.
기판(100)은 절연성을 가지며 투명한 물질로 소다 석회 유리(soda-lime glass)로 이루어질 수 있다.
소다 석회 유리는 다량의 나트륨(Na)을 포함하고 있어, 광활성층의 고온 증착 과정에서 나트륨이 제1 전극을 통해서 광활성층으로 확산될 수 있다.
제1 전극(120)은 내열 특성 및 광 활성층을 이루는 물질과의 우수한 전기 접촉 특성, 우수한 전기 전도도 및 기판(100)과의 계면 접합성이 우수한 금속으로, 예를 들어 몰리브덴(Mo)일 수 있다.
제1 전극(120)은 기판(100)에 형성되는 위치에 따라서 다른 비저항을 가질 수 있으며, 제1 전극(100)의 비저항 평균과 같은 제2 부분과 제2 부분의 비저항 평균보다 높거나 낮은 제1 부분을 포함한다. 제1 부분은 기판(100)의 가장자리 일 수 있으며 가장자리로 갈수록 비저항이 점진적으로 변화될 수 있다. 제1 부분의 폭은 기판(100)의 끝단으로부터 100mm이내일 수 있다.
광활성층(140)은 P 타입의 CIS계 반도체로서 셀레늄(Se) 또는 황(S)을 포함할 수 있다. 예를 들어, Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ계 반도체 화합물로서 Cu(In1 -x,Gax)(Se1 -x,Sx)일 수 있으며, 0≤x≤1의 조성을 가지는 화합물 반도체일 수 있다. 광 활성층(140)은 화합물 반도체의 조성이 실질적으로 균일한 단일 상(single phase)일 수 있다. 예를 들어 CuInSe2, CuInS2, Cu(In,Ga)Se2, (Ag,Cu)(In,Ga)Se2, (Ag,Cu)(In,Ga)(Se,S)2, Cu(In,Ga)(Se,S)2, Cu(In,Ga)S2 일 수 있다. 그리고 광활성층(140)은 기판(100)으로부터 확산된 나트륨(Na)을 포함할 수 있다.
광활성층(140)의 I족/III족(III족의 원자수에 대한 I족의 원자수의 비율) 값은 제1 전극(120)의 비저항에 따라서 다른 값을 가지며, 제1 전극(120)의 제1 부분 및 제2 부분과 대응하는 광활성층의 I족/III족 값은 서로 다를 수 있다. 이때, 비저항 평균은 기판 위에 제1 전극을 형성하기 위한 금속막을 30mm간격으로 측정한 비저항의 평균이다.
제1 전극(120)의 제2 부분과 대응하는 광활성층(140)의 I족/III족 값은 광활성층(140)의 I족/III족 값의 평균과 5%미만으로 차이 나고, 제1 전극(120)의 제1 부분과 대응하는 광활성층(140)의 I족/III족 값은 광활성층(140)의 I족/III족 값의 평균보다 5%이상 높거나 낮을 수 있다.
제1 부분의 비저항이 제1 전극(120)의 비저항 평균보다 5%이상 높으면, 제1 부분과 대응하는 I족/III족 값은 광활성층(140)의 I족/III족 값의 평균보다 0.01이상 낮다. 반대로, 제1 부분의 비저항이 제1 전극(120)의 비저항 평균보다 5%이상 낮으면, 제1 부분과 대응하는 I족/III족 값은 광활성층(140)의 I족/III족 값의 평균보다 0.01이상 높다.
제1 전극(120)의 비저항(X)에 따른 광활성층의 I족/III족 값(Y)은 수학식 1로부터 구할 수 있다.
[수학식 1]
Y=-0.0104X+1.1226
본 발명의 실시예에서와 같이 제1 전극의 비저항에 따라서 광활성층의 I족/III족 값을 달리하면 태양 전지의 효율을 증가시킬 수 있다. 제1 전극의 비저항에 따라서 광활성층으로 확산되는 나트륨의 양이 달라 지게 되어 태양 전지의 효율이 저하되는 영역이 발생한다. 이는 나트륨의 양에 상관없이 광활성층의 I족/III족 값이 동일하기 때문이다.
그러나 본 발명의 실시예에서는 제1 전극의 비저항에 따라서 광활성층의 I족/III족 값을 다르게 한다. 따라서 제1 전극의 비저항에 따라서 나트륨의 양이 달라지더라도 광활성층의 I족/III족 값을 달리하기 때문에 효율이 저하되는 영역이 발생하지 않는다.
한편, 수학식 1은 아래 도 2 및 도 3으로부터 구할 수 있다.
도 2는 몰리브덴의 비저항이 각각 20.5, 23.4, 25.3일 때, I족/III족 값의 변화에 따른 변화 효율을 측정한 그래프이고, 도 3은 몰리브덴 비저항과 최적 I족/III족 값을 나타낸 그래프이다.
도 2를 참조하면, I족/III족 값이 증가할수록 변환 효율은 증가하다가 감소한다. 이때, I족/III족 값과 변환 효율 그래프는 몰리브덴의 비저항에 따라서 다른 곡선을 그린다.
따라서, 몰리브덴의 비저항이 20.5, 23.4, 25.3에서, 최대 변화 효율일 때의 I족/III족 값을 구하면 각각 0.908, 0.882, 0.857임을 알 수 있다.
이를 도 3에서와 같이 몰리브덴 비저항에 따른 I족/III족 값을 표시한 후 각 점을 연결하면 선형의 반비례 그래프를 얻을 수 있으며, 이로부터 수학식 1을 구할 수 있다. 도 2의 실제 측정된 I족/III족 값과 수학식 1로부터 구한 I족/III족 값 사이에 오차가 발생할 수 있으나, 이는 0.003정도로 무시할 수 있는 수준이다.
다시 도 1을 참조하면, 버퍼층(150)은 광활성층(140)과 제2 전극(160) 사이의 에너지 갭 차이를 완화시켜 준다. 버퍼층(150)은 광투과율이 높은 n 타입의 반도체 물질로, 예를 들어 CdS, ZnS, InS로 형성될 수 있다.
제2 전극(160)은 광투과율이 높고 전기 전도성이 우수한 물질로, 예를 들어 ZnO로 형성될 수 있으며 광투과율이 약 80%이상일 수 있다. 또한, ZnO층은 알루미늄(Al) 또는 붕소(B) 등이 도핑되어 낮은 저항값을 가질 수 있다.
또는 ZnO 층 위에 전기 광학적 특성이 뛰어난 ITO 층이 적층되거나, ITO 단일층으로 형성될 수도 있다. 그리고 도핑되지 않은 i형 ZnO층 위에 낮은 저항을 가진 n형의 ZnO층이 적층되어 형성될 수 있다.
제2 전극(160)은 n형 반도체로서 p형 반도체인 광활성층과 pn접합을 형성한다.
반사방지막(180)은 반도체에 입사되는 태양광의 반사 손실을 감소시켜 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있으며, 필요에 따라서 생략할 수 있다. 반사 방지막은 MgF2로 이루어진다.
그리드 전극(200)은 제2 전극(180)과 접촉하여 반사 방지막(180)의 일측에 형성되며, 그리드 전극(200)은 태양 전지 표면에서의 전류를 수집한다. 그리드 전극(200)은 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 필요에 따라서 생략할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서와 같이 태양 전지를 형성하고, 제1 전극 및 제2 전극을 연결하면 전류가 흘러 그리드 전극을 통해서 수집된다.
이하에서는 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지를 제조하는 방법에 대해서 도 4 내지 도 6과 기설명한 도 1을 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 한 실시예에 다른 태양 전지를 제조하는 중간 단계에서의 단면도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 기판(100) 위에 스퍼터링으로 몰리브덴으로 이루어지는 제1 전극(120)을 형성한다.
다음, 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 전극(120) 위에 광활성층(140)을 형성한다. 광활성층(140)의 I족/III족의 비율은 제1 전극(120)의 비저항에 따라서 다른 조성비를 갖도록 형성한다. 이때, I족은 Cu이고, III족은 In, Ga일 수 있다.
광활성층(140)의 I족/III족의 비율(Y)은 수학식 1로부터 구할 수 있다.
수학식 1에 의해서 I족/III족의 비율을 구한 후, 비율에 따라서 스퍼터링(sputtering)과 셀렌화(selenization) 공정의 혼합법 또는 증발(evaporation)법으로 광활성층(140)을 형성한다.
스퍼터링과 셀렌화 공정은 먼저 스퍼터 장치에서 I족과III족 화합물을 포함하는 제1 박막, III족 원소를 포함하는 제2 박막을 차례로 형성한다. 이때, 제1 박막 및 제2 박막은 광활성층을 형성하기 위한 전구체 박막이다. 그리고 필요에 따라서 제2 박막을 형성하고, 제1 박막을 형성할 수 있으며, 제1 박막과 제2 박막을 교대로 반복 적층하여 형성할 수도 있다.
I족 원소는 예컨대 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 조합일 수 있고, III족 원소는 예컨대 인듐(In), 갈륨(Ga) 또는 이들의 조합일 수 있다.
제1 박막과 제2 박막의 III족 원소는 서로 상이할 수 있으며, 예를 들어 제1 박막의 III족 원소는 갈륨이고, 제2 박막의 III족 원소는 인듐일 수 있다. 이때, I족 원소는 구리일 수 있다.
한편, 본 발명의 한 실시예에서는 제1 전극의 비저항에 따라서 I족/III족의 비율을 달리하는 것으로, 제1 박막 및 제2 박막의 두께를 조절하여 형성할 수 있다.
이때, 제1 부분의 비저항이 제1 전극의 비저항 평균보다 높으면 제1 부분과 대응하는 제2 박막의 두께를 증가시켜 I족/III족의 비율을 1미만으로 한다. 제1 부분은 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 높거나 낮은 비저항을 가지는 제1 전극의 일부분이다.
즉, 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 높은 제1 부분과 대응하는 부분의 제1 박막의 두께는 제1 전극의 비저항 평균과 5%미만으로 차이나는 비저항을 가지는 부분의 제1 박막의 두께보다 얇게 형성한다. 반대로, 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 높은 제1 부분과 대응하는 부분의 제2 박막의 두께는 제1 전극의 비저항 평균과 5%미만으로 차이나는 비저항을 가지는 부분의 제2 박막의 두께보다 두껍게 형성할 수 있다.
그리고 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 낮은 제1 부분과 대응하는 부분의 제1 박막의 두께는 제1 전극의 비저항 평균과 5%미만으로 차이나는 비저항을 가지는 부분의 제1 박막의 두께보다 두껍게 형성한다. 반대로, 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 낮은 제1 부분과 대응하는 부분의 제2 박막의 두께는 제1 전극의 비저항 평균과 5%미만으로 차이나는 비저항을 가지는 부분의 제2 박막의 두께보다 얇게 형성한다.
박막의 두께는 증착 속도를 달리하면 위치에 따라서 다른 두께의 제2 박막을 형성할 수 있다. 증착 속도는 타겟 표면과 자석의 간격이 좁아질수록 자속 밀도가 커지고 증착 속도가 빨라지고, 간격이 증가할수록 자속 밀도가 감소하여 증착 속도가 감소하므로 자속 밀도를 제어함으로써 증착 속도를 조절하여 서로 다른 두께를 가지는 박막을 형성할 수 있다.
이후, 셀레늄(Se) 또는 황(S)와 같은 VI족 원소 함유 기체 분위기에서 열처리하여 CIGS로 이루어지는 광활성층(140)을 완성한다. 이때, 열처리는 약 400 내지 600℃에서 약 30분 내지 120 분 동안 수행될 수 있다.
그리고 증발법은 복수의 증발원을 이용하여 기판에 광활성층을 형성하므로, 위치에 따라서 증발원의 조성비를 달리하여 제1 전극의 비저항에 따라서 다른 I족/III족 값을 가지는 광활성층(140)을 형성할 수 있다.
다음, 도 6에 도시한 바와 같이 광활성층(140) 위에 버퍼층(150)을 형성하고, 버퍼층(150) 위에 제2 전극(160)을 형성한다.
버퍼층(150)은 광투과율이 높은 n 타입의 반도체 물질로, 예를 들어 CdS, ZnS, InS로 형성한다.
제2 전극(160)은 ZnO로 형성할 수 있으며 ZnO타겟을 사용하여 DC(direct current) 또는 RF(radio frequency) 스퍼터링 방법으로 증착하는 방법, Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링 방법 또는 유기 금속 화학 증착(organic metal chemical vapor deposition)법 등으로 형성할 수 있다.
그리고 제2 전극(160) 위에 반사 방지막(180)을 형성한다. 반사 방지막은 MgF2로 형성할 수 있으며, 전자빔 증발(E-beam evaporation)법을 사용하여 형성할 수 있다.
다음, 도 1에 도시한 바와 같이 반사 방지막(180) 위에 제2 전극(160)과 전기적으로 연결되는 그리드 전극(200)을 형성하여 태양 전지를 완성한다. 그리드 전극(200)은 스퍼터링 방법으로 형성할 수 있으며 알루미늄 또는 니켈로 형성할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
100: 기판
120: 제1 전극
140: 광 활성층 150: 버퍼층
160: 제2 전극
180: 반사 방지막 200: 그리드 전극
140: 광 활성층 150: 버퍼층
160: 제2 전극
180: 반사 방지막 200: 그리드 전극
Claims (19)
- 기판,
상기 기판 위에 형성되는 제1 전극,
상기 제1 전극 위에 형성되어 있으며 I족 및 III족 원소를 포함하는 광활성층,
상기 광활성층 위에 형성되어 있는 제2 전극
을 포함하고,
상기 제1 전극은 비저항이 서로 다른 제1 부분과 제2 부분을 포함하고,
상기 제1 부분 및 제2 부분과 대응하는 상기 광활성층의 I족/III족 값은 서로 다른 태양 전지. - 제1항에서,
상기 제1 부분의 비저항은 상기 제1 전극의 비저항 평균보다 높거나 낮은 태양 전지. - 제2항에서,
상기 제1 전극의 비저항 평균보다 높은 상기 제1 부분과 대응하는 상기 광활성층의 I족/III족 값은 상기 광활성층의 I족/III족 값의 평균보다 낮고,
상기 제1 전극의 비저항 평균보다 낮은 상기 제1 부분과 대응하는 상기 광활성층의 I/III족 값은 상기 광활성층의 I/III족 값의 평균보다 높은 태양 전지. - 제3항에서,
상기 제1 부분의 비저항은 상기 비저항 평균보다 5%이상 높고,
상기 제1 부분과 대응하는 상기 I족/III족 값은 상기 광활성층의 상기 I족/III족 값의 평균보다 0.01이상 낮은 태양 전지. - 제4항에서,
상기 제2 부분의 비저항과 상기 비저항 평균과의 차이는 5%미만인 태양 전지. - 제3항에서,
상기 제1 부분의 비저항은 상기 비저항 평균보다 5%이상 낮고,
상기 제1 부분과 대응하는 상기 I족/III족 값은 상기 광활성층의 상기 I족/III족 값의 평균보다 0.01이상 높은 태양 전지. - 제6항에서,
상기 제2 부분의 비저항과 상기 비저항 평균과의 차이는 5%미만인 태양 전지. - 제1항에서,
상기 I족/III족 값(Y)은 하기 수학식 1을 만족하는 태양 전지.
[수학식 1]
Y=-0.0104X+1.1226
(X는 상기 제1 전극의 비저항) - 제1항에서,
상기 I족 원소는 구리(Cu), 은(Ag) 또는 금(Au)이고,
상기 III족 원소는 인듐(In) 또는 갈륨(Ga)인 태양 전지. - 제9항에서,
상기 제1 전극은 몰리브덴으로 이루어지는 태양 전지. - 기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계,
상기 제1 전극 위에 I족 및 III족을 포함하는 광활성층을 형성하는 단계,
상기 광활성층 위에 제2 전극을 형성하는 단계
를 포함하고,
상기 제1 전극의 비저항에 따라서 상기 I족/III족 값을 다르게 형성하는 태양 전지의 제조 방법. - 제11항에서,
상기 제1 전극은 상기 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 높은 제1 부분을 포함하고,
상기 제1 부분과 대응하는 상기 I족/III족 값은 상기 광활성층의 상기 I족/III족 값의 평균보다 0.01이상 낮게 형성하는 태양 전지의 제조 방법. - 제11항에서,
상기 제1 전극은 상기 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 낮은 제1 부분을 포함하고,
상기 제1 부분과 대응하는 상기 I족/III족 값은 상기 광활성층의 상기 I족/III족 값의 평균보다 0.01이상 높게 형성하는 태양 전지의 제조 방법. - 제11항에서,
상기 I족/III족 값(Y)은 하기 수학식 1로 구하는 태양 전지의 제조 방법.
[수학식 1]
Y=-0.0104X+1.1226
(X는 상기 제1 전극의 비저항) - 제11항에서,
상기 광활성층은 스퍼터링법 또는 증발법으로 형성하는 태양 전지의 제조 방법. - 제15항에서,
상기 광활성층은 I족과 III족을 포함하는 제1 박막과 III족을 포함하는 제2 박막을 포함하고,
상기 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 높은 제1 부분과 대응하는 부분의 상기 제1 박막의 두께는 상기 제1 전극의 비저항 평균과 5%미만으로 차이나는 비저항을 가지는 부분의 상기 제1 박막의 두께보다 얇게 형성하거나,
상기 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 높은 제1 부분과 대응하는 부분의 상기 제2 박막의 두께는 상기 제1 전극의 비저항 평균과 5%미만으로 차이나는 비저항을 가지는 부분의 상기 제2 박막의 두께보다 두껍게 형성하는 태양 전지의 제조 방법. - 제16항에서,
상기 I족 원소는 구리(Cu), 은(Ag) 또는 금(Au)이고,
상기 III족 원소는 인듐(In) 또는 갈륨(Ga)인 태양 전지의 제조 방법. - 제15항에서,
상기 광활성층은 I족과 III족을 포함하는 제1 박막과 III족을 포함하는 제2 박막을 포함하고,
상기 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 낮은 제1 부분과 대응하는 부분의 상기 제1 박막의 두께는 상기 제1 전극의 비저항 평균과 5%미만으로 차이나는 비저항을 가지는 부분의 상기 제1 박막의 두께보다 두껍게 형성하거나,
상기 제1 전극의 비저항 평균보다 5%이상 낮은 제1 부분과 대응하는 부분의 상기 제2 박막의 두께는 상기 제1 전극의 비저항 평균과 5%미만으로 차이나는 비저항을 가지는 부분의 상기 제2 박막의 두께보다 얇게 형성하는 태양 전지의 제조 방법. - 제18항에서,
상기 I족 원소는 구리(Cu), 은(Ag) 또는 금(Au)이고,
상기 III족 원소는 인듐(In) 또는 갈륨(Ga)인 태양 전지의 제조 방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130131683A KR20150050186A (ko) | 2013-10-31 | 2013-10-31 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| US14/242,804 US20150114455A1 (en) | 2013-10-31 | 2014-04-01 | Solar cell and a manufacturing method thereof |
| EP14170675.4A EP2869351A3 (en) | 2013-10-31 | 2014-05-30 | Solar cell and a manufacturing method thereof |
| CN201410312241.XA CN104600138A (zh) | 2013-10-31 | 2014-07-02 | 太阳能电池及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130131683A KR20150050186A (ko) | 2013-10-31 | 2013-10-31 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150050186A true KR20150050186A (ko) | 2015-05-08 |
Family
ID=50819693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130131683A KR20150050186A (ko) | 2013-10-31 | 2013-10-31 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20150114455A1 (ko) |
| EP (1) | EP2869351A3 (ko) |
| KR (1) | KR20150050186A (ko) |
| CN (1) | CN104600138A (ko) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006165386A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Showa Shell Sekiyu Kk | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池及びその作製方法 |
| US20120115312A1 (en) * | 2009-05-26 | 2012-05-10 | Purdue Research Foundation | Thin films for photovoltaic cells |
| US20130160831A1 (en) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Miasole | Reactive Sputtering of ZnS(O,H) and InS(O,H) for Use as a Buffer Layer |
-
2013
- 2013-10-31 KR KR1020130131683A patent/KR20150050186A/ko not_active Application Discontinuation
-
2014
- 2014-04-01 US US14/242,804 patent/US20150114455A1/en not_active Abandoned
- 2014-05-30 EP EP14170675.4A patent/EP2869351A3/en not_active Withdrawn
- 2014-07-02 CN CN201410312241.XA patent/CN104600138A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2869351A3 (en) | 2015-07-08 |
| CN104600138A (zh) | 2015-05-06 |
| EP2869351A2 (en) | 2015-05-06 |
| US20150114455A1 (en) | 2015-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107658350B (zh) | 光伏装置及制作方法 | |
| KR20150031889A (ko) | 테양전지 | |
| KR101172206B1 (ko) | 태양 전지 | |
| KR101848853B1 (ko) | 반투명 cigs 태양전지 및 이의 제조방법 및 이를 구비하는 건물일체형 태양광 발전 모듈 | |
| KR101428146B1 (ko) | 태양전지 모듈 및 이의 제조방법 | |
| KR101219835B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101081270B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101415251B1 (ko) | 다중 버퍼층 및 이를 포함하는 태양전지 및 그 생산방법 | |
| US20170077327A1 (en) | Photoelectric conversion element, solar cell, solar cell module, and solar power generating system | |
| KR20140066963A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101300791B1 (ko) | 전자빔 조사를 이용한 몰리브덴 박막의 전도도 향상 방법 | |
| KR20140058794A (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
| KR101251870B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101283240B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| US20150249171A1 (en) | Method of making photovoltaic device comprising i-iii-vi2 compound absorber having tailored atomic distribution | |
| KR101134730B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR20150057820A (ko) | 태양 전지 | |
| KR20150050186A (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| JP2011091249A (ja) | 太陽電池 | |
| KR20130031020A (ko) | 태양전지 | |
| KR101846337B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR20120086445A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101628365B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101536266B1 (ko) | 전자빔을 이용하여 Ga 편석 방지가 가능한 CIGS 광흡수층 제조방법 및 이를 이용한 CIGS 태양전지 제조방법 | |
| KR101610382B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |