KR20150047716A - Wafer level molding apparatus - Google Patents

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KR20150047716A
KR20150047716A KR1020130127496A KR20130127496A KR20150047716A KR 20150047716 A KR20150047716 A KR 20150047716A KR 1020130127496 A KR1020130127496 A KR 1020130127496A KR 20130127496 A KR20130127496 A KR 20130127496A KR 20150047716 A KR20150047716 A KR 20150047716A
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Abstract

A wafer level molding apparatus includes: a first mold which supports a wafer on which semiconductor chips are mounted; a second mold which is arranged to face the first mold and has a cavity for molding the semiconductor chips; a port block which is mounted on the second mold and provides molding resins for molding the semiconductor chips; and a resin injection member which is connected to the port block, passes through the second mold, and includes a resin inlet to inject the molding resins on the center of the cavity. At this time, the depth of the cavity is increased by the molding resins injected to the inside of the cavity.

Description

웨이퍼 레벨 몰딩 장치{WAFER LEVEL MOLDING APPARATUS}[0001] WAFER LEVEL MOLDING APPARATUS [0002]

본 발명의 실시예들은 웨이퍼 레벨 몰딩 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 복수의 칩들을 웨이퍼 상에 탑재한 후 상기 웨이퍼 상에서 상기 반도체 칩들에 대한 몰딩 공정을 수행하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a wafer level molding apparatus. And more particularly to a wafer level molding apparatus for mounting a plurality of chips on a wafer and then performing a molding process for the semiconductor chips on the wafer.

일반적으로, 반도체 패키지들을 성형하기 위한 몰딩 공정은 금형 내에 반도체 칩들이 탑재된 리드 프레임 또는 인쇄회로기판 등과 같은 기판을 배치하고 상기 금형의 캐버티(cavity) 내부로 에폭시 수지와 같은 몰딩 수지를 주입함으로써 이루어질 수 있다. 상기 몰딩 공정을 수행하기 위한 장치는 상기 캐버티 내부로 용융된 수지 또는 액상 수지를 주입하는 트랜스퍼 몰딩 방식과, 상기 캐버티 내부에 분말 형태의 몰딩 수지, 용융된 수지 또는 액상 수지를 공급하고 상형과 하형 사이에서 상기 몰딩 수지를 압축하여 성형하는 컴프레션 몰딩 방식의 장치로 구분될 수 있다.In general, a molding process for molding semiconductor packages is performed by disposing a substrate such as a lead frame or a printed circuit board on which semiconductor chips are mounted in a mold and injecting a molding resin such as epoxy resin into a cavity of the mold Lt; / RTI > The apparatus for performing the molding process includes a transfer molding method of injecting a molten resin or a liquid resin into the cavity, a method of supplying a molding resin, a molten resin or a liquid resin in powder form into the cavity, And a compression molding type device for compressing and molding the molding resin between the lower molds.

그러나, 최근 반도체 패키지의 소형화 추세에 따라 칩 사이즈 패키지 기술이 요구되고 있으며, 일 예로서 웨이퍼 상에서 직접 몰딩 공정을 수행하는 웨이퍼 레벨 패키지 기술이 개발되고 있다.However, in recent semiconductor package miniaturization trend, chip size package technology is required. As one example, a wafer level package technology for performing a direct molding process on a wafer is being developed.

상기 웨이퍼 레벨 패키지 기술의 일 예는 대한민국 공개특허공보 제10-2001-0014657호에 개시되어 있다. 상기 공개특허공보 제10-2001-0014657호에 따르면, 웨이퍼 레벨 패키지를 제조하기 위한 압축 성형 장치는 상형과 하형을 포함하며 하형 상에 위치된 웨이퍼 상에 수지 태블릿이 공급될 수 있다. 상기 수지 태블릿은 상형과 하형 사이에서 용융되어 상기 웨이퍼 전면을 몰딩할 수 있다.An example of the wafer level package technology is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2001-0014657. According to the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2001-0014657, a compression molding apparatus for manufacturing a wafer level package includes a top mold and a bottom mold, and a resin tablet may be supplied on a wafer placed on the bottom mold. The resin tablet may melt between the upper mold and the lower mold to mold the entire surface of the wafer.

그러나, 상기와 같은 압축 성형 장치의 경우 웨이퍼 상의 수지 태블릿이 상형에 의해 압축되고 용융되어 상기 웨이퍼의 중앙 부위로부터 가장자리 부위로 흐르도록 구성되고 있으나, 상기 수지 태블릿을 압축하는 과정에서 상기 웨이퍼 상의 포스트 또는 반도체 칩 등과 같은 구조물들이 손상될 가능성이 있으며, 또한 상기 수지 태블릿이 충분히 용융되지 않는 경우 완성된 반도체 패키지에서 보이드 등의 결함이 발생될 수 있다.However, in the above-described compression molding apparatus, the resin tablet on the wafer is compressed and melted by the upper mold so as to flow from the central portion to the edge portion of the wafer. However, in the process of compressing the resin tablet, Semiconductor chips and the like may be damaged, and defects such as voids may occur in the completed semiconductor package when the resin tablet is not sufficiently melted.

본 발명의 실시예들은 웨이퍼 상의 구조물 손상을 방지하고 몰딩 수지를 균일하게 제공할 수 있는 트랜스퍼 몰딩 방식의 웨이퍼 레벨 몰딩 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a transfer molding type wafer level molding apparatus capable of preventing structure damage on a wafer and uniformly providing a molding resin.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 웨이퍼 몰딩 장치는, 반도체 칩들이 탑재된 웨이퍼를 지지하는 제1 금형과, 상기 제1 금형과 마주하도록 배치되며 상기 반도체 칩들을 몰딩하기 위한 캐버티를 갖는 제2 금형과, 상기 제2 금형에 장착되며 상기 반도체 칩들을 몰딩하기 위한 몰딩 수지를 제공하는 포트 블록과, 상기 포트 블록과 연결되고 상기 제2 금형을 관통하며 상기 캐버티의 중앙 부위로 상기 몰딩 수지를 주입하기 위한 수지 주입구를 갖는 수지 주입 부재를 포함할 수 있다. 이때, 상기 캐버티의 깊이는 상기 캐버티 내부로 주입되는 상기 몰딩 수지에 의해 증가될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer molding apparatus including a first mold for supporting a wafer on which semiconductor chips are mounted, a cavity for facing the first mold, A port block mounted on the second mold and provided with a molding resin for molding the semiconductor chips, and a connection block connected to the port block, passing through the second mold and passing through the central portion of the cavity And a resin injection member having a resin injection port for injecting the molding resin. At this time, the depth of the cavity may be increased by the molding resin injected into the cavity.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제2 금형은, 체이스 블록과, 상기 체이스 블록에 장착되며 상기 캐버티의 내측면을 한정하는 가이드 블록과, 상기 가이드 블록의 내측에 배치되어 상기 반도체 칩들과 마주하는 상기 캐버티의 바닥면을 한정하며 상기 체이스 블록에 탄성적으로 장착되는 캐버티 블록을 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the second mold includes a chase block, a guide block mounted on the chase block and defining an inner surface of the cavity, and a guide block disposed on the inner side of the guide block, And a cavity block that defines a bottom surface of the cavity facing and that is resiliently mounted to the chase block.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 체이스 블록과 상기 캐버티 블록 사이에는 복수의 탄성 부재들과 상기 캐버티의 깊이를 제한하기 위한 스토퍼가 배치될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a plurality of elastic members and a stopper for limiting the depth of the cavity may be disposed between the chase block and the cavity block.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 수지 주입 부재의 일측 단부는 상기 캐버티의 내측으로 돌출되어 상기 웨이퍼의 중앙 부위와 마주할 수 있으며, 상기 몰딩 수지는 상기 웨이퍼의 중앙 부위로부터 가장자리 부위를 향하여 확산될 수 있다.According to the embodiments of the present invention, one end of the resin injection member may protrude to the inside of the cavity to face a central portion of the wafer, and the molding resin may extend from the central portion of the wafer toward the edge portion Can be diffused.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 수지 주입 부재의 일측 단부에는 상기 몰딩 수지가 경유하는 웰 영역이 구비될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a well region through which the molding resin passes may be provided at one end of the resin injection member.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 수지 주입 부재의 일측 단부에는 상기 몰딩 수지를 상기 웰 영역으로부터 상기 캐버티로 전달하기 위한 복수의 게이트들이 구비될 수 있다.According to embodiments of the present invention, one end of the resin injection member may be provided with a plurality of gates for transferring the molding resin from the well region to the cavity.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 웰 영역의 중앙 부위에는 상기 웨이퍼의 중앙 부위에 밀착되는 콘택터가 구비될 수 있으며, 상기 콘택터에는 상기 수지 주입구의 단부로부터 상기 웰 영역으로 상기 몰딩 수지를 전달하기 위한 복수의 러너들이 구비될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a contactor may be provided at a central portion of the well region in close contact with a central portion of the wafer. In the contactor, the molding resin is transferred from the end of the resin injection port to the well region A plurality of runners may be provided.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 금형이 장착되는 제1 마스터 다이와 상기 제2 금형이 장착되는 제2 마스터 다이가 더 구비될 수 있으며, 상기 제1 금형과 제2 금형은 상기 제1 마스터 다이와 제2 마스터 다이에 각각 탄성적으로 장착될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a first master die on which the first mold is mounted and a second master die on which the second mold is mounted may further be provided, and the first mold and the second mold may be provided with the first Can be resiliently mounted to the master die and the second master die, respectively.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제2 금형은 상기 캐버티와 연결된 복수의 에어 벤트들을 구비할 수 있다. 이때, 상기 제2 마스터 다이에는 상기 에어 벤트들을 개폐하기 위하여 상기 제2 금형을 관통하여 상기 에어 벤트들 내측으로 각각 돌출 가능하도록 개폐 부재들이 장착될 수 있으며, 상기 개폐 부재들은 상기 제1 및 제2 마스터 다이들에 기 설정된 클램프 압력이 인가되는 경우 상기 에어 벤트들 내측으로 돌출되어 상기 에어 벤트들을 차단할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the second mold may include a plurality of air vents connected to the cavity. At this time, on the second master die, opening / closing members may be mounted so as to protrude into the air vents through the second mold to open / close the air vents, and the opening / When the predetermined clamp pressure is applied to the master dies, the air dents may protrude inside the air vents to block the air vents.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 에어 벤트들이 개방되는 제1 클램프 압력에서 상기 몰딩 수지가 상기 캐버티 내부로 주입될 수 있다. 특히, 상기 캐버티 내에 상기 몰딩 수지가 채워진 후 상기 에어 벤트들을 차단하기 위하여 상기 제1 클램프 압력보다 높은 제2 클램프 압력이 인가될 수 있으며, 이어서 상기 캐버티 내부로 주입되는 상기 몰딩 수지에 의해 상기 캐버티의 깊이가 증가될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the molding resin may be injected into the cavity at a first clamp pressure at which the air vents are opened. In particular, after the molding resin is filled in the cavity, a second clamp pressure higher than the first clamp pressure may be applied to block the air vents, and then the molding resin injected into the cavity The depth of the cavity can be increased.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 웨이퍼 몰딩 장치는, 반도체 칩들이 탑재된 웨이퍼를 지지하는 제1 금형과, 상기 제1 금형과 마주하도록 배치되며 상기 반도체 칩들을 몰딩하기 위한 캐버티를 갖는 제2 금형과, 상기 제1 금형에 장착되며 상기 반도체 칩들을 몰딩하기 위한 몰딩 수지를 제공하는 포트 블록을 포함할 수 있다. 이때, 상기 웨이퍼의 중앙 부위에는 관통홀이 구비되고, 상기 제1 금형에는 상기 관통홀을 통하여 상기 포트 블록으로부터 상기 캐버티 내부로 몰딩 수지를 주입하기 위한 수지 주입구가 구비될 수 있으며, 상기 캐버티의 깊이는 상기 캐버티 내부로 주입되는 상기 몰딩 수지에 의해 증가될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer molding apparatus including a first mold for supporting a wafer on which semiconductor chips are mounted, a cavity for facing the first mold, And a port block mounted on the first mold and providing a molding resin for molding the semiconductor chips. At this time, a through hole may be formed in a central portion of the wafer, and the first mold may be provided with a resin injection port for injecting a molding resin from the port block into the cavity through the through hole, May be increased by the molding resin injected into the cavity.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 금형에는 상기 웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 복수의 진공 유로들이 구비될 수 있으며, 상기 제1 금형과 상기 웨이퍼 사이에는 상기 수지 주입구를 감싸는 링 형태의 밀봉 부재가 개재될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the first mold may be provided with a plurality of vacuum channels for vacuum-sucking the wafer, and a ring-shaped sealing member surrounding the resin injection port may be provided between the first mold and the wafer. Can be interposed.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제2 금형은 상기 캐버티의 내측으로 돌출되어 상기 웨이퍼의 중앙 부위와 마주하며 상기 웨이퍼의 관통홀을 통해 주입되는 몰딩 수지를 상기 웨이퍼의 중앙 부위로부터 가장자리 부위를 향하여 확산시키기 위한 확산 부재를 포함할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the second mold protrudes to the inside of the cavity, and faces a central portion of the wafer, and a molding resin injected through the through-hole of the wafer extends from a central portion of the wafer to a peripheral portion And a diffusion member for diffusing the light toward the light source.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 웨이퍼 레벨 몰딩 장치는 웨이퍼를 지지하는 제1 금형과 상기 웨이퍼 상의 반도체 칩들을 몰딩하기 위한 캐버티를 갖는 제2 금형을 포함할 수 있다. 이때, 몰딩 수지는 포트 블록으로부터 용융된 상태에서 상기 캐버티의 중앙 부위로 주입될 수 있으며, 이어서 상기 웨이퍼의 중앙 부위로부터 가장자리 부위를 향하여 균일하게 확산될 수 있다. 따라서, 상기 몰딩 수지의 주입 과정에서 상기 반도체 칩들이 손상되는 문제점이 크게 개선될 수 있다.According to embodiments of the present invention as described above, the wafer level molding apparatus may include a second mold having a first mold supporting the wafer and a cavity for molding the semiconductor chips on the wafer. At this time, the molding resin may be injected from the port block into the central portion of the cavity in a molten state, and then may be uniformly diffused from the central portion of the wafer toward the edge portion. Therefore, the problem of damaging the semiconductor chips during the injection of the molding resin can be greatly improved.

특히, 상기 제2 금형은 상기 캐버티의 내측면과 바닥면을 각각 한정하는 가이드 블록과 캐버티 블록을 포함할 수 있으며, 상기 캐버티 블록은 상기 몰딩 수지가 상기 캐버티에 충분히 채워진 후 상기 몰딩 수지의 주입 압력에 의해 이동 가능하게 구성될 수 있다. 결과적으로 상대적으로 얕은 깊이를 갖는 캐버티 내부로 먼저 몰딩 수지가 주입된 후 상기 캐버티의 깊이가 조절될 수 있으며, 이에 의해 상기 웨이퍼 레벨 몰딩 공정을 수행하는 동안 보이드 등의 결함 발생률이 크게 감소될 수 있다.In particular, the second mold may include a guide block and a cavity block, respectively defining an inner side surface and a bottom surface of the cavity, wherein the cavity block is filled with the molding resin, And can be configured to be movable by the injection pressure of the resin. As a result, the depth of the cavity can be adjusted after the molding resin is first injected into the cavity having a relatively shallow depth, thereby greatly reducing the incidence of defects such as voids during the wafer level molding process .

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 몰딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도들이다.
도 4는 도 1에 도시된 제1 금형과 제2 금형의 중앙 부위들을 설명하기 위한 개략적인 확대 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 제2 금형을 설명하기 위한 개략적인 저면도이다.
도 6은 도 1에 도시된 수지 주입 부재를 설명하기 위한 개략적인 확대 단면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 수지 주입 부재를 설명하기 위한 개략적인 확대 저면도이다.
도 8은 도 1에 도시된 수지 주입 부재의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 확대 단면도이다.
도 9는 도 8에 도시된 수지 주입 부재를 설명하기 위한 개략적인 확대 저면도이다.
도 10은 도 1에 도시된 수지 주입 부재의 또 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 확대 단면도이다.
도 11은 도 10에 도시된 수지 주입 부재를 설명하기 위한 개략적인 확대 저면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 몰딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 13은 도 12에 도시된 제1 금형과 제2 금형을 설명하기 위한 개략적인 확대 단면도이다.FIGS. 1 to 3 are schematic structural views illustrating a wafer level molding apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic enlarged cross-sectional view for explaining central portions of the first mold and the second mold shown in FIG.
5 is a schematic bottom view for explaining the second mold shown in Fig.
6 is a schematic enlarged cross-sectional view for explaining the resin injection member shown in Fig.
7 is a schematic enlarged bottom view for explaining the resin injection member shown in Fig.
8 is a schematic enlarged cross-sectional view for explaining another example of the resin injection member shown in Fig.
9 is a schematic enlarged bottom view for explaining the resin injection member shown in Fig.
10 is a schematic enlarged cross-sectional view for explaining another example of the resin injection member shown in Fig.
11 is a schematic enlarged bottom view for explaining the resin injection member shown in Fig.
12 is a schematic block diagram for illustrating a wafer level molding apparatus according to another embodiment of the present invention.
13 is a schematic enlarged cross-sectional view for explaining the first mold and the second mold shown in FIG.

이하, 본 발명은 본 발명의 실시예들을 보여주는 첨부 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The invention will be described in more detail below with reference to the accompanying drawings showing embodiments of the invention. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below, but may be embodied in various other forms. The following examples are provided so that those skilled in the art can fully understand the scope of the present invention, rather than being provided so as to enable the present invention to be fully completed.

하나의 요소가 다른 하나의 요소 또는 층 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로서 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들 또는 층들이 이들 사이에 게재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결되는 것으로서 설명되는 경우, 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.When an element is described as being placed on or connected to another element or layer, the element may be directly disposed or connected to the other element, and other elements or layers may be placed therebetween It is possible. Alternatively, if one element is described as being placed directly on or connected to another element, there can be no other element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or portions, but the items are not limited by these terms .

하기에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Furthermore, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as will be understood by those skilled in the art having ordinary skill in the art, unless otherwise specified. These terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the related art and the description of the present invention, and are to be interpreted as being ideally or externally grossly intuitive It will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 영역은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 영역의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to schematic illustrations of ideal embodiments of the present invention. Thus, changes from the shapes of the illustrations, e.g., changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be reasonably expected. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shapes of the areas illustrated in the drawings, but include deviations in the shapes, the areas described in the drawings being entirely schematic and their shapes Is not intended to illustrate the exact shape of the area and is not intended to limit the scope of the invention.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 몰딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도들이고, 도 4는 도 1에 도시된 제1 금형과 제2 금형의 중앙 부위들을 설명하기 위한 개략적인 확대 단면도이며, 도 5는 도 1에 도시된 제2 금형을 설명하기 위한 개략적인 저면도이다.FIGS. 1 to 3 are schematic diagrams for explaining a wafer level molding apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a schematic view for explaining the center portions of the first and second molds shown in FIG. Fig. 5 is a schematic bottom view for explaining the second mold shown in Fig. 1. Fig.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 몰딩 장치(10)는 반도체 웨이퍼(20) 상에 본딩 공정을 통해 탑재된 복수의 반도체 칩들(30)에 대하여 몰딩 공정을 수행하기 위하여 사용될 수 있다. 특히, 상기 웨이퍼 레벨 몰딩 장치(10)는 일반적인 몰딩 공정과는 다르게 웨이퍼 레벨에서 상기 반도체 칩들(30)에 대한 몰딩 공정을 수행하기 위하여 사용될 수 있다.1 to 5, a wafer level molding apparatus 10 according to an embodiment of the present invention performs a molding process on a plurality of semiconductor chips 30 mounted on a semiconductor wafer 20 through a bonding process Can be used to perform. In particular, the wafer level molding apparatus 10 may be used to perform a molding process for the semiconductor chips 30 at a wafer level, unlike a typical molding process.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 몰딩 장치(10)는 복수의 반도체 칩들(30)이 탑재된 웨이퍼(20)를 지지하기 위한 제1 금형(100)과, 상기 제1 금형(100)에 마주하도록 배치되고 상기 반도체 칩들(30)을 몰딩하기 위한 캐버티(202)를 갖는 제2 금형(200)을 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 상기 몰딩 장치(10)는 상기 제2 금형(200) 상에 이형 필름을 제공하는 이형 필름 제공부를 더 포함할 수 있으며, 이 경우, 상기 제2 금형(200)에는 상기 이형 필름을 진공 흡착하기 위한 복수의 진공 유로들이 구비될 수 있다. 일 예로서, 상기 이형 필름 제공부는 상기 이형 필름을 공급하기 위한 공급 롤러와 상기 이형 필름을 권취하기 위한 권취 롤러를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the molding apparatus 10 includes a first mold 100 for supporting a wafer 20 on which a plurality of semiconductor chips 30 are mounted, And a second mold 200 having a cavity 202 disposed to face the semiconductor chips 30 and to mold the semiconductor chips 30. In addition, although not shown, the molding apparatus 10 may further include a release film providing unit for providing a release film on the second mold 200. In this case, A plurality of vacuum channels for vacuum adsorption of the release film may be provided. In one example, the release film supply unit may include a supply roller for supplying the release film and a winding roller for winding the release film.

또한, 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 제1 금형(100)에는 상기 웨이퍼(20)를 진공 흡착하기 위한 복수의 진공 유로들이 구비될 수 있다. 특히, 도시된 바에 의하면, 상기 제1 금형(100) 상에 제2 금형(200)이 배치되고 있으나, 상기 제1 금형(100)과 제2 금형(200)의 배치 관계는 필요에 따라서 변경 가능하다. 예를 들면, 상기 제1 금형(100)의 하부에 제2 금형(200)이 배치될 수도 있다.Also, although not shown in detail, the first mold 100 may be provided with a plurality of vacuum channels for vacuum-sucking the wafer 20. In particular, although the second mold 200 is disposed on the first mold 100, the arrangement relationship between the first mold 100 and the second mold 200 may be changed as needed Do. For example, the second mold 200 may be disposed below the first mold 100.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 몰딩 장치(10)는 상기 반도체 칩들(30)을 몰딩하기 위한 몰딩 수지(40)를 제공하는 포트 블록(300)과 상기 포트 블록(300)에 연결되어 상기 몰딩 수지(40)를 상기 캐버티(202) 내부로 주입하기 위한 수지 주입 부재(310)를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the molding apparatus 10 includes a port block 300 for providing a molding resin 40 for molding the semiconductor chips 30, And a resin injection member 310 for injecting the molding resin 40 into the cavity 202.

상기 포트 블록(300)은 상기 제2 금형(200)에 장착될 수 있으며, 상기 수지 주입 부재(310)는 상기 제2 금형(200)의 중앙 부위를 관통하도록 배치될 수 있다. 특히, 상기 수지 주입 부재(310)는 상기 몰딩 수지(40)를 상기 캐버티(202)의 중앙 부위로 주입하기 위한 수지 주입구(312)를 가질 수 있다.The port block 300 may be mounted to the second mold 200 and the resin injection member 310 may be disposed to penetrate the central portion of the second mold 200. In particular, the resin injection member 310 may have a resin injection port 312 for injecting the molding resin 40 into the central portion of the cavity 202.

또한, 상기 포트 블록(300)은 상기 몰딩 수지(40)를 공급하기 위하여 상기 수지 주입구(312)와 연결되는 포트를 구비할 수 있으며, 상기 포트 내에는 상기 몰딩 수지(40)를 주입하기 위한 플런저(302)가 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 포트 내에는 수지 태블릿이 제공될 수 있으며, 상기 포트 내에서 상기 수지 태블릿이 용융된 후 상기 플런저(302)에 의해 상기 용융된 몰딩 수지(40)가 상기 수지 주입구(312)를 통해 상기 캐버티(202) 내부로 주입될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 상기 포트 블록(300)은 상기 수지 태블릿을 용융시키기 위한 히터와 상기 플런저(302)를 왕복 운동시키기 위한 구동부 등을 구비할 수 있다.The port block 300 may include a port connected to the resin injection port 312 to supply the molding resin 40. The port block 300 may include a plunger for injecting the molding resin 40, (302) may be disposed. As an example, a resin tablet may be provided in the port, and the molten molding resin 40 is injected by the plunger 302 into the resin injection port 312 after the resin tablet is melted in the port May be injected into the cavity 202. Although not shown, the port block 300 may include a heater for melting the resin tablet, a driving unit for reciprocating the plunger 302, and the like.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 금형(200)은 체이스 블록(210)과, 상기 체이스 블록(210)에 장착되며 상기 캐버티(202)의 내측면을 한정하는 가이드 블록(220) 및 상기 가이드 블록(220)의 내측에 배치되어 상기 반도체 칩들(30)과 마주하는 상기 캐버티(202)의 바닥면을 한정하는 캐버티 블록(230)을 포함할 수 있다. 일 예로서, 상기 가이드 블록(220)은 원형 링 형태를 가질 수 있으며, 상기 캐버티 블록(230)은 원반 형태를 가질 수 있다. 또한, 상기 체이스 블록(210)과 상기 가이드 블록(220)은 일체로 형성될 수도 있다.According to an embodiment of the present invention, the second mold 200 includes a chase block 210, a guide block 220 mounted on the chase block 210 and defining an inner surface of the cavity 202, And a cavity block 230 disposed inside the guide block 220 and defining a bottom surface of the cavity 202 facing the semiconductor chips 30. [ As an example, the guide block 220 may have a circular ring shape, and the cavity block 230 may have a disc shape. The chase block 210 and the guide block 220 may be integrally formed.

특히, 상기 캐버티 블록(230)은 상기 체이스 블록(210)에 탄성적으로 장착될 수 있다. 일 예로서, 상기 체이스 블록(210)과 상기 캐버티 블록(230) 사이에는 코일 스프링과 같은 복수의 제1 탄성 부재들(240)이 배치될 수 있다. 상기와 같이 캐버티 블록(230)이 상기 체이스 블록(210)에 탄성적으로 배치됨으로써 상기 캐버티(202)의 깊이는 가변될 수 있으며, 특히 상기 캐버티(202) 내부로 주입되는 상기 몰딩 수지(40)에 의해 증가될 수 있다.In particular, the cavity block 230 may be resiliently mounted to the chase block 210. As an example, a plurality of first elastic members 240 such as coil springs may be disposed between the chase block 210 and the cavity block 230. As described above, the cavity block 230 is elastically arranged in the chase block 210, so that the depth of the cavity 202 can be varied. In particular, the molding resin injected into the cavity 202 (40). ≪ / RTI >

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 체이스 블록(210)과 상기 캐버티 블록(230) 사이에는 상기 캐버티 블록(230)의 이동 거리 즉 상기 캐버티(202)의 깊이를 제한하기 위한 스토퍼(250)가 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a distance between the chase block 210 and the cavity block 230 may be set to restrict the movement distance of the cavity block 230, that is, the depth of the cavity 202 The stopper 250 may be disposed.

한편, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 수지 주입 부재(310)의 일측 단부는 상기 캐버티(202)의 내측으로 돌출되어 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위와 마주할 수 있다. 특히, 상기 수지 주입 부재(310)는 상기 체이스 블록(210)과 상기 캐버티 블록(230)의 중앙 부위를 관통할 수 있으며, 상기 수지 주입 부재(310)의 일측 단부는 상기 캐버티(202)의 내측으로 돌출될 수 있다. 이 경우, 상기 몰딩 수지(40)는 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위 상으로 제공될 수 있으며, 이어서 상기 수지 주입 부재(310)의 일측 단부와 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위 사이를 통해 방사상으로 확산될 수 있다. 또한, 이 경우 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위에는 반도체 칩(30)이 탑재되지 않는 것이 바람직하다.4, one end of the resin injection member 310 may protrude to the inside of the cavity 202 and may face a central portion of the wafer 20. Particularly, the resin injection member 310 may penetrate the central portion of the chase block 210 and the cavity block 230, and one end of the resin injection member 310 may pass through the cavity 202, As shown in Fig. In this case, the molding resin 40 may be provided on the central portion of the wafer 20, and then radially through one end of the resin injection member 310 and the central portion of the wafer 20 Can be diffused. In this case, it is preferable that the semiconductor chip 30 is not mounted on the central portion of the wafer 20.

상술한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 금형(100)과 제2 금형(200)이 결합된 후 상기 캐버티(202) 내부로 용융된 몰딩 수지(40)가 공급될 수 있으므로 상기 웨이퍼(20) 상에 장착된 반도체 칩들(30)의 손상이 크게 감소될 수 있으며, 특히 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위로부터 가장자리를 향하여 몰딩 수지(40)가 균일하게 공급될 수 있으므로 상기 몰딩 수지(40) 내에서의 보이드 발생이 감소될 수 있으며, 이에 의해 웨이퍼 레벨 패키지의 품질이 크게 향상될 수 있다. 또한, 상기 반도체 칩들(30)에 대한 몰딩 공정이 완료된 후 상기 이형 필름에 의해 상기 성형된 웨이퍼 몰드가 상기 제2 금형(200)으로부터 용이하게 분리될 수 있다.The molten molding resin 40 may be supplied into the cavity 202 after the first mold 100 and the second mold 200 are coupled to each other, The damage of the semiconductor chips 30 mounted on the wafer 20 can be greatly reduced and the molding resin 40 can be uniformly supplied from the central portion of the wafer 20 to the edge, The occurrence of voids in the molding resin 40 can be reduced, thereby greatly improving the quality of the wafer level package. Further, after the molding process for the semiconductor chips 30 is completed, the molded wafer mold can be easily separated from the second mold 200 by the release film.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 금형(200)에는 상기 캐버티(202) 내부의 에어를 배출하기 위한 복수의 에어 벤트들(204)이 구비될 수 있다. 상기 에어 벤트들(204)은 상기 캐버티(202)와 연결된 트렌치 형태를 갖도록 상기 제2 금형(200)의 가장자리 부위 즉 상기 가이드 블록(220)에 형성될 수 있으며 상기 캐버티(202)의 가장자리로부터 방사상으로 연장될 수 있다. 특히, 상기 캐버티(202) 내부의 에어를 균일하게 배출할 수 있도록 상기 에어 벤트들(204)은 일정한 간격으로 이격될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the second mold 200 may be provided with a plurality of air vents 204 for discharging air inside the cavity 202. The air vents 204 may be formed in the edge portion of the second mold 200 or the guide block 220 so as to have a trench shape connected to the cavity 202, Lt; / RTI > Particularly, the air vents 204 may be spaced apart at regular intervals to uniformly discharge the air inside the cavity 202.

한편, 상기 몰딩 장치(10)는 상기 제1 금형(100)이 장착되는 제1 마스터 다이(12)와 상기 제2 금형(200)이 장착되는 제2 마스터 다이(14)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 금형(100)과 제2 금형(200)은 상기 제1 마스터 다이(12)와 제2 마스터 다이(14)에 각각 탄성적으로 장착될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 마스터 다이(12)와 제1 금형(100) 사이에는 제2 탄성 부재들(16)이 배치될 수 있으며, 상기 제2 마스터 다이(14)와 제2 금형(200) 사이에는 제3 탄성 부재들(18)이 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 제2 및 제3 탄성 부재들(16,18)로는 코일 스프링들이 사용될 수 있다.The molding apparatus 10 may include a first master die 12 on which the first mold 100 is mounted and a second master die 14 on which the second mold 200 is mounted. According to an embodiment of the present invention, the first mold 100 and the second mold 200 may be resiliently mounted to the first master die 12 and the second master die 14, respectively. For example, the second elastic members 16 may be disposed between the first master die 12 and the first mold 100, and the second master die 14 and the second mold 200 may be disposed between the first master die 12 and the first mold 100, The third elastic members 18 can be disposed. As one example, coil springs may be used for the second and third elastic members 16, 18.

상기 제1 금형(100) 상에 상기 웨이퍼(20)가 배치된 후 상기 제1 금형(100) 및 제2 금형(200)은 상기 제1 및/또는 제2 마스터 다이(12 및/또는 14)에 인가되는 구동력에 의해 서로 결합될 수 있으며, 이때 상기 제2 금형(200)은 상기 웨이퍼(20)의 가장자리 부위 상에 밀착되고 상기 웨이퍼(20) 상의 반도체 칩들(30)은 상기 캐버티(202) 내에 위치될 수 있다. 상기와 같이 제1 금형(100)과 제2 금형(200)이 결합되는 경우 상기 제2 및 제3 탄성 부재들(16,18)에 의해 상기 웨이퍼(20)의 가장자리 부위 손상이 감소될 수 있다.The first and second molds 100 and 200 may be disposed on the first and / or second master dies 12 and / or 14 after the wafer 20 is disposed on the first mold 100. [ Wherein the second mold 200 is brought into close contact with the edge portion of the wafer 20 and the semiconductor chips 30 on the wafer 20 are held in contact with the cavity 202 ). ≪ / RTI > When the first mold 100 and the second mold 200 are coupled to each other as described above, the edge portions of the wafer 20 may be damaged by the second and third elastic members 16 and 18 .

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 몰딩 장치(10)는 상기 에어 벤트들(204)을 개폐하기 위한 개폐 부재들(260)을 포함할 수 있다. 상기 개폐 부재들(260)은 상기 제2 금형(200)을 관통하여 상기 에어 벤트들(204) 내측으로 돌출 가능하도록 상기 제2 마스터 다이(14)에 장착될 수 있다. 특히, 상기 개폐 부재들(260)은 상기 제1 및 제2 마스터 다이들(12,14)에 기 설정된 클램프 압력이 인가되는 경우 상기 에어 벤트들(204) 내측으로 돌출되어 상기 에어 벤트들(204)을 차단할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the molding apparatus 10 may include opening and closing members 260 for opening and closing the air vents 204. The opening and closing members 260 may be mounted on the second master die 14 so as to protrude into the air vents 204 through the second mold 200. In particular, when the predetermined clamp pressure is applied to the first and second master dies 12 and 14, the opening and closing members 260 protrude inward of the air vents 204, ).

일 예로서, 상기 몰딩 수지(40)는 상기 에어 벤트들(204)이 개방되는 제1 클램프 압력에서 상기 캐버티(202) 내부로 주입될 수 있으며, 상기 캐버티(202) 내에 상기 몰딩 수지(40)가 충분히 채워진 후 상기 에어 벤트들(204)을 차단하기 위하여 상기 제1 클램프 압력보다 높은 제2 클램프 압력이 인가될 수 있다.The molding resin 40 may be injected into the cavity 202 at a first clamp pressure at which the air vents 204 are opened and the molding resin 40 may be sufficiently filled, a second clamp pressure higher than the first clamp pressure may be applied to shut off the air vents 204.

구체적으로, 상기 제1 및 제2 마스터 다이들(12,14)에는 상기 개폐 부재들(260)이 상기 에어 벤트들(204)의 내측으로 돌출되지 않는 정도의 제1 클램프 압력이 인가될 수 있으며, 이 상태에서 도 1에 도시된 바와 같이 상기 캐버티(202) 내부로 몰딩 수지(40)의 주입이 이루어질 수 있다. 이어서, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 캐버티(202) 내부에 상기 몰딩 수지(40)가 충분히 채워진 후 상기 제1 및 제2 마스터 다이들(12,14)에는 기 설정된 제2 클램프 압력이 인가될 수 있으며, 이 경우 상기 제1 금형(100)과 제2 금형(200)의 위치는 변화되지 않으며 상대적으로 상기 제2 마스터 다이(14)에 장착된 상기 개폐 부재들(260)이 상기 제2 마스터 다이(14)에 의해 가압되어 상기 에어 벤트들(204)의 내측으로 돌출됨으로써 상기 에어 벤트들(204)이 차단될 수 있다.Specifically, a first clamp pressure may be applied to the first and second master dies 12 and 14 to the extent that the opening and closing members 260 do not protrude to the inside of the air vents 204 In this state, the molding resin 40 may be injected into the cavity 202 as shown in FIG. 2, after the molding resin 40 is sufficiently filled in the cavity 202, a predetermined second clamp pressure is applied to the first and second master dies 12 and 14 The positions of the first mold 100 and the second mold 200 are not changed and the opening and closing members 260 mounted on the second master die 14 relatively move to the second The air vents 204 can be blocked by being pressed by the master die 14 and protruding inward of the air vents 204.

상기 몰딩 수지(40)는 상기 에어 벤트들(204)이 차단된 후에도 상기 캐버티(202) 내부로 지속적으로 주입될 수 있으며, 이에 의해 도 3에 도시된 바와 같이 상기 캐버티 블록(230)이 상기 몰딩 수지(40)의 주입 압력에 의해 상기 체이스 블록(210)을 향하여 이동될 수 있다. 결과적으로 상기 몰딩 수지(40)의 주입에 의해 상기 캐버티(202)의 깊이가 증가될 수 있으며, 상기 캐버티 블록(230)의 이동은 상기 스토퍼(250)에 의해 제한될 수 있다.The molding resin 40 may be continuously injected into the cavity 202 after the air vents 204 are shut off so that the cavity block 230 And may be moved toward the chase block 210 by the injection pressure of the molding resin 40. As a result, the depth of the cavity 202 can be increased by the injection of the molding resin 40, and the movement of the cavity block 230 can be limited by the stopper 250.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 개폐 부재들(260)은 상기 제2 마스터 다이(14)에 탄성적으로 장착될 수 있다. 일 예로서, 상기 개폐 부재들(260)과 상기 마스터 다이(14) 사이에는 제4 탄성 부재(262)가 각각 배치될 수 있으며, 상기 제4 탄성 부재(262)로는 코일 스프링이 사용될 수 있다. 따라서, 상기 제2 클램프 압력의 인가에 의해 상기 개폐 부재들(260)이 상기 에어 벤트들(204)의 내측으로 돌출되어 상기 웨이퍼(20)의 가장자리 부위에 밀착되더라도 상기 제4 탄성 부재들(262)에 의해 상기 웨이퍼(20)의 가장자리 부위 손상이 충분히 방지될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the opening and closing members 260 may be resiliently mounted on the second master die 14. As an example, a fourth elastic member 262 may be disposed between the opening and closing members 260 and the master die 14, and a coil spring may be used as the fourth elastic member 262. Therefore, even if the opening and closing members 260 protrude inward of the air vents 204 and are brought into close contact with the edge portions of the wafer 20 by the application of the second clamping pressure, the fourth elastic members 262 The damage of the edge portion of the wafer 20 can be sufficiently prevented.

상술한 바와 같이 상기 캐버티(202) 내부에 상기 몰딩 수지(40)가 충분히 주입된 시점에서 상기 에어 벤트들(204)이 차단될 수 있으므로 상기 몰딩 수지(40)가 상기 에어 벤트들(204)을 통해 누설되는 것이 방지될 수 있다. 특히, 상기와 같이 에어 벤트들(204)의 차단이 가능하므로 상기 에어 벤트들(204)의 면적을 충분히 확보할 수 있으며, 이에 의해 상기 몰딩 공정을 수행하는 동안 상기 캐버티(202)로부터 에어 배출이 용이하게 이루어질 수 있다.Since the air vents 204 may be blocked at the time when the molding resin 40 is sufficiently injected into the cavity 202 as described above, Can be prevented from leaking through. Particularly, since the air vents 204 can be cut off as described above, the area of the air vents 204 can be sufficiently secured, thereby allowing air to be exhausted from the cavity 202 during the molding process Can be easily performed.

한편, 상기 에어 벤트들(204)이 차단 시점은 상기 캐버티(202) 내부에 상기 몰딩 수지(40)가 충분히 채워지는데 소요되는 시간을 기준으로 미리 설정될 수 있으며, 상기 에어 벤트들(204)의 차단은 상기 제1 및/또는 제2 마스터 다이(12,14)에 제2 클램프 압력을 인가함으로써 이루어질 수 있다.The closing timing of the air vents 204 may be preset based on a time required for the molding resin 40 to be sufficiently filled in the cavity 202, May be accomplished by applying a second clamping pressure to the first and / or second master dies 12,14.

상술한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 몰딩 수지(40)의 주입이 상기 캐버티(202)의 깊이가 상대적으로 얕은 상태에서 이루어지므로 상기 반도체 칩들(30)과 상기 웨이퍼(20) 사이에 상기 몰딩 수지(40)가 충분히 주입될 수 있으며, 이에 의해 상기 몰딩 공정에서의 보이드 발생 가능성이 매우 낮아질 수 있다. 또한, 상기 캐버티(202) 내부에 상기 몰딩 수지(40)가 충분히 채워진 후 상기 몰딩 수지(40)의 주입 압력에 의해 상기 캐버티 블록(230)을 이동 가능하게 구성함으로써 상기 웨이퍼(20) 상에서 성형되는 반도체 패키지의 두께 조절이 용이하게 이루어질 수 있다. 즉, 상기 캐버티 블록(230)의 이동 거리를 조절함으로써 상기 반도체 패키지의 두께 조절이 가능하다.The injection of the molding resin 40 is performed in a state where the depth of the cavity 202 is relatively shallow so that the semiconductor chips 30 and the wafer 20, The molding resin 40 can be sufficiently injected between the mold and the mold, whereby the possibility of occurrence of voids in the molding process can be significantly reduced. The cavity block 230 may be moved by the injection pressure of the molding resin 40 after the molding resin 40 is sufficiently filled in the cavity 202, The thickness of the semiconductor package to be molded can be easily adjusted. That is, the thickness of the semiconductor package can be adjusted by adjusting the movement distance of the cavity block 230.

도 6은 도 1에 도시된 수지 주입 부재를 설명하기 위한 개략적인 확대 단면도이고, 도 7은 도 6에 도시된 수지 주입 부재를 설명하기 위한 개략적인 확대 저면도이다.Fig. 6 is a schematic enlarged cross-sectional view for explaining the resin injection member shown in Fig. 1, and Fig. 7 is a schematic enlarged bottom view for explaining the resin injection member shown in Fig.

도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 수지 주입 부재(310)의 일측 단부는 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위와 마주하도록 구성될 수 있으며, 이에 따라 상기 수지 주입 부재(310)를 통해 주입되는 상기 몰딩 수지(40)는 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위로부터 가장자리 부위를 향하여 방사상으로 균일하게 확산될 수 있다.6 and 7, one end of the resin injection member 310 may be configured to face a central portion of the wafer 20, so that the resin injection member 310 The molding resin 40 can be radially uniformly diffused from the central portion of the wafer 20 toward the edge portion.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 수지 주입 부재(310)의 일측 단부에는 상기 몰딩 수지(40)가 경유하는 웰 영역(314)이 구비될 수 있다. 상기 웰 영역(314)은 상기 몰딩 수지(40)를 임시 저장하고 이어서 균일하게 확산시키기 위하여 사용될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a well region 314 through which the molding resin 40 passes may be provided at one end of the resin injection member 310. The well region 314 may be used to temporarily store the molding resin 40 and then uniformly diffuse it.

특히, 도시된 바와 같이 상기 수지 주입 부재(310)의 일측 단부에는 상기 웰 영역(314)을 한정하는 원형 링 형태의 돌출부(316)가 형성될 수 있으며, 상기 몰딩 수지(40)는 상기 돌출부(316)와 웨이퍼(20) 사이의 갭을 통해 방사상으로 확산될 수 있다.In particular, as shown in the figure, a circular ring-shaped protrusion 316 may be formed at one end of the resin injection member 310 to define the well region 314, 316 < / RTI > and the wafer 20 as shown in FIG.

도 8은 도 1에 도시된 수지 주입 부재의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 확대 단면도이고, 도 9는 도 8에 도시된 수지 주입 부재를 설명하기 위한 개략적인 확대 저면도이다.Fig. 8 is a schematic enlarged cross-sectional view for explaining another example of the resin injection member shown in Fig. 1, and Fig. 9 is a schematic enlarged bottom view for explaining the resin injection member shown in Fig.

도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 수지 주입 부재(310)의 일측 단부는 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위에 밀착될 수 있다. 이 경우 상기 수지 주입 부재(310)의 일측 단부 즉 상기 돌출부(316)에는 상기 몰딩 수지(40)를 상기 웰 영역(314)으로부터 상기 캐버티(202)로 전달하기 위한 복수의 게이트들(318)이 구비될 수 있다. 일 예로서, 상기 게이트들(318)은 각각 트렌치 형태를 가질 수 있으며 각각 상기 웨이퍼(20)의 반경 방향으로 연장할 수 있다. 또한, 상기 게이트들(318)은 일정한 간격으로 서로 이격될 수 있다.8 and 9, one end of the resin injection member 310 may be in close contact with a central portion of the wafer 20. A plurality of gates 318 for transferring the molding resin 40 from the well region 314 to the cavity 202 are formed in one end of the resin injection member 310, . In one example, the gates 318 may each have a trench shape and each extend in the radial direction of the wafer 20. In addition, the gates 318 may be spaced apart from one another at regular intervals.

한편, 상기에서는 수지 주입 부재(310)의 돌출부(316)가 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위에 밀착되는 것으로 설명하였으나, 이와 다르게 상기 게이트들(318)이 구비되는 경우에도 상기 수지 주입 부재(310)의 상기 돌출부(316)와 상기 웨이퍼(20) 사이에는 소정의 갭이 형성될 수도 있다.Although the projection 316 of the resin injection member 310 is described as being in close contact with the central portion of the wafer 20 in the above description, when the gates 318 are provided, the resin injection member 310 A predetermined gap may be formed between the protrusion 316 of the wafer 20 and the wafer 20.

도 10은 도 1에 도시된 수지 주입 부재의 또 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 확대 단면도이고, 도 11은 도 10에 도시된 수지 주입 부재를 설명하기 위한 개략적인 확대 저면도이다.Fig. 10 is a schematic enlarged cross-sectional view for explaining another example of the resin injection member shown in Fig. 1, and Fig. 11 is a schematic enlarged bottom view for explaining the resin injection member shown in Fig.

도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 수지 주입 부재(310)의 돌출부(316) 내측 즉 상기 웰 영역(314)의 중앙 부위에는 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위에 밀착되는 콘택터(320)가 구비될 수 있다. 이 경우, 상기 콘택터(320)에는 상기 몰딩 수지(40)를 상기 수지 주입구(312)로부터 상기 웰 영역(314)으로 전달하기 위한 복수의 러너들(322)이 구비될 수 있다.10 and 11, a contactor 320 is provided at a central portion of the protrusion 316 of the resin injection member 310, that is, at the center of the well region 314, . In this case, the contactor 320 may be provided with a plurality of runners 322 for transferring the molding resin 40 from the resin injection port 312 to the well region 314.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 콘택터(320)는 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위를 지지하기 위하여 구비될 수 있다. 이 경우 상기 돌출부(316)는 상기 웨이퍼(20)로부터 소정 거리 이격될 수 있으며, 상기 몰딩 수지(40)는 상기 웨이퍼(20)와 상기 돌출부(316) 사이의 갭을 통해 상기 웰 영역(314)으로부터 상기 캐버티(202)로 확산될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the contactor 320 may be provided to support a central portion of the wafer 20. In this case, the protrusion 316 may be spaced a predetermined distance from the wafer 20 and the molding resin 40 may penetrate the well region 314 through a gap between the wafer 20 and the protrusion 316, To the cavity (202).

다른 예로서, 상기 돌출부(316) 역시 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위에 밀착될 수 있으며, 이 경우 도시되지는 않았으나, 상기 돌출부(316)에는 복수의 게이트들(미도시)이 구비될 수 있다.As another example, the protrusion 316 may also be in close contact with the central portion of the wafer 20, although not shown, the protrusion 316 may be provided with a plurality of gates (not shown) .

도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 몰딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 13은 도 12에 도시된 제1 금형과 제2 금형을 설명하기 위한 개략적인 확대 단면도이다.FIG. 12 is a schematic structural view for explaining a wafer level molding apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a schematic enlarged cross-sectional view for explaining the first mold and the second mold shown in FIG.

도 12 및 도 13을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 몰딩 장치(10A)는 복수의 반도체 칩들(30)이 탑재된 웨이퍼(20)를 지지하기 위한 제1 금형(100A)과, 상기 제1 금형(100A)과 마주하도록 배치되고 상기 반도체 칩들(30)을 몰딩하기 위한 캐버티(202A)를 갖는 제2 금형(200A)과, 상기 캐버티(202A) 내부로 몰딩 수지(40)를 공급하기 위한 포트 블록(300A)을 포함할 수 있다.12 and 13, a wafer level molding apparatus 10A according to another embodiment of the present invention includes a first mold 100A for supporting a wafer 20 on which a plurality of semiconductor chips 30 are mounted, A second mold 200A arranged to face the first mold 100A and having a cavity 202A for molding the semiconductor chips 30 and a molding resin 40A disposed inside the cavity 202A, (Not shown).

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위에는 상기 몰딩 수지(40)를 전달하는 관통홀(22)이 구비될 수 있으며, 상기 제1 금형(100A)에는 상기 관통홀(22)과 연결되어 상기 캐버티(202A) 내부로 몰딩 수지를 주입하기 위한 수지 주입구(102)가 구비될 수 있다. 이때, 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위에는 반도체 칩이 탑재되지 않는다.According to another embodiment of the present invention, a through hole 22 for transmitting the molding resin 40 may be provided at a central portion of the wafer 20, and the first metal mold 100A may have through holes 22 may be provided with a resin injection port 102 for injecting a molding resin into the cavity 202A. At this time, the semiconductor chip is not mounted on the central portion of the wafer 20.

상기 수지 주입구(102)는 상기 제1 금형(100A)의 중앙 부위에 구비될 수 있으며, 상기 포트 블록(300A)은 상기 수지 주입구(102)와 연결되도록 상기 제1 금형(100A)에 장착될 수 있다. 상기와 같이 상기 수지 주입구(102)와 상기 웨이퍼(20)의 관통홀(22)이 상기 제1 금형(100A)과 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위에 각각 형성되므로 상기 몰딩 수지(40)는 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위로부터 가장자리 부위를 향하여 방사상으로 확산될 수 있다.The resin injection port 102 may be provided at a central portion of the first mold 100A and the port block 300A may be mounted to the first mold 100A to be connected to the resin injection port 102. [ have. Since the resin injection port 102 and the through hole 22 of the wafer 20 are formed at the central portions of the first mold 100A and the wafer 20 as described above, Can be radially diffused from the central portion of the wafer 20 toward the edge portion.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 금형(100A)에는 상기 웨이퍼(20)를 진공 흡착하기 위한 복수의 진공 유로들(미도시)이 구비될 수 있으며, 상기 웨이퍼(20)와 상기 제1 금형(100A) 사이에는 상기 몰딩 수지(40)의 누설을 방지하기 위하여 밀봉 부재(104)가 개재될 수 있다. 일 예로서, 상기 수지 주입구(102)를 감싸는 링 형태의 밀봉 부재(104)가 상기 제1 금형(100A) 상에 배치될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the first mold 100A may be provided with a plurality of vacuum channels (not shown) for vacuum-sucking the wafer 20, A sealing member 104 may be interposed between the molds 100A to prevent the molding resin 40 from leaking. As an example, a ring-shaped sealing member 104 that surrounds the resin injection port 102 may be disposed on the first mold 100A.

한편 도시된 바에 의하면, 제1 금형(100A) 상부에 제2 금형(200A)이 배치되고 상기 제1 금형(100A) 하부에 상기 포트 블록(300A)이 장착되고 있으나, 이와 반대로 상기 제1 금형(100A) 하부에 제2 금형(200A)이 배치되고 상기 제1 금형(100A) 상부에 포트 블록(300A)이 장착될 수도 있다.The second mold 200A is disposed on the upper portion of the first mold 100A and the port block 300A is mounted on the lower portion of the first mold 100A. The second mold 200A may be disposed under the first mold 100A and the port block 300A may be mounted on the first mold 100A.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 금형(200A)은 상기 캐버티(202A)의 내측으로 돌출되어 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위와 마주하는 확산 부재(270)를 가질 수 있다. 상기 확산 부재(270)는 상기 웨이퍼(20)의 관통홀(22)을 통해 주입되는 몰딩 수지(40)를 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위로부터 가장자리 부위를 향하여 방사상으로 균일하게 확산시키기 위하여 사용될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the second mold 200A may have a diffusion member 270 which protrudes inward of the cavity 202A and faces a central portion of the wafer 20. The diffusion member 270 may be used to uniformly diffuse the molding resin 40 injected through the through hole 22 of the wafer 20 in a radial direction from the central portion to the edge portion of the wafer 20 have.

구체적으로, 상기 제2 금형(200A)은 체이스 블록(210A)과, 상기 체이스 블록(210A)에 장착되며 상기 캐버티(202A)의 내측면을 한정하는 가이드 블록(220A) 및 상기 가이드 블록(220A)의 내측에 배치되어 상기 반도체 칩들(30)과 마주하는 상기 캐버티(202A)의 바닥면을 한정하는 캐버티 블록(230A)을 포함할 수 있다. 상기 캐버티 블록(230A)은 상기 체이스 블록(210A)에 탄성적으로 장착될 수 있으며 이에 의해 상기 캐버티(202A)의 깊이가 상기 몰딩 수지(40)의 주입에 의해 증가될 수 있다. 일 예로서, 상기 체이스 블록(210A)과 상기 캐버티 블록(230A) 사이에는 복수의 제1 탄성 부재들(240A)과 스토퍼(250A)가 배치될 수 있다.Specifically, the second mold 200A includes a chase block 210A, a guide block 220A mounted on the chase block 210A and defining an inner surface of the cavity 202A, And a cavity block 230A disposed on the inner side of the semiconductor chip 30 and defining the bottom surface of the cavity 202A facing the semiconductor chips 30. [ The cavity block 230A may be resiliently mounted to the chase block 210A so that the depth of the cavity 202A may be increased by injection of the molding resin 40. [ As an example, a plurality of first elastic members 240A and a stopper 250A may be disposed between the chase block 210A and the cavity block 230A.

상기 확산 부재(270)는 상기 체이스 블록(210A)의 중앙 부위에 장착될 수 있으며 상기 캐버티 블록(230A)을 관통하여 상기 캐버티(202A) 내측으로 돌출될 수 있다. 이때, 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위와 마주하는 상기 확산 부재(270)의 일측 단부는 도 6 내지 도 11을 참조하여 기 설명된 수지 주입 부재(310)와 실질적으로 동일하게 구성될 수 있다.The diffusion member 270 may be mounted at a central portion of the chase block 210A and protrude into the cavity 202A through the cavity block 230A. At this time, one end of the diffusion member 270 facing the central portion of the wafer 20 may be configured substantially the same as the resin injection member 310 described with reference to FIGS. 6 to 11.

한편, 미설명 부호 12A, 14A, 16A 및 18A는 각각 제1 및 제2 마스터 다이들과 제2 및 제3 탄성 부재들을 의미하며, 204A, 260A, 262A 및 302A는 각각 에어 벤트, 개폐 부재, 제4 탄성 부재 및 플런저를 의미한다. 상기 미설명 요소들은 도 1 내지 도 5를 참조하여 기 설명된 바와 실질적으로 동일하므로 추가적인 설명은 생략한다.Reference numerals 12A, 14A, 16A, and 18A denote first and second master dies, second and third elastic members, respectively, and reference numerals 204A, 260A, 262A, and 302A denote air vents, 4 Elastic member and plunger means. Since the elements not described above are substantially the same as those described above with reference to Figs. 1 to 5, further explanation will be omitted.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 웨이퍼 레벨 몰딩 장치(10)는 웨이퍼(20)를 지지하는 제1 금형(100)과 상기 웨이퍼(20) 상의 반도체 칩들(30)을 몰딩하기 위한 캐버티(202)를 갖는 제2 금형(200)을 포함할 수 있다. 이때, 몰딩 수지(40)는 포트 블록(300)으로부터 용융된 상태에서 상기 캐버티(202)의 중앙 부위로 주입될 수 있으며, 이어서 상기 웨이퍼(20)의 중앙 부위로부터 가장자리 부위를 향하여 균일하게 확산될 수 있다. 따라서, 상기 몰딩 수지(40)의 주입 과정에서 상기 반도체 칩들(30)이 손상되는 문제점이 크게 개선될 수 있다.The wafer level molding apparatus 10 includes a first mold 100 for supporting the wafer 20 and a second mold 100 for molding the semiconductor chips 30 on the wafer 20, And a second mold 200 having a cavity 202. At this time, the molding resin 40 can be injected from the port block 300 into the central portion of the cavity 202 in a molten state, and then uniformly diffused from the central portion of the wafer 20 toward the edge portion . Therefore, the problem of damaging the semiconductor chips 30 during the injection of the molding resin 40 can be greatly improved.

특히, 상기 제2 금형(200)은 상기 캐버티(202)의 내측면과 바닥면을 각각 한정하는 가이드 블록(220)과 캐버티 블록(230)을 포함할 수 있으며, 상기 캐버티 블록(230)은 상기 몰딩 수지(40)가 상기 캐버티(202)에 충분히 채워진 후 상기 몰딩 수지(40)의 주입 압력에 의해 이동 가능하게 구성될 수 있다. 결과적으로 상대적으로 얕은 깊이를 갖는 캐버티(202) 내부로 먼저 몰딩 수지(40)가 주입된 후 상기 캐버티(202)의 깊이가 조절될 수 있으며, 이에 의해 상기 웨이퍼 레벨 몰딩 공정을 수행하는 동안 보이드 등의 결함 발생률이 크게 감소될 수 있다.Particularly, the second mold 200 may include a guide block 220 and a cavity block 230 that respectively define an inner surface and a bottom surface of the cavity 202, and the cavity block 230 May be configured to be movable by the injection pressure of the molding resin 40 after the molding resin 40 is sufficiently filled in the cavity 202. As a result, the depth of the cavity 202 can be adjusted after the molding resin 40 is first injected into the cavity 202 having a relatively shallow depth, whereby during the wafer level molding process The incidence of defects such as voids can be greatly reduced.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims It can be understood that

10 : 웨이퍼 레벨 몰딩 장치 12 : 제1 마스터 다이
14 : 제2 마스터 다이 20 : 웨이퍼
30 : 반도체 칩 40 : 몰딩 수지
100 : 제1 금형 200 : 제2 금형
210 : 체이스 블록 220 : 가이드 블록
230 : 캐버티 블록 300 : 포트 블록
310 : 수지 주입 부재10: wafer level molding apparatus 12: first master die
14: second master die 20: wafer
30: semiconductor chip 40: molding resin
100: first mold 200: second mold
210: Chase block 220: Guide block
230: cavity block 300: port block
310: resin injection member

Claims (13)

반도체 칩들이 탑재된 웨이퍼를 지지하는 제1 금형;
상기 제1 금형과 마주하도록 배치되며 상기 반도체 칩들을 몰딩하기 위한 캐버티를 갖는 제2 금형;
상기 제2 금형에 장착되며 상기 반도체 칩들을 몰딩하기 위한 몰딩 수지를 제공하는 포트 블록; 및
상기 포트 블록과 연결되고 상기 제2 금형을 관통하며 상기 캐버티의 중앙 부위로 상기 몰딩 수지를 주입하기 위한 수지 주입구를 갖는 수지 주입 부재를 포함하되,
상기 캐버티의 깊이는 상기 캐버티 내부로 주입되는 상기 몰딩 수지에 의해 증가되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치.A first mold supporting a wafer on which semiconductor chips are mounted;
A second mold disposed to face the first mold and having a cavity for molding the semiconductor chips;
A port block mounted on the second mold and providing a molding resin for molding the semiconductor chips; And
And a resin injection port connected to the port block and having a resin injection port for passing the molding resin through a central portion of the cavity through the second mold,
Wherein the depth of the cavity is increased by the molding resin injected into the cavity. 제1항에 있어서, 상기 제2 금형은,
체이스 블록;
상기 체이스 블록에 장착되며 상기 캐버티의 내측면을 한정하는 가이드 블록; 및
상기 가이드 블록의 내측에 배치되어 상기 반도체 칩들과 마주하는 상기 캐버티의 바닥면을 한정하며 상기 체이스 블록에 탄성적으로 장착되는 캐버티 블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치.The method according to claim 1,
Chase blocks;
A guide block mounted to the chase block and defining an inner surface of the cavity; And
And a cavity block disposed inside the guide block and defining a bottom surface of the cavity facing the semiconductor chips, the cavity block being resiliently mounted on the chase block. 제2항에 있어서, 상기 체이스 블록과 상기 캐버티 블록 사이에는 복수의 탄성 부재들과 상기 캐버티의 깊이를 제한하기 위한 스토퍼가 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치.3. The wafer level molding apparatus according to claim 2, wherein a plurality of elastic members and a stopper for limiting the depth of the cavity are disposed between the chase block and the cavity block. 제1항에 있어서, 상기 수지 주입 부재의 일측 단부는 상기 캐버티의 내측으로 돌출되어 상기 웨이퍼의 중앙 부위와 마주하며, 상기 몰딩 수지는 상기 웨이퍼의 중앙 부위로부터 가장자리 부위를 향하여 확산되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치.The method according to claim 1, wherein one end of the resin injection member protrudes inward of the cavity and faces a central portion of the wafer, and the molding resin diffuses from a central portion of the wafer toward an edge portion The wafer level molding apparatus comprising: 제4항에 있어서, 상기 수지 주입 부재의 일측 단부에는 상기 몰딩 수지가 경유하는 웰 영역이 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치.The apparatus according to claim 4, wherein a well region through which the molding resin passes is provided at one end of the resin injection member. 제5항에 있어서, 상기 수지 주입 부재의 일측 단부에는 상기 몰딩 수지를 상기 웰 영역으로부터 상기 캐버티로 전달하기 위한 복수의 게이트들이 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치.6. The apparatus of claim 5, wherein a plurality of gates are provided at one side of the resin injection member for transferring the molding resin from the well region to the cavity. 제5항에 있어서, 상기 웰 영역의 중앙 부위에는 상기 웨이퍼의 중앙 부위에 밀착되는 콘택터가 구비되며, 상기 콘택터에는 상기 수지 주입구의 단부로부터 상기 웰 영역으로 상기 몰딩 수지를 전달하기 위한 복수의 러너들이 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치.6. The method of claim 5, wherein a contactor is provided at a central portion of the well region in close contact with a central portion of the wafer, and the contactor is provided with a plurality of runners for transferring the molding resin from the end of the resin injection port to the well region Wherein the wafer level molding apparatus comprises: 제1항에 있어서, 상기 제1 금형이 장착되는 제1 마스터 다이와 상기 제2 금형이 장착되는 제2 마스터 다이를 더 포함하며, 상기 제1 금형과 제2 금형은 상기 제1 마스터 다이와 제2 마스터 다이에 각각 탄성적으로 장착되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치.The method according to claim 1, further comprising a first master die on which the first mold is mounted and a second master die on which the second mold is mounted, wherein the first mold and the second mold have a first master die and a second master And each of the first and second molds is resiliently mounted on the die. 제8항에 있어서, 상기 제2 금형은 상기 캐버티와 연결된 복수의 에어 벤트들을 구비하고,
상기 제2 마스터 다이에는 상기 에어 벤트들을 개폐하기 위하여 상기 제2 금형을 관통하여 상기 에어 벤트들 내측으로 각각 돌출 가능하도록 개폐 부재들이 장착되며,
상기 개폐 부재들은 상기 제1 및 제2 마스터 다이들에 기 설정된 클램프 압력이 인가되는 경우 상기 에어 벤트들 내측으로 돌출되어 상기 에어 벤트들을 차단하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치.The method of claim 8, wherein the second mold has a plurality of air vents connected to the cavity,
The second master die is equipped with opening / closing members so as to protrude into the air vents through the second mold to open / close the air vents,
Wherein the opening / closing members protrude inward of the air vents to block the air vents when a predetermined clamp pressure is applied to the first and second master dies. 제9항에 있어서, 상기 에어 벤트들이 개방되는 제1 클램프 압력에서 상기 몰딩 수지가 상기 캐버티 내부로 주입되고, 상기 캐버티 내에 상기 몰딩 수지가 채워진 후 상기 에어 벤트들을 차단하기 위하여 상기 제1 클램프 압력보다 높은 제2 클램프 압력이 인가되며, 이어서 상기 캐버티 내부로 주입되는 상기 몰딩 수지에 의해 상기 캐버티의 깊이가 증가되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치.10. The method of claim 9, wherein the molding resin is injected into the cavity at a first clamp pressure at which the air vents are opened, and after the molding resin is filled in the cavity, A second clamp pressure higher than the pressure is applied, and the depth of the cavity is increased by the molding resin subsequently injected into the cavity. 반도체 칩들이 탑재된 웨이퍼를 지지하는 제1 금형;
상기 제1 금형과 마주하도록 배치되며 상기 반도체 칩들을 몰딩하기 위한 캐버티를 갖는 제2 금형; 및
상기 제1 금형에 장착되며 상기 반도체 칩들을 몰딩하기 위한 몰딩 수지를 제공하는 포트 블록을 포함하되,
상기 웨이퍼의 중앙 부위에는 관통홀이 구비되고, 상기 제1 금형에는 상기 관통홀을 통하여 상기 포트 블록으로부터 상기 캐버티 내부로 몰딩 수지를 주입하기 위한 수지 주입구가 구비되며,
상기 캐버티의 깊이는 상기 캐버티 내부로 주입되는 상기 몰딩 수지에 의해 증가되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치.A first mold supporting a wafer on which semiconductor chips are mounted;
A second mold disposed to face the first mold and having a cavity for molding the semiconductor chips; And
And a port block mounted on the first mold and providing a molding resin for molding the semiconductor chips,
A resin injection port for injecting a molding resin from the port block into the cavity through the through hole is provided in the first mold,
Wherein the depth of the cavity is increased by the molding resin injected into the cavity. 제11항에 있어서, 상기 제1 금형에는 상기 웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 복수의 진공 유로들이 구비되며, 상기 제1 금형과 상기 웨이퍼 사이에는 상기 수지 주입구를 감싸는 링 형태의 밀봉 부재가 개재되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치.12. The method according to claim 11, wherein the first mold is provided with a plurality of vacuum channels for vacuum-sucking the wafer, and a ring-shaped sealing member surrounding the resin injection port is interposed between the first mold and the wafer The wafer level molding apparatus comprising: 제11항에 있어서, 상기 제2 금형은 상기 캐버티의 내측으로 돌출되어 상기 웨이퍼의 중앙 부위와 마주하며 상기 웨이퍼의 관통홀을 통해 주입되는 몰딩 수지를 상기 웨이퍼의 중앙 부위로부터 가장자리 부위를 향하여 확산시키기 위한 확산 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 몰딩 장치.The method according to claim 11, wherein the second mold protrudes to the inside of the cavity to face a central portion of the wafer, and a molding resin injected through a through hole of the wafer is diffused from a central portion of the wafer toward an edge portion The wafer level molding apparatus comprising:
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