KR20150037617A - Semiconductor wafer dicing film and dicing die bonding film - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a dicing film. The dicing film includes a base film and a bonding layer which is formed on at least one side of the base film. The tear force of the base film measured by an ASTM D624 Trouser method at a velocity of 300mm/min is 200gf or less.

Description

다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름 {Semiconductor wafer dicing film and dicing die bonding film}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing film and a dicing die bonding film,

본 발명은 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 중 발생할 수 있는 버(burr) 현상을 최소화하여 반도체 칩의 오염을 방지하고 반도체 칩의 신뢰도 및 수명을 향상시킬 수 있는 다이싱 필름과 상기 다이싱 필름을 포함한 다이싱 다이본딩 필름과, 상기 다이싱 다이본딩 필름을 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a dicing film capable of minimizing burrs that may occur during a dicing process of a semiconductor wafer to prevent contamination of the semiconductor chip and improve reliability and lifetime of the semiconductor chip, And a dicing method of a semiconductor wafer using the dicing die bonding film.

일반적으로 반도체 칩의 제조 공정은 웨이퍼에 미세한 패턴을 형성하는 공정 및 최종 장치의 규격에 맞도록 웨이퍼를 연마하여 패키징(packaging)하는 공정을 포함한다.Generally, the manufacturing process of a semiconductor chip includes a process of forming a fine pattern on a wafer and a process of polishing and packaging the wafer according to the specification of the final device.

패키징 공정은 반도체 칩의 불량을 검사하는 웨이퍼 검사 공정; 웨이퍼를 절단하여 낱개의 칩으로 분리하는 다이싱 공정; 분리된 칩을 회로 필름(circuit film) 또는 리드 프레임의 탑재판에 부착시키는 다이본딩 공정; 반도체 칩 상에 구비된 칩 패드와 회로 필름 또는 리드 프레임의 회로 패턴을 와이어와 같은 전기적 접속 수단으로 연결시키는 와이어 본딩 공정; 반도체 칩의 내부 회로와 그 외의 부품을 보호하기 위해 봉지재로 외부를 감싸는 몰딩 공정; 리드와 리드를 연결하고 있는 댐바를 절단하는 트림 공정; 리드를 원하는 형태로 구부리는 포밍 공정; 및 완성된 패키지의 불량을 검사하는 완성품 검사공정 등을 포함한다.The packaging process includes a wafer inspection process for inspecting defective semiconductor chips; A dicing step of cutting the wafer into individual chips; A die bonding step of attaching the separated chip to a circuit board or a mount plate of a lead frame; A wire bonding process for connecting a chip pattern provided on a semiconductor chip and a circuit pattern of a circuit film or a lead frame by an electrical connecting means such as a wire; A molding process for encapsulating the exterior with an encapsulant to protect the internal circuitry of the semiconductor chip and other components; A trimming process for cutting the dam bars connecting the leads and the leads; A foaming step of bending the lead in a desired shape; And a finished product inspection process for inspecting the finished package for defects.

상기 다이싱 공정을 통해, 복수개의 칩들이 형성된 반도체 웨이퍼로부터 서로 분리된 개별칩들이 제조된다. 광의적으로 다이싱 공정은 반도체 웨이퍼의 후면을 그라인딩(grinding)하고, 칩들 사이의 다이싱 라인을 따라 반도체 웨이퍼를 절단함으로써 서로 분리된 복수개의 개별칩들을 제조하는 공정이다.Through the dicing process, individual chips separated from each other are produced from a semiconductor wafer on which a plurality of chips are formed. An optically dicing process is a process of manufacturing a plurality of individual chips separated from each other by grinding the back surface of a semiconductor wafer and cutting the semiconductor wafer along a dicing line between the chips.

한편, 회로 배선이 완성된 반도체 웨이퍼를 개별칩들로 만들기 위해 소잉(sawing)을 수행하는데, 이러한 공정 중 사용하는 블레이드에 의해 웨이퍼 뿐만 아니라 다이싱 필름의 기재 필름도 일부 절삭되게 된다. 이러한 기재 필름의 절삭에 의해 버(burr)가 발생하여 반도체 칩이 오염되고 이로 인해 반도체 칩의 신뢰성이나 수명에 영향을 미치는 문제가 있었다. 아울러, 최근 생산성 향상을 위해 다이싱 공정 속도가 빨라지고 있기 때문에 이러한 버(burr)의 발생을 최소화하는 기술에 대한 연구가 필요한 실정이었다.On the other hand, sawing is performed in order to make the semiconductor wafers completed with the circuit wiring into individual chips, and not only the wafers but also the base film of the dicing film are cut off by the blades used in these processes. Burrs are generated by the cutting of the base film to contaminate the semiconductor chip, thereby affecting the reliability and lifetime of the semiconductor chip. In addition, since the dicing process speed is getting faster in recent years in order to improve the productivity, it has been necessary to study a technique for minimizing the generation of burrs.

본 발명은 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 중 발생할 수 있는 버(burr) 현상을 최소화하여 반도체 칩의 오염을 방지하고 반도체 칩의 신뢰도 및 수명을 향상시킬 수 있는 다이싱 필름을 제공하기 위한 것이다. The present invention provides a dicing film which minimizes burrs that may occur during a dicing process of a semiconductor wafer to thereby prevent contamination of the semiconductor chip and improve reliability and lifetime of the semiconductor chip.

또한, 본 발명은 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 중 발생할 수 있는 버(burr) 현상을 최소화하여 반도체 칩의 오염을 방지하고 반도체 칩의 신뢰도 및 수명을 향상시킬 수 있는 다이싱 다이본딩 필름을 제공하기 위한 것이다. The present invention also provides a dicing die-bonding film capable of minimizing burrs that may occur during a dicing process of a semiconductor wafer to thereby prevent contamination of the semiconductor chip and improve reliability and lifetime of the semiconductor chip. will be.

또한, 본 발명은 상기 다이싱 다이본딩 필름을 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a dicing method of a semiconductor wafer using the dicing die-bonding film.

본 명세서에서는, 에틸렌-알킬(메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 가교체; 및 에틸렌-(메타)아크릴산-알킬(메타)아크릴산에스테르 아이오노머(ionomer);로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자를 포함한 기재 필름과 상기 기재 필름의 적어도 일면 상에 형성된 점착층을 포함하고, ASTM D624 Trouser 방법에 의하여 300mm/min 속도에서 측정한 상기 기재 필름의 인열강도(tear force)가 200gf 이하인, 다이싱 필름이 제공된다. In the present specification, a crosslinked product of an ethylene-alkyl (meth) acrylic acid ester copolymer; And an ethylene- (meth) acrylic acid-alkyl (meth) acrylate ester ionomer; and an adhesive layer formed on at least one side of the base film, wherein the adhesive layer is ASTM The tear force of the base film measured at a speed of 300 mm / min by the D624 Trouser method is 200 gf or less.

또한, 본 명세서에서는, 상기 다이싱 필름; 및 상기 다이싱 필름의 적어도 일면에 형성된 접착층을 포함하는, 다이싱 다이본딩 필름이 제공된다. Further, in the present specification, the dicing film; And an adhesive layer formed on at least one side of the dicing film.

또한, 본 명세서에서는, 상기 다이싱 다이본딩 필름; 및 상기 다이싱 다이본딩 필름의 적어도 일면에 적층된 웨이퍼;를 포함하는 반도체 웨이퍼를 완전 분단 또는 분단 가능하게 부분 처리하는 전처리 단계; 상기 전처리 단계 이후 반도체 웨이퍼를 익스팬딩 하는 단계; 및 상기 익스펜딩한 반도체 웨이퍼의 기재 필름에 자외선을 조사하고, 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법이 제공된다. Further, in the present specification, the dicing die-bonding film; And a wafer stacked on at least one side of the dicing die-bonding film, the pretreating step partially dividing or partially dividing the semiconductor wafer; Exposing the semiconductor wafer after the preprocessing step; And irradiating ultraviolet rays onto the base film of the expanded semiconductor wafer and picking up individual chips separated by the division of the semiconductor wafer.

이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 다이싱 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
The dicing film, the dicing die bonding film and the dicing method of the semiconductor wafer according to the specific embodiment of the invention will be described in more detail below.

본 명세서에서, '(메타)아크릴레이트'는 메타크릴레이트 및 아크릴레이트를 모두 포함하는 의미이다.
In the present specification, '(meth) acrylate' is meant to include both methacrylate and acrylate.

상술한 바와 같이, 발명의 일 구현예에 따르면, 에틸렌-알킬(메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 가교체; 및 에틸렌-(메타)아크릴산-알킬(메타)아크릴산에스테르 아이오노머(ionomer);로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자를 포함한 기재 필름과 상기 기재 필름의 적어도 일면 상에 형성된 점착층을 포함하고, ASTM D624 Trouser 방법에 의하여 300mm/min 속도에서 측정한 상기 기재 필름의 인열강도(tear force)가 200gf 이하인, 다이싱 필름이 제공될 수 있다. As described above, according to one embodiment of the present invention, a crosslinked product of an ethylene-alkyl (meth) acrylic acid ester copolymer; And an ethylene- (meth) acrylic acid-alkyl (meth) acrylate ester ionomer; and an adhesive layer formed on at least one side of the base film, wherein the adhesive layer is ASTM The tearing force of the base film measured at a speed of 300 mm / min by the D624 Trouser method may be 200 gf or less.

종래 다이싱 공정에서 소잉(sawing) 공정 중 사용하는 블레이드에 의해 웨이퍼 뿐만 아니라 다이싱 필름의 기재 필름도 일부 절삭되게 되기 때문에 버(burr)가 발생하여 반도체 칩이 오염되고 이로 인해 반도체 칩의 신뢰성이나 수명에 영향을 미치는 문제가 있었다.Since the base film of the dicing film as well as the wafer is partially cut by the blades used in the sawing process in the conventional dicing process, a burr is generated to contaminate the semiconductor chip, There were problems affecting the life span.

이에 본 발명자들은 소정의 고분자를 포함한 기재 필름이 갖는 인열강도(tear force)가 ASTM D624 Trouser 방법에 의하여 300mm/min 속도에서 측정한 수치로 200gf 이하, 또는 30 gf 내지 180 gf 인 경우, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 중 발생할 수 있는 버(burr) 현상을 최소화하여 반도체 칩의 오염을 방지하고 반도체 칩의 신뢰도 및 수명을 향상시킬 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다. Accordingly, the present inventors have found that when the tear force of a substrate film containing a predetermined polymer is 200 gf or less, or 30 gf to 180 gf, as measured at a speed of 300 mm / min by the ASTM D624 Trouser method, The burr phenomenon that may occur during the dicing process of the semiconductor chip can be minimized to prevent contamination of the semiconductor chip and improve the reliability and life of the semiconductor chip.

상술한 바와 같이, 상기 기재 필름의 인열 강도는 ASTM D624 Trouser 방법에 의하여 300mm/min 속도에서 측정할 수 있으며, 상기 측정 조건에서 상기 기재 필름이 갖는 인열 강도(tear force)가 200gf 이하, 또는 30 gf 내지 180 gf이면, 필름의 절삭이 용이하여 다이싱 공정 중 블레이드 날에 의해 다이싱 필름이 부분 절삭되는 경우에도 절삭분 발생이 적게 쉽게 절삭되어 버(burr) 발생이 줄어들 수 있기 때문이다.As described above, the tear strength of the base film can be measured at a rate of 300 mm / min according to the ASTM D624 Trouser method. Under the measurement conditions, the base film has a tear force of 200 gf or less, or 30 gf To 180 gf, it is easy to cut the film, so that even when the dicing film is partially cut by the blade blade during the dicing process, the generation of cuts can be easily reduced and the occurrence of burrs can be reduced.

상기 기재 필름은 에틸렌-알킬(메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 가교체; 및 에틸렌-(메타)아크릴산-알킬(메타)아크릴산에스테르 아이오노머(ionomer);로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자를 포함할 수 있다. The base film may be a crosslinked product of an ethylene-alkyl (meth) acrylic acid ester copolymer; And an ethylene- (meth) acrylic acid-alkyl (meth) acrylate ester ionomer.

상기 에틸렌-알킬(메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 가교체 및 에틸렌-(메타)아크릴산-알킬(메타)아크릴산에스테르 아이오노머(ionomer)는 그 화학 구조적 특성으로 인해 인장 탄성율은 크지만, 파단 신율이나 다이싱 공정과 같은 절단 공정에서 중요한 tear force는 작아 이들을 포함하는 기재 필름이 적용된 다이싱 필름은 다이싱 공정에서 버 발생이 줄어들게 할 수 있다.The crosslinked product of the ethylene-alkyl (meth) acrylic acid ester copolymer and the ethylene- (meth) acrylic acid-alkyl (meth) acrylate ester ionomer have a large tensile modulus due to their chemical structural characteristics, In the cutting process such as the chipping process, the important tear force is small, so that the dicing film to which the base film containing the base film is applied can reduce burrs in the dicing process.

구체적으로, 상기 에틸렌-알킬(메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 가교체는 에틸렌 반독 단위; 및 탄소수 1 내지 10의 알킬(메타)아크릴산 에스테르가 결합된 에틸렌 반복 단위를 포함한 공중합체의 가교물을 포함할 수 있다. Specifically, the crosslinked product of the ethylene-alkyl (meth) acrylic acid ester copolymer is an ethylene repeat unit; And an ethylene repeating unit bonded with an alkyl (meth) acrylate having 1 to 10 carbon atoms.

또한, 상기 에틸렌 반독 단위; 및 탄소수 1 내지 10의 알킬(메타)아크릴산 에스테르가 결합된 에틸렌 반복 단위를 포함한 공중합체의 가교물은 과산화물의 존재 하에 상기 공중합체들이 상기 알킬(메타)아크릴산 에스테르를 매개로 가교 결합을 하여 형성되는 고분자일 수 있다. Also, the ethylene repeat unit; And an ethylene repeating unit bonded with an alkyl (meth) acrylate having 1 to 10 carbon atoms is crosslinked by the cross-linking of the copolymers through the alkyl (meth) acrylate ester in the presence of a peroxide It can be a polymer.

상기 에틸렌-(메타)아크릴산-알킬(메타)아크릴산에스테르 아이오노머(ionomer)는 에틸렌 반복 단위, (메타)아크릴산 반복 단위 및 탄소수 1 내지 10의 알킬(메타)아크릴산에스테르 반복 단위와 함께 소정의 금속 또는 금속 이온을 포함한 고분자 또는 공중합체를 의미한다. The ethylene- (meth) acrylic acid-alkyl (meth) acrylate ester ionomer may be prepared by reacting an ethylene (meth) acrylic acid repeating unit and an alkyl (meth) Means a polymer or copolymer containing a metal ion.

구체적으로, 상기 에틸렌-(메타)아크릴산-알킬(메타)아크릴산에스테르 아이오노머는 에틸렌 반복 단위, (메타)아크릴산 반복 단위 및 (메타)아크릴산에스테르 반복 단위를 포함하고, 상기 반복 단위들이 아연(Zn), 칼슘, 바륨, 나트륨(Na) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속 또는 이의 이온(ion)을 매개로 결합된 고분자 또는 공중합체를 의미한다. Specifically, the ethylene- (meth) acrylate-alkyl (meth) acrylate ester ionomer comprises an ethylene repeating unit, a (meth) acrylic acid repeating unit and a (meth) acrylic acid ester repeating unit, , At least one metal selected from the group consisting of calcium, barium, sodium (Na), and magnesium (Mg), or an ion-mediated polymer or copolymer thereof.

상기 기재 필름은 에틸렌-알킬(메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 가교체; 및 에틸렌-(메타)아크릴산-알킬(메타)아크릴산에스테르 아이오노머(ionomer);로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자에 추가하여 기타의 고분자를 더 포함할 수 있다. 이와 같이 기재 필름에 추가될 수 있는 고분자의 구체적인 예로는, 저밀도 폴리에틸렌, 선형 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체, 폴리프로필렌의 블록 공중합체, 호모폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐(polymethylpentene), 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-메타크릴산 공중합체, 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌-아이오노머 공중합체, 에틸렌-비닐알코올 공중합체, 폴리부텐, 또는 스틸렌의 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 기재 필름에 이와 같은 고분자들이 포함되는 경우, 이들의 함량은 50중량% 이하, 또는 30중량% 이하 일 수 있다. The base film may be a crosslinked product of an ethylene-alkyl (meth) acrylic acid ester copolymer; And an ethylene- (meth) acrylic acid-alkyl (meth) acrylate ester ionomer. The polymer may further include other polymers. Specific examples of the polymer that can be added to the base film in this manner include low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer of polypropylene, block copolymer of polypropylene, homopolypropylene, But are not limited to, polymethylpentene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-methacrylic acid copolymer, ethylene-methyl methacrylate copolymer, ethylene-ionomer copolymer, ethylene-vinyl alcohol copolymer, And the like. When such a polymer is included in the base film, the content thereof may be 50% by weight or less, or 30% by weight or less.

상기에서 2종 이상의 고분자가 포함되는 기재 필름의 의미는, 전술한 고분자들을 각각 포함한 필름이 2층 이상 적층된 구조의 필름 또는 전술한 고분자들이 2이상 포함된 단일층이 필름을 의미한다. The term "base film comprising two or more kinds of polymers" as used herein means a film having a structure in which two or more films each containing the above-mentioned polymers are laminated or a single layer film containing two or more of the above-mentioned polymers.

상기 기재 필름에는 또한 필요에 따라 매트 처리, 코로나 방전처리, 프라이머 처리 또는 가교 처리 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 가할 수 있다.If necessary, the base film may be subjected to conventional physical or chemical treatments such as a mat treatment, a corona discharge treatment, a primer treatment or a crosslinking treatment.

상기 기재 필름의 두께는 50 ㎛ 내지 150 ㎛, 또는 70 ㎛ 내지 110 ㎛ 일 수 있다. 이는 기재 필름의 두께가 너무 얇으면 기재 필름의 인장력을 충분히 나타낼 수 없고 다이싱 공정에서 다이싱 필름이 절단될 우려가 있기 때문이다.The thickness of the base film may be 50 [mu] m to 150 [mu] m, or 70 [mu] m to 110 [mu] m. This is because if the thickness of the base film is too thin, the tensile force of the base film can not be sufficiently exhibited, and the dicing film may be cut in the dicing step.

ASTM D-638 기준에 따라 100mm/min의 속도로 측정한 상기 기재 필름의 파단신율연신율이 400% 내지 1000%일 수 있다. 상기 기재 필름의 파단 연실율이 너무 작으면 제조 공정상 취급성이 떨어지고 필름 인장 시 쉽게 파단될 수 있다. 또한, 상기 기재 필름의 파단 연실율이 너무 크면, 다이싱 이후 인장시 칩 간격을 충분히 확보하지 못하여 픽업성이 저하될 수 있다. The elongation at break of the base film measured at a speed of 100 mm / min according to ASTM D-638 standard may be 400% to 1000%. If the fracture toughness ratio of the base film is too small, the handling property in the manufacturing process is deteriorated and the film can be easily broken when the film is stretched. In addition, if the fracture toughness ratio of the base film is too large, sufficient chip spacing can not be ensured when stretching after dicing, and pickup properties may be deteriorated.

한편, 상기 점착층은 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 포함할 수 있다. 자외선 경화형 점착제를 사용할 경우에는 기재 필름 측으로부터 자외선을 조사하여, 점착제의 응집력 및 유리전이온도를 올려 점착력을 저하시키고, 열 경화형 점착제의 경우는 온도를 가하여 점착력을 저하시킨다.Meanwhile, the adhesive layer may include an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive or a thermosetting pressure sensitive adhesive. When an ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive is used, ultraviolet rays are irradiated from the base film side to increase the cohesive force and the glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive to lower the adhesive strength, and in the case of the thermosetting type pressure-

아울러, 상기 자외선 경화형 점착제는 (메타)아크릴레이트계 수지, 자외선 경화형 화합물, 광개시제, 및 가교제를 포함할 수 있다.In addition, the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive may include a (meth) acrylate resin, an ultraviolet curable compound, a photoinitiator, and a crosslinking agent.

상기에서 (메타)아크릴레이트계 수지는 중량평균분자량이 10만 내지 150만, 바람직하게는 20만 내지 100만일 수 있다. 중량평균분자량이 10만 미만이면, 코팅성 또는 응집력이 저하되어, 박리 시에 피착체에 잔여물이 남거나, 또는 점착제 파괴 현상이 일어날 우려가 있다. 또한, 중량평균분자량이 150만을 초과하면, 베이스 수지가 자외선 경화형 화합물의 반응을 방해하여, 박리력 감소가 효율적으로 이루어지지 않을 우려가 있다. The (meth) acrylate resin may have a weight average molecular weight of 100,000 to 1,500,000, preferably 200,000 to 100,000. If the weight average molecular weight is less than 100,000, the coating property or the cohesive force is lowered, and there is a fear that a residue is left on the adherend upon peeling, or the adhesive is broken. On the other hand, if the weight average molecular weight exceeds 1.5 million, the base resin may interfere with the reaction of the ultraviolet curable compound and the peeling force may not be effectively reduced.

이러한 (메타)아크릴레이트계 수지는 예를 들면, (메타)아크릴산 에스테르계 단량체 및 가교성 관능기 함유 단량체의 공중합체일 수 있다. 이 때 (메타)아크릴산 에스테르계 단량체의 예로는 알킬 (메타)아크릴레이트를 들 수 있으며, 보다 구체적으로는 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 가지는 단량체로서, 펜틸 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 메틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트 또는 데실 (메타)아크릴레이트의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 알킬의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록, 최종 공중합체의 유리전이온도가 낮아지므로, 목적하는 유리전이온도에 따라 적절한 단량체를 선택하면 된다. 또한, 가교성 관능기 함유 단량체의 예로는 히드록시기 함유 단량체, 카복실기 함유 단량체 또는 질소 함유 단량체의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 이 때 히드록실기 함유 화합물의 예로는, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 카복실기 함유 화합물의 예로는, (메타)아크릴산 등을 들 수 있으며, 질소 함유 단량체의 예로는 (메타)아크릴로니트릴, N-비닐 피롤리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 (메타)아크릴레이트계 수지에는 또한 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서, 초산비닐, 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 탄소-탄소 이중결합함유 저분자량 화합물 등이 추가로 포함될 수 있다.Such a (meth) acrylate resin may be, for example, a copolymer of a (meth) acrylic acid ester monomer and a monomer having a crosslinkable functional group. Examples of the (meth) acrylate monomer include alkyl (meth) acrylate, more specifically monomers having an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms such as pentyl (meth) acrylate, n-butyl (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, n-octyl Acrylate, dodecyl (meth) acrylate or decyl (meth) acrylate. The use of a monomer having a large number of alkyl carbon atoms lowers the glass transition temperature of the final copolymer, so that a suitable monomer may be selected according to the desired glass transition temperature. Examples of the monomer having a crosslinkable functional group include a hydroxy group-containing monomer, a carboxyl group-containing monomer or a nitrogen-containing monomer, or a mixture of two or more kinds thereof. Examples of the hydroxyl group-containing compound include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and examples of the carboxyl group-containing compound include (meth) acrylic acid , And examples of the nitrogen-containing monomer include (meth) acrylonitrile, N-vinylpyrrolidone, N-vinylcaprolactam, and the like, but are not limited thereto. The (meth) acrylate resin may further include a low molecular weight compound containing vinyl acetate, styrene or acrylonitrile carbon-carbon double bond from the viewpoint of improvement of other functions such as compatibility and the like.

또한, 상기 자외선 경화형 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 중량평균분자량이 500 내지 300,000 정도인 다관능성 화합물(ex. 다관능성 우레탄 아크릴레이트, 다관능성 아크릴레이트 단량체 또는 올리고머 등)을 사용할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는 목적하는 용도에 따른 적절한 화합물을 용이하게 선택할 수 있다. 상기 자외선 경화형 화합물의 함량은 전술한 베이스 수지 100 중량부에 대하여, 5 중량부 내지 400 중량부, 바람직하게는 10 중량부 내지 200 중량부일 수 있다. 자외선 경화형 화합물의 함량이 5 중량부 미만이면, 경화 후 점착력 저하가 충분하지 않아 픽업성이 떨어질 우려가 있고, 400 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착제의 응집력이 부족하거나, 이형 필름 등과의 박리가 용이하게 이루어지지 않을 우려가 있다.The type of the ultraviolet curable compound is not particularly limited, and for example, a compound having a polyfunctional compound having a weight average molecular weight of about 500 to 300,000 (e.g., a polyfunctional urethane acrylate, a polyfunctional acrylate monomer or an oligomer) . The average person skilled in the art can easily select the appropriate compound according to the intended use. The content of the UV curable compound may be 5 parts by weight to 400 parts by weight, preferably 10 parts by weight to 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base resin. If the content of the ultraviolet curable compound is less than 5 parts by weight, the adhesiveness after curing is not sufficiently lowered, which may result in poor pickability. If the content exceeds 400 parts by weight, the cohesive force of the adhesive before ultraviolet irradiation is insufficient, There is a fear that it will not be easily done.

상기 광개시제의 종류 역시 특별히 한정되지 않고, 이 분야에서 알려진 일반적인 개시제의 사용이 가능하며, 그 함량은 상기 자외선 경화형 화합물 100 중량부에 대하여 0.05 중량부 내지 20 중량부일 수 있다. 광개시제의 함량이 0.05 중량부 미만이면, 자외선 조사에 의한 경화 반응이 부족해져 픽업성이 저하될 우려가 있고, 20 중량부를 초과하면 경화 과정에는 가교 반응이 짧은 단위로 일어나거나, 미반응 자외선 경화형 화합물이 발생하여 피착체 표면의 잔사에 원인이 되거나, 경화 후 박리력이 지나치게 낮아져 픽업성이 저하될 우려가 있다. The type of the photoinitiator is not particularly limited, and a conventional initiator known in the art can be used, and the content thereof can be 0.05 part by weight to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the ultraviolet curable compound. If the content of the photoinitiator is less than 0.05 part by weight, the curing reaction may be insufficient due to the irradiation of ultraviolet rays, which may lower the pick-up property. If the content exceeds 20 parts by weight, Resulting in residue on the surface of the adherend, or the peeling force after curing becomes too low, which may lower the pickupability.

또한, 점착부에 포함되어 접착력 및 응집력을 부여하기 위한 가교제의 종류 역시 특별히 한정되지 않으며, 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 또는 금속 킬레이트계 화합물 등의 통상의 화합물을 사용할 수 있다. 상기 가교제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 40 중량부, 바람직하게는 2 중량부 내지 20 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 2 중량부 미만이면, 점착제의 응집력이 부족할 우려가 있고, 20 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착력이 부족하여, 칩 비산 등이 일어날 우려가 있다.The type of the cross-linking agent for imparting the adhesive force and the cohesive force contained in the adhesive portion is also not particularly limited, and typical compounds such as an isocyanate compound, an aziridine compound, an epoxy compound or a metal chelate compound can be used. The crosslinking agent may be included in an amount of 2 to 40 parts by weight, preferably 2 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the base resin. If the content is less than 2 parts by weight, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive may be insufficient. If the content is more than 20 parts by weight, the adhesive strength before ultraviolet ray irradiation may be insufficient and chip scattering may occur.

상기 점착층에는 또한 로진 수지, 터펜(terpene) 수지, 페놀 수지, 스티렌 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지 또는 지방족 방향족 공중합 석유 수지 등의 점착 부여제가 더 포함될 수 있다.The adhesive layer may further include a tackifier such as rosin resin, terpene resin, phenol resin, styrene resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin or aliphatic aromatic copolymerized petroleum resin.

상기와 같은 성분을 포함하는 점착층을 기재 필름 상에 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 기재 필름 상에 직접 본 발명의 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 형성하는 방법 또는 박리성 기재 상에 일단 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 제조하고, 상기 박리성 기재를 사용하여 점착제층을 기재 필름 상에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다.The method for forming the pressure-sensitive adhesive layer on the base film is not particularly limited. For example, the pressure-sensitive adhesive composition of the present invention is directly applied onto a base film to form a pressure-sensitive adhesive layer, A method in which a pressure-sensitive adhesive composition is once applied to a pressure-sensitive adhesive layer to prepare a pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer is transferred onto the base film using the releasable base material.

이 때 점착제 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 상기 각각의 성분을 포함하는 조성물을 그대로, 또는 적당한 유기용제에 희석하여 콤마 코터, 그라비아 코터, 다이 코터 또는 리버스 코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후, 60℃ 내지 200℃의 온도에서 10초 내지 30분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 과정에서는 점착제의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징(aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.
The method for applying and drying the pressure-sensitive adhesive composition is not particularly limited. For example, the composition containing each of the above components may be directly or diluted with an appropriate organic solvent and applied to a comma coater, a gravure coater, a die coater or a reverse coater And drying the solvent at a temperature of 60 ° C to 200 ° C for 10 seconds to 30 minutes may be used. In addition, an aging process for advancing a sufficient cross-linking reaction of the pressure-sensitive adhesive may be further performed.

한편, 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 다이싱 필름; 및 상기 다이싱 필름의 적어도 일면에 형성된 접착층을 포함하는, 다이싱 다이본딩 필름이 제공될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the dicing film; And an adhesive layer formed on at least one side of the dicing film.

상기 접착제층은 에폭시 수지, 저탄성 고분자량 수지. 및 경화제를 포함할 수 있다. 상기 에폭시 수지에는 이 분야에서 공지된 일반적인 접착제용 에폭시 수지가 포함될 수 있으며, 예를 들면, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 함유하고, 중량평균분자량이 100 내지 5,000인 에폭시 수지를 사용할 수 있다. Wherein the adhesive layer is an epoxy resin, a low elastic high molecular weight resin. And a curing agent. The epoxy resin may include an epoxy resin for general adhesives known in the art. For example, an epoxy resin containing two or more epoxy groups in a molecule and having a weight average molecular weight of 100 to 5,000 may be used.

상기 에폭시 수지는 경화 공정을 통해 하드한 가교 구조를 형성하여, 탁월한 접착성, 내열성 및 기계적 강도를 나타낼 수 있다. The epoxy resin forms a hard crosslinked structure through a curing process, and can exhibit excellent adhesiveness, heat resistance and mechanical strength.

보다 구체적으로 상기 에폭시 수지로는 특히 평균 에폭시 당량이 100 내지 1,000인 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 에폭시 수지의 에폭시 당량이 100 미만이면 가교 밀도가 지나치게 높아져서, 접착 필름이 전체적으로 딱딱한 성질을 나타낼 우려가 있고, 상기 에폭시 수지의 에폭시 당량이 1,000을 초과하면 내열성이 저하될 우려가 있다.More specifically, as the epoxy resin, it is particularly preferable to use an epoxy resin having an average epoxy equivalent of 100 to 1,000. If the epoxy equivalent of the epoxy resin is less than 100, the crosslinking density becomes excessively high, and the adhesive film may exhibit overall rigid properties. If the epoxy equivalent of the epoxy resin exceeds 1,000, there is a fear that the heat resistance is lowered.

상기 에폭시 수지의 예로는, 비스페놀 A 에폭시 수지 또는 비스페놀 F 에폭시 수지 등의 이관능성 에폭시 수지; 또는 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 또는 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 등의 3개 이상의 관능기를 가지는 다관능성 에폭시 수지의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Examples of the epoxy resin include bifunctional epoxy resins such as bisphenol A epoxy resin and bisphenol F epoxy resin; Or a cresol novolac epoxy resin, a phenol novolak epoxy resin, a tetrafunctional epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, a triphenolmethane type epoxy resin, an alkyl modified triphenolmethane type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, Type epoxy resin or a dicyclopentadiene-modified phenol-type epoxy resin, and the like, but is not limited thereto.

상기 에폭시 수지로서 이관능성 에폭시 수지 및 다관능성 에폭시 수지의 혼합 수지를 사용하는 것이 바람직하다. As the epoxy resin, it is preferable to use a mixed resin of a difunctional epoxy resin and a polyfunctional epoxy resin.

상기『다관능성 에폭시 수지』는 3개 이상의 관능기를 가지는 에폭시 수지를 의미한다. 즉, 일반적으로 이관능성 에폭시 수지는 유연성 및 고온에서의 흐름성 등은 우수하나, 내열성 및 경화 속도가 떨어지는 반면, 관능기가 3개 이상인 다관능성 에폭시 수지는 경화 속도가 빠르고, 높은 가교 밀도로 인해 탁월한 내열성을 보이나, 유연성 및 흐름성이 떨어진다. 따라서, 상기 두 종류의 수지를 적절히 혼합, 사용함으로 해서, 접착층의 탄성률 및 택(tack) 특성을 제어하면서도, 다이싱 공정 시에 칩의 비산이나 버의 발생을 억제할 수 있다.The above "polyfunctional epoxy resin" means an epoxy resin having three or more functional groups. That is, generally, the bifunctional epoxy resin is excellent in flexibility and flowability at a high temperature, but has a low heat resistance and a hardening rate, whereas a multifunctional epoxy resin having three or more functional groups has excellent curing speed and excellent crosslinking density Heat resistance is exhibited but flexibility and flowability are poor. Therefore, it is possible to suppress scattering of chips and generation of burrs in the dicing step while controlling the elastic modulus and tack characteristics of the adhesive layer by properly mixing and using the two kinds of resins.

상기 저탄성 고분자량 수지는 접착제 내에서 소프트 세그먼트를 이루어 고온에서의 응력 완화 특성을 부여하는 역할을 할 수 있다. 상기 고분자량 수지로서, 상기 에폭시 수지와 블렌딩되어 필름 형성 시에 부서짐을 유발하지 않고, 가교 구조의 형성 후 점탄성을 나타낼 수 있으며, 다른 성분과의 상용성 및 보관 안정성이 우수한 것이라면, 어떠한 수지 성분도 사용될 수 있다.The low elastic high molecular weight resin may serve as a soft segment in an adhesive to impart stress relaxation characteristics at high temperatures. As the high-molecular-weight resin, any resin component may be used as long as it is blended with the epoxy resin to cause no cracking during film formation, exhibits viscoelasticity after formation of the crosslinked structure, and has excellent compatibility with other components and storage stability. .

상기 저탄성 고분자량 수지의 구체적인 종류는, 전술한 특성을 만족하는 한, 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에스테르이미드, 폴리아미드, 폴리에테르술폰, 폴리에테르케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 반응성 아크릴로니트릴부타디엔 고무 또는 (메타)아크릴레이트계 수지 등의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 사용할 수 있다. The specific kind of the low elastic high molecular weight resin is not particularly limited as long as the above-mentioned characteristics are satisfied, and examples thereof include polyimide, polyetherimide, polyesterimide, polyamide, polyether sulfone, polyether ketone, polyolefin , Polyvinyl chloride, phenoxy, reactive acrylonitrile-butadiene rubber, or (meth) acrylate-based resin, or the like, or a mixture of two or more thereof.

상기 (메타)아크릴레이트계 수지의 구체적인 예로는 (메타)아크릴산 및 그 유도체를 포함하는 아크릴계 공중합체를 들 수 있으며, 이 때 (메타)아크릴산 및 그 유도체의 예로는 (메타)아크릴산; 메틸 (메타)아크릴레이트 또는 에틸 (메타)아크릴레이트 등의 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 함유하는 알킬 (메타)아크릴레이트; (메타)아크릴로니트릴 또는 (메타)아크릴아미드; 및 기타 공중합성 단량체들이 포함된다.Specific examples of the (meth) acrylate resin include acrylic copolymers including (meth) acrylic acid and derivatives thereof. Examples of the (meth) acrylic acid and derivatives thereof include (meth) acrylic acid; Alkyl (meth) acrylates containing an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms such as methyl (meth) acrylate or ethyl (meth) acrylate; (Meth) acrylonitrile or (meth) acrylamide; And other copolymerizable monomers.

상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 또한 글리시딜기, 히드록시기, 카복실기 및 아민기 등의 일종 또는 이종 이상의 관능기를 포함할 수 있으며, 이와 같은 관능기는 글리시딜 (메타)아크릴레이트, 히드록시 (메타)아크릴레이트, 히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 카복시 (메타)아크릴레이트 등의 단량체를 공중합시킴으로써 도입할 수 있다.The (meth) acrylate resin may further include one or more kinds of functional groups such as a glycidyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group and an amine group. Such functional groups include glycidyl (meth) acrylate, hydroxy (Meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate or carboxy (meth) acrylate.

상기 접착제 조성물에 포함될 수 있는 경화제는 상기 에폭시 수지 및/또는 저탄성 고분자량 수지와 반응하여, 가교 구조를 형성할 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 상기 두 성분과 동시에 반응하여 가교 구조를 형성할 수 있는 경화제를 사용할 수 있는데, 이와 같은 경화제는 접착제 내의 소프트 세그먼트 및 하드 세그먼트와 각각 가교 구조를 이루어 내열성을 향상시키는 동시에, 양자의 계면에서 두 세그먼트의 가교제로 작용하여 반도체 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
The curing agent that can be included in the adhesive composition is not particularly limited as long as it can react with the epoxy resin and / or the low elastic high molecular weight resin to form a crosslinked structure. For example, a curing agent capable of reacting simultaneously with the two components to form a crosslinked structure can be used. Such a curing agent forms a crosslinked structure with the soft segment and the hard segment in the adhesive to improve the heat resistance, and at the same time, It is possible to improve the reliability of the semiconductor package by acting as a cross-linking agent for the two segments.

한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 다이싱 다이본딩 필름; 및 상기 다이싱 다이본딩 필름의 적어도 일면에 적층된 웨이퍼;를 포함하는 반도체 웨이퍼를 완전 분단 또는 분단 가능하게 부분 처리하는 전처리 단계; 상기 전처리 단계 이후 반도체 웨이퍼를 익스팬딩 하는 단계; 및 상기 익스펜딩한 반도체 웨이퍼의 기재 필름에 자외선을 조사하고, 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법이 제공될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the dicing die-bonding film; And a wafer stacked on at least one side of the dicing die-bonding film, the pretreating step partially dividing or partially dividing the semiconductor wafer; Exposing the semiconductor wafer after the preprocessing step; And irradiating ultraviolet rays onto the base film of the expanded semiconductor wafer, and picking up individual chips separated by the division of the semiconductor wafer.

상기 다이싱 필름 및 다이싱 필름에 관한 내용을 상술한 내용을 모두 포함한다. The above-mentioned contents regarding the dicing film and the dicing film are all included.

상기 다이싱 방법의 세부 단계에 관한 내용을 제외하고, 통상적으로 알려진 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법에 사용되는 장치, 방법 등을 별 다른 제한 없이 사용할 수 있다. Except for the detailed steps of the dicing method, a device, a method, and the like used in a dicing method of a commonly known semiconductor wafer can be used without limitation.

상기 다이싱 필름을 포함한 다이싱 다이본딩 필름을 사용함에 따라서, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 중 발생할 수 있는 버(burr) 현상을 최소화하여 반도체 칩의 오염을 방지하고 반도체 칩의 신뢰도 및 수명을 향상시킬 수 있다.
By using the dicing die-bonding film including the dicing film, the burr phenomenon that may occur during the dicing process of the semiconductor wafer is minimized to prevent contamination of the semiconductor chip and improve the reliability and life of the semiconductor chip. .

본 발명에 따르며, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 중 발생할 수 있는 버(burr) 현상을 최소화하여 반도체 칩의 오염을 방지하고 반도체 칩의 신뢰도 및 수명을 향상시킬 수 있는 다이싱 필름과 상기 다이싱 필름을 포함한 다이싱 다이본딩 필름과, 상기 다이싱 다이본딩 필름을 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법이 제공될 수 있다.
According to the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a dicing film that minimizes burrs that may occur during a dicing process of a semiconductor wafer to thereby prevent contamination of the semiconductor chip and improve reliability and life of the semiconductor chip; A dicing die bonding film including the dicing die bonding film, and a dicing method of a semiconductor wafer using the dicing die bonding film.

발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
The invention will be described in more detail in the following examples. However, the following examples are illustrative of the present invention, and the present invention is not limited by the following examples.

<< 실시예Example 1 내지 4 및  1 to 4 and 비교예Comparative Example 1 내지 3:  1 to 3: 다이싱Dicing 필름 및  Film and 다이싱Dicing 다이본딩Die bonding 필름의 제조> Production of Film>

실시예Example 1 내지 4 1 to 4

(1) (One) 다이싱Dicing 필름의 제조 Production of film

2-에틸헥실 아크릴레이트 75g, 2-에틸헥실 메타아크릴레이트 10g, 및 2-하이드록시에틸 아크릴레이트 15g을 에틸아크릴레이트 용매 300g 하에서 공중합하여 중량평균분자량이 850,000 인 공중합체를 수득한 후, 여기에 광경화 물질인 아크릴이소시아네이트 화합물 10g을 첨가하여 반응물을 얻었다. 그 후, 여기에 다관능 이소시아네이트 올리고머 10중량부와 광개시제로서 다로커 TPO를 1g 혼합하여 자외선 경화형 점착제 조성물 C를 제조하였다. 상기 점착제 조성물 C를 DSC로 분석한 결과 Tg는 -47℃로 측정되었다.Ethylhexyl methacrylate, 10 g of 2-ethylhexyl methacrylate and 15 g of 2-hydroxyethyl acrylate were copolymerized under 300 g of ethyl acrylate solvent to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of 850,000, 10 g of an acrylic isocyanate compound as a photo-curable material was added to obtain a reaction product. Thereafter, 10 parts by weight of the polyfunctional isocyanate oligomer and 1 g of Darocker TPO as a photoinitiator were mixed to prepare an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive composition C. The pressure-sensitive adhesive composition C was analyzed by DSC and the Tg was measured at -47 캜.

상기 자외선 경화형 점착제 조성물을 이형 처리된 두께 38um의 폴리에스테르 필름 위에 건조 후의 두께가 10um가 되도록 도포하고, 110℃에서 3분간 건조하였다. 건조된 점착층을 하기 표 1에 기재된 기재 필름들에 각각 라미네이트 하여 다이싱 필름을 제조하였다.
The ultraviolet-curing pressure-sensitive adhesive composition was coated on a release-treated polyester film having a thickness of 38 mu to a thickness of 10 mu m after drying and dried at 110 DEG C for 3 minutes. The dried adhesive layer was laminated to each of the base films described in Table 1 below to prepare a dicing film.

(2) (2) 다이본딩Die bonding 필름의 제조  Production of film

고분자량 지방족 에폭시 수지(SA-71, 엘지화학, Tg 20℃, 중량 평균분자량 850,000) 90중량부, 지방족계 에폭시 수지(노볼락형 에폭시 수지, 연화점 94℃) 30중량부, 에폭시 수지의 경화제로 페놀수지(페놀 노볼락 수지, 연화점 94℃) 20중량부, 중온 개시 경화 촉진제(2-메틸 이미다졸) 0.1 중량부, 고온 개시 경화 촉진제(2-페닐-4-메틸 이미다졸) 0.5 중량부, 충진제로 실리카(용융 실리카, 평균 입경 75mm) 20중량부로 이루어진 조성물과 메틸에틸케톤을 교반 혼합하여 바니쉬를 제조하였다. 상기 바니쉬를 두께 38um의 기재 필름(SKC, RS-216)에 도포하고, 110℃에서 5분간 건조하여 도막두께 20um인 다이본딩 필름 D를 제조하였다.
, 90 parts by weight of a high molecular weight aliphatic epoxy resin (SA-71, available from LG Chemical Co., Tg 20 ° C, weight average molecular weight 850,000), 30 parts by weight of an aliphatic epoxy resin (novolak type epoxy resin, softening point 94 ° C.) 20 parts by weight of a phenol resin (phenol novolac resin, softening point 94 占 폚), 0.1 part by weight of a mid-temperature onset hardening accelerator (2-methylimidazole), 0.5 parts by weight of a hot- A composition consisting of 20 parts by weight of silica (fused silica, average particle size of 75 mm) as a filler and methyl ethyl ketone were mixed with stirring to prepare a varnish. The varnish was applied to a base film (SKC, RS-216) having a thickness of 38 mu m and dried at 110 DEG C for 5 minutes to prepare a die-bonding film D having a coating film thickness of 20 mu m.

(3) (3) 다이싱Dicing 다이본딩Die bonding 필름의 제조 Production of film

상기 다이싱 필름과 다이본딩 필름을 폴라미네이터(Fujishoko사)를 이용하여 30℃에서 5kgf/cm2의 조건으로 라미네이트하고, 원형으로 절단하여 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다.
The dicing film and the die bonding film were laminated using a pole laminator (Fujishoko Co., Ltd.) at 30 DEG C under the condition of 5 kgf / cm &lt; 2 &gt; and cut into a circular shape to produce a dicing die bonding film.

비교예Comparative Example 1 내지 3 1 to 3

하기 표 1에 기재된 기재 필름들을 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 다이싱 필름, 다이본딩 필름 및 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다.
A dicing film, a die bonding film and a dicing die bonding film were produced in the same manner as in Example 1, except that the base films described in Table 1 were used.

기재 필름의 성분The composition of the base film 기재 필름의
필름 두께(um)
The base film
Film thickness (um)
실시예 1Example 1 에틸렌-메타클릴산-옥틸아크릴에스테르 Zn아이오노머Ethylene-methacrylic acid-octyl acrylic ester Zn ionomer 100100 실시예 2Example 2 에틸렌-메타클릴산-헥실아크릴에스테르 Zn아이오노머Ethylene-methacrylic acid-hexyl acrylic ester Zn ionomer 100100 실시예 3Example 3 에틸렌-도데실아크릴레이트 공중합체의 가교체A crosslinked product of an ethylene-dodecyl acrylate copolymer 110110 실시예 4Example 4 에틸렌-부틸아크릴레이트 공중합체의 가교체A crosslinked product of an ethylene-butyl acrylate copolymer 7070 비교예1Comparative Example 1 에틸렌-알파옥틸올레핀 공중합체Ethylene-alpha-octyl olefin copolymer 100100 비교예2Comparative Example 2 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체Ethylene-vinyl acetate copolymer 100100 비교예3Comparative Example 3 에틸렌-메타크릴산 Na 아이오노머Ethylene-methacrylic acid Na ionomer 100100

[[ 실험예Experimental Example : 기재 필름 및 : Substrate film and 다이싱Dicing 다이본딩Die bonding 필름의 물성 측정] Measurement of physical properties of film]

실험예Experimental Example 1:  One: teartear forceforce 측정 Measure

Tear Strength - ASTM D624 Plastic Test Standard" 중 Trouser 방법을 이용하여 기재 필름의 tear force를 측정하였다. 구체적으로, 기재 필름을 각각 길이 150mm, 폭 20mm 크기로 절단하여 시편을 제작하고 길이방향 왼편 끝 부분을 50mm 부분 절단 후, 절단되어 나누어진 양 끝을 texture analyzer를 이용해 180도 방향으로 당겨 필름을 찢을 때 필요한 힘을 측정하였다.
Tear Strength - ASTM D624 Plastic Test Standard. "Specifically, the base film was cut into pieces each having a length of 150 mm and a width of 20 mm to prepare a specimen, and the lengthwise left end portion After cutting the 50 mm portion, the cut ends of the divided pieces were pulled 180 degrees using a texture analyzer to measure the force required to tear the film.

실험예2Experimental Example 2 : 파단 : Break 연신율Elongation 측정 Measure

ASTM D-638 기준에 따라 각각 시편을 제작 후, 만능재료 시험기(UTM, Universal Testing Machine, 모델명 Zwick Z010)를 이용하여 100mm/min의 속도로 시편이 파단될 때까지 인장하여 그때까지 인장된 길이를 측정하여 파단 연신율을 계산하였다.
After each specimen was manufactured according to ASTM D-638, the specimen was stretched at a rate of 100 mm / min using a universal testing machine (UTM, model name: Zwick Z010) until the specimen was broken, And the elongation at break was calculated.

파단 연신율(%)Elongation at break (%) 인열강도(tear force) [gf]Tear force [gf] 실시예 1Example 1 560560 132132 실시예 2Example 2 510510 6868 실시예 3Example 3 900900 4545 실시예 4Example 4 480480 151151 비교예1Comparative Example 1 16001600 680680 비교예2Comparative Example 2 11001100 350350 비교예3Comparative Example 3 380380 6161

상기 표2에 나타난 바와 같이, 실시예의 다이싱 필름의 기재 필름은 480 내지 900 %의 파단 연신율과 45 내지 151 gf의 인열 강도를 갖는다는 점이 확인되었다. 이에 반하여, 비교예 1 및 2의 다이싱 필름의 기재 필름은 과다하게 높은 파단 연신율과 인열 강도를 가져서 다이싱 후 칩의 픽업을 위해 익스펜딩하는 공정 중 필름이 쉽게 늘어나서 칩 간격이 충분히 확보되기 어려우며, 이에 따라 픽업 효율이 저하되며 웨이퍼를 다이싱 하는 공정 중 인열 강도가 너무 높아서 깨끗하게 절삭되지 못하여 절산분 등의 버가 과량 발생할 수 있다. 또한, 비교예 3은 380%에 불과한 파단 연신율을 가져서 필름 제조 공정 중 쉽게 찢어질 우려가 있으며 다이싱 된 칩의 픽업을 위해 익스펜딩 하는 공정 중에서도 쉽게 찢어질 수 있다.
As shown in Table 2, it was confirmed that the base film of the dicing film of Example had a breaking elongation of 480 to 900% and a tear strength of 45 to 151 gf. On the other hand, the base films of the dicing films of Comparative Examples 1 and 2 have an excessively high elongation at break and tear strength, so that the film is easily stretched during the expansion process for picking up the chips after dicing, Thus, the pickup efficiency is lowered and the tear strength is too high during the process of dicing the wafer, so that the wafer can not be cut cleanly, resulting in excessive burrs, such as cuts. In addition, the comparative example 3 has a fracture elongation of merely 380%, which tends to be torn easily during the film production process, and can be torn easily during the expansion process for picking up the diced chip.

실험예Experimental Example 3 :  3: BurrBurr 특성 측정 Characterization

8 inch 80um 두께의 미러 웨이퍼와 웨이퍼 링을 마운터를 이용하여 60℃에서 사이에서 제조된 다이싱 다이본딩 필름에 부착하였다. 다이싱 장비(DFD-650)를 이용하여 rpm 45,000, feeding speed 70mm/sec, 칩 크기 8mm x 8mm 에서 절삭 깊이(cut depth, 기재 필름에서 커팅되지 아니하고 남은 부분의 두께)를 실시예 1, 2, 및 비교예 1 내지 3은 85mm, 실시예 3은 95um, 그리고 실시예 4는 55mm로 하여 다이싱한 후, 현미경으로 다이 표면을 관찰하여 burr 발생 개수를 확인하였다. 관찰한 전 영역에서 burr 발생이 5% 이하이면 우수, burr가 검출된 다이의 개수가 5 초과 10% 이하이면 보통, 10% 초과 발생하면 불량으로 평가하였다.
An 8 inch 80 um thick mirror wafer and wafer ring were attached to a dicing die bonding film manufactured between 60 ° C using a mounter. The cut depth (the thickness of the uncut portion of the substrate film) at rpm 45,000, feeding speed 70 mm / sec, and chip size 8 mm x 8 mm using the dicing machine (DFD-650) And 85 mm for Comparative Examples 1 to 3, 95 mm for Example 3, and 55 mm for Example 4, and then the surface of the die was observed with a microscope to confirm the number of burrs. If the number of detected burrs is more than 5% and 10% or more, it is evaluated as bad.

실험예Experimental Example 4 :  4 : 익스팬딩Expending 및 픽업특성 측정 And pick-up characteristic measurement

다이싱된 웨이퍼 부착된 다이 접착필름은 UV 조사 장비를 이용해 200mJ/cm2 노광량으로 UV를 조사하였다. 이후 픽업 장비(Shinkawa, SPA-400)를 이용하여 익스팬딩 높이를 5mm로 하여 필름의 손상 유무를 확인하였다. 그 후 핀높이를 0.3mm로 설정하여 픽업 성공률을 확인하였다. 픽업 성공율이 95% 이상이면 우수, 85% 이상 95% 미만이면 보통, 85% 미만이면 불량으로 평가하였다.
The diced wafer attached die-bonding film was irradiated with UV at a dose of 200 mJ / cm 2 using a UV irradiation equipment. Thereafter, using a pickup device (Shinkawa, SPA-400), the expanse height was 5 mm to check whether the film was damaged. After that, the pin height was set to 0.3 mm to confirm the pickup success rate. It was rated excellent when the pickup success rate was 95% or more, bad when it was 85% or more and less than 95%, and poor when it was less than 85%.

구분division Burr 특성Burr characteristics 필름 손상 유무Film Damage Pick-up 특성Pick-up characteristics 실시예 1Example 1 우수Great radish 우수Great 실시예 2Example 2 우수Great radish 우수Great 실시예 3Example 3 우수Great radish 우수Great 실시예 4Example 4 우수Great radish 우수Great 비교예 1Comparative Example 1 보통usually radish 불량Bad 비교예 2Comparative Example 2 불량Bad radish 불량Bad 비교예 3Comparative Example 3 Prize 유 (찢어짐)Yu (tearing) 우수Great

상기 표 3에서 나타나듯이, 실시예들의 경우는 burr 특성이나 필름 손상 유무, 및 픽업 특성에서 우수한 특성을 보였으나, 비교예들은 burr 특성이 불량하거나, 필름에 손상이 있거나 픽업특성이 불량해짐을 확인할 수 있었다.
As shown in Table 3, the examples showed excellent characteristics in terms of the burr characteristics, the film damage and the pickup characteristics, but the comparative examples show that the burr characteristics are poor, the film is damaged, and the pickup characteristics are poor I could.

Claims (11)

에틸렌-알킬(메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 가교체; 및 에틸렌-(메타)아크릴산-알킬(메타)아크릴산에스테르 아이오노머(ionomer);로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자를 포함한 기재 필름과 상기 기재 필름의 적어도 일면 상에 형성된 점착층을 포함하고,
ASTM D624 Trouser 방법에 의하여 300mm/min 속도에서 측정한 상기 기재 필름의 인열강도(tear force)가 200gf 이하인, 다이싱 필름.
A crosslinked product of an ethylene-alkyl (meth) acrylic acid ester copolymer; And an ethylene- (meth) acrylic acid-alkyl (meth) acrylate ester ionomer; and an adhesive layer formed on at least one side of the substrate film,
Wherein the base film has a tear force of 200 gf or less, measured at a speed of 300 mm / min according to ASTM D624 Trouser method.
제1항에 있어서,
ASTM D624 Trouser 방법에 의하여 300mm/min 속도에서 측정한 상기 기재 필름의 인열강도(tear force)가 30 gf 내지 180 gf인, 다이싱 필름.
The method according to claim 1,
The tearing force of the base film measured at a speed of 300 mm / min by the ASTM D624 Trouser method is 30 gf to 180 gf.
제1항에 있어서,
상기 에틸렌-알킬(메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 가교체는 에틸렌 반독 단위; 및 탄소수 1 내지 10의 알킬(메타)아크릴산 에스테르가 결합된 에틸렌 반복 단위;를 포함한 공중합체의 가교물을 포함하는, 다이싱 필름.
The method according to claim 1,
The crosslinked product of the ethylene-alkyl (meth) acrylic acid ester copolymer is an ethylene repeat unit; And an ethylene repeating unit bonded with an alkyl (meth) acrylate ester having 1 to 10 carbon atoms.
제1항에 있어서,
상기 에틸렌 반독 단위; 및 탄소수 1 내지 10의 알킬(메타)아크릴산 에스테르가 결합된 에틸렌 반복 단위;를 포함한 공중합체의 가교물은 과산화물의 존재 하에 상기 공중합체들이 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬(메타)아크릴산 에스테르를 매개로 가교 결합을 하여 형성되는 고분자인, 다이싱 필름.
The method according to claim 1,
Said ethylene repeat unit; And an ethylene repeating unit in which an alkyl (meth) acrylate ester having a carbon number of 1 to 10 is bonded, is obtained by copolymerizing the copolymer in the presence of a peroxide with an alkyl (meth) acrylate ester having 1 to 10 carbon atoms Wherein the polymer is a polymer formed by cross-linking.
제1항에 있어서,
상기 에틸렌-(메타)아크릴산-알킬(메타)아크릴산에스테르 아이오노머는 아연(Zn), 칼슘, 바륨, 나트륨(Na) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속 또는 이의 이온(ion)을 포함하는, 다이싱 필름.
The method according to claim 1,
The ethylene- (meth) acrylic acid-alkyl (meth) acrylate ester ionomer is one or more metals selected from the group consisting of zinc (Zn), calcium, barium, sodium (Na), and magnesium (Mg) And a dicing film.
제1항에 있어서,
상기 기재 필름의 두께는 50 ㎛ 내지 150 ㎛ 인 다이싱 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the base film has a thickness of 50 占 퐉 to 150 占 퐉.
제1항에 있어서,
ASTM D-638 기준에 따라 100mm/min의 속도로 측정한 상기 기재 필름의 파단신율연신율이 400% 내지 1000%인, 다이싱 필름.
The method according to claim 1,
The elongation at break elongation of the base film measured at a speed of 100 mm / min according to ASTM D-638 standard is 400% to 1000%.
제1항에 있어서,
상기 점착층은 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 포함하는 다이싱 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the adhesive layer comprises an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive or a thermosetting pressure-sensitive adhesive.
제8항에 있어서,
상기 자외선 경화형 점착제는 (메타)아크릴레이트계 수지, 자외선 경화형 화합물, 광개시제, 및 가교제를 포함하는 다이싱 필름.
9. The method of claim 8,
The ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive comprises a (meth) acrylate resin, an ultraviolet curable compound, a photoinitiator, and a crosslinking agent.
제1항의 다이싱 필름; 및 상기 다이싱 필름의 적어도 일면에 형성된 접착층을 포함하는, 다이싱 다이본딩 필름.
The dicing film of claim 1; And an adhesive layer formed on at least one side of the dicing film.
제10항의 다이싱 다이본딩 필름; 및 상기 다이싱 다이본딩 필름의 적어도 일면에 적층된 웨이퍼;를 포함하는 반도체 웨이퍼를 완전 분단 또는 분단 가능하게 부분 처리하는 전처리 단계;
상기 전처리 단계 이후 반도체 웨이퍼를 익스팬딩 하는 단계; 및
상기 익스펜딩한 반도체 웨이퍼의 기재 필름에 자외선을 조사하고, 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법.
A dicing die-bonding film according to claim 10; And a wafer stacked on at least one side of the dicing die-bonding film, the pretreating step partially dividing or partially dividing the semiconductor wafer;
Exposing the semiconductor wafer after the preprocessing step; And
Irradiating the base film of the expanded semiconductor wafer with ultraviolet light, and picking up individual chips separated by the division of the semiconductor wafer.
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