KR20150030394A - 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법 및 장치 - Google Patents

전자 장치의 정전기 방전 검출 방법 및 장치 Download PDF

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    • G01R29/12—Measuring electrostatic fields or voltage-potential

Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법은, 전자 장치의 접지 전압을 감지하는 과정; 상기 감지된 접지 전압을 설정된 기준 전압과 비교하는 과정; 및 상기 감지된 접지 전압이 상기 기준 전압을 초과할 경우, 상기 전자 장치의 미리 설정된 적어도 하나의 동작을 수행하는 과정;을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 다른 실시 예가 가능하다.

Description

전자 장치의 정전기 방전 검출 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING AN ELECTRO STATIC DISCHARGE ON AN ELECTRONIC DEVICE}
본 발명의 실시 예들은 전자 장치에서 발생할 수 있는 정전기 방전(Electro Static Discharge; ESD)을 검출하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
정전기 방전(Electro static discharge; ESD)이란 특정 전하로 인하여 대전 되어진 물체가 다른 극성의 전하로 대전된 물체와 접촉 또는 접촉하기 직전에 아주 짧은 시간(수백 nsec) 동안 전하 이동이 발생하는 현상을 일컫는 말이다.
이러한 ESD 현상은 정전하(Static Charge)의 분리로 인해서 발생 되며, 일상에서도 흔히 경험할 수 있는 현상이다. 예컨대, 부도체끼리 비벼서 문지른 경우, 서로 이동할 수 있는 전하가 물질 내에 충전 되게 되는데, 이때 방전(discharge)에 의한 아크(Arc)가 발생하면서 직접적인 도전 경로(conduction path)가 형성될 수 있다. 이와 같이 ESD 현상은 도체에 전달되는 전하로 인해서 대전된 도체가 다른 도체에 접근할 때 발생하게 된다.
한편, 전자 장치에 순간적으로 발생하는 ESD 전압의 최댓값은 예컨대 35kV 이상이 될 수도 있으며, 이러한 ESD 현상에 의해 전자 장치에 손상을 주거나, 시스템에 직접적인 영향을 줄 수도 있다.
종래의 ESD를 감지하는 방법은 예컨대 LCD(Liquid Crystal Display)의 출력(output) 전원인 VGH 전압을 이용하는 기술로서, LCD가 구동 중일 때 VGH 전원의 흔들림이나 드롭(drop)을 확인하여 ESD를 감지한다. 이러한 방법은 제한적인 상황에서만 ESD를 인지할 수 있다는 한계점이 있다.
이러한 문제점 및 다른 문제점들을 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시 예는 전자 장치의 접지(ground; GND) 전압을 감지(sensing)하여 기준 전압과 비교함으로써 ESD 발생 여부를 감지할 수 있는 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법 및 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예는 전자 장치에서 ESD가 발생될 때, ESD를 감지하는 접지 위치에 따라 순간적인 전위차가 발생하는 것을 이용하여 ESD 발생 여부를 감지할 수 있는 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법 및 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예는 접지 전압을 감지하는 센싱부의 위치 또는 기준 전압 등을 조정함으로써 ESD 강도에 따라 차등적인 장치 제어(예컨대, 특정 기능 또는 특정 부품의 리셋 또는 전자 장치 전원의 리셋 기능)를 수행할 수 있는 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법 및 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법은, 전자 장치의 접지 전압을 감지하는 과정; 상기 감지된 접지 전압을 설정된 기준 전압과 비교하는 과정; 및 상기 감지된 접지 전압이 상기 기준 전압을 초과할 경우, 상기 전자 장치의 미리 설정된 적어도 하나의 동작을 수행하는 과정;을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 전자 장치의 정전기 방전 검출 장치는, 전자 장치의 접지 전압을 감지하는 접지 센싱부; 상기 감지된 접지 전압을 설정된 기준 전압과 비교하는 비교부; 및 상기 감지된 접지 전압이 상기 기준 전압을 초과할 경우, 상기 전자 장치의 미리 설정된 적어도 하나의 동작을 수행하도록 제어 신호를 생성하는 제어부;를 포함할 수 있다.
한편, 상기 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법에 대한 정보는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체에 저장될 수 있다. 이러한 기록 매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있도록 프로그램 및 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록매체를 포함한다. 그 예로는, 롬(Read Only Memory), 램(Random Access Memory), CD(Compact Disk), DVD(Digital Video Disk)-ROM, 자기 테이프, 플로피 디스크, 광데이터 저장장치, 임베디드 멀티미디어 카드(eMMC) 등이 있으며, 또한 케리어 웨이브(예를 들면, 인터넷을 통한 전송)의 형태로 구현되는 것도 포함된다. 또한, 이러한 기록매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어, 분산 방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 전자 장치에서 ESD가 발생할 때, 전자 장치의 접지 위치에 따라 순간적으로 전위차가 발생하는 것을 이용함으로써 특정 상황에 국한되지 않고, 다양한 상황에서의 ESD 발생 유무를 감지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 기준 전압을 조정하거나 접지 센싱부의 위치 변경 등을 통해 발생하는 ESD의 감도를 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 복수의 접지 센싱부 또는 복수의 기준 전압을 이용하여 각기 다른 ESD 강도에 대응하는 상이한 인터럽트(interrupt)를 발생시킴으로써 ESD 강도에 따라 상이한 문제점이 발생되는 경우에 대처할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 생성된 인터럽트를 이용하여 하드웨어(H/W) 또는 소프트웨어(S/W)적인 기능의 리셋(Reset)을 통해 ESD 발생 시 나타날 수 있는 다양한 비정상적인 상황에서 정상상태로 복구할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 정전기 방전 검출 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 비교부의 세부 구조를 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 제어부의 세부 구조를 나타내는 블록도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 정전기 방전 검출 절차를 나타내는 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 정전기 방전 검출 장치를 나타내는 블록도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 정전기 방전 검출 장치를 나타내는 블록도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 정전기 방전 검출 회로를 나타내는 도면이다.
본 발명의 실시 예들은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하여 상세하게 설명한다. 그러나 이는 본 발명의 실시 예들을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 실시 예들의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예들의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
본 발명의 실시 예들에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명의 실시 예들을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 발명의 실시 예들에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명의 실시 예들이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 포함하고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 실시 예들에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
본 발명의 실시 예는 전자 장치에서 ESD가 발생할 때, 전자 장치의 접지(ground; GND) 전압을 감지(sensing)하여 적어도 하나의 기준 전압과 비교함으로써 ESD 발생 여부를 감지할 수 있는 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법 및 장치를 개시한다.
또한, 본 발명의 다양한 실시 예들에서는 전자 장치의 접지 위치에 따라 순간적으로 전위차가 발생하는 것을 이용함으로써 특정 상황에 국한되지 않고, 다양한 상황에서의 ESD 발생 유무를 감지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 접지 전압과 비교하는 기준 전압을 조정하거나 접지 센싱부의 위치를 변경함으로써 발생하는 ESD의 감지 감도를 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 다양한 실시 예들에 따라 복수의 접지 센싱부 또는 복수의 기준 전압을 이용하여 각기 다른 ESD 강도에 대응하는 상이한 인터럽트(interrupt)를 발생시킴으로써 ESD 강도에 따라 상이한 문제점이 발생되는 경우 해당 상황에 적합한 대처를 할 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일 실시 예에 따라 생성된 인터럽트를 이용하여 하드웨어(H/W) 또는 소프트웨어(S/W)적인 기능의 리셋(Reset)을 통해 ESD 발생 시 나타날 수 있는 다양한 비정상적인 상황에서 전자 장치를 정상 상태로 복구시킬 수 있다.
예컨대, 본 발명의 다양한 실시 예들에 따라 전자 장치의 접지 위치에서 감지된 ESD 강도에 따라 발생하는 문제점이 상이할 수 있으므로, 복수의 비교기를 통해 다중으로 설계하여 각 채널별로 감도를 다르게 조정함으로써 인가된 ESD 강도에 따라 상이하게 발생되는 문제에 대해 상이한 대처를 할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 예들이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 실시 예들을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시 예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 따른 장치의 구조를 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 정전기 방전 검출 장치를 나타내는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 정전기 방전 검출 장치는 접지 센싱부(110), 비교부(120) 및 제어부(130)를 포함하여 구성될 수 있다.
접지 센싱부(110)는 전자 장치의 임의의 부분에 위치할 수 있다. 예컨대, 정전기 방전이 자주 발생하거나 침투될 수 있는 위치에 접지 센싱부(110)를 배치시킬 수 있다. 또한, 전자 장치상에 하나의 접지 센싱부(110)가 배치될 수도 있으며, 본 발명의 다양한 실시 예에 따라 둘 이상의 접지 센싱부(110)들이 배치될 수도 있다.
상기 접지 센싱부(110)는 다양한 방법으로 구현 가능하다. 예컨대, 전자 장치에서 접지 전압을 측정하고자 하는 위치의 접지부와 상기 비교부(120) 사이를 연결하고, 연결된 사이에 적어도 하나의 부품을 구비하여 구현할 수 있다. 예컨대, 후술하는 실시 예들에서와 같이 접지부와 비교부(120) 사이에 저항을 구비함으로써 접지 센싱부(110)를 구현할 수도 있다.
비교부(120)는 상기 접지 센싱부(110)를 통해 감지된 전압을 미리 설정된 기준 전압(Vth)과 비교하는 기능을 수행할 수 있다. 이에 따라, 상기 비교부(120)는 상기 접지 센싱부(110)를 통해 감지된 전압을 상기 기준 전압과 비교하여, 감지된 전압이 기준 전압을 초과할 경우 ESD가 발생한 것으로 간주할 수 있다.
예를 들면, 상기 접지 센싱부(110)가 배치된 접지 위치에서 ESD가 발생할 경우, 상기 기준 전압과 상기 감지된 전압 사이에 순간적인 전위차가 발생할 수 있다. 이에 따라, 비교부(120)에서는 상기 기준 전압과 상기 감지된 전압 사이의 전압 차가 '+'에서 '-'로 변화되었다가 원상태로 복귀할 수 있다. 또한, 다른 실시 예에 따라 상기 기준 전압과 상기 감지된 전압 사이의 전압 차가 '-'에서 '+'로 변화되었다가 원상태로 복귀할 수도 있다.
이와 같이, 비교기(120)에서 기준 전압과 감지된 전압 사이의 차가 변경되면, 예컨대 비교기(120)의 동작에 따라 출력 스테이지(output stage)가 "Low -> High -> Low" 또는 "High -> Low -> High"로 변경되면서 인터럽트 신호를 출력시킬 수 있다.
이와 같이, 상기 비교부(120)는 접지 센싱부(110)를 통해 감지된 전압값이 기준 전압을 초과할 경우 인터럽트(interrupt) 신호를 발생시킬 수 있다.
제어부(130)는 상기 비교부(120)를 통해 인터럽트 신호를 수신하고, 수신된 인터럽트 신호에 따라 전자 장치에서 미리 설정된 동작(예컨대, 전자 장치의 소프트웨어 리셋 또는 하드웨어 리셋 등)을 수행하도록 제어할 수 있다.
예컨대, 상기 비교기(120)가 도 7에 도시된 바와 같이 특정 형태의 부품으로 구현될 경우, 제어부(130)에서는 상기 비교기(120)로부터 출력되는 인터럽트 신호에서 상승 에지(rising edge) 또는 하강 에지(falling edge)를 감지하거나, 로우(low) 또는 하이(high) 신호를 수신하여 동작하도록 구현할 수 있다.
한편, 상기 제어부(130)에서는 본 발명의 실시 예에 따라 상기 비교기(120)의 신호를 예컨대 GPIO(General Purpose Input Output)의 입력 핀을 이용하여 모니터링하도록 구현될 수도 있다. 이때, 예컨대 상기 비교기(120)의 신호 변화가 발생되면 미리 설정된 ESD 동작 테이블에 맞게 미리 설정된 소프트웨어 리셋 또는 하드웨어 리셋 동작을 수행하도록 구현할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 비교부의 세부 구조를 나타내는 블록도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 비교부(120)는 기준 전압 설정부(210), 신호 비교부(220), 인터럽트 신호 생성부(230)를 포함하여 구성될 수 있다.
기준 전압 설정부(210)는 ESD 발생 여부 판단의 기준이 되는 기준 전압을 설정하는 기능을 수행할 수 있으며, 소프트웨어로 구성되거나, 적어도 하나의 전자 부품 소자를 이용하여 전자 회로로 구성될 수도 있다. 또한, 상기 기준 전압 설정부(210)는 미리 특정 기준 전압으로 고정하여 설정되도록 구현할 수도 있으며, 변경 가능하게 설정되도록 구현할 수도 있다.
신호 비교부(220)는 상기 기준 전압 설정부(210)에 의해 설정된 기준 전압과 접지 센싱부(110)를 통해 감지된 접지 전압을 비교하는 기능을 수행할 수 있다.
인터럽트 신호 생성부(230)는 상기 신호 비교부(220)의 비교 결과 접지부에 ESD가 발생한 것으로 판단될 경우, 인터럽트 신호를 생성하여 출력하는 기능을 수행할 수 있다. 예컨대, 상기 신호 비교부(220)의 비교 결과 상술한 바와 같이 예컨대 상기 설정된 기준 전압과 감지된 접지 전압 사이의 차가 변경되면 인터럽트 신호를 출력시킬 수 있다. 상기 출력된 인터럽트 신호는 제어부(130)로 전송될 수 있다.
한편, 상기 비교부(120)의 적어도 일부 또는 전체는 소프트웨어 또는 하드웨어로 구성될 수도 있으며, 적어도 일부가 전자 회로로 구성될 수도 있다. 또한, 상기 비교부(120)의 적어도 일부는 생략될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 제어부의 세부 구조를 나타내는 블록도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 제어부(130)는 인터럽트 수신부(310), 동작 확인부(320) 및 제어 신호 생성부(330)를 포함하여 구성될 수 있다.
인터럽트 수신부(310)는 비교부(120)를 통해 출력된 인터럽트 신호를 수신하는 기능을 수행한다. 동작 확인부(320)는 동작 테이블(340)을 참조하여 상기 수신된 인터럽트 신호에 대응하는 미리 설정된 적어도 하나의 동작을 확인하는 기능을 수행할 수 있다. 예컨대, 상기 동작 테이블(340)은 하기 <표 1>과 같이 구성될 수도 있다.
비교기 구성 ESD 인식 강도 동작 비고
1단 8kV ~ 12kV LCD 리셋
2단 12kV ~ 15kV 카메라 프리뷰 리셋
3단 15kV 이상 하드웨어 리셋(재부팅)
상기 동작 테이블(340)을 참조하면, 상기 제어부(130)의 제어 신호 생성부(330)는 감지된 ESD 인식 강도의 범위에 따라 미리 설정된 적어도 하나의 동작(예컨대, 디스플레이(예컨대, LCD) 리셋, 카메라 프리뷰 리셋, 하드웨어 리셋 등)을 수행하도록 제어 신호를 생성하여 출력시킬 수 있다. 상기 <표 1>에서 비교기의 1단 내지 3단이 모두 인식되면 하드웨어 리셋 동작을 수행하며, 1단 및 2단이 인식되면 카메라 프리뷰 리셋 동작을 수행하며, 1단만 인식될 경우 LCD 리셋 동작을 수행하도록 구현할 수 있다.
한편, 상기 도 3에서는 하나의 인터럽트 신호가 입력되는 것으로 도시되어 있으나, 복수의 비교부(120)로부터 복수의 인터럽트 신호가 수신되거나, 하나의 비교부(120)로부터 다른 형태 또는 다른 전압의 인터럽트 신호가 수신될 수도 있다. 이와 같이, 다른 형태의 인터럽트 신호를 통해 해당 인터럽트 신호에 매핑된 동작을 수행하도록 할 수도 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따라 도 5 또는 도 6에 도시된 바와 같이 복수의 비교기(120)를 구비하고, 각기 상이한 기준 전압을 설정한 후, 특정 위치에서의 접지 전압이 적어도 복수의 비교기(120)를 통해 특정 기준 전압을 초과할 경우 해당 비교기(120)로부터 인터럽트 신호를 출력시킬 수 있다. 이때, 제어부(130)는 복수의 비교기(120)들 중에서 어떠한 비교기(120)에서 출력된 인터럽트 신호인지를 판별하여 각기 상이한 동작을 수행하도록 구현할 수도 있다.
한편, 상기 장치(예컨대, 전자 장치 또는 정전기 방전 검출 장치)의 각각의 구성요소들은 기능 및 논리적으로 분리될 수 있음을 나타나기 위해 별도로 도면에 표시한 것이며, 물리적으로 반드시 별도의 구성요소이거나 별도의 코드로 구현되는 것을 의미하는 것은 아니다.
그리고 본 명세서에서 각 기능부라 함은, 본 발명의 기술적 사상을 수행하기 위한 하드웨어 또는 상기 하드웨어를 구동하기 위한 소프트웨어의 기능적, 구조적 결합을 의미할 수 있다. 예컨대, 상기 각 기능부는 소정의 코드와 상기 소정의 코드가 수행되기 위한 하드웨어 리소스의 논리적인 단위를 의미할 수 있으며, 반드시 물리적으로 연결된 코드를 의미하거나, 한 종류의 하드웨어를 의미하는 것은 아님은 본 발명의 기술분야의 평균적 전문가에게는 용이하게 추론될 수 있다.
예컨대, 상기 도 1 내지 도 3의 각 기능부는 적어도 일부가 소프트웨어로 구성될 수도 있으며, 적어도 일부가 하드웨어로 구성될 수도 있다. 또한, 예컨대 상기 각 기능부의 전체 또는 적어도 일부가 전자 회로로 구성될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 정전기 방전 검출 절차를 나타내는 흐름도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따라 접지 센싱부로부터 전압값을 센싱(402)함으로써 ESD 발생 여부를 감지할 수 있다.
따라서, 상기 감지된 전압값을 기준 전압(Vth)과 비교(404)한 후, 센싱된 전압값이 기준 전압(Vth)을 초과(406-Y)할 경우, 비교기에서는 인터럽트 신호를 출력(408)시킬 수 있다. 제어부에서는 상기 출력된 인터럽트 신호에 따라 제어 신호를 생성(410)시키고, 생성된 제어 신호에 따라 해당하는 동작(예컨대, 소프트웨어 리셋, 하드웨어 리셋 등)을 수행(412)할 수 있다.
한편, 상술한 본 발명의 다양한 실시 예들에 따른 정전기 방전 검출 방법들은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 본 발명을 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. 상기된 하드웨어 장치는 본 발명의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.
이하, 도 5 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 다양한 실시 예들에 따른 정전기 방전 검출 장치의 구현 예들을 설명한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 정전기 방전 검출 장치를 나타내는 블록도이다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따라 복수의 접지 센싱부들(510) 및 복수의 비교부들(520)을 구비함으로써 복수의 접지 위치에 대해 또는 복수의 기준 전압에 대해 ESD 발생 여부를 감지함으로써 다양한 상황에 따른 제어 동작을 수행할 수 있다.
상기 복수의 접지 센싱부들(510)은 전자 장치의 접지 전압을 측정하고자 하는 각 위치에 구비될 수 있다. 예컨대, ESD 발생이 예상되거나 자주 침투될 수 있는 복수의 상이한 위치에 각 접지 센싱부들(510)를 배치시킬 수 있다.
예컨대, 제1 접지 센싱부(510-1)를 통해 감지된 접지 전압은 제1 비교부(520-1)로 입력되어 제1 기준 전압과 비교될 수 있다. 상기 제1 비교부(520-1)에서는 상기 비교 결과로 제1 인터럽트 신호를 출력시켜 제어부(530)로 제공할 수 있다. 또한, 제2 접지 센싱부(510-2)를 통해 감지된 접지 전압은 제2 비교부(520-2)로 입력되어 제2 기준 전압과 비교될 수 있다. 상기 제2 비교부(520-2)에서는 상기 비교 결과로 제2 인터럽트 신호를 출력시켜 제어부(530)로 제공할 수 있다. 동일한 방법으로, 제N 접지 센싱부(510-N)를 통해 감지된 접지 전압은 제N 비교부(520-N)로 입력되어 제N 기준 전압과 비교될 수 있다. 상기 제N 비교부(520-N)에서는 상기 비교 결과로 제N 인터럽트 신호를 출력시켜 제어부(530)로 제공할 수 있다.
한편, 상기 도 5에서 각 비교부들(520)에서 비교되는 각 기준 전압들은 서로 동일한 전압값으로 설정될 수도 있으며, 서로 상이한 전압값으로 설정될 수도 있다. 예컨대, 서로 동일한 전압값으로 설정될 경우, 복수의 상이한 위치에서 감지된 접지 전압을 동일한 기준 전압에 비교하고, 상기 비교 결과 적어도 하나의 비교부에서 인터럽트 신호가 발생하면, 상기 제어부(530)에서는 대응하는 동작을 수행하도록 제어 신호를 출력시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따라, 서로 상이한 전압값으로 설정될 경우, 상기 비교 결과 적어도 하나의 비교부에서 인터럽트 신호가 발생하면, 상기 제어부(530)에서는 각 비교부(520)에서 출력되는 인터럽트 신호를 구분하여 해당 인터럽트 신호에 대응하는 동작을 수행하도록 제어 신호를 출력시킬 수 있다. 예컨대, 상기 <표 1>에서와 같이 제1 비교부(520-1)를 통해 출력된 제1 인터럽트 신호가 제어부(530)로 입력되면 LCD를 리셋시키도록 제어 신호를 출력시키며, 제2 비교부(520-2)를 통해 출력된 제2 인터럽트 신호가 제어부(530)로 입력되면 카메라 프리뷰를 리셋시키도록 제어 신호를 출력시키고, 제3 비교부(520-3)를 통해 출력된 제3 인터럽트 신호가 제어부(530)로 입력되면, 하드웨어를 리셋시켜 재부팅하도록 제어 신호를 출력시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 정전기 방전 검출 장치를 나타내는 블록도이다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따라 하나의 접지 센싱부(610)와 병렬로 연결된 복수의 비교부들(620)을 구비함으로써 동일한 접지 위치에 대해 복수의 기준 전압으로 ESD 발생 여부를 감지함으로써 다양한 상황에 따른 제어 동작을 수행할 수 있다.
상기 접지 센싱부(610)는 전자 장치의 접지 전압을 측정하고자 하는 특정 위치에 구비될 수 있다. 예컨대, ESD 발생이 예상되거나 자주 침투될 수 있는 위치에 상기 접지 센싱부(610)가 배치될 수 있다.
예컨대, 상기 접지 센싱부(610)를 통해 감지된 접지 전압은 제1 비교부(620-1) 내지 제N 비교부(620-N)로 입력되어 제1 기준 전압 내지 제N 기준 전압과 비교될 수 있다.
상기 제1 비교부(620-1)에서는 접지 센싱부(610)의 접지 전압과 제1 기준 전압과의 비교 결과로 제1 인터럽트 신호를 출력시켜 제어부(630)로 제공할 수 있다. 또한, 상기 제2 비교부(620-2)에서는 접지 센싱부(610)의 접지 전압과 제2 기준 전압과의 비교 결과로 제2 인터럽트 신호를 출력시켜 제어부(630)로 제공할 수 있다. 또한, 상기 제N 비교부(620-N)에서는 접지 센싱부(610)의 접지 전압과 제N 기준 전압과의 비교 결과로 제N 인터럽트 신호를 출력시켜 제어부(630)로 제공할 수 있다.
한편, 상기 도 6에서 각 비교부들(620)에서 비교되는 각 기준 전압들은 서로 상이한 전압값으로 설정될 수도 있다. 예컨대, 본 발명의 실시 예에 따라, 서로 상이한 전압값으로 설정될 경우, 상기 비교 결과 적어도 하나의 비교부에서 인터럽트 신호가 발생하면, 상기 제어부(630)에서는 각 비교부(620)에서 출력되는 인터럽트 신호를 구분하여 해당 인터럽트 신호에 대응하는 동작을 수행하도록 제어 신호를 출력시킬 수 있다. 예컨대, 상기 <표 1>에서와 같이 제1 비교부(620-1)를 통해 출력된 제1 인터럽트 신호가 제어부(630)로 입력되면 LCD를 리셋시키도록 제어 신호를 출력시키며, 제2 비교부(620-2)를 통해 출력된 제2 인터럽트 신호가 제어부(630)로 입력되면 카메라 프리뷰를 리셋시키도록 제어 신호를 출력시키고, 제3 비교부(620-3)를 통해 출력된 제3 인터럽트 신호가 제어부(630)로 입력되면, 하드웨어를 리셋시켜 재부팅하도록 제어 신호를 출력시킬 수 있다.
이와 같이, 전자 장치의 동일한 위치에서 감지된 접지 전압에 대해 단순히 복수의 기준 전압들과 비교함으로써 다양한 ESD 발생 상황에 따른 다양한 동작을 수행할 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 정전기 방전 검출 회로를 나타내는 도면이다. 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 정전기 방전 검출 회로는 비교부(710) 및 복수의 저항들(730 내지 770)을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 비교부(710)는 입력된 접지 전압과 기준 전압의 차에 따라 인터럽트 신호를 출력시키도록 소정의 IC 칩 형태로 구현될 수 있으며, 본 발명의 실시 예들이 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, VREG(720)의 전압 신호는 제3 저항(750)을 거쳐 비교부(710)의 VCC 입력 단자(예컨대, 6번 핀)로 입력되어 비교부(710)의 구동 전압을 공급한다.
또한, 상기 VREG(720)의 전압 신호는 제1 저항(730) 및 제2 저항(740)에 의해 전압 분배되어 비교부(710)의 IN- 입력 단자(예컨대, 4번 핀)로 입력된다.
상기 비교부(710)의 VEE 단자(예컨대, 2번 핀)는 접지(GND)에 연결된다.
또한, 상기 비교부(710)의 IN+ 단자(예컨대, 3번 핀)는 제4 저항(760)을 거쳐 전자 장치의 감지하고자 하는 접지 위치에 연결된다. 따라서, 상기 제4 저항(760)은 본 발명의 실시 예에 따라 접지 센싱부를 구성한다.
상기 비교부(710)는 상기 IN- 단자를 통해 배분된 기준 전압(reference voltage; Vth)과 상기 ESD를 감지하기 위해 접지 위치에 연결된 IN+ 단자를 통해 입력된 접지 전압을 비교하고, 그 결과로 인터럽트 신호를 비교기(710)의 OUT 단자(예컨대, 1번 핀)를 통해 출력시킨다. 상기 OUT 단자를 통해 출력된 인터럽트 신호는 상술한 바와 같이 제어부(630)로 입력되어 제어 신호를 출력시키도록 하거나, 직접 제어 회로에 제어 신호로 제공될 수도 있다.
한편, 본 발명의 다양한 실시 예에 따라 상술한 바와 같이 ESD를 감지하기 위한 감지 강도를 다양한 방법에 의해 조절할 수 있다.
예컨대, 상기 접지 센싱부에 구비되는 저항값의 크기를 조절함으로써 감지 강도를 조절할 수 있다. 예를 들면, 상기 접지 센싱부에 구비되는 저항의 저항값이 커질수록 작은 ESD에도 민감하게 반응할 수 있으며, 저항값이 작을수록 큰 ESD에 반응할 수 있다.
또한, 접지 센싱부의 저항 위치를 조정함으로써 감지 강도를 조절할 수 있다. 예컨대, ESD가 쉽게 흐르거나 침투될 수 있는 지점에 저항을 배치함으로써 ESD에 민감하게 반응하도록 할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 비교기의 기준 전압값을 조절함으로써 감지 강도를 조절할 수 있다. 예를 들면, 상기 기준 전압값이 작을수록 ESD에 민감하게 반응하고, 기준 전압값이 커질수록 큰 ESD에 반응하도록 할 수 있다.
한편, 상술한 바와 같이 상기 제어부는 하드웨어 또는 소프트웨어 형태로 구현할 수도 있으며, CPU(Central Processing Unit)의 형태로 구현할 수도 있다.
예컨대, 상기 제어부는 상기 비교기의 신호를 GPIO(예컨대, interrupt/wake-up pin 포함)로 모니터링할 수 있다.
또한, 상기 제어부는 상기 비교기의 신호 변화가 발생되면 상술한 ESD 동작 테이블(예컨대, <표 1>)에 맞게 S/W 또는 H/W 리셋 동작을 수행할 수 있다.
이때, 상기 제어부는 상기 비교기의 신호 변화를 상승 에지/하강 에지를 검출하여 수행하거나, 로우/하이 입력 변화로 검출하여 수행하도록 할 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 실시 예들에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시 예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 실시 예들의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명의 실시 예들은 상기의 실시 예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 실시 예들이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
따라서, 본 발명의 실시 예들의 사상은 설명된 실시 예들에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명의 실시 예들의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
110 : 접지 센싱부 120 : 비교부
130 : 제어부 210 : 기준 전압 설정부
220 : 신호 비교부 230 : 인터럽트 신호 생성부
310 : 인터럽트 수신부 320 : 동작 확인부
330 : 제어 신호 생성부 340 : 동작 테이블
510 : 접지 센싱부 520 : 비교부
530 : 제어부 610 : 접지 센싱부
620 : 비교부 630 : 제어부
710 : 비교부 720 : VREG
730 : 제1 저항 740 : 제2 저항
750 : 제3 저항 760 : 제4 저항
770 : 제5 저항

Claims (20)

  1. 전자 장치의 접지 전압을 감지하는 과정;
    상기 감지된 접지 전압을 설정된 기준 전압과 비교하는 과정; 및
    상기 감지된 접지 전압이 상기 기준 전압을 초과할 경우, 상기 전자 장치의 미리 설정된 적어도 하나의 동작을 수행하는 과정;을 포함하는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접지 전압의 감지는,
    상기 전자 장치의 접지 위치에 연결된 저항에 인가되는 전압값으로 감지하는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 동작은,
    디스플레이 리셋, 카메라 프리뷰 리셋 및 전자 장치의 하드웨어 리셋 중 적어도 하나인, 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 방법은,
    복수의 접지 위치로부터 복수의 접지 전압을 감지하는 과정; 및
    상기 각 접지 위치로부터 감지된 접지 전압을 설정된 기준 전압과 비교하는 과정을 포함하는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기준 전압은,
    상기 복수의 감지된 접지 전압들에 대해 각 접지 위치별로 상이하게 설정되는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기준 전압이 상이하게 설정될 경우,
    각 기준 전압과의 비교 결과에 따라 상이한 동작을 수행하는 과정을 더 포함하는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 기준 전압은,
    상기 복수의 감지된 접지 전압들에 대해 각 접지 위치에 대해 동일하게 설정되는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 방법은,
    상기 감지된 접지 전압을 복수의 비교부로 제공하는 과정;
    각 비교부에서 설정된 각 기준 전압과 비교하는 과정;
    상기 각 비교부로부터 출력된 비교 결과에 따라 미리 설정된 적어도 하나의 동작을 수행하는 과정을 포함하는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 기준 전압은,
    상기 각 비교부에 대해 상이하게 설정되는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기준 전압이 상이하게 설정될 경우,
    각 기준 전압과의 비교 결과에 따라 상이한 동작을 수행하는 과정을 더 포함하는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 방법.
  11. 전자 장치의 접지 전압을 감지하는 접지 센싱부;
    상기 감지된 접지 전압을 설정된 기준 전압과 비교하는 비교부; 및
    상기 감지된 접지 전압이 상기 기준 전압을 초과할 경우, 상기 전자 장치의 미리 설정된 적어도 하나의 동작을 수행하도록 제어 신호를 생성하는 제어부;를 포함하는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 접지 전압의 감지는,
    상기 전자 장치의 접지 위치에 연결된 저항에 인가되는 전압값으로 감지하는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 적어도 하나의 동작은,
    디스플레이 리셋, 카메라 프리뷰 리셋 및 전자 장치의 하드웨어 리셋 중 적어도 하나인, 전자 장치의 정전기 방전 검출 장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 장치는,
    복수의 접지 위치에 구비되어 각각 접지 전압을 감지하는 복수의 접지 센싱부들; 및
    상기 각 접지 센싱부들과 연결되고, 상기 각 접지 센싱부로부터 감지된 접지 전압을 설정된 기준 전압과 비교하는 복수의 비교부들;을 포함하는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 기준 전압은,
    상기 복수의 감지된 접지 전압들에 대해 각 접지 위치별로 상이하게 설정되는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 기준 전압이 상이하게 설정될 경우,
    상기 제어부는, 각 기준 전압과의 비교 결과에 따라 상이한 동작을 수행하도록 제어 신호를 생성하는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 기준 전압은,
    상기 복수의 감지된 접지 전압들에 대해 각 접지 위치에 대해 동일하게 설정되는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 장치.
  18. 제11항에 있어서, 상기 장치는,
    상기 접지 센싱부로부터 감지된 접지 전압을 설정된 복수의 각 기준 전압과 비교하는 복수의 비교부들;을 포함하는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 기준 전압은,
    상기 각 비교부에 대해 상이하게 설정되는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 기준 전압이 상이하게 설정될 경우,
    상기 제어부는, 각 기준 전압과의 비교 결과에 따라 상이한 동작을 수행하도록 제어하는, 전자 장치의 정전기 방전 검출 장치.
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