KR20150027449A - 이미지센서 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 실시예는 암전류에 기인한 특성 열화를 방지할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공하기 위해, 광전변환영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 전면 상에 형성된 층간절연층; 상기 기판의 후면에 형성된 전하를 갖는 탄소함유층; 및 상기 탄소함유층 상에 형성된 컬러필터 및 마이크로렌즈를 포함하는 이미지 센서를 포함한다. 따라서, 전하를 갖는 탄소함유층을 적용하여 암전류를 생성하는 전하 또는 노이즈로 작용하는 전하를 제어하여 암전류 생성 및 노이즈 생성을 방지함으로써 이미지 센서의 특성 열화를 방지하는 효과가 있다.
Description
본 실시예는 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 후면수광 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이미지센서(Image Sensor)는 광학적 영상(Optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 장치이다. 일반적으로 이미지 센서는 CCD(Charge Coupled Device)형 이미지 센서와 CMOS형 이미지 센서(CMOS Image Sensor, CIS)가 있다. 이미지 센서는 복수의 픽셀들을 구비하고, 각각의 픽셀은 입사광에 상응하는 픽셀 신호를 출력한다. 이때, 복수의 픽셀들 각각은 포토다이오드로 대표되는 광전변환소자를 통해 입사광에 상응하는 광전하를 축적하고, 축적된 광전하에 기초하여 픽셀 신호를 출력한다.
이미지 센서에서 주로 광전변환소자가 형성된 기판 표면에서 발생하는 전하에 기초하여 발생하는 암전류(Dark current)는 픽셀 신호에 대한 노이즈(noise)로 작용하여 이미지 센서의 특성을 열화시키는 문제점이 있다.
본 실시예는 암전류에 기인한 특성 열화를 방지할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 실시예에 따른 이미지 센서는 광전변환영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 전면 상에 형성된 층간절연층; 상기 기판의 후면에 형성된 전하를 갖는 탄소함유층; 및 상기 탄소함유층 상에 형성된 컬러필터 및 마이크로렌즈를 포함할 수 있다.
특히, 상기 탄소함유층은 전하를 갖는 그래핀층 또는 산화그래핀층을 포함할 수 있고, 상기 기판의 후면과 탄소함유층 사이에 개재된 반사방지층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 이미지 센서 제조 방법은 기판에 광전변환영역을 형성하는 단계; 상기 기판의 전면 상에 층간절연층을 형성하는 단계; 상기 기판의 후면 상에 전하를 갖는 탄소함유층을 형성하는 단계; 상기 탄소함유층 상에 컬러필터 및 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
특히, 상기 탄소함유층은 전하를 갖는 그래핀층 또는 산화그래핀층을 포함할 수 있고, 상기 전하를 갖는 그래핀층 및 산화그래핀층은 인시튜 도핑, 이온주입방법 및 화학반응방법 등으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 전하를 갖는 그래핀층 및/또는 산화그래핀층은, 그래핀층 또는 산화그래핀층을 이온주입장비에 넣는 단계; 및 도펀트를 상기 그래핀층 또는 산화그래핀층에 주입시키는 단계로 형성할 수 있고, 상기 도펀트는 붕소(B) 또는 질소(N)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 전하를 갖는 그래핀층 및/또는 산화그래핀층은, 그래핀층 또는 산화그래핀층을 설파닐산(sulfanilic acid) 용액에 넣어 반응시키는 단계로 형성할 수 있고, 또는 그래핀층 또는 산화그래핀층 형성시 인시튜로 도펀트를 주입하는 단계로 형성할 수 있다.
또한, 상기 기판 후면 상에 전하를 갖는 탄소함유층을 형성하는 단계는, 전하를 갖는 그래핀층 또는 산화그래핀층을 용매에 넣어 분산시키는 단계; 분산된 상기 용매를 기판 후면에 도포하는 단계; 상기 용매를 건조시켜 전하를 갖는 그래핀층 또는 산화그래핀층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 기술은 전하를 갖는 탄소함유층을 적용하여 암전류를 생성하는 전하 또는 노이즈로 작용하는 전하를 제어하여 암전류 생성 및 노이즈 생성을 방지함으로써 이미지 센서의 특성 열화를 방지하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 이미지센서의 단면도의 일 예이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제1실시예에 따른 이미지센서 제조 방법의 공정단면도의 일 예이다.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 이미지센서의 단면도의 일 예이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제1실시예에 따른 이미지센서 제조 방법의 공정단면도의 일 예이다.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 이미지센서의 단면도의 일 예이다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시예들이 상세히 설명된다.
도면은 반드시 일정한 비율로 도시된 것이라 할 수 없으며, 몇몇 예시들에서, 실시예들의 특징을 명확히 보여주기 위하여 도면에 도시된 구조물 중 적어도 일부의 비례는 과장될 수도 있다. 도면 또는 상세한 설명에 둘 이상의 층을 갖는 다층 구조물이 개시된 경우, 도시된 것과 같은 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 특정 실시예를 반영할 뿐이어서 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 달라질 수도 있다. 또한, 다층 구조물의 도면 또는 상세한 설명은 특정 다층 구조물에 존재하는 모든 층들을 반영하지 않을 수도 있다(예를 들어, 도시된 두 개의 층 사이에 하나 이상의 추가 층이 존재할 수도 있다). 예컨대, 도면 또는 상세한 설명의 다층 구조물에서 제1 층이 제2 층 상에 있거나 또는 기판상에 있는 경우, 제1 층이 제2 층 상에 직접 형성되거나 또는 기판상에 직접 형성될 수 있음을 나타낼 뿐만 아니라, 하나 이상의 다른 층이 제1 층과 제2 층 사이 또는 제1 층과 기판 사이에 존재하는 경우도 나타낼 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 이미지센서의 단면도의 일 예이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 픽셀(pixel)을 갖는 기판(110)에 광전변환영역(111)과 인접한 픽셀 사이를 분리하는 소자분리막(미도시)이 형성된다. 그리고, 기판(110) 전면 상에 신호생성회로(미도시)를 포함하는 층간절연층(112)이 형성된다. 그리고, 기판(110) 후면에 전하를 갖는 탄소함유층(113)과 기판(110) 후면 상에 컬러필터(114) 및 컬러필터(114) 상에 마이크로렌즈(115)가 형성된다.
기판(110)은 반도체 기판을 포함할 수 있다. 반도체 기판은 단결정 상태일 수 있으며, 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 즉, 기판(110)은 단결정의 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 일예로, 기판(110)은 벌크 실리콘기판이거나, 또는 실리콘에피층을 포함한 SOI(Silicon On Insulator)기판일 수 있다.
광전변환영역(111)은 수직적으로 중첩되는 복수개의 광전변환부(미도시)들을 포함할 수 있으며, 광전변환부들 각각은 N형 불순물영역과 P형 불순물영역을 포함하는 포토다이오드(Photo Diode)일 수 있다. 광전변환영역(111)은 기판(110)의 전면과 후면에 모두 접하여 기판(110)을 관통하는 형태를 가질 수 있다. 또한, 광전변환영역(111)은 기판(110)의 전면에는 접하고 기판(110)의 후면으로부터 소정 간격 이격된 형태를 가질 수도 있다.
층간절연층(112)은 산화물, 질화물 및 산화질화물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 둘 이상의 물질을 포함할 수 있다. 층간절연층(112) 내부에 형성된 신호생성회로는 복수의 트랜지스터(미도시), 다층의 금속배선(미도시) 및 이들을 상호 연결하는 콘택플러그(미도시)를 포함할 수 있다. 신호생성회로는 광전변환영역(111)에서 생성된 광전하에 상응하는 픽셀 신호(또는 전기 신호)를 생성(또는 출력)하는 역할을 수행할 수 있다.
기판(110) 후면과 탄소함유층(113) 사이에 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. 버퍼층(미도시)은 탄소함유층 공정시 발생하는 결함(defect)을 제어함으로써 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
탄소함유층(113)은 암전류(Dark current)를 생성하는 전하 또는 노이즈로 작용하는 전하를 제어하여 암전류 생성 및 노이즈 생성을 방지하는 역할을 할 수 있다. 탄소함유층(113)은 기판(110) 후면에 접하여 형성될 수 있으며, 광전변환영역(111)과 수직적으로 중첩된 형태를 가질 수 있다.
탄소함유층(113)은 그래핀층 또는 산화그래핀층을 포함할 수 있다. 그래핀층 및 산화그래핀층은 빛의 투과율 약 98％이상으로 알려져 있다. 따라서, 그래핀층 또는 산화그래핀층을 포함하는 탄소함유층(113)은 빛의 손실을 최소화하여 이미지 센서의 감도(sensitivity)를 개선할 수 있다. 예컨대, 탄소함유층은 0.35㎚∼1㎚의 두께로 형성할 수 있다.
탄소함유층(113)은 양전하 또는 음전화를 갖기 위해 소정의 불순물이 도핑된 그래핀층 또는 산화그래핀층을 포함할 수 있다. 양전하를 갖는 탄소함유층은 전자(electron)를 끌어당기고 전자의 흐름을 제어하여 암전류 생성을 방지할 수 있다. 음전하를 갖는 탄소함유층은 음전하에 의해 표면에 정공(Hole) 축적(accumulation)영역을 형성하고, 정공축적영역에 의해 전자의 거동을 제한하여 암전류 생성을 방지할 수 있다.
컬러필터(114)는 광전변환영역(111)에 대응하여 해당 필터들이 형성될 수 있다. 예컨대, 레드(R), 그린(G), 블루(B) 픽셀의 광전변환영역(111)에 각각 대응하여, 레드(R), 그린(G), 블루(B) 필터들이 형성되거나, 이미지 센서가 적외선 광전변환영역(111)을 포함하는 경우, 적외선 수광 소자에 대응한 적외선(infrared) 필터가 형성될 수 있다.
마이크로렌즈(115)는 기판(110)의 후면측으로부터의 입사광이, 대응하는 화소내 광전변환영역(111)들로 포커싱(focusing)되도록 하는 복수의 마이크로렌즈를 포함할 수 있다. 마이크로렌즈(115)를 통하여 입사된 광은 대응하는 컬러필터(예컨대, R, G, B) 또는 적외선 필터에 의해 필요한 광만 선택되고, 선택된 광은 대응하는 화소의 광전변환영역(111)으로 입사될 수 있다.
위와 같이, 본 실시예는 전하를 갖는 탄소함유층(113)을 형성하여 암전류 생성을 방지할 뿐 아니라, 그래핀층의 높은 투과율로 인해 빛의 손실을 최소화할 수 있다. 더욱이 본 실시예와 같이 후면 조사형 이미지 센서의 경우 전면 뿐 아니라 후면도 반도체 공정이 진행되면서 필연적으로 발생하는 대미지(damage)와 물질들의 댕글링 본드(dangling bond)로 인해 결함(defect site)가 많이 발생하는 바, 전하를 갖는 탄소함유층(13)을 통한 암전류 생성 방지 효과가 극대화된다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제1실시예에 따른 이미지센서 제조방법의 공정단면도의 일 예이다. 도 2a 내지 도 2c는 도 1의 이미지 센서 제조방법을 설명하기 위한 것으로, 이해를 돕기위해 도 1과 동일한 도면부호를 사용하기로 한다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 복수의 픽셀(pixel)들이 정의된 기판(110)을 준비한다. 기판(110)은 반도체 기판을 포함할 수 있다. 반도체 기판은 단결정 상태일 수 있으며, 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 즉, 기판(110)은 단결정의 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 일예로, 기판(110)은 벌크 실리콘기판이거나, 또는 실리콘에피층을 포함한 SOI(Silicon On Insulator)기판일 수 있다.
이어서, 복수의 픽셀들이 접하는 경계지역을 따라 기판(110)에 소자분리영역(미도시)을 형성한다. 소자분리영역은 기판(110)에 소자분리 트렌치를 형성하고, 소자분리 트렌치를 절연물질로 갭필하는 STI(Shallo Trench Isolation) 공정으로 형성할 수 있다.
이어서, 기판(110)에 광전변환영역(111)을 형성한다. 광전변환영역(111)은 수직적으로 중첩되는 복수개의 광전변환부(미도시)들을 포함할 수 있으며, 광전변환부들 각각은 N형 불순물영역과 P형 불순물영역을 포함하는 포토다이오드(Photo Diode)일 수 있다. 포토다이오드는 불순물 이온주입공정을 통해 형성할 수 있다.
이어서, 기판(110) 전면 상에 신호생성회로를 포함한 층간절연층(112)을 형성한다. 층간절연층(112)은 산화물, 질화물 및 산화질화물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 둘 이상의 물질을 포함할 수 있으며, 다층구조를 가질 수 있다. 신호생성회로는 광전변환영역에서 생성된 광전하에 상응하는 전기신호를 생성(또는 출력)하는 역할을 수행할 수 있다. 구체적으로, 신호생성회로는 복수의 트랜지스터(미도시) 및 다층의 금속배선(미도시)을 포함할 수 있다. 그리고, 다층의 금속배선은 복수의 콘택플러그(미도시)를 통해 복수의 트랜지스터 및 복수의 금속배선과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 기판(110) 후면에 대한 씨닝공정(Thinning process)을 진행하여 기판(110)의 두께를 감소시킨다. 이는, 광전변환영역(111)으로 유입되는 입사광의 도달거리를 감소시켜 수광효율을 증가시키기 위한 것이다. 씨닝공정은 백그라인딩(Backgrinding) 및 연마(Polishing) 공정을 통해 진행할 수 있다.
이어서, 기판(110) 후면 상에 전하를 갖는 탄소함유층(113)을 형성한다. 전하를 갖는 탄소함유층(113)은 암전류(Dark current)를 생성하는 전하를 제어하여 암전류 생성을 방지하는 역할을 할 수 있다. 탄소함유층(113)은 기판(110) 후면에 접하여 형성될 수 있으며, 광전변환영역(111)과 수직적으로 중첩된 형태를 가질 수 있다.
탄소함유층(111)은 그래핀층 또는 산화그래핀층을 포함할 수 있다. 그래핀층 및 산화그래핀층은 빛의 투과율 약 98％이상으로 알려져 있다. 따라서, 그래핀층 또는 산화그래핀층을 포함하는 탄소함유층(113)은 빛의 손실을 최소화하여 이미지 센서의 감도(sensitivity)를 개선할 수 있다. 예컨대, 탄소함유층은 0.35㎚∼1㎚의 두께로 형성할 수 있다.
특히, 본 실시예의 전하를 갖는 탄소함유층(113)은 전하를 갖는 그래핀층 또는 산화그래핀층을 포함할 수 있다. 즉, 양전하 또는 음전화를 갖기 위해 소정의 불순물이 도핑된 그래핀층 또는 산화그래핀층을 포함할 수 있다. 양전하를 갖는 탄소함유층은 전자(electron)를 끌어당기고 전자의 흐름을 제어하여 암전류 생성을 방지할 수 있다. 음전하를 갖는 탄소함유층은 음전하에 의해 표면에 정공(Hole) 축적(accumulation)영역을 형성하고, 정공축적영역에 의해 전자의 거동을 제한하여 암전류 생성을 방지할 수 있다.
전하를 갖는 그래핀층을 형성하는 방법은 인시튜도핑법, 이온주입방법 및 화학반응방법 등으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 방법을 포함할 수 있다. 예컨대, 이온주입방법은 그래핀층을 이온주입장비에 넣어 도펀트를 주입하는 방법으로 진행할 수 있다. 이때, 도펀트는 붕소(B) 또는 질소(N) 등을 사용할 수 있다. 또는, 그래핀층 형성 공정시 인시튜로 도펀트(dopant)를 도핑(doping)시켜 전하를 갖는 그래핀층을 형성할 수 있다. 이때, 도펀트는 붕소(B) 또는 질소(N)를 사용할 수 있다. 또한, 화학반응방법은 예컨대 그래핀층을 설파닐산(C6H4(NH2)SO3H) 용액에 넣어서 반응시키는 방법으로 형성할 수 있다.
위와 같은 방법으로 형성된 전하를 갖는 그래핀층을 기판(110) 후면 상에 형성하는 방법은 스핀도포법을 포함할 수 있다. 구체적으로, 스핀도포법은 전하를 갖는 그래핀층을 용매에 넣고 분산시킨 후, 기판(110) 후면 상에 그래핀층이 분산된 용매를 도포한다. 이어서, 용매를 건조시켜 기판(110) 후면 상에 전하를 갖는 그래핀층을 잔류시킨다.
본 실시예와 같이, 전하를 갖는 탄소함유층(113)은 암전류 생성을 방지할 뿐 아니라, 그래핀층의 높은 투과율로 인해 빛의 손실을 최소화할 수 있다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 전하트랩영역(113) 상에 컬러필터(114) 및 마이크로렌즈(115)를 형성한다.
컬러필터(114)는 광전변환영역(111)에 대응하여 해당 필터들이 형성될 수 있다. 에컨대, 레드(R), 그린(G), 블루(B) 픽셀의 광전변환영역(111)에 각각 대응하여, 레드(R), 그린(G), 블루(B) 필터들이 형성되거나, 이미지 센서가 적외선 광전변환영역(111)을 포함하는 경우, 적외선 수광 소자에 대응한 적외선(infrared) 필터가 형성될 수 있다.
마이크로렌즈(115)는 기판(110)의 후면측으로부터의 입사광이, 대응하는 화소내 광전변환영역(111)들로 포커싱(focusing)되도록 하는 복수의 마이크로렌즈를 포함할 수 있다. 마이크로렌즈(115)를 통하여 입사된 광은 대응하는 컬러필터(예컨대, R, G, B) 또는 적외선 필터에 의해 필요한 광만 선택되고, 선택된 광은 대응하는 화소의 광전변환영역(111)으로 입사될 수 있다.
이후, 공지된 제조방법을 통해 이미지 센서를 완성할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 이미지센서의 단면도의 일 예이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 픽셀(pixel)을 갖는 기판(120)에 형성된 광전변환영역(121), 인접한 픽셀 사이를 분리하는 소자분리막(미도시), 기판(120) 전면 상에 형성되어 신호생성회로(미도시)를 포함하는 층간절연층(122), 기판(120) 후면에 형성되는 반사방지층(123), 반사방지막(123) 상에 형성된 전하를 갖는 탄소함유층(124), 기판(120) 후면 상에 형성된 컬러필터(125) 및 컬러필터(125) 상에 형성된 마이크로렌즈(126)를 포함할 수 있다.
반사방지층(123, ARL:Anti Reflective Layer)은 입사되는 광의 반사를 방지하여 광전변환영역(121)으로 대부분의 광이 투과되도록 하여 이미지 센서의 수광 능력을 향상시키는 역할을 한다. 또한, 본 실시예의 반사방지층(123)은 기판(120) 후면과 전하를 갖는 탄소함유층(124) 사이에 개재되어, 탄소함유층 공정시 발생하는 결함(defect)을 제어함으로써 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
기판(120) 후면과 반사방지층(123) 사이에 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. 또는, 반사방지층(123)과 탄소함유층(124) 사이에 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. 버퍼층은 반사방지층(123)과 함께 탄소함유층(113) 형성시 탄소함유층 공정시 발생하는 결함(defect)을 제어함으로써 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
기판(120), 광전변환영역(121), 층간절연층(122), 탄소함유층(124), 컬러필터(125) 및 마이크로렌즈(126)는 도 1과 도 2a 내지 도 2c에 도시된 본 발명의 제1실시예와 동일한 방법으로 형성할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 후면 조사형 이미지 센서 및 제조 방법에 대해 도시하고 있으나, 전하를 갖는 탄소함유층 및 반사방지층은 이에 한정되지 않으며, 전면 조사형 이미지 센서에서도 기판의 전면 또는 후면에 전하를 갖는 탄소함유층을 적용하여 암전류 생성을 방지할 수 있다.
본 실시예의 기술 사상은 상기 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 실시예의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 실시예의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
110 : 기판 111 : 광전변환영역
112 : 층간절연층 113 : 전하를 갖는 탄소함유층
114 : 컬러필터 115 : 마이크로렌즈
112 : 층간절연층 113 : 전하를 갖는 탄소함유층
114 : 컬러필터 115 : 마이크로렌즈
Claims (12)
- 광전변환영역을 포함하는 기판;
상기 기판의 전면 상에 형성된 층간절연층;
상기 기판의 후면에 형성된 전하를 갖는 탄소함유층; 및
상기 탄소함유층 상에 형성된 컬러필터 및 마이크로렌즈
를 포함하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,
상기 탄소함유층은 전하를 갖는 그래핀층 또는 산화그래핀층을 포함하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,
상기 기판의 후면과 탄소함유층 사이에 개재된 반사방지층을 더 포함하는 이미지 센서.
- 기판에 광전변환영역을 형성하는 단계;
상기 기판의 전면 상에 층간절연층을 형성하는 단계;
상기 기판의 후면 상에 전하를 갖는 탄소함유층을 형성하는 단계;
상기 탄소함유층 상에 컬러필터 및 마이크로렌즈를 형성하는 단계
를 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제4항에 있어서,
상기 탄소함유층은 전하를 갖는 그래핀층 또는 산화그래핀층을 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제4항에 있어서,
상기 탄소함유층을 형성하는 단계 전에,
상기 기판의 후면 상에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제5항에 있어서,
상기 전하를 갖는 그래핀층 및 산화그래핀층은 인시튜 도핑, 이온주입방법 및 화학반응방법 등으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 형성하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제5항에 있어서,
상기 전하를 갖는 그래핀층 및/또는 산화그래핀층은,
그래핀층 또는 산화그래핀층을 이온주입장비에 넣는 단계; 및
도펀트를 상기 그래핀층 또는 산화그래핀층에 주입시키는 단계로 형성하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제8항에 있어서,
상기 도펀트는 붕소(B) 또는 질소(N)를 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제5항에 있어서,
상기 전하를 갖는 그래핀층 및/또는 산화그래핀층은,
그래핀층 또는 산화그래핀층을 설파닐산(sulfanilic acid) 용액에 넣어 반응시키는 단계로 형성하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제5항에 있어서,
상기 전하를 갖는 그래핀층 및/또는 산화그래핀층은,
그래핀층 또는 산화그래핀층 형성시 인시튜로 도펀트를 주입하는 단계로 형성하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제4항에 있어서,
상기 기판 후면 상에 전하를 갖는 탄소함유층을 형성하는 단계는,
전하를 갖는 그래핀층 또는 산화그래핀층을 용매에 넣어 분산시키는 단계;
분산된 상기 용매를 기판 후면에 도포하는 단계;
상기 용매를 건조시켜 전하를 갖는 그래핀층 또는 산화그래핀층을 형성하는 단계
를 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
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