KR20150017540A - 표시 패널 및 이의 제조 방법 - Google Patents

표시 패널 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150017540A
KR20150017540A KR1020130093599A KR20130093599A KR20150017540A KR 20150017540 A KR20150017540 A KR 20150017540A KR 1020130093599 A KR1020130093599 A KR 1020130093599A KR 20130093599 A KR20130093599 A KR 20130093599A KR 20150017540 A KR20150017540 A KR 20150017540A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
color
layer
light emitting
color filter
emitting layer
Prior art date
Application number
KR1020130093599A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102092842B1 (ko
Inventor
김영도
홍정무
기인서
주영길
최석
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130093599A priority Critical patent/KR102092842B1/ko
Priority to US14/159,114 priority patent/US9082668B2/en
Priority to CN202110190257.8A priority patent/CN112993000A/zh
Priority to CN201410165737.9A priority patent/CN104347670B/zh
Priority to JP2014095629A priority patent/JP6729993B2/ja
Publication of KR20150017540A publication Critical patent/KR20150017540A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102092842B1 publication Critical patent/KR102092842B1/ko
Priority to JP2020114605A priority patent/JP7153044B2/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • H10K50/8445Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Abstract

표시 패널은 제1 스위칭 소자, 상기 제1 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극 상에 배치되고, 상기 제1 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라, 제1 컬러의 광을 방출하는 제1 발광층, 상기 제1 발광층 상에 배치되어 상기 제1 발광층을 보호하는 박형 보호 필름, 상기 박형 보호 필름 상에 배치된 압력 민감 접착층, 및 상기 압력 민감 접착층 상에 배치되고, 상기 제1 발광층에 대응하고, 상기 제1 컬러를 갖는 제1 컬러 필터를 포함한다.

Description

표시 패널 및 이의 제조 방법{DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 패널 및 상기 표시 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 발광 표시 장치용 표시 패널 및 상기 표시 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 유기 발광 표시 장치가 주목을 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 통상적으로 레드, 그린, 블루 컬러의 광을 방출하는 유기 발광층들 및 화소 전극들을 포함하여 다양한 색상을 표현할 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치의 화소 전극은 반사 전극으로 광을 반사시키는데, 외부 광이 반사되어 시인성이 저하되는 문제가 있었다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 외부 광에 의한 반사율을 낮춰 시인성이 향상된 표시 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 패널은 제1 스위칭 소자, 상기 제1 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극 상에 배치되고, 상기 제1 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라, 제1 컬러의 광을 방출하는 제1 발광층, 상기 제1 발광층 상에 배치되어 상기 제1 발광층을 보호하는 박형 보호 필름, 상기 박형 보호 필름 상에 배치된 압력 민감 접착층, 및 상기 압력 민감 접착층 상에 배치되고, 상기 제1 발광층에 대응하고, 상기 제1 컬러를 갖는 제1 컬러 필터를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 상기 제1 컬러 필터 상에 배치되는 베이스 층을 더 포함할 수 있다. 상기 베이스 층은 유리, 금속 및 고분자 물질 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 층이 상기 고분자 물질을 포함하는 경우, 상기 고분자 물질은 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethyleneterephthalate; PET), 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리아크릴니트릴(polyacrynitril; PAN), 폴리에틸렌(polyethylene; PE), 및 폴리프로필렌(polypropylene; PP) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 박형 보호 필름은 교대로 적층되는 복수의 유기층들 및 무기층들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 박형 보호 필름의 상기 유기층들은 아크릴레이트(acrylate) 계열의 물질을 포함할 수 있다. 상기 무기층들은 산화물(oxide) 계열의 물질을 포함할 수 있다. 상기 박형 보호 필름은 100도(Celsius degree) 이하의 온도에서 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 전극의 광 반사율은 100%일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 스위칭 소자는 비정질 실리콘 박막을 레이저 어닐링(Laser Annealing) 방법으로 결정화하여 형성한 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 저온 폴리 실리콘은 100도 (Celsius degree) 이하의 공정으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 제2 스위칭 소자, 상기 제2 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제2 화소 전극, 상기 제2 화소 전극 상에 배치되고, 상기 제2 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라, 상기 제1 컬러와 다른 제2 컬러의 광을 방출하는 제2 발광층, 제3 스위칭 소자, 상기 제3 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제3 화소 전극, 상기 제3 화소 전극 상에 배치되고, 상기 제3 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라, 상기 제1 및 제2 컬러들과 다른 제3 컬러의 광을 방출하는 제3 발광층, 상기 압력 민감 접착층 상에 배치되고, 상기 제2 발광층에 대응하고, 상기 제2 컬러를 갖는 제2 컬러 필터, 및 상기 압력 민감 접착층 상에 배치되고, 상기 제3 발광층에 대응하고, 상기 제3 컬러를 갖는 제3 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 컬러는 레드(red), 상기 제2 컬러는 그린(green), 상기 제3 컬러는 블루(blue)이고, 상기 제1 발광층의 높이(H1)는 다음과 같은 조건 “2nR(H1) = mλR 또는 2 nR(H1) = (m+1/2)λR (여기서, nR, λR 는 각각 상기 제1 발광층의 굴절률, 입사되는 적색광의 파장을 나타내며, m은 정수를 의미함)”을 만족하고, 상기 제2 발광층의 높이(H2)는 다음과 같은 조건 “2nG(H2) = mλG 또는 2 nG(H2) = (m+1/2)λG (여기서, nG, λG 는 각각 상기 제2 발광층(162)의 굴절률, 입사되는 녹색광의 파장을 나타내며, m은 정수를 의미함)”을 만족하고, 상기 제3 발광층의 높이(H3)는 다음과 같은 조건 “2nB(H3) = mλB 또는 2 nB(H3) = (m+1/2)λB (여기서, nB, λB 는 각각 상기 제3 발광층(163)의 굴절률, 입사되는 청색광의 파장을 나타내며, m은 정수를 의미함)”을 만족할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들 상에 배치되는 베이스 층을 더 포함할 수 있다. 상기 베이스 층 상에 배치되어 상기 제1 컬러 필터, 상기 제2 컬러 필터 및 상기 제3 컬러 필터를 구획하는 블랙 매트릭스를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 층 하부에 배치되는 하부 보호 필름을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 압력 민감 접착체는 아크릴계 중합체를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 컬러 필터 및 상기 박형 보호 필름 사이에 배치되는 베이스 층, 및 상기 제1 컬러 필터 상에 배치되는 오버 코팅층을 더 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법은 제1 스위칭 소자, 상기 제1 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극 상에 배치되고, 상기 제1 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라 제1 컬러의 광을 방출하는 제1 발광층, 상기 제1 발광층 상에 배치되어 상기 제1 발광층을 보호하는 박형 보호 필름을 포함하는 표시 기판을 형성하는 단계; 베이스 층 상에 상기 제1 컬러를 갖는 제1 컬러 필터를 형성하는 단계 및 상기 제1 컬러 필터 상에 압력 민감 접착층을 형성하는 단계를 포함하는 상부 보호 필름을 형성하는 단계; 및 상기 표시 기판의 상기 박형 보호 필름과 상기 상부 보호 필름의 상기 압력 민감 접착층을 접합하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 기판을 형성하는 단계에서, 상기 스위칭 소자는 비정질 실리콘 박막을 레이저 어닐링(Laser Annealing) 방법으로 결정화하여 형성한 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 컬러 필터를 형성하는 단계는, 상기 베이스 기판 상에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계; 상기 블랙 매트릭스가 형성된 상기 베이스 기판 상에 제1 컬러 레지스트가 도포되는 단계; 상기 제1 컬러 레지스트를 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광하는 단계; 및 상기 제1 컬러 레지스트를 현상하여 상기 제1 컬러 필터를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노광하는 단계 전에 상기 제1 컬러 레지스트를 90 도 내지 110도(Celsius degree)로 열 경화 하는 프리 베이크(pre-bake)단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 컬러 레지스트를 현상하여 상기 제1 컬러 필터를 형성하는 단계 이후에, 상기 제1 컬러 필터를 220도 내지 230도(Celsius degree)로 열 경화 시키는 포스트 베이크(post-bake) 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 기판을 형성하는 단계에서, 상기 박형 보호 필름은 복수의 유기층들 및 무기층들을 교대로 적층하여 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 표시 패널은 발광층들이 발광하는 컬러의 광들과 각각 동일한 컬러를 갖는 컬러 필터들을 포함하므로, 외부광의 화소 전극에서의 반사율을 낮출 수 있다. 따라서 상기 표시 패널의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 컬러 필터들을 포함하는 외부 보호 필름을 상기 발광층들을 포함하는 표시 기판에 압력 민감 접착층을 이용하여 접착하므로, 상기 컬러 필터들을 고온의 공정을 이용하여 형성하더라도, 상기 발광층들의 열에 의한 손상을 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 표시 패널이 플렉서블 디스플레이인 경우에 있어서, 반사율을 낮추기 위해 사용되는 일반적인 편광판을 대체하여 상기 컬러 필터를 사용할 수 있으므로, 상기 표시 패널 전체의 두께를 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 표시 패널의 유연성이 증가할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I’ 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 도 2의 표시 패널의 상부 보호 필름의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 6a 내지 도 6c는 도 3의 표시 패널의 상부 보호 필름의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7a 내지 도 7g는 도 2의 표시 패널의 표시 기판의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 8은 도 2의 표시 패널을 완성하기 위해, 상부 보호 필름 및 하부 보호 필름을 표시 기판에 접합하는 단계를 나타낸 단면도이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I’ 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 패널은 표시 기판(100), 상부 보호 필름(300) 및 하부 보호 필름(200)을 포함한다. 상기 표시 패널은 복수의 단위 화소들을 포함한다. 도면에서는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)을 포함하는 하나의 단위 화소에 대해 설명한다.
상기 표시 기판(100)은 베이스 기판(110), 버퍼층(120), 제1 절연층(130), 제2 절연층(140), 제1 내지 제3 스위칭 소자들(SW1, SW2, SW3), 제3 절연층(150), 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3), 화소 정의막(160), 제 1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163), 공통 전극(CE), 및 박형 보호 필름(thin encapsulation film; 170)을 포함한다.
상기 베이스 기판(110)은 절연 기판을 포함할 수 있다. 또한 상기 베이스 기판(110)은 플렉서블 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(110)은 유리 기판, 석영 기판, 수지 기판 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(120)은 상기 베이스 기판(110) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(120)은 상기 베이스 기판(110)으로부터 불순물 확산을 방지하고, 상기 베이스 기판(110)의 평단도를 향상하며, 균일한 상기 채널층(CH)을 형성할 수 있도록 한다. 상기 버퍼층(120)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(120)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 및/또는 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등을 포함할 수 있다.
상기 채널층(CH)은 상기 버퍼층(120) 상에 배치된다. 상기 채널층(CH)은 LTPS 박막은 비정질 실리콘 박막을 레이저 어닐링(Laser Annealing) 방법으로 결정화한 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 채널층(CH)은 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 이루어진 반도체층 및 n+ 비정질 실리콘(n+ a-Si:H)으로 이루어진 저항성 접촉층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 채널층(CH)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층(130)은 상기 채널층(CH)이 배치된 상기 버퍼층(120) 상에 배치된다. 상기 제1 절연층(130)은 실리콘 산화물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(GE)은 상기 제1 절연층(130) 상에 상기 채널층(CH)과 중첩하여 배치된다. 상기 게이트 전극(GE)은 게이트 라인(GL)과 전기적으로 연결된다. 상기 게이트 전극(GE)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연층(140)은 상기 게이트 전극(GE)이 배치된 상기 제1 절연층(130) 상에 배치된다. 상기 제2 절연층(140)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy)등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 절연층(140)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy) 및/또는 실리콘 탄질화물(SiCxNy)을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 콘택홀(C1)은 상기 제1 및 제2 절연층(130, 140)을 통해 형성되어, 상기 채널층(CH)의 일부를 노출한다. 상기 제2 콘택홀(C2)은 상기 제1 및 제2 절연층(130, 140)을 통해 형성되어, 상기 채널층(CH)의 일부를 노출한다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 상기 제2 절연층(140) 상에 배치된다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 제1 콘택홀(C1)을 통해 상기 채널층(CH)과 전기적으로 연결된다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 제2 콘택홀(C2)을 통해 상기 채널층(CH)과 전기적으로 연결된다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
상기 채널층(CH), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)는 상기 제1 스위칭 소자(SW1)를 구성한다. 상기 제1 스위칭 소자(SW1)는 상기 제1 서브 화소(SP1)에 대응하여 형성된다. 유사하게, 상기 제2 스위칭 소자(SW2)는 상기 제2 서브 화소(SP2)에 대응하여 형성되고, 상기 제3 스위칭 소자(SW3)는 상기 제3 서브 화소(SP3)에 대응하여 형성된다.
상기 제3 절연층(150)은 상기 소스 및 드레인 전극들(SE, DE)이 배치된 상기 제2 절연막(130) 상에 배치된다. 상기 제3 절연층(150)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 절연층(90)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계(siloxane-based) 수지 등을 포함할 수 있다. 또한 상기 제3 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속, 금속 산화물 등의 무기 물질을 포함할 수 있다. 상기 제3 절연층(150)은 단층 구조로 형성될 수 있지만, 적어도 2이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수도 있다.
제3 콘택홀(CH3)은 상기 제3 절연층(150)을 통해 형성되어, 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출한다.
상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)은 상기 제3 절연막(150) 상에 배치된다. 상기 제1 화소 전극(PE1)은 상기 제3 콘택홀(CH3)을 통해 상기 제1 스위칭 소자(SW1)의 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 화소 전극(PE1)은 상기 제1 서브 화소(SP1)에 대응하여 형성된다. 유사하게, 상기 제2 화소 전극(PE2)는 상기 제2 서브 화소(SP2)에 대응하여 형성되고, 상기 제2 스위칭 소자(SW2)에 전기적으로 연결된다. 상기 제3 화소 전극(PE3)은 상기 제3 서브 화소(SP3)에 대응하여 형성되고, 상기 제3 스위칭 소자(SW3)에 전기적으로 연결된다.
상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)은 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)은 바람직하게 약 100%의 반사율을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)은 상기 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 화소 정의막(160)은 상기 제1 내지 제3 화소 전극(PE1, PE2, PE3)이 배치된 상기 제3 절연층(150) 상에 배치된다. 상기 화소 정의막(160)에는 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)을 노출하는 개구들이 형성된다.
상기 화소 정의막(160)은 유기 물질, 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(160)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 각각 상기 화소 정의막(160)의 개구들를 통해 노출되는 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3) 상에 배치된다. 또한, 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 상기 화소 정의막(160)의 상기 개구들의 측벽 상으로 연장될 수 있다. 각각의 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 제1 발광층(161)은 상기 제1 서브 화소(SP1)에 대응하여 형성되며, 제1 컬러의 광을 발생한다. 예를 들면, 상기 제1 발광층(161)은 적색광을 발광할 수 있다. 상기 제2 발광층(162)은 상기 제2 서브 화소(SP2)에 대응하여 형성되며, 상기 제1 컬러와 상이한 제2 컬러의 광을 발생한다. 예를 들면, 상기 제2 발광층(162)은 녹색광을 발광할 수 있다. 상기 제3 발광층(163)은 상기 제3 서브 화소(SP3)에 대응하여 형성되며, 상기 제1 및 제2 컬러들과 상이한 제3 컬러의 광을 발생한다. 예를 들면, 상기 제3 발광층(163)은 청색광을 발광할 수 있다.
상기 공통 전극(CE)이 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)이 배치된 상기 화소 정의막(160) 상에 배치된다. 상기 공통 전극(CE)은 투광성을 갖는 물질 또는 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 공통 전극(CE)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 박형 보호 필름(170)은 상기 공통 전극(CE) 상에 배치된다. 상기 박형 보호 필름(170)은 상기 제1 내지 제3 발광층(161, 162, 163) 등을 보호한다.
상기 박형 보호 필름(170)은 교대로 적층되는 복수의 유기 및 무기층들을 포함한다. 예를 들면, 상기 박형 보호 필름(170)은 순차로 적층되는 제1 유기층(171), 제1 무기층(172), 제2 유기층(173), 제2 무기층(174), 및 제3 유기층(175)를 포함할 수 있다. 상기 제1, 제2 및 제3 유기층들(171, 173, 175)은 아크릴레이트(acrylate) 계열의 물질을 포함하고, 상기 제1 및 제2 무기층들(172, 174)은 산화물(oxide) 계열의 물질을 포함할 수 있다. 상기 박형 보호 필름(170)은 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)에 손상을 주지 않기 위해, 저온 공정에서 제조될 수 있다. 예를 들면, 상기 박형 보호 필름(170)은 100 도(Celsius degree) 이하의 온도에서 제조될 수 있다. 따라서, 상기 박형 보호 필름(170)은 상기 공통 전극(CE) 상에 직접 형성될 수 있다. 상기 박형 보호 필름(170)은 약 1 내지 10㎛(마이크로 미터)의 두께를 가질 수 있다.
상기 하부 보호 필름(200)은 제1 베이스 층(210) 및 제1 압력 민감 접착층(pressure sensitive adhesive; 220)을 포함한다. 상기 하부 보호 필름(200)은 상기 표시 기판(100)의 하부를 보호한다.
상기 제1 베이스 층(210)은 유리, 금속, 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 베이스 층(210)이 고분자 물질을 포함하는 경우, 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethyleneterephthalate; PET), 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리아크릴니트릴(polyacrynitril; PAN), 폴리에틸렌(polyethylene; PE), 폴리프로필렌(polypropylene; PP) 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 베이스층(210)은 바람직하게 75μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다.
상기 제1 압력 민감 접착층(pressure sensitive adhesive; 220)은 상기 제1 베이스층(210) 및 상기 표기 기판(100)의 상기 베이스 기판(110) 사이에 배치된다. 상기 제1 압력 민감 접착층(220)은 상기 하부 보호 필름(200)을 상기 표기 기판(100)의 상기 베이스 기판(110) 상에 접착 시킨다. 상기 제1 압력 민감 접착층(220)은 압력이 가해짐에 따라 접착작용을 할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 압력 민감 접착층(220)은 아크릴계 중합체를 포함할 수 있다. 상기 제1 압력 민감 접착층(220)은 바람직하게 약 25μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다.
상기 상부 보호 필름(300)은 제2 베이스 층(310), 블랙 매트릭스(BM), 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3) 및 제2 압력 민감 접착층(320)을 포함한다. 상기 상부 보호 필름(300)은 상기 표시 기판(100)의 상부를 보호한다.
상기 제2 베이스 층(310)은 유리, 금속, 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 베이스 층(310)이 고분자 물질을 포함하는 경우, 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethyleneterephthalate; PET), 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리아크릴니트릴(polyacrynitril; PAN), 폴리에틸렌(polyethylene; PE), 폴리프로필렌(polypropylene; PP) 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 베이스 층(310)은 바람직하게 100μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다.
상기 제2 베이스층(310) 상에는 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)이 형성되어야 하므로, 상기 제2 베이스 층(310)의 내열 온도는 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)의 제조 공정 온도 보다 높은 약 200도 내지 약 300도(Celsius degree)인 것이 바람직하다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 제1 베이스층(310) 상에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 데이터 라인(DL), 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 스위칭 소자들(SW1, SW2, SW3) 등의 배선과 중첩하고, 광차단 물질을 포함한다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 이웃하는 서브 화소들과의 경계를 정의한다.
상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 상기 블랙 매트릭스(BM)가 배치된 상기 제1 베이스층(310) 상에 배치된다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 각각 제1 내지 제3 서브 화소(SP1, SP2, SP3)들에 대응되게 배치된다. 또한, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 각각 상기 제1 내지 제3 발광층(161, 162, 163)과 대응되게 배치된다. 상기 제1 컬러 필터(CF1)는 상기 제1 발광층(161)의 상기 제1 컬러의 광과 동일한 색을 갖는다. 예를 들면, 상기 제1 발광층(161)이 적색광을 발광하는 경우, 상기 제1 컬러 필터(CF1)는 적색일 수 있다. 상기 제2 컬러 필터(CF2)는 상기 제2 발광층(162)의 상기 제2 컬러의 광과 동일한 색을 갖는다. 예를 들면, 상기 제2 발광층(162)이 녹색광을 발광하는 경우, 상기 제2 컬러 필터(CF2)는 녹색일 수 있다. 상기 제3 컬러 필터(CF3)는 상기 제3 발광층(163)의 상기 제3 컬러의 광과 동일한 색을 갖는다. 예를 들면, 상기 제3 발광층(163)이 청색광을 발광하는 경우, 상기 제3 컬러 필터(CF3)는 청색일 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 당해 기술분야의 일반적인 블랙 매트릭스 및 컬러 필터 제조 공정에 따라 형성될 수 있다. 예를 들면, 액정 표시 장치에 사용되는 블랙 매트릭스 및 컬러 필터의 제조 공정으로, 약 90 내지 110도(Celsius degree)의 프리 베이크(pre-bake) 단계 및 약 220 내지 230도(Celsius degree)의 포스트 베이크(post-bake) 단계를 포함하는 공정이 사용될 수 있다.
상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러필터들(CF1, CF2, CF3) 상에 배치된다. 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 상기 상부 보호 필름(300)을 상기 표기 기판(100)의 상기 박형 보호 필름(170) 상에 접착 시킨다. 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 압력이 가해짐에 따라 접착작용을 할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 아크릴계 중합체를 포함할 수 있다. 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 바람직하게 약 100μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패널은 상부 보호 필름(400)을 제외하고 도 2의 표시 패널과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
상기 표시 패널은 표시 기판(100), 상부 보호 필름(400) 및 하부 보호 필름(400)을 포함한다. 상기 표시 패널은 복수의 단위 화소들을 포함한다. 도면에서는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)을 포함하는 하나의 단위 화소에 대해 설명한다.
상기 표시 기판(100)은 베이스 기판, 버퍼층, 제1 절연층, 제2 절연층, 제1 내지 제3 스위칭 소자들, 제1 내지 제3 화소 전극들, 화소 정의막, 제 1 내지 제3 발광층들, 공통 전극, 및 박형 보호 필름을 포함한다. 상기 하부 보호 필름(200)은 제1 베이스 층(210) 및 제1 압력 민감 접착층(220)을 포함한다. (도 2 참조)
상기 상부 보호 필름(400)은 제2 베이스 층(410), 블랙 매트릭스(BM), 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3), 제2 압력 민감 접착층(420) 및 오버 코팅층(430)을 포함한다. 상기 상부 보호 필름(400)은 상기 표시 기판(100)의 상부를 보호한다.
상기 제2 베이스 층(410)은 유리, 금속, 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 베이스 층(410)이 고분자 물질을 포함하는 경우, 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethyleneterephthalate; PET), 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리아크릴니트릴(polyacrynitril; PAN), 폴리에틸렌(polyethylene; PE), 폴리프로필렌(polypropylene; PP) 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 베이스 층(410)은 바람직하게 100μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다.
상기 제2 베이스층(410) 상에는 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)이 형성되어야 하므로, 상기 제2 베이스 층(410)의 내열 온도는 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)의 제조 공정 온도 보다 높은 약 200도 내지 약 300도(Celsius degree)인 것이 바람직하다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 제1 베이스층(410) 상에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 데이터 라인, 게이트 라인 및 스위칭 소자들등의 배선과 중첩하고(도2 참조), 광차단 물질을 포함한다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 이웃하는 서브 화소들과의 경계를 정의한다.
상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 상기 블랙 매트릭스(BM)가 배치된 상기 제1 베이스층(410) 상에 배치된다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 각각 제1 내지 제3 서브 화소(SP1, SP2, SP3)들에 대응되게 배치된다. 또한, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 각각 제1 내지 제3 발광층(161, 162, 163)과 대응되게 배치된다. 상기 제1 컬러 필터(CF1)는 상기 제1 발광층(161)의 상기 제1 컬러의 광과 동일한 색을 갖는다. 예를 들면, 상기 제1 발광층(161)이 적색광을 발광하는 경우, 상기 제1 컬러 필터(CF1)는 적색일 수 있다. 상기 제2 컬러 필터(CF2)는 상기 제2 발광층(162)의 상기 제2 컬러의 광과 동일한 색을 갖는다. 예를 들면, 상기 제2 발광층(162)이 녹색광을 발광하는 경우, 상기 제2 컬러 필터(CF2)는 녹색일 수 있다. 상기 제3 컬러 필터(CF3)는 상기 제3 발광층(163)의 상기 제3 컬러의 광과 동일한 색을 갖는다. 예를 들면, 상기 제3 발광층(163)이 청색광을 발광하는 경우, 상기 제3 컬러 필터(CF3)는 청색일 수 있다.
상기 제1 내지 제3 컬러 필터(161, 162, 163)는 상기 제1 내지 제3 발광층(161, 162, 163)의 제1 내지 제3 컬러의 광과 각각 동일한 색을 가지므로, 표시 패널 내부를 통과하여 상기 제1 내지 제3 화소 전극(PE1, PE2, PE3)에서 반사되는 외부광의 특정한 파장대의 광만이 상기 컬러 필터를 통과하게 된다. 따라서, 외부광이 상기 제1 내지 제3 화소 전극(PE1, PE2, PE3)에서 반사되어, 표시 품질을 떨어 뜨리는 방지하여, 상기 표시 패널의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 당해 기술분야의 일반적인 블랙 매트릭스 및 컬러 필터 제조 공정에 따라 형성될 수 있다. 예를 들면, 액정 표시 장치에 사용되는 블랙 매트릭스 및 컬러 필터의 제조 공정으로, 약 90 내지 110도(Celsius degree)의 프리 베이크(pre-bake) 단계 및 약 220 내지 230도(Celsius degree)의 포스트 베이크(post-bake) 단계를 포함하는 공정이 사용될 수 있다.
상기 오버 코팅층(430)은 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3) 상에 배치된다. 상기 오버 코팅층(430)은 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 평탄화하면서 보호하는 역할 및 절연하는 역할을 하며 아크릴계 에폭시 재료를 이용하여 형성될 수 있다.
상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 상기 제2 베이스층(410) 하부에 배치된다. 즉, 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 상기 제2 베이스층(410)을 기준으로 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)의 반대방향에 배치된다. 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 상기 상부 보호 필름(400)을 상기 표기 기판(100)의 상기 박형 보호 필름(170) 상에 접착 시킨다. 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 압력이 가해짐에 따라 접착작용을 할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 아크릴계 중합체를 포함할 수 있다. 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 바람직하게 약 100μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 표시 패널은 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163) 및 화소 정의막(160)을 제외하고 도 2의 표시 패널과 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
상기 표시 패널은 표시 기판(100), 상부 보호 필름(400) 및 하부 보호 필름(400)을 포함한다. 상기 표시 패널은 복수의 단위 화소들을 포함한다. 도면에서는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)을 포함하는 하나의 단위 화소에 대해 설명한다.
상기 표시 기판(100)은 베이스 기판(110), 버퍼층(120), 제1 절연층(130), 제2 절연층(140), 제1 내지 제3 스위칭 소자들(SW1, SW2, SW3), 제3 절연층(150), 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3), 화소 정의막(160), 제 1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163), 공통 전극(CE), 및 박형 보호 필름(thin encapsulation film; 170)을 포함한다.
상기 화소 정의막(160)은 상기 제1 내지 제3 화소 전극(PE1, PE2, PE3)이 배치된 상기 제3 절연층(150) 상에 배치된다. 상기 화소 정의막(160)에는 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)을 노출하는 개구들이 형성된다.
상기 화소 정의막(160)은 상기 제1 내지 제3 화소 전극(PE1, PE2, PE3)이 배치된 상기 제3 절연층(150) 상에 배치된다. 상기 화소 정의막(160)에는 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)을 노출하는 개구들이 형성된다. 상기 화소 정의막(160)의 높이는 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)의 높이에 따라 각각의 서브 화소들 마다 다르게 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(160)은 유기 물질, 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(160)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 각각 상기 화소 정의막(160)의 개구들를 통해 노출되는 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3) 상에 배치된다. 또한, 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 상기 화소 정의막(160)의 상기 개구들의 측벽 상으로 연장될 수 있다. 각각의 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 제1 발광층(161)은 상기 제1 서브 화소(SP1)에 대응하여 형성되며, 제1 컬러의 광을 발생한다. 예를 들면, 상기 제1 발광층(161)은 적색광을 발광할 수 있다. 상기 제2 발광층(162)은 상기 제2 서브 화소(SP2)에 대응하여 형성되며, 상기 제1 컬러와 상이한 제2 컬러의 광을 발생한다. 예를 들면, 상기 제2 발광층(162)은 녹색광을 발광할 수 있다. 상기 제3 발광층(163)은 상기 제3 서브 화소(SP3)에 대응하여 형성되며, 상기 제1 및 제2 컬러들과 상이한 제3 컬러의 광을 발생한다. 예를 들면, 상기 제3 발광층(163)은 청색광을 발광할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 서로 다른 높이를 가질 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 각각 적절한 높이를 갖으며, 외부 광에 의한 반사를 최소화 하기 위해, 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)과 상기 공통 전극(CE)에서의 상기 외부 광의 반사에 의한 상쇄간섭이 이용될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 색파장 및 굴절률에 의존하는 두께를 가진다.
예를 들면, 상기 제1 발광층(161)이 적색광을 발광하고, 상기 제2 발광층(162)이 녹색광을 발광하고, 상기 제3 발광층(163)이 청색광을 발광할 수 있다. 이때, 외부 광은 상기 공통 전극(CE)의 반투과성(semi-transparent property)으로 인해 그 일부가 상기 공통 전극(CE)에서 반사되어 나가고, 다른 일부는 상기 공통 전극(CE)을 투과하게 된다. 상기 공통 전극(CE)을 투과하는 상기 외부광의 적색광은 상기 제1 발광층(161)을 통과하여 상기 제1 화소 전극(PE1)에서 반사된 후, 상기 제1 발광층(161) 및 상기 공통 전극(CE)을 투과하여 나가게 된다. 여기서, 상기 제1 화소 전극(PE1)에서 반사되어 나가는 상기 외부광의 적색광과 상기 공통 전극(CE)을 투과한 다음 상기 제1 화소 전극(PE1)에서 반사되어 나가는 상기 외부광의 적색광이 상쇄 간섭을 일으키게 되면, 외부로부터 입사된 적색광의 반사율을 줄일 수 있게 된다.
상기 제1 발광층(161)의 높이(H1)가 다음과 같은 조건,
2nR(H1) = mλR 또는 2 nR(H1) = (m+1/2)λR
(여기서, nR, λR 는 각각 상기 제1 발광층(161)의 굴절률, 입사되는 적색광의 파장을 나타내며, m은 정수를 의미함)
을 만족하게 되면 상기 공통 전극(CE)에서 반사되어 나가는 적색광과 상기 공통 전극(CE)을 투과한 다음 상기 제1 화소 전극(PE1)에서 반사되어 나가는 적색광이 상쇄 간섭을 일으킬 수 있다. 이에 따라, 외부로부터 입사되는 적색광의 반사율을 줄일 수 있다.
유사하게 상기 제2 발광층(162)의 높이(H2)가 다음과 같은 조건,
2nG(H2) = mλG 또는 2 nG(H2) = (m+1/2)λG
(여기서, nG, λG 는 각각 상기 제2 발광층(162)의 굴절률, 입사되는 녹색광의 파장을 나타내며, m은 정수를 의미함)
또한, 유사하게 상기 제3 발광층(163)의 높이(H3)가 다음과 같은 조건,
2nB(H3) = mλB 또는 2 nB(H3) = (m+1/2)λB
(여기서, nB, λB 는 각각 상기 제3 발광층(163)의 굴절률, 입사되는 청색광의 파장을 나타내며, m은 정수를 의미함)
도 5a 내지 도 5c는 도 2의 표시 패널의 상부 보호 필름의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 상기 상부 보호 필름의 제조 방법은 블랙 매트릭스(BM)를 형성하는 단계, 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 형성하는 단계, 및 제2 압력 민감 접착층(320)을 형성하는 단계를 포함한다.
도 5a를 참조하면, 상기 블랙 매트릭스(BM)를 형성하는 단계에서는, 제2 베이스층(310) 상에 블랙 매트릭스(BM)를 형성한다.
상기 제2 베이스층(310) 상에 광 차단 물질을 스퍼터링 방식으로 도포하고, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광(exposure) 후, 현상(develop)하여 상기 블랙 매트릭스(BM)를 형성한다. 상기 제2 베이스 층(310)은 유리, 금속, 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 베이스 층(310)이 고분자 물질을 포함하는 경우, 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethyleneterephthalate; PET), 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리아크릴니트릴(polyacrynitril; PAN), 폴리에틸렌(polyethylene; PE), 폴리프로필렌(polypropylene; PP) 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 베이스 층(310)은 바람직하게 100μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다. 상기 광 차단 물질은 크롬(Cr) 등의 금속, 탄소계의 유기 재료 등을 포함할 수 있다.
도 5b를 참조하면, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 형성하는 단계에서는, 상기 블랙 매트릭스(BM)가 형성된 상기 제2 베이스층(310) 상에 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 형성한다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 각각 제1 내지 제3 서브 화소(도 5c의 SP1 내지 SP3 참조)에 대응하여 형성되고, 이웃하는 컬러 필터와 상기 블랙 매트릭스(BM) 상에서 일부 중첩될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 순차적으로 형성될 수 있다.
상기 제1 컬러 필터(CF1)를 형성하는 단계는 제1 컬러 레지스트가 상기 블랙 매트릭스(BM)가 형성된 상기 제2 베이스층(310) 상에 도포되는 단계, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 상기 제1 컬러 레지스트를 현상하여 제1 컬러 필터(CF1)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이때, 상기 노광하는 단계 전에 진공 건조 단계 및/또는 프리 베이크(pre-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 프리 베이크 단계에서는 상기 제1 컬러 레지스트를 약 90 도 내지 약 110도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다. 또한, 상기 현상하는 단계 이 후에 상기 제1 컬러 필터(CF1)을 열 경화 시키는 포스트 베이크(post-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 포스트 베이크 단계에서는 상기 제1 컬러 필터(CF1)를 약 220 내지 약 230 도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다.
상기 제2 컬러 필터(CF2)를 형성하는 단계는 제2 컬러 레지스트가 상기 제1 컬러 필터(CF1)가 형성된 상기 제2 베이스층(310) 상에 도포되는 단계, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 상기 제2 컬러 레지스트를 현상하여 제2 컬러 필터(CF2)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이때, 상기 노광하는 단계 전에 진공 건조 단계 및/또는 프리 베이크(pre-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 프리 베이크 단계에서는 상기 제2 컬러 레지스트를 약 90 도 내지 약 110도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다. 또한, 상기 현상하는 단계 이 후에 상기 제2 컬러 필터(CF2)을 열 경화 시키는 포스트 베이크(post-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 포스트 베이크 단계에서는 상기 제2 컬러 필터(CF2)를 약 220 내지 약 230 도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다.
상기 제3 컬러 필터(CF3)를 형성하는 단계는 제3 컬러 레지스트가 상기 제1 및 제2 컬러 필터들(CF1, CF2)이 형성된 상기 제2 베이스층(310) 상에 도포되는 단계, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 상기 제3 컬러 레지스트를 현상하여 제3 컬러 필터(CF3)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이때, 상기 노광하는 단계 전에 진공 건조 단계 및/또는 프리 베이크(pre-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 프리 베이크 단계에서는 상기 제3 컬러 레지스트를 약 90 도 내지 약 110도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다. 또한, 상기 현상하는 단계 이 후에 상기 제3 컬러 필터(CF3)을 열 경화 시키는 포스트 베이크(post-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 포스트 베이크 단계에서는 상기 제3 컬러 필터(CF3)를 약 220 내지 약 230 도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다.
한편, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 잉크젯 방식으로 형성될 수 있다.
도 5c를 참조하면, 상기 제2 압력 민감 접착층(320)을 형성하는 단계에서는 상기 제1 내지 제3 컬러필터(CF1, CF2, CF3) 및 상기 블랙 매트릭스(BM) 상에 제2 압력 민감 접착층(320)을 형성한다. 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 별도의 접착 테이프를 상기 제1 내지 제3 컬러필터(CF1, CF2, CF3) 및 상기 블랙 매트릭스(BM) 상에 접착시켜 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 아크릴계 중합체를 포함하는 테이프(tape)일 수 있다. 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 바람직하게 약 100μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다.
도 6a 내지 도 6c는 도 3의 표시 패널의 상부 보호 필름의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 상기 상부 보호 필름의 제조 방법은 오버 코팅층(430)을 형성하는 단계 및 제2 압력 민감 접착층(420)을 형성하는 단계를 제외하고, 도 5a 내지 도 5c의 상부 보호 필름의 제조 방법과 동일하므로, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
상기 상부 보호 필름의 제조 방법은 블랙 매트릭스(BM)를 형성하는 단계, 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 형성하는 단계, 오버 코팅층(430)을 형성하는 단계 및 제2 압력 민감 접착층(420)을 형성하는 단계를 포함한다.
도 6a를 참조하면, 상기 블랙 매트릭스(BM)를 형성하는 단계에서는, 제2 베이스층(310) 상에 블랙 매트릭스(BM)를 형성한다. 상기 제2 베이스층(410) 상에 광 차단 물질을 스퍼터링 방식으로 도포하고, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광(exposure) 후, 현상(develop)하여 상기 블랙 매트릭스(BM)를 형성한다.
도 6a를 다시 참조하면, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 형성하는 단계에서는, 상기 블랙 매트릭스(BM)가 형성된 상기 제2 베이스층(410) 상에 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 형성한다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 각각 제1 내지 제3 서브 화소(도 6c의 SP1 내지 SP3 참조)에 대응하여 형성되고, 이웃하는 컬러 필터와 상기 블랙 매트릭스(BM) 상에서 일부 중첩될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 순차적으로 형성될 수 있다.
상기 제1 컬러 필터(CF1)를 형성하는 단계는 제1 컬러 레지스트가 상기 블랙 매트릭스(BM)가 형성된 상기 제2 베이스층(410) 상에 도포되는 단계, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 상기 제1 컬러 레지스트를 현상하여 제1 컬러 필터(CF1)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이때, 상기 노광하는 단계 전에 진공 건조 단계 및/또는 프리 베이크(pre-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 프리 베이크 단계에서는 상기 제1 컬러 레지스트를 약 90 도 내지 약 110도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다. 또한, 상기 현상하는 단계 이 후에 상기 제1 컬러 필터(CF1)을 열 경화 시키는 포스트 베이크(post-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 포스트 베이크 단계에서는 상기 제1 컬러 필터(CF1)를 약 220 내지 약 230 도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다.
상기 제2 컬러 필터(CF2)를 형성하는 단계는 제2 컬러 레지스트가 상기 제1 컬러 필터(CF1)가 형성된 상기 제2 베이스층(410) 상에 도포되는 단계, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 상기 제2 컬러 레지스트를 현상하여 제2 컬러 필터(CF2)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이때, 상기 노광하는 단계 전에 진공 건조 단계 및/또는 프리 베이크(pre-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 프리 베이크 단계에서는 상기 제2 컬러 레지스트를 약 90 도 내지 약 110도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다. 또한, 상기 현상하는 단계 이 후에 상기 제2 컬러 필터(CF2)을 열 경화 시키는 포스트 베이크(post-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 포스트 베이크 단계에서는 상기 제2 컬러 필터(CF2)를 약 220 내지 약 230 도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다.
상기 제3 컬러 필터(CF3)를 형성하는 단계는 제3 컬러 레지스트가 상기 제1 및 제2 컬러 필터들(CF1, CF2)이 형성된 상기 제2 베이스층(410) 상에 도포되는 단계, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 상기 제3 컬러 레지스트를 현상하여 제3 컬러 필터(CF3)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이때, 상기 노광하는 단계 전에 진공 건조 단계 및/또는 프리 베이크(pre-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 프리 베이크 단계에서는 상기 제3 컬러 레지스트를 약 90 도 내지 약 110도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다. 또한, 상기 현상하는 단계 이 후에 상기 제3 컬러 필터(CF3)을 열 경화 시키는 포스트 베이크(post-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 포스트 베이크 단계에서는 상기 제3 컬러 필터(CF3)를 약 220 내지 약 230 도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다.
한편, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 잉크젯 방식으로 형성될 수 있다.
도 6b를 참조하면, 상기 오버 코팅층(430)을 형성하는 단계에서는, 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3) 상에 오버 코팅층(430)을 형성한다. 상기 오버 코팅층(430)은 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 평탄화하면서 보호하는 역할 및 절연하는 역할을 하며, 아크릴계 에폭시 재료를 이용하여 형성될 수 있다.
도 6c를 참조하면, 제2 압력 민감 접착층(420)을 형성하는 단계에서는, 상기 제2 베이스층(410) 하부에 제2 압력 민감 접착층(320)을 형성한다. 즉, 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 상기 제2 베이스층(410)을 기준으로 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)의 반대방향에 형성된다. 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 별도의 접착 테이프를 상기 제2 베이스층(410) 상에 접착시켜 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 아크릴계 중합체를 포함하는 테이프(tape)일 수 있다. 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 바람직하게 약 100μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다.
도 7a 내지 도 7g는 도 2의 표시 패널의 표시 기판의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 도면에서는 하나의 서브 화소에 대해서 설명한다.
도 7a를 참조하면, 베이스 기판(110) 상에 버퍼층(120)을 형성한다. 상기 버퍼층(120)은 스핀 코팅(spin coating) 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정, 프린팅(printing) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(120) 상에 채널층(CH)이 형성된다. 상기 버퍼층(120) 상에 반도체층을 형성한 후, 상기 반도체층을 패터닝 하여 상기 채널층(CH)을 형성한다. 상기 채널층(CH)은 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 저압 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 채널층(CH)은 비정질 실리콘 박막을 레이저 어닐링(Laser Annealing) 방법으로 결정화하여 형성한 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon)일 수 있다.
도 7b를 참조하면, 상기 채널층(CH)이 형성된 상기 버퍼층(120) 상에 제1 절연층(130)을 형성한다. 상기 제1 절연층(130)은 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 형성할 수 있다.
도 7c를 참조하면, 상기 제1 절연층(130) 상에 상기 채널층(CH)과 중첩하는 게이트 전극(GE)을 형성한다. 상기 제1 절연층(130) 상에 도전막을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 도전막을 패터닝하여 상기 게이트 전극(GE)을 형성할 수 있다.
상기 게이트 전극(GE)이 형성된 상기 제1 절연층(130) 상에 제2 절연층(140)을 형성한다. 상기 제2 절연층(140)은 스핀 코팅 공정, 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
도 7d를 참조하면, 상기 채널층(CH)의 일부를 노출하는 제1 및 제2 콘택홀들(도 1의 C1, C2 참조)이 상기 제1 및 제2 절연층(130, 140)을 통해 형성된다. 상기 제1 및 제2 콘택홀은 사진 식각 공정이나 추가적인 마스크를 사용하는 식각 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 콘택홀들이 형성된 상기 제2 절연층(140) 상에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 형성된다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 제1 콘택홀(C1)을 통해 상기 채널층(CH)과 전기적으로 연결된다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 제2 콘택홀(C2)을 통해 상기 채널층(CH)과 전기적으로 연결된다. 상기 제2 절연층(140) 상에 도전막을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 도전막을 패터닝하여 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 형성할 수 있다.
상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 형성된 상기 제2 절연층(140) 상에 제3 절연층(150)을 형성한다. 상기 제3 절연층(150)은 구성 물질에 따라, 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
도 7e를 참조하면, 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 제3 콘택홀(도 1의 C3 참조)상기 제3 절연층(150)을 관통하여 형성된다. 상기 제3 콘택홀은 사진 식각 공정이나 추가적인 마스크를 사용하는 식각 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 제3 콘택홀이 형성된 상기 제3 절연층(150) 상에 제1 화소 전극(161)을 형성한다. 상기 제1 화소 전극(PE1)은 상기 제3 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 화소 전극(PE1)은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 진공 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 제1 화소 전극(PE1)이 형성된 상기 제3 절연층(150) 상에는 화소 정의막(160)이 형성될 수 있다. 상기 화소 정의막(160)은 스핀 코팅 공정, 스프레이 공정, 프린팅 공정, 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
도 7f를 참조하면, 상기 화소 정의막(160)에 의해 구획되는 상기 제1 화소 전극(PE1) 상에는 제1 발광층(161)이 형성된다. 상기 제1 발광층(161)은 레이저 전사 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(160) 및 상기 제1 화소 전극(PE1) 상에 공통 전극(CE)이 형성된다. 상기 공통 전극(CE)은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 진공 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
도 7g를 참조하면, 상기 공통 전극(CE) 상에 박형 보호 필름(170)이 형성된다. 상기 박형 보호 필름(170)은 복수의 유기 및 무기층들 교대로 적층하여 형성한다. 상기 박형 보호 필름(170)은 약 100도(Celsius degree) 이하의 저온 공정에서 형성될 수 있다. 이러한 저온 공정에 의해 상기 박형 보호막(170)은 상기 제1 발광층(161)의 손상없이 상기 공통 전극(CE) 상에 직접 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 박형 보호 필름(170)은 순차로 적층되는 제1 유기층(171), 제1 무기층(172), 제2 유기층(173), 제2 무기층(174), 및 제3 유기층(175)를 포함할 수 있다. 상기 제1 유기층(171)이 상기 공통 전극(CE) 상에 형성되고, 상기 제1 무기층(172)이 상기 제1 유기층(171) 상에 형성된다. 상기 제2 유기층(173)이 상기 제1 무기층(172) 상에 형성되고, 상기 제2 무기층(174)이 상기 제2 유기층(173) 상에 형성된다. 상기 제3 유기층(175)이 상기 제2 무기층(174) 상에 형성된다.
도 8은 도 2의 표시 패널을 완성하기 위해, 상부 보호 필름 및 하부 보호 필름을 표시 기판에 접합하는 단계를 나타낸 단면도이다.
표시 기판(100)을 완성하고, 상부 보호 필름(300) 및 하부 보호 필름(200)을 별도의 공정으로 완성할 수 있다. 이후, 상기 표시 기판(100)의 베이스 기판(110) 상에 상기 하부 보호 필름(200)의 제1 압력 민감 접착층(220)을 압력하여 접착시키고, 상기 표시 기판(100)의 박형 보호 필름(170) 상에 상기 상부 보호 필름(300)의 제2 압력 민감 접착층(320)을 압력하여 접착시켜, 상기 표시 패널을 완성할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 표시 패널은 발광층들이 발광하는 컬러의 광들과 각각 동일한 컬러를 갖는 컬러 필터들을 포함하므로, 외부광의 화소 전극에서의 반사율을 낮출 수 있다. 따라서 상기 표시 패널의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 컬러 필터들을 포함하는 외부 보호 필름을 상기 발광층들을 포함하는 표시 기판에 압력 민감 접착층을 이용하여 접착하므로, 상기 컬러 필터들을 고온의 공정을 이용하여 형성하더라도, 상기 발광층들의 열에 의한 손상을 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 표시 패널이 플렉서블 디스플레이인 경우에 있어서, 반사율을 낮추기 위해 사용되는 일반적인 편광판을 대체하여 상기 컬러 필터를 사용할 수 있으므로, 상기 표시 패널 전체의 두께를 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 표시 패널의 유연성이 증가할 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 표시 패널 110: 베이스 기판
120: 버퍼층 130: 제1 절연층
140: 제2 절연층 150: 제3 절연층
160: 화소 정의막 161: 제1 발광층
162: 제2 발광층 163: 제3 발광층
170: 박형 보호 필름 200: 하부 보호 필름
210: 제1 베이스 층 220: 제1 압력 민감 접착층
300: 상부 보호 필름 310: 제2 베이스 층
320: 제2 압력 민감 첩착층 BM: 블랙 매트릭스
CF1, CF2, CF3: 제1-3 컬러필터
PE1, PE2, PE3: 제1-3 화소 전극들
SW1, SW2, SW3: 제 1-3 스위칭 소자

Claims (20)

  1. 제1 스위칭 소자;
    상기 제1 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제1 화소 전극;
    상기 제1 화소 전극 상에 배치되고, 상기 제1 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라, 제1 컬러의 광을 방출하는 제1 발광층;
    상기 제1 발광층 상에 배치되어 상기 제1 발광층을 보호하는 박형 보호 필름;
    상기 박형 보호 필름 상에 배치된 압력 민감 접착층; 및
    상기 압력 민감 접착층 상에 배치되고, 상기 제1 발광층에 대응하고, 상기 제1 컬러를 갖는 제1 컬러 필터를 포함하는 표시 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 컬러 필터 상에 배치되는 베이스 층을 더 포함하고, 상기 베이스 층은 유리, 금속 및 고분자 물질 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 베이스 층이 상기 고분자 물질을 포함하는 경우, 상기 고분자 물질은 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethyleneterephthalate; PET), 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리아크릴니트릴(polyacrynitril; PAN), 폴리에틸렌(polyethylene; PE), 및 폴리프로필렌(polypropylene; PP) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 박형 보호 필름은 교대로 적층되는 복수의 유기층들 및 무기층들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 박형 보호 필름의 상기 유기층들은 아크릴레이트(acrylate) 계열의 물질을 포함하고, 상기 무기층들은 산화물(oxide) 계열의 물질을 포함하고, 상기 박형 보호 필름은 100도(Celsius degree) 이하의 온도에서 형성된 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극의 광 반사율은 100%인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭 소자는 비정질 실리콘 박막을 레이저 어닐링(Laser Annealing) 방법으로 결정화하여 형성한 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  8. 제7항에 있어서, 상기 저온 폴리 실리콘은 100도 (Celsius degree) 이하의 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  9. 제1항에 있어서,
    제2 스위칭 소자;
    상기 제2 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제2 화소 전극;
    상기 제2 화소 전극 상에 배치되고, 상기 제2 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라, 상기 제1 컬러와 다른 제2 컬러의 광을 방출하는 제2 발광층;
    제3 스위칭 소자;
    상기 제3 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제3 화소 전극;
    상기 제3 화소 전극 상에 배치되고, 상기 제3 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라, 상기 제1 및 제2 컬러들과 다른 제3 컬러의 광을 방출하는 제3 발광층;
    상기 압력 민감 접착층 상에 배치되고, 상기 제2 발광층에 대응하고, 상기 제2 컬러를 갖는 제2 컬러 필터; 및
    상기 압력 민감 접착층 상에 배치되고, 상기 제3 발광층에 대응하고, 상기 제3 컬러를 갖는 제3 컬러 필터를 더 포함하는 표시 패널.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 컬러는 레드(red), 상기 제2 컬러는 그린(green), 상기 제3 컬러는 블루(blue)이고,
    상기 제1 발광층의 높이(H1)는 다음과 같은 조건
    “2nR(H1) = mλR 또는 2 nR(H1) = (m+1/2)λR
    (여기서, nR, λR 는 각각 상기 제1 발광층의 굴절률, 입사되는 적색광의 파장을 나타내며, m은 정수를 의미함)”을 만족하고,
    상기 제2 발광층의 높이(H2)는 다음과 같은 조건
    “2nG(H2) = mλG 또는 2 nG(H2) = (m+1/2)λG
    (여기서, nG, λG 는 각각 상기 제2 발광층(162)의 굴절률, 입사되는 녹색광의 파장을 나타내며, m은 정수를 의미함)”을 만족하고,
    상기 제3 발광층의 높이(H3)는 다음과 같은 조건
    “2nB(H3) = mλB 또는 2 nB(H3) = (m+1/2)λB
    (여기서, nB, λB 는 각각 상기 제3 발광층(163)의 굴절률, 입사되는 청색광의 파장을 나타내며, m은 정수를 의미함)”을 만족하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 컬러 필터들 상에 배치되는 베이스 층을 더 포함하고, 상기 베이스 층 상에 배치되어 상기 제1 컬러 필터, 상기 제2 컬러 필터 및 상기 제3 컬러 필터를 구획하는 블랙 매트릭스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널
  12. 제11항에 있어서,
    상기 베이스 층 하부에 배치되는 하부 보호 필름을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 압력 민감 접착체는 아크릴계 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1 컬러 필터 및 상기 박형 보호 필름 사이에 배치되는 베이스 층; 및
    상기 제1 컬러 필터 상에 배치되는 오버 코팅층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  15. 제1 스위칭 소자, 상기 제1 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극 상에 배치되고, 상기 제1 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라 제1 컬러의 광을 방출하는 제1 발광층, 상기 제1 발광층 상에 배치되어 상기 제1 발광층을 보호하는 박형 보호 필름을 포함하는 표시 기판을 형성하는 단계;
    베이스 층 상에 상기 제1 컬러를 갖는 제1 컬러 필터를 형성하는 단계 및 상기 제1 컬러 필터 상에 압력 민감 접착층을 형성하는 단계를 포함하는 상부 보호 필름을 형성하는 단계; 및
    상기 표시 기판의 상기 박형 보호 필름과 상기 상부 보호 필름의 상기 압력 민감 접착층을 접합하는 단계를 포함하는 표시 패널의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 표시 기판을 형성하는 단계에서, 상기 스위칭 소자는 비정질 실리콘 박막을 레이저 어닐링(Laser Annealing) 방법으로 결정화하여 형성한 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 컬러 필터를 형성하는 단계는,
    상기 베이스 기판 상에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계;
    상기 블랙 매트릭스가 형성된 상기 베이스 기판 상에 제1 컬러 레지스트가 도포되는 단계;
    상기 제1 컬러 레지스트를 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광하는 단계; 및
    상기 제1 컬러 레지스트를 현상하여 상기 제1 컬러 필터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 노광하는 단계 전에 상기 제1 컬러 레지스트를 90 도 내지 110도(Celsius degree)로 열 경화 하는 프리 베이크(pre-bake)단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제1 컬러 레지스트를 현상하여 상기 제1 컬러 필터를 형성하는 단계 이후에, 상기 제1 컬러 필터를 220도 내지 230도(Celsius degree)로 열 경화 시키는 포스트 베이크(post-bake) 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  20. 제15항에 있어서, 상기 표시 기판을 형성하는 단계에서, 상기 박형 보호 필름은 복수의 유기층들 및 무기층들을 교대로 적층하여 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
KR1020130093599A 2013-08-07 2013-08-07 표시 패널 및 이의 제조 방법 KR102092842B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130093599A KR102092842B1 (ko) 2013-08-07 2013-08-07 표시 패널 및 이의 제조 방법
US14/159,114 US9082668B2 (en) 2013-08-07 2014-01-20 Display panel and method of manufacturing the same
CN202110190257.8A CN112993000A (zh) 2013-08-07 2014-04-23 显示面板及其制造方法
CN201410165737.9A CN104347670B (zh) 2013-08-07 2014-04-23 显示面板及其制造方法
JP2014095629A JP6729993B2 (ja) 2013-08-07 2014-05-07 表示パネル及びその製造方法
JP2020114605A JP7153044B2 (ja) 2013-08-07 2020-07-02 表示パネル及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130093599A KR102092842B1 (ko) 2013-08-07 2013-08-07 표시 패널 및 이의 제조 방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200033192A Division KR102158365B1 (ko) 2020-03-18 2020-03-18 표시 패널 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150017540A true KR20150017540A (ko) 2015-02-17
KR102092842B1 KR102092842B1 (ko) 2020-04-16

Family

ID=52447874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130093599A KR102092842B1 (ko) 2013-08-07 2013-08-07 표시 패널 및 이의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9082668B2 (ko)
JP (2) JP6729993B2 (ko)
KR (1) KR102092842B1 (ko)
CN (2) CN112993000A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170113822A (ko) * 2016-03-25 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR20180027706A (ko) * 2016-09-06 2018-03-15 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200051883A (ko) * 2018-11-05 2020-05-14 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015069700A (ja) * 2013-09-26 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102142481B1 (ko) * 2013-12-30 2020-08-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
JP2016081562A (ja) * 2014-10-09 2016-05-16 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
JP2016119185A (ja) * 2014-12-19 2016-06-30 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置
KR102442415B1 (ko) 2015-04-28 2022-09-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US20160322603A1 (en) * 2015-04-30 2016-11-03 EverDisplay Optonics (Shanghai) Limited Display structure and manufacturing method of display device
JP6685675B2 (ja) 2015-09-07 2020-04-22 株式会社Joled 有機el素子、それを用いた有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法
CN105136378B (zh) * 2015-09-24 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置
KR102467806B1 (ko) * 2015-10-23 2022-11-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN106783910A (zh) * 2015-11-23 2017-05-31 上海和辉光电有限公司 柔性oled显示面板阳极制备方法及显示面板制备方法
JP6486848B2 (ja) * 2016-02-25 2019-03-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置およびその製造方法
JP2017152257A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102503845B1 (ko) * 2016-04-20 2023-02-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광소자 및 이를 포함하는 유기발광 표시패널
CN105957878A (zh) * 2016-07-08 2016-09-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN107634149A (zh) * 2017-09-14 2018-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其制备方法
CN107561763A (zh) * 2017-09-29 2018-01-09 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
KR102510569B1 (ko) * 2017-10-27 2023-03-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10304885B1 (en) * 2017-11-15 2019-05-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Color filter uniformity for image sensor devices
KR102522591B1 (ko) 2018-02-05 2023-04-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN108766980B (zh) * 2018-05-28 2021-02-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN108807490B (zh) * 2018-06-29 2021-06-01 武汉天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
CN111986621B (zh) * 2020-08-06 2022-12-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN113140575B (zh) * 2021-04-19 2024-04-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN114203779B (zh) * 2021-12-03 2023-06-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及电子设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001024197A (ja) * 1999-07-05 2001-01-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
JP2003243153A (ja) * 2002-02-20 2003-08-29 Fuji Electric Co Ltd 有機elディスプレイ
JP2007157732A (ja) * 2007-01-29 2007-06-21 Sony Corp 発光素子およびこれを用いた表示装置
JP2009037812A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機el装置およびその製造方法
KR20120127285A (ko) * 2011-05-13 2012-11-21 닛토덴코 가부시키가이샤 유기 el 소자의 제조 방법, 그의 제조 장치 및 유기 el 소자
WO2012164612A1 (ja) * 2011-05-31 2012-12-06 パナソニック株式会社 接合体の製造方法及び接合体
JP2013127611A (ja) * 2011-11-14 2013-06-27 Dic Corp カラーレジスト組成物、カラーフィルター、液晶表示装置および有機el表示装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6552488B1 (en) 1999-08-24 2003-04-22 Agilent Technologies, Inc. Organic electroluminescent device
TW516244B (en) * 1999-09-17 2003-01-01 Semiconductor Energy Lab EL display device and method for manufacturing the same
JP2003234186A (ja) * 2001-12-06 2003-08-22 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
US6911772B2 (en) * 2002-06-12 2005-06-28 Eastman Kodak Company Oled display having color filters for improving contrast
JP3501155B1 (ja) 2002-07-03 2004-03-02 富士電機ホールディングス株式会社 有機elディスプレイおよびその製造方法
JP2004349107A (ja) 2003-05-22 2004-12-09 Toppoly Optoelectronics Corp フルカラー有機電界発光ディスプレイの構造
JP2008226859A (ja) * 2004-10-22 2008-09-25 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2006269382A (ja) 2005-03-25 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd エレクトロルミネセンス表示素子
JP2006339028A (ja) 2005-06-02 2006-12-14 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
KR20070014281A (ko) * 2005-07-28 2007-02-01 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR20070019147A (ko) 2005-08-11 2007-02-15 손상호 일체형 유기발광디스플레이 윈도우용 다기능성 고분자 수지필름 및 그 제조방법
JP2009048834A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器
KR100994121B1 (ko) 2009-03-11 2010-11-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2011040244A (ja) * 2009-08-10 2011-02-24 Sony Corp 発光素子
JP5423325B2 (ja) * 2009-11-10 2014-02-19 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法
TWI589042B (zh) * 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置,撓性發光裝置,電子裝置,照明設備,以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法
KR101697611B1 (ko) 2010-10-18 2017-01-18 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
KR101739384B1 (ko) 2010-12-24 2017-05-25 엘지디스플레이 주식회사 화이트 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법
KR102109009B1 (ko) * 2011-02-25 2020-05-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
JP2012190612A (ja) * 2011-03-09 2012-10-04 Sekisui Chem Co Ltd 有機光デバイスの製造方法
JP2012238555A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Nitto Denko Corp 有機el素子の製造方法、その製造装置及び有機el素子
JP5982745B2 (ja) 2011-07-08 2016-08-31 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
WO2013062059A1 (ja) * 2011-10-26 2013-05-02 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用カラーフィルタおよび有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US8921872B2 (en) * 2011-12-09 2014-12-30 Sony Corporation Display unit and method of manufacturing the same, electronic apparatus, illumination unit, and light-emitting device and method of manufacturing the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001024197A (ja) * 1999-07-05 2001-01-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
JP2003243153A (ja) * 2002-02-20 2003-08-29 Fuji Electric Co Ltd 有機elディスプレイ
JP2007157732A (ja) * 2007-01-29 2007-06-21 Sony Corp 発光素子およびこれを用いた表示装置
JP2009037812A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機el装置およびその製造方法
KR20120127285A (ko) * 2011-05-13 2012-11-21 닛토덴코 가부시키가이샤 유기 el 소자의 제조 방법, 그의 제조 장치 및 유기 el 소자
WO2012164612A1 (ja) * 2011-05-31 2012-12-06 パナソニック株式会社 接合体の製造方法及び接合体
JP2013127611A (ja) * 2011-11-14 2013-06-27 Dic Corp カラーレジスト組成物、カラーフィルター、液晶表示装置および有機el表示装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170113822A (ko) * 2016-03-25 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR20220141272A (ko) * 2016-03-25 2022-10-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
US11744132B2 (en) 2016-03-25 2023-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
KR20180027706A (ko) * 2016-09-06 2018-03-15 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200051883A (ko) * 2018-11-05 2020-05-14 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN112993000A (zh) 2021-06-18
JP6729993B2 (ja) 2020-07-29
KR102092842B1 (ko) 2020-04-16
CN104347670B (zh) 2021-03-09
JP2015035415A (ja) 2015-02-19
US20150041813A1 (en) 2015-02-12
JP2020170717A (ja) 2020-10-15
CN104347670A (zh) 2015-02-11
US9082668B2 (en) 2015-07-14
JP7153044B2 (ja) 2022-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7153044B2 (ja) 表示パネル及びその製造方法
US11723230B2 (en) Display panel
US20220393610A1 (en) Display panel
US10658434B2 (en) Display device with an integrated touch sensor utilizing bridge structures
CN108122954B (zh) 有机发光显示装置以及用于制造有机发光显示装置的方法
CN103325811B (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法
JP7206248B2 (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
US11730041B2 (en) Display device including an opening area and sensing electrodes
US20140054555A1 (en) Organic Light Emitting Display Device and Method for Fabricating the Same
KR20160117728A (ko) 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2017016822A (ja) 有機el装置、有機el装置の製造方法、及び電子機器
KR20190075197A (ko) 유기발광표시장치 및 이의 제조방법
US11793051B2 (en) Display apparatus
KR20210142808A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
KR102402739B1 (ko) 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR102158365B1 (ko) 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR102199496B1 (ko) 표시 패널 및 이의 제조 방법
US11644708B2 (en) Light shielding element substrate and display device
CN114695482A (zh) 显示面板和包括该显示面板的显示装置
KR101992914B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102658429B1 (ko) 커버 윈도우 및 이를 포함한 플렉서블 표시 장치
US20240049557A1 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, display device, wearable device, and display method
KR20230016766A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
CN114582926A (zh) 显示装置
KR20200080889A (ko) 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant