KR20150017272A - 스퍼터링 장치 및 스프터링 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법을 개시한다. 본 발명은, 제 1 원통형 타겟부와, 상기 제 1 원통형 타겟부와 대향하도록 설치되는 제 2 원통형 타겟부와, 상기 제 1 원통형 타겟부 및 상기 제 2 원통형 타겟부와 대향하도록 설치되는 제 3 원통형 타겟부와, 상기 제 1 원통형 타겟부, 제 2 원통형 타겟부 및 제 3 원통형 타겟부와 대향하도록 설치되는 제 4 원통형 타겟부와, 서로 대향하도록 배치되는 상기 제 1 원통형 타겟부, 상기 제 2 원통형 타겟부, 상기 제 3 원통형 타겟부 및 상기 제 4 원통형 타겟부 중 2개를 서로 다른 전극으로 기능하도록 파워를 인가하는 전원부를 포함한다.

Description

스퍼터링 장치 및 스프터링 방법{Sputtering device and sputtering method}
본 발명은 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법에 관한 것이다.
이동성을 기반으로 하는 전자 기기가 폭 넓게 사용되고 있다. 이동용 전자 기기로는 모바일 폰과 같은 소형 전자 기기 이외에도 최근 들어 태블릿 PC가 널리 사용되고 있다.
이와 같은 이동형 전자 기기는 다양한 기능을 지원하기 위하여, 이미지 또는 영상과 같은 시각 정보를 사용자에게 제공하기 위하여 표시부를 포함한다. 최근, 표시부를 구동하기 위한 기타 부품들이 소형화됨에 따라, 표시부가 전자 기기에서 차지하는 비중이 점차 증가하고 있는 추세이며, 평평한 상태에서 소정의 각도를 갖도록 구부릴 수 있는 구조도 개발되고 있다.
본 발명의 실시예들은 스퍼터링 공정 시 기판에 가해지는 데미지를 최소화하는 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면은, 제 1 원통형 타겟부와, 상기 제 1 원통형 타겟부와 대향하도록 설치되는 제 2 원통형 타겟부와, 상기 제 1 원통형 타겟부 및 상기 제 2 원통형 타겟부와 대향하도록 설치되는 제 3 원통형 타겟부와, 상기 제 1 원통형 타겟부, 제 2 원통형 타겟부 및 제 3 원통형 타겟부와 대향하도록 설치되는 제 4 원통형 타겟부와, 서로 대향하도록 배치되는 상기 제 1 원통형 타겟부, 상기 제 2 원통형 타겟부, 상기 제 3 원통형 타겟부 및 상기 제 4 원통형 타겟부 중 2개를 서로 다른 전극으로 기능하도록 파워를 인가하는 전원부를 포함하는 스퍼터링 장치를 제공할 수 있다.
또한, 상기 전원부는 상기 제 1 원통형 타겟부와 상기 제 3 원통형 타겟부에는 에노드 또는 케소드 중 하나로 기능하도록 파워를 인가하고, 상기 제 2 원통형 타겟부와 상기 제 4 원통형 타겟부에는 에노드 또는 케소드 중 다른 하나로 기능하도록 파워를 인가할 수 있다.
또한, 상기 전원부는 상기 제 1 원통형 타겟부와 상기 제 2 원통형 타겟부에는 에노드 또는 케소드 중 하나로 기능하도록 파워를 인가하고, 상기 제 3 원통형 타겟부와 상기 제 4 원통형 타겟부에는 에노드 또는 케소드 중 다른 하나로 기능하도록 파워를 인가할 수 있다.
또한, 상기 전원부는 상기 제 1 원통형 타겟부와 상기 제 4 원통형 타겟부에는 에노드 또는 케소드 중 하나로 기능하도록 파워를 인가하고, 상기 제 2 원통형 타겟부와 상기 제 4 원통형 타겟부에는 에노드 또는 케소드 중 다른 하나로 기능하도록 파워를 인가할 수 있다.
또한, 상기 전원부는 교류전원일 수 있다.
또한, 상기 제 1 원통형 타겟부, 상기 제 2 스퍼티링 타겟, 제 3 원통형 타겟부 및 상기 제 4 원통형 타겟부는 각각 내부에 배치되는 마그넷부를 구비할 수 있다.
또한, 상기 제 1 원통형 타겟부의 마그넷부, 상기 제 2 원통형 타겟부의 마그넷부, 제 3 원통형 타겟부의 마그넷부 및 제 4 원통형 타겟부의 마그넷부 중 서로 마주보는 2개의 마그넷부의 극성은 서로 상이할 수 있다.
또한, 상기 제 1 원통형 타겟부의 표면을 향하는 상기 제 1 원통형 타겟부의 마그넷부의 극성과 상기 제 3 원통형 타겟부의 표면을 향하는 상기 제 3 원통형 타겟부의 마그넷부의 극성은 서로 상이할 수 있다.
또한, 상기 제 1 원통형 타겟부의 마그넷부, 상기 제 2 원통형 타겟부의 마그넷부, 제 3 원통형 타겟부의 마그넷부 및 제 4 원통형 타겟부의 마그넷부 중 적어도 하나는 상기 제 1 원통형 타겟부, 상기 제 2 원통형 타겟부, 상기 제 3 원통형 타겟부 및 상기 제 4 원통형 타겟부 사이의 공간을 향하도록 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 1 원통형 타겟부 내지 상기 제 4 원통형 타겟부가 형성하는 공간으로 스퍼터링 공정 시 필요한 공정 가스를 공급하는 가스공급부를 더 구비할 수 있다.
또한, 상기 가스공급부는 상기 제 3 원통형 타겟부와 상기 제 4 원통형 타겟부 사이로 스퍼터링 가스를 분사할 수 있다.
또한, 상기 제 1 원통형 타겟부와 상기 제 3 원통형 타겟부는 사선 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 1 원통형 타겟부, 상기 제 2 원통형 타겟부, 상기 제 3 원통형 타겟부 및 상기 제 4 원통형 타겟부는 사각형 형태로 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 1 원통형 타겟부 및 상기 제 2 원통형 타겟부에 대향하도록 기판이 배치될 수 있다.
또한, 상기 기판이 배치되고 상기 기판에 대한 증착 공정이 수행되는 챔버를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판 및 상기 챔버는 플로팅 상태일 수 있다.
본 발명의 다른 측면은, 챔버 내에 기판을 투입하는 단계와, 상기 챔버 내에 상기 기판과 대향하도록 배치되는 두 쌍의 원통형 원통형 타겟부를 이용하여 증착 물질을 상기 기판에 증착하는 단계를 포함하고, 상기 증착 물질을 상기 기판에 증착하는 단계는, 상기 두 쌍의 원통형 타겟부 중 서로 대향하도록 배치되는 원통형 타겟부를 각각 에노드 및 케소드 기능을 하도록 파워를 인가하여 상기 증착 물질을 상기 기판에 증착하는 스퍼터링 방법을 제공할 수 있다.
또한, 상기 기판과 상기 챔버는 플로팅 상태에서 상기 증착이 수행될 수 있다.
또한, 상기 두 쌍의 원통형 타겟부는 사각형으로 배열되고, 서로 대향하도록 배치되는 한 쌍의 원통형 타겟부는 각각 에노드 및 케소드로 기능하도록 파워가 인가될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 플라즈마를 제 1 원통형 타겟부 내지 제 4 원통형 타겟부 사이의 공간에 구속함으로써 플라즈마가 기판에 직접 가속하여 도달함으로써 발생하는 기판 손상을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 스퍼터링 장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 취한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 스퍼터링 장치를 보여주는 개념도이다.
도 4는 도 3에 도시된 스퍼터링 장치에서의 자기장 분포를 보여주는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 스퍼터링 장치를 보여주는 개념도이다.
도 6은 도 5에 도시된 스퍼터링 장치에서의 자기장 분포를 보여주는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 스퍼터링 장치를 보여주는 개념도이다.
본 발명은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 한편, 본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 스퍼터링 장치(100)를 보여주는 사시도이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 취한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 스퍼터링 장치(100)는 기판(S)이 배치되고 기판(S)에 대한 증착 공정이 이루어지는 증착 공간을 포함하는 챔버(110), 챔버(110) 내에서 기판(S)과 대향하도록 배치되는 제 1 원통형 타겟부(120) 및 제 2 원통형 타겟부(130)를 포함할 수 있다. 또한, 스퍼터링 장치(100)는 제 1 원통형 타겟부(120) 및 제 2 원통형 타겟부(130)와 대향하도록 배치되는 제 3 원통형 타겟부(140)와, 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 3 원통형 타겟부(140)와 대향하도록 설치되는 제 4 원통형 타겟부(150)를 포함할 수 있다.
또한, 스퍼터링 장치(100)는 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)에 파워를 인가하는 전원부(180)를 포함할 수 있다. 스퍼터링 장치(100)는 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)가 형성하는 공간으로 스퍼터링 공정 시 필요한 공정 가스를 공급하는 가스공급부(170)를 포함할 수 있다.
스퍼터링 장치(100)는 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)의 양단에 각각 설치되는 지지부(미표기)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 지지부는 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150) 각각의 양단을 개별적으로 지지할 수 있다. 또한, 상기 지지부는 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150) 중 2개 이상의 양단을 지지할 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 지지부가 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150) 중 2개의 양단을 각각 지지하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다. 구체적으로 상기 지지부는 제 1 원통형 타겟부(120)와 제 3 원통형 타겟부(140)의 양단을 지지하는 제 1 지지부(191) 및 제 2 지지부(192)를 포함하고, 제 2 원통형 타겟부(130)와 제 4 원통형 타겟부(150)의 양단을 고정시키는 제 3 지지부(193) 및 제 4 지지부(194)를 포함할 수 있다.
챔버(110)는 증착 공정의 압력 분위기를 제어하도록 펌프(미도시)에 연결될 수 있고, 기판(S), 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150) 등을 수용 및 보호한다. 또한, 챔버(110)는 기판(S)의 출입을 위한 하나 이상의 출입구(미도시)를 구비할 수 있다. 도 1에는 챔버(110)의 바닥면만을 도시하였으나, 이는 설명의 편의를 위한 것으로서, 챔버(110)는 박스와 유사한 형태를 가질 수 있다.
기판(S)은 상기 지지부상에 배치될 수 있다. 상기 지지부는 기판(S)에 대한 증착 공정이 진행되는 동안 기판(S)이 움직이거나 흔들리지 않도록 한다. 이를 위하여 상기 지지부는 클램프(미도시)를 구비할 수 있다. 또한 상기 지지부와 기판(S)간의 흡착을 위하여 상기 지지부는 하나 이상의 흡착홀(미도시)을 구비할 수도 있다. 또한 상기 지지부는 증착 공정 중 열에 의한 변성 및 파손을 방지하도록 내열성 및 내구성이 높은 재질로 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)는 사각형으로 배치될 수 있다. 특히 제 1 원통형 타겟부(120)와 제 3 원통형 타겟부는 서로 대각선 방향으로 배치될 수 있으며, 제 2 원통형 타겟부(130)와 제 4 원통형 타겟부(150)도 서로 대각선 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 제 1 원통형 타겟부(120)와 제 2 원통형 타겟부(130)는 서로 동일한 평면 상에 배치될 수 있으며, 제 3 원통형 타겟부(140)와 제 4 원통형 타겟부(150)가 서로 동일한 평면 상에 배치될 수 있다. 이때, 제 1 원통형 타겟부(120)와 제 3 원통형 타겟부(140)는 서로 이격되도록 배치될 수 있으며, 특히 도 1의 Z방향으로 서로 이격되도록 배치될 수 있다.
다만, 본 발명의 실시예들은 상기에 한정되지 않으며, 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)가 서로 대향하도록 배치되는 모든 경우를 포함할 수 있다. 또한, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제 1 원통형 타겟부(120)와 제 3 원통형 타겟부(140)가 도 1의 Z방향으로 서로 이격되어 배치되며, 제 1 원통형 타겟부(120)와 제 2 원통형 타겟부(130)는 도 1의 Y방향으로 서로 이격되어 배치되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다. 특히 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)는 서로 동일 또는 유사하게 형성되므로 이하에서는 제 1 원통형 타겟부(120)를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제 1 원통형 타겟부(120)는 기판(S)과 대향하도록 배치되는 제 1 원통형 타겟(121)을 구비할 수 있다. 제 1 원통형 타겟(121)은 증착 공정 중 회전하면서 기판(S)에 증착 물질을 제공하여, 기판(S)에 증착막이 형성되도록 한다. 이를 위하여 제 1 원통형 타겟(121)의 길이는 적어도 기판(S)의 일 방향의 폭과 동일하거나 그보다 큰 것이 바람직하다.
한편, 제 1 원통형 타겟부(120)는 제 1 원통형 타겟(121) 내부에 설치되는 제 1 백킹 플레이트(124:backing plate)를 구비할 수 있다. 이때, 제 1 원통형 타겟(121)은 제 1 백킹 플레이트(122)에 의해 지지될 수 있다. 제 1 백킹 플레이트(122)는 속이 빈 기둥 형태인 제 1 원통형 타겟(121)과 유사한 형태를 가지며, 제 1 원통형 타겟(121)의 내부에 배치되어 제 1 원통형 타겟(121)를 지지할 수 있다. 또한, 제 1 백킹 플레이트(122)는 증착 공정 중 제 1 원통형 타겟(121)의 온도를 일정하게 유지할 수 있고, 전원부(180)를 통하여 파워가 제 1 백킹 플레이트(122)에 인가될 수 있다. 예를 들면, 제 1 백킹 플레이트(122)에 교류 전원의 파워가 인가될 수 있고 제 1 백킹 플레이트(122)는 캐소드 또는 에노드 기능을 할 수 있다. 이를 통하여 제 1 백킹 플레이트(122)와 연결된 제 1 원통형 타겟(121)은 캐소드 또는 에노드 기능을 할 수 있다. 물론, 제 1 백킹 플레이트(122)없이 제 1 원통형 타겟(121)을 사용할 수 있고, 그 경우 파워는 제 1 원통형 타겟(121)에 인가될 수 있다.
제 1 원통형 타겟(121)의 내부에는 제 1 마그넷부(123)가 배치될 수 있다. 제 1 마그넷부(123)는 제 1 원통형 타겟(121)과 나란하게 제 1 원통형 타겟(121)의 길이 방향으로 길게 연장된 형태를 가질 수 있다. 제 1 마그넷부(123)는 전술한 제 1 원통형 타겟(121)가 회전하면서 증착 공정을 진행하는 동안 회전하지 않는다. 즉, 제 1 마그넷부(123)는 제 1 원통형 타겟(121) 및 제 1 백킹 플레이트(122)와 연결되어 있지 않다. 특히 제 1 마그넷부(123)는 제 1 마그넷고정프레임(124)에 설치될 수 있다. 이때, 제 1 마그넷고정프레임(124)은 제 1 원통형 타겟(121) 및 제 1 백킹 플레이트(122)와 연결되지 않으며, 제 1 지지부(191) 및 제 2 지지부(192)에 고정되거나 회전 가능하도록 설치될 수 있다.
제 1 마그넷부(123)는 플라즈마 방전을 제어할 수 있는 자기장을 발생시킨다. 예를 들어, 제 1 마그넷부(123)는 제 1 마그넷 부재(123a)와 제 1 마그넷 부재(123a)의 양 측에 위치한 한 쌍의 제 2 마그넷 부재(123b)를 포함할 수 있다. 이때, 제 1 마그넷 부재(123a)와 한 쌍의 제 2 마그넷 부재(123b)는 극성이 서로 반대가 되도록 배치됨으로써, 제 1 마그넷부(123)에 의해 발생하는 자기장은 제 1 원통형 타겟(121)의 일부분에 집중되도록 할 수 있고, 이에 의해 플라즈마 방전 역시 제 1 원통형 타겟(121)의 일부분에 집중되도록 제어될 수 있다.
제 1 지지부(191)는 제 1 구동축(미도시), 제 1 구동부(미도시), 제 1 하우징(미표기), 제 1 냉각수 유입관(미도시) 및 제 1 냉각수 배출관(미도시)을 구비할 수 있다. 이때, 제 1 백킹 플레이트(122)와 제 1 원통형 타겟(121)는 상기 제 1 구동축에 의해 회전할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제 1 구동축은 구동 벨트 등과 같은 상기 제 1 구동부와 연결되어 구동력을 전달받음으로써, 제 1 백킹 플레이트(122)와 제 1 원통형 타겟(121)을 회전시킬 수 있다. 이때, 전술한 전원부(180)는 상기 제 1 구동축에 연결되고, 상기 제 1 구동축을 통하여 제 1 백킹 플레이트(122)에 파워가 인가될 수 있다.
이와 같은, 상기 제 1 구동축은 제 1 백킹 플레이트(122)의 양단에 길게 연장된 형태로 형성되는데, 상기 제 1 하우징에 의하여 수용될 수 있다. 또한, 제 1 백킹 플레이트(122)와 상기 제 1 구동축은 제 1 백킹 튜브(미도시)에 의해 연결 및 고정될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 제 1 백킹 튜브가 생략된 채 제 1 백킹 플레이트(122)와 상기 제 1 구동축이 일체로 형성될 수도 있다.
한편, 상기 제 1 하우징에는 상기 제 1 냉각수 유입관과 상기 제 1 냉각수 배출관이 형성되고, 상기 제 1 냉각수 유입관과 상기 제 1 냉각수 배출관은 제 1 원통형 타겟(121)의 내부와 연결되어 냉각수를 순환시킬 수 있다. 따라서, 스퍼터링 공정 중 제 1 원통형 타겟(121)에 발생된 열은 제 1 백킹 플레이트(122)를 통해 냉각수로 흡수되어, 제 1 원통형 타겟(121)의 온도가 일정하게 유지될 수 있다. 이에 의해, 스퍼터링 공정의 효율이 향상될 수 있다.
상기와 같이 제 1 지지부(191)가 구성되는 경우 제 2 지지부(192)는 제 1 원통형 타겟부(120)를 회전 가능하게 지지할 수 있다. 또한, 제 3 지지부(193)는 제 1 지지부(191)와 유사하게 형성되고, 제 4 지지부(194)는 제 2 지지부(192)와 유사하게 형성될 수 있다.
한편, 제 2 원통형 타겟부(130) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)는 상기에서 설명한 바와 같이 제 1 원통형 타겟부(120)와 유사하게 형성될 수 있다. 예를 들면, 제 2 원통형 타겟부(130)는 제 2 원통형 타겟(131), 제 2 백킹 플레이트(132), 제 2 마그넷부(133), 제 2 마그넷고정프레임(134)을 구비할 수 있으며, 제 2 마그넷부(133)는 제 3 마그넷 부재(133a) 및 제 4 마그넷 부재(133b)을 구비할 수 있다. 제 3 원통형 타겟부(140)는 제 3 원통형 타겟(141), 제 3 백킹 플레이트(142), 제 3 마그넷부(143), 제 3 마그넷고정프레임(144)을 구비할 수 있으며, 제 3 마그넷부(143)는 제 5 마그넷 부재(143a) 및 제 6 마그넷 부재(143b)을 구비할 수 있다. 또한, 제 4 원통형 타겟부(150)는 제 4 원통형 타겟(151), 제 4 백킹 플레이트(152), 제 4 마그넷부(153), 제 4 마그넷고정프레임(154)을 구비할 수 있으며, 제 4 마그넷부(153)는 제 7 마그넷 부재(153a) 및 제 8 마그넷 부재(153b)을 구비할 수 있다.
한편, 가스공급부(170)는 챔버(110)를 관통하도록 형성될 수 있다. 이때, 가스공급부(170)는 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150) 사이의 공간(V)으로 스퍼터링 공정에 사용되는 공정 가스(G)를 공급할 수 있다. 또한, 가스공급부(170)는 공정 가스(G)의 출입구가 기판(S)과 대향하도록 설치될 수 있으며, 제 3 원통형 타겟부(140)와 제 4 원통형 타겟부(150) 사이에 배치되어 공정 가스(G)를 제 3 원통형 타겟부(140)와 제 4 원통형 타겟부(150) 사이로 공급할 수 있다.
한편, 스퍼터링 장치(100)는 기판(S)과 챔버(110)를 플로팅(Floating) 상태로 유지시킬 수 있다. 이때, 기판(S)과 챔버(110)가 플로팅 상태를 유지하면, 플라즈마 발생으로 인하여 발생한 음이온, 전자 등이 애노드 측으로 진행할 때, 기판(S)은 음이온, 전자 등의 운동경로에서 벗어나게 되므로, 음이온, 전자 등에 의한 기판(S)의 손상 및 아크(Arc)의 발생 등을 방지할 수 있다. 또한, 기판(S)이 플로팅 상태를 유지함에 따라, 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150) 및 기판(S) 간의 거리를 감소시키더라도, 기판(S)의 손상을 방지할 수 있으며, 이에 의해 증착 속도가 증가하여, 증착 공정의 효율성이 향상될 수 있다.
본 실시예의 스퍼터링 장치(100)의 동작 및 효과에 대하여 간략하게 설명한다.
우선, 스퍼터링 장치(100)의 챔버(110)에 기판(S)을 배치하고, 기판(S)에 증착막을 형성하기 위한 재료를 제공할 수 있는 제 1 원통형 타겟부(120) 및 제 2 원통형 타겟부(130)를 기판(S)과 대향하도록 배치한다. 이때, 기판(S)는 제 1 원통형 타겟부(120) 및 제 2 원통형 타겟부(130)과 대향한 상태에서 도 1의 Y축 방향으로 선형운동할 수 있다. 특히 기판(S)은 도 1의 Y축 방향으로 스캔 방식으로 이동할 수 있다. 그리고 가스공급부(170)를 통하여 챔버(110)내로 주입된 공정 가스(G) 등을 통하여 플라즈마 상태를 형성한 후 여기된 입자들이 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)와 충돌하여 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)로부터 떨어져 나온 입자들이 기판(S)상에 도달하여 증착막을 형성한다.
한편, 증착 공정 중 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150) 각가이 회전하면서 증착 공정이 진행되므로 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)의 전체면을 균일하게 사용하면서 증착 공정을 수행할 수 있다. 이를 통하여 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)의 사용 효율을 향상하여 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)의 사용 주기를 증가하고, 스퍼터링 장치(100)를 통한 증착 공정을 효율적으로 진행한다.
또한, 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150) 각각의 내부에 제 1 마그넷부(123) 내지 제 4 마그넷부(153)를 구비하여 기판(S)에 대한 증착 효율을 향상시시킬 수 있다.
구체적으로 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)는 상기에서 설명한 바와 같이 배치되어 전원부(180)로부터 파워를 인가받아 에노드 또는 케소드 중 하나로 기능할 수 있다.
예를 들면, 제 1 원통형 타겟부(120) 및 제 3 원통형 타겟부(140)가 에노드로 기능하도록 파워가 인가되는 경우 제 2 원통형 타겟부(130) 및 제 4 원통형 타겟부(150)는 케소드로 기능하도록 파워가 인가될 수 있다.
이때, 제 1 원통형 타겟부(120) 내부에 배치되는 제 1 마그넷부(123)의 극성과 제 2 원통형 타겟부(130) 내부에 배치되는 제 2 마그넷부(133)의 극성은 서로 동일하거나 상이하게 형성될 수 있다.
구체적으로 제 1 마그넷 부재(123a)와 제 3 마그넷 부재(133a)는 서로 극성이 동일하거나 상이하게 형성될 수 있으며, 제 2 마그넷 부재(123b)와 제 4 마그넷 부재(133b)는 서로 극성이 동일하거나 상이하게 형성될 수 있다.
예를 들면, 제 1 원통형 타겟부(120)의 외측의 제 1 마그넷 부재(123a)의 극성이 S극인 경우 제 1 원통형 타겟부(120)의 내측의 제 1 마그넷 부재(123a)의 극성은 N극이 될 수 있다. 또한, 제 2 원통형 타겟부(130)의 외측의 제 3 마그넷 부재(133a)의 극성은 S극이거나 N극이 될 수 있으며, 제 2 원통형 타겟부(130)의 내측의 제 3 마그넷 부재(133a)의 극성은 N극이거나 S극일 수 있다.
또한, 제 1 원통형 타겟부(120)의 외측의 제 2 마그넷 부재(123b)의 극성이 S극인 경우 제 2 원통형 타겟부(130)의 내측의 제 2 마그넷 부재(123b)의 극성은 N극이 될 수 있다. 제 2 원통형 타겟부(130)의 외측의 제 4 마그넷 부재(133b)의 극성은 S극이거나 N극이 될 수 있으며, 제 2 원통형 타겟부(130)의 내측의 제 4 마그넷 부재(133b)의 극성은 N극이거나 S극일 수 있다.
다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제 1 마그넷 부재(123a)의 극성 중 제 1 원통형 타겟부(120)의 외측 부분은 N극이고, 제 1 원통형 타겟부(120)의 내측 부분은 S극이며, 제 2 마그넷 부재(123b)의 극성 중 제 1 원통형 타겟부(120)의 외측 부분은 S극이고, 제 1 원통형 타겟부(120)의 내측 부분은 N극인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
또한, 제 3 마그넷 부재(133a)의 극성 중 제 2 원통형 타겟부(130)의 외측 부분은 S극이고, 제 2 원통형 타겟부(130)의 내측 부분은 N극이며, 제 4 마그넷 부재(133b)의 극성 중 제 2 원통형 타겟부(130)의 외측 부분은 N극이고, 제 2 원통형 타겟부(130)의 내측 부분은 S극인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
이때, 제 5 마그넷 부재(143a) 내지 제 8 마그넷 부재(153b)의 극성은 각각 상기에서 설명한 제 1 마그넷 부재(123a) 내지 제 4 마그넷 부재(133b)의 극성과 동일 또는 유사하게 형성될 수 있으므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.(도 2 참고)
상기와 같이 제 1 마그넷 부재(123a) 내지 제 8 마그넷 부재(153b)가 상기와 같이 형성되는 경우 제 1 마그넷 부재(123a) 내지 제 8 마그넷 부재(153b)가 형성하는 자기장은 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150) 사이의 공간(V)에 플라즈마를 구속할 수 있다.
이때, 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)가 형성하는 공간으로 가스공급부(170)를 통하여 공정 가스(G)가 분사되면, 공정 가스(G)에 의하여 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)에서 플라즈마가 생성될 수 있다. 상기와 같이 생성된 플라즈마는 가스공급부(170)에서 공급되는 공정 가스(G)에 의하여 확산됨으로써 기판(S)에 증착될 수 있다.
한편, 상기와 같이 생성된 플라즈마는 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)에 의하여 형성되는 자기장에 의하여 상기에서 설명한 바와 같이 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150) 사이의 공간(V)에 구속됨으로써 기판(S)에 낮은 에너지를 가진 상태로 도달할 수 있다.
특히 기판(S) 및 챔버(110)가 상기에서 설명한 바와 같이 플로팅된 상태로 유지되므로 플라즈마가 가속하여 기판(S)에 직접 도달하는 것을 방지할 수 있다.
따라서 스퍼터링 장치(100)는 공정 가스(G)의 확산으로 인하여 플라즈마를 기판(S)을 공급함으로써 가속된 플라즈마에 의한 기판(S)의 데미지(Damage)를 최소화할 수 있다.
뿐만 아니라 스퍼터링 장치(100)는 원통형으로 형성되는 제 1 원통형 타겟부(120) 내지 제 4 원통형 타겟부(150)를 사용함으로써 챔버(110) 내부의 공간활용률을 증대시킬 수있다.
또한, 스퍼터링 장치(100)는 서로 대향하는 제 1 원통형 타겟부(120)와 제 2 원통형 타겟부(130) 및 제 3 원통형 타겟부(140)와 제 4 원통형 타겟부(150)에서 전기장 및 자기장이 동일한 방향으로 형성됨으로써 전기장 및 자기장의 방향이 서로 상이하여 발생하는 방전 효율의 저감을 방지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 스퍼터링 장치(200)를 보여주는 개념도이다. 도 4는 도 3에 도시된 스퍼터링 장치(200)에서의 자기장 분포를 보여주는 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참고하면, 스퍼터링 장치(200)는 챔버(210), 제 1 원통형 타겟부(220), 제 2 원통형 타겟부(230), 제 3 원통형 타겟부(240), 제 4 원통형 타겟부(250), 가스공급부(270) 및 전원부(280)를 포함할 수 있다.
제 1 원통형 타겟부(220)는 제 1 원통형 타겟(221), 제 1 백킹 플레이트(222), 제 1 마그넷부(223) 및 제 1 마그넷고정프레임(224)을 구비할 수 있으며, 제 1 마그넷부(223)는 제 1 마그넷 부재(223a) 및 제 2 마그넷 부재(223b)를 포함할 수 있다.
또한, 제 2 원통형 타겟부(230)는 제 2 원통형 타겟(231), 제 2 백킹 플레이트(232), 제 2 마그넷부(233) 및 제 2 마그넷고정프레임(234)을 구비할 수 있으며, 제 2 마그넷부(233)는 제 3 마그넷 부재(233a) 및 제 4 마그넷 부재(233b)를 포함할 수 있다.
제 3 원통형 타겟부(240)는 제 3 원통형 타겟(241), 제 3 백킹 플레이트(242), 제 3 마그넷부(243) 및 제 3 마그넷고정프레임(244)을 구비할 수 있으며, 제 3 마그넷부(243)는 제 5 마그넷 부재(243a) 및 제 6 마그넷 부재(243b)를 포함할 수 있다.
제 4 원통형 타겟부(250)는 제 4 원통형 타겟(251), 제 4 백킹 플레이트(252), 제 4 마그넷부(253) 및 제 4 마그넷고정프레임(254)을 구비할 수 있으며, 제 4 마그넷부(253)는 제 7 마그넷 부재(253a) 및 제 8 마그넷 부재(253b)를 포함할 수 있다.
이때, 챔버(210), 제 1 원통형 타겟부(220), 제 2 원통형 타겟부(230), 제 3 원통형 타겟부(240), 제 4 원통형 타겟부(250), 가스공급부(270) 및 전원부(280)는 상기 도 1 및 도 2에서 설명한 챔버(110), 제 1 원통형 타겟부(120), 제 2 원통형 타겟부(130), 제 3 원통형 타겟부(140), 제 4 원통형 타겟부(150), 가스공급부(170) 및 전원부(180)와 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
한편, 상기와 같이 형성되는 스퍼터링 장치(200)의 작동을 살펴보면, 상기에서 설명한 것과 같이 챔버(210) 내부로 기판(S)을 삽입한 후 스퍼터링 공정을 수행할 수 있다. 이때, 기판(S)은 제 1 원통형 타겟부(220) 및 제 2 원통형 타겟부(230)에 대향하도록 배치될 수 있다.
기판(S)의 삽입이 완료되면, 전원부(280)는 제 1 원통형 타겟부(220) 내지 제 4 원통형 타겟부(250)에 파워를 인가하여 에노드 또는 케소드의 기능할 수 있다. 구체적으로 전원부(280)는 제 1 원통형 타겟부(220)와 제 2 원통형 타겟부(230)가 케소드의 기능을 하도록 파워를 인가하는 경우 제 3 원통형 타겟부(240)와 제 4 원통형 타겟부(250)는 에노드의 기능을 하도록 파워를 인가할 수 있다. 또한, 전원부(280)는 제 1 원통형 타겟부(220)와 제 2 원통형 타겟부(230)가 에노드의 기능을 하도록 파워를 인가하는 경우 제 3 원통형 타겟부(240)와 제 4 원통형 타겟부(250)는 케소드 기능을 하도록 파워를 인가할 수 있다. 뿐만 아니라 전원부(280)는 교류전원으로 형성됨으로써 제 1 원통형 타겟부(220) 내지 제 4 원통형 타겟부(250)는 교번하여 케소드 또는 에노드의 기능을 수행하는 것도 가능하다.
상기와 같이 형성되는 경우 제 1 마그넷부(223)와 제 2 마그넷부(233)가 형성하는 제 1 자기장과 제 1 원통형 타겟부(220)와 제 3 원통형 타겟부(240)가 형성하는 제 1 전기장은 서로 직교할 수 있다. 뿐만 아니라 제 3 마그넷부(243)와 제 4 마그넷부(253)가 형성하는 제 2 자기장과 제 2 원통형 타겟부(230)와 제 4 원통형 타겟부(250)가 형성하는 제 2 전기장은 서로 직교할 수 있다. 특히 그림 4 기준으로 보면, 제 1 자기장과 제 2 자기장은 도 4의 Y방향으로 형성되고, 제 1 전기장과 제 2 전기장은 도 4의 Z방향으로 형성될 수 있다.
한편, 상기와 같이 제 1 자기장, 제 2 자기장, 제 1 전기장 및 제 2 전기장이 형성되는 동안 제 1 원통형 타겟부(220) 내지 제 4 원통형 타겟부(250)는 회전할 수 있다.
이때, 가스공급부(270)에서는 공정 가스(G)를 제 3 원통형 타겟부(240) 및 제 4 원통형 타겟부(250) 사이로부터 기판(S) 측으로 분사할 수 있다. 이때, 공정 가스(G)는 상기에서 설명한 바와 같이 플라즈마를 형성하고, 플라즈마는 제 1 자기장, 제 2 자기장, 제 1 전기장 및 제 2 전기장에 의하여 제 1 원통형 타겟부(220) 내지 제 4 원통형 타겟부(250) 사이의 공간(V)에 구속될 수 있다. 이때, 플라즈마는 상기에서 설명한 바와 같이 제 1 자기장, 제 2 자기장, 제 1 전기장 및 제 2 전기장에 의하여 기판(S)으로 직접 도달하지 못하고, 공정 가스(G)의 확산으로 인하여 기판(S)에 도달할 수 있다.
따라서 스퍼터링 장치(200)는 제 1 지기장과 제 1 전기장이 수직하고 제 2 자기장과 제 2 전기장이 수직하게 형성됨으로써 제 1 원통형 타겟부(220)와 제 3 원통형 타겟부(240) 사이의 방전 및 제 2 원통형 타겟부(230)와 제 4 원통형 타겟부(250) 사이의 방전효과를 증대시킬 수 있다.
뿐만 아니라 스퍼터링 장치(200)는 플라즈마를 제 1 원통형 타겟부(220) 내지 제 4 원통형 타겟부(250) 사이의 공간(V)에 구속함으로써 플라즈마가 기판(S)에 직접 가속하여 도달함으로써 발생하는 기판(S) 손상을 최소화할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 스퍼터링 장치(300)를 보여주는 개념도이다. 도 6은 도 5에 도시된 스퍼터링 장치(300)에서의 자기장 분포를 보여주는 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참고하면, 스퍼터링 장치(300)는 챔버(310), 제 1 원통형 타겟부(320), 제 2 원통형 타겟부(330), 제 3 원통형 타겟부(340), 제 4 원통형 타겟부(350), 가스공급부(370) 및 전원부(380)를 포함할 수 있다.
제 1 원통형 타겟부(320)는 제 1 원통형 타겟(321), 제 1 백킹 플레이트(322), 제 1 마그넷부(323) 및 제 1 마그넷고정프레임(324)을 구비할 수 있으며, 제 1 마그넷부(323)는 제 1 마그넷 부재(323a) 및 제 2 마그넷 부재(323b)를 포함할 수 있다.
또한, 제 2 원통형 타겟부(330)는 제 2 원통형 타겟(331), 제 2 백킹 플레이트(332), 제 2 마그넷부(333) 및 제 2 마그넷고정프레임(334)을 구비할 수 있으며, 제 2 마그넷부(333)는 제 3 마그넷 부재(333a) 및 제 4 마그넷 부재(333b)를 포함할 수 있다.
제 3 원통형 타겟부(340)는 제 3 원통형 타겟(341), 제 3 백킹 플레이트(342), 제 3 마그넷부(343) 및 제 3 마그넷고정프레임(344)을 구비할 수 있으며, 제 3 마그넷부(343)는 제 5 마그넷 부재(343a) 및 제 6 마그넷 부재(343b)를 포함할 수 있다.
제 4 원통형 타겟부(350)는 제 4 원통형 타겟(351), 제 4 백킹 플레이트(352), 제 4 마그넷부(353) 및 제 4 마그넷고정프레임(354)을 구비할 수 있으며, 제 4 마그넷부(353)는 제 7 마그넷 부재(353a) 및 제 8 마그넷 부재(353b)를 포함할 수 있다.
이때, 챔버(310), 제 1 원통형 타겟부(320), 제 2 원통형 타겟부(330), 제 3 원통형 타겟부(340), 제 4 원통형 타겟부(350), 가스공급부(370) 및 전원부(380)는 상기 도 1 및 도 2에서 설명한 챔버(110), 제 1 원통형 타겟부(120), 제 2 원통형 타겟부(130), 제 3 원통형 타겟부(140), 제 4 원통형 타겟부(150), 가스공급부(170) 및 전원부(180)와 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
한편, 상기와 같이 형성되는 제 1 마그넷부(323) 내지 제 4 마그넷부(353)는 제 1 원통형 타겟부(320) 내지 제 4 원통형 타겟부(350) 사이의 공간(V)을 향하도록 배치될 수 있다. 구체적으로 제 1 마그넷부(323)는 제 4 마그넷부(353)를 향하도록 배치되고, 제 2 마그넷부(333)는 제 3 마그넷부(343)를 향하도록 배치될 수 있다. 또한, 제 3 마그넷부(343)는 제 2 마그넷부(333)를 향하도록 배치될 수 있으며, 제 4 마그넷부(353)는 제 1 마그넷부(323)를 향하도록 배치될 수 있다.
또한, 상기와 같이 배치되는 제 1 마그넷부(323)와 제 3 마그넷부(343)는 제 1 원통형 타겟부(320)의 외측을 향하는 제 1 마그넷부(323)의 극성과 제 3 원통형 타겟부(340)의 외측을 향하는 제 3 마그넷부(343)의 극성이 상이하게 형성될 수 있다.
구체적으로 제 1 마그넷 부재(323a)의 극성 중 제 1 원통형 타겟부(320)의 외측 부분의 극성은 S극이고, 제 1 원통형 타겟부(320)의 내측 부분의 극성은 N극일 수 있다. 또한, 제 2 마그넷 부재(323b)의 극성 중 제 1 원통형 타겟부(320)의 외측 부분의 극성은 N극이고, 제 1 원통형 타겟부(320)의 내측 부분의 극성은 S극일 수 있다.
반면, 제 5 마그넷 부재(343a)의 극성 중 제 3 원통형 타겟부(340)의 ?으 부분의 극성은 N극이고, 제 3 원통형 타겟부(340)의 내측 부분의 극성은 S극일 수 있다. 또한, 제 6 마그넷 부재(343b)의 극성 중 제 3 원통형 타겟부(340)의 외측 부분의 극성은 S극이고, 제 3 원통형 타겟부(340)의 내측 부분의 극성은 N극일 수 있다.(도 5 참고)
한편, 상기와 같은 경우 제 1 마그넷부(323) 및 제 4 마그넷부(353)의 극성은 도 1 및 도 2에서 설명한 제 1 마그넷부(123) 및 제 4 마그넷부(153)의 극성과 동일하게 형성될 수 있다.
이때, 상기의 설명은 본 발명의 일 실시예에 불과하고 상기에 한정되지 않으며, 상기와 같이 제 1 마그넷부(323)와 제 3 마그넷부(343)의 극성이 상이한 모든 경우를 포함할 수 있으며, 상기 도 1 내지 도 4에서 설명한 것과 같이 제 1 마그넷부(323) 내지 제 4 마그넷부(353)의 극성이 형성되는 것도 가능하다.
한편, 상기와 같이 형성되는 스퍼터링 장치(300)의 작동을 살펴보면, 상기에서 설명한 것과 같이 챔버(310) 내부로 기판(S)을 삽입한 후 스퍼터링 공정을 수행할 수 있다. 이때, 기판(S)은 제 1 원통형 타겟부(320) 및 제 2 원통형 타겟부(330)에 대향하도록 배치될 수 있다.
기판(S)의 삽입이 완료되면, 전원부(380)는 제 1 원통형 타겟부(320) 내지 제 4 원통형 타겟부(350)에 파워를 인가하여 에노드 또는 케소드의 기능할 수 있다. 구체적으로 전원부(380)는 제 1 원통형 타겟부(320)와 제 2 원통형 타겟부(330)가 케소드의 기능을 하도록 파워를 인가하는 경우 제 3 원통형 타겟부(340)와 제 4 원통형 타겟부(350)는 에노드의 기능을 하도록 파워를 인가할 수 있다. 또한, 전원부(380)는 제 1 원통형 타겟부(320)와 제 2 원통형 타겟부(330)가 에노드의 기능을 하도록 파워를 인가하는 경우 제 3 원통형 타겟부(340)와 제 4 원통형 타겟부(350)는 케소드 기능을 하도록 파워를 인가할 수 있다. 뿐만 아니라 전원부(380)는 교류전원으로 형성됨으로써 제 1 원통형 타겟부(320) 내지 제 4 원통형 타겟부(350)는 교번하여 케소드 또는 에노드의 기능을 수행하는 것도 가능하다.
이때, 제 1 원통형 타겟부(320) 내지 제 4 원통형 타겟부(350)가 에노드 또는 케소드 기능을 수행하도록 파워가 인가되는 방법은 상기에 한정되지 않으며, 상기 도 1 및 도 2에서 설명한 것과 같이 제 1 원통형 타겟부(320) 내지 제 4 원통형 타겟부(350)가 에노드 또는 케소드 기능을 수행하도록 파워가 인가되는 것도 가능하다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제 1 원통형 타겟부(320)와 제 2 원통형 타겟부(330)가 케소드의 기능을 수행하고, 제 3 원통형 타겟부(340)와 제 4 원통형 타겟부(350)가 에노드 기능을 수행하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같이 제 1 원통형 타겟부(320) 내지 제 4 원통형 타겟부(350)에 파워가 인가되는 경우 제 1 원통형 타겟부(320)와 제 3 원통형 타겟부(340) 또는 제 1 원통형 타겟부(320)와 제 4 원통형 타겟부(350)는 서로 제 1 전기장을 형성할 수 있다. 또한, 제 2 원통형 타겟부(330)와 제 3 원통형 타겟부(340) 또는 제 2 원통형 타겟부(330)와 제 4 원통형 타겟부(350)는 서로 제 2 전기장을 형성할 수 있다.
뿐만 아니라 제 1 마그넷부(323)와 제 2 마그넷부(333)는 제 1 자기장을 형성하고, 제 3 마그넷부(343)와 제 4 마그넷부(353)는 제 2 자기장을 형성할 수 있다. 이때, 제 1 자기장과 제 2 자기장은 제 1 원통형 타겟부(320) 내지 제 4 원통형 타겟부(350) 사이의 공간(V)에 집중될 수 있다.(도면 6 참고)
상기와 같이 형성되는 제 1 자기장과 제 2 자기장은 제 1 전기장과 제 2 전기장에 영향을 미치게 되고, 제 1 원통형 타겟부(320) 내지 제 4 원통형 타겟부(350)에서 발생하는 플라즈마를 제 1 원통형 타겟부(320) 내지 제 4 원통형 타겟부(350) 사이의 공간(V)에 집중시킬 수 있다.
한편, 상기와 같이 제 1 자기장, 제 2 자기장, 제 1 전기장 및 제 2 전기장이 형성되는 동안 제 1 원통형 타겟부(320) 내지 제 4 원통형 타겟부(350)는 회전할 수 있다.
이때, 가스공급부(370)에서는 공정 가스(G)를 제 3 원통형 타겟부(340) 및 제 4 원통형 타겟부(350) 사이로부터 기판(S) 측으로 분사할 수 있다. 이때, 공정 가스(G)는 상기에서 설명한 바와 같이 플라즈마를 형성하고, 플라즈마는 제 1 자기장, 제 2 자기장, 제 1 전기장 및 제 2 전기장에 의하여 제 1 원통형 타겟부(320) 내지 제 4 원통형 타겟부(350) 사이의 공간(V)에 구속될 수 있다. 이때, 플라즈마는 상기에서 설명한 바와 같이 제 1 자기장, 제 2 자기장, 제 1 전기장 및 제 2 전기장에 의하여 기판(S)으로 직접 도달하지 못하고, 공정 가스(G)의 확산으로 인하여 기판(S)에 도달할 수 있다.
따라서 스퍼터링 장치(300)는 제 1 지기장과 제 1 전기장이 수직하고 제 2 자기장과 제 2 전기장이 수직하게 형성됨으로써 제 1 원통형 타겟부(320)와 제 3 원통형 타겟부(340) 사이의 방전 및 제 2 원통형 타겟부(330)와 제 4 원통형 타겟부(350) 사이의 방전효과를 증대시킬 수 있다.
뿐만 아니라 스퍼터링 장치(300)는 플라즈마를 제 1 원통형 타겟부(320) 내지 제 4 원통형 타겟부(350) 사이의 공간(V)에 구속함으로써 플라즈마가 기판(S)에 직접 가속하여 도달함으로써 발생하는 기판(S) 손상을 최소화할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 스퍼터링 장치(400)를 보여주는 개념도이다.
도 7을 참고하면, 스퍼터링 장치(400)는 챔버(410), 제 1 원통형 타겟부(420), 제 2 원통형 타겟부(430), 제 3 원통형 타겟부(440), 제 4 원통형 타겟부(450), 가스공급부(470) 및 전원부(480)를 포함할 수 있다.
제 1 원통형 타겟부(420)는 제 1 원통형 타겟(421), 제 1 백킹 플레이트(422), 제 1 마그넷부(423) 및 제 1 마그넷고정프레임(424)을 구비할 수 있으며, 제 1 마그넷부(423)는 제 1 마그넷 부재(423a) 및 제 2 마그넷 부재(423b)를 포함할 수 있다.
또한, 제 2 원통형 타겟부(430)는 제 2 원통형 타겟(431), 제 2 백킹 플레이트(432), 제 2 마그넷부(433) 및 제 2 마그넷고정프레임(434)을 구비할 수 있으며, 제 2 마그넷부(433)는 제 3 마그넷 부재(433a) 및 제 4 마그넷 부재(433b)를 포함할 수 있다.
제 3 원통형 타겟부(440)는 제 3 원통형 타겟(441), 제 3 백킹 플레이트(442), 제 3 마그넷부(443) 및 제 3 마그넷고정프레임(444)을 구비할 수 있으며, 제 3 마그넷부(443)는 제 5 마그넷 부재(443a) 및 제 6 마그넷 부재(443b)를 포함할 수 있다.
제 4 원통형 타겟부(450)는 제 4 원통형 타겟(451), 제 4 백킹 플레이트(452), 제 4 마그넷부(453) 및 제 4 마그넷고정프레임(454)을 구비할 수 있으며, 제 4 마그넷부(453)는 제 7 마그넷 부재(453a) 및 제 8 마그넷 부재(453b)를 포함할 수 있다.
이때, 챔버(410), 제 1 원통형 타겟부(420), 제 2 원통형 타겟부(430), 제 3 원통형 타겟부(440), 제 4 원통형 타겟부(450), 가스공급부(470) 및 전원부(480)는 상기 도 1 및 도 2에서 설명한 챔버(410), 제 1 원통형 타겟부(420), 제 2 원통형 타겟부(430), 제 3 원통형 타겟부(440), 제 4 원통형 타겟부(450), 가스공급부(470) 및 전원부(480)와 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
한편, 상기와 같이 형성되는 스퍼터링 장치(400)의 작동을 살펴보면, 상기에서 설명한 것과 같이 챔버(410) 내부로 기판(S)을 삽입한 후 스퍼터링 공정을 수행할 수 있다. 이때, 기판(S)은 제 1 원통형 타겟부(420) 및 제 2 원통형 타겟부(430)에 대향하도록 배치될 수 있다.
기판(S)의 삽입이 완료되면, 전원부(480)는 제 1 원통형 타겟부(420) 내지 제 4 원통형 타겟부(450)에 파워를 인가하여 에노드 또는 케소드의 기능할 수 있다. 구체적으로 전원부(480)는 제 1 원통형 타겟부(420)와 제 4 원통형 타겟부(450)가 케소드의 기능을 하도록 파워를 인가하는 경우 제 2 원통형 타겟부(430)와 제 3 원통형 타겟부(440)는 에노드의 기능을 하도록 파워를 인가할 수 있다. 또한, 전원부(480)는 제 1 원통형 타겟부(420)와 제 4 원통형 타겟부(450)가 에노드의 기능을 하도록 파워를 인가하는 경우 제 2 원통형 타겟부(430)와 제 3 원통형 타겟부(440)는 케소드 기능을 하도록 파워를 인가할 수 있다. 뿐만 아니라 전원부(480)는 교류전원으로 형성됨으로써 제 1 원통형 타겟부(420) 내지 제 4 원통형 타겟부(450)는 교번하여 케소드 또는 에노드의 기능을 수행하는 것도 가능하다.
상기와 같이 형성되는 경우 제 1 마그넷부(423)와 제 2 마그넷부(433)가 형성하는 제 1 자기장과 제 1 원통형 타겟부(420)와 제 2 원통형 타겟부(430) 또는 제 1 원통형 타겟부(420)와 제 3 원통형 타겟부(440)가 형성하는 제 1 전기장은 서로 일정 각도를 형성할 수 있다. 뿐만 아니라 제 3 마그넷부(443)와 제 4 마그넷부(453)가 형성하는 제 2 자기장과 제 2 원통형 타겟부(430)와 제 1 원통형 타겟부(420) 또는 제 2 원통형 타겟부(430)와 제 4 원통형 타겟부(450)가 형성하는 제 2 전기장은 서로 일정 각도를 형성할 수 있다.
한편, 상기와 같이 제 1 자기장, 제 2 자기장, 제 1 전기장 및 제 2 전기장이 형성되는 동안 제 1 원통형 타겟부(420) 내지 제 4 원통형 타겟부(450)는 회전할 수 있다.
이때, 가스공급부(470)에서는 공정 가스(G)를 제 3 원통형 타겟부(440) 및 제 4 원통형 타겟부(450) 사이로부터 기판(S) 측으로 분사할 수 있다. 이때, 공정 가스(G)는 상기에서 설명한 바와 같이 플라즈마를 형성하고, 플라즈마는 제 1 자기장, 제 2 자기장, 제 1 전기장 및 제 2 전기장에 의하여 제 1 원통형 타겟부(420) 내지 제 4 원통형 타겟부(450) 사이의 공간(V)에 구속될 수 있다. 이때, 플라즈마는 상기에서 설명한 바와 같이 제 1 자기장, 제 2 자기장, 제 1 전기장 및 제 2 전기장에 의하여 기판(S)으로 직접 도달하지 못하고, 공정 가스(G)의 확산으로 인하여 기판(S)에 도달할 수 있다.
따라서 스퍼터링 장치(400)는 제 1 지기장과 제 1 전기장이 수직하고 제 2 자기장과 제 2 전기장이 수직하게 형성됨으로써 제 1 원통형 타겟부(420)와 제 3 원통형 타겟부(440) 사이의 방전 및 제 2 원통형 타겟부(430)와 제 4 원통형 타겟부(450) 사이의 방전효과를 증대시킬 수 있다.
뿐만 아니라 스퍼터링 장치(400)는 플라즈마를 제 1 원통형 타겟부(420) 내지 제 4 원통형 타겟부(450) 사이의 공간(V)에 구속함으로써 플라즈마가 기판(S)에 직접 가속하여 도달함으로써 발생하는 기판(S) 손상을 최소화할 수 있다.
비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되었지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서 첨부된 특허청구의 범위에는 본 발명의 요지에 속하는 한 이러한 수정이나 변형을 포함할 것이다.
100, 200, 300 : 스퍼터링 장치
110, 210, 310 : 챔버
120, 220, 320 : 제 1 원통형 타겟부
130, 230, 330 : 제 2 원통형 타겟부
140, 240, 340 : 제 3 원통형 타겟부
150, 250, 350 : 제 4 원통형 타겟부
170, 270, 370 : 가스공급부
180, 280, 380 : 전원부

Claims (19)

  1. 제 1 원통형 타겟부;
    상기 제 1 원통형 타겟부와 대향하도록 설치되는 제 2 원통형 타겟부;
    상기 제 1 원통형 타겟부 및 상기 제 2 원통형 타겟부와 대향하도록 설치되는 제 3 원통형 타겟부;
    상기 제 1 원통형 타겟부, 제 2 원통형 타겟부 및 제 3 원통형 타겟부와 대향하도록 설치되는 제 4 원통형 타겟부; 및
    서로 대향하도록 배치되는 상기 제 1 원통형 타겟부, 상기 제 2 원통형 타겟부, 상기 제 3 원통형 타겟부 및 상기 제 4 원통형 타겟부 중 2개를 서로 다른 전극으로 기능하도록 파워를 인가하는 전원부;를 포함하는 스퍼터링 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전원부는 상기 제 1 원통형 타겟부와 상기 제 3 원통형 타겟부에는 에노드 또는 케소드 중 하나로 기능하도록 파워를 인가하고, 상기 제 2 원통형 타겟부와 상기 제 4 원통형 타겟부에는 에노드 또는 케소드 중 다른 하나로 기능하도록 파워를 인가하는 스퍼터링 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전원부는 상기 제 1 원통형 타겟부와 상기 제 2 원통형 타겟부에는 에노드 또는 케소드 중 하나로 기능하도록 파워를 인가하고, 상기 제 3 원통형 타겟부와 상기 제 4 원통형 타겟부에는 에노드 또는 케소드 중 다른 하나로 기능하도록 파워를 인가하는 스퍼터링 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전원부는 상기 제 1 원통형 타겟부와 상기 제 4 원통형 타겟부에는 에노드 또는 케소드 중 하나로 기능하도록 파워를 인가하고, 상기 제 2 원통형 타겟부와 상기 제 4 원통형 타겟부에는 에노드 또는 케소드 중 다른 하나로 기능하도록 파워를 인가하는 스퍼터링 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전원부는 교류전원인 스퍼터링 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 원통형 타겟부, 상기 제 2 스퍼티링 타겟, 제 3 원통형 타겟부 및 상기 제 4 원통형 타겟부는 각각 내부에 배치되는 마그넷부;를 구비하는 스퍼터링 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 원통형 타겟부의 마그넷부, 상기 제 2 원통형 타겟부의 마그넷부, 제 3 원통형 타겟부의 마그넷부 및 제 4 원통형 타겟부의 마그넷부 중 서로 마주보는 2개의 마그넷부의 극성은 서로 상이한 스퍼터링 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 원통형 타겟부의 표면을 향하는 상기 제 1 원통형 타겟부의 마그넷부의 극성과 상기 제 3 원통형 타겟부의 표면을 향하는 상기 제 3 원통형 타겟부의 마그넷부의 극성은 서로 상이한 스퍼터링 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 원통형 타겟부의 마그넷부, 상기 제 2 원통형 타겟부의 마그넷부, 제 3 원통형 타겟부의 마그넷부 및 제 4 원통형 타겟부의 마그넷부 중 적어도 하나는 상기 제 1 원통형 타겟부, 상기 제 2 원통형 타겟부, 상기 제 3 원통형 타겟부 및 상기 제 4 원통형 타겟부 사이의 공간을 향하도록 배치되는 스퍼터링 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 원통형 타겟부 내지 상기 제 4 원통형 타겟부가 형성하는 공간으로 스퍼터링 공정 시 필요한 공정 가스를 공급하는 가스공급부;를 더 구비하는 스퍼터링 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 가스공급부는 상기 제 3 원통형 타겟부와 상기 제 4 원통형 타겟부 사이로 스퍼터링 가스를 분사하는 스퍼터링 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 원통형 타겟부와 상기 제 3 원통형 타겟부는 사선 방향으로 배치되는 스퍼터링 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 원통형 타겟부, 상기 제 2 원통형 타겟부, 상기 제 3 원통형 타겟부 및 상기 제 4 원통형 타겟부는 사각형 형태로 배치되는 스퍼터링 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 원통형 타겟부 및 상기 제 2 원통형 타겟부에 대향하도록 기판이 배치되는 스퍼터링 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 기판이 배치되고 상기 기판에 대한 증착 공정이 수행되는 챔버;를 더 포함하는 스퍼터링 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 기판 및 상기 챔버는 플로팅 상태인 스퍼터링 장치.
  17. 챔버 내에 기판을 투입하는 단계; 및
    상기 챔버 내에 상기 기판과 대향하도록 배치되는 두 쌍의 원통형 원통형 타겟부를 이용하여 증착 물질을 상기 기판에 증착하는 단계;를 포함하고,
    상기 증착 물질을 상기 기판에 증착하는 단계는,
    상기 두 쌍의 원통형 타겟부 중 서로 대향하도록 배치되는 원통형 타겟부를 각각 에노드 및 케소드 기능을 하도록 파워를 인가하여 상기 증착 물질을 상기 기판에 증착하는 스퍼터링 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 챔버는 플로팅 상태에서 상기 증착이 수행되는 스퍼터링 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 두 쌍의 원통형 타겟부는 사각형으로 배열되고, 서로 대향하도록 배치되는 한 쌍의 원통형 타겟부는 각각 에노드 및 케소드로 기능하도록 파워가 인가되는 스퍼터링 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230032608A (ko) * 2021-08-31 2023-03-07 최원철 대향 회전 원통형 타겟식 스퍼터 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080264785A1 (en) * 2005-06-30 2008-10-30 Wilmert De Bosscher Module For Coating Both Sides of a Substrate in a Single Pass
KR20120049554A (ko) * 2010-11-09 2012-05-17 경희대학교 산학협력단 회전 원통형 대향 타겟 스퍼터링 시스템

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4828668A (en) * 1986-03-10 1989-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering system for deposition on parallel substrates
WO2004032189A2 (en) * 2002-09-30 2004-04-15 Miasolé Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells
JP2006202417A (ja) 2005-01-20 2006-08-03 Tdk Corp 磁気記録媒体の製造方法
US20100072061A1 (en) 2007-06-01 2010-03-25 Yamaguchi University Sputtering apparatus for forming thin film
KR101097329B1 (ko) 2010-01-11 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 스퍼터링 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080264785A1 (en) * 2005-06-30 2008-10-30 Wilmert De Bosscher Module For Coating Both Sides of a Substrate in a Single Pass
KR20120049554A (ko) * 2010-11-09 2012-05-17 경희대학교 산학협력단 회전 원통형 대향 타겟 스퍼터링 시스템

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230032608A (ko) * 2021-08-31 2023-03-07 최원철 대향 회전 원통형 타겟식 스퍼터 장치

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