KR20150013715A - 알루미늄 코팅된 구리 리본 - Google Patents

알루미늄 코팅된 구리 리본 Download PDF

Info

Publication number
KR20150013715A
KR20150013715A KR1020147034311A KR20147034311A KR20150013715A KR 20150013715 A KR20150013715 A KR 20150013715A KR 1020147034311 A KR1020147034311 A KR 1020147034311A KR 20147034311 A KR20147034311 A KR 20147034311A KR 20150013715 A KR20150013715 A KR 20150013715A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ribbon
layer
precursor
range
coating layer
Prior art date
Application number
KR1020147034311A
Other languages
English (en)
Inventor
오이겐 밀케
페터 프레노실
스벤 노마스
Original Assignee
헤레우스 머티어리얼즈 테크놀로지 게엠베하 운트 코 카게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 헤레우스 머티어리얼즈 테크놀로지 게엠베하 운트 코 카게 filed Critical 헤레우스 머티어리얼즈 테크놀로지 게엠베하 운트 코 카게
Publication of KR20150013715A publication Critical patent/KR20150013715A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/023Alloys based on aluminium
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21CMANUFACTURE OF METAL SHEETS, WIRE, RODS, TUBES OR PROFILES, OTHERWISE THAN BY ROLLING; AUXILIARY OPERATIONS USED IN CONNECTION WITH METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL
    • B21C1/00Manufacture of metal sheets, metal wire, metal rods, metal tubes by drawing
    • B21C1/003Drawing materials of special alloys so far as the composition of the alloy requires or permits special drawing methods or sequences
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21CMANUFACTURE OF METAL SHEETS, WIRE, RODS, TUBES OR PROFILES, OTHERWISE THAN BY ROLLING; AUXILIARY OPERATIONS USED IN CONNECTION WITH METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL
    • B21C9/00Cooling, heating or lubricating drawing material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/026Alloys based on copper
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43Manufacturing methods
    • H01L2224/432Mechanical processes
    • H01L2224/4321Pulling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43Manufacturing methods
    • H01L2224/438Post-treatment of the connector
    • H01L2224/4382Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43Manufacturing methods
    • H01L2224/438Post-treatment of the connector
    • H01L2224/43848Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45025Plural core members
    • H01L2224/4503Stacked arrangements
    • H01L2224/45032Two-layer arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45025Plural core members
    • H01L2224/4503Stacked arrangements
    • H01L2224/45033Three-layer arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45565Single coating layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/4557Plural coating layers
    • H01L2224/45572Two-layer stack coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45599Material
    • H01L2224/456Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45617Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45624Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45599Material
    • H01L2224/456Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45638Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45644Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45599Material
    • H01L2224/456Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45663Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45664Palladium (Pd) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45599Material
    • H01L2224/456Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45663Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45669Platinum (Pt) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45599Material
    • H01L2224/4569Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48105Connecting bonding areas at different heights
    • H01L2224/48106Connecting bonding areas at different heights the connector being orthogonal to a side surface of the semiconductor or solid-state body, e.g. parallel layout
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/85051Forming additional members, e.g. for "wedge-on-ball", "ball-on-wedge", "ball-on-ball" connections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00015Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed as prior art
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16151Cap comprising an aperture, e.g. for pressure control, encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/203Ultrasonic frequency ranges, i.e. KHz
    • H01L2924/20303Ultrasonic frequency [f] 50 Khz=<f< 75 KHz
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/203Ultrasonic frequency ranges, i.e. KHz
    • H01L2924/20304Ultrasonic frequency [f] 75 Khz=<f< 100 KHz
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/203Ultrasonic frequency ranges, i.e. KHz
    • H01L2924/20305Ultrasonic frequency [f] 100 Khz=<f< 125 KHz
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/206Length ranges
    • H01L2924/2064Length ranges larger or equal to 1 micron less than 100 microns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/206Length ranges
    • H01L2924/20641Length ranges larger or equal to 100 microns less than 200 microns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/206Length ranges
    • H01L2924/20642Length ranges larger or equal to 200 microns less than 300 microns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/206Length ranges
    • H01L2924/20643Length ranges larger or equal to 300 microns less than 400 microns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/2075Diameter ranges larger or equal to 1 micron less than 10 microns
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12736Al-base component
    • Y10T428/1275Next to Group VIII or IB metal-base component

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 리본, 바람직하게는 마이크로전자 부품을 본딩하기 위한 본딩 리본으로서, 표면을 갖는 구리를 포함하는 제1 층(2) 및 제1 층(2)의 표면 위에 중첩된 적어도 코팅층(3)으로서, 코팅층(3)은 알루미늄을 포함하는 것인 코팅층(3) 및 중간층(7)을 포함하고, 리본의 단면도에서, 제1 층(2)의 면적 점유율은 리본의 총 단면적에 기초하여 50 내지 96%의 범위이고, 단면도에서 리본의 폭과 높이 사이의 종횡비는 0.03 내지 0.8 미만이고, 리본은 25,000 ㎛2 내지 800,000 ㎛2의 범위인 단면적을 갖고, 중간층(7)은 제1 층(2)과 코팅층(3) 사이에 배열되고, 중간층(7)은 제1 층(2)의 재료와 코팅층(3)의 재료를 포함하는 적어도 하나의 금속간 상을 포함하는 것인 리본에 관한 것이다. 본 발명은 또한 와이어를 제조하기 위한 와이어 제조 방법, 상기 와이어 제조 방법에 의해 얻어질 수 있는 와이어, 적어도 2개의 요소 및 적어도 전술된 와이어를 포함하는 전기 장치, 상기 전기 장치를 포함하는 추진형 장치 및 웨지-본딩에 의해 전술된 와이어를 통해 2개의 요소를 연결하는 방법에 관한 것이다.

Description

알루미늄 코팅된 구리 리본{ALUMINIUM COATED COPPER RIBBON}
본 발명은 리본(ribbon), 바람직하게는 마이크로전자 부품에서의 본딩을 위한 본딩 리본(bonding ribbon)에 관한 것으로서, 표면을 갖는 구리를 포함하는 제1 층과, 제1 층의 표면 위에 중첩된 적어도 코팅층을 포함하고, 리본의 단면도에서 제1 층의 면적 점유율은 리본의 총 단면적에 기초하여 50 내지 96%의 범위이고, 단면도에서 리본의 폭과 높이 사이의 종횡비는 0.03 내지 0.8 미만의 범위이고, 리본은 25,000 ㎛2 내지 800,000 ㎛2의 범위의 단면적을 갖고, 중간층이 제1 층과 코팅층 사이에 배열되고, 중간층은 제1 층의 재료 및 코팅층의 재료를 포함하는 적어도 하나의 금속간 상(intermetallic phase)을 포함한다. 본 발명은 또한 리본을 제조하기 위한 리본 제조 방법, 상기 리본 제조 방법에 의해 얻어질 수 있는 리본, 적어도 2개의 요소 및 적어도 전술된 리본을 포함하는 전기 장치, 상기 전기 장치를 포함하는 추진형 장치 및 웨지-본딩(wedge-bonding)에 의해 전술된 리본을 통해 2개의 요소를 연결하는 방법에 관한 것이다.
본딩 와이어는 반도체 장치 제조 중에 집적 회로와 인쇄 회로 기판을 전기적으로 상호 접속하기 위해 반도체 장치의 제조에 사용된다. 또한, 본딩 와이어는 하우징의 패드 또는 핀으로 트랜지스터, 다이오드 등을 전기적으로 접속하기 위해 전력 전자 용례에 사용된다. 본딩 와이어는 초기에 금으로 제조되었지만, 현재는 구리 또는 알루미늄과 같은 저가의 재료가 사용된다. 구리 와이어는 매우 양호한 전기 및 열전도도를 제공하지만, 구리 와이어의 웨지-본딩은 알루미늄으로 제조된 와이어에 비교하여 그 과제를 갖는다. 더욱이, 구리 와이어는 와이어의 산화에 민감하다.
와이어 기하학적 형상과 관련하여, 매우 통상적인 것은 원형 단면의 와이어이다. 본딩을 위한 다른 관심 있는 기하학적 형상은 실질적으로 직사각형 단면을 갖는 리본이다. 양 기하학적 형상은 특정 용례에 이들을 유용하게 하는 그 장점들을 갖는다. 따라서, 양 유형의 기하학적 형상은 시장에서 그 점유율을 갖는다. 예를 들어, 리본은 소정의 단면적에 대해 더 큰 접촉 면적을 갖는다. 그러나, 리본의 만곡(bending)은 제한되고, 리본의 배향은 리본과 리본이 본딩되는 요소 사이의 허용 가능한 전기 접점에 도달하기 위해 본딩시에 고려되어야 한다. 본딩 와이어로 복귀하면, 이들은 만곡에 대해 더 가요성이다. 그러나, 본딩은 본딩 프로세스에서 와이어의 납땜 또는 더 큰 변형을 수반하는 데, 이는 그에 본딩되는 요소의 기초 전기 구조체들 및 본딩 패드를 손상시키거나 심지어 파괴할 수도 있다.
몇몇 최근의 개량은 코어와, 예를 들어 코어층인 외피(shell)를 갖는 본딩 와이어에 관한 것이다. 코어 재료로서, 구리 또는 금이 종종 선택된다. 코어층과 관련하여, 알루미늄이 더 통상의 선택들 중 하나이다. 이들 코어-외피 본딩 와이어는 구리 와이어의 몇몇 장점과 알루미늄 와이어의 몇몇 장점을 조합한다. 최근의 성취는 이러한 알루미늄 코팅된 구리 와이어에 대해 표준 웨지-본딩 프로세스를 사용하여 가능하게 된다. 그럼에도 불구하고, 와이어 또는 리본 및 본딩 프로세스와 관련하여 본딩 기술을 더 향상시키기 위한 진행하는 요구가 존재한다.
이에 따라, 본 발명의 목적은 개량된 리본을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 양호한 프로세싱 특성을 갖고 상호 접속시에 특정 요구를 갖지 않아, 따라서 비용을 절약하는 리본을 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 목적은 우수한 전기 및 열전도도를 갖는 리본을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 개량된 신뢰성을 나타내는 리본을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 본딩된 와이어, 또는 본딩된 와이어 아래에 놓인 구조체들의 파손 및/또는 파괴가 회피되는 본딩 기술을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 우수한 본딩성을 나타내는 리본을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 개량된 내부식성 및/또는 내산화성을 갖는 리본을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 표준 칩과 함께 사용될 신규한 리본 및 신규한 리본이 통상의 와이어에 비해 연장된 수명을 보장하는 본딩 기술을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 현재의 표준 본딩 프로세스보다 더 간단하고 따라서 비용 절약성인 본딩 기술을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 전기 장치 내의 더 치밀한 패킹을 위한 수단을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 적어도 표준 알루미늄 본딩 리본만큼 환경적 산화 및 열화에 안정한 개량된 리본을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 전기 소자가 표준 알루미늄 와이어 및 알루미늄 리본에 의해 상호 접속되는 통상의 장치에 비교하여 연장된 수명을 갖는, 특히 전력 전자 기기를 위한 개량된 전기 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 본딩이 알루미늄 와이어에 기초하는 통상의 장치보다 더 높은 전류 흐름에서 동작하는, 특히 전력 전자 기기를 위한 개량된 전기 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 전술된 통상의 장치와 동일한 치수 및 유사한 칩 디자인을 갖는 이러한 개량된 전기 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 통상의 전기 장치의 제조를 위해 원래 설계된 제조 라인 상에서 이러한 개량된 전기 장치를 제조하기 위한 수단을 제공하는 것이다. 이는 개량된 기술을 구현하기 위한 비용을 최소화할 것이다.
본 발명의 다른 목적은 의도되지 않은 내부 전기 브리징(bridging)의 확률이 통상의 전기 장치에 비교하여 감소되는 개량된 전기 장치를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 전기 장치 내의 의도되지 않은 내부 브리징과 관련하여 특정 예방책을 간단화하거나 심지어 생략하는 것을 가능하게 하는 것이다.
놀랍게도, 본 발명의 리본은 전술된 목적들 중 적어도 하나를 해결하는 것으로 판명되었다. 또한, 이들 리본을 제조하기 위한 프로세스는 리본 제조의 과제들 중 적어도 하나를 극복하는 것으로 판명되었다. 또한, 본 발명의 리본을 포함하는 반도체는 본 발명에 따른 리본과 다른 전기 소자, 예를 들어 인쇄 회로 기판, 패드/핀 등 사이의 계면에서 더 신뢰적인 것으로 판명되었다.
상기 목적들 중 적어도 하나의 해결책에 대한 기여가 카테고리-형성 청구항의 요지에 의해 제공되고, 여기서 카테고리-형성 독립 청구항들의 종속 청구항들은 본 발명의 바람직한 양태를 표현하고, 그 요지는 마찬가지로 전술된 목적들 중 적어도 하나를 해결하는 데 기여한다.
본 발명의 제1 양태는 리본으로서,
a. 표면을 갖는 구리를 포함하는 제1 층; 및
b. 제1 층의 표면 위에 중첩된 적어도 코팅층으로서, 코팅층은 알루미늄을 포함하는 것인 코팅층; 및
c. 중간층
을 포함하고,
리본의 단면도에서, 제1 층의 면적 점유율은 리본의 총 단면적에 기초하여 각각 50 내지 96%의 범위, 바람직하게는 60 내지 95% 또는 65 내지 92%, 또는 70 내지 92%의 범위이고,
단면도에서 리본의 폭과 높이 사이의 종횡비는 0.03 내지 0.8 미만, 바람직하게는 0.03 내지 0.5 또는 0.1 내지 0.3의 범위이고,
리본은 25,000 ㎛2 내지 80,000 ㎛2, 바람직하게는 100,000 ㎛2 내지 600,000 ㎛2의 범위인 단면적을 갖고,
중간층은 제1 층과 코팅층 사이에 배열되고, 중간층은 제1 층의 재료와 코팅층의 재료를 포함하는 적어도 하나의 금속간 상을 포함하는 것인 리본이다.
리본은 바람직하게는 마이크로전자 부품에서 본딩을 위한 본딩 리본이다. 리본은 바람직하게는 단일편의 물체이다. 전술된 단면도 및 직경에 대한 기준은 리본의 종방향 범위의 적어도 80%, 바람직하게는 90% 이내에 부합되어야 한다.
용어 "단면도"는 본 명세서에 있어서, 리본을 통한 절단부의 도면을 칭하고, 절단부의 평면은 리본의 종방향 범위에 수직이다. 단면도는 리본의 종방향 연장부 상의 임의의 위치에서 발견될 수 있다.
리본의 단면도는 리본의 치수를 평가하는 데 사용된다. 다른 기준으로서, 평행사변형(R1)은 평행사변형(R1)의 면적(AR1)과 리본의 면적(Aribbon)의 면적차가 리본을 에워싸도록 그려질 수 있는 모든 다른 평행사변형(Rx)에 비교하여 최소이도록 리본을 에워싸서 그려진다. 평행사변형(R1)은 2개의 변(a) 및 2개의 변(b)을 갖고, 여기서 변(a)은 변(b)보다 길다. 리본의 중심은 평행사변형(R1)의 임의의 정점에 기초하여 (a/2, b/2) 위치에서 발견된다.
단면도에서 리본의 "폭"은 리본의 경계선과 리본을 통해 평행사변형(R1)의 변(a)에 평행하게 위치될 수 있는 모든 선들 사이의 평균 종단간 거리이다.
단면도에서 리본의 "높이"는 리본의 경계선과 리본을 통해 평행사변형(R1)의 변(b)에 평행하게 위치될 수 있는 모든 선들 사이의 평균 종단간 거리이다.
용어 "직경"은 임의의 평면 및 임의의 방향에서 모든 기하학적 직경의 산술 평균이고, 모든 평면들은 와이어의 종방향 연장부에 수직이다.
용어 "중첩된"은 본 명세서에 있어서, 제2 아이템, 예를 들어 코팅층 또는 다른 시트에 대한 제1 아이템, 예를 들어 층, 시트, 또는 구리 코어의 상대 위치를 설명하는 데 사용된다. 가능하게는, 중간층과 같은 다른 아이템들이 제1 및 제2 아이템 사이에 배열될 수 있다. 바람직하게는, 제2 아이템은 제1 아이템의 총 표면에 대해 예를 들어 적어도 30%, 50%, 70% 또는 적어도 90%로 제1 아이템의 표면 위에 적어도 부분적으로 중첩된다.
용어 층의 "두께"는 본 명세서에 있어서 리본의 단면도에서 결정된 층의 크기의 산술 평균을 정의하는 데 사용되고, 여기서 산술 평균은 (a/2)-0.4*a 내지 (a/2)+0.4*a의 범위에서 위치(a') 상의 변(b)에 평행한 방향에서 R1에 대해 결정된다.
리본과 관련하여 용어 "중간층"은 본 명세서에 있어서 제1 층과 코팅층 사이의 리본의 영역이다. 이 영역에서, 제1 층에서와 같은 재료 뿐만 아니라 코팅층에서와 같은 재료가 예를 들어 적어도 하나의 금속간 상의 형태로 조합하여 존재한다.
용어 "금속간 상"은 본 명세서에 있어서 2개 이상의 금속의 상을 정의하는 데 사용되고, 여기서 상이한 요소들은 구조체 내의 상이한 부위들 내로 정렬되고, 이 부위들은 별개의 로컬 환경 및 종종 양호하게 정의된 고정된 화학양론을 갖는다. 이는 상이한 요소들이 랜덤하게 분포되어 있는 합금과 관련하는 차이이다.
예를 들어, 두께, 직경, 최장 경로, 최단 경로와 같은 모든 전술된 길이의 치수는 상기에 정의된 바와 같이 단면도에서 결정된다.
바람직하게는, 본 발명의 리본은 리본의 단면도에서 실질적으로 직사각형 영역을 갖는다. 본 발명의 리본은 라운딩된 에지를 가질 수도 있다.
코팅된 가능하게는 어닐링된 리본의 제1 층의 "표면"은 그 중심 주위에 제1 층의 가상 한계가 되도록 정의되고, 이 가상 한계는 Cu의 농도가 리본의 중심에서 Cu의 농도로부터 9.9 wt% 초과하여 벗어나는 위치이고, 이 중심은 상기와 같이 정의된다.
본 발명에 따른 제1 층은 적어도 99.9% Cu의 순도의 원소 구리(Cu)의 제1 층의 총 중량에 기초하여 적어도 95 중량 %를 포함한다. 바람직하게는, 본 발명에 따른 제1 층은 적어도 99.99%, 또는 99.999%, 또는 99.9999%의 순도의 Cu의 제1 층의 총 중량에 기초하여 적어도 98 중량 %를 포함한다.
본 발명의 바람직한 양태에 따르면, 제1 층 내의 전술된 구리의 산소 함량은 0.1 내지 80 ppm, 바람직하게는 0.5 내지 70 ppm, 또는 1 내지 60 ppm, 또는 5 내지 50 ppm, 또는 10 내지 50 ppm의 범위이다.
알루미늄을 포함하는 코팅층은 바람직하게는 알루미늄, 알루미늄 합금 또는 이들 2개의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된다.
바람직한 알루미늄은 적어도 99.9%의 순도의 원소 알루미늄(Al)이고, 더 바람직하게는 알루미늄의 순도는 적어도 99.99% Al 또는 99.9999% Al이다. 일반적으로, 이러한 코팅층은 알루미늄-공기 계면에 알루미늄 산화물의 얇은 층을 형성한다.
바람직하게는, 코팅층은 99.9%의 순도, 또한 더 바람직하게는 99.99%의 순도, 또는 99.999%의 순도의 알루미늄의 코팅층의 총 중량에 각각 기초하여, 적어도 80 중량 %, 바람직하게는 적어도 90 중량 %를 포함한다.
알루미늄 합금의 바람직한 예는 마그네슘과의 합금(AlMg) 및 합금의 총량에 기초하여 1 wt %의 실리콘과 알루미늄의 합금(AlSi1)이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 리본의 폭은 100 내지 5000 ㎛, 바람직하게는 500 내지 2000 ㎛, 또는 1000 내지 2000 ㎛의 범위이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 리본의 높이는 50 내지 500 ㎛, 바람직하게는 500 내지 400 ㎛, 또는 100 내지 300 ㎛, 또는 100 내지 200 ㎛의 범위이다.
리본의 폭과 높이의 바람직한 조합은 500 ㎛×50 ㎛, 1000 ㎛×100 ㎛, 2000 ㎛×200 ㎛, 2000 ㎛×300 ㎛ 및 2000 ㎛×400 ㎛이다.
리본의 중간층은 제1 층과 코팅층 사이에서 리본의 영역으로 정의되고, 여기서 Cu의 농도는 제1 층의 총 중량에 기초하여, 제1 층의 Cu의 농도로부터, 중간층의 총 중량에 기초하여 5 wt % 초과하여 벗어나고, Al의 농도는 코팅층의 총 중량에 기초하여, 코팅층 내의 Al의 농도로부터, 중간층의 총 중량에 기초하여 5 wt % 초과하여 벗어난다.
리본의 전술된 치수들, 즉 코팅층의 두께, 중간층의 두께 및 구리 코어의 직경은 예를 들어 광현미경 또는 주사 전자 현미경을 사용하여 리본의 단면도에서 결정될 수 있다. 광현미경에서, 제1 층은 구리 적색으로 착색되고, 코팅층은 은색이고, 중간층은 회색이다. 전술된 구리와 알루미늄의 농도는 조합된 SEM/EDX[주사 전자 현미경/에너지 분산 X-선 분광(Scanning electron microscopy/energy disperse X-ray spectroscopy)]을 사용하여 결정될 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 리본의 임의의 단면도에서 중간층의 면적 점유율은 리본의 총 단면적에 각각 기초하여, 0.1 내지 15%, 바람직하게는 0.1 내지 10%, 또는 0.3 내지 5%, 또는 0.8 내지 8.5%의 범위이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 중간층의 두께는 0.1 내지 5 ㎛, 바람직하게는 0.5 내지 3 ㎛의 범위이다. 중간층의 두께에 대한 전술된 기준은 리본의 종방향 범위의 적어도 80%, 바람직하게는 90% 이내에 부합되어야 한다. 때때로, 중간층의 두께의 편차는 중간층의 불완전부, 예를 들어, 기공에 기인하여 발생할 수도 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 중간층의 두께의 표준 편차는 0.05 내지 0.5 ㎛, 바람직하게는 0.1 내지 0.3 ㎛의 범위이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 리본의 단면도에서 코팅층의 면적 점유율은 리본의 총 단면적에 각각 기초하여, 3.9 내지 50%, 바람직하게는 8 내지 40%의 범위이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 코팅층의 두께는 10 내지 70 ㎛, 바람직하게는 20 내지 70 ㎛, 또는 20 내지 60 ㎛의 범위이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 코팅층의 두께의 표준 편차는 0.1 내지 10 ㎛, 바람직하게는 0.5 내지 7 ㎛ 또는 1 내지 6 ㎛의 범위이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 제1 층의 두께는 25 내지 380 ㎛, 바람직하게는 80 내지 350 ㎛ 또는 150 내지 300 ㎛의 범위이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 제1 층의 두께의 표준 편차는 0.1 내지 10 ㎛, 바람직하게는 0.5 내지 7 ㎛, 또는 1 내지 6 ㎛의 범위이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 손실 일(dissipated work)은 순(純) Al로부터 제조된 기준 리본에 대한 손실 일보다 본 발명에 따른 리본에 대해 적어도 2배, 바람직하게는 적어도 3배 높다. 바람직하게는, 손실 일은 20000 내지 120000 시험 사이클의 범위의 시험 사이클에서 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대한 손실 일보다 본 발명에 따른 리본에 대해 적어도 2배, 바람직하게는 적어도 3배 높다. 더 바람직하게는, 손실 일은 20000 내지 120000 시험 사이클의 범위의 모든 시험 사이클에서 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대한 손실 일보다 본 발명에 따른 리본에 대해 적어도 2배, 바람직하게는 적어도 3배 높다. 그러나, 몇몇 경우에, 본 발명에 따른 리본에 대한 손실 일은 순 Al로부터 제조된 기준 리본의 손실 일보다 10배 이하 높다. 순 Al로부터 제조된 기준 리본은 50 ppm 니켈("AL-H11 CR" 하에서 Heraeus/독일에 의해 판매됨)로 도핑되고 본 발명의 리본과 동일한 단면적을 갖는 99.999%의 순도의 알루미늄으로 제조된 리본이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 최대 스트레인은 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대한 최대 스트레인보다 본 발명에 따른 리본에 대해 적어도 1.5배, 바람직하게는 적어도 2배, 또는 적어도 4배이다. 바람직하게는, 최대 스트레인은 20000 내지 120000 시험 사이클의 범위의 시험 사이클에서 순 Al로부터 제조된 기준 리본으로부터 최대 스트레인보다 본 발명에 따른 리본에 대해 적어도 2배, 바람직하게는 적어도 4배 높다. 더 바람직하게는, 최대 스트레인은 20000 내지 120000 시험 사이클의 범위의 모든 시험 사이클에서 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대한 최대 스트레인보다 본 발명에 따른 리본에 대해 적어도 2배, 바람직하게는 적어도 4배 높다. 그러나, 몇몇 경우에, 본 발명에 따른 리본의 최대 스트레인은 순 Al로부터 제조된 기준 리본의 최대 스트레인의 5배 이하 높다. 순 Al로부터 제조된 기준 리본은 50 ppm 니켈("AL-H11 CR" 하에서 Heraeus/독일에 의해 판매됨)로 도핑되고 본 발명의 리본과 동일한 단면적을 갖는 99.999%의 순도의 알루미늄으로 제조된 리본이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 전력 사이클링 시험에서 동일한 조건 하에서 사이클의 수는 20000 내지 120000 시험 사이클의 범위의 시험 사이클에서 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대한 전력 사이클링보다 본 발명에 따른 리본에 대해 적어도 3배, 바람직하게는 적어도 4배 높다. 더 바람직하게는, 전력 사이클링 시험은 20000 내지 120000 시험 사이클의 범위의 모든 시험 사이클에서 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대한 전력 사이클링보다 본 발명에 따른 리본에 대해 적어도 3배, 바람직하게는 적어도 4배 높다. 그러나, 몇몇 경우에, 본 발명에 따른 리본에 대한 전력 사이클링 시험은 순 Al로부터 제조된 기준 리본의 손실 일보다 30배 이하 높다. 순 Al로부터 제조된 기준 리본은 50 ppm 니켈("AL-H11 CR" 하에서 Heraeus/독일에 의해 판매됨)로 도핑되고 본 발명의 리본과 동일한 단면적을 갖는 99.999%의 순도의 알루미늄으로 제조된 리본이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 본드 전단력은 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대한 것에 대해 본 발명에 따른 리본에 대한 것만큼 높다. 이 시험은 이하에 설명된다. 순 Al로부터 제조된 기준 리본은 50 ppm 니켈("AL-H11 CR" 하에서 Heraeus/독일에 의해 판매됨)로 도핑되고 본 발명의 리본과 동일한 단면적을 갖는 99.999%의 순도의 알루미늄으로 제조된 리본이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 인발력은 순 Al로부터 제조된 기준 와이어에 대해서보다 본 발명에 따른 리본에 대해 적어도 10% 높다. 순 Al로부터 제조된 기준 리본은 50 ppm 니켈("AL-H11 CR" 하에서 Heraeus/독일에 의해 판매됨)로 도핑되고 본 발명의 리본과 동일한 단면적을 갖는 99.999%의 순도의 알루미늄으로 제조된 리본이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 본 발명의 리본은 전술된 시험 조건들, 즉 손실 일, 최대 스트레인, 전력 사이클링 시험, 와이어 본드 전단력 및 웨지 인발력 중 적어도 2개 또는 심지어 모두에 부합한다.
본 발명의 다른 양태는 리본을 제조하기 위한 리본 제조 방법으로서,
적어도 이하의 단계:
a. 표면을 갖는 구리 코어 및 코팅층을 포함하고, 이 코팅층은 구리 코어의 표면 위에 중첩되는 것인 와이어 전구체를 제공하는 단계로서, 코팅층은 알루미늄을 포함하고,
와이어 전구체의 단면도에서, 구리 와이어의 면적 점유율은 와이어 전구체의 총 단면적에 각각 기초하여, 50 내지 90%, 바람직하게는 60 내지 100%, 또는 70 내지 95%의 범위이고,
단면도에서 와이어 전구체를 통한 최장 경로와 최단 경로 사이의 종횡비는 0.8 초과 내지 1.0, 바람직하게는 0.9 내지 1.0의 범위이고,
와이어 전구체는 0.5 내지 5 mm의 범위의 직경을 갖는 것인,
와이어 전구체를 제공하는 단계와,
b. 리본 전구체가 얻어지는 와이어 전구체를 성형하는 단계와,
c. 성형된 리본 전구체를 어닐링하는 단계로서, 중간층이 형성되고, 이어서 리본이 얻어지는 것인, 리본 전구체를 어닐링하는 단계
를 포함하는 리본을 제조하기 위한 프로세스이다.
리본은 바람직하게는 25,000 ㎛2 내지 800,000 ㎛2 또는 100,000 ㎛2 내지 600,000 ㎛2의 범위의 단면적을 갖는다.
전술된 리본에 관한 본 발명의 양태는 또한 리본을 제조하기 위한 전술된 프로세스에 의해 얻어진 리본의 바람직한 양태이다.
와이어 전구체의 치수를 평가하기 위해, 단면도에서 와이어 전구체를 통한 "최장 경로"는 단면도의 평면 내의 와이어 전구체의 단면도를 통해 놓일 수 있는 최장 코드이다.
단면도에서 와이어 전구체를 통한 "최단 경로"는 상기에 규정된 단면도의 평면 내의 최장 경로에 수직인 최장 코드이다.
와이어가 완벽한 원형 단면을 가지면, 최장 경로 및 최단 경로는 구별 불가능하게 되고 동일한 값을 공유한다.
바람직하게는, 와이어 전구체는 와이어 전구체의 단면도에서 실질적으로 원형 영역을 갖는다.
미코팅 구리 와이어 전구체의 구리 코어의 "표면"은 와이어 전구체/공기 계면이다.
코팅된, 가능하게는 어닐링된 와이어 전구체의 구리 코어의 "표면"은 그 중심 주위에 구리 코어의 가상 한계로서 정의되고, 이 가상 한계는 Cu의 농도가 와이어 전구체의 중심에서 Cu의 농도로부터 9.9 wt% 초과하여 벗어나는 위치이고, 이 중심은 상기에 정의된 바와 같이 최단 경로와 최장 경로의 교점에 의해 정의된다.
와이어 전구체와 관련하여 본 발명에 있어서 용어 "중간층"은 구리 코어와 코팅층 사이에서 와이어 전구체의 영역이다. 이 영역에서, 코어에서와 같은 재료 뿐만 아니라 코팅층에서와 같은 재료는 예를 들어 적어도 하나의 중간 상의 형태의 조합으로 존재한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 구리 코어의 직경은 와이어 전구체의 단면도에서 각각 결정된, 100 내지 500 ㎛, 150 내지 400 ㎛, 또는 200 내지 300 ㎛, 또는 230 내지 250 ㎛의 범위이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 코팅층의 두께 대 구리 코어의 직경의 비는 와이어 전구체의 단면도에서 각각 결정된, 0.05 내지 0.2, 바람직하게는 0.05 내지 0.15 또는 0.1 내지 0.15의 범위이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 구리 와이어의 직경과 구리 코어의 직경의 표준 편차의 비는 와이어 전구체의 단면도에서 각각 결정된, 0.1 이하, 또는 0.05 이하, 또는 0.03 이하, 또는 0.03 내지 0.001의 범위이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 코팅층의 두께는 와이어 전구체의 단면도에서 각각 결정된, 10 내지 60 ㎛, 바람직하게는 20 내지 50 ㎛, 또는 20 내지 40 ㎛, 또는 25 내지 35 ㎛의 범위이다. 코팅층의 두께에 대한 전술된 기준은 와이어 전구체의 종방향 범위의 적어도 80%, 바람직하게는 90% 이내에 부합되어야 한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 와이어 전구체는 0.05 내지 0.5, 바람직하게는 0.1 내지 0.3의 범위인 코팅층의 두께와 코팅층의 두께의 표준 편차 사이의 비를 갖는다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 중간층은 와이어 전구체의 코팅층과 코어 사이에 배열된다. 중간층은 바람직하게는 코어의 재료 및 코팅층의 재료를 포함하는 적어도 하나의 금속간 상을 포함한다. 중간층은 일반적으로 수반된 각각의 재료에 대한 농도 구배를 나타낸다. 금속간 상은 양 재료들이 금속이면 형성된다.
본 발명의 바람직한 양태에 따르면, 중간층은 와이어 전구체의 코어층과 코어 사이에 배열되고, 중간층은 구리 코어에 인접하고 코팅층에 인접한다.
본 발명에 따른 와이어 전구체의 제1 층은 제1 층의 총 중량에 기초하여, 적어도 99.9% Cu의 순도의 원소 구리(Cu)의 적어도 95 중량 %를 포함한다. 바람직하게는, 본 발명에 따른 제1 층은 제1 층의 총 중량에 기초하여, 적어도 99.99%, 또는 99.999%, 또는 99.9999%의 순도의 Cu의 적어도 98 중량 %를 포함한다.
본 발명의 바람직한 양태에 따르면, 와이어 전구체의 제1 층 내의 전술된 구리의 산소 함량은 0.1 내지 80 ppm, 바람직하게는 0.5 내지 70 ppm, 또는 1 내지 60 ppm, 또는 5 내지 50 ppm, 또는 10 내지 50 ppm의 범위이다.
와이어 전구체의 중간층은 구리층과 코팅층 사이에서 와이어 전구체의 영역으로 정의되고, 여기서 Cu의 농도는 구리 코어의 총 중량에 기초하여, 구리층의 Cu의 농도로부터, 중간층의 총 중량에 기초하여 5 wt % 초과하여 벗어나고, Al의 농도는 구리 코어의 총 중량에 기초하여, 코팅층 내의 Al의 농도로부터, 중간층의 총 중량에 기초하여 5 wt % 초과하여 벗어난다.
와이어 전구체의 전술된 치수들, 즉 코팅층의 두께, 중간층의 두께 및 구리 코어의 직경은 예를 들어 광현미경 또는 주사 전자 현미경을 사용하여 와이어 전구체의 단면도에서 결정될 수 있다. 광현미경에서, 제1 층은 구리 적색으로 착색되고, 코팅층은 은색이고, 중간층은 회색이다. 전술된 구리와 알루미늄의 농도는 조합된 SEM/EDX[주사 전자 현미경/에너지 분산 X-선 분광]을 사용하여 결정될 수 있다.
단계 a에서와 같은 와이어 전구체는 구리 와이어의 표면의 적어도 일부 상에 알루미늄 코팅층을 형성함으로써 얻어질 수 있다. 바람직하게는, 알루미늄층은 구리 와이어의 총 표면적에 대해 각각, 구리 와이어의 표면의 100%, 또는 80 내지 100%, 또는 60 내지 80% 상에 형성된다. 구리 표면 상에 그리고 특히 구리 와이어 상에 알루미늄층을 형성하기 위한 수많은 기술이 공지되어 있다. 바람직한 기술은 전해도금, 무전해 도금과 같은 도금, 스퍼터링과 같은 기상으로부터 알루미늄의 증착, 이온 도금, 진공 증발 및 화학 기상 증착, 및 용융물로부터 알루미늄의 증착이다.
구리 와이어의 전처리는 구리 와이어의 표면에 표면 거칠기를 적용하고 그리고/또는 패턴을 추가하도록 이용될 수 있다. 구리 와이어의 표면을 조정하기 위한 수많은 기술이 공지되어 있다. 바람직한 기술은 냉간 압연 성형, 연삭 및 전기화학 연삭이다.
와이어 전구체를 성형하기 위한 수많은 기술이 공지되어 있다. 바람직한 기술은 압연, 스웨이징(swagging), 다이 인발 등이고, 그 중에 다이 인발이 특히 바람직하다. 더 바람직하게는, 와이어 전구체는 3 내지 20 단계로 인발되고, 여기서 각각의 단계에서 길이의 6 내지 18%의 와이어 전구체의 연신이 수행된다. 슬립제(slipping agent)가 이용될 수도 있다. 적합한 슬립제는 무수히 많고 당 기술 분야의 숙련자에게 공지되어 있다. 리본 전구체는 와이어 전구체를 성형함으로써 얻어진다.
본 발명의 다른 양태는 리본을 제조하기 위한 리본 제조 방법으로서,
적어도 이하의 단계:
A) 적어도 99.9%의 순도의 구리를 포함하는 제1 시트를 제공하는 단계와,
B) 99.9%의 순도의 알루미늄을 포함하는 적어도 하나의 다른 시트를 제공하는 단계로서, 제1 시트 및 적어도 하나의 다른 시트의 단면도에서, 제1 시트의 단면적 대 적어도 하나의 다른 시트의 단면적의 비는 1:1 내지 4:1, 바람직하게는 1.2:1 내지 3.8:1의 범위인 것인, 적어도 하나의 다른 시트를 제공하는 단계와,
C) 단계 a 및 b에서 제공된 시트를 중첩하고, 시트들을 조합하여 리본 전구체를 얻고 리본 전구체를 성형하는 단계와,
D) 성형된 조합된 시트를 어닐링하는 단계로서, 중간층이 형성되고, 이어서 리본이 얻어지는, 리본 전구체를 어닐링하는 단계를 포함하는 리본을 제조하기 위한 프로세스이다.
리본은 바람직하게는 25,000 내지 800,000 ㎛2, 또는 100,000 내지 600,000 ㎛2의 범위의 단면적을 갖는다.
전술된 리본에 관한 본 발명의 양태는 또한 리본을 제조하기 위한 전술된 리본 제조 방법에 의해 얻어진 리본의 바람직한 양태이다.
본 발명의 양태에 따르면, 99.9%의 순도의 알루미늄을 포함하는 적어도 2개의 시트가 제공된다. 이 경우에, 제1 시트는 바람직하게는 단계 C)에서 시트를 중첩할 때 적어도 2개의 다른 시트 사이에 위치된다.
단계 C)에서, 단계 A) 및 B)에서 제공된 시트는 중첩되고, 조합되고, 이어서 성형되어 성형된 리본 전구체를 얻는다. 상기 시트들을 중첩하는 것은 종종 조합 직전에 수행된다. 조합은 당 기술 분야에 공지된 수많은 기술, 바람직하게는 압연에 따라 수행될 수 있다. 또 더욱 바람직하게는, 리본 전구체의 두께 및 단면적은 리본의 원하는 높이로 압연 중에 조정된다. 단면적의 적응은 압연 중에 리본을 인발함으로써 수행된다.
리본 전구체의 성형은 당 기술 분야에 공지된 수많은 기술에 따라, 바람직하게는 당 기술 분야에 공지된 것들로부터 적절하게 선택된 절단 다이를 사용하여 리본 전구체를 성형된 리본 전구체로 절단함으로써 수행될 수 있다. 또 더욱 바람직하게는, 성형된 리본 전구체의 폭은 리본의 원하는 폭으로 절단함으로써 조정된다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 제1 층은 적어도 하나의 다른 층으로부터 전환되는 측면 상에 코팅으로 코팅된다. 코팅은 그 동안에 온도를 실질적으로 견뎌야 하는 유기 코팅일 수 있다. 바람직하게는, 코팅은 예를 들어 팔라듐, 플래티늄 또는 금과 같은 금속층인데, 이는 후속의 어닐링 중에 제1 층이 산화하는 것을 방지한다. 이러한 코팅은 때때로 본딩 프로세스 중에 본드-공구를 보호하는 것을 돕도록 도포된다.
전술된 프로세스의 단계 C) 및 단계 D)에서, 리본은 성형된 리본 전구체를 어닐링함으로써 얻어진다. 수많은 전구체가 리본 전구체를 어닐링하기 위해 당 기술 분야에 알려져 있는데, 예를 들어 리본 전구체의 어닐링은 연속적인 또는 불연속적인 프로세스의 모두에서 수행될 수 있다. 특정 용례에서, 연속적인 및 불연속적인 프로세스는 심지어 조합될 수도 있다.
본 발명의 바람직한 양태에 따르면, 어닐링은 140 내지 400℃, 바람직하게는 160 내지 350℃, 또는 200 내지 300℃, 또는 220 내지 280℃의 범위의 온도로 리본 전구체를 가열함으로써 수행되고, 온도는 30분 내지 5시간, 바람직하게는 30분 내지 3시간 동안 유지된다. 다음에, 리본 전구체를 어닐링함으로써 얻어졌던 리본은 실온으로 냉각된다. 냉각은 다양한 방식으로 수행될 수 있다. 일 적합한 방식은 가열 구역을 떠날 때 주위 온도에서 주위 압력으로 리본을 노출하는 것이다.
전술된 절차에 따른 실온(T=20℃)으로의 리본의 냉각은 일반적으로 24시간 이내에 성취될 수 있다. 리본이 켄칭(quenching)은 예를 들어 냉수 내의 침지 등에 의해 회피되어야 한다. 이에 따라, 다른 양태는 가열 구역을 떠날 때 리본의 냉각이 리본의 켄칭에 의해 수행되지 않는 프로세스이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 어닐링은 연속적인 프로세스에서, 더 바람직하게는 튜브로(tube furnace) 내에서 수행된다. 더욱 더 바람직하게는, 리본 전구체는 와이어 전구체를 제공하고 단일 인발기에 의한 성형 및 어닐링 단계로부터 인발된다.
튜브로 내에서 어닐링 중에 인발 속도는 튜브로의 튜브의 길이에 의존한다. 튜브가 길수록, 리본 전구체의 부분에 특정 에너지 노출을 얻기 위해 더 높은 인발 속도가 실행 가능해진다. 튜브로의 튜브의 바람직한 길이는 0.8 내지 2.5 m, 또는 1 내지 2 m, 또는 1.5 내지 2.5 m의 범위이다.
노의 튜브 내의 온도는 인발 속도로 조정되고, 또는 독립적으로 평가될 수 있다. 튜브 내의 바람직한 온도는 150 내지 600℃, 또는 200 내지 600℃, 또는 250 내지 550℃의 범위이다. 일반적으로, 온도는 리본 전구체 내에 존재하는 성분들 중 적어도 하나 또는 적어도 2개의 성분들의 혼합물이 액화하는 온도보다 낮도록 선택된다. 예를 들어, 부분적으로 가용성 또는 불용성 2-성분 또는 다-성분 합금이 어닐링되면, 합금의 공정 온도(eutectic temperature)는 오븐 내의 온도에 의해 초과되지 않아야 한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 노 내의 온도는 리본 전구체의 성분들 중 적어도 하나 또는 적어도 2개의 성분들의 혼합물이 액화하는 온도보다 낮은 적어도 30℃ 또는 50℃ 또는 80℃가 되도록 선택된다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 어닐링 속도는 1 내지 20 m/min, 또는 1 내지 16 m/min, 또는 2 내지 18 m/min의 범위로 선택된다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 어닐링은 불활성 분위기 또는 환원 분위기에서 수행될 수 있다. 이는 튜브로 내에서와 같은 연속적인 프로세스에서, 뿐만 아니라 불연속적 프로세스에서의 어닐링의 모두에 적용된다. 수많은 불활성 분위기 뿐만 아니라 환원 분위기가 당 기술 분야에 공지되어 있다. 공지된 불활성 분위기 중에서, 질소가 바람직하다. 공지의 환원 분위기 중에서, 수소가 바람직하다. 또한, 바람직한 환원 분위기는 질소와 수소의 혼합물이다. 바람직하게는, 혼합물의 총 체적을 각각 참조하여, 90 내지 98 체적 %의 범위의 질소 및 10 내지 2 체적 %의 수소인 질소와 수소의 혼합물이 바람직하다. 질소/수소의 바람직한 혼합물은 혼합물의 총 체적에 각각 기초하여, 93/7, 95/5 및 97/3 체적 %-체적 %이다. 어닐링에서 환원 분위기를 적용하는 것은, 리본 전구체의 표면의 몇몇 부분이 공기중의 산소에 의한 산화에 민감하면, 예를 들어 리본 전구체의 구리가 그 표면에 노출되면 특히 바람직하다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 어닐링은 바람직하게는 1 내지 20 m/min의 범위의 인발 속도에서, 또한 더 바람직하게는 환원 분위기 내에서, 150℃ 내지 600℃의 범위의 온도에서 튜브로 내에서 수행된다.
본 발명의 다른 양태는 상기에 규정된 방법에 의해 얻어질 수 있는 리본이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 리본은 이하의 피쳐(feature)들:
a. 손실 일이 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대한 손실 일보다 본 발명에 따른 리본에 대해 적어도 2배 더 높고,
b. 반복 단축 시험(uniaxial cyclic test)에서의 최대 스트레인은 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대한 최대 스트레인보다 본 발명에 따른 리본에 대해 적어도 1.5배 더 높고,
c. 전력 사이클링 시험은 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대해서보다 본 발명에 따른 리본에 대해 적어도 3배 더 높고,
d. 본 발명에 따른 리본의 인발력은 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대해서보다 리본에 대해 적어도 10% 더 높고,
e. 본 발명에 따른 리본의 본딩 전단력은 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대해서만큼 리본에 대해 높고,
f. 본 발명에 따른 리본의 전기 전도도는 순 Al로부터 제조된 기준 리본의 전기 전도도보다 20% 내지 55% 더 높은 범위에 있는 것
중 적어도 하나를 특징으로 한다.
상기에서 순 Al로부터 제조된 기준 리본은 50 ppm 니켈("AL-H11 CR" 하에서 Heraeus/독일에 의해 판매됨)로 도핑되고 본 발명의 리본과 동일한 단면적을 갖는 99.999%의 순도의 알루미늄으로 제조된 리본이다.
본 발명의 다른 양태는 2개의 요소 및 적어도 상기에 규정된 바와 같은 리본 또는 전술된 바와 같이 제조된 리본을 포함하는 전기 장치이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 전기 장치 내의 적어도 하나의 리본은 웨지 본딩에 의해, 바람직하게는 초음파 웨지 웨지 본딩에 의해 전기 장치의 다른 요소에 접속된다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 요소들 중 적어도 하나는 기판, IGBT[즉, 절연 게이트 쌍극 트랜지스터(insulated gate bipolar transistor)], 집적 회로, 트랜지스터, 발광 다이오드, 포토 다이오드와 같은 다이오드로 이루어진 그룹으로부터 선택된다.
본 발명의 다른 양태는 전술된 바와 같은 리본 또는 제어 유닛과 제어형 장치 사이의 웨지-웨지 본딩 상호 접속에서 전술된 바와 같은 프로세스에 따라 제조된 리본의 사용이다.
본 발명이 다른 양태는 추진형 장치, 바람직하게는 추진형 차량, 태양 전지 또는 윈드 터빈이고, 이 추진형 장치는 전술된 바와 같은 적어도 하나의 전기 장치를 포함한다.
본 발명의 다른 양태는 전기 장치를 제조하기 위한 전기 장치 제조 방법으로서,
a. 적어도 2개의 요소를 제공하는 단계;
b. 전술된 바와 같은 리본을 통해 2개의 요소를 접속하는 단계로서, 상기 접속들 중 적어도 하나는 웨지 본딩에 의해 수행되는 것인 2개의 요소를 접속하는 단계
를 포함하는 전기 장치 제조 방법이다.
웨지 본딩 기술은 당 기술 분야에 공지되어 있고, 예를 들어 샹카라 케이. 프라사드(Shankara K. Prasad)의 "진보된 와이어본드 상호 접속 기술(Advanced Wirebond Interconnection Technology)", Kluwer Academic Publishers, 2004년, ISBN 1-4020-7762-9, 특히 챕터 I(서론) 및 챕터 IV(프로세스 기술)과 같은 문헌에 광범위하게 설명되어 있다.
본 발명의 요지가 도면에 예시되어 있다. 그러나, 도면은 어떠한 방식으로도 본 발명 또는 청구범위의 범주를 한정하도록 의도된 것은 아니다.
도 1은 리본(1)을 도시하고 있다.
도 2는 경계 라인(8)을 갖는 리본(1)의 단면도를 도시하고 있다. 단면도에서, 제1 층(2)이 도시되어 있다. 제1 층(2)은 코팅층(3)에 인접한 중간층(7)에 인접한다. (가상) 평행사변형(R1)이 리본(1)을 포함한다. 리본(1)의 중심(24)은 평행사변형(R1)의 좌하측 코너로부터 위치(a/2, b/2)에 위치된다.
도 3은 와이어 전구체(9)의 단면도를 도시하고 있다. 단면도에서, 구리 코어(2')는 단면도의 중간에 있다. 구리 코어(2')는 코팅층(3)에 의해 포위된다. 와이어 전구체(2')의 한계에서, 구리 코어의 표면(15')이 코팅된다. 와이어 전구체(9)의 중심(23)을 통한 라인(L) 상에는 구리 코어(2')의 직경이 라인(L)과 표면(15)의 교점들 사이의 단부간 거리로서 도시되어 있다. 와이어 전구체(9)의 직경은 중심(23)을 통한 라인(L)과 와이어 전구체(9)의 외부 한계의 교점 사이의 단부간 거리이다. 게다가, 코팅층(3)의 두께가 도시되어 있다.
도 4는 본 발명에 따른 방법을 도시하고 있다.
도 5는 본 발명에 따른 다른 방법을 도시하고 있다.
도 6은 2개의 요소(11)와 리본(1)을 포함하는 전기 장치를 도시하고 있다. 리본(1)은 2개의 요소(11)를 전기 접속한다.
도 7은 다른 전기 장치(10)를 도시하고 있다. 4개의 요소(11)가 3개의 리본(1)에 의해 전기적으로 접속된다.
도 8은 전기 장치(10)를 포함하는 추진형 장치(16), 이 경우에 차량을 도시하고 있다.
도 9는 본 발명에 따른 리본의 부분의 단면도가 도시되어 있다.
도 10은 리본(1)의 확대도를 도시하고 있다. 저부로부터 상부로 제1 층(2) 및 이어서 중간층(7)이, 상부에는 코팅층(3)이 도시되어 있다. 코팅층(3)에 인접한 상부에서 흑색 영역은 배경이고 예의 부분은 아니다.
도 11은 스트레인-반복 단축 시험의 예시적인 차트를 도시하고 있다. x축에는, 연신율이 %로 도시되어 있다. y축에는, 응력[Mpa]이 도시되어 있다. 실험으로부터의 최종 곡선은 이력 루프(hysteresis loop)이다. A로 표시된 곡선은 본 발명에 따른 리본에 의해 기록되었고, 곡선 B는 순 알루미늄으로부터 제조된 기준 리본으로 기록되었다. Δεpl 및 Δw는 시험 방법에서 설명된 바와 같이 결정된다.
도 12 및 도 13은 도 12의 차트에서 손실 일에 대한 그리고 도 13에서 소성 스트레인에 대한 결과를 수집하는 도 11에 대해 설명되어 있는 것과 같은 복수의 측정치를 도시하고 있다. 둥근 도트로 표시된 값들은 본 발명에 따른 리본에 의해 기록되었고, 직사각형 도트로 표시된 값들은 순 알루미늄으로부터 제조된 기준 리본으로 기록되었다.
도 14는 전력 사이클링 시험의 결과들을 수집하는 차트를 도시하고 있다. x축에는, 사이클의 시작시 및 사이클의 종료시의 온도 사이의 차이인 ΔT가 도시되어 있다. y축에는, 파손까지의 사이클의 수가 도시되어 있다. 이 차트에서, 순 알루미늄으로부터 제조된 샘플 리본에 대한 곡선이 도시되어 있다(밝은 직사각형 도트를 통한 곡선 맞춤). 또한, 본 발명에 따른 리본에 대한 곡선이 도시되어 있다(어두운 직사각형 도트를 통한 곡선 맞춤). 차트에 따르면, 파손까지의 사이클의 수는 순 알루미늄으로부터 제조된 기준 리본에 대해 적어도 3배만큼 높다.
도 15는 리본 인발 시험의 스케치를 도시하고 있다. 기판(20)에는 리본(1)이 45°의 각도(19)에서 본드(21) 내에 본딩된다. 인발 후크(17)가 리본(1)을 인발한다. 인발 후크(17)가 와이어(1)를 인발할 때 형성되는 각도(32)는 90°이다.
시험 방법
모든 시험 및 측정은 T=20℃ 및 50%의 상대 습도에서 수행되었다. 일반적으로, 리본에 대해 설명된 모든 시험은 와이어를 사용하여 유사한 방식으로 수행될 수 있다.
전기 전도도
시험 시편, 즉 1.0 미터 길이의 리본의 양 단부는 I = 10 mA의 일정 전류를 제공하는 전원에 접속되었다. 전압은 전압을 측정하기 위한 장치로 기록되었다. 이 셋업은 적어도 4개의 시험 시편으로 반복되었다. 4개의 측정치의 산술 평균이 이하에 제공된 계산을 위해 사용되었다.
저항(R)은 R = U/I에 따라 계산되었다.
비저항(ρ)은 ρ = (R×A)/l에 따라 계산되었고, 여기서 A는 와이어의 평균 단면적이고, l은 전압을 측정하기 위한 장치의 2개의 측정점들 사이의 와이어의 길이이다.
비전도도(σ)는 σ = 1/ρ에 따라 계산되었다.
층 두께
코팅층의 두께, 중간층의 두께 및 코어의 직경을 결정하기 위해, 리본은 리본의 최대 연신에 수직으로 절단되었다. 절단은 예를 들어 Al과 같은 연성 재료의 얼룩(smearing)을 회피하기 위해 조심스럽게 연삭되고 연마되었다. 광학 현미경 또는 주사 전자 현미경(SEM)을 통해 기록되었고, 배율은 와이어의 전체 단면이 표시되도록 선택되었다.
이 절차는 적어도 15분 반복되었다. 모든 값들은 적어도 15회 측정의 산술 평균으로서 제공된다.
웨지-웨지 본딩 - 파라미터 정의(리본의 경우)
AlSi1(Heraeus/독일)로 도금된 CuSn6로 제조된 기판 상의 리본의 본딩이 20℃에서 수행되었고, 여기서 본딩은 AlSi1 표면에 적용되었다. 리본은 알루미늄 코팅층으로 코팅된 리본의 측면 상에서 항상 웨지 본딩된다. 리본이 알루미늄층으로 코팅된 하나 초과의 측면을 가지면, 웨지 본딩은 동일한 측면에, 즉 동일한 알루미늄층 상에서 수행된다. 웨지 본딩은 항상 이들의 편평한 표면 상의 리본에 적용된다. 리본과 기판 사이의 45°의 각도를 갖는 제1 웨지 본드를 형성한 후에, 리본은 그 제2 단부로 기판에 웨지고정되었다. 리본의 2개의 단부들 사이의 본드들의 거리는 5 내지 20 mm의 범위였다. 이 거리는 리본과 기판 사이에 45°의 각도를 보장하기 위해 선택되었다. 웨지 본딩 중에, 60 내지 120 kHz의 범위의 주파수의 초음파는 90 내지 500 밀리초 동안 본드 공구에 적용되었다. 동일한 웨지 본딩 조건이 시험될 모든 리본에 적용되었다.
인발 시험(리본의 경우)
인발 시험이 XYZTEC Condor 150 기계 상에서 MIL-STD-883G 방법 2011.7(1989년), 조건 D에 따라 수행되었다. 이 표준의 편차에서, 45°의 각도에서 AlSi1(Heraeus/독일로부터 입수 가능함)로 도금된 CuSn6로 제조된 알루미늄 기판 상에 그 알루미늄 코팅된 편평한 표면 상에 웨지-본딩되었던 리본이 사용되었고, 본딩은 AlSi1 표면에 적용되었다. 리본의 2개의 단부들 사이의 본드들의 거리는 5 내지 20 mm의 범위였다. 이 거리는 리본과 기판 사이에 45°의 각도를 보장하기 위해 선택되었다. 루프는 2500 ㎛/s의 인발 속도에서 루프의 중간부에서 인발되었다. 사용되는 인발 후크는 XYZTec TOR51200이었다.
본드 전단 시험(리본의 경우)
본드 전단 시험은 XYZTEC Condor 150 기계 상에서 AEC-Q101-003 Rev-A(07.2005)에 따라 수행되었다. 이 표준의 편차에서, 45°의 각도에서 AlSi1(Heraeus/독일로부터 입수 가능함)로 도금된 CuSn6로 제조된 알루미늄 기판 상에 그 알루미늄 코팅된 편평한 표면 상에 웨지-본딩되었던 리본이 사용되었고, 본딩은 AlSi1 표면에 적용되었다. 전단 시험은 웨지고정된 본드의 넓은 측면, 즉 리본의 단부를 전단하여 수행되었다. 다음에, 전단 공구는 50 ㎛/s의 속도로 기판으로 하강되어 0 높이를 규정하였다. 다음에, 전단 공구는 기판의 표면으로부터 35 ㎛ 퇴피되었다. 다음에, 전단이 250 ㎛/s의 속도에서 수행되었다. 본드 전단 파괴 모드: (1) 본드 리프팅; (2) 본드 전단; (3) 분화구현상(cratering); (4) 본딩면 리프팅(그 기초 기판으로부터 본딩면의 분리)이 또한 기록되었다.
스트레인 및 손실 일 - 단축 사이클 시험(리본을 위한)
기계적 스트레인(인장 및 압축)을 인가하기 위해 직선형 리본의 샘플이 클램핑되었다. 기계적 시험에 노출된 리본의 길이는 1.0 mm이다. 샘플의 사이클링은 샘플의 파괴까지(와이어의 파괴) 1%/s의 스트레인율로 수행되었다. 기계는 샘플에 의해 전달된 힘을 기록하였다. 플라스틱 스트레인 진폭(Δεpl) 및 손실 일(Δw)이 각각 파괴시까지 사이클의 수(N)에 대해 플롯팅된다.
Δεpl은 이력 루프의 증가하는 분기와 감소하는 분기의 제로 응력에서의 스트레인차로서 정의된다.
Δw는 하나의 이력 루프의 적분으로서 정의된다.
전력 사이클링 시험
샘플은 시험될 리본을 사용하여 베이스 플레이트에 다이오드 EMCON 4 고전력 칩(독일 뮌헨 소재의 INFINEON Technologies AG로부터 입수 가능함)을 웨지 본딩함으로써 제조되었다. 전술된 바와 같이, 웨지 본딩 파라미터는 적합한 방식으로 선택되어, 모든 본딩된 리본이 리본과 베이스 플레이트 사이에 동일한 접촉 면적(Ac ref)을 나타내는 것을 보장한다. 상업적으로 입수 가능한 베이스 플레이트들 중에서, 시험 중에 다이를 부착된 상태로(다이오드) 보유할 수 있는 베이스 플레이트가 선택되었다. 모든 샘플은 동일한 베이스 플레이트를 사용하여 준비되었다.
전력 사이클링 시험은 미국 애리조나주 85281 템페 소재의 Integrated Technology Corporation으로부터 공급된 ITC5230 상에서 수행되었다. 시험을 위해, 샘플은 그를 통해 샘플이 냉각 패드의 입구에서 온도 20℃를 갖는 유체를 사용하여 일정한 유량에서 영구적으로 냉각되었던 냉각 패드 상에 장착되었다. 샘플에 의해 소산된 열의 규정된 전달을 보장하기 위해, 열 전도 필름이 샘플과 냉각 패드 사이에 배열되었다. ITC5230의 전극은 다이오드 및 베이스 플레이트에 접촉되었다.
전력 사이클링 시험 전에, 40℃의 시작 온도로부터 샘플의 175℃로 온도 증가를 실행하는 데 필요한 사전 설정된 전압(V0)에서 전류(I0)의 양 및 시간이 평가되었다. 이 시간은 사이클의 온-시간(ON-time)이다. 그 후에, 175℃로부터 40℃로 냉각하기 위한 샘플의 냉각 시간이 어떠한 전류도 샘플에 인가되지 않는 동안 평가되었다. 이 시간은 오프-시간(OFF-time)이다. 하나의 온-시간에 이어서 하나의 오프-시간의 시퀀스는 하나의 전력 사이클을 규정한다.
다음에, 전력 사이클링 시험이 전술된 전력 사이클을 연속적으로 적용함으로써 수행되었다. 사전 설정된 전류(I0)에서, 전력 사이클의 온-시간 동안의 전압(Vt)이 기록되었다. 전력 사이클링 시험은 온-시간 기간 동안의 전압(Vt)이 전압(Vf)을 초과할 때 완료되었다. Vf = (V0 + 10%).
본딩 후의 전기적 결함
전술된 웨지-웨지 본딩 절차에 따른 동일한 조건 하에서 제조된 250개의 샘플의 세트가 전기적 결함에 대해 평가되었다. 각각의 샘플은 2개의 본드를 가져, 총합이 500개의 본드로 합산되었다. 결함의 수에 따라, 각각의 세트는 표 2에 ++, +, 0, - 또는 --으로 플래그되어 있다.
++ = -%
+ = < 2%
0 = 2 내지 5%
- = 5 내지 10%
-- = >10%
인장 강도 시험
이 시험은 이하의 파라미터들: 초기 게이지 길이(L0)=100 mm; 시험 조건: 온도 = 20℃, DIN EN ISO 6892-1:2009, 절차 A에 따라 Zwick z250 시험기에서 수행되었다. Rp0 .2까지, 스트레인율은 1 mm/min였다. Rp0 .2를 지나면, 샘플은 파괴까지 10 mm/min의 스트레인율로 인발되었다. 인장 강도는 샘플의 초기 단면(S0)으로 최대힘(Fm)을 나눔으로써 얻어졌다. 연신율은 ΔL/L0이고, 여기서 ΔL은 게이지 길이의 변화이다.
본 발명은 예들에 의해 더 예시된다. 이들 예들은 본 발명의 예시적인 설명의 역할을 하고 어떠한 방식으로도 본 발명 또는 청구범위의 범주를 한정하도록 의도된 것은 아니다.
예 1 내지 4(코팅된 와이어 전구체로부터의 리본)
두께 115 ㎛ 및 770 ㎛의 구리 코어의 직경의 알루미늄 코팅을 갖는 전체 직경 1 mm의 와이어가 3개의 인발 다이를 사용하여 연신되어, 12%의 연신율을 제공하여 700 ㎛의 직경의 와이어를 얻었다. 다음에, 와이어는 압연되어 원하는 두께의 리본이 얻어졌다. 다음에, 리본은 표 1에 상세히 설명된 어닐링 온도(T)에서 1시간 동안 오븐 내에서 어닐링되었다. 어닐링 후에, 리본은 24시간 이내에 주위 온도로 냉각되었다. 이들 리본의 특성은 표 1에 정리되어 있다.
예 5 내지 8
리본은 예 1 내지 4에서와 같이 준비되었다. 그러나, 구리 코어는 840 ㎛의 직경 및 80 ㎛의 알루미늄 코팅을 가졌다. 전체 와이어 직경은 1 mm였다.
C1 , C2
이들 리본은 예 1 내지 4에서와 같이 준비되었다. 그러나, C1의 구리 코어는 220 ㎛의 직경 및 390 ㎛의 알루미늄 코팅을 가졌다. C2의 구리 코어는 975 ㎛의 직경 및 12.5 ㎛의 알루미늄 코팅을 가졌다.
예 9 내지 16, C3 , C4 (시트로부터의 리본)
예 9 내지 12에 따른 리본을 준비하기 위해, 700 ㎛의 두께를 갖는 99.9%의 순도의 구리의 시트가 220 ㎛의 두께를 갖는 99.9%의 순도의 알루미늄의 시트와 조합되어, 2개의 시트의 에지들이 서로 정렬되었다. 리본 전구체를 얻기 위해, 조합된 시트는 압연을 받게 되었다. 리본 전구체의 두께는 롤에 인가된 압력에 의존하였다. 다음에, 리본 전구체는 리본으로 절단되었고 이하의 표 2에 설명되어 있는 온도 및 어닐링 속도에서 0.9 m의 길이의 관형 오븐 내에서 어닐링되어, 이에 의해 리본이 얻어졌다. 다음에, 리본은 24시간 이내에 주위 온도로 냉각되었다. 예 13 내지 16은 이에 따라 준비되었다. 그러나, 구리의 시트는 500 ㎛의 두께를 가졌고, 알루미늄의 시트는 220 ㎛의 두께를 가졌다.
표 2는 요약을 제공한다.
Figure pct00001
코팅된 와이어로부터 제조된 리본
1 모든 파괴들은 파괴 모드 (2) - 본드 전단에서의 파괴로 관찰되었음
Figure pct00002
시트로부터 제조된 리본
2 모든 파괴들은 파괴 모드 (2) - 본드 전단에서의 파괴로 관찰되었음
1: 리본 2: 제1 층
2': 구리 코어 2": 제1 시트
3: 코팅층 3": 다른 시트
4: 접점 5: 리본의 폭
5': 단면도에서 와이어 전구체를 통한 최장 경로
6: 리본의 높이
6': 단면도에서 와이어 전구체를 통한 최단 경로
7: 중간층 8: 리본의 경계 라인
9: 와이어 전구체 9': 리본 전구체
10: 전기 장치 11: 요소
12: 전기 장치 13: 제어형 장치
14: 제어 유닛 15: 제1 층의 표면
15': 구리 코어의 표면 16: 추진형 장치
17: 인발 후크 18: 인발 후크의 인발 방향
19: 리본과 표면 사이의 각도 20: 기판
21: 리본과 기판 사이의 본드
22: 와이어를 인발하는 인발 후크 아래의 리본의 각도
23: 와이어의 중심 24: 리본의 중심
25: 리본의 경계 라인 26: 튜브로
L: 라인 R1: 평행사변형

Claims (24)

  1. 리본(1)으로서,
    a. 표면(15)을 갖는 구리를 포함하는 제1 층(2); 및
    b. 상기 제1 층(2)의 표면(15) 위에 중첩된 적어도 코팅층(3)으로서, 상기 코팅층(3)은 알루미늄을 포함하는 것인 코팅층(3); 및
    c. 중간층(7)
    을 포함하고,
    상기 리본(1)의 단면도에서, 상기 제1 층(2)의 면적 점유율은 상기 리본(1)의 총 단면적에 기초하여 50 내지 96%의 범위이고,
    단면도에서 상기 리본(1)의 폭(5)과 높이(6) 사이의 종횡비는 0.03 내지 0.8 미만이고,
    상기 리본(1)은 25,000 ㎛2 내지 800,000 ㎛2의 범위인 단면적을 갖고,
    상기 중간층(7)은 상기 제1 층(2)과 상기 코팅층(3) 사이에 배열되고, 상기 중간층(7)은 상기 제1 층(2)의 재료와 상기 코팅층(3)의 재료를 포함하는 적어도 하나의 금속간 상(intermetallic phase)을 포함하는 것인 리본.
  2. 제1항에 있어서, 상기 리본(1)의 단면도에서 중간층(7)의 면적 점유율은 상기 리본(1)의 총 단면적에 기초하여 0.1 내지 15%의 범위인 것인 리본.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중간층(7)의 두께는 0.1 내지 5 ㎛의 범위인 것인 리본.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 리본(1)의 단면도에서 상기 코팅층(3)의 면적 점유율은 상기 리본(1)의 총 단면적에 기초하여 3.9 내지 50%의 범위인 것인 리본.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 리본(1)의 단면도에서 결정된 상기 제1 층(2)의 두께는 25 내지 380 ㎛의 범위인 것인 리본.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 리본(1)의 단면도에서 결정된 상기 코팅층(3)의 두께는 10 내지 70 ㎛의 범위인 것인 리본.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 층(2)은, 상기 제1 층(2)의 총 중량에 기초하여, 적어도 95 중량 %의 적어도 99.9%의 순도의 구리를 포함하는 것인 리본.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 층 내의 구리의 산소 함량은 0.1 내지 80 ppm의 범위인 것인 리본.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 코팅층(3)은 상기 코팅층(3)의 총량에 기초하여, 적어도 80 중량 %의 99.9%의 순도의 알루미늄을 포함하는 것인 리본.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 손실 일은 순(純) Al로부터 제조된 기준 리본에 대한 손실 일보다 상기 리본(1)에 대해 적어도 2배 높은 것인 리본.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 반복 단축 시험(uniaxial cyclic test)에서 최대 스트레인은 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대한 최대 스트레인보다 상기 리본(1)에 대해 적어도 1.5배 더 높은 것인 리본.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 전력 사이클링 수명 시험은 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대해서보다 상기 리본(1)에 대해 적어도 3배 더 높은 것인 리본.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 인발력은 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대해서보다 상기 리본(1)에 대해 적어도 10% 더 높은 것인 리본.
  14. 리본(1)을 제조하기 위한 리본 제조 방법으로서,
    적어도 이하의 단계:
    a. 표면(15')을 갖는 구리 코어(2') 및 코팅층(3)을 포함하고, 상기 코팅층은 상기 구리 코어(2')의 표면(15') 위에 중첩되는 것인 와이어 전구체(9)를 제공하는 단계로서, 상기 코팅층(3)은 알루미늄을 포함하고,
    상기 와이어 전구체(9)의 단면도에서, 상기 구리 코어(2')의 면적 점유율은 상기 와이어 전구체(9)의 총 단면적에 기초하여, 50 내지 90%의 범위이고,
    단면도에서 상기 와이어 전구체(9)를 통한 최장 경로(5')와 최단 경로(6') 사이의 종횡비는 0.8 초과 내지 1.0의 범위이고,
    상기 와이어 전구체(9)는 0.5 내지 5 mm의 범위의 직경을 갖는 것인,
    와이어 전구체(9)를 제공하는 단계와,
    b. 리본 전구체(9')가 얻어지는 와이어 전구체(9)를 성형하는 단계와,
    c. 상기 성형된 리본 전구체(9')를 어닐링하는 단계로서, 중간층(7)이 형성되고, 이어서 리본(1)이 얻어지는 것인, 리본 전구체(9')를 어닐링하는 단계
    를 포함하는 리본 제조 방법.
  15. 리본(1)을 제조하기 위한 리본 제조 방법으로서,
    적어도 이하의 단계:
    A) 적어도 99.9%의 순도의 구리를 포함하는 제1 시트(2")를 제공하는 단계와,
    B) 99.9%의 순도의 알루미늄을 포함하는 적어도 하나의 다른 시트(3")를 제공하는 단계로서, 상기 제1 시트(2") 및 적어도 하나의 다른 시트(3")의 단면도에서, 상기 제1 시트(2")의 단면적 대 상기 적어도 하나의 다른 시트(3")의 단면적의 비는 1:1 내지 4:1, 바람직하게는 1.2:1 내지 3.9:1의 범위인 것인, 적어도 하나의 다른 시트(3")를 제공하는 단계와,
    C) 상기 단계 A) 및 B)에서 제공된 시트(2", 3")를 중첩하고, 상기 시트들(2", 3")을 조합하여 리본 전구체(9')를 얻고 상기 리본 전구체(9')를 성형하여 성형된 리본 전구체(9')를 얻는 단계, 그리고
    D) 상기 성형된 리본 전구체(9')를 어닐링하는 단계로서, 중간층(7)이 형성되고, 이어서 리본(1)이 얻어지는, 리본 전구체(9')를 어닐링하는 단계
    를 포함하는 리본 제조 방법.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 어닐링 단계는 30분 내지 5시간의 기간에 걸쳐 140℃ 내지 400℃의 범위의 온도에서 수행되는 것인 리본 제조 방법.
  17. 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 어닐링 단계는 바람직하게는 1 내지 20 meter/min의 범위의 인발 속도에서, 150℃ 내지 600℃의 범위의 온도에서 튜브로(26) 내에서 수행되는 것인 리본 제조 방법.
  18. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 얻어질 수 있는 리본.
  19. 제18항에 있어서, 상기 리본(1)은 이하의 특징들:
    a. 손실 일이 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대한 손실 일보다 상기 리본(1)에 대해 적어도 2배 더 높고,
    b. 반복 단축 시험에서의 최대 스트레인은 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대한 최대 스트레인보다 상기 리본(1)에 대해 적어도 1.5배 더 높고,
    c. 전력 사이클링 수명 시험은 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대해서보다 상기 리본에 대해 적어도 3배 더 높고,
    d. 상기 리본(1)의 인발력은 순 Al로부터 제조된 기준 리본에 대해서보다 상기 리본(1)에 대해 적어도 10% 더 높고,
    e. 상기 리본(1)의 전기 전도도는 순 Al로부터 제조된 기준 리본의 전기 전도도보다 20% 내지 55% 더 높은 범위에 있는 것인 리본.
  20. 적어도 2개의 요소(11) 및 적어도 제1항 내지 제13항 또는 제18항 또는 19항 중 어느 한 항에 따른 리본(1) 또는 적어도 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 방법에 따라 제조된 리본(1)을 포함하고, 상기 리본(1)은 상기 2개의 요소(11)를 전기적으로 접속하는 것인 전기 장치(10).
  21. 제20항에 있어서, 상기 전기적 접속은 웨지 본딩에 의해 얻어질 수 있는 것인 전기 장치.
  22. 제20항 또는 제21항에 있어서, 상기 요소들(11) 중 적어도 하나는 기판, IGBT, 집적 회로, 트랜지스터, 발광 다이오드, 포토다이오드와 같은 다이오드로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것인 전기 장치.
  23. 제20항 내지 제22항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 전기 장치(10)를 포함하는 추진형 장치(16).
  24. 전기 장치(10)를 제조하기 위한 전기 장치 제조 방법으로서,
    a. 적어도 2개의 요소(11)를 제공하는 단계;
    b. 제1항 내지 제13항 또는 제18항 또는 제19항 중 어느 한 항에 따른 리본(1) 또는 적어도 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 방법에 따라 제조된 리본(1)을 통해 상기 2개의 요소(11)를 접속하는 단계로서, 상기 접속 중 적어도 하나는 웨지 본딩에 의해 수행되는 것인 2개의 요소(11)를 접속하는 단계
    를 포함하는 전기 장치 제조 방법.
KR1020147034311A 2012-05-07 2013-05-07 알루미늄 코팅된 구리 리본 KR20150013715A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP20120003603 EP2662889A1 (en) 2012-05-07 2012-05-07 Aluminium coated copper ribbon
EP12003603.3 2012-05-07
PCT/EP2013/059528 WO2013167614A1 (en) 2012-05-07 2013-05-07 Aluminium coated copper ribbon

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150013715A true KR20150013715A (ko) 2015-02-05

Family

ID=48407538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147034311A KR20150013715A (ko) 2012-05-07 2013-05-07 알루미늄 코팅된 구리 리본

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9214444B2 (ko)
EP (2) EP3557609A1 (ko)
JP (1) JP6211065B2 (ko)
KR (1) KR20150013715A (ko)
CN (1) CN104285287B (ko)
PH (1) PH12014502389A1 (ko)
SG (1) SG11201406454UA (ko)
WO (1) WO2013167614A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014223352A1 (de) * 2014-11-17 2016-05-19 Robert Bosch Gmbh Verbindungsanordnung mit einem mehrschichtigen Bondflachdraht
USD775407S1 (en) * 2015-02-27 2016-12-27 Star Headlight & Lantern Co., Inc. Optical lens for projecting light from LED light emitters
TWI735612B (zh) * 2017-07-06 2021-08-11 大陸商深圳市為什新材料科技有限公司 可攜帶電子裝置之殼體轉印散熱塗層結構

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100717667B1 (ko) * 2000-09-18 2007-05-11 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤 반도체용 본딩 와이어 및 그 제조 방법
US20040217488A1 (en) * 2003-05-02 2004-11-04 Luechinger Christoph B. Ribbon bonding
DE102006023167B3 (de) * 2006-05-17 2007-12-13 Infineon Technologies Ag Bonddraht, Herstellungsverfahren für einen Bonddraht und Wedge-Wedge-Drahtbondverfahren
JP4390799B2 (ja) * 2006-11-21 2009-12-24 株式会社日立製作所 接続材料、接続材料の製造方法、および半導体装置
US8022558B2 (en) * 2009-02-13 2011-09-20 Infineon Technologies Ag Semiconductor package with ribbon with metal layers
CN201417630Y (zh) * 2009-06-17 2010-03-03 上海松发合金材料有限公司 一种铜铝单双面冷复合板带
JP2011192840A (ja) * 2010-03-15 2011-09-29 Tanaka Electronics Ind Co Ltd 半導体素子用平角状アルミニウム被覆銅リボン
JP4961512B2 (ja) * 2010-06-08 2012-06-27 株式会社Neomaxマテリアル アルミニウム銅クラッド材
DE102010031993B4 (de) 2010-07-22 2015-03-12 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Bonddrahtes, Bonddraht und Baugruppe, die einen solchen Bonddraht aufweist.
DK2662891T3 (da) * 2012-05-07 2020-07-13 Heraeus Deutschland Gmbh & Co Kg Fremgangsmåde til fremstilling af en aluminiumsovertrukket kobberbindingsledning
EP2662890B1 (en) * 2012-05-07 2019-07-03 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Method for making an aluminium coated copper bond wire

Also Published As

Publication number Publication date
US20150137390A1 (en) 2015-05-21
EP3557609A1 (en) 2019-10-23
SG11201406454UA (en) 2014-11-27
JP6211065B2 (ja) 2017-10-11
JP2015516114A (ja) 2015-06-04
EP2662889A1 (en) 2013-11-13
WO2013167614A1 (en) 2013-11-14
PH12014502389A1 (en) 2014-12-22
CN104285287A (zh) 2015-01-14
CN104285287B (zh) 2018-05-29
US9214444B2 (en) 2015-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9966355B2 (en) Aluminum coated copper bond wire and method of making the same
TWI512121B (zh) 用於接合應用之銅線
US20150098170A1 (en) Aluminum coated copper bond wire and method of making the same
Fu et al. A study on intermetallic compound formation in Ag–Al system and evaluation of its mechanical properties by micro-indentation
EP2927955A1 (en) Copper bond wire and method of manufacturing the same
TWI744220B (zh) 用於接合應用的經塗佈銅(Cu)線
US9214444B2 (en) Aluminum coated copper ribbon
WO2016091718A1 (en) Improved coated copper wire for bonding applications
EP3230482B1 (en) Copper based bonding wire for a semiconductor device
WO2014137287A1 (en) Palladium coated copper wire for bonding applications

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid