KR20150011976A - Apparatus for drying wafer - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a device for drying a wafer. The disclosed device for drying the wafer comprises a bath, an upper lamp, and a lower lamp. The upper lamp and the lower lamp are arranged inside the bath and apply heat to the wafer. The upper lamp is formed on the side of the bath and is separated from a bottom plate of the bath. The lower lamp is formed on the bottom plate of the bath and is separated from the side in which the upper lamp is formed. The device for drying the wafer according the present invention prevents thermal damage between the upper lamp and the lower lamp; prevents the thermal damage of the upper lamp; and extends the lifetime of the lamp. Also, the present invention prevents the deformation of a shape by preventing the thermal damage of a wafer supporting unit and prevents the generation of an intermeshing pattern in the wafer by applying an influence to the air current inside the bath.

Description

웨이퍼 건조 장치{Apparatus for drying wafer}[0001] Apparatus for drying wafer [0002]

본 발명은 웨이퍼 건조 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 웨이퍼 지지부의 손상을 방지하고, 램프의 수명을 연장하고, 웨이퍼의 특정 부위에 뭉쳐있는 파티클을 개선하는 웨이퍼 건조 장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer drying apparatus, and more particularly, to a wafer drying apparatus that prevents damage to a wafer support, extends the life of the lamp, and improves particles sticking to a specific portion of the wafer.

본 발명은 기판 세정 후에 진행하는 웨이퍼 건조 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 워터마크(water mark)와 파티클(particle)이 발생하지 아니하도록 기판을 완전하게 건조시키는 기판 건조 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer drying apparatus that proceeds after a substrate cleaning, and more particularly, to a substrate drying apparatus for completely drying a substrate such that water marks and particles are not generated.

일반적으로, 반도체 소자는 기판, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼를 이용하여 증착, 사진 및 식각 공정 등을 반복 수행함으로써 제조될 수 있다. 공정들을 거치는 동안 기판 상에는 각종 파티클, 금속 불순물, 유기 불순물 등과 같은 오염 물질이 잔존할 수 있다. 오염 물질은 반도체 소자의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치기 때문에, 반도체 제조시에는 기판에 잔존하는 오염 물질을 제거하는 세정공정이 수행된다. 이러한 세정 공정에서 탈 이온수(deionized water)와 같은 약액이 사용될 수 있고, 세정 공정 중 또는 후에 이와 같은 약액은 효율적으로 웨이퍼로부터 제거되어야 한다. 즉, 웨이퍼를 세정하기 위한 세정 장치에는 세정된 웨이퍼들을 건조하기 위한 건조 장치가 구비되고, 세정 공정 후에는 건조 공정을 수행하게 된다. 이러한 웨이퍼 건조 장치에는 배스, 웨이퍼 지지부 및 적외선 램프 등이 구비될 수 있으며, 웨이퍼들은 적외선 램프 등에 의해서 건조될 수 있다. In general, a semiconductor device can be manufactured by repeating deposition, photolithography and etching processes using a substrate, for example, a silicon wafer. Contaminants such as various kinds of particles, metal impurities, organic impurities and the like may remain on the substrate during the processes. Since contaminants adversely affect the yield and reliability of semiconductor devices, a cleaning process is performed to remove contaminants remaining on the substrate during semiconductor manufacturing. In such a cleaning process, a chemical liquid such as deionized water can be used, and such chemical liquid must be efficiently removed from the wafer during or after the cleaning process. That is, a cleaning apparatus for cleaning wafers includes a drying apparatus for drying wafers that have been cleaned, and a drying process is performed after the cleaning process. Such a wafer drying apparatus may include a bath, a wafer supporting unit, an infrared lamp, and the like, and the wafers may be dried by an infrared lamp or the like.

이 건조 공정 과정에서 워터마크나 파티클이 잔류할 수 있다. 반도체 기판이 대구경화됨에 따라 기판 건조시 기판 외측면에 워터마크 또는 파티클이 발생하지 않도록 하는 것은 더욱 중요하게 인식되고 있다. 또한, 웨이퍼들에 열이 균일하게 전달되지 않아서, 웨이퍼가 균일하게 건조되지 않을 수 있으며, 웨이퍼 상에 간헐적인 열적 편차로 인해 몰림성 패턴이 발생하는 문제점이 있다. 또한, 램프에 의해 웨이퍼 지지부의 형상이 변형되고, 램프 간의 열적 손상으로 램프의 수명이 단축되는 문제점이 있다.
During this drying process, watermarks or particles may remain. As the semiconductor substrate is largely cured, it is more important to prevent water marks or particles from being generated on the outer surface of the substrate during drying of the substrate. In addition, since heat is not uniformly transferred to the wafers, the wafers may not be uniformly dried, and there is a problem that the waviness pattern is generated due to intermittent thermal deviation on the wafers. Further, there is a problem that the shape of the wafer supporting portion is deformed by the lamp, and thermal damage between the lamps shortens the life of the lamp.

본 발명은 상부 램프와 하부 램프 간의 열적 손상을 방지하며, 특히 상부 램프의 열적 손상을 방지하고, 램프의 수명을 연장하는 웨이퍼 건조 장치를 제공하는데 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a wafer drying apparatus which prevents thermal damage between an upper lamp and a lower lamp, in particular, prevents thermal damage to the upper lamp and prolongs the life of the lamp.

또한, 본 발명은 웨이퍼 지지부의 열적 손상을 방지하여, 형태의 변형을 방지하는 웨이퍼 건조 장치를 제공하는데 다른 목적이 있다.It is another object of the present invention to provide a wafer drying apparatus that prevents thermal damage to the wafer support and prevents deformation of the wafer.

또한, 본 발명은 배스 내의 기류에 영향을 주어 웨이퍼의 특정 부위에 뭉쳐있는 LLS(localized light scatterers)인 몰림성 패턴의 발생을 방지하는 웨이퍼 건조 장치를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
It is a further object of the present invention to provide a wafer drying apparatus which prevents the generation of a droplet pattern, which is localized light scatterers (LLS), which are influenced by air currents in a bath and accumulate at specific portions of the wafer.

상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 웨이퍼 건조장치는, 배스; 및 상기 배스의 내면에 배치되고, 상기 웨이퍼 측으로 열을 가하기 위한 상부 램프 및 하부 램프를 포함하고, 상기 상부 램프는 상기 배스의 측벽에 형성되며, 상기 배스의 바텀 플레이트와 이격되어 배치되고, 상기 하부 램프는 상기 배스의 바텀 플레이트에 형성되며, 상기 상부 램프가 형성된 측벽과 이격되어 배치되는 것을 특징으로 한다.
In order to solve the above problems, the present invention provides a wafer drying apparatus comprising: a bath; And an upper lamp and a lower lamp disposed on an inner surface of the bath and for applying heat to the wafer side, wherein the upper lamp is formed on a side wall of the bath and is disposed apart from the bottom plate of the bath, The lamp is formed on the bottom plate of the bath, and is spaced apart from the side wall on which the upper lamp is formed.

본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장치는 상부 램프와 하부 램프 간의 열적 손상을 방지하며, 특히 상부 램프의 열적 손상을 방지하고, 램프의 수명을 연장하는 제 1 효과가 있다.The wafer drying apparatus according to the present invention has a first effect of preventing thermal damage between the upper lamp and the lower lamp, particularly preventing thermal damage to the upper lamp and extending the life of the lamp.

또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장치는 웨이퍼 지지부의 열적 손상을 방지하여, 형태의 변형을 방지하는 제 2 효과가 있다.Further, the wafer drying apparatus according to the present invention has a second effect of preventing thermal damage of the wafer support portion and preventing deformation of the wafer support portion.

또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장치는 배스 내의 기류에 영향을 주어 웨이퍼의 특정 부위에 뭉쳐있는 LLS(localized light scatterers)인 몰림성 패턴의 발생을 방지하는 제 3 효과가 있다.
In addition, the wafer drying apparatus according to the present invention has a third effect to prevent the generation of the droplet pattern, which is localized light scatterers (LLS), which is adhered to a specific portion of the wafer by influencing the airflow in the bath.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 분해 사시도를 도시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 단면도를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 분해 사시도를 도시한 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 단면도를 도시한 도면이다.1 is an exploded perspective view of a wafer drying apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2A to 2C are cross-sectional views of a wafer drying apparatus according to a first embodiment of the present invention.
3 is an exploded perspective view of the wafer drying apparatus according to the second embodiment of the present invention.
4A to 4C are cross-sectional views of a wafer drying apparatus according to a second embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 부, 척, 웨이퍼 및 패드 등이 각 부, 척, 웨이퍼 및 패드 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 하부에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of an apparatus may be exaggerated for convenience and do not imply a size actually applied. Like reference numerals designate like elements throughout the specification. In the description of the embodiments, in the case where each part, chuck, wafer and pad is described as being formed "on" or "under" of each part, chuck, wafer and pad, The terms " on "and" under " all include being formed "directly" or "indirectly" In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 분해 사시도를 도시한 도면이다.1 is an exploded perspective view of a wafer drying apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조장치는 배스(100), 상부 램프(110), 하부 램프(120) 및 웨이퍼 지지부(130)를 포함한다. 웨이퍼 건조 장치의 내부에 배치되는 웨이퍼들(10)의 직경 방향이고, 상기 배스(100)의 바텀 플레이트(102)에 수평인 방향을 제 1 방향으로 정의한다. 상기 웨이퍼들(10)의 직경 방향이고, 상기 배스(100)의 바텀 플레이트(102)에 수직이며, 상기 제 1 방향과 직각을 이루는 방향을 제 2 방향으로 정의한다. 또한, 상기 웨이퍼들(10)의 직경 방향과 수직이고, 상기 배스(100)의 바텀 플레이트(102)에 수평이며, 상기 제 1 방향 및 제 2 방향과 직각을 이루는 방향을 제 3 방향으로 정의한다.Referring to FIG. 1, a wafer drying apparatus according to the present invention includes a bath 100, an upper lamp 110, a lower lamp 120, and a wafer support 130. A direction in the radial direction of the wafers 10 disposed inside the wafer drying apparatus and a direction horizontal to the bottom plate 102 of the bath 100 is defined as a first direction. A direction perpendicular to the bottom plate 102 of the bath 100 and perpendicular to the first direction is defined as a second direction. A direction perpendicular to the radial direction of the wafers 10 and horizontal to the bottom plate 102 of the bath 100 and a direction orthogonal to the first direction and the second direction is defined as a third direction .

상기 배스(100)는 박스 형상을 가질 수 있다. 상기 배스(100)는 바텀 플레이트(102) 및 제 1 측벽 내지 제 4 측벽(101a,101b,101c,101d)으로 이루어진 4개의 측벽들을 포함할 수 있다. 상기 제 1 측벽(101a) 및 제 3 측벽(101c)은 대면하여 배치되고, 상기 제 2 측벽(101b) 및 제 4 측벽(101d)은 대면하여 배치된다. 상기 배스(100)의 바텀 플레이트(102)와 제 1 측벽 내지 제 4 측벽(101a,101b,101c,101d)은 각각 직각(90°)을 이루도록 형성될 수 있다. 이때, 제 1 측벽(101a) 및 제 3 측벽(101c)은 제 2 방향 및 제 3 방향으로 연장되도록 배치되고, 제 2 측벽(101b) 및 제 4 측벽(101d)은 제 1 방향 및 제 2 방향으로 연장되도록 배치될 수 있다. The bath 100 may have a box shape. The bath 100 may include four sidewalls consisting of a bottom plate 102 and first to fourth sidewalls 101a, 101b, 101c and 101d. The first sidewall 101a and the third sidewall 101c are disposed facing each other and the second sidewall 101b and the fourth sidewall 101d are disposed facing each other. The bottom plate 102 and the first sidewall to the fourth sidewalls 101a, 101b, 101c, and 101d of the bath 100 may be formed at right angles (90 degrees). At this time, the first sidewall 101a and the third sidewall 101c are arranged to extend in the second direction and the third direction, and the second sidewall 101b and the fourth sidewall 101d are arranged to extend in the first direction and the second direction As shown in FIG.

도면에는 도시하지 않았으나, 상기 배스(100)의 서로 대면하는 적어도 한 쌍의 측벽은 각각 상기 배스(100)의 바텀 플레이트(102)와 둔각을 이루고 형성된다. 상기 배스(100)의 바텀 플레이트(102)와 둔각을 이루고 형성되는 측벽은 배스(100)의 제 1 측벽(101a) 및 제 3 측벽(101c)일 수 있다. 상기 배스(100)의 제 1 측벽(101a) 및 제 3 측벽(101c)에는 상부 램프(110)가 형성될 수 있다. Although not shown in the drawing, at least a pair of side walls facing each other of the bath 100 are formed at an obtuse angle with the bottom plate 102 of the bath 100. The side wall formed at an obtuse angle with the bottom plate 102 of the bath 100 may be a first side wall 101a and a third side wall 101c of the bath 100. The upper lamp 110 may be formed on the first side wall 101a and the third side wall 101c of the bath 100.

상기 웨이퍼 지지부(130)는 배스(100) 내측에서 웨이퍼들(10)을 지지하고 고정시킬 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(130)는 상기 배스(100) 내측에 배치되어, 상기 웨이퍼들(10)을 상기 배스(100) 내에 세울 수 있고, 상기 웨이퍼들(10)이 서로 이격되어 마주보도록 고정시킨다. 즉, 상기 웨이퍼들(10)은 상기 웨이퍼 지지부(130)에 의해서, 서로 일정한 간격으로 이격되어 세워지고, 정렬될 수 있다. The wafer support 130 may support and fix the wafers 10 within the bath 100. The wafer support 130 is disposed inside the bath 100 so that the wafers 10 can be set up in the bath 100 and fixed so that the wafers 10 are spaced apart from each other. That is, the wafers 10 may be spaced apart from each other and aligned by the wafer support 130.

상기 웨이퍼 지지부(130)는 상기 웨이퍼들(10)의 외주면에 형성될 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(130)는 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(130)는 상기 웨이퍼들(10)의 직경과 수직 방향으로 연장될 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(130)는 제 3 방향으로 연장될 수 있다. 이로 인해, 상기 웨이퍼 지지부(130)는 웨이퍼들(10)을 일정하게 정렬할 수 있으며, 지지하고 고정시킬 수 있다.The wafer support 130 may be formed on the outer circumferential surface of the wafers 10. The wafer support 130 may have a shape extending in one direction. The wafer support 130 may extend in a direction perpendicular to the diameter of the wafers 10. The wafer support 130 may extend in a third direction. As a result, the wafer support 130 can uniformly align, support, and fix the wafers 10.

또한, 상기 웨이퍼 지지부(130)는 다수 개로 형성될 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(130)는 웨이퍼들(10)의 일측면에 한 쌍 및 상기 일측면에 대향하는 다른 일측면에 한 쌍으로 형성될 수 있다. 상기 일측면에 형성되는 한 쌍의 웨이퍼 지지부 중 상측에 형성되는 웨이퍼 지지부는 상기 상부 램프(110)와 인접하고, 제 1 방향에서 중첩되도록 배치될 수도 있다. Further, the wafer support portions 130 may be formed in a plurality of. The wafer supports 130 may be formed as a pair on one side of the wafers 10 and on the other side opposite to the one side. The wafer support portion formed on the upper side of the pair of wafer support portions formed on the one side surface may be disposed adjacent to the upper lamp 110 and overlapped in the first direction.

종래 발명에서 웨이퍼 지지부는 상부 램프 및 하부 램프가 제 2 방향에서 중첩되도록 형성되어 열의 상승 기류 등으로 인해 형태가 변형이 되는 문제가 있다. 특히, 상기 일측면에 형성되는 한 쌍의 웨이퍼 지지부 중 상측에 형성되는 웨이퍼 지지부는 상기 상부 램프와 인접하며 상부 램프 및 하부 램프로부터 열적 영향을 더 크게 받아 그 변형이 더 문제가 될 수 있다. In the prior art, there is a problem that the wafer support portion is formed such that the upper lamp and the lower lamp are overlapped in the second direction, and the shape is deformed due to upward flow of heat or the like. Particularly, a wafer support portion formed on the upper side of the pair of wafer support portions formed on the one side surface is adjacent to the upper lamp, and the thermal influence is more greatly affected from the upper and lower lamps, and the deformation thereof may become more problematic.

하지만, 본 발명의 상기 웨이퍼 지지부(130)는 하기와 같이 상부 램프(110)는 배스(100)의 측벽에 하부 램프(120)는 배스(100)의 바텀 플레이트에 형성되어 상기 상부 램프(110)와 하부 램프(120)간 거리가 종래보다 멀어지도록 형성된다. 이로써, 상기 웨이퍼 지지부(130)는 램프들의 발열로 인한 영향을 적게 받으므로 외형에 변형이 발생하지 않는다. 도면에는 도시하지 않았지만, 로봇 암에 의해 상기 웨이퍼 지지부(130) 및 웨이퍼들(10) 배스(100) 내측으로 로딩 또는 언로딩될 수 있다.However, the wafer support 130 of the present invention may be configured such that the upper lamp 110 is formed on the side wall of the bath 100, the lower lamp 120 is formed on the bottom plate of the bath 100, And the distance between the lower lamp 120 and the lower lamp 120 is longer than that of the conventional lamp. Accordingly, the wafer support 130 is less influenced by the heat generation of the lamps, so that deformation does not occur in the external shape. Although not shown in the drawings, the wafer support 130 and the wafers 10 can be loaded or unloaded inside the bath 100 by a robot arm.

한편, 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)는 적외선을 발생시킨다. 즉, 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)는 열을 발생시키는 발열부이다. 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)가 발생시키는 열은 웨이퍼들(10)과의 거리 및 건조 시간 등에 의해서 달라질 수 있다. Meanwhile, the upper lamp 110 and the lower lamp 120 generate infrared rays. That is, the upper lamp 110 and the lower lamp 120 are heat generating units that generate heat. The heat generated by the upper lamp 110 and the lower lamp 120 may vary depending on the distance from the wafers 10, the drying time, and the like.

상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)는 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)는 웨이퍼들(10)의 직경과 수직 방향으로 연장될 수 있다. 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)는 제 3 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)는 상기 제 3 방향으로 연장되는 막대 형상 또는 봉 형상을 가질 수 있다. 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)의 형성 위치를 단면도를 참조하여 자세히 설명한다.
The upper lamp 110 and the lower lamp 120 may have a shape extending in one direction. The upper lamp 110 and the lower lamp 120 may extend in a direction perpendicular to the diameter of the wafers 10. The upper lamp 110 and the lower lamp 120 may extend in a third direction. In addition, the upper lamp 110 and the lower lamp 120 may have a rod shape or a rod shape extending in the third direction. The formation positions of the upper lamp 110 and the lower lamp 120 will be described in detail with reference to sectional views.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 단면도를 도시한 도면이다.2A to 2C are cross-sectional views of a wafer drying apparatus according to a first embodiment of the present invention.

상기 도 2a를 정면도, 상기 도 2b를 평면도 및 상기 도 2c를 측면도로 정의한다. 도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 상기 상부 램프(110)는 상기 배스(100)의 측벽에 고정되어 형성된다. 상기 배스(100)의 제 1 측벽(101a) 및 제 3 측벽(101c)에 고정되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 상부 램프(110)는 상기 바텀 플레이트(102)와 이격되어 형성될 수 있다. 다수개의 발열부가 배스(100)의 동일한 측벽에서 제 2 방향으로 중첩되도록 형성되면, 열의 상승 기류 등으로 인해 램프 및 웨이퍼 지지부의 변형이 발생되는 문제점이 있다. 따라서, 상기 제 1 측벽(101a) 및 제 3 측벽(101c)에 형성되는 발열부는 상부 램프(110)만 배치될 수 있다.FIG. 2A is a front view, FIG. 2B is a plan view, and FIG. 2C is a side view. Referring to FIGS. 2A to 2C, the upper lamp 110 is fixed to the side wall of the bath 100. And may be fixed to the first side wall 101a and the third side wall 101c of the bath 100. Also, the upper lamp 110 may be spaced apart from the bottom plate 102. If a plurality of heat generating parts are formed to overlap in the second direction on the same side wall of the bath 100, there is a problem that deformation of the lamp and the wafer supporting part occurs due to upward flow of heat or the like. Accordingly, only the upper lamp 110 may be disposed in the heat generating portion formed in the first sidewall 101a and the third sidewall 101c.

또한, 상기 상부 램프(110)는 발열부로써, 웨이퍼들(10)을 건조하기 위한 구성이다. 측면도를 참조하면, 상기 상부 램프(110)는 웨이퍼들(10)의 측면에 형성될 수 있다. 즉, 제 1 방향에서 상기 웨이퍼들(10)과 상기 상부 램프(110)는 중첩되도록 형성될 수 있다. 이로 인해, 상기 웨이퍼들(10)의 중심과 상기 상부 램프(110)의 거리가 가까워지며, 동일 출력량 대비 웨이퍼들(10)의 건조 효과를 증가시킬 수 있다.The upper lamp 110 is a heat generating unit for drying the wafers 10. Referring to the side view, the upper lamp 110 may be formed on the side of the wafers 10. That is, the wafers 10 and the upper lamp 110 may be formed to overlap with each other in the first direction. As a result, the distance between the center of the wafers 10 and the distance between the upper lamp 110 and the wafers 10 can be increased.

상기 하부 램프(120)는 상기 배스(100)의 바텀 플레이트(102)에 고정되어 형성된다. 상기 하부 램프(120)는 웨이퍼들(10)의 하부에 형성될 수 있다. 정면도 및 측면도를 참조하면, 상기 하부 램프(120)는 웨이퍼들(10)의 측면에 형성되지 않도록 배치되어, 제 1 방향에서 상기 웨이퍼들(10)과 상기 하부 램프(120)는 이격되어, 중첩되지 않도록 형성될 수 있다. The lower lamp 120 is fixed to the bottom plate 102 of the bath 100. The lower lamp 120 may be formed below the wafers 10. The lower lamp 120 is arranged not to be formed on the side of the wafers 10 so that the wafers 10 and the lower lamp 120 are separated from each other in the first direction, They may be formed so as not to overlap each other.

정면도를 참조하면, 상기 하부 램프(120)는 상기 배스(100)의 제 1 측벽(101a) 및 제 3 측벽(101c)과 이격되어 형성된다. 상기 상부 램프(110)의 상측에서 배스(100)를 평면으로 바라볼 때, 상기 상부 램프(110)와 상기 하부 램프(120)는 이격되어 형성될 수 있다. 또한, 평면도를 참조하면, 상기 하부 램프(120)는 제 2 방향으로 형성된 상기 상부 램프(110)의 사영(shadow)과 이격되어 형성된다. 즉, 상기 하부 램프(120)와 상기 상부 램프(110)는 제 2 방향에서 중첩되지 않는 위치에 형성된다. Referring to a front view, the lower lamp 120 is spaced apart from the first sidewall 101a and the third sidewall 101c of the bath 100. The upper lamp 110 and the lower lamp 120 may be spaced apart from each other when the bath 100 is viewed from the upper side of the upper lamp 110 in a plan view. Referring to the plan view, the lower lamp 120 is spaced apart from the shadow of the upper lamp 110 formed in the second direction. That is, the lower lamp 120 and the upper lamp 110 are formed at positions that do not overlap in the second direction.

상부 램프와 하부 램프가 모두 배스의 동일한 측벽에서 형성되고, 제 2 방향으로 중첩되도록 형성되는 경우, 하부 램프로부터 발생된 열의 상승 기류 등으로 인해, 상부 램프 및 웨이퍼 지지부의 변형이 발생되는 문제점이 있다. 본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장치는 하부 램프와 상부 램프의 위치를 제 2 방향에서 중첩되지 않도록 이격하여 형성함으로써, 램프 및 웨이퍼 지지부의 변형을 방지하고, 램프의 수명을 연장할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 특정 부위에 뭉쳐있는 LLS(localized light scatterers), 즉, 몰림성 패턴을 개선할 수 있다.When the upper lamp and the lower lamp are formed on the same side wall of the bath and are formed to overlap in the second direction, there is a problem that deformation of the upper lamp and the wafer supporting portion occurs due to upward flow of heat generated from the lower lamp . The wafer drying apparatus according to the present invention can prevent deformation of the lamp and the wafer support and prolong the life of the lamp by forming the positions of the lower and upper lamps so as not to overlap each other in the second direction. In addition, localized light scatterers (LLS), which are clustered in a specific area of the wafer, can be improved.

또한, 상기 웨이퍼들(10)의 중심에서 상기 상부 램프(110)에 이르는 거리와 상기 웨이퍼들(10)의 중심에서 상기 하부 램프(120)에 이르는 거리가 동일하도록 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)가 배치될 수 있다. 상기 상부 램프(110)와 하부 램프(120)가 이격되어 형성됨에 따라 서로 간에 영향을 주지 않으며, 상기 상부 램프(110)와 하부 램프(120)의 출력이 동일할 경우, 상기 웨이퍼들(10)에 균일한 열 전달이 가능하다.
The distance between the center of the wafers 10 to the upper lamp 110 and the distance from the center of the wafers 10 to the lower lamp 120 are equal to each other, The lamp 120 may be disposed. The upper lamp 110 and the lower lamp 120 are spaced apart from each other so that the upper and lower lamps 110 and 120 do not affect each other. Uniform heat transfer is possible.

도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 분해 사시도를 도시한 도면이다.3 is an exploded perspective view of the wafer drying apparatus according to the second embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조장치는 배스(200), 상부 램프(210), 하부 램프(220) 및 웨이퍼 지지부(230)를 포함한다. 웨이퍼 건조 장치의 내부에 배치되는 웨이퍼들(10)의 직경 방향이고, 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)에 수평인 방향을 제 1 방향으로 정의한다. 상기 웨이퍼들(10)의 직경 방향이고, 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)에 수직이며, 상기 제 1 방향과 직각을 이루는 방향을 제 2 방향으로 정의한다. 또한, 상기 웨이퍼들(10)의 직경 방향과 수직이고, 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)에 수평이며, 상기 제 1 방향 및 제 2 방향과 직각을 이루는 방향을 제 3 방향으로 정의한다.Referring to FIG. 3, a wafer drying apparatus according to the present invention includes a bath 200, an upper lamp 210, a lower lamp 220, and a wafer support 230. A direction in the radial direction of the wafers 10 disposed inside the wafer drying apparatus and a direction horizontal to the bottom plate 202 of the bath 200 is defined as a first direction. A direction perpendicular to the bottom plate 202 of the bath 200 and perpendicular to the first direction is defined as a second direction. A direction perpendicular to the radial direction of the wafers 10 and horizontal to the bottom plate 202 of the bath 200 and perpendicular to the first direction and the second direction is defined as a third direction .

상기 웨이퍼 지지부(230)는 배스(200) 내측에서 웨이퍼들(10)을 지지하고 고정시킬 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(230)는 상기 배스(200) 내측에 배치되어, 상기 웨이퍼들(10)을 상기 배스(200) 내에 세울 수 있고, 상기 웨이퍼들(10)이 서로 이격되어 마주보도록 고정시킨다. 즉, 상기 웨이퍼들(10)은 상기 웨이퍼 지지부(230)에 의해서, 서로 일정한 간격으로 이격되어 세워지고, 정렬될 수 있다. The wafer support 230 may support and fix the wafers 10 within the bath 200. The wafer support 230 may be disposed inside the bath 200 to raise the wafers 10 in the bath 200 and to fix the wafers 10 to face each other away from each other. That is, the wafers 10 can be spaced apart from each other and aligned by the wafer support 230.

상기 웨이퍼 지지부(230)는 상기 웨이퍼들(10)의 외주면에 형성될 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(230)는 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 자세하게는, 상기 웨이퍼 지지부(230)는 상기 웨이퍼들(10)의 직경과 수직 방향으로 연장될 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(230)는 제 3 방향으로 연장될 수 있다. 이로 인해, 상기 웨이퍼 지지부(230)는 웨이퍼들(10)을 일정하게 정렬할 수 있으며, 지지하고 고정시킬 수 있다.The wafer support 230 may be formed on the outer circumferential surface of the wafers 10. The wafer support 230 may have a shape extending in one direction. In detail, the wafer support 230 may extend in a direction perpendicular to the diameter of the wafers 10. The wafer support 230 may extend in a third direction. Thus, the wafer support 230 can uniformly align, support, and fix the wafers 10.

또한, 상기 웨이퍼 지지부(230)는 다수 개로 형성될 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(230)는 웨이퍼들(10)의 일측면에 한 쌍 및 상기 일측면에 대향하는 다른 일측면에 한 쌍으로 형성될 수 있다. 상기 일측면에 형성되는 한 쌍의 웨이퍼 지지부(230) 중 상측에 형성되는 웨이퍼 지지부(230)는 상기 상부 램프(210)와 인접하게 제 1 방향에서 중첩되는 위치에 배치될 수도 있다. 이러한 상기 일측면에 형성되는 한 쌍의 웨이퍼 지지부 중 상측에 형성되는 웨이퍼 지지부는 상기 상부 램프와 인접하며 상부 램프 및 하부 램프로부터 열적 영향을 더 크게 받아 그 변형이 더 문제가 될 수 있다. Further, the wafer supporting portions 230 may be formed in a plurality of wafers. The wafer supports 230 may be formed as a pair on one side of the wafers 10 and on the other side opposite to the one side. The wafer supporting part 230 formed on the upper side of the pair of wafer supporting parts 230 formed on the one side surface may be disposed at a position adjacent to the upper lamp 210 and overlapping in the first direction. The wafer support portion formed on the upper side of the pair of wafer support portions formed on the one side surface is adjacent to the upper portion lamp and has a larger thermal influence from the upper and lower portions.

하지만, 본 발명은 하기와 같이 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)가 형성되는 배스(200)의 측벽이 바텀 플레이트와 둔각을 이루고 형성되는 바, 상기 상부 램프(110)와 하부 램프(120)가 제 2 방향으로 중첩되지 않도록 형성된다. 이로써, 상기 웨이퍼 지지부(130)는 램프들의 발열로 인한 열적 상승 기류 등의 영향을 적게 받으므로 외형에 변형이 발생하지 않는다. 도면에는 도시하지 않았지만, 로봇 암에 의해 상기 웨이퍼 지지부(230) 및 웨이퍼들(10) 배스(200) 내측으로 로딩 또는 언로딩될 수 있다.However, in the present invention, the side wall of the bathtub 200, in which the upper lamp 210 and the lower lamp 220 are formed, is formed at an obtuse angle with the bottom plate, and the upper lamp 110 and the lower lamp 120 Are not overlapped in the second direction. Accordingly, the wafer support 130 is less influenced by the heat rising air flow due to the heat generation of the lamps, and therefore, the outer shape is not deformed. Although not shown in the drawings, the wafer support 230 and the wafers 10 can be loaded or unloaded inside the bath 200 by a robot arm.

상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)는 적외선을 발생시킨다. 즉, 상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)는 열을 발생시키는 발열부이다. 상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)가 발생시키는 열은 웨이퍼들(10)과의 거리 및 건조 시간 등에 의해서 달라질 수 있다. The upper lamp 210 and the lower lamp 220 generate infrared rays. That is, the upper lamp 210 and the lower lamp 220 are heat generating units that generate heat. The heat generated by the upper lamp 210 and the lower lamp 220 may vary depending on the distance from the wafers 10, the drying time, and the like.

상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)는 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 자세하게는, 상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)는 웨이퍼들(10)의 직경과 수직 방향으로 연장될 수 있다. 더 자세하게는, 상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)는 제 3 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)는 상기 제 3 방향으로 연장되는 막대 형상 또는 봉 형상을 가질 수 있다. 상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)의 형성 위치와 배스(200)의 형상에 대한 특징을 단면도를 참조하여 자세히 설명한다.
The upper lamp 210 and the lower lamp 220 may have a shape extending in one direction. In detail, the upper lamp 210 and the lower lamp 220 may extend in a direction perpendicular to the diameter of the wafers 10. More specifically, the upper lamp 210 and the lower lamp 220 may extend in a third direction. In addition, the upper lamp 210 and the lower lamp 220 may have a rod shape or a rod shape extending in the third direction. The features of the formation position of the upper lamp 210 and the lower lamp 220 and the shape of the bath 200 will be described in detail with reference to sectional views.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 단면도를 도시한 도면이다.4A to 4C are cross-sectional views of a wafer drying apparatus according to a second embodiment of the present invention.

상기 도 4a를 정면도, 상기 도 4b를 평면도 및 상기 도 4c를 측면도로 정의한다. 도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 상기 배스(200)는 바텀 플레이트(202) 및 제 1 측벽 내지 제 4 측벽(201a,201b,201c,201d)으로 이루어진 4개의 측벽들을 포함할 수 있다. 상기 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)은 대면하여 형성되고, 상기 제 2 측벽(201b) 및 제 4 측벽(201d)은 대면하여 형성된다. 4A is a front view, FIG. 4B is a plan view, and FIG. 4C is a side view. 4A to 4C, the bath 200 may include four sidewalls including a bottom plate 202 and first to fourth sidewalls 201a, 201b, 201c and 201d. The first sidewall 201a and the third sidewall 201c face each other and the second sidewall 201b and the fourth sidewall 201d face each other.

정면도를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 배스(200)의 서로 대면하는 적어도 두 개의 측벽은 역사다리꼴 형상으로 형성될 수 있다. 상기 역사다리꼴 형상으로 형성되는 측벽은 배스(200)의 측벽 중 제 2 측벽(201b) 및 제 4 측벽(201d)일 수 있다. 또한, 상기 배스(200)의 서로 대면하는 적어도 한 쌍의 측벽은 각각 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)와 둔각을 이루고 형성된다. 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)와 둔각을 이루고 형성되는 측벽은 배스(200)의 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)일 수 있다. Referring to the front view, at least two sidewalls facing each other of the bath 200 of the wafer drying apparatus according to the second embodiment of the present invention may be formed in an inverted trapezoidal shape. The sidewall formed in the reverse trapezoidal shape may be a second sidewall 201b and a fourth sidewall 201d of the sidewall of the bath 200. At least a pair of side walls facing each other of the bath 200 are formed at an obtuse angle with the bottom plate 202 of the bath 200. The side wall formed at an obtuse angle with the bottom plate 202 of the bath 200 may be a first side wall 201a and a third side wall 201c of the bath 200.

다수개의 발열부가 배스(200)의 제 2 방향으로 중첩되도록 형성되면, 열의 상승 기류 등으로 인해 상부 램프(210) 및 웨이퍼 지지부(230)의 변형이 발생된다. 이를 방지하기 위해 다수개의 발열부가 배치되는 배스(200)의 측벽은 바텀 플레이트(202)와 둔각을 이루도록 배치된다.When a plurality of heat generating portions are formed to overlap with each other in the second direction of the bath 200, the upper lamp 210 and the wafer supporting portion 230 are deformed due to upward flow of heat. In order to prevent this, the side walls of the bath 200 where a plurality of heat generating units are disposed are disposed at obtuse angles with the bottom plate 202.

상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)와 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)은 둔각으로 일정한 각도(θ)를 이루고 접하여 형성되고, 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)와 제 2 측벽(201b) 및 제 4 측벽(201d)은 각각 직각(90°)을 이루도록 접하여 형성될 수 있다. 상기 각도(θ)는 90°~180°(둔각)로 형성될 수 있고, 바람직하게는, 120°~150°로 형성될 수 있고, 더 바람직하게는 135°로 형성될 수 있다. 또한, 제 2 측벽(201b) 및 제 4 측벽(201d)은 제 1 방향 및 제 2 방향으로 연장되도록 배치될 수 있다. The bottom plate 202 of the bath 200 has a first sidewall 201a and a third sidewall 201c formed at an obtuse angle at a predetermined angle? The second sidewall 201b and the fourth sidewall 201d may be in contact with each other at a right angle (90 °). The angle? May be 90 ° to 180 ° (obtuse angle), preferably 120 ° to 150 °, and more preferably 135 °. In addition, the second sidewall 201b and the fourth sidewall 201d may be arranged to extend in the first direction and the second direction.

상기 상부 램프(210)는 상기 배스(200)의 측벽에 고정되어 형성된다. 상기 상부 램프(210)가 고정되는 측벽은 상기 배스(200)의 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)일 수 있다. 상기 상부 램프(210)는 상기 바텀 플레이트(202)와 이격되어 형성된다. 측면도를 참조하면, 상기 상부 램프(210)는 웨이퍼들(10)의 측부에 형성될 수 있다. 즉, 제 1 방향에서 상기 웨이퍼들(10)과 상기 상부 램프(210)는 중첩되도록 형성될 수 있다. 이로 인해, 상기 웨이퍼들(10)과 상기 상부 램프(210)의 거리가 가깝게 형성되어 동일 출력량 대비 웨이퍼들(10)의 건조 효과를 증가시킬 수 있다.The upper lamp 210 is fixed to the side wall of the bath 200. The side wall to which the upper lamp 210 is fixed may be a first side wall 201a and a third side wall 201c of the bath 200. The upper lamp 210 is spaced apart from the bottom plate 202. Referring to the side view, the upper lamp 210 may be formed on the side of the wafers 10. That is, the wafers 10 and the upper lamp 210 may be formed to overlap each other in the first direction. Therefore, the distance between the wafers 10 and the upper lamp 210 can be reduced, thereby increasing the drying effect of the wafers 10 with respect to the same amount of power.

또한, 상기 하부 램프(220)도 상기 상부 램프(210)와 같이, 상기 배스(200)의 측벽에 고정되어 형성된다. 상기 하부 램프(220)가 고정되는 측벽은 상기 배스(200)의 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)일 수 있다. 상기 하부 램프(220)는 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)에 접하거나, 이격되어 고정되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 하부 램프(220)는 웨이퍼들(10)의 측부 또는 하부에 형성될 수 있다. Also, the lower lamp 220 is fixed to the side wall of the bathtub 200, like the upper lamp 210. The side wall to which the lower lamp 220 is fixed may be a first side wall 201a and a third side wall 201c of the bath 200. The lower lamp 220 may be in contact with or spaced apart from the bottom plate 202 of the bath 200. Further, the lower lamp 220 may be formed on the side or bottom of the wafers 10.

정면도를 참조하면, 상기 하부 램프(220)는 상기 상부 램프(210)의 하부에서 상기 상부 램프(210)와 이격되어 형성된다. 또한, 상기 배스(200)의 형상으로 인해 상부 램프(210)와 하부 램프(220)는 모두 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)에 형성되더라도, 바텀 플레이트(202)에 수직한 방향으로 중첩되지 않도록 형성된다. 상부 램프(210)와 하부 램프(220)가 배스(200)의 제 2 방향으로 중첩되도록 형성되면, 열의 상승 기류 등으로 인해 상부 램프(210) 및 웨이퍼 지지부(230)의 변형이 발생되나, 배스(200)의 측벽은 바텀 플레이트(202)와 둔각을 이루도록 배치되므로, 상기 상부 램프(210)와 하부 램프(220)는 제 2 방향으로 서로 이격되어 형성된다. Referring to a front view, the lower lamp 220 is spaced apart from the upper lamp 210 at a lower portion of the upper lamp 210. Even if the upper lamp 210 and the lower lamp 220 are formed on the first sidewall 201a and the third sidewall 201c due to the shape of the bath 200, As shown in FIG. When the upper lamp 210 and the lower lamp 220 are formed to overlap in the second direction of the bath 200, the upper lamp 210 and the wafer supporting part 230 are deformed due to upward flow of heat, The upper and lower lamps 210 and 220 are spaced apart from each other in the second direction because the sidewalls of the upper and lower lamps 200 and 200 are disposed at an obtuse angle with respect to the bottom plate 202.

상기 상부 램프(210)의 상측에서 배스(200)를 평면으로 바라볼 때, 상기 상부 램프(210)와 상기 하부 램프(220)는 이격되어 형성될 수 있다. 또한, 평면도를 참조하면, 상기 배스(200)의 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)은 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)와 일정 각도(θ)를 갖도록 기울어지게 형성되고, 상기 하부 램프(220)는 제 2 방향으로 형성된 상기 상부 램프(210)의 사영(shadow)과 이격되어 형성된다. 즉, 상기 하부 램프(220)와 상기 상부 램프(210)는 제 2 방향에서 중첩되지 않는 위치에 형성된다. The upper lamp 210 and the lower lamp 220 may be spaced apart from each other when the bath 200 is viewed from the upper side of the upper lamp 210 in a plan view. The first side wall 201a and the third side wall 201c of the bath 200 are formed to be inclined at a predetermined angle? With respect to the bottom plate 202 of the bath 200 The lower lamp 220 is spaced apart from the shadow of the upper lamp 210 formed in the second direction. That is, the lower lamp 220 and the upper lamp 210 are formed at positions that do not overlap in the second direction.

상기 배스(200)의 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)과 바텀 플레이트(202)가 이루는 각도(θ)는 바텀 플레이트(202)에 수직인 방향으로 상부 램프(210)와 하부 램프(220)가 중첩되지 않도록 하는 각도로 형성되는 것이 바람직하다. The angle θ formed between the first sidewall 201a and the third sidewall 201c of the bath 200 and the bottom plate 202 is set in a direction perpendicular to the bottom plate 202, It is preferable that the second electrode 220 is formed at an angle so as not to overlap.

또한, 상기 웨이퍼들(10)의 중심에서 상기 상부 램프(210)에 이르는 거리와 상기 웨이퍼들(10)의 중심에서 상기 하부 램프(220)에 이르는 거리가 동일하도록 상기 상부 램프(210)와 하부 램프(220)가 배치될 수 있다. 상기 상부 램프(210)와 하부 램프(220)가 이격되어 형성됨에 따라 서로 간에 영향을 주지 않으며, 상기 상부 램프(210)와 하부 램프(220)의 출력이 동일할 경우, 상기 웨이퍼들(10)에 균일한 열 전달이 가능하다.
The distance between the center of the wafers 10 from the center of the wafers 10 to the upper lamp 210 and the distance from the center of the wafers 10 to the lower lamp 220 are the same, A lamp 220 may be disposed. The upper lamp 210 and the lower lamp 220 are spaced apart from each other and have no influence on each other. When the outputs of the upper lamp 210 and the lower lamp 220 are the same, Uniform heat transfer is possible.

따라서, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장치는, 상부 램프와 하부 램프 간의 열적 손상을 방지하며, 특히 상부 램프의 열적 손상을 방지하고, 램프의 수명을 연장한다. 또한, 웨이퍼 지지부의 열적 손상을 방지하여, 형태의 변형을 방지하고, 배스 내의 기류에 영향을 주어 웨이퍼의 특정 부위에 뭉쳐있는 LLS(localized light scatterers), 몰림성 패턴의 발생을 방지할 수 있다.
Accordingly, the wafer drying apparatus according to the present invention prevents thermal damage between the upper lamp and the lower lamp, in particular, prevents the thermal damage of the upper lamp and prolongs the life of the lamp. In addition, thermal damage to the wafer support is prevented, shape deformation is prevented, air flow in the bath is affected, and localized light scatterers (LLS) and moltenness patterns are prevented from clinging to specific areas of the wafer.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10: 웨이퍼들 101a: 제 1 측벽
100: 배스 101b: 제 2 측벽
110: 상부 램프 101c: 제 3 측벽
120: 하부 램프 101d: 제 4 측벽
130: 웨이퍼 지지부 102: 바텀 플레이트10: wafers 101a: first side wall
100: Bath 101b: Second side wall
110: upper lamp 101c: third side wall
120: lower lamp 101d: fourth side wall
130: wafer support portion 102: bottom plate

Claims (12)

배스; 및
상기 배스의 내면에 배치되고, 상기 웨이퍼 측으로 열을 가하기 위한 상부 램프 및 하부 램프를 포함하고,
상기 상부 램프는 상기 배스의 측벽에 형성되며, 상기 배스의 바텀 플레이트와 이격되어 배치되고,
상기 하부 램프는 상기 배스의 바텀 플레이트에 형성되며, 상기 상부 램프가 형성된 측벽과 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
Bass; And
And an upper lamp and a lower lamp disposed on the inner surface of the bath for applying heat to the wafer side,
The upper lamp is formed on a sidewall of the bath and is disposed apart from the bottom plate of the bath,
Wherein the lower ramp is formed on the bottom plate of the bath and is spaced apart from the side wall on which the upper ramp is formed.
제 1 항에 있어서,
상기 웨이퍼의 직경 방향이고, 상기 바텀 플레이트에 수직인 방향에서 형성된 상부 램프의 사영(shadow)은 하부 램프와 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
The method according to claim 1,
Wherein a shadow of the upper lamp formed in the direction of the diameter of the wafer and perpendicular to the bottom plate is formed spaced apart from the lower ramp.
제 1 항에 있어서,
상기 상부 램프는 웨이퍼들의 측부에 배치되고, 상기 하부 램프는 웨이퍼들의 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the upper lamp is disposed on a side of the wafers, and the lower lamp is disposed below the wafers.
제 1 항에 있어서,
상기 상부 램프의 상측에서 배스를 평면으로 바라볼 때,
상기 배스의 양 측벽에 형성된 상기 상부 램프 사이에 상기 하부 램프가 상기 상부 램프와 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
The method according to claim 1,
When the bath is viewed from above on the upper lamp,
And the lower lamp is disposed between the upper lamps formed on both side walls of the bath so as to be spaced apart from the upper lamp.
제 1 항에 있어서,
상기 웨이퍼들의 중심에서 상부 램프에 이르는 거리와 하부 램프에 이르는 거리는 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the distance from the center of the wafers to the upper ramp and the distance to the lower ramp are the same.
제 1 항에 있어서,
상기 상부 램프가 형성되는 상기 배스의 측벽은 상기 배스의 바텀 플레이트와 둔각을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
The method according to claim 1,
Wherein a side wall of the bath in which the upper lamp is formed is formed to have an obtuse angle with the bottom plate of the bath.
배스;
상기 배스 내측에 배치되고, 다수의 웨이퍼들을 지지하는 웨이퍼 지지부; 및
상기 배스의 내면에 배치되고, 상기 웨이퍼측으로 열을 가하기 위한 상부 램프 및 하부 램프를 포함하고,
상기 배스의 서로 대면하는 적어도 한 쌍의 측벽은 각각 상기 배스의 바텀 플레이트와 둔각을 이루도록 형성되고,
상기 상부 램프 및 하부 램프는 상기 측벽에 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
Bass;
A wafer support disposed inside the bath and supporting a plurality of wafers; And
And an upper lamp and a lower lamp disposed on the inner surface of the bath for applying heat to the wafer side,
At least a pair of side walls facing each other of the bass are formed so as to form an obtuse angle with the bottom plate of the bass,
Wherein the upper and lower lamps are formed on the side wall.
제 7 항에 있어서,
상기 둔각은 120°~150°인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the obtuse angle is 120 ° to 150 °.
제 7 항에 있어서,
상기 웨이퍼의 직경 방향이고, 상기 바텀 플레이트에 수직인 방향에서 형성된 상기 상부 램프의 사영(shadow)은 하부 램프와 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein a shadow of the upper lamp formed in a radial direction of the wafer and in a direction perpendicular to the bottom plate is spaced apart from the lower ramp.
제 7 항에 있어서,
상기 하부 램프는 바텀 플레이트에 접하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the lower ramp is formed in contact with the bottom plate.
제 7 항에 있어서,
상기 상부 램프의 상측에서 배스를 평면으로 바라볼 때,
상기 배스의 양 측벽에 형성된 상기 상부 램프 사이에 상기 하부 램프가 상기 상부 램프와 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
8. The method of claim 7,
When the bath is viewed from above on the upper lamp,
And the lower lamp is disposed between the upper lamps formed on both side walls of the bath so as to be spaced apart from the upper lamp.
제 7 항에 있어서,
상기 웨이퍼들의 중심에서 상부 램프에 이르는 거리와 하부 램프에 이르는 거리는 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the distance from the center of the wafers to the upper ramp and the distance to the lower ramp are the same.
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