KR20150008627A - Light emitting device comprising high reflective wire - Google Patents

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오광용
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Abstract

Disclosed is a light emitting device. The light emitting device includes a light emitting diode, a lead frame, and a wire which electrically connects the light emitting diode and the lead frame. The wire includes Ag and Zn. Thereby, a light emitting device with improved light emitting efficiency and reliability can be provided.

Description

고 반사성 와이어를 포함하는 발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING HIGH REFLECTIVE WIRE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting device including a highly reflective wire,

본 발명은 발광 장치에 관한 것으로, 특히, 고 반사성 와이어를 포함하는 발광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, and more particularly to a light emitting device including a highly reflective wire.

발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합으로 발생되는 광을 발하는 무기 반도체 소자로서, 최근, 디스플레이, 자동차 램프, 일반 조명 등의 여러 분야에서 사용되고 있다. 이러한 발광 다이오드는 발광 다이오드 패키지, 또는 발광 다이오드 모듈 등의 형태로 제조된 발광 장치로써 다양한 분야에 이용되고 있다.BACKGROUND ART Light emitting diodes (LEDs) are inorganic semiconductor devices that emit light generated by the recombination of electrons and holes. Recently, they have been used in various fields such as displays, automobile lamps, and general lighting. Such a light emitting diode is a light emitting device manufactured in the form of a light emitting diode package or a light emitting diode module, and is used in various fields.

도 1은 종래의 일반적인 발광 장치의 일례를 도시한다. 도 1을 참조하면, 종래의 발광 장치는, 측벽(11) 및 베이스(13)를 포함하는 하우징(10), 상기 베이스(13) 상면의 일부분에 형성된 리드 프레임(20), 상기 리드 프레임(20) 상에 실장된 발광 다이오드(30), 상기 측벽(11)에 의해 형성된 캐비티를 채우며 발광 다이오드(30)를 봉지하는 봉지재(50) 및 상기 발광 다이오드(30)와 리드 프레임(20)을 전기적으로 연결하는 와이어(40)를 포함한다.Fig. 1 shows an example of a conventional general light emitting device. 1, a conventional light emitting device includes a housing 10 including a side wall 11 and a base 13, a lead frame 20 formed on a part of the upper surface of the base 13, An encapsulant 50 for encapsulating the light emitting diode 30 and filling the cavity formed by the side wall 11 and a light emitting diode 30 and a lead frame 20 electrically connected to each other, As shown in Fig.

와이어(40)는 발광 다이오드(30)와 리드 프레임(20)에 각각 본딩되어 발광 다이오드(30)에 전류를 공급하는 역할을 한다. 종래의 와이어(40)는 일반적으로 Au(금) 와이어 또는 Au를 주성분으로 하는 Au 합금 와이어가 이용된다. Au는 전기 전도성이 우수하며, 내후성 및 내식성이 우수하여 신뢰성이 좋은 장점을 갖는다.The wire 40 is bonded to the light emitting diode 30 and the lead frame 20 to supply current to the light emitting diode 30. The conventional wire 40 generally uses an Au (gold) wire or an Au alloy wire whose main component is Au. Au is excellent in electrical conductivity, has excellent weatherability and corrosion resistance, and has good reliability.

그러나, 도 2에 도시된 바와 같이, Au는 특정 파장대에서 낮은 반사율을 갖기 때문에, Au를 주성분으로 하는 와이어는 발광 장치의 광 효율에 부정적인 영향을 끼친다. 특히, 발광 다이오드(30)가 400 내지 500nm의 파장대에서 피크 파장을 갖는 청색 발광 다이오드인 경우, 상기 청색 발광 다이오드에서 방출된 광에 대해 Au의 반사율은 50% 내외로 매우 낮다. 이는 발광 장치의 광량을 떨어뜨리게 된다. 또한, Au는 다른 물질에 비해 상대적으로 가격이 높아, 발광 장치의 제조 단가를 상승시키는 원인이 된다. 따라서 최근 발광 다이오드 시장의 흐름인 원가 절감에 적합하지 않다.However, as shown in Fig. 2, since Au has a low reflectance at a specific wavelength band, a wire containing Au as a main component has a negative influence on the light efficiency of the light emitting device. In particular, when the light emitting diode 30 is a blue light emitting diode having a peak wavelength in a wavelength range of 400 to 500 nm, the reflectance of Au is very low, about 50%, with respect to the light emitted from the blue light emitting diode. This causes the light amount of the light emitting device to drop. In addition, Au is relatively expensive compared to other materials, which causes the manufacturing cost of the light emitting device to increase. Therefore, it is not suitable for cost reduction, which is a trend of the light emitting diode market in recent years.

Au가 주성분인 와이어와 관련하여 상술한 단점을 개선하고자, Ag(은)을 주성분으로 하는 와이어가 이용된다. Ag는 도 2에 도시된 바와 같이, 400 내지 500nm의 파장대의 광에 대해서도 80% 이상의 반사율을 보이므로, 발광 장치의 광량을 높일 수 있다. 그러나, Ag는 Au에 비해서 내후성이 떨어져 와이어의 변색 등의 문제가 발생할 수 있고, 와이어의 변색은 발광 장치의 신뢰성을 감소시킨다. In order to improve the above-mentioned disadvantages with respect to the wire mainly composed of Au, a wire composed mainly of Ag (silver) is used. As shown in FIG. 2, Ag exhibits a reflectance of 80% or more even for light in a wavelength range of 400 to 500 nm, so that the light quantity of the light emitting device can be increased. However, Ag is less weather-resistant than Au and may cause problems such as discoloration of the wire, and discoloration of the wire reduces the reliability of the light emitting device.

따라서, 상술한 종래의 와이어의 단점들이 보완된, 높은 반사율, 높은 내후성 및 내식성을 갖는 와이어가 요구된다.Therefore, there is a demand for a wire having high reflectivity, high weather resistance, and corrosion resistance, which is complementary to the disadvantages of the conventional wire described above.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광 다이오드에서 방출된 광에 대해서 높은 반사율을 갖고, 고 내후성 및 고 내식성을 갖는 와이어를 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to provide a wire having a high reflectance for light emitted from a light emitting diode, high weather resistance and high corrosion resistance.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 발광 효율 및 신뢰성이 향상된 발광 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting device having improved luminous efficiency and reliability.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는, 발광 다이오드; 리드 프레임; 및 상기 발광 다이오드와 상기 리드 프레임을 전기적으로 연결하는 와이어를 포함하고, 상기 와이어는 Ag 및 Zn을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes: a light emitting diode; Lead frame; And a wire electrically connecting the light emitting diode and the lead frame, wherein the wire includes Ag and Zn.

이에 따라, 상기 발광 장치는 고 반사성, 고 내후성, 및 고 내식성을 갖는 와이어를 포함하여, 발광 장치의 발광 효율 및 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, the light emitting device includes a wire having high reflectivity, high weather resistance, and high corrosion resistance, so that the luminous efficiency and reliability of the light emitting device can be improved.

상기 와이어는 95 내지 97 wt%의 Ag를 포함할 수 있다.The wire may contain 95 to 97 wt% of Ag.

상기 와이어는 Au 및/또는 Pd를 더 포함할 수 있다.The wire may further comprise Au and / or Pd.

나아가, 상기 와이어는, 95 내지 97 wt%의 Ag, 0 초과 2 wt% 이하의 Au, 1.0 내지 3.5 wt%의 Pd, 및 0 초과 0.3 wt%의 Zn을 포함할 수 있다.Further, the wire may include 95 to 97 wt% of Ag, 0 to 2 wt% of Au, 1.0 to 3.5 wt% of Pd, and 0 to 0.3 wt% of Zn.

상기 발광 다이오드는 400 내지 500nm의 피크 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다.The light emitting diode may emit light having a peak wavelength of 400 to 500 nm.

몇몇 실시예들에 있어서, 상기 와이어는 코어 와이어, 및 상기 코어 와이어를 둘러싸는 클래드 와이어를 포함할 수 있고, 상기 클래드 와이어는 Ag 및 Zn을 포함할 수 있다.In some embodiments, the wire may comprise a core wire and a clad wire surrounding the core wire, wherein the clad wire may comprise Ag and Zn.

상기 코어 와이어는 Cu, Ag, Au 및 Fe 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The core wire may include at least one of Cu, Ag, Au, and Fe.

본 발명에 따르면, 와이어가 Ag 및 Zn을 포함함으로써, 고 반사율, 고 내후성 및 고 내식성을 갖는 와이어를 제공할 수 있다. 또한, 와이어가 Ag를 주성분으로 제조되어, 와이어 제조 비용을 절감할 수 있다.According to the present invention, since the wire contains Ag and Zn, it is possible to provide a wire having high reflectance, high weather resistance, and high corrosion resistance. Further, since the wire is made of Ag as a main component, the manufacturing cost of the wire can be reduced.

또한, 발광 장치가 상기 와이어를 포함함으로써, 발광 효율이 향상되고, 신뢰성이 우수한 발광 장치를 제공할 수 있다.Further, by including the wire in the light emitting device, it is possible to provide a light emitting device having improved luminous efficiency and excellent reliability.

도 1은 종래의 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 광의 파장에 대한 Ag(금) 및 Au(은)의 반사율을 도시하는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a conventional light emitting device.
2 is a graph showing the reflectance of Ag (gold) and Au (silver) with respect to the wavelength of light.
3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a wire according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can sufficiently convey the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. It is also to be understood that when an element is referred to as being "above" or "above" another element, But also includes the case where there are other components in between. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 발광 장치는, 발광 다이오드(30), 리드 프레임(20) 및 와이어(60)를 포함한다. 나아가, 상기 발광 장치는, 측벽(11) 및 베이스(13)를 포함하는 하우징(10) 및 봉지재(50)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the light emitting device of the present invention includes a light emitting diode 30, a lead frame 20, and a wire 60. Furthermore, the light emitting device may further include a housing 10 and an encapsulating material 50 including a side wall 11 and a base 13. [

발광 다이오드(30)는 베이스(13) 상에 위치할 수 있으며, 또한, 리드 프레임(20) 상이 위치할 수 있다. 이때, 발광 다이오드(30)는 리드 프레임(20) 상에 접합되어 실장될 수 있으며, 리드 프레임(20)과 접촉하여 전기적으로 연결될 수도 있다.The light emitting diode 30 may be located on the base 13 and may also be located on the lead frame 20. At this time, the light emitting diodes 30 may be mounted on the lead frame 20, and may be electrically connected to the lead frame 20.

발광 다이오드(30)는 수평형, 수직형, 플립칩 형, 또는 복수의 발광셀을 갖는 형태 등일 수 있으며, 발광 다이오드(30)의 유형 및 형태는 제한되지 않고 필요에 따라 다양한 형태로 구현될 수 있다. 발광 다이오드(30)는 각각 서로 다른 도전형을 갖는 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있고, 또한, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 더 포함할 수 있다. 상기 활성층에서 방출되는 광의 파장은 다양하게 조절될 수 있고, 예를 들어, 400 내지 500nm의 피크 파장을 갖는 광을 방출할 수 있도록 활성층을 이루는 물질의 조성비가 조절될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 발광 다이오드(30)는 청색 계열의 광을 방출할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting diode 30 may be of a horizontal type, a vertical type, a flip chip type, or a form having a plurality of light emitting cells, and the type and the form of the light emitting diode 30 are not limited and can be implemented in various forms have. The light emitting diode 30 may include a first conductive type semiconductor layer and a second conductive type semiconductor layer having different conductivity types, and may further include an active layer interposed between the first and second conductive type semiconductor layers . The wavelength of the light emitted from the active layer can be controlled in various ways. For example, the composition of the active layer can be controlled so as to emit light having a peak wavelength of 400 to 500 nm. Accordingly, the light emitting diode 30 of the present invention can emit blue light. However, the present invention is not limited thereto.

본 발명의 발광 다이오드(30)는 이 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자(이하, "통상의 기술자")에게 공지된 기술적 내용을 모두 포함할 수 있으며, 이하, 공지의 기술적 사항을 포함하는 발광 다이오드(30)와 관련된 상세한 설명을 생략한다.The light emitting diode 30 of the present invention may include all the technical contents known to those having ordinary skill in the art (hereinafter, "a typical technician"), The detailed description related to the diode 30 will be omitted.

리드 프레임(20)은 발광 다이오드(30)와 전기적으로 연결되어, 외부의 전원을 발광 다이오드(30)에 공급할 수 있다. 도 3을 참조하면, 리드 프레임(20)은 베이스(13)의 상면에 배치될 수 있고, 나아가, 베이스(13)의 측면 및 하면에 더 연장될 수 있다. 이에 따라, 리드 프레임(20)의 일부가 하우징(10)의 외부로 노출될 수 있다. 또한, 리드 프레임(20)은 서로 이격된 적어도 2개 이상의 리드들을 포함할 수 있고, 상기 이격된 2개 이상의 리드들은 서로 다른 극성, 예를 들어 p전극 및 n전극으로서 기능할 수 있다.The lead frame 20 is electrically connected to the light emitting diode 30 to supply an external power source to the light emitting diode 30. 3, the lead frame 20 may be disposed on the upper surface of the base 13, and may further extend to the side surface and the lower surface of the base 13. Accordingly, a part of the lead frame 20 can be exposed to the outside of the housing 10. Further, the lead frame 20 may include at least two leads spaced apart from each other, and the two or more spaced leads may function as different polarities, for example, a p-electrode and an n-electrode.

다만, 상기 리드 프레임(20)의 구성은 일례에 지나지 않으며, 다양한 형태로 변경될 수 있다. 본 발명은 다양한 형태의 리드 프레임(20)을 모두 포함한다.However, the configuration of the lead frame 20 is merely an example, and can be changed into various forms. The present invention includes all of the lead frames 20 of various forms.

와이어(60)는 발광 다이오드(30)와 리드 프레임(20)을 전기적으로 연결한다. 본 실시예에 있어서, 발광 다이오드(30)와 리드 프레임(20)을 전기적으로 연결하는 하나의 와이어(60)만 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 발광 장치의 다양한 형태에 따라 와이어(60)의 개수, 위치, 연결 방법은 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드(30)의 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층에 각각 전기적으로 연결된 적어도 2개 이상의 와이어(60)를 포함하는 경우도 본 발명에 포함된다.The wire 60 electrically connects the light emitting diode 30 and the lead frame 20. Although only one wire 60 electrically connecting the light emitting diode 30 and the lead frame 20 is shown in the present embodiment, the present invention is not limited thereto. The number, positions, and connection methods of the wires 60 may be variously modified according to various forms of the light emitting device. For example, the present invention includes at least two wires 60 electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting diode 30, respectively.

와이어(60)는 Ag 및 Zn을 포함한다. 이때, 와이어(60)는 Ag가 주성분인 Ag 와이어일 수 있다. 예를 들어, 와이어(60)는 95 내지 97 wt%의 Ag를 포함할 수 있다. 와이어(60)가 Ag를 주성분으로 하는 Ag 와이어로 형성됨으로써, 상기 와이어(60)가 고 반사율을 가질 수 있다. 나아가, 본 발명은 고 반사성 와이어(60)를 포함하는 발광 장치를 제공함으로써, 발광 장치의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 특히, 400 내지 500nm의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 청색 발광 다이오드를 포함하는 발광 장치의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 덧붙여, 청색 발광 다이오드를 이용한 백색 발광 장치의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 단가가 비교적 높은 Au 와이어 대신 Ag 와이어를 적용함으로써, 발광 장치의 비용이 절감될 수 있다. The wire 60 includes Ag and Zn. At this time, the wire 60 may be an Ag wire which is a main component of Ag. For example, the wire 60 may comprise 95 to 97 wt% Ag. The wire 60 is formed of an Ag wire containing Ag as a main component, so that the wire 60 can have a high reflectance. Furthermore, the present invention can improve the luminous efficiency of the light emitting device by providing the light emitting device including the highly reflective wire (60). In particular, the luminous efficiency of a light emitting device including a blue light emitting diode emitting light having a peak wavelength of 400 to 500 nm can be improved. In addition, the luminous efficiency of the white light emitting device using the blue light emitting diode can be improved. Further, by applying the Ag wire instead of the Au wire having a relatively high unit price, the cost of the light emitting device can be reduced.

Zn은 Ag에 비해 상대적으로 높은 내후성 및 내식성을 갖는다. 따라서, 와이어(60)가 Zn을 포함함으로써, 주변 환경에 의해 변색 또는 손상되는 것을 방지할 수 있다. 다만, 와이어(60)에 Zn이 소정의 비율 이상으로 포함될 경우 반사율이 급격하게 감소할 수 있는바, Zn은 일정 비율로 와이어(60)에 첨가될 수 있다. 예를 들어, Zn은 0 초과 0.3 wt%의 비율로 와이어(60)에 포함될 수 있다. Zn has relatively high weather resistance and corrosion resistance compared to Ag. Therefore, by including the Zn in the wire 60, it is possible to prevent the wire 60 from being discolored or damaged by the surrounding environment. However, if the wire 60 contains Zn in a predetermined ratio or more, the reflectance can be drastically reduced, and Zn can be added to the wire 60 at a certain ratio. For example, Zn may be included in the wire 60 at a ratio of more than 0 to 0.3 wt%.

이와 같이, 본 발명의 와이어(60)는 Ag 와이어의 장점을 가지면서, 나아가, Zn을 일정 비율로 더 포함하여 고 내후성과 고 내식성 가질 수 있다.As described above, the wire 60 of the present invention has the advantages of the Ag wire and further includes Zn at a predetermined ratio to have high weather resistance and high corrosion resistance.

나아가, 와이어(60)는 Au 및/또는 Pd를 더 포함할 수 있다. Au는 와이어(60)의 변색을 방지할 수 있다. Pd는 와이어(60)의 강도를 향상시키고, Ag가 다른 물질에 확산되어 와이어(60)이 특성이 변하는 것을 방지할 수 있다. 한편, 와이어(60)에 Au 및/또는 Pd가 소정의 비율 이상으로 포함될 경우에도 반사율이 급격하게 감소할 수 있으므로, Au 및/또는 Pd는 일정 비율로 와이어(60)에 첨가될 수 있다. 예를 들어, Au는 0 초과 2 wt%의 비율로 와이어(60)에 포함될 수 있고, Pd는 1.0 내지 3.5 wt%의 비율로 와이어(60)에 포함될 수 있다.Further, the wire 60 may further include Au and / or Pd. Au can prevent discoloration of the wire 60. Pd improves the strength of the wire 60 and prevents Ag from diffusing to other materials and changing the characteristics of the wire 60. On the other hand, the Au and / or Pd can be added to the wire 60 at a certain rate since the reflectance can be drastically reduced even when Au and / or Pd is contained in the wire 60 at a predetermined ratio or more. For example, Au may be included in the wire 60 at a ratio of more than 0 to 2 wt%, and Pd may be included in the wire 60 at a ratio of 1.0 to 3.5 wt%.

와이어(60)가 Au 및/또는 Pd를 더 포함함으로써, 내식성, 내후성 및 내구성이 더욱 향상될 수 있다.When the wire 60 further contains Au and / or Pd, the corrosion resistance, weather resistance and durability can be further improved.

상술한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 와이어(60)는 Ag를 주성분으로 하는 Ag 와이어 일 수 있고, Zn을 더 포함할 수 있으며, 나아가, Au 및/또는 Pd를 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 종래의 Au 와이어에 비하여, 반사율이 향상된 와이어(60)를 제공할 수 있다. 또한, Zn, Au, Pd 등을 더 포함함으로써, 종래의 Ag 와이어에 비하여 향상된 내후성, 내식성 및 내구성을 가질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the wire 60 may be an Ag wire containing Ag as a main component, may further include Zn, and may further include Au and / or Pd. Accordingly, it is possible to provide the wire 60 with an improved reflectance compared to the conventional Au wire. Further, by further including Zn, Au, Pd and the like, it can have improved weather resistance, corrosion resistance, and durability as compared with the conventional Ag wire.

한편, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어(60)는 다층 구조를 포함할 수 있다. 도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어(60)를 설명하기 위한 단면도이다.Meanwhile, the wire 60 according to another embodiment of the present invention may include a multi-layer structure. 4 is a cross-sectional view illustrating a wire 60 according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 와이어(60)는 코어 와이어(61) 및 클래드 와이어(63)를 포함할 수 있다. 이때, 클래드 와이어(63)는 코어 와이어(61)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 코어 와이어(61)는 클래드 와이어(63)에 둘러싸여 외부로 노출되지 않을 수 있다.Referring to FIG. 4, the wire 60 may include a core wire 61 and a clad wire 63. At this time, the clad wire 63 may be formed to surround the core wire 61. The core wire 61 may be surrounded by the clad wire 63 and not exposed to the outside.

코어 와이어(61)는 클래드 와이어(63)에 비해 높은 전기 전도성을 가질 수 있고, 예를 들어, Cu, Ag, Au, 및 Fe 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 코어 와이어(61)가 클래드 와이어(63)에 비해 높은 전기 전도성을 가짐으로써, 코어 와이어(61)를 통해 더 높은 전류가 흐를 수 있다. 따라서, 와이어(60)의 저항이 낮아질 수 있다.The core wire 61 may have a higher electrical conductivity than the clad wire 63 and may include at least one of Cu, Ag, Au, and Fe, for example. The core wire 61 has a higher electrical conductivity than the clad wire 63, so that a higher current can flow through the core wire 61. [ Therefore, the resistance of the wire 60 can be lowered.

클래드 와이어(63)는 도 3을 참조하여 설명한 와이어(60)와 대체로 유사한 물질을 포함할 수 있다. 즉, 클래드 와이어(63)는 Ag 및 Zn을 포함하며, 나아가, Au 및/또는 Pd를 더 포함할 수 있다.The clad wire 63 may comprise a material which is substantially similar to the wire 60 described with reference to Fig. That is, the clad wire 63 includes Ag and Zn, and may further include Au and / or Pd.

본 실시예에 따르면, 와이어(60)가 높은 전기 전도성을 갖는 코어 와이어(61) 및 상기 코어 와이어(61)를 둘러싸는 클래드 와이어(63)를 포함함으로써, 상기 와이어(60)는 더 낮은 저항을 가지면서, 또한, 고 반사성, 고 내후성, 고 내식성 및 고 내구성을 가질 수 있다.According to the present embodiment, the wire 60 includes a core wire 61 having high electrical conductivity and a clad wire 63 surrounding the core wire 61, so that the wire 60 has a lower resistance And can also have high reflectivity, high weatherability, high corrosion resistance, and high durability.

한편, 상기 발광 장치는 측벽(11) 및 베이스(13)를 포함하는 하우징(10) 및 봉지재(50)를 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a housing 10 and an encapsulant 50 including a side wall 11 and a base 13.

하우징(10)은 리드 프레임(20)을 지지할 수 있다. 베이스(13)는 발광 다이오드(30)가 안정적으로 실장되도록 기판과 유사한 기능을 할 수 있고, 측벽(11) 발광 다이오드(20)를 둘러싸도록 형성되어 발광 다이오드(30)를 보호할 수 있다. 또한, 측벽(11)은 반사성을 가질 수 있고, 이에 따라 발광 다이오드(30)에서 방출된 광이 발광 장치 상부로 반사되도록 한다. 또한, 측벽(11)과 베이스(13)는 일체로 형성될 수 있다. 측벽(11) 및 베이스(13)는 수지를 포함할 수 있으며, 트랜스퍼 몰딩 등 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.The housing 10 can support the lead frame 20. The base 13 may function similar to a substrate so that the light emitting diode 30 is stably mounted and may be formed to surround the light emitting diode 20 to protect the light emitting diode 30. In addition, the side wall 11 may have reflectivity so that the light emitted from the light emitting diode 30 is reflected to the upper portion of the light emitting device. Further, the side wall 11 and the base 13 may be integrally formed. The side wall 11 and the base 13 may include a resin and may be formed through various methods such as transfer molding.

봉지재(50)는 측벽(11)에 의해 형성된 캐비티 내에 채워질 수 있고, 또한, 발광 다이오드(30) 및 와이어(60)를 봉지할 수 있다. 봉지재(50)는 수지를 포함할 수 있고, 형광체를 더 포함할 수도 있다.The sealing material 50 can be filled in the cavity formed by the side wall 11 and can also seal the light emitting diode 30 and the wire 60. [ The encapsulant 50 may include a resin and may further include a phosphor.

이하, 하우징(10) 및 봉지재(50)와 관련하여, 통상의 기술자에게 알려진 공지의 기술적 사항에 대한 자세한 설명은 생략한다.Hereinafter, with respect to the housing 10 and the sealing material 50, a detailed description of known technical matters known to a person skilled in the art will be omitted.

이상 실시예들을 통해 설명한 발광 장치는 본 발명의 예시적인 것에 불과하다. 즉, 본 발명은 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 발광 장치에 한정되지 않으며, 상술한 발광 장치 외에 다양한 형태로 구체화될 수 있다.The light emitting device described through the above embodiments is merely an example of the present invention. That is, the present invention is not limited to the light emitting device described with reference to FIGS. 3 and 4, but may be embodied in various forms other than the above-described light emitting device.

이상, 본 발명의 다양한 실시예들에 대하여 설명하였지만, 상술한 다양한 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다.
While the present invention has been described with respect to various embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. And can be changed.

Claims (7)

발광 다이오드;
리드 프레임; 및
상기 발광 다이오드와 상기 리드 프레임을 전기적으로 연결하는 와이어를 포함하고,
상기 와이어는 Ag 및 Zn을 포함하는 발광 장치.Light emitting diodes;
Lead frame; And
And a wire electrically connecting the light emitting diode and the lead frame,
Wherein the wire comprises Ag and Zn. 청구항 1에 있어서,
상기 와이어는 95 내지 97 wt%의 Ag를 포함하는 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the wire comprises 95 to 97 wt% of Ag. 청구항 1에 있어서,
상기 와이어는 Au 및/또는 Pd를 더 포함하는 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the wire further comprises Au and / or Pd. 청구항 3에 있어서,
상기 와이어는,
95 내지 97 wt%의 Ag,
0 초과 2 wt% 이하의 Au,
1.0 내지 3.5 wt%의 Pd, 및
0 초과 0.3 wt%의 Zn을 포함하는 발광 장치.The method of claim 3,
The wire
95 to 97 wt% Ag,
Not less than 0 and not more than 2 wt% of Au,
1.0 to 3.5 wt% of Pd, and
0 to 0.3 wt% of Zn. 청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드는 400 내지 500nm의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the light emitting diode emits light having a peak wavelength of 400 to 500 nm. 청구항 1에 있어서,
상기 와이어는 코어 와이어, 및 상기 코어 와이어를 둘러싸는 클래드 와이어를 포함하고,
상기 클래드 와이어는 Ag 및 Zn을 포함하는 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the wire comprises a core wire and a clad wire surrounding the core wire,
Wherein the clad wire includes Ag and Zn. 청구항 6에 있어서,
상기 코어 와이어는 Cu, Ag, Au 및 Fe 중 적어도 하나를 포함하는 발광 장치.
The method of claim 6,
Wherein the core wire comprises at least one of Cu, Ag, Au, and Fe.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20170059048A (en) * 2015-11-19 2017-05-30 삼성전자주식회사 Bonding wire for semiconductor package and semiconductor package including the same

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