KR20150004493A - 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20150004493A
KR20150004493A KR1020130077326A KR20130077326A KR20150004493A KR 20150004493 A KR20150004493 A KR 20150004493A KR 1020130077326 A KR1020130077326 A KR 1020130077326A KR 20130077326 A KR20130077326 A KR 20130077326A KR 20150004493 A KR20150004493 A KR 20150004493A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
aryl
same
compound
formula
Prior art date
Application number
KR1020130077326A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101576566B1 (ko
Inventor
심재의
손효석
이재훈
박호철
이창준
신진용
백영미
Original Assignee
주식회사 두산
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 두산 filed Critical 주식회사 두산
Priority to KR1020130077326A priority Critical patent/KR101576566B1/ko
Publication of KR20150004493A publication Critical patent/KR20150004493A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101576566B1 publication Critical patent/KR101576566B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/12—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D495/14—Ortho-condensed systems
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)

Abstract

본 발명은 신규 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로서, 디싸이아노피리딘계 화합물이 유기 전계 발광 소자용 재료, 바람직하게는 발광층의 호스트 재료로 도입됨으로써, 유기 전계 발광 소자의 발광효율, 구동 전압 및 수명 등의 전반적인 특성이 향상될 수 있다.

Description

유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자{ORGANIC COMPOUNDS AND ORGANIC ELECTRO LUMINESCENCE DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 유기 전계 발광 소자의 재료로 사용될 수 있는 신규 유기 화합물 및 이를 포함하여 소자의 발광효율, 구동전압, 수명 등이 향상되는 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 용해도가 증진된 신규 유기 화합물 및 이를 포함한 유기 전계 발광 소자이다.
1950년대 Bernanose의 유기 박막 발광 관측을 시점으로 하여, 1965년 안트라센 단결정을 이용한 청색 전기발광으로 유기 전계 발광(electroluminescent, EL) 소자(이하, 간단히 '유기 EL 소자'로 칭함)에 대한 연구가 이어져 왔다. 1987년 탕(Tang)에 의하여 정공층과 발광층의 기능층으로 나눈 적층구조의 유기 EL 소자가 제시되었다. 이후, 고효율, 고수명의 유기 EL 소자를 만들기 위하여, 소자 내 각각의 특징적인 유기물 층을 도입하는 형태로 발전하여 왔으며, 이에 사용되는 특화된 물질의 개발로 이어졌다.
유기 전계 발광 소자에서는 두 전극 사이에 전압을 걸어 주면 양극에서는 정공이 유기물층으로 주입되고, 음극에서는 전자가 유기물층으로 주입된다. 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이때, 유기물층으로 사용되는 물질은 그 기능에 따라, 발광 물질, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등으로 분류될 수 있다.
발광 물질은 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 물질과, 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 물질로 구분될 수 있다. 또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 물질로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다.
도판트 물질은 유기 물질을 사용하는 형광 도판트와 Ir, Pt 등의 중원자(heavy atoms)가 포함된 금속 착체 화합물을 사용하는 인광 도판트로 나눌 수 있다. 이때, 인광 재료는 이론적으로 형광 재료에 비해 최대 4배의 발광 효율을 향상시킬 수 있기 때문에, 인광 도판트 뿐만 아니라 인광 호스트 재료들에 대한 연구가 많이 진행되고 있다.
현재까지 정공 주입층, 정공 수송층. 정공 차단층, 전자 수송층으로는 NPB, BCP, Alq3 등이 널리 알려져 있으며, 발광 재료로는 안트라센 유도체들이 형광 도판트/호스트 재료로서 보고되고 있다. 특히, 발광 재료 중 효율 향상 측면에서 큰 장점을 가지고 있는 인광 재료들은 청색(blue), 녹색(green), 적색(red) 도판트 재료로서 Firpic, Ir(ppy)3, (acac)Ir(btp)2 등의 Ir을 포함하는 금속 착체 화합물이 사용되고 있다. 현재까지는 4,4-dicarbazolybiphenyl(CBP)가 인광 호스트 재료로서 우수한 특성을 나타내고 있다.
그러나, 기존의 재료들은 발광 특성 측면에서는 유리한 면이 있으나, 유리전이온도가 낮아 열적 안정성이 떨어지기 때문에, OLED 소자에서의 수명 측면에서 만족할 만한 수준이 되지 못하는 실정이다. 따라서, 보다 성능이 뛰어난 재료의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 용해도가 증진되면서 삼중항 에너지가 높고, 정공과 전자의 결합력을 향상시킬 수 있는 신규 유기 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또, 본 발명은 상기 신규 유기 화합물을 포함하여 구동전압, 발광효율 등이 향상된 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물을 제공한다:
Figure pat00001
Figure pat00002
상기 화학식 1 또는 화학식 2에서,
X1 내지 X3는 서로 동일하거나 상이하며 각각 독립적으로 N(Ar1), S, S=O, S(=O)2, O, C(Ar2)(Ar3), C=O, Si(Ar4)(Ar5), P(Ar6) 및 P(=O)(Ar7) 로 이루어진 군에서 선택되고,
Y1은 N(R1), C(R2)(R3) 및 S 로 이루어진 군에서 선택되고,
Z1 내지 Z8은 서로 동일하거나 상이하며 각각 독립적으로 C(R4) 또는 N 이고, 이때 R4가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하며,
n은 0 내지 2의 정수이고,
Ar1 내지 Ar7 는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐, 시아노, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C40의 아릴기, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, C6~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C40의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C40의 아릴보론기, C6~C40의 아릴포스핀기, C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택되며,
R1 내지 R4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐, 시아노, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C40의 아릴기, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, C6~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C40의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C40의 아릴보론기, C6~C40의 아릴포스핀기, C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있으며,
상기 Ar1 내지 Ar7 및 R1 내지 R4에서, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C40의 아릴기, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, C6~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C40의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C40의 아릴보론기, C6~C40의 아릴포스핀기, C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C40의 아릴실릴기는, 각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C40의 아릴기, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, C6~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C40의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C40의 아릴보론기, C6~C40의 아릴포스핀기, C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환될 수 있으며, 이때 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
또한, 본 발명은 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 1층 이상의 유기물층 중에서 적어도 하나는 상기 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물을 포함하는 것이 특징인 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
여기서, 상기 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 정공 주입층, 정공 수송층, 전자수송층, 전자주입층 및 발광층으로 구성된 군으로부터 선택될 수 있으며, 바람직하게는 인광 발광층으로서, 이때 상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물은 청색, 녹색 또는 적색의 인광 호스트 재료이다.
본 발명에 따른 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물은 용해도, 열적 안정성 및 인광 특성이 우수하기 때문에, 유기 전계 발광 소자의 유기물층의 재료로 사용될 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물을 인광 호스트 재료로 사용할 경우, 종래 호스트 재료에 비해 우수한 발광 성능, 낮은 구동전압, 높은 효율 및 장수명을 갖는 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있고, 나아가 성능, 수명이 크게 향상된 풀 칼라 디스플레이 패널도 제조할 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
<신규 화합물>
본 발명에 따른 신규 화합물은 디싸이아노피리딘 모이어티(dithienopyridine moiety)가 중심 골격을 이루며, 이러한 기본 골격에 다양한 치환체가 결합된 구조로서, 상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 것을 특징으로 한다.
상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물의 디싸이아노피리딘 모이어티(dithienopyridine moiety)는 삼중항 에너지가 높고 안정적인 구조로, 디싸이아노피리딘 모이어티(dithienopyridine moiety)에 다양한 기능을 갖는 작용기, 특히 전자 주기(electron donating) 특성을 갖는 작용기를 치환하였을 때 분자 전체가 바이폴라(bipolar) 특성을 가지면서, 정공과 전자의 결합력을 높일 수 있다. 따라서, 상기 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물은 유기 EL 소자의 인광 특성을 개선함과 동시에, 정공 주입 능력, 수송 능력 또는 발광효율도 개선할 수 있다.
또한, 디싸이아노피리딘 모이어티(dithienopyridine moiety)골격을 가지는 상기 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물은 용해도가 높아 기존의 진공 증착법에 한정되지 않고 용액 도포법에 의해서도 형성될 수 있다. 상기 용액 도포법의 예로는 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
한편, 상기 기본 골격의 디싸이아노피리딘 모이어티(dithienopyridine moiety)에 도입된 다양한 방향족 환(aromatic ring) 치환체로 인해 화합물의 분자량이 유의적으로 증대됨으로써, 상기 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물은 유리전이온도가 향상될 수 있고, 이로 인해 종래 CBP(4,4-dicarbazolybiphenyl)보다 높은 열적 안정성을 가질 수 있다. 또한, 상기 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물이 발광층 등의 유기물층에 포함될 경우, 상기 다양한 방향족 환 치환체로 인해서 유기물층의 결정화 억제에도 효과적이기 때문에, 상기 화합물을 포함하는 유기 EL 소자는 내구성 및 수명 특성이 크게 향상될 수 있다.
아울러, 본 발명의 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물을 유기 EL 소자의 정공 주입/수송층의 재료로, 혹은 청색, 녹색 및/또는 적색의 인광 호스트 재료(바람직하게는 인광 호스트 재료)로 채택할 경우, 종래 CBP 대비 효율(예컨대, 전류 효율, 발광 효율) 및 수명 측면에서 월등히 우수한 효과를 발휘할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 화합물은 유기 EL 소자의 성능 개선 및 수명 향상에 크게 기여할 수 있으며, 특히 이러한 유기 EL 소자의 수명 향상은 풀 칼라 유기 발광 패널에서의 성능 극대화에도 큰 효과가 있다.
상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물에서, X1 내지 X3는 N(Ar1), S, S=O, S(=O)2, O, C(Ar2)(Ar3), C=O, Si(Ar4)(Ar5), P(Ar6) 및 P(=O)(Ar7) 로 이루어진 군에서 선택된다. 바람직하게는 X1 내지 X3는 서로 동일하거나 상이하며, N(Ar1) 또는 S이다.
Y1은 N(R1), C(R2)(R3) 및 S 로 이루어진 군에서 선택되고, C(R2)(R3)일 때 바람직하다.
Z1 내지 Z8은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 C(R4) 또는 N 이고, 이때 각각의 R4가 복수인 경우, 이들은 동일하거나 또는 상이할 수 있다. Z1 내지 Z8이 C(R4)일 때 바람직하고, 이때 복수 개의 R4는 각각 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
n은 0 내지 2의 정수이고, 바람직하게는 0~1의 정수이며, 더 바람직하게는 1이다.
Ar1 내지 Ar7은 서로 동일하거나 또는 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐, 시아노, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C40의 아릴기, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, C6~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C40의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C40의 아릴보론기, C6~C40의 아릴포스핀기, C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택된다.
유기 발광 특성을 고려할 때 바람직하게는, Ar1 내지 Ar7은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C40의 아릴기, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
R1 내지 R4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐, 시아노, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C40의 아릴기, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, C6~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C40의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C40의 아릴보론기, C6~C40의 아릴포스핀기, C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있다.
또한, 상기 Ar1 내지 Ar7 및 R1 내지 R4에서, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C40의 아릴기, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, C6~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C40의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C40의 아릴보론기, C6~C40의 아릴포스핀기, C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C40의 아릴실릴기는, 각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C40의 아릴기, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, C6~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C40의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C40의 아릴보론기, C6~C40의 아릴포스핀기, C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환될 수 있으며, 이때 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3 내지 화학식 8로 구체화될 수 있다.
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
상기 화학식 3 내지 화학식 8에서 X1 내지 X3, Y1, Z1 내지 Z8은 각각 상기 화학식 1 또는 화학식 2에서 정의한 바와 같고, Y1이 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, X1이 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
보다 바람직하게는 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물은 하기 화학식 9 내지 화학식 14로 나타낼 수 있다.
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014
상기 화학식 9 내지 화학식 14에서, Ar1 및 R4는 각각 상기 화학식 1 또는 화학식 2에서의 정의와 동일하며, 복수 개의 Ar1은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 복수 개의 R4는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물의 보다 구체적인 예로는 하기 1 내지 155가 있는데, 이에 한정되지 않는다.
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019
본 발명에서의 "알킬"은 탄소수 1 내지 40의 직쇄 또는 측쇄의 포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기이며, 이의 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 "알케닐(alkenyl)"은 탄소-탄소 이중 결합을 1개 이상 가진, 탄소수 2 내지 40의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기이며, 이의 예로는 비닐(vinyl), 알릴(allyl), 이소프로펜일(isopropenyl), 2-부텐일(2-butenyl) 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 "알키닐(alkynyl)"은 탄소-탄소 삼중 결합을 1개 이상 가진, 탄소수 2 내지 40의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기이며, 이의 예로는 에티닐(ethynyl), 2-프로파닐(2-propynyl) 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 "아릴"은 단독 고리 또는 2이상의 고리가 조합된, 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 또한, 2 이상의 고리가 서로 단순 부착(pendant)되거나 축합된 형태도 포함될 수 있다. 이러한 아릴의 예로는 페닐, 나프틸, 페난트릴, 안트릴 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 "헤테로아릴"은 핵원자수 5 내지 40의 모노헤테로사이클릭 또는 폴리헤테로사이클릭 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이때, 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O, S 또는 Se와 같은 헤테로원자로 치환된다. 또한, 2 이상의 고리가 서로 단순 부착(pendant)되거나 축합된 형태도 포함될 수 있고, 나아가 아릴기와의 축합된 형태도 포함하는 것으로 해석한다. 이러한 헤테로아릴의 예로는 피리딜, 피라지닐, 피리미디닐, 피리다지닐, 트리아지닐과 같은 6-원 모노사이클릭 고리; 페녹사티에닐(phenoxathienyl), 인돌리지닐(indolizinyl), 인돌릴(indolyl), 퓨리닐(purinyl), 퀴놀릴(quinolyl), 벤조티아졸(benzothiazole), 카바졸릴(carbazolyl)과 같은 폴리사이클릭 고리; 2-퓨라닐, N-이미다졸릴, 2-이속사졸릴, 2-피리디닐, 2-피리미디닐 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 "아릴옥시"는 RO-로 표시되는 1가의 치환기로, 상기 R은 탄소수 5 내지 40의 아릴을 의미한다. 이러한 아릴옥시의 예로는 페닐옥시, 나프틸옥시, 디페닐옥시 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 "알킬옥시"는 R'O-로 표시되는 1가의 치환기로, 상기 R'는 1 내지 40개의 알킬을 의미하며, 직쇄(linear), 측쇄(branched) 또는 사이클릭(cyclic) 구조를 포함하는 것으로 해석한다. 이러한 알킬옥시의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 1-프로폭시, t-부톡시, n-부톡시, 펜톡시 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 "아릴아민"은 탄소수 6 내지 40의 아릴로 치환된 아민을 의미한다.
본 발명에서의 "시클로알킬"은 탄소수 3 내지 40의 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이러한 사이클로알킬의 예로는 사이클로프로필, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 놀보닐(norbornyl), 아다만틴(adamantine) 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 "헤테로시클로알킬"은 핵원자수 3 내지 40의 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미하며, 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O, S 또는 Se와 같은 헤테로 원자로 치환된다. 이러한 헤테로시클로알킬의 예로는 모르폴린, 피페라진 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 "알킬실릴"은 탄소수 1 내지 40의 알킬로 치환된 실릴이고, "아릴실릴"은 탄소수 5 내지 40의 아릴로 치환된 실릴을 의미한다.
본 발명에서의 "축합(fused) 고리"는 축합 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리, 축합 헤테로방향족 고리 또는 이들의 조합된 형태를 의미한다.
본 발명의 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물은 다양하게 합성될 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물은 각각 하기 반응식 1 또는 반응식 2와 같이 합성될 수 있는데, 이에 한정되지 않는다.
[반응식 1]
Figure pat00020
[반응식 2]
Figure pat00021
상기 반응식 1 및 2에서, Ar1, X2 및 X3는 각각 화학식 1에서 전술한 바와 같다.
본 발명의 화합물에 대한 상세한 합성 과정은 후술하는 합성예에서 구체적으로 기술하도록 한다.
<유기 전계 발광 소자>
본 발명은 전술한 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물, 바람직하게는 화학식 3 내지 화학식 8 중 어느 하나로 표시되는 화합물, 더 바람직하게는 화학식 9 내지 화학식 14를 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
구체적으로, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 양극(anode), 음극(cathode) 및 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 1층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물, 바람직하게는 화학식 3 내지 화학식 8 중 어느 하나로 표시되는 화합물, 더 바람직하게는 화학식 9 내지 화학식 14를 포함한다. 이때, 상기 화합물은 단독으로 사용되거나, 또는 2 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 1층 이상의 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 중 어느 하나 이상일 수 있고, 이 중에서 적어도 하나의 유기물층은 상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층일 수 있다.
본 발명의 일례에 따르면, 유기 전계 발광 소자의 발광층은 호스트 재료를 포함할 수 있는데, 이때 호스트 재료로서 상기 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물을 포함할 수 있다. 이와 같이, 상기 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물을 유기 전계 발광 소자의 발광층 재료, 바람직하게는 청색, 녹색, 적색의 인광 호스트 재료로 포함할 경우, 발광층에서 정공과 전자의 결합력이 높아지기 때문에, 유기 전계 발광 소자의 효율(발광효율 및 전력효율), 수명, 휘도 및 구동전압 등이 향상될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 구조는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 기판, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다. 이때, 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 중 하나 이상은 상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있고, 바람직하게는 발광층이 상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물은 발광층의 인광 호스트 재료로 이용될 수 있다. 상기 전자수송층 위에는 전자주입층이 추가로 적층될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 구조는 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층될 뿐만 아니라, 전극과 유기물층 계면에 절연층 또는 접착층이 삽입된 구조일 수 있다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 상기 유기물층 중 1층 이상(예컨대, 발광층)이 상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하도록 형성하는 것을 제외하고는, 당 기술 분야에 알려져 있는 재료 및 방법을 이용하여 다른 유기물 층 및 전극을 형성하여 제조될 수 있다.
상기 유기물층은 진공 증착법이나 용액 도포법에 의하여 형성될 수 있으며, 본 발명의 화합물은 용해도가 좋은 특성을 가지고 있으므로 진공 증착법에 한정되지 않고 용액 도포법으로도 형성할 수 있다. 상기 용액 도포법의 예로는 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 발명에서 사용 가능한 기판으로는 특별히 한정되지 않으며, 실리콘 웨이퍼, 석영, 유리판, 금속판, 플라스틱 필름 및 시트 등이 사용될 수 있다.
또, 양극 물질로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리티오펜, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 또는 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자; 및 카본블랙 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
또, 음극 물질로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 또는 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; 및 LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
또한, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층은 특별히 한정되는 것은 아니며, 당 업계에 알려진 통상의 물질이 사용될 수 있다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[ 준비예 1] 6,12- dihydrobenzo [4,5] thieno [2,3-b] benzo [4,5] thieno [2,3-e] pyridine 의 합성
<단계 1> Benzo [b]thiophen-2- yl ( benzo [b]thiophen-3- yl )methanol의 합성
Figure pat00022
Benzothiophene (20 g, 0.15 mol)에 THF (500 mL)를 가하였다. -78℃로 냉각하고 n-BuLi 2.5M solution (66 mL, 0.16 mol)를 천천히 적가하였다. 1시간 동안 교반 후 benzothiophene 3-carbaldehyde (26.6 g, 0.58 mol)을 THF (150 mL)에 용해시켜 천천히 첨가하였다. 동일 온도에서 1시간 교반한 후, 정제수 100 mL를 가하여 반응을 종결하였다. 반응액을 상온으로 올리고 E.A 300 mL로 유기층을 분리하고 증류수로 세척하였다. 얻어진 유기층을 무수 MgSO4로 건조하고, 감압증류하고 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 Benzo[b]thiophen-2-yl(benzo[b]thiophen-3-yl)methanol (37.1 g, 수율 84%)을 얻었다.
1H-NMR : δ7.88 (dd, 1H), 7.79 (m, 2H), 7.68 (dd, 1H), 7.56 (s, 1H), 7.30 (m, 4H), 7.21 (s, 1H), 6.45 (d, 1H)
<단계 2> Benzo [b]thiophen-2- yl ( benzo [b]thiophen-3- yl )methanone의 합성
Figure pat00023
Benzo[b]thiophen-2-yl(benzo[b]thiophen-3-yl)methanol (35 g, 0.118 mol)에 CH2Cl2 (350 mL)를 가하였다. 온도를 0℃로 냉각하고 pyridinium dichromate (66.6 g, 0.177 mol)과 Pyridine trifluoroacetate (45.6 g, 0.236 mol)을 반응액에 가하였다. 상온에서 3시간 교반하고 반응을 종결하였다. 반응액을 celite 감압여과하고 용매를 제거하여 유기층을 얻었다. 얻어진 유기층을 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 Benzo[b]thiophen-2-yl(benzo[b]thiophen-3-yl)methanone (30.6 g, 수율 88%)을 얻었다.
1H-NMR :δ 8.48 (d, 1H), 8.29 (s, 1H), 7.99 (s, 1H), 7.92 (m, 3H), 7.47 (m, 4H)
<단계 3> 3-( benzo [b]thiophen-2- ylmethyl ) benzo [b] thiophene 의 합성
Figure pat00024
Benzo[b]thiophen-2-yl(benzo[b]thiophen-3-yl)methanone (30 g, 0.10 mol)에 Zn(dust) (66.7 g, 1.01 mol)과 glycial AcOH (300 mL)를 가하였다. 반응액을 2시간 가열환류하고 반응을 종결하였다. 포화 NaHCO3 수용액으로 중화하고 celite 감압여과하였다. 혼합액을 CH2Cl2 500 mL로 추출한 후, 증류수로 세척하여 유기층을 얻었다. 얻어진 유기층을 무수 MgSO4로 건조하고, 감압증류하고 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 3-(benzo[b]thiophen-2-ylmethyl)benzo[b]thiophene (20.9 g, 수율 73%)을 얻었다.
1H-NMR :δ 7.91 (dd, 1H), 7.78 (m, 2H), 7.67 (d, 1H), 7.40 ~ 7.25 (m, 5H), 7.08 (s, 1H), 4.47 (s, 1H)
<단계 4> 2-( benzo [b]thiophen-3- ylmethyl )-3- nitrobenzo [b]thiophene의 합성
Figure pat00025
3-(benzo[b]thiophen-2-ylmethyl)benzo[b]thiophene (20 g, 0.07 mol)에 trifluoroacetic anhydride (42 mL)를 가하였다. 반응액을 0℃로 냉각하고 HNO3 7 mL를 천천히 적가하였다. 상온에서 12 시간 교반하고 반응을 종결하였다. 포화 NaHCO3 수용액으로 중화하고 혼합액을 CH2Cl2 500 mL로 추출한 후, 증류수로 세척하여 유기층을 얻었다. 얻어진 유기층을 무수 MgSO4로 건조하고, 감압증류하고 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 2-(benzo[b]thiophen-3-ylmethyl)-3-nitrobenzo[b]thiophene (11.1 g, 수율 48%)을 얻었다.
1H-NMR :δ 8.50 (d, 1H), 7.90 (dd, 1H), 7.70 (dd, 1H), 7.62 (d, 1H), 7.54 (t, 1H), 7.39 (m, 4H), 4.95 (s, 2H)
<단계 5> 6,12- dihydrobenzo [4,5] thieno [2,3-b] benzo [4,5] thieno [2,3-e]pyridine 의 합성
Figure pat00026
2-(benzo[b]thiophen-3-ylmethyl)-3-nitrobenzo[b]thiophene (10 g, 0.03 mol)에 1,2-dichlorobenzene (100 mL)를 가하였다. Triphenylphosphine (20.2g, 0.07 mol)을 반응액에 첨가하였다. 200℃로 12 시간 가열환류하고 반응을 종결하였다. 반응액을 감압증류하여 DCB 용매를 제거하고 증류수 100 mL와 E.A 200 mL로 유기층을 분리하였다. 얻어진 유기층을 무수 MgSO4로 건조하고, 감압증류하고 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 6,12-dihydrobenzo[4,5]thieno[2,3-b]benzo[4,5]thieno[2,3-e]pyridine (5.4 g, 수율 60%)을 얻었다.
1H-NMR :δ 8.05 (d, 1H), 7.98 (dd, 2H), 7.73 (dd, 1H), 7.52 (m, 4H), 4.75 (s, 2H)
[ 준비예 2] 6,12- dihydrobenzo [4,5] thieno [2,3-b] benzo [4,5] thieno [2,3-e] pyridine 의 resioisomer 합성
<단계 1> Dibenzo [b]thiophen-2- ylmethanol 의 합성
Figure pat00027
Benzothiophene (20 g, 0.15 mol)에 THF 500 mL를 가하였다. -78℃로 냉각하고 n-BuLi 2.5M solution (66 mL, 0.16 mol)를 천천히 적가하였다. 1시간 동안 교반 후 benzothiophene 2-carbaldehyde (26.6 g, 0.58 mol)을 THF 150 mL에 용해시켜 천천히 첨가하였다. 동일 온도에서 1시간 교반 후 정제수 100 mL를 가하여 반응을 종결하였다. 반응액을 상온으로 올리고 E.A 300 mL로 유기층을 분리하고 증류수로 세척하였다. 얻어진 유기층을 무수 MgSO4로 건조하고, 감압증류하고 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 Dibenzo[b]thiophen-2-ylmethanol (33 g, 수율 75%)을 얻었다.
<단계 2> Dibenzo [b]thiophen-2- ylmethanone 의 합성
Figure pat00028
Benzo[b]thiophen-2-yl(benzo[b]thiophen-3-yl)methanol 대신 dibenzo[b]thiophen-2-ylmethanol을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 1]의 단계 2와 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Dibenzo[b]thiophen-2-ylmethanone (29.5 g, 수율 90%)을 얻었다.
<단계 3> Dibenzo [b]thiophen-2- ylmethane 의 합성
Figure pat00029
Benzo[b]thiophen-2-yl(benzo[b]thiophen-3-yl)methanone 대신 dibenzo[b]thiophen-2-ylmethanone을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 1]의 단계 3와 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Dibenzo[b]thiophen-2-ylmethane (19.3 g, 수율 70%)을 얻었다.
<단계 4> 2-( benzo [b]thiophen-2- ylmethyl )-3- nitrobenzo [b]thiophene의 합성
Figure pat00030
3-(benzo[b]thiophen-2-ylmethyl)benzo[b]thiophene 대신 dibenzo[b]thiophen-2-ylmethane을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 1]의 단계 4와 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 2-(benzo[b]thiophen-2-ylmethyl)-3-nitrobenzo[b]thiophene (11.0 g, 수율 50%)을 얻었다.
<단계 5> 6,12- dihydrobenzo [4,5] thieno [2,3-b] benzo [4,5] thieno [2,3-e]pyridine의 resioisomer 의 합성
Figure pat00031
2-(benzo[b]thiophen-3-ylmethyl)-3-nitrobenzo[b]thiophene 대신 2-(benzo[b]thiophen-2-ylmethyl)-3-nitrobenzo[b]thiophene을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 1]의 단계 5와 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 6,12-dihydrobenzo[4,5]thieno[2,3-b]benzo[4,5]thieno[2,3-e]pyridine의 resioisomer (3.5 g, 수율 35%)을 얻었다.
[ 준비예 3] Phenyl linker 의 합성
Figure pat00032
준비예 1에서 합성된 6,12-dihydrobenzo[4,5]thieno[2,3-b]benzo[4,5]thieno[2,3-e]pyridine (10 g, 34 mmol)과 1-bromo-4-iodobenzene (11.6 g, 41 mmol)에 dioxane (150 mL)를 가하였다. Pd2(dba)3 (1.6 g, 1.7 mmol), BINAP (1.1 g, 1.7 mmol), Cs2CO3 (22.2 g, 68 mmol)을 첨가한 후, 120℃에서 12시간 가열환류하였다. 상온으로 온도를 냉각하고 반응액에 염화암모늄 수용액 500 mL로 반응을 종결시켰다. 혼합액을 E.A 500 mL로 추출한 후, 증류수로 세척하여 유기층을 얻었다. 얻어진 유기층을 무수 MgSO4로 건조하고, 감압증류하고 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 Phenyl linker (11.0 g, 수율 72%)을 얻었다.
1H-NMR :δ 8.05 (d, 1H), 8.00 (dd, 2H), 7.73 (d, 1H), 7.63 (m, 4H), 7.35 (d, 2H), 6.73 (d, 2H), 4.25 (s, 2H)
[ 준비예 4] Quinazoline sub 의 합성
Figure pat00033
1-bromo-4-iodobenzene 대신 2,4-dichloroquinazoline 을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 3]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Quinazoline sub (14.9 g, 수율 65%)을 얻었다.
[ 준비예 5] Quinazoline sub borate 의 합성
Figure pat00034
질소 기류 하에서 준비예 3에서 합성된 Phenyl linker (10 g, 22 mmol)과 4,4,4',4',5,5, 5',5'-octamethyl-2,2'-bi(1,3,2-dioxaborolane) (6.8 g, 27 mmol), Pd(dppf)Cl2 (0.91 g, 1.1 mmol), KOAc (6.6 g, 67 mmol) 및 1,4-dioxane (200 mL)를 혼합하고 130℃에서 12시간 동안 교반하였다. 상온으로 온도를 냉각하고 반응액에 염화암모늄 수용액 500 mL로 반응을 종결시켰다. 혼합액을 E.A 500 mL로 추출한 후, 증류수로 세척하여 유기층을 얻었다. 얻어진 유기층을 무수 MgSO4로 건조하고, 감압증류하고 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 Quinazoline sub borate (8.1 g, 수율 65%)을 얻었다.
[HRMS] : 495g/mol
[ 합성예 1] 화합물 1의 합성
Figure pat00035
2-chloro-4-phenylquinazoline 6.0 g (25 mmol)과 준비예 1에서 합성된 6,12-dihydrobenzo[4,5]thieno[2,3-b]benzo[4,5]thieno[2,3-e]pyridine (8.0 g, 27 mmol) 에 toluene (200 mL)를 가하였다. Pd(OAc)2 (0.27 g, 1.2 mmol), S-Phos (1.0 g, 2.5 mmol), Cs2CO3 (16.2 g, 50.0 mmol)을 첨가한 후, 120℃에서 12시간 가열환류하였다. 상온으로 온도를 냉각하고 반응액에 염화암모늄 수용액 500 mL로 반응을 종결시켰다. 혼합액을 E.A 500 mL로 추출한 후, 증류수로 세척하여 유기층을 얻었다. 얻어진 유기층을 무수 MgSO4로 건조하고, 감압증류하고 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 화합물 1 (8.1 g, 수율 65%)을 얻었다.
[HRMS] : 448g/mol
[ 합성예 2] 화합물 12의 합성
Figure pat00036
2-chloro-4-(4-phenylnaphthalen-1-yl)quinazoline (8 g, 22 mmol)과 준비예 1에서 합성된 6,12-dihydrobenzo[4,5]thieno[2,3-b]benzo[4,5]thieno[2,3-e]pyridine (7.0 g, 24 mmol)에 toluene (200 mL)를 가하였다. Pd(OAc)2 (0.24 g, 1.1 mmol), P(t-Bu)3 (0.44 g, 1.1 mmol), NaOt-Bu (6.3 g, 65 mmol)을 첨가한 후, 120℃에서 3시간 가열환류하였다. 상온으로 온도를 냉각하고 반응액에 염화암모늄 수용액 500 mL로 반응을 종결시켰다. 혼합액을 E.A 500 mL로 추출한 후, 증류수로 세척하여 유기층을 얻었다. 얻어진 유기층을 무수 MgSO4로 건조하고, 감압증류하고 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 화합물 12 (6.5 g, 수율 48%)를 얻었다.
[HRMS] : 623g/mol
[ 합성예 3] 화합물 37의 합성
Figure pat00037
4-(biphenyl-4-yl)-2-(3-chlorophenyl)quinazoline (7 g, 18 mmol)과 준비예 1에서 합성된 6,12-dihydrobenzo[4,5]thieno[2,3-b]benzo[4,5]thieno[2,3-e]pyridine (5.8 g, 20 mmol)에 dioxane (150 mL)를 가하였다. Pd2(dba)3 (0.84 g, 0.9 mmol), BINAP (0.55 g, 0.9 mmol), Cs2CO3 (11.6 g, 36 mmol)을 첨가한 후, 120℃에서 12시간 가열환류하였다. 상온으로 온도를 냉각하고 반응액에 염화암모늄 수용액 500 mL로 반응을 종결시켰다. 혼합액을 E.A 500 mL로 추출한 후, 증류수로 세척하여 유기층을 얻었다. 얻어진 유기층을 무수 MgSO4로 건조하고, 감압증류하고 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 화합물 37 (6.0 g, 수율 52%)을 얻었다.
[HRMS] : 649g/mol
[ 합성예 4] 화합물 52의 합성
Figure pat00038
4-(4-(naphthalen-1-yl)phenyl)-2-(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)quinazoline (6.0 g, 11.1 mmol)과 준비예 3에서 합성된 화합물 Phenyl linker (5.0 g, 11.1 mmol)에 dioxane (500 mL)와 정제수 (250 mL)를 가하였다. Pd(PPh3)4 (0.64 g, 0.6 mmol), K2CO3 (4.6 g, 33 mmol)을 첨가한 후, 120℃에서 5시간 가열환류하였다. 상온으로 온도를 냉각하고 반응액에 염화암모늄 수용액 500 mL로 반응을 종결시켰다. 혼합액을 E.A 500 mL로 추출한 후, 증류수로 세척하여 유기층을 얻었다. 얻어진 유기층을 무수 MgSO4로 건조하고, 감압증류하고 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 화합물 52 (4.1 g, 수율 47%)을 얻었다.
[HRMS] : 775g/mol
[ 합성예 5] 화합물 58의 합성
Figure pat00039
6,12-dihydrobenzo[4,5]thieno[2,3-b]benzo[4,5]thieno[2,3-e]pyridine과 1-bromo-4-iodobenzene 대신 준비예 4에서 합성된 화합물 Quinazoline sub과 준비예 1에서 합성된 6,12-dihydrobenzo[4,5]thieno[2,3-b]benzo[4,5]thieno[2,3-e]pyridine을 사용한 것을 제외하고는 [준비예 3]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 화합물 58 (5.1 g, 수율 42%)을 얻었다.
[HRMS] : 712g/mol
[ 합성예 6] 화합물 68의 합성
Figure pat00040
2-chloro-4-phenylquinazoline 대신 2-chloro-4,6-di(naphthalen-1-yl)-1,3,5-triazine을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 화합물 68 (7.9 g, 수율 62%)을 얻었다.
[HRMS] : 624g/mol
[ 합성예 7] 화합물 87의 합성
Figure pat00041
2-chloro-4-(4-phenylnaphthalen-1-yl)quinazoline 대신 2-(4-bromophenyl)-4,6-bis(9,9-dimethyl-9H-fluoren-3-yl)-1,3,5-triazine 을 사용한 것을 제외하고는 [합성예 2]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 화합물 87 (4.7 g, 수율 41%)을 얻었다.
[HRMS] : 833g/mol
[ 합성예 8] 화합물 113의 합성
Figure pat00042
4-(4-(naphthalen-1-yl)phenyl)-2-(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)quinazoline과 Phenyl linker 대신 2-(3-chlorophenyl)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine과 준비예 5에서 합성된 Quinazoline sub borate를 사용한 것을 제외하고는 [합성예 4]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 화합물 113 (4.7 g, 수율 41%)을 얻었다.
[HRMS] : 833g/mol
[ 합성예 9] 화합물 127의 합성
Figure pat00043
4-(biphenyl-4-yl)-2-(3-chlorophenyl)quinazoline 대신 2-chloro-4-triphenylquinazoline을 사용하고, 6,12-dihydrobenzo[4,5]thieno[2,3-b]benzo[4,5]thieno[2,3-e]pyridine 대신 준비예 2에서 합성된 6,12-dihydrobenzo[4,5]thieno[2,3-b]benzo[4,5]thieno[2,3-e]pyridine의 resioisomer를 사용한 것을 제외하고는 [합성예 3]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 화합물 127 (4.3 g, 수율 32%)을 얻었다.
[HRMS] : 649g/mol
[ 합성예 10] 화합물 146의 합성
Figure pat00044
2-chloro-4-phenylquinazoline 대신 2-chloro-4,6-bis(9,9-dimethyl-9H-fluoren-3-yl)-1,3,5-triazine을 사용하고, 6,12-dihydrobenzo[4,5]thieno[2,3-b]benzo[4,5]thieno[2,3-e]pyridine 대신 준비예 2에서 합성된 6,12-dihydrobenzo[4,5]thieno[2,3-b]benzo[4,5]thieno[2,3-e]pyridine의 resioisomer를 사용한 것을 제외하고는 [합성예 1]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 화합물 146 (8.5 g, 수율 41%)을 얻었다.
[HRMS] : 756g/mol
[ 합성예 11] 화합물 152의 합성
Figure pat00045
4-(biphenyl-4-yl)-2-(3-chlorophenyl)quinazoline 대신 2,4-di(biphenyl-4-yl)-6-(4-bromophenyl)-1,3,5-triazine을 사용하고, 6,12-dihydrobenzo[4,5]thieno[2,3-b]benzo[4,5]thieno[2,3-e]pyridine 대신 준비예 2에서 합성된 6,12-dihydrobenzo[4,5]thieno[2,3-b]benzo[4,5]thieno[2,3-e]pyridine의 resioisomer를 사용한 것을 제외하고는 [합성예 3]과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 화합물 152 (7.2 g, 수율 38%)을 얻었다.
[HRMS] : 752g/mol
[ 실시예 1] 녹색 유기 EL 소자의 제조
합성예 1에서 합성한 화합물 1을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화정제를 한 후 하기 과정에 따라 녹색 유기 EL 소자를 제조하였다.
ITO(Indium tin oxide)가 1500Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면, 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후, UV OZONE 세정기 (Power sonic 405, 화신테크)로 이송시킨 다음, UV를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정하고 진공 증착기로 기판을 이송하였다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 m-MTDATA (60 nm)/TCTA (80 nm)/ 화합물 1 + 10 % Ir(ppy)3 (300nm)/BCP (10 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) 순으로 적층하여 유기 EL 소자를 제조하였다.
사용된 m-MTDATA, TCTA, Ir(ppy)3 및 BCP의 구조는 하기와 같다.
Figure pat00046
Figure pat00047

[ 실시예 2 ~ 11] 녹색 유기 EL 소자의 제조
실시예 1에서 발광층 형성시 호스트 물질로 사용된 화합물 1 대신 화합물 12, 37, 52, 58, 68, 87, 113, 127, 146, 152를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 수행하여 녹색 유기 EL 소자를 제조하였다.
[ 비교예 1] 녹색 유기 EL 소자의 제조
실시예 1에서 발광층 형성시 호스트 물질로 사용된 화합물 1 대신 CBP를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 과정으로 녹색 유기 EL 소자를 제작하였다.
사용된 CBP의 구조는 하기와 같다.
Figure pat00048

[ 평가예 1]
실시예 1 내지 11 및 비교예 1에서 각각 제조된 녹색 유기 EL 소자에 대하여 전류밀도 10 mA/㎠에서의 구동전압, 전류효율 및 발광 피크를 측정하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
샘플 호스트 구동 전압(V) EL (nm) 전류효율 (cd/A)
실시예 1 화합물 1 6.40 521 42.1
실시예 2 화합물 12 6.45 523 41.8
실시예 3 화합물 37 6.45 525 41.3
실시예 4 화합물 52 6.50 524 41.6
실시예 5 화합물 58 6.55 520 42.0
실시예 6 화합물 68 6.50 522 41.0
실시예 7 화합물 87 6.60 522 41.7
실시예 8 화합물 113 6.50 525 42.2
실시예 9 화합물 127 6.55 523 41.9
실시예 10 화합물 146 6.50 522 41.5
실시예 11 화합물 152 6.60 522 41.8
비교예 1 CBP 6.93 516 38.2
실험 결과, 상기 표1에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물을 발광층의 호스트 물질로 사용한 실시예 1 내지 11의 녹색 유기 EL 소자는, 종래 호스트 물질인 CBP 사용한 녹색 유기 EL 소자(비교예1)에 비해 전류 효율 및 구동전압 면에서 보다 우수한 성능을 나타내는 것을 알 수 있었다.
[ 실시예 12] 적색 유기 EL 소자의 제조
합성예 1 에서 합성된 화합물 1을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화정제를 한 후 하기 과정에 따라 적색 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
ITO (Indium tin oxide)가 1500 Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면, 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후, UV OZONE 세정기 (Power sonic 405, 화신테크)로 이송시킨 다음, UV를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정하고 진공 증착기로 기판을 이송하였다.
상기와 같이 ITO 투명 전극 위에, m-MTDATA (60 nm)/TCTA (80 nm)/ 화합물 1 + 10 % (piq)2Ir(acac) (300nm)/BCP (10 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) 순으로 적층하여 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
사용된 m-MTDATA, TCTA, (piq)2Ir(acac) 및 BCP의 구조는 하기와 같다.
Figure pat00049
Figure pat00050

[ 실시예 13 ~ 22] 적색 유기 EL 소자의 제조
실시예 12 에서 발광층 형성시 호스트 물질로 사용된 화합물 1 대신 화합물 12, 37, 52, 58, 68, 87, 113, 127, 146, 152 을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 12와 동일하게 수행하여 적색 유기 EL 소자를 제조하였다.
[ 비교예 2] 적색 유기 EL 소자의 제작
실시예 12 에서 발광층 형성시 호스트 물질로 사용된 화합물 1 대신 CBP를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 12와 동일한 과정으로 적색 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
Figure pat00051

[ 평가예 2]
실시예 12 내지 22 및 비교예 2에서 각각 제조된 적색 유기 EL 소자에 대하여 전류밀도 10 mA/㎠에서의 구동전압 및 전류효율을 측정하였고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
샘플 호스트 구동 전압(V) 전류효율(cd/A)
실시예 12 화합물 1 4.80 12.5
실시예 13 화합물 12 4.70 12.0
실시예 14 화합물 37 4.75 11.9
실시예 15 화합물 52 4.85 11.6
실시예 16 화합물 58 4.70 11.9
실시예 17 화합물 68 4.70 12.1
실시예 18 화합물 87 4.75 12.0
실시예 19 화합물 113 4.80 12.3
실시예 20 화합물 127 4.80 11.7
실시예 21 화합물 146 4.75 12.2
실시예 22 화합물 152 4.75 11.8
비교예 2 CBP 5.25 8.2
실험 결과, 상기 표2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물을 발광층의 호스트 재료로 사용한 실시예 12 내지 22의 적색 유기 EL 소자는, 종래 호스트 물질인 CBP를 사용한 적색 유기 EL 소자(비교예2)에 비해 전류 효율 및 구동전압 면에서 우수한 성능을 나타내는 것을 알 수 있었다.

Claims (7)

  1. 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00052

    [화학식 2]
    Figure pat00053

    상기 화학식 1 또는 화학식 2에서,
    X1 내지 X3는 서로 동일하거나 상이하며 각각 독립적으로 N(Ar1), S, S=O, S(=O)2, O, C(Ar2)(Ar3), C=O, Si(Ar4)(Ar5), P(Ar6) 및 P(=O)(Ar7)로 이루어진 군에서 선택되고,
    Y1은 N(R1), C(R2)(R3) 및 S로 이루어진 군에서 선택되고,
    Z1 내지 Z8은 서로 동일하거나 상이하며 각각 독립적으로 C(R4) 또는 N 이고, 이때 R4이 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하며,
    n은 0 내지 2의 정수이고,
    Ar1 내지 Ar7 는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐, 시아노, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C40의 아릴기, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, C6~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C40의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C40의 아릴보론기, C6~C40의 아릴포스핀기, C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택되며,
    R1 내지 R4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐, 시아노, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C40의 아릴기, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, C6~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C40의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C40의 아릴보론기, C6~C40의 아릴포스핀기, C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있으며,
    상기 Ar1 내지 Ar7 및 R1 내지 R4에서, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C40의 아릴기, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, C6~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C40의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C40의 아릴보론기, C6~C40의 아릴포스핀기, C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C40의 아릴실릴기는 각각 독립적으로 중수소(D), 할로겐, 시아노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C40의 아릴기, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, C6~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C40의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C40의 아릴보론기, C6~C40의 아릴포스핀기, C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환될 수 있으며, 이때 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 X1 내지 X3는 서로 동일하거나 상이하며 각각 독립적으로 N(Ar1) 또는 S이고,
    Y1은 C(R2)(R3)이고,
    Z1 내지 Z8은 C(R4)이고, 이때 R4은 서로 동일하거나 상이하며,
    n은 1인 것을 특징으로 하는 화합물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3 내지 화학식 8 중 어느 하나로 표시되는 화합물.
    [화학식 3]
    Figure pat00054

    [화학식 4]
    Figure pat00055

    [화학식 5]
    Figure pat00056

    [화학식 6]
    Figure pat00057

    [화학식 7]
    Figure pat00058

    [화학식 8]
    Figure pat00059

    상기 화학식 3 내지 화학식 8에서 X1 내지 X3, Y1, Z1 내지 Z8은 각각 청구항 1에서 정의한 바와 같고, Y1이 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, X1이 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 9 내지 화학식 14 중 어느 하나로 표시되는 화합물.
    [화학식 9]
    Figure pat00060

    [화학식 10]
    Figure pat00061

    [화학식 11]
    Figure pat00062

    [화학식 12]
    Figure pat00063

    [화학식 13]
    Figure pat00064

    [화학식 14]
    Figure pat00065

    상기 화학식 9 내지 화학식 14 에서, Ar1 및 R4는 각각 청구항 1에서 정의한 바와 동일하며, Ar1이 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, R4이 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1 내지 155 중 어느 하나로 표시되는 화합물.
    Figure pat00066

    Figure pat00067

    Figure pat00068

    Figure pat00069

    Figure pat00070
  6. 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하며,
    상기 1층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 것이 특징인 유기 전계 발광 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 인광 발광층인 것이 특징인 유기 전계 발광 소자.
KR1020130077326A 2013-07-02 2013-07-02 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 KR101576566B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130077326A KR101576566B1 (ko) 2013-07-02 2013-07-02 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130077326A KR101576566B1 (ko) 2013-07-02 2013-07-02 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150004493A true KR20150004493A (ko) 2015-01-13
KR101576566B1 KR101576566B1 (ko) 2015-12-11

Family

ID=52476652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130077326A KR101576566B1 (ko) 2013-07-02 2013-07-02 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101576566B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10135006B2 (en) 2016-01-04 2018-11-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN113045577A (zh) * 2021-03-15 2021-06-29 吉林奥来德光电材料股份有限公司 电子传输材料及制备方法、有机电致发光器件和显示装置
CN113861143A (zh) * 2021-10-12 2021-12-31 北京大学深圳研究生院 一种热激活延迟荧光深蓝光材料及其制备方法与有机电致发光器件

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101450137B1 (ko) 2008-01-25 2014-10-13 삼성전자주식회사 유기반도체용 공중합체 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터 및 유기 전자소자
GB0802916D0 (en) 2008-02-18 2008-03-26 Newman Anthony I Materials
US8643001B2 (en) * 2010-12-23 2014-02-04 Samsung Electronics Co. Ltd. Semiconductor composition
CN103492383B (zh) * 2011-04-18 2017-05-10 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的材料

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10135006B2 (en) 2016-01-04 2018-11-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN113045577A (zh) * 2021-03-15 2021-06-29 吉林奥来德光电材料股份有限公司 电子传输材料及制备方法、有机电致发光器件和显示装置
CN113861143A (zh) * 2021-10-12 2021-12-31 北京大学深圳研究生院 一种热激活延迟荧光深蓝光材料及其制备方法与有机电致发光器件
CN113861143B (zh) * 2021-10-12 2023-12-12 北京大学深圳研究生院 一种热激活延迟荧光深蓝光材料及其制备方法与有机电致发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
KR101576566B1 (ko) 2015-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102530183B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101560674B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101601355B1 (ko) 신규 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20180069475A (ko) 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR101571591B1 (ko) 인돌로카바졸계 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102610868B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20150117130A (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20150047858A (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101599597B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20160076881A (ko) 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20140145451A (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20160091734A (ko) 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR101577112B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101576566B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20150103968A (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20150053027A (ko) 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR20150086069A (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101603387B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101548040B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20160078102A (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20170065283A (ko) 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR20160079548A (ko) 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR102339569B1 (ko) 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR20150086107A (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20190071245A (ko) 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee