KR20150002498A - Method of forming multi-layered passivation and apparatus of forming multi-layered passivation - Google Patents

Method of forming multi-layered passivation and apparatus of forming multi-layered passivation Download PDF

Info

Publication number
KR20150002498A
KR20150002498A KR1020140077930A KR20140077930A KR20150002498A KR 20150002498 A KR20150002498 A KR 20150002498A KR 1020140077930 A KR1020140077930 A KR 1020140077930A KR 20140077930 A KR20140077930 A KR 20140077930A KR 20150002498 A KR20150002498 A KR 20150002498A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silicon
gas
film
silicon nitride
forming step
Prior art date
Application number
KR1020140077930A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
데츠야 다카토
사치오 와타나베
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20150002498A publication Critical patent/KR20150002498A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

Abstract

The present invention provides a method of forming a multi-layered passivation without a dehydrogenation process. When a gate passivation layer (31) and a passivation layer (35) having silicon nitride layers (31a, 35b) and silicon oxide layers (31b, 35a) are formed to make contact with a channel (32) including IGZO, the silicon oxide layers (31b, 35a) are formed using oxygen gas having no silicon chloride gas and hydrogen gas, the silicon nitride layers (31a, 35b) are formed using nitrogen containing gas having no silicon chloride gas and hydrogen gas, and the silicon oxide layers (31b, 35a) and the silicon nitride layers (31a, 35b) are continuously formed.

Description

다층 보호막의 형성 방법 및 다층 보호막의 형성 장치{METHOD OF FORMING MULTI-LAYERED PASSIVATION AND APPARATUS OF FORMING MULTI-LAYERED PASSIVATION}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of forming a multi-layer protective film and an apparatus for forming a multi-

본 발명은 산화물 반도체를 보호하는 다층 보호막의 형성 방법 및 다층 보호막의 형성 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method for forming a multilayer passivation film for protecting an oxide semiconductor and an apparatus for forming a multilayer passivation film.

종래, FPD(Flat Panel Display)에는 발광 소자로서 액정 소자가 사용되지만, 박형의 FPD를 실현하기 위해서 액정 소자에는 박형 트랜지스터(TFT:Thin Film Transistor)가 적용된다.Conventionally, a liquid crystal element is used as a light emitting element in a flat panel display (FPD), but a thin film transistor (TFT) is applied to a liquid crystal element in order to realize a thin FPD.

또한, 최근, 시트 디스플레이나 차세대 박형 텔레비전을 실현하기 위해서 유기 EL(Electroluminescence) 소자의 이용이 진행되고 있다. 유기 EL 소자는 자발광형 발광 소자로서, 액정 소자와 달리, 백라이트를 필요로 하지 않기 때문에, 보다 박형의 디스플레이를 실현할 수 있다.In recent years, organic EL (electroluminescence) devices are being used to realize a sheet display or a next-generation thin television. The organic EL element is a self-luminous type light emitting element, unlike a liquid crystal element, since a backlight is not required, a thinner display can be realized.

유기 EL 소자는 전류 구동형 소자이며, 유기 EL 소자에 적용되는 TFT에 있어서 고속의 스위칭 동작을 실현할 필요가 있지만, 현재 채널의 구성 재료로서 주로 사용되는 아몰퍼스 실리콘의 전자 이동도는 그다지 높지 않기 때문에, 아몰퍼스 실리콘은 유기 EL을 위한 채널의 구성 재료에는 적합하지 않다.Although the organic EL element is a current driven element and it is necessary to realize high-speed switching operation in the TFT applied to the organic EL element, since the electron mobility of the amorphous silicon mainly used as the constituent material of the current channel is not so high, Amorphous silicon is not suitable for the constituent material of a channel for organic EL.

따라서, 높은 전자 이동도가 얻어지는 산화물 반도체를 채널에 사용하는 TFT가 제안되어 있다. 이러한 TFT에 사용되는 산화물 반도체로서는, 예를 들어 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 아연(Zn)의 산화물을 포함하는 IGZO가 알려져 있고(예를 들어, 비특허문헌 1 참조), IGZO는 아몰퍼스 상태에서도 비교적 높은 전자 이동도 (예를 들어, 10㎠/(V·s) 이상)를 갖기 때문에, IGZO 등의 산화물 반도체를 TFT의 채널에 사용하면 고속의 스위칭 동작을 실현할 수 있다.Therefore, a TFT using an oxide semiconductor which can achieve high electron mobility for a channel has been proposed. As an oxide semiconductor used for such a TFT, for example, an IGZO containing an oxide of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn) is known (for example, see Non-Patent Document 1) (For example, 10 cm 2 / (V · s) or more) even in a state where the gate insulating film is formed on the surface of the TFT. Therefore, high-speed switching operation can be realized by using an oxide semiconductor such as IGZO for the channel of the TFT.

또한, TFT에서는 채널을 외계의 이온이나 수분으로부터 확실하게 보호하기 위해서, 채널의 보호막을 복수의 막, 예를 들어 질화규소(SiN)막 및 산화규소(SiO2)막으로 구성한다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 그런데, 예를 들어 질화규소막을 플라즈마 CVD(chemical vapor deposition)에 의해 성막하는 경우, 규소원으로서 실란(SiH4)을 사용하고, 질소원으로서 암모니아(NH3)를 사용하는 경우가 많지만, 플라즈마를 사용해서 실란 및 암모니아로부터 질화규소막을 성막할 때, 수소 라디칼이나 수소 이온이 수소 원자로서 질화규소막의 결함에 들어가는 경우가 있다. 즉, 보호막이 수소 원자를 포함하는 경우가 있다.In order to securely protect the channel from extraneous ions or moisture, the protective film of the channel is composed of a plurality of films, for example, a silicon nitride (SiN) film and a silicon oxide (SiO 2 ) film (for example, Patent Document 1). In the case of forming a film of silicon nitride film by, for example, plasma CVD (chemical vapor deposition), silane (SiH 4 ) is used as a silicon source and ammonia (NH 3 ) is used as a nitrogen source in many cases. When a silicon nitride film is formed from silane and ammonia, hydrogen radicals and hydrogen ions may enter the silicon nitride film defects as hydrogen atoms. That is, the protective film may contain a hydrogen atom.

보호막에 포함된 수소 원자는 산화물 반도체, 예를 들어 IGZO로부터 시간의 경과와 함께 산소 원자를 탈리시켜서 IGZO의 특성을 변화시키기 때문에, 채널의 보호막을 성막한 후, 그 보호막에 열처리를 가하여 수소 원자를 보호막으로부터 적극적으로 탈리시키는 탈수소 공정을 행할 필요가 있다.The hydrogen atoms contained in the protective film are desorbed from the oxide semiconductor, for example, IGZO over time, thereby changing the characteristics of the IGZO. Therefore, after the protective film of the channel is formed, heat treatment is applied to the protective film, It is necessary to perform a dehydrogenation process in which the protective film is positively desorbed.

일본 등록 특허 제3,148,183호Japanese Patent No. 3,148,183

「가볍고 얇은 시트 디스플레이를 실현하는 산화물 반도체 TFT」, 미우라 겐따로 외, 도시바 리뷰 Vol.67 No.1(2012)&Quot; Oxide Semiconductor TFT realizing a light and thin sheet display ", by Miura Genaro et al., Toshiba Review Vol.67 No.1 (2012)

그러나, 탈수소 공정에는 시간을 필요로 하기 때문에, 스루풋이 저하한다는 문제가 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 탈수소 공정에서는 보호막에 열 처리를 가하지만, 유기 EL 소자를 시트 디스플레이에 적용할 때, 시트 디스플레이의 기판은 수지로 형성되기 때문에, 기판이 열에 의해 변형, 변질된다고 하는 문제도 있다.However, since the dehydrogenation process requires time, there is a problem that the throughput is lowered. Further, as described above, the heat treatment is applied to the protective film in the dehydrogenation step. However, since the substrate of the sheet display is formed of resin when the organic EL element is applied to the sheet display, the problem that the substrate is deformed and deteriorated by heat There is also.

본 발명의 목적은, 탈수소 공정을 행할 필요를 없앨 수 있는 다층 보호막의 형성 방법 및 다층 보호막의 형성 장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a method of forming a multilayer protective film and a device for forming a multilayer protective film that can eliminate the need for performing a dehydrogenation step.

상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 1에 기재된 다층 보호막의 형성 방법에 따르면, 산화물 반도체에 접촉함과 함께, 적어도 질화규소막 및 산화규소막을 포함하는 다층 보호막의 형성 방법이며, 염화규소(SiCl4) 가스 또는 불화규소(SiF4) 가스 및 수소 원자를 포함하지 않는 산소 함유 가스를 사용해서 상기 산화규소막을 성막하는 산화규소막 성막 스텝과, 상기 염화규소 가스 또는 상기 불화규소 가스 및 수소 원자를 포함하지 않는 질소 함유 가스를 사용해서 상기 질화규소막을 성막하는 질화규소막 성막 스텝을 갖고, 상기 산화규소막 성막 스텝 및 상기 질화규소막 성막 스텝을 연속해서 실행하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, according to a method of forming a multi-layer protective film as set forth in claim 1, and with the box in contact with the oxide semiconductor, the method of forming the multi-layer protective film comprising at least a silicon nitride film and silicon oxide film, silicon chloride (SiCl 4) gas Or silicon fluoride (SiF 4 ) gas and an oxygen-containing gas that does not contain a hydrogen atom, and a silicon oxide film forming step of forming the silicon oxide film by using the silicon chloride gas or the silicon fluoride gas And a silicon nitride film-forming step of forming the silicon nitride film by using a nitrogen-containing gas, characterized in that the silicon oxide film-forming step and the silicon nitride film-forming step are performed successively.

청구항 2에 기재된 다층 보호막의 형성 방법은, 청구항 1에 기재된 다층 보호막의 형성 방법에 있어서, 상기 질화규소막 성막 스텝에 앞서서 상기 산화규소막 성막 스텝을 실행하는 것을 특징으로 한다.The method for forming a multilayer passivation film according to claim 2 is characterized in that in the method for forming a multilayer passivation film according to claim 1, the silicon oxide film forming step is performed prior to the silicon nitride film forming step.

청구항 3에 기재된 다층 보호막의 형성 방법은, 청구항 2에 기재된 다층 보호막의 형성 방법에 있어서, 상기 산화규소막 성막 스텝을 상기 질화규소막 성막 스텝으로 전환할 때, 상기 염화규소 가스 또는 상기 불화규소 가스의 공급을 계속하면서, 상기 산소 함유 가스의 공급을 정지하고, 그 후, 상기 질소 함유 가스의 공급을 개시하는 것을 특징으로 한다.The method for forming a multilayer passivation film according to claim 3 is the method for forming a multilayer passivation film according to claim 2, wherein when the silicon oxide film forming step is switched to the silicon nitride film forming step, the silicon chloride gas or the silicon fluoride gas The supply of the oxygen-containing gas is stopped while the supply is continued, and then the supply of the nitrogen-containing gas is started.

청구항 4에 기재된 다층 보호막의 형성 방법은, 청구항 3에 기재된 다층 보호막의 형성 방법에 있어서, 상기 산화규소막 성막 스텝을 상기 질화규소막 성막 스텝으로 전환할 때, 일단 상기 산화물 반도체가 형성된 기판의 온도를 저하시키는 것을 특징으로 한다.The method for forming a multilayer passivation film according to claim 4 is characterized in that in the method for forming a multilayer passivation film according to claim 3, when the silicon oxide film forming step is switched to the silicon nitride film forming step, the temperature of the substrate .

청구항 5에 기재된 다층 보호막의 형성 방법은, 청구항 1에 기재된 다층 보호막의 형성 방법에 있어서, 상기 산화규소막 성막 스텝에 앞서서 상기 질화규소막 성막 스텝을 실행하는 것을 특징으로 한다.The method for forming a multilayer passivation film according to claim 5 is characterized in that in the method for forming a multilayer passivation film according to claim 1, the silicon nitride film forming step is performed prior to the silicon oxide film forming step.

청구항 6에 기재된 다층 보호막의 형성 방법은, 청구항 5에 기재된 다층 보호막의 형성 방법에 있어서, 상기 질화규소막 성막 스텝을 상기 산화규소막 성막 스텝으로 전환할 때, 상기 염화규소 가스 또는 상기 불화규소 가스의 공급을 계속하면서, 상기 질소 함유 가스의 공급을 정지하고, 그 후, 상기 산소 함유 가스의 공급을 개시하는 것을 특징으로 한다.The method for forming a multilayer passivation film according to claim 6 is the method for forming a multilayer passivation film according to claim 5, wherein when the silicon nitride film forming step is switched to the silicon oxide film forming step, the silicon chloride gas or the silicon fluoride gas The supply of the nitrogen-containing gas is stopped while the supply is continued, and thereafter the supply of the oxygen-containing gas is started.

청구항 7에 기재된 다층 보호막의 형성 방법은, 청구항 6에 기재된 다층 보호막의 형성 방법에 있어서, 상기 질화규소막 성막 스텝을 상기 산화규소막 성막 스텝으로 전환할 때, 일단 상기 산화물 반도체가 형성된 기판의 온도를 저하시키는 것을 특징으로 한다.The method for forming a multilayer passivation film according to claim 7 is the method for forming a multilayer passivation film according to claim 6, wherein when the silicon nitride film forming step is switched to the silicon oxide film forming step, the temperature of the substrate on which the oxide semiconductor is formed is once .

청구항 8에 기재된 다층 보호막의 형성 방법은, 청구항 1 내지 7 중 어느 한 항에 기재된 다층 보호막의 형성 방법에 있어서, 상기 수소 원자를 포함하지 않는 질소 함유 가스는 질소 가스인 것을 특징으로 한다.The method for forming a multilayer passivation film according to claim 8 is characterized in that, in the method for forming a multilayer passivation film according to any one of claims 1 to 7, the nitrogen containing gas not containing hydrogen atoms is a nitrogen gas.

청구항 9에 기재된 다층 보호막의 형성 방법은, 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 기재된 다층 보호막의 형성 방법에 있어서, 상기 수소 원자를 포함하지 않는 산소 함유 가스는 산소 가스인 것을 특징으로 한다.The method for forming a multilayer passivation film according to claim 9 is characterized in that, in the method for forming a multilayer passivation film according to any one of claims 1 to 8, the oxygen-containing gas containing no hydrogen atom is oxygen gas.

청구항 10에 기재된 다층 보호막의 형성 방법은, 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 기재된 다층 보호막의 형성 방법에 있어서, 상기 산화물 반도체는, 인듐, 갈륨 및 아연의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 한다.The method for forming a multilayer passivation film according to claim 10 is the method for forming a multilayer passivation film according to any one of claims 1 to 9, wherein the oxide semiconductor contains an oxide of indium, gallium and zinc.

청구항 11에 기재된 다층 보호막의 형성 방법은, 청구항 1 내지 10 중 어느 한 항에 기재된 다층 보호막의 형성 방법에 있어서, 상기 다층 보호막은, 트랜지스터 구조에서의 언더 코트층, 게이트 보호막, 스토퍼층 및 패시베이션층 중 적어도 1개인 것을 특징으로 한다.The method for forming a multilayer passivation film according to claim 11 is the method for forming a multilayer passivation film as set forth in any one of claims 1 to 10, wherein the multilayer passivation film is a passivation layer, And at least one of them.

상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 12에 기재된 다층 보호막의 형성 방법은, 산화물 반도체에 접촉함과 함께, 적어도 질소 및 규소를 포함하는 막과 산소 및 규소를 포함하는 막을 포함하는 다층 보호막의 형성 방법이며, 염화규소(SiCl4) 가스 또는 불화규소(SiF4) 가스와, 수소 원자를 포함하지 않는 산소 함유 가스 및 수소 원자를 포함하지 않는 질소 함유 가스 중 적어도 한쪽을 사용하여, 산화규소막, 질화규소막 및 산질화규소막 중 적어도 2개의 막을 포함하는 다층 보호막을 형성하고, 상기 다층 보호막을 구성하는 상기 적어도 2개의 막은 연속된 성막 처리를 실행함으로써 성막되는 것을 특징으로 한다.To achieve the above object, a method for forming a multilayer passivation film according to claim 12 is a method for forming a multilayer passivation film comprising a film containing at least nitrogen and silicon, and a film containing oxygen and silicon, in contact with the oxide semiconductor Silicon nitride (SiCl 4 ) gas or silicon fluoride (SiF 4 ) gas, an oxygen-containing gas not containing a hydrogen atom, and a nitrogen-containing gas not containing a hydrogen atom, And a silicon oxynitride film, and the at least two films constituting the multilayer protective film are formed by performing a continuous film-forming process.

상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 13에 기재된 다층 보호막의 형성 장치는, 산화물 반도체에 접촉함과 함께, 적어도 질화규소막 및 산화규소막을 포함하는 다층 보호막의 형성 장치이며, 염화규소 가스 또는 불화규소 가스를 공급하는 규소 함유 가스 공급부와, 수소 원자를 포함하지 않는 산소 함유 가스를 공급하는 산소 함유 가스 공급부와, 수소 원자를 포함하지 않는 질소 함유 가스를 공급하는 질소 함유 가스 공급부를 구비하고, 상기 염화규소 가스 또는 상기 불화규소 가스 및 상기 산소 함유 가스를 공급해서 상기 산화규소막을 성막하고, 상기 염화규소 가스 또는 상기 불화규소 가스 및 상기 질소 함유 가스를 공급해서 상기 질화규소막을 성막하고, 상기 산화규소막의 성막 및 상기 질화규소막의 성막을 연속해서 실행하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an apparatus for forming a multilayer passivation film according to claim 13 is an apparatus for forming a multilayer passivation film including at least a silicon nitride film and a silicon oxide film in contact with an oxide semiconductor, wherein the silicon nitride gas or silicon fluoride gas Containing gas supply section for supplying a nitrogen-containing gas containing no hydrogen atom and an oxygen-containing gas supply section for supplying an oxygen-containing gas containing no hydrogen atom, and a nitrogen-containing gas supply section for supplying a nitrogen- Or supplying the silicon fluoride gas and the oxygen containing gas to form the silicon oxide film and supplying the silicon chloride gas or the silicon fluoride gas and the nitrogen containing gas to form the silicon nitride film, Characterized in that the film formation of the silicon nitride film is continuously performed The.

청구항 14에 기재된 다층 보호막의 형성 장치는, 청구항 13에 기재된 다층 보호막의 형성 장치에 있어서, ICP(Inductively Coupled Plasma) 안테나를 구비하고, 상기 ICP 안테나에 의해 생성된 유도 결합 플라즈마에 의해 상기 산화규소막 및 상기 질화규소막을 성막하는 것을 특징으로 한다.An apparatus for forming a multilayer passivation film according to claim 14 is the apparatus for forming a multilayer passivation film according to claim 13, further comprising an ICP (Inductively Coupled Plasma) antenna, wherein the inductively coupled plasma generated by the ICP antenna And forming the silicon nitride film.

본 발명에 따르면, 산화규소막의 성막에 염화규소 가스 또는 불화규소 가스 및 수소 원자를 포함하지 않는 산소 함유 가스를 사용하고, 질화규소막의 성막에 염화규소 가스 또는 불화규소 가스 및 수소 원자를 포함하지 않는 질소 함유 가스를 사용하므로, 산화규소막이나 질화규소막의 결함에 수소 원자가 들어가지 않아, 다층 보호막은 수소 원자를 포함하지 않는다. 그 결과, 탈수소 공정을 행할 필요를 없앨 수 있다. 또한, 산화규소막의 성막 및 질화규소막의 성막을 연속해서 실행하므로, 다층 보호막에 불필요한 성분이 혼입되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, a silicon chloride gas or a silicon fluoride gas and an oxygen-containing gas not containing hydrogen atoms are used for forming a silicon oxide film, and a silicon chloride gas or a silicon fluoride gas and a nitrogen gas containing no hydrogen atom Containing gas is used, hydrogen atoms do not enter into defects of the silicon oxide film or the silicon nitride film, and the multilayer protective film does not contain hydrogen atoms. As a result, the need to carry out the dehydrogenation step can be eliminated. Further, since the formation of the silicon oxide film and the formation of the silicon nitride film are carried out continuously, unnecessary components can be prevented from being mixed into the multilayer protective film.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 다층 보호막의 형성 장치로서의 플라즈마 CVD 성막 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도.
도 2는 본 실시 형태에 따른 다층 보호막의 형성 방법이 적용되어 형성되는 보텀 게이트형 TFT의 구성을 나타내는 단면도.
도 3은 본 실시 형태에 따른 다층 보호막의 형성 방법을 나타내는 플로우차트.
도 4는 도 2에서의 게이트 보호막의 적층 구조를 나타내는 확대 단면도.
도 5는 본 실시 형태에 따른 다층 보호막의 형성 방법이 적용되어 형성되는 보텀 게이트형 TFT의 변형예의 구성을 도시하는 단면도.
도 6은 본 실시 형태에 따른 다층 보호막의 형성 방법이 적용되어 형성되는 톱 게이트형 TFT의 구성을 나타내는 단면도.
도 7은 본 실시 형태에 따른 다층 보호막의 형성 방법이 적용되어 형성되는 톱 게이트형 TFT의 변형예의 구성을 도시하는 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a plasma CVD film-forming apparatus as an apparatus for forming a multilayer passivation film according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a structure of a bottom gate type TFT formed by applying the method of forming a multilayer passivation film according to the present embodiment.
3 is a flowchart showing a method of forming a multilayer protective film according to the present embodiment.
4 is an enlarged sectional view showing a laminated structure of the gate protection film in Fig.
5 is a cross-sectional view showing a modification of the bottom gate type TFT formed by applying the method of forming a multilayer passivation film according to the present embodiment.
6 is a sectional view showing a structure of a top gate type TFT formed by applying the method of forming a multilayer passivation film according to the present embodiment.
7 is a cross-sectional view showing a configuration of a modification of the top gate type TFT formed by applying the method for forming a multilayer passivation film according to the present embodiment.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

먼저, 본 발명의 실시 형태에 따른 다층 보호막의 형성 장치에 대해서 설명한다.First, an apparatus for forming a multilayer protective film according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1은 본 실시 형태에 따른 다층 보호막의 형성 장치로서의 플라즈마 CVD 성막 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a plasma CVD film forming apparatus as an apparatus for forming a multilayer protective film according to the present embodiment.

도 1에서, 플라즈마 CVD 성막 장치(10)는, 예를 들어 FPD나 시트 디스플레이용 기판(이하, 간단히 「기판」이라고 함) S를 수용하는 대략 케이싱 형상의 챔버(11)와, 그 챔버(11)의 저부에 배치되어 기판 S를 상면에 적재하는 적재대(12)와, 챔버(11)의 외부에 있어서 챔버(11)의 내부의 적재대(12)와 대향하도록 배치되는 ICP 안테나(13)와, 챔버(11)의 천장부를 구성하고, 적재대(12) 및 ICP 안테나(13) 사이에 개재되는 창 부재(14)를 구비한다.1, the plasma CVD film deposition apparatus 10 includes a substantially casing-shaped chamber 11 for accommodating, for example, an FPD or a substrate for a sheet display (hereinafter simply referred to as " substrate ") S, An ICP antenna 13 disposed so as to face the loading table 12 inside the chamber 11 outside the chamber 11; And a window member 14 constituting a ceiling portion of the chamber 11 and interposed between the mounting table 12 and the ICP antenna 13.

챔버(11)는 배기 장치(도시 생략)를 갖고, 상기 배기 장치는 챔버(11)를 진공화해서 챔버(11)의 내부를 감압한다. 챔버(11)의 창 부재(14)는 유전체를 포함하고, 챔버(11)의 내부와 외부를 구획한다.The chamber 11 has an exhaust device (not shown), which evacuates the chamber 11 and decompresses the interior of the chamber 11. The window member 14 of the chamber 11 includes a dielectric and defines the interior and the exterior of the chamber 11.

창 부재(14)는 절연 부재(도시 생략)를 통해서 챔버(11)의 측벽에 지지되고, 창 부재(14)와 챔버(11)는 직접적으로 접촉하지 않고, 전기적으로 도통하지 않는다. 또한, 창 부재(14)는 적어도 적재대(12)에 적재된 기판 S의 전체면을 덮는 것이 가능한 크기를 갖는다. 또한, 창 부재(14)는 복수의 분할편으로 구성되어도 된다.The window member 14 is supported on the side wall of the chamber 11 through an insulating member (not shown), and the window member 14 and the chamber 11 are not in direct contact with each other and do not conduct electrically. Further, the window member 14 has a size that is capable of covering at least the entire surface of the substrate S loaded on the table 12. Further, the window member 14 may be composed of a plurality of split pieces.

챔버(11)의 측벽에는 3개의 가스 도입구(15, 16, 17)가 설치되고, 가스 도입구(15)는 가스 도입관(22)을 통해서 챔버(11)의 외부에 배치된 규소 함유 가스 공급부(18)에 접속되고, 가스 도입구(16)는 가스 도입관(23)을 통해서 챔버(11)의 외부에 배치된 산소 함유 가스 공급부(19) 및 질소 함유 가스 공급부(20)에 접속되고, 가스 도입구(17)는 가스 도입관(24)을 통해서 챔버(11)의 외부에 배치된 희가스 공급부(21)에 접속된다.Three gas introduction ports 15, 16 and 17 are provided on the side wall of the chamber 11 and a gas introduction port 15 is connected to the silicon containing gas And the gas inlet 16 is connected to the oxygen-containing gas supply unit 19 and the nitrogen-containing gas supply unit 20 disposed outside the chamber 11 through the gas introduction pipe 23 And the gas introduction port 17 is connected to the rare gas supply unit 21 disposed outside the chamber 11 through the gas introduction pipe 24.

규소 함유 가스 공급부(18)는 가스 도입구(15)를 통해서 챔버(11)의 내부에, 규소 함유 가스, 예를 들어 염화규소(SiCl4) 가스를 공급하고, 산소 함유 가스 공급부(19)는 가스 도입구(16)를 통해서 챔버(11)의 내부에, 수소 원자를 포함하지 않는 산소 함유 가스, 예를 들어 산소 가스를 공급하고, 질소 함유 가스 공급부(20)도 가스 도입구(16)를 통해서 챔버(11)의 내부에, 수소 원자를 포함하지 않는 질소 함유 가스, 예를 들어 질소 가스를 공급하고, 희가스 공급부(21)는 가스 도입구(17)를 통해서 챔버(11)의 내부에, 희가스, 예를 들어 아르곤 가스를 공급한다.The silicon-containing gas supply unit 18 supplies a silicon-containing gas, for example, silicon chloride (SiCl 4 ) gas into the chamber 11 through the gas inlet 15 , and the oxygen-containing gas supply unit 19 An oxygen-containing gas, for example, oxygen gas not containing hydrogen atoms is supplied into the chamber 11 through the gas inlet 16 and the nitrogen-containing gas supply unit 20 is also supplied to the gas inlet 16 Containing gas containing no hydrogen atoms, for example, nitrogen gas, is supplied into the chamber 11 through the gas introducing port 17 and the inert gas supply unit 21 is supplied into the chamber 11 through the gas inlet 17, It supplies rare gas, for example argon gas.

각 가스 도입관(22, 23, 24)은 매스 플로우 컨트롤러나 밸브(모두 도시하지 않음)를 갖고, 가스 도입구(15, 16, 17)로부터 공급되는 각 가스의 유량을 조정한다. 특히, 가스 도입관(23)은 삼방 밸브(도시 생략)를 갖고, 가스 도입구(16)로부터 공급되는 가스를 산소 가스 및 질소 가스 중 어느 하나로 전환한다.Each of the gas introduction pipes 22, 23 and 24 has a mass flow controller and a valve (both not shown) and adjusts the flow rate of each gas supplied from the gas introduction ports 15, 16 and 17. In particular, the gas introduction pipe 23 has a three-way valve (not shown), and converts the gas supplied from the gas introduction port 16 to either oxygen gas or nitrogen gas.

ICP 안테나(13)는 창 부재(14)의 상면을 따라 배치되는 환상의 도선을 포함하고, 정합기(25)를 통해서 고주파 전원(26)에 접속된다. 고주파 전원(26)으로부터의 고주파 전류는 ICP 안테나(13)를 흐르고, 그 고주파 전류는 ICP 안테나(13)에 창 부재(14)를 통해서 챔버(11)의 내부에 자계를 발생시킨다. 상기 자계는 고주파 전류에 기인해서 발생하고 있기 때문에 시간적으로 변화하지만, 시간적으로 변화하는 자계는 유도 전계를 생성하고, 그 유도 전계에 의해 가속된 전자가 챔버(11) 내에 도입된 가스의 분자나 원자와 충돌하여 유도 결합 플라즈마가 발생한다.The ICP antenna 13 includes an annular conductor disposed along the upper surface of the window member 14 and is connected to the high frequency power source 26 through the matching device 25. [ The high frequency current from the high frequency power source 26 flows through the ICP antenna 13 and the high frequency current causes the ICP antenna 13 to generate a magnetic field inside the chamber 11 through the window member 14. Since the magnetic field is generated due to the high-frequency current, it changes in time. However, the magnetic field which varies with time generates an induced electric field, and electrons accelerated by the induced electric field cause molecules or atoms And an inductively coupled plasma is generated.

플라즈마 CVD 성막 장치(10)에서는, 유도 결합 플라즈마에 의해 챔버(11)의 내부에 공급된 염화규소 가스, 산소 가스 및 아르곤 가스로부터 양이온이나 라디칼을 생성하고, CVD에 의해 기판 S 위에 산화규소막을 성막함과 함께, 챔버(11)의 내부에 공급된 염화규소 가스, 질소 가스 및 아르곤 가스로부터 양이온이나 라디칼을 생성하고, CVD에 의해 기판 S 위에 질화규소막을 성막함으로써, 산화규소막 및 질화규소막을 포함하는 다층 보호막을 형성한다. 또한, 아르곤 가스는, 산화규소막이나 질화규소막을 직접 구성하는 재료 가스는 아니지만, 산화규소막이나 질화규소막을 직접 구성하는 재료 가스인 염화규소 가스, 산소 가스 및 질소 가스를 적당한 농도로 조정하고, 또한, 유도 결합 플라즈마를 생성하기 위한 방전을 용이하게 행할 수 있도록 하는 등, 성막 처리에 있어서 보조적인 역할을 한다.In the plasma CVD film forming apparatus 10, positive ions or radicals are generated from the silicon chloride gas, the oxygen gas, and the argon gas supplied into the chamber 11 by inductively coupled plasma, and the silicon oxide film is formed on the substrate S by CVD A cation or a radical is generated from the silicon chloride gas, the nitrogen gas and the argon gas supplied to the inside of the chamber 11 and the silicon nitride film is formed on the substrate S by CVD to form a multilayered structure including the silicon oxide film and the silicon nitride film Thereby forming a protective film. The argon gas is not a material gas directly constituting the silicon oxide film or the silicon nitride film, but it is also possible to adjust the silicon nitride gas, the oxygen gas and the nitrogen gas, which are material gases directly constituting the silicon oxide film or the silicon nitride film, So that the discharge for generating the inductively coupled plasma can be easily performed.

또한, 플라즈마 CVD 성막 장치(10)는 컨트롤러(27)를 더 구비하고, 상기 컨트롤러(27)는 플라즈마 CVD 성막 장치(10)의 각 구성 요소의 동작을 제어한다.The plasma CVD film deposition apparatus 10 further includes a controller 27. The controller 27 controls the operation of each component of the plasma CVD film deposition apparatus 10. [

도 2는 본 실시 형태에 따른 다층 보호막의 형성 방법이 적용되어 형성되는 보텀 게이트형 TFT의 구성을 도시하는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a structure of a bottom gate type TFT formed by applying the method of forming a multilayer passivation film according to the present embodiment.

도 2에서, TFT(28)는 기판 S 위에 성막된 언더 코트층(29)과, 언더 코트층(29) 위에 부분적으로 형성된 게이트 전극(30)과, 언더 코트층(29) 및 게이트 전극(30)을 덮도록 형성된 다층 보호막을 포함하는 게이트 보호막(31)과, 게이트 보호막(31) 위에서 게이트 전극(30) 바로 위에 배치되도록 형성된 채널(32)과, 게이트 보호막(31) 위에서 채널(32)의 양 옆에 각각 형성된 소스 전극(33) 및 드레인 전극(34)과, 채널(32), 소스 전극(33) 및 드레인 전극(34)을 덮도록 형성된 다층 보호막을 포함하는 패시베이션층(35)을 구비한다.2, the TFT 28 includes an undercoat layer 29 formed on the substrate S, a gate electrode 30 partially formed on the undercoat layer 29, an undercoat layer 29, and a gate electrode 30 A channel 32 formed so as to be disposed directly on the gate electrode 30 on the gate protection film 31 and a channel 32 formed on the gate protection film 31 so as to cover the channel 32. [ A passivation layer 35 including a source electrode 33 and a drain electrode 34 formed on both sides and a multilayer passivation film formed to cover the channel 32, the source electrode 33 and the drain electrode 34 do.

TFT(28)에서는, 채널(32)이 IGZO로 이루어지고, 게이트 보호막(31)이 도면 중 하방으로부터 적층된 질화규소막(31a) 및 산화규소막(31b)을 갖고, 패시베이션층(35)이 도면 중 하방으로부터 적층된 산화규소막(35a) 및 질화규소막(35b)을 갖는다. 게이트 보호막(31)에서는 산화규소막(31b)이 채널(32)에 접촉하고, 패시베이션층(35)에서는 산화규소막(35a)이 채널(32)에 접촉한다.The TFT 28 has the silicon nitride film 31a and the silicon oxide film 31b in which the channel 32 is made of IGZO and the gate protective film 31 is laminated from below in the figure, And a silicon oxide film 35a and a silicon nitride film 35b laminated from below. The silicon oxide film 31b contacts the channel 32 in the gate protection film 31 and the silicon oxide film 35a contacts the channel 32 in the passivation layer 35. [

여기서, 산화규소막(31b), 산화규소막(35a) 및 채널(32)은 모두 산화물을 포함하고, 서로 융합되기 쉽기 때문에, 산화규소막(31b)이나 산화규소막(35a)을 채널(32)에 접촉시킴으로써, 게이트 보호막(31), 채널(32) 및 패시베이션층(35)의 상호 박리를 억제할 수 있다.Since the silicon oxide film 31b, the silicon oxide film 35a and the channel 32 all contain oxides and are likely to be fused with each other, the silicon oxide film 31b and the silicon oxide film 35a are formed in the channel 32 The mutual peeling of the gate protection film 31, the channel 32 and the passivation layer 35 can be suppressed.

또한, 게이트 보호막(31)이나 패시베이션층(35)에서의 적층 형태는 도 2에 도시하는 것에 한정되지 않고, 예를 들어 게이트 보호막(31)에 있어서 도면 중 하방으로부터 산화규소막(31b), 질화규소막(31a)의 순으로 적층해서 질화규소막(31a)을 채널(32)에 접촉시켜도 되고, 패시베이션층(35)에서 도면 중 하방으로부터 질화규소막(35b), 산화규소막(35a)의 순으로 적층해서 질화규소막(35b)을 채널(32)에 접촉시켜도 된다.The lamination of the gate protection film 31 and the passivation layer 35 is not limited to that shown in Fig. 2. For example, in the gate protection film 31, a silicon oxide film 31b, The silicon nitride film 31a may be brought into contact with the channel 32 in the order of the film 31a and the silicon nitride film 35b and the silicon oxide film 35a may be stacked in this order in the passivation layer 35, And the silicon nitride film 35b may be brought into contact with the channel 32. [

도 3은 본 실시 형태에 따른 다층 보호막의 형성 방법을 나타내는 플로우차트이다.3 is a flowchart showing a method of forming a multilayer protective film according to the present embodiment.

도 3의 플로우차트는, 소정의 프로그램에 따라서 컨트롤러(27)가 플라즈마 CVD 성막 장치(10)의 각 구성 요소의 동작을 제어함으로써 실행된다.3 is executed by the controller 27 controlling the operation of each component of the plasma CVD film deposition apparatus 10 in accordance with a predetermined program.

우선, 언더 코트층(29)이 성막되고, 또한 게이트 전극(30)이 형성된 기판 S를 플라즈마 CVD 성막 장치(10)의 챔버(11)의 내부로 반입해서 적재대(12)에 적재한다.The substrate S on which the undercoat layer 29 is formed and on which the gate electrode 30 is formed is carried into the chamber 11 of the plasma CVD film deposition apparatus 10 and is loaded on the stacking table 12.

계속해서, 챔버(11)의 내부를 감압해서 그 내부의 진공도가 소정값에 달한 후, 각 가스 도입구(15, 16, 17)로부터 챔버(11)의 내부에 염화규소 가스, 질소 가스 및 아르곤 가스를 공급하고, ICP 안테나(13)에 의해, 챔버(11)의 내부에 유도 전계를 구성해서 유도 결합 플라즈마를 생성하고, 염화규소 가스, 질소 가스 및 아르곤 가스로부터 양이온이나 라디칼을 발생시킴으로써, CVD에 의해 질화규소막(31a)을 언더 코트층(29)이나 게이트 전극(30)을 덮도록 성막한다(스텝 S31)(질화규소막 성막 스텝).Subsequently, after the inside of the chamber 11 is depressurized and the degree of vacuum inside the chamber 11 reaches a predetermined value, silicon chloride gas, nitrogen gas, and argon gas are introduced into the chamber 11 from the gas inlet ports 15, 16, And an inductively coupled plasma is generated in the chamber 11 by the ICP antenna 13 to generate an inductively coupled plasma and a positive ion or a radical is generated from the silicon chloride gas, the nitrogen gas and the argon gas, The silicon nitride film 31a is formed so as to cover the undercoat layer 29 and the gate electrode 30 (step S31) (silicon nitride film formation step).

계속해서, 염화규소 가스 및 아르곤 가스의 공급, 및 유도 전계의 생성을 계속하면서, 질소 가스의 공급을 정지하고, 그 후, 산소 가스의 공급을 개시해서 CVD에 의해, 산화규소막(31b)을 질화규소막(31a)을 덮도록 성막한다(스텝 S32)(산화규소막 성막 스텝).Subsequently, the supply of the nitrogen gas is stopped while the supply of the silicon chloride gas and the argon gas and the generation of the induced electric field are continued, and thereafter the supply of the oxygen gas is started and the silicon oxide film 31b The silicon nitride film 31a is covered (step S32) (silicon oxide film formation step).

이에 의해, 질화규소막(31a) 및 산화규소막(31b)을 갖는 게이트 보호막(31)을 형성한다. 처리가 질화규소막(31a)의 성막으로부터 산화규소막(31b)의 성막으로 전환되어 산소 가스가 공급될 때, 유도 전계의 생성이 계속되고, 질소 가스도 다소 존재하기 때문에, CVD에 있어서 산소 가스 및 질소 가스로부터 발생한 양이온이나 라디칼의 양쪽이 존재하는 기간이 발생한다. 그 결과, 도 4에 도시한 바와 같이, 게이트 보호막(31)에 있어서 질화규소막(31a) 및 산화규소막(31b) 사이에 극박의 산질화규소막(31c)이 형성되지만, 그 산질화규소막(31c)은 산화규소막(31b) 및 질화규소막(31a)을 서로 융합시키기 때문에, 게이트 보호막(31)에서의 질화규소막(31a) 및 산화규소막(31b)의 층분리를 억제할 수 있다.Thus, the gate protection film 31 having the silicon nitride film 31a and the silicon oxide film 31b is formed. When the treatment is switched from the film formation of the silicon nitride film 31a to the film formation of the silicon oxide film 31b to supply the oxygen gas, the generation of the induction field continues, and since there is also a little nitrogen gas, A period in which both the positive ions and the radicals generated from the nitrogen gas are present occurs. As a result, an ultra-thin silicon oxynitride film 31c is formed between the silicon nitride film 31a and the silicon oxide film 31b in the gate protective film 31 as shown in Fig. 4. However, the silicon oxynitride film 31c The silicon oxide film 31b and the silicon nitride film 31a are fused with each other so that the separation of the silicon nitride film 31a and the silicon oxide film 31b in the gate protection film 31 can be suppressed.

계속해서, 기판 S를 플라즈마 CVD 성막 장치(10)로부터 반출해서 다른 성막 장치(도시 생략)에 있어서 채널(32), 소스 전극(33) 및 드레인 전극(34)을 형성한다(스텝 S33).Subsequently, the substrate S is taken out of the plasma CVD film deposition apparatus 10 to form the channel 32, the source electrode 33, and the drain electrode 34 in another film formation apparatus (not shown) (step S33).

계속해서, 기판 S를 플라즈마 CVD 성막 장치(10)의 챔버(11)의 내부에 다시 반입해서 적재대(12)에 적재하고, 챔버(11)의 내부를 감압해서 그 내부의 진공도가 소정값에 달한 후, 각 가스 도입구(15, 16, 17)로부터 챔버(11)의 내부에 염화규소 가스, 산소 가스 및 아르곤 가스를 공급하고, 챔버(11)의 내부에 유도 결합 플라즈마를 생성하고, 염화규소 가스, 산소 가스 및 아르곤 가스로부터 양 이온이나 라디칼을 발생시킴으로써, CVD에 의해 산화규소막(35a)을 채널(32), 소스 전극(33) 및 드레인 전극(34)을 덮도록 성막한다(스텝 S34)(산화규소막 성막 스텝).Subsequently, the substrate S is carried into the chamber 11 of the plasma CVD film deposition apparatus 10 again and placed on the loading table 12, and the inside of the chamber 11 is depressurized, Oxygen gas and argon gas are supplied into the chamber 11 from the gas inlet ports 15, 16 and 17 to generate an inductively coupled plasma in the chamber 11, and chlorine The silicon oxide film 35a is deposited to cover the channel 32, the source electrode 33 and the drain electrode 34 by CVD by generating positive ions or radicals from the silicon gas, the oxygen gas and the argon gas S34) (silicon oxide film formation step).

계속해서, 염화규소 가스 및 아르곤 가스의 공급, 및 유도 전계의 생성을 계속하면서, 산소 가스의 공급을 정지하고, 그 후, 질소 가스의 공급을 개시해서 CVD에 의해, 질화규소막(35b)을 산화규소막(35a)을 덮도록 성막한다(스텝 S35)(질화규소막 성막 스텝).Subsequently, the supply of the oxygen gas is stopped while the supply of the silicon chloride gas and the argon gas and the generation of the induced electric field are continued, and thereafter the supply of the nitrogen gas is started and the silicon nitride film 35b is oxidized And the silicon film 35a is covered (step S35) (silicon nitride film forming step).

이에 의해, 산화규소막(35a) 및 질화규소막(35b)을 갖는 패시베이션층(35)을 형성한다. 처리가 산화규소막(35a)의 성막으로부터 질화규소막(35b)의 성막으로 전환되어 질소 가스가 공급될 때, 유도 전계의 생성이 계속되고, 질소 가스도 다소 존재하기 때문에, 이때도, CVD에 있어서 산소 가스 및 질소 가스로부터 발생한 양이온이나 라디칼의 양쪽이 존재하는 기간이 발생한다. 그 결과, 패시베이션층(35)에서 산화규소막(35a) 및 질화규소막(35b) 사이에 극박의 산질화 규소막(도시 생략)이 형성되기 때문에, 패시베이션층(35)에서도 산화규소막(35a) 및 질화규소막(35b)의 층 분리를 억제할 수 있다.Thus, the passivation layer 35 having the silicon oxide film 35a and the silicon nitride film 35b is formed. When the treatment is switched from the film formation of the silicon oxide film 35a to the film formation of the silicon nitride film 35b to supply the nitrogen gas, generation of the induced electric field continues and nitrogen gas also exists somewhat. A period in which both the positive ions and the radicals generated from the oxygen gas and the nitrogen gas are present occurs. As a result, a very thin silicon oxynitride film (not shown) is formed between the silicon oxide film 35a and the silicon nitride film 35b in the passivation layer 35, so that the silicon oxide film 35a is also formed in the passivation layer 35. [ And the silicon nitride film 35b can be suppressed.

계속해서, 패시베이션층(35)의 형성 후, 본 방법을 종료한다.Subsequently, after formation of the passivation layer 35, the present method is terminated.

본 실시 형태에 따른 다층 보호막의 형성 방법에 따르면, 산화규소막(31b, 35a)의 성막에 수소 원자를 포함하지 않는 염화규소 가스 및 산소 가스를 사용하고, 질화규소막(31a, 35b)의 성막에 수소 원자를 포함하지 않는 염화규소 가스 및 질소 가스를 사용하므로, 산화규소막(31b, 35a)이나 질화규소막(31a, 35b)의 결함에 수소 원자가 들어가지 않아, IGZO로 이루어지는 채널(32)에 접촉하는 게이트 보호막(31)이나 패시베이션층(35)은 수소 원자를 포함하지 않는다. 그 결과, 게이트 보호막(31)이나 패시베이션층(35)의 성막에 있어서 탈수소 공정을 행할 필요를 없앨 수 있다.According to the method for forming a multilayer passivation film according to the present embodiment, silicon chloride gas and oxygen gas that do not contain hydrogen atoms are used to form the silicon oxide films 31b and 35a, and the silicon nitride films 31a and 35b are formed Hydrogen atoms are not contained in the defects of the silicon oxide films 31b and 35a and the silicon nitride films 31a and 35b since the silicon chloride gas and the nitrogen gas not containing hydrogen atoms are used, The gate protection film 31 and the passivation layer 35 do not contain hydrogen atoms. As a result, it is possible to eliminate the need to perform the dehydrogenation step in forming the gate protection film 31 and the passivation layer 35.

또한, 상술한 다층 보호막의 형성 방법에서는, 기판 S를 챔버(11)로부터 반출하지 않고, 질소 가스를 산소 가스로 전환하고, 또는 산소 가스를 질소 가스로 전환함으로써, 질화규소막(31a) 및 산화규소막(31b)의 성막 및 산화규소막(35a) 및 질화규소막(35b)의 성막을 연속해서 실행하므로, 게이트 보호막(31)이나 패시베이션층(35)에 있어서 불필요한 성분이 혼입되는 것을 방지할 수 있음과 함께, 스루풋을 단축할 수 있다.In the above-described method for forming a multilayer passivation film, the silicon nitride film 31a and the silicon oxide film 31b are formed by converting the nitrogen gas into the oxygen gas or by converting the oxygen gas into the nitrogen gas without carrying out the substrate S from the chamber 11. [ The formation of the film 31b and the formation of the silicon oxide film 35a and the silicon nitride film 35b are continuously performed so that it is possible to prevent the unnecessary components from being mixed in the gate protection film 31 and the passivation layer 35 And the throughput can be shortened.

또한, 상술한 다층 보호막의 형성 방법에서는, 처리가 질화규소막(31a)의 성막으로부터 산화규소막(31b)의 성막으로 전환될 때 및 처리가 산화규소막(35a)의 성막으로부터 질화규소막(35b)의 성막으로 전환될 때, 염화규소 가스 및 아르곤 가스의 공급이 계속되어 규소 함유 가스나 희가스의 전환이 행해지지 않으므로, 스루풋을 보다 단축할 수 있다.In the above-described method of forming a multilayer passivation film, when the process is changed from the formation of the silicon nitride film 31a to the formation of the silicon oxide film 31b and the process is performed from the silicon nitride film 35b to the silicon nitride film 35b, The supply of the silicon chloride gas and the argon gas is continued to switch the silicon-containing gas or the rare gas, so that the throughput can be further shortened.

상술한 다층 보호막의 형성 방법에서는, 유도 전계의 생성이 계속되므로, 유도 결합 플라즈마의 소멸이나 재생이 행해지지 않고, 이로써, 플라즈마의 소멸이나 재생에 수반하는 파티클의 발생을 억제할 수 있다.In the above-described method of forming a multilayer protective film, since the generation of the induced electric field is continued, the inductively coupled plasma is not extinguished or regenerated, whereby generation of particles accompanying the disappearance or regeneration of the plasma can be suppressed.

또한, 상술한 다층 보호막의 형성 방법에서는, 유도 결합 플라즈마에 의해 염화규소 가스, 산소 가스 및 질소 가스로부터 양이온이나 라디칼을 생성하고, CVD에 의해 산화규소막(31b, 35a) 및 질화규소막(31a, 35b)을 성막한다. 유도 결합 플라즈마의 밀도는 높고, 염화규소 가스, 산소 가스 및 질소 가스의 양이온화나 라디칼화가 촉진되기 때문에, 비교적 낮은 온도, 예를 들어 200℃ 이하, 보다 바람직하게는, 150℃ 이하에서 산화규소막(31b, 35a) 및 질화규소막(31a, 35b)의 성막을 행할 수 있다. 그 결과, TFT(28)를 유기 EL에 적용할 때, 시트 디스플레이의 기판 S가 열로 변형, 변질되는 것을 억제할 수 있다.In the above-described method for forming a multilayer passivation film, positive ions or radicals are generated from a silicon chloride gas, an oxygen gas and a nitrogen gas by inductively coupled plasma, and the silicon oxide films 31b and 35a and the silicon nitride films 31a, 35b are formed. Since the density of the inductively coupled plasma is high and the cationization or radicalization of the silicon chloride gas, the oxygen gas and the nitrogen gas is promoted, the silicon oxide film (silicon oxide film) is formed at a relatively low temperature, for example, 200 deg. C or lower, more preferably 150 deg. 31b, and 35a and the silicon nitride films 31a and 35b can be formed. As a result, when the TFT 28 is applied to the organic EL, the substrate S of the sheet display can be prevented from being deformed into heat and deteriorated.

상술한 다층 보호막의 형성 방법에서는, 규소 함유 가스로서 염화규소 가스를 사용했지만, 규소 함유 가스는 이에 한정되지 않고, 예를 들어 불화규소(SiF4) 가스, 브롬화규소(SiBr4) 가스나 요오드화규소(SiI4) 가스를 사용해도 된다. 또한, 산소 함유 가스로서 산소 가스를 사용했지만, 산소 함유 가스는 이에 한정되지 않고, 예를 들어 오존 가스를 사용해도 된다.The silicon-containing gas is not limited to the silicon-containing gas. For example, silicon-fluoride (SiF 4 ) gas, silicon bromide (SiBr 4 ) gas, silicon iodide (SiI 4 ) gas may be used. Further, although oxygen gas is used as the oxygen-containing gas, the oxygen-containing gas is not limited thereto, and ozone gas may be used, for example.

또한, 질소 함유 가스로서 질소 가스를 사용했지만, 질소 함유 가스는 이에 한정되지 않고, 예를 들어 일산화질소 가스, 아산화질소(N2O) 가스, 삼불화질소(NF3) 가스, 삼브롬화 질소(NBr3) 가스, 삼염화질소(NCl3) 가스를 사용해도 된다. 또한, 희가스로서 아르곤 가스를 사용했지만, 희가스는 이에 한정되지 않고, 예를 들어 네온 가스, 크세논 가스, 크립톤 가스를 사용해도 된다.Although nitrogen gas is used as the nitrogen-containing gas, the nitrogen-containing gas is not limited thereto. For example, nitrogen monoxide gas, nitrous oxide (N 2 O) gas, nitrogen trifluoride (NF 3 ) gas, NBr 3 ) gas, or trichlorosilane (NCl 3 ) gas may be used. Further, although argon gas is used as the rare gas, the rare gas is not limited thereto. For example, neon gas, xenon gas, or krypton gas may be used.

또한, 유도 결합 플라즈마 이외의 플라즈마를 사용하는 플라즈마 CVD 장치에 의해서도 산화규소막(31b, 35a)이나 질화규소막(31a, 35b)의 성막을 행하는 것은 가능하지만, 염화규소 가스, 불화규소 가스, 브롬화규소 가스 또는 요오드화규소 가스와, 질소 가스에 의해 성막 처리를 행하는 경우, 고밀도한 플라즈마를 생성 가능한 유도 결합 플라즈마를 사용함으로써 보다 우수한 성막 처리를 행할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 창 부재(14)에 유전체를 사용한 유도 결합 플라즈마 CVD 성막 장치를 사용했지만, 복수로 분할한 분할편으로 이루어지는 금속창을 창 부재로서 사용한 유도 결합 플라즈마 CVD 성막 장치를 사용해도 되고, 그 경우, ICP 안테나(13)의 형태는 환상으로 한정되지 않고, 각 분할편을 횡단하는 형태라면, 다른 형태, 예를 들어 직선이어도 상관없다.It is also possible to form the silicon oxide films 31b and 35a and the silicon nitride films 31a and 35b by a plasma CVD apparatus using a plasma other than the inductively coupled plasma. However, it is also possible to use a silicon chloride gas, a silicon fluoride gas, When film formation is performed by gas or silicon iodide gas and nitrogen gas, a more excellent film formation can be performed by using inductively coupled plasma capable of generating a high density plasma. In this embodiment, an inductively coupled plasma CVD film-forming apparatus using a dielectric material is used for the window member 14. However, even if an inductively coupled plasma CVD film-forming apparatus using a metal window made of a plurality of divided pieces as a window member is used In this case, the shape of the ICP antenna 13 is not limited to an annular shape, and may be a different shape, for example, a straight line, as long as each of the divided pieces crosses each other.

상술한 다층 보호막의 형성 방법에서는, 채널(32)을 IGZO로 구성했지만, 채널(32)을 다른 산화물 반도체로 구성해도 된다. 예를 들어, 혼입된 수소 원자에 의해 산소 원자가 탈리해서 특성이 변화하는 산화물 반도체이면, 본 발명을 적용함으로써, IGZO로 채널(32)을 구성하는 경우와 마찬가지의 효과를 가져 올 수 있다. 또한, 상술한 다층 보호막의 형성 방법에서는, 게이트 보호막(31)이나 패시베이션층(35)이 질화규소막 및 산화규소막을 포함하는 2층 구조를 갖지만, 게이트 보호막(31)이나 패시베이션층(35) 등의 다층 보호막의 구조는 2층 구조에 한정되지 않고, 모두 수소 원자를 포함하지 않는 층을 포함하는 3층 이상의 구조여도 상관없다.In the above-described method of forming a multilayer passivation film, the channel 32 is made of IGZO, but the channel 32 may be made of another oxide semiconductor. For example, by applying the present invention, it is possible to obtain an effect similar to the case of configuring the channel 32 with IGZO if the oxide semiconductor is an oxide semiconductor in which the oxygen atoms are separated by the incorporated hydrogen atoms and the characteristics change. Although the gate protection film 31 and the passivation layer 35 have a two-layer structure including a silicon nitride film and a silicon oxide film in the above-described method for forming a multilayer passivation film, the gate protection film 31 and the passivation layer 35 The structure of the multilayered protective film is not limited to a two-layer structure, and may be a structure of three or more layers including a layer not containing hydrogen atoms.

또한, 채널(32)에 접촉하는 게이트 보호막(31)이나 패시베이션층(35)은 모두 수소 원자를 포함하지 않지만, 게이트 보호막(31) 및 패시베이션층(35)의 성막 과정에 있어서 양쪽 막에 수소 원자가 포함되지 않도록 하는 것이 곤란하면, 적어도 게이트 보호막(31) 및 패시베이션층(35) 중 어느 하나가 수소 원자를 포함하지 않으면 된다. 이 경우에도, IGZO로부터의 산소 원자의 탈리를 어느 정도 억제할 수 있다.The gate protection film 31 and the passivation layer 35 which are in contact with the channel 32 do not contain any hydrogen atoms but are formed in the film formation process of the gate protection film 31 and the passivation layer 35, It is difficult for at least one of the gate protection film 31 and the passivation layer 35 to contain hydrogen atoms. Even in this case, desorption of oxygen atoms from IGZO can be suppressed to some extent.

또한, 본 실시 형태에서는, 게이트 보호막(31)이나 패시베이션층(35)을 형성할 때, 산화규소막(31b, 35a) 대신에 산질화규소막을 성막해도 되고, 또한 질화규소막(31a, 35b) 대신에 산질화규소막을 성막해도 된다.In the present embodiment, a silicon oxynitride film may be formed instead of the silicon oxide films 31b and 35a when forming the gate protection film 31 and the passivation layer 35, and a silicon oxynitride film may be formed instead of the silicon nitride films 31a and 35b A silicon oxynitride film may be formed.

또한, 상술한 다층 보호막의 형성 방법에 있어서, 처리가 질화규소막(31a)의 성막으로부터 산화규소막(32b)의 성막으로 전환될 때, 또는 처리가 산화규소막(35a)의 성막으로부터 질화규소막(35b)의 성막으로 전환될 때, 일단, 기판 S의 온도를 저하시켜도 되고, 혹은 염화규소 가스의 공급을 정지해도 된다. 나아가서는, 플라즈마의 생성 및 소멸 시에서의 파티클의 발생이 매우 적은 환경 하라면, 상술한 처리의 전환 시에, 일단 유도 결합 플라즈마를 소멸시켜도 된다. 이에 의해, 질화규소막(31a)의 성막 후의 성막 반응을 산화규소막(31b)의 성막까지 억제할 수 있고, 또는 산화규소막(35a)의 성막 후의 성막 반응을 질화규소막(35b)의 성막까지 억제할 수 있고, 산화규소막(31b, 35a) 및 질화규소막(31a, 35b) 사이에 산화규소막이나 질화규소막 이외의 막이 형성되는 것을 억제할 수 있다.When the process is changed from the deposition of the silicon nitride film 31a to the deposition of the silicon oxide film 32b or the treatment is performed from the deposition of the silicon oxide film 35a to the silicon nitride film 35b, the temperature of the substrate S may be temporarily lowered or the supply of the silicon chloride gas may be stopped. Furthermore, if the generation of particles in the generation and disappearance of plasma is very small, it is possible to once eliminate the inductively coupled plasma at the time of switching the above-described process. As a result, the deposition reaction after the silicon nitride film 31a is formed can be suppressed until the silicon oxide film 31b is formed, or the deposition reaction after the silicon oxide film 35a is formed is suppressed until the silicon nitride film 35b is formed And it is possible to suppress formation of a film other than the silicon oxide film or the silicon nitride film between the silicon oxide films 31b and 35a and the silicon nitride films 31a and 35b.

이상, 본 발명에 대해서, 실시 형태를 사용해서 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.The present invention has been described above by using the embodiments, but the present invention is not limited to the above-described embodiments.

예를 들어, 상술한 다층 보호막의 형성 방법은, 도 2의 TFT(28)뿐만 아니라, 다른 구성을 갖는 TFT에서의 다층 보호막의 형성에도 적용할 수 있다.For example, the above-described method of forming a multilayer passivation film can be applied not only to the TFT 28 of FIG. 2 but also to the formation of a multilayer passivation film in a TFT having another structure.

도 5는 본 실시 형태에 따른 다층 보호막의 형성 방법이 적용되어 형성되는 보텀 게이트형 TFT의 변형예의 구성을 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing the configuration of a modification of the bottom gate type TFT formed by applying the method of forming the multilayer passivation film according to the present embodiment.

도 5에서, TFT(36)는 언더 코트층(29)과, 게이트 전극(30)과, 게이트 보호막(31)과, 채널(32)과, 소스 전극(33) 및 드레인 전극(34)과, 채널(32)을 덮도록 형성된 다층 보호막을 포함하는 에칭 스토퍼층(37)과, 에칭 스토퍼층(37), 소스 전극(33) 및 드레인 전극(34)을 덮도록 형성된 패시베이션층(38)을 구비한다.5, the TFT 36 includes an undercoat layer 29, a gate electrode 30, a gate protective film 31, a channel 32, a source electrode 33 and a drain electrode 34, An etching stopper layer 37 including a multilayer protective film formed to cover the channel 32 and a passivation layer 38 formed to cover the etching stopper layer 37, the source electrode 33 and the drain electrode 34 do.

TFT(36)에서는, 에칭 스토퍼층(37)은 도면 중 하방으로부터 적층된 산화규소막(37a) 및 질화규소막(37b)을 갖고, 에칭 스토퍼층(37)에서는 산화규소막(37a)이 채널(32)에 접촉한다. 이에 의해, 채널(32) 및 에칭 스토퍼층(37)의 상호 박리를 억제할 수 있다.In the TFT 36, the etching stopper layer 37 has the silicon oxide film 37a and the silicon nitride film 37b laminated from below in the figure, and in the etching stopper layer 37, the silicon oxide film 37a is formed in the channel 32). As a result, mutual peeling of the channel 32 and the etching stopper layer 37 can be suppressed.

또한, 에칭 스토퍼층(37)에서 도면 중 하방으로부터 질화규소막(37b), 산화규소막(37a)의 순으로 적층해서 질화규소막(37b)을 채널(32)에 접촉시켜도 된다.The silicon nitride film 37b and the silicon oxide film 37a may be stacked in this order from the bottom of the etching stopper layer 37 to bring the silicon nitride film 37b into contact with the channel 32. [

TFT(36)에서는, 게이트 보호막(31)의 형성에 도 3의 스텝 S31, S32를 적용하고, 에칭 스토퍼층(37)의 형성에 도 3의 스텝 S34, S35와 마찬가지의 처리를 적용한다. 이에 의해, 산화규소막(31b, 37a)의 성막에 수소 원자를 포함하지 않는 염화규소 가스 및 산소 가스를 사용하고, 질화규소막(31a, 37b)의 성막에 수소 원자를 포함하지 않는 염화규소 가스 및 질소 가스를 사용하게 되므로, 산화규소막(31b, 37a)이나 질화규소막(31a, 37b)의 결함에 수소 원자가 들어가지 않아, 채널(32)로부터 산소 원자가 탈리하는 것을 방지할 수 있다.In the TFT 36, the steps S31 and S32 of FIG. 3 are applied to form the gate protective film 31, and the same processes as the steps S34 and S35 of FIG. 3 are applied to the formation of the etching stopper layer 37. FIG. Thereby, silicon chloride gas and oxygen gas that do not contain hydrogen atoms are used to form the silicon oxide films 31b and 37a, and a silicon chloride gas containing no hydrogen atoms is formed in the film formation of the silicon nitride films 31a and 37b, Hydrogen atoms do not enter the defects of the silicon oxide films 31b and 37a and the silicon nitride films 31a and 37b and nitrogen atoms can be prevented from desorbing from the channel 32 because nitrogen gas is used.

도 6은 본 실시 형태에 따른 다층 보호막의 형성 방법이 적용되어 형성되는 톱 게이트형 TFT의 구성을 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing the structure of a top gate type TFT formed by applying the method for forming a multilayer passivation film according to the present embodiment.

도 6에서, TFT(38)는 기판 S 위에 성막된 다층 보호막을 포함하는 언더 코트층(39)과, 언더 코트층(39) 위에 부분적으로 형성된 채널(40)과, 언더 코트층(39) 위에서 채널(40)의 양옆에 각각 형성된 소스 전극(41) 및 드레인 전극(42)과, 채널(40), 소스 전극(41) 및 드레인 전극(42)을 덮도록 형성된 다층 보호막을 포함하는 게이트 보호막(43)과, 게이트 보호막(43) 위에서 채널(40)의 바로 위에 배치되도록 형성된 게이트 전극(44)과, 게이트 전극(44) 및 게이트 보호막(43)을 덮도록 형성된 패시베이션층(45)을 구비한다.6, the TFT 38 includes an undercoat layer 39 including a multilayer passivation film deposited on a substrate S, a channel 40 partially formed over the undercoat layer 39, A gate protection film (not shown) including a source electrode 41 and a drain electrode 42 formed on both sides of the channel 40, and a multilayer protective film formed to cover the channel 40, the source electrode 41 and the drain electrode 42 A gate electrode 44 formed so as to be disposed directly above the channel 40 on the gate protection film 43 and a passivation layer 45 formed to cover the gate electrode 44 and the gate protection film 43 .

TFT(38)에서는, 채널(40)이 IGZO로 이루어지고, 언더 코트층(39)이 도면 중 하방으로부터 적층된 질화규소막(39a) 및 산화규소막(39b)을 갖고, 게이트 보호막(43)이 도면 중 하방으로부터 적층된 산화규소막(43a) 및 질화규소막(43b)을 갖는다. 언더 코트층(39)에서는 산화규소막(39b)이 채널(40)에 접촉하고, 게이트 보호막(43)에서는 산화규소막(43a)이 채널(40)에 접촉한다. 이에 의해, 채널(40), 언더 코트층(39) 및 게이트 보호막(43)의 상호 박리를 억제할 수 있다.The TFT 38 has the silicon nitride film 39a and the silicon oxide film 39b in which the channel 40 is made of IGZO and the undercoat layer 39 is laminated from the bottom in the figure and the gate protection film 43 And a silicon oxide film 43a and a silicon nitride film 43b stacked from below in the figure. In the undercoat layer 39, the silicon oxide film 39b is in contact with the channel 40, and in the gate protective film 43, the silicon oxide film 43a is in contact with the channel 40. [ As a result, mutual peeling of the channel 40, the undercoat layer 39, and the gate protection film 43 can be suppressed.

또한, 언더 코트층(39)에서 도면 중 하방으로부터 산화규소막(39b), 질화규소막(39a)의 순으로 적층해서 질화규소막(39a)을 채널(40)에 접촉시켜도 되고, 게이트 보호막(43)에 있어서 도면 중 하방으로부터 질화규소막(43b), 산화규소막(43a)의 순으로 적층해서 질화규소막(43b)을 채널(40)에 접촉시켜도 된다.The silicon oxide film 39b and the silicon nitride film 39a may be laminated in this order from the bottom in the figure in the undercoat layer 39 to bring the silicon nitride film 39a into contact with the channel 40, The silicon nitride film 43b and the silicon oxide film 43a may be laminated in this order from the bottom in the drawing to contact the channel 40 with the silicon nitride film 43b.

TFT(38)에서는, 언더 코트층(39)의 형성에 도 3의 스텝 S31, S32와 마찬가지의 처리를 적용하고, 게이트 보호막(43)의 형성에 도 3의 스텝 S34, S35와 마찬가지의 처리를 적용한다. 이에 의해, 산화규소막(39b, 43a)의 성막에 수소 원자를 포함하지 않는 염화규소 가스 및 산소 가스를 사용하고, 질화 규소막(39a, 43b)의 성막에 수소 원자를 포함하지 않는 염화규소 가스 및 질소 가스를 사용하게 되므로, 산화규소막(39b, 43a)이나 질화규소막(39a, 43b)의 결함에 수소 원자가 들어가지 않아, 채널(40)로부터 산소 원자가 탈리하는 것을 방지할 수 있다.The same processes as those in steps S31 and S32 in Fig. 3 are applied to the formation of the undercoat layer 39 in the TFT 38 and the same processes as those in steps S34 and S35 in Fig. 3 are performed to form the gate protection film 43 To be applied. As a result, silicon chloride gas and oxygen gas that do not contain hydrogen atoms are used to form the silicon oxide films 39b and 43a, and a silicon chloride gas containing no hydrogen atoms is used for forming the silicon nitride films 39a and 43b The hydrogen atoms do not enter the defects of the silicon oxide films 39b and 43a and the silicon nitride films 39a and 43b and the oxygen atoms can be prevented from desorbing from the channel 40. [

도 7은 본 실시 형태에 따른 다층 보호막의 형성 방법이 적용되어 형성되는 톱 게이트형 TFT의 변형예의 구성을 도시하는 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing the configuration of a modification of the top gate type TFT formed by applying the method of forming the multilayer passivation film according to the present embodiment.

도 7에서, TFT(46)는 기판 S 위에 성막된 다층 보호막을 포함하는 언더 코트층(39)과, 언더 코트층(39) 위에 부분적으로 형성된 채널(40)과, 채널(40)에 접속된 소스 전극(47) 및 드레인 전극(48)과, 언더 코트층(39) 및 채널(40)을 덮도록 형성된 게이트 보호막(43)과, 게이트 보호막(43) 위에서 채널(40) 위에 배치되도록 형성된 게이트 전극(44)과, 게이트 전극(44) 및 게이트 보호막(43)을 덮도록 형성된 층간 절연막(49)과, 층간 절연막(49), 소스 전극(47) 및 드레인 전극(48)을 덮도록 형성된 패시베이션층(50)을 구비한다.7, the TFT 46 includes an undercoat layer 39 including a multilayer passivation film deposited on a substrate S, a channel 40 partially formed over the undercoat layer 39, A gate protection film 43 formed to cover the source electrode 47 and the drain electrode 48 and the undercoat layer 39 and the channel 40 and a gate protection film 43 formed on the gate protection film 43, An interlayer insulating film 49 formed to cover the gate electrode 44 and the gate protective film 43 and a passivation film 46 formed to cover the interlayer insulating film 49, the source electrode 47, and the drain electrode 48, Layer (50).

TFT(46)에서도, TFT(38)와 마찬가지로, 언더 코트층(39)에서는 산화규소막(39b)이 채널(40)에 접촉하고, 게이트 보호막(43)에서는 산화규소막(43a)이 채널(40)에 접촉한다. 이에 의해, 채널(40), 언더 코트층(39) 및 게이트 보호막(43)의 상호 박리를 억제할 수 있다.The silicon oxide film 39b in the undercoat layer 39 contacts the channel 40 and the silicon oxide film 43a in the gate protection film 43 is in contact with the channel 40 in the TFT 46, 40). As a result, mutual peeling of the channel 40, the undercoat layer 39, and the gate protection film 43 can be suppressed.

또한, TFT(38)와 마찬가지로, 언더 코트층(39)에서 질화규소막(39a)을 채널(40)에 접촉시켜도 되고, 게이트 보호막(43)에서 질화규소막(43b)을 채널(40)에 접촉시켜도 된다.The silicon nitride film 39a may be brought into contact with the channel 40 in the undercoat layer 39 and the silicon nitride film 43b in the gate protective film 43 may be brought into contact with the channel 40 do.

TFT(46)에서는, TFT(38)와 마찬가지로, 언더 코트층(39)의 형성에 도 3의 스텝 S31, S32와 마찬가지의 처리를 적용하고, 게이트 보호막(43)의 형성에 도 3의 스텝 S34, S35와 마찬가지의 처리를 적용한다. 이에 의해, 산화규소막(39b, 43a)이나 질화규소막(39a, 43b)의 결함에 수소 원자가 들어가지 않아, 채널(40)로부터 산소 원자가 탈리하는 것을 방지할 수 있다.In the TFT 46, the same processes as those in Steps S31 and S32 in FIG. 3 are applied to the formation of the undercoat layer 39 in the same manner as the TFT 38, , The same processing as in S35 is applied. Thereby, hydrogen atoms do not enter the defects of the silicon oxide films 39b and 43a and the silicon nitride films 39a and 43b, and oxygen atoms can be prevented from desorbing from the channel 40. [

또한, 본 발명의 목적은, 상술한 실시 형태의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램 코드를 기록한 기억 매체를, 컴퓨터, 예를 들어 컨트롤러(27)에 공급하고, 컨트롤러(27)의 CPU가 기억 매체에 저장된 프로그램 코드를 판독해서 실행하는 것에 의해서도 달성된다.The object of the present invention can also be achieved by supplying a computer, for example, a controller 27 with a storage medium on which a program code of software for realizing the functions of the above-described embodiments is recorded, And reading and executing the stored program code.

이 경우, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드 자체가 상술한 실시 형태의 기능을 실현하게 되고, 프로그램 코드 및 그 프로그램 코드를 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하게 된다.In this case, the program code itself read from the storage medium realizes the functions of the above-described embodiments, and the program code and the storage medium storing the program code constitute the present invention.

또한, 프로그램 코드를 공급하기 위한 기억 매체로서는, 예를 들어 RAM, NV- RAM, 플로피(등록 상표) 디스크, 하드 디스크, 광자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD(DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW) 등의 광 디스크, 자기 테이프, 불휘발성 메모리 카드, 다른 ROM 등의 상기 프로그램 코드를 기억할 수 있는 것이면 된다. 혹은, 상기 프로그램 코드는 인터넷, 상용 네트워크, 혹은 로컬 에리어 네트워크 등에 접속되는 도시하지 않은 다른 컴퓨터나 데이터베이스 등으로부터 다운로드함으로써 컨트롤러(27)에 공급되어도 된다.As the storage medium for supplying the program codes, for example, a RAM, an NV-RAM, a floppy (registered trademark) disk, a hard disk, a magneto-optical disk, a CD-ROM, a CD- An optical disk such as a CD-ROM, a DVD-RAM, a DVD-RW, or a DVD + RW), a magnetic tape, a nonvolatile memory card, or another ROM. Alternatively, the program code may be supplied to the controller 27 by downloading it from another computer or database (not shown) connected to the Internet, a commercial network, or a local area network.

또한, 컨트롤러(27)가 판독한 프로그램 코드를 실행함으로써, 상기 실시 형태의 기능이 실현될 뿐만 아니라, 그 프로그램 코드의 지시에 기초하여, CPU 상에서 가동하고 있는 OS(오퍼레이팅 시스템) 등이 실제 처리의 일부 또는 모두를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 실시 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.In addition, the functions of the above-described embodiments are realized by executing the program codes read by the controller 27, and the OS (operating system) or the like running on the CPU is operated on the basis of the instructions of the program codes Or a case where the functions of the above-described embodiments are realized by the processing.

또한, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드가, 컨트롤러(27)에 삽입된 기능 확장 보드나 컨트롤러(27)에 접속된 기능 확장 유닛에 구비되는 메모리에 기입된 후, 그 프로그램 코드의 지시에 기초하여, 그 기능 확장 보드나 기능 확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 실시 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.After the program code read from the storage medium is written into the memory provided in the function expansion board inserted into the controller 27 or the function expansion unit connected to the controller 27, A CPU or the like provided in the function expansion board or the function expansion unit performs a part or all of the actual processing and the functions of the above-described embodiments are realized by the processing.

상기 프로그램 코드의 형태는, 오브젝트 코드, 인터프리터에 의해 실행되는 프로그램 코드, OS에 공급되는 스크립트 데이터 등의 형태를 포함해도 된다.The form of the program code may include object code, program code executed by the interpreter, script data supplied to the OS, and the like.

S : 기판
10 : 플라즈마 CVD 성막 장치
13 : ICP 안테나
18 : 규소 함유 가스 공급부
19 : 산소 함유 가스 공급부
20 : 질소 함유 가스 공급부
28, 36, 38, 46 : TFT
31, 43 : 게이트 보호막
31a, 35b, 37b, 39a, 43b : 질화규소막
31b, 35a, 37a, 39b, 43a : 산화규소막
31c : 산질화규소막
32, 40 : 채널
35 : 패시베이션층
37 : 에칭 스토퍼층
39 : 언더 코트층S: substrate
10: Plasma CVD film forming apparatus
13: ICP antenna
18: Silicon-containing gas supply part
19: oxygen-containing gas supply unit
20: Nitrogen-containing gas supply part
28, 36, 38, 46: TFT
31, 43: gate shield
31a, 35b, 37b, 39a, 43b: silicon nitride film
31b, 35a, 37a, 39b, and 43a:
31c: silicon oxynitride film
32, 40: channel
35: Passivation layer
37: etch stopper layer
39: undercoat layer

Claims (14)

산화물 반도체에 접촉함과 함께, 적어도 질화규소막 및 산화규소막을 포함하는 다층 보호막의 형성 방법이며,
염화규소(SiCl4) 가스 또는 불화규소(SiF4) 가스 및 수소 원자를 포함하지 않는 산소 함유 가스를 사용해서 상기 산화규소막을 성막하는 산화규소막 성막 스텝과,
상기 염화규소 가스 또는 상기 불화규소 가스 및 수소 원자를 포함하지 않는 질소 함유 가스를 사용해서 상기 질화규소막을 성막하는 질화규소막 성막 스텝을 갖고,
상기 산화규소막 성막 스텝 및 상기 질화규소막 성막 스텝을 연속해서 실행하는 것을 특징으로 하는, 다층 보호막의 형성 방법.A method for forming a multilayer passivation film comprising at least a silicon nitride film and a silicon oxide film in contact with an oxide semiconductor,
A silicon oxide film forming step of forming the silicon oxide film using a silicon chloride (SiCl 4 ) gas or a silicon fluoride (SiF 4 ) gas and an oxygen-containing gas not containing a hydrogen atom,
And a silicon nitride film forming step of forming the silicon nitride film by using the silicon chloride gas or the silicon fluoride gas and the nitrogen containing gas not containing a hydrogen atom,
Wherein the silicon oxide film forming step and the silicon nitride film forming step are performed successively. 제1항에 있어서,
상기 질화규소막 성막 스텝에 앞서서 상기 산화규소막 성막 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는, 다층 보호막의 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the silicon oxide film forming step is performed prior to the silicon nitride film forming step. 제2항에 있어서,
상기 산화규소막 성막 스텝을 상기 질화규소막 성막 스텝으로 전환할 때, 상기 염화규소 가스 또는 상기 불화규소 가스의 공급을 계속하면서, 상기 산소 함유 가스의 공급을 정지하고, 그 후, 상기 질소 함유 가스의 공급을 개시하는 것을 특징으로 하는, 다층 보호막의 형성 방법.3. The method of claim 2,
The supply of the oxygen-containing gas is stopped while the supply of the silicon chloride gas or the silicon fluoride gas is continued while the silicon oxide film forming step is switched to the silicon nitride film forming step, Wherein the supply of the protective layer is started. 제3항에 있어서,
상기 산화규소막 성막 스텝을 상기 질화규소막 성막 스텝으로 전환할 때, 일단 상기 산화물 반도체가 형성된 기판의 온도를 저하시키는 것을 특징으로 하는, 다층 보호막의 형성 방법.The method of claim 3,
Wherein when the silicon oxide film forming step is switched to the silicon nitride film forming step, the temperature of the substrate on which the oxide semiconductor is once formed is lowered. 제1항에 있어서,
상기 산화규소막 성막 스텝에 앞서서 상기 질화규소막 성막 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는, 다층 보호막의 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the silicon nitride film forming step is performed prior to the silicon oxide film forming step. 제5항에 있어서,
상기 질화규소막 성막 스텝을 상기 산화규소막 성막 스텝으로 전환할 때, 상기 염화규소 가스 또는 상기 불화규소 가스의 공급을 계속하면서, 상기 질소 함유 가스의 공급을 정지하고, 그 후, 상기 산소 함유 가스의 공급을 개시하는 것을 특징으로 하는, 다층 보호막의 형성 방법.6. The method of claim 5,
The supply of the nitrogen-containing gas is stopped while the supply of the silicon chloride gas or the silicon fluoride gas is continued while the silicon nitride film forming step is switched to the silicon oxide film forming step, Wherein the supply of the protective layer is started. 제6항에 있어서,
상기 질화규소막 성막 스텝을 상기 산화규소막 성막 스텝으로 전환할 때, 일단, 상기 산화물 반도체가 형성된 기판의 농도를 저하시키는 것을 특징으로 하는, 다층 보호막의 형성 방법.The method according to claim 6,
Wherein when the silicon nitride film forming step is switched to the silicon oxide film forming step, the concentration of the substrate on which the oxide semiconductor is formed is once lowered. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수소 원자를 포함하지 않는 질소 함유 가스는 질소 가스인 것을 특징으로 하는, 다층 보호막의 형성 방법.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the nitrogen-containing gas containing no hydrogen atom is a nitrogen gas. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수소 원자를 포함하지 않는 산소 함유 가스는 산소 가스인 것을 특징으로 하는, 다층 보호막의 형성 방법.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the oxygen-containing gas containing no hydrogen atom is an oxygen gas. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산화물 반도체는, 인듐, 갈륨 및 아연의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 다층 보호막의 형성 방법.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the oxide semiconductor comprises an oxide of indium, gallium, and zinc. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 다층 보호막은, 트랜지스터 구조에서의 언더 코트층, 게이트 보호막, 스토퍼층 및 패시베이션층 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는, 다층 보호막의 형성 방법.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the multi-layer protective film is at least one of an undercoat layer, a gate protective film, a stopper layer, and a passivation layer in a transistor structure. 산화물 반도체에 접촉함과 함께, 적어도 질소 및 규소를 포함하는 막과 산소 및 규소를 포함하는 막을 포함하는 다층 보호막의 형성 방법이며,
염화규소(SiCl4) 가스 또는 불화규소(SiF4) 가스와, 수소 원자를 포함하지 않는 산소 함유 가스 및 수소 원자를 포함하지 않는 질소 함유 가스 중 적어도 한쪽을 사용하여, 산화규소막, 질화규소막 및 산질화규소막 중 적어도 2개의 막을 포함하는 다층 보호막을 형성하고,
상기 다층 보호막을 구성하는 상기 적어도 2개의 막은 연속된 성막 처리를 실행함으로써 성막되는 것을 특징으로 하는, 다층 보호막의 형성 방법.A method for forming a multilayer passivation film comprising a film containing at least nitrogen and silicon, and a film containing oxygen and silicon, in contact with an oxide semiconductor,
At least one of a silicon chloride (SiCl 4 ) gas or a silicon fluoride (SiF 4 ) gas, an oxygen-containing gas not containing a hydrogen atom and a nitrogen-containing gas not containing a hydrogen atom is used to form a silicon oxide film, A multi-layer protective film including at least two films of silicon oxynitride films,
Wherein the at least two films constituting the multilayer protective film are formed by performing a continuous film forming process. 산화물 반도체에 접촉함과 함께, 적어도 질화 규소막 및 산화규소막을 포함하는 다층 보호막의 형성 장치이며,
염화규소 가스 또는 불화규소 가스를 공급하는 규소 함유 가스 공급부와,
수소 원자를 포함하지 않는 산소 함유 가스를 공급하는 산소 함유 가스 공급부와,
수소 원자를 포함하지 않는 질소 함유 가스를 공급하는 질소 함유 가스 공급부를 구비하고,
상기 염화규소 가스 또는 상기 불화규소 가스 및 상기 산소 함유 가스를 공급해서 상기 산화규소막을 성막하고,
상기 염화규소 가스 또는 상기 불화규소 가스 및 상기 질소 함유 가스를 공급해서 상기 질화규소막을 성막하고,
상기 산화규소막의 성막 및 상기 질화규소막의 성막을 연속해서 실행하는 것을 특징으로 하는, 다층 보호막의 형성 장치.Layer protective film comprising at least a silicon nitride film and a silicon oxide film in contact with an oxide semiconductor,
A silicon-containing gas supply unit for supplying a silicon chloride gas or a silicon fluoride gas,
An oxygen-containing gas supply unit for supplying an oxygen-containing gas not containing hydrogen atoms,
And a nitrogen-containing gas supply unit for supplying a nitrogen-containing gas not containing hydrogen atoms,
Supplying the silicon chloride gas or the silicon fluoride gas and the oxygen-containing gas to form the silicon oxide film,
Supplying the silicon chloride gas or the silicon fluoride gas and the nitrogen-containing gas to form the silicon nitride film,
Wherein the silicon oxide film is formed and the silicon nitride film is formed continuously. 제13항에 있어서,
ICP(Inductively Coupled Plasma) 안테나를 구비하고,
상기 ICP 안테나에 의해 생성된 유도 결합 플라즈마에 의해 상기 산화규소막 및 상기 질화규소막을 성막하는 것을 특징으로 하는, 다층 보호막의 형성 장치.
14. The method of claim 13,
And an ICP (Inductively Coupled Plasma) antenna,
Wherein the silicon oxide film and the silicon nitride film are formed by inductively coupled plasma generated by the ICP antenna.
KR1020140077930A 2013-06-28 2014-06-25 Method of forming multi-layered passivation and apparatus of forming multi-layered passivation KR20150002498A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013136309A JP6232219B2 (en) 2013-06-28 2013-06-28 Method for forming multilayer protective film
JPJP-P-2013-136309 2013-06-28

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170074889A Division KR102047591B1 (en) 2013-06-28 2017-06-14 Method of forming multi-layered passivation and apparatus of forming multi-layered passivation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150002498A true KR20150002498A (en) 2015-01-07

Family

ID=52185967

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140077930A KR20150002498A (en) 2013-06-28 2014-06-25 Method of forming multi-layered passivation and apparatus of forming multi-layered passivation
KR1020170074889A KR102047591B1 (en) 2013-06-28 2017-06-14 Method of forming multi-layered passivation and apparatus of forming multi-layered passivation

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170074889A KR102047591B1 (en) 2013-06-28 2017-06-14 Method of forming multi-layered passivation and apparatus of forming multi-layered passivation

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6232219B2 (en)
KR (2) KR20150002498A (en)
CN (1) CN104250724B (en)
TW (1) TWI665730B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180124779A (en) * 2017-05-12 2018-11-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Film forming method and film forming apparatus

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6523071B2 (en) * 2015-06-19 2019-05-29 東京エレクトロン株式会社 Deposition method using plasma
US11302717B2 (en) * 2016-04-08 2022-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the same
JP6689140B2 (en) 2016-06-17 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 Film forming method and TFT manufacturing method
JP7130548B2 (en) * 2018-07-30 2022-09-05 東京エレクトロン株式会社 Film forming method and film forming apparatus
KR102151101B1 (en) 2018-12-07 2020-09-02 연세대학교 산학협력단 Oxide semiconductor thin film transistor
JP7240946B2 (en) 2019-04-26 2023-03-16 株式会社トリケミカル研究所 Silicon oxide film forming method
CN110429024B (en) * 2019-08-08 2022-04-15 京东方科技集团股份有限公司 Preparation method of interlayer insulating layer and thin film transistor
US11037851B2 (en) 2019-08-30 2021-06-15 Applied Materials, Inc. Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors
JP7333758B2 (en) 2020-01-23 2023-08-25 東京エレクトロン株式会社 Film forming method and film forming apparatus
JP7418703B2 (en) * 2020-07-01 2024-01-22 日新電機株式会社 thin film transistor
JP2022080422A (en) * 2020-11-18 2022-05-30 東京エレクトロン株式会社 Deposition method for silicon nitride film and deposition device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3148183B2 (en) 1998-08-31 2001-03-19 日本電気株式会社 Method for manufacturing semiconductor device
JP2000114257A (en) * 1998-10-06 2000-04-21 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
JP4955848B2 (en) * 2000-02-28 2012-06-20 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Substrate manufacturing method for electronic device
JP2002368084A (en) * 2001-06-12 2002-12-20 Hitachi Ltd Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device
US7696683B2 (en) * 2006-01-19 2010-04-13 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element and the manufacturing method
JP2010087187A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd Silicon oxide film and method of forming the same, computer-readable storage, and plasma cvd apparatus
KR101254986B1 (en) * 2008-09-30 2013-04-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Silicon nitride film and process for production thereof, computer-readable storage medium, and plasma cvd device
JP5679143B2 (en) * 2009-12-01 2015-03-04 ソニー株式会社 Thin film transistor, display device and electronic device
US9490368B2 (en) * 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US8441010B2 (en) * 2010-07-01 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20140002616A (en) * 2010-08-20 2014-01-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Methods for forming a hydrogen free silicon containing dielectric film
JP5604316B2 (en) * 2011-01-19 2014-10-08 株式会社アルバック Deposition method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180124779A (en) * 2017-05-12 2018-11-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Film forming method and film forming apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015012131A (en) 2015-01-19
KR102047591B1 (en) 2019-11-21
CN104250724B (en) 2018-05-29
JP6232219B2 (en) 2017-11-15
TW201515106A (en) 2015-04-16
TWI665730B (en) 2019-07-11
KR20170069991A (en) 2017-06-21
CN104250724A (en) 2014-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102047591B1 (en) Method of forming multi-layered passivation and apparatus of forming multi-layered passivation
KR102084309B1 (en) Film forming method and film forming apparatus
CN107523800B (en) Film forming method and TFT manufacturing method
KR101870491B1 (en) Plasma processing appratus, substrate processing system, fabrication method of thin film transistor, and storage medium
KR101851431B1 (en) Semiconductor device, manufacturing method thereof, and manufacturing apparatus
JP6760439B2 (en) Manufacturing method of thin film and storage medium
KR101926317B1 (en) Film forming method using plasma
KR101760997B1 (en) Plasma processing apparatus, method of manufacturing thin film transistor and storage medium
KR101973233B1 (en) Electronic device, manufacturing method thereof, manufacturing apparatus thereof
JP7130548B2 (en) Film forming method and film forming apparatus
KR102217171B1 (en) Film-forming method and film-forming apparatus
CN107068917B (en) Film forming method and film forming apparatus
CN114517289A (en) Method and apparatus for forming silicon nitride film

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2017101002863; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20170614

Effective date: 20190212