KR20150001569A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20150001569A KR1020130104069A KR20130104069A KR20150001569A KR 20150001569 A KR20150001569 A KR 20150001569A KR 1020130104069 A KR1020130104069 A KR 1020130104069A KR 20130104069 A KR20130104069 A KR 20130104069A KR 20150001569 A KR20150001569 A KR 20150001569A
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이봉문
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 제 1 처리액으로 처리하는 제 1 챔버 및 상기 제 1 챔버의 후방에 배치되고 상기 기판을 제 2 처리액으로 처리하는 제 2 챔버를 포함하되, 상기 제 1 챔버는, 제 1 하우징, 상기 기판을 제1방향으로 반송하는 제 1 반송 유닛 및 길이 방향이 상기 제 1 방향을 따라 제공되고, 상기 기판 상으로 상기 제 1 처리액을 공급하는 제 1 노즐을 가지는 제 1 노즐 유닛을 갖고, 상기 제 2 챔버는, 제 2 하우징, 상기 기판을 상기 제1방향으로 반송하는 제 2 반송 유닛 및 길이 방향이 상기 제 1 방향을 따라 제공되고, 상기 기판 상으로 상기 제 2 처리액을 공급하는 제 2 노즐을 가지는 제 2 노즐 유닛을 갖되, 상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐은 서로 간에 일직선에서 벗어나게 배치될 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미컬을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미컬을 제거하는 세척 공정, 그리고 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다.
도 1은 일반적인 케미컬 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치의 일 예를 보여준다. 도 1을 참조하면, 인접한 챔버 내의 케미컬을 공급하는 노즐들은 기판 이송 방향을 따라 정렬되게 배치된다. 이로 인해, 기판의 영역들 중 노즐과 대응되는 영역과 다른 영역들 간에 세정균일도가 다르다.
본 발명은 기판의 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 세척 공정시 기판에 노즐의 타력을 효과적으로 전달할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 제 1 처리액으로 처리하는 제 1 챔버 및 상기 제 1 챔버의 후방에 배치되고 상기 기판을 제 2 처리액으로 처리하는 제 2 챔버를 포함하되, 상기 제 1 챔버는, 제 1 하우징, 상기 기판을 제1방향으로 반송하는 제 1 반송 유닛 및 길이 방향이 상기 제 1 방향을 따라 제공되고, 상기 기판 상으로 상기 제 1 처리액을 공급하는 제 1 노즐을 가지는 제 1 노즐 유닛을 갖고, 상기 제 2 챔버는, 제 2 하우징, 상기 기판을 상기 제1방향으로 반송하는 제 2 반송 유닛 및 길이 방향이 상기 제 1 방향을 따라 제공되고, 상기 기판 상으로 상기 제 2 처리액을 공급하는 제 2 노즐을 가지는 제 2 노즐 유닛을 갖되, 상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐은 서로 간에 일직선에서 벗어나게 배치될 수 있다.
상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐은 각각 복수 개 제공되고, 상기 제 1 노즐은 상부에서 바라볼 때 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향을 따라 배열되고, 상기 제 2 노즐은 상부에서 바라볼 때 상기 제 2 방향을 따라 배열될 수 있다.
상기 복수 개의 상기 제 1 노즐들과 상기 복수 개의 상기 제 2 노즐들은 각각 일정한 간격으로 서로 이격되게 제공될 수 있다.
상기 제 1 처리액과 상기 제 2 처리액은 동일할 수 있다.
상기 제 1 처리액은 케미컬일 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 제 2 챔버의 후방에 위치되는 세척 챔버를 더 포함하되, 상기 세척 챔버는, 제 3 하우징, 상기 기판을 제1방향으로 반송하는 제 3 반송 유닛 및 상기 기판 상부로 세척액을 공급하는 액 공급 노즐을 가질 수 있다.
상기 액 공급 노즐은 상기 제 2 챔버를 향해 하향 경사지게 제공된 토출구를 가질 수 있다.
상기 액 공급 노즐은 그 길이 방향이 상기 제 1 방향을 따라 제공될 수 있다.
상기 액 공급 노즐은 복수 개 제공될 수 있다.
상기 액 공급 노즐은 스프레이 타입으로 분사될 수 있다.
상기 세척 챔버는, 상기 제 3 하우징 내에서 유입구에 인접하게 배치되고, 상기 제 2 하우징으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 제공된 토출구를 가지고, 상기 기판 상으로 상기 세척액을 분사하는 인샤워나이프 및 상기 인샤워나이프보다 하류에 배치되고, 상기 유입구를 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공된 토출구를 가지고, 상기 기판 상으로 상기 세척액을 분사하는 카운터나이프를 더 포함할 수 있다.
상기 카운터나이프는, 상기 인샤워나이프의 후방에 상기 인샤워나이프와 인접하게 배치될 수 있다.
상기 인샤워나이프와 상기 카운터나이프는 각각 그 길이방향이 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 제공될 수 있다.
상기 인샤워나이프와 상기 카운터나이프는, 상기 제 3 하우징 내에 상기 액 공급 노즐보다 상류에 제공될 수 있다.
상기 인샤워나이프와 상기 카운터나이프는 각각 슬릿 형상의 토출구를 가질 수 있다.
상기 하우징은, 상기 카운터나이프와 상기 액 공급 노즐 사이에 상기 하우징의 하면으로부터 수직하게 연장되며 상기 하우징 내에서 상기 반송 유닛보다 아래 영역을 제 1 영역과 제 2 영역으로 구획하는 격벽, 상기 제 1 영역과 연결된 제 1 배출관, 상기 제 2 영역과 연결된 제 2 배출관울 더 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 액을 저장하는 액 탱크, 상기 액 탱크와 상기 인샤워나이프를 연결하는 제 1 공급라인, 상기 액 탱크와 상기 카운터나이프를 연결하는 제 2 공급라인, 상기 액 탱크와 상기 액 공급 노즐을 연결하는 제 3 공급라인;을 더 포함하되, 상기 제 2 배출관은 상기 제 2 영역과 상기 액 탱크를 연결하고, 상기 제 2 영역 내의 상기 액을 회수하여 재사용할 수 있다.
본 발명은 또한, 다른 실시예의 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치에 있어서, 복수 개의 챔버가 제 1 방향을 따라 배열되고, 상기 복수 개의 챔버 내에는 각각 그 길이 방향이 상기 제 1 방향으로 제공되고, 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 복수 개의 노즐이 제공되고, 상기 인접한 챔버들 간에 상기 노즐은 상부에서 보았을 때, 서로 간에 일직선에서 벗어나게 배치될 수 있다.
상기 복수 개의 노즐은 각각 상부에서 바라볼 때 상기 제 2 방향을 따라 배열될 수 있다.
상기 처리액은 케미컬일 수 있다.
상기 복수 개의 챔버들 중 상기 제1방향의 마지막에 배치된 챔버의 후방에는 세척 챔버가 더 제공되고, 상기 세척 챔버는, 하우징, 기판을 제 1 방향으로 반송시키는 반송 유닛, 상기 기판 상부로 세척액을 공급하는 액 공급 노즐을 가질 수 있다.
상기 액 공급 노즐은 상기 하우징 내의 유입구를 향해 하향 경사지게 제공될 수 있다.
상기 세척 챔버는, 상기 제 3 하우징 내에서 유입구에 인접하게 배치되고, 상기 제 2 하우징으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 제공된 토출구를 가지고, 상기 기판 상으로 상기 세척액을 분사하는 인샤워나이프 및 상기 인샤워나이프보다 하류에 배치되고, 상기 유입구를 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공된 토출구를 가지고, 상기 기판 상으로 상기 세척액을 분사하는 카운터나이프를 더 포함할 수 있다.
상기 인샤워나이프와 상기 카운터나이프는, 상기 제 3 하우징 내에 상기 액 공급 노즐보다 상류에 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 세정 효율이 향상된 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 세척 공정시 기판에 노즐의 타력이 효과적으로 전달될 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 단면도이다.
도 3은 도 2의 제 1 챔버와 제 2 챔버를 상부에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 제 1 반송 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 2의 세척 챔버를 보여주는 도면이다.
도 6은 인샤워나이프와 카운터나이프를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 5의 세척 챔버를 상부에서 바라본 도면이다.
도 8은 종래의 일반적인 세척 챔버에서 케미컬을 제거하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 9와 도 10은 도 5의 세척 챔버에서 케미컬을 제거하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 12는 다른 실시예에 따른 세척 챔버를 보여주는 도면이다.
도 13은 또 다른 실시예에 따른 세척 챔버를 보여주는 도면이다.
도 13과 도 14는 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 15는 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 명확히 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에 기재된 실시예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 본 발명의 사상을 벗어나지 아니하는 수정예 또는 변형예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지의 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 실시예에서 기판(S)은 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판(S)을 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판(S)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼일 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 보여주는 도면이다. 도 3은 도 2의 제 1 챔버(100)와 제 2 챔버(200)의 내부를 상부에서 바라본 평면도이다. 제 1 챔버(100)와 제 2 챔버(200)는 다양한 공정을 수행할 수 있으나, 이하에서는 에칭 공정으로 한정하여 설명한다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 제 1 챔버(100), 제 2 챔버(200), 그리고 세척 챔버(300)를 가진다. 여기서, 제 1 챔버(100), 제 2 챔버(200), 그리고 세척 챔버(300)가 배열된 방향을 제1방향(X)으로 칭한다. 또한, 상부에서 바라볼 때 제1방향(X)에 수직인 방향을 제2방향(Y)으로 칭하고, 제1방향(X)과 제2방향(Y)에 수직인 방향을 제3방향(Z)으로 칭하기로 한다. 각각의 챔버(100, 200, 300) 내에는 유입구(12)와 유출구(14)가 제공된다. 유입구(12)는 하우징(110, 210, 310)의 일측면에 형성된다. 기판(S)은 유입구(12)를 통해 하우징(110, 210, 310) 내로 유입된다. 이와 마주보는 타측면에는 유출구(14)가 제공된다. 기판(S)은 유출구(14)를 통해 하우징(110, 210, 310)으로부터 유출된다.
제 1 챔버(100)는 제 1 에칭 공정을 수행한다. 제 1 챔버(100)는 제 1 하우징(110), 제 1 노즐 유닛(120), 그리고 제 1 반송 유닛(150)을 가진다. 제 1 하우징(110)은 제 1 에칭 공정을 수행하는 공간을 제공한다.
제 1 노즐 유닛(120)은 기판(S) 상에 제 1 처리액을 공급한다. 제 1 노즐 유닛(120)은 복수 개의 제 1 노즐(120a, 120b, 120c)로 제공될 수 있다. 제 1 노즐(120a, 120b, 120c)들은 각각 그 길이 방향이 제1방향(X)으로 제공된다. 제 1 노즐(120a, 120b, 120c)들은 샤프트들의 상부에 배치된다. 도 3을 참조하면, 제 1 노즐(120a, 120b, 120c)들은 상부에서 바라볼 때 서로 간에 제 2 방향(Y)을 따라 배열된다. 도 3과 같이, 복수 개의 제 1 노즐(120a, 120b, 120c)들은 일정한 간격으로 서로 이격되게 제공될 수 있다. 제 1 노즐(120a, 120b, 120c)들은 기판(S)의 상부로 제 1 처리액을 분사한다. 일 예로, 제 1 처리액은 케미컬일 수 있다.
도 4는 도 2의 제 1 반송 유닛(150)을 보여주는 사시도이다. 제 1 반송 유닛(150)은 기판(S)을 제 1 방향(X)으로 반송한다. 제 1 반송 유닛(150)은 공정 챔버들(100, 200, 300) 간에, 그리고 공정 챔버(100, 200, 300) 내에서 기판(S)을 제1방향(X)으로 이동시킨다. 도 4를 참조하면, 제 1 반송 유닛(150)은 복수의 샤프트들(160), 반송 롤러들(170), 그리고 구동부(180)를 가진다.
샤프트들(160)은 제1방향(X)을 따라 배열된다. 각각의 샤프트(160)는 그 길이 방향이 제2방향(Y)으로 제공된다. 샤프트들(160)은 서로 나란하게 배치된다. 샤프트들(160)은 유입구(12)와 인접한 위치에서부터 유출구(14)와 인접한 위치까지 제공된다. 각각의 샤프트(160)에는 그 길이방향을 따라 복수의 반송 롤러들(170)이 고정 결합된다. 샤프트들(160)은 그 중심축을 기준으로 구동부(180)에 의해 회전된다.
반송 롤러(170)는 각각의 샤프트(160)에 복수 개로 제공된다. 반송 롤러(170)는 기판(S)의 저면을 지지한다. 반송 롤러(170)는 그 중심축에 홀이 형성되고, 샤프트(160)는 홀에 끼워진다. 반송 롤러(170)는 샤프트(160)와 함께 회전된다.
구동부(180)는 풀리들(182), 벨트들(184), 그리고 모터(186)를 가진다. 풀리들(182)은 각각의 샤프트(160)의 양단에 각각 결합된다. 서로 다른 샤프트들(160)에 결합되며 서로 인접하게 배치된 풀리들(182)은 벨트(184)에 의해 서로 연결된다. 풀리들(182) 중 어느 하나에는 이를 회전시키는 모터(186)가 결합된다. 상술한, 풀리(182), 벨트(184), 그리고 모터(186)의 조립체에 의해 샤프트들(160)과 반송 롤러들(170)이 회전되고, 기판(S)은 그 하면이 반송 롤러(170)에 접촉된 상태로 샤프트들(160)을 따라 직선 이동된다. 각각의 샤프트(160)는 수평으로 배치되어 기판(S)은 수평 상태로 이송될 수 있다. 선택적으로 각각의 샤프트(160)의 일단과 타단이 상이한 높이로 제공되어, 기판(S)은 경사진 상태로 이송될 수 있다.
제 2 챔버(200)는 제 1 챔버(100)에 인접한 후방에 배치된다. 제 2 챔버(200)는 제 2 에칭 공정을 수행한다. 제 2 챔버(200)는 제 2 하우징(210), 제 2 반송 유닛(250), 그리고 제 2 노즐 유닛(220)을 가진다. 제 2 하우징(210)은 제 2 에칭 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 제 2 반송 유닛(250)은 상술한 제 1 반송 유닛(150)과 대체로 동일 또는 유사한 구조 및 기능을 가진다.
제 2 노즐 유닛(220)은 기판(S) 상에 제 2 처리액을 공급한다. 제 2 노즐 유닛(220)은 복수 개의 제 2 노즐(220a, 220b)로 제공될 수 있다. 제 2 노즐(220a, 220b)은 그 길이 방향이 제1방향(X)으로 제공된다. 제 2 노즐(220a, 220b)은 샤프트들의 상부에 배치된다. 다시, 도 3을 참조하면, 제 2 노즐(220a, 220b)은 상부에서 바라볼 때 제 2 방향(Y)을 따라 배열된다. 제 2 노즐(220a, 220b)은 제 1 노즐(120a, 120b, 120c)과 서로 간에 일직선에서 벗어나게 배치된다. 복수 개의 제 2 노즐(220a, 220b)은 일정한 간격으로 서로 이격되게 제공될 수 있다. 제 2 노즐(220a, 220b)은 기판(S)의 상부로 제 2 처리액을 분사한다. 제 2 처리액은 제 1 처리액과 동일하게 제공될 수 있다. 일 예로, 제 2 처리액은 케미컬일 수 있다. 선택적으로, 제 2 처리액은 제 1 처리액과 다른 종류의 케미컬일 수 있다.
도 5는 세척 챔버(300)의 일 예를 보여준다. 도 6은 인샤워나이프(320)와 카운터나이프(330)를 보여주는 도면이다. 도 7은 도 5의 세척 챔버(300)를 상부에서 바라본 도면이다. 세척 챔버(300)는 제 2 챔버(200)에 인접한 후방에 배치된다. 세척 챔버(300)에서는 기판(S) 상에 잔류하는 케미컬을 세척한다. 도 5를 참조하면, 세척 챔버(300)는 제 3 하우징(310), 제 3 반송 유닛(350), 인샤워나이프(320), 카운터나이프(330), 그리고 액 공급 노즐(340)을 가진다.
제 3 하우징(310)은 세척 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 제 3 하우징(310) 및 제 3 반송 유닛(350)은 상술한 제 1 챔버(100)의 제 1 하우징(110) 및 제 1 반송 유닛(150)과 대체로 동일 또는 유사한 구조 및 기능을 가진다.
인샤워나이프(320)는 기판(S) 상으로 세척액을 분사한다. 일 예로, 세척액은 순수일 수 있다. 도 5를 참조하면, 인샤워나이프(320)는 세척 챔버(300) 내에서 유입구(12)에 인접하게 배치될 수 있다. 도 7과 같이, 인샤워나이프(320)는 그 길이 방향이 제 2 방향(Y)을 따라 제공될 수 있다. 인샤워나이프(320)는 제 2 하우징(200)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖는다. 인샤워나이프(320)는 기판(S) 상에 순수를 공급하여, 기판(S) 상에 잔존하는 케미컬을 제 1 방향(X)으로 밀어낸다.
카운터나이프(330)는 인샤워나이프(320)보다 하류에 배치된다. 카운터나이프(330)는 인샤워나이프(320)의 후방에 인샤워나이프(320)와 인접하게 배치될 수 있다. 카운터나이프(330)는 그 길이 방향이 제 2 방향(Y)을 따라 제공될 수 있다. 카운터나이프(330)는 기판(S) 상으로 세척액을 분사한다. 일 예로, 세척액은 순수일 수 있다. 카운터나이프(330)는 유입구(12)를 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖는다.
액 공급 노즐(340)은 제 3 하우징(300) 내에 배치된다. 액 공급 노즐(340)은 인샤워나이프(320)와 카운터나이프(330)보다 하류에 배치된다. 액 공급 노즐(340)은 기판(S) 상부로 세척액을 공급한다. 일 예로, 세척액은 순수일 수 있다. 액 공급 노즐(340)은 그 길이 방향이 제 1 방향(X)을 따라 제공된다. 도 7을 참조하면, 액 공급 노즐(340)은 복수 개 제공될 수 있다. 복수 개의 액 공급 노즐(340)은 상부에서 바라볼 때 제 2 방향(Y)을 따라 배치된다. 복수 개의 액 공급 노즐(340)은 서로 이격되게 배치될 수 있다. 액 공급 노즐(340)은 제 2 챔버(200)를 향해 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖는다. 기판(S) 상에 순수를 경사지게 공급함으로써, 기판(S) 상에서 순수를 밀어낼 수 있다. 따라서, 기판(S) 상에 순수가 잔류하는 것을 방지한다. 따라서, 기판(S) 상에 액 공급 노즐(340)의 타력이 직접 전달될 수 있다. 따라서, 세척 과정이 효과적으로 진행될 수 있다.
도 8은 종래의 일반적인 케미컬 제거 과정을 보여준다. 종래의 세척 챔버(300)는 일반적으로 인샤워나이프(320)와 액 공급 노즐(340)을 포함한다. 도 9와 도 10은 도 5의 세첨 챔버(300)로 케미컬을 제거하는 과정을 보여주는 도면이다. 도 8과 같이 인샤워나이프(320)와 액 공급 노즐(340)만이 제공되는 경우, 인샤워나이프(320)로 인해 기판(S) 상의 케미컬이 제 1 방향(X)으로 밀려나게 된다. 따라서, 액 공급 노즐(340)이 기판(S) 상에 세척액을 공급할 때, 두껍게 형성된 케미컬 층으로 인해 기판(S) 상에 전달되는 액 공급 노즐(340)의 타력이 줄어들게 된다. 또한, 기판(S) 상에 잔류하는 케미컬과 기판(S) 상에 공급된 세척액이 혼합되어 잔류하여, 기판(S)의 식각이 진행된다. 이와 달리, 도 9를 참조하면, 인샤워나이프(320)에 의해 밀려난 케미컬은 카운터나이프(330)에 의해, 제 1 방향(X)을 따라 흐를 수 없게 된다. 따라서, 기판 (S) 상의 케미컬 층은 얇아지게 되어, 액 공급 노즐(340)은 기판(S) 상에 타력을 효과적으로 전달할 수 있다. 또한, 기판(S) 상에 세척액과 혼합된 잔류 케미컬 양이 줄어들게 되어, 기판(S)이 식각되는 양을 줄일 수 있다. 도 10과 같이, 기판(S)은 제 1 방향(X)을 따라 계속적으로 반송되고, 케미컬은 기판(S) 상에서부터 분리되어 제거된다.
도 11은 다른 실시예에 따른 세척 챔버(400)를 보여준다. 세척 챔버(400)는 액 탱크(405), 하우징(410), 인샤워나이프(420), 제 1 공급라인(425), 카운터나이프(430), 제 2 공급라인(435), 액 공급 노즐(440), 제 3 공급라인(445), 그리고 반송 유닛(450)을 갖는다. 인샤워나이프(420), 카운터나이프(430), 액 공급 노즐(440), 그리고 반송 유닛(450)은 도 5의 인샤워나이프(320), 카운터나이프(330), 액 공급 노즐(340), 그리고 제 3 반송 유닛(350)과 대체로 동일 또는 유사한 구조 및 기능을 갖는다.
액 탱크(405)는 액을 저장한다. 제 1 공급라인(425)는 액 탱크(405)와 인샤워나이프(420)을 연결한다. 제 2 공급라인(435)는 액 탱크(405)와 카운터나이프(430)을 연결한다. 제 3 공급라인(435)는 액 탱크(405)와 액 공급 노즐(440)을 연결한다.
하우징(410)은 격벽(412), 제 1 배출관(414), 그리고 제 2 배출관(416)을 갖는다. 격벽(412)은 카운터나이프(430)와 액 공급 노즐(440) 사이에서 하우징(410)의 하면으로부터 수직하게 연장된다. 격벽(412)은 하우징(410) 내의 반송 유닛(450)보다 아래 영역을 제 1 영역(D1)과 제 2 영역(D2)으로 구획한다. 제 1 영역(D1)은 인샤워나이프(420) 및 카운터나이프(430)와 대응되는 영역이다. 제 1 영역(D1)에서는 공정 처리에 사용된 액을 하우징(410) 외부로 배출한다. 제 2 영역(D2)은 액 공급 노즐(440)과 대응되는 영역이다. 제 2 영역(D2)은 공정 처리에 사용된 액을 회수하여 재사용한다. 제 1 배출관(414)은 제 1 영역(D1)과 연결된다. 제 1 배출관(414)은 제 1 영역(D1) 내의 액을 하우징(410)의 외부로 배출시킨다. 제 2 배출관(416)은 제 2 영역(D2)과 연결된다. 일 예에 의하면, 도 11과 같이, 제 2 배출관(416)은 제 2 영역(D2)과 액 탱크(405)를 연결할 수 있다. 제 2 배출관(416)을 통해, 제 2 영역(D2) 내의 액을 회수하여 재사용할 수 있다. 선택적으로, 도 12와 같이, 인샤워나이프(420), 카운터나이프(430), 그리고 액 공급 노즐(440)은 인접한 복수 개의 챔버(400, 500) 내에 나누어 제공될 수 있다.
도 13과 도 14는 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(2000)를 보여주는 도면이다. 도 15는 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(3000)를 보여주는 도면이다. 기판 처리 장치(2000)는 복수 개의 챔버(1100, 1200, 1300, 1400)를 갖는다. 도 13과 도 14를 참조하면, 제 1 챔버(1100), 제 2 챔버(1200), 제 3 챔버(1300), 그리고 제 4 챔버(1400)가 제 1 방향(X)을 따라 배치된다. 제 1 챔버(1100), 제 2 챔버(1200), 제 3 챔버(1300), 그리고 제 4 챔버(1400)에는 각각 복수 개의 노즐이 제공된다. 제 1 챔버(1100) 내 제공되는 제 1 노즐(1120) 및 제 2 챔버(1200) 내 제공되는 제 2 노즐(1220)은 도 3의 제 1 노즐(120) 및 제 2 노즐(220)과 동일 또는 유사한 구조 및 기능을 가진다. 제 3 챔버(1300) 내 제공되는 제 3 노즐(1320)은 제 1 챔버(1100) 내 제공되는 제 1 노즐(1120)과 동일 또는 유사한 구조 및 기능을 가진다. 인접한 챔버(1100, 1200, 1300, 1400) 내에 배치된 노즐은 상부에서 바라볼 때, 서로 간에 일직선에서 벗어나게 배치된다. 도 9를 참조하면, 제 1 노즐(1120a, 1120b, 1120c)은 제 2 노즐(1220a, 1220b, 1220c)과, 제 2 노즐(1220a, 1220b, 1220c)은 제 3 노즐(1320a, 1320b, 1320c)과 일직선에서 벗어나게 배치된다. 이와 달리, 도 15와 같이 배열될 수도 있다.
상술한 예들에서는 기판(S)에 대한 에칭 공정 후 세척 공정이 이루어지도록 설명하였다. 그러나 이와 달리 공정의 시기와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 또한, 상술한 예들에서는 노즐 유닛이 계속적으로 이루어지는 장치 내에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판(S)에 대해 스팀 부재 또는 브러쉬 부재 등이 더 제공될 수 있다. 이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
100 : 제 1 챔버 200 : 제 2 챔버
300 : 세척 챔버 120 : 제 1 노즐
220 : 제 2 노즐 320 : 인샤워나이프
330 : 카운터나이프 340 : 액 공급 노즐
12 : 유입구 14 : 유출구

Claims (26)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    기판을 제 1 처리액으로 처리하는 제 1 챔버; 및
    상기 제 1 챔버의 후방에 배치되고 상기 기판을 제 2 처리액으로 처리하는 제 2 챔버를 포함하되,
    상기 제 1 챔버는,
    제 1 하우징;
    상기 기판을 제1방향으로 반송하는 제 1 반송 유닛; 및
    길이 방향이 상기 제 1 방향을 따라 제공되고, 상기 기판 상으로 상기 제 1 처리액을 공급하는 제 1 노즐을 가지는 제 1 노즐 유닛;을 갖고,
    상기 제 2 챔버는,
    제 2 하우징;
    상기 기판을 상기 제1방향으로 반송하는 제 2 반송 유닛; 및
    길이 방향이 상기 제 1 방향을 따라 제공되고, 상기 기판 상으로 상기 제 2 처리액을 공급하는 제 2 노즐을 가지는 제 2 노즐 유닛;을 갖되,
    상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐은 서로 간에 일직선에서 벗어나게 배치되는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐은 각각 복수 개 제공되고,
    상기 제 1 노즐은 상부에서 바라볼 때 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향을 따라 배열되고,
    상기 제 2 노즐은 상부에서 바라볼 때 상기 제 2 방향을 따라 배열되는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수 개의 상기 제 1 노즐들과 상기 복수 개의 상기 제 2 노즐들은 각각 일정한 간격으로 서로 이격되게 제공되는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 처리액과 상기 제 2 처리액은 동일한, 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 처리액은 케미컬인, 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 제 2 챔버의 후방에 위치되는 세척 챔버를 더 포함하되,
    상기 세척 챔버는,
    제 3 하우징;
    상기 기판을 상기 제 1 방향으로 반송하는 제 3 반송 유닛; 및
    상기 기판 상부로 세척액을 공급하는 액 공급 노즐을 갖는. 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 액 공급 노즐은 상기 제 2 챔버를 향해 하향 경사지게 제공된 토출구를 가지는, 기판 처리 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 액 공급 노즐은 그 길이 방향이 상기 제 1 방향을 따라 제공되는, 기판 처리 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 액 공급 노즐은 복수 개 제공되는, 기판 처리 장치.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 액 공급 노즐은 스프레이 타입으로 상기 세척액을 분사하도록 제공되는, 기판 처리 장치.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 세척 챔버는,
    상기 제 3 하우징 내에서 유입구에 인접하게 배치되고, 상기 제 2 하우징으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 제공된 토출구를 가지고, 상기 기판 상으로 상기 세척액을 분사하는 인샤워나이프; 및
    상기 인샤워나이프보다 하류에 배치되고, 상기 유입구를 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공된 토출구를 가지고, 상기 기판 상으로 상기 세척액을 분사하는 카운터나이프를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 카운터나이프는,
    상기 인샤워나이프의 후방에 상기 인샤워나이프와 인접하게 배치되는, 기판 처리 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 인샤워나이프와 상기 카운터나이프는 각각 그 길이방향이 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로 제공되는, 기판 처리 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 인샤워나이프와 상기 카운터나이프는, 상기 제 3 하우징 내에 상기 액 공급 노즐보다 상류에 제공되는, 기판 처리 장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 인샤워나이프와 상기 카운터나이프는 각각 슬릿 형상의 토출구를 갖는, 기판 처리 장치.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 하우징은,
    상기 카운터나이프와 상기 액 공급 노즐 사이에 상기 하우징의 하면으로부터 수직하게 연장되며 상기 하우징 내에서 상기 반송 유닛보다 아래 영역을 제 1 영역과 제 2 영역으로 구획하는 격벽;
    상기 제 1 영역과 연결된 제 1 배출관;
    상기 제 2 영역과 연결된 제 2 배출관;을 더 포함하되,
    상기 제 1 영역은 상기 인샤워나이프와 상기 카운터나이프에 해당되는 영역이고, 상기 제 2 영역은 상기 액 공급 노즐과 대응되는 영역인, 기판 처리 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 액을 저장하는 액 탱크;
    상기 액 탱크와 상기 인샤워나이프를 연결하는 제 1 공급라인;
    상기 액 탱크와 상기 카운터나이프를 연결하는 제 2 공급라인;
    상기 액 탱크와 상기 액 공급 노즐을 연결하는 제 3 공급라인;을 더 포함하되,
    상기 제 2 배출관은 상기 제 2 영역과 상기 액 탱크를 연결하고, 상기 제 2 영역 내의 상기 액을 회수하여 재사용하는, 기판 처리 장치.
  18. 기판 처리 장치에 있어서,
    복수 개의 챔버가 제 1 방향을 따라 배열되고,
    상기 복수 개의 챔버 내에는 각각 그 길이 방향이 상기 제 1 방향으로 제공되고, 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 복수 개의 노즐이 제공되고,
    상기 인접한 챔버들 간에 상기 복수 개의 노즐들은 상부에서 보았을 때, 서로 간에 일직선에서 벗어나게 배치되는 기판 처리 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 복수 개의 노즐들은 각각 상부에서 바라볼 때 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향을 따라 배열되는, 기판 처리 장치.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 처리액은 케미컬인, 기판 처리 장치.
  21. 제 18 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수 개의 챔버들 중 상기 제1방향의 마지막에 배치된 챔버의 후방에는 세척 챔버가 더 제공되고,
    상기 세척 챔버는 상기 기판 상부로 세척액을 공급하는 액 공급 노즐을 갖는. 기판 처리 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 액 공급 노즐은 상기 챔버를 향해 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖는, 기판 처리 장치.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 액 공급 노즐은 스프레이 타입으로 상기 세척액을 분사하도록 제공되는, 기판 처리 장치.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 세척 챔버는,
    상기 챔버로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 제공된 토출구를 가지고, 상기 기판 상으로 상기 세척액을 분사하는 인샤워나이프; 및
    상기 인샤워나이프보다 하류에 배치되고, 상기 챔버를 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공된 토출구를 가지고, 상기 기판 상으로 상기 세척액을 분사하는 카운터나이프를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 인샤워나이프와 상기 카운터나이프는, 상기 액 공급 노즐보다 상류에 제공되는, 기판 처리 장치.
  26. 제 24 항에 있어서,
    상기 인샤워나이프와 상기 카운터나이프는 각각 슬릿 형상의 토출구를 갖는, 기판 처리 장치.
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