KR20140144534A - 기판 처리 장치 및 플라즈마 발생 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 플라즈마 발생 방법 Download PDF

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KR20140144534A
KR20140144534A KR20130066627A KR20130066627A KR20140144534A KR 20140144534 A KR20140144534 A KR 20140144534A KR 20130066627 A KR20130066627 A KR 20130066627A KR 20130066627 A KR20130066627 A KR 20130066627A KR 20140144534 A KR20140144534 A KR 20140144534A
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 플라즈마 발생 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판을 처리하는 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지 어셈블리; 상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 상기 챔버에 공급된 가스로부터 플라즈마를 발생시키기 위한 RF 신호를 생성하는 RF 전원; 상기 RF 신호의 파형을 변경하는 파형 변경기; 및 상기 파형이 변경된 RF 신호를 인가받는 플라즈마 소스;를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 플라즈마 발생 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR GENERATING PLASMA}
본 발명은 기판 처리 장치 및 플라즈마 발생 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 제조 공정 중 에칭 또는 애싱 공정에 플라즈마를 생성하는 챔버가 사용될 수 있으며, 기판은 상기 플라즈마를 이용하여 에칭 또는 애싱 처리될 수 있다.
에칭 공정의 효율을 높이기 위해서는 높은 에칭 레이트가 요구된다. 종래에는 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 타입의 플라즈마 소스를 이용하는 경우, 챔버에 설치되는 접지 전극의 면적을 증가시켜 RF 전원에 연결되는 전원 전극에서의 셀프 DC 바이어스(self DC bias)를 증가시키거나, 전원 전극에 공급되는 저주파수의 RF 전력을 일정 수준 이상으로 증가시켜 에칭 레이트를 높였다.
하지만, 이와 같은 종래의 방법은 플라즈마 소스에 공급되는 전력 그 자체를 높이거나 챔버의 다른 구조물에 의존하기 때문에 사용에 제약이 따르는 문제가 있었다.
본 발명의 실시예는 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 기판 처리 장치 및 플라즈마 발생 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판을 처리하는 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지 어셈블리; 상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 챔버 내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함하며, 상기 플라즈마 발생 유닛은: RF 신호를 생성하는 RF 전원; 상기 RF 신호의 파형을 변경하는 파형 변경기; 및 상기 파형이 변경된 RF 신호를 인가받는 플라즈마 소스;를 포함할 수 있다.
상기 RF 전원은: 기 설정된 주파수의 정현파를 생성할 수 있다.
상기 RF 전원은: 각기 서로 다른 주파수의 정현파를 생성하는 다수의 서브전원을 포함할 수 있다.
상기 다수의 서브전원은: 기 설정된 제 1 주파수의 정현파를 생성하는 제 1 서브전원; 기 설정된 제 2 주파수의 정현파를 생성하는 제 2 서브전원; 및 기 설정된 제 3 주파수의 정현파를 생성하는 제 3 서브전원을 포함하며, 상기 제 1 주파수는 상기 제 2 주파수보다 낮고, 상기 제 2 주파수는 상기 제 3 주파수보다 낮을 수 있다.
상기 파형 변경기는: 상기 RF 신호에 직류 전압을 추가하여 상기 RF 신호를 오프셋시킬 수 있다.
상기 파형 변경기는: 크기가 상기 RF 신호의 진폭보다 작거나 같은 음 또는 양의 직류 전압을 상기 RF 신호에 추가할 수 있다.
상기 파형 변경기는: 상기 RF 신호를 정류하여 한 방향으로 흐르는 RF 신호를 제공할 수 있다.
상기 파형 변경기는: 상기 RF 신호를 음의 방향으로 반파 또는 전파 정류할 수 있다.
상기 플라즈마 소스는: RF 신호를 인가받아 전기장을 생성하는 전극을 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 소스는: RF 신호를 인가받아 자기장을 유도하는 코일을 포함할 수 있다.
상기 파형 변경기는: 상기 제 1 서브전원에서 생성된 정현파의 파형을 변경할 수 있다.
상기 제 1 주파수는 350 KHz 내지 4 MHz일 수 있다.
상기 파형 변경기는: 상기 제 2 서브전원 및 상기 제 3 서브전원 중 적어도 하나에서 생성된 정현파의 파형을 변경할 수 있다.
상기 제 2 주파수는 12 MHz보다 크거나 같을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 방법은, 챔버에 가스를 공급하는 단계; RF 신호를 생성하는 단계; 및 상기 RF 신호의 파형을 변경하여 플라즈마 소스로 인가하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 RF 신호를 생성하는 단계는: 기 설정된 주파수의 정현파를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 RF 신호의 파형을 변경하여 플라즈마 소스로 인가하는 단계는: 상기 RF 신호에 직류 전압을 추가하여 상기 RF 신호를 오프셋시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 RF 신호를 오프셋시키는 단계는: 크기가 상기 RF 신호의 진폭보다 작거나 같은 음 또는 양의 직류 전압을 상기 RF 신호에 추가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 RF 신호의 파형을 변경하여 플라즈마 소스로 인가하는 단계는: 상기 RF 신호를 정류하여 한 방향으로 흐르는 RF 신호를 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 RF 신호를 정류하여 한 방향으로 흐르는 RF 신호를 인가하는 단계는: 상기 RF 신호를 음의 방향으로 반파 또는 전파 정류하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 챔버의 다른 구조물에 의존하거나 플라즈마 소스에 공급되는 전력을 증가시키지 않더라도 기판 처리 공정의 효율을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 예시적인 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 사용되는 플라즈마 발생 유닛의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 RF 전원이 생성하는 RF 신호의 파형을 예시적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 파형이 변경된 RF 신호를 예시적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따라 파형이 변경된 RF 신호를 예시적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 파형이 변경된 RF 신호를 예시적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 파형이 변경된 RF 신호를 예시적으로 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 유닛의 동작을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 방법을 설명하는 예시적인 흐름도이다.
본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 예시적인 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지 어셈블리(200), 샤워 헤드(300), 가스 공급 유닛(400), 배플 유닛(500) 그리고 플라즈마 발생 유닛을 포함할 수 있다.
챔버(100)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공할 수 있다. 챔버(100)는 내부에 처리 공간을 가지고, 밀폐된 형상으로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 접지될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성될 수 있다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결될 수 있다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 챔버(100)의 내부는 소정 압력으로 감압될 수 있다.
일 예에 의하면, 챔버(100) 내부에는 라이너(130)가 제공될 수 있다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측면과 접촉하도록 제공될 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측벽을 보호하여 챔버(100)의 내측벽이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 챔버(100)의 내측벽에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 선택적으로, 라이너(130)는 제공되지 않을 수도 있다.
챔버(100)의 내부에는 기판 지지 어셈블리(200)가 위치할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(200)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(200)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판 지지 어셈블리(200)는 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 기판 지지 어셈블리(200)에 대하여 설명한다.
기판 지지 어셈블리(200)는 정전 척(210), 하부 커버(250) 그리고 플레이트(270)를 포함할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(200)는 챔버(100) 내부에서 챔버(100)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치할 수 있다.
정전 척(210)은 유전판(220), 몸체(230) 그리고 포커스 링(240)을 포함할 수 있다. 정전 척(210)은 기판(W)을 지지할 수 있다.
유전판(220)은 정전 척(210)의 상단에 위치할 수 있다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓일 수 있다. 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 때문에, 기판(W)의 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치할 수 있다.
유전판(220)은 내부에 제 1 전극(223), 히터(225) 그리고 제 1 공급 유로(221)를 포함할 수 있다. 제 1 공급 유로(221)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공될 수 있다. 제 1 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수 개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공될 수 있다.
제 1 전극(223)은 제 1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 이다. 제 1 전원(223a)은 직류 전원을 포함할 수 있다. 제 1 전극(223)과 제 1 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치될 수 있다. 제 1 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제 1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON)되면, 제 1 전극(223)에는 직류 전류가 인가될 수 있다. 제 1 전극(223)에 인가된 전류에 의해 제 1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착될 수 있다.
히터(225)는 제 1 전극(223)의 하부에 위치할 수 있다. 히터(225)는 제 2 전원(225a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 히터(225)는 제 2 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킬 수 있다. 발생된 열은 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달될 수 있다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지될 수 있다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다.
유전판(220)의 하부에는 몸체(230)가 위치할 수 있다. 유전판(220)의 저면과 몸체(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 몸체(230)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 몸체(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착될 수 있다. 몸체(230)는 내부에 제 1 순환 유로(231), 제 2 순환 유로(232) 그리고 제 2 공급 유로(233)가 형성될 수 있다.
제 1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제 1 순환 유로(231)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제 1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제 1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제 1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다.
제 2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제 2 순환 유로(232)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제 2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제 2 순환 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 제 2 순환 유로(232)는 제 1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제 2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다. 제 2 순환 유로(232)는 제 1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.
제 2 공급 유로(233)는 제 1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 몸체(230)의 상면으로 제공될 수 있다. 제 2 공급 유로(243)는 제 1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제 1 순환 유로(231)와 제 1 공급 유로(221)를 연결할 수 있다.
제 1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결될 수 있다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장될 수 있다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함할 수 있다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함할 수 있다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제 1 순환 유로(231)에 공급되며, 제 2 공급 유로(233)와 제 1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급될 수 있다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 할 수 있다.
제 2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킬 수 있다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제 2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제 2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 몸체(230)를 냉각할 수 있다. 몸체(230)는 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킬 수 있다.
몸체(230)는 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 몸체(230) 전체가 금속판으로 제공될 수 있다. 몸체(230)는 제 3 전원(235a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제 3 전원(235a)은 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 고주파 전원은 RF 전원으로 제공될 수 있다. 몸체(230)는 제 3 전원(235a)으로부터 고주파 전력을 인가받을 수 있다. 이로 인하여 몸체(230)는 전극으로서 기능할 수 있다.
포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치될 수 있다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 상면과 동일 높이에 위치될 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W)의 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 포커스 링(240)은 기판(W)의 전체 영역에서 플라즈마의 밀도가 균일하게 분포하도록 전자기장을 제어할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라즈마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.
하부 커버(250)는 기판 지지 어셈블리(200)의 하단부에 위치할 수 있다. 하부 커버(250)는 챔버(100)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치할 수 있다. 하부 커버(250)는 상면이 개방된 공간(255)이 내부에 형성될 수 있다. 하부 커버(250)의 외부 반경은 몸체(230)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다. 리프트 핀 모듈(미도시)은 하부 커버(250)로부터 일정 간격 이격되어 위치할 수 있다. 하부 커버(250)의 저면은 금속 재질로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)은 공기가 제공될 수 있다. 공기는 절연체보다 유전율이 낮으므로 기판 지지 어셈블리(200) 내부의 전자기장을 감소시키는 역할을 할 수 있다.
하부 커버(250)는 연결 부재(253)를 가질 수 있다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면과 챔버(100)의 내측벽을 연결할 수 있다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면에 일정한 간격으로 복수 개 제공될 수 있다. 연결 부재(253)는 기판 지지 어셈블리(200)를 챔버(100) 내부에서 지지할 수 있다. 또한, 연결 부재(253)는 챔버(100)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(250)가 전기적으로 접지되도록 할 수 있다. 제 1 전원(223a)과 연결되는 제 1 전원라인(223c), 제 2 전원(225a)과 연결되는 제 2 전원라인(225c), 제 3 전원(235a)과 연결되는 제 3 전원라인(235c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c) 등은 연결 부재(253)의 내부 공간(255)을 통해 하부 커버(250) 내부로 연장될 수 있다.
정전 척(210)과 하부 커버(250)의 사이에는 플레이트(270)가 위치할 수 있다. 플레이트(270)는 하부 커버(250)의 상면을 덮을 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)에 상응하는 단면적으로 제공될 수 있다. 플레이트(270)는 절연체를 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 플레이트(270)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)와 하부 커버(250)의 전기적 거리를 증가시키는 역할을 할 수 있다.
샤워 헤드(300)는 챔버(100) 내부에서 기판 지지 어셈블리(200)의 상부에 위치할 수 있다. 샤워 헤드(300)는 기판 지지 어셈블리(200)와 대향하도록 위치할 수 있다.
샤워 헤드(300)는 가스 분산판(310)과 지지부(330)를 포함할 수 있다. 가스 분산판(310)은 챔버(100)의 상면에서 하부로 일정거리 이격되어 위치할 수 있다. 가스 분산판(310)과 챔버(100)의 상면은 그 사이에 일정한 공간이 형성될 수 있다. 가스 분산판(310)은 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)의 저면은 플라즈마에 의한 아크 발생을 방지하기 위하여 그 표면이 양극화 처리될 수 있다. 가스 분산판(310)의 단면은 기판 지지 어셈블리(200)와 동일한 형상과 단면적을 가지도록 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)은 복수 개의 분사홀(311)을 포함할 수 있다. 분사홀(311)은 가스 분산판(310)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통할 수 있다. 가스 분산판(310)은 금속 재질을 포함할 수 있다. 가스 분산판(310)은 제 4 전원(351)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제 4 전원(351)은 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 가스 분산판(310)은 전기적으로 접지될 수도 있다. 가스 분산판(310)은 제 4 전원(351)과 전기적으로 연결되거나, 접지되어 전극으로서 기능할 수 있다.
지지부(330)는 가스 분산판(310)의 측부를 지지할 수 있다. 지지부(330)는 상단이 챔버(100)의 상면과 연결되고, 하단이 가스 분산판(310)의 측부와 연결될 수 있다. 지지부(330)는 비금속 재질을 포함할 수 있다.
가스 공급 유닛(400)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(400)은 가스 공급 노즐(410), 가스 공급 라인(420), 그리고 가스 저장부(430)를 포함할 수 있다. 가스 공급 노즐(410)은 챔버(100)의 상면 중앙부에 설치될 수 있다. 가스 공급 노즐(410)의 저면에는 분사구가 형성될 수 있다. 분사구는 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(420)은 가스 공급 노즐(410)과 가스 저장부(430)를 연결할 수 있다. 가스 공급 라인(420)은 가스 저장부(430)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(410)에 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(420)에는 밸브(421)가 설치될 수 있다. 밸브(421)는 가스 공급 라인(420)을 개폐하며, 가스 공급 라인(420)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절할 수 있다.
배플 유닛(500)은 챔버(100)의 내측벽과 기판 지지 어셈블리(200)의 사이에 위치될 수 있다. 배플(510)은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 배플(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성될 수 있다. 챔버(100) 내에 제공된 공정 가스는 배플(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기될 수 있다. 배플(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정 가스의 흐름이 제어될 수 있다.
플라즈마 발생 유닛은 챔버(100) 내 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킬 수 있다. 상기 플라즈마 발생 유닛은 용량 결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma) 타입의 플라즈마 소스를 사용할 수 있다. CCP 타입의 플라즈마 소스가 사용되는 경우, 챔버(100)의 내부에 상부 전극 및 하부 전극이 포함될 수 있다. 상부 전극 및 하부 전극은 챔버(100)의 내부에서 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파 전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 이 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정이 수행될 수 있다. 일 예에 의하면, 상부 전극은 샤워 헤드(300)로 제공되고, 하부 전극은 몸체(230)로 제공될 수 있다. 하부 전극에는 고주파 전력이 인가되고, 상부 전극은 접지될 수 있다. 이와 달리, 상부 전극과 하부 전극에 모두 고주파 전력이 인가될 수도 있다. 이로 인하여 상부 전극과 하부 전극 사이에 전자기장이 발생될 수 있다. 발생된 전자기장은 챔버(100) 내부로 제공된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킬 수 있다.
이하, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명하도록 한다.
기판 지지 어셈블리(200)에 기판(W)이 놓이면, 제 1 전원(223a)으로부터 제 1 전극(223)에 직류 전류가 인가될 수 있다. 제 1 전극(223)에 인가된 직류 전류에 의해 제 1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 정전 척(210)에 흡착될 수 있다.
기판(W)이 정전 척(210)에 흡착되면, 가스 공급 노즐(410)을 통하여 챔버(100) 내부에 공정 가스가 공급될 수 있다. 공정 가스는 샤워 헤드(300)의 분사홀(311)을 통하여 챔버(100)의 내부 영역으로 균일하게 분사될 수 있다. 제 3 전원(235a)에서 생성된 고주파 전력은 하부 전극으로 제공되는 몸체(230)에 인가될 수 있다. 상부 전극으로 제공되는 샤워 헤드의 분사판(310)은 접지될 수 있다. 상부 전극과 하부 전극 사이에는 전자기력이 발생할 수 있다. 전자기력은 기판 지지 어셈블리(200)와 샤워 헤드(300) 사이의 공정 가스를 플라즈마로 여기시킬 수 있다. 플라즈마는 기판(W)으로 제공되어 기판(W)을 처리할 수 있다. 플라즈마는 식각 공정을 수행할 수 있다.
도 1에 도시된 기판 처리 장치(10)는 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 타입의 플라즈마 소스(예컨대, 챔버 내에 설치된 전극)를 이용하여 챔버(100) 내에 전기장을 생성함으로써 플라즈마를 생성하였다. 하지만, 기판 처리 장치(10)는 이에 제한되지 않고 실시예에 따라 ICP(Inductively Coupled Plasma) 타입의 플라즈마 소스(예컨대, 챔버의 외부 또는 내부에 설치되는 코일)를 이용하여 자기장을 유도함으로써 플라즈마를 생성할 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)에 사용되는 플라즈마 발생 유닛의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 발생 유닛은 RF 전원(610) 및 파형 변경기(620)를 포함할 수 있다. 상기 RF 전원(610)은 RF 신호를 생성할 수 있다. 상기 파형 변경기(620)는 상기 RF 신호의 파형을 변경할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 RF 전원(610)은 기 설정된 주파수를 갖는 정현파를 생성할 수 있으나, RF 신호의 파형은 이에 제한되지 않고 톱니파, 삼각파 등 다양한 파형을 가질 수 있다. 상기 RF 신호의 주파수는 350 KHz 내지 300 MHz일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
도 2에 도시된 실시예는 하나의 RF 전원(610)을 포함하지만, 실시예에 따라 상기 RF 전원은 각기 서로 다른 주파수의 정현파를 생성하는 다수의 서브전원을 포함할 수도 있다.
상기 파형 변경기(620)는 RF 전원(610)에서 생성된 RF 신호의 파형을 변경할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 RF 전원(610)이 생성하는 RF 신호의 파형을 예시적으로 나타내는 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 RF 전원(610)은 기 설정된 주파수를 갖는 정현파를 생성하여 출력할 수 있다. 또한, 상기 RF 전원(610)은 양의 진폭(A+)과 음의 진폭(A-)이 동일한 RF 신호를 출력할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 파형이 변경된 RF 신호를 예시적으로 나타내는 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 파형 변경기(620)는 RF 신호에 직류 전압을 추가하여 RF 신호를 오프셋시킬 수 있다.
예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 파형 변경기(620)는 RF 신호에 음의 직류 전압(Voffset -)을 추가하여 RF 신호를 음의 방향으로 오프셋시킬 수 있다. 그 결과, 파형이 변경된 RF 신호는 음의 성분이 더 높아져 챔버의 DC 바이어스를 증가시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따라 파형이 변경된 RF 신호를 예시적으로 나타내는 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 파형 변경기(620)는 음의 직류 전압 대신 양의 직류 전압(Voffset +)을 추가함으로써 RF 신호를 양의 방향으로 오프셋시킬 수도 있다.
또한, 일 실시예에 따르면, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 직류 전압(Voffset-, Voffset+)의 크기는 RF 신호의 진폭(A+, A-)보다 작거나 같을 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 파형이 변경된 RF 신호를 예시적으로 나타내는 도면이다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 파형 변경기(620)는 RF 신호를 정류함으로써 파형을 변경할 수 있다.
예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 파형 변경기(620)는 RF 신호를 음의 방향으로 반파 정류하여 음의 방향으로 흐르는 RF 신호를 제공할 수 있다.
실시예에 따라, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 파형 변경기(620)는 RF 신호를 음의 방향으로 전파 정류하여 RF 신호의 파형을 변경할 수도 있다.
도 6 및 도 7에 도시된 실시예에서 파형 변경기(620)는 RF 신호를 음의 방향으로 정류하였으나, 실시예에 따라 양의 방향으로 정류하여 출력할 수도 있다.
위와 같이 파형이 변경된 RF 신호는 플라즈마 소스로 인가될 수 있다. 상기 플라즈마 소스는 챔버(100)에 설치되며, 상기 챔버에 공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키기 위해 전기장 또는 자기장을 생성할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 유닛의 동작을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 발생 유닛은 RF 신호를 인가받아 챔버(100) 내에 전기장을 생성하는 전극(631, 632)을 플라즈마 소스로 포함할 수 있다. 하지만, 실시예에 따라 상기 플라즈마 발생 유닛은 플라즈마 소스로 코일을 포함하여 RF 신호를 이용해 시변 자기장을 유도할 수도 있다.
플라즈마 발생 유닛이 전극(631, 632)을 이용하여 챔버(100) 내에 플라즈마를 생성하는 경우, 상기 플라즈마 발생 유닛은 각기 서로 다른 주파수의 정현파를 생성하는 다수의 서브전원을 포함할 수 있다.
예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 발생 유닛은 기 설정된 제 1 주파수(f1)의 정현파를 생성하는 제 1 서브전원(611), 기 설정된 제 2 주파수(f2)의 정현파를 생성하는 제 2 서브전원(612), 및 기 설정된 제 3 주파수(f3)의 정현파를 생성하는 제 3 서브전원(613)을 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 주파수(f1)는 제 2 주파수(f2)보다 낮고, 제 2 주파수(f2)는 제 3 주파수(f3)보다 낮을 수 있다.
일 실시예에 따르면, 저주파수에 해당하는 제 1 주파수(f1)는 350 KHz 내지 4 MHz일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 중간주파수에 해당하는 제 2 주파수(f2)는 12 MHz 내지 30 MHz일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 고주파수에 해당하는 제 3 주파수(f3)는 40 MHz 내지 300 MHz일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
일 실시예에 따르면, 도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 주파수(f1) 및 제 2 주파수(f2)의 RF 신호는 챔버(100) 내에 설치된 전극(631)으로 인가되고, 제 3 주파수(f3)의 RF 신호는 챔버(100)의 상부벽에 설치된 전극(632)으로 인가될 수 있으나, 서브전원(611, 612, 613)과 전극(631, 632) 간의 연결관계는 이에 제한되지 않는다.
상기 파형 변경기(620)는 서브전원(611, 612, 613)과 전극(631, 632) 사이에 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 파형 변경기(620)는 이온의 에너지를 증가시키기 위해 제 1 서브전원(611)에서 생성된 제 1 주파수의 정현파 파형을 변경할 수 있다. 다시 말해, 상기 파형 변경기(620)는 4 MHz 이하의 저주파 RF 신호의 파형을 변경함으로써, 기판으로 입사되는 이온의 에너지를 증가시켜 에칭 또는 애싱 레이트를 높일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 파형 변경기(620)는 이온의 플럭스(flux)를 제어하기 위해 제 2 서브전원(612) 및 제 3 서브전원(613) 중 적어도 하나에서 생성된 정현파의 파형을 변경할 수 있다. 다시 말해, 상기 파형 변경기(620)는 12 MHz 이상의 중간 또는 고주파 RF 신호의 파형을 변경함으로써, 이온의 플럭스를 제어하여 선택성(selectivity)을 향상시킬 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 다수의 서브전원(611, 612, 613) 각각의 출력단에 파형 변경기(620)를 구비하고, 필요에 따라 상기 다수의 서브전원 중 일부 또는 전부에 연결된 파형 변경기를 구동시킴으로써 원하는 목적을 달성할 수 있다.
예를 들어, 에칭 레이트를 증가시키고자 하는 경우, 다수의 서브전원(611, 612, 613) 중 제 1 서브전원(611)의 출력단에 구비된 파형 변경기를 구동시킬 수 있다. 또한, 에칭의 선택성을 조절하고자 하는 경우, 다수의 서브전원(611, 612, 613) 중 제 2 서브전원(612) 또는 제 3 서브전원(613)의 출력단에 구비된 파형 변경기를 구동시킬 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 방법을 설명하는 예시적인 흐름도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 발생 방법(20)은 챔버(100)에 가스를 공급하는 단계(S210), RF 신호를 생성하는 단계(S220), 및 상기 RF 신호의 파형을 변경하여 플라즈마 소스로 인가하는 단계(S230)를 포함할 수 있다.
상기 RF 신호를 생성하는 단계(S220)는 기 설정된 주파수의 정현파를 생성하는 단계를 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 상기 RF 신호를 생성하는 단계(S220)는 각기 다른 주파수를 갖는 다수의 RF 신호를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 RF 신호의 파형을 변경하여 플라즈마 소스로 인가하는 단계(S230)는, RF 신호에 직류 전압을 추가하여 RF 신호를 오프셋시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 RF 신호를 오프셋시키는 단계는, 크기가 상기 RF 신호의 진폭보다 작거나 같은 음 또는 양의 직류 전압을 RF 신호에 추가하는 단계를 포함할 수 있다. 다시 말해, RF 신호에 추가되는 직류 전압의 크기는 RF 신호의 진폭보다 작거나 같을 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 RF 신호의 파형을 변경하여 플라즈마 소스로 인가하는 단계(S230)는, RF 신호를 정류하여 한 방향으로 흐르는 RF 신호를 플라즈마 소스로 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 RF 신호를 정류하여 인가하는 단계는, RF 신호를 음의 방향으로 반파 또는 전파 정류하는 단계를 포함할 수 있으나, 실시예에 따라 양의 방향으로 반파 또는 전파 정류하는 단계를 포함할 수도 있다.
이상, RF 전원에서 생성된 RF 신호의 파형을 변경하여 플라즈마 소스로 인가하는 기판 처리 장치, 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법이 설명되었다. 상기 기판 처리 장치, 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법에 따르면, 챔버의 다른 구조물에 의존하거나 플라즈마 소스에 공급되는 전력을 증가시키지 않더라도 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
10: 기판 처리 장치
100: 챔버
200: 기판 지지 어셈블리
300: 샤워 헤드
400: 가스 공급 유닛
500: 배플 유닛
610: RF 전원
620: 파형 변경기
631, 632: 전극

Claims (2)

  1. 내부에 기판을 처리하는 공간을 갖는 챔버;
    상기 챔버 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지 어셈블리;
    상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
    상기 챔버 내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함하며, 상기 플라즈마 발생 유닛은:
    RF 신호를 생성하는 RF 전원;
    상기 RF 신호의 파형을 변경하는 파형 변경기; 및
    상기 파형이 변경된 RF 신호를 인가받는 플라즈마 소스;
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 파형 변경기는:
    상기 RF 신호에 직류 전압을 추가하여 상기 RF 신호를 오프셋시키는 기판 처리 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230010118A (ko) 2021-07-09 2023-01-18 한국생산기술연구원 액체 단량체 분해용 플라즈마 발생기판

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1180965A (ja) * 1997-09-01 1999-03-26 Anelva Corp 薄膜作成方法及び薄膜作成装置並びにプラズマ処理装置
JP2002222801A (ja) * 2000-09-29 2002-08-09 Hitachi Ltd プラズマ処理装置および方法
JP2003332321A (ja) * 2001-09-20 2003-11-21 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及び処理方法
JP2004140391A (ja) * 2000-09-29 2004-05-13 Hitachi Ltd プラズマ処理装置および方法
KR20100129372A (ko) * 2009-05-31 2010-12-09 위순임 복합형 플라즈마 반응기
KR20100129373A (ko) * 2009-05-31 2010-12-09 위순임 복합형 플라즈마 반응기

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1180965A (ja) * 1997-09-01 1999-03-26 Anelva Corp 薄膜作成方法及び薄膜作成装置並びにプラズマ処理装置
JP2002222801A (ja) * 2000-09-29 2002-08-09 Hitachi Ltd プラズマ処理装置および方法
JP2004140391A (ja) * 2000-09-29 2004-05-13 Hitachi Ltd プラズマ処理装置および方法
JP2003332321A (ja) * 2001-09-20 2003-11-21 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及び処理方法
KR20100129372A (ko) * 2009-05-31 2010-12-09 위순임 복합형 플라즈마 반응기
KR20100129373A (ko) * 2009-05-31 2010-12-09 위순임 복합형 플라즈마 반응기

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230010118A (ko) 2021-07-09 2023-01-18 한국생산기술연구원 액체 단량체 분해용 플라즈마 발생기판

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