KR20140133340A - 필름형 광추출 향상층을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법 - Google Patents

필름형 광추출 향상층을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상에 n-도핑층; 유기발광층; 정공수송층 및 시아노기를 함유한 결정성(crystalline) 유기화합물로 이루어진 정공주입층을 포함하는 유기층을 형성하는 단계; 상기 유기층 상에 투명한 상부전극을 형성하는 단계; 및 상기 상부전극 상에 제1 광추출 패턴을 갖는 제1필름으로 이루어진 제1광추출향상층을 부착하는 단계;를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법을 개시한다.

Description

필름형 광추출 향상층을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법{Method of organic light-emitting diode comprising a film-type light extraction enhancing layer}
유기 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 광추출 향상층을 포함하는 유기 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 소자(organic light emitting diode)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가진다.
일반적인 유기 발광 소자는 기판, 애노드, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 및 캐소드의 순서로 적층되어 이루어지고, 인버티드 유기 발광 소자는 기판, 캐소드, 전자주입층, 전자수송층, 발광층, 정공수송층, 정공주입층 및 애노드의 순서로 적층된 구조를 가진다. 양면 발광형 유기 발광 소자는 이들 구조에서 애노드 및 캐소드가 모두 투명한 물질로 이루어진다.
유기 발광 소자의 구동 원리는 다음과 같다. 유기 발광 소자의 애노드 및 캐소드 간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공이 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고 상기 정공 및 전자(캐리어)는 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 방출된다.
종래의 양면 발광형 유기 발광 소자는 전면 발광형 또는 배면 발광형 소자에 비해 공진 효과가 상대적으로 약하여 높은 광추출 효율을 얻기가 어렵다.
일반적인 유기 발광 소자의 경우 내부층의 굴절률 차이에 기인한 전반사 때문에 광추출 효율이 20% 내외로 제한되어 왔으며, 특히 ITO 등의 투명 전극을 사용한 유기 발광 소자는 소자 내에 많은 빛이 갇혀 광추출 효율이 더욱 낮았다. 이를 개선하고자 투명 전극과 유리 기판 사이에 특정 크기와 배치 간격을 갖는 광결정 구조를 도입하거나 소자 자체를 골판지 구조(corrugated structure) 또는 주름 구조(wrinkled structure)로 만드는 방법이 제안되었다.
양면 발광형 유기 발광 소자의 경우에 이와 동일한 원리를 적용하여 투명 전극과 유리 기판 사이의 계면에서 광추출을 개선하고자 투명 전극과 유리 기판 사이에 특정 크기와 배치 간격을 갖는 광결정 구조를 도입할 수 있으나, 이 경우에는 시야각에 따라 발광하는 빛의 스펙트럼이 변하는 시야각 의존성 문제나 투명 전극으로 인한 정공 및 전자의 주입의 불량 문제 등이 발생하여 만족스러운 결과를 얻기 힘들다.
단순한 공정에 의하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공하고자 한다.
일 측면에 따라서 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상에 n-도핑층, 발광층, 정공수송층 및 시아노기를 함유한 결정성(crystalline) 유기화합물로 이루어진 정공주입층을 포함하는 유기층을 형성하는 단계; 상기 유기층 상에 투명한 상부전극을 형성하는 단계; 및 상기 상부전극 상에 광추출 패턴을 갖는 제1필름으로 이루어진 제1광추출향상층을 부착하는 단계; 를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
상기 제1필름은 아크릴계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에폭시계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리우레탄계 수지, 스티렌-아크릴로 니트릴 공중합체 또는 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체 등의 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1광추출향상층의 가시 광선 투과율이 70% 내지 99%이고, 굴절율이 1.5 내지 2.2일 수 있다.
상기 제1광추출향상층이 상기 상부전극과 접촉하는 제1입사면 및 상기 제1입사면의 반대측에 위치한 제1출사면을 갖고, 상기 광추출 패턴은 상기 제1출사면 상에 형성된 복수개의 제1산란 구조물로 이루어질 수 있다.
상기 제1산란 구조물은 원뿔 형상, 필라 형상, 콘 형상, 피라미드 형상 또는 렌즈 형상을 가질 수 있다. 이때, 상기 복수개의 제1산란 구조물의 표면적을 상기 제1출사면의 면적으로 나눈 값으로 정의되는 필팩터(fill factor)가 50% 내지 100%일 수 있다. 한편, 상기 제1산란 구조물은 밑면의 직경이 1㎛ 내지 500㎛인 렌즈 형상을 가질 수 있다.
상기 제1필름은 나노 임프린팅, 스퍼터링법, 증착 중합법(deposition polymerization), 전자빔 증착법, 플라즈마 증착법, 화학기상 증착법, 졸젤법, 잉크젯 인쇄법, 스핀 코팅법 또는 오프셋 인쇄법의 방법으로 형성할 수 있다.
상기 제1광추출향상층을 부착하는 단계는 굴절률 정합 점착제(index matching adhesive)를 사용할 수 있다.
상기 정공주입층을 HAT-CN(헥사아자트리페닐렌 헥사카보니트릴)으로 형성할 수 있다.
상기 상부전극은 ITO(인듐주석산화물), IZO(인듐아연산화물), ZnO(아연 산화물) 또는 SnO2(주석산화물)을 포함할 수 있다.
상기 하부전극을 투명한 물질로 형성할 수 있다.
상기 유기층의 반대편으로 상기 기판 상에 광추출 패턴을 갖는 제2필름으로 이루어진 제2광추출향상층을 부착하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제2필름은 아크릴계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에폭시계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리우레탄계 수지, 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체, 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체 등의 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제2광추출향상층이 상기 상부전극과 접촉하는 제2입사면 및 상기 제2입사면의 반대측에 위치한 제2출사면을 갖고, 상기 제2 광추출 패턴은 상기 제2출사면 상에 형성된 복수개의 제2 산란 구조물로 이루어질 수 있다.
상기 제1산란 구조물은 원뿔 형상, 필라 형상, 콘 형상, 피라미드 형상 또는 렌즈 형상을 가지며, 상기 복수개의 제1산란 구조물의 표면적을 상기 제1출사면의 면적으로 나눈 값으로 정의되는 필팩터가 50% 내지 100%일 수 있다.
상기 제1산란 구조물은 밑면의 직경이 1㎛ 내지 500㎛인 렌즈 형상을 가질 수 있다.
일 측면에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법은 광추출향상층으로서 상부전극 상에 광추출 패턴을 갖는 필름을 부착시킴으로써 진공 증착과 같은 복잡한 공정에 의하지 않고 단순하게 광추출 효율이 향상된 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 전면 발광형 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 일 구현예에 따른 양면 발광형 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 다른 일 구현예에 따른 양면 발광형 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 다른 일 구현예에 따른 양면 발광형 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 구현예들을 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 구현예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려 여기서 소개되는 구현예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 동일한 참조번호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 일 구현예에 따른 전면 발광형(top emission type)의 유기 발광 소자(100)의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 소자(100)는 기판(101), 상기 기판(101) 상에 형성된 하부전극(110), 상기 하부전극(110) 상에 형성된 유기층(120), 상기 하부전극(110)과 대향하며 상기 유기층(120) 상에 형성된 투명한 상부전극(130) 및 상기 상부전극(130) 상에 형성된 제1광추출향상층(141)을 포함한다.
상기 유기층(120)은 전자수송층(122), 상기 전자수송층(122) 상에 형성된 발광층(125), 상기 발광층(125) 상에 형성된 정공수송층(126) 및 상기 정공수송층(126) 상에 형성되고 시아노기를 함유한 결정성(crystalline) 유기화합물로 이루어진 정공주입층(127)을 포함한다. 선택적으로 하부전극(110)과 전자수송층(122) 사이에 전자주입층(미도시)이 더 형성될 수 있다. 또한 선택적으로 기판(101) 상부에 은(Ag), 알루미늄(Al)과 같이 반사성이 좋은 금속으로 이루어진 금속 반사막(미도시)이 존재할 수 있고, 기판으로부터 유기층으로의 금속 불순물의 확산을 막기 위한 버퍼층(미도시)이 더 존재할 수 있다.
위에서 기술한 바와 같은 유기 발광 소자(100)는 광추출향상층의 사용으로 인하여 시야각에 따라 발광하는 빛의 스펙트럼이 변하는 현상이 감소하여 넓은 시야각을 확보할 수 있다. 또한, 정공주입층을 시아노기를 함유한 결정성(crystalline) 유기화합물로 형성함에 의하여 정공주입층의 강도가 향상되어 정공주입층 위의 상부전극을 투명한 전도성 금속 산화물로 형성할 수 있다. 따라서 상기 유기 발광 소자(100)는 투명한 상부전극을 통하여 전면으로 광을 방출한다.
도 1을 참조하여 일 구현예에 따른 전면 발광형 유기 발광 소자(100)의 제조방법을 설명한다.
상기 기판(101)으로는 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 예를 들면, 기판(101)으로는 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질 기판을 사용할 수 있다. 한편, 광이 기판(101) 방향으로 방출되는 배면발광형인 경우에 기판(101)은 투명한 재질로 형성해야 하지만, 광이 기판(101)의 반대 방향으로 구현되는 전면발광형인 경우에 기판(101)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 기판(101)을 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴 또는 스테인레스 스틸과 같은 금속으로 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
기판 상에 하부전극(110)을 형성한다. 하부전극(110)은 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 구동 트랜지스터로부터 구동 전류를 공급 받을 수 있다. 하부전극(110)은 예를 들면 캐소드일 수 있다.
하부전극(110)은 ITO(인듐주석산화물), IZO(인듐아연산화물), ZnO(아연 산화물) 또는 SnO2(주석산화물) 같은 투명한 금속 산화물, 그래핀(graphene), 또는 얇은 두께의 Ag, Al, LiF-Al, Mg:Ag 또는 Ca-Ag와 같은 투명한 금속을 이용할 수 있다. 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 알루미늄:리튬(Al:Li), 칼슘(Ca), 은:산화인듐주석(Ag:ITO), 마그네슘:인듐(Mg:In) 또는 마그네슘:은(Mg:Ag) 등을 이용하여 하부전극(110)을 반사형 전극으로 형성할 수도 있다. 하부전극(110)은 공지된 다양한 방법, 예를 들면, 스퍼터링법 또는 진공증착법 등을 이용하여 형성할 수 있다.
하부전극(110) 상에 전자수송층(122)을 형성할 수 있다. 전자수송층(122)은 공지의 전자수송물질을 사용하여 형성할 수 있다. 전자수송층(122)은 예를 들어 B3PYMPM(비스-4,6-(3,5-디-3-피리딜페닐)-2-메틸피리미딘), Bphen(4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), BCP(2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), TPBi(2,2',2"-(1,3,5-벤젠트리일)-트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸), TPQ1(트리스-페닐퀴녹살린즈 1,3,5-트리스[(3-페닐-6-트리플루오로메틸)퀴녹살린-2-일]벤젠), TPQ2(트리스-페닐퀴녹살린즈 1,3,5-트리스[{3-(4-tert-부틸페닐)-6-트리플루오로메틸}퀴녹살린-2-일]벤젠), TAZ(3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-터트-부틸페닐-1,2,4-트리아졸), NTAZ(4-(나프탈렌-1-일)-3,5-디페닐-4H-1,2,4-트리아졸), tBu-PBD(2-(4-비페닐릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸), BeBq2(10-벤조[h]퀴놀리놀-베릴륨), E3(터플루오렌) 또는 이들 중 2종 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자수송층(122)의 형성은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 또는 LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용할 수 있다. 전자수송층(122)의 두께는 약 10Å 내지 약 1,000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자수송층(122)의 두께가 상기 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
전자수송층(122) 상에 발광층(125)을 형성한다. 발광층(125)은 공지의 인광 호스트와 인광 도펀트, 또는 공지의 형광 호스트와 형광 도펀트를 사용하여 형성할 수 있다.
공지의 호스트로서, 예를 들어, Alq3(트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄), CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), ADN(9,10-디-나프탈렌-2-일-안트라센), PVK(폴리(n-비닐카바졸)), TCTA, TPBI(1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠), TBADN(3-터트-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), 또는 E3 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
적색 도펀트로서 PtOEP(Pt(II) 옥타에틸포르핀), Ir(piq)3(트리스(2-페닐이소퀴놀린)이리듐), Btp2Ir(acac)(비스(2-(2'-벤조티에닐)-피리디나토-N,C3')이리듐(아세틸아세토네이트)), DCM(4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-[p-(디메틸아미노)스티릴]-4H-피란) 또는 DCJTB(4-(디시아노메틸렌)-2-터트-부틸-6-(1,1,7,7,-테트라메틸주로리딜-9-에닐)-4H-피란) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
녹색 도펀트로서 Ir(ppy)3(트리스(2-페닐피리딘), Ir(ppy)2(acac)(비스(2-페닐피리딘)(아세틸아세토) 이리듐(III)), 또는 Ir(mpyp)3(트리스(2-(4-톨일)페닐피리딘) 이리듐), C545T(10-(2-벤조티아졸일)-1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7,-테트라하이드로-1H,5H,11H-[1]벤조피라노 [6,7,8-ij]-퀴놀리진-11-온) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 청색 도펀트로서, F2Irpic(비스[3,5-디플루오로-2-(2-피리딜)페닐(피콜리나토) 이리듐(III)), (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, DPVBi(4,4'-비스(2,2'-디페닐에텐-1-일)비페닐), DPAVBi(4,4'-비스(4-디페닐아미노스타릴) 비페닐), 또는 TBPe(2,5,8,11-테트라-tert-부틸 페릴렌) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
발광층(125)이 호스트 및 도펀트를 포함할 경우, 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부를 기준으로 하여 약 0.01 내지 약 25 중량부의 범위에서 선택할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
발광층(125)의 두께는 약 100Å 내지 약 500Å일 수 있다. 발광층(125)의 두께가 상기 범위를 만족할 경우 실질적인 구동 전압의 상승 없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
발광층(125)에 인광 도펀트가 포함될 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층(122)으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여 발광층(125)과 전자수송층(122) 사이에 정공저지층(HBL, 미도시)을 형성할 수도 있다. 예를 들어, BCP를 정공 저지층의 재료로서 사용할 수 있다.
발광층(125) 상에 정공수송층(126)을 형성한다. 정공수송층(126)을 형성하는 재료로는 NPB(4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐), TPD(4,4'-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]바이페닐), MTDATA(4,4',4"-트리스[(3-메틸페닐)페닐아미노]트라이페닐아민), TAPC(1,1-비스(4-(N,N-다이-p-톨릴아미노)페닐)사이클로헥세인), TCTA(4-(9H-카바졸-9-일)-N,N-비스[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-벤젠아민), CBP(9,9'-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이일비스-9H-카바졸), Alq3, mCP(9,9'-(1,3-페닐렌)비스-9H-카바졸) 및 2-TNATA(4,4',4"-트리스(N-(2-나프틸)-N-페닐아미노) 트리페닐아민) 중 적어도 1종을 들 수 있다.
정공수송층(126)의 형성은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 또는 LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용할 수 있다. 정공수송층(126)의 두께는 약 10Å 내지 약 1,000Å일 수 있다. 정공수송층(126)의 두께가 상기 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
정공수송층(126) 상에 정공주입층(127)을 형성한다. 정공주입층(127)은 도핑하지 않은 단일 물질로 이루어진 층으로 형성하는 것이 바람직하다. 단일 물질로 이루어진 층을 사용할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승 없이 만족스러운 수준의 정공 주입 특성을 가지면서 유기층의 손상도 방지할 수 있다. 정공주입층(127)은 시아노기를 함유한 결정성(crystalline) 유기화합물로 형성할 수 있으며, 예를 들면 HAT-CN(헥사아자트리페닐렌 헥사카보니트릴)을 사용하여 형성할 수 있다.
Figure pat00001
정공주입층(127) 내의 HAT-CN와 같은 시아노기를 함유한 결정성 유기화합물은 격자화 즉 결정화되는 특성을 나타내어 정공주입층(127)이 기계적 강도를 가질 수 있다. 따라서 스퍼터링에 의하여 상부전극(130)을 형성하는 경우, 정공주입층(127)이 상부전극(130)의 형성 과정에서 발생할 수 있는 충격 손상으로부터 하부의 유기층을 보호할 수 있다.
정공주입층(127)의 형성은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 또는 LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용할 수 있다. 정공주입층(127)의 두께는 약 10Å 내지 약 10,000Å일 수 있다. 정공주입층(127)의 두께가 상기 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 주입 특성을 얻을 수 있고, 상부전극(130) 형성시 하부의 유기층을 보호할 수 있다.
정공주입층(127) 상에 상부전극(130)을 형성한다. 상부전극(130)은 전면발광을 위해 투명 전극으로 형성할 수 있다. 예를 들면, 상부전극(130)은 ITO(인듐주석산화물), IZO(인듐아연산화물), ZnO(아연 산화물) 또는 SnO2(주석산화물) 같은 투명한 금속 산화물, 그래핀(graphene), 또는 얇은 두께의 Ag, Al, LiF-Al, Mg:Ag 또는 Ca-Ag와 같은 투명한 금속을 이용하여 형성할 수 있다.
이어서 상부전극(130) 상에 제1광추출향상층(141)을 형성한다. 제1광추출향상층(141)은 나노 또는 마이크로 크기의 광추출용 패턴이 형성된 필름을 상부전극(130) 상에 부착하여 형성할 수 있다. 이때 굴절률 정합 점착제(index matching adhesive)를 사용하여 제1광추출향상층(141)을 상부전극(130) 상에 부착할 수 있다.
이러한 제1광추출향상층(141)은 투명한 상부전극(130)과 유사한 수준의 굴절률, 약 1.4 내지 2.2의 굴절률을 갖는 유기물, 무기물 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다. 제1광추출향상층(141)은 예를 들어, 유리 또는 아크릴계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에폭시계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리우레탄계 수지, 스티렌-아크릴로 니트릴 공중합체, 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체 등의 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1광추출향상층(141)의 재료로는 굴절률 약 1.4의 PDMS 고분자를 사용하고, 굴절률 정합 점착제로는 열 경화 또는 자외선 경화 에폭시 점착제를 사용할 수 있다. 제1광추출향상층(141)은 전면 발광을 위해 투명한 특성을 갖는다. 제1광추출향상층(141)의 가시 광선 투과율은 약 70% 내지 약 99%일 수 있다.
제1광추출향상층(141)에서 상부전극(130)과 접촉하는 면을 제1입사면이라 정의하고 상기 제1입사면의 반대측에 위치한 면을 제1출사면이라고 정의하면, 상기 제1출사면 상에는 복수개의 제1산란 구조물(scattering structure)가 배열될 수 있다. 광추출용 패턴인 제1산란 구조물의 배열은 광산란을 일으켜서 발광층(125)으로부터 상부전극(130)을 통해 외부로 방출되는 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 구체적으로 제1산란 구조물의 반복 주기를 가시 광선의 파장 영역이 되도록 형성하면 제1산란 구조물이 상부전극(130)을 통해 나오는 가시 광선에 대해 산란체 역할을 하여 가시 광선의 추출을 향상시킬 수 있다. 한편, 제1산란 구조물의 형상과 주기에 따라 광산란 형태가 결정되므로 제1산란 구조물의 형상과 주기를 단색광 파장의 산란에 적합하도록 형성하여 상부전극(130) 외부로 방출되는 광의 추출 특성을 조절할 수 있다.
제1산란 구조물은 예를 들어 원뿔 형상, 필라 형상, 삼각뿔 또는 사각뿔과 같은 다각형의 각뿔 형상 또는 렌즈 형상을 가질 수 있다. 제1산란 구조물이 상기와 같은 형상일 경우, 전반사 또는 광도파로에 의한 광소실을 감소시키고 광을 외부로 보다 잘 추출시킬 수 있다. 제1산란 구조물의 폭과 높이는 제1산란 구조물의 형상과 산란되는 광의 파장에 따라 변화될 수 있다.
제1산란 구조물의 필팩터(fill factor)는 제1입사면 상에 형성된 복수개의 제1산란 구조물의 표면적을 제1출사면의 면적으로 나눈 값으로 정의되며, 제1산란 구조물의 필팩터가 약 50% 내지 약 100%인 경우 제1산란 구조물에 의한 산란이 적합하여 광추출 특성이 만족스러운 수준이 될 수 있다.
예를 들어, 제1산란 구조물은 콘 형상일 수 있으며, 이 경우 제1산란 구조물의 높이는 1㎛ 내지 500㎛, 밑면의 직경은 1㎛ 내지 500㎛일 수 있고, 필팩터는 약 40% 내지 60%일 수 있다. 제1광추출향상층(141)의 두께는 제1산란 구조물의 높이에 따라 결정될 수 있다. 즉, 제1산란 구조물의 높이가 제1광추출향상층(141)의 두께에 해당된다.
이와 같은 광추출용 패턴이 형성된 제1광추출향상층(141)용 필름은 나노 임프린팅, 스퍼터링법, 증착 중합법, 전자빔 증착법, 플라즈마 증착법, 화학기상 증착법, 졸젤법, 잉크젯 인쇄법, 스핀 코팅법, 오프셋 인쇄법 등의 방법에 의하여 형성할 수 있다.
위에서 기술한 바와 같은 유기 발광 소자의 제조방법은 상부전극 위의 광추출향상층을 필름 부착 방식으로 형성함에 따라서 상부전극 위에 증착법에 의하여 광추출향상층을 형성하는 경우보다 공정을 단순화시키고 비용을 절감할 수 있다.
도 2는 일 구현예에 따른 양면 발광형(double sided emission type) 유기 발광 소자(200)의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 유기 발광 소자(200)는 기판(201), 상기 기판(201) 상에 형성된 투명한 하부전극(210), 상기 하부전극(210) 상에 형성된 유기층(220), 상기 하부전극(210)과 대향하며 상기 유기층(220) 상에 형성된 투명한 상부전극(130), 상기 상부전극(130) 상에 형성된 제1광추출향상층(141) 및 상기 기판(201)의 바깥면으로 형성된 제2광추출향상층(142)을 포함한다.
상기 유기층(220)은 n-도핑층(223), 상기 n-도핑층(223) 상에 형성된 발광층(125), 상기 발광층(125) 상에 형성된 정공수송층(126) 및 상기 정공수송층(126) 상에 형성되고 시아노기를 함유한 결정성(crystalline) 유기화합물로 이루어진 정공주입층(127)을 포함한다.
도 1의 유기 발광 소자(100)와의 차이점을 위주로 유기 발광 소자(200)를 설명한다.
기판(201)은 양면 발광을 위하여 유리, 투명 플라스틱과 같은 투명한 물질로 이루어지고, 하부전극(210) 역시 배면발광을 위하여 투명한 전도성 산화물과 같이 투명한 물질로 이루어진다.
상기 n-도핑층(223)은 소자에 전압이 인가되면 전자를 생성하는 층으로서, 이 전자가 발광층(125)으로 주입 및 수송될 수 있다. 하부전극(230)에 (-) 전압을 인가하고 상부전극(130)에 (+) 전극을 인가하면, n-도핑층(223)과 하부전극(230)의 계면의 에너지 장벽이 낮아져서 하부전극(230)의 일함수 값에 상관없이 전자의 주입 및 수송이 용이해 질 수 있다. 따라서 소자의 하부전극(230)의 선택 폭이 넓어질 수 있으며, 하부전극(230)으로서 투명한 전도성 산화물을 선택할 수 있게 한다.
n-도핑층(223)은 도 2에 도시된 바와 같이 불순물층(223') 상에 제1전자수송층(223")이 적층된 이중층의 형태일 수 있다. 이 경우 불순물층(223')과 하부전극(230) 사이 계면의 에너지 장벽이 낮아져 하부전극(230)의 일함수 값에 상관없이 전자의 주입 및 수송이 용이해 질 수 있다. 또는 선택적으로 상기 n-도핑층(223)은 전자수송 특성을 가지는 층에 n-도펀트가 불순물로 함유된 단일층일 수 있다.
제2광추출향상층(242)은 기판(201) 방향으로 방출되는 광의 광추출 효율을 높이기 위한 층이다.
위에서 기술한 바와 같은 유기 발광 소자(200)는 양면으로 발광할 수 있으며, 소자의 전면과 배면의 광추출향상층의 사용으로 인하여 시야각에 따라 발광하는 빛의 스펙트럼이 변하는 현상이 감소하여 넓은 시야각을 확보할 수 있다.
도 2를 참조하여 일 구현예에 따른 양면 발광형 유기 발광 소자(200)의 제조방법을 도 1의 유기 발광 소자(100)의 제조방법과의 차이점을 위주로 설명한다.
유기 발광 소자(200)은 전면 발광뿐만 아니라 배면 발광을 포함하므로 기판(201)은 투명한 물질로 형성한다. 상기 기판(201)은 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 예를 들면, 기판(101)으로는 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질 기판을 사용할 수 있다.
기판(201)을 통한 광 방출을 위하여 하부전극(210)은 ITO, IZO, ZnO 또는 SnO2 같은 투명한 금속 산화물, 그래핀, 또는 얇은 두께의 Ag, Al, LiF-Al, Mg:Ag 또는 Ca-Ag와 같은 투명한 금속을 이용하여 형성할 수 있다. 하부전극(210)은 공지된 다양한 방법, 예를 들면, 스퍼터링법 또는 진공증착법 등을 이용하여 형성할 수 있다.
하부 전극(210) 상에 n-도핑층(223)을 형성한다. n-도핑층(223)은 불순물인 n-도펀트를 포함하는 불순물층(273') 상에 전자수송물질을 포함하는 제1전자수송층(223")이 적층된 이중층으로 형성할 수 있다.
n-도펀트로는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 란타늄(La), 세륨(Ce), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy) 및 이테르븀(Yb) 중 적어도 1종의 금속; 상기 금속의 질화물; 상기 금속의 탄산염; 및 상기 금속의 착물; 중 적어도 1종을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 란타늄(La), 세륨(Ce), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy) 및 이테르븀(Yb) 등은 일함수가 상대적으로 낮아 전자의 생성에 유리하기 때문에 n-도펀트로서 사용될 수 있다. 예를 들면, Li2CO3, Na2CO3, K2CO3, Cs2CO3, Rb2CO3 및 Ba2CO3 중 적어도 1종을 n-도펀트로서 사용할 수 있다.
제1전자수송물질로는 공지의 전자수송성 물질을 사용할 수 있다. 제1전자수송물질은 예를 들어 B3PYMPM(비스-4,6-(3,5-디-3-피리딜페닐)-2-메틸피리미딘), Bphen(4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), BCP(2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), TPBi(2,2',2"-(1,3,5-벤젠트리일)-트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸), TPQ1(트리스-페닐퀴녹살린즈 1,3,5-트리스[(3-페닐-6-트리플루오로메틸)퀴녹살린-2-일]벤젠), TPQ2(트리스-페닐퀴녹살린즈 1,3,5-트리스[{3-(4-tert-부틸페닐)-6-트리플루오로메틸}퀴녹살린-2-일]벤젠), TAZ(3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-터트-부틸페닐-1,2,4-트리아졸), NTAZ(4-(나프탈렌-1-일)-3,5-디페닐-4H-1,2,4-트리아졸), tBu-PBD(2-(4-비페닐릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸), BeBq2(10-벤조[h]퀴놀리놀-베릴륨), E3(터플루오렌) 또는 이들 중 2종 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
불순물층(223')은 진공증착법, 스퍼터링법, 증착 중합법, 전자빔 증착법, 플라즈마 증착법, 화학기상 증착법, 졸젤법, 잉크젯 인쇄법, 스핀 코팅법, 오프셋 인쇄법 등의 방법을 사용하여 형성할 수 있고, 제1전자수송층(223")은 진공증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법 또는 LB법 등과 같은 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 불순물층(223')의 두께는 약 5Å 내지 약 100Å, 또는 약 10Å 내지 약 50Å일 수 있고, 제1전자수송층(223")의 두께는 약 10Å 내지 약 1,000Å 또는 약 100Å 내지 약 500Å일 수 있다. 불순물층(223') 및 제1전자수송층(223")의 두께가 상기 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승 없이 불순물층(223') 및 제1전자수송층(223")에 의해 만족스러운 수준으로 전자가 생성될 수 있다.
선택적으로 n-도핑층(223)은 전자수송물질에 n-도펀트를 도핑하여 형성할 수 있다. 전자수송물질은 상기 제1전자수송층(223")에 사용하는 전자수송물질을 사용할 수 있고, n-도펀트는 불순물층(273')에 사용하는 n-도펀트를 사용할 수 있다.
이때 n-도펀트의 도핑 농도는 n-도핑층(223)의 총중량 대비 약 0.1중량% 내지 25중량%일 수 있다. n-도핑층(223)의 형성은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 또는 LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용할 수 있다. n-도핑층(223)의 두께는 약 10Å 내지 약 1000Å일 수 있다. n-도핑층(223)의 두께가 상기 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승 없이 n-도핑층(223) 내에서 만족스러운 수준으로 전자가 생성될 수 있다.
발광층(125), 정공수송층(126), 정공주입층(127), 상부전극(130) 및 제1광추출향상층(141)은 도 1의 유기발광소자(100)의 제조방법에서와 동일한 방법으로 형성할 수 있다.
추가적으로, 기판(201)의 바깥면에 제2광추출향상층(142)을 형성한다. 제2광추출향상층(242)은 제1광추출향상층(141)과 마찬가지로 나노 또는 마이크로 크기의 광추출용 패턴이 형성된 필름을 기판(201) 상에 부착하여 형성할 수 있다. 이때 굴절률 정합 점착제를 사용하여 제2광추출향상층(242)을 기판(201) 상에 부착할 수 있다.
이러한 제2광추출향상층(242)은 기판(201)과 유사한 수준의 굴절률, 약 1.4 내지 2.2의 굴절률을 갖는 유기물, 무기물 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다. 제2광추출향상층(242)은 예를 들어, 유리 또는 아크릴계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에폭시계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리우레탄계 수지, 스티렌-아크릴로 니트릴 공중합체, 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체 등의 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2광추출향상층(242)의 재료로는 굴절률 약 1.4의 PDMS 고분자를 사용하고, 굴절률 정합 점착제로는 자외선 경화 에폭시 점착제를 사용할 수 있다. 제2광추출향상층(242)은 배면 발광을 위해 투명한 특성을 갖는다. 제2광추출향상층(242)의 가시 광선 투과율은 약 70% 내지 약 99%일 수 있다.
제2광추출향상층(242)에서 기판(201)과 접촉하는 면을 제2입사면이라 정의하고 상기 제2입사면의 반대측에 위치한 면을 제2출사면이라고 정의하면, 상기 제2출사면 상에는 복수개의 제2 산란 구조물이 배열될 수 있다. 광추출용 패턴인 제2 산란 구조물의 배열은 광산란을 일으켜서 발광층(125)으로부터 기판(201)을 통해 외부로 방출되는 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 구체적으로 제2 산란 구조물의 반복 주기를 가시 광선의 파장 영역이 되도록 형성하면 제2 산란 구조물이 기판(201)을 통해 나오는 가시 광선에 대해 산란체 역할을 하여 가시 광선의 추출을 향상시킬 수 있다. 한편, 제2 산란 구조물의 형상과 주기에 따라 광산란 형태가 결정되므로 제2 산란 구조물의 형상과 주기를 단색광 파장의 산란에 적합하도록 형성하여 기판(201) 외부로 방출되는 광의 추출 특성을 조절할 수 있다.
제2 산란 구조물은 원뿔 형상, 필라 형상, 콘 형상, 피라미드 형상 또는 렌즈 형상을 가질 수 있다. 제2 산란 구조물이 상기와 같은 형상일 경우, 전반사 또는 광도파로에 의한 광소실을 감소시키고 광을 외부로 보다 잘 추출시킬 수 있다. 제2 산란 구조물의 폭과 높이는 제2 산란 구조물의 형상과 산란되는 광의 파장에 따라 변화될 수 있다.
제2 산란 구조물의 필팩터는 제2입사면 상에 형성된 복수개의 제2 산란 구조물의 표면적을 제2출사면의 면적으로 나눈 값으로 정의되며, 제2 산란 구조물의 필팩터가 약 50% 내지 약 100%인 경우 제2 산란 구조물에 의한 산란이 적합하여 광추출 특성이 만족스러운 수준이 될 수 있다.
예를 들어, 제2 산란 구조물은 렌즈 형상일 수 있으며, 이 경우 제2 산란 구조물의 높이는 1㎛ 내지 500㎛, 밑면의 직경은 1㎛ 내지 500㎛일 수 있고, 필팩터는 약 40% 내지 60%일 수 있다. 한편, 제2광추출향상층(242)의 두께는 제2 산란 구조물의 높이를 포함하여 1㎛ ~ 500㎛ 의 범위일 수 있다.
이와 같은 광추출용 패턴이 형성된 제2광추출향상층(242)용 필름은 제1광추출향상층(141)과 마찬가지로 나노 임프린팅, 스퍼터링법, 증착 중합법, 전자빔 증착법, 플라즈마 증착법, 화학기상 증착법, 졸젤법, 잉크젯 인쇄법, 스핀 코팅법, 오프셋 인쇄법 등의 방법에 의하여 형성할 수 있다.
도 3은 다른 일 구현예에 따른 양면 발광형 유기 발광 소자(300)의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 유기 발광 소자(300)는 기판(201), 상기 기판(201) 상에 형성된 투명한 하부전극(210), 상기 하부전극(210) 상에 형성된 유기층(220), 상기 하부전극(210)과 대향하며 상기 유기층(220) 상에 형성된 투명한 상부전극(130), 상기 상부전극(130) 상에 형성된 제1광추출향상층(141) 및 상기 기판(201)의 바깥면으로 형성된 제2광추출향상층(142)을 포함한다.
상기 유기층(220)은 n-도핑층(223), 상기 n-도핑층(223) 상에 형성된 제2 전자수송층(324), 제2 전자수송층(324) 상에 형성된 발광층(125), 상기 발광층(125) 상에 형성된 정공수송층(126) 및 상기 정공수송층(126) 상에 형성되고 시아노기를 함유한 결정성(crystalline) 유기화합물로 이루어진 정공주입층(127)을 포함한다.
도 3의 유기 발광 소자(300)는 상기 n-도핑층(223) 상에 제2전자수송층(324)이 형성되어 있는 점에서 도 2의 유기 발광 소자(200)와 차이가 있다. 상기 제2전자수송층(324)은 n-도핑층(223)으로부터 발광층(125)로의 전자의 수송을 더욱 원활하게 할 수 있다.
제2전자수송층(324)은 전자수송물질을 사용하여 형성하며, 예를 들면 B3PYMPM, Bphen, BCP, TPBi, TPQ1, TPQ2, TAZ, NTAZ, tBu-PBD, BeBq2, E3 또는 이들 중 2종 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2전자수송층(324)의 형성은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 또는 LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용할 수 있다. 제2전자수송층(324)의 두께는 약 10Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 제2전자수송층(324)의 두께가 상기 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 및 수송 특성을 얻을 수 있다. 도 3의 유기 발광 소자(300)의 제조 방법은 제2전자수송층(324)의 형성을 제외하고는 도 2의 유기 발광 소자(200)의 형성 방법과 같다.
도 4는 다른 일 구현예에 따른 양면 발광형 유기 발광 소자(400)의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4의 유기 발광 소자(400)는 상부전극(130) 상에 봉지층(encapsulation layer)(432)이 형성되어 있고, 봉지층(432) 위에 제1광추출향상층(141)이 형성되어 있는 점에서 도 3의 유기 발광 소자(300)와 차이가 있다.
봉지층(432)은 유기 발광 소자 내로 수분과 산소 등이 침투하여 소자가 열화되는 것을 방지할 수 있다. 봉지층(432)은 유기막, 무기막 또는 유무기 혼합막으로 형성할 수 있다. 예를 들어 봉지층(432)을 아크릴레이트계 또는 에폭시계의 유기막과 실리콘, 알루미늄, 주석, 또는 티타늄의 산화물, 질화물 또는 산화질화물로 이루어진 무기막이 교대로 쌓인 층으로 형성할 수 있다. 봉지층(432)은 예를 들어 1㎛ 내지 10㎛ 의 두께로 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 무기막은 예를 들어 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 향상 화학 기상증착(PECVD), 스퍼터(sputter), 원자층 증착(ALD), 또는 열증착(thermal evaporation) 등의 방법으로 형성할 수 있다. 유기막은 예를 들어 플래시 증발법(flash evaporator method), 잉크젯 공정, 또는 스크린 프린팅 방법과 열처리를 사용하여 형성할 수 있다.
봉지층(432) 위에 나노 또는 마이크로 크기의 광추출용 패턴이 형성된 필름을 부착하여 제1광추출향상층(141)을 형성할 수 있다. 도 4의 유기 발광 소자(400)의 제조 방법은 봉지층(432)의 형성을 제외하고는 도 3의 유기 발광 소자(300)의 형성 방법과 같다.
봉지층(432) 위의 제1광추출향상층(141)도 필름 부착 방법을 사용하여 형성할 수 있고, 제1광추출향상층(141)이 상부전극(130) 위에 형성된 경우와 마찬가지로 광추출 효율이 향상된 유기 발광 소자를 제작할 수 있다.
100, 200, 300: 유기 발광 소자 101, 201: 기판
110, 210: 하부전극 120, 220, 230: 유기층
126: 정공수송층 127: 정공주입층
130: 상부전극 141: 제1광추출향상층
242: 제2광추출향상층 223: n-도핑층
223': 불순물층 223": 제1전자수송층
324: 제2전자수송층

Claims (17)

  1. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계;
    상기 하부전극 상에 n-도핑층; 유기발광층; 정공수송층 및 시아노기를 함유한 결정성(crystalline) 유기화합물로 이루어진 정공주입층을 포함하는 유기층을 형성하는 단계;
    상기 유기층 상에 투명한 상부전극을 형성하는 단계; 및
    상기 상부전극 상에 광추출 패턴을 갖는 제1필름으로 이루어진 제1광추출향상층을 부착하는 단계;를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1필름은 아크릴계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에폭시계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리우레탄계 수지, 스티렌 - 아크릴로 니트릴 공중합체 또는 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체의 물질을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1광추출향상층의 가시 광선 투과율이 70% 내지 99%이고, 굴절율이 1.4 내지 2.2인 유기 발광 소자의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1광추출향상층이 상기 상부전극과 접촉하는 제1입사면 및 상기 제1입사면의 반대측에 위치한 제1출사면을 가지고, 상기 광추출 패턴은 상기 제1출사면 상에 형성된 복수개의 제1산란 구조물로 이루어진 유기 발광 소자의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1산란 구조물은 원뿔 형상, 필라 형상, 다각형의 각뿔 형상 또는 렌즈 형상을 가지며, 상기 복수개의 제1산란 구조물의 표면적을 상기 제1출사면의 면적으로 나눈 값으로 정의되는 필팩터(fill factor)가 50% 내지 100%인 유기 발광 소자의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1산란 구조물은 밑면의 직경이 1㎛ 내지 500㎛인 렌즈 형상을 갖는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1필름은 나노 임프린팅, 스퍼터링법, 증착 중합법(deposition polymerization), 전자빔 증착법, 플라즈마 증착법, 화학기상 증착법, 졸젤법, 잉크젯 인쇄법, 스핀 코팅법 또는 오프셋 인쇄법의 방법으로 형성하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1광추출향상층을 부착하는 단계는 굴절률 정합 점착제(index matching adhesive)를 사용하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 정공주입층을 헥사아자트리페닐렌 헥사카보니트릴(HAT-CN)으로 형성하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 상부전극은 ITO(인듐주석산화물), IZO(인듐아연산화물), ZnO(아연 산화물) 또는 SnO2(주석산화물)을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 하부전극을 투명한 물질로 형성하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 유기층의 반대편으로 상기 기판 상에 광추출 패턴을 갖는 제2필름으로 이루어진 제2광추출향상층을 부착하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2필름은 아크릴계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에폭시계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리우레탄계 수지, 스티렌 - 아크릴로 니트릴 공중합체 또는 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체의 물질을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제2광추출향상층이 상기 상부전극과 접촉하는 제2입사면 및 상기 제2입사면의 반대측에 위치한 제2출사면을 갖고, 상기 제2 광추출 패턴은 상기 제2출사면 상에 형성된 복수개의 제2 산란 구조물로 이루어진 유기 발광 소자의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제2 산란 구조물은 원뿔 형상, 필라 형상, 콘 형상, 피라미드 형상 또는 렌즈 형상을 가지며, 상기 복수개의 제2 산란 구조물의 표면적을 상기 제2출사면의 면적으로 나눈 값으로 정의되는 필팩터가 50% 내지 100%인 유기 발광 소자의 제조 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 제2 산란 구조물은 밑면의 직경이 1㎛ 내지 500㎛인 렌즈 형상을 갖는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  17. 제1항에 있어서, 상기 상부전극 상에 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1광추출향상층을 상기 봉지층 위에 형성하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
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