KR20140115383A

KR20140115383A - Moving stage

Info

Publication number: KR20140115383A
Application number: KR1020147025836A
Authority: KR
Inventors: 다이스케 이토; 히로타카 사즈카; 미키 사와이; 준이치 시다
Original assignee: 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼
Priority date: 2012-04-13
Filing date: 2013-04-01
Publication date: 2014-09-30
Also published as: SG11201406398QA; CN104538329A; KR101546395B1; KR20140099330A; CN104254912B; JP5454971B2; CN104254912A; CN104538329B; WO2013153979A1; JP2013222769A; KR101630648B1

Abstract

[과제] 분위기 조정된 처리실 내에서 사용되는 가스 부상을 이용한 이동 스테이지의 이동에 의한 미립 분진의 감아올림을 방지한다.
[해결수단] 조정된 분위기 하에서 피처리체(반도체 기판(100))의 처리를 행하는 처리실(2) 내에 설치되는 이동 스테이지(3)에 있어서, 피처리체가 배치되는 스테이지 본체(30)와, 스테이지 본체(30)를 가스압에 의해 비접촉으로 지지하는 가스 지지부를 갖고, 가스 지지부는 적어도 처리실(2)의 가로면 또는/및 세로면에 면해서 상기 면에 가스가 분출되는 1개 또는 복수개의 가스 패드(35)를 갖고, 가스 패드(35)의 주위에 미립 분진 흡인구(42)가 형성되며, 미립 분진 흡인구(42)에 연통해서 상기 처리실 밖으로 신장되는 흡인가스 배기라인(흡인가스 배기관(43))이 설치된다.[PROBLEMS] To prevent the particulate dust from being rolled up due to movement of a moving stage using a gas floating used in a treatment chamber adjusted in atmosphere.
A movable stage (3) provided in a treatment chamber (2) for treating an object to be processed (semiconductor substrate (100)) under an adjusted atmosphere includes a stage main body (30) (Not shown), and the gas supporter includes at least one gas pad (not shown) which is exposed to the side surface and / or the longitudinal side of the process chamber 2 A suction gas exhaust line (suction gas exhaust pipe 43) extending from the processing dust chamber to the particulate dust suction port 42 and extending out of the treatment chamber, ) Is installed.

Description

Moving stage {MOVING STAGE}

본 발명은 조정된 분위기 하에서 피처리체의 처리를 행하는 처리실 내에 설치되고, 피처리체를 지지해서 이동하는 이동 스테이지에 관한 것이다.The present invention relates to a moving stage which is provided in a treatment chamber for performing treatment of an object to be treated under an adjusted atmosphere and moves while supporting the object to be treated.

클린룸 내에 있어서의 반도체 제품의 제조, 검사 라인에 있어서 물체의 이동에 사용하는 슬라이드 기구에서는 정밀한 반송 정밀도가 요구된다. 정밀한 반송 정밀도를 갖는 기구의 하나로서 에어 지지에 의한 슬라이드 기구가 알려져 있다. 또한, 슬라이드 기구에서는 가능한 한 발진성(發塵性)이 적은 기구가 요구되고 있다.Precise conveyance accuracy is required in a slide mechanism used for movement of objects in the manufacturing and inspection lines of semiconductor products in a clean room. As a mechanism having a precise conveying accuracy, a slide mechanism by air support is known. In the slide mechanism, a mechanism having a low dust generation property as much as possible is required.

특허문헌 1에서는 구름 베어링과, 그 구름 베어링에 끼워진 가이드 봉으로 이루어지는 슬라이드 기구에 있어서, 중심부에 축방향으로 관통하는 중공부를 갖고, 또한 표면보다 그 중공부를 향해 그 구름 베어링의 내부의 미립자를 배출하는 배출구멍을 갖는 가이드 봉으로 구성된 미립자 배출구멍이 형성된 슬라이드 기구가 제안되어 있다. 이 기구에서는 구름 베어링으로 기계적인 마모에 의해 발생하는 미립자를 배출구멍으로부터 흡수, 배출할 수 있게 하고 있다.Patent Document 1 discloses a slide mechanism comprising a rolling bearing and a guide rod fitted in the rolling bearing. The sliding mechanism has a hollow portion passing through the center portion in the axial direction and discharging fine particles inside the rolling bearing toward the hollow portion from the surface There has been proposed a slide mechanism in which a fine particle discharge hole composed of a guide rod having a discharge hole is formed. In this apparatus, the rolling bearing enables the fine particles generated by the mechanical abrasion to be absorbed and discharged from the discharge hole.

일본 특허 공고 평 5-82482호 공보Japanese Patent Publication No. Hei 5-82482

그런데 에어 지지에 의한 슬라이드 기구는 기계적인 접촉을 수반하지 않는 슬라이드 기구이다. 따라서, 에어 지지에 의한 기구 그 자체로부터의 발진은 없다. 그러나, 에어 지지의 기구와 근접하는 면이나 에어 지지 근방에 미립자가 존재하면, 분출하는 기체에 의해 미립자가 감아올려져 버리는 문제가 있다. 특히 슬라이드 기구에 포함되는 부상용의 에어 패드는 화강암이나 가이드 등의 수평한 평면에 에어를 분출하고, 상기 평면 상을 부상해서 주행하는 것이다. 수평한 면에는 미립자의 먼지 등이 퇴적하기 쉽기 때문에, 상술한 바와 같은 에어 분출에 의한 「감아올림」이 특히 생기기 쉽다. 미립자의 감아올림은 처리 대상인 반도체 제품의 성능에 악영향을 주어 버린다. 반도체 제조가 요구하는 청정도는 반도체 성능의 고도화에 따라 보다 높은 것이 요구되고 있다. 특히, 레이저 조사에 의해 어닐 처리를 하는 반도체 제조장치에서는 미립 분진이 반도체의 용융, 응고와 함께 반도체에 도입되어 반도체의 품질을 저하시킨다. 따라서, 상술한 바와 같은 미립자의 감아올림은 최대한 배제하는 것이 요구되고 있다.However, the slide mechanism by air support is a slide mechanism without mechanical contact. Therefore, there is no oscillation from the mechanism itself due to air support. However, if fine particles are present in the vicinity of the surface of the air supporting mechanism or in the vicinity of the air support, there is a problem that the fine particles are wound up by the jetting gas. Particularly, a floating air pad included in the slide mechanism ejects air onto a horizontal plane such as a granite or a guide, and floats on the plane. Dust and the like of fine particles are liable to deposit on the horizontal surface, so that the " winding up " The winding up of the fine particles adversely affects the performance of the semiconductor product to be treated. The degree of cleanliness required by semiconductor manufacturing is required to be higher as the semiconductor performance becomes higher. Particularly, in a semiconductor manufacturing apparatus that performs an annealing process by laser irradiation, fine dust particles are introduced into a semiconductor with melting and solidification of the semiconductor, thereby deteriorating the quality of the semiconductor. Therefore, it is required that the above-mentioned winding up of the fine particles is excluded as much as possible.

특허문헌 1에서는, 구름 베어링에서 발생하는 미립자를 배출하도록 구성되어 있지만, 구름 베어링에서 발생한 미립자가 베어링 내에 체류하면서 이동함으로써 가이드 봉에 형성된 미립자 배출구로부터 미립자가 흡수·배출된다. 이 때문에 미립자의 흡수·배출 효율이 충분하지는 않다. 또한, 에어를 분출함으로써 에어 패드 근방에서 발생하는 미립의 분진은 에어 패드 근방에 체류해서 에어 패드와 함께 이동하는 것이 아니라 분위기 중에 확산되므로, 특허문헌 1에 나타내지는 구성에서는 에어 패드에서 발생하는 미립의 분진을 효과적으로 흡수, 배출을 할 수는 없다.In Patent Document 1, the fine particles generated in the rolling bearing are discharged, but the fine particles generated in the rolling bearing move while staying in the bearing, so that the fine particles are absorbed and discharged from the fine particle discharge port formed in the guide rod. Therefore, the absorption and discharge efficiency of the fine particles is not sufficient. In addition, since the fine dust generated in the vicinity of the air pad by jetting the air stays in the vicinity of the air pad and does not move with the air pad but diffuses into the atmosphere, in the structure shown in Patent Document 1, Dust can not be effectively absorbed and discharged.

본 발명은 상기 사정을 배경으로 해서 이루어진 것으로서, 에어 지지부 근방에서 발생하는 미립자의 분진을 효과적으로 분위기 밖으로 배출할 수 있는 이동 스테이지를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a moving stage capable of effectively discharging dust of fine particles generated in the vicinity of an air supporting portion to the outside of the atmosphere.

즉, 본 발명의 이동 스테이지 중 제 1 본 발명은 조정된 분위기 하에서 피처리체의 처리를 행하는 처리실 내에 설치되는 이동 스테이지에 있어서, That is, the first stage of the moving stage of the present invention is a moving stage provided in a treatment chamber for treating an object to be treated in an adjusted atmosphere,

상기 피처리체가 배치되는 스테이지 본체와, A stage body on which the object to be processed is placed,

상기 스테이지 본체를 가스압에 의해 비접촉으로 지지하는 가스 지지부와, A gas supporter for supporting the stage main body in a noncontact manner by gas pressure;

상기 처리실 내로부터 분위기 조정용 가스를 흡인하는 수단을 갖고, And means for sucking the atmosphere adjusting gas from the inside of the treatment chamber,

상기 가스 지지부는 적어도 상기 처리실의 가로면 또는/및 세로면에 면해서 상기 면에 가스가 분출되는 1개 또는 복수개의 가스 패드를 갖고, Wherein the gas supporting portion has one or a plurality of gas pads through which gas is ejected on at least a side surface and / or a longitudinal side of the processing chamber,

상기 가스 패드의 주위에 미립 분진 흡인구가 형성되며, 상기 미립 분진 흡인구에 연통해서 상기 처리실 밖으로 신장되는 흡인가스 배기라인이 설치되어 있으며, 상기 미립 분진 흡인구의 가스 총 흡인량과 상기 가스 지지부의 가스 분출 총량의 차분이 소정량 범위로 조정되어 있고, A suction gas exhaust line extending around the gas pads and having a particulate dust suction port formed therein and extending to the particulate suction port and extending out of the treatment chamber is provided and the total gas suction amount of the particulate dust suction port, The difference of the total amount of gas ejection is adjusted to the predetermined amount range,

상기 차분은 상기 수단에 의한 가스 흡인량에 상응하도록 설정되어 있는 것을 특징으로 한다.And the difference is set to correspond to an amount of gas sucked by the means.

제 2 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1 본 발명에 있어서, 상기 가스 지지부가 상기 스테이지 본체에 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.The moving stage of the second invention is characterized in that, in the first aspect of the present invention, the gas supporting portion is provided in the stage main body.

제 3 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1 또는 제 2 본 발명에 있어서, 상기 가스 지지부가 상기 스테이지 본체를 안내하는 가이드에 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.The moving stage of the third aspect of the present invention is characterized in that, in the first or second aspect of the present invention, the gas supporting portion is provided in a guide for guiding the stage main body.

제 4 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1∼제 3 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 미립 분진 흡인구는 상기 가스 패드의 주위를 따라 복수개가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.The moving stage of the fourth invention of the present invention is characterized in that a plurality of the particulate dust suction ports are formed along the periphery of the gas pads in any one of the first to third aspects of the present invention.

제 5 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1∼제 4 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 미립 분진 흡인구는 상기 가스 패드의 주위 전체에 걸쳐서 연속한 개구를 갖는 것을 특징으로 한다.The moving stage of the fifth invention is characterized in that, in any one of the first to fourth aspects of the present invention, the particulate dust suction port has a continuous opening over the entire circumference of the gas pad.

제 6 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1∼제 5 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 미립 분진 흡인구는 100㎜ 이하의 범위에서 상기 가스 패드의 분출 끝면보다 분출 방향 후방에 위치하고 있는 것을 특징으로 한다.The moving stage according to the sixth aspect of the present invention is the moving stage according to any one of the first to fifth aspects of the present invention, wherein the particulate dust suction port is positioned behind the spraying end face of the gas pad in the spray direction in a range of 100 mm or less .

제 7 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1∼제 6 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 가스 패드를 둘러싸고 가스 패드의 둘레 가장자리를 대략 따르는 외측 가장자리를 갖는 패드 커버를 갖고, 그 패드 커버에 상기 미립 분진 흡인구를 가지며, 그 패드 커버 내 공간을 통해서 상기 미립 분진 흡인구와 상기 흡인가스 배기라인이 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.A moving stage according to a seventh aspect of the present invention is the moving stage according to any one of the first to sixth aspects of the present invention, wherein the movable stage has a pad cover surrounding the gas pad and having an outer edge that substantially follows the peripheral edge of the gas pad, And the particulate dust suction port and the suction gas exhaust line are connected through a space in the pad cover.

제 8 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 7 본 발명에 있어서, 상기 미립 분진 흡인구는 상기 패드 커버와 상기 가스 패드 사이의 간극에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.The moving stage of the eighth invention of the present invention is characterized in that the fine dust suction port is formed by a gap between the pad cover and the gas pad in the seventh invention.

제 9 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 8 본 발명에 있어서, 상기 간극의 크기가 100㎜ 이하의 범위 내인 것을 특징으로 한다.The moving stage of the ninth aspect of the present invention is characterized in that the size of the gap is within a range of 100 mm or less in the eighth aspect of the present invention.

제 10 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1∼제 9 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 가스 지지부는 상기 스테이지 본체를 축부에 대하여 비접촉으로 지지하는 가스 베어링을 갖는 것을 특징으로 한다.The moving stage according to a tenth aspect of the present invention is the moving stage according to any one of the first to ninth aspects of the present invention, wherein the gas supporter has a gas bearing for supporting the stage main body in a noncontact manner.

제 11 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1∼제 10 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 반도체를 피처리체로 하는 반도체 제조 처리실 내에 설치되는 것을 특징으로 한다. The moving stage of the eleventh invention of the present invention is characterized in that the moving stage is provided in a semiconductor manufacturing processing chamber having a semiconductor as an object to be processed in any one of the first to tenth inventions.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의하면 가스 패드의 주위에 배치한 미립 분진 흡인구에 의해 가스 패드로부터 분출된 가스에 의해 발생하는 미립 분진이 효과적으로 흡인되고, 처리실 밖으로 배출되어 피처리체에 대한 미립 분진에 의한 폐해를 회피할 수 있다. 또한, 이동 스테이지가 반복 이동함으로써 분출 근방에 있는 미립 분진이 제거되어 처리실 내를 청정하게 하는 효과도 있다.According to the present invention, the particulate dust generated by the gas ejected from the gas pad is effectively sucked by the particulate dust suction port disposed around the gas pad, and is discharged to the outside of the process chamber to avoid adverse effects due to particulate dust on the subject . Further, there is also an effect that the moving stage is moved repeatedly to remove particulate dust in the vicinity of the ejection, thereby purifying the inside of the processing chamber.

도 1은 본 발명의 일실시형태의 이동 스테이지를 구비하는 반도체 제조장치를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일실시형태의 이동 스테이지의 가스 패드를 구비하는 일부 구성을 나타내는 개략도이다.
도 3은 실시형태의 가스 패드와 패드 커버를 확대해서 나타내는 도면(a)과, 종래의 가스 패드를 나타내는 도면(b)과, 실시형태의 가스 패드와 패드 커버의 측면을 나타내는 간략한 도면(c)과, 실시형태의 가스 패드와 패드 커버의 저면을 나타내는 간략한 도면(d)이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태의 가스 패드와 미립 분진 흡인구를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시형태의 가스 패드와 미립 분진 흡인구를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시형태의 가스 패드와 미립 분진 흡인구를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시형태의 가스 패드와 미립 분진 흡인구를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시형태의 가스 패드와 미립 분진 흡인구를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시형태의 가스 패드와 미립 분진 흡인구를 나타내는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view showing a semiconductor manufacturing apparatus having a moving stage according to an embodiment of the present invention; FIG.
Fig. 2 is a schematic view showing a partial configuration including a gas pad of a moving stage according to an embodiment of the present invention; Fig.
Fig. 3 is an enlarged view of a gas pad and a pad cover of the embodiment, Fig. 4 (b) showing a conventional gas pad, and a simplified view (c) showing a side surface of the gas pad and pad cover according to the embodiment. (D) showing a bottom surface of the gas pad and the pad cover according to the embodiment.
4 is a view showing a gas pad and a particulate dust suction port according to another embodiment of the present invention.
5 is a view showing a gas pad and a particulate dust suction port according to still another embodiment of the present invention.
6 is a view showing a gas pad and a particulate dust suction port according to still another embodiment of the present invention.
7 is a view showing a gas pad and a particulate dust suction port according to still another embodiment of the present invention.
8 is a view showing a gas pad and a particulate dust suction port according to still another embodiment of the present invention.
9 is a view showing a gas pad and a particulate dust suction port according to still another embodiment of the present invention.

이하에, 본 발명의 일실시형태의 이동 스테이지에 대해서 첨부 도면에 의거하여 설명한다.Hereinafter, a moving stage according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

반도체 제조장치(1)는 피처리체인 반도체 기판(100)에 레이저광을 상대적으로 주사하면서 조사해서 어닐 처리가 된 반도체를 얻는 것이다. 어닐 처리는, 예를 들면 비정질 반도체의 결정화나, 반도체의 불순물 활성화 처리 등을 목적으로 한다.The semiconductor manufacturing apparatus 1 irradiates the semiconductor substrate 100, which is the target to be processed, with laser light relatively to obtain a semiconductor subjected to annealing. The annealing process is aimed at, for example, crystallization of an amorphous semiconductor or impurity activation treatment of a semiconductor.

반도체 제조장치(1)는 밀폐된 처리실(2)을 구비하고 있고, 처리실(2)은 불활성 가스 등의 적당한 분위기로 조정된다. 본 발명으로서는 분위기의 내용이 특별하게 한정되는 것은 아니고, 불활성 가스 분위기, 진공 분위기, 온도나 습도의 조정이 이루어진 것이 예시된다. 또한, 분위기 조정을 행하는 수단은 기지의 것으로 구성할 수 있고, 이 실시형태에서는 설명 및 도시를 생략하고 있다. 처리실(2)의 정반(20)은 화강암으로 구성되어 있고, 정반(20)의 상면이 바닥면으로 된다.The semiconductor manufacturing apparatus 1 is provided with a closed processing chamber 2, and the processing chamber 2 is adjusted to an appropriate atmosphere such as an inert gas. The content of the atmosphere in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include an adjustment of an inert gas atmosphere, a vacuum atmosphere, temperature, and humidity. The means for performing the atmosphere adjustment may be a known one, and explanations and illustrations thereof are omitted in this embodiment. The surface plate 20 of the treatment chamber 2 is made of granite and the upper surface of the surface plate 20 is the bottom surface.

처리실(2) 내에는 X축 가이드(10, 10)가 양측에 평행하게 배치되어 있고, 그 X축 가이드(10, 10) 사이에 Y축 가이드(11)가 도시하지 않은 가스 베어링에 의해 X축 방향으로 이동 가능하게 가설되어 있다.The X-axis guides 10 and 10 are arranged in parallel on both sides in the processing chamber 2. A Y-axis guide 11 is interposed between the X-axis guides 10 and 10 by a gas bearing As shown in Fig.

Y축 가이드(11)에는 이동 스테이지(3)가 가스 베어링에 의한 에어 슬라이드 베어링(31)에 의해 이동 가능하게 설치되어 있다. 이동 스테이지(3)는 반도체 기판(100)을 적재하는 스테이지 본체(30)를 갖고 있고, 스테이지 본체(30)는 상부측에 적재대(32)를 갖고, 그 적재대(32)에 반도체 기판(100)을 승강 가능하게 하는 기구가 설치되어 있다.In the Y-axis guide 11, the movable stage 3 is provided movably by an air slide bearing 31 made of a gas bearing. The movable stage 3 has a stage main body 30 for mounting a semiconductor substrate 100. The stage main body 30 has a stacking table 32 on its upper side and a semiconductor substrate 100 are provided for elevating and lowering.

스테이지 본체(30)는 그 하면측에 Y축 방향의 양측과, Y축 가이드(11)를 사이에 둔 양측의 4개소에, 하부 프레임(33)을 통해서 각각 가스 패드(35)가 부착되어 있다.A gas pad 35 is attached to the stage main body 30 through the lower frame 33 at four positions on both sides in the Y-axis direction of the stage main body 30 and on both sides of the Y-axis guide 11 .

가스 패드(35)는 하면측에 가스 분출부(도시하지 않음)를 갖고, 가스 분사부에 연통하는 가스 공급관(36)이 접속되어 있다. 가스 분사부로서는, 예를 들면 오리피스형이나 크로스형 등을 들 수 있다. 본 실시형태로서는 가스 분사부가 특정한 구조에 한정되는 것은 아니고, 기지의 구성을 사용할 수 있다. 가스 공급관(36)은 처리실(2)의 외부 등에 설치한 도시하지 않은 가스 공급부에 접속된다. 가스 공급부, 가스 공급관(36)을 통해서 가스 패드(35)의 가스 분사부에 가스가 공급되고, 이 가스가 가스 분사부를 통해서 가스 패드(35)의 하면으로부터 분사됨으로써 스테이지 본체(30)를 정반(20)의 상면에 대하여 부상시킬 수 있다. 정반(20)의 상면은 본 발명의 가로면에 상당한다. 또한, 이 실시형태에서는 가스 패드(35)의 형상을 저면으로부터 볼 때 원형상의 것으로 했지만, 본 발명으로서는 가스 패드(35)의 형상이 특정한 것에 한정되는 것은 아니다.The gas pad 35 has a gas ejection portion (not shown) on the lower surface side, and a gas supply pipe 36 communicating with the gas ejection portion is connected. Examples of the gas injection portion include an orifice type and a cross type. In the present embodiment, the gas injection portion is not limited to a specific structure, and a known structure can be used. The gas supply pipe 36 is connected to a gas supply unit (not shown) provided outside the process chamber 2. The gas is supplied to the gas injection portion of the gas pad 35 through the gas supply portion and the gas supply pipe 36. The gas is injected from the lower surface of the gas pad 35 through the gas injection portion, 20). The upper surface of the surface plate 20 corresponds to the lateral surface of the present invention. In this embodiment, the shape of the gas pad 35 is circular when viewed from the bottom, but the shape of the gas pad 35 is not limited to a specific shape in the present invention.

또한, 이 실시형태에서는 가스 패드(35)의 하면이 정반(20)에 면하고 있는 것으로서 설명을 하고 있지만, 가스 패드(35)의 하면이 정반(20)이 아니라 가이드면 등의 가로면에 면하도록 배치되는 것이라도 좋다.In this embodiment, the lower surface of the gas pad 35 faces the surface plate 20. However, the lower surface of the gas pad 35 is not a surface plate 20 but a surface Or the like.

또한, 이 실시형태에서는 가스 패드(35)가 스테이지 본체(30)에 부착되어 있는 것으로서 설명을 하고 있지만, 가스 패드(35)가 스테이지 본체(30)에 다른 가스 지지부를 통해서 연결되고, 스테이지 본체(30)와 연동 가능한 부재, 예를 들면 가이드 등에 설치되어 있는 것이라도 좋다. Although the gas pads 35 are attached to the stage main body 30 in this embodiment, the gas pads 35 are connected to the stage main body 30 through other gas supporting portions, 30, for example, a guide or the like.

가스 패드(35)로부터의 가스 분출에 의해 가스 부상하는 스테이지 본체(30)는, 비접촉의 상태에서 가스 지지되어서 도시하지 않은 구동부(예를 들면, 리니어 모터 등)에 의해 Y축 가이드(11)를 따라 Y축 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 스테이지 본체(30)는 Y축 가이드(11)와 함께 비접촉의 상태에서 가스 지지되어서, 도시하지 않은 구동부(예를 들면, 리니어 모터 등)에 의해 X축 가이드(10)를 따라 X축 방향으로 이동할 수 있다.The stage main body 30 which is floated by the gas ejection from the gas pad 35 is supported by a gas in a noncontact state so that the Y axis guide 11 is moved by a driving unit (not shown) It can move in the Y-axis direction. The stage main body 30 is supported by a gas in a noncontact state together with the Y axis guide 11 and is moved in the X axis direction along the X axis guide 10 by a drive unit (for example, a linear motor or the like) . &Lt; / RTI >

따라서, X축 가이드(10)에 대한 Y축 가이드(11)의 가스 베어링, Y축 가이드(11)에 있어서의 가스 슬라이드 베어링(31)은 가스 패드(35)와 함께 본 발명의 가스 지지부를 구성한다. 또한, 가스 지지부에 사용하는 가스의 종별은 본 발명으로서는 특별하게 한정되는 것은 아니고, 적합하게는 분위기 가스를 사용할 수 있다.Therefore, the gas bearing of the Y-axis guide 11 with respect to the X-axis guide 10 and the gas slide bearing 31 of the Y-axis guide 11 constitute the gas supporting portion of the present invention together with the gas pad 35 do. The kind of the gas used in the gas supporter is not particularly limited to the present invention, but an atmosphere gas can be preferably used.

또한, 가스 패드(35)의 주위에는 도 2, 도 3(a)에 나타낸 바와 같이 미립 분진 흡인구가 형성되어 있다(도 1에서는 생략하고 있다). 이하, 설명한다.In addition, a particulate dust suction port is formed around the gas pad 35 as shown in Figs. 2 and 3A (not shown in Fig. 1). This will be described below.

또한, 도 3(b)은 종래의 가스 패드(35)를 나타내는 것이며, 미립 분진 흡인구는 형성되어 있지 않다.3 (b) shows a conventional gas pad 35, and a particulate dust suction port is not formed.

본 실시형태에서는 가스 패드(35)를 덮는 패드 커버(40)가 설치되어 있다. 패드 커버(40)는 가스 패드(35)의 상부 및 둘레측부를 덮는 것이다. 패드 커버(40)에는 흡인가스 배기관(41)이 접속되어 있고, 패드 커버(40) 내의 가스를 흡인가스 배기관(41)을 통해서 흡인해 배기할 수 있다. 흡인가스 배기관(41)은 그대로, 또는 다른 배기로 등을 통해서 처리실(2) 밖으로 신장되어 있고, 적당한 흡인 구동부에 접속된다. 흡인 구동부는 본 발명으로서는 특정한 구성에 한정되는 것은 아니고, 진공 펌프나 공장 내의 흡인라인 등을 이용하는 것이라도 좋다. 흡인가스 배기관은 본 발명의 흡인가스 배기라인에 상당한다.In this embodiment, a pad cover 40 for covering the gas pad 35 is provided. The pad cover 40 covers the upper and peripheral sides of the gas pad 35. A suction gas exhaust pipe (41) is connected to the pad cover (40), and the gas in the pad cover (40) can be sucked and exhausted through the suction gas exhaust pipe (41). The suction gas exhaust pipe 41 is extended as it is or out of the treatment chamber 2 through another exhaust passage and connected to a suitable suction drive unit. The suction drive unit is not limited to a specific configuration in the present invention, and may be a vacuum pump, a suction line in a factory, or the like. The suction gas exhaust pipe corresponds to the suction gas exhaust line of the present invention.

패드 커버(40)는 가스 패드(35)의 둘레 가장자리를 따른 외측 가장자리를 갖고 있고, 또한 가스 패드(35)보다 외측 가장자리가 외측에 위치하고 있다. 이 형태에서는 패드 커버(40)는 저면이 개구되고, 상부가 폐쇄된 원통 용기 형상을 갖고 있다. 이것에 의해 가스 패드(35)의 외면과 패드 커버(40)의 하단측 내면 사이에 링 형상의 간극이 형성된다. 이 간극이 미립 분진 흡인구(42)를 구성한다.The pad cover 40 has an outer edge along the peripheral edge of the gas pad 35, and an outer edge of the pad pad 40 is located outside the gas pad 35. [ In this embodiment, the pad cover 40 has a cylindrical container shape with its bottom open and its top closed. As a result, a ring-shaped gap is formed between the outer surface of the gas pad 35 and the inner surface of the lower end of the pad cover 40. This gap constitutes the particulate dust suction port 42.

또한, 패드 커버(40)의 하단은 도 3(c)에 나타내는 바와 같이 가스 패드(35)의 하단보다 약간 상측에 위치하고 있는 것이 바람직하다. 이것은 가스 패드(35)가 정반(20)에 설치되었을 때에 패드 커버(40)가 정반(20)에 접촉해서 손상을 주는 것을 회피하기 위해서이다. 정반(20)은 정밀한 평면도를 갖도록 제조되어 있고, 손상의 발생은 제조장치로서의 기능을 손상할 우려가 있다.The lower end of the pad cover 40 is preferably located slightly above the lower end of the gas pad 35 as shown in Fig. 3 (c). This is to prevent the pad cover 40 from coming into contact with the platen 20 and damaging it when the gas pad 35 is installed on the platen 20. The base 20 is manufactured to have a precise flatness, and the occurrence of damage may deteriorate the function as a manufacturing apparatus.

패드 커버(40)의 하단면과 가스 패드(35)의 하단의 높이의 차(ΔH)는, 본 발명으로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 이 실시형태에서는 100㎜ 이하의 범위를 나타낼 수 있다. 높이의 차가 작으면 가스 패드(35)가 정반(20)에 설치되었을 때에 접촉할 우려가 있다. 한편, 너무 높이의 차가 크면 가스 패드(35)의 하면으로부터 누출되는 가스를 효과적으로 흡인하는 작용이 감소하고, 따라서 가스 분사에 의해 발생하는 미립 분진의 흡인 효율이 저하한다. 또한, 분출면에 보다 가까운 위치에서 흡인한다고 하는 점에서는 상기 ΔH를 10㎜ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.The difference? H between the lower end surface of the pad cover 40 and the height of the lower end of the gas pad 35 is not particularly limited to the present invention, but may be, for example, 100 mm or less in this embodiment . If the height difference is small, there is a fear that the gas pads 35 are brought into contact when the gas pads 35 are installed on the base 20. On the other hand, if the height difference is large, the effect of effectively sucking the gas leaking from the lower surface of the gas pad 35 decreases, and the suction efficiency of the fine dust generated by the gas injection is lowered. Further, it is more preferable to set the above-mentioned? H to 10 mm or less in terms of suctioning at a position closer to the ejection surface.

또한, 패드 커버(40)는 도 3의 (c), (d)에 나타내는 바와 같이, 가스 패드(35)의 둘레 가장자리보다 큰 외측 가장자리를 갖고, 그 결과 간극(G)의 미립 분진 흡인구(42)가 형성된다. 이 간극(G)이 작으면 상기 미립 분진이 가스 패드(35)의 외측으로 확산했을 때에 흡인 효율이 충분하지 않게 된다. 한편, 상기 간극이 크면 흡인 압력이 충분하게 얻어지지 않아 미립 분진의 흡인 효율이 저하한다. 이들 관점으로부터 패드 커버(40)와 가스 패드(35)의 면방향의 간극(G)은 100㎜ 이하의 범위가 바람직하다. 단, 본 발명으로서는 그 간격량이 특정한 범위에 한정되는 것은 아니다. 간극(G)을 작게 해서 흡인 속도를 높이고 싶은 경우에는 간극(G)을 50㎜ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다. 3 (c) and 3 (d), the pad cover 40 has an outer edge larger than the peripheral edge of the gas pad 35, and as a result, the particulate dust suction port 42 are formed. If the gap G is small, the suction efficiency becomes insufficient when the fine dust diffuses to the outside of the gas pad 35. On the other hand, if the gap is large, the suction pressure is not sufficiently obtained, and the suction efficiency of the fine dust decreases. From these viewpoints, the gap G in the plane direction of the pad cover 40 and the gas pad 35 is preferably within a range of 100 mm or less. However, in the present invention, the interval amount is not limited to a specific range. When it is desired to reduce the gap G and increase the suction speed, it is more preferable that the gap G is 50 mm or less.

이동 스테이지(3)는 상기한 바와 같이 가스 공급관(36)으로부터 가스를 공급해서 가스 패드(35)의 하면으로부터 가스를 분사함으로써 가스 패드(35)를 정반(20)에 대하여 부상시킨다. 이것에 의해 스테이지 본체(30)가 정반(20)에 대하여 부상한다. 또한, 가스 슬라이드 베어링(31)에 가스를 공급해서 가스 베어링에 의해 비접촉으로 이동 스테이지(3)를 축지지한다. 이 상태에서 리니어 모터 등에 의해 스테이지 본체(30)를 Y축 가이드(11)를 따라 비접촉으로 지지하면서 Y축 방향으로 이동시킬 수 있다. 이동 속도는 특별하게 한정되지 않지만, 예를 들면 레이저 어닐 처리에서는 3∼50㎜/초의 이동 속도가 주어진다.The moving stage 3 floats the gas pad 35 against the surface plate 20 by supplying gas from the gas supply pipe 36 and injecting gas from the lower surface of the gas pad 35 as described above. As a result, the stage main body 30 floats against the base 20. In addition, gas is supplied to the gas slide bearing 31 to support the movable stage 3 in a noncontact manner by the gas bearing. In this state, the stage main body 30 can be moved in the Y-axis direction while supporting the stage main body 30 along the Y-axis guide 11 in a noncontact manner by a linear motor or the like. Although the moving speed is not particularly limited, for example, in the laser annealing process, a moving speed of 3 to 50 mm / sec is given.

X축 방향으로 이동시킬 때에는 마찬가지로 가스 패드(35)에 의해 스테이지 본체(30)를 부상시킴과 아울러, Y축 가이드(11)를 에어 베어링에 의해 비접촉으로 지지하고, 리니어 모터 등에 의해 이동 스테이지(3)를 Y축 가이드(11)와 함께 X축 방향으로 이동시킬 수 있다.The stage body 30 is floated by the gas pad 35 and the Y-axis guide 11 is supported in a noncontact manner by an air bearing, and the movable stage 3 Axis direction with the Y-axis guide 11 in the X-axis direction.

또한, 상기 X축 방향 또는 Y축 방향의 이동시에는 흡인가스 배기관(41)을 통해서 패드 커버(40) 내의 가스를 흡인하여 처리실(2) 밖으로 배출한다. 정반(20) 상에는, 도 3(a)에 나타낸 바와 같이 미립 분진(50)이 체류하고 있다. 이 상면에서 가스 패드(35)가 이동하면, 가스 패드(35)로부터 분사되는 가스에 의해 가스 패드(35) 하방의 미립 분진(50)이 감겨올라간다. 단, 감겨올라간 미립 분진(50)은 미립 분진 흡인구(42)로부터 흡인되어서 패드 커버(40) 내에 도입되고, 또한 흡인가스 배기관(41)에 의해 흡인되기 때문에, 즉시 또한 효율적으로 미립 분진(50)을 흡인해서 처리실(2) 밖으로 배기할 수 있고, 처리실(2) 내의 분위기 중에 미립 분진(50)이 감도는 것을 방지할 수 있다.When moving in the X-axis direction or the Y-axis direction, the gas in the pad cover 40 is sucked through the suction gas exhaust pipe 41 and discharged to the outside of the process chamber 2. On the surface plate 20, as shown in Fig. 3 (A), fine dust 50 is retained. When the gas pad 35 moves on this upper surface, the particulate dust 50 under the gas pad 35 is wound up by the gas injected from the gas pad 35. However, since the particulate dust 50 wound up is sucked from the particulate dust suction port 42 and introduced into the pad cover 40 and sucked by the suction gas exhaust pipe 41, the particulate dust 50 So that it is possible to prevent the particulate dust 50 from being sensitized in the atmosphere in the treatment chamber 2. [

또한, 이동 스테이지(3)의 이동을 반복하면 정반(20) 상에 체류하는 미립 분진(50)의 양을 점차로 저감시키는 것도 가능하다.It is also possible to gradually reduce the amount of the fine dust 50 staying on the surface plate 20 by repeating the movement of the moving stage 3.

상기한 가스 패드(35)에 있어서의 가스 분출량과 미립 분진 흡인구(42)에 있어서의 가스 흡인량은 단위시간당으로 동등하게 해도 좋고, 또한 어느 하나의 양을 많게 해도 좋지만, 그 차가 소정의 범위 내가 되도록 조정하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 처리실(2) 내의 분위기에 주는 영향을 작게 할 수 있다. 또한, 분위기 조정용의 가스 흡인을 별도 가질 경우에는, 그 가스 흡인량에 알맞도록 가스 패드(35)에 있어서의 가스 분출량과 미립 분진 흡인구(42)에 있어서의 가스 흡인량의 차분을 소정 범위 내에 수용하는 것이 바람직하다.The amount of gas ejected in the gas pad 35 and the amount of gas sucked in the particulate dust suction port 42 may be equal to each other or may be increased in any one time, It is preferable to adjust it so as to be in the range. Thus, the effect on the atmosphere in the processing chamber 2 can be reduced. When the gas suction for controlling the atmosphere is to be separately provided, the difference between the gas ejection amount in the gas pad 35 and the gas suction amount in the particulate suction port 42 is set to a predetermined range .

상기 실시형태에서는 가스 패드(35)를 덮는 패드 커버(40)를 설치했지만, 패드 커버(40)를 설치하지 않고 미립 분진의 흡인·배출을 행하는 것도 가능하다.Although the pad cover 40 for covering the gas pad 35 is provided in the above embodiment, it is also possible to suck and discharge the fine dust without installing the pad cover 40.

도 4는 가스 패드(35)의 주위 근방에 미립 분진 흡인구(42)를 갖는 흡인가스 배기관(43)을 설치한 것이다. 미립 분진 흡인구(42)는 가스 패드(35)의 외주 가장자리 저부의 약간 외측을 향하고 있다. 흡인가스 배기관(43)은 가스 패드(35)와 함께 이동하기 때문에 가스 패드(35)와 미립 분진 흡인구(42)의 위치 관계는 바뀌지 않는다. Fig. 4 shows a suction gas exhaust pipe 43 having a particulate dust suction port 42 provided near the gas pad 35. As shown in Fig. The particulate dust suction port 42 is directed slightly outward of the bottom of the outer periphery of the gas pad 35. Since the suction gas exhaust pipe 43 moves together with the gas pad 35, the positional relationship between the gas pad 35 and the particulate dust suction port 42 is not changed.

미립 분진 흡인구(42)는, 도 4에 나타낸 바와 같이 1개를 배치해도 좋고, 또한, 도 5에 나타낸 바와 같이 가스 패드(35)의 주위에 복수개의 미립 분진 흡인구(42)를 배치해도 좋다. 복수개의 미립 분진 흡인구(42)를 배치할 경우, 둘레 방향에 있어서 등간격으로 배치할 수 있고, 또한 둘레 방향 위치에 있어서의 감아올림의 정도를 고려하여 감아올림이 현저한 방향으로 수많이 배치하는 등, 편재시켜서 배치해도 좋다.As shown in Fig. 5, a plurality of fine dust suction ports 42 may be disposed around the gas pads 35 as shown in Fig. 5 good. When a plurality of fine dust suction ports 42 are arranged, they can be arranged at regular intervals in the circumferential direction, and a large number of small dust suction ports 42 are arranged in a direction in which the winding up is remarkable in consideration of the degree of winding up in the circumferential position Or the like.

또한, 미립 분진 흡인구의 형상은 본 발명으로서는 특별히 한정되는 것은 아니다.The shape of the particulate dust suction port is not particularly limited in the present invention.

도 6은 슬릿 형상의 미립 분진 흡인구(44)를 갖는 노즐 형상의 흡인부(45)를 갖는 형태를 나타내는 것이다. 미립 분진 흡인구(44)는 가스 패드(35)의 외주 가장자리 저부의 약간 외측을 향하고 있다. 흡인부(45)에는 흡인가스 배기관(46)이 접속되고, 미립 분진 흡인구(44)를 통해서 가스 패드(35)의 주위에 감아올려진 미립 분진이 흡인, 배출된다. 흡인가스 배기관(46)은 가스 패드(35)와 함께 이동하여 가스 패드(35)와 미립 분진 흡인구(44)의 위치 관계는 바뀌지 않는다.Fig. 6 shows a shape having a nozzle-shaped suction portion 45 having a slit-shaped fine dust suction port 44. Fig. The particulate dust suction port 44 is directed slightly outward from the bottom of the outer peripheral edge of the gas pad 35. A suction gas exhaust pipe (46) is connected to the suction portion (45), and the particulate dust rolled up around the gas pad (35) is sucked and discharged through the particulate dust suction port (44). The suction gas exhaust pipe 46 moves together with the gas pad 35 so that the positional relationship between the gas pad 35 and the particulate dust suction port 44 is not changed.

또한, 슬릿 형상의 미립 분진 흡인구는 가스 패드(35)의 둘레 가장자리 형상을 따른 것으로 할 수 있다. 도 7(a)은 가스 패드(35)의 둘레 가장자리 형상을 따라서 복수의 슬릿 형상의 미립 분진 흡인구(47)를 배치한 것이며, 도 7(b)은 가스 패드(35)의 둘레 가장자리 형상을 따라 전체 둘레에 걸치는 슬릿 형상의 미립 분진 흡인구(48)를 배치한 것이다.In addition, the slit-like fine dust suction port may be formed along the periphery of the gas pad 35. 7A shows a state in which a plurality of slit-like fine dust suction ports 47 are arranged along the circumferential edge of the gas pad 35. FIG. 7B shows a circumferential edge shape of the gas pad 35 And a slit-like fine dust suction port 48 extending over the entire circumference is disposed.

상기 실시형태에서는 처리실(2)의 가로면(상기에서는 정반(20) 상면의 수평면)에 대하여, 가스 패드(35)의 가스 분사면을 하면으로 해서 가스 지지하는 것에 대하여 설명했지만, 처리실(2)의 세로면에 대하여 가스 지지하는 가스 패드에 있어서도 미립 분진 흡인구를 형성하여 가스 분사에 의해 감아올려지는 미립 분진을 흡인해서 처리실(2) 밖으로 배출하도록 하여도 좋다. 이 예를, 도 8, 도 9에 의거하여 설명한다. 또한, 처리실(2)의 가로면, 세로면은 수평 방향, 수직 방향에 대하여 경사져 있는 것이라도 좋다.The gas is supported by the gas spray surface of the gas pad 35 as a lower surface with respect to the horizontal surface of the treatment chamber 2 (the horizontal surface of the upper surface of the surface plate 20 in the above description) Even in the case of a gas pad supporting a gas against the longitudinal surface of the processing chamber 2, particulate dust sucked up by gas injection may be sucked and discharged out of the processing chamber 2. This example will be described with reference to Figs. 8 and 9. Fig. The horizontal and vertical surfaces of the processing chamber 2 may be inclined with respect to the horizontal direction and the vertical direction.

이 예에서는 가스를 분사해서 비접촉으로 가스 지지하는 가스 패드(37)가 분사면을 정반(20)에 형성한 측면(21)에 면해서 위치하고 있고, 그 분사면으로부터 측면(21) 방향으로 가스를 분사함으로써 가로 방향에 있어서 비접촉으로 가스 지지를 행할 수 있다. 이 경우, 가스 부상을 행하는 가스 패드 등의 가스 지지부를 갖는 것이라도 좋고, 상기 실시형태에서 설명한 가스 패드(35)를 구비하는 것도 가능하다.In this example, a gas pad 37 for spraying a gas and supporting the gas in a noncontact manner is positioned facing the side surface 21 formed with the spray surface on the surface plate 20, and the gas is discharged from the spray surface in the direction of the side surface 21 The gas can be supported in a noncontact manner in the transverse direction. In this case, it may be provided with a gas supporting portion such as a gas pad for gas rising, or it may be provided with the gas pad 35 described in the above embodiment.

도 8의 예에서는, 가스 패드(37)의 주위에 흡인가스 배기관(50)을 배치하고, 그 선단을 미립 분진 흡인구(51)로 한 것이다. 가스 패드(37)에는 가스 지지용으로 가스 공급관(38)이 접속되어 있다.In the example of Fig. 8, the suction gas exhaust pipe 50 is arranged around the gas pad 37, and the tip of the suction gas exhaust pipe 50 is the particulate dust suction port 51. A gas supply pipe 38 is connected to the gas pad 37 for gas support.

도 8에서는 1개의 미립 분진 흡인구(51)만을 나타내고 있지만, 복수개를 가스 패드(37)의 주위를 따라 배치할 수 있다. 또한, 복수개를 배치할 경우, 둘레 방향으로 등간격으로 배치해도 좋고, 방향에 따라서 미립 분진의 감아올림 정도가 다른 경우에는 배치 위치를 편재시켜도 좋다.8 shows only one particulate dust suction port 51, but a plurality of them can be arranged along the periphery of the gas pad 37. [ When a plurality of the dusts are arranged, they may be arranged at equal intervals in the circumferential direction. In a case where the degree of winding up of the fine dust is different according to the direction, the arrangement position may be deviated.

도 9의 예에서는, 가스 패드(37)의 주위에 패드 커버(52)를 배치한 것이다. 패드 커버(52)에는 흡인가스 배기관(53)이 접속되어 있고, 패드 커버(52) 내의 흡인이 가능하게 되고 있다. 흡인가스 배기관(53)은 직접 또는 다른 배기라인 등을 통해서 처리실(2)의 외부로 신장되어 있다. 흡인가스 배기관(53)은 본 발명의 흡인가스 배기라인에 상당한다.In the example of Fig. 9, the pad cover 52 is arranged around the gas pad 37. A suction gas exhaust pipe 53 is connected to the pad cover 52 so that suction can be performed in the pad cover 52. The suction gas exhaust pipe 53 is extended to the outside of the process chamber 2 directly or through another exhaust line or the like. The suction gas exhaust pipe 53 corresponds to the suction gas exhaust line of the present invention.

패드 커버(52)는 가스 패드(37)의 전체 둘레를 둘러싸고, 가스 패드(37)의 분사면보다 분사 방향으로 후방에 선단을 갖고 있다. 분사면과 패드 커버(37)의 선단 위치의 거리는 상기 패드 커버(40)와 마찬가지로 100㎜ 이하의 범위가 바람직하고, 10㎜ 이하가 더욱 바람직하다.The pad cover 52 surrounds the entire periphery of the gas pad 37 and has a tip at the rear in the spray direction than the spray surface of the gas pad 37. The distance between the spray surface and the tip end position of the pad cover 37 is preferably 100 mm or less, more preferably 10 mm or less, like the pad cover 40.

또한, 패드 커버(52)는 가스 패드(37)의 외측 가장자리보다 외측에 위치하고 있고, 그 간극에 의해 미립 분진 흡인구(54)가 구성되어 있다. 상기 간극의 크기는 상기 패드 커버(40)와 마찬가지로 100㎜ 이하의 범위가 바람직하고, 50㎜ 이하가 더욱 바람직하다.The pad cover 52 is located outside the outer edge of the gas pad 37, and the fine dust suction port 54 is formed by the gap. As in the case of the pad cover 40, the size of the gap is preferably 100 mm or less, more preferably 50 mm or less.

이상, 본 발명에 대해서 상기 실시형태에 의거하여 설명을 행했지만, 본 발명은 상기 실시형태의 설명에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 한은 적당한 변경이 가능하다.Although the present invention has been described based on the above embodiments, the present invention is not limited to the description of the above embodiments, and can be appropriately changed without departing from the scope of the present invention.

1 : 반도체 제조장치 2 : 처리실
3 : 이동 스테이지 30 : 스테이지 본체
31 : 가스 슬라이드 베어링 35 : 가스 패드
36 : 가스 공급관 37 :가스 패드
38 : 가스 공급관 40 : 패드 커버
41 : 흡인가스 배기관 42 : 미립 분진 흡인구
43 : 흡인가스 배기관 44 : 미립 분진 흡인구
45 : 흡인부 46 : 흡인가스 배기관
47 : 미립 분진 흡인구 48 : 미립 분진 흡인구
50 : 흡인가스 배기관 51 : 미립 분진 흡인구
52 : 패드 커버 53 : 흡인가스 배기관
54 : 미립 분진 흡인구1: semiconductor manufacturing apparatus 2: processing chamber
3: Moving stage 30: Stage body
31: gas slide bearing 35: gas pad
36: gas supply pipe 37: gas pad
38: gas supply pipe 40: pad cover
41: suction gas exhaust pipe 42: particulate dust suction port
43: suction gas exhaust pipe 44: particulate dust suction port
45: suction unit 46: suction gas exhaust pipe
47: particulate dust suction port 48: particulate dust suction port
50: suction gas exhaust pipe 51: particulate dust suction port
52: Pad cover 53: Suction gas exhaust pipe
54: particulate dust absorption population

Claims

In a moving stage provided in a treatment chamber for treating an object to be treated under an adjusted atmosphere,
A stage body on which the object to be processed is placed,
A gas supporter for supporting the stage main body in a noncontact manner by gas pressure;
And means for sucking the atmosphere adjusting gas from the inside of the treatment chamber,
Wherein the gas supporting portion has one or a plurality of gas pads through which gas is ejected on at least a side surface and / or a longitudinal side of the processing chamber,
A suction gas exhaust line extending around the gas pads and having a particulate dust suction port formed therein and extending to the particulate suction port and extending out of the treatment chamber is provided and the total gas suction amount of the particulate dust suction port, The difference of the total amount of gas ejection is adjusted to the predetermined amount range,
Wherein the difference is set to correspond to an amount of gas sucked by the means.

The method according to claim 1,
Wherein the gas supporting portion is provided on the stage main body.

The method according to claim 1,
And the gas supporting portion is provided on a guide for guiding the stage main body.

The method according to claim 1,
Wherein a plurality of the fine dust suction ports are formed along the periphery of the gas pads.

The method according to claim 1,
And the fine dust suction port has a continuous opening over the entire circumference of the gas pad.

The method according to claim 1,
Wherein the particulate dust suction port is located behind the spraying end face of the gas pad in the spray direction in a range of 100 mm or less.

The method according to claim 1,
And a pad cover surrounding the gas pad and having an outer edge substantially along a peripheral edge of the gas pad, the pad cover having the particulate dust suction port, the particulate dust suction port and the suction gas exhaust port Line is connected to the movable stage.

8. The method of claim 7,
Wherein the fine dust suction port is formed by a gap between the pad cover and the gas pad.

9. The method of claim 8,
And the size of the gap is within a range of 10 mm or less.

The method according to claim 1,
Wherein the gas supporting portion has a gas bearing for supporting the stage body in a noncontact manner with respect to the shaft portion.

11. The method according to any one of claims 1 to 10,
Characterized in that the moving stage is provided in a semiconductor manufacturing processing chamber in which a semiconductor is to be processed.